Книга
← К списку книгЗагрузка разделов…
активнаАктивные записи участвуют в каталоге и синках. Неактивная книга скрыта, но не удалена из базы.
Книга
МАРКИРОВКА РАДИОДЕТАЛЕЙ
отечественных и зарубежных
Справочное пособие
Москва“СОЛОН - Р”2001
Д. А. Садченков
Маркировка радиодеталей
отечественных и зарубежных
Справочное пособие
Серия “Ремонт”, выпуск 40
При практической работе, связанной в первую очередь с ремонтом электронной техники, возникает задача определить тип электронного компонента, его параметры, расположение выводов, принять решение о его прямой замене или использовании аналога. В большинстве существующих справочников приводится информация по отдельным типам радиокомпонентов (транзисторы, диоды и т.д.). Однако ее недостаточно, и необходимым дополнением к таким справочникам служит данное справочное пособие по маркировке.
Представляемая читателям книга по маркировке электронных компонентов содержит в отличие от издававшихся ранее подобных изданий больший объем информации. В ней приведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD), приведены данные по маркировке некоторых ранее не освещавшихся типов зарубежных компонентов, логотипы и буквенные сокращения при маркировке микросхем ведущих зарубежных производителей, даны рекомендации по использованию и проверке исправности электронных компонентов.
Издательство “СОЛОН - Р”
129337, г. Москва, а/я 5
Телефоны:
(095) 254-44-10, (095) 252-36-96
E-mail: Solon.Pub@relcom.ru
Приглашаем к сотрудничеству авторов, которые могут предоставить информациюпо ремонту бытовой и офисной техники!
Ответственный за выпуск С. Иванов
Макет и верстка С. Тарасов
Обложка Е. Жбанов
ISBN 5—93455—039—XISBN 5—93455—039—X© “СОЛОН - Р”, 2001 © Д. А. Садченков
ISBN 5—93455—039—X
ISBN 5—93455—039—X
Предисловие
Широкое распространение новых технологий при производстве радиоэлектронной аппаратуры, обилие на рынке радиокомпонентов, производимых фирмами разных стран, существование различных видов маркировки электронных приборов ставит перед разработчиками, производителями, ремонтниками РЭА и просто радиолюбителями ряд проблем, связанных с определением типов применяемых компонентов, их конструктивными особенностями и техническими характеристиками, возможностями взаимозамены.
Предлагаемый вниманию читателя справочник окажет помощь при работе как с отечественными, так и зарубежными радиоэлектронными компонентами. В книге изложены принципы и особенности маркировки пассивных и активных радиоэлектронных элементов для навесного и поверхностного (SMD) монтажа, приведены таблицы, позволяющие определить тип полупроводникового прибора по его цветовой или кодовой маркировке, приведены таблицы основных параметров полупроводниковых приборов широкого применения.
Внимание !
Примеры по цветовой маркировке радиоэлектронных компонентов, изображенные на цветной вкладке, расположены в следующем порядке:
цветовая маркировка резисторов — полосы 1—2
(по тексту рис. 1.2);
цветовая маркировка конденсаторов — полосы 3—8
(по тексту рис. 2.2, 2.3);
цветовая маркировка дросселей — 9-я полоса
(по тексту рис. 3.1);
цветовая маркировка керамических фильтров — 10-я полоса
(по тексту рис. 4.2);
цветовая маркировка диодов и стабилитронов зарубежного производства — полосы 11—13;
цветовая маркировка транзисторов — полосы 14—15 (по тексту рис. 5.21, 5.22);
цветовая маркировка катушек контуров радиоприемных устройств — 16-я полоса.
Резисторы
Общие сведения
Резисторы представляют собой радиоэлементы, обеспечивающие изменение таких параметров электрической цепи, как ток или напряжение на ее участке Согласно типу их включения в цепи резисторы выполняют функции ограничения тока, шунта, делителя напряжения
Существует деление резисторов на различные группы
по типу используемого материала,
по номинальному значению сопротивления постоянные и переменные
Каждый резистор характеризуется целым рядом параметров, основными из которых являются следующие
номинальное значение сопротивления (Ом, кОм, МОм),
допустимое отклонение сопротивления от номинального значения, обозначенного на корпусе (допуск), в процентах,
номинальная мощность рассеяния (Вт),
температурный коэффициент сопротивления (ТКС) — относительное изменение сопротивления при изменении температуры окружающей среды на 1 °C,
допустимое приложенное напряжение (В),
диапазон рабочих температур, °C
Электрические характеристики резистора в значительной мере определяются типом материала, из которого он изготовлен, и его конструкцией
В табл 1 1 приведены характеристики резисторов, изготовленных из различных материалов
Таблица 1 1 Характеристики постоянных резисторов
Параметр
Материал
Угольный композит
Угольная пленка
Металлическая пленка
Окись металла
Диапазон сопротивлений Ом
2,2 10е
10 106
1 10е
10 10е
Допуск ±%
10
5
1
2
Мощность рассеяния Вт
0 125 1
0 25 2
0 125 0 5
0 25 0 5
температурный коэф фициент сопротивле ния 1-Ю"6/°C
+ 1200
-250
+50 100
+250
Диапазон рабочих температур °C
-40 +105
—45 +125
-55 +125
-55 +125
В отдельную группу необходимо выделить проволочные резисторы, характеристи ки которых приведены в табл 1 2
Таблица 1 2 Характеристики постоянных проволочных резисторов
Параметр
Тип корпуса
Керамический
Остеклованный
В алюминиевой оболочке
Диапазон сопротивлений, Ом
0,47 22-103
0,1 22-103
0,1 22-103
Допуск, ±%
5
5
5
Мощность рассеяния, Вт
4 17
2 4
25 50 (на радиаторе)
Температурный коэффициент сопротивления, 1-10"®/°C
±250
±75
±50
Диапазон рабочих температур, °C
-55 +200
-55 +200
-55 +200
Номинальные сопротивления резисторов отечественного и зарубежного производства стандартизованы Для постоянных резисторов установлено шесть рядов номинальных значений. Е6, Е12, Е24, Е48, Е96, Е192. Цифра после буквы Е указывает число номинальных значений в каждом десятичном интервале (Ом, кОм, МОм, ГОм) Наиболее широко применяются резисторы рядов Е6, Е12, Е24 (табл 1 3)
Таблица 1 3 Ряды номинальных сопротивлений резисторов
Ряд
Числовые коэффициенты
Погрешность, ±%
Е6
1, 1,5, 2,2, 3 3, 4,7, 6,8
20
Е12
1, 1,2, 1,5, 1,8, 2,2, 2,7, 3,3, 3,9, 4,7, 5,6, 6,8, 8,2
10
Е24
1, 1,1, 1,2, 1,3, 1,5, 1,6, 1,8, 2, 2,2, 2,4, 2,7, 3, 3 3, 3,6, 3,9, 4,3, 4,7, 5,1, 5.6, 6,2, 6,8, 7,5, 8,2, 9,1
5
Советы по практическому применению
Максимальная мощность, которую может рассеивать резистор, зависит от температуры окружающей среды. С ростом этой температуры мощность рассеяния снижается. Для увеличения надежности резисторов следует обеспечивать больший запас их по мощности. Проволочные резисторы обладают значительной индуктивностью, поэтому нецелесообразно применять их в высокочастотных и импульсных цепях На высоких частотах (>30 МГц) пленочные угольные и металлопленочные резисторы могут иметь заметное индуктивное сопротивление за счет длины своих выводов, которые следует максимально укорачивать.
В радиотехнических устройствах для снижения добротности параллельного колебательного контура и расширения его полосы пропускания применяют параллельное подключение к нему резистора. При выборе типа резистора следует выбирать резисторы, обладающие только активным сопротивлением
Качество изоляции остеклованных резисторов ухудшается с ростом температуры. Поэтому в режимах с максимально рассеиваемой мощностью следует избегать контакта этих резисторов с любой проводящей поверхностью.
Обозначение и маркировкарезисторов
Система обозначения
В табл. 1.4 приведены сведения о действующей отечественной системе обозначения резисторов, а в табл. 1.5 — о старой.
Таблица 1.4. Действующая система обозначения резисторов
Элемент обозначения
Пример обозначения
первый
второй
третий
Р — резисторы постоянные
1 — непроволочные
2 — проволочные
Порядковый номер разработки
Р1-26
РП — резисторы переменные
РП2-12
TP — терморезисторы с отрицательным TKC
Полупроводн иновые материалы не обозначаются
ТР-7
ТРП — терморезисторы с положительным TKC
ТРП-5
BP — варисторы постоянные
ВР-14
ВРП — варисторы переменные
ВРП-11
Таблица 1.5. Старая система обозначения резисторов
Элемент обозначения
Пример обозначения
первый
второй
третий
С — резисторы постоянные
— углеродистые и бороуглеродистые
— металлодиэлектрические и металлоокисные
— композиционные пленочные
— композиционные объемные-• -
— проволочные
Порядковый номер разработки
С5-2
СП — резисторы переменные
СП1-3
СТ — терморезисторы
— кобальто-марганцевые
— медно-марганцевые
— медно-кобальто-марганцевые
— никель-кобальто-марганцевые
CT2-3
СК — варисторы
1 — карбидо-кремниевые
СК 1-2
Единой системы обозначения резисторов зарубежного производства нет. Каждая фирма-производитель имеет собственную систему обозначения резисторов. Но на практике нет необходимости изучать такие системы, поскольку на корпусе резистора имеется информация о его номинале и допуске, а по геометрическим размерам можно судить о его рассеиваемой мощности.
В качестве примера приведем порядок обозначения широко применяемых постоянных резисторов фирмы Philips.
Обозначение типа резистора, его конструктивных особенностей состоит из трех элементов:
буквенное обозначение типа резистора:
AC, ACL — мощные проволочные на керамической основе (корпус зеленого цвета);
CR— углеродистые (корпус светло-коричневого цвета);
ER— мощные проволочные;
MR
MPR NFR
PR
RC SFR
VR
WR
металлопленочные (корпус зеленого цвета);
прецизионные металлопленочные;
предохранительные (корпус серого цвета);
мощные металлопленочные (корпус красного цвета);
бескорпусные или SMD-резисторы;
стандартные пленочные (корпус светло-зеленого цвета);
высоковольтные (корпус светло-голубого цвета);
мощные пленочные эмалированные (корпус коричневого цвета);
цифровое обозначение максимального диаметра корпуса, где первая цифра обозначает целые, а вторая - десятые доли миллиметра. Исключение составляют резисторы типа AC, ACL, ER для которых эти цифры обозначают мощность рассеивания в Вт;
буквенный код, обозначающий вариант исполнения выводов резистора и материал их покрытия.
Следует обратить внимание на предохранительные резисторы. Имеющие малое сопротивление, они используются в качестве плавких предохранителей: при токовой перегрузке выходят из строя.
Маркировка резисторов отечественногопроизводства
Номинальные сопротивления и допуска на резисторах обозначаются одним из двух способов — с использованием буквенно-цифрового обозначения, или путем нанесения цветовой маркировки.
Буквенно-цифровая маркировка
Обозначение резистора включает три элемента.
Первый элемент — цифры — номинал сопротивления в омах.
Второй элемент — буква латинского или русского алфавита — множитель (табл. 1.6).
Таблица 1.6
Буква латинская (русская)
R (или Е)
К (или К)
М (или М)
G (или Г)
T (или T)
Множитель
1
1-Ю3
1-Ю6
1-109
1-Ю12
Третий элемент — буква латинского или русского алфавита — допуск (табл. 1.7).
Таблица 1.7
Буква латинская (русская)
Е
L
R
р
и
В
(Ж)
с (У)
D (Д)
F (Р)
G (Л)
J (И)
К (С)
м
(В)
N (Ф)
Допуск, ± %
0,001
0,002
0,005
0,01
0,02
0,1
0,25
0,5
1
2
5
10
20
30
Цветовая маркировка
Другим видом маркировки является нанесение на корпус резистора цветных колец Маркировочные кольца сдвинуты к одному из выводов резистора и располагаются слева направо Если размеры резистора не обеспечивают отступа, то ширина первого кольца примерно в два раза шире остальных. Число колец может быть от четырех до шести.
^ЯЙ>—^ЯЙ>—
^ЯЙ>—
^ЯЙ>—
Рис. 1.1. Внешний вид резисторов с цветовой маркировкой
На рис 1 2 цветной вкладки показано, как по цвету колец определить номинал и допуск резистора.
Маркировка резисторов зарубежногопроизводства
Буквенно-цифровая маркировка
На корпус резистора наносится маркировка, состоящая из двух или трех цифр и буквы Буква играет роль запятой и обозначает, в каких единицах измеряется номинал резистора:
R — в омах,
К — в килоомах;
М — в мегаомах.
Примеры обозначения приведены в табл. 1.8.
Таблица 1 8 Обозначение номиналов резисторов
Сопротивление
Обозначение
Сопротивление
Обозначение
0,1 Ом
R10
5,6 кОм
5К6
0,33 Ом
R33
47 кОм
47К
6,8 Ом
6R8
150 кОм
М15|
22 Ом
22R
1 МОм
1М0
150 Ом
150R
2,2 МОм
2М2
1 кОм
1К
Допуск резисторов по одной из наиболее распространенных систем обозначений BS 1852 (British Standard 1852) обозначается буквой после обозначения номинала резистора (табл 1 9).
Таблица 1 9
Буква
F
G
J
К
м ||
Допуск, ± %
1
2
5
10
20 |
Например:330RG означает 330 Ом ±2%. R22M означает 0,22 Ом ±20%.
Цветовая маркировка резисторов
Цветовая маркировка резисторов зарубежного производства аналогична цветовой маркировке резисторов отечественного производства (см. рис. 1.2).
Технические данные и маркировкабескорпусных SMD резисторов
Общие сведения
В настоящее время на передний план все более выдвигается наиболее прогрессивная сегодня технология производства электронной аппаратуры — технология поверхностного монтажа или SMT-технология (SMT — Surface Mount Technology). Специально для такой технологии был разработан широкий спектр миниатюрных электронных компонентов, которые еще называют SMD (Surface Mount Devices) компонентами. Использование SMD компонентов позволило автоматизировать процесс монтажа печатных плат.
Основной ряд используемых SMD резисторов представлен зарубежными резисторами серии RMC, которые подробно описаны ниже. Из отечественных аналогов можно назвать резисторы типа Р1-12, имеющие номинальную рассеиваемую мощность 0,125 Вт, номинальные сопротивления ряда Е24 от 1 Ом до 6,8 МОм. Резисторы Р1-12 полностью соответствуют SMD резисторам в корпусе типоразмера 1206.
На рис. 1.3 представлен внешний вид SMD резисторов, а в табл. 1.10 и 1.11 приведены их геометрические размеры и основные технические данные. Типоразмеры SMD резисторов стандартизованы. Они обозначаются четырехзначным числом по стандарту IEA. Обозначения самих же SMD резисторов различных производителей приведены в табл. 1.12.
Рис. 1.3. Внешний вид SMD резисторов
Таблица 1.10. Габаритные размеры SMD резисторов
Типоразмер EIA
Размеры (мм)
L
W
Н
D
т
0402
1,00
0,50
0,20
0,25
0,35
0603
1,60
0,85
0,30
0,30
0,45
0805
2,10
1,30
0,40
0,40
0,50
1206
3,10
1,60
0,50
0,50
0,55
1210
3,10
2,60
0,50
0,40
0,55
1218
3,10
4,50
0,50
0,40
0,55
Типоразмер EIA
Размеры (мм)
L
W
Н
D
т
1806
4,50
1,60
1,60
0,40
0,55
1808
4,50
2,00
2,00
0,40
0,55
1812
4,50
3,20
2,00
0,40
0,55
2010
5,00
2,50
0,60
0,40
0,55
2220
5,70
5,00
1,70
0,40
0,55
2225
5,70
6,30
2,00
0,40
0,55
2512
6,35
3,20
0,60
0,40
0,55
2824
7,10
6,10
3,90
0,40
0,55
3225
8,00
6,30
3,20
0,40
0,55
4030
10,2
7,60
3,90
0,40
0,55
4032
10,2
8,00
3,20
0,40
0,55
5040
12,7
10,2
4 80
0,40
0,55
6054
152
13,7
4,80
0,40
0,55
Таблица 111 Технические данные SMD резисторов
Тип
0402
0603
0805
1206
1210
2010
2512
Номинальная мощность, Вт
1/16
1/10
1/8
1/4
1/3
3/4
1
Температурный диапазон, °C
-55 +125
Макс, рабочее напряжение, В
25
50
150
200
200
200
200
Макс, перегрузочное напряжение, В
50
100
300
400
400
400
400
Диапазон сопротивлений
1%, Е-96
5%, Е-24
100 Ом 100 кОм 2Ом
5,6 МОм
10 Ом 1МОм
1 Ом
10 МОм
10 Ом
1 МОм
1 Ом
10 МОм
10 Ом
1 МОм
1 Ом
10 МОм
10 Ом
1 МОм
1 Ом
10 МОм
10 Ом
1 МОм
1 Ом
10 МОм
10 Ом
1 МОм
1 Ом
10 МОм
Сопротивление перемычки, Ом
50,05
Таблица 1 12 Обозначения SMD резисторов некоторых фирм-производителей
Типоразмер
Фирма-производитель
AVX
BECKMAN
NEOHM
PANASONIC
PHILIPS
ROHM
SAMSUNG
WELWYN
0603
CR10
BCR1/16
CRG0603
ERJ3
—
MCR03
RC1608
WCR0603
0805
CR21
BCR1/10
CRG0805
ERJ6
RC11/12
MCR10
RC2012
WCR0805
1206
CR32
BCR1/8
CRG1206
ERJ8
RC01/02
MCR18
RC3216
WCR11206
Маркировка SMD резисторов
SMD резисторы маркируются различными способами. Способ маркировки зависит от типоразмера резистора и допуска. Резисторы типоразмера 0402 не маркируются. Резисторы с допуском 2, 5 и 10% всех типоразмеров маркируются тремя цифрами, первые две из которых обозначают мантиссу (то есть номинал резистора без множителя), а последняя — показатель степени по основанию 10 для определения множителя. При необходимости к значащим цифрам может добавляться буква R для обозначения десятичной точки. Например, маркировка 513
означает, что резистор имеет номинал 51х103 Ом = 51 кОм. Обозначение 100 означает, что номинал резистора равен 10 Ом.
Резисторы с допуском 1% типоразмеров от 0805 и выше маркируются четырьмя цифрами, первые три из которых обозначают мантиссу, а последняя — показатель степени по основанию 10 для задания номинала резистора в омах. Буква R также служит для обозначения десятичной точки. Например, маркировка 7501 означает, что резистор имеет номинал 750Х101 Ом = 7,5 кОм.
для определения номинала резистора в омах. Например,для определения номинала резистора в омах. Например,Резисторы с допуском 1% типоразмера 0603 маркируются с использованием приведенной ниже таблицы EIA-96 (табл. 1.13) двумя цифрами и одной буквой. Цифры задают код, по которому из таблицы определяют мантиссу, а буква — показатель степени по основанию 10
для определения номинала резистора в омах. Например,
для определения номинала резистора в омах. Например,
маркировка ЮС означает, что резистор имеет номинал 124xlOz Ом = 12,4 кОм.
Таблица 1.13. Таблица маркировки SMD резисторов EIA-96
Код
Знач.
Код
Знач.
Код
Знач.
Код
Знач.
Код
Знач.
Код
Знач.
Код
Знач.
Код
Знач
01
100
13
133
25
178
37
237
49
316
61
422
73
562
85
750
02
102
14
137
26
182
38
243
50
324
62
432
74
576
86
768
03
105
15
140
27
187
39
249
51
332
63
442
75
590
87
787
04
107
16
143
28
191
40
255
52
340
64
453
76
604
88
806
05
110
17
147
29
196
41
261
53
348
65
464
77
619
89
825 |
06
113
18
150
30
200
42
267
54
357
66
475
78
634
90
845
07
115
19
154
31
205
43
274
55
365
67
487
79
649
91
866
08
118
20
158
32
210
44
280
56
374
68
499
80
665
92
887
09
121
21
162
33
215
45
287
57
383
69
511
81
681
93
909
10
124
22
165
34
221
46
294
58
392
70
523
82
698
94
931
11
127
23
169
35
226
47
301
59
402
71
536
83
715
95
953
12
130
24
174
36
232
48
309
60
412
72
549
84
732
96
976
S
10~2
R
10~1
А
10°
В
101
С
102
D
103
Е
104
F
105
SMD резисторы упаковываются в стандартной упаковке: на бумажной ленте или на бобине. При этом наносится маркировка с указанием типа резистора, его типоразмера, номинала, допуска. Например: RMC-18 (1206) 1002 FR, где буквой после номинала обозначен допуск (F = ±1%; J = ±5%; D = ±0,5%), а буква R означает, что резисторы упакованы на бумажной ленте в бобине.
Особенности применения переменныхрезисторов
Переменные резисторы применяются в качестве внешних устройств настройки и регулировки сигналов: в качестве регуляторов громкости, тембра, уровней, настройки на частоту в радиоприемниках с перестройкой частоты при помощи варикапов.
Подстроечные резисторы применяются в схемах радиоэлектронных устройств для того, чтобы обеспечить их настройку во избежание многократных замен, связанных с необходимостью подбора постоянного резистора.
Переменные резисторы выпускаются в различном исполнении. По типам они делятся на резисторы с угольной дорожкой, дорожкой из кермета (металлокерамики), проволочные и многооборотные проволочные. По причине наличия подвижного контакта переменные резисторы являются источников шумов, и порой напряжение создаваемых ими шумов может достигать десятков милливольт (15...50 мВ). Поэтому при применении переменных резисторов следует придерживаться следующих правил:
избегайте использования переменных резисторов с угольной дорожкой: они сильно шумят и ненадежны;
в регуляторах громкости аудиоаппаратуры применяйте потенциометры с логарифмическим законом регулирования сопротивления;
не применяйте переменных резисторов с угольной дорожкой в устройствах электропитания для регулировки выходного напряжения. Из-за несовершенства дорожки возможно мгновенное появление полного выходного напряжения.
В современной зарубежной технике применяются подстроечные резисторы серии POZ3, имеющие номинал от 200 Ом до 2 МОм. Средний вывод у них расположен обособленно и имеет большую ширину, чем крайние выводы. Некоторые варианты исполнения таких переменных резисторов показаны на рис. 1.4.
На приведенном рисунке крайние выводы обозначены цифрами 1 и 3, а средний — цифрой 2 (поворот — по часовой стрелке от выв. 1 к выв. 3).
О о1 ь3О о1 ь3По часовой стрелкеПо часовой стрелке223131ТУТТУТ2 О2 О3С3С
О о
1 ь3
О о
1 ь3
По часовой стрелке
По часовой стрелке
2
2
31
31
ТУТ
ТУТ
2 О
2 О
3С
3С
Рис. 1.4. Внешний вид и расположение выводов переменных резисторов
Постоянные нелинейные резисторы
Термисторы
Термисторы — полупроводниковые резисторы с нелинейной вольт-амперной характеристикой, сопротивление которых резко зависит от температуры окружающей среды.
Одним из основных параметров термисторов является температурный коэффициент сопротивления (ТКС), отражающий зависимость их сопротивления от изменения температуры окружающей среды
Термисторы подразделяются на две группы: термисторы с отрицательным ТКС (ОТК) и термисторы с положительным ТКС (позисторы, или сокращенно ПТК). ОТК термисторы в диапазоне температур от 25 до 100 °C изменяют свое сопротивление от нескольких сот или тысяч ом до нескольких десятков или сот ом, то есть с повышением температуры их сопротивление снижается. ПТК термисторы обычно в диапазоне температур от 0 до 75 °C свое сопротивление сохраняют примерно на уровне 100 Ом. Однако начиная с температуры 80 °C их сопротивление начинает быстро расти до значений порядка 10 кОм при 120 °C. Такие свойства термисторов обусловили их широкое применение в устройствах термостабилизации и автоматики, устройствах защиты от перегрузок и пожарной сигнализации. На корпусе термистора наносится значение его сопротивления при температуре 20 °C (а для термисторов с рабочими температурами до 300 °C — при 150 °C). Конкретные значения сопротивлений устанавливаются в основном по ряду Е6 или Е12.
Варисторы
Варисторы — полупроводниковые резисторы, сопротивление которых уменьшается при возрастании напряжения. Их назначение — защита от бросков напряжения, возникающих, например, в телефонных линиях или при коммутации индуктивной нагрузки. Могут они применяться и для стабилизации напряжения, регулирования усиления в системах автоматики, в схемах размагничивания кинескопов и т.д.
Рис. 1.5. Варисторы
На корпусе варистора наносится его рабочее напряжение. В табл. 1 14 и 1.15 приведены основные параметры распространенных варисторов отечественного и зарубежного производства.
Таблица 1.14. Основные параметры варисторов отечественного производства
Тип
Номинальная мощность, Вт
Классификационное напряжение, В
Допуск по клас- сиф. напряжению, ±%
Коэффициент нелинейности, не менее
Классификационный ток, мА
СН-1-1
1
560
680, 820, 1000, 1200
1300, 1500
10
3,5
4
4,5
10
СН1-1-2
0,8
560
680
1300
10
3,5 4
4,5
10
СН1-2-1
1
56, 68, 82, 100, 120, 150,
180, 220, 270
10, 20
3,5
2
СН1-2-2
1
15, 18, 22, 27, 33, 39, 47, 56,
68, 82, 100
10, 20
3
3,5
3
СН1-6
2,5
33
10
4
20
СН1-8
2
20 000, 25 000
—
6
25 75
СН1-9
0,01
240, 270, 300, 330, 360
5
5
0,05
СН1-10
3
15, 18
22, 27, 33, 39, 47
10
3,2
3,5
10
Таблица 1.15. Основные параметры варисторов зарубежного производства
Тип
в"’
Поглощаемая энергия, Дж
кА
Напряжение покоя
max,
Ток измерения, А
Емкость (f = 1 МГц), нФ
действующее
постоянное
V22ZA1
22
0,9
0,25
14
18
47
5
1,6
V33ZA5
33
6
1
20
26
64
10
6
V100ZA3
100
5
1 2
60
81
165
10
400
V130LA5
200
20
2,5
130
175
340
25
450
V250LA4
390
21
1,2
250
330
650
10
90
V250LA10
390
40
2,5
250
330
650
25
220
V275LA4
430
23
1.2
275
369
710
10
80
V275LA10
430
45
2,5
275
369
710
25
200
V420LA10
680
45
2,5
420
560
1100
25
140
Конденсаторы
Общие сведения
Электрические характеристики конденсатора определяются его конструкцией и свойствами используемого диэлектрика.
Основными параметрами конденсатора являются:
номинальное значение емкости (мкФ, нФ, пФ);
рабочее напряжение — максимальное значение напряжения, при котором конденсатор может работать длительно без изменения своих свойств;
допуск — возможный разброс значения емкости конденсатора;
температурный коэффициент емкости (ТКЕ) — зависимость емкости конденсатора от температуры окружающей среды.
В табл. 2.1 приведены основные характеристики конденсаторов различных типов.
Твблица 2.1. Характеристики конденсаторов
I
Параметр
Диэлектрик
Керамика
Электролит
Метал- лиз, пленка
Слюда
Полиэстер
Полипропилен
Поликарбонат
Поли- стирен
Тантал
Диапазон емкостей
2,2пф...
ЮнФ
ЮОнФ... 68000мкФ
1мкФ. . ЮмкФ
2,2пФ ЮнФ
ЮнФ...
2,2мкФ
1нФ... 470нФ
ЮнФ... ЮмкФ
ЮпФ . ЮмкФ
ЮОнФ.
ЮОмкФ
Допуск, ±%
10...20
—10...+50
20
1
20
20
20
2,5
20
Рабочее напряжение., В
50-2500
6,3-400
250-600
350
250
1000
63-630
160
6,3-35
ТКЕ
+ 100.
—4700
+ 1000
+100
200
+50
+200
-200
+60
—150...
+80
+100...
+250
Диапазон рабочих температур, °C
-85... +85
-40
+85
-25... +85
-40
+85
-40 .. +100
-55...
+ 100
-55.
+ 100
-40.
+70
-55...
+85
Обозначение и маркировкаконденсаторов
Отечественная система обозначения
Сокращенное обозначение состоит из букв и цифр, например, К53-4, где буква указывает на тип конденсатора, первое число — на материал диэлектрика, последнее число — на конструктивное исполнение.
В табл. 2.2 приведена система обозначения конденсаторов в зависимости от материала диэлектрика.
Таблица 2.2. Система обозначения конденсаторов в зависимости от материала диэлектрика
Подкласс конденсаторов
Буквенное обозначение
Группа конденсаторов
Обозначение группы
Конденсаторы постоянной емкости
К
Керамические на напряжение ниже 1600 В Керамические на напряжение 1600 В и выше Стеклянные
Стеклокерамические
Тонкопленочные
Слюдяные малой мощности
Слюдяные большой мощности
Бумажные на напряжение до 2 кВ, фольговые
Бумажные на напряжение 2 кВ и выше, фольговые
Бумажные металлизированные
Оксидные алюминиевые
Оксидные танталовые, ниобиевые и др.
Объемно-пористые
Оксидно-полупроводниковые
С воздушным диэлектриком
Вакуумные
Полистирольные
Фторопластовые
Полиэтилентерефталатные
Комбинированные
Лакопленочные
Поликарбонатные
Полипропиленовые
10
15
21
22
26
31
32
40
41
42
50
51
52
53
60
61 71(70)
72 73(74)
75
76
77
78
Подстроечные конденсаторы
кт
Вакуумные
С воздушным диэлектриком
С газообразным диэлектриком
С твердым диэлектриком
1
2
3
4
Конденсаторы переменной емкости
КП
Вакуумные
С воздушным диэлектриком
С газообразным диэлектриком
С твердым диэлектриком
1
2
3
4
В основу обозначений по старой системе брались различные признаки: конструктивные, технологические, эксплуатационные и другие (например КД — конденсаторы дисковые, ФТ — фторопластовые теплостойкие и т.д.).
Система обозначений конденсаторов зарубежных фирм-производителей не приводится, поскольку каждая их них имеет свою собственную систему.
Наиболее широко применяются конденсаторы следующих номинальных рядов емкостей: ЕЗ, Е6, Е12, Е24 (табл. 2.3).
Таблица 2.3. Ряды номинальных емкостей конденсаторов
Ряд
Числовые коэффициенты
ЕЗ
1; 2,2; 4,7
Е6
1; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8
Е12
1; 1,2; 1,5; 1,8; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8; 8,2
Е24
1; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,8; 1,8; 2; 2,2; 2,4; 2,7; 3; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1
Маркировка конденсаторов
Маркировка конденсаторов может быть буквенно-цифровой, содержащей сокращенное обозначение конденсатора, его номинальные напряжение, емкость, допуск, группу ТКЕ и дату изготовления, либо цветовой. В зависимости от размеров конденсаторов применяются полные или сокращенные (кодированные) обозначе-
ния номинальных емкостей и их допустимых отклонений. Бескорпусные конденсаторы не маркируются, а их характеристики указываются на упаковке.
Полное обозначение номинальных емкостей состоит из цифрового обозначения номинальной емкости и обозначения единицы измерения (пФ — пикофарады, мкФ — микрофарады, Ф — фарады).
Кодированное обозначение номинальных емкостей состоит из трех или четырех знаков, включающих две или три цифры и букву. Буква из русского или латинского алфавита обозначает множитель:
П (р) — пико = 10-12;
Н (п) — нано = 10~9 ;
М (ц или гл) — микро = 10'6 .
Примеры: 2,2 пФ — 2П2 (2р2); 1500 пФ — 1Н5 (1п5); 0,1 мкФ — Ml (ц1); 10 мкФ — ЮМ (10ц).
На рис. 2.1 показан внешний вид конденсаторов различных типов и исполнения.
м bs %'S - ^ - * mS^ О pF63V 2200^63м bs %'S - ^ - * mS^ О pF63V 2200^63Рис. 2.1. КонденсаторыРис. 2.1. Конденсаторы
м bs %'S - ^ - * mS^ О pF63V 2200^63
м bs %'S - ^ - * mS^ О pF63V 2200^63
Рис. 2.1. Конденсаторы
Рис. 2.1. Конденсаторы
В табл. 2.4 приведены обозначения допусков. По новой системе они обозначаются латинскими буквами и соответствуют принятой международной системе обозначений, по старой — буквами русского алфавита.
Таблица 2.4. Допустимые отклонения емкостей конденсаторов
Допуск, %
Код
Цветовой код
Допуск, %
Код
Цветовой код
Допуск, %
Код
±0,1 пФ
в 0К)
—
±20
М(В)
Черный
±0,1
В
±0,2 пФ
С (У)
Оранжевый
±30
М(Ф)
—
±0,25
С
±0,5 пФ
О(Д)
Желтый
-10+30
Q(O)
—
±0,5
D
±1 пФ
F(P)
Коричневый
-10+50
Т(Э)
—
±1
F
±2
GOT)
Красный
-10+100
У(Ю)
—
±5
I (И)
Зеленый
-20+50
S (Б)
Фиолетовый
±10
К (С)
Белый
-20 +80
2(A)
Серый
Кодовая цифровая маркировка
Кроме буквенно-цифровой маркировки применяется способ цифровой маркировки тремя или четырьмя цифрами по стандартам IEC (табл. 2.5, 2.6).
При таком способе маркировки первые две или три цифры обозначают значение емкости в пикофарадах (пФ), а последняя цифра — количество нулей. При обозначении емкостей менее 10 пФ последней цифрой может быть «9» (109 = 1 пФ), при обозначении емкостей 1 пФ и менее первой цифрой будет «0» (010 = 1 пФ). В качестве разделительной запятой используется буква R (0R5 = 0,5 пФ).
При маркировке емкостей конденсаторов в микрофарадах применяется цифровая маркировка: 1 — 1 мкФ, 10 — 10 мкФ, 100 — 100. мкФ. В случае необходимости маркировки дробных значений емкости в качестве разделительной запятой используется буква R: R1 — 0,1 мкФ, R22 — 0,22 мкФ, 3R3 — 3,3 мкФ (при обозначении емкости в мкФ перед буквой R цифра 0 не ставится, а она ставится только при обозначении емкостей менее 1 пФ).
После обозначения емкости может быть нанесен буквенный символ, обозначающий допустимое отклонение емкости конденсатора в соответствии с табл. 2.4.
Таблица 2 5 Кодировка номинальной емкости конденсаторов тремя цифрами
Код
Емкость
Пикофарады (пФ; pF)
Нанофарады (нФ; nF)
Микрофарады (мкФ; pF)
109
1,0
0,001
159
1.5
0,0015
229
2,2
0,0022
339
3,3
0,0033
479
4,7
0,0047
689
6,8
0,0068
100
10
0,01
150
15
0,015
220
22
0,022
330
33
0,033
470
47
0,047
680
68
0,068
101
100
0,1
151
150
0,15
221
220
0,22
331
330
0,33
471
470
0,47
681
680
0,68
102
1000
1.0
0,001
152
1500
1,5
0,0015
222
2200
2,2
0,0022
332
3300
3,3
0,0033
472
4700
4,7
0,0047
682
6800
6,8
0,0068
Код
Емкость
Пикофарады (пФ; pF)
Нанофарады (нФ; nF)
Микрофарады (мкФ; pF)
103
10000
10
0,01
153
15000
15
0,015
223
22000
22
0,022
333
33000
33
0,033
473
47000
47
0,047
683
68000
68
0,068
104
100000
100
0,1
154
150000
150
0,15
224
220000
220
0,22
334
330000
330
0,33
474
470000
470
0,47
684
680000
680
0,68
105
1000000
1000
Ц
Таблица 2.6 Кодировка номинальной емкости конденсаторов четырьмя цифрами
Код
Емкость
Пикофарады (пФ; pF)
Нанофарады (нФ; nF)
Микрофарады (мкФ; pF)
1622
16200
16,2
0,0162
4753
475000
475
0,475
ТКЕ (температурный коэффициент емкости) — параметр конденсатора, который характеризует относительное изменение емкости от номинального значения при изменении температуры окружающей среды. Этот параметр принято выражать в миллионных долях емкости конденсатора на градус (10 ° / °C). ТКЕ может быть положительным (обозначается буквой «П» или «Р»), отрицательным («М» или «М»), близким к нулю («МП») или ненормированным («Н»),
Конденсаторы изготавливаются с различными по ТКЕ типами диэлектриков: группы NPO, X7R, Z5U, Y5V и другие. Диэлектрик группы NPO(COG) обладает низкой диэлектрической проницаемостью, но хорошей температурной стабильностью (ТКЕ близок к нулю). SMD конденсаторы больших номиналов, изготовленные с применением этого диэлектрика, наиболее дорогостоящие. Диэлектрик группы X7R имеет более высокую диэлектрическую проницаемость, но меньшую температурную стабильность.
Диэлектрики групп Z5U и Y5V имеют очень высокую диэлектрическую проницаемость, что позволяет изготовить конденсаторы с большим значением емкости, но имеющие значительный разброс параметров. SMD конденсаторы с диэлектриками групп X7R и Z5U используются в цепях общего назначения.
Обозначение группы ТКЕ наносится на корпус конденсатора или в виде непосредственного обозначения, или буквенного кода, или цветовой маркировки. Цветовая маркировка может быть выполнена в виде одной или двух цветовых полос (точек, меток), причем второй цвет не обязательно наносится — он может быть представлен цветом корпуса конденсатора. В табл. 2.7, 2.8, 2.9 показан порядок обозначения ТКЕ конденсаторов различных групп.
Таблица 2.7. Керамические конденсаторы с ненормируемым ТКЕ
Группа ТКЕ по ГОСТ
Допуск при Т = -60...+85 “С, ±%
Буквенный код
Цветовая маркировка
Новое обозначение
Старое обозначение
Цвет корпуса
Маркировочная точка |
НЮ
10
в
Оранжевый+черный
Оранжевый
Черная|
Н20
20
Z
Оранжевый+красный
Оранжевый
Красная|
НЗО
30
D
Оранжевый+зеленый
Оранжевый
Зеленая
Н50
50
X
Оранжевый+голубой
Оранжевый
Синяя
Н70
70
Е
Оранжевый+фиолетовый
Оранжевый
—
Н90
90
F
Оранжевый+белый
Оранжевый
Белая
Таблица 2.8. Керамические и металлостеклянные конденсаторы с линейной зависимостью от температуры
Группа ТКЕ
Группа ТКЕ (международное обозначение)
ТКЕ, l-IO^C
Буквенный код
Цветовая маркировка
Новое обозначение
Старое обозначение
Цвет корпуса
Маркировочная точка
пюо
Р100
+100
А
Красный+фиолетовый
Синий
П60
+60
—
Синий
Черная
пзз
+33
N
Серый
Серый
—
мпо
NP0
0
С
Черный
Голубой
Черная |
мзз
N030
-33
Н
Коричневый
Голубой
Коричневая
М47
-47
Голубой+красный
Голубой
—
М75
N080
-75
L
Красный
Красный
Красная
М150
N150
-150
Р
Оранжевый
Красный
Оранжевая
М220
N220
-220
R
Желтый
Красный
Желтая
МЗЗО
N330
-330
S
Зеленый
Красный
Зеленая
М470
N470
-470
Т
Голубой
Красный
Синяя
М750
N750
-750
и
Фиолетовый
Красный
—
М1500
N1500
-1500
V
Оранжевый+оранжевый
Зеленый
—
М2200
N2200
-2200
к
Желтый+оранжевый
Зеленый
—
Таблица 2.9. Конденсаторы с нелинейной зависимостью от температуры
Группа ТКЕ по стандарту EIA
Допуск, %
Температура, °C
Буквенный код
Цветовая маркировка
Y5F
±7,5
-30 +85
Y5P
±10
-30. .+85
Серебристый
Y5R
-30...+85
R
Серый
Y5S
±22
-30...+85
S
Коричневый
Y5U
+22...-56
-30 ..+85
А
Y5V
+22...-82
-30...+85
X5F
±7,5
-55. .+85
Х5Р
±10
-55,,.+85
X5S
±22
-55,.,+85
X5U
+22...-56
-55...+85
Синий
X5V
+22 ..-82
—55...+85
Группа ТКЕ по стандарту EIA
Допуск, %
Температура, °C
Буквенный код
Цветовая маркировка
X7R
±15
-55 +125
Z5F
±7,5
-10 +85
В
Z5P
±10
-10 +85
С
Z5S
±22
-10 +85
Z5U
+22 -56
-10 +85
Е
Z5V
+22 -82
-10 +85
F
Зеленый
Некоторые фирмы пользуются собственной системой обозначений, отличающейся от приведенной в таблицах.
Цветовая маркировка
Вследствие того, что площадь поверхности корпуса конденсаторов зачастую недостаточна для нанесения маркировки, широко применяется цветовая кодовая маркировка либо в виде цветных полос, либо в виде цветных точек. Количество маркировочных меток может составлять от трех до шести, а кодироваться могут как основные параметры конденсатора (емкость и рабочее напряжение), так и дополнительные (допуск и ТКЕ). Как правило, первые две или три метки обозначают значение емкости, а следующие за ними соответственно множитель, допуск и ТКЕ.
Определить рабочие параметры конденсаторов по цветовой маркировке можно, пользуясь рис. 2.2, 2.3 (см. цветную вклейку).
Особенности маркировки некоторыхтипов SMD конденсаторов
Керамические SMD конденсаторы
Таблица 2 10
Буква
Мантисса
Буква
Мантисса
Буква
Мантисса
А
1,0
L
2,7
Т
5,1
В
1,1
М
3,0
и
5,6
С
1.2
N
3,3
m
6,0
D
1,3
Ь
3.5
V
6,2
Е
1,5
Р
3,6
W
6,8
F
1.6
Q
3,9
п
7,0
G
1.8
d
4,0
X
7,5
Н
2,0
R
4,3
1
8.0
J
2.2
е
4,5
Y
8.2
К
2,4
S
4,7
У
9,0j
а
2,5
f
5,0
Z
9,1|
Маркировку на керамические SMD конденсаторы иногда наносят кодом, состоящим из одной или двух букв и цифры. Первая буква (необязательно) — код изготовителя (например, К для обозначения конденсаторов фирмы КЕМЕТ, и т.д.), вторая буква — мантисса в соответствии с приведенной выше табл. 2.10 и, наконец, последняя цифра — показатель степени для определения емкости в пФ. Например, S3 — 4,7нФ (4,7х103 пФ) конденсатор неизвестного изготовителя, в то время как КА2 — ЮОпФ (1,0х102 пФ) конденсатор производства фирмы КЕМЕТ.
Оксидные SMD конденсаторы
Таблица 2.11
Буква
е
G
J
А
С
D
Е
V
Н
Напряжение, В
2,5
4
6,3
10
16
20
25
35
50
Емкость и рабочее напряжение оксидных SMD конденсаторов часто обозначаются их прямой записью, например 10 6V — 10 мкФ х 6 В. Иногда вместо этого используется код, который обычно состоит из буквы и трех цифр. Буква указывает на рабочее напряжение в соответствии с табл. 2.11, а три цифры (2 цифры, обозначающие номинал, и множитель) обозначают значение емкости в пикофарадах. Полоса указывает на вывод положительной полярности.
Например, маркировка А475 обозначает конденсатор емкостью 4,7 мкФ с рабочим напряжением 10 В.
475 = 47х105 пФ = 4,7х106 пФ = 4,7 мкФ
В некоторых случаях значение емкости кодируется буквой и цифрой. Буква (см. табл. 2.12) обозначает номинал емкости, а цифра — множитель — количество нулей, которые необходимо добавить к номиналу для определения значения емкости конденсатора.
Таблица 2.12
Буква
А
Е
J
N
S
W
Емкость, пФ
1,0
1,5
2,2
3,3
4,7
6,8
Танталовые SMD конденсаторы
Танталовые конденсаторы выпускаются пяти типоразмеров: А, В, С, D, Е (см. табл. 2.13).
Таблица 2.13
Типоразмер
Типоразмер метрический
L, мм
W, мм
Н, мм
D, мм
А
3216
3,2
1,6
1,6
1,2
В
3528
3,5
2,8
1,9
2,2
С
6032
6,0
3,2
2,5
2,2
D
7343
7,3
4,3
2,9
2,4
Е
7343Н
7,3
4,3
4,1
2,4
Рабочее напряжение Емкость Множитель
Рабочее напряжение Емкость пФ Количество нулей
Рис. 2.4. Буквенно-цифровая маркировка SMD конденсаторов
Маркировка танталовых конденсаторов типоразмеров А и В состоит из буквенного кода номинального напряжения в соответствии с табл. 2.14:
Таблица 2.14
Буква
G
J
А
С
D
Е
V
Т [
Напряжение, В
4
6,3
10
16
20
25
35
50
За ним следует трехзначный код номинала емкости в пикофарадах, в котором последняя цифра обозначает количество нулей в номинале.
Например, маркировка Е105 обозначает конденсатор емкостью 1 000 000 пФ = 1.0 мкФ с рабочим напряжением 25 В.
Емкость и рабочее напряжение танталовых SMD конденсаторов типоразмеров С, D, Е обозначаются их прямой записью, например 47 6V — 47 мкФхб В.
Подстроечные конденсаторызарубежных фирм
Основными поставщиками подстроечных конденсаторов (trimmer capasitors) являются фирмы PHILIPS и MURATA.
На рис. 2.5 изображены подстроечные конденсаторы, производимые фирмой PHILIPS.
Такие конденсаторы предназначены для работы в диапазоне температур от -40 °C до +70 °C и при напряжении постоянного тока до 100 В
Рис. 2.5. Подстроечные конденсаторы фирмы PHILIPS:а) миниатюрный подстроечный конденсатор; б) подстроечный конденсатордиаметром 5 мм
В табл. 2.15 и 2.16 дана цветовая маркировка и основные параметры миниатюрных и с диаметром корпуса 5 мм подстроечных конденсатров фирмы PHILIPS.
Таблица 2.15
Цвет корпуса
Емкость пФ
Диаметр корпуса, мм
Желтый
2...10
7,7
Зеленый
2. .22
7,7
Желтый
5,5...65
10,5
Таблица 2.16
Цвет корпуса
Значение емкости пФ
Диаметр корпуса, мм
Желтый
1,4...10
'5
Зеленый
3.5...20
5
Подстроечные конденсаторы фирмы MURATA также маркируются окраской корпуса. Ниже приводятся их рисунки и габаритные размеры.
Миниатюрные керамические подстроечныеконденсаторы (табл. 2.17)
Работают в диапазоне температур -55...+85 °C и рассчитаны на рабочие напряжения 50 или 100 В.
Сопротивление изоляции 10 ГОм (минимальное)
Метка максимальной емкостиМетка максимальной емкостиЦветной корпусЦветной корпус
Метка максимальной емкости
Метка максимальной емкости
Цветной корпус
Цветной корпус
Рис. 2.6. Миниатюрные керамические подстроечныеконденсаторы фирмы MURATA
Таблица 2.17
Цвет корпуса
Емкость пФ
Рабочее напряжение, В
Добротность на f=1 МГц
Синий
1,5...5
100
300
Белый
3...11
100
500
Красный
4,2 20
100
500
Зеленый
5,2 30
100
500
Оранжевый
6...50
50
300
Керамические подстроечные конденсаторыдля поверхностного монтажа с шириной корпуса 4 мм(табл. 2.18)
Рис. 2.7. Подстроечный SMD конденсатор с шириной корпуса 4 мм
Таблица 2.18
Цвет корпуса
Емкость, пФ
Рабочее напряжение, В
Добротность на f=1 МГц
Коричневый
1.4...3
100
300
Синий
2 6
100
500
Белый
3...10
100
500
Красный
4,5. .20
100
500
Зеленый
6.5...30
100
300
Желтый
8.5...40
100
300
Черный
4. 25
50
300
Черный
7 ..50
50
300
Керамические подстроечные конденсаторыс шириной корпуса 3 мм (табл. 2.19)
Рис. 2.8. Подстроечный SMD конденсатор с шириной корпуса 3 мм
Таблица 2.19
Цвет статора
Емкость, пФ
Рабочее напряжение В
Добротность на f=1 МГц
Коричневый
1,4...3
100
300
Синий
2 6
100
500
Белый
3...10
100
50
Красный
5. 20
100
зпп
Керамические подстроечные конденсаторыс шириной корпуса 2 мм (табл. 2.20)
Рис. 2.9. Подстроечный SMD конденсатор с шириной корпуса 2 мм
Таблица 2.20
Цвет статора
Емкость, пФ
Рабочее напряжение, В
Добротность на f=1 МГц
Белый
.1.4...3
25
300
Светло-зеленый
2,5...6
25
500
Светло-зеленый
3...10
25
500
Коричневый
4.5...20
25
500
Другие типы конденсаторов
С целью миниатюризации радиоаппаратуры и снижения времени на ее производство некоторые фирмы предлагают гибридные устройства на основе использования конденсаторов. Среди них можно выделить:
Т-образные фильтры;
конденсаторы-варисторы;
помехоподавляющие конденсаторные сборки для коллекторных электродвигателей переменного тока.
Т-образный фильтр представляет собой трехвыводный элемент, состоящий из конденсатора и двух ферритовых ячеек, включенных последовательно. Такие фильтры предназначены для подавления ВЧ помех в цепях постоянного тока, цифровых схемах с высоким входным сопротивлением и трактах УПЧИ телевизоров.
На рис. 2.10 изображен такой фильтр и приведена его схема.
Конденсаторы-варисторы (рис. 2.11) предназначены для защиты схем от воздействия кратковременных выбросов напряжения частотой выше 50. .60 Гц, а также для защиты цифровых КМОП и ТТЛ микросхем от статического электричества.
Помехоподавляющие конденсаторные сборки (рис. 2.12) служат для подавления помех, возникающих при работе коллекторных электродвигателей переменного тока (электроинструмент, бытовая техника).
Рис. 2.12. Помехоподавляюшая конденсаторная сборкаРис. 2.12. Помехоподавляюшая конденсаторная сборка
Рис. 2.12. Помехоподавляюшая конденсаторная сборка
Рис. 2.12. Помехоподавляюшая конденсаторная сборка
Советы по практическому применению
Если задано постоянное рабочее напряжение конденсатора, то это относится к максимальной температуре. Поэтому конденсаторы всегда работают с определенным запасом надежности. Тем не менее, нужно обеспечивать их реальное рабочее напряжение на уровне 0,5...0,6 от допустимого значения.
Если для конденсатора определено предельное значение переменное напряжения, то это относится к частоте 50...60 Гц. Для более высоких частот или же в случае импульсных сигналов следует дополнительно снижать рабочие напряжения во избежание перегрева конденсаторов из-за потерь в диэлектрике
Конденсаторы большой емкости с малыми токами утечки способны довольно долго сохранять накопленный заряд после выключения аппаратуры. Для обеспечения большей безопасности следует подключить параллельно конденсатору цепь разряда на корпус через резистор сопротивлением 1 МОм (0,5 Вт).
В высоковольтных цепях часто используется последовательное включение конденсаторов. Для выравнивания напряжений необходимо параллельно каждому из них подключить резистор сопротивлением от 220 кОм до 1 МОм.
При использовании оксидного конденсатора в качестве разделительного необходимо правильно определить полярность его включения. Ток утечки такого конденсатора может существенно влиять на режим работы усилительного каскада.
Индуктивности
Общие сведения
Катушки индуктивности позволяют запасать электрическую энергию в магнитном поле. Типичное их применение — сглаживающие фильтры и различные селективные цепи. Их электрические характеристики определяются конструкцией, свойствами материала магнитопровода, его конфигурацией и числом витков катушки.
При выборе катушки индуктивности следует учитывать следующие характеристики:
требуемое значение индуктивности (Гн, мГн, мкГн, нГн);
максимальный ток катушки;
допуск индуктивности;
температурный коэффициент индуктивности (ТКИ),
активное сопротивление провода катушки;
добротность катушки, которая определяется на рабочей частоте как отношение индуктивного и активного сопротивлений;
частотный диапазон катушки.
Катушки индуктивности подразделяются на катушки с постоянным значением индуктивности и на катушки с подстраиваемым ферромагнитным сердечником значением индуктивности.
Первый тип применяется, как правило, во входных цепях телефонных аппаратов, в сглаживающих фильтрах, дросселях в цепях ВЧ. Второй тип катушек используется в резонансных цепях — ВЧ трактах приемных и передающих устройств.
Маркировка катушек индуктивности
Маркировка катушек индуктивности осуществляется путем нанесения на № корпус основных параметров — значения индуктивности и допустимого отклоне ния индуктивности от номинального значения.
При кодовой маркировке на корпус катушки индуктивности наносится цифровау или буквенно-цифровая маркировка. Номинальное значение индуктивности коди руется цифрами, после которых следует (или отсутствует вообще) буква, обозна чающая величину допуска.
При определении величины индуктивности следует знать следующее:
цифры обозначают значение индуктивности в микрогенри;
если индуктивность обозначается в наногенри, то после цифр наносится буквг N f9N9 = 99 нГнУ
если величина индуктивности менее 1 мкГн или выражается дробным числом, измеряемым в микрогенри, то применяется разделительная буква R (R47 = 0,47 мкГн; 1R5 = 1,5 мкГн);
при маркировке значений индуктивности от 10 мкГн после двузначной цифры проставляется множитель, указывающий на количество нулей после указанного двузначного числа (150 = 15 мкГн; 151 = 150 мкГн; 122 = 1200 мкГн = 1,2 мГн);
указанный выше способ маркировки применяется и для маркировки SMD катушек индуктивности (дросселей);
в отдельных случаях применяется отличающееся от указанного выше обозначение индуктивности — индуктивность в микрогенри просто обозначается одно-, двух- или трехзначным числом без множителя, или дробным числом (560 = 560 мкГн; 3,3 = 3,3 мкГн).
Допуск катушек индуктивности обозначается одной из четырех букв:
D — для допуска ±0,3 нГн;J - ±5%;D — для допуска ±0,3 нГн;J - ±5%;К - М -К - М -±10%;
D — для допуска ±0,3 нГн;
J - ±5%;
D — для допуска ±0,3 нГн;
J - ±5%;
К - М -
К - М -
±20% (или не наносится вообще, что соответствует допуску ±20%).
В табл. 3.1 приведены основные данные SMD катушек индуктивности, производимых фирмами SAMSUNG и NIC.
Таблица 3.1. Основные данные катушек индуктивности фирм SAMSUNG и NIC
Код Е1А
Диапазон значений индуктивности, мкГн
Добротность Q
Тестовая частота при измерении Q, МГц
Сопротивление постоянному току, Ом
Максимальный ток, мА
Катушки с низкими значениями индуктивности
0603
0,047-0,82
15
25
0,30
50
0603
1,0...4,7
35
10
0,60
10
0603
5,6-12,0
35
4
1,55
4
0603
15,0...33,0
20
1
1,70
1
0805
0,047...0,82
25
25
0,20
300
0805
1,0...4,7
45
10
0,40
50
0805
5,6...12,0
50
4
0,90
15
0805
15,0...33,0
30
1
0,80
5
1206
0,047—0,82
25
25
0,90
300
1206
1,0...4,7
45
10
0,40
100
1206
5,6 . 12,0
50
4
0,70
25
1206
15,0 33,0
35
1
0,70
5
Катушки с высокими значениями индуктивности
0603
1,5 100
12
100
0,10
300
0805
1,58-180
18
100
0,10
300
Цветовая маркировка наносится на корпус катушки индуктивности в виде трех или четырех цветных колец или точек, которые обозначают следующее:
первые два кольца — номинал индуктивности;
третье кольцо — множитель;
четвертое кольцо — допуск (или не наносится при величине допуска ±20%).
Пример цветовой маркировки катушек индуктивности изображен на рис. 3.1 (см. цветную вклейку).
Кварцевые резонаторы,пьезоэлектрические фильтры ифильтры на ПАВ
Общее назначение и маркировка
Кварцевые резонаторы служат для стабилизации частоты электрических колебаний на основе эффекта пьезоэлектрического резонанса. Так как кварцевые резонаторы производятся многими фирмами и четкой системы их маркировки нет, ограничимся рекомендациями по их подбору и замене.
Кварцевый резонатор — это двухэлектродный прибор, выполненный в герметичном металлическом или стеклянном корпусе. На корпусе наносится значение резонансной частоты — основной характеристики кварцевого резонатора.
Пьезоэлектрические фильтры относятся к приборам селекции частоты. Благодаря их применению удалось снизить габариты некоторых типов радиоэлектронных устройств.
Отечественные пьезоэлектрические фильтры маркируются буквенно-цифровым или цветовым кодом.
При буквенно-цифровой маркировке на корпус фильтра наносятся:
буквы ФП — фильтр пьезоэлектрический;
цифра, обозначающая материал фильтра:
— керамика;
— кварц;
— пьезокристаллы другого вида;
буква, обозначающая функциональное назначение:
П — полосовой;
Р — режекторный;
Д — дискриминаторный;
Г — гребенчатый;
О — однополосный;
цифра, обозначающая конструктивные особенности фильтра:
— дискретный;
— гибридный однослойный;
— гибридный пьезомеханический;
— гибридный монолитный;
— гибридный прочий;
— интегральный однослойный;
— интегральный пьезомеханический;
— интегральный монолитный;
— интегральный на ПАВ (поверхностно-акустических волнах);
— интегральный прочий;
двузначное число — номер разработки;
цифра, обозначающая номинальную частоту:
— до 60 кГц;
— 60 .400 кГц;
—400... 1200 кГц;
— 1,2...3 МГц;
— 3...5МГц;
— 5...25 МГц;
— 25...35 МГц;
— 35...90 МГц;
— более 90 МГц.
К цифре может добавляться буква, указывающая на единицу измерения частоты;
цифра, обозначающая ширину полосы частот (соотношение Af/f):
— узкополосный (до 0.05%);
— узкополосный (0,05.. 0,2%);
— широкополосный (0,2...0,4%);
— широкополосный (0,4...0,8%);
— широкополосный (более 0,8%);
буква, обозначающая допустимые условия эксплуатации:
В — всеклиматические;
Т — тропические;
М — морские;
буква, обозначающая допустимый диапазон рабочих температур:
А — +1...+55 °C;
Б — -10...+60 °C;
В — -40...+70 °C;
Д — -40..+85 °C;
Е — -60...+85 °C;
Ж— -80...+100 °C.
При недостатке места на корпусе применяют сокращенную маркировку, состоящую из первых пяти элементов.
Для маркировки керамических фильтров применяется и цветовая маркировка (табл. 4.1).
Рис. 4.1. Пьезоэлектрический фильтр
Таблица 4.1
Цвет корпуса или цифра и корпусе
Цветные к етки
Тип фильтра
Применяемость
70
Красная
ФП1П6-1.1
УПЧ радиоприемников УКВ/ФМ
70
Желтая
ФП1П6-1 2
Тожеj
64
Желтая
ФП1П6-1.3
67
Желтая
ФП1П6-1 4
70
Белая
ФП1П6-1.5
_ * _
Голубой
Желтая
ФП1П8-62 01
УПЧЗ телевизоров
Голубой
Желтая+белая
ФП1РР-62.02
Тоже
Бледно-зеленый
Нет
ФП1Р8-63.01
_ * _
Бледно-зеленый
Красная
ФП1Р8-63 02
Голубой
ФП1Р8-63.03
Голубой
Красная+белая
ФП1Р8-63.04
Цветовая маркировка керамических фильтров показана на рис. 4.2 (см. цветную вклейку). На зарубежных пьезофильтрах наносится значение средней частоты полосы пропускания и буквы, определяющие функциональное назначение (табл. 4.2).
Таблица 4.2
Обозначение
Тип фильтров
CFW, SEE, Е
Трехвывод hi полосовые
т
Четырехвыводные полосовые
L, T. W, S
Трехвыводные режекторные
J, 0
Двухвыводные дискриминаторные
СВР. CDA, CSA
Трехвыводные дискримин торны
""" ^^„^„„„„^„uv гЬмпктпля яяnv6eжнoгo ПООИЗВОДСТВЭ
Маркировка полупроводниковыхприборов
Отечественная и зарубежныесистемы маркировки полупроводниковыхприборов
Маркировка полупроводниковых приборов — это информация на их корпусе, которая позволяет определить тип полупроводникового прибора.
Вид маркировки зависит от типа корпуса полупроводникового прибора и в первую очередь от его геометрических размеров, например, площадь корпуса транзистора КТ825 позволяет нанести на нем полную маркировку, в то же время нанесение маркировки обычным способом на небольших по габаритам транзисторах, особенно в пластмассовых и SOT корпусах затруднительно. Поэтому маркировка может представлять собой либо полное, либо сокращенное обозначение: буквенно-цифровое, символьную цветовую маркировку, маркировку условным кодом (применяется в основном для маркировки SMD компонентов), состоящим из одного или более знаков. Каждый тип полупроводникового прибора имеет свое условное обозначение.
Существует несколько систем обозначений полупроводниковых приборов.
Отечественная система обозначений полупроводниковых приборов состоит из семи элементов:
1-й элемент — буква или цифра, обозначающая применяемый полупро
водниковый материал;
2-й элемент — буква, обозначающая подкласс полупроводникового при
бора;
3-й элемент — цифра, определяющая основные функциональные возмож
ности прибора;
4-й, 5-й,— цифры, обозначающие порядковый номер разработки, а
6-й элементыдля стабилитронов и стабисторов — напряжение стабили
зации;
7-й элемент — буква, определяющая классификацию полупроводниково
го прибора по параметрам.
Например: КТ201Д, 2Т904А, КВ109Б.
В отсутствие справочника определить назначение и основные параметры полупроводникового прибора можно по его маркировке, пользуясь приводимыми ниже табл. 5.1 и 5.2.
Таблица 5.1
ПЕРВЫЙ ЭЛЕМЕНТЧ
Буква или цифра
Применяемый материал
Буква или цифра
Применяемый материал
Г или 1
Германий
А или 3
Арсенид галлия
К или 2
Кремний
И или 4
Индий
ВТОРОЙ ЭЛЕМЕНТ
Буква
Подгруппа приборов
Буква
Подгруппа приборов
Т
Транзисторы биполярные
О
Оптопары
П
Транзисторы полевые
Н
Динисторы
Д
Диоды
У
Тиристоры
к
Стабилизаторы тока
И
Туннельные диоды
Ц
Выпрямительные столбы и блоки
г
Генераторы шума
С
Стабилитроны, стабисторы и ограничители
Б
Диоды Ганна
8
Варикапы
А
Диоды СВЧ
л
Светодиоды
Таблица 5.2
Диоды
Цифра
Назначение прибора
Цифра
Назначение прибора
1
Выпрямительные с !пр 50,3 А
4
Туннельные обращенные
2
Выпрямительные с 1пр 0,3...10 А
1
Стабилитроны, стабисторы и огр. С Iler <10В(<0,3 Вт)
3
Диоды прочие (термодиоды, магнитодиоды)
2
Стабилитроны, стабисторы и огр. CUer 10 ..100 В (<0,3 Вт)
1
Выпрямительные столбы с Inp 20,3 А
3
Стабилитроны, стабисторы и огр. С Ucr >100 В (<0,3 Вт)
2
Выпрямительные столбы с lnp 3...10 А
4
Стабилитроны, стабисторы и огр. с Ucr <10 В (0,3...5 Вт)
3
Выпрямительные блоки с Inp. 50,3 А
5
Стабилитроны, стабисторы и огр. С Ucr. 10..100 В (0,3...5 Вт)
4
Выпрямительные блоки с Inp 0,3 ..10 А
6
Стабилитроны, стабисторы и огр. с ист >100 В (0,3...5 Вт)
4
Импульсные с 1вОсст. 2500 нс
7
Стабилитроны, стабисторы и огр. с Ucr. <10 В (5...10 Вт)
5
Импульсные с Ibocct 150...500 нс
8
Стабилитроны, стабисторы и огр. с Ucr Ю...100В(5...10Вт)
6
Импульсные с teoccr 30...150 нс
9
Стабилитроны, стабисторы и огр. с Ucr. >100 В (5...10 Вт)
7
Импульсные с tapper. 5...30 нс
1
Варикапы подстроечные
8
Импульсные С taoccT 1 ...5 НС|
2
Варикапы умножительные (варакторы)
I 9
Импульсные с 1аосст. <1 нс
1
Излучающие ИК диоды
1
Диоды СВЧ смесительные
2
Излучающие ИК модули
2
Диоды СВЧ детекторные
3
Светодиоды
3
Диоды СВЧ усилительные
4
Знаковые индикаторы
4
Диоды СВЧ параметрические
5
Знаковые табло
5
Диоды СВЧ переключательные и ограничительные
6
Шкалы
ТРЕТИЙ ЭЛЕМЕНТ"1
Диоды
Цифра
Назначение прибора
Цифра
Назначение прибора
6
Диоды СВЧ умножительные и настроечные
7
Экраны
7
Диоды СВЧ генераторные
Р
Оптопары резисторные
8
Диоды СВЧ прочие
д
Оптопары диодные
1
Туннельные усилительные
у'
Оптопары тиристорные
2
Туннельные генераторные
т
Оптопары транзисторные
3
Туннельные переключательные
Транзисторы
Цифра
Назначение прибора
Цифра
Назначение прибора
1
Биполярные малой мощности НЧ. до 3МГц
1
Полевые малой мощности НЧ
2
Биполярные малой мощности СЧ: 3 ..30МГц
2
Полевые малой мощности СЧ
3
Биполярные малой мощности ВЧ' более 30МГц
3
Полевые малой мощности ВЧ и СВЧ
4
Биполярные средней мощности НЧ
4
Полевые средней мощности НЧ
5
Биполярные средней мощности СЧ
5
Полевые средней мощности СЧ
6
Биполярные средней мощности ВЧ и СВЧ
6
Полевые средней мощности ВЧ и СВЧ
7
Биполярные большой мощности НЧ
7
Полевые большой мощности НЧ
8
Биполярные большой мощности СЧ
8
Полевые большой мощности СЧ
9
Биполярные большой мощности ВЧ и СВЧ
9
Полевые большой мощности ВЧ и СВЧ
В типовых корпусах для микросхем выпускаются транзисторные сборки, которые в составе обозначения имеют буквы НТ (набор транзисторов), например: 198НТ1Б, 125НТ1. Зарубежные фирмы-производители полупроводниковых приборов применяют одну из трех распространенных систем маркировки — европейскую PRO-ELECTRON, американскую JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) или японскую JIS (Japanese Industrial Standard).
Европейская маркировка полупроводниковых приборов PRO-ELECTRON (табл. 5.3) состоит из трех элементов — двух букв и трех- или четырехзначного числа. Первая буква обозначает тип используемого при производстве полупроводниковых приборов материала, вторая — тип полупроводникового прибора (некоторые фирмы используют еще одну букву, так, фирма PHILIPS при обозначении некоторых типов полупроводниковых приборов, например, транзисторов BLT50, BLT80 применяет три буквы), а цифры от 100 до 9999 обозначают его серийный номер (обозначения Z10...A99 относятся к приборам промышленного и специального назначения).
Иногда наносится и четвертый элемент — буква, обозначающая группу по коэффициенту усиления: А — низкий коэффициент усиления; В — средний коэффициент усиления; С — высокий коэффициент усиления.
Таблица 5.3
ПЕРВАЯ БУКВА — ТИП МАТЕРИАЛА
Буква
Материал
Буква
Материал
А
Германий (Ge)
D
Индий с примесью сурьмы (InSb)
В
Кремний (Si)
R
Сульфид кадмия (материал для элементов Холла и фотоэлементов)
С
Арсенид галлия (GaAs)
|ВТОРММКЦА - ВИД ПРИБОРА.
1 Буква
Вид прибора
Буква
Вид прибора
А
Детекторные, переключательные или смесительные диоды
N
Оптопары
В
Варикапы
Р
Фотодиоды оптического и ИК диапазона
С
Маломощные биполярные НЧ транзисторы
Q
Излучающие диоды оптического или ИК диапазона
D
Мощные биполярные НЧ транзисторы
R
Маломощные переключательные ПП приборы
Е
Туннельные диоды
S
Маломощные биполярные ключевые транзисторы
F
Маломощные биполярные ВЧ транзисторы
Т
Динисторы, тиристоры, симисторы
1 G
Сборки из ПП приборов различного назначения
и
Мощные биполярные ключевые транзисторы
Н
Магнито-чувствительные диоды
X
Умножительные диоды (варакторы и др.)
К
Элементы Холла открытого типа для регистрации магнитных полей
Y
Выпрямительные диоды, столбы, мосты
L
Мощные биполярные ВЧ транзисторы
Z
Стабилитроны и стабисторы
М
Элементы Холла закрытого типа
Пример: ВС108 — кремниевый маломощный биполярный НЧ транзистор с серийным номером 108.
По американской системе JEDEC транзисторы обозначаются буквенно-цифровым кодом (табл. 5.4). Кроме того, система JEDEC предполагает цветовую маркировку диодов, которая наносится на корпус в виде 3-5 цветных полос, смещенных к катоду диода, при этом первая цифра и буква опускаются.
Так, номера из двух цифр (1N68...) обозначаются одной черной полосой и двумя цветными, из трех цифр (1N256...) — тремя цветными полосами, из четырех цифр — четырьмя цветными полосами. При наличии в обозначении буквы, она обозначается дополнительной цветной полосой:
0
— черный5 илиЕ — зеленый
1 или А
— коричневый6 или F — синий
2 или В
— красный7 или G — фиолетовый
3 или С
— оранжевый8 или Н — серый
4 или D
— желтый9 или I — белый
Таблица 5.4
1-й элемент — цифра
2-й элемент — буква
3-й элемент — цифра
4-й элемент — буква
Число р-п переходов:
— диод
— транзистор
— тиристор
— оптопара
N
Серийный номер
100...9999
Модификация прибора
Пример: 2N2158 — обозначение транзистора.
Японская система маркировки транзисторов JIS состоит из следующих элементов:
1-й элемент2-й элемент1-й элемент2-й элементцифра, обозначающая тип прибора;
1-й элемент
2-й элемент
1-й элемент
2-й элемент
две буквы, указывающие на функциональную принадлежность полупроводникового прибора согласно табл. 5.5.
Таблица 5.5
1-й элемент — цифра
2-й элемент — буква
3-й элемент — буква
4-й элемент — цифра
5-й элемент — буква (буквы)
0 — фотодиод, фототранзистор
— диод
— транзистор
— тиристор
S
Тип прибора:
А— ВЧ PNP транзистор
В — НЧ PNP транзистор
С — ВЧ NPN транзистор
D — НЧ NPN транзистор
Е — диод Есаки (4х слойный NPNP)
F — тиристор
G —диод Ганна
Н — однопереходный транзистор
J — полевой транзистор с М-каналом
К — полевой транзистор с Р-каналом
М — симметричный тиристор (симистор)
Q — светоизлучающий диод
R — выпрямительный диод
S — малосигнальный диод
Т — лавинный диод
V — варикап
Z — стабилитрон
Серийный номер 10...9999
Одна или две буквы — модификация прибора
Так как маркировочный код транзисторов всегда начинается с 2S, то эти два символа при обозначениях на корпусах транзисторов опускаются: например, если на корпусе транзистора стоит маркировка С1970, то полностью тип транзистора определяется как 2SC1970.
Помимо систем маркировки JEDEC, JIS, PRO-ELECTRON фирмы-производители часто вводят собственную маркировку. Это делается либо по коммерческим соображениям, либо при маркировке специальных типов приборов. Наиболее распространены следующие обозначения:
MJ — мощный транзистор фирмы MOTOROLA в металлическом корпусе; MJE — мощный транзистор фирмы MOTOROLA в пластмассовом корпусе; RCA — приборы фирмы RCA;
RCS — приборы фирмы RCS;
TIP — мощный транзистор фирмы TEXAS INSTRUMENTS в пластмассовом корпусе;
TIPL — мощный планарный транзистор фирмы TEXAS INSTRUMENTS;
TIS — малосигнальный транзистор фирмы TEXAS INSTRUMENTS в пластмассовом корпусе;
ZT — приборы фирмы FERRANTI;
ZTX — приборы фирмы FERRANTI.
Например: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.
Свою систему маркировки имеют и полупроводниковые приборы японской фирмы NEC (NIPPON ELECTRIC COMPANY). Маркировка состоит из двух элементов: одной-двух букв, обозначающих тип полупроводникового прибора и цифр, обозначающих его регистрационный номер. Список буквенных сокращений приведен в табл. 5.6. Следует отметить, что фирмы-производители могут выпускать на своих заводах по лицензии транзисторы, разработанные другими фирмами под их фирменным названием, но со своим логотипом.
Таблица 5.6
Сокращение
Тип полупроводникового прибора фирмы NEC
AD
Лавинно-пролетные диоды
GD
Диоды Ганна
GH
Смесительные Ge диоды
Н
Фототранзисторы
PS
Оптопары
RD
Стабилитроны
SD
Малосигнальные диоды
SE
Инфракрасные диоды
SG
Светодиоды зеленого свечения
SH
Точечные Si диоды
SM
AsGa диоды Шоттки
SR
Светодиоды красного свечения
SV
Варакторы
SY
Светодиоды желтого свечения
V
Новые полупроводниковые приборы
VD
Варисторы
Маркировка полупроводниковых приборов наносится на их корпус одним из следующих способов:
в виде полного (КТ920А) или сокращенного (С 1970) наименования полупроводникового прибора;
цветовым выделением (окраска корпуса или его части, нанесение условных графических знаков и букв, цветных точек или полос);
в виде условного буквенного, цифрового или смешанного буквенно-цифрового кода (применяется для маркировки SMD компонентов);
нанесением условных графических знаков и букв (при этом на часть корпуса может быть помечена цветовой окраской).
Диоды общего назначения
Типы корпусов и расположениевыводов диодов
Диоды выпускаются в различных корпусах. Причем разновидностей корпусов настолько много, что нет никакой возможности полностью привести их в данной книге. Только стандартизованных отечественных корпусов диодов для навесного монтажа насчитывается более ста типов, но кроме них выпускаются еще диоды для поверхностного монтажа, а также специальные силовые диоды. То же можно сказать и о диодах зарубежных производителей. Поэтому здесь показаны лишь некоторые типы корпусов диодов для навесного монтажа (рис. 5.1) и для поверхностного (SMD) монтажа (рис. 5.2).
Рис. 5.1. Диоды различных типов
Цветовая маркировка отечественных диодов
На диоды наносится буквенно-цифровая маркировка в соответствии с таблицами, приведенными в разделе 5.1. Полярность выводов обозначается либо символом диода на его корпусе, либо отдельной маркировкой на корпусе, либо его конструктивными особенностями (выемка, например). Затруднения при определении типа диода вызывает цветовая маркировка. В табл. 5.7 приведены варианты маркировки для наиболее широко распространенных точечных и выпрямительных диодов.
Таблица 5.7
Тип диода
Основные параметры
Цвет орпуса или метка
Маркировка
Внешний вид корпуса
!пр.» А
Uoop., в
анод
катод
Д9Б
0,09
10
Красное кольцо
——
Д9В
0,01
30
Оранжевое кольцо
Д9Г
0,03
30
Желтое кольцо
——
Д9Д
0,03
30
Белое кольцо
—[।
Д9Е
0,05
50
Голубое кольцо
— J—
Д9Ж
0,01
100
Зеленое кольцо
——
Д9И
0,03
30
Два желтых кольца
—^^J—
Д9К
0,06
30
Два белых кольца
Д9Л
0,03
100
Два зеленых кольца
J
Д9М
0,03
30
Два голубых кольца
—
КД102А
0,1
250
Зеленая точка
—t^>—
2Д102А
0.1
250
Желтая точка
—c* j
КД102Б
0.1
300
Синяя точка
—<±_>
2Д102Б
0,1
300
Оранжевая точка
—<s
КД ЮЗА
0,1
50
Черный торец
Синяя точка
(•>
КД103Б
0,1
50
Зеленый торец
Желтая точка
—о
КДЮ5А ^
0,3
200
Белое (желтое) кольцо
l-№
КД105Б
0,3
400
Зеленая точка
Белое (желтое) кольцо
КД105В
0.3
600
Красная точка
Белое (желтое) кольцо
cz[d=:i
КД105Г
0,3
800
Белая или желтая точка
Белое (желтое) кольцо
Тип диода
Основные параметры
Цвет корпуса или метка
Маркировка
Внешний вид корпуса
1ир., А
Uo6P., В
анод
катод
КД208А
1.0
100
Черная или зеленая точка
Белое (желтое) кольцо
—
КД209А
0,7
400
Черная (зеленая, желтая) точка
—о- ■ •
КД209А
0.7
400
Красное кольцо
—G3—
КД209Б
0.7
600
Белая точка
Черная (зеленая, желтая) точка
—<• —
КД209Б
0,7
600
Белая точка
Красное кольцо
КД209В
0.5
800
Черная точка
Черная (зеленая, желтая) точка
—с*—
КД209В
0.5
800
Черная точка
Красное кольцо
КД209Г
0.2
1000
Зеленая точка
Черная (зеленая, желтая) точка
—о ^
КД209Г
0.2
1000
Зеленая точка
Красное кольцо
——
КД221А
0.7
100
Голубая точка
—(. У-
КД221Б
0.5
200
Белая точка
Голубая точка
—О )—
КД221В
0.3
400
Черная точка
Голубая точка
КД221Г
КД226А
КД226Б
КД226В
КД228Г
КД226Д
КД226Е
КД243А
КД243Б
КД243В
0.3
2
2
2
2
2
2
1
1
1
600
100
200
400
600
800
600
50
100
200
Зеленая точка
Голубая точка
Оранжевое кольцо
Красное кольцо
Зеленое кольцо
Желтое кольцо
Белое кольцо
Голубое кольцо
Фиолетовое кольцо
Оранжевое кольцо
Красное кольцо
КД243Г
1
400
Зеленое кольцо
КД243Д
1
600
Желтое кольцо
——
КД243Е
1
800
Белое кольцо
КД243Ж
1
1000
Голубое кольцо
Тип диода
Основные параметры
Цвет корпуса или метка
Маркировка
Внешний вид корпуса
1пр.» А
Uo6p, В
анод
катод
| КД247А
1
50
Два фиолетовых кольца
КД247Б
1
100
Два оранжевых кольца
। КД247В
1
200
Два красных кольца
КД247Г
1
400
Два зеленых кольца
। КД247Д
1
800
Два <елтых кольца
| КД247Е
1
800
Два белых кольца
КД247Ж
1
1000
Два голубых кольца
— ИI-
КД4ЮА
0,05
1000
Краснея точка
' КД410Б
0,05
600
Синяя точка
I КД509А
0,1
50
Синее кольцо
Широкое синее кольцо
—tz^a—
2Д509А
0,1
50
Широкое синее кольцо
——
КД510А
0,2
50
Два зеленых кольца
Широкое зеленое кольцо
——
2Д510А
0,2
50
Зеленея точка
Широкое зеленое кольцо
—ЕЯ—
1 КД521А
0,05
75
Два синих кольца
Широкое синее кольцо
—с^-д—
КД521Б
0,05
50
Два серых кольца
Широкое серое кольцо
——
| КД521В
0,05
30
Два желтых кольца
Широкое желтое кольцо
ПГТ—
КД521Г
0,05
120
Два белых кольца
Широкое белое кольцо
—пгт—
КД522А
0.1
30
Широкое черное кольцо
Черное кольцо
—6^2—
! КД522Б
0,1
50
Широкое черное кольцо
Два черных кольца
——
, 2Д522Б
0.1
50
Широкое черное кольцо
Черная точка
—д^д—
Ц422А
0.5
50
Черная точка
। КЦ422Б
0.5
100
Белая точка
Черная точка
КЦ422В
0.5
200
Черная точка
Черная точка
КЦ422Г
0 5
400
Зеленая точка
Черная точка
Цветовая маркировка зарубежных диодов
Цветовая маркировка диодов по системе PRO-ELECTRON
По системе PRO-ELECTRON диоды маркируются четырьмя цветными полосами (табл. 5.8), причем вывод катода расположен у широкой полосы.
Таблица 5.8
Цвет полосы
Тип диода
1-я широкая полоса
2-я широкая полоса
3-я узкая полоса
4-я узкая полоса
Черный
АА
0
0
Коричневый
X
1
1
Красный
BA
2
2
Оранжевый
S
3
3
Желтый
Т
4
4
Зеленый
V
5
5
Синий
W
6
6
| Фиолетовый
7
7
Серый
Y
8
8
Белый
Z
9
9
До принятия системы PRO ELECTRON существовала старая европейская буквенная система обозначения. Маркировка состояла из первого элемента — буквы “О", второго элемента, обозначающего тип прибора: А — диод; АР — фотодиод; AZ — стабилитрон и третьего элемента — цифры, обозначающей серийный номер.
Цветовая маркировка диодов по системе JEDEC
в цветовой маркировке по системе JEDEC (табл. 5.9) первая цифра 1 и вторая буква N не маркируются;
номера из двух цифр обозначаются одной черной полосой и двумя цветными, дополнительная четвертая полоса обозначает букву;
номера из трех цифр обозначаются тремя цветными полосами, дополнительная четвертая полоса обозначает букву;
номера из четырех цифр обозначаются четырьмя цветными полосами и пятой черной или цветной полосой, обозначающей букву;
цветные полосы находятся ближе к катоду или первая полоса от катода — широкая;
тип диода читается от катода.
Таблица 5.9. Цветовая маркироака диодоа по системе JEDEC
Цвет полосы
Черный
Коричн.
красный
Оранж.
Желтый
Зеленый
Синий
Фиолет.
Серый
Белый
Цифра
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Буква
—
А
В
с
D
Е
F
G
Н
J
Цветовая маркировка отечественныхстабилитронов и стабисторов(табл. 5.10)
Стабилитроны и стабисторы предназначены для стабилизации напряжения. Различие этих полупроводниковых приборов состоит в том, что стабилизация напряжения происходит при его подаче на стабилитрон в обратном направлении, а на стабистор — в прямом.
Таблица 5.10. Цветовая маркировка стабилитронов и стабисторов отечественного производства
Тип стабилитрона
Основные параметры
Цветовая метка у выводов
Эскиз корпуса
Uer.B
1ст.ыакс1 мА
катода
анода
Д814АГ
7
40
Белое кольцо
——
Д814А1
7
40
Черное широкое кольцо
——
Д814А2*
7
26
Черное кольцо
—GS—
Д814Б1*
8
36
Синее кольцо
-О-
Д814Б1
8
36
Черное широкое * черное узкое кольцо
—од—
Д814В1*
9
32
Зеленое кольцо
—GB—
Д814В1
9
32
Черное узкое кольцо
m
Д814Г1*
10
29
Желтое кольцо
——
Д814Г1
10
29
Три черных узких кольца
Д814Д1*
11,5
24
Серое кольцо
Д818А
9
33
Белое кольцо * черная метка
Д818Б
9
33
Желтое кольцо + черная метка
ДО
Д818В
9
33
Голубое кольцо * черная метка
п~>—
Д818Г
9
33
Зеленое кольцо * черная метка
—q—^—
Д818Д
9
33
Серое кольцо * черная метка
Д818Е
9
33
Оранжевое кольцо ♦ черная метка
——
I КС107А
0.7
100
Красное кольцо ♦ серая метка
—1^3—
КС126А
27
135
Красное широкое+ фиолетовое + белое кольца
—ЮЗ—
КС126Б
3
125
Оранжевое широкое + черное + белое кольца
—ДО—
КС126В
3,3
115
Оранжевое широкое + оранжевое + белое кольца
КС126Г
3,9
95
Оранжевое широкое + два белых кольца
—^^^— 1
Тип стабилитрона
Основные параметры
Цветовая метка у выводов
Эскиз корпуса
ис,., В
1С Г. МЛ КС ■ мА
катода
анода
КС126Д
4,7
85
Желтое широкое + фиолетовое + белое кольца
——
КС126Е
5,6
70
Зеленое широкое + голубое + белое кольце
—КЗ—
КС126Ж
6.2
64
Голубое широкое * красное + белое кольца
КС126И
6.8
58
Голубое широкое + серое + белое кольца
КС126К
7.5
53
Фиолетовое широкое + зеленое + белое кольца
ЦЩ
КС126Л
8,2
47
Серое широкое + красное + белое кольца
КС126М
9.1
43
Белое широкое + коричневое + белое кольца
—оз—
КС133А
2,97...3,63
81
Голубое кольцо
Белое кольцо
2С133А
2,97—3,63
81
Голубое кольцо
Черное кольцо
—
2С133Б
3,0...3,7
30
Два белых кольца
2С133В
3.1...3,5
37,5
Оранжевое кольцо + желтая точка
Желтая точка
КС133Г
3.0...3.6
37,5
Оранжевое кольцо ♦ серая точка
Желтая точка
2С133Г
3.0...3.6
37,5
Оранжевое кольцо * серая точка
Желтая точка
КС139А
3,3
70
Зеленое кольцо
Белое кольцо
2С139А
3,3
70
Зеленое кольцо
Черное кольцо
-*■■ ■^
2С139Б
3,9
70
Два черных кольца
КС147А
4,7
58
Серое (голубое) кольцо
Белое кольцо
2С147А
4,7
58
Серое (голубое) кольцо
Черное кольцо
—
2С147Б
4.7
21
Два желтых кольца
2С147В
4.7
26
Зеленое кольцо + желтая точка
Желтая точка
2С147Г
4.7
26
Зеленое кольцо * серая точка
Желтая точка
КС156А
5.6
55
Оранжевое кольцо
Белое кольцо
2С156А
5.6
55
Оранжевое кольцо
Черное кольцо
2С156Б
5,8
18
Два зеленых кольца
2С158В
5,6
23
Красное кольцо * желтая точка
Желтое кольцо
2С156Г
5.6
23
Красное кольцо * серая точка
Желтое кольцо
КС168А
6.8
45
Красное кольцо
Белое кольцо
Тип стабилитрона
Основные параметры
Цветовая метка у выводов
Эскиз орпуса
IV, В
1стмакс, мА
катода
анода
1 2С168А
6.8
45
Красное кольцо
Черное кольцо
—
2С168Б
6,8
15
Два голубых кольца
КС175Ж
7,5
17
Белое кольцо на сером корпусе
О—
2С175Ж
7,5
20
Голубая точка + белое кольцо
2С175Ц
7.5
17
Белая точка + белое кольцо
Желтая точка
КС182Ж
8.2
15
Желтое кольцо на сером корпусе
—G5D—
2С182Ж
8.2
18
Голубая точка * желтое кольцо
2С182Ц
8.2
15
Белая точка + желтое кольцо
Желтое кольцо
КС191Ж
9.1
14
Голубое кольцо на сером корпусе
—GOI—
2С191Ж
9.1
16
Голубая точка ♦ голубое кольцо
2С191Ц
9.1
14
Белая точка + голубое кольцо
Желтая точка
—
КС210Ж
10
13
Зеленое кольцо на сером корпусе
——
2С210Ж
10
15
Голубая точка * зеленое кольцо
2С210Ц
10
13
Белая точка * зеленое кольцо
Желтое кольцо
КС211Ж
11
12
Синее кольцо на сером корпусе
——
2С211Ж
11
14
Голубая точка + синее кольцо
2С211Ц
11
11
Белая точка * зеленое кольцо
Желтое кольцо
КС212Ж
12
11
Оранжевое кольцо на сером корпусе
—GQ—
2С212Ж
12
13
Голубая точка ♦ оранжевое кольцо
I 2С212Ц
12
11
Белая точка * оранжевое кольцо
Желтое кольцо
КС213Ж
13
10
Черное кольцо на сером корпусе
—ggv-
2С213Ж
13
12
Голубая точка * черное кольцо
КС215Ж
15
8
Белое кольцо не черном корпусе
——
2С215Ж
15
10
Голубая точка ♦ белое кольцо
Черное кольцо
—
КС216Ж
16
7
Желтое кольцо на черном корпусе
—gp™
2С216Ж
16
9
Голубая точка * желтое кольцо
Черное кольцо
КС218Ж
18
7
Красное кольцо на черном корпусе
—^э—
Тип стабилитрона
Основные параметры
Цветовая метка у выводов
Эскиз корпуса
UcJ в
1ст макс« мА
катода
анода
2С218Ж
18
8
Голубая точка + голубое кольцо
Черное кольцо
КС220Ж
20
6
Зеленое кольцо на черном корпусе
——
2С220Ж
20
8
Голубая точка + зеленое кольцо
Черное кольцо
КС222Ж
22
6
Синее кольцо на черном корпусе
——
2С222Ж
22
7
Голубая точка * синее кольцо
Черное кольцо
КС224Ж
24
5
Голубое кольцо на черном корпусе
—^—
2С224Ж
24
6
Голубая точка * оранжевое кольцо
Черное кольцо
КС406А*
8,2
15
Серое кольцо
Белое кольцо
КС406Б*
10
13
Белое ольцо
Оранжевое кольцо
КС407А'
3,3
100
Красное кольцо
Голубое кольцо
КС407Б*
3,9
88
Красное кольцо
Оранжевое кольцо
КС407В*
4,7
68
Красное кольцо
Желтое кольцо
КС407Г*
5.1
59
Красное кольцо
Зеленое кольцо
КС407Д*
6,8
42
Красное кольцо
Серое кольцо
КС508А*
12
11
Оранжевое кольцо
Зелено кольцо
КС508Б*
15
9
Желтое кольцо
Белое кольцо
КС508В*
16
8
Красное кольцо
Зеленое кольцо
КС508Г*
18
7
Голубое кольцо
Белее кольцо
КС508Д*
24
5
Зеленое кольцо
Белое кольцо
КС510А
10
79
Оранжевое кольцо
Зеленое кольцо
—
КС512А
12
67
Желтое кольцо
Зеленое кольцо
КС515А
15
53
Белое кольцо
Зеленое кольцо
КС518А
18
45
Голубое кольцо
Зеленоекольц
КС522А
22
37
Серое кольцо
Зеленое ольцо
КС527А
27
30
Черное кольцо
Зеленое кольцо
* — на корпусе имеется либо черное кольцо, либо его торцевая часть окрашена в черный цвет.
Цветовая маркировка отечественных варикапов
Варикапы представляют собой вид полупроводниковых приборов, в которых под воздействием напряжения изменяется емкость PN перехода. Варикапы вседа включаются в обратном направлении, и чем больше приложенное обратное напряжения, тем меньше емкость варикапа.
Таблица 5 11
Тип варикапа
Основные параметры
Цвет маркировочной точки
С, пФ
Q
Uo6p, в
КВ102
14 40
40 100
45
Белая
2В102
20 37
40 100
45
Оранжевая
КВ104
90 192
100 150
45
Оранжевая
28104
90 192
100 150
45
Белая
К8109А
2 2,8
300
25
Белая|
КВЮ9Б
2 2,3
300
25
Красная|
КВ109В
8 16
160
25
Зеленая|
КВ109Г
8 17
160
25
Нет|
КВС111А
29,7 36,3
200
30
Белая|
КВС111Б
29,7 36 3
150
30
Оранжевая|
2В113А
54,4 81,6
300
150
Белая
КВ113А
54,4 81,6
300
150
Желтая
2В113Б
54,4 81,6
300
115
Оранжевая
КВ113Б
54,4 81,6
300
115
Зеленая
КВ121А
4,3 6
200
30
Синяя
КВ121Б
4,3 6
150
30
Желтая
КВ122А
2,3 2,8
450
30
Оранжевая
КВ122Б
2,0 2,3
450
30
Фиолетовая
КВ122В
1,9 3,1
300
30
Коричневая
2В124А
27
Зеленая (у анода)
2В124Б
10
Зеленая (у катода)
2В124В
8
Белая (у анода)
КВ127А
230 280
140
32
Белая
КВ127Б
230 260
140
32
Красная
КВ127В
260 320
140
32
Желтая
КВ127Г
260 320
140
32
Зеленая|
Буквенно-цифровая кодовая маркировкаSMD диодов зарубежного производства
Из-за недостатка места на корпусе SMD компоненты очень часто маркируются буквенным, цифровым или смешанным — буквенно-цифровым кодом. Это справедливо и для маркировки SMD диодов. Ниже приведены таблицы для определения типа диода по маркировке на его корпусе. В этом разделе даны таблицы только для диодов, имеющих двухвыводные корпуса: DO-214, DO-215, SOD-23, SOD-91. Для удобства пользования маркировка диодов и диодных сборок, имею-
щих одинаковые с транзисторами корпуса SOT-23, SOT-323, SOT-346 и другие, приведены в одной таблице с транзисторами.
Вывод катода SMD диодов маркируется полосой, точкой или выемкой на корпусе.
В табл. 5.12, 5.13, 5.14 дана расшифровка кодовой маркировки диодов в корпусах DO-214A. Внешне эти корпуса похожи, но отличаются размерами, в связи с чем обозначаются соответственно DO214AA, DO214AB, DO214AC.
Рис. 5.3. Внешний вид и размеры корпуса DO-214AAРис. 5.3. Внешний вид и размеры корпуса DO-214AAРис. 5.4. Внешний вид и размеры корпуса DO-214ABРис. 5.4. Внешний вид и размеры корпуса DO-214ABРис. 5.5. Внешний вид и размеры корпуса DO-214ACРис. 5.5. Внешний вид и размеры корпуса DO-214AC
Рис. 5.3. Внешний вид и размеры корпуса DO-214AA
Рис. 5.3. Внешний вид и размеры корпуса DO-214AA
Рис. 5.4. Внешний вид и размеры корпуса DO-214AB
Рис. 5.4. Внешний вид и размеры корпуса DO-214AB
Рис. 5.5. Внешний вид и размеры корпуса DO-214AC
Рис. 5.5. Внешний вид и размеры корпуса DO-214AC
Таблица 5.12. Кодовая маркировка диодов в корпусах DO-214AA
Код
Гип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
AD
SMBJ5.0C
Vishay
Подавитель выбросов
Uaxn^S В
ln=62,5 А
АЕ
SMBJ5.0CA
Тоже
Тоже
Ьвкл-5 В
|„=62,5 А
AF
SMBJ6.0C
Ubkh=6 В
1п=52 6 А
AG
SMBJ6.0CA
_ * .
С/вкл=6 В
|„=58 3 А
АН
SMBJ6 5С
. * .
_ * _
иВкл-6 5 В
|п=48,7 А
АК
SMBJ6.5CA
Оакл^б 5 В
ln=53,6 А
AL
SMBJ7.0C
. " _
Uaxn^? В
1п=45,1 А
АМ
SMBJ7.0CA
U.№=7 В
1п=50,0 А
AN
SMBJ7.5C
Un№=7,5 В
|п= 42,0 А
АР
SMBJ7.5CA
. " .
UBH1=7,5 В
1п=46,5 А
AQ
SMBJ8 ОС
. " .
. * .
UbKh”8 В
1п=40 0 А
AR
SMBJ8.0CA
Ubkh~8 В
1п=44.1 А
AS
SMB J8 5С
_ " _
-" -
Ubkh=8,5 В
1п=37.7 А
АТ
SMBJ8 5СА
. * .
Ubkh=8 5 В
1п=41,7А
AU
SMBJ9.0C
. " _
_ " _
Овил—9 В
ln=35,5 А
AV
SMBJ9.0CA
„ " _
Ubkh=9 В
ln=39 0 А
AW
SMBJ10C
и„л=ю в
1п=31,9 А
АХ
SMBJ10CA
. " _
_ " _
Онкп—Ю В
ln=35,3 А
AY
SMBJ11C
_ " _
UeKn=1 1 В
I =29 9 А
AZ
SMBJ11CA
_ * _
UbKH=1 1 В
ln=33.0 А
ВО
SMBJ12C
. " .
UBKn=12 В
1„=27 3 А |
BE
SMBJ12CA
иВкл=12 В
1п=30 2 А |
BF
SMBJ13C
. " _
ЦВКЛ=13 В
ln=25 2А |
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры |
BG
SMBJ13CA
иВКл=13 в
1П=27,9А
ВН
SMBJ14C
-" -
иВкл~14 В
ln=23,3 А
вк
SMBJ14CA
иВкп=14 В
1п=25,8 А
BL
SMBJ15C
-" -
UBxn=15 В
1„=22,3 А
ВМ
SMBJ15CA
- ”.
