Книга
← К списку книгЗагрузка разделов…
активнаАктивные записи участвуют в каталоге и синках. Неактивная книга скрыта, но не удалена из базы.
Книга
СОЕДИНЕНИЯ А3В5
Справочник
Редактор издательства В. П. Молокова Художественный” редактор Ю. И. Смурыгин Технический редактор Г. Б. Жарова Корректоры Т. В. Чуприс, В. М. Гриднева
ШЗ Л -*2i
Сдано в набор 04.05.84 Формат бумаги 00X90716 Печать высокаяУсл.Тираж I860 экз.Сдано в набор 04.05.84 Формат бумаги 00X90716 Печать высокаяУсл.Тираж I860 экз.Подписано в печать 23.07.841 l'1^
Сдано в набор 04.05.84 Формат бумаги 00X90716 Печать высокаяУсл.
Тираж I860 экз.
Сдано в набор 04.05.84 Формат бумаги 00X90716 Печать высокаяУсл.
Тираж I860 экз.
Бумага типографская № 2Гарнитура литера!> р^
печ. л. 9,0 Усл. кр.-отт. 9,25Уч.-изд. л. П.
Зак. 196Цена 60 к.Изд. Л» |1П-
Ордена Трудового Красного Знамени издательство «Металлургия». 119857, ГСП, Москва, Г-34, 2-й Обыденский Пер., д. 14
Подольский филиал ПО «Периодика» Союзполиграфпрома при Государственном комитете СССР ио делам издательств, полиграфии и книжной торговли, 142110, г. Подольск, ул. Кирова, д. 25
2605000000—162 оо
С53—83
040(01)—84
@ Издательство «Металлургия», I-16
ОГЛАВЛЕНИЕОГЛАВЛЕНИЕПредисловие •о а 1 Свойства элементов Глав3Предисловие •о а 1 Свойства элементов Глав3электронной оболочки атомов, атомная масса, стабильные н их содержание в естественном элементе
ОГЛАВЛЕНИЕ
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие •
о а 1 Свойства элементов Глав3
Предисловие •
о а 1 Свойства элементов Глав3
1 Строение изотопы ]1 Строение изотопы ]т-тупаковки и координационные числа некоторых структур
1 Строение изотопы ]
1 Строение изотопы ]
9 ПЛОТНис in j
3 Электроотрицательность, потенциалы ионизации и электронное сродст-
во элементов
Плотность, атомный объем и число атомов в 1 см3 элементов в конденсированном состоянии
Теплоемкость, температуры плавления и кипения, iоплоты плавления и сублимации элементов
Энтропия газообразных элементов
Энтропия индивидуальных веществ
. Приведенный термодинамический потенциал
Коэффициенты уравнений 1g р для конденсированных фаз простых веществ в твердом и жидком состояниях
. Атомные и ионные радиусы
566111113162122242832566111113162122242832Диаграммы состояния в системах А3—В5 . Физические и физико-химические параметры соединений А365 . .Структура и некоторые структурные свойства соединений А3В5 . .Тетрагональные радиусы г и межатомные расстояния d в соединенияхА3В5Удельны?! молярный объем V и число атомов N в 1 см3Тепловые свойства соединений А3В5Расчетные уравнения теплоемкости соединений /РВ5Термодинамические константы соединений А3В5Термодинамические функции некоторых соединений А355. . . .Давление паров Параметры зонной структуры и оптические постоянныеУпругие постоянные некоторых соединений А^В^Значения подвижности носителей заряда в нелегированных соединепп ях А3В5Диаграммы состояния в системах А3—В5 . Физические и физико-химические параметры соединений А365 . .Структура и некоторые структурные свойства соединений А3В5 . .Тетрагональные радиусы г и межатомные расстояния d в соединенияхА3В5Удельны?! молярный объем V и число атомов N в 1 см3Тепловые свойства соединений А3В5Расчетные уравнения теплоемкости соединений /РВ5Термодинамические константы соединений А3В5Термодинамические функции некоторых соединений А355. . . .Давление паров Параметры зонной структуры и оптические постоянныеУпругие постоянные некоторых соединений А^В^Значения подвижности носителей заряда в нелегированных соединепп ях А3В51.2.3.1.2.3.лава III. Примеси в бинарных соединениях А3 В5лава III. Примеси в бинарных соединениях А3 В54.5.4.5.Энергия ионизации примесей в соединениях А3В^ редельная растворимость различных элементов в соединениях А3ВУ^еРа1УРныс зависимости растворимости элементов в соединенияхКоэффициенты распределения некоторых элементов в соединениях А3#5 м^^ПИЯ ^° Н ^^ Для коэффициентов самодиффузии и диффузии примесей в соединениях А'^Энергия ионизации примесей в соединениях А3В^ редельная растворимость различных элементов в соединениях А3ВУ^еРа1УРныс зависимости растворимости элементов в соединенияхКоэффициенты распределения некоторых элементов в соединениях А3#5 м^^ПИЯ ^° Н ^^ Для коэффициентов самодиффузии и диффузии примесей в соединениях А'^Глава IV. ТвердыеГлава IV. Твердые2.2.растворы соединений А3^5Диаграммы состоянияЛпХт^ запРсщенн0и зоны и периоды решетки твердых растворов параметры твердых растворов . . растворы соединений А3^5Диаграммы состоянияЛпХт^ запРсщенн0и зоны и периоды решетки твердых растворов параметры твердых растворов . . 40465052525254545457596161616364656568717172914046505252525454545759616161636465656871717291Глава II. Свойства соединений A3S5 40
5
6
6
11
11
13
16
21
22
24
28
32
5
6
6
11
11
13
16
21
22
24
28
32
Диаграммы состояния в системах А3—В5 .
Физические и физико-химические параметры соединений А365 . .
Структура и некоторые структурные свойства соединений А3В5 . .
Тетрагональные радиусы г и межатомные расстояния d в соединениях
А3В5
Удельны?! молярный объем V и число атомов N в 1 см3
Тепловые свойства соединений А3В5
Расчетные уравнения теплоемкости соединений /РВ5
Термодинамические константы соединений А3В5
Термодинамические функции некоторых соединений А355. . . .
Давление паров
Параметры зонной структуры и оптические постоянные
Упругие постоянные некоторых соединений А^В^
Значения подвижности носителей заряда в нелегированных соединепп ях А3В5
Диаграммы состояния в системах А3—В5 .
Физические и физико-химические параметры соединений А365 . .
Структура и некоторые структурные свойства соединений А3В5 . .
Тетрагональные радиусы г и межатомные расстояния d в соединениях
А3В5
Удельны?! молярный объем V и число атомов N в 1 см3
Тепловые свойства соединений А3В5
Расчетные уравнения теплоемкости соединений /РВ5
Термодинамические константы соединений А3В5
Термодинамические функции некоторых соединений А355. . . .
Давление паров
Параметры зонной структуры и оптические постоянные
Упругие постоянные некоторых соединений А^В^
Значения подвижности носителей заряда в нелегированных соединепп ях А3В5
1.
2.
3.
1.
2.
3.
лава III. Примеси в бинарных соединениях А3 В5
лава III. Примеси в бинарных соединениях А3 В5
4.
5.
4.
5.
Энергия ионизации примесей в соединениях А3В^ редельная растворимость различных элементов в соединениях А3В
У^еРа1УРныс зависимости растворимости элементов в соединениях
Коэффициенты распределения некоторых элементов в соединениях А3#5 м^^ПИЯ ^° Н ^^ Для коэффициентов самодиффузии и диффузии примесей в соединениях А'^
Энергия ионизации примесей в соединениях А3В^ редельная растворимость различных элементов в соединениях А3В
У^еРа1УРныс зависимости растворимости элементов в соединениях
Коэффициенты распределения некоторых элементов в соединениях А3#5 м^^ПИЯ ^° Н ^^ Для коэффициентов самодиффузии и диффузии примесей в соединениях А'^
Глава IV. Твердые
Глава IV. Твердые
2.
2.
растворы соединений А3^5
Диаграммы состояния
ЛпХт^ запРсщенн0и зоны и периоды решетки твердых растворов параметры твердых растворов . .
растворы соединений А3^5
Диаграммы состояния
ЛпХт^ запРсщенн0и зоны и периоды решетки твердых растворов параметры твердых растворов . .
40
46
50
52
52
52
54
54
54
57
59
61
61
61
63
64
65
65
68
71
71
72
91
40
46
50
52
52
52
54
54
54
57
59
61
61
61
63
64
65
65
68
71
71
72
91
Глава V. Исходные и конструкционные материалы в технологии соеди нений Л355
Материалы для подложек
Монокристаллы соединений А3ВЬ . .
Монокристаллы германия и кремния
Монокристаллы соединений А^В^
Монокристаллы диэлектриков
Монокристаллы молибдена и вольфрама .
Исходные материалы для синтеза соединений Л3В5
Летучие неорганические гидриды . . .
Хлоридные соединения и аммиак . .
Металлоорганические соединения
Газы-носители
Элементы особой чистоты
Вспомогательные и конструкционные материалы
Кислоты, щелочи, оксиды*
Растворители
Конструкционные материалы
Библиографический список -.-
ПРЕДИСЛОВИЕПРЕДИСЛОВИЕ94 9410U 1и4 lU(j h)7 1U9 109 114119120 123 129 129 133134 13994 9410U 1и4 lU(j h)7 1U9 109 114119120 123 129 129 133134 139
ПРЕДИСЛОВИЕ
ПРЕДИСЛОВИЕ
94 94
10U 1и4 lU(j h)7 1U9 109 114
119
120 123 129 129 133
134 139
94 94
10U 1и4 lU(j h)7 1U9 109 114
119
120 123 129 129 133
134 139
ш задач, поставленных XXVI съездом КПСС, по широкому внедрению женин электронной техники во все отрасли народного хозяйства большая J отводится использованию приборов на основе соединений Д3В5. Круг этих ^оединений непрерывно расширяется; быстрыми темпами развиваются и освап- новые методы их получения в виде монокристаллов и эпитаксиальных ВаЮТСЯ
слоев.
В научных и технологических разработках, исследованиях и производстве соединений ААВ^ в настоящее время участвуют большие группы ученых, инженеров и техников, пришедших в эту новую область электронного материаловедения сравнительно недавно. Необходимые данные о параметрах, свойствах и основных константах соединений А^В^ разбросаны по многочисленным оригинальным статьям и монографиям и зачастую остаются недоступными специалистам. Отдельные обзорные статьи или монографии, посвященные этим вопросам, не дают полной картины для каждого соединения по всей совокупности свойств, представляющих" интерес для инженеров и исследователей.
Основное внимание в книге уделено физическим и физико-химическим свойствам соединений А3/?5, которые в минимальной степени связаны со способами их выращивания н характеризуют соединения как таковые. Как необходимый элемент технологии производства этих соединений в виде монокристаллов и эпитаксиальных пленок в книге приведены основные сведения об исходных и конст
рукционных материалах, а также элементах периодической системы Д. И. Менделеева, представляющих непосредственный интерес для материаловедов.
Приведенные в справочнике численные данные в соответствии с ГОСТ 8.310—78 относятся к категории информационных.
Авторы отдают себе отчет в том, что при первой попытке написать справочник в столь широкой и быстро развивающейся области, какой является технология соединений А^В\ невозможно избежать недочетов. Полезные критические замечания и предложения по содержанию и оформлению книги будут приняты с благодарностью.
Авторы глубоко признательны проф. докт. техн, наук Е. Б. Соколову за ряд ценных замечаний и предложений, сделанных им при рецензировании рукописи.
Глава!.
г ПЛГЛ ГТК Л ЧПРМРНТОК
'Элементы напяду
с химическими соединениями являются важнейшими компотл.
тами в технологии соединений А3В5. Выбор, количественным расчет и ~
интерпретация результатов технологических экспериментов в основываются на точном знании свойств и параметров элементов. В «астояще ”™™ЮЮ™ данные по тем свойсткам, которые аспоякауются „ан«о«е ?
то. В качестве рекомендуемых выбраны численные значения, приводимые в ш. ■
ледних
изданиях специализированных справочников [i, oj.
1. СТРОЕНИЕ
ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ АТОМОВ,
АТОМНАЯ МАССА, СТАБИЛЬНЫЕ ИЗОТОПЫ
И ИХ СОДЕРЖАНИЕ В ЕСТЕСТВЕННОМ ЭЛЕМЕНТЕ [1]
сгонная масса
Содержание изотопа в есе
ный номер
Элемент
Электронная оболочка.^
ствеином элементе, %
1
2
3
4
5
$1
1,00797
Ж 99,985—99,986;
1
н
2Н J,ul4—9,016
2
Не
S2
4,0026
3Не 1,3-1 J-4— 1,7-Ю-';
4Не « 1JJ
3
Li
s2 2 s1
6,939
«Li 7,52;
7Li92,48
4
5
Be
В
$2 2 s2
s2 2 s2 2 р*
9,0122
10,811
9 Be 109
10В 18,45—18,98; нВ 81,02—81,55
6
С
s2 2 s2 2 р-
12,01115
42C 98,892; isc 1,198
7
N
s2 2 s2 2 р3
14,0067
14N 99,635;
15N 0,365
8
О
$2 2 s2 2 р4
15,9994
ieO99,759;
17 О 0,037;
18 0 0,2.4
F
s2 2 $2 2 р5
18,9984
lBF Гаи
10
Ne
s2 2 s2 2 р«
20,183,
20Ne 9J,92;
21Ne 0,257;
22Ne8,82
11
12
Na
Mg
[Nel 3 s1 [ Ne 1 3 s2
22,9898
24,312
23 Na luJ 24Mg 78,6 j; 25Mg U,ll; 26Mg 11,29
13
14
Al
Si
[Ne] 3s23p* [Ne] 3s23 p2
26,9815 28,086
27 Al 100
28Si 92,27;
29Si 4,68;
3«Si 3,05
15
16
P
S
[Nej 3 s2 3 p3 [Ne] 3s23p4
30,9738 32,064
31P 100
a2S 94,018;
a3S 0,750;
34S 4,216;
«50,017
17
Cl
[Ne] 3s2 3p5
35,453
«С1 75,4;
37C1 24,6
18
Ar
[Ne] 3s23p6
39,948
«Ar 0,337; 38ArO,u63; io Ar 99,600
— П пойолжение
I
1 2
13
’ 4
I5
19
к
[ Ar ] 4 si
[Ar] 4 s2
39,102
39 К 93,1.8;
40 К 0,6119;
4,K6,91
20
Ca
40,08
4nCa 96,97;
42CaO,64;
43Ca 6,145;
44Ca2,C6;
4«Ca 0,0033;
48CaO, 185
21
Sc
[Ar] 3rfi 4 s2
44,956
43Sc luO
22
Ti
[ Ar] 3 d2 4 s2
47,90
4cTi7,95;
47Ti 7,75;
[Ar] 3d34s2
48Ti73,45;
49Ti 5,51;
5l,Ti 5,34
23
24
V
50,942
5oVO,34; S1V 99,76
[Ar] 3d6 4s1
Or
51,996
5"Cr4,31;
52Cr 83,76;
63Cr9,55;
25
Mn
[Ar] 3 d5 4 s2
54,9381
MCr2,38 55Mn 100
26
Fe
[Ar] 3d«4s2
55,847
54Fe 5,84;
56Fe 91,68;
5,Fe2.17;
27
Co
[Ar] 3d74s2
58,9332
58Fe0,31
SBCo 100
28
Ni
[Ar] 3d8 4 s2
58,71
58Ni 67,76;
60Ni26,16;
61Ni 1,25;
«2Ni 3,66;
29
Cu
[Ar] Sties’
63,54
e4Ni 1,16 63Cu69,l;
30
Zn
[Ar] 3d10 4s2
65,37
65Cu 30,9
64 Zn 48,89;
66 Zn 27,81;
67Zn4,ll;
68 Zn 18,56;
31
Ga
[ Ar] 3 d10 4 s2 4 pi
69,72
70 Zn0,62
89Ga 60,2;
32
Ge
[Ar] 3 d10 4 s2 4 p 2
72,59
71Ga 39,8
70Ge 20,55;
72Ge 27,37;
73Ge 7,67;
74Ge 36,74 ;
33
34
As
[ Ar] 3 dlc 4 s2 4 p3
74,9216
76Ge7,67
75 As 100
Se
[Ar] 3d104s24p4
78,96
74Se0,87;
76Sc9,02;
77Se7,58;
78Se 23,52;
8(,Se 49,82;
35
Br
[ Ar] 3 d« 4 s2 4 p5
79,909
82Se a, 19 rBBr50,51;
36
Kr
[Ar] ЗбР«4$24р6
83,80
8uBr49,49 T8Kru,354;
8"Kr2,27
Продолжен и
1 j
2 i
4 1
5
1
s2Kr 11,56;
взКг 11,53;
s»Kr 56,90;
8вКг 17,37
37
Rb
[Krj 5 s1
85,47
85Kb 72,15;
85Rb 27,85
38
Sr
[Kr]5s2
87,62
®4Sr0,56;
s6Sr9,86;
87Sr7,2;
88Sr 82,56
39
Y
[Kr] 4 d1 5 s2
88,905
89 Y 100
49
Zr
[Kr] 4d25s2
91,22
"Zr 51,46;
91Zr 11,23;
»2Zr 17,11;
94Zr 17,40;
9«Zr 2,80
41
Nb
[Kr] 4d45s4
92,906
93Nb 100
42
Mo
[Krj 4 d5 5 s1
95,94
92Mo 15,86; »4Mo 9,12;
9BMo 15,70;
98 Mo 16,50;
87Mo 9,45;
98Mo 27,75; rooMo 9,62
43
Tc*
[Kr]4dB5s2J
98,9062
—
44
Ru
[Kr] 4 d7 5 sl
101,07
B6Ru 5,7;
98Ru 2,2;
99Ru 12,8;
iwRu 12,7;
101Ru 17,0;
182Ru 31,3
45
Rh
[Kr] 4d85s4
102,905
!03Rh 100
46
Pd
[Kr] 4din5s°
106,4
192Pd 0,8; i°4Pd 9,3, lospd 22,6; icepd 27,2; iospd 26,8;
118Pd 13,5
47
Ag
[Kr] 4d105s1
107,870
107Ag 51,35; io»До 48,65
48
Cd
[Kr] 4dl05s2
112,40
meed 1,215;
rosed 0,875;
ui'Cd 12,39;
niCd 12,7;
n2Cd 24,07;
113Cd 12,26;
114Cd 28,86; n«Cd 7,58
49
In
[Krj 4 d™ 5 s2 5 pi
114,82
luIn 4,23;
11BIn 95,77
50
Sn
[Kr] 4d105s2 5p2
118,69
112Sn 0,95;
114Sn 0,65;
n5Sn 0,34;
116Sn 14,24;
n’Sn 7,57;
usSn 24,01;
i -
119Sn 8,58;
l
2
3
1 4
_______ Пр одол женив
15
51
Sb
[Kr] 4 d18 5 s2 5 p3
121,75
12°Sn 32,97;
122Sn 4,71;
,24Sn 5,98
121Sb 57,25;
52
Те
[Kr] 4d1o5s35pi
127,60
123Sb 42,75
12"Te 0,089;
53
I
[Kr] 4 d10 5 s2 5 pB
126.9044
122Tc 2,46;
123Te 0,87;
124Te 4,61;
12BTe 6,99;
r26Te 18,71;
128Te 31,79;
13°Te 34,49
127I luO
54
Xe
[Kr] 4d195s25p6
121,30
,24Xe (i,C96;
55
Cs
[Xe] 6s1
132,905
126Xe 0,090;
12BXe 1,919;
129Xe 26,44;
13«Xe 4,08;
131Xe 21,8;
132Xe 26,89;
134Xe 10,44;
136Xe 8,87
133Cs 160
56
Ba
[Xe] 6s2
137,34
13r'Ba 0,101;
57
La
[Xe] 5 d16 s2
138,91
132Ba 0,097;
134Ba 2,42;
13BBa 6,59;
136Ba 7,81;
1S7Ba 11,32;
138Ba 71,66;
138La 0,089;
58
Ce
|Xe] 4 /2 6 s2
140,12
139La 99,911
138Ce 0,53;
59
6Э
Pr
[Xe] 4/36s2
140,907
14»Ce 88,48;.
142Ce 11,07
14Фг 100
Nd
[Xe] 4/46s2
144,24
142Nd 27,13;
61
62
Pm*
[Xe] 4/5 6 s2
145
143Nd 12,20;
144Nd 23,87;
145Nd 8,30;
14«Nd 17,8o;
148Nd 5,72:
,5oNd 5,6u
Sm
[Xe] 4 /в 6 s2
150,35
144Sm 3,16;
63
64
Eu
Gd
[Xe] 4 ^Os2
[Xe] 4f5d16s2
151,96
157,25
147Sm 15,o7;
148Sm 11,27;
149Sm 13,84;
15°Sm 7,47;
152Sm 26,63:
154Sm 22,53
151Eu 47,77;
153Eu 52,23
152Gd 0,20;
1B4Gd 2,15;
15BGd 14,73;
Продолжен ч.
1 |
2!
3. 1
4 1
5
issGd 20,47;
i-”Gd 15,68;
iMQd 24,87;
16nGd 21,90
65
66
Tb
Dy
[Xe] 4/9 6 s2
[Xe] 4 fi» 6 s2
158,924
162,50
’5»Tb 100
156Dy 0,0524;
issDy 0,0932;
!вЮу 2,294;
leiDy 18,88;
i62Dy 25,53;
i63Dy 24,97; ie4Dy 28,18
67
68
Но
Ег
[Xe] 4 fn 6 s2 [Xe] 4/|26s2
164,930
167.26
i®5Ho 100 162Er 0,136; 164Er 1,56; i66Er 33,41; 167Er 22,94; i68Er 27,07; 179ЕГ 14,88
69
70
Тт
Yb
[Xe] 4p6s2 [Xe] 4 /14 6 s2
168,934 173,04
169Т1П 100 lesYb 0,140; i™Yb 3,03;
I’lYb 14,31; 172Yb 21,82; i73Yb 16,13; i74\b 31,84; 176 Yb 12,73
71
Lu
[ Xe 1 4 f^ed1 6 s2
174,97
175Щ 97,43; i’6Lu 2,6
72
Hl
[Xe] 4 f14 5d- 6s-2
178,49
i’4Hf 0,18;
i76Hf 5,15;
i’4Hf 18,39; n®Hf 27,08; i’»Hf 13,78; isoHf 35,44
73
74
Та
W
[Xe] 4/,4 5 d3 6 s2
[Xe] 4 f44 5d4 6 s3
i
180,948
183,85
]81Ta 100 isoW 0,135; 182w 26,4; is-3 w 14,4; 184W 30,6; isew 28,4
75
Re
|Xe] 4/14 5 d5 6 s2
186,2
i85Re 37,07; i8’Re 62,93
76
Os
[Xe] 4/l4 5 d® 6 s2
190,2
i«4Os 0,018;
i8KOs 1,59;
i87Qs 1,64;
issQs 13,3;
i890s 16,1;
1960s 26,4
77
h
[Xe] 4/i45d’6s2
192,2
isRr 38,5; 1931г 61,5
78
Pt
[Xe] 4fi45d96si
195,09
isopt 0,012;
i92Rt 0,78;
i»4Pt 32,8;
isspt 33,7;
i9«Pt 25,4;
i9«pt 7,23
3
4
Продолжение 5
79Au
[Xe]4f45dio6si
197,039
197Ди 100
80Hg
[Xe] 4/14 5 dw 6 s2
200,59
i»®Hg 0,146;
19«Hg 10,02;
199Hg 16,84;
2®°Hg 23,13:
201Hg 13,22;
2®2Hg 29,80;
2<l4Hg 6,85
81T1
[Xe] 4/ii 5 du, 6S2 6 pi
204,37
2«3TI 29,50;
2®5T1 70,50
82Pb
[Xe] 4 /14 5 d™ 6 s2 6 p2
207,19
2®4Pb 1 48;
2®®Pb 23,6;
2®7pb 22,6;
2°8pb 52,3
83Bi
Xe]4/14 5d10 6 s2 6 p3
208,980
2"Bi 100
84Po*
Xe]4/14 5 d10 6 s2 6 p4
209
85At*
Xe]4f14 5 d™ 6 s2 6 p5
210
86Rn*
Xe]4/’4 5 d10 6 s2 6 p6
222
87Fr*
|Rn 5/2 6^7x1
223
88Ra*
[Rn 7 s2
226,0254
89Ac*
[Rn ed^s2
227
90Th
[Rn 6d27s2 ’
232,038
232Th 100
91Pa
[Rn 5/26d17s2
231,0359
92U
* Радиоактивнь
[Rn] 5 f3 6 d1 7 s2 й элемент.
238.03
234U 0,0058;
235U 0,715;
238U 99,28
2. ПЛОТНОСТЬ УПАКОВКИ И КООРДИНАЦИОННЫЕ ЧИСЛА НЕКОТОРЫХ^СТРУКТУР [5]
Тип решетки
Коорди н анионное число
Плотность упаковки
Алмаза
Кубическая Р
Кубическая /
Кубическая F Гексагональная, плотная
4
6
8
12
12
(л/6) ( ]/27/8). 100% = (л/6) l/L100% ~ 52%
(л/6) (У‘27/4). 133% ^ (л/6) "]/2_. 100% ^ 72% (л/6) "[/2.100% ^ 72%
3496
6896
3. ЭЛЕКТРООТРИЦАТЕЛЬНОСТЬ, ПОТЕНЦИАЛЫ ИОНИЗАЦИИ И ЭЛЕКТРОННОЕ СРОДСТВО ЭЛЕМЕНТОВ [4, 6]
Элемент
Электроотрицательность по! Полингу
Потенциал ионизации, эВ
отн. ед..
эВ
7,
ь
ство. эВ
2
3i
4
5
6
2,1
5,25|
13,599
24,588
54,418
0,75416
—0,22
Продолжен ,е
1
2
3-
4 1
5|
6
Li
1,0
2,5
5,392
75,641
0,591
Be
1,5
3,75
9,323
18,211
0,38; —0,19
в
2,0
5,0
8,298
25,156
0,30±0,06
с
2,5
6,25
11,260
24,383
1,273=0,01
N
3,0
7,5
14,534
29,602
—0,21
О
3,5
8,75
13,618
35,118
1,467+0,002
F
4,J
1 J, J
17,423
34,988
3,448+0.005
Ne
—
21,565
41,08
—0,22
Na
0,9
2,25
5,139
47,304
0,34+0.2
Mg
Al
1,2
3,0
7,646
15,035
—0,22
1,5
3,75
5,986
18,829
0,5; 0,2
Si
1 ,8
4,5
8,152
16,342
1 84+0,15; 1,36
p
2,1
5,25
10,487
19,73
0,8; 0,71
s
2,5
6,25
10,360
23,35
2,0772+0,0005
Cl
3,1)
7,5
12,968
23,805
3 614+0,001
Ar
—
15,760
27,63
—0,37
К
0,8
2,0
4,341
31,829
0,30; 0,55±0,2
Ca
1,0
2,5
6,113
11,871
— 1,931
Sc
1,3
3,25
6,562
12,80
—0,73
Ti
1,5
3,75
6,82
13,58
0.39+2; —0,02
v
1 ,o
4,0
6,74.)
14,21
0,65; 0,63
Cr
1,6
4,9
6,765
16,498
0,98+0.25
Mn
1,5
3,75
7,435
15,640
—0.97
Fe
1,8
4,5
7,893
16,183
0,58+0,2
Co
RS
4,5
7,866
17, >57
0,94+0,15
Ni
1,9
4,5
7,635
18,153
1,28+0,2; 1.62
Cu
1,6
4,75
7,726
20,292
1,226+0,01
Zn
1,6
4,0
9,394
17,964
0,09
Ga
1,6
4, J
5,998
20,514
0,39
Ge
1,6
4,5
7,900
15,935
1.74+0,15
2,и
5,J
9,815
18,62
2,0; 1.7
Se
2'4
6,0
9,752
21,19
2,0201+0,0003
Br
2’8
7,0
11,84
21,80
3,37
Kr
—
—
13,9998
24,37
- 0,4,2
Rb
0,8
2,0
4,177
27,5
0,27; 0,63+0,2
Sr
1
2,5
5,694
11,030
— 1,51; —0,5
Y
1,2
3,0
6,217
12,24
-0,4; 0,3
Zr
1,4
3,5
6,837
13,130
0,45
Nb
1,6
4,0
6,882
14,320
1,13
Mo
1,8
4,5
7,lo
16,1 ob
.1.18
Tc
1,9
4,75
7,278
15,263
0,99; 1,00
Ru
2,2
5,5
7,366
16,763
1,51; 1,4
Rh
2,2
5,5
7,46
18,077
1,68
Pd
2,2
5,5
8,336
19,428
1,02; 1,4
Ag
1,9
1,75
7,576
21,487
1,301+0.09
Cd
1,7
4,25
8,994
16,908
- 0,27
In
1,7
4,25
5,786
18,870
0,2; 0,72
Sn
1,8
4,5
7,344
14,632
1,03; 1.1
Sb
1 ,9
4,75
8,64
16,5
0.94;, 2,0
Те
2,1
5,25
9,01
18,6
2.0; 1,96
I
2,5
6,25
10,451
19,10
3,08
Hf
1,3
3,25
7,5
16,2
0J5
w
1,7
4,25
7,98
17,7
0,5+0.3
Re
1,9
4,75 ■
7,88
16,6
0,15+0,1
Os
2,2
5,5
8,5
17
1,44
Ir
2,2
5.5
9,1
17,0
1,97
Pt
2,2
5,5
8,9
18,563
2,128+0,002
Продолжен» >
1
2
3-
' 4
1 5
16
Au
2,4
6,0
9,226
20,5
2.8+0,1
Hg
1,9
4,75
10,438
18,756
—0,19
Tl
1,8
4,5
6,108
20,428
0,5±0,l; 2,1
pb
1,8
4,5
7,417
15,032
1,56; 1,03
Bi
1,9
4,75
12,248
16,74
0,7; 0,95
Xe
—
—
12,130
21,25
—0,45
Cs
0,7
1,75
3,894
25,1
0,23; 0,58+0,2
Ba
0,9
2,25
5,211
10,004
—0,48
La
5,577 .
11,06
0,55
Ce
5,47
10,85
—
Pr
5,42
10,55
—
Nd
5,49
10,72
—
Pm
5,55
10,90
—
Sm
5,63
11,07
—
Eu
5,664
11,25
—
Gd
1,0—1,1
2,75—3,0
6,16
12,1
—
Tb
5,85
11,52
—
Dy
5,93
11,67
—
Ho
6,02
11,80
Er
6,10
11,93
Tm
6,181
12,05
Yb
6,25
12,18
Lu
5,426
13,9
Po
2,0
5,0
8,43
19,4
1,32
At
2,2
5,5
9,2
20,1
2,79
Rn
—
—
10,749
—
Fr
0,7
1,75
3,98
Ra
0,9
2,25
5,279
10,147
Ac
1,1
2,75
5,12
12,06
—
Th
1,3
3,25
6,08
И.5
Pa
1,5
3,75
5,89
—.
U
1,7
4,25
6,19
11,6
—
ПЛОТНОСТЬ, АТОМНЫЙ ОБЪЕМ И ЧИСЛО АТОМОВ в 1 см3 ЭЛЕМЕНТОВ В КОНДЕНСИРОВАННОМ СОСТОЯНИИ [1]
Элемент
Плотность, г/см3
Атомный объем, см3
Число атомов в 1 см3 N ■ 10 -22
H
0,090*
11,20
5,38
He
0,206*
19,43
3,10
Li
0,531
12,94
4,66
Be
1,816
4,89
12,33
В
2,33
4,67
12,91
C
3,514(2,253)
3,42
17,63
N
1,002*
13,70
4,40
О
1,469*
10,89
5,54
F
1,587
14,61
4,13
Ne
1,442*
14,0
4,31
Na
0,971
23,80
2,53
Mg
1,74
14,0
4,13
Элемент
Плотность, г/см3
Атомный объем, см3
Число атомов в 1 св Д' ■ 10—22
А1
2,71
10,0
6,03
Si
2,330(2,55)
12,04
5,00
Р
2,223*(2,702*)
13,93
4,33
S
2,21
15,38
3,92
С1
2,040*
17,38
3,47
Аг
1,656*
24,12
2,5
К
0,86
43,50
1,39
Са
1,55
26,20
2,30
Sc
3,04
15,06
4,00
Ti
4,50
10,63
5,67
V
6,10
8,36
7,21
Cr
7,16
7,23
8,34
Мп
7,46(7,24)
7,36
8,19
Fe
7,86
7,09
8,50
Со
8,862
6,70
9,00
Ni
8,863
6,60
9,14
Си
8,92
7,11
8,48
Zn
7,14
9,15
6,59
Ga
5,907
11,80
5,11
Ge
5,3234(5,88)
13,64
4,42
As
5,73
12,98
4,65
Se
4,79
16,42
3,67
Br
4,073*
19,61
3,08
Kr
3,0l4*
27,90
2,16
Rb
1,532
55,48
1,69
Sr
2,6
33,35
1,81
Y
4,55
19,88
3,03
Zr
6,49 J
13,97
4,32
Nb
8,57
10,76
5,60
Mo
10,20
9,39
6,42
Tc
11,5
—-
—
Ru
H,9
8,13
7,42
Rh
12,48
8,28
7,28
Pd
12,017
8,84
1
6,82
Элемент
Плотность г/см3
Атомный объем, см3
Число атомов в 1 см’ дмо—22
Ar
10,49
10,27
5,87
Cd
8,65
13,01
4,64
In
7,31
15,76
3,83
Sn
5,75(7,29)
16,29
3,70
Sb
6,69
18,19
3,32
Те
6,25
20,02
3,01
1
4,93
25,72
2,34
Хе
3.571*
36,76
1,64
Cs
1,90
67,84
0,89
Ba
3,5
38,21
1,58
La
6,18
22,54
2,68
Ce
6,789
17,02
3,54
Pr
6,475
20,82
2,90
Nd
6,908
20,58
2,93
Prn
7,22
—
—
Sin
7,50
19,95
3,02
Eu
5,30
28,97
2,08
Gd
7,96
19,94
3,02
Tb
8,272*
19,25
3,13
Dy
8,45
18,98
3,18
Ho
8,76
18,74
3,22
Er
9,04
18,46
3,27
Tm
9,27
18,13
3,33
Yb
7,u2
24,86
2,43
Lu
9,81
17,76
3,40
HI
13,09
13,47
4,48
Ta
16,6
10,88
5,54
W
29,23
9,54
6,32
Re
21,u2
8,85
6,81
Os
22,48
8,42
7,16
Ir
23,36
8,48
7,П
Pt
21,5
9,09
6,63
Au
19,3j
10,20
5,91
Hr
14,393*
13,94
4,33
Tl
11,85
17,22
3,50
Pb
11,34
18,27
3,30
Bi
19,84
21,31
2,83
Po
9,314*
—
At
—.
—
Rn
4,4
—
Fr 1
—
—
Ra
6,0'
—
Ac
10,062*
—
Th
11,66
19,79
3,с5
Pa
15,374*
—
U
19,05
12,53
4,82
1
к Плотность рентгеновская, в остальных случаях плотность пикнометрическая В скоб- _ А Указаны плотности для различных модификаций элементов.
5 ТЕПЛОЕМКОСТЬ, ТЕМПЕРАТУРЫ ПЛАВЛЕНИЯ ы СУБЛИМАЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ {1]
И КИПЕНИЯ, т
ЕПЛОТ1
»1 ПЛАВЛ
ЕНИЯ
Элемент
p = (a -VbT -|-
и
с T-2 -i- d T=
b-lO3
4,186 Дж/(молЬ'К) c. 10—5
А Г, К r
с (298 К), 1ж/(моль-К)
6
т , к
1 пл’
ПКИП’ К
81
НПЛ(298К).
Дж/моль
9
Л ^субл (298К), кДж/моль
10
1
на
Не
Li
Be
В
С (графит)
С (алмаз)
N3
0-2
Р2 Ne Na
Mg
Al
Si
P4 (белый)
P (красный, p,2(красный P4 (красный
S (ромбич.
2l_
6,52
3,05
4,32 6,079 1,54
3,86
2,18
6,67 7,148 8,29
5,01
7,59
5,33
8,10
4,90 7,00
5,76 5,724 6,018
22,50
23,5 )
4,74
)8,31
)18,93
)3.58
3
0,78
8,60
2,18 0,51
4,40
1,26
3,16 1,02
1J0 0,44
5,36
2,45
12,96
0,56 0,7296 0,5966
3,90 0,46 0,86
6,24
4I
0,12
2,04
— 1,48
—0,923**
0,80
-0,103
—1,06
-
—0,72
-2,81
298-3000
273—Tпл 600—1560 1560—2200 273-1173 298-1000 273—1200 273—2500 298-1500 298—1500
298—T пл Т'пл—500 298—T пл Т’пл” И 30 298—T пл
298-1200 ! 200—1690 1690-1915
298-1200
Тпл-370
298-800 800—1500 298—2000 298—369'
28,84
20,80
24,65
16,45
11,09
8,54
6,12
29,13
29,38
31,35
20,80
28,21
24,91
24,36
20,05
23,57
20,85
67,18
67,18
22,69
13,95
453,7 1560,0
2348,0
4020,0
63,148 54,361 53,0 24,555
371,0
923,0
933,5
1688,0
317,4
870,0
392,0
20,38
1615,0 2744,0
3980,0
4200,0
77,348 90,188 85,2 27,102
1151,2
1376,0
2793,и
3522
1 548,0
696,0
717,824
117,2
20,9
3025,6
14734,7
22604,4
720,0
445,0
510,7
334,9
2602,8
8958,0
10800,0
49813,4
627,9
|1410,7
0,9*
62,8*
161,5
325,2
561.8
717,0
5,6*
6,8*
6,5*
1,8*
108,5
147,35
329,44
452,69
59,02
127,67
238,22
Тродолжение
1
/ 2
1 3
5
6
7 1
8 1
10
S(монокл.) S So.
Cl2 Ar К
a-Ca p-Ca Sc
a-Ti
Tj
V
Cl
n-Mn P-JUn t- Mn A Mn o-t^
P Ft Y-ft
6-F|
EM a-Co p-Co v-Co a-Ni p-Ni p-Ni
Ni Cu
7n
3,56
5,40
8,54 8,86
6,04 7,80
5,31
1,50 6,00 5,90
10,87
5,40 11,65
5,85
9,4
5,16
8,33
10,70
11,30
4,18 9,00
1,84
10,5 10,29
5,11
3,30 9,6
6,03 3,00 5,83
9,20 5,65
5,41
5,351
'6,96
5,50 0,28 0,06
3,12
3,33 7,74 1,1 2,96
2,00
2,36
3,81 0,66
5,92
4,66
3,42 5,86
—2,49 4,44 2,05
1,215 1,462 2,40
—0,79
—0,68
2,5
-0,88
—0,21
10,44**
6,12
—0,913
369—T пл Т'пл—^нп 298—2000 298—3000
298—Тпл Т'пл-GOO 273—713 713-Гпл 273-1850 298—750 1969-2315 298—1900 2205—2638
298—Тпл Гпл-2950 298—1000 1000—1374 1374—1410 1410—1450 273—1033 1033—1181 1181—1674 1674—1808 1808—2142
440-648 718—1400
1400—Т пл 300-630 670—970 630—Т пл Т'пл—1900 300—900 298—Т'пл 298-7пл
23,65 23,68 32,48 33,95 20,80 29,97
32,72 26,37
25,12 24,99 33,49 24,70
23,27
26,29 26,79
27,58
24,99
25,05 24,82
26,08
24,45
25,45
172,16
83,78
336,4
1123,0
1803,0
1941,0
2190,0
2176
1517
1811,0
1767
1728
1357,065
692,73
239,1
87,29 1032,0
1762,0
3105,0 3442,0
3665,0
2840,0
2392,0
3145,0
3230,0
3170
2816
1179,35
6408,8
1176,3
2277,2
8665,0
16116,1
17162,6
23069,0
13813,8
14651,0
13771,9
—
16325,4
17497,5
13060,3
7241,8
20,43*
6,52
89,66
176,2
378,8
471,3
514,5
396,8
277,9
417,2
428,6
429,0
337,8
129,8
Продолжение
1 |
21
3)
4
5 1
5 1
71_
8 1
9
10
7,5
—
—
^ пл^КПП 300
26 08
302,94
2478,0 ।
5588,3
273,0
Ga
6,236
—
298 1213
23,40
1210,4
3120,0
37046,1
378,8
Ge As
5,90
5,23
1,13
2,22
—
298—1090
24'66 77,61 28,88
1090,0
885,0
27711,3
161,2
As4
Se
4,53
5,50
273-Тпл Tпл—79J 298—1600
490,0
930,0
5441,8
206,8
Br»
7,0 9,04
—
—3,07
36,07 20,80
265,95
115,76
331,4
119,78
10548,7
1636,7
31 ,2* 9,0*
Kr Rb
7,27
—
298-Тнл
31',40
312,7
959,2
2344,2
79,5
7,80
27,21
1043,0
1630,0
9209,2
151,1
Sr
—
1,5
1,42
1,266
273—1825
25,16
1773,0
3610,0
17162,6
422,8
Y a-Zr p-Zr
Zr Nb
G, 13 6,50 7,00 8,00 5,499
—0,82
2,2•105exp
298—1135 1135—2115 2115—3000
273—2740
25,69
2128,0
2742,0
4598,0
5115,0
20930,0
27548,1
600,3
722,1
Mo
5,772
0,281
(—19549/7) 0,539**
400—2400
23,78
24,28
2890
240и,0
5100,0 4200,0
36589,8
23027,2
663,1
648,8
Tc ra-Ru R-, y-Ru 6-Ru
5,25
7,20
7,50
1,50
—
298—1308 1308—1773 1773—1900
273
24'07
24 99
2523
2236
4350,0
3900
24278,8
21557,9
648,4
561,8
Rh
5,49
2,06 1,37 2,04
2,94
2,50
6,30
1,74
298—1828
25'87
1827
3150
16744,0
372,5
Pd Ag
Cd
In
Sn
Sb
5,80 5,09 7,30 5,31 7,10 5.81 7,50 4,42 7,3
5,51
0,36
—
273-Тпл Гпл-1600 298—Тпл Тпл-нио 273—7ПЛ Тпл-500 298—1 пл Тпл—1ЗОО 298—7пл
25,37
26,04
26,75
27,00
25,24
1235,08
594,26
429,78
505,0
903,89
2440,0
1039,7
2297,0
2896,0
1898,0
11302,2
6237,1
3265,1
7200,0
20427,7
285,0
111,3
235,5
302,3
206,0
1
/ 2
/ 3
14
1 5
•6
7
1 8'
9
110
Те
Io
Xe Cs
Ba
a-La p-La y-La
4,58
9,00
41,58
I 1,96
7,62
-1,36
11,5
6,98
7,27
10,30
5,25
11,90
; 18,2
19,2
2,6
3,0
—
273-Тпл Тпд—873 330 Т пл
273—ГПл Гпл-506 673-Тпл Гпл—1125 273-583 583—1137 1137—1193
25,76
54,46 20,80
31,40
28,30
27,84
723,0
386,8
161,3
301,6
983,0
1190,0
1285,0
456,0 165,04
943,0
1907,0
3727,0
17497,5
15781,2
2298,1
2134,9
7660,4
11302,2
165,8
62,3
12,6*
78,4
174,6
431,2
ct-Ce
P-Ce
7,18 9,05
2,95
—
273—1000
1000—1077
28,84
1070,0
3530,0
9209,2
467,2
a-Pr P-Pr a-Nd P-Nd Pm a-Sm
a-Gd p-Gd a-Tb P-Tb
7,16 7,19 7,20
10,65
12,07 11,22
7,29
7,26
10,30 7,33
10,30
2,86
2,49
0,96
4,0
2,3
2,3
—
273—1065 1065—1208
273—1135 1135—1300
273—1190
1190—1345 273—1135 300—1537
1537—1595 338—1590
1590—1641
27,00
27,50
27,21
27,17
26,79
36,50
27,38
1268,0
1297,0
1300,0 1345,0
1100,0
1585,0
1637,0
3485,0
3400,0
3000,0 2077,0
1762,0 3600,0
3314,0
10046,4
10883,6
12558,0
11692,9
10465,0
15488,2
16325,4
373,0
327,8
263,7
206,8
176,2
400,6
389,3
°y
Ho
7,32 7,05 7,26 .7,07 7,41
10,30
2,2
2,2
2,2
2,1
4,0
—
273—1653
28,17
1680,0
2608,0
17162,6
298,9
Er
273—1773
27,25
1734,0
2870,0
17162,6
293 0
Tm
273—1798
28,13
1770,0
2650,0
17162,6
278 0
a-Yb
273—1873
27,00
1815,0
2000,0
18418,4
247,4
p-Yb
273—1071 1071—1087
25,12
1097,0
1466,0
9269,2
152’0
Lu
Hf Ta
6,78 6,1347 5,798
2,0 1,9646 0,707
0,0487**
273—1948
500—2495
400—2400
27,00
25,53
24,45
1925,0
2222,0
3270,0
3588,0
5500,0
5560,0
19255,6
21767,2 31395,0
427,8 621,2 780,7
о .- ...
2
3 i
41
5 1
6 1
71
8
9j
10
W
5.97
5,66
0,181
300—3600
25,10
3660,0
5640,0
35246,1
851,9
Re
5,872
1,108 u,9U 1,422 1,34 1,24
0,282.10-' Z^1 0,1376**
3)0—2200
298 -1900
25,71
24,70
3450,0
3320,0
5900,0
5300,0
33169,4
31813,6
778,2
784,5
Os Ir Pt Au Au
5,69 5,997 5,74 5,66 7,0
—0,2763 о,1
298—2700 298—19. j 298—7ПЛ T^-IGjO 298
25'12 25,87 25,41
28,00
2720,0 2045,0 1337,58
234,29
4850,0
4100,0
3150,0
629,81
26376,0 19674,2 12696,1
2296,4
663,1
564,3 369,0
61,4
Hg a-tl B-Tl
Tl
Pb
6,61
5,26
7,30
3,46
298—505 505—Т пл
26*33
577,0
1748,0
4270,6
179,6
7,50
5 63
2,23
—
7 пл 6UU 298—Тпл
26,46
600,6
2018,0
4847,4
195,1
Bi
7,75
4,49
-‘j, 74
5,40
7 пл—luU'J 298—Тпл
26,85
25,58
544,592
1830,0
11427,8
221,1
7,50
—
—
71 пл- 1 ^00
26 37
527,0
1235,0
12558,0
144,2
Po
—
58 60
575,0
6.7,0
23860,2
90,4
At3
—
20 80
202,2
211,0
2901,4
16,4*
Rn Fr
—
—*
—
31^81
27 17
ЗоО/и 973,0
950,0
18.9,0
2093,0 8772
69,1 162,0
Ra
—
27'21
1323,0
3270,0
14232,4
301,4
Ac
Th
6,40
3,06
0,35
298—1500
27'33
28,42
1968,0 1873,0
4135,0 3600,0
15655,6
14651,0
597,8
460,5
Pa a-U
3,39
8,02
0,7
298—935
27’67
1406,0
4135,0
15488,2
528,7
ПРИ 11'011 11 SI ** к
Значения ючс
зфициепта О-М!5.
