Книга
Книга
Глава 1
НЕИСПРАВНОСТИИ ЗАМЕНА РАДИОДЕТАЛЕЙПРИ РЕМОНТЕ БЫТОВОЙ РАДИОАППАРАТУРЫ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
При ремонте бытовой радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) конечной целью является отыскание причин ее отказа, замена неисправных радиодеталей и устранение дефектов монтажа.
При обнаружении неисправной детали анализируют и устраняют причину выхода ее из строя, а затем устанавливают исправную. Анализ и устранение причин выхода из строя деталей всегда обязателен, так как просто установка годной детали и включение аппарата может сразу привести к ее повторному выходу из строя, а иногда и к другим нежелательным последствиям. Это в первую очередь относится к радиодеталям выходных мощных каскадов У34, блока разверток, блока питания и др., так как там действуют значительные токи и напряжения.
Особенно внимательно надо относиться к замене предохранителей: установка предохранителей, рассчитанных на больший ток, может привести к возгоранию аппарата (особенно лампово-полупроводниковых цветных телевизоров).
При анализе причин выхода из строя радиодеталей надо иметь в виду, что в большинстве случаев это происходит из-за повышенного напряжения и тока или их резких изменений. Причинами выхода из строя могут быть также удары, плохие контакты отдельных выводов, недостаточное охлаждение радиаторов транзисторов, микросхем или плохой контакт с ними, износ (например, ламп, кинескопов).
Определенная сложность при определении исправности радиодетали возникает из-за «неодинакового поведения» ее при работе в схеме и вне схемы, особенно в цепях с высоким напряжением. При проверке относительно простыми способами деталь может выглядеть исправной, а при установке в схему нормально не работать. Поэтому предпочтительно исправность многих радиодеталей проверять только методом установки их в исправные блоки и каскады. В большинстве случаев это относится к телевизионным радиодеталям и узлам. Сюда входят выходные строчные и кадровые трансформаторы, отклоняющие системы, высоковольтные выпрямители и транзисторы, импульсные трансфор
маторы, тиристоры, микросхемы и др. Существуют приборы для проверки названных радиодеталей, но они не всегда дают однозначные результаты.
НЕИСПРАВНОСТИ
И ЗАМЕНА РЕЗИСТОРОВ
Наиболее распространенные неисправности постоянных резисторов — это перегорание или обрыв (в проволочных резисторах). Внешнее проявление неисправности — это потемнение корпуса или даже его обугливание. Потемневший резистор при проверке омметром еще может быть исправным.
Резисторы малого сопротивления до нескольких Ом часто изготавливаются из высокоомной проволоки, которая наматывается на корпус высокоомного резистора. При протекании больших токов проволока раскаляется как спираль, а затем перегорает. Иногда можно заметить, что при работе аппарата беспроволочный резистор сильно разогревается. В этом случае аппарат отключают и устраняют причину возникновения большого тока через резистор. Например, резистор фильтра питания сильно разогревается при больших утечках тока, пробое конденсаторов фильтра или при возросшем потреблении тока схемой аппарата. Это чаще возникает в старых ламповых аппаратах. Если явно выраженной причины большого потребления тока нет, видимо, многие элементы схемы имеют повышенную утечку тока.
Заменяются резисторы в основном по двум параметрам: величине номинального сопротивления и мощности.
Возможно параллельное или последовательное соединение резисторов. Общее сопротивление при последовательном соединении, например, двух резисторов равно их сумме: ^общ.= ^1 + /?2> а ПРИ параллельном — оно меньше наименьшего из соединяемых резисторов и определяется:
' r1 + r2 ■
Проволочные резисторы изготавливают из нихрома или манганина. Длина провода может
быть определена по формуле: R = р • 1/S, где R — величина сопротивления, Ом; р — удельное сопротивление материала, Ом • м; / — длина провода, м; 5 — сечение провода, м2.
Наиболее точно величину сопротивления резистора можно измерить методом амперметра и вольтметра, мостовым методом, цифровым омметром.
Подстроечные и переменные резисторы проверяют омметром. Если при изменении их сопротивления стрелка омметра двигается плавно, без рывков и скачкообразных изменений, то резисторы пригодны для использования, а если стрелка «прыгает», то нарушен контакт ползунка с токоведущей поверхностью. Такая неисправность у регуляторов громкости проявляется сильным треском, шорохами при регулировке громкости, пропаданием станций при электронной настройке резистором, скачкообразным изменением яркости в телевизорах, а также изменением размера растра и др. Такие резисторы разбирают, чистят, легко смазывают или заменяют.
В телевизорах подстроечные резисторы блока разверток заменяют аналогичными, так как они рассчитаны на более высокое рабочее напряжение.
Варисторы, термисторы заменяют такими же типами. '
НЕИСПРАВНОСТИ И ЗАМЕНА КОНДЕНСАТОРОВ
Наиболее частыми неисправностями конденсаторов постоянной емкости являются: пробой диэлектрика, механические повреждения (обрывы выводов, изломы, трещины корпуса), большая утечка тока (у электролитических конденсаторов).
Конденсаторы часто проверяют омметром, который показывает только явный пробой диэлектрика или большую утечку тока. Обрыв, изменение емкости, «поведение» конденсатора под напряжением он не фиксирует. При измерении сопротивления диэлектрика конденсаторов емкостью более 0,1 МкФ омметр сначала показывает малое сопротивление, а затем оно увеличивается (идет заряд конденсатора). У электролитических конденсаторов большой емкости сопротивление должно быть не менее 100 кОм, а у малой — больше. На практике, при подозрении на неисправность конденсатора, его заменяют новым. При этом нужно учитывать величину его номинальной емкости, рабочее напряжение и температурный коэффициент емкости (ТКЕ), т. е. тип диэлектрика. Например, бумажный конденсатор заменяют на бумажный.
Не во всех каскадах бытовой РЭА одинако
вое влияние на их работу оказывает замена конденсатора другим. Необходимо, чтобы рабочее напряжение нового конденсатора было не ниже, чем у заменяемого. Например, у электролитических конденсаторов блоков питания чем больше емкость, тем лучше фильтрация, а у разделительных конденсаторов УЗЧ чем выше емкость, тем более низкие частоты они пропускают.
Конденсаторы цепей обратных связей УЗЧ необходимо устанавливать более точно, так как изменение их емкости вызывает изменение полосы частот, на которой осуществляется обратная связь.
Наиболее точно надо подбирать конденсаторы для блоков ПЧ—ВЧ радиоприемников и телевизоров с учетом ТКЕ, так как может измениться частота настройки резонансной системы. Так же точно подбирают конденсаторы для формирующих цепей задающих генераторов строк и кадров телевизоров.
Высоковольтные конденсаторы блоков разверток желательно устанавливать только новые, так как старые обычно быстро пробиваются высоким напряжением.
В блоках ВЧ при установке конденсаторов в схему стараются сохранить такую же длину их выводов, как и у заменяемых.
Конденсаторы, как и резисторы, могут соединяться последовательно и параллельно. При последовательном соединении их общая емкость равна:
11111
■ ■ — — - ■ ■ - 4- ——-— 4-4- ,., + ——— ,
^общ ^1^2^3 G1
При параллельном: С0§щ - Q + 6’2 + С3 + ... + Сп.
При установке электролитических полярных конденсаторов надо строго соблюдать полярность подключения.
Замыкание или касание подвижных и неподвижных пластин конденсаторов переменной емкости (КПЕ) вызывает сильный треск у радиоприемников при настройке на станции, причем треск слышен на одном и том же участке шкалы на всех диапазонах. В воздушных КПЕ замыкания пластин устраняют отгибанием, а в остальных случаях неисправный конденсатор заменяют аналогичным.
НЕИСПРАВНОСТИ И ЗАМЕНА КАТУШЕК ИНДУКТИВНОСТИ, ДРОССЕЛЕЙ И ТРАНСФОРМАТОРОВ
Наиболее частыми неисправностями катушек индуктивности являются их обрывы (особенно места присоединения провода катушки к выводу ее каркаса), межвитковые замыкания,
деформация каркаса катушки от сильного разогрева, трещины или отсутствие сердечника. Появление той или иной неисправности зависит от места нахождения катушки в схеме аппарата. Так, в блоках высокой частоты радиоприемников вероятность перегорания катушек очень мала, так как там проходят сравнительно малые токи и слабые сигналы. Здесь чаще возможны обрывы, смещения витков и т. п.
На платах сведения лучей кинескопов телевизоров через катушки иногда проходят значительные токи из-за перегорания каких-либо элементов схемы, что приводит к сильному разогреву, деформации корпуса катушки и выходу ее из строя. Иногда при регулировке контура сердечником катушки невозможно добиться желаемого результата (например, максимума сигнала), и его завинчивают до упора. Этого делать нельзя, так как потом его невозможно выкрутить и придезся высверливать. В таком контуре скорее всего обрыв конденсатора, и одной индуктивности для регулировки не хватает.
Надо помнить, что:
Ввинчивание сердечника в катушку увеличивает ее индуктивность, а его вывинчивание — уменьшает.
Регулировка будет недостаточной, если сердечник имеет трещины, изломы или он сделан из другого материала.
При перемещении катушки к середине стержня магнитной антенны индуктивность увеличивается, а при смещении ее на край стержня — уменьшается.
У бескаркасных катушек, состоящих из нескольких витков (например, в блоке УКВ), сжимание витков увеличивает индуктивность, а их растягивание — уменьшает. После настройки положение витков катушки фиксируют парафином.
На начальном этапе обучения ремонту радиоаппаратуры всегда стремятся почему-то крутить сердечники катушек. Этого делать не следует, так Кла можно сильно расстроить резонансную систему всего блока, и затем уже будет необходима непростая настройка с помощью радиоизмерительных приборов.
Всегда надо четко представлять влияние каждой катушки индуктивности и ее регулировки. Опытные радиомеханики всегда запоминают количество сделанных оборотов сердечника, чтобы «вернуть» его в первоначальное положение, если не получен ожидаемый результат. Катушки индуктивности при необходимости заменяют на совершенно одинаковые, так как на их параметры влияют размеры, материал и форма каркаса; диаметр, материал и длина сердечника; тип намотки провода и его диаметр. Поэтому
при полном выходе катушки из строя (бывает редко) отыскивают такую же из аналогичных блоков, плат или изготавливают самостоятельно. При обрыве катушку перематывают, учитывая вышеназванные особенности.
Дроссели применяют обычно в фильтрах питания бытовой РЭА.
Наиболее часто встречающиеся их неисправности — это перегорание обмоток, так как через них проходит весь ток, потребляемый аппаратом. Вышедшие из строя дроссели сравнительно легко перемотать, так как диаметр провода большой, а витков не очень много.
Прежде чем установить новый дроссель, надо устранить причину большого тока. В фильтрах питания вместо дросселя временно можно поставить резистор сопротивлением около 1 кОм соответствующей мощности, но при этом надо помнить, что пульсации им сглаживаются хуже (можно увеличить емкость фильтра), падение напряжения на нем увеличивается, а выходное напряжение уменьшается.
Дроссели имеют разное исполнение: иногда это провод, намотанный на корпус высокоомного резистора, в других случаях он может представлять собой одетый на проволоку феррит или несколько витков на ферритовом кольце.
В бытовой РЭА применяются трансформаторы разных типов и назначений. Наиболее распространенные из них силовые трансформаторы блоков питания. Они преобразуют напряжение сети 220В (127В) в одно или несколько напряжений, необходимых для питания схемы.
Мощность трансформатора — вполне определенная величина. Попытка «взять» со вторичных обмоток трансформатора большую мощность, чем та, на которую он рассчитан, сопровождается увеличением токов во вторичной и автоматически в первичной обмотках, что приводит к сильному их нагреву и перегоранию (если предохранители рассчитаны на больший ток). Увеличение тока во вторичных обмотках трансформаторов чаще происходит из-за неисправностей в схеме аппарата: при больших утечках тока в электролитических конденсаторах фильтров; при пробоях транзисторов схемы (особенно выходных); при заклинивании двигателей и т. п.
Заменяют силовые трансформаторы, как правило, аналогичными или перематывают сгоревшую обмотку. При этом трансформатор аккуратно разбирают, провод сматывают. Если изоляция провода сильно повреждена, осыпалась от перегрева, его заменяют новым. Меняют обычно и изоляцию между обмотками. Нежелательно составлять обмотку из отрезков провода.
Проверяют отремонтированный трансфор-
матор только после окончательной сборки сердечника. Все пластины сердечника должны быть установлены на место и хорошо зажаты, в противном случае при включении будет слышен дребезжащий звук, а если установлены не все пластины, то возможен больший нагрев.
Нельзя трансформатор подключать к сети без сердечника: индуктивное сопротивление обмотки становится малым и она сразу сгорает. Нельзя также подключать трансформатор к источнику постоянного тока: сразу сгорает обмотка или источник постоянного тока (если маломощный).
После полной сборки трансформатора его сначала проверяют на холостом ходу, т. е. подключают к сети без нагрузки. Если он греется и сильно гудит, то его перематывают, а если он практически холодный, все напряжения обмоток нормальны (или несколько выше), то его подключают к нагрузке (у которой устранены неисправности).
Еще сложнее проверка исправности импульсных трансформаторов модулей питания телевизоров, различных преобразователей. Омметром можно проверить только целостность обмоток. Поэтому импульсные трансформаторы проверяют заменой заведомо исправными (проверенными на других аппаратах) или новыми. Если в корпусе такого трансформатора имеются трещины, набухания и т. п., его заменяют. Даже при незначительных межвитковых пробоях в импульсных трансформаторах модуль питания запускаться не будет.
Пригодность различных трансформаторов межкаскадной связи ориентировочно проверяют омметром, а лучше — заменой исправными. Перемотка их трудоемка.
Довольно часто в телевизорах выходят из строя выходные трансформаторы строчной развертки (ТВС, ТДКС). Полная проверка их исправности возможна в обычных условиях только заменой заведомо исправными или подстановкой их в исправный (технологический) телевизор. Омметром можно проверить только целостность обмоток.
Внешними признаками неисправности ТВС являются: отсутствие высокого напряжения и, как следствие, отсутствие растра; отсутствие ускоряющего напряжения, накала кинескопа; межвитковые пробои в цепях высокого напряжения («снег» на экране, шипение, треск); изменение размера по горизонтали.
Проверку ТВС, ТДКС начинают с тщательного внешнего осмотра. Если на корпусе имеются трещины, расплавленные места, прогорания изоляции или ТВС быстро и сильно разогревается (срабатывает защита модуля
питания), то такой ТВС, ТДКС заменяют.
Замену ТВС, ТДКС производят точно такими же. В некоторых старых ламповых телевизорах возможна установка ТВС из более поздних ламповых телевизоров, но требуется анализ подключения всех его выводов. Чаще в ТВС выходит из строя высоковольтная обмотка, в этом случае ее снимают и заменяют исправной. Если треснул ферритовый сердечник, то его склеивают. При нормальной работе выходного каскада строчной развертки в исправном ТВС из него слышен свист высокой частоты (15625 Гц). При наличии неисправностей свист может быть очень громким. Другие, более простые, моточные изделия бытовой РЭА (дроссели, регуляторы линейности и т. п.) проверяются омметром и заменяются аналогичными.
НЕИСПРАВНОСТИ И ЗАМЕНА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП
В процессе работы РЭА происходит естественный износ ламп: катод постепенно теряет эмиссию, ток уменьшается, усиление падает и лампа становится непригодной. Наиболее точно пригодность ламп определяют измерителем их параметров, а на практике — подстановкой в исправный аппарат или заменой на новые. Ремонт аппаратуры, блоков на лампах начинают с замены ламп на исправные. Кроме перечисленных возможны и другие неисправности ламп: потеря вакуума, межэлектродные замыкания. При сильной потере вакуума зеркальный поглотитель внутри лампы становится молочно-белым, при незначительной — видно голубое свечение. Трещины чаще возникают в ножках ламп, где находятся выводы. Причина их появления — неаккуратное обращение с лампой: резкие изгибы выводов, значительные усилия при вынимании и установке в панельку.
У длительно работающих ламп окисляются выводы, и поэтому их надо периодически чистить. Замыкание между сеткой и катодом лампы проявляется в процессе разогрева аппарата. Так, после включения телевизора нормальное изображение постепенно темнеет и исчезает звук, из- за уменьшения отрицательного напряжения на управляющей сетке анод лампы раскаляется до красного цвета. Заменяют лампы, как правило, аналогичными, но иногда и другими, имеющими одинаковую цоколевку и тип. Так, в выходных каскадах строчной развертки ламповых блоков вместо выходной лампы 6П44С может быть установлена 6П36С (она более мощная), и наоборот. Одинаковую цоколевку имеют триоды 6Н1П и 6Н2П, пентоды 6Ж52П и 6Ж9П, 6П14П и др. Но не всегда такая замена равнозначна, она
приводит иногда к значительной потере качества при сохранности работоспособности телевизоров. Неисправности в кинескопах такие же, как и у ламп: потеря эмиссии одного или нескольких катодов, частичная или полная потеря вакуума, замыкания между электродами.
При потере эмиссии катодов падает яркость свечения экрана и насыщенность цветов. При потере вакуума на внутренней части горловины кинескопа появляется молочный налет или видно внутри фиолетовое свечение. Нарушение вакуума происходит чаще из-за трещин в местах с запаянными выводами электродов. Чтобы избежать трещин, надо аккуратно снимать и одевать панель кинескопа, не прилагая при этом больших усилий, не допускать ударов по панели и горловине кинескопа. При незначительной потере вакуума увеличивается ток луча кинескопа и нарушается его фокусировка.
Замыкание между катодом и модулятором или уменьшение изоляции между ними приводит к чрезмерному увеличению яркости экрана, которая не регулируется. Для подтверждения этого между катодом и модулятором подключают вольтметр постоянного тока и регулируют яркость. Если при этом величина напряжения изменяется, а яркость не регулируется, то имеется замыкание.
При замыкании нити накала с катодом кинескопа изображение становится нечетким, размазанным. Замыкание может происходить периодически, обычно после разогрева кинескопа.
Появление свечений, искрений внутри колбы кинескопа ведет к его замене.
При деформациях и сильном намагничивании маски кинескопа на экране видны цветные пятна, которые, как правило, не устраняются при помощи петли размагничивания.
Периодически проявляющиеся дефекты изображения на экране кинескопа (переход позитивного изображения в негативное, свечение экрана одним цьс1Ом и т. п.) чаще возникают из-за нарушений контактов в панели кинескопа или сильного окисления его выводов. Выявляются они легким постукиванием по панели кинескопа. В таких случаях контакты панели кинескопа пропаивают, а выводы зачищают.
НЕИСПРАВНОСТИ И ЗАМЕНА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Выпрямительные диоды
Исправность выпрямительных диодов определяется путем измерения прямого и обратного сопротивлений омметром (рис. 1.1).
У исправного выпрямительного диода пря-
Рис. 1.1. Измерение сопротивления диодов: а — измерение прямого сопротивления (малое); б — измерение обратного сопротивления (большое) мое сопротивление мало, обратное — большое (минимум в 10 раз больше). У германиевых полупроводниковых диодов прямое и обратное сопротивления значительно меньше, чем у кремниевых, но последние работают при более высоких температурах (до +100...120°С) и напряжениях.
Наиболее частые неисправности выпрямительных диодов — пробой р-и-переходов . Тогда прямое и обратное сопротивления примерно одинаковы. Причинами пробоя являются неисправности в самом блоке питания (пробой конденсаторов фильтра и др.) и большое потребление тока нагрузкой (пробои транзисторов, конденсаторов фильтра и др.). Заменяют выпрямительные диоды с учетом значений двух параметров: среднего выпрямленного тока (максимального выпрямленного тока) и максимального обратного напряжения. В устанавливаемых диодах значения этих параметров должны быть не меньше, чем у сгоревших. Диодные мосты могут быть заменены четырьмя отдельными диодами.
Стабилитроны
Проверка стабилитрона омметром не дает полной информации о его исправности. Поэтому его проверяют чаще подстановкой в исправную схему и измеряют на нем напряжение. Оно должно быть равно напряжению стабилизации. Можно собрать простую схему для проверки стабилитрона (рис. 1.2).
Заменяют стабилитроны аналогичными или с учетом параметров: напряжения стабилизации, тока стабилизации (номинального, максимального, минимального), дифференциального сопротивления, мощности.
Варикапы
Проверка варикапа омметром не дает одно-
Рис. 1.2. Схема проверки стабилитрона
значного ответа о его исправности. Наиболее точно контроль параметров осуществляют измерителем параметров, а на практике проверяют величину обратного напряжения на варикапе, и если она нормальна, то его заменяют новым (если есть подозрение на его неисправность). Если в схеме несколько варикапов (например, в селекторе каналов телевизора, блоке ВЧ-радио- приемника), заменяют одновременно все варикапы.
Тиристоры
Наиболее частые неисправности тиристоров — это пробои переходов и отсутствие переключения. Пробои переходов обнаруживают омметром, а наличие переключения можно практически проверить только в реальной схеме. Поэтому при подозрении на неисправности тиристора его заменяют новым, а в модулях питания телевизоров заменяют вместе с переключающим мощным транзистором.
Высокочастотные диоды
Высокочастотные диоды применяются в схемах детекторов радиоприемников, видеодетекторов телевизоров и др. На работу названных каскадов влияет изменение параметров диодов: емкости р-п перехода, соотношения прямого и обратного сопротивлений. Обратное сопротивление ВЧ диодов схем детекторов, видеодетекторов должно быть не менее чем в 10...20 раз больше, чем прямое сопротивление. При подозрении на неисправность таких диодов их заменяют аналогичными.
НЕИСПРАВНОСТИ
И ЗАМЕНА ТРАНЗИСТОРОВ
В бытовой радиоэлектронной аппаратуре отечественного и зарубежного производства наиболее часто выходят из строя мощные транзисторы выходных каскадов УЗЧ, строчной и кадровой разверток телевизора, модулей питания, стабилизаторов напряжений, схем управления электромагнитами магнитофонов.
Ориентировочно целостность транзистора проверяют омметром, измеряя сопротивление эмиттерного, коллекторного переходов и всей структуры транзистора (эмиттер—коллектор). Наиболее часто встречаются пробои переходов (прямое и обратное сопротивления равны).
Проверка транзистора омметром не дает полной информации о его исправности. Наиболее точно транзисторы проверяют измерителем параметров транзисторов, а наиболее доступно и практично — подстановкой в исправную схему,
где выявляется его «поведение» под воздействием напряжений (особенно в импульсном режиме). Так, в схемах импульсных источников питания, выходных каскадах строчной развертки иногда приходится подбирать другой исправный мощный транзистор, так как с предыдущим схема не запускается.
Практически невозможно достоверно проверить омметром составные транзисторы, если нет явно выраженного пробоя.
Мощные транзисторы модулей питания, разверток телевизора заменяют, как правило, аналогичными. В УЗЧ, стабилизаторах блоков питания возможна замена мощных транзисторов другими с соответствующими параметрами. При этом заменяют кремниевый транзистор на кремниевый такой же структуры (п-р-п на п-р-п) с основными энергетическими параметрами не ниже, чем у заменяемого (Ук.э макс, ZK макс, ^б-э макс ^б макс ^к макс)- ® выходных каскадах УЗЧ мощные выходные транзисторы подбирают с одинаковым коэффициентом передачи тока ^21е (Р)- В противном случае могут появиться значительные нелинейные искажения сигнала. Более строго подходят к замене высокочастотных транзисторов селекторов каналов и каскадов УПЧИ телевизоров, блоков ВЧ-радиопри- емников. Как правило, их заменяют точно такими же.
НЕИСПРАВНОСТИ
И ЗАМЕНА МИКРОСХЕМ
Ориентировочными признаками неисправности микросхем являются:
Отсутствие сигнала на выходе при наличии его на входе (для аналоговых микросхем), если постоянные напряжения на ее выводах имеют нормальную величину.
Отсутствие напряжения логической единицы или нуля при нормальной их комбинации на входе (для цифровых микросхем).
Отсутствие хотя бы одного вырабатываемого сигнала (для специальных микросхем телевизоров).
Практически исправность микросхемы бытовой РЭА проверяют путем подстановки ее в исправный блок аппарата. Перед тем как сделать заключение об исправности микросхемы, после тщательного внешнего осмотра измеряют режимы по постоянному и переменному токам. Если хотя бы на одном из выводов постоянное напряжение или сигнал отличается от приведенных на схеме, то сначала проверяют общее напряжение питания микросхемы, затем внешние радиоэлементы, присоединенные как к этому выводу, так и к другим, хоть как-то связанным функцио-
нально (смотрят внутреннее строение микросхемы). Иногда отключают всю внешнюю цепь от вывода, где напряжение значительно отличается от указанного, и если оно восстанавливается, то можно предположить, что неисправность во внешней цепи. Однако если между выводом и корпусом присоединен конденсатор, то он может выполнять функцию накопительного, и при его отсоединении напряжение на этом выводе, естественно, уменьшится. Заменяют микросхемы в большинстве случаев такими же.
Некоторые микросхемы на полевых транзисторах очень «боятся» статического электричества, т. е. даже простое прикосновение рук к их выводам может вызвать пробой. Такие микросхемы хранятся и переносятся завернутыми в металлическую фольгу, и при их монтаже это Надо учитывать.
В бытовой РЭА как отечественного, так и зарубежного производства наиболее часто выходят из строя микросхемы усилителей мощности звуковой частоты, стабилизаторов питания. Причиной чаще всего является не совсем правильная эксплуатация аппарата (длительное прослушивание на предельной мощности, подключение громкоговорителей с другим сопротивлением, фонограмма с большим уровнем сигнала, отсутствие необходимого охлаждения и т. п.). Большие трудности возникают при ремонте, если надо заменять микросхему зарубежного производства. Из отечественных микросхем подбирают функциональный аналог (УЗЧ, стабилизатор и др.) и заменяют вместе с внешними цепями, т. е. устанавливают всю схему включения данной микросхемы или просто плату УЗЧ и др. Схемы включения микросхем приведены в главе 8.2.
ЭЛЕМЕНТЫ СХЕМ
ЗАРУБЕЖНОЙ АППАРАТУРЫ, ИХ АНАЛОГИ И ЗАМЕНА
При ремонте бытовой РЭА часто возникает необходимость заменить вышедший из строя
радиоэлемент — резистор, конденсатор, транзистор и т. п.
Для замены нужно использовать элемент с идентичными параметрами. Зарубежные радиодетали имеют отличия в обозначении их номиналов, маркировке, которую нужно знать, чтобы правильно определить номинал вышедшего из строя резистора или конденсатора, транзистора, диода и т. п.
Резисторы
Зарубежные резисторы, как и отечественные, классифицируются по типу конструкции (постоянные, переменные и подстроечные), по величине номинального сопротивления, по наибольшему допустимому отклонению действительной величины сопротивления от номинальной, по номинальной мощности рассеивания и т. п. Аналогично отечественным используются три закона изменения сопротивления переменных резисторов: линейный — обозначается буквой А, логарифмический — Ви экспоненциальный — С.
Зарубежные, как и отечественные, постоянные резисторы выпускаются по рекомендации МЭК (Международной электротехнической комиссии) с номинальными величинами сопротивлений и допусков в соответствии со стандартными рядами, которым присвоены условные обозначения Е6, Е12, Е24 и т. д. Каждый из рядов номиналов имеет определенный допуск отклонения от номинальной величины. Для бытовой аппаратуры используются три ряда: Е6; Е12иЕ24(габлЛЛ). " '
Е6±20%Е12±10%Е24±5%Е6±20%Е12±10%Е24±5%1,03,33,33,31,01,13,61,01,23,93,91,21,34,31,54,74,71,51,65,11,51,84,75,65,61,82,06,22,26,86,86,82,22,22,47,52,78,28,22,73,09,1Е6±20%Е12±10%Е24±5%Е6±20%Е12±10%Е24±5%1,03,33,33,31,01,13,61,01,23,93,91,21,34,31,54,74,71,51,65,11,51,84,75,65,61,82,06,22,26,86,86,82,22,22,47,52,78,28,22,73,09,1Таблица 1.1. Международные стандартные ряды для резисторов и конденсаторовТаблица 1.1. Международные стандартные ряды для резисторов и конденсаторовМаркировка величины номинального сопротивления постоянных резисторов зарубежного производства обозначается в основном цветовым кодом, а также цифро-буквенным текстом. При маркировке цветовым кодом величина номинального сопротивления и его допуск обозначаются цветными точками или кольцами, наносимыми на корпус вокруг резистора. Постоянные резисторы стандартных рядов мар-
Е6±20%
Е12±10%
Е24±5%
Е6±20%
Е12±10%
Е24±5%
1,0
3,3
3,3
3,3
1,0
1,1
3,6
1,0
1,2
3,9
3,9
1,2
1,3
4,3
1,5
4,7
4,7
1,5
1,6
5,1
1,5
1,8
4,7
5,6
5,6
1,8
2,0
6,2
2,2
6,8
6,8
6,8
2,2
2,2
2,4
7,5
2,7
8,2
8,2
2,7
3,0
9,1
Е6±20%
Е12±10%
Е24±5%
Е6±20%
Е12±10%
Е24±5%
1,0
3,3
3,3
3,3
1,0
1,1
3,6
1,0
1,2
3,9
3,9
1,2
1,3
4,3
1,5
4,7
4,7
1,5
1,6
5,1
1,5
1,8
4,7
5,6
5,6
1,8
2,0
6,2
2,2
6,8
6,8
6,8
2,2
2,2
2,4
7,5
2,7
8,2
8,2
2,7
3,0
9,1
Таблица 1.1. Международные стандартные ряды для резисторов и конденсаторов
Таблица 1.1. Международные стандартные ряды для резисторов и конденсаторов
Таблиир 1.2. Определение номинала резисторов по цветовому кодуЦвет точки или кольца маркировкиПервая точка или кольцо Первая цифраВторая точка или кольцо Вторая цифраТретья точка или кольцо МножительСеребристыйW2Золотистый-10-1Черный001Коричневый11101Красный22ю2Оранжевый33103Желтый44ю4Зеленый55105Голубой66106Фиолетовый77107Серый88ю8Белый99109Таблиир 1.2. Определение номинала резисторов по цветовому кодуЦвет точки или кольца маркировкиПервая точка или кольцо Первая цифраВторая точка или кольцо Вторая цифраТретья точка или кольцо МножительСеребристыйW2Золотистый-10-1Черный001Коричневый11101Красный22ю2Оранжевый33103Желтый44ю4Зеленый55105Голубой66106Фиолетовый77107Серый88ю8Белый99109кируются четырьмя цветными точками или кольцами (рис. 1.3). Каждому цвету или точке соответствует определенное цифровое значение (табл. 1.2) величины сопротивления. Кольца (точки) — первое и второе — показывают численную величину номинального значения сопротивления в омах, третье кольцо указывает множитель, на какой необходимо умножить номинальную величину сопротивления, а четвертое кольцо определяет величину допуска в процентах. Если четвертое кольцо отсутствует, то допуск ±20 %, серебристый цвет ±10 %, золотистый ±5 %, красный ±2 %, коричневый ±1 % (рис. 1.4).
Таблиир 1.2. Определение номинала резисторов по цветовому коду
Цвет точки или кольца маркировки
Первая точка или кольцо Первая цифра
Вторая точка или кольцо Вторая цифра
Третья точка или кольцо Множитель
Серебристый
W2
Золотистый
-
10-1
Черный
0
0
1
Коричневый
1
1
101
Красный
2
2
ю2
Оранжевый
3
3
103
Желтый
4
4
ю4
Зеленый
5
5
105
Голубой
6
6
106
Фиолетовый
7
7
107
Серый
8
8
ю8
Белый
9
9
109
Таблиир 1.2. Определение номинала резисторов по цветовому коду
Цвет точки или кольца маркировки
Первая точка или кольцо Первая цифра
Вторая точка или кольцо Вторая цифра
Третья точка или кольцо Множитель
Серебристый
W2
Золотистый
-
10-1
Черный
0
0
1
Коричневый
1
1
101
Красный
2
2
ю2
Оранжевый
3
3
103
Желтый
4
4
ю4
Зеленый
5
5
105
Голубой
6
6
106
Фиолетовый
7
7
107
Серый
8
8
ю8
Белый
9
9
109
Постоянные резисторы с малой величиной допуска (1...2%) маркируются пятизначным цветовым кодом. Первые три кольца показывают численную величину сопротивления, четвертое — множитель, пятое — допуск.
Для замены вышедших из строя постоянных и переменных резисторов можно использовать
Рис. 1.3. Маркировка номинала резистора и допуска цветными кольцами или точками
Рис. 1.4. Пример номинала и допуска резистора (величина сопротивления равна 0,2 х 10+5 %, т. е. 20Ом ±5%)Рис. 1.4. Пример номинала и допуска резистора (величина сопротивления равна 0,2 х 10+5 %, т. е. 20Ом ±5%)верное Красное Корионевое Золо/пистое
Рис. 1.4. Пример номинала и допуска резистора (величина сопротивления равна 0,2 х 10+5 %, т. е. 20
Ом ±5%)
Рис. 1.4. Пример номинала и допуска резистора (величина сопротивления равна 0,2 х 10+5 %, т. е. 20
Ом ±5%)
отечественные аналогичных номиналов и видов.
Мощность резистора ориентировочно определяется его размером, аналогично отечественным.
Рабочие напряжения резисторов различной мощности равны: 0,1 Вт — 100 В; 0,25 Вт — 300 В; 0,5 Вт - 400 В; 1 Вт - 800 В; 2 Вт - 1000 В.
При ремонте бывают случаи, когда резистор сгорел (обуглился) так, что по нему невозможно определить номинал. Тогда необходимо использовать принципиальную схему аппарата, где номинал указан, а если и схемы нет (что бывает при ремонте зарубежных аппаратов), то необходимо проанализировать и установить назначение резисторов, исходя из знаний отечественной схемотехники и собственного опыта. Используя монтаж, можно нарисовать часть схемы с вышедшим из строя резистором, чтобы легче определить его назначение и возможный номинал.
Конденсаторы
Номинальные величины емкостей конденсаторов и их допуск также регламентированы Международным стандартом. Для бытовой радиоэлектронной аппаратуры в основном используются конденсаторы, номинальные емкости которых соответствуют рядам Е6 и Е12 с величиной допуска ±10 % и ±20%.
Рис. 1.5. Цветовая маркировка конденсаторовРис. 1.5. Цветовая маркировка конденсаторов< <»" <, ^й.* .‘^ Ч ‘^(ЛрЛ< <»" <, ^й.* .‘^ Ч ‘^(ЛрЛКлассификация конденсаторов зарубежного производства аналогична отечественной. Маркировка конденсаторов осуществляется чаще цветовым кодом (табл. 1.3) (рис. 1.5). Слюдяные конденсаторы могут маркироваться следующим образом (рис. 1.6).
Рис. 1.5. Цветовая маркировка конденсаторов
Рис. 1.5. Цветовая маркировка конденсаторов
< <»" <, ^й.* .‘^ Ч ‘^(ЛрЛ
< <»" <, ^й.* .‘^ Ч ‘^(ЛрЛ
Таблица 1.3. Цветовой код конденсаторов широкого примененияДанныеЧерныйКоричневыйКрасныйОранжевыйЖелтыйЗеленыйГолубойФиолетовыйСерыйБелыйЗолотистыйСеребристый1 и20123456789цифры.Множи-110102103104тельДопуск, %20120,5510Класс ТКЕ12341ОК6‘С’10-33-75-150-220-330-470-750+100Таблица 1.3. Цветовой код конденсаторов широкого примененияДанныеЧерныйКоричневыйКрасныйОранжевыйЖелтыйЗеленыйГолубойФиолетовыйСерыйБелыйЗолотистыйСеребристый1 и20123456789цифры.Множи-110102103104тельДопуск, %20120,5510Класс ТКЕ12341ОК6‘С’10-33-75-150-220-330-470-750+100Пленочные конденсаторы маркируются текстовым обозначением или цветовым кодом (табл. 1.4).
Таблица 1.3. Цветовой код конденсаторов широкого применения
Данные
Черный
Коричневый
Красный
Оранжевый
Желтый
Зеленый
Голубой
Фиолетовый
Серый
Белый
Золотистый
Серебристый
1 и20123456789
цифры.
Множи-110102103104
тель
Допуск, %20120,5510
Класс ТКЕ1234
1ОК6‘С’10-33-75-150-220-330-470-750+100
Таблица 1.3. Цветовой код конденсаторов широкого применения
Данные
Черный
Коричневый
Красный
Оранжевый
Желтый
Зеленый
Голубой
Фиолетовый
Серый
Белый
Золотистый
Серебристый
1 и20123456789
цифры.
Множи-110102103104
тель
Допуск, %20120,5510
Класс ТКЕ1234
1ОК6‘С’10-33-75-150-220-330-470-750+100
Маркировка танталовых сухих оксидных конденсаторов производится цветовым кодом (рис. 1.7), приведенным в табл. 1.5.
Номинальную емкость переменных и подстроечных конденсаторов обозначают в виде дроби с указанием минимального и максимального значения емкости в пикофарадах (Р).
Такие конденсаторы могут успешно заменяться аналогичными отечественными.
Полупроводниковые приборы
Маркировка полупроводниковых приборов в странах Европы осуществляется двумя буквами и тремя цифрами. Основное значение имеют две первые буквы, а все остальные указывают порядковый номер.
Первая буква обозначает вид исходного полупроводникового материала: Л — германий, В — кремний, С — арсенид галия, Д — антимонид индия, R — другие полупроводники.
Рис. 1.6. Маркировка слюдяных конденсаторов
Вторая буква означает функциональное назначение прибора, его класс: А — маломощный диод (кроме фотодиодов, стабилитронов, туннельных диодов и мощных диодов);
В — диод с переменной емкостью;
С — маломощный низкочастотный транзистор;
Таблица 1.4. Цветовой код для пленочных „ конденсаторов
Номинальное значение емкости
Первое кольцо (головка конденсатора)
Второе кольцо
Третье кольцо
0,010
Коричневое
Черное
Оранжевое
0,015
Коричневое
Зеленое
»
0,022
Красное
Красное
*
0,033
Оранжевое
Оранжевое
»
0,047
Желтое
Фиолетовое
»
0,068
Синее
Серое
>1
0,10
Коричневое
Черное
Желтое
0,15
Коричневое
Зеленое
»
0,22
Красное
Красное
»
0,33
Оранжевое
Оранжевое
»
0,47
Желтое
Оранжевое
»
0,68
Синее
Серое
»
1,0
Коричневое
Черное
Зеленое
1,5
Коричневое
Зеленое
Зеленое
2,2
Красное
Красное
Зеленое
Таблица 1.5. Цветовой код для танталовых конденсаторов
Цвет
Номинальная емкость*
Номинальное напряжение, В, цвет основания
Первый элемент
Второй элемент
Третий элемент Множитель
Черный
-
0
1
3 Белый
Коричневый
1
1
Ю_
6,3 Желтый
Красный
2
2
102
10 Черный
Оранжевый
3
3
-
16 Зеленый
Желтый
4
4
-
20 Синий
Зеленый
5
5
-
25 Серый
Синий
6
6
-
35 Розовый
Фиолетовый 7
7
-
-
Серый
8
8
10
-
Белый
9
9
10
-
* Первый элемент обозначения — в верхней части корпуса конденсатора.
D — мощный низкочастотный транзистор;
Е — туннельный диод;
L — маломощный высокочастотный транзистор;
S — мощный высокочастотный транзистор;
U — маломощный переключающий транзистор;
R — мощный переключающий транзистор;
Р — маломощный транзистор;
Т — мощный тиристор;
Р — фотодиод, фототранзистор;
У — мощный выпрямительный диод;
X — умножительный диод;
Z — стабилитрон;
С — сложный прибор (в одном корпусе несколько приборов);
К — генератор Холла;
Н — измеритель напряженности поля;
М — модулятор Холла;
О — электролюминесцентный диод.
Примеры обозначения
ВУ126 — кремниевый мощный выпрямительный диод;
BZ102 — кремниевый стабилитрон;
АС 125 — германиевый маломощный низкочастотный транзистор;
BD518 — кремниевый мощный транзистор.
В Японии для маркировки полупроводниковых приборов применяется пять знаков. Первый элемент обозначает тип полупроводникового прибора: 1 — диод, 2 — транзистор, 3 — четырехслойный прибор, 0 — фотодиод, фототранзистор. Второй элемент указывает на материал полупроводника: 5 — кремний, G — германий. Третий элемент определяет структуру и класс прибора:
А — высокочастотный р-я-р-транзистор;
В — низкочастотный р-и-р-транзистор;
С — высокочастотный и-р-и-транзистор;
D — низкочастотный и-р-и-транзистор;
Е — прибор с четырехслойной р-и-р-структу- рой;<ь
Н — однопереходный транзистор;
I — полевой транзистор с р-каналом;
К — полевой транзистор с и-каналом;
М — симметричный тиристор.
Фотоприборы третьего элемента не имеют.
Четвертый элемент — цифра (начиная с 11), указывающая номер прибора. Пятый элемент- буква: А — первое усовершенствование разработки, В — второе.
На некоторых приборах после маркировки ставятся буквы N, М, S, С и цифра, указывающая отношение к требованиям специальных стандартов. Примеры обозначения японских по
лупроводниковых приборов: 2SA811C5 — кремниевый высокочастотный транзистор р-и-р; 2SB — кремниевый низкочастотный транзистор р-и- р. Кроме вышеназванных систем маркировки часто применяются фирменные обозначения. Для маркировки малогабаритных приборов используется цветовой код (табл. 1.6.).
При обозначении цветовым кодом диодов первая цифра и буква N не ставятся. Следующий за буквой номер обозначается цветными полосами:
номера, состоящие из двух цифр, обозначаются черной полосой и последующими второй и третьей цветными полосами, цвет которых определяет соответствующие цифры. При использовании буквы она становится четвертой полосой;
номера из трех цифр обозначаются тремя цветными полосами, а четвертая обозначает букву;
номера из четырех цифр обозначаются четырьмя цветными полосами, а пятая — черная. Если требуется обозначить букву, то цветную полосу ставят вместо черной;
для обозначения полярности цветные полоски либо наносятся ближе к катоду, либо первая полоса от катода наносится двойной ширины;
тип полупроводникового диода-читается по цветным полосам от катода.
Как известно, полупроводниковые приборы характеризуются большим числом энергетических параметров, которые неодинаковы даже в пределах одного типа из-за естественного технологического разброса. На большинство энергетических параметров полупроводниковых приборов каждого типа устанавливаются граничные значения и допустимые отклонения. Так как стандартизация параметров в некоторых странах производится без учета требований международного стандарта, то разница между отечественными и некоторыми зарубежными приборами может быть большой. Поэтому практически невозможно подобрать отечественный аналог, который бы полностью соответствовал всем энергети-
Таблица 1.6. Цветовое обозначение малогабаритных полупроводниковых приборов
Цвет полосы
Цифровое обозначение
Буквенное обозначение
Черный
0
-
Коричневый
1
А
Красный
2
В
Оранжевый
3
С
Желтый
4
D
Зеленый
5
Е
Синий
6
F
Фиолетовый
7
G
Серый
8
Н
Белый
9
-
ческим и эксплуатационным параметрам зарубежного полупроводникового прибора. Исходя из этого, взаимозаменяемость зарубежных и отечественных полупроводниковых приборов осуществляется путем подбора приближенного аналога по основным электрическим параметрам. Основные электрические параметры зарубежных транзисторов широкого применения приведены в главе 8.5.
Приближенные к зарубежным полупроводниковым приборам отечественные аналоги регулярно печатались в журналах «Радио» 80-х годов. Основные параметры, по которым производится подбор отечественного аналога транзистора, следующие:
h2ie — коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (старое обозначение Р);
^216 — коэффициент передачи тока в схеме с общей базой (старое обозначение а);
Рс.макс — максимальная мощность рассеивания на коллекторе;
/с. макс — максимально допустимый ток коллектора;
[/с.макс — максимально допустимое напряжение на коллекторе;
Л121еС/р) — граничная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером;
/h2ib(/a) — граничная частота передачи тока в схеме с общей базой;
/Т(/Гр) — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
F — коэффициент шума, показывающий, во сколько раз величина шумов на выходе реального транзистора больше величины шумов на входе такого же идеального транзистора.
Аналоги полупроводниковых диодов подбиваются по следующим параметрам:
^Н^обр^ — постоянное обратное напряже-
^R(/O6p) ~ постоянный обратный ток;
1/р( ЙПр) — постоянное прямое напряжение; Пг (^ст) — напряжение стабилизации;
/2(1СТ) — ток стабилизации;
^макс — постоянная максимальная мощность рассеивания на диоде;
С^(СД) — емкость между выводами диода при напряжении смещения.
Рекомендации по замене полупроводниковых диодов,транзисторов и микросхем
При подборе аналога зарубежного транзистора необходимо знать его основные параметры и характеристики: структуру (р-п-р или п-р-п), исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор (германий или кремний), функциональное назначение транзистора (усилитель низкочастотный или высокочастотный), предельно допустимые режимы работы и основные электрические параметры (^с.макс^с.макс^с.макс^21)-
Основные параметры транзисторов зарубежного производства приведены в главе 8.5. Подбирать отечественный аналог необходимо такого же типа проводимости (п-р-п или р-п-р) и такого же материала (германий или кремний), так как у них разные напряжения смещения, температурная стабильность и другие показатели.
Если аналог подобран, то перед установкой в схему его необходимо проверить при помощи прибора для испытания транзисторов.
Если же такой прибор отсутствует, то ориентировочно исправность транзистора можно проверить омметром, измеряя сопротивление р-п-п- перехода. Прямое сопротивление эмиттерного и коллекторного переходов — десятки Ом, несколько больше у кремниевых транзисторов и меньше у германиевых, а обратное — десятки кОм (рис. 1.8,1.9). Сопротивление между эмиттером и коллектором десятки — сотни кОм и больше (рис. 1.10, 1.11).
Если величины сопротивлений переходов примерно соответствуют указанным величинам, то транзистор не имеет внутренних обрывов и пробоев. Перед установкой в схему необходимо обязательно выяснить и установить причину выхода транзистора из строя (особенно в выходных каскадах У34).
Рис. 1.8. Измерение прямого сопротивления переходов р-п-р и п-р-п транзисторовРис. 1.8. Измерение прямого сопротивления переходов р-п-р и п-р-п транзисторовРис. 1.9. Измерение обратного сопротивления переходов р-п-р и п-р-п транзисторовРис. 1.9. Измерение обратного сопротивления переходов р-п-р и п-р-п транзисторовИногда на транзисторах (чаще японских) от-
Рис. 1.8. Измерение прямого сопротивления переходов р-п-р и п-р-п транзисторов
Рис. 1.8. Измерение прямого сопротивления переходов р-п-р и п-р-п транзисторов
Рис. 1.9. Измерение обратного сопротивления переходов р-п-р и п-р-п транзисторов
Рис. 1.9. Измерение обратного сопротивления переходов р-п-р и п-р-п транзисторов
Рис. 1.10. Измерение сопротивления между коллектором и эмиттером (показания омметра меньше) сутствует общепринятая маркировка, а стоит символ фирмы, и возникает необходимость определить выводы эмиттера, базы и коллектора, тип транзистора р-п-р или п-р-п, когда принципиальная схема отсутствует. Ориентировочно это можно сделать при помощи омметра. Сначала определяют вывод базы, у которого сопротивление относительно двух других выводов большое (при обратном включении) или малое (при прямом включении). Затем определяют выводы эмиттера и коллектора по величине сопротивлений. У эмиттерного перехода прямое сопротивление больше, чем у коллекторного. А по полярности источника питания омметром определяют тип р-п-р или п-р-п.
Подбор отечественного аналога надо проводить с учетом специфических особенностей каждой конкретной электрической схемы и роли, выполняемой полупроводниковым прибором в ней. Например, если вышел из строя один из выходных транзисторов У34, то целесообразно заменить оба выходных транзистора (особенно комплементарные пары), так как отличие одного аналога только по коэффициенту передачи тока вызовет дополнительные нелинейные искажения и т. д.
При отсутствии принципиальной схемы аппарата помощь в ремонте окажут типичные схемы включения зарубежных транзисторов и микросхем (глава 8.2, 8.3, 8.4, 8.5).
При подборе схем большое внимание следует уделить выходным каскадам У34, т. к. именно в этих каскадах чаще возможны неисправности и выходы из строя транзисторов. Причинами могут быть: короткое замыкание в нагрузке, длительная работа при максимальном сигнале и повышенной температуре окружающей среды, да и токи в этих каскадах большие, чем в других.
В практике встречались случаи выхода из строя транзисторов, а схема аппарата и маркировка транзистора отсутствовали. '
В этом случае проводилась ориентировочная замена зарубежного транзистора отечественным по функциональным признакам. К примеру, вы-
Рис. 1.11. Измерения сопротивления между эмиттером и коллектором (показания омметра больше) шел из строя транзистор предварительного усилителя воспроизведения. По полярности питания коллекторных цепей определяли тип транзистора (п-р-п или р-п-р) и ставили отечественный, работающий в аналогичной цепи, предварительно измерив величину напряжения питания.
При установке в схему другого транзистора необходимо проверить режим работы по постоянному току. Если режим работы не соответствует данным, приведенным на схеме, то подбором соответствующих резисторов необходимо установить его.
В транзисторных каскадах с непосредственной связью изменение режима работы одного каскада приводит к изменению режимов других каскадов, и это необходимо учитывать.
В выходных бестрансформаторах У34 для регулировки режима обычно имеется подстроечный резистор.
Полупроводниковые диоды в основном применяются в выпрямителях, цепях коммутации, стабилизаторах напряжения и др. В выпрямителях и стабилизаторах в основном применяются кремниевые диоды. Вместо выпрямительных диодов используют аналогичные отечественные.
Точнее должны подбираться стабилитроны с одинаковым напряжением, током стабилизации и мощностью.
Перед тем как сделать заключение о годнс микросхемы, надо тщательно проверить ее кон такты и контакты окружающих элементов, режим питания, степень нагрева. Если микросхема быстро и сильно разогревается при включении питания, то, возможно, в ней пробой, или не соответствует режим питания, или изменение сопротивления нагрузки (особенно в выходных У34). Сложности часто возникают из-за отсутствия принципиальных схем аппаратов и схем включения микросхем. На рисунках главы 8.2, 8.4 приведены типичные схемы включения микросхем широкого применения. Большое внимание уделено микросхемам выходных каскадов У34, так как они чаще других выходят из строя.
РЕМОНТРАДИОАППАРАТУРЫЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА
Методы отыскания неисправностей и проверка работоспособности блоков, каскадов в аппаратуре зарубежного производства остаются такими же, как и в отечественной. Некоторые трудности могут возникать из-за отличия обозначений, элементов на принципиальных электрических схемах, отсутствия схем. Особенностью бытовой аппаратуры последних лет выпуска является наличие в схемах большого количества микросхем, а при отсутствии принципиальной электрической схемы аппарата возникает определенная трудность его ремонта. Но при этом надо помнить, что принципы построения схем зарубежных радиоприемников, магнитофонов, видеотехники аналогичны отечественным. Поэтому, прежде чем приступать к ремонту зарубежной бытовой радиоэлектронной аппаратуры, надо хорошо изучить схемные построения отечественной техники, знать методы проверки работоспособности отдельных деталей, каскадов, блоков, общие методы отыскания неисправностей и иметь практический опыт ремонта радиоэлектронной аппаратуры.
На принципиальных электрических схемах бытовых аппаратов последних лет выпуска обычно указаны более жирными линиями или стрелками пути прохождения сигналов, что облегчает проверку и ремонт каскадов, блоков. Труднее проверять прохождение сигналов через микросхемы при отсутствии схемы и данных об этой микросхеме. В этом определенную помощь окажут приведенные схемы включения микросхем, так как в любом аппарате, где установлена данная микросхема, схема ее включения аналогична (см. главу 8). Но если данные о схеме и микросхеме отсутствуют, можно руководствоваться следующими соображениями. Надо установить функциональное назначение микросхемы (т. е. определить, что это усилитель ПЧ, УЗЧ, УПЧ и т. д.), чтобы знать, каким сигналом ее проверять. А если это многофункциональная ИС, то надо хотя бы примерно установить ее функции. Это больше относится к телевизионным ИС, где в одной ИС могут, к примеру, быть задающие генераторы строк и кадров, схема их синхронизации, схема АПЧиФ, ряд каскадов УПЧ И, схема АРУ, видеодетектора, АПЧГ и т. д. Нужно визуально определить, с какого вывода и
какие сигналы куда идут. К примеру, если с вывода ИС сигнал идет на схему строчной развертки (установили по монтажу), то очевидно — это импульсы запуска строчной развертки. Если же ИС в ВЧ-блоке радиоприемника, то весьма вероятно, что это УПЧ или ПЧ. Для проверки УПЧ необходим сигнал, амплитудно-модулиро- ванный на диапазонах ДВ, СВ, КВ и частотно- модулированный на УКВ. Частота сигнала ПЧ приемников АМ зарубежного производства лежит в интервале примерно 450...470 кГц.
Несколько облегчает ремонт бытовой радиоэлектронной аппаратуры то, что она является устройством с последовательным прохождением сигнала от входа к выходу, и поэтому на выходе мы слышим или видим прохождение сигнала.
Надо помнить, что на какие-то выводы ИС подается одно- или двухполярное напряжение питания. Причем, как правило, в телевизионных ИС постоянное напряжение есть практически на всех выводах. Если на каком-либо выводе его нет, то после проверки радиоэлементов внешней цепи этого вывода, наличия общего напряжения питания надо менять ИС. При этом можно попытаться отключить внешнюю цепь от вывода ИС, и если при этом появляется напряжение на этом выводе, то неисправность во внешней цепи.
Если к выводу присоединен конденсатор, второй вывод которого на корпусе, то он может быть накопительным, т. е. величина постоянного напряжения на нем зависит от поступающего на него обычно импульсного сигнала. В телевизионных ИС цепей управления (синтезаторов напряжения и т. п.) действуют импульсные кодовые сигналы, у которых изменяется скважность, и такие импульсы обычно поступают на накопительный конденсатор. Если такой конденсатор отсоединить, то постоянное напряжение на выводе уменьшится.
При проверке усилительных ИС сигнал с генератора через конденсатор емкостью около 0,1 МкФ подают поочередно на ее выводы, исключая те, на которых постоянное напряжение, почти равное напряжению питания. Если сигнал подают на вывод выхода ИС, то он на выходе аппарата или блока будет без усиления этой микросхемой, а если при подаче сигнала на другие вы-
воды на выходе сигнала нет, то данная ИС неисправна.
Анализ неисправностей в бытовой радиоаппаратуре показал, что наиболее часто выходят из строя микросхемы усилителей мощности звуковой частоты и стабилизаторов питания. Этому способствует не совсем правильная эксплуатация аппаратуры. Так, магнитофоны часто слушают на максимальной громкости, и при этом уровень сигнала на ленте также несколько выше номинального. Это приводит к перегрузке усилителя мощности и источника питания. Микросхемы перегреваются и горят. Причем чаще это наблюдается в малогабаритных переносных плейерах, когда в них источником питания служат аккумуляторы с большой емкостью, а они способны давать довольно большой ток, значительно больший, чем такие же батарейки. В результате греется выходная микросхема У34. Иногда к таким плейерам подключают другие наушники, например отечественные. Если они имеют меньшее сопротивление, то это перегружает ИС, а если еще и слушать на предельной громкости, то она не выдерживает перегрузки. В этом случае на место вышедшей из строя ИС можно установить в большинстве случаев только точно такую же, так как должны совпадать номера выводов, на которые подается питание, входа и выхода, цепей коррекции и др. В случае отсутствия схем включения ИС можно просмотреть имеющиеся принципиальные электрические схемы других бытовых аппаратов, может быть, в них применяется такая же ИС, так как схемы их включения идентичны (см. главу 8). Если же иностранных микросхем нет, то на место сгоревшей ИС, например УЗЧ, можно установить новый УЗЧ на отечественной микросхеме. Аналогично можно поступить при выходе из строя ИС стабилизатора напряжения. При этом сначала подают питание от отдельного постороннего источника питания и определяют максимальный потребляемый ток (при максимальной громкости). Подбирают отечественную микросхему стабилизатора напряжения по величине выходного, входного напряжений и току нагрузки. Если ИС подобрать не удается, то изготавливают стабилизатор на транзисторах.
Довольно часто в блоках питания от перегрузок выходит из строя силовой трансформатор. Если не удается его подобрать из отечественной аппаратуры или для него не хватает места, то аккуратно сматывают провод с вышедшего из строя, считая витки обмоток. Возможно, в них обрыв. Если выгорело несколько витков, то этот кусок провода выбрасывают, так как небольшое количество удаленных витков не очень влияет на величины напряжений. Весь провод выбрасывать не следует, потому что намотанный на
его место отечественный такого же диаметра и длины не поместится на каркасе: у него несколько больше толщина лака изоляции. Часто в таких случаях приходится использовать выносной блок питания.
Проще отыскивать неисправность, если блок аппарата не работает вообще, чем когда он работает. Полное отсутствие «признаков жизни» аппарата обычно связано с отсутствием напряжения питания его схемы, выходом из строя выходных транзисторов УЗЧ, так как если УЗЧ при наличии питания работает, слышен шум в громкоговорителе. В таких случаях поиск неисправностей целесообразно начать с проверки целостности шнуров питания, которые часто ломаются около сетевой вилки, а затем предохранителей. В зарубежной аппаратуре часто предохранители находятся непосредственно на монтажных платах аппарата или ими являются тоненькие токопроводящие дорожки печатных плат, через которые подается питание. При перегрузках, замыканиях такие дорожки просто выгорают. Над ними имеется надпись, как и на схеме около предохранителя «FU».
