Книга
← К списку книгЗагрузка разделов…
активнаАктивные записи участвуют в каталоге и синках. Неактивная книга скрыта, но не удалена из базы.
Книга
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ ТИРИСТОРАХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
Раздел первый. Классификация диодов, тиристоров и опто
электронных приборов 13
Классификация и система обозначений^[3
Условные графические обозначения.'22
Условные обозначения электрических параметров...24
Основные стандарты в области полупроводниковых приборов 30
Раздел второй. Особенности использования полупроводниковых приборов в радиоэлектроннойаппаратуре . . . .31
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВСПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВРаздел третий. Диоды выпрямительные .......
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Д2 (Б, В, Г, Д, Е, Ж, И)
МДЗ
ДММЗ
Д7 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж)
Д9 (Б, В, Г, Д, Е. Ж, И, К, Л, М)
ДЮ, ДЮ (А, Б)
ДЮЗ, ДЮ1А, ДЮ2, Д102А, ДЮЗ, ДЮЗА
Д104, Д104А, ДЮ5, Д105А, ДЮ6, ДЮ6А
Д206, Д207, Д2О8, Д209, Д210, Д211
Д214, Д214 (А, Б), Д215, Д215 (А, Б)
МД217, МД218, МД218А
Д223, Д223 (А, Б)
МД226, МД226А, МД226Е
Д226, Д226А, Д226Е
Д229 (А, Б)
Д229 (В, Г. Д, Е, И, К, Л)
Д231, Д231 (А, Б), Д232, Д232 (А, Б), Д233, Д233Б,
Д234Б
Д237 (А, Б, В, Е, Ж)
363639414345474951535456586062646668707072363639414345474951535456586062646668707072Д242, Д242 (А, Б), Д243, Д243 (А, Б), Д245, Д245 (А, Б), Д24б’ Д246 (А, Б), Д247, Д247Б, Д248Б
36
36
39
41
43
45
47
49
51
53
54
56
58
60
62
64
66
68
70
70
72
36
36
39
41
43
45
47
49
51
53
54
56
58
60
62
64
66
68
70
70
72
Д302, ДЗОЗ, ДЗО4, ДЗО5 74
2Д101А 76
2ДМ101А 77
2Д102 (А, Б), КД102 (А,Б) 78
2Д103А, КД103 (А, Б) 80
2Д104А, КД104А 82
КД105 (Б, В, Г) 83
2Д106А, КД106А 85
ГД107 (А, Б) 87
КД109 (А, Б, В) 89
АДНОА 90
АД112А 91
ГД113А 91
2Д115А-1 92
2Д118А-1 94
2Д201 (А, Б, В, Г) 95
2Д202 (В. Д, Ж, К, М, Р). КД202 (А, В. Д, Ж,
К, М, Р) 97
2Д203 (А, Б, В, Г, Д), КД203 (А, Б, В, Г, Д) 99
2Д204 (А, Б, В), КД204(А, Б, В)102
КД205 (А, Б, В, Г, Д,Е, Ж. И, К, Л)Ю4
2Д206 (А, Б, В), КД206(А, Б, В)105
КД208 (А)Ю7
КД209 (А, Б, В)Ю8
2Д210(А,Б,В,Г),КД210(А,Б,В,Г)Ю9
2Д212 (А, Б), КД212 (А, Б) щ
2Д213(А,Б,В,Г),КД213(А.Б,В,Г)ц3
2Д215 (А, Б, В)116
2Д216(А,Б)118
2Д217(А.Б)120
2Д219(А,Б)122
2Д220(А.Б,В,Г,Д, Е,Ж,И)123
Раздел четвертый. Выпрямительные столбы и блоки . . .126
Д1004, Д1005 (А.Б),ДЮ06, Д1007, Д1008 126
Д1009. Д1009А, ДЮНА128
2Ц101А129
2Ц102 (А, Б. В)131
2Ц103 (А, В)132
Щ104АИ134
КЦ105 (А, Б, В, Г, Д)135
2Ц106 (А, Б, В, Г), КЦ106 (А. Б, В, Г. Д).136
2Ц108 (А, Б, В)139
КЦ109А 141
2Ц110 (А, Б) 142
2Ц111А-1144
2Ц112А146
2Ц113А-1147
КЦ201 (А, Б, В,Г,Д,Е)148
2Ц202 (А, Б, В,Г,Д,Е)149
2Ц203 (А, Б, В)152
KU401 (А, Б)154
КЦ402 (А, Б, В. Г, Д, Е, Ж, И), КЦ403 (А, Б, В, Г, Д Е Ж И), КЦ404 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж. И), КЦ405 (А, Б, В, Г. Д, Е. Ж,И)156
КЦ407А158
КЦ409 (А, Б, В, Г, Д.Е, Ж, И)160
КЦ410 (А, Б, В)161
КЦ412 (А, Б, В)162
Раздел пятый. Диоды универсальные и импульсные . . . .163
Д18I6-3
Д20165
Д219А, Д220, Д220 (А, Б)166
Д310168
ДЗП, ДЗП (А, Б)170
Д312, Д312 (А, Б)173
2Д401 (А, Б, В), КД401(А, Б)176
1Д402 (А, Б), ГД402 (А,Б)178
ГД403 (А, Б, В)180
КД407А181
КД409А182
2Д413 (А, Б). КД413 (А.Б)184
2Д502 (А. Б. В, Г)185
2ДМ502 (А, Б. В, Г)187
2Д503 (А. Б), КД5ОЗ (А, Б)188
2Д504А, КД504А191
■1Д507А, ГД507А193
1Д5О8А, ГД5О8 (А, Б)195
2Д509А, КД509А196
2Д510А, КД510А199
ГД511 (А, Б, В)202
КД512А203
КД513А204
КД514А206
КД518А207
КД519 (А, Б)208
2Д520А, КД520А210
КД521 (А, В, Г)211
2Д522Б, КД522 (А, Б)212
2Д524 (А, Б, В)215
АД516(А,Б)217
ЗА527(А,Б)219
ЗА529(А,Б)221
3A53O(А.Б)222
Раздел шестой. Диодные сборки и матрицы224
КДС111 (А. Б. В)224
2ДС408 (А-1, Б-1, В-1, Г-1)225
2ДС413 (А-1, Б-1), 2ДС414 (А-1, Б-1), 2ДС415 (А-1, Б-1.
В-1, Г-1. Д-1, Е-1), КДС413 (А, Б, В), КДС414 (А, Б,
. КДС415 (А. Б, В)228
2ДС523 (А, Б, В, Г), КДС523 (А, Б, В. Г) 232
КДС525 (А, Б, В, Г. Д, Е, Ж, И, К, Л)235
КДС526 (А. Б, В)239
2ДС627А. КДС627А240
2ДС628А, КДС628А243
2Д901 (А-1, Б-1, В-1, Г-1), КД901 (А-1. Б-1, В-1. Г-1)245
2Д903 (А, Б), КД903 (А, Б)247
2Д904 (А-1, Б-1. В-1, Г-1. Д-1. Е-1), КД904 (А-1, Б-1.
В-1, Г-1, Д-1, Е-1)249
2Д906 (А, Б. В), КД906 (А, Б,В,Г, Д, Е)252
2Д907 (Б-1, Г-1). КД907 (Б-1,Г-1)254
2Д908А, КД908А256
КД909А259
2Д910 (А-1, Б-1, В-1), КД910(А-1,Б-1, В-1)260
2Д911 (А-1, Б-1), КД911 (А-1,Б-1)262
2Д912 (А-3, Б-3. В-3), КД912(А-3,Б-3, В-3)265
2Д913А-3, КД913А-3268
КД914 (А, Б, В)270
2Д917А, КД917А271
2Д918 (Б-1. Г-1), КД918 (Б-1,Г-1)274
2Д919А, КД919А276
2Д920А278
Раздел седьмой. Варикапы281
Д901 (А, Б, В, Г, Д, Е)281
Д902 283
КВ101А284
2В102 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж). КВ102 (А, Б, В, Г, Д) 285
2В103 (А, Б), КВ103 (А, Б)286
2В104(А, Б, В, Г, Д, Е), КВ 104 (А.Б,В,Г,Д,Е)288
2В105 (А,Б),КВ105(А,Б)289
2В106 (А,Б),КВ106(А,Б)291
КВ107 (А,Б,В, Г)292
КВ109 (А.Б,В, Г)293
2В110(А, Б, В, Г, Д, Е), КВ110 (А.Б.В,Г,Д,Е)295
КВС111 (А, Б)297
2В112(А-1, Б-1), КВ112 (А-1. Б-1)298
2В113(А, Б), КВ113 (А, Б)299
2В114(А-1, Б-1), КВ! 14 (А-1, Б-1)301
КВ115(А, Б, В)302
КВ116А303
2В117А, КВ117 (А, Б)304
2ВС118 (А, Б)305
КВ119А307
КВС120 (А, Б)308
КВ121 (А, Б)309
КВ122 (А, Б, В)311
КВ123А312
Раздел восьмой. Диоды туннельные и обращенные . . .314
Усилительные диоды314
ЗИ101 (А,Б,В, Г,Д,Е. Ж, И), АИ101 (А, Б, В,
Д, Е, Ж, И)314
1И102 (А, Б. В, Г, Д, Е, Ж, И, К) . . , .317
1И103 (А, Б, В), ГИ103 (А, Б, В, Г) .... ’ ' ' 319 1И104 (А, Б, В, Г, Д, Е)‘321
Генераторные диоды
ЗИ201 (А. Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л). АИ201 (А, В Г
Е, Ж, И, К, Л)’, .’324
ЗИ202 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К)327
ЗИ2ОЗ (А, Б, Г, Д, Ж, И)
Переключательные диоды 331
АИ301 (А, Б. В, Г)‘‘ "з31
1И304 (А, Б). ГИ304 (А, Б) 333
1ИЗО5 (А, Б), ГИ305 (А, Б)
ЗИЗО6 (Г, Е, Ж, К, Л, М, Н, Р, С)338
ГИЗО7А 340
1И308 (А, Б, В. Г, Д, Е, Ж, И, К)34[
ЗИЗО9 (Ж, И. К, Л, М, Н)
Обращенные переключательные диоды . . .346
1И401 (А, Б). ГИ401 (А, Б).’'346
ЗИ402 (А, Б, В, Г. Д, Е, И), АИ402 (А. Г, Е И) 348 1И403А, ГИ4ОЗА
1И404 (А, Б, В) . . 353
Раздел девятый. Геиераторы шума 356
2Г401 (А, Б, В), КГ401 (А, Б, В)‘ " 356
Раздел десятый. Диоды сверхвысокочастотиые359
Смесительные диоды 359
ДГ-С1. ДГ-С2"359
ДК-С1М, ДК-С2М 360
ДК-С7М
Д402, Д404 36 [
Д403 (Б, В)
Д4О5, Д405 (А, Б, АП, БП) 364
Д406 (А, АП)366
Д407 367
Д408, Д408П368
Д409 (А, АП) 369
2А101 (А, Б) 371
2AI02A" ‘374
2А1ОЗ (А, Б) 375
2А104А, КА104 (А, Б)
2А105 (А, Б)
1А106 (А, Б, В) 382
2А107А’384
2А108А
2А109А
ЗА110 (А. Б) 393
ЗА111 (А, Б), АА111 (А, Б)"' ' 396
АА112 (А, Б), ААИЗ (А, Б)
Детекторные диоды
ДК-В1, ДК-В2■400
ДК-ВЗ, ДК-В4
ДК-В5М, ДК-В6М, ДК-В7М402
ДК-В8403
ДК-В11403
ДК-И1М, ДК-И2М404
ДЗ (А, Б)405
Д602 (А. Б)406
Д603 407
Д604 408
Д605 410
Д606 411
Д607, Д607А411
Д6О8, Д608А413
Д609 415
2А201А416
2А202А418
2А203 (А, Б)420
Параметрические диоды422
IA401, 1А401 (А, Б, В), ГА401, ГА401 (А, Б, В) . . .422
1А402(А,Б,В,Г), ГА402 (А,Б,В,Г)424
1А403(А.Б,В, Г, Д),ГА403 (А,Б,В,Г, Д) . . . .426
1А404(А,Б,В,Г. Д,Е, Ж)428
1А405(А,Б)429
1А408(А,Б)430
Переключательные и ограничительные диоды . . .432
1А501 (А, Б. В, Г, Д. Е, Ж. И), ГА501 (А, Б, В. Г, Д. Е. Ж. И) 432
2А503 (А, Б)433
1А504 (А, Б), ГА504 (А, Б,В)435
2А505 (А, Б, В)437
2А506 (А, Б, В, Г, Д)439
2А507 (А. Ь), КА5О7 (А, Б, В)441
2А508А, КА508А443
2А509 (А, Б), КА509 (А, Б,В)444
2А510 (А. Б. В), КА510 (А,Б. В, Г, Д, Е) . . . .447
2А511А449
2А512 (Л, Б)451
2А513 (Л, Б), КА513 (А, Б)453
2А515А455
2А516А457
2А517 (А, Б), KA5I7 (А, Б)458
2А518 (А-4. Б-4)459
2А519А462
2А520А, КА520 (А, Б)464
2А521А466
2А522А-2469
2А523 (А-4, Б-4)471
2А524 (А-4, Б-4)473
У множительные и настроечные диоды475
Д501 476
2А601А477
2А602 (А, Б, В, Г, Д), КА602(А, Б. В, Г. Д) . . . .478
ЗА6ОЗ (А, Б, В, Г), АА603 (А, Б, В, Г)480
2А604 (А, Б)
2А605 (А, Б)
КА606 (А, Б)
ЗА607А
2А608, КА608
2А609 (А, Б)
2А611 (А, Б), КА611 (А, Б)
2А613 (А, Б)
Генераторные диоды
ЗА7ОЗ (А, Б), АА703 (А, Б)493
1А704 (А, Б, В)
ЗА705 (А, Б), АА705 (А, Б)
2А706 (А, Б, В, Г)497
Раздел одиннадцатый. Стабилитроны н стабисторы . . .499
Стабилитроны общего назначения499
Д808, Д809, Д810, Д811, Д813,'.499
Д814 (А, Б, В, Г, Д)
Д815 (А.АП,Б, БП, В, ВП,Г,ГП,Д,ДП,Е,ЕП,
Ж, ЖП),Д816(А, АП, Б, БП,В,ВП,Г.ГП,Д,ДП),
Д817 (А,АП,Б, БП, В, ВП,Г,ГП)’504
2С124Д-1, 2С127Д-1,2С13ОД-1,2С133Д-1,2С136Д-1
2С139Д-1, 2С143Д-1510
2С127А-1
2С133А, КС133А. 2С139А. КС139А, 2С147А, КС147А 2С156А, КС156А, 2С168А, КС168А’513
2С133Б, 2С139Б, 2С147Б, 2С156Б, 2С168Б516
2СМ133Б, 2СМ139Б, 2СМ147Б, 2СМ156Б, 2СМ168Б. . . .519
2С133В. 2С133Г, КС133Г, КС139Г, 2С147В, 2С147Г. КС147Г 2С156В, 2С156Г, КС156Г’522
2С147Т-1, 2С147У-1. 2С151Т-1, 2С156Т-1, 2С156У-1 . . . . 525 2С156Ф527
2С162Б-1. 2С162В-1
2С168Х, 2С175Х, 2С182Х, 2С191Х, 2С210Х, 2С211Х 2С212Х530
2С175Ж, КС175Ж, 2С182Ж, КС182Ж, 2С191Ж, КС191Ж 2С210Ж, КС210Ж. 2С211Ж, КС211Ж, 2С212Ж, КС212ж’ 2С213Ж. КС213Ж, 2С215Ж, КС215Ж, 2С216Ж, КС216ж’ 2С218Ж, КС218Ж 2С220Ж, КС220Ж. 2С222Ж, КС222Ж 2С224Ж, КС224Ж’532
2С175Ц. 2С182Ц, 2С191Ц, 2С210Ц, 2С211Ц, 2С212Ц . .539
2С18ОА. 2С190А, 2С210А, 2С211 А, 2С213А . . .542
2СМ180А, 2СМ190А, 2СМ210А, 2CM21IA, 2СМ213А . . .545
2С291А
2С433А,КС433А.2С439А,КС439А,2С447А,КС447А,
2С456А. КС456А, 2С468А, КС468А’549
2С482А.КС482А,2С510А,КС510А,2С512А,КС512А.
2С515А,КС515А,2С518А,КС518А,2С522А,КС522А
2С524А. 2С527А. КС527А. 2С53ОА. 2С536А’553
КС533А
2С551А, КС551А, 2С591А, КС591А, 2С600А, КС600А . . . 558
КС620 (А, АП), KC630 (А, АП), KC650 (А, АП), KC680 (А, АП)560
2C920 (А, АП), 2C93O (А. АП), 2C950 (А, АП), 2C98O (А, АП) 562
Стабилитроны прецизионные565
Д818 (А, Б, В, Г,Д,Е)565
2С164М-1, 2С168М-1567
2С191 (М, Н, П, Р), КС191 (М, Н, П, Р)569
2С191 (С, Т, У, Ф), КС191 (С, Т, У, Ф)571
КС211 (Б, В, Г, Д)574
КС520В, КС531В, КС547В, КС568В, КС596В575
Стабилитроны импульсные 577
2С168К-1, 2С175К-1, 2С182К-1, 2С191К-1, 2С210К-1, 2С211К-1, 2С212К-1577
2С175Е,КС175Е,2С182Е,КС182Е,2С191Е,КС191Е,
2С210Е,КС210Е,2С211Е,КС211Е,2С212Е,КС212Е,
2С213Е, КС213Е580
Стабилитроны двухаиодные584
2С162А,КС162А,2С168В,КС168В,2С175А,КС175А,
2С182А,KCI82A,2С191А,КС191А,2С210Б,КС210Б,
2С211И,2С212В,2С213Б,КС213Б584
2С170А,КС170А590
Стабисторы591
Д219С. Д220С, Д223С591
2С107А,КС107А592
2С113А,КС113А,2С119А,КС119А594
ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТИРИСТОРОВ
Раздел двенадцатый. Тиристоры 596
Д235 (А, Б, В, Г) 596
2Н102 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И), КН102 (А, Б, В, Г,
Д, Ж, И) 600
2У101 (А, Б, Г, Д, Е, Ж, И). КУ101 (А, Б, Г, Е) 603
2У102 (А, Б, В, Г), КУ102 (А, Б, В, Г)607
2У103В, КУ103 (А, В)611
2У104(А,Б,В, Г),КУ104 (А,Б,В, Г)613
2У105(А,Б,В, Г,Д, Е), КУ105(А, Б, В, Г, Д, Е) 617
2У106(А,Б,В, Г) 621
2У107(А,Б,В, Г,Д, Е)625
КУ 108(В,Ж,М, Н, С, Т, Ф,Ц)628
КУ109 (А, Б, В, Г)630
2У201 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л), КУ201 (А, Б,В.Г,Д,Е,Ж,И,К,Л) 631
2У202(Д,Е,Ж,И,К,Л,М,Н), КУ202 (А, Б, В,
Г, Д, Е, Ж, И, К, Л, М, Н)634
2У203(А,Б,В,Г,Д,Е,Ж,И)638
2У204(А,Б,В),КУ204(А,Б,В)643
2У205 (А, Б, В, Г)646
2У206 (А, Б, В, Г)650
2У207 (А, Б, В, Г, Д, Е)654
2У208 (А, Б, В, Г), КУ208 (А, Б, В, Г)658
ЧАСТЬ ЧЕТВЕРТАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
Раздел тринадцатый. Излучающие диоды ИК диапазона 662
ЗЛ1ОЗ (А, Б). АЛ103 (А, Б)662
АЛ 106 (А, Б, В)
ЗЛ1О7 (А, Б), АЛ107 (А, Б)666
ЗЛ108А, АЛ 108А668
ЗЛ109А-1, АЛ109А-1670
ЗЛ115А, АЛ115А
ЗЛ118А673
ЗЛ119 (А, Б) . . . . ;
Раздел четырнадцатый. Светоизлучающие диоды. Знаковые юздикаторы678
2Л101 (А. Б), КЛ101 (А, Б, В)‘678
ЗЛ1О2 (А, Б, Г),АЛ102 (А, Б, Г)679
2Л105А681
АЛ301(А,Б)684
АЛ304(А,Б,В,Г)685
АЛЗО5(А,Б,В,Г,Д,Е,Ж,И, К, Л) . . . . . 687
АЛЗО6(А,Б,В,Г,Д,Е,Ж,И)690
АЛЗО7(А,Б,В,Г)693
АЛС311А694
АЛС313А-5697
ЗЛС314А, АЛС314А698
АЛС317 (А, Б, В, Г)
АЛС318 (А,Б,В, Г)702
АЛС321 (А, Б)
АЛС323А-5
АЛС324 (А, Б)".708
Раздел пятнадцатый. Оптопары. Оптоэлектронные ключи 711 ЗОД101 (А, Б, В, Г), АОД101 (А, Б, В, Г, Д) . . .711
ЗОТ102 (А, Б, В, Г, Д, Е), АОТ102 (А, Б, В, Г, Д, Е) 713 АОУ103 (А, Б, В) ’. . . . . . 716
АОД109 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И)718
ЗОТ110 (А, Б, В, Г), АОТ110 (А, Б, В, Г)720
АОД111А722
ЗОД120А-1, АОД120 (А-1, Б-1)724
ЗОД201 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1, Е-1)726
К249КН1 (А, Б, В, Г, Д, Е)728
К249КП1, К249КП2
249ЛП1 (А, Б, В)
К262КП1 (А, Б)736
295АГ1 (А, Б, В, Г, Д) 73g
АОТ122 (А, Б, В, Г)740
ПРЕДИСЛОВИЕ
В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры диодов (выпрямительных, импульсных, варикапов, туннельных, сверхвысокочастотпых), стабилитронов (общего назначения, прецизионных, импульсных, двуханодных, стабисторов), тиристоров, оптоэлектронных приборов, классификация современных полупроводниковых приборов, система параметров и условные обозначения. общие сведения по устойчивости к эксплуатационным воздействиям, меры предосторожности при использовании в аппаратуре.
От предшествующих настоящий справочник отличается полнотой справочных параметров и их зависимостей от режимов использования.
Справочные сведения о полупроводниковых приборах составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях на отдельные типы приборов. Авторами сохранена удачная форма представления данных, использовавшаяся в предыдущих изданиях аналогичных справочников издательства «Энергия»: приведены сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, важнейших параметрах, режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и зависимостях полупроводниковых приборов.
Справочник предназначен для специалистов, занимающихся разработкой, ремонтом и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры, студентов и аспирантов радиотехнических факультетов вузов и широкого круга радиолюбителей.
Справочник подготовлен под общей редакцией Н. Н. Горюнова авторами А. В. Башковым, А. Б. Гитцевичем. А. А. Зайцевым, В. В. Мокряковым. В. М. Петуховым, А. К. Хрулевым.
Отзывы и замечания о справочнике авторы просят направлять по адресу: 113114, Москва, М-114, Шлюзовая наб., 10, Энергоиздат.
Авторы
Часть первая
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ,ТИРИСТОРАХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХПРИБОРАХ
Раздел первый
КЛАССИФИКАЦИЯ ДИОДОВ, ТИРИСТОРОВИ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
1.1. КЛАССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ
Классификация современных полупроводниковых приборов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит отражение в системе условных обозначений их типов.
В соответствии с возникновением новых классификационных групп приборов совершенствуется и система их условных обозначений, которая на протяжении последних 15 лет трижды претерпевала изменения.
Система обозначений современнных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.038-77 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов.
В основу системы обозначений положен семизначный буквенноцифровой код, первый элемент которого (буква — для приборов широкого применения, цифра — для приборов, используемых в устройствах специального назначения) обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которою изготовлен прибор. Второй элемент обозначения — буква, определяет подкласс приборов, третий элемент — цифра (или буква для оптопар), определяет один из основных характеризующих прибор признаков (параметр, назначение или принцип действия). Четвертый, пятый и шестой элементы - трехзначное число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа прибора, седьмой элемент — буква, условно определяет классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии.
В стандарте предусмотрено также введение в обозначение дополнительных знаков при необходимости отметить отдельные существенные конструктивно-технологические особенности приборов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы (первый элемент обозначения):
Г или 1 — для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 — для соединений галлия (например, для арсенида галлия);
И или 4 — для соединений индия (например, для фосфида индия).
Для обозначения подклассов приборов используется одна из следующих букв (второй элемент обозначения):
Д — для диодов выпрямительных, импульсных, магнитодиодов, термодиодов;
Ц — выпрямительных столбов и блоков;
В — варикапов;
И — туннельных диодов;
А — сверхвысокочастотных диодов;
С — стабилитронов (включая стабисторы и ограничители);
Г — генераторов шума;
Л — излучающих оптоэлектронных приборов;
О — оптопар;
У — триодных тиристоров.
Для обозначения наиболее характерного признака прибора используются следующие символы применительно к различным подклассам приборов (третий элемент обозначения).
Диоды (подкласс Д)
— для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
— для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10 А;
— для магнитодиодов и термодиодов;
— для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс;
— для импульсных диодов с временем восстановления от 150 до 500 нс;
— для импульсных диодов с временем восстановления от 30 до 150 нс;
— для импульсных диодов с временем восстановления от 5 до 30 нс;
— для импульсных диодов с временем восстановления от 1 до 5 нс;
— для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс.
Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц)
— для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
— для столбов с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10 А;
— для блоков с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
— для блоков с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10 А.
Варикапы (подкласс В)
— для построечных варикапов; 2 — для умножительных варикапов.
Туннельные диоды (подкласс И)
— для усилительных туннельных диодов;
— для генераторных туннельных диодов;
— для переключательных туннельных диодов;
— для обращенных диодов.
Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А)
— для смесительных диодов;
— для детекторных диодов;
— для усилительных диодов;
— для параметрических диодов;
—для переключательных и ограничительных диодов-
—для умножительных и настроечных диодов;
— для генераторных диодов;
— для прочих СВЧ диодов.
Стабилитроны (подкласс С)
- для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;
- для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации от 10 до 100 В-
- для стабилитронов мощностью не более о’з Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;
4-для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;
5-для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации от 10 до 100 В-
б-для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;
7-для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;
8-для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации от 10 до 100 В;
9-для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В.
Генераторы шума (подкласс Г)
— для низкочастотных генераторов шума;
— для высокочастотных генераторов шума.
Излучающие оптоэлектронные приборы (подкласс Л)
Источники инфракрасного излучения
— для излучающих диодов;
— для излучающих модулей.
Приборы визуального представления информации
— для светоизлучающих диодов;
— для знаковых индикаторов;
— для знаковых табло;
— для шкал;
— для экранов.
Оптопары (подкласс О)
Р — для резисторных оптопар;
Д — для диодных оптопар;
У — для тиристорных оптопар;
Т — для транзисторных оптопар.
Триодные тиристоры (подкласс У)
Незапираемые тиристоры
— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;
— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии от 15 до 100 А;
— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.
Запираемые тиристоры
— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом сосгоянии не более 15 А;
— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии от 15 до 100 А;
— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.
Симметричные тиристоры
— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 .А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;
— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии от 15 до 100 А;
— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.
Для обозначения порядкового номера разработки используются двузначные числа от 01 до 99 (четвертый и пятый элементы обозначения), в качестве классификационной литеры (шестой элемент) используются буквы русского алфавита от А до Я, за исключением букв, сходных по начертанию с цифрами 3, 0 и 4.
В качестве дополнительных элементов обозначения используются следующие символы:
буква С после второго элемента обозначения — для наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;
цифра, написанная через дефис, после седьмого элемента обозначения — для бескорпусных приборов; цифры соответствуют следующим модификациям конструктивного исполнения:
—с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
—с гибкими выводами на кристаллодержателе;
—с жесткими выводами без кристаллодержателя;
—с жесткими выводами на кристаллодержателе;
— с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов (кристалл):
— с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов (кристалл на подложке);
уква Р после последнего элемента обозначения — для СВЧ диодов с парным подбором;
буква И после второго элемента обозначения — для импульсных тиристоров.
Таким образом, современная система обозначений позволяет по типу прибора получить значительный объем информации о свойствах прибора.
Приведем примеры обозначения некоторых приборов:
КД215А - кремниевый выпрямительный диод с 0,3 А < 1пр < 10 А, предназначенный для устройств широкого применения; номер разработки 15. 1 руппа А;
2ДС523Г — набор кремниевых импульсных диодов, предназначенных для устройств специального назначения, с временем установления обратного сопротивления от 150 до 500 нс; номер разработки 23, группа Г;
АИ310Б-2 — арсенид-галлиевый переключательный бескорпуснон туннельный диод с гибкими выводами на кристаллодержателе, предназначенный для устройств широкого применения; номер разработки 10, группа Б.
Поскольку ОСТ 11 336.038-77 введен в действие в 1978 г., для обозначения большинства типов приборов, включенных в настоящий справочник, использована иная система обозначений. У приборов, разработанных до 1964 г. и выпускаемых до настоящего времени, условные обозначения состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква Д, характеризующая весь, класс полупроводниковых диодов.
Второй элемент обозначения — число (номер), которое указывает на область применения:
от 1 до 100—для точечных германиевых диодов;
от 101 до 200 — для точечных кремниевых диодов;
от 201 до 300 — для плоскостных кремниевых диодов;
от 301 до 400 — для плоскостных германиевых диодов;
от 401 до 500 — для смесительных СВЧ детекторов;
от 501 до 600 — для умножительных диодов;
от 601 до 700 — для видеодетекторов;
от 701 до 749 — для параметрических германиевых диодов;
от 750 до 800 — для параметрических кремниевых диодов;
от 801 до 900 — для стабилитронов;
от 901 до 950 — для варикапов;
от 951 до 1000 —для туннельных диодов;
от 1001 до 1100 —для выпрямительных столбов.
Третий элемент обозначения — буква, указывающая на разновидность групп однотипных приборов.
Данная система обозначений содержала значительно меньшее количество классификационных признаков и зачастую не позволяла определить даже подкласс диода по его условному обозначению. Так, импульсный диод получил обозначение Д219А, стабистор — Д219С, триодный тиристор — Д235А.
В 1964 г. была утверждена новая система обозначений полупроводниковых приборов (ГОСТ 10862-64), действовавшая до 1973 г. В соответствии с этой системой вновь разработанным приборам присваивались обозначения из четырех элементов.
Первый элемент обозначения — буква или цифра — определяет исходный материал:
или Г — германий;
или К — кремний;
3 или А — арсенид галлия или другие соединения галлия.
Второй элемент обозначения — буква, характеризующая подкласс приборов:
Д — выпрямительные, универсальные, импульсные диоды;
В — варикапы;
А — сверхвысокочастотные диоды;
Ф — фотоприборы;
Н — диодные тиристоры (динисторы);
У — триодные тиристоры (тринисторы);
И — туннельные диоды;
С — стабилитроны;
Ц — выпрямительные столбы и блоки.
Третий элемент обозначения — трехзначное число, указывающее назначение или электрические свойства прибора в пределах подкласса:
Диоды низкой и высокой частоты
От 101 до 399 — выпрямительные;
от 401 до 499 — универсальные;
от 501 до 599 - импульсные.
Варикапы
От 101 до 999 — все типы.
Сверхвысокочастотиые диоды
От 101 до 199 — смесительные; от 201 до 299 — видеодетекторы; от 301 до 399 — модуляторные; от 401 до 499 — параметрические; от 501 до 599 — переключающие; от 601 до 699 — умножительные.
Фотоприборы
От 101 до 199 — фотодиоды;
от 201 до 299 — фототранзисторы.
Диодные тиристоры
От 101 до 199 — малой мощности; от 201 до 299 — средней мощности; от 301 до 399 — большой мощности.
Триодные тиристоры
От 101 до 199 —малой мощности; от 201 до 299 — средней мощности; от 301 до 399 — большой мощности.
Туннельные диоды
От 101 до 199 — усилительные;
от 201 до 299 — генераторные;
от 301 до 399 — переключающие;
от 401 до 499 — обращенные.
Стабилитроны:
малой мощности (Р<0,3 Вт)
от 101 до 199—с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В; от 210 до 299 — с напряжением стабилизации от 10 до 99 В; от 301 до 399 — с напряжением стабилизации от 100 до 199 В;
средней мощности (0,3 Вт < Р < 5 Вт)
от 401 до 499 — с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В: от 510 до 599 — с напряжением стабилизации от 10 до 99 В; от 601 до 699 — с напряжением стабилизации от 100 до 199 В;
большой мощности (Р > 5 Вт)
от 701 до 799 — с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В; от 810 до 899 — с напряжением стабилизации от 10 до 99 В; от 901 до 999 — с напряжением стабилизации от 100 до 199 В. Две последние цифры соответствуют номинальному напряжению стабилизации стабилитронов данного типа, например 2С162А — кремниевый стабилитрон малой мощности с Сст ном = 6,2 В.
Выпрямительные столбы н блоки
От 101 до 199 — столбы малой мощности (/пр ср < 0,3 А);
от 201 до 299 — столбы средней мощности (Znp,cp > 0,3 А);
от 301 до 399 — блоки малой мощности (Znpcp < 0,3 А);
от 401 до 499 — блоки средней мощности (0,3 А < 7пр ср < 10 А);
от 501 до 599 — блоки большой мощности (7пр ср > 10 А).
Четвертый элемент обозначения — буква, указывающая на разновидность типа из данной группы приборов.
Начиная с 1973 г. и до введения ОСТ 11 336.038-77 вновь разрабатываемым приборам присваивались обозначения в соответствии с ГОСТ 10862-72. Обозначения состоят из четырех элементов.
Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал:
или Г — германий или его соединения;
или К — кремний или его соединения;
или А — соединения галлия.
Второй элемент — буква, характеризующая подкласс прибора: Д — диоды;
Ц — выпрямительные столбы и блоки;
А — диоды СВЧ;
В — варикапы;
И — диоды туннельные и обращенные;
И — тиристоры диодные;
У — тиристоры триодные;
Л — излучатели;
Г — генераторы шума;
Б — диоды Ганна;
К — стабилизаторы тока;
С — стабилитроны и стабисторы.
Третий элемент — число, указывающее назначение и качественные свойства прибора, а также порядковый номер разработки.
Диоды
От 101 до 199 - выпрямительные малой мощности (/<0,3 А);
от 201 до 299 - выпрямительные средней мощности (0,3 А < / < < 10 А);
от 401 до 499 - универсальные (/"< 1 ГГц);
от 501 до 599 — импульсные (1ВОС > 150 нс);
от 601 до 699 - импульсные (30 нс < гвос < 150 нс);
от 701 до 799 - импульсные (5 нс < /вос < 30 нс);
от 801 до 899 - импульсные (1 нс < ;вос <5 нс);
от 901 до 999 - импульсные (1ЮС < 1 нс).
Выпрямительные столбы и блоки
От 101 до 199 —столбы малой мощности (/<0,3 А);
от 201 до 299 - столбы средней мощности (0,3 А </<10 А);
от 301 до 399 - блоки малой мощности (/<0,3 А);
от 401 до 499 - блоки средней мощности (0,3 А </<10 А).
Диоды СВЧ
От 101 до 199 — смесительные;
от 201 до 299 - детекторные;
от 401 до 499 — параметрические;
от 501 до 599 - регулирующие;
от 601 до 699 — умножительные;
от 701 до 799 — генераторные.
Варикапы
От 101 до 199 - подстроечные;
от 201 до 299 - умножительные.
Тиристоры диодные
От 101 до 199 —малой мощности (/<0,3 А);
от 201 до 299 - средней мощности (0,3 А < / < 10 А).
Тиристоры триодные
От 101 до 199 — незапираемые малой мощности (/<0,3 А);
от 201 до 299 - незапираемые средней мощности (0,3 А</< < 10 А);
от 301 до 399 - запираемые малой мощности (/<0,3 А);
от 401 до 499 - запираемые средней мощности (0,3 А</< < 10 А);
от 501 до 599 — симметричные незапираемые малой мощности (/<0,3 А);
от 601 до 699 — симметричные незапираемые средней мощности (0,3 А < / < 10 А).
ОбозначенияОбозначения
Обозначения
Обозначения
Излучатели
От 101 до 199 — инфракрасного диапазона;
ог 301 до 399 — видимого диапазона с яркостью менее 500 кд/м2;
от 401 до 499 — видимого диапазона с яркостью более 500 кд/м2.
Система условных обозначений стабилитронов, стабисторов, туннельных и обращенных диодов в ГОСТ 10862-72 аналогична системе в ГОСТ 10862-64.
Четвертый элемент — буква, указывающая разновидность типа из данной группы приборов (деление на параметрические группы). ,
Наряду с приборами, условное обозначение которых соответствует описанным системам обозначений, в настоящем справочнике приведены сведения о некоторых типах диодов более ранних лет разработки, до сих пор находящих применение в аппаратуре и обозначаемых иными способами (смесительные диоды ДГ-С1, ДК-С7М, детекторные диоды ДК-В1, ДКВ-2. ДК-И1М и некоторые другие).
УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
В технической документации и в специальной литературе следует применять условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73.
Графические обозначения полупроводниковых приборов, помещенных в данном томе справочника, приведены в табл. 1.1.
Таблица 1.1. Графические обозначения полупроводниковых приборов
Наименования приборов
Диод выпрямительный. Столб выпрямительный. Общее обозначение
Диод туннельный
Диод обращенный
Ста билитроны: односторонний
двусторонний
Варикап
Тиристор диодный (динистор)
Наименования приборов
Тиристор незапираемый триодный: с управлением по аноду
с управлением по катоду
Тиристор запираемый:
с управлением по аноду
с управлением по катоду
Диод светоизлучающий
Оптопары: диодная
тиристорная
транзисторная
с однонереходным транзистором
Продолжение табл. 1.1.
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
Спр— постоянное прямое напряжение Собр— постоянное обратное напряжение диода Собр, макс — максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода
СПР1И— импульсное прямое напряжение диода 17о6р и — импульсное обратное напряжение диода
Собр,и.макс— максимально допустимое импульсное обратное напря- . жение диода
Спр.ср— среднее прямое напряжение диода
Uu— напряжение пика туннельного диода
UB— напряжение впадины туннельного диода Срр- напряжение раствора туннельного диода Свп— выпрямленное диодом напряжение
UBn — выпрямленное диодом напряжение при температуре Т (УпрОб— пробивное напряжение
О'откр т — напряжение в открытом состоянии тиристора
(7у оТ т — постоянное отпирающее напряжение на управляющем электроде тиристора
^у,от,и,т — импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде тиристора
Су неот т — неотпирающее напряжение па управляющем электроде тиристора
Снеот и т — импульсное неотпирающее напряжение тиристора^от.и,т — импульсное отпирающее напряжение тиристора
СУ1т.И-т — импульсное незапирающее напряжение на управляющем электроде тиристора
^Уу.нз,т — незапирающее напряжение на управляющем электроде тиристора
Сзкр мин т — минимальное напряжение в закрытом состоянии тиристора
^пр. «р.макс.у — максимально допустимое постоянное прямое напряже-ние в закрытом состоянии тиристора
Спр. зкр.и,макс.т ~ максимально допустимое импульсное прямое напряжение в закрытом состоянии тиристора
Собр у макс т — максимально допустимое постоянное обратное напряжение на управляющем электроде тиристора
dU^xpdtdU^xpdt^'обр.с.и.макс.т — максимально допустимое импульсное обратное напряжение на управляющем электроде тиристора
dU^xpdt
dU^xpdt
критическая скорость нарастания напряжения в закры- кр том состоянии тиристора
максимально допустимая скорость нарастания напря- 1КС жения в закрытом состоянии тиристора
^Б1,Б2_ напряжение между базами 1 и 2 двухбазового диода UCT— напряжение стабилизации
Устном- номинальное напряжение стабилизации
ЗС^— временная нестабильность напряжения стабилизации
Д[УСТ — температурный уход напряжения стабилизации 1/аых, 17вых-выходное напряжение логического нуля, единицы / - постоянный прямой ток диода
/пр макс — максимально допустимый постоянный прямой ток диода
/пр.и- импульсный прямой ток диода
/Пр и макс— максимально допустимый импульсный прямой ток диода
7 ср— средний прямой ток диода
/ ср макс- максимально допустимый средний прямой ток диода 7и ojh- амплитуда импульса тока одноразовой перегрузки стабилитрона
и О1Н — амплитуда импульса прямого тока одноразовой перегрузки диода
7пр ||ер- постоянный перегрузочный прямой ток диода
„ пер— импульсный перегрузочный прямой ток диода ' /о6р- постоянный обратный ток диода
/о6р макс — максимально допустимый постоянный обратный ток диода
г,максимальный импульсный обратный ток диода
* иОр.х
/обр ср- средний обратный ток диода
/обр пер — постоянный обратный перегрузочный ток диода 70ТСЧ- ток, при котором производится отсчет времени восстановления обратного сопротивления диода
7ВП — выпрямленный ток диода
7ВП ср- средний выпрямленный ток диода
7ВП ср макс — максимально допустимый средний выпрямленный ток диода
/п — пиковый ток туннельного диода
/в- ток впадины туннельного диода
1П(1„— отношение токов туннельного диола
-ток включения тиристора
Лкр.т А'.ог.тЛкр.т А'.ог.тудерживающий ток тиристора
Лкр.т А'.ог.т
Лкр.т А'.ог.т
ток в закрытом состоянии тиристора
-постоянный отпирающий ток управляющего электрода тиристора
импульсный отпирающий ток управляющего электрода тиристора
неотпирающий юк управляющего электрода тиристора
запирающий ток управляющего электрода тиристора
импульсный запирающий ток управляющего электрода тиристора
7 HJ — незапирающий ток управляющего электрода тиристора
_ ТОК в открытом состоянии тиристора
^отк -мин ~ минимальный ток в открытом состоянии тиристора удин — динамический ток включения тиристора
^отк с макс т ~ максимально допустимый средний ток в открытом состоянии тиристора
/откр макс — максимально допустимый постоянный ток в открытом состоянии тиристора
7откр и т — импульсный ток в открытом состоянии тиристора 7откр, и,макс т — максимально допустимый импульсный ток в открытом состоянии тиристора
/пр у макс т — максимально допустимый постоянный прямой ток управляющего электрода тиристора
4р у и макс т — максимально допустимый импульсный прямой ток управляющего электрода тиристора
7обр у макс т — максимально допустимый постоянный обратный ток управляющего электрода тиристора
Zo6p у и макс т — максимально допустимый импульсный обратный ток управляющего электрода тиристора
7т. макс,т ~ максимально допустимый постоянный запирающий ток тиристора
—— максимально допустимая скорость нарастания тока в макс открытом состоянии тиристора
7ВКЛ — ток включения двухбазового диода
7СТ мии— минимально допустимый постоянный ток стабилизации
/ст макс - максимально допустимый постоянный ток стабилизации
/ст и макс- максимально допустимый импульсный ток стабилизации
7макс — максимально допустимый постоянный прямой ток стабилитрона
qHK — накопленный заряд диода
2ПК— заряд переключения диода
/Вх,опт— входной ток оптопары
^вых — выходной ток нагрузки, втекающий для приборов с цифровым выходом
7аь1х — выходной ток нагрузки, вытекающий для приборов с цифровым выходом
Лт. вых- ток утечки на выходе оптопары
7“х, /вх—входной ток логического пуля, единицы
Рв — рассеиваемая мощность варикапа
Рв макс- максимально допустимая рассеиваемая мощность варикапа
Рсрд—средняя рассеиваемая мощность диода
Рср л маю — максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность диода
Рмакс— максимально допустимая рассеиваемая мощность диода
Ррас макс — максимально допустимая рассеиваемая мощность СВЧ диода
Рн макс- максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность диода
Рирасмакс—максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода
Рт - рассеиваемая мощность тиристора
^ср, макс т — максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность тиристора
р , —максимально допустимая импульсная рассеиваемая Т мощность тиристора
р 1 макс — максимально допустимая средняя мощность на управ., У’ ’' ляющем электроде тиристора
Р— максимально допустимая импульсная мощность на
1 v. и. макс, т
управляющем электроде тиристора
Рмаксимально допустимая непрерывная падающая СВЧ
мощность
Рш- падающая на диод СВЧ мощность
р мни - минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность ' ’ р мощность 8-й гармоники
Ру — мощность 3-й гармоники
р— максимально допустимая импульсная рассеиваемая
с'вч. максс'вч. макс— максимально допустимая непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность
с'вч. макс
с'вч. макс
р — максимально допустимая импульсная падающая СВЧ пд, и. макс
мощность
и, рас, макси, рас, макс— максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность
и, рас, макс
и, рас, макс
tBOC — время восстановления обратного сопротивления диода
tyc3- время установления прямого напряжения диода
гпер — время переключения
(нр — время нарастания тиристора
/Выкл.т — время выключения тиристора
rBK1 г - время включения тиристора
/зд - время задержки тиристора
ty, зд, т — время задержки по управляющему электроду тирист ора ^у вкл.т — время включения по управляющему электроду тиристора
Гу.выкл т " время выключения по управляющему электроду ти
ристора
;зп т — время запаздывания тиристора
гвь|х — время выхода стабилитрона на режим
гн- время нарастания импульса (тока, напряжения)
гс- время спада импульса (тока, напряжения, излучения) г3,вкл- время задержки распространения сигнала (включения) 'твыкд- время задержки распространения сигнала (выключения) г„ — длительность импульса
тперсгр- длительность импульса перегрузки
Тфр— длительность фронта импульса
гj— длительность отпирающего импульса
г2 — длительность запирающего импульса
Ту,и,т-длительность импульса по управляющему электроду тиристора
Тф у_т-длительность фронта импульса по управляющему электроду тиристора
тф1.у.т — Длительность фронта отпирающего импульса по управляющему электроду тиристора
т— постоянная времени
К пер— отрицательное сопротивление перехода
R,- сопротивление нагрузки
^обр- обратное сопротивление диода
RT кр - юр- тепловое сопротивление кристалл — корпус
R,— общее тепловое сопротивление
Rm — сопротивление шунта между управляющим электродом и катодом тиристора
Дес Рр— сопротивление между сегментами или разрядами прибора с перекрестной коммутацией (сопротивления сегмент - сегмент, разряд — разряд)
Кстат — статическое сопротивление стабилитрона
Л„—сопротивление изоляции (сопротивление гальванической развязки)
К6б — межбазовое сопротивление
длер — отрицательная проводимость перехода хп— сопротивление потерь диода
г1юс- сопротивление нагрузки, включенное последовательно с диодом СВЧ
гпр ч— прямое сопротивление диода по постоянному току гобр д— обратное сопротивление диода по постоянному току гс1—дифференциальное сопротивление стабилитрона
гВЬ1Х — выходное сопротивление СВЧ диода
гш— шумовое сопротивление СВЧ диода гяиф — дифференциальное сопротивление диода
Сд— общая емкость диода
Собщ, т — общая емкость тиристора
Скорп - емкость корпуса диода
С- полная емкость стабилитрона
Спер— емкость перехода диода
Сстр- емкость структуры
Св- общая емкость варикапа
Сн— номинальная емкость варикапа
Сд— индуктивность диода
LB- последовательная индуктивность варикапа
L— последовательная индуктивность стабилитрона
яркость излучающего оптоэлектронного прибора /0- резонансная частота туннельного диода / - граничная частота генератора шума
/- рабочая частота диода
f^ — частота следования импульсов по управляющему электроду тиристора
/,— сила света излучающего оптоэлектронного полупроводникового прибора
/ — интенсивность излучения оптоэлектронного прибора
/с—сила излучения он 1оэлектропного прибора
/норм — нормированный коэффициент шума СВЧ диода
Кт — шумовая постоянная туннельного диода
Кпер / - коэффициент перегрузки диода ио прямому току
Кд— качество диода
Книз — качество диода на низком уровне
Кв— качество диода на высоком уровне
Ксти — коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода Кс — коэффициент перекрытия по емкости варикапа
К — относительный разброс яркости или силы света оптоэлектронного прибора
К— коэффициент передачи тока
L3 — потери запирания
Lnp— потери пропускания
Lnp6— потери преобразования смесительного диода
Хпрб7— потери преобразования при температуре Т М— коэффициент качества детекторного диода
Mq— коэффициент качества детекторного диода при температуре Т
пш — щумовое отношение СВЧ диода р — мощность излучения р - атмосферное давление
2В— добротность варикапа
Q- добротность
Sm ст- спектральная плотность шума стабилитрона
S— спектральная плотность напряжения генератора шума Т— температура окружающей среды
Тиакс— максимальная температура окружающей среды
Тмин — минимальная температура окружающей среды
Тк- температура корпуса
Тп— температура перехода
Т^- температура кристаллодержатсля
W— волновое сопротивление
а— угол излучения излучающего оптоэлектронного прибора
аС1—средний температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона
о^ 10— средний температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона при токе 10 мА
а(температурный коэффициент емкости варикапа Р;— чувствительность по току детекторного диода
р;/— чувствительность по току детекторного диода при температуре Т
Xv — длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики излучения
ДХ — ширина спектральной характеристики излучения (на уровне 0,5 максимального значения)
Звездочкой* отмечены параметры или их значения, приведенные • в ТУ в разделах справочных данных. При производстве приборов они могут не контролироваться.