иВ|1л=15В
ln=24,0 А
BN
SMBJ16C
-" -
Ugxn—16 В
1п=20,8 А
ВР '
SMBJ16CA
-" -
-" -
ивкл=16 В
1л=23,1 А
BQ
SMBJ17C
- ” -
-" -
UBxn=17 В
1Л=19,7А
BR
SMBJ17CA
-" -
ивкл=17В
1п=21,7А
BS
SMBJ18C
-" -
UBltn=18 В
1л=18,6 А
ВТ
SMBJ18CA
- ” -
и=кп=18 В
1л=20,5 А
BU
SMBJ20C
-" -
и=кл=20 В
1п=16,7 А
BV
SMBJ20CA
- “ -
-" -
ивкл=20 В
1п=18,5 А
BW
SMBJ22C
- ” -
-" -
UB„=22 В
1п=15,2А
вх
SMBJ22CA
- ” -
иВкл=22 В
1п=16,9 А
BY
SMBJ24C
- ” -
и=кп=24 В
1п=14,0 А
BZ
SMBJ24CA
-" -
UB,n=24 В
1п=15,4А
CD
SMBJ26C
-" -
иВкл=26 В
1п=12,4А
СЕ
SMBJ26CA
-" -
-" -
ивкл=26 В
1п=14,2А
CF
SMBJ28C
ивкл=28 В
1п=12,0 А
CG
SM8J28CA
." -
UB„=28В
1п=13,2 А
СН
SMBJ30C
-" -
ивкл~30 в
1„=11,2 А
СК
SMBJ30CA
-".
-" -
Uaxn=30 В
1п=12,4А
CL
SMBJ33C
-" -
-" -
UBxn=33 в
1п=10,2 А
СМ
SMBJ33CA
Овкл-ЗЗ в
!п=11,3 А
CN
SMBJ36C
-" -
Овкл-Зб В
1п=9,3 А
СР
SMBJ36CA
-" -
-" -
иВкл~36 В
1п=10,3 А
СО
SMBJ40C
-" -
-" -
Ub«i=40 В
ln=8,4A
CR
SMBJ40CA
- ” -
ивкл=40 В
1п=9,ЗА
CS
SMBJ43C
-" -
-" -
U9kh=43 В
ln=7,8A
СТ
SMBJ43CA
- ” -
- ” -
иВкл=43 В
ln=8,6 А
си
SMBJ45C
- " -
-" -
ив,л=45 В
ln=7.5 А
CV
SMBJ45CA
-" -
-" -
ивкп-45 В
1п=8,ЗА
CW
SMBJ48C
- ” -
- ” -
иВкл=48 В
!п=7,0 А
сх
SMBJ48CA
- ” -
-" -
UBim=48 В
ln=7,7 А
CY
SMBJ51C
-" -
иВкл=51 В
ln=6,6 А
CZ
SMBJ51CA
--
-" -
Овкл=51 В
1п=7,3 А
DD
SMBJ54C
-" -
-" -
UB,m=54 В
ln=6,2A
DE
SMBJ54CA
--
Овкп~54 В
ln=6,9A
DF
SMBJ58C
UBkh=58 В
1Л=5,8А
DG
SMBJ58CA
." -
Ubui=58 В
1п=6,4А
DH
SMBJ60C
Ubkh=60 В
ln=5,6 А
DK
SMBJ60CA
-" -
- “ -
иВкп=60 в
1п=6,2А
DL
SMBJ64C
UBm=64В
ln=5,3 А
DM
SMBJ64CA
_" _
Овкл™ 64 В
!п=5,8А
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
DN
SMBJ70C
-" -
-" -
иВкл=70 В
1п=4,8 А
DP
SMBJ70CA
-" -
-".
иВкл=70 В
1л=5,3 А
DQ
SMBJ75C
-" -
иВкл=75 В
1л=4,5 А
DR
SMBJ75CA
-" -
-" -
Ubkb=75 В
1п=4,9 А
DS
SMBJ78C
- ” -
- ” -
иВкл=78 В
1п=4,3 А
ОТ
SMBJ78CA
-" -
Ubmi=78 В
1п=4,7 А
DU
SMBJ85C
-" -
иВкл-85 В
1л=3,9 А
DV
SMBJ85CA
- " -
-" -
Овкл-85 В
1л=4,4 А
DW
SMBJ90C
-".
-" -
иВкл=90 В
1л=3,8 А
DX
SMBJ90CA
-" -
иВкл=90 В
1п=4 1 А
DY
SMBJ100C
-" -
- ” -
иВМ1=юов
1л=3.4А
DZ
SMBJ100CA
иВМ1=юов
1л=3,7 А
ЕА
ES2A
GenSemi
Быстродействующий
UO6p=50 В
1пр=2 А
ЕВ
ES2B
То же
Быстродействующий
Uo6p=1 оо в
1пр=2 А
ЕС
ES2C
To же
Uo6p~150 В
1лР=2 А
ED
ES2D
-" -
_" _
UO6p=200 В
lnp=2 А
ED
SMBJ110C
Vishay
Подавитель выбросов
Ubkh=1 10В
ln=3,0A
ЕЕ
SMBJ110CA
То же
То же
Ubkh=1 10В
1л=3,4А
ЕЕ
SMBJ120C
-" -
11вм1=120В
1п=2,8 А
EG
SMBJ120CA
-" -
-" -
11вм1=120В
1п=3,1 А
ЕН
SMBJ130C
-" -
-" -
Ubkh=1 30 в
ln=2,6A
ЕК
SMBJ130CA
ивн1=130 в
ln=2,9A
EL
SMBJ150C
-" -
ивм1=150В
1п=2,2 А
ЕМ
SMBJ150CA
Овкп™ 150 В
1л=2,5А
EN
SMBJ160C
- " -
ивкл=1 60 В
1п=2,1 А
ЕР
SMBJ160CA
-" -
UbKH“1 60 В
ln=2,3 А
EQ
SMBJ170C
-" -
ивм1=170В
1п=2А
ER
SMBJ170CA
ивкп=170В
!л=2,2 А
KD
SMBJ5 0
-" -
-" -
ивкл=5 В
1„=62,5 А
КОР
TPSMB6 8
GenSemi
-" -
иВкл=6,8 В
1„=55,6 А
КЕ
SMBJ5 ОА
Vishay
Овкл=5 В
1л=65,2 А
КЕР
TPSMB6 8А
GenSemi
-" -
иВкл=5,8 В
1п=57,1 А
КЕ
SMBJ6 0
Vishay
-" -
Ubmi=6 В
1п=52,6 А
КЕР
TPSMB7 5
GenSemi
-" -
UBKn=7,05 В
1п=51,3 А
KG
SMBJ6 ОА
Vishay
-" -
ивкл=6 В
1л=58,3 А
KGP
TPSMB7 5А
GenSemi
иВкл=6,4 В
1п=53,1 А
КН
SMBJ6 5
Vishay
-" -
иВкл=6,5 В
1„=48,7 А
КНР
TPSMB8 2
GenSemi
-" -
Ubmi=6,63 В
1л=48 А
КК
SMBJ6 5А
Vishay
-" -
иВкл=6,5 В
ln=53,6 А
ККР
TPSMB8 2А
GenSemi
-" -
иВКл=7,02 В
1л=49,6 А
KL
SMBJ7 0
Vishay
иВКп=7 В
1п=45,1 А
KLP
TPSMB9 1
GenSemi
-" -
Ubmi=7,37 В
1л=43,5 А
КМ
SMBJ7 ОА
Vishay
-" -
иВКп=7 В
1л=50 А
КМР
TPSMB9 1А
GenSemi
-" -
UBM1=7,78 В
1л=44,8 А
KN
SMBJ7 5
Vishay
и8кл=7,5 В
1л=42 А
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
KNP
TPSMB10
GenSemi
__
иВкл=8,1 В
1п=40 А
КР
SMBJ7 5A
Vishay
_" _
UBKn=7,5 В
1п=46,5 А
КРР
TPSMB10A
GenSemi
-" -
U8Kn=B,55 В
1л=41,4А
KQ
SMBJ8 0
Vishay
-" -
UeKn~B В
ln=40 А
KQP
TPSMB11
GenSemi
--
UBM1=8,92 В
1„=37 А
KR
SMBJ8 OA
Vishay
-" -
UeKn~8 В
1п=44,1 А
KRP
TPSMB11A
GenSemi
-" -
UBH1=9,4 В
1л=38,5 А
KS
SMBJ8 5
Vishay
-" -
иВкл=8,5 В
ln=37,7 А
KSP
TPSMB12
GenSemi
-" -
и,кл=9,72 В
ln=34,7 А
КТ
SMBJ8 5A
Vishay
-" -
Ubmi=8,5 В
1п=41,7 А
КТР
TPSMB12A
GenSemi
-" -
иВкл=10,2 В
ln=35,9 А
ки
SMBJ9 0
Vishay
-" -
иВкл=9 В
1„=35,5 А
KUP ■
TPSMB13
GenSemi
-" -
UBMl=10,5 В
1п=31,6 А
KV
SMBJ9 OA
Vishay
-" -
Ubkh~9 В
ln=39 А
KVP
TPSMB13A
GenSemi
-и -
Ubmi=1 1,1 В
ln=33 А
KW
SMBJ10
Vishay
-" -
Ubkh=1 о В
1п=31.9 А
KWP
TPSMB15
GenSemi
- ” -
иакл~12,1 В
1п=27,3 А
КХ
SMBJ10A
Vishay
-" -
ивкл=1 0 В
1п=35,3 А
КХР
TPSMB15A
GenSemi
- ” -
UBM1=12,8 В
1п=28,3 А
KY
SMBJ11
Vishay
-" -
UbKH~1 1 В
1„=29,9А
KYP
TPSMB16
GenSemi
-" -
ивм1=12,9В
1„=25,5 А
KZ
SMBJ11A
Vishay
-" -
UeKn~1 1 В
1л=33 А
KZP
TPSMB16A
GenSemi
--
ивм1=13,6В
1л=26,7 А
LD
SMBJ12
Vishay
- ” -
UBH1=12 В
1л=27,3 А
LDP
TPSMB18
GenSemi
-" -
UBM1=14,5 В
1Л=22,6А
LE
SMBJ12A
Vishay
-" -
Ubivi=12 В
!л=30,3 А
LEP
TPSMB18A
GenSemi
-" -
иВкл=15,3 В
1„=23,8 А
LF
SMBJ13
Vishay
-" -
UBm=13 в
1„=25,2 А
LFP
TPSMB20
GenSemi
--
ивкл~16,2 В
1„=20,6 А
LG
SMBJ13A
Vishay
-" -
ивкл=13В
!„=27,9 А
LGP
TPSMB20A
GenSemi
-" -
ивкл=17,1 В
1п=21,7 А
LH
SMBJ14
Vishay
__
Uei<n~14 В
ln=23,2 А
LHP
TPSMB22
GenSemi
-" -
иВкл=17,8 В
1п=18,8 А
LK
SMBJ14A
Vishay
-и -
UaKn=14 В
1п=25,8 А
LKP
TPSMB22A
GenSemi
-" -
UBM1=18,8 В
1п=19,6 А
LL
SMBJ15
Vishay
-" -
иВкл=1 5 В
ln=22,3 А
LLP
TPSMB24
GenSemi
-" -
ивкл-19,4 В
1п=17,3 А
LM
SMBJ15A
Vishay
-" -
иВкл=15 В
!п=24 А
LMP
TPSMB24A
GenSemi
-" -
UBM1=20,5 В
1п=18,1 А
LN
SMBJ16
Vishay
-" -
UaMl=1 6 В
1л=20,8 А
LNP
TPSMB27
GenSemi
--
UBKn=21,8 В
1п=15,3 А
LP
SMBJ16A
Vishay
-" -
UBm=16B
1п=23,1 А
LPP
TPSMB27A
GenSemi
-" -
UBM1=23 1 В
1П=16А
LQ
SMBJ17
Vishay
-" -
Ubmi=17 В
1п=19,7А
LQP
TPSMB30
GenSemi
_"_
ивкл=24,3 В
1п=13,8 А
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
LR
SMBJ17A
Vishay
UBKn=17 В
1п=21,7 А
LRP
TPSMB30A
GenSemi
-" -
UBm=25,6 В
1п=14,5 А
LS
SMBJ18
Vishay
-" -
Uaim=18 В
1л=18,6А
LSP
TPSMB33
GenSemi
-" -
UBM1=26,8 В
1п=12,6А
LT
SMBJ18A
Vishay
Uhmi=1 8 В
1п=20,5А
LTP
TPSMB33A
GenSemi
UBxn-28,2 В
1п=13,1 А
LU
SMBJ20
Vishay
ивкл=20 В
1п=16,7А
LUP
TPSMB36
GenSemi
." -
Ueim=29,1 В
1п=11,5 А
LV
SMBJ20A
Vishay
UBM1=20 В
1п=18,5 А
LVP
TPSMB36A
GenSemi
-" -
UeKn=30,8 В
1п=12А
LW
SMBJ22
Vishay
-" -
иВКп-22 В
1п=15,2 А
LWP
TPSMB39
GenSemi
-" -
Ubm,=31,6B
1п=10,6А
LX
SMBJ22A
Vishay
- ” -
ивкл=22 В
1Л=16,9А
LXP
TPSMB39A
GenSemi
-" -
Ubkd=33,3 В
1п=11,1 А
LY
SMBJ24
Vishay
-" -
ивкл=24 В
1п=14А
LYP
TPSMB43
GenSemi
иВкл=34,8 В
1п=9,7 А
LZ
SMBJ24A
Vishay
-" -
ивкл=24 В
1п=15,4 А
LZP
TPSMB43A
GenSemi
-" -
UaKn=36,8 В
1п=10,1 А
MD
SMBJ26
Vishay
иВкл=26 В
1л=12,4А
ME
SMBJ26A
To же
Ubkd=26 В
1л=14,2А
MF
SMBJ28
Ubkh=28 В
1п=12 А
MG
SMBJ28 A
-" -
ивкл=28 В
1п=13.2 А
МН
SMBJ30
-" -
-" -
Ubkh=30 в
1л=11,2 А
МК
SMBJ30 A
-" -
-" -
Ubkd=30 В
1п=12,4А
ML
SMBJ33
-" -
Оакл—ЗЗ В
1п=10,2 А
ММ
SMBJ33 A
--
Uaxn~33 В
ln=11.3 А
MN
SMBJ36
-" -
-" -
Uexn=36 В
1л=9,ЗА
MP
SMBJ36A
-" -
-" -
UaKn=36 В
1п=10,ЗА
MQ
SMBJ40
-" -
--
иВкл=40 В
1л=8,4 А
MR
SMBJ40A
-" -
UBH1=40 В
1п=9,3 А
MS
SMBJ43
-" -
иВкл=43 В
1л=7,8А
MT
SMBJ43A
-" -
-" -
иВкл=43 В
1л=8,6 А
MU
SMBJ45
-" -
UBKn=45 В
1л=7,5 А
MV
SMBJ45 A
-" -
UBM,=45 В
1п=8,3 А
MW
SMBJ48
-" -
UBM1=48 В
1л=7,0 А
MX
SMBJ48 A
-" -
-" -
UBxn=48 В
1п=7,7 А
MY
SMBJ51
-" -
Ubkh=51 В
1л=6,0 А
MZ
SMBJ51 A
-" -
-11 -
UBm=51 В
1п=7,3 А
ND
SMBJ54
-" -
-" -
ивкл=54 В
1л=6,2 А
NE
SMBJ54 A
-" -
Ubwi=54 В
1л=6,9 А
NF
SMBJ58
-" -
Uaicn=58 В
1п=5,8 А
NG
SMBJ58 A
-" -
-" -
UaKn=58 В
1п=6,4 А
NH
SMBJ60
-" -
-" -
Ubmi=60 В
1П=5,6А
NK
SMBJ60A
- ” -
--
ивкл~60 В
ln=6,2 AI
NL
SMBJ64
иВкп=64 В
ln=5,3AJ
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
NM
SMBJ64 A
-" -
-" -
UaKn~64 В
ln=5,8 А
NN
SMBJ70
и„кл=70 В
1п=4,8 А
NP
SMBJ70A
-" -
-" -
UBH1=70 В
ln=5,3 А
NQ
SMBJ75
- ” -
ивкл~75 В
ln=4,5A
NR
SMBJ75 A
." -
-" -
иВкл=75 В
1„=4,9А
NS
SMBJ78
-" -
-" -
UBm=78 В
1п=4,3 А
NT
SMBJ78 A
--
ивкл=78 В
1п=4,7 А
NU
SMBJ85
- ” -
иВкл=85 В
1п=3,9А
NV
SMBJ85 A
-" -
Ubmi~85 В
ln=4,4A
NW
SMBJ90
-" -
UeKn^dO В
1п=3,8 А
NX
SMBJ90A
-" -
-" -
Uekn^dO В
1п=4,1 А
NY
SMBJ100
--
-" -
ивкл=1 00 В
1п=3,4 А
NZ
SMBJ100A
-" -
- ” -
ивкл=Ю0 В
1п=3,7 А
PD
SMBJ110
- ” -
иВКл=1Ю В
ln=3 А
PE
SMBJ110A
Uei<n=1 ЮВ
ln=3,4A
PF
SMBJ120
-" -
иВкл-120 В
1п-2,8А
PG
SMBJ120A
*" -
-" -
ивкл=120 В
1п=3,1 А
PH
SMBJ130
-" -
11Вкл=130В
1п=2,6А
PK
SMBJ130A
-" -
--
и„кл=130 В
1л=2,9 А
PL
SMBJ150
-" -
-" -
UB№=150 В
1л=2,2 А
PM
SMBJ150A
-".
-" -
Usm=150B
ln=2,5A
PN
SMBJ160
-" -
Ubkh=1 60 В
1п=2,1 А
PP
SMBJ160A
* ” -
-" -
Uei<n=160 В
1л=2,3 А
PQ
SMBJ170
- ” -
и„кл=170В
1л=2А
PR
SMBJ170A
-" -
- " -
UBKn=170 В
In-2,2 А
WA
SMZJ3789A
GenSemi
Стабилитрон
Ucr=10B
!ст=37,5 мА
WB
SMZJ3789B
Тоже
To же
ист=ю В
1ст=37,5 мА
WO
SMZJ3790A
- " -
Ucr=11 В
1ст=34,1 мА
WD
SMZJ3790B
-" -
-" -
Ucr=11 В
1ст=34,1 мА
WE
SMZJ3791A
-" -
-" -
UCT=12 В
1ст=31,2 мА
WF
SMZJ3791B
-" -
-" -
UCT=12 В
1сг=31,2мА
WG
SMZJ3792A
- “ -
-" -
UCT=13 В
1ст=28,8 мА
WH
SMZJ3792B
- ” -
UCT=13 В
1ст=28,8 мА
W1
SMZJ3793A
-" -
Ucr=15 В
1ст=25 мА
WJ
SMZJ3793B
Ucr=15 В
1ст=25 мА
WK
SMZJ3794A
-" -
UCT=16B
1ст=23,4 мА
WL
SMZJ3794B
-" -
-" -
Ucr=16 В
1сг=23,4 мА
XA
SMZJ3796A
-" -
--
Ucr-20 В
1сг=18,7 мА
XB
SMZJ3795B
- " -
-" -
Uct=18 В
1ст~20,8 мА
XC
SMZJ3795A
-" -
-" -
UCT=18В
1ст=20,8 мА
XD
SMZJ3796B
-" -
- ” -
UCT=20В
Ict^IS^ мА
XE
SMZJ3797A
-" -
UCT=22 В
1ст=17 мА
XF
SMZJ3797B
- " -
-" -
UCT=22 В
1ст=17 мА
XG
SMZJ3798A
. 1'.
--
UCT=24 В
1ст=15,6 мА
XH
SMZJ3798B
Ucr=24 В
1ст=15,6 мА
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
XI
SMZJ3799A
-" -
Ucr=27 В
1ст=13,9 мА
XJ
SMZJ3799B
-" -
Ucr=27 В
1ст=13,9 мА
хк
SMZJ3800A
-" -
ист=зоВ
!ст—12,5 мА
XL
SMZJ3800B
-" -
-" -
ист=зоВ
1ст—12,5 мА
YA
SMZJ3801A
- ” -
ист=зз В
1ст=11,4 мА
YB
SMZJ3801B
-" -
-" -
ист=зз В
1ст=11,4 мА
YC
SMZJ3802A
-" -
-" -
UCT=36 В
1ст=10,4 мА
YD
SMZJ3802B
- ” -
- ” -
Ucr=36 В
1ст=10,4 мА
YE
SMZJ3803A
-" -
Ucr=39 В
1ст=9,6 мА
YF
SMZJ3803B
- ” -
-" -
Uct=39 В
1ст~"9,6 мА
YG
SMZJ3804A
-" -
- ” -
Uct=43 В
1ст=8,7 мА
YH
SMZJ3804B
-" -
Uct=43 В
1ст=8,7 мА
Yl
SMZJ3805A
-" -
Ucr=47 В
1ст=8 мА
YJ
SMZJ3805B
-" -
UCT=47 В
1ст~8 мА
YK
SMZJ3806A
Ucr=51 В
1ст=7,3 мА
YL
SMZJ3806B
-" -
Uct=51 В
1ст=7,3 мА
ZA
SMZJ3807A
-" -
Ucr=56 В
1ст-6,7 мА
ZB
SMZJ3807B
Ucr=62 В
1ст=6 мА
ZC
SMZJ3808A
-" -
Ucr=56 В
1ст=6,7 мА
ZD
SMZJ3808B
-" -
-" -
UCT=62 В
1ст~6 мА
ZE
SMZJ3809A
-" -
-" -
Uct-68 В
1ст=5,5 мА
ZF
SMZJ3809B
Ucr=68 В
1ст~5,5 мА
Таблица 5.13. Кодовая маркировка диодов в корпусах DO-214AB
1 Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные
параметры
BDD
SMCJ5.0C
Vishay
Подавитель выбросов
Ubmi=5 В
1п=156,2 А
BDE
SMCJ5 ОСА
То же
То же
ивкл~5 В
1п=163 А
BDF
SMCJ6 ОС
-" -
ивкл~6 В
1„=131,6 А
BDG
SMCJ6 ОСА
UaKn=6 В
1п=145,6 А
ВОН
SMCJ6 5C
-" -
-" -
ивкл=6,5 В
1п=122 А
BDK
SMCJ6 5СА
-" -
- “ -
Ubmi=6,5 В
1п=133,9 А
BDL
SMCJ7 ОС
U,m=7 В
1п=112,8 А
BDM
SMCJ7 ОСА
ивк„=7 В
1п=125 А
BDN
SMCJ7 5С
Ubmi=7,5 В
1„=104,9 А
ВОР
SMCJ7 5СА
Ubmi=7,5 В
1п=116,3 А
BDQ
SMCJ8 ОС
-" -
- ” -
UBim=8 В
1п=юо А
BDR
SMCJ8 ОСА
- ” -
Ubmi=8 В
1„=110,3 А
BDS
SMCJ8.5C
-" -
-" -
UBKn=8,5 В
1п=94,3 А
ВОТ
SMCJ8 5СА
Ubmi=8,5 В
1п=104,2 А
BDU
SMCJ9 ОС
-" -
- ” -
Ub„,=9 В
1п=88,7 А
BDV
SMCJ9 ОСА
-" -
-" -
Uei<n~9 В
ln=97,4A
BDW
SMCJ10C
-" -
-" -
иВкл=юв
1п=79,8 А
BOX
SMCJ10CA
- ” -
-" -
UaKn=10 В
1п=88,2 А
BDY
SMCJ11C
Ubwi=1 1 В
1п=74,6 А
1 Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные
параметры
BDZ
SMCJ11CA
-" -
иВкл=11 В
!п=82,4 А
BED
SMCJ12C
-" -
ив«л=12В
|л=68,2 А
ВЕЕ
SMCJ12CA
- ” -
-" -
ивкл~12 В
1п=75,3 А
ВЕР
SMCJ13C
-" -
-" -
Ubmi=13 в
1п=63 А
BEG
SMCJ13CA
-" -
-" -
и„кл=13 в
|п=69.7 А
ВЕН
SMCJ14C
-" -
- ” -
Uaicn=14 В
1п=58,1 А
ВЕК
SMCJ14CA
- ” -
иВкп=14 В
1„=64,7 А
BEL
SMCJ15C
ивкл=15 В
1„=55,8 А
BEM
SMCJ15CA
-" -
UeKn=15 В
1„=61,5А
BEN
SMCJ16C
-" -
UeKn=16 В
1п=52,1 А
ВЕР
SMCJ16CA
UBKn=16B
1л=57,7 А
BEQ
SMCJ17C
-" -
-" -
ивкп=17 В
ln=49,2 А
BER
SMCJ17CA
-" -
UBKn=17 В
1п=53,3 А
BES
SMCJ18C
-" -
иВКл=18 В
1п=46,6 А
BET
SMCJ18CA
- " -
ивкл=18 В
1п=51,4А
BEU
SMCJ20C
-" -
UBKn=20 В
1п=41.9 А
BEV
SMCJ20CA
-" -
UBm=20 В
1п=46,3 А
BEW
SMCJ22C
Ueicn=22 В
1л=38,1 А
1 BEX
SMCJ22CA
-" -
-" -
UBKn=22 В
In-42,2 А
BEY
SMCJ24C
- ” -
-" -
UBKn=24 В
1п=34,9 А
BEZ
SMCJ24CA
- ” -
-" -
UBKn=24 В
ln=38,6A
BFD
SMCJ26C
-" -
UBKn=26 В
1п=32,2 А
BFE
SMCJ26CA
-" -
-" -
Ubkh=26 В
1п=35,6 А
BFF
SMCJ28C
-" -
-" -
иВИ1=28 В
!п=30А
BFG
SMCJ28CA
- ” -
-" -
ивкл=28 В
1л=33 А
BFH
SMCJ30C
-" -
UaKn=30 В
ln=28 А
BFK
SMCJ30CA
-" -
Ubwi=30 В
1п=31 А
BFL
SMCJ33C
-" -
Ubkh~33 в
ln=25,2 А
BFM
SMCJ33CA
." -
-" -
Ubkh~33 в
ln= 28,1 А
BFN
SMCJ36C
-" -
ивкл^зб В
1п=23,3 А
BFP
SMCJ36CA
Ubkh=36 В
ln=25,8 А
BFQ
SMCJ40C
." -
- ” -
U„m=40 В
1п=21 А
BFR
SMCJ40CA
-" -
0вкл=40 В
ln=23,2 А
'BPS
SMCJ43C
-" -
-" -
иВкЛ-43 В
1п=19,6 А
BFT
SMCJ43CA
-" -
-" -
ивкл=43 В
1п=21,6 А
BFU
SMCJ45C
-" -
иВЫ1=45 В
1п=18,7 А
BFV
SMCJ45CA
- ° -
- " -
Ubkh~45 В
1п=20,6 А
BFW
SMCJ48C
- " -
иВЫ1=48 В
1п=17,5 А
BFX
SMCJ48CA
- " -
- “ -
иВкл~48 В
1п=19,4 А
BFY
SMCJ51C
-" -
- ” -
UBm=51 В
1п=16,5 А
BFZ
SMCJ51CA
-" -
- ” -
UBKn=51 В
1п=18,2 А
BGD
SMCJ54C
- ” -
-" -
ивкл=54 В
1п=15,6 А
BGE
SMCJ54CA
- " -
-" -
UBKn=54 В
1п=17.2 А
BGF
SMCJ58C
-" -
-" -
UeKn~58 В
!п=14,6 А
BGG
SMCJ58CA
иВкл=58 В
1п=16 А
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
BGH
SMCJ60C
-" -
UeKn=60 в
1п=14 А
BGK
SMCJ60CA
- ” -
-" -
UeKn=60 в
1п=15,5 А
BGL
SMCJ64C
-" -
-" -
Ubkd-64 В
1п=13,2А
BGM
SMCJ64CA
-" -
-" -
UBKn=64 В
1„=14,6 А
BGN
SMCJ70C
-" -
-" -
UBM1=70 В
1п=12А
BGP
SMCJ70CA
--
UBH,=70 В
1п=13,ЗА
BGQ
SMCJ75C
-" -
-" -
ивм1=75 В
1п=11,2 А
BGR
SMCJ75CA
- ° -
UBm=75 В
1п=12,4А
BGS
SMCJ78C
." -
UBM1=78 В
1п=Ю,8 А
BGT
SMCJ78CA
- * -
иВкп-78 В
1п=11 4 А
BGU
SMCJ85C
-" -
иВкл=85 В
ln=9,9A
BGV
SMCJ85CA
-" -
-" -
ивкл=85 В
1п=Ю,4 А
BGW
SMCJ90C
-" -
-" -
Ubmi=90 В
ln=9,4 А
BGX
SMCJ90CA
-" -
-" -
Ubmi=90 В
1п=10,3 А
BGY
SMCJ100C
-" -
Ubkh=100 В
!п=8,4 А
BGZ
SMCJ100CA
-" -
иВкл™100 В
1п=9,3 А
BHD
SMCJ110C
-" -
Ue№=110 В
1п=7,7 А
ВНЕ
SMCJ110CA
-" -
и8КЛ=110 в
1п=8,4А
ВНР
SMCJ120C
- " -
-" -
Ubmi=1 20 В
1п=7А
BHG
SMCJ120CA
-" -
-" -
Ubmi=1 20 В
1л=7,9А
ВНН
SMCJ130C
-" -
-" -
Ubkh=1 зов
1п=6,5 А
ВНК
SMCJ130CA
-" .
Ивкл~1 30 В
1п=7,2А
BHL
SMCJ150C
- ” -
-" -
UBMl=150 В
1л=5,6А
ВНМ
SMCJ150CA
-" -
-" -
ивм1=150 В
1п=6,2 А
BHN
вмслбос
-" -
- ” -
11вкл=160 В
1л=5,2А
ВНР
SMCJ160CA
-" -
-" -
Ubm1=160B
1л=5,8 А
BHQ
SMCJ170C
-" -
-" -
UBHl=170 В
1л=4,9 А
BHR
SMCJ170CA
-" -
UBU]=170 В
1п=5,5 А
DDP
TPMSC6 8
Gen Semi
Ubmi=5,5 В
1„=139 А
DEP
TPMSC6 8А
То же
-" -
Ubmi=5,8 В
1л=143А
DFP
TPMSC75
-" -
-" -
Ubmi=8|05 В
1л=128А
DGP
TPMSC7 5А
-" -
UBKn-6,4 В
|п=133 А
DHP
TPMSC82
-" -
Ubmi~6,63 В
1„=120А
DKP
TPMSC8 2А
-" -
- ” -
ивкл=7,02 В
1л=124А
DLP
TPMSC91
-" -
UBlul=7,37 В
1п-Ю9А
DMP
TPMSC9 1А
UBM1=7,78 В
ln=112 А
DNP
TPMSC10
- " -
ивкл~8,1 В
1л=Ю0А
DOP
TPMSC11
-" -
UeKn=8,92 В
1л=92,6А
DPP
TPMSC10A
-" -
-" -
UeKn=8,55 В
1п=103 А
DRP
TPMSC11A
-" -
-" -
UeKn~9,4 В
1п=96,2 А
DSP
TPMSC12
-" -
-" -
Ubmi=9|72 В
1„=86,7 А
DTP
TPMSC12A
- ” -
--
ивкл=10,2 В
1л=89,8 А
DUP
TPMSC13
-" -
иакл=10,5В
1„=78,9А
DVP
TPMSC13A
-" -
ивкл=11,1 в
ln=82,4 А
DWP
TPMSC15
ивкл=12,1 В
1л=68,2 А |
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные
параметры
ОХР
TPMSC15A
-" -
-" -
UBKn=12,8 В
1п=70,8 А
DYP
TPMSC16
-" -
иаИ1=12,9 В
1„=63,8 А
DZP
TPMSC16A
-" -
UBKn=13,6 В
1п=66,7А
ЕА
ES3A
Выпрямительный
1/обр=50 В
1пр=3 А
ЕВ
ES3B
Тоже
Uo6p—1 оо в
1пр=3 А
ЕС
ES3C
-" -
Uo6p=150 В
1лр=3 А
ED
ES3D
Uo6p=200
1пр=3 А
EDP
TPMSC18
-" -
Подавитель выбросов
ивкл=14,5В
!„=56,6 А
ЕЕР
TPMSC18A
-" -
То же
ивкл=15,3 В
1п=59,5 А
EFP
TPMSC20
-" -
-" -
ивкл=16,2 В
1п=51,5 А
EGP
TPMSC20A
.и.
- ” -
UBH1=17,1 В
1п=54,2 А
ЕНР
TPMSC22
-" -
UaKn=17,8 В
ln=47 А
ЕКР
TPMSC22A
-".
- ” -
UBH1=18,8 В
ln=49A
ELP
TPMSC24
-" -
-" -
ивел=19,4В
1п=43,2А
ЕМР
TPMSC24A
- ” -
-" -
UBm=20,5 В
l„=Wt5,2 А
ENP
TPMSC27
-" -
-" -
Ubmi=21 ,8 В
1п-38,4А
ЕРР
TPMSC27A
-" -
--
UBM1=23,1 В
1о=40 А
EQP
TPMSC30
-" -
. ".
Ubwi=24,3 В
!п=35,4А
ERP
TPMSC30A
-" -
-".
UBM1=25,6 В
1п=36,2 А
ESP
TPMSC33
-" -
-" -
UBm=26,8 В
1п=31,4 А
ETP
TPMSC33A
-" -
-".
ивкл=28,2 В
!п=32,8 А
EUP
TPMSC36
-" -
-" -
UBm=29,1 В
1„=28,8 А
EVP
TPMSC36A
-" -
иВкл=30,8 В
1п=30,1 А
EWP
TPMSC39
." -
ивм1=31,6 в
1„=26,6А
EXP
TPMSC39A
-" -
ивКЛ=33,3 В
ln=27,8
EYP
TPMSC34
-" -
-".
иВкл=34,8 В
ln=24,2A
EZP
TPMSC43A
-".
-" -
Ubmi=36,8 В
ln=25,3 А
GOD
SMCJ5.0
Vishay
.-
Ubmi=5 В
1п=156,2А
GDE
SMCJ5.0A
То же
-" -
Овкл^б В
1п=163А
GDF
SMCJ6.0
-" -
-" -
Овкл^б В
1п=131,6А
GOG
SMCJ6.0A
-" -
-" -
UgKn=6 В
1п=145,6А
GOH
SMCJ6.5
-".
UsKn=®,5 В
|Л=122А
GDK
SMCJ6.5A
-" -
-" -
иВкл=6,5 В
1„=133,9А
GDL
SMCJ7.0
-" -
-" -
ивкл“7 В
1П=112,8А |
GDM
SMCJ7.0A
-" -
-" -
Ubkh"? В
1„=125А|
GON
SMCJ7.5
- " -
-" -
Ubmi=7,5 В
1„=104,9 А
GDP
SMCJ7.5A
-" -
-" -
иВИ1=7,5 В
in=116,3 А
GDQ
SMCJ8.0
- ” -
UbKH^S В
1„=100А
GDR
SMCJ8.0A
UeKn=8 В
1„=110,3 А
GDS
SMCJ8.5
-" -
UeKn=8,5 В
ln=94,3 А
GOT
SMCJ8.5A
-" -
- ” -
Ueim—S.S В
1п=104,2А
GOU
SMCJ9.0
-" -
UeKn=9 В
1„=88,7 А
GOV
SMCJ9.0A
Ubkh=9 В
ln=97,4 А
GOW
SMCJ1O
-" -
Овкл^Ю В
1п=79,8 А
nnv
SMC ЛОА
Ubkh=1 0 В
1п=88,2 А
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
GDY
SMCJ11
-" -
-" •
иВкл=11 В
ln=74,6 A
GDZ
SMCJ11A
-" -
-" -
UBKn=11 В
ln=82,4 A
GED
SMCJ12
-" -
-" -
и=кл=12 В
In-68,2 A
GEE
SMCJ12A
-" -
-" -
Uewi=12 В
l„=75,3 A
GEF
SMCJ13
-" -
и„кл=13В
ln=63 A
GEG
SMCJ13A
-" -
Ubmi=13 в
ln=69,7 A
GEH
SMCJ14
-" -
Ubmi=14 В
l„=58,1 A
GEK
SMCJ14A
--
ивм,=14 В
In-64,7 A
GEL
SMCJ15
-" -
иВкп=15 В
ln=55,8 A
GEM
SMCJ15A
-" -
Ubmi=1 5 В
ln=61,5 A
GEN
SMCJ16
-" -
-" -
ивкл=16 В
l„=52,1 A
GEP
SMCJ16A
.".
Ubmi=16 В
ln=57,7A
GEQ
SMCJ17
-" -
-" -
Uaxn=17 В
ln=49,2 A
GER
SMCJ17A
-" -
-" -
UaKn=17 В
ln=53,3 A
GES
SMCJ18
-" -
Ubivi=1 8 В
ln=46,6A
GET
SMCJ18A
-" -
-" -
Ubkh=1 8 В
ln=51,4A
GEU
SMCJ20
-" -
Ueim~20 В
ln=41,9A
GEV
SMCJ20A
-" -
-" -
Uaim=20 В
ln=46,3 A
GEW
SMCJ22
- ° -
-" -
ивкл=22 В
l„=38,1 A
GEX
SMCJ22A
-" -
-" -
Uexn=22
ln=42,2 A
GEY
SMCJ24
-" *
-" -
Uaxn=24
ln=34,9A|
GEZ
SMCJ24A
Ubivi=24
ln=38,6 A I
GFD
SMCJ26
-" -
-" -
иВкл=26
ln=32,2 A
GFE
SMCJ26A
-" -
-" -
Ubmi=26
ln=35,6 A
GFF
SMCJ28
-" -
-" -
Ubmi=28
ln=30 A
GFG
SMCJ28A
-" -
-" -
ивкл=28
ln=33 A
GFH
SMCJ30
-".
-" -
иВкл~ЗО
ln=28 A
GFK
SMCJ30A
-" -
-" -
ивкл=30
ln=31 A
GFL
SMCJ33
*" -
-" -
ивкл=33
ln=25,2 A
GFM
SMCJ33A
-" -
--
Ubmi=33
ln=28,1 A
GFN
SMCJ36
-" -
-" -
UBKn=36
ln=23,3A
GFP
SMCJ36A
-" -
-" -
ивкл~36
ln=25,8A
GFQ
SMCJ40
- “ -
- ” -
и,кл=40
ln=21 A
GFR
SMCJ40A
-" -
--
иВкл=40
ln=23,2 A
GFS
SMCJ43
-" -
Ubmi=43
ln=19,6 A
GFT
SMCJ43A
-" -
-" -
Ubkh=43
ln=21,6A
GFU
SMCJ45
-" -
Ubmi=45
ln=18,7 A
GFV
SMCJ45A
-" -
-" -
иВкл=45
ln=20,6 A
GFW
SMCJ48
-" -
-" -
ивкл=48
ln=17,5 A
GFX
SMCJ48A
- ” -
Ubmi=48
ln=19,4A
GFY
SMCJ51
-" -
UBKn=51
ln=16,5 A
GFZ
SMCJ51A
- ” -
UBH,=51
l„=18,2 A
GGD
SMCJ54
-" -
- " -
UBxn-54
ln=15,6 A
GGE
SMCJ54A
UBxn=54
ln=17,2 A
GGF
SMCJ58
UaKn=58
ln=14,6A
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры |
GGG
SMCJ58A
-" -
- " -
Мвкл=58
1п=16А
GGH
SMCJ60
-" -
-" -
Овкл^бО В
1п=14А
GGK
SMCJ60A
." -
ивкл~60 В
1п=15,5 А
GGL
SMCJ64
-" -
-" -
ивкл=б4 В
1п=13,2 А
GGM
SMCJ64A
-" -
-" -
и,кл=64 В
1„=14,6А
GGN
SMCJ70
-" -
ивкл=70 В
1п=12А
GGP
SMCJ70A
- " -
-" -
UBm=70 В
1п=13,3 А
GGQ
SMCJ75
*-
ивкл=75 В
1п=11.2 А
GGR
SMCJ75A
-" -
-" -
UBm=75 В
1П-12,4А I
GGS
SMCJ78
--
. ° -
ивкл=78 В
1п=Ю,8А
GGT
SMCJ78A
-" -
-" -
UBm=78 В
1п=11,4 А
GGU
SMCJ85
--
-".
иВкл-85 В
1п=9,9А
GGV
SMCJ85A
-" -
-" -
Ubkd=85 В
1п=10,4 А
GGW
SMCJ90
-" -
Ubmi=90 В
!п=9,4 А
GGX
SMCJ90A
- ” -
-".
UaKn=90 В
1п=10,3 А
GGY
SMCJ100
- ” -
ивт=100В
1п=8,4 А
GGZ
SMCJ100A
-" -
- ” -
UBKn=100 в
1п=9,3 А
GHD
SMCJ110
-" -
ивкл=110 в
1л=7,7 А
GHE
SMCJ110A
* ” -
-" -
иВН1=110В
1п=8,4 А
GHF
SMCJ120
-" -
ивкл=120 В
1п=7 А
GHG
SMCJ120A
- ” -
- ” -
иВН1=120 В
1„=7,9А
GHH
SMC Л 30
." -
-" -
ивкл=130В
1„=6,5 А
GHK
SMCJ130A
-" -
-" -
ивкл=130 в
1„=7,2 А
GHL
SMCJ150
-" -
-" -
ивкл=150В
1п=5,6 А
GHM
SMCJ150A
- “ -
- " -
UBKn=150 В
1п=6,2 А
GHN
SMCJ160
-" -
иВКл=160В
1п=5,2 А
GHP
SMCJ160A
-".
." -
изкл=1 60 В
1п=5,8 А
GHQ
SMCJ170
- °.
UBKn-170 В
1п=4,9 А
I GHR
SMCJ170A
ивкл=170В
ln=5,5A1
Таблица 5.14. Кодовая маркировка диодов в корпусах DO-214AC
1 Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры |
10
SML4740
GenSemi
Стабилитрон
ист=ю в
1ст~25 мА|
112
SML4741
То же
То же
ист=11 В
!ст~23 мАI
13
SML4742
- ” -
UCT=12 В
1ст=21 мА
14
SML4743
-" -
ист=13В
Icr"! 9 мА
15
SML4744
-" -
- ° -
UCT=15 В
1ст=17 мА
16
SML4745
-" -
--
Ucr=16 В
1ст=15,5 мА
18
SML4746
-" -
-" -
UCT=18В
1ст=14 мА
20
SML4747
. ° -
UCT=20В
1ст=12,5 мА
22
SML4748
- ” -
-" -
UCT=22В
1сг=11,5 мА
24
SML4749
-" -
-" -
UCT=24 В
1ст=10,5 мА
27
SML4750
UCT=27 В
!ст=9,5 мА
RML 751
ист=зоВ
lcr=8,5 мА
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
33
SML4752
ист=зз в
1ст—7,5 мА
36
SML4753
Ucr=36 в
!ст=7 мА мА
39
SML4754
-" -
- " -
Ucr=39 В
1ст~6,5 мА
43
SML4755
-" -
- " -
Uct=43 В
1ст=6 мА|
47
SML4756
." -
Uct=47 В
1ст=5,5 мА |
51
SML4757
-" -
-" -
Uct=51 В
1ст=5 мА|
56
SML4758
-" -
- " -
Uct=56 В
1ст=415 мА
62
SML4759
-".
Ucr=62 В
1ст=4 мА
68
SML4760
UCT=68 В
1Ст=3,7 мА
6Р2
SML4735
-".
." -
Uct=6,2 В
1ст=41 мА
6Р8
SML4736
UCT=6,8 В
1ст=37 мА
75
SML4761
Uct=75 В
1ст~3,3 мА
SML4737
UCT=7,5 В
1Ст=34 мА
82
SML4762
UCT=82 В
1ст=3 мА
8Р2
SML4738
Ucr=8,2 В
1ст=31 мА
91
SML4763
Ucr=91 В
!ст=2 мА
9Р1
SML4739
-" -
UCr=9,1 В
1ст=28 мА
ADP
TPSMA
- ” -
Подавитель выбросов
UBKn=5|5 В
1П=37А
АЕР
TPSMA
То же
ивкл=5,8 В
1п=38,1А
AFP
TPSMA
иВкл=6,05 В
|„=34,2А
AGP
TPSMA
- “ -
иакл=6,4 В
1п=35,4А
АНР
TPSMA
-" -
Uaui-6,63 в
1П=32А
АКР
TPSMA
- “ -
- ”.
и=кл=7,02 В
1„=33,1А
ALP
TPSMA
-" -
ивкл=7,37 В
!л=29А
АМР
TPSMA
- ” -
-" -
иви1=7,78 В
1п=29,9А
АМР
TPSMA
-".
UaKn=8|1 В
1п=26,7А
АРР
TPSMA
иВкл=8,65 В
1п=27,6А
AQP
TPSMA
-" -
UBH1=8,92 В
1л=24,7А
ARP
TPSMA
-" -
ивы1=9,4 В
1л=25,6А
ASP
TPSMA
-" -
UB„=9,72 В
ln=23 1А
ATP
TPSMA
-" -
Ubkh~1 0,2 В
!„=24А
AUP
TPSMA
UBtn=10,5 В
1л=21,1А
AVP
TPSMA
ивкл=11.1 в
1п=22А
AWP
TPSMA
UBm=12.1 В
1л=18,2А
AXP
TPSMA
-" -
-" -
иви1=12 8В
1л=18,9А
AYP
TPSMA
-" -
11Вкл=12,9 В
1п=17А
AZP
TPSMA
." -
-" -
иВкл=13,6 В
1п=17,8А
BDP
TPSMA
-" -
-" -
иВкл=14,5 В
1л=15,1А
BEP
TPSMA
-" -
-" -
UBM=15,3 В
1л=15,9А
BFP
TPSMA
--
- " -
ивкл=16,2В
1л=13,7А
BGP
TPSMA
--
- " -
ивкл=17,1 В
1п=14,4А
ВНР
TPSMA
-" -
-" -
UB„,=17.8 В
1л=12,5А
BKP
TPSMA
- “ -
иВКл=18,8 В
1П=13,1А
BLP
TPSMA
-" -
-" -
0акл=19,4 В
1п=11.5А
BMP
TPSMA
и=кл=20,5 В
1п=12А
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
BNP
TPSMA
UB„=21,8 В
1п=Ю,2А
ВРР
TPSMA
-" -
иВкл=24,3 В
1Л=9,2А
BQP
TPSMA
-" -
-" -
иВкл=23,1 В
1п=Ю,7А
BRP
TPSMA
-" -
-" -
иВКл=25,6 В
1п=9,7А
BSP
TPSMA
--
- ” -
иВкл=26,8 В
1п=8,4А
ВТР
TPSMA
-" -
иВКл=28,2 В
1п=8,8А
BUP
TPSMA
-" -
иВКл=29.1 В
1п=7,7А
BVP
TPSMA
иВкл=30,8 В
1п=8А
BWP
TPSMA
ивкл~31,6 В
1п=7,1А
ВХР
TPSMA
-" -
UeKn=33,3 В
1п=7,4А
BYP
TPSMA
U6„=34,8 В
ln=6,5A
BZP
TPSMA
Ue„=36,8 В
1л=6,7А
ЕА
ES1A
Быстродействующий
Uo6p=50 В
1пр=1 А
ЕВ
ES1B
-" -
To же
Uo6p-100 в
1пр=1 А
ЕС
ES1C
-H -
-" -
иОбр=150 В
1пр=1 А
ED
ES1D
." -
Uo6p=200 В
1пр=1А
HD
SMAJ5.0
Vishay
Подавитель выбросов
иВкл=9,6 В
1п=35,1А
НЕ
SMAJ5.0A
Тоже
Тоже
ивкл=9,2 В
1п=38,8А
НЕ
SMAJ6.0
-" -
-" -
UBH1=11,4 В
1П=32,5А
HG
SMAJ6.0A
--
-" -
ив„=ю,з В
1п=35,7А
НН
SMAJ6.5
-" -
- ” -
UBH1=12,3 В
1п=30,1А
НК
SMAJ6.5A
-" -
.-
UBU1=11,2B
1п=33,ЗА
HL
SMAJ7.0
-" -
-" -
ивкл=13,3 в
ln=28A
НМ
SMAJ7.0A
- ” -
Um=12 В
1„=31А
HN
SMAJ7.5
-" -
ивкл=14,3 В
|П=26.5А
HP
SMAJ7.5A
ивкл=12,9 В
|п=29,4А
HQ
SMAJ8.0
." -
Овкл= 15 В
1п=25,1А
HR
SMAJ8.0A
-" -
иВИ1=13,6 в
1п=27,7А
HS
SMAJ8.5
." -
иВкп=15,9 В
1П=23,6А
НТ
SMAJ8.5A
-".
иВкл=14,4 В
1л=26А
HU
SMAJ9.0
UB„=16,9 В
1п=21,2А
HV
SMAJ9.0A
--
-" -
иВКл=15,4В
1„=23,5А
HW
SMAJ10
-".
Uenn=18,6 В
1„=20А
HX
SMAJ10A
-".
-.
UBm=17,0 В
!п=22А
HY
SMAJ11
иВкл=20,1 В
1п=18,1А
HZ
SMAJ11A
- ” -
-" -
Ue„=18,2B
1п=20,1А
ID
SMAJ12
- ” 2
ивкл~22 В
1п=16,8А
IE
SMAJ12A
- " .
-".
Ue«n=19,9 В
1л=18,6А
IF
SMAJ13
- " -
- ” -
UBm=23,8 В
1п=15,5А
IG
SMAJ13A
- " -
--
U„„=21,5 В
1п=17.2А
IH
SMAJ14
- " -
U™=25,8 В
1п=14,8А
IK
SMAJ14A
-" -
иВкл=23.2 В
1п=16,4АI
IL
SMAJ15
- " -
-" -
ивкл=26,9 В
ln=13,8AI
IM
SMAJ15A
- " -
иВкл=24,4 В
1п=15,ЗА|
IN
SMAJ16
Цвкл=28,8 В
1п=13,1А|
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
IP
SMAJ16A
--
- " -
Овкл-26 В
1п=14,5А
IQ
SMAJ17
-" -
ивкл~30,5 В
1»=12,4А
IR
SMAJ17A
-" -
- “ -
UB„=27,6 В
1п=13,7А
IS
SMAJ18
-" -
-" -
и„л=32,2 В
1п=11.1А
IT
SMAJ18A
--
-" -
иВкл=29,2 В
1п=12,ЗА
IU
SMAJ20
-" -
UB„=35,8 В
1л=Ю,1А
IV
SMAJ20A
-" -
-" -
иВкл=32,4 В
1п=11,2А
IW
SMAJ22
-" -
ивкл~39,4 В
1п=9,ЗА
IX
SMAJ22A
-" -
иВкл=35,5 В
1п=10,ЗА
IY
SMAJ24
--
UBm=43В
ln=8,6A
IZ
SMAJ24A
-" -
-" -
UeKn=38,9 В
1П=9,5А
JD
SMAJ26
_ *■ _
1^=46,6 В
1„=8,0А
JE
SMAJ26A
иВкл-42,1 В
ln=8,8A
JF
SMAJ28
-" -
-" -
UeKn=50 В
1п=7,5А
JG
SMAJ28A
-" -
-" -
ивкл=45,4 В
ln=8,3A
JH
SMAJ30
-" -
.-
UeKn=53,5 В
ln=6,8A
JK
SMAJ30A
- “ -
иВКл=48,4 В
1п=7,5А
JL
SMAJ33
-".
-" -
□Вкл=59 В
ln=6,2A
JM
SMAJ33A
- " -
иВКл=53,3 В
ln=6,9A
JN
SMAJ36
ивкл=64,3 В
ln=5,6A
JP
SMAJ36A
иВКл=58,1 В
ln=6 2А
JQ
SMAJ40
-" -
иВКл=71,4 В
1п=5,2А
JR
SMAJ40A
-" -
иВКл=64,5 В
ln=5,7A
JS
SMAJ43
-" -
иВкл=76,7 В
ln=5A
JT
SMAJ43A
UeKn=69,4 В
ln=5,5A
JU
SMAJ45
иВкл=80,3 В
1п=4,7А
JV
SMAJ45A
-.
иВкл=72,7 В
1п=5,2А
JW
SMAJ48
-" -
иВКл=85,5 В
1л=4,4А
JX
SMAJ48A
--
Ubkh=77|4 В
ln=4,9A|
JY
SMAJ51
-" -
-" -
ивкл~91(1 В
1л=4,2А
JZ
SMAJ51A
-" -
UB„=82,4 В
1л=4,6А|
RD
SMAJ54
-" -
UBxn=96,3 В
ln=3,9AJ
RE
SMAJ54A
-" -
UeKn™87 1 В
1л=4 ЗА|
RF
SMAJ58
-" -
ивкл=103 в
1л=3,7АI
RG
SMAJ58A
-" -
-" -
иВкл=93,6 В
In—4,1А|
RH
SMAJ60
-" -
-" -
ивкл=107 В
1л=3,5АI
RK
SMAJ60A
-" -
- ” -
иВКл=96,8 В
!л=3,9А|
RL
SMAJ64
-" -
-" -
Овкп=114В
ln=3,2A|
RM
SMAJ64A
-".
-" -
иВкл=103 в
1п=3,5А|
RN
SMAJ70
-".
иВкл=125 В
1л=ЗА
RP
SMAJ70A
-" -
U№=113 В
1л=3,ЗАI
RQ
SMAJ75
0вкл=134 В
ln=2,9AI
RR
SMAJ75A
-" -
иви1=121 В
1л=2,2А
RS
SMAJ78
-" -
-" -
иВКл=139 В
ln=2,6AI
RT
SMAJ78A
ЦВкл=126 В
ln=2,9AJ
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры |
RU
SMAJ85
-".
LU,=151 В
ln=2,5A
RV
SMAJ85A
- ”.
UMn=137B
ln=2,7A
RW
SMAJ90
-" -
Ubu1=160 В
ln=2,2A
RX
SMAJ90A
-" -
и„„=146 В
!п=2,5А
RY
SMAJ100
Ubkh=1 79 В
1п=2А
RZ
SMAJ100A
-" -
иВКл=162 В
ln=2.3A
5D
SMAJ110
-" -
ив„=196В
1п=1.9А
SE
SMAJ110A
-" -
и=кл=177В
!п=2А
SF
SMAJ120
-" -
IW214 В
1п=1,7А
SG
SMAJ120A
иВКл=193 В
1п=1,9А
SH
SMAJ130
-" -
-" -
и=кл=231 В
1п=1,5А
SK
SMAJ130A
- ” -
и,„=209В
1п=1,6А
SL
SMAJ150
-" -
иВкл-268 В
1л=1,4А
SM
SMAJ150A
-" -
-" -
иВКл=243 В
1п=1,5А
SN
SMAJ160
иВкл=287 В
1п=1,ЗА
SP
SMAJ160A
-" -
иВкл=259 В
1п=1,4А
SQ
SMAJ170
-" -
и,„=304 В
1п=1,5АI
SR
SMAJ170A
-".
ивкл=275 В
1п=1,ЗА
TD
SMAJ5.0C
Овкп=916 В
1п=41,6А
Т Е
SMAJ5.0AC
UBm=9,2 В
1П=43,5А
TF
SMAJ6.0C
-" -
ивкл=11,4 В
1п=35,1А
TG
SMAJ6.0AC
-" -
иВкл=10,3 в
ln=38,8A
TH
SMAJ6.5C
- ” -
- ” -
ивкл=12,3 В
1Л=32,5А
ТК
SMAJ6.5AC
UaKn=11,2 В
1П=35,7А
TL
SMAJ7.0C
-" -
-" -
ив„=13,ЗВ
1„=30,1А
ТМ
SMAJ7.0AC
-" -
-" -
UB^=12 В
1п=ЗЗгЗА
TN
SMAJ7.5C
- " -
UeKn=14,3 В
ln=28A
ТР
SMAJ7.5AC
-" -
-" -
иВКл=12,9 В
1л=31А
TQ
SMAJ8.0C
- ".
-" -
ивкл=15 В
!п=26,5А
TR
SMAJ8.0AC
UB^=13,6 В
1п=29,4А
TS
SMAJ8.5C
-" -
-" -
иВКл=15,9 В
1л=25,1А
ТТ
SMAJ8.5AC
- ” -
ивкл=14,4 В
1л=27,7А
TU
SMAJ9.0C
-" -
Uem=16,9B
1п=23,6А
IV
SMAJ9.0AC
ивкл=15,4 В
1п=26А
TW
SMAJ10C
иВКл=18,8 В
1п=21,2А
ТХ
SMAJ10AC
-" -
Овкл=17 В
1л=23,5А
TY
SMAJ11C
ивкл=20,1 В
!п=20А
TZ
SMAJ11AC
Ugxj)=1 8,2 В
1„=22А
UA
US1A
GenSemi
Быстродействующий
иобр=50 В
1пр=1А
и В
US1B
То же
То же
Uo6p~100 в
1пр=1 А
UD
SMAJ12C
Vishay
Подавитель выбросов
Ua№=22 В
1П=18,1А
UD
US1D
GenSemi
Быстродействующи й
UO6p-200 В
fnp=1A
UE
SMAJ12AC
Vishay
Подавитель выбросов
UBlm=19,9 В
1л=20,1А
UF
SMAJ13C
То же
То же
иВкл=23,8 В
1п=16,8А
UG
SMAJ13AC
ивкл=21,5 В
1п=18,6А
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
UG
US1G
GenSemi
Быстродействующий
Uo6p=400 В
1пр~1А
ин
SMAJ14C
Vishay
Подавитель выбросов
иВкл=25,8 В
1п=15,5А
UJ
US1J
GenSemi
Быстродействующий
Uo6p=600 в
1пр=1 А
UK
SMAJ14AC
Vishay
Подавитель выбросов
иВкл=23,2 В
1п=17,2А
UL
SMAJ15C
To же
То же
иВкл=26,9 В
1п-14,8А
им
SMAJ15AC
-" -
иВкл~24,4 В
1п=16,4А
UN
SMAJ16C
-" -
иВКл=28,8 В
ln=13.8А
UP
SMAJ16AC
-" -
-" -
иви1=26 В
1п=15,ЗА
UQ
SMAJ17C
-" -
ивкл~30,5 В
1п=13.1А
UR
SMAJ17AC
иВКл=27,6 В
1п=14,5А
US
SMAJ18C
-" -
иВкл=32,2 В
1п=12,4А
UT
SMAJ18AC
-" -
- ” -
и6кл=29,2 В
1п=13.7А
UU
SMAJ20C
-" -
ивкл-35,8 В
1п=11,1А
UV
SMAJ20AC
-" -
иВкл-32,4 В
1п=12 ЗА
UW
SMAJ22C
-" -
ивкл=39,4 В
1п=Ю,1А
UX
SMAJ22AC
-" -
иВкл=35,5 В
1п=11.2А
UY
SMAJ24C
-" -
иВкл-43 В
1л=9,ЗА
UZ
SMAJ24AC
-" -
UaKn~38,9 В
1п=10,ЗА
VD
SMAJ26C
-" -
--
иВкл=46,6 В
1п=8,6А
VE
SMAJ26AC
ивкл=42,1 В
1п=9,5А
VF
SMAJ28C
-" -
иВкл=50 В
ln=8A
1 VG
SMAJ28AC
иВКл=45,4 В
!п=8,8А
VH
SMAJ30C
-".
иВкл=53,5 В
ln=7,5A
VK
SMAJ30AC
иВКл=48,4 В
ln=8,3 А
VL
SMAJ33C
-" -
иВкл=59 В
ln=6,8 А
VM
SMAJ33AC
иВкл=53,3 В
ln=7,5 А
VN
SMAJ36C
UBxn=64,3 В
1п=6,2А
VP
SMAJ36AC
UBKn=58,1 В
ln=6,9 А
VQ
SMAJ40C
." -
иВКл=71,4В
ln=5,6 А
VR
SMAJ40AC
--
ивкл=64,5 В
ln=6,2 А
VS
SMAJ43C
Овкл=76,7 В
1п=5,2 А
VT
SMAJ43AC
-" -
иВКл=69,4 В
1п=5,7 А
VU
SMAJ45C
иВкл=80,3 В
1л=5А
W
SMAJ45AC
UBB,=72,7 В
ln=5,5 А
VW
SMAJ48C
Ивкл-35,5 В
1л=4,7 А
VX
SMAJ48AC
-" -
-" -
иВКл=77,4 В
1л=5,2А
VY
SMAJ51C
* ” -
-" -
UBH1=91,1 В
1п=4,4 А
VZ
SMAJ51AC
-" -
-" -
иВкл=82,4 В
1л=4,9 А
WD
SMAJ54C
-" -
ивкл~96,3 В
1л=4,2А
WE
SMAJ54AC
-" -
-" -
UBlm=87,1 В
!л=4,6А
WF
SMAJ58C
--
и=кл=103 В
ln=3 9 А
WG
SMAJ58AC
-" -
UBxn=93,6 В
1л=4,3 А
WH
SMAJ60C
- ”.
ивкл=107 В
!л=3,7А
WK
SMAJ60AC
-" -
иВкл-96,8 В
1л=4,1 А
WL
SMAJ64C
_" _
ЦВкл=114 В
1П=3,5А
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
WM
SMAJ64AC
-" -
Uem=103 в
1„=3,9 А
WN
SMAJ70C
-" -
иВкл=125 В
ln=3,2A
WP
SMAJ70AC
-" -
Uem=113 В
1п=3,5 А
WQ
SMAJ75C
." -
и,кл=134 В
ln=3A
WR
SMAJ75AC
-".
U,m=121В
!„=3,3 А
WS
SMAJ78C
UBm=139B
1„=2,9А
WT
SMAJ78AC
-" -
иВкл=126В
1п=2,2А
WU
SMAJ85C
-" -
-" -
иВкл=151 В
ln=2,6 А
WV
SMAJ85AC
- ” -
ИВИ1=137В
1„=2,9А
WW
SMAJ90C
-" -
Um=160 В
1„=2,5 А
WX
SMAJ90AC
-" -
0вкл=146 В
!п=2,7А
WY
SMAJ100C
-" -
0Вкл=179 В
ln=2,2 А
WZ
SMAJ100AC
-" -
UBen=162 В
1„=2,5 А
XD
S МАЛ 10
-" -
UeKn=196 В
1п=2 А
ХЕ
SMAJ110A
-" -
-" -
11ВИ1=177 В
ln=2,3 А
XF
SMAJ120
-" -
-" -
UB«i=214 В
1п=1,9 А
XG
SMAJ120A
-.
UBB1=193 В
1п=2А
ХН
SMAJ130
." -
ивкл=231 В
1п=1.7А
ХК
SMAJ130A
U„m=209В
1п=1,9 А
XL
SMAJ150
-" -
11вкл=268 В
1п=1,5А
ХМ
SMAJ150A
-".
и6хл=243 В
1п=1,6А
XN
SMAJ160
ивкл=287 В
1п=1,4 А
ХР
SMAJ160A
ивкл=259 В
1п=1.5 А
XQ
SMAJ170
иВкп=304 В
1п=1,3 А
XR
SMAJ170A
UBB1=275 В
Jn=1.4 А
ZHK
SMAZ5V1
-" -
Стабилитрон
Uct=5,1 В
1ст=100 мА
ZHL
SMAZ5V6
-" -
То же
Uct=5,6 В
1ст=100 М3
ZHN
SMAZ6V2
-" -
-" -
Uct=6,2 В
1ст=100 мА
ZHO
SMAZ6V8
UCT=6,8 В
1ст=100 мА
ZHQ
SMAZ7V5
- ” -
Uct=7,5 В
fcr=100 мА
ZHR
SMAZ8V2
-" -
Uct=8,2 В
1ст=100 мА
ZHT
SMAZ9V1
-" -
-" -
Uct=9,1 В
1ст—50 мА
ZHU
SMAZ10
-" -
-" -
Ucr=10 В
1ст=50 мА
ZHW
SMAZ12
-".
Uct=12 В
1ст=50 мА
ZHZ
SMAZ15
--
-" -
Uct=15 В
1ст=50 мА
ZJA
SMAZ16
-" -
11ст=16В
1ст=25 мА
ZJF
SMAZ18
-" -
Uct=18 В
1ст=25 мА
ZJG
SMAZ20
-" -
Ucr=20 В
1ст=25 мА
ZJK
SMAZ22
-" -
Uct=22 В
1ст=25 мА
ZJL
SMAZ24
Uct=24 В
1ст=25 мА
ZJN
SMAZ27
UCT=27В
Jct~25 мА
ZJQ
SMAZ30
ист=зоВ
1ст=25 мА
ZJR
SMAZ33
-" -
-" -
ист=ззВ
1ст~25 мА
ZJS
SMAZ36
-" -
UCT=36 В
1ст—10 мА
ZJT
SMAZ39
UCT=39 В
1ст=10 мА
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
[ZJV
SMAZ47
_ " _
Uc,=47 В
1ст™Ю мА
ZKM
SMAZ68
„ " _
U =68 В
1ст”Ю мА
ZKQ
SMAZ100
_ " _
_ " _
UCT=100 В
1с,=5 мА
ZKR
SMAZ150
_ * _
Ucr=150 В
1ст=5 мА
ZKW
SMAZ200
_ * _
Цт=200 В
1 1=5 мА
Фирма GENERAL SEMICONDUCTORS выпускает в корпусах DO-215AA (рис. 5.6) серию стабилитронов Расшифровка кодовой маркировки этой серии приведена в табл. 5.15
Рис. 5.6. Внешний вид и размеры корпуса DO-215AA
Таблица 5.75. Кодовая маркировка стабилитронов GENSEMI в корпусах DO-215AA
Код
T ип стабилитрона
Основные параметры
WA
SMZG3789A
Uc=10 В
Ict=37,5 mA
WB
SMZG3789B
Ucr=10 в
Ict=37,5 mA
WC
SMZG3790A
Ucr=11 В
Ict=34.1 mA
WD
SMZG3790B
и<п=11 В
Ict=34.1 mA
WE
SMZG3791A
Ucr=12B
Ict=31,2mA
WF
SMZG3791B
Ucr=12B
1ст”31е2 mA
WG
SMZG3792A
Uci=13B
1ст=28,8 mA
WH
SMZG3792B
Ucr=13B
Ict=28,8 mA
WI
SMZG3793A
Uct=15B
Ict=25 mA
WJ
SMZG3793B
Ucr=15B
Ict=25 mA
WK
SMZG3794A
U<n=16B
Ict=23,4 mA
WL
SMZG3794B
Uct=16B
Ict=23,4 mA
ХА
SMZG3795A
Ucr=18 В
lrr=20,8 mA
ХВ
SMZG3795B
Ucr=18B
lcr=20 8 mA
ХС
SMZG3796A
UCT=20В
lc,=18,7 mA
XD
SMZG3796B
Ucr=20B
Ict=18.7 mA
ХЕ
SMZG3797A
Uc.=22 В
Ict=1 7 mA
XF
SMZG3797B
Uct=22 В
Ict=17 mA
XG
SMZG3798A
Uk=24 В
lcr=15,6 mA
ХН
SMZG3798B
Ue,=24 В
lcr=15,6 mA
XI
SMZG3899A
Uct-27 В
lcr=13,9 mA
XJ
SMZG3899B
Uc^27B
Ict=13,9 mA
хк
SMZG3800A
Uc-30 В
lcr=12,5 mA
XL
SMZG3800B
UCT=30 В
Ict=12,5 mA
YA
SMZG3801A
0^=33 В
Ict=11,4 mA
YB
SMZG3801B
Ucr=33B
Ict=1 1,4 mA
YC
SMZG3802A
Uc=36 В
Ict=10,4 mA
YD_ _ _
SMZG3802B
Ucr=36 в
Ict-10.4 mA
Код
Тип стабилитрона
Основные параметры
YE
SMZG3803A
Uct=39 В
1ст=9,6 мА
YF
SMZG3S03B
Ucr=39 В
1ст~*9,6 мА
YG
SMZG3804A
Uct=43 В
1ст~8,7 мА
YH
SMZG3804B
Uct=43B
1ст=8,7 мА
YI
SMZG3805A
Uct=47 В
1ст~8 мА
YJ
SMZG3805B
Uct=47 В
!ст=8 мА
YK
SMZG3806A
Uct=51 В
1ст~7,3 мА
YL
SMZG3806B
UCT=51 В
1ст=7.,3 мА
ZA
SMZG3807A
Uct=56 В
1ст=6,7 мА
ZB
SMZG3807B
Ucr=56 В
1ст~6,7 мА
ZC
SMZG3808A
UCT=62 В
1ст=6 мА
ZD
SMZG3808B
Ucr=62 В
1ст=6 мА
ZE
SMZG3809A
UCT=68 В
1ст=5,5 мА
ZF
SMZG3809B
Uct=68 В
1ст=5,5 мА
Цветовая маркировка SMD диодов в корпусахSOD-80, DO-213AA, DO-213AB
Диоды в корпусах SOD-80, DO-213AA, DO-213AB маркируются цветными кольцами, причем ближнее к краю кольцо указывает на вывод катода диода (табл. 5.16).
Таблица 5.16
Тип диода
1-е кольцо
2-е кольцо
Замена
ВА682
Красное
Нет
ВА482
| ВА683
Красное
Оранжевое
ВА483
BAS32
Черное
Нет
1N4148
BAV100
Зеленое
Черное
BAV18
BAV101
Зеленое
Коричневое
BAV19
BAV102
Зеленое
Красное
BAV20
BAV103
Зеленое
Оранжевое
BAV21
ВВ215
Белое
Зеленое
ВВ405В
ВВ219
Белое
Нет
ВВ909
Маркировка излучающих светодиодов
Излучающие светодиоды можно разделить на две большие группы: светодиоды видимого излучения и светодиоды инфракрасного (ИК) диапазона. Первые применяются в качестве индикаторов и источников подсветки, последние — в устройствах дистанционного управления, приемо-передающих устройствах ИК диапазона, датчиках.
Светоизлучающие диоды маркируются цветовым кодом (табл. 5.17). Сначала необходимо определить тип светодиода по конструкции его корпуса (рис. 5.9), а затем уточнить его по цветной маркировке по таблице.
Рис. 5.7. Виды корпусов светодиодов
Таблица 5.17. Маркировка светодиодов
Маркировка
Тип светодиода
Цвет свечения
Маркировка
Тип светодиода
Цвет свечения
Красная полоса
АЛ112А(Г)
Красный
Черная точка
КИПД02А-1К
Красный
Зеленая полоса
АЛ112Б(Д)
Красный
Черная точка
КИПД02В-1Л
Зеленый
Синяя полоса
АЛ112В
Красный
Черная точка
КИПД02Е-1Ж
Желтый
Красная точка
АЛ112Е(К)
Красный
Белая точка
АЛ336И
Зеленый
Красная точка
АЛ301А
Красный
Белая точка
АЛ307И
Оранжевый
Красная точка
АЛ310А
Красный
Желтая точка
АЛ336Д
Желтый
Красная точка
АЛ316А
Красный
Две красные точки
АЛ301Б
Красный
Красная точка
АЛ336А
Красный
Две красные точки
АЛ336Б
Красный
Красная точка
КИПМ02А-1К
Красный
Две красные точки
КИПМ02Б-1К
Красный
Зеленая точка
АЛ112Ж(Л)
Красный
Две зеленые точки
АЛ336Г
Зеленый
Зеленая точка
АЛ307Г
Красный
Две зеленые точки
КИПМ02Г-1Л
Зеленый
Зеленая точка
АЛ336В
Зеленый
Две черные точки
АЛ307Е
Желтый
Зеленая точка
КИПМ02В-1Л
Зеленый
Две черные точки
КИПД02Б-1К
Красный
Синяя точка
АЛ112И(М)
Красный
Две черные точки
КИПД02Г-1Л
Зеленый
Синяя точка
АЛ310Б
Красный
Две черные точки
КИПД02Е-1Ж
Желтый
Синяя точка
АЛ316Б
Красный
Две белые точки
АЛ307Л
Оранжевый
Черная точка
АЛ307А
Красный
Две желтые точки
АЛ336Е
Желтый
Черная точка
АЛ307В
Красный
Три зеленые точки
КИПМ02Д-1Ж
Желтый
Черная точка
АЛ307Д
Желтый
Три желтые точки
АЛ336Ж
Желтый
Черная точка
АЛ336К
Красный
Нет
АЛ307Б
Красный
Зарубежные фирмы выпускают широкий диапазон светодиодов различных типов.
Рис. 5.9. Трехцветные светодиодыРис. 5.9. Трехцветные светодиодыРис. 5.10. Двухцветные диодные сборкиРис. 5.10. Двухцветные диодные сборки1 Анод (красный)2 Анод (синий)3 - Анод (зеленый)4 - Анод (синий)5 общий катод6 - общий катод1 Анод (красный)2 Анод (синий)3 - Анод (зеленый)4 - Анод (синий)5 общий катод6 - общий катодРис. 5.11. Полноцветный RGB-светодиодРис. 5.11. Полноцветный RGB-светодиод
Рис. 5.9. Трехцветные светодиоды
Рис. 5.9. Трехцветные светодиоды
Рис. 5.10. Двухцветные диодные сборки
Рис. 5.10. Двухцветные диодные сборки
1 Анод (красный)
2 Анод (синий)
3 - Анод (зеленый)
4 - Анод (синий)
5 общий катод
6 - общий катод
1 Анод (красный)
2 Анод (синий)
3 - Анод (зеленый)
4 - Анод (синий)
5 общий катод
6 - общий катод
Рис. 5.11. Полноцветный RGB-светодиод
Рис. 5.11. Полноцветный RGB-светодиод
Метке катодаМетке катодаМетка катодаоо-Метка катодаоо-красныкрасны-о зеленый-о красный-о зеленый-о красный
Метке катода
Метке катода
Метка катода
о
о-
Метка катода
о
о-
красны
красны
-о зеленый
-о красный
-о зеленый
-о красный
Рис. 5.12. SMD светодиоды:
а) одноцветный, б) трехцветные, в) RGB-светодиод
Маркировка знакосинтезирующихиндикаторов
Знакосинтезирующие индикаторы маркируются нанесением на их корпус надписи, обозначающей тип прибора.
Некоторые группы индикаторов, например, АЛ305, АЛС317, имеют маркировку цветными точками. Приводить ее нецелесообразно, поскольку тип такого индикатора легко определить визуально, а основные параметры группы одинаковы (1Пр, Unp). Различие имеет только яркость свечения. Поэтому при замене таких приборов на однотипные или подобные следует обратить внимание в первую очередь на следующее:
приборы должны быть однотипны по внутреннему соединению (с общим анодом или с общим катодом);
параметры по постоянному току должны быть близкими;
яркость свечения должна быть одинаковой при работе в группе индикаторов.
На рис. 5.13 изображены светодиодные знакосинтезирующие индикаторы ведущих зарубежных производителей.
На рис. 5.14 изображены точечно-матричные светодиодные индикаторы.
В последнее время широкое применение нашли точечно-матричные индикаторы со встроенными дешифраторами (SIEMENS, HEWLETT PACKARD, TEXAS INSTRUMENTS).
Hewlett PackardHewlett PackardKingbrightKingbrightДвухцветныйДвухцветныйKingbrightKingbrightС общим внцдом■ 3. 14С общим внцдом■ 3. 14a b с d е f g DP2a b с d е f g DP213106721191310672119С общим катодом |4 12С общим катодом |4 12a b С d е f g DP2a b С d е f g DP214136761291413676129Универсальные10435Универсальные104351212DP1|glhljlclbl87161413DP1|glhljlclbl87161413Катод ЫАнод hКатод hКатод gКатод!Анод iКатод DP2 6Катод ЫАнод hКатод hКатод gКатод!Анод iКатод DP2 616Катод bАнод b Аноду Анодд с Катоде Анод DP 2 916Катод bАнод b Аноду Анодд с Катоде Анод DP 2 9KingbrightKingbrightKingbrightKingbrightН=25,4 ммН=25,4 мм| 3.6| 3.6a| b] c| d] e] f] gj DPa| b] c| d] e] f] gj DP764219105764219105
Hewlett Packard
Hewlett Packard
Kingbright
Kingbright
Двухцветный
Двухцветный
Kingbright
Kingbright
С общим внцдом
■ 3. 14
С общим внцдом
■ 3. 14
a b с d е f g DP2
a b с d е f g DP2
1310672119
1310672119
С общим катодом |4 12
С общим катодом |4 12
a b С d е f g DP2
a b С d е f g DP2
1413676129
1413676129
Универсальные
10435
Универсальные
10435
12
12
DP1|glhljlclbl
87161413
DP1|glhljlclbl
87161413
Катод ЫАнод h
Катод hКатод g
Катод!
Анод i
Катод DP2 6
Катод ЫАнод h
Катод hКатод g
Катод!
Анод i
Катод DP2 6
16
Катод b
Анод b Аноду Анодд с Катоде Анод DP 2 9
16
Катод b
Анод b Аноду Анодд с Катоде Анод DP 2 9
Kingbright
Kingbright
Kingbright
Kingbright
Н=25,4 мм
Н=25,4 мм
| 3.6
| 3.6
a| b] c| d] e] f] gj DP
a| b] c| d] e] f] gj DP
764219105
764219105
Рис. 5.13. Светодиодные знакосинтезирующие индикаторы зарубежных производителей
Выв 1 2^Ряд 1 ооооо ооооо ооосю Ооооо ооооо оооооРяд 7 ооОООВые6 17.33 ммВыв 1 2^Ряд 1 ооооо ооооо ооосю Ооооо ооооо оооооРяд 7 ооОООВые6 17.33 ммВыв 12Выв 12Выв 7Выв 7ооооо ооооо ооООО ооооо ооооо ооооо оооооооооо ооооо ооООО ооооо ооооо ооооо ооооо»~схг>«ююг^29.5 мм50,8 мм»~схг>«ююг^29.5 мм50,8 мм
Выв 1 2^
Ряд 1 ооооо ооооо ооосю Ооооо ооооо ооооо
Ряд 7 ооОООВые6 17.33 мм
Выв 1 2^
Ряд 1 ооооо ооооо ооосю Ооооо ооооо ооооо
Ряд 7 ооОООВые6 17.33 мм
Выв 12
Выв 12
Выв 7
Выв 7
ооооо ооооо ооООО ооооо ооооо ооооо ооооо
ооооо ооооо ооООО ооооо ооооо ооооо ооооо
»~схг>«ююг^
29.5 мм
50,8 мм
»~схг>«ююг^
29.5 мм
50,8 мм
Рис. 5.14. Точечно-матричные светодиодные индикаторы
Фотодиоды
Фотодиоды служат для преобразования световой энергии в электрический ток и применяются в системах автоматики, дистанционного управления бытовой радиоаппаратурой.
Фотодиоды выпускаются в различном исполнении: металлических или пластмассовых корпусах, для навесного и поверхностного монтажа, со встроенным усилителем, гибридные и другие.
Фотодиоды в металлических корпусах имеют выступ у вывода анода.
На рис. 5.15 изображены некоторые типы фотодиодов с указанием назначения их выводов.
На рис. 5.16 изображен гибридный фотодиод, включающий как приемный фотодиод, так и излучающий светодиод.
Рис. 5.15. Фотодиоды
10530GAL
10530HAL
Рис. 5.16. Гибридный фотодиод
10530KAL
Транзисторы
Транзисторы для навесного монтажа выпускаются в корпусах различного типа. На рис. 5.17 показана наиболее распространенная их часть.
то-з
ТОЗР/
ТО247
ТО126/
SOT32
ТО262/
ТО251
О
4* (ТАВ)
1 2 3
Рис. 5.17. Корпуса транзисторов для навесного монтажа
1 23
SOT199
Среди новых типов транзисторов следует отметить появление так называемых «цифровых» транзисторов. Они отличаются от обычных транзисторов наличием встроенных одного или двух резисторов смещения, которые включаются или в цепь базы, или в цепь базы и цепь база-эмиттер (рис. 5.18).
С(3)С(3)Е(2)Е(2)тип 22тип 22
С(3)
С(3)
Е(2)
Е(2)
тип 22
тип 22
Рис. 5.18. Виды цифровых транзисторов
Особенности кодовой и цветовой маркировкиотечественных транзисторов
Кодовая или цветовая маркировка наносится, как правило, на транзисторы в корпусе КТ-26 (ТО-92) или КТ-27 (ТО-126). В свою очередь кодовая и цветовая маркировки подразделяются на стандартные и нестандартные.
Стандартная кодовая маркировка транзисторов
в корпусе КТ-26 (ТО-92)
Первый вариант маркировки
При стандартной кодовой маркировке на корпус транзистора наносится информация о его типе, группе, дате выпуска.
Тип транзистора обозначается особым символом, группа — соответствующей буквой русского алфавита, год выпуска — буквой латинского алфавита, месяц выпуска — цифрой от 1 до 9 или буквой латинского алфавита (табл. 5.18).
АБВ ГДЕЖИ КЛМАБВ ГДЕЖИ КЛМ• КТ6В1• КТ6В1" КТ6В9 jl кпюз" КТ6В9 jl кпюзРис. 5.19. Кодовая маркировка отечественных транзисторов в корпусе КТ-26 (1-й вариант)Рис. 5.19. Кодовая маркировка отечественных транзисторов в корпусе КТ-26 (1-й вариант)1986 —UЯнварь — 11987 —МФевраль — 21988 —WМарт — 31989 —XАпрель — 4199b — АМай — 51991 —DИюнь — 61992 —СИюль — 71993 —DАвгуст — 81994 —ЕСентябрь — 91995 —FОктябрь — О1996 —ННоябрь — N1997 — 1Декабрь — D1998 —К1999 —L2000 —М1986 —UЯнварь — 11987 —МФевраль — 21988 —WМарт — 31989 —XАпрель — 4199b — АМай — 51991 —DИюнь — 61992 —СИюль — 71993 —DАвгуст — 81994 —ЕСентябрь — 91995 —FОктябрь — О1996 —ННоябрь — N1997 — 1Декабрь — D1998 —К1999 —L2000 —МГод выпускаГод выпускаМесяц выпускаМесяц выпуска
АБВ ГДЕЖИ КЛМ
АБВ ГДЕЖИ КЛМ
• КТ6В1
• КТ6В1
" КТ6В9 jl кпюз
" КТ6В9 jl кпюз
Рис. 5.19. Кодовая маркировка отечественных транзисторов в корпусе КТ-26 (1-й вариант)
Рис. 5.19. Кодовая маркировка отечественных транзисторов в корпусе КТ-26 (1-й вариант)
1986 —U
Январь — 1
1987 —М
Февраль — 2
1988 —W
Март — 3
1989 —X
Апрель — 4
199b — А
Май — 5
1991 —D
Июнь — 6
1992 —С
Июль — 7
1993 —D
Август — 8
1994 —Е
Сентябрь — 9
1995 —F
Октябрь — О
1996 —Н
Ноябрь — N
1997 — 1
Декабрь — D
1998 —К
1999 —L
2000 —М
1986 —U
Январь — 1
1987 —М
Февраль — 2
1988 —W
Март — 3
1989 —X
Апрель — 4
199b — А
Май — 5
1991 —D
Июнь — 6
1992 —С
Июль — 7
1993 —D
Август — 8
1994 —Е
Сентябрь — 9
1995 —F
Октябрь — О
1996 —Н
Ноябрь — N
1997 — 1
Декабрь — D
1998 —К
1999 —L
2000 —М
Год выпуска
Год выпуска
Месяц выпуска
Месяц выпуска
Второй вариант маркировки
При втором варианте маркировки надписи на корпусе обозначают: верхняя — тип транзистора, нижняя — его группу.
КТ375ВКТ399ГМКТ3102ГКТ3102ЕКТ3107БКТ375ВКТ399ГМКТ3102ГКТ3102ЕКТ3107БКТ208А1 КТ306АМ КТ325БМ КТ337А КГ342Б КТ350А КТ373Б КТ375А КТ645АКТ208А1 КТ306АМ КТ325БМ КТ337А КГ342Б КТ350А КТ373Б КТ375А КТ645А
КТ375В
КТ399ГМ
КТ3102Г
КТ3102Е
КТ3107Б
КТ375В
КТ399ГМ
КТ3102Г
КТ3102Е
КТ3107Б
КТ208А1 КТ306АМ КТ325БМ КТ337А КГ342Б КТ350А КТ373Б КТ375А КТ645А
КТ208А1 КТ306АМ КТ325БМ КТ337А КГ342Б КТ350А КТ373Б КТ375А КТ645А
Рис. 5.20. Кодовая маркировка отечественных транзисторовв корпусе КТ-26 (2-й вариант)
Стандартная цветовая маркировка транзисторов
в корпусе КТ-26 (ТО-92)
При стандартной цветовой маркировке на корпус транзистора наносится информация о его типе, группе, дате выпуска (см. рис. 5.21 на цветной вкладке).
Второй вариант цветовой маркировки можно назвать упрощенным: маркировка состоит из двух точек, нанесенных на корпус транзистора. Одна из точек обозначает тип транзистора, вторая — его группу (см. рис. 5.22 на цветной вкладке).
Рекомендации по замене диодови транзисторов
При замене выпрямительных диодов аналоги следует подбирать, исходя из того, что прямой ток и допустимое обратное напряжение аналога должно быть не меньше значений этих параметров оригинального диода. При работе диодов в импульсных цепях, например в импульсных блоках питания, следует обращать внимание на пиковые значения прямого тока и обратного напряжения.
При подборе замены точечных диодов, обеспечивающих выпрямление слабых сигналов высокой частоты, необходимо обращать внимание на материал полупроводника из которого изготовлен оригинальный диод. Наибольшее значение выпрямленного напряжения обеспечивают германиевые точечные диоды. Особенно критичен подбор таких диодов в тех цепях, где выпрямленный высокочастотный сигнал является управляющим для какой-то схемы управления. Пример — управление режимами прием/передача внешнего дополнительного усилителя мощности радиостанции Си-Би связи.
При подборе аналога заменяемого транзистора в первую очередь следует определить выполняемую им функцию в схеме радиоэлектронного устройства. В цепях питания обращают внимание на такие параметры, как максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, максимальный ток коллектора, максимально допустимую мощность рассеивания на коллекторе. В схемах управления, ключевых каскадах, схемах управления строчной разверткой, импульсных блоках питания подбирают транзисторы по наиболее близким параметрам оригинального транзистора, поскольку при неправильном подборе транзистор может перейти к активному режиму работы вместо ключевого, что вызовет его перегрев и выход из строя. В последнее время в качестве ключевых используются так называемые “цифровые транзисторы” — транзисторы, имеющие встроенные один или два резистора смещения. Мощные ключевые транзисторы могут иметь встроенный диод, включенный в обратной полярности параллельно переходу коллектор-эмиттер. При замене высокочастотных транзисторов следует учитывать предельную рабочую частоту транзистора.
Перед тем, как заменить неисправный транзистор и испытать работу устройства, следует проанализировать причины, вызвавшие неисправность и возможный выход из строя других элементов.
Маркировка полупроводниковыхSMD радиокомпонентов
Маркировка некоторых типов SMD диодов была описана выше. В данной главе описана маркировка SMD радиокомпонентов в корпусах с числом выводов более двух.
Идентификация SMD компонентов помаркировке
SMD компоненты слишком малы, чтобы на них можно было нанести полную информацию о типе прибора. Вместо этого производители компонентов используют произвольную систему кодирования с простыми двух- или трехсимвольными идентификационными кодами.
Идентификация типа SMD приборов различных производителей по их коду достаточно трудоемкая задача, связанная с необходимостью просмотра большого объема технической документации. Приводимая ниже система идентификации позволяет значительно облегчить эту работу.
Типы корпусов SMD транзисторов
SMD транзисторы выпускаются в корпусах SOT23, SOT323, SOT223, SOT89, SOT143, SOT343, SOT363, ТО-262, ТО-263, ТО-252, SC.63 (рис. 6.1)
Рис. 6.1. Типы корпусов SMD транзисторов
Как определить типполупроводникового прибора
Первое, что необходимо помнить при определении типа SMD полупроводникового прибора по его кодировке — это то, что часто различные по типам и параметрам полупроводниковые приборы имеют на корпусе одинаковую маркировку. Поэтому при определении типа прибора следует учитывать следующее:
к какой группе может принадлежать прибор (диод, транзистор, ИМС);
всегда обращать внимание на то, с какими фирмами-производителями радиоэлектронных компонентов работает фирма-производитель ремонтируемой Вами аппаратуры. Их может быть несколько и косвенно информацию можно получить, проанализировав несколько образцов техники. Например, могут быть использованы цифровые ИМС от фирмы TOSHIBA, транзисторы от фирмы MOTOROLA, аналоговые микросхемы от фирмы ANALOG DEVICES. Соответственно, при определении типа прибора для такой аппаратуры следует выбирать полупроводниковые приборы именно этих фирм;
обращать внимание на то, что некоторые фирмы-производители радиоэлектронной аппаратуры имеют свои производства по всему миру. Поэтому круг поставщиков радиокомпонентов для этих фирм может незначительно отличаться.
Чтобы идентифицировать тип SMD компонента, сначала определяют код, нанесенный на прибор. Затем находят первый символ кода в алфавитно-цифровом списке в левой части таблицы и по типу корпуса уточняют тип прибора.
Цоколевку прибора можно определить по рисунку с соответствующим кодом цоколевки, указанным в таблице. К сожалению, код каждого прибора не обязательно уникален. Например, код 1А имеют транзисторы ВС846А и FMMT3904. Даже один производитель может использовать один и тот же код для маркировки различных приборов. В этом случае следует использовать дополнительную информацию для его правильной идентификации.
Некоторые производители используют дополнительные буквы, указывающие на собственный код идентификации. Так, фирма PHILIPS обычно добавляет к коду строчную букву р, а фирма SIEMENS — строчную букву s.
Например, если код прибора в корпусе SOT23 — 1 Ар, то необходимо искать код 1А. Согласно табл. 6.2 имеются шесть вариантов с таким кодом (пример — табл. 6.1).
Таблица 6.1
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/ краткое описание
1А
ВС846А
Phi ITT Mot
SOT23
T1a
Sl-N ВС546А
1А
BC846AW
Motorola
SOT323
T1a
Sl-N ВС546А
1А
FMMT3904
Zetex
SOT23
Т1а
Sl-N 2N3904
1А
SXT3904
Infineon
SOT89
ТЗа
Sl-N 40V200 мА 2N3904
1А
ММВТ3904
Motorola
SOT23
Т1а
Sl-N 2N3904
1А
IRLML24O2
IR
SOT23
Т1с
N-кан полевой 20 В 0.9 А
Однако наличие суффикса «р» говорит о производителе — фирме PHILIPS, и прибор в данном корпусе однозначно определяется как транзистор ВС846А.
Многие приборы фирмы ROHM, код которых начинается с буквы R или G, имеют прямым эквивалентом код, найденный в оставшейся части. Например, код RA1, так же как и А1, обозначает диод BAW56, а код G6B, так же как и 6В, обозначает транзистор ВС817-25. Код некоторых транзисторов этой фирмы имеет в конце дополнительную букву, указывающую на коэффициет усиления 11213-
Некоторые из новых устройств фирмы MOTOROLA имеют маленькую надпись после кода устройства типа SAC, которая обозначает просто месяц изготовления.
Дальнейшее уточнение может быть получено по типу корпуса прибора. Например, код 1К на корпусе SOT23 относится к транзистору ВС848В (250 мВт), а код 1К на корпусе SOT323 идентифицирует прибор как BC848BW (идентичный, но с Р=200 мВт).
Суффикс L обычно указывает на корпус с низким профилем, типа SOT323 или SC70.
Устройства с обратным расположением выводов часто имеют суффикс R (reverse) в обозначении типа. Например: 67 — код для BFP67 в корпусе SOT143, a 67R — код для варианта с обратным расположением выводов BFP67R в корпусе SOT143R.
.3.1. Эквиваленты и дополнительнаяинформация
В таблице, где это возможно, дается соответствующий данному SMD компоненту тип обычных приборов с эквивалентными характеристиками. Если такое устройство достаточно известно, то подробная информация не дается, в противном случае иногда приводится некоторая дополнительная информация.
Для приборов, не имеющих обычного эквивалента, часто дается краткое описание, которое может быть полезно для его поиска и замены.
При описании характеристик устройства некоторые приводимые данные обозначают, исходя из основных параметров прибора. Например, напряжение, указанное для диода, обычно обозначает максимальное обратное напряжение, а для стабилитрона — напряжение стабилизации. Обычно в описании, где определены напряжение, ток или мощность, задаются максимальные их значения.
Например, устройство, указанное как N-P-N 20В 0,1 А 1Вт — это NPN транзистор с максимальным иКэ=20 В, максимальным током коллектора 100 мА и максимальной мощностью 1 Вт.
Некоторые из транзисторов (цифровые транзисторы) имеют встроенные в их корпус резисторы. В таблице резистор базы означает резистор, соединенный последовательно с базой. Когда даны два значения резисторов, то первый соединен последовательно с базой, а второй включен в цепь между базой и эмиттером. Цоколевки SMD полупроводниковых приборов (транзисторов, диодов, микросхем) приведены в приложении 4 на стр. 210.
В табл. 6.2 приведена кодовая маркировка SMD транзисторов (биполярных и полевых), диодов, диодных сборок, микросхем.