6. ЭНТРОПИЯ ГАЗООБРАЗНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ [1]
Продолжены,
1
2 1
31
4
5 i
6
I
180,75
191,51
205,95
214,41
220,48
Хе
169,66
180,42
194,82
203,27
209,26
Cs
175,56
186,32
200,76
209,17
215,24
Ba
170,24
180,96
195,4
203,98
211,1
La
182,34
194,98
214,45
227,17
236,38
Nd
189,37
201,56
220,35
232,03
240,19
Sm
183,01
198,79
220,18
232,24
240,11
Eu
188,79
199,55
213,95
222,4
228,43
Gd
194,31
208,42
226,34
236,22
243,5
Yb
173*09
183,85
198,25
206,7
212,69
184*77
195,78
212,57
223,24
230,77
Hf
186,86
197*75
213,86
225,12
233,75
Ta
185* 19
196,2
213,28
225,29
234,63
W
173,93
185,9
209,76
226,13
236,22
Re
188*91
199,67
214,07
222,53
228,56
Os
192,56
203,31
218,34
228,39
236,43
Ir
193*56
195,99
219,51
229,64
237,56
Pt
192 39
206,2
223,7
232,95
239,36
Au
180 5
191,26
205,66
214,11
220,31
Hg Tl
174 93
185,69
200,13
208,55
214,53
180*96
191,68
206,12
214,62
220,85
Pb
175,35
186,11
200,51
209,09
215,7
Bi
186 99
197,75
212,15
220,6
226,59
Po
188*91
199,67
214,87
223,32
229,39
Rn Ra U
176,23
176,44
186,95 .187,16
201,39
201,6
209,8
210,05
215,79
216,17
199*8
212,1
228,3
238,35
246,09
7. ЭНТРОПИЯ ИНДИВИДУАЛЬНЫХ ВЕЩЕСТВ [1]
S°, Дж/ (моль-К), при температуре, К
Элемент
298
500
1000
1500
2000
1
2
3
4
5
6
н.
130 65
145,71
166,18
178,87
188,41
Lf
28 26
49,02
69,28
80,96
178,32
Be
9*54
19,51
36,54
48,56
65,18
в
5 86
13,1
27,63
38,3
46,67
С
5 73
11,72
28,72
33,78
40,9
n2
19159
206*75
228,18
241,91
252,08
о.
205 16
220,73
243,63
258,11
268,82
202 81
219,77
244,59
259,78
270,75
Ne
146 3
157,06
171,46
179,87
18b,86
Na
51 И
73,88
94,27
187,28
193,27
32*69
28 34
46,13
76,56
182,22
188,2
Mg
Al
41 *48
73,38
85,23
93,68
Si p
18*96
30,35
47,72
58,86
94,85
22*86
31 9
34,41
130,18
137,76
143,12
s
52,24
135,38
142,95
148,35
Cl2
223*07
241,24
266,82
282,14
293,1
к
Ca
64,42
87,57
55,97
108,42
80,33
193,9
101,8
199,92
194,44
Sc
37*67
50,9
69,66
81,59
100,55
_Продолжение
1
2
3
4
5
6
Ti
30,68
44,37
64,8
81,38
99,25
V
29,34
42,66
62,33
75,81
87,24
Cr
23,86
36,84
56,51
70,83
82,63
Мп
32,02
46,55
71,92
91,3
114,7.
Fe
27,17
41,19
66,77
84,52
105,03
Со
30,06
43,7
65,89
83,8
103,31
Ni
29,89
44,54
66.89
80,79
101,89
Си
33,36
46,34
65,22
87,11
96,11
Zn
41,65
55,26
86,69
194,57
200,55
Ga
41,11
73,92
93,22
104,52
112,52
Ge
31,1
43,83
62,58
100,63
169,09
As
35,16
48,39
141,74
149,31
154,67
Se
42,49
67,86
148,31
156,01
161,58
Br2
151,74
264,43
290,38
305,75
316,71
Rb
76,27
100,05
195,24
203,69
209,68
Sr
52,33
66,64
90,33
112,44
204,23
Y
46,05
59,23
77,9
89,71
108,58
Zr
38,89
52,58
73,34
89,66
98,87
Nb
36,54
49,6
68,02
79,66
88,45
Mo
28,59
41,4
59,94
72,04
81,75
Tc
33,49
46,46
65,72
78,74
89,2
Ru
28,88
41,53
59,82
72,04
81,63
Rh
31,81
45,29
65,55
79,32
90,25
Pd
37,88
51,57
71,29
84,05
103,u2
Ag
42,7
56,09
75,47
97,16
106,2
Cd
51,78
65,76
96,45
201,3
237,29
In
57,85
80,37
100,97
113,02
121,56
Sn
51,45
66,43
101,8
114,19
122,98
Sb
45,71
59,06
100,88
113,57
162,79
Те
49,48
64,09
112,48
164,17
169,57
la
116,79
279,96
306,08
321,53
332,58
Cs
84,39
107,92
200,76
209,17
215,24
Ba
64.88
79,16
110,43
123,15
211,1
La
56,93
71,62
92,51
116,08
125,71
Ce
69,66
85,35
151,7
133,78
143,45
Pr
73,05
87,65
110,3
133,7
143,33
Nd
73,26
89,92
117,38
142,41
152,04
Pin
72,04
86,61
108,5
132,45
142,07
Sm
68,15
82,76
105,03
128,76
240,11
Eu
Gd
71,16 66,01
85,39 82,05
106,45
103,94
129,47
118,17
228,43
137,72
Tb
73,09
87,57
108,75
122,73
142*41
Dy
74,8
89,2
110,18
123,95
143,83
Ho
74,39
88,79
109,76
123,53
143,41
Er
73,17
87,99
109,34
123,11
142,87
Tm
71,41
85,65
106,2
119,55
139*39
Yb
62,79
76,14
96,03
118,34
212,69
Lu
49,19
63,42
83,97
97,32
117,38
Hf
45,67
59,11
78,28
90,54
99,96
Ta
41,44
54,96
73,88
85,39
93*81
W
33,66
46,63
64,8
76,19
84*72
Re
37,21
50,48
69,74
82,69
91,55
Os
32,65
45,63
64,0
75,43
84 22
Ir
36,42
49,65
68,78
81,12
90*84
Pt
41,86
55,59
75,05
87,61
106*83
Au
47,39
60,74
79,7
100,97
139,38
-Hg
76,14
90,33
200,13
208,55
215*53
.. ■ 1 —
Продолжение
1
2
3
4
5
6
1 1
2|
3 1
41
5 1
6
К (газ) Са
160,32
41,65
162,71 44,75
170,91
56,89
177,24
69,19
182,22
88,41
64,26
64,84
78,57 78,99 71,12
77,40 151,70 186,95 117,63
86,19 77,23
68,44 67,19
65,59
167,83
107 58
120,22
220,94
TI
119,22
127,0
Са (газ)
154,84
157,23
165,47
171,79
176,73
Pb
112'8!
123 63
125,54
226,59
Sc
37,67
40,56
50,90
59.23
67,60
Bi
56,85
62,79
223'32
229,39
Sc (газ)
174,77
177,24
185,69
192,14
197,16
Ро
321'86 201,39 207 17
337,35
348,40
Ti
30,68
33,66
44,62
54,42
62,62
Ato
Rn
121,39
176,23
94,19
209,80
215,62
215,79
221,73
Ti (газ) V
180,29
29,34
183,01 32,19
191,89
42,82
198,58
51,70
203,86
59,19
Fr
119,51
98,54 92 97
132,24
216,17
V (газ)
182,3
185,15
194,86
202,52
208,42
Ra
71,16
122,40
132,07
Сг
23,86
26,62
37,09
46,05
53,75
Ac
62,79
111,26
134,79
Ст (газ)
174,31
176,65
184,90
191,26
196,28
Th
53,41
90'59 95,32
116,66
128,68
Мп
32,02
35,16
47,13
58,44
71,20
Pa
51,91 50,36
126,29
137,38
Мп (газ)
173,68
176,06
184,31
190,63
195,61
U
—
— —
Fe
27,17
30,14
42,15
53,87
63.88
-
Fe (газ)
180,46
183,39
193,14
200,43
205,91
8. ПРИВЕДЕННЫЙ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ
Со
Со (газ)
30,06
179,5
32,99 192,05
44,29
210.10
54,59
220,85
64,38
228,56
ПОТЕНЦИАЛ [1]
Ni
Ni (газ) Си
29,89
182,17
33,36
33,07 184,85
36,17
45,08
194,44
46,42
54,79
201,97
55,80
64,09
207,79
64,76
—
Пж//мольК>. при температуре, К
Си (газ)
166,35
168,74
176,98
183,30
188,29
Элемент
298
500
1000
1500
2000
Zn
Zn (газ)
Са
Са (газ)
Се
41,65
160,95
41,11
169,03
44,62 163,34
51,53 172,04
58,86 171,54
68,11 182,43
90,92
177,91
78,53 190,09
117,63
182,89
86,06
195,78
1
2
3
4
5
6
154,67
161,96
136,59
148,02
31,10
33,86
43,99
57,35
69,28
130,65
133,95
145,51
Се (газ)
167,86
171,42
183,22
191,68
197,91
° 2 н Не
114,65
126,12
117,04
128,47
125,25
136,71
131,61 143,04
As
As (газ)
35,16
174,18
38,01 176,57
40,98
184,77
67,56
191,13
88,70
196,11
Li
Li (газ) Be
Be (газ) В
В (газ) С
С (газ) n2
N о
28,26
138,72
31,90
141,11
46,13
149,36
55,97
155,68
160,66 35,79
158,15 26,00
175,35 23,06
180,00 223,99 175,18 183,39 239,23 239,52 181,80 168,19 121,39 175,6
95,98 170,54
63,71 186,65
48,89 190,42
82,88 255,18 100,46 265,52 267,50 176,73 137,38
Se
Se (газ)
42,49
176,69
45,67 179,08
63,92
187,62
93,47
194,48
109,8
199,97
9,54
136,25
11,64
138,60
20,18
146,84
27, /1 153,17
Br2
Вг2 (газ)
151,74
245,43
187,28
249,65
233,08
264,26
254,93
275,73
269,08 284,65
5,86 153,42
5,73 158,06 191,59 153,25 161,04
7,37 155,8
6,99 160,45 194,94 155,64 163,51 '
14,66 164,01
12,73 168,70 206,75 163,88 171,92
20,43 170,37
18,29 175,02 216,29 170,20 178,37
Кг Kb Rb (газ) Sr Sr(газ) Y Y (газ)
164,05 76,27 170,08
52,33
164,59 46,05
179,45
166,44 82,72
172,46
55,42
166,98 48,93 182,38
174,64
98,62
180,67
67,23
175,23
59,23
191,97
181,00
132,36 187,03
80,29
181,55
67,52 199,09
185,98
150,95
191,97
104,69
186.53
75,35
204,57
Оо
205,16
202,81
208.59
206,50
220,94
219,97
231,03
230 9
Zr
Zr(газ)
38,89
181,34
41,86
184,44
52,87
195.15
63,00 203,27
70,83
209,63
F (газ) Ne
158,73
161,29
170,04
176,69
Nb
36,54
39,39
49,56
57,81
64,38
146,3
148,69
156,89
163,21
Nb (газ)
186,24
189,67
201,01
269,34
215,62
Na
Na (газ)
51,11
153,67
56,34
156.65
70,87
164,3
98,37
170,62
66,22
165,56
Mo
Mo (газ)
28,59
181,92
31,35
184,31
41,48
192,51
49,73
198,88
56,55
203,86
Mg Mg (газ)
Al
32,69
148,64
35,62 150,99
47,22
159,24
Tc
Тс (газ)
33,49 181,04
36,33
183,43
46,63
192,10
55,3 199,97
62,5 206,37
28,34
31,19
42,7
55,00
Ru
28,88
32,02
41,57
49,86
56,64
Al (газ) Si Si (газ) P P, (газ) §*
164'51
166,94
175,27
181,67 38,26 185,40
63,67
246,56 85,39
Ru (газ)
186,49
189,04
198,42
2^6,68
212,19
18,96
167.94
21,39
170,41
30,64
178,91
Rh
Rh (газ!
31,81
185,82
34,74
188,24
45,50
197,24
54,63
204,78
62,29
210,89
22,86
218,13
31,90
25,37
221,94
35,96
28,34
235,55
58,35
Pd
Pd (газ)
Ag
37,88 167,02
42,70
40,86
169,41
45,63
51,66
177,65
56,18
60,45
184,14
66,43
68,40
189,63
75,31
S, (газ)
228,18
231,99
245,80
256,81
201,3
171,75
|117,46
Ag (газ)
172,97
175,35
183,56
189,92
194,90
Cl (газ)
165'18
167,69
192,43
165,43
84,77
Cd
51,78
54,79
70,12
110.01
133,62
Ar К
154,8
64,42
1а/,18 70,28
Продолжена.
Продолжение
1 1
2।
3 1
4|
5 1
6
1
12
1 3
4
1 5
| 6
Cd (газ)
167,73
170,12
178,32
184,64
189,63
Re
37,21
40,10
50,61
59,15
66,06
In
57,85
62,20
77,02
87,15
94,73
Re (газ)
188,91
191,30
199,55
265,87
210,81
In (газ)
173,76
176,19
184,98
192,51
198,50
Os
32,65
35,50
45,21
53,71
60,36
51,45
168,44
54 71
73 46
85 14
93,56
Sn (газ)
171,00
181,17
190,17
197,29
Os(газ)
192,56
194,9
203,27
210,05
215,66
Sb
45,71
48,60
61,37
76,77
87,95
Ir
36,42
39,31
49,77
58,27
65,22
Sb (газ)
180,25
182,64
190,84
197,2
202,18
Ir (газ)
193,56
195,95
204,32
211,14
216,79
Те
49,73
52,83
71,62
94,02
112,27
Pt
41,86
44,87
55,55
64,26
80,96
Те (газ)
182,68
185,06
193,31
199,71
204,82
Pt(газ)
192,39
195,40
205,83
213,49
219,14
*2
116,79
140,36
217,42
249,74
269,16
Au
47,39
5; i,32
60,74
70,20
I» (газ)
26J,70
264,93
279,71
291,26
300,30
78,99
Хе
169,66
172,04
180,25 '
186,61
191,59
Au (газ)
180,50
182,89
191,09
197,45
252,39
Cs
84,39
90,84
108,04
140,44
158,44
Hg
76,14
79,28
124,20
151,03
166,18
Cs (газ)
175,56
177,95
186,19
192,51
197,50
Hg (газ)
174,93
177,32
185,57
191,89
196,87
Ва
64,88
68,02
80,12
92,47
104,94
TI
64,26
67,35
82,34
93,05
112,90
Ва (газ)
La
170,24
56,93
172,59
60,15
180,84
71,71
187,20
83,22
192,3
92,68
T1 (газ)
180,96
183,30
191,55
197,91
262,94
La (газ)
182,34
185,06
195,36
203,98
210,97
Pb
64,84
67,94
82,38
92,85
100,46
Се
69.66
73,05
85,90
99,29
109,21
Pb (газ)
175,35
177,74
185,94
192,35
197,37
Рг
73,65
76,19
88,03
106,66
114,65
Bi
56,85
59,90
80,66
93,64
109,46
Nd
73,26
76,85
90,71
103,98
114,82
Bi (газ)
186,99
189,37
197,58
203,94
208,88
Nd (газ)
189,37
192,01
201,93
210,18
216,71
Po
62,79
65,85
89,04
110,55
139,52
Pm
72,04
75,22
86,86
97,95
107,83
Sm
68,15
71,29
83,05
94,19
110,43
Po (газ)
188,91
191,30
200,30
206,66
211,64
Sm (газ)
183,01
186,49
198,63
208,00
215,08
At
121,39
128,05
204,95
246,72
270,83
Eu
71,162
74,26
85,60
97,49
120,26
At(газ)
187,03
189,42
197,62
203,94
208,97
Ей (газ)
188,79
191,17
199,38
205,74
210,68
Rn
176,23
178,57
186,82
193,14
198,12
Gd
66,01
69,66
81,88
91,72
101,59
Fr
94,19
182,01
100,63
184,39
119,72
192,60
150,40
198,96
Gd (газ) Tb
194,31
73,09
197,41
76,19
2u8,00
87,70
215,87
97,20
221,90
106,37
Fr(газ)
167,52
203,94
Dy
74,80.
77,9
89,29
98,71
107,50
Ra
71,16
74,39
88,03
113,36
117,38
Ho
74,39
77,48
88,91
98,29
107,08
Ra (газ)
176,44
178,78
187,03
193,39
198,37
Er
73,17
76,35
88,07
97,58
106,28
Ac
62,79
65,93
77,40
87,11
97 24
Tm
71,41
74,51
85,73
94,94
102,89
Th
53,41
56,64
69,07
80,20
9 j, 25
Yb
62,79
65,68
76,35
87,78
105,19
Yb(газ)
173,09
175,48
183,68
190,04
195,03
Pa
51,91
55,21
67,52
78,07
89,29
Lu
49,19
52,28
63,50
72,71
80,25
U
50,36
53,62
66,81
81,04
93,89
Lu (газ)
184,77
187,16
196,07
203,44
209,43
U(газ)
199,80
202,48
211,85
219,10
224,91
HI
45,67
48,60
59,15
67,69
74,59
HI(газ)
186,86
189,29
197,87
205,16
211,27
Ta
41,44
44,41
54,92
63,29
69,91
Та (газ)
185,19
187,62
196,53
195,82
210,68
W
33,66
36,50
46,55
54,67
61,16
W (газ)
173,93
176,48
187,41
197,83
206,24
КОЭФФИЦИЕНТЫ УРАВНЕНИЙ Igp
ДЛЯ КОНДЕНСИРОВАННЫХ ФАЗ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ
В ТВЕРДОМ И ЖИДКОМ СОСТОЯНИЯХ [56]ш группа
Коэффициенты уравнения 1g р (Па) = А — В/Т + С Т 4 D IgT*! 2,12..
в
T ж
6,43266
—0,26224
30060,32
27717 89
—0,00029682
—0,00039583 0,00198518
1,41343
3,16974 — 1,81636
Молекула па-
А1
T
15,41687
16710'43
ра элемента
Q
А
В
С
D
ж
12,40857
15992,58
—0,00000342
—0,99926
О
Ga
ж
0,90307
13425,42
—0,00060331
2,95655
1
2
3
4
5
6
In
т
470,88627
10,82068
26891,71
12298,11
0,10315698 0,00007147
—179,4830€
—0,82159
7
группа
Т1
т; ж
—
—
—
—
Li
Li2
Na
т ж
т
ж т
—54,87864
10,34540
—74,04758
18,37849
133,42927
6450,944
8345,574
8491,378
11139,618
9302,868
—0,01487480
—0,00008840
—0,02035840
0,00016342
0,03114431
24,82251
—0.68106
33,06458
—3,03209
—49,37679
Sc Y
La
т; ж т ж т ж
1,75557
25,84511
—27,36931
13,09182
19499,67
21089,98
19322,46
21685,61
—0,00017310
0,00034620
—0,00300289
0,06011513
7,96541
—4,86113
12,40392 — 1,31246
Nag
ж
т
10,86423
—338,13794
5616,406 — 1842,920
0,00000345
—0,и9791968
—1,0 4111 139.75985
Лантаниды
ж
5,33624
6866.162
—0,00106668
1,23023
Се
Рг
—
—
—
—
—
к
т
ж
13,83624
4857,902
0,00034940
—2.21542
Nd
т
—26,93217
14001,06
—0,00272535
11,86385
Ко
т
—75,58292
4578,883
—0,02667904
34.61890
ж
— 13,02198
12788,66
—0,0007и399
6,25283
ж
17*05231
6806,144
0,00012351
—2,98966
Pm
—
—
-—
—
Rb
т
—94^04826
1961,258
—0,03771687
42,57526
Sm
т
—11,72463
9589,82
—0,00169989
6,99972
ж
15,88253
4529,635
0,00058663
—2,99138
ж
48,71020
14619,68
0,00163504
— 12,55624
Rb2
т
—21i,33о10
966,918
—0,07829240
91,59149
Eu
т
—8,93847
8601,16
—0,00232125
6,36754
ж
41,2753j
7226,316
0,00333213
—11,85510
Gd
ж
—28,98398
5396,20
—0,00210922
11,92249
Cs
т
—219,48200
— 1088,676
—0,08336185
94,88752
т
6,36182
11050,05
—0,00041294
1,08630
8,22127
4006,048
—0,00060194
—0,19623
Tb
ж
19,47487
11579,80
0,00025134
—3,23467
Cs2
т
—211,02760
727,545
—0,07947950
91,64953
—
—
—
—
ж
18,22о54
6064,472
0,00009016
—3,45395
Dy
—
.—.
—
—
—.
Fr
т
126,71838
6463,98
0,03830584
—48,93617
Ho
—
—
—
—
—
ж
10,26502
3643,489
—0,00011669
— 1,06650
Er
—.
—
— ■ -
—
Cu
т
—0,70729
16869,77
—0,00091963
3,50147
Tm
т
— 179,43322
2897,19
—0,02019385
66,36860
—285,и6133
— 14786.86
—0,01263166
91,90151
Yb
ж
—213,35680
—75,20
—0,0195352
76,46617
Ag
21,68194
15662,85
0,00069459
—4,01891
т
6,94313
8655,67
—0,00046466
0,63902
ж
1О,8О8о5
14323,13
—0,00009019
—0,53927
ж
10,49621
8341,64
—0,00068622
—0,76^32
Au
т
—24*40936
16439,66
—0,00239291
11.25366
Lu
т
9,56844
16577,07
—0,00014649
0,089111
ж
—6,59202
16370,99
—0,00064886
4,79166
Ac
ж
26,63288
17292,17
0,0006237
—5,43724
11 группа
Be
т
5,69864
16498,359
—0,00047200
1,52356
/1
/ группа
ж
14,55944
17051,58
0,00002400
—1,66643
Ci
т
44,68828
40986,66
0,00155119
—10,59350
Mg
т
9,71243
7753,51
—0,00024534
—0,22925
c2
т
23,26794
45208,60
0,00009799
—3,61924
16,79743
7844,23
0,00625484
—2,72728
C3
т
22,18749
42848,50
0,00000088
—2,23269
Ca
т
6,08968
9051,24
—0,00078270
1,03041
SC
т
—273,33943
379403,72
—0,09648412
195,90475
ж
53,65151
12826,75
0,00200166
—14,4846/
Si
т
—98,77340
11185,64
—0,00685812
35,81091
т
—2,44375
8049,60
—0,00188317
4,11062
ж
167,86162
41545,36
0,00417574
—47,00394
ж
358,84735
39778,41
0,01814166
— 122,43181
Ge
т
17,06587
20412,04
0,00025837
—2,20112
Ba
т
14,08429
9445,27
0,00009640
—1,90149
ж
10,02419
18473,59
—0,00004210
—0,37226
ж
10,63717
8733,64
—0,00001584
—0.96481
Sn
т
—150,16773
10870,18
—0,03682439
62,12498
Ra
т
5,48560
8398,72
—0,00106112
1,19068
Pb
ж
—9,32188
14023,92
—0,00088122
5,62012
ж
—34,24411
3754,35
—0.0^223047
13,27495
т
—0,40722
9968,34
—0,00234805
3,57301
т
13,50846
7011,863
0,00040185
— 1,58311
Ti
ж
13,65907
10330,87
0,00015450
— 1,81309
ж
—7,91900
5830,735
—0,60161644
5,59972
т
32,51129
27017,08
0,00661128
—6,76842
Cd
Hg
т
ж
4,34803 216,70428
5728,949
9078,658
—0,00130508 0,05481736
1,830659
—82,87205
Zr
ж т
296,01329
—13,68806
65632,18
28865,75
0,00787692
—0,00099183
—85,14729 7,36127
(до 400°C)
ж
37,57391
35193,37
0,00065040
—8,19894
Продолжен >
Продолжение
2 1
3 1
4 1
5
61
2
i3
4
I5
1 6
: .Hf
T
ж
—39,30392
—63,37607
28633,03
21047,78
—0,00142178
—0,00191441
12,27986
21,47101
Ро
T
ж
11,51296
26,51777
7112,81
7478,439
—0,00008874 0,00117453
—0,74735
—6,17624
Th
т, ж
—•
—
Ро2
T
7,40058
7532,67
—0,00220817
1,59386
'J
V
группа
ж
12,07041
6489,47
—0,00028412
— 1,24504
P4 (белый)
T ж
— 117,74274 29,14396
— 145,021 3738,397
—0,03854534 0,00222634
51,45834
—7,54113
Сг
Мо
T ж
T
4,36192
165,22012
-93,23284
19723,49
44507,12
20737,71
—0,00055955 0,00366345 —0,00352277
2,03941
—45,49926
31,47990
iiP1
T
—
ж
—915,64511
—1186374,34
0,13398577
33,61363
1(красный)
P2
T
12.52002
9393,007
—0,0006263
—0,09834
W
T ж
25,80076
5,49525
47313,95
4394,22
0,00034719
—0,00008880
—4,37526 1,49271
|l(красный)
!p4
12P
T
T
36,01066
34,14836
8053,440
7952,909
0,00116106 0,00096303
—7,86743
—7,20950
и
T ж
3878,69432
23,81513
362252,46 25750,02
0,21697312 0,00033251
— 1249,59256
—4,44888
11As,
T
312,71238
26402,367
0,05015785 '
— 113,023528
iAs,
T
617,99617
33166,727
0,10026766
—226,4699.'
VII группа
1As4
T
16,77418
7797,912
—0,0008458
— 1,46899
Sbi
г
9,49017
13744,809
—0,00043916
0,23109
f2
ж
9,7202
—462,66
—0,01656
—
ж
19,54693
13642,573
0,00033547
—3,44552
С12
т
132,26593
2890,832
0,09914010
—58,83582
1 1Sb2
т
11,22925
12372,169
—0,00101299
0,25992
ж
189,79007
4808,755
0,07722818
—77,88752
ж
32,43182
12239,825
0,00066724
—7,46810
Вг2
т
444,26938
11310,002
0,17483086
— 184,17526
PSb4
т
14,68795
9302,210
—0,00409805
9,46253
ж
8,65047
2047,752
—0,0061000
0,95892
ж
28,50741
8141,417
0,0003062
—6,93237
12
т
18,80572
3594,030
0,00044342
—2,97588
■SBi
т
— 1099,06308
— 17961,727
—0,27625461
441,59028
At2
т
51,29606
6114 778
0,00700312
— 15,25316
ж
48,01549
12210,359
0,00165852
— 12,72214
Мп
ж
511,06191
32519,429
0,03922461
— 171,92766
iiBi
т
—0,63860
9286,179
—0,00223849
3,95264
т
8,14580
14822,66
—0,00081241
0,88963
ж
11,48875
9217,28
—0,00006149
—0,95933
ж
— 124,59871
—3087,32
—0,00506798
40,93850
'illBi,
т
32,52131
11824,25
0,00260297
—7,77326
Тс
т
11,16164
33953,30
—0,00004605
—0,19358
ж
17,08459
10218,18
—0,00007018
—2,67723
ж
—901,49535
— 119754,99
—0,02196279
266,42231
'i1V
т
— 1,64209
25613,21
—0,00074338
3,99377
Re
т
86,44576
52563,99
0,00167377
—22,21314
'■ii
ж
32,55270
29250,50
0,00041350
—6,50413
ж
— 10,11944
34760,07
—0,00042268
5,66796
№
т
—•
—
—■
ij iiTa
ж т
—38,42911
32854,92
—0,00117508
14,25452
VIII группа
'll'1
ж
—34,58200
30548,42
—0,00009650
12,53365
Pa
т; ж
—
—
-—
Fe
т
19,00206
21679,92
0,00009398
—2,59964
VI группа
ж
—25,93396
14124,50
0,00113331
10,59505
IP'-ss
т
—346,68224
—5651,668
—0,08505135
140,40981
Со
т
107,5115
27420,95
0,00444564
—30,70849
ж
109,05777
8756,69
0,01105787
—35,68404
Ni
ж
— 189,45524
—9895,11
—0,00646994
60,18070
S8
Т
— 1735,80073
—44018,807
—0,45640522
694,46621
т
— 10,94190
16193,89
—0,00176813
7,29936
ж
19,79337
5243,793
—0,00443733
—2,37458
Ru
ж
30,68264
19678,72
0,00038550
—6,08393
s.
т
—8,46067
6502,524
—0,00937889
7,79264
т
2,44895
33512,82
—0,00030554
2,57203
ж
44,13014
8067,985
0,0029282
— 11,75171
Rh
ж
— 11,45649
29751,34
—0,00054932
6,41032
i's
т
13,59560
12508,21
0,00105186
— 1,46086
т
57,45788
34220,74
0,00166974
— 14,39424
ж
9,19641
12363,08
—0,0008и655
0,37370
Pd
ж
—264,32941
—22487,72
—0,00596694
79,20430
। ।2 Se
т
—5,14228
— 16587,552
0,14181924
—37,71124
т
—55,19600
14170,69
—0,0032667
20,52908
ж
—291,35376
—9574,562
—0,03518150
106,60409
ж
8,76587
19169,84
0,00002347
—0,08499
!Se8
т
—447,08021
—7182,556
—0,69852752
177,7974-
Os
т
8,12962
37313,35
—0,00011127
0,84321
ж
— 1,14700
5590,978
—0,00446452
4,59125
ж
60,89042
45906,87
0,00090643
— 14,38483
h ।5^2
т
— 159,75952
1668,04
—0,03694247
66,19541
Ir
т
23,03478
34310,39
0,00025165
—2,66418
ж
11,92836
6736,482
—0,00113042
—0,30274
ж
1,66906
30838,56
—0,00046963
2,80487
1;SeL
т
—85,12240
7716,905
-0,02030114
36,67321
Pt
т
10,99544
29169,89
—0,00021349
0,03106
ж
8,44047
10485,925
—0,00062612
0,40887
ж
63,78175
36616,92
0,00119086
— 15,68071
।2 Те
т
—496,61108
— 17387,80
—0,06093483
180,25490
ж
—32,44504
4036,949
—0,00413735
14,0859'2
т
—0,26065
8298,520'
—0,00304070
4,62977
ж
18,20362
7525,193
0,00044215
—2,85491-
**~—-
ill 30
31
АТОМНЫЕ И ИОННЫЕ РАДИУСЫ [1]
В таблице приняты следующие условные обозначения типов радиусов: К — ки. ■залеитиыи, М—металлический, V — ван-дерваалы'ов. Ионные радиусы обозв.|. чены цифрами, указывающими кратность заряда.
Радиус, нм, по данным
Элемент
Тип радиуса
Гольдшмидта [7, 8]
Толин - га
9, 10]
Кордеса
ИИ
Аренса
[12]
Белова и
Бокия 1
[13]
Ягоды
[14]
Баца- "[Щ]
Захариа ... на [16]
—
—
—
_
1
9
3
4
5
6
7
8
9
10
Н
1+
—
0,00
—
—
—
к
—
—
—•
0,28
—
—
—
м
—
—
—
—
0,46
—
—
I-
1,54
2,08
2,12
—
1,36
—
—
—
Не
V
1,22
—
—
—
1,22
—
—
—
Li
1'
0,78
0,60
0,71
0,68
0,68
0,60
0,69
0,68
к
—
1,23
—
—
1,33
—
—
—
м
1,57
—
—
—
1,55
—-
—
—
Be
2*
0 34
0,31
0,38
0,35
0,34
0,30
0,49
0,30
к
—
0,89
—
—
1,00
—
—-
—
м
1,13
—
—
—
1,13
—
—
В
з+
0,20
0,25
0,23
0,20
0,20
0,40
0,16
к
0,83
0,89
—
—
0,83
—
—
—
м
—
—
—
—■
0,91
—
—
—
С
. 4+
0,20
0,15
0,18
0,16
0,20
0,15
0,34
—
к
0,77
0,77
—
—
0,77
.—.
—
—
4-
—
2,63
2,25
—
2,60
—
—
—
N
5+
0,15
0,11
0,14
0,13
0,15
0,12
0,31
—
з+
—
—
—
0,16
—
0.13
—
—
К
0,62
0,70
—
—
0,70
—
—
—
з_
—
1,71
1,60
—
1,48
—
—
—
О
б+
0,09
0,69
0,11
0,10
—.
0,10
0,29
—
к
—
0,66
—
—
0,66
—
—
—
2^
1,32
1,40
1,35
1,40
1,36
—
—
1,46
F
71
—
0,07
0,69
0,68
—
0,09
—
—
К
—
0,64
—
—
0,71
—
—
—
I-
1,33
1,36
1,34
1,33
1,33
—
—
—
Ne
V
1,60
—
—
—
1,60
—
—
—
Na
1+
0,98
0,95
0,95
0,97
0,98
0,96
0,99
0,98
к
—
1,57
—
—
1,54
—.
—
—
м
1,92
—
—
—
1,89
—
—
—
Mg
2+
0,78
0,65
0,66
0,66
0,74
0,63
0,75
0,65
К
—
1,36
—
—
1,38
—
—
—
м
1,60
—
—
—
1,60
1—
—
—
Al
з+
0,57
0,50
0,52
0,51
0,57
0,50
0,62
0,45
к
.—
1,25
—
—
1,26
—■
—
—
м
1,43
—
—
—
1,43
—
—
—
Si
4+
0,39
0,41
0,42
0,42
0,39
0,42
0,53
0,38
Продолжение
1
i 2
3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
10
К
1,17
1,17
—.
1,17
4“
1,98
2,71
2,70
—
—
—.
—
—
Р
О 1
0,35
0,34
0,36
0,35
0,35
0,36
0,47
—
3~
—
—
—
0,44
—
0,42
——
к
—
1,10
—
—
1,04
—
—
—
3“
—
2,12
2,12
—
1,86
—•
—.
—
S
6^
0,34
0,29
0,31
0,30
0,29
0,32
0,29
—
4"
—
—
—
0,37
—
—
— _
К
1,00
1,04
—
—
1,04
2—
1,74
1,84
1,84
1,84
1,82
—
—
1,90
С1
—
0,26
0,27
0,27
0,26
0,28
—.
—.
—
—
—
0,34
—
к
—
0,99
'—■
—
0,99
—
—
—
I-
1,81
1,81
1,80
1,81
1,81
—
—.
1,81
Аг
V
1,92
—
—
—
1,92
—
—
—.
К
1~
1,33
1,33
1,33
1,33
1,33
1,33
1,33
1,33
к
—
2,03
—
—
м
2+
2,36
—
—■
—
2,36
—
—
—
Са
1,06
0,98
0,99
0,99
1,04
0,96
1,00
0,94
К
—
1,74
—
.—.
м
1,97
—
—
—.
1,97
—
—
—
Sc
з+
0,83
0,81
0,81
0,81
0,83
0,80
0,79
0,68
к
—•
1,44
—
—
—
—
—.
м
—
—
—
—
1,64
.—.
—
—
Ti
4^
0,64
0,68
0,68
0,68
0,64
0,68
0,69
0,60
з+
0,69
0,69
—
0,76
0,69
0,77
—
—
2*
0,80
—
—
—
0,78
0,90
К
—
1,32
—
—
м
1,45
—
—
—
1,46
—
—.
V
5+
0,40
0,59
0,59
0,59
0,40
0,60
0,62
—
4“
0,61
—
—
0,63
0,61
0,65
—_
з+
0,65
0,66
—
0,74
0,67
0,74
—
-.
0,72
—
—
0,88
0,72
0,86
к
—
1,22
—
—
м
1,36
—■
—
—
1,34
—
—
—.
Cr
6+
0,35
0,52
0,52
0,52
0,35
0,53
0,58
31-
—
0,64
—
0,63
0,64
0,71
—
—
2'"
—
—
—
—
0,83
0,83
К
—
1,18
—
—
—_
м
1,28
1,27
Мп
7^
—
0,46
0,46
0,46
0,46
0,48
0,55
4Г
0,52
0,50
—
0,60
0,52
0,60
—.
з+
0,70
0,62
—
0,66
0,70
0,68
2+
0,91
0,80
—
0,80
0,91
0,80
К
—
1,17
—
—-
м
1,30
—
—
—
1,30
8+
—
—
0,42
—
—
—
2 3®К.196
Продолм- >:,-—
————
1 I
2|
3 1
4 !
5 1
7|
8 1
9|
10 1
11 "
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
!7
Со
Ni
Си
Zn
Ga
Ge
As
Se
Br
Kr
Rb
Sr
3“ 2+ К № 8+ 3+ 2+ К м s+ 3^ 2+ К м 2+ 1+ К м
2+ К м з+ к м 4+ 2+ К м 4- 5+ з+ К м з~ 6+ 4+ К
2- 7+ 5+ К 1“
V 1+
1 к м
2+ К
0,67
0,83
1,27
0,82
1,26
0,78
1,24
1,28
0,83
1,37
0,62
0,44
1,22
1,39
0,69
1,40
0,35
1,91
1,96
1,98
1,49
2,53
1,27
0,60 0,75
1,17
0,72
1,16
0,69
1,15
0,96
1,17
0,74
1,25
0,62 1,25
0,53
1,22
2,72 0,47
1,21
2,22 0,42
1,17 1,98
0,39
1,14
1,95
1,48
2,16
1,13
1,91
0,64
0,76
0,41
0,63 0,74
0,40
0,73
0,93
0,72
0,60
0,52
2,48
0,46
2,П
0,41
1,91
0,37
1,90
1,47
1,15
0,64
0,74
0,63 0,72
0,69
0,72 0,96
0,74
0,62
0,53 0,73
0,46 0,58
0,42 0,50
1,98 0,39 0,47
1,96
1,47
1,12
0,67 0,80
1,26
0,64 0,78
1,25
0,74
1,24
0,80 0,98
1,28
0,83 1,31 1,39
0,62 1,27 1,39
0,44 0,65 1,22
0,47 0,69 1,21
1,91
0,35 0,69 1,17
1,93
0,39
1,14 1,96
1,98
1,49
2,48
1,20
0,65
0,76
0,62
0,73
0,59
0,70
0,83 0,96
0,78
0,63
0,53
0,70
0,47
0,56
0,41
0,47
0,37
1,49
1,И
0,73
0,80
0,72
0,80
0,72
0,79
0,96
0,84
0,75
0,68
0,64
0,60
1,46
1,09
в
1
Y
Zr
—Mb
_Mo
ZТс
Ru
Rh
Rd
2^2A§
Cd 1,96
1,48In
1,1° -__^
M 3+ 2+ K M 4+ К M 5+ 4+ К M 6+ 4+ К M 7+ ■ 4+ 2+ K M 8+ 4+ 3+ 2+ К M 8+ 4"^ 3J~ К M 8^ 4+ 2+ K M 2+ 1+ к M 2+ K M 3+ 1+ K M
2,16
1,06
1,81
0,87
1,60
0,69
1,47
0,68
1,40
0,65
1,32
0,68
1,34
1,37
1,13
1,44
1,03
1,52
0,92
1,57 |
0,93
1,62
0,80 1,45
0,70 0,77 1,34
0,62 0,66 1,30
1,27
0,63
1,25
1,25
1,28
1,26
1,34
0,97
1,41
0,81
1,50
0,96
0,83
0,73
0,65
0,59
0,54 0,66
0,53 0,72 0,72
0,52
1,21
0,96
0,81
0,92
0,96
0,79
0,69
0,74
0,62
0,70
0,56
0,67
0,68
0,65
0,80
0,89
1,26
0,97
0,81
2,15 0,97
1,81
0,82
1,60 0,66 0,67
1,45 0,65 0,68
1,39
1,36
0,62
1,34
0,65 0,75
1,34
0,64
1,37
1,13
1,44
0,99 1,48
1,56
0,92
1,30
1,44
1,66
Зак- 196
34
Продолжение
1 8
9
1 10
—
—
—
0,93
0,88
0,88
—
—
—
—
-—■
—
—
—
—
0,80
0,76
0,77
—
—
——'
—
—
—,
0,70
0,68
0,67
0,77
—
—
—
—
—
—
—
—
0,63
0,64
—
0,75
—
—
.—
—
—
—
—
—
0,57
0,58
—
0,72
-—■
—
0,95
—
—
—
—
—
—
—
—
0,53
—
—
0,69
0,71
—
—
0,77
—
—
0,85
—
—
—
—
—
—
—
—
—.
—
0,61
0,71
—
0,75
0,78
—
—,
—
—
—
—
—
—
—
—
0,64
0,73
—
0,85
0,88
—
—
—
—
—
—
—
0,97
-—
—
1,12
1,08
—
—'
—
—
—
—
—
0,93
0,94
—
—
.—
-—-
—
—
—
0,76
0,85
1,20
—
—
—
—
—
-—
—
Продолж., .у
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 "
—
f! рооолжение
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Sn
4+
0,74
0,71
0,71
0,71
0,67
0,65
0,77
'—■
Sm
з+
1,13
1,00
0,97
1,01
2+
—-
—
—
0,93
1,02
0,84
—
-—
24
1 20*
К
—
1,40
—
—
1,40
—
■—
к
1,62
M
1,58
—
—
—
1,58
—
—
—
м
—.
—
1,81
—
4“
2,15
2,94
3,02
——
—
—
—
—
Ей
3*
1,13
.—
.
0,98
1,01
1,01
—
Sb
5+
—.
0,62
0,63
0,62
0,62
0,57
0,72
—
2'
1,19*
3+
0,90
—
—
0,76
0,90
0,65
—
—
К
.—
1,85
—
К
—.
1,41
——
—
1,40
—
—
-—
м
—
2,02
—
—
M
3-
1,61
2,45
2,55
—
1,61
2,08
—
—
Gd
3‘
2
1,11
—
—
0,97
0,94
0,99*
1,60
—
—
Те
6+
0,56
0,57
0,56
0,56
0,51
0,67
—
К
—
1,62
—
-—
—
—
4+
0,89
0,81
—
0,70
0,89
0,59
—
—
М
—
—
,—
_—
1,79
-—
.—
—
К
—
1,37
—.
—
1,37
—
—
—
ть
4+
0,89
—
—
0,81
—,
0,86
—
—
2—
2,11
2,21
2,29
2,21
2,11
—
2,2£
з+
1,69
.—
—
0,93
0,89
0,99
—
—
I
7+
—
0,50
0,52
0,50
0,50
0,46
—
—
2+
—
—
—
—
0,98*
.—
—
—
5+
0,94
—
0,62
—
0,51
—
—
к
—
1,61
—
—
-—
—
—
—
К
1,33
—
—
1,33
—
—
—
м
—
—
—
—
1,77
—
-—
—
I-
2,20
2,16
2,23
2,20
2,20
—
—
2,19
Dy
3-
1,07
—
—
0,92
0,88
0,98
—
—
Xe
V
2,18
—
—
2,18
—
—
- —
2”
—
—
—
—
0,96*
•—.
—
•—
Cs
1‘
1,65
1,69
1,74
1,67
1,65
1,65
1,64
1,67
К М
—
1,60
—
—
1,77
—
—
К
——
2,35
—
—
—
—
—
—
з+
2+
К
м
2,74
—
—
—
2,68
—
—
—
Но
1,05
——
—
0,91
0,86
0,97
—
—
Ba
2+
1,43
1,35
1,37
1,34
1,38
1,26
1,24
1,29
—
1,58
—
—
0,95*
—
—
—
К м
2,25
1,98
—.
—
2,21
-—.
—
—
М
—
—
—
1,76
—
—
—
La
4+
—
—.
—
—
0,90
—
—
—
Ег
3 ■
1,04
—
—
0,89
0,85
0,96
—
—
з+
2+
1,22
1,15
1,16
1,14
1,04
1,14*
1.06
0,95
1,04
2 1
К
м
—
1,58
—
—
0,93*
1,75
—
—
—
К м
1,86
1,69
—
—
1,87
—
—
Тш
3+
1,04
—
—
0,87
0,85
0,95
—
—
Ce
4+
1,02
1,01
1,01
0,94
0,88
0,92
—
0,92
2+ к
—
1 57
—
—
0,92*
—
■—
—
з+
1,18
—
—
1,07
1,02
1,05
—
—
м
1,74
—
2+ к
—
1,65
—
—
1,09*
—
—
—
Yb
з+
1,00
—
—
0,86
0,81
0,94
—
•—
м
1,82
—
1,83
—
—
—
2 1
.—
—
-—
.—
1,07*
—
—
—
0,91
К
1 57
—
Pr
4+
1,00
0,92
—
0,92
—
—
—
м
.
1,93
—
з+
К м
1,16
1,82
1,64
—
1,06
1,00
1,08*
1,82
1,04
—
—
Lu
з+
2+ К м
0,99
1,56
0,93
0,85
0,80
0,90*
1,74
0,93
—
—
Nd
з+
2+
1,15
—
—•
1,04
0,99
1,05*
1,03
—
—
Hf
4
К
—
1,44
0,82
0,78
0,82
0,80
0,81
—
м
1,82
—
—
—
1,82
—
—
—
м
1,59
—
—.
1,59
.—
—
—
Pm
з+
—
—
—
1,06
0,98
1,02
—
—
Та
5+
—
0,74
0,68
0,66
0,70
0,72
—
2+
—
—
—
—
1,04*
—
—
—
4 н
0,77
—
К
-—■
1,63
.—
—
—
—
—
—
К
1,34
—
м
—
—
м
1,46
—
—
1,46
—
—
—
Продолен,-,l!lc'
Продолжен и e
1
2
3
4
5
6
7
8
у 1
10^/^—"
1 2
3
1 4
1 5
6
17
8
э
10
0,62 0,70
0,56
0,70
0,69
0,68
0,65 0,80
0,90
1,37
1,10
0,95
1,47
0,84
1,20
0,74 0,96
0,65 0,68
1,40
0,52
1,37
0,65
1,35
0,65
1,35
0,64
1,38
1,37
1,44
1,12
1,60 1,05 1,36
1,71 0,76
1,26
1,75
0,74
1,20
0,63
0,75
0,57 0,61
0,72
0,53
0,69
0,56
0,67
0,75
0,64
0,85
0,91
1,05
1,13
1,01
0,84
1,29
0,72 0,93
0,63
0,76
-1
w
Ke
Os
Ir
Pt
Au
Hg
T1
Pb
Bi
6+ 4+ К M 7+ 6+ 4+ к м 8+ 4+ з1 2+ к м 8+ б+ 4+ з+ 24' К м 8+ 4+ 2+ К м з+ 2^ 1+ К м 2+ К м з+ 1+ к м 4+ 2+ К м 4- 5^ з+ К
0,68
1,41
1,37
0,67
1,34
0,66
1,35
1,38
1,44
1,12
1,55 1,05 1,49
1,71
0,84 1,32
1,74
2,15
0,66 1,30
1,28
0,65
1,26
0,64
1,27
1,30
1,37 1,34
1,Ю 1,44
0,95 1,44 1,55
0,84 1,21 1,54
0,74
1,16
1,50
0,68
0,62
0,57 0,69
0,56
0,69
0,55
0,80
1,37
1,10
0,95
0,84
2,13
0,75
0,68
0,64
0,75 0,81 0,89
0,75 0,81 0,89
0,76 0,93
1,11
0,97
0,93
0,83
0,77
“ро
3At
-Rn
"Fr
_Ra
_^c
Th
ZPa
_и
П p и ^
^ \^°дат
м
3“
6+ 4+ К 2“ 7+ 5+ К 1“
1+ м
2‘ М 34 М
4т з+
К м 5+ 4+ з+ м 6+ 5+ 4+ з+ к м
I е ч а н и ним A. J
1,82
1,52
1,10
1,80
1,05
я: 1. Пог
К. ч.
Радиус ионн мета
2. Пог
Кратн
Длина
Ц. Финогеи
1,53
1,02
1,65
0,97
1,42
травка
, %:
ый . лличес травка
эсть св связи,
эва [22]
0,68
0,63
1,86
1,50
1,27
1.П
0,99
0,90
на коо
кий .
на кра язи
% -
Нет
1,43
1,18
1,02
0,98
0,80
0,97
эдинац
тность
1,82
2,13
данных
2,80
1,44
2,35
1,Н 2,03
0,95
1,08
1,80
0,91
1,06 1,62
0,89
1,04
1,53
1
ионное чис
ковалент!