В тех случаях, когда у предельно допустимых эксплуатационных данных не указан интервал температур, эти данные гарантированы во всем интервале температур окружающей среды (корпуса).
ОСНОВНЫЕ СТАНДАРТЫ В ОБЛАСТИПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
ГОСТ 15133-77.
Приборы полупроводниковые. Термины и определения.
ОСТ 11 336.038-77.
Приборы полупроводниковые. Система обозначений.
ГОСТ 2.730-73.
Приборы полупроводниковые. Условные обозначения графические.
ГОСТ 18472-77.
Приборы полупроводниковые. Корпуса. Габаритные и присоединительные размеры.
ГОСТ 23448-79.
Приборы полупроводниковые излучающие. Основные размеры.
ГОСТ 19613-80.
Диоды полупроводниковые. Столбы и блоки выпрямительные. Корпуса. Габаритные и присоединительные размеры.
ГОСТ 18216-72.
Диоды туннельные. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения.
ГОСТ 18994-73.
Стабилитроны полупроводниковые. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения.
ГОСТ 20004-74.
Диоды полупроводниковые. Электрические параметры общие. Термины, определения и буквенные обозначения.
ГОСТ 20005-74.
Диоды полупроводниковые. Варикапы. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения.
ГОСТ 20331-74.
Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения.
ГОСТ 20332-74.
Тиристоры. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения.
ГОСТ 21154-75.
Диоды полупроводниковые. Генераторы шума. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения.
ГОСТ 22274-76.
Приборы полупроводниковые оптоэлектронные излучающие. Параметры. Термины, определения и буквенные обозначения.
ГОСТ 23562-79.
Оптопары. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
ГОСТ 18986.
Комплекс стандартов на методы измерения электрических параметров диодов. Комплекс состоит из стандарта общих положений (ГОСТ 18986.0-74) и частных стандартов (ГОСТ 18986.1-73, ГОСТ 18986.2-73 и т. д.).
ГОСТ 19138.
Комплекс стандартов на методы измерения параметров тирисюров. Комплекс состоит из стандарта общих положений (ГОСТ 19138.0-74) и частных стандартов (ГОСТ 19138.1-73, ГОСТ 19138.2-73 и т. д.).
ГОСТ 19834.Комплекс стандартов на методы измерения
параметров излучающих диодов. Комплекс состоит из стандарта общих положений (ГОСТ 19834.0-75) и частных стандартов (ГОСТ 19834.174, ГОСТ 19834.2-74 и т. д.).
ГОСТ 22440.Комплекс стандартов на методы измерения пара
метров оптоэлектронных переключателей. Комплекс состоит из стандарта общих положений (ГОСТ 22440.0-77) и частных стандартов (ГОСТ 22440.1-77, ГОСТ 22440.2-77 и т. д.).
ГОСТ 22604.Комплекс стандартов на методы измерения пара
метров оптоэлектронных коммутаторов. Комплекс состоит из стандарта общих положений (ГОСТ 22604.0-77) и частных стандартов (ГОСТ 22604.1-77, ГОСТ 22604.2-77 и т. д.).
ОСТ 11 336.907. Комплекс стандартов-руководств по применению полупроводниковых приборов. Комплекс состоит из стандарта общих положений (ОСТ 11 336.907.0-79) и частных руководств на каждую классификационную группу полупроводниковых приборов (ОСТ 11336.907.1-79, ОСТ 11
336.907.2-79 и т. д.).
ОСТ И ПО.336.001. Приборы полупроводниковые бескорпусные. Ру
ководство по применению.
Раздел второй
ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВВ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ
Полупроводниковые приборы, сведения о которых приводятся в справочнике, являются приборами общего применения. Они могут работать в разнообразных условиях и режимах, характерных для различных классов радиоэлектронной аппаратуры широкого, промышленного и специального применения.
Общие технические требования к приборам, предназначенным для аппаратуры определенного класса, содержатся в общих технических условиях (ОТУ) на эти приборы. Конкретные нормы на значения электрических параметров и специфические требования к данному типу приборов излагаются в частных технических условиях (ЧТУ) и ГОСТ на приборы.
Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах может быть обеспечена лишь при условии учета на стадии ее проектирования, изготовления и эксплуатации следующих особенностей приборов:
разброса значений параметров, их зависимости от режима и условий работы;
изменения значений параметров в течение времени хранения или работы;
необходимости хорошего отвода тепла от корпусов приборов;
необходимости обеспечения запасов по электрическим, механическим и другим нагрузкам на приборы в радиоэлектронной аппаратуре: необходимости принятия мер. обеспечивающих отсутствие перегрузок приборов во время монтажа и сборки радиоэлектронной аппаратуры.
Значения параметров приборов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором интервале. Этот интервал ограничивается минимальными или максимальными значениями, указанными в справочнике. Некоторые параметры имеют двухстороннее ограничение значений. Приведенные в справочнике вольт-амперные характеристики, зависимости параметров от режима и температуры являются усредненными для большого количества экземпляров приборов данного типа. Эти зависимости могут использоваться при выборе типа прибора для данной схемы и ориентировочного ее расчета.
Большинство параметров полупроводниковых приборов значительно изменяется в зависимости от режима работы и температуры. Например, время восстановления обратного сопротивления импульсных диодов зависит от значения прямого тока, напряжения переключения и сопротивления нагрузки; потери преобразования и коэффициент шума СВЧ диодов зависят от уровня подводимой мощности. Значительно изменяется в диапазоне температуры, указанном в технических условиях, обратный ток диода. В справочнике приводятся значения параметров, гарантируемых ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов использования.
Применение и эксплуатация приборов должны осуществляться в соответствии с требованиями ТУ и стандартами — руководствами по применению. При конструировании радиоэлектронной аппаратуры необходимо стремиться обеспечить ее работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров приборов. Разброс параметров приборов и изменение их значений во времени при проектировании аппаратуры учитываются расчетными методами или экспериментально, например методом граничных испытаний.
Время, в течение которого полупроводниковые приборы могут работать в аппаратуре (их срок службы), практически неограниченно Нормативно-техническая документация на поставку приборов (ГОСТ. ТУ), как правило, гарантирует минимальную наработку не менее 15 000 ч. а в облегченных режимах и условиях эксплуатации — до 30 000 ч. Однако теория и эксперименты показывают, что через 50 — 70 тыс. ч работы возрастания интенсивности отказов не наблюдается. Тем не менее за время храпения и работы могут происходить изменения значений параметров приборов. У отдельных экземпляров эти изменения оказываются столь значительными, что происходит отказ аппаратуры. Для контроля уровня надежности изготовляемых приборов используются такие показатели, как гамма-процентный ресурс, гамма-процентная сохраняемость, минимальная наработка (гарантийная наработка), интенсивность отказов при специальных
кратковременных испытаниях в форсированном режиме. Нормы на эти показатели устанавливаются в ТУ на приборы.
Для расчета надежности радиоэлектронной аппаратуры следует использовать количественные показатели надежности, устанавливаемые путем проведения специальных испытаний, обработки большого объема статистических данных о различных испытаниях и эксплуатации приборов в разнообразной аппаратуре.
Экспериментально остановлено. что интенсивность (вероятность) отказов приборов растет при увеличении рабочей температуры переходов, напряжения на электродах и тока. В связи с повышением температуры ускоряются практически отказы всех видов: короткие замыкания, обрывы и значительные изменения параметров. Повышение напряжения значительно ускоряет отказы приборов с МДП структурами и с низковотыиыми переходами. Увеличение тока приводит, главным ооразом. к ускоренному разрушению контактных соединений и токоведуших дорожек металлизации на кристаллах.
Приолиженная зависимость интенсивности отказов от нагрузки имеет вид’
МТЛ. U—T ...Ц 1 Хе-^т-Г '
' пл,аксЛ
где XOn v,aKC' ^mjki- ^макс^ интенсивность отказов при максимальной нагрузке (может (быть взята из результатов кратковременных испытаний в форсированном режиме). Значение В приблизительно равно 6000 К.
Для повышения надежности работы приборов в аппаратуре необходимо снижать, главным образом, температуру переходов и кристаллов, а также рабочие напряжения и токи, которые должны быть существенно ниже предельно допустимых. Рекомендуется устанавливать напряжения и токи (мощность) на уровне 0.5-0.7 предельных (максимальных! значений. Эксплуатация полупроводниковых приборов при температуре, напряжении или токе, равных предельному значению, запрещается. Нс допускается даже кратковременное (импульсное) превышение предельно допустимого режима при эксплуатации. Поэтому необходимо принимать меры по защите приборов от электрических иеретрузок. возникающих при переходных процессах (при включении п выключении аппаратуры, при изменении режима ее работы подключении натрузок. случайных изменениях напряжения источников питания).
Режимы работы приборов должны контролироваться с учетом возможных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппаратуры (повышенная окружающая температура, пониженное давление окружающей среды и др. |.
Если необходимое эначепие тока или напряжения превышает предельно допустимое для даннот о прибора значение, рекомендуется применение более мошною или высоковольтного прибора, а в случае диодов - их параллельное или последовательное соединение. При параллельном соединении необходимо выравнивать гоки через диоды с помощью резисторов с небольшим сопротивлением, включаемых последовательно с каждым диодом. При последовательном включении
33332 поп реп Н Н Горюнова
33
33
диодов обратные напряжения на них выравниваются с помощью шунтирующих резисторов или конденсаторов. Рекомендуемые сопротивления и емкости шунтов обычно указываются в ТУ на диоды. Между последовательно или параллельно включенными приборами должна быть хорошая тепловая связь (например, все приборы устанавливаются на одном радиаторе). В противном случае распределение нагрузки между приборами будет неустойчивым.
При воздействии различных факторов (температуры, влаги, химических. механических и других воздействий) параметры, характеристики и некоторые свойства полупроводниковых приборов могут изменяться. Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий служат корпуса приборов. Корпуса мощных приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, а корпуса СВЧ приборов — оптимальное соединение электродов приборов со схемой. Необходимо иметь в виду, что корпуса приборов имеют ограничения по герметичности и коррозионной устойчивости, поэтому при эксплуатации приборов в условиях повышенной влажности рекомендуется покрывать их специальными лаками (например, типа У Р-231 или ЭП-730).
Обеспечение отвода тепла от полупроводниковых приборов является одной и; главных задач при конструировании радиоэлектронной аппаратуры. Необходимо придерживаться принципа максимально возможного снижения температуры переходов и корпусов приборов. Для охлаждения мощных диодов или тиристоров используются геплоотводящие радиаторы, работающие в условиях естественной конвекции или принудительного обдува, а также конструктивные элементы узлов и блоков аппаратуры, имеющие достаточную поверхность или хороший теплоотвод. Крепление приборов к радиатору должно обеспечивать надежный тепловой контакт. Если корпус прибора должен быть изолирован, то для уменьшения общего теплового сопротивления лучше изолировать радиатор от корпуса аппаратуры, чем диод или тиристор от радиатора.
Отвод тепла улучшается при вертикальном расположении активных поверхностей радиатора, так как при этом лучше условия конвекции. Ориентировочные размеры теплоотводящих радиаторов в форме вертикально ориентированных пластин из алюминия (квадратных или прямоугольных) в зависимости от рассеиваемой ими мощности. можно определить но формуле
5 = 40 Л
где 5 - площадь одной стороны пластины, см2; Р — рассеиваемая в приборе мощность, Вт. Пластины площадью до 25 см2 могут иметь толидину 1-2 мм, площадью от 25 до 100 см2 2—3 мм. свыше 100 см2 — 3 — 4 мм.
При заливке плат с полупроводниковыми приборами компаундами. пенопластами, пенорезиной необходимо учитывать изменение теплового сопротивления между корпусом прибора и окружающей средой, а также возможность увеличения дополнительного пат рева приборов от расположенных вблизи элементов схемы с большим тепловыделением. Температура при заливке не должна превышать
максимальной температуры корпуса прибора, указанной в ТУ, При заливке не должны возникать механические нагрузки на выводы, нарушающие целостность стеклянных изоляторов или корпусов приборов.
В процессе подютовки и проведения монтажа полупроводниковых приборов в аппаратуру механические и климатические воздействия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ.
При рихтовке, формовке и обрезании выводов участок вывода около корпуса должен быть закреплен гак. чтобы в проводнике нс возникали изгибающие или растягивающие усилия. Оснастка и приспособления для формовки выводов должны быть заземлены. Расстояние от корпуса прибора до начала изгиба вывода должно быть не менее 2 мм. Радиус изгиба при диаметре вывода до 0,5 мм должен быть не менее 0.5 мм. при диаметре 0.6—1 мм — не менее I мм. при диаметре свыше I мм — не менее 1.5 мм.
Паяльники, применяемые для пайки выводов приборов, должны быть низковольтными. Расстояние от корпуса пли изолятора до места лужения или пайки вывода должно быть не менее 3 мм. Для отвода тепла участок вывода между корпусом и местом пайки зажимается пинцетом с губками из красной меди. Жало паяльника должно быть надежно заземлено. Если температура припоя не превышает 533 + 5 К. а время пайки не более 3 с. то можно производи ть пайку без теплоотвода или групповым методом (волной, погружением в припой и др.).
Очистка печатных плат от флюса производится жидкое тями. которые не влияют на покрытие, маркировку или материал корпуса (например, спирто-бензиновой смесью).
В процессе монтажа, транспортировки, хранения СВЧ приборов необходимо обеспечивать их защиту от воздействия статического электричества. Для этого все измерительное, испытательное, монтажное оборудование и инструменты надежно заземляются: для снятия заряда с тела оператора применяются заземляющие браслеты или кольна. используются антистатическая одежда, обувь, покрытия столов рабочих мест.
Диоды СВЧ необходимо предохранять от воздействия внешних электрических наволок и электромагнитных полей. Не следует хранить или даже кратковременно оставлять СВЧ диоды без специальной экранирующей упаковки. Перед установкой СВЧ диодов в аппаратуру последняя должна быть заземлена. Входы и выходы СВЧ тракта в неработающем или хранящемся блоке аппаратуры с использованием СВЧ диодов должны быть перекрыты металлическими заглушками.
При эксплуатации аппаратуры должны быть приняты меры, предохраняющие СВЧ диоды от электрических СВЧ перегрузок, которые могут привести либо к необратимому ухудшению (загрублению) параметров. либо к полному отказу (выт оранию) диодов. Для защиты от СВЧ перегрузок в аппаратуре применяются резонансные разрядники, ферритовые отраничители, газоразрядные аттенюаторы.
Часть вторая
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Разде.1 третий
ДИОДЫ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ
Д2Б, Д2В, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2Ж, Д2И
Диоды германиевые (очечные Предназначены дня преобразования и детектирования сш налов е частотой до 150 МГц в амплт-дяы> и фазовых детекторах
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами Диолы маркируются цветне,й точкой у положительного вывода пли кольцевыми полосами: Д2Б — желтой и белой. Д2В - желтой и оранжевой. Д2Г - желюй и красной. Д2Д - желтой и т олубой. Д2Е - желтой и зеленой. Д2Ж — желюй и черной. Д2И — жетюй и серой.
Масса диода не более 0.3 г
о Iо I
о I
о I
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при температурах от 298 до 343 К и прямых токах 5 мА для Д2Б. 9 мА - Д2В. 2 мА - Д2Г, Д2Ж. Д2И. 4.5 мА - Д2Д. Д2Е; при температуре 213 К и прямых токах 0.6 мА для Д2Б. 1.5 мА — Д2В. 0.3 мА - Д2Г. Д2Ж. Д2И.
0,5 мА — Д2Д. Д2Е. нс более 1В
Постоянный обратный ток при С^р - Е'обр ^^.у^.. не более: при 298 и 213 К' '
Д2Б100мкА
Д2В.Д2Г.Д2Д.Д2Е.Д2Ж.Д2И 250мкА
при 343 К
Д2Б 400мкА
Д2В.Д2Г,Д2Д1.0мА
Д2Е.Д2И.Д2Ж0.7мА
Импульсное прямое напряжение приi„p~ ?() '’А. не более 'В
Время восстановления обратного сопротивления при
/„р „ - 10 мА. Ефйр — 10 В. не более 3мкс
Емкость диода при Гфбр - 1.5 В. не более0.2пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213
до 308 К'
Д2Б юВ
Д2В 30В
Д2Г.Д2Д 50В
Д2Е.Д2И юоВ
Д2Ж |5ов
Импульсчюе oopj тое напряжение при ie\niepai\pe: от 213 ди 30S К
Д2Б зов
Д2В 40В
Д2Г. Д2Д 75В
Д2Е. Д2И юоВ
Д2Ж 150в
при 343 К Д2Б зов
Д2В 40В
Д2Г.Д2Д 56в
Д2Е.Д2И 75В
Д2Ж 112В
Импульсный прямой :ок: Д2Ж 25мА
Д2Б. ДДТ.Д2Д.Д2Е.Д2И 50мА
Д 2 В 78мД
Средний пыпрямпенный ток на частотах до 0,1 МГн Д2Ж 5м \
Д2Б, Д2Г.Д2Д.Д2Е.Д2И |6мЛ
Д2В 25мА
Отношение среднего выпрямлешю; о тока па частоте
100 МГц к току на частоте 0.1 МГц. не менее: при нагрузке 1 кОм 02
при нагрузке 10 кОм 03
при нагрузке 100 кОм 0.5
Общее тепловоесопротивление 460« Вт
Средняя рассеиваемая чоитнесть Д2Ь. Д2Г.Д2Д.Д2Е16мВт
Д2В25мВ ।
Д2Ж 8мВт
Температура окружающей средыОт 213 до
343 К
Примечания: I. t ,)tTp. маКс в диапазоне температур от 30! до 343 К определяется но формуле
1Л Г >(;(343 К) д(343 - /")[( (308 К) - ('(343 К)].
Минимальное рассюяние месча пайки выводов — 5 мм от корпуса диода. При пайке выводов необходимо обеспечивать температуру корпуса не более 343 К. Минимальное рассюяние месча перегиба выводов — 3 мм от корпуса.
Вольт-амперная характеристика.Вольт-амперная характеристика.Вольт-амперная характеристика.Вольт-амперная характеристика.
Вольт-амперная характеристика.
Вольт-амперная характеристика.
Вольт-амперная характеристика.
Вольт-амперная характеристика.
Волы-амперная характеристика.Волы-амперная характеристика.Вольт-амперная характеристика.Вольт-амперная характеристика.
Волы-амперная характеристика.
Волы-амперная характеристика.
Вольт-амперная характеристика.
Вольт-амперная характеристика.
мдз
Диод I ерманиевый точечный.
Выпускается в стеклянном малогабартном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся па упаковке диодов.
Масса диода не более 0,035 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более.
при 213 К при /„р = 5 мА 1,0В
при /,|р = 2,5 мА 0.9В
при 298 и 343 К при Лр = 5 мА 1,0В
при 7пр = 2,5 мА 0,7В
Импульсное прямое напряжение при /,,г „ = 20 мА, не более 3,5В
Постоянный обратный ток. не более:
от 213 до 298 К Со6р = 15 В100мкА
343 К 250мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр. » = 20 мА. L’oop = Ю В. не более0.1мкс
Емкость диода, не более 1нФ
Предельные эксплуаташювиые данные
Обратное напряжение 15 В
Прямой ток !2мА
Импульсный прямой юк при т„ < 10 мкс50мА
Температура окружающей средыОт213 до
?43 К
Примечание. Пайку выводов производи п, пи расстоянии не мене.. ^ ?.iM о: корпуса в течение 1—2 с припоем ПОС-61.
Зависимость прямого тока отнапряжения.Зависимость прямого тока отнапряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость прямого тока отнапряжения.
Зависимость прямого тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость импульсного пря- Зависимость общей емкости того напряжения oi юка.диода от напряжения.
Зависимоегь прямою тока от часто,ыЗависимоегь прямою тока от часто,ы
Зависимоегь прямою тока от часто,ы
Зависимоегь прямою тока от часто,ы
дммз
Диод германиевый точечный. Прслнаишчен для применения в та- ливных и капсулированных микромодулях.
Выпускается на керамических микронлатах с распайкой выводов к пазам 1—6. 1-4 или 2—5. Тип диода указывается на микроплате. Положительный электрод диода соединен с пазом / или 2 микроплаты.
Масса диола с микроптатой не бочее 0.35 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более:
при 213 К
при /,,г = 5 мА 1.0В
при Z„p - 2.5 мА 0.9В
при 298 и 343 К
при Z„p = 5 мА 1.0В
при /ир = 2.5 мА.. . .0.7 В
Импульсное прямое напряжение при ill;l ., = 20 мА. ие более 3..5 В
Постоянный обратный ток при Т'™ = 15 В. не более:
при 213 и 298 К . . 100мкА
при 343 К 250мкА
Время восстановления обратного сопротивления при /пр. „ = 20 мА, С''05р „=10 В. не более0,1мкс
Емкость диода, не более IпФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение 15В
Постоянный прямой гок 12мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважное in. равной 450мА
Температура окружающей средыОт213 до
343 К
Примечание. Диоды перед заливкой и герметизацией должны
быть покрыты демпфирующей пас гой КЛТ-30.
Зависимость прямого тока о гнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от тока.
Зависимость общей емкости диода от напряжения.
Зависимость прямого тока от частоты.
Д7А, Д7Б, Д7В, Д7Г, Д7Д, Д7Е, Д7Ж
Диоды германиевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с 1ибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /„□ Ср — 300 мА и U , г . не более 0.5В
^обр сор. Х1СЬ<-
Средний обратный ток при t-'обр — СО5р макс и у ср = 300 мА. не более100мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (ампли1удное значение).
от 213 до 293 К
Д7А 50В
Д7Б 100в
Д7В 150в
Д7Г. . • 200в
Д7Д 300В
Д7Е 350в
Д7Ж 400В
при 323 К
Д7А 35В
Д7Б 80В
Д7В 90В
Д7Г 150В
Д7Д 200В
Д7Е 225В
Д7Ж 250В
при 343 К
Д7А 25 В
Д7Б 50 В
Д7В 50 В
Д7Г 100 В
Д7Д 130 В
Д7Е 140 В
Д7Ж 150 В
Средний прямой ток от 213 до 323К 300мА
при 343 К 200мА
Прямой ток однократной neper ручки в течение 0,1 с . . .1А
Частота без снижения режимов2,4кГц
Температура окружающей средыОт213 до
343 К
Примечания: 1. При неизменных значениях подводимого переменного напряжения и сопротивления нагрузки выпрямленное напряжение снижаегся на часготе 10 кГц на 20 % и на частоте 20 кГц на 50 °„ по сравнению с напряжением на частоте 2,4 кГц.
2 Последовательное соединение допускается при условии шунтирования диода сопротивлением 100 кОм на каждые 100 В.
Диоды допускают работу на емкостную нагрузку при условии, что среднее значение тока черег диод не превышает 0,5 /пр ср макс.
Пайка и изгиб выводов допускаются на расстоянии не ближе 10 мм от корпуса.
Зависимость допустимого обратного напряжения от тока.
Зависимость допустимого об-рашою напряжения от темпе-ратуры.
Зависимость допустимого об-ратного напряжения от тока.Зависимость допустимого об-ратного напряжения от тока.Зависимое 1ь допустимою об-ратною напряжения от тока.Зависимое 1ь допустимою об-ратною напряжения от тока.Зависимость топустимого об-ратного напряжении от тока.Зависимость топустимого об-ратного напряжении от тока.Зависимость допустимого об-ратного напряжения от тока.Зависимость допустимого об-ратного напряжения от тока.
Зависимость допустимого об-ратного напряжения от тока.
Зависимость допустимого об-ратного напряжения от тока.
Зависимое 1ь допустимою об-ратною напряжения от тока.
Зависимое 1ь допустимою об-ратною напряжения от тока.
Зависимость топустимого об-ратного напряжении от тока.
Зависимость топустимого об-ратного напряжении от тока.
Зависимость допустимого об-ратного напряжения от тока.
Зависимость допустимого об-ратного напряжения от тока.
Д9Б, Д9В, Д9Г, Д9Д, Д9Е, Д9Ж, Д9И,Д9К, Д9Л, Д9М
Диоды германиевые точечные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются точками или кольцами на корпусе: Д9Ь — красными, Д9В — оранжевыми, Д9Г — желтыми, Д9Д — белыми. Д9Е - голубыми, Д9Ж - зелеными, Д9И - двумя желтыми. Д9К - двумя белыми, Д9Л — двумя зелеными, Д9М - двумя голубыми. Положительный вывод диода обозначаемся красной точкой.
Масса диода нс более 0.3 t.
6060маркировки плюсового выводамаркировки плюсового вывода
60
60
маркировки плюсового вывода
маркировки плюсового вывода
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА для
Д9В, Д9Ж, 30 мА для Д9Г, Д9Е, Д9И, Д9Л, 60 мА для
Д9Д, ДУК, Д9М. 90 мА для ДУБ, не более . . . . IB Постоянный обратный ток. не более:
При Еобр 6/орр макс
Д9Б, ДУВ. Д9Г. Д9Д. Д9Е, Д9Ж. Д9Л. Д9М . . . 250 мкА
Д9И 120мкА
Д9К60мкА
при Со6р = IВ для ДУМ2.5мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
от 213 до 308 К
Д9Б 10В
Д9В, Д9Г,Д9Д,Д9И,Д9К,Д9М 30В
Д9Е 50В
Д9Ж, Д9Л 100В
при 343 К
Д9Б 10В
Д9В. Д9Г, Д9Д.Д9И,Д9К,Д9М 20В
Д9Е. . . 30В
Д9Ж, Д9Л 45В
Импульсный прямой ток:
от 213 до 308 К
Д9Ж, Д9Л 48мА
Д9В, Д9Е 62мА
Д9Г, Д9Д, Д9И,Д9К.Д9М 98мА
Д9Б125мА
при 343 К
Д9Ж, Д9Л 38мА
Д9В, Д9Е 54мА
Д9Г, Д9Д, Д9И,Д9К.Д9М 80мА
Д9Б105мА
Средний выпрямленный ток:
от 213 до 308 К
Д9Ж, Д9Л 15мА
Д9В. Д9Е20мА
Д9Г. Д9Д, Д9И.Д9К.Д9М 30мА
Д9Б40мА
при 343 К
Д9Ж. Д9Л . 12мА
Д9В, Д9Е 17мА
Д9Г. Д9Д, Д9И,Д9К,Д9М25мА
Д9Б34мА
Температура окружающей средыОт213 до
343 К
Зависимость прямою импуль-сною напряжения oi тока.Зависимость прямою импуль-сною напряжения oi тока.Зависимость времени восстанов-ления ocpaiHoro сопротивленияот тока.Зависимость времени восстанов-ления ocpaiHoro сопротивленияот тока.Зависимость допустимого об-ратного напряжения oi темпе-ра туры.Зависимость допустимого об-ратного напряжения oi темпе-ра туры.Зависимость допустимого вы-прямленной) тока от юмпера-суры.Зависимость допустимого вы-прямленной) тока от юмпера-суры.
Зависимость прямою импуль-сною напряжения oi тока.
Зависимость прямою импуль-сною напряжения oi тока.
Зависимость времени восстанов-ления ocpaiHoro сопротивленияот тока.
Зависимость времени восстанов-ления ocpaiHoro сопротивленияот тока.
Зависимость допустимого об-ратного напряжения oi темпе-ра туры.
Зависимость допустимого об-ратного напряжения oi темпе-ра туры.
Зависимость допустимого вы-прямленной) тока от юмпера-суры.
Зависимость допустимого вы-прямленной) тока от юмпера-суры.
ДЮ, ДЮА, ДЮБ
Диоды германиевые точечные.
Выпускаются в металлосгсклянном корпусе с гибкими виво;щми Диоды маркируются двеiной точкой у положи le.iwioro вывода ДЮ - зеленой. ДЮА желтой. ДЮБ — красной.
Масса диода нс более 1.3 1.
Электрические параметры
Выпрямленный юк при L'„x= 1.5 В. /"—70 МГц. 7?н = 0,
не менее: Д10 3мА
Д10А 5мА
Д10Б 3мА
Постоянный обратный юк при ^"„йр" Ю В. не более: при 213 и 298 К
Д', 0(1.1мА
Д10А. ДЮЬ0.2мА
при 3-43 К ДИ). Д10А0.2м А
ЛЮБ0.4мА
Емкое: ь диола. не более 1пФ
Предельные жсплуат анионные данные
Обратное напряжение 10В
Средний выпрямленный ток:
о: 213 до 298 К' 16мА
при 343 К 10мА
Частота выпрямления150МГц
Температура окружающей сретыОт213 до
''343 К
Зависимость обратно: о юка оттемпера: уры.
Зависимость допустимого прямо: о юка от температуры.
Д101, Д101А, Д102, Д102А, ДЮЗ, ДЮЗА
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в видеоканалах телевизоров, в схемах АРУ и дискриминаторов ЧМ и АМ приемников.
Выпускаются в металлостек.тянном корпусе с гибкими ленточными выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на положительном выводе.
Масса диода не более 1.3 г.
Электрические параттетры
Постоянное прямое напряжение, не более:
дкп. дюз. дтз (4Р= 2 мА)тВ
ДЮ1 V ДЮЗА. ДЮЗА (/,р = 1 мА) ]в
Постоянный обратный ток при С„-.р= 7 О1-р ,ыи. не более от 218 до 298 К
ДЮ1. ДЮ1А. ДЮЗ. ДЮЗА |0мкА
ДЮЗ.ДЮЗА 30мкА
при 313 К
ДЮ1. ДЮ1А150 мкА
ДЮЗ. ДЮЗА. ДЮЗ. ДЮЗА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение:
ДЮ1.ДЮ1А 75 В
ДЮЗ. Д102 А .50В
ДЮЗ. ДЮЗА 30 В
Средний прямой док: от 218 до 298 К30 мД
при 373 К 8 мА
Температура окружающей среды 218до
373 К
Зависимость прямого напряже
ния от температуры.
Зависимость обратного тока оттемпературы.
Зависимость прямого напряже-ния or температуры.
Зависимость обратного тока оттемпера гуры.
Зависимость допустимого пря-
Зависимость обратного тока от
мого гока от температуры.
температуры.
Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106, Д106А
Диоды кремниевые микросплавные.
Выпускаются в металлов екляппом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,53 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = зо мА, не более:
при 298 К
Д104, Д105, Д106
Д104А, Д105А, Д106А
при 213 К
Д104. Д105. Д106
Д104А, Д105А, Д106А
Постоянный обратный ток при С-обр = С/обр.м;1кс, не более:
при 298 К мкА
при 398 К
Д104. Д104А, Д105, Д105А, Д106100 мкА
Д’°6А мкА
Емкость диода, не более:
при С''обр = 0.3 В для Д104А, Д105А, Д106А . , .0,7 пФ
при С’обр = 1,0 В для Д104, Д105. Д1060’7пФ
при Г0рр 10 В пФ
Отношение выпрямленного тока на высокой час юте к
выпрямленному току па частою 0.15 МГц, нс менее-
при /= 5 МГц, RH = 1 кОм 014
при / = 25 МГн, R„ = 10 кОм 015
при / = 100 МГц, Ru = 100 кОм у,
Время восстановления обратною сопротивления, не
более 0.5мкс
Посюяппос и импульсное обратное напряжение: от 213 до 305 КПосюяппос и импульсное обратное напряжение: от 213 до 305 КПредельные эксплуатационные данные
Посюяппос и импульсное обратное напряжение: от 213 до 305 К
Посюяппос и импульсное обратное напряжение: от 213 до 305 К
Д104, Д104А 100В
Д105, Д105А 75В
Д106, Д106А 30В
при 398 К Д104, Д104А 50 В
Д105, Д105А. Д106, Д106А 20 В
Средний выпрямленный ток:
от 213 до 308 К 30 мА
при 398 К 8 мА
Частога без снижения режимов0.15 МГц
Температура окружающей средыОт 213 до
до 398 К
Зависимость обратною юка от
Зависимость прямого тока
от напряжения.
напряжения.
%
110
100
80
60
40
го
о
Д104-Д106
0,1 о,г 0,5 1 г 5 io гонги,
Зависимое 1 ь выпрямленного
юка от частоты.
Зависимость допустимого пря-мою тока от температуры.
Д206, Д207, Д208, Д209, Д210, Д211
Диоды кремниевые сплавные. Предназначены для преобразования переменного напряжения в постоянное.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Тин диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2 i .
77
c:i
■eJ.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при Znp = 100 мА, не более ]g
Средний обратный юк при Lp-p = (;,„->р v >.. нс более:
при 213 и 298 К 50мкЛ
“Ри 398 к мкА
Предельные ткси.п акционные данные
Импульсное обратное напряжение Д206 100В
Д207 200В
Д208 300В
Д2»9 400В
Д210 500В
Д211 600в
Средний выпрямленный гок100 мА
Частота без снижения режимов ।кр,
Температура окружающей среды 2JS
до 398 К
Примечание. При работе на емкостную нагрузку эффектна- нос значение прямого тока не должно превышать I 5 / г" 'пр. со. макс
Зависимость прямою то-ка от напряжения.Зависимость прямою то-ка от напряжения.Зависимость обратного тока от на-пряжения.
Зависимость прямою то-ка от напряжения.
Зависимость прямою то-ка от напряжения.
Д214, Д214А, Д214Б, Д215, Д215А, Д215Б
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 12 I (с комплектующими деталями 18 г).
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /лрср = /пр ср макс. бобр =
= ^ойр.макс, не более:
при 213 К Д214, Д215 ,2В
Д214А, Д215А foв
Д214Б, Д215Б ,’5в
при 393 К 1,0В
Средний обратный jok при 11>бР = Гобг^ке и 4р.ср =
= Лчр, сР. ч^кс не более мд
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное): Д214. Д214А, Д214Б 100В
Д215, Д215А. Д215Б 200В
Средний прямой ток при темпераiype:
от 213 до 403 К Д214А. Д215А юА
о г 213 до 348 К Д214. Д215 ЮА
Д214Б, Д215Б 5А
при 403 К Д214, Д215 5А
Д214Б. Д215Б 2А
Средний прямой ток перегрузки на частоте 50 Гн:
в течение 20 мс при СОРр 0.2 СОурЛ1акс
при 298 К
Д214, Д214А, Д215, Д215А Ю0А
Д214Б. Д215Б 50 А
от 213 до 348 К Д214. Д214А, Д215. Д215А 50А
Д214Б, Д215Б 25А
при 403 К Д214А. Д215А 50А
Д214, Д215 25А
Д214Б, Д215Б 10А
в чеченце 1,5 с при Со6р = Uo5p хикс
от 213 до 348 К
Д214, Д214А. Д215. Д215А 30А
Д214Б. Д215Б 15А
при 403 К Д214А, Д215А 30А
Д214, Д215 15А
Д214Б. Д215Б 6А
Частота без снижения режимов1,1кГц
От 213 доТк = 403 КОт 213 доТк = 403 К
От 213 до
Тк = 403 К
От 213 до
Тк = 403 К
Температура окружающей среды
Температура корпуса 403К
Примечание. При последовательном соединении диодов рекомендуется шунтировать диод резистором с сопротивлением 10 - 15 кОм на каждые 100 В амплпзды обрашою напряжения.
Зависимость допус гимогосреднего тока oi темпе-ратуры корпуса.
МД217, МД218, МД218А
Диоды кремниевые диффузионные.
Выптскаются в мсталлостсклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /лрСр = '^ МА. Собр =
= Себр. махе. не более:
МД217, МД218 1.0В
МД218А 1.1В
Средний обра1ный юк при Сппр = t-'обр.макс- ^iPcr =
=- 100 мА, не более: от 213 до 298 К50мкА
при 398 К150мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение: МД217 800 В
МД218 в
МД218А i200 в
Средний прямой ток: от 213 до 358 К 100 мА
при 373 К 70 мА
ПРИ 398 к 50 мА
Частота без снижения режимов ,д0 । крц
Температура окружающей среды q tit
до 398 К
Примечания: 1. Допускается работа диодов на частотах выше 1 кГц при условии. что значение среднего обратного тока на рабочей частоте будет нс более 500 мкА. .
Допускается работа диодов на емкостную натрузкл. при этом эффективное значение прямою тока через диод не должно превышать 1.57 /||Рчтх|аке
Зависимость среднего прямо-Зависимость среднего прямо-Зависимость среднего обратного токаЗависимость среднего обратного токаго тока от напряжения.го тока от напряжения.от напряжения.от напряжения.
Зависимость среднего прямо-
Зависимость среднего прямо-
Зависимость среднего обратного тока
Зависимость среднего обратного тока
го тока от напряжения.
го тока от напряжения.
от напряжения.
от напряжения.
Зависимость срелпет о прямо-го тока от напряжения.Зависимость срелпет о прямо-го тока от напряжения.Зависимость среднего обратного токаот напряжения.Зависимость среднего обратного токаот напряжения.
Зависимость срелпет о прямо-го тока от напряжения.
Зависимость срелпет о прямо-го тока от напряжения.
Зависимость среднего обратного токаот напряжения.
Зависимость среднего обратного токаот напряжения.
Зависимость среднею прямо-ю тока от напряжения.Зависимость среднею прямо-ю тока от напряжения.Зависимость среднего обратного токаот напряжения.Зависимость среднего обратного токаот напряжения.Зависимость предельного сред-Зависимость предельного сред-Зависимосгь допустимою пере-Зависимосгь допустимою пере-нею прямого юка oi levne-нею прямого юка oi levne-грузочною гока от темпегрузочною гока от темпе
Зависимость среднею прямо-ю тока от напряжения.
Зависимость среднею прямо-ю тока от напряжения.
Зависимость среднего обратного токаот напряжения.
Зависимость среднего обратного токаот напряжения.
Зависимость предельного сред-
Зависимость предельного сред-
Зависимосгь допустимою пере-
Зависимосгь допустимою пере-
нею прямого юка oi levne-
нею прямого юка oi levne-
грузочною гока от темпе
грузочною гока от темпе
ратуры.ратуры.ратуры.
ратуры.
ратуры.
Д223, Д223А, Д223Б
Диоды кремниевые микросплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,53 i.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА. не более:
при 298 и 393 К 1,0 В
при 213 К 1.25В
Посюянный обратный ток при Т'обр = б'о6р макс, нс более:
при 213 и 298 К1.0мкА
при 393 К50мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: Д223 50 В
Д223А юоВ
Д223Б 150В
Выпрямленный гок:
от 213 до 298 К 50мд
при 393К 20мА
Импульсный прямой ток при т„ < 2 с5оо мА
Предельная рабочая частота20 МГц
Температура окружающей среды 213
до 393 К
Примечание. ^вп.ср.макс в диапазоне температур от 298 до 393 К определяется по формуле.
1(Т) = / (393 К) + 0,01(393 - 7) [/(298 К) - /(393 К)].
Зависимость прямого токаЗависимость прямого токаЗависимое )ь обратного тока от на-Зависимое )ь обратного тока от на-от напряжения.от напряжения.пряжения.пряжения.
Зависимость прямого тока
Зависимость прямого тока
Зависимое )ь обратного тока от на-
Зависимое )ь обратного тока от на-
от напряжения.
от напряжения.
пряжения.
пряжения.
Зависимость прямого тока Зависимость обратного тока от на. от напряжения.пряжения.
Зависимость прямого тока Зависимость обратного юка oi нч от напряжения.пряжения.
МД226. МД226А, МД226Е
Диоды кремниевые, диффузионные.
Выпускаются в мены.юстеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся па корпусе.
Масса дно га не ботсе 2 г
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при Л,р .г = 300 мА и I 11Рр = =1 В
Средний поранили юк при Слрр — ( ,мрЛЫкс 11 Лр.ср =
" Лрлрлы»;. не бо гее: при 213 и 20S К 50мкА
при 353 К100мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амн штулнос гначсние) при гемпе- ратуре до 323 К.
МД226 400В
МД226А 300В
МД226Е' 200В
при 353 К: МД226 зооВ
МД226А 200В
МД226Е 150В
Средний прямой ток: от 213 до 323 К зоо мА
при 353 К 250 мА
Аимдитудное значение выпрямленного тока перегрузки в течение 3 — 4 периодов 2.5 А
Частота без снижения режимов j крц
Темпераухра окружающей среды 213
до 353 К
Температура корпуса 358 К
Примечание. Допускается работа диодов на емкостную на1 рузку. при этом эффеыивное значение прямою тока не должно превышаю 1.5~ /|,Р.<Р ,,ааь.
Зависимость обратною тока о гнапряжения.Зависимость обратною тока о гнапряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.Зависимое ю прямого тока от напряжения.
Зависимость обратною тока о гнапряжения.
Зависимость обратною тока о гнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость прямою тока отчас готы.Зависимость прямою тока отчас готы.Зависимость обраюого тока uiнапряжения.Зависимость обраюого тока uiнапряжения.Зависимость допустимою сред-тгсго прямого тока от темпе-ратуры.Зависимость допустимою сред-тгсго прямого тока от темпе-ратуры.Зависимость допустимого об-ратного напряжения от темпе-ратуры .Зависимость допустимого об-ратного напряжения от темпе-ратуры .
Зависимость прямою тока отчас готы.
Зависимость прямою тока отчас готы.
Зависимость обраюого тока uiнапряжения.
Зависимость обраюого тока uiнапряжения.
Зависимость допустимою сред-тгсго прямого тока от темпе-ратуры.
Зависимость допустимою сред-тгсго прямого тока от темпе-ратуры.
Зависимость допустимого об-ратного напряжения от темпе-ратуры .
Зависимость допустимого об-ратного напряжения от темпе-ратуры .
Д226, Д226А, Д226Е
Диоды кремниевые сплавные.
Выпускаются в мегаллостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2 i .
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при 4Р = 300 мА, Соб„ = = Уобр.макс- не более 1.о В
Средний обратный ток при Сп6р = Собрмакс и /прср =
= Aipср.макс» не более.
при 213 и 298 К мкд
при 353 К мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
от 213 до 323 К
Д226 400В
Д226А зооВ
Д226Е 200В
от 323 до 353 К
Д226 300В
Д226А 200В
Д226Е150В
.Средний прямой ток:
от 213 до 323 К 300 мА
от 232 до 353 К 250 мА
Амплитудное значение тока одноразо
вой перегрузки в течение 10 мс . .2,5 А
Частота без снижения режимов . . . 1 кГц Температура окружающей среды . . . От 213
до 353 К
Температура корпуса 358к
Прим е ч а н и е. Допускается работа диодов на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение прямого тока не должно превышать 1,57 7„р,Ср.макс-
Зависимость обратного тока отнапряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.Зависимость прямого тока от напряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимое । ь обратного гока с ■напряжения (для Д22бА)Зависимое । ь обратного гока с ■напряжения (для Д22бА)Зависимость допустимого сред-него прямоте гока о: темпе-ратуры.Зависимость допустимого сред-него прямоте гока о: темпе-ратуры.Зависимость допустимого обратного напряжения от темне ратуры (для Д226,Д226А.Д226Е соответственно).Зависимость допустимого обратного напряжения от темне ратуры (для Д226,Д226А.Д226Е соответственно).
Зависимое । ь обратного гока с ■напряжения (для Д22бА)
Зависимое । ь обратного гока с ■напряжения (для Д22бА)
Зависимость допустимого сред-него прямоте гока о: темпе-ратуры.
Зависимость допустимого сред-него прямоте гока о: темпе-ратуры.
Зависимость допустимого обратного напряжения от темне ратуры (для Д226,Д226А.
Д226Е соответственно).
Зависимость допустимого обратного напряжения от темне ратуры (для Д226,Д226А.
Д226Е соответственно).
Д229А, Д229Б
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в мета.ыостеклянном корпусе с жесткими выводами Тип диола и схема соединения электро юв с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3.5 г
Зависимость обратного юка orнапряжения.3 под ред Н. Н ГорюноваЗависимость обратного юка orнапряжения.3 под ред Н. Н ГорюноваЗависимость обратного тока отнапряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость обратного юка orнапряжения.
3 под ред Н. Н Горюнова
Зависимость обратного юка orнапряжения.
3 под ред Н. Н Горюнова
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /,гр ср = 400 мА, Со6р =
= Уорлике температуре от 213 до 308 К, не более 1в
Средний обратный ток при I о5р = С,)6р макс и /прср ■=
= 400 мА. не более: при 213 и 298 К 50мкд
при 398 К 250мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обрашое напряжение: Д229А 200В
Д229Б 400В
Средний прямой ток:
от 213 до 373 К 400 мА
от 374 до 398 К 200мА
Одиночные импульсы прямою тока при ти < 10 мс (время между двумя импульсами не менее 15 мин) и температуре от 213 до 358 К 10А
Частота без снижения режимов .1 кГц
Температура окружающей среды От 213 до 398 К
Примечание. Допускается работа диодов на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно превышать значения 1,57 /|1р ср MdKP.
Зависимость прямого тока oi напряжения.
Зависимость допустимогосреднего прямого тока oiЗависимость допустимогосреднего прямого тока oiЗависимость ИМПУЛЬСНОЮ ПрЯМОГС'юка от дли 1 с.ibHociи импульса.Зависимость ИМПУЛЬСНОЮ ПрЯМОГС'юка от дли 1 с.ibHociи импульса.частоты.частоты.Зависимость допустимого сред-не! о прямо! о тока от темпе-ратуры.Зависимость допустимого сред-не! о прямо! о тока от темпе-ратуры.Зависимость допустимой пере-грузки по прямому ТСк\ 0 1। емпературы.Зависимость допустимой пере-грузки по прямому ТСк\ 0 1। емпературы.
Зависимость допустимого
среднего прямого тока oi
Зависимость допустимого
среднего прямого тока oi
Зависимость ИМПУЛЬСНОЮ ПрЯМОГС'юка от дли 1 с.ibHociи импульса.
Зависимость ИМПУЛЬСНОЮ ПрЯМОГС'юка от дли 1 с.ibHociи импульса.
частоты.
частоты.
Зависимость допустимого сред-не! о прямо! о тока от темпе-ратуры.
Зависимость допустимого сред-не! о прямо! о тока от темпе-ратуры.
Зависимость допустимой пере-грузки по прямому ТСк\ 0 1। емпературы.
Зависимость допустимой пере-грузки по прямому ТСк\ 0 1। емпературы.
Д229В, Д229Г, Д229Д, Д229Е, Д229И, Д229К, Д229Л
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в метал.юстеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3,5 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /Пр Лр.ср.макс' не более *®
Средний обратный ток при ^обр — ^обр.макс- не оолее: от 213 до 298 К50мкА
при 398 К 250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обра1ное напряжение.
Д229В, Д229Ж 100В
Д229Г, Д229И 200В
Д229Д. Д229К 300В
Д229Е, Д229Л 400В
Средний прямой юк:
от 213 до 323 К
Д229В, Д229Г. Д229Д. Д229Е 400мА
Д229Ж, Д229И. Д229К. Д229Л 700мА
при 358 К
Д229В, Д229Г, Д229Д. Д229Е 300мА
Д229Ж. Д229И. Д229К. Д229Л 500мА
Частота без снижения режимов IкГц
Темпера!ура окружающей средыОт213
до 358 К
Примечание. Допускается рабога диодов на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно превышать значения 1,57 /пр.ср.млт-
00^■пр,ср,макс^'Д229(В-Е)Д223(Ж-Л)Г^■пр,ср,макс^'Д229(В-Е)Д223(Ж-Л)Г500500400400300300мА600мА600303 313 323 333 ЗЧЗ 353 к303 313 323 333 ЗЧЗ 353 к
0
0
^■пр,ср,макс^'
Д229(В-Е)
Д223(Ж-Л)
Г
^■пр,ср,макс^'
Д229(В-Е)
Д223(Ж-Л)
Г
500
500
400
400
300
300
мА
600
мА
600
303 313 323 333 ЗЧЗ 353 к
303 313 323 333 ЗЧЗ 353 к
Зависимость среднего прямо-го тока от час 1 о гы.
Зависимость среднего обратно-го тока от напряжения.
Зависимость допустимого среднего прямого тока от температуры
Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б.
Д234Б
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в мсталлостекляппом корпусе с вин гос: и жесткими выводами. Тип диода и схема соединения эзектродов с вы
водами приводятся на корпусе.
без комплак i у юших де-без комплак i у юших де-Масса диода не бо ice is талей).
без комплак i у юших де-
без комплак i у юших де-
Электрическне парапет рыЭлектрическне парапет ры
Электрическне парапет ры
Электрическне парапет ры
Среднее прямое напряжение при Лр.с? = ^;рсг : 11
^обр = Ь'обр макс, не более:
от 213 до 298 К
Д231, Д231А, Д232. Д232Л. Д233 1 В
Д231Б, Д232Б, Д233Б. Д234Б 1.5В
при 393 К 1.0В
Средний обратный ток при Cofip = СоРр ,,gKl.. йг,^г = = /„рср.макс- от 313 до 393 К. не более:-.0мА
Предельные эксплуатационные данные
Амплитудное обратное напряжение: Д231. Д231А. Д231Б,. . .300 В
Д232, Д232А. Д232Б 400В
Д233, Д233Б 500В
Д234Б ОООВ
Средний прямой ток при температуре:
от 213 до 403 К Д231А, Д232А ioА
от 213 до 348 К Д231, Д232. Д233 10 А
Д231Б, Д232Б. Д233Б. Д234Б 5А
при 403 К Д231. Д232, Д233 5А
Д231Б, Д232Б. Д233Б. Д234Б 2А
Средний прямой ток иеретрузки на частоте 50 Гц в течение 20 мс при Со6р = 0,2 Сфбр.макс
при 298 К
Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233 юо А
Д231Б, Д232Б. Д233Б, Д234Б 50 А
от 213 до 348 К
Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233 50 А
Д231Б, Д232Б, Д233Б. Д234Б 25 А
при 403 К
Д231А. Д232А 50 /X
Д231, Д232. Д233 25 А
Д231Б, Д232Б, Д233Б. Д234Б 10 А
в течение 1,5 с при Uo5p = С;о6рлы1.с:
от 213 до 348 К
Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233 30 А
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б ,5 А
при 403 К
Д231А, Д232А ад А
Д231, Д232. Д233 15 А
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б 6 д
Частота без снижения режимов кр1(
Темпера;ура окружающей среды от 213 К до Г, = 403 К
Температура корпуса 403 к
Зависимость допустимо! о сред-него прямого тока от !емпс-ратуры.