Таблица 6.2
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
005
SSTPAD5
Siliconix
SOT23
D1f
PAD-5 5nA — ток утечки диода
010
SSTPAD10
Siliconix
SOT23
D1f
PAD-10 ЮпА — ток утечки диода
02
BST82
Philips
SOT23
Tid
N-кан. полевой МОП 80 В 175 мА
02
MRF5711L
Motorola
SOT143
T4a
SiNPN ВЧ MRF 571
02
DTCC114T
Rohm
SOT23
T1a
Si NPN 50В ЮОмА ключевой + ЮкОм (резистор в цепи базы)
020
SSTPAD20
Siliconix
SOT23
D1f
PAD-20 20пА — ток утечки диода
03
DTC143TUA
Rohm
SOT323
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА
200мВт 1>250МГц +4,7кОм (резистор в цепи базы)
03
DTC143TKA
Rohm
SOT346
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА
200мВт 1>250МГц + 4,7кОм (резистор в цепи базы)
03
DTC143TE
Rohm
SOT416
T1a
Si Цифровой NPN 50В ЮОмА
150мВт 1>250МГц + 4,7кОм (резистор в цепи базы)
04
DTC114TKA
Rohm
SOT346
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 200мВт 1>250МГц + ЮкОм (резистор в цепи базы)
04
DTC114TUA
Rohm
SOT323
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 200мВт 1>250МГц +
ЮкОм (резистор в цепи базы)|
04
DTC114TE
Rohm
SOT416
Tia
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт 1>250МГц + ЮкОм (резистор в цепи базы)
04
MRF4427
Motorola
SOT143
T4a
Si NPN 40В 400мА 220мВтГ=1600МГц
04
MRF5211L
Motorola
SOT143
T4a
Si PNP СВЧ MRF 521 20В 70мА 300мВт 4200МГц
047
FCX1047A
Zetex
SOT89
T3a
Si NPN ключевой 10В 4А|
05
DTC143TKA
Rohm
SOT346
Tia
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 200мВт Г>250МГц + I
22кОм (резистор в цепи базы)|
05
DTC124TUA
Rohm
SOT323
T1a
Si цифровой NPN 50В 10ОмА 200мВт 1>250МГц + I
22кОм (резистор в цепи базы)|
05
DTC143TE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт1>250МГц + 1
22кОм (резистор в цепи базы)|
05
MRF 9331LT1
Motorola
SOT143
T4a
Si NPN 15В 2мА50мВт 3500МГц|
050
SSTPAD50
Siliconix
SOT23
D1f
PAD-50 50пА — ток утечки диода
051
FCX1051A
Zetex
SOT89
T3a
Si NPN ключевой 40В ЗА
06
DTC144TKA
Rohm
SOT346
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 200мВт 1>250МГц + 47кОм (резистор в цепи базы)
06
DTC144TUA
Rohm
SOT323
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 200мВт 1>250МГц + 47кОм (резистор в цепи базы)
06
DTC144TE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт >250МГц + 47кОм (резистор в цепи базы)
09
DTC115TUA
Rohm
SOT323
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 200мВт 1>250МГц+ ЮОкОм (резистор в цепи базы)
09
DTC115TKA
Rohm
SOT346
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 200мВт 1>250МГц + ЮОкОм (резистор в цепи базы)
09
DTC115TE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА
150мВт 1>250МГц + ЮОкОм (резистор в цепи базы)
ОА
MUN5111DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP ЮкОм+ЮкОм (резистор смещения)
ОВ
MUN5112DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP 22кОм+22кОм (резистор смещения)|
ОС
MUN5113DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP 47кОм+47кОм (резистор смещения)|
0D
MUN5114DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP ЮкОм+47кОм (резистор смещения)[
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
ОЕ
MUN5115DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP ЮкОм (резистор в цепи базы)
OF
MUN5116DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP 4,7кОм (резистор в цепи базы)
0G
MUN5130DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP 1кОм+1кОм (резистор смещения)
ОН
MUN5131DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP 2,2кОм+2,2кОм (резистор смещения)
0J
MUN5132DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP 4 7кОм+4,7кОм (резистор смещения)
ОК
MUN5133DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP 4,7кОм+47кОм (резистор смещения)
01
MUN5134DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP 22кОм+47кОм (резистор смещения)
ОМ
MUN5135DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP 2,2кОм+47кОм (резистор смещения)
10
MRF 9411LT1
Motorola
SOT323
T4a
Si NPN СВЧ 8ГГц MRF 941 20В 50мА 250мВт
10
MRF9411L
Motorola
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ 8ГГц MRF 941 20В 50мА 250мВт
100
SSTPAD10O
Siliconix
SOT23
D1f
PAD-100 ЮОлА— ток утечки диода
10Y
BZV49-C10
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 10В
11
MRF 9511L
Motorola
SOT143
T4a
SiNPN ВЧ 8ГГцМРР 951
11
MUN5311DW1
Motorola
SOT363
T6c
Si NPN/PNP ЮкОм+ЮкОм (резистор смещения)
11
MMBD1501
Fairchild
SOT23
D1a
Si диод 200В ЮОмА
11Y
BZV49-C11
Philips
SOT89
D3b
стабилитрон 1 Вт 11В
12
MUN5312DW1
Motorola
SOT363
T6c
Si NPN/PNP 22кОм+22кОм (резистор смещения)
12
DTA123EE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт Г>250МГц + 2,2кОм (резистор в цепи базы) + 2,2кОм (резистор в цепи Б-Э)
12Е
ZC2812E
Zetex
SOT23
D1l
Сдвоен диод Шоттки
12Y
BZV49-C12
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 12В
13
MUN5313DW1
Motorola
SOT363
T6c
Si NPN/PNP 47кОм+47кОм (резистор смещения)
13
MMBD1503
Fairchild
SOT23
D1l
Сдвоен диод 180В 200мА
13
DTA143EE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт Г>250МГц + 4,7кОм (резистор в цепи базы) + 4,7кОм (резистор в цепи Б-Э)
13Е
ZC2813E
Zetex
SOT23
D1j
Сдвоен диод Шоттки
13s
BAS125W
Infineon
SOT323
D1a
Диод Шоттки 25В ЮОмА
13Y
BZV49-C13
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 13В
14
MUN5314DW1
Motorola
SOT363
T6c
Si NPN/PNP ЮкОм (резистор в цепи базы)
14
DTA114E
Rohm
SOT23
T1a
Si PNP ключевой ЮкОм + ЮкОм (резистор смещения)
14
DTA114EE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт >250МГц + ЮкОм (резистор в цепи базы) + ЮкОм (резистор в цепи Б-Э)
14
MMBD1504
Fairchild
SOT23
D1h
Сдвоен диод с общ катодом 180В 200мА
147
FCX1147A
Zetex
SOT89
T3a
Si PNP ключевой ЮВ 4А
14s
BAS 125-04W
Infineon
SOT323
D1l
Сдвоен диод Шоттки 25 В ЮОмА
15
DTA124E
Rohm
SOT23
T1a
Si PNP ключевой ЗОВ 50мА + 22кОм (резистор в цепи базы) + 22кОм (резистор в цепи Б-Э)
15
DTA124EE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт>250МГц + 22кОм (резистор в цепи базы) + 22кОм (резистор в цепи Б-Э)
15
MUN5315DW1
Motorola
SOT363
T6c
Si NPN/PNP ЮкОм (резистор в цепи базы)
15
MMBT3960
Motorola
SOT23
T1a
2N3960
15
MMBD1505
Fairchild
SOT23
D1J
Сдвоен диод с общ анодом 180В 200мА
151
FCX1151A
Zetex
SOT89
T3a
Si PNP ключевой 40В ЗА
15s
BAS125-05W
Infineon
SOT323
D1h
Сдвоен диод Шоттки 25В ЮОмА
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
15Y
BZV49-C15
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 15В
16
DTA144E
Rohm
SOT23
T1a
Si PNP ключевой ЗОВ 50мА + 47кОм (резистор в цепи базы) + 47кОм (резистор в цепи Б-Э)
16
DTA144EE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт Г>250МГц + 47кОм (резистор в цепи базы) + 47кОм (резистор в цепи Б-Э)
16
MUN5316DW1
Motorola
SOT363
T6c
Si NPN/PNP 4,7кОм (резистор в цепи базы)
16s
BAS125-06W
Infineon
SOT323
D1j
Сдвоен диод Шоттки 25В ЮОмА
16Y
BZV49-C16
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 16В
17
BAS125-07
Siemens
SOT143
D4d
Сдвоен диод Шоттки 25В ЮОмА|
179
FMMT5179
Zetex
SOT23
Tia
2N5179
18
MRF 9331LT1
Motorola
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 8ГГц 15В 2мА
18
MRF 9411BLT1
Motorola
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 8ГГц 20В 50мА
18
MRF 9411BLT3
Motorola
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 8ГГц 20В 50мА
18
BFP181T
Telefunken
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 7.8ГГЦ 10В 20мА
18А
MMBZ5221B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 2В4
18В
MMBZ5222B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 2В5
18С
MMBZ5223B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 2В7
18D
MMBZ5224B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 2В8
18Е
MMBZ5225B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт ЗВО
18Y
BZV49-C18
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 18В
19
DTA115EE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт >250МГц + ЮОкОм (резистор в цепи базы) + ЮОкОм (резистор в цепи Б-Э)
1А
ВС846А
Phi ITT Mot
SOT23
T1a
Si NPN ВС546А
1А
BC846AW
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN BC546A
1А
FMMT3904
Zetex
SOT23
T1a
Si NPN 2N3904
1А
SXT3904
Infineon
SOT89
T3a
Si NPN 40B 200mA 2N3904
1А
ТМРТ3904
Alleg
SOT23
Tia
Si NPN 60В 300МГц
1А
IRLML2402
IR
SOT23
T1c
N-кан полевой МОП 20В 0,9А
1АМ
ММВТ3904
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN 2N3904
1В
ВС846В
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN BC546B
1В
BC846BW
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN BC546B
1В
FMMT2222
Zetex
SOT23
T1a
Si NPN 2N2222
1В
ММВТ2222
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN 2N2222
1В
IRLML2803
IR
SOT23
T1c
Р-кан полевой МОП ЗОВ 0,9А
1 Вр
ВС846В
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN ВС546В
1BR
BC846BR
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN BC546B
1BS
ВС846В
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN BC546B
1BZ
FMMT2222
Zetex
SOT23
T1a
Si NPN 2N2222
10
FMMT-A20
Zetex
SOT23
T1a
MPSA20
10
MMBTA20L
Motorola
SOT23
T1a
MPS3904
10
IRLML6302
IR
SOT23
T1c
Р-кан полевой МОП 20В 0,6А
10
KST20
Samsung
SOT23
T1a
Si NPN 300В 500мА
10s
BC847S
Infineon
SOT363
T6c
2xSi NPN ВС847
1D
ВС846
Philips
SOT23
T1a
ВС456
1D
ММВТА42
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN MPSA42 300B
1 Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
1D
IRLML5103
IR
SOT23
T1c
Р-кан полевой МОП ЗОВ 0,6А
1D
ТМРТА42
Alleg
SOT23
Т1а
Si NPN ЗООВ 50МГц
1DN
2SC4083
Rohm
SOT23
Tia
Si N PN 11В 3 2ГГц для ТВ тюнеров
1DR
MSD1328R
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN 25В 500мА
1DS
BC846S
Infineon
SOT363
T6c
2xSi NPN ВС456
1Е
ВС847А
Phi ITT
SOT23
Tia
Si NPN BC547A
IE
BC847AW
Motorola
SOT323
Tia
Si NPN BC547A
1Е
FMMT-A43
Zetex
SOT23
T1a
MPSA43
1Е
ММВТА43
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN MPSA43 2008
1EN
2SC4084
Rohm
SOT23
T1a
Si NPN 20B 2 ОГГц для ТВ тюнеров
1F
ВС847В
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN BC547B
1F
BC847BW
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN BC547B
1F
ММВТ5550
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN 2N5550 140B
1G
ВС847С
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN BC547C
1G
BC847CW
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN BC547C
1G
FMMT-A06
Zetex
SOT23
Tia
Si NPN MPSA06
1GM
ММВТА06
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN MPSA06
1GT
SOA06
STM
SOT23
T1a
Si NPN MPSA06
1Н
ВС847
Philips
SOT23
T1a
BC547
1Н
FMMT-A05
Zetex
SOT23
Tia
MPSA05
1Н
ММВТА05
Motorola
SOT23
Tia
MPSA05
1НТ
SOA05
STM
SOT23
T1a
MPSA05
и
ВС848А
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN BC548A
и
BC848AW
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN BC548A
и
FMMT2369
Zetex
SOT23
Tia
2N2369
и
ММВТ2369
Motorola
SOT23
Tia
MPS2369
1JA
ММВТ2369А
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN MPS2369A
Up
BCV61A
Phi ITT
SOT143
T4|
Si NPN ЗОВ 100мА
Us
BCV61A
Infineon
SOT143
T4i
Si NPN токовое зеркало hats 180
1К
ВС848В
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN BC548B
1К
BC848BW
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN BC548B
1К
ММВТ6428
Motorola
SOT23
T1a
MPSA18 50B
1К
FMMT4400
Zetex
SOT23
T1a
2N4400
1КМ
ММВТ6428
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN MPSA18 50B
1Кр
BCV61B
Phi ITT
SOT143
T4l
Si NPN 30B 100mA
1Ks
BCV61B
Infineon
SOT143
T4l
Si NPN токовое зеркало hats 290
1L
ВС848С
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN BC548C
1L
ВС848С
Motorola
SOT323
Tia
Si NPN BC548C
11
ММВТ6429
Motorola
SOT23
Tia
SiNPNMPSA18 45B
1L
FMMT4401
Zetex
SOT23
T1a
2N4401
Ир
BCV61C
Phi ITT
SOT143
T4i
Si NPN ЗОВ ЮОмА
11s
BCV61C
Infineon
SOT143
T4l
Si NPN токовое зеркало Ьггэ 520
1М
ММВТА13
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN MPSA13 схема Дарлингтона (составной транзистор)
1М
FMMT-A13
Zetex
SOT23
T1a
Si NPN MPSA13 схема Дарлингтона (составной транзистор)
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
1Мр
ВС848
Philips
SOT23
T1a
ВС548
1N
FMMT-A14
Zetex
SOT23
T1a
Si NPN MPSA14 схема Дарлингтона (составной транзистор)
1N
ММВТА14
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN MPSA14 схема Дарлингтона (составной транзистор)
10s
BC846PN
Infineon
SOT363
Тбс
PNP/Si NPN сборка НЧ
1Р
FMMT2222A
Zetex
SOT23
Т1а
Si NPN 2N2222A
1Р
ММВТ2222А
Motorola
SOT23
Т1а
SiNPN2N2222A
1Р
MMBT2222AW
Motorola
SOT323
Т1а
Si NPN 2N2222A
1 Ps
BC847PN
Infineon
SOT363
Тбс
PNP/Si NPN сборка НЧ
1Q
ММВТ5088
Motorola
SOT23
Т1а
MPSA18 ЦкэЗОВ
1R
ММВТ5089
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN MPSA18UK3 25B
1S
ММВТ2369А
NatSemi
SOT23
Т1а
Si NPN 2N2369A 500МГц ключевой
1S
MSC3130
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN ВЧ f = 1,4ГГц 10B
1Т
ММВТ3960А
Motorola
SOT23
Т1а
2N3960A|
1U
ММВТ2484
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN MPSA18
1V
ММВТ6427
Motorola
SOT23
Т1Ь
Si NPN 2N6426/7 схема Дарлингтона (составной транзистор)
1V
BF820
ITT
SOT23
Т1а
Si NPN 300В ЗОмА
1Вт
FMMT3903
Zetex
SOT23
Т1а
2N3903
1Вт
BF821
ITT
SOT23
Т1а
Si PNP300B30mA
1Х
MMBT930L
Motorola
SOT23
Т1а
MPS3904
1Х
BF822
ITT
SOT23
Т1а
Si NPN 250B 30mA
1Y
ММВТ3903
Motorola
SOT23
Т1а
2N3903
1Y
BF823
ITT
SOT23
Т1а
Si PNP 250B 30mA
1Z
BAS70-06
Zetex
SOT23
D1j
Пара диодов Шоттки
1Z
ММВТ6517
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN 2N6517UK3 350B
20
MRF 5811
Motorola
SOT143
Т4а
Si NPN СВЧ f--5ГТц 0,2A
20
MMBT2907AW
Motorola
SOT323
Т1а
Si PNP MPS2907
200
SSTPAD200
Sihconix
SOT23
D1f
PAD-200 200nA — ток утечки диода
20F
TSDF1220
Telefunken
SOT143
Т4а
Si NPN f = 12ГГц6В20мА
20Y
BZV49-C20
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 20В■
22
DTC123EE
Rohm
SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт 1>250МГц + 2,2кОм (резистор в цепи базы) + 2,2кОм (резистор в цепи Б-Э)
22
ММВТ4209
NatSemi
SOT23
Т1а
Si NPN ключевой 850МГц 2N4209
22Y
BZV49-C22
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 22Вj
23
ММВТ3646
NatSemi
SOT23
Т1а
Si NPN ключевой 350МГц 2N3646j
23
DTC143E
Rohm
SOT23
Т1а
Si NPN ключевой 50В ЮОмА + 4,7кОм|
(резистор смещения)|
23
DTC143EE
Rohm
SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт/>250МГц + 4,7кОм (резистор в цепи базы) + 4,7кОм (резистор в цепи Б-Э)
24
MMBD2101
NatSemi
SOT23
D1a
Si диод 100В 200мА
24
DTC114E
Rohm
SOT23
Т1а
Si NPN ключевой 50В Ю0мА + ЮкОм (резистор смещения)
24
DTC114EE
Rohm
SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт Г>250МГц + | ЮкОм (резистор в цепи базы) +ЮкОм I (резистор в цепи Б-Э) J
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание|
24Y
8ZV49-C24
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 24 В
25
MMBD2102
NatSemi
SOT23
D1b
Si диод 100В 200мА
25
DTC124E
Rohm
SOT23
T1a
Si NPN ключевой 50В 10ОмА + 22кОм (резистор в цепи базы) + 22кОм (резистор в цели Б-Э)
25
DTC123EE
Rohm
SOT416
Tia
Si цифровой NPN 50В 10ОмА 150мВт 1>250МГц + 22кОм (резистор в цепи базы) + 22кОм (резистор в цепи Б-Э)
26
MMBD2103
NatSemi
SOT23
D1l
Сдвоен диод MMBD1201
26
DTC144E
Rohm
SOT23
T1a
Si NPN ключевой 50В ЗОмА + 47кОм (резистор смещения)
27
MMBD2104
NatSemi
SOT23
D1h
Сдвоен диодММВО1201
27Y
BZV49-C27
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 27В
28
BFP280T '
Telefunken
SOT143
T4d
Si NPN СВЧ f = 7ГГц 8В 10мА
28
MMBD2105
NatSemi
SOT23
D1J
Сдвоен диодММВО12О1
29
DTC115EE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В 10ОмА 150мВт 1>250МГц + ЮОкОм (резистор в цепи базы) + ЮОкОм (резистор в цели Б-Э)
29
MMBD1401
Fairchild
SOT23
D1a
Si диод 175В 200мА
2А
ММВТ3906
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 2N3906
2А
SXT3906
Infineon
SOT89
T3a
Si PNP ключевой 40В 200мА 2N3906
2А
MMBT3906W
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP 2N3906
2А
FMMT3906
Zetex
SOT23
Tia
Si PNP 2N3906
2В
ВС849В
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN BC549B
2В
FMMT2907
Zetex
SOT23
Tia
2N2907
2С
ВС849С
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN BC549C
2С
ММВТА70
Motorola
SOT23
Tia
MPSA70
2D
ММВТА92
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP MPSA92 Цкэ 300B
2Е
ММВТА93
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP MPSA93 Цкэ 200B
2Е
FMMTA93
Zetex
SOT23
T1a
MPSA93
2F
ВС850В
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN BC550B
2F
FMMT2907A
Zetex
SOT23
T1a
Si PNP 2N2907A
2F
SXT2907A
Infineon
SOT89
T3a
Si PNP ключевой 60В 600мА
2F
ММВТ2907А
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP MPS2907A
2G
ВС850С
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN BC550C
2G
FMMTA56
Zetex
SOT23
T1a
MPSA56
2GM
ММВТА56
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP MPSA56
2GT
SOA56
SGS
SOT23
T1a
Si PNP MPSA56
2Н
FMMT-A55
Zetex
SOT23
T1a
MPSA55
2Н
ММВТА55
Motorola
SOT23
T1a
SI PNP MPSA55
2НТ
SOA55
SGS
SOT23
T1a
MPSA55
2J
ММВТ3640
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP MPS3640 ключевой
2К
FMMT4402
Zetex
SOT23
T1a
2N4402
2К
ММВТ8598
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 2N4125 60B
21 .
ММВТ5401
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP2N5401 150B
2L
FMMT4403
Zetex
SOT23
Tia
2N4403
2М
FMMT5087
Zetex
SOT23
T1a
2N5087
2М
ММВТ404
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP ключевой 24В 150мА
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание|
2N
ММВТ404А
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP ключевой 35В 150мА|
2Р
ММВТ5086
Motorola
SOT23
T1a
2N5086
2Р
SXT2222A
Infineon
SOT89
T3a
Si NPN ключевой 40В 600mA
2Q
ММВТ5087
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 2N5087
2R
HSMS-8202
HP
SOT23
Dig
Диод Шоттки смесит пара 10-14ГГЦ
2Т
504403
SGS
SOT23
T1a
Si PNP 2N4403
2Т
ММВТ4403
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 2N4403
2Т
НТ2
Zetex
SOT23
T1a
Si PNP 80В ЮОмА
2U
ММВТА63
Motorola
SOT23
T1b
MPSA63 схема Дарлингтона (составной транзистор)
2V
ММВТА64
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP MPSA64 схема Дарлингтона (составной транзистор)
2W
FMMT3905
Zetex
SOT23
T1a
2N3905
2W
ММВТ8599
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP2N4125 11кэ 80В
2Х
504401
SGS
SOT23
T1a
Si NPN 2N4401
2Х
ММВТ4401
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN 2N4401
2Y4
BZV49-C2V4
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 2,4 В
2Y7
BZV49-C2V7
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1Вт 2,7 В
2Z
BAS70-04
Zetex
SOT23
Dig
Пара диодов Шоттки
2Z
ММВТ6520
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 2N6520 UK3 350 В
2Z5
BAS70-05
Zetex
SOT23
D1h
Пара диодов Шоттки
30
MUN5330DW1
Motorola
SOT363
T6c
Si NPN/PNP 1 кОм+1 кОм (резистор смещения)
301
FDV301N
Fairchild
SOT23
T1d
N-кан цифровой полевой 25В 0,22А
302
FDV302P
Fairchild
SOT23
Tld
Р-кан цифровой полевой 25В 0,12А
303
FDV303N
Fairchild
SOT23
Tld
N-кан цифровой полевой 25В 0,68А
304
FDV304P
Fairchild
SOT23
Tld
Р-кан цифровой полевой 25В 0,46А
305
АТ-30511
HP
SOT143
ВЕСЕ
Si NPN11B8MA
30Y
BZV49-C30
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт ЗОВ
31
MUN5331DW1
Motorola
SOT363
T6C
Si NPN/PNP 2,2кОм+2,2кОм (резистор смещения)
31
MMBD1402
NatSemi
SOT23
D1b
Si диод 200В ЮОмА
310
АТ-31011
HP
SOT
ВЕСЕ
SiNPN 11В16МА
32
MUN5332DW1
Motorola
SOT363
T6c
Si NPN/PNP 4,7кОм+4,7кОм (резистор смещения)
32
MMBD1403
Fairchild
SOT23
D1l
Сдвоен Si диод 175В 200мА
320
АТ-32011
HP
SOT143
ВЕСЕ
Si NPN 11В 32мА
33
MUN5333DW1
Motorola
SOT363
T6C
Si NPN/PNP 4,7кОм+47кОм (резистор смещения)
33
MMBD1404
Fairchild
SOT23
D1h
Сдвоен Si диод 175В 200мА
33
DTA143XE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт >250МГц + 4,7кОм (резистор в цепи базы) + ЮкОм (резистор в цепи Б-Э)
331
NDS331N
Fairchild
SOT23
Tld
N-кан полевой МОП 1,ЗА 20В
332
NDS332P
Fairchild
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП 1А 20В
335
NDS335N
Fairchild
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 1,7А 20В
336
NDS336P
Fairchild
SOT23
Tld
N-кан полевой МОП 1,2А 20В
33Y
BZV49-C33
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1ВтЗЗВ
34
MUN5334DW1
Motorola
SOT363
T6c
Si NPN/PNP 22кОм+47кОм (резистор смещения)
34
MMBD1405
Fairchild
SOT23
D1J
Сдвоен Si диод 175В 200мА
35
MUN5335DW1
Motorola
SOT363
T6c
Si NPN/PNP 2,2кОм+47кОм (резистор смещения)
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание|
35
DTA124XE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВтГ>250МГц + I 22кОм (резистор в цепи базы) + 47кОм (резистор в цепи Б-Э)
351
NDS351N
Fairchild
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 1,1 А ЗОВ
351А
NDS351AN
Fairchild
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 1,2А ЗОВ
352
NDS352P
Fairchild
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП 0,85А 20В
352А
NDS352AP
Fairchild
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП 0,9А ЗОВ
355
NDS355N
Fairchild
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 1,6А ЗОВ
355А
NDS355AN
Fairchild
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 1,7А ЗОВ
356
NDS356P
Fairchild
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП 1,1 А 20В
356А
NDS356AP
Fairchild
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП 1,1 А ЗОВ
36Y
BZV49-C36
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 36В
39Y
BZV49-C39
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1Вт 39В
ЗА
ВС856А
Phi IH
SOT23
Tia
Si PNP ВС556А
ЗА
BC856AW
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP ВС556А
ЗА
ММВТН24
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN ВЧ смесит f = 600МГц
ЗВ
ВС856В
Phi ITT
SOT23
T1a
Si PNP BC556B
ЗВ
BC856BW
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP BC556B
ЗВ
FMMT918
Zetex
SOT23
T1a
2N918
ЗВ
ММВТ918
Motorola
SOT23
T1a
2N918
3Cs
BC857S
Infineon
SOT363
T6c
2xSi PNP сборка НЧ
3D
ВС856
Philips
SOT23
Tia
BC556 hzia 75 min
3D
ММВТН81
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP СВЧ f = 600МГц
3Ds
BC856S
Infineon
SOT363
T6c
2xSi PNP сборка НЧ
ЗЕ
ВС857А
Philips
SOT23
T1a
Si PNP BC557A
ЗЕ
BC857AW
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP BC557A
ЗЕ
ММВТН10
Motorola
SOT23
T1a
MPSH10f = 650МГц
ЗЕ
FMMT-A42
ZetITT
SOT23
T1a
MPSA42
ЗЕМ
ММВТН10
Motorola
SOT23
T1a
ВЧ усилит f = 650МГц]
' 3EZ
FMMTH10
Zetex
SOT23
Tta
Si NPN f = 650МГц
3F
ВС857В
Phi ITT
SOT23
Tta
Si PNP BC557BI
3F
BC857BW
Motorola
SOT323
Tta
Si PNP BC557B
3G
ВС857С
Phi ITT
SOT23
T1a
Si PNP BC557C
3G
MGSF3454X
Motorola
SOT363
T6g
N-кан полевой МОП 1.75A
за
ММВТН69
Motorola
SOT23
T1a
Si РНРСВЧГ = 2ГГц
за
ВС858А
Phi Mot
SOT23
T1a
Si PNP BC558A
за
BC858AW
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP BC558A
зар
BCV62A
Phi
SOT143
T4i
Si PNP ЗОВ 100mA
3js
BCV62A
Infineon
SOT143
T4i
Si PNP токовое зеркало hzia 180
зк
ВС858В
Phi ITT
SOT23
T1a
Si PNP BC558B
зк
BC858BW
Motorola
SOT323
Tta
Si PNP BC558B
ЗКр
BCV62B
Phi
SOT143
T4i
Si PNP ЗОВ ЮОмА
3Ks
BCV62B
Infineon
SOT143
T4i
Si NPN токовое зеркало hzia 290
3L
ВС858С
Phi ITT
SOT23
T1a
Si PNP BC558C
3L
BC858CW
Motorola
SOT323
Tia
Si PNP BC558C
3Lp
BCV62C
Phi
SOT143
T4i
Si PNP ЗОВ ЮОмА'
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание|
3LS
BCV62C
Infineon
SOT143
T4i
Si PNP токовое зеркало h2i э 520|
ЗМ
BC858
Philips
SOT23
T1a
Si PNP BC558
ЗМр
BCV62
Phi
SOT143
T4i
Si PNP ЗОВ 100mA
3N
MMBT4402
NatSemi
SOT23
T1a
Si PNP 2N4402
3R
MMBT5571
NatSemi
SOT23
T1a
Si PNP ключевой 850МГц
3S
MMBT5551
Fairchild
SOT23
T1a
Si NPN 1608 200mA
ЗТ
HT3
Zetex
SOT23
Tia
Si NPN 808 ЮОмА
3W
FMMT-A12
Zetex
SOT23
Tia
MPSA12
3Y3
BZV49-C3V3
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 3,38
3Y6
BZV49-C3V6
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 3,6В
3Y9
BZV49-C3V9
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 3,98
414
AT-41411
HP
SOT143
T4a
Si NPN 208 50мА
43
DTA143EE
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP 4,7кОм +4,7кОм (резистор смещения)
43
DTC143XE
Rohm
SOT416
Tia
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт f>250MTy +
4,7кОм (резистор в цепи базы) + ЮкОм (резистор в цепи Б-Э)
43S
BAS40
Infineon
SOT23
D1a
Диод Шоттки 408 ЮОмА
43Y
BZV49-C43
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1Вт 438
44S
BAS40-04
Infineon
SOT23
D1i
Сдвоен BAS40
44S
BAS40-04W
Infineon
SOT323
D1i
Сдвоен BAS40
45
DTC124XE
Rohm
SOT416
Tia
Si цифровой NPN 508 10ОмА 150мВт f>250MFц + 22кОм (резистор в цепи базы) + 47кОм (резистор в цепи Б-Э)
45s
BAS40-05
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен BAS40
45s
BAS40-05W
Infineon
SOT323
D1h
Сдвоен BAS40
46
MBT3946DW
Motorola
SOT363
T6d
2N3904/2N3906 пара
46S
BAS40-06
Infineon
SOT23
D1j
Сдвоен BAS40
46s
BAS40-06W
Infineon
SOT323
D1j
Сдвоен BAS40
47s
BAS40-07
Siemens
SOT143
D4d
Сдвоен диоды Шоттки 408 120мА
47Y
BZV49-C47
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 478
491
FMMT491
Zetex
SOT23
Tia
ZTX 450/451I
493
FMMT493
Zetex
SOT23
T1a
ZTX 453I
4A
MMBV109
Motorola
SOT23
D1a
MV209 варикап
4A
HD3A
Zetex
SOT23
D1a
758 ЮОмА переключат диод
4A
BC859A
Phi ITT
SOT23
Tia
Si PNP ВС559А
4As
BC859AW
Infineon
SOT323
Tia
Si PNP BC559A
4B
MMBV432
Motorola
SOT23
D1h
Сдвоен варикап 1,5-45пФ
4B
BC859B
Phi ITT
SOT23
Tia
Si PNP ВС559В
4BS
BC859BW
Infineon
SOT323
Tia
Si PNP BC559B
4C
BC859C
Phi ITT
SOT23
Tia
Si PNP BC559C
4C
MMVB3102
Motorola
SOT23
D1a
Варикап 6-35пФ
4CS
BC859CW
Infineon
SOT323
Tia
Si PNP BC559C
4D
MMBV3401
Motorola
SOT23
D1a
84 PIN диод
4D
HD3A
Zetex
SOT23
Dia
Переключат диод 758 ЮОмА
4E
BC860A
Philips
SOT23
T1a
Si PNP BC560A
4E
FMMT-A92
Zetex
SOT23
Tia
MPSA92
4E
MMBV105G
Motorola
SOT23
D1a
MV105 варикап
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
4F
MMBD353
Motorola
SOT23
Dig
Сдвоен MBD101|
4F
BC860B
Philips
SOT23
Ла
Si PNP ВС560В
4Fs
BCB60BW
Infineon
SOT323
Ла
Si PNP ВС560В
4G
MMBV2101
Motorola
SOT23
D1a
MV2101 варикап|
4G
BCB60C
Philips
SOT23
Ла
Si PNP ВС560С
4GS
BC860CW
Infineon
SOT323
Ла
Si PNP BC560C
4Н
MMBV2103
Motorola
SOT23
D1a
MV2103 варикап|
4J
FMMT38A
Zetex
SOT23
Ла
BCX38A
4J
MMBV2109
Motorola
SOT23
D1a
MV2109 варикап
4К
MMSD1000
Motorola
SOD123
D6
Si диод ЗОВ 0,2А
4М
MMBD101
Motorola
SOT23
D1b
MBD101 диод Шоттки
4М
MMSD101
Motorola
SOD123
D6
MBD101 диод Шоттки
4R
MMBV3700
Motorola
SOT23
D1a
PIN диод ВЧ 200В
4S
MMBD201
Motorola
SOT23
D1a
MBD201
4Т
MMBD301
Motorola
SOT23
D1a
MBD301 СВЧ диод Шоттки
4Т
MMSD301
Motorola
SOD123
D6
MBD301 СВЧ диод Шоттки
4Т
MMBD330
Motorola
SOT323
D1a
СВЧ диод Шоттки
4U
MMBV2105
Motorola
SOT23
Dia
MV2105 варикап
4V
MMBV2106
Motorola
SOT23
D1a
MV2106 вариквп
4W
MMBV2107
Motorola
SOT23
D1a
MV2107 варикап
4Х
MMBV2108
Motorola
SOT23
D1a
MV2108 варикап
4Y
MMBV2102
Motorola
SOT23
D1a
MV2102 варикап
4Y3
BZV49-C4V3
Philips
SOT89
D3b
Стабипитрон 1 Вт 4,3В
4Y7
BZV49-C4V7
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 4,7В
4Z
MMBV2104
Motorola
SOT23
D1a
MV2104 варикап
500
SSTPAD500
Siliconix
SOT23
Dlf
PAD-500 500пА — ток утечки диода
51Y
BZV49-C51
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 51В
52
DTA123YE
Rohm
SOT416
Ла
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт 1>250МГц +
2,2кОм (резистор в цепи базы) + ЮкОм (резистор в цепи Б-Э)
53
BAT17
Infineon
SOT23
Dia
Диод Шоттки 4В 130мА
53s
BAT17W
Infineon
SOT323
Dia
Диод Шоттки 4В 130мА
54
ВАЛ 7-04
Infineon
SOT23
D1i
Сдвоен ВАЛ 7
54
DTA114YE
Rohm
SOT416
Ла
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт Г>250МГц + ЮкОм (резистор в цепи базы) + 47кОм (резистор в цепи Б-Э)
54s
BAT17-04W
Infineon
SOT323
D1i
Сдвоен ВАЛ 7
55
ВАЛ 7-05
Infineon
SOT23
Dlh
Сдвоен ВАЛ 7
55s
BAT17-05W
Infineon
SOT323
D1h
Сдвоен ВАЛ 7
56
ВАЛ 7-06
Infineon
SOT23
D1j
Сдвоен ВАЛ 7
56s
BAT17-06W
Infineon
SOT323
D1J
Сдвоен ВАЛ 7
56Y
BZV49-C56
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 56В
57
ВАЛ 7-07
Siemens
SOT143
D4d
Сдвоен диоды Шоттки 40В 130мА
59
DTA114YE
Motorola
SC90
Ла
Si PNP ЮкОм+47кОм (резистор смещения)
591
FMMT591
Zetex
SOT23
Ла
ZTX550/551
593
FMMT593
Zetex
SOT23
Ла
ZTX553
5A
ВС807-16
Phi SGS
SOT23
Ла
Si PNP ВС327-16
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
5А
MMBD6050
Mot Zet
SOT23
D1a
Переключат, диод 70В 0,2А
5В
ММВТ4123
Motorola
SOT23
T1a
2N4123
5В
ВС807-25
Phi SGS
SOT23
T1a
Si PNP ВС327-25
5В
MMBD6100
Motorola
SOT23
D1h
С общ. катодом сдвоен, диод 70В 0,2А
5В
FMMD6100
Zetex
SOT23
D1h
С общ. катодом сдвоен, диод 70В 0,2А
5ВМ
MMBD6100
Motorola
SOT23
D1h
С общ. катодом сдвоен, диод 70В 0,2А
5С
ВС807-40
Phi SGS
SOT23
T1a
Si PNP ВС327-40
5С
MMBD7000
Motorola
SOT23
D1I '
2 поел.диода 100В 0,2А
5С
FMBD7000
Zetex
SOT23
D1i
2 поел.диода 100В 0,2А
5D
MMBD914
Motorola
SOT23
D1a
Диод 1N914
5D
FMBD914
Zetex
SOT23
D1a
Диод 1N914
50
MMSD914
Motorola
SOD123
D6
Диод 1N914
5D
HD2A
Zetex
SOT23
D1h
Сдвоен. HD2 75В ЮОмА
5Е
ВС806-16
Phi SGS
SOT23
T1a
Si PNP ВС328-16
5F
ВС808-25
Phi SGS
SOT23
Tia
Si PNP BC328-25
5F
MMBD501
Motorola
SOT23
D1a
MBD501 —диод
5G
ВС808-40
Phi SGS
SOT23
T1a
Si PNP BC328-40
5G
MMBD353
Motorola
SOT23
D1i
Сдвоен. MBD101
5Н
MMBD701
Motorola
SOT23
D1a
MBD701 СВЧ диод Шоттки
5Н
MMSD701
Motorola
SOD123
D6
MBD701 СВЧ диод Шоттки
5Н
MMBD770
Motorola
SOD323
D1a
СВЧ диод Шоттки
5Н
MMBD4148
Fairchild
SOT23
D1a
1N4148
5J
FMMT38B
Zetex
SOT23
Tia
ВСХ38В
5К
MMBV809
Motorola
SOT23
Dia
Варикап
51
MMBV609
Motorola
SOT23
Dlh
Сдвоен, с общ. катодом варикап
5N
MMBD452L
Motorola
SOT23
D1I
СВЧ диод Шоттки
5Y1
BZV49-C5V1
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 5,1В
5Y6
BZV49-C5V6
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 5,6В
60
BAR60
Infineon
SOT143
D4b
3 PIN диода 100В 140мА
605
NDS0605
Fairchild
SOT23
Tid
Р-кан. ключевой полевой МОП 60В 0,18А
61
BAR61
Infineon
SOT143
D4e
3 PIN диода 100В 140мА
610
NDS0610
Fairchild
SOT23
Tid
Р-кан. ключевой полевой МОП 60В 0,18А
617
FMMT617
Zetex
SOT23
Tia
Si NPN ключевой 15В ЗА
618
FMMT618
Zetex
SOT23
Tia
Si NPN ключевой 20В 2,5А
619
FMMT617
Zetex
SOT23
Tia
Si NPN ключевой 50В 2А
61А
MMBF4117
NatSemi
SOT23
Tic
Полевой с N-кан.
61А
MMBF4119
NatSemi
SOT23
Tic
Полевой с N-кан.
61С
MMBF4118
NatSemi
SOT23
Tic
Полевой с N-кан.
61J
MMBF4091
NatSemi
SOT23
Tic
Полевой с N-кан. ключевой /коммутир.
61К
MMBF4092
NatSemi
SOT23
T1c
Полевой с N-кан. ключевой /коммутир.
611
MMBF4093
NatSemi
SOT23
T1c
Полевой с N-кан. ключевой /коммутир.|
61М
MMBF4859
NatSemi
SOT23
T1c
Полевой с N-кан. ключевой /коммутир.|
61N
MMBF5514
NatSemi
SOT23
T1c
Р-кан. полевой ключевой /коммутир.|
61Р
MMBF5115
NatSemi
SOT23
T1c
Р-кан. полевой ключевой /коммутир.|
61Q
MMBF5516
NatSemi
SOT23
Tie
Р-кан. полевой ключевой /коммутир.|
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивапент/краткое описание
61S
MMBF5456
NatSemi
SOT23
T1c
Полевой с N-кан 2N5458j
61Т
MMBF5459
NatSemi
SOT23
T1c
Полевой с N-кан 2N5459j
61U
MMBF5461
NatSemi
SOT23
Т1с
Р-кан полевой 2N5461j
61V
MMBF5462
NatSemi
SOT23
Т1с
Р-кан полевой 2N5462|
62
BAT62
Infineon
SOT143
D4h
Диод Шоттки 40В 20мА
62
DTC123YE
Rohm
SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт Г>250МГц +
2,2кОм (резистор в цели базы) + ЮкОм (резистор в цели Б-Э)
62Р
MMBFJ201
NatSemi
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан J201
62Q
MMBFJ202
NatSemi
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан J202
62R
MMBFJ203
NatSemi
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан J203
62S
MMBFJ270
NatSemi
SOT23
Т1с
Р-кан полевой J270
62Т
MMBFJ271
NatSemi
SOT23
Т1с
Р-кан полевой J271
62Y
BZV49-C62
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 62В
63
BAT63
Infineon
SOT143
T4h
Сдвоен диод Шоттки ЗВ ЮОмА|
63Q
MMBFJ304
NatSemi
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан ВЧ J304
63s
BAT64
Infineon
SOT23
D1a
Диод Шоттки 40В 250мА
63s
BAT64W
Infineon
SOT323
Dia
Диод Шоттки 40В 250мА
64
DTC114YE
Rohm
SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт Т>250МГц + ЮкОм (резистор в цепи базы) + 47кОм (резистор в цепи Б-Э)
64s
BAT64-04
Infineon
SOT23
Dll
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
64s
BAT64-04W
Infineon
SOT323
D1i
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
651
PZT651
Motorola
SOT223
T2a
Si NPN 60В 1А
65s
BAT64-O5
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
65s
BAT64-05W
Infineon
SOT323
D1h
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
66s
BAT64-06
Infineon
SOT23
Did
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
66s
BAT64-06W
Infineon
SOT323
Did
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
67
BFP67
Telefunken
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 7,5ГГц 10В 50мА
67s
BAT64-07
Siemens
SOT143
D4d
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
68Y
BZV49-C68
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 68В
69
DTC115TE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт Т>250МГц + ЮОкОм (резистор в цепи базы)
6A
MMBF4416
Motorola
SOT23
T1c
2N4416 N-кан ВЧ полевой
6A
MUN2111
Motorola
SC59
Tia
Si PNP ЮкОм+ЮкОм (резистор смещения)
6A
MUN5111
Motorola
SOT323
Tia
Si PNP ЮкОм+ЮкОм (резистор смещения)
6A
BC817-16
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN ВС337-16
6B
MMBF5484
Fairchild
SOT23
T1f
Полевой с N-кан 2N5484
6B
BC817-25
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN ВС337-25
6B
MUN2112
Motorola
SC59
T1a
Si PNP 22кОм+22кОм (резистор смещения)
6B
MUN5112
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP 22кОм+22кОм (резистор смещения)
6C
BC617-40
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN ВС337-40
6C
MMBFU310
Motorola
SOT23
T1c
Полевой с N-кан 11310
6C
MUN2113
Motorola
SC59
T1a
Si PNP 47кОм+47кОм (резистор смещения)
6C
MUN5113
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP 47кОм+47кОм (резистор смещения)
6D
MMBF5457
Motorola
SOT23
Tic
Полевой с N-кан 2N5457
6D
MUN2114
Motorola
SC59
T1a
Si PNP ЮкОм+47кОм (резистор смещения)
код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
6D
MUN5114
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP ЮкОм+47кОм (резистор смещения)
6Е
MMBF5460
Motorola
SOT23
T1c
Р-кан полевой 2N5460
6Е
ВС818-16
Phi ITT
SOT23
Tia
Si NPN BC338-16
6Е
MUN2115
Motorola
SC59
T1a
Si PNP ЮкОм (резистор в цепи базы)
6Е
MUN5115
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP ЮкОм (резистор в цепи базы)
6F
MMBF4860
Motorola
SOT23
T1c
Полевой с N-кан 2N4860
6F
ВС818-25
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN ВС338-25
6F
MUN2116
Motorola
SC59
Tia
Si PNP 4,7кОм (резистор в цепи базы)
6F
MUN5116
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP 4,7кОм (резистор в цепи базы)
6G
ВС818-40
Phi ITT
SOT23
T1a
Si NPN ВС338-40
6G
MMBF4393
Motorola
SOT23
T1c
Полевой с N-кан 2N4393
6G
MUN2130
Motorola
SC59
T1a
Si PNP 1кОм+1кОм (резистор смещения)
6G
MUN5130
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP 1кОм+1кОм (резистор смещения)|
6Н
MMBF5486
Motorola
SOT23
T1c
Полевой с N-кан 2N5486|
6Н
MUN2131
Motorola
SC59
T1a
Si PNP 2,2кОм+2,2кОм (резистор смещения)
6Н
MUN5131
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP 2,2кОм+2,2кОм (резистор смещения)
6J
MMBF4391
Motorola
SOT23
T1c
Полевой с N-кан 2N4391
6J
MUN2132
Motorola
SC59
Tia
Si PNP 4,7кОм+4,7кОм (резистор смещения)|
6J
MUN5132
Motorola
SOT323
Tia
Si PNP 4,7кОм+4,7кОм (резистор смещения)
6К
MMBF4392
Motorola
SOT23
Tic
Полевой с N-кан 2N4932
6К
MUN2133
Motorola
SC59
Tia
Si PNP 4,7кОм+47кОм (резистор смещения)
6К
MUN5133
Motorola
SOT323
Tia
Si PNP 4,7кОм+47кОм (резистор смещения)
61
MMBF5459
Motorola
SOT23
Tic
Полевой с N-кан 2N5459
61
MUN2134
Motorola
SC59
Tia
Si PNP 22кОм+47кОм (резистор смещения)
61
MUN5134
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP 22кОм+47кОм (резистор смещения)
6М
MMBF5485
Fairchild
SOT23
T1f
Полевой с N-кан ВЧ 2N5485
6N
MMBF4861
NatSemi
SOT23
T1c
Полевой с N-кан ключевой /коммутир
6Р
MMBFJ111
Fairchild
SOT23
Tlf
Полевой с N-кан Л11 35В 50мА
6Q
MMBFJ305
NatSemi
SOT23
T1c
Полевой с N-кан ВЧ J305
6R
MMBFJ112
Fairchild
SOT23
T1f
Полевой с N-кан Л12 35В 50мА
6S
MMBFJ113
Fairchild
SOT23
T1f
Полевой с N-кан Л13 35В 50мА
6S
MMSD71RK
Motorola
SOD123
D6
Si диод
6Т
MMBFJ310
Motorola
SOT23
T1c
Полевой с N-кан CB4J310
6U
MMBFJ309
Motorola
SOT23
T1c
Полевой с N-кан СВЧ J309
6V
MMBFJ174
NatSemi
SOT23
T1c
Л 74 Р-кан полевой ключевой /коммутир
6W
MMBFJ175
Motorola
SOT23
T1c
Р-кан полевой ключевой Л 75
6Х
MMBFJ176
Fairchild
SOT23
T1f
Л 76 Р-кан полевой ключевой /коммутир
6Y
MMBFJ177
Motorola
SOT23
T1c
Р-кан полевой ключевой Л 77
6Y2
BZV49-C6V2
Philips
SOT69
D3b
Стабилитрон 1 Вт 6,2В
6Y8
BZV49-C6V8
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 6,8В
6Z
MMBF170
Motorola
SOT23
Tld
N-кан полевой 60В
702
2N7002
Motorola
SOT23
Tld
N-кан полевой 60В 0,5А
717
FMMT717
Zetex
SOT23
T1a
Si PNP ключевой 0,625W2,5A 12В
718
FMMT718
Zetex
SOT23
Tia
Si PNP ключевой 0.625W 1,5А 20В
72
2N7002
Siliconix
SOT23
Tld
N-кан полевой МОП 60В 170мА
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
720
FMMT720
Zetex
SOT23
Па
Si PNP ключевой 0,625W 1,5A
73s
BAS70
Infineon
SOT23
01a
Диод Шоттки 70В 50мА
74
DTA114WE
Rohm
SOT416
Tia
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт 1>250МГц + ЮкОм (резистор в цепи базы) + 4,7кОм (резистор в цепи Б-Э)
74s
BAS70-04
Infineon
SOT23
D1i
Сдвоен. BAS70
75s
BAS70-05
Infineon
SOT23
D1j
Сдвоен. BAS70
75Y
BZV49-C75
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1Вт 75В
76
DTA144WE
Rohm
SOT416
T1a
SI цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт 1>250МГц + 47кОм (резистор в цепи базы) + 22кОм (резистор в цели Б-Э)
76s
BAS70-06
Infineon
SOT23
Dlh
Сдвоен. BAS70
77
BAS70-07
Infineon
SOT143
D4d
Сдвоен. BAS70
77p
BAS70-07
Phi
SOT143
D4d
Сдвоен. BAS70
77s
BAS70-07
Siemens
SOT143
D4d
Сдвоен. BAS70
78
MMBT4258
NatSemi
SOT23
Tia
Si PNP ключевой f = 700МГц
7A
MMBR901
Motorola
SOT23
Tia
SiNPN B4MRF 901
7A
MUN5211DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi NPN ЮкОм+ЮкОм (резистор смещения)
7B
MMBR920
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN ВЧ MRF 920
7B
MUN5212DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi NPN 22кОм+22кОм (резистор смещения)
7C
MMBR930
Motorola
SOT23
■ T1a
SI NPN B4MRF930
70
MUN5213DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi NPN 47кОм+47кОм (резистор смещения)
7D
MMBR931
Motorola
SOT23
Tia
SiNPN ВЧ MRF 931
70
HD4A
Zetex
SOT23
D1j
С общ анодом сдвоен. HD3A
7D
MUN5214DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi NPN ЮкОм+47кОм (резистор смещения)
7E
MMBR2O60
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN ВЧ f = 1 ГГц U„ ЗОВ 50мА
7E
MUN5215DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi NPN ЮкОм (резистор в цепи базы)
7F
MMBR4957
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN ВЧ f = 1,2ГГц ЗОВ ЗОмА
7F
MUN5211DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi NPN 4,7кОм (резистор в цепи базы)
7G
MMBR5031
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN ВЧ f = 1ГГц 10В 20мА
7G
MUN5230DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi NPN 1кОм+1кОм (резистор смещения)
7H
MMBR5179
Motorola
SOT23
Tia
SiNPN B4 2N5179/BFY90
7H
MUN5231DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi NPN 2,2кОм+2,2кОм (резистор смещения)
7J
FMMT36C
Zetex
SOT23
Tia
ВСХ38С
7J
MUN5232DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi NPN 4,7кОм+4,7кОм (резистор смещения)
7K
MMBR2857
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN ВЧ f = 1 ГГц U,a 15В 40мА
7K
MUN5233DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi NPN 4,7кОм+47кОм (резистор смещения)
7L
MUN5234DW1
Motorola
SOT363
TSc
2xSi NPN 22кОм+47кОм (резистор смещения)
7M
MUN5235DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi NPN 2,2кОм+47кОм (резистор смещения)
7M
MMBR521L
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP ВЧ MRF 521
7N
MMBR941BL
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN СВЧ f = 8ГГЦ MRF 941
7P
MMBR911L
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN СВЧ f = 6ГГЦ MRF 911
7R
MMBR536
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN ВЧ MRF 536
7S00
NC7S00M5
Fairchild
SOT23
11a
2-х входовая ячейка И-НЕ
7S02
NC7S02M5
Fairchild
SOT23
11 a
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
7504
NC7S04M5
Fairchild
SOT23
11b
Инвертор
•7СПЙ
MC7S08M5
Fairchild
SOT23
Ha
2-х входовая ячейка И
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
7514
NC7S14M5
Fairchild
SOT23
11b
Инвертирующий триггер Шмитта
7532
NC7S32M5
Fairchild
SOT23
Ma
2-х входовая ячейка ИЛИ
7S86
NC7S86M5
Fairchild
SOT23
Ma
2-х входовая ячейка ИСКЛ.ИЛИ
7SU4
NC7SU04M5
Fairchild
SOT23
Mb
Инвертор
7Х
MMBR571L
Motorola
SOT23
T1a
SiNPN CB4f=8FFuMRF 571
7Y
MMBR941L
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN СВЧ f = 8ГГц MRF 941
7Y5
BZV49-C7V5
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 7,5В|
TL
MMBR951L
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN СВЧ f =7,5ГГц MRF 951
81А
MMBZ5250B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 20В
81В
MMBZ5251B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 22В
81С
MMBZ5252B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 24В
81D
MMBZ5253B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 25В
81Е
MMBZ5254B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 27В
81F
MMBZ5255B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 28В
81G
MMBZ5256B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт ЗОВ
81Н
MMBZ5257B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 33В
MIL
MMBZ5258B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт36В
81К
MMBZ5259B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 39В
811
MMBZ5260B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт43В
81М
MMBZ5261B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт47В
81N
MMBZ5262B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 51В
81Р
MMBZ5263B
Motorola
SOT23
Dia
Стабилитрон 0,225Вт 56В
81Q
MMBZ5264B
Motorola
SOT23
Dia
Стабилитрон 0,225Вт 60В
81R
MMBZ5265B
Motorola
SOT23
Dia
Стабилитрон 0,225Вт62В
81S
MMBZ5266B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт68В
81Т
MMBZ5267B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 75В
81U
MMBZ5268B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 82В
81V
MMBZ5269B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 87В
81 Вт
MMBZ5270B
Motorola
SOT23
Dia
Стабилитрон 0,225Вт 91В
822
S822T
Telefunken
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 5,2ГГц 6В 8мА
82Р
BFP182T
Telefunken
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 7,5ГГц 10В 35мА
83
ММВТ440О
NatSemi
SOT23
T1a
Si NPN 2N4400
83
ВАТ68
Infineon
SOT23
D1a
Диод Шоттки 8В 130мА
83Р
BFP183T
Telefunken
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 7,4ГГц 10В 65мА
83s
BAT68W
Infineon
SOT323
D1a
Диод Шоттки 8В 130мА
8372
MRF 8372
Motorola
SOT143
T4a
Si NPN 36В 200мА
84
ВАТ68-04
Infineon
SOT23
D1i
Сдвоен, диод Шоттки 8В 13ОмА
84
DTC114WE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт Г>250МГц+ ЮкОм (резистор в цепи базы) + 4,7кОм (резистор в цепи Б-Э)|
84S
BAT68-04W
Infineon
SOT323
D1i
Сдвоен, диод Шоттки 8В 13ОмА
85
ВАТ68-05
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен, диод Шоттки 8В 130мА
85
MMBD1701
NatSemi
SOT23
D1a
Быстродейств. Si диод ЗОВ 50мА
852
S852T
Telefunken
SOT23
Tia
Si NPN СВЧ f = 5,2ГГц 6В 8мА
85s
BAT68-05W
Infineon
SOT323
Dlh
Сдвоен, диод Шоттки 8В 13ОмА
86
ВАТ68-06
Infineon
SOT23
D1j
Сдвоен, диод Шоттки 8В 130мА
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание|
86
MMBD1702
NatSemi
SOT23
D1b
Быстродейств. Si диод ЗОВ 50мА
86
DTC144WE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт 1>250МГц + 47кОм (резистор в цепи базы) + 22кОм (резистор в цепи Б-Э)
86S
BAT68-06W
Infineon
SOT323
D1j
Сдвоен, диод Шоттки 8В 130мА
87
ВАТ68-07
Infineon
SOT143
D4d
Сдвоен, диод Шоттки 8В 130мА
87
MMBD1703
NatSemi
SOT23
D1i
Сдвоен. MMBD1701
88
MMBD1704
NatSemi
SOT23
D1h
Сдвоен. MMBD1701
888
S888T
Telefunken
SOT143
T4d
N-кан. цифровой СВЧ полевой МОП
89
MMBD1705
NatSemi
SOT23
D1j
Сдвоен. MMBD1701
8А
MMBZ5226B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 3,3В
8А
MUN2211
Motorola
SC59
T1a
Si NPN ЮкОм+ЮкОм (резистор смещения)
8А
MUN5211
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN ЮкОм+ЮкОм (резистор смещения)
8В
MMBZ5227B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 3,6В
8В
MUN2212
Motorola
SC59
T1a
Si NPN 22кОм+22кОм (резистор смещения)
8В
MUN5212
Motorola
SOT323
Tia
Si NPN 22кОм+22кОм (резистор смещения)
8С
MMBZ5228B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 3,9В|
ВС
MUN2213
Motorola
SC59
T1a
Si NPN 47кОм+47кОм (резистор смещения)
ВС
MUN5213
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN 47кОм+47кОм (резистор смещения)
8D
MUN2214
Motorola
SC59
T1a
Si NPN ЮкОм+47кОм (резистор смещения)
8D
MUN5214
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN ЮкОм+47кОм (резистор смещения)
8D
MMBZ5229B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 4,3В
8Е
MMBZ5230B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 4,7В
8Е
MUN2215
Motorola
SC59
T1a
Si NPN ЮкОм (резистор в цепи базы)
8Е
MUN5215
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN ЮкОм (резистор в цепи базы)
8F
MMBZ5231B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 5,1В
8F
MUN2216
Motorola
SC59
T1a
Si NPN 4,7кОм (резистор в цепи базы)
8F
MUN5216
Motorola
SOT323
' T1a
Si NPN 4,7кОм (резистор в цепи базы)
8G
MMBZ5232B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 5,6В
8G
MUN2230
Motorola
SC59
T1a
Si NPN 1кОм+1кОм (резистор смещения)
8G
MUN5230
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN 1кОм+1кОм (резистор смещения)
8Н
MMBZ5233B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 6,0В
8Н
MUN2231
Motorola
SC59
T1a
Si NPN 2,2кОм+2,2кОм (резистор смещения)
8Н
MUN5231
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN 2,2кОм+2,2кОм (резистор смещения)
8J
MMBZ5234B
Motorola
SOT23
Dia
Стабилитрон 0,225Вт 6,2В
8J
MUN2232
Motorola
SC59
T1a
Si NPN 4,7кОм+4,7кОм (резистор смещения)
8J
MUN5232
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN 4,7кОм+4,7кОм (резистор смещения)
8К
MMBZ5235B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 6,8В
8К
MUN2233
Motorola
SC59
T1a
Si NPN 4,7кОм+47кОм (резистор смещения)
8К
MUN5233
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN 4,7кОм+47кОм (резистор смещения)
8L
MMBZ5236B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 7,5В
8L
MUN2234
Motorola
SC59
T1a
Si NPN 22кОм+47кОм (резистор смещения)'
8L
MUN5234
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN 22кОм+47кОм (резистор смещения)
8М
MMBZ5237B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 8,2В
8N
MMBZ5238B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 8,7В
8Р
MMBZ5239B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 9,1В
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
8Q
MMBZ5240B
Motorola
SOT23
Dia
Стабилитрон 0,225Вт 10В
8R
MMBZ5241B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт11В
8S
MMBZ5242B
Motorola
SOT23
Dia
Стабилитрон 0,225Вт 12В
8S0O
NC7ST00M5
Fairchild
SOT23
Ha
2-х входовая ячейка И-НЕ|
8S02
NC7ST02M5
Fairchild
SOT23
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
8S04
NC7ST04M5
Fairchild
SOT23
11b
Инвертор
8SO8
NC7ST08M5
Fairchild
SOT23
И a
2-х входовая ячейка И
8S14
NC7ST14M5
Fairchild
SOT23
11b
Инвертирующий триггер Шмитта
8S32
NC7ST32M5
Fairchild
SOT23
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ
8S86
NC7ST86M5
Fairchild
SOT23
11a
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
8Т
MMBZ5243B
Motorola
SOT23
Dia
Стабилитрон 0,225Вт 13В
8U
MMBZ5244B
Motorola
SOT23
Dia
Стабилитрон 0,225Вт 14В
8V
MMBZ5245B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 15В
8W
MMBZ5246B
Motorola
SOT23
Dia
Стабилитрон 0 225Вт 16В
8Х
MMBZ5247B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 17В
8Y
MMBZ5248B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 18В
8Y2
BZV49-C8V2
Philips
SOT89
D3b
Стабилитрон 1 Вт 8,2В
8Z
MMBZ5249B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,225Вт 19В
92V
BFP92A
Telefunken
SOT143
T4d
Si NPN СВЧ бГГц 16В ЗОмА
93
DTA143TE
Rohm
SOT416
T1a
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт Г>250МГц + 4,7кОм (резистор в цепи базы)
94
DTA114T
Rohm
SOT23
Tia
Si PNP ключевой 50В ЮОмА + (резистор в цепи базы)
94
DTA114TE
Rohm
SOT416
Tia
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт Т>250МГц + ЮкОм (резистор в цепи базы)
95
DTA124T
Rohm
SOT23
Tia
Si PNP ключевой 50В ЮОмА + 22кОм (резистор в цепи базы)
95
DTA124TE
Rohm
SOT416
Tia
Si цифровой N PN 50В 10ОмА 150мВт f>250MFц + 22кОм (резистор в цепи базы)
96
DTA144TE
Rohm
SOT416
Tia
Si цифровой NPN 50В ЮОмА 150мВт Т>250МГц + 47кОм (резистор в цепи базы) 99
А
1SS355
Rohm
SOD323
D6
Переключат диод 80В ЮОмА
А
MRF 947
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN СВЧ 8 ГГц SOT-323
АО
HSMS-2800
HP
SOT23
Dia
НР2800 диод Шоттки
АО
HSMS-280B
HP
SOT323
Dia
НР2800 диод Шоттки
А1
BAW56
Philips ITT
SOT23
D1j
Сдвоен с общ анодом BAW62 (1N4148)
А1
BAW56W
Motorola
SOT323
D1J
Сдвоен с общ анодом BAW62 (1N4148)
А1
Si2301DS
Siliconix
SOT23
Did
Р-кан полевой МОП
А11
MMBD1501A
Fairchild
SOT23
D1a
Диод 180В 200мА
А13
MMBD1503A
Fairchild
SOT23
D1i
Сдвоен диод 180 В 200мА
А14
MMBD1504A
Fairchild
SOT23
D1h
Сдвоен диод с общ катодом 180В 200мА
А15
MMBD1505A
Fairchild
SOT23
D1j
Сдвоен диод с общ анодом 180В 200мА
A1s
BAW56
Infineon
SOT23
D1j
Сдвоен с общ анодом BAW62 (1N4148)
A1s
BAW56W
Infineon
SOT323
D1)
Сдвоен с общ анодом BAW62 (1N4148)
А1Х
MBAW56
Motorola
SOT23
D1j
То же самое
А2
HSMS-2802
HP
SOT23
D1i
Сдвоен НР2800
А2
HSMS-280C
HP
SOT323
D1i
Сдвоен НР28О0
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
А2
Si2302DS
Silicon IX
SOT23
Did
N-кан полевой МОП
А2
ВАТ 18
Infinion
SOT23
D1a
Переключат диод 35В ЮОмА ВА482
А2
MMBD2836
Motorola
SOT23
D1j
Сдвоен переключат диод с общ анодом 75В
А2
FMBD2836
Zetex
SOT23
D1j
Сдвоен переключат диод с общ анодом 75В
А2
MBT3906DW1
Motorola
SOT363
T6c
2xSi PNP 2N3906
А2Х
MMBD2836
Motorola
SOT23
D1J
Сдвоен переключ 75В ЮОмА 15ns
АЗ
HSMS-2803
HP
SOT23
D1j
НР2800 последов включ пара
АЗ
HSMS-280E
HP
SOT323
D1J
НР2800 последов включ пара
АЗ
MMBD10O5
Motorola
SOT23
D1j
Сдвоен Si диод с малым током утечки
АЗ
ВАТ17
Philips
SOT23
D1a
ВА481
АЗ
MMBD2835
Motorola
SOT23
D1j
Сдвоен переключ 35В ЮОмА 15нс
А4
HSMS-2804
HP
SOT23
D1h
Сдвоен НР2800 диод Шоттки
А4
HSMS-280F
HP
SOT323
D1h
Сдвоен НР2800 диод Шоттки
А4
BAV70
Philips ITT
SOT23
D1h
2xBAW62 (1N4148)
А4
BAV70W
Motorola
SOT323
D1h
2xBAW62 (1N4148)
А4
ВВ404А
ITT
SOT23
Dlh
Сдвоен варикап
A4S
BAV70
Infineon
SOT23
D1h
2xBAW62 (1N4148)
A4S
BAV70W
Infineon
SOT323
D1h
2xBAW62 (1N4148)
А4Х
MBAV70
Motorola
SOT23
D1h
То же самое
А5
HSMS-2805
HP
SOT143
D4d
Сдвоен НР2800 диод Шоттки
А5
MMBD1010
Motorola
SOT23
D1h
Сдвоен Si диоды с общ катодом
А5
MMBD2837
Motorola
SOT23
D1h
Сдвоен диоды с общ катодом ЗОВ ЮОмА
А5
HSMS-2805
HP
SOT-143
D4d
Сдвоен диоды Шоттки
А5
FMBD2837
Zetex
SOT23
D1h
Сдвоен диоды с общ катодом ЗОВ ЮОмА
Аб
BAS16
Zetex Mot
SOT23
D1a
Si переключ 75В ЮОмА
Аб
BAS16W
Motorola
SOT323
D1a
BAW62 (1N4148)
А61
BAS28
CENTS
SOT143
D4f
Два быстродейств имп диода 75В 250мА
А6А
MMUN2111
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP ЮкОм+ЮкОм (резистор смещения)
А6В
MMUN2112
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP 22кОм+22кОм (резистор смещения)
А6С
MMUN2113
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP 47кОм+47кОм (резистор смещения)
A6D
MMUN2114
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP ЮкОм+ЮкОм (резистор смещения)
А6Е
MMUN2115
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP ЮкОм (резистор в цепи базы)
A6F
MMUN2116
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP 4,7кОм (резистор в цепи базы)
A6G
MMUN2130
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP 1кОм+1кОм (резистор смещения)
А6Н
MMUN2131
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP 2,2кОм+2,2кОм (резистор смещения)
A6J
MMUN2132
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 4,7кОм+4,7кОм (резистор смещения)
А6К
MMUN2133
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP 4,7кОм+47кОм (резистор смещения)
A6L
MMUN2134
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP 4,7кОм+47кОм (резистор смещения)
A6s
BAS 16
Infineon
SOT23
D1a
Si переключ диод 75В ЮОмА
A6s
BAS16W
Infineon
SOT323
Dia
BAW62 (1N4148)
A6s
BAS16S
Infineon
SOT363
D5f
Три Si переключ диода 75В ЮОмА
А6Х
MMBD2838
Motorola
SOT23
Dlh
Сдвоен переключ диод 50В ЮОмА
А7
BAV99
Phil Zet
SOT23
D1i
Сдвоен диод BAW92
А7
HSMS-2807
HP
SOT143
D4c
НР2800 кольцевое включ
A7s
BAV99
Infineon
SOT23
D11
Сдвоен диод BAW92
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
A7S
BAV99W
Infineon
SOT323
D1i
Сдвоен диод BAW92
А8
HSMS-2808
HP
SOT143
D4a
НР2800 диодный мост
А8
BAS19
Phil Zet
SOT23
Dia
BAV19
А81
BAS20
Phil Zet
SOT23
Dia
BAV20|
А82
BAS21
Phil Zet
SOT23
Dia
BAV21
А8А
MMUN2211
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN ЮкОм+ЮкОм (резистор смещения)
А8В
MMUN2212
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN 22кОм+22кОм (резистор смещения)
А8С
MMUN2213
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN 47кОм+47кОм (резистор смещения)
A8D
MMUN2214
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN ЮкОм+ЮкОм (резистор смещения)
А8Е
MMUN2215
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN ЮкОм (резистор в цепи базы)
A8F
MMUN2216
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN 4,7кОм (резистор в цепи базы)
A8G
MMUN2230
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN 1кОм+1кОм (резистор смещения)
А8Н
MMUN2231
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN 2,2кОм+2,2кОм (резистор смещения)
A8J
MMUN2232
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN 4,7кОм+4,7кОм (резистор смещения)|
А8К
MMUN2233
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN 4,7кОм+47кОм (резистор смещения)
A8L
MMUN2234
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN 22кОм+47кОм (резистор смещения)
А9
FMMD2835
Zetex
SOT23
D1j
Сдвоен быстродейств переключат диод
А91
BAS17
Philips
SOT23
D1a
ВА314
АА
74AHC1G00
Philips
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка И-НЕ
АА
BCW60A
Phi ITT
SOT23
Tia
Si NPN ВС548А
АА
ВСХ51
Infineon
SOT89
T3a
Si PNP45B 1А
ААА
MMBF4856
Motorola
SOT23
T1c
Полевой с N-кан коммутир 2N4856
AAG
MMBR951AL
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN СВЧ 8ГГц
АВ
74AHC1G02
Philips
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
АВ
BCW60B
Phi ITT
SOT23
Tia
Si NPN ВС548В
АС
74AHC1G04
Philips
SOT353
Hb
Инвертор|
АС
BCW60C
Phi ITT
SOT23
Tia
Si NPN ВС548С
АС
ВСХ51-10
Infineon
SOT89
T3a
SIPNP45B1A
AD
74AHC1GU04
Philips
SOT353
Hb
Инвертор
AD
BCW60D
Phi ITT
SOT23
Tia
Si NPN BC548D
AD
ВСХ51-16
Infineon
SOT89
T3a
SiPNP45B 1A
ADN
2SC3838K
Rohm
SOT23
Tia
Si NPN 11B 3,2ГГц для ТВ тюнеров
АЕ
74AHC1G08
Philips
SOT353
11a
2-х входовая ячейка И
АЕ
ВСХ52
Infineon
SOT89
T3a
S1PNP6OB 1А
AEN
2SC3839K
Rohm
SOT23
Tia
Si NPN 20В 2,0ГГц для ТВ тюнеров
НЧ
74AHC1G14
Philips
SOT353
11b
Инвертирующий триггер Шмитта
НЧ S
BCW60FF
Infineon
SOT23
Tia
Si NPN 32В ЮОмА
AG
74AHC1G32
Philips
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ|
AG
BCX70G
Phi IH
SOT23
Tia
Si NPN ВС547А
AG
ВСХ52-10
Infineon
SOT69
T3a
Si PNP 60В 1A
АН
74AHC1G86
Philips
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
АН
ВСХ70Н
Phi ITT
SOT23
Tia
Si NPN ВС547В
АН
ВСХ53
Infineon
SOT89
T3a
Si PNP SOB 1A
АН
ВСР56
Motorola
SOT89
T3a
Si PNP усилит SOB 150mA
АНр
ВСХ70Н
Philips
SOT23
Tia
Si NPN 45В ЮОмА
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описаниеI
AHs
BCX70H
Siemens
SOT23
T1a
SlNPN45B 100mA
AJ
BCX70J
Phi IH
SOT23
Т1а
Si NPN BC547C
I AJp
BCX70J
Philips
SOT23
Tia
SiNPN45B 200mA
AJs
BCX70J
Siemens
SOT23
Tia
Si NPN 45B 200mA
AK
BCX70K
Phi ITT
SOT23
Tia
Si NPN BC547D
AK
BCX53-10
Infineon
SOT89
T3a
Si PNP 80B 1A
AKp
BCX70K
Philips
SOT23
Tia
Si NPN 45B 200mA
AKs
BCX70K
Siemens
SOT23
Tia
Si NPN 45B 100mA|
AL
74AHC1G66
Philips
SOT353
I1d
Двунаправленный ключ|
AL
MMBTA55L
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 25B (MPSA55)
AL
BCX53-16
Infineon
SOT89
T3a
Si PNP SOB 1A
AM
74AHC1G125
Philips
SOT353
He
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
AM
MMBT3904W
Motorola
SOT323
Tia
Si NPN 2N3904
AM
BCX52-16
Infineon
SOT89
T3a
Si PNP 60В 1A
AM
BSS64
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN 80B0,6Af = 60МГц
AMp
BSS64
Philips
SOT23
Tia
Si NPN SOB 0,BA f = 60МГц
AMs
BSS64
Infineon
SOT23
Tia
Si NPN BOB 0,8Af = 60МГЦ
AN
74AHC1G126
Philips
SOT353
He
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
ANs
BCW60FN
Infineon
SOT23
Tia
Si NPN 32В ЮОмА
AP
74AHC1G79
Philips
SOT353
11c
D-триггер
AR
MSB709R
Motorola
SC59
Tia
Si PNP 25В
AS
MSB709S
Motorola
SC59
Tia
Si PNP 25В
AS
BAT18-05
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен переключат диод 35В ЮОмА ВА482|
ASG
KTA1504
KEC
SOT23
Tia
SIPNP50B 150мА
ASO
KTA1504
KEC
SOT23
Tia
Si PNP 50В 150мА
ASY
KTA1504
KEC
SOT23
Tia
Si PNP 50В 150мА
AS3
BSP52
Motorola
SOT223
T2a
Si NPN схема Дарлингтона (составной транзистор) 0,5А h2ia 2000
AT
BAT18-06
Infineon
SOT23
D1j
Сдвоен переключат диод 35В ЮОмА ВА482|
AU
BAT18-04
Infineon
SOT23
D1i
Сдвоен переключат диод 35В ЮОмА ВА482|
AV
DAN212K
Rohm
SOT23
D1a
80В ЮОмА переключ|
AW
BCX70GR
Zetex
SOT23
Tia
Si NPN 45В 200мА|
AX
BCX70JR
Zetex
SOT23
Tia
Si NPN 45В 200мА
AZO
KTA1505
KEC
SOT23
Tia
Si PNP 35В 500мА|
AZY
KTA15O5
KEC
SOT23
Tia
Si PNP 35В 500мА|
В
MRF 957
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN СВЧ f = 9ГГц SOT323
BO
HSMS-2810
HP
SOT23
D1a
НР28Ю диод Шоттки
BO
HSMS-281B
HP
SOT323
D1a
НР2810 диод Шоттки
BO
SST5460
Siliconix
SOT23
T1c
Р-кан полевой 2N5460
B1
SST5461
Siliconix
SOT23
T1c
Р-кан полевой 2N5461
B1
BAS40
Motorola
SOT23
D1a
Диод Шоттки переключат диод
B2
SST5462
Siliconix
SOT23
T1c
Р-кан полевой 2N 5462
B2
BSV52
Phil Mot
SOT23
Tia
Si NPN BSX20 12В f = 400МГц переключ
B2
HSMS-2812
HP
SOT23
D1i
Сдвоен НР28Ю диод Шоттки
B2
HSMS-281C
HP
SOT323
D1i
Сдвоен НР2810 диод Шоттки
B3
HSMS-281E
HP
SOT323
D1j
Сдвоен с общ анодом НР28Ю диод Шоттки
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
вз
HSMS-2813
HP
SOT23
D1j
Сдвоен с общ анодом НР2810 диод Шоттки
вз
MMBD717L
Motorola
SOT323
D1j
Сдвоен с общ анодом диод Шоттки
В4
HSMS-2814
HP
SOT23
D1h
Сдвоен НР2810 диод Шоттки
В4
HSMS-281F
HP
SOT323
D1h
Сдвоен НР2810 диод Шоттки
В4
BB404B
ITT
SOT23
D1h
Сдвоен варикап
В5
HSMS-2815
HP
SOT143
D4d
Сдвоен НР2810 диод Шоттки
Вб
BAT54A
Motorola
SOT23
D1)
Сдвоен с общ анодом ЗОВ диод Шоттки
В7
HSMS-2817
HP
SOT143
D4c
НР2810 кольцевое включ
В8
HSMS-2818
HP
SOT143
D4a
НР2810 диодный мост
В9
2SC4617
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN корпус SC-90
ВА
BCW61A
Phil Infin
SOT23
T1a
Si PNP ВС558А
ВА
BCX54
Infineon
SOT89
T3a
Si NPN НЧ45В 1А
ВА
DAN217
Rohm
SOT23
D1l
Сдвоен диод 80В 10ОмА
ВВ
BCW61B
Phil Infin
SOT23
Tta
Si PNP ВС558В
ВС
BCW61C
Phil Infin
SOT23
Tia
Si PNP BC558C
ВС
BCX54-10
Infineon
SOT89
T3a
Si NPN НЧ45В 1A
ВО
BCW61D
Phil Infin
SOT23
T1a
Si PNP BC558D
ВО
BCX54-16
Infineon
SOT69
T3a
Si NPN НЧ45В 1A
BE
BAS70
Motorola
SOT23
Dia
Диод Шоттки переключат
BE
BCX55
Infineon
SOT89
T3a
Si NPN НЧ60В 1A
BFs
BCW61FF
Phil Infin
SOT23
T1a
Si PNP 32В 100mA
BG
BCX71G
Phil Infin
SOT23
Tia
Si PNP BC557A
BG
BCX55-10
Infineon
SOT89
T3a
Si NPN НЧ 60В 1A
BH
BCX71H
Phil Infin
SOT23
T1a
Si PNP BC557B
BH
BCX56
Infineon
SOT89
T3a
Si NPN НЧ усилит 80В 1A
BH
BCP56
Motorola
SOT223
T2a
Si NPN усилит SOB 150mA
BJ
BCX71J
Phil Infin
SOT23
T1a
Si PNP BC557C
BK
BCP56-10
Infineon
SOT89
T3a
Si NPN усилит 808 1A
BK
BCX71K
Phil Infin
SOT23
Tia
Si PNP BC557D
BL
MBD54DW
Motorola
SOT363
D5a
Сдвоен детекторн диоды Шоттки
BL
BCP56-16
Infineon
SOT89
T3a
Si NPN НЧ усилит BOB 1А
BM
BCX55-16
Infineon
SOT89
T3a
Si NPN НЧ BOB 1A
BMs
BSS63
Infineon
SOT23
Tia
Si PNP НЧ переключ 100B0.8A
BNs
BCW61FN
Phil Infin
SOT23
Tia
Si PNP 32B 100mA
BR
2SC2412K
Rohm
SOT23
Tia
Si NPN 50B 150mA min h2i3 180
BR
2SC4081
Rohm
SOT23
Tia
Как 2SC2412K, но в корпусе UMT
BR
2SC4617
Rohm
SOT23
Tia
Как 2SC2412K, но в корпусе ЕМЗ
BR
MSB1218A-R
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP 45В
BS3
BSP62
Motorola
SOT89
T3a
Si PNP схема Дарлингтона (составной транзистор) 0,5А h2ia 2000
BS3
BSP62
Motorola
SOT223
T2a
Si PNP схема Дарлингтона (составной транзистор) 0,5А Ь21э 2000
BT2
BSP16
Motorola
SOT89
T3a
Si PNP —300В 1А
C
KV1832E
Toko
SOD123
D6
СВЧ варикап 4-17пФ
CO
HSMS-2820
HP
SOT23
D1a
НР2835 диод Шоттки
CO
HSMS-282B
HP
SOT323
D1a
НР2835 диод Шоттки
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
С1
TC4S11F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка И-НЕ
С1
BCW29
Philips
SOT23
T1a
ВС178А
С11
SST111
Siliconix
SOT23
T1c
Л11 N-кан полевой
012
SST112
Siliconix
SOT23
T1c
Л12 N-кан полевой
013
SST113
Siliconix
SOT23
T1c
Л13 N-кан полевой
02
TC4S81F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка И
02
BCW30
Philips
SOT23
T1a
ВС178В
02
HSMS-2822
HP
SOT23
D1l
Сдвоен НР2835 диод Шоттки
02
HSMS-282C
HP
SOT323
D1i
Сдвоен НР2835 диод Шоттки
02
SST112
Temic
SOT23
Tie
Л12 - аналог ключевой полевой с N-кан
03
TC4S01F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
03
HSMS-2823
HP
SOT23
D1j
Сдвоен НР2835 диод Шоттки
03
HSMS-282E
HP
SOT323
D1j
Сдвоен НР2835 диод Шоттки
03
SST113
Temic
SOT23
T1c
Л13 — аналог ключевой Jnoлeвoй
038
SST5638
Siliconix
SOT23
T1c
2N5638
039
SST5639
Siliconix
SOT23
T1c
2N5639
04
TC4S71F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ
04
HSMS-2824
HP
SOT23
D1h
Сдвоен НР2835 диод Шоттки
04
HSMS-282F
HP
SOT323
Dlh
Сдвоен НР2835 диод Шоттки
04
ВВ404С
ITT
SOT23
D1h
Сдвоен варикап
040
SST5640
Siliconix
SOT23
T1c
2N5640
041
SST4091
Siliconix
SOT23
T1c
2N4091
042
SST4092
Siliconix
SOT23
T1c
2N4092
043
SST4093
Siliconix
SOT23
T1c
2N4093
05
TC4S69F
Toshiba
SC59
11b
Инвертор
05
ММВА811С5
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP2N5086 h2,3 135-270
05
HSMS-2825
HP
SOT143
D4d
Сдвоен НР2835 диод Шоттки
056
SST4856
Siliconix
SOT23
T1c
2N4856
057
SST4857
Siliconix
SOT23
T1c
2N4857
058
SST4858
Siliconix
SOT23
T1c
2N4858
059
SST4859
Siliconix
SOT23
T1c
2N4859
06
TC4SU69F
Toshiba
SC59
11b
Инвертор
06
ММВА811С6
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 2N5086 h213 200-400
060
SST4860
Siliconix
SOT23
Tie
2N4860
061
SST4861
Siliconix
SOT23
T1c
2N4861
07
TC4SU11F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка И-НЕ
07
ММВА811С7
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP 2N5086 h2i3 300-600
07
HSMS-2827
HP
SOT143
D4c
НР2835 кольцевое включ
08
TC4S30F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
08
HSMS-2828
HP
SOT143
D4a
НР2635 диодный мост
08
BCF30
STM
SOT23
Tia
ВС559В
08
ММВА811С8
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 2N5086 h2i3 450-900
09
HSMS-2829
HP
SOT143
D4c
4 диода Шоттки
09
TC4S66F
Toshiba
SC59
I1d
Двунаправленный ключ
СА
74AHCT1G00
Philips
SOT353
И a
2-х входовая ячейка И-НЕ
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
СА
TC4S584F
Toshiba
SC59
11b
Триггер Шмитта
СА
SST4391
Sihconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан 2N4391
СА
BCP68
Motorola
SOT223
T2a
SiNPN 20В 1А
СВ
74AHCT1G02
Philips
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
СВ
SST4392
Sihconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан 2N4392
СВ
BCX68-10
Infineon
SOT143
T3a
Si NPN НЧ20В 1А
СС
74AHCT1G04
Philips
SOT353
11b
Инвертор
СС
SST4393
Sihconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан 2N4393
СС
BCX68-16
Infineon
SOT143
T3a
Si NPN НЧ 20В 1А
CD
74AHCT1GU04
Philips
SOT353
11b
Инвертор
CD
BCX68-25
Infineon
SOT143
T3a
Si NPN НЧ 20В 1А
CDs
BSS81B
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN НЧ переключ 40В 0,8А hzia 40-120
СЕ
74AHCT1G08
Philips
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка И
СЕ
BCP69
Motorola
SOT223
T2a
SiPNP20B 1А
CEs
BSS79B
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN 40В 0,8А hai3 40-120
CF
74AHCT1G14
Philips
SOT353
11b
Инвертирующий триггер Шмиттаз
CF
BCX69-10
Infineon
SOT143
T3a
Si PNP НЧ 20В 1А
CFs
BSS79C
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN 35В 0,8А Ь21э 100 мин
CG
74AHCT1G32
Philips
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ
CG
BCX69-16
Infineon
SOT143
T3a
Si PNP НЧ 20В 1А
CGs
BSS81C
Infineon
SOT23
Tia
Si NPN НЧ переключ 35В 0,8А
CH
74AHCT1G86
Philips
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИСКИ ИЛИ
CH
BCX69-25
Infineon
SOT143
T3a
Si PNP НЧ 20В 1А
CH
BSS82BL
Motorola
SOT23
Tia
SI PNP60B
CHS
BSS80B
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP 40В 0,8А h21a 40-120
CJs
BSS80C
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP 40В 0,8А hzia 100 min
CL
74AHCT1G66
Philips
SOT353
Hd
Двунаправленный ключ
CLs
BSS82B
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP 60В 0,8А h2is 40-120
CM
74AHCT1G125
Philips
SOT353
He
Драйвер шины буфера линии, Зх уровнев
CMS
BSS82C
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP 60В 0,8А Ь21э 100 min
CN
74AHCT1G126
Philips
SOT353
He
Драйвер шины буфера линии, Зх уровнев
CP
74AHCT1G79
Philips
SOT353
11c
D-триггер
CQ
2SC2411K
Rohm
SOT23
T1a
Si NPN схема Дарлингтона (составной транзистор)
CQ
MSD710Q
Motorola
SC59
T1a
Si PNP 25В 150мА
CR
MSD701R
Motorola
SC59
T1a
Si PNP 25В 150мА
D
1SS376
Rohm
SOD323
D6
Переключат диод 300В ЮОмА
D
MRF 577
Motorola
SOT23
T1a
Si NPNCB4f = 7FFq
DO
HSMP-3800
HP
SOT23
D1a
НР3800 PIN аттенюаторн диод
D1
BCW31
Philips
SOT23
T1a
ВС108А
D1
SST211
Sihconix
SOT143
T4j
N-кан цифровой МОП полевой
D2
BCW32
Philips
SOT23
T1a
ВС108В
D2
HSMP-3802
HP
SOT23
D1i
Сдвоен НР3800 PIN аттенюаторн диод
D3
SST213
Sihconix
SOT143
T4j
N-кан цифровой МОП полевой|
D3
BCW33
Philips
SOT23
T1a
ВС108С
D3B
RB420D
Rohm
SOT23
D1a
25В ЮОмА диод Шоттки|
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
ОЗЕ
RB411D
Rohm
SOT23
D1a
20В 500мА диод Шоттки
D3J
RB420D
Rohm
SOT23
D1a
25В ЮОмА диод Шоттки
D3L
RB706D-40
Rohm
SOT23
D1h
Сдвоен 45В ЗОмА диод Шоттки
04
HSMP-3804
HP
SOT23
D1h
Сдвоен НР3800 PIN аттенюаторн диод
04
BB404D
ITT
SOT23
D1h
Сдвоен варикап
04
MMBD4148SE
Fairchild
SOT23
D1i
Сдвоен диод 1N4148
05
SST215
Siliconix
SOT143
T4j
N-кан цифровой МОП полевой
05
MMBD4148CC
Fairchild
SOT23
D1h
Сдвоен диод 1N4148
058
FLLD261
Zetex
SOT23
D1h
С малым током утечки сдвоен Si диод
06
MMBD4148CA
Fairchild
SOT23
D1j
Сдвоен диод 1N4148
06
MMBC1622D6
Motorola
SOT23
T1a
MPS3904 h2ia 200-400
063
FLLD263
Zetex
SOT23
D1j
С малым током утечки сдвоен Si диод
07
MMBC1622D7
Motorola
SOT23
T1a
MPS3904 h2i3 300-600
076
BAR18
STM
SOT23
D1a
Диод Шоттки 70В ЗОмА
D7p
BCF32
Philips
SOT23
T1a
Si NPN 32В ЮОмА 250мВт
085
BAT17DS
STM
SOT23
D1i
2хВА481
08р
BCF33
Philips
SOT23
T1a
ВС146/03
094
BAR42
STM
SOT23
D1a
Диод Шоттки ЗОВ ЮОмА
095
BAR43
STM
SOT23
D1a
Диод Шоттки ЗОВ ЮОмА
096
BAS70-04
STM
SOT23
D1i
2XBAR18
097
BAS70-05
STM
SOT23
D1h
2xBAR18
098
BAS70-06
STM
SOT23
D1j
2XBAR18
DA
BCW67A
STM
SOT23
T1a
Si PNP 32В 0.8А Ь21з>100
DA
BF622
ITT
SOT89
T3a
Si NPN 250В ЗОмА
DA5
BAR43S
STM
SOT23
D1i
2xBAR43
DAs
BCW67A
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP 32B 0,8A h2i3>100
DB
BCW67B
STM
SOT23
T1a
SiPNP32B0,8A h2i3>160
DB
BF623
ITT
SOT89
T3a
Si PNP 250B 30mA
DB1
BAR34A
STM
SOT23
D1j
2XBAR43
DB2
BAR43C
STM
SOT23
D1h
2xBAR43
DBs
BCW67B
Infineon
SOT23
T1a
SlPNP32B0,8A h2i3>160
DC
BCW67C
STM
SOT23
T1a
Si PNP 32B 0 8A h2i3>250
DC
BF720
Motorola
SOT89
T3a
Si NPN 300B1.5W
DC
BF620
ITT
SOT89
T3a
Si NPN 300В ЗОмА
DCs
BCW67C
Infineon
SOT23
Tia
Si PNP 32B 0 8A h2i3>250
DF
BCW68F
STM
SOT23
T1a
Si PNP45B0,8A h2i3>100
DF
BF621
ITT
SOT89
T3a
Si PNP 300B 30mA
DF
BF721
Motorola
SOT89
T3a
Si PNP 1.5W300B
DFs
BCW68F
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP45B 0,8Ah2i»>100
DG
BCW68G
STM
SOT23
T1a
SlPNP45B 0,8Ah2i3>160
DGs
BCW68G
Infineon
SOT23
T1a
SlPNP45B 0,8Ah2i3>160
DH
BCW68H
STM
SOT23
T1a
Si PNP 45B 0,8A h2i3>250
DH
MMBD2000
Motorola
SOT323
D1a
Si переключат диод 20В 0,2A
DHs
BCW68H
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP 45B 0,8A h2i3>250
DI
MMBD2005
Motorola
SOT323
D1j
Si переключат диод ЗОВ 0,2A
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
DKs
ВСХ42
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP НЧ переключ 125В 0,8A
DP
MMBD2010
Motorola
SOT323
Dth
Сдвоен с общ катодом MMBD2000
Е
1SS380
Rohm
SOD323
D6
Диод 40В ЮОмА с малым током утечки
Е
IMBT3904
ITT
SOT23
T1a
Si NPN 2N3904
Е
IMBT3906
ITT
SOT23
T1a
SiPNP2N3906
Е0
HSMP-3810
HP
SOT23
D1a
НР3810 PIN аттенюаторн диод
Е0
HSMP-381B
HP
SOT323
D1a
НР3810 PIN аттенюаторн диод
Е1
TC7S00F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка И-НЕ
Е1
TC7S00FU
Toshiba
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка И-НЕ
Е1
BFS17
STM
SOT23
T1a
BFY90 BFW92
Е2
TC7S08F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка И
Е2
TC7S08FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка И
Е2
BFS17A
Philips
SOT23
T1a
Si NPN СВЧ ЗГГц 25мА|
Е2
BAL99
Zetex
SOT23
Did
Переключат диод 75В ЮОмА
Е2
HSMP-3812
HP
SOT23
D1i
Сдвоен НР3810 PIN аттенюаторн диод
Е2
HSMP-381C
HP
SOT323
D1i
Сдвоен НР3810 PIN аттенюаторн диод
ЕЗ
TC7S02F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
ЕЗ
TC7S02FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
ЕЗ
BAR99
Zetex
SOT23
D1c
Переключат диод 75В ЮОмА
ЕЗ
HSMP-3813
HP
SOT23
D1j
Сдвоен НР3810 PIN аттенюаторн диод
ЕЗ
HSMP-381E
HP
SOT323
D1j
Сдвоен НР3810 PIN аттенюаторн диод
Е4
TC7S32F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ
Е4
TC7S32FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ
Е4
HSMP-3814
HP
SOT23
Dlh
Сдвоен НР3810 PIN аттенюаторн диод
Е4
HSMP-381F
HP
SOT323
D1h
Сдвоен НР3810 PIN аттенюаторн диод
Е4
ВВ404Е
ITT
SOT23
Dlh
Сдвоен варикап
Е5
TC7S04F
Toshiba
SC59
Hb
Инвертор
Е5
TC7S04FU
Toshiba
SOT353
11b
Инвертор
Е6
TC7SU04F
Toshiba
SC59
11b
Инвертор
Е6
TC7SU04FU
Toshiba
SOT353
11b
Инвертор
Е6
ZC2800E
Zetex
SOT23
D1a
НР2800
Е8
TC7S86F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
Е8
TC7S86FU
Toshiba
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
Е8
ZC2811E
Zetex
SOT23
D1a
НР2811
Е9
TC7S66F
Toshiba
SC59
I1d
Двунаправленный ключ
Е9
TC7S66FU
Toshiba
SOT353
I1d
Двунаправленный ключ
Е9
ZC5800E
Zetex
SOT23
D1a
НР5800
ЕА
TC7S14F
Toshiba
SC59
Hb
Инвертирующий триггер Шмитта
ЕА
TC7S14FU
Toshiba
SOT353
11b
Инвертирующий триггер Шмитта
EAS
BCW65A
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN 32В 800мА h2i3>100
ЕВ
HSMP-4810
HP
SOT23
D1f
0,5-ЗГГц PIN сдвоен с общ катодом
ЕВ
HSMP-481B
HP
SOT323
D1f
0,5-ЗГГц PIN сдвоен с общ катодом
ЕВ
MSC1022-B
Motorola
SC59
Tia
Si PNPB4 150МГц f = 20В
EBs
BCW65B
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN 32В 800мА h2i3>160
ЕС
MSC1022-C
Motorola
SC59
T1a
Si PNP ВЧ 150МГц f= 20В|
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
ECs
BCW65C
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN 32В 800мА h2i3>250
EF
BCV29
Infineon
SOT89
ТЗа
Si NPN ЗОВ 0,5А
EFs
BCW66F
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN 45В 800мА h2i3>100
EG
BCV49
Infineon
SOT89
ТЗа
Si PNP 60В 0,5A
EGs
BCW66G
Infineon
SOT23
Т1а
Si NPN 45B 800mA h2i3>160
EHs
BCW66H
Infineon
SOT23
Т1а
Si NPN 45B 800mA h2i3>240
EKs
BCX41
Infineon
SOT23
Т1а
Si NPN НЧ переключ 125B0.8A
F
KV1831E
Toko
SOD123
D6
СВЧ варикап 2,5-22пФ
F
MRF 927
Motorola
SOT323
Т1а
Si NPN СВЧГ=8ГГц
F0
HSMP-3820
HP
SOT23
D1a
35В ВЧ PIN переключат диод|
F05
TSDF1205
Telefunken
SOT143
Т4а
f = 12ГГЦ Si NPN СВЧ 4В 12мА
F1
BFS18
SGS Phi
SOT23
Т1а
BF495
F1
MMBC1009F1
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN ВЧ f = 150МГц h2,3=30-60
F2
BFS19
SGS Phi
SOT23
Т1а
BF184BF494
F2
HSMP-3822
HP
SOT23
D1i
Сдвоен НР3820 PIN переключат диод|
F20
TSDF1220
Telefunken
SOT143
Т4а
Si NPN f = 12ГГц6В 20мА
F3
HSMP-3823
HP
SOT23
D1j
35В ВЧ PIN переключат диод
F3
MMBC1009F3
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN ВЧ f = 150МГц h2i3=60-120
F4
HSMP-3824
HP
SOT23
D1h
Сдвоен НР3820 PIN переключат диод
FA
HSMP-4820
HP
SOT23
Die
0,5-ЗГГц PIN сдвоен с общ анодом
FA
HSMP-482B
HP
SOT323
Die
0,5-ЗГГц PIN сдвоен с общ анодом
FA
BFQ17
Philips
SOT89
ТЗа
Si NPN ВЧ 1 5ГГц ЗООмА
FAs
BFP81
Infineon
SOT143
Т4а
Si NPN ВЧ 16В ЗОмА BFQ69
FD
BCV26
STM
SOT23
Т1а
Si PNP схема Дарлингтона (составной транзистор)
FE
BCV46
STM
SOT23
Т1а
Si PNP схема Дарлингтона (составной транзистор)
FEs
BFP93A
Infineon
SOT143
Т4а
Si NPN ВЧ 12В 50мА BFR91A
FF
BCV27
STM
SOT23
Т1а
Si NPN схема Дарлингтона (составной транзистор)
FG
BCV47
STM
SOT23
Т1а
Si NPN схема Дарлингтона (составной транзистор)
FGs
BFQ19S
Infineon
SOT89
ТЗа
Si NPN ВЧ 15В 75мА BFR96S
FR
2SA1037AK
Rohm
SOT23
Т1а
Si PNP h2i3 усилит
FR
2SA1576A
Rohm
SOT23
Т1а
Аналог —2SA1037K
FR
2SA1774
Rohm
SOT23
Т1а
Аналог —2SA1037K
G
KV1181E
Toko
SOD123
D6
СВЧ варикап 2-16пФ
G
MRF 947A
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN СВЧ 8ГГц
GO
HSMP-3890
HP
SOT23
D1a
НР3890 PIN переключат диод
GO
HSMP-389B
HP
SOT323
D1a
НР3890 PIN переключат диод
G1
BFS20
SGS Phi
SOT23
Т1а
BF199
G1
MMBT5551
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN 2N5551 1)кэ 160В
G1
TC7SET00F
Toshiba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
G1
TC7SET00FU
Toshiba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
G1E
BC847A
Rohm
SOT23
Т1а
Si NPN ВС547А
G1F
BC847B
Rohm
SOT23
Т1а
Si NPN BC547B
G1G
BC847C
Rohm
SOT23
Т1а
Si NPN BC547C
G1J
BC848A
Rohm
SOT23
Т1а
Si NPN BC548A
G1K
BC848B
Rohm
SOT23
Т1а
Si NPN BC548B|
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
G1K
BC848BW
Rohm
SOT323
T1a
Si NPN BC548B
G1L
ВС848С
Rohm
SOT23
T1a
Si NPN BC548C
G2
HSMP-3892
HP
SOT23
D1i
Сдвоен HP3890 PIN переключат диод
G2
HSMP-389C
HP
SOT323
D1i
Сдвоен HP3890 PIN переключат диод
G2
TC7SET08F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка И
G2
TC7SET08FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка И
G3
HSMP-3893
HP
SOT23
D1j
Сдвоен НР3890 PIN переключат диод
G3
HSMP-389E
HP
SOT323
D1j
Сдвоен НР3890 PIN переключат диод
G3
BAR63
Infineon
SOT23
D1a
PIN диод 100В 50мА
G3
TC7SET02F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
G3
TC7SET02FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
G3E
ВС857А
Rohm
SOT23
T1a
Si PNP ВС557А
G3F
ВС857В
Rohm
SOT23
T1a
Si PNP ВС557В
G3J
ВС858А
Rohm
SOT23
T1a
Si PNP BC558A
G3K
ВС858В
Rohm
SOT23
T1a
Si PNP BC558B
G3K
BC858BW
Rohm
SOT323
T1a
Si PNP BC558B
G3L
ВС858С
Rohm
SOT23
T1a
Si PNP BC558C
G4
BAR63-04
Infineon
SOT23
D1i
Сдвоен PIN диод 100B 50mA
G4
HSMP-3894
HP
SOT23
D1h
Сдвоен HP3890 PIN переключат диод
G4