0,56 0,65
0,51
0,57
1,74
1,34
1,14
0,98
1,11
0,87 0,96 1,08
0,78 0,84 0,93
1,05
ло К. ч
той свят
12
112
100
и для (
1
100
2,30
2,27
1,75
1,37
1.П
0,99
0,90 0,96 1,05
0,83 0,89 0,93
1,03
86 4
ЮЗ 100 9
98 96 8
2, N,O, S:
23
86 78
Глава П
^— - = Свойства соединений Аа В5
1. ДИАГРАММЫ состояния в
СИСТЕМАХ Л3—В5
Диаграммы состояния представляют собой ится управляемый синтез любых сложных гии и химии.
ту научную основу, на котором материалов в современной мет
Значительная сложность получения экспериментальных данных для пс ния диаграмм состояния систем с легколетучими компонентами, к которым сится подавляющее большинство соединений А:'В5 (бинарных, тройных и ч ных), вызвало необходимость развития расчетных методов для их постр И хотя полученные этими методами диаграммы состояния при использован практике требуют корректировки на основе экспериментальных данных, ш димый объем последних в этом случае намного меньше.
Рассмотрим, следуя работам [47, 62], общий подход к расчетному пгч пию диаграмм состояния в системах Д3—В\
Пусть три элемента А, В и С образуют бинарные соединения АВ и АС, же тройное соединение (ЛС) V-X^BC) х. Рассматривая условие термодинамм- го равновесия жидкость — твердое, которое характеризуется равенством ветствующих химических потенциалов в жидкости и в твердом растворе, чим основные расчетные формулы:
RT In [y^c (1 — х)] =
4 m н и“с (п + rt in (ул yc 4 4);
^ 7" 1п (у^ х) -— ps (7 ) , р^? (Г) р^п - р Я Т 1п (у^ ус пгв пв^ ,
где Yi — коэффициент активности элементов I в растворе;
п^ — атомные
компонента I в жидкости; р — химический потенциал компонента; индекс i носится к соответствующему компоненту в чистом (несмешанном) состо- индекс / соответствует жидкой фазе; индекс 5 соответствует твердой фазе.
В соответствии с работой [75] можно связать р^ и р^5 с параметрам .парных соединений:
4с(О=4 (7)+4z ^-^SFC(T'”C-Ty,(
Рве (Л =4 (7)4-4 m-bS^c кт-’^с-ту
где Пс и Т’^с
■ рч,
1 г ь.
где
где
ст оп
‘Опт.
№
— температуры плавления бинарных соединений АС и ВС ост
ветственно; A S^c
И A SC
sc — энтропии их плавления;
жидкости стехиометрического состава ^1В — п^ — 1/2,
индекс si относит зя ь 4 = 4= 1/2).
Используя выражение для химических потенциалов элементов в жи п<с растворе:
4 (7) = ^ Н_ R Т ]„ ^ 4 ;
4 (П = 4 - R Т In Yb
4 (7) =4-г Я 7 In ус При условии Пд -| - П1В -г txlc = в виде:
|3 уравнений (ПЛ), (Ц.2) и (П.8), (П.9) получим:
с (1-х)=1(4ул Yc/Ул Ус) 4 41 lexP (AS'ACIRT) ^с-ТН; (ИЛО)
* = 1(Yb ^сЬв Чс^ “в 41 l^p ^SFC/RT) (Т^-ТН.
(Н.Н)
соотношения представляют собой основные уравнения, связывающие со- зкидкой и твердой фаз. Поскольку A S^c, kSBC, Т™с, Твс могут быть
лены экспериментально, для расчета необходимо знать способ вычисления -циентов активности в жидкой и твердой фазах. Для этих целей в основ- пользуют два подхода — приближение квазирегулярного раствора и «ква* ^четкий» метод. Согласно первому, наиболее широко используемому при- нию [76], коэффициенты активности в жидкой фазе вычисляются
ям:
т Ю Ул= «ас № + «АВ 1пв^ 4- (алс + а
АВ «ВС^ пВ пС*
7 In ys — авс (ncV + адв (л^)2 + («вС + адв — алс) п1д
Т In YC = аАС (nzc)2 + авс (^ + (а
’•AC + «ВС — «АВ^ пА
4;
пВ>
у—коэффициент взаимодействия между I- и /-компонентами, рэффициенты активности в твердой фазе находятся из выражений: 17 1пулс = ^2; /?7 1п¥вс = Р(1-х)2, коэффициент взаимодействия.
по соот-
(11.12)
(П.13>
(П.14>
(11.15)
уравнений (11.10), (11.11) для бинарного раствора А—С получается вы- paxgye, которое впервые было получено авторами работы [74]:
где
ЧИГ
дан
ип-
где НИЯ,
» (Vz - V}) <; V, ^ V(6Z-8;)2-
W \^пА (\-Пд) + \ SFAt
'АС (ТАС — 7)/(0,5 — Лл)2 + «лс1 = °. (П.16)
с — коэффициент взаимодействия между А и С в жидком растворе, ^работах [77, 100, 101] предпринята попытка рассчитать а^ и у17- ^ о компонентах. Так, для вычисления aij использовано уравнение
^-Ь^-
з-ю4 Уи—иУ
i vn
на основе
(П.17)
г-молярный объем; %— электроотрицательность; б— параметр раст авный корню квадратному из энергии сублимации на единицу объема.
6 — параметр
растворе-
хде V (1,- |-1/у-)/2, то уравнение (11.17) упрощается:
З-Ю4 (Zz'-Z/)2-
(11.18)
ш ффнциенты активности в твердом растворе вычисляются в предположе- распределение атомов по их подрешеткам происходит вероятностным
г 1п Уле
• а.5',
^Пп
'3^н^1ЭМДс1ч ,т;
4 ВС •
(П.19)
4 >
пс1
1, равенства (II.3) и (II.4) можно neper
(НЛ"^_ ,
^ ИВ-
^BC-\d^HnoydNBC\
АС*^*1
NAc + N
(11.20)
вс число молей ЛС и ВС в растворе; А Н — теплота сме-
-ДС™2^ В работе 11141, теплота смешения бинарных соединений вила L может быть выражена зависимостьюсоединении вида
Идс (О = 4 (7) + 4 (7) + R 7 In (у^ Yc/4) - A SFC ^cРве ^) = Pb (O + 4 (0 + ^7 In (y^ ус/4) - △ 4c №
1 6чЛН= ^И°а г Р fi’(П.21)
размерный параметр, равный 5,19-104 кДж-см3/моль; « — период гю- -7). (П'9!— фактор металлизации связи; /, — доля ионной связи.
' *^едние два параметра могут быть найдены из выражений
Р= 1 -10,432 ^/(Eo + EJp; f; = с»! (с2 + E^) ,(11.22)
где с — разность электроотрицательностей, образующих соединения АВ(АС) элементов; Eh — средняя гомополярная ширина запрещенной зоны.
Значения параметров Ео> Ei, Е2 (определяются спектроскопически) и /,, не- обходимые для расчета фазовых диаграмм соединений А3/?5, приведены нижу.
Соединение
h
E6. эВ
Et, эВ
E2, эВ
A S (газ), Дж/(моль-К) [36, 47, 62]
А1Р
0,303
5,13
4,75
5,23
62,0; 72,0; 62,8*
AlAs
0,274
3,14
3,69
4,79
62,0; 72,4; 65,3; 70,0; 95,5
AlSb
0,435
2,5
3,0
4,25
61,7+0,9*; 62,4; 63,6; 72,8
GaP
0,330
2,77
3,73
5,27
69,1; 72,4
GaAs
0,313
1,55
3,04
4,99
69,7+1,7*; 61,5
GaSb
0,265
0,99
2,26
4,1
66,1+0,9*; 62,0+2,5; 51,5+2,9
InP
0,432
1,37
3,24
4,8
58,2; 63,6; 72,8
InAs
0,347
0,5
2,64
4,5
60,8+1,3*; 63,2+6,3
InSb
0,315
0,5
2,13
3,27
60,0+1,0*; 55,3; 64,1+3,8
* Рекомендуемое значение.
Рассчитанные значения теплот смешения представлены на рис. ILL Параметры элементов HI, IV, V групп, необходимые для вычисления коэффициентов взаимодействия а,,, имеют следующие значения:
элемент
6, (Дж/ /см’)1/2
V, см3
X
Элемент
6, (Дж/ /см3)1/2
V, см3
X
Al
360,0
10,0
1,5
Sb
247,0
18,2
1,9
Ga
309,8
11,8
1,6
Si
368,4
H,7
1,8
In
251,2
15,7
1,6
Ge
318,1
13,7
1,8
P
313,9
17,8
2,0
Sn
272,1
16,3
1,8
As
276,3
13,1
2,0
Pb
213,5
18,3
1*8
Вычисленные и определенные экспериментально значения коэффициентов взаимодействия для различных систем приведены ниже.
Коэффициенты взаимодействия и= (а — ЬТ+сТ2)-4,186, Дж/моль, в жидкой фазе систем А3—В5 [36, 47, 62, 77, 101]:
При вычислениях по уравнению (11.21) предполагается, что а и L зависят от состава твердого раствора линейным образом, а Еи, Ех и Е2 изменяются по уравнению
Ei ^ EAC,i x + ebcj U—x^—Cj (1 — х) X,
(11.23)
Система
Co, эВ
Ci, эВ
С.,, эВ
AIP —AlAs
0,56
0,35
0,21
AIP —AlSb
3,00
2,39
2,09
AIP—GaP
—0,04
—9,01
0,01
AIP — InP
1,44
0,89
0,57
AlAs — AlSb
1,06
0,99
1 .->0
AlAs — GaAs
—0,04
—0,01
0,01
AlAs — InAs
0,99
0,65
0,15
AlSb —GaSb
0,71
0,53
0. 17
AlSb— InSb
0,83
0,51
0,29
GaP — GaAs
0,21
0,25
О.оЗ
GaP — GaSb
2,72
2,27
2.07
GaP — InP
0,88
0,50
0. io
GaAs — GaSb
1,04
0,97
0.97
GaAs — InAs
0,56
0,50
0.27
GaSb — InSb
0,43
0,33
0.24
InP — InAs
0,23
0,26
0.27
InP — InSb
1,83
1,60
1 51
InAs — InSb
0,58
0,55
o.oo
где Cj — коэффициенты, вычисленные авторами работы [115], имеют следующие значения:
' Система
a
b
Система
b
Al—Ga
104
—
Ga—As
5900
9 9
Ga—In
1060
—
5160
9 16
Al—In
1060
—
4380
P—As
1500, 2000
—■
Ga—Sb
4700
6 0
As—Sb
750, 610,
—.
6220
8,11
2400
11500
13 0
Al—P
2800
4,8
In—P
4500
4 0
Al—As
600
12,0
0
9400
9,46
9700
9,7
—9380
—
In—As
3860
10 0
Al—Sb
12300
13,0
—6070
57500
84,0;
4030
10,16
0,03b*
In—Sb
3400
12,0
18000
13,0
20400
69 0-
Ga—P
14690
13,15
0,0475*
7900
7,0
800
16,68
2800
4,8
—3980
—3500
—
1 Звездочкам
и отмечены
значения коэффициента
c.
Рис. ПЛ. Зависимость энтальпии смешения &Н от состава тройных полупроводников .1 ^ ' / —AIP —AlAs; 2 — AIP— AlSb; 3 — AIP — GaP; 4 — A1P — InP; 5 — AlAs — A-* 6 — Al As — GaAs; 7 — AlAs — InAs; 8 — AlSb — GaSb; S —AlSb—InSb: 10 — GaP — Ga \$: 11—GaP —GaSb; 12 — GaP — InP; 13 — GaAs — GaSb; 14 — GaAs — InAs; /5 — GaSb—In'b: 16 — InP — InAs; 17— InP — InSb; /8—InAs — InSb
Система
а, Дж/моль
Система
G, Дж/моль
AIP —
AIP —
GaP
0
GaSb —■ InSb
7980;
6300
InP
14700
AlAs —AIP
1680
GaP — AlAs •— AlAs -
■ InP GaAs InAs
14700; 16800 0
10500; 11823
GaAs — GaP InAs —InP
1680;
1680;
4200
4200; 2460
GaAs —
InAs
12600; 11760;
GaAs ■— GaSb
18900;
14090
AlSb —
AlSb —
GaSb InSb
— 4746 ф 11,9 Г 0; 97 2520; 6115
InAs — InSb GaP — GaSb InP — InSb
9450;
33470
21780
12180
2- Коэффициенты взаимодействия в твердой фазе систем А3— В3 [36, 47, 62
Чий “бГ П'2"1117 представлены данные по диаграммам состояния сосдине-
1азного равновесия на плоскость Т—х в системахА! —Вв (а),
Рис. П.2 Проекция линии трехф. Ga —В6 (б), 1н — ВЧв) [33]
т;с
1200
B6As * As пар
1100
1000
900
800
100
B6As BAs ЮЖ
B6As*BAs
57»
815Юд
BAS+AS 1
0 0,2 0,9 0,6 0,8 1,0
В As, ат. доля As
Рис. II.5. Проекция лини трехфазного равновесия и,-
Рис. II.1. Проекция линии трехфазного равновесия на
Рис. II.3. Проекция линии
трехфазного равновесия плоскость Т—л" в системе As [32]
В—
плоскость р—х Ga—As [31]
системе
плоскость р—Г Ga—As [31]
систем-
Рис.
1рехсразного равновесия
плоскость р—X hi—As [34]
11.6. Проекция линии
1П №,ат. доля As
системе
Рис. II.7. Проекция линии трехфазного равновесия на плоскость р—Т в системе In—As [НО]
рис. П-8- Проекция линии трехфазного равновесия на плоскость р—Т в системе In—Р [34]
Рис. II.9. Проекция линии трехфазного равновесия на плоскость р—х в системе In—Р [34]
107 — 109. Ill, 112]
Рис. п.10. Ликвидус некоторых соединений Л1 В' [91—96,
К
6
-0.9
-0.6
-0,2
0,9 0,6 0,8 1,0 Р , ат. боле
Рис.
- Н.П. Растворимость GaP (а) и GaAs (б) в Олове (/), галлии (2), висмуте (3)
Рис. П.12. Зависимость коэффициента активности фосфора и галлия от атомной доли фосфора на линии ликвидуса в системе Ga- Р [23]
О 0,2 ОН, 6 0,81,0 As, ат. доля
Рис. 11.13. Зависимость коэффициента активности мышьяка и галлия от атомной доли мышьяка на линии ликвидуса в системе Ga—As [23]
Рис. 11.15. Температурная зависимость давления пара арсенида галлия по данным [ПО] (/), [73] (2), [120] (3)
GaSb при 7 = 300 К данным [81] (а) и (б)
0,700,7^0,78hv, зб
10 15
hi), зб
II.I9.
Спектр отражения
Рис.
GaSb [82]
Рнс. ния Л»В5
1 — InSb:
3— GaAs;
по
[82]
Рнс. 11.18. Спектр поглощения нелегированного
hv, эВ
11.21. Спектры отраже- некоторых соединений
[38]:
2 — InAs;
4 — GaP
In, мелькая доля
Рис. 11.14. Зависимость коэффициента активности индия от мольной доли ИНДИЯ в растворе In—:Sb при 900 К [98—100]
Рис. 11.16. Давление пара компонентов : равновесии с линией ликвидуса фазовой диаграммы Ga—As [44]
Рис. 11.20. Спектр поглощения нелегировапного InSb [83] при 298 (7). 10 (2), 5 К (3)
Г I к А Д Г Л L
Рис. И.17. Давление пара компонентов в равновесии с линией ликвидуса фазовой диаграммы Ga—Р [45]
2. ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СОЕДИНЕНИЙ АаВ5
В настоящем, разделе приведены наиболее важные сведения о физических и физико-химических свойствах соединений Д3В5. Графический материал представлю • на рис. II. 18—11.25. '
А V I Ob' £ г ДА 5 НГ К 7 Г
Рис.
11.22. Зонная структура соединений А4ВЗ [84—88, 131]
w L Г X и Г L Г X
Ю17 1016 W15?01" H-"
п,см'3
Рис. 11.24. Зависимость подвижности электронов в GaAs от концентрации электронов п для 77 (а) и ЗСО К (б) при концентрации ионизированных примесей N i [ 177]:
U L Г X W К Г Г К L Г X U L
Рис. П.23. Собственная концентрация носителей тока п .для ряда соединений Л8В8 в диапазоне от 0=С до точки плавления [3]:
J — InSb; 2 — GaSb; 3 — InAs;
4—AlSb; 5 — InP; 6— GaAs; 7—GaP;
/—2-Ю»6; 2 —4-Ю16; 3 —6-1016;
4 — МО»; 5-2-10*6; 6 — 4-Ю16:
7 — 6-1016; 8 — 8-Ю16; 9 —5-10'6;
10 —1-10”; //—2-10”; /2-5-10”
Рис. 11.22. Зонная структура соединений ASB5 [84—88, 131] (продолжение)
И-25. Зависимость подвижности электронов InP от I ' К (б) для разной степени компенсации 6 [178]: "е^О;2 —6=0,2;3—6 = 0,4;4 —6=0,6;
концентрации электронов при 300 (а)
5 —0 =0,8
О Структура и некоторые структурные свойства соединений Д3В5 [2, 3]
Соединение
Тип решетки
Тип симметрии
Пространственная группа
Период решетки*1, нм
Микротвердость , ГПа
у*2, г/см3
Молекулярная масса
1
2
3
4
5
6
7
8
BN
Гексагональная
Р &3/т т с
Z—2
а = 0,250399 ±0,000005,
0,6 (поли-
2,29±0,03(20)
24,828
Кубическая, сфалерит
F 43 m
с = 0,66612 + 0,00005
кристалл)
Z-4
а = 0,3615 ± 0,0001
73—100
3,488±0,002(25)
24,828
ВР
То же
F 43 т
Z-2
а = 0,4537
40
2,94(25)
41,7д5
В6Р
Гексагональная
R3m
Z-2
а = 0,5984, с = 1,1850
38
2,584—2,594(27)
95,845
BAs*3
Кубическая, сфалерит
F^m
Z—4
а = 0,4777
19
5,29(25)
85,73
Bq As
Гексагональная
R Зт
Z-2
а = 0,6142, с = 1,1892
—
—
139,83
AIN
Гексагональная, вюрцит
Р63тс
Z—2
« = 0,3111, с = 0,4978
12,3
3,26(25)
40,988
A IP
Кубическая, сфалерит
Т^ — F 43 т
Z-4
а = 0,5451
—
2,40(25)
57,155
AlAs
То же
Т-й — F 43 т
Z-4
а = 0,56622
4,81
3,598(25)
101,89
AlSb
»
T^ — Ftom
Z-4
а = 0,61355
3,95
4,218(27)
4,18(1080тв)
148,74
4,72( Ю80ж)
/
1
/ 2
3
1 4
16
6 \
7 \
8
GaN
Гексагональная, вюрцит
Р 63 тс
Z—2
а = 0,31888 ±0,00007, с = 0,5186 ±0,0004
—
6,10(25)
83,728
GaP
Кубическая, сфалерит
T^-Ftim
Z-4
а = 0,54495
9,40±0,35
4,1297(27)
100,695
GaAs
То же
T^ — F 43 т
Z—4
и = 0,565321 ± 0.00003*4
6,50
5,317(20)
5,16(1238тв) 5,71(1238ж)
144,63
GaSb
»
Т^ — F 43 т
Z-4
« = 0,609593 ±0,000004
4,48
5,6137(27)
5,53(710тв) 6,06(710ж)
191,48
InN
Гексагональная, вюрцит
Р 63тс
Z—2
а = 0,3533 ± 0,0004 с = 0,5693 ± 0,0004
—
6,88(25)
128,828
InP
Кубическая, сфалерит
T"d — Fti т
Z—4
а = 0,586875 ± 0,00001
4,35±0,20
4,787(25)
145,795
InAs
То же
T"d — F 43 т
Z-4
а = 0,60584 ± 0,00001
3,74
5,667(27);
5,5(942тв);
5,89(942ж)
189,73
InSb*5
»
T-d — F 43 т
Z—4
а-- 0,647937 ± 0,000003
2,93
5,7751(27);
5,768(525тв);
6,48(525ж)
236,58
*i Значения периодов решетки даны для температуры 298 К. « В скобках указана температу ра измерения, 'С. При 920 С в атмосфере паров мышьяка BAs переходит в гексагональную форму. *’ В работе [40] в предположении a(Ge) =0,5657735 нм определен период решетки СаАь при 298 К. для нелегировапных кристаллов 0.565352—0,565359 нм, легированных теллуром 0,565354—0,565364 нм, легированных кремнием 0,5653Ь„ сп 0,565364 нм. *5 Обнаружено также существование еще трех фаз антимонида индия — тетрагональной, орторомбической и гексагональной.
П родолжение
Тетрагональные радиусы г и межатомные расстояния d в соединениях Л355 [54]
г-1010 м компонента В5
сМ01с м в соединениях, содержащих компонент AS с радиусом г-Ю10 м
AIN ।<24000,105(77);747(300)0,301(473);4,03(330—473);
0,733(300);0,251(673);4,84(390—873).
1,047(550);0,222(873);5,64(300-1273);
1,172(1200)0,201(1073)6,09(300—1623)
- AIP-25500,478(400);588(0)0,9(300)
0,485(600);
0,498(1000);
0,507(1200)
AlAs1740±20—417(0)0,08(300)5,20(288—1113)
AlSb1060±31,47(20);219(20);0,56(300);—1(4); 0(90);
11,34(80);347(80);0,33(500);4,88(300)
20,595(200);402(200);0,17(800);
22,86(273)370(273)0,13(950)
GaN>1700—6001,7(расч.)5,59(||n)
(300—900);
3,17( || c)
(300—700);
В 0,83
А1 1,26
Ga 1,26
In 1,44
N0.83
^в—N =1.57
^BN—BN = 3,34
а = 1 6= 1
N
N*
,917
,885
2
^In—N ” 2. 16
Р 1,10
dD_P= 1.97
^А1_р = 2,360 dAI— Al =3,870
dGa_P = 2,360
Ли—P = 2,541
7,75(±c) (700—900)
GaP1467±35,195(55);460(0);0,05(2);5,81(211—473).
10,796(100);446(300);1,8(10);5,3(300)
18,787(200);7,5(30);
21,947(300)5,0(90);
1,2(250);
1,1(300)
GaAs12380,073(10); 346,2(1);1,5(4);— 7,5-10-2(20);
’4,02(35);341,1(4);45(20);-17,7-10-2(30);
14,44(100); 266,8(34); 0,54(300); -10,5-10”2(40); 22,86(273) 351(100);0,28(470)6(55);
362(273,2)6,86(211—473);
16,00(300)
GaSb।7120,139(10);260,6(4);0,09/6;6,7(298—873);
,4,68(30);212(30);4,0/40;0,226-10“2 (6);
17,062(100);288(100);1,3/100;-0,1 • IO-2 (8);
22,797(200);274(200);0,35/300-34,2-10"2(26);
24,174(273)240(300)-28,5-10-2(32)
InN-120032,65___
-InP10700,264(12);234(12);0,67(300);4,75(300)
1,624(20);212(20);0,30(500);
As 1,19
^в—As = 2.06
Лм—As = 2,450
dGa_As = 2,448
dm-As = 2,6231
Sb 1,36
—
Ла1—Sb ~ 2,65/]
^Ga—Sb = 2,639
^In—Sb = 2,805,
Удельный молярный объем V и число атомов N в 1 см3
Соединение
V
A-IO22|| Соединение
1
| AMO82
BN (гекс.) BN (куб.) ВР (куб.) BAs (куб.) A1N AIP AlAs AlSb
11,01
7,20 14,07 16,42 12,57 23,81 28,30 34,91
10,95 16,75
8,57 7,34 9,59 5,06 4,26
3,45
GaN GaP GaAs GaSb InN InP InAs InSb
13,73 24,39 27,28 34,14 18,72 30,46 33,46 41,00
8,78 4,94 4,42 3,53
6,44 3,95 3,60 2,94
Тепловые свойства соединений Л3В5 [2, 78]
Соединение
^пл' °С
с, Дж/(г-К)
eD, к
X, Bt/(cm-I<)
a-10®. K—1
10,884(80);357(80);0,17(800)
20,168(200); 424(200); 22,270(300)420(273)
InAs943±32,60(20); 251±2,5(0); 0,26(300);—0,058(10);
9,0(50);178,2(20); 0,20(400);—0,555(20);
,16,70(100) 216,1(34)0,15(500)—0,86(30)
InAs—22,35(200)253(50);0,12(630);—0,78(42);
303(200);0,11(700)5,19(293—1225)
280(273)
hSb525,2±0,3—136,3(13);0,18(300);—1,43(26);
180,9(30);0,10(500);—1,17(34);
235(100);0,084(800);—0,28(60);
i161(273)0,046(798,4,43(2)0);
1tb) ;5,o4(3jO);
0,13(798, ж) 5,05(470—525)
:5gj^^^ м e ч a 11 и e. В скобках приведены температуры измерения или интервалы темпе-
1
2
3
4
5
6
BN (гекс.)
ВЫ(куб.)
ВР
в6р :
BAs
3000
(ин кон гр.)
2700
>2500
>2000
—2000
1,00(293) 1,75
(до 2500)
0,72(298)
0,407
598
1730
985(0)
625(0)
0,8(473);
0,7(1120); 0,19—0,27
(1000—2200) 5—10
8,6-IO”3 (162);
6,7.IO-3 (352)
0,5(295)
—2,9(±c)(293l" 40,5( || c) (2931
3,5(273—673);
5,96(1000)
2,1
5
52
53
П рос)олжение
Продолжение
Расчетные уравнения теплоемкости соединений Д3В5 [25]
2
31
4
5 j
6
Соеди-Соеди
нениег-0,24, Дж/(моль-К)ненкес*0,24, Дж/(моль-К)
BN 4,324+6,118-Ю—3 7 — 2,606-105 7—2GaN8,122 + 3-10-3 т
ВР 7,902 + 3,676-10—3 7 — 2,313-105 7-2 GaP10, 180 + 2,47-1G""+
BAs 8,102 — 2,959-10—3 7 — 1,893-105 7—2GaAs10,(28 + 3-IG- 7
BSb 7,212 + 7,859-10—37 — 1,303-Ю5 7"2GaSb10,668+4-1G- ’7
AIN 7,902 + 3,676-10"3 7 - 2,313-105 7"2InN9,863 + 3-1G-3 7
A1P 11,480+1,234-IO-3 7 —2,020-1057”2 InP10,18C 4 4-10-3т
AlAs9,004 + 3-IO-3 7InAsК ,530 + 4- it-1 т
AlSb10,310 + 4-IO-3 7InSb11,8C4 + 2-IG—' 7
Термодинамические константы соединений Д3В5 [2, 23—25]
^
Д1Р
GaP
298—627
300
298—1150 300
400—1100
400
800
1200
1500
—5571,00 । 7335,5 x
X ю-s 7^ — 3484,8X x ю-8 73
—7377,0 p24,7 7
-17,5+50,12-10-3T+
+ 10,1-IO”7 72 + +6,32-102 T"v 4647
24450
45176
61127
14611,OX
X 10"5 7 - — 10,5-10"5 72 30,27
49,49
50,12+20,2 X
X IO"4 7 — -6,32-Ю5 7"2
13,4
47,56
68,54
80,39
—
Соединение
— AHf 298' кДж/моль
S298’ Дж/ (моль ■ К)
о ^Е
1 9
Д Нат 298’ кДж / моль
D0' кДж/ моль
Д ^/ 298 баз), к Дж/моль
InP
400—1100
400
800
1200
— 15339+51,66 T
4814
24786
46097
51916
13120,38—13499,9x
X10“2 7+30,513,39x
XЮ-5 72
— 132969,8 1-33543, OX
X10-2 T
47003,5—5100,4 X
X 10—4 T2 + +8427,94-Ю-7 T3
—13774+45,30 7 +
+30,5-10"4 7"2
0
88
51,9; 45,05+ +5,11-IO-2 7
13,86 48,44 69,96 74,61
0
0,25 13,90 23,8 32,4
BN(reKC.) A1N GaN InN BP AIP
GaP** InP BAs
AlAs GaAs InAs AlSb GaSb InSb
252,8±1,8
318,6+2,1
175,8; 109,7
150,7
100,9±7,5
165,4±2,1
102,2+5,2
84,6+62,8
39,4+8,4
116,4+4,2
74,1+6,3
57,8+4,2
49,2+1,0
44,2+1,6
30,6+0,4
14,8±0,2
20,2+0,1
35,2
42,7
19,8
47,3
51,9+2,5
62,7±0,4 41,0+4,2
(расч.) 30,77 (эксп.) 60,3 64,2+0,4 75,8±0,8 64,3+0,6 76,1+0,8 87,2±0,8
286,8
92,5
93,4 73,8
115,3
70,4
52,5
46,3 41,0
25,7
1177,3
1053,8
854,5
880,5
776,6+12,6
710,1
636,1
639,3
632,2
577,4
537,6
343,3±16,7 2 12,7±12,6 2 30,3+12,6
209,8± 1,3
531,3+29,3 430±6,7!
378,1 + 17,2
353,8
BAs
AlAs
GaAs
1300
298—431
431—459
459—539
273—713
298—1250
299,15
300
34,92
48,90+6,36 X X Ю"3 7 —
-6.70-10-5 72 45,2+61,1X
X10-4 7 47,3 47,3 49,32 49,66 50,83 52,00 53,17 54,34 55,52 56,69 57,86 59,03 60,21 61,38
32,1
32,1
32,7
34,2
36,0
* Значение ML п (газ). *■’?+'= 393,1 Дж/(моль-К);
/, иат, хУо
доат
298=609'3
кДж/м О 1Ь.
400 500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300 1400
1500
4873 9780
10617 19954
25204 30580
36073 41683
47411 53256 59218 65297
Термодинамические функции некоторых соединений Д3В5
[23]
39,7
46,14
51,92
37,7
38,69 41,07
Соединение
т, к
НТ Н19У
Дж/моль
ср‘
Дж/(моль- К)
£
оО
° С/Г* 5
LQ А
57,11
61,88
66,24
70,34
74,19
77,79
42,62 44,09 45,47 46,81 48,02 49,24
1
2
3
4
5
1513(tb)
66093
171491
—13657+44,55 7 j
+43,54-10"4 72
1
30,77
78,21
147,88
49,36
49,36
BN A1N GaN
InN
300 ЗоО 300 300
—
19,73
30,15
34,6; 29,94
—
—
InAs
1 _
1513(ж)
298—1200
44,4+8,4 X
X Ю-3 7
54
Lt.
55
—.—
—.- ■_
Продолжен|
Продолжение
1
2
3
! 4
1 5
J' 1
2
3
4
5
6
InAs
AlSb
298,15 300 350 400 450 500 550 600 650 700 750 800 850 900 950
1000 1050 1100 1150
1200
1210(tb) 1210(ж)
1250
1300
298—1150 298,15
300 400 500 600
0
91,3
2579
5100
7637 10249 12878 15550 18254 21001 23781 26595 29442 32339 35261 38225 41223 44263 47336 50451 50652
124649 127329 130678
— 159274-53,51 T 0
88,8 4940
14059 14051
49,32 49,32 49,24 50,83 51,50 52,25 53,00 53,76 54,51 55,18 55,94 56,69 57,44 58,20 58,87
59,62 60,37 61,13 61,88 62,55 62,72 66,99 66,99 66,99
48,06 48,06 48,90 49,74
50 66
0
0,34 7,62
13,98 19,59
24,70 29,39
33,66 37,60
41,70 44,72 48,48 51,08 54,09 56,86 59,54 62,05 64,98 66,91 69,17
69,67 130,46 132,97 135,23
0
0,33
37,891
37,89 38,00|
38,4г?
39,19
39,8b
40,86
41,74
42,66
43,54
44,42
43,21
46,14
46,93
47,77
48,53
49,28
50,06
50,74
51,46
51,58
51,58
53,30
55,27
32,15
32,15
- InSb
При м значения: Соединение
BN
A1N
GaN
V InN
AlP
298—798 798—1100
298,15
350
400
450
500
550
600
650
700
750
797(тв)
797 (ж)
800
850
900
950
e ч а н и e. Фу|
Д"м ASM
75+ 25,1 25+8
67,825±8
—31,0
—17,2
—60,3
—154664-51,83 7 291904-54,4 7 0
2646
5225
7829
10459
13121
15809
18522
21261
24032
26662
74450
74651
78000
81350
84699
1кции* ^Нм. кДж/моль,
Соединение Д Н
GaP122,0
1пР63,6
AlAs—
GaAs 105,4
51,9
54,4
50,74
51,25
51,83
52,34
52,92
53,42
54,01
54,51
55,10
55,60
56,10
66,99
66,99
66,99
66,99
66,99
и ASM Дж/(моль-К
Д 5мСоеди
70,3In
17.3А
57 , 69Сг
69,67In
0
7,87
14,49
20,35
25,62
30,90
34,83
38,94
42,71
46,22
49,40
109,36
67,74
113,63
117,48 121,08
) имеют
пение Д к
As77,(
Sb82.(
Sb 65.Ч5+
Sb47.
43,12
43,29
43,84
44,63
45,47
46,43
47,39
48,36
49,28
50,24
51,12
51,12
51,29 54,05
56,69 59,08
следующие
м4 SM
63,39
1661,55
0,84 66,15
759.79
13,73 24,37 33,08 40,44 47,06 52,84 58,03 62,80 67,24 71,26
72,46 134,15
32,03
34,46
36,30
38,14
39,94
41,66
43,29
у * Значения Некий.
функций
определены при
температурах
плавления соответствующих соеди-
700
800
900
24183
25196
30463
51,50 52,34 57,36 54,01 54,93 55,77 56,61 56,86
74,53
Давление паров [23, 25]
1000
1100
1200
1300
1330 (тв)
1330 (ж)
35822
41273
46808
52427
54127
Igp (Па)
= в-
Х/Т
44,80 46,26 47,65 48,02 48,02
,ч Соединение
Состав пара
А
в
т, к
p, в точке плавления, Па
136154
1
2
3
4
5
6
GaSb
1400
1450
298—985
298,15
400
500
600
700
800
900
985 (тв)
985 (тв)
1000
1100
1200
141371
145098 —156504-52,50 7'
0
5016
10073
15248
20532
25941
31468
36266
101412
102350
108631
114911
74,53
74,53
47,365 И2,73бх X 10“3 Т
48,73
49,91 51,08 52,00
53,51
54,68
55,85
56,86
62,80
62,80
62,80
62,80
138,00 140,59
о
13,90
16,16 33,41
40,95 47,56 53,51
58,11
124,68
125,19
131,21
136,66
50,66 52,42
38,06 38,73 40,28 42,04 43,88 45,64 47,31 48,69 48,69 49,49 54,30 58,49
BN ВР BAs AIM А1Р
IAlAs
AlSb
!GaN
;GaP
1(См. прим.
GaAs (См. прим. 5
5)
, 6)
Робщ
А1
Р2
Робщ р2
Ра
Робщ
A So
As4
(См. прим.
13700
(См. прим.
15065
17864 (См. прим
(См. прим
18870
13650
18870
12510
34500
17340
19320
1)
2)
3)
4)
12,225
9,866
11,536
18,606 11,906 18,606
13,173 27,925 14,866
16,436
1276—1784 1276—1784
1054—1273
973—1073 1054—1278 1350—1678 1324—1469
950—1200 950—1200
13,33
3,5-106± 1- 1G6
l-106±2-103
1
2
3
4
5
6
GaSb
Робщ
17060
18,556
800—960
1,33
Sb2
17920
14,486
850—1190
—
Sb4
22300
20,486
850—1193
10“ 1
InN
—
(См. прим. 7)
—
—
—
InP
Робщ
23000
26,006
900—1350
4,05-106
2,13-lG6 4-0,51-106
6,08-10е
InP
p2
14850
15,326
775-900
—
(См. прим. 8)
p4
21300
21,846
775—900
.—.
23000
26,006
973—1318
—
InAs
As2
15400
16,556
911—1195
3,34-IC4
(См. прим. 8)
AS4
19300
20,656
911—1195
—
InSb
Sb4
8000
11,006
800—1100
1,33-10 1
InBi
—
—
—
—
1.01-10—*
7, К . . .1000120014001500p 6,67-Ю-102,67-10—61.33-10-31,33- ю-:7, К . - .160018702173p.1,20-Ю-*8,0-10—21867Давление насыщенного паранад AlAs, мП, приразных температурах[231:7, К . . .139714551472149715061517р, -10’ . .1,41As24.156.574.697.0313,88РЛ1-Ю’ . .1.203,525,363,975,9611,757, К . . .1000120014001500p 6,67-Ю-102,67-10—61.33-10-31,33- ю-:7, К . - .160018702173p.1,20-Ю-*8,0-10—21867Давление насыщенного паранад AlAs, мП, приразных температурах[231:7, К . . .139714551472149715061517р, -10’ . .1,41As24.156.574.697.0313,88РЛ1-Ю’ . .1.203,525,363,975,9611,75
7, К . . .1000
1200
1400
1500
p 6,67-Ю-10
2,67-10—6
1.33-10-3
1,33- ю-:
7, К . - .1600
1870
2173
p.1,20-Ю-*
8,0-10—2
1867
Давление насыщенного пара
над AlAs, мП, при
разных температурах
[231:
7, К . . .1397
14551472
14971506
1517
р, -10’ . .1,41
As2
4.156.57
4.697.03
13,88
РЛ1-Ю’ . .1.20
3,525,36
3,975,96
11,75
7, К . . .1000
1200
1400
1500
p 6,67-Ю-10
2,67-10—6
1.33-10-3
1,33- ю-:
7, К . - .1600
1870
2173
p.1,20-Ю-*
8,0-10—2
1867
Давление насыщенного пара
над AlAs, мП, при
разных температурах
[231:
7, К . . .1397
14551472
14971506
1517
р, -10’ . .1,41
As2
4.156.57
4.697.03
13,88
РЛ1-Ю’ . .1.20
3,525,36
3,975,96
11,75
Примечания: 1. Общее давление пара над BN [79] составляет 4,53 Па при 1915 К. 280 Па — при 2500 К.
Давление пара над A1N, Па, при разных температурах [2, 32]:
Давление пара над GaN [2] составляет 1,33-10 1 Па при 973 К, 101-10—1 мП при 1273 К.
Давление пара мышьяка и фосфора над насыщенными растворами GaAs и GaP в олове (700—1000'С) [41]:
GaP — Sn: Jg рр (Па) = [(—12929 ± 380)/7] + (12,066 + 0,48);
GaAs — Sn: 1g РД5 (Па) = [(—14895 + 410)/7] + (13,566 + 0,44);
1g рДк (Па) = (—18692 + 453)/Г + (15,686 + 0,51).
Давление пара мышьяка (в предположении состава газовой фазы As2) над насыщенными жидкими растворами Ga—GaAs в диапазоне 700—100(ГС описывается уравнением [611:
1g р(Па) = [-(14592+450)/7] + (12,126+0,26).
Давление пара над InN [80] при 800 К равно 1,01-10—1 мПа.
Давление пара мышьяка и фосфора над насыщенными растворами InAs и InP я олове (500—800°С) [43]:
InAs — Sn: lgPAs (Па) = — (11691 + 102) Г-1 + (13.236+ 0,12);
lgPAs (Па) = — (11743 ± 204) 7~1 + (13.476 ± 0,24);
InP —Sn: 1g рр (Па) =—(9346 + 87 ) 7~* 4 (9,446 + 0,08);
1g рр (Па) = —(7519 + 174) 7—* + (7,386 + 0,16).
другие постоянные некоторых соединений А^В^ [2, 18]
'^•Соединен116
Сц, ГПа
C12, ГПа
C44, ГПа
А1Р
138,2
—
—
AlSb
8,39+0,2
44,25+0,2
41,55+0,08
1
GaP
141,2
62,53
70,47
1
GaAs
118,l±0,7%
53,2+2,5%
59,4+6,7%
GaSb
88,49±3%
40,37+0,5%
43,25±0,3%
InP
102,2
57,6
46,0
InAs
83,29
45,26
39,59
InSb
67,17+3%
36,65+0,5%
30,18±0,3%
.'Примечание. В работе [175] определены температурные зависимости Сц для GaP •интервале 870—700 К: Сп = (—0,00114 5 7+14,467) • 1010 Па; С,2= (—0,000649 Г+6,5621) ■ 10’° Па; ^==(-0,000469 7+7,1739).10"> Па.
[ачения подвижности носителей заряда в нелегированных Единениях Л3В5 [2, 18]
Подвижность, CM2/(B-C)
Температурная зависимость подвижности носителей заряда
(Йдине-
электронов
дырок
TAIN $aN ■jnN
$6aP
GaAs
fAKb
GaSb InSb
—/~103 (2+3)-104/(3+5) ■ 10s
—/1200 (1+2). 105/(8+9)-103 (1+2). 105/(2+3) -104
700/-200 ■
2,6-163/4-103. (8+10). 106/(7+10)-1G4
-/14
800 (150 К)/380—440
—/250+50
—/(1+3)-102
—/(1,5+2,5). 102
(1 +1,5) -103/
/(1,5+2).102
—/100—400
—/—100
—/(4+6) -102
—/200
2035/4- Ю2
2,3-103/1,4-10s 9-103/(7,5-102)
^-Г-1-6; Цр-Т-1'5
Нл-^1,6; р-Р~т-2Л
= 435 (Г/295)-2 ^п-Т-^\
Ир~7-а(а>2) ря-7-а(1,4<а1,6);
Ир ~ Т-^а < 2)
Р„ = 77000 (7/300 )~ь 66;
Рр=2,55.10?7~1'81Х
X (7< 100 К)
^P“
м e ч а н и e. В числителе приведены значения для
77 К, в знаменателе — для
^а Ill ПРИМЕСИ
^= в БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ А3 В5
^стоящая глава содержит данные о поведении примесей в бинарных соедине- ^ях Дз£5 Графический материал представлен на рис. III.1—III.11.
1Z0D
L
1000
800
600
-GoAs^CugGa
G'-Gd/tS : Cu
Z—cr-GaAS-’Cu Z-cr-GaAs:Cu+CugGQt - Z*» - GaAs :Cu*Cu<
1016
-L-L
a-6QAsCu+Cu9Ga^Cu3As
Jg6av+Cu3As
1Qn
1018
1019
ССи,ат/см3
Рис. III.2. Часть политермического разгет, системы GaAs—Li [19]а
n^, am. боля
ю"
Рис. Ш.З. Зависимость парциального давления пара цинка от состава расплава вдоль изотерм ликвидуса системы Ga—
—As— Zn [132]
Ж
1200
1000
800
а
1015
•x*+6aAs:6e
Рис. III.5.
ю20
С^ , ат/см!
10й
Рис. III.9. Зависимость давления па; а цинка от температуры над расплавом Zn—Ga— —Р [135] при концентрации цинка, % (ат.): 1 — 46,6; 2 — 36.6; 3 — 30; 4 — 24; 5 12
Рис. Ш.8. Зависимость концентрации цинка в GaP от содержания цинка в растворе для нескольких изотерм ликвидуса, [134]
10
10
4 10
10
10 №
солидуса [133]
вдоль изотерм
2/ ”
Область солидуса
1,8
в GaAs
1,0
6 i
1,0
1690
700
600 ° С
10ь7п, ат. доля
Рис. HI.4. Концентрация цинка в
в системе GaAs—Ge (а) |12] и вычисленный коэффициент
Рис. ШЛО. Температурная зависимость <ЙЭффициснтов распределения в системах O«As : Se (/), GaAs : Те (2), GaAs : Sh (3). Точки — экспериментальные данные
Рис. III. 11. Температурная коэффициента распределения
зависимость в системах
GaP — Se (/), GaP : S (2), GaP : Те (3), GaP : Sn (4). Точки — экспериментальные данные
активности (6) [150]
германия
^ЭНЕРГИЯ ИОНИЗАЦИИ ПРИМЕСЕЙ В СОЕДИНЕНИЯХ № (п —ДОНОР, р — акцептор) [2, 18, 29, 36, 62, 89, 129]
1000 1200 1400
Рис. Ill 6. Область солидуса в системе GaAs—Sn [19]
Рис.
111.7. Коэффициент активности в GaAs [151]
1 еЛ'
Примесь
E, мэВ. в соединениях
AlSb
GaP
GaAs
GaSb
InP
InAs
InSb
Li
23 p; 51 p
---
n
Na
—
—
p
—
—
—
n
Cu
—
820 p, 660 p, 170 p
(См. прим. 1)
p
170 n,
490 n, 330 n
n
23 p, 64 p
Ag
—•
—
UOp, 238 p
—
—•
—
20 p, 39 p
Au
-—
—
90p, 310p
—
—
—
66 p, 27 p
Be
—
56 p
30 p
—
—
Mg
54 p, 150p (Mg-O)
900 p, 30 p
p
—
<5p
P
Zn
—
64 p, 300p (Zn—O)
14 p, 29p
37 p
31 p
<5p
HP
Cd
—
92 p, 400p (Cd—O)
21 p, 34,5p
—
50 p
100p, 5p
28 p, 9,8p,
Продо.; 1pi„ |
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ РАСТВОРИМОСТИ ДЕМЕНТОВ В СОЕДИНЕНИЯХ Л3В5
Примесь
•Е, мэВ, в соединениях
GSb
AlSb
СаР
GaAs
GaSb
InP
| InAs J
^•'Элемент
З^динениеУравнение растворимости
V N
I^GaP”^2,5-1022exp (1Э7Э0/Т — 17,22)[130]
у Cu
t Л 1022rlCn
С Si Ge Sn 0
Р
Р Р п, р
48 р
82 п, 203р
310 п, 450 р
58 п
896 и, 400 п
6п, 20 р 6,795 п, 30 р 5,95 п, 35 р
6 п
750 п, 400 п
5,845 и 5,812п
Р Р
Р 70 р
31 p
n n
fl n n
P
I' 6 P n
S Se
15 п 270 п, 160 п
104 п
102 п
—
—
n n
n n
•^д5,V~4-1UL1ULJ
М== ЬЮ^ехр (—0,4/АТ)[162]
Au
Л-^2-1017exp (—0,28/йТ)[162]
'' Se
X? _ П К 1Л2Я/1 ПО 11VTXГ1СО1
Те
Mn
125 п, 68 п
89,5 п, 76 п
410 р
5,95 п
100 р
—
8 n
fl
II
^p
Fe
Co
—
1700 р, 1200 р, 840 р, 700 р
410 р
510 р, 370 р
560 р, 340 р,
22±3р
P
p
—
Ni
Al
Другие
При м 520zt, 463p, tCu—Те) —
2. Энер зацин мши свойства.
е ч а н и 240р, 61 уровень ГИЯ ПОН ьяка в
920 р
900 п (Se—Ga), 8 изоэл, ловушка (N), 38 изоэл. (ловушка (Bi) я: 1. В арсениде ^р, 11р. Комплекс 190р. езацип вакансии г GaAs 120 мэВ. Ва
160 р 330—430 р,
210 р
84,5р
790 р (Сг),
849п (Р)
галлия с приме (Си—Au) имеет у]
алл ня в GaAs сост кансии галлия и
сыо меди ювень 46/г,
авляет 10 i мышьяка
СВЯЗЫВЭ1 (Cu—Li)
180 м3 проявля!
