СПИСОК СОКРАЩЕНИИ И ОБОЗНАЧЕНИИ

ВА— громкоговоритель;

BF— телефонный капсюль;

ВМ— микрофон;

С— конденсатор;

EL— лампа накаливания;

G— батарея, источник питания;

НА — звонок;

HL — световой индикатор;

К — реле;

L — дроссель, индуктивность;

R — резистор;

S — кнопка;

ups — фриттер;

VD - диод;

VT— транзистор;

XT— розетка;

ZQ— кварцевый резонатор;

АВУ— абонентская высокочастотная установка;

АЛ— абонентская линия;

АОН — автоматический определитель номера;

АРУ — автоматическая регулировка усиления;

АТр — автотрансформатор;

АТС — автоматическая телефонная станция;

АУ — автоматическое устройство;

БИС — большая ИС;

БП — блок питания;

ВАХ — вольт-амперная характеристика;

ВЛС — воздушные линии связи;

ВОЛС— волоконно-оптические линии связи;

ВУ — вызывное устройство;

ВЧ — высокая частота;

ГТС — городские телефонные сети;

ДА — дополнительный аппарат;

ДМ - демодулятор;

ДП — диодная приставка;

ДРЦ — диодное разделение цепей;

ДС — дифференциальная система;

ДТП — диодно-триодная приставка;

ЗУ — запоминающее устройство;

Иг — импульсная группа;

ИК — импульсный контакт;

ИМС — интегральная микросхема;

Инд — индуктор;

ИС (IC) — интегральная схема;

ИУ — «искусственное ухо»;

КБ — конструкторское бюро;

КЛС — кабельные линии связи;

КСА — комплект станционного оборудования;

КУ — коммутационное устройство;

М — мост;

м. — модель;

МБ — местная батарея;

МТ — микротелефон;

МТТ — микротелефонная трубка;

МУ — микрофонный усилитель;

НН — номеронабиратель;

НЧ — низкая частота;

ОА — основной аппарат;

ОЗУ — оперативное запоминающее устройство;

ПВ — приемник вызова;

ПОС — положительная обратная связь;

ПП — печатная плата;

ППЗУ— перепрограммируемое запоминающее устройство;

РАТС — районная АТС;

РП — рычажный переключатель;

РТ — розетка телефонная;

РТС — ручная телефонная станция;

РУ — регулятор уровня;

СП — соединительная линия;

СТС — сельские телефонные сети;

СУС — станционное устройство спаривания;

Т — трансформатор;

ТА — телефонный аппарат;

ТВУ — тональное вызывнуе устройство;

ТЧ — тональная частота;

УАТС — учрежденческая АТС;

УВЧ — усилитель высоких частот;

УНЧ — усилитель низких частот;

Фр — фриттер;

ЦБ — центральная батарея;

ЦП — центральный процессор;

ЦС — центральная станция;

Шг — шунтирующая группа;

ШК — шунтирующий контакт;

ШТ — шнур телефонный;

ШТР — штепсельная телефонная розетка;

ШТС — шнур телефонный спиральный;

ЭВМ — электронная вычислительная машина;

ЭНН — электронный номеронабиратель.

ОБЩИЕ ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ СХЕМЭЛЕКТРОННЫХ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ

Основное назначение ТА любой системы и схемы построения остается неизменным с момента его изобретения — преобразование звука в электрический сигнал для передачи его по линии (каналу) связи до нужного Вам собеседника и обратного там преобразования.

Кроме этого, ТА должен обеспечить функции приема вызова, занятия линии, набора номера и отбоя, т.е. обеспечить протокол взаимодействия с сетью.

Следовательно, современный ТА должен полностью удовлетворить все эти требования. Если ТА с механическим (дисковым) номеронабирателем, с так называемой классической схемой для выполнения описанных функций использовал только пассивные элементы и не потреблял энергии от телефонной станции в режиме ожидания вызова (отбоя), то электронный ТА, особенно работающий под управлением специализированного процессора, требует питания в любом режиме. Это накладывает дополнительные требования на схемные решения и элементную базу, используемые при разработке схем таких аппаратов.

Следует отметить, что требования на потребление энергии телефонным аппаратом от АТС в состоянии ожидания вызова довольно жесткие. Так по ГОСТ 7153-85 (являющимся основным стандартом на ТА в бывшем СССР, а на сегодняшний день — один из базовых технических документов, используемых в национальных стандартах на ТА в странах СНГ) максимально допу

стимая величина тока в абонентской линии в состоянии отбоя не должна быть больше 1 мА.

Это значит, что максимальная мощность, которую можно использовать для питания устройств электронного ТА в режиме ожидания вызова не должна превышать значения 60 мВт для батареи с напряжением 60 В и примерно 50 мВт для батареи 48 В. Такое значение тока в абонентской линии обусловлено требованием однозначного определения состояния ТА со стороны АТС. Перепад значений тока при снятой и уложенной микротеле- фонной трубке должен быть более одного порядка (более чем в 10 раз), тогда АТС четко различает эти состояния. В режиме набора номера и разговора ток в АЛ возрастает до значений несколько десятков миллиампер и падение напряжения на ТА составляет около 10 В. Следовательно, мощность, потребляемая ТА в этих режимах, возрастает до нескольких сотен милливатт, что достаточно для обеспечения нормального функционирования ТА. Во время приема вызова питание схемы ТВУ, как правило, осуществляется вызывным током, мощность которого ограничивается сопротивлением ТА в этом режиме и по ГОСТ 7153-85 не может превышать значения 100 мВ А, что полностью удовлетворит потребность в мощности питания ТВУ и обеспечит требуемую максимальную громкость акустического сигнала вызова (не менее 70 дБ по шкале А).

Теперь проанализируем по порядку все составляющие схемы электронного ТА, которая изображена на рис. 1.1.

Рис. 1.1. Структурная схема электронного ТА

- устройство защиты от перенапряжения и обеспечения независимой полярности;

- переключатель режима (РП);

- тональное вызывное устройство;

- устройство питания схемы управления;

- разгоаорный узел с усилителями приема-передачи с противоместной схемой;

- схема управления, набора номера и памяти;

- наборная клавиатура.

Устройство защиты от перенапряжений и обеспечения независимой полярности должно выполнить функции защиты всех последующих устройств ТА от возможного попадания на абонентскую линию напряжения сети переменного тока 220L1В или воздействия на АЛ высоковольтных грозовых разрядов. Реализовать эту функцию возможно при помощи различных устройств. Это могут быть диоды, включенные встречно-параллельно, стабилитроны или варисторы. В схемах ТА различных производителей встречаются все эти устройства, а также используются, но реже, различные газовые разрядники.

Функцию обеспечения независимой полярности питания ТА от полярности проводов АЛ обеспечивает диодный мост.

Переключатель режима обеспечивает подключение к АЛ либо ТВУ (режим ожидания вызова или огбоя), либо остальных устройств ТА (режимы набора номера или разговора). Во многих схемах современных ЭТА, где применяются высокоомные ИМС ТВУ с защитой от подрабатывания при наборе номера переключатель режима упрощен, а ТВУ остается подключенным к АЛ и во время разговора.

Изменение режима ТА приводит к изменению состояния АЛ, которое воздействует на станционные устройства АТС, приводя их в соответствующее состояние.

Тональное вызывное устройство преобразует вызывной сигнал, поступающий от АТС (переменный ток с частотой от 17 до 50 Гц) в акустический сигнал типа «трель». Этот сигнал обычно двух- или трехчастотный. В некоторых моделях современных ТА пользователь может сам изменять тональность вызывного сигнала при помощи специального переключателя, либо программировать с тастатуры. Для многолинейных ТА и аппаратов с устройствами местной связи (интерком) возможность изменения частоты сигнала вызова является обязательной, так как пользователь должен различать вызов одной линии от другой. Обычно громкость вызова изменяется ступенчато (2 или 3 ступени), но в более сложных моделях она изменяется автоматически с каждой последующей посылкой от АТС и таких ступеней может быть пять и более.

Совершенно особо в схеме электронного ТА стоит устройство питания схемы управления в режиме ожидания вызова (отбоя). Ограничение тока в абонентской линии в этом режиме достигается либо включением в цепь высокоомного (до 10 МОм) резистора, либо использованием полевого транзистора. Преобразованное напряжение обеспечивает поддержание работы схемы управления и памяти как на запрограммированные номера (если в данной схеме они предусмотрены), так и на последний набранный номер.

Однако в более сложных и совершенных схемах электронных ТА, особенно в тех, где имеется жид

кокристаллический дисплей, отображающий текущее время при уложенной микротелефонной трубке, громкоговорящий (повышенной мощности) режим работы и другие сервисные элементы, используются дополнительные источники питания обычно в виде батареи из двух-трех сухих элементов типа R6 (АА) с суммарным напряжением 3.. .4,5 В и реже типа «Крона» с напряжением 9 В. В этом случае поддержание работы схемы управления и памяти обеспечивается за счет дополнительного источника, что следует учитывать при эксплуатации таких ТА.

Естественно, что в любом ТА, в том числе и в электронном, основным устройством является разговорный узел, который должен обеспечить выполнение нескольких главнейших функций:

организовать переход от двухпроводной АЛ к четырехпроводной схеме ТА;

организовать преобразование звуковых колебаний в изменение электрического тока на передаче (микрофонная цепь) и обратное преобразование на приеме (телефонная цепь), обеспечив при этом нормальные показатели громкости (эквиваленты затухания) передачи и приема, а также возможно наилучшую развязку этих цепей — противоместный эффект;

обеспечить наиболее эффективное согласование схемы ТА с АЛ в диапазоне рабочих частот телефонной связи (0,3...3,4 кГц) при условии довольно большого разброса параметров АЛ, зависящих от ее протяженности и конструкции.

Ввиду того, что в электронных ТА большинство национальных стандартов запрещает применение угольных микрофонов, а в телефонной цепи чаще всего используются малогабаритные электродинамические громкоговорители, то обязательными элементами разговорных узлов становятся усилители передачи (микрофонный) и приема (телефонный).

Наличие усилителей, имеющих к тому же общий источник питания, налагает на противомест- ную схему дополнительные требования по развязке цепей приема и передачи во время разговора.

Как правило, в современных схемах электронных ТА для этого используются схемы автоматического «запирания» того направления, которое в данный момент находится в пассивном состоянии. Например, если говорите вы, то усилитель приема вашего ТА заперт, а у вашего собеседника заперт усилитель передачи. Когда говорит ваш собеседник, то состояние усилителей в обоих ТА изменяется на противоположное. Таким образом достигается наиболее эффективная развязка.

Во многих схемах современных электронных ТА в составе разговорного узла есть схема автоматического регулирования усиления приемного сигнала (АРУ). Как правило, эти устройства используют в качестве опорного сигнала величину тока в АЛ и зависимость усиления уровня приема

от тока в АЛ имеет такой характер, как это отображено на рис. 1.2. График построен для телефонной сети со станционной батареей 60 В и сопротивлением моста питания 2x500 Ом, но качественно он останется таким же и при других значениях напряжения станционной батареи и сопротивлении моста питания. Таким образом, достигается постоянство уровня приема независимо от длины АЛ.

В некоторых схемах электронных ТА схема АРУ управляет также и усилителем передачи (микрофонным усилителем), обеспечивая постоянный уровень сигнала, поступающий от ТА в АЛ.

В первых образцах электронных ТА, схемы которых строились на дискретных элементах (диодах, транзисторах и т. д.), количество навесных компонентов схемы разговорного узла достигало сотни, а печатная плата не помещалась в корпус ТА. Однако, с течением времени производители полупроводниковых приборов оценили возможности рынка ТА и начали выпуск интегральных специализированных микросхем для телефонных аппаратов.

Теперь количество активных навесных деталей в схемах разговорного узла не превышает двух десятков, а в наиболее совершенных еще в несколько раз меньше. Это стало возможным благодаря высокой степени интеграции микросхем, разработка которых была осуществлена в последнее десятилетие.

Следующим, не менее важным, узлом электронных ТА является схема, обеспечивающая набор номера и управление схемой ТА при переходе из одного состояния в другое.

Здесь нам придется напомнить читателю, что ТА классической электромеханической схемы «умели» набирать нужный номер только импульсным способом — периодически разрывая и замыкая цепь прохождения тока через аппарат при помощи механического металлического контакта дискового номеронабирателя — импульсного контакта (ИК). Во время набора любой цифры номера другой контакт оставался постоянно замкнутым, шунтируя разговорный узел — шунтирующий контакт (ШК).

В первых схемах электронных ТА с кнопочными номеронабирателями эти контакты были заменены электронными ключами на транзисторах, которые работали под управлением схемы на дискретных элементах, а затем и специальных микросхем набора номера импульсным способом, на который рассчитаны АТС декадно-шаговой, координатной и релейной систем.

Следует отметить, что принцип, по которому ИК включался в схему ТА, долгие годы (вплоть до распада СССР) был «лакмусовой бумажкой», позволяющей различить ТА отечественного и зарубежного производителя. Так, в отечественных ТА ИК замыкал АЛ непосредственно (через внутреннее сопротивление ключа), а в зарубежных ТА — через разговорный узел либо специальный резистор.

В начале 70-х годов на телефонной сети многих стран началось внедрение электронных АТС, а эксплуатационные предприятия связи (телефонные компании) уже хорошо освоили многочастотную систему обмена информационными и управляющими сигналами между станциями. Код «2 из б», использовал ряд частот от 700 до 1700 Гц с интервалом 200 Гц и вспомогательную частоту запроса АОН 500 Гц). При этом встал вопрос об использовании такого же метода передачи управляющих сигналов и на абонентском участке телефонной сети. Это стало возможным еще и потому, что к этому времени были разработаны малогабаритные и малоэнергоемкие устройства, позволяющие получить ряд высокостабильных по частоте и уровню токов от одного источника.

Первой из телефонных компаний, которая начала внедрение частотного способа набора номера на телефонной сети стала американская фирма «Bell Telephone Со», в лабораториях которой были разработаны соответствующие станционные и абонентские устройства. Способ базируется на частотном кодировании цифр абонентского номера. При этом используется ряд из 8 частот, разделенных на две группы:

нижняя 697, 770, 852, 941 Гц;

верхняя 1209, 1336, 1477, 1633 Гц.

Рис. 1.2. Зависимость коэффициента усиления приема от тока АЛРис. 1.2. Зависимость коэффициента усиления приема от тока АЛРис. 1.3. Соответствие цифр и символов на кнопках частотам при частотном способе набора номераРис. 1.3. Соответствие цифр и символов на кнопках частотам при частотном способе набора номера123456789*0#123456789*0#Соответствие цифр и символов на кнопочной панели НН частотам показано на рис. 1.3.

Рис. 1.2. Зависимость коэффициента усиления приема от тока АЛ

Рис. 1.2. Зависимость коэффициента усиления приема от тока АЛ

Рис. 1.3. Соответствие цифр и символов на кнопках частотам при частотном способе набора номера

Рис. 1.3. Соответствие цифр и символов на кнопках частотам при частотном способе набора номера

1

2

3

4

5

6

7

8

9

*

0

#

1

2

3

4

5

6

7

8

9

*

0

#

Как видно из набора частот (рис. 1.3), ни одна из них не совпадает с частотами кода «2 из 6», а также не является частью гармонического ряда.

При нажатии любой из кнопок в линию уходит двухчастотный сигнал, содержащий по одной частоте нижней и верхней группы. Вид этого сигнала представлен на рис. 1.4. Длительность такого сигнала должна быть достаточной для его идентификации станционными устройствами и не может быть менее 40 мс.

При этом следует учесть, что сигнал, соответствующий полному номеру, может передаваться в двух режимах: ручном, при непосредственном наборе номера абонентом, и автоматическом, при повторе последнего набранного номера или вызове номера из памяти. В первом случае между сигналами, обозначающими цифры или символы, будут нерегулярные интервалы, а во втором случае, в зависимости от принципов организации схемы, интервалы между знаками могут вообще отсутствовать или быть регулярными.

Современные электронные АТС одинаково воспринимают сигнал частотного набора в любом из упомянутых режимов, но при ручном режиме следует помнить, что интервал между любыми двумя знаками номера не должен быть более 5 с. Невыполнение этого требования приводит к срыву набора номера и потребует от Вас произвести «отбой» и вновь занять линию.

Сравним длительность набора номера импульсным и частотным способом при стандартной для СНГ частоте следования импульсов — 10 в секунду, при условии использования кнопочного номеронабирателя с минимальным нормированным интервалом между знаками номера — 400 мс.

Рассмотрим случай набора номера, состоящего из 7 знаков, и для простоты расчета возьмем все цифры одинаковыми с минимальным количеством импульсов, т. е. 1. Тогда время набора такого (111-11-11) семизначного номера импульсным способом будет :

tH ™ Тимп х7 +1инт х6 = 100х7 + 400х6 = 3100(л/с)

и*

Рис. 1.4. Двухчастотный сигнал,соответствующий одной цифре (символу)

Время автоматического набора семизначного номера частотным способом, независимо от знач- ности цифр в него входящих, будет (при максимальном интервале между посылками):

tHAS = tпос х 7 + 1ИНТ х6 = 40х7 + 80х6 = 760(л/с);

для автоматического безинтервального режима:

наб ™ Гюс х7 — 280(л/с),

для ручного набора со средним интервалом между нажатием двух кнопок длительностью 200 мс:

наб = 1 пос х 7 + tnAy3bi х 6 = 40 X 7 + 200х 6 - 1480(л/с)

Из этого расчета видно, что даже при ручном наборе частотным способом время передачи семизначного номера более, чем в 4 раза меньше времени передачи такого же номера, составленного из минимальнозначных цифр, импульсным способом.

Именно поэтому, а также еще и потому, что надежность определения при частотном способе набора выше, чем при импульсном, все современные электронные ТА имеют в своем составе такое устройство наравне с устройством импульсного набора. В первых образцах электронных ТА эти устройства были отдельными, а в схемах современных они объединяются в одной микросхеме. Переключение из одного режима в другой осуществляется специальным переключателем «Топе-pulse». Если ваш ТА работает в импульсном режиме набора номера, а в процессе соединения необходимо набрать еще несколько цифр в режиме тонального набора, то во многих моделях электронных ТА достаточно нажать кнопку «*» и набирать требуемый номер, знаки которого будут уже передаваться частотным кодом. Это бывает нужно, когда вы хотите связаться с абонентом офисной станции, в составе которой есть соответствующие устройства, и вы это знаете.

Таким образом, мы установили, что в составе устройства набора номера имеется две схемы, обеспечивающие взаимодействие с АТС в импульсном и тональном режимах набора. Кроме этого, в составе устройства обязательно есть схема, обеспечивающая замыкание и размыкание шлейфа при импульсном способе набора, и одновременно блокирующая разговорный узел — режим молчания (mute). Во многих моделях электронных ТА этот режим можно использовать и во время разговора для кратковременного его прерывания без отбоя. Для этого на ТА устанавливается отдельная кнопка с соответствующим обозначением.

Следует помнить, что при нажатии кнопки «mute» ваш собеседник услышит «тишину» и может подумать, что связь прервалась, поэтому нужно его обязательно предупредить. Однако в моделях ТА последних лет для этого введена специальная сервисная функция — «music on hold». При нажатии кнопки с

этой надписью соединение удерживается электронной схемой, разговорный узел отключается, а в абонентскую линию и вашему собеседнику транслируется музыкальный фрагмент, записанный в памяти вашего телефона.

В составе устройства обязательно есть элементы памяти. В простых моделях — это память для последнего набранного номера, значность которого может достигать 32 цифр. В более сложных схемах ТА, кроме последнего набранного номера, в памяти могут храниться наиболее часто используемые Вами номера. Их количество может колебаться от 3 до нескольких десятков, а в специальных «бизнес-телефонах» и до 200 номеров. Вызов этих номеров из памяти и их трансляция в АЛ осуществляется под управлением специальных кнопок, которых может быть от одной (прямой набор) до трех (набор из памяти).

Наиболее сложные ТА имеют в своем составе жидкокристаллический (значительно реже светодиодный) дисплей, на котором отображается информация о режиме работы ТА, набранный Вами (или звонящий Вам) номер, длительность разговора (таймер), текущее время (часы), а возможно и календарь. Тогда в схему управления добавляются элементы, обеспечивающие все перечисленные выше функции. Естественно, что даже самая простая схема управления — это процессор, а при увеличении количества сервисных функций и объема памяти мощность (быстродействие) этого процессора должна быть достаточно высокой, поскольку все операции выполняются в реальном масштабе времени, а каждая минута занятия телефонной линии должна быть оплачена. Полезно запомнить, что при телефонной связи минутой считается любой интервал времени превышающий т. н. «бесплатное время», которое в различных телефонных компаниях (администрациях) устанавливается в пределах 12... 18 с, т. е. 0,2...0,3 минуты.

Важным устройством в электронном ТА любой сложности является кнопочная панель (тас- татура). Как правило, у большинства аппаратов она имеет вид, приведенный на рис. 1.36 и полностью соответствующий рекомендациям Международного Союза Электросвязи, а также European Telecommunications Standards Institute — Европейского института стандартов телекоммуникаций. Соответствие кнопок и частот при частотном наборе остается таким же, как и на рис. 1.3а, исключен лишь четвертый столбец.

На кнопке цифры «5» обязательно должен быть рельефный выпуклый элемент, облегчающий пользование ТА людям с ослабленным зрением.

Если назначение цифровых кнопок постоянно и неизменно для любой схемы построения ТА, то назначение кнопок «*» и «#» может изменяться.

Сравнение изображений рис. 1.3а и 1.36 показывает, что возможен еще один вариант тастату- ры, который используется в ТА некоторых западных странах для передачи буквенно-цифровой информации в тональном режиме набора при связи со специальными устройствами (например, с компьютерным терминалом).

Необходимо отметить, что у простейших моделей электронных ТА с импульсным набором повтор последнего набранного номера осуществляется нажатием кнопки «*», а в моделях, которые обеспечивают как импульсный, так и тональный набор, эта кнопка служит для изменения режима набора от импульсного к тональному.

Для вызова из памяти и трансляции в линию последнего набранного номера используется дополнительная кнопка «Redial», которая в некоторых моделях (например, в ТА фирмы PHILIPS) маркируется «R».

В принципе, размещение дополнительных кнопок на верхней панели ТА (или на корпусе аппарата-трубки) может быть произвольным, но некоторые производители (PHILIPS, SIEMENS, ВТ) блокируют их в единый комплекс с основной тастатурой.

В этом случае тастатура ТА может быть различной конфигурации (3x5; 4x5; 5x5 и даже 5x6). Однако такой путь не всегда экономически и конструктивно оправдан, так как для каждой новой модели ТА требуется своя конфигурация тастатуры, в зависимости от объема памяти и наличия сервисных функций в аппарате.

Мы рассмотрели общие принципы и требования к построению схем электронных ТА со времени их появления на телефонной сети и до настоящих дней.

В этом разделе не были рассмотрены схемы электронных ТА с многими другими дополнительными возможностями:

ТА с громким контролем набора номера и ответа вызываемого абонента, «свободные руки»;

ТА с громкоговорящей связью, «спикерфон»;

многолинейные ТА с возможностью организации одновременного разговора 3-х абонентов, «конференцсвязь»;

ТА с визуальным отображением набранного номера и фиксацией длительности разговора (наличие, как правило, жидкокристаллического дисплея и схемы поддержки его работы).

Эти, а также и другие схемы построения ТА будут рассмотрены в последующих разделах.

ГЛАВА 2

КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ТА

Предлагаемая далее классификация современных ТА ни в коем случае не является полной и исчерпывающей, а также не заменяет собой классификацию государственного нормативного документа какой-либо страны.

В предлагаемой классификации основным признаком принадлежности ТА к той или иной группе принят набор возможностей и уровень сервиса, предоставляемый пользователю, независимо от того, в какую сеть включен его аппарат: общего пользования или локальную офисную.

Естественно, что при современном уровне развития телефонной сети и самих ТА такие возможности, как работа по схеме «Директор-секретарь», подключение дополнительного ТА или звонка не могут служить критериями сложности (следовательно и классности) ТА. Необходимо выбрать другие возможности и сервисные услуги, которые и определят принадлеж- ность данного ТА к некоторой условной группе в ряду современных аппаратов по нашей классификации.

Электронные ТА простейшей схемы

Совершенно закономерным является то, что первые электронные ТА полностью повторили схемное построение своих предшественников — электромеханических аппаратов и их функций.

Начнем с того, что эти ТА имели только импульсный набор номера, так как в то время частотный набор на абонентском участке сети еще не применялся (конец 60-х годов).

Первые электронные номеронабиратели даже не имели возможности повтора последнего набранного номера, так как их схемы выполнялись на дискретных элементах (отдельных транзисторах и диодах), и разместить на ограниченных размерах память на 5-7 цифр не представлялось возможным. Разговорный узел также выполнялся на отдельных деталях и был достаточно объемным.

Принимая во внимание, что стоимость электронных компонентов в то время была достаточно высокой и что наладка электронной схемы требовала значительно более высокой

квалификации работников, цена продажи первых электронных ТА была намного выше цены электромеханических.

Такие ТА не получили широкого распространения даже в странах с высокоразвитой электронной промышленностью. В более позднее время простейшие электронные ТА были реализованы на базе ИМС, и производились в основном на предприятиях Гонконга, Тайваня, а позднее в Китае и Малайзии. На территории СССР, а затем и в странах СНГ получили распространение эти ТА, выполненные в виде телефонов-трубок (моноблочная конструкция) под условным названием — «Гонконг», а также некоторых моделей настольных ТА, например, АТ- 8086.

Необходимо отметить, что эти аппараты по многим параметрам совершенно нс отвечали требованиям стандартов ни одной страны (в том числе СССР), а их надежность оказалась ниже всякой критики, в чем вскоре убедилось большинство их пользователей.

«Стандартный» электронный ТА

Понятие «стандартный» включает в себя, в общем случае, множество требований, касающихся всех свойств изделия, к которому это понятие относится. В нашем случае это понятие взято в кавычки не в уничижительном смысле, а только потому, что речь здесь пойдет только об обязательном стандартном наборе функций, которыми должен обладать простой современный ТА.

И снова приходится говорить об устройствах набора номера, поскольку радикальные меры

коснулись их в первую очередь. Связано это с началом внедрения в «телефоностроение» специализированных микросхем. Их разработка и производство начались в начале 70-х годов, когда электронная промышленность уже хорошо освоила аналогичное производство для ЭВМ.

Уже первые образцы электронных номеронабирателей на базе микросхем получили возможность сохранять в памяти последний набранный номер и транслировать его в линию при нажатии одной кнопки на тастатуре аппарата. Вначале ячей-

ка памяти ЭНН имела небольшую емкость — до 8 знаков, но со временем объем памяти увеличивался и сейчас у некоторых образцов достигает 32 знаков. Зачем нужен такой объем памяти постараемся объяснить на следующем примере.

Представьте себе, что вы абонент офисной АТС и вам требуется позвонить по международной сети абоненту такой же офисной станции в другой стране. Схема набора приведена на рис. 2.1.

Подсчитаем количество знаков, которые должны сохраняться в памяти при условии, что пауза длительностью порядка трех секунд занимает в ней место одного знака:

7 + 7 +7 + 4+ 75+ 3+ 7 + 4 = 2# знаков.

Естественно, что подсчитан сложный вариант, который может иметь место в часы наибольшей нагрузки на сети, но ведь и потребность в связи может попасть в этот период.

В другое время может хватить и 24 знаков, а при другой схеме связи и меньшего их количества.

Здесь мы упомянули о тональном наборе, следовательно, ЭНН стандартного электронного ТА должен иметь такую функцию. Аппарат должен предоставить пользователю возможность оперативного (нажатием одной кнопки) перехода от импульсного к тональному набору с фиксацией этого в памяти.

Кроме этого, современный электронный ТА должен иметь функцию кратковременного (нормированного) прерывания цепи постоянного тока через аппарат «flash», которая используется в сетях офисных и городских электронных станций для установления нового соединения при удержании прежнего и последующего возврата к нему.

Таким образом, мы определили тот минимальный набор функций, которым должен обладать стандартный простой электронный ТА.

Конечно же, все остальные основные функции ТА должны полностью этим аппаратом выполняться.

Существует, по крайней мере, три разновидности построения схем таких электронных ТА. Они отличаются друг от друга элементной базой организации узлов аппарата.

Первой по времени создания была схема ТА, в которой разговорный узел оставался полностью транзисторным, а электронный НН строился на базе микросхемы с генератором частот тонального набора в ее составе. Реже наборные узлы строились на двух микросхемах — отдельно для импульсного и тонального набора (например, в телефоне «Tritel» швейцарской фирмы «Ascom - Astel»). Следующей была схема ТА, в которой и разговорный, и наборный узлы базировались на отдельных специализированных микросхемах. По этому принципу построены схемы большинства современных простых электронных ТА.

В последние годы появились простые и не совсем простые ТА, в которых применена микросхема, объединяющая в себе функции разговорного и наборного узлов (например, ИМС L3914 фирмы SGS.THOMSON), хотя все-же большую популярность получили аппараты с использованием в качестве наборного узла микроконтроллера с масочным ПЗУ (в большинстве своем это микроконтроллеры фирм MOTOROLA или TOSHIBA).

Необходимо отметить, что практически во всех схемах электронных ТА, независимо от их сложности (кроме некоторых простейших), узел вызывного устройства реализуется на отдельных специализированных микросхемах. Таким образом, схема стандартного электронного ТА может содержать от двух до четырех ИМС.

О или 9 ожидание ответа АТС 8 ожидание ответа АМТС

выход на

АЛ кРАТС

10 . X

пауза = 1

ХАВС

знакупауза до 4-х знаков

ожидание ответа abxxxxx офисной АТС

выход на междунар, сеть

№ тел. континент

код страны и зоны

а

1 номерпауза до 3-х знаков

i в 10 млн.

! зоне

YYYY

переход

номер

на то

абонента

нальный

офисной

набор

АТС

Рис. 2.1. Схема набора

Электронный ТА с программируемой памятью

Следующей по сложности стала схема электронного аппарата с программируемой памятью на базе ИМС. Это стало возможным после того, как были разработаны малопотребляющие микросхемы, которые могли работать при значительных разбросах значений питающего напряжения.

Как уже указывалось в начале первой главы мощность постоянного тока, потребляемая ТА от телефонной сети, изменяется от значений 50...60 мВт в режиме ожидания вызова до нескольких сотен милливатт в разговорном режиме или при наборе номера.

Этой мощности должно было хватить для питания схемы управления, а также для питания генератора тональных частот набора и памяти.

Основным типом ТА этой группы стал аппарат с памятью на 10 номеров с количеством знаков 16, а затем 20...32.

В связи с появлением программируемой памяти у аппарата появились дополнительные органы управления — кнопки «memo», «store», «auto» и т. п. У моделей некоторых фирм эти кнопки составляли единый блок с основной тастатурой (PHILIPS), а другие производители ТА размещали их на корпусе аппарата отдельно (Panasonic).

Запись телефонного номера осуществлялась при помощи этих кнопок в определенной инструкцией последовательности, а вызов номера из памяти последовательным нажатием «memo» («auto») и кнопки с номером ячейки (0...9), в которую он был записан.

В дальнейшем у многих моделей ТА появи- лись именные кнопки прямого набора («direct dialing»), и процесс набора из памяти сократился до нажатия этой одной кнопки.

У большинства современных ТА количество именных кнопок невелико (3-5), хотя, например, у таких моделей как Panasonic КХ-Т, Dusseldorf и Casio нажатием одной-двух кнопок можно вызвать из памяти один из 12 или даже 40 номеров.

Появление микросхем со средней и большой степенью интеграции привело к расширению сервисных функций электронных ТА.

Кроме функции временного отключения микрофона «mute» и «flash» появляется функция

электронного удержания соединения «hold» сначала простая, а затем и с музыкальным заполнением «hold-music», которое подтверждает Вашему собеседнику, что соединение не прервано, и что Ваш разговор вскоре продолжится.

Естественно, что музыкальная фраза для этой функции также должна быть записана в памяти, а для ее воспроизведения используется многочастотный сигнал, который в этом режиме вырабатывает генератор тонального набора под управлением процессора.

В некоторых моделях этот же генератор используется для выработки акустического сигнала вызова с 2-х или 3-х частотным заполнением.

Так же, как и стандартные электронные ТА, аппараты с программируемой памятью могут быть подразделены на три разновидности в зависимости от элементной базы, использованной при разработке схемы. Одной из современных является схема, в которой использована ИМС большой степени интеграции, объединившей функции большинства основных узлов ТА — наборного и управляющего.

Примером может служить модель С-508М фирмы CONCORDE, использующая микросхему НТ9215А. Этот ТА имеет три кнопки прямого набора и еще 10 номеров можно запрограммировать, используя цифровые кнопки тастатуры.

Начиная с 90-х годов многие производители микросхем для телефонии начали выпускать так называемые ИМС «однокристальных» ТА, объединившие в одном корпусе все без исключения узлы стандартного электронного ТА. Наиболее известными из них на рынке стран СНГ является серия ИМС фирмы AMS — AS253x, состоящая, на сегодняшний день, из 5 микросхем, отличающихся между собой перечнем дополнительных функций (AS2533, AS2534 и др.), а также серия ИМС фирмы TEMIC — U37xx (U3760 и др.). Из стран бывшего социалистического блока аналогичную микросхему — EMZ1422 пытались производить лишь на предприятиях СССР. На базе AS2533 фирма MATSUSHITA выпускает известный на рынке стран СНГ телефонный аппарат модели KX-TS10, который обладает памятью на 4+10 номеров и достаточно полным набором функций, включая регулировку уровня громкости приема.

Электронные ТА с функцией «свободные руки» (hands free)

Дальнейшим развитием и совершенствованием схем современных ТА стали аппараты, реализовавшие функцию «свободные руки», позволившую пользователю занимать телефонную линию, вести набор номера и контролировать процесс установления соединения, не снимая микротелефонную трубку с аппарата. При этом пользователь мог заниматься своим делом вплоть до ответа вызываемого номера или до появления сигнала «занято», что создает дополнительное удобство при частом пользовании телефоном. Особенно ощутимо преимущество этой функции, при наличии в сервисном наборе ТА такой возможности как «автонабор», обеспечивающей многократный автоматический повтор ранее набранного номера в случае занятости ТА вызываемого абонента. Совершенно очевидно, что при входящем вызове и разговоре действия пользователя остаются абсолютно такими же, как и при пользовании всеми предыдущими ТА, т. е. со снятием МТТ с аппарата.

Введение этой функции — мониторинга, как ее называют на западе, или наблюдения, как ее

называют у нас, потребовало усложнения схемы управления, а следовательно, применения в электронных ТА новых ИМС и некоторых изменений в построении схемы.

Как правило, в таких аппаратах акустический преобразователь вызывного сигнала используется также в схеме наблюдения, поэтому пришлось отказаться от пьезоэлектрических преобразователей типа «buzzer» (пищалка) и применить динамический с более качественными характеристиками. Одновременно пришлось ввести и еще несколько органов управления —- соответствующую кнопку режима и регулятор уровня громкости в режиме мониторинга.

Аппараты такого типа выпускаются большинством ведущих производителей и получили достаточно широкое распространение на сети.

Очевидно, что ТА этой группы сохранили в своих схемах все возможности и сервисные функции предыдущих, а главное, они стали последней ступенькой на пути создания громкоговорящего аппарата.

Гоомкоговорящие электронные аппараты (speakerphone)

Основным препятствием создания телефонного аппарата с возможностью громкоговорящей связи без использования микротелефонной трубки была акустическая «завязка» между громкоговорителем и микрофоном, приводившая к возбуждению тракта — «зуммированию», делавшему невозможным ведение разговора в нормальном режиме.

Приходилось применять различные способы, например, отключения микрофона в режиме слушания и громкоговорителя, когда говорили Вы. Это было неудобно и требовало дополнительных мани

пуляций во время разговора, что отвлекало от его содержания и держало человека в постоянном напряжении.

Только применение быстродействующих управляющих устройств в комплексе со специальными акустическими мерами позволили создать и практически использовать эффективные громкоговорящие ТА, лишенные указанного выше недостатка.

Рис. 2.2. Взаимное расположение динамика и микрофона в современных громкоговорящих аппаратах 1 - динамик;- акустическая плоскость динамика;- направление звукового излучения;- микрофон;- акустическая плоскость микрофона;- диаграмма направленности микрофона.Рис. 2.2. Взаимное расположение динамика и микрофона в современных громкоговорящих аппаратах 1 - динамик;- акустическая плоскость динамика;- направление звукового излучения;- микрофон;- акустическая плоскость микрофона;- диаграмма направленности микрофона.Остановимся сначала на акустических мерах. Принимая во внимание небольшие габаритные размеры корпуса ТА, а следовательно, и неболь-

Рис. 2.2. Взаимное расположение динамика и микрофона в современных громкоговорящих аппаратах 1 - динамик;

- акустическая плоскость динамика;

- направление звукового излучения;

- микрофон;

- акустическая плоскость микрофона;

- диаграмма направленности микрофона.

Рис. 2.2. Взаимное расположение динамика и микрофона в современных громкоговорящих аппаратах 1 - динамик;

- акустическая плоскость динамика;

- направление звукового излучения;

- микрофон;

- акустическая плоскость микрофона;

- диаграмма направленности микрофона.

шие расстояния между микрофоном и динамиком нужно было обеспечить достаточную акустическую изоляцию одного устройства от другого. Это достигается специальной конфигурацией внутренней полости корпуса и креплением динамика и микрофона к корпусу при помощи демпфирующих (гасящих колебания) крепежных элементов (резиновых прокладок, шайб и т. п.).

Следующим шагом было создание дешевых микрофонов с достаточной остронаправленностью и динамиков с малой обратной отдачей, это сделало возможным размещение микрофона и динамика в корпусе ТА так, чтобы ось звукового излучения динамика была перпендикулярна акустической оси микрофона. Это показано схематически на рис. 2.2.

Следует отметить, что большинство современных спикерфонов до настоящего времени для обеспечения эффективной работы схемы усилителей приема и передачи требовали дополнительного источника питания, так как мощность постоянного тока, которую получает ТА от телефонной линии была для них недостаточна. Таким источником чаще всего является батарея сухих элементов напряжением 4,5 В (реже 9 В), устанавливаемая в специальном отсеке корпуса ТА. В последнее время ведущие производители выпускают ТА данного класса без требования к установке батареек, что явилось результатом, в первую очередь, появлению высокоэффективных ИМС регулировки тока питания в АЛ (у многих контроллеров громкой связи данные устройства являются составной частью ИМС), снижение мощности по

требляемой от телефонной сети самим контроллером и использование динамических головок с высоким КПД. Однако в этом случае громкость приемного сигнала ограничена и определяется только возможностью схемы данного ЭТА.

Как упоминалось выше, создание современных спикерфонов потребовало применения быстродействующих элементов схемы управления, которые успевали бы отслеживать в реальном масштабе времени с дискретностью не хуже десятка микросекунд состояние трактов приема и передачи, «открывая» тот из них, который активен в данный момент, «закрывая» пассивный.

Конечно, такая задача по плечу только процессору, причем с достаточно «скромной» тактовой частотой, значение которой может быть не выше 500 кГц.

Совершенно очевидно, что паузы длительностью порядка нескольких десятков микросекунд абсолютно не воспринимаются ухом человека при разговоре, поэтому сохраняется восприятие нормального диалога и не возникает чувство дискомфорта, как при пользовании громкоговорящими устройствами с принудительным ручным переключением.

Электронные громкоговорящие ТА получили широкое распростронение в мире, и их производят все ведущие фирмы.

Сложные электронные ТА с расширенными функциямии дополнительными сервисными услугами

Каждому из нас, хотя бы раз в жизни, приходилось бывать в кабинете «большого» человека, или, значительно чаще, видеть этот кабинет в кино или по телевидению.

Конечно, наше внимание привлекал ряд телефонных аппаратов на столе или приставной тумбе. И чем «больше» был хозяин кабинета, тем длиннее был ряд телефонов.

Сегодня в кабинетах руководства мы такой картины можем не увидеть, особенно если это касается руководителей современной формации, знакомых с достижениями в технике связи.

Дело в том, что на сегодня рынок телефонных аппаратов в состоянии предложить пользователю такие ТА, каждый из которых в состоянии заменить несколько стандартных и, вдобавок, обеспечить новые функции, которые собственно ТА и не присущи.

В этом разделе речь пойдет о многолинейных ТА (часто называемыми «офисными ТА»), которые объединяют своей схемой функции телефонного аппарата и простейшего концентратора.

Такой ТА дает возможность поочередного автономного пользования любой из линий, которые к нему подключены; организует переход на линию с вновь поступившим вызовом без прерывания предыдущего соединения и с возможностью возврата к нему; создает возможность одновременного разговора с собеседниками на двух любых линиях (конференцсвязь для 3-х участников).

Совершенно очевидно, что такой аппарат должен иметь развитую систему индикаторов состояния каждой из линий и каждой из функций. Кроме этого, каждая из линий, включенных в

ТА, должна иметь отличный по звучанию акустический вызывной сигнал.

Как правило, эти ТА принадлежат к группе «спикерфонов», имеют очень развитую память (вплоть до 200 номеров), и сравнительно мощный микропроцессор. Такие устройства требуют значительно большей мощности источника питания, чем может обеспечить батарея сухих элементов. Поэтому все ТА этой группы оснащены сетевыми блоками питания, мощность которых может достигать порядка 10 Вт.

Для сохранения информации в памяти многие модели офисных ТА имеют в составе схемы встроенную литиевую батарею со сроком службы до 7 лет, что обеспечивает сохранность данных (актуально для стран СНГ) при внезапных и достаточно длительных отключениях электроэнергии. В этом случае (при отключении электроэнергии) ваш офисный телефон превращается в стандартный ТА, включенный в ту линию, которую вы предварительно определили.

Телефоны этой группы с количеством линий не более двух, как правило, оснащаются жидкокристаллическим дисплеем (одно или двухстрочечным) с емкостью строки до 24-х знаков. В большинстве таких моделей в состав схемы входят часы с календарем (или без него), таймер для фиксации длительности занятия линии, фиксация набранного (или вызванного из памяти) вами номера.

Когда количество линий становится более двух, то дисплей используется редко, а сигнализация состояний осуществляется светодиодами с разными цветами свечения.

Наличие бескассетного (запись/чтение информации на ИМС ОЗУ) автоответчика с функциями электронного секретаря, дополнительная бесшнуровая трубка (работающая, у наиболее современных ТА, в системе DECT), широкие сервисные функции, обеспечивающие секретность информации и защиту от несанкционированного доступа (PIN-код, обеспечивающий кодирования речи скремблер и т.д.), при наличии и других, указанных в этом разделе возможностей позволяют выделить офисные ТА в более высокий класс устройств — в класс так называемых «бизнес-телефонов».

Особой разновидностью сложных электронных ТА являются аппараты с неспецифическими функциями и аппараты «специального'места установки».

Это ТА со встроенными радиоприемником, с устройством определения номера при входящем вызове (АОН), с направленным функциональным назначением, например ТА «для кухни» и «для спальни». В последующих главах мы рассмотрим некоторые из них, а именно ТА с фун

кциями АОН, в связи с их особой популярностью на территории стран СНГ.

Отдельной разновидностью в группе офисных телефонов являются аппараты, имеющие устройства для организации внутриофисной громкоговорящей связи — «интерком» или в более привычном для нас наименовании — селекторной связи.

Так как для этой связи используется та же внутриофисная телефонная сеть, что и для внешних линий, то интерком организуется по высокочастотной двухполосной двухпроводной схеме. При такой организации внутриофисной связи допускается включение параллельно на одну абонентскую линию до 4-х однотипных ТА. Такая система, например, реализована фирмой Matsushita в модели Panasonic КХ-Т3286.

И, наконец, следует остановиться, хотя бы вкратце, на совершенно особой разновидности офисных телефонов — системных телефонных аппаратах, являющихся непременной составной частью офисных («малых» учрежденческих) АТС.

Сразу следует оговорить, что подавляющее большинство этих ТА не могут использоваться в телефонной сети общего пользования, а также то, что системные аппараты одной фирмы не могут использоваться совместно с офисными АТС другой фирмы.

Аппараты этого типа имеют широкий набор сервисных функций, количество которых определяется характеристикой офисной станции. Количество номеров прямого набора (внешних и внутренних) у этих ТА может достигать 24, а при использовании специальных приставок — консолей (у наиболее развитых современных офисных АТС) и 64.

Большинство моделей системных ТА оснащается жидкокристаллическим дисплеем с количеством строк от 2 до 4, позволяющих осуществлять пользовательское, а при определенных условиях, и административное программирование своей станции.

В зависимости от схемы офисной станции системные аппараты могут быть аналоговыми четырехпроводной схемы подключения, цифровыми с такой же схемой и цифровыми двухпроводными.

Среди ТА сложной схемы построения есть еще также две группы аппаратов, на которых мы в настоящем издании останавливаться не будем. Это ТА со встроенными автоответчиками и так называемые беспроводные ТА, или радиотелефоны. Эти аппараты будут описаны в отдельных наших изданиях, которые готовятся к выпуску.

КРАТКИЙ ОБЗОР МИКРОСХЕМ ЭЛЕКТРОННЫХ ТА

Предварительные замечания

Ввиду того, что разработкой и производством интегральных микросхем для электронных ТА занимается большое количество организаций и фирм как на территории СНГ, так и во всем остальном мире, то в настоящем издании мы остановимся на описании, в основном, ИМС, которые используются в моделях электронных аппаратов, упоминаемых нами.

В описании ИМС основное внимание обращено на те характеристики и параметры микросхем, которые напрямую связаны с функциями тех узлов ТА, в которых эти микросхемы исполь

зованы. Такой принцип изложения материала в настоящем издании является наиболее приемлемым, т.к. сейчас существует значительное количество специальных изданий по ИМС, в которых подробно рассмотрены их структурные схемы, логика работы и электрические параметры.

Последовательность изложения материала в этой главе соответствует схеме предыдущей, которая опирается на предложенную нами примерную классификацию электронных телефонных аппаратов по сложности их схемы и сервисным функциям.

Микросхемы номеронабирателей

Электронные импульсные номеронабиратели

Наиболее сложным электромеханическим устройством в аппаратах классической схемы был дисковый номеронабиратель. Но, как оказалось в дальнейшем, он первым подвергся «нападению» и был «побежден» средствами и методами передового авангарда электронной техники — микросхемами средней степени интеграции.