Предохранителями защищают часто и выходные мощные транзисторы блока УЗЧ.
Вместо транзисторов зарубежного производства могут быть установлены и отечественные. При отсутствии какой-либо информации необходимо учитывать, что заменяемый транзистор должен иметь такую же структуру, например и- р-п мощность, материал полупроводника, например кремний, и другие параметры.
В выходных каскадах УЗЧ в подавляющем большинстве применяются кремниевые биполярные транзисторы и-р-и-структуры, хотя их структуру можно определить по полярности напряжения питания схемы. О мощности транзистора судят по размерам его корпуса. Поэтому для пробы вместо вышедшего из строя транзистора зарубежного производства устанавливают отечественный такой же структуры с аналогичными размерами и типом корпуса. Перед установкой проверяют напряжения его питания, а именно ик.э и Ц^б, так как если в схеме действуют напряжения, превосходящие предельно допустимые величины для устанавливаемого транзистора, то он почти сразу выйдет из строя. Если же установка отечественного транзистора не дает положительного результата, например слабая выходная мощность при нормальном напряжении питания, то, возможно, в схеме стоял составной транзистор и надо подобрать аналогичный отечественный. Несколько легче заменяются маломощные транзисторы.
Операционные усилители, которые часто устанавливаются на входе усилителя мощности,
заменяются на отечественные вместе со схемой их включения.
В блоках промежуточной и высокой частоты радиоприемников зарубежного производства обычно успешно работают и отечественные транзисторы из аналогичных блоков.
При эксплуатации аппаратов магнитной записи зарубежного производства практически всегда возникает вопрос замены магнитных головок.
В справочных материалах приведены данные о головках магнитной записи, но если таких данных нет, то замену производят методом проб. Причем легче это сделать в более простых аппаратах, чем в более сложных и качественных.
Следует помнить, что головку для замены подбирают по величине ее индуктивности и полного сопротивления переменному току (эти величины связаны между собой). В любительских условиях можно проверить омметром только активное сопротивление постоянному току. Если есть генератор звуковой частоты, то можно определить и полное сопротивление:
z = Vr+x2l, где R — активное сопротивление, Ом; Хр — индуктивное сопротивление, Ом.
XL - 2л/Е,
YRef— частота , Гц; L — индуктивность, Гн.
Полное сопротивление определяют обычно на частоте 1 кГц, подавая сигнал с генератора, замеряя напряжение и переменный ток в цепи.
По закону Ома определяют полное сопротивление, а затем и ориентировочно индуктивность головки. Если такой возможности нет, замену осуществляют просто методом подбора. Причем сначала устанавливают имеющуюся головку и проверяют ее работу в режиме «воспроизведение», регулируя по высоте и наклону, добиваясь номинального уровня сигнала и наилучшего воспроизведения верхних звуковых частот сигнала. Обычно в режиме «воспроизведение» проблем не возникает. Если головка не совсем подходит для данного аппарата, то это проявляется в виде значительных шумов, недостаточного уровня сигналов и др. При сравнительно нормальной работе аппарата в режиме «воспроизведение» проверяют его работу в режиме «запись». Здесь нежелательных явлений обычно больше. Если уровень записи недостаточный (нет верхних звуковых частот сигнала), то сначала регулируют ток подмагничивания, а затем ток записи. При невозможности получить приемлемое качество звучания аппарата устанавливают другой тип головки.
Вместо сендастовой головки устанавливают также сендастовую, так как «мягкая» головка имеет иную индуктивность, а это влечет изменение элементов корректирующих цепей универсального усилителя (усилителей воспроизведения, записи). Желание установить «твердую» головку вместо «мягкой» также требует, как правило, изменения цепей коррекции.
УСИЛИТЕЛИ ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ
Усилитель звуковой частоты (УЗЧ) является неотъемлемой частью любого бытового радиоаппарата и музыкального центра. Он усиливает звуковые сигналы до заданной мощности. Нагрузкой УЗЧ являются акустические системы, громкоговорители, головные телефоны. В каскадах УЗЧ, особенно выходных, выделяется наибольшая электрическая мощность, которая идет в нагрузку и частично нагревает элементы выходного каскада.
Радиоэлементы выходных каскадов (микросхемы, транзисторы, резисторы) работают в наиболее тяжелом режиме, часто сильно разогреваются и сгорают. Для своевременного отвода выделяемого тепла микросхемы и транзисторы устанавливаются на радиаторы и плотно к ним прижимаются через теплопроводную пасту, улучшающую теплообмен. Однако, несмотря на все предпринимаемые меры, активные радиоэлементы выходных каскадов УЗЧ в бытовой радиоэлектронной аппаратуре довольно часто выходят из строя. Этому способствует не совсем правильная эксплуатация радиоаппаратов. Так, прослушивание сигналов мощных радиостанций на максимальной громкости в радиоприемнике приводит, как правило, к перегрузке выходных каскадов УЗЧ. Прослушивание фонограмм, записанных магнитофоном с повышенным уровнем на предельной громкости и т. п., вызывает недопустимый перегрев радиоэлементов. А если при эксплуатации радиоаппаратуры не обеспечено хорошее охлаждение (в жаркую погоду на солнце, около приборов отопления, при недостаточной вентиляции и т. п.), то сравнительно быстро наступает необратимый тепловой пробой радиоэлементов.
Когда выходят из строя выходные транзисторы, микросхемы, то в громкоговорителе не слышно характерного шума, как и при отсутствии напряжения питания. При этом сначала проверяют наличие напряжения питания (пригодность и контакты батарей), а затем выходные, предвыходные транзисторы. Если выходной каскад на микросхеме, то сначала смотрят, проходит ли сигнал с входа на выход микросхемы. При отсутствии сигнала на выходе тщательно проверяют наличие и величины напряжений на выводах микросхемы и сравнивают с данны
ми, приведенными на схеме. Если хоть на одном выводе микросхемы напряжение значительно отличается от приведенного на схеме (процент допустимого отклонения приведен в примечаниях к схеме) или вообще отсутствует, то сначала проверяют напряжение питания, радиоэлементы цепи его подачи на данный вывод. Когда же напряжение на вывод поступает из самой микросхемы, то после проверки радиоэлементов, присоединенных к данному выводу, микросхему заменяют.
Значительную перегрузку выходных каскадов УЗЧ может вызывать уменьшение сопротивления нагрузки. Например, присоединение громкоговорителей, аккустических систем параллельно имеющимся с целью получения большего акустического давления. При уменьшении сопротивления нагрузки увеличиваются токи в выходных каскадах и возрастает их мощность, а при отсутствии запаса мощности усилительные элементы перегорают. Этому способствует мощный источник питания (способный дать большой ток).
Довольно часто выходят из строя выходные каскады УЗЧ (да и другие) при питании аппарата непосредственно от аккумулятора автомобиля, так как последний может дать очень большой ток. Внешними признаками неисправностей радиоэлементов выходных каскадов УЗЧ могут быть слишком горячий или, наоборот, абсолютно холодный корпус транзисторов и микросхем.
Причинами значительно заниженной мощности УЗЧ могут быть: низкий уровень сигнала на входе усилителя; применение громкоговорителя с большим сопротивлением; заниженное напряжение питания; малая мощность источника питания (звук обычно с искажениями); значительное отклонение величин напряжений на выводах транзисторов и микросхем; неисправности радиоэлементов цепей обратных связей; неисправности конденсаторов в цепи прохождения сигнала и др.
Причинами больших искажений сигнала на выходе УЗЧмогут быть: большой уровень сигнала на входе усилителя; заниженное напряжение питания; отклонение режимов питания транзисторов, микросхем от номинальных; сильно раз-
ряженные батареи питания; выход из строя одного из транзисторов двухтактного каскада; неисправности конденсаторов различных цепей, а также транзисторов и микросхем.
При самовозбуждении усилителя 34 проверяют: экранировку проводов и соединение экранов с корпусом; надежность контактов во входных соединителях и цепях; величины напряжений на выводах транзисторов и микросхем; конденсаторы различных цепей.
Достаточно широкое распространение в бытовой радиоэлектронной аппаратуре получили так называемые мостовые, или балансные, схемы У34. Их особенность заключается в том, что в одном канале У34 содержатся два идентичных усилителя, сигнал на которые подается с фазоинверсного каскада, и оба они работают на одну нагрузку (рис. 3.1). Такие схемы позволяют при относительно невысоком напряжении питания получить выходную мощность У34 примерно в 4 раза выше мощности входящих в схему усилителей. Возможны и другие варианты построения схем мостовых усилителей.
При последовательном соединении каскадов усиления первый работает как неинвертирующий, а второй как инвертирующий усилитель. Коэффициент усиления первого усилителя устанавливается путем подбора радиоэлементов R11 и R21, С21 (рис. 3.2,3.3). Коэффициент уси
ления второго усилителя определяется параметрами цепи обратной связи R12w R2, С2.
Недостатком схем рис. 3.2, 3.3 является то, что на второй усилитель сигнал поступает уже искаженным первым усилителем. При параллельном возбуждении усилителей (рис. 3.4) сигнал поступает на оба усилителя одновременно.
Усилитель 1 работает как неинвертирующий, а усилитель 2 как инвертирующий. Достоинством симметричной схемы (рис. 3.5) является то, что общее усиление в обеих ветвях одинаково, что предопределяет меньшие искажения выходного сигнала. 4аще такие схемы У 34 встречаются в мощных автомобильных магнитофонах и магнитолах, где напряжение питания не превышает 12 В, а также в усилителях очень большой мощности (100...200 Вт), где схемы усилителей питаются относительно невысоким напряжением (несколько десятков вольт).
Каналы усилителей мостовой схемы У34 могут быть построены как на транзисторах, так и на микросхемах.
Примеры иностранных практических мостовых схем У34 приведены на рис. 3.6...3.9.
Приведенные схемы иностранных У34 могут быть реализованы и на отечественных микросхемах аналогичного назначения со своими схемами включения. При изготовлении мостовых усилителей надо помнить, что входящие в
Рис. 3.4. Мостовая схема УЗЧ с параллельным возбуждением
Рис. 3.2. Мостовая схема УЗЧс дифференциальным входом и последовательным возбуждением каскадов
Рис. 35. Симметричная мостовая схема УЗЧ
* W4OO1 или аналогичный
Рис. 3.6. Мостовой УЗЧ с двухполярным источником питания при V = ±14 В, Rh = 8 Ом; Рвых = 24 Вт (КгС1%)
Рис. 3.9. Мостовой УЗЧ с двухполярным питанием: при V - ±22 В; Rh = 4 Ом; Рвых = 180 Вт (Кг <1 %)
Рис. 3.7. Мостовой УЗЧ с деухполярным источником питания; при V = ±17 В, Rh = 8 Ом; Рвых = 30 Вт (КгС1%)Рис. 3.7. Мостовой УЗЧ с деухполярным источником питания; при V = ±17 В, Rh = 8 Ом; Рвых = 30 Вт (КгС1%)Рис. 3.8. Мостовой УЗЧ с деухполярным питанием; при V = ±24 В; Rh = 4 Ом; Рвых =125 Вт.Максимальный ток выходных транзисторов до 7А, мощность до 40 ВтРис. 3.8. Мостовой УЗЧ с деухполярным питанием; при V = ±24 В; Rh = 4 Ом; Рвых =125 Вт.Максимальный ток выходных транзисторов до 7А, мощность до 40 ВтU *246U *246
Рис. 3.7. Мостовой УЗЧ с деухполярным источником питания; при V = ±17 В, Rh = 8 Ом; Рвых = 30 Вт (КгС1%)
Рис. 3.7. Мостовой УЗЧ с деухполярным источником питания; при V = ±17 В, Rh = 8 Ом; Рвых = 30 Вт (КгС1%)
Рис. 3.8. Мостовой УЗЧ с деухполярным питанием; при V = ±24 В; Rh = 4 Ом; Рвых =125 Вт.
Максимальный ток выходных транзисторов до 7А, мощность до 40 Вт
Рис. 3.8. Мостовой УЗЧ с деухполярным питанием; при V = ±24 В; Rh = 4 Ом; Рвых =125 Вт.
Максимальный ток выходных транзисторов до 7А, мощность до 40 Вт
U *246
U *246
них отдельные УЗЧ должны быть одинаковы (с равными коэффициентами усиления и др.). В противном случае возможны значительные искажения выходного сигнала.
Нужно также обеспечить достаточное охлаждение микросхем и транзисторов выходного, а иногда и предвыходного каскадов (хороший
контакт корпуса микросхемы с радиатором через теплопроводную пасту).
В настоящее время на рынке достаточное количество транзисторов, микросхем производства различных фирм, что облегчает ремонт и изготовление различных УЗЧ. Приводятся практические иностранные схемы УЗЧ разного качества и уровня сложности (рис. 3.10...3.14).
Кроме традиционных, наиболее распространенных схем УЗЧ, имеются двух-, трехполосные усилители, в которых входной сигнал разделяется фильтрами на две-три полосы, и каждая из них усиливается отдельным каналом усилителя. Каждый полосовой усилитель работает на свой громкоговоритель (низкочастотный, среднечастотный или высокочастотный).
При таком построении УЗЧ удается получить достаточно высокое качество звучания при относительно простых полосовых усилителях, а для акустических систем не требуется сложных и громоздких фильтров. Не нужно практически и регуляторов тембра, так как диапазон регулировки усиления в «своей полосе» может достигать нескольких десятков децибелл, а в схемах активных регуляторов тембра до 20 дБ. Кроме того, к каждому полосовому усилителю может быть подключено несколько громкоговорителей, что значительно увеличивает звуковое давление.
Пример двухполосного УЗЧ на микросхеме приведен на рис. 3.15. Иногда для получения большей выходной мощности и более сбалансированного звучания (при том же напряжении питания) низкочастотный полосовой усилитель выполняют по мостовой схеме, а высокочастотный — по обычной. Часто для увеличения мощности УЗЧ, имеющих ограниченное напряжение питания (автомобили), применяют схемы, в которых сигнал подается параллельно на два
Рис. 3-10. Высококачественный стереоусилителъ для кассетного магнитофона (2x10 Вт): а — выходной каскад на микросхеме TDA2004;
б — выходной каскад на микросхеме TDA2005S
Рис. 3.11. Усилитель мощности Рвых = 35 ВтРис. 3.11. Усилитель мощности Рвых = 35 ВтРис. 3.12. Усилитель звуковой частоты Рвых = 40 Вт (Rh - 8 Ом); Рвых = 60 Вт (Rh = 4 Ом) (все соединения с корпусом выполняются вместе с шиной корпуса источника питания)Рис. 3.12. Усилитель звуковой частоты Рвых = 40 Вт (Rh - 8 Ом); Рвых = 60 Вт (Rh = 4 Ом) (все соединения с корпусом выполняются вместе с шиной корпуса источника питания)
Рис. 3.11. Усилитель мощности Рвых = 35 Вт
Рис. 3.11. Усилитель мощности Рвых = 35 Вт
Рис. 3.12. Усилитель звуковой частоты Рвых = 40 Вт (Rh - 8 Ом); Рвых = 60 Вт (Rh = 4 Ом) (все соединения с корпусом выполняются вместе с шиной корпуса источника питания)
Рис. 3.12. Усилитель звуковой частоты Рвых = 40 Вт (Rh - 8 Ом); Рвых = 60 Вт (Rh = 4 Ом) (все соединения с корпусом выполняются вместе с шиной корпуса источника питания)
Рис. 3.13. Усилитель звуковой частоты Рвых = 20Вт (Rh = 8 Ом); Рвых = 30 Вт (Rh = 4 Ом)Рис. 3.13. Усилитель звуковой частоты Рвых = 20Вт (Rh = 8 Ом); Рвых = 30 Вт (Rh = 4 Ом)идентичных усилительных каскада (канала), что позволяет равномерно разместить несколько громкоговорителей (рис. 3.16).
Рис. 3.13. Усилитель звуковой частоты Рвых = 20
Вт (Rh = 8 Ом); Рвых = 30 Вт (Rh = 4 Ом)
Рис. 3.13. Усилитель звуковой частоты Рвых = 20
Вт (Rh = 8 Ом); Рвых = 30 Вт (Rh = 4 Ом)
В приведенных ранее схемах УЗЧ могут быть использованы любые микросхемы отечественного и зарубежного производства только со своими цепями (схемами включения). Схемы включения микросхем УЗЧ зарубежного производства даны в главе 8.2.
В таблицах 3.1...3.4 приведены электрические характеристики громкоговорителей и акустических систем отечественного производства.
Рис. 3.15. Двухполосный УЗЧ (частотараздела 2 кГц)Рис. 3.15. Двухполосный УЗЧ (частотараздела 2 кГц)
Рис. 3.15. Двухполосный УЗЧ (частотараздела 2 кГц)
Рис. 3.15. Двухполосный УЗЧ (частотараздела 2 кГц)
Рис. 3.14. Усилитель тыловых громкоговорителей для амбиофонии (4 канала)
Таблица 3.1. Основные параметры отечественных головок громкоговорителей
Название головки: по ГОСТу 9010—78
По ОСТу 4.383.001-85
Частота основного резонанса, Гц
Диапазон воспроизводимых частот, Гц
Неравномерность частотной характеристики, ДБ
Уровень характерной чувствительности, дБ/мВт
Габаритные размеры а плане, мм
Высота, мм
Масса, кг
0.1ГД-17
0.25ГДШ-20-50
450
450...3150
16
90
0 50
18
0,03
0.1ГД-17М
0.25ГДШ-30-8
450
450...3150
16
83
0 50
13
0,025
0.25ГД-10
0.5ГДШ-1-8
290
315...5000
14
90
63x63
29.5
0,07
0.25ГД-19
0.5ГДШ-2-8
290
315...5000
14
90
63x63
21,7
0,115
0.5ГД-30
1ГДШ-1-16
125
125...10 000
14
94
125x80
47
0,19
0.5ГД-31
1ГДШ-2-16
200
200...10 000
14
91
125x80
46,8
0,19
0.5ГД-37
1ГДШ-3-8
315
315...7100
15
94
80x80
37,5
0,135
1 ГД-48
2ГДШ-2-8
120
100...10 000
12
94
160x100
63
0,33
1 ГД-50
1ГДШ-4-8
180
180...8000
12
90
100x100
36
0,20
1 ГД-54
2ГДШ-3-8
125
125...10 000
16
93
125x80
47
0,19
1 ГД-55
1ГДШ-5-4
180
200... 10 000
16
90
125x80
36,5
0,19
2ГД-38
ЗГДШ-1-8
100
100...12 500
12
90
160x100
58,0
0,25
2 ГД-40
ЗГДШ-2-4
100
100...12 500
12
92
160x100
47
0,32
2ГД-40А
ЗГДШ-2-8
100
100...12 500
12
92
160x100
47
0,32
ЗГД-32
6ГДШ-1-4
75
80...12 500
10
92
160x125
77
0,48
ЗГД-38Е
5ГДШ-1-4
80
80...12 500
15
90
0 160
55
0,30
3 ГД-40
5ГДШ-2-4
75,
80...12 500
14
90
0 160
58
0,40
ЗГД-42
5ГДШ-3-8
100
100...12 500
14
93
160x100
52
0,68
3 ГД-45
5ГДШ-4-4
80
80...16 000
16
90
0 160
55
0,31
4ГД-8Е
4ГДШ-1-4
120
125...7100
14
94
125x125
49
0,62
4ГД-35
8ГДШ-1-4
65
65...12 500
16
92
200x200
75,5
0,88
4ГД-53
5ГДШ-5-4
130
100...12 500
16
92
125x125
50
0,62
10ГД-30Е
20ГДН-1-8
40
63...5000
15
86
200x200
80
1,20
10ГД-36К
10ГДШ-1-4
40
63...20 000
16
86
200x200
87
1,40
10ГД-34
25ГДН-1-4
80
63...5000
16
84
200x200
97
2,10
15ГД-14
25ГДН-3-4
80
83...5000
18
85
125x125
73
2,1
15ГД-17
25ГДН-4-4
40
40...5000
14
88
160x160
78
1,40
25ГД-26Б
35ГДН-1-4
40
40...5000
14
86
200x200
97
2,10
ЗОГД-2
75ГДН-1-4
25
30... 1000
12
87
250x250
124
6,0
30ГД-2А
75ГДН-1-8
25
30... 1000
12
87
250x250
124
6,0
15ГД-11А
20ГДС-4-8
120
200...5000
10
89
125x125
74
1,30
1 ГД-56
1ГДВ-1-8
3000
5000... 16 000
12
88
40x40
29
0,10
2ГД-36
ЗГДВ-1-8
3000
3000...20 000
12
90
80x50
40
0,09
ЗГД-31
5ГДВ-1-8
3000
3000...20 000
14
90
100x100
49
0,34
ЗГД-2
6ГДВ-1-16
4500
5000...18 000
16
92
63x63
31
0,20
3 ГД-47
4ГДВ-1-8
2000
2000...20 000
12
91
65x65
44
0,35
6ГД-13
6ГДВ-4-8
3000
3000...25 000
12
93
100x100
45
0,90
10ГД-35
15ГДВ-1-16
3000
5000...25 000
12
93
100x100
50
1,0
10ГИ-1-8
-
2000
2000...20 000
10
90
100x100
25
0,40
Рис. 3.16. Усилитель 34 от микрофона с Рвых = 20 Вт
Таблица 3.2. Основные параметры отечественных рупорных и радиальных громкоговорителей
Тип
Номинальные
Модуль сопротивления, Ом
Рабочий диапазон частот,
Гц
Неравномерность АЧХ, ДБ
Среднее стандартное звуковое давление, Па
Габаритные размеры, мм
Масса, кг
Назначение
МОЩНОСТЬ, Вт
напряжение, В
Рупорные
ЮГРД-IV-S
10
30
120
240
90
1440
5760
300...3550
15
1,5
524x476x390
8
Для озвучения
10ГРД-1У-6
10
30
120
240
90
1440
5760
500...3550
15
1,5
374x333x420
9
Для озвучения, пылехимо- стойкий
10ГРД-6ИГАС
3
6,5
14
500...3550
15
1,25
374x333x420
6
Искробезопасный
25ГРД-111-2
25
30
120
240
36 576 2304
200-.4000
15
0,8
530x410x735
13
Для озвучения
25ГРД-1\/-5
25
30
120
240
36 576 2304
500. .3550
15
1,5
317x333x415
12
Тоже
25ГРД7-ВЗГ
10
25
30
30
90
36
500...2000
18
1,2
400x446x352
22
Взрывобезопасный
50ГРД-Н1-8
50
30
120
240
18
288
1152
200...4000
15
0,7
550x410x270
17
Для озвучения
ЮОГРД-Ш-1
100
30
120
240
9
144
576
200...4000
15
1,5
1167x896x740 и 1018x714x740
43
Тоже
Радиальные
10ГДН-1
10
30
120
240
90
1440
5760
800...8000
16
0,18
0620x520
15
Для озвучения
25ГДН-1
25
30
120
240
36
576
2304
80...8000
16
0,25
0788x667
26
Тоже
Тип акустической системы
Тип комплектующих головок громкоговорителей
Диапазон воспроизводимых частот, Гц
Неравномерность АЧХ, ДБ
Уровень характеристической чувствительности, дБ/м Вт
Номинальное электрическое сопротивление, Ом
Максимальная шумовая мощность, Вт
Габаритные размеры (высота, ширина, глубина), см или объем, дм3
Вид акустического оформления
Масса, кг
3AC-311
-
100... 12 500
16
87
4
5
2,0
Открытое
4,0
3AC-312
-
100...12 500
16
87
4
5
2,0
Тоже
4,0
6АС-221
-
63...18 000
18
84
4
10
14,0Фазоинвертор
5,0
6АС-322
-
63...18 000
18
84
4
10
14,0
Закрытое
5,0
ЮАС-318
-
100...12 500
16
86
4
10
12,0
Тоже
5,0
ЮАС-211
ДШ-1
63...18 000
18
87
4
10
34,0
»
8,5
ЮАС-203
10ГДШ-1
63...18 000
18
87
4
10
34,0
»
8,5
ЮАС-222
25ГДН-1, 6ГДВ-1
63...18 000
16
84
4
30
37x21x18 Фазоинвертор
6,0
15АС-213
25ГДН-3, 6ГДВ-3
80...20 000
16
81
4
25
7,2
Тоже
5,5
15АС-214
25ГДН-4, 8ГДВ-1
63...20 000
16
85
4
25
31x19x19
Закрытое
7,0
15АС-232
25ГДН-4, 8ГДВ-1
40...20 000
16
85
4
25
19Фазоинвертор
7,0
15АС-Ю9
25ГДН-3, 15ГДВ-1
40...20 000
16
84
4
25
36x22x19
Тоже
6,8
15АС-1Ю
25ГДН-3, 15ГДВ-1
40...20 000
16
84
8
25
36x22x19
6,8
25АС-Ю9
35ГДН-1, 20ГДС-4, 5ГДВ-1
40...20 000
16
84
4
50
48x29x27
Закрытое
13,0
25АС-126
35ГДН-1, 15ГДВ-1
40...20 000
16
84
4
40
48x29x27
Тоже
13,0
25АСЭ-Ю1
Электростатические
50...20 000
12
96 на
10В
-
20
92x62x36
Закрытое
25,0
25АС-131
50ГДН-3, ЮГИ-1
40...25 000
16
87
4
50
52x30x26
Тоже
15,0
25АС-128
50ГДН-3, 15ГДВ-1
40...20 000
16
84
4
50
28Фазоинвертор
15,0
25АС-132
50ГДН-3, 20ГДС-4, 15ГДВ-1
40...25 000
-
84
4
50
29; 6,4; 2,2
Модульное
18,3
25АС-027
75ГДН-1, 20ГДС-4, 6ГДВ-4
31.5...31 000
16
86
4
90
62x36x32 Фазоинвертор
25,0
Таблица 3.3. Основные параметры отечественных акустических систем
ГЛАВА3
Окончание таблицы 33.
Тип акустической системы
Тип комплектующих головок громкоговорителей
Диапазон воспроизводимых частот, Гц
Неравномерность АЧХ, ДБ
Уровень характеристической чувствительности, дБ/м Вт
Номинальное электрическое сопротивление, Ом
Максимальная шумовая мощность, Вт
Габаритные размеры (высота, ширина, глубина), см или объем, дм^
Вид акустического оформления
Масса, кг
35АС-012
75ГДН-1, 20ГДС-4, 15ГДВ-1
31,5...25 000
16
86
4
90
71x36x29
Фазоинвертор
27,0
35АС-013
ЗОГД-6, 20ГДС-4, 15ГДВ-1
31,5...25 000
16
86
4
70
58x33x24
СЭМОС
32,0
35АС-016
75ГДН-1, 20ГДС-4, 15ГДВ-1
31,5...25 000
16
86
4
90
71x27x37
Фазоинвертор
26,0
35АС-015
75ГДН-1, 20ГДС-4, 15ГДВ-1
31,5...25 000
16
86
4
90
71x36x29
То же, с ПН
27,0
35АС-018
75ГДН-1,
20ГДС-4,
25...25 000 15ГДВ-1
16
86
4
90
76
Фазоинвертор
27,0
35АС-021
50ГДН-1, 20ГДС-2, 10ГДВ-1
25...2S ООО
16
86
4
70
57
Фазоинвертор
20,0
35АС-008
75ГДН-1, 20ГДС-4, 6ГДВ-4
25-25 000
16
86
4
90
71x40x36
Закрытое
30,0
35АС-ДС-017
75ГДН-1,СЧи ВЧ — электростатические
25-25 000
16
85
4
90
107x36x35
Фазоинвертор
30,0
35АС-022
75ГДН-1, 20ГДС-4, 15ГДВ-1
25...25 000
16
86
4
90
83
Фазоинвертор
32,0
75АС-001
50ГДН-3, 20ГДС-4, 6ГДВ-4
25...31 000
16
90
8
100
92
Тоже
32,0
100АС-003
100ГДН-1, ЗОГД-8, 10ГД-43
20-30 000
12
85
4
150
123x48x40
Закрытое
60,0
100АС-060 100АС-063 ААС-062
НЧ, СЧ и вч- головки с металлическими диффузорами
25-25 000
25-25 000
25...25 000
12
12
12
90
90
90
8
8
47 кОм
100
75
91x47x45
76x39x31
76x39x31
Фазоинвертор Тоже
51,0
30,0
39,0
Усилители звуковой частоты
ND
СЛ
Тип
Тип и число комплектующих головок громкоговорителей
Рабочий диапазон, ГЦ
Неравномерность частотной характеристики, ДБ
Среднее стандартное звуковое давление, Па
Габаритные размеры, мм
Материал оформления
Масса, кг
Номинальная мощность, Вт
2КЗ-7
0,5ГД-31х4
300...7000
15
0,45
684x120x73
Металл
3,8
2
15КЗ-1
4ГД-8Ех4
200...5000
15
0,6
643x325x245
Металл
10
12,5; 6,25
15КЗ-2
4ГД-8Ех4
200...5000
15
0,6
730x274x118
Дерево
10
12,5; 6,25
15КЗ-4
4ГД-8Ех4
200...5000
15
0,6
725x274x100
Дерево
10
12,5; 6,25
15КЗ-6
4ГД-43х4
80...12 500
15
0,3
301x651x179
Дерево
11
12,5; 6,25
15КЗ-8
ЗГД-42х4
160...8 000
15
0,6
780x280x140
Дерево
8
12,5; 6,25
50КЗ-ЗМ
25ГД-18-22x2 25ГД-21х2
80...10000
15
0,9
1360x394x264
1480x394x299
Металл
Металл
40
50; 25
100КЗ-7
25ГД-21х2 25ГД-18-22x2
100...10 000
15
0,7
1193x362x294
1623x352x320
Металл
45
100
100КЗ-11
25ГД-25х4
100...10 000
15
0,4
1433x320x270
Металл
25
100
25КЗ-5
10ГД-21х1
10ГД-22х2
80...10 000
15
0,5
340x300x230
Металл
15
25; 12,5; 6,25
25КЗ-6
10ГД-21Х1
10ГД-22х2
80...10 000
15
0,5
320x307x260
Дерево
15
25; 12,5; 6,25
8 КЗ-4
4ГД-47Х2
150...8000
15
0,85
423x188x124
Дерево
7,5
2; 4; 8
2КЗ-6
1ГД-42Х2
300...7000
15
0,85
394x132x94
Дерево
3,7
2
2КЗ-7
0,5ГД-30х4
300...7000
15
0,5
600x120x75
Металл
4,0
2
6КЗ-2
ЗГД-42х2
160...18 000
15
0,4
520x230x140
Дерево
7,0
6,25
25КЗ-12
ЮГД-ЗбхЗ 25ГД-21х2
63...16 000
18
0,3
730x280x240
Дерево
26
25; 12,5; 6,25
25КЗ-7
10ГД-35х4
80...14 000
18
0,5
974x340x280
Металл
45
25; 12,5; 6,25
100K3-13
25ГД-18-22x4
80...10000
18
0,7
1280x340x280
Металл
60
100,0
Таблица 3.4. Основные параметры отечественных звуковых колонок
ГЛАВА 3
Глава 4
ЭЛЕКТРОННАЯ КОММУТАЦИЯВ БЫТОВОЙ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙАППАРАТУРЕ
Н-» VDН-» VDКоммут. участок схемыКоммут. участок схемыКоммут. участок схемыКоммут. участок схемыРис. 4.2. Формирование импульсов транзисторомРис. 4.2. Формирование импульсов транзистором
Н-» VD
Н-» VD
Коммут. участок схемы
Коммут. участок схемы
Коммут. участок схемы
Коммут. участок схемы
Рис. 4.2. Формирование импульсов транзистором
Рис. 4.2. Формирование импульсов транзистором
ОБЩИЕ ПРИНЦИПЫ ЭЛЕКТРОННОЙ КОММУТАЦИИ
В радиоприемниках, магнитофонах, телевизорах последних лет выпуска широкое распространение получила электронная коммутация и настройка различных цепей. Преимуществом схем с электронной коммутацией является отсутствие ненадежных, изнашивающихся, быстро ломающихся, имеющих ограниченный срок службы различных механических коммутирующих элементов (выключателей, переключателей и т. п.). В качестве элементов коммутации используются полупроводниковые диоды, тиристоры, транзисторы, специальные коммутирую-
Коммут участок схемы
Рис. 4.1. Электронная коммутация цепей: а — диодом; б — транзистором; в — микросхемой
щие микросхемы. Через эти элементы производится соединение участков схемы путем их открывания. Для этого на электронные коммутаторы подается отпирающее или запирающее их напряжение (рис. 4.1).
Такой режим работы элементов (открыт—закрыт) называют ключевым, а коммутаторы — ключами (транзисторный ключ и т. д.). Токи коммутации различны: от миллиампер в ключах микросхем до ампер в ключах на мощных транзисторах. Превышение токов коммутации, как правило, быстро ведет к выходу из строя радиоэлемента (диода, транзистора, микросхемы), т. е. ток коммутации не должен превышать (как правило, он меньше) максимально допустимого тока данного элемента. Например, ток коммутации диодом должен быть ниже его максимального прямого тока (максимального выпрямленного тока), а ток коммутации транзистором должен быть меньше максимально допустимого тока его коллектора.
Напряжение, которое подается для открывания (закрывания) того или иного элемента, называют командой (напряжение коммутации). Напряжение коммутации может подаваться для включения целых блоков, плат и т. п. Оно выполняет роль напряжения питания данного блока. Напряжение команды прикладывается только в момент включения какого-либо режима. Команды могут быть не просто постоянным напряжением, а импульсами определенной амплитуды и длительности. Такие импульсы формируются чаще из постоянного напряжения при помощи транзисторов путем их открывания и закрывания. Величина напряжения на коллекторе открытого транзистора относительно эмиттера близка к нулю, а закрытого — к величине напряжения источника питания (рис. 4.2).
Падение напряжения между выводами эмиттера и коллектора открытого транзистора примерно равно 0,1 В.
В схемах электронной коммутации через коммутирующие диоды подается напряжение включения, например в блоке ВЧ-радиоприем- ника (рис. 4.3). Через диоды осуществляется присоединение одного из выводов катушек колебательных контуров к корпусу, и контур начинает работать и т. п.
Более разнообразно в схемах с электронной коммутацией используются транзисторы. Как отмечалось выше, они формируют команды включения и выключения различных устройств (разные постоянные напряжения, импульсы), осуществляют присоединение цепи к корпусу, благодаря чему к ней прикладывается напряжение и она начинает работать. Например, включение генератора стирания и подмагничивания (ГСП) магнитофона (рис. 4.3).
На коллекторы транзисторов ГСП постоянно приложено напряжение U^, но их эмиттеры присоединены к корпусу через транзистор VT3, и если он открыт, то эмиттеры транзисторов VT1 и VT2 присоединяются к корпусу и ГСП начинает работать, т. е. при включении магнитофона в режим «запись» на базу транзистора VT3 поступает команда (напряжение), открывающая его.
В обычных магнитофонах с механической коммутацией при включении режима «запись» на коллекторы транзисторов ГСП подается напряжение питания через механические контакты переключателя «запись». Через транзисторы может осуществляться подача напряжения включения какого-либо диапазона радиоприемника. Например, включение УКВ-диапазона в радиоприемнике «Океан РП-222» (рис. 6.3).
Рис. 4.3. Электронное подключение схемы к источнику питанияРис. 4.3. Электронное подключение схемы к источнику питанияШирокое распространение получили транзисторы в схемах управления электромагнитами блоков управления магнитофонов и магнитофонных приставок (рис. 4.4). Обмотки электромагнитов включаются в коллекторные цепи мощных транзисторов. Через обмотку подается напряжение пуска электромагнита £/эм на коллектор транзистора VT. Если транзистор закрыт,
Рис. 4.3. Электронное подключение схемы к источнику питания
Рис. 4.3. Электронное подключение схемы к источнику питания
то ток через обмотку не идет и электромагнит не срабатывает. При открывании транзистора через него и обмотку течет ток, сердечник втягивается и перемещает каретку магнитофона, на которой находятся блок головок, прижимной ролик, направляющие стойки и др. Чтобы сдвинуть с места сердечник электромагнита, а вместе с ним и каретку с деталями механики, в момент включения на обмотку электромагнита подается импульс напряжения величиной несколько десятков вольт. Длительность импульса составляет несколько сотен миллисекунд. Этого, как правило, достаточно для срабатывания электромагнита, если в механике нет дефектов (легко перемещается сердечник, не заедает каретка и т. п.). В противном случае слышно сильное гудение обмотки электромагнита и нет характерного щелчка его срабатывания. Если помочь пальцем сдвинуть каретку, магнитофон включается в необходимый режим. Тугое перемещение сердечника электромагнита и механики вызывает рост тока в обмотке, а следовательно, и в транзисторе, что приводит к нагреву последнего и выходу его из строя. Транзистор электромагнита часто выходит из строя еще и потому, что в момент его запирания на коллекторе возникает большой импульс напряжения. Для его уменьшения параллельно обмотке электромагнита включают диод VD, который в момент возникновения импульса открывается и забирает часть его энергии. Импульс пуска формирует обычно какая-либо схема мультивибратора, а для удержания электромагнита на коллектор транзистора поступает постоянное напряжение. Открывается транзистор электромагнита напряжением, поступающим в цепь базы. Отпирающее напряжение поступает на базу транзистора, как правило, в момент включения какого-либо режима магнитофона при нажатии соответствующей кнопки на панели управления. Полярность открывающего напряжения база—эмиттер для транзисторов п-р-п структуры: плюс — на базу, минус — на эмиттер, а дляр-и-р транзисторов — наоборот (рис. 4.5).
Рис. 4.4. Подача напряжения на обмотку электромагнитаРис. 4.4. Подача напряжения на обмотку электромагнитаВеличина отпирающего напряжения составляет для кремниевых транзисторов несколько вольт (до 5...7 В).
Рис. 4.4. Подача напряжения на обмотку электромагнита
Рис. 4.4. Подача напряжения на обмотку электромагнита
Рис. 4.5. Включение электромагнита транзистором
Процесс пуска (отпирания транзистора) по базовой цепи транзистора также можно разделить на два этапа:
Подача напряжения отпирания при помощи кнопки пуска какого-либо режима.
Подача отпирающего напряжения в цепь базы для удержания транзистора в открытом состоянии (после отпускания кнопки постоянного напряжения U пуска нет).
Напряжение удержания на базу транзистора электромагнита обычно поступает со схемы на логических элементах. Поэтому такое управление называют логическим управлением лентопротяжным механизмом. Здесь используется особенность логических элементов удерживать на выходе высокий или низкий уровень напряжения до прихода команды сброса на их входы (рис. 4.6).
Высокий уровень на выходе логического элемента D1 держит транзистор КГ/ в открытом состоянии. Через транзистор КГ/ и резистор R проходит ток. Падение напряжения на нем 7/^ поддерживает открытое состояние транзистора КГ2, и электромагнит остается включенным. При поступлении импульса на вход логического элемента на его выходе устанавливается низкий уровень напряжения и транзистор КГ/ закрывается, ток через резистор R не проходит и напряжение на нем 7/^ отсутствует. Транзистор VT2 закрывается, обмотка электромагнита обесточивается, и он выключает ранее включенный режим. Это один из возможных вариантов схемы управления электромагнитом.
Если в однокассетном магнитофоне применяются три электромагнита для включения перемоток вправо, влево и рабочего хода, то имеются три идентичные схемы управления, а в двухкассетном магнитофоне их шесть. В этом случае для выполнения режима «стоп» (автостоп) импульс сброса поступает сразу на входы всех логических элементов, и отменяются все режимы. Поэтому при ремонте аппаратов с логическим управлением лентопротяжным механизмом в случае отсутствия включения какого- либо режима проверяют сначала транзисторы электромагнитов, затем поступление напряжений пуска, удержания и т. д. Для удобства проверки на принципиальных схемах обычно приводят таблицы состояний логических элементов для разных режимов работы. В некоторых аппаратах в схемах управления лентопротяжными механизмами применяются микропроцессоры. Эти микросхемы более узкого и специального назначения и в случае выхода их из строя заменяются точно такими же.
МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ
Мультиплексоры представляют собой четырехканальные переключатели, которые управляются командами (постоянными напряжениями), поступающими на затворы электронных ключей (вывод 2, 6, 9, 13) (рис. 4.7). Команда -15В разрешает прохождение сигнала через данный ключ, а команда +15В запрещает прохождение сигнала (соответствующий ключ разомкнут). Во всех случаях ключи будут работать, если приложено напряжение питания + 15В на вывод 11 микросхем К547КП1А... К5477КП1Г. Например, если на вывод 2 подана команда -15В, то ключ открывается и соединяет выводы 1 и 3 между собой, если на вывод 6 подано -15В, то соединяются выводы 5 и 7, и т. д. При подаче +15В на вывод 13 выводы 12 и 14 будут разъединены. Когда необходимо одной командой -15В включить сразу два ключа одновременно, то выводы управляющих затворов соединяют
между собой (например, выводы 9 и 13) и на них подают напряжение -15В, в этих условиях выводы 8 и 10, а также 12 и 14 между собой соединяются.
В схемах магнитофонов такие коммутаторы чаще применяются для пропускания стереосигнала (2 канала) и подключения цепей коррекции для каждого из стереоканалов (2 канала). Кроме того, они используются для изменения коррекций усилителей записи и воспроизведения при использовании лент СгО2 и FeCr, чаще путем соединения с корпусом некоторых элементов цепи коррекции усилителя (при подаче команды -15В на соответствующие затворы). Применяются данные коммутаторы и для изменения коэффициента усиления операционного усилителя путем подключения резистора параллельно элементу (тоже резистору) цепи обратной связи ОУ, от которого зависит коэффициент усиления. Основные электрические параметры микросхем К547КП1А...К547КП1Г приведены в табл. 4.1.
Таблица 4.1. Основные электрические параметры микросхем К547КША...К547КШГ
Параметр
К547КП1А
К547КП1Б...К547КП1Г
^СИстк.' Ом
100
150
^Зут.' нА
50
500
/с ут ■ нА
50
500
^Иут.' нА
50
500
Озипор.' В
-3...-6
-3...-6
Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации
Напряжение между стоком и подложкой:
К547КП1Ане более 35В
К547КП1Б-«-30В
К547КП1Б-«-20В
К547КП1Г-«-20В
Напряжение между затвором и подложкой 40В.'
Постоянный ток стока не более 20мА.
Мощность рассеивания 500 мВт. При отсутствии коммутации каким-либо ключом следует проверить наличие напряжения питания на выводе 11 и управляющего напряжения команды и его полярности. Как отмечалось ранее,-15В на выводах 2,6,9, 13 (при наличии + 15В на выводе 11) ключи открывает, а + 15В на тех же выводах ключи закрывает, т. е. выводы 3—1, 5—7, 8—10, 12—14 разомкнуты. Если же все напряжения присутствуют и хотя бы один ключ не работает, микросхему следует заменить.
МИКРОПРОЦЕССОРЫ
Микропроцессор (МП) — это микроэлектронное программно-управляемое устройство, осуществляющее процесс обработки цифровой информации и управляющее этим процессом. Микропроцессор может быть реализован на одной или нескольких больших интегральных схемах (БИС) и является наиболее важной частью ЭВМ.
В последнее время для расширения сервисных возможностей и качества ЛПМ магнитофонов, управления ими изготавливаются и применяются в аппаратах магнитной записи БИС широкого применения серии К145.
Так, К145ИК1906 применяется для контроля и управления режимами работы лентопротяжного механизма магнитофонов. БИС К145ИК1913 применяется для программного управления работой лентопротяжного механизма. Большая интегральная схема К145ИК1914 содержит счетчик, таймер, выполняющий отсчет дискретных значений параметров с привязкой к реальному времени, и применяется в системах автоматического контроля и бытовых магнитофонах. БИС К145И1915 применяется для автоматического управления электропроигрывателем.
Микроконтроллерные БИС К145ИК1906, К145ИК1913 и К145ИК1914 служат для управления магнитофоном. Эти большие интегральные схемы являются одним из вариантов базовой БИС К145ИК19 и предназначены для контроля и управления лентопротяжным механизмом магнитофона, а при наличии соответствующих датчиков — контроля режимов работы различных механических устройств.
Вышеназванные микроконтроллеры имеют следующие основные параметры: напряжение питания — 27 В, сопротивление по входу логического 0 — около 1 кОм, по выходу логической 1 — около 1 МОм; допустимые токи нагрузок по выходам Di — менее или равны 6 мА, /г — 2 мА, а Yi — 1 мА. Тактовая частота 30...40кГц может задаваться с помощью внешней 7?С-цепи, кварцевого резонатора РК101 (32768 Гц) или внешними прямоугольными импульсами. У данных БИС выводы Ст1, Cm2, Cm3, КВ используются для возбуждения внутреннего задающего генератора (фазы Ф1, ФЗ). Неиспользованные выводы 4, 11, 12 заземляют, вывод 31 соединяют с выводом 32, a 33 — с 34.
Переход из режима в режим работы БИС осуществляется с помощью клавиатуры коммутацией сигналов Di на соответствующие входы Kj. Режимы работ контролируются визуально по индикатору, для которого управляющие сиг-
-278
ю
МПОк 4
1..,2,2м
С1 5,
Юн А?2 8
—7
,4
Выходы
3
Сигналы управления'
Сигналы выбора режима
11
12
24
Ст1
8х.4
Общ
Вх.1 8x2 8x3
ВыхМ 8x.PrR
Вх. РгМ
Вых.РгМ
Y1
Y2
Y5
Y4
У5
Y6
Y7
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
КВ
ВыхКВ
Вх.К1
Вх.К2
Вх.кЗ
Вх.К4
В, ог $ Вь
Сброс Ф2
ВыхФ1
Выхог
УннЭ
Ст2 СтЗ
Г —
36
37
38
39
40
41
42
48\
I 33 я]
13.
14
16
17
18
19
20
22
23
25
26
27
28
29
30
44
45
На индикацию режимов
К исполнительным устройствам
На выходы К)
iL • (Выбор режимов) 47
Рис. 4.8. Схема подключения БИС К145ИК1906 налы снимаются с выходов й в соответствии с рис. 4.11.
При использовании БИС К145ИК1906 (рис. 4.8) в составе магнитофонов с ее помощью осуществляют семь основных режимов работы: «Останов», «Рабочий ход», «Перемотка вправо», «Перемотка влево», «Пауза», «Подготовка к записи», «Запись»; четыре дополнительных режима работы: «Автостоп», «Программный автостоп» и две программы автоматического изменения режимов работы магнитофона.
Основные режимы осуществляются нажатием клавиши, коммутирующей сигналы с выхода Di на вход Kj в соответствии с табл. 4.2.
Дополнительные режимы устанавливаются или сбрасываются при повторном обращении к БИС нажатием соответствующих клавиш.
БИС К145ИК1913 в составе магнитофона позволяет обеспечить поиск с помощью клавиатуры определенного номера (от 0 до 15) музыкальной программы в режиме «Поиск» и ее прослушивание. В режиме «Обзор» осуществляется последовательное прослушивание фонограммы в течение примерно 15 с, затем происходит автоматическая перемотка до появления ближайшей паузы в фонограмме и т. д. При работе в режиме «Автоповтор» после воспроизведения последней фонограммы осуществляется переход к проигрыванию фонограммы, номер которой записан с помощью клавиатуры в первой ячейке памяти.
БИС К145ИК1914, кроме применения в бытовых магнитофонах для контроля расхода ленты и управления лентопротяжным механизмом, может использоваться для отсчета дискретных значений некоторого параметра с привязкой к реальному времени. При работе БИС в составе магнитофона с ее помощью индуцируется текущее значение условного метража, текущего времени и в режиме «Поиск» — предварительно установленное значение метража. С помощью БИС при наличии на входе XI прямоугольных импульсов частотой 102 Гц (режим «Перемотка») или 64 Гц (режим «Рабочий ход») осуществляется прямой или обратный ход условного метража. Может происходить также поиск нужного участка записи путем сравнения показаний счетчика условного значения метража с предварительно установленным. При этом в момент сравнения выдается соответствующий сигнал. БИС может работать также в режиме счета времени или в режиме таймера (обратный счет времени) и выдавать управляющие сигналы в случае переполнения счетчика, завершения работы таймера и при показаниях счетчика времени свыше одного часа. Сигнализируется также, ка-
Режим
Вход
Ki
Выход Di
Сигналы индикации режима
Режим
Вход ^"
Выход Di
Сигналы индикации режима
Останов
К1
D4
п
Запись
К1
D1
17
Рабочий ход
К1
D1
16
Программа 1
КЗ
D1
Y1
Перемотка вправо
К1
D2
13
Программа 2
КЗ
D2
Y2
Перемотка влево
К1
D3
12
Автостоп
КЗ
D4
Y3
Пауза
Подготовка
к режиму «Запись»
К1.КЗ
К1.КЗ
D1
D1
14, ТБПрограммный
автостоп
14,17
КЗ
№
Y4
Таблица 4.2. Выбор режимов работы БИС К145ИК1906
кой параметр контролируется (время или условный метраж), и направление счета (прямой или обратный счет).
Назначение выводов 1...21 аналогично БИС К145ИК1906 (рис. 4.9), так же как и схема их подключения, а назначение выводов 22...48 БИС К145ИК1914 представлено в табл. 4.3.
Схема включения БИС К145ИК1906 с элементами внешней /?С-цепи, определяющими частоту внутреннего генератора, приведена на
рис. 4.8. Если напряжение индикатора и БИС совпадают, то выводы 1 и 48 соединяют между собой. _
При работе БИС в магнитофоне выход Y5управляет рабочим ходом ЛПМ, причем для включения режима «Рабочий ход» на этом выходе появляется высокий уровень напряжения, т. е. от 0 до 2 В (логический ноль); на выходе Y6 высокий уровень напряжения появляется при включении перемотки вправо; выход У7 управ-
Таблица 4.3. Назначение выводов К145ИК1914
Номер вывода
Наименование сигнала
Назначение вывода
Примечание
1
2
3
4
22
Bbix.YI
Управляющий выходной сигнал
Сигнализация о завершении работы таймера и превышении 1 ч при счете времени
23
Вых.У2
Тоже
24
Общий выход
» »
Указывает направление счета времени: низкий уровень напряжения — прямой счет; высокий уровень— обратный счет (таймер)
25
Вых. Y3
» »
26
Вых. Y4
» »
Признак выводимого на индикатор параметра: низкий уровень напряжения — значение условного метража;
высокий уровень — значение времени
27
Вых. Y5
» »
Сигнализация о переполнении счетчика условного метража
28
Вых. Y6
» И
Сигнализация о превышении текущего значения счетчика условного метража над значением предустановки условного метража
30
Вых. Y8
» »
Сигнализация о равенстве значений предустановки условного метража и текущего значения счетчика условного метража
31
Вых. PrR
Для возможности расширения оперативной внутренней памяти
32
Вх. PrR
Тоже
33
Вх. РгМ
» »
34
Вых. РгМ
» »
35
Х1
Сигнальный вход «Счет»
Для приема сигнала типа «меандр» при отсчете условного метража
36
Х2
Сигнальный вход
ЛПМ
Для приема информации о состоянии СПМ магнитофона: высокий уровень напряжения соответствует режиму «Перемотка», низкий уровень — режиму «Рабочий ход»
37
ХЗ
Сигнальный вход «Направление»
Для приема информации о направлении счета параметра: низкий уровень напряжения — прямой счет, высокий уровень — обратный счет
38
Х4
Вход
39
К1
Вход с клавиатуры
40
К2
Тоже
41
КЗ
» »
42
К4
Вых.СИ
» »
Вход К4 соединен с выходом 4 для включения БИС при подаче напряжения питания
43
Вых.СИ
Не используется
44
Вых. D1
Выходные разрядные сигналы
Для сканирования индикатора и клавиатуры
45
Вых D2
Тоже
46
Вых D3
» »
47
Вых. D4
» »
48
^п
Напряжение питания
БИС-27 В
—- U^a
42- -276
ВыходыЗГ
Выходы установки частоты
ЗГ
Подключение кварца
Сигналы управления
Выбор режимов
3.
2_ 4
ю в
7
8.
35
36
37
38
Вых Ф1
Вых ФЗ
Сброс Ф2
К145 ИК
1906
Вых PrR Вх PrR Вх PrR Вых PrR
32
13 , /4
16
17
18
19
20
Для возможностей расширения
ОЗУ
Ст 1
Ст 2
у
Ч
Вых КВ
Вх КВ
Вх 1
Вх 2
Вх 3
Вх 4
12
24
Общ
Регистр статуса
Вх К1 Вх кг Вх КЗ Вх К4
39
40
41
42
is
у
У2
У5
У4
У5
Уб
У7
У8
22
23
25
26
27
28
29
30
Индикация режима
Индикация режима
К исполнительным устройствам
D1
Ч 05
М
44
45
46
47
На выходы К, (Выбор режима)
Рис. 4.9. Назначение выводов БИС К145ИК1906
ляет включением режима перемотки влево (аналогично ¥6\ а на выходе ¥8 при включенном ЛПМ появляется сигнал высокого уровня напряжения (от -8 до -27 В).
Микросхема позволяет анализировать информацию, поступающую на входы Вх1...Вх4. По Вх1 определяют, в каком состоянии (движения или останова) находится ЛПМ. Поступающий на Вх1 уровень логического нуля (напря
жение 0...2 В) соответствует останову механизма, а уровень логической единицы (-8... -27В) — его движению. В случае подачи любого из управляющих сигналов (рабочий ход, перемотка вправо или влево) и отсутствия логической единицы на Вх1 в течение 5 с схема переходит в режим ожидания и на выходе ¥5 появляется напряжение высокого уровня. При необходимости формирования паузы, предшествующей режиму «Рабочий ход», на Вх2 задается сигнал в виде уровня логического нуля, что вызывает отключение управляющих сигналов ¥5...¥8.
Сигнал автостопа ЛПМ в виде высокого уровня напряжения (логическая единица) подается на Вх 3 БИС при работе в режиме «Автостоп», что обеспечивает останов механизма. В режиме «Программный автостоп» обеспечивается прием сигнала прерывания работы механизма (уровень логической единицы по Вх 4) от датчика метража ленты.
Две программы («Программа 1» и «Программа 2») автоматического изменения режимов работы обеспечивают автоматический переход от режима «Рабочий ход» в режим «Перемотка влево» и от режима «Перемотка влево» в режим «Рабочий ход» по сигналам автостопа или программного автостопа. Одновременное использование обеих программ позволяет добиться многократного прослушивания некоторого участка магнитной ленты, т. е. чередовать режимы «Рабочий ход» и «Перемотка влево».
Микропроцессор на БИС К145ИК1901 так-
Напряжение питания индикатора1
Входы ЗГ дляг2
синхронизацииj3
внешней памяти'4
Общая очистка
Выходы для установки • -19- частоты ЗГ6
Подключение кварцаг _2_
Входы измененияГ ——
состояния1 12
регистра статуса‘
13
14
16
Коды сегментов десятичной цифры . —- 18 19
20
Общий|24
Вин8
Ф1
ФЗ
Сброс Ф2
Ст.1
Ст. 2
Ст 3
Вых. К8
Вх. КВ
L
L
Д ^2 1з I4 1$ 16 Ь
Рис. 4.10. Назначение выводов БИС К145ИК1901
К145 ИК
У4
У5
Уб
27
28
Управление исполнительными
• устройствами
1901
Вх PrR
32
35
Для возможности
Вх РгМ
расширения
Вых PrR
51
внутренней памяти
Вых РгМ
34
ОЗУ
—
39 1
К1
К2
40
Входы подключения
КЗ
41
клавиатуры
К4
42
44
01
45
Выходные разрядные
02
46
, импульсы
03
управления
D4
42
индикатора
иП
48
-278
3 Усилители, радиоприемники
же применяется в составе бытовой аппаратуры для включения и выключения некоторых устройств в заданные программой моменты, эта БИС служит также основой электронных часов, таймеров. На рис. 4.10 показано назначение выводов микропроцессора, а на рис. 4.11 приведены коды сегментов десятичной цифры индикатора.
Тактовая частота ЗГ стабилизируется кварцевым резонатором РК10132768 Гц, а при его отсутствии задается в пределах 30...40 кГц внешней /?С-цепью (при этом вывод 8 подключается к общему проводу, а вывод 7 должен быть свободным). Возможна синхронизация подачей внешних прямоугольных импульсов амплитудой 1,5...2,5В и частотой 32 кГц на вывод 8 (между выводами подключается резистор 10 мОм). Если возможность расширения памяти регистров ОгР и РгМ не используется, то следует вывод 31 соединить с 32, а вывод 33 — с 34. При использовании ИС следует также выводы 11 и 12 соединить с общим проводом. Задание различных режимов работы БИС определяется девятью командами и осуществляется путем подачи импульсов с выходов Di на соответствующие входы К1 с помощью клавиатуры. На входе К1 при отсутствии соответствующей команды появляется логическая единица, т. е. напряжение низкого уровня (-27В).
Команда установки минут осуществляется подачей сигнала с выхода D4 на вход К1, а установки часов — с выхода D4 на вход К2, при этом к предыдущим показаниям соответствующего времени прибавляется единица с частотой 2 Гц. С помощью команды «Коррекция» (К) (сигнал с выхода D1 подается на вход /С?) осуществляется обнуление разрядов минут (секунд), далее счет продолжается с 00 мин 00с, а в разряде часов информация не меняется.
Режим таймера (7) (для его осуществления сигнал с выхода D3 подается на вход КЗ) совмещен с работой в режиме «Будильник 1» («Б1»), и их одновременное использование недопустимо. В этом режиме осуществляется обратный отсчет времени, установленного в программе работы режима «Б1». При этом значения времени, установленного в разрядах часов и минут, воспринимаются в режиме таймера как значения минут и секунд соответственно. В момент достижения значения ООмин, 00с при работе таймера счет времени прекращается и выдается сигнал управления, говорящий об окончании за-
37.