HSMP-389F
HP
SOT323
Dlh
Сдвоен HP3890 PIN переключат диод
G4
TC7SET32F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ
G4
TC7SET32FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ
G4S
BAR63-04W
Infineon
SOT323
D1i
Сдвоен PIN диод 100В 50мА
G5
BAR63-05
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен PIN диод 100В 50мА
G5
HSMP-3895
HP
SOT143
D4d
Сдвоен НР3890 PIN переключат диод
G5
TC7SET04F
Toshiba
SC59
11b
Инвертор
G5
TC7SET04FU
Toshiba
SOT353
11b
Инвертор
G5s
BAR63-05W
Infineon
SOT323
D1h
Сдвоен PIN диод 100В 50мА
G6
BAR63-06
Infineon
SOT23
D1j
Сдвоен PIN диод 100В 50мА
G6A
ВС817-16
Rohm
SOT23
T1a
Si NPN ВС337-16
G6B
ВС817-25
Rohm
SOT23
T1a
Si NPN BC337-25
G6S
BAR63-06W
Infineon
SOT323
D1j
Сдвоен PIN диод 100В 50мА
G7
BF579
Telefunken
SOT23
T1a
Si PNP BF979 СВЧ f = 1,75ГГц
G8
TC7SET86F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
G8
TC7SET86FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
GA
HSMP-4890
HP
SOT23
Die
0,5-ЗГГц сдвоен PIN ограничительный диод
GA
HSMP-489B
HP
SOT323
Die
0,5-ЗГГц сдвоен PIN ограничительный диод
GC1
BCW29
Rohm
SOT23
T1a
ВС178А
GC2
BCW30
Rohm
SOT23
T1a
ВС178В
GD1
BCW33
Rohm
SOT23
T1a
ВС108С
GD2
BCW32
Rohm
SOT23
T1a
ВС108В
GEs
BFR35AP
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN ВЧ 15В ЗОмА BFR34A
GFs
BFR92P
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN ВЧ 15В ЗОмА BFR90
GH1
BCW69
Rohm
SOT23
T1a
ВС177А
GH2
BCW70
Rohm
SOT23
T1a
ВС177В
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
GK1
BCW71
Rohm
SOT23
Tta
BC107A
GK2
BCW72
Rohm
SOT23
T1a
BC107BZXT300
GLP
ММВТ1010
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 15B h2i3 300-600 100mA
GLP
MSD1010
' Motorola
SC59
Tta
Si PNP 15B h2ia 300-600 100mA
GT1
ВСХ17
Rohm
SOT23
Tta
BC327
GT2
ВСХ18
Rohm
SOT23
Tta
BC328
GU1
ВСХ19
Rohm
SOT23
Tta
BC337
GU2
ВСХ20
Rohm
SOT23
Tta
BC338
Н
MRF 947В
Motorola
SOT323
Tta
Si NPN СВЧ 8ГГц|
Ш
TC7SH00F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка И-НЕ
Н1
TC7SH00FU
Toshiba
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка И-НЕ
Н1
BCW69
Philips
SOT23
Tta
ВС177А
Н1
SST4416
Siliconix
SOT23
Ttc
Полевой с N-кан 2N4416
Н11
UMH11TN
Rohm
SOT363
T6c
Si NPN/PNP пара ЮкОм+ЮкОм (резистор смещения)
Н2
TC7SH08F
Toshiba
SC59
И a
2-х входовая ячейка И
Н2
TC7SH08FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка И
Н2
BCW70
Philips
SOT23
Tia
ВС177В
НЗ
TC7SH02F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
НЗ
TC7SH02FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
НЗ
BCW89
Philips
SOT23
T1a
ВС556
Н4
TC7SH32F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ
Н4
TC7SH32FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ
Н4
SST5484
Siliconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан 25В ЮмА 2N5484
Н5
TC7SH04F
Toshiba
SC59
Hb
Инвертор
Н5
TC7SH04FU
Toshiba
SOT353
11b
Инвертор
Н5
SST5485
Siliconix
SOT23
T1C
Полевой с N-кан 25В ЮмА 2N5485
Н5
MBD770DW
Motorola
SOT363
D5a
Сдвоенный СВЧ диод Шоттки
Н6
TC7SHU04F
Toshiba
SC59
11b
Инвертор
Н6
TC7SHU04FU
Toshiba
SOT353
11b
Инвертор
не
SST5486
Siliconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан 25В ЮмА 2N5486
Н8
TC7SH86F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
Н8
TC7SH86FU
Toshiba
SOT353
11 a
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
НА
74HC1G00
Philips
SOT353
11a
2-х входовая ячейка И-НЕ
НА
TC7SH14F
Toshiba
SC59
11b
Инвертирующий триггер Шмитта
НА
TC7SH14FU
Toshiba
SOT353
Hb
Инвертирующий триггер Шмитта
НВ
74HC1G02
Philips
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
НВ
BFN22
STM
SOT89
T3a
Si NPN Цкэ 250В
НС
74HC1G04
Philips
SOT353
Hb
Инвертор
НС
BFN23
STM
SOT89
T3a
Si PNP Цкэ 250В
HD
74HC1GU04
Philips
SOT353
11b
Инвертор
НЕ
74HC1G08
Philips
SOT353
11a
2-х входовая ячейка И
HF
74HC1G14
Philips
SOT353
11b
Инвертирующий триггер Шмитта
HG
74HC1G32
Philips
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ
НН
74HC1G86
Philips
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
HHs
BBY51-07
Infineon
SOT143
D4d
Сдвоен варикап, аналог BBY51
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
HL
74HC1G66
Philips
SOT353
I1d
Двунаправленный ключ
НМ
74HC1G125
Philips
SOT353
He
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
HN
74HC1G126
Philips
SOT353
He
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
HQ
2SA1036K
Rohm
SOT23
T1a
Si PNP 500мА
I0
SST110
Siliconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан ЛЮ
I8
SST108
Siliconix
SOT23
T1C
Полевой с N-кан Л 08
I9
SST109
Siliconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан Л 09
J01
SO2906R
SOT23
T1a
2N2906
Л
TC7SZ00F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка И-НЕ
л
TC7SZ00FU
Toshiba
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка И-НЕ
л
ZC830
Zetex
SOT23
D1a
ZC820 варикапы
л
BSS138L
Motorola
SOT23
T1d
N-кан полевой
J2
TC7SZ08F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка И
J2
TC7SZ08FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка И
J2
ZC833
Zetex
SOT23
D1a
ZC823
J3
TC7SZ02F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
J3
TC7SZ02FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
J3
ZC831
Zetex
SOT23
D1a
ZC821
J3D
MSB81T1
Motorola
SOT323
T1a
Si PNP ВЧ f = 0,6ГГц
J4
TC7SZ32F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ
J4
TC7SZ32FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ
J4
ZC832
Zetex
SOT23
D1a
ZC823
J4A
MBV109
Motorola
SOT23
D1a
29пФ ВЧ варикап диод
J5
TC7SZ04F
Toshiba
SC59
11b
Инвертор
J5
TC7SZ04FU
Toshiba
SOT353
11b
Инвертор
J5
ZC834
Zetex
SOT23
D1a
ZC824
J6
TC7SZU04F
Toshiba
SC59
11b
Инвертор
J6
TC7SZU04FU
Toshiba
SOT353
11b
Инвертор
J6
M1MA174
Motorola
SOT323
Dia
Si диод 100В
J6
ZC835
Zetex
SOT23
D1a
ZC825
J7
ZC836
Zetex
SOT23
D1a
ZC826
JA
BAV74
Zetex Mot
SOT23
D1h
Сдвоен диод с общ катодом 50В 0,1 А
JAX
MBAV74
Motorola
SOT23
D1h
Переключат диоды
JB
TC7SZ125F
Toshiba
SC59
He
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
JB
TC7SZ125FU
Toshiba
SOT353
He
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
JB
BAR74
Zetex
SOT23
D1a
Быстродейств переключат диод 50В 0,1А
JBs
BAR74
Infineon
SOT23
Dia
Быстродейств переключат диод 50В 0,1А
JC
TC7SZ126F
Toshiba
SC59
He
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
JC
TC7SZ126FU
Toshiba
SOT353
He
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
JC
BAL74
Zetex
SOT23
D1b
Быстродейств переключат диод 50В 0,1 А
JCs
BAL74
Infineon
SOT23
D1b
Быстродейств переключат диод 50В 0,1 А
JE
TC7SZ05F
Toshiba
SC59
11b
Инвертор (откр исток)
JE
TC7SZ05FU
Toshiba
SOT353
11b
Инвертор (Откр исток)
JF
BAL99
Motorola
SOT23
Did
Диод 70В
JFs
BAL99
Infineon
SOT23
Did
Диод 70В
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
JGs
BAR99
Infineon
SOT23
D1c
Диод 70В
JKs
BF1009
Infineon
SOT143
T4d
N-кан цифровой полевой МОП 1ГГЦ9В
JL
MRF 949
Motorola
SC90
Tia
SiNPN СВЧ{ = 9ГГц
JLs
BF1009S
Infineon
SOT143
T4d
N-кан цифровой полевой МОП 1ГГц 9В
JPs
BAS19
Infineon
SOT23
D1a
Диод 100В 250мА
JPs
BAW101
Infineon
SOT143
T4d
Сдвоен переключат диод 300В 250мА
JRs
BAS20
Infineon
SOT23
Dia
Диод 150В 250мА
JS
BAS21
Infin Mot
SOT23
D1a
Диод 200В 250мА
JSs
BAW100
Infineon
SOT143
T4f
Сдвоен переключат диод 75В 200мА
JTp
BAS28
Philips
SOT143
T4d
Сдвоен переключат диод 75В 200мА
JTs
BAS28
Infineon
SOT143
T4d
Сдвоен переключат диод 75В 200мА
JV
BAS116
Infin Mot
SOT23
D1a
Диод 250В 75мА 10бр 5нА
JX
BAV170
Mot Infin
SOT23
D1h
Сдвоен с общ катодом Si диод с малым !Обр
JY
BAV199
Mot Infin
SOT23
D1l
Сдвоен Si диод с малым |О6Р
JZ
BAW156
Motorola
SOT23
D1J
Сдвоен с общ анодом Si диод с малым 10бР
K
MRF 917
Motorola
SOT323
Tia
Si NPN СВЧ f = бГГц
K0
HSMP-3830
HP
SOT23
D1a
PIN диод НР3830
K1
BCW71
Philips
SOT23
Tia
ВС107А
K14
DTA114G
Rohm
SOT23
T1a
PNP переключ 50В ЮОмА с резистором в цепи базы
K15
DTA124G
Rohm
SOT23
T1a
PNP переключ 50В 50мА с резистором в цепи базы
K2
BCW72
Philips
SOT23
Tia
BC107BZXT300
K2
HSMP-3832
HP
SOT23
D1i
Сдвоен НР3830 PIN диод
K24
DTC114G
Rohm
SOT23
Tia
Si NPN ключевой 50В ЮОмА с резистором в цепи базы
K25
DTA124G
Rohm
SOT23
Tia
PNP ключевой 506 50мА с резистором в цепи базы
КЗ
HSMP-3833
HP
SOT23
D1J
Сдвоен НР3830 PIN диод
КЗ
BCW81
Philips
SOT23
Tia
Si NPN 50В 0,1А 0,2Вт h2ia 420
K4
HSMP-3834
HP
SOT23
D1h
Сдвоен НР3830 PIN диод
K7
BCV71
Philips
SOT23
T1a
ВС546А
К8
BCV72
Philips
SOT23
T1a
ВС546В
КВ
MMBT8099L
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN 80В
КМ
BST80
Philips
SOT89
T3e
VN10
KN
BST84
Philips
SOT89
T3e
N-кан МОП 200В 0,25А
КО
BST86
Philips
SOT89
T3e
N-кан МОП 180В 0,ЗА
L0
HSMP-386B
HP
SOT323
D1a
ВЧ PIN диод
L0
HSMP-3860
HP
SOT23
Dia
Сдвоен PIN диод
11
TC7SL00F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка И-НЕ
11
TC7SL00FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка И-НЕ
L1
BSS65
Zetex
SOT23
T1a
Si PNP 12В 0,1А 400МГц ключевой
12
TC7SL08F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка И
12
TC7SL08FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка И
12
HSMP-3862
HP
SOT23
D1l
Сдвоен ВЧ PIN диод
L2
HSMP-386C
HP
SOT323
D1I
Сдвоен ВЧ PIN диод
L2
BSS69
Zetex
SOT23
Tia
Si PNP 40В 0,1А 200МГц ключевой
L20
BAS29
NatSemi
SOT23
Dia
Si диод 120В 50мА
КОД
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание|
L21
BAS31
NatSemi
SOT23
D1l
2xBAS29 диод
L22
BAS35
NatSemi
SOT23
D1J
2xBAS29 диод
L3
TC7SL02F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
13
TC7SL02FU
Toshiba
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
L3
BSS70
Zetex
SOT23
Tia
Si PNP 40В 0 1А 200МГц ключевой
L3
MMBC1623L3
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN 40В
L3
HSMP-3863
HP
SOT23
D1J
С общ анодом ВЧ PIN диод
L3
HSMP-386E
HP
SOT323
D1J
С общ анодом ВЧ PIN диод
130
BAV23
Phil
SOT143
D4d
2 диода 200В 225мА
14
TC7SL32F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ
14
TC7SL32FU
Toshiba
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ
14
HSMP-3864
HP
SOT23
D1h
С общ катодом ВЧ PIN диод
L4
HSMP-386F
HP
SOT323
D1h
С общ катодом ВЧ PIN диод
L4
BAT54
Philips
SOT23
D1a
ВАТ85 диод Шоттки
14
MMBC1623L4
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN 40В
141
BAT74
Philips
SOT143
D4d
2ХВАТ85
142
BAT54A
Phil Zet
SOT23
D1J
Сдвоен с общ катодом диод Шоттки
143
BAT54C
Phil Zet
SOT23
D1h
Сдвоен с общ катодом диод Шоттки
L44
BAT54S
Phil Zet
SOT23
D1i
Сдвоен диоды Шоттки с поел вкл
L4Z
BAT54
Zetex
SOT23
Dia
ВАТ85 диод Шоттки
L5
BSS65R
Zetex
SOT23
T1a
Si PNP 12В ЮОмА 330мВт
L5
KST1623L5
Samsung
SOT23
Tia
Si NPN 50В ЮОмА 350мВт
L5
TC7SL04F
Toshiba
SC59
11b
Инвертор
L5
TC7SL04FU
Toshiba
SOT353
11b
Инвертор
L5
MMBC162315
Motorola
SOT23
T1a
MPS3904 h2i3 135-270
L51
BAS56
Cents
SOT143
D4b
Два быстродейств имп диода 60В 200мА
L51
BAS56
Phil
SOT143
D4b
Два быстродейств имп диода 60В 200мА
L6
TC7SLU04F
Toshiba
SC59
11b
ИнверторI
L6
TC7SLU04FU
Toshiba
SOT353
11b
ИнверторI
L6
BAR 17
Infineon
SOT23
D1a
PIN диод 100В 140мА|
L6
BSS69R
Zetex
SOT23
T1a
Si PNP 40В 0,1А 200МГц ключевой
L6
MMBC1623L6
Motorola
SOT23
T1a
MPS3904 Ь21э 200-400
17
BSS70R
Zetex
SOT23
Tia
Si PNP 40В 0,1А 200МГц ключевой
17
MMBC162317
Motorola
SOT23
Tia
MPS3904 Ь21Э 300-600|
17
BAR14-1
Infineon
SOT23
D1I
Сдвоен PIN ЮОмА макс
L8
BAR15-1
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен PIN ЮОмА макс
19
BAR16-1
Infineon
SOT23
D1J
Сдвоен PIN ЮОмА макс|
LB
S525T
Telefunken
SOT23
Tie
N-кан ВЧ полевой МОП 200МГц|
LB
BF999
Infineon
SOT23
Tie
N-кан ВЧ полевой МОП 300МГц
IDs
BF543
Infineon
SOT23
Tie
N-кан ВЧ полевой МОП 300МГц
LEs
BF660
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP BF606A ВЧ генераторный f = 800МГц
LGs
BF775A
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN ВЧ ЮВЗОмА
LHs
BF569
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP ВЧ BF970
LK
BF799
Infineon
SOT23
Tia
Si NPN ВЧ 20В 35мА BF959
LK
BF799W
Infineon
SOT323
Tia
Si NPN ВЧ 20В 35мА BF959
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
LM
BST120
Philips
SOT89
ТЗе
Р-кан полевой МОП 60В 0,ЗА
LN
BST122
Philips
SOT89
ТЗе
Р-кан полевой МОП 50В 0 25А
LOs
BF775
Infineon
SOT23
Т1а
Si NPN ВЧ 15В ЗОмА BFQ69
LOs
BF775W
Infineon
SOT323
Ла
Si NPN ВЧ 15В ЗОмА BFQ69
LRs
BF517
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN BF763 2,5 ГГц
LSs
BF770A
Infineon
SOT23
Tia
Si NPN ВЧ 12В 50мА
M
BAR65-07
Infineon
SOT143
D4d
Диод ВЧ переключат ЗОВ ЮОмА
М1
BFR30
Phi Mot
SOT23
Ttc
BFW11 BF245
М1В
MMBT2222L
Motorola
SOT23
Tta
Si NPN 2N2222
М1Е
MMBTA43L
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN MPSA43 200В Ока
M1F
MMBT5550L
Motorola
SOT23
T1a
2N5550 Si NPN 140В
MU
ММВТ2369
Motorola
SOT23
Tta
Si NPN 2N2369A
М2
BFR31
Phi Mot
SOT23
T1C
BFW12 BF245
М2В
ММВТ2907
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 2N2907
М2С
ММВТА70
Motorola
SOT23
Tta
Si PNPMPSA70
М3
BFT46
Philips
SOT23
Ttc
N-кан полевой малосигн усилит
М3
ММВА812МЗ
Motorola
SOT23
Tia
Si PNP2N5086 h2i3 60-120
М31
BSD20
Philips
SOT143
T4J
N-кан ключевой полевой МОП 10B
М32
BSD22
Philips
SOT143
T4J
N-кан ключевой полевой МОП 20В
МЗА
ММВТН24
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN ВЧ усилит 400МГц{ = ЗОВ
МЗВ
ММВТ918
Motorola
SOT23
Tia
SiNPN 2N918 СВЧ усилит
M3J
ММВТН69
Motorola
SOT23
Tta
Si PNP СВЧ усилит 2П"ц f = 15В
М4
BSR56
Phi Mot
SOT23
T1c
2N4856 N-кан полевой
М4
MBD110DW
Motorola
SOT363
D5a
Сдвоен СВЧ диод Шоттки
М4А
MMBV109
Motorola
SOT23
D1a
Варикап
М4А
MMBV109
Motorola
SOT323
Dia
Варикап
М4В
MMBV432
Motorola
SOT23
Dlh
Сдвоен с общ катодом варикап 45пФ/2В
М4С
MMBV3102
Motorola
SOT23
Dia
Варикап
М4Е
MMBV105G
Motorola
SOT23
D1a
Варикап
M4F
MMBD353
Motorola
SOT23
Dig
Сдвоен MBD101 с послед вкл
M4G
MMBV2101
Motorola
SOT23
Dia
Варикап 6,8пФ MV2101
М5
BSR57
Phi Mot
SOT23
Tic
2N5457 N-кан полевой
М5
ММВА812М5
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 2N5086 h213 135-270
М5С
MMBD7000
Motorola
SOT23
D1i
2х переключат диодз 100В
M5G
MMBD352
Motorola
SOT23
Dig
2xMBD101 диод
Мб
BSR58
Phi Mot
SOT23
Tic
2N4858 N-кан полевой
Мб
ММВА812М6
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 2N5086 h2i3 200-400
Мб
BSS66
Zetex
SOT23
Tia
Si NPN 40В 0,1A ключевой f = 250МГц
М6А
MMBF4416
Motorola
SOT23
T1c
Полевой c N-кан ВЧ 2N4416
Мб В
MMBF5484
Motorola
SOT23
T1c
Полевой С N-кан ВЧ 2N5484
М6С
MMBFU310
Motorola
SOT23
Tic
Полевой с N-кан ВЧ U310
М6Е
MMBF5460
Motorola
SOT23
T1c
Полевой с N-кан ВЧ 2N5460
М6Н
MMBD354
Motorola
SOT23
D1h
Сдвоен MBD101 с общ катодом
М7
BSS67
Zetex
SOT23
T1a
Si NPN 40В 0,1А ключевой f = 300МГц
М7
ММВА812М7
Motorola
SOT23
T1a
^1 PNP 2N5086 h2i3 300-600
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
М74
BSS83
Philips
SOT143
T4J
N-кан ключевой полевой МОП
М89
BF989
Philips
SOT23
D1b
BF960
М90
BF990
Philips
SOT143
T4d
BF980
М91
BF991
Philips
SOT143
T4d
BF981
М92
BF992
Philips
SOT143
T4d
BF982
М94
BF994
Philips
SOT143
T4d
BF964
М96
BF996
Philips
SOT143
T4d
BF966
МА
M1MA151A
Motorola
SC59
D1C
40В 10ОмА переключат диод
МА
MBT3904DW1
Motorola
SOT363
T6C
2xSi NPN 2N3904
МА
M1MA152AT
Motorola
SOT23
D1c
80В ЮОмА переключат диод
МВ
MBT3904DW9
Motorola
SOT363
Сдвоен 2N3904
МС
ZVN3306F
Zetex
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 60В ЮОмА
MCs
BFS17P
Infineon
SOT23
Tta
Si NPN ВЧ 15В 25мА BFW92
MCs
BFS17W
Infineon
SOT323
T1a
Si NPN ВЧ 15В 25мА BFW92
MCs
BFS17S
Infineon
SOT363
T6b
2xSi NPN ВЧ 15В 25мА BFW92
MF
ZVN3310F
Zetex
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 100В ЮОмА
MG
BF994S
Telefunken
SOT143
T4d
BF964 N-кан цифровой ВЧ полевой МОП
MH
BF996S
Telefunken
SOT143
T4d
BF966 N-кан цифровой ВЧ полевой МОП
MH
M1MA141K
Motorola
SOT323
D1a
Переключат диод 40В ЮОмА
MH
M1MA151K
Motorola
SC59
D1a
Переключат диод 40В ЮОмА
Ml
M1MA142K
Motorola
SOT323
D1a
80В ЮОмА переключат диод
Ml
M1MA152K
Motorola
SC59
D1a
80В ЮОмА переключат диод
ML
ZVP3306F
Zetex
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП 60В 90мА
MN
М1МА141ВтА
Motorola
SOT323
D1J
Сдвоен диод с общ анодом 40В ЮОмА
MN
М1МА151ВтА
Motorola
SC59
D1f
Сдвоен диод с общ анодом 40В ЮОмА
MO
M1MA142W
Motorola
SOT323
D1J
Сдвоен диод с общ анодом 80В ЮОмА
MO
M1MA152W
Motorola
SOT23
D1J
Диод С Общ анодом 80В ЮОмА SC59
MO
BF998
Infin Temic
SOT143
T4d
N-кан ВЧ цифровой полевой МОП BF988
MR
ZVP3310F
Zetex
SOT23
Ttd
Р-кан полевой МОП 100В 75мА
MS
CF739
Infineon
SOT143
T4d
Цифровой GaAs полевой 2ГГц
MT
M1MA141BtK
Motorola
SOT323
D1h
Сдвоен диод с общ катодом 40В ЮОмА
MT
M1MA151BtK
Motorola
SC59
Die
Сдвоен диод с общ катодом 40В ЮОмА|
MU
M1MA142WK
Motorola
SOT323
D1h
Сдвоен диод с общ катодом 80В ЮОмА
MU
M1MA152WK
Motorola
SC59
Die
Сдвоен диод с общ катодом 80В ЮОмА
MY
VN10LF
Zetex
SOT23
Tld
N-кан полевой МОП 60В 150мА
MYs
BF1012
Infineon
SOT143
T4d
N-кан цифровой полевой МОП 1 ГГц 12В
MZ
ZVN4106F
Zetex
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 60В 200мА
MZs
BF1005
Infineon
SOT143
T4d
N-кан цифровой полевой МОП 1 ГГц 5В
N
DAN202K
Rohm
SOT23
D1h
Сдвоен диод 80В ЮОмА
NO
BFG505W
Philips
SOT343
T5b
Si NPN СВЧ 9ГГц15В18мА
NO
TN0200T
NatSemi
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 0,6А Id
NOS
SO2484
STM
SOT23
T1a
2N2484
N08
SO930
STM
SOT23
T1a
2N930
N1
BFG505WX
Philips
SOT343
T5a
Si NPN СВЧ 9ГГц15В18мА
N1
MMBT100
NatSemi
SOT23
T1a
Si NPN ключевой 500мА
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
N1
MMBF0201N
Motorola
SOT23
Tid
N-кан полевой МОП 20В 0,3A Id
N1
MMBF2201N
Motorola
SOT323
Ttd
N-кан полевой МОП 20В 0,3A Id
N1
TN0201T
Тетю
SOT23
Ttd
N-кан полевой МОП 0,ЗА Id 0,2Вт
N10
S0918
STM
SOT23
Tia
2N918
N11
S02369
STM
SOT23
Tia
2N2369
N12
S02221
STM
SOT23
T1a
2N2221
N13
S02222
STM
SOT23
Tia
Si NPN 2N2222
N18
SO1711
STM
SOT23
Tia
2N1711
N2
MGSF1N02L
Motorola
SOT23
Ttd
N-кан полевой МОП
N2
ММВТ200
NatSemi
SOT23
Tia
Si NPN ключевой 500мА
N2
MMBC1653N2
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN 130В 50мА h213 50-130
N20
SO2222A
STM
SOT23
T1a
Si NPN 2N2222A
N27
501893
STM
SOT23
T1a
2N1893
N28
BFR520
Philips
SOT23
T1a
Si NPN СВЧ 9ГГЦ 70мА
N29
BFR540
Philips
SOT23
Tia
Si NPN СВЧ 9ГГц 120мА
N3
MMBC1653N3
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN 130B 50mA h2f3 100-220
N3
MGSF1N03L
Motorola
SOT23
Ttd
N-кан полевой МОП ЗОВ 0,75A
N30
BFR505
Philips
SOT23
Tia
Si NPN СВЧ 9ГГЦ 15B 18mA
N33
BFG505
Philips
SOT143
T4b
Si NPN СВЧ 9ГГц 15В 18мА
N36
BFG520
Philips
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ 9ГГц 70мА
N37
BFG540
Philips
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ 9ГГц 120мА
N38
BFG590
Philips
SOT143
T4b
Si NPN СВЧ 5ГГЦ 15В 0,2А
N39
BFG505X
Philips
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ 9ГГЦ 15В 18мА
N4
MMBC1653N4
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN 130В 50мА h2i3 150-330
N44
BFG590X
Philips
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ 5ГГц 15В 0,2А
N5
MMBC1654N5
Motorola
SOT23
Tia
St NPN 160В 50мА h2t3 50-130
N54
SO2221A
STM
SOT23
Tia
2N2221A
N6
MMBC1653N6
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN 160В 50мА h2t3 100-220
N7
MMBC1653N7
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN 160В 50мА h2t3 150-330
N70
BFG10
Philips
SOT143
T4b
Si NPN 8B 250мА 1.8ГГЦ для усилит мощи
N71
503904
STM
SOT23
Tia
2N3904
N71
BFG10X
Philips
SOT143
T4a
8В 250мА 1,8ГГц для усилит мощи
N72
BFG11
Philips
SOT143
T4b
8В 400мА 1,8ГГц для усилит мощи
N72
503903
STM
SOT23
Tia
2N3903
N73
BFG11X
Philips
SOT143
T4a
8В 400мА 1,8ГГц для усилит мощи
| N79
SO5550
STM
SOT23
Tia
2N5550
N80
SO5551
STM
SOT23
Tia
2N5551
N81
SO2369A
STM
SOT23
T1a
2N2369A
N9
DAN222
Motorola
SOT23
D1h
Сдвоен с общ катодом Si диод SOT416
N91
S0642
STM
SOT23
Tia
SiNPN ЦкэЗООВ 0,1А
№4
80517
SOT23
Tia
Si NPN схема Дарлингтона (составной транзистор)
NC
BF840
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN ВЧ 40В 35мА
ND
BF841
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN ВЧ 40В 35мА
NYs
BF1012S
Infineon
SOT143
T4d
N-кан цифровой полевой МОП 1 ГГц 12В
NZ
MGSF1N02L
Motorola
SOT23
Tid
N-кан полевой МОП
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
NZs
BF1005S
Infineon
SOT143
T4d
N-кан полевой МОП двухзатворный
02
BST82
Philips
SOT23
Ttd
N-кан полевой МОП 80В 175мА
Р
KV1841E
Toko
SOD123
D6
СВЧ варикап 7-15пФ
Р
DAP202K
Rohm
SOT23
D1J
80В ЮОмА сдвоен
РО
ТР0101Т
Тетю
SOT23
Ttd
Р-кан полевой МОП 0,5А 12В
РО
HSMS-285B
HP
SOT323
Dia
С нулевым смещ - диод Шоттки
РО
HSMS-2850
HP
SOT23
Dtc
С нулевым смещ - диод Шоттки
Р01
502906
STM
SOT23
T1a
2N2906
Р01
SST201
Siliconix
SOT23
T1C
J201 N-кан полевой
Р02
SST202
Silicon IX
SOT23
Tic
J202 N-кан полевой
РОЗ
SO2907A
STM
SOT23
Tta
2N2907A
РОЗ
SST203
Siliconix
SOT23
T1C
J203 N-кан полевой
Р04
SST204
Siliconix
SOT23
Ttc
J204 N-кан полевой
Р05
502907
STM
SOT23
Tta
2N2907
Р06
S02894
STM
SOT23
Tta
2N2894
Р1
SST201
Тетю
SOT23
Tic
J201 полевой с N-кан
Р1
BFR92
Philips
SOT23
Tta
Si NPN 15В30мА BFR90
Р12
SO2906A
STM
SOT23
Tta
2N2906A
P1D
PZTA42
Motorola
SOT223
T2a
Si NPN MPSA42 ЮмА 300В
P1F
PZT2222A
Motorola
SOT223
T2a
Si NPN 2N2222A ключевой
PIN
PZTA14
Motorola
SOT223
T2a
Si NPN схема Дарлингтона (составной транзистор) MPSA14
P1S
BFR92W
Infineon
SOT323
Tta
Si NPN 15В30мА BFR90
Р2
BFR92A
Philips
SOT23
Tta
BFR90A
Р2
HSMSM-285C
HP
SOT323
D1l
Сдвоен HSMS-285B
Р2
HSMSM-2852
HP
SOT23
D1J
Сдвоен HSMS-285B
Р25
503906
STM
SOT23
Tta
2N3906
Р26
503905
STM
SOT23
Tta
2N3905
P2D
PZTA92
Motorola
SOT89
T3a
Si PNP MPSA92 300В
P2F
PZT2907A
Motorola
SOT89
T3a
Si PNP 2N2907A ключевой
P2F
PZT2907A
Motorola
SOT223
T2a
Si PNP 2N2907A ключевой
P2V
PZTA64
Motorola
SOT89
T3a
MPSA64 схема Дарлингтона (составной транзистор)
P2V
PZTA64
Motorola
SOT223
T2a
Si PNP MPSA64 схема Дарлингтона (составной транзистор)
РЗ
MMBF0202P
Motorola
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП 0,ЗА 20В
РЗ
MMBF2202P
Motorola
SOT323
T1d
Р-кан полевой МОП 0,ЗА 20В
РЗ
ТР0202Т
Тетю
SOT23
Ttd
Р-кан полевой МОП 0,ЗА 20В
Р32
505400
STM
SOT23
T1a
2N5400
РЗЗ
505401
STM
SOT23
Tta
Si PNP 2N5401
Р38
SST4338
Siliconix
SOT23
Ttc
2N4338
Р39
SST4339
Siliconix
SOT23
Ttc
2N4339
Р39
50692
STM
SOT23
Tta
Si PNP Цкэ=300В 0,1A
Р40
SST4340
Siliconix
SOT23
T1c
2N4340
Р41
SST4341
Siliconix
SOT23
T1c
2N4341
Р5
FMMT2369A
Zetex
SOT23
Tta
2N2369A
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
Р5
HSMSM-2855
HP
SOT143
D4f
Сборка HSMS-2850
Р57
SST5457
Siliconix
SOT23
T1c
2N5457
Р58
SST5458
Siliconix
SOT23
T1C
2N5458
Р59
SST5459
Siliconix
SOT23
Tic
2N5459
Р60
SST5460
Siliconix
SOT23
T1c
2N5460
Р61
SST5461
Siliconix
SOT23
T1c
2N5461
Р62
SST5462
Siliconix
SOT23
T1c
2N5462
Р63
SST5463
Siliconix
SOT23
T1c
2N5463
Р64
SST5464
Siliconix
SOT23
T1c
2N5464
Р65
SST5465
Siliconix
SOT23
T1c
2N5465
Р8А
FLLD258
Zetex
SOT23
D1h
С малым током утечки сдвоен Si диод
РЭ
DAP222
Motorola
SOT23
D1j
Сдвоен с общ анодом переключат диод SOT416
I РА
BA885
Infineon
SOT23
D1a
PIN диод 50В 50мА
PC
MGSF1P02L
Motorola
SOT23
Tld
Р-кан полевой МОП
PD
BSS84L
Motorola
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП
РЕ
MGSF1P02EL
Motorola
SOT23
Tid
Р-кан полевой МОП
РН2
SST4302
Siliconix
SOT23
T1C
2N4302
РНЗ
SST4303
Siliconix
SOT23
Tic
2N4303
РН4
SST4304
Siliconix
SOT23
T1C
2N4304
PMs
BAR66
Infineon
SOT23
D1l
Сдвоен PIN диод 150В 200мА
| POs
BAR64
Infineon
SOT23
Dia
PIN диод 200В ЮОмА
I PPs
BAR64-04
Infineon
SOT23
D1l
Сдвоен PIN ДИОД 200В ЮОмА
PPs
BAR64-04W
Infineon
SOT323
D1l
Сдвоен PIN диод 200В ЮОмА
PRs
BAR64-05
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен PIN диод 200В ЮОмА
PRs
BAR64-05W
Infineon
SOT323
D1h
Сдвоен PIN ДИОД 200В ЮОмА
PSs
BAR64-06
Infineon
SOT23
D1J
Сдвоен PIN диод 200В ЮОмА
PSs
BAR64-06W
Infineon
SOT323
D1j
Сдвоен PIN диод 200В ЮОмА
PTs
BAR64-07
Infineon
SOT143
D4d
Сдвоен PIN диод 200В ЮОмА
Q3
MMBC1321Q3
Motorola
SOT23
Tia
Si NPN ВЧ усилит f = О.бГГц
Q4
MMBC1321Q4
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN ВЧ усилит f = О.бГГц
Q5
MMBC1321Q5
Motorola
SOT23
T1a
Si NPN ВЧ усилит f = О.бГГц
R
BA585
Infineon
SOD123
D6
PIN диод 50мА макс
R1
BFR93
STM
SOT23
T1a
BFR91
R1
H SMS-8101
HP
SOT23
Dlb
10-14ГГц диод Шоттки смесит
R1
TC7SZ00H4E
Toshiba
SC90
11a
2-х входовая ячейка И-НЕ
R2
TC7SZ08H4E
Toshiba
SC90
Ha
2-х входовая ячейка И
R2s
BFR93A
Infineon
SOT23
Tia
Si NPN ВЧ 12В 50мА BFR91A
R2s
BFR93AW
Infineon
SOT323
T1a
Si NPN ВЧ 12В 50мА BFR91A
R3
TC7SZ02H4E
Toshiba
SC90
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
R4
TC7SZ32H4E
Toshiba
SC90
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ
R5
HSMS-8205
HP
SOT143
D4f
Сборка HSMS-8101
R5
TC7SZ04H4 E
Toshiba
SC90
11b
Инвертор
R6
TC7SZU04H4E
Toshiba
SC90
11b
Инвертор
R7
H SMS-8207
HP
SOT143
D4c
HSMS-8101 кольцевое включ смесит
R7s
BFR106
Philips
SOT23
Tia
Si NPN 15В ЮОмА BFR96S
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
RAs
BFQ81
Infineon
SOT23
Tta
Si NPN BFQ69 f = 5.8ГГЦ
RAs
BF772
Infineon
SOT143
T4a
Si NPN ВЧ для ТВ тюнеров
RB
MSC1621
Motorola
SOT23
Tib
Si NPN ключевой 20В 200МГц
RBs
BF771
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN СВЧ{=8ГГц
RBs
BF771BT
Infineon
SOT323
T1a
Si NPN СВЧ{ = 8ГГц
RCs
BFP193
Infineon
SOT143
T4a
Si NPN BFQ82f=8FFu
RCs
BFQ193
Infineon
SOT89
T3a
Si NPN BFQ82f=8FFu
RCs
BFR193
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN BFQ82f=8FFu
RCs
BFR193W
Infineon
SOT323
T1a
Si NPN BFQ82f = 8ГГЦ
RDs
BFP180
Infineon
SOT143
T4a
Si NPN ВЧ 8B 4 mA
RDs
BFR180
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN ВЧ 8B4 mA
RDs
BFR180W
Infineon
SOT323
T1a
Si NPN ВЧ 8B4 mA
REs
BFR280
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN СВЧ усилит f = 7,5ГГц
REs
BFR280W
Infineon
SOT323
T1a
Si NPN СВЧ усилит f = 7,5ГГЦ
REs
BFP280
Infineon
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ усилит f = 7,5ГГЦ
REs
BFS480
Infineon
SOT363
T6b
2xSi NPN СВЧ 8B 10mA
ВЧ s
BFR181
Infineon
SOT23
Tta
Si NPN СВЧ усилит f = 8ГГЦ
ВЧ s
BFR181BT
Infineon
SOT323
T1a
Si NPN СВЧ усилит f = 8ГГц
ВЧ S
BFP181
Infineon
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ усилит f = 8ГГц
ВЧ s
BFS481
Infineon
SOT363
T6b
2xSiNPNCB4 12B20MA
RGs
BFR182
Infineon
SOT23
Tia
Si NPN СВЧ усилит f = 8ГГц
RGs
BFR182W
Infineon
SOT323
Ha
Si NPN СВЧ усилит Г = 8ГГц
RGs
BFP182
Infineon
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ усилит f = 8ГГЦ
RGs
BFS482
Infineon
SOT363
T6b
2xSl NPN СВЧ 126 35mA
RHs
BFR183
Infineon
SOT23
Tta
Si NPN СВЧ усилит f = 8ГГЦ
RHs
BFR183W
Infineon
SOT323
Tta
Si NPN СВЧ усилит f=8FFu
RHs
BFP183
Infineon
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ усилит Г=8ГГц
RHs
BFS483
Infineon
SOT363
T6b
2xSl NPN СВЧ 12B 65mA
Ris
BFP196
Infineon
SOT143
T4a
Si NPN ВЧ СВЧ 12B 100mA
RKs
BFP194
Infineon
SOT143
T4a
Si PNP ВЧ СВЧ 15B 100mA
RKs
BFR194
Infineon
SOT23
Tta
Si PNP СВЧ усилит Ic20-80mA 1,5ГГц
SO
HSMP-3880
HP
SOT23
D1a
PIN переключат диод
SO
SST270
Sihconix
SOT23
Tic
Р-кан полевой J270
SOO
NC7S00P5
Fairchild
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка И-НЕ
S02
NC7S02P5
Fairchild
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
S04
NC7S04P5
Fairchild
SOT353
11b
Инвертор
S08
NC7S08P5
Fairchild
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка И
S1
BBY31
Philips
SOT23
Dia
ВВ405
S1
SST271
Sihconix
SOT23
T1c
Р-кан полевой J271
S12
BBY39
Philips
SOT23
Dlh
2XBBY31
S14
NC7S14P5
Fairchild
SOT353
11b
Инвертирующий триггер Шмитта
S14
SST5114
Sihconix
SOT23
T1c
2N5114
S15
SST5115
Sihconix
SOT23
Т1С
2N5115
S16
SST5116
Sihconix
SOT23
T1c
2N5116
S1A
SMBT3904S
Infineon
SOT363
T6c
2xSi NPN 40В 200мА
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
S1A
SMBT3904
Infineon
SOT23
Т1а
Si NPN 40B 200mA
S1A
SMBT2222A
Infineon
SOT23
Т1а
Si NPNH4 40B 600mA
S1C
SMBTA20
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN НЧ 40B 100mA
S1G
SMBTA06
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN НЧ 80В 0,5A
S1K
SMBT6428
Infineon
SOT23
Tia
Si NPN MPSA18 50B
S1L
SMBT6429
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN MPSA18 45B
S2
BBY40
Philips
SOT23
D1a
BB809
S2
BFQ31
Zetex
SOT23
T1a
Si NPN ВЧ 15B0.1A
s2A
SMBT3906S
Infineon
SOT363
T6c
2xSi PNP40B200mA
s2C
SMBTA70
Infineon
SOT23
Tia
Si PNPH4 40B 100mA
S2F
SMBT2907A
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP НЧ 60B 600mA
S2G
SMBTA56
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP НЧ 100B 500mA
S2Q
SMBT5087
Infineon
SOT23
Tia
Si PNP 2N5087
S3
BBY51
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен с общ катодом варикап
S32
NC7S32P5
Fairchild
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ
S3P
SMBT3904PN
Infineon
SOT363
T6c
Si NPN/PNP пара 40В 200мА
S4
BBY62
Phil
SOT143
Варикап 1,6 17 пФ К=8,3
S4
BFQ31A
Zetex
SOT23
T1a
Si NPNB4 15B0.1A
S4
SST174
Siliconix
SOT23
T1c
Р-кан полевой Л 74
S5
BAT15-099R
Siemens
SOT143
S5
SST175
Siliconix
SOT23
T1c
Р-кан полевой Л 75
S5
BAT15-099
Infineon
SOT143
D4g
Сдвоен диод Шоттки 4В 110мА
S50
BS850
ITT
SOT23
Tid
Р-кан полевой МОП 60В 0,25А
S5A
SMBD6050
Infineon
SOT23
D1a
Переключат диод 70В 250мА
S5B
SMBD6100
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен переключат диод 70В 200мА
S5C
SMBD7000
Infineon
SOT23
D1i
Сдвоен переключат диод 100В 200мА
S5D
SMBD914
Infineon
SOT23
T1a
Переключат диод 70В 250мА
S5s
BBY52
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен с общ катодом варикап
S6
BAT15-099R
Siemens
SOT143
Сдвоен диод Шоттки 4В 110мА
S6
BF510
Philips
SOT23
Tie
BF410A
S6
SST176
Siliconix
SOT23
T1c
Р-кан полевой Л 76
S7
BAT114-099
Infineon
SOT143
D4g
Сдвоен диод Шоттки 4В 90мА
S7
BF511
Philips
SOT23
Tie
BF410B
S7
SST177
Temic
SOT23
T1c
Л 77 Р-кан —аналог ключевой полевой
S7
SST177
Siliconix
SOT23
T1c
Р-кан полевой Л 77
S70
BS828
ITT
SOT23
Tid
N-кан полевой МОП 200В 0.23А
S70
BS870
ITT
SOT23
Tid
N-кан полевой МОП 60В 0,25А
S70
2N7002
ITT
SOT23
Tid
N-кан полевой МОП 60В 0,25А
S7s
BBY53
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен с общ катодом варикап
S8
BAT14-099R
Infineon
SOT143
D4g
Сдвоен диод Шоттки 4В 90мА
S8
BF512
Philips
SOT23
Tie
BF410C
S86
NC7S86P5
Fairchild
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
S9
BF513
Philips
SOT23
Tie
BF410D
S9
BAT14-099
Infineon
SOT143
D4g
Сдвоен диод Шоттки 4В 90мА
SA
BSS123
Infin Mot
SOT23
Tid
N-кан полевой МОП 100В 0,17А
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
SA2
SMBD2836
Infineon
SOT23
D1J
Сдвоен переключат диод 50В 200мА
SA3
SMBD2835
Infineon
SOT23
D1J
Сдвоен переключат диод ЗОВ 200мА
sA4
SMBD2838
Infineon
SOT23
Dlh
Сдвоен переключат диод 50В 200мА
sA5
SMBD2837
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен переключат диод ЗОВ 200мА
sC3
SMBT4126
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP ключевой 25В 200мА
SDs
BSS284
Infineon
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП 50В 0,13А
SMs
BB914
Infineon
SOT23
D1h
Сдвоен варикап для приемников FM
SPs
BSS84
Infineon
SOT23
Tld
Р-кан полевой МОП 50В 0,1 ЗА
SRs
BSS131
Infineon
SOT23
Tld
N-кан полевой МОП 240В 0,1 А
SSs
BSS138
Infineon
SOT23
Tld
N-кан полевой МОП 50В 0,22А
STs
BSS139
Infineon
SOT23
Tld
N-кан полевой МОП 250В 0,04А
SU4
NC7SU04P5
Fairchild
SOT353
Hb
Инвертор
sZC
SMBT4124
Infineon
SOT23
T1a
Si NPN ключевой 25В 200мА
TO
TP0601T
Temic
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП 60В 0,12А
TO
HSMS-2860
HP
SOT23
D1a
С нулевым смещ - диод Шоттки
TO
HSMS-286B
HP
SOT323
D1a
С нулевым смещ - диод Шоттки
TOO
NC7ST00P5
Fairchild
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка И-НЕ
T02
NC7ST02P5
Fairchild
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
T04
NC7ST04P5
Fairchild
SOT353
Hb
инвертор
T08
NC7ST08P5
Fairchild
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка И
T1
BCX17
Philips
SOT23
T1a
ВС327
T1
IMT1A
Rohm
SOT363
DA
2xSi PNP 2SA1037AK
T1
BSS63
Motorola
SOT23
T1a
Si PNP 100В 0,1А
T14
NC7ST14P5
Fairchild
SOT353
Hb
Инвертирующий триггер Шмитта
T2
BCX18
Philips
SOT23
T1a
ВС328
T2
IMT2A
Rohm
SOT363
DB
Si PNP 2x2SA1037AK пара
T2
HSMS-286C
HP
SOT323
D1i
Сдвоен HSMS-286B
T2
HSMS-2862
HP
SOT23
D1i
Сдвоен HSMS-286B
T3
BSS63
Phil STM
SOT23
Tia
Si PNP BSS68
T3
HSMS-286E
HP
SOT323
D1j
С общ анодом сдвоен диод HSMS-286B
T3
HSMS-2863
HP
SOT23
D1J
С общ анодом сдвоен диод HSMS-286B
T32
NC7ST32P5
Fairchild
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ
T4
HSMS-286F
HP
SOT323
Dlh
С общ катодом сдвоен диод HSMS-286B
T4
HSMS-2864
HP
SOT23
Dlh
С общ катодом сдвоен диод HSMS-286B
T4
MBD330DW
Motorola
SOT363
D5a
Сдвоен СВЧ диод Шоттки
T5
HSMS-2865
HP
SOT143
D4d
Сдвоен диод HSMS-286B
T7
BSR15
STM
SOT23
Tia
2N2907
T7
SST4117
Siliconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан
T8
SST4118
Siliconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан
T8
BSR16
STM
SOT23
T1a
2N2907A
T86
NC7ST86P5
Fairchild
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
T9
SST4119
Siliconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан
T92
BSR18A
Philips
SOT23
T1a
2N3904
TA
74HCT1G00
Philips
SOT353
11a
2-х входовая ячейка И-НЕ
/4HC11G02
Philips
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
ТС
74HCT1G04
Philips
SOT353
11b
Инвертор|
TD
74HCT1GU04
Philips
SOT353
11b
Инвертор
I ТЕ
74HCT1G08
Philips
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка И
TF
74HCT1G14
Philips
SOT353
11b
Инвертирующий триггер Шмитта
TG
74HCT1G32
Philips
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка ИЛИ
TH
74HCT1G86
Philips
SOT353
11a
2-х входовая ячейка ИСКИ ИЛИ
TL
74HCT1G66
Philips
SOT353
Hd
Двунаправленный ключ
тм
74HCT1G125
Philips
SOT353
He
Драйвер шины буфера линии, Зх уровнев
TN
74HCT1G126
Philips
SOT353
He
Драйвер шины буфера линии, Зх уровнев
TV
MMBF112L
Motorola
SOT23
Tic
ВЧ полевой
U1
BCX19
Philips
SOT23
Tia
ВС337
U1S
BGX50A
Infineon
SOT143
D4a
Диодный мост 50В 140мА
U2
BCX20
Philips
SOT23
T1a
ВС338
U3
BSS64
Philips
SOT23
Tia
120В0,25А0,2Вт
U7
BSR13
STM
SOT23
T1a
Si NPN 2N2222
U8
BSR14
STM
SOT23
T1a
Si NPN 2N2222A
U92
BSR17A
Philips
SOT23
T1a
2N3904
UB
2SB852K
Rohm
SOT23
Tia
Si PNP схема Дарлингтона (составной транзистор) comp 2SD1383K
UC
MSC2404-C
Motorola
SC59
T1a
Si NPN ВЧ 450МГц 20В
V01
VN50300T
Siliconix
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 500В 22мА
V02
VN0605T
Siliconix
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 60В/0.18А
V04
VN45350T
Siliconix
SOT23
Tld
N-кан полевой МОП 450В 20мА
V1
TC7SA00F
Toshiba
SC59
Ha
2-х входовая ячейка И-НЕ
V1
TC7SA00FU
Toshiba
SOT353
11a
2-х входовая ячейка И-НЕ
V1
BFT25
Philips
SOT23
T1a
Si NPN СВЧ 5В 6,5мА 2.3ГГЦ
V1
MRF 959
Motorola
SC90
Tia
Si NPN СВЧ f = 9ГГц
V2
TC7SA08F
Toshiba
SC59
11a
2-х входовая ячейка И|
V2
TC7SA08FU
Toshiba
SOT353
Ha
2-х входовая ячейка И!
V2
BFQ67
Telefunken
SOT23
Tia
Si NPN СВЧ f = 7,5 ГГц 50мА
V3
BFG67
Philips
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 8ГГц 50мА
V5
BFG197
Philips
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ 7,5ГГц ЮОмА
V50
VP0610T
Siliconix
SOT23
Tld
Р-кан полевой МОП — 60В 120мА
VB
MSC3930
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN 20В 150МГц
VB
MSC2295-B
Motorola
SC59
T1a
SiNPN СВЧ 150МГц f = 20В
VC
MSC2295-C
Motorola
SC59
T1a
SlNPN СВЧ 150МГц f = 20В
W18
BFP181TW
Telefunken
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 7,8ГГц 10В 20мА
W1s
BFT92
Infineon
SOT23
T1a
Si PNP 15В 25мА BFQ51/BFQ76
W1s
BFT92W
Infineon
SOT323
Tia
Si PNP 15В 25мА BFQ51/BFQ76
W22
S822TW
Telefunken
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 5,2 ГГц 6В 8мА
W28
BFP280TW
Telefunken
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 7 ГГц 8В ЮмА
W52
S852TW
Telefunken
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 5,2 ГГц 6В 8мА
W67
BFP67W
Telefunken
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 7,5 ГГц 10В 50мА
W74
BAW74
Zetex
SOT23
D1j
Сдвоен быстродейств переключат диод 50В 0,15А
| W82
BFP182TW
Telefunken
SOT343
T4a
Si NPN СВЧ f = 7,5 ГГц 10В 35мА
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
W83
BFP183T
Telefunken
SOT143
T4a
Si NPN СВЧ f = 7,4 ГГц 10B 65мА
W92
BFP92AW
Telefunken
SOT343
T5a
Si NPN СВЧ f = 6 ГГц 15В ЗОмА
WB
2SD1383K
Rohm
SOT23
Т1а
Si NPN схема Дарлингтона (составной транзистор) аналог —2SB852K
WE1
BFS17W
Telefunken
SOT23
Т1а
Si NPN СВЧ f = 2,1 ГГц SOT-323
WE2
BFS17AW
Telefunken
SOT23
Т1а
Si NPN СВЧ f = 3.2ГГЦ SOT-323
WF0
TSDF1205W
Telefunken
SOT343
Т4а
12ГГц Si NPN 5мА 4B
WF2
TSDF1220W
Telefunken
SOT343
Т4а
12ГГцЗ| NPN6B20MA
WFE
BFP93A
Telefunken
SOT143
Т4а
Si NPN BFP93A (FE) 6ГГц
WO
BZX284-B2V4
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 2,4В Е24 ±2%
WP
BZX284-B2V7
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 2,7В Е24 ±2%
WP2
BFR92A
Telefunken
SOT23
Т1а
BFR90A
WQ
BZX284-B3V0
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 3,0В Е24 ±2%
WR
MSD602R
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN 25В 150мА
WR
BZX284-B3V3
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 3,3В Е24 ±2%
WR2
BFR93AW
Telefunken
SOT23
Т1а
BFR91A
WRE
BFR280TW
Telefunken
SOT23
Т1а
Si NPN СВЧГ = 7,5ГГц
WB4
BFR181TW
Telefunken
SOT23
Т1а
Si NPN СВЧ f = 7,8ГГц
WRG
BFR182TW
Telefunken
SOT23
Т1а
Si NPN СВЧГ=7ГГц
WRH
BFR183TW
Telefunken
SOT23
Т1а
Si NPN СВЧ f = 7,4ГГц
WS
BZX284-B3V6
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 3,6В Е24 ±2%
WT
BZX284-B3V9
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 3,9В Е24 ±2%
WU
BZX284-B4V3
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 4,3В Е24 ±2%
WU
MRF 2947А
Motorola
SOT363
Тбе
Сдвоен MRF 941 Si NPN СВЧ 9ГГц
WV
BZX284-B4V7
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 4,7В Е24 ±2%
WV2
BFQ67W
Telefunken
SOT23
Т1а
SlNPN СВЧГ = 7,5ГГц
WW
BZX284-B5V1
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 5,1 В Е24 ±2%
WX
BZX284-B5V6
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 5,6В Е24 ±2%
WY
BZX284-B6V2
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 6,2В Е24 ±2%
WZ
BZX284-B6V8
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 6,8В Е24 ±2%
Х1
IMX1
Rohm
SOT363
DC
2xSi NPN 2SC2412K
X1S
BFT93
Infineon
SOT23
Т1а
Si PNP 12В 35мА BFQ23 BFQ75
Х2
IMX2
Rohm
SOT363
DD
2xSi NPN 2SC2412KI
Х5
MMBV409G
Motorola
SOT23
D1a
Варикап|
ХА
BZX284-B7V5
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 7,5В Е24 ±2%|
ХВ
BZX284-B8V2
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 8,2В Е24 ±2%
ХС
BZX284-B9V1
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 9,1В Е24 ±2%
XD
BZX284-B10
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 10В Е24 ±2%
ХЕ
BZX284-B11
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 11В Е24 ±2%
XF
BZX284-B12
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 12В Е24 ±2%
XG
BZX284-B13
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 13В Е24 ±2%
ХН
BZX284-B15
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 15В Е24 ±2%
XI
BZX284-B16
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 16В Е24 ±2%
XJ
BZX284-B18
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 18В Е24 ±2%
ХК
BZX284-B20
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 20В Е24 ±2%
XL
BZX284-B22
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 22В Е24 ±2%
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
ХМ
BZX284-B24
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 24В Е24 ±2%
XN
BZX284-B27
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 27В Е24 ±2%
ХО
BZX284-B30
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт ЗОВ Е24 ±2%
ХР
MMBD3000
Motorola
SC59
D1a
SI диод ЗОВ 0,2А
ХР
BZX284-B33
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 33В Е24 ±2%
XQ
MMBD3005
Motorola
SC59
D1f
Сдвоен с общ анодом MMBD3000
XQ
BZX284-B36
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 36В Е24 ±2%
XR
BZX284-B39
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 39В Е24 ±2%
XR
MRF 2947RA
Motorola
SOT363
T6b
2xSi NPN MRF 941 СВЧ 9ГГц
XS
MMBD3010
Motorola
SC59
Die
Сдвоен с общ катодом MMBD3000
XS
BZX284-B43
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 43В Е24 ±2%
XT
BZX284-B47
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 47В Е24 ±2%
XT
MMSD301
Motorola
SOD110
D6
MBD301 SOD123
хи
BZX284-B51
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 51В Е24 ±2%
XV
BZX284-B56
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 56В Е24 ±2%
XW
BZX284-B62
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 62В Е24 ±2%
XX
BZX284-B68
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 68В Е24 ±2%
XY
BZX284-B75
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 75В Е24 ±2%
Y1
BZX84-C11
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 11В
Y10
BZX84-C27
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 27В
Y11
BZX84-C30
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт ЗОВ
Y12
BZX84-C33
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 33В
Y13
BZX84-C36
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 36В
Y14
BZX84-C39
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 39В
Y15
BZX84-C43
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 43В
Y16
BZX84-C47
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 47В
Y17
BZX84-C51
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 51В
Y18
BZX84-C56
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,ЗВт56В
Y19
BZX84-C62
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 62В
Y2
BZX84-C12
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 12В
Y20
BZX84-C68
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 68В
Y21
BZX84-C75
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 75В
Y3
BZX84-C13
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 13В
Y4
BZX84-C15
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 15В
Y5
BZX84-C16
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 16В
Y6
BZX84-C18
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 18В
Y7
BZX84-C20
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 20В
Y8
BZX84-C22
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 22В
Y9
BZX84-C24
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 24В
YO
BZX284-C2V4
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 2,4В Е12 ±5%
YP
BZX284-C2V7
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт2,7В Е12 ±5%
YQ
BZX284-C3V0
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0 4Вт 3,0В Е12 ±5%
YR
MSD601R
Motorola
SC59
T1a
SI NPN 25В
YR
BZX284-C3V3
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 3,3В Е12 ±5%
YS
MSD601S
Motorola
SC59
T1a
Si NPN 25В
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
YS
BZX284-C3V6
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 3,6В Е12 ±5%
YT
BZX284-C3V9
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 3,9В Е12 ±5%
YU
BZX284-C4V3
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 4,3В Е12 ±5%
YV
BZX284-C4V7
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт4,7В Е12 ±5%
YW
BZX284-C5V1
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 5,1В Е12 ±5%
YX
BZX284-C5V6
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 5,6В Е12 ±5%
YY
BZX284-C6V2
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 6,2В Е12 ±5%
YZ
BZX284-C6V8
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 6,8В Е12 ±5%
Z0
SST310
Siliconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан J310
Z1
BZX84-C4V7
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 4,7В
Z1
SSTJ211
Siliconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан J211
Z11
BZX84-C2V4
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 2,4В
Z12
BZX84-C2V7
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 2,7В
Z13
BZX84-C3V0
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 3,0В
Z14
BZX84-C3V3
Philips
SOT23
Dia
Стабилитрон 0,3Вт 3,3В
Z15
BZX84-C3V6
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 3 6В
Z16
BZX84-C3V9
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 3,9В
Z17
BZX84-C4V3
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 4,3В
Z2
BZX84-C5V1
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 4,7В
Z2
SSTJ212
Siliconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан J212
Z3
BZX84-C5V6
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 5,6В
Z4
BZX84-C6V2
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 6,2В
Z5
BZX84-C6V8
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 6,8В
Z6
BZX84-C7V5
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 7,5В
Z7
BZX84-C8V2
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 8,2В
Z8
SST308
Siliconix
SOT23
Tic
Полевой с N-кан J308
Z8
BZX84-C9V1
Philips
SOT23
D1a
Стабилитрон 0,3Вт 9,1В
Z9
SST309
Siliconix
SOT23
T1c
Полевой с N-кан J309
Z9
BZX84-C10
Philips
SOT23
Dia
Стабилитрон 0,3Вт 10В
ZA
BZX284-C7V5
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 7,5В Е12 ±5%
ZA6
FMMD2838
Zetex
SOT23
D1h
Сдвоен переключат диод 75В 0,2А
ZB
FMMT4123
Zetex
SOT23
T1a
2N4123
ZB
BZX284-C8V2
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 8,2В Е12 ±5%
ZC
FMMT4124
Zetex
SOT23
T1a
2N4124
ZC
BZX284-C9V1
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 9,1В Е12 ±5%
ZD
FMMT4125
Zetex
SOT23
T1a
2N4125
ZD
ММВТ4125
Motorola
SOT23
T1a
2N4125
ZD
BZX284-C10
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 10В Е12 ±5%
ZE
FMMT4126
Zetex
SOT23
T1a
2N4126
ZE
ММВТ4123
NatSemi
SOT23
T1a
2N4123
ZE
BZX284-C11
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 11В Е12 ±5%
ZF
BZX284-C12
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 12В Е12 ±5%
ZG
BZX284-C13
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 13В Е12 ±5%
ZH
BZX284-C15
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 15В Е12 ±5%
ZI
BZX284-C16
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 16В Е12 ±5%
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
ZJ
BZX2S4-C18
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 18В Е12 ±5%
ZK
BZX284-C20
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 20В Е12 ±5%
ZL
BZX284-C22
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 22В Е12 ±5%
ZM
BZX284-C24
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 248 Е12 ±5%
ZN
BZX284-C27
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт27В Е12 ±5%
ZO
BZX284-C30
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт ЗОВ Е12 ±5%
ZP
BZX284-C33
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 33В Е12 ±5%
ZQ
BZX284-C36
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 36В Е12 ±5%
ZR
MSD1819A
Motorola
SOT323
T1a
Si NPN 50В
ZR
BZX284-C39
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 39В Е12 ±5%
ZS
BZX284-C43
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 43В Е12 ±5%
ZS1
ZHCS1000
Zetex
SOT23
Dia
Диод Шоттки 1А ЗОВ
ZS7
ZHCS750
Zetex
SOT23
D1a
Диод Шоттки 0,75А ЗОВ
ZT
BZX284-C47
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт47В Е12 ±5%
ZU
BZX284-C51
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 51В Е12 ±5%
ZV
BZX284-C56
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 56В Е12 ±5%
ZW
BZX284-C62
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 62В Е12 ±5%
ZX
BZX284-C68
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт68В Е12 ±5%
BZX284-C75
Philips
SOD110
D6
Стабилитрон 0,4Вт 75В Е12 ±5%
Микросхемы
Микросхемы выполняют в радиоэлектронных устройствах самые разные функции. Они подразделяются на две большие группы аналоговые микросхемы и цифровые микросхемы.
При производстве микросхем ориентируются на выпуск серий микросхем определенного назначения, на основе которых возможна разработка устройств с заданными функциями, например, серия видеопроцессоров фирмы PHILIPS TDA8362 или отечественная ТТЛ-логика серии К155.
Маркировка отечественных микросхем
Отечественные микросхемы имеют буквенно-цифровую маркировку.
— буква (буквы) — К или сочетание КР обозначает микросхему. В отдельных сериях буква К присваивается микросхемам в металлокерамическом корпусе, а сочетание КР — в пластмассовом корпусе. Имеют место случаи, когда внутри одной серии первая буква (буквы) не присваиваются для микросхем в металлокерамических корпусах;
— трехзначное число, обозначающее номер серии;
— две буквы обозначающие функциональное назначение микросхемы данной серии, например, ЕН — стабилизатор напряжения, УД — дифференциальный усилитель, КН — аналоговый коммутатор, ИД — дешифратор и т.д.;
— цифра, обозначающая номер микросхемы в серии;
— буква, обозначающая особенности применения микросхемы, например, отличия по напряжению питания.
Некоторые заводы-изготовители на металлокерамические (табл. 7.1) или пластмассовые корпуса КТ-26 (рис. 7 1) стабилизаторов напряжения наносят сокращенную маркировку.
Таблица 7 1
Маркировка
Тип стабилизатора напряжения
Маркировка
Тип стабилизатора напряжения
К06
К142ЕН1А
К35
К142ЕН8Г
К07
К142ЕН1Б
К36
К142ЕН8Д
К08
К142ЕН2А
К37
К142ЕН8Е
К09
К142ЕН2Б
К38
К142ЕН9Г
К10
К142ЕНЗА
К39
К142ЕН9Д
К11
К142ЕН4А
К40
К142ЕН9Е
К12
К142ЕН5А
К47
К142ЕН12
К13
К142ЕН5Б
К48
К142ЕН6Д
КР1168ЕНКР1168ЕНРис. 7.1. Маркировка стабилизаторов напряжения в корпусах КТ-26Рис. 7.1. Маркировка стабилизаторов напряжения в корпусах КТ-26
КР1168ЕН
КР1168ЕН
Рис. 7.1. Маркировка стабилизаторов напряжения в корпусах КТ-26
Рис. 7.1. Маркировка стабилизаторов напряжения в корпусах КТ-26
Маркировка
Тип стабилизатора напряжения
Маркировка
Тип стабилизатора напряжения
К14
К142ЕН5В
К49
К142ЕН6Е
К15
К142ЕН5Г
10
142ЕНЗ
К16
К142ЕН6А
11
142ЕН4
К17
К142ЕН6Б
12
142ЕН5А
К18
К142ЕН8А
13
142ЕН5Б
К19
К142ЕН8Б
14
142ЕН5В
К20
К142ЕН8В
15
142ЕН5Г
К21
К142ЕН9А
16
142ЕН6А
К22
К142ЕН9Б
17
142ЕН6Б
К23
К142ЕН9В
18
142ЕН8А
К24
К142ЕН10
19
142ЕН8Б
К25
К142ЕН11
20
142ЕН8В
К27
К142ЕН1В
21
142ЕН9А
К28
К142ЕН1Г
22
142ЕН9Б
К29
К142ЕН2В
23
142ЕН9В
КЗО
К142ЕН2Г
24
142ЕН10
К31
К142ЕНЗБ
25
142ЕН11
К32
К142ЕН4Б
42
142ЕН6В
КЗЗ
К142ЕН6В
43
142ЕН6Г
К34
К142ЕН6Г
47
142ЕН12
Маркировка зарубежных микросхем
Каждая фирма-изготовитель микросхем имеет свой способ обозначения. Обычно, условное обозначение микросхемы состоит из префикса, указывающего на изготовителя или тип прибора, цифробуквенного обозначения типа микросхемы и суффикса, уточняющего модификацию прибора, условия эксплуатации и тип корпуса. Многие фирмы, покупая лицензию на изготовление той или иной микросхемы, либо оставляют ей прежнее условное обозначение, либо заменяют префикс фирмы, разработавшей эту микросхему, на собственный, поэтому однозначно определить тип микросхемы по ее условному обозначению довольно трудно. Однако, зная систему условных обозначений микросхем различных фирм, можно найти аналог микросхемы другой фирмы для имеющейся и косвенным путем получить необходимую информацию.
Для получения необходимой информации по конкретным типам микросхем можно рекомендовать следующий способ:
по префиксу в обозначении микросхемы или логотипу на ее корпусе определить ее производителя;
с использованием поисковых систем в Internet или ссылок на сайты производителей, которые можно найти на www.chipinfo.ru или www.promelec.ru, выйти на сайт производителя;
с помощью поисковой системы на сайте производителя ввести тип необходимой микросхемы, а затем «скачать» по ней информацию.
Большое количество информации по радиокомпонентам предлагают указанные выше российские сайты.
В табл. 7.2 приведены префиксы микросхем различных фирм.
Таблица 7.2
Префикс
Фирма
А
RFT
AD
AD
ADB
NSC
ADC
NSC;Datel; BB; HS
ADD
NSC
ADM
NSC
ADS
NSC
ADX
NSC
AF
NSC
AH
NSC
AM
AMD;NSC;DSI
AMPAL
AMD
AN
Matsushita
ATF
BB
AY
Gl
В
Fujitsu; RFT
BA
Rohm
Bt
Broktree Cop.
BUF
PMI
Префикс
Фирма
C
NSC; Fujitsu; RFT
CA
RCA
CCD
Fairchild
CD
NSC; RCA
CDA
Thomson
CDB
Baneasa SA
CDM
RCA
CDP
RCA
CF
Harris
CLB
Baneasa SA
CM
Solitron; Mitel
COM
SMC
COP
NSC
CRT
SMC
CSC
Crystal Semiconductors
CS
Cherry Semiconductors
CU
Gl
CX
Sony
CXA
Sony
Префикс
Фирма
CY
Cypress Semiconductors
D
RFT, Intersil, Siliconix
DA
NSC
DAC
NSC, BB, HS, NSC
DAS
Datel
DAX
NSC
DC
DEC
DCJ
DEC
DE
SEEG
DF
Siliconix
DG
Siliconix
DGM
Siliconix
DH
NSC
DI
Dionics
DL
Gl, RFT
DM
NSC, SEEQ
DMPAL
NSC
DMX
PMI
DN
Matsushita
DP
NSC
DQ
SEEQ
DS
NSC, Gl
E
RFT, SGS
ECG
Sylvania|
EF
ThomsonJ
EFB
Thomson|
EFD
Thomson|
EFF
Thomson|
EFG
Thomson|
EFH
Thomson
EFY
Thomson
EFZ
Thomson
EL
Elcap
EP
Altera
ER
Gl
ESM
Thomson
ET
Thomson
ETC
Thomson
ETL
Thomson
F
Fairchild, ML
FC
Mu Hard
FCH
Valvo
FCK
Valvo
FCL
Valvo
FCM
Fairchild|
FCY
Valvo
FD
RTC, Siemens
Префикс
Фирма
FDN
Valvo
FDR
Valvo
FE
RTC
FEJ
Valvo
FEY
Valvo
FF
RTC
FGC
Fairchild
FGE
Fairchild
FJ
Mullard, RTC
FK
Mullard
FL
Siemens
FLT
DSI
FQ
GSI
FWA
Fairchild
FX
Consumer Microcircuits Ltd
FY
Siemens
FZ
Siemens
FZH
Valvo
FZJ
Valvo
FZK
Valvo
FZL
Valvo
G
Siliconix, Intersil
GA
Mostek
GAP
PMI
GB
Mostek
GD
Siemens
GE
GE
GEIC
GE
I GF
RTC
I GL
Unitra
GML
Goldstar
GS
RTC
GX
Siemens, Valvo
GXB
Valvo, Philips, RTC
GZF
Valvo
H
Hughes, SG
HA
Harris, Hitachi
HAB
Harris, Valvo
HAL
MMI
HAS
AD
HBS
SGS
HBF
SGS
I HC
Harns, RCA, Honeywell
I HCF
SGS
I HCMP
Hughes
HD
Harris, Hitachi
| HDS
AD
Префикс
Фирма
НЕ
Honeywell
HEF
Mallard, Philips, RTC, Valvo
HI
Harns
HLCD
Hughes
НМ
Harns, Hitachi
HMCS
Hitachi
HN
Hitachi
HNVM
Hughes
HPL
Harris
HPROM
Harris
HROM
Harris
HRAM
Harris
HS
NSC, Harris
HSG
SGS
HSSR
Hughes
HSO
RTC
НТ
Harris, Honeywell
НХ
Philips
НХА
RTC
HY
NSC
IB
Intel
IC
Intel
ICL
Intersil
ICM
Intersil
ID
Intel
IDM
NSC
IH
NSC, Intersil
IM
NSC Intersil, Intel
IMI
IMI
IMP
NSC
IMS
Inmos
INS
NSC
IP
Intel
I PC
NSC
IR
Sharp
IRK
Sharp
ISP
NSC
ПТ
ITT
IX
Sharp, Intel
J
Matsushita
JBP
Tl
KA
Samsung
KIA
Samsung
KB
Gl
KM
Samsung
KR
SMC
KS
Samsung, Gold Star
Префикс
Фирма
L
SGS, Sihconix
LA
Sanyo, Gl
LAS
Lambda
LB
Sanyo
LC
Sanyo, Gl
LD
Sihconix
LE
Sanyo, SEEQ
LF
NSC
LFT
NSC
LG
Gl
LH
NSC, Sharp, Sihconix
LLM
Lambda|
LM
NSC, Sanyo, Sihconix,SEEQ
LMC
Lambda
LNA
TRW
LP
NSC
LPD
Lambda
LQ
SEEQ
LR
Sharp
LS
SGS
LT
Linear Technology Corp
LTT
Lignes Telegraphiques Telefoniques
LU
Sharp
LZ
Sharp
M
Matsushita, Mitsubishi, SGS, Thomson
MA
Mitel, Philips
MAA
ITT, TeslaI
MAB
Tesla|
MAC
Tesla
MAF
Philips, Tesla
MAS
Tesla
MAT
PM I
Max
MaximI
MB
Fujitsu, Intel, Philips
MBA
Tesla
MBL
Fujitsu
MBM
Fujitsu
MC
Intel, Motorola, NEC, Unitra
MCA
NSC, Tesla
MCB
Motorola
MCBC
Motorola
MCC
Motorola
MCCF
Motorola
MCE
Motorola, MCE
MCM
Motorola
MCX
Unitra
MCY
Unitra
Префикс
Фирма
MD
Intel, Mitel, Philips
MDA
ITT, Tesla
ME
Philips
MEA
Milliard
MEB
Philips
MEM
Gl
MEN
Gl
MF
NSC
MGB
MCE
MGC
MCE
MH
NSC, Mitel, Tesla
MHA
Tesla
MHO
Tesla
MHD
Tesla
МНЕ
Tesla
MHF
Tesla
MHG
Tesla
MHW
Motorola
MIC
ITT
MJ
Plessey
MJA
Tesla
MJB
Tesla
MK
Mostek
MKB
Mostek
MKJ
Mostek
ML
ML, Mitel, Plessey, Unitra
MLA
ML
MLM
Motorola
MM
Intel, NSC
MMC
Microelectronica
MMN
Microelectronica
MMP
Microelectronica
MMS
Motorola
MN
Matsushita, Plessey
MP
Intel, MPS, Plessey
MPC
BB, NEC
MPOP
MPS
MPU
SMC
MPY
IMI
MPREF
MPS
MSL
Oki
MSM
Oki
MT
Mitel, Plesse
MUX
Gl, PMI
MV
DSI, Plessey
MWS
RCA
MX
American Microsystems, DSI, Intel
Префикс 1
Фирма
MYA
Tesla
MZH
Tesla
MZJ
Tesla
MZK
Tesla
N
Signetics
NC
NSC
NCR
NCR Microelectronics|
NE
Signetics
NEC
NEC
NH
NSC
NJ
Plessey
NMC
NSC
NOM
Plessey
NS
Nitron
OP
PMI
OPA
BB
PA
RCA
PAL
MMI, NSC
PCA
Philips, Valvo,
PCB
Philips, Valvo, Mullard
PCC
Philips, Valvo
PCD
Philips, Valvo, Mullard
PCE
Philips, Valvo
PCF
Philips, Valvo, Mullard
PIC
Gl, Unitrode
PKD
PMI
PLE
Monotronic Memories
PM
PMI
PM В
Tl
PMJ
Tl
PNA
Philips, Valvo
PMR
Lambda
R
Raytheon, Rockwell
RA
Gl, Reticon
RC
Raytheon, Reticon
REF
PMI
RH
Sharp
RL
Raytheon, Reticon
RM
Raytheon,
RO
GIC, Reticon
ROB
CCSIT-CE
RPT
PMI
RV
Raytheon|
R5
Reticon
R6
Hybrid Systems
S
American Microsystems, Signetics, Siliconix
SA
Signetics
Префикс
Фирма
Префикс
Фирма
SAA
Mullard,RTC, Philips, Telefunken, Valvo
SP
American Microsystems
SAB
RTC, Philips, Telefunken, Valvo
SPB
Gl
SAD
Philips, Reticon
SPR
Gl
SAF
RTC, Philips, Valvo
SR
SMC
SAH
Mullard
SRM
Suwa
SAJ
ITT, Siemens, Valvo
SS
Gl, SSS
SAK
ITT, Valvo
SSI
SSI
SAM
Reticon
SSS
PMI
SAS
Siemens, Oki, Telefunken
STK
Sanyo
SAY
ITT
STR
Sanken, Sanyo
SBA
Gl
SU
Signetics
SBB
Philips, Valvo
SVM
Suwa
SBP
Tl
sw
PMI
sc
Nitron
SY
Synertek
SCB
Signetics
SYE
Synertek
see
Signetics
SYM
Synertek
SCL
sss
SYX
Synertek
SCM
sss
T
SGS, Toshiba
SCN
Signetics
TA
RCA, Toshiba
sex
NSC
TAA
ITT, Siemens, SGS, Phillips, Telefunken, Valvo
SD
NSC
SDA
Siemens, Philips, Thomson
TAB
Mullard
SE
Sanken, Signetics
TAG
Tl
SF
Thomson
TAD
Mullard, Reticon
SFC
Thomson
TAE
Siemens
SFF
Thomson
TAF
Siemens
SG
Silicon General
TAL
Tl
SH
Fairchild
TAT
Tl
SHC
BB
TBA
ITT, Siemens,RTC, SGS, Philips, Mullard
SHM
DSI
TBB
Siemens
SI
Sanken, Sihconix
TBC
Siemens
SL
GI.NSC, Plessey
TBE
Siemens
SLE
Siemens
TBP
Tl
SM
NSC, SSS
TC
Toshiba
SMB
Tl
TCA
ITT, RTC, SGS, Philips, Siemens, Thomson
SMM
Suwa
TCD
Toshiba
SMP
PMI
TCP
Toshiba
SN
Tl, Monolithic Memories
TD
Toshiba, Thomson
SNA
Tl
TDA
ITT, RTC, SGS, Philips, Siemens, Thomson
SNB
Tl
SNC
Tl
TDB
RTC, Siemens, Thomson
SND
SSS
TDC
TRW, Siemens, Thomson
SNH
Tl
TDE
RTC,Thomson
SNJ
Tl
TDF
Thomson
SNN
Tl
TDP
Toshiba
SNS
Tl
TDS
TRW
SNT
Tl
ТЕ
Thomson
Префикс
Фирма|
TEA
RTC, Philips, Mullard,Thomson|
ТЕВ
Thomson
ТЕС
Thomson
ТЕЕ
Thomson
TFA
Siemens
TFF
Transitron
TG
Transitron
TIFLA
Tl
TIL
Tl
TIBPAL
Tl
TL
Tl
TLC
Tl
TLE
Siemens
ТМ
Toshiba, Telmos
ТМС
Transitron, TRW
TMD
Telmos
TMF
Telmos
TML
Telmos
ТММ
Toshiba
ТМР
Toshiba
TMS
Tl
TMZ
TRW
TNF
Transitron
ТОА
Transitron
ТР
NSC, Teledyne|
TQ
TQSI
TRC
TransitronI
TSC
Teledyne|
TSR
Transitron
ТТ
DSI
TVR
Transitron
и
Telefunken, Gl, RFT|
UA
Gl
UAA
Telefunken, Thomson, Valvo|
UAB
Thomson
UAC
Thomson
UC
Unitra, Unitrode, Solitron
UCN
Sprague
UCP
Sprague
UCQ
Sprague
UCS
Sprague
UCX
UnitraI
Префикс
Фирма
UCY
Unitra
UDN
Sprague
UDP
Sprague
UDS
Sprague
UGN
Sprague
UHN
Sprague
UL
Unitra, American Microsystems
ULN
Sprague
ULS
Sprague
UTN
Sprague
VC
VLCI Technology
VF
VLCI Technology, DSI
VFC
BB
VH
VLCI Technology|
VI
DSI
VL
VLCI Technology
VR
DSI
VS
VLCI Technology
VT
VLCI Technology
vu
VLCI Technology
w
Sihconix
WD
Western Digital
X
Xicor
XR
Exar
z
SGS, Zilog
ZLD
Ferranti
ZN
Ferranti
ZNA
Ferranti
ZNREF
Ferranti|
ZSS
Ferranti|
ZST
Ferranti|
ZX
ZytrexI
ZXCAL
ZytrexI
pA
Fairchild
pAF
Fairchild
цРА
NEC
цРВ
NEC
pPC
NEC
pPD
NEC
PA
Baneasa SA
рм
Baneasa SA|
Особенности тестированияэлектронных компонентов
При ремонте любого электронного изделия приходится сталкиваться с проверкой радиоэлементов. При кажущейся простоте этот процесс имеет свои особенности. Возникают вопросы, касающиеся тестирования и тогда, когда радиолюбитель решает заменить старенький тестер на новый, с цифровой индикацией, когда появляются новые типы полупроводниковых приборов, таких как цифровые транзисторы, и т.д. В этой главе приведены ответы на многие вопросы, связанные с тестированием радиоэлементов.
В главе изложены основные вопросы их тестирования как с применением стрелочных или аналоговых мультиметров (АММ), так и с применением цифровых мультиметров (ЦММ).
Тестирование конденсаторов
Тестирование кондесаторов при использовании мультиметров, имеющих режим проверки конденсаторов, проблем не вызывает. Если же мультиметр такого режима не имеет, то для проверки используется омметр (только при использовании АММ). Он позволяет определить пробой или утечку конденсатора. К омметру, включенному на верхнем пределе измерения, подключают конденсатор. О пробое свидетельствует низкое (несколько Ом) сопротивление конденсатора. Если конденсатор исправен, то стрелка АММ сначала отклонится (если емкость конденсатора примерно 0,47 мкФ и более), а затем вернется на нулевую отметку. Величина и время отклонения стрелки зависит от емкости конденсатора по принципу: чем больше, тем больше. При проверке электролитических конденсаторов следует соблюдать полярность подключения мультиметра. Если же стрелка отклонилась на какую-то величину и АММ показывает какое-то сопротивления, то это говорит об утечке конденсатора. ЦММ такие измерения производить не позволяет. Этот способ проверки не обеспечивает 100%-й гарантии того, что если отклонений при проверке не выявлено, то конденсатор исправен, и требует обязательного выпаивания его из схемы. Главным критерием работы конденсатора является выполнение им своих функций в работающей схеме. Полученные в результате такой проверки результаты могут говорить об исправности конденсатора, однако он может быть неисправен и работать в схеме не будет.
Оптимальным способом быстрой проверки емкостей, без выпаивания их из схемы, на работоспособность является следующий. Необходимо произвести внешний осмотр схемы. Конденсаторы с раздутым корпусом, с потеками электролита, коррозией у выводов, с греющимся во время работы корпусом необходимо проверить заменой. Особенно критична такая проверка для импульсных блоков питания. Дополнительной информацией о неисправностях конденсаторов фильтров питания является пониженное напряжение питания, специфические помехи
на изображении телевизора, повышенный уровень фона аудио тракта. Хороший результат дает подключение параллельно проверяемому исправного конденсатора (подключать следует при отключенном питании устройства). При неисправностях конденсаторов в импульсных схемах, например в задающем генераторе кадровой развертки телевизора, проверку конденсатора на работоспособность можно произвести путем подключения заведомо исправного и по характеру изменений на экране принимают решение о необходимости его замены.
Наиболее часто выходят из строя электролитические конденсаторы, иногда полиэтилентерефталатные в высоковольтных цепях строчной развертки. Редко — керамические, слюдяные конденсаторы.
Наилучшие результаты при тестировании конденсаторов дает использование простого генератора импульсов, построенного на интегральном таймере типа КР1006ВИ1 (зарубежные аналоги -— таймеры серии 555). При проверке конденсатор включают во времязадающую цепочку и по периоду следования импульсов при известном значении R вычисляют значение емкости по формуле:
С = T/R
Следует быть очень осторожными при проверке конденсаторов в высоковольтных схемах (схемы строчной развертки, импульсных блоков питания). После выключения устройства с помощью разрядной цепи конденсаторы необходимо разрядить. Для этого используют разрядную цепь из резистора сопротивлением 2 кОм...1 МОм, соединенного одним выводом с корпусом или общим проводом схемы. Рекомедуемые значения сопротивления резистора:
для низковольтных цепей с емкостями до 1000 мкФ и рабочими напряжениями до 400 В (блоки питания телевизоров и мониторов, электронные лампы-вспышки) — 2 кОм (25 Вт). Время разряда составляет примерно 1 с на 100 мкФ емкости;
для цепей с емкостями до 2 мкФ и со средними рабочими напряжениями до 5000 В (высоковольтные конденсаторы микроволновых печей) — 100 кОм (25 Вт). Время разряда составляет примерно 0,5 с на 1 мкФ емкости;
для высоковольтных цепей с емкостями до 2 нФ и рабочими напряжениями до 50 кВ (цепи питания второго анода ЭЛТ) — 1 МОм (10 Вт). Время разряда составляет примерно 0,01 с на 1 нФ емкости.
На рис. 8.1 приведена схема разрядника со светодиодной индикацией.
В качестве включенных встречно-параллельно диодов применяются кремниевые теплы пбг ргп нячняцрния Пяпрнир няппяжрния ня пиоле в паям м апоа ле ии
составляет около 0,75 В, поэтому на сборке из четырех диодов оно составит около 2,8...3 В. В пробнике применяется два светодиода для того, чтобы обеспечить индикацию независимо от полярности его включения.
Говоря о проверке электролитических конденсаторов, следует упомянуть об их так называемом эквивалентном последовательном сопротивлении (ЭПС). На его величину влияет, а с течением времени не в лучшую сторону, состояние обкладок конденсатора, внутренних контактов, состояние электролита. При соответствии емкости номиналу иногда оказывается, что ЭПС возросло, а это приводит к тому, что схема либо не работает, либо работает неправильно. За рубежом выпускаются специальные приборы для проверки ЭПС, но на практике оценить ЭПС электролитического кондесатора можно довольно просто с помощью осциллографа. Для этого следует подать на осциллограф с генератора импульсов или звукового генератора сигнал частотой около 100 кГц (некритично) и включить в разрыв сигнального провода испытуемый конденсатор, если он используется в схеме как разделительный, или замкнуть сигнальный провод через испытуемый конденсатор на общий провод, если он используется как конденсатор фильтра. В первом случае уровень сигнала не должен ни измениться, ни исказиться. Во втором случае вместо меандра или синусоиды наблюдается прямая линия. Если этого не происходит — конденсатор необходимо заменить.
Тестирование полупроводниковых диодов
При тестировании диодов с помощью АММ следует использовать нижние пределы измерений. При проверке исправного диода сопротивление в прямом направлении составит несколько сотен Ом, в обратном направлении — бесконечно большое сопротивление. При неисправности диода АММ покажет в обоих направлениях сопротивление близкое к 0 или разрыв при пробое диода. Сопротивление переходов в прямом и обратном направлениях для германиевых и кремниевых диодов различно.
Проверка диодов с помощью ЦММ производится в режиме их тестирования. При этом, если диод исправен, на дисплее отображается напряжение на р-п переходе при измерении в прямом направлении или разрыв при измерении в обратном направлении. Величина прямого напряжения на переходе для кремниевых диодов составляет 0,5...0,8 В, для германиевых — 0,2...0,4 В. При проверке диода с помощью ЦММ в режиме измерения сопротивления при проверке исправного диода обычно наблюдается разрыв как в прямом, так и в обратном направлении из-за того, что напряжение на клеммах мультиметра недостаточно для того, чтобы переход открылся.
Тестирование транзисторов
В общем тестирование транзисторов аналогично тестированию диодов, так как саму структуру транзистора р-п-р или п-р-п можно при проверке представить как два диода (рис. 8.2), с соединенными вместе либо выводами катода, либо анода, представляющими собой вывод базы транзистора. При тестировании ЦММ прямое напряжение на переходе исправного транзистора составит 0,45...0,9 В.
Дополнительно следует проверять сопротивление (падение напряжения) между коллектором и эмиттером, которое для исправного транзистора должно быть определено как очень большое, за исключением описанных ниже особенностей. Однако есть свои особенности и при проверке транзисторов. На них мы и остановимся подробнее.
ккээп-р-п транзисторп-р-п транзисторККЭЭр-п-р транзисторр-п-р транзисторРис. 8.2Рис. 8.2
к
к
э
э
п-р-п транзистор
п-р-п транзистор
К
К
Э
Э
р-п-р транзистор
р-п-р транзистор
Рис. 8.2
Рис. 8.2
Одной из особенностей является наличие у некоторых типов мощных транзисторов встроенного демпферного диода, который включен между коллектором и эмиттером, а также резистора номиналом около 50 Ом между базой и эмиттером. Это характерно в первую очередь для транзисторов выходных каскадов строчной развертки. Из-за этих дополнительных элементов нарушается обычная картина тестирования транзисторов. При проверке таких транзисторов следует сравнивать проверяемые параметры с такими же параметрами заведомо исправного однотипного транзистора. При проверке ЦММ транзисторов с резистором в цепи база- эмиттер напряжение на переходе Б-Э будет близким или равным 0 В.
Другими “особенными” транзисторами являются транзисторы, включенные по схеме Дарлингтона (составные транзисторы). Внешне они выглядят как обычные, но в одном корпусе имеется два транзистора, соединенные по схеме, изображенной на рис. 8.3. От обычных их отличает очень высокий коэффициент усиления — более 1000.
Тестирование таких транзисторов особенностями не отличается, за исключением того, что прямое напряжение перехода Б-Э составляет 1,2...1,4 В. Следует отметить, что некоторые типы ЦММ в режиме тестирования имеют на клеммах напряжение меньшее 1,2 В, что недостаточно для открывания р-n перехода, и в этом случае наблюдается разрыв.
Другими необычными транзисторами являются цифровые транзисторы (транзисторы с внутренними цепями смещения). На рис. 8.4 изображена схема такого цифрового транзистора. Номиналы резисторов R1 и R2 одинаковы и могут составлять либо 10 кОм, либо 22 кОм, либо 47 кОм, либо иметь смешанные номиналы.
Рис. 8.3Рис. 8.3Рис. 8.4Рис. 8.4
Рис. 8.3
Рис. 8.3
Рис. 8.4
Рис. 8.4
Тестирование цифровых транзисторов затруднено. И если с помощью АММ можно наблюдать отличия в прямом и обратном сопротивлениях переходов, то проверка с помощью ЦММ результатов не дает. В этом случае лучший вариант при сомнениях в работоспособности — замена на заведомо исправный транзистор.
Тестирование однопереходныхи программируемых однопереходныхтранзисторов
Однопереходный транзистор (ОПТ) отличается наличием на его вольт-амперной характеристике участка с отрицательным сопротивлением. Наличие такого участка говорит о том, что такой полупроводниковый прибор может использоваться для генерирования колебаний (ОПТ, туннельные диоды и др.).
ОПТ используется в генераторных и переключательных схемах. В отечественной литературе автор не встречал понятия “программируемый ОПТ”, только — ОПТ. Однако ввиду большой насыщенности рынка зарубежной электронной техникой и элементной базой следует научиться их отличать. Это несложно:
общим для них является трехслойная структура (как у любого транзистора) с двумя р-n переходами;
ОПТ имеет выводы, называемые база 1 (Б1), база 2 (Б2), эмиттер. Он переходит в состояние проводимости, когда напряжение на эмиттере превышает значение критического напряжения переключения, и находится в этом состоянии до тех пор, пока ток эмиттера не снизится до некоторого значения, называемого током запирания. Все это очень напоминает работу тиристора;
прогаммируемый ОПТ имеет выводы, называемые анод (А), катод (К) и управляющий электрод (УЭ). По принципу работы он ближе к тиристору. Переключение его происходит тогда, когда напряжение на управляющем электроде превышает напряжение на аноде (на величину примерно 0,6 В — прямое напряжение р-n перехода). Таким образом, изменяя с помощью делителя напряжение на аноде, можно изменять напряжение переключения (“программировать” его) такого прибора.
Чтобы проверить исправность ОПТ и программируемого ОПТ следует измерить омметром сопротивление между выводами Б1 и Б2 или А и К для проверки на пробой. Но наиболее точные результаты можно получить, собрав схему для проверки ОПТ (для ОПТ — рис. 8.5, для программируемого ОПТ — рис. 8.6).
+5 В >
0,01 мк
К осциллографу или УНЧ, f-1 кГц
Рис. 8.5
К осциллографу или УНЧ, f-1 кГц
Рис. 8.6
Тестирование динисторов, тиристоров,симисторов
Динисторы, тиристоры, симисторы представляют собой полупроводниковые приборы четырехслойной структуры р-п-р-п. Часто при пояснении принципа работы их изображают в виде соединенных между собой, как показано на рис. 8.7, транзисторов разной проводимости. Как видно из рисунка, тиристор имеет три вывода: анод (А), катод (К) и управляющий электрод (УЭ). Напряжение, приложенное к р-n переходу одного из транзисторов, обеспечивает отпирание тиристора.
С помощью мультиметра динистор можно проверить только на пробой между выводами А и К (при исправном тиристоре участок A-К не прозваниваются), а тиристор и симистор, кроме того, и на исправность р-n перехода между УЭ и К. Наилучшие результаты проверки тиристоров и симисторов обеспечивает испытательная схема, изображенная на рис. 8.8.
В качестве источника питания используется источник постоянного тока напряжением 12 В с допустимым током нагрузки не менее 200 мА. Резистор RI ограничивает ток через испытуемый прибор, а резистор R2 — через его управляющий электрод. Схема обеспечивает тестирование тиристоров и симисторов малой и средней мощности. Для проверки прибора необходимо:
Включить его в схему, как показано на рис. 8.8.
Кратковременно соединить его УЭ с резистором R2. Прибор должен открыться, напряжение +иТест. станет равным нулю. Прибор остается открытым и при отключенном от R2 управляющем электроде.
Разорвать цепь питания анода (УЭ при этом соединен с К) и замкнуть ее вновь. Прибор должен находиться в закрытом состоянии. +иТест. при этом равно 12 В.
При тестировании симисторов следует повторить п.п. 2, 3, и R2 при этом должен быть запитан от отрицательного полюса источника питания.
Результат такого тестирования позволяет убедиться в исправности прибора. Тем не менее окончательным результатом тестирования следует считать исправную работу полупроводникового прибора в том устройстве, где он установлен.
Динисторы (по другому их называют еще диаки и сидаки) не имеют вывода УЭ, и они открываются при превышении напряжения на аноде некоторого значения, указываемого в параметрах на данный тип прибора. Как было сказано выше, проверка с использованием мультиметра достоверного результата не дает. Для того, чтобы точно знать исправен динистор или нет, его следует проверить, включив в испытательную схему (рис. 8.9), которая питается от регулируемого источника напряжения переменного тока.
Рис. 8.9Рис. 8.9Рис. 8.7Рис. 8.7Рис. 8.8Рис. 8.8
Рис. 8.9
Рис. 8.9
Рис. 8.7
Рис. 8.7
Рис. 8.8
Рис. 8.8
Диод D1 представляет собой однополупериодный выпрямитель, конденсатор С1 — сглаживающий, резистор R1 ограничивает ток через динистор. При проверке следует плавно увеличивать напряжение на динисторе. При достижении некоторого порогового значения он откроется, при уменьшении напряжения по достижении протекающего тока значения заданного тока удержания — закроется. После такой проверки необходимо ее повторить, изменив полярность приложенного к динистору напряжения. При проверке в качестве источника напряжения переменного тока во избежание опасности поражения следует использовать трансформатор.
Определение структуры и расположениявыводов транзисторов, тип которыхнеизвестен
При определении структуры транзистора, тип которого неизвестен, следует путем перебора (шесть вариантов) определить вывод базы, а затем измерить прямое напряжение на переходах. Прямое напряжение на переходе Б-Э всегда на несколько милливольт выше прямого напряжения на переходе Б-К (при пользовании АММ сопротивление перехода Б-Э в прямом направлении несколько выше сопротивления перехода Б-К). Это связано с технологией производства транзисторов, и правило применимо к обыкновенным биполярным транзисторам, за исключением некоторых типов мощных транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод. Полярность щупа мультиметра, подключенного при измерениях на переходах в прямом направлении к базе транзистора укажет на тип транзистора: если это “+” — транзистор структуры п-р-п, если “-” — структуры р-п-р.