Следует упомянуть, что были попытки разработать схему ЭНН на дискретных элементах (конец 60-х) и на ИМС малой степени интеграции (середина 70-х), но эти схемы не были внедрены в массовое производство из-за громоздкости и большого энергопотребления. Такие устройства применялись только в составе специализированного оборудования связи — различных коммутаторах, пультах и т.п.

Электронный импульсный НН по сравнению с дисковым имеет следующие преимущества:

более жесткие требования к параметрам импульсов — частоте (периоду) следования и импульсному коэффициенту (отношение tpa3M : t^);

стабильность серийной (межцифровой) паузы;

возможность сохранения в собственной оперативной памяти последнего набранного номера и вызова его оттуда нажатием одной кнопки на клавиатуре;

возможность непрерывного набора знаков номера без ожидания окончания набора предыдущего знака;

возможность введения нормированной паузы между любыми цифрами во время набора;

возможность изменения параметров набора (частоты следования импульсов, импульсный коэффициент и других);

возможность введения дополнительных сервисных функций (например, сохранения в собственной оперативной памяти последнего набранного номера и вызова его оттуда нажатием одной кнопки на клавиатуре, введение памяти номеров и многих других).

Все эти преимущества способствуют повышению качества связи, так как сокращают количество сбоев и ошибок при наборе номера, что в свою очередь, снижает нагрузку на приборы АТС и способствует их более эффективному использованию.

Вопреки мнению многих авторов, что использование импульсного ЭНН сокращает время набора, мы считаем это неверным. Время выдачи

серии импульсов у ЭНН такое же, как у дискового НН, а межсерийная пауза при непрерывном наборе не может быть менее 400 мс. В том случае, когда набор осуществляется дисковым НН достаточно опытным пользователем или оператором эта пауза может составлять реально 250...300 мс, но должна быть не менее 180 мс. Реальный выигрыш во времени набора номера, причем в несколько раз, может дать только тональный способ набора, о чем было сказано ранее (см. первую главу).

Импульсные номеронабиратели

Рассмотрим одну из первых микросхем ЭНН, нашедших практическое применение в массовом производстве телефонных аппаратов — 1008ВЖ1.

Эта ИМС выпускалась в начале 80-х заводами «Гравитон» (г. Черновцы, Украина) и «Экситон» (г. Павловский Посад, Россия) по КМОП технологии. Внешний вид и цоколевка приведены на рис. 3.1. ИМС выпускалась в двух модификациях:

КР1008ВЖ1 — пластмассовый корпус DIP22;

КМ1008ВЖ1 — металлокерамический корпус. Основные параметры ИМС 1008ВЖ1 и некоторые основные режимы приведены в табл. И3.1.

Кратко рассмотрим основные моменты работы ЭНН на базе ИМС 1008ВЖ1.

Питание микросхемы в режиме отбоя (ожидания вызова) осуществляется напряжением U2 (конт. 3). При снятии МТТ на конт. 15 подается сигнал высокого уровня и, одновременно, на контакт поступает основное напряжение питания — U1. При этом, схема начальной установки переводит все триггеры ИМС в исходное состояние и отключает тактовый генератор.

Нажатие любой из цифровых кнопок тастату- ры запускает тактовый генератор, формирователь импульсов опроса формирует 3 последовательности импульсов на контактах столбцов. Одна из этих последовательностей, соответствующая нажатой кнопке, поступает на соответствующий контакт строки и преобразуется в двоичный код,

Таблица 3.1

Наименование параметра

Обозна- чение

Величина

мин.

макс.

Напряжение питания (В)

UpU2

2,5

5,0

Входное напряжение низкого уровня (В)

^

0,0

0,5

Входное напряжение высокого уровня (В)

U.H

U, -0,4

и,

Ток потребления при U2~5B (мкА)

^СС1

—

2

Ток потребления при U, = 5В (мкА)

^СС2

—

60

Ток потребления в режиме набора, U, - 5 В (мкА)

^CCVA

—

130

Сопротивление контакта кнопок (кОм)

Rk

—

5

Диапазон рабочих температур (*С)

Тд

-10

70

Время пайки контакта при температуре припои 280°С (с)

^S

—

3

Время начальной установки (мкс)

ips

_

20

Период следования импульсов (мс)

Т

700

Длительность звукового сигнала подтверждения нажатия (мс)

tT

50

100

Тастатура, строки 2 и 3 у2Напряжение пит. U2 Звуковое подтверждение нажатия кнопкиТастатура,строка 4узНапряжение пит.и1г Подкл. частотно-задающ.цепей генератора L RВых. межсер. паузы Вых. «ключа подпитки»Тастатура, строки 2 и 3 у2Напряжение пит. U2 Звуковое подтверждение нажатия кнопкиТастатура,строка 4узНапряжение пит.и1г Подкл. частотно-задающ.цепей генератора L RВых. межсер. паузы Вых. «ключа подпитки»Тастатура, строка 1Тастатура, столбцы 3,2,1Вых. разг, ключа 2«Земля» (общ.)Вых. разг, ключа 1Вх. рычажн. перекл.Вх. выбора межсер. паузыВх. выбора импульсного коэффициентаВых. импульсн. ключаТастатура, строка 1Тастатура, столбцы 3,2,1Вых. разг, ключа 2«Земля» (общ.)Вых. разг, ключа 1Вх. рычажн. перекл.Вх. выбора межсер. паузыВх. выбора импульсного коэффициентаВых. импульсн. ключаРис. 3.1. Цоколевка корпуса ИМС КРЮ08ВЖ1Рис. 3.1. Цоколевка корпуса ИМС КРЮ08ВЖ1который отправляется в оперативную память ИМС (ОЗУ). Разрешение записи этого кода в ОЗУ формирует схема защиты от дребезга контактов и одновременно на контакте 4 формирует тональный сигнал подтверждения нажатия кнопки. После этого схема управления дает команду кодопреобразователю сформировать межсерийную паузу в соответствии с запрограммированным ее значением. По истечении паузы формируется сигнал разрешения считывания из ОЗУ кода числа (номера кнопки) и запуск триггеров, формирующих последовательность импульсов на контакте импульсного ключа(12). Количество импульсов равно цифре кнопки, а их скважность определяется выбранным значением импульсного коэффициента (контакт ИК). По окончании выдачи этой серии импульсов тактовый генератор выключается, и все триггеры переводятся в исходное

Тастатура, строки 2 и 3 у2

Напряжение пит. U2 Звуковое подтверждение нажатия кнопки

Тастатура,строка 4уз

Напряжение пит.и1

г Подкл. частотно-задающ.

цепей генератора L R

Вых. межсер. паузы Вых. «ключа подпитки»

Тастатура, строки 2 и 3 у2

Напряжение пит. U2 Звуковое подтверждение нажатия кнопки

Тастатура,строка 4уз

Напряжение пит.и1

г Подкл. частотно-задающ.

цепей генератора L R

Вых. межсер. паузы Вых. «ключа подпитки»

Тастатура, строка 1

Тастатура, столбцы 3,2,1

Вых. разг, ключа 2

«Земля» (общ.)

Вых. разг, ключа 1

Вх. рычажн. перекл.

Вх. выбора межсер. паузы

Вх. выбора импульсного коэффициента

Вых. импульсн. ключа

Тастатура, строка 1

Тастатура, столбцы 3,2,1

Вых. разг, ключа 2

«Земля» (общ.)

Вых. разг, ключа 1

Вх. рычажн. перекл.

Вх. выбора межсер. паузы

Вх. выбора импульсного коэффициента

Вых. импульсн. ключа

Рис. 3.1. Цоколевка корпуса ИМС КРЮ08ВЖ1

Рис. 3.1. Цоколевка корпуса ИМС КРЮ08ВЖ1

состояние. Микросхема готова к набору следующего знака номера.

ЭНН на этой микросхеме можно привести в исходное состояние и во время набора, если была нажата не та кнопка или по окончании набора номера вы получили сигнал «занято». Для этого, не укладывая МТТ, Вы должны нажать кнопку «#» (отбой).

В этом ЭНН кнопка «*» выполняет две функции. Если ее нажать сразу после снятия МТТ, то схема управления сформирует команду вызова из ОЗУ последнего набранного номера и его трансляцию в линию. Если же кнопка «*» нажата после любой цифры номера, то этим мы увеличим длительность межсерийной паузы на (пх2,6)с, где п — число нажатий кнопки. Такая длительность межсерийной паузы бывает нужна, например, при выходе на междугородную (или международную) сеть в часы наибольшей нагрузки (ЧНН), когда после набора «8» приходится некоторое время ожидать зуммера ответа АМТС. Следует помнить, что каждое нажатие кнопки «*» эквивалентно цифре, а емкость ОЗУ ИМС 1008ВЖ1 составляет 22 знака, т. о. реальная значность номера в этом случае будет 22-п, где п — число нажатий кнопки «*».

Указания по программированию величин импульсного коэффициента и межсерийной паузы показаны на рис. 3.2.

Микросхема 1008ВЖ1 достаточно широко использовалась в ТА завода ВЭФ (г. Рига, Латвия) и других в конце 80-х — начале 90-х.

Следующей в ряду импульсных НН стала ИМС 1008ВЖ2, обеспечивающая по сравнению с предыдущей расширенный набор функций в том числе:

совместная работа со схемой управления индикацией;

работа с дополнительным запоминающим устройством значительной емкости (до 2 килобит);

увеличенная емкость внутреннего ОЗУ (24 знака х 4 б = 96 б).

Частотно-задающие элементы тактового генератора £ Вых. «Задержка» МКВх. «Отбой» DE Вх. «Отбой гарантированный» DEG"Х2XI хо Столбцы тастатурыL хз~ У7Уб У5 Строки тастатуры У4 УЗУ2 У1_ У0 Вых. РК NSA Вых. ИК NSI Вх. «Просмотр ЗУ» СНВых. данных D0 Земля GND1345691012м XСО о о33 UccНапр. питания471 WIВх. «Прерывание»461 TONЗвук подтв. нажатия кнопки45 1 WRMВх. запись/чтение441 EWRВых. запись/чтение431 SRВых. «Сброс»-421 DRВх. информ, от внешн. ОЗУЗИ А1-1АО"391 А2АЗзЛ А413А5Адресные выходы15161720Аб А7 CS4/A8 CS1 CS2/A10■®1CS3/A9 J МОМ Вх. «Режим внешн. ОЗУ»2122DWВых. информ, в ЗУD3 "Вых. данных D1 .Частотно-задающие элементы тактового генератора £ Вых. «Задержка» МКВх. «Отбой» DE Вх. «Отбой гарантированный» DEG"Х2XI хо Столбцы тастатурыL хз~ У7Уб У5 Строки тастатуры У4 УЗУ2 У1_ У0 Вых. РК NSA Вых. ИК NSI Вх. «Просмотр ЗУ» СНВых. данных D0 Земля GND1345691012м XСО о о33 UccНапр. питания471 WIВх. «Прерывание»461 TONЗвук подтв. нажатия кнопки45 1 WRMВх. запись/чтение441 EWRВых. запись/чтение431 SRВых. «Сброс»-421 DRВх. информ, от внешн. ОЗУЗИ А1-1АО"391 А2АЗзЛ А413А5Адресные выходы15161720Аб А7 CS4/A8 CS1 CS2/A10■®1CS3/A9 J МОМ Вх. «Режим внешн. ОЗУ»2122DWВых. информ, в ЗУD3 "Вых. данных D1 .3.3. Цоколевка ИМС КР1008ВЖ23.3. Цоколевка ИМС КР1008ВЖ2РисРисЭта микросхема выполнена по КМОП технологии и выпускалась в пластмассовом корпусе DIP48 типономиналом КР1008ВЖ2 заводом «Экситон» г. Павловский Посад, Россия. Цоколевка корпуса 1008ВЖ2 приведена на рис. 3.3.

Частотно-задающие элементы тактового генератора £ Вых. «Задержка» МК

Вх. «Отбой» DE Вх. «Отбой гарантированный» DEG

"Х2

XI хо Столбцы тастатуры

L хз

~ У7

Уб У5 Строки тастатуры У4 УЗ

У2 У1

_ У0 Вых. РК NSA Вых. ИК NSI Вх. «Просмотр ЗУ» СН

Вых. данных D0 Земля GND

1

3

4

5

6

9

10

12

м X

СО о о

33 UccНапр. питания

471 WIВх. «Прерывание»

461 TONЗвук подтв. нажатия кнопки

45 1 WRMВх. запись/чтение

441 EWRВых. запись/чтение

431 SRВых. «Сброс»

-421 DRВх. информ, от внешн. ОЗУ

ЗИ А1-1

АО

"391 А2

АЗ

зЛ А4

13

А5Адресные выходы

15

16

17

20

Аб А7 CS4/A8 CS1 CS2/A10

■®1

CS3/A9 J МОМ Вх. «Режим внешн. ОЗУ»

21

22

DWВых. информ, в ЗУ

D3 "

Вых. данных D1 .

Частотно-задающие элементы тактового генератора £ Вых. «Задержка» МК

Вх. «Отбой» DE Вх. «Отбой гарантированный» DEG

"Х2

XI хо Столбцы тастатуры

L хз

~ У7

Уб У5 Строки тастатуры У4 УЗ

У2 У1

_ У0 Вых. РК NSA Вых. ИК NSI Вх. «Просмотр ЗУ» СН

Вых. данных D0 Земля GND

1

3

4

5

6

9

10

12

м X

СО о о

33 UccНапр. питания

471 WIВх. «Прерывание»

461 TONЗвук подтв. нажатия кнопки

45 1 WRMВх. запись/чтение

441 EWRВых. запись/чтение

431 SRВых. «Сброс»

-421 DRВх. информ, от внешн. ОЗУ

ЗИ А1-1

АО

"391 А2

АЗ

зЛ А4

13

А5Адресные выходы

15

16

17

20

Аб А7 CS4/A8 CS1 CS2/A10

■®1

CS3/A9 J МОМ Вх. «Режим внешн. ОЗУ»

21

22

DWВых. информ, в ЗУ

D3 "

Вых. данных D1 .

3.3. Цоколевка ИМС КР1008ВЖ2

3.3. Цоколевка ИМС КР1008ВЖ2

Рис

Рис

а) межсерийной б) импульсного коэффициента, пауэы;

Рис. 3.2. Программирование временных параметров 1008ВЖ1

Особенностью этой ИМС является работа с расширенной (до 5x8) кнопочной тастатурой и, как уже упоминалось ранее, со схемой управления индикацией и внешним ЗУ.

Импульсный коэффициент может быть установлен в пределах от 1 до 2 соответствующими перемычками между контактами при частотах следования импульсов 10, 16, 20 Гц. Заводская начальная установка (без схемных перемычек) соответствует требованиям (Т=100 мс, К=1,5) в СНГ.

Заводская установка длительности межсерийной паузы — 800 мс (8Т), но ее можно также изменить в соответствии с перемычками, показанными на рис. 3.4.

В случае использования внешнего ЗУ можно установить нужную значность записываемого в память телефонного номера. Заводская установка дает 8 знаков, а предельное значение соответствует емкости собственного ОЗУ 1008ВЖ2 и равно 24 знакам.

Если использовать ЗУ емкостью 2к, то в память можно записать 60 восьмизначных номеров, так как эта ИМС обеспечивает доступ к любому из 60 адресов. При увеличении значно- сти номера их число в памяти пропорционально уменьшается. Установка значности, отличной от 8, производится перемычками, как это показано на рис. 3.5.

При использовании внешнего ЗУ емкостью 1к количество номеров в памяти сокращается вдвое.

Для работы с внешним ЗУ емкостью 2к на вход МОМ (конт. 29) нужно подать сигнал высокого уровня (1), а для ЗУ емкостью 1к сигнал низкого уровня (0).

В ЗУ вместо цифры (цифр) номера могут быть записаны паузы. Длительность паузы оп

ределяется нажатой кнопкой в соответствии с данными табл. 3.2.

Исходя из максимально возможной длительности МСП (программирование МСП осуществляется также при помощи перемычек, как это показано на рис. 3.6), можно получить ее длительность при Т = 100 мс до 2,5 с.

Тактовая частота этой ИМС — 32 кГц, что определяется номиналами RC цепочки: R=270 кОм и С = 47 пФ.

Предельно допустимые значения напряжений и температур приведены в табл. 3.3.

Микросхема 1008ВЖ2 применена в нескольких модификациях ТА «Электроника»: ТА-7, ТА-8 (варианты 1 и 2) и ТА-101.

Следующей ИМС в ряду серии 1008ВЖ.., стал импульсный номеронабиратель со встроенной памятью (РЗУ) на 10 восемнадцатизначных номеров и ОЗУ для последнего набранного номера емкостью 22 знака.

ИМС 1008ВЖ5 КМОП технологии разработана и выпускалась заводом «Родон» (г. Ивано- Франковск, Украина) в трех типономиналах: КР1ОО8ВЖ5, 5А и 5Б. Корпус пластмассовый типа DIP22. Цоколевка одинакова для всех ти- пономиналов и приведена на рис. 3.6.

Таблица 3.2.

Символ кнопки

*

Ак

Вк

Ск

Ок

Длительность

11Т +

12Т +

131 +

14Т +

15Т +

паузы, мс

tMCn

tMCn

1мсп

tMCn

1мсп

Таблица 3.3.

Параметр

Обозначение

Допустимые пределы

Напряжение питания,В

Ucc

2,5.5

Входное напряжение низкого уровня, В

и.

0,0..0,5

Входное напряжение высокого уровня, В

Цн

S(Ucc-0,4)

Рабочий диапазон температур, °C

ТА

-45. . +85

Таблица 3.4.

Параметр

Знаме- ние

Потенциалы на входах

M^S (13)

IPS (14)

DRS (15)

Частота следования импульсов набора

10Гц

—

—

лог. “0”

20Гц

—

—

лог. “1”

Импульсный коэффициент

1,5

лог. “0"

—

—

1,6

лог “1"

—

—

Длительность меж- серийной паузы

7Т

-

лог. “О’*

—

8Т

-

лог. “Г*

—

В схеме этой ИМС предусмотрена возможность изменения частоты следования импульсов набора, соотношения имлульс/пауза — импульсный коэффициент и межсерийной паузы. Это достигается заданием определенных потенциалов на соответствующие входы ИМС, как это показано в табл. 3.4.

Такие значения параметров набора номера справедливы, если частота тактового генератора равна 5,2 кГц, что определяется следующими значениями частотно-задающих элементов:

R1 - 1 МОм; R2 = 670 кОм; С1 = 150 пФ.

Предельно допустимые значения некоторых параметров и режимов работы ИМС приведены в табл. 3.5.

На базе этой ИМС другими производителями выпускались импульсные НН 1064ВЖ5 (з-д «Светлана», г. С-Петербург), 1089ВЖ1 (з-д «Квазар», г. Киев). Более поздней разработкой КБ з-да «Родон» стали ИМС импульсного набора 1008ВЖ7, которые отличались от ВЖ5 только более широкими пределами выбора импульсного коэффициента (1; 1,5; 1,6; 2) и межсерийной паузы (4Т, 7Т, 8Т), а также отсутствием памяти на 10 номеров. Тип корпуса, его цоколевка, параметры ИМС и режимы работы полностью совпадают с данными 1008ВЖ5.

Аналог 1064ВЖ7, производства з-да «Светлана», также полностью идентичен с описанной ранее ИМС.

Таблица 3.5.

Параметр/режим

Обоз на- чение

Значение

не менее

не более

Напряжение питания, В

1008ВЖ5А

^сс

2,4

4,4

1008ВЖ5Б

2,7

4,4

Входное напряжение лог «1», В

UT -°'7

и^о.з

Входное напряжение лог «0», В

-0,3

0.7

Выходное напряжение лог «1»,В

2,0

—

Выходное напряжение лог «0», В

U0L

—

0,45

Сопротивление нагрузки, кОм

Ъ

8,5

9,0

Макс потребляемая мощность, мВт

Р

СОМАХ

—

0,58

Рабочий диапазон температур, °C

ТА

-45

70

Длительность перех процесса НН, мс

—

15

гг-1Строки тастатурыНапряжение пит. Ucc 3Звук, подтв. TON 4Строка УЗ 5Выход РП HS 6-R2 I 7Генератор с 1 8L ri I 5TEST 10н.п. 11in X tn со о о22 У0 Строка тастатуры21 Х2 -120 Х1 Столбцы тастатуры_l2J хо J18 NSA Вых. разг, ключа17 GND «Земля» (общ.)16 н.п.15 DRS Выбор частоты импульсов14 IPS Выбор межсерийной паузы13 M/S Выбор импульсного козфф.12 NSI Вых. импульсного ключагг-1Строки тастатурыНапряжение пит. Ucc 3Звук, подтв. TON 4Строка УЗ 5Выход РП HS 6-R2 I 7Генератор с 1 8L ri I 5TEST 10н.п. 11in X tn со о о22 У0 Строка тастатуры21 Х2 -120 Х1 Столбцы тастатуры_l2J хо J18 NSA Вых. разг, ключа17 GND «Земля» (общ.)16 н.п.15 DRS Выбор частоты импульсов14 IPS Выбор межсерийной паузы13 M/S Выбор импульсного козфф.12 NSI Вых. импульсного ключаРис. 3.6. Цоколевка корпуса КР1008ВЖ5Рис. 3.6. Цоколевка корпуса КР1008ВЖ5- У1124У0L У2.23.Х2UccУ22Х1TON421хо JУЗ520NSAHS619GND“ R2718н.п.С18VI 0017DRSL R19О16IPSTEST1015M/SН.П.1114NSIН.П.1215Н.П.- У1124У0L У2.23.Х2UccУ22Х1TON421хо JУЗ520NSAHS619GND“ R2718н.п.С18VI 0017DRSL R19О16IPSTEST1015M/SН.П.1114NSIН.П.1215Н.П.СтрокиНапряжение питания (-) Звук подтв. Строка Вход РПГенераторСтрокиНапряжение питания (-) Звук подтв. Строка Вход РПГенераторСтрокаСтолбцыВыход разг, ключа «Земля»Выбор частоты импульсов Выбор межсер. паузы Выбор имп. коэфф.Выход имп. ключаСтрокаСтолбцыВыход разг, ключа «Земля»Выбор частоты импульсов Выбор межсер. паузы Выбор имп. коэфф.Выход имп. ключаРис. 3.7. Цоколевка корпуса 1089ВЖ2Рис. 3.7. Цоколевка корпуса 1089ВЖ2Еще один аналог 1008ВЖ5 производства з-да «Квазар», отличается от прототипа использованием корпуса типа DIP24 и, следовательно, измененной цоколевкой, которая приведена на рис. 3.7. Режимы работы этой ИМС и основные параметры ЭНН на ее базе полностью совпадают с ранее описанными, отличие только в формировании сигнала «отбой», требующего одновременного нажатия двух кнопок на тастатуре: «*» и «#».

г

г-1

Строки тастатуры

Напряжение пит. Ucc 3

Звук, подтв. TON 4

Строка УЗ 5

Выход РП HS 6

-R2 I 7

Генератор с 1 8

L ri I 5

TEST 10

н.п. 11

in X tn со о о

22 У0 Строка тастатуры

21 Х2 -1

20 Х1 Столбцы тастатуры

_l2J хо J

18 NSA Вых. разг, ключа

17 GND «Земля» (общ.)

16 н.п.

15 DRS Выбор частоты импульсов

14 IPS Выбор межсерийной паузы

13 M/S Выбор импульсного козфф.

12 NSI Вых. импульсного ключа

г

г-1

Строки тастатуры

Напряжение пит. Ucc 3

Звук, подтв. TON 4

Строка УЗ 5

Выход РП HS 6

-R2 I 7

Генератор с 1 8

L ri I 5

TEST 10

н.п. 11

in X tn со о о

22 У0 Строка тастатуры

21 Х2 -1

20 Х1 Столбцы тастатуры

_l2J хо J

18 NSA Вых. разг, ключа

17 GND «Земля» (общ.)

16 н.п.

15 DRS Выбор частоты импульсов

14 IPS Выбор межсерийной паузы

13 M/S Выбор импульсного козфф.

12 NSI Вых. импульсного ключа

Рис. 3.6. Цоколевка корпуса КР1008ВЖ5

Рис. 3.6. Цоколевка корпуса КР1008ВЖ5

- У1

1

24

У0

L У2

.23.

Х2

Ucc

У

22

Х1

TON

4

21

хо J

УЗ

5

20

NSA

HS

6

19

GND

“ R2

7

18

н.п.

С1

8

VI 00

17

DRS

L R1

9

О

16

IPS

TEST

10

15

M/S

Н.П.

11

14

NSI

Н.П.

12

15

Н.П.

- У1

1

24

У0

L У2

.23.

Х2

Ucc

У

22

Х1

TON

4

21

хо J

УЗ

5

20

NSA

HS

6

19

GND

“ R2

7

18

н.п.

С1

8

VI 00

17

DRS

L R1

9

О

16

IPS

TEST

10

15

M/S

Н.П.

11

14

NSI

Н.П.

12

15

Н.П.

Строки

Напряжение питания (-) Звук подтв. Строка Вход РП

Генератор

Строки

Напряжение питания (-) Звук подтв. Строка Вход РП

Генератор

Строка

Столбцы

Выход разг, ключа «Земля»

Выбор частоты импульсов Выбор межсер. паузы Выбор имп. коэфф.

Выход имп. ключа

Строка

Столбцы

Выход разг, ключа «Земля»

Выбор частоты импульсов Выбор межсер. паузы Выбор имп. коэфф.

Выход имп. ключа

Рис. 3.7. Цоколевка корпуса 1089ВЖ2

Рис. 3.7. Цоколевка корпуса 1089ВЖ2

Тип ИМСФирма производительАналоги в СНГ и предприятия изготовителиТип корпусаНапряжение питан ия, ВЕмкость встроенного ОЗУ, зн.Частота ИМП. набора, ГцНалшиеи емкость РЗУ (память), зн.мин.макс.AY-5-9151 АGENERAL INSTRUMENTSЮ08ВЖ1*, Экситон (Р), Гравитон (У)DIP 222,55,02210—S25610AMIЮ08ВЖ5/А/Б*, Родон (У)Ю64ВЖ5, Светлана(Р) 1089ВЖ1, вазар(У)DIP18—5,52216 или 20Юх 18S2560A/BAMIЮ08ВЖ12, Электроника (Р)Ю08ВЖ7*, Родон (У) Ю64ВЖ7, Светлана (Р) 1089ВЖ2*, Квазар (У)A-DIP18, B-DIP24—5,52010 или 20—KS5851/2SAMSUNGЮ08ВЖЮ, Интеграл (Б)DIP182,06,23210 или 20—KS585A/BSAMSUNGЮ08ВЖ11, Интеграл (Б)ВЦ1000А, Электроника (Р)DIP182,56,21710 или 20—WE9192B/UWINBONDЮ08ВЖ14, ВЖ15, Элекс(Р)Ю02ХЛ2, НЗПП(Р)DIP162,5/4,55,516/31В - 10 U- 10(20)—UM9151-3UMCЮ08ВЖ17, Интеграл(Б)DIP162,05,52210 или 20—KS5853SAMSUNG—DIP162,56,23210 или 20—НМ9Ю0А1/С1HMC—DIP18н. д.н. д.1710 или 20—МС145412/ МС145413/ МС145512РMOTOROLA—DIP18н. д.н. д.—10 или 20Юх 18МК50981/82MOSTEK—DIP16Н. д.н. д.и д.10—MK50991/92NMOS ТЕК—DIP18Н.Д.н. д.Н. д.10 или 20—РВМ3915ERICSSON—DIP18——3,0Н. д.1012 х 16PCD3320D/PPHILIPS**—DIP182,06,02310—PCD33 21D/P, 22.24...27D/PPHILIPS**—D1P182,06,02310 или 20Тип ИМСФирма производительАналоги в СНГ и предприятия изготовителиТип корпусаНапряжение питан ия, ВЕмкость встроенного ОЗУ, зн.Частота ИМП. набора, ГцНалшиеи емкость РЗУ (память), зн.мин.макс.AY-5-9151 АGENERAL INSTRUMENTSЮ08ВЖ1*, Экситон (Р), Гравитон (У)DIP 222,55,02210—S25610AMIЮ08ВЖ5/А/Б*, Родон (У)Ю64ВЖ5, Светлана(Р) 1089ВЖ1, вазар(У)DIP18—5,52216 или 20Юх 18S2560A/BAMIЮ08ВЖ12, Электроника (Р)Ю08ВЖ7*, Родон (У) Ю64ВЖ7, Светлана (Р) 1089ВЖ2*, Квазар (У)A-DIP18, B-DIP24—5,52010 или 20—KS5851/2SAMSUNGЮ08ВЖЮ, Интеграл (Б)DIP182,06,23210 или 20—KS585A/BSAMSUNGЮ08ВЖ11, Интеграл (Б)ВЦ1000А, Электроника (Р)DIP182,56,21710 или 20—WE9192B/UWINBONDЮ08ВЖ14, ВЖ15, Элекс(Р)Ю02ХЛ2, НЗПП(Р)DIP162,5/4,55,516/31В - 10 U- 10(20)—UM9151-3UMCЮ08ВЖ17, Интеграл(Б)DIP162,05,52210 или 20—KS5853SAMSUNG—DIP162,56,23210 или 20—НМ9Ю0А1/С1HMC—DIP18н. д.н. д.1710 или 20—МС145412/ МС145413/ МС145512РMOTOROLA—DIP18н. д.н. д.—10 или 20Юх 18МК50981/82MOSTEK—DIP16Н. д.н. д.и д.10—MK50991/92NMOS ТЕК—DIP18Н.Д.н. д.Н. д.10 или 20—РВМ3915ERICSSON—DIP18——3,0Н. д.1012 х 16PCD3320D/PPHILIPS**—DIP182,06,02310—PCD33 21D/P, 22.24...27D/PPHILIPS**—D1P182,06,02310 или 20Б — Белоруссия; Р — Россия; У — Украина; * — описана в этой главе.** — существуют модификации: PCD332XCD стеклокерамический 18-контактный корпус;PCD332XCT — пластмассовый 20-контактный корпус. 21Б — Белоруссия; Р — Россия; У — Украина; * — описана в этой главе.** — существуют модификации: PCD332XCD стеклокерамический 18-контактный корпус;PCD332XCT — пластмассовый 20-контактный корпус. 21

Тип ИМС

Фирма производитель

Аналоги в СНГ и предприятия изготовители

Тип корпуса

Напряжение питан ия, В

Емкость встроенного ОЗУ, зн.

Частота ИМП. набора, Гц

Налшиеи емкость РЗУ (память), зн.

мин.

макс.

AY-5-9151 А

GENERAL INSTRUMENTS

Ю08ВЖ1*, Экситон (Р), Гравитон (У)

DIP 22

2,5

5,0

22

10

—

S25610

AMI

Ю08ВЖ5/А/Б*, Родон (У)

Ю64ВЖ5, Светлана(Р) 1089ВЖ1, вазар(У)

DIP18

—

5,5

22

16 или 20

Юх 18

S2560A/B

AMI

Ю08ВЖ12, Электроника (Р)

Ю08ВЖ7*, Родон (У) Ю64ВЖ7, Светлана (Р) 1089ВЖ2*, Квазар (У)

A-DIP18, B-DIP24

—

5,5

20

10 или 20

—

KS5851/2

SAMSUNG

Ю08ВЖЮ, Интеграл (Б)

DIP18

2,0

6,2

32

10 или 20

—

KS585A/B

SAMSUNG

Ю08ВЖ11, Интеграл (Б)

ВЦ1000А, Электроника (Р)

DIP18

2,5

6,2

17

10 или 20

—

WE9192B/U

WINBOND

Ю08ВЖ14, ВЖ15, Элекс(Р)

Ю02ХЛ2, НЗПП(Р)

DIP16

2,5/4,5

5,5

16/31

В - 10 U- 10(20)

—

UM9151-3

UMC

Ю08ВЖ17, Интеграл(Б)

DIP16

2,0

5,5

22

10 или 20

—

KS5853

SAMSUNG

—

DIP16

2,5

6,2

32

10 или 20

—

НМ9Ю0А1/С1

HMC

—

DIP18

н. д.

н. д.

17

10 или 20

—

МС145412/ МС145413/ МС145512Р

MOTOROLA

—

DIP18

н. д.

н. д.

—

10 или 20

Юх 18

МК50981/82

MOSTEK

—

DIP16

Н. д.

н. д.

и д.

10

—

MK50991/92N

MOS ТЕК

—

DIP18

Н.Д.

н. д.

Н. д.

10 или 20

—

РВМ3915

ERICSSON

—

DIP18

——

3,0

Н. д.

10

12 х 16

PCD3320D/P

PHILIPS**

—

DIP18

2,0

6,0

23

10

—

PCD33 21D/P, 22.24...27D/P

PHILIPS**

—

D1P18

2,0

6,0

23

10 или 20

Тип ИМС

Фирма производитель

Аналоги в СНГ и предприятия изготовители

Тип корпуса

Напряжение питан ия, В

Емкость встроенного ОЗУ, зн.

Частота ИМП. набора, Гц

Налшиеи емкость РЗУ (память), зн.

мин.

макс.

AY-5-9151 А

GENERAL INSTRUMENTS

Ю08ВЖ1*, Экситон (Р), Гравитон (У)

DIP 22

2,5

5,0

22

10

—

S25610

AMI

Ю08ВЖ5/А/Б*, Родон (У)

Ю64ВЖ5, Светлана(Р) 1089ВЖ1, вазар(У)

DIP18

—

5,5

22

16 или 20

Юх 18

S2560A/B

AMI

Ю08ВЖ12, Электроника (Р)

Ю08ВЖ7*, Родон (У) Ю64ВЖ7, Светлана (Р) 1089ВЖ2*, Квазар (У)

A-DIP18, B-DIP24

—

5,5

20

10 или 20

—

KS5851/2

SAMSUNG

Ю08ВЖЮ, Интеграл (Б)

DIP18

2,0

6,2

32

10 или 20

—

KS585A/B

SAMSUNG

Ю08ВЖ11, Интеграл (Б)

ВЦ1000А, Электроника (Р)

DIP18

2,5

6,2

17

10 или 20

—

WE9192B/U

WINBOND

Ю08ВЖ14, ВЖ15, Элекс(Р)

Ю02ХЛ2, НЗПП(Р)

DIP16

2,5/4,5

5,5

16/31

В - 10 U- 10(20)

—

UM9151-3

UMC

Ю08ВЖ17, Интеграл(Б)

DIP16

2,0

5,5

22

10 или 20

—

KS5853

SAMSUNG

—

DIP16

2,5

6,2

32

10 или 20

—

НМ9Ю0А1/С1

HMC

—

DIP18

н. д.

н. д.

17

10 или 20

—

МС145412/ МС145413/ МС145512Р

MOTOROLA

—

DIP18

н. д.

н. д.

—

10 или 20

Юх 18

МК50981/82

MOSTEK

—

DIP16

Н. д.

н. д.

и д.

10

—

MK50991/92N

MOS ТЕК

—

DIP18

Н.Д.

н. д.

Н. д.

10 или 20

—

РВМ3915

ERICSSON

—

DIP18

——

3,0

Н. д.

10

12 х 16

PCD3320D/P

PHILIPS**

—

DIP18

2,0

6,0

23

10

—

PCD33 21D/P, 22.24...27D/P

PHILIPS**

—

D1P18

2,0

6,0

23

10 или 20

Б — Белоруссия; Р — Россия; У — Украина; * — описана в этой главе.

** — существуют модификации: PCD332XCD стеклокерамический 18-контактный корпус;

PCD332XCT — пластмассовый 20-контактный корпус.

21

Б — Белоруссия; Р — Россия; У — Украина; * — описана в этой главе.

** — существуют модификации: PCD332XCD стеклокерамический 18-контактный корпус;

PCD332XCT — пластмассовый 20-контактный корпус.

21

Для простейших и стандартных электронных ТА выпускалось большое количество ИМС многими зарубежными фирмами. Некоторые из них послужили прототипами описанных выше ИМС производства СНГ.

Поскольку основное назначение этих ИМС полностью совпадает с ранее описанными, то подробное рассмотрение их не приводится. Остановимся только на основных отличиях тех ИМС, которые подробно не рассматривались:

1008ВЖ10 (прототип KS5851/2) имеет встроенный стабилизатор напряжения, повтор последнего набранного N кнопкой «#», программируемая межцифровая пауза 1,6 с вводится нажатием кнопки «*» (одно нажатие — одна пауза и т.д.), емкость ОЗУ — 32 знака (пауза = 1 знаку);

1008ВЖ11 (прототип KS5805A/B), имеет встроенный стабилизатор; нажатие кнопки «*» отключает микрофон (mute), повтор последнего N — кнопка «#»;

1008ВЖ12 (прототип S2560A/B) — расширенный диапазон напряжения питания от 1,5 до 12 В;

1008ВЖ14 (прототип WE9192B/U), встроенный стабилизатор напряжения Uref = 4,5 В;

1008ВЖ15 (прототип WE9192 B/U), нет выхода разговорного ключа, предназначена для телефонов-трубок;

1008ВЖ17 (прототип UM9151-3) предназначена для замены механического НН;

1002ХЛ2 (прототип WE9192B/U), возможность программирования произвольной длительности межцифровой паузы нажатием кнопки «повтор».

Теперь остановимся на особенностях использования ИМС зарубежного производства, аналоги которых в СНГ не производились:

НМ9100А1/С1, замена механического НН;

МС145412/413/512Р, наличие памяти на 10 восемнадцатизначных номеров, одним из них является последний набранный (обычно в ячейке «0»);

МК50981/82, кварцевый резонатор в схеме генератора (3,58 Гц);

MK50991/92N, генератор по схеме RC;

РВМ3915, генератор без навесных элементов встроен в ИМС, память на 12 номеров, работает с тастатурой 4x4;

Таблица 3.6.

PCD332XT/P, семейство импульсных НН, все кроме PCD3327 с кварцевыми (3,58 МГц) резонаторами опорного генератора, у PCD3327D/P резонатор керамический на 455 кГц, у ИМС...21 и ...260/Р два значения длительности паузы.

Максимальная потребляемая мощность составляет 100 мВт для всех модификаций. Основные характеристики ИМС электронных номеронабирателей «простейших» ЭТА зарубежных производителей и аналогов (где они есть), произведенных в странах СНГ, приведены в табл. 3.6.

Универсальные (тональноимпульсные) электронные номеронабиратели

сигналов ЧНН по ГОСТ 7153-85 должна быть не хуже, чем ± 1,8%.

Параллельно проводились работы по созданию пъезокерамического резонатора на более низкую частоту, что позволило бы упростить схему цифрового деления. Такие резонаторы были разработаны на частоты 447...500 Гц и нашли применение в схемах ЭТА некоторых производителей (PHILIPS, Электроника и др.). В этом случае коэффициент деления частоты уменьшается по сравнению с предыдущим в (3,58х106)/(447х10)—8 раз.

В частотном (тональном) способе набора номера используется код 2 из 8 со следующим рядом частот:

строки тастатуры, нижняя группа (LG) частот- 697, 770, 852 и 941 Гц;

столбцы тастатуры, верхняя группа (HG) частот- 1209, 1336, 1477, и 1633 Гц.

Частоты нижней группы используются во всех ЭТА с частотным набором, а частоты верхней группы полностью используются только в аппаратах с тастатурой 4x4. Кодировка цифр от 1 до 0, а также кодировка специальных символов и дополнительных знаков на тастатуре для частотного кода 2 из 8 показана в табл. 3.7.

Кроме требований к стабильности частоты сигнала набора номера частотным (тональным) способом предъявляются и другие не менее жесткие требования. Уровень сигналов нижней группы должен быть в пределах минус 6±2 дБн, а верхней группы минус 3±2 дБн. При этом отклонение должно быть одинаковым для обеих групп частот. В зарубежных странах действуют несколько другие стандарты по этому показателю, но обязательно требуется, чтобы уровни сигналов нижней и верхней группы не отличались друг от друга более, чем на 2,1 дБн (например: Plg = -П дБн, a PHG = -9 дБн).

Длительность кодовой посылки должна быть не менее 40мс. Практически большинство ЭТА с частотным набором обеспечивают длительность одной кодовой посылки в пределах 60...80 мс.

Цифра, Символ, знак1 .234567890*#АВСОЧас- тота, ГцНижн. группа697697697770770770852852852941941941697770852941Верхи, группа1209133614771209133614771209133614771336120914771633163316331633Цифра, Символ, знак1 .234567890*#АВСОЧас- тота, ГцНижн. группа697697697770770770852852852941941941697770852941Верхи, группа1209133614771209133614771209133614771336120914771633163316331633Таблица 3.7.Таблица 3.7.Естественно, что стандартный ЭТА должен быть универсальным, т.е. он должен иметь возможность набора как импульсным, так и тональным способом. Поэтому схемы первых ЭТА с тональным набором строились по принципу, показанному на рис. 3.8, с отдельными узлами набора номера.

Цифра, Символ, знак

1 .

2

3

4

5

6

7

8

9

0

*

#

А

В

С

О

Час- тота, Гц

Нижн. группа

697

697

697

770

770

770

852

852

852

941

941

941

697

770

852

941

Верхи, группа

1209

1336

1477

1209

1336

1477

1209

1336

1477

1336

1209

1477

1633

1633

1633

1633

Цифра, Символ, знак

1 .

2

3

4

5

6

7

8

9

0

*

#

А

В

С

О

Час- тота, Гц

Нижн. группа

697

697

697

770

770

770

852

852

852

941

941

941

697

770

852

941

Верхи, группа

1209

1336

1477

1209

1336

1477

1209

1336

1477

1336

1209

1477

1633

1633

1633

1633

Таблица 3.7.

Таблица 3.7.

Примером такого построения может служить схема ЭТА «Tritel» швейцарско-французской фирмы Ascom-Astel.

Однако последующие шаги в развитии производства ИМС привели к созданию микросхем, объединяющих в одном корпусе оба номеронабирателя и схему управления типом набора. При этом была обеспечена возможность оперативного перехода от импульсного способа набора номера к частотному без принудительного переключения типа набора, установленного в ЭТА. Обычно это достигается нажатием кнопки «*» на тастатуре. На многих моделях ЭТА кнопка имеет надпись TONE.

Такая процедура перехода от импульсного к тональному набору создает возможность набора дополнительного номера офисной (учрежденческой) станции, пользования голосовой почтой, дистанционного управления автоответчиком и передачи данных при связи, например, с банковским (или каким-либо другим) терминалом.

Автоматический возврат к импульсному способу набора осуществляется сразу же после процедуры «отбой», независимо от того, как она была осуществлена: укладыванием микротеле- фонной трубки на аппарат, или нажатием специальной кнопки.

Такие ИМС разрабатывались и производились практически всеми ведущими зарубежными фирмами, и на сегодняшний день существует порядка сотни образцов. Ввиду этого, в данном издании мы остановимся более подробно только на ИМС основных разработчиков и производителей, а по остальным, нам известным, ограничимся обзором.

Перед тем, как приступить к описанию конкретных ИМС, следует заметить, что в терминологии, принятой в США и некоторых других западных странах, телефонные аппараты с кнопочной тастатурой и тональным набором на

зываются ТА «touch-tone», а частотный способ набора номера обозначается аббревиатурой DTMF (Double Tone Multi Frequency) — дословно по- русски: «двухтональная посылка многочастотного кода».

Рассчитаем количество комбинаций частотных посылок при использовании кода 2 из 8. Поскольку комбинации отличаются друг от друга только частотами сигналов, а не их порядком в комбинации, то число комбинаций определяется формулой сочетаний из п элементов по т. В нашем случае п = 8, а т = 2. Опуская вывод, получим в окончательном виде:

СЬ8!/[2!(8!-2)!]=28

Таким образом, использование кода 2 из 8 позволяет создать и передать 28 частотных посылок отличных друг от друга, а при некоторых ухищрениях количество посылок может быть увеличено до 40. Это позволяет передавать не только цифровую информацию, но и буквенные сообщения, если использовать латинский алфавит, в котором 26 букв. Для этого используется кнопочная тастатура 4x4 с расположением литер, указанным на рис. 3.9.

Формирование кодовых посылок, соответствующих литерам, производится при помощи дополнительных кнопок (А, В, С, D) и 8 цифровых (от 2 до 9) в соответствии с указаниями в «Руководстве пользователя» для ЭТА с такой тастатурой. Таким образом, буквенная частотная посылка может состоять из двух, последовательно переданных комбинаций кода 2 из 8. Например, буква «а» может быть передана двумя следующими комбинациями:

I 697 + 1633 (А);

II 697 + 1336 (2).

Рис. 3.8. Функциональная схема ЭТА с отдельными ИМС для импульсного и тонального набора номераРис. 3.8. Функциональная схема ЭТА с отдельными ИМС для импульсного и тонального набора номераОАВС ©DEF©GHI ®JKL ©MNO©©PRSTUV®WXY©®OPER©®©ОАВС ©DEF©GHI ®JKL ©MNO©©PRSTUV®WXY©®OPER©®©Рис. 3.9. Расположение букв латинского алфавита на тастатуре ЭТАРис. 3.9. Расположение букв латинского алфавита на тастатуре ЭТАЕстественно, что такая система передачи буквенной информации требует на приемном конце соответствующего декодирующего устройства.

Рис. 3.8. Функциональная схема ЭТА с отдельными ИМС для импульсного и тонального набора номера

Рис. 3.8. Функциональная схема ЭТА с отдельными ИМС для импульсного и тонального набора номера

О

АВС ©

DEF

©

GHI ®

JKL ©

MNO

©

©

PRS

TUV

®

WXY

©

®

OPER

©

®

©

О

АВС ©

DEF

©

GHI ®

JKL ©

MNO

©

©

PRS

TUV

®

WXY

©

®

OPER

©

®

©

Рис. 3.9. Расположение букв латинского алфавита на тастатуре ЭТА

Рис. 3.9. Расположение букв латинского алфавита на тастатуре ЭТА

Наиболее мощными разработчиками и производителями ИМС для ЭТА с импульсным и частотным номеронабирателем являются такие известные фирмы, как SAMSUNG, PHILIPS, UMC, SGS-THOMSON, MOTOROLA, SANYO, WINBOND. Этот ряд можно было бы продолжать и далее, так как почти каждая фирма, имеющая отношение к разработке и производству ИМС, выпустила хотя бы несколько микросхем «diallers and DTMF generators» — номеронабирателей с генератором тональных частот.