Зависимость допустимого импульсного прямою тока перегрузки от температуры.
Зависимость допустимого импульсного прямого тока перегрузки о! температуры.
Д237А, Д237Б, Д237В, Д237Е, Д237Ж
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в меюдлосюкляпном корпусе с тибкими выводами Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диола не более 2 т.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр.ср = Zlp.cp. .ut.-
(дбр.и = ^обр.я.мякс- температуре от 213 до 298 К. не более 1В
Средний обратный ток при 1(,цр.и = 6'Р,тР и ма|11
1' Лр,.р -не более:
при 213 н 298 К ЗОмкА
при 398 К100мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
Д237А, Д237Е 200В
Д237Б, Д237Ж 400В
Д237В 600В
Средний прямой ток:
от 213 до 323 К
Д237А, Д237Б 300мА
Д237В100мА
от 213 до 373 К
Д237Е, Д237Ж 400мА
см 324 до 358 К
Д237А, Д237Б 200мА
Д237В100мА
от 374 до 398 К
Д237Е, Д237Ж... . 200мА
от 359 до 398 К
Д237А, Д237Б,Д237В100мА
Импульсный прямой ток при температуре от 213 до 358 К: одиночные импульсы при ти < 10 мс 10А
периодические импульсы при ти < 30 мс . . . .5 А
(время между импульсами не менее 15 мин)
Частота без снижения режимов .1 кГц
Температура окружающей среды От 213 до
Примечание. Допускается работа диодов на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно превышать 1.57 /Пр ,р макс
Зависимость среднего обратно-го тока от напряжения.Зависимость среднего обратно-го тока от напряжения.Зависимость среднего обратноготока от напряжения.Зависимость среднего обратноготока от напряжения.Зависимость среднего прямоготока о г частоты.Зависимость среднего прямоготока о г частоты.Зависимость среднего обратноготока от напряжения.Зависимость среднего обратноготока от напряжения.Зависимость среднего прямою тока от на пряжения.
Зависимость среднего обратно-го тока от напряжения.
Зависимость среднего обратно-го тока от напряжения.
Зависимость среднего обратноготока от напряжения.
Зависимость среднего обратноготока от напряжения.
Зависимость среднего прямоготока о г частоты.
Зависимость среднего прямоготока о г частоты.
Зависимость среднего обратноготока от напряжения.
Зависимость среднего обратноготока от напряжения.
темпе-темпе-пульспого юка от длительности импульса.пульспого юка от длительности импульса.нею прямого тока ратуры.нею прямого тока ратуры.
темпе-
темпе-
пульспого юка от длительности импульса.
пульспого юка от длительности импульса.
нею прямого тока ратуры.
нею прямого тока ратуры.
Д242, Д242А, Д242Б, Д243. Д243А, Д243Б, Д245. Д245А.Д245Б, Д246, Д246А, Д246Б, Д247, Д247Б, Д248Б
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостек.чинном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 12 г (с комплектуюшимн деталями 1R г;
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /,,„ Ср = ^пр. ср. м.-.кс 11 ^'обр =
— Гл.р. макс ^^ оолее.
от 213 до 348 К
Д242А. Д243А. Д245А. Д246А ТОВ
Д242. Д243, Д245. Д246. Д247 225В
Д242Б, Д243Б. Д245Б. Д246Б. Д247Б. Д248Б . . .5.5 В
при 403 К 1В
Средний обратный ток при СцРп = t’oc.p. макс 7пр ср =
= 4р. ср. макс, температуре от 213 до 403 К, не более . . .3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплшудлое значение):
Д242. Д242.А. Д242Б
Д243. Д243А. Д243Б
Д245. Д245А. Д245Б
Д246. Д246А. Д246Б
Д247. Д247Б
Д248Б
Средний прямой ток:
Д242А. Д243А. Д245А. Д246А
Д242. Д243. Д245. Д246. Д247 (от 213 до 348 К Д242Б. Д243Б. Д245Б. Д246Б. Д247Б. Д248Б . . . Д242. Д243. Д245. Д246. Д247 (при 398 К) . .
Д242Б. Д243Б. Д245Б. Д246Б. Д247Б. Д248Б . . .
Средний прямой ток nepei рузки в течение 0.5 с . Частота без снижения режимов Температура окружающей среды
100 В 200 В 300 В400 В 500 В 600 В100 В 200 В 300 В400 В 500 В 600 В10 А10 А5 А5 А2 А1.2 кГцОт 213 до398 К398 К10 А10 А5 А5 А2 А1.2 кГцОт 213 до398 К398 КТемпература корпусаТемпература корпусаЗависимость допустимо! о среднего прямого тока О! температуры.Зависимость допустимо! о среднего прямого тока О! температуры.прямого тока от частоты.прямого тока от частоты.Зависимость среднего обрат-ного тока от напряжения.
100 В 200 В 300 В
400 В 500 В 600 В
100 В 200 В 300 В
400 В 500 В 600 В
10 А
10 А
5 А
5 А
2 А
1.2 кГц
От 213 до
398 К
398 К
10 А
10 А
5 А
5 А
2 А
1.2 кГц
От 213 до
398 К
398 К
Температура корпуса
Температура корпуса
Зависимость допустимо! о среднего прямого тока О! температуры.
Зависимость допустимо! о среднего прямого тока О! температуры.
прямого тока от частоты.
прямого тока от частоты.
Д302, ДЗОЗ, ДЗО4, Д305
Диоды германиевые сплавные.
Выпускаются в метал.госчеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 16 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр ^/пр. макс ие более:
при 298 К
Д302, Д304 0.25В
ДЗОЗ, ДЗО5 0,3В
при 213 К
Д302 0.5В
ДЗОЗ 0.6В
Д304 0.8В
ДЗО5 IB
Средний обратный ток при Со6р = С„-р „акс. не более: при 298 К:
ДЗОЗ 0,8мА
ДЗОЗ 1,0мА
Д304 2.0мА
Д305 2.5мА
при 343 к:
ДЗОЗ 3,0мА
ДЗОЗ 4.0мА
Д304 10,0мА
ДЗО520.0мА
Предельные эксплуатационные данные
200 В150 В100 В50 В200 В150 В100 В50 В150 В140 В150 В140 ВОбратное напряжение (амплитудное гначснис) при температуре от 213 до 298 К:
200 В
150 В
100 В
50 В
200 В
150 В
100 В
50 В
150 В
140 В
150 В
140 В
Д302
ДЗОЗ
Д304
Д305
Обратное напряжение (амплитудное значение): при 313 К
Д302
ДЗОЗ
Д304 100В
Д305 50В
при 323 К Д302,ДЗОЗ 120В
дзо4:. . loo в
Д305 50В
при 333 К Д302,ДЗОЗ 90В
Д304 70В
Д305 50В
при 343К 50В
Средний прямой ток: от 213 до 298 К ДЗО2 1А
ДЗОЗ ЗА
Д304 5 А
Д305 ЮА
при 313 К Д302 1А
ДЗОЗ ЗА
Д304 4А
Д305 8А
при 323 К Д302 1А
ДЗОЗ 3.5А
Д304 •• ЗА
Д305 6,5А
при 333 К
Д302 0.9А
ДЗОЗ 2А
Д304 2.5А
Д305 5А
при 343 К
Д.ЗО2 0,8А
ДЗОЗ 1.5А
Д304 1.8А
Д305 ЗА
Средний прямой юк перегрузки в течение 0,5 с: Д302 4 7Пр Ср макс
ДЗОЗ1.5 /Пр Ср маьг
Д304....2,5 Alp. ср, макс
Д305 2 ^Пр, ср. макс
Частота без снижения режимов 5000Гц
Температура окружающей среды от 213 до 343 К
Температура корпуса 353 К
Примечание. Допускается последовательное и параллельное соединение. При последовательном соединении каждый диод доджей шунтироваться резистором с сопротивлением 10—15 кОм. Для параллельного соединения следует подбирать диоды с близкими значениями прямого падения напряжения.
Зависимое 1 ь допустимого об-Зависимое 1 ь допустимого об-293 283 293 303 313 323 ззз к293 283 293 303 313 323 ззз к
Зависимое 1 ь допустимого об-
Зависимое 1 ь допустимого об-
293 283 293 303 313 323 ззз к
293 283 293 303 313 323 ззз к
рапюго напряжения от темпе-
Зависимос1ь допустимою среднего выпрямленного тока от
ратуры.ратуры.
ратуры.
ратуры.
температуры.
2Д101А
Диод кремниевый микросплавной.
Выпускается в металлостеклянном малогабаритном корпусе. Тип диода приводится на его упаковке. С отрицательным электродом диода соединен приваренный вывод.
Масса диода нс более 0,05 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА. не более 1 В
Постоянный обратный ток при С^обр = 30 В. не более: от 213 до 298 К 5мкА
при 358 К25мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы 30В
Средний прямой ток:
от 213 до 298 К 20мА
при 358 К 10мА
Импульсный прямой юк 300мА
Темпера i ура окружающей средыОт213 до
'"358 К
Примечания: 1. Диоды в аппаратуре применяются с заливкой эмалью ЭП-274Т после монтажа на микроплату
2. Папка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса: изгиб выводов диода не допускается.
Зависимость иря?лого юка отнапряжения.
Зависимость обратного юка отнапряжения.
парамез рыпарамез ры
парамез ры
парамез ры
2ДМ101А
Диод кремниевый микросплав- ной. Предназначен для применения в залитых и капсулированных микромодулях.
Выпускается на керамических микромодульных платах с распайкой к пазам 1 — 6. 1 — 4 или 2 — 5. Тип диода приводится на микроплате. Положительный электрод диода соединен с пазами 1 или 2 микроплаты.
Масса диода с мнкроплагой нс бозее П.4 г.
Элект рические
Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА. не более ;в
Постоянный обратный ток при С\,Вр = 30 В, нс более: от 213 до 298 К 5мкд
при 358 К25мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы 30В
Средний прямой ток:
от 213 до 298 К20мА
"Р" 358 к 10мА
Импульсный прямой ЮК мд
Температура окружающей среды от 213 до 358 К
Примечания. 1. Диоды в аппаратуре при меняю гея в составе микромодуля с заливкой влагозащитным составом.
Температура пайки пазов микроллаты не более 513 К в течение не более 1 с.
МД
ZOO
160
по
80
40
О
0,1 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 в
Зависимое 1Ь прямою юка отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость допустимого среднего прямого тока о г температуры.
2Д102А, 2Д102Б, КД102А, КД102Б
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с тибкими выводами. Диоды маркируются цветными точками у положительного вывода: 2Д102А — желтой. КД102А — зеленой,2Д102Б — оранжевой,
КД 102Б - синей.
Масса диода не более 0.1 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА. не более:
при 298 К и Тмакс 1В
при 213 К 1,2В
Постоянный обратный ТОК при UoQp = Ц>бр. макс-. не более:
при 298 К
2Д102А, КД102А0.1мкА
2Д102Б. КД102Б1,0мкА
При Тумаке
2Д102Л. КД102А50мкА
2Д102Б. КД102Б75мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: 2Д102А. КД102А 750 в
2Д102Б, КД102Б 300 в
Постоянный прямой или средний выпрямленный ток при температуре- от 213 до 323 К мА
при 373 К для КД102А, КДЮ2Б 3q мд
при 393 К для 2Д102А. 2Д102Б мд
Импульсный прямой ток при т„ « 10 мкс. /п < 30 мА ■ от 213 до 363 КЛ?.2 А
от 213 К до Тмакс"0,5 А
Темпспатура окружающей среды: 2ДЮ2А. 2Д102БОт213 до
393 К
КД102А, КД102БОт213 до
373 К
Примечания. 1. Допускается раоога диода на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно превыше ь 1,57 а /яр,и - не более 6
2~ Допускается параллельное и последовательное соединение диодов. При параллельном соединении последовательно с каждым диодом должен быть присоединен резне юр с сопротивлением 30 Ом. При последова гельном соединении диодов каждый диод рекомендуется шунтировать выравнивающим конденсатором.
Зависимость обращено тока отчастоты.Зависимость обращено тока отчастоты.Зависимость допустимого сред-него прямого тока о г темпе-ра гуры.Зависимость допустимого сред-него прямого тока о г темпе-ра гуры.2Д103А, КД103А, КД103Б
Зависимость обращено тока отчастоты.
Зависимость обращено тока отчастоты.
Зависимость допустимого сред-него прямого тока о г темпе-ра гуры.
Зависимость допустимого сред-него прямого тока о г темпе-ра гуры.
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветной точкой у положительного вывода: 2Д103А — белой,КД ЮЗА — синей.
КД103Б - желтой.
Масса диода не более 0.1 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, нс более: при 298 К и Гмакс
2Д103А, КД103А 1В
КД103Б 1.2В
при 213 К для2Д103А 1.2В
Импульсное прямое напряжение, не более: при Z,,p.„ = 2 А 2,5В
при 7„р я = 0,5 А 1.5В
Время восстановления oopainoro сопротивления при (7обр = 20 В, /пр — 50 мА, не более 4мкс
Емкость диода при С\,5р = 5 В. не более 20пФ
Постоянный обратный ток прн С"„,-)р = Lm-,p vasc, не более: при 213 и 298 К 1мкА
при 7ма,.с50мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: 2Д1ОЗА 75 в
КД ЮЗА. КДЮЗБ 50 В
Импульсное обратное напряжение через 20 мкс после окончания импульса прямого юка для 2Д103А . . . .75 В
Импульсное обратное напряжение через 10 мкс после окончания импульса прямою тока для 2Д1ОЗА . . . Ю0 В
Постоянный прямой ток: от 213 до 323 К100 мА
при 373 К для КДЮЗА. КДЮЗБ и 398 К для 2Д1ОЗ.А 30 мА
Импульсный прямой ток при тн < 10 мкс и температуре от 213 до 363 К при 4Р ср = 30 ^|Л 2 А
ПРН 4Р ср = 60 '|А 1 А
Частота без снижения режимов Kj-
Темнература окружающей среды 2ДЮЗАОт 213 до
398 К
КДЮЗА. КДЮЗБ 213 до
373 К
Примечания: 1. Диоды допускают работу на емкосгнхю
нагрузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно превышать 1,57 ^пр.ср. макс 7пр. и не более 6 1пр ср млкс.
2 Диоды допускают параллельное соединение, при ном последовательно с диодом должен быть включен резисюр с сопро!ивлением 30 Ом. Диоды допускают последовательное соединение с шунтированием каждого диода выравнивающим конденсатором.
а о,г о,ч о,б о,81,о ва о,г о,ч о,б о,81,о в
а о,г о,ч о,б о,81,о в
а о,г о,ч о,б о,81,о в
Зависимость прямого то-ка о г напряженияЗависимость прямого то-ка о г напряженияЗависимость обратного токаот напряжения.Зависимость обратного токаот напряжения.
Зависимость прямого то-ка о г напряжения
Зависимость прямого то-ка о г напряжения
Зависимость обратного токаот напряжения.
Зависимость обратного токаот напряжения.
Зависимоеiь обратного тока о?часто I ы.Зависимоеiь обратного тока о?часто I ы.Зависимость допустимого пря-мого тока о г темпера пры.Зависимость допустимого пря-мого тока о г темпера пры.КД104АКД104АДиоды кремниевые диффузионные.
Зависимоеiь обратного тока о?часто I ы.
Зависимоеiь обратного тока о?часто I ы.
Зависимость допустимого пря-мого тока о г темпера пры.
Зависимость допустимого пря-мого тока о г темпера пры.
КД104А
КД104А
Выпускаются в пластмассовом корпусе с тбкими выводами. Диоды маркируются цветной точкой у положительного вывода. 2Д104А — бетой и КД104А - красной.
Масса диода не белес 0.1 i.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА. не более: при 298 и 343 К 1 В
типовое значение0.75* В
при 213 К 1.3 В
Постоянный обратный ток при L ogp = 300 В. не более: О1 213 до 298 К 3 мкА
при 343 К100 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при /пр = - 10 мА, Го6р = 20 В, нс более 4 мкс
[иповоезначение3* мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное значение 300В
Постоянный прямой ток или средний выпрямленный iok: до /= 10 кГц 10мА
при /= 20 кГц 5мА
Импульсный прямой ток при /пр ср = 50 мА в течение I с' 1А
Частота без снижения режимов20кГц
Температура окружающей среды о г 213 до 343 К
Примечания: 1. Диоды допускают параллельное соединение без добавочных резисторов. Диоды допускают последовательное соединение, при этом рекомендуется каждый диод шунтировать вырав- кивающим конденсатором.
Диоды допускают заливку диэлектрическими компаундами
Зависимость прямого чо-ка о г напряжения.Зависимость прямого чо-ка о г напряжения.Зависимость обратного токао г напряжения.Зависимость обратного токао г напряжения.
Зависимость прямого чо-ка о г напряжения.
Зависимость прямого чо-ка о г напряжения.
Зависимость обратного токао г напряжения.
Зависимость обратного токао г напряжения.
КД105Б, КД105В, КД105Г
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Диоды маркируются цветной точкой на поверхности: КД105В - зеленой. КД105Г — красной; у диода КД105Б точка отсутствует. Положительный вывод диода обозначается желтой полоской.
Масса диода не более 0,5 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пп m - -<()и мА. не бозее 1 В
Средний обратны:, ток при С-„-.п - i",«,P „ ма,с- не солее: при 298 К100мкА
при 358 К 300мкА
Предельные эксн.п а 1 анионные данные
Импульсное обратное напряжение при температуре:
от 218 до 328 К КД105Б 400В
КД105В 600В
КД105Г 800В
при 358 К КД105Б 300В
КД 105В 450В
КДЮ5Г 600В
Импульсный прямой ток (однокра1ная перегрузка) при т„ < 20 мкс 15А
Средний прямой ток 300 мА
I кГц Частота без снижения режимов 1 кТи
Температура окружающей средыОт218 до
358 К
При м е ч а и п е. При работ е на емкое!ную нагрузку эффективное значение прямого тока не должно превышать 1.57 /пр ср
Зависимость прямою тока о г напря-жения.
Зависимость обратно! о тока от Зависимость обратного тока oiнапряжения.напряжения.
мА 800600ЧОО100ОмА 800600ЧОО100О323333343353 К323333343353 КЗависимость .допустимого об-ратного напряжения от темпе-ратуры .Зависимость .допустимого об-ратного напряжения от темпе-ратуры .Зависимость обратного юка отнапряжения.Зависимость обратного юка отнапряжения.
мА 800
600
ЧОО
100
О
мА 800
600
ЧОО
100
О
323333343353 К
323333343353 К
Зависимость .допустимого об-ратного напряжения от темпе-ратуры .
Зависимость .допустимого об-ратного напряжения от темпе-ратуры .
Зависимость обратного юка отнапряжения.
Зависимость обратного юка отнапряжения.
2Д106А, КД106А
Диоды кремниевые диффузионные.Диоды кремниевые диффузионные.пластмассовом корпусесоединения электродов спластмассовом корпусесоединения электродов сболее 1 г.более 1 г.Электрические параметрыЭлектрические параметры
Диоды кремниевые диффузионные.
Диоды кремниевые диффузионные.
пластмассовом корпусесоединения электродов с
пластмассовом корпусесоединения электродов с
более 1 г.
более 1 г.
Электрические параметры
Электрические параметры
Выпускаются в Тип диода и схема на корпусе.
Масса диода не
с гибкими выводами, выводами приводя ,ся
Постоянное прямое напряжение при Znp = 300 мА. не более: при 298 К и Лтакс 1,0 В
при 213 К 1,5В
Постоянный обратный ток при Сго6р = 100 В, не более: от 213 до 298 К 10мкА
при Лике100мкА
Емкость диода, не более: при Собр = 5 В'150 пФ
при Со5р = 100 В 50пФ
Время восстановления обратною сопротивления, не более0.45мкс
типовое значение 0.385мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение . . . .100 В
Постоянный прямой ток пли средний выпрямленный ток:
от 2i 3 до 343 К 300мА
при Ли1.с100мА
Импульсный прямой ток при т„ < 500 мкс. J й 200 Гц
и температуре: от 213 до 343 К ЗА
при Т^1№. ................1 А
при ти < 100 мс и скважности более 1000 . . . . ЗА
Средняя рассеиваемая мощность: от 213 до 343 К 750мВт
при Гмакс100мВт
Частота без снижения режимов: синусоидального напряжения30кГц
меандра с тф > I мкс10кГц
Тепловое сопро гивленис переход- среда140К/Вт
Темпера;ура окружающей среды: 2Д106АОт213 до
398 К
КД106АOr213 до
358 К
Примечавяя: I. Диоды допускают разовые перегрузки импульсами обратного тока не более 3 А дли 1ельностью нс более 50 мкс.
Допускается применение диодов в режиме меандра с длительностью фронта переключения не менее 1 мкс на частотах до 50 кГц.
Допускается параллельное соединение диодов при условии обеспечения отсутствия перегрузки диодов по прямому току. Допускается последовательное соединение диодов при условии. что обратное напряжение на каждом диоде нс превышав! допустимою значения.
Зависимость прямого токанапряжения.Зависимость прямого токанапряжения.от Зависимость обратно! о тока отот Зависимость обратно! о тока отнапряжения.напряжения.
Зависимость прямого токанапряжения.
Зависимость прямого токанапряжения.
от Зависимость обратно! о тока от
от Зависимость обратно! о тока от
напряжения.
напряжения.
Зависимость допустимого пряЗависимость допустимого пряЗависимость обшей емкости отнапряжения.Зависимость обшей емкости отнапряжения.мого тока оч температуры.мого тока оч температуры.
Зависимость допустимого пря
Зависимость допустимого пря
Зависимость обшей емкости отнапряжения.
Зависимость обшей емкости отнапряжения.
мого тока оч температуры.
мого тока оч температуры.
ГД107А, ГД107Б
Диоды германиевые точечные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветной точкой у положительного вывода: ГД107А — черной, ГД107Б — серой.
Масса диода не более 0.3 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мд для
ГД107А и /Пр = 1.5 мА для ГД107Б, не более:
при 298 и 333 К
ГД107А .. .1 в
ГД107Б 0.4В
при 213 К
ГД107А . .1 в
ГД107Б о.7В
Посюянный обратный юк при Гобр = 10 В для ГД107А
и ^обр = 20 В для ГДЮ7Б. нс более: от 213 до 298 К
ГД107А20 мкА
ГД107БЮО мкА
при 333 К
ГД107А 200мкА
ГД107Б1000 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: ГДЮ7Л 15 В
ГД107Б" 20 В
Средний прямой ток: от 213 до 308 К20 мА
при 333 К 17 мА
Температура окружающей средыОт 213
до 333 К
Примечание. В диапазоне температур от 308 до 333 К /цр.ср.маы определяется по формуле
/- Т, = /(333 К) + 0.04(333 - ГЯЛ308 К) - /< 333 К}].
Зависимость прямого токаЗависимость прямого токаот напряжения.от напряжения.Зависимость обратного токаот напряжения.Зависимость обратного токаот напряжения.
Зависимость прямого тока
Зависимость прямого тока
от напряжения.
от напряжения.
Зависимость обратного токаот напряжения.
Зависимость обратного токаот напряжения.
Зависимость прямот о токаот температуры.
Масси диодаМасси диодане более 1 г.не более 1 г.Среднее прямоеСреднее прямоеЗависимоль допустимого пря-мого тока от [смпературы.Зависимоль допустимого пря-мого тока от [смпературы.Зависимость обращено напря-жения ог гемпературы.Зависимость обращено напря-жения ог гемпературы.
Масси диода
Масси диода
не более 1 г.
не более 1 г.
Среднее прямое
Среднее прямое
Зависимоль допустимого пря-мого тока от [смпературы.
Зависимоль допустимого пря-мого тока от [смпературы.
Зависимость обращено напря-жения ог гемпературы.
Зависимость обращено напря-жения ог гемпературы.
КД109А. КД109Б, КД109В
Даодь- кремниевые. дифф}знойные.
Выпускаются в плас । массовом корпусе с гибкими выводами. Тип диола приводится на корпгее. По. южи) ельный вывод диода обозначается цветной гонкой.
Электрические параметрынапряжение при ]1;„ .р = 300
более IB
Средний обратный ток при ( рдР - I лр.мам-- не более: ог 233 до 298 К 10Q мкА
при 358 К 300мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение
от 2?? до 323 К КДЮ9А 100В
КД 109 Б 300В
КД 109 В 600В
при 358 К КД 109А доВ
КД109Б 200В
КД109В 400В
Средний и постоянный пр,ямой гак.
от 233 до 323 К зоомА
при 358 К 200мА
Темпера:ура окружа>-.>шеи средыot233
АД110А
Диод арсенид-га.тллевый меза- диффузионный.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на упаковке. Масса диода не более 0.15 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /мр = 10 мА. не более:
при 298 и 358 К < 1.5В
при 213 К 1.8В
Постоянный обратный ток при б „бр = 20 В. не более: от 213 до 298 К 5мкА
при 358 К100мкА
Емкость диода, не более 3пФ
Дифференциальное сопротивление при /пр = 10 мА, не более 20Ом
Время восстановления обратною сопротивления при 7|]р = 10 мА. 6-’о6р = 10 В, не более 10мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 30В
Импульсное обратное напряжение 50В
Постоянный прямой ток:
от 213 до 308 К 10мА
при 358 К 5мА
Частота без снижения режимов IМГц
Тепловое сопротивление переход — среда 350К/Вт
Температура окружающей средыОт213
до 358 К
Температура перехода 373К
ка от частоты.ления от тока.
Зависимость времени восстанов-ления от напряжения.
АД ША
Диод арсеннд-таллисвыи ;и ф- фузиониый.
Выпускается в металлосгеклчином корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1.5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр — 300 мА, нс более ЗВ
Постоянный обратный ток при с-'обр = 50 В. не более: от 213 де 298 К0.1мА
при 473 К0.3мА
Предельные экеллуа i анионные данные
Постоянное обратное напряжение 50В
Постоянный прямой токзоомА
Температура окружающей средыОт213
до 523 К
ГД113А
Диоды германиевые микросплавные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения выводов с электродами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические параметры
Прямое напряжение при /пр = 30 мА. не более . . . .1 В
Обратный юк при С05р = 80 В, не более 250мкА
Предельные эксплуатационные данные
Амплитуда обратного напряжения: от 213 до 298 К 115В
при 333 К 45В
Импульсный выпрямленный юк: от 213 до 298 К48мА
при 333 К38мА
Средний выпрямленный ток: от 213 до 298 К 15мА
при 333 К 12мА
Температура окружающей средыОт213
до 333 К
2Д115А-1
Диод кремниевый мезапланар- ный. Предназначен для гашения ЭДС самоиндукции электромагнитных реле.
Выпускается в бескорпусном исполнении без крнсталлодержате- ля с гибкими серебряными выводами. Широкий вывод соединен с отрицательным электродом диода.
Масса диода не более 0,05 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не более:
при 213 К 1,5 В
от 298 до 398 К 1,0 В
Постоянный обратный г ок при Собр = 100 В: от 213 до 298 К1,0 мкА
при 398 К30 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при t'o6p = 40 В, /пр = 30 мА, не более1,6 мкс
Емкость диода при Собр = 0. нс более45 пФ
Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение 100 В
Постоянный прямой ток:
о г 213 ДО 333 К 30 мА
при 398 К 15 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мс. / < 10 Гц . . .100 мА
Температура окружающей среды от 213 до 398 К
Примечания: 1. Допускается присоединение выводов диода на расстоянии не менее 1.5 мм от защитного покрытия. При сварке (пайке) выводов необходим теплоотвод между местом сварки и диодом, обеспечивающий температуру диода не более 398 К.
При монтаже должно быть обеспечено отсутствие натяжений выводов диода
200 ЧОО 600 нГи,200 ЧОО 600 нГи,Зависимость емкости от наЗависимость емкости от напряжения.пряжения.
200 ЧОО 600 нГи,
200 ЧОО 600 нГи,
Зависимость емкости от на
Зависимость емкости от на
пряжения.
пряжения.
Зависимость прямою тока Зависимость обратного тока от на- 01 напряжения.пряжения.
Зависимость допустимого прямого то-ка от частоты.
Зависимость допустимою пря-мот о тока от температуры.
2Д118А-1
Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для применения в составе гибридных интегральных микросхем.
Выпускается без корпуса с защитой пресс-материалом ЭПФ-С и компаундом ЭКМ. Тип диода приводится на упаковке. Положительный вывод обозначается точкой.
Масса диода не более 0,5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 0.3 А. не более:
при 213 К 1.2В
при 298 и 373 К 1.0В
Постоянный обратный юк при Г'обр = 200 В, не более: от 213 до 298 К 50мкА
при 373 К 2000мкА
Время восстановления обратного сопротивления при 7np = 1 A, l/^p = 20 В, не более .0,3 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение 200В
Постоянный прямой или средний выпрямленный ток
при Дг < 250 К/Вт:
от 213 до 298 К 0,3А
при 373 К 0.1А
Импульсный прямой ток при ти < 1 мс и скважности, равной или менее 1000 10А
Частота без снижения режима (в режиме меандра с Тф < 0,2 мкс с активной нагрузкой)100кГц
Тепловое сопротивление переход — подложка, не более 60 К/Вт
Температура окружающей средыОт213
до 373 К
Примечание. Установка диода в гибридную схему производится путем приклейки на держатель или подложку с последующей припайкой выводов к контактным площадкам.
1пр,ср,ма.кс
2ДЯ8
Зависимость допустимого вы-прямленного тока от теплово-го сопротивления.
Зависимость допустимою вы-прямленного тока от тепловоюсопротивления.
Зависимее тг допустимого им-пульсного тока перегрузки от ;ыи-тсльности импульса.
2Д201А, 2Д201Б, 2Д201В, 2Д201Г
Диоды крс.мниевые диффутионпые.
Выпускаются в мсталлостскляинолт корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения г юктродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода нс оо.тее I— г (с комплектующими деталями 18 г).
Электрические параметры।
Среднее прямое напряжение при 4р.ср 4р.ср.макс- ^обр
= ^'обр.макс icMneparype от 213 до 393 К, tie
более 1В
Средний обратный ток при Но^р = ^обр.макс' 4р.ср =
= 4р.ср. Макс- температуре от 213 до 393 К, не более 3мА
Предельные эксплуатационные данные
OopaiHoe напряжение (амплитудное значение); 2Д201А, 2Д201Б 100В
2Д201В, 2Д201Г 200В
Средний прямой ток:
2Д201А, 2Д201В 5А
2Д201Б. 2Д201Г 10А
Средний прямой ток перегрузки на частоте 50 Гц:
в гечение 0.5 с при Со6р = Собр макс 2Д201А. 2Д201В 15А
2Д201Б, 2Д201Г . . . 30А
в течение 20 мс при Собр = 0,2 С’о6р.макс 2Д201А. 2Д201В 25А
2Д201Б, 2Д201Г 50А
в течение 20 мс при С^р = 0,2 Собр.макс и 328 К 2Д201А, 2Д201В 50А
2Д201Б, 2Д201Г 100А
Частота без снижения режимов1100Гц
Температура окружающей средыОт 213 К до
Гк = 403 К
Температура корпуса 403К
Примечание. При последовательном соединении диодов рекомендуется шунтировать диод резисюром с сопротивлением 10 — 15 кОм на каждые 100 В амплитуды обратного напряжения.
Зависимость прямого токаот напряжения.Зависимость прямого токаот напряжения.
Зависимость прямого токаот напряжения.
Зависимость прямого токаот напряжения.
Зависимость обратного тока ог на-пряжения.
2Д202В, 2Д202Д, 2Д202Ж, 2Д202К, 2Д202М, 2Д202Р,КД202А, КД202В, КД202Д, КД202Ж, КД202К, КД202М,КД202Р
Диолы кремниевые диффузионные. Предна шансны для преобразования переменного напряжения с частотой до 5000 Гц в постоянное
Выпускаю1ся в ме|аллостек.тянном корпусе с винтом и жестким выводом. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 7 1.
50 В100 В200 В300 В400 В500 В600 В^обр. и. макс5 А50 В100 В200 В300 В400 В500 В600 В^обр. и. макс5 А9797
50 В
100 В
200 В
300 В
400 В
500 В
600 В
^обр. и. макс
5 А
50 В
100 В
200 В
300 В
400 В
500 В
600 В
^обр. и. макс
5 А
97
97
Элек 1 рические параметры
Среднее прямое напряжение при /прер = 3 А. Собр =
= ^обр.макс и температуре от 213 до 398 К. не более ]g
Средний обратный ток при Гобр = Собр мак и температуре от 213 до 398 К, не более [мд
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение /амплитудное значение).
КД202А
2Д202В. КД202В
2Д2О2Д. КД202Д
2Д202Ж. КД202Ж
2Д202К. КД202К
2Д202М. КД202М
2Д2О2Р. КД2О2Р
Постоянное обратное напряжение
Средний прямой ток для КД202А, КД202В, КД2О2Д
КД202Ж. КД202К, КД202М, КД202Р . . .
4 под pea Н Н Горюнова
Импульсный прямой юк при ти = 10 мс. f = 50 Гц для
2Д202В, 2Д202Д. 2Д202Ж. 2Д202К,2Д202М,
2Д202Р 30А
Импульсный прямой ток в течение 1.5 с. /'=50 Гц:
2Д202В. 2Д202Д. 2Д202Ж. 2Д202К. 2Д202М.
2Д202Р 9А
Частота без снижения режимов 1.2 кГц
Температура перехода диода 423 К
Зависимость среднегопрямого тока ст напря-жения.
Зависимость обратного токаот напряжения.
А 5
4
3
Z
373 383 313 333 3 53 373 333 К
Зависимость обратного тока отчастоты.
Зависимость допустимого пря
мого тока от температуры.
Зависимость допусiимого прямого юка от гемпсратуры корпуса.У — для групп А, В, Д, Ж, К. М,Р, 2 — для rpvnn Б. Г. Е. И. Л, Н. СЗависимость допусiимого прямого юка от гемпсратуры корпуса.У — для групп А, В, Д, Ж, К. М,Р, 2 — для rpvnn Б. Г. Е. И. Л, Н. С
Зависимость допусiимого прямого юка от гемпсратуры корпуса.
У — для групп А, В, Д, Ж, К. М,
Р, 2 — для rpvnn Б. Г. Е. И. Л, Н. С
Зависимость допусiимого прямого юка от гемпсратуры корпуса.
У — для групп А, В, Д, Ж, К. М,
Р, 2 — для rpvnn Б. Г. Е. И. Л, Н. С
Зависимость коэффиииента до-пустимой перегрузки по прямо-му току от длительности им-пульса.
Зависимость допустимого пря-мого юка от частоты.
2Д203А, 2Д203Б, 2Д203В, 2Д203Г. 2Д203Д,КД203А, КД203Б, КД203В, КД203Г, КД203Д
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в мсталлостсклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более IX г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /„р = 4р,макс- ЦюР = = 7/обрмакс и температуре от 213 до 398 К. не более 1В
Прямое постоянное напряжение при Znp = /прликс и температуре от 213 ло 398 К, не более 2В
Средний обратный ток при /пр = Znp.MaKC. бо6р = Тобр Л|1.к н температуре от 213 до 398 К. не более1.5мА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение): 2Д203А. КД203А 600В
2Д203Б. КД203Б. 2Д203В, КД203В 800В
2Д203Г, КД203Г, 2Д203Д, КД203Д1000В
Постоянное обратное напряжение: 2Д203А, КД203А 420В
2Д203Б, КД203Б, 2Д203В. КД203В 560В
2Д203Г. КД203Г. 2Д203Д. КД203Д 700В
Постоянный (средний) прямой ток: от 213 до 323 К 10А
при 373 К
2Д203А. КД203А. 2Д203В. КД203В. 2Д203Д,
КД203Д 10А
2Д203Б. КД203Б.2Д203Г. КД203Г ......5А
при 403 К
2Д203А. 2Д2ОЗВ.2Д203Д 5А
2Д203Б, 2Д203Г 2А
Импульсный прямой ток при / = 50 Гц. т„ = 50 мс.
^обр 0,2 7/обр.макс- при 298 К 100А
при Гк от 213 до 323 К 50А
при Гц = 373 К
2Д203А. 2Д203В, 2Д203Д. КД203А, КД203В.
КД203Д 50А
2Д203Б, 2Д203Г,КД203Б.КД203Г 25А
при 7К = 403 К
2Д2ОЗА, 2Д203В,2Д203Д 25А
2Д203Б. 2Д203Г 10А
при тн = 1,5 с, Тк от 213 до323К 30А
при Т1т = 373 К:
2Д203А, 2Д203В.2Д203Д 30А
2Д203Б, 2Д203Г 15А
при Гк = 403 К: 2Д203А. 2Д203В,2Д203Д 15А
2Д203Б. 2Д203Г 6А
Частота без снижения режимов 1кГц
Средняя рассеиваемая мощность* при 298 К . . . .20 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус2.5К/Вт
Температура окружающей среды . ■. - От 213 К до Г,— 403 К
Температура корпуса:
2Д2ОЗА. 2Д2ОЗБ, 2Д203В. 2Д203Г. 2Д203Д40з к
КД203А. КД203Б. КД2ОЗВ. КД203Г, КД2ОЗД . ‘373 К
Температура перехода 413К
Примечание. При раооте диодов на емкостную нагрузку эффективное значение тока через диод не должно превышать 1.57 7Пр СрЛ1аке.
Зависимость допустимого прямого тока от температуры корпуса.Зависимость допустимого прямого тока от температуры корпуса.Л 504030гоюЛ 504030гоюшад— КД 203ГБ,ГГ1И = 50 мс.^asp^ 4^^авр,максшад— КД 203ГБ,ГГ1И = 50 мс.^asp^ 4^^авр,максInp, и, макс №Ш№ШInp, и, макс №Ш№Шf=50ru,f=50ru,г 73 293 313 333 353 3 73 333 Кг 73 293 313 333 353 3 73 333 КЗависимость тока перегрузки от температуры корпуса.Зависимость тока перегрузки от температуры корпуса.Зависимость допустимого тока перегрузки от температуры кор-Зависимость допустимого тока перегрузки от температуры кор-Зависимость тока перегрузки от длительности импульса.Зависимость тока перегрузки от длительности импульса.Зависимость допустимого ггрямогоЗависимость допустимого ггрямогогока о г частоты.гока о г частоты.Зависимость допустимого пря-мого тока от температуры.
Зависимость допустимого прямого тока от температуры корпуса.
Зависимость допустимого прямого тока от температуры корпуса.
Л 50
40
30
го
ю
Л 50
40
30
го
ю
шад
— КД 203ГБ,ГГ
1И = 50 мс.
^asp^ 4^^авр,макс
шад
— КД 203ГБ,ГГ
1И = 50 мс.
^asp^ 4^^авр,макс
Inp, и, макс №Ш№Ш
Inp, и, макс №Ш№Ш
f=50ru,
f=50ru,
г 73 293 313 333 353 3 73 333 К
г 73 293 313 333 353 3 73 333 К
Зависимость тока перегрузки от температуры корпуса.
Зависимость тока перегрузки от температуры корпуса.
Зависимость допустимого тока перегрузки от температуры кор-
Зависимость допустимого тока перегрузки от температуры кор-
Зависимость тока перегрузки от длительности импульса.
Зависимость тока перегрузки от длительности импульса.
Зависимость допустимого ггрямого
Зависимость допустимого ггрямого
гока о г частоты.
гока о г частоты.
2Д2С4Л. 2Д204Б, 2Д204В, КД204А, КД204Б, КД294В
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменно! о напряжения часююй до 51) кГц в постоянное
Выпускаются в ме1а.1лос;еклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
па корпусе.
Масса .диода не более 7.5 г
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /ар = 600 мА. не более: при 298 К 1.4В
при 213 К 1.6В
Постоянный обратный ток при Собр = Собр. макс- ие более:
от 213 до 298 К 2Д204А, КД204А150мкА
2Д204Б. КД204Б100мкА
2Д204В. КД204В .50 мкА
при .358 К для КД204А. КД204Б. КД204В и 398 К
для 2Д204А. 2Д204Б. 2Д204В
2Д2О4А. КД204А 2000мкА
2Д204Б, КД204Б1000мкА
2Д204В. КД204В 500мкА
Время восстановления обратною сопротивления при
I .л,,.,, = 30 В. /||р ,, = I А. не более1.5мкс
Предельные жсплуат анионные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение:
2Д204А. КД204А 40!)В
2Д204Б, КД204Б 200В
2Д204В, КД204В 50В
Средний прямой ток:
при /'= 50 Гц 2Д204А. КД204А 400мА
2Д204Б, КД204Б 600мА
2Д204В, КД204В 1000мА
при /'= 50 кГц 2Д204А. КД204А2Д204Б,КД204Б ..2Д204В.КД204Впри /'= 50 кГц 2Д204А. КД204А2Д204Б,КД204Б ..2Д204В.КД204В0 Аю. ср. макс2 I0 Аю. ср. макс2 IПрямой ток перегрузки в течение 10 мкс . . . .
при /'= 50 кГц 2Д204А. КД204А
2Д204Б,
КД204Б ..
2Д204В.
КД204В
при /'= 50 кГц 2Д204А. КД204А
2Д204Б,
КД204Б ..
2Д204В.
КД204В
0 Аю. ср. макс
2 I
0 Аю. ср. макс
2 I
Импульсный прямой ток при Тф > 1 мкс . . . .
Частота питающего напряжения при Тф > 1 мкс .
Температура корпуса:
минимальная
максимальная
КД204А. КД204Б, КД204В
2Д204А, 2Д204Б, 2Д204В
пр, ср. макс50 кГц213 К358 Кпр, ср. макс50 кГц213 К358 КА1,00,80,6ОД о, гА1,00,80,6ОД о, г^Пр,Ср, MQ.HC1358 Ксоадаатором 3= 36 см"гдгочв1без радгатора.^358 К—г^Пр,Ср, MQ.HC1358 Ксоадаатором 3= 36 см"гдгочв1без радгатора.^358 К—гО 10 20 30 40 50 бОкГи,О 10 20 30 40 50 бОкГи,А 0,6 0,5 ОД 0,3 0,2 0,1А 0,6 0,5 ОД 0,3 0,2 0,1пр, ср, макс1358 К)Ь ра.ди,а.тпрпм З^^Збс?h2Д го4ббез ра.ди.а.тора.358 К388 К""зоГр -'А 1пр, ср, макс1358 К)Ь ра.ди,а.тпрпм З^^Збс?h2Д го4ббез ра.ди.а.тора.358 К388 К""зоГр -'А 1а io го зо о о so so кГца io го зо о о so so кГцЗависимость допустимо! о пря-мого юка от частотыЗависимость допустимо! о пря-мого юка от частотыЗависимое ы, допустимою пря-мого тока о! частотыЗависимое ы, допустимою пря-мого тока о! частотыЗависимость допустимо! о пря-мого тока от частоты.Зависимость допустимо! о пря-мого тока от частоты.■ависимость общей емкости orнапряжения.■ависимость общей емкости orнапряжения.Примечал и е. Допускается параллельное и последовательное включение диодов. При параллельном соединении должна отсутствовать перегрузка по прямому току. При последовательном включении каждый диод должен быть зашунтирован шунтом, обеспечивающим отсутствие перегрузки по напряжению.
пр, ср. макс
50 кГц
213 К
358 К
пр, ср. макс
50 кГц
213 К
358 К
А1,00,80,6
ОД о, г
А1,00,80,6
ОД о, г
^Пр,Ср, MQ.HC
1
358 К
с
оадаатором 3= 36 см"
гдгочв
1
без рад
гатора.
^358 К
—
г
^Пр,Ср, MQ.HC
1
358 К
с
оадаатором 3= 36 см"
гдгочв
1
без рад
гатора.
^358 К
—
г
О 10 20 30 40 50 бОкГи,
О 10 20 30 40 50 бОкГи,
А 0,6 0,5 ОД 0,3 0,2 0,1
А 0,6 0,5 ОД 0,3 0,2 0,1
пр, ср, макс1
358 К
)Ь ра.ди,а.тпрпм З^^Збс?
h
2Д го4б
без ра.ди.а.тора.
358 К
388 К"
"зоГр -'
А 1
пр, ср, макс1
358 К
)Ь ра.ди,а.тпрпм З^^Збс?
h
2Д го4б
без ра.ди.а.тора.
358 К
388 К"
"зоГр -'
А 1
а io го зо о о so so кГц
а io го зо о о so so кГц
Зависимость допустимо! о пря-мого юка от частоты
Зависимость допустимо! о пря-мого юка от частоты
Зависимое ы, допустимою пря-мого тока о! частоты
Зависимое ы, допустимою пря-мого тока о! частоты
Зависимость допустимо! о пря-мого тока от частоты.
Зависимость допустимо! о пря-мого тока от частоты.
■ависимость общей емкости orнапряжения.
■ависимость общей емкости orнапряжения.
КД205А, КД205Б, КД205В, КД205Г, КД205Д, КД205Е,
КД205Ж, КД205И, КД205К, КД205Л
Блоки из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе. Тип диода, схемы расположения диодов и соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса блока не более 6 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /лр.ср =/Пр.ср. маке- не более 1,0 В
Средний обратный ток при Тобр - Со6р х,акс. не более 0.1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение: КД205А.КД205Е 500В
КД2О5Б 400В
КД205В 300В
КД2О5Г,КД2О5Л 200В
КД2О5Д,КД205К 100В
КД2О5Ж 600В
КД205И 700В
Средний прямой ток:
КД205А. КД205Б. КД205В. КД205Г, КД205Д. КД205Ж 500 мА
КД2О5Е,КД2О5И 300 мА
КД205К.КД205Л 700 мА
Импульсныйпрямой токприт„ < I мкс 0,8 А
Частота безснижениярежимов50 кГц
Температура окружающей средыОт233 до
358 К
Зависимость допустимого пря-мого тока от температуры.
2Д206А, 2Д206Б, 2Д206В, КД206А, КД206Б, КД206В
Диоды кремниевые мезадиффузионные лавинные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 20 кГц в постоянное.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода с комплектующими доалями не более 9 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более:
при /„р = I А
при 298 и 398К 1,2В
при 213 К 1,5В
При /„р = /Пр.макс 1,5В
Постоянный обратный ток при Lofip = L-'o6p мак., не более: от 213 до 298 К0,7 мА
при 398 К1,5 мА
Время восстановления обратного сопротивления* при /пр, и " 5 А, Го5р Гоор, мемл не оолее10 мкс
Время установления прямого сопротивления* при /„р.,,^ 100 А. нс более щ мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2Д206А, КД206А .. ,400 в
2Д206Б. КД206Б 500в
2Д206В. КД206В‘600 в
Средний прямой ток:
от 213 до343К для КД206А.КД206Б. КД206В10А
о г 213 до358К для 2Д206А,2Д206Б, 2Д206В5А
при 403 К;ыя2Д206А, 2Д206Б,2Д206В . . . .(д
Импульсный прямой ток при т„ < 100 мкс. /< 1000 Гц,
^пр, ср ^ 2 А :
от 213 до 358 К 100А
при 403 К 20А
Однократный импульс прямого тока при т„ < I с:
от 213 до 358 К для 2Д206А, 2Д206Б. 2Д2О6В . . .15 А
при 403 К для 2Д206А, 2Д206Б, 2Д206В . . .ЗА
Импульсный обратный ток при т„ = 50 мкс: от 213 до 358 К
2Д206А 2А
2Д206Б 1А
2Д206В 0.5А
при 403 К 2Д206А 0.4А
2Д206Б 0.2Л
2Д206В 0.1А
Средняя рассеиваемая мощность:
от 213 до 358 К . . . , 10В г
при 403 К 1.5Вт
Частота без снижения режимов 1 кГц
Частота питающего напряженияДо 20 кГц
Температура окружающей средыОт 213 К до
Л = 403 К
Температура корпуса 403К
Примечания: I. Допускается последовательное соединение диодов без шунтирования до 40 кВ.
Допускается кратковременное превышение установленного предельною обратного напряжения, при этом амплитуда перегрузочного обратного тока не должна превышать допустимых значений, а фронт импульса тока должен быть не менее 0.5 мкс. При повторяющихся перегрузках значение средней перегрузочной мощности не должно превышать 2 Вт при температуре корпуса 358 К и 0,4 Вт при 403 К.
Зависимость допустимого вы-прямленного тока от темпера-туры корпуса.