Тестирование полевыхМОП-транзисторов
Существует несколько разных способов тестирования полевых МОП-транзисторов. Например такой:
Проверить сопротивление между затвором — истоком (3-И) и затвором — стоком (3-С). Оно должно быть бесконечно большим.
Соединить затвор с истоком. В этом случае переход исток — сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для МОП-транзисторов, имеющих встроенную защиту от пробоя — стабилитрон с определенным напряжением пробоя).
Характерной неисправностью полевых МОП-транзисторов является короткое замыкание 3-И и 3-С.
Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между И-С, второй — между И-3. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление — около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор
откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа — требования к напряжению на выводах второго омметра. Естественно, ЦММ для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа тестирования.
Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы 3-И для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к выводам И-С подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратковременно подключают ее плюсом к затвору, а минусом — к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых МОП-транзисторов открывается при напряжении 3-И около 2 В.
При тестировании полевых МОП-транзисторов следует соблюдать особую осторожность, чтобы не вывести его из строя статическим электричеством.
Тестирование светодиодов
Электрическая проверка исправности светодиодов видимого и инфракрасного (ИК) излучения аналогична проверке обычных диодов. Отличие заключается в их более высоком прямом напряжении при тестировании с использованием ЦММ. Типовыми значениями прямого напряжения на переходе являются:
для ИК диодов 1,2 В;
для светодиодов красного свечения 1,85 В;
для светодиодов желтого свечения 2 В;
для светодиодов зеленого свечения 2,15 В;
для светодиодов синего свечения около 3 В.
Это средние значения, которые могут отличаться на 0,5...0,6 В, и способ нельзя назвать надежным при определении цвета свечения светодиода по прямому напряжению на его переходе.
Тестирование оптопар
Любая оптопара состоит из двух частей — источника излучения (обычно ИК светодиод) и фотоприемника, который открывается при работе источника излучения, — фотодиода, фототранзистора, фототиристора. Для проверки исправности оптопары можно использовать схему, изображенную на рис. 8.10.
+5 в+5 вРис. 8.10Рис. 8.10
+5 в
+5 в
Рис. 8.10
Рис. 8.10
При подаче напряжения на вывод светодиода фотодиод открывается, и выходное напряжение становится равным 0 В. В закрытом состоянии фотодиода оно равно напряжению источника питания.
Тестирование термисторов
Термисторы (терморезисторы) являются одним из видов полупроводниковых приборов. Одной из главных характеристик термистора является температурный коэффициент сопротивления (ТКС).
Существуют термисторы двух видов — с положительным ТКС (сопротивление термистора растет с увеличением температуры) и с отрицательным ТКС (сопротивление термистора с ростом температуры уменьшается). Для проверки следует подключить к выводам термистора омметр и следить за изменением его сопротивления при нагреве. Для этого можно подержать его над паяльником или использовать другой способ нагрева. Если термистор неисправен, его сопротивление либо не будет изменяться, либо будет равно нулю, либо — бесконечности. Тем не менее, при проверке термисторов следует учитывать их функциональное назначение в тех схемах, где они работают.
Тестирование стабилитронов
Стабилитроны при их проверке с использованием АММ ведут себя как обычные диоды. Проверить их при помощи ЦММ можно только если напряжение стабилизации стабилитрона составляет доли вольта. В противном случае ЦММ показывает разрыв цепи. Наиболее надежный способ — проверка напряжения стабилизации стабилитрона в схеме (рис. 8.11).
R1 2 к+ >-Q» +
24 ВJ! VD1 Uct
Рис. 8.11
Значение резистора R2 справедливо для стабилитронов с напряжением стабилизации до 20 В. В любом случае рассчитать его несложно, имея под рукой справочник. 1ст — справочное значение тока стабилизации:
R = Пист / 1ст-
Наиболее часто встречающейся неисправностью является пробой стабилитрона.
Расположение выводов транзисторов
При тестировании транзисторов необходимо знать их расположение выводов. Наиболее точную информацию дает справочник. Однако, если сузить вопрос наиболее часто встречающимися неисправностями транзисторов, то можно сказать, что наиболее часто выходят из строя транзисторы выходных каскадов строчной развертки, выходных каскадов усилителей мощности радиопередающих устройств и транзисторы блоков питания.
Транзисторы для выходных каскадов строчной развертки выпускаются в основном в корпусах двух типов: металлическом ТО-3 и пластмассовом — ТО-ЗР.
На рис. 8.12 изображено расположение выводов для корпуса ТО-3 (вид снизу) и корпуса ТО-ЗР (вид со стороны маркировки). Следует помнить, что у таких транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод сопротивление между Б-Э в обратном направлении будет около 50 Ом, и транзистор считается исправным, если измеренное значение сопротивления составляет не менее 10 Ом.
В оконечных каскадах усилителей мощности чаще всего применяются транзисторы в металлокерамических корпусах с крестообразным расположением выводов (рис. 8.13).
В некоторых радиоэлектронных приборах в оконечных каскадах усилителей мощности передающих устройств и устройствах электропитания используются транзисторы в корпусах для поверхностного монтажа (SOT23, SOT323 и т.д.). Чаще всего они имеют расположение выводов, изображенное на рис. 8.14. Оно может быть либо нормальным (изображение слева), либо обратным (изображение справа).
Рис. 8.12
Рис. 8.13
Б Э
Э Б
6)
Рис. 8.14
Приложение 1Логотипы фирм-производителей
и
Acer
ESI
Acer Laboratories
EM
Acer Laboratories
Advanced Micro Devices
Alliance
Altera
►
Analog Devices
ARK Logic
ATI Technologies
Atmel
AT&T
Austin Semiconductor
0
Benchmarq Microelectronics
Bl Technologies
вд
Brooktree
(вошла в Rockwell)
ten
Burr Brown
к
Catalyst Semiconductor
E
Chrontel
Cirrus Logic
Crystal (Cirrus Logic)
Cypress Semiconductor
ИЗ
Cyrix Corporation
0
Dallas Semiconductor
£
Dallas Semiconductor
Davicom Semiconductor
3£j
Diamond Technologies
ид
DTC Data Technology
DTC Data Technology
EG&G
Н8Ы-ИЦ.1
Ensoniq Corp
Ericsson
ESS Technology
Exar
КЗ
Exel Microelectronics (вошла в Rohm)
Fairchild Semiconductoi
Fujitsu
в
Fujitsu
3
Galvantech
General Electric (Harris)
General Instrument (General Semiconductor)
General Semiconductor
s
Gould (вошла в AMI)
а
Harris
И
Harris
Hewlett Packard
Е
HFO (VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder ГДР)
Hitachi
Holtek Microelectronics
И
Hyundai
Hyundai
as
iC-Haus
®
IC Works
s
Inmos (часть STMicroelectronics)
Integrated Circuit Designs
и
Integrated Circuit Systems
в
Integrated Device Technology
Intel
Intel
International Rectifier
[3
Intersil
(вошла в Harris)
ИМИ
Intersil
(вошла в Harris)
IMP
IXYS
н
Lattice Semiconductor
Й
Lattice Semiconductor
ПЕВ
LG Semicon
[ТтИ
Linear Technology
и
Matsushita Panasonic
kikkiei
Maxim
/ДУЛ
Media Vision
Media Vision
м
Microchip Technology
Логотипы фирм-производителей(продолжение)
655
Micro Linear
1*
Mitel Semiconductor
Mitsubishi
И
Monolithic Memories (вошла в Vantis)
EQ
Motorola
Motorola
Mosel Vitelec
E
MoSys
Murata
mwave (by IBM)
23
National Semiconductor
и
National Semiconductor
Iwc
NEC (Nippon Electric Company)
NEC
Oak Technology
им
Opti
Philips
Llltfll
RCA Solid State (вошла в Harris)
LiLlKLuJ
Rohm
и
Rockwell
S3
Samsung Electronics
КН
Samsung Semiconductor
йи
Sanken
Sanyo
и
Seiko Epson Corp.
Seiko Epson Corp.
й
Siemens
(стала Infineon)
ШАНАМ
Siemens
(стала Infineon)
ГУ
Signetics (вошла в Philips)
Siliconix
Silicon Magic
Silicon Storage Technology
Silicon Systems (Texas Instruments)
Sipex
SGS
(STMicroelectronics)
61
SGS
(STMicroelectronics)
Sharp
SMC
Sony
ШИЗ
Standard Microsystems
STMicroelectronics
TelCom Semiconductor
Дд
Telefunken (вошла в Vishay)
И
Texas Instruments
и
Thomson-CSF
Toshiba
II
Toshiba
я
Toshiba
0
Trident
и
TriQuint Semiconductor
ЕВ
Tseng Labs
в
Tundra
UMC, United
Microelectronics Corp
■
Unitrode
и
V3 Semiconductor
у
Vadem
Vantis
Е2Д
Via Technologies
is
VLSI Technology
ивняи
Weitekt
(вошла в Rockwell)
ВЙВ
Western Digital
Western Digital
Winbond
[ШЛЯ
Xicor
KXILINXl
Xilinx
ЕШ0
Yamaha
Zilog
Zilog
0
Zilog
ИВЕВ
Zilog
Приложение 2Краткие справочные данныепо зарубежным диодам
D — диод;D — диод;D-S — диод Шоттки.D-S — диод Шоттки.GE — германиевый;
D — диод;
D — диод;
D-S — диод Шоттки.
D-S — диод Шоттки.
SI — кремниевый;
GAAS — арсенид-галлиевый;
Тип прибора
Описание
1К60
GE-D 45В 35мА/0,2А(пик)
1N1021
GE-D 380В 0.25А
1N1022
GE-D 380В 0,ЗА
1N1023
GE-D 380В 0,35А
1N1024
GE-D 380В 0,4А
1N1028
Sl-D 50В 0,5А
1N1029
Sl-D 100В 0,5А
1N1030
Sl-D 150В 0,5А
1N1031
Sl-D 200В 0,5А
1N1032
Sl-D 300В 0,5А
1N1033
Sl-D 400В 0,5А
1N1034
Sl-D 50В 1А
1N1035
Sl-D 100В 1А
1N1036
Sl-D 150В 1А
1N1037
Sl-D 200В 1А
1N1038
Sl-D 300В 1А
1N1039
Sl-D 4008 1А
1N1040
Sl-D 50В 1А
1N1041
Sl-D 100В 1А
1N1042
Sl-D 150В 1А
1N1043
Sl-D 200В 1А
1N1044
Sl-D 300В 1А
1N1045
Sl-D 400В 1А
1N1046
SI-D50B 1А
1N1047
Sl-D 100В 1А
1N1048
Sl-D 150В 1А
1N1049
Sl-D 200В 1А
1N1050
Sl-D 300В 1А
1N1051
Sl-D 400В 1А
1N1052
Sl-D 50В 1,5А
1N1053
Sl-D 100В 1,5А
1N1054
Sl-D 1508 1,5А
1N1055
SI-D200B 1,5А
Тип прибора
Описание|
1N1056
Sl-D 300В 1,5А
1N1057
SI-D400B1.5A
1N1058
Sl-D 50В 5А|
1N1059
S1-D100B5A
1N1060
Sl-D 150В 5А
1N1061
Sl-D 200В 5А
1N1062
Sl-D 300В 5А
1N1063
Sl-D 400В 5А
1N1064
Sl-D 50В 5А
1N1065
Sl-D 100В 5А
1N1066
Sl-D 150В 5А
1N1067
Sl-D 200В 5А
1N1068
Sl-D 300В 5А
1N1069
Sl-D 400В 5А
1N1070
Sl-D 50В 5А
1N1071
Sl-D 100В 5А
1N1072
Sl-D 150В 5А
1N1073
Sl-D 200В 5А
1N1074
Sl-D 300В 5А
1N1075
Sl-D 400В 5А
1N1076
SI-D50B 15А
1N1077
Sl-D 100В 15А
1N1078
SI-D 1508 15А
1N1079
SI-D 2008 15А
1N1080
SI-D 3008 15А
1N1081 (А)
SI-D 1008 0,5 0,75А
1N1082(A)
SI-D 2008 0,5 0.75А
1М1083(А)
SI-D 3008 0,5 0,75А
1N1084(A)
SI-D 4008 0,5 0.75А
1N1085(A)
SI-D 1008 1,5 2А
1N1086(A)
SI-D200B 1,5 2А
1N1087(A)
SI-D 3008 1,5 2А
1N1088(A)
SI-D 4008 1,5 2А
Тип прибора
Описание
1 N1089(A)
Sl-D 100B 5A
1 N1090(A)
Sl-D 200В 5A
1 N1091(A)
Sl-D 300В 5A
1N1092(A)
Sl-D 400В 5A
1N1093
GE-D 15В 500нс
1N1095
Sl-D 500B 0,75A
1N1096
Sl-D 600B 0,75A
1N1100
SI-D100B 0,75A
1N1101
Sl-D 200В 0.75A
1N1102
Sl-D 300B 0.75A
1N1103
Sl-D 400B 0,75A
1N1104
Sl-D 500B 0,75A
1N1105
Sl-D 600В 0.75A
1N1108
Sl-D 800B 0,45A
1N1109
Sl-D 1200B 0,43A
1N1110
Sl-D 1600B 0,4A
1N1111
Sl-D 2000B 0,38A
1N1112
Sl-D 2400B 0,35A
1N1113
Sl-D 2800B 0.33A
1N1115
Sl-D 100B 1.5A
1N1116
Sl-D 200В 1.5A
1N1117
Sl-D 300B1.5A
1N1118
Sl-D 400B 1,5A
1N1119
Sl-D 500B 1,5A
1N1120
Sl-D 600В 1.5A
1N1124(A)
SI-D200B3..3,3A
1N1125(A)
Sl-D 300B 3 ,3,3A
1N1126(A)
Sl-D 400B 3 ,3,3A
1N1127(A)
Sl-D 500В 3..3.3A
1N1128(A)
Sl-D 600B 3 3,3A
1N1130
Sl-D 1500B 0,3A
1N1131
Sl-D 1500B 0,3A
1N1133
Sl-D 1,5kB0,075A
1N1134
Sl-D 1,5kB0,1A
1N1135
Sl-D 1,8кВ 0.065A
1N1136
Sl-D 1,8кВ 0.085A
1N1137
Sl-D 2,4кВ 0.05A
1N1138
Sl-D 2,4кВ 0,06A
1N1139
Sl-D 3,6кВ 0.065A
1N1140
Sl-D 3,6кВ 0.065A
1N1141
Sl-D 4,8кВ 0,06A
1N1142
Sl-D 4,8кВ 0,05A
1N1143
Sl-D 6кВ 0.05A
1N1143A
Sl-D 6кВ 0.065A
1N1144
Sl-D 7,2кВ 0.05A
Тип прибора
Описание
1N1145
Sl-D 7,2кВ 0,06A
1N1146
Sl-D 8кВ 0.045A
1N1147
Sl-D 12кВ 0.045A
1N1148
Sl-D 14кВ 0,05A
1N1149
Sl-D 16кВ 0.045A
1N1150(A)
Sl-D 1,6кВ 0,75A
1N1157
Sl-D SOB 20A
1N1158
Sl-D 100B 20A
1N1159
Sl-D 200В 20A
1N1160
Sl-D 300В 20A
1N1161
Sl-D SOB 35A
1N1162
Sl-D 100B 35A
1N1163
Sl-D 200В 35A
1N1164
Sl-D 300В 35A
1N1169(A)
Sl-D 400В 0,79A
1N1170
GE-D SOB
1N1171
Sl-D аналог 1N1157
1N1172
Sl-D аналог 1N1158
1N1173
Sl-D аналог 1N1159
1N1174
Sl-D аналог 1N1160
1N1175
Sl-D аналог 1N1161
1N1176
Sl-D аналог 1N1162
1N1177
Sl-D аналог 1N1163
1N1178
Sl-D аналог 1N1164
1N1183
Sl-D SOB 35А/480А(пик)
1N1184
Sl-D 100B 35А/480А(пик )
1N1185
Sl-D 1 SOB 35А/480А(пик)
1N1186
Sl-D 200В 35А/480А(пик)
1N1187
Sl-D 300В 35А/480А(пик)
1N1188
Sl-D 400В 35А/480А(пик.)
1N1189
Sl-D 500B 35А/480А(пик)
1N1190
Sl-D 600В 35А/480А(пик )
1N1183A 90A
Sl-D аналог 1N1183 1190 40A
1N1183R 90R
Sl-D аналог 1N1183 1190
1N1183T. 90T
Sl-D аналог 1N1183 1190
1N1191(A)
Sl-D SOB 20A
1N1192(A)
Sl-D 100B 20A
1N1193(A)
Sl-D 150B20A
1N1194(A)
Sl-D 200В 20A
1N1195(A)
Sl-D 300В 20A
1N1196(A)
Sl-D 400В 20A
1N1197(A)
Sl-D 500B 20A
1N1198(A)
Sl-D 600В 20A
1N1191R..98R
Sl-D аналог 1N1191.. 1198
1N1199(A,B,C)
Sl-D SOB 12A
Тип прибора
Описание
1N1200(A,B,C)
Sl-D 100B 12A
1N1201 (А,В,С)
Sl-D 150В 12A
1N1202(A,B,C)
Sl-D 200В 12A
1N1203(A,B,C)
Sl-D 300В 12A
1 N1204(A,B,C)
SI-D400B 12A
1N1205(A,B,C)
Sl-D 500В 12A
1N1206(A,B,C)
SI-D600B 12A
1N1217
Sl-D SOB 1,6A
1N1218
Sl-D 100B 1.6A
1N1219
Sl-D 150В 1.6A
1N1220
Sl-D 200B 1,6A
1N1221
Sl-D 300В 1,6A
1N1222
Sl-D 400В 1,6A
1N1223
Sl-D 500В 1.6A
1N1224
Sl-D 600B 1,6A
1N1225
Sl-D 700B 1,6A
1N1226
Sl-D 800B 1,6A
1N1227
Sl-D SOB 1,6A
1N1228
Sl-D 100B 1,6A
1N1229
Sl-D 150B 1.6A
1N1230
Sl-D 200B 1,6A
1N1231
SI-D300B 1,6A
1N1232
Sl-D 400B 1,6A
1N1233
Sl-D 500B 1,6A
1N1234
SI-D600B 1,6A
1N1235
S1-D700B 1,6A
1N1236
Sl-D 800B 1,6A
1N1237
2xSI-D 1600B 0,75A
1N1238
2xSI-D 1600B 0,75A
1N1239
2xSI-D 2800B 0,5A
1N1240..1250
Sl-D аналог 1N1251 .1261
1N1251
Sl-D SOB 0,5A
1N1252
Sl-D 100B 0,5A
1N1253
Sl-D 200В 0.5A
1N1254
Sl-D 300B 0,5A
1N1255
Sl-D 400B 0,5A
1N1256
Sl-D 500B 0,32A
1N1257
Sl-D 600B 0,3A
1N1258
Sl-D 700B 0,28A
1N1259
Sl-D 800B 0,27A
1N1260
Sl-D 900В 0.25A
1N1261
Sl-D 1000B0.24A
1N1262
SI-D4,5kB 0.25A
1N1301
Sl-D SOB 37A
1N1302
SI-D100B 37A
Тип прибора
Описание
1N1304
Sl-D 200B 37A
1N1306
Sl-D 300B 37A
1N1329
Sl-D 1500B 0,1 A
1N1341 (A,B,C)
Sl-D SOB 6A
1 N1342(A,B,C)
Sl-D 100B6A
1N1343(A,B,C)
Sl-D 150B6A
1 N1344(A,B,C)
Sl-D 200В 6A
1N1345(A,B,C)
Sl-D 300В 6A
1N1346(A,B,C)
Sl-D 400В 6A
1N1347(A,B,C)
Sl-D 500B 6A
1N1348(A,B,C)
Sl-D 600В 6A
1N1396
Sl-D SOB 70A
1N1397
Sl-D 100B70A
1N1398
Sl-D 150B70A
1N1399
Sl-D 200В 70A
1N1400
Sl-D 300В 70A
1N1401
Sl-D 400В 70A
1N1402
Sl-D 500B 70A
1N1403
Sl-D 600В 70A
1N1406
Sl-D 600B0.125A
1N1407
Sl-D 800B0.125A
1N1408
SI-D 1000B 0,125A
1N1409
Sl-D 1200B 0,125A
1N1410
Sl-D 1500B 0,125A
1N1411
Sl-D 1800B 0,125A
1N1412
Sl-D 2000B 0,125A
1N1413
Sl-D 2400B 0,125A
1N1414
Sl-D 400В 10A
1N1415
Sl-D 400В 1A
1N1434
Sl-D SOB 30A
1N1435
Sl-D 100B30A
1N1436
Sl-D 200В 30A
1N1437
Sl-D 400В 30A
1N1438
Sl-D 600В 30A
1N1439
SI-D100B 0,75A
1N1440
Sl-D 200B 0,75A
1N1441
Sl-D 300B 0,75A
1N1442
Sl-D 400В 0.75A
1N1443(A,B)
Sl-D 1000B0,95..1,6A
1N1444(A,B)
Sl-D 1000B0,95..1,6A
1N1445
Sl-D 300B 0,2A
1N1446
Sl-D 100B1.5A
1N1447
Sl-D 200B 1,5A
1N1448
Sl-D 300B 1,5A
1N1449
Sl-D 400B 1,5A
Тип прибора
Описание
1N1450
SI-D 100В 1,5А
1N1451
Sl-D 200В 1,5А
1N1452
SI-D 300В 1,5А
1N1453
Sl-D 400В 1,5А
1N1454
SI-D 100В 25А
1N1455
Sl-D 200В 25А
1N1456
Sl-D 300В 25А
1N1457
Sl-D 400В 25А
1N1458
Sl-D 100В 35А
1N1459
Sl-D 200В 35А
1N1460
Sl-D 300В 35А
1N1461
Sl-D 400В 35А
1N1462
Sl-D 100В 50А
1N1463
Sl-D 200В 50А
1N1464
Sl-D 300В 50А
1N1465
Sl-D 400В 50А
1N1466
Sl-D 100В 75А
1N1467
Sl-D 200В 75А
1N14E8
Sl-D 300В 75А
I 1N1469
Sl-D 400В 75А
1N1486
Sl-D 500В 0,78А
1N1487
Sl-D 100В0.75А
1N1488
Sl-D 200В 0,75А
1N1489
Sl-D 300В 0.75А
1N1490
Sl-D 400В 0.75А
1N1491
Sl-D 500В 0,75А
1N1492
Sl-D 600В 0,75А
| 1N1537
Sl-D 50В 1,6А
| 1N1538
Sl-D 100В 1,6А
1N1539
Sl-D 150В 1,6А
1N1540
Sl-D 200В 1,6А
1N1541
Sl-D 300В 1,6А
1N1542
Sl-D 400В 1,6А
| 1N1543
Sl-D 500В 1,6А
| 1N1544
Sl-D 600В 1,6А
| 1N1551
Sl-D 100В 1А
1N1552
Sl-D 200В 1А
I 1N1553
Sl-D 300В 1А
| 1N1554
Sl-D 400В 1А
I 1N1555
Sl-D 500В 1А
| 1N1556
SI-D 100В0,75А
I 1N1557
Sl-D 200В 0,75А
| 1N1558
Sl-D 300В 0.75А
1N1559
Sl-D 400В 0,75А
| 1N1560
Sl-D 500В 0.75А
Тип прибора
Описание
1N1563(A)
Sl-D 1006 1,5A
1N1564(A)
Sl-D 200B 1,5A
1N1565(A)
Sl-D 300B 1.5A
1N1566(A)
Sl-D 400B 1,5A
1N1567(A)
Sl-D 500B 1,5A
1N1568(A)
SI-D600B 1,5A
1N1569
Sl-D 100B 1A
1N1570
Sl-D 200В 1A
1N1571
Sl-D 300В 1A
1N1572
Sl-D 400В 1A
1N1573
Sl-D 500В 1A
1N1574
Sl-D 600В 1A
1N1575
Sl-D 1008 3,5A
1N1576
Sl-D 2008 3,5A
1N1577
Sl-D 3008 3,5A
1N1578
Sl-D 4008 3,5A
1N1579
Sl-D 5008 3,5A
1N1580
Sl-D 600В 3.5A
1N1581
Sl-D SOB 10A
1N1582
Sl-D 1008 10A
1N1583
SI-D200B10A
1N1584
Sl-D 300В 10A
1N1585
SI-D400B10A
1N1586
Sl-D 500В 10A
1N1587
Sl-D 600В 10A
1511612(A)
Sl-D SOB 15A
1511613(A)
Sl-D 100B 15A
1511614(A)
Sl-D 200B 15A
1511615(A)
Sl-D 400В 15A
1511616(A)
Sl-D 600В 15A
1511617
Sl-D 100B 1,5A
1511618
Sl-D 200B 1,5A
1511619
Sl-D 300В 1.5A
1511620
Sl-D 400В 1,5A
1N1621
Sl-D 100B 10A
1511622
Sl-D 200В 10A
1511623
Sl-D 300B10A
1511624
Sl-D 400В 10A
1511644
Sl-D SOB 0,75A
1511645
Sl-D 100B 0.75A
1511646
Sl-D 150B 0,75A
1511647
Sl-D 200В 0.75A
1511648
Sl-D 250B 0,75A
1511649
Sl-D 300В 0.75A
1511650
Sl-D 350B 0,75A
Тип прибора
Описание
1N1651
Sl-D 400В 0.75А
1N1652
Sl-D 500В 0.75А
1N1653
Sl-D 600В 0.75А
1N1680
Sl-D 150В 50А
1N1681
Sl-D 250В 50А
1N1682
Sl-D 300В 50А
1N1683
Sl-D 350В 50А
1N1684
Sl-D 400В 50А
1N1685
Sl-D 450В 50А
1N1686
Sl-D 500В 50А
1N1687
Sl-D 600В 50А
1N1688
Sl-D 700В 50А
1N1689
Sl-D 800В 50А
1N1690
Sl-D 900В 50А
1N1691
Sl-D 1000В 50А
1N1692
Sl-D 100В0.75А
1N1693
Sl-D 200В 0.75А
1N1694
Sl-D 300В 0,75А
1N1695
Sl-D 400В 0.75А
1N1696
Sl-D 500В 0,75А
1N1697
Sl-D 600В 0.75А
1N1698
SI-D 6,6кВ 0.062А
1N1699
SI-D 10кВ0,058А
1N1700
SI-D 12кВ0,05А
1N1701
Sl-D 50В О.ЗА
1N1702
Sl-D 100В О.ЗА
1N1703
Sl-D 200В О.ЗА
1N1704
Sl-D 300В О.ЗА
1N1705
Sl-D 400В О.ЗА
1N1706
Sl-D 500В 0,ЗА
1N1707
Sl-D 50В 0,5А
1N1708
Sl-D 100В 0,ЗА
1N1709
Sl-D 200В О.ЗА
1N1710
Sl-D 300В О.ЗА
1N1711
Sl-D 400В О.ЗА
1N1712
Sl-D 500В О.ЗА
1N1730
SI-D 1кВ 0,2А
1N1730A
SI-D 1кВ 0.35А
1N1731
SI-D 1,5кВ 0,2А
1N1731A
SI-D 1,5кВ0,35А
1N1732
SI-D 2кВ 0,2А
1N1732A
SI-D 2кВ 0.35А
1N1733
SI-D ЗкВ 0,2А
1N1733A
SI-D ЗкВ 0.35А
1N1734
SI-D 5кВ 0.2А
Тип прибора
Описание
1N1734A
SI-D 5кВ 0.35А
1N1745
SI-D1,5kB 0.38А
1N1746
SI-D 1,5кВ 0.44А
1N1747
SI-D 1,8кВ 0.36А
1N1748
SI-D1.8kB0.42A|
1N1749
SI-D 2,4кВ 0.23А
1N1750
SI-D 2,4кВ 0.38А
1N1751
SI-D З.бкВ 0.37А
1N1752
SI-D З.бкВ 0.36А
1N1753
SI-D4,8kB0,33A
1N1754
Sl-D 4,8кВ 0.32А|
1N1755
SI-D 6кВ 0.29А
1N1756
SI-D 6кВ 0.36А
1N1757
SI-D 7,2кВ 0.29А
1N1758
SI-D 7,2кВ О.ЗЗА
1N1759
SI-D 8кВ 0.25А
1N1760
SI-D 12кВ 0.25А
1N1761
SI-D 14кВ О.ЗА
1N1762
SI-D16KB 0.25А
1N1763
Sl-D 400В 0,5..1А
1N1764
Sl-D 500В0.5..1А
1N1907
SI-D 50В 1,5А
1N1908
Sl-D 100В 1,5А
1N1909
Sl-D 200В 1,5А
1N1910
Sl-D 300В1.5А
1N1911
Sl-D 400В 1,5А
1N1912
Sl-D 500В 1,5А
1N1913
Sl-D 600В 1,5А
1N1914
Sl-D 700В 1,5А
1N1915
Sl-D 800В 1,5А
1N1916
Sl-D 900В 1,5А
1N1917
Sl-D 50В 4А
1N1918
Sl-D 100В 4А
1N1919
Sl-D 200В 4А
1N1920
Sl-D 300В 4А|
1N1921
Sl-D 400В 4А|
1N1922
Sl-D 500В 4А
1N1923
Sl-D 600В 4А
1N1924
Sl-D 700В 4А
1N1925
Sl-D 800В 4А
1N1926
Sl-D 900В 4А
1N2013
SI-D50B0.2A
1N2014
Sl-D 100В 0.2А
1N2015
SI-D150B 0.2А
1N2016
SI-D 200В 0,2А
Тип прибора
Описание
1N2017
Sl-D 250В 0,2А
1N2018
Sl-D 300В 0,2А
1N2019
Sl-D 350В 0,2А
1N2020
Sl-D 400В 0,2А
1N2021
Sl-D 150В 10А
1N2022
SI-D250B 10А
1N2023
Sl-D 300В 10А
1N2024
Sl-D 350В 10А
1N2025
SI-D400B 10А
1N2026
Sl-D 50В 1А
1N2027
Sl-D 200В 1А
1N2028
Sl-D 300В 1А
1N2029
Sl-D 400В 1А
1N2030
Sl-D 500В 1А
1N2031
Sl-D 600В 1А
1 N2069(A)
Sl-D 200В 0,75А
1N2070(A)
Sl-D 400В 0,75А
1N2071(A)
Sl-D 600В 0.75А
1N2072
Sl-D 50В 0,75А
1N2073
Sl-D 100В 0,75А
1N2074
Sl-D 150В 0,75А
1N2075
Sl-D 200В 0,75А
1N2076
Sl-D 250В 0,75А
1N2077
Sl-D 300В 0,75А
1N2078
Sl-D 400В 0,75А
1N2079
Sl-D 500В 0.75А
1N2080
Sl-D 50В 0,5А
1N2081
Sl-D 100В 0,5А
1N2082
Sl-D 200В 0,5А
1N2083
Sl-D 300В 0,5А
1N2084
Sl-D 400В 0,5А
1N2085
Sl-D 500В 0,5А
1N2086
Sl-D 600В 0,5А
1N2088
Sl-D 500В 0,75А
1N2089
Sl-D 600В 0,75А
1N2090
Sl-D 50В 0,75А
1N2091
Sl-D 100В 0,75А
1N2092
Sl-D 200В 0,75А
1N2093
Sl-D 300В 0,75А
1N2094
Sl-D 400В 0,75А
1N2095
Sl-D 500В 0,75А
1N2096
Sl-D 600В 0,75А
1N2103
Sl-D 50В 0.75А
1N2104
Sl-D 100В 0,75А
1N2105
Sl-D 200В 0,75А
Тип прибора
Описание
1N2106
Sl-D 300В 0,75А
1N2107
Sl-D 400В 0,75А
1N2108
Sl-D 500В 0,75А
1N2109
Sl-D 50В 2А
1N2110
Sl-D 100В 2А
1N2111
Sl-D 200В 2А
1N2112
Sl-D 300В 2А
1N2113
Sl-D 400В 2А
1N2114
Sl-D 500В 2А
1N2115
Sl-D 365В 0,ЗА
1N2116
Sl-D 400В 0,75А
1N2117
Sl-D 720В 0,75А
1N2128
Sl-D 50В 60А
1N2129
Sl-D 100В 60А
1N2130
Sl-D 150В 60А
1N2131
Sl-D 200В 60А
1N2132
Sl-D 250В 60А
1N2133
Sl-D 300В 60А
1N2134
Sl-D 350В 60А
1N2135
Sl-D 400В 60А
1N2136
Sl-D 450В 60А
1N2137
Sl-D 500В 60А
1N2138
Sl-D 600В 60А
1N2139
SI-D 20кВ 0.045А
1N2146
Sl-D 120В <50нс
1142147(A)
Sl-D 50В 6А
1N2148(A)
Sl-D 100В 6А
1N2149(A)
Sl-D 200В 6А
1N2150(A)
Sl-D 300В 6А
1 N2151(A)
Sl-D 400В 6А
1N2152(A)
Sl-D 500В 6А
1N2153(A)
Sl-D 600В 6А
1N2154
Sl-D 50В 25А
1N2155
Sl-D 100В 25А
1N2156
Sl-D 200В 25А
1N2157
Sl-D 300В 25А
1N2158
Sl-D 400В 25А
1N2159
Sl-D 500В 25А
1N2160
Sl-D 600В 25А
1N2172
Sl-D 50В 50А
1N2173
Sl-D 100В 50А
1N2174
Sl-D 200В 50А
1N2176
Sl-D 50В ЗА
1N2177
Sl-D 100В ЗА
1N2178
Sl-D 200В ЗА
Тип прибора
Описание
1N2179
Sl-D 300В ЗА
1N2180
Sl-D 400B ЗА
1N2181
Sl-D 500В ЗА
1N2182
Sl-D 600В ЗА
1N2183
Sl-D 100B ЗА
1N2184
Sl-D SOB ЗА
1N2185
Sl-D 100B ЗА
1N2186
Sl-D 150B ЗА
1N2187
Sl-D 200В ЗА
1N2188
Sl-D 300В ЗА
| 1N2189
Sl-D 400В ЗА
| 1N2190
Sl-D 500В ЗА
| 1N2191
Sl-D 600В ЗА
1N2192
Sl-D 800В ЗА
1N2193
Sl-D 1000В ЗА
1N2194
Sl-D SOB 6A
1N2195
Sl-D 100B 6A
1N2196
Sl-D 150B6A
1N2197
Sl-D 200В 6A
1N2198
Sl-D 300В 6A
1N2199
Sl-D 400В 6A
1N2200
Sl-D 500B 6A
1N2201
Sl-D 600В 6A
1N2202
Sl-D 8006 6A
1N2203
Sl-D 1000В 6A
1N2204
Sl-D SOB 12A
''N2205
Sl-D 100B 12A
1N2206
Sl-D 1508 12A
1N2207
Sl-D 200В 12A
I1N2208
Sl-D 300В 12A
| 1N2209
Sl-D 400В 12A
1N2210
Sl-D 500B 12A
1N2211
Sl-D 600В 12A
1N2212
Sl-D 800В 12A
1N2213
Sl-D 1000В 12A
1N2216(A)
Sl-D SOB 1,SA
1N2217(A)
Sl-D SOB 1,5A
1N2218(A)
Sl-D 500B 1,5A
1N2219(A)
SI-D500B 1,5A
1N2220(A)
Sl-D 600B 1,5A
1N2221(A)
Sl-D 600B 1,5A
1 N2222(A)
Sl-D 800В 1A
1N2223(A)
Sl-D 800В 1A|
1 N2224(A)
Sl-D 1000В 1A|
1N2225(A)
SI-D 1000B1A|
Тип прибора
Описание
1N2226(A)
Sl-D 1200В 1A
1 N2227(A)
Sl-D 1200В 1A
1N2228(A)
Sl-D SOB SA
1 N2229(A)
Sl-D SOB SA
1N2230(A)
Sl-D 200B SA
1N2231 (A)
Sl-D 200B SA
1N2232(A)
Sl-D 300B SA
1 N2233(A)
Sl-D 300B SA
1 N2234(A)
Sl-D 4006 SA
1N2235(A)
Sl-D 400B SA
1 N2236(A)
Sl-D 500B SA
1N2237(A)
Sl-D 500B SA
1N2238(A)
Sl-D 600B SA
1N2239(A)
Sl-D 600B SA
1 N2240(A)
Sl-D 800B SA
1N2241(A)
Sl-D 800B SA
1N2242(A)
Sl-D 1000B SA
1N2243(A)
Sl-D 1000B SA
1 N2244(A)
Sl-D 1200B5A
1 N2245(A)
Sl-D 1200B SA
1 N2246(A)
Sl-D SOB 10A
1 N2247(A)
Sl-D 50B10A
1N2248(A)
Sl-D 100B 10A
1N2249(A)
Sl-D 100В 10A
1N2250(A)
Sl-D 200В 10A
1N2251(A)
Sl-D 200В 10A
1N2252(A)
Sl-D 300В 10A
1 N2253(A)
Sl-D 300В 10A
1N2254(A)
Sl-D 400В 10A
1 N2255(A)
Sl-D 400В 10A
1N2256(A)
Sl-D 500B 10A
1N2257(A)
Sl-D 500B 10A
1N2258(A)
SI-D600B 10A
1N2259(A)
Sl-D 600В 10A
1 N2260(A)
SI-D800B 10A
1N2261(A)
Sl-D 800В 10A
1N2262(A)
Sl-D 1000В 10A
1 N2263(A)
Sl-D 1000В 10A
1N2264(A)
Sl-D 1200В 10A
1 N2265(A)
Sl-D 1200В 10A
1N2266
Sl-D SOB 1A
1N2267
Sl-D SOB 1A
1N2268
Sl-D 500B 1A
1N2269
Sl-D 500B 1A
1N2270
Sl-D 600В 1A
Тип прибора
Описание
1N2271
Sl-D 600В 1А
1N2272
Sl-D 50В 6А
1N2273
SI-D100B6A
1N2274
Sl-D 200В 6А
1N2275
Sl-D 300В 6А
1N2276
Sl-D 400В 6А
1N2277
Sl-D 500В 6А
1N2278
Sl-D 600В 6А
1N2279
Sl-D 800В 6А
1N2280
Sl-D 1000В 6А
1N2281
Sl-D 1200В 6А
1N2282
Sl-D 300В 20А
1N2283
Sl-D 400В 20А
1N2284
Sl-D 500В 20А
1N2285
Sl-D 600В 20А
1N2286
Sl-D 800В 20А
1N2287
Sl-D 1000В 20А
1N2288
Sl-D 1200В 20А
1N2289..2293
SI-D аналог 1N2289A..2293A
1N2289A
Sl-D 100В 1,5А
1N2290A
Sl-D 100В 5А
1N2291A
Sl-D 200В 1,5А
1N2292A
Sl-D 300В 1,5А
1N2293A
SI-D400B 1,5А
1N2294
Sl-D 50В 22А
1N2295
Sl-D 100В 22А
1N2296
Sl-D 150В 22А
1N2297
Sl-D 200В 22А
1N2298
Sl-D 250В 22А
1N2299
Sl-D 300В 22А
1N2300
Sl-D 350В 22А
1N2301
SI-D 400В 22А
1N2302
Sl-D 50В 22А
1N2303
SI-D100B 22А
1N2304
SI-D150B22AI
1N2305
Sl-D 200В 22А
1N2306
Sl-D 250В 22А
1N2307
Sl-D 300В 22А
1N2308
Sl-D 350В 22А
1N2309
Sl-D 400В 22А
1N2310
Sl-D 50В 35А
1N2311
Sl-D 100В 35А
1N2312
SI-D150B35A|
1N2313
Sl-D 200В 35А
1N2314
Sl-D 250В 35А
| Тип прибора
Описание
| 1N2315
Sl-D 300В 35А
1N2316
Sl-D 350В 35А
1N2317
Sl-D 400В 35А
1N2318
Sl-D 50В 35А
1N2319
Sl-D 100В 35А
1N2320
Sl-D 150В 35А
1N2321
Sl-D 200В 35А
1N2322
Sl-D 250В 35А
1N2323
Sl-D 300В 35А
1N2324
Sl-D 350В 35А
1N2325
Sl-D 400В 35А
1N2327
Sl-D 1100В 0.4А
1N2328
Sl-D 2200В 0,4А
1N2348
Sl-D 50В ЗА
1N2349
Sl-D 100В ЗА
1N2350
Sl-D 150В ЗА
1N2357
Sl-D 1400В 0,4А
1N2358
Sl-D 1500В 0,4А
1N2359
Sl-D 1600В 0.4А
1N2360
Sl-D 1800В 0.4А
1N2361
Sl-D 2000В 0,4А
1N2362
Sl-D 1400В 1А
1N2363
Sl-D 1400В 1А
1N2364
Sl-D 1500В 1А
1N2365
Sl-D 1500В 1А
1N2366
Sl-D 1600В 1А
1N2367
Sl-D 1600В 1А
1N2368
Sl-D 1800В 1А
1N2369
Sl-D 1800В 1А
1N2370
Sl-D 2000В 1А
1N2371
Sl-D 2000В 1А
1N2362A..71A
SI-D аналог 1N2362..71 5А
1N2362B..71B
SI-D аналог 1N2362..71 10А
1N2372
Sl-D 1000В 0,2А
1N2373
Sl-D 600В 0.25А
1N2374
Sl-D 1000В 0,25А
1N2375
Sl-D 1500В 0,2А
1N2376
Sl-D 2000В 0,2А
1N2377
Sl-D 2400В 0,15А
1N2378
Sl-D 3000В0.15А
1N2379
Sl-D 4000В 0,15А
1N2380
Sl-D 6000В 0,1А
1N2381
Sl-D 10000В 0.075А
1N2382
SI-D 4кВ0,15А
1N2382A
SI-D 4кВ 0,35А
| Тип прибора
Описание
1N2383
Sl-D 6kB0,1A
1N2383A
Sl-D 6кВ 0,35A
11N2384
Sl-D 8кВ 0.07A
1N2384A
Sl-D 8кВ 0.275A
| 1N2385
Sl-D ЮкВ 0.07A
| 1N2385A
Sl-D ЮкВ 0,2A
| 1N2389
2xSI-D 1600B 0,6A
| 1N2390(A)
Sl-D SOB 1,SA
1N2391(A)
Sl-D 100B 1,5A
1N2392(A)
Sl-D 200B 1,5A
1N2393(A)
Sl-D 300B 1,5A
1N2394(A)
Sl-D 400B 1,5A
1N2395(A)
Sl-D 500B 1,5A
1N2396(A)
Sl-D 600B 1,5A
1N2397(A)
Sl-D 700B 1,5A
| 1N2398(A)
Sl-D 800B 1,5A
1N2399(A)
Sl-D SOB 1,5A
1N2400(A)
Sl-D 100B 1,5A
1N2401(A)
Sl-D 200B 1,5A
11N2402(A)
Sl-D 300B 1,5A
1N2403(A)
Sl-D 400B 1,5A
11N2404(A)
Sl-D 500B 1,5A
1N2405(A)
Sl-D 600B 1,5A
1N2406(A)
Sl-D 700B 1,5A
| 1N2407(A)
Sl-D 8008 1,5A
I 1N 2408(A)
Sl-D SOB 1,5A
1N2409(A)
Sl-D 100B 1,5A
1N2410(A)
Sl-D 200В 1,5A
1N2411(A)
Sl-D 300B 1,5A
1N2412(A)
Sl-D 400B 1,5A
1N2413(A)
Sl-D 500B 1,5A|
1N2414(A)
Sl-D 600B 1,5A
1N2415(A)
Sl-D 700B 1,5A
1N2416(A)
Sl-D 800B 1,5A
1N2417(A)
Sl-D SOB 1,5A
1N2418(A)
Sl-D 100B 1,5A
1N2419(A)
Sl-D 200B 1,5A
1N2420(A)
Sl-D 300B 1,5A
1N2421(A)
SI-D400B 1,5A
1N2422(A)
Sl-D 500B 1,5A
1N2423(A)
Sl-D 600B 1,5A
1N2424(A)
Sl-D 700B 1,5A
1 N2425(A)
Sl-D 800B 1,5A
1N2446
Sl-D SOB 45A
1N2447
Sl-D 100B 45A
Тип прибора
Описание|
1N2448
Sl-D 1 SOB 45А
1N2449
Sl-D 200B 45A|
1N2450
Sl-D 250B 45A
1N2451
Sl-D 300B 45A
1N2452
Sl-D 350B 45A
1N2453
Sl-D 400B 45A
1N2454
Sl-D 500B 45A
1N2455
Sl-D 600B 45AI
1N2456
Sl-D 700В 45A|
1N2457
Sl-D 800В 45A
1N2458
Sl-D SOB 60A
1N2459
Sl-D 100B 60A
1N2460
Sl-D 150B60A
1N2461
Sl-D 200В 60A
1N2462
Sl-D 250B 60A|
1N2463
Sl-D 300В 60AI
1N2464
Sl-D 350B 60A
1N2465
Sl-D 400В 60A
1N2466
Sl-D 500B 60A
1N2467
Sl-D 600В 60A
1N2468
Sl-D 700В 60A
1N2469
Sl-D 800В 60A
1N2482
Sl-D 200B 0,75A
1N2483
Sl-D 400B 0,75A
1N2484
Sl-D 600B 0,75A
1N2485
Sl-D 200В 0.75A
1N2486
Sl-D 300B 0,75A
1N2487
Sl-D 400В 0.75A
1N2488
Sl-D SOOB 0,75A
1N2489
Sl-D 600B 0,75A
1N2490
2xSI-D 1600B 0,5A
1N2491
Sl-D SOB 6A
1N2492
Sl-D 100B6A
1N2493
Sl-D 200В 6A
1N2494
Sl-D 300В 6A
1N2495
Sl-D 400В 6A
1N2496
Sl-D SOOB 6A
1N2497
Sl-D 600В 6A
1N2501
Sl-D 800B 0,15A|
1N2502
Sl-D 1000B0.15A
1N2503
SI-D 1200B 0.15A
1N2504
Sl-D 1 SOOB 0,1 SA
1N2505
Sl-D 800B 0,3A
1N2506
Sl-D 1000B0.3A
1N2507
Sl-D 1200B 0,3A
Тип прибора
Описание
1N2508
Sl-D 1500В 0,ЗА
1N2512
Sl-D 100В 4А
1N2513
Sl-D 200В 4А
1N2514
SI-D 300В 4А
1N2515
Sl-D 400В 4А
1N2516
Sl-D 500В 4А
1N2517
Sl-D 600В 4А
1N2518
SI-D100B4A
1N2519
Sl-D 200В 4А
1N2520
Sl-D 300В 4А
1N2521
Sl-D 400В 4А
1N2522
Sl-D 500В 4А
1N2523
Sl-D 600В 4А
1N2524
Sl-D 50В 2,5А
1N2525
Sl-D 100В 2,5А
1N2526
Sl-D 200В 2,5А
1N2527
Sl-D 300В 2,5А
1N2528
Sl-D 400В 2,5А
1N2529
Sl-D 500В 2,5А
1N2530
Sl-D 600В 2,5А
1N2531
Sl-D 700В 2,5А
1N2532
Sl-D 800В 2.5А
1N2533
Sl-D 900В 2,5А
1N2534
Sl-D 1000В 2,5А
1N2535
Sl-D 50В 2,5А
1N2536
Sl-D 100В 2,5А
1N2537
Sl-D 200В 2,5А
1N2538
Sl-D 300В 2,5А
1N2539
Sl-D 400В 2,5А
1N2540
Sl-D 500В 2,5А
1N2541
Sl-D 600В 2,5А
1N2542
Sl-D 700В 2,5А
1N2543
Sl-D 800В 2,5А
1N2544
Sl-D 900В 2,5А
1N2545
Sl-D 1000В 2,5А
1N2546
Sl-D 50В 2,5А
1N2547
Sl-D 100В 2,5А
1N2548
Sl-D 200В 2,5А
1N2549
Sl-D 300В 2,5А
1N2550
Sl-D 400В 2,5А
1N2551
Sl-D 500В 2,5А
1N2552
Sl-D 600В 2,5А
1N2553
Sl-D 700В 2,5А
1N2554
SI-D 800В 2,5А
1M9SSS
Sl-D 900В 2.5А
Тип прибора
Описание
1N2556
Sl-D 1000В 2,5А
1N2557
Sl-D 700В 6А
1N2558
Sl-D 800В 6А
1N2559
Sl-D 900В 6А
1N2560
Sl-D 1000В 6А
1N2561
Sl-D 700В 6А
1N2562
Sl-D 800В 6А
1N2563
Sl-D 900В 6А
1N2564
SI-D 1000В 6А
1N2565
Sl-D 50В 6А
1N2566
SI-D 100В 6А
1N2567
Sl-D 200В 6А
1N2568
Sl-D 300В 6А
1N2569
Sl-D 400В 6А
1N2570
Sl-D 500В 6А
1N2571
Sl-D 600В 6А
1N2572
Sl-D 700В 6А
1N2573
Sl-D 800В 6А
1N2574
Sl-D 900В 6А
1N2575
Sl-D 1000В 6А
1N2576
Sl-D 50В 12А
1N2577
Sl-D 100В 12А
1N2578
Sl-D 200В 12А
1N2579
Sl-D 300В12А
1N2580
Sl-D 400В 12А
1N2581
Sl-D 500В 12А
1N2582
Sl-D 600В 12А
1N2583
Sl-D 700В 12А
1N2584
Sl-D 800В 12А
1N2585
SI-D900B12A
1N2586
Sl-D 1000В 12А
1N2587
Sl-D 50В 12А
1N2588
Sl-D 100В 12А
1N2589
Sl-D 200В 12А
1N2590
Sl-D 300В12А
1N2591
Sl-D 400В 12А
1N2592
Sl-D 500В 12А
1N2593
Sl-D 600В 12А
1N2594
Sl-D 700В 12А
1N2595
Sl-D 800В 12А
1N2596
Sl-D 900В 12А
1N2597
Sl-D 1000В 12А
1N2598
Sl-D 50В 12А
1N2599
Sl-D 100В 12А
1N2600
Sl-D 200В 12А
Тип прибора
Описание
1N2601
Sl-D 300В 12А
1N2602
Sl-D 400В 12А
1N2603
Sl-D 500В 12А
1N2604
Sl-D 600В 12А
1N2605
SI-D700B 12А
1N2606
Sl-D 800В 12А
1N2607
Sl-D 900В 12А
1N2608
Sl-D 1000В 12А
1N2609
SI-D 50В 0,75А
1N2610
Sl-D 100В 0.75А
1N2611
Sl-D 200В 0,75А
1N2612
Sl-D 300В 0,75А
1N2613
Sl-D 400В 0,75А
1N2614
Sl-D 500В 0,75А
1N2615
Sl-D 600В 0,75А
1N2616
Sl-D 800В 0,75А
1N2617
Sl-D 1000В 0,75А
1N2618
Sl-D 1200В 0,75А
1N2619
Sl-D 1500В 0,75А
1N2627
GE-D настроечный СВЧ 5В
1N2628
GE-D настроечный СВЧ 5В
1N2629
GE-D настроечный СВЧ 5В
1N2630
2XSI-D 1500В 0,085А
1N2631
2xSI-D 1600В 0,6А
1N2632
2XSI-D 2800В 0,2А
1N2633
2XSI-D 1600В 0,6А
1N2634
2XSI-D 1600В 0,6А
1N2635
2xSI-D 1500В 0.085А
1N2636
2xSI-D 1500В 0.085А
1N2637
2xSI-D 10кВ0,25А
1N2638
Sl-D 100В 1,5А
1N2641
Sl-D 200В 1,5А
1N2644
Sl-D 300В 1,5А
1N2647
Sl-D 400В 1,5А
1N2650
Sl-D 600В 1,5А
1N2653
SI-D800B 1,5А
1N2656
Sl-D 1200В 1,5А
1N2659
Sl-D 1600В 1,5А
1N2662
Sl-D 2000В 1,5А
1N2664
Sl-D 2400В 1,5А
1N2666
Sl-D 3200В 1,5А
1N2667
Sl-D 4000В 1,5А
1N2668
Sl-D 4800В 1,5А
1N2669
Sl-D 100В 3,6А
1N2673
Sl-D 200В 3,6А
Тип прибора
Описание
1N2677
Sl-D 300В 3,6А
1N2681
Sl-D 400В 3.6А
1N2685
Sl-D 600В 3,6А
1N2687
Sl-D 800В 3,6А
1N2689
Sl-D 900В 3,6А
1N2690
Sl-D 1200В 3,6А
1N2691
Sl-D 1600В 3,6А
1N2692
Sl-D 100В 7,2А
1N2694
Sl-D 200В 7,2А
1N2696
Sl-D 300В 7,2А
1N2698
Sl-D 400В 7,2А
1N2700
Sl-D 600В 7,2А
1N2701
Sl-D 800В 7,2А
1N2702
Sl-D 100В ЗА
1N2705
Sl-D 200В ЗА
1N2708
Sl-D 300В ЗА
1N2711
Sl-D 400В ЗА
1N2714
Sl-D 600В ЗА
1N2717
Sl-D 800В ЗА
1N2720
Sl-D 1200В ЗА
1N2722
Sl-D 1600В ЗА|
1N2723
Sl-D 2000В ЗА
1N2724
Sl-D 2400В ЗА
1N2725
SI-D100B3AI
1N2728
Sl-D 200В ЗА|
1N2731
Sl-D 300В ЗАJ
1N2734
Sl-D 400В ЗАj
1N2737
Sl-D 600В ЗА
1N2738
Sl-D 800В ЗА|
1N2739
Sl-D 1200В ЗА|
1N2740
Sl-D 100В 3,6А|
1N2742
Sl-D 200В 3,6А
1N2744
Sl-D 300В 3,6А
1N2746
Sl-D 400В 3,6А
1N2748
Sl-D 600В 3,6А
1N2749
Sl-D 800В 3,6А
1N2750
Sl-D 100В ЗА
1N2753
Sl-D 200В ЗА
1N2756
Sl-D 300В ЗА
1N2759
Sl-D 400В ЗА
1N2762
Sl-D 600В ЗА
1N2763
Sl-D 800В ЗА
1N2764
Sl-D 1200В ЗА
1N2772
Sl-D 700В 0,75А
1N2773
Sl-D 800В 0,75А
Тип прибора
Описание
1N2774
Sl-D 900B 0,75A
1N2775
Sl-D 1000В 0J5A
1N2776
Sl-D 1100В 0J5A
| 1N2777
Sl-D 1200B 0,75A
1N2778
SI-D 1300B0J5A
1N2779
Sl-D 1400В 0J5A
| 1N2780
Sl-D 1500В 0J5A
1N2781
Sl-D 1600B 0J5A
1N2784
Sl-D 200В 22A
1N2785
Sl-D 4008 22A
1N2786
Sl-D 2008 10A
1N2787
SI-D400B 10A
1N2788
Sl-D 2006 50A
1N2789
Sl-D 4008 50A
1N2792(A,B)
GE-D СВЧ 70ГГЦ
I 1N2793
Sl-D SOB 8,5A
1N2794
Sl-D 100B 8,5A
I 1N2795
Sl-D 150B 8,5A
| 1N2796
Sl-D 200B 8,5A
1N2797
Sl-D 250B 8,SA
| 1N2798
Sl-D 300B 8,SA
| 1N2799
Sl-D 350B 8,SA
1N2800
Sl-D 400B 8,SA
1N2801
GE-D 20B <500hc
1 N2847(A)
Sl-D Ю0В 1,5A
1 N2848(A)
Sl-D 200B 1,5A
1 N2849(A)
Sl-D 300B 1,5A
1 N2850(A)
Sl-D 400B 1,5A
1N2851(A)
Sl-D 500B 1,5A
1N2852(A)
Sl-D 600B 1,5A
1N2858(A)
Sl-D SOB 0,75.. 1A
1N2859(A)
Sl-D 100B 0,75..1A
1N2860(A)
SI-D200B 0,75..1A
1N2861(A)
Sl-D 3008 0,75..1A
1N2862(A)
Sl-D 400B 0,75..1A
1N2863(A)
Sl-D 500B 0,75.. 1A
1N2864(A)
Sl-D 600В 0.75..1A
1N2865
Sl-D 10008 OJA
1N2866
Sl-D 1500B OJA
1N2867
SI-D 1000B OJA
1N2868
Sl-D 1500B OJA
1N2878
Sl-D 700В 0.25A
1N2879
SI-D 1000B 0,25A
| 1N2880
Sl-D 1000B 0,25A
Ql.n nnnR Л 95A
Тип прибора
Описание
1N2882
Sl-D 1000B0.25A
1N2883
Sl-D 1000B0,25A|
1N2884
Sl-D 1400B0.25A
1N2885
Sl-D 1400B 0,25A|
1N2886
SI-D 1500B 0,25A
1N2887
SI-D 1500B 0,25A
1N2888
Sl-D 1700B 0,25A
1N2889
Sl-D 1700В 0,25A
1N2890
Sl-D 2000В 0,25A
1N2891
Sl-D 2000В 0,25A
1N2892
SI-D2100B 0,25A
1N2893
Sl-D 21 DOB 0.25A
1N2894
Sl-D 2400B 0,25A
1N2895
Sl-D 2400В 0.25A
1N2896
Sl-D 2500В 0.25A
1N2897
Sl-D 2500B 0,25A
1N2898
Sl-D 2800B 0,25A
1N2899
Sl-D 2800В 0.25A
1N2900
Sl-D 3000В 0,25A
1N2901
Sl-D 3000B 0,25A
1N2902
SI-D3100B0,25A
1N2903
SI-D3100B 0,25A
1N2904
Sl-D 3500B 0,25A
1N2905
Sl-D 3500B 0,25A
1N2906
Sl-D 3500B 0,25A
1N2907
Sl-D 3500B 0,25A
1N2908
Sl-D 3800B 0,25A
1N2909
Sl-D 3800B 0,25A
1N2910
Sl-D 4000В 0.25A
1N2911
Sl-D 4000B 0,25A
1N2912
Sl-D 4200B 0,25A
1N2913
Sl-D 4200B 0,25A
1N2914
Sl-D 4500B 0,25A
1N2915
Sl-D 4500B 0,25A
1N2916
Sl-D 4500B 0,25A
1N2917
Sl-D 4500B 0,25A|
1N2918
Sl-D 5000B 0,25A
1N2919
Sl-D 50008 0,25A
1N2920
Sl-D 5500В 0,25A
1N2921
Sl-D 5500В 0.25A|
1N2922
Sl-D 6000В 0,25A|
1N2923
Sl-D 6000В 0,25A
1N2924
Sl-D 6500B 0,25A
1N2925
Sl-D 6500B 0,25A
1N2927(A
Sl-D туннельный диод
| Тип прибора
Описание
1N2928(A)
Sl-D туннельный диод
1N2929(A)
Sl-D туннельный диод
1N2930(A)
Sl-D туннельный диод
1N2931(A)
Sl-D туннельный диод
1N2932(A)
Sl-D туннельный диод
1N2933(A)
SI-D туннельный диод
1N2934(A)
SI-D туннельный диод
1N2939(A)
GE-D туннельный диод
1N2940(A)
GE-D туннельный диод
1N2941(A)
GE-D туннельный диод
| 1N2969(A)
GE-D туннельный диод
1N3052
SI-D 12кВ 0,1А
|1N3053
SI-D 14кВ 0,1А
1N3054
SI-D 16кВ0,1А
I 1N3055
SI-D 18кВ 0,1А
| 1N3056
SI-D 20кВ 0,1А
1N3057
SI-D 22кВ0,1А
1N3058
SI-D 24кВ 0,1А
1N3059
SI-D 26кВ 0,1 А
1N3060
SI-D 28кВ 0,1 А
1N3061
SI-D ЗОкВ 0,1А
1N3062
Sl-D 50В 0.075А <4нс
| 1N3063
Sl-D 50В 0.075А <4нс
1N3064
Sl-D 50В 0.075А <4нс
| 1N3065
Sl-D 50В 0,115А <4нс
1N3066
Sl-D 50В 0,115А<2нс
1N3067
SI-D ЗОВ 0,115А <4нс
1N3068
SI-D ЗОВ 0.075А <50нс
| 1N3069
Sl-D 65В 0.225А <50нс
1N3070
Sl-D 200В 0,15А <50нс
1N3071
Sl-D 200В 0.225А <50нс
1N3072
Sl-D 50В 0,2А
1N3073
Sl-D 100В 0,2А
1N3074
Sl-D 150В 0,2А
1N3075
Sl-D 200В 0,2А
1N3076
Sl-D 250В 0,2А
1N3077
Sl-D 300В 0,2А
1N3078
Sl-D 350В 0,2А
1N3079
SI-D 400В 0,2А
1N3080
Sl-D 500В 0,2А
1N3081
Sl-D 600В 0,2А
1N3082
Sl-D 200В 0,5А
1N3083
Sl-D 400В 0,5А
1N3084
Sl-D 600В 0,5А
1N3097
GE-D ЗОВ 0,05А <500нс
Тип прибора
Описание|
| 1N3106
Sl-D 800В 0,75А|
1N3107
Sl-D 1200В 0,5А
1N3108
SI-D800B1.5A|
1N3109
Sl-D 1200В 0,7А|
1N3110
GE-D 12В0.05А
1N3113
GaAs-D туннельный диод
1N3114
GaAs-D туннельный диод
1N3115
GaAs-D туннельный диод
1N3116
GaAs-D туннельный диод
1N3117
GaAs-D туннельный диод
1N3118
GaAs-D туннельный диод
1N3119
GaAs-D туннельный диод
1N3120
GaAs-D туннельный диод
1N3121
GE-D 50В 0,11А <500нс
1N3122
GE-D 20В 0,18А <3500нс
1N3123
Sl-D 40В 0,05А <4нс
1N3124
SI-D 40В 0,05А <4нС
1N3125
GE-D 55В 300нс
1N3128
GE-D туннельный диод
1N3129
GE-D туннельный диод
1N3130
GE-D туннельный диод
1N3138
GaAs-D туннельный диод
1N3139
Sl-D 50В 70А
1N3140
Sl-D 100В 70А
1N3141
Sl-D 150В 70А
1N3142
Sl-D 200В 70А
1N3144
GE-D 20В 500нс
1N3145
GE-D 65В
1N3146
GE-D 25В <2нс
1N3149(A)
GE-D туннельный диод
1N3150
GE-D туннельный диод|
1N3151
SI-D 7,2кВ 0,1А
1N3152
SI-D СВЧ ЗбГГц
1N3153
SI-D СВЧ ЗбГГц
1N3159
GE-D 15В 0,08А <300нс
1N3160
GE-D 60В 0,03А|
1N3179
Sl-D 240В|
1N3180
Sl-D 130В
1N3182
SI-D настроечный УКВ
1N3189
Sl-D 200В 1А
1N3190
Sl-D 400В 1А
1N3191
Sl-D 600В 1А
1N3193
Sl-D 200В 0,75А
1N3194
Sl-D 400В 0,75А|
1N3195
Sl-D 600В 0,75А|
Тип прибора
Описание
1N3196
Sl-D 800В 0,75А
1N3197
GE-D ЗОВ 0,08А <300нс
1N3203
GE-D 25В 0,06А 300нс
1N3204
GE-D 60В 0,06А 300нс
1N3206
Sl-D 100В 0,075А<4нС
1N3207
Sl-D 60В <6нс
1N3208
Sl-D 50В 15А
1N3209
Sl-D 100В 15А
1N3210
S1-D200B 15А
1N3211
SI-D 300В 15А
1N3212
S1-D 400В 15А
1N3213
Sl-D 500В 15А
1N3214
Sl-D 600В 15А
1N3215
Sl-D 60В <250нс
1N3217
GE-D туннельный диод
1N3218
GE-D туннельный диод
1N3219
GE-D туннельный диод
1N3220
GE-D туннельный диод
1N3221
GE-D туннельный диод
1N3222
GE-D туннельный диод
1N3225
GE-D 40В 0,03А <500нс
1N3227
S1-D 100В 0,5А
1N3228
Sl-D 200В 0,5А
1N3229
S1-D 400В 0,5А
1N3230
Sl-D 600В 0,5А
1N3231
Sl-D 800В 0,5А
1N3232
Sl-D 1000В 0,5А
1N3233
Sl-D 1200В 0,5А
1N3234
Sl-D 1500В 0,5А
1N3235
Sl-D 1800В 0,5А
1N3236
Sl-D 2000В 0,5А
1N3237
Sl-D 50В 0,75А
1N3238
Sl-D 100В 0,75А
1N3239
Sl-D 200В 0,75А
1N3240
Sl-D 400В 0,75А
1N3241
Sl-D 600В 0,75А
1N3242
Sl-D 800В 0,75А
1N3243
SI-D 10008 0.75А
1N3244
Sl-D 1200В 0.75А
1N3245
Sl-D 1500В 0,75А
1N3246
Sl-D 50В 1А
1N3247
Sl-D 100В 1А
1N3248
Sl-D 200В 1А
1N3249
Sl-D 400В 1А
1N3250
Sl-D 600В 1А
Тип прибора
Описание
1N3251
Sl-D 800В 1А
1N3252
Sl-D 1000В 1А
1N3253
SI-D аналог 1N3193
1N3254
S1-D аналог 1N3194
1N3255
SI-D аналог 1N3195
1N3256
SI-D аналог 1N3196
1N3257
Sl-D 80В <3нс
1N3258
Sl-D 80В <4нс
1N3277
Sl-D 200В 0.75А
1N3278
Sl-D 400В 0,75А
1N3279
Sl-D 600В 0,75А
1N3280
Sl-D 800В 0.75А
1N3281
Sl-D 1000В 0,75А
1N3282
Sl-D 1000В 0,1А
1N3283
Sl-D 1500В 0,1А
1N3284
Sl-D 2000В 0,1А
1N3285
Sl-D 2500В 0,1А
1N3286
Sl-D 3000В 0,1А
1N3298
Sl-D 60В 0,ЗА
1N3298A
Sl-D 70В 0,ЗА
1N3354
Sl-D 10В ЗА
1N3355
Sl-D 15В ЗА
1N3356
Sl-D 25В ЗА
1N3357
Sl-D 50В ЗА
1N3358
Sl-D 75В ЗА
1N3359
Sl-D 100В ЗА
1N3360
SI-D 150В ЗА
1N3361
Sl-D 200В ЗА
1N3362
Sl-D 300В ЗА
1N3363
Sl-D 400В ЗА
1N3364
Sl-D 500В ЗА
1N3365
Sl-D 600В ЗА
1N3366
Sl-D 700В ЗА
1N3367
Sl-D 800В ЗА
1N3368
Sl-D 900В ЗА
1N3369
Sl-D 1000В ЗА
1N3370
Sl-D 1200В ЗА
1N3371
Sl-D 15008 ЗА
1N3372
Sl-D 10В 20А
1N3373
Sl-D 25В 20А
1N3374
SI-D 50В 20А
1N3375
Sl-D 100В 20А
1N3376
Sl-D 150В 20А
1N3377
Sl-D 200В 20А
1N3378
Sl-D 300В 20А_|
Тип прибора
Описание
1N3379
Sl-D 400В 20А
1N3380
Sl-D 500В 20А
1N3464
SI-D 12кВ0,06А
1N3465
GE-D 60В 75мА
1N3466
GE-D 40В 75мА
1N3467
GE-D 18В <2нс
1N3468
GE-D 18В <2нс
1N3469
GE-D 35В 85мА
1N3470
GE-D 35В 85мА
1N3471
Sl-D 40В 0,04 А <2нс
1N3485
Sl-D 175В <50нс
1N3486
Sl-D 1000В 0,4А
1N3487
Sl-D 1200В 0,4А
1N3488
SI-D настроечный УКВ
1N3491
Sl-D 50В 25А
1N3492
Sl-D 100В 25А
1N3493
Sl-D 200В 25А
1N3494
Sl-D 300В 25А
1N3495
Sl-D 400В 25А
1N3544
Sl-D 100В 0,6А
1N3545
Sl-D 200В 0,6А
1N3546
Sl-D 300В 0,6А
1N3547
Sl-D 400В 0,6А
1N3548
Sl-D 500В 0,6А
1N3549
Sl-D 600В 0,6А
1N3550
Sl-D 180В 0,08А <1,5мкс
1N3551
Sl-D настроечный УКВ
1N3552(A)
SI-D настроечный УКВ
1N3554
SI-D настроечный УКВ
1N3555
SI-D настроечный УКВ
1N3556
SI-D настроечный УКВ
1N3557
SI-D настроечный УКВ
1N3560
GE-D туннельный диод
1N3561
GE-D туннельный диод
1N3562
GE-D туннельный диод
1N3563
Sl-D 1000В 0,4А
1N3566
Sl-D 800В 1А
1N3567
Sl-D 75В 0,06А <2нс
1N3568
S1-D ЗОВ <4нс
1N3569
Sl-D 100В 3,5А
1N3570
Sl-D 200В 3,5А
1N3571
Sl-D 300В 3,5А
1N3572
Sl-D 400В 3,5А
1N3573
Sl-D 500В 3,5А
1N3574
Sl-D 600В 3,5А
| Тип прибора
Описание
1N3575
Sl-D 60В 0,15A
1N3576
Sl-D 125В 0,15A
1N3577
Sl-D 175В 0,15A
1N3578
Sl-D 225В 0,15A
1N3579
Sl-D 275В 0,15A
1N3592
GE-D ЗОВ 0,05A <70нс
1N3593
Sl-D 40В 0,05A 10нс
1N3594
Sl-D 60В 6нс
1N3595
Sl-D 150В 0,1А <3мкс
1N3596
Sl-D 20В 0.075А <4нс
1N3597
Sl-D 200В 0.275А <300нс
1N3598
Sl-D 50В 0.075А <4нс
1N3599
Sl-D 150В <50нс
1N3600
Sl-D 50В 0,2А <4нс
1N3601
Sl-D 75В <5нс
1N3602
Sl-D 75В 0.115А <5нс
1N3603
Sl-D 45В 0,115А<5нс
1N3604
SI-D аналог 1N4151
1N3605
SI-D аналог 1N4152
1N3606
SI-D аналог 1N4153
1N3607
SI-D аналог 1N4151
1N3608
SI-D аналог 1N4152
1N3609
SI-D аналог 1N4153
1N3611(GP)
Sl-D 200В 1А
1N3612(GP)
Sl-D 400В 1А
1N3613(GP)
Sl-D 600В 1А
1N3614(GP)
Sl-D 800В 1А
1N3615
Sl-D 50В 16А
1N3616
Sl-D 100В 16А
1N3617
Sl-D 150В 16А
1N3618
Sl-D 200В 16А
1N3619
Sl-D 300В 16А|
1N3620
SI-D400B16A|
1N3621
Sl-D 500В 16АI
1N3622
Sl-D 600В 16А[
1N3623
Sl-D 800В 16АJ
1N3624
Sl-D 1000В 16А|
1N3625
Sl-D 200В 0,15А
1N3626
GE-D 50В
1N3627
SI-D настроечный УКВ
1N3628
SI-D настроечный УКВ|
1N3629
Sl-D 100В 0,75АI
1N3630
Sl-D 200В 0,75А|
1N3631
Sl-D 300В 0,75А
1N3632
Sl-D 400В 0,75А
Тип прибора
Описание
1N3633
Sl-D 500В 0.75A
1N3634
Sl-D 600В 0,75A
1N3635
Sl-D 700B 0,75AI
1N3636
Sl-D 800B 0,75A
1N3637
Sl-D 900B 0,75A
1N3638
Sl-D 1000B 0,75A
1N3639
Sl-D 200B 0,75A
1N3640
Sl-D 400B 0,75A
1N3641
Sl-D 600B 0,75A
1N3642
Sl-D 800B 0,75A
1N3643
Sl-D 1000B 0,25A
1N3644
Sl-D 1500B0.25A
1N3645
Sl-D 2000В 0.25A
1N3646
Sl-D 2500В 0.25A
1N3647
Sl-D 3000В 0.25A
1N3648
Sl-D ЮкВ 0,35A
1N3649
Sl-D 800B 3,3A
1N3650
Sl-D 1000B 3,3A
1N3653
Sl-D 100B <4hc
1N3654
Sl-D 100B <4hc
1N3656
Sl-D 200В 0.75A
1N3657
Sl-D 400В 0.75A
1N3658
Sl-D 600B 0,75A
1N3659
Sl-D SOB 30A
1N3660
Sl-D 100B 30A
1N3661
Sl-D 200В 30A
1N3662
Sl-D 300В 30AI
1N3663
Sl-D 400В 30A|
1N3664
Sl-D 500В 30A
1N3665
Sl-D 600В 30A
1N3666
GE-D 806 0.07A <300hc
1N3667
Sl-D 500B 1,5A
1N3668
Sl-D ЗОВ 0,075А<150нс
1N3669
Sl-D 70B 0,4A <200hc
1N3670(A)
Sl-D 700B 12A
1N3671(A)
Sl-D 800В 12A
1N3672(A)
Sl-D 900В 12A
1N3673(A)
Sl-D 1000В 12A
1N3711
SI-D6KB 0,15A
1N3712
GE-D туннельный диод
1N3713
GE-D туннельный диод
1N3714
GE-D туннельный диод
1N3715
GE-D туннельный диод
1N3716
GE-D туннельный диод
1N3717
GE-D туннельный диод|
Тип прибора
Описание
1N3718
GE-D туннельный диод
1N3719
GE-D туннельный диод
1N3720
GE-D туннельный диод
1N3721
GE-D туннельный диод
1N3723
Sl-D 1000В 0,75А
1N3724
Sl-D 1200В 0,75А
| 1N3725
Sl-D 1400В 0.75А
1N3726
Sl-D 1600В 0,75А|
1N3727
Sl-D 1800В 0,75А
1N3728
Sl-D 550В 0,2А
1N3729
Sl-D 600В <500нс
1N3730
Sl-D 80В <15нс
1N3731
SI-D 100В0,175А<Знс
1N3748
Sl-D 200В 0,5А
1N3749
Sl-D 400В 0,5А
1N3750
Sl-D 600В 0,5А
1N3751
Sl-D 800В 0,5А
1N3752
SI-D 10006 0,5А
1N3754
Sl-D 100В 0,125А
1N3755
Sl-D 200В 0.125А
1N3756
SI-D400B 0,125А
1N3757
Sl-D 200В 1А
1N3758
Sl-D 400В 1А
1N3759
Sl-D 600В 1А
1N3760
Sl-D 800В 1А
1N3761
Sl-D 1000В 1А
1N3762
SI-D 7,5кВ 0.065А
1N3764
SI-D ЗкВ ОДА
1N3765
Sl-D 700В 35А
1N3766
Sl-D 800В 35А
1N3767
Sl-D 900В 35А
1N3768
Sl-D 1000В 35А
1N3769
GE-D 90В
1N3770
SI-D настроечный СВЧ
1N3773
GE-D 25В <40нс
1N3775
Sl-D 1500В 3,ЗА
1N3777
Sl-D 800В 35А
1N3847
GE-D туннельный диод
1N3848
GE-D туннельный диод
1N3849
GE-D туннельный диод
1N3850
GE-D туннельный диод
1N3851
GE-D туннельный диод
1N3852
GE-D туннельный диод
1N3853
GE-D туннельный диод
1N3854
GE-D туннельный диод
Тип прибора
Описание
1N3855
GE-D туннельный диод
1N3856
GE-D туннельный диод
1N3857
GE-D туннельный диод
1N3858
GE-D туннельный диод
1N3859
GE-D туннельный диод
1N3860
GE-D туннельный диод
1N3861
GE-D туннельный диод
1N3862
GE-D туннельный диод
1N3863
GE-D туннельный диод
1N3864
SI-D 125В <900нС
1N3865
GE-D ЗОВ
1N3866
SI-D 200В 1А
1N3867
SI-D 400В 1А
1N3868
SI-D 600В 1А
1N3869
SI-D 1000В 0,5А
1N3870
SI-D 1500В 0,5А
1N3871
SI-D 2000В 0,25А
1N3872
SI-D 90В <15нс
1N3873
SI-D 90В 0,15А<4нс
1N3874
SI-D аналог 1N3879
1N3875
SI-D аналог 1N3880
1N3876
SI-D аналог 1N3881
1N3877
SI-D аналог 1N3882
1N3878
SI-D аналог 1N3883
1N3879(A)
SI-D 50В 6А <200нс
1N3880(A)
S1-D 100В6А<200нс
1N3881(A)
SI-D 200В 6А <200нс
1N3882(A)
SI-D 300В 6А <200нс
1N3883(A)
Sl-D 400В 6А <200нс
1N3884
SI-D аналог 1N3889
1N3885
SI-D аналог 1N3890
1N3886
SI-D аналог 1N3891
1N3887
SI-D аналог 1N3892
1N3888
SI-D аналог 1N3893
1N3889(A)
SI-D 50В 12А<200нс
1N3890(A)
SI-D 100В 12А<200нс
1N3891(A)
SI-D 200В 12А<200нс
1N3892(A)
SI-D 300В 12А<200нс
1N3893(A)
Sl-D 400В 12А<200нс
1N3894
SI-D 400В ОДА
1N3895
Sl-D 350В ОДА
1N3899
SI-D 50В 20А <200нс
1N3900
SI-D 100В 20А <200нс
1N3901
SI-D 200В 20А <200нс
1N3902
SI-D 300В 20А <200нс
Тип прибора
Описание
1N3903
Sl-D 400В 20А <2ООНС
1N3904
Sl-D 50В 20А <200нс
1N3905
SI-D 100В 20А <200нс
1N3906
SI-D 200В 20А <200нс
1N3907
SI-D 300В 20А <200нс
1N3908
SI-D 400В 20А <200нс
1N3909
Sl-D 50В ЗОА <200нс
1N3910
Sl-D 100В ЗОА <200нс
1N3911
Sl-D 200В ЗОА <200нс
1N3912
Sl-D 300В ЗОА <200нс
1N3913
Sl-D 400В ЗОА <200нс
1N3914
Sl-D 50В ЗОА <200нС
1N3915
SI-D100B ЗОА <200нс
1N3916
Sl-D 200В ЗОА <200нс
1N3917
Sl-D 300В ЗОА <2ООНС
1N3918
Sl-D 400В ЗОА <2ООНС
1N3919
Sl-D 1000В 5А
1N3920
Sl-D 1500В 5А
1N3921
Sl-D 2000В 5А
1N3922
Sl-D 2500В 5А
1N3923
Sl-D 3000В 5А
1N3924
Sl-D 1000В 10А
1N3925
Sl-D 1500В 10А
1N3926
Sl-D 2000В 10А
1N3927
Sl-D 2500В 10А
1N3928
Sl-D 3000В 10А
1N3929
Sl-D 1000В 1А
1N3930
Sl-D 1500В 1А
1N3931
Sl-D 2000В 1А
1N3932
Sl-D 2500В 1А
1N3933
Sl-D 3000В 1А
1N3934
Sl-D 1200В 10А
1N3938
Sl-D 200В 2А
1N3939
Sl-D 400В 2А
1N3940
Sl-D 600В 2А
1N3941
Sl-D 800В 2А
1N3942
Sl-D 100В 2А/30А(пик.)
1N3944
GE-D 15В <12нс
1N3945
Sl-D настроечный УКВ
1N3946
SI-D настроечный УКВ
1N3947
Sl-D настроечный УКВ
1N3948
SI-D туннельный диод
1N3952
Sl-D 130В0.2А
1N3953
GE-D 40В <300нс
1N3954
Sl-D 50В <4нс
Тип прибора
Описание
1N3955
Sl-D 100B 70A
1N3956
Sl-D ЗОВ 2нс
1N3957(GP)
Sl-D 1000В 1A
1N3958(C)
Sl-D 100B 3,5A
1N3959(C)
Sl-D 200B 3,5A
| 1N396O(C)
Sl-D 300B 3,5A
1N3961 (C)
Sl-D 400B 3,5A
1N3962(C)
Sl-D 500B 3,5A
1N3963(C)
Sl-D 6006 3.5A
1N3964
Sl-D 200В 22A
1N3965
Sl-D 400В 22A
1N3966
Sl-D 600В 22A
1N3967
Sl-D 800В 22A
1N3968
Sl-D 200В 50A
1N3969
Sl-D 400В 50A
1N3970
Sl-D 600В 50A
1N3971
Sl-D 800В 50A
I 1N3981
Sl-D 200В ЗА
| 1N3982
Sl-D 400В ЗА
I 1N3983
Sl-D 600В ЗА
I 1N3987
Sl-D 700В 6A
| 1N3988
Sl-D 800В 6A
| 1N3989
Sl-D 9008 6A
1N3990
Sl-D 1000B6A
1N4001
Sl-D SOB 1А/50А(пик)
1N4002
Sl-D 100B 1А/50А(пик)
1N4003
Sl-D 200В 1А/50А(пик)
1N4004
Sl-D 400В 1А/50А(пик)
| 1N4005
Sl-D 600В 1А/50А(пик)
|1N4006
Sl-D 800В 1А/50А(пик)
1N4007
Sl-D 1000В 1А/50А(пик)
1N4008
GE-D 12B 0,1 A <70hc
1N4009
Sl-D 35В 0,1A <4нс
1N4011
Sl-D 1000B 0,5A
| 1N4012
Sl-D 700В 12A
| 1N4013
Sl-D 800В 12A
1N4014
Sl-D 900В 12A
I 1N4015
Sl-D 1000В 12A
I 1N4043
Sl-D 25B <4hc
1N4086
Sl-D 70B <200hc
1N4087
Sl-D SOB <2,5нс
1N4088
GE-D ЗОВ
1N4089
Sl-D 400В 1,1A
1N4090
GE-D туннельный диод
1N4091
Sl-D настроечный СВЧ
Тип прибора
Описание
1N4092
Sl-D SOB
1N4093
Sl-D SOB
1N4139
Sl-D SOB ЗА
1N4140
SI-D100B3A
1N4141
Sl-D 200В ЗА
1N4142
Sl-D 400В ЗА
1N4143
Sl-D 600В ЗА
1N4144
Sl-D 800В ЗА
1N4145
Sl-D 1000В ЗА
1N4146
Sl-D 1200В ЗА
1N4148
SI-D100B 0,2A <4hc
1N4149
Sl-D 1008 0,2A<4hc
1N4150
Sl-D 50B0,2A<4hc
1N4151
Sl-D 75B 0,2A <4hc
1N4152
Sl-D 40B 0,2A <4hc
1N4153
Sl-D 75B 0,2A <4hc
1N4154
Sl-D 35B 0,2A <4hc
1N4155
Sl-D 400B 0,2A <10mkc
1N4244
Sl-D 10B 0,OSA <0,75нс
1N4245(GP)
Sl-D 200В 1A
1N4246(GP)
Sl-D 400В 1A
1N4247(GP)
Sl-D 600В 1A
1N4248(GP)
Sl-D 800В 1A
1N4249(GP)
Sl-D 1000В 1A
1N4250
Sl-D 800B 0,5A
1N4251
Sl-D 1000B 0,5A
1N4252
Sl-D 1200B0,5A
1N4253
Sl-D 1500B 0,5A
1N4254
Sl-D 1500B0,25A
1N4255
Sl-D 2000B 0,25A
1N4256
Sl-D 2500В 0.25A
1N4257
Sl-D 3000B 0,25A
1N4305
SI-D75B 0,1A<4hc
1N4308
Sl-D 100B <2hc
1N4309
Sl-D SOB <2hc
1N4310
Sl-D 75B <2hc
1N4311
Sl-D 100B <2hc
1N4312
Sl-D 1 SOB <2hc
1N4313
Sl-D 100B <2hc
1N4314
Sl-D 100B <2hc
1N4315
Sl-D SOB <2hc
1N4316
Sl-D 75B <2hc
1N4317
Sl-D 100B<2hc
1N4318
Sl-D 150B <2hc
1N4319
Sl-D 100B<2hc
Тип прибора
Описание
1N4322
Sl-D 75B <6hc
1N4361
Sl-D 900B 0,5A
1N4363
Sl-D 120B 0,1A<40hc
1N4364
Sl-D 100B 0,75A
1N4365
Sl-D 200B 0,75A
1N4366
Sl-D 300В 0,75A
1N4367
Sl-D 400B 0,75A
1N4368
Sl-D 500В 0.75A
1N4369
Sl-D 600В 0.75A
1N4373
Sl-D SOB 4нс
1N4374
Sl-D 1500B 0,75A
1N4375
Sl-D 60B <6hc
1N4376
Sl-D 10B 0,05A<6hc
1N4377
Sl-D 2,5кВ 0,75A
1N4380
Sl-D SOB 0,05A<1,8hc
1N4381
GE-D 25B <100hc
1N4382
Sl-D 55B <5,5нс
1N4383(GP)
Sl-D 200В 1A
1N4384(GP)
Sl-D 400В 1A
1N4385(GP)
Sl-D 600В 1A
1N4390
Sl-D 20B <0,5hc
1N4391
Sl-D 20B <0,5hc
1N4392
Sl-D 15B <0,5hc
1N4393
Sl-D туннельный диод
1N4394(A,B)
Sl-D туннельный диод
1N4395(A,B)
Sl-D туннельный диод
1N4396(A,B)
Sl-D туннельный диод
1N4397(A,B)
Sl-D туннельный диод
1N4398(A,B)
SI-D туннельный диод
1N4399(A,B)
SI-D туннельный диод
1N4436
Sl-D 200В 10А
1N4437
Sl-D 400В 10А
1N4438
Sl-D 600В 10А
1N4439
Sl-D 800В 10А
1N4440
Sl-D 1000В 10А
1N4441
Sl-D 1500В 25мА<300нс
1N4442
SI-D ЗОВ 1нс
1N4443
SI-D ЗОВ 0,6нс
1N4444
Sl-D 70В 0,225А <7нс
1N4445
Sl-D 125В <4нс
1N4446
Sl-D 100В 0,2А<4нс
1N4447
Sl-D 100В 0,2А<4нс
1N4448
SI-D100B0.2A <4нс
1N4449
Sl-D 100В 0,2А<4нс
1N4450
SI-D ЗОВ 0,2А <4нс
Тип прибора
Описание
1N4451
SI-D ЗОВ 0,2А<10нс
1N4454
Sl-D 50В 0,2А <10нс
1N4456
Sl-D 35В <1,5нс
1N4457
Sl-D 50В <1,5нс
1N4458
Sl-D 800В 5А
1N4459
Sl-D 1000В 5А
1N4497
SI-D 1,6кВ 0,75А
1N4498
SI-D ЗкВ 0,75А
1N4500
Sl-D 80В <4нс
1N4502
GE-D 20В
1N4505
SI-D6kB0,1A
1N4506
Sl-D 200В 12А
1N4507
Sl-D 400В 12А
1N4508
Sl-D 600В 12А
1N4509
Sl-D 800В 12А
1N4510
Sl-D 1000В 12А
1N4511
Sl-D 1200В 12А
1N4513
Sl-D 2000В 0,25А
1N4514
Sl-D 800В 1,1А
1N4517
Sl-D 200В 2А
1N4523
GE-D 15В <8нс
1N4524
GE-D 10В <3нс
1N4525
Sl-D 200В 35А
1N4526
Sl-D 400В 35А
1N4527
Sl-D 600В 35А
1N4528
Sl-D 800В 35А
1N4529
Sl-D 1000В 35А
1N4530
Sl-D 1200В 35А
1N4531
SI-D 75В0,15А<4нс
1N4532
Sl-D 75В 0,15А <2нс
1N4533
Sl-D 40В 0.075А <2нс
1N4534
Sl-D 75В 0.075А <2нс
1N4536
Sl-D 25В 0.075А <2нс
1N4537
Sl-D 1800В ЗА
1N4538
Sl-D 2400В ЗА
1N4539
Sl-D 3000В ЗА
1N4540
Sl-D 3600В ЗА
1N4541
Sl-D 225В 0,4А
1N4542
Sl-D 400В 0,4А
1N4543
Sl-D 600В 0,4А
1N4544
Sl-D 800В 0,4А
1N4545
Sl-D 1000В 0,4А
1N4546
SI-D 25кВ 1А
1N4547
Sl-D 25В <60нс
1N4548
Sl-D 25В <2нс
Тип прибора
Описание
1N4585(GP)
Sl-D 800В 1A
1N4586(GP)
Sl-D 1000В 1A
| 1N4598(A)
Sl-D настроечный УКВ 90В
I 1N4599(A)
Sl-D настроечный УКВ 110В
1N4606
Sl-D 85В 0,35А <6нс|
| 1N4607
Sl-D 85В 0,35А <15нс
| 1N4608
Sl-D 85В 0,35А <15нс
1N4609(A)
SI-D настроечный УКВ
1N4610
Sl-D 80В <4нс
1N4718
Sl-D 50В <180нс
| 1N4719
Sl-D 50В ЗА
| 1N4720
Sl-D 100В ЗА
1N4721
Sl-D 200В ЗА
1N4722
Sl-D 400В ЗА
1N4723
Sl-D 600В ЗА
1N4724
Sl-D 800В ЗА
1N4725
Sl-D 1000В ЗА
1N4726
Sl-D 20В 0,06А
1N4727
Sl-D 20В 0.075А
1N4785
GE-D 320В 7А демпферный для ТВ
1N4786(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4787(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4788(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4789(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N479O(A D)
SI-D настроечный УКВ|
1N4791(A D)
SI-D настроечный УКВ|
1N4792(A D)
SI-D настроечный УКВ|
1N4793(A D)
SI-D настроечный УКВ|
1N4794(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4795(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4796(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4797(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4798(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4799(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4800(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4801(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4802(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4803(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4804(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4805(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4806(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4807(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4808(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4809(A D)
SI-D настроечный УКВ
Тип прибора
Описание
1N481O(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4811(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4812(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4813(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4814(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4815(A D)
SI-D настроечный УКВ
1N4816
Sl-D 50В 1.5А
1N4817
Sl-D 100В 1,5А
1N4818
Sl-D 200В 1.5А
1N4819
Sl-D 300В 1,5А
1N4820
Sl-D 400В 1,5А
1N4821
Sl-D 500В 1,5А
1N4822
Sl-D 600В 1,5А
1N4823
Sl-D 100В 1А<100нс
1N4824
SI-D 200В1А<100нс
1N4825
Sl-D 400В 1А<100нс
1N4826
Sl-D 600В 1А<100нс
1N4827
GE-D ЗОВ 200нс
1N4861
Sl-D 40В <1мкс
1N4862
Sl-D 70В <1мкс
1N4863
Sl-D 70В 0,2А <7нс
1N4864
Sl-D 125В 0,2А <4нс
1N4865
SI-D 1,5кВ 1,25А
| 1N4866
S1-D 2,5кВ 1.25А
1N4867
SI-D ЗкВ 1,25А
1N4868
SI-D 5кВ 1,25А
1N4869
SI-D7,5kB 1,25А
1N4870
SI-D ЮкВ 1,25А
1N4871
SI-D 12кВ 1.25А
1N4872
SI-D 15кВ 1,25А
1N4873
SI-D 20кВ 1,25А
I 1N4874
SI-D25KB 1,25А
1N4875
SI-D ЗОкВ 1,25А
1N4876
SI-D 40кВ 1.25А
1N4877
SI-D 50кВ 1,25А
1N4887
SI-D 75кВ 1,25А
1N4888
Sl-D 12В <0,5нс
1N4933(GP)
Sl-D 50В 1А <200нс
1N4934(GP)
Sl-D 100В 1А<200нс
1N4935(GP)
Sl-D 200В 1А <200нс
1N4936(GP)
Sl-D 400В 1А <200нс
1 N4937(GP)
Sl-D 600В 1А <200нс
1N4938
SI-D аналог 1N3070
1N4941
GAAS-D настроечный СВЧ
1N4942(GP)
Sl-D 200В 1А <150нс
Тип прибора
Описание
1N4943(GP)
Sl-D 300B 1A<150hc
1 N4944(GP)
Sl-D 400B 1A<150hc
1N4945(GP)
Sl-D 500B 1A<150hc
1N4946(GP)
Sl-D 600В 1A <250нс
1N4947(GP)
Sl-D 800В 1A <250hc
1N4948(GP)
Sl-D 1000B 1A<500hc
1N4949
Sl-D 35B <0,3hc
1N4950
Sl-D ЗОВ <4нс
1N4997(R)
Sl-D SOB ЗА
1N4998(R)
Sl-D 100В ЗА
1N4999(R)
Sl-D 200В ЗА
1N5000(R)
Sl-D 400В ЗА
1N5001(R)
Sl-D 600В ЗА
1N5002(R)
Sl-D 800В ЗА
1N5003(R)
Sl-D 1000В ЗА
1N5004
Sl-D 100В 1A
1N5005
Sl-D 200В 1A
1N5006
Sl-D 400В 1A
1N5007
Sl-D 600В 1A
1N5052(A)
Sl-D 700B 1,5A
1N5053(A)
Sl-D 800B 1,5A
1N5O54(A)
Sl-D 1000B 1,5A
1N5055
Sl-D 100В 1A
1N5056
Sl-D 200В 1A
1N5057
Sl-D 300B 0,8A
1N5058
Sl-D 400B 0.8A
1N5059(GP)
Sl-D 200В 2А/50А(пик.) бмкс
1N5060(GP)
Sl-D 400В 2А/50А(пик.) бмкс
1N5061(GP)
Sl-D 600В 2А/50А(пик.) бмкс
1N5062(GP)
Sl-D 800В 2А/50А(пик.) бмкс
1N5136(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5137(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5138(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5139(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5140(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5141(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5142(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5143(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5144(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5145(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5146(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5147(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5148(A)
SI-D настроечный УКВ
1N5165(A)
SI-D ЗОВ
1N5166(A)
Sl-D 30V
Тип прибора
Описание
1N5167(A)
Sl-D 20В
1N5170
Sl-D 15В 2А
1N5171
Sl-D 50В 2А
1N5172
Sl-D 100В 2А
1N5173
Sl-D 300В 2А
1N5174
Sl-D 400В 2А
1N5175
Sl-D 500В 2А
1N5176
Sl-D 600В 2А
1N5177
Sl-D 800В 2А
1N5178
Sl-D 1000В2А
1N5180
Sl-D 120В 4А
1N5181
Sl-D 4кВ 0,1 А
1N5182
Sl-D 5кВ 0,1А
1N5183
SI-D7,5kB0,1A
1N5184
Sl-D ЮкВ 0,1А
1N5185(A)
Sl-D 50В 3..4А <250..400нс
1N5186(A)
Sl-D 100В 3..4А <250..400нс
1N5187(A)
Sl-D 200В 3..4А <250. ,400нс
1N5188(A)
Sl-D 400В 3..4А <250..400нс
1N5189(A)
Sl-D 500В 3..4А <250..400нс
1N5190(A)
Sl-D 600В 3..4А <250.,400нс
1N5194
Sl-D 80В 0,2А
1N5195
Sl-D 200В 0,2А
1N5196
Sl-D 250В 0,2А
1N5197
Sl-D 50В ЗА
1N5198
SI-D100B3A
1N5199
Sl-D 200В ЗА
1N5200
Sl-D 400В ЗА
1N5201
Sl-D 600В ЗА
1N5206
Sl-D 440В 2А
1N5207
Sl-D 440В 4А
1N5208
Sl-D 70В 0.075А|
1N5209
Sl-D 150В 0.055А|
1N5210
Sl-D 200В 0,04А
1N5211
Sl-D 200В 1А
1N5212
Sl-D 400В 1А
1N5213
Sl-D 600В 1А
1N5214
Sl-D 800В 1А
1N5215
Sl-D 200В 1А
1N5216
Sl-D 400В 1А
1N5217
Sl-D 600В 1А
1N5218
Sl-D 800В 1А
1N5219
SI-D ЗОВ <2нс
1N5220
SI-D ЗОВ <0,7нс
1N5282(A)
Sl-D 80В 0,2А <4нс
Тип прибора
Описание
1N5315
SI-D 100В0,2А<4нс
1N5316
SI-D100B 0,135А<4нс
1N5317
SI-D 80В 0.125А <4нс
1N5318
SI-D 75В 0.125А <4нс
1N5319
SI-D 408 0,1А <4нс
1N5320
SI-D 120В 1А<250нс
1N5321
SI-D-S ЗОВ
1N5322
SI-D-S ЗОВ
1N5323
SI-D-S 20В
1N5324
SI-D 15кВ0,01А
1N5326
SI-D 200В 12А
1N5329
SI-D 6кВ0,135А
1N5330
SI-D 1500В 0,54А
1N5331
SI-D 1200В 12А
1N5332
SI-D 1200В 35А
1N5389
SI-D 40кВ
1N5390
SI-D-S 5В
1N5391
SI-D 50В 1,5А
1N5392
SI-D 1006 1,5А
1N5393
SI-D 2008 1,5А
1N5394
SI-D 300В 1,5А
1N5395
SI-D 400В 1,5А
1N5396
SI-D 5006 1,5А
1N5397
SI-D 600В 1,5А
1N5398
SI-D 800В 1,5А
1N5399
SI-D 1000В 1,5А/10А(пик)
1N5400
SI-D 50В ЗА/200А(пик)
1N5401
SI-D 100В ЗА/200А(пик)
1N5402
SI-D 200В ЗА/200А(пик)
1N5403
SI-D 300В ЗА/200А(пик)
1N5404
SI-D 400В ЗА/200А(пик)
1N5405
SI-D 500В ЗА/200А(пик)
1N5406
SI-D 600В ЗА/200А(пик)
1N5407
SI-D 800В ЗА/200А(пик)
1N5408
SI-D 1000В ЗА/200А(пик)
1N5409
SI-D 300В 40А
1N5410
SI-D 300В 12А
1N5412
SI-D 40В 0,2А <2нс
1N5413
SI-D 80В 0,2А<2нс
1N5414
SI-D 100В 0,2А<2нс
1N5415
SI-D 50В ЗА <150нс
1N5416
SI-D 100В ЗА < 150нс
1N5417
SI-D 200В ЗА <150нс
1N5418
SI-D 400В ЗА <150нс
1N5419
SI-D 500В ЗА <250нс
Тип прибора
Описание
1N5420
SI-D 600В ЗА <400нс
1N5421
SI-D настроечный УКВ 200В
1N5422
SI-D настроечный УКВ 200В
1N5423
SI-D настроечный УКВ 200В
1N5424
SI-D настроечный УКВ 1006
1N5425
SI-D настроечный УК8 100В
1N5433
SI-D 7206 2мА <400нс
1N5434
SI-D 720В 2мА <400нс
1N5435
SI-D 720В 12А
1N5441(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5442(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5443(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5444(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5445(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5446(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5447(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5448(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5449(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5450(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5451(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5452(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5453(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5454(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5455(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5456(A D)
Sl-D настроечный FM/УКВ
1N5461(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5462(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5463(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5464(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5465(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5466(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5467(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5468(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5469(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5470(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5471(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5472(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5473(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5474(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5475(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5476(A D)
SI-D настроечный FM/УКВ
1N5477
SI-D 6кВ 0,6А
1N5478
SI-D 7,2кВ 0,6А
1N5479
SI-D 8,4кВ 0,6А
1N5480
SI-D 9,6кВ 0,6А
Тип прибора
Описание
1N5481
Sl-D 12kB 0,6A
1N5482
Sl-D 2,4кВ 1A
1N5483
Sl-D 3,6кВ 1A
1N5484
SI-D4,8kB 1A
1N5485
Sl-D 6кВ 1A
1N5550
Sl-D 200В ЗА
1N5551
Sl-D 400В ЗА
1N5552
Sl-D 600В ЗА
1N5553
Sl-D 800В ЗА
1N5554
Sl-D 1000В ЗА
1N5595
Sl-D 5kB 1,15A
1N5596
Sl-D 7,5кВ 0,87A
1N5597
Sl-D 10kB 0,7A
1N5598
Sl-D 15кВ 0,47 A
1N5599
Sl-D 2,5kB2,1A
1N5600
S1-D5kB1,4A
1N5601
Sl-D 7,5кВ 0,92A
1N5602
Sl-D 2,5kB4,6A
1N5603
Sl-D 5kB 3,5A
1N5604
Sl-D 7,5kB 2,ЗА
1N5606
SI-D150B 0,1A
1N5607
Sl-D 200B 0,15A
1N5608
SI-D120B 0,15A<300hc
1N5609
SI-D120B 0,15A<300hc
1N5614
Sl-D 200В 1A
1N5615
Sl-D 200B 1A<150hc
1N5616
Sl-D 400В 1A
1N5617
Sl-D 400B 1A<150hc
1N5618
Sl-D 600В 1A
1N5619
Sl-D 600B 1A<150hc
1N5620
Sl-D 800В 1A
1N5621
Sl-D 800B 1A<150hc
1N5622
Sl-D 1000В 1A
1N5623
Sl-D 1000B 1A<150hc
1N5624(GP)
Sl-D 200В 5A
1N5625(GP)
Sl-D 400В 5A
1N5626(GP)
Sl-D 600В 5A
1N5627(GP)
Sl-D 800В 5A
1N5628
Sl-D ЗкВ 0,5A
1N5679
Sl-D SOB 1A
1N5680
Sl-D 100B 1A
1N5681(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5682(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5683(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5684(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
Тип прибора
Описание
1N5685(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5686(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5687(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5688(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5689(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5690(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5691(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5692(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5693(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5694(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5695(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5696(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5697(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5698(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5699(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5700(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5701(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5702(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5703(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5704(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5705(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5706(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N57O7(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5708(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5709(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5710(A,B)
SI-D настроечный УКВ
1N5711
Sl-D-S 70В 15мА 0,1нс
1N5712
Sl-D-S 20В 35мА
1N5713
SI-D-S12B
1N5714
SI-D настроечный УКВ 200В
1N5715
SI-D настроечный УКВ 200В
1N5716
SI-D настроечный УКВ 200В
1N5717
SI-D настроечный УКВ 100В
1N5718
SI-D настроечный УКВ 100В
1N5719
SI-D настроечный УКВ100В
1N5720
SI-D ЗОВ <10нс
1N5721
Sl-D 15В <10нс
1N5726
Sl-D 60В <10нс
1N5727
Sl-D 50В <10нс
1N5766
Sl-D 110В <400нс
1N5794
Sl-D 50В 1А
1N5795
Sl-D 100В 1А
1N5796
Sl-D 200В 1А
1N5797
Sl-D 400В 1А
1N5798
Sl-D 600В 1А
| Тип прибора
Описание|
1N5799
Sl-D 800В 1АI
1N5800
Sl-D 1000В 1А
1N5802
Sl-D 50В 2,5А <25нс
1N5803
Sl-D 75В 2,5А <25нс
1N5804
Sl-D 100В 2,5А<25нс
1N5805
Sl-D 125В 2,5А <25нс
1N5806
Sl-D 150В 2,5А<25нс
1N5807
Sl-D 50В 6А <30нс
1N5808
Sl-D 75В 6А <30нс
1N5809
SI-D 100В6А<30нс
1N5810
Sl-D 125В 6А <30нс
1N5811
SI-D 150В6А<30нс
1N5812
Sl-D 50В 50А <25нс
1N5813
Sl-D 75В 50А <25нс
1N5814
SI-D100B 50А <25нс
1N5815
Sl-D 125В 50А <25нс
1N5816
Sl-D 150В 50А <25нс
1N5817
Sl-D-S 20В 1А/25А(пик)
1N5818
SI-D-S ЗОВ 1А/25А(пик)
1N5819
Sl-D-S 40В 1А/25А(пик)
1N5820
Sl-D-S 20В ЗА/80А(пик)
1N5821
SI-D-S ЗОВ ЗА/80А(пик)
1N5822
Sl-D-S 40В ЗА/80А(пик)
1N5823
Sl-D-S 20В 5А
1N5824
SI-D-S ЗОВ 5А
1N5825
Sl-D-S 40В 5А
1N5826
SI-D-S20B15A
1N5827
SI-D-S ЗОВ 15А
1N5828
Sl-D-S 40В 15А
1N5829
Sl-D-S 20В 25А
1N5830
SI-D-S ЗОВ 25А
1N5831
Sl-D-S 40В 25А
1N5832
Sl-D-S 20В 40А
1N5833
SI-D-S ЗОВ 40А
1N5834
Sl-D-S 40В 40А
1N5835
SI-D ЗОВ ЗА < 100нс
1N5836
Sl-D 50В ЗА <100нс
1N5898
Sl-D 50В ЗА
1N5899
SI-D100B3A
1N5900
Sl-D 200В ЗА
1N5901
Sl-D 400В ЗА
1N5902
Sl-D 600В ЗА
1N5903
Sl-D 800В ЗА
1N5904
Sl-D 1000В ЗА
1N5905
Sl-D 1200В ЗА
Тип прибора
Описание|
1N60
GE-D 50В 50мА
1N6073
Sl-D 50В ЗА 30нс
1N6074
Sl-D 100В ЗА 30нсI
1N6075
Sl-D 150В ЗА 30нсI
1N6076
Sl-D 50В 6А 30нс
1N6077
Sl-D 100В 6А 30нс
1N6078
Sl-D 150В 6А 30нсI
| 1N6079
Sl-D 50В 12А 30нс|
1N6080
Sl-D 100В 12А 30нсI
1N6081
Sl-D 150В 12А 30нс|
1N6095
SI-D-S ЗОВ 25А
1N6096
Sl-D-S 40В 25А
1N6097
SI-D-S ЗОВ 50А
1N6098
Sl-D-S 40В 50А
1N6099
SI-D аналог 1N3595
1N6262
Sl-D 200В 85А
1N6263
Sl-D-S 60В 15мА 0,1нс
1N645
Sl-D 225В 0,4А
1N647
SI-D 400В0,4А/15А(пик)
1N6478
Sl-D 50В 1А
1N6479
SI-D100B 1А
1N6480
Sl-D 200В 1А
1N6481
Sl-D 400В 1А
1N6482
Sl-D 600В 1А
1N6483
Sl-D 800В 1А
1N6484
Sl-D 1000В 1А
1N914
Sl-D 100В 75мА0,5Вт4нс
1SS119
SI-D 35В0,15А<3,5нс
1SS131
SI-D 90В0,13А<4нс
25F120
Sl-D 1200В 25А/300А(пик)
40HF10
Sl-D 100В 40А/480А(пик)
40HF20
Sl-D 200В 40А/480А(пик)
40HF40
Sl-D 400В 40А/480А(пик)
40HFR10
Sl-D 100В 40А/480А(пик)
40HFR20
Sl-D 200В 40А/480А(пик)
40HFR40
Sl-D 400В 40А/480А(пик)
6F120
Sl-D 1200В 6А/134А(пик)
6FR120
Sl-D 1200В 6А/134А(пик)
70HF80
SI-D 800В 70А/1000А(пик)
АА112
GE-D 20В ЗОмА
АА114
GE-D ЗОВ 40мА
АА116
GE-D ЗОВ ЗОмА
АА117
GE-D 115В 50мА/0,5А(пик)
АА118
GE-D 115В 50мА/0,5А(пик)
АА119
GE-D45B35MA
Тип прибора
Описание
АА132
GE-D110B50mA<1,3B
АА133
GE-D 130В 50мА <1,3В
АА134
GE-D 70В 50мА<1,ЗВ
АА137
GE-D40B 20мА
АА139
GE-D 25В 20мА
АА143
GE-D ЗОВ 60мА/0,2А(пик.) 80мВт
АА144
GE-D 100В 45мА/0,15А(пик.) 80мВт
AAZ17
GE-D 75В 0,14А/0,25А(пик) <35нс
AAZ18
GE-D 20В 0,13А/0,ЗА(пик.) <70нс
ВА100
Sl-D 60В 90мА
BA127D
Sl-D 60В 0,2А
ВА128
Sl-D 75В 0,11А
ВА145
Sl-D 350В 0,ЗА
ВА147/..