ЭТ ypoyi
— урове
В, энерп
от акце
*'p
UI tOp. нь 1 i4p,
1Я 1 -HIl- птонные
№AsZV-^.U'IV
7 Co
M — 1,3-1021 exp [(—_1 ±0,2)ДП[170]
1 Fe
M-3-1021exP[(-0,8±0,2)//?T][170]
^КОЭФФИЦИЕНТЫ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ НЕКОТОРЫХ
2. ПРЕДЕЛЬНАЯ РАСТВОРИМОСТЬ РАЗЛИЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В СОЕДИНЕНИЯХ А^ |[19, 28]
Цементов в соединениях a355 [is, 19,172]
™е-
кс = ств/сж в соединениях
Элемент
Растворимость, 10,е см ", в соединениях
InAs|GaAs
InP|Gap
A 18b
GaP
GaAs
GaSb
InP
InAs
InSb
Си Ag Аи Zn Cd Si Ge Sn
S Se
Те
Другие*1
0,04 0,03 0,02
>3,0 1,6 5,0 1,0 1,0 8,0
7,0
0,2—2,0
0,7 0,02—0,08
0,2
40
-1,0
10,0
6,0
10,0
1,3
1,0
1—ЗВе; 0,05Hg; 0,016Сг;
0,01 Мп; 0,1 Fe;
0,001 Со; 0,001 Ni;
1,9С; 3—4 О*2;
0,033 Ti*3
1 — 1,6
1 — 1,6
0,3 Mn
0,0006
0,00033
43
70,0
20,0
2,0 6,0
4,0
1,5
-1 Bi*4
0,07Yb" ’; 0,47Ег*5;
0,5La*5
■'^ Ag
Au .Be Mg
Mi
Cd В Al Ga In T] ;C
0,01
0,1
0,02
0,002
0,0 [—0,02
0,6
0,002
0,1;
<0,004
3
0,3; 0,047
<0,02;
0,002
0,1;
0,3—0,9 <0,02
3; 0,2
0,1
0,8
0,3; 0,16; 0,0.2
%l,0
0,7
0,77
0,13
6,6.IO-4 4,9-10-5
1,9-10-6
10; 2,3;
3,0; 4,9 0,26
2,4
5,2-10-4
*' Растворимость фтора в InSb составляет 1-1017 см-3 [1201. *2 При 1100°С по да.и»”81 [1671. *3 По данным [169]. *4 По данным [166]. *5 По данным [176].
64
S' Зак.
19665
ПрООРЯМ <;,!,,.
Элемент
kc =Ств/Сж в соединениях
Al Sb
CaP
GaAs
Ga Sb
InP
In As
InSb
0 045
0,1; 0,014
«1,0
0,40
—
Ge
ti'026
—
0,02; 0,03
0,32; 0,2; 0,08
0,05
0,07
0,o4..
Sn
(24-8) IO-4
—
0,03; <0,02
0,01
0,03
0,09
0,051
Pb
0,01
—
—
—
—
0. lb
р
—
2,0; 3,0
—
—-
—
As
—
—
.—.
2,4
—
—
0,4
Sb
—
—
<0,02
—.
—
—
О s
0,003
0,23
0,17;
0,5—1,0
0,06
0,8
1,0
0,1
Se
0,003
0,29
0,44—0,55
0,18; 0,4
0,6
0,93
0,5; u..-,>;
0,17
Те
0,01
0,026 •
0,3;
0,054—0,016
0,4
—
0,44
3,5; «1. 0,54
Мп
0,01
0,015
0,05
—
—•
—
—
Co
0,002
—
—
-—
—
—
-
Ni
0,01
—
<0,02
—
—
—
6,0 • 1 । '
V
0,01
—
—
—
—
Fe
0,02
1 —IO4
0,003; 0,03
—
—
—■
0,04
Cr
—
0,001
0,00058
—
-—
—
—
Ti
0,01
—
—
—
—
—
В работе [20] коэффициенты распределения найдены на основе количес! псиных данных об элементах (электроотрицательность, молярный объем, энергия атомизации) и соответствующих соединениях-растворителях (период решетки, температура и энтропия плавления). Такой метод ранее применен для расчета тройных фазовых диаграмм соединений Д3В [101] (см. гл. II). Согласно работе [20], коэффициент распределения донорной примеси, занимающей места элемента V группы в соединении АВ, может быть вычислен путем приравнивания ее химических потенциалов в твердой и жидкой фазах:
^е ^ав* ^АО и ^вп — параметры взаимодействия в жидкой фазе; ТР—параметр взаимодействия АВ— AD в твердой фазе. Уравнения (III.2) — (III.5) справедливы при ^п « 1 .
При низкой концентрации доноров, когда можно считать, что все они при комнатной температуре ионизированы, коэффициент распределения Лс определяется выражением
кс = Xs , / xlD -= xs - i'Zx1,).(Ш.6)
D 'AD 1
Используя классическую статистику, можно написать:
Xd+ !xd = (1/g) exp \<ED- EFMkTA,(III.7)
где g—^ Для всех доноров, кроме элементов IV группа в GaP, для которых минимум зоны проводимости приходится не на Л'=0, и для которых g=6.
Из уравнений (III.1)- (III.7) получается следующее выражение для коэффициента распределения:
RTlnkE = /^SAD (Тпл AD-T) + КТ hi xlA + (ED - Ев) e-PA-r
"t^Xy ^bd ^~ (xA 0,5) ^ad + Xb ^xb xa) ^ab •(HI.8)
Аналогичное выражение получается для случая, когда донор занимает места элемента III группы:
RT\nhc = ^SBD (TnnBD-T) + KTlrixlB/g + (ED-Ег) е-О^ + "К^А "АЛ + ^в 0,5) ^yD + х1А (х1А хвА ПдВ .(III.9)
#: Методика расчета величин, входящих в эти выражения, аналогична той, которая описана в работе [101] и изложена в гл. II настоящего справочника. Все Обходимые исходные численные значения для расчета коэффициентов распределения доноров в соединениях А^В5 [20] приведены ниже.
к Свойства соединений на основе легирующих примесей, необходимые для расчета кс:
<*№неиие а, нмд 5,тк Соединеиие
Дж/(моль-К) л
«’гг169'901740InTe
jgaSe 0,55469,661513SnP
61'53 985 SnAs
-^ 58’60 1333 SnSb
InSe 0,59661,531210
. Параметры, используемые для расчета
0,637
0,577
0,596
0,637
Д $.Дж/
/(моль-К)
55,26
58,60
61,53
55,26
T
ПЛ'
797 1333
1210
796
МатрицаПримесь
Qo
^HD
ND
GaPGaS
GaSe GaTe
SnP
GaAsGaS
GaSe GaTe SnAs GaSbGaTe
SnSb
InPSnP
InAsInS
507
191 5171 2196 2907
311
1648
1767
304 972
182
1868
—3552 4133
13624 —90 —4769 —960
5130
—90
1334
—90 — 1158
—4769
— 19222
— 11300
3930
482
— 19222
— 1130L4
3930
— 1200
Зак. 196
InSe
157
—ЗОЮ—
$ Продолжение
InTe1300
5130
—
1
2
з
4
InSbInS
InSc
8243
—6862
3643
—4279—
Антимонид галлия
InTe141
1334—
3,2-16s
SnSb141
— 1158—
Са
3,15
658—700
Меченые
ат омы
х Sb
3,4-K4
3,45
658—700
То же
Примечание. Q lHD — коэффициент взаимодействия в жидкой
8,7- Ю-3
1,13
320—650
» »
фазе между примесным
элементом и элементом, замещаемым в решет-
In
1,2-Ij-7
0,53
ке;
p — коэффициент взаимодействия между примесным элемеи-
Sn
2,4-10—5
0,80
320—650
Меченые
атомы
том
и ближайшим соседним атомом е
решетке.
Те
3.8-Ю-4
1,2
320—650
То же
Параметры растворения.
молярные объемы и электроотрицательности ;Л-
А
Cd
1,5-Ю-6
0,72
500—640
р—«-переход
раСЧО LE1 Кс ■
Ал с
Элв-„
' Li
0,12
0,7
800
Пламенная фотометрия
мент°
7.мент(
VX
‘Л
2,3-10-4
1,9
>800
—
Ga
In
7411,8
6715,7
1,6
1,6
S60,6
Se54,8
15,52,4
16,52,3
1
Фосфид
индия.
Р
7517,8
2,0
Те47,7
20,42,1
In
1-Ю5
3,85+0,05
850—1000
Меченые
атомы
As
6613,1
2,0
Sn 65
16,31,8
В Р
7-10Ю
5,65+0,06
850—1000
То же
Sb 5919,2
1,9
$
1
Au
1,32-Ю-5
0,48+0,01
600—820
» »
По-видимому, рассмотренный подход может быть реализован и для выч сж-
1,37-IO-4
0,73
600—950
» »
пня коэффициентов распределения акцепторов.
' Ag
3,6-Ю-4
0,59+0,03
500—900
в в
На рис.
ШЛО и III.11 сравниваются
некоторые результаты раооты। ;;
Cu
3,8-Ю-3
0,69+0,02
600—900
известные экспериментальные данные.
5. ЗНАЧЕНИЯ Do и АН ДЛЯ КОЭФФИЦИЕНТОВ
>
1
Cd
1J-10-7
0,725
700—900
р—«-переход
САМОДИФФУЗИИ И ДИФФУЗИИ ПРИМЕСЕЙ
I
i Zn
1,6Ю-8
0,3
■—
■—
В СОЕДИНЕНИЯХ А3В5 [17, 128,
170, 171]
-—
Co Fe
0,9 з,о
1,8+0,2 2+0,3
600—9и0
600—900
Меченые
То же
атомы
Диффундирую-
Du, см2/с
А Н, эВ
т°, с
Метод исследование
Антимонид
индия
элемент
—
——
—
—
In
1,8Ю-9
0,28
300—500
Меченые
атомы
1
2
3
4
5
0,3
1,75
455—500
То же
Антимонид алюминия
5- Ю-2
1,82
478—520
» »
А1
2
— 1,8
—
—
* Sb
1,4-10-4
3,75
300—500
в »
Sb
Zn
Си
1 0,33+0,15 3,5-Ю-3
-1,5 1,93±0,04
0,36
660—860
150—500
Меченые атомы То же
Cu
,' Ag
5- Ю-2
3,5- Ю—5
10-7
1,94
0,37
0,25
478—520
230—490
440—510
. » »
в »
In
6-Ю5
Арсенид 4
индия.
740—900
» »
Au
7- Ю-4
0,32
140—510
в »
As
3-107
4,47
740—900
» »
7- Ю-4
0,28
—-
—
Си
0,036
0,52
—
» »
Hg
4- Ю-6
1,17
425—51'0
Меченые
атомы
2,2-Ю-2
0,54
600—900
» »
Cd
Ю-5
1,1
250—500
То же
Ag
7,3-Ю-4
0,26
460—900
» »
1,26
1,75
400—500
В »
Au
5,8-Ю-3
0,65
600—900
» »
д
Ю-9
0,52
434—519
» »
Mg
1,98-10—6
1,17
600—900
р—«-переход
1,34- Ю-4
1,2
.—
р—п-переход
Zn
3,1МГ3
1,17
600—900
»
Zn
2,6- Ю-2
1,36
400—500
Меченые
атомы
4,2-10-3
0,96+0,02
60С—900
Меченые атомы
6,32-Ю8
2,61—2,47
400—5и0
То же
Cd
4,35-10^
1,17
600—900
р—«-переход
5,5
1,6
—
р—«-переход
7,4-104
1,15+0,03
600—900
Радиоактивный
1,4- Ю-7
0,86
390—512
Радиоактивный
Ge
3,74-10—6
1,17
600—900
р—«-переход
0,5+0,4
1,35+0,65
362—508
В
Sn
1,49-10-6
1,17
600—900
р—«-переход
1,6-Ю-6
2,3 + 0,3
350—500
S
Se
6,78
12,55
2,2
2,2
600—900
600—900
р—п -переход »
Sn
1,3-Ю-6
0,65
360—500
Меченые
атомы
Ie
3,43-Ю5
1,28
600—900
»
5,5-Ю 8
0,75
390—512
То же
P
1,26-102
2,7±0,2
600—900
Радиоактивный^/
^Ge
5-10 6
0,95
325—495
» »
/7 родом. . ■„.
21
41
5
s
4-IO-5
1,05
200—450
Меченые атомы
Se
1,6-Ю-2
1,3
200—450
То же
1 6
1,87
380—500
Емкостной
1.7-10-7
Ю-6
0,57
300—500
Меченые атомы
0,8
300—450
То же
Co
2,7-lu11
0,39
425—500
» »
10-7
0,25
440—510 .
» »
Fe
1027
0,25
440—510
» »
Те
6,6-ю-5
1,19
363—500
Емкостной
s
0,09
1,4
360—500
»
F
22|
1,0
Фосфид го
ллия
Zn
1,0
2,Г
—
Меченые атомы
(2,56- Ю-19)
1,12
600—9С0
—
0,739
—
—
7,5-10й
2,5
900
Меченые атомы
0,45
—
—
—
S
(N > Ю18) 3,2-103
4,7 Аррсенид
1100—1300
•аллия
Меченые атомы
Ga
1G7
5,6
1100—1225
Меченые атомы
4- Ю4
10,2
1100—1225
То же
Li
0,53
1,0
250—500
Спектральный анализ, электрические измерения
1,6-IO-3
0,6+0,1
—
Меченые атомы
6- Ю-2
0,98+0,06
450—750
Ультразвук
Au
10-3
1,1+0,1
590—1055
Меченые атомы
Ag
4 10—4
0,8±0,05
—
То же
Be
7,3-10-6
1,2
■—
» »
Mg
11,2
2,43
700—900
Электрические измер< пня
4-Ю5
1,22
800—1000
То же
Cd
1,3-10-3
2,2
800—1100
» »
5- IO-2
2,43
860—1150
Меченые атомы
5-10-2
2,8
900—1100
Электрические измерения
3-Ю-7
1,0
800-1100
То же
15
2,49
677—903
Меченые атомы
8-10-5
1,1
880—1140
То же
15
2,5
880—1140
» »
Ge
3-Ю-5
1,8
—
—
7,5
3,6
1050—1140
Меченые атомы
Sn
6-10*
2,5
1000-1200
То же
s
1.6
2,8
900—1075
» »
6-Ю-5
2,6
900—980
Электрические измср'Ч-’1
1,85-Ю2
2,6
800—1200
Меченые агомы
2,6-Ю—5
1,86
900—1100
р—п-переход
4-103
4,04
1000—1200
Меченые атомы
3-Ю3
4,16
—
—
Se
0,65
2,49
7j0— 1000
Меченые атомы
Mn Те
2.6-10-5
2,0
1000—1100
То же
Глава IV.Глава IV.
Глава IV.
Глава IV.
ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ СОЕДИНЕНИЙ А3В5
|. ДИАГРАММЫ СОСТОЯНИЯ
^иЖё представлены рассчитанные или экспериментально построенные диаграммы достояния систем А3—• А3 — В5, А3 — В5—В5 , а также полученные в последнее время данные такого рода для некоторых четверных систем. Методы расчета диаграмм состояния рассмотрены в гл. II настоящего справочника. В этой главе представлены данные по диаграммам состояния для систем, указанных на рис. IV. 1. Диаграммы состояния скомпонованы в две группы—для тройных (рис. IV.2—IV.62) и четверных (рис. IV.63 IV.76) систем.
Экспериментальные уравнения ликвидуса некоторых тропных систем соединений А3В5 [42] представлены ниже:
Система
Ga—А1 (10 %)—Sb(10 %)
Х1 *2*3
Уравнение ликвидуса (Г, °C)
Т -- 29,8 х3 4- 180 х2 4- 580 хл 4- 63, 4 х, х2 [ 932 xt х3|- + 812 х2 х3 4- 27,2 хг х2 (х3—х2) 1- 1133,0 хгх3 х
X (х3—х3)4- 927,8 х2 х3 (х2—х3)—26,1 Хх х2 (хг—х,)24- 4- 1104,2 X! х3 (хг — х3) 2 д- 1114,4 х2 х3 (х2 — х3)2 4- 4- 4791,7 xf х2 х3 4- 7365,7 х3 хг х^ — 3750, 2 xt х2 х3
Ga — Al — As
Xj!Х2Х3
7=29,8 х3—658,7 х24~815 х34-731 Хх х34-3262,4 х, х3 4* 4- 4012,6 х2 х3 4- 552,7 хг х2 (хг — х2) 4" 2966,7 Х| х3 х X (х3—х3) 4- 150,1 х2х3 (х2 —х3) +515,9х1х2 X X (хх— х2)24- 1178,77 хг х3 (Xj — х3)24~ 3322,6 х» х3х X (х2 — х3)2 4" 15070,2 X] х2 х3 4- 3552 х3х3 -— — 3778,5 X! х2 х|
Qa-Al(10 %)—As (10 %)
<Г Х2Х3
7 = 29,8 Хх—180 х2+950 х3 ’ 60,4 xi х2 | 1440,4 х^ х34- 4- 1900 х2 х34~ 27,2 Хх х2 (хх—х2) + 1920 xt х3 (Хх—х3)4~ 4- 2186,1 х2 х3 (х2—х3)—26,1 Хх х2 (Хх — х2)2 [-
4- 1920 Хх х3 (Хх — х3)2 4- 2266,1 х2 х3 (х2 ■— х3)2 4-
4- 14077,2 х2 х3 — 8240,8 Хх х2 х3 — 1757,7Хх х2 х^
На —As—р
7 = 29,8 хх + 815 х2 4~ 44,2 х3 -Г 3262,4 хг х2 +
** Х2 х2
4-5731,9ххХ3 | 1261,5 х2 х3 + 2066,7 хх х2 (Хх—х2)4-
4- 38,5 Хх х3 (яд — х3) | 2727,6 х2 х3 (х2 — х3) f-
4- 1778,7 Хх х2 (Хх — х2)2 + 5507,8 Хх х3 (хг — х3)2 4
4- 1510,9х2х3 (х2 — х3)2— 12317,7 х^х2х3 4-
°a-As(10%)-P(L0%)
^*2Xg
4- 10465,6 х^ х2 х3 — 7412,7 xt х2 х^
7 = 29,8 ХхН 1009 х2 Г 1213 х3—1340 Хх х2 |-1986 х, х34-
4- 174 х2 х3 у 1733,4 Хх х2 (Хх — х») -|- 2541,2 х, х3 х
X (Хх — х3) ; 125,Зх.,х3 (х2 — х3) 4- 2 -К Д >j х2 X (Хх —х2)2 4- 2423,9ХхХ3 (хх— х3)2 4" 50,6х8 х3 х
X (х2 — х3)2 — 9^92,3 х, х2 х3 •; 1738,9 ХхХ2Хд
Ga — In — AsXi X2 X3Ga — In — AsXi X2 X3In-As (20 %)-P (2) %)X3 Xox3In-As (20 %)-P (2) %)X3 Xox37= 29,8 xt 4-156 x2 ! 815x3—101,6 xx x24-3262,4 xl л 4-1826 x2 x3+66, 7 xT x2 (Xi—x2) [-2072,5 Xj x3(x3 --.v 4- 1560 x2x3 (x2— x3) — 131,2 xxx2 (X! — x2)2 4- 4-2088,5 XjX3 (%! — x3)24- 482,6 x2x3 (x2 — x3)- 4- 738,5 Xi x2 x3 I - 11233,6 xt x| x3 — 562,6 x3 x2 .Ц
Ga — In — As
Xi X2 X3
Ga — In — As
Xi X2 X3
In-As (20 %)-P (2) %)
X3 Xox3
In-As (20 %)-P (2) %)
X3 Xox3
T -^ 156 xx — 8 30 x2 -r 950 x3 4- 808 xx x3 4- 1228 xI j 4- 132 x2 x34- 997 хг Xo (xL—x2) i 15j3,6 x3 x3 (xj— ; 4"- 83 x2 x3 (Xo — x3) 4- 75/, 1 xx x> (x< — x2)~ ] * 4- 1583,6 xL x3 (Xj — x3)3 — 83 x2 x3 (x2 — x3)2 — — 5247,2 x? Xo x3 - - 2797,4 xv x£ x3 ]- 403 Xx Xo x?
ШИРИНА ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ
И ПЕРИОДЫ РЕШЕТКИ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ
Согласно работе [57], для тройных систем А3—В5 ширина запрещенной зоны •<>. жет быть описана выражениями вида
^2 (*) = Eg! т- Ь X -|- сх\(IX 1)
где ЕгЛ -—ширина запрещенной зоны бинарного соединения, имеющего мен: ее значение этого параметра; b п с — постоянные, при которых
Eg* — Е^ 4--b 4" с,где Ego— ширина запрошенной зоны более широкозоин :о
полупроводника.
Авторы работы [173] на основе метода, изложенного в работе [57], шю нули аналитические выражения для зависимости ширины запрещенной зоны, i • чь ода решетки и относительной диэлектрической проницаемости от состава г- верных твердых растворов.
Зависимость ширины запрещенной зоны от состава выражается слсдхк п- ми уравнениями:
для соединений вида AI-X Вх CX_(J Dy
Eg (х, у^ - Eabd у j- Earg (1— у) — ^ ———- у (1 — у), (Г- .2)
V VbABD Едвс)'2
^АВС
Едвс ~ ERq х 4- Елс (1 —х)—_ _—-4=— х (1—х),(1\ .3)
] <ЕВС -г Ед^/2
Едвп ^ ЕВГ) х4- ЕДГ) (1 — х) — _^ ___-==- х (1 — х),(1 \ . И
адвсп = aBCD х-' aACD (1 — х),(IX .а)
где Ег — ширина запрещенной зоны соединения /; гл — параметр «провис;- пя" запрещенной зоны;
для соединении вида А Вх Су D\—x—y
Ea™,j V^^^^i^y <l"")Ea™,j V^^^^i^y <l"")1 [
Ea™,j V^^^^i^y <l"")
Ea™,j V^^^^i^y <l"")
Eg (х, //) --=| ЕДВГ) х
VxA-y^ kx-х У^' (1\’.ЯVxA-y^ kx-х У^' (1\’.Я°-ABD где Eabd=Eab <хА-т YEAB<\-x-yV
VxA-y^ kx-х У^' (1\’.Я
VxA-y^ kx-х У^' (1\’.Я
AIN
GqK
UN
N
InN
6P
BP
AlP
Gap
W
[nP
BAs
AlAsI
ylWU
^M
InAs
«лР К
AlSb boSb
InSb
(ИС. IV. 1. Твердые растворы в системах /I3—Вй 'г-имеются данные по диаграммам состояния; i*~ имеются данные по зависимостям ширины |Прещенной зоны и периода решетки от соста- |; 3 — имеются данные по другим свойствам
GqP
AlP
Ga
(да %)
ЯГ
fr.
Al (750%)
^с. IV.3. Расчетные изотермы ликви- «са фазовой диаграммы AI—Ga—Р в №дасти, прилегающей к Ш—Ш-сгоую- w концен грационного треуголыш- 5k [471
Рис.
0^ 0,5
2^00
2200 h
1800 H
Gap
0,8 го
А1Р
хр 0,2
0^
WOO о
у s ЛА1Р
Рис. IV.2. Диаграмма
состояния
псевдобинарной системы Gap — А1Р [47]
70
S'
1200°C \
?
8
6g
A
^567 % (ат.)
700 0
°\° 5
1100 0
TOGO
Галаневый
угол тройной системы Al—Ga-Р.
ликвидуса [47]
диаграммыРасчета ые
состояния изотермы
r2v
ТО"3
ТО'4
10 12
^1
Рис. IV.3. Детализированное изображение нзоюрм ликвидуса галлневои области диаграммы состояния системы Al- Ga—Р [72]
и^
0^
9.2 О
Рис.
05
1100
1200°С
300°0
1ООО
10
98
Hill I 1 I HillI I 1 НПО 10"3 ГО"2 10"’
^L
IV.6. Зависимость со-
ставов солидуса от составов ликвидуса вдоль нескольких изотерм системы А)—Ga—Р 147]
Хр
1П 1 2 3 4 5 Б ^,%(ат.)
Рис. IV.7. Диаграмма состояния псевдобинар- ной системы 1пР А1Г- 1471- Штриховая кривая - расчет в предположении идеального харак-
Рис. IV.9. Расчетные изотермы ликвидуса ин диевого угла диаграммы состояния системы AI—
—In—Р [47]
Рис. IV. Ю. Составы солидуса в функции сыта. вов ликвидуса । ;оаь нескольких изотерм Сц стемыAl—In—Р! 47]
Штриховая кривая со- ys _ vZ отношение Alp Лд| для псевдобинарного разреза
700°С
3
Ga; 7. (ат.)
0,6
in
тсра жидких и твердых растворов
'Рис. IV.8. Расчетные изотермы ликвидуса диаграммы состояния тронной системы д|_In—р в области. прилегающей к Ш—///'-стороне концентрационного треугольника [47]
^850
800
0
ОД
ОД
10
Agop 0,8
Рис. IV.15. Составы солидуса в функции соста-
вов ликвидуса вдоль на рис. IV. 12 и IV.13 кривые), [49] (точки)
изотерм системы In—Ga—Р по данным [47[ (сплошные
[нс, IV.14. Изотермы ликви- диаграммы состояния войной системы Ga—In—Р t данным [471 (сплошные Кивые), [49] (штриховые тшые)
Ь-.
Pitc. IV.II. Фазовая диаграмма пссвюсп парной системы InP—GaP по данным [101] при б[п=60 (сплошные крнгые), [101] при 61П=67 (штриховая кривая) [119] (/), [120] (2). [121] (3)
Рис, IV.13. Изотермы ликвидуса -1 аграммы состояния тройной свете" Ga—In—Р в области, прилегающей III—///'-сторонеконцентрационное
треугольника по данным [47] (сило иыс кривые), [49] (штриховые кривы-
Рис.
1800
-7
-2
давления фосфора, галлия и индия в равновесии с изотермой ликвидуса 1100°C в троимой системе Ga—In—Р [50]
0,6 0.8 х1^
AlAs
(100%)
Рис. IV.12. Диаграмма фазового равновесия .сплошные кривые — изотермы ликвидуса; индуса
тройной системы Ga—In—Р [47]: штриховые — нзоконцеитрационные
кривые
74
2000
Ga
1800
ОД 0,6 0.8 ^п
1V.17. Парциальные
2600
2400
С Од 0,2 0,3 ОД ОД
2200
0 0,2 ОД 0,6 ОД 1,0
AlAS Хур
А1Г
Рис. IV.18. Фазовая ма псевдобинарной AlAs—AIP [47[
диагра м-системы.
Рис. IV.16. Парциальные давления фосфора Рг в с ликвидусом вдоль изотерм системы In рис. IV.12: сплошные кривые — экспериментальные данные ховые — расчетные данные [47]
равновесии
Ga—Р на
[50], штри-
^AlAs
0.8
ОД
0,1 ОД 0,3 ОД Х^
(100%)
в*1»' ^'й. Расчетные изотермы ликвидуса алЮминневом углу диаптаммы состояния
Г^мы Ai-As-P [47]
Рис. I V.2G. Изотермы солидуса в равновесии с богатым алюминием расплавом в системе А1—As—Р [47]. Штриховая кривая-соотношение Xs — X1 для
AlAs As псевдобинарного разреза
и
75
^s
Z725
0,15
0,05
Рис. IV.21. Фазовая диаграмма псевдоби- нарной системы GaAs—GaP по данным: 11011 (сплошные ’кривые) [124] (7). [103] (2). [120] (3)
Рис. IV.22. Чройная фазовая диагра' ■,. системы Ga—GaP—GaAs [92]: сплошные кривые—изотермы ликвидна штриховые — изоконцентраты GaP
0
0 0,040,12
хр
аг
lS
IV.26. Изотермы ликвидуса системы
Р
[92] при температурах,
- 1300; 2 — 1200; 3 — 1100; 4 —1000; 5 — ). Сплошные кривые — расчетные Дан- te, темные точки — данные [91], светлые чки — данные [90[
Рис. IV.27. Равновесная растворимость фосфора в тройном жидком растворе Ga—As—Р при значениях X ^g [92];
/—0,4; 2 — 0,3; 3 — 0,225; 4 — 0,140; 5 - 0,07; 6 — 0,02. Сплошные кривые — расчетные данные, темные точки — данные [90[, светлые точки —данные [91]
Рис. IV.23. Изотермы ликвидуса в системах Ga—Р—As («) и Ga—Р (10°,) — As (10%) (о) по экспериментальным данным [42]
Рис. IV.24. Расчетные изотермы ликвидуса тройной системы Ga—As—Р в таллиевом углу [47]
Рис. IV.25. Изотермы солидуса тройной системы Ga—As—Р, соответствующие изотермам ликвидуса рис. IV.23 [47]
GaAs
GaP
с. IV.28. Расчетные кривые шовесных паров фосфора и
ликвидуса системы
давления мышьяка
GaAs-GaP [51]
(29,8)
(815)
Рис. IV.29. Диаграмма сосимшия псевдо- бинарной системы GaAs—AlAs [47]. Точки— данные работы [48]
Рис. IV.30. Изотермы ликвидуса в системах Ga—Al—As (а) и Ga—Al (10%) — As (10%) (б) по экспериментальным данным [42]
Gq As
AlAs
'500
1100
1000
А1 (100 %)
Ga (100 %)
Рис. IV.31. диаграммы Al—Ga—As
Расчетные изотермы ликвидуса состояния тройной системы
в
7/7—НГ-стороне угольника [47]
области, прилегающей к концентрационного тре-
IWO °C
Ga 4
8
1.0
0,8
0,5
100
E
1,0
Al, % (urn. i
121620
Рис. IV.32. Детализированное изображен!,,, изотерм ликвидуса в галлиевом углу ди аграммы состояния тройной системы А1 —Ga—As [47]
1,0
0,8
06
0,6
\ 0.2
0,10,20,30,5 /^
JMIC. IV.37. Изотермы солидуса, соответствующие изотермам ликвидуса рис. IV.35, Кюйиой системы In—As—Р [47]:
пересечение с псевдобинарным разре-
т;с
1600
1500
1200
1000
800
0,20,60,60,61,0
InAsAlAs
Рис. IV.38. Фазовая диаграмма псевдоби
050,81,21,6
А1, % гот)
0,6
Рис. IV.33. Детализированное изображение изотерм ликвидуса низкотемпературной таллиевой области диаграммы состояния тройной системы А1—Ga—As [47]. Коэффициент распределения алюминия выражается зависимостью
к = 82 4-33,6% (ат.)-* [0,3% (ат.) -Сж]- — O,is°c—1 (/—/о) —0,05 [ С % (ат.)] X X (0,3-сж) (/-/о),
0,2
О
AlAs
10
7300 1200-
парной
системы InAs—AlAs [47]
800
900 х
^1600 1350
* 1300
.x 11001200
1000 °C
10 "z хм
!П
(100%)
А1
(100%)
т,°с1050
1000
550
500
0,2
0,5
o,6
<0 < t < t„ + 100" C
Рис. IV.34. Расчетные изотермы солидуса тройной системы Al—Ga—As [47]:
/ — соотношение ХА1 As = ^д] для псевдо- бинарного разреза
Рис. IV.39. Расчетные изотермы ликвидуса тройной системы А1—In—As в области диаграммы, прилегающей к 7/7—///'-стороне [47]
Рис. IV.40. Расчетные изотермы солидуса в системе Л1—In—As [47]. Штриховая кри-
вая — соотношение Xs,, , —%( .
AlAs Al псевдобинарного разреза
для
InAs
0,60
^ 0,30
900
100 о°с
0,20
1°С
0,10
600
InAs
Рис. IV.35.
0,81,0
InP
1П0,ГО0,20 0.30 0,50 InP
нои k
1200
Ш10
WOO
SOO
As
In As (1215 K)
1200
GqAs (/5// А)
1150
1100
1050
1000
950
900
парной
Фазовая диаграмма
системы InAs- InP по
[101] (сплошные кривые), [1221 (2, 3), [103] (4), [112] (5)
псевдобиданным: (1), [123]
Рис IV.36. Расчетные изотермы ликвидх, • в индиевом учлу диаграммы состояв, -1 тройной системы In—As—Р [47]
Рис. IV.41. Фазовая диаграмма псевдобн- Нариой системы InAs—GaAs по llOl] при б [ц =60 (сплошные
[101] при 6 [п =67 (штриховая[125] (/), [104] (2), [126] (3),
данным:кривые),кривая),
[103] (4)
Ga
U00%)
In
Uoo %)
Рис. IV.42. Фазовая диаграмма тройной системы In —Ga—As [100]
Рис.BOM
1,0
^(10%)
GaSb
0,8
й\»
06
JO
U 00 %)
Ga
[17]
0,8
0,6
BOO
100
600
0,7
0,9
InSb
системы
солидуса
[104] (3). [103] (4)
(2),
т;с
80
1000
nAs
60
900
800
8556 \
GaSb
As
Sb
100
950
500 WO
ГС 900
Ga (100 %)
Al Sb
■00
600
Рис. IV7.53. Фазовая диаграмма тройной системы In—As—Sb [100]
Рис, IV.52. Фазовая диаграмма псезлобн- нарной системы InSb—InAs ио данным [101] (сплошные кривые), [105] (/), [106]
Рис. IV.50. Изотермы ликвидуса тройной системы Al—Ga—Sb в области диаграммы, прилегающей к Ill—///'-стороне концентрационного треугольника [47, 136]
Рис. IV.48. Фазовая диаграмма псевдоб cacTeMbI GaSb-AlSb по дайны
1 Л^й?01^1^^ кривые), Шб] (/), [117
1^1, |11о](а)
0,2О Л
GaSb
Рис. IV.51. Расчетные изотермы ликвидуса в индиевом углу диаграммы состояния тройной системы In—As—Sb [47]
Рис. IV.44. Изотермы системы In—Ga—As
Рис. IV.46. Расчетная диаграмма сост; ния тройной системы GaAs—GaSb—< [53]:
сплошные линии — изотермы ликвичх. штриховые — изоконцентрационные крив
^Sb. о,/и iam-1
' 75
0,2
16 5 ТО 15 20 25 30 35
Ga, % (ат.)
IX .43. Изотермы ликвидуса в индне-углу тройной системы In—Ga—As
t,°c
1200
1100
1000
900
800
700
1 о2аЗ
1200°С
10г
10"
Ga
солидуса
, IV.49. Изотермы ликвидуса в системе (10%)—Sb (10%) по эксперимен- данным [42]
0,60,81,0
■ GqAs
GqAs
Рис. IV.45. Фазовая диаграмма квазиби- нарнои системы GaSb-GaAs ио данным (2?, [103]Тз™1116 КрИВЬ,е)- [,271 (/), [101]
100
00
20
Рис. \\ДЧ. Расчетные изотермы солидуса тройной системы Ga—As—Sb [53]
Ga
720 °C 800 900
0,380,95 0,300.85
GaSb
0.6
о
In As
1,0
IV.5L Изотермы a—Al—Sb [46, 149]
600
500
Рис. IV.55: Изотермы солидуса, соответствующие изотермам ликвидуса рис. IV.53, для тройной системы In—As—Sb [47];
/ — соотношение х^^— х^для псевдоби- парных разрезов
900
1300
800
700
1100
900
AlSb
700
Рис. IV.56. Фазовая диаграмма псевдобн-
ГС
1000
10 Ast-
парной системы [101] (сплошные (2), [103] (3)
InSb—AlSb no данным кривые), [104] (/). [Ill]
InSb
IV.6L Солидус квазибинарного теза GaP—Sb вблизи соединения Т137]. Штриховая кривая ■ расчет без 'та высокотемпературных точек
0,2
GaP
Т, °C
1000
900
800
700
600
500
GaSb
О 0,2 0,4 0,6 0,8 xkXte
Рис IV.62. Фазовая диаграмма псевдоби- нарной системы AlSb—InSb по данным [141] (сплошные кривые), [142] (/), lixx, (2), [143] (3)
Рис. IV.57, Фазовая диаграмма псевдоби- нарной системы InSb—GaSb по данным [101] при 6in=60 (сплошные кривые), [101] при 6jn=67 (штриховые), [102] (/), [104] (2). [103] (3, 4)
Рис. IV.59. Расчетные изотермы солидуса тройной системы Ga—In—Sb в области диаграммы. прилегающей к III—///'-стороне концентрационного треугольника [47]
Т,°С
590°С
3200
1100
1000
In
Ga
800
700
500
0,6
0,4
0,2
COP
GO
Рис. IV.60. Изотермы ликвидуса в снеге'' Ga—Р—Sb [137, 138]. Штриховая кривая расчет без учета давления пара фосфор-1
Рис. IV.58. Расчетные изотермы ликви.ыса тройной системы Ga—In—Sb [47]
0,8
0,1 0,2 0,3 0,4 ^ca
* 900
I 600
InSb(530°C)
Phc.IV.63.
Ликвидус псевдочетверной
GaAs—GaSb—InAs—InSb при значениях xgb
системы [58]:
;_0; 2-0,10; 3 — 0,20; 4 — 0,30; 5-0,40; 6-0,45; 7 _ о’.475; 8 — 0,50
х
0,8
0,6
800°C 700°C 600 °C
° 0010;20,30,4 х^
Рис. IV.64. Растворимость галлия в Ga^ln ^As^ Sb^ (тв) в зависимости от х^а для разных температур [58]
600 °C
— InSb
GaSb (7/2°C)
InAs 0,2 0,4 0,6 №2°C(
GaAs
(1238 °C)
Рис. IV.65. Ликвидус - (сплошные линии) и солидус-изотермы (штриховые линии) для псевдочетверного разреза
GaAs—GaSb — InAs —■
[58]
Рис. IV.66. Ликвидус для системы
cAsy Р1—у [147] при = 0,0042
1 Ga
00 °C
Яг\
X6c=0.0042
Ю3Х^
W3 х\
bn
Рис. IV .67. Изотермы (650°С) растворимости галлия в In, Ga As ~ 1—XX \—v
значениях х^ s [148]:
1 — U.0G5G5; 2 — 0,030; 3 — 0,040; 5 — 0,055
т,°с
800 750 700 650 к
Юб 80 60 ^0 20 10 6
tj
4 — 0,050;
Рис. IV.68. Изотермы (65(ГС) сти галлия в In, Ga„ As, 1—х х I— у ниях xl [148]:
раствори Ру при з?.
1 — 0,030; 2 — 0,04 0; 3 — 0,050; 4 — 0,03
085 1,00 1,05 1,10 1,15
600
Рис. IV.70. Коэффициент распределен!-, галлия при 650сС в зависимости от состав.। G^I-l-ZyAs!^!!^]
Рис. IV.G9. Коэффициенты распределения Для Оад. Ir^ — ^ Ру As , (при I/ * 0). Для сравнения приведены данные для системы Ga^. In^^ As ((/->1) (штриховые кривые) [145]
Рис.. IV7.71. Коэффициент распре зелени мышьяка при 650'С в зависимости от с<- става Ga In Р As „[145]. Штрпхова =
прямая — экстраполяция
Рш. IX 72 Изотермы ликвидуса для системы GaAlAsSb при х1 /.5 = 0,178 [971 оО Ga
Рис. IV.73 Изокоицентраты для поверхности ликвидуса системы А1 Ga хI—х
(значения V , х3 иAs Al
х I
Sb
As, Sb
У i—У
— приведены в
атомных долях) [139]:
1 — х=0.300, (/=0,026; 2 — х=0,300, у= =0,007
с ? 4 6 8 10 12 1^ 16 18 20с ? 4 6 8 10 12 1^ 16 18 20
с ? 4 6 8 10 12 1^ 16 18 20
с ? 4 6 8 10 12 1^ 16 18 20
103хР
Рис. IV.75. Ликвидус (Ю()0°С) для системы Al^a^^P^s j [117] при значениях хд1 : 1 — 0; 2 — 0*,001; 3 — 0,0025; 4 — 0,005; 5—0,01
(1V.8) следующим об-(1V.8) следующим об-(IV ЛО)(IV ЛО)
(1V.8) следующим об-
(1V.8) следующим об-
(IV ЛО)
(IV ЛО)
c IV.74. Коэффициент распределения юминия для системы
AlAsSb (х1 /х^ =0,78) [97] bb ua
С. IV.76. Солидус (1000°С) для системы ^Ga^ PyAs^^ [147] зри различных зна- шях параметра х^ (цифры на кривых)
\CD = Еде ^ijVVEad (1 -х—у) — „у--^—<х i"^ (1-х-у).
У \ЬАС i^AD'l^
Зависимость периода решетки а от состава определяется зом:
для соединений вида Л^^ Вх Сх_у Dy
aABCD = U — х) О ~ У) «лс । ХО —У) авс+^ — х) yaAD b хуавв; (IV.9)
для соединений вида А Вх Су Dt_x_y
аАВСО ~ Х аАВ + У аАС + ( 1 — Х — У) аВП'
Зависимость относительной диэлектрической проницаемости ег от состава ределяется уравнениями:
а) для соединений вида AV—x ^х ^\—у ^у
^^-4- = (1-х)(1-у)
br,ABCD 'Г “
ег,АС- 1^.zW"1
...([ .. v) у
ег.ЛС"!~2Fi ,А1^2
^г ВС
+ х(1-1/) +ху, ВС f z
Ег, /3D — *
6r,BD ! 2
(IV. 11)
1,5
7,2
1,0
V.8
0,6
об
02
Рис. IV.77. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава для систем AlAs—GaAs и GaAs—GaP при 300 К [62]. Точки — переход от материала с прямыми переходами к материалу с непрямыми переходами
Рис. IV.79. Зависимость ширины запрещен-
Рис. IV.81. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава для систем InP— AIP (7) и InAs— AIAs (//) при 300 К [62]. Точки — переход от материала с прямыми переходами к материалу с непрямыми переходами [64] при х=0,44, £ = 2,33 эВ (/), х=0,68, £«2 эВ (2)
Рис.
ния AI G:
(0,76,226зб)
ным [62] (сплошная кривая), [65] (темная точка), [66] (светлая точка)
IV.84. состава
Рис. зоны
ширины запрещенной зоны от состава соедине-
Зависимость ширины запрещенной зоны соединения A Ga Sb при 300 К [52]
О
О 0,2 0,6 Об 0,8 X
Рис. IV.78. Зависимость ширины з.шре щенной зоны от состава для тройные стем
GaAs^S^—(/), InAs^^P^ (2), InAs Sb (3) при 300 К [62]
30
25
2,0
О
InP
0,5
1,0 GaP
Рис. IV.80. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава сплава!^ Ga^P при 300 К [67]. Точка—переход при х= =0,63 и £ =2,17 эВ [68]
1Л -
1,2 -
^ 0,8 0,6 0,6 0,2 о
00,20,6
InSb
Рис. IV.82. Зависимость ной зоны от состава в
0,60,61,0
< GaSb
IV.83. Зависимость
нии Ga In
ширины запрещентройном соедине
Sb при 80 (/) и 300 К (2) [55]
1,0 А1Р
Р по дан-
0.9
^7
GaSb
1,0 AlSb
IV.85. Обзорные данныепроводимости в тройных
1,66 I ^
0,6?
'.НИ I
•Чч,
а,нм
0,62
Ц60
—1—:—10,60 0 20 60 50 80 % (моя)
InSb
In As
Рис. IV.86. Зависимость от состава в системах
по энергии соединениях
0,66 -
о 20 60 60 80 % (ММ)
InSb
AlSb
периода решетки рИс.
InSb—InAs и InSb — AlSb
б) для соединений вида
er,ABCD 1
= X
^r.ABCD "Г 2
^г,АВ
[18]
71 Вх Cti
— 1
D
различных экстремумов /VB5 при 300 К [30]
О. НМ 0,66
0,56
0,62
058
0 0,2 Об 06 0,8 1,0Х
IV.87. Зависимость периода
некоторых тройных сплавов от [55, 62]
6r,AC"X^r.AD 1
^+(1—х у)
6г,АС । ^^r.AD г
решетки состава
(IV. 12)
Г Значения ширины запрещенной зоны в твердых растворах соединений Л3Д5 ' Приведены ниже и на рис. IV.77—IV.85, IV.88, IV.89.
Соединение
T, к
Eg (E^
4' т- нс-
1 ''НИК
In1—V Gax As
303
Eg (x) = 0,35 + 0,63 x 4- 0,45 x2
162]
300
Eg (x) =0,35 + 0,61 x + 0,46x2
; 153]
77
Eg (x) =0,41 +0,57 x +0,53 x2
i 153]
Gal-x Inx As
77
E^ (x) = 1,510 — 1,435 x 4-0,28 x2
163]
1П]_Х Gac P
300
Eg (x) = 1,35 + 0,642 x 4- 0,758x2
77
Eg (x) = 1,414 + 0,694 x 4- 0,758 x2
i '54]
Ga,_x lnx P
77
Eg (x) =2,888 —2,137x +0,655x2
;'У]
Gax In,_x Sb
300
Eg (x) =0,172 4 0,139 x +0,415 x2
t->9]
80
Eg (x) = 0,234+ 0,154x +0,415x2
м9]
In,_x Alx As
300
Erg (x) = 0,36 + 2,35 x + 0,24 x2
[155]
In As,_y Py
300
Eg (y) =0,35+ 0,899у+ 0,101 у2
[156]
77
Eg (y) =0,412+ 0,714 у+ 0,281 y2
Ц56]
In Р[_у Asy
77
Eg (y) = 1,406 — 1,196у+ 0,200y2
[63]
Ga As^y Py
300
300
Eg (y) = 1,42+ 1,120 у 4-0,210 y2
Ex (y) = 1,907 +0,144у+ 0,211 у2
[157]
77
Eg (У) = 1,514 4- 1,153у+ 0,210у2
[1.58]
77
Ех (у) = 1,977 + 0,144 у р 0,211 у2
GaP1—y Asy
77
Eg (у) = 2,888—1,753у+ 0,375у2j
[ i3|
In As,_y Sby
300
Eg (у) = 0,35 — 0,771 у + 0,596 у2
Г-2]
Ga Sbj_y Asy
300
Eg (у) =0,725 —0,32 у + 1,005 у2
["^1
In^ Gax As^ Py
300
Eg (х, у) = 0,35 |- 1,07 х 4- у 4" 0,33 ху — — (0,460+ 0,298у) х (1 — х) — — (0,101 + 0,109х) у (1 — у)
[74]
77
Eg (х, у) =0,41 + 1,10х+ 1,004у + 4 0,352ху—(0,530+0,228у) х (1—х)— — (0,281 —0,071 х) у (1 —у)
И1
Ga,_y 1пу P,_t Asx
77
Е^ (х, у) = 2,888— 1,482у —0,655у х
X (1 — у) — 1,378х — 0,375 х (1 — х) + 4 0,382ху + 0,375ху (1—у) 40,175хХ
X (1 —х) у 4-2,96ху (1 —х) (1—у)
[‘ i
Gav AI1—T As
300
Е^ (х) = 1,439 4- 1,042 х + 0,468 х2
Ех (х) = 1,87 + 0,29x1
[" 1
Alx Gay In^^y Sb
300
Е^ =0,095+1,76 х4 0,28 у+0,345(х2+у2)+
-f- 0,085 z2 + х у (23 — 28 у)
[lx i
Ех 1,0675 +0,30 x— 0,31 у + +0,2625 (x2+y2+z2)4 xyz (—5,9|20л)
AlSbAlSbCaShCaSh
AlSb
AlSb
CaSh
CaSh
L IV.M. Зависимость ш,ф.«ы ,.„p№.o» ,«ы - периода P~«™ ■« ^о-ых К"рВ°;,»"Г"-”,Рл'^.-1пР,«у»? =-Л1А1„гР; a-Ai^n,»,;
Н1 x°aS,5xSb
Са1-А. ' + Р1-у ASy W Gai — X Inx р1— у Sby (S)’ Ga In As Sb («) 1—x x1—у UСа1-А. ' + Р1-у ASy W Gai — X Inx р1— у Sby (S)’ Ga In As Sb («) 1—x x1—у U(ОНЗ) в некоторых соедине-(ОНЗ) в некоторых соедине-XGa In. As х 1—X,nAsi-xPxIn^ Ga* Sb0,151,50/20,8——0,20—1,30/8,334,6/2230,351,06/6,8—-—•0,40—0,70/3,223,7/740,500,76/4,410,60/2,453,2/510,60—0,50/2,072,7/390,650,49/3,21——0,80—0,40/2,311,7/370,850,22/3,71.——■0,970,27/15,70——0,980,27/22,90 0,35/45,5—.—0,99——XGa In. As х 1—X,nAsi-xPxIn^ Ga* Sb0,151,50/20,8——0,20—1,30/8,334,6/2230,351,06/6,8—-—•0,40—0,70/3,223,7/740,500,76/4,410,60/2,453,2/510,60—0,50/2,072,7/390,650,49/3,21——0,80—0,40/2,311,7/370,850,22/3,71.——■0,970,27/15,70——0,980,27/22,90 0,35/45,5—.—0,99——Примечание. В числителе приведены экспериментальные данПримечание. В числителе приведены экспериментальные данные. в знаменателе — расчетные.ные. в знаменателе — расчетные.