Зависимость допустимого им-пульсного персгрузочнот о об-ратного тока от длительностиимпульса.
Зависимость импульсного пря-
Зависимость прямого тока от
мото тока от напряжения.
напряжения.
КД208А
Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения в постоянное.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода указывается на корпусе. Положительный вывод обозначается зеленой полоской на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 А, не более- при 298 и 358 К ।g
при 233 К 1,3В
Постоянный обратный ток при (7обр = 100 В, не более:
от 213 до 298 К100мкА
при 358 К мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение . , . юо В
Постоянный или средний прямой ток 1 5 А
Температура окружающей среды 233до
358 К
КД209А, КД209Б. КД209В
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Диоды маркируются цветной точкой: КД209Б - зеленой. КД209В - красной; у диодов КД209А - отсутствует. Положительный вывод обозначается красной полосой.
Масса диода не более 0.5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = /пр макс. не более: при 298 К IB
при 213 К 1,2В
Постоянный обра|ный юк при t/o6p = бгобр макс. не более: от 213 до 298 К100мкА
при 358 К 300мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение: КД209А 400В
КД209Б 600В
КД209В 800В
Постоянный или средний прямой ток: КД209А 700мА
КД209Б 500мА
К Д209В: до 328 К 500мА
при 358 К 300мА
Импульсный прямой ток при ти < 20 мкс 6А
Частота без снижения режимов 1кГц
Температура окружающей средыОт213 до
358 К
Примечания: 1 При работе диодов на емкостную нагрузку эффективное значение прямого тока не должно превышать 1,57 /пр ср макс-
Допускается работа диодов на частотах выше I кГц в режимах, при которых средний обратный гок не превышает 500 мкА.
2Д210А, 2Д210Б, 2Д210В, 2Д210Г, КД210А, КД210Б,КД210В, КД210Г
Диоды кремниевые диффузионные лавинные.
Выпхскаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 12 i (с комплектующими деталями 18 г).
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр ср —10 A, 1'о6р —
= 1/о6 макс и температуре от 213 К до Тк макс. не более 1 В Средний обратный ток при Со0р = Со6р макс» ^пр ср — 10 А.
от 213 К до Гк макс> не более1.5мА
Постоянный обратный ток при Собр = Со5р макс. не более 4.5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2Д210А.КД210А,2Д210Б,КД210Б 800В
2Д210В. КД210В.2Д21ОГ. КД210Г1000В
Наименьшее обратное пробивное напряжение* при 298 К: 2Д210А,2Д2ЮБ1000В
2Д210В,2Д21ОГ1250В
Постоянный или средний прямой ток от 213 до 323 К:10 А
при Тк = 373 К
2Д210А. 2Д210В 5А
2Д210Б, 2Д210Г 10А
при Л; = 403 К 2Д210А, 2Д210В 1А
2Д210Б, 2Д210Г . . . 2А
Импульсный прямой ток при / = 50 Гц, т„ = 50 мс. при Тк от 213 до 323 К 50А
при 7К= 373 К
2Д210А. 2Д210В 25А
2Д210Б, 2Д210Г 50А
при 7К = 403 К 2Д210А, 2Д21ОВ 5А
2Д21ОБ, 2Д210Г 10А
при ти = 1.5 с, /= 50 Гц, 7, от 213 до 323 К . . .30 А
при Тк = 373 К 2Д210А. 2Д210В 15 А
2Д210Б. 2Д2 ЮГ 30 А
при 7К — 403 К 2Д210А, 2Д210В ЗА
2Д210Б. 2Д210Г 6 Л
Импульсный обратный ток перегрузки в течение 100 мкс-
2Д210А. 2Д210В . . . . " 1.5 А
2Д2ЮБ. 2Д210Г 1.2А
Частота без снижения режимов1000Гн
Частота со снижением /,,р ср 5000Гц
Рассеиваемая мощность при Тк от 213 до 323 К . . .20 Вт
при Тк = 373 К 2Д210А, 2Д210В 10Вт
2Д21ОБ. 2Д2ЮГ 20Вт
при Гк = 403 К 2Д210А. 2Д210В 2Вт
2Д210Б, 2Д210Г 4Вт
Температура окружающей среды: 2Д210А. 2Д21ОБ. 2Д210В. 2Д210ГОз213 К до
Тк = 403 К
КД210А. КД210Б, КД210В. КД210ГОз213 К до
7’к. - 373 К
Температура корпуса: 2Д21ОА, 2Д210Б, 2Д210В. 2Д210Г 403 К
КД210А, КД210Б. КД210В, КД210Г 373 К
Температура перехода 413 К
Тепловое сопротивление кристалл - корпус3 К/Вт
П р и м е ч а н и е. Допускается последовательное соединение диодов без шунтирования до напряжения 30 кВ.
Зависимость допустимого сред-него прямого тока от темпе-ратуры корпуса.Зависимость допустимого сред-него прямого тока от темпе-ратуры корпуса.Зависимость среднего прямого токаперет ручки от температуры кор-пуса.Зависимость среднего прямого токаперет ручки от температуры кор-пуса.
Зависимость допустимого сред-него прямого тока от темпе-ратуры корпуса.
Зависимость допустимого сред-него прямого тока от темпе-ратуры корпуса.
Зависимость среднего прямого токаперет ручки от температуры кор-пуса.
Зависимость среднего прямого токаперет ручки от температуры кор-пуса.
Зависимость допустимой кратности перегрузки по прямому току от длительности импульса.Зависимость допустимой кратности перегрузки по прямому току от длительности импульса.Зависимость среднего прямоготока перегрузки от температу-ры корпуса.Зависимость среднего прямоготока перегрузки от температу-ры корпуса.Зависимость допустимого обратного тока перегрузки от длительности импульса.
Зависимость допустимой кратности перегрузки по прямому току от длительности импульса.
Зависимость допустимой кратности перегрузки по прямому току от длительности импульса.
Зависимость среднего прямоготока перегрузки от температу-ры корпуса.
Зависимость среднего прямоготока перегрузки от температу-ры корпуса.
2Д212А, 2Д212Б, КД212А, КД212Б
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода указывается на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Элек I рические параметрыЭлек I рические параметрыМасса диода не более 1,5 г.
Элек I рические параметры
Элек I рические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр — 1 А. не более:
при 298 и 398 К 1В
при 213 К 1,2В
Посюянный обратный ток при С-'„пр = 200 В, не более: от 213 до 298 К50мкА
при 398 К 2000мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр = 2 А. (7о6р = 200Вдля2Д212А,КД212Аи
/|]р = 1 A, Собр = 100 Вдля2Д212Б.КД212Б,неболее300нс
Емкость диода*, не более: при Бо6р = 1,0 В170нФ
типовое значение140пФ
при Т'о6р = 100 В 40пФ
типовое значение . 30пФ
Предельные эксплуатационные данные
Пос шинное или импульсное обрашое напряжение:
2Д212А, КД212А 200 В
2Д212Б, КД212Б 100 В
Постоянный прямой ток или средний выпрямленный ток: от 213 до 353 К I А
при 398 К 0,2 А
Импульсный прямой ток при ти = 10 мс50 /Г1р макс
Частота без снижения режимов в меандре с Тф > 0,2 мкс при работе на активную нагрузку100 кГц
Температура окружающей среды: 2Д212А, 2Д212БОт 213 до
398 К
КД212А, КД212БОт 213 до
358 К
Температура перехода* 413 К
Тепловое сопротивление кристалл — корпус *10 К/Вт
Общее тепловое сопротивление*НО К/Вт
Примечание. Допускается параллельное и последовательное соединение диодов.
Зависимость прямо! о
Зависимость обратного тока от
тока от напряжения.
напряжения.
Зависимость обшей ем-кости от напряжения.Зависимость обшей ем-кости от напряжения.
Зависимость обшей ем-кости от напряжения.
Зависимость обшей ем-кости от напряжения.
Зависимость допустимого прямого тока от теплового сопротивления.
пря-дли-пря-дли-
пря-
дли-
пря-
дли-
Зависимосгь допустимого мого тока перегрузки от [елыюсти импульса.
Зависимость допустимогопрямого тока перегрузки отдлительности импульса.
2Д213А, 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г, КД213А, КД213Б,КД213В, КД213Г
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное
Выпускаются в металло
пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /лр = 1G А. нс более: при 298 К 2Д213А. 2Д213В, КД213А. КД213В 1В
2Д213Б, 2Д213Г. КД213Б, КД213Г 1,2в
при /пр = 5 А для 2Д213Б, 2Д213Г 1.0* В
при 213 К
2Д213А. 2Д213В 1.5 В
2Д213Б, 2Д213Г 1.7 В
при 398 К (7ПР = 3 А ддя 2Д213А. 2Д213В и /пр =
- 1 А для 2Д213Б, 2Д213Г) 1 В
Посюянный обратный ток при 7'0бр = ^'обр. макс. не более: от 213 до 298 К0,2мА
при 398 К
2Д213А, 2Д21.3В 10мА
2Д213Б. 2Д213Г25мА
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр.„ = 1 А, 7/о6р = 20 В. не более:
2Д213А. 2Д213В, КД213А, КД213В 300 нс
2Д213Б. 2Д213Г. КД213Б, КД213Г 170 нс
Емкость диода, не более: при С'о6р=100 В 550 пФ
при 1/обр = 5 В1600 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение: 2Д213А. 2Д213Б, КД213А, КД213Б 200 В
2Д213В, 2Д213Г, КД213В, КД213Г 100 В
Постоянный и средний прямой ток: от 213 до 358 К 10 А
при 398 К
2Д213А, 2Д213В ЗА
2Д213Б, 2Д213Г 1 А
Импульсный прямой ток при ти < 10 мс. Q = 1000 . . .100 А
Импульсный обратный юк при температуре корпуса от 213 до 358 К при ти < 20 мкс 10 А
Частота без снижения режимов в меандре с Тф > 0.2 мкс при работе на активную нагрузку100 кГц
Тепловое сопротивление: переход — корпус1,5 К/Вт
переход — среда70 К/Вт
Температура окружающей среды:
2Д213А. 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213ГОт 213 до
398 К
КД213А, КД213Б. КД213В. КД213ГОт 213 до
358 К
Температура перехода:
2Д213А, 2Д213В 413 к
2Д213Б, 2Д213Г 403 к
Примечание. Изгиб выводов допускается iолько в направлении, перпендикулярном плоскости диода, на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.
Рекомендуется крепление диода к теплоотводу методом приклеивания.
от напряжения.от напряжения.33442211А5А5О’—213 203 273 303 333 363 КО’—213 203 273 303 333 363 К
от напряжения.
от напряжения.
3
3
4
4
2
2
1
1
А
5
А
5
О’—
213 203 273 303 333 363 К
О’—
213 203 273 303 333 363 К
/?/?лр^р^макслр^р^макс50 100 200 50050 100 200 500358 К358 К
/?
/?
лр^р^макс
лр^р^макс
50 100 200 500
50 100 200 500
358 К
358 К
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от напряжения
Зависимость допустимогопрямого тока oi темпера-туры .
Зависимость допустимого прямого тока от длительности импульса.
2Д215А, 2Д215Б, 2Д215В
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с i ибкими выводами.
юрец корпуса у положительного вывода маркируется красной точкой; на диоде 2Д213Б дополнительно наносится красная точка. диод 2Д215А точки не имеет, у диода 2Д215В па боковой поверхности ставится буква В.
Масса диода не более 0,5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = /Пр.макс- не
более:
при 298 и 398 К
2Д215А,2Д215Б 1.2В
2Д215В 1.1В
при 213 К: 2Д215А.2Д215Б 1,5В
2Д215В 1,2В
Постоянный обратный ТОК при 1/обр = t/обр.макс- не
более:
ci 213 до 298 К50мкА
при ЛикеЮОмкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение: 2Д215А 400В
2Д215Б 600В
2Д215В 200В
Постоянный прямой ток:
при RT < 75 К Вт oi 213 до 333К1000мА
при 358 К2Д215А.2Д215Б 850мА
при 398 К2Д215А.2Д215Б 200мА
при R, - 180 К, Вт: до 33.3 К 500 мА
при 358 К 2Д215А, 2Д215Б 300 мА
при 398 К 2Д215А, 2Д215Б100 мА
Импульсный прямой ток: одиночные импульсы с т„ < 10 мкс и временем между двумя импульсами не менее 15 мин
от 213 до 358 К 2Д215А, 2Д215Б 10 А
от 358 до 398 К 2Д215А, 2Д215Б ЗА
периодические колоколоооразные импульсы т„ < 1300 мкс на уровне 0.1 и ти < 300 мкс на уровне 0,9, /< 100 Гц
при температуре от 213 до 328 К для 2Д215В . . . .13 А
Частота без снижения режима 1кГц
Температура окружающей среды От"43
до 398 К
Примечания: 1. Общее тепловое сопротивление менее 180 K/Вт обеспечивается при любом способе крепления диода при условии сохранения длины вывода не менее 20 мм. В качестве радиатора рекомендуется применять металлическую пластину размером 10 х 15x2 мм- для каждого вывода, припаянную на расстоянии 1 мм от корпуса диода.
При pa6oie диодов на емкостную нагрузку эффективное значение прямого тока не должно превышать 1,57 /11рсрмак.с
Iпр,ср, макс
_ЗЗЗК
RT^180~
к 81—
^т^15 8т 2^
4215
358К 1-1
• — _
—
333 К
358 К
f
398 К
—
—
Зависимость допустимого среднего прямого тока от частоты
Зависимость допустимою импульсною прямого тока от дтительности импульса.
Зависимость допустимого пря-мого тока перегрузки or iexi-пературы.Зависимость допустимого пря-мого тока перегрузки or iexi-пературы.Зависимость допустимого по-стоянного прямого тока oi iexiпературы.Зависимость допустимого по-стоянного прямого тока oi iexiпературы.
Зависимость допустимого пря-мого тока перегрузки or iexi-пературы.
Зависимость допустимого пря-мого тока перегрузки or iexi-пературы.
Зависимость допустимого по-стоянного прямого тока oi iexiпературы.
Зависимость допустимого по-стоянного прямого тока oi iexiпературы.
2Д216А, 2Д216Б
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими вывода хм. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более: при /,,р = 1 А, 213 К 1,2 В
при 298 К 1.0 В
при 7пр = 10 А, 213 К 1,6 В
при 298 К 1.4 В
Постоянный обратный ток, не более, при (/о6р = = ^обр,макс, температуре от 213 до 298 К . . . . 50 мкА
Средний обратный ток при Со6р = Со6р „ макс, нс более:
448 К, /прср = 0' 10 мА
358 К, 7„р.ср=10 А 2мА
Заряд переключения при Собр =10 В. /пр = 200 мА. нс более80иКл
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное с Тф > 1 мкс обратное напряжение: 2Д216А 100 В
2Д216Б 200 В
Постоянный и средний прямой ток 10 А
Импульсный прямой ток зг
пр, ср, макс
Частота выпрямленияjqq крц
Температура корпуса 44g
Окружающая температураОт213 К до
Тк = 448 К
Температура перехода 44g ^
Примечания: 1. Допускайся работа диода пои с
„ , к °с’Р ^обр.макс произвольной формы:
с частотой до 50 кГц пои >0.3 мкс и / с 7 не более 3 А;
с частотой до 30 кГц при ^>0,1 мкс и 7 с 7 но не оолее 1 А.
2, Допускается работа диодов на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение прямого тока не должно превышать Т^7 2Пр срмакс.
При монтаже диодов не допускаются механические воздействия на остеклованную поверхность диода и крепление диода за эту поверхность или пайка по всей длине тонкого вывода диода; допускается ввинчивание диода.
Допускается послсдова 1ельное соединение любого числа диодов одного типа при условии, что обратное напряжение на каждом диоде не превышает максимально допустимого значения.
Допускается параллельное соединение любого числа диодов одного типа при условии, что прямой ток через каждый диод не должен превышать максимально допустимого.
ЗависимостьЗависимостьюка о г напряжения.юка о г напряжения.напряжения.напряжения.прямою Зависимость обратного тока от
Зависимость
Зависимость
юка о г напряжения.
юка о г напряжения.
напряжения.
напряжения.
Место маркировкиМесто маркировки
Место маркировки
Место маркировки
Зависимость допустимого прямого гока от температуры корпуса.
2Д217А, 2Д217Б
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1.5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более: при/пр=1А.213К 1.3В
при/пр=1А,298К 1.1В
при/11р=3А.298К 1.3В
при/пр=3А.213К 1.5В
Постоянный обратный ток, не более: при С'обр = ^обр.маке и температуре от 213 до 298 К 50мкА
при 398 К 2000мкА
Средний обратный ток при С’обр = Г-обр^кс. / = 50 Гц.
7ip.cp = 1 А при 398К,/Пр.ср=3Апри298К. ..2000мкА
Заряд переключенияпри/пр=200мА.Собр =10В.
не более 20нКл
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное с Тф > 1 мкс обратное на
пряжение: 2Д217А 100В
2Д217Б 200В
Постоянный и средний прямой ток: от 213 до 298 К ЗА
при 398 К 1А
Импульсный прямой ток3 /пр ср MdKC
Частота без снижения режимов100кГц
Темпера:;,ра окружающей средыОт213
до 398 К
Примечания: 1. При распайке диодов на печатную плату толщиной 1,5 мм и расстоянии между точками крепления от 12.5 до 37.5 мм 4р.„аКс или /„р.ср.макт при 298 К не более 1.1 А.
Допускав 1ся работа диодов на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение прямого тока нс должно превышать 1.57 /пг.ср.
Допускаемся работа диода при С’обр = ^;обр х1акс произвольной формы:
счастотойдо 50 кГцпритф > 0.3мкси7прср = /пр.срЛ,акс;
счастотойдо 30 кГцпритф > 0.1мкси7прл:р < 7лр срЛ1акс.
но не более 1 А.
При монтаже диодов не допускаются механические воздействия на остеклованную поверхность диода.
Допускается последовательное и параллельное соединение любою числа диодов.
Зависимое: ь
прямого
тока от напряжения.
Зависимость обратного токаот напряжения.
253 273 293 313 333 353 373 393 К
Зависимость допустимого пря-мого тока от температуры.
Зависимость допустимою прямого тока от теплового сопротивления переход — среда.
2Д219А, 2Д219Б
Диоды кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки. Предназначены для работы в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах до 200 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесжими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводя 1ся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более: при /пр = 10 А 0.6 В
при Zl]p — 5 А .0.54* В
при Znp = 35 А .. . 0.92* Р.
Средний обратный ток. не более:
При Собр — Со5р макс. 4Р.сР ~-'-58 ^ "иА
при Гобр = Г'обр.макс. Лф Ср = 5 А. 3■ ? К . . . . . /5 .мА
Постоянный обратный юк при Сог.г = Собр.Г2кг. не более:
от 213 до 298 К . . . 20 мА
при 373 К .. . . 150 МА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение
2Д219А 15В
2Д219Б 20В
Постоянный и средний прямой ток: or 213 до 358 К 10А
при 373 К 5д
Импульсный прямой ток:
одиночный импульс т„ < 10 мс с периодом повторения не менее 10 мин25/п с
серия импульсов (не более 90) т„ < 10 мс, /= 50 Гц с периодом повторения серии не менее 10 мин ... 10 7
Частота без снижения режимов20QPкГц‘
Наименьшая температураокружающей среды . . . .213К
Наибольшая температуракорпуса 373К
Температура перехода 39g^
Зависимость прямого токаот напряжения.Зависимость прямого токаот напряжения.
Зависимость прямого токаот напряжения.
Зависимость прямого токаот напряжения.
Зависимость обратного тока от на-пряжения.
ависимость допустимого прямою тока О1 температуры.
2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г, 2Д220Д, 2Д220Е,2Д220Ж, 2Д220И
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для применения в высокочастотных выпрямительных и преобразовательных устройствах.
1
Выпускаются в ме1аллостеклянном корпусе с жесткими выводами. Диоды маркируются со стороны положительного (нерезьбового> вывода двумя цветными ючками. Первая точка обозначает диапазон часгог работы диода: белая —oi 1 до 50 кГц (2Д220А. 2Д22ОБ, 2Д220В, 2Д22ОГ), красная — от 50 Гц до 20 кГц (2Д220Д. 2Д22ОЕ. 2Д220Ж. 2Д220И) Вторая точка определяет тип диода белая — 2Д220А и 2Д220Д; зеленая — 2Д220Б и 2Д220Е; желтая — 2Д220В и 2Д220Ж; голубая - 2Д220Г и 2Д220И
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение не более:
при /пр = 1 А
при 213 К
2Д220А. 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г 1,4В
2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж. 2Д220И 1,3В
при 298 К
2Д220А, 2Д220Б. 2Д220В, 2Д220Г 1,2В
2Д220Д, 2Д220Е. 2Д220Ж. 2Д220И 1,1В
при /пр = 3 А :
при 298 К
2Д220А, 2Д220Б,2Д220В, 2Д220Г 1.5В
2Д220Д, 2Д220Е.2Д220Ж, 2Д220И 1,3В
при 213 К
2Д220А. 2Д220Б.2Д220В, 2Д220Г 1,7В
2Д220Д, 2Д220Е.2Д220Ж. 2Д220И 1,5В
Постоянный обратный юк при СОРГ = С0,-1р .,икс, не более: при 298 К 45мкА
при 398 К1500 мкА
Средний обратный ток в режиме однополупериодиого выпрямления синусоидального напряжения час юлой 50 Гц при ГОРр = БО0рМакс, Гк — 428 К, не более 2000мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр = 1 А, Со6р = 5 В, не более: 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г0,5мкс
2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж. 2Д220И Iмкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: 2Д220А. 2Д220Д 400В
2Д220Б. 2Д220Е 600В
2Д220В. 2Д220Ж 800В
2Д220Г. 2Д220И 1000В
Импульсное обратное напряжение:
в диапазоне частот от 1 .то 50 Гц при Тф 0.5 мкс 2Д220А 400В
2Д220Б 600В
2Д220В 800В
2Д220Г1000В
в диапазоне частот от 50 Гн до 20 кГц при т,,, > 1 мкс
2Д220Д 400В
2Д220Е 600В
2Д220Ж 800В
2Д220И1000В
Постоянный прямой юк при Тк от 213 до 398 К ЗА
Средний прямой ток в режиме выпрямления напряжения любой формы со скважностью, равной или более 1,3:
при Тк оз 213 до 398 К. Г < 10 кГц. Тф > 0.5 мкс для 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г ЗА
при Гц от 213 до 398 К, /= 50 кГц, Тф > 0.5 мкс
для 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220Г 0.5А
при Тк от 213 до 398 К, /= 10 кГц. Тф > 1 мкс для 2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж. 2Д220И ЗА
при Гк от 213 до 398 К. /= 20 кГц, Тф > 1 мкс для
2Д220Д, 2Д220Е. 2Д220Ж, 2Д220И 0,5А
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мс (одиночный импульс) до 398 К и периодом повторения не менее 10 мин 60А
Частота без снижения режима10кГц
Тепловое сопротивление кристалл — корпус3.5К/Вт
Температура корпуса диодаОт213
до 428 К
Температура перехода 448К
Примечания: 1. При монтаже .диодов не допускаются крепление за остеклованною поверхность и механические воздействия на нее.
При остановке диодов на теплоотвод рекомендуется применение теплопроводной пасчы КПТ-8 (ГОСТ 19783-74).
Допускается последовательное и параллельное соединение лю- бог о числа диодов
Зависимое i ь допустимого пряЗависимое i ь допустимого пряЗависимость допустимого имЗависимость допустимого иммого тока от температурымого тока от температурыпульсного прямого гока от час-пульсного прямого гока от час-корпуса.корпуса.готы.готы.Раздел четвертый
Зависимое i ь допустимого пря
Зависимое i ь допустимого пря
Зависимость допустимого им
Зависимость допустимого им
мого тока от температуры
мого тока от температуры
пульсного прямого гока от час-
пульсного прямого гока от час-
корпуса.
корпуса.
готы.
готы.
ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ СТОЛБЫ И БЛОКИ
Д1004, Д1005А, Д1005Б, Д1006, Д1007, Д1008
Д100^,Д1005Д100^,Д1005М5М5Д1005Б, Д1006, Д1007, Д1008Д1005Б, Д1006, Д1007, Д1008СТолбы из кремниевых сплавных диодов. Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Д100^,Д1005
Д100^,Д1005
М5
М5
Д1005Б, Д1006, Д1007, Д1008
Д1005Б, Д1006, Д1007, Д1008
Масса столбов ДЮ04, ДЮ05А не более 35 i, Д1005Б, Д1006. Д1007. Д1008 не более 60 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр ср = 100 мА для Д1004. Д1005Б. Д1006: 75 мА для Д1007; 50 мА для Д1005А, Д1008. не более:
при 298 К Д1004. Д1005А 5В
Д1005Б, Д1006, Д1007. Д1008 10В
при 213 К Д1004. Д1005А 6В
Д1005Б. Д1006. Д1007. Д1008 12В
Средний обратный ток при Cogp = 2000 В для Д1004; 4000 В для Д1005А. Д1005Б; 6000 В для Д1006: 8000 В для Д1007: 10 000 В для Д1008, не более:
при 298 К100 мкА
при 398 К 250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К: Д1004 2000В
Д1005А. Д1005Б 4000В
Д1006 6000В
Д1007 8000В
Д1008 10 000 В
Средний прямой ток:
от 213 до 353 К Д1004, Д1005Б. Д1006 100мА
Д1005А, Д1008 50мА
Д1007 75мА
при 373 К Д1004, Д1005Б, Д1006 60мА
Д1005А, Д1008 30мА
Д1007 40мА
при 398 К Д1004, Д1005Б, Д1006 40мА
Д1005А, Д1008 20мА
Д1007 30мА
Частота без снижения режимов 1 кГц
Температура окружающей средыОт213
до 398 К Температура корпуса 413 К
Примечания: 1. Допускается работа столбов на емкостную нагрузку при условии, чю эффективное значение тока через столб не превышает 1,57 значения среднего прямого тока.
Допускается работа столбов на частотах выше 1 кГц при условии, что значение среднего обратного тока будет не более 250 мкА.
Допускается перегрузка столбов по прямому току до 2,5 А в течение 3 — 4 периодов.
4. Допускается параллельное соединение столбов одного типа, сголб необходимо шунтировать выбирается из условия С = 2.К относительно ^емли. X’ — число4. Допускается параллельное соединение столбов одного типа, сголб необходимо шунтировать выбирается из условия С = 2.К относительно ^емли. X’ — числои последовательное (до 50 кВ? При последовательном соединении конденсатором. емкость которой С;А-. где С\—емкость столбон
4. Допускается параллельное соединение столбов одного типа, сголб необходимо шунтировать выбирается из условия С = 2.К относительно ^емли. X’ — число
4. Допускается параллельное соединение столбов одного типа, сголб необходимо шунтировать выбирается из условия С = 2.К относительно ^емли. X’ — число
Поспелова[ельно соединенных столсои
При монтаже столбов должны быть нриня!ы меры по обеспечению электрической прочности изоляции, а также по обеспечении, емкости столба относительно земли менее 3 пФ. Для этого воздушный промежуток между шасси и корпусом столба должен быть не менее 5 мм. Целесообразно располагать столбы вертикально по отношению к шасси для обеспечения минимальной емкости.
Зависимость соедиего прямоготока от температуры.Зависимость соедиего прямоготока от температуры.пирующими материалами для предотвращения пробоя по поверхности.пирующими материалами для предотвращения пробоя по поверхности.При давлениях ниже 5.3 Ю4 Па выводы столбов и оголенные части подводящих проводов должны быть защищены изо-
Зависимость соедиего прямоготока от температуры.
Зависимость соедиего прямоготока от температуры.
пирующими материалами для предотвращения пробоя по поверхности.
пирующими материалами для предотвращения пробоя по поверхности.
Д1009, Д1009А. Д1011А
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с заливкой эпоксидным компаундом с жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения элек i родов с выводами приводятся на корпусе.
Масса столба не более 53 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /грлр = 300 мА, не более:
при 298 К Д1009 2.6В
Д1009А, ДЮНА 1,5В
при 213 К
Д1009
ДЮ09А, ДЮНА
Средний обратный ток при Со6ри = 2000 В для Д1009 1000 В для Д1009А, 500 В для ДЮНА, /прср = 300 мА,'
не более: при 298 К100мкА
при 358 К 300мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение синусоидальной формы при температуре от 213 до 358 К:
ДЮ09 2000В
ДЮ09А в
ДЮНА 500 в
Средний прямой ток в режиме однополупериодного выпрямления напряжения синусоидальной формы при температуре от 213 до 358 К 300мА
Частота без снижения режимов jкрц
Температура окружающей среды 213
до 358 К
Температура корпуса 373^
Примечания: 1. При монтаже допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса столба.
При давлениях ниже 0,54 ■ 104 Па выводы столбов и оголенные части подводящих проводов должны быть защищены изолирующими материалами для предотвращения пробоя по поверхности Степень снижения предельных электрических режимов в зависимости от давления в диапазоне до 666 Па и ниже должна выбираться из условия, чтобы температура на корпусе в процессе работы не превышала 373 К.
Допускается работа столбов на частотах выше 1 кГц при условии, что среднее значение обратного тока не будет превышать 500 мкА.
Допускается работа столбов на емкостную нагрузку при условии, что эффективное значение тока через столб не превышает 1,57 значения среднего прямого тока.
Допускаются перегрузки ио прямому току до 2,5 А в течение 3—4 периодов.
2Ц101А
Столб из кремниевых сплавных диодов.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Положительный вывод отмечен точкой на торце прибора.
Масса столба не более 2 г.
1291295 под ред. Н. Н. Горюнова
129
129
ФО,6
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пп = 50 мА, не
более 8.3В
Постоянный обратный ток при Un6p = 700 В, не более:
при 298 К 10мкА
при 343 К100мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 343 К 700В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К 10мА
Средний выпрямленный ток (время усреднения не бо.тее
10 с) при температуре oi 213 до 343 К 10мА
Импульсный прямой ток при температуре от 213 до 343 К 1А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 343 К ' . . .0,3 Вт
Частота без снижения режимов при температуре от
213 до 343 К ' . . .20 кГц
Те?ипература окружающей средыОт213
до 343 К
Примечание. Столбы допускают последовательное соединение без специального подбора при условии, что обратное напряжение на них не превышает предельного значения.
вольт-амперных характеристик.
вольт-амперных характеристик.
Зона возможных положений вольт-амперных характеристик.
2Ц102А, 2Ц102Б, 2Ц102В
Сюлбы из кремниевых сплавных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводах™. Тип прибора и схема соединения элек:родов с выводами приво
дятся на корпусе.
Масса столба не более 5 i .
Электрические параметры
Постоянное (среднее) прямое напряжение при /ир ср = 1С0 мА при 2:3 и 298 К, и 50 м\ при 398 К. не более:
при 298 и 398 К 1.5 В
при 213 К —в
Постоянный (средний) обратный ток для 2Ц102А при
C'lfi = 800 В, для 2Ц102Б - 1000 В. для 2Ц102В -
1200 В, неболее:
при 298К90мкА
при 398К150мкА
прп 213К50мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К:
2Ц102А 800в
2Ц102Б 1000в
2Ц102В 1200 в
Постоянный (средний) прямой ток:
при температуре от 213 до 358 К100 мА
при373К 70 мА
при398К50 мА
Частотабезснижения режимов 1 кГц
Температура окружающей средыот 213 до
"398 К
Примечания: 1. Допускается работа столбов на частотах, превышающих 1 кГц, при условии, что значение обра1ного тока на частоie и в режимах, не превышающих предельные, будет не более 500 мкА среднего значения.
Столбы допускают перегрузки по прямому току, не превышающие 2,5 А. в течение 3 — 4 периодов.
Допускается последовательное соединение столбов при условии, что обратное напряжение па каждом столбе не превышает предельного. При последовательном соединении каждый из последова1ельно соединенных столбов рекомендуется шунтировать выравнивающим конденсатором.
Зависимость среднего или постоянною прямого тока о, температуры.
2Ц103А, 2Ц103В
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на его корпусе. Положительный вывод отмечен точкой на торце корпуса прибора.
Масса столба не более 2 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА. не более:
при 298 К 9в
при 213 К 12В
Постоянный обратный ток при С„бр = 2000 В (для
2Ц103В при С'обр = Ю00 В), не более: при 298 К мкд
при 348 К80мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (или любой формы) обратное напряжение
при температуре от 213 до 348 К:
2Ц103А 2000 В
2Ц103В В
Постоянный прямой ток или среднее значение прямого
тока при температуре от 213 до 348 К Ю мА
Импульсный прямой ток при среднем значении тока
за 2 с не более 50 мА и температуре 213 до
348 К 1 а
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 348 К0.35 Вт
Частота при синусоидальном сигнале без снижения
режима при температуре от 213 до 348 К:
при /вп.ср = 10 мА50 кГц
при /вп.сР = 5 мА100 кГц
Тепловое сопротивление общее к/Вт
Температура окружающей средыот 213 до
348 К
Примечания: 1. Допускается работа столбов на емкостную нагрузку при условии, что амплитуда обратного напряжения не превышает предельного значения, а зарядный ток ие превышает 1 А при среднем значении за 2 с не более 50 мА.
Допускается последовательное соединение столбов без специального подбора при условии, что обратное напряжение на них не превышает предельного значения.
Допускается параллельное соединение столбов при условии отсутствия перегрузок любого столба по прямому току.
Зависимость предельной часто-ты выпрямления от прямоготока.
Щ104АИ
Столб из 1ерманиевых диффузионных диодов. Предназначен для работы в импульсном режиме.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тин прибора указывается на его корпусе. Положительный вывод отмечен точкой на торце прибора.
Масса столба не более 5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не
более: при 298 КОт 5.5 до
8.0 8
при 213 К 15В
Импульсное прямое напряжение при /то.и = -0 мА, /< 1/60 Гц, не более 17В
Постоянный обратный ток при t/o„p = 2000 8. не более 150 мкА Время переключения при /пр = 30 мА, Собр „ = 30 В,
/ < 700 ГцОт 0.3 до
1.5 мкс
Длительность среза импульса обратного тока при /пр =
= 30 мА, t/o6p н = 30 В, / < 700 Гц, не более . . . 0,25 мкс
Импульсный обратный ток при 17обр и = 2000 8./ < 1/10 Гц
и 343 К, не более 5мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре:
от 213 до 308 К 10008
при 323 К 4008
при 343 К 200В
Импульсное обратное напряжение при одиночных импульсах (с частотой следования не более 1/60 Гц).
ти < 20 мкс и температуре от 213 до 343 К . . . .2000 В
Импульсное обратное напряжение в режиме переключения с прямого тока до 15 А и длительности импульса прямого тока до 30 мкс при температуре от 213 до 343 К (длительность импульса обратного напряжения не более 20 мкс) 1600В
Постоянный прямой ток при температуре:
от 213 до 343 К 10 мА
при температуре от 213 до 308 К в течение не более 10 с 50 мА
Импульсный прямой ток при одиночных импульсах (с частотой следования не более 1/60 Гц) длительностью до 100 мкс 20 А
Частота выпрямления на активную нагрузку (форма тока — синусоидальная) при температуре от 213 до
343 К10 кГц
Температура окружающей средыОт213 до
343 К
Примечания: 1. Допускается параллельное соединение столбов при условии обеспечения отсутствия перегрузки по прямому току.
Допускается последовательное соединение столбов при условии, что обратное напряжение на каждом столбе не превышает предельного.
Зависимость обратного напряжения о г температуры.
КЩ05А, КЦЮ5Б, КЦ105В, КЦ105Г, КЦ105Д
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса столбов КЦЮ5Л. КЦ105Б не более 10 г, КЦ105В, КЦ105Г. КЦ105Д не более 15 i.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /лр ср = 100 мА для КЦ105А.
КЦ105Б. КЦ105В: 75 мА для КЦ105Г: 50 мА для КЦ105Д.
не более:
КЦ105Л, КЦ105Б 3.5 В
КЦ105В, КЦ105Г. КЦ105Д 7.0 В
Средний обратный ток при Собр „ = 2000 В для КЦ105А: 4000 В для КЦ105Б; 6000 8 для КЦ105В; 7000 В для КЦ105Г: 8500 В для КЦ105Д. не более:
при 298 К100мкА
при 358 К 200мкА
Время восстановления обратною сопротивления при
СоСр „ = 30 В. /||р „ = 1000 мА. /О1СЧ = 10 мА. не более 3 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
К Ц105А 2000В
КЦ105Б 40008
КЦ105В 6000В
КЦ105Г 7000В
КЦ105Д 8 5008
Средний прямой юк:
КЦ105А,КЦ105Б,КЦ105В100мА
КЦ105Г 75мА
КЦ105Д50мА
Частота безснижениярежимов 1кГц
Температура окружающей средыОт 233 до
358 К
2Ц106А, 2Ц106Б, 2Ц106В, 2Ц106Г, КЦ106А, КЦ106Б,
КЦ106В, КЦ106Г, КЦ106Д
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводах™. Тип прибора указывается па корпусе. Положительный вывод прибора отмечен точкой на торце корпуса.
Масса ст олба не более 2,5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /ир = 10 мА. не более: при 298 К 25 В
при 213 К (218 К для КЦ106А. КЦ106Б.
КЦ106В. КЦ106Г. КЦ106Д) 35 в
Постоянный обратный ток при Гобр = 4000 В для 2Ц106А, КЦ106А; 6000 В для 2Ц106Б. КЦ106Б; 8000 В для 2Ц106В. КЦ106В; 10 000 В для 2Ц106Г.
КЦ106Г; 2000 В для КЦ106Д. не более: при 298 К мкА
при 398 К для 2Ц106Л,2Ц106Б.2Ц106В.
2Ц106Г50 мкА
при 358 К для КЦ106А. КЦ106Б. КЦ106В, КЦ106Г.
КЦ106Д30 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при /пр = 20 мА. [7обр „ = 500 В. R„ = 25 кОм, длительности фронта переключения 0.2 мкс. не более . . . .3.5 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение (или амплитудное любой формы и периодичности) при температуре:
от 213 до 358 К (ог 218 К для КЦ106А, КЦ106Б.
КЦ106В, КЦ106Г. КЦ106Д) 2Ц106А,КЦ106А 4000В
2Ц106Б,КЦ106Б 6000В
2Ц106В,КЦ106В 8000В
2Ц106Г,КЦ106Г10 000В
КЦ106Д 2000В
при 398 К 2Ц106А 1000В
2Ц106Б 2000В
2Ц106В 3000В
2Ц106Г 4000В
Постоянный прямой ток при температуре:
от 213 до 358 К (от 218 К для КЦ106А, КЦ106Б,
КЦ106В, КЦ106Г, КЦ106Д) ю мА
при 398 К для 2Ц106А, 2Ц106Б, 2Ц106В, 2Ц106Г1 мА
Импульсный прямой ток при ти = 50 мкс, f = 1 имп/мин, работе на активную нагрузку и при форме питающего напряжения в виде симметричной синусоиды или симметричного меандра с фронтом переключения не менее 5 мкс при температуре от 213 до 358 К (от 218 К для КЦ106А, КЦ106Б, КЦ106В, КЦ106Г, КЦ106Д)1 А
Частота без снижения режимов20 кГц
Температура окружающей среды: 2Ц106А, 2Ц106Б, 2Ц106В. 2Ц106ГОт213 до
398 К
КЦ106А. КЦ106Б. КЦ106В. КЦ106Г. КЦ106Д. . . От 218 до 358 К
Тепловое сопротивление общее120К/Вт
Температура перехода 413К
Примечания: 1. Допускается работа столбов на емкостную нагрузку при условии, что амплитуда тока заряда емкости не превышает 60 мА, амплитуда обратного тока — 20 мА.
Рекомендуется изолировать поверхность потенциального вывода. Допускается работа без изоляции иотенциального вывода при давлениях: при С'о6р = 10 000 В 6,66 Ю4 Па; при Собр = 8000 В 5,3.3 ■ 104 Па: при Со6р = 6000 В 5.0 104 Па; при Собр = 4000 В 2,67- 104 Па.
Столбы 2Ц106Б. 2Ц106В, КЦ106Б, КЦ106В допускают работу в иовторис-кра гковременпом режиме в емкостных схемах зажигания. Режим работы схемы: повторно-кратковременными циклами по 10 включений, дл ительность одного включения не более 1 мин, перерыв между включениями не менее 2 мин. перерыв между циклами не менее 10 мин.
Обратные напряжения на столбах 2Ц106Б, 2Ц106В не должны превышать соответственно 6 и 8 кВ Частота следования импульсов не более 30 Гц. Фронт переключения с прямого тока на обратное напряжение нс менее 200 мкс. Средний выпрямленный ток: до 40 мА для 2Ц106Б, до 30 мА для 2Ц106В. Допускается производить включение в течение 3 мин с перерывом не менее 10 .мин. Таких включений должно быть не более 1 "„ общею количества одноминутных включений. При температуре окружающей среды от 213 до 373 К количество одноминутных включений не более 5000.
Зависимость максимально допустимого обратного напряжения от температуры.
Зависимость максимальнодопустимого прямого токаот температуры.
101001000101001000
101001000
101001000
Зависимость среднего выпрямленного тока от частоты при температуре от 213 до 353 К при работе на активную нагрузку.
Зависимость обратного токаперегрузки о I’ длительностиимпульса перегрузки.
Зависимость импульсного прямого юка от длительности импульсаперегрузки.
2Ц108А, 2Ц108Б, 2Ц108В
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса столбов 2Ц108А, 2Ц108Б не более 20 г 2Ц108В не более 25 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при среднем прямом токе 180 мА в режиме однополупериодного выпрямления синусоидального напряжения частотой 50 Гц, не более:
при 298 К
2Ц108А,2Ц108Б 6В
2Ц108В 10В
при 213 К
■ 2Ц108А,2Ц108Б 7,5В
2Ц108В 12,0В
Средний обратный ток при импульсном обратном напряжении синусоидальной формы частотой 50 Гц для 2Ц108А 2000 В, 2Ц108Б 4000 В, 2Ц108В 6000 В, не более: при 298 К и /Пр,ср = 180 мА150 мкА
при 398 К и /Пр,ср = 40 мА1000 мкА
Время восстановления обратного сопротивления в режиме переключения с /пр „ = 1 А на Со6р и = 30 В при сопротивлении нагрузки 500 ОмОт 0,6 до
0,9 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение произвольной формы с крутизной фронтов нс более 3000 В/мкс в диапазоне частот от 50 Гц до
50 кГц и температуре корпуса от 213 до 403 К: 2Ц1О8А 2000В
2Ц108Б 4000В
2Ц1О8В 6000В
Средний прямой ток в режиме выпрямления напряжения произвольной формы с частотой от 50 Гц до 50 кГц при давлении от 10,1 ■ 104 до 666 Па, /пр „ < 3,14 /пр,ср:
при температуре корпуса от 213 до 373 К100 мА
при температуре корпуса 403 К20 мА
Импульсный перегрузочный прямой ток при длительности фронта импульса Тф > 1 мкс, т„ < 10 мс (не более 3 импульсов в течение 20 мин с интервалами между импульсами не менее 1 мин):
при температуре корпуса от 213 до 373 К 5000мА
при температуре корпуса 403 К 1500мА
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Температура корпуса 403К
Примечания: 1. Выводы столбов и оголенные части подводящих проводов должны быть защищены изолирующими материалами при давлениях ниже 1,6-104 Па для 2Ц108Б, 2Ц108В и ниже 0,4■ 104 Па для 2Ц108А. При давлениях ниже указанных предельное импульсное обратное напряжение имеет следующие значения:
Таблица 4.1
Атмосферное давление. Па
1Кн2дьснос обратное напряжение, В
2ЦI0SA
2Ц108Б
2Ц108В
1.6' Ю4
2000
4000
6000
0.4- 104
2000
2000
2600
666
1500
1500
1700
2. Допускается последовательное соединение двух столбов одного типа на напряжение до 8000 В для 2Ц108В и на напряжение до 5600 В для 2Ц108Б. Р
Зависимость импульсного об- Зависимость среднего прямого ратного напряжения о г атмос- и импульсного тока от гемпе- ферного давления.ратуры корпуса.
КЦ109А
Столб из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Положительный вывод прибора отмечен точкой на горце корпуса.
Масса столба не более 0,18 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при 7пр ср = 300 мА, не более 7В
Среднее значение обратного тока при Со6р = 6000 В, не более10мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение 6000В
Среднее значение прямого тока 300мА
Импульсный прямой ток при среднем значении прямого тока не более предельного и т„ ^ 55 мкс 1А
Температура окружающей средыОт228 до
358 К
Зависимость среднею иря- Зависимость импульсного обмою тока or температуры. ратною напряжения от температуры.
2Ц110А, 2Ц110Б
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса столба не более 15 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение на частоте 50 Гц, не более: при 298К и Лф.ср = *00 мА 10В
при 398К и /Пр,ср = 25 мА 10В
при 213К и /Пр,ср = Ю0 мА 12В
Средний обратный ток при Собр и = 10000 В для 2Ц110А
и 15 000 В для 2Ц110Б, /= 50 Гц, не более:
при 298 К и /пр ср = 100 мАюомкА
при 398 К и /пр ср = 25 мА500мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение синусоидальной формы с / < 1 кГц при температуре от 213 до 398 К при давлении от 10,1 ■ 104 до
5,33■ 104 Па:
2ЦЧ0А10000 В
ЩЧОБ 15 000 В
при 666 Па 1500 В
Средний прямой ток на частоте /< 1 кГц:
при давлении от 10,1 • 104 до 5,33- 104 Па и температуре
от 213 до 343 Кюо мА
при 398 К 25 мА
при давлении 666 Па и температуре от 213 до 343 К20 мА
при 398 К 5 мА
Импульсный перегрузочный прямой ток при тф > 5 мкс. интервал между импульсами > 90 с:
при ти < 2 с 20 ,
при ти < 0,02 с 50 /ПР
Температура окружающей средыqt213РдО
398 К
Температура корпуса 398 К
Примечания: 1. Допускается кратковременная работа столбов 2Ц110Б (3 мин работа, 15 мин пауза) при Собри= 16000 В и ^пр.ср.макс = Ю° мА ПРИ температуре от 213 до 328'К и 50 мА при 358 К. Наработка в этом режиме не более 60 часов.
Крепление столбов осуществляется за выводы. Монтаж столбов непосредственно на металлические шасси не допускается. При монтаже столбов должны быть приняты меры по обеспечению емкости столба относительно земли не более 3 пФ.
Допускается последовательное соединение двух столбов без выравнивающих элементов, при этом прямое напряжение не должно превышать 20 В.
Допускается работа столбов при давлении ниже 5,33 ■ 104 Па при t/o6p.„= 10 000 В для 2Ц110А и 15 000 В для 2Ц110Б, при этом выводы столбов и оголенные части подводящих проводов должны быть защищены изолирующими материалами.
Зависимость импульсного об-ратного напряжения от дав-ления.
Зависимость среднею прямогоюка о( давления.
Зависимость среднего прямоютока от давления.
2ЦША-1
Столб из кремниевых диффузионных диодов. Предназначен для использования в герметизированной аппаратуре.йг
Бескорпусный с защитным покрытием с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на упаковке. Положительный электрод обозначается точкой на поверхности компаунда.
Масса сюлба не более 5 мг.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 мА. не более:
при 298 К 12В
при 213 К 14В
Постоянный обратный ток при t/o6p = 3000 В, не более:
при 298 К0,1мкА
при 333 К0.5мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 333 К'.. .3 000 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 333 К 1мА
Средний выпрямленный ток на частоте /< 400 Гц при температуре от 213 до 333 К 1МА
Импульсный прямой ток при длительности импульса перегрузки ти < 100 мкс при температуре от 213 до 333 К 1А
Частота при среднем выпрямленном токе 200 мкА при температуре от 213 до 333 К20кГц
Температура окружающей средыОт213 до
333 к
Примечание. Допускается работа столбов при любой форме питающего напряжения при скорости изменения не более 3 -108 В/с.
10100 юоо10100 юоо
10100 юоо
10100 юоо
Зависимость импульсного прямого тока от длительности перегрузки.
Зависимость импульсного прямого тока от длительности перегрузки.
Зависимость среднего выпрямленного тока от частоты.
2Ц112А
Столб из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаемся в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на этикетке. Вывод анода обозначается точкой на торце корпуса.
Масса столба не более 0,25 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА, не более:
при 298 К 10В
при 213 К 12В
Постоянный обратный ток при (/.,бр — 2 000 В. не более:
при 298 К10мкА
при 358 К50мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/,,р и = 20 мА. Со5р „ = 50 В, не более0.3мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: от 21.3 до' 358 К 2 000 В
при 398 К 600 В
Постоянный прямой ток: от 213 до 358 К 10мА
при 398 К 3 мА
Импульсный прямой ток при среднем значении тока
за 2 с не более 50 мА: OI 213 до 358 К 1 А
при 398 К при среднем значении юка за 2 с не более 20 мА 0,5 А
Температура окружающей средыОт213 до
'398 К
Примечания: 1. Допускается последовательное соединение столбов без специально: о подбора при условии, что обратное напряжение на них не превышает допустимого значения.
Допускается параллельное соединение при условии отсутствия перегрузок по прямому току.