Универсальные НН отечественного производства

По аналогии с предыдущим разделом изложение начнем с описания ИМС импульсно-тональных НН, произведенных на территории СНГ. Рассмотрим ИМС КР1008ВЖ6, которая выпускалась заводом «Родон» (г. Ивано-Франковск, Украина) в первой половине 90-х. Цоколевка корпуса этой микросхемы приведена на рис. ЗЛО. Прототипом этой ИМС послужила микросхема S7230 фирмы SEIKO INSTRUMENTS (Калифорния, США).

Как видно из рис. 3.10, эта микросхема предназначена для работы с тастатурой 5x4. Резонатор генератора используется кварцевый 3,58 МГц. Микросхема выполнена по КМОП-технологии, напряжение питания может быть в пределах от 2,7 до 5,5 В, а максимально допустимая рассеиваемая мощность не должна превышать 500 мВт.

Значения основных параметров при температуре окружающей среды 25°С приведены в табл. 3.8. Рабочий диапазон температур ИМС 1008ВЖ6 находится в пределах от минус 45 до 70°С.

Микросхема КР1008ВЖ6 выполнена в пластмассовом корпусе типа 2108.22-13 по КМОП- технологии. Типовое значение противоперегру- зочного резистора по цепи питания этой ИМС — 100 Ом (14-й контакт корпуса).

Следующей ИМС импульсно-частотного номеронабирателя идет КР1008ВЖ16, выпускавшаяся заводом «Ангстрем» (г. Зеленоград, Россия). Прототипом этой микросхемы послужила ИМС KS58006 ф. SAMSUNG ELECTRONICS. Микросхема выполнена по КМОП-технологии в корпусе типа DIP18.

Используется с кварцевым резонатором 3,58 МГц и может работать с тастатурой 4x4. Емкость ОЗУ 32 знака для записи и хранения последнего набранного номера. Цоколевка корпуса приведена на рис. 3.11.

Сразу же укажем, что прототип выпускался в двух модификациях: в корпусе DIP18, цоколевка которого полностью совпадает с изображенной на рис. 3.11, и в корпусе типа SOP20 для поверхностного монтажа на печатной плате (KS58006D), у которого назначение контактов от 1 до 11 совпадают с изображенным; 12 и 13 контакты не используются, а использование контактов с 14 по 20 такое же, как у 1008ВЖ16 с 12 по 18.

Г У1

1

Av

22

У0

Стр. тастатуры

Строки

У2

2

21

ХЗ 1

тастатуры

УЗ

3

20

Х2

Столбцы

L у 4

4

19

Х1

тастатуры

Выбор реж.

RES

5

18

хо J

Рыч. пер.

HS

6

17

DP

Вых. имп. кл.

Упр. реж. MDS

16

MUTE

Вых. разг. кл.

Подтв. нажатия

кт

8

15

GND

Земля (общ.)

Кварц, резон.

" QI

L Q0

9

10

14 1$

Vcc

DTMF

Напр. пит.

Вых. тон. сигн

Способ наб.

МО

11

12

XMUTE

Блок. микр.

Рис. 3.10. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ6

"R1 1

СтрокиR22

тастатурыR3з

LR4 |_4_

Выход РПHS5

Выбор К М/В 6

Выбор Т/Р MDS 7

Подключ. Г OSCI 8 кварц, рез. L OSC0 9

к m со о о

_LfiJ С4 -

„1ZJ ^Столбцы

161 С2тастатуры

_15J Cl J

141 DPВых. имп. ключа

131 X MUTEВых. разг,ключ

12 TONE OUTВых. DTMF

_Li VssНапр. пит.(-)

101 VDDНапр. пит.(+)

Рис. 3.11. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ16

Таблица 3.8.

Параметр

Символ

Единица измер.

Выводы

Значение

не менее

не более

Напряжение питания

исс

В

14

2,7

5,5

Входное напряжение высокого уровня

^1Н

В

все, кроме 9

9

^-0,7 0,3

иж 4-0,3

Входное напряжение низкого уроаня

В

все, кроме 9

9

0,3

-0,3

0,7

0,3

Выходное напряжение высокого уровня

^он

В

8,11,12,16,17

2,1

—

Выходное напряжение низкого -уровня

В

8,11,12,16,17

—

0,65

Нагрузочное сопротивление

^

кОм

13

30

—

Нагрузочная емкость

CL

пФ

13

300

—

Частоты выходного сигнала при режиме тонального набора номера *

F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8

Гц

13

691

763

844

932

1197

1323

1463

1617

703 777

860 950

1221 1349

1491 1649

Выездное напряжение частотных составляющих F1 F4

^01

В

13

0,20

0,24

Выездное напряжение частотных составляющих F5 F8

^02

В

13

0,28

0,34

Период следования импульсов при импульсном режиме набора номера

т

мс

17/16

99

101

Межсерийная пауза при импульсном режиме набора номера

^СР

мс

17/16

693**

707**

Импульсный коэффициент при импульсном режиме набора номера (tg^M)

К

—

17/16

1,44

1,56

Длительность двухчастотной посылки при режиме тонального набора номера

^DTMF

мс

13

80

—

Межсерийная пауза при тональном режиме набора номера

^IDT MF

мс

13/12

100**

—

Емкость ОЗУ

зн

13/17

32

32

Длительность протрам паузы

АР Р/Р

с

13/17

2***

3***

Примечание:

При одновременном нажатии 2-х кнопок одного и того же столбца или строки тастатуры;

* При вызове из ОЗУ последнего набранного номера;

** Единичная пауза равноценна знаку для ОЗУ.

Таблица 3.9.

Параметр

Символ

Единица измер.

Выводы

Значение *

Примечание

не менее

не более

Входное напряжение высокого уровня

Цн

В

1-7,15-18

0,8

^DD

Входное напряжение низкого уровня

и.

В

1-7,15-18

V

0,2

Входной ток

к

мкА

1-4

—

50

Выходной ток импульсного ключа

^аг

мА

14

1.7

5,0

Выходной ток разговорного ключа

^0.2

мА

15

0,5

1,5

при и = 2,5В

Время удержания кнопки

^ко

мс

1-7,15-18

23

—

Период следования импульсов набора

Т

мс

14

98

101

Импульсный коэффициент

К

—

14

1,5

2,0

программ

Длительность двухчастотной посылки набора

^DTMF

мс

12

110

—

Длительность паузы между двухтональными посылками

^DTMF

мс

12

110

—

Разность уровней частот столбцов и строк

Рс-Р.

dB

1,2

1,0

3,0

при Rl а 5к0м

Символ кнопки01234567S94:#AВсDD00101010101010101D10011001100110011D20000111100001111D30000000011111111Сигнал на конт, 15f4,fsУ»Убу?t^у6У?f3,f5УеУ?fAy7УзУ ву8УбСигнал на конт. 9 (к-во имп.)1012345678910и121314запретСимвол кнопки01234567S94:#AВсDD00101010101010101D10011001100110011D20000111100001111D30000000011111111Сигнал на конт, 15f4,fsУ»Убу?t^у6У?f3,f5УеУ?fAy7УзУ ву8УбСигнал на конт. 9 (к-во имп.)1012345678910и121314запретТаблица 3.10.Таблица 3.10.Подтв. выб. DTMF ЗагрузкаMODE I 1О)LATCHEXВыб. КМ/ВLa,XВыб. режимаТ/РсоВходы" DOD1l_5_00 о оданных от контр.D2| у^ о.L D3EXПодтв. выб. DTMF ЗагрузкаMODE I 1О)LATCHEXВыб. КМ/ВLa,XВыб. режимаТ/РсоВходы" DOD1l_5_00 о оданных от контр.D2| у^ о.L D3EX_L£_^DDНапр. пит. (+)TONEВых. DTMFJA1АСКВых. подтвержд.СЕРазрешение работыOSCI1 Подключ.OSCO .J кварц, рез.GNDОбщий (-)JZXDPВыход имп. НН_L£_^DDНапр. пит. (+)TONEВых. DTMFJA1АСКВых. подтвержд.СЕРазрешение работыOSCI1 Подключ.OSCO .J кварц, рез.GNDОбщий (-)JZXDPВыход имп. ННРис. 3.12. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ19Рис. 3.12. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ19

Символ кнопки

0

1

2

3

4

5

6

7

S

9

4:

#

A

В

с

D

D0

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

D1

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

1

1

D2

0

0

0

0

1

1

1

1

0

0

0

0

1

1

1

1

D3

0

0

0

0

0

0

0

0

1

1

1

1

1

1

1

1

Сигнал на конт, 15

f4,fs

У»

Уб

у?

t^

у6

У?

f3,f5

Уе

У?

fA

y7

Уз

У в

у8

Уб

Сигнал на конт. 9 (к-во имп.)

10

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

и

12

13

14

запрет

Символ кнопки

0

1

2

3

4

5

6

7

S

9

4:

#

A

В

с

D

D0

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

D1

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

1

1

D2

0

0

0

0

1

1

1

1

0

0

0

0

1

1

1

1

D3

0

0

0

0

0

0

0

0

1

1

1

1

1

1

1

1

Сигнал на конт, 15

f4,fs

У»

Уб

у?

t^

у6

У?

f3,f5

Уе

У?

fA

y7

Уз

У в

у8

Уб

Сигнал на конт. 9 (к-во имп.)

10

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

и

12

13

14

запрет

Таблица 3.10.

Таблица 3.10.

Подтв. выб. DTMF Загрузка

MODE I 1

О)

LATCH

EX

Выб. К

М/В

La,

X

Выб. режима

Т/Р

со

Входы

" DO

D1

l_5_

00 о о

данных от контр.

D2

| у

^ о.

L D3

EX

Подтв. выб. DTMF Загрузка

MODE I 1

О)

LATCH

EX

Выб. К

М/В

La,

X

Выб. режима

Т/Р

со

Входы

" DO

D1

l_5_

00 о о

данных от контр.

D2

| у

^ о.

L D3

EX

_L£_

^DD

Напр. пит. (+)

TONE

Вых. DTMF

JA1

АСК

Вых. подтвержд.

СЕ

Разрешение работы

OSCI

1 Подключ.

OSCO .

J кварц, рез.

GND

Общий (-)

JZX

DP

Выход имп. НН

_L£_

^DD

Напр. пит. (+)

TONE

Вых. DTMF

JA1

АСК

Вых. подтвержд.

СЕ

Разрешение работы

OSCI

1 Подключ.

OSCO .

J кварц, рез.

GND

Общий (-)

JZX

DP

Выход имп. НН

Рис. 3.12. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ19

Рис. 3.12. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ19

Рабочая температура этой ИМС находится в диапазоне от -20 до 70°С, а рабочее напряжение может лежать в пределах 2...6 В. С этой микросхемой может использоваться тастатура с отдельными кнопками для программирования паузы (длительностью 3,5 с) между цифрами (группами цифр) номера и для «отбоя» без укладывания МТТ на аппарат. При этом длительность разрыва цепи нормирована и составляет не менее 600 мс, что почти вдвое превышает требования действующих нормативных документов и обеспечивает гарантированный «отбой».

Максимально допустимая мощность рассеивания 500 мВт. Максимальное отклонение частот двухтонального сигнала набора номера не превышает значения 0,75%, что более чем вдвое лучше допуска ГОСТ 7153-85 (1,8%). Оперативный переход от импульсного способа набора номера к тональному осуществляется нажатием кнопки Р (пауза), а возврат к импульсному способу — автоматически сигналом «отбой».

Основные электрические и временные параметры сигналов на контактах корпуса КР1008ВЖ16 при UDD = 3,5 В, ТА = 25°С, Гкв = 3,58 МГц приведены в табл. 3.9.

Следует указать, что для всех импульсно-частотных ЭНН оперативный (в ходе набора) переход от одного к другому возможен только, если основной режим, установленный переключателем TONE-PULSE, — импульсный. Это вытекает из построения схем абонентских комплектов АТС (см. книгу «Телефонные сети и аппараты»).

Несколько особняком в ряду частотно-импульсных ЭНН стоит микросхема 1008ВЖ19 с параллельным 4-х разрядным вводом информации от микро ЭВМ (контроллера). Эта ИМС

выполнена по КМОП-технологии в пластмассовом корпусе DIP 16, используется совместно с кварцевым резонатором на 3,58 МГц и может применяться в телефонных схемах, факсах, модемах и аппаратуре дистанционного управления. Рабочий диапазон напряжения питания (UDD) от 2,5 до 5,5 В, а максимальная рассеиваемая мощность достигает 600 мВт, что обусловлено ТТЛ — совместимостью ряда входных и выходных цепей этой микросхемы. Цоколевка корпуса 1008ВЖ19 показана на рис. 3.12.

Прототипом этой микросхемы является ИМС UM91531 фирмы UMC (Тайвань).

В режиме импульсного набора номера могут быть запрограммированы два значения импульсного коэффициента: 1,5 или 2,0 при одной и той же частоте следования импульсов — 10 Гц. Соответствие выходного сигнала входным данным при тональном и импульсном режимах набора приведено в таблице 3.10.

Входные данные D0...D4 вводятся в микро ЭВМ. ТТЛ-совместимыми являются выводы со 2-го по 8-й и 13-й, поскольку они связаны с командами микро-ЭВМ и другими ИС.

Нагрузка выходной цепи двухтонального сигнала набора должна быть не менее 2,2 кОм, и в этих условиях на выходе в линию сигнал будет находиться в требуемых пределах. Временные параметры импульсов набора — соотношение времен токовой и безтоковой посылок (К = М/В) могут выбираться из двух значений: 1,5 (в большинстве национальных стандартов стран СНГ) или 2 (как это принято, например, в Великобритании). Межцифровая пауза при импульсном

наборе близка к 800 мс. При тональном способе набора длительности посылки и паузы между посылками одинаковы и составляют 70 мс.

Рабочий диапазон температур лежит в пределах от -20 до 70°С, при этом сохраняется стабильность частот и временных интервалов сигналов набора номера.

Следующей ИМС тонально-импульсного НН рассмотрим микросхему 1008ВЖ27 (рис. 3.13.), производимую по КМОП-технологии АО «Ангстрем» (г. Зеленоград, Россия) в нескольких ти- пономиналах:

КР1008ВЖ27 - корпус DIP18;

КФ1008ВЖ27 — корпус SO20 (поверхностный монтаж);

КБ1008ВЖ27 — безкорпусная;

AN7202 — корпус DIPI8.

Емкость ОЗУ для хранения последнего "набранного номера — 32 знака (включая и программируемые паузы между знаками). Длительность единичной паузы — 2,2 с. Используется совместно с кварцевым или керамическим резонатором 3,58 МГц и стандартной тастатурой. Рассеиваемая мощность менее 500 мВт, а рабочий диапазон напряжения питания находится в пределах 2...5,5 В.

Эта микросхема может применяться как в телефонных схемах, так и в схемах факсаппара- тов и других устройств, где требуется набор номера. Прототип-микросхема UM91214/15B фирмы UMC (Тайвань), которая выпускалась в четырех типономиналах:

UM91214/15A, корпус DIP16;

UM91214/15B, корпус DIP18, есть индикация режима;

UM91214/15C, корпус DIP18, управление спикерфоном;

UM91214/15D, корпус DIP20, управление спикерфоном и наличие индикации режима.

В модификации КФ1008ВЖ27, которая использует корпус SO20, назначение выводов 1...5 совпадает с изображенным на рис. 3.13; вывод 6 не используется; назначение выводов 7... 14 сдви-

Таблица 3.11.

Параметр

Символ

Вы- ; воды

Знамение

Приме* чание

не менее

не более

Период следования импульса, мс

Т

11

99,5

100,5

Импульсный коэффициент

11

1,45

1,55

Межцифровая пауза, мс

^ЮР

11

(8.10)

690

700

Длительность двухтональной посылки, мс

^DTMF

7

80

100

автоматический режим набора

Длительность паузы между по - сылками DTMF, мс

^DTMF

7

80

120

Отклонение частот сигнала DTMF от номинала, %

^DTMF

7

—

0,6

0^=356, Rl=5kOm

Длительность программируемой паузы, с

^РР

11 или 7

2,2

—

нуто на 1 по сравнению с изображенным; вывод 15 не используется, а назначение выводов 16...20 сдвинуто на 2. Электрические и временные параметры 1008ВЖ27 для всех типономиналов одинаковы и полностью соответствуют требованиям ГОСТ 7153- 85 для номеронабирателей.

Укажем значения некоторых параметров для импульсного и тонального режимов набора при t—25°С, сведя их в табл. 3.11.

Рабочий диапазон температур этой ИМС находится в пределах от -20 до 70°С, а температура хранения может достигать значений от -40 до 125°С.

Одной из последних разработок ИМС импульсно-частотного ЭНН в СНГ стала микросхема 1091ВЖ1/2 фирмы «Электроника» (г. Воронеж, Россия). Она отличается от ранее рассмотренных несколькими особенностями:

использование керамического резонатора с собственной частотой 480 кГц, что существенно упростило схему получения частотных составляющих для набора в тональном режиме;

Вход РП Выбор реж. Подключ, кварц, рез. Напр. пит. (-) Напр. пит. (+)Вход РП Выбор реж. Подключ, кварц, рез. Напр. пит. (-) Напр. пит. (+)Вых. ОУМРРП Разг. кл. Индик, реж.Вых. ОУМРРП Разг. кл. Индик, реж.НК MODE IN Г OSC1 L OSC0 Vss VDDНК MODE IN Г OSC1 L OSC0 Vss VDDTONES X MUTE MODE OUTTONES X MUTE MODE OUTR4 “R3R2R1 _C3 " 02 01 .DPMASCR4 “R3R2R1 _C3 " 02 01 .DPMASCСтроки тастатурыСтолбцы тастатурыИмп. ключаРазг. ключ.Строки тастатурыСтолбцы тастатурыИмп. ключаРазг. ключ.Рис. 3.13. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ27Рис. 3.13. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ27наличие встроенной памяти (РЗУ) на 10 номеров до 16 знаков при импульсном наборе и до 15 знаков при тональном.

Вход РП Выбор реж. Подключ, кварц, рез. Напр. пит. (-) Напр. пит. (+)

Вход РП Выбор реж. Подключ, кварц, рез. Напр. пит. (-) Напр. пит. (+)

Вых. ОУМРРП Разг. кл. Индик, реж.

Вых. ОУМРРП Разг. кл. Индик, реж.

НК MODE IN Г OSC1 L OSC0 Vss VDD

НК MODE IN Г OSC1 L OSC0 Vss VDD

TONES X MUTE MODE OUT

TONES X MUTE MODE OUT

R4 “

R3

R2

R1 _

C3 " 02 01 .

DP

MASC

R4 “

R3

R2

R1 _

C3 " 02 01 .

DP

MASC

Строки тастатуры

Столбцы тастатуры

Имп. ключа

Разг. ключ.

Строки тастатуры

Столбцы тастатуры

Имп. ключа

Разг. ключ.

Рис. 3.13. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ27

Рис. 3.13. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ27

Микросхема выпускается по КМОП-технологии в трех типономиналах:

КМ1091ВЖ1, корпус DIP18, скорость набора в импульсном режиме 10 имп/с;

КС1091ВЖ1, корпус CERDIP18, остальное, как у предыдущего;

КМ1091ВЖ2, корпус DIP22, скорость набора в импульсном режиме выбирается (10 или 20 имп/с), запоминание номера при положенной микроте- лефонной трубке.

Прототипы этих микросхем — UM91260A для КМ1091ВЖ1 и UM91261 для ВЖ2 — изделия фирмы UMC (Тайвань). Цоколевка корпуса КМЮ91ВЖ2 приведена на рис. 3.14. Цоколевка корпусов ...91ВЖ1 отличается отсутствием выводов для установки скорости набора, второго разговорного ключа, запоминания при положенной трубке и сигнала подтверждения нажатия кнопки.

Режим питания одинаков для всех типономи- налов. Напряжение питания должно быть в пределах от 1,8 до 6 В, рассеиваемая мощность порядка 500 мВт, а рабочая температура лежит в пределах от -20 до +70°С. Напряжение удержания памяти не менее 1,0 В.

Временные параметры сигналов импульсного и тонального режимов набора приведены в табл. 3.12 для обеих, отличающихся модификаций.

На этом рассмотрение ИМС тонально-импульсных номеронабирателей, которые производятся (или производились) на территории СНГ завершается. Сейчас мы перейдем к рассмотрению таких же микросхем, которые производились (и производятся сейчас) крупнейшими фирмами зарубежья.

Принимая во внимание большое число производителей, и во много раз большее число разработанных ими ИМС тонально-импульсных ЭНН, мы остановимся более подробно только на некоторых из них, но постараемся дать хотя бы краткий перечень некоторых микросхем этого назначения некоторых основных производителей, приведя его в специальном Приложении.

Таблица 3.12.

Параметр

Символ

Выводы

Значение

Приме- чание

1091ВЖ1

1091ВЖ2

Период следования импульсов, мс

т

14(18)

100

100 или 50

Импульсный коэффициент, мс

1/-

14(18)

1,5

1,5 или 2,0

Межцифровая пауза, мс

^ЮР

14(18)

800

500

Длительность двухтональной посылки, мс

^DTMF

12(15)

110

110

автомат и- чес кий режим набора

Длительность паузы между посылками DTMF, мс

^DTMF

12(15)

110

110

Отклонение частот сиг-нала DTMF от номинала, %

^DTMF

12(15)

±0,3

±0,3

VDD=3,5B

Rl=5kOm

Длительность программируемой паузы, с

14, 12

(18,15)

4,1

4, 1

За более подробной информацией отсылаем интересующихся к изданиям ДОДЭКА, Москва, где с 1994 по 2000 годы в серии «Энциклопедия ремонта» вышло несколько справочников по микросхемам, в том числе и по ИМС для телефонии.

Универсальные НН фирмы PHILIPS

Свой обзор микросхем тонально-импульсных номеронабирателей зарубежного производства начнем с изделий фирмы PHILIPS SEMICONDUCTORS, как наиболее мощного разработчика и производителя. Первой рассмотрим одну из ранних разработок ИМС тонально-импульсного ЭНН из серии PCD3310. Серия имеет два основных разветвления, обозначаемых окончаниями Р и Т, отличающихся корпусами: PCD3310/A/C/E/F/G/H — все Р, корпус типа SOT146, двадцатиконтактный;

- R3Строки R2 тастатуры R1L R4Вход РП НКВыбор К М/ВВыбор T имп. DRS Выбор реж. т/Р Подключ. Г OSCI резонатора L 0SCO Напр. пит. (+) Vdd- R3Строки R2 тастатуры R1L R4Вход РП НКВыбор К М/ВВыбор T имп. DRS Выбор реж. т/Р Подключ. Г OSCI резонатора L 0SCO Напр. пит. (+) Vdd12221ГТ"м204X195m1867о> о17168_LSJ9sW13111212221ГТ"м204X195m1867о> о17168_LSJ9sW131112С4 ПсзС2 01 _С4 ПсзС2 01 _DP MUTE ХМ UTE TONE OHIDP MUTE ХМ UTE TONE OHIVssVssСтолбцы тастатурыСтолбцы тастатурыВых. ИКВыходы разг. кл.Вых. DTMFЗапомин. при полож. МТТВых. ИКВыходы разг. кл.Вых. DTMFЗапомин. при полож. МТТKEY TONE Подтв. нажатияKEY TONE Подтв. нажатияНапр. пит. (-)Напр. пит. (-)Рис. 3.14. Цоколевка корпуса ИМСКМ1091ВЖ2Рис. 3.14. Цоколевка корпуса ИМСКМ1091ВЖ2PCD3310/A/C/E/F/G — все Т, корпус типа SO28 или SОТ 136А, д вадцативос ьм иконтактный.

- R3

Строки R2 тастатуры R1

L R4

Вход РП НК

Выбор К М/В

Выбор T имп. DRS Выбор реж. т/Р Подключ. Г OSCI резонатора L 0SCO Напр. пит. (+) Vdd

- R3

Строки R2 тастатуры R1

L R4

Вход РП НК

Выбор К М/В

Выбор T имп. DRS Выбор реж. т/Р Подключ. Г OSCI резонатора L 0SCO Напр. пит. (+) Vdd

1

22

21

ГТ"

м

20

4

X

19

5

m

18

6

7

о> о

17

16

8

_LSJ

9

s

W

13

11

12

1

22

21

ГТ"

м

20

4

X

19

5

m

18

6

7

о> о

17

16

8

_LSJ

9

s

W

13

11

12

С4 П

сз

С2 01 _

С4 П

сз

С2 01 _

DP MUTE ХМ UTE TONE OHI

DP MUTE ХМ UTE TONE OHI

Vss

Vss

Столбцы тастатуры

Столбцы тастатуры

Вых. ИК

Выходы разг. кл.

Вых. DTMF

Запомин. при полож. МТТ

Вых. ИК

Выходы разг. кл.

Вых. DTMF

Запомин. при полож. МТТ

KEY TONE Подтв. нажатия

KEY TONE Подтв. нажатия

Напр. пит. (-)

Напр. пит. (-)

Рис. 3.14. Цоколевка корпуса ИМСКМ1091ВЖ2

Рис. 3.14. Цоколевка корпуса ИМСКМ1091ВЖ2

Цоколевка корпусов приведена на рис. 3.15, а и б соответственно для Р и Т окончаний. Литера «X» на рисунке может быть заменена любой из указанных выше или опущена вообще.

Эта серия ИМС выполнена по КМОП-техно- логии и используется совместно с кварцевым или керамическим резонатором с частотой 3,58 МГц.

Диапазон рабочего напряжения 2,5...6,0 В, а в режиме ожидания 1,8 В. Рабочая температура лежит в пределах от -25 до +70°С. Максимально допустимая рассеиваемая мощность не превышает 300 мВт.

В режиме импульсного набора номера может программно устанавливаться частота (период) следования импульсов — 10 или 20 Гц; импульсный коэффициент (отношение tB/tM или В/М) — 1,5 или 2; длительность межсерийной (межцифровой) паузы — 840 или 500 мс. В режиме тонального набора почти у всех ИМС этой серии длительности частотной посылки и паузы между посылками одинаковы и составляют 70 мс. Максимальное отклонение частот от номинального значения не превышает 0,25% для частот нижней группы и 0,45% для частот верхней группы. Уровни нижней и верхней группы отличаются на 2 дБ при выходном сопротивлении в пределах 100...500 Ом. Микросхемы этой серии работают с тастатурой 4x5, организация которой показана на рис. 3.16.

Назначение кнопок пятой строки тастатуры следующее:

Р — кнопка программирования и очистки памяти; FL — кнопка кратковременного программируемого отбоя;

R — кнопка повтора последнего набранного номера; > — кнопка перехода от импульсного к тональному набору при смешанном способе набора.

Необходимо отметить, что у всех микросхем этой серии объем памяти для последнего набранного номера — ОЗУ — одинаков и составляет 23 знака.

Сравнение основных функциональных возможностей ИМС серии PCD3310 приведено в табл. 3.13.

Длительность кратковременного «отбоя» (Flash) у всех ИМС этой серии одинакова и составляет 100 мс. Эта длительность может быть аппаратно увеличена подключением к контакту FLO микросхемы соответствующей RC цепочки.

В конце этого обзора укажем, что микросхемы серии PCD3310 предъявляют достаточно жесткие требования к контактному сопротивлению кнопок тастатуры. Контактное сопротивление нажатой кнопки не должно превышать значения 2 кОм, а сопротивление не нажатой — должно быть не менее 1 МОм.

Подкл. кв. рез.OSCII 1Выб. реж. PD/DT MF I 20.20 id18OSCOVdd CEПодкл. кв. рез. Напр. пит. (+) Разреш. работыВых. тон. наб.TONE [3Напр. пит. (-)Vss [o17M1Вых. разгов. ключаУст. длит. кр. отб.FLD[16DP/FLOВых. имп. кл.Г R5 [CO15CF/DMODE/FSВыб. параметров набораR4 [7co14C4 "1Строки тастатурыR3 [13C3СтолбцыR2 [12C2тастатурыL R1 [11C1 JПодкл. кв. рез.OSCII 1Выб. реж. PD/DT MF I 20.20 id18OSCOVdd CEПодкл. кв. рез. Напр. пит. (+) Разреш. работыВых. тон. наб.TONE [3Напр. пит. (-)Vss [o17M1Вых. разгов. ключаУст. длит. кр. отб.FLD[16DP/FLOВых. имп. кл.Г R5 [CO15CF/DMODE/FSВыб. параметров набораR4 [7co14C4 "1Строки тастатурыR3 [13C3СтолбцыR2 [12C2тастатурыL R1 [11C1 JааПодкл. кв. рез.OSCI1Выб. реж. PD/DT MF2Вых. тон. наб.TONEГ3н.и. 4Напр. пит. (-)Vss5н.и. 6 н.и. 7Уст. длит. кр. отб. FLD 8СтрокиГ R5 9тастатуры L R4 10 н.и. 11Строки Г R3 =12= тастатуры R2 ЬЛД.L R1 Ь±>< ОCO co Q О 0.28OSCOПодкл. кв. рез.27VDDНапр. пит. (+)26СЕРазреш. работы25н.и.241 М1 ~23М1Выходы разговорных ключей221 М2 J2.1DP/FLOВых. имп. кл.20CF/DMODE/FS Выб. параметров набора191С4Столб, тастатуры181 н.и._12J СЗ “1161 С2Столбцы15| С1 JтастатурыПодкл. кв. рез.OSCI1Выб. реж. PD/DT MF2Вых. тон. наб.TONEГ3н.и. 4Напр. пит. (-)Vss5н.и. 6 н.и. 7Уст. длит. кр. отб. FLD 8СтрокиГ R5 9тастатуры L R4 10 н.и. 11Строки Г R3 =12= тастатуры R2 ЬЛД.L R1 Ь±>< ОCO co Q О 0.28OSCOПодкл. кв. рез.27VDDНапр. пит. (+)26СЕРазреш. работы25н.и.241 М1 ~23М1Выходы разговорных ключей221 М2 J2.1DP/FLOВых. имп. кл.20CF/DMODE/FS Выб. параметров набора191С4Столб, тастатуры181 н.и._12J СЗ “1161 С2Столбцы15| С1 JтастатурыРис. 3.15. Цоколевка корпуса ИМС: а) 5ОТ146для PCD3310XP;б) SO28(SOT136A) для PCD3310XT.Рис. 3.15. Цоколевка корпуса ИМС: а) 5ОТ146для PCD3310XP;б) SO28(SOT136A) для PCD3310XT.Рис. 3.16. Организация тастатуры при использовании микросхемы PCD3310Рис. 3.16. Организация тастатуры при использовании микросхемы PCD3310В «большой» серии РСОЗЗхх есть еще несколько ИМС, в составе которых имеется генератор для организации частотного набора но-

Подкл. кв. рез.OSCII 1

Выб. реж. PD/DT MF I 2

0.

20 id

18

OSCO

Vdd CE

Подкл. кв. рез. Напр. пит. (+) Разреш. работы

Вых. тон. наб.

TONE [

3

Напр. пит. (-)

Vss [

o

17

M1

Вых. разгов. ключа

Уст. длит. кр. отб.

FLD[

16

DP/FLO

Вых. имп. кл.

Г R5 [

CO

15

CF/DMODE/FS

Выб. параметров набора

R4 [

7

co

14

C4 "1

Строки тастатуры

R3 [

13

C3

Столбцы

R2 [

12

C2

тастатуры

L R1 [

11

C1 J

Подкл. кв. рез.OSCII 1

Выб. реж. PD/DT MF I 2

0.

20 id

18

OSCO

Vdd CE

Подкл. кв. рез. Напр. пит. (+) Разреш. работы

Вых. тон. наб.

TONE [

3

Напр. пит. (-)

Vss [

o

17

M1

Вых. разгов. ключа

Уст. длит. кр. отб.

FLD[

16

DP/FLO

Вых. имп. кл.

Г R5 [

CO

15

CF/DMODE/FS

Выб. параметров набора

R4 [

7

co

14

C4 "1

Строки тастатуры

R3 [

13

C3

Столбцы

R2 [

12

C2

тастатуры

L R1 [

11

C1 J

а

а

Подкл. кв. рез.OSCI1

Выб. реж. PD/DT MF2

Вых. тон. наб.TONEГ3

н.и. 4

Напр. пит. (-)Vss5

н.и. 6 н.и. 7

Уст. длит. кр. отб. FLD 8

СтрокиГ R5 9

тастатуры L R4 10 н.и. 11

Строки Г R3 =12= тастатуры R2 ЬЛД.

L R1 Ь±

>< О

CO co Q О 0.

28OSCOПодкл. кв. рез.

27VDDНапр. пит. (+)

26СЕРазреш. работы

25н.и.

241 М1 ~

23М1Выходы разговорных ключей

221 М2 J

2.1DP/FLOВых. имп. кл.

20CF/DMODE/FS Выб. параметров набора

191С4Столб, тастатуры

181 н.и.

_12J СЗ “1

161 С2Столбцы

15| С1 Jтастатуры

Подкл. кв. рез.OSCI1

Выб. реж. PD/DT MF2

Вых. тон. наб.TONEГ3

н.и. 4

Напр. пит. (-)Vss5

н.и. 6 н.и. 7

Уст. длит. кр. отб. FLD 8

СтрокиГ R5 9

тастатуры L R4 10 н.и. 11

Строки Г R3 =12= тастатуры R2 ЬЛД.

L R1 Ь±

>< О

CO co Q О 0.

28OSCOПодкл. кв. рез.

27VDDНапр. пит. (+)

26СЕРазреш. работы

25н.и.

241 М1 ~

23М1Выходы разговорных ключей

221 М2 J

2.1DP/FLOВых. имп. кл.

20CF/DMODE/FS Выб. параметров набора

191С4Столб, тастатуры

181 н.и.

_12J СЗ “1

161 С2Столбцы

15| С1 Jтастатуры

Рис. 3.15. Цоколевка корпуса ИМС: а) 5ОТ146для PCD3310XP;

б) SO28(SOT136A) для PCD3310XT.

Рис. 3.15. Цоколевка корпуса ИМС: а) 5ОТ146для PCD3310XP;

б) SO28(SOT136A) для PCD3310XT.

Рис. 3.16. Организация тастатуры при использовании микросхемы PCD3310

Рис. 3.16. Организация тастатуры при использовании микросхемы PCD3310

мера. Как правило, это микросхемы контроллеров ЭТА, используемые для управления в схемах более сложных аппаратов. В частности, к ним относятся ИМС PCD3344, PCD3347, PCD3349, которые также как и серия PCD3310 имеют модификации Р и Т, отличающиеся только конструкцией корпусов. В этом случае управление набором номера производится по общей шине контроллера.

Поскольку в этой же серии есть модификации контроллеров без встроенного генератора DTMF сигналов (например, PCD3346), то были разработаны и выпускались серийно микросхемы генераторов многотоновых сигналов, в т.ч. и DTMF.

Эти ИМС используются при разработке схем телефонных аппаратов, модемов и факсаппара- тов, где требуются сигналы такого типа.

Рассмотрим две микросхемы такой конфигурации, принадлежащие этой же «большой» серии PCD33xx - PCD3311C и PCD3312. Первая выпускается в двух модификациях — СР в четырнадцатиконтактном корпусе SOT27 и СТ в шестнадцатиконтактном корпусе SO16L.

Вторая также имеет два типономинала Р и Т, но в обоих случаях используется 8-контактный корпус. Обе эти микросхемы работают под управлением контроллера по общей шине, причем PCD3311 может работать как с последовательным портом ввода данных, так и с параллельным, a PCD3312 — только с последовательным. Формат данных в обоих случаях 8-битный, причем первые два бита (7 и 6) безразличного состояния. Диапазон рабочих напряжений для обеих ИМС одинаков: 2,5...6,0 В. Также одинаков диапазон рабочих температур: минус 25...+70°С.

Максимальная рассеиваемая мощность не должна превышать величины 300 мВт. Характеристики сигнала DTMF стандартные по частоте и по уровню, а длительность посылки и паузы задаются программно контроллером.

Поскольку эти ИМС используются не только для выработки сигналов тонального набора,

то спектр выходных сигналов тональных частот значительно шире и более насыщен составляющими чем в обычных генераторах, рассмотренных ранее. На рис. 3.17, а, б, в показана цоколевка корпусов этих микросхем.

Выбор порта для PCD3311C осуществляется заданием соответствующего потенциала на контакт MODE (3). Если задана «1» (высокий уровень), то выбран параллельный порт, если «0», то последовательный. Режим выходного тонального сигнала для этих ИМС (PCD3311C и 12) задается состоянием D4 и D5, как показано в табл. 3.14.

Микросхемы используются совместно с кварцевым (или керамическим) резонатором с собственной частотой 3579545 Гц (3,58 МГц), при этом «музыкальный» набор частот построен на основном тоне близким к 440 Гц (нота «ля» первой октавы) и содержит 2 октавы с полутоновым шагом.

Соответствие данных на входе порта и выходного тонального сигнала для частотного набора приведено в табл. 3.15., а такое же соответствие для частот модема (версий рекомендаций TTU) в табл. 3.16.

Как уже указывалось выше, ряд «музыкальных» частот содержит 2 октавы, начинаясь с частоты 622,3 Гц (нота «ре диез» второй октавы) и оканчиваясь частотой 2489 Гц (нота «ре диез» четвертой октавы). Как правило этот ряд частот используется для формирования многочастотного акустического сигнала вызова и «музыкальной» вставки при электронном удержании линии — режим «music-on-HOLD».

Эти микросхемы работают под управлением телефонного микроконтроллера в схемах сложных ЭТА разработки конца 80-х и начала 90-х гг.

МикросхемаСкорость . импульсного набора, имп/сК(В/М)Межцифровая пауза импульсного набора, мсДлительность тон. посылки и паузы при тон. наборе, мсКнопки тастатуры,используемые для перехода отимп. к тон. набору (последовательность нажатия)PCD3310РД10284070Д0**А. D1>,>2)PCD3310AРД101,584070Д0>2>PCD3310CРД10284070Д0★#A...D’>,>2>PCD3310EРД10/20284070Д0*#А. 04>2>PCD3310FРД10284060/90*#А Dn,>2)PCD3310Gрд10284070Д0>»#2)PCD3310Hр10284070Д0*#А...О”>2)МикросхемаСкорость . импульсного набора, имп/сК(В/М)Межцифровая пауза импульсного набора, мсДлительность тон. посылки и паузы при тон. наборе, мсКнопки тастатуры,используемые для перехода отимп. к тон. набору (последовательность нажатия)PCD3310РД10284070Д0**А. D1>,>2)PCD3310AРД101,584070Д0>2>PCD3310CРД10284070Д0★#A...D’>,>2>PCD3310EРД10/20284070Д0*#А. 04>2>PCD3310FРД10284060/90*#А Dn,>2)PCD3310Gрд10284070Д0>»#2)PCD3310Hр10284070Д0*#А...О”>2)Таблица 3.13.Таблица 3.13.1) с тональным подтверждением нажатия кнопки;2) без тонального подтверждения.1) с тональным подтверждением нажатия кнопки;2) без тонального подтверждения.Продолжает ряд микросхем импульсно-частотных НН серия PCD44xx, в составе которой почти десяток ИМС этого назначения. Поскольку основные электрические параметры этой серии полностью совпадают с данными серии PCD3310, то мы ограничимся только кратким описанием. Все

Микросхема

Скорость . импульсного набора, имп/с

К(В/М)

Межцифровая пауза импульсного набора, мс

Длительность тон. посылки и паузы при тон. наборе, мс

Кнопки тастатуры,используемые для перехода отимп. к тон. набору (последовательность нажатия)

PCD3310

РД

10

2

840

70Д0

**А. D1>,

>2)

PCD3310A

РД

10

1,5

840

70Д0

>2>

PCD3310C

РД

10

2

840

70Д0

★#A...D’>,

>2>

PCD3310E

РД

10/20

2

840

70Д0

*#А. 04

>2>

PCD3310F

РД

10

2

840

60/90

*#А Dn,

>2)

PCD3310G

рд

10

2

840

70Д0

>»#2)

PCD3310H

р

10

2

840

70Д0

*#А...О”

>2)

Микросхема

Скорость . импульсного набора, имп/с

К(В/М)

Межцифровая пауза импульсного набора, мс

Длительность тон. посылки и паузы при тон. наборе, мс

Кнопки тастатуры,используемые для перехода отимп. к тон. набору (последовательность нажатия)

PCD3310

РД

10

2

840

70Д0

**А. D1>,

>2)

PCD3310A

РД

10

1,5

840

70Д0

>2>

PCD3310C

РД

10

2

840

70Д0

★#A...D’>,

>2>

PCD3310E

РД

10/20

2

840

70Д0

*#А. 04

>2>

PCD3310F

РД

10

2

840

60/90

*#А Dn,

>2)

PCD3310G

рд

10

2

840

70Д0

>»#2)

PCD3310H

р

10

2

840

70Д0

*#А...О”

>2)

Таблица 3.13.

Таблица 3.13.

1) с тональным подтверждением нажатия кнопки;

2) без тонального подтверждения.

1) с тональным подтверждением нажатия кнопки;

2) без тонального подтверждения.

Символ тасгатуры0123456789АВСD**D50000000000000000ДD41111111111111111нОЗ0000000011111111нD20000111100001111ые010011001100110011DO0101010101010101Частоты сигнала на941697697697770770770852852852697770852941941941выходе, Гц1336120913361477120913361477120913361477163316331633163312091477Символ тасгатуры0123456789АВСD**D50000000000000000ДD41111111111111111нОЗ0000000011111111нD20000111100001111ые010011001100110011DO0101010101010101Частоты сигнала на941697697697770770770852852852697770852941941941выходе, Гц1336120913361477120913361477120913361477163316331633163312091477Таблица 3.15.Таблица 3.15.Примечание; отклонение частот от номинала не превышает ± 0,25% для нижней группы и ± 0,45% для верхней.Примечание; отклонение частот от номинала не превышает ± 0,25% для нижней группы и ± 0,45% для верхней.Подключ, кварц.рез. Выб. портаI OSCI |_L_IoscoMODE ГЗОVDD Vss D4-1Напр. пит. (-)Напр. пит. (+)D5*STROBE ГТ"CO coТГD3D2См ниже*Вых. тон. сиг.TONE I 6D QD1/SDAАдрес последовательного портаAo I 7CLDO/SCL JПодключ, кварц.рез. Выб. портаI OSCI |_L_IoscoMODE ГЗОVDD Vss D4-1Напр. пит. (-)Напр. пит. (+)D5*STROBE ГТ"CO coТГD3D2См ниже*Вых. тон. сиг.TONE I 6D QD1/SDAАдрес последовательного портаAo I 7CLDO/SCL JаI (одключ Г ObCi П кварц.рез. LOSC0 Г2- Выб. порта MODE ГЗD5* н.и. [ZZ STROBE ГТ"Вых тон. сиг. TONE 1 7Адрес последовательного портаAo 1 86т— СО СОо 0.^SJ VDD15 I VSSЧП D4*ЛИ н.и._L2J D3ЛИ D210 I D1/SDA91 D0/SCL.аI (одключ Г ObCi П кварц.рез. LOSC0 Г2- Выб. порта MODE ГЗD5* н.и. [ZZ STROBE ГТ"Вых тон. сиг. TONE 1 7Адрес последовательного портаAo 1 86т— СО СОо 0.^SJ VDD15 I VSSЧП D4*ЛИ н.и._L2J D3ЛИ D210 I D1/SDA91 D0/SCL.См. нижеСм. нижеббНапр. пит. (-)Напр. пит. (+)Напр. пит. (-)Напр. пит. (+)) D0...D5 — шина данных паралл. порта) D0...D5 — шина данных паралл. портаРис. 3.17.Рис. 3.17.Напр пит (-) Напр. пит. (+) Подключ кварц рез.Напр пит (-) Напр. пит. (+) Подключ кварц рез.Данные поел портаТакт. част. поел, портаАдрес последовательного портаВых тон. сигДанные поел портаТакт. част. поел, портаАдрес последовательного портаВых тон. сигЦоколевка корпусов ИМСPCD 3311 СР;PCD 3311 СТ;PCD 3312С.Цоколевка корпусов ИМСPCD 3311 СР;PCD 3311 СТ;PCD 3312С.Таблица 3.14.

Символ тасгатуры

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

А

В

С

D

*

*

D5

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

ДD4

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

нОЗ

0

0

0

0

0

0

0

0

1

1

1

1

1

1

1

1

нD2

0

0

0

0

1

1

1

1

0

0

0

0

1

1

1

1

ы

е01

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

1

1

DO

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

Частоты сигнала на

941

697

697

697

770

770

770

852

852

852

697

770

852

941

941

941

выходе, Гц

1336

1209

1336

1477

1209

1336

1477

1209

1336

1477

1633

1633

1633

1633

1209

1477

Символ тасгатуры

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

А

В

С

D

*

*

D5

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

ДD4

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

нОЗ

0

0

0

0

0

0

0

0

1

1

1

1

1

1

1

1

нD2

0

0

0

0

1

1

1

1

0

0

0

0

1

1

1

1

ы

е01

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

1

1

DO

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

Частоты сигнала на

941

697

697

697

770

770

770

852

852

852

697

770

852

941

941

941

выходе, Гц

1336

1209

1336

1477

1209

1336

1477

1209

1336

1477

1633

1633

1633

1633

1209

1477

Таблица 3.15.

Таблица 3.15.

Примечание; отклонение частот от номинала не превышает ± 0,25% для нижней группы и ± 0,45% для верхней.

Примечание; отклонение частот от номинала не превышает ± 0,25% для нижней группы и ± 0,45% для верхней.

Подключ, кварц.рез. Выб. порта

I OSCI |_L_

Iosco

MODE ГЗ

О

VDD Vss D4-1

Напр. пит. (-)

Напр. пит. (+)

D5*

STROBE ГТ"

CO co

ТГ

D3

D2

См ниже*

Вых. тон. сиг.

TONE I 6

D Q

D1/SDA

Адрес последовательного порта

Ao I 7

CL

DO/SCL J

Подключ, кварц.рез. Выб. порта

I OSCI |_L_

Iosco

MODE ГЗ

О

VDD Vss D4-1

Напр. пит. (-)

Напр. пит. (+)

D5*

STROBE ГТ"

CO co

ТГ

D3

D2

См ниже*

Вых. тон. сиг.

TONE I 6

D Q

D1/SDA

Адрес последовательного порта

Ao I 7

CL

DO/SCL J

а

I (одключ Г ObCi П кварц.рез. LOSC0 Г2- Выб. порта MODE ГЗ

D5* н.и. [ZZ STROBE ГТ"

Вых тон. сиг. TONE 1 7

Адрес последовательного портаAo 1 8

6

т— СО СО

о 0.