Са1-А. ' + Р1-у ASy W Gai — X Inx р1— у Sby (S)’ Ga In As Sb («) 1—x x1—у U
Са1-А. ' + Р1-у ASy W Gai — X Inx р1— у Sby (S)’ Ga In As Sb («) 1—x x1—у U
(ОНЗ) в некоторых соедине-
(ОНЗ) в некоторых соедине-
X
Ga In. As х 1—X
,nAsi-xPx
In^ Ga* Sb
0,15
1,50/20,8
—
—
0,20
—
1,30/8,33
4,6/223
0,35
1,06/6,8
—
-—•
0,40
—
0,70/3,22
3,7/74
0,50
0,76/4,41
0,60/2,45
3,2/51
0,60
—
0,50/2,07
2,7/39
0,65
0,49/3,21
—
—
0,80
—
0,40/2,31
1,7/37
0,85
0,22/3,71
.—
—■
0,97
0,27/15,70
—
—
0,98
0,27/22,90 0,35/45,5
—.
—
0,99
—
—
X
Ga In. As х 1—X
,nAsi-xPx
In^ Ga* Sb
0,15
1,50/20,8
—
—
0,20
—
1,30/8,33
4,6/223
0,35
1,06/6,8
—
-—•
0,40
—
0,70/3,22
3,7/74
0,50
0,76/4,41
0,60/2,45
3,2/51
0,60
—
0,50/2,07
2,7/39
0,65
0,49/3,21
—
—
0,80
—
0,40/2,31
1,7/37
0,85
0,22/3,71
.—
—■
0,97
0,27/15,70
—
—
0,98
0,27/22,90 0,35/45,5
—.
—
0,99
—
—
Примечание. В числителе приведены экспериментальные дан
Примечание. В числителе приведены экспериментальные дан
ные. в знаменателе — расчетные.
ные. в знаменателе — расчетные.
Согласно работе [160], изменение периода решетки в системе GaAs описывается уравнением а(х) = 0,56534+0,04425х нм Согласно паботе ПяоТ' и- менение периода решетки в системе Al Ga Inchботе [182], ■
„ —,^™л у 1 1-x-zz описывается уравнением
а 0,64789 —0,03433х —0,03834у — х#г(0,025+0,325г) нм.
Периоды решетки твердых растворов представлены на рис. IV.86—IV.89.
ДРУГИЕ ПАРАМЕТРЫ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ
гачения подвижности основных носителей заряда [ях А-В5 [144] приведены ниже, м2/(В-с):
Наиболее важные физико-химические параметры твердых растворов (коэффициенты распределения примесей, коэффициенты преломления света, теплопро- 'Одность и др.) представлены на рис. IV.90—IV. 103.
SE
к3
1,6
0,8
80 100
4ДМОЛ.1 ,nSb
0.01
0 С.2 ОД 0.6 0,6 19
InAv|Г,р
П
о,го
о,то
ЗД
In AS
% (мол.)
3,2
InAs—GaAs (б) [35]
3,1
120
3,5 -
к э<р 0,30
Рис. IV 91. Зависимость эффективных коэффициеп пределетт цинка и теллура от состава расилач. стемах GaSb—InSb (с) и InAs—GaAs (б) [351
n
3,5
1^
2
4
зд
3,3
"Б
3,2
5
Зависимость
3,1
2,5
б
3.0
2,8
ОД 0.6
6° 60
.5 - 0,7;
(О'5
0,6
А1
Изменен-
3,4
з.з
3,2
3,1
6.:С
2,3
2.6 -
(и
GaAs
до -
симости от содержания меси в растворе 11631
Рис. IV.95. ширения в
Рис. IV.98. леипя света
0,2 ОД ОД 0,6
Рис. IV.90.
Изменение коэффициента линейного рас- системе GaAs—GaP в зависимости от со-
Рис. IV.94.
Рис. IV. 100. Зависимость подвижности электронов для системы InSb—GaSb при 300 К [70]
Рис. 1V.93. Уровень легирования Ga^ ,, Aly As в зави-
/ — 1.2; 2 — 0,9;
0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1Д 1,6 1,8 2,0
Л, мКМ
тс. IV.97. Дисперсия коэффициента пре-
>мления света в Ga1^А1 As при 298 К ПРН
не^отопых'ппттёГй А-,'!’!:' '^ФФ"11"611 гон распределения 1 ■ римени ci состава соединения InAs, р [60]
""^*х^а1х ^^ прп хТе ~ = 6-10—6 (/) и л^ =
=1.10—4 (2) [164]
Рис. IV.96. Дисперсия коэффициента преломления света в соединении Ga^ AI v Р при 298 К [146] при значениях х:
7 — 0; 2 — 0,099; 3-0,201; 4 — 0,242; а— 1,0 •
1ачеииях х [146|: 2 — 0,1;
0,18: 4 — 0,38;
0,05 L 0
10"3кд/сОюл)
10"'
.8
"10
•11
0.8 10 1,2 1Д
Х.мкм
Дисперсия коэф(Ьг:цпе:1Т1в GaAs, Р при 238 К п
1 —х х
ния.х х [116]:
Z —0: 2 — 0,06; 3 — 0,125;
6 — 0,35- i —0,117; 8 — 0,52, 0,76; 11 — 1,00
IV.99. Зависимость коэффициента преломления от состава сплаваСа]In* As [165] при значениях /iv, эВ:
6
Рис. IV.92. Зависимость коэффициентов распределения теллура от состава твердого раствора
500 I-
4,59 L00
з.о Г
4
цепторного уровня ш GajAl^As в записи состава [140]: штриховая прямая — римент; сплошная теория
2,7
0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1.6 Х,мкм
2
1
0
In Sb
20 40 60 ВО %(мил.) 6ft Sb
Рис. IV.101. Зависимость подвижности электронов в i ройном соединении 1пд$ Рх от госта ва при 300 (о) и 77 К :б) [60] Сплошная линия — расчет
О 10 20 30 40 50 60 ПО 80 90 100О 10 20 30 40 50 60 ПО 80 90 100InPInP% (mop's GaP% (mop's GaPкоэффициента теплово- In Ga„ Р от состава 1—х хкоэффициента теплово- In Ga„ Р от состава 1—х хРис. IV. 103. Зависимость теплопроводности системы In As—GaAs от состава при 300 К [71]Рис. IV. 103. Зависимость теплопроводности системы In As—GaAs от состава при 300 К [71]таблица^ЦИЯ ОНЗ, | см? 1.1016К 2-Ю16 |4-10161 6- ю« 1 8-Ю16 |1-Ю1712-Ю17| 4-Ю171 6- Id7V.1Подвижность ОНЗ при 300 К, см2/(В-с), в кристаллах GaAsКонцентра- ция ОНЗ, 1 см"-38-10171 - 10182-10184-1018 6-10188- IO» 1-1()1» 5-1016Ы02°Подвижность ОНЗ при 300 К, см2/(В-с), в кристаллах GaAsлегированныхнелегированных5000 48С0 4400 4200легированныхиелегированныхтеллуром390038003600 34и03200ОЛОВОМ400039003800 3700340031002900ЦИНКОМ170160140135теллуром300029002500200017001400оловом2800260022001600IИНКОМ120ПО100806555504030\АБЛИЦА УД’ МаркаКонцентрация ОНЗ при з77 К. см£ к g 5 Г, о 25 = й1=1 S д °1 §1 ь Но ° о” С г аiss5 =| ч“ | g -> Ч^с с S Ct; я г; Ц И 0.0ИМЭП—04МЭ4МЭТ—1, 4МЭО— 1ИМЭТ—2, ИМЭО—2ИМЭТ—3,■ИМЭО—3ИМЭТ—4, ИМЭО—4ИМДЦ— 1ИМДЦ—2ИМДЦ—3ИМДЦ—4ИМЭОд—1*ИМЭОд—2*ИМЭОд—3ПримемД — дырочный '(легирующиеПодвижь4-I04 см2/(В-с) Цитируется.ПарамеДли остальны^5-1016 ^3-lOie5.1016—9-Ю479-1017—2-1018>M0i8—5- 1018>5-10i8>1 -1018—5- 1018>5- IO»—1- Юи>1- 1017— 1- 1018>1-1018—8-Ю139-Ю17—3-10189- 1017-3-1018 7-1017—2.1018а н и я: 1. Приняты следуют и Э — электронный тип про примеси); П — поликристалл; 1ость основных носителей зар для марок ИМЭП-0 и ИМЭгры для марок ИМЭОд-1 и х марок — ТУ 48-4-420—80.а б в аб в аб в аб вНе лга бвНе л1 Не л!То»;не обозпа* вод и мост и;д— диаме яда р при соотвстствеИМЭОд-2Не опр.5- Ю37-1031 -1045-Ю3 7-Ю3 1-1045- Ю3 7-Ю31-Ю45-Ю37-Ю31-Ю41МИТ.5-Ю37 ■ Ю3 1-Ю4ШИТ .ШИТ.же »юн ин марс Т — теллур гр кристал 77 К долж НПО, ДЛЯ Оюгламеити25—3025—3025—4525—3025—3825—4525—3025—3825—4525—3025—3825—4525—4525—3025—3825—4525—4548—5555—6180к: ИМ — а>; О — ОЛСна быть ш стальных хэуются ТУ±2,5 ±2,5 ±3,0 ^2,5 ±2,5 ±3,0 ±2,5 ±2,5 ±3,0+2,5±2,5 ±3,0 ±3,0±2,5 ±2,5+3,0 ±3,0±3,0 ±3,0±3,0рсенид индия;>во; Ц — цинкменее 3-104 и1арок ц не ли-48-0533-009—79,таблица^ЦИЯ ОНЗ, | см? 1.1016К 2-Ю16 |4-10161 6- ю« 1 8-Ю16 |1-Ю1712-Ю17| 4-Ю171 6- Id7V.1Подвижность ОНЗ при 300 К, см2/(В-с), в кристаллах GaAsКонцентра- ция ОНЗ, 1 см"-38-10171 - 10182-10184-1018 6-10188- IO» 1-1()1» 5-1016Ы02°Подвижность ОНЗ при 300 К, см2/(В-с), в кристаллах GaAsлегированныхнелегированных5000 48С0 4400 4200легированныхиелегированныхтеллуром390038003600 34и03200ОЛОВОМ400039003800 3700340031002900ЦИНКОМ170160140135теллуром300029002500200017001400оловом2800260022001600IИНКОМ120ПО100806555504030\АБЛИЦА УД’ МаркаКонцентрация ОНЗ при з77 К. см£ к g 5 Г, о 25 = й1=1 S д °1 §1 ь Но ° о” С г аiss5 =| ч“ | g -> Ч^с с S Ct; я г; Ц И 0.0ИМЭП—04МЭ4МЭТ—1, 4МЭО— 1ИМЭТ—2, ИМЭО—2ИМЭТ—3,■ИМЭО—3ИМЭТ—4, ИМЭО—4ИМДЦ— 1ИМДЦ—2ИМДЦ—3ИМДЦ—4ИМЭОд—1*ИМЭОд—2*ИМЭОд—3ПримемД — дырочный '(легирующиеПодвижь4-I04 см2/(В-с) Цитируется.ПарамеДли остальны^5-1016 ^3-lOie5.1016—9-Ю479-1017—2-1018>M0i8—5- 1018>5-10i8>1 -1018—5- 1018>5- IO»—1- Юи>1- 1017— 1- 1018>1-1018—8-Ю139-Ю17—3-10189- 1017-3-1018 7-1017—2.1018а н и я: 1. Приняты следуют и Э — электронный тип про примеси); П — поликристалл; 1ость основных носителей зар для марок ИМЭП-0 и ИМЭгры для марок ИМЭОд-1 и х марок — ТУ 48-4-420—80.а б в аб в аб в аб вНе лга бвНе л1 Не л!То»;не обозпа* вод и мост и;д— диаме яда р при соотвстствеИМЭОд-2Не опр.5- Ю37-1031 -1045-Ю3 7-Ю3 1-1045- Ю3 7-Ю31-Ю45-Ю37-Ю31-Ю41МИТ.5-Ю37 ■ Ю3 1-Ю4ШИТ .ШИТ.же »юн ин марс Т — теллур гр кристал 77 К долж НПО, ДЛЯ Оюгламеити25—3025—3025—4525—3025—3825—4525—3025—3825—4525—3025—3825—4525—4525—3025—3825—4525—4548—5555—6180к: ИМ — а>; О — ОЛСна быть ш стальных хэуются ТУ±2,5 ±2,5 ±3,0 ^2,5 ±2,5 ±3,0 ±2,5 ±2,5 ±3,0+2,5±2,5 ±3,0 ±3,0±2,5 ±2,5+3,0 ±3,0±3,0 ±3,0±3,0рсенид индия;>во; Ц — цинкменее 3-104 и1арок ц не ли-48-0533-009—79,
О 10 20 30 40 50 60 ПО 80 90 100
О 10 20 30 40 50 60 ПО 80 90 100
InP
InP
% (mop's GaP
% (mop's GaP
коэффициента теплово- In Ga„ Р от состава 1—х х
коэффициента теплово- In Ga„ Р от состава 1—х х
Рис. IV. 103. Зависимость теплопроводности системы In As—GaAs от состава при 300 К [71]
Рис. IV. 103. Зависимость теплопроводности системы In As—GaAs от состава при 300 К [71]
таблица
^ЦИЯ ОНЗ, | см
? 1.1016
К 2-Ю16 |4-1016
1 6- ю« 1 8-Ю16 |1-Ю17
12-Ю17
| 4-Ю17
1 6- Id7
V.1
Подвижность ОНЗ при 300 К, см2/(В-с), в кристаллах GaAs
Концентра- ция ОНЗ, 1 см"-3
8-1017
1 - 1018
2-1018
4-1018 6-1018
8- IO» 1-1()1» 5-1016
Ы02°
Подвижность ОНЗ при 300 К, см2/(В-с), в кристаллах GaAs
легированных
нелегированных
5000 48С0 4400 4200
легированных
иелегированных
теллуром
3900
3800
3600 34и0
3200
ОЛОВОМ
4000
3900
3800 3700
3400
3100
2900
ЦИНКОМ
170
160
140
135
теллуром
3000
2900
2500
2000
1700
1400
оловом
2800
2600
2200
1600
IИНКОМ
120
ПО
100
80
65
55
50
40
30
\АБЛИЦА УД
’ Марка
Концентрация ОНЗ при з
77 К. см
£ к g 5 Г, о 25 = й
1=1 S д °
1 §1 ь Но ° о” С г а
is
s
5 =
| ч“ | g -> Ч
^с с S Ct; я г; Ц И 0.0
ИМЭП—0
4МЭ
4МЭТ—1, 4МЭО— 1
ИМЭТ—2, ИМЭО—2
ИМЭТ—3,
■ИМЭО—3
ИМЭТ—4, ИМЭО—4
ИМДЦ— 1
ИМДЦ—2
ИМДЦ—3
ИМДЦ—4
ИМЭОд—1*
ИМЭОд—2*
ИМЭОд—3
Примем
Д — дырочный '(легирующие
Подвижь
4-I04 см2/(В-с) Цитируется.
Параме
Дли остальны
^5-1016 ^3-lOie
5.1016—9-Ю47
9-1017—2-1018
>M0i8—5- 1018
>5-10i8
>1 -1018—5- 1018
>5- IO»—1- Юи
>1- 1017— 1- 1018
>1-1018—8-Ю13
9-Ю17—3-1018
9- 1017-3-1018 7-1017—2.1018
а н и я: 1. Приняты следуют и Э — электронный тип про примеси); П — поликристалл; 1ость основных носителей зар для марок ИМЭП-0 и ИМЭ
гры для марок ИМЭОд-1 и х марок — ТУ 48-4-420—80.
а б в а
б в а
б в а
б в
Не лг
а б
в
Не л1 Не л!
То
»
;не обозпа* вод и мост и;
д— диаме яда р при соотвстстве
ИМЭОд-2
Не опр.
5- Ю3
7-103
1 -104
5-Ю3 7-Ю3 1-104
5- Ю3 7-Ю3
1-Ю4
5-Ю3
7-Ю3
1-Ю4
1МИТ.
5-Ю3
7 ■ Ю3 1-Ю4
ШИТ .
ШИТ.
же »
юн ин марс Т — теллур гр кристал 77 К долж НПО, ДЛЯ О
югламеити
25—30
25—30
25—45
25—30
25—38
25—45
25—30
25—38
25—45
25—30
25—38
25—45
25—45
25—30
25—38
25—45
25—45
48—55
55—61
80
к: ИМ — а
>; О — ОЛС
на быть ш стальных х
эуются ТУ
±2,5 ±2,5 ±3,0 ^2,5 ±2,5 ±3,0 ±2,5 ±2,5 ±3,0
+2,5
±2,5 ±3,0 ±3,0
±2,5 ±2,5
+3,0 ±3,0
±3,0 ±3,0
±3,0
рсенид индия;
>во; Ц — цинк
менее 3-104 и
1арок ц не ли-
48-0533-009—79,
таблица
^ЦИЯ ОНЗ, | см
? 1.1016
К 2-Ю16 |4-1016
1 6- ю« 1 8-Ю16 |1-Ю17
12-Ю17
| 4-Ю17
1 6- Id7
V.1
Подвижность ОНЗ при 300 К, см2/(В-с), в кристаллах GaAs
Концентра- ция ОНЗ, 1 см"-3
8-1017
1 - 1018
2-1018
4-1018 6-1018
8- IO» 1-1()1» 5-1016
Ы02°
Подвижность ОНЗ при 300 К, см2/(В-с), в кристаллах GaAs
легированных
нелегированных
5000 48С0 4400 4200
легированных
иелегированных
теллуром
3900
3800
3600 34и0
3200
ОЛОВОМ
4000
3900
3800 3700
3400
3100
2900
ЦИНКОМ
170
160
140
135
теллуром
3000
2900
2500
2000
1700
1400
оловом
2800
2600
2200
1600
IИНКОМ
120
ПО
100
80
65
55
50
40
30
\АБЛИЦА УД
’ Марка
Концентрация ОНЗ при з
77 К. см
£ к g 5 Г, о 25 = й
1=1 S д °
1 §1 ь Но ° о” С г а
is
s
5 =
| ч“ | g -> Ч
^с с S Ct; я г; Ц И 0.0
ИМЭП—0
4МЭ
4МЭТ—1, 4МЭО— 1
ИМЭТ—2, ИМЭО—2
ИМЭТ—3,
■ИМЭО—3
ИМЭТ—4, ИМЭО—4
ИМДЦ— 1
ИМДЦ—2
ИМДЦ—3
ИМДЦ—4
ИМЭОд—1*
ИМЭОд—2*
ИМЭОд—3
Примем
Д — дырочный '(легирующие
Подвижь
4-I04 см2/(В-с) Цитируется.
Параме
Дли остальны
^5-1016 ^3-lOie
5.1016—9-Ю47
9-1017—2-1018
>M0i8—5- 1018
>5-10i8
>1 -1018—5- 1018
>5- IO»—1- Юи
>1- 1017— 1- 1018
>1-1018—8-Ю13
9-Ю17—3-1018
9- 1017-3-1018 7-1017—2.1018
а н и я: 1. Приняты следуют и Э — электронный тип про примеси); П — поликристалл; 1ость основных носителей зар для марок ИМЭП-0 и ИМЭ
гры для марок ИМЭОд-1 и х марок — ТУ 48-4-420—80.
а б в а
б в а
б в а
б в
Не лг
а б
в
Не л1 Не л!
То
»
;не обозпа* вод и мост и;
д— диаме яда р при соотвстстве
ИМЭОд-2
Не опр.
5- Ю3
7-103
1 -104
5-Ю3 7-Ю3 1-104
5- Ю3 7-Ю3
1-Ю4
5-Ю3
7-Ю3
1-Ю4
1МИТ.
5-Ю3
7 ■ Ю3 1-Ю4
ШИТ .
ШИТ.
же »
юн ин марс Т — теллур гр кристал 77 К долж НПО, ДЛЯ О
югламеити
25—30
25—30
25—45
25—30
25—38
25—45
25—30
25—38
25—45
25—30
25—38
25—45
25—45
25—30
25—38
25—45
25—45
48—55
55—61
80
к: ИМ — а
>; О — ОЛС
на быть ш стальных х
эуются ТУ
±2,5 ±2,5 ±3,0 ^2,5 ±2,5 ±3,0 ±2,5 ±2,5 ±3,0
+2,5
±2,5 ±3,0 ±3,0
±2,5 ±2,5
+3,0 ±3,0
±3,0 ±3,0
±3,0
рсенид индия;
>во; Ц — цинк
менее 3-104 и
1арок ц не ли-
48-0533-009—79,
Рис. IV. 102. Зависимость го расширения соединения
1691
^а ИСХОДНЫЕ и конструкционные МАТЕРИАЛЫ В ТЕХНОЛОГИИ СОЕДИНЕНИЙ А *
Настоящая глава содержит сведения о характеристиках материалов, выпуск и?- мых промышленностью и используемых в основных процессах технологии сое ш- нений АДД, в первую очередь при производстве эпитаксиальных слоев. Большинство сведений приведено по состоянию на 1 января 1983 г.
Сведения о материалах сгруппированы в соответствии с областями их применения в технологических процессах. В необходимых случаях данные по технп е- ским характеристикам дополняются данными об основных физико-химических свойствах материалов.
МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПОДЛОЖЕК
Монокристаллы соединений А3В5
Арсенид галлия выпускается по техническим условиям ТУ 48-4-276—82 и некюо- рым частным ТУ. В табл. V.3 приведены основные технические характеристики марок арсенида галлия, а в табл. V.1 — подвижности основных носителей зари щ (ОНЗ) промышленных монокристаллов GaAs, содержащих разные концентрации легирующей примеси. Исходным сырьем для получения арсенида галлия служат галлий чистотой не хуже 99,999 по ТУ 48-4-350—75 и мышьяк марок ОСЧ Ю-З и ОСЧ 17-4 по ОСТ 6-12-112—73.
Арсенид индия производится по техническим условиям ТУ 48-4-420—80 и ТУ 48-0533-009—81. Табл. V.2 содержит основные характеристики выпускаемых марок арсенида индия. Монокристаллы арсенида индия выращивают в наир- 1 лении [111] с отклонением затравки от основной оси роста не более ±3°. В монокристаллах не допускаются трещины, сколы и другие дефекты, видимые пс. -*- оруженным глазом, а также малоугловые и двойниковые границы и полоса! скольжения.
тльлшх v.3
■—4
Ю/рдотность, дислокаций, 10 по подгруппам, не более
Ориентация
Номинал диаметров, нм
Длина кристалла, мм, не менее
Марк|
ЛГЧТ-! п
АГЧТ-2 п
АГЧТ-3 . л
АГЧО-1 I п
АГЧО-2 и
АГЧО-3 ! а
Агчц-: 1 р
АГЧЦ-2 ' р
АГЧЦ-3 р
АГЧЦ-4 □
АГЧи
АГЧПХ 1
АГЧПХ 1 —
АГЧПМ ' —
АГН-1 I п
АГН-2и
АГНК- 1 ' п
АГНК-2 п
АГНК-3 п
АГНК-4 и
АГНК-5 п
И р и *ii е ч а ОЛОли; II, — ЩИ!
Кристалл на се сторонами
кристалл 1. По согла
■>. Для марс
Нтчпщл кошк-чтрации ОНЗ, см-3
1и1|!—4- 1 Л8
К)16—8- 10lS
4-№-M019
1,5-ЮЮ—2,5- 10Т8
Ю’7— 4. 1018
2,5-Ю18—5-1018
1,5-1017—2-Ю19
2-101»—6,5 - К)1»
6,5-1018- -9. Ю1»
9- 1018—1,2-1020
^ЬЮ1»
^2- К)1*5
$55.1 (К6
9- КД7—3,5. КД8
и и я. 1. Обозначения марок к; К — кремний; X — хром, ы марок АГНК могут постав
ЮХ 18 мм.
ы, выращенные в направлен! сованию с предприятнем-изг эк АГН и АГНК отклонение
Допустимое отклонение концентрации ОНЗ от номинала, % не более, по группам
Т
Под...:
ОНч. Н8' /и
В пр
юс
10 .а •
2039
4303- - U
3600- о
2200—-1
170—3
50—4: ■
>30
>30
-
>42(1'
>400.1
1204 120'.
1290
1200
120(1
1анравле:1111,1
луизолиру, К >рце крись. 111,1
выводом ,г]ь1° 1 калиброч . "“1() ориентаци " 1
В а
б
в
1
±8д
±80
±80
±80
±80
-80
±89
±80
±50
±89 Не
: АГ — арс легирующая литься в вь
Ш (III), м< эгивителем плоскости
2
±50
±50
±50
±50
±50 ±25 ±50
ЛИМИТ.
гнид галлш примесь;
водим па с
лгут постав могут пост торца от зс
3
±25
±25
±25
±25
±25
±25 ±10 ±25
И И —
П — ио дном тс
литься авля IЬС!
1Д8НИ0Й
1 5 8 5 №8
i 5
5 ft8
В3
5 -5
5 5
;5
'8
‘5
1е лимит. Че лимит.
5
5
5 8 5
5 1 0,5 0,1 ‘0,05
0,01
Галли чация; L— для мод> >ическоп ilhh тей (100) и ( кристаллы с v Густимое oik.
3
3
5
1
3
5
3
1
3
3
3
5
3
3
3
3
5
1
Ч — вытяги чяторов.
■косгн (100)
] Ь)) с диам тхлонением юней не длг
2
0,5
0,5
1
0,5
ванне но ^ , на коюрс eiром вине диаметра с ны Кристал
(111), (ЮО) (111), 0^) (111), (100) (111)
(111)
(111)
(111), (100)
(ill). (100)
(111)
(111)
(111), (100)
(111), (100)
(111), (100)
(111)
(111)
(111)
(111)
(111). (100)
(ill). (100)
(111), (100) (111), (100), (110)
(111)
(111)
(111)
(111) (111)
ieiozi,y Чохральско
м должно размест
энной окружности литка от номинала ла гл среднего зиг
20, 25
39, 35, 40
45, 50
20, 25
30, 35, 40
45, 50
20, 25
20, 25, 30,
35, 40
20, 25
30, 35, 40
20, 25
20, 25, 30, 35, 40
45, 50
20, 25
20, 25
20, 25
20, 25
20, 25, 30, 35, 40
20, 25, 30, 35, 40 45, 50
20, 25
го из-под флюса; Т пться не менее одной. ie менее -^ диаметра ис более ±0,5 мм.
тения не л им тиру ил
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
ПО, 115, 150
40
40
30
!1°
15
15
15
— теллур; О —
ирямоуголыш-
к рнеч алл а.
ся, для осталь-
Для марки АГЧПХ р^10с Ом-см, для марки АГЧПМ р^5 • 107 Ом • см."
96
97
i Зак. 196
Марка
О
к
с
С носителей заряда, см-"3
р. Ом • см
Ц, см2/(В-с), не менее
Плотность дислока- —2 ции, см не более
2 S
к
3 0J
сЗ ЕЕ
^ ...
Ди ■
ИСД-1
р
МО12—5-1013
50—500
ЗЛО3
МО3
25
Нс р
ме
ИСД—2
р
3-1012—5-1013
50—300
4-Ю3
1 ЛО3
—.
т.
ИСД—3
р
5-1012—3-1013
50—250
5 Л О3
1Л03
'—-
ИСД—4
р
5-1013—1.1016
<50
—
5-Ю3
25
ИСД—5
р
1.1015—1-1018
<50
—
5Л03
10
ИСЭ—0
п
8-1013—2Л014
—
(74-8) ЛО5
МО3
10
ИСЭ-1
fl
(0,84-2) Л014
5 ЛО5
1Л03 (60 мм).
5 Л О2 (50 мм)
15
л.|
ИСЭ—2
п
1.1015—1.1018
50
2-104
5Л03
10
Нер
ме
ИСЭ—4
п
5-1012—5-IO48
0,1—10
1 ЛО5
1Л03
—
Не р
ме
ИСЭВ—1
п
2 Л О14
—
6 Л03
2Л02
5Л02
10
10
ИСЭВ—2
п
<2-1014
3-10®
2Л02 5-102
10
10
ТАБЛИЦА V.4
Примечания: 1. Концентрацию носителей заряда, удельное сопротивление, и. иость носителей заряда определяют при температуре жидкого азота.
2. Для марки 11СЭВ—I время жизни дырок не менее 5-10—7 с, для марки ИСЭВ менее 1-10—6 с.
■Марка
§
С к
С и н ~
_, .-3
С носитглеи заряда, см
Ц, СМ=/(В.С), ие менее, при Т, К
Плотность дислокаций, —4
10 см , не более
300
77
»гэ—5—16— 1*
п
(1,04-5,0) ЛС’6
>160
>500
5
К>ГЭ—5—16—2
п
(1,04-5.9) Ли16
>140
>500
5
$>ГЭ—5—16—3
п
(1,04-5,0) Л О46
>140
>500
20
$)ГЭТ—2—17*
п
(0.54-2,0) IG17
>140
>400
5
ДЭТ—2—17— 1*
п
(0,54-2,0) Л Qi7
>120
>350
5
ТЭТ—2—17—2
п
(0,5<2,0)Л017
>120
>350
10
ТЭТ—3—17—1*
п
(1,0<5,0) Л017
>100
>300
5
ТЭТ—3—17—2
п
(1,04-5,0) ЛО17
>100
>300
10
ТЭТ—3—17—3
п
(1.0 : 5,0) ЛО17
>100
>390
20
ТЭТ—6—17
п
(3,04-9,0). 1017
>80
—
10
ТЭТ—4—18
п
(0,94 7,0) ЛС18
>20
.—
10
ТЭС—2—17*
п
(0,54-2,0) 1017
>140
>400
5
ТЭС—2—17—1*
п
(0,54-2,0) Л0”
>120
>350
5
ТЭС—2—17—2
п
(0,54-2,0) 1017
>120
>350
10
ТЭС—3—17—3*
п
(1,04-5,0) Л017
>100
>300
20
ТЭС—3—17—1
п
(1,04-5,0) Л017
>100
>300
ТЭС—3—17—2
п
(1,04-5,0)-1017
>100
>300
10
ТЭС—6—17
п
(3,04-9,0)-1017
>80
—•
10
ТЭС—4—18
п
(0,04-7,0)-IQi8
>20
—
10
ГДЦ—5—17
р
(0,94-9,0) Л017
40
—
10
ГДЦ—3—18
р
(0,94-5,0) ЛО13
.—
—
10
ТДЦ—2—19
р
(0,54-2,0) ЛО19
—•
—
10
ГВ—1
—
—
.—
—
10
ГВ—2
—
—
—
—
10.
ГВ—3
—
—
—
—
10
Примечания:
I. Приняты следующие обозначения марок:
ФГ - фосфид галлия;
— теллур; С — сера; Ц— цинк (легирующие элементы); Е 1ачення см. в табл. 3.
— высокоомный, Остальные обо-
2. Удельное сопротивление составляет, Ом-см: <1,0 для ФГДЦ-3-18, ТДЦ-2-19. 102 — 10е для ФГВ-2, 10е — 10= для ФГВ-3.
<0,2 для
ТАБЛИЦА Г5
Антимонид индия выпускается по техническим условиям ТУ 48-4-292 71- Характеристика выпускаемых марок антимонида индия представлена в таб.1 V.4. Диаметр вписанной окружности слитка не менее 12,0 мм. Монокристаллы ип монпда индия выращиваются в направлении [2П].
Завод-изготовитель по согласованию с потребителем может выпускать "!:|- кристаллы, специально легированные примесями.
Фосфид галлия выпускается по техническим условиям (ЕТО.035.042 ТУ 48-4-301—74) в виде слитков диаметром от 15 до 45 мм с интервалом в V'J В качестве легирующего элемента могут использоваться теллур, сера. цинк. ''л Поставляются также слитки фосфида галлия, пелегированные и высоко' (р>102 Ом-см). Ориентация слитков в направлении [111| и [100]. На '" кристаллах фосфида галлия не должно быть трещин и раковин величиной 1,5 мм. Основные параметры монокристаллов фосфида галлия по НТО.035.11 ■ *• представлены в табл. V.5, а по ТУ 48-4-30L—74 — в табл. V.6.
Антимонид галлия изготавливается в виде монокристаллов по ТУ 05-0 (табл. V.7).
Фосфид индия производится по ТУ 48-0533-004—81, ТУ 48-0533-1 *2. 'у ТУ 48-4-427—80 и должен удовлетворять требованиям, приведенным в таб.. Направление выращивания [111] с отклонением не более 3—5°. Слитки фос индия не должны иметь внешних дефектов. Допускается механическая обрш- ■ — их поверхности.
Марка
К
§
Электрофизические параметры при 300 К
Плотность дислокаций,
см не более
концентрация ОНЗ, см
подвижность ОНЗ, см2/(В с)
ТЭЧ—1 —17
п
>1- 1017
120
5-104
ГЭТЧ— 1,25—7
п
0,5-1^7—2. lu”
119
5- IO4
ГЭСЧ 3—17
fl
1Л0‘7—5- 1J17
199
5- 104
ГЭТЧ—3—17
п
1 1017—5. 1J17
109
5-1>
ГЭСЧ—6—17
и
3-1017—9. 1J17
89
1 ■ 1и5
ГЭТЧ—4—18
п
1.1918 7 Л Л8
(50
110®
ГЭДЦЧ—4—18
р
1 ЛО18—7-lu'»
20
1 ■ 1>
гпч
П р и меча и и я:
I. Обоз
падения марок см в табл
I, о. 5.
1Л05
АБЛИЦА V.6
Допускается легирование материала марки Ф1 ЭТЧ-1,2о-17
легирование материала
111
111
1.11
111
Ш[, 111],
взамен теллура
Направление осп выращивания
Зак. 196
100]
1и0]
100]
100]
другими примесями;
99
ТАБЛИЦА Г 7
Марка
Тип проводимости
Подмым.
0113, см .
1Ь
:‘*Ч
Концентрация ОНЗ, см
ЧГСД— 1
Р
(0.8—5) 1317
о п
ЧГСДЦ—1
ЧГСДЦ—2
Р Р
(0,5—5) Г^» (0,5—5) - I'.is»
ЧГСЭТ—1
п
(0,2—1)-1018
25< i }
ЧГСЭТ— 2
п
(1—4). Ibis
2 L, •
ЧГС - антимонид галлия, осчалык
Примечая и я: [. Обозначения марок: чснмя см. в табл. 3. 5.
2. Плотность дислокаций не лимитируется
ТАБЛИЦА V.8
Марка
Тип проводимости
Концентрация ОНЗ, при 300 К* см
Подвижность ОНЗ, при 300 К, см2/(В • с), не менее
Плотность дислокаций,
—2 см , не более
Длина, мм, не менее
Ди <Ф.-тр, V,M
ФИЭ—1
п
<5- Ю16
3300
5-Ю4
25
2U -40
ФИЭТ -2
п
5.[61б_5-1017
2530
5-104
25
2- -43
ФИЭТ— 3
п
5-1017—5-Ю18
1000
5-Ю4
25
2и -40
ФИП—1
—■
(ЫЗ4—5- Ю6)
—
1-Ю5
25
22 -35
ФИП—2
—
(>5- Ю6)
МО5
25
22 35
ФИДЦ— 1
Р
5-1517-МО18
—
1-Ю5
30
25 -40
ФИДЦ—2
р
1- Ю"8—8- 1018
—
1-Ю5
30
25 -40
Прим е ч а пи я: 1. Обозначения марок: П — полуизолирующий; остальные об- наю- ния см в таб.и 3, а.
2. В скобках приведены значения удельного сопротивления, Ом-см.
Монокристаллы германия и кремния
Сведения по промышленным маркам германия и кремния приведены с \ ■i,v перспективное/! и их применения в технологии соединений Да£35 в ш- :ii? подложечного материала с существенно более низкой стоимостью, чем 111 мость монокристаллов соединений Л3В5.
Германий монокрисшллпческий производится по нескольким тсхнн" "‘1|U условиям и ГОСТ 16153—70. По ГОСТ 16153—70 и ТУ 48-4-293—82±"
маний выпускается электронного типа проводимости, легированный су] ^и1* и дырочного типа проводимости, легированный галлием. Ориентация с.п. •;;. (111). По интервалу и разбросу удельного* сопротивления германий ио 1 “ - 16153- 70 делится на подгруппы, указанные ниже:
Подгруппа по разбросу р абг
Разброс р <>! поминала, %, не более . .±25±20±! -
Интервал значений р, Ом-см0,1-5,5;15,0^—45,0
6,0—d 4,0
Требования, предъявляемые к монокристаллам германия по удельному 1)' противлению и его разбросу, плотности дислокаций, геометрическим разхк *м» определяемые ТУ 48-4-293—82, приведены в табл. V.9.
По плотности дислокаций и геометрическим размерам германий но ГОС! 53—70 должен соответствовать требованиям, приведенным ниже* мер группы по плотности дислокаций . .1-3
отность дислокаций, см"2^5-104^2-10^WaT”
Примечание. Диаметр слитка 25—35 мм. длина не менее 40 мм.
БЛИЦА V .9
Номинал р.Ом - смНоминал р.Ом - смРазброс р от заказанного номи-нала, %, не более, по под-группам (буквы в скобках)Разброс р от заказанного номи-нала, %, не более, по под-группам (буквы в скобках)—2Плотность дислокаций, смне более, по группам(цифры в скобках)—2Плотность дислокаций, смне более, по группам(цифры в скобках)
Номинал р.Ом - см
Номинал р.Ом - см
Разброс р от заказанного номи-нала, %, не более, по под-группам (буквы в скобках)
Разброс р от заказанного номи-нала, %, не более, по под-группам (буквы в скобках)
—2
Плотность дислокаций, смне более, по группам(цифры в скобках)
—2
Плотность дислокаций, смне более, по группам(цифры в скобках)
Легирующая примесь сурьмаЛегирующая примесь сурьма,003—0,0130,01—0,130,1—6,06,0—15,0 15,0—45,0,003—0,0130,01—0,130,1—6,06,0—15,0 15,0—45,00004—0,0010>,001—0,100 0,1—6,0 6,0—15,015,0—45,00004—0,0010>,001—0,100 0,1—6,0 6,0—15,015,0—45,0±20(6), ±15(г)±20(6), ±15(г)±20(6), ±15(г)±17,5(в), ±15(г)±25(а), ±20(6), ±15(г)±20(6), ±15(г)±20(6), ±15(г)±20(6), ±15(г)±17,5(в), ±15(г)±25(а), ±20(6), ±15(г)5-1G4(1)5-1С4(1),2-104(2), 5-103(5)5-10и(5), 10(6)51С4(1), 2-1С4(2), 5103(5), 10(6)5-163(5), 10(6)5-1G4(1)5-1С4(1),2-104(2), 5-103(5)5-10и(5), 10(6)51С4(1), 2-1С4(2), 5103(5), 10(6)5-163(5), 10(6)Легирующая примесь галЛуйЛегирующая примесь галЛуй±20(6), ±15(г), 10(д) ±20(6), ±15(г), Ю(д) ±20(6), ±15(г), 10(д) ±2и(б), ±15(г), Ю(д) ±20(6), ±15(г), 10(д)±20(6), ±15(г), 10(д) ±20(6), ±15(г), Ю(д) ±20(6), ±15(г), 10(д) ±2и(б), ±15(г), Ю(д) ±20(6), ±15(г), 10(д)5-104(1)5- 1G4(1), 2-1и4(2), 5-16::(5), 10(6)5-1С3(5), 10(6)5-103(5), 10(6)5-1С3(5), 10(6)5-104(1)5- 1G4(1), 2-1и4(2), 5-16::(5), 10(6)5-1С3(5), 10(6)5-103(5), 10(6)5-1С3(5), 10(6)Примечания: 1. Геометрические размеры слитков следующие, мм: длина не менее I, диаметр 20—35, 25—36 (для двух последних строк).. Для марок с плотностью дислокаций группы 6 диаметр должен быть не менее 17 мм.Удельное сопротивление выбирают в диапазонах 0,0001—0,001 Ом-см через 0,00005 ОмХ •см 0001—001 Ом-см через 0,001 Ом-см, 0,01—0,Г Ом-см через 0.01 Ом-см; 0.1—1,0 Ом-см ерез 0.05 Ом-см, 1,0—10 Ом см через 0,5 Ом-см; более 10 Ом-см через 1,0 Ом-см. Примечания: 1. Геометрические размеры слитков следующие, мм: длина не менее I, диаметр 20—35, 25—36 (для двух последних строк).. Для марок с плотностью дислокаций группы 6 диаметр должен быть не менее 17 мм.Удельное сопротивление выбирают в диапазонах 0,0001—0,001 Ом-см через 0,00005 ОмХ •см 0001—001 Ом-см через 0,001 Ом-см, 0,01—0,Г Ом-см через 0.01 Ом-см; 0.1—1,0 Ом-см ерез 0.05 Ом-см, 1,0—10 Ом см через 0,5 Ом-см; более 10 Ом-см через 1,0 Ом-см. Длина диффузии неравновесных носителей заряда в зависимости от удель- ого сопротивления соответствует нормам табл. V.10 (IOC1 16153—70 и 'У 48 4 293—82).Длина диффузии неравновесных носителей заряда в зависимости от удель- ого сопротивления соответствует нормам табл. V.10 (IOC1 16153—70 и 'У 48 4 293—82).'А Б Л И ЦЛ V.10'А Б Л И ЦЛ V.10
Легирующая примесь сурьма
Легирующая примесь сурьма
,003—0,013
0,01—0,13
0,1—6,0
6,0—15,0 15,0—45,0
,003—0,013
0,01—0,13
0,1—6,0
6,0—15,0 15,0—45,0
0004—0,0010
>,001—0,100 0,1—6,0 6,0—15,0
15,0—45,0
0004—0,0010
>,001—0,100 0,1—6,0 6,0—15,0
15,0—45,0
±20(6), ±15(г)
±20(6), ±15(г)
±20(6), ±15(г)
±17,5(в), ±15(г)
±25(а), ±20(6), ±15(г)
±20(6), ±15(г)
±20(6), ±15(г)
±20(6), ±15(г)
±17,5(в), ±15(г)
±25(а), ±20(6), ±15(г)
5-1G4(1)
5-1С4(1),2-104(2), 5-103(5)
5-10и(5), 10(6)
51С4(1), 2-1С4(2), 5103(5), 10(6)
5-163(5), 10(6)
5-1G4(1)
5-1С4(1),2-104(2), 5-103(5)
5-10и(5), 10(6)
51С4(1), 2-1С4(2), 5103(5), 10(6)
5-163(5), 10(6)
Легирующая примесь галЛуй
Легирующая примесь галЛуй
±20(6), ±15(г), 10(д) ±20(6), ±15(г), Ю(д) ±20(6), ±15(г), 10(д) ±2и(б), ±15(г), Ю(д) ±20(6), ±15(г), 10(д)
±20(6), ±15(г), 10(д) ±20(6), ±15(г), Ю(д) ±20(6), ±15(г), 10(д) ±2и(б), ±15(г), Ю(д) ±20(6), ±15(г), 10(д)
5-104(1)
5- 1G4(1), 2-1и4(2), 5-16::(5), 10(6)
5-1С3(5), 10(6)
5-103(5), 10(6)
5-1С3(5), 10(6)
5-104(1)
5- 1G4(1), 2-1и4(2), 5-16::(5), 10(6)
5-1С3(5), 10(6)
5-103(5), 10(6)
5-1С3(5), 10(6)
Примечания: 1. Геометрические размеры слитков следующие, мм: длина не менее I, диаметр 20—35, 25—36 (для двух последних строк).
. Для марок с плотностью дислокаций группы 6 диаметр должен быть не менее 17 мм.
Удельное сопротивление выбирают в диапазонах 0,0001—0,001 Ом-см через 0,00005 ОмХ •см 0001—001 Ом-см через 0,001 Ом-см, 0,01—0,Г Ом-см через 0.01 Ом-см; 0.1—1,0 Ом-см ерез 0.05 Ом-см, 1,0—10 Ом см через 0,5 Ом-см; более 10 Ом-см через 1,0 Ом-см.
Примечания: 1. Геометрические размеры слитков следующие, мм: длина не менее I, диаметр 20—35, 25—36 (для двух последних строк).
. Для марок с плотностью дислокаций группы 6 диаметр должен быть не менее 17 мм.
Удельное сопротивление выбирают в диапазонах 0,0001—0,001 Ом-см через 0,00005 ОмХ •см 0001—001 Ом-см через 0,001 Ом-см, 0,01—0,Г Ом-см через 0.01 Ом-см; 0.1—1,0 Ом-см ерез 0.05 Ом-см, 1,0—10 Ом см через 0,5 Ом-см; более 10 Ом-см через 1,0 Ом-см.
Длина диффузии неравновесных носителей заряда в зависимости от удель- ого сопротивления соответствует нормам табл. V.10 (IOC1 16153—70 и 'У 48 4 293—82).
Длина диффузии неравновесных носителей заряда в зависимости от удель- ого сопротивления соответствует нормам табл. V.10 (IOC1 16153—70 и 'У 48 4 293—82).
'А Б Л И ЦЛ V.10
'А Б Л И ЦЛ V.10
р, Ом-смр, Ом-смДлина диффузии, мм,не менееДлина диффузии, мм,не менеер, Ом-смр, Ом-смДлина диффузии, мм,не менееДлина диффузии, мм,не менее
р, Ом-см
р, Ом-см
Длина диффузии, мм,не менее
Длина диффузии, мм,не менее
р, Ом-см
р, Ом-см
Длина диффузии, мм,не менее
Длина диффузии, мм,не менее
0,1—0,24 0,24-0,49 0,50—0,890,9—2,40,1—0,24 0,24-0,49 0,50—0,890,9—2,40,3/0,30,4 / 0,50,5/0,60,3/0,30,4 / 0,50,5/0,62,5—4,14,2—15,916—352,5—4,14,2—15,916—350,8/0,81,0/1,01,2/1,20,8/0,81,0/1,01,2/1,2
0,1—0,24 0,24-0,49 0,50—0,89
0,9—2,4
0,1—0,24 0,24-0,49 0,50—0,89
0,9—2,4
0,3/0,30,4 / 0,50,5/0,6
0,3/0,30,4 / 0,50,5/0,6
2,5—4,1
4,2—15,916—35
2,5—4,1
4,2—15,916—35
0,8/0,81,0/1,01,2/1,2
0,8/0,81,0/1,01,2/1,2
П р и меча п и е. В числителе приведены значения для электронного тина проводимости, в знаменателе — для дырочного.