в г ооо
г ооо
1500
юоо
500
°Z13 253 293 333 373 К 213 253 293 333 373 К 213 253 293 333 373 К
Зависимость посгоян- Зависимость постоям- Зависимость импуль- ного обратною на- пою прямою тока от сного прямого тока от пряжения от темпера- температуры.температуры.
туры
2Ц113А-1
Столб из кремниевых диффузионных диодов. Предпашачеп для использования в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусный с защитным покрытием и т ибкими выводами. Тип прибора указывается на упаковке. Положительный вывод прибора обозначается точкой на поверхности компаунда.
Масса столба не более 30 мт. Длина прибора 4 мм
Постоянное прямое напряжение при /пр = 0.5 мА. не бо.тсе от 298 до 358 К sВ
при 213 К К)в
Постоянный обратный ток при С.^р = 1600 В. не более от 213 до 298 Крокмкд
при 358 К-1.5мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К1600 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 358 К0.5 мА
Средний выпрямленный ток на частоте 400 Гц при температуре от 213 до 358 К мд
Импульсный прямой ток при длительности импульса перегрузки не более 100 мкс при температуре от 213 до 358 К 1.5 а
Частота без снижения режимов при температуре от 213 до 358 К 20кГц
Температура окружающей средыот 213 до 358 К
Примечания: 1. Снижение импульсного прямого тока. А. при длительности перегрузки в интервале от 0.1 до 300 мкс определяется по формуле
0,15Л1р. и. макс ~■
Снижение среднего выпрямленного г ока. мА, на частотах выше 400 Гц определяется по формуле
.. СП = 0.5 - 0.18 1g —.вы. tp. максc 4
где/—частота. кГц.
Допускается работа столбов при любой форме питающего напряжения и скорости изменения напряжения АГ Аг <3 -10» В.-с.
Не допускается монтаж столбов непосредственно на металлическую поверхность без диэлектрических прокладок.
КЦ201А, КЦ201Б, КЦ201В, КЦ201Г, КЦ201Д, КЦ201Е
Столбы кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса столбов КЦ201А, КЦ201Б не более 40 г, КЦ201В.
КЦ201Г. КЦ201Д - не более 70 г. КЦ201Е - не более 90 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Среднее значение прямого напряжения па частоте f = 50 Гц при
^пр.ср= 500 мА, не более: КЦ201А, КЦ201Б ЗВ
КЦ201В, КЦ201Г, КЦ201Д 6В
КЦ201Е 10 В
Среднее значение обратного тока на частоте / = 50 Гц при Со6р И = 2000 В для КЦ201А. 4000 В для КЦ201Б. 6000 В для КЦ201В, 8000 В для КЦ201Г, 10 000 В для КЦ201Д, 15 000 В для КЦ201Е, не более:
при 298 К и /пр ср = 500 мАЮ0 мкА
при 373 К и 7пр’ср = 500 мА 250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение любой формы с длительностью фронта импульса не менее 50 мкс, /'< 1 кГц и температуре от 213 до 373 К:
КЦ201А 2000В
КЦ201Б 4000В
КЦ201В 6000В
КЦ201Г 8000В
КЦ201ДЮ000В
КЦ201Е15000В
Среднее значение прямого тока любой формы с длительностью фронта импульса не менее 50 мкс при / < 1 кГц, температуре от 213 до 373 К 500 мА
Импульсный перегрузочный ток при длительности импульса перегрузки 100 мс при 298 К ЗА
Частота без снижения режимов I крц
Температура окружающей средыОт 213 до
373 К
2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В, 2Ц202Г, 2Ц202Д, 2Ц202Е
Столбы кремниевые лавинные диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса столбов 2Ц202А, 2Ц202Б не более 40 г, 2Ц202В. 2Ц202Г, 2Ц202Д - не более 70 г, 2Ц202Е - не более 90 г.
ZU,20Zk,6ZU,20Zk,6М5 2 от 8.М5 2 от 8.
ZU,20Zk,6
ZU,20Zk,6
М5 2 от 8.
М5 2 от 8.
Электрические параметры
Среднее значение прямого напряжения при /пр, ср = 500 мА при 298 К и 100 мА для 2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В, 2Ц202Г, 2Ц202Д и 50 мА для 2Ц202Е при 398 К, не более:
2Ц202А, 2Ц202Б ЗВ
2Ц202В. 2Ц2О2Г. 2Ц202Д 6В
2Ц202Е 10В
при 213 К
2Ц202А,2Ц202Б 3.5В
2Ц202В,2Ц202Г,2Ц2О2Д 7.0В
2Ц202Е 12.0В
Среднее значение обратного тока при Собр = 2000 В для 2Ц202А, 4000 В для 2Ц202Б, 6000 В для 2Ц202В, 8000 В для 2Ц202Г, 10 000 В для 2Ц2О2Д, 15 000 В
для 2Ц202Е, / = 50 Гц, не более: при 298 К100мкА
при 398 К
2Ц202А, 2Ц202Б. 2Ц202В, 2Ц202Г. 2Ц202Д . . . 250 мкА
2Ц202Е 500мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение любой формы с длительностью фронта импульса не менее 50 мкс. /< 1 кГц при температуре от 213 до 398 К, давлении от 666 Па до 30.3 104 Па:
2Ц202А 2000В
2Ц20 2Б 4000В
2Ц202В 6000В
2Ц202Г 8000В
2Ц202Д 10000В
2Ц202Е 15000В
Средний прямой ток любой формы с длшельностью фронта импульса не менее 50 мкс, / < 1 кГц (амплитуда импульса не должна превышать 1,5 А):
при давлении от 6,66 104 до 30.3 ■ 104 Па:
от 213 до 328 К 500мА
при 358 К
2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В, 2Ц202Г. 2Ц202Д . . . . 500 мА
2Ц202Е 300мА
при 398 К
2Ц202А, 2Ц202Б. 2Ц202В. 2Ц202Г. 2Ц202Д . . .100 мА
2Ц202Е 50мА
при 666 Па:
от 213 до 328 К100 мА
при 358 К
2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В, 2Ц202Г, 2Ц202Д . . .100 мА
2Ц202Е 60мА
при 398 К
2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В, 2Ц202Г, 2Ц202Д . . .30 мА
2Ц202Е 20мА
Средний прямой ток синусоидальной формы в циклически повторяющемся режиме с частотой 1 кГц при работе в охлаждающей жидкости при Тк <343 К: в течение 3 с 2А
в течение 12 с 0,8А
Импульсный перегрузочный прямой ток при переходных процессах при длительности переходных процессов:
не более 1#,5 с12/ПР]Ср
не более 0,05 с30/пр ср
Средний прямой ток любой формы с длительностью фронта импульса не менее 50 мкс при /< 1 кГц и амплитудой не более 2 А при работе в охлаждающей жидкое, и при Тк < 343 К 1,2А
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Температура корпуса 403К
Примечания: 1, Допускается параллельное соединение столбов. Разрешается последовательное соединение столбов одного и того же типа до напряжения:
30 кВ без применения шунтирующих элеменюв;
60 кВ с применением шунтирующих конденсаторов, емкость которых выбирается из условия С — 2,8 C3N^, где Г емкость столбов относительно земли; N — число последовательно соединенных столбов.
При монтаже столбов должны быть приняты меры, исключающие возможность электрического пробоя, а также обеспечивающие емкость столба С3 < 3 пФ.
При давлении ниже 5.33 ■ 104 Па выводы столбов и оголенные части подводящих проводов должны быть защищены изолирующими ма।ериалами для предотвращения пробоя по поверхности.
Допускается работа в любых охлаждающих жидкостях, не разрушающих элементы сголоа, обладающих достаточной электри- ческой прочностью и обеспечивающих темпсрв1 ур^у корпуса столон не более 343 К.
Зависимость среднего прямого Зависимость среднего прямоготока от давления,тока от давления.
Зависимость среднею прямоготока 07 частоты.
Зависимосчь среднего прямогоюка от частоты.
2Ц203А, 2Ц203Б, 2Ц203В
Столбы кремниевые дифф> знойные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с плоскими жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса столба не более 50 г.
Электрические параметры
Среднее значение прямого напряжения при / = 50 Гц,
/пр ср = 1000 мА, не более:
при 298 К 8В
при 213 К 10В
Среднее значение обратного тока при /= 50 Гц. СОбр и = 6000 В для 2Ц2ОЗА. 8 000 В для 2Ц203Б, 10 000 В для 2Ц203В, не более:
при 298 К и /пр.ср = 1000 мА100мкА
при температуре корпуса 403 К и /Пр.ср = = 100 мА 500мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение любой формы с длительностью фронта импульса не менее 50 мкс при /< 1 кГц, температуре корпуса от 213 до 403 К:
2Ц203А 6000В
2Ц203Б 8000В
2Ц203В10000В
Среднее значение прямого тока любой формы с длительностью фронта импульса не менее 50 мкс при /< 1 кГц и температуре
корпуса:
от 213 до 373 К1 000 мА
403 К 100 мА
Импульсный перегрузочный прямой ток (одна полуволна прямого тока синусоидальной формы/ = 50 Гц с интервалом следования не менее 1ч) зо /
„• - v 'пр. ср. макс
Импульсный перегрузочный прямой ток (три полуволны прямого тока синусоидальной формы/= 50 Гц с интервалом следования не менее 1ч) in /
„.'пр. ср. макс
Температура окружающей СредыOi 213 до
398 К
Температура корпуса 403 «
Примечания: 1. При давлениях ниже 0,93-10 Па выводы столбов и оголенные части подводящих проводов должны бьпь
защищены изолирующими материалами.
Разрешается применять столбы при давлениях ниже 0.93 104 Па без дополнительной изоляции, при этом необходимо снижать предельное импульсное обратное напряжение в соответствии с данными следующей таблицы:
Давление, НаДавление, НаТаблица 4.2
Давление, На
Давление, На
Импульсное обратное напряжение. В
10 000250010 00025000.93- 104666
10 0002500
10 0002500
Зависимость импульсного об-ратного напряжения от давле-ния.
Зависимость среднего прямого тока от температуры корпуса.
КЦ401А, КЦ401Б, КЦ401В, КЦ401Г, КЦ401Д
Блоки из кремниевых сплавных диодов.
Внутри блоков диоды соединены по схеме моста (КЦ401Б) и по схеме удвоения напряжения (КЦ401А, КЦ401Б). Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса блока для КЦ401А не более 90 г. для КЦ401Б - не более НО 1.
КЦЧ01Г
Схема, соединения для удвоителя нипряжения 2
3
35
Исполнений КЦЧ01Б Исполнение 2.
Схема, соединений
для удвоителя
5 3
КЦЧ01в
Исполнение 1Исполнение 1Исполнение 2Исполнение 2КЦ401КЦ401Схемы соедсснвни-й.Схемы соедсснвни-й.длядлямоста.моста.для удвоителянапряженыдля удвоителянапряжены5 35 3
Исполнение 1
Исполнение 1
Исполнение 2
Исполнение 2
КЦ401
КЦ401
Схемы соедсснвни-й.
Схемы соедсснвни-й.
для
для
моста.
моста.
для удвоителянапряжены
для удвоителянапряжены
5 3
5 3
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение (при /ПрСр ,макс) на каждом плече, не более 2.5В
Постоянный обратный ток при UngpVaKC, 298 и 333 К, не более100мкА
Табл и на 4.3
Тип отека
Параметры
КЦ401А, КЦ401Г*.
КЦ401Д**
КЦ401Б. КЦ401В
КЦ401В. KU4011 Л
КЦ401Д**
Схема удвоения
моста
Средний выпрямленный ток, мА:
1-е плечо
2-е плечо
Постоянное обратное напряжение, В
400, 500* 300, 500*, 400**
500
200
200
500
250, 500*. 400**
250, 500*, 400**
500
Предельные эксплуатационные данные
Частота без снижения режимов 1 кГц
Температура окружающей средыОт 218 до
333 К
Температура корпуса 358К
КЦ402А, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г, КЦ402Д, КЦ402Е, КЦ402Ж, КЦ402И, КЦ403А, КЦ403Б, КЦ403В, КЦ403Г, КЦ403Д, КЦ403Е, КЦ403Ж, КЦ403И, КЦ404А, КЦ404Б, КЦ404В, КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ404Ж, КЦ404И, КЦ405А, КЦ405Б, КЦ405В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е, КЦ405Ж, КЦ405И
Блоки из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами: КЦ402А, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г, КЦ402Д, КЦ402Е, КЦ402Ж, КЦ402И — однофазный мост; КЦ403А, КЦ403Б, КЦ403В, КЦ403Г, КЦ403Д, КЦ403Е, КЦ403Ж, КЦ403И — два электрически не соединенных между собой однофазных моста для навесного монтажа; КЦ404А, КЦ404Б, КЦ404В, КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ404Ж, КЦ404И — два электрически не соединенных между собой однофазных моста для навесного монтажа с держателями предохранителей типа ПМ; КЦ405А, КЦ405Б, КЦ405В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е, КЦ405Ж, КЦ405И — однофазный мост для монтажа на печатную плату. Обозначение типа и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса блоков не более: КЦ402А, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г, КЦ402Д, КЦ402Е, КЦ402Ж, КЦ402И - 7 г; КЦ403А, КЦ403Б. КЦ403В, КЦ403Г, КЦ403Д, КЦ4ОЗЕ, КЦ403Ж, КЦ403И, КЦ404А. КЦ404Б, КЦ404В, КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ404Ж, КЦ404И - 15 г; КЦ405А, КЦ405Б, КЦ4О5В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е. КЦ405Ж, КЦ405И - 20 г.
КЦЫЗА-И
TTII1 цц
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания при максимальном
среднем выпрямленном токе, не более: при 298 К 4 0
при 233 К 4.5 В
Ток холостого хода при максимальном Имихльсном об-
рашом напряжении, не более: при 298 К125 мкд
при 358 К 250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
КЦ402А, КЦ402Ж, КЦ403А, КЦ403Ж, КЦ404А,
КЦ404Ж, КЦ405А. КЦ405Ж 600 В
КЦ402Б, КЦ402И, КЦ403Б. КЦ403И, КЦ404Б.
КЦ404И, КЦ405Б, КЦ405И 500 В
КЦ402В,КЦ403В,КЦ404В.КЦ405В 400в
КЦ402Г,КЦ403Г,КЦ404Г.КЦ405Г 300В
КЦ402Д,КЦ403Д,КЦ404Д.КЦ405Д 200В
КЦ402Е,КЦ403Е,КЦ404Е.КЦ405Е 100В
Средний выпрямленный ток на частоте / < 5 кГц:
КЦ402А.КЦ402Б,КЦ402Г.КЦ402Д.КЦ402Е,
КЦ403А.КЦ403Б,КЦ403Г.КЦ403Д,КЦ403Е.
КЦ404А.КЦ404Б,КЦ404Г.КЦ404Д,КЦ404Е
КЦ405А, КЦ405Б, КЦ405Г. КЦ405Д. КЦ405Е . .1000 мА
КЦ402Ж.КЦ402И.КЦ403Ж.КЦ403И.КЦ404Ж.
КЦ404И, КЦ405Ж, КЦ405И 600 мА
Частота без снижения режимов 5 крц
Температура окружающей средыОт 233
до 358 К
348 353 358 363 368 К
Зависимость среднего выпрям-ленного тока от температуры.
Зависимость средне1 о выпрям-ленное юка от частоты.
Зависимость импульсного пря-мого тока перегрузки oi тпи-1ельности импульса.
КЦ407А
Блок из кремниевых мезадиффузионных диодов.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся па корпусе.
Масса блока не более 0.5 1.
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания при токе короткого замыкания 200 мА, не более:
при 298 К 2,5В
при 213 К 2,7В
Ток холостого хода при напряжении холостого хода, равном 300 В, не более:
при 298 К мкА
при 358 К мкА
Время восстановления обратного сопротивления при ^обР.и = 200 В, 7пр и = 0,05 А. не более 5 мкс
Предельные эксплуатационные данные прн включении блока в качествемоста при работе на активную нагрузку
Переменное напряжение на входе (амплитудное значение) 300 В
Импульсное напряжение на входе 400 В
Средний выпрямленный ток на выходе:
от 213 до 328 К 500 мА
при 358 К 300 мА
Однократная перегрузка по значению выпрямленного тока на выходе (время между однократными импульсами не менее 1 ч):
в течение 10 мкс 3 д
в течение 1 мс । д
Частота без снижения режимов20 кГц
Температура окружающей средыОт 213 до
328 К
Предельные эксплуатационные данные при включении блока выводами 1 (6) и 3 (4), выводы 2 и 5 изолированы
Импульсное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К 500 В
Постоянный (или средний) прямой ток:
от 213 до 328 К 300 мА
при 358 К150 мА
Импульсный прямой ток при Т„ < 10 МКС, 4р ср =
200 мА зд
Однократная перегрузка по импульсному прямому току (время между однократными импульсами не менее 1 ч) при температуре от 213 до 358 К:
в течение 10 мкс ЗА
в течение 1 мс 1 А
Частота без снижения режимов20 кГц
Температура окружающей средыОт213 до
358 К
Зависимость импуль- Зависимость среднего Зависимость среднего сного прямого тока от прямого тока от тем- прямого тока от тем- длительности им- пературы при работе пературы при включе- пульса.матрицы в качестве нии блока выводами
моста.1(6) и 3(4), выводы
2 и 5 изолированы.
КЦ409А, КЦ409Б, КЦ409В, КЦ409Г, КЦ409Д, КЦ409Е,КЦ409Ж, КЦ409И
Блоки из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Диоды в блоке собраны по трехфазной мостовой схеме.
Масса блока не более 50 г.
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания при токе короткого замыкания 3 А для КЦ409А, КЦ409Б, КЦ409В, КЦ409Г, КЦ409Д, КЦ409Е и 6 А для КЦ409Ж, КЦ409И, не более 2,5В
Ток холостого хода при максимальном линейном напряжении, не более3,0мкА
Предельные эксплуатационные данные
Линейное напряжение на входе (амплитудное значение): КЦ409А 600В
КЦ409Б 500В
КЦ409В 400В
КЦ409Г 300В
КЦ409Д,КЦ409Ж....200В
КЦ409Е,КЦ409И....100В
Средний выпрямленный ток па выходе; КЦ409А, КЦ409Б, КЦ409В, КЦ409Г, КЦ409Д, КЦ409Е....ЗА
КЦ409Ж, КЦ409И....6 А
Частота без снижения режимов 1 кТц
Температура" окружающей среды От 233 до 358 К
Зависимость среднего
прямого тока от темпе
ратуры.
КЦ410А, КЦ410Б, КЦ410В
параметрыпараметрыБлоки из кремниевых диффузионных диодов.
параметры
параметры
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Диоды в блоке собраны по однофазной мостовой схеме.
Масса блока не более 20 г.
Электрические
1,2 В10 мкА1,2 В10 мкАНапряжение короткого замыкания при токе короткого замыкания 1,5 А, не более
1,2 В
10 мкА
1,2 В
10 мкА
Средний обратный ток холостого хода при максимальном импульсном обратном напряжении холостою хода, не более
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение холостого хода: КЦ410А 50В
КЦ410Б ЮОВ
КЦ410В 200В
Средний выпрямленный ток при креплении прибора на печатную платубезтеплоотвода 3д
Средний прямой ток короткого замыкания 1,5А
Импульсный перегрузочный выпрямленный ток в течение
одного периода частотой 50 Гц с интервалом следования не менее 1ч 45 А
Температура окружающей средыОт233 до
358 К
1611616 под рсд Н. И. Горюнова
161
161
Зависимость среднего выпрямленного тока от температуры.Зависимость среднего выпрямленного тока от температуры.
Зависимость среднего выпрямленного тока от температуры.
Зависимость среднего выпрямленного тока от температуры.
КЦ412А, КЦ412Б, КЦ412В
Блоки из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Диоды в блоке собраны по однофазной мостовой схеме.
Масса блока не более 6 г.
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания при токе короткого замыкания 500 мА, не более 1.2В
Средний обратный ток холостого хода при максимальном импульсном обратном напряжении холостого хода, не более 50мкА
Предельные эксплуатационные данные
выпрямленного тока отвыпрямленного тока оттемпературы.температуры.Импульсное обратное напряжение холос
выпрямленного тока от
выпрямленного тока от
температуры.
температуры.
того хода:
КЦ412А50 В
КЦ412Б100В
КЦ412В 200В
Средний выпрямленныйток. 1 А
Импульсныйперегрузочныйвыпрям
ленный ток в течение одного периода частотой 50 Гц с интервалом следования не менее 1ч....15 А
Температура окружающей среды От 233 до 373 К
Раздел пятый
ДИОДЫ УНИВЕРСАЛЬНЫЕ И ИМПУЛЬСНЫЕ
Д18
Диод германиевый точечный.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Тип диода указывается на корпусе. Положительный вывод диода обозначается красной точкой, отрицательный — желтой
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр=20 мА, не более:
при 298 и 343 К 1В
при 213 К 1,2В
Импульсное прямое напряжение при /пр „ = 50 мА, не более 5,0В
Постоянный обратный ток при Z/o6p = 20 В, не более: при 213 и 298 К 50мкд
при 343 К150мкА
Время восстановления обратного сопротивления при 4р.и = 50 мА и f/o6p,„=10 В, не более0,1мкс
Время установления прямого сопротивления при /пр „ =
= 50 мА и (/обр,и = 3 В, не более ...... 0,08 мкс
Общая емкость диода при (/обр = 3 В, не более . . .0,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 20 В
Постоянныйили средний прямойток 16мд
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности более 450мА
Температураокружающей средыОт213
tfrcTc-.,.до 343 К
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 В
Зависимость прямого тока от напряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость прямого тока оттемпературы.
Зависимость прямого напряже-ния от температуры.
Зависимость времени восстанов-ления от напряжения.
Зависимость времени восста-новления от тока.
Зависимость прямого напряже-ния от тока.
Зависимости общей емкости от напряжения.
Д20
Диод германиевый точечный.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода указывается на корпусе. Утолщенная часть положительного вывода окрашивается красной краской, отрицательного - зеленой
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 20 мА, не
более 1,0В
Постоянный обратный ток при ГоВ|1 = 10 В, не более ЮОмкА
Прямое сопротивление при(/пр = 50мА, не более., .100Ом
Общая емкость диода приt/o6p = 3В, не более.. .0,5пФ
Выходное напряжение приработев качестве ВЧде
тектора на частоте /= 40 МГцпри UBX = 1В,не
менее 0,7В
Изменение выходного напряжения ВЧ детектора в диапазоне частот 30 — 40 МГц, не более 5“/
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 20В
Постоянный или средний прямой ток 16мА
Температура окружающей средыОт233
до 333 К
Зависимость прямого то-ка OI напряжения.Зависимость прямого то-ка OI напряжения.Зависимость обратного тока от напряжения.Зависимость обратного тока от напряжения.
Зависимость прямого то-ка OI напряжения.
Зависимость прямого то-ка OI напряжения.
Зависимость обратного тока от напряжения.
Зависимость обратного тока от напряжения.
Зависимость выходного напря- Зависимость обратного сопро- жения детектора от частоты.тивления от длительности им
пульса.
Д219А, Д220, Д220А, Д220Б
Диоды кремниевые микросплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с тибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,53 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не
более:
Д219А при298К 1,0В
при373К 1,1В
при 213 К 1,3В
Д220, Д220А, Д220Б при298К 1,5В
при373К 1,6В
при213К 1,75В
Постоянный обратный ток, не более:
Д219А, Д220А
при С^обр = 90 ®’ 298 К и 213 К 1мкА
при 373 К30мкА
Д220
при ^обр = 50 В, 298 К и 213 К ... .1 мкА
при 373 К20мкА
Д220Б
при Ц,бр = 100 В, 298 К и 213 К 1мкА
при 373 К40мкА
Импульсное прямое сопротивление при /,,р „- 50 мА, не более:
Д219А50Ом
Д220, Д220А, Д220Б75Ом
Общая емкость диода при Uo6p = 5 В, не более . . .15 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
4р,и = 30 мА- ^обр.и = 30 в> *0X04 = 400 мкА, не
более0.5мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при температуре от 213 до 373 К:
Д219А, Д220А 70 В
Д220 50 В
Д220Б ЮО В
Постоянный или средний прямой ток при температуре:
от 213 до 308 К50мА
при 373 К20мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс (без превышения среднего прямого тока) при 308 К500мА
Температура окружающей средыОт213 до
373 К
^пр, макс
дгюА дгго дггод дггов
т
мА
60
ЦО
го
О
313г 53393333 К
Зависимость максимально допустимого постоянного (среднего) прямого тока от температуры.
^ospД219А дгго дггол дггоб'313КVgSp^ospД219А дгго дггол дггоб'313КVgSpо го 40 60 80 Во го 40 60 80 ВЗависимость обратного тока отнапряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.
^osp
Д219А дгго дггол дггоб
'313К
VgSp
^osp
Д219А дгго дггол дггоб
'313К
VgSp
о го 40 60 80 В
о го 40 60 80 В
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Д310
Диод германиевый диффузионный.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,5 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 0,5 А, не более: при 298 К0.55В
при 213 К 0,7В
Импульсное прямое напряжение при /пр и = 0,8 А, ти = = 1 ч- 3 мкс, не более 2,4В
типовое значение . 0,9*В
Постоянный обратный ток. не более: при t/06P = 25 В30мкА
при Сгобр = 20 В. 213 К и 298 К20мкА
при 343 К150мкА
Общая емкость диода при Со6р = 20 В, не более . . .15 пФ
Время установления прямого сопротивления при /=
= 0,8 А, т„ = I 3 мкс. /= 3 -ь 6 кГц, не более ,”Р” . 0.15 мкс типовое значение 009* мк”
Время восстановления обратного сопротивления при /нр,и 0,5 А, СобР1 и 20 В, тн — I 3 мкс, f ™ = 3 -=- 10 кГц, не более мкс
типовое значение 009 * мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при
температуре от 213 до 343 К 20В
Аварийная перегрузка по обратному напряжению в течение не более 0,5 с при 298 К 35В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К 500мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс со скважностью не менее 8 и температуре от 213 до 343 К 800мА
Выпрямленный ток при температуре от 213 до 343 К 250мА
Аварийная перегрузка по прямому току в течение не более 0,5 с при 298 К 1500мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 298 К 275мВт
Температура окружающей средыОт213 до
343 К
Примечание. Допускается импульсный прямой ток до 1500 мА при ти < 5 мкс и среднем прямом токе не более 100 мА.
Зависимость прямого тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость общей емкости отнапряжения (заштрихована зо-на разброса графиков зависи-мости).
Д311, Д311А, Д311Б
Диоды германиевые мезадиффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 10 мА, нс более
Д311, Д311А при 298 и 343 К 0.4В
Д311Б при 298 К 0,5В
Д311, Д311А при 213 К 0,7В
Импульсное прямое напряжение при 7пр „ = 50 мА, не более:
Д311 1,25В
Д311А 1,0В
Д311Б 1.5В
Постоянный обратный ток при (/обр = 30 В, не более:
Д311, Д311А при 213 и 298 К и Д311Б при
298 К100мкА
Д311,Д311А при 343 К 1000мкА
Общая емкость диода при 77обр = 5 В, не более: Д3111,5пФ
Д311А3,0пФ
Д311Б2,0пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/Пр,и — 50 мА, По6ри — Ю В, 70ТСЧ = 1 мА, не более 0,05мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение ДЗН, Д311А при температуре от 213 до 343 К и Д311Б при температуре от 233 до 333 К . . . ,. .30 В
Постоянный или средний прямой ток при температуре ст 233 до 308 К:
Д31140мА
Д31 1А80мА
Д311Б при температуре от 233 до ЗЗЗК и Д311, Д311Апри 343 К20мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс (без превышения среднего прямого тока) при температуре от 213 до 308 К:
ДЗН 500мА
Д311А 600мА
Д311Б при температуре от 233 до 293 К и ДЗН при 343 К 250мА
Д311А при343 К 300мА
ДЗН при 333К 200мА
Температура окружающей среды:
ДЗН, Д311АОт 213 до
343 К
Д311Б От233
до 333 К
Температура перехода для ДЗН и ДЗНА 348к
Зависимость обратного тока от напряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимое 1ь общей емкости от напряжения.
Зависимость максимально допустимого постоянного (среднего) и импульсного прямого тока от температуры.
Зависимость времени восста-новления обратного сопротив-ления от прямою тока.
Зависимость максимально допусти-мого импульсного прямого токаот температуры.
См Важность
Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го тока от скважности.
Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го тока от скважности.
Д312, Д312А, Д312Б
Диоды германиевые диффузионные.
Выпускаются в мегаллостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0.6 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 10 мА, не более' Д312, Д312А, Д312Б при 298 К и Д312, Д312А
при 343 К 0,5В
Д312, Д312А при 213 К 1,0В
Импульсное прямое напряжение при 7пр „ = 50 мА, не более: Д312, Д312А' 1,25В
Д312Б. . . . 1,0В
Постоянный обратный ток не более:
Д312 при По6р = 100 В и Д312А при По6р = 75 В при 298 К и 213 КЮОмкА
при 343 К 500мкА
Д312Б при ^обр ~ 1^0 В10мкА
Общая емкость диода при (7о6р =5 В. не более . . .3 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр и = 50 мА, t/oSp „ = 10 В, 7ОТС,, = 1 мА, не более: Д312, Д312А .0.5 мкс
Д312Б0,7мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение:
Д312 при температуре от 213 до 343К....100В
Д312А при температуре от 213 до 343К....75В
Д312Б при температуре от 233 до 333К....100В
Постоянный или средний прямой ток:
Д312, Д312А при температуре от 213 до 308 К
и Д312Б при температуре от 233 до 293 К . . .50 мА
Д312, Д312А при 343 К и Д312Б при 333 К . . .20 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс (без превыше
ния среднего прямого тока):
Д312, Д312А при температуре от 213 до 308 К
и Д312Б при температуре от 233 до 293 К . . . . 500 мА
Д312, Д312А при 343 К и Д312Б при 333 К . . . 200 мА Температура окружающей среды:
Д312, Д312АОт213 до
343 К
Д312БОт233 до
333 К
Температура перехода для Д312, Д312А 348К
Зависимость прямого тока от на-пряжения.
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от прямого тока.
Зависимость обратного тока от напря-жения.Зависимость обратного тока от напря-жения.
Зависимость обратного тока от напря-жения.
Зависимость обратного тока от напря-жения.
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импуль-сного прямого тока.
Зависимость общей емкости от на-пряжения.
Зависимость максимально допустимого постоянного (среднего) и импульсного прямого тока от температуры.
Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го тока от скважности.
2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В, КД401А, КД401Б
Диоды кремниевые микросплавные. Предназначены для детектирования высокочастотных сигналов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,53 i.
60
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 5 мА для 2Д401А, КД401А, 2Д401В и 7пр = 10 мА для 2Д401Б, КД401Б, не более: при 298 К 1,0В
при 213 К для 2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В и при 218 К для КД401А, КД401Б 1,2В
Постоянный обратный ток при t/o6p = 17о6р макс, не более: при 298 К 5мкА
ПРИ Тмакс100мкА
Общая емкость диода при t/o6p = 5 В, не более:
2Д401А, 2Д401В, КД401А IпФ
2Д401Б, КД401Б 1,5пФ
Время восстановления обратного сопротивления при /пр = 10 мА, [/обр = 30 В, не более 2мкс
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение):
2Д401А, 2Д401Б, КД401А, КД401Б 7 5 В
2Д401В 100 В
Постоянный прямой ток:
от 213 (от 218 для КД401А, КД401Б) до 308 К . . .30 мА
при 373 К для КД401А, КД401Б 16мА
при 398 К для 2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В . . . .8 мА
Импульсный прямой ток:
от 213 (от 218 для КД401А, КД401Б) до 308 К . , .92 мА
при 373 К для КД401А, КД401Б50мА
при 398 К для 2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В . . . .25 мА
Отношение значения выпрямленного тока к значению выпрямленного тока на частоте 0.15 МГц при входном напряжении 1.5 В, не хуже:
на частоте 5 МГц при RH = 1 кОм
2Д401А. КД401А. 2Д401В . Л 04
2Д401Б. КД401Б‘0’5
на частоте 25 МГц при RH = 10 кОм
2Д401А. КД401А. 2Д401В 0 |5
2Д401Б, КД401Бq,5
на частоте 100 МГц при R„ = 100 кОм
2Д401А. КД401А. 2Д401В 0 ।
2Д401Б. КД401Б ОД
Частота без снижения режимово.15 МГц
Температура окружающей среды: 2Д401А. 2Д401Б. 2Д401ВОт213 до
398 К
КД401А, КД401БОт218 до
373 К
213253293333 К ИЗ 253293333 К213253293333 К ИЗ 253293333 КЗависимость прямою папряже-Зависимость прямою папряже-Зависимость обратного тока отЗависимость обратного тока отния о г температуры.ния о г температуры.температуры.температуры.
213253293333 К ИЗ 253293333 К
213253293333 К ИЗ 253293333 К
Зависимость прямою папряже-
Зависимость прямою папряже-
Зависимость обратного тока от
Зависимость обратного тока от
ния о г температуры.
ния о г температуры.
температуры.
температуры.
Зависимость выпрямленного го-ка от частоты.Зависимость выпрямленного го-ка от частоты.Зависимость общей емкости огнапряжения.Зависимость общей емкости огнапряжения.
Зависимость выпрямленного го-ка от частоты.
Зависимость выпрямленного го-ка от частоты.
Зависимость общей емкости огнапряжения.
Зависимость общей емкости огнапряжения.
Зависимость максимально до-пустимо! о прямого тока оттемпературы.Зависимость максимально до-пустимо! о прямого тока оттемпературы.Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го тока от температуры.Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го тока от температуры.
Зависимость максимально до-пустимо! о прямого тока оттемпературы.
Зависимость максимально до-пустимо! о прямого тока оттемпературы.
Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го тока от температуры.
Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го тока от температуры.
1Д402А, 1Д402Б, ГД402А, ГД402Б
Диоды германиевые микросплавные. Предназначены для преобразователей высокочастотных сигналов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,21 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 15 мА, не более 0,45 В Дифференциальное сопротивление при 7лр = 15 мА, не более:
при 298 К 1Д402А,ГД402А4,5Ом
1Д402Б,ГД402Б6,0Ом
при 213 и 343 К 1Д402А,ГД402А6,0Ом
1Д402Б,ГД402Б8,0Ом
Постоянный обратный ток при Побр = 10 В до 298 К50 мкА
при 343 К 200 мкА
при По6р = 15 В и 298 К150 мкА
Общая емкость диода при £7о6р = 5 В, не более: 1Д402А, ГД402А0,8 пФ
1Д402Б, ГД402Б0,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 15В
Постоянный прямой ток: от 213 до 308 К30мА
при 343 К 20мА
Импульсный прямой ток (при среднем значении прямого тока не более ^пр,ср,макс ^ ^и Ю мкс), от 213 до 308 к100мА
при 343 К 50мА
Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от тока.Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от тока.Зависимость обратного тока oiнапряжения.Зависимость обратного тока oiнапряжения.
Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от тока.
Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от тока.
Зависимость обратного тока oiнапряжения.
Зависимость обратного тока oiнапряжения.
Зависимость максимально до-пустимого прямого тока оттемпературы.Зависимость максимально до-пустимого прямого тока оттемпературы.Зависимость дифференциально-го сопротивления от частоты.Зависимость дифференциально-го сопротивления от частоты.
Зависимость максимально до-пустимого прямого тока оттемпературы.
Зависимость максимально до-пустимого прямого тока оттемпературы.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от частоты.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от частоты.
Зависимость общей емкости от Зависимость значений реактив- напряжения.ной составляющей импеданса
от частоты.
ГД403А, ГД403Б, ГД403В
Диоды германиевые микросплавные. Предназначены для работы в качестве детекторов амплитудно-модулированных сигналов в радиовещательных приемниках.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянный прямой ток при 17пр = 0,5 В, не менее 5 мА Коэффициент передачи детектора в пределах:
ГД403АОт0,33 до
0.47
ГД403БОт0,4 до 0,56
ГД403В . ■От0,47 до
0,66
Входное сопротивление детектора в пределах: ГД403АOi15 до
30 кОм
ГД403БОт11 до
24 кОм
ГД403ВОт8 до
20 кОм
Предельные эксплуатационные данныеПредельные эксплуатационные данные
Предельные эксплуатационные данные
Предельные эксплуатационные данные
КД407А
Диод кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для применения в схемах высокочастотных детекторов.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0.3 г.
Электрнческне параметрыЭлектрнческне параметры
Электрнческне параметры
Электрнческне параметры
Постоянный обратный ток при (Уо5р = 24 В, не более:
при 298 К0,5мкА
при 373 К мкА
Общая емкое,ь диода при 170бр = 5 В, не более . . .1 пФ
Дифференциальное сопротивление при /пр = 10 мА, /=
= 50300 МГц, не более 1qm
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при температуре от 213 до 373 К 24В
Постоянный или средний прямой ток при температуре: от 213 до 308 К 50мА
при 373 К25мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности, равной или
более 10, при температуре: от 213 до 308 К 500 мА
при 373 К 250 мА
Температура окружающей средыОт213 до
373 К
Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от пря-мого тока.Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от пря-мого тока.Зависимость дифференциального со-противления от температуры.Зависимость дифференциального со-противления от температуры.
Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от пря-мого тока.
Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от пря-мого тока.
Зависимость дифференциального со-противления от температуры.
Зависимость дифференциального со-противления от температуры.
Зависимость заряда переключения от прямого тока.Зависимость заряда переключения от прямого тока.
Зависимость заряда переключения от прямого тока.
Зависимость заряда переключения от прямого тока.
Зависимость максимально допустимого постоянного (среднего) и импульсного тока от температуры.
КД409А
Диод кремниевый эпитаксиальный. Предназначен для использования в селекторах телевизионных каналов и схемах высокочастотных детекторов.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Диод маркируется на корпусе желтой точкой.
Масса диода не более 0,16 г.
Электрические параметры
Постоянный обратный ток при С7обр = 24 В, не более:
при 298 К0,5мкА
при 373 К10 мкА
Обшая емкость диода при Т'О6Р = 15 В, не более . . .2 пФ
Дифференциальное сопротивление при /пр = 10 мА, / =
= 50 -ь 1000 МГц, не более 1Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при температуре от 213 до 373 К 24 В
Постоянный или средний прямой ток при температуре: от 213 до 308 К 50 мА
при 373 К25 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности, большей или равной 10, при температуре:
от 213 до 308 К 500мА
при 373 К 250 мА
Температура окружающей средыОт 213 до
373 К
от напряжения.го постоянного или среднего и имот напряжения.го постоянного или среднего и им
от напряжения.го постоянного или среднего и им
от напряжения.го постоянного или среднего и им
Зависимость дифференциаль- Зависимость дифференциального со- ного сопротивления от пря- противления от температуры, мого тока.
пульсного прямого тока от темпе-ратуры.
2Д413А, 2Д413Б, КД413А, КД413Б
Диоды кремниевые эпитаксиальные со структурой типа p-i-n. Предназначены для применения в качестве управляемых высокочастотных резистивных элементов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветными точками у положительного вывода: 2Д413А — зеленой. 2Д41 ЗБ — зеленой и красной. КД41 ЗА — белой, КД413Б — белой н красной.
Масса диода не более 0,035 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 20 мА. не более: 2Д413А, 2Д413Б при 298 и 398 К и КД413А. КД413Б
при 298 К 1.0 В
2Д413А, 2Д413Б при 213 К 1.2 В
Дифференциальное сопротивление при /пр = 2 мА на
частоте 50 МГц: 2Д413А, КД413А 30-48*-
60 Ом
2Д413Б, КД413Б 40-62*-
80 Ом
Заряд переключения при /пр = 2 мА, (70бр = 10 В . . . 2 — 2,5* —
3,8* нКл
Общая емкость диода при По6р = 0, не более . . .0,7 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное импульсное обратное напряжение для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД413Б-ОТ 213 до 353 К ... .24 В
Постоянный или средний прямой ток для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД413Б-от 213 до 353 К20мА
Рассеиваемая мощность для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД413Б — от 213 до 353 К20мВт
Температура окружающей среды: 2Д413А, 2Д413БОт213 до
398 К
КД413А, КД413БОт213 до
353 К
Температура перехода для 2Д413А, 2Д413Б 403К
Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока для образцов диодов с гл = 30 Ом (/), 40 Ом (2), 60 Ом (3), 80 Ом (4) при /пр = 2 мА.
Зависимость заряда переключения от прямого тока.Зависимость заряда переключения от прямого тока.Зависимость общей емкостиот напряжения.
Зависимость заряда переключения от прямого тока.
Зависимость заряда переключения от прямого тока.
от частоты.от частоты.2Д502А, 2Д502Б, ДД502В, 2Д502Г
от частоты.
от частоты.
Диоды кремниевые микро- сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном малогабаритном корпусе. Тип диода указывается на упаковке. С отрицательным электродом диода соединен приваренный вывод.
Масса диода не более 0.05 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение для 2Д502А, 2Д5О2В при /пр = 10 мА и 2Д5О2Б, 2Д5О2Г при /пр = 50 мА, не более 1,0 В
Импульсное прямое напряжение при /пр и = 50 мА, не более: 2Д502А, 2Д502В' 3,5 В
2Д502Б, 2Д502Г 2,5В
Постоянный обратный ток при С05р = Cogp макс, не более: от 213 до 298 К5мкА
при 358 К
2Д502А, 2Д502Б25мкА
2Д502В, 2Д502Г40мкА
Время восстановления обратного сопротивления при ^обр = 30 В, /пр = 30 мА. не более0,5мкс
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение:
2Д502А, 2Д502Б 30 В
2Д502В, 2Д502Г 100 В
Средний прямой ток:
от 213 до 298 К 20мА
при 358 К 10мА
Импульсный прямой ток 300мА
Температура окружающей средыОт 213 до
358 К
Примечания: 1. После монтажа на микроплату диоды заливаются эмалью ЭП-274Т.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса, температура корпуса при пайке не выше 353 К.
Изгиб выводов диода не допускается.
Зависимость прямого тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока от напряжения.
2ДМ502А-М, 2ДМ502Б-М, 2ДМ502В-М, 2ДМ502Г-М
Диоды кремниевые микро- сплавные. Предназначены для применения в заливных и капсулированных микромодулях.
Выпускаются на керамических платах с распайкой к пазам 1-6, 1 — 4 или 2 — 5. Тип диода приводится на микроплате. Положительный электрод диода соединен с пазами I или 2.
Масса диода с микроплатой не более 0.4 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение для 2ДМ502А. 2ДМ502В при /пр = 10 мА и 2ДМ502Б, 2ДМ502Г при /пр =
= 50 мА, не более ]g
Импульсное прямое напряжение при /пр „ = 50 мА, не более- 2ДМ502А, 2ДМ502Вi у g
2ДМ502Б, 2ДМ502Г 2’5В
Постоянный обратный ток при 1/обр = {/о6р макс-. от 213 до 298 К 5мкд
при 358 К
2ДМ502А, 2ДМ502Б2 5мкА
2ДМ502В, 2ДМ502Г40мкА
Время восстановления обратного сопротивления при ^обр = 30 В, Z„p = 30 мА, не более0,5мкс
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение:
2ДМ502А, 2ДМ502Б 30 В
2ДМ502В, 2ДМ5О2Г 100 В
Средний прямой ток:
до 298 К20мА
при 358 К 10мА
Импульсный прямойток 300мА
Температура окружающей средыОт213 до
358 К
Примечание. Температура пайки пазов микроплаты 513 К в течение не более 1 с.
Зависимость прямого токаот напряжения.Зависимость прямого токаот напряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость прямого токаот напряжения.
Зависимость прямого токаот напряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Зависимость общей емкости от напряжения.
2Д503А, 2Д503Б, КД503А, КД503Б
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА:
2Д5ОЗА и КД503А при 298 К * _
6.8* -
1,0 В 2Д5ОЗБ и КД5ОЗБ при 298 К0.7*-
0.85* -
1,2 В 2Д503А при 213К и 398 К, не более....1,4 В
2Д5ОЗБ при 213К и 398 К, не более....1,6 В
Импульсное прямое напряжение* при /пр „ = 50 мА:
2Д5ОЗА, КД5ОЗА 1,53 * - 1 75 *-2 5 В
2Д503Б, КД5ОЗБ 1,1 *-L8 *-3,5 В
Постоянный обратный ток при [/^ = 30 В, не более:’
2Д503А, 2Д503Б при температуре от 213 до 298 К 4 мкА
2Д503А, 2Д503Б при 398 К мкА
КД503А. КД5ОЗБ при температуре от 233 до 343 К 10 мкА
Заряд переключения при /пр = 10 мА, 1/о6 „ = 10 В для 2Д503А, 2Д503Б'25*- 30*-
120 пКл
Общая емкость диода при Побр = 0:
2Д503А, КД5ОЗА1,45 * - 1,5 * - 5 пФ
2Д503Б, КД503Б1.22*-1,4 *-2.5 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
^пр. и — Ю мА. t/ogp „10 В, /отсч — 2 мА, не более 10 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение для
2Д5ОЗА, 2Д503Б при температуре от 213 до 398 К, для КД5ОЗА, КД5ОЗБ при температуре от 233 до 343 К 30 В
Постоянный или средний прямой ток:
2Д5ОЗА, 2Д5ОЗБ при температуре от 213 до 308 К
и КД5ОЗА, КД5ОЗБ при температуре от 233 до 298 К 20 мА
КД5ОЗА, КД5ОЗБ при 343 К 15мА
2Д503А, 2Д503Б при 398 К 10мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс со скваж
ностью не менее 10:
2Д503А, 2Д5ОЗБ при температуре от 213 до 308 К
и КД5ОЗА, КД5ОЗБ при температуре от 233 до 298 К 200 мА
КД503А. КД5ОЗБ при 343 К150мА
2Д5ОЗА, 2Д503Б при 398 К100мА
Температура окружающей среды: 2Д503А, 2Д5ОЗБОт213 до
398 К
Зависимость прямого импуль-Зависимость общей емкости
сного напряжения от импуль-от напряжения,
сного тока.
Зависимость времени восста-новления обратного сопротив-ления от прямого тока.Зависимость времени восста-новления обратного сопротив-ления от прямого тока.Зависимость максимально до.пустимого импульсного прямоio гока от длительности им.пульса.Зависимость максимально до.пустимого импульсного прямоio гока от длительности им.пульса.
Зависимость времени восста-новления обратного сопротив-ления от прямого тока.
Зависимость времени восста-новления обратного сопротив-ления от прямого тока.
Зависимость максимально до.пустимого импульсного прямоio гока от длительности им.пульса.
Зависимость максимально до.пустимого импульсного прямоio гока от длительности им.пульса.
Зависимость максимально допустимого постоянного (среднего) и импульсного прямых токов от температуры.
2Д504А, КД504А
Диоды кремниевые микросплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /лр = 100 мА, не более:
2Д504А, КД504А при 298 К и 2Д504А при 398 К 1,2 В
2Д504А при 213 К и КД504А при 23 3 К 1Д В
Импульсное прямое напряжение при /лр „ = 500 мА, не более, 2Д504А при 298 К 2 0В
Постоянный обратный ток при С'о6р = 40 В, не более:
2Д504А, КД504А при 298 К и 2Д504А при 213 К 2 мкА
2Д504А при 398 К и КД504А при 373 К . . . , Ю0 мкА
Заряд переключения, не более:
2Д504А, КД504А при /пр = 300 мА, 0^ = 30 В 1,5-10^ Кл
2Д504А при /лр = 500 мА, Собр = 30 В1■ 10 » Кл
Общая емкость диода при U^p = 5 В, не более20пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение для 2Д504А при температуре от 213 до 398 К и для КД504А при температуре от 213 до 373 К 40 В
Постоянный прямой ток для 2Д504А при температуре: от 213 до 308 К 300 мА
при 398 К100 мА
Средний прямой ток для КД504А при т„ = 10 мкс и амплитуде импульса 2 А:
при 308 К160 мА
при 373 К80 мА
Средний выпрямленный или прямой ток для КД504А при ти < 10 мкс, амплитуде импульса 1,5 А и т„ > 10 мкс, амплитуде импульса 1,0 А при температуре:
от 213 до 308 К 240 мА
при 373 К80 мА
Импульсный прямой ток для 2Д504А при среднем токе
300 мА при 298 К и 100 мА при 398 К:
при ти = 10 мкс■ 1,5 А
при тн > 10 мкс 1,0 А
Импульсный прямой ток для 2Д504А при среднем токе
160 мА при 298 К и 80 мА при 398 К при ти = 10 мкс 2 А
Аварийная перегрузка для КД504А при однократном
импульсе тока длительностью 0,5 с и при 298 К 1 А
Температура окружающей среды: 2Д504АОт213 до
398 К
Зависимость общей емкости от напряжения.
Зависимость прямого импуль-сного напряжения от импуль-сного тока.
Зависимое гь заряда переключения от обратного напряжения.
Зависимость времени Boccia-новления обратного сопротив-ления от обратного напряже-ния.