^SJ VDD

15 I VSS

ЧП D4*

ЛИ н.и.

_L2J D3

ЛИ D2

10 I D1/SDA

91 D0/SCL.

а

I (одключ Г ObCi П кварц.рез. LOSC0 Г2- Выб. порта MODE ГЗ

D5* н.и. [ZZ STROBE ГТ"

Вых тон. сиг. TONE 1 7

Адрес последовательного портаAo 1 8

6

т— СО СО

о 0.

^SJ VDD

15 I VSS

ЧП D4*

ЛИ н.и.

_L2J D3

ЛИ D2

10 I D1/SDA

91 D0/SCL.

См. ниже

См. ниже

б

б

Напр. пит. (-)

Напр. пит. (+)

Напр. пит. (-)

Напр. пит. (+)

) D0...D5 — шина данных паралл. порта

) D0...D5 — шина данных паралл. порта

Рис. 3.17.

Рис. 3.17.

Напр пит (-) Напр. пит. (+) Подключ кварц рез.

Напр пит (-) Напр. пит. (+) Подключ кварц рез.

Данные поел порта

Такт. част. поел, порта

Адрес последовательного порта

Вых тон. сиг

Данные поел порта

Такт. част. поел, порта

Адрес последовательного порта

Вых тон. сиг

Цоколевка корпусов ИМС

PCD 3311 СР;

PCD 3311 СТ;

PCD 3312С.

Цоколевка корпусов ИМС

PCD 3311 СР;

PCD 3311 СТ;

PCD 3312С.

Вид сигнала на выходе TONE

Состояние 04

Состояние D5

Одночастотный DTMF “музыкальный” набор частот

0

0

Двухчастотный DTMF

1

0

Модемный и “музыкальный"наборы частот

0

1

“Музыкальный" набор частот

1

1

Таблица 3.16.

D5

1

1

1

1

1

1

D4

0

0

0

0

0

0

D3

0

0

1

1

1

1

D2

1

1

0

0

1

1

D1

0

0

0

0

0

0

DO

0

1

0

1

0

1

Частота сигма ла на выходе, Гц

1300

2100

980

1180

1650

1850

Рекомендации ITU (МСЗ - Т)

V 23

V 21

V. 21

Примечание: отклонение частот от номинала не превышает 0,4%.

ИМС PCD44xx имеют ОЗУ на 23 знака, незави- симо от типа набора, и работают совместно с кварцевым резонатором задающего генератора с частотой 3,58 МГц (3579545 Гц). Организация тастатуры для этих ИМС — 3x5 показана на рис. 3. 18 для микросхемы PCD4415AP/AT, как для наиболее развитой.

При использовании PCD4410/13/13A в такой тастатуре отсутствуют кнопки с символами «>» и «R/АР». Кнопка «*» используется для оперативного перехода от импульсного набора к тональному, а кнопка «#» для повтора последнего набранного номера и введения паузы между знаками номера. При использовании ИМС PCD4415/15A кнопка с символом «>» дублирует кнопку «*», а кнопка «R/АР» — кнопку «#». Требования к контактному сопротивлению кнопок тастатуры такие же, как и для PCD3310: нажатая кнопка — не более 2 кОм, не нажатая — не менее 1 МОм. Рабочее напряжение должно быть в пределах 2,5...6,0 В (1,8...6,0 В в состоянии ожидания), диапазон рабочих температур от -25 до +70°С, а предельно допустимая рассеиваемая мощность не должна превышать 300 мВт.

Частота следования импульсов при импульсном наборе 10 ± 0,4 Гц для PCD4410, для остальных ИМС этой серии — 10 ^ Гц. Отклонение частот сигналов тонального набора от номинала не более 0,25% для нижней группы и не более 0,4% для верхней. Разность уровней нижней и верхней групп частот не превышает 2,1 дБ при выходном сопротивлении |7вых| МД...О,5кОм. Отличия внутри этой серии показаны в табл. 3. 17.

На рис. 3.19 показана цоколевка корпуса PCD4415AT, так как эта ИМС, как это уже отмечалось ранее, является наиболее развитой в рассматриваемой серии.

Как указывалось в начале этого раздела в качестве частотозадающего элемента в генераторах ЭНН могут применяться не только кварцевые или керамические (пьезоэлектрические) резонаторы на частоту 3,58 МГц, но и керамические резонаторы на значительно более низкую частоту

Таблица 3.17.

Микросхема

К-во кон- тактов

Тип корпуса

Длительность сигнала и паузы при тональном наборе, мс

Длительность межцифровой П8уЗЫ ПрИ ИТЛ1. наборе, мс

PCD4410

18

SOT 102

70 и 140

500

PCD4413

18

SOT 102

65

840

PCD4413A

18

SOT 102

65

840

PCD4415P

18

SOT 102

70

840

PCD441ST

20

SO 20

70

840

PCD4415AP

18

SOT 102

70

840

PCD4415AT

20

SO 20

70

840

собственных колебаний. В качестве ИМС частотного номеронабирателя рассмотрим микросхему PCD4421P/T, которая может работать совместно как с кварцевым резонатором на 3,58 МГц, так и с керамическим на 447 кГц.

Как и ранее, окончания Р и Т указывают на тип корпуса микросхемы: Р — корпус типа SO20 (SOT163A), 20-ти контактный. В последнем случае контакты би 13 не используются. Поэтому на рис. 3.20 показана цоколевка только корпуса PCD4421P.

Электрические параметры этих микросхем почти идентичны предыдущим, кроме пониженного до 1,6 В минимального напряжения питания в режиме ожидания вызова. Также стандартными являются:

диапазон рабочих температур;

разность уровней сигналов верхней и нижней группы частот;

контактное сопротивление кнопок;

модуль выходного сопротивления;

максимальная рассеиваемая мощность.

ИМС этого типа работает с тастатурой 4x5 со стандартной символикой первых 4-х строк. Пятая строка состоит только из кнопок специальных функций в следующем порядке (по столбцам):

АР—введение дополнительной межцифровой паузы при наборе длительностью 2 с;

тастатуры при использовании микросхемы PCD4415АР/АТтастатуры при использовании микросхемы PCD4415АР/АТПодкл. кв. рез.Подкл. кв. рез.Вых. сигн. DTMF Напр. пит. (-) Выб. прогр. пауз.Вых. сигн. DTMF Напр. пит. (-) Выб. прогр. пауз.Строки тастатурыСтроки тастатурыOSCIOSCIВыб. реж. наб. PD/DT MFВыб. реж. наб. PD/DT MFTONEVssIAPГ R5TONEVssIAPГ R5R3 QR2 QR1 ГЕR3 QR2 QR1 ГЕOSC0Подкл. кв. рез.VddНапр. пит. (+)СЕРазреш. работыМ1Разгов. ключМ2Блок, микроф.DP/FLO 1Вых. сигн. имп. набDP/FLOj СЗ “Iи крат к. отб.С2Столбцы тастатурыС1 JOSC0Подкл. кв. рез.VddНапр. пит. (+)СЕРазреш. работыМ1Разгов. ключМ2Блок, микроф.DP/FLO 1Вых. сигн. имп. набDP/FLOj СЗ “Iи крат к. отб.С2Столбцы тастатурыС1 J22 да 3Z ДЕ35 м 12 7722 да 3Z ДЕ35 м 12 77Рис. 3.19. Цоколевка корпуса ИМС PCD4415ATРис. 3.19. Цоколевка корпуса ИМС PCD4415ATFL — кратковременный отбой, длительность 100 мс;

тастатуры при использовании микросхемы PCD4415АР/АТ

тастатуры при использовании микросхемы PCD4415АР/АТ

Подкл. кв. рез.

Подкл. кв. рез.

Вых. сигн. DTMF Напр. пит. (-) Выб. прогр. пауз.

Вых. сигн. DTMF Напр. пит. (-) Выб. прогр. пауз.

Строки тастатуры

Строки тастатуры

OSCI

OSCI

Выб. реж. наб. PD/DT MF

Выб. реж. наб. PD/DT MF

TONE

Vss

IAP

Г R5

TONE

Vss

IAP

Г R5

R3 Q

R2 Q

R1 ГЕ

R3 Q

R2 Q

R1 ГЕ

OSC0

Подкл. кв. рез.

Vdd

Напр. пит. (+)

СЕ

Разреш. работы

М1

Разгов. ключ

М2

Блок, микроф.

DP/FLO 1

Вых. сигн. имп. наб

DP/FLOj СЗ “I

и крат к. отб.

С2

Столбцы тастатуры

С1 J

OSC0

Подкл. кв. рез.

Vdd

Напр. пит. (+)

СЕ

Разреш. работы

М1

Разгов. ключ

М2

Блок, микроф.

DP/FLO 1

Вых. сигн. имп. наб

DP/FLOj СЗ “I

и крат к. отб.

С2

Столбцы тастатуры

С1 J

22 да 3Z ДЕ

35 м 12 77

22 да 3Z ДЕ

35 м 12 77

Рис. 3.19. Цоколевка корпуса ИМС PCD4415AT

Рис. 3.19. Цоколевка корпуса ИМС PCD4415AT

R — повтор последнего набранного номера;

DI — отбой без укладывания микротелефона.

Так как основным отличием этой ИМС от ранее описанных является возможность применения резонатора с более низкой частотой собственных колебаний, то возникает естественный интерес к тому, как это повлияло на «качество» основного «продукта», вырабатываемого микросхемой — отклонение частот сигнала DTMF от номинальных значений. Величины Af и Af/f в абсолютных значениях приведены в табл. 3.18 для резонаторов обоих типов.

Анализируя приведенные выше результаты видим, что использование низкочастотного керамического резонатора не ухудшило основной показатель сигнала DTMF. Следует указать, что значения Af/f для этого резонатора имеют более «симметричный» вид, а абсолютные отклонения от номинала меньший разброс. Основным же преимуществом использования такого резонатора (кроме его стоимости) является некоторое упрощение схем подавления радиопомех, возникающих при работе генератора, за счет резкого (в 8 раз) уменьшения основной частоты.

В этой серии есть еще один чип такого же назначения, который так же используется с низкочастотным резонатором: PCD44210P/T (корпуса соответственно: SOT38 — 16 контактов и SO16L, также 16 контактов), отличающийся от описанного применением стандартной тастатуры 4x4.

На этом обзор ИМС тонально-импульсных НН производства PHILIPS Semiconductors мы закончим, а возможно полный перечень этих микросхем будет приведен в конце настоящего издания.

Универсальные НН фирмы SAMSUNG

Сейчас мы перейдем к обзору следующего по значению разработчика и производителя аналогичных чипов — SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC.

Обзор начнем с простейшей микросхемы тонального НН, использовавшегося при разработке схем «стандартных» ЭТА в конце 70-х. В то время для разных способов набора номера использовались отдельные микросхемы. Одной из них была ИМС типа KS5809/10/11. Рабочий диапазон напряжений телефонных микросхем этой фирмы несколько отличается от величин, которые мы указывали для ИМС фирмы PHILIPS, и находится в пределах от 2,0 до 5,5 В, а напряжение в состоянии ожидания вызова намного ниже, чем у описанных ранее значений, и равно 1,0 В.

Гоуппа частотСтандартное значениеКварц, fc = 3579545 ГцКерамика, fc - 447 кГц№fЧастота, ГцЧастота на выходе, ГцОткл. от номинала АГ, ГцОтношение дм, %Частота на выходе ИМС, ГцОткл. от номинала Af, ГцОтношение Af/f, %НижняяИ697697,00,0..<0,01696,3-0,7-0,1112770768,8-1,2-0,16768,0-2,0-0,25f3852850,7-1,3-0,16849,8-2,2-0,26f4941944,03,00,32943,02,00,22Верхняяf512091209,30,30,031208,1-0,9-0,07f613361339,73,70,271338,32,30,17f714771481,64,60,311480,13,10,21f816331633,00,0..<0,011631,41,6-0,10Гоуппа частотСтандартное значениеКварц, fc = 3579545 ГцКерамика, fc - 447 кГц№fЧастота, ГцЧастота на выходе, ГцОткл. от номинала АГ, ГцОтношение дм, %Частота на выходе ИМС, ГцОткл. от номинала Af, ГцОтношение Af/f, %НижняяИ697697,00,0..<0,01696,3-0,7-0,1112770768,8-1,2-0,16768,0-2,0-0,25f3852850,7-1,3-0,16849,8-2,2-0,26f4941944,03,00,32943,02,00,22Верхняяf512091209,30,30,031208,1-0,9-0,07f613361339,73,70,271338,32,30,17f714771481,64,60,311480,13,10,21f816331633,00,0..<0,011631,41,6-0,10Та блица 3.18.Та блица 3.18.VDD I 1ЧП TONEСЕ171 FLO* С1 Гз"16J R1 "1С2 14СМ_15J R2L СЗ Гб"J4J R3OSCS Гб"ЧП R4 _VSS ГТ "M1OSCI ПГ0L2ш R5OSC0 1 910J C4VDD I 1ЧП TONEСЕ171 FLO* С1 Гз"16J R1 "1С2 14СМ_15J R2L СЗ Гб"J4J R3OSCS Гб"ЧП R4 _VSS ГТ "M1OSCI ПГ0L2ш R5OSC0 1 910J C4Напр. пит. (+) Разр. работыСтолбцы тастатурыВыб. резонат. Напр. пит. (-)Подключ, резонат.Напр. пит. (+) Разр. работыСтолбцы тастатурыВыб. резонат. Напр. пит. (-)Подключ, резонат.Вых. сигн DTMF Вых. кратк. отоб.Строки тастатурыРазгов. ключ (MUTE)Строка тастатурыСтолбец тастатурыВых. сигн DTMF Вых. кратк. отоб.Строки тастатурыРазгов. ключ (MUTE)Строка тастатурыСтолбец тастатурыРис. 3.20. Цоколевка корпуса ИМС PCD4421PРис. 3.20. Цоколевка корпуса ИМС PCD4421PТак же как и описанные ранее ИМС, эта (KS5809) построена по КМОП-технологии и выпускалась в корпусе типа DIP16. Ее цоколевка приведена на рис. 3.21. Микросхема работает совместно с кварцевым резонатором 3,58 МГц, вырабатывая стандартный набор частот DTMF и ис-

Гоуппа частот

Стандартное значение

Кварц, fc = 3579545 Гц

Керамика, fc - 447 кГц

№f

Частота, Гц

Частота на выходе, Гц

Откл. от номинала АГ, Гц

Отношение дм, %

Частота на выходе ИМС, Гц

Откл. от номинала Af, Гц

Отношение Af/f, %

Нижняя

И

697

697,0

0,0..

<0,01

696,3

-0,7

-0,11

12

770

768,8

-1,2

-0,16

768,0

-2,0

-0,25

f3

852

850,7

-1,3

-0,16

849,8

-2,2

-0,26

f4

941

944,0

3,0

0,32

943,0

2,0

0,22

Верхняя

f5

1209

1209,3

0,3

0,03

1208,1

-0,9

-0,07

f6

1336

1339,7

3,7

0,27

1338,3

2,3

0,17

f7

1477

1481,6

4,6

0,31

1480,1

3,1

0,21

f8

1633

1633,0

0,0..

<0,01

1631,4

1,6

-0,10

Гоуппа частот

Стандартное значение

Кварц, fc = 3579545 Гц

Керамика, fc - 447 кГц

№f

Частота, Гц

Частота на выходе, Гц

Откл. от номинала АГ, Гц

Отношение дм, %

Частота на выходе ИМС, Гц

Откл. от номинала Af, Гц

Отношение Af/f, %

Нижняя

И

697

697,0

0,0..

<0,01

696,3

-0,7

-0,11

12

770

768,8

-1,2

-0,16

768,0

-2,0

-0,25

f3

852

850,7

-1,3

-0,16

849,8

-2,2

-0,26

f4

941

944,0

3,0

0,32

943,0

2,0

0,22

Верхняя

f5

1209

1209,3

0,3

0,03

1208,1

-0,9

-0,07

f6

1336

1339,7

3,7

0,27

1338,3

2,3

0,17

f7

1477

1481,6

4,6

0,31

1480,1

3,1

0,21

f8

1633

1633,0

0,0..

<0,01

1631,4

1,6

-0,10

Та блица 3.18.

Та блица 3.18.

VDD I 1

ЧП TONE

СЕ

171 FLO

* С1 Гз"

16J R1 "1

С2 14

СМ

_15J R2

L СЗ Гб"

J4J R3

OSCS Гб"

ЧП R4 _

VSS ГТ "

M1

OSCI ПГ

0L

2ш R5

OSC0 1 9

10J C4

VDD I 1

ЧП TONE

СЕ

171 FLO

* С1 Гз"

16J R1 "1

С2 14

СМ

_15J R2

L СЗ Гб"

J4J R3

OSCS Гб"

ЧП R4 _

VSS ГТ "

M1

OSCI ПГ

0L

2ш R5

OSC0 1 9

10J C4

Напр. пит. (+) Разр. работы

Столбцы тастатуры

Выб. резонат. Напр. пит. (-)

Подключ, резонат.

Напр. пит. (+) Разр. работы

Столбцы тастатуры

Выб. резонат. Напр. пит. (-)

Подключ, резонат.

Вых. сигн DTMF Вых. кратк. отоб.

Строки тастатуры

Разгов. ключ (MUTE)

Строка тастатуры

Столбец тастатуры

Вых. сигн DTMF Вых. кратк. отоб.

Строки тастатуры

Разгов. ключ (MUTE)

Строка тастатуры

Столбец тастатуры

Рис. 3.20. Цоколевка корпуса ИМС PCD4421P

Рис. 3.20. Цоколевка корпуса ИМС PCD4421P

пользуется с тастатурой 4x4. Однако следует указать, что при использовании этой и других ИМС ф. SAMSUNG отклонение значений частот сигнала DTMF на выходе почти вдвое превышает аналогичный параметр микросхем PHILIPS и составляет не более 0,6% для частот нижней группы и не более 0,8% для верхней группы частот.

Но эти величины все-таки значительно ниже допуска на этот параметр ГОСТ 7153-85, который равен ±1,8%. Также нужно отметить, что разность уровней нижней и верхней групп частот у микросхем SAMSUNG может достигать 3 дБ, хотя среднее значение такое же, как у ИМС PHILIPS составляет 2 дБ.

Следующей рассмотрим ИМС импульсно-частотного НН типа KS58006/D, которая выпускалась в нескольких типономиналах:

KS58006 л корпус DIP 18;

KS68503N -

KS5 8006D-| корпус S020 — планарный монтаж.

KS68503D -

В составе микросхемы имеется ОЗУ емкостью 32 знака для запоминания последнего набранного номера. Режим питания стандартный: от 2,0 до 5,5 В при максимально допустимой рассеиваемой мощности 500 мВт. Диапазон рабочих температур от -20 до 70°С. Длительность программируемой межцифровой паузы порядка 3,5 с. Пауза занимает в ОЗУ объем памяти равный одному знаку (4 бита). Чип работает совместно с кварцевым или керамическим резонатором с частотой 3,58 МГц и вырабатывает стандартный набор частот с параметрами ста-

бильности по частоте и уровням идентичными описанным для предыдущей ИМС. Цоколевка корпуса DIP18 для KS58006 приводится на рис. 3.22. В корпусе S020 нс задействованы контакты 12 и 13, поэтому назначение выводов с 1 по 11 совпадает с изображенным, а контактов 14...20 сдвинуто на 2.

Кроме описанной ИМС в этой серии (KS580...) есть еше целый ряд микросхем аналогичного назначения:

KS58008 — полный аналог описанной, корпус DIP-18;

KS58010-—добавлено управление громкой связью — спикерфон, DIP-20;

KS58012/13—управление спикерфоном и добавлена функция электронного удержания линии — HOLD, корпус DIP-22;

KS58014—спикерфон и сигнал подтверждения нажатия кнопки, корпус DIP-22;

KS58015/D — формирователь сигналов частотного набора и однотонных тональных сигналов под управлением контроллера по 4-х битной шине (D0...D3) данных, корпуса DIP14 (KS58015) и SO-14(KS58015D).

Напр. пит. (-) Инициал, набVDD - TD Г C11О161514TON OUT STI R1 "1Столбцы тастатурыС2413R2L сз55г Q12R3Напр. пит. (+) Vss6СО11R4 J„POSCI7юXMUTEПодключ, кварц, рез.1 qSq08C4Напр. пит. (-) Инициал, набVDD - TD Г C11О161514TON OUT STI R1 "1Столбцы тастатурыС2413R2L сз55г Q12R3Напр. пит. (+) Vss6СО11R4 J„POSCI7юXMUTEПодключ, кварц, рез.1 qSq08C4Вых. сигн. DTMF Вх. перекл. реж.Строки тастатурыРазг, ключСтолбец тастатурыВых. сигн. DTMF Вх. перекл. реж.Строки тастатурыРазг, ключСтолбец тастатурыРис. 3.21. Цоколевка корпуса ИМС KS5809/10/11Рис. 3.21. Цоколевка корпуса ИМС KS5809/10/11"R1 ГТ"DO I 9 ' Строки тастатурыLR4 Г4^Вход РПHS15Выбор соотнош.М/В16Выбор реж. наб.MDS[7_Г OSC1Г8Подключ, резонатораqs^q<0 О о со ю*J£J с4 -ДТЗ СЗСтолбцыio I С2тастатурыJU ci J14 DPВых, имп. ключа13 X MUTEВых. разг. ключ.12 TONE OUTВых. сигн. DTMFVssНапр. пит. (-)IQ-1 VDDНапр. пит. (+)"R1 ГТ"DO I 9 ' Строки тастатурыLR4 Г4^Вход РПHS15Выбор соотнош.М/В16Выбор реж. наб.MDS[7_Г OSC1Г8Подключ, резонатораqs^q<0 О о со ю*J£J с4 -ДТЗ СЗСтолбцыio I С2тастатурыJU ci J14 DPВых, имп. ключа13 X MUTEВых. разг. ключ.12 TONE OUTВых. сигн. DTMFVssНапр. пит. (-)IQ-1 VDDНапр. пит. (+)Рис. 3.22. Цоколевка корпуса DIP для ИМС KS58006/68503NРис. 3.22. Цоколевка корпуса DIP для ИМС KS58006/68503NСерия KS585... начинается микросхемой KS58500, отличающейся от ИМС предыдущей серии только возможностью выбора импульсного коэффициента при импульсном наборе. Остальные ИМС этой серии представляют собой ЭНН со встроенной памятью (ОЗУ): от 768 бит (последний набранный номер 32 знака и 10 номеров по 16 знаков программируются) до 1408 бит (повтор 32 знака и 20 номеров по 16 знаков в программируемой памяти).

Напр. пит. (-) Инициал, наб

VDD - TD Г C1

1

О

16

15

14

TON OUT STI R1 "1

Столбцы тастатуры

С2

4

13

R2

L сз

5

5г Q

12

R3

Напр. пит. (+) Vss

6

СО

11

R4 J

„POSCI

7

ю

XMUTE

Подключ, кварц, рез.1 qSq0

8

C4

Напр. пит. (-) Инициал, наб

VDD - TD Г C1

1

О

16

15

14

TON OUT STI R1 "1

Столбцы тастатуры

С2

4

13

R2

L сз

5

5г Q

12

R3

Напр. пит. (+) Vss

6

СО

11

R4 J

„POSCI

7

ю

XMUTE

Подключ, кварц, рез.1 qSq0

8

C4

Вых. сигн. DTMF Вх. перекл. реж.

Строки тастатуры

Разг, ключ

Столбец тастатуры

Вых. сигн. DTMF Вх. перекл. реж.

Строки тастатуры

Разг, ключ

Столбец тастатуры

Рис. 3.21. Цоколевка корпуса ИМС KS5809/10/11

Рис. 3.21. Цоколевка корпуса ИМС KS5809/10/11

"R1 ГТ"

DO I 9 ' Строки тастатуры

LR4 Г4^

Вход РПHS15

Выбор соотнош.М/В16

Выбор реж. наб.MDS[7

_Г OSC1Г8

Подключ, резонатораqs^q

<0 О о со ю

*

J£J с4 -

ДТЗ СЗСтолбцы

io I С2тастатуры

JU ci J

14 DPВых, имп. ключа

13 X MUTEВых. разг. ключ.

12 TONE OUTВых. сигн. DTMF

VssНапр. пит. (-)

IQ-1 VDDНапр. пит. (+)

"R1 ГТ"

DO I 9 ' Строки тастатуры

LR4 Г4^

Вход РПHS15

Выбор соотнош.М/В16

Выбор реж. наб.MDS[7

_Г OSC1Г8

Подключ, резонатораqs^q

<0 О о со ю

*

J£J с4 -

ДТЗ СЗСтолбцы

io I С2тастатуры

JU ci J

14 DPВых, имп. ключа

13 X MUTEВых. разг. ключ.

12 TONE OUTВых. сигн. DTMF

VssНапр. пит. (-)

IQ-1 VDDНапр. пит. (+)

Рис. 3.22. Цоколевка корпуса DIP для ИМС KS58006/68503N

Рис. 3.22. Цоколевка корпуса DIP для ИМС KS58006/68503N

Более подробно рассмотрим микросхему KS58531D/N, выпускавшуюся в шести типоно- миналах: ...31D, ...35D, ...36D, ...31N, ...35N и ...36N. Все ИМС с окончанием D выпускались в корпусах SO28, а с окончанием N — в DIP28.

Эта микросхема обеспечивает при стандартном для ИМС SAMSUNG питании (VDD = = 2,0...5,5 В) следующие возможности:

формирование стандартных сигналов тонального набора номера, с соотношением длительностей «сигнал/пауза» не менее чем 100/100 мс;

выбор импульсного коэффициента (М/В) при импульсном способе набора номера (2 или 1,5);

формирование сигнала подтверждения нажатия кнопки;

индикация режима набора;

управление внутренней памятью;

хранение и повторное (многократное) воспроизведение последнего набранного номера с количеством знаков до 32, в том числе и программируемых пауз (длительность единичной паузы порядка 3,5 с);

запись в память и вызов из памяти 20 номеров с количеством знаков до 16;

управление спикерфоном.

Данная микросхема работает совместно с кварцевым резонатором 3,58 МГц и мощной тастатурой (5x8), большинство кнопок которой предназначено для управления специальными функциями — спикерфон, hold и рядом других.

На рис. 3.23 представлена цоколевка корпуса SO28 микросхемы KS58531D/35D/36D.

Назначение контактов корпуса DIP28 для микросхем KS5853N/35N/36N полностью совпадает с изображенным на рисунке.

В составе серии KS585xx, кроме описанных ИМС, есть еще несколько микросхем, отличия которых заключаются в следующем:

KS58512N/14N — корпус DIP18, ОЗУ на 10 шестнадцатизначных номеров;

KS58517N — корпус DIP20, память на 10 номеров по 16 знаков, управление спикерфоном, функция электронного удержания линии — «hold»;

KS58522N/23N — корпус DIP20, память на 14 номеров;

KS58525E/26E/27E/30E - корпус DIP20, память на 14 номеров, управление спикерфоном.

Все эти микросхемы имеют одинаковое значение предельно допустимой рассеиваемой мощности не более 500 мВт, что присуще ИМС КМОП технологии. У них один и тот же диапазон рабочих температур от -20 до +70°С и стандартные для изделий фирмы SAMSUNG показатели стабильности частот сигнала DTMF.

На этом обзор ИМС импульсно-частотных ЭНН фирмы SAMSUNG мы завершаем. За более полной информацией интересующиеся могут обратиться к уже упомянутым нами справочным изданиям «Додэка» (Москва).

Универсальные НН фирмы UMC (Taiwan)

Следующими в нашем обзоре идут ИМС этого же назначения производства фирмы UMC (Taiwan).

Столбец тает. С8Вых. сигн. реж. ON/OFF Г R1R2СтрокиR3тастатурыR4[_R5Сигн. снятия MTT HS Выб. имп.коэфф. М/ВВых.индикации реж. набора MDO Выб. режима наб. MDS Подкл. кварц. "OSC1 резонатора LOSCO Напр. пит. (+) VddСтолбец тает. С8Вых. сигн. реж. ON/OFF Г R1R2СтрокиR3тастатурыR4[_R5Сигн. снятия MTT HS Выб. имп.коэфф. М/ВВых.индикации реж. набора MDO Выб. режима наб. MDS Подкл. кварц. "OSC1 резонатора LOSCO Напр. пит. (+) VddС7С6С5СтолбцыС4тастатурыСЗС2С1 JDPВых. имп. ключаMUTEВых. разг.XMUTE J ключейTON OUT Вых.сигн. DTMFС7С6С5СтолбцыС4тастатурыСЗС2С1 JDPВых. имп. ключаMUTEВых. разг.XMUTE J ключейTON OUT Вых.сигн. DTMFSTOREУправл. памятьюKITВых. сигн.подт.наж.VssНапр. пит. (-)STOREУправл. памятьюKITВых. сигн.подт.наж.VssНапр. пит. (-)Рис. 3.23. Цоколевка корпуса SO28 ИМС KS58531DРис. 3.23. Цоколевка корпуса SO28 ИМС KS58531DВначале остановимся на общих для всех ИМС этой фирмы характеристиках. Напряжение питания микросхем импульсно-частотных номеронабирателей фирмы UMC лежит в пределах от 2,0 до 5,5 В. Напряжение сохранения памяти такое же, как у ИМС SAMSUNG, 1,0 В. Диапазон рабочих температур стандартный: от -20 до +70°С. Максимально допустимая рассеиваемая мощность не более 500 МВт. Все микросхемы этого назначения выполнены по КМОП технологии. В отличие от других фирм UMC не выпускала (насколько нам известно) микросхем ЭНН в корпусах для планарного монтажа, а толь-

Столбец тает. С8

Вых. сигн. реж. ON/OFF Г R1

R2

СтрокиR3

тастатурыR4

[_R5

Сигн. снятия MTT HS Выб. имп.коэфф. М/В

Вых.индикации реж. набора MDO Выб. режима наб. MDS Подкл. кварц. "OSC1 резонатора LOSCO Напр. пит. (+) Vdd

Столбец тает. С8

Вых. сигн. реж. ON/OFF Г R1

R2

СтрокиR3

тастатурыR4

[_R5

Сигн. снятия MTT HS Выб. имп.коэфф. М/В

Вых.индикации реж. набора MDO Выб. режима наб. MDS Подкл. кварц. "OSC1 резонатора LOSCO Напр. пит. (+) Vdd

С7

С6

С5Столбцы

С4тастатуры

СЗ

С2

С1 J

DPВых. имп. ключа

MUTEВых. разг.

XMUTE J ключей

TON OUT Вых.сигн. DTMF

С7

С6

С5Столбцы

С4тастатуры

СЗ

С2

С1 J

DPВых. имп. ключа

MUTEВых. разг.

XMUTE J ключей

TON OUT Вых.сигн. DTMF

STOREУправл. памятью

KITВых. сигн.подт.наж.

VssНапр. пит. (-)

STOREУправл. памятью

KITВых. сигн.подт.наж.

VssНапр. пит. (-)

Рис. 3.23. Цоколевка корпуса SO28 ИМС KS58531D

Рис. 3.23. Цоколевка корпуса SO28 ИМС KS58531D

ко в корпусах DIP с различным количеством контактов. Еще одной особенностью этих ИМС является совместное использование с керамическим резонатором ф. Murata на частоту 3,579 МГц. Значительное число микросхем ЭНН ф. UMC работает с нестандартной тастатурой 4x4, организация которой показана на рис. 3.24, а ИМС более сложные (с памятью на 20 номеров) могут использовать тастатуры типа 5x8, как аналогичные микросхемы SAMSUNG. У всех ЭНН ф. UMC емкость памяти последнего набранного номера составляет 32 знака при импульсном способе набора и 31 знак — при тональном. Программируемая пауза занимает в памяти место одного десятичного знака (4 бита) и имеет единичную длительность 2,2 с.

Нагрузочное сопротивление выходной цепи сигнала DTMF составляет величину порядка 5 кОм, а разность уровней частот верхней и нижней групп не превышает 2,5 дБ. Одновременно следует отметить, что использование керамического, а нс кварцевого резонатора не ухудшило стабильности сигналов DTMF по частоте. Отклонение частот от номинальных значений для нижней группы не более 0,3%, а для верхней — не более 0,6%.

Более подробно рассмотрим серию микросхем UM91214/15, состоящую из восьми типономина- лов:

UM91214/15A — корпус DIP 16, импульсно-тональный номеронабиратель;

UM91214/15B — корпус DIP18, ЭНН с индикацией режима набора и сигналом подтверждения нажатия кнопки;

UM91214/15C - корпус DIP18, ЭНН с управлением спикерфоном;

UM91214/15D — корпус DIP20, ЭНН с индикацией режима набора, сигналом подтверждения нажатия кнопки и управлением спикерфоном. Все перечисленные ИМС работают с показанной на рис. 3.24 тастатурой и отличаются тем, что при импульсном наборе микросхемы ...14/A/B/C/D, имеют импульсный коэффициент (В/М) равный 2, а частота следования импульсов может быть 10 или 20 Гц, а микросхемы ...15/A/B/C/D при частоте следования импульсов 10 Гц могут обеспечивать два значения В/М: 2 или 1,5. На рис. 3.25 показана цоколевка корпуса DIP20 для ИМС UMC91215D, как наиболее развитойвэтойсерии

кратковр. отбой (FLASH) гарантированный отбой программируемая пауза повтор поел. набр. номеракратковр. отбой (FLASH) гарантированный отбой программируемая пауза повтор поел. набр. номераРис. 3.24. Организация тастатурыРис. 3.24. Организация тастатурыВх. упр. спикер.Вх. упр. спикер.Рис. 3.26. Упрощенная структурная схема UM91314BРис. 3.26. Упрощенная структурная схема UM91314BВых. упр. спикер.HFC01ran hfciВход РПНК IN151П4 1Вх. выб. реж.MODE IN3ClJ£J R3Подключ, кварцевогоrosci4ПИ R2резонатораLosco5161 R1 JОбщий (корпус)GND615 1 03Напряжение питанияVccо4H ci .Вых. сигн. DTMFTONE OUT8Вых. разг, ключаDT OUT9151 DPOВх. выб. реж.MODE OUT10JJJ ктоВых. упр. спикер.HFC01ran hfciВход РПНК IN151П4 1Вх. выб. реж.MODE IN3ClJ£J R3Подключ, кварцевогоrosci4ПИ R2резонатораLosco5161 R1 JОбщий (корпус)GND615 1 03Напряжение питанияVccо4H ci .Вых. сигн. DTMFTONE OUT8Вых. разг, ключаDT OUT9151 DPOВх. выб. реж.MODE OUT10JJJ ктоРис. 3.25. Цоколевка корпуса ИМС UM91215DРис. 3.25. Цоколевка корпуса ИМС UM91215DСтроки тастатурыСтолбцы тастатурыВых. имп. ключа Вых. сигн. подт. наж.Строки тастатурыСтолбцы тастатурыВых. имп. ключа Вых. сигн. подт. наж.и наиболее соответствующей требованиям нормативных документов, действующих в СНГ. Серия

кратковр. отбой (FLASH) гарантированный отбой программируемая пауза повтор поел. набр. номера

кратковр. отбой (FLASH) гарантированный отбой программируемая пауза повтор поел. набр. номера

Рис. 3.24. Организация тастатуры

Рис. 3.24. Организация тастатуры

Вх. упр. спикер.

Вх. упр. спикер.

Рис. 3.26. Упрощенная структурная схема UM91314B

Рис. 3.26. Упрощенная структурная схема UM91314B

Вых. упр. спикер.

HFC0

1

ran hfci

Вход РП

НК IN

151П4 1

Вх. выб. реж.

MODE IN

3

Cl

J£J R3

Подключ, кварцевого

rosci

4

ПИ R2

резонатора

Losco

5

161 R1 J

Общий (корпус)

GND

6

15 1 03

Напряжение питания

Vcc

о

4H ci .

Вых. сигн. DTMF

TONE OUT

8

Вых. разг, ключа

DT OUT

9

151 DPO

Вх. выб. реж.

MODE OUT

10

JJJ кто

Вых. упр. спикер.

HFC0

1

ran hfci

Вход РП

НК IN

151П4 1

Вх. выб. реж.

MODE IN

3

Cl

J£J R3

Подключ, кварцевого

rosci

4

ПИ R2

резонатора

Losco

5

161 R1 J

Общий (корпус)

GND

6

15 1 03

Напряжение питания

Vcc

о

4H ci .

Вых. сигн. DTMF

TONE OUT

8

Вых. разг, ключа

DT OUT

9

151 DPO

Вх. выб. реж.

MODE OUT

10

JJJ кто

Рис. 3.25. Цоколевка корпуса ИМС UM91215D

Рис. 3.25. Цоколевка корпуса ИМС UM91215D

Строки тастатуры

Столбцы тастатуры

Вых. имп. ключа Вых. сигн. подт. наж.

Строки тастатуры

Столбцы тастатуры

Вых. имп. ключа Вых. сигн. подт. наж.

UM91234/35/36/37 полностью, вплоть до цоколевки, повторяет описанную, а в серии UM91314/15/ 16/17 добавлена функция однокнопочного набора номера. Емкость памяти ИМС этой серии составляет 3 номера по 16 знаков каждый.

Упрощенная структурная схема ИМС UM91314B приведена на рис. 3.26. Модификация А, В, С и D в обеих упомянутых выше сериях имеют такие же отличия, как у UM91214A и UM91214D. Среди импульсно-тональных ЭНН ф. UMC есть и ИМС такого назначения, работающие под управлением контроллера и осуществляемого двоичным кодом по последовательному и параллельному интерфейсу. Эти ИМС обычно используются в схемах модемов и факс- аппаратов, т.к. напряжение питания у них достаточно высоко. Так, у микросхемы UM91260C диапазон рабочих напряжений лежит в пределах 6...12 В, а максимально допустимая мощность рассеивания почти в полтора раза выше, чем у описанных ранее. Еще одной особенностью этой ИМС есть то, что сигнал DTMF формируется вне самого ЭНН отдельной микросхемой.

В отличие от сказанного, ИМС UM91531 (параллельный интерфейс) работает в обычном диапазоне рабочих напряжений (2,5 ...5,5 В) и имеет в своем составе встроенный генератор сигналов DTMF. Корпус типа DIP16.

Наиболее сложной ИМС ЭНН этой фирмы является UM91273, обладающая, кроме описанных для предыдущих микросхем функций, еще и функцией электронного удержания —- «hold», и памятью на 20 восемнадцатизначных номеров. Микросхема выпускается в корпусе типа DIP28 и относится к классу наиболее экономичных. Диапазон рабочих напряжений 1,8...3,5 В, а рассеиваемая мощность не превышает 350 мВт. ИМС работает с мощной клавиатурой (5x8) и поддерживает режим «свободные руки». Цоколевка корпуса этой ИМС представлена на рис.3.27.

Как видно из рис.3.27, цоколевка корпуса DIP28 UM91273 во многих позициях совпадает с цоколевкой ИМС ф.SAMSUNG KS58531D, близкого к описываемой назначения.

Вообще у ИМС этих двух фирм есть много общего. Поэтому можно встретить модели электронных ТА, где такие микросхемы используются совместно.

Среди микросхем ф. UMC, формирующих сигналы частотного набора номера, есть и такие, что обеспечивают только частотный набор— UM95088 в корпусе DIP14, рабочее напряжение в пределах 1,8...5,5 В, стандартная тастатура 3x4, и такие, что обеспечивают полный набор функций современного ЭТА. Это гибридные микросхемы сверхбольшой степени интеграции — СБИС — с количеством контактов до 80 и управлением многоразрядным (до 16) жидкокристаллическим дисплеем — ЖКИ.

Приведем краткое описание одной из таких микросхем — UM93403-01. Микросхема в пластмассовом корпусе типа PLCC80, рабочее напряжение в пределах 2,5...5,5 В, емкость ОЗУ 4 кбита, емкость программируемой памяти 40 кбит, встроенный будильник с многотональным акустическим сигналом. Встроенный детектор вызова и формирователь многотонального акустического сигнала вызова, отличного от будильника.

Поскольку эта ИМС имеет большой объем памяти и полный набор сервисных функций ЭТА, то встроенный контроллер имеет собственный генератор для формирования тактовой частоты.

Столбец тает.Вых. сигн. реж.Строки тастатурыВход РПсе EZZR0R1 ГзR2 ULR3 Гб"R4 СЕHKI ГТ"со см222 с?20 С6 Тб! С5 J&J С4232 сз222 С223 С1 -Столбцы тастатурыВыб. имп. коэфф.м/bi ГоО)2U DP0Вых. имп. ключаВых. выбр. реж. MODE 0 I 9220 I MUTE 0Вых. разг, ключаВх. выбр. реж. MODE 1 I 10 Подкл. кварц. Г OSC1 П 1 резонатора LosCO ПТНапр. пит. (+)уссПТОбщий GND ПТТП TONE 032 HD1Т71 hdo32 HFC1НИ HFCOВых. сигн. DTMF Вх. эл. удерж.(hold) Вых.эл.удерж, (hold) Вх. «free hand» Вых. «free hand»Столбец тает.Вых. сигн. реж.Строки тастатурыВход РПсе EZZR0R1 ГзR2 ULR3 Гб"R4 СЕHKI ГТ"со см222 с?20 С6 Тб! С5 J&J С4232 сз222 С223 С1 -Столбцы тастатурыВыб. имп. коэфф.м/bi ГоО)2U DP0Вых. имп. ключаВых. выбр. реж. MODE 0 I 9220 I MUTE 0Вых. разг, ключаВх. выбр. реж. MODE 1 I 10 Подкл. кварц. Г OSC1 П 1 резонатора LosCO ПТНапр. пит. (+)уссПТОбщий GND ПТТП TONE 032 HD1Т71 hdo32 HFC1НИ HFCOВых. сигн. DTMF Вх. эл. удерж.(hold) Вых.эл.удерж, (hold) Вх. «free hand» Вых. «free hand»Рис. 3.27. Цоколевка корпуса ИМС UM91273Рис. 3.27. Цоколевка корпуса ИМС UM91273Таким образом, совместно с микросхемой используются два кварцевых резонатора: ♦ один, для формирования тональных, в том числе и DTMF-сигналов с собственной частотой 3,58 МГц; ♦ второй, для формирования тактовой частоты контроллера (fc резонатора не документирована).

Столбец тает.

Вых. сигн. реж.

Строки тастатуры

Вход РП

се EZZ

R0

R1 Гз

R2 UL

R3 Гб"

R4 СЕ

HKI ГТ"

со см

222 с?

20 С6 Тб! С5 J&J С4

232 сз

222 С2

23 С1 -

Столбцы тастатуры

Выб. имп. коэфф.

м/bi Го

О)

2U DP0

Вых. имп. ключа

Вых. выбр. реж. MODE 0 I 9

2

20 I MUTE 0

Вых. разг, ключа

Вх. выбр. реж. MODE 1 I 10 Подкл. кварц. Г OSC1 П 1 резонатора LosCO ПТ

Напр. пит. (+)уссПТ

Общий GND ПТ

ТП TONE 0

32 HD1

Т71 hdo

32 HFC1

НИ HFCO

Вых. сигн. DTMF Вх. эл. удерж.(hold) Вых.эл.удерж, (hold) Вх. «free hand» Вых. «free hand»

Столбец тает.

Вых. сигн. реж.

Строки тастатуры

Вход РП

се EZZ

R0

R1 Гз

R2 UL

R3 Гб"

R4 СЕ

HKI ГТ"

со см

222 с?

20 С6 Тб! С5 J&J С4

232 сз

222 С2

23 С1 -

Столбцы тастатуры

Выб. имп. коэфф.

м/bi Го

О)

2U DP0

Вых. имп. ключа

Вых. выбр. реж. MODE 0 I 9

2

20 I MUTE 0

Вых. разг, ключа

Вх. выбр. реж. MODE 1 I 10 Подкл. кварц. Г OSC1 П 1 резонатора LosCO ПТ

Напр. пит. (+)уссПТ

Общий GND ПТ

ТП TONE 0

32 HD1

Т71 hdo

32 HFC1

НИ HFCO

Вых. сигн. DTMF Вх. эл. удерж.(hold) Вых.эл.удерж, (hold) Вх. «free hand» Вых. «free hand»

Рис. 3.27. Цоколевка корпуса ИМС UM91273

Рис. 3.27. Цоколевка корпуса ИМС UM91273

Ввиду того, что работа ЖКИ требует довольно значительной мощности, то для этой функции, а также для питания усилителей мощности звуковых сигналов будильника используется дополнительный источник питания обычно в виде батареи из 3 элементов типа АА. Упрощенная структурная схема UM93403-01 приведена на рис.3.28.

В этой серии, в таком же корпусе, выпускалось еще несколько микросхем аналогичного назначения:

UM93404-01 — полный аналог описанной;

UM93412-01 — управление 12-разрядным ЖКИ.

Универсальный НН фирмы WINBOND (Taivan)

Следующими в нашем обзоре идут ИМС ЭНН производства фирмы WINBOND (Taiwan).

Вначале, как обычно, остановимся на общих для всех ИМС этой фирмы характеристиках.

Рабочее напряжение питания микросхем импульсно-частотных номеронабирателей ф. WINBOND лежит в пределах от 2,0 до 5,5 В. Диапазон рабочих температур стандартный: от - 20 до +70°С (температура хранения от -20 до 150°С). Максимально допустимая рассеиваемая мощность не более 200 МВт. Все микросхемы этого типа выполнены по модифицированным КМОП технологиям. Емкость тастатуры определяется количеством сервисных функций и может достигать матрицы 8x10. Практически все ИМС работают как с кварцевым, так и с керамическим резонатором на частоту 3,579 МГц, а некоторые также и с «часовым» кварцевым резонатором на частоту 32768 Гц (для обеспечения работы часов реального времени на ЖКИ при уложенной МТТ). Сопротивление замкнутого контакта тастатуры должно быть не более 5 кОм.

За свою историю ф. WINBOND выпустила более сотни ИМС ЭНН (включая модификации), поэтому мы приведем некоторые из них, ставшие особенно популярными в последнее время.

Наше описание будет представлено в виде краткого обзора выполняемых функций трех серий ИМ электронных номеронабирателей — W91550, W91570, W91810.

Серия ИМС W91510 представляет собой импульсно-частотные ЭНН с встроенными контроллерами ЖКИ, с ОЗУ на 13 ячеек 16-ти значных номеров и функцией блокировки набора номера. Четыре ИМС этой серии имеющие между собой незначительное функциональное отличие (отличаются длительностью программируемой паузы между цифрами набора установленной по умолчанию и возможностью программирования сигнала FLASH), «упакованы» в 64-выводные корпуса и расчитаны на использование с матрицей тастатуры 4x7.