Рис. 4.11. Коды сегментов десятичной цифры
данного интервала времени. В режиме секундомера (с)^он устанавливается подачей сигнала с выхода D2 на вход К4) происходит ежесекундное приращение информации, причем в адрес минут индуцируются секунды, а часов — минуты. По команде «Останов» (0) (на вход КЗ подается сигнал D2) на индикаторе фиксируются показания текущего времени. В регистрах эта информация также сохраняется.
Микроконтроллер позволяет сравнить текущее значение времени с предварительно установленными с помощью команд «Б1» и «Будильник 2» («Б2») значениями. В момент совпадения текущего и заданного времени в режиме «Б1» или «Б2» каналам выдаются управляющие сигналы независимо друг от друга. Длительность управляющего сигнала составляет 55 с. Команды «Б1» (при этом сигнал с D подается на К4) и «Б2» (сигнал с D3 подается на К4) устанавливают режим занесения контрольного времени для «Б1» или «Б2», при этом признак режима выдается на индикаторе как 55ч 55мин, а само время выдачи управляющего сигнала устанавливается командами «Ч» и «М». Программы работ «Б1» и «Б2» заносятся в отдельные регистры памяти и позволяют использовать их многократно. По командам «Б2» или «Б1» содержимое программ выдается для контроля. По управляющим сигналам можно включать в режиме будильника звуковую сигнализацию или, например, используя режим «Б1» (управляющий сигналом Y5), включать телевизор, а по режиму «Б2» (управляющий сигналом Y6) — выключать. _ _
Прервать сигналы управления Y4— Y6 (например, звуковой сигнализации) можно либо отключив питание сигнального устройства, либо по команде_«В» (для ее осуществления сигнал с выхода D1 подается на вход К4) осуществив возврат к текущему времени.
РЕМОНТ И РЕГУЛИРОВКАРАДИОПРИЕМНИКОВ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
При ремонте радиоприемников пользуются известными методами обнаружения неисправностей: внешний осмотр, измерение режимов по постоянному току, метод промежуточных измерений (на прохождение сигнала). Реже можно воспользоваться методом замены деталей, узлов заведомо годными и др.
В радиоприемниках при внешнем осмотре тщательно проверяют состояние переключателя диапазонов, загрязнение контактов (контактные пружины очищают стирающей резинкой, одеколоном, спиртом). Такие контакты, как правило, покрыты тонким слоем серебра, и сильное механическое воздействие на них разрушает покрытие, что приводит к более быстрому их окислению и, как следствие, нарушению контакта. При этом появляются треск, пропадание сигнала, большие искажения сигнала и т. п.
Сильно деформированные контактные элементы, планки заменяют новыми.
При отсутствии приема на всех диапазонах и наличии характерных высокочастотных шумов в радиоприемнике тщательно проверяют высокочастотный блок, целостность катушек индуктивности, наличие в них сердечников, не оборваны ли провода катушек в местах их присоединения к контактным лепесткам, не поломаны ли каркасы катушек и т. д.
Если нет приема на длинных и средних волнах, где во входных целях применяется магнитная антенна, тщательно проверяют ее состояние: нет ли изломов, трещин ферритового стержня, зафиксированы ли каркасы катушек на стержне (если свободно двигаются, потребуется настройка приемника), нет ли обрывов проводов катушек.
Если при перестройке радиоприемника с одной станции на другую раздается сильный треск, шуршание на каком-то участке шкалы на всех диапазонах, то это является обычно следствием замыкания пластин статора и ротора конденсатора переменной емкости; замыкание надо устранить или заменить конденсатор.
В радиоприемниках с электронной настройкой подобная неисправность может быть следствием плохого контакта ползунка переменного
резистора настройки из-за загрязнения, нарушения контакта пружины с графитовым слоем, износа графитового слоя. При этом такой переменный резистор разбирают, чистят, легко смазывают токоведущий слой, а при значительном износе заменяют новым.
В блоках высокой частоты при внешнем осмотре тщательно проверяют состояние конденсаторов. Нет ли изломов, трещин на их корпусах, надежны ли их контакты с платой, не оборваны ли выводы.
Неисправные конденсаторы заменяют на точно такие же, как по номиналу, так и по типу диэлектрика (бумажные заменяют на бумажные и т. д.).
Методом промежуточных измерений (на прохождение сигнала) проверяют УЗЧ и его каскады, подавая синусоидальный сигнал частотой 1 кГц на вход проверяемого каскада. В последних моделях радиоприемников в качестве усилительных элементов применяются чаще микросхемы. При подаче сигнала на их вход не надо значительно превышать величину напряжения источника сигнала по отношению к указанной чувствительности входа данной микросхемы. Это может привести к выходу ее из строя.
Обычно чувствительность входов микросхем усилителей мощности, применяемых в радиоприемниках, составляет несколько десятков милливольт, а предварительных усилителей и других каскадов еще в десятки, сотни раз ниже (единицы милливольт, десятки микровольт).
Для проверки каскадов усилителей промежуточной частоты (УПЧ) диапазонов ДВ, СВ, КВ применяют амплитудно-модулированный высокочастотный сигнал (АМВЧ), а для проверки УПЧ диапазона УКВ применяют частотно-мо- дулированный высокочастотный сигнал (ЧМВЧ). Такие сигналы вырабатывают генераторы стандартных сигналов типа Г4-102, Г4-154 и т. п., а также генераторы, имеющиеся в составе измерительной аппаратуры венгерского производства.
Чувствительность каскадов УПЧ значительно выше, чем каскадов УЗЧ: т. е. на их вход необходимо подавать значительно меньшее напряжение (от единиц милливольт до единиц микровольт).
Следует иметь в виду, что каскады, содержащие колебательные контуры, могут не пропускать сигнал не только из-за отсутствия напряжения питания, неисправности усилительных элементов и т. п., но также из-за расстройки колебательных контуров.
Расстройка колебательных контуров может быть вызвана: смещением сердечников катушек индуктивности с течением времени; старением радиоэлементов; заменой транзисторов (надо устанавливать в блоках ВЧ точно такие же); при обрывах, изломах конденсаторов; при деформации корпусов катушек индуктивности; трещинах, сколах сердечников катушек. Поэтому, если сигнал не проходит через каскады УПЧ, сначала проверяют режимы элементов (напряжения на выводах), а затем тщательно осматривают элементы контуров, для чего снимают с них экраны. При этом проверяют, нет ли замыканий выводов с экраном. Если явных дефектов не обнаружено, то возможно значительное ухудшение чувствительности каскада из-за отклонения напряжений эмиттерно-базовой цепи транзистора, на выводах микросхемы, или неисправна схема автоматической регулировки усиления (АРУ). Убедиться в ухудшении чувствительности каскада УПЧ можно путем увеличения величины напряжения с генератора, подаваемой на вход каскада. Если при этом начинает прослушиваться сигнал на выходе, то чувствительность действительно ухудшилась, и после вышеназванных проверок заменяют усилительный элемент (транзистор, микросхему).
У радиоприемников иностранного производства значение промежуточной частоты в диапазонах ДВ, СВ, КВ может быть отлично от нашего стандарта 465 кГц и находится в пределах 450 кГц...470 кГц. Это необходимо учитывать при проверке УПЧ на прохождение сигнала.
НЕИСПРАВНОСТИ РАДИОПРИЕМНИКОВ
В радиоприемниках возможны следующие неисправности:
Нет приема на всех диапазонах.
Нет приема на одном диапазоне.
Нет приема на части диапазона.
При перестройке раздается сильный треск.
Нет приема на диапазоне УКВ.
Не переключаются диапазоны.
Нет'настройки в пределах диапазона.
Ремонт радиоприемника обычно начинают с тщательного внешнего осмотра монтажа, плат, колебательных контуров, контактов разъемов и др. Затем проверяют наличие и величину напряжений на блоках, каскадах радиоприемника.
1.1. Нет приема на всех диапазонах
При отсутствии приема на всех диапазонах проверку начинают с блоков, каскадов, являющихся общими для всех диапазонов, а именно: блок питания, УЗЧ, УПЧ и гетеродин. Порядок проверки режимов питания, каскадов УЗЧ и УПЧ рассмотрен ранее.
Ориентировочно отыскание данной неисправности можно начинать по следующим внешним признакам работы радиоприемника.
Если в громкоговорителе слышен шум, то это свидетельствует о работоспособности УЗЧ и блока питания.
Если же шум сопровождается свистами, помехами, еле слышными какими-то сигналами, то можно предположить, что и каскады УПЧ исправны.
Если же при перестройке радиоприемника изменяется характер, тон шумов, то, видимо, каскады гетеродина, УПЧ исправны и неисправность следует искать во входных цепях.
Работоспособность гетеродина можно проверить, измеряя его генерируемое переменное напряжение в точке его подачи на каскад смесителя.
Величина сигнала (десятки милливольт) и его частота должны изменяться при перестройке радиоприемника, что хорошо видно на экране осциллографа в случае измерения им сигнала гетеродина. Надо помнить, что без сигнала гетеродина не будет промежуточной частоты, на которой осуществляется основное усиление сигнала в радиоприемнике, определяющее его чувствительность.
Если гетеродин не работает, то проверяют поступление на него напряжения питания, надежность контактов контура гетеродина, целостность LC-элементов, заменяют конденсаторы, транзистор.
Если же каскады УПЧ, гетеродина исправны, то тщательно проверяют контакты переключателя диапазонов, ЕС-элементы входных цепей, каскад УРЧ (если он имеется).
Наиболее уязвимыми являются места присоединения гибких тонких проводов катушек к их контактам, механические повреждения корпусов конденсаторов и их выводов, износ, поломка контактных пружин.
В радиоприемниках с электронной настройкой и коммутацией диапазонов (типа «Верас- 225» и т. п.) при отсутствии приема на всех диапазонах проверяют общие цепи включения диапазонов, т. е. наличие напряжения включения, цепи коммутирующих транзисторов и микросхему, наличие и формирование напряжения настройки.
1.2. Нет приема на одном диапазоне
Если радиоприемник работает хотя бы на одном диапазоне ДВ, СВ, КВ, то у него исправны блок питания, УЗЧ, УПЧ, транзистор гетеродина, УРЧ.
При переключении диапазонов соответствующий переключатель подключает колебательные контуры к каскадам гетеродина, УРЧ, входной цепи. Поэтому, если нет приема на каком- либо диапазоне, в первую очередь проверяют состояние контактов контуров неработающего диапазона, целостность конденсаторов, катушек индуктивности, а на диапазонах ДВ, СВ — состояние магнитной антенны (зафиксированы ли на ней катушки, нет ли обрывов их выводов). Если в названных цепях неисправностей не обнаружено, то, видимо, требуется настройка ВЧ- блока данного диапазона.
При отсутствии приема на одном из диапазонов в радиоприемниках с электронной настройкой и коммутацией поиск неисправности целесообразно начать с проверки наличия напряжения включения данного диапазона (аналогично напряжению питания). Проверяют режимы УРЧ, гетеродина, УПЧ. Затем проверяют поступление напряжения настройки по цепям варикапов. Но если такой радиоприемник работает хотя бы на одном из диапазонов ДВ, СВ, КВ, то цепи напряжения настройки и варикапы исправны. При отсутствии напряжения включения проверяют цепи его формирования: от подачи команды с коммутирующей микросхемы через транзисторные ключи до цепей питания каскадов УРЧ, гетеродина, УПЧ. Если при названных проверках неисправностей не обнаружено, то необходима настройка контуров ВЧ-блока неработающего диапазона.
.3. Нет приема на части диапазона
Причинами такой неисправности может быть:
Замыкание пластин ротора и статора конденсатора переменной емкости (КПЕ). При этом раздается сильный треск при настройке на станции на всех диапазонах на одном и том же участке шкалы. В этом случае КПЕ заменяют или в воздушном КПЕ устраняют замыкание.
Произошло смещение принимаемых частот на одном диапазоне из-за того, что расстроился контур гетеродина этого диапазона.
Сначала проверяют диапазон принимаемых частот, подавая амплитудно-модулированный сигнал (АМ) в диапазонах ДВ, СВ, КВ с генератора высокой частоты.
Если обнаружено, что радиоприемник при
нимает на данном диапазоне не те частоты, которые указаны в его технических характеристиках, то необходимо произвести регулировку, называемую укладкой диапазона.
Цель регулировки: «заставить» радиоприемник принимать предписанные ему частоты (см. 5.2.1). ‘
Перед регулировкой тщательно проверяют элементы контуров гетеродина, УРЧ, входной цепи данного диапазона: нет ли обрывов катушек индуктивности и на месте ли их сердечники, нет ли изломов конденсаторов и обрывов их выводов.
В радиоприемниках с электронной настройкой, кроме того, проверяют величину начального напряжения настройки и пределы его изменения. Если нужно, устанавливают необходимую величину напряжения настройки подбором соответствующих резисторов.
.4. При перестройке радиоприемника слышен сильный треск
Причинами сильного треска и других аналогичных помех в радиоприемниках могут быть:
Помехи от различных электромагнитных устройств.
Помехи от устройств, в которых возникает искрение в местах контактов при их работе (электросварка, контактные щетки двигателей, стартеры ламп дневного света и т. п.).
Плохие контакты в самом радиоприемнике (переключателе диапазонов и т. п.).
Замыкание пластин статора и ротора КПЕ, плохой переменный резистор настройки. При этом треск раздается на всех диапазонах на одном и том же участке шкалы.
Помехи от посторонних источников, как правило, проявляются с разной интенсивностью на разных диапазонах.
.5. Нет приема на диапазоне УКВ
В радиоприемниках диапазон УКВ имеет самостоятельный отдельный блок ВЧ, где находятся входные цепи, УРЧ, гетеродин и смеситель. Этот блок формирует частотно-модулиро- ванный сигнал (ЧМ) промежуточной частоты 10,7 МГц. *
Каскады УПЧ в ранее выпускавшихся радиоприемниках имеют общие для ДВ, СВ, КВ и УКВ усилительные элементы (транзисторы), в нагрузке которых находятся колебательные контуры, настроенные на частоты 465 кГц и 10,7 МГц; на выходе УПЧ —разные схемы демодуляторов сигналов: амплитудный детектор для ДВ, СВ, КВ (один диод) и частотный детектор для УКВ (два диода).
В радиоприемниках с электронной коммутацией и настройкой блок УКВ содержит: входные цепи, УРЧ, гетеродин, смеситель, многокаскадный УПЧ (обычно на микросхеме), частотный детектор и предварительный УЗЧ.
Включение диапазона УКВ в радиоприемниках осуществляется подачей напряжения питания посредством механической коммутации (через барабанный или кнопочный переключатель).
В радиоприемниках с электронной коммутацией и настройкой на блок УКВ при включении подается напряжение включения (аналогично напряжению питания) и напряжение настройки, поступающее на варикапы.
Если в радиоприемнике с механической коммутацией диапазонов не работает только диапазон УКВ, то можно предположить, что каскады УЗЧ, УПЧ в нем исправны. Сначала проверяют диоды частотного детектора, затем прохождение сигнала 10,7 МГц с ЧМ со входа УПЧ. Если сигнал не проходит, то смотрят на покаскадное прохождение сигнала, начиная с последнего. В каскаде, через который сигнал не проходит, тщательно проверяют колебательные контуры ПЧ УКВ.
При исправном УПЧ смотрят на поступление напряжения питания на плату блока УКВ, надежность контактов переключателя, подключающего КПЕ к каскадам блока, состояние элементов и монтажа. Затем проверяют режимы транзисторов. Если режимы отличаются, а внешние цепи каскада исправны (общее напряжение питания нормально), то заменяют транзистор.
В блоках УКВ транзисторы заменяют точно такими же. Следует особенно аккуратно обращаться с монтажом: не нарушать его; при замене элементов оставлять такую же длину выводов, какая была в схеме; не раздвигать и не сдвигать витки катушек — это изменяет настройку.
В радиоприемнике с электронной настройкой и коммутацией смотрят на поступление напряжения включения УКВ-диапазона и напряжение настройки. Эти напряжения поступают обычно из блока управления. Путь напряжения включения более сложен. Оно формируется одним из стабилизаторов схемы и через коммутационный транзистор поступает на блок УКВ, а открывается этот транзистор сигналом с коммутационной микросхемы через ряд транзисторов. Поэтому если нет приема на УКВ диапазона, проверяют поступление напряжений коммутации и настройки на каскады УКВ-блока.
.6. Не переключаются диапазоны
В радиоприемниках с механическим переключением диапазонов при такой неисправнос
ти смотрят на состояние и надежность контактов барабанного переключателя с пружинящими контактами или кнопочного переключателя.
В радиоприемнике с электронной коммутацией отыскание неисправности начинают с проверки наличия напряжения питания, режимов коммутационной микросхемы и формирования напряжения коммутации. При необходимости заменяют коммутационную микросхему.
.7. Нет настройки в пределах диапазона
В радиоприемниках с настройкой КПЕ проверяют надежность подключения его секций к каскадам входной цепи, УРЧ и особенно гетеродина.
В радиоприемниках с электронной настройкой смотрят на наличие напряжения настройки, его изменение при регулировке резистором настройки и поступление по цепям варикапов.
При наличии напряжения настройки, его нормального прохождения по цепям варикапов заменяют варикапы на точно такие же.
РЕГУЛИРОВКА КАСКАДОВ РАДИОПРИЕМНИКА
Каскады УПЧ настраивают, добиваясь максимума сигнала на выходе радиоприемника при подаче на вход каскадов сигнала с ГСС частотой 465 кГц с АМ в диапазонах ДВ, СВ, КВ и частотой 10,7 МГц с ЧМ.
Величина напряжения генератора примерно равна чувствительности каскада (от десятков милливольт до единиц микровольт).
Настройку начинают с последнего каскада УПЧ. *
Если при вращении сердечника катушки фильтра УПЧ не наблюдается явно выраженного максимума сигнала на выходе, то, видимо, в данном фильтре имеется неисправность (обрыв, излом конденсатора, трещины, излом сердечника и т. п.).
Контур детектора, дискриминатора можно настраивать по наилучшему качеству звука.
Укладка диапазонов
Цель такой регулировки — «заставить» радиоприемник принимать сигналы частот, указанные в его технических характеристиках.
Регулировка производится £С-элементами контура гетеродина конкретного диапазона. Точные частоты укладки диапазона указаны в инструкции по ремонту и регулировке данного радиоприемника. Обычно эти частоты на 5... 10%
шире крайних частот диапазона. Если таких данных нет, то укладку диапазона можно производить на крайних частотах диапазона.
Так, например, если указано, что диапазон СВ данного радиоприемника составляет 525... 1605 кГц, то в инструкции по ремонту рекомендуется обычно укладку диапазона производить на частотах 450...500 кГц и 1650... 1700 кГц, т. е. радиоприемник должен принимать сигналы частот несколько шире, чем указано в его характеристиках. В других случаях укладку диапазона производят на крайних частотах диапазона, т. е. на 525 кГц и 1605 кГц.
Регулировка делается следующим образом. Радиоприемник настраивают на нижнюю частоту диапазона (например, 525 кГц для СВ). При этом надо быть уверенным, что вернерное устройство радиоприемника, т. е. стрелка шкалы, показывает 525 кГц, а КПЕ имеет максимальную емкость (в воздушном КПЕ пластины ротора полностью утоплены между пластинами статора). Положение стрелки запоминают.
На ГСС устанавливают частоту 525 кГц с АМ глубиной 30% и частотой 1 кГц. Сигнал подают на вход радиоприемника через гнездо внешней антенны или подключают генератор через R = 80 Ом к рамке из медной проволоки диаметром 4...5 мм размером 380x380 мм, располагая приемник на расстоянии 1 м от рамки, а на диапазонах КВ можно подавать сигнал через С = 6,8 пФ на телескопическую антенну. Радиоприемник принимает сигнал, если просто положить провод с ГСС рядом с ним. Выходное напряжение генератора сначала устанавливают несколько большим (до 0,5 В), а затем уменьшают, чтобы не перегружались каскады радиоприемника.
Параллельно громкоговорителю радиоприемника подключают вольтметр или осциллограф. Регулятор громкости устанавливают в положении максимального усиления. В громкоговорителе должен прослушиваться сигнал 1 кГц. Если сигнала нет, то незначительно изменяют частоту ГСС, пока сигнал не появится. При отсутствии сигнала отыскивают неисправность, проверяя детали контура гетеродина и т. д. Надо быть уверенным, что в радиоприемнике включен именно этот диапазон. •
При появлении сигнала на выходе радиоприемника вращают сердечник катушки контура гетеродина, добиваясь максимального сигнала на выходе радиоприемника. Затем радиоприемник и генератор перестраивают на верхнюю частоту диапазона СВ — 1605 кГц. Положение указателя частоты радиоприемника запоминают. Подстройкой емкости подстроенного конденсатора контура гетеродина добиваются максимального сигнала на выходе радиоприемника. При этом в
некоторой мере расстраивается контур гетеродина на низкочастотном конце диапазона, т. е. на частоте 525 кГц (СВ). Поэтому снова радиоприемник и генератор точно настраивают на частоту 525 кГц и сердечником контура гетеродина подстраивают приемник по максимуму сигнала на выходе. Затем снова проверяют подстройку на высокочастотном конце диапазона, т. е. на 1605 кГц (СВ).
Так обычно проделывают 2...3 раза, пока расстройка сведется к минимуму.
Регулировку на низкочастотном конце диапазона производят индуктивностью контура гетеродина, а на высокочастотном — его емкостью.
На растянутых KB-диапазонах такая настройка производится в одной точке посредине диапазона. Контур гетеродина такого диапазона обычно не содержит подстроенного конденсатора.
Сопряжение входных и гетеродинных контуров
Цель этой регулировки заключается в достижении почти параллельного изменения частот настройки контуров гетеродина и входной цепи с почти постоянной величиной разности частот, равной промежуточной.
На практике точное сопряжение выполняется в двух, трех точках диапазона, а на растянутых диапазонах — в одной точке.
Регулируется сопряжение входных и гетеродинных контуров в двух точках, около крайних частот диапазона, и проверяется в третьей, на середине диапазона.
Частоты точного сопряжения указаны в инструкции по ремонту и регулировке данного радиоприемника. Если ее нет, то их значения равны: нижняя частота сопряжения — примерно на 10 % выше нижней частоты границы диапазона, а верхняя частота сопряжения примерно на 5 % ниже верхней частоты границы диапазона. Например, для диапазона СВ нижняя граница диапазона 525 кГц, нижняя частота сопряжения /н=570 кГц, верхняя граница диапазона составляет 1605 кГц, верхняя частота сопряжения /в=1450 кГц. Сопряжение входных и гетеродинных контуров выполняется после укладки диапазона.
Регулировка выполняется в такой последовательности. На ГСС устанавливается нижняя частота сопряжения с АМ в диапазонах ДВ, СВ, КВ. На эту же частоту настраивается радиоприемник. Сигнал с генератора подают на вход радиоприемника. Регулировкой сердечниками контуров УРЧ и входной цепи добиваются максимального сигнала на выходе радиоприемника.
В диапазонах ДВ, СВ контуры входной цепи
находятся на магнитной антенне и их регулировка осуществляется путем перемещения катушек вдоль стержня. Причем при перемещении к средине стержня индуктивность возрастает, а при перемещении к его краю уменьшается. Если контуры СВ составляют часть контуров ДВ, то регулировку сначала выполняют на СВ, затем на ДВ (генератор и радиоприемник перестраивают на верхнюю частоту сопряжения). Регулировкой подстрочными конденсаторами контуров УРЧ и входной цепи добиваются максимального сигнала на выходе радиоприемника.
Так как после этого несколько нарушается настройка на нижней частоте, то ее повторяют. Затем повторяют настройку и на верхней частоте. И так 2—3 раза.
Практически допустимо и удобно выполнять укладку диапазона и сопряжение входных и ге
теродинных контуров одновременно на частотах сопряжения.
Для этого генератор и радиоприемник настраивают на нижнюю частоту сопряжения данного диапазона /н.
Поочередно вращением сердечников контуров гетеродина, затем контура УРЧ и входной цепи добиваются максимального сигнала на выходе радиоприемника. Затем генератор и радиоприемник настраивают на верхнюю частоту сопряжения /в. Подстройкой поочередно подстроенными конденсаторами контуров гетеродина, УВЧ и входной цепи добиваются максимального сигнала на выходе радиоприемника.
Настройку повторяют 2—3 раза. Каждый раз надо как можно точнее устанавливать на генераторе частоты /н и /в и каждый раз точно устанавливать соответствующие частоты на шкале радиоприемника.
РАДИОПРИЕМНИК «ОКЕАН РП-222»
Приемник имеет восемь диапазонов волн: ДВ, СВ1, СВ2, КВ (25 м; 31 м; 41 м; 49 м) и УКВ. Питание может осуществляться от сети переменного тока, аккумулятора автомобиля 12 В и от шести элементов типа АЗЧЗ — 9В.
Переключение диапазонов и настройка в пределах диапазона электронные.
Радиоприемник состоит из трех блоков (рис. 6.1):
А1 — блок ЧМ — для приема радиостанций УКВ-диапазона;
А2 — блок АМ — для приема радиостанций ДВ-, СВ-, КВ-диапазонов;
АЗ — блок питания.
БЛОКЧМ(А1)
Блок ЧМ (рис. 6.2) состоит из входной цепи (элементы Lt.1, L 1.2, С2, С4, VD2.7); усилителя радиочастоты (каскад на транзисторе УТТ); гетеродина (каскад на транзисторе V72); смесителя (каскад на транзисторе УТЗ); предварительного усилителя промежуточной частоты (УПЧ) на транзисторах VT4, УТЗ; избирательной системы на фильтре Z; усилителя-ограничителя ПЧ и детектора ЧМ на микросхеме D; схемы подавления боковых настроек и бесшумной настройки (каскады на транзисторах VT6, VT7 и УТ8у каскада У34 на транзисторе VT9.
В качестве элементов электронной настройки применены варикапы VD2. Перестройка осуществляется путем изменения подаваемого на
них напряжения настройки UH величиной от 1,8...2,5В до 4.6...5В. ‘
Сигнал диапазона УКВ с телескопической антенны через конденсатор С1 и катушку связи L1.1 поступает на перестраиваемый входной контур £7.2, С2, С4, VD2.1. При подаче напряжения на диод VD1 он открывается и присоединяет конец катушки L1.1 к корпусу.
Далее сигнал с входного контура через конденсатор С5 поступает на эмиттер транзистора VT1 УРЧ, нагрузкой которого является перестраиваемый контур L2, С9, С12, VD2.2. С УРЧ усиленный сигнал через конденсатор С14 идет на базу транзистора УТЗ — смесителя частоты, сюда же через конденсатор С15 поступает сигнал с гетеродина. Гетеродин выполнен по схеме емкостной трехточки на транзисторе VT2, в контур которого L4, С18, С19, С20, VD2.3 через конденсатор С23 включен варикап VD3 схемы АПЧГ.
При выключенной АПЧ (кнопка 57.7 нажата) на варикап подается опорное напряжение (0,9... 1,9В) с делителя напряжения R27, R 28, равное напряжению на выводе 8 микросхемы D при отсутствии сигнала.
При включении АПЧ подается напряжение АПЧ с вывода 8 микросхемы на варикап VD3.
В результате преобразования в колебательном контуре смесителя С27, R18, L5.1, настроенном на частоту 10,7 МГц, выделяется сигнал промежуточной частоты.
W
А1
Х2
блок ЧМ КЗ
А2Блокам
цепь
АЗ
ХЗ ХЗ блок питания
XI
, Телескопичес- Уая антенна
цепь
Ч
1
3 Ч
UH(2..4,6B) Корпус
Вх. УЗЧ 5,7В ЧМ
6
■ Цепь икоммуюиии (БИЛЛОВ
УиндихацииШ.
*9В"батореи Корпус тр06"6ыпрям.
Цепь~220В~220В
12
2
1
3АЗЧЗ
5X22; ^^Озд?^
Рис. 6.7. Схема соединения блоков радиоприемника «Океан РП-222»
А1
укв >-.Lx-L
блокблок1 Cl1 Cly? _VD1 ^ k^oSay? _VD1 ^ k^oSa33k33k36 LJVD2.УГОЛ36 LJVD2.УГОЛГсУсилитель РЧ3.3 М® Кт31266 7Т33ГсУсилитель РЧ3.3 М® Кт31266 7Т33R4R4VXQ2B26 ^VXQ2B26 ^Гетеро^нГетеро^нтелескопичтелескопичТ,5ВТ,5Вwco антеннаwco антеннаСПСП6856068560^ Цепь^ ЦепьХ2 0НП-8Г-25Х2 0НП-8Г-25ХЗ ОНП-8Г-75ХЗ ОНП-8Г-75UH(2..R6B) 5,7 В УМ Вх УЗЧ КорпусUH(2..R6B) 5,7 В УМ Вх УЗЧ Корпусйри I _ О.ОТЗмкйри I _ О.ОТЗмктата366366L51^L51^12 =т12 =тC22C22CISCISC23C23ктЗЙбВктЗЙбВ3=Г7220 V югз3=Г7220 V югзHt7_Ht7_^РТО.оЗмк^РТО.оЗмкТоЗкТоЗк-_С18-_С18А-С19~~8,2А-С19~~8,2J- С20 аоззмкJ- С20 аоззмк. С/3 ^VB22-с№З^Е13,А. С/3 ^VB22-с№З^Е13,А
блок
блок
1 Cl
1 Cl
y? _VD1 ^ k^oSa
y? _VD1 ^ k^oSa
33k
33k
36 LJ
VD2.
УГОЛ
36 LJ
VD2.
УГОЛ
ГсУсилитель РЧ
3.3 М® Кт31266 7Т33
ГсУсилитель РЧ
3.3 М® Кт31266 7Т33
R4
R4
VXQ2B
26 ^
VXQ2B
26 ^
Гетеро^н
Гетеро^н
телескопич
телескопич
Т,5В
Т,5В
wco антенна
wco антенна
СП
СП
68
560
68
560
^ Цепь
^ Цепь
Х2 0НП-8Г-25
Х2 0НП-8Г-25
ХЗ ОНП-8Г-75
ХЗ ОНП-8Г-75
UH(2..R6B) 5,7 В УМ Вх УЗЧ Корпус
UH(2..R6B) 5,7 В УМ Вх УЗЧ Корпус
йри I _ О.ОТЗмк
йри I _ О.ОТЗмк
та
та
366
366
L51^
L51^
12 =т
12 =т
C22
C22
CIS
CIS
C23
C23
ктЗЙбВ
ктЗЙбВ
3=Г72
20 V югз
3=Г72
20 V югз
Ht7_
Ht7_
^РТО.оЗмк
^РТО.оЗмк
ТоЗк
ТоЗк
-_С18
-_С18
А-С19
~~8,2
А-С19
~~8,2
J- С20 аоззмк
J- С20 аоззмк
. С/3 ^VB22
-с№З^Е13,А
. С/3 ^VB22
-с№З^Е13,А
Рис. 6.2. Принципиальная электрическая схема блока ЧМ радиоприемника «Океан РП-222» (левая половина)
С катушки связи L5.2 сигнал поступает на вход апериодического усилителя промежуточной частоты (транзисторы VT4 и \Т5\ предназначенного для компенсации затухания, вносимого фильтром, и обеспечения заданной чувствительности демодулятора.
Усиленный сигнал через полосовой фильтр, обеспечивающий требуемую избирательность по соседним каналам приема, поступает на вход микросхемы, которая содержит восьмикаскадный усилитель-ограничитель и частотный детектор по схеме перемножителя сигналов.
На один вход перемножителя ЧМ-сигнал поступает непосредственно с усилителя-ограничителя, а на второй — через фазосдвигающее устройство СЗЗ, С34, R34, С36, L6.
Демодулированный сигнал с вывода 8 микросхемы через цепочку R31, С37 и переходные конденсаторы СЗЗ, С39 подается на базу транзистора VT9, который служит для усиления сигнала звуковой частоты.
Устройство бесшумной настройки и подавления боковых настроек (транзисторы VT6, VT7, VT8) производит отключение основного канала обработки сигнала при малых соотно
шениях сигнал/помеха (при малых уровнях входного сигнала) и на частоте боковых настроек.
Отключение производится шунтированием сигнала 34 малым сопротивлением открытого транзистора VT8.
Порог срабатывания схемы устанавливается переменным резистором R33.
Номинальное значение питающего напряжения блока ЧМ — 5,7 В.
Пределы изменения управляющего напряжения UH от 1,8...2,5В до 4,6...5В.
Потребляемый ток должен быть не более 22 мА.
БЛОКАМ (А2)
Схема электрическая блока АМ содержит стабилизатор напряжения 10 В — электронный ключ; схему индикации включения сети и разряд батареи элементов; переключатель диапазонов; схему индикации включения диапазонов; стабилизаторы 5,8 В и 5,2 В; схему формирования напряжения настройки; тракт АМ; УЗЧ (рис. 6.3).
^3,1Bx
1 Рлв - \R22t\R2o / г ,/г jg^ Id^W^^^
Й7Т J ^
3,86
3,8В
826
150
€27 L "О.ОЗЗмК
R20 oTk
I vis (Kt3l26l
6,56
0,097mr
-L203B
R21\
12
5_
€25^?
O.OTImk
D
КГТсУРЗ
УПЧидетектор
•35m8 VT9- enR
I КТ315Б P08
11\ R31C35
cl Iqk 5mk(128)
' VT8 873156
€37
T6800
€32
:kC29
4506'
0.635,
VT6
0598
€91
itsa
€38
220
838 Юк
5,78°'7B/
836
3.9k
(128)
Puc. 6.2. Принципиальная электрическая схема блока ЧМрадиоприемника «Океан РП-222» (правая половина)
Стабилизатор напряжения
10 В — электронный ключ
Стабилизатор сетевого питания выполнен на транзисторах VT12 типа КТ814Б и VT13 типа КТ3102АМ, стабилитроне VD16 типа КС168А в цепи отрицательной обратной связи, диоде VD14 типа КД521В для защиты стабилизатора от короткого замыкания.
Выходное напряжение стабилизатора (10±0,5В) устанавливают подбором сопротивления цепи резисторами R43, R47, R48 (8 ступеней регулировки), замыкая (размыкая) печатные проводники, включенные параллельно этим резисторам.
Одновременно схема стабилизатора служит электронным ключом при питании приемника от батареи.
Переключение режимов стабилизатор—ключ производится переключателем 5-типа П2К (АЗ): при включении сетевого шнура соединяется с корпусом вывод 6 разъема ХЗ (АЗ) — «-20 В выпрямит.», а при выключении сетевого шнура — контакт 3 переключателя 5 (АЗ) — «-9 В батареи».
Стабилизированное напряжение или напряжение батареи с коллектора транзистора VT12 подается на УЗЧ, на вывод 22 микросхемы D1, в цепи индикации разряда батереи (R34) через диод VD24 на цепь напряжения коммутации.
При нажатии кнопки SB1 напряжение коммутации открывает транзистор VT9 типа КТ315Б и через резистор R22 замыкает базу транзистора VT13 на корпус, тем самым выключая стабилизатор-ключ.
При питании приемника от батареи на контакт 1 разъема ХЗ напряжение батареи подается также через переключатель 5 (АЗ).
Напряжение с контакта 1 разъема ХЗ подается на транзисторы VT5 и V75 типа КТ3107Е, служащие усилителями тока коммутации диапазонов и включения приемника, и через резисторы R19, R27 подается на кнопки SB2...SB4, SB7...SB15, при нажатии которых включается соответствующий диапазон.
Схема индикации включениясети и разряда батареи
Схема индикации включения сети и разряда батареи элементов состоит из единичного инди-
AZ
цепь
TemepoduH
R53
ччв
УП9 0.Ч5В
9к"ТЧ№нк
VO23
103М\
0.033т
ЕЖ8|
£S
,31м
КП
VT3
мзОЖ
ха\в й
?7 26
R69
Адрес
СМ
R79
R85
€92
^ р20В"6ыпр
'vm.
R31
€56
8.1В
R32
R37^
УДИ КД521В
\R4L \Ч,7к
СТ.
ази/ R51
-L V025.1
7LKB132AP
Х1 ОНл-КГ-22
R№ 3.3к
^524
€57R71
О.ОЗЗмк 27к
4: €68£iC72
VT23 ^Щ \КТЗ)56
рдаовх"
Корпус Оиноикоции 10В
41CL
1 130
"Т телескопичес- блок, ' коя антенна W®
R47*
R^x
2,7к I
s№
VD17 ЧЯ5ПВ ■Ч^
101 39B"6amaixu
-■-ГИ—СЗО
4=fJ ОРЗЗмк
те^ж га
С2
220
З-Ср TJ9
шш
_ хз онп-кг-гг
’ Цепь
WoT
УП
К13Ю7ЕЦЬ
VD3
€22ЦОЗЗмк
Q01hk
R2L VD4.2
101k
d=C20 3-0,033мк
/ЧЧ -i^K*
ПН
ПЧ-ам
Т €47
ЮЗЛ КЧ9
счз
СЗб^К,
LB
VD22 ^ГКДЧОЗА
JR55 ггок
J- €53 TJT
iCTQ3.3r
R8
ЗЗк
R».
69 ^ 39к
€25Ц01Шмк
"$56"
VT7
R20
,k4J УРЮKTirn«1k
R22
WO 8ВВ
VT9
VT11\КТ361Д
КЗВ 160
' ОТ ^®^ 7VO15
. HL2М13ОТАН
_ HL3 МОТАМ
„25и
HL7 та?АМ
~ирОмк (16В)
^
SB7"G1 "5ВЗ"
£53, кю .
О.0!нк 55к Ф
R2939к
"УТЛ"" ™т 8.88
R43*
Hb4S3®w r>7s VT15
^^€61
I R75 \56к।
,R76* ,,?, 35к
R86
2 5$
€71
7097
71М
vow
7039
VD44
7095
7090
\L29
Cg5 75
T0.01HK
VIM ' КИЧОЗА
2=aoo Д_Ц01мк ЗДЗ!* 3-Й01мк A-0.01MK
Qfl/ У№ЯАКД5УВ ТТМ 3? 3?
м
3? 3?
5!
<* HL9
Я9м" ^нио
X VD50 -'-rasa
7051
Ч\КД$1В
8109 "220
)алзО7АМ
У\3$Т -уТПГОк
Bin
15
ФН
16
018
37
R16V1
7059
7060
8199
7065
7061 КД521В
18 !9
7728 К7315Ж
7063 товч"'- КД521В КД521В
8156* ■^76
20 '.'ZL
81268131 ,^
УЧ 81778132 ,^,
8159*
1»
8160*
2.7к
«1 7058
81298129 тасмок
8123
81258130 ^4
7131КТ31ЭК
дев
680 КВ й55*Д8КО
8157*5.6к
8151
a
a
оз
7732 \KT3107E
Го57 КР198НТЗБ
-pj^52iB /№5\б,—
11к .3
Ю61
5Дк
28
3 2
mis
SB10
SB12
С105
079
Д-С77
"6W
888
D1 _ кткпогчА
C87(
Umk "
898 ) 2508 ?3
СКА
25 ^
"3^
вУА^пч(п
I 3
„Х^ „У^Д
7T26 \KT31O7E
Цепь
1
Ш2.ЛД1В
5
57В УМ
3
Коопмс
У
ВхУЗУ
И
5 $
5
ОНп-КГ-22
X
блок AM
катора (далее — индикатор) HL1 типа АЛ307АМ, транзистора VT11 типа КТ361Д, диода VD15 типа КД521В и резисторов R3О, R34, R39, R38.
При включении приемника в сеть напряжение с делителя R1, R2 (АЗ) через контакт 3 разъема ХЗ резистор R38 питает индикатор HL1, свечение которого указывает на включение приемника в сеть.
При питании от батарей (как и от сети), пока напряжение питания выше 6,3 В, транзистор VT11 закрыт.
При снижении питающего напряжения ниже 6,3 В транзистор VT11 открывается и индикатор разряда батареи HL1 светится.
Переключатель диапазонов
Переключатель диапазонов и фиксированных настроек собран на микросборке D1 типа К04КП024А. При нажатии одной из кнопок входным током микросхемы открывается соответствующий транзистор ( VT5 или VT8~), ток которого через один из диодов VD2 или VD10 открывает транзистор VT13, тем самым включая стабилизатор-ключ и весь приемник.
Ток открытого транзистора VT5 через резистор R9 открывает транзистор VT3 КТ315Б, ток которого в свою очередь открывает транзистор VT4 типа КТ3107Е. С коллектора транзистора VT4 подается напряжение питания в тракт АМ. Одновременно через диод VD3 запирается транзистор VT7 типа КТ3107Е, а через резистор R8 блокируется (удерживается в открытом состоянии) транзистор VT3.
При открытом транзисторе VT8 ток через резистор R20 запирает транзистор VT4. Открывается транзистор VT7 и подается напряжение питания в тракт ЧМ.
С вывода 21 микросхемы D1 через резистор R117 подается напряжение более 5 В для запуска стабилизаторов.
Схема индикации включения диапазонов
Индикаторы HL7...HL10 одновременно указывают на включение как коротковолновых диапазонов, так и фиксированных настроек, но при включении фиксированных настроек загорается и индикатор HL11, включенный последовательно.
При включении диапазонов ДВ, СВ1, СВ2, УКВ загораются соответственно индикаторы HL2, HL3, HL4, HL11. Ток индикатора HL2 используется для включения транзистора VT1, который обеспечивает подключение конденсатора С4 к магнитной антенне в диапазоне ДВ.
Стабилизаторы напряжения 5,8 В и 5,2 В
Стабилизаторы напряжения 5,8 В и 5,2 В собраны на транзисторах VT26, VT30 типа КТ3107Е, VT27 типа КТ3102БМ, диодах VD55...VD57 типа КД521В, микросхеме D3 типа КР198НТЗБ.
По схеме стабилизаторы представляют два однотипных взаимосвязанных стабилизатора с глубокой отрицательной обратной связью, образованной двумя кремниевыми переходами (для стабилизатора 5,8 В — переходами диодов VD55 и VD56, а для стабилизатора 5,2 В — переходами транзисторов микросхемы), включенными между выходным напряжением и эмиттером управляющего транзистора. Для повышения их общей стабильности стабилизатор 5,2 В питается от стабилизатора 5,8 В, к которому в качестве опорного напряжения на базу VT27 подано напряжение 5,2 В.
Использование микросхемы КР198НТЗБ обеспечивает необходимую термостабильность. Диод VD57 служит для защиты стабилизатора 5,8 В от токов короткого замыкания при нажатой одной из кнопок переключения диапазонов. Защита обоих стабилизаторов обеспечивается их взаимным выключением.
Установка напряжения 5,8 В производится подстроечным резистором R138, включенным в цепь делителя опорного напряжения (резисторы R137, R139, R140), а напряжение 5,2 В устанавливается автоматически, при этом оно может быть в пределах от 5,1 до 5,3 В.
Схема формирования напряжения настройки
Схема формирования напряжения настройки состоит из переменных резисторов R129, R130, R131, R132 и R166; диодов VD58, VD59, VD60, VD61 и VD62 типа КД521В; стабилизатора тока на транзисторе VT32 типа КТ3107Е и эмиттерного повторителя на транзисторе VT29 типа КТ315Г; цепи включения переменного резистора R166 в диапазоне УКВ-обзорный; резисторов R151, R158, R159, R160, R161 совместно с корректором шкалы, собранным на транзисторе VT31 типа КТ315Ж и заканчивающимся на выводе 18 микросхемы D1; цепи включения переменного резистора R166 на диапазонах ДВ, СВ и КВ, собранной на транзисторе VT28 типа КТ315Ж и резисторах R142, R147, R154...R157 - для диапазонов ДВ, СВ и резисторах R154, R157, R162...R165, R168 — для диапазонов КВ.
На диапазоне УКВ-обзорный цепь регулировки нижнего предела напряжения настройки образуется резисторами R158...R161.
Регулировка напряжений настройки для укладки диапазонов производится размыканием (замыканием) печатных проводников, параллельных указанным резисторам, включенным последовательно переменному резистору R166.
Достаточная дискретность регулировки напряжений достигается большим количеством вариантов (ступеней) включения: так, два резистора имеют 4 ступени включения, три резистора — 8 ступеней.
При включении одного из диапазонов ДВ СВ напряжение 5,2 В поступает на вывод 3 переменного резистора R166, а вывод 1 через транзистор VT28 закорочен на корпус. При изменении сопротивления этого резистора на выводе 2 (подвижный контакт) напряжение меняется от 0 до 5 В (при закороченных резисторах R154...R157).
На катоды варикапов VD4.7 и VD4.2 подается напряжение 5,2 В, а на аноды — напряжение с вывода 2 переменного резистора R166 через делитель R142, R 147, создающий для варикапов опорное напряжение 1 В (при положении подвижного контакта 2 около вывода 3).
Регулировка напряжения настройки на варикапах VD4 от 4В до 5 В осуществляется размыканием (замыканием) печатных проводников, включенных параллельно резисторам R154...R157 (для укладки верха диапазонов ДСВ при положении подвижного контакта 2 резистора R166 около вывода 7).
Таким образом, на варикапы VD4 диапазонов ДСВ одновременно подано напряжение 5,2 В и напряжение настройки с вывода 15 платы ФН.
Напряжение настройки для варикапов получается как разность двух приложенных напряжений и изменяется в пределах от 1 В до 4,0...5,0В. *
При включении одного из диапазонов КВ напряжение 5,2 В также поступает на вывод 3 переменного резистора R166, а на выводе 7 имеет напряжение, установленное при регулировке диапазонов ДСВ, от 0 до 1 В. С вывода 2 переменного резистора R166 через регулируемый делитель R162, R165, R168 напряжение поступает для управления варикапами VD25.7 и VD25.2.
Опорное напряжение для варикапов VD25 — 5 В (при положении подвижного контакта 2 резистора R166 около вывода 3).
Регулировка напряжения настройки на варикапах VD25 от 1 В до 2 В осуществляется размыканием (замыканием) печатных проводников, включенных параллельно резисторам R162...R165, для укладки низа диапазона КВ — 49 м (при положении подвижного контакта 2 резистора R166 около вывода 7).
Таким образом, на варикапы VD25 напряжение настройки снимается с вывода 17 платы ФН
относительно корпуса и меняется в пределах от 1...2Вдо5В. ‘
Стабилизатор тока на транзисторе VT32 типа КТ3107Е дает ток порядка 6 мкА в цепь диодов (VD58...VD62), включенных в подвижный контакт работающего на данном диапазоне переменного резистора. При этом на базе эмиттерного повторителя, собранного на транзисторе VT29, напряжение соответствует напряжению на подвижном контакте.
В диапазоне УКВ напряжение настройки на варикапы подается с этого эмиттерного повторителя.
Для диапазона УКВ-обзорного напряжение настройки меняется в пределах от 1,8...2,5В до 4,6...5В.
На фиксированных настройках напряжение на варикапах VD2 блока ЧМ меняется в пределах от 1.5...2В до 4,6...5В.
Тракт АМ
Прием радиостанций с амплитудной модуляцией сигнала производится в диапазонах ДВ, СВ и КВ.
Настройка на принимаемую станцию осуществляется изменением напряжения настройки с помощью переменного резистора R166, связанного с верньерным устройством, на варикапах VD4 типа КВ 131 АР (комплект из двух варикапов, имеющих одинаковые вольтфарадные характеристики) в диапазонах ДВ, СВ и VD25 типа КВ132АР (комплект из двух варикапов) в диапазонах КВ.
В диапазонах КВ приемник работает от встроенной телескопической антенны, сигнал с которой через конденсатор С9 поступает на УРЧ диапазонов КВ, выполненный на транзисторе VT10 типа КТ3126Б, включенном по схеме с общей базой.
Коллекторной нагрузкой УРЧ служат входной контур соответствующего включенного диапазона (25 м — £76; 31 м — L19; 41 м — L4; 49 м — L28) и элементы схемы С39, С44, VD25.1, которые являются общими для всех диапазонов КВ. С отвода входной катушки сигнал через соответствующие диоды (VD37, VD40, VD44, VD48 типа КД521В) и разделительный конденсатор С67 поступает на вывод 7 микросхемы D2 типа К174ХА2.
Последовательные контуры £75, С63; L18, С74; L22, С86; L27, С96 служат для улучшения избирательности по зеркальному каналу в диапазонах КВ.
Включение нужного диапазона КВ осуществляется путем коммутации на корпус с помощью электронного переключателя диапазонов соот-
ветствующих катушек входных контуров УРЧ и катушек гетеродина (L17, L20, L26, L29).
Причем сигнал в диапазонах ДВ, СВ1, СВ2 ведется на широкополосную магнитную антенну (MA)W, выполненную на ферритовом стержне М1000НН 250x10.
В диапазонах ДВ и СВ1 параллельно с МА с помощью электронных ключей, изготовленных на транзисторах VT1, VT2 типа КТ3126А, подключаются конденсаторы С4 и С7 соответственно.
Сигнал с МА поступает на УРЧ, выполненный на транзисторе VT6 типа КТ3126Б и далее на колебательные контура соответствующего включения диапазона:
для СВ2 - L7, С36, С19, С16, VD4.1;
для СВ1 — L5 (с последовательно подключенными L7 и ее элементами), С23, С19, С16, VD4.1;
для ДВ — L2 (с последовательно подключенными L7, L5 и их элементами), С6, С16, VD4.1.
С этих контуров сигнал через конденсатор С22, диод VD17 и конденсатор С67 поступает на вывод 1 микросхемы D2.
Включение нужного диапазона ДВ и СВ осуществляется аналогично включению диапазонов КВ.
Гетеродин выполнен на транзисторах VT14, VT19 типа КТ3126Б с диодным ограничителем и является общим для всех диапазонов.
Гетеродин подключается к соответствующей гетеродинной катушке коммутирующими диодами VD5, VD12, VD22, VD38, VD41, VD45, VD49 типа КД409А в зависимости от включенного диапазона.
Напряжение гетеродина выделяется на резисторах R58 и R60 и через разделительный конденсатор С66 поступает на вывод 4 микросхемы D2.
Микросхема D2 типа К174ХА2 выполняет функции УРЧ, преобразователя частоты и УПЧ. Нагрузкой преобразователя частоты является фильтр сосредоточенной избирательности, состоящий из двух контуров L23 и L25, и пьезофильтра Z типа ФП1П1-61.01. С пьезофильтра сигнал поступает на контур L25 через три параллельно соединенных конденсатора С101, С102, С103. '
Регулировка усиления осуществляется подбором емкости цепи конденсаторов С101...С103, замыкая (размыкая) печатные проводники, включенные последовательно с этими конденсаторами.
Комбинируя количество включенных в цепь конденсаторов (1; 2 или 3) в различных сочетаниях, можно получить 7 вариантов включения, что позволяет изменять коэффициент усиления УПЧ в 6,5 раза.
Далее сигнал поступает на вывод 12, 13 микросхемы D2 (вход УПЧ). Нагрузкой УПЧ является контур L21, С78. Сигнал с выхода детектора, выполненного на VD42 типа КД409А, через фильтр С85, R99, С95, R101, С98 подается на усилительный каскад, выполненный на транзисторе VT25 типа КТ315Б, и далее на вход У34.
Резисторы R114...R116 служат для подбора уровня сигнала, определяемого выходным напряжением микросхемы D2, поступающего на транзистор VT25 типа КТ315Б.
Усилитель 34
Усилитель 34 входит в состав блока А2. На входе У34 имеется резистор R93, который является коллекторной нагрузкой выходных транзисторов тракта AM (VT2.5) и тракта 4М (VT9 блока 4М).
Сигнал, снимаемый с резистора R93, подается на раздельные регуляторы тембра высоких (резистор R83') и низких (резистор R86) частот и на гнездо для записи на магнитофон (Х2.3У
Резистор R87 является регулятором громкости.
Усилитель мощности — бестрансформатор- ный, с гальванической связью между каскадами.
Предоконечные каскады выполнены на транзисторах VT22 и VT23 типа КТ315Б и VT20 типа КТ3107Е. -
Во входном каскаде усилителя мощности транзисторы VT22 и VT23 работают как дифференциальный каскад и удерживают симметрию выходного сигнала при больших изменениях питающего напряжения.
Фазоинвертор, выполненный на транзисторах VT17 типа КТ315Б и VT18 типа КТ3107Е, построен по последовательной двухтактной схеме.
Фазоинверсия осуществляется за счет применения транзисторов с разной полярностью.
Выходной каскад, выполненный на транзисторах VT15 и VT16 типа КТ815А, собран по последовательной двухтактной схеме с бестранс- форматорным выходом.
Для стабилизации тока покоя, зависимого от изменения питающего напряжения и температуры, применен транзистор VT21 типа КТ814А. Ток покоя устанавливают делителем R61, R65...R67, а симметрию плеч выходного сигнала — подбором сопротивления цепи резисторами R76...R78, замыкая (размыкая) печатные проводки, включенные параллельно этим резисторам.
В усилителе мощности применена глубокая отрицательная обратная связь по переменному току. Напряжение обратной связи снимается с
выхода оконечного каскада и подается на базу транзистора VT23.
Особенностью данного усилителя 34 является то, что выходной каскад питается нестаби- лизированным напряжением.
БЛОК ПИТАНИЯ (АЗ)
Питание приемника может осуществляться от сети переменного тока, от шести элементов типа А343 или от внешнего источника питания напряжением 12 В.
Электрическая схема блока питания (рис. 6.4) содержит: выпрямитёль напряжения, собранный по стандартной мостовой схеме на диодах VD1...VD4 типа КД209А с цепями высоко
частотной фильтрации (конденсаторы С1 и С2); трансформатор Ттипа ТП-8-3 с переключателем питания 5 типа П2К для режима работы от сети переменного тока или от батареи элементов.
Во вторичную обмотку трансформатора включена вставка плавкая типа ВПТ6-5 с номинальным током 0,5 А.
При подключении сетевого шнура к приемнику с помощью вилки Х1 происходит переключение приемника в режим работы от сети переменного тока.
Гнездо внешнего источника питания (12 В) Х2 типа ГС подключается во вторичную сеть трансформатора, одновременно разрывая ее.
АЗАЗг^Сг^С//22VD3VD3XIXIVD4VD4КД209АКД209АхзхзкИЯВАмукИЯВАму66Х2Х24 24 2АдресАдресцепь с20В“ Вдор. *9В“ батор^ Чипдикашй®^ Uкоммутации (6Л.„ЮВ)_ Корпусцепь с20В“ Вдор. *9В“ батор^ Чипдикашй®^ Uкоммутации (6Л.„ЮВ)_ КорпусРасположение ВыВодоВ радиоэлементов3JБГ\кТипТранзисторыШ15Б КТЗВЖХНВЩW339AMЧЗЮ2АМЩЮ26МПЗКПЕ К13126А №1268Расположение ВыВодоВ радиоэлементов3JБГ\кТипТранзисторыШ15Б КТЗВЖХНВЩW339AMЧЗЮ2АМЩЮ26МПЗКПЕ К13126А №1268Рис. 6.4. Принципиальная электрическая схема блока питания радиоприемника «Океан РП-222»Рис. 6.4. Принципиальная электрическая схема блока питания радиоприемника «Океан РП-222»Расположение БыВодоВ радиоэлементовЭх— -./Гс=с:_hо и+ ° Zr3=4_ТипТранзисторыИндикаторВарикапыКТ8Н КТ815АЛ307АМКВ109БКВ131АРХВ02АР *B!32AIРасположение БыВодоВ радиоэлементовЭх— -./Гс=с:_hо и+ ° Zr3=4_ТипТранзисторыИндикаторВарикапыКТ8Н КТ815АЛ307АМКВ109БКВ131АРХВ02АР *B!32AIРасположение ВыВодоВ радиоэлементовА х816928151 1 111 1 1 1 f 1 l-ll 1[|о11о17i I ।»1 f t i i । тттт*/ИТипмикросхемыКП^УРЗ СР196НТЗВК17ЧХА2К09КП029АРасположение ВыВодоВ радиоэлементовА х816928151 1 111 1 1 1 f 1 l-ll 1[|о11о17i I ।»1 f t i i । тттт*/ИТипмикросхемыКП^УРЗ СР196НТЗВК17ЧХА2К09КП029АРис. 6.5. Расположение выводов радиоэлементов схемы радиоприемника «Океан РП-222»Рис. 6.5. Расположение выводов радиоэлементов схемы радиоприемника «Океан РП-222»4 Усилители, радиоприёмники.4 Усилители, радиоприёмники.Расположение выводов радиоэлементов схемы приведено на рис. 6.5.
АЗ
АЗ
г^С
г^С
/
/
2
2
VD3
VD3
XI
XI
VD4
VD4
КД209А
КД209А
хз
хз
кИЯВАму
кИЯВАму
6
6
Х2
Х2
4 2
4 2
Адрес
Адрес
цепь с20В“ Вдор. *9В“ батор^ Чипдикашй®^ Uкоммутации (6Л.„ЮВ)_ Корпус
цепь с20В“ Вдор. *9В“ батор^ Чипдикашй®^ Uкоммутации (6Л.„ЮВ)_ Корпус
Расположение ВыВодоВ радиоэлементов
3J
БГ\к
Тип
Транзисторы
Ш15Б КТЗВЖХНВЩ
W339AM
ЧЗЮ2АМЩЮ26М
ПЗКПЕ К13126А №1268
Расположение ВыВодоВ радиоэлементов
3J
БГ\к
Тип
Транзисторы
Ш15Б КТЗВЖХНВЩ
W339AM
ЧЗЮ2АМЩЮ26М
ПЗКПЕ К13126А №1268
Рис. 6.4. Принципиальная электрическая схема блока питания радиоприемника «Океан РП-222»
Рис. 6.4. Принципиальная электрическая схема блока питания радиоприемника «Океан РП-222»
Расположение БыВодоВ радиоэлементов
Эх— -.