1Д507А, ГД507А
Диоды германиевые микросплавные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 5 мА, не более: 1Д507А при 298 и 343 К и ГД507А при 298 и
313 К 0,5В
1Д507А при213КиГД507Апри 233 К 0,7В
1Д507А при/пр=20мАи298К 0,8В
Импульсное прямое напряжение при /пр „ = 50 мА, не более: 1Д507А 3,5В
ГД507А 4,0В
Постоянный обратный ток при U^ = 20 В, не более:
1Д507А при 213 и 298 К и ГД5О7А при 298 К 50 мкА
1Д507А при 343 К 300 мкА
Общая емкость диода при Z7o6p = 5 В, не более . . . .0,8 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
4р,и=Ю мА, С7обр-И = 20 В, /отсч = 1 мА, не более 0,1 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение . . . .20 В
Импульсное обратное напряжение при скважности не менее 4 для 1Д507А при ти < 5 мкс и ГД507А при тн < 2 мкс 30В
Постоянный или средний прямой ток 16мд
Постоянный или средний прямой ток при снижении обратного напряжения до 12 В35мд
Импульсный прямой ток (без превышения среднего прямого г ока):
1Д507А при т„ < 1 мкс 200мА
ГД507А при ти С 10 мкс100мА
Температуры окружающей среды: 1Д507АОт213 до
343 К ГД507АОт233 до
333 к
1931937 под ред. Н. Н Горюнова
193
193
82,01,51,00,5О82,01,51,00,5О10 20 30 40 50 мА10 20 30 40 50 мАЗависимость обратного тока от температуры.Зависимость обратного тока от температуры.Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импуль-сного тока.Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импуль-сного тока.
82,0
1,5
1,0
0,5
О
82,0
1,5
1,0
0,5
О
10 20 30 40 50 мА
10 20 30 40 50 мА
Зависимость обратного тока от температуры.
Зависимость обратного тока от температуры.
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импуль-сного тока.
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импуль-сного тока.
Зависимость общей емкости отЗависимость времени воссча-
наиряжсния.новления обратного сопро
тивления oi прямого тока.
Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса.
1Д508А, ГД508А, ГД508Б
Диоды германиевые микросплавные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметрь!
Постоянное прямое напряжение, не более: при /пр = 1 мА для 1Д5О8А 0,4 В
при /пр = 10 мА для 1Д508А при 343 К и ГД508А при 298 и 328 К 0,7 В
ГД508Б при 298 и 328 К0,65 В
1Д508А при 213 К 0,9 В
Импульсное прямое напряжение для 1Д508А при /пр,я = 30 мА и ГД508А, ГД508Б при /лрн=12 мА, не более 1,5 В
Постоянный обратный ток при {7о6р = 8 В, не более: 1Д508Апри213и 298 К и ГД508А при 298 К 60мкА
ГД508Бпри298К100мкА
1Д508А при 343 К и ГД508А при 32 8 К150 мкА
ГД5О8Бпри328К 200мкА
1Д508Априt/o6p = 5 В20*мкА
Заряд переключения при /пр = 10 мА, £7обр и = 5 В, не более20 пКл
Общая емкость диода при (/обР = 0,5 В, не более . . . . 0,75 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 8В
Импульсное обратное напряжение при ти < 5 мкс и скважности не менее 4 10В
Постоянный или средний прямой ток 10мА
Импульсный прямой гок при т„ < 10 мкс (без превышения среднего прямого тока)30мА
Температура окружающей среды: 1Д508АОт213 до
343 К
ГД508А, ГД508БОт23 3 до
328 К
Температура перехода для 1Д508А 343к
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Зависимость обратного тока оттемпературы.
Зависимость обшей емкости отнапряжения.
Зависимость заряда переключе-ния от прямого тока.
2Д509А, КД509А
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,25 г.
Постоянное прямое напряжение при /1|р = 100 мА, не более:
2Д509А, КД509А при 298 К и 2Д509А при 398 К 1.1 В
2Д509А при 213 К и КД509А при 218 К 1,5 В
Постоянный обратный ток при Uo6p = 50 В, не более:
2Д509А, КД509А при 298 К и 2Д509А при 213 К 5 мкА
2Д509А при 398 К и КД509А при 358 К100 мкА
400 пКл4,0 пФ4,0 нс400 пКл4,0 пФ4,0 нсЗаряд переключения при /пр = 50 мА, (7об.и = 10 В для 2Д509А, не более
400 пКл
4,0 пФ
4,0 нс
400 пКл
4,0 пФ
4,0 нс
Общая емкость диода при Собр = 0 для 2Д509а‘
не более
Время восстановления обратного сопротивления при /пр = Ю мА, t/o6p „ = Ю В, /отсч = 2 мА для 2Д509А, не более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение для 2Д509А при температуре от 213 до 398 К ,50 В
Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скважности не менее 10 для 2Д509А при температуре от 213 до 398 К и КД509А при температуре от 218 до
358 к 70В
Постоянный или средний прямой ток:
2Д509А при температуре от 213 до 32 3 К и КД509А
при 298 К100 мА
2Д509А при 398 К и КД509А при 358 К50мд
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс (без превышения среднего прямого тока):
2Д509А при температуре от 213 до 323 К и
КД509А при 298 К1500мА
2Д509А при 398 К и КД509А при 358 К500мА
Температура окружающей среды: 2Д509АОт213 до
КД 509АОт218 до
358 К
Температура перехода для 2Д509А 423к
Зависимость прямого тока отЗависимость прямого тока отЗависимость обратного тока отЗависимость обратного тока отнапряжения.напряжения.напряжения.напряжения.
Зависимость прямого тока от
Зависимость прямого тока от
Зависимость обратного тока от
Зависимость обратного тока от
напряжения.
напряжения.
напряжения.
напряжения.
Зависимость общей емкости отнапряжения.Зависимость общей емкости отнапряжения.Зависимость заряда переключе-Зависимость заряда переключе-Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го тока.А1,5Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го тока.А1,51,01,00,50,5ООТпр,и,ма.№Тпр,и,ма.№^1Д509А 213—ZZ3KКД 509 А■ 298К —^1Д509А 213—ZZ3KКД 509 А■ 298К —гд 509 А398 Кгд 509 А398 ККД 509 Л358 ККД 509 Л358 К2 9 6 810 го ЦОСкВажность2 9 6 810 го ЦОСкВажностьЗависимость максимально до-Зависимость максимально до-ния от прямого юка.
Зависимость общей емкости отнапряжения.
Зависимость общей емкости отнапряжения.
Зависимость заряда переключе-
Зависимость заряда переключе-
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го тока.
А
1,5
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го тока.
А
1,5
1,0
1,0
0,5
0,5
О
О
Тпр,и,ма.№
Тпр,и,ма.№
^1Д509А 213—ZZ3K
КД 509 А
■ 298К —
^1Д509А 213—ZZ3K
КД 509 А
■ 298К —
гд 509 А398 К
гд 509 А398 К
КД 509 Л
358 К
КД 509 Л
358 К
2 9 6 810 го ЦОСкВажность
2 9 6 810 го ЦОСкВажность
Зависимость максимально до-
Зависимость максимально до-
АZ,О
1,5
1,0
0,5
О
ю"610 5 1О'Ч1О~3 10~1 10-,С
пусчимого импульсного прямого тока от скважности.пусчимого импульсного прямого тока от скважности.Зависимость максимально допустимого ПОСТОЯННО! о (среднего) и импульсного прямых токов ог температуры.Зависимость максимально допустимого ПОСТОЯННО! о (среднего) и импульсного прямых токов ог температуры.Зависимость максимальнодопустимого прямого им-пульсного гока от длитель-ности импульса.
пусчимого импульсного прямого тока от скважности.
пусчимого импульсного прямого тока от скважности.
Зависимость максимально допустимого ПОСТОЯННО! о (среднего) и импульсного прямых токов ог температуры.
Зависимость максимально допустимого ПОСТОЯННО! о (среднего) и импульсного прямых токов ог температуры.
2Д510А, КД510А
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся иа корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 200 мА, не более:
2Д510А при 298 и 398 К и КД510А при 298
и 358 К 1,1 В
2Д510А, КД510А при 213 К 1,5В
Постоянный обратный ток при U^ = 50 В, не более: 2Д510А, КД510А при 298 и 213 К5 МКА
КД510А при358 К100мкА
2Д510А при398 К150мкА
Заряд переключения при /пр = 50 мА, С,обр,и=10 В, ие более 400пКл
Общая емкость диода при 1.’о6р = 0, не более . . . .4 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/Пр=10 мА, <7О6Р, и = Ю В, /отсч = 2 мА для 2Д510А, не более 4 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и периодичности) для 2Д510А при температуре от 213 до 393 К и КД510А при температуре от 213 до 358 К 50В
Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скважности не менее 10 для 2Д510А при температуре от 213 до 393 К и КД510А при температуре от 213 до 358 К 70В
Постоянный или средний прямой ток:
2Д510А при температуре от 213 до 323 К и КД510А
при температуре от 213 до 298 К 200 мА
2Д510А при 393 К и КД510А при 358 К100 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс (без превы
шения среднего прямого тока):
2Д510А при температуре от 213 до 323 К и КД510А
при температуре от 213 до 358 К ...... . 1500 мА
2Д510А при 393 К 500 мА
Температура окружающей среды: 2Д510А . .'От 213 до
393 К
КД510АОт 213 до
358 К
Температура перехода для 2Д510А 393 К
Зависимость прямого токаот напряжения.
Зависимость обра:ного токаот напряжения.
Зависимость общей емкостиот напряжения.
Зависимость обратного токаот напряжения.
Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного тока.
Зависимость заряда переключения от прямого тока.
Зависимость максимально допустимого импульсного прямого гока о г длительности импульса.
Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го тока от скважности.
Зависимость максимально допустимого постоянного (среднего) и
импульсного прямых токов от температуры
ГД511А, ГД511Б, ГД511В
Диоды германиевые точечные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветными точками у положительного вывода: ГД511А — двумя голубыми. ГД511Б — голубой и желтой, ГД511В — голубой и оранжевой.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 5 мА, не более: при 298 К 0,6В
при 213 К 1,5В
Постоянный обратный ток при t/обр = 10 В, не более: при 298 К
ГД511А50 мкА
ГД511Б100мкА
ГД511В 200мкА
при 343 К
ГД511А 200мкА
ГД511Б 400мкА
ГД511В 600мкА
Заряд переключения при /пр = 10 мА, <7о6р „ = 10 В, не более: ГД511А, ГД511В’.100пКл
ГД511Б40пКл
Общая емкость диода при Uo6p = 5 В, не более . . . .1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 12 В
Средний прямой ток 15 мА
Импульсный прямой ток50 мА
Температура окружающей средыОт213 до
343 К
Зависимость прямого напряже- Зависимость обратного тока от ния от температуры.температуры.
КД512А
Диод кремниевый эпитаксиально-планарный.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА, не более:
при 298 К 1g
при 233 К 1,5 В
Постоянный обратный ток прн <7обр = 15 В, не более: при 298 К 5 мкА
при 358 К мкА
Заряд переключения при /пр = 10 мА, По6р = 10 В, не более пКл
Общая емкость диода при £/обр = 5 В, не более 1 пф
Время восстановления обратного сопротивления при
Лр,и = Ю MyV ^'обр.и = Ю В, ^ото = 2 мА, не более 1 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 233 до 373 К ]5в
Постоянный или средний прямой ток: при 233 и 308 К20мА
при 373 К 10мА
200 мА100 мА200 мА100 мАИмпульсный прямой ток при ти < 10 мкс: при 233 и 308 К . . . . при 373 К
200 мА
100 мА
200 мА
100 мА
Температура окружающей среды
Зависимое гьчения отЗависимое гьчения отзаряда переклю- прямого тока.заряда переклю- прямого тока.Зависимость общей емкости от напряжения.
Зависимое гьчения от
Зависимое гьчения от
заряда переклю- прямого тока.
заряда переклю- прямого тока.
Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного прямых токов от температуры.
КД513А
Диод кремниевый эпитаксиальнопланарный.
Выпускается в пластмассовом корпусе. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,11 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при Znp = 100 мА, не более: при 298 и 358 К 1,1 В
при 213 К 1,5 В
Постоянный обратный ток при 1/обр = 50 В, не более: при 298 и 213 К5 мкА
при 358 К100 мкА
Заряд переключения при Znp = 50 мА, <7^ и = 10 В, не более 40 пКл
Общая емкость диода при С'о6р = 0, не более . , . .4 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
Лр = 10 мА, С/Обр.и= 10 В, не более 4нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 50В
Импульсное обратное напряжение при ти = 2 мкс и скважности не менее 10 70В
Постоянный или средний прямой ток при температуре: от 213 до 308 К 100мА
при 358 К50мА
Импульсный прямой ток при ти = 10 мкс и скважности не менее 20 без превышения среднего тока при тем
пературе:
от 213 до 308 К 1 5 А
при 358 К'о’5 А
Температура окружающей средыОт 218 до
358 К
Зависимость общей ем-кости от напряжения.Зависимость общей ем-кости от напряжения.тока.тока.
Зависимость общей ем-кости от напряжения.
Зависимость общей ем-кости от напряжения.
тока.
тока.
1001000
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от прямого
Зависимость максимально допустимогосреднего и импульсного прямых токовот температуры.
Зависимость заряда переключения отпрямого тока.
КД514А
Диод кремниевый эпитаксиально-планарный.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,35 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА, не более: при 293 К 1,0 В
при 233 и 343 К 1,5 В
Постоянный обратный ток при С/Обр = 6 В и температуре от 233 до 343 К, не более5 мкА
Общая емкость диода при (70бР = 0, не более . . .0,9 пФ
Дифференциальное прямое сопротивление при /пр = 10 мА, не более 30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение . . ' 10 В
Постоянный прямой ток 10мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс при тем
пературе :
от 233 до 298 К50мА
при 343 К20мА
Температура окружающей средыОт233 до
373 К
Зависимость общей емкости от на-пряжения.Зависимость общей емкости от на-пряжения.
Зависимость общей емкости от на-пряжения.
Зависимость общей емкости от на-пряжения.
Зависимость дифференциального сопротивления от прямого юка.
Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от скважности.Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от скважности.Зависимость максимально допустимо-го импульсного прямого тока от тем-пературы.
Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от скважности.
Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от скважности.
КД518А
Диод кремниевый эпитаксиальнопланарный.
Выпускается в пластмассовом корпусе. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,11 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более:
при /пр = 1мА
при 298Ко,57В
при 358Ко,44В
при 213Ко,75В
при /пр = 100 мА
при 298 и 358 К 1,1В
при 213 К 1’5в
Температурный коэффициент прямого напряжения в диа
Предельные эксплуатационные данныеПостоянный или средний прямой ток:Предельные эксплуатационные данныеПостоянный или средний прямой ток:пазоне температур от 213 до 358 К 0,0022В/К
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный или средний прямой ток:
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный или средний прямой ток:
при 308 К100мА
при 358 К50мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и скважности не менее 20 без превышения среднего прямого тока:
при 308 К 1,5 А
при 358 К 0,5 А
Температура окружающей средыОт 213
до 358 К
Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного прямых токов от температуры.
КД519А, КД519Б
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветной точкой у положительного вывода: КД519А — белой, КД519Б — красной.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА, не более:
при 298 и 358 К 1,1 В
при 233 К 1,5 В
Постоянный обратный ток при t/ogp = 30 В, не более: при 233 и 298 К 5 мкА
при 358 К100 мкА
Заряд переключения при /пр = 50 мА, [/обр. и = Ю В, не более 400пКл
Общая емкость диода при [/ойр = 0, не более: для КД519А 4пФ
для КД519Б2,5пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 30В
Импульсное обратное напряжение при длительности им
пульса 2 мкс и скважности не менее 10 ... .40 В
Постоянный или средний прямой ток 30мд
Импульсный прямой ток при т„ = 10 мкс без превышения
среднего прямого тока 300мд
Температура окружающей среды qt233
до 358 К
Зависимость обшей емкости отнапряжения.Зависимость обшей емкости отнапряжения.
Зависимость обшей емкости отнапряжения.
Зависимость обшей емкости отнапряжения.
Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного тока.
Зависимость заряда переключенияЗависимость заряда переключенияСкбахностоСкбахностоот прямого тока.от прямого тока.
Зависимость заряда переключения
Зависимость заряда переключения
Скбахносто
Скбахносто
от прямого тока.
от прямого тока.
Зависимость допустимого прямого тока
максимально импульсного от скважности.
2Д520А, КД520А
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировку наносят на упаковочной таре. На корпусе у положительного вывода наносится желтая точка.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 1пр = 20 мА, не более: 2Д520А при 298 и 398 К, КД520А при 298 К . . .1.0 В
2Д520А, КД520А при 213 К 1,2 В
Постоянный обратный ток при Т/обр =15 В, не более:
2Д520А при 213 и 298 К и КД520А при 298 К. . . 1,0 мкА
КД520А при373К20мкА
2Д520А при398К25мкА
Заряд переключения при /пр = 10 мА, [/о6ри = 10 В, не более 100пКл
Общая емкость диода при <70бр = 5 В, не более . . . .3 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
7пр = 10 мА, 1/обр.н = 10 В, Z0TC4 = 1 мА для 2Д520А, не более10 * нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 15 В
Импульсное обратное напряжение 25 В
Постоянный или средний прямой ток20 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и скважности не менее 2,550 мА
Температура окружающей среды: 2Д520АОт 213
до 398 К
КД520АОт 213
до 373 К
Температура перехода для 2Д520А 403 К
Зависимость общей емкости oi напряжения.
Зависимость заряда переключе-ния oi прямого тока.
Зависимость импульсноюпрямого напряжения от им-пульсного юка.Зависимость импульсноюпрямого напряжения от им-пульсного юка.
Зависимость импульсноюпрямого напряжения от им-пульсного юка.
Зависимость импульсноюпрямого напряжения от им-пульсного юка.
Зависимость допустимого прямого тока
максимально импульсного от длительнос
ти импульса.
КД521А, КД521В, КД521Г
Диоды кремниевые эпитаксиально-плапарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются кольцевыми полосками (одной широкой и двумя узкими) на корпусе у положительного вывода: КД521А - полосы синего ueeta, КД521В - жел юг о. КД521Г - белого.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не более 1,0В
Постоянный обратный ток для КД521А при (7о6р =
= 75 В. КД521В при С'о6р = 50 В. КД521Г при (/обр =
= 30 В. не более1,0мкА
Заряд переключения при /|1р = 10 мА, 17обри = 10 В, 7О|СЧ = 1 МА, не более 200пКл
Общая емкоеib диода при {/о6р = 0, не более . . . .4пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр=10 мА, I о6р „ = 10 В, /ок.ч = 1 мА. не более 4нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: КД521А 75В
КД521В 50В
КД521Г 30В
Импульсное обратное напряжение: КД521А 100В
КД521В 75В
КД521Г 40В
Постоянный или средний прямой ток50 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс без превышения среднего прямого тока 500 мА
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
2Д522Б, КД522А, КД522Б
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются черными кольцевыми полосками на корпусе у положительного вывода: 2Д522Б — одним кольцом, КД522А — двумя кольцами, КД522Б — тремя кольцами.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /11р = 100 мА, не более:
2Д522Б при 298 и 398 К и КД522А, КД522Б при
298 К 1,1в
2Д522Б при213 К и КД522А, КД522Б при 218 К . . .1,5 В
Постоянный обратный ток, не более:
2Д522Б и КД522Б при Со6р = 50 В, 298 К и
2Д522Б приБобр = 50В,213К 5мкА
КД522А приL'O6p = 30В,298К2мкА
2Д522Б приСо6р = 50В.398К100мкА
КД522Б при 1/обр = 50 В и КД522А при Собр =
= 30 В, 358К50мкА
Заряд переключения при /|1р = 50 мА, 1/абр,и=10 В, 4тсч =2 мА, не более400 пКл
Общая емкость диода при С/о6р — О, ие более 4 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр = 10 мА, Собр.„ = 10 В, /отс., = 2 мА, не более , . .4 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2Д522Б при 213 и 398 К и КД522Б при 218 и
358 К 50 В
КД522А при 218 и 358 К jyв
Импульсное обратное напряжение при скважности не менее 10:
2Д522Бприти < 2 мкс и 213 — 398 К....75В
КД522Априти < 10 мкс и 218 — 358 К....40В
КД522Бприти < 10 мкс и 218 — 358К...60В
Средний прямой ток:
2Д522Б при 213 - 323 К и КД522А, КД522Б при
218 - 308 К100 мА
2Д522Б при 398 К и КД522А, КД522Б при 358 К . . .50 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс без превышения
среднего прямого тока:
2Д522Б при 213-323 К и КД522А. КД522Б при 218 —
308 К'1500 мА
2Д522Б при 398 К 500 мА
КД522А, КД522Б при 358 К850 мд
Температура окружающей среды: 2Д522БОт 213
до 398 К
КД522А, КД522БОт 218
до 358 К
Температура перехода: 2Д522Б 423 К
КД522А, КД522Б 398 К
Зависимость общей емкости отнапряжения.Зависимость общей емкости отнапряжения.Зависимость заряда переключе-ния от прямого тока.Зависимость заряда переключе-ния от прямого тока.мого напряжения от импуль-сного прямого тока.мого напряжения от импуль-сного прямого тока.Зависимость максимально до-пустимого импульсною прямо -io *ока от скважное!и.Зависимость максимально до-пустимого импульсною прямо -io *ока от скважное!и.
Зависимость общей емкости отнапряжения.
Зависимость общей емкости отнапряжения.
Зависимость заряда переключе-ния от прямого тока.
Зависимость заряда переключе-ния от прямого тока.
мого напряжения от импуль-сного прямого тока.
мого напряжения от импуль-сного прямого тока.
Зависимость максимально до-пустимого импульсною прямо -io *ока от скважное!и.
Зависимость максимально до-пустимого импульсною прямо -io *ока от скважное!и.
За виси мое ib максимально допустимою среднего и импульсной) пря-мых токов от температуры.
2Д524А, 2Д524Б, 2Д524В
Диоды кремниевые эпитаксиальные с накоплением заряда. Предназначены для использования в схемах формирователей импульсов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Диоды маркируются цветной точкой: 2Д524А - черной. 2Д524Б - зеленой. 2Д524В - желтой. Положительный вывод диода имеет диаметр 3,7 мм.
Масса диода не более 0.21 г.
Вывод 1Вывод 2Вывод 1Вывод 2
Вывод 1Вывод 2
Вывод 1Вывод 2
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 40 мА:
при 298 К0,85*—
0,9* —
1.0 В при 213 К, не более 1,5В
при 398 К. не более 1.0В
Постоянный обратный ток, не более: при 298 К и Uo6p = Ю В2,0мкА
при 213 К для 2Д524А при £/обр = 24 В, для 2Д524Б при Uo6p = 30 В, для 2Д524В при Uo6p = = 15 В20мкА
при 398 К для 2Д524А при По6р = 24 В. для 2Д524Б при t/o6p = 30 В, для 2Д524В при L'o6p = = 15 В 300мкА
Заряд переключения при /|1р = 10 мА,
^бр,„ = 10 В: 2Д524А 250-270*-300 пКл
2Д524Б, 2Д524В 300-330*-350 пКл
Общая емкость диода при С-’о6р = 0: 2Д524А 2* —2,5* —3 пФ
2Д524Б 1,5 *-1,9 *-2,5 пФ
2Д524В 2,5 *-3,3*-4 пФ
Емкость корпуса диода, не более . . . .0,3 пФ
Индуктивность корпуса диода, не более . • .0,7 нГн
Время выключения при /пр = 5 мА, Бобр и =
= 10 В:
2Д524А100 * — 130 * — 150 пс
2Д524Б 200 *-250*-300 пс
2Д524В 80*-85*- 100 пс
Эффективное время жизни неосновных носителей заряда:
2Д524А
2Д524Б. 2Д524В
Предельная частота, не менее
25 *-27 *-30 * нс
30 *-33 *-35* нс100* ГГц
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное импульсное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К:
2 Д524А
2Д524Б
2Д524В
Постоянный (средний) прямой ток при температуре: от 213 до 308 К
при 398 К
Импульсный прямой ток при ти ^ 10 мкс и скважности, равной или более 10, при температуре:
от 213 до 308 К . . . .
при 398 К
Импульсный обратный ток при скважности, равной или более 10:
2Д524А, 2Д524В
2Д524Б
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К
при 398 К
Температура окружающей среды. .
24 В
30 В
15 В
40 мА -
20 мА
400 мА
200 мА
600 мА1000 мА
200 мВт
50 мВтОт 213до 398 К
Примечание. Запрещается монтировать диоды в схему путем пайки или механическим способом при помощи цанг, транспортировать диоды не в стандартной упаковке, оставлять или перевозить радиотехнические устройства со вставленными в них диодами при наличии присоединенных к держателю диодов свободных проводников, которые могут принять на себя электрические заряды.
Зависимость общей емкости отнапряжения.
Зависимость заряда переключения от обратного напряжения.
Зависимость заряда переключе-ния от прямого тока.
Зависимость импульсного пря-мого тока от длительностиимпульса.
1пр,макс 1лр,и,ма.кс
мА 40
30
го
10
о
Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного пря-мых токов от температуры.
АД516А, АД516Б
Диоды арсенид-таллиевые эпитаксиально-планарные. Предназначены для использования в импульсных схемах наносекундного диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0.6 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 2 мА, не более при 298 и 373 К 1,5 В
при 213 К 1,8 В
Постоянный обратный ток при С'о6р = 10 В, не более: при температуре от 213 до 298 К 2 мкА
при 373 К100мкА
Заряд переключения при /пр = 5 мА, ^о6ри = Ю В, не более 5пКл
Общая емкость диода при Собр = 0. не более: АД516А0,5пФ
АД516Б0,35пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр = 5 мА, иобрй = 10 В, /отсч = 0,1 мА, не более . . .1 нс
Дифференциальное сопротивление при /пр = 2 мА, не более150 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 10 В
Постоянный или средний прямой ток:
при температуре от 213 до 308 К 2 мА
при 373 К 1 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности не менее 1000:
при температуре от 213 до 358 К . . . .30 мА
при 373 К 15 мА
Температура окружающей средыОт 213 до
373 К
Зависимость общей емкостиот напряжения.Зависимость общей емкостиот напряжения.
Зависимость общей емкостиот напряжения.
Зависимость общей емкостиот напряжения.
Зависимое |ь максимально допус-тимого импульсного прямого то-ка от длительности импульса.
Iпр, максIпр, максЗависимость максимально допустимого среднего и импульсного прямых токов от температурыЗависимость максимально допустимого среднего и импульсного прямых токов от температуры»2Л»2Л
Iпр, макс
Iпр, макс
Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного прямых токов от температуры
Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного прямых токов от температуры
»2Л
»2Л
Зависимость заряда пере-ключения от напряжения.
ЗА527А, ЗА527Б
Диоды арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки. Предназначены для использования в импульсных схемах пико- и наносекундного диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Диоды маркируются цветной точкой у положительною вывода: ЗА527А — желтой. ЗА527Б — двумя желтыми.
Масса диода не более 0.5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 2 мА. не
более:
при 298 и 358 К ЗА527А 1.0В
ЗА527Б 1.1в
при 213 К ЗА527Д 1.3В
ЗА527Б 1.4В
Постоянный обратный ток при С oBc = 9 В. не более: при 213 к 298 К2.0 мкА
при 358К20 мкА
Общая емкость диода при I о5р = 0. нс более: ЗА527А0.5 пФ
ЗА527Бо.З пФ
Дифференциальное сопротивление при 7пр = 2 мА. не более100* Ом
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, не более100* пс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 9В
Импульсный прямой ток при т:| < 10 мкс и частоте не
более 1 кГц при температуре: от 213 до 308 К30мА
при 358 К 15мА
Средний прямой ток при температуре: от 213 до 308 К 2мА
при 358 К 1мА
Импульсная рассеиваемая мощность при т„ < 1 мкс и скважности, равной или более 1000, при температуре от 213 до 358 К0,5мВт
Температура окружающей средыОт213
до 358 К
Примечание. Запрещается хранить диод без индивидуальной защитной упаковки.
Зависимость общей емкостиЗависимость общей емкостиот напряжения.от напряжения.Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от пря-мого тока.Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от пря-мого тока.
Зависимость общей емкости
Зависимость общей емкости
от напряжения.
от напряжения.
Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от пря-мого тока.
Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от пря-мого тока.
Зависимость максимально допус-тимого импульсного прямою токаот длительности импульса.Зависимость максимально допус-тимого импульсного прямою токаот длительности импульса.Зависимость максимально допусти-мого среднего и импульсногопрямых токов от температуры.Зависимость максимально допусти-мого среднего и импульсногопрямых токов от температуры.
Зависимость максимально допус-тимого импульсного прямою токаот длительности импульса.
Зависимость максимально допус-тимого импульсного прямою токаот длительности импульса.
Зависимость максимально допусти-мого среднего и импульсногопрямых токов от температуры.
Зависимость максимально допусти-мого среднего и импульсногопрямых токов от температуры.
ЗА529А, ЗА529Б
2,?2,?Диоды арсенид-таллиевые эпитаксиальные <с барьером Шоттки. Предназначены для использования в схемах преобразования импуль- ^ сных сигналов пико- и наносекундного диапа- е ' зона.
2,?
2,?
Выпускаются в металлокерамическом кор- L пусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на групповой таре. Положительный вывод имеет диаметр 3,7 мм.
Масса диода не более 0.1 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 2 мА, не более:
при 298 и 358 К ЗА529А 0,9В
ЗА529Б 1,0В
при 213 К ЗА529А 1,2В
ЗА529Б 1,3В
Постоянный обратный ток при Z70gp = 5 В, не более: при 213 и 298 К1,0 мкА
при 358 К*50 мкА
Общая емкость диода при Побр = 0 В, не более: ЗА529А0,4 пФ
ЗА529Б0.25 пФ
Дифференциальное сопротивление при /пр = 2 мА, не более70 * Ом
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, не более100* пс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 5В
Импульсное обратное напряжение при т„ Я 10 мкс и
частоте не более 1 кГц при температуре: от 213 до 308 К 7В
при 358 К 3,5В
Средний прямой ток при температуре: от 213 до 308 К 2мА
при 358 К 1мА
Импульсный прямой ток при ти 10 мкс и частоте
не более 1 кГц при температуре: от 213 до 308 К 5мА
при 358 К2,5мА
Импульсная рассеиваемая мощность при т„ 1 мкс, скважности 1000 и температуре от 213 до 358 К . . . 0,5 мВт
Температура окружающей среды от 213 до 358 К
Примечание. Запрещается хранить диод без индивидуальной защитной упаковки.
Зависимость обшей емкостиот напряжения.Зависимость обшей емкостиот напряжения.Зависимость максимально допусти-мого импульсного обрапюго на-пряжения от 1емпературы,Зависимость максимально допусти-мого импульсного обрапюго на-пряжения от 1емпературы,Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от пря-мою тока.Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от пря-мою тока.Зависимость максимально допус-шмого среднего и импульсногопрямых токов от температуры.
Зависимость обшей емкостиот напряжения.
Зависимость обшей емкостиот напряжения.
Зависимость максимально допусти-мого импульсного обрапюго на-пряжения от 1емпературы,
Зависимость максимально допусти-мого импульсного обрапюго на-пряжения от 1емпературы,
Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от пря-мою тока.
Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от пря-мою тока.
3A530A, ЗА530Б
9 3,79 3,7Диолы арсенид-i ал.шевые эпитаксиальные с барьером Шоттки. Предназначены для использования в схемах преобразования импульсных сигналов нико- и наносекундного диапазона.
9 3,7
9 3,7
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на групповой таре. Положительным вывод имеет диаметр 3,7 мм.
Масса диода tie более 0,2 1.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА, не более:
при 298 и 358 К
3A530A 1.0В
ЗА53ОБ 1.2В
при 213 К ЗА53ОА 1.3 В
ЗА53ОБ 1.5 В
Постоянный обратный ток при Со3р = 30 В, не более: при 213 и298 К 5 мкА
при 358 К20 мкА
Общая емкосчь диода при Lобр = 0. не более: ЗА530А1.0пФ
ЗА530Б0.75пФ
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, не более100*пс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 30 В
Постоянный или средний прямой ток при температуре: от 213 до 313 К 10 мА
при 358 К 5 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и скважности
не менее 1000 при температуре: от 213 до 313 К50 мА
при 358 К 17 мА
Температура окружающей средыОт 213
до 358 К
Примечания: 1. Допускается подавать па диод обратное
напряжение до 40 В при температуре от 213 до 313 К при условии, что через диод протекает обратный ток не более 5 мкА.
Зависимость общей емкое inЗависимость общей емкое inЗависимость максимально допусш-Зависимость максимально допусш-мотомотосреднею прямого тока о i темсреднею прямого тока о i температуры.пературы.от напряжения.от напряжения.Запрещается хранить диод без индивидуальной защитной упаковки.
Зависимость общей емкое in
Зависимость общей емкое in
Зависимость максимально допусш-
Зависимость максимально допусш-
мото
мото
среднею прямого тока о i тем
среднею прямого тока о i тем
пературы.
пературы.
от напряжения.
от напряжения.
Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-1о тока от температуры.
Раздел шестой
ДИОДНЫЕ СБОРКИ И МАТРИЦЫ
КДС111А, КДС111Б, КДС111В
Сборки из двух кремниевых мечадиффузнойных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Сборки маркируются цветной точкой : КДС1 11А — красной, КДС111Б — зеленой. КДС111В — желтой.
Масса сборки не более 0.3 г.
к даткдсмдкдстбк даткдсмдкдстб0,350,35
к даткдсмд
кдстб
к даткдсмд
кдстб
0,35
0,35
Электрические параметры(каждого диода)
Прямое напряжение при /пр = 100 мА, не более . . . .1.2 В
Обратный ток при Со6р = Со0р чакс, не более: при 298 К3,0мкА
при 358 К50мкА
Предельные эксплуатационные данные(каждого диода)
Постоянное обратное напряжение 300В
Постоянный (средний выпрямленный) ток:
до 328 К 200мА
при 358 К100мА
Импульсный прямой ток:
при ти < 10 мкс ЗА
при ти < 1 мс 1А
Частота без снижения режимов20кГц
Температура окружающей средыОт213 К
до 358 К
Зависимое i Е. дон\с iимогопрямого юга 0 1 1емпера-। \ ры
Зависимость допустимою перс- iрулонного импхльса прямого тока от длительности импульса
2ДС408А-1, 2ДС408Б-1, 2ДС408В-1, 2ДС408Г-1
Диодные сборки. состоящие каждая из четырех кремниевых планарно-диффузиониых диодов с раздельными выводами. Предназначены для использования в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием. Каждая сборка упаковывается в индивидуальную тару. Сборки маркируются цветной точкой на крышке индивидуальной тары: 2ДС408А-1 - красной. 2ДС4О8Б-! - синей. 2ДС408В-1 - зеленой. 2ДС408Г -: — черной.
Масса сборки не более 0.006 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пг = н.п, мА:
при 298 К0.5-0.73В
при 358 К. не менее0 34 В
при 213 К, не более 12В
2252258 под ред Н И Г ерк - чта
225
225
Постоянное прямое напряжение при /пр= 0,1 мА . . .0,73 — 0.8? В
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 1 мА. не более . . . 0,2 В
Разность прямых напряжений между диодами:
при Л1р= 0,05 а- 1 мА и 208 К, не более 2ДС408А-1 3мВ
2ДС408Б-1 10мВ
2ДС408В-1 5мВ
2ДС408Г-1 15мВ
при 7,]р= 1 мА и 358 К, не более 2ДС408А-1 бмВ
2ДС408Б-1 18мВ
2ДС408В-1 9мВ
2ДС408Г-1 27 мВ
при Др= 1 мА и 213 К не более 2ДС408А-17,5мВ
2ДС408Б-121,5мВ
2ДС408В-110,5мВ
2ДС408Г-132.0мВ
Постоянный обратный ток при Подр= 10 В. не более:
при 298 К
2ДС408А-1, 2ДС408Б-1.2ДС408В-1 10 нА
2ДС408Г-1100 нА
при 358 К
2ДС408А-1, 2ДС408Б-1,2ДС408.В-10.1 мкА
2ДС408Г-11,0 мкА
Ток учечки между катодами диодов и выводом подложки
при U = 20 В, не более 10 нА
Общая емкость диода при (л>бр = 0.5 В, не более . . .1,3 пФ
Emkocis между катодами соседних диодов при То5р = 0 В, не более2.5 пФ
Время восстановлен яя обратного сопротивления при
t'o6n „ = 5 В, /,р = 5 мА. пе более 40 нс
Температурный коэффициент разности прямых напряже
ний, нс более: 2ДС408Л-130мкВ К
2ДС408Б-1100мкВК
2ДС408В-150мкВ: К
2ДС408Г-1170мкВ К
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при температуре ог 213 до 358 К 12В
Постоянный прямой ток одного диода при температуре от 213 до 358 К 10мА
Импульсный прямой ток одного диода при длительности
импульса ти < 10 мкс при температуре от 213 до 358 К 100 мА
Постоянный суммарный прямой ток всех диодов сборки при температуре от 213 до 358 К
Температура окружающей среды
20 мАОт 213до 358 К20 мАОт 213до 358 КПримечание. Защитное покрытие сборок изготовлено из эмали ЭП-91 (ГОСТ 15943-70).
20 мА
От 213до 358 К
20 мА
От 213до 358 К
пряжения.пряжения.Зависимость обратною тока отнапряжения (при Т = 298 К).Зависимость обратною тока отнапряжения (при Т = 298 К).Зависимость обратного тока отнапряжения (при Т= 298 К).Зависимость обратного тока отнапряжения (при Т= 298 К).Зависимость времени восс,анов-ления обратного сопротивле-ния от прямого пока.Зависимость времени восс,анов-ления обратного сопротивле-ния от прямого пока.Зависимость времени восстановления образного сопротивления от импульсного обратного напряжения.Зависимость времени восстановления образного сопротивления от импульсного обратного напряжения.Зависимость прямо, о тока от на
пряжения.
пряжения.
Зависимость обратною тока отнапряжения (при Т = 298 К).
Зависимость обратною тока отнапряжения (при Т = 298 К).
Зависимость обратного тока отнапряжения (при Т= 298 К).
Зависимость обратного тока отнапряжения (при Т= 298 К).
Зависимость времени восс,анов-ления обратного сопротивле-ния от прямого пока.
Зависимость времени восс,анов-ления обратного сопротивле-ния от прямого пока.
Зависимость времени восстановления образного сопротивления от импульсного обратного напряжения.
Зависимость времени восстановления образного сопротивления от импульсного обратного напряжения.
ЗаВИсИМОС 1 Ь 'Х’рЛНО! оЗаВИсИМОС 1 Ь 'Х’рЛНО! оЗависимое i ь обра nioi»>: окаoi усмператхрыЗависимое i ь обра nioi»>: окаoi усмператхрытемпера г?ры.темпера г?ры.Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го тока от длительности им-ихльса.Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го тока от длительности им-ихльса.Зависимость тока утечки межд*.катодами диодов и базовых:выводом сборки от темпе-ратурыЗависимость тока утечки межд*.катодами диодов и базовых:выводом сборки от темпе-ратуры
ЗаВИсИМОС 1 Ь 'Х’рЛНО! о
ЗаВИсИМОС 1 Ь 'Х’рЛНО! о
Зависимое i ь обра nioi»>: ока
oi усмператхры
Зависимое i ь обра nioi»>: ока
oi усмператхры
темпера г?ры.
темпера г?ры.
Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го тока от длительности им-ихльса.
Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го тока от длительности им-ихльса.
Зависимость тока утечки межд*.катодами диодов и базовых:выводом сборки от темпе-ратуры
Зависимость тока утечки межд*.катодами диодов и базовых:выводом сборки от темпе-ратуры
2ДС413А-1, 2ДС413Б-1, 2ДС414А-1. 2ДС414Б-1,
2ДС415А-1,2ДС415Б-1. 2ДС415В-1.2ДС415Г-К
2ДС415ДЛ. 2ДС415Е-1. КДС413А, КДС413Б. КДС413В КДС414А, КДС414Б, КДС414В, КДС415А. КДС415Б.
КДС415В
Диодные сборки, состоящие каждая из десяти ДЖ'ЛЗ.А-; 2ДС413Б-1)и двенадцати (КДС413А. КДС413Б. КДС'4!ЗВ> кремниевы- п.чанарно-диффузионных диодов с общим катодом, тесяти (2ДС414А- 2ДС414Б-1) и двенадцати (КДС414А. КДС414Б. КДС414В1 диодов
с общим анолом. шсс iи (2ДС415A-L 2ДС415Б-1. КДС415А. КДС415Б, КДС415В). пяти 12ДС415В-1. 2ДС415Г-И и четырех (2ДС4!5Д-1, 2ДС415Е-1; изолированных анодов.
Предка тначсны для использования в дешифраторах, диодных функциональных дреобра зова гелях, умножительных схемах 1ерметичи- рованной апиарашры
Бх-кооп'<-ные ■ гибкими выводами и защитным покрытием.
Сборки ?2ДС41 ЗА-1. 2ДС413Б-1. КДС413А. КДС413Б. КДС413В. 2ДС414А-:. 2ДС4АБ-1. КДС4!4А. КДС414Б. КДС414В имею! 1рннад- вь'во ■ Выво i общего катода или общего анода — тринал- иатьш.УдСО'ЗАТ 2ДС415Б-1. 2ДС4)5В-1. 2ДСЙ5Г 1.
2ДС415Д-1 2ДС415Е-1. КДС415А. КДС415Б. КДС415В имеют две- наднать выводов Выводы анодов нечетные, выводы катодов - последующие четные.
Сборки хнаковываются ь индивидуальную iapy. на которую наносится обозначение 1 ипа. Выводы забракованных диодов сборок 2ДС4БЗА-1.2ДС413Б-1. 2ДС414А-1. 2ДС414Б-1. 2ДС415В-1, 2ДС415Г-1, 2ДС4ИД-1 2ДС415Е-1 отмечаются цветной меткой через контактные отверстия в индивидуальной tape.
Масса сборки - не более 0.02 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = I мА и 298 К' 0.6- О."7?
Разность прямых напряжений между диодами при одинаковом постоянном, токе в диапазоне значений от 0.1
до 1 мА., не более:
при 298 К
2ДС413А-1. 2ДС414А-1, 2ДС415А-1. 2ДС415Ы.
2ДС415Д-1. КДС413Л, КДС414А, КДС415А . . .5 мВ
2ДС413Б-1. 2ДС414Б-1. 2ДС415Б-1. 2ДС415Г-1.
2ДС415Е-1. КДС413Б. КДС414Б. КДС415Б . . . .15 мВ
КДС413В. КДС414В. КДС415В 20 мВ
при 213 и 373 К
2ДС413А-1, 2ДС414А-1. 2ДС415А-1. 2ДС415В-1,
2ДС415Д-1 10 мВ
2ДС413Б-1. 2ДС414Б-1. 2ДС415Б-1. 2ДС415Г-],
2ДС415Е-1 25 мВ
Постоянный обратный ток при Со6р = 10 В. не более:
при 213 и 298 К
2ДС413А-1. 2ДС4ИА-1. 2ДС415А-1. 2ДС415В-1.
2ДС415Д-1 . 0.025 мкА
при 298 К
КДС413А. КДС414А. КДС415А0.01 мкА.
при 213 и 298 К
2ДС413Б-1, 2ДС414Б-1, 2ДС415Б-1, 2ДС415Г-1.
2ДС415Е-10.1 мкА
при 373 К
2ДС413А-1. 2ДС414А-1. 2ДС415А-1. 2ДС415В-1.
2ДС415Д-11.5 мкА
при 373 К
2ДС413Б-1. 2ДС414Б-1. 2ДС415Б-1. 2ДС415Г-1.
2ДС415Е-12.0 мкА
Обыая емкость диода при Со6о = 0, не более . . . .3 пФ
Время восстановленпя обратно: о сопротивления при
/пр= 5 мА. с-обр= 10 В, /11ГСЧ = 1 мА. не более . . .40 нс
Сопротивление изоляции между изолированными диодами сборок 2ДС415А-1. 2ДС415Б-1. 2Д415В-1, 2ДС415Г-1, 2ДС415Д-1, 2ДС415Е-1 при напряжении 10 В. не менее 200МОм
Температурный коэффициент разности прямых напряжений при /1ГО= 0.1 м 1 мА, не более:
от 213 до 373 К50мкВ К
2ДС413А-1, 2ДС414А-1. 2ДС415А-1, 2ДС415В-1, 2ДС415Д-1 при темпера туре от 213 до 298 К . . .130 мкВК 2ДС413Б-1, 2ДС414Б-1. 2ДС415Б-1, 2ДС415Г-1.
2ДС415Е-1 при температуре от 298 до 373 К . . . 100 мкВ, К
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное Импульсное пульса т„Постоянный Постоянный ИмпульсныйПостоянное Импульсное пульса т„Постоянный Постоянный Импульсныйобратное напряжение обратное напряжение при длительности им-; 2 мкс и скважности не менее 10 , . .обратное напряжение обратное напряжение при длительности им-; 2 мкс и скважности не менее 10 , . .прямой (средний) ток одного диода . . . прямой (средний) ток всех диодов сборки прямой ток одного диода при длительности у 10 мкс и скважности не менее 10 . . . мощность всей сборкойокружающейсреды для 2ДС413А-1.2ДС414А-1,2ДС414Б-1.2ДС415А-1.2ДС415В-1.прямой (средний) ток одного диода . . . прямой (средний) ток всех диодов сборки прямой ток одного диода при длительности у 10 мкс и скважности не менее 10 . . . мощность всей сборкойокружающейсреды для 2ДС413А-1.2ДС414А-1,2ДС414Б-1.2ДС415А-1.2ДС415В-1.импульса т, Рассеиваемая Температура2ДС413Б-1.2ДС415Б-1. 2ДС415Е-1Температура перехода дляимпульса т, Рассеиваемая Температура2ДС413Б-1.2ДС415Б-1. 2ДС415Е-1Температура перехода для2ДС415Г-1,2ДС415Д-12ДС415Г-1,2ДС415Д-12ДС414Л-1,2ДС414Б-1,2ДС415В-1. 2ДС415Г-1. 2ДС415Д-1,2ДС414Л-1,2ДС414Б-1,2ДС415В-1. 2ДС415Г-1. 2ДС415Д-1,Температура КДС413Б, КДС415А.Температура КДС413Б, КДС415А.окружающейокружающей2ДС413А-1. 2ДС413Б-1.2ДС415А-1,2ДС415Б-1,2ДС415Е-1 . . . .для КДС413А.2ДС413А-1. 2ДС413Б-1.2ДС415А-1,2ДС415Б-1,2ДС415Е-1 . . . .для КДС413А.средысредыКДС413В, КДС414А.КДС413В, КДС414А.КДС415Б, КДС415ВКДС415Б, КДС415ВКДС414Б. КДС414В,КДС414Б. КДС414В,20 В30 В10 мА20 мА100 мА16 мВт20 В30 В10 мА20 мА100 мА16 мВтОт 21 3 до373 КОт 21 3 до373 К398 К398 КОт 213 до358 КОт 213 до358 К
Постоянное Импульсное пульса т„
Постоянный Постоянный Импульсный
Постоянное Импульсное пульса т„
Постоянный Постоянный Импульсный
обратное напряжение обратное напряжение при длительности им-
; 2 мкс и скважности не менее 10 , . .
обратное напряжение обратное напряжение при длительности им-
; 2 мкс и скважности не менее 10 , . .
прямой (средний) ток одного диода . . . прямой (средний) ток всех диодов сборки прямой ток одного диода при длительности у 10 мкс и скважности не менее 10 . . . мощность всей сборкой
окружающейсреды для 2ДС413А-1.
2ДС414А-1,2ДС414Б-1.2ДС415А-1.
2ДС415В-1.
прямой (средний) ток одного диода . . . прямой (средний) ток всех диодов сборки прямой ток одного диода при длительности у 10 мкс и скважности не менее 10 . . . мощность всей сборкой
окружающейсреды для 2ДС413А-1.
2ДС414А-1,2ДС414Б-1.2ДС415А-1.
2ДС415В-1.
импульса т, Рассеиваемая Температура
2ДС413Б-1.
2ДС415Б-1. 2ДС415Е-1
Температура перехода для
импульса т, Рассеиваемая Температура
2ДС413Б-1.
2ДС415Б-1. 2ДС415Е-1
Температура перехода для
2ДС415Г-1,2ДС415Д-1
2ДС415Г-1,2ДС415Д-1
2ДС414Л-1,2ДС414Б-1,
2ДС415В-1. 2ДС415Г-1. 2ДС415Д-1,
2ДС414Л-1,2ДС414Б-1,
2ДС415В-1. 2ДС415Г-1. 2ДС415Д-1,
Температура КДС413Б, КДС415А.
Температура КДС413Б, КДС415А.
окружающей
окружающей
2ДС413А-1. 2ДС413Б-1.
2ДС415А-1,2ДС415Б-1,
2ДС415Е-1 . . . .
для КДС413А.
2ДС413А-1. 2ДС413Б-1.
2ДС415А-1,2ДС415Б-1,
2ДС415Е-1 . . . .
для КДС413А.
среды
среды
КДС413В, КДС414А.
КДС413В, КДС414А.
КДС415Б, КДС415В
КДС415Б, КДС415В
КДС414Б. КДС414В,
КДС414Б. КДС414В,
20 В
30 В
10 мА
20 мА
100 мА
16 мВт
20 В
30 В
10 мА
20 мА
100 мА
16 мВт
От 21 3 до373 К
От 21 3 до373 К
398 К
398 К
От 213 до358 К
От 213 до358 К
Примечания: 1. Защитное покрытие сборки изготовлено из эмали ЭП-91 (ГОС! 15943-70).