Sl-D 25..300В 0,15А
ВА148
Sl-D 350В 0,ЗА
ВА155
Sl-D 150В 0,1 А
ВА157
Sl-D 400В 0,4А 300нс
ВА158
Sl-D 600В 0,4А 300нс
ВА159
Sl-D 1000В 0,4А 300нс
ВА182
SI-D 358 0,8-2,1 пФ УКВ
ВА204
SI-D60B 0,2А<10нс
ВА220
Sl-D 10В 0,2А/0,4А(пик.) 4нс
ВА243
SI-D 20В1-ЗпФ 0,1А
BA243G
Sl-D 20В 1-ЗпФ0,1А
ВА244
Sl-D 35В 1-ЗпФ0,1А
ВА282
SI-D 35В0,9-2пФ0,1А
ВА283
Sl-D 35В 0,9-2пФ 0,1А
ВА316
Sl-D 10В 0,1А/0,2А(пик.) 4нс
ВА317
SI-D ЗОВ 0,1А/0,2А(пик.) 4нс
ВА318
Sl-D 50В 0,1А/0,2А(пик.) 4нс
ВА479
SI-D ЗОВ 50мА 100МГц
ВА481
Sl-D-S 4В ЗОмА 1,1пФ
ВА482
SI-D 35В0,1А1,2пФ
ВА682
Sl-D 35В 0,9-2пФ 0,1А
BAR10
Sl-D 20В 35мА/100мА(пик.)
BAR43S
2xSI-D ЗОВ 0,1А/0,75А(пик.)
BAS11
Sl-D 300В 0,ЗА/4А(пик.) 1мкс
BAS16
Sl-D 75В0.25А6НС
BAS19
Sl-D 120В 0,2А<50нс
BAS20
Sl-D 200В 0,2А <50нс
BAS21
Sl-D 250В 0,2А <50нс
BAS32L
Sl-D 75В 0.2А <4нс
BAS33
SI-D ЗОВ 0.2А
Тип прибора
Описание
ВАТ17
SI-D-S4B ЗОмА 1пФ
ВАТ41
Sl-D-S 100В 0,1 А
ВАТ42
SI-D-S ЗОВ 0,2А <5нс
ВАТ43
SI-D-S ЗОВ 0,2А <5нс
ВАТ46
Sl-D-S 100В 0,15А
ВАТ47
Sl-D-S 20В 0.35А 10нс
ВАТ48
SI-D-S40B 0.35А 10нс
ВАТ49
Sl-D-S 80В 0,5А
ВАТ54А
2xSI-D-S ЗОВ 0,2А
ВАТ82
Sl-D-S 50В ЗОмА <1нс
ВАТ83
Sl-D-S 60В ЗмА <1нс
ВАТ85
SI-D-S ЗОВ 0,2А ЮпФ
ВАТ86
Sl-D-S 50В 0,2А 8пФ
BAV10
Sl-D 60В 0,ЗА/0,6А(пик.) 6нс
BAV100
Sl-D 60В 0,25А <50нс
BAV101
SI-D 120В0,25А<50нс
BAV102
Sl-D 200В 0,25А <50нс
BAV103
SI-D 250В0,2А5пФ 50нс
BAV17
Sl-D 25В 0,2А/,05А(пик) 50нс
BAV18
Sl-D 60В 0,2А/,05А(пик ) 50нс
BAV19
Sl-D 120В 0,2А/,05А(пик.) 50нс
BAV20
Sl-D 200В 0,2А/,05А(пик.) 50нс
BAV21
Sl-D 250В 0,2А/0,5А(пик.) 50нс
BAV23
2XSI-D 250В 0,2А <50нс
BAV70
2XSI-D 70В 0,2А 6нс
BAV99
2xSI-D 70В 0,2А 6нс
BAW24
Sl-D 50В 0,6А <6нс
BAW25
Sl-D 50В 0,6А <6нс
BAW26
Sl-D 75В 0,6А <6нс
BAW27
Sl-D 75В 0,6А <6нс
BAW56
2xSI-D 70В 0,2А 6нс
BAW62
Sl-D 75В 0,2А/0,45А(пик.) 4нс
BAW75
Sl-D 35В 0,15А/2А(пик.) 2нс
BAW76
Sl-D 75В 0,15А/2А(пик) 2нс
ВАХ12
Sl-D 90В 0,4А/0,8А(пик.) 50нс
ВАХ13
SI-D 50В0,15А0,5Вт4нс
ВАХ14
Sl-D 40В 0,5А <30нс
ВАХ16
SI-D150B 0,2А<120нс
ВАХ17
SI-D 200В0,2А<120нс
ВАХ18
Sl-D 75В 0,4А/2А(пик)
BAY21
Sl-D 350В 0,25А 1мкс
BAY46
SI-D300B 0.225А <15мкс
ВВ103
SI-D ЗОВ 11,3-ЗОпФ
ВВ104
2xSI-D настроечный FM
ВВ105В
SI-D ЗОВ 2-18пФ СВЧ
Тип прибора
Описание
BB105G
SI-D ЗОВ 1,8-18пФ СВЧ
ВВ106
SI-D ЗОВ 4-20пФ УКВ
BB109G
SI-D ЗОВ 4,3-32пФ УКВ
ВВ112
SI-D 12В 17-560ПФ настроечный АМ
ВВ119
SI-D 10В 15 3-19пФ
ВВ121А
SI-D ЗОВ 1,9-18пФ
ВВ122
SI-D настроечный УКВ
ВВ139
SI-D ЗОВ 4 3-29пФ
ВВ142
SI-D ЗОВ 12пФ FM/УКВ
ВВ204В
2xSI-D настроечный FM
BB204G
2XSI-D ЗОВ 14-ЗЭпФ
ВВ205В
SI-D ЗОВ 11 пФ
BB205G
SI-D ЗОВ 1,8-17пФСВЧ
ВВ207
SI-D настроечный
ВВ209
SI-D ЗОВ 2,6-31 пФ
ВВ212
2xSI-D настроечный АМ
ВВ221
SI-D 28В 1,8-17пФ
ВВ222
SI-D настроечный УКВ
BB304G
SI-D2B 1,7-46пФ
ВВ329
SI-D настроечный УКВ
ВВ405В
SI-D30B 1,8-18пФ
BB405G
SI-D настроечный УКВ
ВВ409
SI-D 28В 5-32пФ настроечный УКВ
ВВ505В
SI-D настроечный УКВ
BB505G
SI-D настроечный УКВ
ВВ529
SI-D 28В2,5-12пФ 300
ВВ804
2xSI-D 18В 42-46,5пФ
ВВ809
SI-D 28В 4-46пФ настроечный УКВ
ВВ811
SI-D настроечный для СТВ 2ГГц
BY126
SI-D 650В 1А
BY127
SI-D 1250В 1А
BY133
SI-D 1300В 1А/50А(пик)
BY134
SI-D 600В 1А/50А(пик)
BY135
SI-D200B 1А/50А(пик)
BY157/ А
SI-D200 1000В 0,ЗА <300нс
BY157/ В
SI-D200 1000В 0,4А<300нс
BY157/ С
SI-D 200 1000В 0,6А <300нс
BY176
SI-D 15кВ 2,5мА
BY184
SI-D 1500/1800В 5мА
BY187
SI-D ЮкВ 2,5мА 250нс
BY188A
SI-D 50В 1,2А
BY188B
SI-D 50В 1,2А
BY196
SI-D 100В 1,2А<500нс
Тип прибора
Описание
BY197
SI-D 200В 1,2А <500нс
BY198
SI-D 400В 1,2А <500нс
BY199
SI-D 800В 1,2А <500нс
BY200
SI-D 1200В 1,2А<500нс
BY201/2 /6
SI-D250 650В 1А/30А(пик) 200 нс
BY203/12 /25
SI-D1.2 2,5kB 0,25А 300нс
BY205/
SI-D 100 1000В ЗА <850нс
BY206
SI-D 350В 0,4А <300нс
BY207
SI-D 600В 0,4А <300нс
BY208/
SI-D600 1000В 0 75А<350нс
BY209
SI D 12 5кВ 2,5мА
BY210/
SI-D 400 800В 1А
BY214/
SI-D50 1000В 6А/400А(пик)
BY218/
SI-D100 800В 2А <200нс
BY223
SI-D демпферный для ТВ 1500В 5А
BY226
SI-D 650В 1,5А
BY227B
SI-D 1250В 1.5А
BY228/
SI-D1000 1500В ЗА/50А(пик) 20 мкс
BY229
CM BY229/800-MBR
BY229/
SI-D200 1000В 7А/60А(пик) 150 нс
BY229F/
SI-D аналог BY229 ISO
BY239/200
SI-D 200 1250В 10А
BY249/
SI-D 300 600В 6 5А/60А(пик)
BY251
SI-D 200В ЗАЛ ООА(пик)
BY252
SI-D 400В ЗАЛ ООА(пик)
BY253
SI-D 600В ЗАЛ ООА(пик)
BY254
SI-D 800В ЗАЛООА(пик)
BY255
SI-D 1300В ЗАЛ ООА(пик)
BY268
SI-D 1400В 0,8А <500нс
BY269
SI-D 1600В 0,8А<500нс
BY288/
SI-D 150 1000В 0.32А 300нс
BY289/
SI-D150 1000В 0,52А 300нс
BY290/
SI-D 150 600В 150нс
BY291/
SI-D75 300В 1,1 А 150нс
BY292/
SI-D75 300В 1 ЗА 150нс
BY293/
SI-D75 300В ЗА 150НС
BY294/
SI-D75 600В 2,5А 150нс
BY295/
SI-D 150 600В 1,05А 150нс
BY296
SI-D 200В 2А <500нс
BY297
SI-D 300В 2А <500нс
BY298
SI-D 400В 2А/70А(пик ) 150нс
BY299
SI-D 800В 2А/70А(пик ) 500нс
Тип прибора
Описание
BY328
SI-D 1400В ЗА <500нс
BY329/
SI-D 800 1200В 7А/80А(пик) 150нс
BY359/
SI-D 1000 1500В 6,5А/60А(пик) 600
BY359F/
SI-D аналог BY359
BY396
SI-D100B3A<500hc
BY397
SI-D 200В ЗА <500нс
BY398
SI-D 400В ЗА/200А(пик) 500нс
BY399
SI-D 800В ЗА/100А(пик) 500нс
BY406
SI-D 350В 0,8А <300нс
BY409
SI-D 12,5кВ 2,5мА
BY438
SI-D TV-DAMPER 1200В 5А
BY448
SI-D 1500В 2А/30А(пик) 20мкс
BY458
SI-D 1200В 2А/30А(пик) 20мкс
BY459/1500
SI-D 1500В 10А 600нс
BY476
SI-D 18кВ2,5мА
BY477
SI-D 23кВ 2мА
BY478
SI-D 27,5кВ 2мА
BY500/
SI-D 100 800В 5А/200А(пик) 200нс
BY509
SI-D 12,5кВ4мА
BY510
SI-D 17кВ 4мА
BY520-10 -20
SI-D100 800В5А<200нс
BY527
SI-D 1250В 0.8А
BY530-
SI-D50 1000В ЗА
BY550-
SI-D 50 800В 5А
BY584
SI-D 1800В 85мА 200НС
BY588
SI-D 25В 1,5А
BY627
SI-D 1250В 2А
BY707
SI-D 10кВ4мА 200нс
BY708
SI-D 12кВ 4мА 200нс
BY709
SI-D 14кВ 4мА200нс
BY710
SI-D17KB ЗмА 200нс
BY711
SI-D 19кВ ЗмА 200нс
BY712
SI-D 22кВ ЗмА 200нс
BY713
SI-D 24кВ ЗмА 200нс
BY714
SI-D ЗОкВ ЗмА 200нс
BY8420
SI-D 24кВ ЗмА 200нс
BYD11D М
SI-D200 1000В 0,58А
BYD13D М
SI-D200 1 000В 1,4А
BYD14D М
SI-D200 1000В2А2,5мкс
BYD17D М
SI-D200 1000В 2А 2,5мкС
BYD31D М
SI-D 200 1000В 0,4А<300нс
BYD33D М
SI-D 200 1000В 1, ЗА <300нс
BYD34D М
SI-D 200 1000В 1,8А <300нс
Тип прибора
Описание
BYD37D М
SI-D 200 1000В 1 ,ЗА <300нс
BYD57D М
SI-D200 1000В 1А
BYD71A G
SI-D 50 400В 0,5А <50нс
BYD73A G
SI-D50 400В 1,75А<50нс
BYD74A G
SI-D 50 400В 2А <50нс
BYD77A G
SI-D50 400В 1,75А<50нс
BYM26A Е
SI-D200 1000В2,ЗА<75нс
BYR29/
SI-D 500 800В 7,8А/60А(пик ) 75 НС
BYR29F/
SI-D аналог BYR29/
BYS16-
SI-D-S20 40В 15А
BYS21-
SI-D-S45 90В 1А
BYS22-
SI-D-S45 90В 2А
BYS24-
2xSI-D-S45 90В 2,5А
BYS25-
SI-D-S 20 40В 25А
BYS26-
SI-D-S45 90В ЗА
BYS27-45
SI-D-S 45В 5А/120А(пик)
BYS28-
2xSI-D-S45 90В2.15А
BYT01-
SI-D 200 400В 1А <50нс
BYT03-
SI-D 200 400В ЗА/60А(пик) <50 нс
BYT08-
SI-D200 400В 8А/130А(пик) 35 нс
BYT08P- А
SI-D 200 1000В 8А/130А(пик) 65нс
BYT11-
SI-D 600 1000В 1А/35А(пик) 100нс
BYT13-
SI-D600 1000В ЗА <150нс
BYT30P-
SI-D200 1000В 30А<70нс
BYT51A М
SI-D50 1000В 1,5А/20А(пик ) <4мкс
BYT52A М
SI-D 50 1000В 1,4А/20А(пик) <200 НС
BYT53A G
SI-D50 400В 1,5А<50нс
BYT54A М
SI-D 50 1000В 1,25А<100нс
BYT56A М
SI-D50 1000В ЗА <100нс
BYT60- М
SI-D200 1000В 60А<70нс
BYT71-
SI-D 100 800В 6А <300нс
BYT71F-
SI-D 100 800В 6А <300нс
BYT77
SI-D 800В ЗА <300нс
BYT78
SI-D 1000В ЗА <300нс
BYT79-
SI-D300 500В10А<50нс
BYV10- (А)
SI-D-S 20 60В 1А/25А(пик) 30нс
BYV12
SI-D100B 1,5А 300нс
BYV13
SI-D 400В 1,5А 300нс
BYV133-
2xSI-D-S 35 45В 18А/200А(пик)
BYV14
SI-D 600В 1,5А 300нс
I Тип прибора
Описание
BYV15
Sl-D 800В 1,5А 300нс
BYV16
Sl-D 1000В 1,5А 300НС
BYV18/
SI-D-S 30 45В 8,8А
BYV19/
SI-D-S 30 45В 9А
BYV20/
SI-D-S30 45В 12,5А
BYV21/
SI-D-S30 45В 27А
BYV22/
SI-D-S 30 45В 50А
BYV23/
SI-D-S30 45В 70А
BYV26A Е
SI-D200 1000В 1А/30А(пик) <75НС
BYV27/
SI-D50 200В 2А/50А(пик) <50нс
BYV28/
SI-D 50 200В 3,5А/50А(пик) <50нс
BYV29/
SI-D300 500В 7,4А <50нс
BYV29F/
SI-D300 500В 7,4А <50нс
BYV32/
2xSI-D 50 200В 18А/230А(пик) 25нс
BYV33/
2xSI-D-S30 45В 18А
BYV36A Е
SI-D 200 1000В 1,6А 30А(пик) 150нс
BYV42/
2xSI-D 50 200В ЗОА <25нс
BYV72/
SI-D50 200В 30А/160А(пик) 28нс
BYV79/
SI-D 50 200В 12А/420А(пик) <35нс
BYV95A С
SI-D 200 600В 1,5А/35А(пик) 250 НС
BYV96D Е
SI-D800 1000В 1,5А/35А(пик) 300 нс
BYW100/
SI-D50 200В 1,5А<35нс
BYW14/
SI-D 100 800ВЗА<750нс
BYW15/
SI-D 100 800ВЗА<500нс
BYW16/
SI-D 100 800ВЗА<200нс
BYW178
Sl-D 800В ЗА <60нс
BYW19/
SI-D800 1000В 7А<45ОНС
BYW27/
SI-D50 1000В 1А
BYW29/
SI-D 50 200В 7,6А/ <25нс
BYW29/100
см BYW29/200-MBR
BYW29/150
см BYW29/200-MBR
BYW29F/
SI-D50 200В 7,6А/<25нс
BYW32
Sl-D 200В 2А <200нс
BYW33
Sl-D 300В 2А <200нс
BYW34
Sl-D 400В 2А <200нс
BYW35
Sl-D 500В 2А <200нс
BYW36
Sl-D 600В 2А <200нс
BYW37
Sl-D 50В 1А
BYW38
Sl-D 100В 1А
Тип прибора
Описание
BYW39
Sl-D 200В 1А
BYW40
Sl-D 400В 1А
BYW41
Sl-D 600В 1А
BYW42
Sl-D 800В 1А
BYW43
Sl-D 1000В 1А
BYW52
Sl-D 200В 2А <4мкс
BYW53
SI-D400B 2А <4мкс
BYW54
Sl-D 600В 2А <4мкс
BYW55
Sl-D 800В 2А <4мкс
BYW56
Sl-D 1000В 2А <4мкс
BYW58/
SI-D 50 600В 1А <200нс
BYW59/
SI-D50 600ВЗА<200нс
BYW72
Sl-D 200В ЗА/60А(пик) 200нс
BYW73
Sl-D 300В ЗА/60А(пик ) 200нс
BYW74
Sl-D 400В ЗА/60А(пик ) 200нс
BYW75
Sl-D 500В ЗА/60А(пик ) 200нс
BYW76
Sl-D 600В ЗА/60А(пик) 200нс
BYW80-
SI-D50 200В 10А<35нс
BYW80F-
SI-D50 200В10А<35нс
BYW95A С
SI-D200 600В ЗА/70А(пик) 250нс
BYW96D Е
SI-D800 1000В ЗА/70А(пик) 300нс
BYW98/
SI-D 50 200В ЗА/70А(пик) <50нс
BYW98/100
см BYW98/200-ST
BYW98/150
CM BYW98/200-ST
BYW99/
2x81-0 50 200В15А<50нс
BYX10
Sl-D 800В 360мА/15А(пик)
BYX13/
SI-D400 1600В 20А
BYX38/
SI-D300 1200В 6А
BYX42/
SI-D300 1200В 10А
BYX48/
SI-D300 1200В6А
BYX49/
SI-D300 1200В 6А
BYX55/
SI-D350 600В 1,2А 750нс
BYX55/350
CM BYX55/600
BYX61/
SI-D50 400В 12А<100нс
BYX71/
SI-D350 600В7А<450нс
BYX72/
SI-D 150 500В 10А
BYX96/
SI-D300 1600В ЗОА
BYX97/
SI-D300 1600В40А
BYX98/
SI-D300 1200В 10А
BYX99/
SI-D 300 1200В 15А
BYY31
Sl-D 150В 1А
BYY32
Sl-D 300В 1А
BYY33
Sl-D 450В 1А
Тип прибора
Описание
BYY34
Sl-D 600В 1А
BYY35
Sl-D 750В 1А
BYY36
Sl-D 900В 1А
BYY37
Sl-D 1050В 1А
BYZ10
Sl-D 1200В 6А
BYZ11
Sl-D 900В 6А
BYZ12
Sl-D 600В 6А
BYZ13
Sl-D 300В 6А
ЕМ502
SI-D аналог 1N4003
ЕМ504
SI-D аналог 1N4004
ЕМ506
SI-D аналог 1N4005
ЕМ508
SI-D аналог 1N4006
ЕМ510
SI-D аналог 1N4007
ЕМ513
Sl-D 1300В 1А/50А(пик)
ЕМ516
Sl-D 1800В 1А/50А(пик)
ERD29/06
Sl-D 600В 2,5А/70А(пик ) 0.4МКС
ERD29/08
Sl-D 800В 2,5А/70А(пик) 0,4мкс
ES1F
Sl-D 1500В 0,5А/20А(пик) 1,5мкс
ESM765/200
Sl-D 200В 10А 300нс
FE16A J
2xSI-D 50 600В 16А<35нс
FE30A J
2xSI-D 50 600В ЗОА <35 50нс
FE8A J
SI-D 50 600В 8А <35нс
FR157
Sl-D 1000В 1,5А/60А(пик) 500нс
FR207
Sl-D 1000В 2А/70А(пик) 500нс
FR307
Sl-D 1000В ЗА/200А(пик) 500нс
FR604
Sl-D 400В 6А/300А(пик) 150нс
FR605
Sl-D 600В 6А/300А(пик) 250нс
FR607
Sl-D 1000В 6А/300А(пик) 500нс
GA5005
Sl-D 6000В 0,2А
GP08A J
SI-D50 600В 0,8А
GP10A М
SI-D50 1000В 1А
GP10N Y
SI-D1100 1600В 1А
GP15A М
SI-D50 1000В 1,5А
GP20A М
SI-D50 1000В 2А
GP30A М
SI-D50 1000В ЗА
GP80A М
Sl-D 50 1000В 8А
GPP10A М
SI-D 50 1000В 1А
GPP15A М
SI-D50 1000В 1,5А
GPP20A М
SI-D50 1000В 2А
GPP30A М
Sl-D 50 1000В ЗА
GPP60A М
SI-D50 1000В 6А
GSA15B G
SI-D100 600В 1,5А
GSA17B Е
SI-D 100 400В 1,7А
GSA26B Е
SI-D 100 400В 2,6А
GSA30B J
Sl-D 100 800В ЗА
Тип прибора
Описание
LL4148
SI-D 75В0,15А0,5Вт 4нс
МА176
Sl-D 40В 0,2А <20нс
МА185
SI-D250B0.2A
MBR030
SI-D-S ЗОВ 0,5А
MBR040
Sl-D-S 40В 0.5А
MBR1020
SI-D-S 20В 10А/150А(пик)
MBR1035
Sl-D-S 35В 10А/150А(пик)
MBR1045
Sl-D-S 45В 10А/150А(пик)
MBR1060
Sl-D-S 60В 10А/150А(пик)
MBR1070
Sl-D-S 70В 10А/150А(пик )
MBR1080
Sl-D-S 80В 10А/150А(пик)
MBR1090
Sl-D-S 90В 10А/150А(лик)
MBR150
Sl-D-S 50В 1А
MBR1520
Sl-D-S 20В 15А/150А(пик)
MBR1530
SI-D-S ЗОВ 15А/150А(пик)
MBR1535
Sl-D-S 35В 15А/150А(пик)
MBR1535CT
2xSI-D-S 35В 15А/150А(пик)
MBR1540
SI-D-S40B 15А/150А(пик)
MBR1545CT
2xSI-D-S 45В 15А/150А(пик )
MBR160
Sl-D-S 60В 1А
MBR1635
Sl-D-S 35В 16А/150А(пик)
MBR1645
Sl-D-S 45В 16А/150А(пик)
MBR2035
Sl-D-S 35В 20А
MBR2035CT
2xSI-D-S 35В 20А
MBR2045
Sl-D-S 45В 20А
MBR2045CT
2xSI-D-S 45В 20А
MBR2060CT
2XSI-D-S 60В 10А
MBR2070CT
2xSI-D-S 70В 10А
MBR2080CT
2xSI-D-S 80В 10А
MBR2090CT
2xSI-D-S 90В 10А
MBR2520
Sl-D-S 20В 25А
MBR2520CT
2xSI-D-S 20В 25А
MBR2530
SI-D-S ЗОВ 25А
MBR2530CT
2xSI-D-S ЗОВ 25А
MBR2535
Sl-D-S 35В 25А
MBR2535CT
2xSI-D-S 35В 25А
MBR3020CT
2xSI-D-S 20В ЗОА
MBR3020PT
2xSI-D-S 20В 30А/100А(пик)
MBR3035CT
2xSI-D-S 35В ЗОА
MBR3035PT
2xSI-D-S 35В 30А/100А(пик)
MBR3045CT
2xSI-D-S 45В ЗОА
MBR3045PT
2xSI-D-S 45В 30А/100А(пик) j
MBR4045PT
Sl-D-S 45В 40А
MBR735
Sl-D-S 35В 7.5А/150А(пик)
MBR745
Sl-D-S 45В 7,5А/150А(пик)|
| Тип прибора
Описание
MBR750
SI-D-S50B 7,5А/150А(пик)
MBR760
Sl-D-S 60В 7,5А/150А(пик)
MR500
Sl-D 50В ЗА
MR501
SI-D 100В ЗА
MR502
Sl-D 200В ЗА
MR504
Sl-D 400В ЗА
MR506
Sl-D 600В ЗА
MR508
Sl-D 800В ЗА
MR510
Sl-D 1000В ЗА
MR750
Sl-D 50В 6А/400А(пик)
MR751
Sl-D 100В 6А/400А(пик)
MR752
Sl-D 200В 6А/400А(пик)
MR754
Sl-D 400В 6А/400А(пик)
MR756
Sl-D 600В 6А/400А(пик)
MR758
Sl-D 800В 6А/400А(пик)
MR760
Sl-D 1000В 6А/400А(пик)
MR820
Sl-D 50В 5А <200нс
MR821
Sl-D 100В 5А <200нс
MR822
Sl-D 200В 5А <200нс
MR824
Sl-D 400В 5А <200нс
MR826
Sl-D 600В 5А/300А(пик) 300нс
MR828
Sl-D 800В 5А/300А(пик) 300нс
MR830
Sl-D 50В ЗА <200нс
MR831
Sl-D 100В ЗА <200нс
MR832
Sl-D 200В ЗА <200нс
MR834
Sl-D 400В ЗА <200нс
MR836
Sl-D 600В ЗА <200нс
MR840 46
SI-D аналог MR830 36 <1мкс
MR850
Sl-D 50В ЗА <200нс
MR851
SI-D100B3A<200hc
MR852
Sl-D 200В ЗА <200нс
MR854
Sl-D 400В ЗА <200нс
MR856
Sl-D 600В ЗА <200нс
MR880
Sl-D 50В 12А <1мкс
MR880
Sl-D 200В 12А<1мкс
MR881
Sl-D 100В 12А <1мкс
MR882
Sl-D 200В 12А<1мкс
MR884
Sl-D 400В 12А <1мкс
MR886
Sl-D 600В 12А<1мкс
MR910
Sl-D 50В ЗА <750нс
MR911
Sl-D 100В ЗА<750нс
MR912
Sl-D 200В ЗА <750нс
MR914
Sl-D 400В ЗА <750нс
MR916
Sl-D 600В ЗА <750нс
MUR105 1100
SI-D 50 1000В 1А/35А(пик) 75нс
Тип прибора
Описание
MUR1505 1560
Sl-D 50 600В15А<60нс
MUR405 4100
Sl-D 50 1000В 4А/35А(пик) 75нс
MUR605CT
2xSI-D 50В ЗА <35нс
MUR610CT
2xSI-D 100В ЗА <35нс
MUR620CT
2xSI-D 200В ЗА <35нс
MUR805 8100
SI-D50 1000В 8А <25 75нс
MURD305 320
SI-D50 200В ЗА <35нс
MURD605CT
2xSI-D 50В ЗА <35нс
MURD610CT
2xSI-D 100В ЗА <35нс
MURD620CT
2xSI-D 200В ЗА <35нс
MV102
настроечный УКВ
MV103
настроечный УКВ
MV104
настроечный УКВ
ОА200
SI-D 50В0,16АЗ,5мкс
ОА202
SI-D150B 0,16А3 5мкс
ОА210
Sl-D 400В 0.5А
ОА211
Sl-D 800В 0,5А
ОА47
GE-D 25В 110мА<70нс
ОА90
GE-D 20В 8мА/45тА(пик) <3,2В
ОА91
GE-D 115В 50МА/0,15А(пик ) <ЗВ
ОА95
GE-D 115В 50мА/0,15А(пик) <2В
Р300А М
SI-D50 1000В 5А 5МКС
Р600А М
SI-D 50 1000В 6А/400А(пик)
PBYR1040
Sl-D-S 40В 10А/125А(пик)
PBYR3040WT
Sl-D-S 40В 30А/300А(пик)
R2KN
Sl-D 140В 1А
R2KY
Sl-D 160В 1А
RB100A
SI-D-S40B 1А
RGP01-10 20
SI-D1000 2000В 0,1 А 300нс
RGP10A М
SI-D50 1000В 1А <150 500нс
RGP15A М
SI-D50 1000В 1,5А <150 500нс
RGP30M
Sl-D 1000В ЗА/125А(пик ) 500нс
SB1100
Sl-D-S 100В 1А/25А(пик)
SB120
Sl-D-S 20В 1А/25А(пик)
SB130
SI-D-S ЗОВ 1А/25А(пик)
SB140
Sl-D-S 40В 1А/25А(пик)
SB150
SI-D-S50B 1А/25А(пик)1
SB 160
SI-D-S60B 1А/25А(пик)|
SB 180
Sl-D-S 80В 1А/25А(пик)|
SB190
SI-D-S90B 1А/25А(пик)I
SB2100
SI-D-S100B2A|
SB220
Sl-D-S 20В 2А|
SB230
SI-D-S ЗОВ 2АI
Тип прибора
Описание
SB240
Sl-D-S 40В 2А
SB250
Sl-D-S 50В 2А
SB260
Sl-D-S 60В 2А
SB280
Sl-D-S 80В 2А
SB290
Sl-D-S 90В 2А
SB3100
Sl-D-S 100В ЗАЛ 00AP
SB320
SI-D-S 20ВЗАЛ00А(пик.)
SB330
SI-D-S ЗОВ ЗАЛ00А(пик.)
SB340
SI-D-S 40ВЗАЛ00А(пик.)
SB350
SI-D-S 50ВЗАЛ00А(пик.)
SB360
SI-D-S 60ВЗАЛ00А(пик.)
SB380
Sl-D-S 80В ЗАЛ00А(пик.)
SB390
SI-D-S 90ВЗАЛ00А(пик.)
SB5100
Sl-D-S 100В 5А/85А(пик.)
SB520
Sl-D-S 20В 5А
SB530
SI-D-S ЗОВ 5А
SB540
Sl-D-S 40В 5А
SB550
Sl-D-S 50В 5А/85А(пик.)
SB560
Sl-D-S 60В 5А/85А(пик.)
SB580
Sl-D-S 80В 5А/85А(пик.)
SB590
Sl-D-S 90В 5А/85А(пик.)
SK3/16
Sl-D 1600В 1,8АЛ80А(пик.)
SK3GL04
Sl-D 400В 3,8АЛ75А(пик.) 300нс
Тип прибора
Описание|
SKE4F1/01..10
SI-D 100..1000В 1.2А <400нс
SKE4F2/01..10
SI-D100..1000B2A<400HC|
SKS1/01..16
SI-D 120.1600В 1,4А
SLA1012
SI-D матрица 120В 0,4А/2А(пик.)
SR5040
Sl-D-S 40В 50А/400А(пик.)
SR840
Sl-D-S 40В 8А/90А(пик.)
SRP100A..K
Sl-D 50..800В 1А <100..200нс
SRP300A..K
Sl-D 50..800В ЗА <100..200нс
SRP600A..K
Sl-D 50..800В 6А <100..200нс
UF4001
Sl-D 50В 1А/50А(пик.) 50нс
UF4002
Sl-D 100В 1А/50А(пик.) 50нс
UF4003
Sl-D 200В 1А/50А(пик.) 50нс
UF4004
Sl-D 400В 1А/50А(пик.) 50нс
UF4005
Sl-D 600В 1А/50А(пик.) 50нс
UF4006
Sl-D 800В 1А/50А(пик.) 50нс
UF4007
Sl-D 1000В 1А/50А(пик.) 75нс
UF5401
Sl-D 100В ЗАЛ50А(пик.) 50нс
UF5402
Sl-D 200В ЗАЛ50А(пик.) 50нс
UF5403
Sl-D 300В ЗАЛ50А(пик.) 50нс
UF5404
Sl-D 400В ЗАЛ50А(пик.) 50нс
UF5406
Sl-D 600В ЗАЛ50А(пик.) 50нс
UF5407
Sl-D 800В ЗАЛ50А(пик.) 50нс
UF5408
Sl-D 1000В ЗАЛ50А(пик.) 75нс
Приложение 3Краткие справочные данныепо зарубежным транзисторам
GE—германий;
Р~кремний;
N-P-N-P;
DARL — составной транзистор (схема Дарлингтона);
D—цифровой;
РЕТ—полевой;
IGBT — биполярный с изолированным затвором;
R— номинал встроенного сопротивления цифрового транзистора: одно
значение — сопротивление резистора, включенного в цепь базы; два значения через дробь: первое — включенное в цепь базы, второе — включеннное в цепь база-эмиттер.
Тип прибора
Описание
2N109
GE-Р 35В 0.15А 0,165Вт
2N1304
GE-N 25В ОДА 0,15Вт 10МГц
2N1305
GE-Р ЗОВ ОДА 0,15Вт 5МГц
2N1307
GE-Р ЗОВ ОДА 0,15Вт В>60
2N1613
Sl-N 75В 1А 0,8Вт 60МГц
2N1711
Sl-N 75В 1А0,8Вт70МГц
2N1893
SI-N 120В ОДА 0,8Вт
2N2102
Sl-N 120В 1А 1Вт<120МГц
2N2148
GE-Р 60В 5А 12,5Вт
2N2165
Sl-Р ЗОВ 50мА 0,15Вт 18МГц
2N2166
Sl-P 15В 50мА 0,15Вт 10МГц
2N2219A
Sl-N 40В ОДА 0,8Вт 250МГц
2N2222A
Sl-N 40В ОДА 0,5Вт 300МГц
2N2223
2xSI-N 100В ОДА 0,6Вт В>50
2N2223A
2xSI-N 100В ОДА 0,6Вт В>50
2N2243A
Sl-N 120В 1А0.8ВТ 50МГц
2N2369A
Sl-N 40В 0,2А 0,36Вт 12/18нс
2N2857
SI-N ЗОВ 40мА 0,2Вт >1 ГГц
2N2894
Sl-P 12В 0,2А 1,2Вт 60/90НС
2N2905A
Sl-P 60В ОДА 0,6Вт45/100
2N2906A
5|-Р60В0,6А0,4Вт45/100
2N2907A
Sl-P 60В ОДА 0,4Вт 45/100
2N2917
Sl-N 45В 0.03А >60МГц
2N2926
Sl-N 25В ОДА 0,2Вт 300МГц
I Тип прибора
Описание
2N2955
GE-Р 40В ОДА 0,15Вт 200МГц
2N3019
Sl-N 140В 1А0ДВТ 100МГц
2N3053
Sl-N 60В ОДА 5Вт 100МГц
2N3054
SI-N 90В4А25ВтЗМГц
2N3055
Sl-N 100В 15А 115Вт 800кГц
2N3055
Sl-N 100В 15А 115Вт 800кГц
2N3055H
SI-N 100В 15А 115Вт 800кГц
2N3251
Sl-P 50В 0,2А 0,36Вт
2N3375
Sl-N 40В ОДА 11,6Вт 500МГц
2N3439
Sl-N 450В 1А ЮВТ 15МГц
2N3440
Sl-N 300В 1А10ВТ 15МГц
2N3441
Sl-N 160ВЗА25ВТ
2N3442
Sl-N 160В 10А 117Вт 0,8МГц
2N3495
Sl-P 120В ОДА 0,6Вт >150МГц
2N3502
Sl-P 45В ОДА 0,7Вт 200МГц
2N3553
Sl-N 65В 0Д5А 7Вт 500МГц
2N3571
SI-N ЗОВ 0,05А 0,2Вт 1,4ГГц
2N3583
SI-N 250/175 В 2А 35 Вт >10МГц
2N3632
Sl-N 40В 0,25А 23Вт 400МГц
2N3646
Sl-N 40В 0,2А0,2Вт
2N3700
Sl-N 140В 1А 0,5Вт 200МГц|
2N3707
SI-N ЗОВ ОДЗА 0,36Вт 100МГц |
2N3708
SI-N ЗОВ ОДЗА 0,36Вт 80МГц|
2N3716
SI-N 100В 10А 150Вт4МГц|
Тип прибора
Описание
2N3725
Sl-N 80В 0,5А 1Вт35/60нс
2N3740
Sl-P 60В 4А 25Вт >4МГц
2N3741
Sl-N 80В 4А 25Вт >4МГц
2N3742
Sl-N 300В 0,05А 1Вт >30МГц
2N3767
SI-N 100В 4А 20Вт >ЮМГц
2N3771
Sl-N 50В ЗОА 150Вт
2N3772
Sl-N Ю0В20АЮ0ВТ
2N3773
Sl-N 160В 16А ЮОВт
2N3792
Sl-P 80В 10А Ю0Вт4МГц
2N3819
N-FET 25В 20мА 0,36Вт
2N3820
P-FET 20В 15мА 0,36Вт
2N3821
N-FET 50В 2,5мА 0,3Вт
2N3824
N-FET 50В ЮмА 0,3Вт
2N3866
Sl-N 55В 0,4А 1Вт 175МГц
2N3904
Sl-N 60В 0,2А 0,35Вт 300МГц
2N3906
Sl-P 40В 0,2А 0,35Вт 250МГц
2N3909
P-FET 20В ЮмА 0,3Вт
2N3958
N-FET 50В 5мА 0,25Вт
2N3963
Sl-P 80В 0,2А 0,36Вт >40МГц
2N3972
N-FET 40В 50мА 1,8Вт
2N4001
Sl-N 100В 1А ЮВт40МГц
2N4033
Sl-P 80В 1А0,8Вт 150МГц
2N4036
Sl-P 90В 1А 1Вт 60МГц
2N409
GE-Р 13В ЮмА 80мВт6,8МГц
2N4126
SI-P25B200MACB4
2N4220
N-FET ЗОВ 0,2А
2N4236
SI-P80B3A1BT >ЗМГц
2N427
GE-Р ЗОВ 0,4А 0,15Вт В>40
2N428
GE-Р ЗОВ 0,4А 0,15Вт В>60
2N4286
SI-N ЗОВ 0,05А 0,25Вт
2N4287
Sl-N 45В 0,1 А 0,25Вт 40МГц
| 2N4291
Sl-P 40В 0,2А 0,25Вт 150МГц
2N4302
N-FET 30В0,5мА 0,3Вт
2N4347
Sl-N 140В 5А 100Вт0,8МГц
2N4348
SI-N 140В 10А 120Вт>0,2МГц
2N4351
N-FET ЗОВ ЗОмА 0,3Вт 140кГц
2N4391
N-FET 40В 50мА ЗОЕ Up<10B
| 2N4392
N-FET 40В 25мА 60Е Up<5B
2N4393
N-FET 40В 5мА 10OE Up<3B
2N4401
Sl-N 60В 0,6А 200МГц
2N4403
Sl-P 40В 0,6А 200МГц
2N4416
N-FET ЗОВ ЮмА СВЧ
2N4420
Sl-N 40В 0,2А 0,36Вт
2N4427
Sl-N 40В 0,4А 1 Вт 175МГц
2N4906
Sl-P 80В 5А 87,5Вт >4МГц
| Тип прибора
Описание|
J2N4920
Sl-P 80В 1А 30Вт
2N4923
Sl-N 80В 1А30ВТ
2N5038
Sl-N Ю0В20А 140Вт0,5мкс
2N5090
Sl-N 55В 0,4А 4Вт 5мА
2N5109
Sl-N 40В 0,5А2,5Вт 1,5ГГц
2N5116
P-FET ЗОВ 5мА Ю0Е Up<4B
2N5154
Sl-N 100В 2А ЮВт
2N5179
Sl-N 20В 50мА0,2Вт>1ГГц
2N5192
Sl-N 80В 4А 40Вт 2МГц
2N5240
Sl-N 375В 5А ЮОВт >2МГц
2N5298
Sl-N 80В 4А 36Вт >0,8МГц
2N5308
N-DARL 40В 0,ЗА 0,4Вт В>7000
2N5320
Sl-N 100В 2А ЮВт аудио ключ
2N5322
Sl-P 100В 2А ЮВт аудио ключ
2N 5401
Sl-P 160В0,6А0,31Вт
2N5416
Sl-P 350В 1А ЮВт ЮМГц
2N5433
N-FET 25В 0,4А0,ЗВт
2N5457
N-FET25B 1мАир<6В
2N5458
N-FET 25В 2,9мА
2N5460
P-FET40B 5MAUp<6B
2N5461
P-FET40B 9мА0,31Вт
2N5462
P-FET40B ЮмА Up<9B
2N5484
N-FET 25В 5мА 0,31 Вт
2N5485
P-FET 25B4MAUp<4B
2N5551
SI-N 180В0,6А0,31Вт
2N5589
Sl-N 36В 0.6АЗВТ 175МГц
2N5639
N-FET ЗОВ ЮмАЗЮмВт
2N5672
SI-N 150В ЗОА 140Вт 0,5мкс
2N5680
Sl-P 120В 1А 1Вт
2N5682
Sl-N 120В 1А 1Вт>30МГц
2N5684
Sl-P 80В 50А 200Вт
2N5686
Sl-N 80В 50А 300Вт >2МГц
2N5770
SI-N ЗОВ 0.05А 0,7Вт >900МГц
2N5771
Sl-P ЮВ 50мА 625мВт >850МГц
2N5876
Sl-P 80В 10А ЮОВт >4МГц
2N5878
Sl-N 80В 10А 150Вт >4МГц
2N5879
Sl-N 60В 10А ЮОВт >4МГц
2N5884
Sl-P 80В 25А 200Вт
2N5886
Sl-N 80В 25А 200Вт >4МГц
2N6031
Sl-P 140В 16А 200Вт 1МГц1
| 2N6050
P-DARL+D 60В 12А ЮОВт
2N6059
SI-N 100В 12А ЮОВт
2N6083
Sl-N 36В 5А30Вт 175МГц
2N6098
Sl-N 70В ЮА 75Вт ключевой
2N6099
Sl-N 70В ЮА 75Вт ключевой
Тип прибора
Описание
2N6109
Sl-P 60В7А40Вт10МГц
2N6124
Sl-P 45В4А40ВТ
2N6211
Sl-P 275В 2А 20Вт 20МГц
2N6213
Sl-P 400В2А35ВТ >20МГц
2N6248
Sl-P 110В 15А 125Вт >6МГц
2N6284
N-DARL 100В 20А 160Вт В>75
2N6287
P-DARL 100В 20А 160Вт
2N6292
Sl-N 80В 7А 40Вт
2N6356
N-DARL 50В 20А 150Вт В>150
2N6422
Sl-P 500В 2А 35Вт >10МГц
2N6427
N-DARL 40В 0,5А 0,625Вт
2N6476
Sl-P 130В 4А 16Вт 5МГц
2N6488
Sl-N 90 В 15А75ВТ
2N6491
Sl-P 90В 15А30ВТ
2N6517
Sl-N 350В 0,5А 0,625Вт В>40
2N6520
Sl-P 350В 0,5А 0,625Вт В>40
2N6547
Sl-N 850/400В 15А 175Вт
2N6556
Sl-P 100В 1А 10Вт>75МГц
2N6609
SI-P160B 16А150Вт2МГц
2N6660
N-FET 60В 2А 6,25Вт
2N6661
N-FET 90В 2А 6,2Вт
2N6675
SI-N400B 15А
2N6678
SI-N400B 15А
2N6716
Sl-N 60 В 2А 2 Вт 50МГц
2N6718
Sl-N 100В2А2Вт50МГц
2N6725
N-DARL 60В 2А 1 Вт В>15000
2N6728
SI-P60B2A2BT >50МГц
2N697
Sl-N 60В 1А 0,6Вт <50МГц
2N7002
N-FET 60В 0,115А 0,2Вт
2N914
Sl-N 40В 0,5А <40/40нс ключевой
| 2N918
SI-N ЗОВ 50мА 0,2Вт 600МГц
2SA1006B
Sl-P 250В 1,5А25Вт 80МГц
2SA1009
SI-P350B2A15BT
2SA1011
SI-P160B 1,5А25Вт 120МГц
2SA1013
Sl-P 160В 1А 0,9Вт 50МГц
2SA1015
Sl-P 50В 0,15А 0,4Вт 80МГц
2SA1016
Sl-P 100В 0,05А 0,4Вт 110МГц
2SA1017
Sl-P 120В 50мА0,5Вт 110МГЦ
2SA1018
Sl-P 250В 70мА 0,75Вт >50МГц
2SA1020
Sl-P 50В2А0,9Вт100МГц
2SA1027
Sl-P 50В 0,2А 0,25Вт 100МГц
2SA1029
Sl-P ЗОВ 0,1А 0,2Вт 280МГц
2SA1034
Sl-P 35В 50мА 0,2Вт 200МГц
2SA1037
Sl-P 50 В 0,4А 140МГц
2SA1048
Sl-P 50В 0,15А 0,2Вт 80МГц
Тип прибора
Описание
2SA1049
Sl-P 120В 0,1 А 0,2Вт 100МГц
2SA1061
Sl-P 100В6А70ВТ 15МГц
2SA1062
Sl-N 120В 7А80ВТ 15МГц
2SA1065
Sl-P 150В 10А 120Вт 50МГц
2SA1084
Sl-P 90В 0,1А 0,4Вт 90МГц
2SA1103
Sl-P 100В 7А 70Вт 20МГц
2SA1106
Sl-P 140В 10А 100Вт 20МГц
2SA1110
Sl-P 120В 0,5А 5Вт 250МГц
2SA1111
Sl-P 150В 1А 20Вт 200МГц
2SA1112
Sl-P 180В 1А20Вт200МГц
2SA1115
Sl-P 50В 0,2А 200МГц
2SA1120
Sl-P 35В 5А 170МГц
2SA1123
Sl-P 150В 50мА 0,75Вт 200МГц
2SA1124
Sl-P 150В 50мА 1Вт 200МГц
2SA1127
Sl-P 60В0,1А0,4Вт200МГц
2SA1141
Sl-P 115В 10А 100Вт 90МГц
2SA1142
Sl-P 180В 0,1А8Вт 180МГц
2SA1145
Sl-P 150В 50мА 0,8Вт 200МГц
2SA1150
Sl-P 35В 0.8А0.3ВТ 120МГц
2SA1156
SI-P400B 0,5А 10Вт
2SA1160
Sl-P 20В 2А 0,9Вт 150МГц
2SA1163
Sl-P 120В 0,1А 100МГц
2SA1170
Sl-P 200В 17А 200Вт 20МГц
2SA1185
Sl-P 50В 7А 60Вт 100МГц
2SA1186
Sl-P 150В 10А 100Вт
2SA1200
Sl-P 150В 50мА 0,5Вт 120МГц
2SA1201
Sl-P 120В 0,8А 0,5Вт 120МГц
2SA1206
Sl-P 15В 0,05А0,6Вт
2SA1207
Sl-P 180В 70мА 0,6Вт 150МГц
2SA1208
Sl-P 180В0,07А0,9Вт
2SA1209
Sl-P 180В 0,14А 10Вт
2SA1210
Sl-P 200В 0.14А 10Вт
2SA1213
Sl-P 50В 2А 0,5Вт 120МГц
2SA1215
Sl-P 160В 15А 150Вт 50МГц
2SA1216
Sl-P 180В 17А 200Вт 40МГц
2SA1220A
Sl-P 120В 1,2А20Вт 160МГц
2SA1221
SI-P160B0.5A1BT 45МГц
2SA1225
Sl-P 160В 1,5А 15Вт 100МГц
2SA1227A
Sl-P 140В 12А 120Вт 60МГц
2SA1232
Sl-P 130В 10А 100Вт 60МГц
2SA1241
Sl-P 50В 2А 10Вт 100МГц
2SA1242
Sl-P 35В 5А1ВТ 170МГц|
| 2SA1244
Sl-P 60В 5А20ВТ 60МГц
2SA1249
Sl-P 180В 1,5А 10Вт 120МГц
2SA1261
Sl-P 100В 10А 60Вт|
Тип прибора
Описание
2SA1262
Sl-P 60В4А30Вт15МГц
2SA1264N
SI-P120B8A80BT 30МГц
2SA1265N
SI-P140B10A100BT 30МГц
2SA1266
Sl-P 50В 0Д5А0ДВТ
2SA1268
Sl-N 120В ОДА 0,3Вт 100МГц
2SA1270
Sl-P 35В 0,5А 0,5Вт 200МГц
2SA1271
Sl-P ЗОВ 0,8А 0,6Вт 120МГц
2SA1275
Sl-P 160В 1А0,9Вт 20МГц
2SA1282
Sl-P 20В 2А 0,9Вт 80МГц
2SA1283
Sl-P 60В 1А0,9Вт 85МГц
2SA1286
Sl-P ЗОВ 1,5А 0,9Вт 90МГц
2SA1287
Sl-P 50В 1А 0,9Вт 90МГц
2SA1292
Sl-P 80В 15А70ВТ 100МГц
2SA1293
Sl-P 100В 5А 30Вт 0,2мкс
2SA1294
Sl-P 230В 15А 130Вт
2SA1295
Sl-P 230В 17А 200Вт 35МГц
2SA1296
Sl-P 20В 2А 0,75Вт 120МГц
2SA1298
Sl-P ЗОВ 0,8А 0,2Вт 120МГц
2SA1300
Sl-P 10В 2А 0,75Вт 140МГц
2SA1302
Sl-P 200В 15А 150Вт 25МГц
2SA1303
Sl-P 150В 14А 125Вт 50МГц
2SA1306
Sl-P 160В 1,5А20Вт
2SA1306A
Sl-P 180В 1,5А20Вт 100МГц
2SA1307
Sl-P 60В 5А 20Вт 0,1 мкс
2SA1309
Sl-P ЗОВ ОДА 0,3Вт 80МГц
2SA1310
Sl-P 60В ОДА 0,3Вт 200МГц
I 2SA1315
Sl-P 80В2А0,9Вт0,2мкс
2SA1316
Sl-P 80В 0,1А0,4Вт 50МГц
2SA1317
Sl-P 60В 0,2А 0,3Вт 200МГц
2SA1318
Sl-P 60В 0,2А 0,5Вт 200МГц
2SA1319
Sl-P 180В ОДА 0,7Вт 120МГц
2SA1321
Sl-P 250В 50мА0,9Вт 100МГц
2SA1328
Sl-P 60В 12А40Вт0,Змкс
2SA1329
Sl-P 80В 12А40Вт0,Змкс
2SA1345
Sl-N 50В ОДА 0,3Вт 250МГц
2SA1346
Sl-P 50В 0,1А 200МГц
2SA1348
Sl-P 50В ОДА 200МГц
2SA1349
Sl-P 80В ОДА 0,4Вт 170 матрица
2SA1352
Sl-P 200В ОДА 5Вт 70МГц
2SA1357
Sl-P 35В 5А10ВТ 170МГц
2SA1358
SI-P120B 1А10ВТ 120МГц
| 2SA1359
Sl-P 40В ЗА 10Вт 100МГц
2SA1360
Sl-P 150В 50мА 5Вт 200МГц
2SA1361
Sl-P 250В 50мА 80МГцI
2SA1370
Sl-P 200В ОДА 1Вт 150МГц|
Тип прибора
Описание
2SA1371E
Sl-P 300В 0,1А1Вт150МГц
2SA1376
Sl-P 200В ОДА 0,75Вт 120МГц
2SA1380
Sl-P 200В ОДА 1,2Вт
I 2SA1381
Sl-P ЗООВОДА 150МГц
| 2SA1382
Sl-P 120В 2А 0,9Вт 0,2мкс
2SA1383
Sl-P 180В ОДА 10Вт 180МГц
2SA1386
Sl-P 160В 15А 130Вт 40МГц
2SA1387
Sl-P 60В 5А 25Вт 80МГц
2SA1392
Sl-P 60В 0,2А 0,4Вт 200МГц
2SA1396
SI-РЮОВЮАЗОВт
2SA1399
Sl-P 55В ОДА 0,9Вт 150МГц
2SA1400
Sl-P 400В 0,5А 10Вт
2SA1403
Sl-P 80В 0,5А 10Вт 800МГц
2SA1405
Sl-P 120В0,ЗА8Вт 500МГц
2SA1406
Sl-P 200В ОДА 7Вт 400МГц
2SA1407
Sl-P 150В ОДА 7Вт 400МГц
2SA1413
Sl-P 600В 1А 10Вт 26МГц
2SA1428
Sl-P 50В 2А 1 Вт 100МГц
2SA1431
Sl-P 35В 5А1 Вт 170МГц
2SA1441
Sl-P 100В 5А 25Вт <300нс
2SA1443
Sl-P 100В 10А 30Вт
2SA1450
Sl-P 100В 0,5А 0,6Вт 120МГц
2SA1451
Sl-P 60В 12А30ВТ 70МГц
2SA1460
Sl-P 60В 1А 1Вт<40нс
2SA1470
Sl-P 80В 7А 25Вт 100МГц
2SA1475
Sl-P 120В ОДА 15Вт 500МГц
2SA1476
Sl-P 200В 0,2А 15Вт 400МГц
2SA1477
Sl-P 180В 0Д4А 10Вт 150МГц
2SA1488
Sl-P 60В 4А25ВТ 15МГц
2SA1489
Sl-P 80В 6А 60Вт 20МГц
2SA1490
Sl-P 120В8А80Вт20МГц
2SA1491
Sl-P 140В 10А 100Вт 20МГц
2SA1494
Sl-P 200В 17А 200Вт 20МГц
2SA1507
Sl-P 180В 1,5А 10Вт 120МГц
2SA1515
SI-P40B 1А 0,3Вт 150МГц
2SA1516
Sl-P 180В 12А 130Вт 25МГц
2SA1519
Sl-P 50В 0,5А 0,3Вт 200МГц
2SA1535A
Sl-P 180В 1А40Вт 200МГц
2SA1538
SI-P 120В0,2А8Вт400МГц
2SA1539
Sl-P 120В 0,ЗА8Вт 400МГц
2SA1540
Sl-P 200В ОДА 7Вт 300МГц
2SA1541
Sl-P 200В 0,2А 7Вт 300МГц
2SA1553
Sl-P 230В 15А 150Вт 25МГц
2SA1566
Sl-N 120В ОДА 0,15Вт 130МГц
2SA1567
Sl-P 50В 12А35ВТ 40МГц
Тип прибора
Описание
2SA1568
Sl-P 60В 12А40ВТ
2SA1577
Sl-P 32В 0,5А 0,2Вт 200МГц
2SA1593
Sl-P 120В 2А 15Вт 120МГц
2SA1601
Sl-P 60В 15А45ВТ
2SA1606
Sl-P 180В 1,5А 15Вт 100МГц
2SA1615
SI-P30B 10А 15Вт 180МГц
2SA1624
Sl-P 300В 0,1 А 0,5Вт 70МГц
2SA1625
Sl-P 400В 0,5А 0,75Вт
2SA1626
Sl-P 400В 2А 1 Вт 0,5/2,7мкс
2SA1633
SI-P150B10A100BT 20МГц
2SA1643
Sl-P 50В7А25ВТ 75МГц
2SA1667
Sl-P 150В 2А 25Вт 20МГц
2SA1668
Sl-P 200В 2А 25Вт 20МГц
2SA1670
Sl-P 80В 6А 60Вт 20МГц
2SA1671
SI-P 120/120В 8А75Вт20МГц
I 2SA1672
Sl-P 140В 10А 80Вт 20МГц
2SA1673
Sl-P 180В 15А85ВТ 20МГц
2SA1680
Sl-P 60В 2А 0,9Вт 100/400нс
2SA1684
Sl-P 120В 1,5А20Вт 150МГц
2SA1694
SI-P 120/120В 8А 80Вт 20МГц
2SA1695
Sl-P 140В 10А80ВТ 20МГц
2SA1703
Sl-P ЗОВ 1,5А 1 Вт 180МГц
| 2SA1706
Sl-P 60В2А1ВТ
| 2SA1708
SI-P120B 1А1 Вт 120МГц
2SA1726
Sl-P 80В 6А50ВТ 20МГц
| 2SA1776
Sl-P 400В1А1ВТ
2SA1803
Sl-P 80В6А55ВТ 30МГц
2SA1837
Sl-P 230В 1А20ВТ 70МГц
2SA1930
Sl-P 180В 2А20ВТ 200МГц
| 2SA1962
Sl-P 230В 15А 130Вт 25МГц
2SA329
GE-Р 15В 10мА0,05Вт
2SA467
Sl-P 40В0,4А0,ЗВт
2SA473
Sl-P ЗОВЗАЮВтЮОМГц
2SA483
Sl-P 150В 1А20ВТ 9МГц
2SA493
Sl-P 50В 0,05А 0,2Вт 80МГц
2SA495
Sl-P 35В 0,1А0,2Вт 200МГц
2SA562
Sl-P ЗОВ 0,5А 0,5Вт 200МГц
2SA566
Sl-P 100В 0,7А 10Вт 100МГц
2SA608
Sl-N 40В 0,1 А 0,1 Вт 180МГц
2SA614
Sl-P 80В 1А 15Вт 30МГц
2SA620
Sl-P ЗОВ 0.05А 0,2Вт 120МГц
2SA626
Sl-P 80В 5А 60Вт 15МГц
2SA628
Sl-P 30В0,1А100МГц
2SA639
Sl-P 180В 50мА 0,25Вт
2SA642
Sl-P ЗОВ 0,2А0,25Вт 200МГц
Тип прибора
Описание
2SA643
Sl-P 40В0,5А0,5Вт 180МГц
2SA653
Sl-P 150В 1А 15Вт 5МГц
2SA684
Sl-P 60В 1А 1Вт 200МГц
2SA699
Sl-P 40В 2А 10Вт 150МГц
2SA708A
Sl-P 100В 0,7А 0,8Вт 50МГц
2SA720
Sl-P 60В 0,5А 0,6Вт 200МГц
2SA725
Sl-P 35В 0,1А 0,15Вт 100МГц
2SA733
Sl-P 60В 0,15А 0,25Вт 50МГц
2SA738
Sl-P 25В 1,5А8Вт 160МГц
2SA747
Sl-P 120В 10А 100Вт 15МГц
2SA756
Sl-P 100В6А50Вт20МГц
2SA762
Sl-P 110В 2А23ВТ 80МГц
2SA765
Sl-P 80В6А40Вт10МГц
2SA768
Sl-P 60В 4А 30Вт 10МГц
2SA769
Sl-P 80В4А30ВТ 10МГц
2SA770
Sl-P 60В6А40ВТ 10МГц
2SA771
Sl-P 80В 6А 40Вт 2МГц
2SA777
Sl-P 80В 0,5А 0,75Вт 120МГц
2SA778A
Sl-P 180В 0,05А 0,2Вт 60МГц
2SA781
Sl-P 20В 0,2А 0,2Вт
2SA794
Sl-P 100В0,5А5Вт 120МГц
2SA794A
Sl-P 120В 0,5А 5Вт 120МГц
2SA812
Sl-P 50В0,1А0,15Вт
2SA814
Sl-P 120В 1А 15Вт 30МГц
2SA816
Sl-P 80В 0,75А 1,5Вт 100МГц
2SA817
Sl-P 80В 0,ЗАО,6Вт 100МГц
2SA817A
Sl-P 80В0,4А0,8Вт100МГц
2SA836
Sl-P 55В 0,1 А 0,2Вт 100МГц
2SA838
Sl-P ЗОВ ЗОмА 0,25Вт 300МГц
2SA839
Sl-P 150В 1,5А25Вт 6МГц
2SA841
Sl-P 60В 0,05А 0,2Вт 140МГц
2SA858
Sl-P 150В 50мА0,5Вт 100МГц
2SA872
Sl-P 90В 0,05А 0,2Вт 120МГц
2SA872A
SI-P 120В 50мА 0,3Вт 120МГц
2SA884
Sl-P 65В 0,2А 0,27Вт 140МГц
2SA885
SI-P45B 1А5Вт 200МГц
2SA886
Sl-P 50В 1,5А 1,2Вт
| 2SA893
Sl-P 90В 50мА 0,3Вт
2SA900
Sl-P 18В 1А 1,2Вт
2SA914
SI-P150В 0,05А 200МГц
2SA915
Sl-P 120В 0,05А 0,8Вт 80МГц
2SA916
Sl-P 160В0.05А 1Вт 80МГц
2SA921
Sl-P 120В 20мА 0,25Вт 200МГц
2SA933
Sl-P 50В 0,1А0,ЗВт
2SA934
Sl-P 40В 0,7А 0,75Вт
Тип прибора
Описание
2SA935
Sl-P 80В 0,7А 0,75Вт 150МГц
2SA937
Sl-P 50В 0,1А 0,3Вт 140МГц
2SA940
SI-P150B 1.5А25ВТ 4МГц
2SA941
Sl-P 120В 0,05А 0,3Вт 150МГц
2SA949
Sl-P 150В 50мА 0,8Вт 120МГц
2SA965
Sl-P 120В 0,8А 0,9Вт 120МГц
2SA966
Sl-P ЗОВ 1,5А0,9Вт 120МГц
2SA968
Sl-P 160В 1,5А25Вт 100МГц
2SA970
Sl-P 120В 0,1А 100МГц
2SA982
SI-P140B8A80BT 20МГц
2SA984
Sl-P 60В 0,5А 0,5Вт 120МГц
2SA985
Sl-P 120В 1,5А 25Вт 180МГц
2SA988
Sl-P 120В 0,05А0,5Вт
2SA991
Sl-P 60В0,1А0,5Вт 90МГц
2SA992
Sl-P 100В 0,05А0,2Вт
2SA995
Sl-P 100В 0,05А0,4Вт 100МГц
2SB1009
Sl-P 40В 2А 10Вт 100МГц
2SB1010
SI-P40B 2А 0,75Вт 100МГц
2SB1012K
P-DARL 120В 1,5А8Вт
2SB1013
Sl-P 20В 2А0,7Вт
| 2SB1015
Sl-P 60В ЗА 25Вт 0,4мкс
2SB1016
SI-P100B5A30BT 5МГц
2SB1017
Sl-P 80В 4А 25Вт 9МГц
2SB1018
Sl-P 100В 7А 30Вт0,4мкс
2SB1020
P-DARL+D 100В 7А 30Вт 0,8мкс
2SB1023
P-DARL+D 60В ЗА 20Вт В=5000
2SB1035
Sl-P ЗОВ 1А0,9Вт100МГц
2SB1039
Sl-P 100В4А40ВТ 20МГц
2SB1050
Sl-P ЗОВ 5А1 Вт 120МГц
2SB1055
Sl-P 120В6А70ВТ 20МГц
2SB1065
Sl-P 60В ЗА 10Вт
2SB1066
Sl-P 50В ЗА 1Вт70МГц
2SB1068
Sl-P 20В 2А 0,75Вт 180МГц
2SB1071
Sl-P 40В 4А25Вт 150МГц
2SB1077
P-DARL 60В 4А 40Вт В>1000
2SB1086
Sl-P 160В 1,5А20Вт 50МГц
2SB1098
P-DARL+D 100В 5А 20Вт В=80
2SB1099
P-DARL+D 100В 8А 25Вт В=6000
2SB1100
P-DARL+D 100В 10А 30Вт В=6000
2SB1109
Sl-P 160В 0,1А 1,25Вт
2SB1109S
SI-P160B 0,1А1,25Вт
2SB1117
Sl-P ЗОВ ЗА 1 Вт 280МГц
2SB1120
Sl-P 20В 2,5А 0,5Вт 250МГц
2SB1121T
Sl-P ЗОВ 2А 150МГц
2SB1123
Sl-P 60В 2А 0,5Вт 150МГц|
| Тип прибора
Описание
2SB1132
Sl-P 40В 1А0,5Вт150МГц
2SB1133
Sl-P 60В ЗА 25Вт 40МГц
2SB1134
Sl-P 60В 5А 25Вт 30Вт
2SB1135
Sl-P 60В7А30Вт10МГц
| 2SB1136
Sl-P 60В 12А30ВТ 10МГц
2SB1140
Sl-P 25В 5А 10Вт 320МГц
2SB1141
Sl-P 20В 1,2А 10Вт 150МГц
2SB1143
Sl-P 60В 4А 10Вт 140МГц
I 2SB1146
P-DARL120B6A25BT
2SB1149
P-DARL 100В ЗА 15Вт В=10000
2SB1151
Sl-P 60В 5А 20Вт
2SB1154
Sl-P 130В 10А70Вт30МГц
2SB1156
Sl-P 130В 20А 100Вт
2SB1162
Sl-P 160В 12А 120Вт
2SB1163
Sl-P 170В 15А 150Вт
2SB1166
Sl-P 60В 8А 20Вт 130МГц
2SB1168
Sl-P 120В4А20ВТ 130МГц
2SB1182
Sl-P 40В 2А 10Вт 100МГц
2SB1184
Sl-P 60ВЗА15ВТ 70МГц
2SB1185
Sl-P 50В ЗА 25Вт 70МГц
2SB1186
Sl-P 120В 1,5А 20Вт 50МГц
2SB1187
Sl-P 80В ЗА 35Вт
2SB1188
Sl-P 40В2А100МГЦ
2SB1202
Sl-P 60В ЗА 15Вт 150МГц
2SB1203
Sl-P 60В 5А20ВТ 130МГц
2SB1204
Sl-P 60В8А20ВТ 130МГц
2SB1205
Sl-P 25В 5А 10Вт 320МГц
2SB1212
Sl-P 160В 1,5А 0,9Вт 50МГц
2SB1223
P-DARL+D 70В 4А 20Вт 20МГц
2SB1236
Sl-P 120В 1,5А 1Вт 50МГц
2SB1237
Sl-P 40В 1А 1Вт 150МГц
2SB1238
Sl-P 80В 0,7А 1Вт 100МГц
2SB1240
Sl-P 40В 2А 1 Вт 100МГц
2SB1243
Sl-P 60В ЗА 1 Вт
2SB1254
P-DARL160B7A 70Вт
2SB1255
P-DARL 160В 8А 100Вт В>5000
2SB1258
P-DARL+D 100В 6А 30Вт В>1000
2SB1274
Sl-P бОВЗАЗОВтЮОМГц
2SB1282
P-DARL+D 100В 4А 25Вт 50МГц
2SB1292
Sl-P 80В 5А 30Вт
2SB1302
Sl-P 25В 5А 320МГц
2SB1318
P-DARL+D 100В ЗА 1Вт В>200
2SB1326
Sl-P ЗОВ 5А 0,3Вт 120МГц
2SB1329
SI-P40B 1А 1,2Вт 150МГц
2SB1330
Sl-P 32В 0,7А 1,2Вт 100МГц
Тип прибора
Описание
2SB1331
Sl-P 32В 2А 1,2Вт 100МГц
2SB1353E
Sl-P 120В 1,5А 1,8Вт 50МГц
2SB1361
Sl-P 150В 9А 100Вт 15МГц
2SB1370
Sl-P 60В ЗА 30Вт 15МГц
2SB1373
Sl-P 160В 12А 2,5Вт 15МГц
2SB1375
Sl-P 60ВЗА25ВТ 9МГц
2SB1382
P-DARL+D 120В 16А75ВТ В>2000
2SB1393
Sl-P ЗОВ ЗА 2Вт 30МГц
2SB1420
Sl-P 120В 16А 80Вт 50МГц
2SB1425
Sl-P 20В 2А1 Вт 90МГц
2SB1429
Sl-P 180В 15А 150Вт 10МГц
2SB1434
Sl-P 50В 2А 1 Вт 110МГц
2SB1468
Sl-P 60/30В 12А25ВТ
2SB1470
P-DARL 160В 8А 150Вт В>5000
2SB1490
P-DARL 160В 7А 90Вт В>5000
2SB1493
P-DARL 160/140В 7А70ВТ
2SB1503
P-DARL 160В 8А 120Вт В>5000
2SB1556
P-DARL 140В 8А 120Вт В>5000
2SB1557
P-DARL 140В 7А 100Вт В>5000
2SB1559
P-DARL 160В 8А 80Вт В>5000
2SB1560
P-DARL 160В 10А 100Вт 50МГц
2SB1565
Sl-P 80ВЗА25Вт15МГц
2SB1587
P-DARL+D 160В 8А70ВТ В>5000
2SB1624
P-DARL 110В 6А 60Вт В>5000
2SB206
GE-Р 80В ЗОА 80Вт
2SB324
GE-Р 32В 1А0,25Вт
2SB337
GE-Р 50В 7А 30Вт
2SB407
GE-Р ЗОВ 7А 30Вт
2SB481
GE-Р 32В 1А6Вт 15кГц
2SB492
GE-Р 25В 2А 6Вт
2SB511E
Sl-P 35В 1,5А 10Вт 8МГц
2SB524
Sl-P 60В 1,5А 10Вт 70МГц
2SB527
51-Р110В0,8А10Вт 70МГц
2SB531
Sl-P 90В6А50Вт8МГц
2SB536
Sl-P 130В 1,5А20Вт 40МГц
2SB537
Sl-P 130В 1,5А20Вт 60МГц
2SB541
Sl-P 110В8А80ВТ 9МГц
2SB544
Sl-P 25В 1А0.9ВТ 180МГц
2SB546A
SI-P200B2A25BT 5МГц
2SB549
SI-P 120В 0,8А 10Вт 80МГц
2SB557
Sl-P 120В 8А80ВТ
2SB560
Sl-P 100В 0,7А0,9Вт 100МГц
2SB561
Sl-P 25В 0,7А 0,5Вт
2SB564
Sl-P ЗОВ 1А 0,6Вт
2SB598
Sl-P 25В 1А0.5ВТ 180МГц|
Тип прибора
Описание
2SB600
Sl-P 200В 15А 200Вт 4МГц
2SB601
P-DARL100B5A30BT
2SB605
Sl-P 60В 0,7А0,8Вт 120МГц
2SB621
Sl-N 25В 1,5А0,6Вт 200МГц
2SB621A
Sl-N 50В 1А0,75Вт 200МГц
2SB631
Sl-P 100В 1А8Вт
2SB632
Sl-P 25В 2А 10Вт 100МГц
2SB633
Sl-P 100В 6А40Вт 15МГц
2SB637
Sl-P 50В 0,1А 0,3Вт 200МГц
2SB641
SI-P30B0.1A 120МГц
2SB647
Sl-P 120В 1А0,9Вт 140МГц
2SB649A
Sl-P 160В 1,5А 1Вт 140МГц
2SB656
Sl-P 160В 12А 125Вт 20МГц
2SB673
P-DARL+D 100В 7А 40Вт 0,8мкс
2SB676
P-DARL 100В 4А30ВТ 0,15мкс
2SB681
Sl-N 150В 12А100Вт13МГц
2SB688
Sl-P 120В8А80ВТ 10МГц
2SB700
Sl-P 160В 12А 100Вт
2SB703
SI-P100B4A40BT 18МГц
2SB705
Sl-P 140В 10А 120Вт 17МГц
2SB707
Sl-P 80В 7А 40Вт
2SB709
Sl-P 45В0,1А0,2Вт 80МГц
2SB716
Sl-P 120В0,05А0,75Вт
2SB720
Sl-P 200В 2А 25Вт 100МГц
2SB727
P-DARL+D 120В 6А 50Вт В>1000
2SB731
Sl-P 60В 1А10Вт 75МГц
2SB733
Sl-P 20В2А1ВТ >50МГц
2SB734
Sl-P 60В 1А 1 Вт 80МГц
2SB739
Sl-P 20/16В 2А 0,9Вт 80МГц
2SB740
Sl-P 70В 1А0,9Вт
2SB744
Sl-P 70В ЗА 10Вт 45МГц
2SB750
P-DARL+D 60В 2А 35Вт В>1000
2SB753
Sl-P 100В7А40Вт0,4мкс
2SB764
Sl-P 60В 1А0.9А 150МГц
2SB765
P-DARL+D 120В ЗА 30Вт В>1000
2SB766
Sl-P ЗОВ 1А 200МГц
2SB772
Sl-P 40В ЗА 10Вт 80МГц
2SB774
Sl-P ЗОВ 0,1 А 0,4Вт 150МГц
2SB775
Sl-P 100В 6А 60Вт 13МГц
2SB776
Sl-P 120В 7А70ВТ 15МГц
2SB788
Sl-P 120В 0.02А 0,4Вт 150МГц
2SB791
P-DARL+D 120В 8А40Вт В>1000
2SB794
P-DARL+D 60В 1,5А 10Вт В=7000
2SB795
P-DARL+D 80В 1,5А 10Вт В<3000
2SB808
Sl-P 20В 0,7А 0,25Вт 250МГц
Тип прибора
Описание
2SB810
Sl-Р ЗОВ 0,7А 0,35Вт ЮОМГц
2SB815
Sl-P 20В 0,7А 0,25Вт 250МГц
2SB816
Sl-Р 150В 8А80ВТ 15МГц
2SB817
SI-P160B12A100BT
2SB817F
Sl-Р 160В 12А90ВТ 15МГц
2SB819
Sl-Р 50В 1,5А1 Вт ЮОМГц
2SB822
Sl-Р 40В 2А 0,75Вт ЮОМГц
2SB824
Sl-Р 60В 5А 30Вт 30 МГц
2SB825
Sl-Р 60В7А40ВтЮМГц
2SB826
Sl-Р 60В 12А40Вт10МГц
2SB827
Sl-Р 60В7А80ВтЮМГц
2SB828
Sl-Р 60В12А80ВтЮМГц
2SB829
Sl-Р 60В 15А90ВТ 20МГц
2SB857
Sl-Р 50В 4А 40Вт
2SB861
Sl-Р 200В 2А30Вт
2SB863
Sl-Р 140В ЮАЮОВт 15МГц
2SB865
P-DARL 80В 1,5А0,9Вт
2SB873
Sl-Р ЗОВ 5А1 Вт 120МГц
2SB882
P-DARL+D 70В ЮА40ВТ В>5000
2SB883
P-DARL+D 70В 15А 70Вт В=5000
2SB884
P-DARL 110В ЗА 30Вт В=4000
' 2SB885
P-DARL+D 110В ЗА 35Вт В=4000
2SB891
Sl-Р 40В 2А 5Вт ЮОМГц
2SB892
Sl-Р 60В2А1ВТ
2SB895A
P-DARL 60В 1АВ=8000
2SB897
P-DARL+D 100В 10А 80Вт В>1000
2SB908
P-DARL+D 80В 4А ЮВт О.Юмкс
2SB909
Sl-Р 40В 1А1 Вт 150МГц
2SB922
Sl-Р 120В 12А80ВТ 20МГц
„ 2SB926
Sl-Р ЗОВ 2А 0,75Вт
2SB938A
P-DARL+D 60В 4А 40Вт В>1 ООО
2SB940
Sl-Р 200В2А35ВТ 30МГц
2SB941
Sl-Р 60В ЗА 35Вт
2SB945
SI-P130B5A40BT 30МГц
2SB946
SI-P130B7A40BT 30МГц
2SB950A
P-DARL+D 80В 4А40ВТ В>1000
2SB953A
Sl-Р 50В7А30ВТ 150МГц
2SB955
P-DARL+D 120В 10А 50Вт В=4000
2SB975
P-DARL+D 100В 8А 40Вт В>6000
2SB976
Sl-Р 27В 5А0,75Вт 120МГц
2SB985
Sl-Р 60В ЗА 1 Вт 150МГц
2SB986
Sl-Р 60В 4А ЮВт ЮОМГц
2SB988
Sl-Р 60В ЗА 30Вт <400/2200
2SC1000
SI-N 55В0,1А0,2Вт 80МГц
2SC1008
Sl-N 80В 0,7А 0,8Вт 75МГц
Тип прибора
Описание
2SC1012A
Sl-N 250В 60mA 0,75Вт ЮОМГц
2SC1014
Sl-N 50В 1,5А7Вт
2SC1017
Sl-N 75В 1А 60мВт 120МГц
2SC1030
Sl-N 150В6А50ВТ
2SC1046
Sl-N 1000В ЗА 25Вт
2SC1047
SI-N ЗОВ 20мА 0,4Вт 650МГц
2SC1050
Sl-N 300В 1А40ВТ
2SC1051
Sl-N 150В 7А60ВТ 8МГц
2SC1061
Sl-N 50В ЗА25ВТ 8МГц
2SC1070
SI-N ЗОВ 20мА 900МГц
2SC1080
SI-N 110В 12А Ю0Вт4МГц
2SC109
Sl-N 50В 0,6А 0,6Вт
2SC1096
Sl-N 40В ЗА 10Вт 60МГц
2SC1106
Sl-N 350В 2А 80Вт
2SC1114
Sl-N 300В 4А 100Вт 10МГц
2SC1115
Sl-N 140В ЮА 100Вт ЮМГц
2SC1116
Sl-N 180В ЮАЮОВт 10МГц
2SC1161
Sl-Р 160В 12А 120Вт
2SC1162
Sl-N 35В 1.5АЮВТ 180МГц
2SC1172
Sl-N 1500В 5А50ВТ
2SC1195
SI-N 200В2,5А100Вт
2SC1213C
Sl-N 50В 0,5А 0,4Вт
2SC1214
Sl-N 50В0,5А0,6Вт 50МГц
2SC1215
SI-N ЗОВ 50мА 0,4Вт 1,2ГГц
2SC1216
Sl-N 40В 0,2А 0,3Вт
2SC1226
Sl-N 40/50В 2А ЮВт ЮОМГц
2SC1238
SI-N 35В0,ЮА5Вт1,7ГГц
2SC1247A
SI-N 50В0,5А0,4Вт 60МГц
2SC1308
Sl-N Ю00В7А50Вт
2SC1312
Sl-N 35В ОДА 0,15Вт ЮОМГц
2SC1318
Sl-N 60В 0,5А 0,6Вт 200МГц
2SC1343
Sl-N 150В ЮА ЮОВт 14МГц|
2SC1345
Sl-N 55В ОДА 0,1 Вт 230МГцI
2SC1359
SI-N ЗОВ ЗОмА 0,4Вт 250МГц
2SC1360
Sl-N 50В 0,05А 1Вт >300МГц
2SC1362
Sl-N 50В 0,2А 0,25Вт ЮОМГц
2SC1368
Sl-N 25В 1,5А8Вт ЮОМГц
2SC1382
Sl-N 80В 0.75А5ВТ ЮОМГЦI
2SC1384
Sl-N 60В 1А1ВТ 200МГцI
2SC1393
SI-N ЗОВ 20мА 250 мВт 700МГц |
2SC1398
Sl-N 70В 2А ЮВт
2SC1413A
Sl-N 1200В 5А50ВТ
2SC1419
SI-N 50В2А20ВТ 5МГц
2SC1426
Sl-N 35В 0,2А 2,7ГГц
2SC1431
Sl-N 1ЮВ2А23ВТ 80МГц
Тип прибора
Описание
2SC1432
N-DARL ЗОВ 0,ЗА 0,3Вт В=400
2SC1439
Sl-N 150В 50мА 0,5Вт 130МГц|
2SC1445
SI-N 100В 6А 40Вт 10МГц|
2SC1446
Sl-N 300В 0,1А 10Вт 55МГц
2SC1447
Sl-N 300В 0,15А 20Вт 80МГц
2SC1448
Sl-N 150В 1,5А25ВтЗМГц
2SC1449
Sl-N 40В 2А5Вт 60МГц
2SC1450
Sl-N 150В 0,4А20Вт
2SC1454
SI-N 300В4А50Вт10МГц
2SC1474-4
Sl-N 20В 2А 0,75Вт 80МГц
2SC1501
Sl-N 300В 0,1А 10Вт 55МГц
2SC1505
SI-N 300В 0,2А 15Вт
2SC1507
Sl-N 300В 0,2А 15Вт 80МГц
2SC1509
Sl-N 80В 0,5А 1Вт 120МГц
2SC1515
Sl-N 200В 0,05А 0,2Вт 110МГц
2SC1520
Sl-N 300В 0,2А12,5Вт
2SC1545
N-DARL 40В 0,ЗА 0,3Вт В=1000
2SC1567
SI-N 100В 0,5А 5Вт 120МГц
2SC1570
Sl-N 55В 0,1А 0,2Вт 100МГц
2SC1571
Sl-N 40В 0,1А 0,2Вт 100МГц
2SC1573
Sl-N 200В 0,1А 1Вт 80МГц
2SC1577
Sl-N 500В 8А 80Вт 7МГц
2SC1583
Sl-N 50В 0,1 А 0,4Вт 100МГц
2SC1619
SI-N 100В6А50Вт10МГц
2SC1623
Sl-N 60В 0,1А0,2Вт 250МГц
2SC1624
Sl-N 120В 1А 15Вт30МГц
2SC1627
Sl-N 80В 0,4А 0,8Вт 100МГц
2SC1674
SI-N ЗОВ 0.02А 600МГц
2SC1675
SI-N 50В 0.03А 0,25Вт
2SC1678
Sl-N 65В ЗА 3Вт
2SC1685
Sl-N 60В 0,1 А 150МГц
2SC1688
Sl-N 50В ЗОмА 0,4Вт 550МГц
2SC1708A
Sl-N 120В 50мА0,2Вт 150МГц
2SC1729
Sl-N 35В 3,5А 16Вт 500МГц
2SC1730
SI-N ЗОВ 0.05А 1,1 ГГц СВЧ
2SC1740
Sl-N 40В ЮОмА 0,3Вт
2SC1741
Sl-N 40В 0,5А 0,3Вт 250МГц
2SC1756
SI-N 300В 0,2А >50МГц
2SC1760
Sl-N 100В 1А7,9Вт 80МГц
2SC1775A
Sl-N 120В 0,05А 0,2Вт
2SC1781
Sl-N 50В О,5А 0,35Вт
2SC1815
Sl-N 50В 0,15А 0,4Вт 80МГц
2SC1815BL
Sl-N 60В 0,15А 0.4Вт В>350
2SC1815GR
SI-N60B 0,15А 0,4Вт В>200
2SC1815Y
Sl-N 60В 0.15А 0,4Вт В>120
Тип прибора
Описание
2SC1827
Sl-N 100В 4А 30Вт 10МГц
2SC1832
N-DARL 500В 15А 150Вт В>100
2SC1841
Sl-N 120В 0,05А0,5Вт
2SC1844
Sl-N 60В 0,1А 0,5Вт 100МГц
2SC1845
Sl-N 120В 0,05А0,5Вт
2SC1846
Sl-N 120В 0.05А 0,5Вт
2SC1847
Sl-N 50В 1.5А 1,2Вт
2SC1855
Sl-N 20В 20мА 0,25Вт 550МГц
2SC1871
Sl-N 450В 15А 150Вт <1/Змкс
2SC1879
N-DARL+D 120В 2А 0,8Вт В>100
2SC1890
Sl-N 90В 0.05А 0,3Вт 200МГц
2SC1895
SI-N 1500В6А50Вт2МГц
2SC1906
Sl-N 19В 0.05А 0,3Вт
2SC1907
SI-N ЗОВ 0,05А 1100МГц
2SC1913
Sl-N 150В 1А 15Вт 120МГц
2SC1914
Sl-N 90В 50мА 0,2Вт 150МГц
2SC1921
Sl-N 250В 0.05А 0,6Вт
2SC1922
Sl-N 1500В 2,5А50Вт
2SC1923
SI-N ЗОВ 20мА 10мВт 550МГц
2SC1929
Sl-N 300В 0,4А 25Вт 80МГц
2SC1941
Sl-N 160В 50мА 0,8Вт
2SC1944
Sl-N 80В 6А 16Вт
2SC1945
Sl-N 80В 6А 20Вт
2SC1946A
Sl-N 35В 7А 50Вт
2SC1947
Sl-N 35В 1А4Вт 175МГц
2SC1953
Sl-N 150В 0,05А 1,2Вт 70МГц
2SC1957
Sl-N 40В 1А 1,8Вт 27МГц
2SC1959
SI-N ЗОВ 0,5А0,5Вт 200МГц
2SC1967
Sl-N 35В 2А 8Вт 470МГц
2SC1968
Sl-N 35В 5А 3Вт 470МГц
2SC1969
Sl-N 60В 6А 20Вт
2SC1970
Sl-N 40В 0,6А 5Вт
2SC1971
Sl-N 35В 2А 12,5Вт
2SC1972
Sl-N 35В 3.5А 25Вт
2SC1975
Sl-N 120В 2А 3,8Вт 50МГц
2SC1980
Sl-N 120В 20мА 0,25Вт 200МГц
2SC1984
Sl-N 100В ЗА 30Вт В=700
2SC1985
SI-N 80В6А40Вт10МГц
2SC2023
SI-N 300В 2А 40Вт 10МГц
2SC2026
SI-N ЗОВ 0,05А 0,25Вт
2SC2027
Sl-N 1500/800В 5А 50Вт
2SC2036
Sl-N 80В 1А4Вт
2SC2053
Sl-N 40В О.ЗА 0,6Вт 500МГц
2SC2055
Sl-N 18В 0,ЗА0,5Вт
2SC2058
Sl-N 40В 0,05А 0,25Вт
Тип прибора
Описание
2SC2060
Sl-N 40В 0,7А 0,75Вт 150МГц
2SC2061
Sl-N 80В 1 АО,75Вт 120МГц
2SC2068
Sl-N 300В 0.05А 95МГц
2SC2073
Sl-N 150В 1,5А 25Вт 4МГц
2SC2078
Sl-N 80В ЗА 10Вт 150МГц
2SC2086
Sl-N 75В 1А 0,45Вт 27МГц
2SC2092
Sl-N 75В ЗА 5Вт 27МГц
2SC2094
Sl-N 40В 3,5А 15Вт 175МГц
2SC2097
Sl-N 50В15А85ВТ
2SC2120
SI-N ЗОВ 0,8А0,6Вт 120МГц
2SC2122
Sl-N 800В 10A50BT
2SC2166
SI-N 75В4А12,5ВтВЧ
2SC2168
Sl-N 200В 2А 30Вт 10МГц
2SC2200
Sl-N 500В 7А 40Вт 1мкс
2SC2209
Sl-N 50В 1,5А10Вт 150МГц
2SC2216
Sl-N 45В 50мА 0,3Вт 300МГц
2SC2228
Sl-N 160В 0,05А 0,75Вт В>50
2SC2229
Sl-N 200В 50мА 0,8Вт 120МГц
2SC2230
Sl-N 200В 0,1А 0,8Вт 50МГц
2SC2233
Sl-N 200В 4А 40ВТ8МГЦ
2SC2235
Sl-N 120В 0,8А0,9Вт 120МГц
2SC2236
SI-N ЗОВ 1,5А0,9Вт 120МГц
2SC2237
Sl-N 35В 2А 7,5Вт 175МГц
2SC2238
Sl-N 160В 1,5А 25Вт 100МГц
2SC2240
Sl-N 120В 50мА 0,3Вт 100МГц
2SC2261
Sl-N 180В 8А80ВТ 15МГц
2SC2267
Sl-N 400/360В 0,1А0,4Вт
2SC2270
Sl-N 50В 5А 10Вт 100МГц
2SC2271
Sl-N 300В 0,1А 0,9Вт 50МГц
2SC2275
Sl-N 120В 1,5А25Вт200МГц
2SC2283
Sl-N 38В 0.75А 2,8Вт 500МГц
2SC2287
Sl-N 38В 1,5А 7,1 Вт 175МГц
2SC2295
SI-N ЗОВ 0.03А 0,2Вт 250МГц
2SC2307
Sl-N 500В 12А 100Вт 18МГц
2SC2308
Sl-N 55В0,1А0,2Вт230МГц
2SC2310
SI-N 55В0,1А0,2Вт 230МГц
2SC2312
Sl-N 60В 6А 18,5Вт27МГц
2SC2314
SI-N45B1A5BT
2SC2320
SI-N 50В0,2А0,ЗВт
2SC2329
Sl-N 38В 0.75А2ВТ 175МГц
2SC2331
Sl-N 150В2А15ВТ
2SC2333
Sr-N 500/400В 2А 40Вт
2SC2334
Sl-N 150В7А40ВТ
2SC2335
Sl-N 500В7А40ВТ
2SC2336B
Sl-N 250В 1,5А 25Вт 95МГц
Тип прибора
Описание
2SC2344
Sl-N 180В 1,5А25Вт120МГц
I 2SC2347
Sl-N 15В 50мА 250мВт 650МГц
| 2SC2362
Sl-N 120В 50мА0,4Вт 130МГц
2SC2363
Sl-N 120В 50мА 0,5Вт 130МГц
2SC2365
Sl-N 600В 6А 50Вт
2SC2369
Sl-N 25В 70мА 0,25Вт 4,5ГГц
2SC2383
Sl-N 160В 1А0,9Вт100МГц
2SC2389
Sl-N 120В 50мА 0,3Вт 140МГц
2SC2407
Sl-N 35В 0.15А 0,16Вт 500МГц
2SC2412
Sl-N 50В 0,1 А 180МГц
2SC2433
Sl-N 120В ЗОА 150Вт 80МГц
2SC2440
Sl-N 450В 5А 40Вт
2SC2458
Sl-N 50В 0,15А 0,2Вт 80МГц
2SC2466
SI-N ЗОВ 0.05А 2,2ГГц
2SC24B2
Sl-N 300В 0,1А0,9Вт 50МГц
2SC2485
SI-N 100В 6А70ВТ 15МГц
2SC2486
Sl-N 120В 7А 80Вт 15МГц
2SC2491
SI-N 100В 6А40ВТ 15МГц
2SC2497
Sl-N 70В 1.5А5ВТ 150МГц
2SC2498
SI-N ЗОВ 0.05А 0,3Вт 3,5ГГц|
2SC2508
Sl-N 40В 6А50Вт 175МГц
2SC2510
Sl-N 55В 20А 250Вт 28МГц
2SC2512
SI-N ЗОВ 50мА 900МГц
2SC2516
Sl-N 150В 5А 30Вт <0,5/2мкс
2SC2517
SI-N 150В 5А 30Вт <0,5/2мкс
2SC2538
Sl-N 40В 0,4А 0,7Вт
2SC2539
Sl-N 35В 4А 17Вт 175МГц
2SC2542
Sl-N 450В 5А 40Вт
2SC2547
SI-N 120В0,1А0,4Вт
2SC2551
SI-N 300В0,1А0,4Вт 80МГц
2SC2552
Sl-N 500В 2А 20Вт
2SC2553
Sl-N 500В 5А40ВТ 1мкс
2SC2562
Sl-N 60В 5А25ВтО,1мкс
2SC2563
SI-N 120В 8А 80Вт 90МГц
2SC2570A
SI-N25B 70мА0,6Вт
2SC2579
Sl-N 160В 8А 80Вт 20МГц
2SC2581
Sl-N 200В 10А 100Вт
2SC2590
Sl-N 120В 0,5А5Вт 250МГц
2SC2592
Sl-N 180В 1А20ВТ 250МГц
2SC2603
Sl-N 50В 0,2А 0,3Вт
2SC2610
Sl-N 300В 0,1А0,8Вт 80МГц
2SC2611
Sl-N 300В 0,1А 0,8Вт 80МГц
2SC2621E
Sl-N 300В 0,2А 10Вт >50МГц
2SC2625
Sl-N 450В 10А80ВТ
2SC2630
Sl-N 35В14А100ВТ
Тип прибора
Описание
2SC2631
Sl-N 150В 50мА 0,75Вт 160МГц
2SC2632
Sl-N 150В 50мА 1 Вт 160МГц
2SC2634
SI-N 60В0,1А0,4Вт 200МГц
2SC2653
Sl-N 350В 0,2А 15Вт >50МГц
2SC2654
Sl-N 40В 7А 40Вт
2SC2655
Sl-N 50В 2А 0,9Вт 0,1 мкс
2SC2656
Sl-N 450В 7А 80Вт<1,5/4,5
2SC2660
Sl-N 200В 2А ЗОВт 30МГц
2SC2668
SI-N ЗОВ 20мА 0,1 Вт 550МГц
2SC2671
Sl-N 15В ВОмА 0,6Вт 5,5ГГц
2SC2682
Sl-N 180В 0,1А 8Вт 180МГц
2SC2690
Sl-N 120В 1,2А 20Вт 160МГц
2SC2694
Sl-N 35В 20А 140Вт
2SC2705
Sl-N 150В 50мА 0,8Вт 200МГц
2SC2706
Sl-N 140В ЮАЮОВт 90МГц
2SC2712
Sl-N 50В 0,15А 0,15Вт 80МГц
2SC2714
SJ-N ЗОВ 20мА 0,1Вт 550МГц
2SC2717
SI-N ЗОВ 50мА 0,3Вт 300МГц
2SC2724
SI-N ЗОВ ЗОмА 200МГц
2SC2749
Sl-N 500В 10А 100Вт 50МГц
2SC2750
Sl-N 150В 15А ЮОВт
2SC2751
Sl-N 500В 15А 120Вт 50МГц
2SC2752
Sl-N 500В 0,5А 10Вт
2SC2753
Sl-N 17В0,07А0,ЗВт5ГГц
2SC2759
SI-N ЗОВ 50мА 0,2Вт 2,ЗГГц
2SC2786
Sl-N 20В 20мА 600МГц
2SC2787
Sl-N 50В ЗОмА 0,3Вт 250МГц
2SC2791
Sl-N 900В 5А ЮОВт
2SC2792
Sl-N 850В 2А 80Вт
2SC2793
SI-N 900B5A100BT
2SC2802
Sl-N 300В0.2А10ВТ 80МГц
2SC2808
SI-N 100В 50мА 0,5Вт 140МГц
2SC2810
Sl-N 500В 7А 50Вт18МГц
2SC2812
Sl-N 55В 0,15А 0,2Вт ЮОМГц
2SC2814
SI-N ЗОВ 0.03А 320МГц
2SC2825
SI-N80B6A70BT В>500
2SC2837
SI-N 150В ЮАЮОВт 70МГц
2SC2839
Sl-N 20В ЗОмА 0,15Вт 320МГц
2SC2851
SI-N 36В0,ЗА1Вт1,5ГГц
2SC2873
Sl-N 50В 2А 0,5Вт 120МГц
2SC2878
Sl-N 20В 0,ЗА 0,4Вт 30МГц
2SC2879
SI-N45B 25А100ВТ 28МГц
2SC2882
Sl-N 90В 0,4А 0,5Вт ЮОМГц
2SC288A
Sl-N 35В 20мА0,15Вт
2SC2898
Sl-N 500В 8А 50Вт
Тип прибора
Описание
2SC2901
Sl-N 40В 0,2А 0,6Вт
2SC2908
Sl-N 200В 5А 50Вт 50МГц
2SC2910
Sl-N 160В 70мА 0,9Вт 150МГц
2SC2911
Sl-N 180В 140мА 10Вт ЮОМГц
2SC2912 ,
Sl-N 200В 140мА ЮВт ЮОМГц
2SC2922
Sl-N 180В 17А 200Вт 50МГц
2SC2923
Sl-N 300В 0,1А 140МГц
2SC2928
Sl-N 1500В 5А 50Вт
2SC2939
Sl-N 500В 1ОА Ю0Вт2,5мкс
2SC2958
Sl-N 160В 0,5А 1Вт
2SC2979
Sl-N 800В ЗА 40Вт
2SC2987
Sl-N 140В 12А ЮОВт 60МГц
2SC2988
Sl-N 36В 0,5А 175МГц
2SC2999
Sl-N 20В ЗОмА 750МГц
2SC3001
Sl-N 20В ЗА 7Вт 175МГц
2SC3019
Sl-N 35В 0.4А 0,6Вт 520МГц
2SC3020
Sl-N 35В 1А ЮВт
2SC3022
Sl-N 35В 7А 50Вт
2SC3026
Sl-N 1700В 5А50ВТ
2SC3030
N-DARL 900В 7А 80Вт
2SC3039
Sl-N 500В 7А 52Вт
2SC3042
SI-N 500/4008 12А ЮОВт
2SC3052F
Sl-N 50В 0,2А 0,15Вт 200МГц
2SC3063
Sl-N 300В 0,1А 1,2Вт ЮОМГц
2SC3067
2xSI-N 130В 50мА 0,5Вт 160
2SC3068
SI-N ЗОВ 0,ЗА иэб=15В В>8
2SC3071
Sl-N 120В 0,2А иэб=15В В>10
2SC3073
SI-N ЗОВЗА15ВтЮОМГц
2SC3074
SI-N60B5A 20Вт 120МГц
2SC3075
Sl-N 500В 0,8А 10Вт 1/1.5МКС
2SC3089
Sl-N 800В 7А 80Вт
2SC3101
SI-N 250В ЗОА 200Вт 25МГц
2SC3102
Sl-N 35В 18А 170Вт 520МГц
2SC3112
Sl-N 50В 0,15А0,4Вт 100МГц
2SC3116
Sl-N 180В 0,7А10Вт 120МГц
2SC3117
Sl-N 180В 1,5А10Вт 120МГц
2SC3133
Sl-N 60В 6А1,5Вт 27МГц
2SC3148
Sl-N 900В ЗА 40Вт 1мкс
2SC3150
Sl-N 900В ЗА 50Вт 15МГц
2SC3153
Sl-N 900В 6А 100Вт
2SC3157
Sl-N 150В ЮАбОВт
2SC3158
Sl-N 500В 7А 60Вт
2SC3164
Sl-N 500В ЮАЮОВт
2SC3169
SI-N 500B2A25BT >8МГц
2SC3175
Sl-N 400В 7А 50Вт 40МГц
Тип прибора
Описание
2SC3178
Sl-N 1200В 2А 60Вт
2SC3179
Sl-N 60В4А30ВТ 15МГц
2SC3180N
Sl-N 80В 6А 60Вт 30МГц
2SC3181N
SI-N 120В 8А 80Вт 30МГц
2SC3182N
Sl-N 140В 10А ЮОВт 30МГц
2SC3195
SI-N ЗОВ 20мА 0,1 Вт 550МГц
2SC3199
Sl-N 60В 0,15А 0,2Вт 130МГц
2SC3200
Sl-N 120В 0,1А 0,3Вт ЮОМГЦ
2SC3202
Sl-N 35В 0,5А 0,5Вт 300МГц
2SC3203
Sl-N 35В 0,8А 0,6Вт ЮОМГц
2SC3205
SI-N ЗОВ 2А 1Вт 120МГц
2SC3206
Sl-N 150В 0,5А 0,8Вт 120МГц
2SC3210
Sl-N 500В 10А ЮОВт 1мкс
2SC3211
Sl-N 800В 5А 70Вт >ЗМГц
2SC3212
Sl-N 800В 7А 3Вт 3,5МГц
2SC3225
Sl-N 40В 2А 0,9Вт 1мкс
2SC3231
Sl-N 200В4А40ВТ 8МГц
2SC3240
Sl-N 50В 25А 110Вт 30МГц
2SC3242
Sl-N 20В 2А 0,9Вт 80МГц
2SC3244E
Sl-N 100В 0,5А 0,9Вт ЮОМГц
2SC3245A
Sl-N Ю0В0,1А0,9Вт 200МГц
2SC3246
SI-N ЗОВ 1,5А 0,9Вт 130МГц
2SC3247
Sl-N 50В 1А0,9Вт 130МГц
2SC3257
Sl-N 250В ЮА40ВТ 1/3,5мкс
2SC3258
Sl-N Ю0В5А30ВТ ЮОМГц
2SC3260
N-DARL 800В ЗА 50Вт В>100
2SC3262
N-DARL 800В 10А ЮОВт
2SC3263
Sl-N 230В 15А ЮОВт
2SC3264
Sl-N 230В 17А 200Вт 60МГц
2SC3271
Sl-N 300В 1А 5Вт 80МГц
2SC3277
Sl-N 500В 10А 90Вт 20МГц
2SC3279
Sl-N 10В 2А 0,75Вт 150МГц
2SC3280
Sl-N 160В 12А ЮОВт 30МГц
2SC3281
Sl-N 200В ЮА ЮОВт 30МГц
2SC3284
Sl-N 150В 14А 125Вт 60МГц
2SC3293
N-DARL+D 50В 1,2А 20Вт В>180
2SC3297
SI-N ЗОВ ЗА 15Вт ЮОМГц
2SC3299
Sl-N 60В 5А 20Вт 0,1мкс
2SC3300
SI-N 100В 15А ЮОВт
2SC3303
SI-N ЮОВ5А2ОВтО,2мкс
2SC3306
Sl-N 500В ЮА ЮОВт 1мкс
2SC3307
Sl-N 900В ЮА ЮОВт 1 мкс
2SC3309
Sl-N 500В 2А 20Вт 1 мкс
2SC3310
Sl-N 500В5А30ВТ 1мкс
2SC3311
Sl-N 60В 0,1А0,ЗВт ЮОМГц
Тип прибора
Описание
2SC3320
Sl-N 500В ЮА 80Вт
2SC3326
Sl-N 20В 0,ЗА 0,15Вт 30МГц
2SC3327
Sl-N 50В 0,ЗА 0,2Вт 30МГц
2SC3328
Sl-N 80В 2А 0,9Вт ЮОМГц
2SC3330
Sl-N 60В 0,2А 0,3Вт 200МГц
2SC3331
Sl-N 60В 0,2А 0,5Вт 200МГц
2SC3332
Sl-N 180В 0,7А 0,7Вт ЮОМГц
2SC3334
Sl-N 250В 50мА 0,9Вт ЮОМГц
2SC3345
Sl-N 60В ЮА 40Вт 90МГц
2SC3346
Sl-N 80В ЮА4ОВтО,2мкс
2SC3355
Sl-N 20В 0,1А0,6Вт6,5ГГц
2SC3356
Sl-N 20В 0,1А0,2Вт7ГГц
2SC3377
SI-N40B 1А0,6Вт ЮОМГц
2SC3378
Sl-N 120В О,1А 0,2Вт ЮОМГц
2SC3379
Sl-N 20В 1,5А 3Вт
2SC3381
2xSI-N 80В 0,1А 0,4Вт ЮОМГц
2SC3383
Sl-N 60В 0,2А 0,5Вт 250МГц
2SC3397
Sl-N 50В 0,1А 250МГц R=46kOm
2SC3399
Sl-N 50В 0,1А 250МГц
2SC3400
Sl-N 50В О,1А 250МГц R=22kOm
2SC3401
Sl-N 50В ,1А R=46kOm/23kOm
2SC3402
Sl-N 50В 0,1А 250МГц R=10kOm
2SC3405
Sl-N 900В 0,8А 20Вт 1 мкс
2SC3409
Sl-N 900В 2А 8ОВтО,8мкс
2SC3416
Sl-N 200В 0,1А5Вт 70МГц
2SC3419
Sl-N 40В 0,8А5Вт ЮОМГц
2SC3420