ИМС выполняет следующие основные функции: ♦ набор номера в импульсном и многочастотном режиме;

автоматический повтор номера (на 2 последних набранных номера) на 32 цифры;

автоматический однокнопочный (прямой) набор номера из памяти (3 ячейки ОЗУ на 16 цифр каждая);

автоматический двухкнопочный набор номера из памяти (10 ячеек ОЗУ на 16 цифр каждая);

программирование паузы между цифрами набора (2, 3.6, 4 с);

кнопка «секретность» отключения микрофона;

TEST1TEST1VccVcc72И78Н16] |?5]72И78Н16] |?5]СХЕМАПИТАНИЯ ИУПРАВЛЕНИЯСХЕМАПИТАНИЯ ИУПРАВЛЕНИЯПОРТЫ входов/ выходовПОРТЫ входов/ выходовФОРМИР. СИГНАЛА DTMFФОРМИР. СИГНАЛА DTMFЗАДАЮЩИЙ И ТАКТ.ГЕНЕРАТОРЗАДАЮЩИЙ И ТАКТ.ГЕНЕРАТОРВХОДНЫЕ ВЫХОДНЫЕ СХЕМЫВХОДНЫЕ ВЫХОДНЫЕ СХЕМЫИНТЕРФЕЙС ТАСТАТУРЫИНТЕРФЕЙС ТАСТАТУРЫИНТЕРФЕЙС 16-РАЗРЯДНОГО ЖКИИНТЕРФЕЙС 16-РАЗРЯДНОГО ЖКИ68681-й1-й4-й столбцы 1"й 32-й4-й столбцы 1"й 32-йсегменты ЖКИсегменты ЖКИЖКИЖКИПримечание: контакты 70,71,74 не используютсяПримечание: контакты 70,71,74 не используютсявых.сиг DTMFвых.сиг DTMFVLCDVLCDРис. 3.28. Упрощенная структурная схема ИМС UM93403-01Рис. 3.28. Упрощенная структурная схема ИМС UM93403-01программирование времени FLASH (98, 300, 600 мс);

TEST1

TEST1

Vcc

Vcc

72И78Н16] |?5]

72И78Н16] |?5]

СХЕМАПИТАНИЯ ИУПРАВЛЕНИЯ

СХЕМАПИТАНИЯ ИУПРАВЛЕНИЯ

ПОРТЫ входов/ выходов

ПОРТЫ входов/ выходов

ФОРМИР. СИГНАЛА DTMF

ФОРМИР. СИГНАЛА DTMF

ЗАДАЮЩИЙ И ТАКТ.

ГЕНЕРАТОР

ЗАДАЮЩИЙ И ТАКТ.

ГЕНЕРАТОР

ВХОДНЫЕ ВЫХОДНЫЕ СХЕМЫ

ВХОДНЫЕ ВЫХОДНЫЕ СХЕМЫ

ИНТЕРФЕЙС ТАСТАТУРЫ

ИНТЕРФЕЙС ТАСТАТУРЫ

ИНТЕРФЕЙС 16-РАЗРЯДНОГО ЖКИ

ИНТЕРФЕЙС 16-РАЗРЯДНОГО ЖКИ

68

68

1-й

1-й

4-й столбцы 1"й 32-й

4-й столбцы 1"й 32-й

сегменты ЖКИ

сегменты ЖКИ

ЖКИ

ЖКИ

Примечание: контакты 70,71,74 не используются

Примечание: контакты 70,71,74 не используются

вых.сиг DTMF

вых.сиг DTMF

VLCD

VLCD

Рис. 3.28. Упрощенная структурная схема ИМС UM93403-01

Рис. 3.28. Упрощенная структурная схема ИМС UM93403-01

функция блокировки набора номера (например, при выходе на междугороднюю АТС) после набора цифр 0 и/или 9;

программирование импульсного коэффициента (1,5 или 2,0);

встроенный контроллер 10-разрядного ЖКИ с функцией таймера времени разговора.

Серия ИМС W91570 представляет собой импульсно-частотные ЭНН с встроенными контроллерами 12/16 разрядного ЖКИ, с ОЗУ на 23 ячейки 16-тизначных номеров, а также функциями блокировки набора номера и автоповтора. Четыре ИМС этой серии имеют между собой незначительное функциональное отличие (отличаются значностью дисплея 12 либо 16 цифр и требованием по напряжению питания батарейки для таймера 1,5 либо 3,0 В), «упакованы» в 80-ти выводные корпуса и рассчитаны на использование с матрицей тастатуры 6x10. ИМС работают с кварцевым (керамическим) резонатором для частоты 3,579 МГц, а также с «часовым» кварцевым резонатором частоты 32768 Гц, (для обеспечения работы часов реального времени на ЖКИ при уложенной МТТ).

ИМС обеспечивают выполнение следующих основных функций:

набор номера в импульсном и тональном режимах;

автоматический повтор номера (на 3 последних набранных номера) на 32 цифры;

автоматический однокнопочный (прямой) либо двухкнопочный набор номера из памяти (12 ячеек ОЗУ на 16 цифр каждая);

программирование скорости набора (10 или 20 имп. в с);

программирование паузы между цифрами набора (2 или 3,6 с);

кнопка «секретность» отключения микрофона; ♦ программирование времени «FLASH» (100, 300, 600 мс);

функция блокировки набора номера (например при выходе на междугородную АТС) после набора цифр 0 и/или 9;

программирование импульсного коэффициента (1,5 или 2,0);

обеспечивает каскадный и смешанный набор номера;

встроенный контроллер 10-разрядного ЖКИ с функцией таймера времени разговора;

возможность переключения типа отображения (на 2 по 12 либо 24 часа в сутки), таймер времени разговора от 00:00 до 59:59;

автоматический повтор (1-кратный) с возможностью программирования параметров автоповтора).

Серия ИМС W91810 представляет собой импульсно-частотные ЭНН с ОЗУ на 23 ячейки 16- тизначных номеров, функциями блокировки набора номера и управлением в режиме HANDFREE с удержанием соединения — HOLD. Девять ИМС этой серии отличаются между собой 6 параметрами: скоростью набора номера, распределением памяти ОЗУ по типам набора, а также наличием дополнительных функций — блокировкой набора, громкоговорящего режима работы, контролем громкости приема речи и установкой индикации нажатия кнопки.

В зависимости от наличия вышеуказанных функций ИМС располагаются в пластмассовых корпусах с количеством выводов от 22 до 28 (три типономинала) и рассчитаны на использование с матрицей тастатуры 6x6 либо 7x7. ИМС работают с кварцевым или керамическим резонатором для частоты 3,579 МГц и при этом выполняют следующие основные функции (указан максимальный сервисный набор):

набор номера в импульсном и многочастотном режимах;

автоматический повтор номера (на 2 последних набранных номера) на 32 цифры;

автоматический однокнопочный (прямой) либо двухкнопочный набор номера из памяти (в зависимости от выбранной ИМС);

программирование скорости набора (10 или 20 имп. в с);

кнопка «секретность» отключения микрофона;

программирование времени «FLASH» (73, 100, 300, 600 мс);

функция блокировки набора номера (напр. при выходе на междугородную АТС) после набора цифр 0 и/или 9;

программирование импульсного коэффициента (1,5 или 2,0);

кнопки управления режимом HANDFREE и HOLD;

4-х уровневый режим управлением громким приемом (2 кнопки);

звуковая индикация набора номера и др.

Как уже указывалось в начале этой главы, более подробно рассматриваются микросхемы электронных НН только самых «мощных» производителей. Поэтому данный раздел мы завершаем. В таблице Приложения 5 приведен насколько возможно полный перечень ИМС этого назначения с указанием фирм (предприятий) изготовителей по состоянию на начало 2000 года.

Упрощенные блок-схемы ИМС серий W91550DN, W91810N и W91570DN приведены на рис. 3.29, 3.30 и 3.31 соответственно.

ВЫВОДЫ КВАРЦЕВОГО (КЕРАМ.) РЕЗОНАТОРА хт xf

Рис. 3.29. Упрощенная блок-схема ИМС серии W91550DN

ВЫВОДЫ КВАРЦЕВОГО

(КЕРАМ) РЕЗОНАТОРА

'хт *

Т t

ВХОДРПВХОД УПРАВЛЕНИЯВХОДРПВХОД УПРАВЛЕНИЯHKS ► ГЕНЕРАТОР

ВХОДРП

ВХОД УПРАВЛЕНИЯ

ВХОДРП

ВХОД УПРАВЛЕНИЯ

НЯ ^ СИСТЕМНЫХ ЧАСОВ

О

О с О

ROW (RL. R4)

COLUMN (CL. .06)

ЛОГИКА УПРАВЛЕНИЯ

ЦИФРОАНАЛОГОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

ЗАЦЕПКА АДРЕСА

ЛОГИКА УПРАВЛЕНИЯ

РЕЖИМОВ (ИМП./ЧАСТОТА)

ш о.

ь

MODE ВХОД УСТАНОВКИ РЕЖИМА НН (TONE/PULSE)

LOCK ВХОД УПРАВЛЯЮЩИЙ БЛОКИРОВКОЙ

СЧЕТЧИК

ЧТЕНИЯ/ЗАПИСИ

аз < 5

ОПЕРАТИВНОЕ

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО (ОЗУ)

ВЫХОД ДВУХТОНАЛЬНОГО СИГНАЛА

DTMF

ПРОГРАММИРУЕМЫЙ СЧЕТЧИК СТОЛБЦОВ-КОЛОНОК

ДЕКОДЕР

ЗАЦЕПКИ ДАННЫХ

-N-T/PMUTE

-► КГ

ВЫХОД УПРАВЛЕНИЯ РК (РАЗГОВ. КП.) ЗВУК. ИНДИКАЦИЯ НАЖАТИЯ КНОПКИ

DP НГО

-*■ Н/Р MUTE

ВЫХОД УПРАВЛЕНИЯ ИК

ВЫХОД УПРАВЛЕНИЯ «HANDFREE»

ВЫХОД РК (РАЗГОВ. КЛЮЧ)

-*• К MUTE

ВЫХОДЫ УПРАВЛЕНИЯ ГРОМКОСТИ В РЕЖИМЕ «HANDFREE»

“►V2

* ВЫХОД УПРАВЛЕНИЯ «MUTE»

Рис. 3.30. Упрощенная блок-схема ИМС серии W91810N

ш о.

5

V DO VSS

ВЫВОДЫ ГЕНЕРАТОРАТАЙМЕРА/ЧАСОВ

XT

XT

ГЕНЕРАТОР ЧАСОВ

РЕАЛЬНОГО ВРЕМЕНИ

5

£

е

ROW (R1...R4)

COLUMN (С1...С6)

tn

5

ВЫВОДЫ КВАРЦЕВОГО (КЕРАМ.) РЕЗОНАТОРА

XT

XT

ГЕНЕРАТОР

СИСТЕМНЫХ ЧАСОВ

ВЫХОД ДВУХТОНАЛЬНОГО СИГНАЛА

DTMF

ВЫВОДЫ ДЛЯ V ПИТ. ^ 1 И ТАЙМЕРА

НН

LOCK

в/м

MODE

ARD

*■ HFO

*- КТ

*- KMUTE

ДЕКОДЕР ВЬБОРА СЕГМЕНТОВ ЖКИ

ЗАЦЕПКА АДРЕСА

ГЕНЕРАТОР СИГНАЛОВ УПРАВЛЕНИЯ ЖКИ

ЛОГИКА УПРАВЛЕНИЯ

РЕЖИМОВ

(ИМП./ЧАСТОТА)

СЧЕТЧИК ЧТЕНИЯ/ЗАПИСИ

SETRTC АР SET hks

ДЕКОДЕР

ЗАЦЕПКИ ДАННЫХ

ПРОГРАММИРУЕМЫЙ СЧЕТЧИК СТОЛБЦОВ-КОЛОНОК

ОПЕРАТИВНОЕ

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ

УСТРОЙСТВО(ОЗУ)

СОМ1 COM2 COM3 (Х)М4

ВЫВОДЫ УПРАВЛЕНИЯ ЖКИ

ЦИФРОАНАЛОГОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

V LCD

V RTC1

V RTC2

УСТАНОВКА ЧАС., МИНУТ

РЕЖИМ ЧАСОВ (12/24 Ч. В СУТКАХ) ВХОД РП

ЛОГИКА

управления

L С. D. ЖКИ

УПРАВЛЕНИЕ «HANDFREE»

ВХОД УПРАВЛЕНИЯ БЛОКИРОВКОЙ

УСГ. ИМПУЛЬС. КОЭФФИЦИВ-ГГА

УСТАН. РЕЖИМА НН (ИМП.ЧАСТОТА)

УСТ. АВТОПОВТОРА

> Н/Р MUTE

> Т/Р MUTE

ВЫХОД РК (РАЗГОВ. КЛЮЧ)

ВЫХОД УПРАВЛЕНИЯ РК

^ DP/C10

УПРАВЛЕНИЕ «FLASH»

УПРАВЛЕНИЕ «HANDFREE»

ЗВУКОВАЯ ИНДИКАЦИЯ НАЖАТИЯ КНОПКИ

УПРАВЛЕНИЕ «МЦТЕ>

Рис. 3.31. Упрощенная блок-схема ИМС серии W91810N и W91570DN

Микросхемы устройств приема вызова

В этом разделе речь пойдет о микросхемах, которые заменили один из наиболее «древних» элементов телефонного аппарата — электромеханический звонок переменного тока. Как известно, вызов от телефонной станции к ТА посылается переменным током с частотой от 17 до 50 Гц и напряжением, достигающим на выходе в линию значения в диапазоне 90... 130 В. При этом ток в линии должен быть таким, чтобы максимальная мощность вызывного сигнала не превышала 100 мВт. Отсюда следует, что вызывная цепь ТА должна быть достаточно высокоомной, при этом модуль (абсолютное значение) сопротивления цепи вызова ТА должен быть в диапазоне 4,0... 10,0 кОм при частоте вызывного тока 25 Гц.

Поскольку активное сопротивление звонковой обмотки в разных модификациях лежало в пределах 500... 1500 Ом, а последовательно со звонком включался конденсатор емкостью 1,0 мкФ, то это требование выполнялось практически всегда.

Как только вместо звонка стали использовать электронные приборы (транзисторы, диоды), то пришлось вводить в вызывную цепь дополнительные резисторы или уменьшать емкость конденсатора более, чем в два раза. Обычно у современных ЭТА такой конденсатор имеет емкость 0,47мкФ. Но следует заметить, что применение в вызывных цепях полевых транзисторов и микросхем КМОП технологии, обладающих достаточно высоким сопротивлением, заставило разработчиков вернуться к емкости в цепи вызова величиной в 1 мкФ.

Первые тональные вызывные устройства (ТВУ) преобразовывали индукторный вызывной ток с частотой 20...25 Гц в акустический сигнал типа «трель», представляющий собой переменный ток с частотой 500...2600 Гц, переключаемый от 6 до 25 раз в секунду. Питание такого ТВУ осуществляется от того же индукторного тока, должным образом выпрямленного с понижением напряжения до величины рабочего напряжения электронных устройств. Сигнал вызова, вырабатываемый ТВУ, возбуждает преобразователь обычно пьезоэлектрического типа (в некоторых ЭТА — электродинамический), который производит акустический сигнал такой же структуры, что и электрический. Громкость такого сигнала обычно составляет в максимуме 70...75 дБА (децибел по шкале А) и может регулироваться в сторону уменьшения плавно или ступенчато вплоть до полного выключения.

В настоящее время существует четыре типа вызывных устройств используемых в ТА (указаны в порядке эволюции) — электромеханическое, электронное на дискретных элементах и ИМС общего назначения, ТВУ на специализированных ИМС и четвертый тип — интегриро

ванные ТВУ — встроенные в единую ИМС совместно с другими узлами ТА, выполняющими свои специфические функции.

Электромеханическое вызывное устройство в ЭТА уже практически не применяется и из-за подробного его описания, приведенного практически во всех аналогичных изданиях, мы останавливаться на нем не будем.

Второй тип вызывного устройства, в соответствии с указанной ранее последовательностью, получил широкое распространение с конца 70-х и до конца 80-х гг., а на территории стран бывшего СССР вплоть до 1992 года. Широкое распространение (особенно в ЭТА предприятия ВЭФ) получили разнообразные модификации ТВУ на основе распространенной «логической» ИМС типа 561ЛА7. Наибольшее распространение в п ослед- ние годы получили устройства вызова, реализованные на базе специализированных ИМС, и поэтому их описанию мы уделим основное место. В самое последнее время все больше распространение получают интегрированные ТВУ, особенно в составе с ТА, такие примеры также будут приведены нами в последующем изложении.

Микросхемы ТВУ отечественного производства

Рассмотрение микросхем этого назначения начнем с КР1008ВЖ4, которая выпускалась заводом «Родон» (Ивано-Франковск, Украина) в конце 80-х — начале 90-х гг. Микросхема КМОП технологии выпускалась в корпусе DIP14. Напряжение питания лежит в пределах 6... 15 В, а диапазон рабочих температур минус 25...70°С. Прототипом послужила микросхема S2561 фирмы AMI. Цоколевка 1008ВЖ4 приведена на рис. 3.32.

Микросхема, в зависимости от первичной установки, позволяет воспроизведение 2-х или 3-х тональной последовательности звуковых частот с соотношениями 5:6, 4:5 или 4:5:6, переключаемых с частотой близкой к 16 Гц. Частоты акустического сигнала вызова близки к значениям 512, 640 и 768 Гц и могут отличаться от указанных в пределах ±10%, т.к. частотозадающие элементы генератора тональной частоты (R и С) обычно используются непрецезионные. Выходной сигнал вызова имеет мощность порядка 50... 100 мВт, а максимальная рассеиваемая мощность микросхемы не должна превышать значения 300 мВт. Последовательность звучания акустического сигнала вызова в зависимости от установки сигналов на контактах 9 и 10 микросхемы показана в табл. 3.19.

Если на контакт 5(S) подать сигнал логической «1» (не менее 4,75 В), то на выходе микросхемы будет формироваться непрерывный одночастотный сигнал, состоящий из одной частоты — первой в последовательности, указанной в табл. 3.19.

Микросхема также обеспечивает возможность ступенчатой автоматической регулировки громкости вызывного сигнала (первая посылка вызова — самая тихая, вторая — громче, третья и все последующие — наиболее громкие).

Эта микросхема широко применялась в первых разработках ЭТА в СССР и СНГ, а возможность использования в нетелефонных схемах обеспечила этой ИМС заметное место в различных сигнальных системах. К недостаткам этой микросхемы следует отнести необходимость внешнего моста и стабилизатора напряжения питания, что усложняет и удорожает схему ТВУ.

Последующие образцы микросхем ТВУ строились на базе более высокой степени интеграции, что значительно упростило схему вызывного устройства.

Следующим рассмотрим формирователь вызывного сигнала — микросхему КР1064ПП1, производившуюся заводом «Светлана» (Санкт-Петербург, Россия).

Прототипом этой микросхемы послужила ИМС типа PSB6520 ф. SIEMENS. Микросхема реализована в корпусе DIPS, который практически стал базовым для ИМС этого назначения у большинства производителей. Основным отличием этой микросхемы от 1008ВЖ4 является наличие встроенных мостового выпрямителя и стабилитрона, что позволило питать ТВУ непосредственно вызывным током телефонной линии. Предельное значение напряжения переменного тока составляет 56 В. Следует указать, что использование этой микросхемы на телефонных сетях СНГ, где напряжение вызывного сигнала в телефонной линии может достигать величины порядка 170 В, без предварительной обработки этого сигнала весьма проблематично, т.к. для прототипа указано, что к его входным контактам можно приложить напряжение ПО В с частотой 50 Гц на время не более 3-х секунд. Хотя время посылки вызывного тока от АТС на сетях СНГ не должно быть более 1с, но указанное, трехкратное превышение вызывного напряжения может привести к повреждению микросхемы.

Выбор тона звуковых частот вызывного акустического сигнала определяется значением резистора, подключаемого к контакту 4, а частота переключений этих частот — емкостью — к контакту 3. Отношение частот — 31:38. Нагрузка микросхемы по выходу акустического сигнала высокоомная. Обычно используется пьезоэлектрический преобразователь с эквивалентной емкостью порядка 47 нФ и сопротивлением на частоте 1000 Гц около 3,4 кОм. Если используется низкоомный громкоговоритель, то необходимо применять понижающий трансформатор и дополнительную RC цепочку для создания IZI порядка, указанного выше. Цоколевка корпуса КР1064ПП1 показана на рис. 3.33.

Подключение акустического преобразователя можно осуществить двумя способами:

к контактам 2 и 5;

к контактам 5 и 6.

Во втором случае мощность на преобразователе будет выше. Однако, если есть необходимость подключения второго вызывного устройства (например, оптического индикатора), то используется первый способ, и дополнительное устройство подключается к контактам 2 и б. При сопротивлении RT порядка 16 кОм тональные частоты могут принимать следующие значения:

нижняя частота 680...940 Гц;

верхняя частота 830...1150 Гц.

Вх. напр. выз. «Земля» (общ.) Подкл. емк. переключ. Упр. тоном з. ч.Рис. 3.33.Вх. напр. выз. «Земля» (общ.) Подкл. емк. переключ. Упр. тоном з. ч.Рис. 3.33.Земля (Общий) GNDЧастотоза- FRC2Земля (Общий) GNDЧастотоза- FRC2дающая цепь R2 генер. тон. частоты _ С2 Упр. структ. выз. CS Вых. акустического сигнала FL2 вызова L1дающая цепь R2 генер. тон. частоты _ С2 Упр. структ. выз. CS Вых. акустического сигнала FL2 вызова L1RC11 Частотоза-RC11 Частотоза-Рис. 3.32. Цоколевка корпуса ИМС 1008ВЖ4Рис. 3.32. Цоколевка корпуса ИМС 1008ВЖ4RI дающая цепьС1 J тактов, генер.ВС Вх. разр. сигналаN1 "1 Вы б. последовательности акуст. сигналаJ вызоваRI дающая цепьС1 J тактов, генер.ВС Вх. разр. сигналаN1 "1 Вы б. последовательности акуст. сигналаJ вызоваVccVccЧ\С2GND cs RtЧ\С2GND cs RtВх. напр. выз.Подкл. фильтр. С Инверт. вых. з. ч. Вых. з. ч.Вх. напр. выз.Подкл. фильтр. С Инверт. вых. з. ч. Вых. з. ч.Цоколевка корпуса ИМС КР1064ПП1Цоколевка корпуса ИМС КР1064ПП1Переключение этих частот осуществляется 5... 10 раз в секунду при емкости Cs=68 нФ.

Вх. напр. выз. «Земля» (общ.) Подкл. емк. переключ. Упр. тоном з. ч.

Рис. 3.33.

Вх. напр. выз. «Земля» (общ.) Подкл. емк. переключ. Упр. тоном з. ч.

Рис. 3.33.

Земля (Общий) GND

Частотоза- FRC2

Земля (Общий) GND

Частотоза- FRC2

дающая цепь R2 генер. тон. частоты _ С2 Упр. структ. выз. CS Вых. акустического сигнала FL2 вызова L1

дающая цепь R2 генер. тон. частоты _ С2 Упр. структ. выз. CS Вых. акустического сигнала FL2 вызова L1

RC11 Частотоза-

RC11 Частотоза-

Рис. 3.32. Цоколевка корпуса ИМС 1008ВЖ4

Рис. 3.32. Цоколевка корпуса ИМС 1008ВЖ4

RI дающая цепь

С1 J тактов, генер.

ВС Вх. разр. сигнала

N1 "1 Вы б. последовательности акуст. сигнала

J вызова

RI дающая цепь

С1 J тактов, генер.

ВС Вх. разр. сигнала

N1 "1 Вы б. последовательности акуст. сигнала

J вызова

Vcc

Vcc

Ч\С2

GND cs Rt

Ч\С2

GND cs Rt

Вх. напр. выз.

Подкл. фильтр. С Инверт. вых. з. ч. Вых. з. ч.

Вх. напр. выз.

Подкл. фильтр. С Инверт. вых. з. ч. Вых. з. ч.

Цоколевка корпуса ИМС КР1064ПП1

Цоколевка корпуса ИМС КР1064ПП1

Таблица 3.19.

Логический уровень на контакте

Порядок чередования частот акустического сигнала

9(N2)

10 (N^

0

1

640-^768

1

0

640^768

1

1

512^768-^640

Обычно RT — переменный резистор, движок которого выводится наружу корпуса ЭТА, предоставляя пользователю возможность самому выбирать тональность акустического сигнала вызова.

Одновременно с описанной микросхемой выпускалась и КР1085ПП1 (з-д «Родон», г. Ивано-Франковск, Украина), отличавшаяся только несколько пониженной мощностью вызывного сигнала. Цоколев- ка этой ИМС полностью совпадает с КР1064ПП1, а при RT = 25 кОм нижняя частота лежит в пределах 600...840 Гц, верхняя — 1830...2150 Гц.

Диапазон рабочих температур этих микросхем минус 2О...+7О°С, а максимально допустимая мощность порядка 400...600 мВт.

Следующей рассмотрим микросхему КР1091ГП1 производства объединения «Электроника», Россия. Ее прототип — L3240 ф. SGS- THOMSON MICROELECTRONICS, Франция. Корпус и цоколевка полностью идентичны описанным для предыдущих микросхем. Основное положительное отличие — высокое (до 200В) входное напряжение вызова, а следовательно, и большая надежность работы в телефонных сетях СНГ. При Rt = 14 кОм и Cs=100 нФ генерируются частоты 1,4...2,0 кГц и 2.0...2,66 кГц, переключаемые 10 раз в секунду. Эта микросхема имеет несколько большую максимально допустимую мощность — 700 мВт.

Микросхемы формирователя вызывного сигнала КР1059АП1/2 и ЭКР1436АП1/2 выпускаются АП КРЕМНИИ (г.Брянск, Россия) и заводом ИНТЕГРАЛ (г. Минск, Белоруссия) соответственно. Прототип обеих ML8204/05 фирмы GEC PLESSEY SEMICONDUCTORS (Великобритания). Корпуса DIP8, DIP8-A. Напряжение питания не более ЗОВ, выпрямительный мост и стабилитрон внешние. Цоколевка показана на рис. 3.34. Эти микросхемы имеют возможность запуска по контакту 2 (вход

триггера) в нетелефонных применениях, например — в схемах сигнальных устройств. Вырабатывают двухтональный сигнал с соотношением частот ^„=1,25 в диапазоне от 0,5 до 2,0 кГц, что определяется значениями Rh и Сн- Частота переключений — 10 Гц при Rl порядка 160 кОм и CL порядка 0,5 мкФ. Микросхемы имеют защиту от подрабатывания при импульсном наборе номера и при напряжении питания 21В обеспечивают отдачу мощности на акустический преобразователь (динамический громкоговоритель с обмоткой сопротивлением 8 Ом, включенный на выход 8 через RC-цепочку и понижающий трансформатор) порядка 40...50 мВт. Рабочий диапазон температур (-45...+65°С), а максимально допустимая рассеиваемая мощность не должна превышать 400 мВт. При питании микросхем от отдельного источника (нетелефонные применения) напряжение питания должно быть не менее 12 В (максимально 20 В), а напряжение запуска на контакте 2 порядка 10,5... 11,0 В. Микросхемы могут работать и в однотональном режиме без переключения частот. В случае применения в качестве акустического преобразователя пьезоэлемента он подключается непосредственно к контакту 8 и шунтируется емкостью порядка 0,1 мкФ для устранения послезву- чания. В этом случае частоты должны быть близкими к 2,0 кГц, т.к. пьезопреобразователи имеют наибольшую отдачу вблизи этой частоты.

Напр. питан. Вх. триггераНапр. питан. Вх. триггераКР1059АП1ЭКР1436АП1КР1059АП1ЭКР1436АП1vs TRIGvs TRIGOUT Вых. сигн. выз.RCH1rh J Задание f генер. ВЧGND «Земля» (общ.)OUT Вых. сигн. выз.RCH1rh J Задание f генер. ВЧGND «Земля» (общ.)Г* ROЗадание f генер. НЧГ* ROЗадание f генер. НЧРис. 3.34. Цоколевка корпуса ИМС КР1059АП1/2 и ЭКР1436АП1/2Рис. 3.34. Цоколевка корпуса ИМС КР1059АП1/2 и ЭКР1436АП1/2Линия «Земля» (общ.) Частота переключ. Тон. частотаЛиния «Земля» (общ.) Частота переключ. Тон. частотаL2 С ф н.и. OUTL2 С ф н.и. OUTКР5ОО1ГП1 (А,Б,В)КР5ОО1ГП1 (А,Б,В)L1 GND csL1 GND csЛинияЕмкост. фильтр Инверт. вых. з. ч. Вых. сигн. выз.ЛинияЕмкост. фильтр Инверт. вых. з. ч. Вых. сигн. выз.Рис. 3.35. Цоколевка корпуса ИМС КР5001ГП1 (А, Б, В)Рис. 3.35. Цоколевка корпуса ИМС КР5001ГП1 (А, Б, В)Среди микросхем ТВУ, выпускавшихся в СНГ, есть и КР5001ГП1 производства АО АНГСТРЕМ (г.Зеленоград, Россия), прототип которой LS1240A ф. SGS THOMSON MICROELECTRONICS, Франция. По сравнению с описанными выше эта микросхема имеет меньший ток потребления, что позволяет параллельное подключение к телефонной линии до 4-х ЭТА. Корпус DIP8, его цоколевка приведена на рис.3.35. Микросхема выпускалась в трех типономиналах А, Б и В, отличавшихся только тональными частотами: А — наиболее высокие; В — самые низкие. В составе

Напр. питан. Вх. триггера

Напр. питан. Вх. триггера

КР1059АП1

ЭКР1436АП1

КР1059АП1

ЭКР1436АП1

vs TRIG

vs TRIG

OUT Вых. сигн. выз.

RCH1

rh J Задание f генер. ВЧ

GND «Земля» (общ.)

OUT Вых. сигн. выз.

RCH1

rh J Задание f генер. ВЧ

GND «Земля» (общ.)

Г* RO

Задание f генер. НЧ

Г* RO

Задание f генер. НЧ

Рис. 3.34. Цоколевка корпуса ИМС КР1059АП1/2 и ЭКР1436АП1/2

Рис. 3.34. Цоколевка корпуса ИМС КР1059АП1/2 и ЭКР1436АП1/2

Линия «Земля» (общ.) Частота переключ. Тон. частота

Линия «Земля» (общ.) Частота переключ. Тон. частота

L2 С ф н.и. OUT

L2 С ф н.и. OUT

КР5ОО1ГП1 (А,Б,В)

КР5ОО1ГП1 (А,Б,В)

L1 GND cs

L1 GND cs

Линия

Емкост. фильтр Инверт. вых. з. ч. Вых. сигн. выз.

Линия

Емкост. фильтр Инверт. вых. з. ч. Вых. сигн. выз.

Рис. 3.35. Цоколевка корпуса ИМС КР5001ГП1 (А, Б, В)

Рис. 3.35. Цоколевка корпуса ИМС КР5001ГП1 (А, Б, В)

микросхемы есть встроенный выпрямительный мост, стабилитрон и схема защиты от «щебета» — подработки вызова при наборе номера.

Еще одной особенностью этих микросхем является возможность использования динамических громкоговорителей без понижающего трансформатора, а только через разделительный конденсатор. Это следствие применения более мощного усилителя выходного сигнала, но при этом нужно использовать динамик с сопротивлением звуковой катушки в пределах от 50 до 100 Ом. Диапазон рабочих температур минус 2О...+7О°С.

Теперь перейдем к обзору микросхем — ТВУ основных зарубежных производителей и, как и для ИМС частотно-импульсных НН, начнем его с изделий ф. PHILIPS (Нидерланды).

Микросхемы ТВУ фирмы PHILIPS

Первой рассмотрим микросхему PCD3360 — многотональное программируемое ТВУ, изготовленное по КМОП технологии в двух типо- номиналах: Р и Т, как это принято для многих изделий телефонного применения ф. PHILIPS. Окончание Р обозначает микросхему в корпусе DIP16, а Т — шестнадцатиконтактный корпус SO16L для поверхностного монтажа. Цоколевка этих корпусов одинакова и показана на рис.3.36. Основной особенностью этой микросхемы является возможность формирования акустического сигнала вызова не только в виде примитивной «трели», но и в виде фрагмента мелодии, как это будет показано далее.

Задающий генератор микросхемы имеет частоту 64 кГц, что определяется элементами RC цепочки (R=365 кОм, С=56 пФ), подключаемой к контакгу4. При напряжении питания порядка 6,0 В и температуре окружающей среды 25°С микросхема вырабатывает ряд из 7 частот (533-1, 600-2, 667-3, 800-4, 1000-5, 1067-6 и 1333-7 Гц), составляющих полную гамму. При формировании музыкального фрагмента используются также гармоники перечисленных выше частот — для частот 533...800 Гц — четвертая гармоника (2132, 2400, 2867, 3200); для частот 1000...1333 — вторая (2000, 2133, 2667 Гц). Такое построение акустического сигнала придает ему естественность звучания и обеспечивает хорошее слуховое восприятие человеком. Последовательность частот звучания музыкального фрагмента в зависимости от потенциала на контактах 12 и 13 микросхемы показано в табл. 3.20.

Таблица 3.20.

Потенциал

Последовательность смены частот/

12 (TS2)

13 (TS1)

ЦО)

ЦО)

3,3,3^4,4,4,->2,2,2,-^ 7,7,7-^6,6,6

ЦО)

Н(1)

1—>3,1—>3,1—>3,1—>3,1—>3,1—>3,1—>3,1—>3

Н(1)

ЦО)

4-^5,4—>5,4—^5,4—^5,4—>5,4—>5,4-^5,4—^5

Н(1)

Н(1)

4,4,4—^0—^4,4,4—>0—^4,4,4,4,4,4—>0,0

Таблица 3.21.

Потенциал

Время звучания частоты (ноты), мс

2 (RR2)

3(RR1)

ЦО)

ЦО)

15

ЦО)

Н(1)

30

Н(1)

ЦО)

45

Н(1)

Н(1)

60

11 I Vss11 I VssРазреш. приема выз. рое П Выб. частоты Горо переключения (1звуч.) IRR1 Подкл.. RC цепи генер-ра OSC Капр. пит. (+) VDD Вых. тон. сигнала TONE Подкл. опт. индик. ОРТ Управл. выбором DM выходи. сопротивл.Разреш. приема выз. рое П Выб. частоты Горо переключения (1звуч.) IRR1 Подкл.. RC цепи генер-ра OSC Капр. пит. (+) VDD Вых. тон. сигнала TONE Подкл. опт. индик. ОРТ Управл. выбором DM выходи. сопротивл.HJ FDIЩ TS1 I12] TS2 JHJ FDIЩ TS1 I12] TS2 JIS1 "IIS2 JIS1 "IIS2 JFH Выб.FL Выб.FH Выб.FL Выб.

11 I Vss

11 I Vss

Разреш. приема выз. рое П Выб. частоты Горо переключения (1звуч.) IRR1 Подкл.. RC цепи генер-ра OSC Капр. пит. (+) VDD Вых. тон. сигнала TONE Подкл. опт. индик. ОРТ Управл. выбором DM выходи. сопротивл.

Разреш. приема выз. рое П Выб. частоты Горо переключения (1звуч.) IRR1 Подкл.. RC цепи генер-ра OSC Капр. пит. (+) VDD Вых. тон. сигнала TONE Подкл. опт. индик. ОРТ Управл. выбором DM выходи. сопротивл.

HJ FDI

Щ TS1 I

12] TS2 J

HJ FDI

Щ TS1 I

12] TS2 J

IS1 "I

IS2 J

IS1 "I

IS2 J

FH Выб.

FL Выб.

FH Выб.

FL Выб.

верхиЛ пределов м частот входящего нижн. j сигнала вызова

Вх. линейн. сигм. выз.

Выб. тон. частот и их чередования в акустическом сигнале вызова

Капр. пит. (-)

Выб. реж. звучания, входного и выходного сопротивл.

а) Электромагнитный громкогоаоритель

Рис. 3.36. Цоколевка корпуса DIP 16 ИМС PCD3360P/T

б) Пьезоэлектрический излучатель

Рис. 3.37. Типовые схемы подключения акустических преобразователей к ИМС PCD3360

Время звучания каждой частоты зависит от потенциалов на контактах 3 и 2 микросхемы, а длительность музыкального фрагмента зависит как от времени звучания составляющих частот, так и от его структуры. Зависимость времени звучания от потенциала на контактах ИМС показана в табл. 3.21.

При структурах фрагмента, показанных в табл. 3.20 и длительностях однократного звучания частоты (табл. 3.21), минимальная длительность звучания фрагмента составит 190 мс, а максимальная — почти 1 с. Режим звучания по громкости выбирается заданием потенциала на контактах 9 и 10 и может быть двояким — с автоматическим нарастанием громкости или с постоянным уровнем. Потенциал на этих контактах определяет также входное и выходное сопротивления ТВУ. Первое может иметь значение 7; 10.5; 17,5 кОм, а второе — 5, 10, 20 или 40 кОм. Из этого следует, что применение динамического громкоговорителя в качестве акустического преобразователя возможно только совместно с дополнительной согласующей цепью, при этом сопротивление звуковой катушки динамика должно быть не менее 50 Ом.

В микросхеме PCD3360 предусмотрена защита от подрабатывания во время набора номера импульсным способом — «антищебет». Поскольку в разных странах частота вызывного тока разная, то предусмотрена настройка микросхемы по нижнему и верхнему пределам частот от 13,3 до 60 Гц (контакты 15 и 16). При частоте 25 Гц и напряжении вызова на входе ЭТА порядка 40В напряжение питания будет около 6,8 В (1Раб = 25°С), а вообще VDD=5,8...9 В. Максимально допустимая мощность рассеяния этой ИМС 300 мВт, а максимальная мощность, отдаваемая акустическому преобразователю, не должна превышать 50 мВт. Диапазон рабочих температур -25...+70°С. Микросхема не имеет встроенного моста питания и стабилизатора напряжения. На рис.3.37.а и б показаны типовые схемы подключения акустических преобразователей к PCD3360.

Особое место в продукции ф. PHILIPS занимают микросхемы многофункционального применения. Именно к такому типу относятся серия или «семейство», как его называют сами изготовители — PCD3332-X — импульсно-частотный номерона-

биратель и многотональное вызывное устройство. Серия состоит из более чем десятка типономиналов микросхем, которые отличаются корпусами и некоторыми дополнительными функциями. Параметры ЭНН в этих микросхемах совпадают с описанными в предыдущем разделе для серии PCD3310 и останавливаться на них здесь не будем. Параметры ТВУ этих микросхем почти полностью идентичны рассмотренным для PCD3360. Поэтому остановимся только на основных отличиях микросхем внутри серии, которые приводятся в табл.3.22.

В отличие от PCD3360 частотный дискриминатор вызывного сигнала PCD3332 может быть настроен в пределах от 14,4 до 68 Гц. Значения составляющих трехчастотного акустического сигнала вызова приведены в табл. 3.23.

Громкость сигнала вызова регулируется электронным способом —- все микросхемы серии имеют входы кнопок «vol+» и «vol-».

Кроме указанных в табл. 3.23 частот, микросхемы вырабатывают еще несколько специальных сигналов:

2358 Гц длительностью 40 мс — подтверждение нажатия кнопок тастатуры, длительностью 134 мс — ошибка программирования;

Тип микросхемыКорпусНаличие сигнала екл./выкл. вызовНаличие сигнала использ. кнопок "^"и"#"Управление спикерфо- ном или "hands free*основн.модиф.PCD3332-2PDIP28SOT 117-1естьнетнетPCD3332-2TSO 28SOT136-1естьнетнетPCD3332-3PDIP28SOT117-1нетестьестьPCD3332-3TSO 28SOT 136-1нетестьестьPCD3332-SPDIP28SOT117-1нетестьнетPCD3332-STSO28SOT136-1нетестьнетТип микросхемыКорпусНаличие сигнала екл./выкл. вызовНаличие сигнала использ. кнопок "^"и"#"Управление спикерфо- ном или "hands free*основн.модиф.PCD3332-2PDIP28SOT 117-1естьнетнетPCD3332-2TSO 28SOT136-1естьнетнетPCD3332-3PDIP28SOT117-1нетестьестьPCD3332-3TSO 28SOT 136-1нетестьестьPCD3332-SPDIP28SOT117-1нетестьнетPCD3332-STSO28SOT136-1нетестьнетТаблица 3.22.Таблица 3.22.806, 899, 1010 Гц длительностью 134 мс и паузой 67 мс — подтверждение правильности программирования (разрешение) для 1, 2 и 3 типов акустических сигналов (табл.3.23) соответственно. Микросхемы изготавливаются по КМОП технологии и очень экономичны по потреблению. Напряжение питания лежит в пределах 2,5...6,0 В, максимально допустимая мощность рассеяния всего 125 мВт, при этом максимальная выходная мощность для любых сигналов, вырабатываемых схемой, не может быть выше 30 мВт, что

Тип микросхемы

Корпус

Наличие сигнала екл./выкл. вызов

Наличие сигнала использ. кнопок "^"и"#"

Управление спикерфо- ном или "hands free*

основн.

модиф.

PCD3332-2P

DIP28

SOT 117-1

есть

нет

нет

PCD3332-2T

SO 28

SOT136-1

есть

нет

нет

PCD3332-3P

DIP28

SOT117-1

нет

есть

есть

PCD3332-3T

SO 28

SOT 136-1

нет

есть

есть

PCD3332-SP

DIP28

SOT117-1

нет

есть

нет

PCD3332-ST

SO28

SOT136-1

нет

есть

нет

Тип микросхемы

Корпус

Наличие сигнала екл./выкл. вызов

Наличие сигнала использ. кнопок "^"и"#"

Управление спикерфо- ном или "hands free*

основн.

модиф.

PCD3332-2P

DIP28

SOT 117-1

есть

нет

нет

PCD3332-2T

SO 28

SOT136-1

есть

нет

нет

PCD3332-3P

DIP28

SOT117-1

нет

есть

есть

PCD3332-3T

SO 28

SOT 136-1

нет

есть

есть

PCD3332-SP

DIP28

SOT117-1

нет

есть

нет

PCD3332-ST

SO28

SOT136-1

нет

есть

нет

Таблица 3.22.

Таблица 3.22.

Таблица 3.23.

Тип акустического сигнала

^,Гц

^Гц

^гц

Длительность

звук.мс

пауза, мс

1

826

925

1037

30

30

2

1037

1161

1297

30

30

3

1297

1455

1621

30

30

требует дополнительных усилителей для акустического сигнала вызова и сигнала DTMF. Диапазон рабочих температур стандартный для изделий PHILIPS минус 25...+70°С. В состоянии ожидания микросхемы потребляют не более 158 мкВт, причем минимальное значение напряжения питания может быть не более 1,0 В.

Эти микросхемы разработаны для работы с мощными (5x6) тастатурами, объединяющими кнопки набора номера и функциональные кнопки в единый ансамбль.

Так же, как и предыдущая, микросхемы PCD3332 требуют внешнего выпрямительного моста и стабилизатора напряжения.

Микросхемы ТВУ фирмы SAMSUNG

Следующим производителем, ТВУ которого будем рассматривать, является ф. SAMSUNG, в числе изделий которой микросхемы вызывных устройств представлены достаточно широко, а их аналоги производились многими другими фирмами.

Первой рассмотрим ИМС типа КА2410/11, выполненную по КМОП технологии и содержащую в своем составе стабилизатор напряжения, схемы генерации и усиления сигнала вызова. Микросхема выпускается в корпусе DIP8, ее цоколевка показана на рис. 3.38.

Микросхемы вырабатывают акустический сигнал вызова типа двухчастотная трель, со стандартным циклом переключения fH/fB порядка 10 Гц. Соотношение fH/fB находится в пределах 1,25...1,4, а сами частоты могут быть настроены в пределах 500...2000 Гц в зависимости от элементов RC цепей, подключаемых к контактам 3, 4 и 7, 8 соответственно для fH и fB.

Цоколевка корпуса КА2411 отличается от приведенной на рис. 3.38 лишь назначением контакта 2, к которому подключается резистор, определяющий величину питающего тока ИМС. Напряжение питания этих микросхем стандартное для изделий ф. SAMSUNG — 2,0...5,5 В, диапазон рабочих температур минус 2О...+7О°С, а максимально допустимая мощность рассеяния 300 мВт. Нагрузка по выходу звуковых частот должна быть достаточно высокоомной — пьезоэлектрический преобразователь или динамик, включенный через согласующую RC цепь и понижающий трансформатор.

Следующими в ряду ТВУ ф. SAMSUNG идут микросхемы КА2418В/28В, отличающиеся от описанных выше тем, что в их составе появляется выпрямительный мост и теперь ИМС подключаются непосредственно (но через разделительный конденсатор емкостью 0,5... 1,0 мкФ и резистор порядка 1,5...2 кОм) к телефонной линии. Корпус DIP8, его цоколевка приведены на рис. 3.39. По структуре выходного сигнала вызова эти ИМС ничем не отличаются от описанных ранее. Такими же остаются значения рабочих температур и рассеиваемой мощности.

При указанных выше значениях R и С схемы подключения ИМС к телефонной линии напряжение вызова на контактах 1, 8 не должно превышать 30 В. Кроме этого, входная цепь ЭТА, использующая такие микросхемы ТВУ должна быть защищена от перенапряжения устройствами (варистор, газовый разрядник и т.п.) с напряжением срабатывания не более двукратного значения ивыз+иб, что для сетей связи СНГ составляет величину порядка 300 В. Обычно эта величина для ЭТА различных фирм составляет 250...360 В в зависимости от типа ТВУ и величин R и С схемы подключения его к линии.

Задание f генер. НЧ |_Задание f генер. НЧ |_КА2410КА24108~1SPOHF1" HF0. GND8~1SPOHF1" HF0. GNDНапр. питан. (+) Vcc Блок выз. CONTНапр. питан. (+) Vcc Блок выз. CONT

Задание f генер. НЧ |_

Задание f генер. НЧ |_

КА2410

КА2410

8~1SPO

HF1" HF0. GND

8~1SPO

HF1" HF0. GND

Напр. питан. (+) Vcc Блок выз. CONT

Напр. питан. (+) Vcc Блок выз. CONT

Вых. сигн. выз.