Запрещаются изгиб выводов ближе 0,3 мм от места выхода из защитного покрытия, соприкосновение выводов и граней кристалла сборки и перегиб вывода на инструменте с острыми краями. Рекомендуется обрывать выводы у неиспользуемых и забракованных диодов после установки сборки на плату без нарушения защитного покрытия.
При установке сборки на теплоотвод должно обеспечиваться тепловое сопротивление переход - среда нс более 3 К/мВт.
Зависимость разности прямых напряжений па диодах (даны тоныразброса) от температуры.
Зависи м^'С u ра-жы прямых нл.ряжении на ысдо. i.ubhi v н-pa н~роса ' oj (смперагхрь/
4811 16 ЮмА4811 16 ЮмА
4811 16 ЮмА
4811 16 ЮмА
Зависимость (даны зоныЗависимость (даны зоныобшей емкое; и разброса) Of напряженияобшей емкое; и разброса) Of напряженияЗависимость времени восстап^а- тения обратного сопригивдениа (даны зоны разброса) oi прс- мо) о тока
Зависимость (даны зоны
Зависимость (даны зоны
обшей емкое; и разброса) Of напряжения
обшей емкое; и разброса) Of напряжения
2ДС523А, 2ДС523Б. 2ДС523В. 2ДС523Г, КДС523А.КДС523Б, КДС523В. КДС523Г
Диодные сборки, ечкютшше каждая hi дву\ 12ДС523А 2Д<52.Ч. КДС523Л. КДС523Ь| и чс1ырс\ (2ДС523В2ДС523Г лДСЗЗЗВ
КДС523Г) кпемнаевык п ;aiiapiio- япивксладьиы', .шод.-н ,>а , и - ными выводами.
Выпусканием в чдастмассовом корпусе с гибкими выводам' С «Зорки 2ДС523А. 2ДС523В. КДС523 -3. КДС523В маркит к-, сч иве пой ючкой ни корпусе. У’ сборок 2ДС523Б. 2ДС^23Г. КД( '2 Ь КДС?23Г пвегпая тчка oicyreiByei
Масси сборок 2ДС523А. 2ДС523Б. КДС523А. КДС523Б не бшл 0.12 г. 2ДС523В. 2ДС523Г. КДС523В. КДС523Г - не более 0.24 :
2 оОо ’7 о[>|□ Ч2ДС523А, 2ДС5236КДС523А, КДС523Б2 оОо ’7 о[>|□ Ч2ДС523А, 2ДС5236КДС523А, КДС523БЦ DО! 33 о01о 52 о01371 СOf° 82ДС523в,2ДС523ГКДС523В, КДС523ГЦ DО! 33 о01о 52 о01371 СOf° 82ДС523в,2ДС523ГКДС523В, КДС523Г
2 оОо ’
7 о[>|□ Ч
2ДС523А, 2ДС5236
КДС523А, КДС523Б
2 оОо ’
7 о[>|□ Ч
2ДС523А, 2ДС5236
КДС523А, КДС523Б
Ц DО! 3
3 о01о 5
2 о0137
1 СOf° 8
2ДС523в,2ДС523Г
КДС523В, КДС523Г
Ц DО! 3
3 о01о 5
2 о0137
1 СOf° 8
2ДС523в,2ДС523Г
КДС523В, КДС523Г
Элек I рические параметры
Постоянное прямое напряжение при /,р = 20 мА. не более: 2ДС521А 2ДС523Б. 2ДС523В. 2ДС523Г. при 298 и 398 К и КДС523А. КДС523Б. КДС523В, КДС523Г
при 298 К J.0 В
при 213 К 12В
Разность прямых напряжений между диодами при одинаковом постоянном гоке в диапазоне значений от 0.05 до 2 мА. не более:
2ДС523А. КДС523А 5мВ
2ДС523В. КДС523В 10мВ
2ДС523Б. 2ДС523Г. КДС523Б. КДС523Г . . . . 2о мВ
Постоянный обратный ток при СЛ1-,р = 50 В. не более:
2ДС523А. 2ДС523Б. 2ДС523В. 2ДС523Г при 213 и
298 К и КДС523А. КДС523Б. КДС523В. КДС523Г
.при 298 К3мкА
2ДС523Л. 2ДС523Б. 2ДС523В. 2ДС523Г при 398 К
и КДС523А. КДС523Б. КДС523В. КДС523Г при 373 К '.50 мкА
Заряд переключения при / Р= 20 мА. 7 ойг ;] = 10 В для
2ДС523А. 2ДС523Б. 2ДС ;23В. 2ДС523Г. не более . . . 150 иКл
Общая емкость диода при 70.1 В. не солее . . .2 пФ
Время поестчновлепия обратною спиро iпиления при
/пр= 10 мА. ! .->?, .,= Ю В. /.,к,, = 2 мА. не бо :ес . . .4 щ
Предельные лкс1ьпа1апионные данные
50 В50 ВПостоянное обрлное напряжение для 2ДС523А. 2ДС523Б. 2ДС523В. 2ДС523Г при lexinepaixne or 213 до 398 К и КДС523А. КДС523Б. КДС523В. '<ДС523Г при температуре or 213 де. 373 К
50 В
50 В
Импульсное обратное напряжение при длительности импульса ти < 3 мкс для 2ДС523А, 2ДС523Б. 2ДС523В, 2ДС523Г при температуре от 213 до 398 К и КДС523А. КДС523Б. КДС523В. КДС523Г при температуре от 213 до 373 К‘ 70 В
Постоянный или средний прямой ток одного диода при темпера t ype от 213 до 358 К20 мА
Импульсный прямой ток одного диода при длительное™ импульса тц < 10 мкс без превышения средне, о прямого тока при температуре от 213 до 358 К 200 мА
Температура окружающей среды:
2ДС523А, 2ДС523Б. 2ДС523В. 2ДС523ГОт213 до
398 К
КДС523А. КДС523Б. КДС523В. КДС523ГОт213 до
373 К
Примечание. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее I мм от корпуса сборки к металлической детали площадью не менее 7 мм2 оловянно-свинцовым припоем при темпера ivpe не выше 473 К. при этом допускается затекание припоя до герметизирующего материала.
диода от напряжения.ния от прямого токадиода от напряжения.ния от прямого тока
диода от напряжения.ния от прямого тока
диода от напряжения.ния от прямого тока
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го прямого тока.Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го прямого тока.Зависимое и, импульсного пря-мого гока от длительности им-пульса.Зависимое и, импульсного пря-мого гока от длительности им-пульса.
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го прямого тока.
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го прямого тока.
Зависимое и, импульсного пря-мого гока от длительности им-пульса.
Зависимое и, импульсного пря-мого гока от длительности им-пульса.
Зависимость разности прямых напряжений между диодами сборкипри одинаковом постоянном юке в диапазоне oi 0,05 до ? мАот температуры.
СкважностьСкважностьпости.пости.Зависимое го импульсЗависимое го импульсЗависимого среди»Зависимого среди»
Скважность
Скважность
пости.
пости.
Зависимое го импульс
Зависимое го импульс
Зависимого среди»
Зависимого среди»
КДС525А, КДС525Б, КДС525В, КДС525Г, КДС525Д, КДС525Е, КДС525Ж, КДС525И, КДС525К, КДС525Л
Диодные сборки, состоящие каждая из десяти иди восьми кремниевых диодов, объединенных в три группы по пять, три и два диода с общим анодом (КДС2525А, КДС525S) или с общим катодом (КДС525Е, КДС525Ж) и в три группы по четыре, два и два диода
_■ общим анодом (КДС525В, КДС525Г. КДС525Д) или с общим катетом (КДС525И. КДС525К. КДС525Л). Диоды изготовлены меюдом ионно-лучевой технологии.
Выпускаются гч пластмассовом корпхсе с гибкими выводами Тип прибора \казывае!ся на корпусе
Масса сборки не более 0.7 i
КДС525КДС525-.73 72 1110 9 812 3 Ч 5 6 1-.73 72 1110 9 812 3 Ч 5 6 118,518,5КДС5г5ЖКДС5г5ЖНДС 514ДНДС 514Д2 О й -13 о Й" ~*У о к11 °-t>T "^ ^ кНrsl -и ИО 82 О й -13 о Й" ~*У о к11 °-t>T "^ ^ кНrsl -и ИО 81 °—О— К° 142 о—йо 733 С—й—«Jо 724 о—Й—т—'°115 о—й—4—|О—О1С1 °—О— К° 142 о—йо 733 С—й—«Jо 724 о—Й—т—'°115 о—й—4—|О—О1СКДС515ККДС515К
КДС525
КДС525
-.73 72 1110 9 8
12 3 Ч 5 6 1
-.73 72 1110 9 8
12 3 Ч 5 6 1
18,5
18,5
КДС5г5Ж
КДС5г5Ж
НДС 514Д
НДС 514Д
2 О й -1
3 о Й" ~*
У о к
11 °-t>T "
^ ^ кНrsl -
и И
О 8
2 О й -1
3 о Й" ~*
У о к
11 °-t>T "
^ ^ кНrsl -
и И
О 8
1 °—О— К° 14
2 о—йо 73
3 С—й—«Jо 72
4 о—Й—т—'°11
5 о—й—4—|О—О1С
1 °—О— К° 14
2 о—йо 73
3 С—й—«Jо 72
4 о—Й—т—'°11
5 о—й—4—|О—О1С
КДС515К
КДС515К
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /нр^ 0.2 мА. не менее 0 5 В Постоянное прямое напряжение для КДС525Д КДС52^Б
КДС525В. КДС525Г. КДС525Д при / =2 м'а ’ и
КДС525Е. КДС525Ж. КДС525И. КДС525К. КДС525Л
при = 5 мА. не более нов
Пробивное напряжение на уровне обратного 1 ока 5 мкА
не менее:
КДС525А. КДС525Б. КДС525В. КДС525Г. КДС525Д20 В
КДС525Е. КДС525Ж. КДС525И. КДС525К. КДС525ЛЮ в
Постоянный обратный ток при температуре 233 298
358 К дтя КДС525А. КДС525Б. КДС525В. КДС525Г КДС525Д при С;,бр= 10 В и КДС525Е. КДС525Ж. КДС525И. КДС525К. КДС525Л при Ео6р = 20 В. не более I мкА Общая емкость диода при t j6p=5 В. не более . . . .8 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
^обр. и ^ ^- Тр 11 Ю ctA. /01СЧ2 мА. не оолее . . .5 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
КДС525А. КДС525Б. КДС525В. КДС525Г. КДС525Д15 В
КДС525Е. КДС525Ж. КДС525И. КДС525К. КДС525Л25 В
Импульсное обратное напряжение при т„ < 10 мкс и скважности не менее 100:
КДС525А. КДС525Б. КДС525В. КДС525Г. КДС525Д20 В
КДС525Е. КДС525Ж. КДС525И. КДС525К. КДС525Л40 В
Постоянный прямой ток одного диода при температуре: от 233 до 308 К20 мА
при 358 К 10 мА
Импульсный прямой гок одного диода при т„ % 10 мкс и скважности не менее 100 при температуре: от 233 до 308 К 200 мА
при 358 К100 мА
Рассеиваемая мощность всей сборкой при температуре от 233 до 308 К
КДС525А. КДС525Б. КДС525Е. КДС525Ж . . . 100 мВт
КДС525В. КДС525Г. КДС525Д. КДС525И.
КДС525К. КДС525Л80 мВт
при 358 К
КДС'25А. КДС525Б. КДС525Е. КДС525Ж . . . .50 мВт
КДС525В. КДС525Г. КДС525Д. КДС525И.
КДС525К. КДС525Л40 мВт
Температура окружающей средыОт 233 до
358 К
Зависимость времени восстанов-ления обратного сопротивленияот прямою тока.
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.
Зависимость максимально до-пус I имого импульсного прямо-го тока от длительности им-пульса.
Зависимость максимально до-пустимого среднего и импуль-сного прямых токов от темпе-ратуры.
Зависимость максималь-но допустимой мощное I ирассеивания сборки оттемпературы.
КДС526А. КДС526Б, КДС526В
Диодные сборки, состоящие из neibipex (КДС526А), трех (КДС525Б). двух (КДС526В) диодов с общим анодом. Диоды изго- товлены метолом иошю-лучевой техиоло1ип.
Выпускаются в п гастмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 0,3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение:
при !1т= 5 мА. не более при'298 К и в
при 358 К 10В
При 233 К ] 8 в
при 7пр= 0.2 мА. нс менее при 233 и 298 К 0 55 В
'■ри 358 К 45 в
Общая емкость диода при б обр = 0. не более . . . .5 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
^пр 10 мА. б убр |д 10 В, /ртсч - мА. не оолее . . , s ^с
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение 15В
Постоянный или средний прямой ток одного диода при температуре:
от 233 до 343 К мд
при 358 К юмА
Импульсный прямой ток одного диода при ти < Ю мкс без превышения среднего прямого тока50мА
Рассеиваемая мошнос:ь всей сборкой при iемперит\ре
от 233 до 343 К56мВт
при 358 К25 мВт
Тсмпсрапра окрчжаюшей среды .От233 дс
''35? К
Зависимость общей емкостидиода oi напряжения.Зависимость общей емкостидиода oi напряжения.Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го гока от длительности им-пчльса.Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го гока от длительности им-пчльса.
Зависимость общей емкостидиода oi напряжения.
Зависимость общей емкостидиода oi напряжения.
Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го гока от длительности им-пчльса.
Зависимость максимально до-пустимого импульсного прямо-го гока от длительности им-пчльса.
Зависимое* i ь максимально допустимого средней- прямого тока одного диода и мощное j и рассеивания сборки or темнера- гуры.
2ДС627А, КДС627А
Диодные матрицы, состоящие ич восьми изолированных кремниевых шитаксиа. тьмо-планарных диодов Предназначены тля использования в коммутаторах тока и других импульсных схемах
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с т иокими выводами Тип прибора указывается на корпусе. Аноды диодов соединены с вы водами 1—6. катоды соответствующих диодов — с 16 — 9
Масса матрицы не более 0.6 т.
16 15 16 13 12 11 10 9
16 о 75 о 19
¥ ¥ ¥
э
¥
1 2 3 9 5 6 7 8
“oooAAii
1236557g
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пг = 200 мА 2ДС627А при 213 К 0.95-1.35 В
при 298 К0.85-l.l 5 В
при 398 К0.65-0.95 В
КДС627А при 298 К. не более 1.3 В
Постоянный обратный юк при 1Обр = 50 В. для 2ДС627А. КДС627А не более при 298 К 2мк X
при 398 КИЮмкА
Общая емкосю диода при Собр = 0 В. не более . . .5 пФ
Время восстание тения oopaiHoro conpoiивленпя при
/пр= 20С мА. Сюр = 20 В. /= Ю мА. не более . . .40 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при !емиератзре от 2И
до 398 К 50В
Импульсное oopaiHoe напряжение при tr ч 2 мкс и скважное! и не менее I0 при lecinepaixpe or 213 де 398 К оов
Средний прямой юк через любое чисто диодов или любой одиночный диол при температуре
О1 213 до 323 К 200мА
при 398 К 80мА
Импульсный прямей ток через любое чисто диодов или любой одиночный диод при т„ < 10 мкс без превышения среднего прямою тока при температуре:
от 213 до 323 К .. Г'Д1 мА
при 398 К .г.Т -лЛ
Температура окружающей средыО.21? а
Температура перехода для 2ДС627А ср,:К
Зависимость заряда нереключе- Зависимость общей емкостипня от прямого тока.диода от напряжения.
Зависимость импульсного ноямою напряжения от импульсно-го прямого тока.
Зависимое!ь максимально допустимого среднего прямого тока оттемпературы.
Зависимость максимально допустимого импульсного прямого токаот температуры.
2ДС628А, КДС628А
Диодные матрицы, состоящие из шестнадцати кремниевых эпитаксиально-планарных диодов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса матрицы не более 0,7 г.
25,825,8
25,8
25,8
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр= 300 мА:
2ДС628А при 213 К1,0—1,4 В
при 298 К0,95- 1,25 В
при 398 К0,7—1,0 В
КДС628А при 298 К. не более 1,3В
Постоянный обратный ток при (.'.-„-.р- 50 В. не более: 2ДС628.А. КДС628А при 298 К 5 мкА
2ДС628А
при 213 К5 мкА
при 398 К100 мкА
Общая емкое 1ь диода при L.В. не более . . .32 нФ
Время воссдшовдения обратного сонрогив юння при
/51р = 300 мА. (,= 30 В. /3,f1 - 10 мА. не более . . .50 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при темпер.ыуре oi 213 до 39s к" 5(>В
Импульсное обратное напряжение при т„ 2 мкс п скважное! и не менее 10 .три температуре от 213 до 398 К 60В
Импульсный прямой ток через любое число диодов или любой одиночный диод при ти < 10 мкс без превышения среднего прямого тока при levneparype:
от 213 до 323 К1500мА
при 398 К 750мА
Средний прямой ! ок через любое число диодов или любой одиночный диол при /1)р и 4 600 мА при гемие- рагуре:
oi 213 до 323 К 300мА
при 398 К'0мА
Средний прямой ток через любое число диодов пли любой одиночный диод при температуре.
от 213 до 323 К при /,ф и = 1500 мА 200мА
при 398 К и /чр „ = 750 мА60мА
Температура окружающей средыOi213 до
398 К
Температура перехода для 2ДС628А 428К
Зависимость импульсною прямого напряжения от импульсного прямого гока.
Зависимость максимал! но допусi имото среднего прямого юка oiтемпературы
Зависимое । ь максимально до- nyctHMoro среднею прямого ю- ка от максимально допустимого импульсного прямого токаЗависимое । ь максимально до- nyctHMoro среднею прямого ю- ка от максимально допустимого импульсного прямого токаЗависимость максимально до-пустимого среднего прямого то-ка от максимально догтустимлгоимпульсного прямою юка.Зависимость максимально до-пустимого среднего прямого то-ка от максимально догтустимлгоимпульсного прямою юка.
Зависимое । ь максимально до- nyctHMoro среднею прямого ю- ка от максимально допустимого импульсного прямого тока
Зависимое । ь максимально до- nyctHMoro среднею прямого ю- ка от максимально допустимого импульсного прямого тока
Зависимость максимально до-пустимого среднего прямого то-ка от максимально догтустимлгоимпульсного прямою юка.
Зависимость максимально до-пустимого среднего прямого то-ка от максимально догтустимлгоимпульсного прямою юка.
Зависимое । ь максимально допус! hmoi о имт льснот о прямот о i окаoi темпера ту ры
2Д901А-1, 2Д901Б-1, 2Д901В-1, 2Д901Г-1. КД901А-1,
КД901Б-1, КД901В-1. КД901Г-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием и i некими выводами. Тип и Полярность прибора приводяюя на ярлыке, помещаемом в инди-
ри :i> альнхю :ap). Знак полярности располагав гея у обшего вывода (катола) в окне шры.
Мл^га Х'Г.трлпл не сюлсс К) хп"
3 хек 1 рически^ параметры
Постоянное прямое напряжение при Z„p = 10 мкА. не менее: при 298 К0.4 В при 358 К0.23 В
Постоянное прямое напряжение нои /,,р = 1 мА. нс белее: при 298 К 0.7В
при 213 К0,9 В
Постоянный обратный ток при t',)Sp = 10 В. не более: при 298 К . . . 0.2мкА
при 358 К1.0 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при переключении с 5 мА постоянното прямого тока па 10 В обратною напряжения при уровне отсчета обратного
Юла 2 мА, не более 20нс
Общая емкость П|.и постоянном напряжении смещения 0,1 В. /= I м 10 МГн. не более4 пФ
Прелсаьпые эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и периодичности при
температуре от 21.3 до 358 К 10 В
Постоянный прямой ток (суммарный ток всех .ню тон матрицы; при температуре от 213 до 358 К .5 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и /пр сп < 5 мА при температуре от 213 до 358 К 100 мА
Температура окружающей средыОт 213
до 358 К
Примечания: 1. Расстояние от места пайки (сварки) до защитно! о покрытия должно быть не менее 2 и не более 7 мм. Натрев кристалла и защитного покрытия при пайке (сварке) не выше 358 К. Расстояние места изгиба от защитного покрытия не менее 0,3 мм.
Не допускается соприкосновение выводов с кристаллом и перегиб выводов на инструменте с острыми краями.
При включении матриц в измерительную или испытательную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (катод) должен присоединяться первым и отключаться последним.
Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП-91
Допускается работа матриц при температуре 398 К, при этом типовое значение обратного тока равно 1-3 мкА. а типовое значение прямого напряжения 0.17 — 0,23 В.
Зависимость импульсного прямого тока от длительности импульса.Зависимость импульсного прямого тока от длительности импульса.Зависимость общей емкостиДиода о г напряжения
Зависимость импульсного прямого тока от длительности импульса.
Зависимость импульсного прямого тока от длительности импульса.
2Д903А, 2Д903Б, КД903А, КД903Б
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Матрицы 2Д903Б. КД9ОЗБ выпускаются без выводов 12 и 13.
Масса матрицы не более 0,5 i
Электрические параметры
Иосюяипое прямое напряжение при /,р = 75 мА. не бо iee 01 298 ио 543 К 1.2 В
при 213 К 1.3 В
Постоянный обратный ■ ок ::ри (24 В. не более
oi 21- до 298 К.),8 мкА
при 543 1< . ,....к а мч.\
Время восет лиовлеьия оорапюп1 соиро г иьления при
71 * г А. 7 , -(| , - н) В. / ,. = ’ м А. не ।" ' iee . .! 50 ш
Общая емкость диола при I ,-,г = 5 В. 1 = 1 1U МГц. не бо ice 11) пФ
Импульсное прямое напряжение при „--0.3 А. т„ = 3 мкс. не бо iee 2,3 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 343 К 20В
Суммарный постоянный прямой ток через все диоды или через один любой при температуре от 21 3 до 343 К . . .75 мд
Импульсный прямой ток при р, < 3 мкс, /iip. ср=75 мА и температуре oi 213 до 343 К0.35 А
Импульсное обратное напряжение при т„ ^ 3 мкс. скважности не .менее 10 и температуре от 213 до 343 К . . .30 В
Темпера тура окружающей средыОт 213
до 343 К
24.8
Зависимое: ь
диола oi
общей емко
налряжения
Зависимость времени восстановления обратного сопрелявления от импульсного прямого тока
Зависимость импульсного прямою тока 01 длительности им-пульса.
2Д904А-1, 2Д904Б-1, 2Д904В-1. 2Д904Г-1, 2Д904Д-1, 2Д904Е-1, КД904А-1. КД904Б-1, КД904В-1, КД904Г-1.
КД904Д-1. КД904Е-1
Диодные мтрнпы. состоящие из кремниевых планарных диолов. Предназначены для работы в герметизированной аппарате ре.
Бескорпусные с «штным покрытием и гибкими выводами Тип прибора и схема соединения пектродов с выводами приводятся на ярлыке, помещаемом в индивидуальную гару В матрицах 2Д904А-1. КД904А-1 один диол. 2Д904Б-1. КД904Б-1 - два. 2Д904В-Т 2Д904Д-1. КД904В-1. КД904Д-1 - три. 2Д904Г-1. 2Д904Е-). КД994Г-1. КД904Е-1 - четыре.
Масса матрицы не бо ice К* мы
2Д30ЦА-1 2Д309Б-1
КД 904А-1 КД504Б-1
2ДдО98-^-1 2ДЗО9Г-11Е-1
КД 809 В-1, Д-1 КД90ЧГ-1,Е-1
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при/пр — 0,01 мА. не менее : при 298К 0,45В
при 358К0.31В
Постоянное прямое напряжение при /ир = I мА. не более: при 298К . . . 0.8В
при 213К 1.05В
Постоянный обратный ток при бОбр= Ю В. не более: при 298 К0.2 мкА
при 358 К1.0 мкА
Разность прямых напряжений двух диодов из числа первых трех диодов при /пр or 0.05 мА до 0,5 мА для 2Д904Д-1, 2Д904Е-1, КД904Д-1. КД904Е-1, не более 10 мВ
Время восстановления обратного сопротивления при /||р = 5 мА. Собр „= 5 В, не более 10 нс
Общая емкость каждого диода при Г'Р1-р=0.1 В. /=1^10 МГц. не более 2 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и периодичности при температуре от 213 до 358 К 10 В
Импульсное обратное напряжение при ти «г 2 мкс. скваж
ности не менее 10 и температуре от 213 до 358 К . . .12 В
Средний выпрямленный ток (суммарный ток всех диодов
матрицы) при температуре от 213 до 358 К . . . .5 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и /„р.^^З мА100 мА
Температура окружающей средыОт213 до
"358 К
Примечания: 1. Расстояние от места нанки (сварки) до защитного покрытия должно быть нс менее 2 мм и не более 7 мм. Нагрев кристалла и защитною покрытия при пайке (сварке) нс выше 358 К.
Допускается изгиб вывода на расстоянии не менее 0.3 мм от защитного покрытия.
Не допускается соприкосновение выводов с кристаллом и перст иб выводов на инструменте с острыми краями.
При включении матрицы в измерительную или испытательную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод) должен присоединяться первым и отключаться последним.
Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП-91.
Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока прямоугольной формы с временем нарастания фронта 2 — 3 нс.Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока прямоугольной формы с временем нарастания фронта 2 — 3 нс.
Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока прямоугольной формы с временем нарастания фронта 2 — 3 нс.
Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока прямоугольной формы с временем нарастания фронта 2 — 3 нс.
Зависимость заряда переключенияог постоянного прямою тока.
Зависимость заряда переключе-ния от постоянного обратногонапряжения.
Зависимость импульсного пря-мого тока от дли 1ель4ис. и им-пульса.
Зависимость общей емкостидиода от oopaiHoro напряжения.
2Д906А, 2Д906Б, 2Д906В, КД906А, КД906Б, КД906В,КД906Г. КД906Д. КД906Е
Дойные матрицы, сосюящнс из кремниевых ятитаксиальис- птаиарных диодов.
Выпускаюля в пластмассовом корпусе с : иокимп выводами Тин прит'ора хказывае1ся ли корпусе’ шпы 2Д906А. КД906А обозначаются 2Д9(т\ КД906: ЗД^ОбБ. КД906Б — 2Д9оо. КД9О6 с одной красной । очкой ; 2.ДУОС-В. КДчбов - 2Д9(.)Ц КДчоо - с двумя красными ючка.ми Бс.г|я а юсп и ре шейный знак счавяюч у четверюы' вывода
Мае.;:, ханрици, i;c- "злее о/- ;
I В1.2 В5 ВI В1.2 В5 В2 мкА мкА10(1 мкАI М КС211 пФ4i; пФ2 мкА мкА10(1 мкАI М КС211 пФ4i; пФ
I В
1.2 В
5 В
I В
1.2 В
5 В
2 мкА мкА
10(1 мкА
I М КС
211 пФ
4i; пФ
2 мкА мкА
10(1 мкА
I М КС
211 пФ
4i; пФ
1ек грическне нараме i ры
Постоянное прямое напряжение при /пг = Да мА. не более при 29в К
при 213 К для 2Д9О6А. 2Д9О6Б. 2Д906В и при 21В К для КД906А. КД906Б, КД906В. КД906Г. КД906Д. КД906Е
Импульсное прямое напряжение при !,-„ ., = 2 А. /.,„ с„ - 30 мА. т,, = Ю мкс. не более
Постоянный обратны!! ток при ( с5г = 75 В для 2Д9()бА. КД9О6А. КД906Г. (^._=50 В для 2Д906Б. КД906Б. КД906Д. Г,-г=30 В для 2Д906В. КД906В. КД906Е. не более
при 29о К"
при 398 К для 2ДЧ96.А. 2Д9ибБ. 2Д9О6В . . . . при 3 5в для КД906А. КД906Б. КД9<>6В. КД9С16Г. КД9О6Д. КД906Е
Время восстановления обратного сопротивления при /,,г ,, = 50 мА П.г,р ц= 20 В. не более
Время у с 1 ановлення прямого сопро i ивления при Др ,, = 2 А.
.р с? = 30 мА. т„= Ю мкс. не более
Обшая емкость при I V6P= 5 В. / = 1-10 МГц. не более. 2Д906А. 2Д906Б. 2Д906В. КД906А. КД906Б. КД906В КД906Г. КД906Д. КД906Е
Предельные эксплуатационные данные
Посюяниое oopaiHoe напряжение при температуре ог 213 до 79у К для 2Д906А. 2Д906Б. 2Д906В и от 218 К до 358 К для КД906А. КД906Б. КД906В. КД906Г. КД906Д. КД906Е:
2Д906А. КД906А.КД9О6Г 75В
2Д9О6Б. КД906Б.КД906Д 50В
2Д9О6В. КД906В.КД906Е Д)В
Импульсное обратное напряжение при г,, ч К) мкс (при подаче импх тьса отрицательной полярности не ''онее чем через 3 мкс после окончания импугьса прямого тока) при темпера гуре от 213 до 398 К для 2Д906А. 2Д906Б. 2Д9О6В и от 218 до 3 5 8 К для КД906А. КД906Б. КД906В. КД906Г. КД906Д. КД906Е
2Д9О6А. КД906А 190 В
2Д906Б. 2Д906В, КД906Б. КД906В. КД906Г. КД906Д.
КД906Е ту В
Постоянный средний прямой ток или выпрямленный ток для одного (любого) диода матрицы при температуре:
от 213 до 323 К для 2Д906А. 2Д906Б. 2Д906В . . . 200 мА при 398 К для 2Д906А. 2Д906Б. 2Д906В . . . . 25 мА от 218 до 323 К для КД906А. КД906Б. КД906В.
КД906Г. КД906Д. КД906Е100 мА
при 358 К для КД906А. КД906Б. КД906В. КД9О6Г.
КД906Д. КД906Е 30 мА
Импульсный прямой ток для одного (любого) диода матрицы при ти< 10 мкс:
пр» /гр ср= 30 мА и температуре о г 213 до 398 К для 2Д906А. 2Д906Б. 2Д906В и от 218 до 358 К для
КД906А. КД906Б. КД906В. КД906Г. КД906Д. КД906Е 2 А
при /= 60 мА и температуре от 213 до 363 К
для 2Д906А. 2Д906Б. 2Д906В 1а
Частота бет снижения режимов 500 кГц
Температура окружающей среды.
2Д906А. 2Д906Б. 2Д9П6ВОт213 до
398 К КД9О6А. КД9О6Б. КДОттбВ. КДОооГ. КД906Д.
КД906ЕОт218 до
358 К
Прим е ч а и и я: I Допускается параллельное соединение ма трои При работе в качестве выпрямительною моста общий прямой ток не должен превышать ОД и/. р^г. где » - число парад тетьно соединенных матриц
Допхекаигся последова гельнос соединение магрид. ipii .ном каждую из них рекоменлуелся шхилирова i ь выравнивающим конлен- салором,
Доттхскается пайка па расстоянии 1 мм от корпуса матрицы к металлической детали площадью не менее 7 мм- о.ювянио-свин- цовым припоем при темпсраюре не выше 473 К.
Зависимость постоянного пря
мою юка от 1емкературы.мою юка от 1емкературы.2Д907Б-1, 2Д907Г-1, КД907Б-1, КД907Г-1
мою юка от 1емкературы.
мою юка от 1емкературы.
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с общим катодом. Предназначены для работы в кермет изироваиной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. Тил прибора и полярность указываются па крышке индивидуальной тары.
2ддо?г-1, кддатг-12ддо?г-1, кддатг-12Д9076-1 ,КД9075-12Д9076-1 ,КД9075-1Масса матрицы не более 5 mi .
2ддо?г-1, кддатг-1
2ддо?г-1, кддатг-1
2Д9076-1 ,КД9075-1
2Д9076-1 ,КД9075-1
5'56(9), 3(9: - выводы катода: !'!:. 2(31. 3<7, 4'8. — выводы анола В скобках — номера штырьков тары.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /„„ = 50 мА при температуре:
о। 298 до 358 К 0.75*-0.85* - 1 В
при 213 К. не более 1.3В
Постоянный обратный гок при С;О5р = 40 В
и температуре: от 213 до 298 К 0.05*-0,25*-5 мкА
при 358 К. не более 50 мкД
Заряд переключения при /]]р. „ = 50 мА. ^обр.и = 1° в100*—250* —500 пКл
Общая емкость при С 05Р = 0,/ = I =
= 10 МГц1*- 2.5* - 5 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 40 в
Импульсное обратное напряжение при ти с 2 мкс, скважности, большей или равной 10. и температуре от 213 до 358 К 60 В
Суммарный средний прямой ток через все диоды или любой одиночный диод при земнературе:
от 213 до 333 К мД
при 358 К 30 мА
Суммарный импульсный прямей ток при ти < 2 мкс
Лфлр.макс- через вее диоды пли любой одиночный диод при те.мпературе:
OI 213 до 333 К 0.7 А
при 358 К . . 0 5 А
Температура окружающей среды От 213
до 358 К
Температура перехода . . 378 К
Примечания: 1. Допускашся изгиб выводов на Расстоянии не ближе 1 мм oi защитного покрытия с радиусом закт-тления
не менее 0.3 мм. Длина выводов от меси выхода из защитного покрытия до места закрепления должна сыть не более 6 мм
Защитное .покрытие матриц из: словлено из эмали ЭП-91
Зона возможных положений зависимости установившегося прямого напряжения от импульсного прямого тока.
Зена возможных положений Зависимое ги заряда переключения о 7 прямого- токаЗена возможных положений Зависимое ги заряда переключения о 7 прямого- токаЗона возможных положений внспмоиш обшей емкости лис.; ■ ог напряжения.Зона возможных положений внспмоиш обшей емкости лис.; ■ ог напряжения.Зависимость среднегоЗависимость среднегоПрЯМО! ОПрЯМО! Отока от температуры.тока от температуры.^пр, и,макс2Д 907/6-1,Г-1), КД9О7/б-1,Г-1)^пр, и,макс2Д 907/6-1,Г-1), КД9О7/б-1,Г-1)ч j -. -
Зена возможных положений Зависимое ги заряда переключения о 7 прямого- тока
Зена возможных положений Зависимое ги заряда переключения о 7 прямого- тока
Зона возможных положений внспмоиш обшей емкости лис.; ■ ог напряжения.
Зона возможных положений внспмоиш обшей емкости лис.; ■ ог напряжения.
Зависимость среднего
Зависимость среднего
ПрЯМО! О
ПрЯМО! О
тока от температуры.
тока от температуры.
^пр, и,макс
2Д 907/6-1,Г-1), КД9О7/б-1,Г-1)
^пр, и,макс
2Д 907/6-1,Г-1), КД9О7/б-1,Г-1)
213 253 293 333 373 413 К
Зависимость импульсного прямого тока от температуры
2Д908А, КД908А
Диодные матрицы. состоящие ш кремниевых тпитаксиальн; - планарных диодов. Предназначены для работы в имихльсных переключающих схемах с малым временем восстановления обратном сопротивления
Выпхскаются в металлостеклянном корпхее с т некими ныио ... - мп. Тин прибора хказывается на корпхее Матрица состоит и: восьми диодов с обшим катодом. Аноды диодов соединены с выводами / - '. выводы катода — 9 — 12.
Масса матрицы не более 0.63 г
параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 200 мА, не более, при температуре:
от 298 до 398 К для 2Д908А и от 298 до 358 К
для КД9О8А 1,2В
при 213 К 1,5В
Постоянный обратный ток при Собр = 50 В, не более, при температуре:
от 213 до 298 К 5мкд
при 398 К для 2Д908А и 3 5 8 К для КД9О8А . . . 100 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при /пр = 200 мА, L Qop и ।^‘ Стсч мА, не
более 30нс
Общая емкость одного диода при L обр = 0 В, / = = 110 МГц. не более 5пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре: от 213 до 398 К для 2Д908А 50в
от 213 до 358 К для КД908А 40В
Импульсное обратное напряжение при т„ < 10 мкс. скважности не менее 10 и температуре от 213 до 398 К для 2Д908А и от 213 до 358 К для КД908А 60В
Суммарный средний прямой ток через все диоды или любой одиночный диод при температуре
от 213 до 323 К для 2Д908 и от 213 до 308 К для КД908А 200мА
при 398 К для 2Д908А и 358 К для
КД908А100мА
Суммарный импульсный прямой ток при т„ s' 10 мкс без превышения Лрср.макс через все диоды или любой одиночный диод при температуре:
от 213 до 323 К для 2Д908 и от 213 до 308 К
для КД908А1500 мА
при 398 К для 2Д908А и 358 К для
КД908А 750 мА
Температура окружающей среды: 2Д9О8АОт 213
до 398 К
2572579 под ред. Н. Н Горюнова
257
257
КД908АОт 213
до 358 К
Температура перехода для 2Д908А 423 К
Зона возможных положений зависимости заряда переключения от постоянного прямого тока.Зона возможных положений зависимости заряда переключения от постоянного прямого тока.Зона возможных положений за-висимости прямого устано-вившегося напряжения от им-пульсного прямого тока.Зона возможных положений за-висимости прямого устано-вившегося напряжения от им-пульсного прямого тока.Зависимость средне, о прямоготока от температуры.Зависимость средне, о прямоготока от температуры.Зависимость импульсного пря-мого тока от гемпературы.Зависимость импульсного пря-мого тока от гемпературы.Зона возможных положений зави-симости общей емкости диода отобратного напряжения.
Зона возможных положений зависимости заряда переключения от постоянного прямого тока.
Зона возможных положений зависимости заряда переключения от постоянного прямого тока.
Зона возможных положений за-висимости прямого устано-вившегося напряжения от им-пульсного прямого тока.
Зона возможных положений за-висимости прямого устано-вившегося напряжения от им-пульсного прямого тока.
Зависимость средне, о прямоготока от температуры.
Зависимость средне, о прямоготока от температуры.
Зависимость импульсного пря-мого тока от гемпературы.
Зависимость импульсного пря-мого тока от гемпературы.
КД909А
Диодная матрица, состоящая из кремниевых эпиfаксиально- планарных диодов.
Выпускайся в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Тип прибора указывается па корпусе. Матрица состоит из восьми диодов с общим катодом. Аноды диодов соединены с выводами 1 — 8. выводы катода - 9—10.
Масса матрицы не более 0.58 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /||р = 200 мА. не более при 298 К 1,2 В
при 213 К 1,5 в
Постоянный обратный ток при С/обр = 40 В. не более: при 213 и 298 К ю мкА
при 358 К .. . 100 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
Дгри = 500 мА. 0 Оур и 10 В, /о]ст — 5 мА. не более 70 нс
Общая емкость при <7обр = 0 В, / = 110 МГц. не
более 5 пф
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 40 В
Суммарный постоянный прямой ток (или среднее значение) через все диоды или через один любой Диод 200 мА
Импульсный прямой ток при ти < 3 мкс без превышения предельного среднего тока при температуре:
от 213 до 298 К 1500 мА
при 358 К1200 мА
Температура окружающей средыОт 213
до 358 К
Зависимость и мнульсного пря-мою юка от темпера I уры.
Зависимое! ь импульсного прямого тока от длительности имп\льса.
2Д910А-1, 2Д910Б-1, 2Д910В-1, КД910А-1, КД910Б-1,КД910В-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами Матрицы маркируются цветными точками: 2Д910А-1. КД910А-1 - красной, 2Д910Б-1.КД910Б-1 — двумя красными. 2Д910В-1
КД910В-1 — тремя красными. Тип и полярность прибора указываются на ярлыке, помещаемом в индивидуальную iapy.
Масса матрицы не более 10 мг.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /ар = 0.05 мА. не
менее:при 298К 0.5в
типовоезначение0.57“В
при 358К0.34В
Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 мА, не
более: при 298 К 0,8В
типовое значение0,77*В
при 213 К 1,1В
Постоянный обратный ток при б'о6р = 5 В, не более: при 298 К0,5 мкА
типовое значение0,02*мкА
при 358 К МКА
Время восстановления обратного сопротивления при
7пр и ~ 5 мА, L 05р P 5 В, /О1СЧ — мА, скважности не менее 100. не более 5нс
Общая емкость при 0'обр = 0,1 В. / = 1 -г 10 МГц. не более 1,5пФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение любой формы и периодичности при температуре от 213 до 358 К . . .5 в
Импульсный прямой ток (суммарный ток всех диодов
матрицы) при температуре:
от 213 до 328 К юмА
при 358 К 5мА
Температура окружающей средыОт213
до 358 К
Примечания: 1. Расстояние от места пайки (сварки) до защитного покрытия должно быть не менее 2 и не более 7 мм. Нагрев кристалла и защитного покрытия не выще 358 К. Расстояние места изгиба вывода от защитного покрытия не менее 0,3 мм.
При включении матрицы в измерительную или испытательную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод) должен присоединяться первым и отключаться последним.
Защитное покрытие изготовлено из эмали ЭП-91.
Зависимость заряда переключе-ния от прямого тока.Зависимость заряда переключе-ния от прямого тока.Зависимость заряда переключе-ния от обратного напряжения.Зависимость заряда переключе-ния от обратного напряжения.
Зависимость заряда переключе-ния от прямого тока.
Зависимость заряда переключе-ния от прямого тока.
Зависимость заряда переключе-ния от обратного напряжения.
Зависимость заряда переключе-ния от обратного напряжения.
Зависимость импульсного пря-мого тока от длительности им-пульса.Зависимость импульсного пря-мого тока от длительности им-пульса.Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го прямого тока с временемнарастания фронта 2 — 3 нс.Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го прямого тока с временемнарастания фронта 2 — 3 нс.Зависимость общей емкости диода от обратного напряжения.Зависимость общей емкости диода от обратного напряжения.Зависимость импульсного пря-мого тока от температурыЗависимость импульсного пря-мого тока от температуры
Зависимость импульсного пря-мого тока от длительности им-пульса.
Зависимость импульсного пря-мого тока от длительности им-пульса.
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го прямого тока с временемнарастания фронта 2 — 3 нс.
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го прямого тока с временемнарастания фронта 2 — 3 нс.
Зависимость общей емкости диода от обратного напряжения.
Зависимость общей емкости диода от обратного напряжения.
Зависимость импульсного пря-мого тока от температуры
Зависимость импульсного пря-мого тока от температуры
2Д911А-1, 2Д911Б-1, КД911А-1, КД911Б-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные, с защитным покрытием и гибкими выводами Количество диодов в матрице может быть i, 2 или 3 в зависимости от заявок потребителя. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на таре-спутнике. Матрицы маркируются цветным кодом: 2Д911А-1, КД911А-1 — черной точкой у вывода катода. 2Д911Б-1, КД911Б-1 - белой точкой.
Масса матрицы не более 10 мг.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /|ф = 0.05 мА, нс менее:
при 298 К 2Д911А-1. КД911А-1о,62В
2Д911Б-1, КД911Б-1 0,55В
при 358 К 2Д9ПА-1. КД9НА-1 0,5В
2Д9ПБ-1. КД911Б-1 0,4В
Постоянное прямое напряжение при /ир = 1 мА. не более:
при 298 К для 2Д911А-1. 2Д9НБ-1. КД9ПА-1, КД911Б-10,85 В
при 213 К для 2Д911А-1, 2Д911Б-1 и при 233 К
для КД911А-1. КД911Б-1 |,|5 в
Постоянный обратный гок при to6p = 5 В. нс более:
при 298 и 213 К для 2Д911А-1. 2Д9ПБ-1 298 К
и 233 К для КД911А-1, КД911Б-1. . . .0,5 мкА
при 358 К для 2Д911А-1,2Д911Б-1.
КД9НА-1, КД911Б-1 10 мкА
Время восстановления обратного сопротивления
при /Пр и = 5 мА. Ц,бР, н = L5 В, Лотсч = 3,5 мА: 2Д911А-1, КД911А-1 30-70*- 140* нс
2Д911Б-1, КД911Б-1 80-100*- 180* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 К до 358 К для 2Д911А-1, 2Д911Б-1 и от 233
до 358 К для КД911А-1, КД911Б-1 5В
Постоянный прямой ток (суммарный ток всех диодов матрицы) при температуре:
от 213 К до 328 К для 2Д911А-1, 2Д911Б-1 и
от 233 до 328 К для КД911А-1, КД911Б-1 . . . . Ю мА при 358 К для 2Д911А-1. 2Д911Б-1. КД911А-1, КД911Б-1 5мА
Температура окружа!ощей среды.2Д9ПА-1. 2Д911Б-1. . .Температура окружа!ощей среды.2Д9ПА-1. 2Д911Б-1. . .
Температура окружа!ощей среды.
2Д9ПА-1. 2Д911Б-1. . .
Температура окружа!ощей среды.
2Д9ПА-1. 2Д911Б-1. . .
От 213
до 355 К
КД9НА-1. КД9НБ-1 .От 233
до 355 К
Примечания' 1. Защитное покрытие матриц изготовлен, из эмали ЭП-91.
При пайке выводов не допускается нагрев кристалла и защитного покрытия свыше 373 К.
Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до защитного покрытия должно быть не менее 1 мм
При эксплуатации матриц в аппарате ре должен быть обеспечен отвод теплоты от кристалла с общим тепловым сопротивлением не более 3 К мВт.
Допускается изгиб вывода на расстоянии не ближе 0.3 мм от защитно! о покрытия.
При включении диодных матриц в измерительную или испытательную схему, находящуюся под напряжением, базовый вывод (катод) должен присоединяться первым и отключаться последним
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от прямого тока.
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от прямого тока.
। ока। окаЗависимость прямою темпера т уры.
। ока
। ока
2Д912А-3, 2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912А-3, КД912Б-3,КД912В-3
Диодные малицы, состоящие из кремниевых планарных диодов Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре."
Бескорпусные с жесткими выводами без кристаллодержатетя Число диодов в матрицах в зависимости от заявок потребителей - 1 (диагональный). 2. 3. Тип прибора указывается на ярлыке, прилагаемом к групповой таре. Вывод анода имеет больший диаметр
Масса матрицы не более 10 мг.
00,250 0,18
! Ц контакта
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /11р = 50 мкА. не менее:
при 298 К 2Д912А-3. КД912А-3 0,5В
2Д912Б-3. КД912Б-30.62В
2Д912В-3, КД912В-.30.55В
при 358 К 2Д912А-3. КД912А-3 0.55В
2Д912Б-3. КД912Б-30,47В
2Д912В-3. КД912В-3 0,4В
Постоянное прямое напряжение при /,,р = 1 мА, не более:
при 298 К 2Д912А-3. КД912А-3 0.8В
2Д912Б-3, 2Д912В-3. КД912Б-3. КД912В-3 . . .0.85 В
при 213 К 2Д912А-3. КД912А-3 1.1в
2Д912Б-3. 2Д912В-3. КД912Б-3, КД912В-3. . .1.15 В
Постоянный обратный ток при (/^р = 5 В: при 298 К0.2мкА
при 358 К5.0мкА
при 213 К для 2Д912Б-3, 2Д912В-3. КД912Б-3. КД912В-30.5мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр „ = 2 мА, (/обр „ = 5 В. /отсч = 2 мА. не более: '2Д912А-3,КД912А-3 5нс
2Д912Б-3,КД912Б-3 30нс
2Д912В-3.КД912В-3 80нс
Об!цая емкость при Uo6p = 0,1 В. / = 1 -? 10 МГц. не более 1.8кФ
Предельные эксплуаiанионные данные
Постоянное (или импульсное любой формы и периодичности) обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 5 В
Импульсный Прямой ток (суммарный ток всех диодов матрицы) при температуре: от 213 до 328 К 10 мА
при 358 К 5 мА
Постоянный прямой ток, средний выпрямленный юк (суммарный ток всех диодов матрицы) при температуре :
от 213 до 328 К 3,5 мА
при 358 К2.0 мА
Температура окружающей средыОт 213
до 358 К
Примечания: 1. При монтаже матриц допускается воздействие на них температуры 573 К (2Д912А-3, КД912А-3) и 673 К (2Д912Б-3, 2Д912В-3. КД912Б-3. КД912В-3) не более 5 с при контактировании с контактными площадками микроплаты. Допускается нагрев на воздухе до 503 К не более 3 мин, а до 423 К в течение 2 ч.
При эксплуатации диодных матриц должен быть обеспечен отвод теплоты с общим тепловым сопротивлением не более 3 К/мВт
Зависимость импульсного прямоюнапряжения от импульсного пря-мого тока с временем нарастанияфронта 2 — 3 нс.
Зависимость импульсного прямоготока от длтелыюсти импульса.
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.
Зависимость времени восстанов-ления от импульсного обратно-го напряжения.
Зависимость времени восстанов-ления от импульсного обрат-ного напряжения.
Зависимость прямого тока от
Зависимое гь импульсного пря-мого тока от температуры.
температуры.
2Д913А-3, КД913А-3
Диодные матрицы, состоящие из трех кремниевых планарных диодов с общим катодом. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусныс с жесткими без крист аллодержателя выводами. Тип прибора указывается на ярлыке, прилагаемом к групповой таре. Общий вывод (катод) маркируется.