/Гс=с:
_h
о и
+
° Zr3
=4_
Тип
Транзисторы
Индикатор
Варикапы
КТ8Н КТ815
АЛ307АМ
КВ109Б
КВ131АР
ХВ02АР *B!32AI
Расположение БыВодоВ радиоэлементов
Эх— -.
/Гс=с:
_h
о и
+
° Zr3
=4_
Тип
Транзисторы
Индикатор
Варикапы
КТ8Н КТ815
АЛ307АМ
КВ109Б
КВ131АР
ХВ02АР *B!32AI
Расположение ВыВодоВ радиоэлементов
А х8
169
2815
1 1 111 1 1 1 f 1 l-ll 1
[|о11
о
17
i I ।»1 f t i i । тттт*
/И
Тип
микросхемы
КП^УРЗ СР196НТЗВ
К17ЧХА2
К09КП029А
Расположение ВыВодоВ радиоэлементов
А х8
169
2815
1 1 111 1 1 1 f 1 l-ll 1
[|о11
о
17
i I ।»1 f t i i । тттт*
/И
Тип
микросхемы
КП^УРЗ СР196НТЗВ
К17ЧХА2
К09КП029А
Рис. 6.5. Расположение выводов радиоэлементов схемы радиоприемника «Океан РП-222»
Рис. 6.5. Расположение выводов радиоэлементов схемы радиоприемника «Океан РП-222»
4 Усилители, радиоприёмники.
4 Усилители, радиоприёмники.
МЕТОДИКА ОБНАРУЖЕНИЯ НЕИСПРАВНОСТЕЙ В РАДИОПРИЕМНИКЕ «ОКЕАН РП-222»
При ремонте радиоприемника используют методы отыскания неисправностей, приведенные ранее (см. главу 5).
Для более быстрого и успешного ремонта необходимо изучить описание принципиальной электрической схемы. Чтобы правильно определить направление отыскания причин отклонения от нормальной работы, надо знать, как тот или иной узел должен работать. Если, например, не переключаются диапазоны, то надо изучить по схеме, какие элементы и каскады участвуют в переключении, куда и какие напряжения поступают, и т. д. После этого будет понятно, какие цепи, детали надо проверять в первую очередь. Описать всевозможные неисправности, их причины сложно, а порой и невозможно.
Сначала, после тщательного внешнего осмотра монтажа, проверяют блоки, каскады, которые влияют на работу всего радиоприемника. К ним относятся блок питания (АЗ) (см. рис. 6.4), стабилизатор-ключ (транзисторы VT12, VT13) и цепь его включения, усилитель звуковой частоты (УЗЧ), стабилизаторы напряжения 5,2 В и 5,8 В (транзисторы VT26, VT27, VT30, микросхема D3 и их цепи) (см. рис. 6.3). Причем из напряжения 5,8 В формируется напряжение коммутации (переключения), а из напряжения 5,2 В — напряжение настройки для всех диапазонов.
Есть также общие каскады и внутри блоков. Так, переключение диапазонов осуществляется микросхемой D1, транзисторами VT5, VT8, VT3, VT4, VT7 и их цепями (см. рис. 6.3). В блоке АМ для всех диапазонов общими являются транзисторы гетеродина VT14, VT19, а также тракт ПЧ на микросхеме D2 и цепи резистора настройки R166.
Приемник не работает на всех диапазонах
Сначала внешним осмотром проверяют состояние монтажа, надежность присоединения соединителей Х1...Х4, громкоговорителя, его целостность.
Затем проверяют исправность блока питания, наличие необходимых напряжений на соединителе ХЗ(А2) блока АМ и поступление напряжения на каскады схемы: в первую очередь на транзисторы УЗЧ (VT15, VT16 и другие), вывод 22 микросхемы D2, коммутирующие транзисторы VT5, VT8, а также наличие напряжения более 5 В на выводе 21 микросхемы D2 для запуска стабилизаторов 5,2 и 5,8 В и наличие этих
напряжений на коллекторе транзистора VT30 и точке 27 платы ФН. Величины напряжений, приведенные на схеме, измерены относительно цепи «Корпус» прибором с входным сопротивлением 1МОм/В и не должны отличаться более чем на ±15 %. Напряжения поступают на каскады схемы при нажатии любой из кнопок включения диапазонов. При этом появляется характерный шум и сигнал станции. Режимы транзисторов и микросхем приведены в табл. 6.1...6.3.
Если при включении диапазона шум в громкоговорителе не прослушивается, то проверяют громкоговоритель, его подключение, гнездо подключения телефонов, каскады УЗЧ. В исправном УЗЧ при касании вывода 2 регулятора громкости R87 прослушивается характерное гудение.
При нажатии любой из кнопок приемник не включается
Если при нажатии кнопки любого диапазона приемник не включается, соответствующий индикатор не загорается, то сначала проверяют состояние контактов кнопок, транзисторы VT5, VT8 электронного ключа и их цепи, а затем напряжения стабилизатора 5,2 и 5,8 В и при отсутствии любого из напряжений смотрят на элементы стабилизатора (VT26, VT27, VT30, D3 и другие).
Далее проверяют работу микросхемы D1, в которой на выводах коммутации контуров напряжение падает с 5 В до 0,2 В, а на выводах индикации — с 5 В до 0,3 В у включаемого диапазона (табл. 6.3). Если изменение напряжений на выводах, соответствующих включаемым диапазонам, не происходит, то микросхему D1 заменяют.
Диапазоны радиоприемника не перестраиваются (ФН работают)
Наиболее вероятной причиной неисправности является обрыв цепи формирования напряжения настройки и его подключения.
При этом проверяют изменение напряжения на подвижном контакте резистора настройки R166 (рис. 6.3). Напряжение может изменяться от О...2,5В до 4,75...5В в зависимости от диапазона, причем одинаково для всех АМ-диапазонов.
Если не перестраиваются только ДВ-, СВ-, KB-диапазоны, проверяют транзистор VT28 (и его цепи), который подключает R166 при включении АМ тракта.
Если не перестраивается только диапазон УКВ, ФН, проверяют транзисторы VT32, VT29,
РЕЖИМЫ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ ТРАНЗИСТОРОВ И МИКРОСХЕМ
Наименование блока
Обозначение по схеме
Тип тран- зистора
Напряжение на электродах транзистора, В
Примечание
Эмиттер
База
Коллектор
СВ
КВ
УКВ (У1 -У 4)
Выкл.
СВ
КВ
УКВ (У1-У4)
Выкл.
СВ
КВ
УКВ (У1-У4)
Выкл.
Блок АМ
VT1
КТ3126А
5,6
5,6
0
-
5,6
5,6
0
0
00
VT2
КТ3126А
5,6
5,6
0
-
4,8
5,6
0
-
5.6
00
(СВ1)
(СВ1)
5,6
0
(СВ2)
(СВ2)
VT3
КТ315В
0
0
0
-
0,7
0,7
0
0,1
0,15,7
VT4
КТ3107Е
5,7
5,7
5,7
-
5,0
5,0
5,7
5,5
5,50
-
VT5
КТ3107Е
9,0
9,0
9,0
9,0
8,3
8,3
9,0
9,0
8,8
8,80
0
При включе-
-
нии СВ, КВ
VT6
КТ3126Б
5,0
5,4
0
-
4,4
4,8
0
-
3,6
5,40
-
VT7
КТ3107Е
5,7
5,7
5,7
-
5,3
5,3
5,0
0
05,6
VT8
КТ3107Б
9,0
9,0
9,0
9,0
9,0
9,0
8,3
9,0
0
08,80
При включе-
нйи УКВ
VT9
КТ315Б
0
0
0
0
0
0
0
0,7
8,8
8,88,80,1
VT10
КТ3126Б
5,35
4,6
0
-
4,75
4,0
0
5,35
0,80
-
VT11
КТ361Д
5,7
5,7
5,7
-
7,5
7,5
7,5
-
0
00
-
VT12
КТ814Б
20,0
20,0
20,0
21,0
19,3
19,3
, 19,3
21,0
10,0
10,010,00
При питании
VT13
КТ3102АМ
3,2
3,2
3,2
0
3,9
3,9
3,9
0
19,3
19,319,321,0
от сети
VT12
КТ814Б
9,0
9,0
9,0
9,0
8,3
8,3
8,3
9,0
8,9
8,98,90
При питании
VT13
КТ3102АМ
8,1
8,1
8,1
0
8,8
8,8
8,8
0
8,3
8,38,39,0
от батареи
VT14
КТ3126Б
5,5
5,5
0
-
4,9
4,9
0
4,3
4,30
-
VT15
КТ815А
4,2
4,2
4,2
0
4,7
4,7
4,7
0
9,0
9,09,021,0
VT19
КТ3126Б
4,9
4,9
0
-
4,3
4,3
0
-
0,450
450
-
Блок АМ
VT25
КТ315Б
0,35
0,35
0
-
0,85
0,85
0
-
4,5
4,50
-
VT28
КТ315Ж
0
0
0
-
0,7
0,7
0
-
0,1
0,11,5-2,6
(5,0)
VT29
КТ315Г
0,1-5,0
0,8-5,0
1,8-5,0
-
0,5-5,5
1,3-5,5 2,3-5,5
-
5,8
5.85.8
(1,5-5,0)
(2,0-5,5)
VT31
КТ315Ж
0,1-1,2
0,8-2,0
0,8
-
0
0
* 1,5
0,1-5,00.8-5.01.8-5.0
(5,0)
(1,5-5,0)
VT32
КТ3107Е
5,6
5,6
5,6
-
4,9
4,9
4,9
-
0,5-5,51,3-5,52,3-5,5
'(2,0-5,5)
Таблица 6.1. Режимы транзистора
Радиоприемник «Океан РИ-222»
Примечания-.
Режимы остальных транзисторов указаны на схеме электрической принципиальной.
Измеренные напряжения могут отличаться от указанных на ±15 %.
AM
YKB(Y10000000000000000
...Y4)
D3 КР198НТЗБ Любой 4,3 5,23,64,3 4,6 3,6 4,3 5,2 4,0 3,3
Примечания:!. Режим микросхемы D1 указан на схеме электрической принципиальной.
2. Измеренные напряжения могут отличаться от указанных на ±15 %.
Таблица 6.3. Режимы микросборки К04КП024А (D1 блока АМ)
Включен- ный диа- пазон
Напряжение на выводах, В
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
ДВ
5,0
5,6
5,0
0
0
0
0
0
0
0
9,0
0,2
СВ15,0
5,6
5,0
0
0
0
0
0
0
9,0
0
5,6
СВ2
5,0
5,6
5,0
0
0
0
0
0
9,0
0
0
5,6
25 м
5,0
2,7
5,0
0
0
0
9,0
0
0
0
0
5,6
31 м
5,0
2,7
5,0
0
0
9,0
0
0
0
0
0
5,6
41 м
0,2
2,7
5,0
0
9,0
0
0
0
0
0
0
5,6
49 м
5,0
0,3
0,2 '
9,0
0
0
0
0
0
0
0
5,6
УКВ
5,0
2,7
5,0
0
0
0
0
9,0
0
0
0
0
У1
5,0
2,7
5,0
0
0
0
9,0
0
0
0
0
0
У2
5,0
2,7
5,0
0
0
9,0
0
0
0
0
0
0
УЗ
0,2
2,7
5,0
0
9,0
0
0
0
0
0
0
0
У4
5,0
0,3
0,2
9,0
0
0
0
0
0
0
0
0
Таблица 6.4. Регулировка напряжения настройки
Диапазон
Точки измерения Uh
Положение стрелки на шкале приемника
Предел установки Uh,В
Элементы уста- новки
1
2
3
4
5
СВ2
С вывода 15
Крайнее
0-1,0
2R154
+
-
+ .
+
+
платы ФН
правое
2R155
+
+
-
+
+
относительно
2R156
+
+
+
-
+
корпуса
2R157
+
+
+
+
49 м
С вывода 17
Крайнее
0,8-2,0
2R162
+
-
+
+
+
платы ФН
правое
2R163
+
+
-
+
4-
относительно
2R164
+
+
+
-
+
корпуса
2R165
+
+
+
+
-
УКВ-
С вывода 1
Крайнее
1.8-2,5
2R158
+
-
+
+
+
обзорный
розетки 2x4
правое
2R159
+
+
-
+
+
2R160
+
+
+
-
+
2R161
+
+
+
+
-
Обозначение: «+» — печатный проводник, параллельный соответствующему резистору, замкнут. «-» — печатный проводник, параллельный соответствующему резистору, разомкнут.
VT31, диоды VD58... VD62 и их цепи (рис. 6.3).
Если не перестраиваются только диапазоны ДВ, СВ, проверяют изменение напряжения настройки на соответствующих варикапах VD4.1, VD4.2, цепи его поступления и сами варикапы, режимы ДВ, СВ тракта.
Если не перестраиваются только диапазоны КВ, проверяют изменение напряжения настройки на варикапах VD25.1 и VD25.2, цепи его поступления, годность варикапов.
После замены любых варикапов регулировку напряжения настройки производят в соответствии с табл. 6.4.
Отсутствует прием станций на всех диапазонах тракта АМ. Диапазоны переключаются
Отыскание неисправности начинают с проверки общих каскадов прохождения сигнала для ДВ, СВ и КВ диапазонов. Для этого сигналом звуковой частоты проверяют каскад на транзисторе VT25 (рис. 6.3). Далее сигналом промежуточной частоты 465 кГц амплитудной модуляцией (АМ) проверяют каскады УПЧ, микросхемы D2, подавая его на контрольную точку XN3, а сигнал ВЧ принимаемой частоты подают на XN1.
Работоспособность гетеродина проверяют измерением высокочастотного напряжения ге-
13
14
15
16
17
18
19
2Г
22
24
25
26
27
28
0,3
5,6
5,6
5,6
5,6
0-1,0
0
5,2
9,0
5,6
5,0
5,6
5,0
5,6
5,6
0,2
0,3
5,6
2,7
0-1,0
0
5,2
9,0
5,6
5,0
5,6
5,0
5,6
5,6
5,6
3,4
0,2
0,3
0-1,0
0
5,2
9,0
5,6
5,0
5,6
5,0
5,6
5,6
5,6
5,6
5,6
5,6
0,8-2,0
0
5,2
9,0
0,3
0,2
2,7
5,0
2,7
5,6
5,6
5,6
5,6
5,6
0,8-2,0
0
5,2
9,0
2,7
5,0
0,3
0,2
2,7
5,6
5,6
5,6
5,6
5,6
0,8-2,0
0
5,2
9,0
2,7
5,0
2,7
5,0
0,3
5,6
5,6
5,6
5,6
5,6
0,8-2,0
0
5,2
9,0
2,7
5,0
2,7
5,0
2,7
0
0
0
0
0
0,2
0,3
5,2
9,0
2,7
5,0
2,7
5,0
2,7
0
0
0
0
0
5,0
2,7
5,2
9,0
0,3
0,2
2,7
5,0
2,7
0
0
0
0
0
5,0
2,7
5,2
9,0
2,7
5,0
0,3
0,2
2,7
0
0
0
0
0
5,0
2,7
5,2
9,0
2,7
5,0
2,7
5,0
0,3
0
0
0
0
0
5,0
2,7
5,2
9,0
2,7
5,0
2,7
5,0
2,7
* При нажатой кнопке включения любого диапазона
Ступени установки Uh (по нарастанию напряжения)
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
Примечание
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
Регулировка про-
-
+
+
-
-
-
+
-
-
-
изводится после
+
-
+
-
+
-
-
-
+
-
-
замены варикапов
+
+
-
+
-
-
-
-
-
+
-
2VD4
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
Регулировка про-
-
+
+
-
-
+
-
+
-
-
-
изводится после
+
-
+
-
+
-
-
-
+
-
-
замены варикапов
+
+
-
+
-
-
-
-
-
+
-
2VD25 И 2VD4
-
-
-
+
+ *
+
+
-
-
-
-
Регулировка про-
-
+
+
-
-
+
-
+
-
-
-
изводится после
+
-
+
-
+
-
-
-
+
-
-
замены варикапов
+
+
-
+
-
-
-
-
-
-
1VD2
нерации на контрольной точке XN2. При отсутствии генерации на всех диапазонах проверяют транзисторы гетеродина VT14, VT19, их цепи.
В случае замены микросхемы D2 рекомендуется отрегулировать напряжение в соответствии с пунктом 5 табл. 6.5.
Если прием станций отсутствует только на KB-диапазонах, тогда проверяют УРЧ и гетеродин коротких волн, а именно: транзистор УТЮ и его цепи, а при отсутствии напряжения на контрольной точке (КТ) XN2 проверяют элементы VD21, VD25.2, R73, С58, С59.
Если нет приема станций только на ДВ-, СВ- диапазонах, проверяют каскады УРЧ и гетеродина этих диапазонов, а также магнитную антенну и ее цепи. Для этого проверяют режим и цепи транзистора VT6, а при отсутствии напряжения генерации на КТ XN2 проверяют исправность элементов С24, С27, СЗО, С43, R13, R25, R49, VD23, VD4.2.
Если нет приема станций только на одном диапазоне тракта АМ (индикатор его включается), проверяют наличие обрыва цепи управления и катушки данного диапазона.
При заниженной чувствительности приемника на ДВ-, СВ-диапазонах проверяют целостность стержня магнитной антенны, режимы транзисторов VT1, VT2, VT6 и элементы С12, С20, С24, R12, R13, R26, VD4.1.
Настройка и проверка тракта АМ
См. табл. 6.5
Нет приема в диапазоне УКВ
При отсутствии приема и характерных шумов в диапазоне УКВ сначала проверяют наличие надежных контактов соединителя ХЗ, поступление напряжения питания 5,7 В на контакт 5(ХЗ). Далее смотрят на прохождение сигнала звуковой частоты от выводов 8 микросхемы D через транзистор VT9 до контакта 4(ХЗ).
Затем проверяют прохождение сигнала ПЧ 10,7 МГц (см. таблицу 6.6) с КТ XN и чувствительность каскадов УПЧ. Если прослушивается шум, а сигнал ПЧ не проходит, смотрят элементы фазосдвигающей цепи микросхемы D—C33, С34, С36, L6, R34. При заниженной чувствительности с КТ XN проверяют режимы и элементы предварительного УПЧ на транзисторах VT4, VT5, фильтра Z, микросхемы D. Если заменяли микросхему D, рекомендуется проверить и настроить тракт УПЧ (п. 1 табл. 6.6). При нормальной чувствительности с КТ XN и наличии шумов смотрят на режимы, исправность транзисторов VT1...VT3 и их цепей. "
Чувствительность приемника в диапазоне УКВ занижена
При заниженной чувствительности радиоприемника в диапазоне УКВ сначала проверяют чувствительность каскадов УПЧ с КТ XN (см. предыдущую неисправность). Если чувствительность с КТ XN соответствует норме, тогда смотрят на исправность и коммутацию элементов входного контура L1.1,R4, VD1, затем элементы входного и коллекторного контуров УРЧ транзистора VT1 и смесителя транзистора VT3, их настройку (табл. 6.6), режимы и исправность транзисторов VT1, VT3.
Отсутствует перестройка по диапазону УКВ
При этой неисправности сначала проверяют наличие и величину напряжения настройки на контакте ДАЗ), его поступление по цепям варикапов. Особое внимание уделяют варикапу гетеродина VD2.3 и его цепям. Если производилась замена варикапов VD2 (при неисправности даже одного заменяют весь комплект), рекомендуется произвести регулировку напряжения настройки UH согласно табл. 6.4. Если смещен диапазон принимаемых частот блока УКВ, проверяют наличие и величину напряжения UH на контакте 1 соединителя ХЗ в крайних положениях настройки, которое должно быть в пределах 1,8...2,5В и 4,6...5В. При необходимости это напряжение подбирают путем замыкания (размыкания) резисторов R158...R161 в блоке АМ (рис. 6.3) в соответствии с табл. 6.4.
При нормальных значениях UH смотрят на исправность элементов контура гетеродина, регулируют частоту гетеродина индуктивностью L4 и проверяют укладку диапазона согласно табл. 6.6.
Настройка и проверка тракта ЧМ
Настройка и проверка тракта ЧМ состоит из настройки тракта УПЧ, контура ПЧ, проверки и укладки границ диапазона УКВ обзорного, настройки входных контуров блока ЧМ. Производится проверка чувствительности, ограниченной шумами, фиксированных настроек в диапазоне УКВ, действие схемы автоматической подстройки частоты гетеродина, действия и порога срабатывания бесшумной настройки.
Поскольку частоты сигналов, подаваемых с генераторов, относительно высокие, то соединительные провода обязательно экранированы и экраны соединены с общим проводом (корпусом) для исключения паразитных наводок (табл. 6.6).
Таблица 6.5 к разделу 6.4.5. Настройка и проверка тракта АМ
Наименование операции
Частота настройки, кГц
Показание генератора, мкВ
Положение стрелки на шкале приемника
Настраиваемый элемент
Настройка -465
и проверка тракта ПЧ-АМ
Укладка границ и настройка ДСВ
10—20 мВ
Любое
2121
2123 2L25
диапазонов: СВ2
925
1610- 1650
1000
1450
0,3-1,0 мВ/м (в зависимости от степени настройки)
До 0,3 мВ/м ^чувствительность, ограниченная усилением)
Крайнее левое
Крайнее правое
В левой части
В правой части
2L8
2L7
2С36
СВ1
510
960- 1010 560
900
0,3-1,0 мВ/м (в зависимости от степени настройки)
До 0,3 мВ/м (чувствительность, ограниченная усилением)
Крайнее левое
Крайнее правое В левой части
В правой части
2L6
2L5
2С23
ДВ
140
290-320
200
0,5-1,0 мВ/м (в зависимости от степени настройки)
До 0,5 мВ/м (чувствительность,
Крайнее левое
Крайнее правое
В средней части
2L3
212
ограниченная усилением)
Методика настройки и проверкиПримечаниеМетодика настройки и проверкиПримечаниеРадиоприемник «Океан РП-222»Радиоприемник «Океан РП-222»
Методика настройки и проверки
Примечание
Методика настройки и проверки
Примечание
Радиоприемник «Океан РП-222»
Радиоприемник «Океан РП-222»
Подать сигнал к контрольной точке 2XN3 через конденсатор емкостью 20—47 пФ
Вращать сердечники до получения максимального показания выходного вольтметра
Подать сигнал от генератора поля
Расширение и сужение диапа
Вращать сердечник до появления сигнала и получе
зонов осуществляется путем
ния максимального показания выходного вольтметра
замыкания и размыкания печатных проводников, параллельных резисторам 2R154, 2R155,
Проверить прохождение сигнала
2R156, 2R157 (16 ступеней в соответствии с табл. 6.2.)
Настроиться на сигнал
Операцию повторить до
Вращать сердечник до получения максимального
получения полного
показания выходного вольтметра
сопряжения
Настроиться на сигнал
Вращать ротор конденсатора до получения макси
мального показания выходного вольтметра Подать сигнал от генератора поля
Вращать сердечник до появления сигнала и получения максимального показания выходного вольтметра Проверить прохождение сигнала
Настроиться на сигнал
Вращать сердечник до получения максимального
Операцию повторить до
показания выходного вольтметра
получения полного сопряжения
Настроиться на сигнал
Вращать ротор конденсатора до получения максимального показания выходного вольтметра
Подать сигнал от генератора поля
Вращать сердечник до появления сигнала и получения максимального показания выходного вольтметра
Проверить прохождение сигнала
Настроиться на сигнал
Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра
U1
U1
Наименование операции
Частота настройки, кГц
Показание генератора, мкВ
Положение стрелки на шкале приемника
Настраиваемый элемент
3. Проверка действия АРУ
1000
100 мВ/м
В левой части
2R87
Крайнеелевое2L29Крайнеелевое2L294. Укладка границ и настройка КВ-диапазонов: 49 м6,25 МГц50-125
Крайнее
левое
2L29
Крайнее
левое
2L29
5,88-
5,92 МГц
50-125
Крайнее правое
6,1 МГц
Среднее
41 м
6,1 МГц
7,4 МГц
6,9-7,05 МГц
7,2 МГц
50-125
2L27
2129
Среднее 2128
Крайнее2126
левое
Крайнее правое
Среднее
2122
2L26
\е mv
Методика настройки и проверки
Примечание
\ы 6.5
Настроиться на сигнал
Подать сигнал с уровнем 100 мВ/м от генератора поля
Установить регулятором громкости выходное напря
жение 0,78 В (ОдБ)
Уменьшить уровень сигнала до 1 мВ/м
Выходное напряжение должно установиться не менее 0,34 В (-7дБ)
Подать сигнал через эквивалент антенны на сложенную ТА
Вращать сердечник до появления сигнала и до получения максимального показания выходного вольтметра
Проверить прохождение сигнала
Расширение и сужение диапазона производится путем замыкания и размыкания печатных проводников, параллельных резисторам 2R162, 2R163, 2R164, 2R165
16 ступеней регулировки в соответствии с табл. 6.2
Настроиться на сигнал
Установить напряжение входного сигнала, превышающее 125 мкВ, но не более 1 В
Перестроить генератор в сторону увеличения частоты на 930 кГц При правильной настройке должен прослушаться сигнал
Вращать сердечник катушки до получения минимального показания выходного вольтметра
При отсутствии сигнала настройку повторить, перестроив гетеродинный контур сердечником катушки на основную частоту (вывернуть сердечник на несколько витков)
Настроиться на сигнал
Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра
Вращать сердечник до появления сигнала и до получения максимального показания выходного вольтметра
Проверить прохождение сигнала
Настроиться на сигнал
Установить напряжение входного сигнала, превышающее
125 мкВ, но не более 1 В
Перестроить генератор в сторону увеличения частоты на 930 кГц.
При правильной настройке должен прослушиваться сигнал
Вращать сбрдечник катушки до получения минимального показания выходного вольтметра
При отсутствии сигнала настройку повторить, перестроив гетеродинный контур сердечником катушки на основную частоту (вывернуть сердечник на несколько витков)
ГЛАВА 6
Наименование операции
Частота настройки, кГц
Показание генератора, мкВ
Положение стрелки на шкале приемника
Настраиваемый элемент
7,2 МГц
Среднее
2L24
31 м
9,87 МГц
9,3-9,45 МГц
9,6 МГц
50-125
Крайнее левое
Крайнее правое
Среднее
2120
2L18
2120
9,6 МГц
Среднее
2L19
25 м
12,2 МГц
11,45—11,6 МГц
11,8 МГц
50-125
Крайнее левое
Крайнее правое
Среднее
2L17
2L15
2L17
5. Регулировка выходного напряжения после замены микросхемы 2D2
11,8 МГц
1000(СВ2)
Среднее
В левой части
2L16
Методика настройки и проверкиПримечаниеМетодика настройки и проверкиПримечаниеНастроиться на сигнал‘Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметраНастроиться на сигнал‘Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметраРадиоприемник «Океан РП-222»Радиоприемник «Океан РП-222»
Методика настройки и проверки
Примечание
Методика настройки и проверки
Примечание
Настроиться на сигнал‘
Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра
Настроиться на сигнал‘
Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра
Радиоприемник «Океан РП-222»
Радиоприемник «Океан РП-222»
Вращать сердечник до появления сигнала и до получения максимального показания выходного вольтметра Проверить прохождение сигнала
Настроиться на сигнал
Установить напряжение входного сигнала, превышающее 125 мкВ, но не более 1 В
Перестроить генератор в сторону увеличения частоты на 930 кГц. При правильной настройке должен прослушиваться сигнал
Вращать сердечник катушки до получения минимального показания выходного вольтметра
При отсутствии сигнала настройку повторить, перестроив гетеродинный контур сердечником катушки на основную • частоту (вывернуть сердечник на несколько витков) Настроиться на сигнал
Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра
Вращать сердечник до появления сигнала и до получения максимального показания выходного вольтметра
Проверить прохождение сигнала
Настроиться на сигнал
Установить напряжение входного сигнала, превышающее 125 мкВ, но не более 1 В
Перестроить генератор в сторону увеличения частоты на 930 кГц. При правильной настройке должен прослушиваться сигнал
Вращать сердечник катушки до получения минимального показания выходного вольтметра При отсутствии сигнала настройку повторить, перестроив гетеродинный контур сердечником катушки на основную частоту
Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра
На вход внешней антенны (2X2.1) через конденсатор емкостью 120 пФ ±10 % подать сигнал от ГСВ1 (тАМ = 0,3) величиной 50 мкВ и настроиться на сигнал ручкой настройки приемника Увеличить сигнал в 100 раз (5 мВ) и подбором сопротивления цепи резисторов 2R114...2R116 установить выходное напряжение 1,5—2 В (по выходному вольтметру, подключенному к головке динамической)
Уменьшить сигнал на входе до 10 мкВ и подбором емкости цепи конденсаторов 2С101 ...2С103 установить выходное напряжение 0,45...0,6 В по выходному вольтметру
сл
U1
со
Наименование операции
Частота настройки, МГц
Показание генератора, мкВ
Положение стрелки на шкале приемника
Настраиваемый элемент
Методика настройки и проверки
Примечание
1 .Настройка и проверка тракта УПЧ блока ЧМ
10,7+0,1
10-1000
20
Любое
1L6
Подать сигнал от генератора ГСВ2 (девиация ±50 кГц, частота модуляции 1000 Гц) на вход УПЧ (к точке 1XN)
Настроиться на сигнал по максимальному показанию выходного вольтметра
Вращать сердечник до получения максимального выходного напряжения при минимальных искажениях синусоиды сигнала на экране осциллографа
При наличии прибора для исследования частотных характеристик типа Х1 -48 настройку катушки 1L6 производить с целью получения симметрии S-кривой, снимая сигнал с вывода 8 микросхемы
Проверить чувствительность со входа
УПЧ (точка 1XN)
Выходное напряжение должно быть не менее 1,45 В
При проверке и настройке по п. п. 1,2, 3, 4, 5,6 настоящей таблицы кнопка БШН — нажата (БШН выключена)
2.Настройка контура ПЧ
10,7+0,1
5-100
Любое
1L5
Через конденсатор емкостью 22... 100 пФ подать сигнал на базу смесителя (транзистор 1VT3) Вращать сердечник катушки до получения максимального показания выходного вольтметра
Для повышения точности настройки по п.п. 2, 4 входной сигнал поддерживать на уровне, обеспечивающем режим работы тракта УПЧ до ограничения, и контролировать сигнал по осциллографу
Проверка и укладка границ диапазона УКВ обзорный
Настройка входных контуров блока ЧМ и проверка чувствительности, ограниченной шумами (с гнезда внешней антенны УКВ-IXI)
74,6
65,0+0,2
69
1000
5-1000
Крайнее левое
Крайнее правое
В средней части
114
2R158
2R159
2R160
2R161
111
112
Подать сигнал от генератора ГСВ2 с девиацией ±15 кГц на гнездо внешней антенны УКВ. Вращением сердечника добиться появления сигнала на выходе приемника
Частоту установить, подбирая сопротивление цепи путем замыкания (размыкания) печатных проводников, параллельных этим резисторам (в соответствии с табл. 6.2) Подать от генератора ГСВ2 сигнал с девиацией ±15 кГц и частотой модуляции 1000 Гц на гнездо внешней антенны УКВ
Ручкой настройки приемника настроиться на соответствующий сигнал по максимальному показанию выходного вольтметра
Вращать сердечники катушек до получения максимального показания выходного вольтметра
Напряжение настройки должно быть в пределах 4,6...5,0 В
Напряжение настройки должно быть в пределах 1,8...2,5 В
Операцию повторить 2—3 раза
Таблица 6.6 к разделу 6.4.9 Настройка и проверка тракта ИМ
ГЛАВА6
Наименование операции
Частота настройки, МГц
Показание генератора, мкВ
Положение стрелки на шкале приемника
Настраиваемый элемент
66
5 (не более)
69
5
74
5
5. Проверка
65,8
Любое
фиксирован
ных настроек
-
в диапазоне УКВ
74
5
2R129
6. Настройка
69
В средней
1R28
и проверка
части
действия АПЧ
69
15
7. Проверка действия и порога срабатывания БШН
69
В среднейчасти
Методика настройки и проверки
Примечание
Проверить чувствительность, ограниченную шумами, на указанных частотах (см. п. 6.4)
Включить первую фиксированную настрой-
Повторить операцию для
куУ1. Вращая ручку переменного резисто-
всех ФН, вращая ручку со-
ра ФН, убедиться в возможности настрой-
ответствующих резисторов
ки на указанные частоты
(2R130. .2R132)
Выключить АПЧ и БШН нажатием соответствующих кнопок
При отсутствии сигнала на входе приемника (отстроиться от станции) измерить постоянное напряжение наг
выводе 8 микросхемы К174УРЗ Подключить вольтметр к точке соеди-
Предварительно
нения 1R27 и 1R28 и вращением рото-
выставить ротор
ра подстроечного резистора 1R28 вы-
1R28 в среднее
ставить такое же напряжение
положение
Подать сигнал с девиацией +15 кГц и частотой модуляции 1000 Гц к гнезду внешней антенны УКВ (1X1) и настроиться на сигнал по максимальному показанию выходного вольтметра Регулятором громкости установить выходное напряжение 0,45 В
Изменить частоту генератора в сторону уменьшения до показания выходного вольтметра 0,3 В
Включить АПЧ, выходное напряжение должно возрасти не менее чем до 0,4 В
Повторить при расстройке генератора в сторону увеличения частоты
Подать сигнал с девиацией ±15 кГц
АПЧ выключена
и уровнем Ubx. = 850 мкВ
(кнопка нажата)
Регулятором громкости установить на выходе 0,45 В
Установить Ubx. = 0. Включить БШН.
Уровень входного сигнала увеличивать до появления на выходе напряжения в пределах 0,42...0,45 В,соответствующего Рст. с точностью -3 дБ. При этом уровень входного сигнала должен
быть в пределах 5...10 мкВ. При необходимости отрегулировать подстроечным резистором. Изменяя частоту генератора в обе стороны от точной настройки, убедиться в отсутствии шумов и боковых настроек
Радиоприемник «Океан РП-222»
ел СП
РАДИОПРИЕМНИК «ВЕРАС РП-225»
Принципиальная электрическая схема радиоприемника «Верас РП-225» идентична схеме радиоприемника «Океан РП-222». Имеются лишь некоторые отличия схемы блока АМ (рис. 6.6). Методы обнаружения неисправностей в радиоприемнике «Верас РП-225» такие же, как и для радиоприемника «Океан РП-222».
РЕГУЛИРОВКА И НАСТРОЙКА РАДИОПРИЕМНИКА «ОКЕАН РП-222»
Регулировку и настройку радиоприемника производят после его ремонта и проверки общей работоспособности при оптимальном напряжении питания.
Сначала проверяют цепи питания, УЗЧ, переключатель и далее тракты АМ и ЧМ. Для этого смотрят
Рис. 6.6. Принципиальная электрическая схема части блока АМ радиоприемника «Верас РП-225»
на напряжение (10±0,5 В при работе приемника от сети) на коллекторе транзистора 2VT12 (рис. 6.3). При несоответствии величины напряжения его регулируют с помощью подбора сопротивления цепи резисторами 2(R43, R47, R 48).
Далее проверяют напряжение 5,2+0,1В на коллекторе транзистора 2VT30 и при необходимости регулируют резистором 2R138. Напряжение на коллекторе транзистора 2 VT26 должно быть 5,8±0,1В.
Для проверки и регулировки трактов АМ и ЧМ приборы соединяют согласно рис. 6.7, 6.8.
Настройку и проверку трактов АМ и ЧМ проводят при выключенной АПЧ, регуляторе громкости в положении максимума, регуляторе тембра в среднем положении. Вольтметр переменного тока подключают параллельно громкоговорителю.
Рекомендация завода-изготовителя по настройке и проверке трактов АМ и ЧМ приведена в таблицах 6.5, 6.6.
При определении чувствительности напряжение на выходе радиоприемника поддерживается равным 0,45В, соответствующем стандартной Рвых = 50 мВт.
096
~7Г5?
0097 VD99Ш69АКПД9А
J L
Z72L28 38109 39к
SZ
129
Rl^
УКВ'
0107
57
19
УКВ'
У=.С97 у-оо/ИК
017" КОЧКООЗЧА
99м
Ш522БХ4/
W^v °'°^7мк
15
8123
15 "^
0.18
17
>18
19
7В
»№
8126 R131
39к 100к
8128 R^*
^18125 8130
.УГ
-И- дз8" ч^'
8127 8132 "и. ЗОк^тЕЖ
Х2Ч
0105 ЮОмк
VT28
КТ315Ж
ДСВ
VD65 04
ОД-
VD59 КД522Б
VD60
Кй52гЬ
'33 FZL . 8166
1OOR
КВ
06 12О15тУда\
Ri6oyyZ!L 2,78 R161* 5,6к
VD66 |^
62к УКВ
№№№
R1 "бВк
VO61 83522Б
RU6
5.8В -У129?
КТ31О7Ч
УОКх^
at..5B, VT25
от&е -ёШБ КМ16.
М3107Е
ДМ5Р
ю
8137ft
1к
ftR168
м i С111 , :Н№ (63В)
Х9 ОНп-КГ-Й ~<| цепь tf
28
25
4/7 VT27
Г— \K131O26M
8 128
У 9.7R
2
9
8
1
I
„ И 8196 R^A-УЗк 330 8W
8153
5 57В ЧМ
3 Корпус
Ч Вх.ЧЗЧ
Рис. 6.7. Схема подключения приборов при подаче сигнала на телескопическую антенну
Рис. 6.8. Схема подключения приборов при подаче сигнала на магнитную антенну
РАДИОПРИЕМНИК «ОКЕАН РП-245»
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Приемник радиовещательный «Океан РП- 245» предназначен для приема программ радиовещательных станций с АМ в диапазонах длинных волн (ДБ), средних волн (СВ), коротких волн (КВ) и с ЧМ в диапазоне ультракоротких волн (УКВ).
Питание приемника осуществляется от автономного источника питания 6,0±0,12 В (четыре элемента типа А343 (LR 14^ и от сети переменного тока 220±22 В, 50—60 Гц.
Работоспособность приемника сохраняется при снижении напряжения питания автономного источника до 4,2 В.
Диапазоны принимаемых частот (волн), не уже:
~ ДВ, кГц(м) - 148,5-283,5(2020,2-1058,2);
СВ, кГц(м) - 526,5-1606,5(569,8-186,7);
КВ49 м, МГц(м) - 5,95-6,20(50,4-48,4);
КВ41 м, МГц(м) - 7,1—7,3(42,3—41,0);
КВ31 м, МГц(м) - 9,50-9,77(31,6-30,7);
КВ25 м, МГц(м) - 11,7-12,1(25,6-24,8);
УКВ1, МГц(м) - 65,8-74,0(4,56-4,05);
УКВ2, МГц(м) - 87,5-108,0(3,43-2,79).
Чувствительность, ограниченная шумом, при отношении сигнал/шум не менее 20 дБ в диапазонах ДВ, СВ, КВ и не менее 26 дБ в диапазоне УКВ, по напряженности поля, мВ/м, не уже, в диапазонах: ДВ - 2,0; СВ - 1,0; КВ - 0,2; УКВ - 0,07.
Относительная избирательность по соседнему каналу в диапазоне СВ при расстройке на ±9 кГц — не менее 30 дБ.
Диапазон воспроизводимых частот звукового давления всего тракта при неравномерности частотной характеристики звукового давления 14 дБ, Гц, не уже, в диапазонах: СВ — 250—3500; УКВ - 250-8000.
Выходная мощность, Вт: номинальная — 0,18; максимальная от автономного источника питания — 0,25 и от сети переменного тока — 0,35.
Ток покоя приемника (при питании от автономного источника) — не более 12 мА.
Масса приемника без автономного источника — не более 1,2 кг.
Габаритные размеры корпуса приемника — не более 290x143x75 мм.
ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА РАДИОПРИЕМНИКА «ОКЕАН РП-245»
Схема электрическая приемника выполнена на МС ОА1 типа 1125108, МС DA2 типа КР142ЕН5Б, транзисторах VT1 типа КПЗОЗА, VT2 типа КТ3126А и VT3 типа КТ3102АМ (рис. 7.1).
МС DA1 представляет собой АМ/ЧМ-при- емник и выполняет функции УРЧ, гетеродина, смесителя, УПЧ, детектора АМ/ЧМ и УЗЧ.
На МС DA2 выполнен стабилизатор напряжения 7,5±0,2 В.
Прием сигналов в диапазонах ДВ и СВ ведется на МА, на ферритовом стержне которой находятся катушки входных контуров: L1,L2 — диапазона ДВ иЫ ~ диапазона СВ.
При работе приемника в диапазоне ДВ или СВ сигнал, наведенный на МА и выделенный соответствующим входным контуром Ы, L2, €1.2, С4, €6 или L1, С1.2, €5, через конденсатор С2 поступает на затвор транзистора VT1, выполняющего функции стокового повторителя.
Сигнал с истока транзистора VT1 поступает на вход УРЧ АМ (вывод 10 МС DA1), усиливается и подается на смеситель, сюда же подается и напряжение гетеродина АМ (вывод 5 МС DA1).
Частота генерации в диапазонах ДВ и СВ определяется контурами L5, С12, €7, €1.4 и L3, €9, €8, С 1.4 соответственно.
С выхода смесителя (вывод 14 М С DA1) сигнал ПЧ АМ частотой 465 кГц поступает на вход ФСС АМ, состоящий из контура L16, €46 и фильтра ZQ1 типа ФП1П1-61,03, и далее на УПЧ АМ (вывод 16 МС DA1) усиливается и детектируется.
Продетектированный сигнал с выхода детектора (вывод 23 МС DA1) через конденсатор €56 поступает на вход предварительного УЗЧ (вывод 24 МС DAI). С выхода УЗЧ (вывод 27 МС DA1) сигнал через конденсатор €62 идет на головку громкоговорителя BA (Z=8 Ом).
Прием сигналов в диапазоне КВ ведется на ТА. При включении переключателя диапазонов SA1 в положение КВ сигнал с ТА через конденсатор €11 поступает на УРЧ, собранный на
г
/
2
3
МА
7/30
06
12
8
7/30
3-200
,9
R5
кв 77"
18.
9/15
СЮ
39
SA1.1
ПД18-2
6
2,2
С 1.1 2-27
±/7J Т3300
55мкВ 1МГц
VT1 КПЗОЗА
9 КВ 10_УКб
SA1.3
18 20ДВ
У19 СВ
015 ’ 0,022мк
^zC2
33
17 КВ
ТГугв
SA1.2
ДВ15ПЗ
Г \01
\7
"5\б ДВ
КВ 9
УКВ1
5А2.1
ПД18-2
4=011
1000
019
4=33
013
18
016
R6
3,3к
8
v
~ЗмкВ 11,9МГц
019
33
021
~^0~03^мк
XR7
220
ич
л
,01.9
SA29 УКВ1 91м 15 13 ШгЗмд"’ 99м 12
31м 11
115
R8
022
112
—032 Т15,
0351 7/30
^33м_
023
Д_56
—3,9к
R9 12к
=L 038 0,022мк
SA2.2
691м УКВ1 "7 25м УКВ2
SA2.3
07\29О46х290
5А1.1
ДВ 1 г ТВ1"'
■3
2091м УКВ1
19 25м УКВ2
17 99м
16 31м
033 =гЗЗ-
113
3
СП хС251.027 2-039
Т^ ^~7/30\39 ^~?№
71 7 91м УКВ1
2.
мк
9 99м\
5 31м
Д-018 ""123
028
^110
х
19
036 , 0,022мк
Рис. 7.1. Электрическая принципиальная схема радиоприемника «Океан РП-245» (левая половина)
9
9
114
037
095
■9=390
R12
L15
-2,5мкВ 69к1ц
1,2к
Л047 L17.lVu7.2
Т?00 ДС] 7/
ZQ1 ФП1П1- 61,03
,116
051 ГООмк
057 0,022мк
ФП№1.2
058
^=39
[\С66
I220,
118 4= Г
R16
\47к
О
2,9
-25мкВ 1МГц
«3300
VT3 013
КТ3102АМ 0,022мк 2Д_
1,4
О
~15мкВ 465кГц
2,9
О
~0,7мВ
~0,25мВ
049
g 0,022мк
Т О
\R14 ^
I ^0,068мк
'68к
15 10 12 9 13 16 Ю 11
6 А 049 =Г 5,6
75 19 20 21 22
1,2
1,2
1,8
048
О
2,4
1
1,9
0,5 О
067
4,7мк
2,6 /
3 9
0-2,4
DA1
V2510B
.Настройка'HL2
Ц01мк ^051
Т4,7мк
SA3
Т / ПКн-61
3^7
R10
25мВ
№ z
"daF
КР142ЕН5В
23 29 25 26 27 28 18
0-2,4
\33\*L Х^-
= 062
13 5
Ч70мк
068
059
470мк
Х5 35Г1-3
3
17
О.ОЗЗмк
053
17 8 21
'.L6800 Л>7Ж
ЛсбЗ -^033мк
-Г-.-г- л
Г/
4
7
^6
SA4ПКн-61
ХН11СМН-6,3-20-2
2,2
=3=015
100мк
2
17
в
,RJ84180
^1VD1 ^VD3LC64
ВПТ6-5 15 ТП118-М5 —X
^>-п->
VD2
VD4
^052 1470мк
VD1-VD4 КД209А
»
•2Z0B
■>
41
Ф 6В Л А393
Рис. 7.1. Электрическая принципиальная схема радиоприемника «Океан РП-245» (правая половина)
5 Усилители, радиоприёмники.
транзисторе VT2 по схеме с общей базой, нагрузкой которого являются следующие колебательные контуры (при соответствующем положении переключателя поддиапазонов SA2);
КВ49м - L8, С23, С22, С26, С1.2; КВ41 м - L8, С23, С1.2; КВ31 м - L11, С23, С29, С35, С1.2; КВ25м —Z77, С23, С1.2.
Конденсатор С1.2 подключается к контурам КВ через конденсаторы С2 и СЗ.
Далее сигнал с соответствующего включенного контура через переключатели SA2.2, SA1.2 и разделительный конденсатор СЗ поступает на вход стокового повторителя VT1, с выхода которого через разделительный конденсатор С42 проходит на вход УРЧ АМ (вывод 10 МС DA1), усиливается и подается на смеситель.
На смеситель поступает также напряжение гетеродина.
Контуры гетеродина: КВ49 м — L9, С28, С27, С34, СЮ, С1.4; КВ41 м - L9, €28, СЮ, С1.4; КВ31 м - L7, С18, С17, С25, СЮ, С1.4; КВ25 м - L7, С18, СЮ, С1.4.
Прием сигналов в диапазоне УКВ ведется на ТА.
Переключатель диапазонов SA1 — в положении УКВ. Сигнал с ТА через конденсатор С13 поступает на входной контур L6, С14, С21 в диапазоне УКВ1 (JL6, С14 в диапазоне УКВ2) и далее через конденсатор С16 — на вход УРЧ ЧМ (вывод 12 МС DA1), усиливается и подается на смеситель.
Нагрузкой УРЧ ЧМ в диапазонах УКВ1 и УКВ2 являются контуры L15, L14, С1.1, С19, С41, С37 и L14, С1.1, С19, С37 соответственно.
Элементами гетеродина ЧМ (вывод 7 МС DA1) в диапазонах УКВ1 и УКВ2 являются контуры L13, L12, С1.3, С24, С32, СЗЗ и L12, С1.3, С24, С32 соответственно.
Нагрузкой смесителя ЧМ (вывод 14 МС DA1) является ФСС ЧМ, состоящий из контура L17, С47 и фильтра ZQ2 типа ФП1П6-1.2. С выхода фильтра сигнал поступает на вход УПЧ ЧМ (вывод 17 МС DA1) и далее на ЧМ-дискри- минатор, нагрузкой которого является контур L18, С66, С58.
Продектированный ЧМ-сигнал с выхода детектора (вывод 23 МС DA1) через конденсатор С56 поступает на вход предварительно У34 (вывод 24 МС DA1).
Выпрямитель напряжения выполнен на трансформаторе Т типа ТП118-М5 по стандартной мостовой схеме на диодах VD1...VD4 типа КД209А с цепями высокочастотной фильтрации (конденсаторы С64 и С65).
Во вторичную обмотку трансформатора включена вставка плавкая F типа ВПТ6-5 с номинальным током 0,5 А.
Выпрямленное напряжение (16 В) поступает на вывод 17 МС DA2, выполняющий функцию стабилизатора напряжения. С вывода 2 МС DA2 стабилизированное напряжение 7,5 В через резистор R10, переключатель SA3 (кнопка отжата) поступает в соответствующие цепи питания.
В приемнике имеется индикатор настройки на станцию HL2 типа АЛ307БМ, максимальное свечение которого соответствует точной настройке на станцию, и гнездо XS типа 35Г1-3 для подключения наушников.
Резисторы R16 и R17 — регуляторы громкости и тембра соответственно.
МЕТОДИКА ОБНАРУЖЕНИЯ И УСТРАНЕНИЯ НЕИСПРАВНОСТЕЙ РАДИОПРИЕМНИКА «ОКЕАН РП-245»
Для разборки приемника необходимо:
снять крышку отсека питания;
вынуть элементы питания из отсека;
вывинтить винты, соединяющие крышку с корпусом;
сдвигая крышку вверх, вывести ее из зацепления с корпусом;
снять крышку и, отсоединив разъем от ТА, отпаять проводник, идущий на отсек питания и трансформатор, отложить крышку в сторону;
вывинтить винты крепления платы и вынуть плату из корпуса.
На плате открывается доступ к радиоэлементам.
Шкала снимается при помощи соответствующих упругих элементов, осуществляющих ее фиксацию в корпусе.
Схема верньерного устройства приведена на рис. 7.2.
Сборку радиоприемника проводят в обратном порядке.
Для отыскания неисправностей необходимо:
Проверить исправность вставки плавкой, сетевого шнура, целостность монтажа, соединительных проводников, радиоэлементов и отсутствие замыканий между ними, а также отсутствие холодных паек.
Режимы по постоянному току должны соответствовать значениям, приведенным в электрической схеме.
Ток потребления при Рвых = 0 должен быть не более 15 мА.
Ток потребления измеряют на любом диапазоне, установив регулятор громкости в положение минимальной громкости.
Режимы по переменному току должны соответствовать значениям, приведенным в электрической схеме.
Рис. 7.2. Схема верньерного устройстваРис. 7.2. Схема верньерного устройстваРежимы по переменному току измеряют при выходном напряжении 0,63 В (Рст = 50 мВт), коэффициенте модуляции М(ЧМ)=1.
Рис. 7.2. Схема верньерного устройства
Рис. 7.2. Схема верньерного устройства
Причинами значительного несоответствия величин сигналов, необходимых для получения на выходе требуемой мощности, могут служить
нарушения режимов микросхемы, расстройка резонансных контуров.
Для обнаружения и устранения неисправностей следует дополнительно пользоваться справочными материалами, приведенными в таблицах 7.1 и 7.2.
Таблица 7.1. Сведения о взаимозаменяемости элементов
Наименование
Возможная замена
Резисторы
С1-4-0,125
ВС-0,125
РП 1-686
Замене не подлежит
Конденсаторы
К 10-7
КД-62
К10-76
К73-17(С61)
К 10-62
К50-35
Замене не подлежит
Микросхемь
U2510B
Замене не подлежит
КР142ЕН5Б
КР142ЕН5Г
Индикатор единичный
АЛ307БМ
Диоды
АЛ307КМ
КД209А
КД226А
Транзисторы
КПЗОЗЕКТ645ЕКТ3126БКПЗОЗЕКТ645ЕКТ3126Б
КПЗОЗЕ
КТ645Е
КТ3126Б
КПЗОЗЕ
КТ645Е
КТ3126Б
КПЗОЗА КТ3102АМ КТ3126А
Наименование катушки
Обозначение на схеме
Тип сердечника
Тип намотки
Обозначение обмотки
Число витков
Марка и тип провода
Сопротивление обмотки постоянному току, Ом
Маркировка
Распайка и маркировка выводов катушек, схема обмотки
Входная СВL1М400НН-19 Секии-Н1К190ЛЭПЗх-8.5-uL1
С8х125онная(по 90,063
витков в десятиL
секциях)
Входная ДВL2Н2К2260ПЭТВ-2-20-(
(по 260,1(
витков(
в десяти секциях)1
Гетеродин-L3ЗОВНСекци-НК164 отвод ПЭТВ-2-7,52 синиес
наяСВПР4хО,7хоннаяот 126(42+0,1точки
8,042+42+0+
0+19+19+0)h
Гетеродин-15ЗОВННК193 отвод ПЭТВ-2-1 синяяС
ная ДВПРЧхО,7хот 153(51+0,18,9точкаBi
8,051+51+0+се
0+20+20+0)пр
в
ВходнаяL8ЗОВНРядоваяНК25ПЭТВ-2-2 зеле-р
КВ41 м,ПР4хО,7х0,16ные*
КВ49 м8,0точки
ВходнаяL11ЗОВНРядовая НК13ПЭТВ-2-2 синиеt
КВ25м,ПР4хО,7х0,16точки1
КВ31 м8,0
ГетеродиннаяL7ЗОВНРядоваяНК10ПЭТВ-2--к
КВ25м,ПР4х0,7х0,16<
КВ31 м8,0
ГетеродиннаяL9ЗОВНРядоваяНК18ПЭТВ-2-1зеленая к
КВ41 м,ПР4хО,7х0,16точка<
КВ49 м8,0
<1
грех отвода ать кциях
н
к
н
к
н
К
н
к
^
), е
»
1ТКИ кци оде 3-й
•
» •
► •
► •
42
L1
•
•
н
с
к мота
ях, по )ЛЖИТ1 и во 2
к
б
1 (
к
•
1 <
н
•
1
н
•
•
:1
H1
К1
Н2
К2
К
ГЬ В
еле
МО7
-й се
*
№
>
Таблица 7.2. Данные катушек индуктивности
ГЛАВА 7
Окончание таблицы 7.2
Наименование катушки
Обозначение на схеме
Тип сердечника
Тип намотки
Обозначение обмотки
Число витков
Марка и тип провода
Сопротивление обмотки постоянному току, Ом
Маркировка
Распайка и маркировка выводов катушек, схема обмотки
Контур ПЧ АМ
L16
М1000 НМЗ-4А БЧ 6,1x6 В (комплект)
Секционная
НК
130 отвод от 120 (65+65)
ПЭТВ-2- 0,1
3,7
-
•
• •
О
н
О
Входная ЧМ
L6
Рядовая (без зазора диаметром 3,5 мм)
4,5
ПЭТВ-2-
0,5
н
к
Гетеродинная УКВ2
L12
-
-
3,5
ПЭТВ-2-
0,5
-
-
Гетеродинная УКВ 1
L13
-
-
3,5
ПЭТВ-2-
0,5
-
-
Коллекторная УКВ2
L14
-
-
4,5
ПЭТВ-2-
0,5
-
-
Коллекторная УКВ1
L15
-
-
5,5
ПЭТВ-2-
0,5
-
Контур ПЧ ЧМ
L17
зовн ПР4хО,7х
Рядовая
Н1К1
17 отвод от 5
ПЭТВ-2- 0,1
-
Н2
•
К2 Н1
О
Н2
8,0
Н2К2
2
е •
К2
Н1 OK1 К1
н к
Детекторная ЧМ
L18
ЗОВН ПР4хО,7х 8,0
Рядовая
НК
10
ПЭТВ-2- 0,16
-
1 синяя точка
•
• •
к
Радиоприемник «Океан РП-245»
Возможные неисправности, их причины и способы устранения
Признак неисправности
Возможная причина
Способ устранения
1. Приемник не работает от сети, от автономного источника работает
Неисправность вставки плавкойF Обрыв в цепях диодов VD1VD4, конденсаторов 064, 065
Неисправность МС DA2
Неисправность переключателя SA3
Заменить вставку плавкую F
Проверить и при необходимости заменить диод или конденсатор Проверить МС DA2, неисправную заменить Проверить исправность переключателя, восстановить контакт
2. Приемник не работает
Обрыв в цепи батареи, нет контакта
Восстановить контакт, зачистить загрязненные
от автономного источника, от сети работает
между элементами питания GB и прижимными контактами отсека питания. Переключатель ВАЗ не включает питание
места на прижимных контактах
Проверить наличие контакта переключателя ЗАЗ
3. Нет приема на всех
Отсутствует контакт в гнезде XS
Восстановить контакт в гнезде XS,
диапазонах, в громкоговорителе не прослушивается шум
Выход из строя конденсатора С62
заменить конденсатор 062
В громкоговорителе прослушивается шум
Обрыв звуковой катушки громкоговорителя. Неисправна МС DA1
Заменить громкоговоритель
Проверить режимы МС DA1 по постоянному и переменному токам.
Неисправную МС заменить
4. Нет приема на всех или в одном из диапазонов Шум прослушивается
Не работает гетеродин
При отсутствии напряжения гетеродина на выводе 5(ДВ, СВ) или 7(УКВ)МС DA1 проверить переключатель SA1.4, SA2.1 или SA2.3 и соответствующие контуры гетеродина: ДВ — 15,012,07,01.4; СВ — L3,09,08,01.4; КВ49м — 19,028,027,034, СЮ, 01.4;
КВ41м — L9,028,С1.4; КВ31м — 17,018,017,025, 010,01.4; КВ25м — L7,C18,C10,C1.4;
УКВ1 — L13,L12,C1.3,C24, 032,033;
УКВ2 — L 12,01.3,024,032.