Задание f генер. ВЧ «Земля» (общ.)

Рис. 3.38. Цоколевка корпуса ИМС КА2410

КА2418В

Тел. линия (a) R "Земля" (общ.) GND

Задание fH CLF

Задание fB RHF

Тел. линия (б)

Емк. фильтра питания

Уст. реж. стаб.

Вых. сигн. вызова

Рис. 3.39. Цоколевка корпуса ИМС КА2418В

Микросхемы ТВУ фирмы MOTOROLA

Некоторый интерес представляют микросхемы ТВУ ф. Motorola типов МС34012 и МС34017 с модификациями 1, 2 и 3, отличающимися частотами звукового сигнала вызова:

МС34012(17) — 1 частота порядка 1,0 кГц;

МС34012(17) — 2 частота порядка 2,0 кГц;

МС34012(17) — 3 частота порядка 0,5 кГц.

Основное отличие этих ТВУ от всех описанных ранее то, что они формируют одночастотный акустический сигнал с изменяющимся во времени уровнем громкости — «одночастотная трель». Микросхемы выполнены по КМОП технологии в корпусах типа DIP8 и отличаются друг от друга только цоколевкой, которая приводится на рис. 3.40 для МС34012 и 34017 соответственно.

Как видно из назначения контактов этих ИМС, они рассчитаны на прямое (с уже описанными оговорками) подключение к телефонной линии.

В их составе есть выпрямительные мосты, стабилизаторы напряжения и схемы «антищебета» при паралельном наборе номера импульсным методом. Микросхемы работают только с пьезопреобразователями. Напряжение питания, как у многих ТВУ других фирм, порядка до 30 В, а мощность рассеяния порядка 250 мВт. Нужно отметить, что одночастотный сигнал вызова не нашел достаточно широкого распространения в схемах ЭТА, и описанные микросхемы имели малое применение по сравнению с другими ТВУ.

Поскольку мы охватили почти весь спектр построения схем ТВУ, которые применялись и применяются в современных ЭТА, то на этом обзор схем вызывных устройств будем считать оконченным и перейдем к следующему разделу.

Пример интегрированного ТВУ в составе «однокристального» ТА и конкретную схему реализации вызывного устройства на основе «логической» ИМС, как и обещали, приведем в следующих главах.

Телефон, линия

«Земля» (общ.) ‘ GND

(а,б)[

АС1

АС2

Подкл. пьезопреобраз. PS0

МС34012 (1,2,3)

RC OSC Задан, f

CR Конд. фильтра

вс сом Задание частоты

VI перекл громкости

МС34017 (1,2,3)МС34017 (1,2,3)Телефон, линия а Подкл. пьезопреобраз.Конд. запускаТелефон, линия а Подкл. пьезопреобраз.Конд. запускаL2 GND RC OSC RC СОМL2 GND RC OSC RC СОМ

МС34017 (1,2,3)

МС34017 (1,2,3)

Телефон, линия а Подкл. пьезопреобраз.

Конд. запуска

Телефон, линия а Подкл. пьезопреобраз.

Конд. запуска

L2 GND RC OSC RC СОМ

L2 GND RC OSC RC СОМ

Телефон, линия б «Земля» (общ.) Заданиеf

Задание f перекл. громк.

Рис. 3.40. Цоколевка корпусов ИМС МС34012 (а) и МС34017 (б)

Микросхемы речевого тракта

Вх. усилителя (А2-инверт.)Вых. усил. Напр. питан.Вх. усилителя (А2-инверт.)Вых. усил. Напр. питан.KA8602DKA8602DГ А1La2АЮГ А1La2АЮCR MUTE А20 GNDCR MUTE А20 GNDКонденс. фильтра Блокир. микроф. Вых. усилителя «Земля» (общ.)Конденс. фильтра Блокир. микроф. Вых. усилителя «Земля» (общ.)Рис. 3.41. Цоколевка корпуса ИМС KA8602DРис. 3.41. Цоколевка корпуса ИМС KA8602D

Вх. усилителя (А2-инверт.)

Вых. усил. Напр. питан.

Вх. усилителя (А2-инверт.)

Вых. усил. Напр. питан.

KA8602D

KA8602D

Г А1

La2

АЮ

Г А1

La2

АЮ

CR MUTE А20 GND

CR MUTE А20 GND

Конденс. фильтра Блокир. микроф. Вых. усилителя «Земля» (общ.)

Конденс. фильтра Блокир. микроф. Вых. усилителя «Земля» (общ.)

Рис. 3.41. Цоколевка корпуса ИМС KA8602D

Рис. 3.41. Цоколевка корпуса ИМС KA8602D

В наших предыдущих книгах уже упоминались первые образцы микросхем речевого тракта и поэтому наш обзор будет начат именно такими «микросхемами». Кавычки здесь употреблены отнюдь не в уничижительном смысле, а потому, что эти устройства были действительно малы по сравнению со своими предшественниками — транзисторными усилителями на дискретных элементах.

Первыми устройствами такого назначения стали микрофонные усилители, поскольку замена угольного микрофона более современным и более качественным по собственным шумам электретным потребовала значительного усиления сигнала на передаче из-за низкой отдачи микрофонов этого типа. Кроме этого, нужно было согласовать высокое сопротивление электретного микрофона с телефонной схемой и линией.

В качестве одной из первых попыток решения этих проблем рассмотрим аналоговую микросхему микрофонного усилителя типа 1026УН1 выпускавшуюся в начале 80-х годов заводом «Ро- дон» (г. Черновцы, Украина). Это устройство представляло собой четырехкаскадный транзисторный усилитель постоянного тока, собранный в стандартном корпусе DIP 14 (возможно использование корпусов других типов) совместно с выпрямительным мостом и схемой регулировки усиления. Сразу же отметим, что этот усилитель не допускал прямого подключения электретного микрофона ко входу, а требовал дополнительного согласования обычно в виде операционного усилителя (серии 140 или К513).

Усилитель имел достаточное (до 40 дБ) усиление для того, чтобы уровень передачи ТА был таким же, как и с угольным микрофоном. Частотная характеристика этого усилителя в диапазоне 0,15...7,5 кГц была прямолинейной с точностью ±1,0 дБ, а напряжение собственного шума усилителя (вход закорочен резистором 3,0 кОм) не превышало значения 0,13 мВпсоф. Как видим, параметры усилителя достаточно хороши, но они достигались при таком значении тока, потребляемого от телефонной линии, что широкое применение этого устройства в телефонных аппаратах на сети СССР, а затем СНГ,

сразу стало сомнительным. Поясним, почему? Как известно читателю из наших (и других) публикаций сопротивление постоянному току питающих мостов АТС в СНГ составляет 1000 Ом (2x500 Ом) при напряжении станционной батареи 60 В, и 800 Ом (2x400 Ом) — при 48 В. Номинальный ток питания рассматриваемого усилителя составляет 50 мА. Попробуем определить, при каком сопротивлении постоянному току абонентской линии мы обеспечим близкое к указанному значение рабочего тока усилителя. Минимальное сопротивление ТА постоянному току в разговорном режиме 160 Ом, тогда ток в цепи определится из соотношения:

/" Uc6/(R^ +R™ +Rma);

для исб—60 В, R^IOOO Ом u Rma—160 Омполучим:1=60/(7 760+R^;

для Uc6=48 В, R^ROO Ом и Rma=160 Омполучим:1=48/(960+R^.

Допустим 1=50мА, получим для:

1) Roa=40 Ом; 2) R^O Ом.

Такой результат указывает на возможность эффективного использования усилителя только на очень коротких (порядка 0,25 км для первого случая) абонентских линиях, что сразу практически «убило» эту микросхему, т.к. в силу массового еще и сейчас использования АТС старых систем длины АЛ и их сопротивления более чем на порядок превышают значения 0,25 км и 40 Ом. Не рассматривая цоколевки этой микросхемы, укажем только, что ее прототипом послужила ZN47OE ф. FERRANTI SEMICONDUCTORS (Великобритания).

Следующим рассмотрим микрофонный усилитель KA8602D/N ф. SAMSUNG, два типономина- ла которого отличаются только корпусами: N-кор- пус DIP8, D-корпус SO8 для планарного монтажа. Цоколевка корпуса KA8602D — на рис. 3.41. Диапазон рабочего напряжения микросхемы начинается со стандартного для изделий SAMSUNG значения 2,0 В, а верхний предел 16,0 В. Усили-

тель имеет достаточно большое (до 28 дБ) усиление в полосе частот от 200 Гц до почти 7,0 кГц с неравномерностью частотной характеристики не хуже, чем ±2,0 дБ. Глубокая обратная связь обеспечивает низкий процент коэффициента гармоник, что позволяет использовать этот усилитель в схемах ЭТА, тем более еще и потому, что предусмотрена цепь блокировки микрофона необходимая при тональном способе набора номера. Максимально допустимая рассеиваемая мощность не превышает 200 мВт, а диапазон рабочих температур -2О...+7О°С.

Поскольку практически ни один из производителей микросхем для телефона не выпускал интегральных схем для усилителей приема — для телефона, как отдельных изделий, то сейчас мы перейдем к рассмотрению схем, объединяющих в составе одного корпуса все устройства речевого тракта современных ЭТА. Такие микросхемы начали разрабатываться и производиться почти два десятилетия назад, т.е. в конце 70-х гг. Вначале они представляли собой просто комплект из двух усилителей и схемы их питания от телефонной линии. Известны примеры использования таких сборок в классических схемах ТА совместно с телефонным трансформатором, обеспечивающим переход от двухпроводной линии к четырехпроводной (прием-передача) схеме аппарата.

Микросхемы речевого тракта фирмы PHILIPS

По мере совершенствования технологии производства микросхем и повышения степени их интеграции в составе ИМС речевого тракта появились дифференциальные системы на операционных усилителях, заменившие телефонный трансформатор,

а затем и схемы подавления местного эффекта. В настоящее время в состав наиболее сложных ИМС этого типа входят устройства, управляемые звуковым сигналом (голосами говорящих), которые полностью закрывают пассивное в данный момент направление (передачу или прием), превращая схему ЭТА из дуплексной в симплексную. Поскольку переключение производится за очень короткий отрезок времени (порядка десятков микросекунд), то собеседники этого не замечают и разговор идет совершенно естественно. Как ни странно, это стало возможным одновременно с внедрением тонального способа набора номера, т.к. в составе ЭТА появился генератор с достаточно высокой частотой (3,58 МГц), необходимой для управления такими переключениями. Эволюцию микросхем речевого тракта рассмотрим на примере серии ТЕА106х ф. PHILIPS.

В составе серии 8 микросхем (13 типономина- лов) с питанием от телефонной линии с напряжением станционной батареи 24...60 В. Диапазон рабочих температур стандартный для изделий этой фирмы (-25...+75°С). Все микросхемы серии обеспечивают балансное сопротивление отображающее мосты питания абонентских линий с сопротивлениями постоянному току 2x200 Ом, 2x400 Ом и 2x500 Ом. Основные параметры микросхем ТЕАЮбх приводятся в табл. 3.24.

Здесь и далее, во всех таблицах, где приводятся данные по усилению, глубине АРУ или уровню звуковых сигналов в устройствах речевого тракта ЭТА следует учитывать, что измерения проводились на частоте 1000Гц, при номинальном значении напряжения питания и температуре 25°С/

Тупо- номталмин., ВИ^при I^-ISmA, ВмВтУсиление, дБПределы АРУ при 1^20.-70 мА, дьможет применяться смикроф. усилительтелеф усилительмикрофономтелефономЭЛ дин. магн.э.злек- третн.пьезо- элект.элдинам- эл магн. э.пьезо- злектр.ТЕА1060244,2575044...6017...395,5...6,3данетнетдадаТЕА1061244.2575030...4617...395,5...6,3нетдадададаТЕА1062363,5565044...5220.-31ДО 5,8данетнетдадаTEA Ю62Г363,5545044.-5220... 31до 5.8данетнетдадаTEA 1063363,7070047. ..5523...42до 9,0данетнетдадаTEA Ю63Т363,7055047...5523.. 42до 9,0данетнетдадаТЕА1064А364,2070044.-5220.. 455,7...6,5данетнетдадаТЕА1064АТ364,2055044...5220...455,7...6,5данетнетдадаTEAЮ66Т244,2555044.. 6017...395,5...6,3дададададаТЕА1067363,6575044.-5220...455,5...6,3дада*да*дадаTEA 1067Т363,6555044...55220...455,5...6,3дада*да*дадаТЕА1068244,2075044...6017.-395,5. .6,3дада*да*дадаTEA 1068Г244,2055044. „6017...395,5...6,3дада*да*дадаТупо- номталмин., ВИ^при I^-ISmA, ВмВтУсиление, дБПределы АРУ при 1^20.-70 мА, дьможет применяться смикроф. усилительтелеф усилительмикрофономтелефономЭЛ дин. магн.э.злек- третн.пьезо- элект.элдинам- эл магн. э.пьезо- злектр.ТЕА1060244,2575044...6017...395,5...6,3данетнетдадаТЕА1061244.2575030...4617...395,5...6,3нетдадададаТЕА1062363,5565044...5220.-31ДО 5,8данетнетдадаTEA Ю62Г363,5545044.-5220... 31до 5.8данетнетдадаTEA 1063363,7070047. ..5523...42до 9,0данетнетдадаTEA Ю63Т363,7055047...5523.. 42до 9,0данетнетдадаТЕА1064А364,2070044.-5220.. 455,7...6,5данетнетдадаТЕА1064АТ364,2055044...5220...455,7...6,5данетнетдадаTEAЮ66Т244,2555044.. 6017...395,5...6,3дададададаТЕА1067363,6575044.-5220...455,5...6,3дада*да*дадаTEA 1067Т363,6555044...55220...455,5...6,3дада*да*дадаТЕА1068244,2075044...6017.-395,5. .6,3дада*да*дадаTEA 1068Г244,2055044. „6017...395,5...6,3дада*да*дадаТаблица 3.24.Таблица 3.24.* со специальным аттенюатором.* со специальным аттенюатором.Изменение напряжения на входе микросхем (ULN) в зависимости от тока в линии (Iln) показано на рис. 3.42 для минимальных значений

Тупо- номтал

мин., В

И^при I^-ISmA, В

мВт

Усиление, дБ

Пределы АРУ при 1^20.-70 мА, дь

может применяться с

микроф. усилитель

телеф усилитель

микрофоном

телефоном

ЭЛ дин. магн.э.

злек- третн.

пьезо- элект.

элдинам- эл магн. э.

пьезо- злектр.

ТЕА1060

24

4,25

750

44...60

17...39

5,5...6,3

да

нет

нет

да

да

ТЕА1061

24

4.25

750

30...46

17...39

5,5...6,3

нет

да

да

да

да

ТЕА1062

36

3,55

650

44...52

20.-31

ДО 5,8

да

нет

нет

да

да

TEA Ю62Г

36

3,55

450

44.-52

20... 31

до 5.8

да

нет

нет

да

да

TEA 1063

36

3,70

700

47. ..55

23...42

до 9,0

да

нет

нет

да

да

TEA Ю63Т

36

3,70

550

47...55

23.. 42

до 9,0

да

нет

нет

да

да

ТЕА1064А

36

4,20

700

44.-52

20.. 45

5,7...6,5

да

нет

нет

да

да

ТЕА1064АТ

36

4,20

550

44...52

20...45

5,7...6,5

да

нет

нет

да

да

TEAЮ66Т

24

4,25

550

44.. 60

17...39

5,5...6,3

да

да

да

да

да

ТЕА1067

36

3,65

750

44.-52

20...45

5,5...6,3

да

да*

да*

да

да

TEA 1067Т

36

3,65

550

44...552

20...45

5,5...6,3

да

да*

да*

да

да

ТЕА1068

24

4,20

750

44...60

17.-39

5,5. .6,3

да

да*

да*

да

да

TEA 1068Г

24

4,20

550

44. „60

17...39

5,5...6,3

да

да*

да*

да

да

Тупо- номтал

мин., В

И^при I^-ISmA, В

мВт

Усиление, дБ

Пределы АРУ при 1^20.-70 мА, дь

может применяться с

микроф. усилитель

телеф усилитель

микрофоном

телефоном

ЭЛ дин. магн.э.

злек- третн.

пьезо- элект.

элдинам- эл магн. э.

пьезо- злектр.

ТЕА1060

24

4,25

750

44...60

17...39

5,5...6,3

да

нет

нет

да

да

ТЕА1061

24

4.25

750

30...46

17...39

5,5...6,3

нет

да

да

да

да

ТЕА1062

36

3,55

650

44...52

20.-31

ДО 5,8

да

нет

нет

да

да

TEA Ю62Г

36

3,55

450

44.-52

20... 31

до 5.8

да

нет

нет

да

да

TEA 1063

36

3,70

700

47. ..55

23...42

до 9,0

да

нет

нет

да

да

TEA Ю63Т

36

3,70

550

47...55

23.. 42

до 9,0

да

нет

нет

да

да

ТЕА1064А

36

4,20

700

44.-52

20.. 45

5,7...6,5

да

нет

нет

да

да

ТЕА1064АТ

36

4,20

550

44...52

20...45

5,7...6,5

да

нет

нет

да

да

TEAЮ66Т

24

4,25

550

44.. 60

17...39

5,5...6,3

да

да

да

да

да

ТЕА1067

36

3,65

750

44.-52

20...45

5,5...6,3

да

да*

да*

да

да

TEA 1067Т

36

3,65

550

44...552

20...45

5,5...6,3

да

да*

да*

да

да

ТЕА1068

24

4,20

750

44...60

17.-39

5,5. .6,3

да

да*

да*

да

да

TEA 1068Г

24

4,20

550

44. „60

17...39

5,5...6,3

да

да*

да*

да

да

Таблица 3.24.

Таблица 3.24.

* со специальным аттенюатором.

* со специальным аттенюатором.

ТЕА1062 и максимальных значений ТЕА1063 в диапазоне ILN=2O...7O мА, что соответствует требованиям ГОСТ 7153-85. Все остальные значения ULN для всей серии ТЕА106Х находятся внутри заштрихованной области. Цоколевка корпусов DIP16, DIP18 и DIP20, используемых в этой серии, показана на рис. 3.43 а, б, в соответственно. Цоколевка корпусов SO20 для 1063Т и 1064АТ не отличается от соответствующих DIP20, а для ИМС 1067 и 1068Т назначение контактов корпуса SO20, где 8 и 13 выводы не используются, сдвинуто на один для выводов 9...12 и на два для выводов 14...20, по сравнению с корпусом DIP18 этих микросхем.

В составе всех микросхем этой серии есть усилитель сигналов DTMF и схема формирования сигнала MUTE для блокировки микрофонного усилителя при тональном наборе и переключения усилителя передачи, т.к. последний используется также и при тональном наборе. Уси-

ление сигнала DTMF примерно в двадцать раз ниже, чем речевого сигнала от микрофона, т.к. усилитель DTMF рассчитан на входной сигнал порядка 170 мВ типичный для частотных НН PHILIPS (например, PCD3326). Пределы регулировки усиления достаточны, чтобы на выходе в линию (7л=600 Ом) получить уровень сигнала DTMF, требуемый по ГОСТ 7153-85.

Типовая блок-схема применения ТЕА1063 совместно с частотно-импульсным НН серии PCD332X показана на рис. 3.44, где хорошо видно назначение контактов 15, 19 и 20.

SLPE AGC REG VCC MUTE DTMF RD IRSLPE AGC REG VCC MUTE DTMF RD IRLN GAS1 GAS2 QR+ QR- GAR MIC- MIC+ STABLN GAS1 GAS2 QR+ QR- GAR MIC- MIC+ STABLN FT"16SLPEGAS1 Г2ГAGCGAS2 I 3Ю14REGQR I 4ОJivccGAR EE12MUTEMIC- EE11DTMFMIC+ Г7 rIRSTAB ГЕEELN FT"16SLPEGAS1 Г2ГAGCGAS2 I 3Ю14REGQR I 4ОJivccGAR EE12MUTEMIC- EE11DTMFMIC+ Г7 rIRSTAB ГЕEEааббЛинейный вход (+) Установка усиления усилителя передачиВыходы усилителя приемаLNn- "GAS1EE -GAS2 Гз ■ QR+EE - qr-EECO (D ОГ561 SLPE "I 33 VcC2 -1 AGCПП REG-ЦЦ VCCiЗадание и регулиров напряж других элементов схемы ЭТАВход схемы АРУ Стабилизатор напряжения Напряжение питанияУстановка усиления усилителя приема Огранич динам диап ус передачиGAR ЕЕ DLSprZ3 pdT41 MUTEВход сигн блок разг тракта при имп НН Вход сигн блок микр усилВыходы микрофонного усилителя Стабилизатор тока~ mic-QL-мю+ЕЕSTABl 10131 IR El DTMF З-П vEEВход усилителя приема Вход сигн частотного НН Линейный вход (-)Линейный вход (+) Установка усиления усилителя передачиВыходы усилителя приемаLNn- "GAS1EE -GAS2 Гз ■ QR+EE - qr-EECO (D ОГ561 SLPE "I 33 VcC2 -1 AGCПП REG-ЦЦ VCCiЗадание и регулиров напряж других элементов схемы ЭТАВход схемы АРУ Стабилизатор напряжения Напряжение питанияУстановка усиления усилителя приема Огранич динам диап ус передачиGAR ЕЕ DLSprZ3 pdT41 MUTEВход сигн блок разг тракта при имп НН Вход сигн блок микр усилВыходы микрофонного усилителя Стабилизатор тока~ mic-QL-мю+ЕЕSTABl 10131 IR El DTMF З-П vEEВход усилителя приема Вход сигн частотного НН Линейный вход (-)ввРис. 3.43. Цоколевка корпусов ИМС серии TEA 106х фирмы PHILIPSРис. 3.43. Цоколевка корпусов ИМС серии TEA 106х фирмы PHILIPSEEEEМикросхема ТЕА1063 отличается от остальных ИМС этой серии тем, что ее схема АРУ рассчитана на компенсацию потерь в линии с затуханием до 9,0 дБ, что соответствует длине абонентской линии около 10 км при использовании кабеля с медными жилами диаметром 0,6 мм. Остальные микросхемы серии рассчитаны на компенсацию затухания линии до 6 дБ (в сред-

SLPE AGC REG VCC MUTE DTMF RD IR

SLPE AGC REG VCC MUTE DTMF RD IR

LN GAS1 GAS2 QR+ QR- GAR MIC- MIC+ STAB

LN GAS1 GAS2 QR+ QR- GAR MIC- MIC+ STAB

LN FT"

16

SLPE

GAS1 Г2Г

AGC

GAS2 I 3

Ю

14

REG

QR I 4

О

Ji

vcc

GAR EE

12

MUTE

MIC- EE

11

DTMF

MIC+ Г7 r

IR

STAB ГЕ

EE

LN FT"

16

SLPE

GAS1 Г2Г

AGC

GAS2 I 3

Ю

14

REG

QR I 4

О

Ji

vcc

GAR EE

12

MUTE

MIC- EE

11

DTMF

MIC+ Г7 r

IR

STAB ГЕ

EE

а

а

б

б

Линейный вход (+) Установка усиления усилителя передачи

Выходы усилителя приема

LNn- "GAS1EE -GAS2 Гз ■ QR+EE - qr-EE

CO (D О

Г561 SLPE "I 33 VcC2 -1 AGC

ПП REG

-ЦЦ VCCi

Задание и регулиров напряж других элементов схемы ЭТА

Вход схемы АРУ Стабилизатор напряжения Напряжение питания

Установка усиления усилителя приема Огранич динам диап ус передачи

GAR ЕЕ DLSpr

Z3 pd

T41 MUTE

Вход сигн блок разг тракта при имп НН Вход сигн блок микр усил

Выходы микрофонного усилителя Стабилизатор тока

~ mic-QL

-мю+ЕЕ

STABl 10

131 IR El DTMF З-П vEE

Вход усилителя приема Вход сигн частотного НН Линейный вход (-)

Линейный вход (+) Установка усиления усилителя передачи

Выходы усилителя приема

LNn- "GAS1EE -GAS2 Гз ■ QR+EE - qr-EE

CO (D О

Г561 SLPE "I 33 VcC2 -1 AGC

ПП REG

-ЦЦ VCCi

Задание и регулиров напряж других элементов схемы ЭТА

Вход схемы АРУ Стабилизатор напряжения Напряжение питания

Установка усиления усилителя приема Огранич динам диап ус передачи

GAR ЕЕ DLSpr

Z3 pd

T41 MUTE

Вход сигн блок разг тракта при имп НН Вход сигн блок микр усил

Выходы микрофонного усилителя Стабилизатор тока

~ mic-QL

-мю+ЕЕ

STABl 10

131 IR El DTMF З-П vEE

Вход усилителя приема Вход сигн частотного НН Линейный вход (-)

в

в

Рис. 3.43. Цоколевка корпусов ИМС серии TEA 106х фирмы PHILIPS

Рис. 3.43. Цоколевка корпусов ИМС серии TEA 106х фирмы PHILIPS

EE

EE

Нужно отметить, что усилители в этих микросхемах имеют хорошие АЧХ и низкий коэффициент нелинейных искажений. Это обусловило широкое применение серии не только в телефонных аппаратах фирмы разработчика, но и в ЭТА других производителей (например, SIEMENS). Все микросхемы этой серии требуют внешних элементов для противоместной схемы (anti-sidetone bridge), детальные расчеты которой (как и других цепей) хорошо изложены в изданиях ф. PHILIPS (INTEGRATED CIRCUITS), к которым мы и отсылаем особо интересующихся читателей, т.к. эти издания начиная с 1991 года регулярно появляются на рынке технической литературы.

Аналоги этой серии выпускались и выпускаются многими производителями в СНГ и Балтии. Как правило, аналоги не имеют отличий от структурной схемы прототипа и его цоколевки. В табл.3.25 указаны прототипы и их аналоги и перечислены производители.

Поскольку правил без исключений не существует, то и среди аналогов так же нашлось исключение: в микросхеме SPS-ОЗ в отличие от прототипа режимы MUTE и PD активизируются не высоким уровнем (логическая «1»), а низким (логический «О»).

В начале 90-х ф. PHILIPS разработала и начала выпуск новой серии микросхем речевого тракта ЭТА — ТЕАШх. В настоящее время опубликованы описания трех микросхем этой серии, выпускаемых в шести типономиналах. Микросхемы построены на биполярной основе и отличаются от ИМС предыдущей серии компактностью при сохранении всех функций и наличием дополнительных сервисных возможностей

(наличие выхода для включения светодиода-индикатора состояния МТТ). Микросхемы более экономичны, чем предыдущие. Диапазон рабочих температур стандартный (-25...75°С). Основные параметры и возможности приводятся в табл.3.26.

ТипономиналКорпусULNnpn 1^1 5mA, В(led при 1^-15... 7 6mA, mAРмакс. при tp-75O, мВтУсиление, дБГлубина А РУ при 1^26.,.61мА, дБАктивизация функцииMUTE/MUTEмикр. усилит.телеф. усилит.ТЕА1112DIP 163,35... 3,950,5... 19,562550,6...53,029,7...32,75,8KHIGH)ТЕА1112АDIP 163,35...3,950,5.. 19,562550,6.. .53,029,7. 32,75,8O(LOW)TEA 1112ТS0163,70...4,300,5...19,540050,6...53,030,3...32,35,81(HIGH)ТЕА1112АТS0163,70.. .4,300,5... 19,540050,6...53,030,3...32,35,8O(LOW)TEA 11J3DIP 163,70..4.300,5.. .19,5625$0,6...53,030,3...32,35,8O(LOW)TEA 1113ТS0163,70...4,300,5.. 19,540050,6 .53,030,3...32,35,8O(LOW)ТипономиналКорпусULNnpn 1^1 5mA, В(led при 1^-15... 7 6mA, mAРмакс. при tp-75O, мВтУсиление, дБГлубина А РУ при 1^26.,.61мА, дБАктивизация функцииMUTE/MUTEмикр. усилит.телеф. усилит.ТЕА1112DIP 163,35... 3,950,5... 19,562550,6...53,029,7...32,75,8KHIGH)ТЕА1112АDIP 163,35...3,950,5.. 19,562550,6.. .53,029,7. 32,75,8O(LOW)TEA 1112ТS0163,70...4,300,5...19,540050,6...53,030,3...32,35,81(HIGH)ТЕА1112АТS0163,70.. .4,300,5... 19,540050,6...53,030,3...32,35,8O(LOW)TEA 11J3DIP 163,70..4.300,5.. .19,5625$0,6...53,030,3...32,35,8O(LOW)TEA 1113ТS0163,70...4,300,5.. 19,540050,6 .53,030,3...32,35,8O(LOW)Таблица 3.26.Таблица 3.26.Линейный вход (+)LN1Установка напряж. пит. др. ус-тв ЭТАSLPE2Подкл. светодиода*led3Уст. лик. напряженияREG4Уст. усил. передачиGAS5Блокир. микр.MMUTE6Вх. сигн. тон. ННDTMF7Блокир. микроф. при тон. НН MUTE 8СМк16 Усс Напряж. питан. (+) „tSjGAR Уст. усил. приема 141QR Вых. усилит, приема 13 Уд- Линейный вход (-) ^ШМ1С+1Вх0ДЫ МИКР°Ф°ННОГО усилителя10 AGC Уст. глубины АРУ9 llR Вх усилит, приемаЛинейный вход (+)LN1Установка напряж. пит. др. ус-тв ЭТАSLPE2Подкл. светодиода*led3Уст. лик. напряженияREG4Уст. усил. передачиGAS5Блокир. микр.MMUTE6Вх. сигн. тон. ННDTMF7Блокир. микроф. при тон. НН MUTE 8СМк16 Усс Напряж. питан. (+) „tSjGAR Уст. усил. приема 141QR Вых. усилит, приема 13 Уд- Линейный вход (-) ^ШМ1С+1Вх0ДЫ МИКР°Ф°ННОГО усилителя10 AGC Уст. глубины АРУ9 llR Вх усилит, приемаРис. 3.45. Цоколевка корпуса ИМС TEA 1112Рис. 3.45. Цоколевка корпуса ИМС TEA 1112Цоколевка ТЕА1112 приводится на рис.3.45, цоколевка ТЕА1112А полностью совпадает с изображенной, только сигналы MMUTE и MUTE инвертированы. Цоколевка корпусов SO 16 также

Типономинал

Корпус

ULNnpn 1^1 5mA, В

(led при 1^-15... 7 6mA, mA

Рмакс. при tp-75O, мВт

Усиление, дБ

Глубина А РУ при 1^26.,.61мА, дБ

Активизация функции

MUTE/MUTE

микр. усилит.

телеф. усилит.

ТЕА1112

DIP 16

3,35... 3,95

0,5... 19,5

625

50,6...53,0

29,7...32,7

5,8

KHIGH)

ТЕА1112А

DIP 16

3,35...3,95

0,5.. 19,5

625

50,6.. .53,0

29,7. 32,7

5,8

O(LOW)

TEA 1112Т

S016

3,70...4,30

0,5...19,5

400

50,6...53,0

30,3...32,3

5,8

1(HIGH)

ТЕА1112АТ

S016

3,70.. .4,30

0,5... 19,5

400

50,6...53,0

30,3...32,3

5,8

O(LOW)

TEA 11J3

DIP 16

3,70..4.30

0,5.. .19,5

625

$0,6...53,0

30,3...32,3

5,8

O(LOW)

TEA 1113Т

S016

3,70...4,30

0,5.. 19,5

400

50,6 .53,0

30,3...32,3

5,8

O(LOW)

Типономинал

Корпус

ULNnpn 1^1 5mA, В

(led при 1^-15... 7 6mA, mA

Рмакс. при tp-75O, мВт

Усиление, дБ

Глубина А РУ при 1^26.,.61мА, дБ

Активизация функции

MUTE/MUTE

микр. усилит.

телеф. усилит.

ТЕА1112

DIP 16

3,35... 3,95

0,5... 19,5

625

50,6...53,0

29,7...32,7

5,8

KHIGH)

ТЕА1112А

DIP 16

3,35...3,95

0,5.. 19,5

625

50,6.. .53,0

29,7. 32,7

5,8

O(LOW)

TEA 1112Т

S016

3,70...4,30

0,5...19,5

400

50,6...53,0

30,3...32,3

5,8

1(HIGH)

ТЕА1112АТ

S016

3,70.. .4,30

0,5... 19,5

400

50,6...53,0

30,3...32,3

5,8

O(LOW)

TEA 11J3

DIP 16

3,70..4.30

0,5.. .19,5

625

$0,6...53,0

30,3...32,3

5,8

O(LOW)

TEA 1113Т

S016

3,70...4,30

0,5.. 19,5

400

50,6 .53,0

30,3...32,3

5,8

O(LOW)

Таблица 3.26.

Таблица 3.26.

Линейный вход (+)LN1

Установка напряж. пит. др. ус-тв ЭТАSLPE2

Подкл. светодиода*led3

Уст. лик. напряженияREG4

Уст. усил. передачиGAS5

Блокир. микр.MMUTE6

Вх. сигн. тон. ННDTMF7

Блокир. микроф. при тон. НН MUTE 8

СМ

к

16 Усс Напряж. питан. (+) „tSjGAR Уст. усил. приема 141QR Вых. усилит, приема 13 Уд- Линейный вход (-) ^ШМ1С+1Вх0ДЫ МИКР°Ф°ННОГО усилителя

10 AGC Уст. глубины АРУ

9 llR Вх усилит, приема

Линейный вход (+)LN1

Установка напряж. пит. др. ус-тв ЭТАSLPE2

Подкл. светодиода*led3

Уст. лик. напряженияREG4

Уст. усил. передачиGAS5

Блокир. микр.MMUTE6

Вх. сигн. тон. ННDTMF7

Блокир. микроф. при тон. НН MUTE 8

СМ

к

16 Усс Напряж. питан. (+) „tSjGAR Уст. усил. приема 141QR Вых. усилит, приема 13 Уд- Линейный вход (-) ^ШМ1С+1Вх0ДЫ МИКР°Ф°ННОГО усилителя

10 AGC Уст. глубины АРУ

9 llR Вх усилит, приема

Рис. 3.45. Цоколевка корпуса ИМС TEA 1112

Рис. 3.45. Цоколевка корпуса ИМС TEA 1112

Таблица 3.25.

Прототип

Аналог

типономинал

корпус

производитель

TEA 1067

КР1064УН1

DIP 18

з-д "Светлана", СПБ, Россия

TEA 1067

КМ1064УН1

СЕР DIP 18

з-д "Светлана", СПБ, Россия

TEA 1067

КР1085УН1

DIP 18

к. "Родон", И-Фр., Украина

TEA 1068

ЭКР1436ХА1

2104.18-A

о. "Интеграл”, г. Минск, Белоруссия

TEA 1068

SPS-03

DIP 18

"Квазар-микро - техно", г.Киев, Украина

TEA 1068

CT7071

DIP 18

а.о. "Альфа", г. Рита, Латвия

TEA 1068

иА02УН1

DIP 18

о. "Квазар", г.Киев, Украина

TEA 1062

КР1074УН32

DIP 16

а. о. "Ангстрем", г. Зеленоград, Россия

совпадает с изображенной. Как видно из табл. 3.26. и рис. 3.45, характеристики ИМС этой серии несколько упрощены и усреднены по сравнению с ТЕАЮбх, что совершенно естественно, т.к. во всем мире происходит реконструкция телефонных сетей, направленная на уменьшение длины абонентских линий и поэтому не нужны большие запасы усиления и глубины АРУ для компенсации потерь в линиях. Кроме этого, значительно улучшены характеристики акустических преобразователей (микрофона и телефона), что также способствовало упрощению ИМС.

Также, как и микросхемы речевого тракта предыдущей серии, ТЕА11IX требуют внешних цепей противоместной схемы и баланса линии, их расчет описан в издании ф. PHILIPS — «Wirebound telecom» (1995г.).

Микросхемы речевого тракта фирмы SAMSUNG

Практически все крупные разработчики и производители микросхем выпускали ИМС аналогичного назначения. Поэтому мы сейчас рассмотрим несколько таких устройств других зарубежных фирм. Начнем с изделий ф. SAMSUNG, серии КА850х, в составе которой три микросхемы:

КА8501А — корпус DIP 16, встроенный стабилизатор напряжения для питания других устройств ЭТА, схема АРУ;

КА8503 — корпус DIP18, встроенная схема подавления местного эффекта на операционных усилителях, возможность применения нескольких типов электроакустических преобразователей (телефон), для чего в этой ИМС усилитель приема имеет три выхода с различными сопротивлениями, усилитель передачи управляется током линии;

КА8504 — корпус DIP16, усилитель приема управляется током линии.

На рис. 3.46. приведена цоколевка КА8501А. Напряжение питания микросхем этой серии стандартное для изделий SAMSUNG — не более 6,5 В, диапазон рабочих температур (-2О...7О°С), а максимально допустимая рассеиваемая мощность при наибольшей температуре ограничивается значениями порядка 600 мВт для КА8503 и 500 мВт для КА8501А и КА8504.

Микросхемы речевого тракта фирмы THOMSON

Фирма SGS THOMSON также выпускала ИМС речевого тракта. В составе ее продукции представлены как простейшие изделия этого назначения — L3280, корпус DIP14, так и более сложные — L3281AB, корпус DIP 14 и L3281AD, корпус SO 14. Эти микросхемы подобно изделиям PHILIPS питаются от телефонной линии. Первая из упомянутых микросхем требует внешнего стабилизатора, а вторая — имеет встроенный. Напряжение питания этих микросхем составляет величину порядка 2,5...5,0 В, а величина допустимой рассеиваемой мощности составляет 600 мВт.

Вх. микр. усилителяMIC1Напряж. пит. (+)vccБлок. микр. усил.MUTEРез. опорн. уровняRbaКонд. фильтра АРУCAGCВых. АРУAGCOРез. контр, токаRosВх. перекл. реж.zswВх. микр. усилителяMIC1Напряж. пит. (+)vccБлок. микр. усил.MUTEРез. опорн. уровняRbaКонд. фильтра АРУCAGCВых. АРУAGCOРез. контр, токаRosВх. перекл. реж.zswРис. 3.46. Цоколевка корпуса ИМС КА8501АРис. 3.46. Цоколевка корпуса ИМС КА8501АMIC2Вх. микр. усил.VddOВых. стаб. напряж.MFIВх. сигн. DTMFSPO IВыходыSPI Jусилит, приемаCrxКонд.развязки ус. пр.RXIВх. усилит, приемаvccНапр. пит. (-)MIC2Вх. микр. усил.VddOВых. стаб. напряж.MFIВх. сигн. DTMFSPO IВыходыSPI Jусилит, приемаCrxКонд.развязки ус. пр.RXIВх. усилит, приемаvccНапр. пит. (-)Вых. сигн. перед. SO1° Б <814J IL Уст. тока линииВх. сигн. приема RI213J Rba Уст. смещения«Земля» (Общий) GND Вых. сигн. приема. RO Вых. стабилиз.ZD312J LINE+ Линейный вход411J AGC Упр. АРУ510"1 MUTE Блокир. микр. усил.Вх. микрофон- "MIC- ного усилителя LMIC+$9J BIВх. сигн. подтвержд.783 DTMF Вх. тон. ННВых. сигн. перед. SO1° Б <814J IL Уст. тока линииВх. сигн. приема RI213J Rba Уст. смещения«Земля» (Общий) GND Вых. сигн. приема. RO Вых. стабилиз.ZD312J LINE+ Линейный вход411J AGC Упр. АРУ510"1 MUTE Блокир. микр. усил.Вх. микрофон- "MIC- ного усилителя LMIC+$9J BIВх. сигн. подтвержд.783 DTMF Вх. тон. ННРис. 3.47. Цоколевка корпуса ИМС L3281AD1Рис. 3.47. Цоколевка корпуса ИМС L3281AD1Цоколевка корпуса L3281AD1 приводится на рис.3.47. В отличие от ИМС этого назначения ф. PHILIPS изделия SGS THOMSON не предусматривают устройств для питания других элементов ЭТА. Учитывая тот факт, что ф. SGS THOMSON является ведущим производителем микросхем телефонного назначения во Франции, где требования к устройствам телефонной сети общего пользования несколько отличны от требований существующих в СНГ (например — номинальное значение тока абонентской линии в

Вх. микр. усилителя

MIC1

Напряж. пит. (+)

vcc

Блок. микр. усил.

MUTE

Рез. опорн. уровня

Rba

Конд. фильтра АРУ

CAGC

Вых. АРУ

AGCO

Рез. контр, тока

Ros

Вх. перекл. реж.

zsw

Вх. микр. усилителя

MIC1

Напряж. пит. (+)

vcc

Блок. микр. усил.

MUTE

Рез. опорн. уровня

Rba

Конд. фильтра АРУ

CAGC

Вых. АРУ

AGCO

Рез. контр, тока

Ros

Вх. перекл. реж.

zsw

Рис. 3.46. Цоколевка корпуса ИМС КА8501А

Рис. 3.46. Цоколевка корпуса ИМС КА8501А

MIC2

Вх. микр. усил.

VddO

Вых. стаб. напряж.

MFI

Вх. сигн. DTMF

SPO I

Выходы

SPI J

усилит, приема

Crx

Конд.развязки ус. пр.

RXI

Вх. усилит, приема

vcc

Напр. пит. (-)

MIC2

Вх. микр. усил.

VddO

Вых. стаб. напряж.

MFI

Вх. сигн. DTMF

SPO I

Выходы

SPI J

усилит, приема

Crx

Конд.развязки ус. пр.

RXI

Вх. усилит, приема

vcc

Напр. пит. (-)

Вых. сигн. перед. SO

1

° Б <

8

14

J IL Уст. тока линии

Вх. сигн. приема RI

2

13

J Rba Уст. смещения

«Земля» (Общий) GND Вых. сигн. приема. RO Вых. стабилиз.ZD

3

12

J LINE+ Линейный вход

4

11

J AGC Упр. АРУ

5

10

"1 MUTE Блокир. микр. усил.

Вх. микрофон- "MIC- ного усилителя LMIC+

$

9

J BIВх. сигн. подтвержд.

7

8

3 DTMF Вх. тон. НН

Вых. сигн. перед. SO

1

° Б <

8

14

J IL Уст. тока линии

Вх. сигн. приема RI

2

13

J Rba Уст. смещения

«Земля» (Общий) GND Вых. сигн. приема. RO Вых. стабилиз.ZD

3

12

J LINE+ Линейный вход

4

11

J AGC Упр. АРУ

5

10

"1 MUTE Блокир. микр. усил.

Вх. микрофон- "MIC- ного усилителя LMIC+

$

9

J BIВх. сигн. подтвержд.

7

8

3 DTMF Вх. тон. НН

Рис. 3.47. Цоколевка корпуса ИМС L3281AD1

Рис. 3.47. Цоколевка корпуса ИМС L3281AD1

СНГ принято 35 мА, а во Франции — 50 мА), поэтому ИМС этого производителя отличаются более высоким уровнем потребления по сравнению с другими производителями.

Микросхемы речевого тракта фирмы SIEMENS

Микросхемы этого назначения выпускает и такой мощный производитель, как ф. SIEMENS. Не останавливаясь на подробностях отметим, что известны по крайней мере три серии ИМС речевого тракта Siemens:

PSB4400-P, PSB4400-T - корпуса DIP18 и SO20 соответственно. Микросхемы содержат в своем составе усилители: микрофонный, передачи, сигнала DTMF и приема; схему АРУ, схему формирования опорного напряжения и устройства блокировки разговорного тракта при наборе номера (MUTE и PD).

PSB4500-P и Т, PSB4501-P и Т, корпуса DIP20(P) и SO28(T). Кроме перечисленных для PSB4400 элементов эта серия имеет схему формирования задержки при наборе номера.

Таблица 3.27.

№ КОНТ.

символ

назначение

№ КОНТ.

СИМВОЛ

назначение

1

Vss

напряж пиг.(-)

15

ни.

не исп.

2

М1С+

вх. MiKp. усил.

16

RI+

вх усилит, приема

3

MIC-

вх. мкр. усил.

17

RI-

вх усилит, приема

4

НИ.

не исп.

18

RI2

вх. 2-го каск. ус. пр.

5

MICO

ВЫХ. М4Кр. усил.

19

НИ.

не исп.

6

TV!

вх per. ус. перед.

20

RO

вых. усил. приема

7

^

вх. per. напр. ус. перед.

21

VRt

вх. per. напр. ус. приема

8

V^

вх. per. напр. ус. перед.

22

^

вх. per. напр. ус. приема

9

GND

общий (земля)

23

RVI

вх per. усил. приема

10

EN

вх. с и гн. разреш.

24

RV0

вых per. усил. приема

11

НИ.

не исп.

25

SPI

вх. ус. громюговор.

12

MUTE

вх. сиги, блокир.

26

CSP

конденс. раз в. ус. громкоговор.

13

Tl

вх. усил. передачи

27

^сс

напряж. пит. (+)

14

TO

вых. усил. передачи

28

SPO

вых. ус. громгоговор

PSB4506/A-P и PSB4506/A-T, корпуса DIP28(P) и SO28(T). В составе этой серии более мощный усилитель приема, позволяющий использовать громкоговоритель динамического типа, и соответствующая схема переключения МТТ-громко-

говоритель.

Все микросхемы речевого тракта SIEMENS не рассчитаны на организацию питания других элементов ЭТА. В отличие от них микросхема ТР5700А ф. NATIONAL SEMICONDUCTOR, обладая почти всеми (кроме использования громкоговорителя) характеристиками ИМС SIEMENS, такую схему имеет. Цоколевка корпуса DIP 16 этой микросхемы приводится на рис.3.48. Микросхема рассчитана на «прямое» питание от телефонной линии. Температурный режим практически не отличается от большинства изделий этого назначения (-2О...+7О°С). Максимально допустимая рассеиваемая мощность порядка 550 мВт.

Микросхемы речевого тракта фирмы EXAR

В заключение этого раздела рассмотрим еще изделия аналогичного назначения ф. EXAR, в

составе которых есть несколько микросхем оригинального построения, использовавшихся на начальном этапе разработок ЭТА. Эти микросхемы представляют собой набор усилительных устройств, объединенных в единый корпус и имеющих общее устройство питания. В составе серии XR-T6420-X две микросхемы (х=1, х~2), но три типономинала потому, что XR-T6420-2 выпускалась в двух корпусах: DIP24, PLCC28. На рис.3.49 представлена цоколевка корпуса PLCC28, а в табл.3.27 показано назначение контактов.