SI-N 50В 5А ЮВт ЮОМГц
2SC3421O
SI-N 120В 1А 1,5Вт
2SC3421Y
SI-N ЮОВ 1А ЮВт ЮОМГц
2SC3422Y
Sl-N 40В ЗА ЮВт ЮОМГц
2SC3423
SI-N 150В 50мА 5Вт 200МГц
2SC3425
Sl-N 500В 0,8А ЮВт
2SC3446
Sl-N 800В 7А40ВТ 18МГц
2SC3447
Sl-N 800В 5А 50Вт 18МГц
2SC3456
Sl-N 1Ю0/800В 1,5А40Вт
2SC3457
SI-N 1100В ЗА 50Вт
2SC3460
Sl-N 1100В 6А ЮОВт
2SC3461
SI-N 1Ю0/800В8АЮ0ВТ
2SC3466
Sl-N Ю00/650В 8А ЮОВт
2SC3467
Sl-N 200В 0,1 А 1 Вт ЮОМГЦ
2SC3468
Sl-N 300В 0,1А 1Вт ЮОМГц
2SC3486
SI-N ЮООВбАЮОВт
2SC3502
SI-N 200B 0,1А1,2Вт
2SC3503
SI-N 300В0,1А7Вт ЮОМГц
2SC3504
Sl-N 70В 0,05А 0,9Вт 500МГц
Тип прибора
Описание
2SC3505
Sl-N 900В 6А 80Вт
2SC3507
Sl-N 1000/800В 5А 80Вт
2SC3509
N-DARL+D 900В 10А 100Вт
2SC3514
Sl-N 180В 0,1 А 10Вт 200МГц
2SC3518
Sl-N 60В 5А 10Вт
2SC3520
Sl-N 500В 18А 130Вт 18МГц
2SC3526
Sl-N 110В 0,15А 7А 30Вт 1 мкс
2SC3528
Sl-N 500В20А125ВТ
2SC3549
Sl-N 900В ЗА 40Вт
2SC3552
Sl-N 1100В 12А150Вт15МГц
2SC3568
SI-N 150В 10А 30Вт
2SC3571
Sl-N 500В 7А 30Вт
2SC3577
Sl-N 850В5А80ВТ 6МГц
2SC3581
Sl-N 55В0,4А0,9Вт150МГц
2SC3591
SI-N 400B7A 50Вт
2SC3595
SI-N ЗОВ 0,5А 5Вт 2ГГц
2SC3596
Sl-N 80В 0.3А8ВТ 700МГц
2SC3597
Sl-N 80В 0,5А 10Вт 800МГц
2SC3599
SI-N 120В0,ЗА8Вт 500МГц
2SC3600
Sl-N 200В 0,1А 7Вт 400МГц
2SC3601
Sl-N 200В 0,15А7ВТ 400МГцI
2SC3608
Sl-N 20В 0,08А 6,5ГГц
2SC3611
SI-N 50В0,15А4Вт300МГц
2SC3616
Sl-N 25В 0,7А 250МГц
2SC3621
Sl-N 150В 1,5А 10Вт 100МГц
2SC3623
Sl-N 60В 0,15А 0,25Вт В=1000
2SC3632
Sl-N 600В 1А10Вт 30МГц
2SC3636
SI-N 900/5008 7А 80Вт
2SC3642
Sl-N 1200В 6А 100Вт 200нс
2SC3655
Sl-N 50В 0,1А 0,4Вт
R=46kOm/23kOm
2SC3656
Sl-N 50В0,1А0,4Вт R=10kOm/10kOm
2SC3659
Sl-N+D 1700/800В 5А 50Вт
2SC3668
Sl-N 50В 2А 1 Вт 10ОМГц
2SC3669
SI-N 80В2А1Вт0,2мкс
2SC3675
Sl-N 1500/900В 0,1 А 10Вт
2SC3678
Sl-N 900В ЗА 80Вт
2SC3679
Sl-N 900/800В 5А 100Вт
2SC3680
Sl-N 900/800В 7А 120Вт 6МГц
2SC3684
Sl-N+D 1500В 10А 150Вт
2SC3688
Sl-N 1500В 10А 150Вт 0,2мкс
2SC3692
SI-N 100В 7А 30Вт В<300/180
2SC373
Sl-N 35В 0,1А 0,2Вт В>200
2SC3746
SI-N 80В5А20Вт100МГц
2SC3748
Sl-N 80В 10А 30Вт ЮО/бООнс
Тип прибора
Описание
2SC3752
Sl-N 1100/8008 ЗАЗОВт
2SC3781
Sl-N 120В 0,4А 15Вт 500МГц
2SC3782
Sl-N 200В 0,2А 15Вт400МГц
2SC3783
Sl-N 800В 5А 100Вт
2SC3787
Sl-N 180В 0,14А 10Вт 150МГц
2SC3788
Sl-N 200В 0,1А 5Вт 150МГц
2SC3789
Sl-N 300В 0,1 А 7Вт 70МГц
2SC3790
Sl-N 300В 0,1А7Вт 150МГц
2SC3792
Sl-N 50В 0,5А 0,5Вт 250МГц
2SC3795A
Sl-N 900В 5А40ВТ
2SC3807
Sl-N 30В2А15ВТ 260МГц
2SC3808
N-DARL 80В 2А 170МГц В>80
2SC380TM
SI-N ЗОВ 50мА 0,3Вт 100МГц
2SC3811
Sl-N 40В 0,1А0,4Вт450МГц
2SC3831
Sl-N 500В 10А 100Вт
2SC3833
Sl-N 500/400В 12А100ВТ
2SC3842
Sl-N 600В 10А70ВТ 32МГц
2SC3844
Sl-N 600В 15А75ВтЗОМГц
2SC3851
Sl-N 80В 4А25ВТ 15МГц
2SC3852
Sl-N 80В ЗА 25Вт15МГц
2SC3855
Sl-N 200В10А100ВТ 20МГц
2SC3857
Sl-N 200В 15А 150Вт 20МГц
2SC3858
Sl-N 200В 17А 200Вт 20МГц
2SC3866
SI-N 900В ЗА 40Вт
2SC3868
Sl-N 500В 1,5А 25Вт 0,7мкс
2SC3883
Sl-N+D 1500В 6А50Вт
2SC3884A
Sl-N 1500В 6А50Вт
2SC3886A
SI-N 1500В 8А 50Вт 0,1 мкс
2SC388A
Sl-N 25В 50мА 0,3Вт 300МГц
2SC3890
Sl-N 500В 7А 30Вт 500нс
2SC3892A
Sl-N+D 1500В 7А 50Вт 0,4мкс
2SC3893A
Sl-N+D 1500В 8А 50Вт
2SC3895
Sl-N 1500/800В 8А 70Вт
2SC3896
Sl-N 1500В 8А70ВТ
2SC3897
Sl-N 1500В 10А70ВТ
2SC3902
Sl-N 180В 1,5А 10Вт 120МГц
2SC3907
Sl-N 180В 12А 130Вт 30МГц
2SC3927
Sl-N 900В 10А 120Вт
2SC394
Sl-N 25В 0,1А200МГц
2SC3940
Sl-N 30В1А1ВТ 200МГц
2SC3943
Sl-N 110В 0,15А2Вт300МГц
2SC3944
Sl-N 150В 1А40ВТ 300МГц
2SC3948
Sl-N 850В 10А75ВТ 20МГц
2SC3950
SI-N ЗОВ 0,5А 5Вт
2SC3952
Sl-N 80В 0,5А 10Вт 700МГц
Тип прибора
Описание
2SC3953
SI-N 120В 0,2А 8Вт 400МГц
2SC3954
Sl-N 120В 0,ЗА 8Вт 400МГц
2SC3955
SI-N 200В 0,1А 7Вт 300МГц
2SC3956
Sl-N 200В 0,2А 7Вт 70МГц
2SC3964
Sl-N 40В 2А 1,5Вт 1мкс
2SC3972
Sl-N 800/500В 5А 40Вт
2SC3973A
Sl-N 900В7А45ВТ
2SC3979A
Sl-N 800ВЗА2ВТ 10МГц
2SC3987
N-DARL+D 50В ЗА 15Вт
2SC3996
Sl-N 1500/800В 15А 180Вт
2SC3998
Sl-N 1500В 25А 250Вт
2SC3999
Sl-N 300В 0,1 А 0,75Вт 300МГц
2SC4004
Sl-N 900/800В 1А 30Вт
2SC4020
Sl-N 900В ЗА 50Вт1мкс
2SC4024
Sl-N 100В 10А35ВТ В>300
2SC4029
Sl-N 230В 15А 150Вт 30МГц
2SC4043
Sl-N 20В 50мА 0,15Вт 3,2ГГц
2SC4046
Sl-N 120В 0,2А 8Вт 350МГц
2SC4052
Sl-N 600ВЗА40Вт20МГц
2SC4056
Sl-N 600В8А45ВТ
2SC4059
Sl-N 600/450В 15А 130Вт
2SC4064
Sl-N 50В 12А35Вт40МГц
2SC4107
Sl-N 500/400В ЮАбОВт
2SC4119
N-DARL+D 1500В 15А250ВТ
2SC4123
SI-N+D 1500В 7А 60Вт
2SC4125
SI-N+D 1500/800В 10А 70Вт
2SC4131
Sl-N 100В 15А60ВТ 18МГц
2SC4135
Sl-N 120В 2А 15Вт 200МГц
2SC4137'
Sl-N 25В 0,1А 300МГц
2SC4138
Sl-N 500В 10А 80Вт <1/3,5мкс
2SC4153
Sl-N 200В 7А 30Вт 0,5мкс
2SC4157
Sl-N 600В 10А 100Вт
2SC4159
Sl-N 180В 1,5А 15Вт 100МГц
2SC4161
Sl-N 500В 7А 30Вт
2SC4169
N-DARL+D 50В 1,2А 1Вт В=4000
2SC4199
Sl-N 1400В 10А 100Вт
2SC4200
Sl-N 20В 0,6А 5Вт 2,5ГГц
2SC4204
SI-N ЗОВ 0,7А 0,6Вт
2SC4231
Sl-N 1200/800В2А30ВТ
2SC4235
Sl-N 1200/800В ЗА 80Вт
2SC4236
Sl-N 1200/800В 6А 100Вт
2SC4237
Sl-N 1200/800В 10А 150ВТ
2SC4242
Sl-N 450/400В 7А 40Вт
2SC4256
Sl-N 1500В 10А 175Вт 6МГц
2SC4278
Sl-N 150В 10А 100Вт 30МГц
| Тип прибора
Описание
2SC4288A
SI-N1600/600B 12А200ВТ
2SC4289A
Sl-N 1500В 16А200ВТ
2SC4290A
SI-N 1500В 20А 200Вт
2SC4297
Sl-N 500В 12А75Вт10МГц
2SC4298
Sl-N 500В 15А80Вт10МГц
2SC4300
Sl-N 900В 5А 75Вт 1/6мкс
2SC4304
Sl-N 800В ЗА 35Вт
2SC4308
SI-N ЗОВО,ЗАО,6Вт2,5ГГц
2SC4313
Sl-N 900В 10А 100Вт 0,5мкс
2SC4381
Sl-N 150В2А25Вт15МГц
2SC4382
SI-N 200В2А25Вт15МГц
2SC4386
SI-N 160/120В 8А 75Вт 20МГц
2SC4387
Sl-N 200В 10А 80Вт 20МГц
2SC4388
Sl-N 200В 15А85ВТ 20МГц
2SC4408
Sl-N 80В 2А 0,9Вт 100/600нс
2SC4429
Sl-N 1100/800В 8А60ВТ
2SC4430
Sl-N 1100В 12А65Вт15МГц
2SC4431
Sl-N 120В 1,5А20Вт 150МГц
2SC4439
Sl-N 180В 0,ЗА 8Вт 400МГц
2SC4467
Sl-N 160/120В 8А 80Вт 20МГц
2SC4468
SI-N 200B10A80BT 20МГц
2SC4484
SI-N 30В2,5А1Вт 250МГц
2SC4488
Sl-N 120В 1А1 Вт 120МГц
2SC4511
Sl-N 120В6А30ВТ 20МГц
2SC4512
SI-N 120В6А50Вт20МГц
2SC4517
Sl-N 900В ЗАЗОВт 6МГц
2SC4517A
Sl-N 1000В ЗА 30Вт 0,5мкс
2SC4531
SI-N+D 1500В 10А50ВТ
2SC4532
Sl-N 1700В 10А 200Вт 2мкс
2SC4538
Sl-N 900В 5А 80Вт
2SC454
Sl-N 30В0,1А230МГц
2SC4542
Sl-N 1500В 10А50ВТ
2SC4547
N-DARL+D 85В ЗА 30Вт В>2000
2SC4557
Sl-N 900В 10А 80Вт <1/5,5мкс
2SC4560
Sl-N 1500В 10А 80Вт
2SC458
SI-N ЗОВ 0,1А230МГц
2SC4582
Sl-N 600В 100А65Вт20МГц
2SC460
Sl-N ЗОВ 0,1А 0,2Вт 230МГц
2SC461
SI-N ЗОВ 0,1А 0,2Вт 230МГц|
2SC4744
Sl-N 1500В 6А
2SC4745
SI-N 1500B6A|
2SC4747
SI-N 1500В 10А 50Вт О.Змкс
2SC4758
Sl-N 1500В 8А50Вт
2SC4769
SI-N+D 1500В 7А 60Вт
2SC4770
Sl-N 1500/800В 7А60ВТ
Тип прибора
Описание
2SC4793
Sl-N 230В 1А2Вт 100МГц
2SC4804
Sl-N 900В ЗА 30Вт О.Змкс
2SC4820
Sl-N 450В бАЗОВт 12МГц
2SC4826
SI-N 2ООВЗА1,ЗВтЗООМГц
2SC4834
Sl-N 500В 8А 45Вт <0,3/1,4мкс
2SC4883A
Sl-N 180В 2А20Вт 120МГц
2SC4891
Sl-N 1500В 15А75ВТ
2SC4908
Sl-N 900В ЗА 35Вт 1мкс
2SC4924
Sl-N 800В 10А70ВТ
2SC4977
Sl-N 450В 7А 40Вт
2SC5002
Sl-N 1500В7А 80Вт
2SC5003
Sl-N+D 1500В7А 80Вт
2SC5027
Sl-N 1100В ЗА 50Вт О.Змкс
2SC5030
Sl-N 50В 5А1,ЗВт 150МГц
2SC5045
Sl-N 1600В 15А75ВТ
2SC5047
Sl-N 1600В 25А 250Вт
2SC5048
Sl-N 1500В 12А50ВТ О.Змкс
2SC5070
Sl-N 30В2А 1,5Вт В>800
2SC5086
SI-N 20В80МА7ГГЦ
2SC509
Sl-N 35В 0,5А 0,6Вт 60МГц
2SC5144
Sl-N 1700В 20А 200Вт
2SC5148
Sl-N 1500В 8А 50Вт 0,2мкс
2SC5149
Sl-N+D 1500В 8А 50Вт 0,2мкс
2SC5150
Sl-N 1700В 10А 50Вт О.Змкс
2SC5171
SI-N 180В 2А 20Вт 200МГц
2SC5198
Sl-N 140В 10А 100Вт 30МГц
2SC5207
Sl-N 1500В 10А 50Вт 0,4мкс
2SC5242
Sl-N 230В 15А 130Вт 30МГц
2SC5244A
Sl-N 1600В 30А200ВТ
2SC5296
Sl-N+D 1500В 8А 60Вт
2SC5297
Sl-N 1500В 8А 60Вт
2SC5299
Sl-N 1500В 10А70Вт0,2мкс
2SC535
SI-N 20В20мА0,1Вт
2SC536
Sl-N 40В0,1А180МГц
2SC620
Sl-N 50В 0,2А 0,25Вт
2SC643
Sl-N 1100В2.5А 50Вт
2SC644
SI-N ЗОВ 50мА 0,25Вт
2SC645
SI-N ЗОВ ЗОмА 0,14Вт 200МГц
2SC710
SI-N ЗОВ О.ОЗА 200МГц
2SC711
SI-N ЗОВ 0,05А 150МГц
2SC712
SI-N ЗОВ 0,5А 150МГц
2SC717
SI-N ЗОВ 50мА 0,2Вт 600МГц
2SC730
Sl-N 40В 0,4А 1,5Вт
2SC732
Sl-N 50В 0.15А 0,4Вт 150МГц
2SC735
Sl-N 35В 0,4А 0,3Вт
Тип прибора
Описание
2SC752
Sl-N 15В 100мА0,1Вт
2SC756
SI-N40B4A10BT 65МГц
2SC784
Sl-N 40В 0.02А 500МГц
2SC815
Sl-N 60В 0,2А 0,25Вт 200МГц
2SC828
SI-N ЗОВ 0,05А 0,25Вт
2SC829
SI-N ЗОВ ЗОмА 0,4Вт 230МГц
2SC839
Sl-N 50В 0.03А 250МГц
2SC867
SI-N 400B1A23BT 8МГц
2SC869
Sl-N 160В ЗОмА 0,2Вт 150МГц
2SC898A
Sl-N 150В 7А80ВТ 15МГц
2SC900
SI-N ЗОВ 0.03А 100МГц
2SC930
SI-N 15В0,03А300МГц
2SC936
Sl-N 1000В 1А22ВТ
2SC941
Sl-N 35В 20мА 0,2Вт 120МГц
2SC943
Sl-N 60В 0,2А 0,3Вт 220МГц
2SC945
Sl-N 50В0.1А250МС
2SC982
N-DARL 40В0,ЗА0,4Вт
2SD1010
Sl-N 50В 50мА 0,3Вт 200МГц
2SD1012
Sl-N 20В 0,7А 0,25Вт 250МГц
2SD1018
Sl-N 250В 4А 80Вт В>250
2SD1027
N-DARL+D 20В 15А 100Вт В>100
2SD1033
SI-N 200В2А20Вт10МГц
2SD1036
SI-N 150/120В 15А 150Вт
2SD1047
Sl-N 160В 12А 100Вт 15МГц
2SD1048
Sl-N 20В 0,7А 0,25Вт 250МГц
2SD1049
Sl-N 120В25А100ВТ
2SD1051
Sl-N 50В 1,5А 1 Вт 150МГц
2SD1055
Sl-N 40В 2А 0,75Вт 100МГц
2SD1062
SI-N60B 12А40Вт10МГц
2SD1064
Sl-N 60В12А80ВТ
2SD1065
Sl-N 60В 15А90ВТ
2SD1073
N-DARL 300В 4А 40Вт В>1000
2SD1088
N-DARL 300В 6А 30Вт В>2000
2SD1113K
N-DARL+D 300В 6А 40Вт
2SD1128
N-DARL150B5A 30Вт
2SD1135
Sl-N 80В4А40Вт
2SD1138
Sl-N 200В 2А 30Вт
2SD1140
N-DARL ЗОВ 1,5А0,9Вт
2SD1145
Sl-N 60В 5А0,9Вт 120МГц
2SD1148
Sl-N 140В 10А 100Вт 20МГц
2SD1153
Sl-N 80В 1,5А0,9Вт
2SD1163A
Sl-N 300В7А40ВТ
2SD1164
N-DARL+D 150В 1,5А10Вт
2SD1173
Sl-N+D 1500В 5А70Вт
2SD1187
SI-N 100В 10А80ВТ 10МГц
Тип прибора
Описание
2SD1189
SI-N40B2A5Bт100MГц
2SD1192
N-DARL+D 70В 10А 40Вт В=5000
2SD1196
N-DARL+D 110В 8А40ВТ В=400
2SD1198
N-DARL ЗОВ 1А 1Вт 150МГц
2SD1207
Sl-N 60В2А1ВТ
2SD1210
N-DARL+D 150В 10А 80Вт В=500
2SD1213
Sl-N 60В 20А 50Вт
2SD1225
Sl-N 40В 1А1Вт 150МГц
2SD1238
Sl-N 120В 12А80Вт20МГц
2SD1244
Sl-N+D 2500/900В 1А 50Вт
2SD1246
SI-N ЗОВ 2А 0,75Вт
2SD1247
SI-N 30В2,5А1Вт
2SD1254
Sl-N 130В ЗА 30Вт
2SD1255
SI-N 130В4А35Вт30МГц
2SD1263A
SI-N 400В 0,75А 35Вт 30МГц
2SD1264
Sl-N 200В 2А30Вт
2SD1265
Sl-N 60В 4А 30Вт 25кГц
2SD1266
Sl-N 60В ЗА 35Вт
2SD1267
SI-N 60В4А40Вт20МГц
2SD1270
Sl-N 130В5А2ВТ 30МГц
2SD1271
SI-N 130В7А40Вт30МГц
2SD1272
Sl-N 200В 1А40Вт 25МГц
2SD1273
Sl-N 80В ЗА 40Вт 50МГц
2SD1274
Sl-N 150В 5А40Вт40МГц
2SD1276
N-DARL 60В 4А 40Вт
2SD1286
N-DARL+D 60В 1А 8Вт В=1000
2SD1288
Sl-N 120В 7А 70Вт
2SD1289
Sl-N 120В8А80ВТ
2SD1292
SI-N 120В1А0,9Вт100МГц
2SD1293
Sl-N 120В 1А 1Вт 100МГц
2SD1297
N-DARL+D 150В 25А 100Вт
2SD1302
Sl-N 25В 0,5А 0,6Вт 200МГц
2SD1306
SI-N ЗОВ 0,7А 150мВт 250МГц
2SD1308
N-DARL+D 150В 8А40ВТ
2SD1313
Sl-N 800В 25А 200Вт 6МГц
2SD1314
N-DARL+D 600В 15А 150Вт
2SD1330
Sl-N 25В 0,5А 0,6Вт 200МГц
2SD1347
Sl-N 60В ЗА 1 Вт 150МГц
2SD1348
Sl-N 60В 4А 10Вт 150МГц
2SD1350A
SI-N600B0,5A1Bт55MГц
2SD1376K
N-DARL+D 120В 1,5А40Вт
2SD1378
Sl-N 80В 0,7А 10Вт 120МГц
2SD1379
N-DARL 40В 2А 10Вт 150МГц
2SD1380
SI-N40B2A10Bт100MГц
2SD1382
Sl-N 120В 1А 10Вт 100МГц
Тип прибора
Описание
2SD1384
Sl-N 40В 2А 0,75Вт 100МГц
2SD1391
Sl-N 1500В 5А80ВТ
2SD1392
N-DARL+D 60В 5А 30Вт В=800
2SD1397
Sl-N+D 1500В 3,5А50Вт
2SD1398
Sl-N+D 1500В 5А 50Вт
2SD1399
Sl-N+D 1500В 6А 80Вт
2SD1403
Sl-N 1500В 6А 120Вт
2SD1404
Sl-N+D 300В 7А 25Вт 1мкс
2SD1405
Sl-N 50В ЗА25Вт2мкс
2SD1406
SI-N 60ВЗА25Вт0,8мкс
2SD1407
Sl-N 100В 5А 30Вт 12МГц
2SD1408
Sl-N 80В4А30ВТ 8МГц
2SD1409
N-DARL+D 600В 6А 25Вт 1мкс
2SD1411
Sl-N 100В 7А 30Вт 10МГц
2SD1413
N-DARL+D 60В ЗА 20Вт 0,01 мкс
2SD1415
N-DARL+D 100В 7А 30Вт 0,8мкс
2SD1426
Sl-N+D 1500В 3,5А
2SD1427
Sl-N+D 1500В 5А80ВТ
2SD1428
Sl-N+D 1500В 6А80ВТ
2SD1432
Sl-N 1500В 6А80Вт
2SD1439
Sl-N+D 1500В ЗА 50Вт
2SD1441
Sl-N+D 1500В 4А80Вт
2SD1446
N-DARL+D 500В 6А 40Вт В>500
2SD1453
Sl-N 1500В ЗА 50Вт
2SD1457
N-DARL+D 140В 6А 60Вт
2SD1458
Sl-N 20В 0,7А 1Вт
2SD1468
SI-N ЗОВ 1А 0,4Вт 150
2SD1491
N-DARL+D 70В 2А 10Вт В>2000
2SD1496
Sl-N 1500В 5А50Вт
2SD1497-02
Sl-N 1500В 6А50ВТ
2SD1504
SI-N ЗОВ 0,5А 0,3Вт 300МГц|
2SD1506
Sl-N 60В ЗА 10Вт 90МГц
2SD1508
N-DARL ЗОВ 1,5А 10Вт В>400|
2SD1509
N-DARL+D 80В 2А10Вт0,4мкс |
2SD1511
N-DARL 100В 1А 1Вт 150МГц
2SD1521
N-DARL+D 50В 1,5А 2Вг В>2000
2SD1525
N-DARL+D 100В ЗОА 150Вт
2SD1526
Sl-N 130В 1А1 Вт 200МГц
2SD1541
Sl-N 1500В ЗА50Вт
2SD155
Sl-N 80В ЗА 25Вт
2SD1554
Sl-N+D 1500В 3,5А40Вт 1мкс
2SD1555
Sl-N+D 1500В 5А40Вт 1мкс
2SD1556
SI-N+D 1500В 6А 50Вт 1 мкс
2SD1563A
Sl-N 160В 1,5А ЮВтВОМГц
2SD1565
N-DARL+D 100В 5А 30Вт
Тип прибора
Описание
2SD1576
Sl-N 1500В 2,5А 48Вт
2SD1577
Sl-N 1500В 5А 80Вт
2SD1579
N-DARL+D 150В 1,5А 1Вт
2SD1589
N-DARL+D 100В5А20ВТ
2SD1590
N-DARL+D 150В 8А25ВТ
2SD1595
N-DARL+D 60В 5А 20Вт В=6000
2SD1609
Sl-N 160В 0,1 А
2SD1610
Sl-N 200В 0,1А 1,3Вт 140МГц
2SD1624
Sl-N 60ВЗА0,5Вт150МГц
2SD1632
N-DARL+D 1500В 4А 80Вт
2SD1647
N-DARL+D 50В 2А 25Вт
2SD1649
Sl-N+D 1500/800В 2,5А 50Вт
2SD1650
Sl-N+D 1500/800В 3,5А 50Вт
2SD1651
Sl-N+D 1500/800В 5А 60Вт
2SD1652
Sl-N+D 1500В 6А 60Вт 3МГц
2SD1656
Sl-N 1500В 6А50ВТ 3МГц
2SD1663
Sl-N 1500В 5А 80Вт 0,5мкс
2SD1664
Sl-N 40В 1А0.5ВТ 150МГц
2SD1666
Sl-N 60В ЗА 20Вт
2SD1667
Sl-N 60В 5А 25Вт 30МГц
2SD1668R
Sl-N 60В 7А 30Вт
2SD1669
Sl-N 60В 12А30ВТ
2SD1677
Sl-N 1500В 5А 100Вт 0,5мкс
2SD1680
Sl-N 330/200В 7А 70Вт
2SD1681
Sl-N 20В1,2А10Вт150МГц
2SD1683
Sl-N 60В 4А10ВТ 150МГц
2SD1684
Sl-N 120В 1,2А 10Вт 150МГц
2SD1706
SI-N 130/80В 15А 80Вт 20МГц
2SD1707
Sl-N 130/80В 20А 100Вт
2SD1710
Sl-N 1500/8008 5А 100Вт
2SD1725
Sl-N 120В 4А20ВТ 180МГц
2SD1729
Sl-N+D 1500/700В 3,5А 60Вт
2SD1730
Sl-N+D 1500/700В 5А 100Вт
2SD1739
Sl-N 1500/700В 6А 100Вт
2SD1740
N-DARL 150В 5А 25Вт В=5000
2SD1758
Sl-N 40В 2А 10Вт 100МГц
2SD1760
Sl-N 60ВЗА15ВТ 90МГц
2SD1761
Sl-N 80В ЗА 35Вт
2SD1762
Sl-N 60В ЗА 25Вт 70МГц
2SD1763A
Sl-N 120В 1,5А20Вт 80МГц
2SD1764
N-DARL+D 60В 2А 20Вт В>100
2SD1765
N-DARL+D 100В 2А 20Вт В>1 ООО
2SD1769
N-DARL+D 120В6А50ВТ
2SD1776
Sl-N 80В 2А 25Вт 40МГц
12SD1783
N-DARL+D 60В 5А 30Вт В=2000
Тип прибора
Описание
2SD1785
N-DARL+D 120В 6А 30Вт 100МГц
2SD1790
N-DARL+D 200В 4А 25Вт В=1 ООО
2SD1791
N-DARL 100В 7А 30Вт 50МГц
2SD1796
N-DARL+D 60В 4А 25Вт
2SD1802
Sl-N 60ВЗА15Вт150МГц
2SD1806
Sl-N+D 40В 2А 15Вт 150МГц
2SD1809
N-DARL 60В 1А 0,9Вт В>2000
2SD1812
Sl-N 160В 1,5А0,9Вт
2SD1815
Sl-N 120В ЗА20Вт 180МГц
2SD1817
Sl-D 80В ЗА 15Вт В>2000
2SD1825
N-DARL+D 70В 4А 20Вт
2SD1827
N-DARL+D 70В 10А 30Вт 20МГц
2SD1830
N-DARL+D 110B 8А 30Вт В=4000
2SD1835
Sl-N 60В 2А 150МГц 60/580
2SD1843
N-DARL+D 60В 1А 1Вт В>2000
2SD1847
Sl-N+D 1500/700В 5А 100Вт
2SD1849
Sl-N+D 1500/700В 7А 120Вт
2SD1853
N-DARL+D 80В 1,5А0,7Вт
2SD1856
N-DARL+D 60В 5А 25Вт
2SD1857
Sl-N 120В 1,5А 1Вт 80МГц
2SD1858
Sl-N 40В 1А1 Вт 150МГц
2SD1859
Sl-N 80В 0,7А 1Вт 120МГц
2SD1862
Sl-N 40В 2А 1 Вт 100МГц
2SD1863
Sl-N 120В 1А 1Вт100МГц
2SD1864
Sl-N 60В ЗА 1Вт 90МГц
2SD1877
SI-N+D 1500/800В 4А 50Вт
2SD1878
Sl-N+D 1500В 5А 60Вт О.Змкс
2SD1880
Sl-N+D 1500В 8А70Вт
2SD1881
Sl-N+D 1500В 10А70ВТ
2SD1887
Sl-N 1500/800В 10А70ВТ
2SD1894
SI-N 160В7А70ВТ20МГЦ
2SD1895
N-DARL 160В 8А 100Вт 20МГц
2SD1913
Sl-N 60В ЗА 20Вт 100МГц
2SD1929
N-DARL+D 60В 2А1,2Вт
2SD1930
N-DARL 100В 2А 1,2Вт В=500
2SD1933
N-DARL+D 80В 4А 30Вт
2SD1944
Sl-N 80В ЗА 30Вт 50МГц
2SD1958
Sl-N 200В 4,5А 30Вт 10МГц
2SD1959
Sl-N 1400В 10А50ВТ
2SD1978
N-DARL+D 120В 1,5А0,9Вт
2SD198
Sl-N 300В 1А25Вт45МГц
2SD1991
Sl-N 60В 0,1А 0,4Вт 150МГц
2SD1992
SI-N ЗОВ 0,5А 0,6Вт 200МГц
2SD1994
Sl-N 60В 1А 1Вт 200МГц
2SD1996
Sl-N 25В 0,5А 0,6Вт 200МГц
Тип прибора
Описание
2SD200
Sl-N 1500В 2,5А 10Вт
2SD2006
Sl-N 80В 0,7А 1,2Вт 120МГц
2SD2007
Sl-N 40В 2А 1,2Вт 100МГц
2SD2010
N-DARL 60В 2А 1,2Вт В>1000
2SD2012
Sl-N 60В ЗА 25Вт 3МГц
2SD2018
N-DARL+D 60В 1А 5Вт В>6500
2SD2052
Sl-N 150В 9А 100Вт20МГц
2SD2061
Sl-N 80В ЗА 30Вт 8МГц
2SD2066
Sl-N 160В 12А 120Вт
2SD2088
N-DARL+D 60В 2А 0,9Вт В>2000
2SD2125
Sl-N+D 1500В 5А 50Вт 0,2мкс
2SD213
Sl-N 110В 10А 100Вт
2SD2136
Sl-N 60В ЗА 1,5Вт 30МГц
2SD2137A
Sl-N 80В ЗА 15Вт 30МГц
2SD2141
N-DARL+D 380В 6А 35Вт В>150
2SD2144
Sl-N 25В 0,5А В>560
2SD2151
Sl-N 130/80В 10А 30Вт 20МГц
2SD2159
SI-N ЗОВ 2А1 Вт 110МГц
2SD2250
N-DARL 160В 7А 90Вт В>5000
2SD2253
Sl-N+D 1700В 6А50ВТ
2SD2255
N-DARL 160В 7А 70Вт 20МГц
2SD2276
N-DARL 160В 8А 120Вт В>5000
2SD2331
N-DARL+D 1500В ЗА
2SD234
SI-N60B3A 25Вт
2SD2340
Sl-N 130В6А50ВТ
2SD2375
Sl-N 80В ЗА 25Вт В>500
2SD2386
N-DARL 140В 7А 70Вт В>5000
2SD2389
N-DARL 160В 10А 100Вт В>5000
2SD2390
N-DARL 160В 10А 100Вт 55МГц
2SD2394
Sl-N 60В ЗА 30Вт
2SD2395
Sl-N 50В ЗА 25Вт
2SD2399
N-DARL+D 80В 4А 30Вт В=1000
2SD2438
N-DARL+D 160В 8А 70Вт В>5000
2SD2493
N-DARL 110В 6А 60Вт 60МГц
2SD2498
Sl-N 1500В 6А50ВТ
2SD2499
Sl-N+D 1500В 6А50ВТ
2SD287
Sl-N 200В10А100ВТ 8МГц
2SD313
Sl-N 60В ЗА 30Вт 8МГц
2SD325
SI-N 35В1,5А10Вт 8МГц
2SD350
Sl-N 1500В5А22ВТ
2SD350A
Sl-N 1500В 5А22ВТ
2SD359
Sl-N 40В 2А 10Вт НЧ
2SD361
Sl-N 60В 1,5А 10Вт70МГц
2SD381
SI-N 13ОВ 1,5А 20Вт 60МГц
2SD382
Sl-N 130В 1,5А20Вт 60МГц
Тип прибора
Описание
2SD386
Sl-N 200В ЗА 25Вт 8МГц
2SD400
Sl-N 25В 1А 0,9Вт
2SD401
Sl-N 200В 2А 20Вт 10МГц
2SD414
Sl-N 120/80В 0,8А 10Вт
2SD415
Sl-N 120/100В 0,8А10Вт
2SD424
Sl-N 160В 15А 150Вт
2SD438
Sl-N 100В 0,7А 0,9Вт 100МГц
2SD467
Sl-N 25В 0,7А 0,5Вт 280МГц
2SD468
Sl-N 25В 1А0,9Вт 280МГц
2SD471
SI-N ЗОВ 1А0,8Вт
2SD476
SI-N70B4A40BT 7МГц
2SD478
Sl-N 200В 2А30ВТ
2SD545
SI-N25B1,5A0,5Bt
2SD549
N-DARL ЗОВ 1,5А 15Вт В>4000
2SD552
Sl-N 220В 15А 150Вт 4МГц
2SD553
Sl-N 70В 7А40Вт 10МГц
2SD555
Sl-N 400В 15А 200Вт 7МГц
2SD556
Sl-N 120В 15А 120Вт 8МГц
2SD560
N-DARL100B5A30BT
2SD571
Sl-N 60В 700мА 1 Вт 110МГц
2SD592
SI-N ЗОВ 1А 0,75Вт 200МГц
2SD596
SI-N ЗОВ 0,7А170МГц
2SD600K
Sl-N 120В 1А8Вт
2SD602A
Sl-N 60В 0,5А0,2Вт200МГц
2SD612
Sl-N 25В 2А 10Вт 100МГц
2SD613
SI-N 100В6А40Вт15МГц
2SD617
N-DARL 120В 8А 100Вт
2SD637
Sl-N 60В 0,1А0,4Вт 150МГц
2SD661
Sl-N 35В 0,1А0,4Вт 200МГц
2SD662
Sl-N 250В 0,1А 0,6Вт 50МГц
2SD666
Sl-N 120В 0,05А 140МГц
2SD667
Sl-N 120В 1А 140МГц
2SD669A
Sl-N 160В 1,5А1Вт140МГц
2SD676
Sl-N 160В 12А 125Вт 8МГц
2SD712
Sl-N 100В4А30ВТ 8МГц
2SD717
Sl-N 70В 10А80Вт О.Змкс
2SD718
SI-N 120В8А80Вт12МГц
2SD725
Sl-N 1500В6А50ВТ
2SD726
SI-N 100В4А40Вт10МГц
2SD731
Sl-N 170В7А80ВТ 7МГц
2SD732
Sl-N 150В 8А80Вт 15МГц
2SD734
Sl-N 25В 0,7А 0,6Вт 250МГц
2SD762
Sl-N 60В ЗА25ВТ 25кГц
2SD763
Sl-N 120В 1А 0,9Вт
2SD768
N-DARL+D 120В6А40ВТ В>1000
Тип прибора
Описание
2SD773
Sl-N 20В 2А1 Вт 110МГц
2SD774
SI-N 100В 1А 1 Вт 95МГц
2SD781
Sl-N 150В 2А 1Вт 0,6мкс
2SD786
Sl-N 40В 0,ЗА 0,25Вт
2SD787
Sl-N 20В 2А 0,9Вт 80МГц
2SD788
Sl-N 20/20В 2А 0,9Вт 100МГц
2SD789
Sl-N 100/50В 1А 0,9Вт 80МГц
2SD794
SI-N70B3A10BT 60МГц
2SD795
Sl-N 40В ЗА 20Вт 95МГц
2SD798
N-DARL 600В 6А 30Вт В>1500
2SD799
N-DARL+D 400В бАЗОВт
2SD800
Sl-N 750В 4А 30Вт 8МГц
2SD809
Sl-N 100В 1А 10Вт 85МГц
2SD819
Sl-N 1500В3.5А50ВТ
2SD820
Sl-N 1500В 5А50ВТ
2SD822
Sl-N 1500/600В 7А 50Вт
2SD826
Sl-N 60В 5А10ВТ 120МГц
2SD829
N-DARL+D 150В 15А 100Вт
2SD837
N-DARL 60В 4А 40Вт
2SD844
Sl-N 50В 7А 60Вт 15МГц
2SD850
Sl-N 1500В ЗА 25Вт
2SD856
Sl-N 60В ЗА 35Вт
2SD863
Sl-N 50В 1А0,9Вт
2SD864K
N-DARL+D 120В ЗА 30Вт
| 2SD867
Sl-N 130В 10А ЮОВтЗМГц
2SD871
SI-N+D 1500B5A50BT
2SD879
SI-N ЗОВ ЗА 0,75Вт 200МГц
2SD880
Sl-N 60В ЗА 30Вт 0,8мкс
2SD882
SI-N ЗОВ ЗА 10Вт
2SD889
Sl-N+D 1500В4А50ВТ
2SD892A
N-DARL 60В 0,5А 0,4Вт В>2000
2SD894
N-DARL ЗОВ 1,5А 10Вт 120МГц
2SD895
Sl-N 100В 6А 60Вт 10МГц
2SD917
SI-N 330В 7А 70Вт
2SD92
Sl-N 100ВЗА20ВТ
2SD921
N-DARL 200В 5А 80Вт В>700
2SD946
N-DARL ЗОВ 1А
2SD947
N-DARL 40В 2А 5Вт 150МГц
2SD951
Sl-N 1500В ЗА 65Вт
2SD958
SI-N 120В0,02А0,4Вт200МГц
2SD965
Sl-N 40В 5А 0,75Вт 150МГц
2SD966
Sl-N 40В 5А1 Вт 150МГц
2SD968A
Sl-N 120В 0,5А 1Вт 120МГц
2SD970
N-DARL+D 120В 8А40Вт В>1000
| 2SD972
N-DARL 50В 4А 30Вт В=3000
Тип прибора
Описание
2SD982
N-DARL 200В 5А 40Вт В=3000
2SD986
N-DARL 150/80В 1,5А 10Вт
2SD998
N-DARL 100В 1,5А 10Вт В=7000
2SJ103
P-FET 50В 2,6мА Up<2B
2SJ109
P-FET DUAL ЗОВ
2SJ113
P-FET 100В 10А 100Вт
2SJ117
P-FET 400В 2А 40Вт 35нс
2SJ162
P-FET 160В 7А 100Вт
2SJ174
P-FET 60В 20А 75Вт 235нс
2SJ175
P-FET 60В 10А25ВТ
2SJ177
P-FET 60В 20А 75Вт
2SJ182
P-FET 60В ЗА 20Вт
2SJ200
P-FET 180В 10А 120Вт
2SJ201
P-FET 200В12А150ВТ
2SJ306
P-FET 250В ЗА 25Вт
2SJ307
P-FET 250В 6А 2Вт
2SJ353
P-FET 60В 1,5А 1Вт
2SJ449
P-FET 250В 6А 35Вт
2SJ72
P-FET 25В ЗОМА 0,6Вт Up<2B
2SJ74
P-FET 25B1mAUp<2B
2SJ77
P-FET 160В 0,5А30Вт
2SJ79
P-FET 200В 0,5А 30Вт
2SK1010
N-FET 500В 6А 80Вт
2SK1036
N-FET 250В 1А2Вт80нс
2SK1057
N-FET 140В 7А 100Вт
2SK1058
N-FET 160В 7А 100Вт
2SK107
N-FET 9В 20мА 250мВт
2SK108
N-FET 50В 20мА 0,3Вт
2SK1081
N-FET 800В 7А 125Вт 380нс
2SK1082
N-FET 900В 6А 125Вт
2SK1101
N-FET450B 10А50ВТ
2SK1102
N-FET 500В 10А 50Вт 240нс
2SK1113
N-FET 120В ЗА20ВТ
2SK1117
N-FET 600В 6А 100Вт
2SK1118
N-FET 600В 6А45ВТ
2SK1119
N-FET 100В 4А 100Вт
2SK1120
N-FET 1000В 8А 150Вт
2SK117
N-FET 50В 5мА
2SK1170
N-FET 500В20А120ВТ
2SK118
N-FET 50В 0,ЗмА0,1Вт
2SK1181
N-FET 500В 13А 85Вт
2SK1190
N-FET 60В 22А35ВТ
2SK1191
N-FET60B 30А40ВТ
2SK1198
N-FET700B 2А35ВТ
2SK1213
N-FET 600В 6А 125Вт 40/85HC
Тип прибора
Описание
2SK1217
N-FET 900В 8А 100Вт
2SK1221
N-FET 250В 10А80ВТ
2SK125
N-FET 25В0,1А0,ЗВт
2SK1257
N-FET 60В 40А 45Вт
2SK1271
N-FET 1400В 5А 240Вт
2SK1275
N-FET900B2A30BT
2SK1296
N-FET 60В ЗОА
2SK1299
N-FET100B3A20BT
2SK1317
N-FET 1500В 2,5А 100Вт
2SK1338
N-FET 900В 2А 50Вт
2SK1341
N-FET 900В 6А 100Вт
2SK1342
N-FET 900В 8А 100Вт
2SK1345
N-FET 60В 20А 40Вт
2SK1350
N-FET200B 15А45ВТ
2SK1351
N-FET 500В 5А40ВТ
2SK1356
N-FET 900В ЗА40ВТ
2SK1357
N-FET 900В 5А 125Вт
2SK1358
N-FET900B9A150BT
2SK1363
N-FET 900В 8А 90Вт
2SK1377
N-FET 500В5,5А40Вт
2SK1378
N-FET400B 10А 125Вт
2SK1379
N-FET 60В 50А 150Вт
2SK1388
N-FET30B 35А 60Вт
2SK1400
N-FET 300В 7А 50Вт
2SK1404
N-FET 600В 5А 35Вт
2SK1419
N-FET60B 15А25ВТ
2SK1420
N-FET60B25A 30Вт
2SK1444
N-FET 450В ЗА 25Вт
2SK1447
N-FET 450В9А40ВТ
2SK1460
N-FET 900ВЗ,5А40Вт
2SK1461
N-FET 900В 5А 120Вт
2SK1462
N-FET 900В8А150ВТ
2SK1502
N-FET 900В 7А 120Вт
2SK1507
N-FET 600В 9А 50Вт 240нс
2SK152
N-FET 15В 9,5мА Up<2B
2SK1529
N-FET 180В 10А 120Вт
2SK1530
N-FET 200В 12А 150Вт
2SK1531
N-FET 500В15А150ВТ
2SK1537
N-FET 900В 5А 100Вт 290нс
2SK1544
N-FET 500В 25А 200Вт
2SK161
N-FET 18В 0,01А 0,2Вт
2SK1612
N-FET 900В ЗА 50Вт 40/140нс
2SK163
N-FET 50В 0,03А 0,4Вт
2SK1637
N-FET 600В 4А 35Вт
2SK1643
N-FET 900В 5А 125Вт
Тип прибора
Описание
2SK1653
N-FET 60В 45А 45Вт
2SK168
N-FET ЗОВ 20мА 0,2Вт
2SK170
N-FET 40В 20мА 0,4Вт
2SK1723
N-FET 600В 12А 150Вт
2SK1833
N-FET 500В2,5А40Вт
2SK184
N-FET 50В 0,6мА Up<1,5B
2SK1917M
N-FET 250В 10А50ВТ
2SK192
N-FET 18В ldss>3MA Up<3B
2SK1924
N-FET 600B6A 1,75Вт
2SK193
N-FET-DG 15В СВЧ
2SK1940
N-FET 600В 12A 125Вт
2SK1941
N-FET 600В 16A 100Вт
2SK1943
N-FET 900В 5A 80Вт
2SK1953
N-FET 600B2A25BT
2SK2038
N-FET 800B5A 125Вт
2SK2039
N-FET 900B5A 150Вт
2SK2043
N-FET 600В 2A 2Вт
2SK2056
N-FET 800B4A 40Вт
2SK2078
N-FET 800B9A 150Вт
2SK2083
N-FET 900В 5A 70Вт
2SK212
N-FET 20В0,6мА0,2Вт
2SK2134
N-FET 200В 13A70BT
2SK2136
N-FET 200B20A75BT
2SK214
N-FET 160B 0,5A30Bt
2SK2141
N-FET 600В 6A 35Вт
2SK216
N-FET 200В 0,5A 30Вт
2SK2161
N-FET 200В 9A 25Вт
2SK223
N-FET SOB 1,2mA0,4Bt
2SK2333
N-FET 700В 6A 50Вт
2SK2352
N-FET 600B6A45BT
2SK240
N-FET 40B 2,6mA Up<1,5B
2SK241
N-FET 20B FM/УКВ
2SK246
N-FET SOB 1,2mAUp<6B
2SK2485
N-FET 900B6A 100Вт
2SK2545
N-FET 600В 6A40BT
2SK2561
N-FET 600В 9A 80Вт
2SK2605
N-FET 800В 5A45BT
2SK2632LS
N-FET 800В 2,5A 30Вт
2SK301
N-FET 55В20мА 0,25Вт
2SK303
N-FET 30B 0,6mA Up<4B
2SK304
N-FET 30B 0,6mA Up<4B
2SK30ATM
N-FET SOB 6,5mA
2SK315
N-FET 20В2,5мА 0,2Bt
2SK320
N-FET 450B SASOBt
2SK33
N-FET 20В20мА 0,15Вт
Тип прибора
Описание
2SK330
N-FET 50В14МА0,2Вт
2SK332
N-FET 40В 12MAUp=0,5B
2SK357
N-FET 150В 5А40ВТ
2SK359
N-FET 20В ЗОмА 0,4Вт
2SK363
N-FET 40В 5мА Up<1,2B
2SK364
N-FET 40В 2,6мА Up<1,5B
2SK367
N-FET 100В 0,6мА
2SK369
N-FET 40В 5мА Up<1,2B
2SK373
N-FET 100В 0,6мА
2SK374
N-FET 55В 1мА Up<5B
2SK381
N-FET 50В О.ЗмА 0,3Вт
2SK386
N-FET 450В 10А 120Вт
2SK389
2xN-FET 50В
2SK40
N-FET 50В 6,5мА
2SK400
N-FET 200В 8А 100Вт
2SK404
N-FET 20В 1,2мА0,2Вт
2SK415
N-FET 800В ЗА 100Вт
2SK423
N-FET100B0,5A0,9Bt25hc
2SK427
N-FET 15В 2,5mA Up<1,5B
2SK430
N-FET 150В ЗА 20Вт
2SK439
N-FET 20В ЗОмА 0,3Вт
2SK511
N-FET 250В 0,ЗА 8Вт
2SK513
N-FET 800В ЗА 60Вт 50/120нс
2SK526
N-FET 250В 10А40ВТ
2SK537
N-FET900B 1А60Вт
2SK538
N-FET 900В ЗА 100Вт
2SK544
N-FET 20В ЗОмА 0,3Вт
2SK55
N-FET 18В 14мАСВЧ
2SK553
N-FET 500В 5А 50Вт
2SK555
N-FET 500В 7А 60Вт
2SK557
N-FET 500В 12А 100Вт
2SK559
N-FET 450В 15А 100Вт
2SK583
N-FET 50В 0,2А 0,6Вт
2SK606
N-FET ЗОВ 20мА Up<3B
2SK611
N-FET 100В 1А 10Вт
2SK612
N-FET 100В2А20ВТ
2SK68
N-FET 50В 0,5мА Up<1,5B
2SK685
N-FET 1000В 5А 100Вт
2SK701
N-FET 60В2А15ВТ
2SK703
N-FET100B5A35BT
2SK719
N-FET 900В 5А 120Вт
2SK725
N-FET500B 15А 125Вт
2SK727
N-FET 900В 5А 125Вт
2SK73
N-FET 200В0,1А5Вт
2SK735
N-FET 450В 10А100ВТ
Тип прибора
Описание
2SK754
N-FET 160В 10А50ВТ
2SK758
N-FET 250В5А40ВТ
2SK769
N-FET 500В 10А 100Вт
2SK786
N-FET 20ВЗА50ВТ
2SKV87
N-FET 900В 8А 120Вт
2SK790
N-FET 500В 15A150BT
2SK791
N-FET 850В ЗА 100Вт
2SK792
N-FET 900В ЗА 100Вт
2SK793
N-FET 850В 5А 150Вт
2SK794
N-FET 900В 5А 150Вт
2SK796
N-FET800B3A90BT
2SK806
N-FET 600В ЗА 50Вт
2SK817
N-FET 60В 26А 35Вт
2SK83
N-FET 25В ЮМА 0,1Вт Up<2B
2SK851
N-FET 200В ЗОА 150Вт
2SK856
N-FET 60В 45А 125Вт
2SK872
N-FET 900В6А150ВТ
2SK875
N-FET450B 12А 120Вт
2SK890
N-FET 200В 10А75ВТ
2SK891
N-FET 100В 18А 125Вт
2SK899
N-FET 500В 18А125ВТ
2SK902
N-FET 250В ЗОА 150Вт
2SK903
N-FET 800В ЗА 40ВТ4Е
2SK904
N-FET 800В ЗА 80Вт
2SK940
N-FET 60В0,8А0,9Вт
2SK943
N-FET 60В25А40ВТ
2SK951
N-FET 800В 2,5А 40Вт
2SK952
N-FET 800В 0,5мА
2SK955
N-FET 800В 5А 125Вт
2SK956
N-FET 800В 9А 150Вт
2SK962
N-FET 900В 0,5мА Up>2,5B
3SK131
N-FET-DG 20В 25мА 0,2Вт
3SK60
N-FET-DG 15В ЗЗмА
3SK73
N-FET-DG 20В ЗмА
3SK74
N-FET-DG 20В 25мА 0,2Вт
АС121
GE-Р 20В 0,ЗА 0,9Вт
АС122
GE-Р ЗОВ 0,2А 0,225Вт
АС125
GE-Р 32В 0,2А
АС126
GE-Р 32В 0,2А0,5Вт
АС127
GE-N 32В 0,5А
АС128
GE-Р 32В 1А 1Вт
АС128/176К
GE N/P сборка
АС128К
GE-Р 32В 1А 1Вт
АС131
GE-P30B 1А0.75ВТ
АС132
GE-Р 32В 0,2А 0,5Вт
Тип прибора
Описание
АС138
GE-Р 32В 1,2А 0,22Вт 1,5МГц
АС141К
GE-N 32В 1,2А 1Вт
АС151
GE-Р 32В0,2А0,9Вт
АС153
GE-P 32В2А1ВТ
АС153К
GE-Р 32В 2А 1Вт
АС176К
GE-N 32В 1А 1Вт
АС180
GE-P 32В 1,5А 0,3Вт 1МГц
АС187
GE-N 25В1А1ВТ
АС187/188К
GE N/P сборка
АС187К
GE-N 25В 1А 1Вт
АС188
GE-P 25В 1А 1Вт
АС188К
GE-P 25В 1А 1Вт
AD133
GE-P 50В ЮАЗбВт
AD136
GE-P40B 10А 11 Вт
AD139
GE-P32B3,5A13Bt
AD148
GE-P 32В 3,5А 13,5Вт
AD149
GE-P 50В 3,5А27Вт
AD161
GE-N 32В 1А6Вт
AD161/162
GE N/P 32В 1А 6Вт сборка
AD162
GE-P 32В 1А6Вт
AD165
GE-N 25В 1АбВт
AD166
GE-P 60В 5А 27,5Вт
AF106
GE-P 25В ЮмА220МГцСВЧ
AF109R
GE-P 20В ЮмА 260МГц СВЧ
AF118
GE-P 70В ЗОмА 375мВт 125МГц
AF121
GE-P 25В ЮмА 270МГц
AF125
GE-P 32В ЮмА 75МГц
AF127
GE-P 32В ЮмА75МГц
AF139
GE-P20B ЮмА 550МГц
AF200
GE-P25B ЮмА0,145Вт
AF201
GE-P25B ЮмА0,145Вт
AF239S
GE-P 15В ЮмА 700МГц
AF279
GE-P 15В ЮмА 60мВт 780МГц
AF279S
GE-P20B ЮмА 0,6Вт
AF280
GE-P 550МГц смесит, СВЧ
AF306
GE-P 25В 15мА 60мВт 500МГц
AF367
GE-P 153В ЮмА 800МГц
AF379
GE-P 1250МГц
AL102
GE-P130B6A30BT
AL112
GE-РЮОВбАЮВт
ASY27
GE-P 25В 0,2А0,15Вт
ASY77
GE-P 60В 1А 0,26Вт 500кГц
ASZ15
GE-P 100В 8А30ВТ
ASZ18
GE-P Ю0В 8А30Вт
ВСЮ7В
Sl-N 50В 0,2А 0,3Вт 250МГц
Тип прибора
Описание
ВСЮ7С
Sl-N 50В 0,2А 0,3Вт 250МГц
ВСЮ9В
SI-N ЗОВ 0,2А 0,3Вт 300МГц
ВСЮ9С
SI-N ЗОВ 0,2А 0,3Вт 150МГц
ВС117
Sl-N 120В 50мА 0,3Вт >60МГц
ВС119
Sl-N 60В 1А0,8ВтЮМГц
ВС135
Sl-N 45В 0,2Вт >200МГц
ВС136
Sl-N 60В 0,5А 0,3Вт >60МГц
ВС139
Sl-Р 40В0,5А0,7Вт
ВС141-Ю
SI-N Ю0В 1А 0,75Вт 50МГц
ВС141-16
SI-N 100В 1А 0,75Вт 50МГц
ВС142
Sl-N 80В 1А0,8Вт
ВС143
Sl-Р 60В 1А 0,7Вт
ВС146
Sl-N 20В 50мА 50мВт ЮОМГц
ВС161-16
Sl-Р 60В 1А 0,75Вт 50МГц
ВС177А
Sl-Р 50В 0,1 А 0,3Вт 130МГц
ВС177В
Sl-Р 50В 0,1 А 0,3Вт 130МГц
ВС177С
Sl-Р 50В 0,1А 0,3Вт 130МГц
ВС190
Sl-N 70В 0,1А 0,3Вт 250МГц
ВС285
Sl-N 120В 0,1 А 0,36Вт 80МГц
ВСЗОО
Sl-N 120В 0,5А6Вт 120МГц
ВСЗОЗ
Sl-Р 85В 1А 6Вт 75МГц
ВС313
Sl-Р 60В 1А4Вт50МГц
ВС323
SI-N 100В 5А0,8Вт ЮОМГц
ВС327-16
Sl-Р 50В 0,8А 625мВт ЮОМГц
ВС327-25
Sl-Р 50В 0,8А 625мВт ЮОМГц
ВС327-40
Sl-Р 50В 0,8А 625мВт ЮОМГц
ВС336
Sl-Р 25В 50мА 0,31 Вт 50МГц
ВС337-16
Sl-N 50В 0,8А 625мВт 150МГц
ВС337-25
Sl-N 50В 0,8А625мВт ЮОМГц
ВС337-40
Sl-N 50В 0,8А 0,625Вт 150МГц
ВС368
Sl-N 20В 1А0,8Вт ЮОМГц
ВС369
Sl-Р 20В1А0,8Вт
ВС376
Sl-Р 25В 1А 0,625Вт ЮОМГц
ВС393
Sl-Р 180В ЮмА40мВт
ВС441
SI-N75B2A1BT
ВС448
Sl-Р 80В 0,ЗА 0,625Вт >100
ВС449
SI-N 100В 0,ЗАО,625Вт
ВС450
Sl-Р 100В 0,ЗА 0,625Вт
ВС451
Sl-N 50В 0,1А 0,3Вт > ЮОМГц
ВС461
SI-P75B2A1BT
ВС485
Sl-N 45В 1А 0,625Вт 200МГц
ВС487В
Sl-N 60В 1А 0,625Вт 200МГц
ВС488
Sl-Р 60В 0,1 А 625мВт >135МГц
ВС489
Sl-N 80В 1А 0,625Вт 200МГц
ВС490
Sl-Р 80В 1А 0,625Вт 200МГц
I Тип прибора
Описание
ВС516
P-DARL 40В 0,4А 0,6258т
8С517
N-DARL 40В 0,4А 0,6258т
ВС538
Sl-N 80В 1А 0,625Вт 100МГц
ВС546А
Sl-N 80В0,2А0,5Вт
ВС546В
SI-N 80В 0,2А0,5Вт
ВС546С
SI-N 80В0,1А0,5Вт
ВС547А
S1-N 50В 0,2А 0,5Вт
ВС547В
Sl-N 50В 0,2А 0,58т 300МГц
ВС547С
Sl-N 50В 0,2А 0,58т 300МГц
ВС550В
Sl-N 50В 0,2А 0,5Вт
ВС550С
Sl-N 50В 0,2А0,5Вт
ВС556А
Sl-Р 60В0,2А0,5Вт
ВС556В
SI-P80B 0,2А0,5Вт
ВС557А
Sl-Р 50В0,2А0,5Вт
ВС557В
Sl-Р 50В 0,2А 0,58т
ВС557С
Sl-Р 50В 0,2А 0,58т
ВС560В
Sl-Р 50В 0,2А 0,5Вт
ВС560С
Sl-Р 50В0,2А0,5Вт
ВС618
N-DARL 80В 1А 0,6258т 8>100
ВС639
Sl-N 80В1А0,8Вт100МГц
ВС640
Sl-Р 80В 1А 0,88т 130МГц
ВС807-25
Sl-Р 50В0,5А0,258т5В
ВС807-40
Sl-Р 45В 0,5А 0,3Вт 100МГц
ВС817-16
SJ-N 50В 0,5А 0,25Вт
ВС817-25
SI-N 50В0,5А0,25Вт
ВС817-40
SI-N 50В0,5А0,25Вт
ВС828
Sl-Р 50В 0,8А 0,8Вт 100МГц
ВС846В
SI-N 80В0,1А0,25Вт
ВС847А
Sl-N 50В 0,1А 0,2Вт
ВС847В
SI-N 50В0,1А0,25Вт
BC847BR
Sl-N 50В 0,1А0,25Вт
ВС847С
SJ-N 50В0,1А0,25Вт
ВС849С
SI-N 30В0,1А0,25Вт
ВС850С
SI-N 45В0,1А0,25Вт
ВС856А
Sl-Р 65В 0,1А 150МГц
ВС856В
Sl-Р 65В0,1А150МГц
ВС857А
Sl-Р 50В0,1А150МГц
ВС857В
Sl-Р 45В0,1А0,2Вт
BC857BR
Sl-Р 45В 0,1А 0,2Вт
ВС857С
SI-P 45В 0,1А 0,25Вт
ВС859В
Sl-Р ЗОВ 0,1А0,25Вт
ВС860В
SI-P50B0.1A
ВС860С
Sl-Р 50В 0,1 А
ВС868
Sl-N 25В 1А 60МГц
ВС869
SI-P25B 1А1Вт 60МГЦ
| Тип прибора
Описание
ВС879
N-DARL100B 1А0,8Вт
ВС880
P-DARL100B 1А0,8Вт
ВСР68
Sl-N 20В 1А 1,5Вт 60МГц
BCV27
N-DARL 40В 0,5А 0,25Вт 8>100
ВСХ17
Sl-Р 50В 0,5А 100МГц
BCX17R
Sl-Р 50В 0,5А 100МГц
ВСХ19
Sl-N 50В 0,5А 300мВт 200МГц
ВСХ38В
N-DARL 80В 0,8А 18т В>4000
ВСХ53
Sl-Р 100В 1А 50МГц
ВСХ56
SI-N 1008 1А 130МГц
BCY59
Sl-N 45В 0,2А 1 Вт 250МГц
BCY71
SI-P45B0,2A 0,358т
BCY72
Sl-Р ЗОВ 0,2А 0,358т
BCY79
SI-P45B0,2A 18т 180МГц
BCY85
Sl-N 100В 0,2А 0,3Вт
BD109
Sl-N 60В ЗА 158т
BD115
Sl-N 245В 0,15А0,8Вт
BD129
Sl-N 400В 0,5А 17,5Вт
BD131
Sl-N 70ВЗА15ВТ >60МГц
BD132
SI-P 45В ЗА 158т >60МГц
BD139
Sl-N 80В 1,5А 12,5Вт 50МГц
BD139-16
Sl-N 80В 1,5А 12,5Вт 50МГц
BD140
Sl-Р 80В 1,5А 12,5Вт 50МГц
BD140-16
Sl-Р 80В 1,5А 12,58т 50МГц
BD141
Sl-N 140В 8А 117Вт
BD142
Sl-N 50В 15А 117Вт
BD159
Sl-N 375В 0,5А 20Вт
BD160
Sl-N 250В 5А 25Вт
BD179
Sl-N 80В ЗА 30Вт
BD180
Sl-Р 80В ЗА 30Вт >2МГц
BD183
Sl-N 85В 15А 117Вт
BD201
Sl-N 60В 8А 55Вт
BD201F
Sl-N 60В 8А 32Вт
BD204F
Sl-Р 60/60В 8А 60Вт >7МГц
BD230
Sl-N 100В 1,5А 12,5Вт
BD231
Sl-Р 100В 1,5А 12,5Вт
BD232
Sl-N 300В 0,25А7Вт
BD237
SI-N 100В2А25ВтЗМГц
BD238
Sl-Р 1008 2А 25Вт 3МГц
BD239C
Sl-N 100В2А30ВТ 3МГц
BD240
SI-P 458 2А 30Вт
BD240C
SI-P 1008 2А ЗОВтЗМГц
BD241C
SI-N 1008 ЗА 408т 3МГц
BD241D
SI-N 120ВЗА40ВтЗМГц
BD242C
SI-P 1008 ЗА 40Вт 3МГц
Тип прибора
Описание
BD243C
Sl-N 1008 6А 65Вт 3МГц
BD243F
Sl-N 200В 6А 65Вт 3МГц
BD244C
Sl-P 1008 6А 65Вт 3МГц
BD244F
Sl-P 200В 6А 65Вт 3МГц
BD250C
Sl-P 100В 25А 125Вт 3МГц
BD277
Sl-P 458 7А 70Вт >10МГц
BD302
Sl-P 60В8А55ВТ >ЗМГц
BD303
Sl-N 60В 8А 55Вт >ЗМГц
BD314
Sl-P 80В 10А 150Вт
BD317
Sl-N 100В 16А 200Вт 1МГц
BD318
Sl-P 100В 16А 200Вт
BD329
Sl-N 32В ЗА 158т 130МГц
BD330
Sl-P 32B3A15BT
BD335
N-DARL 100В 6А 60Вт
BD336
P-DARL 100В 6А 60Вт
BD337
N-DARL+D 120В 6А 60Вт >10МГц
BD362
Sl-P 32B3A15BT
BD371B
Sl-N 60В 1,5А2,5Вт
BD385
Sl-N 60В 1А 108т>250МГц
BD387
Sl-N 80В 1А 10Вт >250МГц
BD410
Sl-N 500В 1А 20Вт
BD411
N-DARL 50В 2А 10Вт В>25000
BD441
Sl-N 80В 4А 36Вт 3МГц
BD442
Sl-P SOB 4А 36Вт 3МГц
BD515
Sl-N 45В 2А10ВТ 160МГц
BD537
Sl-N SOB 8А 50Вт
BD538
Sl-P SOB 4А 50Вт >ЗМГц
BD539
Sl-N 40В5А45ВТ
BD543C
SI-N 100В8А70ВтЗМГц
BD545
SI-N 408 15А 85Вт 3МГц
BD637
Sl-N 100В 2А ЗОВт >ЗМГц
BD638
Sl-P 1008 2А ЗОВт >ЗМГц
BD648
P-DARL 80В 8А 62,5Вт
BD651
N-DARL 120В 8А 62,5Вт
BD652
P-DARL 120В 8А62,5Вт
BD679A
N-DARL+D 80В 4А 40Вт
BD680A
P-DARL+D 80В 4А 40Вт
BD681
N-DARL+D 100В 4А 40Вт В>75
BD682
P-DARL+D 100В 4А40ВТ
BD683
N-DARL 120В4А40Вт
BD684
P-DARL 120В4А40ВТ
BD711
Sl-N 100В12А75Вт
BD712
Sl-P 100В 12А75ВТ
BD722
Sl-P SOB 4А 36Вт >ЗМГц
BD743C
Sl-N 110В 15А90Вт>5МГц
Тип прибора
Описание
BD744C
Sl-P 110В 15А90Вт5МГц
BD750
Sl-P 100В 20А 200Вт
BD751
Sl-N 100В20А200ВТ
BD791
Sl-N 100В 4А15ВТ
BD792
Sl-P 100В 4А 15Вт
BD801
Sl-N 100В8А65ВТ >ЗМГц
BD829
Sl-N 100В 1А8Вт
BD830
Sl-P 100В 1А8ВТ 75МГц
BD839
Sl-N 45В 1,5А10Вт 125МГц
BD843
Sl-N 100В 1,5А 10Вт>150МГц
BD877
N-DARL 80В 1А 9Вт 200МГц
BD879
N-DARL 100В 1А 9Вт 200МГц
BD880
P-DARL 100В 1А 200МГц
BD901
N-DARL+D 100В 8А70Вт
BD902
P-DARL100B 8А 70Вт
BD911
Sl-N 100В 15А90ВТ
BD912
Sl-P 100В 15А 90Вт
BD939F
Sl-N 120ВЗА19ВТ 3МГц
BD941
Sl-N 140В ЗА ЗОВт 3МГц
BD942
Sl-P 140В ЗА ЗОВт 3МГц
BD943
Sl-N 22В 5А 40Вт 3МГц
BD948
Sl-P 45В 5А 40Вт 3МГц
BD951
Sl-N 80В 5А40Вт>ЗМГц
BD956
Sl-P 120В5А40ВтЗМГц
BDT61
N-DARL+D 60В 4А 50Вт >10МГц
BDT61C
N-DARL+D 1208 4А 50Вт>10МГц
BDT61F
N-DARL+D 60В 4А
BDT62C
P-DARL 1208 10А 90Вт В>1000
BDT63C
N-DARL 120В 10А 90Вт 8>1000
BDT64C
P-DARL 1208 12А 125Вт В>1000
BDT65C
N-DARL 1208 12А 125Вт В>1000
BDT85A
SI-N 1008 15А 125Вт 20МГц
BDT86A
SI-P 1008 15А 125Вт 20МГц
BDT87
Sl-N 120В 15А 125Вт 10МГц
BDT88
Sl-P 120В 12А 117Вт
BDT95A
SI-N 1008 10А90Вт4МГц
BDT96A
SI-P 1008 10А90Вт4МГц
BDV64C
P-DARL+D 1208 20А 125Вт
BDV65B
N-DARL+D 100В 20А 125Вт
BDV65C
N-DARL+D 1208 20А 125Вт
BDV66C
P-DARL+D 1208 16А 200Вт 7МГц
BDV66D
P-DARL+D 160В 16А 200Вт
BDW22C
SI-P 1008 10А 90Вт >ЗМГц
BDW23C
N-DARL+D 100B6A50W
BDW42
N-DARL 1008 15А 85Вт В>1000
Тип прибора
Описание
BDW46
P-DARL 80В 15А 85Вт В>1000
BDW47
P-DARL 100В 15А 85Вт В>1000
BDW51C
SI-N 1008 15А 125Вт >ЗМГц
BDW83C
N-DARL 100В 15А 150Вт
BDW83D
N-DARL+D 120В 15А 150Вт
BDW84C
P-DARL 100В 15А 150Вт
BDW84D
P-DARL+D 120В 15А 150Вт В>100
BDW93CF
N-DARL 100В 12А40ВТ
BDW94C
P-DARL 100В 12А 80Вт
BDX11
SI-N 160В 10А 117Вт>0,8МГц
BDX16A
SI-P 1408 ЗА 25Вт 800кГц
BDX20
SI-P 1608 10А 117Вт >4МГц
BDX32
Sl-N 1700В 4А40Вт
BDX33C
N-DARL 1008 10А70ВТ
BDX34C
P-DARL 1008 10А 70Вт
BDX37
Sl-N 80В5А15Вт350нс
BDX44
N-DARL+D 90В 1А 5Вт 1,5мкс
BDX47
P-DARL 90В 1А 5Вт
BDX50
SI-N 1608 16А 150Вт >800кГц
BDX53C
N-DARL 100В 6А 60Вт В=500
BDX53F
N-DARL 160В 6А 60Вт В=500
BDX54C
P-DARL 100В 6А 60Вт В=500
BDX54F
P-DARL 160В 6А 60Вт В=500
BDX62C
P-DARL 120В 8А90ВТ
BDX63C
N-DARL 140В 8А 90Вт
BDX64C
P-DARL 120В 12А 117Вт В>1000
BDX65C
N-DARL 120В 12А 1178т
BDX66C
P-DARL 1208 16А 150Вт
BDX66C
P-DARL 120В 16А150ВТ
BDX67C
N-DARL 120В 16А 150Вт
BDX71
Sl-N 70В 10А 75Вт >0,8МГц
BDX75
Sl-N 45В 16А 75Вт >0,8МГц
BDX77
SI-N 1008 8А 60Вт>7МГц
BDX87C
N-DARL 100В 12А 120Вт
BDX88C
P-DARL 100В 12А 120Вт
BDX94
SI-P 806 8А90Вт>4МГц
BDX95
SI-N 1008 8А 90Вт>4МГц
BDX96
SI-P 1008 8А 90Вт>4МГц
BDY20
SI-N 1008 15А 117Вт 1МГц
BDY29
Sl-N 100В ЗОА 220Вт
BDY56
SI-N 1808 15А 115Вт >10МГц
BDY58
SI-N 1608 25А 175Вт
BDY73
SI-N 1008 15А 115Вт >8кГц
BDY83B
SI-P 508 4А 36Вт 3МГц
BDY90
Sl-N 120В 10А 60Вт 0,35мкс
Тип прибора
Описание
BF115
Sl-N 50В ЗОмА 0,15Вт
BF120
Sl-N 220В 50мА 0,3Вт
BF125
Sl-N AM/FM 450МГц
BF152
SI-N ЗОВ 0,2Вт 800МГц
BF155
SI-N40B 20мА 600МГц
BF161
SI-N 50В 20мА 550МГц
BF163
Sl-N 40В 20мВт 600МГц
BF164
Sl-N 40В 0,2Вт 600МГц
BF166
Sl-N 40В 20МА 0,175Вт 500МГц
BF173
Sl-N 40В 25мА 0,23Вт 600МГц
BF180
SI-N ЗОВ 20мА 675МГц 0,15Вт
BF182
Sl-N 25В20мА650МГц
BF184
Sl-N 20В ЗОмА 260МГц
BF186
Sl-N 190В 0,06А 0,8Вт 120МГц
BF189
SI-N ЗОВ 25мА 270МГц
BF195
SI-N ЗОВ ЗОмА 200МГц 0,22Вт
BF199
Sl-N 40В 25мА 0,3Вт 550МГц
BF200
SI-N 30В20мА0,15Вт500МГц
BF224
Sl-N 45В 50мА 0,25Вт 450МГц
BF240
Sl-N 40В 25мА 0,25Вт 400МГц
BF244A
N-FET ЗОВ 25мА 0,3Вт
BF244C
N-FET ЗОВ 25мА0,ЗВт
BF245A
N-FET ЗОВ 25мА 0,3Вт
BF245B
N-FET ЗОВ 25мА 0,3Вт
BF245C
N-FET ЗОВ 0,1А 0,3Вт 170МГц
BF246C
N-FET 25В 25мА0,25Вт
BF247B
N-FET 25В 25мА 0,25Вт
BF247C
N-FET 25В 25мА0,25Вт
BF253
SI-N ЗОВ ЗОмА 150МГц
BF254
SI-N ЗОВ ЗОмА 260МГц 0,22Вт
BF255
Sl-N 20В ЗОмА 200МГц 0,22Вт
BF256A
N-FET ЗОВ 7мА Vgs<7,5
BF256B
N-FET ЗОВ 13мА
BF256C
N-FET ЗОВ ЮмА 0,25Вт
BF259
Sl-N 300В 0,1А 0,8Вт 90МГц
BF259S
Sl-N 300В 0,1А 0,8Вт 90МГц
8F271
Sl-N 40В ЗОмА 240мВт 1ГГц
BF299
Sl-N 300В 0,1А 0,625Вт
BF316
SI-P 550.,660МГц
BF324
SI-P ЗОВ 25мА 450МГц 0,25Вт
BF339
SI-P 500МГц
BF343
SI-P 35В 35мА >80МГц 0,25Вт
BF357
SI-N 30В0,05А1,6ГГц
BF362
SI-N 800МГц
BF370
Sl-N 40В 0,1А 0,5Вт >500МГц
Тип прибора
Описание
BF377
SI-N 15В25мА1,ЗГГц
BF393
Sl-N 300В 0,5А 0,65Вт
BF410B
N-FET 20В0,7мА
BF410C
N-FET 20В 12мА усилит,
BF411
Sl-N 110В 0,05А0,ЗВт
BF417
Sl-N 300В 0,2А 6Вт 50МГц
BF418
Sl-P 300В 0,2А 6Вт 50МГц
BF419
Sl-N 300В 0,1А 6Вт
BF420
Sl-N 300В 0,1А0,83Вт
BF421
Sl-Р 300В0,1А0,83Вт
BF424
Sl-Р ЗОВ 25мА300МГц
BF435
Sl-P 160В 0.2А 0,625Вт 80МГц
BF440
Sl-Р 40В 25мА 250МГц
BF441B
Sl-P 40В 25мА 250МГц
BF450
Sl-P 40В 25мА 375МГц 0,25Вт
BF455
AM/FM 400МГц
BF459
Sl-N 300В 0,1А 10Вт 90МГц
BF462
Sl-N 350В 0,5А 10Вт45МГц
BF471
SI-N 300В0,1А2Вт 60МГц
BF472
Sl-P 300В ЗОмА 2Вт 60МГц
BF479
Sl-P ЗОВ 50мА 0,16Вт 1,4ГГц
BF487
Sl-N 400В 0,05А 0,83Вт
BF493
Sl-P 300В 0,5А0,625Вт
BF494
Sl-N 20В ЗОмА 260МГц
BF495C
SI-N ЗОВ ЗОмА 200МГц 0,3Вт
BF496
SI-N ЗОВ 20мА 0,3Вт 550МГц
BF506
Sl-P 40В ЗОмА 0,3Вт 550МГц
BF507
SI-N ЗОВ 20мА 0,5Вт >750МГц
BF509
Sl-P 40В ЗОмА 0,3Вт 750МГц
BF516
Sl-P 35В 20мА 850МГц
BF569
Sl-P 40В ЗОмА 280мВт 850МГц
BF585
Sl-N 350В 0.05А 5Вт 70МГц
BF587
Sl-N 400В 0,05А 5Вт >70МГц
BF622
SI-N 250В0,1А2Вт
BF679
Sl-P 40В ЗОмА 0,16Вт 880МГц
BF680
Sl-P 40В ЗОмА 0,16Вт 750МГц
BF689
Sl-N 15В 25мА0,2Вт1ГГц
BF689K
Sl-N 25В 25мА 0,36Вт 0,2ГГц
BF758
Sl-N 300В 0,5А 2Вт
BF759
Sl-N 350В 0,5А 10Вт
BF763
Sl-N 15В 25мА 0,36Вт 1.8ГГЦ
BF770A
SI-N 15В0,05А5,5ГГц
BF791
Sl-P 300В 0,1А5Вт
BF799
SI-N ЗОВ 35мА 280мВт 800МГц
BF819
SI-N 250В0,1А1,2Вт
Тип прибора
Описание
BF820
Sl-N 300В 25мА >60МГц
BF821
Sl-P 300В25мА0,31Вт
BF840
Sl-N 40В 25мА 0,28Вт 380МГц
BF844
Sl-N 450В 0,ЗА 625мВт >50МГц
BF859
Sl-N 300В 0,1А2,5Вт
BF871
SI-N 300В0,1А1,8Вт
BF872
SI-P 3006 0,1 А 1,6Вт 60МГц
BF881
SI-N 400В 0,03А >60МГц
BF883S
Sl-N 275В 0,05А 7Вт >60МГц
BF891
Sl-P 400В ЗОмА <60МГц
BF910
N-FET-DG 20В 50мА 0,33Вт
BF926
Sl-P 20В 25мА 350МГц 17дБ
BF939
Sl-P ЗОВ 220мА 750МГц
BF959
SI-N 20В0,1А1,1ГГц
BF960
N-FET-D 20В 25мА 0,8ГГц 1
BF961
N-FET-D 20В ЗОмА 0,2ГГц 2
BF964
N-FET-D 20В ЗОмА 0,2ГГц 2
BF966
N-FET-D 20В ЗОмА 0,8ГГц 1
BF966S
N-FET-D 20В ЗОмА 0,2Вт 0,8ГГц
BF967
Sl-P ЗОВ 20мА 900МГц 0,16Вт
BF968
Sl-P 1100МГц
BF970
Sl-P 35В ЗОмА 0,3Вт 1 ГГц
BF979
Sl-P 20В 50мА 0,3Вт 1,75ГГц
BF980A
N-FET-D 18В ЗОмА СВЧ
BF981
N-FET-D 20В 20мА СВЧ
BF982
N-FET-D 20В 40мА 200МГц
BF989
N-FET 20В 30мА0,2Вт
BF990A
N-FET-D 18В 30мА0,2Вт
BF991
N-FET-D 20В 20мАСВЧ
BF992
N-FET 20В40мА 0,2Вт
BF994S
N-FET-D 20В ЗОмА 200МГц
BF996S
N-FET-D 20В ЗОмА 800МГц
BF998
N-FET-D 12В ЗОмА 800МГц
BF999
N-FET 20В ЗОМА 0,2Вт 300МГц
BFG135
Sl-N 25В 0,15А 1Вт
BFG198
Sl-N 20В 0,1 А 1Вт8ГГц
BFG65
Sl-N 10В 50мА 0,3Вт 8ГГц
BFG94
Sl-N 15В 60мА0,7Вт
BFG96
Sl-N 20В 75мА 0,7Вт 800МГц
BFG97
Sl-N 20В 0,1А0,5Вт
BFQ10
N-FET ЗОВ 30мА250мВт
BFQ162
SI-N20B 0,5АЗВт1ГГц
BFQ232
SI-N 100В 0.3А1 ГГц
BFQ232A
Sl-N 115В 0,ЗА 800МГц
BFQ235A
SI-N 115В 0,ЗА 3Вт 800МГц
Тип прибора
Описание
BFQ252
Sl-Р 100В О.ЗАЗВт
BFQ252A
Sl-P 115В0,ЗА800МГц
BFQ255
Sl-P 100В 0,ЗА 3Вт 1ГГц
BFQ255A
Sl-P 115В О.ЗАЗВт 800МГц
BFQ262
Sl-Р 100В 0,4А5Вт1 ГГц
BFQ262A
Sl-P 115В0.4А5ВТ 800МГц
BFQ33C
Sl-N 7В 20мА 0,14Вт 12,5ГГц
BFQ34
SI-N 18В0,15А2,7Вт4ГГц
BFQ43
Sl-N 18В 1,2А4Вт 175МГц
BFQ65
Sl-N 10В 50мА0,ЗВт8ГГц
BFQ68
Sl-N 18В0,ЗА4,5Вт4ГГц
BFR29
N-FET ЗОВ 10мА0р<4В
BFR35AP
SI-N 12В30мА4,9ГГц 14дБ
BFR36
Sl-N 40В 200мА 0,8Вт 1,ЗГГц
BFR37
SI-N ЗОВ 50мА 0,25Вт 1,4ГГц
BFR38
Sl-P 40В 20мА0,2Вт 1ГГц
BFR39
Sl-N 90В 1А 0,8Вт >100МГц
BFR40
Sl-N 70В 1А 0,8Вт >100МГц
BFR79
Sl-P 90В 1А 0,8Вт >100МГц
BFR84
N-FET-D 20В 50мА 0,3Вт
BFR90
Sl-N 15В ЗОмА 5ГГЦ 19,5дБ
BFR90A
Sl-N 15В ЗОмА 5,5ГГц 16дБ
BFR91
SI-N 12В50мА5ГГц18дБ
BFR91A
Sl-N 12В 50мА бГГц 14дБ
BFR92
Sl-N 15В30мА 5ГГц 19,5дБ
BFR92A
Sl-N 15В ЗОмА 5,5ГГц 16дБ
BFR92R
Sl-N 15В ЗОмА 5ГГц
BFR93A
SI-N 15В50мА6ГГц14дБ
BFR95
SI-N 25В0,15А1,5ВтЗ,5ГГц
BFR96
SI-N 15В75мА5ГГц16дБ
BFR96S
SI-N 15В0,1А5,5ГГц11дБ
BFS17
SI-N 15В25мА1ГГц
BFS19
SI-N ЗОВ ЗОмА 260МГц
BFS20
SI-N ЗОВ 25мА 450МГц
BFS22A
SI-N ЗВ0,75А4Вт175МГц
BFS23A
Sl-N 36В 0,5А 4,5Вт 500МГц
BFT25
Sl-N 8В 6,5мА 50мВт 500МГц
BFT43
Sl-N 125/100В1А0,8Вт
BFT45
Sl-P 250В 0,5А 0,75Вт 70МГц
BFT66
SI-N 15В30мА4,5ГГц12дБ
BFT79
SI-P90B 1А0,8Вт>100МГц•
BFT95
Sl-P 15В25мАЗ,6-5ГГц
BFW10
N-FET ЗОВ 20мА усилит,
BFW11
N-FET ЗОВ ЮмА усилит,
BFW12
N-FET ЗОВ 5мА усилит,
Тип прибора
Описание
BFW16A
SI-N 25В0,ЗА1,5Вт1,2ГГц
BFW17A
SI-N 25В0,ЗА1,5Вт1,1ГГц
BFW30
Sl-N 10В 0,1А0,25Вт 1,6ГГц
BFW43
Sl-P 150В 0,1А 0,4Вт 150МГц
BFW44
Sl-P 150В 0,1А 0,7Вт 50МГц
BFW92
SI-N 15В50мА0,ЗВт1,6ГГц
BFW92A
SI-N 15В25мАЗ,2ГГц13дБ
BFX34
Sl-N 60В 5А 0,87Вт
BFX37
Sl-P 90В 0,1А 0,36Вт 70МГц
BFX38
Sl-P 55В 1А 0,8Вт В>85
BFX40
Sl-P 75В1А0,8ВтВ>85
BFX48
Sl-P ЗОВ 0,1А 0,36Вт
BFX55
Sl-N 60В 0,4А 2,2Вт 700МГц
BFX85
SI-N 100В1А0,8Вт
BFX89
Sl-N 15В 50мА0,2Вт 1,ЗГГц
BFY39
Sl-N 45В 0,1А 0,3Вт 150МГц
BFY50
Sl-N 80В 1А 0,7Вт 55/175НС
BFY51
Sl-N 60В 1А 0,7Вт
BFY52
SI-N 40В1А0,8Вт100МГц
BFY56
Sl-N 60В 1А 0,8Вт
BFY64
Sl-P 40В 0,6А 0,7Вт
BFY88
Sl-N 25В 25мА 850МГц
BFY90
SI-N 15В25мА2ГГц 8dB
BGX885N
860МГц 17дБ усилит, для КАТВ
BGY88
450МГц 35дБ усилит, для КАТВ
BGY89
450МГц 38дБ усилит, для КАТВ
BLW32
Sl-N 50В 0,65А 10Вт 3,5ГГц
BLW60C
Sl-N 18В 9А 100Вт 650МГц
BLX15
SI-N 110В 6,5А 195Вт 275МГц
BLY87C
Sl-N 36В 1,53А 20Вт 175МГц
BLY88C
Sl-N 18В ЗА 36Вт 850МГц
BLY89C
Sl-N 18В 6А73ВТ 800МГц
BLY93C
Sl-N 65В 2А 25Вт 175МГц
BLY94
Sl-N 65В 6А50ВТ 175МГц
BS107
N-FET 200В 0,13А0,8Вт
BS108
N-FET 200В0,23А0,8Вт
BS170
N-FET 60В0,ЗА0,8Вт
BS208
P-FET 200В 0,2А 0,8Вт
BS250
P-FET45B0,18A0,83Bt
BSN254A
N-FET 250В 0,ЗА 1 Вт
BSN274
N-FET 270В0,25А1Вт
BSN304
N-FET 300В0,25А1Вт
BSR14
Sl-N 75В 0,8А <35/285НС
BSR31
Sl-P 70В1АВ>100
BSR50
N-DARL 60В 2А 0,8Вт 350МГц
Тип прибора
Описание
BSR60
P-DARL 45В 1А 0,8Вт
BSS123
N-FET100B 0,17А13/29нс
BSS38
Sl-N 120В 0,1А0,2Вт
BSS44
Sl-P 65В 5А 5Вт
BSS52
N-DARL 100В 1А 0,8Вт
BSS68
Sl-P 60/40В 0,8А <50/110нс
BSS89
N-FET240B 0,3A1Bt6R
BSS91
N-FET 200В 0,35А 1,5Вт
BSS92
P-FET 200В0,15А1Вт
BSV52
Sl-N 20В 0,1А 225мВт 400МГц
BSV80
N-FET 40В 10мА0,35Вт
BSV81
N-FET30B 50мА0,2Вт
BSW43
Sl-N 60В 0,2А 0,3Вт В>180
BSW68A
Sl-N 150В 2А 5Вт 130МГц
BSW85
Sl-N 75В 0,5А 0,5Вт 250МГц
BSX20
Sl-N 40В 0,5А,36Вт 7/18нс
BSX26
Sl-N 40В 0,5А 0,36Вт
BSX29
SI-P 12В 0,2А 0,36Вт 25/35
BSX32
Sl-N 65В 1А 0,8Вт 35/40НС
BSX47
Sl-N 120В1А5ВТ
BSX52
Sl-N 25В 0,2А 0,3Вт В>180
BSX59
Sl-N 45В 1А0,8Вт
BSX88
Sl-N 40В 0,5А 0,36Вт
BSY56
Sl-N 120В 0,5А 0,8Вт 100МГц
BTS121A
N-FET 100В22А95ВТ
BU106
Sl-N 325В 10А50ВТ
BU107
Sl-N 300В10А50ВТ
BU109
SI-N 330В 10А 85Вт
BU110
Sl-N 150В ЮАЗОВт 15МГц
BU124A
Sl-N 400В 10А 50Вт 6МГц
BU125
Sl-N 130/60В 5А 0,8Вт 100МГц
BU128
Sl-N 300/200В 10А62ВТ
BU133
Sl-N 750/250В ЗА 30Вт
| BU1506DX
Sl-N+D 1500В 5А 32Вт 0,5мкС
BU1508AX
Sl-N 1500В 8А 35Вт 0,6мкс
| BU1508DX
Sl-N+D 1500В 8А 35Вт О.бМкС
BU180A
Sl-N+D 400В 10А
BU180E
N-DARL 1500В 5А 12Вт
BU189
N-DARL 330В 8А 60Вт
BU208A
Sl-N 1500В 8А150Вт
| BU208B
Sl-N 700В 5А80Вт7МГц
| BU208D
Sl-N+D 1500В 8А150ВТ
I BU209
Sl-N 1700В 4А 12,5Вт
BU226
Sl-N 2000В 1,5А 10Вт
BU2506DF
Sl-N+D 1500В 5А 45Вт 0,4мкс
Тип прибора
Описание
BU2506DX
SI-N+D 1500В 5А 45Вт 0,4мкс
BU2508A
SI-N 1500В 8А 125Вт 0,4мкс
BU2508AF
Sl-N 1500В 8А45ВТ 0,4мкс
BU2508AX
SI-N 1500В 8А 45Вт 0,4мкс
BU2508D
Sl-N+D 1500В 8А 125Вт 0,4мкс
BU2508DF
Sl-N+D 1500В 8А45ВтО,4мкс
BU2508DX
Sl-N+D 1500В 8А 45Вт 0,4мкс
BU2520AF
Sl-N 1500В 10А45ВТ 0,2мкс
BU2520AX
Sl-N 1500В 10А 45Вт 0,2мкс
BU2520DF
Sl-N+D 1500В 10А45ВТ 0,35мкс
BU2520DX
Sl-N+D 1500В 10А45ВТ 0,35мкс
BU2525A
Sl-N 1500В 12А0,2мкс
BU2525AF
Sl-N 1500В 12А45ВтО,2мкс
BU2525AX
Sl-N 1500В 12А45ВтО,2мкс
BU2525D
Sl-N+D 1500В 12А0,2мкс
BU2527AF
Sl-N 1500В 12А 45Вт 0,2мкс
BU2527AX
Sl-N 1500В 12А45ВтО,2мкс
BU2722AF
Sl-N 1700В 10А45ВТ
BU312
Sl-N 280/150В6А25ВТ
BU325
Sl-N 200/200В ЗА 25Вт
BU326A
Sl-N 900В 6А 75Вт
BU326S-RFT
Sl-N 800/400В 6А 60Вт
BU406
Sl-N 400В 7А 65Вт 0,75мкс
BU406D
Sl-N+D 400В 7А 65Вт 0,75мкс
BU407
Sl-N 330В 7А 65Вт 0,75мкс
BU407D
SI-N+D 330В 7А 65Вт 0,75мкс
BU409D
Sl-N+D 250В 7А 60Вт
BU412
Sl-N+D 280В 8А
BU413
Sl-N 330В ЮАбОВт
BU414B
Sl-N+D 900В 8А 60Вт
BU415A
Sl-N 800В 12А 120Вт
BU415B
Sl-N+D 800В 12А 120Вт
BU426A
Sl-N 900В 6А 114Вт
BU426E
Sl-N 800В 6А 70Вт
BU426V
Sl-N 800/375В 6А 70Вт
BU433
Sl-N 375В 6А 70Вт
BU500
Sl-N 1500В 6А75ВТ
BU500D
Sl-N+D 1500/700В 6А 75Вт
BU505
Sl-N 1500В 2,5А 75Вт 0,9мкс
BU505D
Sl-N+D 1500В 2.5А75ВТ
BU505DF
Sl-N+D 1500В2,5А20Вт
BU506
Sl-N 700В 5А 100Вт
BU506D
Sl-N+D 700В 5А 100Вт
BU506DF
Sl-N+D 1500В 5А20ВТ
BU508A
Sl-N 1500В 8А 125Вт 0,7мкс
| Тип прибора
Описание
BU508A
Sl-N 1500В 8А 125Вт 0,7мкс
BU508A
Sl-N 1500В 8А 125Вт 0,7мкс
BU508AF
Sl-N 1500В 8А 34Вт 0,7мкс
BU508AF
Sl-N 1500В 8А 34Вт 0,7мкс
BU508AF
Sl-N 1500В 8А 34Вт 0,7мкс
BU508D
Sl-N+D 1500В 8А 125Вт 0,7мкс
BU508D
Sl-N+D 1500В 8А 125Вт 0,7мкс
BU508DF
Sl-N+D 1500В 8А 34Вт 0,7мкс
BU508DF
Sl-N+D 1500В 8А 34Вт 0,7мкс
BU508DR
Sl-N+D 1500В 8А 125Вт
BU522
N-DARL 400/375В 7А 75Вт
I BU526
Sl-N 800В 8А 86Вт
8U536
Sl-N 1100В 8А62ВТ
1 BU546
Sl-N 1350В 6А 100Вт
BU603
Sl-N 1350В 5А 100Вт 0,7мкс
BU606D
Sl-N+D 400В 7А 90Вт
BU608
Sl-N 400В 6А 90Вт
BU608D
Sl-N+D 400В 7А 90Вт
BU626A
Sl-N 1000В 10А 100Вт
BU705
Sl-N 1500В 2,5А 75Вт 0,7мкс
BU706DF
Sl-N+D 1500В 5А 32Вт 0,7мкс
BU706F
Sl-N 1500В 5А 32Вт 0,7мкс
BU801
Sl-N+D 600ВЗА40ВТ
BU806
N-DARL+D 400В 8А 60Вт 0,35мкс
BU806FI
Sl-N+D 400В 8А
BU808DF
N-DARL+D 1500/700В 5А 50Вт
BU810
N-DARL+D 600В 7А 75Вт
BU824
N-DARL+D 6508 0,5А
BU826
N-DARL+D 800В 6А 125Вт 0,2мкс
BU826A
N-DARL+D 900В 6А 125Вт 0,2мкс
BU920P
N-DARL 350В 10А 120Вт
BU921P
Sl-N 400/450В10А 120Вт
BU931
Sl-N 500В 15А 175Вт
BU931T
Sl-N 450В 10А 125Вт
BU932
N-DARL 500В 15А 175Вт
BU932P
N-DARL 500В 15А 125Вт
BU941P
N-DARL 500В15А150ВТ
BU941ZP
N-DARL 350В 15А 150Вт
BUF405A
SI-N 1000/450В7,5А80Вт
BUF405AF
Sl-N 1000В 7,5А
BUF410
Sl-N 850В 15А 125Вт
BUH1015
SI-N 1500В 14А 160Вт0,11мкс
BUH1015HI
SI-N 15008 14А 708т0,11мкс
BUH1215
Sl-N 1500В 19А 200Вт 0,11мкс
BUH315
Sl-N 1500В 5А 50Вт
Тип прибора
Описание
BUH315D
Sl-N+D 1500/700В 5А 50Вт
BUH515
SI-N 15008 8А 608т 3,9мкс
BUH515D
SI-N+D 1500/7008 8А 60Вт
BUH517
Sl-N 1700В 8А 60Вт З.Эмкс
BUH517D
Sl-N+D 1700/700В 8А 60Вт
BUH715
Sl-N 1500В ЮАбОВт
BUK436/800B
N-FET 800В4А125ВТ
BUK437/400B
N-FET400B 14А 180Вт
BUK437/600B
N-FET 600В 9А 180Вт
BUK438/800B
N-FET 800В 7,6А 220Вт
BUK443/60B
N-FET 60В 13А 25Вт
BUK444/800B
N-FET800B 1,2А30Вт
8UK445/6008
N-FET 6008 2,2А 30Вт
BUK446/800B
N-FET 8008 2А 30Вт
BUK454/800A
N-FET 800В2А75ВТ
BUK455/600B
N-FET 600В4А100ВТ
BUK456/200B
N-FET 200В 19А 150Вт
BUK456/60A
N-FET 60В 52А 150Вт
BUK456/800A
N-FET 800В4А125ВТ
BUK555/60B
N-FET60B 35А 125Вт
BUL310
Sl-N 1000В 5А 75Вт 0,4мкс
BUL310PI
Sl-N 1000В 5А 35Вт 0,4мкс
BUL45
Sl-N 400В 5А75Вт 12МГц
BUL54A
Sl-N 1000В 4А 65Вт 20МГц
BUL810
Sl-N 1000В 15А 125Вт
BUR51
Sl-N 300/200В 60А 350Вт
BUR52
Sl-N 350/250В 60А 350Вт
BUS14A
Sl-N 1000/4508 ЗОА 250Вт
BUS23
Sl-N 300В 15А 175Вт
BUS48A
Sl-N 1000В 15А 175Вт
BUS48AP
Sl-N 1000В 15А 125Вт
8US98A
Sl-N 450В ЗОА 2508т
BUT11A
Sl-N 10008 5А 1008т 0,8мкс
BUT11A
Sl-N 1000В 5А 1008т 0,8мкс
BUT11AF
Sl-N 15008 5А 20Вт 0,8мкС
BUT12A
SI-N 10008 8А 1258т 0,8мкс
BUT12AF
SI-N 10008 8А 23Вт 0,8мкс
BUT13
N-DARL+D 4008 28А 175Вт
BUT18A
SI-N 1000/4508 6А 1108т
BUT18AF
SI-N 10008 6А 33Вт 0,8мкс
BUT30V
SI-N 200/1258 100А 250Вт
BUT34
N-DARL+D 8508 50А 250Вт
BUT56A
SI-N 10008 8А 100Вт
BUT57
N-DARL+D 400В 15А 1108т
BUT70
Sl-N 200В 40А 2008т
Тип прибора
Описание
BUT72
Sl-N 400В 40А 2008т
BUT76A
Sl-N 1000В 10А 100Вт 0,8мкс
BUT90
Sl-N 200В 50А 250Вт
BUT92
Sl-N 350/250В 50А 2508т
BUT93
Sl-N 600В 4А 55Вт9МГц
BUV18
Sl-N 120В47А250ВТ 1,5мкс
BUV20
Sl-N 160В 50А 2508т 1,5мкс
BUV21
Sl-N 250/200В 40А 2508т
BUV23
Sl-N 325В40А250ВТ
BUV24
Sl-N 400В ЗОА 2508т
BUV25
Sl-N 500В 20А 2508т
BUV26
Sl-N 180В 14А85ВТ 1,8мкс
BUV26A
Sl-N 200В 20А 858т
BUV27
Sl-N 240В 12А65ВТ40НС
BUV28
Sl-N 400810А65Вт40нс
BUV28A
SI-N 4508 10А 658т 40нс
BUV46A
Sl-N 1000/450В 6А 85Вт
BUV48A
SI-N 1000В 15А 150Вт 0,8мкс
BUV48AF
Sl-N 1000В 15А65ВТ
BUV48C
Sl-N 1200/700В 15А 150Вт
BUV48CF
Sl-N 1200В 15А65ВТ
BUV50
Sl-N 250В 25А150ВТ
BUV56A
Sl-N 1000В 10А70ВТ
BUV61
Sl-N 300В 50А 2508т
BUV70
Sl-N 1300/550В 10А 140Вт
BUV90
N-DARL+D 650В 10А 1258т
BUV93
Sl-N 600/350В 2А 158т 12МГц
BUV98A
Sl-N 1000В ЗОА 1508т 5МГц
BUW11A
S1-N 1000В 5А 100Вт 0,8мкс
BUW11AF
Sl-N 1000В 5А 32Вт 0.8МКС
BUW12
Sl-N 850В 8А 125Вт 0,8мкс
BUW12A
SI-N 10008 8А 1258т 0,8мкс
BUW12F
SI-N 8508 8А 348т 0,8мкс
BUW13
Sl-N 850В 15А 1758т 0,8мкс
BUW13A
SI-N 10008 15А 1758т 0,8мкс
BUW23
Sl-P 450В 10А 125Вт <300нс
BUW26
Sl-N 800В 10А 125Вт 20МГц
BUW42
Sl-P 400В 15А 1508т
BUW48
SI-N 1208 ЗОА 1508т 1,5мкс
BUW49
SI-N 1608 ЗОА 1508т
BUW50
SI-N 2508 25А 1508т
BUW72
SI-N 4508 10А 1008т
BUW81A
N-DARL 800В 10А 808т
BUW84
SI-N 8008 2А 508т 0,4мкс
BUW85
SI-N 10008 2А 50Вт 0,4мкс
Тип прибора
Описание
8UX10
SI-N 1608 25А 150Вт 1,5мкс
8UX12
SI-N 3008 20А 150Вт
8UX13
SI-N 4008 15А 1508т >8МГц
8UX20
SI-N 1608 50А 3508т 1,5мкс
8UX22
SI-N 3008 40А 2508т
BUX23
SI-N 400/3258 ЗОА 350Вт
8UX24
SI-N 450/4008 20А 3508т
8UX328
SI-N 10008 8А 1508т
8UX37
N-DARL 400В 15А35ВТ
8UX39
SI-N 120/908 ЗОА 1208т 8МГц
8UX40
SI-N 1608 20А 1208т 1,2мкс
8UX41
SI-N 2508 15А 120Вт
8UX41N
SI-N 220/1608 18А 120Вт
8UX42
SI-N 3008 12А 1208т
8UX48A
Sl-N 1000В 15А 175Вт 0,8мкс
8UX51
Sl-N 300/200В 3,5А 108т
8UX54
SI-N 4508 2А 108т >8МГц
BUX55
SI-N 4508 2А 108т 8МГц
BUX66
SI-P 200/1508 2А 358т >20МГц
BUX77
Sl-N 100В 5А 408т >2,5МГц
BUX80
SI-N 8008 10А 1008т
BUX81
SI-N 10008 10А 100Вт
BUX82
SI-N 8008 6А 608т
BUX84
SI-N 8008 2А 408т 0,4мкс
80X85
Sl-N 1000В 2А 408т 0,4мкс
8UX85F
SI-N 10008 2А18Вт0,4мкс
8UX86P
SI-N 8008 0,5А 208т 0,4мкс
80X87
SI-N 10008 0,5А 20Вт 0,4мкс
80Х87Р
SI-N 10008 0,5А 208т 0,4мкс
ВОХ88
SI-N 15008 12А 1608т 7МГц
80Х98А
SI-N 4508 ЗОА 250Вт
8ОХ98С
SI-N 12008 ЗОА 250Вт 5МГц
BOY18S
SI-N 80/408 10А208Т
BOY47
SI-N 150/1208 7А 10Вт 90МГц
B0Y49P
SI-N 2508 ЗА 10Вт
B0Y49S
SI-N 2508 ЗА 108т 50МГц
BOY69A
SI-N 10008 10А 100Вт 1мкс
B0Y70A
SI-N 1000/4008 10А75ВТ
BOY71