Подвижность носителей заряда в монокристаллах германия определяется требованиями ТУ 48-4 293—82, ГОСТ 16153—70 (табл. V. 11).
Номинал удельного сопротивления выбирают в диапазонах ОД — 1 Ом-см через 0,05 Ом-см, 1—10 Ом*см через 0,5 Ом-см, более 10 Ом-см через I Ом-см.
Слитки монокристаллического германия по ГОСТ 16153—70 и ТУ 48-4-293—82 нс должны иметь внешни^ механических дефектов (трешин, раковин, сколов более 3 мм), а также внутренних раковин, обнаруживаемых при резке. Разница между минимальным и максимальным диаметром каждого монокристалла
ТАБЛИЦА V.II
*), Ом. см
Подвижность ОНЗ при 21 ±3СС, см2/(В-с), не менее
Подвижность ОНЗ । 21 zb3°C, см2/(В -< не менее
р, Ом-см
электронов
дырок
электронов
дыр-
0,01—0,10
0,1—9,23
0,24—0,49
0,50—0,89
14JJ 1809 23JU 26 Л)
930 1300 14ш 15:И)
0,9—2,4
2,5—5,9 6,0—16
3100
3300
3400
Каи 17h 17-1
нс должна превышать 6 мм. На слитках с плотностью дислокации не Сг 2-Кг не допускаются малоугловые границы длиной более Уз радиуса ел г
Технические условия ТУ 48-1-293—82 позволяют заказывать по согласи. нию с изгоювитслем слитки германия с дополниюльными требованиями ориентации слитков в направлениях [100] и [110], ограничению нижнего верхнего пределов диаметра для всех марок, по плотности дислокации (V, $52-10* см-2), ужесточению разности между максимальным и мимимальт диаметрами слитка, ограничению интервала диаметра в пределах 25—35 и ряду других.
техн инеем:техн инеем:Технические требования на монокристаллы германия, легированные гимн примесями (кроме галлия и сурьмы), регламентируются условиями.
техн инеем:
техн инеем:
Германий монокристаллический, легированный мышьяком, выпускаете ориентацией слитков (111). Требования по электрофизическим, структура и геометрическим параметрам, определяемые ТУ 48-4-224—77, пр- доны ниже:
Группа ио номиналу р Номинал р, Ом-смРазброс р от номинала, %, не более, по подгруппам: а б в г д Диаметр слитка, мм Длина слитка, мм, нс менее Группа ио номиналу р Номинал р, Ом-смРазброс р от номинала, %, не более, по подгруппам: а б в г д Диаметр слитка, мм Длина слитка, мм, нс менее I II100,0007."0,0059 -I II100,0007."0,0059 -—±2.5—■±2017,5-—±15—±1025—35- 1и4025—±2.5—■±2017,5-—±15—±1025—35- 1и4025П р и м е ч а и и е. налов 1)00075--0,00500 через и.001 Ом-см вП р и м е ч а и и е. налов 1)00075--0,00500 через и.001 Ом-см врешается заказыватьрешается заказыватьслитки! —Ю Ом-см через 1 Ом-см ислитки! —Ю Ом-см через 1 Ом-см иинтервале 1-10*-интервале 1-10*-Заказанный номинал удельного сопротивления для интервала ном выбирают через 0,00005 Ом-см в дпапаюие 0,00075—0.001 Ом-см диапазоне 0,001—0,005 Ом-см. По согласованию с изготовителем р.. с выбором номинале! удельного сопротивления в иптерв указанием для всех марок величины нлогноезп дислокацииЗаказанный номинал удельного сопротивления для интервала ном выбирают через 0,00005 Ом-см в дпапаюие 0,00075—0.001 Ом-см диапазоне 0,001—0,005 Ом-см. По согласованию с изготовителем р.. с выбором номинале! удельного сопротивления в иптерв указанием для всех марок величины нлогноезп дислокации
Группа ио номиналу р
Номинал р, Ом-см
Разброс р от номинала, %, не более, по подгруппам: а б в г д
Диаметр слитка, мм
Длина слитка, мм, нс менее
Группа ио номиналу р
Номинал р, Ом-см
Разброс р от номинала, %, не более, по подгруппам: а б в г д
Диаметр слитка, мм
Длина слитка, мм, нс менее
I II
100,0007."
0,0059 -
I II
100,0007."
0,0059 -
—±2.5
—■±20
17,5-
—±15
—±10
25—35- 1и
4025
—±2.5
—■±20
17,5-
—±15
—±10
25—35- 1и
4025
П р и м е ч а и и е. налов 1)00075--0,00500 через и.001 Ом-см в
П р и м е ч а и и е. налов 1)00075--0,00500 через и.001 Ом-см в
решается заказывать
решается заказывать
слитки
! —Ю Ом-см через 1 Ом-см и
слитки
! —Ю Ом-см через 1 Ом-см и
интервале 1-10*-
интервале 1-10*-
Заказанный номинал удельного сопротивления для интервала ном выбирают через 0,00005 Ом-см в дпапаюие 0,00075—0.001 Ом-см диапазоне 0,001—0,005 Ом-см. По согласованию с изготовителем р.. с выбором номинале! удельного сопротивления в иптерв указанием для всех марок величины нлогноезп дислокации
Заказанный номинал удельного сопротивления для интервала ном выбирают через 0,00005 Ом-см в дпапаюие 0,00075—0.001 Ом-см диапазоне 0,001—0,005 Ом-см. По согласованию с изготовителем р.. с выбором номинале! удельного сопротивления в иптерв указанием для всех марок величины нлогноезп дислокации
М о* 1 ок рис та л л и ч ос к и йМ о* 1 ок рис та л л и ч ос к и й
М о* 1 ок рис та л л и ч ос к и й
М о* 1 ок рис та л л и ч ос к и й
германии, легированный фосфором, выпускают с. •• мииалом удельного сопротивления 0,001 Ом-см. Ссыльные требования i этой марке германия, определяемые ГУ 48-4-396—77, представлены ниже:
I Iolt.a $атсль
Удельное сопротивление. Ом-см, не более ..
Разброс удельного сопротивления по верхнему и нижнему торцу, %- не более
Диаметр слитка, мм, не менее . Перепад диаметра во слитку, мм, не более . ... .. . . .
Норм,:0,0012±20206505-103Норм,:0,0012±20206505-103Длина слитка, мм, не менееПлотность дислокаций, см-2, не более . . .
Норм,:0,0012
±20
20
6
50
5-103
Норм,:0,0012
±20
20
6
50
5-103
уклонение плоскости торца от (111), не более З0,
Жцпчие дефекты внутренние раковины, малоугловые границы, ^Жочение второй фазыОтсутству-
ют
ГДСЗ гдез ГДСЗ гдезГДСЗ гдез ГДСЗ гдез5-Ю45-Ю45-104—9-1055-Ю45-Ю45-104—9-105Д-20 +20 +20Д-20 +20 +201 • 1041 - ю4 ыо4 5-Ю41 • 1041 - ю4 ыо4 5-Ю4ЫО444-Ю141-10151,5-1015ЫО444-Ю141-10151,5-1015
ГДСЗ гдез ГДСЗ гдез
ГДСЗ гдез ГДСЗ гдез
5-Ю4
5-Ю45-104—9-105
5-Ю4
5-Ю45-104—9-105
Д-20 +20 +20
Д-20 +20 +20
1 • 104
1 - ю4 ыо4 5-Ю4
1 • 104
1 - ю4 ыо4 5-Ю4
ЫО44
4-Ю14
1-1015
1,5-1015
ЫО44
4-Ю14
1-1015
1,5-1015
V.12
’ Марка
Номинал р, Ом - см
С± 1
°- а . и ts О да
\о да
2 5
я О
Л да
Плотность дислокаций, —2 см не более
С, ,
расч Au
—3 см
L, мм
i 5
о - да сз о
Q 5
т*, мкс, не более
3 0,6
3 0,7 ро,б
[ГЗ 3.0
СЗ о,16
СЗ 0.20
0,6
0,7
0,6
3,0
0,16
0,20 9,0—3,0**
±10 ±10 ±10 + 10
+20
±20 ±15
5-Ю3 5-10я 5- 10я 5-10я 5-Ю4 5-Ю4 5-Ю4
5-Ю15
4-1045
4,5- К)45 (2+5)-Ю44
4-Ю45
4- 1015
6- Ю14
30—80 30—80 30—80 30—80
40
40 40
20—35 20—35 25—35 25—35 18—35 18—35 25—35
4-Ю-3
4-Ю-3
0,1
^0+3.0)±
± 1°% to
2,0—3,0**
+20
5- Ю4
6- ю14
40
25—35
0,1
,,0^3,0) + ±20%
1
* Время жизни неосновных носителей заряда.
** Интервал номиналов.
Марка
р при —196°С, Ом • см
Разброс р в интервале -[-22—196°С, %, не более
Плотность дисло- —2 наций, см
7.13
С п . см3 расч Au
В примечание. Для последней марки длина монокристалла 4U мм, в остальных сл\- рях 30 мм; диаметр монокристалла для всех марок 25—35 мм.
Технические требования на монокристаллический германий ио ТУ 48-4-291 -74 егламептируючея данными табл. ¥.12 и V.13, в которых приняты следующие Сливные обозначения: Г—германий: Д— дырочный тип проводимости; Э-Технические требования на монокристаллический германий ио ТУ 48-4-291 -74 егламептируючея данными табл. ¥.12 и V.13, в которых приняты следующие Сливные обозначения: Г—германий: Д— дырочный тип проводимости; Э-Влектрониыа: 3 — золото.■ Ось выращивания монокристаллов по ТУ 48-4-291—74 (111). Разница диа-■етров па одном слитке нс превышает 6 мм. Для различных марок этого■ермаиня установлены различные требования по малоугловым границам. ДляgtapoK ГДЗ 0,6 и ГДЗ 0,7 при диаметре 20—22 мм и для ГДЗ 3,0_ прил на меч ре они не допускаются. Для марок ГД Г 0,6 и ГД °и более допускаются малоугловые границы общей длинойВлектрониыа: 3 — золото.■ Ось выращивания монокристаллов по ТУ 48-4-291—74 (111). Разница диа-■етров па одном слитке нс превышает 6 мм. Для различных марок этого■ермаиня установлены различные требования по малоугловым границам. ДляgtapoK ГДЗ 0,6 и ГДЗ 0,7 при диаметре 20—22 мм и для ГДЗ 3,0_ прил на меч ре они не допускаются. Для марок ГД Г 0,6 и ГД °и более допускаются малоугловые границы общей длинойЮбоМЮбоМГДЗ 0,7 приГДЗ 0,7 при(иамстре 23(иамстре 23ммммдиаметр, при этом учитываются малоугловые границы длиной нс мс- ; нс допускаются единичные малоугловые границы, проходящие через весь диаметр. На марках ГДГЗ 0,6 и ГДСЗ с Ad^MO4 см"2 .опускаются малоугловые границы длиной не более Ve диаметра слитка. На Стальных марках малоугловые границы допускаются любой длины.диаметр, при этом учитываются малоугловые границы длиной нс мс- ; нс допускаются единичные малоугловые границы, проходящие через весь диаметр. На марках ГДГЗ 0,6 и ГДСЗ с Ad^MO4 см"2 .опускаются малоугловые границы длиной не более Ve диаметра слитка. На Стальных марках малоугловые границы допускаются любой длины.одинодин:ее ‘/в диаметра;:ее ‘/в диаметра;
Технические требования на монокристаллический германий ио ТУ 48-4-291 -74 егламептируючея данными табл. ¥.12 и V.13, в которых приняты следующие Сливные обозначения: Г—германий: Д— дырочный тип проводимости; Э-
Технические требования на монокристаллический германий ио ТУ 48-4-291 -74 егламептируючея данными табл. ¥.12 и V.13, в которых приняты следующие Сливные обозначения: Г—германий: Д— дырочный тип проводимости; Э-
Влектрониыа: 3 — золото.
■ Ось выращивания монокристаллов по ТУ 48-4-291—74 (111). Разница диа-■етров па одном слитке нс превышает 6 мм. Для различных марок этого■ермаиня установлены различные требования по малоугловым границам. ДляgtapoK ГДЗ 0,6 и ГДЗ 0,7 при диаметре 20—22 мм и для ГДЗ 3,0_ прил на меч ре они не допускаются. Для марок ГД Г 0,6 и ГД °
и более допускаются малоугловые границы общей длиной
Влектрониыа: 3 — золото.
■ Ось выращивания монокристаллов по ТУ 48-4-291—74 (111). Разница диа-■етров па одном слитке нс превышает 6 мм. Для различных марок этого■ермаиня установлены различные требования по малоугловым границам. ДляgtapoK ГДЗ 0,6 и ГДЗ 0,7 при диаметре 20—22 мм и для ГДЗ 3,0_ прил на меч ре они не допускаются. Для марок ГД Г 0,6 и ГД °
и более допускаются малоугловые границы общей длиной
ЮбоМ
ЮбоМ
ГДЗ 0,7 при
ГДЗ 0,7 при
(иамстре 23
(иамстре 23
мм
мм
диаметр, при этом учитываются малоугловые границы длиной нс мс- ; нс допускаются единичные малоугловые границы, проходящие через весь диаметр. На марках ГДГЗ 0,6 и ГДСЗ с Ad^MO4 см"2 .опускаются малоугловые границы длиной не более Ve диаметра слитка. На Стальных марках малоугловые границы допускаются любой длины.
диаметр, при этом учитываются малоугловые границы длиной нс мс- ; нс допускаются единичные малоугловые границы, проходящие через весь диаметр. На марках ГДГЗ 0,6 и ГДСЗ с Ad^MO4 см"2 .опускаются малоугловые границы длиной не более Ve диаметра слитка. На Стальных марках малоугловые границы допускаются любой длины.
один
один
:ее ‘/в диаметра;
:ее ‘/в диаметра;
Подвижность носителей заряда на слитках марки ГДСЗ (2-Ю15) до/г. быть при 22°С не ниже 1-Ю3 см2/(В-с), при 77 К—не ниже 1-104 см2/(В.е/
Кремний монокристаллический для подложек эпитаксиальных струм/, получаемый методом Чохральского, соответствует требованиям ГОСТ 19658 sf Кремний монокристаллический для приборов производится по нескольким ническим условиям и в настоящем справочнике нс рассматривается. Техничссч-г требования па монокристаллический кремний по ГОСТ 19658—81 представлю в табл. V.14.
ТАБЛИЦА V.14
Группа
Подгруппа по номиналу диаметра
Рном- Ом'см
Предельное отклонение* р. %
Плотность дислокаций, —2 см , не более
Параметры ели
L, мм
ориен
эк ДБ дырочного типа проводимости, легирующий элемент —бор
1
а—ж
1—20
±20/±15
10
50
(111
2
а—д
1—20
±15/±10
10
50
(111
3
а—д
0,065—1,0
±15/±15
3.10»
40
4
а—д
0,005—1,0
±10/±10
3-1G3
40
(11!
5
а—г
0,5—20
±20/±15
1-103
40
(Ю
6
а—р
0,5—20
+20/+10
10
40
(Ь.
ЭК.ЭС электронного типа проводимости, легирующий элемент — сурьма
7
а—ж
0,01—0,1
±20/±15
±15/±10
10
30
(11'
8
а—д
0,01—0,1
10
30
(И!
ЭКЭФ электронного типа проводимости, легирующий элемент — фосфор
9
а—Д
0,01—1,0
±20/±15
З-Ю3
30
(11;
10
а—д
0,01 — 1,0
±15/±Ю
3-1G3
30
(111.
11
а—с
1—20
±20/±15
10
40
(111
12
а—д
1—20
+15/+ 10
10
40
(НИ
13
а—г
0,1 — 10
±20/±15
2-103
40
(10-и
14
а—е
0,1 — 10
±20/±10
10
40
(10(п
Пр
и м е ч а н и я:
1. Монокристаллы кремния
с удельным
сопротивлением С-
ом-см должны иметь длину диффузии неосновных носителей заряда не менее
0,1
ММ
2. По требованию потребителя кремний, относящийся к группам 4 и 10, изготавливай плотностью дислокаций нс более 10 см—2.
3. По требованию потребителя кремний подгрупп «г», «е» всех групп изготавливаю номинальным диаметром 60,0±0,5 мм, 76,0+0,5 мм, подгруппы «ж» — с номинальным аметром 100,0+0,5 мм.
4. В числителе приведены предельные отклонения удельного электрического сопро лення от Рисм, в знамеиатале— по торцу слитка.
Предельное отклонение диаметра слитка для всех марок ±2,5 мм.
Слитки кремния не должны иметь сколов, трещин и раковин размс* более 3 мм. Допускается механическая обработка слитков. Содержание .^ лорода в монокристаллах кремния диаметром до 40 мм должно быть не б.о 5-Ю17 ат/см3, а в монокристаллах других марок — не более 7-Ю17 ат/см3.
Монокристаллы соединений А2В6
Кадмий сернистый CdS особой чистоты выпускают в виде монокристаллов техническим условям 6КО.028.015 ТУ правильной (прямоугольные, цилширч ские) и неправильной формы. Монокристаллы могут быть с заданной или и;* извольной кристаллографической ориентацией. Кристаллы выпускаются л нелегироваиные, либо легированные индием и галлием. Темновое уде 1 ное сопротивление нелегированных высокоомных монокристаллов сернист, кадмия должно быть в пределах от 1 до 15 Ом-см. Удельное элсктросопро! . ление легированных индием и галлием монокристаллов CdS должно быть :'=
' более 1 Ом-см. Фоточувствитсльп ость высокоомных монокристаллов (рчемн/ - /ревет 1) должна быть не менее 1Q3 для освещенности 103 лк. Содержание микро- 11 примесй в CdS (6КО.029.015 ТУ) не должно превышать следующих значений
Примесь
Содержание, 10“э % (по массе)
Примесь
Содержание, 10 ^ % (по массе)
Примесь
Содержание , 10—5 % (по массе)
Примесь
Содержание, 10“ 5 % (по массе)
Си
0,5/2
Sn
10/10
А1
2/20
Сг
5/5
Ag
0,5/1
Мп
10/10
Mg
2/10
Ti
5/5
Fe
2/20
Ni
5/5
Pb
10/20
Bi
5/5
Примечай и е. В числителе приведены значения для монокристаллов первого сорта, в знаменателе — второго.
Кадмий селенистый CdSe особой чистоты монокристаллический производят по техническим условиям 6КУ-028.021 ТУ правильной и неправильной формы. В зависимости от содержания микропримесей CdSe выпускают двух сортов. Масса слитков каждого сорта не менее 15 г. Темновое удельное сопротивление монокристаллов должно быть не менее 1-Ю3 Ом-см для высокоомных и 0,1-—5,0 Ом* см для низкоомных образцов. Ниже приведено содержание микропримесей в CdSe (6КО.028.021ТУ):
Примесь
Содержание, 10“° % (по массе)
Примесь
Содержание, 10™^ % (по массе)
При
месь
Содержание, 10—5 % (ПО массе)
Примесь
Содержание, 10“5 % (по массе)
' Си
0,5/7
Мп
0,5/1
Fe
2/59
Сг
2/5
i Pb
10/20
Ni
5/5
Ag
0,5/1
Ti
5/5
i Mg
2/10
Sn
10/10
Al
2,50
Bi
5/5
П p ii меча и и е. В > в знаменателе — второго.
числителе приведены
значения для монокристаллов
первого сорта.
Теллурид кадмия выпускают по техническим условиям ЕТО.035.013 ТУ в виде темно-серых монокристаллических слитков произвольной формы Размеры монокристаллов произвольные, минимальная масса 1,5 г. Монокристаллический теллурид кадмия имеет следующие электрофизические параметры: тип проводимости п или р; удельное сопротивление низкоомных образцов СЮ2 Ом-см, высокоомных ^ 102 Ом-см; подвижность электронов для пизко- омных образцов не ниже 600 см2/(В-с); подвижность дырок не ниже 40 см2/(В-с).
Концентрация носителей заряда не нормируется, но указывается в паспорте. Для высокоомных образцов указывается только удельное сопротивление.
Кристаллографическая ориентация произвольная, на крупных монокристаллах (масса более 6 г) допускается наличие двойниковых границ.
Некоторые физические и физико-химические параметры соединений А2 В3. а также германия и кремния приведены в табл. V.15.
ТАБЛИЦА V.15
Соединение
Период решетки, нм
Е, эВ
^ИЛ’ °C
ДН/,298> кДж/ моль
а-10е, 1/°с
5 298' Дж/ (моль■ К)
сфалерита а
вюрцита
и
с
ZnS
0,54145
0,38230
0,62565
3,6
1833
203,0
6,2
57,8
ZnSe
0,5653
0,3996
0,6625
2,6
1515
163,2
7
82,9
ZnTe
0,6101
0,427
0,699
2,2
1295
108,8
8,29
96,3
Продолжение табл.
Соединение
Период решетки, нм
Е, эВ
^пл* °C
—AHf>2№ кДж/моль
а-10е, 1/°С
^298’ Дж/(моль • К ।
сфалерита а
вюрцита
а
с
P-CdS
0,5832
.
2,4
1750
159,1
.—
69,1
a-CdS
—
0,41348
0,67490
2,4
1750
159,1
—■
69,1
p-CdSe
0,605
-'
—
1,7
1258
136,5
—
96,7
a-CdSe
—
0,4300
0,6307
1,7
1258
136,5
■—
96,7
CdTe
0,64822
.—
—
1,5
К98
99,6
6,2
100,5
HgS
0,58410
•—.
2,0
1453
57,8
—
81,6
HgSe
0,6084
——
•—
о,6
8j0
58,6
1,8
—
HgTe
0,64623
■
—
0,02
673
50,2
6,8
92,1
Ge
0,56575
—
—-
0.665
93(5
0
6,1
31,1
Si
0,543072
—
■—
1,105
1417
0
2,33
18,8
Монокристаллы диэлектриков
Пластины лейкосапфира монокристаллические выпускают ио ТУ 6-09-26-265—77 выращивают пластаны зонной плавкой в вакууме. Пластины могут быть нс лыми, разрезанными или расколотыми на части. Размеры частей пластин ж нормируются. Размеры и внешний вид пластин (рис. V.1) должны cootbci ствовать приведенным ниже значениям:
Тип кристалла
/г, мм
Zlf мм
1 2 , ММ , не менее
f з , мм
О, град
I
15—25
105—5
115—5
85—5
60
11
25—30
105—5
115—5
85—5
60
111
15—30
105—2
190—2
60—2
90
Рис. V.I. Геометрические размеры нл ас гни лейкосапфираРис. V.I. Геометрические размеры нл ас гни лейкосапфираВ пластинах допускаются скопления пузы рей, видимые инородные включения и запыле ние поверхности оксидами молибдена, вольфрама и низшими оксидами алюминия. Мини мальные размеры бездефектных областей ь монокристаллах лейкосапфира должны обеспечивать пзпновлспие изделий с геометрически ми размерами, указанными в табл. V.16.
Рис. V.I. Геометрические размеры нл ас гни лейкосапфира
Рис. V.I. Геометрические размеры нл ас гни лейкосапфира
Пластины должны выращиваться с кри сгаллографнческой плоскостью (0001) ill
(1120) па поверхности, а также другой Орион тации ни согласованию с заказчиком. Откло пение нижней поверхности пластин от задан ной кристаллографической плоскости не дол ж
но превышать 10°. Разориентаиия смежных блоков в пластинах нс нормируется Внутреннее напряжение в пластинах не должно превышать 40 МПа.
Монокристаллы лейкосапфира ио ТУ ЕТО.021.062 выпускаются с ориентацией поперечного сечения кристалла (1102) или (0001). В зависимости о.1 диаметра кристаллы сапфира подразделяются по группам: К1—-кристалл:/ диаметром 62—74 мм; К2 — кристаллы диаметром 77—84 мм; К4 —кристалл!/ диаметром 130—150 мм.
В кристаллах сапфира не допускается присутствие блоков, видимых к поляризованном свете, а в кристаллах групп К1 и К2 число включений ь виде макропузырей, наблюдаемых визуально при рассеянии на них световой луча, не должно быть более двадцати на длине 10 мм.
ТАБЛИЦА V.16
Вид изделия
Норма, мм, по категориям
А
Б
В
Из пластин один диск для кристаллов I и П типа: диаметр толщина
Из пластин два диска для кристаллов III типа: диаметр толщина
Из частей пластин диск: диаметр толщина
80—100
>15(1)
>25(11)
>70
>25
>40
15
60—80 10—15
>60
10 25
30—40 10—15
<60
<10
>40
<10
<33
<13
Монокристаллическую алюмомагниевую шпинель MgO*2Al 03 выращивают методом Вернейля и поставляют по техническим условиям ЕТО.032.551 ТУ.
Кристала шпинели имеет диаметр не менее 18 мм, форма поперечного сечения пс регламентируется. Длина кристалла с отрезанными торцами должна быть не мопсе 20 мм. Торцы .кристалла должны быть прозрачными для светового луча лазера.
Точечные непроплавы и макропузыри, наблюдаемые визуально при боковой подсветке при рассеянии на них светового луча, не нормируются. Допускается наличие дефектных участков, объемных трещин, скоплений нопроила- вов. Дефектные участки исключаются из общей длины кристалла.
Основные ориентации плоскости поперечного сечения кристалла, перпендикулярного оси роста, (100), (110), (111). Отклонение плоскости торца кри сталла от заданной ориентации не должно превышать 15°.
Некоторые характеристики диэлектрических материалов, используемых для изготовления подложек, представлены в табл. V.17 [31, 39].
таблица v.n
Материал
Структура
Период решетки, нм
ГПЛ’ ь
а. 106, ]/оС
К» Вт/(м-К)
О - А1ОО3 (сапфир)
Ромбоэдр.
а^ 0,476; с = 1,299
2040
8,4(25—830=0
0,27(100=0
a-SiO2 (кварц)
Гекс.
а -- 0,49;
с = 0,539
1710
18(0—1000°С) оси с *
MgAl9O4
Куб.
а = 0,838
2133 (разл.)
7,5(25—800 °C)
ВеО
Гекс.
а = 0,27;
с = 0,439
2530
9.0(0—1230=0
0,13(35оС) 2,09(100=0
P-S1C
Куб.
а = 0,436
>2333
4,5(0—1203=0
—
Л12ВеО4
Орторомб.
а ----- 0,547; b =0,939; с = 0,442
1873
8,7(390—4JOCC)
—
a-SiC
Гекс.
а = 0,308;
b = 0,252/7
2200—2703
4,3(0—200сС) ' оси с
0, 19(527=0
Монокристаллы молибдена и вольфрама
Монокристаллы молибдена марки ОЧМ производятся по ТУ 48-19-198—82 Следующих размеров: номинальный диаметр от 10 до 20 мм; допускаемое отклонение от номинального диаметра подлине монокристалла ±10%; длина Me менее 200 мм.
Монокристаллы молибдена должны представлять собой одно сплош кристаллическое тело. Содержание примесей в монокристаллах молибд. должно соответствовать следующим требованиям, % (по массе), не боа Fe0,003; Al 0,003; Ni 0,002/ Si 0,003; Mg0>002; CO,003 ; 0 0,001; NO, Ci.. H 0,0001.
Содержание молибдена определяют по разности между 100% и сумм., регламентируемых примесей. Поверхность монокристаллов молибдена долям; быть блестящей, гладкой, без трещин и раковин.
Из монокристаллов молибдена марки ОЧМ изготовляют пруъ (ТУ 48-19-199—82), заготовки шлифованные (ТУ 48-19-195—82), а так/ фольгу и ленту (ТУ 48-19-200—75) (табл. V.18), Прутки из монокристалл * чоского молибдена производят также но ТУ 48-4-361—76, из молибдена м; ки МПЧ — по ТУ 48-19-69—73.
ТАБЛИЦА V.18
Допустимое отклонение по тол- 1олщина, ммЩИНС1 мм
Длина, мх. не менс<
От0,05до0,09через0,01—0,005/±0,001
»0,10»0,15»0,05—0.01/+0.02
»0,20»0,25»0,05±0,01/±0,02
»0,30»0,40»0,05±0,02/±0,СЗ
»0,45»0.5J»0,05±0,02/±0,03
»1,0»1,0»0,10±0,02/±0,03
200 20u 100
50
30 30
П р п меча н и е. Ширина фольги и ленты не менее 20 мм. В числителе привод! значенья для 1-ю класса, в знаменателе — для 2-го.
монокристаллов молиб.кмонокристаллов молиб.кДопустимы откло-нение от 7)ном, мм-0,1—0,2—0,3—ОД—0,6Допустимы откло-нение от 7)ном, мм-0,1—0,2—0,3—ОД—0,6Ниже приведены размеры заготовок из (ТУ 48-19-195—82):
монокристаллов молиб.к
монокристаллов молиб.к
Допустимы откло-нение от 7)ном, мм-0,1
—0,2
—0,3
—ОД
—0,6
Допустимы откло-нение от 7)ном, мм-0,1
—0,2
—0,3
—ОД
—0,6
Номинальный диаметр Опои, мм
От 0,8 до 5,0 через 0,1
»5,2» 6.0»0,2
»6,5» 8,5»0,5
»9,0»14,0»1,0
»15,0»16,0»1,0
Примечание. Длина заготовок не менее 500 мм.
молибдена марки ММмолибдена марки ММХарактеристика прутков из монокристаллического выпускаемых по ТУ 48-4-361—76, приведена ниже:
молибдена марки ММ
молибдена марки ММ
ПараметрЗначение
Длина, мм 1226 через каждые 2 мм
Диаметр, мм . . . . 100-450 через каждые 50 мм
Содержание примесей, и() (по массе), не
более . . . W 0,1; Fe, Al, Ni, О, N по 0,001 каж,:
го Si 0,003, С0,002, Ti и Zr— факу?н тативно
Диаметр пор, мкм ^20
Количество пор, мм-2 ^10
Монокристаллы вольфрама марки ОЧВ производятся nd ТУ 48-19-196 " следующих размеров: номинальный диаметр от 9 до 11 мм через 1,0 мм; пускаемое отклонение от номинального диаметра по длине монокрисчал : 20%; длина не менее 200 мм.
Монокристаллы должны представлять собой -одно сплошное кристалличе-
ское тело.
В монокристаллах вольфрама содержание примесей по должно
превышать следующих значении:
'л л
„Содержание,Содержание,
Примесь(по Массе)Примесь(по массе)
Fe0,003С0,003
А10,003О0,002
Ni0,002N0,002
Si0,003И0,001
Mg0,003
Содержание вольфрама (массовая доля) определяется по разности между 100% и суммой регламентируемых примесей. Поверхность монокристаллов должна быть блестящей, гладкой, без трещин, раковин.
Из монокристаллов вольфрама марки ОЧВ получают шлифованные заготовки по ТУ 48-19-197—75 следующих размеров:
н««и»ь«» „.метр D„u, MP^ " ^"'
Уном- мм
От 0,8 до 2,8 через 0,2 мм—0,15500,0
» 3,0, з- 6,0 > 0,5 мм—0,20250,0
Некоторые физические и физико-химические свойства молибдена и вольфрама предста-влены ниже:
[Металл
Мо W
Структураа, нма-106, 1/°СX. Вт/(м-К)
Куб0,3147375,87(0—800 °C)158(727°С)
»0,3165244,45(400°С)115(927 42)
ИСХОДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ СИНТЕЗА СОЕДИНЕНИЙ А3В5
Летучие неорганические гидриды
Материалы этого класса широко применяются как для получения эпитаксиальных пленок соединений Д3В5 по хлоридно-гидридному методу, так и для получения особочистых элементов IV, V и VI групп периодической системы элементов Д. И. Менделеева.
Подавляющее число летучих ковалентных гидридов относится к особоток- енчным веществам. Требования к условиям и порядку работы с ними регламентируются специальными инструкциями. В настоящее время серийно выпускают арсин, фосфин, диборап и моносилан. Остальных гидрилы поставляются из лабораторий научно-исследовательских организаций.
Арсин выпускают по1 техническим условиям Я еО.036.003 ТУ и поставляют в виде 10%-ной газовой смеси с особочнстым водородом, прошедшим диффузионную очистку через палладиевый фильтр. В арсине особой чисто 1ы регламентируется содержание суммы органических примесей — метана, этана, эти- лепа, ацетилена не более Ы0~з% (объемн.L суммарное содержание кислородсодержащих газов О2, СО2, СО—нс более 1-10~3% (объемы.), суммарное содержание азота и аргона — нс более 5-10~3% (объемы.). В газовой смеси содержание влаги не должно превышать 5-1О"Зо/о (объемы.) (точка росы не выше —50°С), суммарное содержание метана, этака, этилена, ацетилена— не более 5‘10™4% (объемн.), суммарное содержание неорганических примесей— алюминия, висмута, железа, индия, кобальта, магния, мети, инкечя. марганца, олова, свинца, сурьмы, титана, хрома цинка — не более 1-10 1 % (по массе). Содержание серы в газовой смеси — не более Ы0~5% (по массе), кислородсодержащих газов О2, СО2 и СО — не более 5-10~4% (объемы.), содержание азота и аргона в сумме — не более 5-10~3% (объемн.).
Газовые смеси поставляют в баллонах из нержавеющей стали вме. мостью 12 л, давление смеси устанавливают по требованию потребителя, не более 10 МПа с отклонением до ±3%.
Газовую смесь арсина с водородом производят также по ТУ 6-02-591 Характеристика параметров смесей по этим техническим условиям предп лена ниже:
Содержание арсина в смеси. % (объемы.) Содержание примесей для всех марок Спрпм-Юд % (по массе), не более . . Содержание органических примесей для всех марок в пересчете на метан, % (объемн.), нс болееСодержание арсина в смеси. % (объемы.) Содержание примесей для всех марок Спрпм-Юд % (по массе), не более . . Содержание органических примесей для всех марок в пересчете на метан, % (объемн.), нс более9,5—10,5 (марка 1), 0,16—0.24 (м« ка 2), 0,001—0,005 (марка 3)Мп, Си, Al, Fe, Bi, Ni, Ti, Pb по каждого, Zn 5, Те, Se по 4 кажд-540-49,5—10,5 (марка 1), 0,16—0.24 (м« ка 2), 0,001—0,005 (марка 3)Мп, Си, Al, Fe, Bi, Ni, Ti, Pb по каждого, Zn 5, Те, Se по 4 кажд-540-4
Содержание арсина в смеси. % (объемы.)
Содержание примесей для всех марок Спрпм-Юд % (по массе), не более . . Содержание органических примесей для всех марок в пересчете на метан, % (объемн.), нс более
Содержание арсина в смеси. % (объемы.)
Содержание примесей для всех марок Спрпм-Юд % (по массе), не более . . Содержание органических примесей для всех марок в пересчете на метан, % (объемн.), нс более
9,5—10,5 (марка 1), 0,16—0.24 (м« ка 2), 0,001—0,005 (марка 3)
Мп, Си, Al, Fe, Bi, Ni, Ti, Pb по каждого, Zn 5, Те, Se по 4 кажд-
540-4
9,5—10,5 (марка 1), 0,16—0.24 (м« ка 2), 0,001—0,005 (марка 3)
Мп, Си, Al, Fe, Bi, Ni, Ti, Pb по каждого, Zn 5, Те, Se по 4 кажд-
540-4
Смесь арсина с водородом' поставляют в -стальных баллонах по ГСП 949—73 вместимостью иг более 40 л. Давление в баллоне при 20°С не дол, но быть более 10 МПа. Точка росы исходного водорода для приготовлен, смесей должна быть не выше —65°С.
Фосфин производят пи техническим условиям ЯеО.036.002 ТУ я поста, ляют, так же как и арсин, в виде (10±1)%-ных газовых смесей с особочь тым водородом, прошедшим диффузионную очистку через палладиевый филы Содержание влаги в газовой смеси соответствует температуре «точки росы по выше —55°С. Состав и содержание примесей в фосфине и тазовых смес^ на его основе соответс1вует уровню требований технических условий на арен
Газовые смеси фосфина с водородом поставляют в баллонах из нерж, веющей стали по ТУ 13—3—429—75 вместимостью/ 12= л. По согласованию потребителем вместимость баллонов может быть увеличена до 40 л. Давл< ние смеси устанавливается по требованию потребителя, ио не более 10 МН с отклонением по более ±3%) (измерения? проводят при 22±3°С).
Газовые смеси фосфина с водородом изготавливают и по ТУ 6-02-590—7’- Газовые смеси выпускают пяти марок, параметры которых приведены пиж-.
Содержание фосфина в смеси, % (объемы )9,5—10,5 (марка 1). 4,7—5,3 (мар-
2) 0,07—0,13 (марка 3), 0.005 0,015 (марка 4). 0,0005—0,0002 (мар ка 5)
Содержание примесей для всех марок
Слрнм’Ю4, % (п0 массе), не более . . Мп, Си, Al, Fe. Со, Pb, Ni, Bi. Ti • 1 каждого, Zn 10, Те, Sc по 4 ка. до го
Содержание органических примесей для всех марок в пересчете па метан, % (объемн.), не более1 -10—4
Требования к баллонам, давлению смеси и качеству исходного водор<. определены в ТУ 6-02-591- 75.
Моносилан в газовой смеси с водородом изготавливают по тсхпическ условиям ТУ 6-02-592 70. Содержание мопосилаиа в смеси составляет до 1 "(объемн.). остальное водород. Смесь поставляют под давлением 6 МН Чистоту мопосилаиа, используемого для приготовления смесей, коигролиру!- спектральным анализом гидридообразующего элемента — кремния. Содержал примесей элементов в кремнии не должно превышать величии, указании ниже:
НО
Примесь
Содержание, % (по массе)
Чувствительность метода, % (по массе)
Примесь
Содержание, % (по массе)
Чувствительность метода. % (по массе)
в
5-Ю-8
5-10-8
Мп
ЫО-7
ЫО-8
As
Ы0~5
МО-5
Fe
1-10-6
ЫО-7
Р
1-10-6
1-10 6
Mg
ыо-7
ЫО-7
Sn
1-Ю"6
1-10-6
Al
1-Ю-7
ЫО-7
Sb
1-ю-6
1-10-6
Си
1-10-8
1-Ю-8
Ni
1-10-6
1-10-6
Водород, применяемый для получения смесей моносилана, содержит кислорода не более 1*10-3% (объемы.) и имеет точку росы -не выше —70°С.
Моносилан е газовой смеси с аргоном производят по. ТУ -, 6-02-1228—82. Свойства смеси моносилапа с аргоном должны соответствовать нормам, указанным ниже:
Содержание моносилана в смеси, % . • 2,0—2,6 (марка А), 3,4—4,2 (марка Б)
Содержание примесей для всех марок.
% (по массе), не болееВ,Си по 10-8 каждого. As 10~5, Р,
:Sn, Sb, Ni, Fe no IO-6 каждого, Mg, Al по 10-7 каждого
Газовую смесь поставляют в баллона^ по ТУ 14-3-298—74 вместимостью не более 40 л. Давление в баллоне со смесью при температуре 20сС не должно превышать 10 МПа.
Диборан выпускают в виде газовой смеси с аргоном по ТУ 6-02-958—74. Исходный аргон особой чистоты соответствует требованиям и нормам, приведенным ниже:
ПоказательНорма
Содержание аргона. % (объемы.), не менее 99,994
Содержание азота, % (объемы.), не более 0,005?
Содержание кислорода, % (объемы.), не более 0*001
Содержание влаги, г/м3, при давлении 105 Па, не более . . . .0,02
Исходный диборап должен соответствовать следующим требованиям и
нормам:
Содержание металлических примесей
Сме'Ю5, % (по массе), нс более . . . Si, Mg, As по 5 каждого, AI, Ге, Си,
Р, Sn по 0,5 каждого
Содержание органических примесей, %
(объемн ), не болееL5-10-2
Газовую смесь диборапа с аргоном особой чистоты в зависимости от содержания либорана выпускают четырех марок. Содержание либорана в каждой марке должно соответствовать следующим требованиям:
Марка ди борана 1234
Содержание диборана, % (объ-
сми) 1—20,1—0,20,01-0,05 0,001—0.005
Газовую смесь диборана с аргоном поставляют в стальных баллонах вместимостью не более 40 л по ГОСТ 949—73. Давление в баллонах не должно превышать 10 МПа.
В табл. V.19—V.21 приведены некоторые наиболее важные физико-химические копсташы и термодинамические функции летучих неорганических гидридов [21].
ТАБЛИЦА V.19
Гидрид
Уравнение давления насыщенного пара гидридов (р. Па)
7", к
SiH4
1g р = —1054,38/7* + 6,1839 1g Т — 0,0346 Т + 3,472
120,1 — 161 a
GeH4
[g р = —722,255/7* + 3,511025 Ig Т — 0,0063106 Т
115,2—184 7
SnH4
Ngp^—^jT^^^
123—221,1
РН3
\^р = —\тдЧЫТ — о,856527 1g Т — 2,045 -10~3 7*+ + 25,522806
122,5—183.5
AsH3
1g р = 6265,90264/7* + 98,511148 1g 7* + + 39,603446-10"3 7 —258,868971
141,6—159.7
|g р = 6640,563 7* + 171,5324 1g 7 — 183,390608 7 — — 386,448795
166,5—210,7
SbH3
lgp = 1,48-Ю"5 Т — 1446,34/7—3,1200 1g 7 +
177—255
4- 18,1772
H»S
]g р = — 1180,0/7 — 0,196426 1g 7 + 0,0006636 7’2 +
108—128
+ 24,99135
lgp = 1175,3/7+ 10,62553
128—142
1g p = —1174,4/7 + 0,00031632 7 —
—0,91716- IO-5 72 + 10,34918
142—187,3
lgp = —351,653727/7+ 19,68225581 IgT* — — 0,0261143395 7 — 33,607139
188—212,:
H2Se
lgp = —1067/7 + 9,607
207,1—231/1
H2Te
|gp = —1235/7 + 9,566
222—270,7
B2H6
lgp = —863,512/7+ 1,4417-10”8 7 — — 9.256Ы0-7 72 + 9,833
129,2—179, 1
ТАБЛИЦА V .20
Гидрид
ГЮ.г К
■у, r/см3, при Ткп11
ДНр, кДж/моль
B2He
180,66
0,437/0,0613
47,3±2,0
Si Н4
161,30
0,583/0,001454
40,2±1,5
GeH4
184,66
1,378/0,003420
101,3+2,0
SnH4
221,36
1,939/—
173,7+2,0
PH3
187,16
0,741/0,0015294
13,4+2,0
AsH3
210,69
1,634/0,0035023
74,1 + 1,5
SbH3
254,80
2,166/0,005685
153,2+0,5
H,S
212,96
0,940/0,001539
— 18,0+1,0
H2Se
231,90
1,974/0,003664
33 , 9+0, о
H2Te
270,90
2,349/0,00581
104,2+1,0
Примечания: 1. В числителе приведены значения р при ГкиП, в знаменателе гаик>браяюм состоянии.
2. Теплота образования гидридов по реакции м(Д)+х/2 Нг^ЛШдДг) при ОК.
112
^БЛИЦА V.21
|т, К
Термодинамические функции гидридов, Дж/(моль-К)
НТ"Н0
sr
GJ- — Нд
СР
Нт— Нд
5т
ст-ио
т
ср
Г
Т
т
1 1
2
3
41
5
С
71
8
9
298,2
35,37
S
204,65
Н4
169,28
36,08
Gt
217,25
;Н4
181,17
300
35,41
204,95
169,49
—
36,13
217,55
181,42
400
38,39
218,47
180,08
—
39,52
231,78
192,26
500
41,78
230,77
189,00
—
43,20
244,63
201,47
—
600
45,25
242,16
196,91
—
46,84
256,48
209,68
.—
700
48,64
252,79
204,15
—
50,23
267,36
217,13
—
809
51,82
262 71
210,85
—
53,54
277,62
224,08
900
54,88
272,05
217,17
—
56,55
287,12
230,56
—
1000
57,64
289,71
223,07
—
59,36
296,03
236,68
—
298,2
34,24
А:
222,78
;Н8
188,50
38,09
33,91
РН3
210,14|176.23
36,67
300
34,28
222,99
188,72
38,18
34,03
210,35
176,44
36,75
400
35,87
234,67
198,79
43,2
35,16
221,48
186,32
41,15
500
37,84
244,84
207,00
48,06
36,79
231,15
194,36
45,71
600
39,93
254,01
214,07
52,53
38,64
239,86
201,22
50,02
700
42,03
262,42
220,39
56,55
43,56
247,89
207,33
54,04
800
44,08
270,21
226,13
59,90
42,49
255,35
212,86
57,60
900
46,00
277,45
231,44
63,12
44,33
262,29
217,97
60,74
1000
47,85
284,23
236,38
65,68
46,13
268,87
222,74
63,46
298,2
35,16
S1
232,78
эН3
197,62
38,64
1
+S
3J0
35,20
233,03
197,83
41,23
33,40
205,87
172,46
34,24
400
37,42
245,68
208,25
46,88
33,78
215,91
182,73
35,62
530
39,89
256,81
216,88
51,95
34,44
224,03
189,71
37,26
600
42,24
266,56
224,33
-56,43
34,95
230,98
196,03
39,01
700
44,54
275,56
231,03
60,36
35,66
237,14
201,47
40,81
8а0
47,22
284,73
237,51
64,00
36,42
242,70
206,29
42,61
900
48,77
291,51
242,75
66,47
37,59
247,81
210,60
44,33
1000
50,69
298,67
247,98
6<,78
38,01
252,58
214,57
45,92
298,2
33.53
Н
219,68
2Se
186,15
Н
2Те
390
—
—
—■
—
33,82
229,10
195,28
—
400
34,03
229,9
195,86
—
34,49
239,56
205,07
500
34,74
238,27
203,52
—
35,37
248,27
212,90
—
600
35,50
245,43
209,93
—
36,29
255,72
219,43
—
■ 700
36,33
251,79
215,45
—
37,17
262,25
225,08
800
37,17
257,56
220,39
—
38,09
268,20
230,10
900
38,11
262,84
224,83
39,01
273,68
234,67
: 1000
38,85
267,74
228,89
—
39,89
278,70
238,81
—
•У’
и м е ч а н
। е. Для
гидридов В2Нв
и SnH
имеются данные только для функции —
-№т.
Т, к
3004005006007(
0800
900
000 И 001200
-<+
В2Нв
-Н^М1 гидридов: 191.59203,82 214,87 225,00 234
,75 243,88
252,79 261,33 269.54 277,45
SnH4
190,84 202,14 212,10 220,98 229,06 236,59
243,63 250,03 256,23 262,17
5 Зак.
196
из
Хлоридные соединения и аммиак
Водород хлористый для использования эпитаксиальной технологии щн,.- водится по техническим условиям ТУ 6-01-1059—77 (марки А, Б) ЯеО.036.004 (марка Э); Химические примеси в указанных марках рсглам.. тируются требованиями табл. ¥.22.
Хлористый водород марок А и Б поставляют в баллонах по ГОСТ 9щ 75 малой и средней вместимости, марка Э - в баллонах из нержавеющ, стали по ТУ 14-3 429—75 вместимостью 12 л. Рабочее давление в балл,, 6,28 МПа.
Мышьяк треххлористый особой чистоты выпускается по техническим ловням ЕТО.035.088 ТУ и соответствует но чистоте квалификации 1 (первого или второго, сорта), а также по ТУ 6-12-42—73. Содержание ропримссей в треххлористом мышьяке особой чистоты не должно пренье величин, указанных в табл. ¥.23.
Суммарное содержание органических примесей в треххлористом мыы составляет 5-10“^—2-Ю“4% (по массе).