Неисправные элементы заменить
5. Пропадает сигнал ПЧ:
нет приема в диапазонах
ДВ и СВ
КВ
УКВ
Неисправны элементы соответствующего входного контура
Проверить элементы соответствующего входного контура:
ДВ — L1,L2C1.2,C4,C6; СВ — L1,L2,C5;
КВ49м — 18,023,022,026, 01.2;
КВ41м —L8, 023,01.2;
КВ31м — 111,023,029,035, 01.2;
КВ25м— L1,C23,C1.2;
УКВ — 16,033,021; УКВ1 —L15.L14.C1.1, 019,041,037; УКВ2 — 114,01.1,019,037
6. Не проходит сигнал ПЧ:
нет приема в тракте ЧМ
нет приема в тракте АМ
Неисправен фильтр ЧМ или ЧМ-дискритор Неисправен переключатель SA 1.2.
Неисправен фильтр АМ
Проверить контур 117,047 и фильтр ZQ2 Проверить наличие контакта в переключателе SA 1.2.
Проверить контур 116,046 и фильтр ZQ1
7. Приемник не перестраивается
Обрыв или замыкание конденсатора 01
Устранить неисправность или заменить конденсатор С1
РЕГУЛИРОВКА И НАСТРОЙКА РАДИОПРИЕМНИКА «ОКЕАН РП-245»
Схема подключения измерительной аппаратуры при настройке и проверке приемника приведена на рис. 7.3.
Регулирование и настройку приемника проводят поэтапно: вначале проверяют режимы МС, транзисторов, затем настраивают контуры
ПЧ, гетеродинные, входные соответствующего тракта.
Методика регулирования и настройки приемника приведена в табл. 7.3.
Настройку диапазонов ДВ и СВ проводят, используя однорамочный генератор поля.
При настройке диапазонов КВ или УКВ сигнал от ГСВ1 или ГСВ2 подают на сложенную ТА (или точку 1 платы), а минус питания через эквивалент антенны.,
Рис. 7.3. Схема подключения измерительной аппаратуры для проверки и настройки радиоприемника: а —схема подключения приборов; б — схема эквивалента антенны
Наименование операции
Частота настройки, кГц
Показание генератора, мВ
Положение указателя частоты настройки приемника
Настраиваемый элемент
Методика настройки, проверки
Примечание
Таблица 7.3. Методика настройки радиоприемника
1. Проверка УЗЧ:
чувствительность 1
25 Любое (СВ),
отсутствие искажений
регулировка тембра
2. Настройка тракта ПЧ АМ
465
0,5 Любое (ДВ, СВ, КВ)
'L16
СВ
515
300 мВ
Крайнее правое
L3
ДВ
' 1620
143...
50
Крайнее левое
С9
300—350
Крайнее правое Крайнее
L5
3. Проверка и укладка границ диапазона:
левое
Регулятор громкости — в положении максимальной громкости, регулятор тембра — в крайнем правом
Подать на вход УЗЧ (вывод 24 МС DA1) через конденсатор емкостью 0,1 мкФ сигнал частотой 1000 Гц с уровнем 25 мВ. Напряжение на выходе должно быть не менее 1,4 В
Регулятором громкости установить на выходе напряжение 1,4 В, которое должно быть без искажений
Подать на вход УЗЧ тот же сигнал уровнем 25—100 мВ, регулятором громкости установить на выходе напряжение 0,63 В
Подать на вход УЗЧ сигнал частотой 10 000 Гц, на выходе сигнал должен быть не менее 0,4 В. Повторить то же при регуляторе тембра в крайнем левом положении
На выходе сигнал частотой 10 000 Гц должен быть не более 0,1 В
Подать от ГСВ1 сигнал, модулированный частотой 10 000 Гц, М-0,3, на вывод 14 МС DA1 через конденсатор емкостью 5,6 нФ
Вращать сердечник катушки до получения максимального показания выходного вольтметра, которое должно быть не менее 0,63 В
Подать сигнал от генератора поля ГСВ1
Вращать сердечник катушки до появ- Операцию ления сигнала настройки на выходеповторить
приемника2—3 раза
Вращать ротор конденсатора до появления сигнала настройки на выходе приемника
Вращать сердечник катушки до появления сигнала настройки на выходе приемника
Проверить частоту
Продолжение таблицы 7.3
Наименование операции
Частота настройки, кГц
Показание генератора, мВ
Положение указателя частоты настройки приемника
Настраиваемый элемент
Методика настройки, проверки
Примечание
4. Настройка
Подать сигнал от генератора поля.
входного контура
СВ
560
5
Правое
L1
Ручкой настройки приемника настроиться на сигнал по максимальному показанию выходного вольтметра Передвигая катушку вдоль феррито
Операцию
ДВ
1400
160
8
Левое
Правое
С5
L2
вого стержня, добиться максимального показания выходного аольтметра Вращая ротор конденсатора, добиться максимального показания выходного вольтметра
Передвигая катушку вдоль ферритово
повторить 2—3 раза до получения полного сопряжения
Повторить
5 Укладка диапазона КВ41м
250
7,2 МГц
1-10
Левое
Среднее
С4
L9
го стержня, добиться максимального показания выходного вольтметра Настроиться на сигнал Вращая ротор конденсатора, добиться максимального показания выходного вольтметра Поочередно поднося к катушкам L1 (в диапазоне СВ) и L2 (в диапазоне ДВ) ферритовый и медный наконечник индикаторной палочки«медь-феррит» и одновременно следя за показанием выходного вольтметра, убедиться в том, что выходное напряжение при этом уменьшается Зафиксировать катушки церезином
Подать сигнал от ГСВ1 в точку 1 платы через эквивалент антенны
Вращать сердечник катушки до появ
2—3 раза
Выходное напряжение должно быть не менее 0,63В
КВ49м
КВ25м
КВ31м
6 Проверка границ диапазона:
КВ49м
КВ41м
КВ31м
КВ25м
7 Настройка входных контуров
КВ25м
6,1 МГц
11,8Мгц
9,6МГц
5,95 МГц
6,2 МГц
7,1 МГц
7,3 МГц
9,5 МГц
9,77 МГц
11,7 МГц
12,1 МГц
11,8МГц
1-10
75мкВ
Правое Левое Правое Левое Правое Левое Правое Левое
Среднее
С34
L7
С25
L11
ления сигнала настройки на выходе приемника
Вращать ротор конденсатора до появления сигнала настройки на выходе приемника
Вращать сердечник катушки до появления сигнала настройки на выходе приемника
Вращать ротор конденсатора до появления сигнала настройки на выходе приемника
Убедиться в наличии сигнала зеркального канала выше частоты основного сигнала
Убедиться в наличии сигнала
Тоже
Убедиться в наличии сигнала
Тоже
Установить регулятор громкости в положение максимального усиления Настроиться на сигнал
Вращать сердечник катушки до получе
Выходное
КВ31м
9,6 МГц
Среднее
С35
ния максимального показания выходного вольтметра
Вращать ротор конденсатора до полу
напряжение должно
чения максимального показания выходного вольтметра
быть не менее 0,63В
Окончание таблицы 73
Наименование операции
Частота настройки, кГц
Показание генератора, мВ
Положение указателя частоты настройки приемника
Настраиваемый элемент
Методика настройки, проверки
Примечание
КВ41м
КВ49м
Настройка контуров ПЧ ЧМ
Уклвдка и проверка границ диапазона
7,2 МГц
6,1 МГц
10,7 МГц
1-10
Среднее
Среднее
Любое (УКВ1 или УКВ2)>
ив
С26
L18
L17
Вращать сердечник катушки до получения максимального показания выходного вольтметра
Вращать ротор конденсатора до получения максимального показания выходного вольтметра
Подать сигнал от ГСВ2 (частота модуляции 1000 Гц, М=0,3) через конденсатор 5,6 нФ на вывод 14 DA1
Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра при минимальных искажениях синусоиды сигнала на экране осциллографа
При наличии прибора для исследования частотных характеристик типа
Х1 -48 настройку катушки L18 производить с целью получения симметрии S-кривой.
Подать через экаивалент антенны сигнал (частота модуляции 1000 Гц, М=0,3) от ГСВ2 в точку 1 платы или на сложенную телескопическую антенну
УКВ2
86,5 МГц 109-111 110-МГц
0,1-1
Крайнее правое Крайнее левое
L12
Изменяя расстояние между витками, найти сигнал настройки на выходе приемника
Убедиться в наличии сигнала
УКВ1
10. Настройка входных и УРЧ кон- туроа
64,8 МГц
75-77 МГц
Крайнее правое Крайнее левое
L13
Изменяя расстояние между витками, найти сигнал настройки на выходе приемника Убедиться в наличии сигнала
Подать через эквивалент антенны сигнал (частота модуляции 1000 Гц, М=0,3) от
ГСВ2 в точку 1 или на сложенную телескопическую антенну
УКВ2
88МГц
106 МГц
100
Правое
Левое
L14
С37
Изменять расстояние между витками катушки до получения максимального показания выходного вольтметра Вращать ротор конденсатора до получения максимального показания выходного вольтметра
Операцию повторить 2—3 раза до получения полного сопряжения
УКВ1
66МГц
73МГц
100
Правое
Левое
L15
. 041
Изменять расстояние между витками катушки до получения максимального показания выходного вольтметра Вращать ротор конденсатора до получения максимального показания выходного вольтметра
УКВ2
96МГц
75 мВ
Середина
L6
Изменять расстояние между витками до получения максимального показания выходного вольтметра
УКВ1
69МГц
75 мВ
Середина
С21
Вращать ротор конденсатора до получения максимального показания выходного вольтметра
ИСПЫТАНИЕ И КОНТРОЛЬ ПОСЛЕ РЕМОНТА РАДИОПРИЕМНИКА «ОКЕАН РП-245»
После ремонта приемник проверяют по следующим параметрам:
диапазон принимаемых частот;
чувствительность, ограниченная шумом;
максимальная выходная мощность;
отсутствие дребезжания, возбуждения и генерации.
Примечание. Выбор параметров, по которым проводят испытания после ремонта, зависит от выявленной неисправности, характера ремонта.
7.4.1. Методика проверки параметров и электропрогонка радиоприемника
Проверку параметров проводят при питании приемника от источника питания напряжением 6,0±0,12 В.
Проверку параметров в диапазонах ДВ, СВ проводят, используя однорамочный генератор поля.
Величину чувствительности (значение напряженности поля Е) в милливольтах на метр в точке расположения МА приемника на расстоянии 0,6 м от однорамочного генератора вычисляют по формуле:
Е = 0,1 U,
где U — показание генератора ГСВ1, мВ.
При проверке параметров в диапазоне КВ сигнал от ГСВ1 подают на сложенную ТА через эквивалент антенны. Величину чувствительности определяют по формуле:
^~ ивх/Ьд,
где UBX — показание генератора ГСВ1, мВ;
кд — 0,3 м (действующая высота штыревой антенны).
При проверке параметров в диапазоне УКВ сигнал от ГСВ2 подают на сложенную ТА через соответствующий эквивалент антенны.
Величину чувствительности, ограниченной шумом, по напряженности поля (Е) в микровольтах на метр вычисляют по формуле:
„ ^вхт экв
Ь = ,
^д
где 1/вх — показание генератора ГСВ2, мВ;
тэкв = 0,66 — модуль коэффициента передачи антенны;
кд = 0,4 м(УКВ1); 0,5 м(УКВ2) — действующая высота ТА.
Диапазон принимаемых частот определяют следующим образом:
на вход приемника от ГСВ1 (ГСВ2) поочередно подают сигнал с частотой, соотносимой с установленным диапазоном в его начале и конце и уровнем в соответствии с табл. 7.3;
вращая ручку настройки приемника, убедиться (по максимальному показанию выходного вольтметра), что оба крайних сигнала находятся в пределах шкалы приемника.
Чувствительность, ограниченную шумом, в диапазонах ДВ, СВ, КВ проверяют на частотах 200, 1000 кГц, 6,1; 7,2: 9,6; 11,8 МГц соответственно.
На вход приемника от ГСВ1 подают сигнал с частотой модуляции 1000 Гц, М = 0,3, значением напряженности поля 2,0; 1,0; 0,2 мВ/м соответственно.
Настраивают приемник на сигнал по максимальному показанию выходного вольтметра. Регулятором громкости устанавливают выходное напряжение, равное 0,63 В. Снимают модуляцию и измеряют напряжение шума на выходе приемника. Показание выходного вольтметра не должно превышать 0,06 В.
Чувствительность, ограниченную шумом, в диапазоне УКВ1 и УКВ2 проверяют на частотах 69 и 98 МГц соответственно.
На вход приемника подают сигнал частотой модуляции 1000 Гц, девиацией 15 кГц (УКВ1) или 22,5 кГц (УКВ2) и уровнем 70 мкВ/м.
Настраивают приемник на сигнал по максимальному показанию выходного вольтметра. Регулятором громкости устанавливают значение выходного напряжения, равное 0,63 В. Снимают модуляцию и измеряют напряжение шума на выходе приемника. Значение его не должно превышать 0,031 В. При работе от радиотестера TR- 0608 чувствительность приемника в диапазоне УКВ1 будет в 1,5 раза ориентировочно выше в связи с тем, что фиксированная девиация частоты прибора равна 25 кГц.
Для определения максимальной выходной могцности на вход приемника в диапазоне СВ подают сигнал частотой 1000 Гц, уровнем 10 мВ/м с частотой модуляции 1000 Гц, М=0,8.
Регулятором громкости устанавливают выходной сигнал такого уровня, при котором на подключенном к выходу приемника осциллографе наблюдается ограничение синусоиды. При этом напряжение на выходном вольтметре должно быть не менее 1,4 В.
Отсутствие дребезжания, возбуждения, генерации проверяют путем прослушивания радиовещательных станций при разных положениях регулятора громкости и при выходной мощности не более номинальной.
Для выявления и устранения дефектов приемника после ремонта рекомендуется электропрогон, заключающийся в том, что приемник настраивают на местную радиостанцию и оставляют работающим при средней громкости в течение часа, периодически переключая диапазоны.
8.1. ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СХЕМЫ РАДИОПРИЕМНИКОВ«МЕРИДИАН РП-348», «РОКС», «СЕЛЕНА 401...403»
Значения напряжений по постоянному току на электродах транзисторов относительно вывода "общий" (минус 68)
Рис. 8.1.1. Принципиальная электрическая схема радиоприемника «Меридиан РП-348»
070
А1
НН
21
ГП
ШНгц ru
УРЧ.ПЧРАМ
L15
сГ^У 046 L
СБ^47мкх6,ЗБ
R18
047 <?| $| //7| ПУТ2
1000 у5Ж
150 иб
065
Ц01мк
C46V
6
\13\
14
058 ^4700
50мкВ
W3mk
УЮмВ
R14
036
041
R35\Z |/
ЛбЗб.
rW
R33 6
упч
^аду
ЫЧ
fWT)l?71
042 зт
УПЧ ЧМ детектор
L12
R27
331Г
029 0,035мк Rll^
SA14
R12 1 ^
ктч
~30мВ о 062 аоззмк \1кГц I № о^-
053
7181 . DA4 ) Ц17ЧХАЮ.
Skceo
№
SA3.1
? R30 2.100k
Юк
066
г22бО । -^. аембрВ^
Г VT3A3.2; ; с_‘-rilt&i^H^
8
R23
УЗЧ nC^ 2
R15 TOOK
С51Г О,Об8мк
"Т47мк*
6,3В
DA2
КП4УН7
УПЧ, am 6етеуор_ УУ
40-^19
КЮмкХбЗВ
| 057 КТЗ\ УПОмккб^
330 Ж
Ш
032
1к!ц
SA1.6С31
7мк
22 !
4,7 |-L
SA1529
."30
Настрой^-
045
~~4^и<к63В
R29
Get* |
I VD2 ®КИПД025-1К(
ВА1
•68
Таблица 8.1.1. Значение напряжений по постоянному току между выводами микросхем и выводом «общий» (-6В) (рис. 8.1.1)
Поз.
обозн.
Режим
Напряжение, В
Номера выводов
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
DA1—05,45,405,402,72,700,71,40,71,40——
DA2—6005,80,71,230,10003---—
DA3—0,50001,40,701,45,45,45,45,45,42,5—3,0 ——
DA4АМ1,11,105,45,001,21,201,202,86661,2
ЧМ 1,21,205,65,6001,401,202,86662,3
Таблица 8.1.2. Функциональное назначение элементов (рис. 8.1.1)
Регулировочный элемент
Выполняемая функция
С5
С9 СЮ
С22 С24 С26 С31
L1 L2
L3 L4
L5 L6
L7 L8
L9 L10
L11
L12 L13
L14 L15
L16
R17 R23 R25 R33
Настройка антенного контура ДВ на частоту 260 кГц Настройка антенного контура СВ на частоту 1400 кГц Настройка контура УВЧ УКВ на частоту 73МГц Настройка контура гетеродина ДВ на частоту 290 кГц Настройка контура гетеродина УКВ на частоту 75 МГц Настройка контура гетеродина СВ на частоту 1630 кГц Настройка контура гетеродина КВ1 на частоту 9,9 МГц Настройка входного контура УКВ на частоту 69 МГц Настройка антенного контура ДВ на частоту 160 кГц Настройка антенного контура СВ на частоту 560 кГц Настройка антенного контура КВ2 на частоту 11,8 МГц Настройка антенного контура КВ1 на частоту 9,6 МГц Настройка контура УВЧ УКВ на частоту 66 МГц Настройка контура гетеродина на частоту 65 МГц Настройка контура ПЧ УКВ на частоту 10,7 МГц Настройка контура гетеродина ДВ на частоту 140 кГц Настройка контура гетеродина СВ на частоту 520 кГц Настройка контура гетеродина КВ2 на частоту 11,6 МГц Настройка S-кривой тракта ПЧ ЧМ
Настройка контура ПЧ АМ на частоту 465 кГц Настройка S-кривой тракта ПЧ ЧМ
Настройка контура ПЧ АМ на частоту 465 кГц
Настройка режекторного фильтра на частоту 465 кГц Регулировка усиления УЗЧ
Регулировка порога срабатывания индикатора VD2 Регулировка усиления тракта ПЧ АМ Регулировка усиления УРЧ
Функциональная схема микросхемы К157ХА1
Функциональная схема микросхемы К174 ПС1
Функциональная схема микросхемы К174ХА10
УВЧ
Балансный смеситель и УПЧ
Гетеродин
Кон.
Цепь
/
Вход УВЧ
13
Вход АРУ
14
Выход УВЧ
2
Общий
9
+Unum.
10
Выход УПЧ
11
Вх. смесит.
12
Выход УПЧ
5
Выход гетер.
6
Коррекция
8
Коррекция
7
Общий
АМ ЧМУПЧ
АМ/ЧМдемодулятор ~|
Смеситель УВЧ
Кон.
Цепь
- 16
Блокировка АРУ
- 15
Выход АПЧ
" 14
Зход демодуляторе
- 13
+Unum.
- 12
Выход УЗЧ
- 11
Земля 34
-10
Блокировка (ОС 34)
- 9
Вход У34
- 8
Выход АП4, демод
- 7
Вход2УВ4АМ
-_6_
Вход 7 УВ4 АМ
5
Вывод контура гетеродина
3
Общий
- ц
Выход смесит. АМ
- 2
Вход 2 УПЧ
- 1
Вход 1 УПЧ
УПТ f УПТ
Стабилизатор
УЗЧ
I АМ гетеродин
Функциональная схема микросхемы К174УН7
Стабилизатор
УЗЧ
г
Кон
Цепь
1
+Unum.
Ч
Вывод
7
Фильтр
6
Обрат, связь
8
Вход
12
Выход
10
Вывод
5
Коррекция
9
Общий
Схема сдвига уровня
Рис. 8.1.2. Функциональные схемы микросхем: а — К174ПС1; б — К174ХА10; в — К157ХА1; г — К174УН7
Расположение выводовРасположение выводов1ГДШ-61ГДШ-6КППКППК17ЧХА1075лпппплпп £КлючQ/ ТППЛГЕПЛПТ^К17ЧХА1075лпппплпп £КлючQ/ ТППЛГЕПЛПТ^К17ЧПС1К17ЧПС1Расположение выводов транзисторов, диодов, переключателейРасположение выводов транзисторов, диодов, переключателейРасположение выводов катушек индуктивностейРасположение выводов катушек индуктивностей
Расположение выводов
Расположение выводов
1ГДШ-6
1ГДШ-6
КПП
КПП
К17ЧХА1075лпппплпп £КлючQ
/ ТППЛГЕПЛПТ^
К17ЧХА1075лпппплпп £КлючQ
/ ТППЛГЕПЛПТ^
К17ЧПС1
К17ЧПС1
Расположение выводов транзисторов, диодов, переключателей
Расположение выводов транзисторов, диодов, переключателей
Расположение выводов катушек индуктивностей
Расположение выводов катушек индуктивностей
конденсатора, микросхем и головки динамической
6
Рис. 8.1.3. Расположение выводов радиоэлементов- а — микросхемы, конденсатор, головка динамическая; б — транзисторы, диоды, переключатели; в —выводы катушек индуктивностей
ОО
Cl С2 С5.1
-6
"За7мк
^ 7,2В/
Т82
=vC3jL3 39У°
СО4/15
С9
DA2К174ХА2
СЮ
Принципиальные электрические схемы радиоприемников
7.
3
С5.2
S
9В,
£27
141
аг
с 19
КТО
1
С12
ХН2
39к
КТО
15,
SB
L9B
ат
R9
его
R5
10
14
1000 I
22мк
8
1,9В
11 Я8
L5.1J.6.2ФП101-6101
1Й^ т5=,мх
£28* №'1 мк
16 <^ХЫ1
0,38 КД521В
»УКВ“ ^Wmk35220Sk
О.ОЗЗнк
С26 DA3
\Лм1г 1 МНО.ЧЯ ыо 05#
Vх HL \7\AL3O7AH
^V7,2B R15
4№
1IW
R6
W-Шмг.
13
G8 _ 0152 корунд S<yhvJL
Наименование
С2
С9
сю
„Селена рп 901“
36
62
ТОО
„Селена РП 903“
—
—
200
4,Тк
Рис. 8.1.4. Принципиальная электрическая схема радиоприемника «Селена РП-401...403»
к/Л
1 С1
R327k
R11 51
ГЛАВА 8
СЧ
9
R1 225к
КД522Б
=4= С2
\ I 0,015мк
) У7_1
К73126А
R2
JS2.
180
DA1 17XAQ58 \15
1
VD2 --КД522Б
ЙК7
Ч7к
11
12
2
13
14
18
12 62
< R16
R12 [Л RA 6,вк И 180к
'AL3O7AM
R10
330
6В
г R17
V73 "КТ315Б
015 ' "3355
016 220мк
СП ДОЗЗмк
С13 W
VT4 КТ361Г
R21
3,3к
_£Ю. ТООмк
XS1
Тк2
ВА 0,5ГДШ-15
07 _СД_
0,033мб 3300
Выкл'.
RG
012 " ЗЗмк
Рис. 8.1.5. Принципиальная электрическая схема радиоприемника «Рокс»
R8
Т7к
R10
390k
R19680
V76 'К7816А
8.2. УЗЧ НА МИКРОСХЕМАХ ЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА
Рис. 8.2.1. Схема включения микросхем моно УЗЧ (табл. 1)
Таблица 8.2.1
Тип
микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
AF, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
А205К
4...20
4,5
4
40...15
15
TABS3-12
А208Е
4...15
1,3
4
40...15
15
TABS3-12
А208К
4...20
5
4
40...15
20
TABS3-12
А210Е
4...15
1,3
4
40...15
15
TABS3-12
А210К
4...20
5
4
40...15 ,
20
TABS3-12
DG810DS
4...20
6
4
30...18
12
TABS3-12
МА783
4...30
9
4
30...20
20
TABS3-12
TBA310AS
6...20
6
4
30...18
20
TABS3-12
TBA790D
6...14
2,5
8
30...18
6
TABS3-12
TBA79OU
6...14
2,5
8
30...18
6
TABS3-12
TBA79OS
6...14
2,5
8
30...18
6
TABS3-12
ТВА79ОТ
6...14
2,5
8
30...18
6
TABS3-12
ТВА810
4...20
7
4
30...18
12
TABS3-12
TBA81OAS
4...20
7
4
30...18
12
TABS7-12
ТВА810АТ
4...20
7
4
30...18
12
TABS3-12
TBA810DS
4...20
7
4
30. .18
12
TABS7-12
TBA810DAS
4...20
7
4
30. .18
12
TABS6-12
TBA810S
4...20
7
4
30...18
12
TABS3-12
ТВА810Т
4...20
7
4
30...18
12
TABS3-12
TCA150D
6...18
5
4
30...18
13
TABS3-12
TCA150U
6...18
5
4
30...18
13
TABS3-12
TCA150S
6...18
5
4
30...18
13
TABS6-12
ТСА150Т
6...18
5
4
40...18
11
TABS3-12
ТСА830
4...20
4
4
30...18
10
TABS7-12
ТСА830А
4...20
3,4
4
30...18
10
TABS3-12
TCA830S
4...20
4,2
4
30...18
10
TABS3-12
ТСА940
6...24
10
4
20...20
20
TABS3-12
ТСА940Е
6...24
6,5
8
20...20
20
TABS7-12
UL1440
6...24
10
4
30...20
35
TABS3-12
UL1481P
6...20
6
4
40... 20
38
TABS3-12
К174УН7
9...18
4,5
4
30...18
20
TABS3-12
К174УН9
12...20
5
4
30...18
30
TABS3-12
Рис. 8.2.2. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 2)
Таблица 8.2.2
Тип микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
AF, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
А1034Р
1,6-6
2x30мВт
32
20-20
14
DIP-16
AN7108
1,6-6
2x30мВт
32
20-20
14
DIP-16
CD1034
1,5-9,5
2x0,38
32
20...10
13
DIP-16
СХА1005Р
1,5-9,5
2x0,38
32
20-20
13
DIP-16
СХА1034Р
1,5-9,5
2x0,35
32
20-20
13
DIP-16
D1005P
1,5-9,5
2x0,35
32
20-20
13
DIP-16
КА22132
1,6-6
2x30мВт
32
20-20
14
DIP-16
Рис. 8.2.3. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 3)
Таблица 8.2.3
Тип
микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh,
Ом
AF,
Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
A2000V
3,5...28
2x6,25
4
30...20
30
SIP1-11
A2005V
3,S...28
2x6,5
4
30...20
75
SIP1-11
LM2005
8...18
2x10
2
30...20
70
SIP1-11
TDA2004
8...18
2x12
2
20-20
65
SIP1-11
TDA2005
8...18
2x10
2
20-20
65
SIP1-11
TDA2005M
8...18
2x10
2
20-20
65
SIP1-11V
МРС2005
8...18
2x10
2
30-20
75
SIP1-11
100,0
Рис. 8.2.4. Схема включения микросхем моно УЗЧ (табл. 4)
Таблица 8.2.4
Тип
микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh,
Ом
AF, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
MDA2010
±5...±18
10
4
30-20
140
SDIP-14
MDA2020
±5—±20
15
4
30-20
140
SDIP-14
TDA2010
±5...±18
12
4
30-20
45
SDIP-14
TDA2020
±5-22
20
4
20-20
60
SDIP-14
TDA2020D
±5-30
30
4
20-20
60
SDIP-14
К174УН11
±5...±18
15
4
20...20
100
SDIP-14
то
100,0100,0Проб.5х>Проб.5х>Леб.Вх. >Леб.Вх. >Таблица 8.2.5
100,0
100,0
Проб.
5х>
Проб.
5х>
Леб.
Вх. >
Леб.
Вх. >
Тип микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
AF, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
А2030
±6..+18
16
4
30...20
60
ТО-220
LM1875
20...60
25
4
20... 20
70
ТО-220
TDA2006
±6...±15
10
4
20... 20
40
ТО-220
TDA2030
+6..+18
14
4
20... 20
40
ТО-220
TDA2030A
±6..+22
18
4
20... 20
50
ТО-220
TDA2040
+3..+20
20
4
20...20
45
ТО-220
TDA2040A
±4.. +20
24
4
20... 20
45
ТО-220
МPC1238
±6..+15
8
8
20...20
60
ТО-220
К174УН19
±6..+18
15
4
30...20
56
ТО-220
Рис. 8.2.6. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 6)
Таблица 8.2.6
Тип
микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
AF, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
AN7143
5...24
2x2
4
40...18
20
SIP1-12
AN7147
9...24
2x5,8
3
30...18
12
SIP1-12
AN7149N
9...24
2x5,3
3
30...18
13
SIP1-12
AN7168
12...24
2x5,8
4
30...20
55
SIP1-12
AN7169
12...24
2x5,8
4
30... 20
55
SIP1-12
AN7176
12...24
2x7,5
4
20... 20
60
SIP1-12
AN7178
12...18
2x2,8
4
30...18
40
SIP1-12
НА1377
10...18
2x5,8
4
20...20
80
SIP7-12
НА1377А
10...18
2x7
4
20...20
80
SIP7-12
НА1392
8...18
2x4,3
4
30...18
36
SIP7-12
НА1398
8...18
2x5,8
4
20... 20
80
SIP1-12
НА13102
9...18
2x5,5
4
•20...20
80
SIP1-12
НА13108
9...18
2x5,5
4
30... 20
80
SIP1-12
M5160L
12...30
2x7,5
4
30... 20
40
SIP6-12
ULX3777
1,8...15
2x1,2
4
30...18
6
SIP1-12
100,0100,0470470100R 33.0100R 33.0Hhr-t-o+i/сг .^Hhr-t-o+i/сг .^100100бб77220,22~+"1000,0-^Нн Вых.0,22~+"1000,0-^Нн Вых.33,033,051к51к10104447,047,0Леб. 3,3Леб. 3,35/к5/к151547,047,01212100R 33,0100R 33,0131813183,9 163,9 16171714141000,0— Вых.лЛеб.1000,0— Вых.лЛеб.0,220,22
100,0
100,0
470
470
100R 33.0
100R 33.0
Hhr-t-o+i/сг .^
Hhr-t-o+i/сг .^
100
100
б
б
7
7
2
2
0,22
~+"1000,0
-^Нн Вых.
0,22
~+"1000,0
-^Нн Вых.
33,0
33,0
51к
51к
10
10
4
4
47,0
47,0
Леб. 3,3
Леб. 3,3
5/к
5/к
15
15
47,0
47,0
12
12
100R 33,0
100R 33,0
13
18
13
18
3,9 16
3,9 16
17
17
14
14
1000,0
— Вых.
лЛеб.
1000,0
— Вых.
лЛеб.
0,22
0,22
330,0470 700
Рис. 8.2.7. Схема включения микросхем стерео У34 (табл. 7)
Таблиир 8.2.7
Рис. 8.2.8. Схема включения микросхем моно У34 (табл. 8)Рис. 8.2.8. Схема включения микросхем моно У34 (табл. 8)
Рис. 8.2.8. Схема включения микросхем моно У34 (табл. 8)
Рис. 8.2.8. Схема включения микросхем моно У34 (табл. 8)
Тип
микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
ДЕ
Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
AN7145L
6...20
2x1
4
40...18
25
SDIP-18
AN7145M
9...20
2x2,4
4
40...18
30
SDIP-18
AN7145H
12...24
2x7,5
4
40...18
40
SDIP-18
AN7146M
9...20
2x2,3
4
40...18
32
SDIP-18
AN7146H
9...20
2x4,5
4
40...18
40
SDIP-18
Таблица 8.2.8
Тип
микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
ДР, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
BW100
3...12
1
4
40... 18
15
. TABS5-14
BW101
3...12
1,5
4
40...18
15
TABS5-14
BW102
3...12
2,1
4
40...18
15
TABS5-14
DG4100
3...12
1
4
40...18
15
TABS5-14
DG4101
3...12
1,5
4
40...18
15
TABS5-14
DG4102
3...12
2,1
4
40...18
15
TABS5-14
FD41OO
3...12
1
4
40... 18
15
TABS5-14
КА4101
9...11
1,5
4
40...17
15
TABS5-14
LA4100
6...9
1
8
41...17
15
TABS5-14
LA4101
7,5...11
1,5
4
40... 18
15
TABS5-14
LA4102
9...13
2,1
8
40...18
15
TABS5-14
SL4100
6...9
1
4
30...18
15
TABS5-14
SL4101
7,5...11
1,5
4
30... 18
15
TABS5-14
SL4102
9...13
2,1
4
30...18
15
TABS5-14
Рис. 8.2.9. Схема включения микросхем моно УЗЧ (табл. 9)
Таблица 8.2.9
Тип микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
ДР, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
BW4112
6...12
2,3
4
40...18
15
TABS5-14
FD4112
6...12
2,3
4
40...18
15
TABS5-14
FY4112
6...12
2,3
4
40...18
15
TABS5-14
LA4110
6...11
1
4
40...18
15
TABS5-14
LA4112
9...11
2,3
4
30...18
15
TABS5-14
SL4110
6...11
1
4
30...18
15
TABS5-14
SL4112
6...11
2,3
4
30...18
15
TABS5-14
Х4112
9...15
3
3,2
30...18
25
TABS5-14
47,047,010(№ ^Ucc10(№ ^Ucc100,0100,012141391103б4512141391103б4547.0" "47.0" "22,022,0WORWOR5050560560мИ Г] Вых.мИ Г] Вых.0,150,15
47,0
47,0
10(№ ^Ucc
10(№ ^Ucc
100,0
100,0
12
14
13
9
1
103
б
45
12
14
13
9
1
103
б
45
47.0" "
47.0" "
22,0
22,0
WOR
WOR
50
50
560
560
м
И Г] Вых.
м
И Г] Вых.
0,15
0,15
Рис. 8.2.10. Схема включения микросхем моно У34 (табл. 10)
Таблица 8.2.10
Тип микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh,
Ом
АР, Гц ..кГц
IccO, мА
Корпус
СА2002
11...18
5,2
4
30...20
45
ТО-220
СА2002М
11...18
8
2
30...20
45
ТО-220
СА2004
8...26
8
8
30... 20
40
ТО-220
СА2004М
8...26
12
4
30...20
40
ТО-220
LM383
5...22
7
4
30...20
45
ТО-220
LM383A
5...22
7
4
30...20
45
TO-220/V
LM2002
5...20
8
2
30...20
45
ТО-220
LM2002A
5...20
8 .
2
30...20
45
TO-220/V
TDA2002
8...18
8
2
30...20
45
ТО-220
TDA2003
8...18
10
2
30...20
44
ТО-220
TDA2008
10...28
12
4
20...20
65
ТО-220
МРС2002
8...18
9
2
30...20
55
ТО-220
ULN3701Z
8...18
10
2
30...20
45
ТО-220
ULN3702Z
8...26
12
4
30...20
80
ТО-220
ULN3703Z
8...18
10
2
30...20
44
ТО-220
IX0040TA
8...18
8
4
40...20
45
ТО-220
К174УН14
8...18
4,5
4
40...20
45
ТО-220
Таблица 8.2.11
Тип микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
AF, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
D724OP
9...18
2x5,8
4
20...20
80
SIP3-12
KIA7299
10...18
2x5
4
30...18
40
SIP3-12
ТА7240Р
9...18
2x5,8
4,
20...20
80
SIP1-12
ТА7263Р
9...18
2x5,8
4
30... 20
80
SIP2-12
ТА7264Р
9...18
2x5,8
4
30...20
80
SIP2-12
ТА7270Р
9...18
2x5,8
4
20... 20
80
SIP1-12
ТА7299Р
9...18
2x5,8
4
20.. 20
80
SIP1-12
Рис. 8.2.12. Схема включения микросхем моно У34 (табл. 12)
Таблица 8.2.12
Тип
микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
AF, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
ESM231N
9...24
18
4
30...20
25
SDIP-14'
ESM432
9...28
20
4
20...20
25
SDIP-14
ESM532
9...30
10
8
20... 20
25
SDIP-14
ESM632
9...24
14
4
20...20
25
SDIP-14
ESM732
9...18
8
2
20...20
25
SDIP-14
TDA1056
9...26
12
4
20...20
25
TABS3-12
UL1465N
6...12
0,65
15
40... 18
6
SDIP-14
UL1496R
6...12
1,2
8
40...18
6
SDIP-14
UL1497R
6...15
2,1
8
40...18
6
SDIP-14
UL1498R
6...12
2,1
4
40...18
6
SDIP-14
Проб.Кн Вых.Проб.Кн Вых.
Проб.
Кн Вых.
Проб.
Кн Вых.
Таблица 8.2.13
Тип микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
AF, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
КА2206
5...15
2x2,3
4
40...18
40
TABS7-12
КА22061
6...14
2x2,3
8
40. .18
45
TABS7-12
LA4180
6...12
2x1
4
40...18
40
TABS7-12
LA4182
8...16
2x2,3
4
40...18
45
TABS7-12
LA4183
8...16
2x2,3
4
40...18
40
TABS7-12
LA4550
6...13
2x2,1
4
40...18
15
TABS7-12
LA4555
6...13
2x2,3
4
40...18
15
TABS7-12
LA4558
6...13
2x2,4
4
30...18
15
TABS7-12
Прав.
Вх.у
Леб.
Вх.у
Рис. 8.2.14. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 14)
Таблица 8.2.14
Тип микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
AF, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
КА2209
1,8...9
2x0,65
4
30-18
9
DIP-8
NJM2073
1,8-15
2x1
4
30-18
6
DIP-8
TDA2822M
2...15
2x1
4
30-18
6
DIP-8
U2822B
1,8-10
2x0,22
8
100...20
7,5
DIP-8
U2823B
1,8-10
2x0,22
8
100-20
7,5
DIP-8
Таблица 8.2.15
Тип
микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
AF, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
STKO30
±25
24
8
20...20
70
SIP10-10
STKO58
±25
24
8
20...20
60
SIP10-10
STKO75
±20
15
8
20... 20
50
SIP10-10
STKO77
±32
20
8
20...20
50
SIP10-10
STKO78
±35
24
8
20...20
60
SIP10-10
STKO80
±39
30
8
20...20
60
SIP10-10
STKO82
±43
35
8
20... 20
60
SIP10-10
STKO83
±46
40
8
20 ..20
60
SIP10-10
STKO84
±55
50
8
20... 20
100
SIP10-10
STKO86
±55
70
8
20...20
60
SIP10-10
Рис. 8.2.16. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 16)
Таблица 8.2.16
Тип микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Rh, Ом
AF, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
STK430
34
2x25
8
20...20
50
SIP10-15
STK433
32
2x25
8
20...20
60
SIP10-15
STK437
50
2x10
8
20...20
60
SIP10-15
STK435
39
2x7
8
20... 20
60
SIP10-15
STK439
56
2x15
8
20...20
60
SIP10-15
STK441
63
2x20
8
20... 20
60
SIP10-15
STK443
70
2x25
8
20...20
60
SIP10-15
STK4332
23
2x5
8
50...50
120
SIP10-15
STK4352
27
2x7
8
40...50
120
SIP10-15
STK4362
33
2x10
8
20...50
120
SIP10-15
STK4372
35
2x12
8
20...50
120
SIP10-15
STK4392
39
2x15
8
20...50
120
SIP10-15
100,0100,00,10,1ЗЗкЗЗк330R330RПроб 0,1Проб 0,122к22к330R330RЗЗкЗЗк100,0100,031416153141615Леб. 22кЛеб. 22к100,0*Ucc °"100,0*Ucc °"100R100R998 6 78 6 74413133,3к3,3к3,3к3,3кгого5 12 11 -'5 12 11 -'100,0100,01кZZH1кZZH^0,1_Т Проб.RH Вых.^0,1_Т Проб.RH Вых.'47,0 47,0'47,0 47,0R»R»Леб.Леб.П ВЫХ. Ll4,7RП ВЫХ. Ll4,7R0,10,1
100,0
100,0
0,1
0,1
ЗЗк
ЗЗк
330R
330R
Проб 0,1
Проб 0,1
22к
22к
330R
330R
ЗЗк
ЗЗк
100,0
100,0
3
14
16
15
3
14
16
15
Леб. 22к
Леб. 22к
100,0*Ucc °"
100,0*Ucc °"
100R
100R
9
9
8 6 7
8 6 7
4
4
13
13
3,3к
3,3к
3,3к
3,3к
го
го
5 12 11 -'
5 12 11 -'
100,0
100,0
1к
ZZH
1к
ZZH
^0,1
_Т Проб.
RH Вых.
^0,1
_Т Проб.
RH Вых.
'47,0 47,0
'47,0 47,0
R»
R»
Леб.
Леб.
П ВЫХ. Ll4,7R
П ВЫХ. Ll4,7R
0,1
0,1
~Ucc ^
Рис. 8.2.17. Схема включения микросхем стерео У34 (табл. 17)
Таблица 8.2.17
Тип микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Пн, Ом
ДЕ
Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
STK457
±18
2x10
8
20...20
60
SIP10-15
STK459
±31
2x15
8
20...20
60
SIP10-15
STK460
±32
2x20
8
20...20
60
SIP10-15
STK461
±33
2x20
8
20...20
60
SIP10-15
STK463
±38
2x25
8
20...20
60
SIP10-15
STK465
±41
2x30
8
20...20
60
SIP10-15
Таблица 8.2.18
Тип
микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Пн, Ом
ДР, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
STK4017
26
6,5
8
30...100
50
SIP10-10
STK4019
32
10
8
30... 100
50
SIP10-10
STK4021
38
15
8
30... 100
50
SIP10-10
STK4023
44
20
8
30...100
50
SIP10-10
STK4025
48
25
8
30... 100
50
SIP10-10
Рис. 8.2.19. Схема включения микросхем моно У34 (табл. 19)
Таблица 8.2.19
Тип
микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Пн, Ом
ДР, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
STK4024
±23
20
8
20...50
50
SIP10-15
STK4026
±26
25
8
20...50
50
SIP10-15
STK4028
±27
30
8
20...50
50
SIP10-15
STK4030
±30
35
8
20...50
50
SIP10-15
STK4032
±32
40
8
20...50
50
SIP10-15
STK4034
±33
45
8
20...50
50
SIP10-15
STK4036
±35
50
8
20...50
50
SIP10-15
STK4038
±38
60
8
20...50
120
SIP10-15
STK4040
±42
70
8
20...50
120
SIP10-15
STK4042
±45
80
8
20...50
120
SIP10-15
STK4044
±51
100
8
20...50
120
SIP10-15
*^сс о
100,0
1008 юо'°
560R
Проб. 0,1
56к
11
- 2
12
22)
10
2,2к97.0
^■0,1 Ъ,78
~* 8 Ом
0,1
560R
Леб 22к
5
16
15
18
17
9,14
56к I
100,0
100,0
1к
1к
13
8 7 4
1008
6 ~Ucc
ПО
2,2к
2^
2к
Rh
80м
4,78
0,1
+ ТООЛ
+ 100,0 -L-
Вых.
Леб.
Вых.
Рис. 8.2.20. Схема включения микросхем стерео У34 (табл. 20)
Таблица 8.2.20
Тип
микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Пн, Ом
ДР, Гц...кГц
IccO, мА
Корпус
STK4101
±13,2
2x6
8
20...50
100
SIP10-18
STK4111
±17
2x10
8
20...50
100
SIP10-18
STK4121
±20
2x15
8
20...50
100
SIP10-18
STK4131
±23
2x20
8
20...50
100
SIP10-18
STK4141
±26
2x25
8
20...50
100
SIP10-18
STK4151
±27
2x30
8
20...50
100
SIP10-18
STK4161
±30
2x35
8
20...50
100
SIP10-18
STK4171
±32
2x40
8
20...50
100
SIP10-18
STK4181
±33
2x45
8
20...50
100
SIP10-18
STK4191
±35
2x50
8
20...50
100
SIP10-18
■vUrr97,0 СС о-■vUrr97,0 СС о-Проб. 1к Bx>-CLПроб. 1к Bx>-CLЛеб.Леб.ЮОкЮОк1,2к1,2к88737312127х7х1008 Ю0-°1008 Ю0-°829,7 Т829,7 Т970 4= 22к970 4= 22к970^ 22к970^ 22к^9,782^9,7821,2к1,2к\970R\970Rч^ао?ч^ао?161516156ЮОк Т6ЮОк Т197 11197 1139-г 6739-г 679.7R9.7R97,097,03,3к3,3к39=. 0,139=. 0,13,3к97.03,3к97.0Леб.9,7RЛеб.9,7R56OR 100,056OR 100,097OR97OR"Ucc lK"Ucc lK
■vUrr97,0 СС о-
■vUrr97,0 СС о-
Проб. 1к Bx>-CL
Проб. 1к Bx>-CL
Леб.
Леб.
ЮОк
ЮОк
1,2к
1,2к
8
8
73
73
12
12
7х
7х
1008 Ю0-°
1008 Ю0-°
82
9,7 Т
82
9,7 Т
970 4= 22к
970 4= 22к
970^ 22к
970^ 22к
^9,7
82
^9,7
82
1,2к
1,2к
\970R
\970R
ч^ао?
ч^ао?
16
15
16
15
6
ЮОк Т
6
ЮОк Т
19
7 11
19
7 11
39-г 67
39-г 67
9.7R
9.7R
97,0
97,0
3,3к
3,3к
39=. 0,1
39=. 0,1
3,3к97.0
3,3к97.0
Леб.
9,7R
Леб.
9,7R
56OR 100,0
56OR 100,0
97OR
97OR
"Ucc lK
"Ucc lK
Рис. 8.2.21. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 21)
Таблица 8.2.21
Тип микросхемы
Vcc, В
РВых., Вт
Вн, Ом
ДР, Гц...кГц
1ссО, мА
Корпус
STK4773
±19
2x10
8
10...100
120
SIP10-16
STK4793
±22
2x15
8
10.. 100
120
SIP10-16
STK4803
±24
2x20
8
10...100
120
SIP10-16
STK4813
±24
2x20
8
10...100
120
SIP10-16
STK4833
±25
2x25
8
10. 100
120
SIP10-16
STK4843
±27
2x30
8
10...100
120
SIP10-16
STK4853
±27
2x30
8
10...100
120
SIP10-16
STK4863
±30
2x35
8
10...100
120
SIP10-16
STK4873
±30
2x35
8
10...100
120
SIP10-16
STK4893
±32
2x40
8
10...100
120
SIP10-16
STK4913
±35
2x50
8
10...100
120
SIP10-16
Рис. 8.2.22. Типы корпусов микросхем 7 Усилители, радиоприёмники.
8.3. ТРАНЗИСТОРНЫЕ КАСКАДЫ РАДИОПРИЕМНИКОВ ЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА
Рис. 8.3.1. Усилитель В4 до 100 МГц (AF106, AF114, AF 115); до 200 МГц (AF109)
Рис. 8.3.3. Усилитель В4 до 100 МГц (AF 114...АГ 117, АГ 121, АГ 124...AF 127, AF134)
Рис. 8.3.4. Преобразователь частоты до 100 МГц (AF135); до 23 МГц (AF136)
AF116
-9В
Рис. 8.3.5. Усилитель ПЧ на 10,7 МГц (АГ 116, АГ 137, АГ 166); на 455 кГц (АГ 138); на 470 кГц (АГ 172)
Рис. 8.3.6. Преобразователь частоты до 100 МГц (АГ 165); до 200 МГц (АГ 170)
7,5лФ
Рис. 8.3.7. Преобразователь частоты до 2МГц (AF185, AF188)
Рис. 8.3.8. Усилитель ПЧ на 470 кГц (AF185, AF18 7); на 455 кГц (AF256)
AFY1O
о+
Рис 839 Гетеродин на 200 МГц (АГУ 10)
AFY11
Рис 83 10 Усилитель ВЧдо 200 МГц (АГУ 11)
Рис. 8.3.11. Усилитель ВЧдо 100 МГц (BF115, BF162); до 2 МГц (BF165)
Рис. 8.3.13. Усилитель ПЧна 470 кГц (BF 184); на 455 кГц (BF243, BF233-3.4.5)
Вх.
-*-
BF199
BF291
33г
Рис. 8.3.15. Преобразователь частоты до 20 МГц (BF185, BF195, BF233-2,3,4, BF364, BF369, BF494)
Рис. 8.3.17. Усилитель ВЧдо 100 МГц (BF245)
Рис. 8.3.18. Преобразователь частоты до 100 МГц (BF255)
0,85пФ и
Рис. 8.3.19. Усилитель ПЧ на 470 кГц (BF365, BF 495, BF540р-п-р)
Рис. 8.3.20. Преобразователь частоты до 20 МГц (BF542)
Рис. 8.3.21. Преобразователь частоты до 6 МГц (SET320); до 18 МГц (SET 317); до 23 МГц (SET354)
Рис. 8.3.22. Усилитель ПЧ на 470 кГц (SET319)
SFT357
Рис. 8.3.23. Преобразователь частоты до 100 МГц (SET357)
^ОнФ
Рис. 8.3.24. Усилитель ВЧ до 100 МГц (SFT358)
Рис. 8.3.25. Усилитель ПЧ на 470 кГц (2N410,2N413A, 2N414,2N 504)
Рис. 8.3.26. Усилитель ВЧ до 100 МГц (2N499, 2N502A, 2N503); до 30 МГц (2N588)
2N 793
Рис. 8.3.27. Усилитель ВЧдо70 МГц, 0,5 Вт (2N 743 класс С)
2N1339
Рис. 8.3.28. Гетеродин 70 МГц (2N 1339...2N 1341)
Рис. 8.3.29. Гетеродин 70 МГц (2N1491)
-7,5В*ЗДВ
2N1338 2N 7392 2N1506 2N1709
Рис 8330 Усилитель ВЧдо 70 МГц (2N1338,2N1342,2N1506, 2N1709)
Рис 8 3 31 Усилитель ВЧ до 30 МГц, 1 Вт (2N1506А)
2N9255
2N9995
Вых.Вых.2N38252N38252N33932N339397к97к97к97кРис. 8333. Преобразователь частоты до 6 МГц (2N1526р-п-р); до 10 МГц (2N2712); до 2 МГц (2N3393,2N 3825,2N3843); до 100 МГц (2N4255,2N4997)Рис. 8333. Преобразователь частоты до 6 МГц (2N1526р-п-р); до 10 МГц (2N2712); до 2 МГц (2N3393,2N 3825,2N3843); до 100 МГц (2N4255,2N4997)2N1526(Р-П-Р)2N1526(Р-П-Р)
Вых.
Вых.
2N3825
2N3825
2N3393
2N3393
97к
97к
97к
97к
Рис. 8333. Преобразователь частоты до 6 МГц (2N1526р-п-р); до 10 МГц (2N2712); до 2 МГц (2N3393,2N 3825,2N3843); до 100 МГц (2N4255,2N4997)
Рис. 8333. Преобразователь частоты до 6 МГц (2N1526р-п-р); до 10 МГц (2N2712); до 2 МГц (2N3393,2N 3825,2N3843); до 100 МГц (2N4255,2N4997)
2N1526(Р-П-Р)
2N1526(Р-П-Р)
Рис. 8.3.32. Усилитель ПЧ на 450 кГц (2N 1524р-п-р);на 470кГц (2N2711,2N3393,2N3826,2N4255,2N 4994); на 10,7 МГц (2N3827)
2пФ
2N2772 2N3825 2N3893A 2N9997
Усилители, радиоприемники.
Рис. 8.3.34. Мощный усилитель ВЧ до 30 МГц, 50 Вт (2N 1900, 03); до 125 МГц, 10Вт (2N2781...2N2783)Рис. 8.3.34. Мощный усилитель ВЧ до 30 МГц, 50 Вт (2N 1900, 03); до 125 МГц, 10Вт (2N2781...2N2783)Вх.Вх.250(500)мВт250(500)мВт2N28832N2883
Рис. 8.3.34. Мощный усилитель ВЧ до 30 МГц, 50 Вт (2N 1900, 03); до 125 МГц, 10Вт (2N2781...2N2783)
Рис. 8.3.34. Мощный усилитель ВЧ до 30 МГц, 50 Вт (2N 1900, 03); до 125 МГц, 10Вт (2N2781...2N2783)
Вх.
Вх.
250(500)мВт
250(500)мВт
2N2883
2N2883
♦15В
2N36622/736632N36622/736632N 2883 2N28892N 2883 2N28892N92592N9259
2N3662
2/73663
2N3662
2/73663
2N 2883 2N2889
2N 2883 2N2889
2N9259
2N9259
Рис. 8.3.35. Усилитель ВЧдо 200 МГц, 1Вт (1,75 Вт) (2N2883,2N2884,2N3662,2N3663); до 100 МГц (2N 4254 р-п-р, 2N4996)
Рис. 8.3.36. Усилитель ВЧ до 150 МГц (2N2784)
Рис. 8.3.37. Мощный усилитель ВЧ до 100 МГц, 6(11,5) Вт (2N2887)
Рис. 8.338. Мощный усилитель ВЧ до 50 МГц, 40Вт (2N2947,2N2948)
Рис. 8.3.39. Гетеродин 80 МГц (2N3137)
Рис. 8.3.40. Усилитель VHF (2N 4416) до 100 МГц (2N 5245,2N 5668,2N 5669); до 400 МГц (2N 5485,2N 5486)
ВЫХ.
2NW6
^7к
7мФ Вх.
Рис. 8.3.41. Преобразователь частоты до 100 МГц (2SA444); до 2 МГц (2SA142,2SA159,2SA160,2SA188, 2SA189,2SC73,2SC78 (п-р-п)
2SA142 2SA759,160 25А786,169
Вых
Рис. 8.3.42 Усилитель ВЧдо 100 МГц (2SC394)
Рис. 8.3.43. Усилитель ПЧна 470 кГц (2SA31,2SA36,2SA141,2SA155,2SA156,2SC372,2SC75...2SC77,2SC929)
Рис. 8.3.44. Усилитель ПЧна 10,7 МГц (2SA121 ...2SA123,2SA201,2SA202,2SC380,2SC829)
Рис. 8.3.45. Усилитель ВЧдо 100 МГц (2SC645,2SC668, 2SC738, 2SC1047)
Рис. 8.3.46. Преобразователь частоты до 100 МГц (2SC739,2SC795)
8.4. КАСКАДЫ РАДИОПРИЕМНИКОВЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА НА МИКРОСХЕМАХ
Рис. 8.4.1. Усилитель, демодулятор ЧМ (SA 3075)Рис. 8.4.1. Усилитель, демодулятор ЧМ (SA 3075)0,7МГц0,7МГц22нФ22нФ2,7к2,7к1.9В1.9В12.3. ч12.3. ч67.867.8С А 3089С А 3089161514137211109161514137211109Q*VCC=12B(8...18B) 23МААРУ тюнерQ*VCC=12B(8...18B) 23МААРУ тюнерЗЗкЗЗк5,БВ5,БВАПЧТюнер ачвАПЧТюнер ачв__1иФ__1иФ27мкГ27мкГ3,9к3,9к107МГц [1 5,6В107МГц [1 5,6ВЧ,7кЧ,7к100 _L пф-г100 _L пф-гО\150И) мкАО\150И) мкАНастр.Настр., Вых.34, Вых.34470470Бесшумн. настр.Бесшумн. настр.~^00нФ120к~У~^00нФ120к~У
Рис. 8.4.1. Усилитель, демодулятор ЧМ (SA 3075)
Рис. 8.4.1. Усилитель, демодулятор ЧМ (SA 3075)
0,7МГц
0,7МГц
22нФ
22нФ
2,7к
2,7к
1.9В
1.9В
1
2.
3. ч
1
2.
3. ч
6
7.
8
6
7.
8
С А 3089
С А 3089
16
15
14
13
72
11
10
9
16
15
14
13
72
11
10
9
Q*VCC=12B(8...18B) 23МА
АРУ тюнер
Q*VCC=12B(8...18B) 23МА
АРУ тюнер
ЗЗк
ЗЗк
5,БВ
5,БВ
АПЧ
Тюнер ачв
АПЧ
Тюнер ачв
__1иФ
__1иФ
27мкГ
27мкГ
3,9к
3,9к
107МГц [1 5,6В
107МГц [1 5,6В
Ч,7к
Ч,7к
100 _L пф-г
100 _L пф-г
О\150И) мкА
О\150И) мкА
Настр.
Настр.
, Вых.
34
, Вых.
34
470
470
Бесшумн. настр.
Бесшумн. настр.
~^00нФ
120к~У
~^00нФ
120к~У
Рис. 8.4.2. Усилитель, демодулятор ЧМ (SA 3089)
Рис. 8.43. Усилитель, демодулятор ПЧ-АМ (LM372)
О
02
cP
О
Ю <Р
50
5 °
Рис. 8.4.5. Усилитель ПЧ, демодулятор AM (LM 374)
ЮмА
Рис. 8.4.7. Стереодекодер (LM 1304)
ЮмА
Юнф
20^
\19кГц
ЗВкГц
зв вОбмВЦ^. (19к1ц) умкф
1,9В
^
Ж1
14131211109 8 '
1111111 Z2
LM1304
) LM1305
I I I I I I I1234567
180 \
12В.’Ц
8
10
LM1305
1,9В
ЮнфХ
19кГц
—г
47к
L3
12
9 : те
470i
9,7В
6120тА_
—Г^ max
7 О,в В1
Рцадел.
каналов
>3,9к\20нФ
I ""^9,76
■*Лп6»Вых‘
—Проб
Стерео
*Ucc=12B (max 22В)
L1
3,96
19кГц ^ЮнФ
160
ЗбкГи
ЗВ
9
12В
1013
5мкФ Вх, и
>16мВ
(19кГц)
2,3В
LM 1307
214
А_50нФ Т VK
19кГц ^10 мФ
2,2нФ
3,9к
L3
-3,9В
11
12
ЮмА
20 Ч=-мФ
3,9г ^20нФ
б 120мА рр\
1—VS/
9,7В„Леб.
Вых.
'Проб.