SI-N 22008 2А 408т
80Y72
SI-N 280/2008 ЮАбОВт
80Y89
Sl-N 1500В 6А 808т
B0Z10
N-FET 508 20А 808т
B0Z100
N-FET 508 60А 250Вт
BOZ11
N-FET 508 36А
BOZ11A
N-FET 508 27А 90Вт
Тип прибора
Описание
BUZ14
N-FET50B 39А125ВТ
BUZ15
N-FET 50В 45А 125Вт
BUZ171
P-FET 50В 8А 40Вт
BUZ21
N-FET 100В 21А
BUZ215
N-FET 500В 5А 75Вт
BUZ22
N-FET 100В 34А 125Вт
BUZ30A
N-FET 200В 7А 75Вт
BUZ310
N-FET 1000В 2,5А 75Вт
BUZ325
N-FET400B 12,5А 125Вт
BUZ326
N-FET 400В 10,5А 125Вт
BUZ330
N-FET 500В 9,5А 125Вт
BUZ332
N-FET600B 8,5А150Вт
BUZ332A
N-FET600B8A 150Вт
BUZ338
N-FET 500В 13.5А 180Вт
BUZ341
N-FET 200В ЗЗА 170Вт
BUZ345
N-FET 100В 41А 150Вт
BUZ349
N-FET 100В 32А 125Вт
BUZ380
N-FET 1000В 5,5А 125Вт
BUZ384
N-FET 500В 10,5А 125Вт
BUZ50A
N-FET 1000В 2,5А 75Вт
BUZ71
N-FET 50В 18А 80Вт
BUZ71AF
N-FET50B11A35BT
BUZ72A
N-FET 100В 11А
BUZ72AF
N-FET 100В 10А40ВТ
BUZ73
N-FET 200В7А40ВТ
BUZ73A
N-FET 200В 5,8А 40Вт
BUZ90
N-FET 600В4,5А70Вт
BUZ900
N-FET160B8A125BT
BUZ901
N-FET200B8A125BT
BUZ905
P-FET 160В 8А 125Вт
BUZ906
P-FET 200В 8А125ВТ
BUZ90A
N-FET 600В4А75ВТ
BUZ90AF
N-FET 600В4,ЗА75Вт
BUZ91A
N-FET600B 8А150ВТ
BUZ93
N-FET 600В 3,6А80Вт
D44H11
SI-N 80В10А50Вт50МГц
D44H8
Sl-N 60В 10А50ВТ
D45H11
SI-N SOB 10А50Вт0,5мкс
DTA114EK
Sl-Р 50В0,1А0,2Вт R=10kOm/10kOm
DTA114ES
Sl-Р 50В 0,1А R=10kOm/10kOm
DTA114TL
Sl-Р 50В 0,1А R=10kOm
DTA114YL
Sl-Р 50В 0,1А R=10kOm/47kOm
DTA124ES
Sl-Р 50В 0,1А R=22kOm/22kOm
DTA124XS
Sl-Р 50В 0,1А R=22kOm/47kOm
Тип прибора
Описание
DTA143EK
SI-P50B 0,1А0,2Вт R=47kOm/47kOm
DTA143ES
Sl-Р 50В 0,1А R=4,7kOm/4,7kOm
DTA144EK
Sl-Р 50В 0,1А0,2Вт R=47kOm/47kOm
DTA144ES
Sl-Р 50В 0,1А R=47kOm/47kOm
DTA144TS
Sl-Р 50В 0,1А 0,3Вт R=47kOm
DTC114ES
SI-N 50В 0,1А R=10kGm/10kOm
DTC114TS
SI-N 50В 0,1AR=10kGm
DTC114YS
SI-N 50В 0,1А R=10kOm/47kOm
DTC124EK
SI-N 50В 0,1А0,2Вт R=22kOm/22kOm
DTC124ES
SI-N 50В 0,1А R=22kOm/22kOm
DTC143EK
SI-N 50В0,1А0,2Вт R=4,7kOm/4,7kOm
DTC143ES
SI-N SOB 0,1A R=4,7kOm/4,7kOm
DTC143TS
SI-N SOB 0,1A R=4,7kOm
DTC143XS
SI-N SOB 0,1A0,3Bt R=4,7kOm/1kOm
DTC144EK
SI-N SOB 0,1A 0,2Вт
R=47kOm/47kOm
DTC144ES
SI-N SOB 0,1A R=47kOm/47kOm
DTC144EU
SI-N SOB 0,1A0,2Bt R=47kOm/47kOm
DTC144TS
SI-N SOB 0.1A 0,3Вт R=47kOm
DTC144WS
SI-N SOB 0,1A0,2Bt R=47kOm/22kOm
ESM6045DV
N-DARL+D 450B 84A 250Вт
FT5754M
DARL, матрица
FT5764M
DARL, матрица
GD243
GE-P 65B3A10BT
GT20D101
N-IGBT 250B20A 180Вт
GT20D201
P-IGBT 250В 20A 250Вт
H6N80
N-FET 800B 4,2A 170Вт 1E9
HPA100R
Sl-N+D 1500В 10A 150Вт 0,2
HPA150R
Sl-N+D 1500В 15A 180Вт 0,2
IR2403
DARL, матрица, 7x45В 0,4A
IR2422
DARL, матрица, 7x
IRF120
N-FET 100B 9,2A 60Вт
IRF140
N-FET 100В 28A 150Вт
IRF230
N-FET 200B9A75BT
IRF240
N-FET 200B18A 125Вт
IRF250
N-FET 200В 30A 150Вт
IRF330
N-FET 400В 5,5A 75Вт
IRF340
N-FET 400В 10A 125Вт
IRF350
N-FET 400В 13A 150Вт
IRF440
N-FET 500B8A 125Вт
IRF450
N-FET 500В 13A 150Вт
Тип прибора
Описание
IRF520
N-FET 100В 10А70ВТ
IRF530
N-FET 100В 16А 90Вт
IRF540
N-FET 100В28А150ВТ
IRF630
N-FET 200В 9А 75Вт
IRF640
N-FET 200В 18А 125Вт
IRF644
N-FET 250В 14А 125Вт
IRF730
N-FET400B 5,5А 100Вт
IRF740
N-FET 400В 10А 125Вт
IRF740F
N-FET 400В 5,5А 40Вт
IRF820
N-FET 500В ЗА 75Вт
IRF830
N-FET 500В 4,5А 100Вт
IRF830F
N-FET 500В ЗА 35Вт
IRF840
N-FET 500В4,5А40Вт
IRF840F
N-FET 500В4,5А40Вт
IRF9140
P-FET 100В 19А 125Вт
IRF9240
P-FET 200В 11А 125Вт
IRF9530
P-FET 100В 12А88ВТ
IRF9540
P-FET 100В 19,0А 150Вт
IRF9610
P-FET 200В 1,75А 20Вт
IRF9620
P-FET 200В 3,5А 40Вт
IRF9630
P-FET 200В6,5А75Вт
IRF9640
P-FET 200В 11А125ВТ
IRFBC30
N-FET 600В 3,9А 100Вт
IRFBC40
N-FET 600В 6,2А 125Вт
IRFBE30
N-FET 800В 4,1А 125Вт
IRFD120
N-FET 100В 1,ЗА 1,3Вт
IRFD9120
P-FET 100В 1А 1,3Вт
IRFD9220
P-FET 200В0,6А1Е5 1Вт
IRFF120
N-FET 100В6А20ВТ
1RFP054
N-FET 60В 70А 230Вт
IRFP064
N-FET 60В70А300ВТ
IRFP140
N-FET 100В31А180Вт
IRFP150
N-FET 100В 40А 180Вт
IRFP240
N-FET 200В 20А 150Вт
IRFP250
N-FET 200В ЗЗА 180Вт
IRFP340
N-FET 400В11А150ВТ
IRFP350
N-FET400B 18А250ВТ
IRFP360
N-FET400B 28А410ВТ
IRFP450
N-FET 500В 14А 180Вт
IRFP460
N-FET 500В 25А 410Вт
IRFP9140
P-FET 100В 19А 150Вт
IRFP9240
P-FET 200В 12А 150Вт
IRFPC40
N-FET 600В 6,8А 150Вт
IRFPC50
N-FET 600В 13А 250Вт
IRFPE40
N-FET 800В 5,4А 150Вт
Тип прибора
Описание
IRFPE50
N-FET900B7,8A190Bt
IRFPF40
N-FET 900В 4,7А150ВТ
IRFPF50
N-FET 900В6,7А190Вт
IRFR9024
P-FET 60В 9,6А 50Вт 0,28Вт
IRFZ20
N-FET 50В 15А40ВТ
IRFZ44
N-FET60B 46А 250Вт
IRFZ48
N-FET 60В 50А 250Вт
ITT9013G
SI-N ЗОВ 0,5А 100МГц
Л11
N-FET40B50MA0.4BT
J300
N-FET 25В6мА0,35Вт
J309
N-FET 25В ЗОмА Up<4B СВЧ
J310
N-FET 25В 60mA Up<6,5B СВЧ
KSA708
SI-N 80В 0,7А 0,8Вт 50МГц
KSA733
Sl-P 60В 0,15А 0,25Вт 50МГц
KSC2316
SI-N 120В 0,8А 0,9Вт 120МГц
KSC2328A
SI-N ЗОВ 2А1 Вт 120МГц
KSC2330
SI-N 300В0,1А 50МГц
KSC2331
SI-N SOB 0,7А 1Вт 30МГц
КТА1273
Sl-Р ЗОВ 2А1 Вт 120МГц
КТС3198
SI-N 60В 0,15А 0,4Вт 130МГц
КТС9012
Sl-Р ЗОВ 0,5А 0,625Вт
КТС9013
SI-N 30В0,5А0,625Вт
КТС9014
SI-N 50В 0,15А 0,625Вт
КТС9015
Sl-Р 50В 0,15А 0,625Вт
КТС9018
SI-N ЗОВ 20мА 0,2Вт 500МГц
KTD1351
SI-N 60В ЗА 30Вт 3МГц
М54661Р
4х транз,матрица+диод 1,5А
MAT02FH
2xSI-N 40В 20мА 0,5Вт 450МГц
MGF1302
N-FET6B0.1A 0,3Вт 4ГГц
МЛ 0001
N-DARL+D 500В 20А 175Вт
МЛ 0005
N-DARL+D 500/400В 20А 175Вт
МЛ 001
N-DARL SOB 8А 90Вт
МЛ 0012
N-DARL+D 600В 10А 175Вт
МЛ 0016
N-DARL+D 500В 50А 250Вт 1 МКС
МЛ1015
P-DARL 120В ЗОА 200Вт
МЛ1016
N-DARL 120В ЗОА 200Вт
МЛ 1032
N-DARL 120В 50А 300Вт
МЛ 1033
P-DARL120B 50А 300Вт
МЛ 5003
SI-N 140В 20А 250Вт 3МГц
МЛ 5004
Sl-Р 140В 20А 250Вт 3МГц
МЛ 5015
SI-N 120В 15А 180Вт 0,8МГц
МЛ 5016
Sl-Р 120В 15А 180Вт 0,8МГц
МЛ 5022
SI-N 350/200В 16А 250Вт
МЛ 5023
Sl-Р 350В 16А 250Вт 4МГц
МЛ 5024
SI-N 250В 16А250ВТ
Тип прибора
Описание
MJ15025
Sl-P 400В 16А 250Вт 4МГц
MJ16018
Sl-N 1500В 10А 175Вт
MJ2501
P-DARL 80В 10А 150Вт
MJ2955
Sl-P 100В 15А 150Вт 4МГц
MJ3001
N-DARL 80В 10А 150Вт
MJ4032
P-DARL 100В 10А 150Вт
MJ4035
N-DARL 100В 16А 150Вт
MJ413
Sl-N 400В 10А 125Вт > 2,5МГц
MJ4502
Sl-P 100В ЗОА 200Вт
MJ802
Sl-N 90В ЗОА 200Вт
MJE13004
SI-N 300В 4А 75Вт
MJE13005
SI-N 300В 8А 75Вт
MJE13005
SI-N 300В 8А 75Вт
MJE13007
Sl-N 400В 8А 80Вт
MJE13009
Sl-N 400В 12А 100Вт
MJE15030
Sl-N 150В 8А 50Вт 30МГц
MJE15031
SI-P150B8A 50Вт 30МГц
MJE18004
Sl-N 450В 5А 100Вт 13МГц
MJE18006
Sl-N 450В 6А 100Вт 14МГц
MJE18008
Sl-N 450В 8А 125Вт О.Змкс
MJE210
Sl-P 40В 5А 15Вт >65МГц
MJE243
SI-N 100В4А15Вт>40МГц
MJE253
Sl-P 100В 4А 15Вт >40МГц
MJE270
N-DARL 100В 2А 15Вт >16МГц
MJE271
P-DARL 100В 2А 15Вт В>1500
MJE2955T
Sl-P 70В 10А ЭОВтНЧ
MJE3055T
Sl-N 70В 10А ЭОВтНЧ
MJE340
Sl-N 300В0.5А20ВТ
MJE350
Sl-P 300В 0,5А 20Вт
MJE5850
Sl-P 350/300В 8А 80Вт
MJE800
N-DARL+D 60В 4А 40Вт В>750
MJE8502
Sl-N 700В 5А 80Вт В>750
MJF18004
Sl-N 450В 5А 35Вт 13МГц
MJF18008
Sl-N 450В 8А 45Вт О.Змкс
MJF18204
Sl-N 600В5А35Вт13МГц
MJW16018
Sl-P 800В 10А 150Вт 3МГц
MJW16206
Sl-N 1200В 12А 150Вт 3МГц
MJW16212
Sl-N 650В 10А 150Вт
MPF102
N-FET 25В 2мА Up<8B
MPS3640
Sl-P 12В 80мА 635мВт 500МГц
MPSA06
Sl-N ЗОВ 0,5А 0,625Вт
MPSA10
Sl-N 40В 0,1А 0,21 Вт 50МГц
MPSA12
N-DARL 20В 0,5А0,625Вт
MPSA14
SI-N ЗОВ 0,5А 0,625Вт
MPSA18
Sl-N 45В 0,2А 625мВт 100МГц
Тип прибора
Описание
MPSA42
Sl-N 300В 0,5А 0,625Вт
MPSA44
Sl-N 500В 0,ЗА 625мВт 20МГц
MPSA56
Sl-P 806 0,5А 0,625Вт
MPSA70
Sl-P 40В 0,1А 0,35Вт >125МГц
MPSA92
Sl-P 300В 0,5А 0,625Вт
MPSH10
Sl-N 25В 40мА 0,35Вт 650МГц
MRF237
Sl-N 36В 0,6А4Вт 174МГц
MRF455
Sl-N 36В 15А 60Вт 30МГц '
MRF475
Sl-N 20В 4А 4 Вт 50МГц
ON4359
N-DARL+D 120В 4А 40Вт >ЮМГц
P6N60
N-FET 600В 6А 125Вт
РН2222А
Sl-N 75В 0,8А 0,5Вт
РН2369
Sl-N 15В 0,5А 0,5Вт 12/18НС
PN2222A
Sl-N 75В 0,8А 0,5Вт
PN2907
Sl-P 40В 0,6А 0,4Вт
PN2907A
Sl-P 60В 0,6А 0,4Вт
PN3563
SI-N ЗОВ 50мА 0,2Вт 600МГц
PN3638
Sl-P 25В 0,5А 0,625Вт 100МГц
R1004
Sl-N 50В 0,1А R=47kOm/47kOm
RFP40N10
N-FET 100В 40А 160Вт
S175
ВЧ усилит, мощности
S2000AF
Sl-N 1500В 8А 50Вт 0,7мкс
S2000N
Sl-N 1500В 8А 50Вт 0,7мкс
S2055N
Sl-N+D 1500В 8А 50Вт О.Змкс
S2530A
Sl-N 1000В 1ОА 100Вт
SGSF313
Sl-N 450В 7А 70Вт О.Змкс
SGSF313XI
Sl-N 1000В 5А25Вт О.Змкс
SGSF344
Sl-N 600В 7А 85Вт
SGSF445
Sl-N 600В 7А 95Вт
SGSF464
Sl-N 600В 10А 140Вт
SGSIF344
Sl-N 600В 7А 35Вт
SGSIF444
Sl-N 600В 7А 55Вт
SLA4061
N-DARL 120В5А25ВТ
SLA4390
DARL матрица
SS8050
Sl-N 40В 1.5А 1Вт 100МГц
SS8550
Sl-P 40В 1.5А 1Вт 100МГц
SSM2210P
2XSI-N 40В 20мА 0,5Вт 200МГц
SSM2220P
2XSI-P 36В 20мА 0,5Вт 190МГц
STA301A
N-матрица 3x60В 4А В>1000
STA341M
P/N-матрица ЗОВ 1А В>100
STA401A
N-матрица 4x60В 4А В>1000
STA402A
P-матрица 4x50В 4А В>1000
STA403A
N-матрица 4x100В 4А В>1000
STA434A
P/N-матрица 2*608 4А 20Вт В>
STA441C
N-матрица 4x160В 1.5А В>40
Тип прибора
Описание
STA451C
P/N-матрица 2x60В ЗА В>40
STA471A
N-матрица 4x60В 2А В>2000
STA8012
матрица
STA901M
матрица
STP3NA60
N-FET 600В 2,9А 80Вт
STP3NA60F
N-FET 600В2,1А40Вт
STP4NA60
N-FET 600В 4,ЗА 100Вт
STP4NA60F
N-FET 600В 2,7А 40Вт
STP4NA80
N-FET 800В 4А 110Вт
STP4NA80F
N-FET 800В 2,5А 45Вт
STW15NA50
N-FET500B 14,6А 190Вт
SUP70N06-14
N-FET 60В 70А 142Вт
THD200FI
Sl-N 1500В 10А 60Вт
TIP102
N-DARL100B8A 80Вт
TIP107
P-DARL100B 15А80ВТ
TIP112
N-DARL 100В 2А50ВТ
TIP117
P-DARL 100В2А50ВТ
TIP122
N-DARL100B5A65BT
TIP127
P-DARL 100В 5А65Вт
TIP 132
N-DARL100B6A70BT
TIP137
P-DARL 100В 8А70ВТ
TIP142
N-DARL 100В 10А 125Вт
TIP142T
N-DARL 100В 10А80ВТ
TIP147
P-DARL+D 100В 10А 125Вт
TIP152
N-DARL+D 400/400В 7А 80Вт
TIP162
N-DARL 380B10A3BT
TIP2955
Sl-P 100В 15А90ВТ
TIP29E
Sl-N 180В 2А ЗОВт >ЗМГц
TIP3055
Sl-N 100В 15А90ВТ
Тип прибора
Описание
TIP33C
Sl-N 115В 10А 80Вт
TIP34C
Sl-P 100В 10А 80Вт 3МГц
TIP35C
Sl-N 100В 25А 125Вт 3МГц
TIP36C
Sl-P 100В 25А 125Вт 3МГц
TIP41C
Sl-N 100В 6А 65Вт 3МГц
TIP42C
Sl-P 140В 6А 65Вт
TIP50
Sl-N 400В 1А40ВТ 2мкс
TIP54
Sl-N 500В ЗА 100Вт >2,5МГц
TIPL760
Sl-N 850/400В 4А 75Вт
TIPL760A
Sl-N 100В 4А 80Вт12МГц
TIPL761A
Sl-N 1000В 4А 100Вт
TIPL762A
Sl-N 800В 6А 120Вт
TIPL763A
Sl-N 1000В 8А120ВТ ЗМГц
TIPL790A
Sl-N 150В 10А70Вт10МГц
TIPL791A
Sl-N 450В 4А 75Вт
U440
2xN-FET 25В ЗОмА 0,35Вт
UPA63H
2xN-FET 60В ldss>20MA
UPA81C
N-матрица 8x40В 0,4А В>1000
VN10KM
N-FET60B 0,31А Up<2,5B
VN66AFD
N-FET 60В 2А 12Вт ЗЕ Up<2B
VN88AFD
N-FET 80В 1,ЗА 20Вт Up<2,5B
ZTX213
Sl-P 45В 0,2А 0,3Вт 350МГЦ
ZTX342
Sl-N 120В 0,1А 0,3Вт
ZTX450
Sl-N 60В 1А 1Вт 150МГц
ZTX550
Sl-P 60В1А1Вт>150МГц
ZTX653
Sl-N 120В 2А 1Вт>140МГц
ZTX753
SI-P120B2A1BTTO92
ZTX753M1TA
Sl-P 120В 2А 1Вт
Приложение 4Цоколевки SMD полупроводниковых приборов
Цоколевки SMD транзисторов
Тип корпуса SOT23
Код цоколевки Т1а
1 В
2 E
Номер 3 0
вывода 4
нет
5 нет
6 нет
SOT323/SC70/UMT3
Tib
E
в’
o’
нет
нет
нет
SC59, SC90 3
T1C
D
s
G
нет
нет
нет
T1d
G
s
D
нет
нет
нет
Tie
G
D
S
нет
нет
нет
У У
T1f
S
D
G
нет
нет
нет
SOT223
T2a
В
C
E
с
нет
нет
T2b
G
D
s
D
нет
нет
T2c
s
D
G
D
нет
нет
UI U L1
T2d
D
G
S
G
нет
нет
ТЗа
В
C
E
С
нет
нет
SOT89/SC62/MPT3
тзь
E
C
В
С
нет
нет
4
ТЗс
D
G
S
G
нет
нет
T3d
S
D
G
D
нет
нет
ТЗе
G
D
s
D
нет
нет
T3f
G
S
D
S
нет
нет
T3g
D
S
G
S
нет
нет
Т4а
C
E
В
Е
нет
нет
T4b
C
В
E
Е
нет
нет
Т4с
S
D
S
G
нет
нет
SOT143
T4d
S
D
G2
G1
нет
нет
SOT343
Т4е
S
G
S
D
нет
нет
43
T4f
S
G
ПС
D
нет
нет
T4g
D
nc
G
S
нет
нет
T4h
S
G1
D
G2
нет
нет
?
T4i
C1
02
E1
Е2
нет
нет
T4j
В
S
D
G
нет
нет
T4k
C1
B1,B2
02
Е1,Е2
нет
нет
T4I
B1.C2
01
E1,E2
В2
нет
нет
T5a
B1
E1
01
В2
Е2
02
T5b
B1
E1
02
В2
Е2
01
SOT363/SC88/UMT6
T5c
E2
B2
01
Е1
В1
02
6 5 4
T5d
B1
E1
02
В2
Е2
01
T5e
B1
E2
02
В2
Е1
01
T5f
E1
E2
01
В1
В2
02
T5g
D
D
G
S
D
D
T5h
S2
S1
G1
D1
D2
G2
T5i
S1
D2
G1
S1
D1
G2
Цоколевки SMD диодов
Тип корпуса
Код цоколевки
1
2
Номер 3
вывода 4
5
6
D1a
A
nc
К
нет
нет
нет
D1b
nc
A
К
нет
нет
нет
D1c
к
nc
А
нет
нет
нет
SOT23
Did
nc
к
А
нет
нет
нет
SOT323/SC70
Die
A
A
К
нет
нет
нет
SC-59
D1f
К
К
А
нет
нет
нет
3
—-£L—■
Dig
K1
A2
А1, К2
нет
нет
нет
D1h
Al
A2
KI, К2
нет
нет
нет
D1I
A1
K2
К1, А2
нет
нет
нет
1
D1j
K1
K2
А1, А2
нет
нет
нет
D1k
К
A
ПС
нет
нет
нет
D1I
FB
К
А
нет
нет
нет
Dim
К
Ref
А
нет
нет
нет
SOT223
4
D2a
A
К
ПС
к
нет
нет
1
D2b
A1
К
А2
к
нет
нет
V
SOT89
4
D3a
A
К
ПС
к
нет
нет
X /
D3b
Д
д
У У У
D4a
K1,K2
А2,КЗ
АЗ,А4
А1,К4
нет
нет
D4b
K1.K2.A3
КЗ
А2
А1
нет
нет
SOT143 / SOT343 43
D4c
K1,A2
К2.АЗ
КЗ,А4
А1,К4
нет
нет
D4d
K1
К2
А2
А1
нет
нет
D4e
K1,K2
АЗ
А2,КЗ
А1
нет
нет
D4f
A1
А2
К2
К1
нет
нет
D4g
K1
А2
К2
А1
нет
нет
D4h
A1
К2
А2
К1
нет
нет
D5a
A1
ПС
К2
А2
ПС
К1
DSb
A1
ПС
А2
К2
ПС
К1
DSC
A2
ПС
К1
А1
ПС
К2
SOT363
6 5 4
DSd
K2
К2
А1
К1
К1
А2
D5e
A2
А2
К1
А1
А1
К2
DSf
A1
А2
АЗ
КЗ
К2
К1
DSg
A1
К1-К4
А2
АЗ
К1-К4
А4
DSh
K1
А1-А4
К2
КЗ
А1-А4
К4
DSi
A1
К1.А2
К2
КЗ
АЗ,К4
А4
D5j
K1
А1,К2
А2
КЗ
АЗ,К4
А4
SOD123 / SOD323 / SOD523
SOD106/SOD110
q- =|i
D6
A
К
нет
нет
нет
нет
SMA/SMB/SMC
[^2|]
D7
к
А
нет
нет
нет
нет
Цоколевки SMD микросхем
Тип корпуса
Код цоколевки
1
2
Номер 3
вывода 4
5
6
SOT23-3 / ТО236АВ
На
Vs
Out
GND
нет
нет
нет
Mb
Out
GND
нет
Ис
GND
Reset
Vcc
нет
нет
нет
1
Md
Reset
Vcc
GND
нет
нет
нет
SOT223 / ТО261
12а
Adj
Out
Inp
Out
нет
нет
12Ь
Out
нет
I2C
Inp
GND
Out
GND
нет
нет
Y
I2d
GND
Out
Inp
Out
нет
нет
13а
Inp1
Inp2
GND
Out
Vcc
нет
13Ь
nc
Inp
GND
Out
Vcc
нет
13с
D
CP
GND
Q
Vcc
нет
13d
I/O
I/O
GND
E
Vcc
нет
13е
OE
Inp
GND
Out
Vcc
нет
I3f
lnp+
V-
Inp-
Out
V+
нет
13g
nc
nc
К
Ref
A
нет
SOT23-5
I3h
Out
V-
lnp+
Inp-
V+
нет
SOT353/SC70-5
131
Out
v+
lnp+
inp-
V-
нет
SC59-5, SC75-5
I3j
Inp
GND
On/Off
nc
Out
нет
13k
Inp
GND
On/Off
Bypass
Out
нет
54
131
SRT
GND
Vcd
Vcc
Reset
нет
13m
Out
V+
Cap-
GND
Cap+
нет
I3n
lnp+
GND
nc
Comp
Out
нет
и иг
12 3
I3o
nc
GND
On/Off
Inp
Out
нет
I3p
Vreg
GND
Ext
Vcc
Select
нет
I3q
nc
GND
Out
V+
GND
нет
I3r
Inp
GND
Byp
Adj
Out
нет
13s
Inp
GND
SHND
Adj
Out
нет
I3t
Inp
GND
SHND
Byp
Out
нет
I3u
Out
V+
lnp+
GND
Inp-
нет
I3u
Out
V+
Inp-
GND
lnp+
нет
SOT23-6
14a
V+
GND
Cap-
SD
Out
Сар+
6 Д 4
14b
GND
Out
Cap-
SD
V+
Сар+
14c
V+
GND
Cap-
GND
Out
Сар+
I4d
V+
GND
Inp
CLK
DO
CS
12 3
I4e
Out
V-
lnp+
Inp-
V+
DIS
Содержание
ПРЕДИСЛОВИЕ3
РЕЗИСТОРЫ4
1 Общие сведения4
Советы по практическому применению5
2 Обозначение и маркировка резисторов6
2 1 Система обозначения6
2 2 Маркировка резисторов отечественного производства7
3 Маркировка резисторов зарубежного производства8
3 Технические данные и маркировка бескорпусных SMD резисторов9
3 1 Общие сведения9
3 2 Маркировка SMD резисторов10
4 Особенности применения переменных резисторов11
5 Постоянные нелинейные резисторы13
5 1 Термисторы13
5 2 Варисторы13
2. КОНДЕНСАТОРЫ15
2 1 Общие сведения15
2 2 Обозначение и маркировка конденсаторов15
2 2 1 Отечественная система обозначения15
2 2 2 Маркировка конденсаторов16
2 2 3 Кодовая цифровая маркировка18
2 2 4 Цветовая маркировка21
2 3 Особенности маркировки некоторых типов SMD конденсаторов21
2 3 1 Керамические SMD конденсаторы21
2 3 2 Оксидные SMD конденсаторы22
2 3 3 Танталовые SMD конденсаторы22
2 4 Подстроечные конденсаторы зарубежных фирм23
2 4 1 Миниатюрные керамические подстроечныеконденсаторы24
2 4 2 Керамические подстроечные конденсаторы для поверхностного монтажа с шириной корпуса 4 мм25
2 4 3 Керамические подстроечные конденсаторы с шириной корпуса 3 мм25
2 4 4 Керамические подстроечные конденсаторы с шириной корпуса 2 мм26
2 5Другие типы конденсаторов26
2 6Советы по практическому применению27
ИНДУКТИВНОСТИ28
1Общие сведения28
2Маркировка катушек индуктивности28
КВАРЦЕВЫЕ РЕЗОНАТОРЫ, ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ФИЛЬТРЫ И ФИЛЬТРЫ НА ПАВ30
4 1 Общее назначение и маркировка30
МАРКИРОВКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ33
5 1 Отечественная и зарубежные системы маркировки полупроводниковых приборов33
5 2 Диоды общего назначения38
5 2 1 Типы корпусов и расположение выводов диодов38
5 2 2Цветовая маркировкаотечественных диодов40
5 2 3Цветовая маркировказарубежных диодов43
Цветовая маркировка диодов по системе PRO-ELECTRON43
Цветовая маркировка диодов по системе JEDEC43
5 2 4Цветовая маркировкаотечественных стабилитронов и стабисторов 44
5 2 5Цветовая маркировкаотечественных варикапов48
5 2 6 Буквенно-цифровая кодовая маркировка SMD диодов зарубежного производства48
5 2 7 Цветовая маркировка SMD диодов в корпусах SOD-80, DO-213AA, DO-213AB68
5 2 8 Маркировка излучающих светодиодов68
5 2 9 Маркировка знакосинтезирующих индикаторов71
5 2 10 Фотодиоды73
5 3 Транзисторы74
5 3 1 Особенности кодовой и цветовой маркировки отечественных транзисторов75
Стандартная кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26 (ТО-92)75
Стандартная цветовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26 (ТО-92) 76
5 4 Рекомендации по замене диодов и транзисторов76
МАРКИРОВКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ SMD РАДИОКОМПОНЕНТОВ78
6 1 Идентификация SMD компонентов по маркировке78
6 2 Типы корпусов SMD транзисторов78
6 3 Как определить тип полупроводникового прибора79
6 3 1 Эквиваленты и дополнительная информация80
МИКРОСХЕМЫ125
7 1 Маркировка отечественных микросхем125
7 1 1 Маркировка зарубежных микросхем127
ОСОБЕННОСТИ ТЕСТИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ133
8 1 Тестированиеконденсаторов133
8 2 Тестированиеполупроводниковых диодов135
8 3 Тестированиетранзисторов135
8 4 Тестированиеоднопереходных ипрограммируемых
однопереходных транзисторов137
8 5 Тестирование динисторов, тиристоров, симисторов138
8 6 Определение структуры и расположения выводов транзисторов, тип которых неизвестен139
8 7 Тестирование полевых МОП-транзисторов139
8 8 Тестирование светодиодов140
8 9 Тестирование оптопар140
8 10 Тестирование термисторов141
8 11 Тестирование стабилитронов141
8 12 Расположение выводов транзисторов141
Приложение 1. Логотипы фирм-производителей143
Приложение 2. Краткие справочные данные по зарубежным диодам145
Приложение 3. Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам176
Приложение 4. Цоколевки SMD полупроводниковых приборов: SMD транзисторы210
SMD диоды211
SMD микросхемы212
ООО Издательство “СОЛОН-Р”
ЛР № 066584 от 14 05 99
Москва ул Тверская д 10 стр 1 ком 522
Формат 70x100/16 Объем 14 п л ТиражЮООО
АООТ “ПОЛИТЕХ-4”
Москва Б Переяславская 46
Заказ № 182
ОСНОВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ОПУБЛИКОВАННЫЕВ ЖУРНАЛЕ “РЕМОНТ&СЕРВИС”
Подписной индекс: по каталогу Роспечати 79249, стр. 269 по объединенному каталогу прессы России 38472, стр. 204
Первое число после названия материала указывает на номер журнала, второе - год выпуска, третье - страницу начала материала
Будни сервиса
Проблемы ремонта и сервиса бытовой техники в Москве1-983
Технически сложные товары бытового назначения и потребитель 1-985
Дилерский сервис — успехи, проблемы, перспективы1-988
Приветствие журналу 1-9811
Технически сложные товары бытового назначения и потребитель 2-982
О современном состоянии российского рынка товаров бытового назначения 2-984
Сертификат соответствия — гарантия качества и безопасности3-982
Ассоциация Добросовестных Предпринимателей отвечает на Ваши вопросы3-984
1-994
Авторизованный сервис. Проблемы, перспективы2-992
Продолжаем разговор о цивилизованном сервисе 2-993
Ассоциация Добросовестных Предпринимателей “БББ” продолжает отвечать на вопросы читателей журнала "Ремонт&Сервис”3-992
Потребитель или предприниматель: кто выигрывает?4-994
Ответственность потребителя?6-994
Концепции сервиса: самостоятельный или дилерский сервис — что лучше?7-998
Срок службы, что это? 8-994
Экономика сервисного центра: как выжить на рынке услуг9-994
О государственном контроле: новые идеи, старые проблемы10-994
О теоретической и практической сложности использования термина “технически сложный товар” в Законе о защите прав потребителей РФ 1-004
Федеральный закон. О внесении изменений и дополнений в Закон Российской
Федерации “О защите прав потребителей” 2-006
3-003
Информация для потребителя 4-004
Сервис на Западе и в России — это “две большие разницы” 5-007
Законы надо читать внимательно6-005
Сервис в суде 7-007
Посредничество как способ разрешения споров и конфликтов8-002
Телевизионная техника
Состав моделей телевизоров фирмы SAMSUNG 1-9816
Ремонт и доработка источников питания телевизоров с размером экрана по диагонали 20 дюймов1-9821
Ремонт телевизоров SONY KV-M2540 В, D, Е, К и SONY KV-M2541 A, D, Е, К, L, U 2-988
3-988
Новое поколение микросхем для телевизора фирмы TOSHIBA 2-9814
Регулировка телевизоров FUNAI 2000 МК10 в сервисном режиме2-9819
Передача сигналов дистанционного управления в коде RC-5 фирмыPHILIPS 2-9820
Передача сигналов дистанционного управления в коде IR-60 фирмыSIEMENS 3-9813
Передатчик сигналов дистанционного управления на микросхеме M3004LAB1 фирмы SGS-THOMSON 1-995
Телевизоры фирмы SONY 2-9914
Неисправности источников питания зарубежных цветных телевизоров 3-996
Повышение четкости по горизонтали в системе SECAM3-9911
Передатчик команд ДУ на микросхеме SAA1250 фирмы ПТ 4-997
Обнаружение и устранение неисправностей телевизоров SONY,
собранных на шасси ВЕ-4А
5-99
6-99
4
8
Продление срока службы кинескопа
5-99
13
Регулировка телевизоров SONY собранных на шасси ВЕ-4А
7-99
10
Особенности применения фильтров ПАВ
Сравнительный анализ телевизионных моношасси МХ-3 и МХ-5 производства фирмы
7-99
12
MATSUSHITA ELECTRONIC СО (PANASONIC)
8-99
7
Еще раз о продлении срока службы кинескопа
8-99
8
Вхождение в сервисный режим и регулировка зарубежных телевизоров
9-99
6
10-99
12
Процессоры микротекста для современных телевизоров
10-99
7
Поиск и устранение неисправностей в телевизорах PANASONIC на шасси МХ-3
11-99
6
12-99
4
Термосигнализатор
Устранение неисправностей в телевизорах SONY, собранных на шасси ВЕ-4В,
11-99
13
по результатам самодиагностики
1-00
7
Устранение неисправностей в пультах дистанционного управления (ПДУ) телевизоров
1-00
8
Еще раз о телевизорах SONY, собранных на шасси ВЕ-4А Устранение неисправностей по результатам самодиагностики
2-00
8
Телевизор начинается с антенны
2-00
10
Черно-белый переносный телевизор Юность 31 ТБ-41 ОДА” Особенности ремонта
3-00
6
Телевизоры AIWA1402, 2002, 2102 Особенности сервисного режима
Телевизоры SONY KV-29C3R на шасси АЕ-4 Восстановление работоспособности
3-00
11
после очистки памяти или замены микросхемы памяти
4-00
9
Устройства для качественного приема телевизионного сигнала
4-00
11
Характерные неисправности источников питания зарубежных телевизоров
4-00
14
Цветной телевизор “Юность 42 ТЦ-408Д Устройство и ремонт
5-00
9
6-00
10
Особенности ремонта телевизоров SHARP 14B-SC/14D-SC/20B-SC
5-00
12
Телевизоры BANGA и ТЕМП Особенности ремонта источников питания
5-00
13
Неисправности различных моделей телевизоров
Телевизоры PHILIPS на шасси MD 1 2Е(АА) Критические неисправности,
6-00
7
ремонт и сервисные регулировки
7-00
10
Еще раз о качественном приеме телевизионного сигнала
7-00
20
Особенности новых поколений микросхем кадр в кадре Обмен опытом
8-00
5
Доработка источников питания телевизоров PHILIPS (RECOR SHERION) моделей 4020/4021
1-99
9
Ремонт источников питания телевизоров FUNAI
4-99
10
Защита от перенапряжения бытовых приборов с импульсными источниками питания
6-99
14
Неисправности видеопроцессоров зарубежных цветных телевизоров
7-99
15
О неисправностях телевизоров связанных с дежурным режимом работы
9-99
11
Об одной неисправности телевизора PHILIPS 29РТ5302/58
Телевизоры FUNAI TV-2000A МКВ МК7 и SONY KV-M14000K Некоторые
10-99
18
неисправности в цепях питания
1-00
10
Видеодвойки SONY KV-14V5 KV-14V6 Функция самодиагностики и сброс ошибок
1-00
11
Некоторые неисправности телевизоров RECOR-4021, выявленные в практике ремонта
2-00
14
Об одном недостатке телевизоров PANASONIC
2-00
16
Причина — копеечный конденсатор, последствия — более серьезные
6-00
15
Видеотехника
Ремонт программного переключателя видеомагнитофонов
1-98
24
Состав моделей видеомагнитофонов фирмы SHARP
2-98
24
DVD — новое поколение носителей информации
2-98
26
Особенности схемотехники усилителей блоков видеоголовок
3-98
17
Ремонт видеомагнитофонов
1-99
10
Ремонт источников питания видеомагнитофонов
2-99
9
3-99
16
Типовые неисправности блока питания видеокамеры PANASONIC NV-R11E
2-99
12
Особенности схемотехники привода трансфокатора диафрагмы
и фокусировки видеокамер
3-99
14
Структурная схема видеокамеры NV-R33E/B/A ( NV-R330EN ) фирмы PANASONIC
4-99
12
Ремонт лентопротяжных механизмов видеомагнитофонов
5-99
15
6-99
17
Схема управления и электропривода видеокамеры PANASONIC NV-R330EN
6-99
20
Ремонт электронной части видеомагнитофонов
7-99
16
Регулировка видеомагнитофонов
9-99
12
Типичные неисправности видеоплейера FUNAI VIP-5000LR и их устранение
10-99
20
Особенности диагностики и ремонта видеомагнитофонов SANYO VHR-670/680
11-99
15
Некоторые характерные неисправности видеоплейера ORION-N3000E-V
12-99
12
Видеоплейер SHIWAKI SVP-710 Некоторые неисправности
1-00
12
Видеокамера PANASONIC NV-R11E Типичные неисправности аудиотракта
2-00
17
Видеоплейер GRUNDIG GVP500R Возможные неисправности Юстировка ЛПМ
4-00
16
Видеокамера PANASONIC NV-R330EN Электрические регулировки
5-00
14
Источник питания — зарядное устройство VW-AS4E\B\A Принцип работы Возможные неисправности
6-00
17
Диагностика видеомагнитофона PANASONIC NV-SD750 с помощью кодов ошибок и сервисных режимов
8-00
9
Обмен опытом
FUNAI — воспроизводит но не перематывает
3-98
22
Видеомагнитофон AKAI VS-23EK отсутствует цвет в режимах записи и воспроизведения изображения
1-99
12
Защита видеомагнитофонов и телевизоров от коммутационных токов
4-99
14
Неисправности видеомагнитофонов ‘Электроника ВМ-12
5-99
19
Основные неисправности электромеханических узлов видеомагнитофонов и видеоплейеров фирмы PANASONIC (шасси механической части серии К)
7-99
19
Ремонт механизма загрузки/выгрузки кассеты в видеомагнитофоне SHARP VC-MA443
9-99
14
Восстановление схемы управления шаговым двигателем видеокамер
6-00
19
Аудиотехника
Улучшение звука проигрывателей грампластинок
2-98
28
Несколько практических советов по улучшению звучания акустических систем
3-98
23
Чем богат рынок импортных радиоприемников?
1-99
13
Типовые неисправности источников питания лазерного звукового проигрывателя компакт-дисков CDP-101 фирмы SONY
2-99
21
Усилитель и качество звучания Hi-Fi аудиокомплекса
2-99
24
Если вы собираетесь приобрести импортную автомагнитолу
3-99
21
Домашний театр Часть 1 Общие сведения из теории и практики систем домашнего театра
3-99
18
Часть 2 DVD-домашний театр — технология XXI века
4-99
16
Часть 3 Средства отображения кинескопные и проекционные телевизоры, телевизионные проекторы, плазменные панели
5-99
20
Часть 4 Многоканальный объемный звук — правдивая ложь"
6-99
25
Часть 5 Рекомендации по выбору акустических систем
8-99
13
Часть 6 В устройстве домашнего театра мелочей не бывает
10-99
24
Бытовая радиоаппаратура Неисправности и способы их обнаружения Советы начинающему ремонтнику
4-99
19
Если Вы приобрели импортную автомагнитолу
4-99
21
Если вы собрались купить аудиоплейер
6-99
27
Ваш кассетный плейер звучит громче и чище
7-99
20
Как улучшить звук переносной CD-магнитолы
9-99
15
Устройство и ремонт автомагнитол PIONEER КЕ-1700/2700/2730
11-99
18
Магнитола PANASONIC RX-FS430 Устройство, настройка и ремонт
12-99
1-00
17
17
Музыкальный центр SHARP SYSTEM CD-555H(GY) Устройство и ремонт основных узлов 2-00
20
Трехпрограммныи приемник Электроника-203 Устройство и ремонт
2-00
26
Музыкальный центр SHARP SYSTEM CD-555H(GY) Устройство и ремонт блока CD-проигрывателя
3-00
13
Антом гнитола PANASONIC CQ-D50LEEP Некоторые рекомендации по ремонту
4-00
20
Об одной неисправности музыкального центра AIWA NSX-V400 4-0025
Двухкассетная дека TECHNICS RS-TR575. Обслуживание и ремонт 5-0016
Автомагнитола SONY XR-1850/1853. Устройство, настройка и ремонт6-0020
Переносной аудиоцентр SANYO MCD-S730F7-0022
Переносная магнитола SHARP WQ-283. Характерные неисправности и особенности ремонта8-0011
Обмен опытом
Об одной неисправности автомагнитол с цифровой настройкой3-0020
Телефония
Диагностика и настройка радиотелефонов диапазона 46. ..49 МГц1-9826
Радиотелефоны: наиболее распространенные дефекты и практические советы по их устранению 2-9832
Концепция построения телефонного аппарата с автоматическим секретарем
на микросхемах фирмы SANYO2-9835
Способы устранения неисправностей АОН на базе микропроцессора Z80 2-9838
Радиотелефоны с многоканальным доступом 3-9826
Радиотелефоны VOYAGER CL-1000XP, VOYAGER CL-1000UP2-9926
Ремонт автоматического определителя номера, построенного на основе микропроцессора Z80 3-9925
Ремонт радиотелефонов SANYO CLT-85KM 4-9924
Ремонт автоматического определителя номера на основе однокристальной микро-ЭВМ 80С31 5-9923
Устройство, программирование и тестирование радиотелефонов SENAO SN-258 6-9931
Устройство, регулировка и ремонт радиотелефона PANASONIC КХ-Т9500 7-9924
8-9917
О замене источников питания бесшнуровых телефонов8-9922
Радиотелефон SANYO CLT-536 (RU)9-9918
Типовые электронные неисправности телефонной трубки радиотелефона
PANASONIC KX-T3730R 9-9928
Увеличение радиуса действия радиотелефонов .•10-9927
Радиотелефон HARVEST НТ-3 и его недокументированные возможности11-9925
Устройство и ремонт АОН-приставки к телефону на однокристальноймикро-ЭВМ 80С31 .1-0023
Периферийные интерфейсные PIC-контроллеры фирмы MICROCHIP и их применение . .2-0028
Повышение эксплуатационной надежности одноканальных бесшнуровых телефонов . . . .2-0032
Монтаж, подключение и обслуживание мини-АТС PANASONIC КХ-Т206 3-0022
Радиотелефон SENAO SN-868R. Передающее устройство базы 4-00 26
Учрежденческаая автоматическая телефонная станция ERICSSON MD-1105-0019
Радиотелефоны PANASONIC КХ-ТС 1000B/1040B/1005RUC. Особенности
и характерные неисправности 6-0026
Программирование учрежденческой автоматической телефонной
станции ERICSSON MD-110 ,6-0029
Ваш сотовый телефон отказал. Что делать? 7-0027
Телефонный аппарат GENERAL ELECTRIC FS-9169. Устройство и ремонт8-0015
Обмен опытом
Характерные неисправности модемов7-0028
Оргтехника
Ремонт пишущих машинок фирм OLIVETTI, OPTIMA, SMITH CORONA 1-9930
Поиск и устранение неисправностей источников питания факсимильных аппаратов . . . . 1-9832
Копировальные аппараты CANON FC-2. Устройство, ремонт, техническое обслуживание .2-9839
3-9830
Устройство и ремонт источников питания персональных компьютеров 1-9916
Ремонт пишущих машинок зарубежных фирм 1-9922
Профилактическое обслуживание факсимильного аппарата PANAFAX UF-150 1-9924
Профилактическое обслуживание копировального аппарата CANON NP-1215 2-9932
Методика поиска неисправностей в тракте передачи факсимильного аппарата
PANAFAX UF-150 2-9934
Обслуживание лазерных принтеров фирмы HEWLETT-PACKARD 4-9935
Видеомонитор SAMSUNG SyncMaster 3 Ne (CQB 4147, CQB 4157, CQB 4153-L). Принцип работы, регулировка, ремонт4-9938
Копировальный аппарат “FT 3415" фирмы RICOH. Схема привода механических узлов. Временная диаграмма работы4-9945
Диагностика неисправностей лазерных принтеров серии LaserJet II, III и IV 5-9931
Служебные коды копировального аппарата “FT2012/2212" фирмы RICOH5-9932
Что делать? Некоторые рекомендации для пользователей по реанимации компьютера . . .5-9936
Диагностические коды ошибок копировальных аппаратов PANASONIC FP-1780/2680 6-9938
7-9935
Заправка тонером и восстановление картриджей HP С3906 А, используемых в лазерных принтерах фирмы HEWLETT PACKARD LaserJet 5L, 6L7-9936
О временной диаграмме работы копировального аппарата PANASONIC FP-1780/FP-2680 .8-9924
Тестовые режимы работы факсимильного аппарата PANAFAX UF-150 8-9926
Аппаратные неисправности лазерных принтеров серии LaserJet II, III и IV фирмы HEWLETT-PACKARD 8-9932
Коды ошибок копировального аппарата KONICA U-BIX 3042/4012 9-9929
Световая индикация типовых неисправностей принтеров9-9931
Особенности механических регулировок пишущих машинок зарубежного производства . . .9-9932
Источники бесперебойного питания фирмы АРС10-9930
Коды ошибок и устранение неисправностей копировального аппарата MINOLTA DI30 . . . .11-9932
12-9930
О типовых неисправностях источника питания и высоковольтного блока принтера PANASONIC КХ-Р4400 12-9927
О разрешающей способности лазерного принтера 12-9931
Факсимильный аппарат PANAFAX UF-150. Типовые неисправности источников питания . .1-0027
Заправка тонером, восстановление и ремонт картриджей HP С3930А, используемых в лазерных принтерах LaserJet 5Р/5МР, 6Р/6МР фирмы HEWLETT PACKARD1-0029
Восстановление и заправка картриджей НР51625А, НР51626А, НР51633М для струйных принтеров фирмы HEWLETT PACKARD1-0029
Факсимильный аппарат PANASONIC KX-F130. Профилактические работы, программирование и коды проверки работоспособности 2-0034
Копировальный аппарат KONICA U-BIX 3042/4012. Техническое обслуживание 2-0037
Неисправности видеомониторов, вызываемые отказами микросхем 3-0028
Регулировки копировального аппарата KONICA U-BIX 3042/4012 3-0029
Неисправности схем защиты источников питания персональных компьютеров4-0029
Лазерный принтер BROTHER HL-630. Характерные неисправности источника питания . . .4-0031
Копировальный аппарат CANON NP1215. Устранение неисправностей механизма подачи бумаги4-0032
Неисправности преобразователя источника питания персонального компьютера5-0021
Копировальный аппарат CANON NP1215. Регулировка автоматической экспозиции5-0022
Факсимильный аппарат PANASONIC KX-F130. Критические неисправности и их устранение 5-0023
Копировальный аппарат RICOH FT2012/1212. Электрические регулировки в сервисном режиме6-0032
Факсимильный аппарат Multipass 800 фирмы CANON. Возможные неисправности источника питания6-0033
Коды состояния копировальных аппаратов RX-5017/5316/5317 фирмы RANK XEROX . . . .6-0034
Струйный принтер Stylus 820 фирмы EPSON. Характерные аппаратные неисправности . .6-0035
Неисправности цепей запуска источников питания компьютеров7-0029
Факсимильный аппарат CANON Faxphone В70. Таблица кодов ошибок7-0030
Характерные неисправности источника бесперебойного питания AF-400T-50 7-0035
Лазерный принтер HP LJII. Локализация гнеисправностей 8-0018
Доработка источника питания факсимильного аппарата PANASONIC KX-FP101 8-0020
Шредер — помощник в современном делопроизводстве 8-0022
Обмен опытом
Еще раз о ремонте факсимильного аппарата PANASONIC KX-F130 2-9936
Характерные неисправности принтеров STAR LC15 (NX-1500)6-9940
Заправка картриджей струйных принтеров EPSON Stylus Color9-9934
О неисправности “белая страница” копировального аппарата CANON NP-1215 10-9925
Неисправности видеомониторов, вызываемые дефектами конденсаторов 11-9934
Ремонт видеомониторов, связанный с отказами полупроводниковых диодов 1-0036
Некоторые неисправности приводов CD-ROM и способы их устранения 5-0026
О некоторых неисправностях копировального аппарата SHARP SF 2114 7-0037
Об одной неисправности лазерного принтера SIEMENS/NIXDORT HIGH PRINT 4820 8-0024
Диагностика копировального аппарата RICOH FT2012/2212 8-0026
Бытовая техника
Покупка, доставка и подключение крупной бытовой техники1-9836
Устройство и характерные неисправности холодильников ВЕКО NRF 5050Х1-9840
Бытовые стиральные машины: нормы отклонения фактических характеристик от номинальных2-9844
Эволюция и основные принципы стирки: как работает стиральная машина
и от чего зависит ее работа 2-9846
Сервисное обслуживание плит фирмы ВЕКО 2-9847
1-9934
Устройство и ремонт фотоаппаратов SAMSUNG F-111 3-9835
Нетрадиционные стиральные машины3-9839
Ремонт автоматических стиральных машин ARISTON AS 1047 СТХ и INDESIT WDS 1040 ТХ. .3-9841
Бытовые электроплиты: некоторые характерные проблемы подключения и технического
обслуживания 1-9927
Устройство и ремонт фотоаппаратов SAMSUNG FF-222 1-9929
Стиральная машина ARISTON Dialogic. Функциональные характеристики и ремонт.
Часть 1 2-9938
Часть 2 3-9951
Часть 3 4-9932
Часть 4 ."5-9943
Бытовые холодильники. Нормы отклонения фактических характеристик от номинальных .3-9954
Стиральная машина EURONOVA EU351. Устройство и характерные неисправности 5-9940
Современная швейная машина: Ваш правильный выбор — залог успеха! 6-9942
Сервисное обслуживание плит фирмы ВЕКО 2-9847
Установка бытовых приборов. Интервью с директором ООО “БСХ Бытовая техника” Клаусом-Гюнтером Цобелем 7-9938
Бытовые электропылесосы. Устройство и ремонт7-9939
8-9938 9-9935
Установка и подключение сложной бытовой техники8-9941
9-9937 12-9937
Концепция построения современной бытовой техники фирмы TOSHIBA8-9945
Беспомеховый регулятор мощности для электроплиты9-9939
Техническое обслуживание посудомоечных машин ARISTON серии 2000 10-9938
Система соединения трубок холодильного оборудования LOKRING ..10-9941
Программа самодиагностики бытовой швейной машины Creative 7570 фирмы PFAFF . . .10-9943
Устройство, диагностика и ремонт холодильников “No frost" торговых марок
ARISTON и GOLD STAR 11-9936
12-9932
Электрические утюги11-9941
12-9934
Регулятор-стабилизатор оборотов электродвигателя 1-0038
Системы принудительной циркуляции воздуха в холодильном аппарате1-0042
Защита бытовой техники от бросков напряжения в сети2-0039
Машинки для стрижки волос2-0042
Энергопотребление современных электробытовых приборов2-0046
Диагностика кондиционеров PANASONIC 3-0035
Стиральные машины фирмы GENERAL ELECTRIC. Особенности подключения, эксплуатации и ремонта 3-0037
Защита бытовой техники от бросков напряжения в сети3-0039
Электробритвы с вибрационным приводом 3-0042
Капельные кофеварки. Устройство и ремонт4-0035
Электробритвы с вращательным движением ножей 4-0040
Устройство и ремонт стиральных машин фирмы GENERAL ELECTRIC 5-0027
0 некоторых неисправностях микроволновой печи DAEWOO КОС-961 С 5-0030
Стиральная машина Singlenova 1000 6-0037
Микроволновые печи EM-S101/S102/S301 фирмы SANYO. Устройство и ремонт 6-0040
Стиральные машины фирмы GENERAL ELECTRIC. Устройство и ремонт7-0038
Электрокофемолки 7-0042
Фотоаппарат POLAROID-3000AF. Устройство и устранение дефектов 8-0027
Электрорадиаторы 8-0032
Обмен опытом “Фумитокс” по-русски11-9924
Ремонт датчика-реле температуры Т-130 холодильника “Бирюса-21/21 С”4-0044
Автоэлектроника
Автомобильный электробензонасос: устройство, принцип действия и ремонт2-9851
Электростартер современного легкового автомобиля: особенности конструкции, принцип действия, диагностика неисправностей, ремонт 3-9850
Автомобильная аккумуляторная батарея1-9939
2-9944
Ремонт электронных коммутаторов зажигания1-9943
Блок управления электромагнитным клапаном карбюратора. Основные неисправности и ремонт 2-9942
Параметры и характеристики автомобильных аккумуляторных батарей2-9946
Сервисное обслуживание автомобильных аккумуляторных батарей 3-9936
Современные автомобильные электрогенераторы 4-9947
5-9944
Регуляторы напряжения автомобильных генераторов6-9944
Автомобильные свечи зажигания7-9944
8-9947
Повышение эффективности противоугонной системы автомобиля8-9952
Автомобильные катушки зажигания 9-9946
Модернизация зарядных устройств автомобильных аккумуляторов10-9945
Современные автомобильные системы зажигания 10-9947
11-9946
Фары современных легковых автомобилей 12-9940
Ремонт системы зажигания автомобилей BMW12-9944
Электролампы для автомобильных фар 1-0046
Автомобильные стробоскопические приборы СТБ-1 и "Авто-Искра"1-0048
Системы впрыска топлива для бензиновых двигателей 2-0049
Диагностирование основных систем электрооборудования автомобиля ГАЗ-3110 “Волга" с двигателем ЗМЗ-402.10 2-0055
3-0048
4-0045
Системы впрыска топлива “Mono-Motronic" 3-0047
4-0051
Комплексная система управления двигателем ЭСАУ-ВАЗ5-0036
Системы впрыска бензина группы "L"6-0045
Фотоэлектрическое устройство для определения загрязнения автомобильных фар 6-0049
Модификации систем впрыска группы “L" 7-0045
Микас — комплексная система управления автомобильным двигателем7-0050
Форсунки впрыска топлива для бензиновых двигателей8-0036
МИКАС — комплексная система управления автомобильным двигателем8-0041
Обмен опытом Подготовка автомобиля к длительной зимней поездке 3-9858
Основные неисправности электрогенераторов автомобилей ВАЗ 5-0042
Диагностика пуско-зарядного устройства Arton-02 6-0051
Установка газобалонного оборудования фирмы LANDI на автомобиль VOLKSWAGEN-PASSAT с системой впрыска “DIGIFANT" 8-0044
Радиосвязь
Устранение неисправностей в автомобильной радиостанции СВ диапазона МАУСОМ ЕМ-27 3-9859
Улучшение характеристик трансивера FT 840 фирмы YAESU1-9948
Настройка основных параметров радиостанции ALINCO DJ-191 1-9950
Радиосети в глубинке России1-9952
Регулировка характеристик трансивера FT-1000MP фирмы YEASU2-9918
Портативная радиостанция гражданского диапазона МАУСОМ АН-27 3-9947
Проверяем фидерный тракт4-9954
Портативная радиостанция гражданского диапазона МАУСОМ SH-27 5-9951
Регулировка характеристик радиолюбительского трансивера FT-920 фирмы YAESU 6-9950
Радиомаяк в СИ-БИ 7-9952
Портативная радиостанция гражданского диапазона с режимом SSB DRAGON SS-201 . . .8-9935
AM, FM, SSB-автомобильная радиостанция гражданского диапазона Dragon SS485 9-9954
Регулировка некоторых характеристик трансивера FT-920 фирмы YAESU10-9950
Устанавливаем антенну на автомобиль 11-9952
Современные цифровые беспроводные радиотелефонные системы12-9948
Автомобильная УКВ радиостанция DRAGON SY-550 1-0051
Программируем трансивер VERTEX VX-500 2-0058
Зарядный “универсал" для аккумуляторных блоков питания портативных радиостанций ,2-00 , 60
Стационарная гарнитура для радиостанции YOSAN-2204 2-0062
Принципы конструктивного выполнения эквивалентных нагрузок. Методы определения выходной мощности передатчиков3-0052
4-0053
Усилители мощности Си-Би диапазона 4-0055
Стационарная радиостанция гражданского диапазона DRAGON SS-497 5-0044
Доработка стационарных штыревых антенн УКВ радиостанций диапазона 33-46 МГц '... .5-0050
Пеленгационная головка к Си-Би радиостанции 6-0052
Применение аттенюатора в антенно-фидерном тракте приемопередающей аппаратуры . .6-0053
Регулировка основных характеристик трансивера FT-2400H фирмы YAESU7-0053
Радиостанция гражданского диапазона ALAN 100 PLUS8-0046
Обмен опытом
Простое зарядное устройство для двух портативных радиостанций1-0054
Измерительная техника
Диагностический прибор фирмы SONY 2-9857
Измерительная техника фирмы FLUKE 1-9953
Особенности современных мультиметров для ремонтных и наладочных работ 2-9954
Измерительные приборы для ремонта3-9944
Миниатюрные осциллографы фирмы FLUKE4-9956
Импортные аналоговые осциллографы на отечественном рынке5-9954
Измерительные приборы FLUKE специального назначения 7-9954
“Виртуальные" приборы для реальных ремонтных работ 8-9954
Портативный анализатор спектра PROTEK 3200 9-9958
Сервис-монитор IFR-7550 11-9955
Измерительная техника для ремонтной диагностики и испытаний 12-9951
Практическое использование специальных шкал децибел 1-0055
Секреты универсального анализатора антенн MFJ-259 3-0054
Измеритель мощности передатчика5-0052
Осциллограф С1-65. Устройство и работа составных частей 7-0056
Осциллограф 01-65. Ремонт 8-0053
Элементная база и измерительная техника
Семейство универсальных телевизионных процессоров TDA837X фирмы PHILIPS1-9847
Универсальные телевизионные процессоры TDA8376/A/AH фирмы PHILIPS 2-9855
Многофункциональный видеопроцессор TB1226DN фирмы TOSHIBA1-9957
Выбор и эксплуатация малогабаритных аккумуляторов 2-9957
Современные методы монтажа и замены электронных компонентов3-9957
Многофункциональный видеопроцессор фирмы SGS-TOMSON STV2112B 3-9959
Высоковольтные транзисторы фирмы PHILIPS 4-9958
Микросхемы для источников питания по технологии GREENCHIP5-9956
6-9953
Резисторы в бытовой аппаратуре6-9957
7-9957
9-9960
10-9955
Новый широкополосный малошумящий монолитный усилитель INA50311 фирмы HEWLETT PACKARD7-9956
Паяльно-ремонтный инструмент для любого бюджета 8-9956
Технические данные и маркировка бескорпусных SMD-резисторов 8-9960
Выбор материалов при проведении паяльных работ9-9961
Счетчики Гейгера для бытовых дозиметров10-9952
Особенности ремонта узлов радиоэлектронной аппаратуры на МДП-транзисторах11-9957
Микросхемы фирмы MITSUBISHI в декодере цветности 12-9954
Микропроцессоры и БИС накануне II 1-тысячелетия1-0057
Транзисторы для усилителей мощности радиопередающих устройств3-0056
Тестирование радиоэлементов3-0059
4-0058
Интеллектуальные десятистраничные декодеры телетекста SAA 5261/5262/5263 4-0060
Новые типы тиристоров 4-0063
Телевизионный микроконтроллер и декодер телетекста SAA 5Х9Х 5-0055
Интегральные микросхемы ПЗУ с электрическим перепрограммированием 5-0057
Оксидные конденсаторы в электронной аппаратуре 6-0058
Ремонт и восстановление аккумуляторных батарей, используемых в современных портативных аппаратах■.6-0056
Микросхемы выходных каскадов кадровой развертки7-0061
8-0056
Высоковольтные оптоэлектронные реле фирмы COSMO ELECTRONICS 8-0060
Справочный раздел
Сеть авторизованных сервисных центров фирмы MERLONI ELETTRODOMESTICI S.P.A. . .1-9854
2-9861
Распределение вещательных и кабельных каналов и частот в ряде стран мира 1-9858
Стиральные машины. Словарь используемых терминов 2-9858
Конфигурация шлицов и головок, используемых в импортном оборудовании 1-9963
Краткий англо-русский словарь терминов и обозначений по карманным и переносным радиоприемникам 1-9963
Аббревиатуры по бытовой аудио- и видеотехнике2-9960
4-9961
5-9962
7-9962
....10-9961
Маркировка импортных дискретных полупроводниковых приборов 2-9962
Краткий англо-русский словарь терминов, условных сокращений и обозначений по зарубежным автомагнитолам3-9962
Краткий англо-русский словарь терминов, условных сокращений и обозначений по зарубежным аудиоплейерам 6-9962
Термины и аббревиатуры по телефонии 8-9962
Пиктограммы по фототехнике10-9961
11-9961
Таблицы совместимости и ресурсы съемных изделий лазерных принтеров, струйных принтеров и факсов 10-9963
11-9961
Таблица 5. Совместимость картриджей, модулей памяти и шрифтов фирмы HEWLETT PACKARD (DJ — DESK JET;DW — DESK WRITER)1-0061
Термины и аббревиатуры по технике связи,телефонии и телекоммуникациям1-0062
3-0062
5-0062
6-0062
Резисторы. Цветовая маркировка
Резисторы проволочные.Цветовая маркировка
Цвет1к2-й Множитель Допускэлемент элемент•Золотой^5%Серебряный0,1£2+ 10%Цвет1к2-й Множитель Допускэлемент элемент•Золотой^5%Серебряный0,1£2+ 10%Желтый44 10kQ ±4%Желтый44 10kQ ±4%Белый99Белый99Примеробозначения
Цвет1к2-й Множитель Допуск
элемент элемент•
Золотой^5%
Серебряный0,1£2+ 10%
Цвет1к2-й Множитель Допуск
элемент элемент•
Золотой^5%
Серебряный0,1£2+ 10%
Желтый44 10kQ ±4%
Желтый44 10kQ ±4%
Белый99
Белый99
100 Ом + 20%
2,2 Ом +10%
51 Ом + 20%
(голубая полоса)(голубая полоса)Первые одна или две полосы серебряного или белого цвета означают, что резистор —проволочный (на рис. изображены слева)Первые одна или две полосы серебряного или белого цвета означают, что резистор —проволочный (на рис. изображены слева)Термоустойчив
(голубая полоса)
(голубая полоса)
Первые одна или две полосы серебряного или белого цвета означают, что резистор —проволочный (на рис. изображены слева)
Первые одна или две полосы серебряного или белого цвета означают, что резистор —проволочный (на рис. изображены слева)
1,2 мкФ ±10%, 16 В
Конденсаторы высоковольтные
Цвет2 И м Множитель Допуск ^
■•^ие»)элемент элемент
Золотой
Белый
Примеробозначения
±10%
47 нФ ±10%
400 В
Конденсаторы. Цветовая маркировка
Желтый + эанжевый М2200100 пФ. М15004,7 пФ. М75Желтый + эанжевый М2200100 пФ. М15004,7 пФ. М75
Желтый + эанжевый М2200100 пФ. М15004,7 пФ. М75
Желтый + эанжевый М2200100 пФ. М15004,7 пФ. М75
Конденсаторы. Цветовая маркировка ТКЕ
Цвет полосы "ТКЕПример обозначения
элементэлементэлементэлементМножительМножительДопускДопускЗолотойЗолотой0.01 pH + 5%0.01 pH + 5%
элемент
элемент
элемент
элемент
Множитель
Множитель
Допуск
Допуск
Золотой
Золотой
0.01 pH + 5%
0.01 pH + 5%
Дроссели. Цветовая маркировка
Пример обозначения
33 мкГ ±10%
39 мкГ±20%
5.1 мГ±5%
Фильтры пьезокерамические
Цвет метки
Цвет корпуса
Бледно-зелен ый
I
Бледно-голубой
Желтый
ФП1П8-62.01 (5,5)
Желтый белый
ФП1П8-62.02 (6,5)
I Красный
1
ФП1Р8-63.04 (6.5)
ФП1Р8-63.03 (5,5)
белый
Белый
1
Красный
ФП1Р8-63.02 (6 5)
10
Нет
ФП1Р8-63.01 (5,5)
Примеры обозначения
ФП1Р8-63.02
Диоды. Цветовая маркировка поевропейской системе PRO ELECTRON
Цветполосы ПОЧКИ)Цветполосы ПОЧКИ)1-й2-й3-й4-й
Цветполосы ПОЧКИ)
Цветполосы ПОЧКИ)
элементэлементэлементэлемент
Золотой
Серебряный
Черный
V
X
0
нпри-чневый
1
1
Красный
ВА
S
2
2
Оранжевый
3
3
ВАТ85
Стабилитроны. Цветовая маркировкапо системе JIS-C-7012 (Япония)
Цвет1-й2-й
1=ло=ы<хоч*)элементэлемент
ЗолотойСеребряныйЗолотойСеребряный
Золотой
Серебряный
Золотой
Серебряный
Белый
Примеробозначения
10 В
Двойной второй элемент указывает на запятую между цифрами
7,5 В
Диоды и стабилитроны. Цветоваямаркировка по системе JEDEC (США)
Золотой
С ч -эбриный
Отсчет колец начинается с широкой полосы, Черная широкая полоса указывает на катод диода Если широкая полоса не черная, то прибор является стабилитроном. Первый прибор (1N66) — диод, остальные — стабилитроны.
Транзисторы. Цветовая маркировка
ЦветТипГруппаГод
полосы (точки)1 й элемент2 й элемент3-й элемент
БежевыйКТ345 Г1977
Месяц
4-я элемент
янв
Синий
КТ349
В
, фчв
ЗеленыйКТ352 И1985 мар
Салатовый
ж
1978
май
Коричневый 0( аНЖВВЫЙ
КТ326
Д
1ч7м
Электрик
Е
1980 сен
БелыйКТ6451982 окт
ЖелтыйКТ354Бноя
Голубой
КТ3107
1986
Дек
Розовый
ктзез
А
Бирюзовый
Примеробозначения
КТ3107Л
1977г., июль
Транзисторы Цветовая маркировка
Цвет Тип элемента Буква группы
I Бордо
КТ203
I А I
Желтый
КТ502
Б
Теми, зеленый
КТ3102
в
Голубой
КТ339
Синий
КТ342
д
Белый
КТ503
Е
Коричневый
КТ326
Ж
Серебряный
КТ632
и л*
Оранж -1 ■
КТ313, КТ368
к м*
ТГичный
КЛ364
Примеробозначения
КТ502А
* для транзисторов выпуска до 90-го года
“ буквы в скобках (И. К) используются другими производителями
Катушки контуров радиоприемныхустройств
БелыйБелыйЦветНазначение
Белый
Белый
Черный *
Входной контур диапазона MW
Синий
Входной контур диапазона SW1
Коричневым
й контур диапазона 5W5
Контур гетеродина диапазона LW
ЗеленыйРозовыйЗеленыйРозовыйКрасныйКон гете ,»*на и пазона MW
Зеленый
Розовый
Зеленый
Розовый
Контур гетеродина диапазона SW2 **
Желтый
Контур тракта ПЧ 455 кГц
РозовыйРозовыйФиолетовыйФиолетовыйКонтур тракта ПЧ 10 7 МГцКонтур тракта ПЧ 10 7 МГц
Розовый
Розовый
Фиолетовый
Фиолетовый
Контур тракта ПЧ 10 7 МГц
Контур тракта ПЧ 10 7 МГц
Оранжевый
Примеробозначения
Контур трактаПЧ 10,7 МГц
материала сердечника
** - при наличии диапазона SW2 контур детектора 10,7 мГц имеет фиолетовый код
Д. А. Садченков