Треххлористый мышьяк по ЕТО.035.088 ТУ разливают в ампулы из к ца с двойным шлифом или из фторопласта-4 (ГОСТ 10007—80) с пробы навинчивающейся крышкой вмести местью 0,05—0,5 л. Места соединен ■ том it другом случае обматывают полиэтиленовой лентой q липким слое. ГОСТ 204 77—75. Ампулы заполняют в сухом боксе в среде очищен инертного газа.
ТАБЛИЦА V.22
Показатель
Норма для марок
А
Б
Содержание непоглощающихся газов (азот, аргон, кислородсодержащие газы), % (объемы.), не более
0,03
0,07
Од
Содержание органически связанного хлора, %, не
5-Ю”3
более
5-Ю”3
5- Г-
Содержание органических примесей, % (объемы.), не более
—
—
2-К
Содержание свободного хлора, %, не более . . .
1.10”3
ею-3
1- h
Содержание влаги, % (объемн.), не более . . .
2-Ю”3
2-10"3
LU
ТАБЛИЦА V.23
Примесь
Содержание примеси, % (по массе), не более по
Примесь
Содержание примеси, % (in ' сс), не более по
ЕТО.035.088 ТУ
ТУ 6-12-42—73
ЕТО.035.088 ТУ
ТУ 6-12- 1
Си
1 • Ю”/5-10”7
ЕЮ-7
Те
5-10—7/1 • 10—5
5- U
Zn
5-10”7/5-10”6
ЕЮ-7
Sb
L Ю”с/Е Ю”5
Е Ю
Ее
2-Ю”6/2-106
ЕЮ”6
Ag
1- IO-8/4- 10”6
—
А1
1- Ю”6/4. Ю”6
ЕЮ”6
Ti
4-10”6/4-Ю”6
-
S
1- Ю”5/1- Ю”5
5- Ю”6
Mn
—
1 ■ 1 J
РЬ
5-Ю”7/4-Ю"6
LIO-7
Mg
I - Ю”6/5- Ю”ь
5- 1 '
Ni
1- Ю”7/5-Ю”7
LIO”7
Ca
—
1 ■ Ю
Сг
1- Ю”7/5-10”7
LIO”7
Se
—
5- Ю
Si
2Ю”5/3-Ю”5
LIO”5
Влага (факультативно)
—
1 1л
II р и м е ч а п и е. В числителе приведены значения для трсххлорнстого мышьяк । ноге сорта, в знаменателе — для второго сорта.
1
Г фосфор треххлористый РС13 особой чистоты производят по ГОСТ 19670—74 Представляет' собой прозрачную бесцветную жидкость. Содержание треххло- ^истого фосфора должно быть не менее 99,9999% (по массе). Содержание при- Десей не должно превышать указанных ниже значений:
КПримесь
Содержание, % (по массе)
Примесь
Содержание, % (ио массе)
|А1
2-Ю”5
Си
ЕЮ”5
Iв
1-10”5
Ni
1 ■ Ю”5
Bi
540”6
РЬ
5- Ю”6
Ее
2-Ю”5
Ag
5- Ю”7
Кремний четыреххлористый (тетрихлорсилан) SiCU производят по ГУ 6 09 197 -76 марок ОСЧ 15—4 и ОСЧ 23—4; он должен отвечать нормам фиведепным в табл. ¥.24 . SiCU представляет собой прозрачную бесцветную кидкость, сильно дымящую на воздухе. Растворим в дихлорэтане, CCU, бензоле и других растворителях. Упаковывается в баллоны из фторпласта-4 |местимостью 1 л, флаконы из фторопласта-30 вместимостью 0,5—1.0 л.
ТАБЛИЦ 1 Г. 24
Норма для марки
Норма для марки
Показатель
ОСЧ 15—4
ОСЧ 23—4
Показатель
ОСЧ 15—4
ОСЧ 23-4
1*1, Ом .см, не менее Допустимая примесь, % (по массе), не бо- iee:
М
3
2и
>Ь*2
'е
л* , , .
2а
Mg
Fi
Zn
As*2
>b
63
5-Ю”7 3-10”7 5-10” 3-10”7 2-10”7 2- Ю”7 5-Ю”7 5 • 13”' 5- Ю”7 5- 10”7 5- К)”8 5-Ю”7 1 • К)”7 2-Ю”7
123
ЕЮ”7 1-10”7 5-Ю”8 1 - Ю”7 5-Ю”8 5-Ю”8 1-ГЭ”7 5- Ю”7 5- Ю”7 5- Ю”7 5- Ю”8 5-Ю”7 5-Ю”8 2- Ю”7
Допустимая примесь, % (по массе), не более: 1,2-дихлорэтан
Au
Bi.
Ga
In
Mn
Na*2
Co*2
Hg*2
W*3
La*3
Sc*3
Ag*3
K*3
ЕЮ”4
ЕЮ”4 1-Ю”8 5- Ю~ 8 5-Ю”8 5-Ю”8 5-Ю”8 а - Ю”8 1-Ю”7 5- ЕЮ7 ЕЮ”7 ЕЮ”7 ЕЮ”7 5 • Ю”' 5- Г”6
** Удельное сопротивление эпитаксиальных слоев п-тина проводимое! и. выращенных из SiCh на подложках ЭКЭС-О.Ш толщиной 12+2 мм. *- Содержание примесей iарантируется. Анализ проводят факультативно.
1
ТАБЛИЦА V.25
Соединение
Hf ,298’ кДж МОЛЬ
“ Cf,298’ кДж МОЛЬ
S298 ’ Дж
Ср,298’ Дж
H298""H0’ Дж МОЛЬ
Ф", Дж/(м<,;.
ррИ температуре, К
300
4 (И)
-500
600
700
800
900
1000
1100
1200
моль-К
моль - К
РС13(ж)
319,9
272,6
217,3
—-
'—
—
—
—
—
—
—
—■
РС13(г)
279,7
260,63
311,92
71,89
15981
311,78
314,«",-,
: 320,21
326,54
332,97
339,23
345,23
350,95
356,37
361,50
АзС!3(ж)
299,36
294,75
233,62
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
AsCI3(r)
258,74
246,06
327,28
75,78
17321
—
—
—
—■
—
—•
—
—
—
5ЬС<3(тв)
381,4
322,672
183,4
110,5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
SbCI3(r)
312,17
299,733
338,7
77,5
18066
—
341.77
347,67
354,33
363,99
367,47
373,63
379,5
—
—
СеС14(ж)
540
—
—
.—.
—
——
—
—
—.
—
—
—
•—
—■
СеС14(г)
504,9
466,322
347,9
96,3
21143
—
351.773
359,144
367,559
376,358
384,306
392,219
399,75
—
—
5пС14(ж)
529,2
458,053
259,2
165,4
41331
—
—
—
—*
—
SnCI4(r)
489,4
449,867
365,1
98,4
22358
—
369, 6
' 376,56
385,06
393,64
401,97
409,92
417,55
—
51С14(ж)
688,3
.—.
239,9
145,37
—
—
—
—’
—
—
—
—
—■
—
SiCl4(r)
657,96
618,01
331,2
90,4
19427
331,05
334.. ;
341,77
349,85
358,01
366,18
373,84
381,16
388,23
394,77
НС1(г)
92,36
95,359
186,915
29,153
8632
186,924
188, О
190,227
192,651
195,092
197,462
199,727
231,887
2.3,943
205,898
СС14(ж)
135,44
64,665
214,57
131,80
31652
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—•
СС14(г)
103,0
60,692
310,12
83,19
17245
310,37
313,71
320,42
328,12
336,07
343,82
351,36
400,38
—
—
NH3(r)
45,804
16,29
192,794
33,59
13048
—
163,9
172,41
185,60
199,08
212,35
225,21
237,43
249,11
263,29
Примечая и е. По данным [27].
ТАБЛИЦА V.26
Параметр
PCI,
AsCIa
SbCl.|
ОеС14
SnCl4
S1C14
НС1
СС1,
NH3
Физическое состояние (293,К)
Ж
Ж
к
ж
Ж
Ж
г
ж
Г
Молекулярная масса
Плотность в состоянии, г/сма:
137,33
181,28
228,11
214,43
260,50
169,898
36,465
153,81
17,03
конденсированном
1,5567
2,163
3,14
1,874
2,232
1,483
0,924
1,632
0,682
газообразном
—
—
—
—
—
2,2
1,639
—
0,771
Температура кипения, К
Коэффициенты уравнения давления паров (Р, Па) 1g Р = A -BIT — ClgP:
348,5
403
51)6
356
387
Прим. 4
330
7,619
188
35;)
239,7
А
24,87
10,825
Прим. 1
Прим. 3
—
Прим. 5
—
В
2370
2300
—
—
—
1524
—
—
—
С
5,14
0
—
—
0
—
—
—
И р и м е ч а н и я. 1. По данным [179,
181—183]. 2.
Давление наг
а над "'ll'-1
кПа : 7,2-10 1
(88°С>; 42,13
(198°С);Ю0,8 (231,2=С). 3
Давление пара над СеС14,
кПа : 5,53 (8°С); 13,33 (27.5°О; 101,33 (84°С).
4. Давление пара над SnC
4. кПа : 7. >- ;,.
ХЮ-1 (ОС); 16,29 (60С); 101,33 (113.9C). 5. Давление пара над СС14 4.45 кПа ((ГС).
116
117
Аммиак жидкий особой степени чистоты производят по ТУ 6-03 27-1 он отвечает следующим требованиям:
Норма в га .« вой фа iv
Содержание аммиака, % (объемн.), не менее 99,994
Содержание примесей. % (объемы,). не более: воды 1 • К) !
О2 '1,3-10-
СН42,0-10
СО1,2-10••
СО27,0-10;
Аммиак марки ^Аммиак жидкий синтетический» производится двух вн
АБ99,96/99,999,64-10-W-14-1012/881/22АБ99,96/99,999,64-10-W-14-1012/881/22А и Б по ГОСТ 6221—82 и соответствует следующим нормам:
АБ
99,96/99,999,6
4-10-W-14-101
2/88
1/22
АБ
99,96/99,999,6
4-10-W-14-101
2/88
1/22
Содержание аммиака, %, не менее . Содержание влаги, %, не более . . Содержание масла, мг л, не более . Содержание железа, мг/л, не бо тес .
Примсчапн е. В числителе приведены значения для высшего сопта, в знамена к i для первого.
Норма1-10 ^ЬЮ-12- К) 4мо-1по-4Норма1-10 ^ЬЮ-12- К) 4мо-1по-4Аммиак особой чистоты марки ОСЧ 14—3, предназначенный для полу ния полупроводниковых соединений Л3В\ выпускают по ЕТО.035.134 1 Содержание примесей в аммиаке этой марки регламентируется призидеины ниже данными:
Норма
1-10 ^ЬЮ-1
2- К) 4мо-1по-4
Норма
1-10 ^ЬЮ-1
2- К) 4мо-1по-4
Суммарное содержание микропримесей (Си, Мп, Ес, Mg, Si, Ti, Bi, Pb, Sn, Cr, Ni, Те, Se, S, % (по массе) Содержание влаги, % (по массе), не более Содержание кислорода, % (по массе), не более . . . Содержание масел, % (по массе), не более
Аммиак марки ОСЧ 14—3 поставляют в баллонах вместимостью 5 л ГОСТ 949 73
Некоторые важнейший физико-химические и термодинамические пара чет хлоридов представлены в габл. V.25 и V.26.
Расчетные значения коэффициентов диффузии хлоридов и ряда др\1 соединений в водороде, аргоне и азоте приведены в табл. V 27 [180].
ТАБЛИЦА V.27
В, см2/с, в газах
Т, к
н.
Аг
и.
Аг
N-,
н2
Аг
К
923
4,01
CaCI 0,86
3,93
L57
НС1
1,22
1 ,26
2,62
As4 0,5.5
и, 58
973
4,47
0,94
L -2
a, JJ
1,33
1.38
2,87
0,56
0.63
1023
4,82
1,иЗ
i ,12
5,42
1,45
1,5
3,13
0,61
0,7.1
1073
5,23
1,12
1,22
5,9 а
1,57
1,62
3,4j
3,67
j,7b
1123
5,64
1,22
1,32
6,34
1,7 а
1,75
3,68
0,73
0,82
1173
6,08
1,31
1.42
6,81
1,82
1,88
3,96
и, 78
0,89
Продолжение табл.
D. см2/с, в газах
7, К
Но
Аг
n2
H2
Ar
No
H..
Ar
N2
Н»
As2
Те
Zn
SiCl3
923
3,74
0,73
"0,81
4,17
0,84
и ,93
5,6 j
1,22
1,3
2,52
973
4,1а
0,81
u,9
4,56
0,93
-1,02
6.12
1,34
1,42
2,76
1и23
4,4J
J, 89
J,98
4,97
1,^2
1 J2
6.67
1,47
1,56
3,1)0
1073
4,83
J, 97
l.u7
5,4j
1,11
1,21
7,13
1,6)
1,7 J
3,25
1123
5,24
1, >5
1,16
5,83
1,21
1,32
7,81
L74
1,83
3,50
1173
5,6 J
1,14
1,25
6,28
1 ,3j
1,42
8,41
1,88
1,98
3,77
[Металлоорганические соединения
Металлоорганические соединения начали использоваться ь технологии соединений Л3В5 сравнительно недавно, но уже заняли прочное место в качестве основных компонентов как в синтезе эпитаксиальных плевок пиролитическим методом, так и в процессах легирования традиционными методами — хлоридным и хлоридно-гидридиым. Для этих целей промышленностью освоено производство ряда соединений.
Триметилгаллий марки ОСЧ 15—4 производится по техническим условиям ТУ 6-09-201-30—76. Сумма примесей, лимитируемых в продукте, не более 2,0-10—4% (по массе). Триметилгаллий представляет собой прозрачную легко- подвижную бесцветную жидкость. Он растворяется в углеродных растворителях, с кислотами и водными растворами реагирует со взрывом, самовозгорается на воздухе. ПДК} в воздухе производственных помещений 1 мг/м3 Содержание отдельных микропримесей в триметилгаллии, регламентируемое ТУ 6-09- 201-30—76, не должно превышать приведенных ниже значений:
Примесь
Содержание,Содержание,Содержание,
10 ^ % (поПримесь10% (поПримесь10 ь % (по
массе)массе)массе)
Al
В Fe Cd
Si
5Mg0,5Sb0,5
0,5Мп0,5S1
3Си0,5Ti0,5
INi0,1Сг0,5
1Sn1Zn1
Примечание.
Содержание кремния
и серы гарантируется технологией.
Триметилалюминий марки ОСЧ—13—4 выпускается по техническим условиям ТУ 6-09-20-52—76. Сумма примесей, лимитируемых в продукте, не более 2-10~4% (по массе). Он растворим в углеводородах, с кислотами и водными растворами бурно реагирует со взрывом, самовозгорается па воздухе. Продукт бесцветен, без посторонних включений.
ПДК в воздухе производственных помещений 1 мг/м3. Содержание отдельных примесей (не более) в триметилалюминип, регламентируемое ТУ 6-09-20-52—76, приведено ниже:
Содержание,Содержание,Содержание.
Примесь
Ю"6 % (поПримесь10”'b % (поПримесьIO~G % (по
массе)массе)массе)
V Ga Fe Cd Co
2Mg23Ti5
2Мп5Сг5
20Си20Zu60
60N i6
2dSil5
Эфират триметилгаллия (ЭТАП) -производится по техническим усливц;. q ЕТО.035.089 и соответствует по чистоте марке ОСЧ 16—5. Содержание <, ропримесей в ЭТМГ не должно превышать следующих значений:
Содержание.
Содержание,
Содержим;
Примесь
10—5% (по
Примесь
10-6Х) (по
Примесь
ю 61Л (Ш)
мacre)
массе)
мacre)
Zn
5
Мп
0,и9
Se
I
Си
и, 3
Ni
0,2
Те
5
Mg
0.3
Сг
0,2
РЬ
5
AI
3
Ti
0,5
Sn
5
Si
20
Со
0,5
Ag
0,2
Fe
4
ЭТМГ поставляют по ЕТМ7.409.126 в ампулах из молибденового сю ;. или кварца по 50 -60 г в каждой в атмосфере инертного газа или в бал. . пах из нержавеющей стали (ЕТМ7 185.009) по 100 -150 г в каждом. Ди согласованию с потребителем может использоваться тара другой внес* i- МОСТИ.
Диэтилтеллур выпускают по ТУ ЕТО.035.105. В диэтилтеллуре не до скается содержание микропримесей меди, железа, кремния, герма шч, селена в количестве более 2-10-4% (по массе) каждого.
Диэтилцинк, производят по ТУ ЕТО.035.108. В диэтилципке содержа ч -с микро примесей меди, железа, кремния, германия, селена не должно прог 4- шать 2-Ю-4% (по массе). Температура перегонки при давлении —100 * ■ la 117—119°С. Упаковка аналогична упаковке ЭТМГ.
Изопропилкарборан (C5HI8Bi6) производится по техническим услош- .м ТУ 6-02-1107—77 и представляет собой прозрачную бесцветную жидкость < механических примесей. Содержание изопропилкарборана в жидкости не mi .т 98,5%, содержание примесей не более 1,5, в том числе изопрепилкарборана ч- более 1,4%, диметиланилина не более 0,1%. Изоиропилкарборап поставляв1- в полиэтиленовых бутылках вместимостью до 5 л.
Некоторые физико-химические параметры и термодинамические фуик . ш металлоорганических соединений представлены в табл. V.28 [65], а в т, i V.29 [26] термодинамические функции триметилгаллия.
Газы-носители
В технологии синтеза соединений А^ВЬ широко применяются водород, а1 арюн, гелий. Как правило, все эти газы подвергаются непосредственно' не; 1 употреблением глубокой очистке и сушке на специальных установках. О 1 щепные газы не должны содержать примесей выше указанных ниже * чепий:
Очищенный
Парыподы, С,.. , ,
газ
Ой, /о (объемн.) по точке росы ^-’ -° (обьемн.)
N2 Аг Оо
Н2
0,0005—650,001
0,0005—650,031
——65U, 001
0,00001—75
Примечание. Кислород не должен содержать более 2% (объемн.) азота и 2—3 частиц на 1 л пылевых частиц раз- .мером 0,7 мкм.
ТАБЛИЦА V.28
Соединение
т пл ’ °C
7 КПП* ь
Плотность, г/ см3
Уравнение давления пара U1. Па)
Теплота испарения, кДж/моль
•Циметилципк
—29,2
46
1,386
igp =
9,6451486/7
28,6
Диэтил цинк
—30
118
(10,5°С) 1,198 (30°С)
1g р =
1g р =
9,927— 1560/7
9,82- 1910/7
29,9
36,9
Диметилкадмий
—4,5
105,5
lg р " ^р -=
10,465 — 21и9/Г
34,0-3—8,0668/7+
40,2
Диэтилкадмий
—21
64
—
-г 311/,7 / 2600(64°C)
—
Диметил ртуть
—
92
—
1g р =
9700 — 1729/7
—
Диэтилртуть
—
159
—
1g р =
10,100 — 2200/7
—-
Триметилалю миний
15,3
126,3
0,752
1g р =
10,444 — 2148/7
41,1
Триэтилалюми ний
—52,5
207
(20сС) 0,835
1g р ^
1g р =
10,25 — 2140/7 12,277 — 3382/7
40,2
64,9
Т риметил га ллий
— 15,8
55,7
(25°С)
1,15
1g р =
1g р =
12,959 — 3625/7
10,195— 1705/7,
32,6
Триэтилгаллий
—82,3
142
(15°С)
1g р =
1g р =
12,6914—2362,12/7
10,349 — 2222/7
45,2
42,7
Эфират триметил-
—76
98,3
1g р = 1g р=- 1g р =
10,428 — 2258/7
10,208 — 2162/7
11,575 — 2440/7
48,6
галлия
Триметилиндий
88,4
(разл.) 135,8
1g р =-
10,363 — 2190/7
Триэтилиндий
—32
144
1,26
157,33
при —40 °C,
—
Эфират триметил-
— 15
139
(20°С)
539,99 при 60°C, 1599,96 при 80СС
индия
Тетраметилоливо
78
-—
1g р =
9,727 - 1655/7
31.9
Тетраэтилолово
—
175
—
1g р =
10,369 — 2448/7
46,9
Три метил мышьяк
—
51,9
—
1g р =
9,5386— 1456/7'
—
Триметилсурьма
—
80,(5
—
1g р =
9,8313— 1697/7'
—
Триэтил мышья к
—
140
—
—
—
Триэтил сурьма
—
169
—•
1g р =
10,029—2183/7'
—
ЧА ВЛ ИЦА V.29
т, к
50, Дж
МОЛЬ•К
_ ,, Дж ф' ° , ——
моль - К
H-*WT>
Дж моль - К
с Дж Б моль■К
273,15
353,72
363,76
— 10,05
105,07
293,15
361,25
363,34
—2,09
109,67
298,15
363,34
363,34
о,0
110,93
ЗЮ
363,76
367,95
0,84
111,34
400
398,93
377,16
31,40
133,53
500
431,16
388,46
53,58
152.37
609
460,46
400,60
71,58
168,70
700
487,25
413,16
86,65
182,51
809
512,37
425.72
99,21
195,07
909
536,23
—
110,51
205,95
1а00
558,41
437,86
120,56
215,58
Исходные водород и азот должны быть но чистоте па уровне требов^ ;,^ ГОСТ 3022 -80 (марка Л) и ГОСТ 9293—74 (сорт 1) соответственно.
Аргон высокой чистоты изготавливается ио ТУ 6-21-12—74 и ГОСТ 1013. и характеризуется показал елями, приведенными в табл. V.30.
Аргон поставляют по ГОСТ 949—73 в стальных баллонах малой и сре i вместимости под давлением (154-0,5) МПа.
1]» МПа-с
X, Вт/(м- С), при 100" С
Ср- Дж/ /(моль- С) при 15' С
Но
0,84
22350
28,5
N- . . .
. 1,66
3140
28,9
Не
. 1,87
17410
21,3
Аг
2,10
218'0
20,9
Некоторые физико-технические характеристики газов (вязкость, вснюсть, утильная теплоемкость) представлены ниже:Некоторые физико-технические характеристики газов (вязкость, вснюсть, утильная теплоемкость) представлены ниже:Гелий должен соответствовать требованиям ТУ 51-940—80 (табл. V.3 i i Гелий по ТУ 51 —9 40—80 отпускают в баллонах по ГОСТ 949—73 под д-. лением (154-0.5) МПа пли в емкостях под давлением до 40 МПа. Допуск ется также отпуск гелия в’ баллонах по ГОСТ 9731 79 и ГОСТ 12217 ^ч
Некоторые физико-технические характеристики газов (вязкость, вснюсть, утильная теплоемкость) представлены ниже:
Некоторые физико-технические характеристики газов (вязкость, вснюсть, утильная теплоемкость) представлены ниже:
ТАБЛИЦА V.30
Содержание примеси
Нормы по
ТУ 6-21-12-79
ГОСТ 10157-: (высший copi
Аргон, % (объемн.), не менее . . . .
99,995
99,992
Кислород, % (объемн.), не более . . .
0,ио из
0,0007
Азот, % (объемн.), не более
Водяные пары, г/м3, при 23°С и
0,002
0,008
101,3 кПа, не более
0,005 (—63°C)
0,007 (—58 (
Водород, % (объемн.). нс более . . . .
0,0005
—
Углеводороды. % (объемн.), не более . Диоксид углерода, % (объемн.), не бо-
0,0005
—
лее
0,0001
0,001
Метан, %, не более
Углеродсодержащие соединения в сумме,
0,0004
—
выраженной в % СО-2, не более . . . .
Не норм.
0,0005
Примесь
Содержание, % (объемы.), не более, в марках
А (99,995 Не)
Б (99,99 Нс)
в
(99,99 Не | Ne)
гелии техничен
(^,>'
н
0,0001
0,0025
0,0025
0,06
N
0,иии5
U, а04
U,0l)4
0, 12
О+Аг
0,U0ul
—
—
——-
О
—
0,001
0,001
0,005
Аг
—
0,001
0,001
0.002
СО,+СО
0,0002
0,001
0,001
Не нор
Углеводороды
u,0uul
0,003
0,003
»
No
0, UC4
0,309
0,04
»
Водяные пары
0,0005
0,002
0,002
0,001
П р и м с ч а и п е Объемная
доля гелия в марках Л и Б
и суммарная объемная
ТАБЛИЦАХ V.31
гелия и неона в марке В даны в пересчете на сухое вещество. Суммарная обминая кислорода и арнэпа в гелии марок Б п В 0,002%, в техническом гелии 0,007%.
1сллог'« •
Элементы особой чистоты
Элементы особой чисюты используются в технологии синтеза полупроводниковых соединений ДзВ5 либо в качестве основных компонентов, либо как промежуточные для синтеза химических соединений.
Алюминий особой чистоты -марки Л999 выпускают по ГОСТ 11069—74 с содержанием основного вещества 99,999% и суммы примесей не более 0,001%. Качество алюминия особой чистоты контролируют по величине остаточного электрического сопротивления при температуре жидкого гелия, -которое не должно превышать 4-Ю'10 Ом-см. Допускается контроль чистоты по величине затухания ультразвука, характеризуемого временем звучания т«, которое не должно превышать 500 -мкс.
Алюминий высокой чистоты выпускается четырех марок А995, А99, А97 и А95, содержание микропримесей в которых указано в табл. V.32
ТАБЛИЦА V.32
Марка
А1, %, не менее
Примесь, %, не более
Fo
Si
Си
Zn
Ti
прочие
в отдельности
сумма
А 995
99,995
0,0015
0,иЛ5
0,001
0,001
0,001
0,001
0,005
А99
99,99
0,^3
0,0 аЗ
и, 003
и, 003
0,002
0,001
0,010
А97
99,97
U,ul5
0,015
0.005
и, ооз
0,062
0,002
0,03
А95
99,95
0,030
о.сзэ
0,015
и, 005
0,002
0,005
0.05
Из алюминия (марок А995 и А99 по ТУ 49-21-574—/7 изготавливают проволоку диаметром 0,1—2,0 мм марок А995Д и А99Д соответственно. Проволока должна -быть намотана па катушки без перепутывания витков и резких перегибов. Допускается также поставка проволоки диаметром более 0,4 мм в бухтах. Минимальная длина одного отрезка проволоки па катушке 30 м. Алюминий марки А995 производят также в виде слитков по ТУ 48-5-24—76 массой от 0,5 до 75 кг.
Галлий для полупроводниковой промышленности поставляют по ТУ 48-4-350 -75 трех марок: Ga 99,999; Ga 99,9997; Ga 99,9999. Галлий марки Ga 99,9999 получают из галлия -марки 99,9997 зонным плавлением или выращиванием монокристаллов в вакууме. На завершающей стадии галлий всех марок подвергают плавлению, дозированному розливу и кристаллизации в вакууме. Галлий поставляют в виде слитков массой 300, 500 и 1000 гм По соглашению сторон слитки могут изготавливаться массой 10, 15. 50, 100 и 150 г. Точность дозирования ±5% от массы елгпка. Содержание примесей указано в табл. W33. По требованию потребителя предприятие-изготовитель поставляет галлий марки Ga 99,9999 с величиной оiниептслыюго остаточного сопротивления не непсе 70000.
Индий для полупроводниковой техники производяi ио ГОСТ 10297—75. В зависимости от химического состава установлены следующие марки: Ии ОООу, Ин-000 (ОСЧ 19 3), Ип —ОО/Ин-О. Пи - 1 п’Ии--2. Химический состав наиболее чистых марок приведен в табл. W34.
В индии марки Ин—ОООу содержание алюминия я магния по должно превышать 3*10-а% каждою, серебра не более 1-10”5%, которые определяются па требованию потреби юля. В индии марки Пи 000 (ОСЧ 193) содержание элементов не должно превыша 1 ь слсд\ющнх значений, %: А1310-"5; Bi31U~G; Gab 13”*;Mg31j-5; Mnllj'6; Se5.13-5;S510""5;
Agl-lU^6; Те 5-IO""5.
В индии марки Ии — 00 содержание алюминия и серебра по должно превышать 1*10-,% каждого, магния не более 3-10 ;,%. Содержание индия
ТАБЛИЦА V.33
арха
Содержание примеси, 10 ^%, не более
Ni
Zn
Си
А1
РЬ
Mg
Fc
Si
S:i
Ga 99,999
10
5
5
10
5
5
10
39
Ga 99,9997
1
1
и,4
3
и,5
2
6
8
—
Ga 99,9999
0,2
0,5
0,2
1
0,2
0,6
2
3
0.6
Примечания: I. Во всех марках содержание галлия определяется условно по ра пости между 100% и суммой контролируемых примесей, обнаруженных анализом,
2. Марка Ga 99.999 не должна содержать олова более 2-Ю-4, висмута, кадмия, хрома более l-lil'% каждого, марганца - более I • ,0-°%, серы, селена, теллура, фосфора--б. лее 5-10—5% каждою.
3. Марка Ga 99,9997 не должна содержать олова более 1 • 10-4 %, висмута, кадмия, маг ганпа. хрома - более 5-Ю-6о,'о каждого, серы, селена, теллура, фосфора - более 5-10 "• каждого.
4. Марка Ga 99,9999 не должна содержать висмута, кадмия, марганца, серебра, хрома более Ы0-6%. каждого, индия, кобальта — более 3-10-”% каждого, селена, теллура, фо. фора — более 1 • 10—5% каждого, серы — более 5-10 5%.
5. Содержание примесей, указанное в примечаниях 2, 3, 4, гарантируется технологии
6. Содержание гарантируемых примесей определяется одни раз в квартал.
ТАБЛИЦА V.34
Содержание примеси, 10 ^, %, не более
Марка
In, %, не менее
Cd
Си
Sn
РЬ
Те
Zu
Ин-00Су
99,9995
1
1
5
10
5
5
Ин -ООО
99,9992
0,3
0,8
10
5
50
2
Ин-00
99,999
1
1
10
10
50
1J
П р и м е ч а и и е. Во всех марках содержание железа и мышьяка не должно превыша:,. 5-10-5%, а никеля и ртути 2-10—ь%.
ТАБЛИЦА V35
Примесь
Содержание 10 ® % не более, в марках
ОСЧ 9—5
ОСЧ 9-4
ОСЧ 9—3
ОСЧ 9—2
А1
1
10
100
500
Bi
0,3
5
50
100
Fe
0,7
5
59
100
Си
0,5
1
10
100
Ni
0,5
1
10
100
Pb
о,3
1
10
100
Ag
0,5
1
10
100
Примечание, Содержание кадмия и цинка не должно превышать чувствительно^ метода определения.
ТАБЛИЦА V.36
Примесь
Содержание, 10 6 %, в марках
Примесь
Содержание, 10 6 %, в марках
ОСЧ 19—5
ОСЧ 17—4
ОСЧ 19—5
ОСЧ 17—4
А1
1
59
Sb
1
20
Са
1
50
Se
1
10
Си
0,1
5
Bi
о, 1
о,1
Сг
0,1
5
Si
10
10
Fe
1
50
P
0,1
0,1
Mg
5
13
Zn
0,1
20
Мп
0,1
5
Sn
1
—
Ni
0,1
5
Те
5
50
Pb
0,1
5
Cd
1
—
S
5
50
Примечания: I. Содержание примесей руется технологией без определения
2. Поверхностный и виу грикрнсталлический
висмут.а, фосфора, олова, кадмия гаранти- оксид мышьяка должны отсутствовать.
По согласованию изготовителя и потребителя допускается изготовление слитков иной формы и массы. Поверхность слитков должна быть блестящей, без шлаковых и других включений. Допускаются на поверхности усадочные раковины и неровности.
Фосфор красный особой чистоты производят по ТУ 6-09-3507—74 четырех марок, характеристика которых представлена в табл. V.35.
Мышьяк особой чистоты выпускают по ОСТ 6-12-112—73 двух сортов ОСЧ 19—5 и ОСЧ 17—4. Содержание примесей в мышьяке не должно превышать значений, указанных в табл. V.36.
Сурьма высокой чистоты выпускается но техническим условиям ТУ 48-14- 18—75 марки Су 18—4 в виде слитков массой не более 2 кг. На поверхности слитков не допускается цветов побежалости. Содержание контролируемых
примесей не должно превышать указанных ниже значений:
Примесь
Содержание, l О”5 %
Примесь
Содержание, ю~5%
Cd
0,2
Au
5
Ag
0,2
As
3
Те
1
Mn
0,3
Pb
1
Cu
0,5
Ni
2
Bi
2
Fe
9
Mg
2
Se
5
Sn
4
S
5
Si
4
Zn
5
Na
10
определяется условно как разность между 100% и суммой содержания ир месей, указанных в табл. V.34.
Индий изготавливают в виде слитков прямоугольной формы массой 1 кг. Индий марок Ин—ОООу и Ин 000 изготавливают также в виде гл ков массой до 2.5 кг, полученных вытягиванием по методу Чохральскш1
Цинк особой чистоты производят по техническим условиям ЕТО.021.031 ТУ и поставляют в визе слитков массой до 500 г. Цинк особой чистоты получают метолом ректификации в токе водорода или инертного газа. Содержание мпкроиримесей в цинке не должно превышать величин, указанных ниже:
Примесь
Содержание, IO- °
Примесь
Содержание, 10 5
Примесь
Содержание, Ю“5 %
Си
1
А1
5
Мп
1
РЬ
5
Mg
5
Сг
10
Ге
10
Bi
5
Sn
5
Кадмий выпускается по
ГОСТ
22860—77
в виде
марок Кд—000, Кд
Кд—0, Кд -1 и Кд—2. Содержание примесей в кадми^ наиболее чистых и рок не должно превышать значений, приведенных в табл. V.37.
Примесь
Содержание, 10“6 %
Примесь
Содержание, io-6 %
Примесь
Содержание, io-6 %
Bi
1
Cd
10
Ге
30
Sb
18
Ca
2
Zn
20
Ni
4
Cr
3
As
10
Co
2
In
2
Mn
3
Au
2
Cu
1
В
2
Ag
0,2
Pb
4
ТАБЛИЦА V.37
Примеси
Содержание, 10 5 %, в марках
Примесь
Содержание, 10 ®%, в мар
Кд-000
Кд-00
Кд-000
Кд-00
РЬ
3
50
Т1
1
10
Zn
3
90
Ni
0,2
10
Си
0,1
28
S примесей
30
300
Ге
2
50
Примечание. Содержание кадмия в марках Кд-000 и Кд-00 составляет 99,99*1
99,997% соответственно.
В кадмии марки Кд -00 содержание сурьмы, мышьяка и олова не до.тж превышать 1-10~4% каждого, а содержание остальных нормируемых примы-. i не должно превышать следующих значений, %:
Примесь
Содержание, io—6 %
Примесь
Содержание, io—6 %
Примесь
Содержать 10“6 11 „
Sb
8J
In
5
Co
2
Ai
20
Bi
5
В
2
As
40
Ga
1
P
5
Hg
80
Sn
9
Ag
0,5
Кадмии марки Кд—ООО изготавливают в виде чушек массой ас бе 1,0 кг. Чушки отливают в изложницы из спектрально чистого графита.
Ка смяй особой чистоты, выпускаемый по 6028.011 ТУ, характершт следующим содержанием примесей (первый сорт), не более:
Примесь
Содержание, io-5 ",;
Примесь
Содержание, 10“5 %
Примесь
Содеpa io—5
Ге
9
Ag
1
Ni
6
Al
2
Pb
10
Cr
9
Mg
2
Sn
10
Bi
5
Cu
1
Mu
1
Ti
5
Олово особой чистоты поставляют марки ОВЧ-0000 по ОСТ 48-80 / ! виде трапецеидальных прутков размером- IS'XIO мм, длиной 280±5 мм. М са прутка 250+25 г. Содержание основного вещества не менее 99,9999 4i 1 держание примесей в олове марки ОВЧ- 0000 ие должно превышать с.к тощих значений:
Висмут особой чистоты с содержанием основного вещества 99,9999 марки Ви 0000 изготавливают по ГОСТ 10928—75 в виде слитков массой 0,2 6,0 кг. Содержание примесей в этой марке висмута регламентируется следующими данными, не более:
Примесь
Содержание, IO5 %
Примесь
Содержание, 10“5 %
Примесь
Содержание, ю-5 %
Pb
1
As
1
Ni
0,4
Zn
1
Со
0,2
Sn
0,3
Fe
1
Cd
0,05
Cr
0,3
Sb
0.5
Мп
0,1
Au
0,2
Cu
0,1
11g
1
In
0,2
Ag
0,95
Мо
2,5
S примесей
10
Серо ОСЧ 15- данными
элементарная выпускается
-3 ио ТУ 6-09-2546—77 Со табл. V.38.
трех марок ОСЧ 16—5, держание примесей в пей
ОСЧ 14—4 и определяется
ТАБЛИЦА V.38
Примесь
Содержание, 10“6 %, в марках
Примесь
Содержание, IQ—6 о/, в марках
ОСЧ 16—5
ОСЧ 14-4
ОСЧ 15—3 1
ОСЧ 16-5
ОСЧ 14-4 ।
ОСЧ 15—3
Al
40*
100
100 1
Ni
2
10
Ga
1
1
501
Sn
1
10
ЮЭ
Fe
20
30
100
Pb
2
10
ЮЭ
In
1
1
50
Se
2J
5 .0
Cd
1
—
—-
Ag
1
Co
2
3
10
Ti
5
Mn
1
5
100
P
10
5.)
1 jjO
Cu
1
5
50
Галоиды
2J
5)
Ю0
Mo As
1
20
30
500
Битумы
2- W
2jUj*
2 100*
Указанные примеси при подсчете числа и суммы примесей не учитываются.
Селен особой чистоты ОСЧ—/1 (ТУ 6—09—2521—77) выпускают в вп it гранул диаметром до 6 мм. Содержание .примесей в селене (не более) при всдено ниже:
Примесь
Содержание. io-5 %
Примесь
Содержание, Ю”5 %
Примесь
Содержание IO”5 %
Fe
2
Cr
5
Cd
1
Al
2
Bi
5
Те
2
Mg Си
2
1
Ti
Sb
5
6
Hg
Si
10
10
Ag
1
Sn
5
S сульфатная
80
Pb
10
Mn
1
As
1
Ni
5
Co
1
Теллур необходимого уровня чистоты выпускают по нескольким техническим условиям: ЕТО.035.050 ТУ «Теллур особой чистоты после зонной перскри сталлизании», ТУ 6-04-65—82 «Теллур высокой чистоты», 6КО.028.012 ТУ «Тел лур особой чистоты».
По ТУ 6-04-65—82 теллур -выпускают марки) Т—ВЧ в виде друз и слитков массой 0,1 —1,0 кг с содержанием примесей, указанным в табл. V.39. В этой же таблице указано содержание примесей в теллуре по другим техниче ским условиям.
Иод производят по ТУ 6-09-2545—77 следующих марок: ОСЧ 20—3. ОСЧ 20 4, ОСЧ 20—5. Содержание примесей в этих марках не должно превы шать приведенных в табл. V.40 значений.
ТАБЛИЦА V.39
Прнмесь
5
Содержание, 10%, не более, по
ТУ 6-01-1110—77; Т—ВЧ 99.9997
6 КО. 028.012 ТУ; 1-й сорт
ЕТО.035.050 ТУ
Se
20
--.
—
Pb
1
5
5 (гарант.)
Cu
1
1
1 (гарант.)
Cd
5
—
—
Al
3
2
5
Fe
5
2
5
Ag
1
1
1 (гарант.)
Bi
1
5
5 (гарант.)
Sb
2
5
5 (гарант.)
Mg
3
2
5
As
10
—
—■
Sn
1
5
5 (гарант.)
Au
0,6
—
—
Cr
3
5
5 (гарант.)
Hg
5
—
—
Mn
0,2
1
1 (гарант.)
Ga
0,5.
—
—■
In
2
—
Co
3
—
—
Ni
1
5
5 (гарант.)
Ti
—
5
5 (гарант.)
1
/А БЛИЦЛ V.40
Примесь
Содержание, 10 э %, в марках
Примесь
Содержание, 10 ^ %,
в марках
ОСЧ 20—5
ОСЧ 20—4
ОСЧ 20—3
ОСЧ 20—5
ОСЧ 20—4
ОСЧ 20—3
А1
0,8
1
10
Ni
0,05
0,5
1
В
о,1
1
5
Sn
0,05
0,3
0,5
V
0,63
о,1
0,5
Pb
0,05
0,5
1
Fe
0,8
2
5
Ag
0,005
0,05
0 J
Ли
0,03
0,5
1
Sb
0,1
0,5
1
Са
0,8
2
5
Ta
0,5
1
5
Mg
0,5
1
5
Ti
0,3
0,5
0,5
Мп
0,05
0,1
0,5
P
0,1
0,5
5
Си
0,05
0,2
0,5
Cr
o.l
0,5
1
As
0,1
1
5
Zn
0,5
1
40
Примечание. Для марки ОСЧ 20—5 содержание серы нс должно превышать 5-10—5 ^
Свинец марки С ООО с содержанием основного вещества не менее 99,9999% производят по ГОСТ 22861—77. Содержание примесей в этой марке характеризуется данными, приведенными ниже, не более:
Примесь
Содержание, 10—5 %
Примесь
Содержание, IO-5 %
Примесь
Содержание, IO-5 %
Ag
0,6
Sb
5
In
1
Си
0,1
Mg
5
Cd
0,1
Zn
5
Fe
5
Na
20
Bi
1
Tl
10
Ca
20
As
5
Hg
10
Ni
5
Sn
—,
Al
5
2 примесей
100
Отсутствие галлия в свинце марки С 0000 обеспечивается технологией из гстовления, Масса слитков свинца до 0,15—6 кг.
Вспомогательные и конструкционные материалы
В технологических процессах получения соединений А3 В5 используется широкий круг материалов для изготовления реакторов, тиглей, кассет и других основных узлов оборудования для выращивания кристаллов. Требования к чистоте и химической инертности этих материалов очень высоки. Еще более разнообразны материалы, применяемые для очистки поверхности как основных, так и конструкционных материалов путем химического травления или растворения. В настоящем разделе изложены технические характеристики основных видов таких материалов, нашедших широкое применение в технологии синтеза монокристаллов и эпитаксиальных структур соединений А3В^
Кислоты, щелочи, оксиды
j Соляная кислота особой чистоты с содержанием основного вещества 35—38% f на выпускается по ГОСТ 14261—77, имеет плотность 1174—1185 г/см3 и ► соответствует требованиям, приведенным в табл. V.4L
ТАБЛИЦА V.41
Примесь
Содержание,
10%. не более для миро
ОСЧ 26—4
ОСЧ 20—41
ОСЧ 7—4
Сухой остаток А1 . . - в . . .
Bi . . . - Ga* . . . Au* . . . In....
Fe....
Cd.
к....
Ca....
Co ... . SiOo . . . Mg.
Mn . . . Cu . . . . As ... -
Ni . . . -
Pb ..
Зобщ Ag . . . Sb . . Ti . -. . P..
Zn . . - ci;B - ■ Cr . . -
после прокаливания* . .
203 0,5 0,1 0,3 0,1 0,5 0,1
1
1
5
5 0,1
2?
0,1 0,1 0,5 5
0,1 о,з 0,1
10 0.1 0,1
1
0,1 2
100 0,3
1
500 4
1
1
Не норм-
»»
»»
4
5
Не норм.
»»
1
100
5
1
0,5
1 Не норм.
1
3
1
300
0,5
10
1
1
5 100
Не норм.
1003
Не норм. »»
»»
»»
»»
»»
10
Не норм. »»
»»
»»
»»
»»
«»
1
1
Не норм. 1
Не норм. 10 300
Не норм »»
»»
10
Не норм 100
Не норм
* Сумма oi меченных звездочкой веществ не учитывается мы примесеп._
при определении числа и и?
Азотная менее 70% ОСЧ 21—4, приведенных
кис юта особой чистоты с содержанием основного вещества ■ выпускается по ГОСТ 11125-78 следующих марок: ОС I 17- ОСЧ 21—3. Содержание примесей не должно превышать зпачш i
ТАБЛИЦА V49—
Примесь
Содержание, %, нс более.
в марках
ОСЧ 17-4
ОСЧ 21-4|
ОСЧ 21- ’>
Оксиды азота (NOa) ■
Al- -■
0,1 8-Ю"6 5-10"6
0,1
4-Ю 6 5-10"7
0,1
1 •10^
2-10"'
В .
8- К)-6
4-Ю"6
2-10-6
Fe- -• -
Au
Не норм.
1 • Ю"6
2-10"'
в табл. V.42.
1 '
рПродолжение таб '•.
1Примесь
Содержание, %, не более.
в марках
ОСЧ 17—4
ОСЧ 21—4
ОСЧ 21—3
Cd
1 Со
Si
, Мп
;Си
As
Нелетучие вещества Ni Sn ... .
. 5 . РЬ
1 Сульфаты (SO4). .
Ag
‘ Sb
X Ag, Ni. Bi, Cd, Pb, Cu, ; i Hg, Co, Zn. ..
ИTi
i 'p
I Хлориды (Cl)
Cr
Zn
Не норм.
»»
4-10"5 5-Ю"6 5-10"6
4-Ю"7 4-10—4 5-Ю-6 1-Ю"5 2-10" 6 5-10"° ню"6 1.10"5
2-10" 5 МО- 6 1-10" 5
1 -10"5
Г ,z 6 5-10
Не норм.
ню-6 5-10"7 2-10 э 8-10"7 1 ■ 10"6 2-10"7 2-10"4 1 • 10"6 5- Ю"6 1-Ю"6 2-10"° 5-10"7 5-10"6 НЮ"5 1-10"6 5-10"6 1-10"5 2-Ю"6 5-10"6
8-10"7 5-10 7 5-10" 6 5-10"7 5-10"7 НЮ"7 НЮ"4 5-Ю"7 5-10"7 г 1 ч—7 5-10
2-Ю"5 2-Ю"7 i-Ю"6 4- Ю~ 6 5-10"7 ню"6 НЮ"5 8-Ю"7 НЮ"6
Г: Фтористоводородная кислота марки ОСЧ 27—5 с содержанием основного 1 вещества не менее 45—50% выпускается по ТУ 6-09-3401 75. Содержание 1 , примесей в ней не должно превышать следующих значений.
_Содержание.
1Примесь10—6%Приме
А13Мп
!Ва5Си
1В0,3As
Bi10Na
:Ге3Ni
Ан0,1Pb
IIК10Ag
।Ca5Sb
iCoiTi
!Si1000P
1Mg4Cr
Содержание, сь №-«%
0,5
0,1
40
50
0,3
0.5
0,1
0,5
0,2
0,5
0,3
Примесь
Zn
Soo 1ц Хлориды Вещества, восстанавливающие 1<МпО4 (в перерасчете на О) Остаток после прокаливания S примесей
Содержание, 10-6с„
1
100
200
400
500
140
I 1Примем а и и я: I Допускаются калебаипя но отдетьиым примесям в пределах суммы
1примесей.
I2. Процентное содержание серы. кремния, хлоридов, веществ. восстанавливающих
1KMnOj, остатка после прокаливания в сумму примесей нс включено.
Примесь
Содержание. %, нс более, в марке
ОСЧ 12—11
ОСЧ 5—1
Серная кислота
93,56—95,60
93,56—95,60
Остаток после прокаливания . .
5-Ю-4*
5-10 4
Аммонийные соли (NH4).
ми”4
1 - КГ4
As .
3-10”6
3-10”6
Sc
МО-4
мо"4
Нитраты (NO3)
5-10”5
5-10-5
Хлориды (Cl) . . .
5-Ю”5
5-10—5
Al
5-Ю”6
Не норм.