1+^12
мкФ
1,9В
0,86
Стерео**+Лс^12В (тох226)
Л 1312 1110 9 8
) LM1307
1 2 3 Ч 5 6 7
Рис. 8.4.9. Стереодекодер (LM 1307)
ЮмА
11
ЮнФ
ЗВ—л
19к1Ц
180
12В
2,2нФ
»п
Вх. 5ж»
>16мВ
(19кГц)
3
2,3В
38кГц
3,9В —
20мф
L3
LM1307E
21,96-
7
L2 г ^ОнФ
L£ у9кЩ
14
12 \мкф
»-3,96
13
11
9
10
№п
20нФ
9,76
Леб
^е6' Вых.
-Проб.
Шраб. Вых.
\ ^Мощн-
9В
120мА<^
"Тпах
„Стерео
19 13121110 9 8
*UCC=12B
(тах22В)
) LM1307E
^Ucc^lZBtlO-.M
22к\_
Т390пФ
68мФ
Bx. ЗмкФ
200мВ
МбмВ, 19кГц)
22h<PV
Рис. 8.4.11. Стереодекодер (LM 1310Е)
16
330пФЬ
15
14
3,9к
3
w
19кГц
„ 9
13 12
LM1310E
Вых.
ЗЗ^Ф
11
10
9
m
.Стерео
rhJA
22нФ
22к
5к
8х.
390пФ
68нФ
c*Ucc=>26
ЗОтА
ЗмкФ
(16мВ, 19кГц)
ЗЗОнФ
970
100mA max
19кГц о
ЗЗОнФ
16
15
19
13 12
11
10
9
1
2 3
22нФ
Рис. 8.4.13. Стереодекодер (LM 1800, SN 76116N)
LM 1600 (S/V76116M)
3,9к
4$s
6
7 8
Стерео
Вых.
39к
_ _22нф
ЮОнФ Юк
ГЛАВА 8
00см
Рис. 8.4.15. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (МС 1355)
Рис. 8.4.16. Стабилизаторы отрицательного напряжения (МС 1463).а — ток нагрузки до 0,5 А; б — ток нагрузки до 10 А
ибых-5,2В
МСК63К
10
MCl*i63R
Рис. 8.4.17. Стабилизатор отрицательного напряжения при токе нагрузки до 10 А (МС 1463R, МС 1563R)
Усилители, радиоприемники
Рис. 8.4.18. Стабилизаторы положительного напряжения (МС 1469): а — ток нагрузки до 0,5 А; б — ток нагрузки до 10 А
Рис. 8.4.19. Стабилизатор двухполярного напряжения (МС 1469R, МС 1463R)
1
Q
U6x(9,5...40B)
(12)8(11)7ML
6(10)
10(2) ] Г 1(6)
6150mA
ЙЗ
(5)3
^ЮОнФ
МС1723С
2(4)
(7)5
ТООлФ
XRlU6b.x-7^
Rz(7...378)
22к
0,33
2N3055
UCx=20B (^188)
(12)8 (11)7
0,1 мкФ
=Г ^^
(5)3
МС1723С
,6(10) 10/2) 1(3) 2(4)
9№)
Юпф
Юк
(J5bix~15B 12к
&2А
Рис. 8.4.20. Стабилизаторы напряжения (МС 1723С): а — 7..,37В, до 150мА; б — 15В, до 2А
U6x=(9,5...40B) (12)8
(11)7 (6)4
5(3)
ЮОифЗ-
№
МС17230
а
6(10)
10(2) КЗ),
2(4)
9(13)
6150mA
б
1 U6b.x(2...7B) ибых=7(р^^
^"R^Rz
1мкГн
0,1мкФ=^
2N491B
ЮОк
U6x=*10B
1М
5(3)
(11)7. (12)8 (6)4
^ 1N4001 6(10) ^-^ 10(2) Г h
МС1723С
КЗ) 2(4) |
61А
мкФ'
Обых=*5В
(1)
(2)
(3)
(Ч)
(5)
(б)
(7)
—№) —(13) (12) (11) (10) (9) —(8)
10
9
2
5
МС 1723 СО (LM 723 СН) (рА 723 НС)
о\8
°)7
МС 1723СР (LM 723 CN) (рА 723РС)
Рис. 8.4.21. Стабилизаторы напряжения (МС 1723С): а — 2...7В, до 150мА; б — с защитой от КЗ, 5В, до 1А
^\
*
ГЛАВА 8
Рис. 8.4.22. Усилитель ВЧ, преобразователь, УПЧ, детектор АМ радиоприемника (NE 546)
120 *Ucc=KB
Г IО(у.. -75В)
ЮОпФ2мкФ
j | ±J | gwx
16пФ
Рис. 8.4.23. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (S041P)
ЮмФ-
110,7МГц
Гетеродин
Рис. 8.4.25. Импульсное управление электродвигателем (SN28654)
Включение
а (ПФ)
С2 (пФ)
СЗ (нФ)
С9 (пФ)
С5
•пФ)
06 (пФ)
и
витк.
12 8итк.
R1
№м1
36укТВ-5,5МГц
97
220
22
56
56
1500
20
8
ОО
Радио
Моно
27
120
22
27
27
970
20
8
ОО
10,7МГц
Стерео
97
150
0,97
30
30
330
15
12
1
Рис. 8.4.2 7. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (SN 76660)Рис. 8.4.2 7. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (SN 76660)
Рис. 8.4.2 7. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (SN 76660)
Рис. 8.4.2 7. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (SN 76660)
Тип МС
SN 76829
SN 76827
исс (В)
12
12
19,9
19,9
16
29
26
26
28
R» (Ом)
Ч
2
9
2
9
9
8
9
6
Коэф. гарм. Ю%(вт)
2,5
9,5
9,5
7,7
5,6
12,5
11
19
11
Коэф. гарм. 2%(Вт)
-
-
3,6
6
-
10
6
10
10
Jo (мА)
10
10
12
12
19
25
25
25
25
I max (мА)
300
600
950
750
500
750
600
800
550
9...20мА
ГЛАВА8
10нФ__
Ч7нФ
^ 100м В
^230м8а
Ю,7МНг)
5мФ
ЧН]_
ЮмФ
ЮОмкФ
—o*Ucc+10,88(6... 12В)
9
10
82пФ 12пФ
8
7
6
20пФ
9
5,6к
ТАА 611
"Г 0,5... 7ЛВ
/^
*1
7
ТА А 617В
70
5
ЮОмкФ
160м
1
U25/T
ТА А 6675X2
ЮнФ^
16пФ
L2^ООлФ
+
^25мкФ
^0,7мкФ
^ЮнФ
[Г
10
о
о
9
ТАА 667А55
8
о
Рис. 8.4.29. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ, У34 (ТАА 661)
СО
Каскады радиоприемников зарубежного производства на микросхемах
Рис. 8.4.30. Усилитель ПЧАМ-ЧМ-сигнала (ТАА 991D)
123456 7
15мА15мА
15мА
15мА
Рис. 8.4.31. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ,АПЧ (ТВА 120/А)
7.48
■+UCC=15B
(6 ...18В) о
14 13 12 11 10 9 6
IB 34 не регулир.
Рис. 8.4.33. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (ТВА 120TU)
00
<
М
<
+68
о
ПЧ-
270
ЧМ
ПЧ-АМ
! 120лФ
^ 220 ЛФ^р
j 220мФ_
I 5,6nPT I
560 пФ=р
ГгН=—Ч^АМ ^р- = \50жФ,
Щн I
Фильтр
22к
ЮнФ
7ZTZ.J 22нФ
75
'ЮмкФ
ЮООмкФ
З.Зк
П68л
+6В о
ВС368
о+6В
75
U (W^tV _№г
10мкФ\
ЧДЗО
7073
ВС238
2,5к
550
700л
72
7 Е
7мкф ~15мВ
щ+ 7
Громк.
ТВА 570
__22нФ
*728
2,7к
'(ЧмкВ...150мВ)
оАМ
Г
блок АМ
2мФх
АА779 070
700к
^
6+6В
10жФ
ъ
750 ПфЬ
2,2пФ
<70,5мА
'Ucc^B (max 8В)
Дем. ЧМ
А А 779
Д^22нФ
680
№
700к
18пФ
ЗЗОнФ
Юк
Юк
220 Д^пФ
Д-220■ пФ
5,6нФ
Рис. 8.434. Радиоприемник АМ-ЧМ (ТВА 570)
О/Л 6UVVО/Л 6UVV
О/Л 6UVV
О/Л 6UVV
Рис. 8.4.36. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (ТВА 750А)
Рис. 8.4.37. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (ТВА 780)
6-
7-
6-
20мА
1,5к
1,5к
ЮнФ
15 12
100
Леб.
Вых. уПраВ.
от ТСА920 X Коммутация
ЛООмА max о
*23В
-■—q+16B ^22нФ
(У)29В 7,55т 10к\
-16
-15
-19
-13
-12
-11
-10
-9
8,2нф.
ТС А 290А
13 Вх.
W ^ВИвмВтгп) 9
Рис. 8.4.38. Стереодекодер (ТСА 290А)
ГЛАВА8
390
0,1мкФ у—Г
0м
18к
8 блок ЧМ
3,5пФ
220
680
BF339
ЗЗпФ
270\Тк
оВалм
2 -
3 —
9 —
6-
7—
8-
-16
-15
-19
-13
-12
-11
-10
-9
too
0,1мкФ _*9.5В
^ЮОлФ
+/5В
—о
к ТСА530
9,7пкФ.
5БпФ Н
~35мкФ
9,7пФ
/7
/5
ТС А 92ОА
W
9
8
100
270
22нФ
68мФ
22нФ
11<_.
"1нФ 22нФ
•19
QA91 ЮОмкА кИ ЗЗк
13
68н<
7
*Я5В ~250мВд Сигнал
6 1
10 12}^
'\ол Ук 21мк<?.
^ЛГиП =
100
комнат.
(кТСА290А) 15пФ
^ЗЗлФ
1к
=уЗЗлФ ^ЗпФ ^250мВ
Ок -у*9,7мкФ
?5
к ТСА 290А
Л=.лФ
ТСА530
Uynp.
Рис. 8.4.39. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (ТСА 420А)
Рис. 8.4.40. Радиоприемник АМ (ТСА 440)
ГЛАВА 8
«5
-Т15н<Р
5Л7М^18
Юк 12к Т82кФ Юк
39к •39к
~10В Вх. Г> Леб. о-1—|h
Ч7мкфх6В,
1мкФ^
ЗЗк 7 6
120к
ЛДА
ЙГ
@1-
270к
10
ЭДг
ТС А 730
8 *Ucc ^-огзд.обзв
О 070мкФ*06
10
•М? )2к
ТСА 700
хЗЗмФ
12к
~18
Вых.
Леб.
Осс7-О13.5...165В
1Р^5^100нФ
16
9
70
16
1мкФ
1к
ЗЗк 17
120к 3
Громк.
Юк
Ба.
"Iw.
Тбк
=г15нФ
13
15
2
10
1мкФ
39к
39к
180к
ЗЗнФ
12
1мкФ ?2к
Вкл: ТонУомП.
Тембр ВЧ
05к1ц)
Юк
16
12к
~1В
Проб.оУд
1,5к
Юк
Тембр нч (ЧОГц)
330
:. 8.4.41. Регуляторы громкости и тембра (ТСА 730—ТСА 740)
Рис. 8.4.42. Стереодекодер ЧМ (ТСА 4500)
6,8к
ЮОнФ
-оМРХ-бх
*15В(д...16,5В)
\68к
21м»
МРХ-бх.
—о
—о
*158
ГЛАВА 8
KOMMyi. >18 Моно
<0,8 Стерео о о(У)—
*158(8...16,5В)
Леб. _ ~1,16 Вых. _ Проб ~)рв
00
ЮОк
ЮОнф
ТЗнФ^
-"Уб |х7 \19 |7J \12 |/7
3
TO A 1005
■^Юмкф
1мкФ
_100нФ ЮОк Т
\5б0
10
9
Коммут. Моно/Стерео ^сс °^^~ 15В)8...16,5В)
ЮОмФ
2,2м»
560
+ МкФ
ЗЗнФ
~[l6 VS /4 yj y2
IDA 1005
9 \5 15 17 [5
1
^в Леб- —0.78
Вых.
Праб^ув
2
6,8нФ
1нФ
ЗЗнФ
1нФ
Ч,7к
ЮнФ
4,7k
47mkP^
18к
560пФ
ЮнФ
ЮнФ
11
4
2,2k
0»
^^7 мкФ
4,7мкФ
4,7k
560
=^пф Юк
Рис. 8.4.43. Стереодекодеры с электронной коммутацией (ТДА 1005)
^1тА(0-ЗВ)
Рис. 8.4.44. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (ТДА 1047)
ЗЗк
158 1^ wJiL
22нФ
3,3k2,5к
Юпф£, "^70лФ 560пФ —{-
33к\
Вх.
1к
ЗЗ^'
10
\2Дк
5^ *
5к
2
ibAJm<p
Ч Т -Леб.
Ч
TDA 1055
J6 12
'70нФ5бк
22МКФ И
ПСТа
-"ТОЛ от Мом/ Стерео
-\-1мкФ
LD40 470
12 БЫх.
16 Проб.
И^т^
*158-3-
1мк<р\
16 15 14 13 12 11 Ю 9
TDA 1055
12 3 4 5 6 7 8
Рис. 8.4.48. Стереодекодер (рА 732)
7,6В
О+исс (Ю...16В)
Вх. ГО,7МГц
Л-ЮТкерамич.
У1р № /
900мкВ
8 7 6 5
) рА753
Ц=ЮнФ
2В
рА 753
1,9В _
2
^2,6В ~70нФ
=)-/ОнФ
__ Керомич.
ТИ^0.5в ВЫХ.
*Ucc(lO...16Bl
о
•ЮОнФ
^15мВ
Вх^
19кГи.
„Стерео
Леб.5
Вь^
Проб.
.300
2мкФ
Ж
2,7нф
3
22нФ 4
'О^кФ
13
12.
11
10 ^ЦОТмкФ
9
4——Н 6
22нФ g
16
^53,3к
ЗЗнФ
21к
^=390 пФ
ЧУ-\ЧасготаJl?e#ep
-Тест 19кГц
Рис. 8.450. Стереодекодер (уА 758)
Тип
транзистора
Цоколевка4
Крутизна, мА/B при Цзи, В
Со/с, пФ
Цпор/отс, В
Ic, мА
Fb, дБД.Гц
1з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтД('С)
ВС 264,..A,..C,..D
В
Е
2,5(<3,5)/0
1,2 7е1
>0,5
2...12
<40нВ Vru
<10
30ds2 30gs3
300/25a
BF 244
BF 245
В
Е
З...6,5/О
0,85 4е
0,5...8
2...25
-
<5
30dg4 30ds
200/25a
BF246
BF247
В
Е
25/0
2,5
<12е
<10
10...300
-
<5
25dg 25ds
250/25a
BF 256,..А,..С
В
Е
>4,5/0
0,7
<7,5
3...18
7,5/800 МГц <5
30ds
30gs
250/25a
BF348
Р
6...15/0
1,5
<6
10...60
1,4
<5
40dg
250/25a
BF350
S
10/4
0,02
<5
-
6/1 МГц
<100
15ds
360/25a
BF351
S
14/4
0,02
1...5
-
3/500 кГц
<20
24ds
360/25a
BF352
S
14/4
0,02
<2
-
4,5/500 кГц
<20
24ds
360/25a
BF353
S
12/4
0,02
<3
-
3/1 МГц
<20
24ds
360/25a
BF800,..1,..2
>0,25/0
0,4
<6
0,3...1,2
30
0,5 nA
25dg
300/25a
BF805,..6
р
3...5.5/0
1
<6
3...13
<20 нВ
<2пА
30dg
300/25a
BF808
р
0,8...2,5/0
<0,4
<5
1...6
12
<0,05
20dg
300/25a
BF810,..1
р
5...9/0
<1,8
<6
5...20
20
<0,03
30dg
300/25a
BF815...6
р
10...20/0
<2,8
<6
15...40
<13нВ
<0,1
30dg
300/25a
BF817...8
р
15...25/0
<3,5
<5
10...40
<10нВ
<0,03
25dg
300/25a
BFQ10...16
т
>1/1с=2мА
<Ве
<1
0,5...3,5
0,5...10
-
<0,1
30ds
30dg
250/75a
BFR29
к
>6
<0,7
2,5
10...40
<5/200 МГц
<0,01
30ds
200/25a
BFR 84
S
18/1с=10мА
0,03
1...5
!с=50 мА
4/500 МГц
<10
25ds
-6gs
300/25a
BFS28
S
8...13
Vg2=4B
0,025
4,5е
<5
<4
1с=20мА
<4/200 МГц
<1
20ds ±8gs
200/25a
1 е — вх. емкость. 2 ds — сток-исток. 3 gs — затвор-исток. 4dg — затвор-сток.4 См. рис. 8.5.1.
8.5. ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА
Тип
транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при Ози, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
Fb, дБ/1,Гц
1з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтЛ('С)
В FT 10
-
<1,5
-
>10
-
<0,8
40dg
-
BFT 11
-
<6
-
>10
-
<10
25dg
-
BFW10
р
3,5...6,5/0
0,6
4е
<8
8...20
2,5/100 МГц <0,5
30ds
30dg
300/25a
BFW11
р
3...6.5/0
0,6
4е
<6
4...10
2,5...100/МГц<0,
5 30ds
30dg
300/25a
BFW12
р
>2/0
<0,8
<2,5
1...5
<500нВ
<0,1
30ds
150/110a
BFW 13
р
>1/0
<0,8
<1,2
0,5...2
<500нВ
<0.1
30ds
150/110a
BFW 54,..5,..6
р
З...6,5/О
<3
<6
2...10
<500нВ
<0,1
50dg
150/25a
BFW 61
р
2...6,5/0
<2
<8
2...20
-
<1
25ds
300/25a
BFW 96
р
2,5
<0,8
1,5(<4,5)
2(<30)
-
-
±30ds
200/25a
BFX63
к
2,5(>1,3)/+2 0,75
<5е
0...4.5
2(<30)
-
Rbx>100 ГОм
30ds
30qs
250/25a
BSV78
и
25/0
<5
4...11
>50
<0,25
40ds
350/25a
BSV79
и
25/0
<5
2...7
>20
-
<0,25
40ds
350/25a
BSV80
и
20/0
<5
1...5
>10
-
<0,25
40ds
350/25a
BSV81
и
10/0
<0,5
2
10
-
<0,01
30ds
200/25a
С413 N
О
40(1с=10мА) <30
0,3...3
>10
1,2мкВ>10Гц
<3
15ds
400/25a
С680...1
О
>0,2/0
1,5
<2,5
>0,08
2/1 кГц
<10
30ds
200/25a
С682...3
О
>0,4/0
1,5
<5
<1,6
2/1 кГц
<10
30ds
200/25a
С 684,..5
О
>0,6/0
1,5
<10
<6
2/1 кГц
<10
30ds
200/25a
С 6690,.. 1
О
-
<5
7
-
-
<1
45ds
-
С 6692
О
<5
4
-
<1
25ds
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
Тип
транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при Взи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
Fb, дБДГц
1з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтДСС)
СМ 640,.. 1
0
5/0
<5
0,3...1,5
>0,5
-
<0,4
20ds
300/25a
СМ 642,..3
0
20/0
<5
1...3
>10
-
<0,4
20ds
300/25a
СМ 644,..5
0
20/0
<5
1...5
>10
-
<0,4
30ds
300/25a
СМ 646
0
30/0 1
<5
2...7
>30
-
<0,4
30ds
300/25a
СМ 647
0
30/0
<5
5...10
>50
-
<0,4
30ds
300/251
СМ 800
0
-
<6
1...7
>30
-
<0,4
30dg
300/25a
СР 600
0
>10/0
10
5
120
-
<50
20ds
3600
СР 601
0
>10/0
1.0
5
120
-
<50
30ds
5400
СР 602
0
>20/0
10
9
200
-
<50
20ds
6000
СР 603
0
>20/0
10
9
200
-
<50
30ds
9000
СР 640
0
40...60
<20
2...10
>100
<3/1 МГц
<100
20ds
2000/25C
СР 650
0
>100/0
20
5
<1200
-
<10
25ds
8000
СР 651
0
>75/0
20
5
300
-
<10
20ds
8000
СР 652
0
100/0
20
5
>100
-
<3
20ds
8000
СР 653
0
60/0
20
5
>60
-
<3
20ds
8000
Е100
с
>0,5/0
<3
<10
<20
-
<0,5
30ds
250/25a
Е101
с
>0,5/0
<3
<1,5
<1
-
<0,5
30ds
250/25a
Е102
с
>1/0
<3
<4
<4,5
-
<0,5
30ds
250/25a
Е103
с
>1,5/0
<3
<10
<20
-
<0,5
30ds
250/25a
ESM 25,..А
1...5
<6е
0,7...4,5
0,5...10
<0,1
30gs
250/25a
ESM4091...3
и
-
<5
5...10
>30
-
<1
30gs
200/25a
IT 108
с
>4/0
<1,2
<6
5...25
<4/400 МГц
<1
25dg
200/25a
IT 109
с
>7,5/0
<1,8
<6
15...40
<4,5 МГц
<1
20dg
200/25a
ШЕУ4391...2
с
-
<5
<10
50...150
-
<1
30dg
200/25al
ТЕ 4393
с
-
<5
<3
5...30
-
<1
30dg
200/25a
мюо
м
1 ...2,2/0
6,8е
<5
1,5...4,5
-
Rbx>
ЮТОм
20dg +60ds
300/25a
ГЛАВА8
Тип
транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при Ози, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
ЕЬ.дБДГц
!з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтД('С)
М 101
м
1,5...3,3/0
6,8е
<8
4...12
-
-
20ds
±60gs
300/25a
М 103
L
5/-Э
<4
<-5,5
<0,2 нА
-
<0,1
30ds
225/25a
М 105
L
-
<0,5
-3,6...6
<0,1 нА
-
<0,1
30ds
225/25a
М 106
N
-
0,7
<4е '
-3...-6
100 п А (<200)
-
0,01
(<о,1)
30gs
500/25a
М511
МЕМ 511
L
L
>1/-10
0,7
1,5е
-3...-6
0,1 нА (<Ю)
0,01 (<1)
30ds
30gs
225/25a
650/25c
МЕМ 515
L
>1,2
<20
-2
<10нА
-
<0,5
30ds
2000/25a
MEM 517С
MEM 517А
L
1,2-10
0,15
10
>-2,5
<50 нА
-
<0,1
(<1)
30ds
35gs
600/25a
МЕМ 520
L
>1/-10
2,5
3
-3...-6 (<Ю)
0,5нА
(<3)
0,03пА 40gs
30ds 650/25C
225/25a
МЕМ 550
R
>0,5/-10
1,1
1,1
-3...-6
(<Ю)
0,1 нА
-
0,1 nA (<1)
30ds
25gs
325/25c
2
МЕМ 551
R
>0,5/-10
1,1
1,1
-3..-6
(<Ю)
0,5нА
-
О.ОЗпА (<4)
30ds
40gs
2x 112/25a
МЕМ 554
S
12(>4)
+4(31)
0,02 5зи
-1,5
(<-4)
3...30
1)32+4
3,5/200 Мгц
<0,1
20ds
20gs
150/25a
МЕМ 556
L
>0,8
<0,5
-4,5
<1 нА
-
<1
50ds
100/25a
МЕМ 556 С
L
>0,7
<0,7
-4,5
<10нА
-
<1
45ds
100/25a
МЕМ 557
К
>8
<0,3
0,3...4
3...30
<4/200 МГц
<0,1
20ds
225/25a
МЕМ 557 С
К
>6
<0,3
0,3...4
3...30
<4,5/200 МГц
<0,1
20ds
225/25a
Параметры полевых транзисторов зарубежного npousi
Тип
транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при Взи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
ЕЬ,дБ/1,Гц
!з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтДСС)
МЕМ 560
L
>21/с=5мА
<3,5
-2
<5 нА
-
<0,5
35ds
300/25a
МЕМ 560 С
L
>2/1с=5мА
<4,5
-2,5
<10 нА
-
<1
30ds
200/25a
МЕМ 562
К
>1/1с=2мА
<0,5
0,5...4
<10нА
-
<0,01
+20ds
225/25a
МЕМ 562 С
К
>1/1с=2мА
<0,6
0,5...4
<10 нА
-
<0,1
+20ds
175/25a
МЕМ 563
к
>2/1с=2мА
<0,6
0,5...4
<10 нА
-
<0,01
±20ds
225/25a
МЕМ 564 С
S
>8/1с=10мА
0,02
1,5...4
3...30
<5/200 МГц
<10
+20ds
225/25a
МЕМ 571 С
к
>8/1с=10мА
0,32
0,3...4
3...30
<4,5/200 МГц
<10
±20ds
225/25a
МЕМ 575
L
>10/1с=10мА <20
-2
<20 нА
■
<2
25ds
300/25a
МЕМ 614
S
10(>6)/1с=5мА 0,02
<8е
1
(<4)
1...20
<4,5/100 МГц
-
20ds
225/25a
МЕМ 616
S
>1,2/1с=10мА 0,02
<4
5...20
<4,5/200 МГц
<50
25ds
360/25a
МЕМ 617
S
4,4
бе
<4
2...15
-
<50
20ds
360/25a
МЕМ 618
S
> 10/1с=5мА
0,02
<4
3...20
-
<50
20ds
360/25a
МЕМ 655
к
>6/1с=5мА
0,32
<4
1...20
<4,5/100 МГц
<100
20ds
225/25a
МЕМ 806
L
>2/1с=5мА
<0,3
-4,5
>1 нА
-
<3 пА
40ds
300/25a
МЕМ 806 А
L
>2/1с=5мА
<0,3
-4,5
0,1 нА
-
<1 пА
40ds
300/25a
МЕЕ 120
S
8...18/1с=10мА 0,02
<4
2...18
<5/100 МГц
<20
25ds
300/25a
МЕЕ 121
S
Ю...20/1с=10мА4,5е
<4
5...30
<5/200 МГц
<20
+20gs
300/25a
МЕЕ 122
S
8...18/1с=10мА 2,5s
<4
2...20
-
<20
300/25a
МЕЕ 2093
к
0,4/0
1,2
-1,5
0,35
-
<0,1
50ds
300/25a
МЕЕ 2094
к
0,5/0
1,2
-3
0,7
-
<0,1
50ds
300/25a
МЕЕ 2095
к
0,6/0
1,2
-4,5
1,5
-
<0,1
50ds
300/25a
МЕЕ 3001
Q
0,6...3/0
1,5
5е
<-8
0,5...6
-
<0,01
+20gs
20ds
200/25a
МЕЕ 3006,..7,..8
S
8...18
0,02 бе
<3
2...18
<5/100 МГц
<1
+35gs
25ds
300/25a
ГЛАВА 8
Тип
транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при изи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
Fb, дБДГц
!з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтД('С)
MPF102
I
2...7/0
<3
<8
2-20
-
<2
25dg
200/25a
MPF103
A
1...5/0
1,5
<-6
1-5
-
<1
25ds
200/25a
MPF104
A
4/0
1,5
<-7
2-9
-
<1
25ds
200/25a
MPF105
A
2...6/0
1,5
<-8
4...16
-
<1
25ds
200/25a
MPF108
I
2-7,5/0
<2,5
0,5-8
1,5.-24
<3
<1
25dg
310/25a
MPF109
I
0,8-6/0
1,5
0,5-10
0,5...24
<2,5
<1
25dg
310/25a
MPF 111
I
0,5-3/0
1,5
0,5-10
0,5...20
-
<100
20dg
200/25a
MPF112
I
1 ...7,5/0
3
0,5-10
1...25
-
<100
25dg
200/25a
MPF 120-2
8—18/1с=10мА 0,02
<4
2-18
<5/100 МГц
<20
25ds
500/25a
MPF161
J
0,8-6/0
<2
0,2-8
0,5-14
<2,5/100 МГц
<10
40dg
310/25a
MPF820
I
20/0
<3,5
<5
>10
<4/100 МГц
<5
25dg
625/25a
NF510
U
-
<10
>5
-
<10
30dg
500/25a
NF511
U
-
-
<10
>5
-
<100
20dg
500/25a
Р 1086...7
C
3-8/0
<45е
<10
>10
-
<2
30dg
300/25a
PF510,..1
M
-
-
<10
>5
-
<10
30dg
500/25a
SU 2080, 2081
L
>1,5/0
<18е
<4
<10
-
<0,5
50dg
300/25a
SU 2098
T
>0,7
<7е
<3
1...8
2/100
<0,4
30dg
300/25a
SU 2099
T
0,2 мА
2
SU 2365,-В
T
>1,5/0
<4
<3,5
0,5-10
-
<0,1
30dg
400/25a
SU 2366
T
>1,5/0
<4
<3,5
0,5...10
-
<0,1
30dg
400/25a
SU 2367
T
>1,5/0
<4
<3,5
0,5-10
-
<0,1
30dg
400/25a
SU 2368
T
>1,5/0
<4
<3,5
0,5-10
-
<0,1
30dg
400/25a
SU 2369
T
>1,5/0
<4
<3,5
0,5-10
<0,1
30dg
400/25a
SU 2365...9
A
>1,5/0
<4
<3,5
0,5-10
-
<0,05
30dg
400/25a
SU 2410,-1
T
0,5...1,5/0
<1,5
<3,5
0,1-1
<1/100
<3 пА
40dg
300/25a
SU 2412
<3е
40dg
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
Тип
транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при Ози, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
Fb, дБДГц
1з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтДСС)
TD 5902,..3,..4,..5
т
0,25...1/0
<1,5
<3,5
0,1...0,5
<1/100
<3 пА
40dg
300/25a
<3е
40gs
TD 5906,..7,..8,..9
т
0,25...1/0
<1,5
<2,5
0,1...0,5
<1/100
<1 пА
40dg
300/25a
<3е
40gs
TD 5902...9 А
т
>0,4/0
<1,5
<4,5
0,25...2
<1/100
<3 пА
40dg
300/25a
TIS 14
Q
1...8/0
4
<-6,5
<15
-
<1
30dg
300/25a
TIS 25
т
1,5...6/0
2
-1...-8
0,5...8
5/100
<0,25
50ds
300/25a
TIS 26
т
6
50dg
TIS27
т
50gs
600/25a
TIS34
в
3,5...
<2
1...8
4...20'
-
<5
30ds
200/25a
6,5/0
<6е
30gs
TIS41
и
-
<8
-
>50
<0,2
30ds
360/25a
TIS42
в
-
<9
-
>10
-
<5
25ds
250/25a
TIS58
в
4/0
<3
<5
2...8
-
<4
25ds
200/25a
TIS59
в
4,8/0
<3
1...9
6...25
-
<4
25ds
200/25a
TIS68
в
1...6
<4
0,5...5
0,5...8
-
<2
25dg
360/25a
TIS69
в
<8е
25gs
TIS70
в
TIS73
D
-
<8
<10
>50
-
<2
30ds
360/25a
TIS74
D
-
<8
2...6
20...100
-
<2
30ds
360/25a
TIS75
D
-
<8
<4
8...80
-
<2
30ds
360/25a
U 110
М
>0,1/0
<6е
1...6
>0,1
-
<4
20gs
300/25a
U 112
М
>1/0
<17е
1...6
<9
-
<10
20gs
300/25a
U 133
М
0,5/0
7е
1...4
0,5
0,5/1 кГц
<3
50gd
300/25a
U 182
М
-
<7
<10
>40
-
<0,25
40qs
300/25a
ГЛАВА 8
Тип
транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при изи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
Fb, дБ/1,Гц
!з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтДСС)
и 146
м
>0,06/0
-
<6
>0,025
-
<10
20gs
300/25a
U 147
м
>0,18/0
-
<6
>0,065
-
<20
20gs
300/25a
U 148
м
>0,5/0
-
<6
>0,2
-
<60
20gs
300/25a
U 149
м
>1,4/0
-
<6
>0,44
-
<200
20gs
300/25a
U 168
м
>0,8/0
<65е
<5
0,6...6
25нВ/1000
<30
20gs
300/25a
U 182
м
-
<7
<10
>40
-
<0,25
40gs
300/25a
U 183
р
2...7/0
<4
<8
2...20
-
<2
25gs
200/25a
U 184
р
3...8.5/0
<1
<8
3...30
2/100 МГц
<1
25dg
. 200/25a
U 197
и
>0,2/0
<2
<1
0,1...1
-
<0,5
30gs
300/25a
U 198
и
>0,6/0
<2
<4
0,6...6
-
<0,5
30gs
300/25a
U 199
и
>1,5/0
<2
<10
3...20
-
<0,5
30gs
300/25a
U 200
и
-
<8
0.5...3.
3...25
-
<1
30dg
1800/25c
U 201,..2
и
-
<8
1,5...5
15...75
-
<1
30dg
1800/25c
U 221
и
15...40/0
<6
3,5...8
50...110
-
<1
50dg
800/25a
U 222
и
20...50/0
<6
6...10
<250
-
<1
50dg
800/25a
U 231
т
U 232
т
0,5/100
U 233
т
1...3/0
<2
1...4.5
0,5...5
R3=
<0,1
50gs
300/25a
U 234
т
<6е
ЮМОМ
50gd
U 240,..1
и
-
<35
2...100
>150
<3
25dg
400/25a
U 242,..3
и
-
<70е
<10
>150
-
<3
20dg
400/25a
U 244
с
80...200/0
<15
3,5...8
<900
-
<1
25dg
10Вт/25а
U 248,..9,..50,..51,
т
0,07...
1,5
0,6...4,5
0,03...0,5
<1/100
<0,003
40dg
500/85a
..51А
0,25/0
Зе
40gs
Параметры полевых транзисторов зарубежного произ^
Тип
транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при Взи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
1с, мА
Fb, дБ/1,Гц
1з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтД(’С)
и 252,..3
т
5...10/1с=5мА <1,2
1...5
7...40
<20 нВ/10кГц
<0,1
<5е
500/85a
* *
25dq
<0,1
25gs
и 254
и
-
<8
4...10
>50
-
<2
30dg
1800/25C
U 255
и
-
<8
2...6
20...100
-
<2
30dg
1800/25C
U 256
и
-
<8
0,8...1
8...80
<2
30dg
1800/25C
U 1714
и
>0,4/0
1,3зи
<5
0,5...5
3
<0,005
25gd
300/25a
U 1715
и
-
4зи
<15
10...50
3
<5
200gd
800/25a
U 1837
с
4,5...10
<2е
<8
4...25
-
<1
30dg
300/25a
U 1837Е
с
>4/0 на 200МГц <2
0,5...8
4...25
<3/200 МГц
<1
30dg
300/25a
U 1897
с
-
<16е
<10
>30
-
<0,2
40dg
300/25a
U 1898
с
-
<16е
<7-
>15
-
<0,2
40dg
300/25a
U 1899
с
-
<16е
<5
>8
-
<0,2
40dg
300/25a
U 1994
Е
4,5...7,5
<4е
<6
5...15
-
<0,1
30dg
300/25a
U1994Е
с
>4/0 на 400 МГц <1
<6
5...15
<4/400 МГц
<1
30dg
300/25a
UC 250
и
-
<6
<10
>50
-
<1
30dg
500/25a
UC 251
и
-
<6
<6
8...75
-
<1
30dg
500/25a
UC450
и
-
<25е
<10
25...75
-
<0,25
25dg
300/25a
UC451
м
-
<25е
<6
4...38
-
<0,25
25dg
300/25a
UC714
и
2...6,5/0
<4
<10
4...20
<2
<1
30dg
300/25a
UC734
и
>3/0 на 200 МГц <0,8
<8
4...20
-
<5
30dg
300/25a
2 N 2386
м
>1/0
<50е
<8
<1
0,5/1 кГц
<10
20gs
500/25a
2 N 2498
м
1...2/1с=1 мА<32е
-
1...3
3/1 кГц ,
<10
20dg
500/25a
2 N 2497
м
1,5...3/1с=2 мА <32е
-
2...6
3
<10
20gd
500/25a
2 N 2499
м
2...4/1с=5 мА <32е
-
5...15
4
<10
20gd
500/25a
2 N 2500
м
1...2,2/1с=1 мА <32е
1 -
1...6
1/1 кГц
<10
20gd
500/25a
ГЛАВА 8
Продолжение таблицы 85.1
Тип транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при 11зи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
1с, мА
Fb, дБ/1,Гц
1з(утечки), нА
Vmax, В
P, mBt/TCC)
2 N 3066,..7
и
0,4-1/0
<10е
<10
0,8-4
<3
<1
50dg
300/25a
2 N 3068
и
0,2...1/0
<10е
<2,5
>0,05
<3
<1
50dg
300/25a
2 N 3069
и
1-2,5/0
<15е
<10
2-10
<4
<1
50dg
350/25a
2 N 3070,-1
и
>0,75/0
<15е
<5
>0,5
<4
<1
50dg
350/25a
2 N 3084
О
0,4... 1,2/0
1
5(<10)
0,8-3
2/1000
0,03
30ds
400/25a
2 N 3085
О
2зп
(<0,1)
15gs
2 N 3086
о
0,4-1,2/0
1
5(<10)
0,8-3
2/1000
0,05
40ds
400/25a
2 N 3087
2зп
«П
15gs
2 N 3088
О
0,3-0,9/0
1
3«5)
0,5-2 ,
0,5/15 кГц
0,05
15ds
400/25a
2 N 3089
О
2зп
«3)
(<1)
2N3088 А
0,3-0,9/0
1
3(<5)
0,5-2
0,1
0,05
15ds
400/25a
2N3089 А
2зп
(<0,5)
(<0,1)
10gs
2N3112
Q
0,05...
<3,5
1...4
0,035...
<0,05/
20gs
300/25a
2N3113
G
0,115/0
<2
0,115
5в
20gd
50/25a
2 N 3328
Р
>0,1
<4е
<6
<1
<3/1 кГц
<1
20gs
20/165a
2 N 3329
Р
1-2/0
<20е
<5
1-3
<3/1 кГц
<10
20gs
300/25a
2 N 3330
Р
>1,5/0
<20е
<6
2-6
<3/1 кГц
<10
20gs
300/25a
2 N 3331
Р
2-4/0
<20е
<8
5-15
<4/1 кГц
<10
20gs
300/25a
2 N 3332
Р
>1/0
<20е
<6
1...6
<1/1 кГц
<10
20gs
300/25a
2 N 3333
F
0,6-1,8/0
-
20/25a
2 N 3334
F
<16
0,3-1,6
0,3-1
<10
20ds
2 N 3335
F
<30е
20gs
40/25a
2N3336F
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
Тип транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при Взи, В
Со/с, пФ
11пор/отс, В
1с, мА
Fb, дБД.Гц
!з(утечки), нА
Vmax, В
P, mBt/T("C)
2 N 3365,..6
и
0,4...2/0
<15е
<12
0,8...4
<5
40dg
300/25a
2 N 3367
и
0,1...1/0
<15е
<2,5
>0,05
<5
40dg
300/25a
2 N 3368,..9
и
1...4
<20е
<12
2...12
<5
40dg
300/25a
2 N 3370
и
>0,3/0
<20е
<3,5
<0,1
<5
40dg
300/25a
2 N 3376,„7
N
1.5/0
<3
1...5
0.6...6
<3
30gs
300/25a
2 N 3378,..9
-
2,0
<3
4...5
3..6
<3
30gs
300/25a
2N3380...1
2,4/0
<3
<9,5
3...20
<3
30gs
300/25a
2N3382,..3
7,5/0
<6
1...5
3...30
<15
30gs
300/25a
2 N 3384,..5
9,5/0
<6
4...5
15...30
<15
30gs
300/25a
2 N 3386,..?
9,5/0
<6
<9,5
15...50
<15
30gs
300/25a
2 N 3436
и
>2,5/0
<18е
<9,8
3...15 ,
<2/1 кГц
<0,5
50gs
300/25a
2 N 3437
и
>1,5/0
<18е
<4,8
<4
<2/1 кГц
<0,5
50gs
300/25a
2 N 3438
и
>0,8/0
<18е
<2,5
>0,2
<2/1 кГц
<0,5
50gs
300/25a
2 N 3452
р
>0,2/0
<6е
<9,8
0,8...4
<2/100
<0,1
50gs
300/25a
2 N 3453
р
>0,15/0
<6е
<4,8
0.2...1
<2/100
<0,1
50gs
300/25a
2 N 3454
р
>0,1/0
<6е
<2,3
>0,05
<2/100
>0,1
50gs
300/25a
2 N 3455
р
>0,4/0
<5е
<9,8
0,8...4
<4/20
<0,04
50gs
300/25a
2 N 3456
р
>0,3/0
<5е
<4,8
0.2...1
<4/20
<0,04
50gs
300/25a
2 N 3457
р
>0,15/0
<5е
<2,3
>0,05
<4/20
<0,04
50gs
300/25a
2 N 3458
и
>2,5/0
<18е
<7,8
3...15
<6/20
<0,25
50gs
300/25a
2 N 3459
и
>1,5/0
<18е
<3,4
0,8...4
<4/20
<0,25
50gs
300/25a
2 N 3460
и
>0,8/0
<18е
<1,8
0,2...1
<4/20
<0,25
50gs
300/25a
2 N 3465
О
0,4... 1,2/0
1
<10
1...5
1
<1
40ds
400/25a
2 N 3466
О
40dg
2 N 3573
Q
>0,1/0
<2
<2
>0,02
<3/1 кГц
<0,6
25gs
40/155a
2 N 3574
Q
>0,2/0
<2
<2
>0,075
<3/1 кГц
<0,6
25gs
40/155a
2 N 3575
Q
>0,3/0
<2
<4
0,2...1
<3/1 кГц
<0,6
25gs
40/155a
2 N 3578
М
1,2...3,5/0
<65е
1,5...4
0,9...4,5
0,1 мкВ/20
<15
20gs
300/25a
ГЛАВА 8
Тип транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при изи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
Fb, дБ/1,Гц
1з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтДСС)
2 N 3608
L
1 (>0,8)
<3
-4...-6
5 пА
-
Rex > ЮТОМ
25ds
350/25a
2 N 3631
М
1,4...2,8/0
<1,6
<7,5е
3,5«6)
2...10
Авх>Ю0ТОМ
20gs
±60gs
300/25a
2 N 3684
2...3/0
<1,2
2...5
2,5...8
<150нВ/Гц
<0,1
50gs
350/25a
2 N 3685
Р
>1,5/0
<1,2
<3,5
1 ...3,5
<150нВ/Гц
<0,1
50gs
350/25a
2 N 3686
1...2/0
<1,2
<2
<1,2
<150нВ/Гц
<0,1
50gs
350/25a
2 N 3687
>0,5/0
<1,2
>0,3
>0,1
<150нВ/Гц
<0,1
50gs
350/25a
2 N 3796
М
0,9...1,8/0
<0,8
<7е
-3...-4
0,5...3
4/1000
0,1 nA «1)
25ds
±10gs
200/25a
2 N 3797
м
1,5...3/0
<0,8
<8е
-5...-7
2...6
4/1000
0,1 пА «1)
20ds
+ 10gs
200/25a
2 N 3819
в
2...6,5/0
<4
<8е
0,5...7,5
2...20
-
<2
25ds
25gs
200/25a
2 N 3820
в
0,8...5/0
<16
<32е
0,3...8
0,3...15
-
<20
20ds
20gs
200/25a
2N3128
р
1,5...4,5/0
<3
<6е
0,5...2
0,5...2,5
<5/10
<0,1
50ds
50gs
300/25a
2 N 3822
р
3...6.5/0
<3
<6е
1...4
2...10
<5/10
<0,1
50ds
50gs
300/25a
2 N 3823
р
3,5...6,5/0
<2
<6е
1...7.5
4...20
<2,5/100 МГц
<0,5
30ds
30gs
300/25a
2 N 3824
р
-
<3
-
-
-
<0,1
50ds
300/25a
2 N 3909
Q
1...5/0>0,9
<16
0,3...8
0,3...15
<10
20ds
20gs
300/25a
11. Усилители, радиоприёмники.
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
Тип транзистора
Цоко
левка
Крутизна, мА/B при Узи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
Fb, дБДГц
1з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтЛ(’С)
2 N 3921
т
>1,5/0
<2,7
<3
1...10
2
<0,25
50gs
250/25a
2 N 3922
т
<18е
2 N 3954
т
2 N 3955
т
2 N 3956
т
>1/0
<4е
<4
0,5...5
0,5
<0,1
50gs
250/25a
2 N 3957
т
2 N 3958
т
2 N 3966
р
4/0
<1,5зи
4...6
>2
-
<0,1
30dg
300/25a
2 N 3967
р
>2,4/0
<1,3
2...5
2,5...10
<1,5/100 •
<0,1
30dg
300/25a
<5е
30gs
2 N 3968
р
>2/0
<1,3
<3
1...5
<1,5/100
<0,1
30dg
300/25a
<5е
30gs
2 N 3969
р
>1,3/0
<1,3
<1,7
0,4...2
<1,5/100
<0,1
30dg
300/25a
<5е
30gs
2 N 3970
и
-
<6
<10
<150
-
<0,25
40gs
1800/25C
2 N 3971
и
-
<6
<5
<75
-
<0,25
40gs
1800/25C
2 N 3972
и
-
<6
<3
5...30
-
<0,25
40gs
1800/25C
2 N 3993
р
6...12/0
<5
4...9,5
>10
<1,2
25ds
300/25a
•
<16е
25gs
2 N 3994
р
4...10
<5г
1...5.5
>2
-
<1,2
25ds
300/25a
<16е
25gs
2 N 4038
Q
>1,5/6
<2,5е
-
<0,1
4/100 МГц
-
25ds
120/25a
2 N 4039
Q
>1,5/6
<2,5е
-
<1,5
4/100 МГц
-
25ds
120/25a
2 N 4066,..7
N
>1,5/15
<1,5
3...6
<1нА
-
<0,003
30ds
600/25a
<7е
>25gs
1700/25C
ГЛАВА 8
Тип транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при изи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
1с, мА
Fb, дБДГц
1з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтДСС)
2 N 4082
2 N 4083
т т
<0,3/0
<7е
<3
0,25-1,3
2
<0,1
50gs
-
2 N 4084
т
<1,5/0
<18е
<3
1...10
2
<0,25
50gs
250/25a
2 N 4091,..2
и
-
<5
5...10
>30
<0,2
40ds
210/25a
2 N 4093
и
-
<5
1...5
>8
-
<0,2
40ds
210/25a
2 N 4117
р
>0,07/0
<1,5
>0,6
>0,03
-
<0,01
40gs
300/25a
2N4118
р
>0,08/0
<1,5
1...3
>0,08
-
<0,01
40gs
300/25a
2N4119
р
>0,1/0
<1,5
2...6
<0,6
-
<0,01
40gs
300/25a
2 N 4139
>3,5/0
<5
2-8
8-11
<2
<1
50gs
300/25a
2 N 4220
к
1...4/0
<2
<2,5
0,5-3
тип «А®
<0,1
30gs
300/25a
2 N 4221
к
2...5/0
<2
1-5
2. .6
2,5/100
<0,1
30gs
300/25a
2 N 4222
к
>2,5/0
<2
2-6
5-15
<0,1
30gs
300/25a
2 N 4223’
к
3...7/0
<2
1...7
3-18
<5/200 МГц
<0,25
30g s
300/25a
2 N 4224
к
2...8/0
<2
1...8
2...20
-
<0,5
30gs
300/25a
2 N 4267,-8
р
>3
<3
3-6
-
-
<0,003
30ds
-
2 N 4302
с
>1/0
1,5зи
<4
0,5-5
2
<1
30ds
300/25a
2 N 4303
с
>2/0
1,5зи
<6
4...10
2
<1
30ds
300/25a
2 N 4303
с
>1/0
1,5зи
<10
0,5-15
2
<1
30ds
300/25a
2 N 4338
и
0,6...1,8/0
<2
<6е
0,3-1
0,2-0,6
<1/1000
<0,1
50dg
50dg
300/25a
2 N 4339
и
0,8...2,4/0
<2
<6е
0,6-1,8
0,5...1,5
1/1000
<0,1
50dg
50dg
300/25a ,
Тип транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при Мзи.В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
Fb, дБДГц
1з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтДСС
2 N 4340
и
1.3...3/0
<2
<6е
1...3
1,2...3,6
1/1000
<0,1
50dg
50ds
300/25a
2 N 4341
и
2...4/0
<2
<6е
2...6
3...9
1/1000
<0,1
50dg
50ds
300/25a
2 N 4342
с
2...6/0
<5
1...5.5
4...12
<80нВ/Гц
<10
25dg
200/25a
2 N 4343
с
4...8/0
<5
2...10
10...30
<80нВ/ Гц
<10
25dg
200/25a
2 N 4351
Q
>01/1с=2мА
<2,5
<5,5е
+1...+5
<10 нА
-
<0,01
25ds
+75gs
300/25a
800/25c
2 N 4352
Q
>1/1с=2мА
<2,5
<5,5е
-1.5...-6
<5 нА
-
<0,01
25ds
+75gs
300/25a
800/25C
2 N 4353
L
1...4/-10
<5
<12е
-3...-5
<5 нА
-
<1
30ds
-30gs
250/25a
2 N 4360
Q
2...8/0
<5
1...10
3...30
<190нВ/ГГц
<10
20dg
200/25a
2 N 4381
Q
2...6/0
<5
1...5
3...12
<20нВ/ Гц
<1
25dg
300/25a
2 N 4382
Q
4...8/0
<5
2,5...9
10...30
<20нВ/ Гц
<1
25dg
300/25a
2 N 4391
и
-
<3,5
<10
<150
<0,1
40gs
1800/25C
2 N 4392
и
-
<3,5
<5
25...75
-
<0,1
40gs
1800/25c
2 N 4393
и
-
<3,5
<3
5...30
-
<0,1
40gs
1800/25C
2N4416
2N4417
р к
4,5...7,5/0
<0,8
<4е
<6
5...15
<4/400 МГц
<0,1
30ds
30g s
300/25a 450/125c
2 N 4445...8
и
-
<35
2...10
>150
<3
25dg
400/25a
2 N 4856
и
- 1
<8
<10
>50
-
<0,25
40ds
360/25a
2 N 4857
и
-
<8
2...6
<100
-
<0,25
40ds
360/25a
2 N 4858
и
-
<8
<4
8...80
-
<0,25
40ds
360/25a
2 N 4859
и
-
<8
<10
>50
-
<0,25
30ds
360/25a
ГЛАВА8
Тип транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при 1)зи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
1с, мА
Fb, дБДГц
1з(утечки), нА
Vmax, В
P, mBt/TCC)
2 N 4860
и
-
<8
2...6
<100
<0,25
30ds
360/25a
2 N 4861
и
<8
<4
8...80
-
<0,25
30ds
360/25a
2 N 4867
р
0,7.„2/0
<5
<25е
0,7...2
0,4...1,2
<01/1000
<0,25
40gs
40dg
300/25a
2 N 4868
р
1...3/0
<5
<25е
1...3
1...3
<1/1000
<0,25
40g s
40dg
300/25a
2 N 4869
р
1,3...4/0
<8
<23е
1.8...5
2,5...7,5
<1/1000
<0,25
40gs
40dg
300/25a
2 N 4881
и
>0,35/0
<1,5
<15
0,4...2
, <3/1 кГц
<2
300ds
800/25a
2 N 4882
и
>0,6/0
<1,5
<15
1,5.„8
<3/1 кГц
<2
300ds
800/25a
2 N 4883
и
>0,35/0
<1,5
<10
0.4...2
<3/1 кГц
<1
200ds
800/25a
2 N 4884
и
>0,8/0
<1,5
<10
1,5.„8
<3/1 кГц
<1
200ds
800/25a
2 N 4885
и
>0,35/0
<1,5
<10
0.4...2
<3/1 кГц
<1
125ds
800/25a
2 N 4886
и
>0,6/0
<1,5
<10
1,5...8
<3/1 кГц
<1
125ds
800/25a
2 N 4977
р
-
<35е
<10
>50
<0,5
30ds
800/25C
2 N 4978
р
-
<35е
- 4...8
>15
-
<0,5
30ds
800/25C
2 N 4979
р
-
<35е
<5
>7,5
-
<0,5
30ds
800/25c
2N5018
м
<10
<10
>10
-
<2
30ds
1800/25C
2 N 5019
м
-
<10
4...5
>5
-
<2
30ds
1800/25C
2N 5020... 1
м
1...3,5/0
<25е
<1,5
>0,3
3/100
<1
25ds
300/25a
2 N 5033
с
>1/0
<25е
<2,5
>0,3
2/1000
<10
20ds
200/25a
2 N 5045
2 N 5046 2N5047
т т т
1,5.„6/0 .
<4
<8
0,5...4,5
0,5.„8
<5/10
<0,25
50gs
50qd
250/25a
400/25a
2 N 5078
к
4,9...10/0
<2
<6е
<8
4...25
>4/400 МГц
<0,25
30gs
300/25a
Продолжение таблицы 85.1
Параметры тюлевых транзисторов зарубежного
Тип
транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при изи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
Fb, дБДГц
!з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтД(’С)
2 N 5103,..4
р
>1,5/0
<1
<4
1...8
-
<0,1
25dg
300/25a
2 N 5105
р
>3,5/0
<1
<4
5-15
-
<0,1
25dg
300/25a
2N5114
м
-
<7
5-10
30...90
-
<0,5
30dg
500/25a
2N5115
м
-
<7
3-6
15-60
-
<0,5
30dg
500/25a
2N5116
м
-
<7
1...4
5-25
-
<0,5
30dg
500/25a
2 N 5163
с
2...9/0
<7
<8
1-40
<3/1 кГц
<10
25dg
200/25a
2 N 5196...9
т
1...4/0
<2
<6е
0,7-4
0,7-7
0,5/100
<0,03
50dg
50gs
500/85a
2 N 5245
Е
4,5...7,5/0
<1
<4,5е
1...6
5-15
2/100 МГц
4/100 МГц
<1
30dg
30gs
360/25a
500/25C
2 N 5246
Е
3...6/0
<1
<0,5-4
1,5-7
-
<1
30dg
360/25a
2 N 5247
Е
>4,5/0
<1
1,5...8
8...24
-
<1
30dg
360/25a
2 N 5248
В
>3,5/0
<2
1-8
' 4...20
-
<5
30dg
360/25a
2 N 5265,-6
Р
>0,9/0
<2
<3
0,5-1
2,5/100
<2
60ds
300/25a
2 N 5267
Р
>1,5/0
<2
<6
1,5-3
2,5/100
<2
60ds
300/25a
2 N 5268,-9
Р
2-4/0
<2
<6
2,5-5
2,5/100
<2
60ds
300/25a
2 N 5270
Р
>2,5/0
<2
<8
7...14
2,5/100
<2
60ds
300/25a
2 N 5277,-8
и
2...5/0
<25е
<7
>2,5
<3/1 кГц
<5
150dg
800/25a
2 N 5358,-9
к
1-3/0
<2
0,5-3
0,5-1
2,5/100
<0,1
40dg
300/25a
2 N 5360
к
>1,4/0
<2
0,8-4
1,5-3
2,5/100
<0,1
40dg
300/25a
2N 5361,-2
к
>1,5/0
<2
1-6
2,5-5
2,5/100
<0,1
40dg
300/25a
2 N 5363,-4
к
2,5...6/0
<2
2,5-8
7...14
2,5/100
<0,1
40dg
300/25a
2N 5391,-2
и
>1,5/0
<5
<2
>0,5
<2/10
<0,1
70dg
300/25a
2 N 5393
и
3-6,5/0
<5
<3
>2,5
<2/100
<0,1
70dg
300/25a
2 N 5394...5
и
4-7/0
<5
<4
4...6
<2/10
<0,1
70dg
300/25a
2 N 5396
и
>4,5/0
<5
<5
>7,5
<2/10
<0,1
70dg
300/25a
ГЛАВА 8
Тип транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при 11зи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
1с, мА
Fb, дБ/1,Гц
!з(утечки), нА
Углах, В
P, mBt/T("C)
2 N 5397
р
6...10
<1,2
1...6
10...30
<3,5/450 МГц
<0,1
25dg
300/25a
2 N 5398
р
>5,5
<1,3
1...6
5...40
-
<0,1
25dg
300/25a
2 N 5432,„3
и
-
<15
4...10
>150
-
<0,2
25dg
300/25a
2 N 5434
и
-
<15
1...4
>30
-
<0,2
25dg
300/25a
2 N 5452,..3,..4
т
1...3/0
<4е
<4,5
<0,5...5
0,5
<0,1
50dg
250/25a
2 N 5457,..8
I
1...5/0
<3
0,5...6
1...5
-
<1
25dg
310/25a
2 N 5459
1
2...6/0
<3
2...8
4...16
-
<1
25dg
310/25a
2N5460...1
J
1...4/0
<2
0,7...6
1...5
1/100
<5
40dg
310/25a
2 N 5462
J
2...6/0
<2
1,8...9
4...16
1/100
<5
40dg
310/25a
2 N 5463,..5
J
<2
0,7...6
1...5
1/100
<5
60dg
310/25a
2 N 5471,..2
Q
>0,06/0
<1
0,5...4
>0,02
2/1000
<0,5
40dg
300/25a
2 N 5473
Q
>0,12/0
<1
0,9...6
>0,1
2/1000
<0,5
40dg
300/25a
2 N 5475
Q
>0,16/0
<1
1,2...7
>0,2
2/1000
<0,5
40dg
300/25a
2 N 5476
Q
>0,26/0
<1
2...9
0,8...2
2/1000
<0,5
40dg
300/25a
2 N 5484
1
>2,5/0
<1
0.3...3
1...5
4/200 МГц
<1
25dg
310/25a
2 N 5485
1
>3/0
<1
0,5...4
4...10
2/100 МГц
<1
25dg
310/25a
2 N 5486
1
>3,5/0
<1
2...6
8...20
4/400 МГц
<1
25dg
310/25a
2 N 5515,„6,
Т
0,5...1/0
<2
0,7...4
0,5...7,5
<30нВ/10
<0,25
40dg
500/85a
..7,..8,..9
<25е
40gs
2N5520...1,
т
0,5...1/0
<5
0,7...4
0,5...7,5
<15нВ/10
<0,25
40dg
500/85a
..2,..3,..4
<25е
40g s
2 N 5543,..4
и
0,8...3/0
<2
2...15
2...10
-
<1000
300dg
500/25a
2 N 5545,..6,..7
т
1,5...6/0
<6е
0,5...4,5
<8
-
<0,1
50dg
250/25a
2 N 5548
с
4...6,5
<4
-5
-
<0,05
25gs
360/25a
2 N 5549
и
6...15
<2
1...4
10...60
<0,25
40gs
360/25a
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
Тип транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при Взи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
Fb, дБ/1,Гц
!з(угечки), нА
Vmax, В
P, мВтЛ(’С)
2 N 5555
I
-
<1,2
<10
>15
-
<1
25ds
310/25a
2N 5556,..7,..8
р
1,5-6,5/0
<3
<6е
0,2-4
0,5. .2,5
<1/10
<0.1
30ds
30ds
300/25a
100/25a
2N 5564,..5,..6
т
7,5-12,5
<12е
0,5-3
5-30
-
<0,1
40gs
325/25a
2 N 5592...3
р
2-7/0
<20е
<5
1...10
2,6/10
<0,25
50dg
300/25a
2 N 5638,-9
I
-
<4
<15
>50
-
<1
30dg
310/25a
2 N 5640
I
-
<4
<15
>5
-
<1
30dg
310/25a
2 N 5647
Q
0,3...0,6
<0,9
<1,8
0,3-0,6
1/1000
<2пА
50dg
300/25a
2 N 5648
Q
0,4-0,8
<0,9
<2,4
0,5-1
1/1000
<2 пА
50dg
300/25a
2 N 5649
Q
>0,45
<0,9
<3
>0,8
1/1000
<2пА
50dg
300/25a
2 N 5653,-4
1
-
<3,5
<15
>40
-
<1
30dg
310/25a
2 N 5661,-2,-3
Т
2-3/0
<4
<15е
0,8-3
1-10
<50 нВ/ Гц
<0,1
50ds
250/25a
2 N 5668
1
>1,5/0
<3
0,2-4
1-5
2/100 МГц
<2
25dg
310/25a
2 N 5669
I
2.-6,5/0
<3
1-6
4...10
2/100 МГц
<2
25dg
310/25a
2 N 5670
I
3-7,5/0
<3
2-8
8-20
2/100 МГц
<2
25dg
310/25a
2 N 5716,-7
I
0,2-1,0
<1,5
0,2-3
>0,05
<1
40dg
200/25a
2 N 5718
1
0,5-2/0
<1,5
1-8
0,8-4
-
<1
40dg
200/25a
2 N 5902,-3,-4, -5
2 N 5906...9
Т
0,05...