Назначение контактов XR-T6420-2 в корпусе DIP24 то же с учетом используемых в корпусе PLCC. Среди изделий EXAR есть ИМС XR-T5995, представляющая собой полный речевой тракт ЭТА подобный многим из описанных ранее. Корпус этой микросхемы DIP 16.

Вых. усилителя приема £

Напряж. пит. (-) Вых. ус. передачи Вх. ус. передачи Вых. per. ус. передачи Вх. микр. ус.

R10 R20 vss

ST0Q STI

РТО M1CI

Вх. сиги. тон. НН DTMF

0agc rba Roe vcc RI Vreg1 Vreg^ MUTE

Резистор АРУ Опорное напряж. Резистор per. тока Напр. пит. (+) Вх. ус. приема

J Вых. стабил. напряж.Вх. си гн. блок.

CSP Vcc SP0 Vss MIC+ MiC- н.и.

XR-T6420-2

№2 $

R12 Rl- RI+ н.и. ТО

MUTE

Рис. 3.48. Цоколевка корпуса ИМС ТР5700АРис. 3.48. Цоколевка корпуса ИМС ТР5700АРис. 3.49. Цоколевка корпусаPLCC28 ИМСХЯ-Т6420-2

Рис. 3.48. Цоколевка корпуса ИМС ТР5700А

Рис. 3.48. Цоколевка корпуса ИМС ТР5700А

.5. Микросхемы громкоговорящего режима

ТЕА1083ТЕА1083Напр. пит. (-) Вх. тел. линии Контр, вх. тока Вх. ус. гр-ляНапр. пит. (-) Вх. тел. линии Контр, вх. тока Вх. ус. гр-ляСтабил. напр. Вых. ус. гр-ля Вх. сигн. разреш. Вх. ус. гр-ляСтабил. напр. Вых. ус. гр-ля Вх. сигн. разреш. Вх. ус. гр-ляРис. 3.50. Цоколевка корпуса DIPS ИМС TEA 1083Рис. 3.50. Цоколевка корпуса DIPS ИМС TEA 1083Вх. сигн. блок.Конденсаторы фильтра питания Вх. усил.Вх. сигн. блок.Конденсаторы фильтра питания Вх. усил.МС34119МС34119CD ГС2 L.C1VlCD ГС2 L.C1VlVq2 Вых. усил. (инверт.) GND «Земля» (общий) vcc Напр. пит. (+) V01 Вых. усил. (неинв.)Vq2 Вых. усил. (инверт.) GND «Земля» (общий) vcc Напр. пит. (+) V01 Вых. усил. (неинв.)Рис. 3.51. Цоколевка корпуса ИМС МС34119Рис. 3.51. Цоколевка корпуса ИМС МС34119

ТЕА1083

ТЕА1083

Напр. пит. (-) Вх. тел. линии Контр, вх. тока Вх. ус. гр-ля

Напр. пит. (-) Вх. тел. линии Контр, вх. тока Вх. ус. гр-ля

Стабил. напр. Вых. ус. гр-ля Вх. сигн. разреш. Вх. ус. гр-ля

Стабил. напр. Вых. ус. гр-ля Вх. сигн. разреш. Вх. ус. гр-ля

Рис. 3.50. Цоколевка корпуса DIPS ИМС TEA 1083

Рис. 3.50. Цоколевка корпуса DIPS ИМС TEA 1083

Вх. сигн. блок.

Конденсаторы фильтра питания Вх. усил.

Вх. сигн. блок.

Конденсаторы фильтра питания Вх. усил.

МС34119

МС34119

CD ГС2 L.C1

Vl

CD ГС2 L.C1

Vl

Vq2 Вых. усил. (инверт.) GND «Земля» (общий) vcc Напр. пит. (+) V01 Вых. усил. (неинв.)

Vq2 Вых. усил. (инверт.) GND «Земля» (общий) vcc Напр. пит. (+) V01 Вых. усил. (неинв.)

Рис. 3.51. Цоколевка корпуса ИМС МС34119

Рис. 3.51. Цоколевка корпуса ИМС МС34119

Особое место среди микросхем речевого тракта занимают ИМС, обеспечивающие режим «hand free» и громкоговорящую связь. Эти изделия различных производителей можно условно подразделить на две группы: микросхемы, используемые совместно "с ИМС речевого тракта для МТТ и объединяющие в своем составе обе схемы — обычную и громкоговорящую. Наш обзор продолжим, начав с ИМС первой группы. Вначале рассмотрим изделия серии ТЕА1083х ф. PHILIPS, в составе которой три типо- номинала ИМС:

ТЕА1083 — корпус DIP8, усилитель громкоговорителя с фиксированным усилением 35 дБ и внешним потенциометром для регулировки громкости. Напряжение питания стабилизированное 2,95±0,2 В при Iln"15 мА. Диапазон рабочих температур (-2О...75°С). Максимальная рассеиваемая мощность 500 мВт.

ТЕА1083А — корпус DIP16, все параметры те же, но максимальная рассеиваемая мощность 750 мВт.

ТЕА1083АТ — корпус SO 16, максимальная рассеиваемая мощность 550 мВт.

Цоколевка корпуса ТЕА1083 приведена на рис. 3.50. Микросхемы «...А» и «...АТ», которые выпускаются в шестнадцатиконтактных корпусах, имеют еще один вход PD — понижение напряжения (частичная блокировка) при импульсном наборе номера. Таким образом, задействуется 9 контактов, а 7 остаются незадей- ствованными.

Эти микросхемы управляются по входу SE либо от ЭНН, либо от контроллера ЭТА сигналом логической «1» (High). При сигнале «0» (Low) усилитель находится в состоянии готовности, но его вход заперт.

Микросхема «...А» отличается от «...АТ» тем, что сигнал PD должен подаваться высоким

(High) уровнем. Эти ИМС используются, как правило, совместно с устройствами речевого тракта серии ТЕА106х.

Почти аналогичную ТЕА1083 микросхему выпускает ф. Motorola — MC34119P/D. Типономи- нал Р в корпусе DIP8, a D в корпусе SO8. Отличие состоит в том, что изделие Motorola имеет более низкое выходное сопротивление усилителя, допускающее работу с громкоговорителями сопротивлением от 8 Ом и выше (типовое значение 32 Ом). Диапазон питающих напряжений 2... 16 В, интервал рабочих температур (-2О...7О°С). Максимальная рассеиваемая мощность может достигать 600 мВт при мощности отдаваемой в нагрузку 32 Ом порядка 400 мВт. Усиление — фиксированной величины: 46 дБ. Регулировка усиления потенциометром на входе. Потребление тока в режиме блокировки не превышает 100 мкА. В СНГ выпускается два аналога этой микросхемы:

КР1064УН2 з-д «Светлана», С-Петербург, Россия;

ЭКР1436УН1 о. «Интеграл», Минск, Белоруссия.

На рис. 3.51 приведена цоколевка МС33119, которая полностью совпадает с цоколевкой упомянутых выше изделий. Все описанные микросхемы чаще всего используются в ЭТА с функцией «free hand» или, как ее еще называют — «монитор». Эта функция позволяет контролировать состояние линии и вести набор не снимая трубку.

Теперь перейдем к микросхемам, обеспечивающим громкоговорящую связь, основное отличие которых состоит в наличии в их составе еще одного усилителя — микрофонного и схемы, обеспечивающей трансляцию сигнала передачи в телефонную линию. Как правило, современные ИМС этого назначения оснащаются еще и устройствами управления усилением голосом, что значительно снижает возможность акустической завязки трак-

тов передачи и приема. В качестве примера рассмотрим серию ТЕА109хф. PHILIPS, состоящую из шести микросхем, каждая из которых выпускается в двух типономиналах. ИМС громкой связи построены по биполярной технологии и имеют достаточно большое потребление мощности, поэтому большинство ЭТА со спикерфоном требуют дополнительного (кроме телефонной линии) источника питания.

Чаще всего таким источником служит батарея из трех элементов типа АА суммарным напряжением 4,5 В, значительно реже применяются батареи типа «Крона» с напряжением 9 В. Диапазон рабочих температур обычный для изделий PHILIPS: (- 25...75°С). Основные характеристики микросхем этой серии приведены в табл. 3.28.

На рис.3.52 показана цоколевка ТЕА1096. Как видно из назначения выводов микросхемы, в ней много общего со схемами речевого тракта серии ТЕАЮбх. К контактам 25 и 27 подключается

телефон, т.к. это выход усилителя приема, но при разрешении включения усилителя громкоговорителя этот выход переключается на вход последнего, становясь его первым каскадом. Имеет входы для подключения внешних элементов цепей баланса, входного сопротивления и т.д., аналогично ТЕАЮбх. Глубина АРУ составляет б дБ, что достаточно для компенсации потерь в линии протяженностью 5 км на базе симметричного кабеля с медными жилами диаметром 0,5 мм (затухание такой свитой пары жил составляет 1,2 дБ/км).

Микросхема ТЕАЮ96 работает под управлением контроллера или частотно-импульсного номеронабирателя.

Типом оминалТип корпусаUbbOsup-ISmA), ВУсиление микроф. усилит. (им^1мВ)щБУсиление усилит, приема (и^ЗОмВудБПодавление сигнала неактивн. направл., дБМощность 8 нагрузке усилит, громкоговорителя, мВт**Макс, допустимая рассеиваемая , мощи.(t~75‘C}, мВтTEA 1093DIP283,6*0,2515*0,2518*0,2540100900TEA 1093ТSO283,6*0,2515*0,2518*0,2540100650TEA 1094DIP285.0*15*0,2518,5*0,25402001000TEA 1094T50285.0*15*0,2518,5*0,2540200625TEA1094ADIP245.0*15*0,2518,5*0,2540200900TEA1094AT50245.0*15*0,2518,5*0,2540200600TEA 1095DIP245.0**15,56,540--400TEA 1095T50245.0**15,56,540--400TEA 1096DIP283,6*0,252*135*1,5-100900TEA1096ADIP283,6*0,252*135*1,5-100900TEA 1096T50283,6*0,252*135*1,5-100650TEA 1096AT50283,6*0,252*135*1,5-100650Типом оминалТип корпусаUbbOsup-ISmA), ВУсиление микроф. усилит. (им^1мВ)щБУсиление усилит, приема (и^ЗОмВудБПодавление сигнала неактивн. направл., дБМощность 8 нагрузке усилит, громкоговорителя, мВт**Макс, допустимая рассеиваемая , мощи.(t~75‘C}, мВтTEA 1093DIP283,6*0,2515*0,2518*0,2540100900TEA 1093ТSO283,6*0,2515*0,2518*0,2540100650TEA 1094DIP285.0*15*0,2518,5*0,25402001000TEA 1094T50285.0*15*0,2518,5*0,2540200625TEA1094ADIP245.0*15*0,2518,5*0,2540200900TEA1094AT50245.0*15*0,2518,5*0,2540200600TEA 1095DIP245.0**15,56,540--400TEA 1095T50245.0**15,56,540--400TEA 1096DIP283,6*0,252*135*1,5-100900TEA1096ADIP283,6*0,252*135*1,5-100900TEA 1096T50283,6*0,252*135*1,5-100650TEA 1096AT50283,6*0,252*135*1,5-100650Таблица 3.28.Таблица 3.28.* указано номинальное значение, пределы: 3...12В;** то же, пределы: 2,9... 12В;*** RL=50 Ом.* указано номинальное значение, пределы: 3...12В;** то же, пределы: 2,9... 12В;*** RL=50 Ом.Огр. ампл. усил. п|. /пн ГрОМКОГОВ.DLL/Di L159LSIBx. усил. гр-ляУс. стаб. напр.VBA2QRMВых. ус.пр. (инверт.)Вых. ус. гр-ляQLS320GARУст. усил. приемаКонтр, лин. напр.REG456QRPВых.усил. приемаЛинейн. вход (-)VEE5(0EMBAL2 "Цепи балансаРез^ наклона х-ки стабилизатора Стабилиз. напр.SLPEVBB60) оMlЕйBAL1 . micp"противом. схемы Входы микр. усил.Подкл. резист. АРУAGO8ИКMICMМ-инверт.,Р-не инверт.Вход лин. сигн.its9ШMlPDБлок.при импул.ННЛинейн. вход (+)LN10IM[ DTMFВх. сигн. тон. ННВых. опорн напр.Vref11ейMUTEБлок, при тон. ННУст. входного сопр.SIMP12KMGASУстам, усил. передачиВых. пит. напр. др. устр.VDD13KMOSPВых. предус. пер.Выкл. ус. пр. иDLS/14KMSTABУст. опорн. напр.Огр. ампл. усил. п|. /пн ГрОМКОГОВ.DLL/Di L159LSIBx. усил. гр-ляУс. стаб. напр.VBA2QRMВых. ус.пр. (инверт.)Вых. ус. гр-ляQLS320GARУст. усил. приемаКонтр, лин. напр.REG456QRPВых.усил. приемаЛинейн. вход (-)VEE5(0EMBAL2 "Цепи балансаРез^ наклона х-ки стабилизатора Стабилиз. напр.SLPEVBB60) оMlЕйBAL1 . micp"противом. схемы Входы микр. усил.Подкл. резист. АРУAGO8ИКMICMМ-инверт.,Р-не инверт.Вход лин. сигн.its9ШMlPDБлок.при импул.ННЛинейн. вход (+)LN10IM[ DTMFВх. сигн. тон. ННВых. опорн напр.Vref11ейMUTEБлок, при тон. ННУст. входного сопр.SIMP12KMGASУстам, усил. передачиВых. пит. напр. др. устр.VDD13KMOSPВых. предус. пер.Выкл. ус. пр. иDLS/14KMSTABУст. опорн. напр.—.——.—.——.микр. спикерф. М MUTEILrr-—-т-т-т-т^тЛмикр. спикерф. М MUTEILrr-—-т-т-т-т^тЛРис. 3.52. Цоколевка корпуса ИМС ТЕА1096Рис. 3.52. Цоколевка корпуса ИМС ТЕА1096Все остальные ИМС серии ТЕАЮ9х используются только совместно с микросхемами серии ТЕАЮбх, а ТЕАЮ95 требует еще и дополнительного усилителя громкоговорителя, т.к. в ее составе он отсутствует.

Типом оминал

Тип корпуса

UbbOsup-ISmA), В

Усиление микроф. усилит. (им^1мВ)щБ

Усиление усилит, приема (и^ЗОмВудБ

Подавление сигнала неактивн. направл., дБ

Мощность 8 нагрузке усилит, громкоговорителя, мВт**

Макс, допустимая рассеиваемая , мощи.

(t~75‘C}, мВт

TEA 1093

DIP28

3,6*0,25

15*0,25

18*0,25

40

100

900

TEA 1093Т

SO28

3,6*0,25

15*0,25

18*0,25

40

100

650

TEA 1094

DIP28

5.0*

15*0,25

18,5*0,25

40

200

1000

TEA 1094T

5028

5.0*

15*0,25

18,5*0,25

40

200

625

TEA1094A

DIP24

5.0*

15*0,25

18,5*0,25

40

200

900

TEA1094AT

5024

5.0*

15*0,25

18,5*0,25

40

200

600

TEA 1095

DIP24

5.0**

15,5

6,5

40

-

-400

TEA 1095T

5024

5.0**

15,5

6,5

40

-

-400

TEA 1096

DIP28

3,6*0,2

52*1

35*1,5

-

100

900

TEA1096A

DIP28

3,6*0,2

52*1

35*1,5

-

100

900

TEA 1096T

5028

3,6*0,2

52*1

35*1,5

-

100

650

TEA 1096AT

5028

3,6*0,2

52*1

35*1,5

-

100

650

Типом оминал

Тип корпуса

UbbOsup-ISmA), В

Усиление микроф. усилит. (им^1мВ)щБ

Усиление усилит, приема (и^ЗОмВудБ

Подавление сигнала неактивн. направл., дБ

Мощность 8 нагрузке усилит, громкоговорителя, мВт**

Макс, допустимая рассеиваемая , мощи.

(t~75‘C}, мВт

TEA 1093

DIP28

3,6*0,25

15*0,25

18*0,25

40

100

900

TEA 1093Т

SO28

3,6*0,25

15*0,25

18*0,25

40

100

650

TEA 1094

DIP28

5.0*

15*0,25

18,5*0,25

40

200

1000

TEA 1094T

5028

5.0*

15*0,25

18,5*0,25

40

200

625

TEA1094A

DIP24

5.0*

15*0,25

18,5*0,25

40

200

900

TEA1094AT

5024

5.0*

15*0,25

18,5*0,25

40

200

600

TEA 1095

DIP24

5.0**

15,5

6,5

40

-

-400

TEA 1095T

5024

5.0**

15,5

6,5

40

-

-400

TEA 1096

DIP28

3,6*0,2

52*1

35*1,5

-

100

900

TEA1096A

DIP28

3,6*0,2

52*1

35*1,5

-

100

900

TEA 1096T

5028

3,6*0,2

52*1

35*1,5

-

100

650

TEA 1096AT

5028

3,6*0,2

52*1

35*1,5

-

100

650

Таблица 3.28.

Таблица 3.28.

* указано номинальное значение, пределы: 3...12В;** то же, пределы: 2,9... 12В;*** RL=50 Ом.

* указано номинальное значение, пределы: 3...12В;** то же, пределы: 2,9... 12В;*** RL=50 Ом.

Огр. ампл. усил. п|. /пн ГрОМКОГОВ.DLL/Di L

1

59

LSI

Bx. усил. гр-ля

Ус. стаб. напр.

VBA

2

QRM

Вых. ус.пр. (инверт.)

Вых. ус. гр-ля

QLS

3

20

GAR

Уст. усил. приема

Контр, лин. напр.

REG

4

56

QRP

Вых.усил. приема

Линейн. вход (-)

VEE

5

(0

EM

BAL2 "

Цепи баланса

Рез^ наклона х-ки стабилизатора Стабилиз. напр.

SLPE

VBB

6

0) о

Ml

Ей

BAL1 . micp"

противом. схемы Входы микр. усил.

Подкл. резист. АРУ

AGO

8

ИК

MICM

М-инверт.,Р-не инверт.

Вход лин. сигн.

its

9

Ш

Ml

PD

Блок.при импул.НН

Линейн. вход (+)

LN

10

IM

[ DTMF

Вх. сигн. тон. НН

Вых. опорн напр.

Vref

11

ей

MUTE

Блок, при тон. НН

Уст. входного сопр.

SIMP

12

KM

GAS

Устам, усил. передачи

Вых. пит. напр. др. устр.

VDD

13

KM

OSP

Вых. предус. пер.

Выкл. ус. пр. и

DLS/

14

KM

STAB

Уст. опорн. напр.

Огр. ампл. усил. п|. /пн ГрОМКОГОВ.DLL/Di L

1

59

LSI

Bx. усил. гр-ля

Ус. стаб. напр.

VBA

2

QRM

Вых. ус.пр. (инверт.)

Вых. ус. гр-ля

QLS

3

20

GAR

Уст. усил. приема

Контр, лин. напр.

REG

4

56

QRP

Вых.усил. приема

Линейн. вход (-)

VEE

5

(0

EM

BAL2 "

Цепи баланса

Рез^ наклона х-ки стабилизатора Стабилиз. напр.

SLPE

VBB

6

0) о

Ml

Ей

BAL1 . micp"

противом. схемы Входы микр. усил.

Подкл. резист. АРУ

AGO

8

ИК

MICM

М-инверт.,Р-не инверт.

Вход лин. сигн.

its

9

Ш

Ml

PD

Блок.при импул.НН

Линейн. вход (+)

LN

10

IM

[ DTMF

Вх. сигн. тон. НН

Вых. опорн напр.

Vref

11

ей

MUTE

Блок, при тон. НН

Уст. входного сопр.

SIMP

12

KM

GAS

Устам, усил. передачи

Вых. пит. напр. др. устр.

VDD

13

KM

OSP

Вых. предус. пер.

Выкл. ус. пр. и

DLS/

14

KM

STAB

Уст. опорн. напр.

—.——.

—.——.

микр. спикерф. М MUTEILrr-—-т-т-т-т^тЛ

микр. спикерф. М MUTEILrr-—-т-т-т-т^тЛ

Рис. 3.52. Цоколевка корпуса ИМС ТЕА1096

Рис. 3.52. Цоколевка корпуса ИМС ТЕА1096

Для лучшего понимания работы устройств, обеспечивающих развязку цепей приема и передачи в громкоговорящих речевых трактах и работающих под управлением голосом рассмотрим упрощенную блок-схему ТЕА1095 представленную на рис. 3.53.

В составе этой ИМС есть три основных узла: ♦ усилитель приема, обеспечивающий компенсацию потерь в абонентской линии (усиление всего 6,5 дБ, см. табл. 3.28) и являющийся, по сути, предусилителем громкоговорителя;

усилитель передачи, рассчитанный на совместную работу с микрофоном низкой отдачи (см. табл. 3.28) и обеспечивающий усиление речевого сигнала до уровня достаточного для нормальной работы тракта передачи микросхем серии ТЕАЮбх;

дуплексный контроллер — схема обеспечивающая постоянное наблюдение за состоянием обоих трактов и имеющая три рабочих состояния:

тракт передачи открыт, тракт приема заперт;

тракт приема открыт, тракт передачи заперт;

оба тракта прикрыты на 50% их усиления — режим обоюдной паузы в разговоре.

Описанные режимы реализуются контроллером при помощи следующих устройств в его составе:

логарифмических усилителей (LOG) с несколькими буферными каскадами (на схеме не показаны), обеспечивающими усиление сигнала в логарифмическом масштабе до уровня необходимого для работы последующей схемы;

«весовой» схемы, оценивающей состояние тракта и формирующей входной цифровой сигнал логической матрицы;

голосовых ключей, формирующих смещение первых каскадов усилителей приема и передачи — управляющие их усилением.

Рассмотрим назначение некоторых элементов схемы. RC-цепочки с индексами Т и R устанавливают пороги чувствительности соот7 ветствующих логарифмический усилителей, а емкости с такими же индексами — время включения усилителей.

Резистор Rstab устанавливает опорное напряжение в схеме голосовых ключей, a RSwr — порог срабатывания ключа приемного тракта. Емкость CSwt определяет время переключения ключа тракта передачи.

Схема регулировки уровня громкости приема построена таким образом, что максимальному значению RVol соответствует сигнал полностью закрывающий тракт передачи через соответствующий ключ. Сигналы MUTE Т и MUTE R закрывают тракт передачи или приема во время набора номера тональным или импульсным способом соответственно. На этом обзор громкоговорящих ИМС PHILIPS завершим и перейдем к аналогичным изделиям других производителей.

Рассмотрим микросхему громкой связи управляемую голосом МС34018 ф. MOTOROLA, которая выпускается в трех типономиналах и довольно широко используется в схемах современных ЭТА со спикерфоном:

МС34018Р - корпус DIP18;

MC34018DW - корпус SO18;

MC34018FN - корпус PLCC28.

По назначению контактов цоколевка всех ти- пономиналов полностью совпадает. Микросхема имеет собственный стабилизатор напряжения и питается от телефонной линии непосредственно. Особенностью этой ИМС является наличие двух значений питающего напряжения: Vcc=5,4 В и VB^2,9 В. Напряжение 2,9 В используется для питания первых каскадов усилителей, а также в качестве опорного напряжения в цепях сравнения. Диапазон рабочих температур (-2О...6О°С). По применению эта микросхема подобна ТЕА1093, т.к. используется совместно с ИМС речевого тракта. Микросхема является усовершенствованным аналогом МС34118, отличаясь от последней только наличием усилителя громкоговорителя. Цоколевка корпуса SO28 показана на рис. 3.54. В СНГ (з-д «Светлана», СПБ, Россия) выпускается аналог МС34118 — КР1064ХА1, который можно использовать совместно с КР1064УН1 так же, как используется МС34118 с МС34119 P/D.

Аналогом МС34018 является ИМС AN959 фирмы MATSUSHITA, торговая марка PANASONIC.

Представляет интерес громкоговорящая ИМС РВМ3911 ф. ERICSSON, в которой управление аттенюаторами передачи и приема осуществляется цифровым способом с применением линейного АЦП формирующего цифровой сигнал управления. Задающий генератор схемы управления имеет частоту 25 кГц, что соответствует периоду следования тактовых импульсов 40 мкс и в комплексе с «весовой» схемой, подобной использованной в ТЕА1095, обеспечивает закрытие пассивного канала и открытие активного незаметно для разговаривающих. Микросхема выпускается в корпусе DIP24. Цоколевка РВМ3911 показана на рис. 3.55.

Аттенюаторы 1 и 2 управляют усилением тракта передачи, а 3 и 4 — усилением тракта приема. Основными задатчиками, кроме уже упомянутого линейного АЦП, управляющих воздействий на схему управления являются детекторы огибающей в трактах передачи и приема масштабирующие усилители и пороговое устройство с большой постоянной времени.

Одной из наиболее мощных ИМС (если не самой функционально-производительной) в данном классе устройств на сегодняшний день, является продукт ф. MOTOROLA — МС33215. Эта

ИМС, поставляемая изготовителем в 52 выводном корпусе типа TQFP-52 или в 42 выводном SDIP- 42, обеспечивает все базовые функции интерфейса телефонной линии (разговорной схемы), а также полнодуплексную громкоговорящую связь с «тонким» автоматическим регулированием электроакустической обратной связи системы микрофон (МТТ или внешний) — телефон (МТТ или динамик). МС33215, схема которой приведена на рис. 3.56, содержит в себе следующие основные узлы:

Для обеспечения функций линейного интерфейса:

согласование АЛ по переменному и постоянному току, включая регулировку и согласование с полным сопротивления АЛ (активной и комплексной составляющих);

устройство эффективного и стабилизированного питания (отдельно для внешнего микрофона и микрофона МТТ);

раздельные питающие цепи для режима «speakerphone» и МТТ;

раздельные усилители приема и передачи (с дифференциальным входом микрофона);

цепь местного эффекта с автоматической регулировкой компенсации затухания АЛ;

вход MUTE цепи микрофона и телефона;

Рез. оп. токаRtanc С1оютеRrangРез. усил. пр.Рез. ус. пер.Rtang С2КН!RA1Вх. атт. пр.Вх. атт перед.TAI с3ИЦRAOВых. атт. пр.Вых. атт. передTAO С4ЮТ6СдсЕмк. фильтр, атт.Вх. дет. передTDI Е5ОейVOLIВх. per. атт.Вых. дет. перед.tdo Е600ЮТИTDCIВых. дет.-комп, перВх. дет. приемаRDI Е7ЕМGND«Земля» (общий)Вых. дет. приемаRDOE8НИVgНапр.пит. 2,9 ВВход микр.г mici Е9соютеVccНапр.пит. 5,4 Вусилит-ляLmico Е10оИИSPAIВх. усил.гр-ляRC цепь дет,пер.RCjd Е115ИЯ1RSIВх. уст. реж. пит.Емк.дет.сигн./шумCsndE12miCpLЕмк. пиков огр.Вх. дет. сигн./шумSNDI Е13ютеv+Вх. телеф. линии«Земля» (общий)GND □14генSPAOВых. усил. гр-ляРез. оп. токаRtanc С1оютеRrangРез. усил. пр.Рез. ус. пер.Rtang С2КН!RA1Вх. атт. пр.Вх. атт перед.TAI с3ИЦRAOВых. атт. пр.Вых. атт. передTAO С4ЮТ6СдсЕмк. фильтр, атт.Вх. дет. передTDI Е5ОейVOLIВх. per. атт.Вых. дет. перед.tdo Е600ЮТИTDCIВых. дет.-комп, перВх. дет. приемаRDI Е7ЕМGND«Земля» (общий)Вых. дет. приемаRDOE8НИVgНапр.пит. 2,9 ВВход микр.г mici Е9соютеVccНапр.пит. 5,4 Вусилит-ляLmico Е10оИИSPAIВх. усил.гр-ляRC цепь дет,пер.RCjd Е115ИЯ1RSIВх. уст. реж. пит.Емк.дет.сигн./шумCsndE12miCpLЕмк. пиков огр.Вх. дет. сигн./шумSNDI Е13ютеv+Вх. телеф. линии«Земля» (общий)GND □14генSPAOВых. усил. гр-ляРис. 3.54. Цоколевка корпуса ИМС MC34018DWРис. 3.54. Цоколевка корпуса ИМС MC34018DWРез. уст. оп. напр. R ref । 1[241 Vcc Напряж. питан.(+)Вх. блок. микр. MUTE 1 2[ 231 RCoRr RC цепь генератораВх. опорн. напр. REFI ГУ"[22 1 МТН1 Вх. напр. порога пер.Вых. дет. приема LSCPO FT"1 211 МСРО Вх. дет.огибающейВх. атт. 3 и 4 AT34I Гб1 20 1 AT12I Вх. атт 1 и 2Вых. усил. гр-ля LSOl 6О)19 j MOO Вых. атт. передачиВых. усил. приема LSAOT?СО18 I МАО Вых. микр. ус-ляВых. масшт. усил. пр. LSFO1 82117 I MF0 Вых. масшт. микр. ус-ляВх. масшт. усил. пр LSF1 Гэ”со116 1 MICNVI Вх. масшт. микр. ус-ляВх.усил.гр-ля LSI 1 10О.|15 1 BGP0 Вых. дет. уровняВх. регул приема VDLI ITTП4 1 Cjim Емк. пост, времени«Земля» (Общий) GND [ 121 13 I REF0 Вых. опорн. напряж.Рез. уст. оп. напр. R ref । 1[241 Vcc Напряж. питан.(+)Вх. блок. микр. MUTE 1 2[ 231 RCoRr RC цепь генератораВх. опорн. напр. REFI ГУ"[22 1 МТН1 Вх. напр. порога пер.Вых. дет. приема LSCPO FT"1 211 МСРО Вх. дет.огибающейВх. атт. 3 и 4 AT34I Гб1 20 1 AT12I Вх. атт 1 и 2Вых. усил. гр-ля LSOl 6О)19 j MOO Вых. атт. передачиВых. усил. приема LSAOT?СО18 I МАО Вых. микр. ус-ляВых. масшт. усил. пр. LSFO1 82117 I MF0 Вых. масшт. микр. ус-ляВх. масшт. усил. пр LSF1 Гэ”со116 1 MICNVI Вх. масшт. микр. ус-ляВх.усил.гр-ля LSI 1 10О.|15 1 BGP0 Вых. дет. уровняВх. регул приема VDLI ITTП4 1 Cjim Емк. пост, времени«Земля» (Общий) GND [ 121 13 I REF0 Вых. опорн. напряж.JJРис. 3.55. Цоколевка корпуса ИМС РВМ3911Рис. 3.55. Цоколевка корпуса ИМС РВМ3911отдельный вход сигналов DTMF;

Рез. оп. тока

Rtanc С

1

о

юте

Rrang

Рез. усил. пр.

Рез. ус. пер.

Rtang С

2

КН!

RA1

Вх. атт. пр.

Вх. атт перед.

TAI с

3

ИЦ

RAO

Вых. атт. пр.

Вых. атт. перед

TAO С

4

ЮТ6

Сдс

Емк. фильтр, атт.

Вх. дет. перед

TDI Е

5

О

ей

VOLI

Вх. per. атт.

Вых. дет. перед.

tdo Е

6

00

ЮТИ

TDCI

Вых. дет.-комп, пер

Вх. дет. приема

RDI Е

7

ЕМ

GND

«Земля» (общий)

Вых. дет. приема

RDOE

8

НИ

Vg

Напр.пит. 2,9 В

Вход микр.

г mici Е

9

со

юте

Vcc

Напр.пит. 5,4 В

усилит-ля

Lmico Е

10

о

ИИ

SPAI

Вх. усил.гр-ля

RC цепь дет,пер.

RCjd Е

11

5

ИЯ1

RSI

Вх. уст. реж. пит.

Емк.дет.сигн./шум

CsndE

12

mi

CpL

Емк. пиков огр.

Вх. дет. сигн./шум

SNDI Е

13

юте

v+

Вх. телеф. линии

«Земля» (общий)

GND □

14

ген

SPAO

Вых. усил. гр-ля

Рез. оп. тока

Rtanc С

1

о

юте

Rrang

Рез. усил. пр.

Рез. ус. пер.

Rtang С

2

КН!

RA1

Вх. атт. пр.

Вх. атт перед.

TAI с

3

ИЦ

RAO

Вых. атт. пр.

Вых. атт. перед

TAO С

4

ЮТ6

Сдс

Емк. фильтр, атт.

Вх. дет. перед

TDI Е

5

О

ей

VOLI

Вх. per. атт.

Вых. дет. перед.

tdo Е

6

00

ЮТИ

TDCI

Вых. дет.-комп, пер

Вх. дет. приема

RDI Е

7

ЕМ

GND

«Земля» (общий)

Вых. дет. приема

RDOE

8

НИ

Vg

Напр.пит. 2,9 В

Вход микр.

г mici Е

9

со

юте

Vcc

Напр.пит. 5,4 В

усилит-ля

Lmico Е

10

о

ИИ

SPAI

Вх. усил.гр-ля

RC цепь дет,пер.

RCjd Е

11

5

ИЯ1

RSI

Вх. уст. реж. пит.

Емк.дет.сигн./шум

CsndE

12

mi

CpL

Емк. пиков огр.

Вх. дет. сигн./шум

SNDI Е

13

юте

v+

Вх. телеф. линии

«Земля» (общий)

GND □

14

ген

SPAO

Вых. усил. гр-ля

Рис. 3.54. Цоколевка корпуса ИМС MC34018DW

Рис. 3.54. Цоколевка корпуса ИМС MC34018DW

Рез. уст. оп. напр. R ref । 1

[241 Vcc Напряж. питан.(+)

Вх. блок. микр. MUTE 1 2

[ 231 RCoRr RC цепь генератора

Вх. опорн. напр. REFI ГУ"

[22 1 МТН1 Вх. напр. порога пер.

Вых. дет. приема LSCPO FT"

1 211 МСРО Вх. дет.огибающей

Вх. атт. 3 и 4 AT34I Гб

1 20 1 AT12I Вх. атт 1 и 2

Вых. усил. гр-ля LSOl 6

О)

19 j MOO Вых. атт. передачи

Вых. усил. приема LSAOT?

СО

18 I МАО Вых. микр. ус-ля

Вых. масшт. усил. пр. LSFO1 8

2

117 I MF0 Вых. масшт. микр. ус-ля

Вх. масшт. усил. пр LSF1 Гэ”

со

116 1 MICNVI Вх. масшт. микр. ус-ля

Вх.усил.гр-ля LSI 1 10

О.

|15 1 BGP0 Вых. дет. уровня

Вх. регул приема VDLI ITT

П4 1 Cjim Емк. пост, времени

«Земля» (Общий) GND [ 12

1 13 I REF0 Вых. опорн. напряж.

Рез. уст. оп. напр. R ref । 1

[241 Vcc Напряж. питан.(+)

Вх. блок. микр. MUTE 1 2

[ 231 RCoRr RC цепь генератора

Вх. опорн. напр. REFI ГУ"

[22 1 МТН1 Вх. напр. порога пер.

Вых. дет. приема LSCPO FT"

1 211 МСРО Вх. дет.огибающей

Вх. атт. 3 и 4 AT34I Гб

1 20 1 AT12I Вх. атт 1 и 2

Вых. усил. гр-ля LSOl 6

О)

19 j MOO Вых. атт. передачи

Вых. усил. приема LSAOT?

СО

18 I МАО Вых. микр. ус-ля

Вых. масшт. усил. пр. LSFO1 8

2

117 I MF0 Вых. масшт. микр. ус-ля

Вх. масшт. усил. пр LSF1 Гэ”

со

116 1 MICNVI Вх. масшт. микр. ус-ля

Вх.усил.гр-ля LSI 1 10

О.

|15 1 BGP0 Вых. дет. уровня

Вх. регул приема VDLI ITT

П4 1 Cjim Емк. пост, времени

«Земля» (Общий) GND [ 12

1 13 I REF0 Вых. опорн. напряж.

J

J

Рис. 3.55. Цоколевка корпуса ИМС РВМ3911

Рис. 3.55. Цоколевка корпуса ИМС РВМ3911

цепь питания периферийной схемы ТА.

Для обеспечения функций работы в режиме «speakerphone»:

устройство управления логикой работы;

интегрированный усилитель цепи микрофона (с дифференциальным входом) и громкоговорителя;

интегральный переключатель режимов, обеспечивающий регулируемое переключение режимов работы;

устройство слежения за уровнем шума;

устройство регулировки «глубины» переключения;

устройство регулировки паузы при переключении входов усилителя;

детектор звуковой огибающей канала приема.

Завершая на этом обзор схем громкоговорящих ЭТА, считаем необходимым отметить несколько общих моментов:

поскольку усилители громкоговорителей требуют достаточно большой мощности от источника питания, то читатель должен уяснить, что хороший ТА с функцией «speakerphone» не может питаться только от телефонной линии с ее ограниченными возможностями по мощности постоянного тока;

время переключения трактов приема-передачи при разговоре (10...30 мкс) незаметно для собеседников, но в значительной степени зависит от опорного напряжения управляющих элементов микросхем. Поэтому нужно вовремя заменять батареи в телефонном аппарате, тем более потому, что они поддерживают нормальное функционирование и других узлов ЭТА (память, жидкокристаллический дисплей и т.п.).

Рис. 3.56. Упрощенная структурная схема СБИС MC33215FB (МС33215В)

3.6. Микросхемы телефонных контроллеров (CPU)и «однокристальных» ТА

Этот раздел посвящен обзору довольно сложных ИМС современных электронных телефонных аппаратов — управляющим контроллерам, а также еще более функционально и технологически насыщенным устройствам — так называемым ИМС «однокристальных» ТА.

Как правило, контроллеры в «чистом» виде используются в сложных ЭТА, насыщенных многими сервисными функциями. Во многих случаях микросхемы контроллеров объединяют, кроме функций управления, еще и другие, например, формирование сигналов DTMF и импульсного набора, управление жидкокристаллическим дисплеем, управление работой ОЗУ и т.д. (например, рассмотренные в разделе 3.2 микросхемы ф. UMC и WINBOND).

Рассмотрим сначала, в качестве примера, семейство (серию) 8-битных телефонных микроконтроллеров ф. PHILIPS РСВЗЗххА. В составе этой серии 8 микросхем КМОП технологии. Каждая из них выпускалась (или выпускается) в корпусах двух типов: если А = Р, то корпус

DIP28, если А “ Т, то — SO28. Основные характеристики приведены в табл. 3.29.

У всех перечисленных выше микросхем одинаковый диапазон рабочих температур (-25...70°С), максимальная рассеиваемая мощность не превышает 500 мВт. Все микроконтроллеры этой серии выполняют свыше восьмидесяти инструкций, причем каждая из них выполняется за 1 или 2 цикла (инструкции базируются на документе МАВ8048, подробности см. «PHILIPS, Data Handbook, ICO3a, 1991»).

На рис. 3.57 показана цоколевка корпуса DIP20 PCD3347P, а на рис. 3.5 8 типовая блок- схема применения этой ИМС в схеме телефонного аппарата.

Остальные микросхемы этой серии (кроме PCD3315 и PCD3341) используются в более сложных схемах ЭТА совместно с ИМС внешней памяти, драйверами жидкокристаллических дисплеев, часами-календарем и т.п.

ТипНапряжение пит,, ВПамятьК-во портов (бит)Частота тактового генератора, МГцНаличие программного таймераНаличие генератора DTMFПримечаниеROM, кбитRAM, битPCD33151,8.. 6,01,51603(20)0.1... 104--PCD33412.5...6.03,02243(20)3,58-4-PCD33432,5_6,03,02243(20)0,1... 10+-PCD33442,5...6.02.02243(20)3,58+4-PCD33462,5..6,04.01283(20)0,45... 10+-PCD33472,5..6,01,5642(12)3,584-4-корпуса DIP20, SO 20PCD33481.8...6,08,02563(20)0,45 .. 104--PCD33492,5...6,04.02243(20)3,584-4-ТипНапряжение пит,, ВПамятьК-во портов (бит)Частота тактового генератора, МГцНаличие программного таймераНаличие генератора DTMFПримечаниеROM, кбитRAM, битPCD33151,8.. 6,01,51603(20)0.1... 104--PCD33412.5...6.03,02243(20)3,58-4-PCD33432,5_6,03,02243(20)0,1... 10+-PCD33442,5...6.02.02243(20)3,58+4-PCD33462,5..6,04.01283(20)0,45... 10+-PCD33472,5..6,01,5642(12)3,584-4-корпуса DIP20, SO 20PCD33481.8...6,08,02563(20)0,45 .. 104--PCD33492,5...6,04.02243(20)3,584-4-Таблица 3.29.Таблица 3.29.гР0,4Порт РОР0,5биты 4...7Р0,6lP0,7 1-й тествып. инстр.T1Подкл. резонатора или rXTALI частоты от внешнегоiгенератора *- л i al i Перезапуск, прерывание RESET 2-й тест вып. инстр. СЕ/ТО Порт Р1,бит 0Р1,01СО со Q О о.МНР0,3-|Р0,2 Порт РОР0,1 биты 0...3P0.0JV qD Капр. пит. (+)TONE Вых. частот тон. ННVss Напр. пит. (-)р/, Порт Р1биты 1...3Р1,1J234567891019 18 17 16 15 14 _1U _12J 11Рис. 3.57. Цоколевка корпуса ИМС PCD3347PгР0,4Порт РОР0,5биты 4...7Р0,6lP0,7 1-й тествып. инстр.T1Подкл. резонатора или rXTALI частоты от внешнегоiгенератора *- л i al i Перезапуск, прерывание RESET 2-й тест вып. инстр. СЕ/ТО Порт Р1,бит 0Р1,01СО со Q О о.МНР0,3-|Р0,2 Порт РОР0,1 биты 0...3P0.0JV qD Капр. пит. (+)TONE Вых. частот тон. ННVss Напр. пит. (-)р/, Порт Р1биты 1...3Р1,1J234567891019 18 17 16 15 14 _1U _12J 11Рис. 3.57. Цоколевка корпуса ИМС PCD3347PСреди изделий других производителей ИМС для электронных телефонных аппаратов мик-

Тип

Напряжение пит,, В

Память

К-во портов (бит)

Частота тактового генератора, МГц

Наличие программного таймера

Наличие генератора DTMF

Примечание

ROM, кбит

RAM, бит

PCD3315

1,8.. 6,0

1,5

160

3(20)

0.1... 10

4-

-

PCD3341

2.5...6.0

3,0

224

3(20)

3,58

-

4-

PCD3343

2,5_6,0

3,0

224

3(20)

0,1... 10

+

-

PCD3344

2,5...6.0

2.0

224

3(20)

3,58

+

4-

PCD3346

2,5..6,0

4.0

128

3(20)

0,45... 10

+

-

PCD3347

2,5..6,0

1,5

64

2(12)

3,58

4-

4-

корпуса DIP20, SO 20

PCD3348

1.8...6,0

8,0

256

3(20)

0,45 .. 10

4-

-

PCD3349

2,5...6,0

4.0

224

3(20)

3,58

4-

4-

Тип

Напряжение пит,, В

Память

К-во портов (бит)

Частота тактового генератора, МГц

Наличие программного таймера

Наличие генератора DTMF

Примечание

ROM, кбит

RAM, бит

PCD3315

1,8.. 6,0

1,5

160

3(20)

0.1... 10

4-

-

PCD3341

2.5...6.0

3,0

224

3(20)

3,58

-

4-

PCD3343

2,5_6,0

3,0

224

3(20)

0,1... 10

+

-

PCD3344

2,5...6.0

2.0

224

3(20)

3,58

+

4-

PCD3346

2,5..6,0

4.0

128

3(20)

0,45... 10

+

-

PCD3347

2,5..6,0

1,5

64

2(12)

3,58

4-

4-

корпуса DIP20, SO 20

PCD3348

1.8...6,0

8,0

256

3(20)

0,45 .. 10

4-

-

PCD3349

2,5...6,0

4.0

224

3(20)

3,58

4-

4-

Таблица 3.29.

Таблица 3.29.

гР0,4

Порт РОР0,5

биты 4...7Р0,6

lP0,7 1-й тествып. инстр.T1

Подкл. резонатора или rXTALI частоты от внешнегоi

генератора *- л i al i Перезапуск, прерывание RESET 2-й тест вып. инстр. СЕ/ТО Порт Р1,бит 0Р1,0

1

СО со Q О о.

МН

Р0,3-|

Р0,2 Порт РО

Р0,1 биты 0...3

P0.0J

V qD Капр. пит. (+)

TONE Вых. частот тон. НН

Vss Напр. пит. (-)

р/, Порт Р1

биты 1...3

Р1,1J

2

3

4

5

6

7

8

9

10

19 18 17 16 15 14 _1U _12J 11

Рис. 3.57. Цоколе

вка корпус

а ИМС PCD3347P

гР0,4

Порт РОР0,5

биты 4...7Р0,6

lP0,7 1-й тествып. инстр.T1

Подкл. резонатора или rXTALI частоты от внешнегоi

генератора *- л i al i Перезапуск, прерывание RESET 2-й тест вып. инстр. СЕ/ТО Порт Р1,бит 0Р1,0

1

СО со Q О о.

МН

Р0,3-|

Р0,2 Порт РО

Р0,1 биты 0...3

P0.0J

V qD Капр. пит. (+)

TONE Вых. частот тон. НН

Vss Напр. пит. (-)

р/, Порт Р1

биты 1...3

Р1,1J

2

3

4

5

6

7

8

9

10

19 18 17 16 15 14 _1U _12J 11

Рис. 3.57. Цоколе

вка корпус

а ИМС PCD3347P

росхемы контроллеров в чистом их виде почти не встречаются. Большинство фирм предпочитают производить микросхемы многофункционального назначения. Среди микросхем подобного назначения, произведенных в СНГ, можно указать (на момент написания этого обзора) только одну — КР1008ВЖЗ, которую выпускал з-д «Экситон» (г. Павловский Посад, Россия). Хотя основное назначение этой КМОП микросхемы — управление индикацией, но она, кроме этого, обеспечивает взаимодействие между узлами ЭТА. Тактовый генератор имеет частоту 32768 Гц (т.н. часовой кварц), что и используется в схеме часов и таймера продолжительности разговора. Микросхема выпускается в 48-контактном корпусе и может управлять как светодиодным, так и жидкокристаллическим дисплеем. Напряжение питания 2,5...5,0 В, а диапазон рабочих температур (- 45...80°С) допускает использование ИМС в аппаратах наружной установки (например, в таксофонах).