Bi
Ы0"Ь
»»
Fe
3-1U”6
1 • 10”5
Cd
1 ■ ю”5
Не норм.
Co .
М(Г 6
»»
Cu .
1-10“ 6
1-10“ °
Ni .. . .
1-И
МО”5
Pb..
5-10”6
1.10”5
Ag
ЫГ6
Не норм.
Sb .......
МО-5
1 • 10”5
Zn . . . .
2-Ю-5
Не норм.
X Ag, Bi, Cd, Co, Cu, Hg,
Ni, Pb, Zn
15- 1и 6
2-10“4
ТАБЛИЦА V.43
1 При определении количества и суммы примесей для установления марки показан, остатка после прокаливания пе учитывается.
Серная кислота особой чистоты (ГОСТ 14262—78) имеет плотность 1,830 1,835 г/см3 и соответствует нормам, приведенным в табл. V.43.
Перекись водорода особой чистоты с содержанием основного вещества 30— 35% выпускают по ТУ-6-02-570—75 двух марок: ОСЧ 15—3 и ОСЧ 8—4. Содержание примесей должно соответствовать значениям, приведенным в табл. V.44.
Борный ангидрид В2О3 марок ОСЧ 11—3 и ОСЧ 16 3 выпускают по ТУ 11 — 74 6 КО. 028.001. Борный ангидрид марки ОСЧ 11 3 белый аморфный порошок, марки ОСЧ 16—3 — прозрачные стекловидные таблетки.
В борном ангидриде марки ОСЧ 16 3 содержание связанной воды не более 5-10~2% (по массе). Содержание примесей не должно превышать указанных в табл ¥.45 значений.
Примесь
Содержание, 10—4%, в марке
Примесь
Содержание, 10—1%, в марке
ОСЧ 11-3
1 ОСЧ 16—3
ОСЧ 11 3
I ОСЧ 16-3
Mg
1
1
As
0,1*
1
Fe
5
5
Sn
—
3
Al
1
1
Cr
—
1
Cu
0,4
0,4
S
—-
5
Мп
0,3
0,3
Se
•—
5
Pb
0,4
0,4
Si
-—
10
P
0,3
1
Ti
0,2*
Ni
0,2
0,2
Ag
0.P
1
ТАБЛИЦА V.45
* Гарантируется при изготовлении и проверяется по специальному требованию потреби-
Борный ангидрид марки ОСЧ I 1—3 упаковывают в стеклянные флаконы, марки ОСЧ 16—3 — в двойные полиэтиленовые пакеты. По техническим условиям ТУ 6-09-3558—78 производится борный ангидрид марки ОСЧ 12—3 с содержанием основного вещества не менее 98,5%. Содержание остальных примесей не должно превышать указанных ниже значении:
Примесь
Содержание. %, не более.
для марок
Примесь
('.одержание.
%. нс более.
для марок
ОСЧ 15—3
ОСЧ
8—4
ОСЧ 15—3
ОСЧ 8—1
Нелетучий
остаток .•-
3-19”3
3. ю”3 |
Ре
МО”5 1.10“6
1 -10”
Свободные
Со . ..
Не нор
кислоты (в
1 10 5
пересчете на
Si .
серную кис-
, . —з
Не норм.
Мп . .. .
МО”6
МО
лоту)...
1 ■ 111
к
Си . . .
1 -10"6
МО
НобЩ•’
3-10
4
» »
Ni . ..
МО”6
м.г
Сульфаты-■
Хлориды -1
1 ■ 10
5- К Г4 „ , —5
» »
г m—
2-10 5
Sn . .. .
। Pb■.
МО”6
М0”°
Не пор
М.)
А1- -
2-1J
,4
Не по1
В . . . • -
1-И)”6
1 Ы0"5
Фосфаты
МО
ТАБЛИЦА V.44
П ]) НМ ОСЬ
Содержание. w-5%
Примесь
Содержание, но-5*;.
As
2
Хлориды
20
Р
5
Fe
5
Нитриды
500
Zn
5
Сульфаты
100
Ni
5
Растворители
Четыреххлористый углерод (тетрахлорметан) вещества не менее 99,93% выпускается марки ОСЧ имеет плотность при 20°С, равную 1,593—1.596 г/см3.
Примесь
СиSbМпРЬ
Содержание. К)-5%
5
5
5
с содержанием основного 18—4 по ТУ 6-09-3219—75
, Изопропиловый спирт марок 011-1, ОСЧ11—5выпускается по
: ТУ 6-09-712—76 и должен соответствовать следующим нормах1:
1Норма
i Содержание основного вещества, %, не менее ..99,8
' Сумма органических примесей, %, не более . ...0,1
х Влага, %, пе более .. ... ..0,05
Сумма Al, Fe. Са, Со, Mg, Мп, Си, Ni, Ph. Ti. Сг. %, пе более . МО"5 Кислотность в пересчете на СН3СООЛ. ... . . 1 • 10—"J
Прозрачная бесцветная жидкость бе механических примесейХарактерный для этилового ректи фикованного спирта, без запаха по сторонних веществ96,2Выдерживает испытание15441530Выдерживает испытаниеОтсутствует2ОтсутствуютОтсутствует1,3- 10еПрозрачная бесцветная жидкость бе механических примесейХарактерный для этилового ректи фикованного спирта, без запаха по сторонних веществ96,2Выдерживает испытание15441530Выдерживает испытаниеОтсутствует2ОтсутствуютОтсутствует1,3- 10е
Прозрачная бесцветная жидкость бе механических примесей
Характерный для этилового ректи фикованного спирта, без запаха по сторонних веществ
96,2Выдерживает испытание
15
4
4
15
30
Выдерживает испытаниеОтсутствует
2
ОтсутствуютОтсутствует
1,3- 10е
Прозрачная бесцветная жидкость бе механических примесей
Характерный для этилового ректи фикованного спирта, без запаха по сторонних веществ
96,2Выдерживает испытание
15
4
4
15
30
Выдерживает испытаниеОтсутствует
2
ОтсутствуютОтсутствует
1,3- 10е
Спирт этиловый ректификованный марки с государственным Знаком к а пва производится по ГОСТ 18300—72 для электронной промышленности пзикохимические свойства и технологические параметры этилового спирт введены ниже:
Норма на марку с государственным Знаком качества {ешиий вид .. . .
шах
эдержание этилового спирта (крепость), (объемн.), не менее роба на чистоту . .
роба на окисляемость, мин, не менее . . одержание альдегидов в безводном спир- >, мг/л, не более: :
одержание сивушного масла в безводном пирте, мг/л, не более:
одержание кислот в пересчете на уксус- ую в безводном спирте, мг/л, не более . . .одержание сложных эфиров в безводном пирте, мг/л, не более:
1роба на метиловый спирт 'одержание фурфурола Содержание сухого остатка, мг/л, не более ‘одержание сернистых соединений в перечете на серу Содержание щелочи в пересчете па NaOH Сдельное объемное электрическое сопротив- [ение, Ом-см, не менее
Конструкционные материалы
В настоящем разделе приведены сведения о -наиболее широко исполни емых в технологии получения соединений А3 В5 конструкционных матери лах графите и кварце.
Графит. В технологии синтеза соединений А3 В5 наибольшее распространен! получили марки мелкозернистого плотного графита МПГ—6, МПГ—7 (ТУ 48-2' 51 — 74) п МГ, МИГ—6, МПГ—8 (ТУ 48 01-70—74). Другие марки графита к пользуются, как правило, либо с дополнительными защитными покрытиями, лш только для вспомогательных целен.
Графиты марок МПГ—6 и МПГ—7 изготавливаются высшего и первого о та. Заготовки из них (цилиндры, бруски, пластины) поставляются потребителю обработанной механическим путем поверхностью. Графит марки АШГ—6 вып) кается в виде цилиндров диамеч ром до 200 мм и высотой до 180 мм, брусков ^ чепием 85X65 мм, высотой до 160 мм н сечением 190X140 мм, высотой до 80 \ изделий, изготавливаемых по чертежам потребителя и согласованных! с н г. товптелсм, причем габаритные размеры изделий не должны превышать мак-, мальпых размеров цилиндров п брусков. Геометрические размеры заготовок i; фита МПГ—7 представлены в табл. V.47.
ТАБЛИЦА Г 47
Вид заготовки
Диаметр или сечение, мм
Высоз
га, мм
номинал
отклонение
номинал
отклонение
Цилиндр
180
200
±10
210
±5
150
Брусок
250 95x95
±4 на сторону 95
150
180
i5 4-10
95x160
±5 на сторону 160
135x180
±4 на сторону 135
170
±ГЭ
±5 на сторону 180
95 х 120
+5 на сторону 95
530
—3)
Пластина
60x230
—20 на сторону 120
30 на сторону 60
400
±5
10 на сторону 230
П римеч а и и е. Изделия изготавливаются по чертежам с предприятием-изготовителем, причем габариты изделий не мальных размеров цилиндров, брусков, пластин.
потребителя, согласованным должны превышать макси-
На поверхности изделий из графита марок АШГ—6 и АШГНа поверхности изделий из графита марок АШГ—6 и АШГна HWDvpAiiuc 1 и изделии из графита марок МИГ—б и ЛШГ—7 не допускаются трещины, раковины глубиной и диаметром более 1,5 мм, сколы на ребрах глубиной более 2 мм и длиной более 10 мм, инородные включения.
На поверхности изделий из графита марок АШГ—6 и АШГ
На поверхности изделий из графита марок АШГ—6 и АШГ
Механические и физико-химические свойства графитов марок ЛШГ -6 и ЛШГ—7 представлены в табл. V.48.
ТАБЛИЦА \ .48
Нормируемые требования к графиту марки
Показатель
МПГ~ 7МПГ~ 7Кажущаяся плотность, кг/м3, не менее Предел прочности при сжатии, МПа, нс менее Предел прочности при изгибе, МПа . . Удельное электросопротивление, мкОмм Содержание золы, %, не более . . . . Содержание примесей, %, не более:Л1МнКажущаяся плотность, кг/м3, не менее Предел прочности при сжатии, МПа, нс менее Предел прочности при изгибе, МПа . . Удельное электросопротивление, мкОмм Содержание золы, %, не более . . . . Содержание примесей, %, не более:Л1Мн1,72/1,651,72/1,65ЮЭ/755j/3516,5/18,00,02/0,02ЮЭ/755j/3516,5/18,00,02/0,02ГеГеMgMgМи^/ГЮ-3 5-10—5/5-10—5 6- 1О—4/6-10~4 3-10~3/3-10~3 МО-1/ Ы0~4 ЗЮ^4/3-104Ми^/ГЮ-3 5-10—5/5-10—5 6- 1О—4/6-10~4 3-10~3/3-10~3 МО-1/ Ы0~4 ЗЮ^4/3-1041,8и/1,701,8и/1,70105/805J/3514,0/18,00,02 /Не ре гл.105/805J/3514,0/18,00,02 /Не ре гл./Не/Не»»зло-4/ »1-Ю-3/ »зло-4/ »1-Ю-3/ »1 - 1и-1/1 - 1и-1/»»ре гл.»»»»ре гл.»»»»МИГ—б
МПГ~ 7
МПГ~ 7
Кажущаяся плотность, кг/м3, не менее Предел прочности при сжатии, МПа, нс менее Предел прочности при изгибе, МПа . . Удельное электросопротивление, мкОмм Содержание золы, %, не более . . . . Содержание примесей, %, не более:
Л1
Мн
Кажущаяся плотность, кг/м3, не менее Предел прочности при сжатии, МПа, нс менее Предел прочности при изгибе, МПа . . Удельное электросопротивление, мкОмм Содержание золы, %, не более . . . . Содержание примесей, %, не более:
Л1
Мн
1,72/1,65
1,72/1,65
ЮЭ/75
5j/3516,5/18,00,02/0,02
ЮЭ/75
5j/3516,5/18,00,02/0,02
Ге
Ге
Mg
Mg
Ми^/ГЮ-3 5-10—5/5-10—5 6- 1О—4/6-10~4 3-10~3/3-10~3 МО-1/ Ы0~4 ЗЮ^4/3-104
Ми^/ГЮ-3 5-10—5/5-10—5 6- 1О—4/6-10~4 3-10~3/3-10~3 МО-1/ Ы0~4 ЗЮ^4/3-104
1,8и/1,70
1,8и/1,70
105/80
5J/3514,0/18,00,02 /Не ре гл.
105/80
5J/3514,0/18,00,02 /Не ре гл.
/Не
/Не
»
»
зло-4/ »1-Ю-3/ »
зло-4/ »1-Ю-3/ »
1 - 1и-1/
1 - 1и-1/
»
»
ре гл.
»
»
»
»
ре гл.
»
»
»
»
п р гелеп р геле
п р геле
п р геле
шамс-шамс-11 м с ч а н и е. В числителе приведены данные для графита высшего сорта в первого сорта.
шамс-
шамс-
Из графита по ТУ 48-01-70—71 изготавливаются заготовки и изделия двух классов: ОСЧ 7—3 — заготовки и изделия, ОСЧ 7—4 — изделия.
Сумма регламентируемых примесей в изделиях класса ОСЧ 7—3 не более 6,2-К)"'*% (по массе) для марок МГ, МГ -1, ЛШГ —6 и ЛШГ - -8 в изделиях класса ОСЧ 7—4- не более 7-10~5% (по массе).
Геометрические размеры тиглей должны соответствовать требованиям, указанным в табл. V.51 и согласованным чертежам.
:а
Диаметр или поперечное сечение, мм
Длина, мм
Марка
Диаметр или поперечное сечеиие, мм
Длина, мм
номинал
отклонение
поминал
отклонение
номинал
отклонение
номинал
отклонение
300
+ 10
250
+ 10
170
±5
250
±ю
330
+ 10
250
+ 10
230
±10
250
±10
1
60
75
100
±5 ±5
325
325
±25 +25
260
215
±10
±10
250
425
± 10 ±10
±5
325
+25
МПГ—6
90x100
±5
520
+20
125
±5
325
+25
МИГ—8
80X100
±5
420
+20
200
+5
325
+25
90x90
±5
180
+ 10
310
±ю
325
+25
180
±10
180
±10
140
±5
250
±10
250
±10
100
±5
азмеры заготовок из особо чистого графита указаны в табл. V.49.
ЩЛ V.49
’азмеры Изделий класса ОСЧ 7—4 следующие: длина — не более 550 мм, стр — не более 180 мм, толщина стенки — не более 75 мм:
Содержание примесей регламентированных элементов в заготовках и изде- класса чистоты ОСЧ 7—3 и ОСЧ 7—4 не должно превышать указан-
в табл. V.50 значений:
Дримесь
Содержание. 10-5% в марках
Примесь
Содержание, 10—5% в марках
ОСЧ 7—3
ОСЧ 7—4
ОСЧ 7—3
ОСЧ 7—4
Fe
3
1
Si
50
5
Al
3
1
Ti
—
1
Mg
5
1
Cr
—
1
В
1
1
Со
—
1
Мп
1
1
Ni
—
1
Си
1
1
1ИЦА V.50
по ТУ 48-01-70—71 представлены
Тип тигля
Предельное отклонение
от D нар
Высота, мм
Параметры стеики, мм
номинал
предельное отклонение
толщина минимальная
разнотолщинность
Группа I
65
+ 1,0
45—70
±1,5
0,5
1,8
111
+ 1,0
50—70
±3,0
0.5
1,8
135
+ 1,5
50—70
±3,0
0,6
2.5
152
±1,5
50—70
+3,0
0.8
2,5
200
+3,0
70—90
Не регл.
2,а
2,0
250
+3,0
НО—130
»»
3,0
2,5
зоэ
±4,0
150—170
»»
4,0
4,0
Группа IJ
111
+2,0
50—70
+ 1,0
0,8
0,7
135
±2,5
50—70
+2,U
1,0
1.0
152
±3,0
50—70
+2,0
1,0
1,5
200
±3,0
70—90
+3,0
2,0
2,0
ТАБЛИЦА V.51
* Наружный диаметр.
Тигли группы I типа 90, 111, 135, 152 по согласованию с изготовителем могут поставляться полупрозрачными. При этом толщина и разнотолщинность стенки должны соответствовать следующим требованиям.
Тип тигля ...... Минимальная толщина, мм Разнотолщинность, мм .
90111135152
1,0U.81,01,0
1.30,71.U1,5
Потребитель также может заказывать тигли
с отклонениями по высоте и
толщине стенки.
Тигли группы I должны использоваться при температуре не выше 1450°С. а тигли группы II — при температуре не выше 1100°С. Поверхность тиглей группы I должна быть гладкой. Допускаются наплавы и волнистость. При этом диаметр и толщина стенки должны быть в пределах установленных допусков. Инородные включения на внутренней поверхности тиглей не допускаются. Содержание микропримесей в тиглях I и II групи не должно превышать норм, приведенных в табл. V.52.
Марка
V. г/см3, не менее
ав. МПа, не менее
р. Ом-м
МГ— 1
1,65
3500
8—13
мг
1,50
2000
8—13
МПГ—6
высший сорт
1,72
8000
10—16
первый сорт
1,63—1,72
60С0
10—16
МПГ-8
1,78
8 ОСО
8—15
ГТМ
1,85 -2,05
2500
—
ГМЗ
1,65
2500
7—13
ППГ
1,70
3500
6—11
ЗОПГ
1,80
4500
6—11
применяется в
технологии синтеза соединений
А3В5
Физико-механические свойства графита :е:
в виде тигле1
/б н ’ различных изделий из них. Тигли кварцевые синтетические выпуска ся ио ТУ 48-4-360—75 двух групп: 1 - прозрачные для тиглей 65, 90, 111 5 и 152, полупрозрачные для тиглей типов 200, 250, 300; II — пепрозрачt
Кварц
Примесь
Содержание, 10 5%, для групп
Примесь
Содержание, 10 а%, для групп
1111
11II
В
0,1
0,8
Са
8
20
р
0,2
0,8
Сг
0,5
0,8
Си
0,1
0,8
Fe
5
10
Ti
1
30
Pb
0,5
1
Al
1
0,8
Мп
0,1
0,7
Ni
1,5
1
Sn
0,3
0,9
1АБЛИЦД V.52
Трубы из кварца изготавливаются по нескольким техническим условиям. ТУ 48-4-381 — 76 определяют технические требования на трубы из прозрачного синтетического кварцевого стекла.
Размеры труб должны соответствовать значениям, указанным в табл. V.53
ТАБЛИЦА V 53
Наружный диаметр, мм
Толщина стенки, мм
номинал
отклонение
номинал
отклонение
12; 14
+ 1,0
1,0; 1,5
+0,5
16; 18; 23; 22; 25; 28
±1.2
1,5; 2,5
±0,6
32; 36; 4J
±1 .5
2,0; 3,5
±0,7
45; 5а; 56
+2,0
2,5; 4,5
+J.8
63; 71; 8J
+3,0
2,5
±1 А’
4,5
+ 1,2
90; 100
±3,5
3,0
±1.1
НО
±3,5
5,0
= 1,2
3,0
+ 1.1
5,0
±1,2
125; 140
+4,5
3,0
±1,1
5,0
+ 1 ,3
160
+4,5
3,0
+ 1,1
5,0
+ 1,3
170; 180
±5,0
3,0
±1,1
5,0
±1,3
Длина труб должна быть кратна размеру 100 мм в пределах 100—1000 мм. Овальность и конусность труб не должны превышать предельные отклонения по диаметру. Стрела прогиба не должна превышать 6 мм на 1 м длины трубы. В стенке труб регламентируется содержание следующих микропримесей, % (но массе), не более:
Спб-Ю-5; Ti 5-10—6; Al 5-1G5; Ni 2-10 5; Ca 5-10”1; Cr 5-IO-6; Fe S-lO^Pb 5-13-6; Mn 5-10~6; Sn 5-IO-6; P 5- 10~6; B2-10-6.
Технические условия ЩЛО.027.241 и ЩЛО.027.247 регламентируют размеры и качество труб из прозрачного кварца. Согласно этим ТУ поставляются трубь наружным диаметром от 6,0 до 305 мм и длиной 500—2000 мм. Трубы выпуск, ются трех классов по обработке поверхности: I класс —■ трубы с газопламенно: оплавкой по наружной поверхности; II класс — трубы, оплавленные низкого, пературной плазмой по наружной или по наружной и внутренней поверхностях1 Ш класс — трубы без дополнительной обработки. Толщина стенки труб разны диаметров приведена ниже:
Диаметр, мм 6—2021—3840—5860 80>80
Толщина стенки, мм . . 1,3—2,5 2,5-—3,0 3,0—3,53,5—4,54,5 6,0
По техническим условиям ТХО.735.072 и ТХО.735.081 выпускаются кварцены трубы с покрытием на основе оксида алюминия для эксплуатации при темпераi- рах вплоть до 1225СС. Трубы для покрытия соответствуют ТУ ЩЛО.027.241 И покрытии не допускаются темные точки и включения размером более 2 мм в кт центрированном "виде более 3 шт.; просветы диаметром более 1 мм; третий, длиной более 3 мм. Толщина покрытия 100+50 мкм.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
Свойства элементов. 4.1: Физические своиетва/Под ред Самсонова Г В М • Металлургия, 1976. 600 с.
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник/Под рел. Новоселовой А. В„ Лазарева В. Б. М.: Наука, 1979. 339 с.
Атомная диффузия в полупроводниках: Пер с англ./Под ред Шоу Д М • Мир, 1975. 684 с."'
Фогель В. .4. — В кн.: Элементарные физико-химические процессы па поверхности монокристаллических полупроводников/Под ред. Ржанова А В Новосибирск: Наука, 1975, с. 149—185.
Ормонт Б. Ф Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1968. 487 е.
Энергии разрыва химических связей: Потенциалы ионизации и средство к электрону/Гуреич Л. В„ Карачевцев Г. В., Кондратьев В. Н и др М - Наука
_ 1974. 351 с.' ’
/. Гольдшмидт В. М. Кристаллохимия: Пер. с нем. Л.: ОНТИ, 1937. 231 с.
Goldschmidt V. М — Transastions of the Faraday Society, 1929, v XXV n 253— 283."*
Гассель О. Кристаллохимия: Пер. с нем. Л.: ОНТП Химтеорет, 1936. 200 с.
Pauling L. Z. Kristallographie, 1928, Bd 67, Н. 3/4, S. 377—404.
Kordes E. — Z. Phys. Chern., 1939, Bd 44, S. 11, 249—260, 327—343.
Ahrens L. — Geochim. Cosmochim. Acta, 1952, v. 2, p. 155.
Бокии Г. Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971. 400 с.
Proceedings of the International Conf, on Semiconductor. Physics, Prague, Aug. 29 —Sept. 2, 1960, Prague, Czecoslovak Acodemy of Sciences, 1961, 1133 p.
Вайанов T. С. Электроотрицательность элементов и химическая связь. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1962. 196 с.
Киттель Ч. Введение в физику твердого тела: Пер. с англ. М: Наука, 1978. 791 с.
Болтакс Б. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках Л.: Наука, 1972. 384 с.
Маделунг О. Физика полупроводниковых соединении элементов HI н V групп: Пер. с англ. М.: Мир, 1967, 477 е.
Мильвидский М. Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений на примере арсенида галлия. М.: Металлургия, 1974. 392 с.
Stringfellow G. В. — The Journal of Physics and Chemistry of Solids, 1974, v. 35, № 7, p. 775—783.
Девятых Г. Г., Зорин 71. Д. Летучие неорганические гидриды особой чистоты. М.: Наука, 1974. 206 с
Финогенов А. Д. — ЖФХ, 1972, т. 46, № 2, с. 286—289.
Горбов С. И. — Итоги науки и техники: Сер. Химическая термодинамика и равновесие. М.: ВИНИТИ, 1975, т. 3. 150 с.
Крестовников А. Н„ Уфимцев В. Б., Егоркин В. В.—ЖФХ 1973, т. 47, Хг 3, с. 543 547.
Мирина Л. И., Нашельский А. Я. — Успехи химии, 1971, т. 40, № 7, с. 1309- 1332.
Мосин А. М., Шаулов Ю. X. — ЖФХ, 1976, т. 50, № 2, с. 543—545.
Рябин В. А., Остроумов М. 71., Свит Т. Ф. Термодинамические свойства веществ: Справочник. Л.: Химия, 1977. 389 с.
Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник: Пер. с англ. М:: Мир, 1975. 432 с.
Фистуль В. И. Сильно легированные полупроводники. М_: Наука, 1967. 415 с.
Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника: Пер. е англ. М.: Мир, 1976. 431 с.
Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках: Пер. с англ. М.: Мир, 1974. 463 с.
Шмарцев 10. В., Валов Ю. А., Борщевский А. С. Тугоплавкие алмазоподоб ные полупроводники. М.: Металлургия, 1964. 208 с.
Палатник Л. С., Сорокин В. К. Основы пленочного полупроводников» материаловедения. М.: Энергия, 1973, 296 с.
Новые полупроводниковые материалы. Физико-химические и технолог».», ские вопросы получения полупроводниковых соединений группы А1п/Л Пер. с англ./Под ред. Нашельского А. Я. М.: Металлургия, 1964. 272
Миргаловская М. С., Стрельникова И. А., Тимошин А. С., Уфимцев В. Б.
В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и плети», Ч. 2. Новосибирск: Наука, 1975, с. 196—200.
Андреев В. М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия . технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. 328 г.
Glisson Т. Н„ Hauser J. R., Littlejohn М. A., Williams С. К.—J. of Elect , nic Materials, 1978,, v. 7, № I, p. 1—16.
Тауц Я Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиш» товой областях спектра: Пер. с англ. М.: Мир, 1967. 74 с.
Манассеит X. М. — В кн.: Материалы для оптоэлектроники: Пер с ан М.: Мир, 1976, с. 204—256.
Backer I. F. С., Hurt М., Halliwell М. A. G., Heckingbottom R.— Solid-Sta:.- Electronics, 1976, v.19, № 4, p. 331—334.
Хухрянский 10. П„ Кондауров В. П., Николаева Е. П„ Пантелеев В. И. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1976, т. 12, № 6, с. 1111 1112.
Muszynski L., Riabcev N. G. — J. of Crystal Growth, 1976, v. 36, № 2, 335—341.
Хухрянский Ю. П„ Пантелеев В. И. — Изв. АН СССР. Сер. Неорганич» кие материалы, 1977, т. 13, № 5, с. 785—788.
Arthur L R. — The J. of Physics and Chemistry of Solids, 1967, v. 28. ;■ 2257—2267.
Mullin T. B., Heritage R. T., Holliday С. H„ Straughan B. W.— J. of Crysr . Growth, 1968, v. 34, p. 281- 285.
Nguyen Van Man A., Ance C, Bougnot G.—-J. of Crystal Growth, 1976, . 36, № 2, p. 273—277.
Паниш M. Б., Илегемс M.— В кн.: Материалы для оптоэлектроники: Пер с англ. М.: Мир, 1976, с. 39—92.
Foster L. М., Scardefeld J. Е., Woods J. F.—J. Electrochemical Society, 1972 v. 119, № 6, р. 765—766.
Stringfellow G. В.—J. of the Electrochemical Society, 1970, v. 117, № l|:. p. 1301—1305.
Panish M. B. — J. Chem. Thermo, 1970, v. 2, pi 319.
Овчинников С. Ю., Сорокин В. С., Яськов Д. A. — Изв. АН СССР. Си; Неорганические материалы, 1974, т. 10, № 2, с. 234—239.
Бирюлин 10. Ф., Буль С. П„ Дедегкаев Т. Т. и др. — Физика и техника и 1 лупроводников, 1977, т. 11, № 8, с. 1555—1559.
Antypas G. A., James L. IT.— J. of Applied Physics, 1970, v. 41, № 5, p 2165—2171.
Moziizumi T., Takahashi K.—-J. of Applied Physics, 1972, v. 43. № 11, prl 1. p. 4606—4608.
Aimergne D., Camassel J., Mathieu H., Joullie A. — The Journal of Physi ' and Chemistry of Solids, 1974, v. 35, № 2, p. 133—140.
Несмеянов A. H. Давление пара химических элементов. М.: Изд-во 4 1 СССР, 1961. 396 с.
Thomson A. G., Wooley 1. С. — Canadian Journal of Physics, 1967, v 1’- № 2, part 1, p. 255—261.
Nakajima K.. Osamura K., Vasuda K-, Murakami Y.— J. of Crystal Growi" 1977, v. 41, № 1, p. 87—92.
Logan R. M„ Hurle D. T. J. —The J. of Physics and Chemistry of Soli""- 1971, v. 32, № 8, p. 1739—1753.
Thompson A. G., Wagner J. IT. — The I. of Physics and Chemistry of SoiM". 1971, v. 32, № 11, p. 2613—2619.
Хухрянский Ю. П., Кондауров В. П., Николаева Е. П. и др. — Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1974, т. 10, № 10, с. 1877—1878.
Крессел Г., Нельсон Л —В кн.: Физика тонких пленок Т. VII: Пер. с англ.
M.: Мир, 1977, c. 133—283.
!3.!3.г 64.г 64.65.65.66.67.66.67.Смирнов Г. Ф.— Физика и техника полупроводников, 1977, т. 11, № 8, с. 1550—1554.
!3.
!3.
г 64.
г 64.
65.
65.
66.
67.
66.
67.
Lorenz М. R., Onton А. — Proceedings of the Tenth International Conference of the Physics of Semiconductors, Cambridge — Massachusetts, August 17- 21, 1970, p. 444- 449.„ ,,
Kressel H._ Ladany I. — J. of Applied Physics, 1968, v. 39, № 11, p- 5339 5340.
Chicotka M. R. Netkercot A. H., Pettit G. D.—Rep. NASA-CR-111 976, 1971. Woolley J. C„ Evans J. A., Gillett С. M. Proceedings of the Physical Society (London), 1959, v. 74, part 3, № 477, p. 244—248.
68.68.Hakki В. M... Jayaratnan A., Kim С. K. — J. of Applied Physics, 1970, v. 41,
68.
68.
№ 13, p. 5291-5296.n
Kudman J., Paff R. J.— J. of Applied Physics, 1972, v. 42, № 9 p. 3760—3762.
Woolley J. C., Gillett С. M. — The J. of Physics and Chemistry of Solids, 1960, v. 17, № 1/2, p. 34—43..
Abrahams M. S., Braunsein R., Rosi F. D. Thermal, Electrical and Ophcal Properties of (tn, Ga) As Alloys.— Metallurgical Society Conferences, Prop, of Elem. and Comp. Semicond. N. Y., 1960, p. 275—284.
72.72.Ilegems M., Panish M. B.—J. of Crystal Growth, 1973, v. 20, № 2, p. 77
72.
72.
73.73.Lyons V. J., Silvestry V. J. — The J. of Physical Chemistry, 1961, v. 65. № 7,
73.
73.
Physics,Physics,р. 1275—1277.m r п ,
Physics,
Physics,
Nakajma К., Yamaguchi A., Akita К., Kotani T. — J. of Applied 1978, v. 49, № 12, р. 5944—5950.
Vieland L. J.— Acta Metallurgica, 1963, v. H, № 2, p. 137—142.
Begems M Pearson G. L. — Proc, of the Second International Simposium on GaAs, Dallas’, Texas, Oct., 1968, Chap. 1, part 1, p. 3—10.
Stringfellow G. B. - The J. of Physics and Chemictry of Solids, 1973, v- 34, № 10, p. 1749 1751.r
Handbook of Electronic Materials. V. 2. Ill—V Semiconducting Compoun ., у ed. Stringfellow. IFI, Plenum Press, 1971. 115 p.
79 Фесенко В. В. — Порошковая металлургия. 1961, № 4, с. 80—85
Mac Chesney I. В., Bridenbaugh Р. М., O’Connor Р. В.-Materials Research Bulletin, 1970, v. 5, № 9, p. 783—792.series
Johnson E. J., Fan H. У. — The Physical Review, 1965, v. 139, 2-nd Series
№ 6A, p. A1991— A2001.., , ™., r^idrv
Divrechy A., Robin — Kandare S., Robin J.— The J. of Physics and Chen -У of Solids, 1973, v. 34, № 3, p. 413—420.pei.
1956.1956.83 Gobeli G M„ Fan H. У. — Semiconductor Research. Second Quart. Kepi..
1956.
1956.
Physics Review, 1966, v. 141, № 2, p. .'89Physics Review, 1966, v. 141, № 2, p. .'89due Univ.,
Physics Review, 1966, v. 141, № 2, p. .'89
Physics Review, 1966, v. 141, № 2, p. .'89
796.796.Cohen M. L„ Bergstresser T. K.
796.
796.
Slukel D. /. — Physical Review, Ser. B, 1970, v. 1, A° 8, p. 3 .,
Schulze K. R-, Topol I., Hess E. — Physica Status Solidi (B), 19/ •-
№ 1, p. K75—K78.1Q7Q
Hess E„ Topol L, Schulze K.—R. et al. —Physica Status Solidi ( ).
v. 55, №1, p. 187—192._1(p_
Topol I., Neumann H., Hess E.—Czech. J. Phys., 1977, v.
Partin D. L., Milnes A. G., Vassamillet L. F. — J. of the Electrochemic 1 So ciety, 1979, v. 126, № 9, p. 1584-1588.5
Thurmond C. D. — The J. of Physics and Chemistry oi 8on ,, . zo,
«N® 2, p. 785—802., iqkq v qa r
Panish M. B. — The J. of Physics and Chemistry of Solids, • • •. . 5,
p. 1083—1090.
^ntypas G. A.- J. of the Electrochemical Society, 1970, v. H7, № o, p. /00 toijpss G. A., toms L. e.-J. of APHied P^sk'S. ,97°. ’• 41' Л ■ ЯГяк. Lgmk R. T„ Sumski S. - T„*,fli«.AIME (American h.. 1c of Mining, Metallurgical and Petroleum Engineers), 1969- v 245’ p' 5o'
Panish M. B., Sumski S.-The J. of Physics and Chemistry of Solids, 19t
2, № 3, p. 299—31s. v. 121, № 3, p. 1K>2, № 3, p. 299—31s. v. 121, № 3, p. 1K>№ 1, p. 129 137.
2, № 3, p. 299—31s. v. 121, № 3, p. 1K>
2, № 3, p. 299—31s. v. 121, № 3, p. 1K>
Panish M. B„ Arthur J. R.-5. Chem. Thermo ‘«70, v. Antypas G. A.— J. of the Electrochemical Society. 1У/4,
Terpilowskl J.-In: Archiwum Hutnictwa, 1958, tom III, Zeszyt 3, p. 22
^Hoshino H„ Nakamura L„ Shimoju M.. №wa К. "B,?richte der Bunsen Gc>cb t6№ ЖТЛ№ й^еГ а-d CW of S.. ЩМ^ and Chemistry of Solids, 1972, v. 3’. " Wooley6J5C^Less D. G. — J. of the Lcss-Cotnmon Metals, 1959, v. I. № >
WUekl D„ Sommelet P. - Transactions of the Metallurgical Society ., ME, 1969, v. 245, № 1, p. 99-105
Woolley J. C„ Smith B. A.-Proc. Phys. SoC- 1958, v. 72, 1 t. 2, A. ^lo. G. B„ Greene P. E.-K of the Electrochemical Society, 1971 S/u7t С. П., 'perettl E. A. —Transactions of American Socity for Metals.
Society, 1963- v- 110’ № 5’ P- 385Am. Sec- Metals, 1952, v. 44, p. 539Am. Sec. Metals, 1953, v. 45. p. 677Society, 1963- v- 110’ № 5’ P- 385Am. Sec- Metals, 1952, v. 44, p. 539Am. Sec. Metals, 1953, v. 45. p. 677956, v. 48, p. 706—725.
Society, 1963- v- 110’ № 5’ P- 385
Am. Sec- Metals, 1952, v. 44, p. 539
Am. Sec. Metals, 1953, v. 45. p. 677
Society, 1963- v- 110’ № 5’ P- 385
Am. Sec- Metals, 1952, v. 44, p. 539
Am. Sec. Metals, 1953, v. 45. p. 677
Hall R. N. — J. of the Electrochemical 87.
Lin T. S„ Peretti E. A. — Transactions ■48.
). Liu T. S., Peretti E. A. — Transactions
do,, Boouiguord /., Schol Г--^‘ R^^S^ 1шеТгы!У. rheoretieal and Experimental Research in Physics, Ehemistrj
Motalfkundri AprA ™. Bd 46 Hg 4, S. 293-297 a Rid,snstcin *1. - Eloctrorfiem. Soc. Al’str 1962. v 11, p. 129.
^Aptilto l k*”AkcL^^^^^i9™. " 2-№L
A v™v?s№n J. Л. V.. Bsrgslrssssr T. Л' _ Rbysk=l Review B. 1970. v. 1, № ' R ШмадвЮ. A, Bssos Ю. A.. bop.^-CKtii Л С Тугоолаокие алмазополоб пые полупроводники. М.: Металлургия, 1964.■
-I. Бураки И. И., Королевский Б П.^че^е записки Тираспольского m пн-тз им Т Г. Шевченко,. 1966, вып. 16-» с. 11/.,.
TmtoLB.. Gomisg Н. и Homes И ■ C.-J- -f Elect, oehem.ca! Some..
1960, v. 107, № 6. p. 527—533.=„;„., io"O
9 Foster L. ScardeUeU J. E. - J ^' the Electrochem.cai SocmA, 19, v. 117, № 4, p. 534 536..
>0. Richman 0. — The J. of Physics and Chemistry ol Solids, 19 . , ., ■ -
p. 1131 — 1139., cv
11 Sfrofa A. M (C,,pcr„ H. HJ-^ii^nd„^sm;d<S™.nw3gs.,
ГкйА ^кП’S^^&X-i №8. Bd 49. H. 7, S. 305-367.
123 Wagner J. W., Thompson A.— J. of Electrochemical Society, 1970 v 117 № 7, p. 936 940.' ’•
Osamura K-, Murakami У.- -Japanese J. of Applied Physics, 1969 v s \’o 7
p. 967.’' •’
Van Hook H. J., Lenker E. S. — Trans. Metallurg. Soc. AIME, 1963 v 097 № 1, p. 220—222.‘’
Hockings E. F., Kudman L, Seidel T. E. e. a. —J. of Applied Phvsics 1966 v. 37, № 7, p. 2879—2887,‘’
Inoue L, Osamura K-, Murakami Y.— Saiyokwai— Shi K. 1970, v 17(7) p. 71—74.
Блаут-Блачев A. IL, Ивлева В. С., Селянина В. И. — Физика п техника по- лупроводников, 1979, т. 13, № 11, с. 2288—2290.
129' Даргис А. К)., Седракян Р. Г. — Физика и техника полупроводников. 1980, т. 14, № 3, с. 455—459.
Ильин IO. Л., Саенко И. В. — Изв. АН СССР. Сер. Неорганические мате риалы, 1980, т. 16, № 3, с. 376—379.
131 Bloom S. — The J. of Physics and Chemistry of Solids, 1971, v. 32, A1. 9.
p. 2027—2032.
Jordan A. S. — Metallurgical Transactions, 1971, v. 2, № 7, p. 1965 19,0.
33 Jordan A. S. — J. of the Electrochemical Society, 1971, v. 118, № 5. p. 76! 787.
Jordan A. S.— J. of the Electrochemical Society, 1972,v. 119, № 1, p. 121 124.
. H Вигдорович E. H., Эскин С. M.— Изв. AH СССР. Сер. Неорганические мл nриалы, 1979, т. 15, № 11, с. 1909—1912.
Пелевин О. В., Чупахина В. М.— Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1975, т. 11, А? 9, с. 1698—1699.
Кузнецов В. В., Сорокин В. С. — Изв. АИ СССР. Сер. Неорганические материалы, 1978, т. 14, № 7, с. 1212—1216.
Кузнецов В. В„ Сорокин В. С. — Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1977, т. 13, № 5, с. 780—784.
Вигдорович С. В., Долгинов Л. М., Малинин А Ю., Селин А. А. — ДАН СССР. 1978, т. 243, № 1, с,. 125—128.
Masu К., Konagai М., Takahashi К- — J. of Applied Physics, 1980, v. 51, AL1 2, p .1060—1064.
Brebrick R. F„ Panlener R. J. — J. of the Electrochemical Society, 1974, v. 121.
M- 7, p. 932—942.
Горюнова H. А. Химия алмазоподобных полупроводников. — Л.: ЛГУ, 1963.
Woolley J. С., Smith В. A. —Proc. Phys. Soc., 1958, v. 72, Pt. 2, № 464, p. 214—223.
Makowski L„ Glicksman M. (Маковский Л„ Гликсман M.)—The J. of Physics and Chemistry of Solids, 1973, v. 34, № 3, p. 487—492.
Coleman J. J.—Applied Physics Letters, 1978, v. 32, № 6, p. 388—390.
Пихтин A. H. Яськов А. Д. - Физика и техника полупроводников 1980, т. 14, № 4, с. 661—667.
7. Srtingfellow G. В. — J. of Crystal Growth, 1974, v. 27, № 1, p. 21—34.
Nakajima K-, Yamaguchi A., Akita K-, Kotani J.—J. of Applied Phvsics. 1978, v. 49, № 12, p. 5944—5950.
Joullie A., Gautier P„ Monteil E. — J. of Crystal Growth, 1979, v. 47. At? 1, p 100—108.
Hurle D. T. J.—The J. of Physical and Chemistry of Solids, 1979, v. 49, № 8, p. 647—652.
Hurle D. T. J. — The J. of Physics and Chemistry of Solids, 1979. v. 49, M- 8, p. 627 637.
Лозовский В. H„ Лунин Л. С. — Изв. АН СССР. Сер. Неорганические ма терпалы. 1980. т. 16, № 5, с. 922—923.
1пЗ. Wu Т. К. Pearson G. L.—The J. of Physics and Chemistry of Solids, 1972, v. 33, Av 2, p. 409—415.
Nelson R. J.. Holonyak N.—The J. of Physics and Chemistry of Solids, 1976, v. 37, № 6, p. 629—637.
Матяс Э. Е.—Физика и техника полупроводников, 1979, т. 13 № 1 с. 2046-2047.
Ant upas G. A., Yep Т. О. — J of Applied Physics, 1977, v. 42, Ав 8, p. 3201 3204.
Thompson A. G., Cardona M., Shahlee K. L. — Physical Review, Second Sv ries, 1966. v. 146, № 2, p. 601—610.
Herzog A. H., Groves IP. O., Craford M. Q. — J. of Applied Physics, 1969 v. 40, № 4, p. 1830- 1838.
Williams С. K., Glisson T. H„ Hauser L R„ Littlejohn M. A.— J. of Electro nic Materials, 1978, v. 7, Ab 5, p. 639—646.
Fonstad G. G., Guillec M., Garone S.— J. of Applied Physics, 1978, v. 49. № 12, p. 5920—5923.
Fidler C. S., Wolf strin К. B.— J. of the Electrochemical Society, 1967, v. 111. № 8, p. 856-861.
Schillmann E.— Z. Naturforschung, 1956, Bd Ila, H. 6, S. 463—472.
Сугияма, Казаками, Сайто—Доклады 31-й конф. Японского общества прикладной физики, 1970, с. 28.
Вилисов .4. Л.. Iер-могенов В. П., Максимова Н. К., Эникетстова Л. Е.— Изв. вузов. Сер. Физика, 1980, № 4, с. 19—25.
Takagi Т. — Japanese J. of Applied Physics, 1978, v. 17, № 10, p. 1813 1817.
Jordan A. S.. Trumbore F. A., Nash D. L„ Kowalchik M. - J. of the Electrochemical Society, 1976, v. 123, № 7, p. 1083—1088.
Борисова Л. А., Аккерман 3. Л., Дорохов A. H - - Изв. АН СССР. Cep. Неорганические материалы, 1977, т. 13, Ав 5, с. 908 - 909.
Lidow A., Gibbons J. F. — Applied Physics Letters, 1978, v 32, № 9, p. 572— 573.
Воробьев В. Л., Олейник А. А., Макаров В. В.—Электронная техника, Сер. Материалы, 1972. вып. 1, с. 116—118.
Shishiyanu F. S„ Gheorghiu V. Gh„ Palazov S. К. — Physica Status Solidi (a), 1977, v. 40, № 1, p. 29—35.
Kazuya M„ Makoto K-, Kiyoshi T. Applied Physics Leiters, 1980, v. 34, Ab 2. p. 182—184.
Дементьев Ю. С., Федоров В. А., Блецкан II. И. и др. — Изв. АН СССР.
Сер. Неорганические материалы, 1980, т. 16, Ав 7, с 1164 — 1167
Susaki A., Nishiuma М.. Takeda У. — Japanese J. of Applied Physics, 1980, v. 19, As 9, p. 1695 -1702.
Leonhardt A., Kuhn G.—Kristal! nnd Technik. 1974, Bd 9. Ms 1. S. 77—85.
Гырбу И. H.— Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1980, т. 16, № 7, с. 1286—1287.
Касаткин В. А„ Кесаманлы Ф. П„ Мастеров В. Ф. и др. — Изв. АН СССР, Сер. Неорганические материалы, 1980, т 16, Ав 11, с. 1901 —1905.
Лисенкер Б. С., Марончук И. Е„ Марончук Ю. Е., Шерстяное А. Н.— В ки.: Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников: Труды симпозиума. 4.1 Новосибирск: Наука, 1968, с. 153—171.
Walukiewicz IE., Lagowski J„ Jastrzebski L. e. a. — J. of Applied Physics. 1980, v. 51, № 5, p 2659—2668.
Сладкое И. Б. Методы приближенного расчета физике химических свойств ковалентных неорганических соединений. Л.' ЛГУ, 1978. 104 с.
Чурченок Г. Л.—Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1980, т. 16. Ав 12, с. 2099—2102.
Boucher A.. Hollan L.—J. of the Eltctrochemical Society, 1970, v. 117, As 7, p. 932 936.
Дидора И Ф„ Румянцев IO. М. — Изв. СО АН СССР. Сер. Химических паук, 1979, вып. 6, Ав 14, с. 14—15.
Лапидус И. И., Нисельсон Л. А. Тетрахлор и трихлорсилан. М.; Химия, 1970. 126 с.
С С. СТРЕЛЬЧЕНКО ЯВЛЕБЕДЕВСОЕДИНЕНИЯ А В5С С. СТРЕЛЬЧЕНКО ЯВЛЕБЕДЕВСОЕДИНЕНИЯ А В5
С С. СТРЕЛЬЧЕНКО ЯВЛЕБЕДЕВ
СОЕДИНЕНИЯ А В5
С С. СТРЕЛЬЧЕНКО ЯВЛЕБЕДЕВ
СОЕДИНЕНИЯ А В5
УДК 537.311.33:621.382
Рецензент: проф., докт. техн, наук Е. Б. Соколов
УДК 537.311.33:621.382_ _
Соединения ААВ°. Стрельченко С. С., Лебедев В. В.: Справ, изд. М. Д^, таллургия, 1984. 144 с.
В справочнике систематизированы многочисленные и разрозненные далны о диаграммах состояния, физических и физико-химических свойствах двш'чп^ тройных и четверных фаз полупроводниковых соединений Д3В5, широко п| ц\к. пяемых для создания приборов полупроводниковой опто- и микроэлектрш ихи. Рассмотрено влияние примесей на свойства этих соединений. Большое внигнн^ уделено методам получения и основным параметрам особо чистых исходи лх , конструкционных материалов, используемых в технологии синтеза эпитаксиальных структур и монокристаллов соединений Л3В5.
Предназначен для широкого круга инженерно-технических и научных работников, специализирующихся в области материаловедения, химии и физики полу- проводников. Может быть полезен преподавателям, студентам и аспиранта.1 вузов. Ил. 140. Табл. 53. Библиогр. список: 183 назв.
Станислав Сергеевич Стрельченко Виктор Владимирович Лебедев