0.15/-1
<1,5
<3е
0,6-4,5
0,03-0,5
<3/100
<1
<5 пА
<2пА
40dg
80gg
500/25a
2N5911,-2
т
5-10
!с=5 мА
<12
<5е
1-5
7-40
<1/10000
<0,1
25gs
80gg
500/25a
ГЛАВА 8
Тип транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при 11зи, В
Со/с, пФ
11пор/отс, В
Ic, мА
Fb, дБД.Гц
!з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтДСС)
2 N 5949, ..50
0
>3,5/0
<6е
<7
>18
<1
30dg
360/25a
2 N 5951
0
3,5...7/0
<2
2...5
7...13
<100нВ/10
<1
30dg
360/25a
2 N 5952
D
2...6,5/0
<2
1...3,5
4...8
<100 нВ/10
<1
30dg
360/25a
2 N 5953
D
2...6,5/0
<2
0,8...3
2,5...5
<100 нВ/10
<1
30dg
360/25a
2 N 6449, ..50•
и
0,5...3/0
<5
2...15
2...10
<10
300dg
800/25a
2 N 6451
Р
15...30
<5
0,5...3,5
5...20
<1,5/10
<0,2
20dg
360/25a
2 N 6452
Р
15...30
<5
0,5...3,5
5...20
<2,5/10
<1
25dg
360/25a
2 N 6453
Р
20...40
<5
0,8...5
15...50
<1,5/10
<0,2
20dg
360/25a
2 N 6454
Р
20...40
<5
0,8...5
15...50
<2,5/10
<1
25dg
360/25a
2 N 6483,..4,..5
5
Т
0,5...1,5/0
<3,5
<20е
0,7...4
0,5...7,5
<10 нВ/10
<0,25
50dg
250/25a
2SK 11
Q
0,7...3/0
3
0,5...6
0,3...7
-
<1
20dg
100/25a
2SK12,..5
Q
0,8...3/0
3
0,7...4
0,5...5
<3/1 кГц
<0,1
20dg
100/25a
2SK19
I
7/0
0,45
3
3...24
2/100 МГц
<10
18dg
200/25a
2 SK 30 А
В
>1,2/0
2,6
0,4...5
0,3..7
<5/120
<1
50dg
100/25a
3N89
V
>0,45(31) 0,4(32)
0,6
1,8
3,3
10
0,5...2,5
-
<5
30dg
300/25a
3N 124
V
>0,25(31)
>0,2(32)
<0,5
<1,5
<5
<8
0,2...2
<4/100
<0,25
50ds
50gs
300/25a
800/25C
3N 125
V
>0,4(31)
>0,25(32)
<5е
<9е
<8
<14
1,5...4,5
<4/100
<0,25
50ds
50gs
300/25a
800/25C
3N 126
V
>0,6(31)
>0,4(32)
<0,5
<1,5
<18
<26
3...9
<4/100
<0,25
50ds
50gs
300/25a
800/25C
3N 128
к
7,5 (>5)
<0,2
5,5е
-3,5...-8
!с/м=50 мА
<50/200 МГц
<0,05
20ds
±15gs
400/25a
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
Тип
транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при изи.В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
Fb, дБДГц
1з(угечки), нА
Vmax, В
P, мВтДСС)
3N 138
к
6
<0,2
-3,5...-8
Ic/м = 50 мА
-
<0,01
35ds
400/25a
•
Зе
+10gs
3 N 1394
к
6(>3)
0,18
<-6
1с/м=50 мА
<6/200 МГц
<1
35ds
400/25a
Зе
+ 10gs
3N 140
S
10(>6)
0,02
-2.. -4
!с/м=50 мА
<3,5/200 МГц
<1
20ds
400/25a
3N 141
S
5,5е
-8+20
3 N 142
к
7,5(>4)
<0,2
-2...-8
5...50
<5/100 МГц
<1
20ds
100/85a
<10е
-8gs
400/25a
3N 143
к
7,5(>5)
<0,2
-3,5...-8
!с/м=50 мА
<1
20ds
400/25a
5,5е
+1-8gs
3 N 149,..50
L
-
<3
<6
-
-
<1
50gs
400/25a
3 N 151
R
0,5...2
<4
-3...-6
<5 nA
0,05
30ds
162/25C
1с=2 мА
<12е
<1
30gs
3N 152
К
7,5 (>5)
<0,2
!с/м=50 мА
<3,5/200 МГц
<1
20ds
400/25a
5,5е
1-8gs
3N 153
К
10
бе
<8
!с/м= 70 мА
-
<0,05
20ds
400/25a
<0,5
+6-8gs
270/25a
3N154
К
5...12
<0,5
-2...8
10...25
4/200 МГц
<0,05
20ds
400/25a
3N 155,..А,
Q
1...4
<1,5
1,2...3,2
<1 nA
<1
35ds
300/25a
3N156,..A
!с= 2 мА
<5е
50gs
130/125a
3N 157,..А,
Q
1...4
<1,3
1.5...3.2
<1 нА
<0,01
35ds
300/25a
3N158,..A
1с= 2 мА
<5е
50gs
130/125a
3N 159
S
7...18
5,5е
-2
>20ds
400/25a
5...30
<3,5/200 МГц
<1
+1-8gs
270/75a
1с=10мА
0,02
(<-4)
Тип транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при Ози, В
Со/с, пФ
11пор/отс, В
Ic, мА
Fb, дБДГц
!з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтД("С)
3N 160
L
3,5...6,5
<4
1.5...5
1 (<10) нА
-
<0,01
25ds
360/25a
•
<10е
+25gs
1800/25a
3N 161
L
3,5...6,5
<4
1,5...5
5 нА
-
<0,1
25ds
360/25a
3N 162
L
13
<5
2,5...5
10 нА
10
30ds
600/25a
3 N 163
L
2...4
<0,7
<5
-
<0,01
+125gs
375/25a
3 N 164
L
1...4
<0.7
<5
-
-
<0,01
+125gs
375/25a
3N167
L
-
12
2...6
0,03 нА
0,1
30ds
225/25a
3N 168
L
-
12
2...6
0,1 нА
0,4
25ds
225/25a
3N 169,..170,..171
Q
>1
<1,3
0,5...1,5
<10 нА
-
<0,01
25ds
300/25a
1с=2 мА
<5е
+35gs
800/25C
3N 172
L
3
0,8
2...5
0,3 нА
-
0,1
40ds
375/25a
3N 173
L
3
0,8
2...5
8 нА
-
0,3
40ds
375/25a
3N 174
L
>0,4/15
<0,7
-4
3...12
<3 nA
30gs
360/25a
3 N 175
Q
>1,2
<0,5
1...2
<5 пА
-
<0,2
30ds
225/25a
3N 176
Q
>1
<0,5
1 ...2,5
<10 нА
-
<0,2
25ds
225/25a
3 N 177
Q
>0,7
<0,8
1...3.5
<26 нА
-
<0,2
20ds
225/25a
3 N 178
L
>0,8
<0,3
4,5...5,5
<1 нА
-
<0,5
75ds
100/25a
3N 179
L
>0,7
<0,4
4...6
<1 нА
-
<1
60ds
100/25a
3N 180
L
>0,7
<0,5
3...6
<1 нА
-
<1
40ds
100/25a
3N 181
L
>8
<8
3...4
0,5 нА
-
<0,3
30ds
300/25a
3 N 182
L
>8
<10
2,5...5
2,5 нА
-
<0,5
30ds
300/25a
3N 183
L
>8
<12
2...6
10 нА
-
<1
20ds
300/25a
3N 184
L
3,5
3
2...3
0,5 нА
-
0,05
35ds
300/25a
3N 185
L
3
4
1.5...3
1 нА
-
0,1
30ds
300/25a
3N 186
L
2,8
4
1...3.5
2 нА
-
0,2
25ds
300/25a
Параметры полевых транзисторов зарубежного произк
Тип транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при изи.В
Со/с, пФ
11пор/отс, В
!с, мА
Fb, дБДГц
!з(утечки), нА
Vmax, В
P, mBt/T("C)
3N187S
5...30' 3,5/200 МГц
3 N 200S
7...18 +6gs
10...20
0,02 220/753
0,02
-0,5...4
-0,1 ...-3
0,5...12
<50
4,5/400 МГц
<50
20ds
20ds
330/25a
330/25a
3N201
S
1с=10 мА
8...20
бе
0,02
0,5...5
<4,5/200 МГц
<1
+6gs
25ds
220/753
360/25a
3N202
S
8...20
0,02
0,5...5
-
-
<1
25ds
360/253
3N203
S
7...15
0,02
0,5...5
-
<6/45 МГц
<1
25ds
360/253
3N204
S
10...22
0,02
0,5...4
-
<3,5/200 МГц
<1
25ds
360/853
3N205
S
10...22
0,02
0,5...4
-
-
<1
25ds
360/253
3N206
S
7...17
0,02
0,5...4
-
<4
<1
25ds
360/253
3N207
R
-
<2,5
3...6
ЮнА
0,004
25ds
600/25a
3N208
R
-
<2,5
3...6
10 нА
-
1
25ds
600/253
3N211
S
17...40/0
0,02
0,5...б
6...40
<3,5/200 МГц
10
27ds
360/253
3N212
S
17...40/0
0,02
0,5...4
6...40
-
10
27ds
360/253
3N213
S
15...35/0
0,02
0,5...6
6...40
<4/45 МГц
10
35ds
360/253
3N 214,..5,..6,„7
Р
-
2
<6
50/V3=6 В
-
10
20ds
360/25a
3SK20
V
0,6...2/0
бе
4е
<-3,5
0,6...2
200нВ/ Гц
<1 пА
20dg
20ds
100/253
3SK21
V
4.. 11/0
4е
<-5
4...11
-
<1 пА
±20gs
20ds
100/253
3SK35
S
10
0,02
<4
3...24
3,5
100
+20gs
20ds
300/253
3SK44
S
13
0,04
<3,3
3...40
3,5
100
20ds
300/253
ГЛАВА 8
Окончание таблицы 8.5.1
Тип транзистора
Цоколевка
Крутизна, мА/B при Ьзи, В
Со/с, пФ
Unop/отс, В
Ic, мА
Fb, дБ/1,Гц
!з(утечки), нА
Vmax, В
P, мВтЛСС)
40 467 А
к
7,5 (>4)
1с= 5 мА
<0,2
5,5е
-5(<8)
10...50
<5/200 МГц
<1
20ds +1-8gs
400/25a
270/75a
40 468 А
к
7,5
Ic = 4 мА
<0,2
5,5е
<-8
5-25
<5/100 МГц
<1
20ds +1-8gs
375/25a
270/75a
40 559 А
к
2,8
<0,3
5,5е
<5
(<-8)
5-25
-
<1
20ds +1-8gs
375/25a
250/75a
40 600,..1,..2
S
10
1с=10 мА
0,02
5,5е
-2
1с/м=50 мА
<5/200 МГц
<1
20ds +1-8gs
400/25a
270/75a
40 603,-4
S
10
1с=10 мА '
0,02
5,5е
-2
18
<4/100 МГц
<1
20ds +1-8gs
400/25a
270/75a
40 673
S
12
0,02 бе
-2
1см= 50 мА
<6/200 МГц
<50
20ds +1-6gs
330/25a
220/75a
40 820
S
12
0,02
-1
-
<6
<50
20ds
330/25a
40 821
S
12
0,02
-1
-
-
<50
20ds
330/25a
40 822
S
12
0,02
-2
-
2
<50
18ds
330/25a
40 823
S
12
0,02
-2
-
-
<50
18ds
330/25a
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
Рис. 8.5.1. Цоколевка полевых транзисторов
/о о\
^ 11
X\о оу
ГО ^ Со
X п(
^ -ДЛ10°)з
1к О о Z
о«ух^хси
^ ^ to
^ Со С)
Со^О^О ^0^
Со/о о \
| ^
Со\ О оу
§S^X__Zl\^
1
XZ^X0)
оу ^х—Ух
Г)(О )Г)
Со
4 Z° Z
1 KZ
г °V /to
tj Cjfo Oj^ w
С)
S (
ко о/
rn Cu(
У"
•s^z^x^
i^X^Z -^
Со<=
F= с^
i^Z^X-^o
\ ° о 1
<уХЛ^
5;
с
xV^xto XЛ
Д с^
8.6. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ДИОДОВ ЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА
Таблиид 8.6.1. Выпрямительные диоды
Тип диода1ном,
А
Максимальное напряжение, В; применение
AY1015
AY10210
AY1045
AY10610
AYY10/12012
B4Y1/560M1
B4Y2(*)M2
B4Y5(*)M5
B4Y10(*)M10
B4Y10(*)M20
В(*)С(О)-
BAY 14...160,2
BAY 17...210,1
BAY 23...260,05
BAY 44...460,25
BAY 86...910,25
BB (*)(□)-
BY 1000,75
BY 1030,6
BY 1140,45
BY1185
BY 122, 1230,8
BY 126, 71
BY 133, 4, 51
BY 134, 1351"
BY 137 (*)1
BY 1400,25
BY 1470,25
BY 1641,4
BY165, 6, 70,3
BY 172, 3,41,4
BY 1760,003
BY 1791
BY183(*)0,2
BY 1840,1
BY 187/010,1
BY 1881,2
BY 191 P/(*)4
BY201/(‘)1
BY 202/01,5
BY 203/00,25
BY 204/00,4
BY 206, 70,4
BY 209.0,1
BY 210/01
BY 211/02
BY 212/04
BY 2150,35
BYW14/03,4
BYW15, 6*/( )3,4
BYX100,2
— Recuperation TV.
320.—TV—Ates.
— TV. — Ates.
— TV. — Ates.
— RTC.
1200 (560 Veff).— RTC.
(*) Veff en V (140—280—560). - RTC.
(*) veff en v (140 -280—420—560).
(*) Veff en V (140—280). - RTC.
(*) Veff en V (140—210—280—350—420).
(*) Veff en V. - (□) lnom en mA. — Intermetall.
500—560—800.
15—60—120—180—350.—C = 1,2 pF.
1000—1500—2000—3000.
50—150—300. — C = 2,5 pF.
30—100—300—500—800—1500.—C = 0,7 pF.
(*) Vm x 10 V. — (□) lnom (A). — Soral.
— BY 100 S : lnom = 0,45 A.
800.
450.
— Recuperation hgnes, TV. — RTC.
— 400 (Pont).
450. — 800. — RTC.
1300—600—150. — Intermetall.
600—150.
(’) Vm en V (400 et 800).
15000.—TV.— RTC.
6500. — Rempl. tube PY 88. — Intermetall.
— <400 Hz. — RTC.
6000—5000—7500.
800—600—400.
15000. — Tripleur TV couleurs.
800 (Veff= 280 V max.).
(*)VmenV(50...600).
1800.— RTC.
125000.— RTC.'
— RTC.'
(*) Vm en V (250 et 400). — Booster TV.
(*)Vmx 100 V (200...600). — AEG.-
(*) Vm x 100 V (200^.600). — AEG.
(*) Vm x 100 V (1,2...2 kV).— AEG.
(*) Vm x 100 V (400...1000). — AEG.
300 — 500. — RTC.
12500.— RTC.
(*) Vm en V (400—600—800). — RTC.
(*) Vm x 100 V (200...500). — AEG.
(*) Vm en V (250...750). — Sescosem.
18000.— RTC.
(.) Vm en V(100...800). — tr = 750 ns.
( ) Vm en V (100...800).— tr = 500 et *200 ns.
800.
Продолжение таблицы 8.6.1
Тип диода >
I HOM'
Максимальное напряжение, В;
A
применение
BYX 13/(‘)
20
(*)VmenV (400...1200).
BYX 14/(‘)
150
(*) VmenV (400-1200).
BYX15, 16*
40
400. — ‘Anode au boitier.
BYX 20/200
25
200.
BYX 21/(‘)
25
(*) Vm en V(100 et 200).
BYX22/(‘)
1,4
(*) Vm en V (600—1200). — RTC.
BYX 23/(‘)
100
(*)VmenV (400-1000).
BYX 24
0,8
1600, —RTC.
BYX 25/(‘)
20
(*)VmenV (600-1000).
BYX 27/(‘)
250
(*) VmenV (400-1000).
BYX 28/(‘)
25
(*) Vm en V (200 et 400).
BYX 30/(‘)
8
(*) VmenV (200-600).
BYX32/(‘)
100
(*) VmenV (200-1600).
BYX 33/(‘)
250
(*) VmenV (200-1600).
BYX 34/(‘)
60
(*)VmenV (200-500).
BYX 36/(‘)
0,8
(*) Vm en V (150—300—600).
BYX 38/(‘)
2,5
(*) Vm en V (300—600—900— 1200).
BYX 39/(‘)
6
(*) Vm en V (600—800—1000).
BYX41/(*)
300
(*) VmenV (1000-2400).
BYX42/(‘)
10
(*) Vm en V (300—600—900— 1200).
BYX45/(‘)
1,5
(*) Vm en V (600—800—1000).
BYX46/(‘)
15
(*)VmenV (200-600).
BYX 48/(*)
6
(*) VmenV (300 600 900 1 200)
BYX 52/(*)
40
(*) VmenV (300 600 900 1200)
BYX 52, 3
0,05
2000—3000. — Silec.
BYX 57/(‘)
0,4
(*) Vm en V (500—600). — Silec.
BYX58/(‘)
1
(*) Vm en V (50...400). — Silec.
BYX61/(‘)
12
(*) VmenV (50-400) — tr= 100 ns.
BYX 62/600
12
600. — tr < 200 ns. — Sescosem.
BYX 63/600
20
600. — tr < 200 ns. — Sescosem.
BYX 64/600
30
600. — tr < 200 ns. — Sescosem.
BYX65/(‘)
30
(*) Vmenv (50...400). — tr = 100 ns.
BYX 66/(‘)
12
(*) Vm en V (600—800—1000), tr = 500 ns.
BYX67/(‘)
30
(*) Vm en v (600—800—1000), tr = 500 ns.
BYX71/(‘)-
6
(*) Vm en V (350—600). — RTC. — tr = 450 ns.
BYX 90
0,2
7500. - RTC.
BYX96/(‘)
25
(*) Vm en V (300-1600). = RTC.
BYX 98/(‘)
8
(*) Vm en V (300-1200). — RTC.
BYX 99/(*)
12
(*) Vm en V (300-1200). — RTC.
BYY 15, 16*
40
600. — ‘Anode au boitier.
BYY 22, 24
10
400, 600.
BYY 23, 25
10
400, 600. — Anode au boitier.
BYY 27...29
220
' 300-500-650.
RYY 31 37
0 6
1200 300 400 SOO 600 700
BYY 39/(*)'
220
(*) VmenV (200-2400).
BYY 67, 68*.
10
800. — ‘Anode au boitier.
BYY 73, 74*
40
300. — ‘Anode au boitier.
BYY 75, 77
40
1000—1200.
BYY 76, 78
40
1000—1200. — Anode au boitier.
BYY 88-92
1
100—200—400—800—1000.
R Y7 1П 13
6
600 900 1200 800
BYZ14, 15*
40
1600. — ‘Anode au boitier.
BYZ 16-18
6
600—900—1200. — Anode au boitier.
CHO
0,01
(*) Vm en kV (3—4—5 kV). — Silec.
CY7, 12
0,03
7000—12000. — Silec.
CY 501,751 H
0,1
50000—75000. — Silec.
Продолжение таблицы 8.6.1
Тип диода
*HOM' A
Максимальное напряжение, В; применение
D(*)5C
0,5
(*) Vm х 100 V (100...1200). — Silec.
D (*) 8
0,8
(*) Vmx 100 V (100...1000). —Silec.
D 6 HZ, D 8 HZ
0,8
600—800. — Silec.
D45CZ
0,8
400. — Silec.
D(*)H, HL
0,5
(*) Vmx 100 V (4-25 kV). — Silec.
DA 000, 1,2,6,58
0,5
60—100—150—400—800,— Lucas.
DA 2026, 68*
1,5
400. — *800 V, 1 A. — Lucas.
DA, DC, DD
DE(*)x(O)
—
(*) Vm x 10 V. — (□) lnom en A. — Soral.
DD, ООО, 1,3,6,
56, 58
0,5
50—100—200—400—800—1200. — Lucas.
DD 2066, 8
1
400—800,—Lucas.
DD 3020, 6. 76, 78
2,5
50—400—800—1200. — Lucas.
DD 4020, 6, 66,
67, 68
6
50—400—800—1200—1300. — Lucas.
DRS102, 4, 6,7
1
200—400—600—700. — Delco.
E(*)1
1
(*) Vmx 100 V (100...1000). — Silec.
E 6, 8 HZ
1
600—800. — Silec.
EC (*) E 2
2
(*) Vm x 10 V (70...560). — Soral.
EL(*)F4
4
(*) Vm x 10 V (70...560). — Soral.
EM 513
1
1300. — Intermetall.
ER 2, 4, 6
1
200—400—600. — Silec.
ESM 181/(*)
4
(*) Vm еп V (300...800). — Sescosem.
ESM 243/(*)
60
(*) Vm еп V (50...1000). — tr = 100 ns.
ESM 244, 5*
60
Identiques a ESM 243, sauf tr = 200 et 500 ns.
F(*)1
1,6
(*) Vm x 100 V (100...1000). — Silec.
F(*)2
2
(*) Vm x 100 V (100... 1000). — Silec.
F (*) H ou HL
0,5
Vm en centaines de V (4...25 kV). — Silec.
F4, 6, 8 HZ
1,25
400—600—800. — Silec.
F41.61,81 Z
1,25
400—600—800. — Silec.
F42, 62, 82Z
2
400—600—800. — Silec.
FB (*) G 6
6
(*) Vm x 10 V (70...560). — Soral.
FR(*)1
1
(*) Vm еп V (50...400). — tr = 250 ns. — Silec.
G(*)4
4
(*) Vm еп V (50...1200). — Silec.
G(*)6
6
(*) Vm еп V (50...1500). — Silec.
G(*)10
10
(*) Vm en dizaines de V (50...1200). — Silec.
G 4, 6, 8 HZ
10
400—600—800. — Silec.
G 65, 85 HZ
5
600—800. — Silec.
GD (*)J 10
10
(*) Vmx 10 V (70...560). — Soral.
GR 05, 1,2,4
5
50—150—250—350. — Silec.
HB(*)L15
15
(*) Vmx 10 V (30-560). —Soral.
IS(*)
—
(*) 'nom (2-5-10-20-45 A), suivi de Vmux
(100...800 V). — Intermetall.
JCM A...E
0,1
12—50—100—150—300. — Cogie.
JCN (*)
1
(*) Vm x 100 V (100...800). — Cogie.
JHT (*)
0,05
(*) Vm x 100 V (1...3 kV). — Cogie.
K(*)40
40
(*) Vm x 10 V (50...1400). — Silec.
K46, 66, 86 HZ
60
400—600—800. — Silec.
LA(*)P25.
25
(*) Vm x 10 V (30...560). — Soral.
M 4,6, 8 HZ
0,4
400—600—800. — Silec.
V (*)2
0,2
(*) Vm en centaines de V (100... 1000). — Silec.
M(*)K
0,25
(*) Vm x 100 V (1,5.-30 kV). — Silec.
M (*) HZ
0,15
(*) Vm x 100 V (1 ...3 kV). — Silec.
M 20, 30, 60 H
0,1
2000—3000—6000. — Silec.
M 405, 505, 605
0,05
4000—5000—6000.
MA 25, 35
0,05
2000—3000. — Silec.
12. Усилители, радиоприёмники.
Продолжение таблицы 8.6.1
Тип диода
Ihom,Максимальное напряжение. В;
Априменение
МАЗО
МА 45
МС 19,22
МС42...45
МС46...50
МС51
ME (*)
MR (*)
MR 52, 62 Z
MR 54, 64 Z
MR 327, 8, 9, 30, 1
MR 501...10
MR 751...6
MR 810, 1,2,4, 6
MR 830, 1,2, 4, 6
MR 840, 1,2, 4, 6
MR 880, 1,2, 4, 6
MR 990...94
MR 1120...26
MR 1366
MR 1376
MT 14, 24, 44,
64, 84
MU(*)
NB (*) T 55
NT 161...5
NT 251...5
OA31
OA210, 11, 14
P 4, 6, 8 HZ
P(*)4
P(*)6
P(*)10
P(*)H
PB (*)U110
PCP (*)
R 4, 6, 8 HZ
R 43, 63, 83 HZ
RAS 310 AF
RAS 508 AF, BF
RAS 508 CF, DF
RN (*)15
RN (*)20
RN (*)35
RV, RW15
RX, RY15
RY10U
S 1 A(*)x01
S 2 E (*) x 06•
SD91...95
SD91...95A
SD91...98S
SFR 126
SFR 264
SK(*)
SK 3 F/(‘)
0,013000. — Silec.
0,024000. — Silec.
0,25150—100.— Silec.
0,5200—300—400—500. — tr = 200 ns. — Silec.'
0,25100—200—300—400—500. — tr = 200 ns. — Silec.
0,25300. — Silec.j
0,2(*) Vmx 100 V (3...20 kV).— Silec.
0,1(*)Vmx10V(50...410). — tr< 1ms. — Silec.-
0,2500—600. — tr = 200 ns. — Motorola.
0,4500—600. — tr = 200 ns. — Motorola.'
25500—600—800—1000. — Motorola.,
Dernier chiffre du num’ero de^
type x 10.— Motorola.*•
0,7550—100—200—400—600.— Motorola.,
350—100—200—400—600. — tr = 200 ns."
350—100—200—400—600. — tr = 1 ms.
1250—100—200—400—600. — tr = 1 ms.4
0,251 —1,5—2—2,5—3 kV. — Motorola.f
1250—100—200—300—400—500— 600.—Motorola.j
6600. — tr = 200 ns. — Motorola.,
8
12600. — tr = 200 ns. — Motorola.>
0,4100—200—400—600—800.—Silec.’
0,2(*) Vmx 100V(2...10kV). — tr = 200 ns.— Silec.,
55(*) Vmx 10 V (30...560). — Soral.1
1601,6—1,8—2—2,2—2,4 kV. — Silec.J
2501,6—1,8—2—2,2—2,4 kV. — Silec.I
3,8120.।
0,5400—800—700.*
10400—600—800. — Silec.J
4(*)VmenV (50...1200).—Silec.
6(*) Vm en V (20...1500). — Silec.
10(*)Vm en dizaines de V (50. .1200). — Silec.^
3(*)Vmx100V(3,2...40kV). — Silec.4
110(*) Vmx 10 V (30...560). — Soral.J
1(*) Vmx 100 V (50...1000).— Cogie.=
20400—600—800. — Silec.*
35"400—600—800. —Silec./
1000. — Intermetall.
5*960. — ‘Radiateur 60 cm2. — Intermetall.
10*960. — ‘Radiateur 100 cm2. — Intermetall.
15(*) Vmx 10V(50...1500).;
20(*) Vm en dizaines deV (800...1500).— Silec.|
35(*) Vm en dizaines de V (800...1000).— Silec.j
0,115000.— Silec.:
0,215000.—Silec.'
0,17000. — tr = 200 ns. — Silec.
0,1(*) Vm x 10 V (600...1500). — Soral.
0,6(*) Vmx 10V(200...1000). —Soral..
0,5100—200—300—400—500.(
0,7100—200—300—400—500.
91 = 100 V, 92 = 200 V, etc.
550.
1400.*
1,2(*) Vm x 100 V (100...1600). — Semikron.
0,65(*) Vm x 100 V (100...1000). — tr = 300 ns.
Продолжение таблицы 8.6.1
Тип диода
lH0M,Максимальное напряжение, В;
Априменение
SKa 13,17.
SKE, SKS 1/(*) SKEa 1/13, 17 SKE2F1/(*) SKE2F2/(*) SKE 2,5/(*) SKE 4 F 1/(*) SKE 4 F 2/0 TI51...55 TI56...60 YC,YD(*)x( ) 1 AS 027, 029 ICO 1 N 151,2,8 1 N 248...50 1 N316...22 1 N 323...29 1 N 359...65 1 N 440...45 1 N 530...35 1 N 536...40 1 N547 1 N550...55 1 N 599...606 1 N607...14 1 N 645...49 1 N 676, 8 1 N 683, 7 1 N 846, 7 1 N 848, 9 1 N 1095, 6 1 N 1100...3 1 N 1115...20 1 N 1124...28 1 N 1133,7 1 N 1140, 2,3 1 N 1183...90 1 N 1191...98 1 N 1199...1206 1 N 1251...55 1 N 1256...61 1 N 1341. ..48 В 1 N 1487...92 1 N 1563...68 1 N 1581...87 1 N 1612...16 1 N 1692...97 1 N 1732...4 1 N 2069...71-
1 N 2072...79 1 N 2080...86 1 N 2103...08 1 N 2154...60 1 N 2373, 4 1 N 2378 1 N 2379, 80
1300—1700. — Semikron.
(*)Vmx100V(100...1200).
1300,1700. — Semikron.
0,9(*) Vm х 100 V (100...600). — tr = 200 ns.
(*)Vmx 100 V (100...600). — tr = 200ns.
2,5(*)Vmx 100 V (200.. .1600)
(*) Vm x 100 V (100... 1000). - tr = 400 ns.
2(*) Vm x 100 V (100...1000). — tr = 400 ns.
0,220—30—40—50—80. — Texas Instr.
0,4120—200—270—320—400. — Texas Instr.
—(*)VmenV. — ( ) Inomen A.
1,5800-1000.'
10(*) Vmx 100 V (200... 1000). — Cogie.
1100—200—400.
2050—100—200.
0,2550—100—200—350—500— 850—1000.
0,450—100—200—350—500— 850—1000.
0,1550—100—200—350—500—850—1000.
0,75100-200-300-400-500- 600.
0,3100—200—300—400—500—600.
0,7550-100-200-300-400.x
0,75600.
0,5100—200—300—400—500—600.
0,650—100—150—200—300—400—500—600.
0,850—100—150—200—300—400—500—600.
0,4275-360-480-600-700. - C = 6 pF.
0,25100—200.
0,25400—600.
0,2550-100.
0,1350-100.
0,75500—600.
0,75100—200—300—400.4
1,5100—200—300—400—500—600.
3200-300-400-500-600.
0,41500-2400.
0,43600-4800-6000.
3550—100—150—200—300—400—500—600.
2050—100—200—300—400—500—600.
1250—100—150—200—300—400—500—600.
0,550—100—200—300—400.
0,3500—600—700—800—900—1000.
650—100—150—200—300—400—500—600.
0,75100—200—300—400—500—600.
1,5100—200—300—400—500—600.
350—100—200—300—400—500—600.
1550—100—200—400—600.
0,75100—200—300—400—500—600.
0,152000—3000—5000.
0,75200-400-600.
0,7550—100—150—200—250—300—400—500.
0,550—100—200—300—400—500—600.
0,7550—100—200—300—400—500.
2550—100—200—300—400—500—600.
0,25600-1000.
0,153000.
0,14000—6000.
Продолжение таблицы 8.6.1
Тип диода
'ном> А
Максимальное напряжение, В; применение
1 N 2381
0,08
10000.
1 N 2382...50
0,07
4—6—8—10 kV.
1 N 2482...4
0,75
200-400-600.
1 N 2485...9
0,75
200-300-400-500-600.
1 N 2501. ..4
0,15
800-1000-1200-1500.
1 N 2505...8
0,3
800—10ОО-1200—1500.
1 N 2609...17
1 N 2858-64
0,75
0,75
50 100—200 300 400 500 600 800—1000
50—100—200—300—400—500 —600.
1 N 2887, 91,97
0,25
1500—2000—2500.
1 N 2901, 05, 11
0,25
3000—3500—4000.
1 N2915, 19, 21
0,25
4500-5000-5500.
1 N 2923, 25
0,25
6000-6500.
1 N2901, 11, 19,23
0,25
3000-4000-5000-6000-8000-10000—12000.
1 N 3072-81
0,2
50-100-150-200-250-300-350-400-500—600.
1 N 3082-4
0,5
200—400—600.
1 N 3189-91
1,25
200-400-600.
1 N 3193-6
0,75
200-400-600-800.
1 N 3208-14
15
50—100—200—300—400—500—600.
1 N 3260-66
160
50-100-150-200-250-300-350.
1 N 3267...73
160
400—500—600—700—800—900—1000.
1 N 3282-86
0,1
1000-1500-2000-2500-3000.’
1 N 3289-96
100
200... 1200, de cent еп cent.
1 N 3491-95
25
10—100—200—300—400.
1N 3544...9"
0,6
100-200-300-400-500-600.
1 N 3569-74
3,5
100-200-300-400-500-600.
1 N 3611-14
1 N 3639-42
1
0,75
240 480 720 Q00
200—400—600—800.
1 N 3649, 50
3,3
800-1000.
1 N 3659...63
30
50—100—200—300—400.
1 N 3670-3
12
700—800—900—1000.
1 N 3736-42
250
' 200-300-400-500-600—800—1000.
1 N 3670-73 А
12
700-800—900-1000.
1 N 3765...68
35
700—800—900—1000.
1 N 3874-78
1 N 3879-83
6
50—100—200—300—400 — tr < 0 2 ms
6
50—100—200—300—400. — tr < 0,2 ms.
1 N 3889...93
1 N 3899...03
1 N 3909-13
12
50—100—200—300 400 — tr < 0,2 ms
20'
30
50 WO200 300 400 — L < 0 2 ms
50—100—200—300—400. — tr < 0,2 ms.
1 N 3938-42
2
200—400—600—800—1000.
1 N 3987-90
6
700—800—900—1000.
1 N 4001-07
1
50— 100—200—400—600—800—1000.
1 N 4044-50
275
50-100—150-200—250-300—400.
1 N 4051-56
275
500-600-700-800-900-1000.
1 N 4139-46
1 N 4264-69
з
100 200 400—600 800—1000 1200
1
100—200—300—400—500—600.
1 N 4374
1
1500.
1 N 4383-6
1
200—400—600—800—1000.
1 N 4506...11
12
200—400—600—800—1000—1200.
1 N 4525-30
35
200—400—600—800—1000—1200.
1 N 4585, 6'
0,6
800-1000.
1 N 4719...25
1 N 4816-22
з
100 200 300 400 500—600—800—1000
1,5
50—100—200—300—400—500—600.
1 N 4997...5003
3 '
50—100—200—300—400—500—600—800—1000.
1 N 5052-4
1,5
700-800-1000.
1 N 5059-62
1
200-400-600-800.
1N 5391-9
1 N 5400-8
1,5
3
Г100 200 300 400 500
I —600—800—1000.
Продолжение таблицы 8.6.1
Тип диода
*Н0М' А
Максимальное напряжение. В; применение
1 N 5624...7
3
200-400-600-800.
1 RM 80, 150, 200
0,5
8000-15000-25000.
1 S 020...27
1,5
100—200—300—400—500—600—700.
1 S100, 1,3, 5,
7,9
0,75
100—200—400 -600—800—1000.
1 5410,1,3,5,7
3
100-200-400-600-800.
1 5 420,1,3,5,7
10
100-200-400—600—800.
1 5 1553...5
0,3
70—55—35. — Toshiba.
1 5 1829, 30
1
800, 1000. — Toshiba.
1 5 1832,4.5
0,8
1800—400—600. — Toshiba.
1 5 1885...8
1
100—200—400—600.
1 S1941...4
0,5
100-200-400-600.
1 52711
1,5
1500. — Toshiba.
2AF05, 1,2,4
12
50—100—200—400.
2С(‘)
20
(*) Vm x 100 V (200...1000 V). — Cogie.
2Е(*)
0,3
(*) Vm x 100 V (100...400 V). — I. R.
ЗСС)
30
(*) Vm x 100 V (200... 1000 V). — Cogie.
3FC)
3
(*) Vm x 10 V (50...1000 V). — I. R.
5 Е(*)
0,5
(*)Vmx 100 V (100...400 V). I. R.
6F(‘)
6
(*)Vmx10V(50...1000V). — I. R.
6 RM (*)
1,5
(*)Vmx 100 V.
8 С(‘)
80
(*) Vm x 100 V (200...1600 V). — Cogie.
10 С о
100
(*)Vmx 100 V (200... 1600 V). - Cogie.
10D(‘)
1
(*) Vm x 100 V (100... 1000 V). - I. R.
10-18 J2
0,5
50—100—200—300—400—500—600—800. — Sesco.
10...15R2
17,5
50—100—200—300—400—500. —Sesco.
12F(‘)
12
(*)Vmx 10 V (50...1000 V). - I. R.
15 С (*)
150
(*) Vm x 100 V (200...1000 V). — Cogie.
16FO
16
(*)Vmx10V(50...1000V). — I. R.
20 С О
200
(*) Vm x 10 V (2000...1600 V). — Cogie.
20 С (*)
2
(*) Vm x 100 V(100...1000 V). -1. R.
22, 24, 26, 28, 30 R 2
20
200—400—600—800—1000. — Sesco.
25 С (*)
250
(*) Vm x 100 V (200...1000 V). — Cogie.
26, 28. 30 R 2 5
20
600-800-1000.
31,2,4,6,8, R 2
35
100—200—400—600—800. — Sescosem.
36, 38, 40 R 2 5
35
600 -800—1000. — Sescosem.
40 С О
400
(*) Vm x 100 V (200... 1200 V). — Cogie.
42,44,46,48 R 2
6
200—400—600—800. — Sesco.
46,48,50 R 2 5
6
600—800—1000. — Sesco.
62-67 J 2
0,4
200—300—400—500—600—700. — Sesco.
62,64,66,68 R 2
10
200—400—600—800. — Sesco.
66,68,70 R 2 5
10
600—800—1000. — Sesco.
70 Н (*)
70
(*) Vm x 10 V(50...1000 V). -I. R.
110 А О
0,6
Г (*) Vm x 100 V (500...800). — PourVeff
ново
1,5
1=18...280 V. — Silec.
162-169 J 2
0,4
200—300—400—500—600—700—800—900. — Sescosem.
250 WAR О
250
(*) Vm x 10 V (1200...2000 V). — I. R.
384(*)
1,5
(*) A = 50, В = 100, C = 150,
388 (*)
1
D = 200, F = 300, H = 400,
398 О
3
К = 500, M = 600, P = 700, S = 800, Z = 1000. — Westinghouse.
Таблица 8.6.2. Сигнальные и коммутационные диоды
Тип диода
имакс,В/1макс, мА
Применение
Тип диода
имакс,В/!макс, мА
Применение
АА111
40/10
ЕМ.
ВА104
100/190
U. G.
АА112
20/45
ЕМ.
ВА105
300/150
U. G.
АА113
65/50
ЕМ.
ВА 108
50/190
U. G.
АА114
25/30
Viddo
ВА127
60/100
U. G.
АА 116
30/24
Н. Е
ВА128
, 75/50
—
АА117
115/50
U. G.
ВА129
200/50
—
АА118
115/50
(1)
ВА130
30/10
—
АА119
45/35
Н.Е
ВА133
1000/200
Flash
-
АА121
25/30
Н.Е
ВА136
50/100
Int.
АА123
18/30
Е М.
ВА137
150/100
(2)
АА130
10/20
U. G.
ВА145
350/300
(31)
АА131
25/25
U. G.
ВА 147/Г)
(*)/150
U.G.
4
АА132
110/150
U. G.
ВА148
300/300
(31)
-
АА133
140/150
U.G
ВА152
15/100
(29)
АА134
70/150
U.G.
ВА154
50/115
U. G.
АА135
30/500
U. G.
ВА155
150/30
U.G.
АА136
60/500
U. G.
ВА157
400/250
С.
АА137
40/20
Н.Е
ВА158
600/250
Rash
АА138
25/25
Н. Е
ВА159
1000/250
(31)
АА139
20/200
U. G.
ВА164
20/10
—
*
АА143
25/60
Е М.
ВА165
20/100
(30)
АА144
90/60
—
ВА166
20/50
и. G.
AAY 13
25/50
с.
ВА167
25/50
U. G.
AAY18
55/75
4М.
ВА170
20/150
U. G.
N
AAY21
15/20
С. R.
ВА171
30/150
U. G.
ЫН 21
25/75
(3)
ВА172
50/150
U. G.
AAY 28
100/50
(4)
ВА173
300/300
(31)
AAY 41
30/500
С.
ВА176
100/-
(33)
AAY 43
25/75
4М.
ВА177
50/100
(29)
AAY 46
70/75
4. М.
ВА178
35/100
(29)
AAY 48
10/50
С. R.
ВА180
10/50
(18)
*
AAY 49
40/200
С. (26)
ВА181
20/50
(19)
AAY 53
40/50
и. Н. Е
ВА182
25/100
(30)
-
AAY 54
40/50
U. Н. Е
ВА184
300/1000
—
AAY 55
40/50
V. Н. Е
ВА185
400/1000
—
AAZ10
30/30
С.
ВА 166
450/1000
—
AAZ12
30/100
С. R.
ВА187
50/2000
—
AAZ13
20/200
(9)
ВА188
100/2000
—
>
AAZ14
30/15
4. М.
ВА189
150/200
U.G.
AAZ15
100/150
(8)
ВА190
200/200
U.G.
AAZ17
50/150
(7)
ВА191
20/50
Mod.
AAZ18
20/180
С.
ВА 199/(‘)
(*)400
U. G.
AD 10
10/40
—
ВА204
50/150
U. G.
*
AD 30
30/40
—
ВА215
60/200
U. G.
AD 50
50/40
—
ВА216
10/90
U. G.
AD 100
100/40
—
ВА217
30/75
U.G.
AD 150
150/40
—
ВА218
50/75
U.G.
AD 200
200/40
—
ВА219
100/75
U.G.
AE10
10/60
—
ВА220
100/100
U. G.
AE30
30/60
—
ВА221
30/400
U.G.
AE50
’ 50/60
—
ВА222
50/225
U. G.
/
AE100
100/60
—
ВА224/(*)
(*)/100
C.
}
AE 150
150/60
—
ВА243
20/100
(29)
AE200
200/60
—
ВА244
20/100
(30)
BA 100
60/90
и. G.
ВА314
0/100
—
BA 103
6/200
U.G.
ВА316
10/225
U. G.
4
Тип диода
имакс,В/1макс, мА
Применение
Тип диода
Омаке,В/1макс, мА
Применение
ВА317
30/225
U. G.
ВАХ 27
30/500
C. R.
ВА318
50/225
U.G.
ВАХ 28
25/115
С. R. (5)
ВА379
20/100
(30)
ВАХ 30
25/115
С. R. (6)
ВА382
40/-
(30)
ВАХ 33
30/10
2 х (11)
BAV10
60/300
Мет.
ВАХ 34
30/10
2 х (12)
BAV17
25/250
U. G.
ВАХ 35
30/10
2х(13)
BAV18
60/250 "
U. G.
ВАХ 36
75/50
2х(11)
BAV19
120/250
U.G.
ВАХ 37
75/50
2х(12)
BAV20
180/250
U. G.
ВАХ 38
•75/50
2х(13)
BAV21
250/250
U. G.
ВАХ 39
30/10
4х(11)
BAV24
50/300
С. R.
ВАХ 40
30/10
4х(12)
BAV39
100/50
2Р
ВАХ 41
30/10
4х (13)
BAV45
20/50
(16)
ВАХ 42
75/50
4х(11)
BAV74
50/150
2Р
ВАХ 43
75/50
4х(12)
BAV54/(‘)
(*)/150
С. R.
ВАХ 44
75/50
4х (13)
BAV55
150/350
С.
ВАХ 45...51
60/500
(14)
BAV13
200/200
С.
ВАХ 52, 53
60/500
4 Р.
BAW 21
75/100
(17)
ВАХ 54, 55
60/500
4М.
BAW 24
25/150
С. R.
ВАХ 56...73
60/500
(15)
BAW 25
55/150
С. R.
ВАХ 79
50/400
С. R.
BAW 26
25/150
С. R.
ВАХ 83
100/75
С. R.
BAW 27
40/150
С. R.
ВАХ 84, 5
50/75
С. R.
BAW 28
30/200
С. R.
ВАХ 86 А
50/75
С. R.
BAW 32 А
200/60
(32)
ВАХ 86 В
30/75
С. R.
BAW 32 В
150/60
(32)
ВАХ 87
40/75
U.G.
BAW32C
100/60
(32)
ВАХ 88
20/75
U. G.
BAW32D
50/60
(32)
ВАХ 89 А
20/75
С. R.
BAW 32 Е
10/60
(32).
ВАХ 89 В
45/75
С. R.
BAW45
20/100
С. R.
ВАХ 90
45/75
С. R.
BAW46
75/120
С. R.
ВАХ 91 А
50/75
С. R.
BAW47
100/115
С. R.
ВАХ 91 В, С
50/50
С. R.
BAW48
50/300
U. G.
ВАХ 92...4
50/75
С. R.
BAW49
100/350
С.
BAY 17
15/200
—
BAW50
200/350
С.
BAY 18
60/200
—
BAW51
80/300
и. G.
BAY 19
120/200
—
BAW52
200/300
U.G.
BAY 20
180/200
—
BAW 53
30/225
С. R.
BAY 21
300/125
и. G.
BAW 54
50/300
С. R.
BAY 31
15/100
С. R.
BAW55
75/300
С. R.
BAY 32
150/170
—
BAW 56
30/50
С. R.
BAY 38
50/115
С. R.
BAW58
100/80
С.
BAY 39
75/450
Мет.
BAW 59
40/60
С. R.
BAY 41
40/225
С. R.
BAW62
75/75
С. R.
BAY 42
60/225
С. R.
BAW75
35/150
С. R.
BAY 43
80/225
С. R.
BAW76
75/150
С. R.
BAY 44
50/200
—
ВАХ 12
90/800
(17)
BAY 45
150/200
—
ВАХ 13
50/150
U. G.
BAY 46
200/200
—
ВАХ 15
180/250
С.
BAY 60
25/115
С. R.
ВАХ 16
150/300
и. G.
BAY 63
50/200
С. R.
ВАХ 17
.200/200
U. G.
BAY 67
35/200
Int.
ВАХ 18
75/350
U. G.
BAY 68
30/200
С. R.
ВАХ 20
35/115
U. G.
BAY 69
50/200
С. R.
ВАХ 21
75/115
U.G.
BAY 71
•50/115
С. R.
ВАХ 22
125/115
U.G.
BAY 72
125/375
—
ВАХ 25
30/50
С. R.
BAY 73
125/200
U.G.
ВАХ 26
30/100
С. R.
BAY 74
50/300
—
Продолжение таблицы 8.6.2
Тип диода
имакс,В/1макс, мА
Применение
Тип диода
имакс,В/1макс, мА
Применение.
BAY 77
30/200
C. R.
SFD 89
180/150
(28)
J
BAY 82
15/50
С. R.
SFD 104
25/30
Vid'eo
BAY 86
60/250
U. G.
CFD 105
30/90
С. (21)
BAY 87
120/250
U.G.
SFD 106
25/30
Vid'eo
BAY 88
350/250
U.G.
SFD 108
115/50
U. G. (22)
BAY 89
500/250
U. G.
SFD 112
40/20
H.F.
BAY 90
800/250
U. G.
SFD118A
10/100
C. R. (23)
BAY 91
1500/250
U. G.
SFD 121
10/100
C.(24)
BAY 92
600/100
C.
SFD 122
25/150
C.(25)
BAY 93
25/75
C. R.
SFD 129 В
40/200
C. (26)
BAY 94
35/115
C. R.
SFD 143
70/75
U. G.
BAY 95
75/200
C. R.
SFD 180
50/160
U. G. (27)
BAY 98
150/200
U.G.
SFD 181
150/80
U. G.
EA403
35/150
C. R.
SFD 183
70/75
C. R.
-
EB 383
75/225
U. G.
SFS 185
50/200
C.
EC 401
100/225
(16)
TID 31,33
50/150
C. R.
S’
EC 402
50/225
(16)
TID 32, 34
75/150
C. R.
FS19
25/150
C.
TID 35, 37
50/150'
C. R.
;
FS36
30/30
C.
TID 38
75/150
C. R.
a
IH 600
75/200
C. R.
TID 40
250/225
C.
J
IH 601
50/200
C. R.
TID 41
200/225
C.
3
1П 700
30/50
C. R.
TID 42, 43
150/225
C.
1П 777
15/50
C. R.
TID 44
100/225
C.
MC 19
150/200
1 N34A
60/30
U. G.
MC 51
300/200
—
1 N38A
100/30
U.G.
MC 114
50/75
C. R.
1 N43
60/30
U. G.
MM 1
50/50
Mod.
1 N48
70/50
U. G.
OA5
100/115
U. G.
1 N51
40/30
U. G.
OA7
25/140
C.
1 N52
70/50
U. G.
OA9
25/270
C.
1 N54A
50/30
U. G.
*
OA47
25/110
C.
1 N58A
100/30
U. G.
OA70
22/50
Vid'eo
1 N60
25/30
—
OA73
30/50
Vid'eo
1 N63
100/30
U. G.
1
OA79
45/35
H.F.
1 N64
15/30
U. G.
OA81
90/50
U.G.
1 N65
70/50
U. G.
X
OA85
90/50
U. G.
1 N66
50/30
U. G.
4
OA86
60/35
C.
1 N68A
100/30
U. G.
OA90
20/8
Vid'eo
1 N69
60/30
U. G.
OA92
15/10
U. G.
1 N70A
100/30
U.G.
OA95
90/50
U. G.
1 N75
70/50
U.G.
OA127
19/150
U.G.
1 N81
40/30
U.G.
OA128
■35/150
U.G.
1 N 126A
75/30
U. G.
OA129
75/150
U. G.
1 N 127 A
125/30
U.G.
I
OA130
135/150
U. G.
1 N128
50/30
U. G.
OA131
230/150
U.G.
1 N 191
70/30
U. G.
OA132
320/150
U.G.
1 N 192
50/30
U. G.
OA150
110/75
U.G.
1 N 198
100/30
U. G.
i
OA154Q
55/75
M.A.
1 N251
30/75
C.
OA200
50/160
U. G.
1 N270
100/90
U. G.
<
OA202
.150/160
U. G.
1 N277
100/150
U. G.
RF 100, 1 SV
35/300
(29)
1 N294
60/30
—
SFD 43
30/75
U. G.
1 N295
40/35
—
SFD80 .
15/75
U. G.
1 N456
30/135.
U. G.
SFD83
25/75
C. (20)
1 N457
60/110
U. G.
SFD 86 •
150/150
(28)
1 N458
150/80
U. G.
>
SFD88
200/150
(28)
1 N459
200/60
U. G.
-
Тип диода
Омаке,В/!макс, мА
Применение
Тип диода
Омаке,В/!макс, мА
Применение
1 N461
30/90
U. G.
1 N 4311
80/250
С. R.
1 N462
70/75
U. G.
1 N 4312
120/250
С. R.
1 N463
. 200/50
U. G.
1 N 4322
75/200
С. R.
1 N464
150/60
U. G.
1 N 4363
150/200
С.
1 N482
40/100
U. G.
1 N 4376
20/60
С. R.
1 N483
80/100
U. G.„
1 N4444
70/100
С. R.
1 N484
150/100
U.G.
1 N 4445
75/10
С. R.
1 N485
200/100
U.G.
1 N 4446
90/150
С. R.
1 N541.2
45/35
U. G.
1 N 4447
90/150
С. R.
1 N625
20/20
С.
1 N4448
90/150
С. R.
1 N626
35/20
С.
1 N4449
90/75
С. R.
1 N627
75/20
с.
1 N 4450
40/200
С. R.
1 N628
125/20
с.
1 N 4451
40/300
С. R.
1 N629
175/20
с.
1 N4452
40/600
С.
1 N636
45/30
и. G.
1 N 4454
75/75
С. R.
1 N643
175/40
С.
1 N 4531
75/10
С. R.
1 N659
50/100
С.
1 N 4532
75/10
С. R.
1 N 660
100/100
С.
1 N 4533
40/20
С. R.
1 N661
200/100
с.
1 N4534
75/20
С. R.
1 N662
80/40
с.
1 N 4536
35/30
С. R.
1 N663
80/40
с.
1 N4606
85/250
С. R.
1 N914
75/75
С. (10)
1 N 4607
85/400
С. R.
1 N915
50/75
с.
1 N 4608
85/450
С. R.
1 N916
75/75
с.
1 N4610
55/300
С. R.
1 N917
30/50
с.
1 N 4726
20/60
С. R.
1 N929
20/250
и. G.
1 N 4727
30/20
С. R.
1 N930
50/250
и. G.
1 N 4863
70/100
С. R.
1 N995
10/40
С. R.
1 N 4854
125/100
—
1 N 3062...6
50/75
—
1 N 4950
80/500
С. R.
1 N 3067
20/50
—
1 N 4951
20/25
2Р
1 N 3068
20/75
С. R.
1 N 4952
50/25
2Р
1 N 3069
50/75
С. R.
1 N 5219
30/50
С. R.
1 N 3070
175/100
С. R.
1 N 5220
30/50
С. R.
1 N 3071
150/225
С. R.
1 N 5282
80/500
С.
1 N3124
40/50
С. R.
1 N5317
80/100
С. R.
1 N 3595
125/225
(16)
1 N5318
75/200
С. R.
1 N 3596
20/30
С. R.
1 N 5319
40/100
С. R.
1 N 3600
50/200
С. R.
1 N5412
30/100
С. R.
1 N 3602
75/20
С. R.
1 N 5413
55/100
С. R.
1 N 3603
45/30
С. R.
1 N 5414
75/100
С. R.
1 N 3604
50/200
С. R.
1 N 5428
200/100
Н.С.
1 N 3605
40/150
С. R.
1 N 5429
200/200
Н. С.
1 N 3606
75/150
—
1 N5430
75/200
К. С.
1 N4009
25/115
С. R.
1 N 5431
80/500
Н. С.
1 N 4086
70/200
С. R.
1 N5432
20/50
НС..
1 N 4092
50/100
U.G.
1 N5711
55/35
U. G.
1 N4148
90/75
С. R.
1 N5712
16/20
U. G.
1 N4149
90/75
С. R.
1 N5713
12/20
U. G.
1 N4150
50/150
С. R.
1 N5719
150/100
С.
1 N4151
75/200
С. R.
1 N 5720
30/50
U. G.
1 N4152
40/150
—
1 N 5721
15/50
U. G.
1 N4153
75/150
—
1 N 5726
60/500
С.
1 N4154
35/115
С. R.
1 N 5727
50/500
с.
1 N4244
20/50
С. R.
12Р2
200/60
с.
1 N 4305
75/10
С. R.
13 Р 1
20/150
и. G.
1 N 4308
80/250
С. R.
13Р2
200/40
С.
Окончание таблицы 8.6.2
Тип диода
Омаке, В/1макс, мА
Применение
Тип диода
Омаке,В/1макс, мА
Применение
14 Р1
60/150
U.G.