Следует еще упомянуть о применении в ТА универсальных микроконтроллеров, которые нашли особенно широкое использование в ТА с функцией автоматического определения номера (АОН). Данные ТА выпускаются многими фирмами стран СНГ в основном на базе универсальных микроконтроллеров фирм INTEL и ZILOGH, а также их многочисленных аналогов, производимых, в .том числе и в странах СНГ. Рассмотрим в краткой форме основные характеристики микроконтроллера КР1816ВЕ39 (аналог 8039 ф. INTEL) используемый в многофункциональном устройстве KVINTA, рассмотренном в главе 4.

ИМС однокристальной микро-ЭВМ КР1816ВЕ39 производимая на предприятии КВАЗАР (Украина), выполнена по n-канальной МОП технологии в 40-выводном корпусе. ИМС имеет в своем составе процессор, работающий на частоте 11.0 МГц, внутреннее ОЗУ на 128 байт, два 8-разрядных порта ввода-вывода, таймер, устройство прерывания и другие блоки. Адресная шина и интерфейс процес

сора позволяет работать с внешним ПЗУ объемом до двух кбайт. В связи с достаточным количеством литературы по данному вопросу (например Справочник по однокристальным микро-ЭВМ, 1994г. Издательство «Бином», Москва), а также в связи с более конкретным описанием работы КР1816ВЕ39 в составе устройства в следующих главах здесь наше описание мы закончим.

В последние годы благодаря многочисленным технологическим достижениям, в первую очередь микроэлектроники, нередки случаи объединения всех основных узлов телефона в единой БИС или даже СБИС, которую условно принято называть «однокристальный» ТА (Single Chip Telephone IC).

В данном разделе, в обзорном виде рассмотрим ИМС «однокристальных» ТА фирм TEMIK и AMS.

ИМС «однокристальных» ТА ф. AMS представлены на сегодня несколькими сериями. Рассмотрим одну из них, включающих четыре базовых микросхемы — AS2533, AS2534B, AS2535 и AS2536, отличающихся, в основном, наличием памяти прямого и двухкнопочного набора, ее количественным соотношением в разных ИМС и небольшой разницей в дополнительных сервисных функциях.

ИМС предназначены для работы в диапазоне температур (-25...+7О°С) при рекомендованном рабочем напряжении от 4 до 5 В и выпускаются в 28 выводных корпусах типа SOIC или DIP.

Микросхемы обеспечивают следующие основные функции:

импульсный и частотный набор номера;

повтор последнего набранного номера (ОЗУ на 31 цифру);

память прямого набора (однокнопочный набор) номера до 12 ячеек ОЗУ на 21 цифру (для каждой ИМС число ячеек разное);

ТЕА106Х речевой трактТЕА106Х речевой трактпитание ^_ MUTE <Р ОН DTMFпитание ^_ MUTE <Р ОН DTMF3,58МГц3,58МГцРис. 3.58. Типовая блок-схема применения PCD3347DРис. 3.58. Типовая блок-схема применения PCD3347Dпамять двухкнопочного набора номера до 10 ячеек ОЗУ на 21 цифру (для каждой ИМС число ячеек разное);

ТЕА106Х речевой тракт

ТЕА106Х речевой тракт

питание ^_ MUTE <

Р О

Н DTMF

питание ^_ MUTE <

Р О

Н DTMF

3,58МГц

3,58МГц

Рис. 3.58. Типовая блок-схема применения PCD3347D

Рис. 3.58. Типовая блок-схема применения PCD3347D

программирование режима работы (выбор импульсного коэффициента — 33/66 или 40/60, скорости набора — 10 или 20 импульсов в секунду и др.);

возможность выбора диапазона компенсации затухания АЛ;

возможность оперативного изменения громкости приема с помощью кнопок «Vol +/—» (5 ступеней регулировки в диапазоне 13.5 дБ);

трехтональный генератор ТВУ с частотным дискриминатором.

Цоколевка корпуса DIP28 ИМС AS2533 показана на рис. 3.59.

Несколько ИМС «однокристальных» ТА производит также и ф. TEMIC (Германия), здесь мы рассмотрим в обзорном плане одну из них — U3760MB.

Микросхема U3760MB, выпускаемая изготовителем в 40-выводном корпусе SDIP и 44-вы- водном SS044, обеспечивает работу с низковольтным напряжением питания. Поэтому соответствует строгим предписаниям американского стандарта при работе нескольких, включенных параллельно, телефонных аппаратов. Как и любая другая ИМС «однокристального» ТА, микросхема включает в себя все необходимые функциональные блоки: разговорный узел со схемой согласования с линией, импульсночастотный номеронабиратель и тональное вызывное устройство.

Разговорный узел помимо прочего позволяет подключать любые типы микрофонов, а усилитель приемного модуля с автоматической

компенсацией потерь в АЛ — динамический или пьезоэлектрический телефон.

Импульсно-частотный номеронабиратель позволяет изменять соотношение импульсного коэффициента (1,5 или 2,0) и скорость импульсного набора номера (10 или 20 имп. в с). ОЗУ последнего набранного номера имеет емкость на 31 цифру. Существует также возможность выбора времени запроса услуг АТС-94, 250 или 600 мс и звуковой индикации нажатия кнопок.

Электронное двухтональное вызывное устройство расчитаное на работу с низкоомным мощным динамиком содержит перестраиваемый RC-генератор и дискриминатор напряжения сигнала вызова.

Работа внутренних делителей ИМС определяется внешним кварцевым или керамическим резонатором на частоту 3,5795 МГц. Микросхема позволяет подключать тастатуру с максимальным полем — 4x4 и работает при окружающей температуре от (-25 до 75°С).

Цоколевка корпусов SDIP40 и SS44 ИМС U3760MB показана на рис. 3.60.

На этом рассмотрение ИМС телефонных контроллеров и однокристальных ТА завершается. Заканчивая наш краткий обзор микросхем, используемых в электронных ТА, мы еще раз хотим напомнить читателям, что этот обзор никоим образом не претендует на обсолютную полноту, а является только «введением в предмет». Более полные и современные сведения по ИМС для телефонии Вы найдете в соответствующих справочных изданиях.

LS [ 1J33] riMFL27] LIRO ГЗ-SjvssЧ)о LA-251 csagnd L 5_СЮ М2 "Istb СХсо соТП М1 Jci ГТюТ21 LEDмо ГТсм211 FCILLC ГТсоТ(П RI "1HS/DP Енг<ТТ R2OSC Мд'^1 R3MODE 112171 R4 JГ СдКZIS C1L сз СК—cm C2 JLS [ 1J33] riMFL27] LIRO ГЗ-SjvssЧ)о LA-251 csagnd L 5_СЮ М2 "Istb СХсо соТП М1 Jci ГТюТ21 LEDмо ГТсм211 FCILLC ГТсоТ(П RI "1HS/DP Енг<ТТ R2OSC Мд'^1 R3MODE 112171 R4 JГ СдКZIS C1L сз СК—cm C2 J

LS [ 1J

33] ri

MFL

27] LI

RO ГЗ

-Sjvss

Ч)о LA-

251 cs

agnd L 5_

СЮ М2 "I

stb СХ

со со

ТП М1 J

ci ГТ

ю

Т21 LED

мо ГТ

см

211 FCI

LLC ГТ

со

Т(П RI "1

HS/DP Енг

<

ТТ R2

OSC Мд

'^1 R3

MODE 112

171 R4 J

Г СдК

ZIS C1

L сз СК

—

cm C2 J

LS [ 1J

33] ri

MFL

27] LI

RO ГЗ

-Sjvss

Ч)о LA-

251 cs

agnd L 5_

СЮ М2 "I

stb СХ

со со

ТП М1 J

ci ГТ

ю

Т21 LED

мо ГТ

см

211 FCI

LLC ГТ

со

Т(П RI "1

HS/DP Енг

<

ТТ R2

OSC Мд

'^1 R3

MODE 112

171 R4 J

Г СдК

ZIS C1

L сз СК

—

cm C2 J

Вход распознования тока АЛ Установка уровня сигналов DTMF Выход подключения телефона (с импеданс 140 300 Ом) Напряжение питания (+) Аналоговая земля (для усилителей) Вход балансного контура Вход подключения конденсатора комплексного импеданса Выход генератора ТВУ Вход выбора уровня компенсации затухания АЛ Вход РП и выход импульсного набора номера (ИК) Вход подключения кварцевого (керам ) резонатора Вход выбора режимов работы номеронабирателя

Входы подключения тастатуры (столбцы)

Вход приемных сигналов

Вход управления током АЛ

Отрицательный вход питающего напряжения

Выход шунтирования (аналогичный выходу разг ключа РК)

Входы подключения (дифференц ) электретн микрофона

Выход подключения индикатора режима MUTE

Вход дискриминатора ТВУ

Входы подключения тастатуры (строки)

Входы подключения тастатуры (столбцы)

Рис. 3.59. Цоколевка корпуса ИМС AS2533

" С1

1

^1

R4 ~

Входы тастатуры (столбцы)

С2

55"

R3

Выход звуковой индикации

L СЗ

ГЗ

R2

R1 J

Входы тастатуры (строки)

нажатия кнопки (кроме FLACH, REDIAL)

КТ

Выход импульсного ключа

Входы подключения кварцевого или керам, резонатора 3,579545 МГц

" XT

5

JitL

DP

L хт

6

MODE

Вход выбора режимов работы номеронабирателя

Выход сигналов DTMF

MFO

7

BM

Цепь программирования имп. коэффициента

Общий "Земля"

GND2

co

S

HKS

Вход рычажного переключателя (РП)

Инверсный вход микрофонного усилителя

LGND1 MIC1

$

10

5 о

_3L

VDd2 "

VDD1 _

Питание цепи номеронабирателя

Прямой вход микрофонного усилителя

MIC2

<0

OUT

Выход пьезоизлучателя ТВУ

Выход предусилителя передачи

MICO

12

Is*

29

RCK

RC-генератор для ТВУ

Положительный вывод питающего напр.

VL

13

co

-2iJ

VRING

Питание ТВУ (после стабилизации напр. вызова до ЗОВ)

Вход регулировки импеданса по пост, току

RDC

14

27

VRIAC

Питание ТВУ

NO

15

26

AGC

Цепь регул пр./перед для разных АЛ (от коротких до длинных)

Вход цепи регулировки линейных усилителей

TIN

25

THA

Вход регулировки гистерезиса ТВУ

Цепь балансного контура

VI

24

ST

Выход балансного контура

Вывод для тестирования

MUTE

18

23

PRIVACY Вход MUTE

Вывод для тестирования

VBG

_L£L

22

RECO1

Выход приемного усилителя (телефон)

Вход приемного усилителя (телефон)

RECIN

20

1II l.l . II-

21

RECO2

а)

Входы тастатуры (столбцы)

" С1

1

-44-

R4 "

02

R3

Входы тастатуры (строки)

L СЗ

Гз

421

R2

NC

4

R1

NC

5

^0.

NC

Выход звуковой индикации нажатия кнопки (кроме FLACH,REDIAL)

NC КТ

6

DP MODE

Выход импульсного ключа

Вход выбора режимов работы номерондбирателя

Входы подключения кварцевого

Г хт

8

37

BM

Цепь программирования имп. коэффициента

или керам, резонатора 3,579545 МГц

L хт

CQ

36

HKS

Вход рычажного переключателя (РП)

Выход сигналов DTMF

MFO

10

5 о <0

35

NC

Общий "Земля"

GND2 Lgndi

-LL 12

"If

Vdq2

Vqd 1

Питание цепи номеронабирателя

Инверсный вход микрофонного усилителя

MIC1

13

Is*

32

OUT

Выход пьезоизлучателя ТВУ

Прямой вход микрофонного усилителя

MIC2

14

co

31

RCK

RC-генератор для ТВУ

Выход предусилителя передачи

MIC0

15

30

VRING

Питание ТВУ (после стабилизации напр. вызова до ЗОВ)

Положительный вывод питающего напр.

VL

16

№g]

VRIAC

Питание ТВУ

Вход регулировки импеданса по пост, току

RDC

AGC

Цепь регул, пр./перед, для разных АЛ (от коротких до длинных)

Вход цепи регулировки линейных усилителей

TIN

18

THA

Вход регулировки гистерезиса ТВУ

Цепь балансного контура

VI

19

EH

ST

Выход балансного контура

Вывод для тестирования

MUTE

20

PRIVACY Rvnn MUTF

Вывод для тестирования

VBG

21

№61

RECO1

Выход приемного усилителя (телефон)

Вход приемного усилителя (телефон)

RECIN

22

■ 1■1 I ■■ 1 I■ ■■ Ill

RECO2

СОВРЕМЕННЫЕ ЭТА ПРОИЗВОДСТВА СТРАНСНГ И БАЛТИИ

Телефонные аппараты фирмы Телта

Несмотря на экономический кризис и мощный натиск зарубежных производителей, создавший невиданную ранее на территории СССР конкуренцию на рынке телефонных аппаратов, основные разработчики и производители ТА продолжают свою деятельность. Самый мощный разработчик и производитель ТА в СССР — Пермский телефонный завод сохранил свои позиции и в СНГ, хотя и в новом обличии. Теперь это фирма Телта, в составе которой есть исследовательские лаборатории, конструкторское бюро и завод. Телта занимается как разработкой и выпуском новых современных аппаратов, так и совершенствованием ранее разработанных и серийно выпускаемых аппаратов, таких привычных пользователю на всей территории СНГ.

Именно поэтому, мы начнем обзор с продукции этой фирмы, следуя принятой ( см. гл.2) нами условной классификации ЭТА.

Вначале рассмотрим типичные образцы простейших электронных аппаратов «Телта 201» и «Телта 204», отличающихся конструкцией корпуса и расположением кнопок номеронабирателя («Телта 201» — НКИ (3x4), «Телта 204» — «Сувенир - Н» с расположением кнопок по кругу).

Телефонный аппарат «Телта 201»

Принципиальная схема «Телта 201» приведена на рис. 4.1. Остановимся на элементной базе и общих принципах построения схемы. Первое, что следует указать — это построение разговорного тракта полностью на дискретных активных элементах — транзисторах (VT2... VT6), резисторах и емкостях, образующих схему подавления местного эффекта и обеспечения баланса линии. Прием вызова и набор номера организован на микросхемах КР1064ПП1 (DA1) и КР1008ВЖ1 (DD1) соответственно. В качестве электроакустического преобразователя использован пьезоэлектрический элемент типа ПВА-1 (BQ1) с простейшей схемой регулировки громкости вызывного сигнала типа «трель», работающей по принципу: «включено-выключено». Импульс-

ный и разговорный ключи выполнены на электронных ключах КР10114КТ1А (DA2, DA3 — импульсный ключ, DA4 — разговорный). Диоды VD1 и VD2 обеспечивают независимость от полярности линейных проводов, а схема из диода VD3, стабилитронов VD4, VD5 и полевого транзистора VT1 осуществляет стабилизацию напряжения питания микросхемы номеронабирателя DDL Работа микросхем ТВУ (DA1) и ЭНН (DD1) этих типономиналов достаточно описана в предыдущей главе настоящего издания, и на этом останавливаться не будем. Рассмотрим общие моменты работы этого ТА в целом, учитывая, что набор номера осуществляется только импульсным способом.

Питание DD1 в состоянии ожидания вызова (или отбоя) осуществляется по цепи:

а—>R2—>VD 1—>VD3—>VT1—>R10—>DD 1.3—э-^DD 1.13(14,15,17,6)—>VD5-^VD2—>R3—>б

(или наоборот б-э...а, при обратной полярности проводов). Эта цепь обеспечивает сохранение в ОЗУ DD1 последнего набранного номера и поддерживает режим готовности микросхемы. Резистор R3 со значительным сопротивлением (100 кОм) ограничивает ток в линии до значений, не превышающих разрешенных ГОСТ 7153 (в данном конкретном случае до величины порядка 0,3...0,4 мА), а схема стабилизации защищает DD1 от перенапряжения при приеме вызова.

При поступлении вызова по цепи:

a—>R1—>DA 1.1—>DA1.8—>С 1—>R4—>SB 1.1—>б

DAI запитывается от индукторного тока и вырабатывает сигнал вызова типа «трель», частоты которого (и время их звучания) определяются R5 и С2. В составе DA1 есть выпрямительный мост и стабилизатор напряжения, поэтому схема вызова практически не связана с остальными узлами ТА.

В состоянии «телефонная трубка поднята» резистор R3 закорачивается контактами SB 1.1, а контакты SB2 отключают DD1.6 от общего провода и подключают его к цепи питания (см.1), по которой теперь поступает ток величиной 20...70 мА, в зависимости от сопротивления шлейфа абонентской линии.

При наборе номера с DDL 12 поступают импульсы, количество которых определяется на-

жатой кнопкой тастатуры. Эти импульсы управляют работой импульсного ключа (DA2, DA3), закорачивающего линейные провода на время Гзам. и размыкая их на время tpa3M. Эти времена устанавливаются такими, чтобы их отношение — 1Разм/13ам = 1Л а их сумма — tpa3M + t3aM = 100 мс. Во время передачи серии импульсов одной цифры номера с DA1.18 на разговорный ключ DA4 подается потенциал, открывающий ключ. Это блокирует разговорный тракт (в основном его приемную схему) и предотвращает треск в телефоне во время набора номера. В то время (1заМ), когда линейные провода закорачиваются через DA2 и DA3, питание DD1 поддерживает емкость С6, разряжаясь по цепи:

С6( +)—>R10—>DDl.1—>DDL 17—> общий провод.

Таким образом, в телефоне будет прослушиваться только один довольно слабый щелчок в момент снятия блокирующего потенциала. Кроме этого, телефон защищен от акустических ударов (попадания на провода АЛ грозовых разрядов или большого переменного напряжения) стабилитроном VD6.

Такова, в общих чертах, техническая характеристика этого простейшего, по нашей классификации, телефонного аппарата, который по классификации ГОСТ 7153 относится ко второму классу сложности.

Несколько слов о дизайне и механической конструкции аппаратов «Телта 201» и «Телта 204». Нужно отметить неплохую цветовую гамму пластмассы корпусов и трубок и хорошую компоновку обоих моделей. Если бы еще и повысить качество сборки и точность подгонки соединений, то можно было бы аппараты оценить в 70...75 баллов по стобальной шкале.

По своим техническим характеристикам сходны с описанными моделями и аппараты «Спектр» моделей 201 и 202. У них также только импульсный набор номера, запоминание и автоматический повтор последнего набранного номера значностью до 22 цифр, стандартная 3x4 кнопочная тастатура. В отличие от описанной схемы «Телта 201, 204» эти модели защищены от перенапряжения на АЛ варисторами, а импульсный ключ совмещен с мостом. Модель 202 отличается от 201 возможностью регулировки абонентом громкости приема регулятором на трубке (типа 10 по кодировке изготовителя). Компоновка корпусов отличается от моделей «Телта», а цветовая гамма практически та же, т.е. вы можете выбрать аппарат почти любого, от белого до черного цвета.

Следующим рассмотрим аппарат модели «Спектр 203», который можно отнести уже к простым (а не простейшим по нашей классификации), хотя по ГОСТ 7153 он также второго

х

3

Ж

R4

430

C1 1mk/250V

DA2 КР1014КГ1А

R2

10

R1 68k

R3 100k

Линия АТС

1mk /250V

C2 68

SB1.1 РПТ-4

R5 10k

LN1

GN

LN2

OV

U

c

OUT2

R

О1Л1

1

2

7

3

4

C3 22mk/25V

£ BQ1

ПВА-1

5 .Hi

DA1 КР1064ПП1 8

R7 560k

X

DA3 KP1014KT1A

1 A A 5

VD1 КД243В

R6 68k

2

V

3,

—

Y

6 ,

X

7 ,

. VD2

* КД243В

V

>1

4.

5.

1

8

2 3.

.6 7

2

5

13

15

14

7

DD1 КР1008ВЖ1

Y0

Y1

Y2

Y3

M/S

HS

IPS

RC

C

X/Y

Х2

Х1

Х0

NSI

U2

U1

OV

21

20

19

12

3

6

SB 1.2

КД243В

1,8

R10 100

VD5 КС218Ж _ 2,3,6,7

VT1 Г-^ КЖ101А —hi 4,5

П R14

C5 0,68мк

2,3,6,7

1,8

8

9

C4 56

R8 R9 220k 390k

R

NSA

18

C7

R13 3k

C8 10

R12VT2

3kКТ3102ЕМ

ВМ1 ПДК-1

DM

R15 560k

UZ C6 ~T~ 22mk /25V

2,2k

R19

2,2k

VT4 КТ3107И

R20 11k

VT5 KT502B

VT3 KT3102EM

2.

3,

6.

7

R16

4,7kR17

KP1014KT1A 4

V

X

.5

1

8

R22

470

R23 62

R21 _J_C9 2,2k "р0,15мк

СЮ 0,68мк

C11 10

R26 11k

BF1 ПДК-1

ROC VT6

4^КТ3107И

КС218Ж

Рис. 4.1. Принципиальная электрическая схема ТА «Телта 201»

5 Зак. 202

класса. При сохранении только импульсного набора номера этот аппарат получил дополнительную сервисную функцию, т.к. в нем применена микросхема НН типа КР1ОО8ВЖ5А, обладающая кроме ОЗУ на 22 знака, еще и встроенной памятью на 10 восемнадцатизначных номеров. Дизайн корпуса и трубки тот же, что и предыдущих моделей.

Телефонный аппарат «Спектр 209»

Следующая модель в этой серии — «Спектр 209», стандартный телефонный аппарат по нашей классификации, имеющий универсальный частотно-импульсный НН на базе микросхемы КР1008ВЖ6 (см.гл.З).

Принципиальная схема аппарата «Спектр 209» приведена на рис. 4.2. Отметим несколько ключевых моментов построения схемы этого аппарата:

возможность набора номера импульсным или частотным (тональным) способом фиксировано, а также смешанным способом — импульсно-частотным — оперативным переходом в ходе набора;

хранение в ОЗУ последнего набранного номера и его автоматический повтор;

возможность введения паузы между любыми цифрами номера длительностью порядка 2хп, где п — количество нажатий соответствующей кнопки;

использование тастатуры 5x4, в которой кнопки 5-й строки относятся к сервисным функциям. Поскольку ИМС КР1008ВЖ6 используется совместно с кварцевым (или керамическим) резонатором 3,58 МГц, постольку частотные составляющие отличаются высокой стабильностью по частоте и уровню. В связи с частотным способом набора в схеме ЭТА появляется еще одна, очень важная цепь блокировки — блокировка микрофона. Это необходимо потому, что в этом случае тракт набора номера полностью совпадает с трактом передачи разговорных токов (исходящий разговорный сигнал), и если микрофон или микрофонный усилитель не будет заперт (или обесточен), то одновременно с сигналом набора номера в линию будут поступать мешающие набору сигналы от разговоров и других шумов в помещении.

Эту функцию выполняет транзистор VT9, открывающийся сигналом с DD2.12. Время действия этой функции несколько превышает (на 5...7 мс) время частотной посылки, соответствующей одной цифре номера (в данном случае 80 мс) или время трансляции всего номера при вызове его из ОЗУ.

Импульсный и разговорный ключи реализованы на полевых транзисторах DAI, DA2 (им

пульсный), DA4 (разговорный, понижающий напряжение питания разговорного тракта). На время замыкания проводов АЛ импульсным ключом режим питания микросхемы DD2 поддерживается емкостью С9. Режим набора номера осигнален светодиодом VD13. Общая схема стабилизации напряжения организована на транзисторах VT1, VT2 и стабилитронах VD4, VD5 и VD6. Нужно отметить, что громкость сигнала вызова в этой модели ЭТА регулируется плавно переменным резистором R3. Первичная вызывная цепь и схема организации вызывного сигнала не отличаются от описанной для «Телта 201». Способ набора номера задается переключателем SA2: положение Р — импульсный набор, F — частотный. Напомним читателю, что оперативный (во время набора) переход возможен только от импульсного к частотному, когда переключатель SA2 в положении Р. Этот переход осуществляется после нажатия кнопки Т на тастатуре. Импульсный способ восстанавливается автоматически после «отбоя» любым способом: укладыванием МТТ или нажатием кнопки.

Телефонный аппарат «Телта 214»

Продолжим обзор изделий ф. ТЕЛТА описанием схемы ЭТА модели «Телта 214», изображенной на рис. 4.3. Эта модель вправе называться современным телефонным аппаратом, т.к. обеспечивает пользователю достаточное количество сервисных функций:

набор номера импульсным или частотным способом и возможность смешанного набора;

хранение в ОЗУ последнего набранного номера до 22 цифр и его автоматическое повторение;

программируемая память на 13 номеров, в том числе три номера однокнопочного набора (кнопки Ml, М2, М3 тастатуры);

программирование с тастатуры структуры вызывного сигнала и управление его громкостью;

кратковременный (порядка 100 мс) разрыв шлейфа для вызова дополнительных сервисных функций, если телефон включен в электронную АТС (кнопка R тастатуры);

введение программируемой паузы требуемой длительности между любыми знаками номера;

регулировка громкости.

Если учесть, что все это обеспечивается одной единственной микросхемой, то справедливость нашего определения полностью обоснована. Двадцативосьмиконтактная ИМС серии AS253x представляет собой однокристальную схему ЭТА, содержащую в своем составе:

Рис. 4.2. Схема электрическая принципиальная ТА «Спектр 209»

Телефонные аппараты фирмы Телта

Рис. 4.3. Схема электрическая принципиальная ТА «Телта 214

устройство формирования сигнала вызова и источник питания для внешнего усилительного каскада на транзисторе VT1;

схему контроля линейного тока;

схему контроля состояния переключателя SA1 ~ «трубка снята - положена»;

схему дуплексного речевого тракта с внешним балансным контуром и противоместным узлом;

универсальный электронный номеронабиратель с выходами управления внешними импульсным (DA1) и разговорным (VT7) ключами;

ОЗУ емкостью 22 знака (88 бит) и программируемая память на 13 номеров по 21 знаку (1092 бита);

устройство формирования программируемой межцифровой паузы длительностью порядка 2,2...2,5 с;

интерфейс тастатуры 4x4;

схему выбора способа набора.

Схема ЭТА «Телта 214» в целом защищена от перенапряжений варисторами RU1 и RU2 по входным цепям и стабилитронами VD5, VD13 (цепь вызова); VD8, VD14 цепи питания DD. Одновременно все эти элементы выполняют роль ограничителя амплитуд приемного тракта, не допуская возникновения акустических ударов в телефоне. Схема стабилизации напряжения питания построена на транзисторах VT2...VT6 и стабилитроне VD8 и поддерживает напряжение в пределах 2,5...5,5 В при линейном токе 20...70 мА. Поддержка напряжения питания DD при отбое или при ожидании вызова осуществляется по цепи:

a—>R2—>R5—>VD3... VD7-WT2... УТ6-э

—>DD1—>DD26—> —>VD3...VD7 -э R6-^6.

При этом ток, потребляемый из АЛ, не превышает значения 0,5 мА. Если МТТ снята, то ограничивающие резисторы R2 и R5 из цепи исключаются, устанавливается рабочее значение линейного тока и нормальный режим питания схемы. При поступлении вызывного сигнала от АТС активизация вызывной функции DD происходит по цепи:

a^Cl^R5^VD13-^R9^DD21^-эВ D2 5-WD3... VD7-^R6^6.

Во время импульсного набора номера режим питания DD поддерживается зарядом емкости С8.

Телефонный аппарат «Спектр 001»

Завершая обзор изделий Пермского завода, отметим, что в последнее время на рынке телефонных аппаратов появились ЭТА так называемого бизнес класса моделей «Спектр 001» и «Спектр 101». Эти аппараты по классификации ГОСТ 7153 относятся к нулевому и первому классу сложности, имеют большой набор сервисных функций (у «Спектр 001» вплоть до АОН) и большой объем программируемой памяти (до 40 двенадцатизначных номеров у модели «101» и 77 шестнадцатизначных у модели «001»).

Электронный ТА бизнес-класса «Спектр 001» по своим возможностям и сервисным функциям отвечает современным требованиям к аппаратам класса «свободные руки». Принципиальная схема ЭТА «Спектр 001» приводится на рис.4.4 а и б. Отметим, что аппарат полностью построен на микросхемах и остальных деталях произведенных на территории СНГ.

Основу ЭТА составляет аналоговый процессор КМ1816ВЕ48(Д1) изготовленный по КМОП технологии и логические ИМ С серии К561. В качестве драйвера ЖКИ использована КР1008ВЖЗ(Д2), а поскольку ее управление требует сигналов ТТЛ логики, то использована согласующая микросхема К561ПУ4 для перехода КМОП-^ТТЛ.

Разговорный узел МТТ выполнен на ИМ С КР1038ХП1 (см. гл.З) с внешними R и С баланса линии и подавления местного эффекта (плата А2). Схема работает с двумя генераторами — 3,58 Гц для формирования сигналов набора в частотном и импульсом режимах (резонатор BQ1) и 32768 Гц для работы часов и таймера (резонатор BQ2). Структура акустического сигнала вызова программируется пользователем. Питание аппарата ввиду значительного потребления мощности осуществляется от сети переменного тока 220В, 50 Гц через блок питания (плата АЗ) и устройство согласования и сигнализации (плата 968). Для обеспечения работы ЭТА в случае кратковременного пропадания сети применена батарея (GB) из трех элементов типа А-316, обеспечивающая 5 минут работы в режиме разговора или набора номера. При поступлении вызова в аварийном режиме акустический сигнал отсутствует, вызов поступает только на светодиод (VD4).

И последнее: все упомянутые в обзоре модели ЭТА «Спектр» и «Телта» могут работать с АТС с напряжением станционной батареи 60 или 48 В абсолютно одинаково.

70

Х2

VT9,VT10 КТ3428М

X3

3

X1 К

Х4 Б

R2

2,7

RU CH2-1A

6

1

£VD3

R8

1М

R3

2,7

DD3 1 9

э+

КД521А

J8 12^

200к

VD11 КД521А

VD25

20

DD3 2 10 12.

25

Х6

3.4

1,6

4,5

R10 1M

VD7 2 КЦ407А

07

1 MK

06 О.Обвмк

,1тв

2, ЗД7

VD2.VD3 7 КД209А

DA1

2,3,6,7 4,5

IfT"

VD8 КЦ407А

3.4

1,8

DA KP1014KT1f

R12 200k

VT1 KT3428M

08 1mk

+

Х11

ХЮ

вм Х121

МКЭ-84

Х12 2

Х123

R20 300k

R2S

DA4 KP1014KT18

51к

R27

DAS KP1014KT18

2,3,6,7 ОАЗ R18

23

1 23456789

1,8

VT2 KT3428M

1 2 3 4 5 6 7 8 9

f А2

12

17

DD3 3

20к

R31 2k

КТ209В

21

13

10

11

12

13

14

15

16

17

18

1 23455789 10

19

R2

15

5

R3

475

15

3

1б|ю fo

R4

14

14

R8

С14

2,2мк

75k

820011 R9

-fCL P

Юк

G2

3300

XS1 1

XS1 2

С5

ЮОмк

2Омк

820 06

03,04 0,068mk

DA КР1038ХП1

30 R7

12 R6

VD

2? КС512А 4

68к

XS1 3

09 11

1,0мк

G7

Плата 968

1,8

R37

19

9

21

3

6

16

23

R58

DD5 1

—Н

20к

DD5 4

КД923А

VT5

КТ3428М

VD18

2,3

6 ? 2 JKC108A

1,8

Х17

Х19

Фх15

Х18

Х20

ХТ2 ф ХТЗ

+68

ХТ1

3

1

DA

GB

ХР1

13

-220В

АЗ

R45 1М

R63 300k

R36 24k

R35 130k

C19 240

R56 2k

R48 2k

R50 51k

R58 1k

R59

2,2k

R61 51k

R54

330

VT6 KT816A

VTA KT209B

VD КЦ407А

VT8 KT3428M

39k 020 0,068мк

02 10mk

24 VD23

КД521А VD24

VD20

■Й—

КД521А

017

2,2мк

G3

О 0б8мк

016

0,01мк

КТ816А

R55 2k

J XU

4^Н .VT7 VD21

2

01 ЮООмк

VD19 КД521А

R40 47k DD34

VD13

KC482A

VD22

—H- " КД923А

2,3,6,7 DA9

4,5 Г

ГЛАВА4Современные ЭТА производства стран СНГ и Балтии

22

XP4 1 BF — У тэмк-зт

XP3 . |XX13

ХР5

Рис. 4.4. а. Схема электрическая принципиальная ТА «Спектр 001»

R22 30

DA6

G18 4700

R42 47k

ЧХ—

КД521А 20k

R57

С22

220мк

DD5 3

R51 51k

R52 68k

DD5 2

3

ХР2

Х5

6

9

3

R5

4

200к

11

R1 51k

01 Га" “Г 47 мк

Отк. УГП

S1

Вкл. УГП

S2

DS1

2

3

2 VD4

АЛ3076М

КЬ-

7

1 23456789 10

1 23456789

1 2 3 4 5 6 7 8 9

8

R17

200k

18 BA

0.5ГДШ-4

1011 121314 1516171819

Плата 991

О 1 2 3 4 5 6 7

5 6

2

1

4

8

3

7

23

22

19

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

RAM

0 1

2

3

4

5

6

7

VD1 КД521А

90

101.

112

173.

164_

155

146.

13 7

DD2.1

>2

13

R6 51k

R7

12

51 к

11

10

-tics?

■221CS2

6

21

W/R

DD1 1

DD2 2

R15 51k

VD5 КД521А

DD1 2

R9 20k

R13 51k

1

39

TO

T1

4

—<CLR

D1

♦02

—Г" 2,2мк

C3 11 0,068м к

R14

51k

DS4 PROM

VD6 КД521А

6

——oINT

40

-Л2620

UCC

■уЕМА Г UDD - GNT

1

13

2

4

3

14

5

6

О7

4

5

6 7

8

D1

Т

2

D2

3

D4

1

D3

4

С

V

DS2

10

0

11

1

2

2

1

3

D1

D2

D4

D3

С V

Т

1

2

3

4

24

105

16

117

DS3

11 10

7

14

13

5

6

0

8

1

7

2

6

3

5

4,

4

5

3

6

2

7

1

1

23

2

22

3

19

20(

б”

18.

21

AO

A1 A2

A3 A4 AS A6

A7

A8 A9

A10

DE

Up

0 1

2

3

4

5

6

7

9

0

10

1

11

2

12

3

13

4

14

5

15

6

16

7

01

О 4-04

-Г*Г"

фво1

^SS

2

3

CR1

CR2

10

10

-L- 05

22

РО

1

13

2

14

3

15

4

16

5

17

6

18

7

19

О

12

8

D80

D81

D82

D83

D84

D85

D86

D87

14

13 1

9

Р1

DA8

B/l

12™?

27

28

29

* VD2 V КД521А

P10 P11 P12

P13

P14

P15 P16

P17

30

31 32 ДЗ

34

1

2

3

4

5

6

1

2

3

4

5

6

109

8Т

6 5

1 2

3

4 5

6

15 1

13

12

Р2

P20

P21

P22

P23

P24

P25

P26

P27

21

1

22I

233

244

35

36

37

38

РМЕ<Н^

RDi;-

WrJ^

ALE

PROG

25

1

2

3

4

DD2 3

R21

20k

9

5

6

>2

8

2

3

16

10

10

R24

330

VD10 2L КД 521А

i_L 09 f 47мг

5

DS5

J9 2 10 3 11 4 12

7

3

2

6

5

1

1

D1

R/S

К

T/S

S

R

D2

D3

D4

15 2

14 3

13 4

R23

R26

300k

200k

9

6

3

5 5

1 14

2 7

3 9

4 11

7

11

СЮ

9

С12

R28

2,4k

14

13

- - VD12

47мк^ KC106A

DD4

"12

>

>

>

>

R29 200k

20

24

21

15

19

6

17

10

12

BQ2

16

15

23

22

5

Рис. 4.4.6. Схема электрическая принципиальная ТА «Спектр 001»

MK

DE

SR EX MOH

KDE

Е

D0

D1

D2

D3

MD

RHS

Q1

R33

R32

D2

X/Y

KHS

3

DD1.4 —

4 02

2 3

4

HL

A3/E

A2/E

A1/E

С11/Б C12/C C13/B C21/A C22

023/11

C31 032/12 033 041/13 042

C43/14 051

052/15

C53 C61/16 062 063/17

C71 C72/18 073

CB1 082 083

5,1 M

1Г37464544*43424140393837"зб353433323130~2928272625

29 28

27

26 25

24

23

22 21

20

19 18

17

16 15

14

13 12

11

10 9

8

7

6

5

4

С15 VD14...VD17

22 КД923А

R34 300k

525

9

F

h

VD14

VD15

VD17

V

1

4

2

3

R39 300k

11

10

VD16

V

Телефонные аппараты фирмы Телта

Телефонные аппараты других производителей натерритории СНГ

Начиная со второй половины 80-х годов, на территории СССР (затем в СНГ) некоторые заводы производители электронных микросхем (з-д «Экситон», Павловский посад, з-д «Родон», Ивано-Франковск) одновременно с этим разработали и выпускали небольшими сериями ряд простейших ЭТА. Схемы этих аппаратов базировались только на отечественных элементах, а поскольку в то время их было немного, то схемы разных разработчиков отличались очень мало. Тем более, что почти все разработчики с небольшими вариациями повторяли схему ЭТА на базе микросхемы импульсного НН 1008ВЖ1 и ТВУ — 1008ВЖ4. Для примера приведем несколько таких схем.

Телефонный аппарат «Электроника ТА-5121ИН»

На рис. 4.5 представлена схема электронного ТА модели «Электроника ТА-5121ИН». Узлы приема вызова и набора номера реализованы на вышеупомянутых микросхемах, а разговорный узел с противоместной схемой на транзисторах КТ315 и КТ361 (VT1...VT4 пл.АЗ). Стабилизатор схемы питания — схема на транзисторе КТ361, диоде KD512 и стабилитронах КС510 (VT1, VD5...VD7 пл.А2).

Импульсный и разговорный ключи реализованы на токовых ключах 1014КТ1А и транзисторах КТ315 (DD2...DD5, VT1,2 пл. А1).

По входной цепи аппарат защищен от перенапряжений на линии варистором СН2-1-180 (RU1 пл. А2), а микросхема НН дополнительно еще и стабилитроном КС106А1 (VD6 пл. А1). Поддержание ОЗУ в режиме ожидания и работы DD1 при наборе номера обеспечивает емкость 500 мкФ и схема дополнительного стабилизатора на транзисторе КТ315 (СЗ, VT2 пл. А1). Подзаряд этой емкости в режиме ожидания происходит по цепи через резистор 200 кОм, шунтирующий контакты 2, 3 РП (R1 пл. А2). В этом режиме ЭТА потребляет из абонентской линии ток порядка 0,2...0,3 мА, что вполне допустимо по ГОСТ 7153.

Эта модель выпускалась также и в модификации «Электроника ТА-5121-01ИН», отличавшейся только тем, что в разговорном узле использовалась вместо отдельных транзисторов транзисторная сборка типа A211D, а телефон был защищен фритте- ром. Изменена также конструкция корпуса и МТТ.

Следует отметить, что выпускались и другие модели ЭТА (или комбинированные — трансформаторно-электронные) этого наименования,

но поскольку они достаточно подробно освещены в наших предыдущих изданиях, то здесь на них останавливаться не будем.

Телефонный аппарат «Теллур 202»

Остановимся на еще одной модели ЭТА, относящейся к «переходному периоду» СССР-СНГ: «Теллур 201, 202». Первая модификация этой модели выпускалась на зарубежных прототипах микросхем НН и ТВУ - AY-5-9151A и S2561. Разговорный тракт организован на базе ИМС ф. PHILIPS — ТЕА1062. Вторая модификация выполнена полностью на элементах собственного производства, в т.ч. разговорный тракт — 1064УН1 (или все остальные аналоги ТЕА1062, см. гл.З настоящего издания). Принципиальная схема ТА «Теллур 202» приведена на рис.4.6. Сразу укажем на то, что схема имеет достаточно много совпадений в организации цепей со схемой ТА «Телта 201, 204». Отличия состоят в следующем:

наличие внешнего выпрямительного моста и стабилизатора напряжения в узле ТВУ, т.к. 1008ВЖ4 не имеет в своем составе этих элементов;

организация разговорного узла на ИМС вместо отдельных транзисторов;

наличие защиты от перенапряжения по входу.

Использование 1064УН1 внесло новое качество в работу аппарата — появилась схема компенсации затухания линии (АРУ), изменяющая усиление трактов передачи и приема (при значениях внешних элементов, приведенной схемы) в пределах ±3 дБ, если затухание АЛ не превышает 6 дБ.

Аппарат работает с АТС, у которых напряжение станционной батареи 60 или 48 В абсолютно одинаково. Тастатура стандартная 3x4.

Телефонные аппараты «Элетон 206», «Контакт 201», «Контакт 202»

Приведем схемы еще нескольких аппаратов. Аппарат «Элетон 206» — завод «Родон», Ивано- Франковск, рис. 4.7; аппарат «Контакт 201, 202» — завод «Киевприбор», рис.4.8. Этот перечень можно было бы продолжать достаточно долго, т.к. разработок было много, но почти все они не дошли даже до малосерийного выпуска, оставшись в единичных опытных экземплярах.

7

R1 680к

04

05

03

06

01

07

08

DD2 КР1014КТ1А

02

-ЁН—

VD1 КД102А

R6 680к

8

2 2

9

з з

01

п

10

5 5

6 6

12

4 _4

16

п

А1 номеронабиратель;

DD4 КР1014КТ1А 02

01

03

08

06

04

07

05

п

XS15

XS16

2

XS17

ХР1

ХР2

RI А2 КОММУТАЦИОННО-ВЫЗЫВНОЕ УСТРОЙСТВО 200k‘

23

1РП1

ХР7

ХР8

XS1

XS2

ХР1

ХР5 ВТ-4

RU1 СН2-1 180

ХР9

XS3

V12

2 ХР2

DD3 КР1014КТ1А 02

\7 VD5 КД521А

ХРЗ

С1 1,0мк

|2

08

04

05

03

06

07

VD4 КС212Ц

VT2 КТ315Г

\s29

ХР10

XS4 X 9

3-2^ л ХР4,

2<1

а*

1t

DD1 КР1008ВЖ1

VT1 КТ315Г

СЗ 500м к

R8 51 к

02

XPZ2

ХР11

I6

ХР12

XS5

X 10

XS9

X 5

VD2 КД102А

-Н—

R5 200к

VD6 I КС106А1

01

R2 2к

VD8 --

КС522А LX

ХРГЗ

XS20X 6

VD3 КД521А -н—

XS18

4

ХР4

VD1 VD4 КД521А

ХР14

XS6

б

R7 51к

U1

NSI

1PS

KS

M/S

NSA2

DE

0V

ТОМ

U2

IDA

NSA1

¥2

¥1

Х2

¥0

Х1

RC

ХО

12

06

18

15

09

17

04

10

03

16

08

05

02

21

01

20

22

19

07

7 .7. 13

DD5 КР1014КТ1А

-ён—

VD5 КС510А

VD6 КС510А

VT1 КТ361В

СЗ 20мк

В

R5 680к

С5 5мк

Об

ХР15

XS13

X 15

01

02

08

03

06

07

R7 680к

С2 5мк

R3 820

VD7^ КД521А

С4 100мк

R4

Юк

б

R6

390k R8

390k

а

б

С7

47

С2 47

’fa

R9 390к

ХР5

220k II 67

6800 R127

Rio”20 R11

220k

ХР16

XS7

1,2к

DD1КР1008ВЖ4

З.Зк

08

01

а 10

05

06

R1

С1 R2

N2 ВС 3

G1

G2 N1

U 0V

13 12 03

04 07

ХР17

ХР18

ХР19

XS14Y14Y13

XS12

R13

200

R14

820

а

R15 2к

ХР20

б ХР21

XS8

XS9

XS10

BQ1

ЗП-5

XS11

А1 ТК1-1

1

XS24

ХР1

XS21

Х&22

ВМ1 S701

ХР2

14

15

113 I 14 I 15 I 16

I 5 I 6

SA1 ПД13-1

l9 I 10

2

2

R2 1,5к

R5 360

АЗ РАЗГОВОРНЫЙ УЗЕЛ

С1 0,22мк

R3 С2

ЯАП 50мк

R1

10

R4

10

R7 51

R9

3,3к

R6

5,1к

VT1 КТ315Г

VT2 КТ315Г

R8 5,1 к

VT3 КТ361Б

СЗ 50 м к

С4 50м к

3

3

VT4

КТ315Г

XS27

Х&25

BF1

HS77

1

XS23

XS28

Рис. 4.5. Схема электрическая принципиальная ТА «Электроника ТА-5121ИН»

ТА других производителей на территории СНГ

C1 U2VD6R331mk/250V КД906А, КД522Б24kC1 U2VD6R331mk/250V КД906А, КД522Б24kРис. 4.6. Схема электрическая принципиальная ТА «Теллур 202Рис. 4.6. Схема электрическая принципиальная ТА «Теллур 202

C1 U2VD6R33

1mk/250V КД906А, КД522Б24k

C1 U2VD6R33

1mk/250V КД906А, КД522Б24k

Рис. 4.6. Схема электрическая принципиальная ТА «Теллур 202

Рис. 4.6. Схема электрическая принципиальная ТА «Теллур 202

а"

=J=C

"6'

-o—

"1

А1

з

8■o-

1.2,7,8

2,3,6,7

VS1 KH-201A

3,4,5,6

I R1 910

U-л—гт

SA1.1

РПТ-4

10

Х5/РТШК-4 XP/BT-4

DA1 КР1064ПП1 "MvAC

01

R2 47k

11- з

5 4

■ 02

1 ,0mk R4 1,1k

DA2 KP1014KT1B

|3 1,8

4,5 R10

560k

DA3KP1014KT1B

1.8

2,3,6,7

КД521В

VD4 АЛ307БМ

BQ1

VDC

01

RT

YO

1

CS-^

0,047мк

4

R9

11k

13

VD1 оАЛ307БМ

BQ2 СДШ-4

14

R3 470

ov

2

03

47м к

R7 10k

R29

820

А2

л VD2 I KC468A

VT1 КТ3102БМ

R8

47k

R6 200

-^4

VD8

DA4

КЖ101A

2,3,6,7

4,5

КД521В

R12 22k

VD5

RC1O6A

I—К -KH

VD7 VD6КД521В КД521В

SB1

R13 510k

07