28 J 2
10/60
U. G.
14 Р 2
150/40
С.
28 Р1
40/100
U. G.
15Р1
100/150
U. G.
29Р1
40/100
U. G.
15Р2
100/40
С.
30 Р1
35/150
U. G.
16Р1
150/150
U. G.
30 Р4
50/75
C.R.
16Р2
50/40
С.
31 Р 1
100/150
U. G.
17 Р 2
30/40
С.
31 Р4
100/75
С. R.
18Р2
10/40
С.
33 Р1
30/30
U. G.
19Р 1
15/200
U. G.
34 Р 4
20/115
С. R.
19Р2
10/60
С.
35 Р1
75/200
U. G.
23 J 2
200/60
U. G.
35 Р4
45/115
С. R.
24 J 2
150/60
U. G.
36 Р4
90/115
С. R.
25 J 2
100/60
U. G.
37 Р4
45/115
С. R.
25 Р1
50/25
U. G.
85 Р1
100/150
U. G.
26 J 2
50/60
U. G.
134Р4
20/115
С. R.
26 Р 1
50/50
U. G.
135Р4
45/115
С. R.
27 J 2
30/60
U.G
136 Р 4
90/115
С. R.
27 Р 1
35/100
U. G.
137Р4
45/115
С. R.
Таблица 8.6.3. Варикапы
Тип диода
Омаке, В
Смин...
Смаке, пФ
Применение
Тип диода
имакс, В
Смин...
Смаке, пФ
Применение
ВА101
25
8...50
—
ВВ 104 В
30
14-40
V.H.F.
ВА102 ‘
20
15...60
V.H.F.
ВВ105А
28
3-20
U.H.F.
ВА110
30
6,3...10
V.H.F.
ВВ 105 В
28
2-20
U.H.F.
BA110G
60
6...18
V.H.F.
ВВ 105G
28
2-20
V.H.F.
ВАШ
20
35...55
V.H.F.
ВВ106
28
5-25
V.H.F.
ВА112
20
60...100
—
ВВ 109 G
28
5-28
V.H.F.3
ВА121
30
4...15
U.H.F.
BB110G
30
11-28
V.H.F.
ВА124
30
25...80
V.H.F.
ВВ 110 В
30
11-32
V.H.F.
ВА125
30
18...40
H.F.
ВВ 113
32
13-250
H.F.
BA138G
30
4,5...11
V.H.F.
ВВ 121
28
2...17
U.H.F.
BA138R
30
4,7...12
V.H.F.
ВВ 122
28
2-20
U.H.F.
ВА138В
30
5...13
V.H.F.
ВВ 141
28
2...19
U.H.F.
ВА139
28
3...22
U.H.F.
ВВ 142
28
2-18
U.H.F.,
ВА140
28
3...22
V.H.F.
BB204G
30
13-35
V.H.F.*
ВА 141
30
2,5-12
U.H.F.
ВВ204В
30
15-40
V.H.F.’
ВА142
30
2,7-14
V.H.F.
ВВ 209
28
3-21
V.H.F.
ВА149
50
3-7
U.H.F.
ВВ 305 В
35
2-10
U.H.F.
ВА150
25
25-55
V.H.F.
BB305G
35
2-9
U.H.F.
ВА 161
30
2,5-12
U.H.F.
BBY10
35
3-15
H.F.
ВА162
30
2,5-13
V.H.F.
BBY11
35
4-20
H.F."
ВА 163
14
10-200
H.F.
BBY12
35
7...30
H.F.‘
BAY 35
——
90-100
Mod.
BBY13
35
10-40
H.F.
BAY 70
30
3-8
—
BBY14
35
15-60
H.F.
ВВ 100
25
6-10
V.H.F.
BBY15
35
20-80
H.F.
ВВ 100GVE
35
4...10
V.H.F.
MV104
30
15-40
V.H.F.
ВВ 100GBE
35
5-13
V.H.F.
MV 1401
12
40-550
H.F.
ВВ 100GRO
35
6-15
V.H.F.
MV 1403
12
17-175
H.F.
ВВ 102
50
7-18
V.H.F.
MV 1404
12
12-120
H.F.
ВВ 103G
30
11...29
V.H.F.
MV 1405
12
25-250
H.F.
ВВ103В
30
11-31
V.H.F.
MV 1620
20
4-8
H.F.
ВВ 104G
30
14...37
V.H.F.
MV 1622
20
5-10
H.F.j
Окончание таблицы 8.6.3
Тип диода
Смаке, В
Смин...
Смаке, пФ
Применение
Тип диода
имакс, В
Смин ..
Смаке, пФ
Применение
MV 1624
20
6...12
H.F.
SC 180
13
2400
«Transitron»
MV 1626
20
7...15
H.F.
SC 200
10
2600
«Transitron»
MV 1628
20
8...18
H.F.
TF145
20
4...11
VH.F
MV 1630
20
9...20
H.F.
TIV 306
20
3...7
V.H.F.
MV1632
20
10...22
H.F.
TIV307
20
4-9
VH.F.
MV 1634
20
12...27
H.F.
TIV 308
20
6-15
V.H.F.
MV 1636
20
15...33
H.F.
VA 124
50
6-22
H.F. '
MV 1638
20
18...39
H.F.
VA127
25
15...47
H.F.
MV 1640
20
22...47
H.F.
VA128
50
12...47
H.F.
MV 1642
20
27...56
H.F.
VA132
25
5-15
H.F.
MV1644
20
33...68
H.F.
VA133
25
10-33
H.F.
MV 1646
20
39...82
H.F.
VA134
25
22-68
H.F.
MV 1648
20
47...100
H.F.
VA135
50
4...15
H.F.
MV 1650
20
56...120
H.F.
VA136
50
8 ..33
H.F.
MV 1652
20
47... 120
H.F.
VA137
50
16-68
H.F.
MV 1654
20
56...150
H.F.
VA138
25
3-10
H.F.
MV1656
20
68...180
H.F.
VA139
50
2,5-10
H.F.
MV1658
20
75-200
H.F.
VA156
25
3-10
H.F.
MV 1660
20
82...220
H.F.
VA157
25
5...15
H.F.
MV 1662
20
110...250
H.F.
VA158
25
7-22
H.F.
MV 1664
20
120...270
H.F.
VA159
25
10-33
H.F.
MV1666
20
150...330
H.F.
VA160
25
15-47
H.F.
MV2101
30
4...10
Н.Е
VA161
25
22-68
H.F.
MV2102
30
5...12
H.F
VA 169, 71
50
25-100
H.F.
MV2103
30
6...15
Н.Е
VA 172, 3
25
30-100
H.F.
MV2104
30
7...18
Н.Е
VA300, 1
200
15-100
H.F.
MV2105
30
8...22
Н.Е
VA 302,3
200
10-68
H.F.
MV2106
30
9...27
Н.Е
VA 304,5
200
7-47
H.F.
MV2107
30
11...33
Н.Е
1 N 5139
60
2,3-6,8
V.H.F.
MV2108
30
13...39
Н.Е
1 N 5140
60
5,3-10
V.H.F.
MV2109
30
15...47
Н.Е
1 N5141
60
4,1-12
VH.F
MV2110
30
18...56
Н.Е
1 N 5142
60
5,2-15
V.H.F.
MV2111
30
22...68
Н.Е
1 N5143
60
6,2-18
V.H.F.
MV2112
30
27...82
Н.Е
1 N5144
60
7,1-22
V.H.F
MV2113
30
33...100
Н.Е
1 N 5145
60
8,7-27
V.H.F.
MV2114
30
39...120
Н.Е
1 N5146
60
11. .33
V.H.F.
MV2115
30
47...150
Н.Е
1 N 5147
60
13-39
V.H.F.
MV3501
30
3...8
V.H.F.
1 N 5148
60
15-47
V.H.F.
MV3502
30
4...10
V.H.F.
1 N 5441, 61 A
30
3-7
H.F.
MV 3503
30
5...12
V.H.F.
1 N5442, 62 A
30
3-8
H.F.
MV 3504
30
6...15
V.H.F.
1 N 5443, 63 A
30
4-10
H.F.
MV3505
30
7...19
V.H.F.
1 N5444, 64A
30
5-12
H.F.
MV 3506
30
8...24
V.H.F.
1 N 5445, 65 A
30
6-16
H.F.
MV 3507
30
9...28
V.H.F.
1 N 5446, 66 A
30
7-18
H.F.
1 S 1650, 1
40
28...80
Н.Е
1 N 5447, 67 A
30
7-20
H.F.
1 S 1658
20
18...32
V.H.F.
1 N 5448, 68 A
30
8-22
H.F.
1 S 2094
18
7...10
U.H Е
1 N 5449, 69 A
30
10-27
H.F.
1 S 2789
28
2,5-12
U.H.F.
1 N 5450, 70 A
30
12...33
H.F.
RF400
35
5...10
V.H.F.
1N 5451,71 A
30
14-39
H.F.
RF401
35
3,5-7
V.H.F.
1 N 5452, 72 A
30
16-47
H.F.
SC47
"25
690
«Transitron»
1 N 5453, 73 A
30
18-56
H.F.
SC56
20
800
«Transitron»
1 N 5454, 74 A
30
22-68
H.F.
SC 68
15
930
«Transitron»
1 N 5455, 75 A
30
27-82
H.F.
SC 82
15
1120
«Transitron»
1 N 5456, 76 A
30
33-100
H.F.
SC100
15
1440
«Transitron»
1 N 5747
100
150-680
H.F.
SC 120
15
1640
«Transitron»
1 N5718
100
300-1400
H.F.
SC 150
15
2000
«Transitron»
8.7. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВФИРМЫ «МОТОРОЛА»
No корпуса
Внешний вид транзистора
Тип корпуса
kA
U-э, В
Рк,Вт
1
1ТО-204АА
(ТО-3)2,5-30 40-1500 36-250
Case 1-07
^^cLTwz^a 4°-60 б""500 25°-300
TO-205AD
(ТО-39)0,5-5,0 40-400 5,0-10
Case 79-04
2
3
4
~71TO-213AA
(TO-66)1,0-10 40-325 20-90
Case 80-02
5
<^3R0.5-Ю 40-400 12,5-20
Case 3o9-0b
6
£ Case^k-Ю W-10 ^ ’«-г0
7
ISOLATED
^2^
’o
TO-218 TYPE 8-15 400-70050
Case 3408-03
8
^J^In^ 6,0-25 60-850 100—150 Case 340D-01
°!TO-220AB-
~7^7* ™0,5-15 30-1800 15-25
ISOLATED
TO-220 TYPE5-1280-550 40-45
Case 221D-02 TO-225AA -TO-126 TYPE 0,3-5,0 25-400 12,5-40
case 77-07
^^^^^Case 152-02°'5-2,0 30"300 10
^Й^№Гm^j^Sc 10-15 100-1500 100-200
15-25 60-1000 150-200
Case 340G-01
9
10
11
12
13
14
Таблица 8.7.1. Типы корпусов транзисторов, их энергетические характеристики
Таблица 8.7.2. Параметры транзисторов в корпусе № 10 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.1)
макс
^К-Э' В
^к-э> В, имп.
Тип проводимости
^216- МИН, макс
fKA
1/э-б, В
^к-в» В
FT МГц. мин
P, ВТ, 25'C
п-р-п
р-п-р
1
250
MJF47
30/150
0,3
5
350
10
28
1,5
200
2SC3298B
2SA1306B
70/240
0,1
5
200
100typ
20
2
400
700
BUL44F
14/36
0,4
9
12typ
20
1000
MJF18002
14/36
0,2
9
12typ
20
3
100
MJF31C
MJF32C
10 min
1
3
28
5
100
MJF122
MJF127
2000 min
3
5
100
4
28
400
700
BUL45F
16/40
1
9
12typ
25
450
1000
BUT11AF
10 min
0,005
3
40
1000
MJF16002
5 min
5
6
40
1000
MJF18004
14/36
1
9
12typ
25
6
250
550
MJF16204
5 min
6
8
10
45
8
80
MJF6107
30/90
2
5
80
4
35
150
MJF15030
MJF15031
40 min
3
5
150
30
35
400
700
MJF13007
5/30
5
9
4
40
700
BUL146F
14/36
1,5
9
12typ
40
450
1000
MJF18006
14/36
1,5
3
12typ
40
10
60
MJF3055
MJF2955
20/100
4
5
2
40
80
MJF44H11
MJF45H11
40/100
4
40
35
100
MJF6388
MJF6668
3k/20k
3
5
100
20
40
400
700
BUL147F
14/36
2
9
12typ
45
450
1000
MJF18008
16/36
2
9
12typ
45
12
400
700
MJF13009
6/30
8
9
8
40
Таблица 8.7.3. Параметры транзисторов в корпусе № 7 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.2)
'к- А, макс
^К-Э' В
^К-Э' В, имп.
Тип проводимости
Ъ21е« МИН, макс
/к> A
иЭ-Б- В
Uk-& В
Гр МГц, мин
Р, ВТ, 25"CI
п-р-п
р-п-р
8
500
1000
MJF1606A
5 min
8
50
10
400
MJF10012
100/12k
6
8
600
50
650
1500
MJF16212
4/10
10
8
2,75 typ
50
800
1500
MJF16018
4 min
5
5
50
12
500
1200
MJF16206
5/13
10
8
3typ
50
15
500
1000
MJF16010
5 min
15
8
50
1000
MJF16210
5/13
15
8
2,5 typ
50
Э 3CASE 340В-03Рис. 8.7.2
Рис. 8.73Рис. 8.73
Рис. 8.73
Рис. 8.73
Таблица 8.7.4. Параметры транзисторов в корпусе № 9 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.3)
'кА, макс
^к-э- В мин
Тип проводимости
h21e- МИН, макс
'кА
иЭ-Б' В
иК-Б. В
^т- МГц,
МИН
Р, ВТ, 25‘С
п-р-п
р-п-р
0,5
350
MJE2360T
15 min
0,1
6
375
10 typ
30
MJE2361T
40 min
0,1
6
375
10 typ
30
1
80
TIP29B
TIP30B
15/75
1
5
80
3
30
100
TIP29C
TIP30C
15/75
1
5
100
3
30
250
TIP47
30/150
0,3
5
350
10
40
300
"ПР48
MJE5730
30/150
0,3
5
400
10
40
350
"ПР49
MJE5731
30/150
0,3
5
450
10
40
400
TIP50
MJE5731A
30/150
0,3
5
500
10
40
Продолжение таблицы 8.7.4
макс
^К-Э' В
МИН
Тип проводимости
^21е МИН, макс
*K> A
Цэ-Б- В
^К-Б, В
МГц, мин
P, ВТ, 25*C
п-р-п
р-п-р
2
60
BD239A
BD240A
15 min
1
5
70
3
30
TIP110
TIP115
500 min
2
5
60
25
50
80
BD239B
BD240B
15 min
1
5
90
3
30
TIP111
TIP116
500 min
2
5
80
25
50
100
BD239C
BD240C
25 min
1
5
115
3
30
TIP112
TIP117
500 min
2
5
100
25
50
400\700
BUL44
14/36
0,4
9
12typ
40
450\1000
BUX85
30
0,1
5
4
50
450\1000
MJE18002
14/36
0,2
9
12typ
40
900\1800
MJE1320
3 min
1
9
80
3
60
BD241A
BD242A
25 min
1
1,8
3
40
TIP31A
TIP32A
25 min
1
5
80
3
40
80
BD241B
BD242B
25 min
1
1,8
3
40
TIP31B
TIP32B
25 min
1
5
80
3
40
100
BD241C
BD242C
25 min
1
5
100
3
40
150
MJE9780
50/200
0,5
8
200
5typ
40
4
40
MJE1123
45/100
4
5
75
60
BD535
BD536
25 min
2
5
60
3
50
MJE800T
MJE700T
750 min
1,5
5
60
1
40
80
D44C12
D45C21
40/120
0,2
5
40typ
30
300/600
MJE13004
6/30
3
9
4
60
400/700
MJE13005
6/30
3
9
4
60
5
60
TIP120 .
TIP125
1k min
3
5
60
4
65
80
TIP121
TIP126
1k min
3
5
80
4
65
100
TIP122
TIP127
1k min
3
5
100
4
75
250
2N6497
10/75
2,5
6
350
5
80
300
2N6498
10/75
2,5
6
400
5
80
400/700
BUL45
16/40
1
9
12typ
100
400
BUV46
5 min
3,5
6
12
85
250/550
MJE16204
5 min
6
8
10
80
7
30
2N6288
2N6111
30/150
3
5
40
4
40
50
2N6109
30/150
2,5
5
60
4
40
60
BD797
BD798
25 min
3
5
60
3
65
70
2N6292
2N6107
30/150
2
5
80
4
40
80
BD799
BD800
15 min
3
5
80
3
65
100
BD801
BD802
15 min
3
5
100
3
65
150
BU407.D
30 min
1,5
6
330
10
60
200
BU406.D
30 min
1,5
6
400
10
60
375
BU522
250 min
2,5
5
400
7,5
75
425
BU522A
250 min
2,5
5
450
7,5
75
450
BU522B
250 min
2,5
5
475
7,5
75
8
60
2N6043
2N6040
1k/10k
4
5
60
4
75
BDX53A
BDX54A
750 min
3
5
60
4
60
-
BD897
BD898
750 min
3
5
60
1
70
BD897A
BD898A
750 min
4
5
60
1
70
TIP100
TIP105
1k/20k
3
5
60
4
80
80
2N6044
2N6041
1k/10k
4
5
80
4
75
BDX53B
BDX54B
750 min
3
5
80
4
60
BD899
BD900
750 min
3
5
80
1
70
BD899B
BD90B
750 min
4
5
80
1
70
TIP101
TIP106
1k/20k
3
5
80
4
80
Окончание таблицы 8.7.4
'к
макс
UK_3, В
МИН
Тип проводимости
^21е- МИН, макс
*K' A
Цэ-Б, В
иК-Б- В
МГц, мин
Р, ВТ, 25’С
п-р-п
р-п-р
100
2N6045
2N6042
1k/10k
3
5
100
4
75
BDX53C
BDX54C
750 min
3
5
100
BD901
BD902
750 min
3
5
100
1
70
TIP102
TIP107
1k/20k
3
5
100
4
80
120
MJE15028
MJE15029
20 min
4
5
120
30
50
150
MJE15030
MJE15031
20 min
4
5
150
30
50
BU807
100 min
5
6
330
60
200
BU806
100 min
5
6
400
60
8
300/600
MJE13006
5/30
5
4
80
MJE5740
200 min
4
8
600
4
80
MJE5850
15 min
2
6
350
80
350
MJE5741
200 min
4
8
700
80
MJE5851
15 min
2
6
400
80
400/700
BUL146
14/36
2
9
121ур
100
MJE5742
200 min
4
8
800
80
400/700
MJE13007
5/30
5
9
80
MJE5852
15 min
2
8
400
80
400/650
MJE16106
6/22
8
6
100
450/1000
BUT56A
10 min
2
8
12
100
450/1000
MJE18006
14/36
1,5
9
121ур
100
550
BUT47C
8 min
2
12
100
10
20
MJE5420Z
6k min
6
12
32
100
60
BDX33A
BDX34A
750 min
4
5
60
3
70
BD807
BD808
15 min
4
5
60
1,5
90
D44H8
D45H8
40 min
4
5
60
50
MJE3055T
MJE2955
20/70
4
5
60
75
2N6387
2N6667
1k/20k
5
5
60
20
65
80
BDX33B
BDX34B
750 min
3
5
80
3
70
BD809
ВОВ 10
15 min
4
5
80
1,5
90
D44E3
1000 min
5
5
80
50
2N6388
2N6668
1k/20k
5
5
80
20
65
D44H10
D45H10
20 min
4
5
80
501ур
50
D44H11
D45H11
40 min
4
5
80
50typ
50
100
BDX33C
BDX34C
750 min
3
5
100
3
70
400/700
BUL147
14/36
2
9
121ур
125
450/1000
MJE18008
16/36
2
9
12typ
125
12
300/600
MJE13008
6/30
8
4
100
400/700
MJE13009
6/30
8
9
4
100
15
60
2N6487
2N6490
20/150
5
5
70
5
75
80
2N6488
2N6491
20/150
5
5
90
5
75
BDW42
BDW46
1k min
5
5
100
4
85
D44VH10
D45VH10
20 min
4
7
50typ
83
100
BDW42
BDW47
1k min
5
5
100
4
85
Таблица 8.7.5. Параметры транзисторов в корпусе № 8 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.4)
•кА, макс
UK.3, В .
МИН
Тип проводимости
^21е- МИН, макс
'к- A
иЭ-Б> В
^К-Б1 В
МГц, мин
Р, ВТ, 25’С
п-р-п
р-п-р
5
450/1000
MJH16002
5 min
5
6
100
450/850
MJH16004
7 min
5
6
100
8
500/1000
MJH16002A
5 min
5
6
100
450/850
MJH16006
5 min
8
6
125
450/850
MJH16008
7 min
8
6
125
500
BUT50P
30 mm
2
6
100
500/1000
MJH16006A
5 min
8
6
125
700/1500
BU508A
2,25 min
4,5
5
7
125
10
60
TIP140
TIP145
500 min
10
5
4
125
80
TIP33B
Т1Р34В
20 min
3
3
80
TIP141
TIP146
500 min
10
5
4
125
100
BDV65B
BDV64B
1k min
5
125
TIP33C
TIP34B
20 min
3
3
80
TIP142
TIP147
500 min
10
5
4
125
250
BU323AP
150 min
6
125
400
MJH10012
100/2k
6
118
15
60
TIP3055
TIP2955
5 min
10
4
100
2,5
80
150
MJH11018
MJH11017
400/15k
10
5
150
3
150
200
MJH11020
MJH11019
400/15k
10
5
200
3
150
250
MJH11022
MJH11021
400/14k
10
5
250
3
150
400
BUV48
8 min
10
7
850
150
450
BUV48A
8 min
8
7
1000
150
500
BUT52P
40 min
5
125
16
140
NJE434'2
MJE4352
15 min
8
7
140
1
125
160
MJE4343
MJE4353
15 min
8
7
160
1
125
20
60
MJH6282
MJH6285
750/18k
10
5
60
4
125
80
MJH6283
MJH6286
750/18k
10
5
80
4
125
100
MJH6284
MJH6287
750/18k
10
5
100
4
125
25
60
BD249
10 min
15
5
60
3
125
TIP35A
TIP36A
10/75
15
5
60
3
125
80
BD249B
10 min
15
5
60
3
125
TIP35B
TIP36B
10/75
15
5
60
3
125
100
BD249C
BD250C
10 min
15
5
100
3
125
TIP35C
TIP36C
10/75
15
5
100
3
125
13. Усилители, радиоприемники
Таблица 8.7.6. Параметры транзисторов в корпусе № 13 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.5)
/к, А, макс
V
^К-Э» В, имп.
Тип проводимости п-р-п
р-п-р
^216- МИН, макс
^K’ A
^э-б> в
Ц<-Б' В
Fp МГц, мин
P, ВТ, 25"C
10
650
1500
MJW16212
4/10
10
8
150
800
1500
MJW16018
4 min
5
6
3typ
150
12
500
1200
MJW16206
5/13
10
8
3typ
150
15
400
650
MJW6678
8 min
15
8
125
400
650
MJW16110
6/20
10
6
135
450
850
MJW16010
5 min
15
6
150
850
MJW16012
7 min
15
6
150
500
1000
MJW16010A
5 min
15
6
150
1000
MJW16210
5/13
15
6
2,5 typ
150
30
450
1000
MJW18020
8 min
20
180
i
з
1
>
(ТО-247 Туре)
Рис. 8.7.5
макс
ик-э. В, МИН
Тип проводимости
^21е> МИН, макс
'к. А
иЭ-Б, В
Vk-б. В
^т> МГц, мин
Р, ВТ, 25’С
п-р-п
р-п-р
15
200
2SC3281
2SA1302
55/160
1
5
200
30 typ
150
Таблица 8.7.7. Параметры транзисторов в корпусе № 14 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.6)
'к
макс
6, МИН
Тип проводимости
^21е- МИН, макс
kA
иЭ-Б. В
^К-Б- В
МГц, мин
Р, ВТ, 25'С
п-р-п
р-п-р
0,3
350
MJE3439
40/160
0,02
5
450
15
15
0,5
150
MJE341
25/200
0,05
3
175
15
20,8
200
MJE344
30/300
0,05
5
200
15
20,8
250
2N5655
30/250
0,1
6
275
10
20
BD157
30/240
0,05
3
20
300
BD158
30/240
0,05
3
20
MJE340
MJE350
30/240
0,05
3
20,8
2N5656
30/250
0,1
6
325
10
20
350
2N5657
30/250
0,1
6
375
10
20
BD159
30/240
0,05
3
20
1
40
2N4921
2N4918
20/100
0,5
5
40
3
30
60
2N4922
2N4919
20/100
0,5
5
50
3
30
80
2N4923
2N4920
20/100
0,5
5
80
3
30
1,5
45
BD165
BD166
15 min
0,5
5
40
6
20
BD135
BD136
40/250
0,15
5
45
12,5
60
BD137
BD138
40/250
0,15
5
60
12,5
80
BD169
BD170
15 min
0,5
5
80
6
20
BD139
BD140
40/250
0,15
5
100
12,5
BD140.10
63/160
0,15
12,5
300
MJE13002
5/25
1
9
5
40
400
MJE13003
5/25
1
9
5
40
2
60
BD235
BD236
25 min
1
5
60
3
25
80
BD237
25 min
1
5
100
3
25
100
MJE270
MJE271
1,5k min
0,12
5
100
6
15
3
60
MJE181
MJE171
50/250
0,1
7
80
50
12,5
80
BD179
BD180
40/250
0,15
5
80
3
30
MJE182
MJE172
50/250
0,1
7
100
50
12,5
200
BUY49P
30 min
0,5
25
20
4
40
MJE521
MJE371
40 min
1
4
40
40
45
BD437
BD438
40 min
2
5
115
3
36
BD778
750 min
2
20
15
60
BD440
25 min
2
3
36
BD677
BD678
750 min
1,5
40
BD677A
BD678A
750 min
2
40
BD787
BD788
20 min
2
50
15
BD777
BD778
750 min
2
20
15
2N5191
2N5194
25/100
1,5
2
40
MJE800
MJE700
750 min
1,5
5
60
1
40
2N6038
2N6035
750/18k
2
25
40
80
2N5192
2N5195
25/100
1,5
2
40
BD441
BD442
15 min
2
5
80
3
36
BD679
BD680
750 min
1,5
40
BD679A
BD680A
750 min
2
40
•
BD789
BD790
10 min
2
40
15
BD779 '
BD780
750 min
2
20
15
MJE240
MJE250
40/200
0,2
7
80
40
15
Окончание таблицы 8.7.8
is:
макс
^К-Э' В
МИН
Тип проводимости
^21е мин, макс
'к. A
Цэ-Б' В
Vk-б. В
МГц, МИН
Р, ВТ, 25°С
п-р-п
Р-п-р
MJE241
MJE251
40/120
0,2
7
80
40
15
MJE802
MJE702
750 min
1,5
5
80
1
40
MJE803
MJE703
750 min
2
5
80
1
40
4N6039
2N6036
750/18k
2
25
40
100
BD681
BD682
750 min
1,5
40
BD791
BD792
10 min
2
40
15
MJE243
MJE253
40/120
0,2
7
100
40
15
5
25
MJE200
MJE210
45/180
2
8
40
65
15
ВАРИАНТ 2:1—Б.2—К -3—ЭВАРИАНТ 2:1—Б.2—К -3—ЭРис. 8.7.7Рис. 8.7.7ВАРИАНТ!
ВАРИАНТ 2:
1—Б.
2—К -
3—Э
ВАРИАНТ 2:
1—Б.
2—К -
3—Э
Рис. 8.7.7
Рис. 8.7.7
1—Эмиттер
2—Коллектор 3—База
Таблица 8.7.9. Параметры транзисторов в корпусе № 12 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.8)
'кА, макс
^К-Э’ В, мин
Тип проводимости
^21 е МИН, макс
'к- A
иЭ-Б- В
Uk-& В
Ft- МГц, мин
Р, ВТ, 25’С
п-р-п
р-п-р
0,5
300
MPSU10
MPSU60
30 min
0,03
6
300
45
10
0,8
40
MPSU02
MPSU52
30 min
0,5
5
60
100
10
1
120
MPSU03
40 min
0,01
5
100
35
10
180
MPSU04
40 min
0,01
5
180
35
10
2
30
MPSU01
MPSU51
50 min
1
5
40
50
10
40
MPSU01A
MPSU51A
50 min
1
5
50
50
10
MPSU45
MPSU95
4k min
1
10
50
10
60
MPSU05
MPSU55
60 min
0,25
4
60
50
10
80
MPSU06
MPSU56
60 min
0,25
4
30
50
10
100
MPSU07
MPSU57
30 min
0,25
4
100
50
10
Э
Б
Рис. 8.7.8Рис. 8.7.8К
Рис. 8.7.8
Рис. 8.7.8
Таблица 8.7.10. Параметры транзисторов в корпусе № 6 и № 5 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.9)
•к. А, макс
V
МИН
Тип проводимости
^21 е- МИН, макс
A
иЭ-Б- В
^К-Б- В
МГц, мин
Р, ВТ, 25"С
п-р-п
р-п-р
0,5
300
MJD340
MJD350
30/240
0,05
3
300
15
1
250
MJD47
30/150
0,3
5
350
10
15
350
MJD5731
30/175
0,3
5
350
10
15
400
MJD50
30/150
0,3
5
500
10
20
1,5
400
MJD13003
5/25
1
9
700
4
15
2
100
MJD112
MJD117
1000 min
2
5
100
25
20
3
40
MJD31
MJD32
10 min
1
5
40
3
15
100
MJD31C
MJD32C
10 min
1
5
100
3
15
4
45
MJD148
30 min
4
5
45
3
20
80
MJD6039
MJD6036
1k/12k
2
5
80
25
20
100
MJD243
MJD253
40/180
0,2
7
100
40
12,5
5
25
MJD200
MJD210
45/180
2
8
25
65
12,5
6
100
MJD41C
MJD42C
15/75
3
5
100
3
20
8
80
MJD44H11
MJD45H11
40 min
4
5
50typ
20
100
MJD122
MJD127
1k/12k
4
5
100
4
20
10
60
MJD3055
MJD2955
20/100
4
5
70
2
20
80
,.,uU44t3
1k min
5
7
20
CASE:369A-10(«)
Рис. 8.7.9
У
макс
LL3, МИН
Тип проводимости
^216- МИН, макс
ZK- A
иЭ-Б- B
L/K-b. В
М?Ц, МИН
P, ВТ, 25'C
п-р-п
р-л-р
4
200
МЛ 5018
МЛ 5019
30 min
1
8
200
20
150
250
МЛ 5020
МЛ 5021
30 min
1
7
250
20
150
5
500/1000
MJ16002A
5 min
5
6
1000
125
700/500
BU208A
2,5 min
4,4
5
4typ
90
8
100
2N5758
25/100
3
7
100
1
150
8
60
MJ1000
MJ900
1k min
3
5
60
90
2N6055
2N6053
750/18k
4
5
60
4
100
80
МЛ 001
MJ901
5/20
3
5
80
90
2N6056
2N6054
15 min
4
5
60
4
100
380
MJ6308
5 min
8
10
700
125
400
MJ6503
15 min
2
60
125
450/850
МЛ 6006
5 min
8
60
150
450/1000
МЛ 6008
7 min
8
60
150
500/1000
МЛ6006А
5 mln
8
5
150
10
40
2N6383
2N6648
1k/20k
5
5
80
20
100
60
2N3715
2N3791
30 min
3
7
80
4
150
2N5877
2N5875
20/100
4
5
60
4
150
MJ3000
MJ2500
1k min
5
5
60
150
80
2N3716
2N3792
30 min
3
7
100
4
150
2N5878
2N5876
20/100
4
5
80
4
150
MJ3001
MJ2501
1k min
5
5
80
150
140
2N3442
20/70
4
7
160
117
10
200
ГМ410
30/90
1
5
200
2,5
100
250
МЛ 5011
МЛ 5012
20/100
2
5
250
200
300
MJ3041
250 min
2,5
8
300
175
325
MJ413
20/80
0,5
5
400
2,5
125
MJ423
30/90
1
5
400
2,5
125
350
МЛ 3014
8/20
5
6
550
150
МЛ 0006
30/300
5
8
10
150
400
BU323A
150 min
6
8
600
175
МЛ0007
30/300
5
8
10
150
МЛ 0012
100/2k
6
8
600
175
МЛ 3015
8/20
5
6
150
600
МЛ 0014
10/250
10
8
175
800/1500
МЛ 6018
4 min
5
6
150
12
60
2N6057
2N6050
750/18k
6
5
60
4
150
80
2N6058
2N6051
750/18k
6
5
80
4
150
100
2N6059
2N6052
750/18k
6
5
100
4
150
j
J
1
<
Продолжение таблицы 8.7.11
'кА, макс
^к-э- В,
МИН
Тип проводимости
л21е- МИН, макс
•к- A
иЭ-Б> В
^К-Б. В
Fo МГц,
МИН
Р, ВТ, 25‘С
п-р-п
р-п-р
15
60
2N3055
MJ2955
20/70
4
7
100
2,5
115
2N3055A
MJ2955A
20/70
4
7
100
0,8
115
2N6576
2k/20k
4
7
60
10—200
120
-2N5881
2N5879
20/100
6
5
60
4
160
80
2N5882
2N5880
20/100
6
5
80
4
160
90
2N6577
2k/20k
4
7
90
10-200
120
120
МЛ 5015
МЛ 5016
20/70
4
7
200
1
180
2N6578
2k/20k
4
7 '
120
10-200
120
140
МЛ 5001
МЛ 5002
25/150
4
5
140
2
200
150
МЛ1018
МЛ 1017
100 min
15
5
100
3
175
200
BUX41
8 min
8
7
250
8
120
МЛ 1020
100 min
15
5
200
3
175
250
МЛ 1022
МЛ 1019
100 min
15
5
250
3
175
300
МЛ 1021
6/30
10
5
250
6Ю24
175
350
2N6251
6/50
10
6
450
2,5
175
15
400/850
BUX48
8 min
10
7
175
2N6547
6/30
10
9
6Ю24
175
400/650
МЛ 6110
6/20
15
6
175
450/1000
BUX48A
8 min
8
7
175
450/850
МЛ 6010
5 min
15
6
175
450/850
МЛ 6012
7 min
15
6
175
2N6836
10/30
10
6
10
175
500/1000
МЛ6010А
5 min
15
6
175
16
120
2N5630
2N6030
20/80
8
7
120
1
200
140
2N3773
2N6609
15/60
8
7
160
4
150
2N5631
2N6031
15/60
8
7
140
1
200
200
МЛ 5022
МЛ5023
15/60
8
5
350
5
250
250
МЛ 5024
МЛ 5025
15/60
8
5
400
5
250
18
160
BUX41N
8 min
12
7
250
8
120
20
60
2N3772
15/60
10
7
100
2
150
2N6282
2N6285
750/18k
10
5
60
4
160
75
2N5039
20/100
10
5
120
60
140
80
2N5303
2N5745
15/60
10
80
2
200
2N6283
2N6286
750/18k
10
5
80
4
160
90
2N5038
20/100
12
7
150
60
140
100
2N6284
2N6287
750/18k
10
5
100
4
160
120
BUX40
8 min
15
7
160
8
120
140
МЛ 5003
МЛ 5004
25/150
5
5
140
2
250
160
BUX11
10 min
15
8
150
200
BUV11
10 min
12
7
250
8
150
350
МЛ 0000
40/400
10
8
10
175
МЛ 0004
40/400
10
8
10
175
400
МЛ 0001
40/400
10
8
10
175
МЛ0005
40/400
10
8
10
175
МЛ 3333
10/60
5
8
175
450-
МЛ0008
30/300
10
8
8
175
450/850
МЛ 6014
5 min
20
6
250
450/850
МЛ 6016
7 min
20
6
250
2N6837
10/30
15
6
250
500
МЛ0009
30/300
10
8
8
175
МЛ 3335
10/60
5
6
175
750
МЛ0024
50/600
20
8
250
850
МЛ0025
50/600
20
8
250
Окончание таблицы 8.7.11
•кА, макс
^К-Э' В, МИН
Тип проводимости
h2le- МИН, макс
^K' A
^Э-Б’ В
иК-Б- В
МГц, мин
Р, ВТ, 25"С
п-р-п
р-п-р
25
60
2N5885
2N5883
20/100
10
5
60
4
200
80
2N5886
2N5884
20/100
10
5
60
4
200
2N6436
30/120
10
5
80
40
200
100
2МЙ338
2N6437
30/120
10
6
100
40
200
120
2N6339
2N6438
30/120
10
6
120
40
200
125
BUV10
10 min
20
8
150
140
2N6340
30/120
10
6
140
40
200
150
2N6341
30/120
10
6
150
40
200
28
400
BUT13
20 min
20
10
175
30
40
2N3771
15/60
15
5
50
2
150
2N5301
2N4398
15/60
15
5
40
2
200
60
2N5302
2N4399
15/60
15
5
60
2
200
МЛ 1012
МЛ 1011
1k min
20
5
60
4
200
90
BUX39
8 min
20
7
120
8
120
МЛ 1014
МЛ 1013
1k min
20
5
90
4
200
100
2N6328
6/30
30
3
200
MJ802
MJ4502
25/100
7,5
4
100
2
200
120
МЛ1016
МЛ 1015
1k min
20
5
120
4
200
325
BUV23
8 min
16
7
400
8
250
400/1000
BUS98
8 min
20
7
250
BUX98
8 min
20
7
250
450/1000
BUS98A
8 min
16
7
250
BUX98A
8 min
16
7
250
450/850
МЛ 6020
5 min
30
6
450
250
МЛ 6022
7 min
30
6
450
250
40
200
BUV21
10 min
25
7
250
8
150
250
BUS52
15 min
40
7
350
BUV22
10 min
20
7
300
8
250
350
МЛ 0022
50/600
10
8
350
250
400
МЛ0023
50/600
10
8
400
250
50
60
2N5685
2N5683
15/60
25
5
60
2
300
МЛ 1028
МЛ 1029
400 min
50
5
60
300
80
2N5686
2N5684
15/60
25
5
60
2
300
90
МЛ 1030
МЛ 1031
400 min
50
5
90
300
100
2N6274
2N6378
30/120
20
5
120
30
250
120
2N6275
2N6379
30/120
20
5
140
30
250
МЛ 1032
МЛ 1033
400 min
50
5
120
300
125
BUV20
10 min
50
7
100
8
250
BUV60
10 min
80
7
100
250
150
2N6277
30/120
20
6
180
30
250
200
BUS51
15 min
50
7
350
400
МЛ 0015
10 min
40
8
250
500
BUT34
15 min
32
10
250
МЛ 0016
10 min
40
8
250
56
400
BUT33
20 min
36
10
250
60
60
МЛ4000
МЛ4001
15/100
50
5
60
300
80
МЛ4002
МЛ4003
15/100
50
5
80
300
200
МЛ 0020
75 min
15
8
250
250
МЛ 0021
75 min
15
8
250
70
125
BUS50
15 min
50
7
350
80
100
BUV18A
10 min
80
7
250
( TD-204AA )
CASE 1-07
( ТЭ-204АЕ ) CASE 197А-03
Рис. 8.7.10
Таблица 8.7.12. Параметры транзисторов в корпусе № 4 табл. 8.7.1. (рис. 8.7.11)
'к- А, макс
в3
МИН
Тип проводимости
h21e- МИН, макс
'к- А
^Э-Б- В
Vk-Б- В
Ft.
МГц, мин
Р, ВТ, 25‘С
п-р-п
р-п-р
1
80
2N4912
20/100
0,5
5,0
80
3
25
225
2N3738
40/200
0,1
6
250
10
20
300
2N3739
40/200
0,1
6
350
10
20
2
225
2N6211
10/100
1
6
275
20
35
250
2N3584
2N6421
25/100
1
6
375
10
35
300
2N6212
10/100
1
6
350
20
35
2N3585
25/100
1
6
500
10
35
2N4240
30/150
0,75
6
500
15
35
350
2N6213
10/100
1
6
400
20
35
3
140
2N3441
25/100
0,5
7
160
0,2
25
4
60
2N3740
30/100
0,25
7
60
4
25
2N3054.A
25/100
0,5
7
80
3
75
2N3766
40/160
0,5
6
80
10
20
2N6294
2N6296
750/18к
2
5
80
4
50
80
2N3471
30/100
0,25
4
25
2N3767
40/160
0,5
6
100
10
20
2N6295
2N6297
750/18к
2
5
80
4
50
5
80
2N4233A
25/100
1,5
5
80
4
75
325
2N6235
25/125
1
6
500
20
50
7
60
2N6317
20/100
2,5
6
60
4
90
80
2N5428
60/240
2
6
80
30
40
100
2N6318
20/100
2,5
6
80
4
90
2N5430
60/240
2
6
100
30
40
8
60
2N6300
2N6298
750/18к
4
5
60
4
75
80
2N6301
2N6299
750/18к
4
5,8
60
4
75
(ТО-213АА)
Рис. 8.7.11
j
Таблица 8.7.13. Параметры транзисторов в корпусе № 3 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.12)
^К- А, макс
ик-э- В,
МИН
Тип проводимости
h21e- МИН, макс
'кА
иЭ-Б- В
Vk-Б- В
Ft- МГц, мин
Р, ВТ, 25-С
п-р-п
р-п-р
0,5
300
MJ4646
20 min
0,5
5
300
40
5
400
MJ4647
20 min
0,5
5
400
30
5
3
40
2N3719
25/180
1
4
40
60
6
2N3867
40/200
1,5
4
40
60
6
60
2N3720
25/180
1
4
60
60
6
2N3868
30/150
1,5
4
60
60
6
80
2N6303
30/150
1,5
4
80
60
6
5
80
2N5336
2N6190
30/120
2
6
80
30
6
2N5337
2N6191
60/240
2
6
80
30
6
100
2N5338
30/120
2
6
100
30
10
2N5339
2N6193
60/240
2
6
100
30
6
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
Анализ и устранение причин выхода РЭ А см. Общие сведения гл. 1 3
Блок AM (А2) см. Радиоприемник «Океан» РП-222» 42
Блок ЧМ (А1) см. Радиоприемник «Океан РП-222» 41
Варикапы см. Неисправности и замена полупроводниковых диодов 7
Громкоговорители и акустические системы отечественного производства, их электрические характеристики см. Усилители звуковой частоты 21
Диапазоны радиоприемников не переставляются см. Методика обнаружения неисправностей в радиоприемнике «Океан РП-222» 50
Замена катушек индуктивности, дросселей и трансформаторов см. Неисправности и замена радиодеталей при ремонте бытовой радиоаппаратуры 4
Замена резисторов вследствие неисправности см. Неисправности и замена радиодеталей при ремонте бытовой радиоаппаратуры 3
Индикация включения сети и разряда батареи, ее схема см. Блок AM (А2) в радиоприемнике «Океан РП-222» 43
Каскады радиоприемников зарубежного производства на микросхемах (8.4) 121—153
усилитель, демодулятор ЧМ 121
усилитель, демодулятор ПЧ-АМ 122
усилитель, демодулятор ПЧ тракта АМ, тракта ЧМ 122
усилитель ПЧ, демодулятор АМ 123
преобразователь, усилитель ПЧ, демодулятор АМ 123
стереодекодер 124—127
усилитель, детектор ПЧ-ЧМ 127
усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 128
стабилизаторы отрицательного напряжения 130
стабилизаторы положительного напряжения 130
стабилизатор двухполярного напряжения 130
стабилизаторы напряжения 131
усилитель ВЧ, преобразователь УПЧ, детектор АМ радиоприемника 132
усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 133
преобразователь частоты до 200 МГц 133
импульсное управление электродвигателем 134
многоканальный коммутатор 134
усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 135
усилитель мощности 2,5 ...12 Вт 135
усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ, УЗЧ 136
усилитель ПЧ АМ-ЧМ-сигнала 137
усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ, АПЧ 138
усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 138—139
радиоприемник АМ-ЧМ 140—141
усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 142
стереодекодер 143
усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 144
радиоприемник АМ 145
регуляторы громкости и тембра 146
стереодекодер ЧМ 147
стереодекодеры с электронной коммутацией 148
усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 149
стереодекодер 149
усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 150
радиоприемник АМ 151
усилитель ПЧ-ЧМ 152
стереодекодер 153
Методика обнаружения неисправностей в радиоприемнике «Океан РП-222» 50
Неисправности и замена радиодеталей при ремонте бытовой радиоаппаратуры 3
общие сведения 3
неисправности и замена резисторов 3
неисправности и замена конденсаторов 4
неисправности и замена катушек индуктивности, дросселей трансформаторов 4
неисправности и замена электронных ламп 6
неисправности и замена полупроводниковых диодов 7
выпрямительные диоды 7
стабилитроны 7
варикапы 7
тиристоры 8
высокочастотные диоды 8
неисправности и замена транзисторов 8
элементы схем зарубежной аппаратуры, их аналоги и замена 9
резисторы 9
конденсаторы 10
полупроводниковые приборы 11
приборы обозначения 12
рекомендации по замене полупроводниковых диодов, транзисторов и микросхем 13
Основные параметры биполярных транзисторов фирмы «Моторола» (8.7) 192—206
типы корпусов транзисторов, их энергетические характеристики 192
параметры транзисторов в корпусе Ns 10 193
параметры транзисторов в корпусе № 7 194
параметры транзисторов в корпусе № 9 194
параметры транзисторов в корпусе № 8 197
параметры транзисторов в корпусе № 13 198
параметры транзисторов в корпусе № 14 198
параметры транзисторов в корпусе Ns 11 199
параметры транзисторов в корпусе Ns 12 201
параметры транзисторов в корпусе Ns 6 и Ns 5 201
параметры транзисторов в корпусе Ns 1 и Ns 2 202
параметры транзисторов в корпусе Ns 4 205
параметры транзисторов в корпусе Ns 3 206
Основные параметры диодов зарубежного производства (8.6) 179-191*
55$51$511I1I
5
5
$
5
1
$
5
1
1
I
1
I
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства (8.5) 154
цоколевка полевых транзисторов 178
Принципиальные электрические схемы радиоприемников «Меридиан РП-348», «Рокс», «Селена 401...403» (8.1) 76
принципиальная электрическая схема радиоприемника «Меридиан РП-348» 76
функциональные схемы микросхемы К174ПС1, К174ХА10, К157ХА1, К174УН7 79
расположение выводов радиоэлементов: микросхемы, конденсатор, головка динамическая, транзисторы, диоды, переключатели, выводы катушек индуктивностей 80
принципиальная электрическая схема радиоприемника «Селена РП-401...403» 81
принципиальная электрическая схема радиоприемника «Рокс» 82
Радиоприемник «Океан РП-222» 41
блокЧМ(А1) 41
блок AM (А2) 42
стабилизатор напряжения 10 В — электронный ключ 43
схема индикации включения сети и разряда батареи 43
переключатель диапазонов 46
схема индикации включения диапазонов 46
стабилизаторы напряжения 5,8 и 5,2 В 46
схема формирования напряжения настройки 46
тракт АМ 47
- УЗЧ 48
блок питания 3 (АЗ) 49
методика обнаружения неисправностей в радиоприемнике «Океан РП-222» 50
приемник не работает на всех диапазонах 50
при нажатии любой из кнопок приемник не включа
ется 50
диапазоны радиоприемника не перестраиваются 50
отсутствует прием станций на всех диапазонах тракта АМ, диапазоны переключаются 53
настройка и проверка тракта АМ 54
нет приема в диапазоне УКВ 54
чувствительность приемника в диапазоне УКВ занижена 54
отсутствует перестройка по диапазону УКВ 54
настройка и проверка тракта ЧМ 54
радиоприемник «Верас РП-22» 60
регулировка и настройка радиоприемника
«Океан РП-222» 60
Радиоприемник «Океан РП-245» 63
общие сведения 63
электрическая принципиальная схема радиоприемника «Океан РП-245» 63
методика обнаружения и устранения неисправностей радиоприемника «Океан РП-245» 66
регулировка и настройка радиоприемника
«Океан РП-245» 70
испытание и контроль после ремонта радиоприемника «Океан РП-245» 70
методика проверки параметров и электропрогонка радиоприемника 74
определение диапазона принимаемых частот 74
проверка чувствительности, ограниченной шумом, в диапазонах ДВ, СВ, КВ 74
чувствительность, ограниченная шумом, в диапазоне
УКВ1 и УКВ2 74
Ремонт радиоаппаратуры зарубежного производства 15
Ремонт и регулировка радиоприемника 35
общие сведения 35
неисправности радиоприемников 36
нет приема на одном диапазоне 37
нет приема на части диапазона 37
при перестройке радиоприемника слышен сильный треск 37
нет приема на диапазоне УКВ 37
нет настройки в пределах диапазона 38
регулировка каскадов радиоприемника 38
укладка диапазонов 38
сопряжение входных и гетеродинных контуров 39
Сопряжение входных и гетеродинных контуров см. Регулировка каскадов радиоприемника 39
Стабилизаторы см. Неисправности и замена полупроводниковых дисков 7
Транзисторные каскады радиоприемников зарубежного производства (8.3) 98
усилитель ВЧ до 100 МГц 98, до 200 МГц 98
преобразователь частоты до 2 МГц 98
усилитель ВЧ до 100 МГц 99
преобразователь частоты до 100 МГц 99, до 23 МГц 99
усилитель ПЧ на 10,7 МГц, на 455 кГц, на 470 кГц 100
преобразователь частоты до 100 МГц, до 200 МГц 100
преобразователь частоты до 2 МГц 101
усилитель ПЧ на 470 кГц, на 455 кГц 101
гетеродин на 200 МГц 102
усилитель ВЧ до 200 МГц 102
усилитель ВЧ до 100 МГц, до 2 МГц 103
преобразователь частоты до 100 МГц 103
усилитель ПЧ на 470 кГц, на 455 кГц 104
усилитель ПЧ на 10,7 МГц 104
преобразователь частоты до 20 МГц 105
усилитель ВЧ до 100 МГц 105
усилитель ВЧ до 100 МГц 106
преобразователь частоты до 100 МГц 106
усилитель ПЧ на 470 кГц 107
преобразователь частоты до 20 МГц 107
преобразователь частоты до 6 МГц, до 18 МГц,
до 23 МГц 108
усилитель ПЧ на 470 кГц 108
преобразователь частоты до 100 МГц 109
усилитель ВЧ до 100 МГц 109
усилитель ПЧ на 470 кГц 110
усилитель ВЧ до 100 МГц 110
усилитель ВЧ до 70 МГц 111
гетеродин 70 МГц 111
усилитель ВЧ до 70 МГц 112
усилитель ВЧ до 30 МГц 112
усилитель ПЧ на 450 кГц, на 470 кГц, на 10,7 МГц 113
преобразователь частоты до 6 МГц, до 10 МГц, до 2 МГц, до 100 МГц ИЗ
мощный усилитель ВЧ до 30 МГц, 50 Вт, до 125 МГц,
10 Вт 114
усилитель ВЧ до 200 МГц, 1 Вт, до 100 МГц 114
усилитель ВЧ до 150 МГц 115
мощный усилитель ВЧ до 100 МГц, 6 Вт 115
мощный усилитель ВЧ до 50 МГц, 40 Вт 116
гетеродин 80 МГц 116
усилитель VHF до 100 МГц, до 400 МГц 117
преобразователь частоты до 100 МГц, до 2 МГц 117
усилитель ВЧ до 100 МГц 118
усилитель ПЧ на 470 кГц 118
усилитель ПЧ на 10,7 МГц 119
усилитель ВЧ до 100 МГц 119
преобразователь частоты до 100 Мгц 120
УЗЧ на микросхемах зарубежного производства (8.2) 83
схема включения микросхем моноУЗЧ 83
схема включения микросхем стереоУЗЧ 84
схема включения микросхем моноУЗЧ 85
схема включения микросхем стереоУЗЧ 86
схема включения микросхем стереоУЗЧ 87
схема включения микросхем моноУЗЧ 87
схема включения микросхем моноУЗЧ 88, 89
схема включения микросхем стереоУЗЧ 89
схема включения микросхем моноУЗЧ 90
схема включения микросхем стереоУЗЧ 90, 91
схема включения микросхем моноУЗЧ 91
схема включения микросхем стереоУЗЧ 92, 93
схема включения микросхем моноУЗЧ 93, 94
схема включения микросхем стереоУЗЧ 95, 96
типы корпусов микросхем 97
Усилители звуковой частоты 18
причины значительно заниженной мощности УЗЧ 18
причины больших искажений сигнала на выходе
УЗЧ 18
самовозбуждение УЗЧ 19
электрические характеристики громкоговорителей и акустических систем отечественного производства 21
Формирование напряжения настройки, ее схема см. Блок AM (А2) в радиоприемнике «Океан РП-222» 46
Характеристики электрических громкоговорителей и акустических систем отечественного производства см. Усилители звуковой частоты 21
Цоколевка полевых транзисторов см. Параметры полевых транзисторов зарубежного производства (8.5) 178
Чувствительность приемника в диапазоне УКВ занижена см. Методика обнаружения неисправностей в радиоприемнике «Океан РП-222» 54
Электронная коммутация в бытовой радиоэлектронной аппаратуре 27
общие принципы электронной коммутации 27
мультиплексоры 29
микропроцессоры 30
ОГЛАВЛЕНИЕ
Глава 1. Неисправности и замена радиодеталей при ремонте бытовой радиоаппаратуры 3
Неисправности и замена резисторов3
Неисправности и замена конденсаторов 4
Неисправности и замена катушек индуктивности, дросселей и трансформаторов 4
Неисправности и замена электронных ламп6
Неисправности и замена полупроводниковых диодов7
Выпрямительные диоды7
Стабилитроны7
Варикапы7
Тиристоры8
Высокочастотные диоды 8
Неисправности и замена транзисторов 8
Неисправности и замена микросхем8
Элементы схем зарубежной аппаратуры, их аналоги и замена 9
Резисторы9
Конденсаторы10
Полупроводниковые приборыИ
Рекомендации по замене полупроводниковых диодов, транзисторов и микросхем 13
Глава 2. Ремонт радиоаппаратуры зарубежного производства15
Глава 3. Усилители звуковой частоты 18
Глава 4. Электронная коммутация в бытовой радиоэлектронной аппаратуре27
Общие принципы электронной коммутации 27
Мультиплексоры 29
Микропроцессоры 30
Глава 5. Ремонт и регулировка радиоприемников 35
Неисправности радиоприемников36
Нет приема на всех диапазонах36
Нет приема на одном диапазоне 37
Нет приема на части диапазона37
При перестройке радиоприемника слышен сильный треск37
Нет приема на диапазоне УКВ37
Не переключаются диапазоны38
Нет настройки в пределах диапазона38
Регулировка каскадов радиоприемников 38
Укладка диапазонов .38
Сопряжение входных и гетеродинных контуров39
Глава 6. Радиоприемник «Океан РП-222» 41
БлокЧМ (А1)'.41
Блок AM (А2)42
Стабилизатор напряжения 10 В — электронный ключ43
Схема индикации включения сети и разряда батареи43
Переключатель диапазонов46
Схема индикации включения диапазонов46
Стабилизаторы напряжения 5,8 В и 5,2 В46
Схема формирования напряжения настройки46
Тракт АМ47
Усилитель 34 448
Блок питания (АЗ)49
Методика обнаружения неисправностей в радиоприемнике «Океан РП-222»50
Приемник не работает на всех диапазонах50
При нажатии любой из кнопок приемник не включается50
Диапазоны приемника не перестраиваются (ФН работают)50
Отсутствует прием станций на всех диапазонах тракта АМ. Диапазоны переключаются53
Настройка и проверка тракта АМ54
Нет приема в диапазоне УКВ54
Чувствительность приемника в диапазоне УКВ занижена 54
Отсутствует перестройка по диапазону УКВ54
Настройка и проверка тракта ЧМ54
Радиоприемник «Верас РП-225»60
Регулировка и настройка радиоприемника «Океан РП-222» 60
Глава 7. Радиоприемник «Океан РП-245» 63
Электрическая принципиальная схема радиоприемника «Океан РП-245»63
Методика обнаружения и устранения неисправностей радиоприемника «Океан РП-245» 66
Возможные неисправности, их причины и способы устранения 70
Регулировка и настройка радиоприемника «Океан РП-245» 70
Испытание и контроль после ремонта радиоприемника «Океан РП-245»74
Методика проверки параметров и электропрогонка радиоприемника74
Глава 8. Электрические схемы радиоприемников; УЗЧ на микросхемах зарубежного производства;
транзисторные каскады, каскады на микросхемах радиоприемников зарубежного производства; параметры полевых транзисторов, диодов зарубежного производства; параметры мощных биполярных
транзисторов фирмы «Моторола»75
Принципиальные электрические схемы радиоприемников•
«Меридиан РП-348», «Рокс», «Селена 401...403»76
УЗЧ на микросхемах зарубежного производства83
Транзисторные каскады радиоприемников зарубежного производства98
Каскады радиоприемников зарубежного производства на микросхемах121
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства154
Основные параметры диодов зарубежного производства. 179
Основные параметры мощных биполярных транзисторов фирмы «Моторола» 192
Предметный указатель 207
Б. П. Даниленко
ТОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ И ОБОРУДОВА>W|
ботки, производства и ремонта электронной техники
.elcotel.ru
Новосибирск, ул. Котовского, 2 (вход с торца) тел./факс (3832)51-56-99, тел. (3832)59-93-16 e-mail: elcotel@online.nsk.su, info@elcotel.ru -
Illi.III!
отечественные u зарубежные
vrмпитрпи
РАДИОПРИЕМНИКИсхемы о ремонт