Масса матрицы не более 2 мг.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Постоянное прямое ттапряжение при /лр =
= 10 мкА: при 298 К 0.4-0.45*-0.48* В
при 358 К. не менее 0.23 В
Постоянное прямое напряжение при /пр =
= 1 мА: при 298 К0.61*-0.62*-0.7 В
при 213 К, не более 0.9 В
Разность постоянных прямых напряжений
диода при /пр, = 10 мкА, /лр2 = 1 мА . . . 0.16* — 0.17* — 0.25 В
Постоянный обратный ток при 10бР =10 В:
при 298 и 213 К 0.001*-0.002*-0,2 мкА
при 358 К. не более I мкА
IIВремя восстановления обратного сопротив
I
I
ления при /пр „ = 5 мА, Со6р н = 10 В. /О1СЧ = 2 мА 2*—2.5* — 10 нс
Общая емкость диода при 4орр=0.| В.
/= I а 10 МГц 2*-2.6*-4 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (или импульсное) обратное напряжение диода при температуре от 213 до 358 К 10В
Суммарный прямой ток через все диоды или через любой диод при температуре от 213 до 358 К . . .5 мА
200 мА 120 мАОт 213до 358 К200 мА 120 мАОт 213до 358 К
200 мА 120 мА
От 213до 358 К
200 мА 120 мА
От 213до 358 К
Импульсный прямой ток диода при ти < 10 мкс без превышения /прд,акс при температуре:
от 213 до 308 К
при 358 К
Температура окружающей среды
Примечания: 1. При монтаже допускается однократный нагрев матрицы до 373 К в течение не более 6 с с подачей ультразвуковых колебаний и нормальным давлением на кристалл до 200 г.
Выводы матриц медные, покрытые припоем ПСрОСЗ-58
Зависимость импульсного пря-мого напряжения от импульсно-го прямого тока.
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.
Зависимость заряда переключе-ния от импульсного прямогогока.
Зависимость импульсного пря-мого 1 ока от темпера гуры.
КД914А, КД914Б, КД914В
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых диодов, изготовленных по электронно-ионной технологии.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тил прибора указывается на его корпусе.
Масса матрицы не более 0,3 !.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 5 мА; при 298 К. пе более 1В
при 358 КОт0,45
до 1 В при 7пр = 0,2 мА и 298 К, не менее0,55В
Постоянный обратный ток при Т'о6р = 20 В. не более: при 298 и 218 К1,0мкА
при 358 К10мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 20 В
Постоянный прямой ток20 мА
Импульсный ток при ти » 10 мкс 50 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре:
от 218 до 343 К 50 мВт
при 358 К25 мВт
Температура окружающей средыОт 218
до 358 К
Зависимость импульсного пря-мого тока от длительности им-пульса.Зависимость импульсного пря-мого тока от длительности им-пульса.Зависимость средней рассеиваемой мощности от температурыЗависимость средней рассеиваемой мощности от температуры
Зависимость импульсного пря-мого тока от длительности им-пульса.
Зависимость импульсного пря-мого тока от длительности им-пульса.
Зависимость средней рассеиваемой мощности от температуры
Зависимость средней рассеиваемой мощности от температуры
Зависимость времени восстановления от постоянного прямого тока.
2Д917А, КД917А
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиальнопланарных диодов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на его корпусе. Матрица состоит из восьми диодов с общим анодом. Катоды диодов соединены с выводами 1 — 8, выводы анода — 9 — 12.
Масса матрицы не более 0,63 г.
1,151,15
1,15
1,15
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр= 200 мА: при 298 К 2Д917А0.9- 1,06*-1.2 В
КД917А. не более 1.2В
при 398 К для 2Д917АОт0.8 до 1,2 В
при 213 К для 2Д917АОт1.05 до 1,2 В
Постоянный обратный ток при С’о5р=50 В: при 298 и 213 К0,01*—0,1* —5 мкА
при 398 К для 2Д917Д и 358 К для КД917А, не более 100мкА
Время восстановления обратного сопротивления: 2Д917А при /пр и = 200 мА. Со6р „ = 10 В, /отсч = 3 мА6*—11* —50 нс
КД917А при /пр.„=10 мА, Собр.„ = 10 В, /ОТСч = 2 мА. не более 10нс
Общая емкость диода при С,о6р= 0.05 В . . . . 2* —3,5* —6 пФ
Общая емкость всех диодов при tdPp=0,05 В, /= I -ь 10 МГц. не более 40пФ
Заряд переключения с /пр и= 50 мА на Со6р „= 10 В для КД917А. не более 1000пКл
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: 2Д917А при температуре от 213 до 398 К . . .50 В
КД917А при температуре от 213 до 358 К . . .40 В
Импульсное обратное напряжение при ти< 10 мкс. скважности не менее 10 (ти определяется на уровне Со6р = 50 В) и температуре от 213 до 398 К для 2Д917А и от 213 до 358 К для КД917А . . .60 В
Суммарный средний прямой ток через все диоды или любой один диод при температуре-
от 213 до 323 К для 2Д917А и от 213 до 308 К для КД917А 200мА
при 398 К для 2Д917А и при 358 К для КД917А 100мА
Суммарный импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс без превышения /пр ср макс через все диоды или любой один диод при температуре:
от 213 до 323 К для 2Д917А и от 213 до 308 К для КД917А 1500мА
при 398 К для 2Д917А и при 358 К для
КД917.А 750мА
Температура окружающей среды: 2Д917А . . 'От213 до 398 К
КД917АОт213 до 358 К
Температура перехода для 2Д917А 423К
Примечание. Допускается обрезка неиспользуемых анодных выводов на расстоянии не ближе 0.3 мм от корпуса.
Зависимость общей емкости
диода от обратного напряжения.
Зависимость заряда переключе-ния от постоянною прямоготока.
Зависимость импульсного прямого напряжения от импуль-сного прямого тока.
Зависимость постоянного прямого тока от температуры.
Зависимость импульсного пря-мого тока от температуры.
2Д918Б-1, 2Д918Г-1, КД918Б-1, КД918Г-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиальнопланарных диодов с общим анодом. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на крышке тары-спутника.
Масса матрицы не более 5 мт.
ВвВмкАмкА50 мкА100 мкА850 пКлпФ4 нсВвВмкАмкА50 мкА100 мкА850 пКлпФ4 нс
В
в
В
мкА
мкА
50 мкА
100 мкА
850 пКл
пФ
4 нс
В
в
В
мкА
мкА
50 мкА
100 мкА
850 пКл
пФ
4 нс
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 50 мА, не более:
при 298 и 358 К
при 213 К 2Д918Б-1, 2Д918Г-1
КД918Б-1, КД918Г-1
Постоянный обратный ток при L'o6p = 40 В, не более: при 298 и 213 К
2Д918Б-1, 2Д918Г-1
КД918Б-1, КД918Г-1
при 358 К.
2Д918Б-1, 2Д918Г-1
КД918Б-1, КД918Г-1
Заряд переключения при /пр и= 50 мА, Побр „ = 10 В, не более
Общая емкость диода при С'Рбр= 0, /= 1 4-10 МГц. не более
Время восстановления обратного сопротивления при /пр н = 10 мА, Гобр н =10 В, 7ОТСч = 2 мА. нс более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 40В
Импульсное обратное напряжение при тн<2 мкс, скважности нс менее 10 и температуре от 213 до 358 К 60В
Суммарный средний прямой ток через все диоды
или любой одиночньпЗ диод при температуре:
от 213 до 333 К 50мА
при 358 К 30мА
Суммарный импульсный прямой ток через все диоды или любой диод при тн< 2 мкс, без превышения максимального среднею прямого тока при температуре:
от 213 до 333 К ..0.7 А
при 358 К 0,5А
Температура окружающей средыОт213 до 358 К
Температура перехода 378К
Примечания: 1. Защитное покрытие изготовлено из эмали ЭП-91.
При эксплуатации матриц в аппаратуре должен быть обеспечен отвод теплоты с общим 1епловым сопротивлением не более 0,5 К/мВт.
Зависимость заряда переключения от постоянного прямого гока.
Зависимость общей емкости диода от обратного напряжения.
Зависимость установившегося прямого напряжения от импульсною прямого юка.
Зависимость среднего прямого
Зависимость импульсно! о пря-
тока о г температуры.тока о г температуры.мого тока от температуры.
тока о г температуры.
тока о г температуры.
2Д919А, КД919А
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на его корпусе. Матрица состоит из 16 диодов с общим катодом. Аноды диодов соединены с выводами 1-16. выводы катода — 1 1. 18.
Масса матрицы не более 1,2 г..
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение диода при
/пр= 100 мА: при 298КОт0.85 до1.35 В
при 358КОт0.75 до1,4 В
при 213КОт0.95 до1.4 В
Постоянный обратный ток при Гзбр — 40 В, не более: при 298 и 213 К 1мкА
при 358 К 10мкА
Время восстановления ооратного сопротивления при /пр, и = 100 мА, Собр и= 10 В. /отсч — 10 мА, не более 100нс
Обшая емкость каждого диода при Г'обр = 10 В, /= 1 10 МГц, не более 6пФ
Постоянный обратный ток диода при Собр=60 В, не более 100мкА
Установившееся прямое напряжение диода при
/пр и= 40° мА, ^ °’5 мкс- не более 2.5В
Импульсное прямое напряжение диода при
/пр „= 400 мА. тк> 0.5 мкс, не более 9,4В
Время установления прямого напряжения диода, не более 40нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (или импульсное) обратное напряже
ние при температуре от 213 до 358 К . . . .40 В
Постоянный прямой ток матрицы или одного
любого диода при температуре: от 213 до 308 К 100мА
при 358 К 75мА
Импульсный прямой ток матрицы или одного любого диода при ти < 10 мкс, скважности более 10. при температуре:
от 213 до 308 К 700мА
при 358 К 500мА
Перегрузочный постоянный прямой ток диода в течение 30 мин (одноразовый) 125мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 358 К 180мВт
Температура окружающей средыОт213 до 358 К
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от постоянного прямого тока.Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от постоянного прямого тока.Зависимость постоянного пря-мого тока от температуры.Зависимость постоянного пря-мого тока от температуры.
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от постоянного прямого тока.
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от постоянного прямого тока.
Зависимость постоянного пря-мого тока от температуры.
Зависимость постоянного пря-мого тока от температуры.
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.Зависимость общей емкостидиода от напряжения.Зависимость импульсного уста-новившегося прямого напряже-ния от импульсного прямоготока.Зависимость импульсного уста-новившегося прямого напряже-ния от импульсного прямоготока.Зависимость обратного тока оттемпературы.Зависимость обратного тока оттемпературы.Зависимость постоянного пря-мого напряжения от постоянно-го прямого тока.Зависимость постоянного пря-мого напряжения от постоянно-го прямого тока.
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.
Зависимость импульсного уста-новившегося прямого напряже-ния от импульсного прямоготока.
Зависимость импульсного уста-новившегося прямого напряже-ния от импульсного прямоготока.
Зависимость обратного тока оттемпературы.
Зависимость обратного тока оттемпературы.
Зависимость постоянного пря-мого напряжения от постоянно-го прямого тока.
Зависимость постоянного пря-мого напряжения от постоянно-го прямого тока.
2Д920А
Диодная матрица, состоящая из кремниевых планарных диодов.
Выпускается в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на ею корпусе. Матрица состоит из 16 диодов с общим анодом. Катоды диодов соединены с выводами 1 — 16, выводы анода — 17, 18.
Масса матрицы не более 1,2 г.
18118116 П16 П17 № 1517 № 15О О О О ОО О О О О
181
181
16 П
16 П
17 № 15
17 № 15
О О О О О
О О О О О
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр= 100 мА: при 298 КОт 0,9 до 1,5 В
при 358 К(/пр=75 мА)От 0,85 до 1,5В
при 213 КОт 0.95 до 1,55В
Постоянный обратный ток при С7обр = 40 В, не более: при 298 и 213 К 1 мкА
при 358 К ю мкА
Время восстановления обратного сопротивления при /пр= 100 мА, С;Обр,и= 17 В. /01СЧ = 10 мА, не более 100нс
Общая емкость каждого диода при t/o6p = 10 В. /=1 = 10 МГц, не более 6пФ
Установившееся прямое напряжение при /пр „= 400 мА, не более 2.5В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 40В
Постоянный прямой ток диода при тем пера гуре: от 213 до 308 К ЮОмА
при 358 К 75мА
Импульсный прямой ток диода при т„< 10 мкс, скважности, большей или равной 10, при температуре:
от 213 до 308 К 700мА
при 358 К 500мА
Перегрузочный постоянный прямой ток в течение 30 мин 125мА
Средняя рассеиваемая мошность при температуре: от 213 до 308 К 150мВт
при 358 К 120мВт
Температура окружающей средыОт213 до 358 К
Зависимость ИМПУЛЬСНО! о пря-мого тока от гемперагуры.
Зависимость установившегося
импульсною прямого напряже
ния ОТ импульсного Прямо; .1
тока.
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от импульсного прямого ток.,
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления •л импульсного обратного на-
Зависимость импульсното пря-мою тока oj длительности и\‘пульса.
пряжения.
Раздел седьмой
ВАРИКАПЫ
Д901А, Д901Б, Д901В, Д901Г, Д901Д, Д901Е
Варикапы кремниевые сплавные.
Выпускающя в металлосгеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса варикапа не более 1 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Емкость варикапа при Гойр = 4 В. /=1н-10 МГц: Д901А. Д901Б . . . . От 22 до 32лпФ
Д901В.Д901ГОт 28 до 38 пФ
Д901Д. Д901ЕОт 34 до 44 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости:
Д901А. Д901В. Д901Д при Га6р =
= 4 — 80 ВОт 3,6 до 4 4
Д901Б. Д901Г, Д901Е при По6р = 4-45 В . . . От 2.7 до 33
Температурный коэффициент емкости, не более
при Го6р = 4 В 500-10"6 1 К
ПРИ Тойр = 45 в 200IO-6 I.K
Добротность'при Гсйр = 4 В. / = 50 МГн и 293 К. не менее:
Д901А. Д901В. Д901Д . . 25
Д901Б. Д901Г. Д901Е 30
Постоянный обратный ток при Гсйр — Г ,.-.р хык_.. не более:
при 213 К .10 мкА
при 298 К . . .1 мкА
при 398 К 50мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение-
Д901А. Д901В. Д901Д КОВ
Д901Б. Д901 Г. Д901Е 45В
Рассеиваемая мощность:
от 213 до 298 К 250мВт
при 398 К 50мВт
Температура окружающей средыОт213 до 398 К
Примечание. Добротность варикапа при [емпературс выше 293 К определяется по формуле
2(Л = 0(293)1 L— 6 • 10 —^(Г—293)],
где ()(293) — доброгность при 1емпературе 293 К.
Записпмос|ь емкоши oi напря-жения.
Зависимость добротности от г.,.
Зависимость добротное inЗависимость добротное inleMJiepa; уры.leMJiepa; уры.пряжеиня.
Зависимость добротное in
Зависимость добротное in
leMJiepa; уры.
leMJiepa; уры.
Зависимость добротности от Зависимость допустимой рассеи- частоты.ваемой мощности от темпера
туры.
Д902
Варикап кремниевый сплавной.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса варикапа не более 0,6 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при (/о6р = 4 В,/=50 МГц . . , От 6 до 12 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее 2,5
Добротность при t/o6p=4 В, /=50 МГц, не менее 30
Постоянный обратный ток при 6/обр= Uo6p чакс и 293 К, не более 10мкА
Предельные эксплуатационные данные
25 В25 ВПостоянное обратное напряжение
25 В
25 В
Температура окружающей средыОт233 до 373 К
Зависимость емкости от напря- Зависимость емкости от напря-жения.жения.
Зависимость добротности oiЗависимость добротности oiтемпературы.температуры.
Зависимость добротности oi
Зависимость добротности oi
температуры.
температуры.
Зависимость добротности о:час । о гы.
КВ101А
Варикап кремниевый диффузионно-сплавной. Предназначен для работы в радиокапсулах медицинской радиоэлектронной аппаратуры
Выпускается в виде таблетки с гибкими выводами. Тип прибора указывается на упаковке. Положительный вывод маркируется черной точкой.
Масса варикапа не более 0,05 г.
Элеырические параметры
Емкость варикапа при Го5р=0,8 В 200пФ ±20
Добротность при С'орр=0.8 В на частоте, не менее: Г=1 МГц 150
/=10 МГн 12
Постоянный обратный юк при Со5р = 4 В. не более: при 298 К 1мкА
при 328 К 2мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение 4В
Температура окружающей средыОт263 до 328 К
2В102А, 2В102Б, 2В102В, 2В102Г, 2В102Д, 2В102Е,2В102Ж, КВ102А, КВ102Б, КВ102В, КВ102Г, КВ102Д
Варикапы кремниевые диффузионно-сплавные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на упаковке. Положительный вывод маркируется цветной точкой: 2В102 — оранжевой. KBI02 —белой.
Масса варикапа не более 0.1 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Емкость варикапа при То6р= 4 В, /=1-г10 МГц:
2В102АОт20 до25пФ
КВ102АОт14 до23пФ
2В102БОт22 до27пФ
КВ102Б От19 до30пФ
2В102ВОт25 до37пФ
КВ102ВОт25 до40пФ
2В102ГОт14 до22пФ
КВ102ГОт19 до30пФ
2В102ДОт19 до28пФ
КВ102ДОт19 до30пФ
2В102ЕОт25 до37пФ
2В102ЖОт19 до28пФ
Добротность при СОбр= 4 В. /—50 МГц, не менее: 2В102А. КВ102А. 2В1О2Б. КВ102Б. КВ102В.
КВ102Д 40
2В102В. 2В102Г. 2В102Ж 50
2В102Д. 2В102Е. КВ102Г 100
Постоянный обратный ток при t'o6p= Lo6p макс: до 298 К 1мкА
при Гх1акс 100мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение:
2В102А. 2В102Б, 2В102В. 2В102Г. 2В102Д.
2В102Е. КВ102А. КВ102Б. КВ102В. КВ102Г . .45 В
2В102Ж. КВ102Д 80В
Рассеиваемая мощность: до 323 К 90мВт
ПРИ 7макс 20мВт
Температура окружающей среды 2В102А - 2В102ЖОт 213 до 393 К
КВ102А - КВ102ДОт 233 до 358 К
2 73 2 93 J73 333 353 373 393 К2 73 2 93 J73 333 353 373 393 КЗависимость температурногокоэффициента емкости от тем-пературы.Зависимость температурногокоэффициента емкости от тем-пературы.Зависимость допустимой рассеи-ваемой мощности от темпера-туры.Зависимость допустимой рассеи-ваемой мощности от темпера-туры.
2 73 2 93 J73 333 353 373 393 К
2 73 2 93 J73 333 353 373 393 К
Зависимость температурногокоэффициента емкости от тем-пературы.
Зависимость температурногокоэффициента емкости от тем-пературы.
Зависимость допустимой рассеи-ваемой мощности от темпера-туры.
Зависимость допустимой рассеи-ваемой мощности от темпера-туры.
Зависимость емкости от напря-жения.
Зависимость температурно!..коэффициента емкости от на-пряжения.
Зависимость добротноститемпературы.
2В103А, 2В103Б, КВ103А, КВ103Б
Варикапы кремниевые эпитаксиальные. Предназначены для применения в схемах умножения частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса варикапа в комплекте с крепежом не более 15 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа (/о6р = 4 В, /= 1 <-10 МГц: 2В103А, КВ103АОт18 до 32 пФ
2В103Б, КВ103БОт28 до 48 пФ
Добротность при С'о6р= 4 В, /=50 МГц, ие менее: 2В1ОЗА, КВ ЮЗА 5о
2В103Б, КВ103Б 4о
Постоянный обратный ток при (/о6р = 80 В, не более:
до 298 К юмкА
при Гмакс 150мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 80В
Рассеиваемая мощность:
от 213 до 323 К для КВ103А, КВ103Б и от
213 до 348 К для 2В1ОЗА, 2В103Б . . .5 дт
"РИ Тмакс ],5Вт
Температура корпуса:
2В103А, 2В103БОт 213 до 403 К
КВ103А. КВ103БОт 233 до 358 К
Примечание. При работе в предельных режимах отвод тепла от варикапа должен осуществляться радиатором, эквивалентным пластине с размерами 100x 100x3 мм3.
Зависимость емкости от напряжения. Зависимость допустимой рассеиваемой мощности от тем
пературы.
2В104А, 2В104Б, 2В104В, 2В104Г, 2В104Д, 2B1WE,КВ104А, КВ104Б, КВ104В, КВ104Г, КВ104Д, КВ104Е
Варикапы кремниевые диффузионно-сплавные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на упаковке. Положительный вывод маркируется цветной точкой 2В104 — белой, КВ104 — оранжевой.
Масса варикапа не более 0,2 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при to6p = 4 В, / = 1 -т 10 МГц: 2В104А. КВ104А От90 до [20пФ
2В104Б, КВ104БОт106 до 144пФ
2В104В, КВ104ВОт128 до 192пФ
2В104Г, КВ104ГОт95 до 143пФ
2В104Д, КВ104ДОт 128 до 192 пФ
2В104Е, КВ104ЕОт 95 до 143 пФ
Добротность при СОбр= 4 В. /=10 МГц, не менее: 2В104А. 2В104Б.2В104В,2В104Г.2В104Д.
КВ104А. КВ104Б.КВ104В.КВ104Г,КВ104Д100
2В104Е, КВ104Е 150
Постоянный обратный ток при Т05р= б^р, макс: до 298 К 5 мкА
"РИ ^ик 150 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2В104А, 2В104Б. 2В104В. 2В104Е. КВ104А.
КВ104Б. КВ104В. КВ104Е 45В
2В104Г, 2В104Д. КВ104Г, КВ104Д 80В
Рассеиваемая мощность: до 323 К 100мВт
при Тмакс 30мВт
Температура окружающей среды: 2В104От213 до 393 К
КВ104От233 до 358 К
Зависимость емкости от на-пряжения.
Зависимость температурногокоэффициента емкости от тем-пературы.
Зависимость допустимой рассеи-ваемой мощности от темпера-туры.
Зависимость добротности оттемпературы.
2В105А, 2В105Б, КВ105А, КВ 105Б
Варикапы кремниевые диффузионно-сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпусе-
Масса варикапа не более 2,5 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при С/Одр = 4 В,/ = 1 МГц ... От 400 до 600 пФ Коэффициент перекрытия по емкости, не менее:
при Го6р от 4 до 90 В для 2В105А, КВ105А4
при Го6р от 4 до 50 В для 2В1О5Б, КВ105Б3
Температурный коэффициент емкости при Го6р = 4 В, не более 5- 10-4 1/К
Добротность при 6^ = 4 В, /=1 МГц, не менее 500
Постоянный обратный ток при Го6р = Го6р макс, не более:
от 213 до 298 К 20мкА
ПРИ ^макс 150мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2В105А, КВ105А
2В105Б, КВ105Б
Рассеиваемая мощность:
до 323 К
при Гмакс
Температура окружающей среды:
2В105А, 2В105Б
КВ105А, КВЮ5Б
90 В50 В150 мВт38 мВт90 В50 В150 мВт38 мВтОт 213 до 398 КОт 213 до 373 КОт 213 до 398 КОт 213 до 373 К1,81,41,00,60,11,81,41,00,60,1213153 193 333313 К213153 193 333313 КЗависимость емкости от напря-жения.
90 В
50 В
150 мВт
38 мВт
90 В
50 В
150 мВт
38 мВт
От 213 до 398 К
От 213 до 373 К
От 213 до 398 К
От 213 до 373 К
1,8
1,4
1,0
0,6
0,1
1,8
1,4
1,0
0,6
0,1
213153 193 333313 К
213153 193 333313 К
Зависимость добротности оттемпературы.
пературы.пературы.Зависимость допустимой рас-сеиваемой мощности от тем-
пературы.
пературы.
2В106А, 2В106Б, КВ106А, КВ106Б
Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные. Предназначены для применения в схемах умножения частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса варикапа в комплекте с крепежом не более 15 г.
Ф6.35Ф6.35Электрические параметрыЭлектрические параметры
Ф6.35
Ф6.35
Электрические параметры
Электрические параметры
20 до 50 пФ15 до 35 пФ406020 до 50 пФ15 до 35 пФ406020 мкА150 мкА20 мкА150 мкА120 В90 В120 В90 В7 Вт5 Вт3 Вт2 ВтОт 213 до 403 КОт 213 до 373 К7 Вт5 Вт3 Вт2 ВтОт 213 до 403 КОт 213 до 373 К
20 до 50 пФ
15 до 35 пФ
40
60
20 до 50 пФ
15 до 35 пФ
40
60
20 мкА
150 мкА
20 мкА
150 мкА
120 В
90 В
120 В
90 В
7 Вт
5 Вт
3 Вт
2 Вт
От 213 до 403 К
От 213 до 373 К
7 Вт
5 Вт
3 Вт
2 Вт
От 213 до 403 К
От 213 до 373 К
Емкость варикапа при {/обр = 4 В, /— 110 МГц:
2В106А, КВ106АОт
2В106Б, КВ106БОт
Добротность при 17с5Р = 4 В, / — 50 МГц, не менее 2BI06A, КВ106А 2В106Б, КВ106Б
Постоянный обратный ток при tZogp ^обр, макс’ не более:
от 213 до 298 К при Тмакс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: 2BI06A, КВ106А 2В106Б, КВ106Б
Рассеиваемая мощность:
от 213 до 348 К 2В106А, KBI06A 2В106Б, КВ106Б при Гмакс
2В106А, KBI06A
2В106Б, КВ106Б
Температура корпуса: 2ВЮ6А, 2В106Б КВ106А, КВ106Б
Примечания: 1. Рекомендуемый диапазон рабочих частот от 40 до 500 МГц для 2В106А, КВ106А и от 100 до 1000 МГц для 2В106Б, КВ106Б.
При работе в схеме умножения с автосмещением оптимальное значение выпрямленного прямого тока от 0,2 до 3 мА.
Зависимость емкости от напряжения.Зависимость емкости от напряжения.Зависимость допустимой рассеиваемой мощности от тем
Зависимость емкости от напряжения.
Зависимость емкости от напряжения.
пературы.
КВ107А, КВ107Б, КВ107В, КВ107Г
Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Положительный вывод маркируется красной точкой.
Электрические параметрыЭлектрические параметрыМасса варикапа не более I г.
Электрические параметры
Электрические параметры
Емкость: при Гобр = Ur\ для КВ107А, КВ107БОт10 до
40 пФ при Г^р = UR2 для КВ 107В, КВ107ГОт30 до
65 пФ
Добротность при /= 10 МГц, не менее 20
Постоянный обратный ток при 1/обрмакс. не более: при 298К100мкА
при 343К 2000мкА
при 233К 1500мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: КВ107А, КВ107В|,5{/й1+
+ 2,5 В
КВ107Б. КВ107Г1,51/^+
+ 4 В
Рассеиваемая мощность: от 233 до 323 К мвт
при 343 К80 мВт
Температура окружающей средыОт 233 до
343 К
Примечание. UR^, UR—значения напряжений, начиная с которых уменьшается емкость варикапа: для КВ107А KBI07B URi = 2 + 9 В; для КВ107Б, КВ107Г U^ = 618 В.
Зависимость емкости от напря-жения. (Дана зона разброса.)Зависимость емкости от напря-жения. (Дана зона разброса.)Зависимость добротности от напряжения. (Дана зона разброса.)Зависимость добротности от напряжения. (Дана зона разброса.)
Зависимость емкости от напря-жения. (Дана зона разброса.)
Зависимость емкости от напря-жения. (Дана зона разброса.)
Зависимость добротности от напряжения. (Дана зона разброса.)
Зависимость добротности от напряжения. (Дана зона разброса.)
КВ109А, КВ109Б, КВ109В, КВ109Г
Варикапы кремниевые эпитаксиально -планарные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими ленточными выводами. Варикапы маркируются цветной точкой у положительного вывода: КВ109А — белой, КВ109Б — красной, КВ109В — зеленой. КВ109Г не имеет маркировки.
Масса варикапа не более 0,06 г.
Электрические параметры
Емкость при / = 1 4- 10 МГц: при Го6р = 3 В КВ109В От8 до 16 пФ
КВ109Г От8 до 17 пФ
при 1/о6р = 25 В
КВ109А От2,3до2.8пФ
КВ109Б От2,0до2,3пФ
КВ109В От1,9до3.1пФ
Коэффициент перекрытия по емкости: KBI09A От 4 до 5,5
КВ109Б От 4,5 до 6,5
КВ109В От 4 до 6
КВ109Г, не менее 4
Температурный коэффициент емкости . . . (500 + 300)- 10 6 1/К
Добротность при Гобр = 3 В и частоте
/= 50 МГц, не менее: КВ109А, КВ109Б 300
КВ 109В, КВ109Г 160
/= 470 МГц для КВ109А. КВ109Б . . .30
Постоянный обратный ток при t7o6p = 25 В, не более 0,5 мкА
Индуктивность выводов диода на расстоянии от корпуса до 1.5 мм, не более4 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение . . . .25 В
Рассеиваемая мощность при температуре до 323 К 5мВт
Температура окружающей среды От233 до 358 К
Примечание. В интервале температур от 323 до 358 К рассеиваемая мощность снижается линейно на 0,05 мВт/К.
Зависимость емкости от на-пряжения.Зависимость емкости от на-пряжения.
Зависимость емкости от на-пряжения.
Зависимость емкости от на-пряжения.
Зависимость обратного тока от на-пряжения.
2В110А, 2В110Б, 2В110В, 2В110Г, 2В110Д, 2В110Е, КВПОА, КВПОБ, КВ11ОВ, КВНОГ, КВПОД, КВПОЕ
Варикапы кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса варикапа не более 0.25 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при t/ogp = 4 В, /= 1 ч- 10МГц:
2В110А, 2ВП0Г, КВПОА, КВ1 ЮГ ...От 12до18пФ
2В1 ЮБ, 2В110Д, КВПОБ, КВПОД ...От 14,4до216 пФ
2ВП0В, 2В110Е, КВ110В, КВПОЕ ...От 17,6до26,4 пФ
Добротность при 17^ = 4 В,/= 50 МГц, не менее: 2В110А,2В110Б,2В110В,КВПОА,
КВПОБ, КВ110В 300
2В110Г, 2В110Д,2В110Е,КВ110Г,
КВПОД, КВПОЕ 150
Постоянный обратный ток при Гобр = 45 В: при298К 1МкА
при213К 15мкА
при398К 100мкА
Емкостькорпуса, не более 0,1пФ
Индуктивность выводов на расстоянии 5 мм от корпуса 10нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение . . . .45 В
Постоянная рассеиваемая мощность при тем
пературе :
от 213 до 323 К 100мВт
при 398 К 25мВт
Температура окружающей среды От213 до 398 К
Зависимость емкости от на-пряжения.
Зависимость добротности оттемпературы.
Зависимость добротности от на-пряжения.
Зависимость температурногокоэффициента емкости от на-пряжения.
Зависимость допустимой рассеи-ваемой мощности от темпера-туры.
КВС111А, КВС111Б
Сборки из двух кремниевых варикапов с общим катодом. Предназначены для применения в УКВ блоках радиовещательных приемников.
Варикапы изготовляются по эпитаксиально-планарной технологии.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Варикапы маркируются цветной точкой у отрицательного вывода: КВС111А - белой, КВС111Б - оранжевой.
Масса сборки не более 0,2 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Емкость при Сойр = 4 В, /= I МГцОт29,7 до
36,3 пФ Коэффициент перекрытия по емкости, не менее 2,1
Температурный коэффициент емкости, не более . . . .500- КГ6 1/К Добротность при Собр = 4 В, /= 50 МГц, не менее:
КВС111А 200
КВС111Б 150
Постоянный обратный ток при UD6p = 30 В: до 298 К 1мкА
при 328 К5мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 30В
Температура окружающей средыОт213 до
373 К
Зависимость емкости от напряжения.
Зависимость добротности от на-пряжения.
Зависимость температурного коэффициента емкости от температуры.
2В112А-1, 2В112Б-1, КВ112А-1, КВ112Б-1
Варикапы кремниевые эпитаксиально - планарные. Предназначены для применения в гибридных интегральных микросхемах.
Выпускаются без корпуса с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора указывается на упаковке. Положительный вывод имеет меньший диаметр.
Масса варикапа не более 0,006 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при £7^ = 4 В, /= 1 МГц: 2В112А-1, KB112A-IОт9,6 до
14,4 пФ
2В112Б-1, КВ112Б-1От12,0 до
18,0 пФ
Температурный коэффициент емкости при U06p = 4 -ь 25 В, не более5■ 10 4 1/К
Коэффициент перекрытия по емкости при t/o6p = 4 -ь 25 В, не менее 1,8
Добротность при Гобр = 4 В, / = 50 МГц, не менее . . .200
Постоянный обратный ток при £/о6р = 25 В, не более: от 213 до 293 К 1мкА
при 398 К50мкА
Предельные эксплуатационные данные
25 ВОт 213 до398 К25 ВОт 213 до398 КПостоянное (импульсное) обратное напряжение . . . .
25 В
От 213 до
398 К
25 В
От 213 до
398 К
Температура окружающей среды
Зависимость емкости от на-пряжения.
Зависимость емкости от на-пряжения.
• От 54,4 до81,6 пФ• От 54,4 до81,6 пФ
• От 54,4 до
81,6 пФ
• От 54,4 до
81,6 пФ
Зависимость добротности от на- Зависимость температурного коэф- 'пряжения.фициента емкости от температуры.
2В113А, 2В113Б, КВ113А, КВ ИЗБ
Варикапы кремниевые меза- эпитаксиальные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Положительный вывод маркируется цветной точкой.
Масса варикапа не более 0,2 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при 1/о6р = 4 В, / = 1 МГц .
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее:
2В113А, КВ113А при Го6р от 4 до 150 В . . . .4,4
2В113Б, КВ113Б при t/oep от 4 до 115 В ... .3,9
Температурный коэффициент емкости при 1/^ = 4 В500 10~61/К Добротность при Uo6p = 4 В, /= 10 МГц, не менее 300 ПОСТОЯННЫЙ обратный ТОК при С'обр = ^обр.макс "ри
температуре: от 213 до 298 К10мкА
при 398 К 300мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: 2В113А, КВ113А 150В
2В113Б, КВ113Б 115В
Постоянная рассеиваемая мощность: от 213 до 323 К100мВт
при 398 К25мВт
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Зависимость емкости от напряжения.Зависимость емкости от напряжения.Зависимость добротности от напряжения.Зависимость добротности от напряжения.
Зависимость емкости от напряжения.
Зависимость емкости от напряжения.
Зависимость добротности от напряжения.
Зависимость добротности от напряжения.
Зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры.Зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры.
Зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры.
Зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры.
Зависимость температурногокоэффициента емкости от тем-пературы.
2В114А-1, 2В114Б-1, КВ114А-1, КВ114Б-1
Варикапы кремниевые меза- эпитаксиальные. Предназначены для применения в гибридных интегральных микросхемах.
Выпускаются без корпуса с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора указывается на упаковке. Положительный вывод имеет меньший диаметр.
Масса варикапа не более 0,04 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при U^ = 4 В, /= 1 МГцОт54,4 до
81,6 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее: 2В114А-1, КВ114А-1 при [/Оброт4до 150 В 4,4
2В114Б-1, КВ114Б-1 при t/o6p от 4 до 115 В 3,9
Добротность при 6'обр = 4 В. /= 10 МГц, не менее 300
Постоянный обратный ток при L'o6p = По6рмакс: от 213 до 298 КЮмкд
при 398 К .. 300 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2В114А-1, КВ114А-1 150 в
2В114Б-1. КВ114Б-1 115в
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Зависимость емкости от на-пряжения.
Зависимость добротности отнапряжения.Зависимость добротности отнапряжения.Зависимость температурного коэффициента емкости от температуры.
Зависимость добротности отнапряжения.
Зависимость добротности отнапряжения.
КВ115А, КВ115Б, КВ115В
Варикапы кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Электрические параметрыЭлектрические параметрыМасса варикапа не более 1 г.
Электрические параметры
Электрические параметры
Емкость при 7о6р = 0От100 до
700 пФ
Прямое напряжение при /пр = 20 мА, не более . . . .1 В
Обратный ток при (;а6р = 50 В. не более: КВ115А0,1мкА
КВ115Б0,05мкА
КВ115В0.01мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 100 В
Постоянный прямой ток20 мА
Температура окружающей средыОт233 до
358 К
КВ116А
Варикап кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для применения в гибридных интегральных микросхемах.
Выпускается без корпуса с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на сопроводительной таре.
Масса варикапа не более 0,006 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Емкость при 1/о6р = 1 В, /= 1 МГцОт168 до
252 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее . . . .18
Добротность при £7o6p=l В, /= 1 МГц, не менее100
Постоянный обратный ток при t/o6p = 10 В, не более 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 10В
Температура окружающей средыОт213 до
358 К
Зависимость емкости от на-пряжения.
Зависимость добротности отнапряжения.
Зависимость температурногокоэффициента емкости от тем-пературы.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
2В117А, КВ117А, КВ117Б
Варикапы кремниевые эпитаксиально-планарные, с большим перекрытием по емкости и резкой зависимостью емкости, от напряжения.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса варикапа не более 0.25 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при Г'о6р = 3 В. / = = I ч- 10 МГцОт26,4 до 39,6 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости при Г'о6р = 3 ч- 25 В: 2В117А, КВ117А От5 до 7
КВ117Б От4 до 7
Температурный коэффициент емкости при Го6р = 3 В, не более 600■ 10 й 1/К
Добротность при Го6р = 3 В, /= 50 МГц. не менее: 2В117А, КВ117А 180
КВ117Б 150
Постоянный обратный ток при t/O6P = 25 В, не более: от 213 до 298 К 1 мкА
при Гмакс10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 25В
Рассеиваемая мощность
от 213 до 323 К мВт
при Тмакс7,5мВт
Температура окружающей среды:
2В117А От213 до 398 К
' КВ117А, КВ117Б От213 до 373 К
Зависимость емкости от на- Зависимость обратного тока отпряжения.напряжения.
Зависимость допустимой рас-сеиваемой мощности от темпе-ратуры.Зависимость допустимой рас-сеиваемой мощности от темпе-ратуры.Зависимое гь добротности отчастоты.Зависимое гь добротности отчастоты.
Зависимость допустимой рас-сеиваемой мощности от темпе-ратуры.
Зависимость допустимой рас-сеиваемой мощности от темпе-ратуры.
Зависимое гь добротности отчастоты.
Зависимое гь добротности отчастоты.
2ВС118А, 2ВС118Б
Сборки из двух кремниевых мезаэпитаксиальных варикапов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Выводы /, 2 — аноды варикапов.
Масса сборки не более 1,7 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при (/„gp = 4 В,/= 1 МГцОт54,4 до
81,6 пФ
Разброс емкости между элементами сборки, не более: 2ВС118А при Г/Обр от 4 В до 100 В 2,5 %
2ВС118Б при (/„бр от 4 В до 50 В 2,5 %
Коэффициент перекрытия по емкости: 2ВС118А при Б'обр от 4 до 100 В3,6-4,4
2ВС118Б приU^ от 4 до 50 В2,7-3,3
Добротность при Г/о6р = 4 В, /= 10 МГц, не менее: 2ВС118А 200
2ВС118Б 250
Постоянный обратный ток при Z7ogp = Б'Обр макс, не более: до 298 К 1 мкА
при 398 К150 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение:
2ВС118А 115 В
2ВС118Б 60 В
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Зависимость емкости от на-пряжения.
Зависимость температурного коэффициента емкости от температуры.
КВ119А
Варикап кремниевый эпитаксиально-планарный.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса варикапа не более 0.53 г.
Электрические параметры
Емкость при С’о6р= 1 В, /= 1 -г 10 МГцОт168 до
252 пФ
Добротность при L/o6p = 1 В, /= I МГц, не менее 100
Постоянный обратный ток при U.Ap = 10 В, не более1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 12 В
Температура окружающей средыОт213 до
373 К
Зависимость емкости от напря-жения.
Зависимость добротности от на-пряжения.
Зависимость температурного коэффициента емкости от температуры.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
КВС120А, КВС120Б
Сборки, состоящие из трех (КВС120А) и двух (КВС120Б) кремниевых эпитаксиально-планарных варикапов с общим катодом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса варикапа не более 1,7 г.
2-5 — АноЗм
Электрические параметры
Емкость при L'^p = 1 В, /= 1 -г 10 МГцОт230 до
320 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее 2
Добротность при Г'обр = 1 В, /= 1 МГц. не менее 100
Постоянный обратный ток при Ua6p = 30 В, не более 0.5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
32 ВОт 228 до358 К32 ВОт 228 до358 КПостоянное обратное напряжение
32 В
От 228 до
358 К
32 В
От 228 до
358 К
Температура окружающей среды .
Зависимость емкости от на- Зависимость добротности от напря- пряжения.жения.
Зависимость температурногокоэффициента емкости от тем-пературы.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
КВ121А, КВ121Б
Варикапы кремниевые эпитаксиально - планарные. Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов с электронным управлением.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими ленточными выводами. Варикапы маркируются цветной точкой у положительного вывода: КВ121А — синей, КВ121Б — желтой.
Масса варикапа не более 0,069 г.
Электрические параметры
Емкость при С'обр = 25 В. /= I 10 МГцOr4,3 до
6.0 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости при 6''одр от 1.5 до 25 В,не менее 2.6
Добротность при/= 50 МГц. не менее КВ121А 200
КВ121Б 150
Постоянный обратный ток при Гобр = 28 В, не более 0.5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 30 В
Температура окружающей средыОт213 до
373 К
Зависимость емкости от напря-жения.
Зависимость добротности от на-пряжения.
Зависимость температурного коэффициента емкости от температуры.
Зависимость обратного тока отнапряжения.
КВ122А, КВ122Б, КВ122В
Варикапы кремниевые эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов с электронным управлением.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими ленточными выводами. Варикапы маркируются цветной точкой у положительного вывода : КВ122А - оранжевой, КВ122Б — фиолетовой, КВ122В - коричневой.
Масса варикапа не более 0,069 г.
От 2,3 до 2,8 пФОт 2,0 до 2,3 пФОт 1,9 до 3,1 пФ^обр от 3 до 25 В:От 4,0 до 5,5От 4,5 до 6,5От 4,0 до 6,0. . . .450. . . .300От 2,3 до 2,8 пФОт 2,0 до 2,3 пФОт 1,9 до 3,1 пФ^обр от 3 до 25 В:От 4,0 до 5,5От 4,5 до 6,5От 4,0 до 6,0. . . .450. . . .300
От 2,3 до 2,8 пФ
От 2,0 до 2,3 пФ
От 1,9 до 3,1 пФ
^обр от 3 до 25 В:
От 4,0 до 5,5
От 4,5 до 6,5
От 4,0 до 6,0
. . . .450
. . . .300
От 2,3 до 2,8 пФ
От 2,0 до 2,3 пФ
От 1,9 до 3,1 пФ
^обр от 3 до 25 В:
От 4,0 до 5,5
От 4,5 до 6,5
От 4,0 до 6,0
. . . .450
. . . .300
Электрические параметры
Емкость при Побр = 25 В, /= I МГц: КВ122А КВ122Б КВ122В
Коэффициент перекрытия по емкости при КВ122А КВ122Б КВ122В
Добротность при /= 50 МГц, не менее: КВ122А, КВ122Б КВ122В
Постоянный обратный ток при t/o6p — 28 В, не более 0,2 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение . . . .30 В
Температура окружающей среды . . . . От 213 до 373 К
Зависимость емкости от на-пряжения.
Зависимость добротности от на-пряжения.
Зависимость температурного коэффициента емкости от тем
Зависимость обратного тока отнапряжения.
Маркиробочная полоса со стороны анодаМаркиробочная полоса со стороны анода
Маркиробочная полоса со стороны анода
Маркиробочная полоса со стороны анода
пературы.
КВ123А
Варикап кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для применения в селекторах телевизионных каналов с электронным управлением.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими ленточными выводами. Маркируется белой полоской у положительного вывода. Варикапы КВ123А поставляются комплектами по 4 шт.
Масса варикапа 0,06 г.
Электрические параметры
Емкость' при С'обр = 25 В, /= 1 -г 10 МГц От 2,6 до 3,8 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости при
иобр от 3 до 25 В. не менее . . . .6.8
Разброс по емкости между варикапами в ком
плекте, не более 3 °о
Температурный коэффициент емкости . . ,(500 + 300)- Ю“6 1 К
Добротность при /= 50 МГц, не меиее 250
Постоянный обратный ток при Гобр = 25 В, не более 0,05 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение 28 В
Импульсное обратное напряжение при т„ < 200 мс . . .30 В
Температура окружающей средыОт213 до
373 К
1 Может производиться поставка варикапов с разбивкой по емкости в пределах от 2,6 до 3,0 и от 2,9 до 3,8 пФ.
Зависимость емкости от на-пряжения.Зависимость емкости от на-пряжения.Зависимость добротности от на-пряжения.Зависимость добротности от на-пряжения.
Зависимость емкости от на-пряжения.
Зависимость емкости от на-пряжения.
Зависимость добротности от на-пряжения.
Зависимость добротности от на-пряжения.
Зависимость температурного Зависимость обратного тока от коэффициента емкости от тем-напряжения,
пературы.
Раздел восьмой
ДИОДЫ ТУННЕЛЬНЫЕ И ОБРАЩЕННЫЕ
1. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
ЗИ101А, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е,ЗИ101Ж, ЗИ101И, АИ101А, АИ101Б, АИ101В, АИ101Д,АИ101Е, АИ101Ж, АИ101И
Диоды арсенид-галлиевые туннельные сплавные. Предназначены для работы в усилителях.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами. Тип диода указывается на зтикетке. Диоды маркируются условными обозначениями на крышке прибора: ЗИ101А, АИ101 - УА; ЗИ1О1Б, АИ101Б - УБ; ЗИ 101 В. АИ101В - УВ; ЗИ101Г- УГ; ЗИ 101Д. АИ101Д-УД; ЗИ101Е. АИ101Е-УЕ: ЗИ101Ж - УЖ; ЗИ101И. АИ101И - УИ.
Масса диода не более 0,15 г.
От 0,75 до 1,25 мАОт 0,5 до 1,25 мАОт 0,5 до 1,5 мАОт 0,75 до 1,25 мАОт 0,5 до 1,25 мАОт0.5до1,5мАОт1.7до2,3мАОт1,5до2,5мАОт1,7до2,3мАОт1,5до2,3мАОт1,5до2,6мАОт4,5до5,5мАОт 0,75 до 1,25 мАОт 0,5 до 1,25 мАОт 0,5 до 1,5 мАОт 0,75 до 1,25 мАОт 0,5 до 1,25 мАОт0.5до1,5мАОт1.7до2,3мАОт1,5до2,5мАОт1,7до2,3мАОт1,5до2,3мАОт1,5до2,6мАОт4,5до5,5мА
От 0,75 до 1,25 мАОт 0,5 до 1,25 мАОт 0,5 до 1,5 мА
От 0,75 до 1,25 мАОт 0,5 до 1,25 мА
От0.5до1,5мА
От1.7до2,3мА
От1,5до2,5мА
От1,7до2,3мА
От1,5до2,3мА
От1,5до2,6мА
От4,5до5,5мА
От 0,75 до 1,25 мАОт 0,5 до 1,25 мАОт 0,5 до 1,5 мА
От 0,75 до 1,25 мАОт 0,5 до 1,25 мА
От0.5до1,5мА
От1.7до2,3мА
От1,5до2,5мА
От1,7до2,3мА
От1,5до2,3мА
От1,5до2,6мА
От4,5до5,5мА
Электрические параметры
Пиковый ток:
ЗИ101А, ЗИ101Б при 298 К при 373 К при 213 К
АИ101А, АИ101Б при 298 К
при 358 К
при 213 К
ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИЮ1Д при 298 К
при 213 и 373 К
АИ101В, АИ101Д при 298 К
при 358 К при 213 К
ЗИ101Е, ЗИ101Ж. ЗИ101И при 298 К
при373К От4,0до5,5мА
при213К От4,0до6,2мА
АИ101Е, АИ101И
при298К От4,5до5,5мА
при358К От4,0до5,5мА
при213К От4,0до6,2мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:
ЗИ101А, ЗИ101Б, АИЮ1А, АИ101Б
при 298 К 5
ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е, ЗИ101Ж, ЗИ101И,
АИ101В, АИ101Д, АИ101Е, АИ101И при 298 К 6
ЗИ101А, ЗИ101Б
при 373К 3
при 213К 4
ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е, ЗИ101Ж, ЗИ101И при 373К 4
при 213К 5
Напряжение пика не более
ЗИ101А,ЗИ101Б,ЗИ101В,ЗИ101Г, ЗИ101Д . . .0,16В
ЗИ101Е,ЗИ101Ж.ЗИ101И0.18В
АИ101А,АИ101Б,АИ101В, АИ101Д0Д6В
АИ101Е,АИ101И0Д8В
Сопротивление потерь при ти < 15 мкс, скважности не
менее 100, не более:
ЗИ101А при 7о6р„ = 30мА24 Ом
АИ101А при 7о6р „ = 30мА 18 Ом
ЗИ101Б при /Обр.и = 30мА22 Ом
АИ101Б при7о6р и = 30мА 16Ом
ЗИ101В при7о6р и = 50мА 18Ом
АИ101В при7о6р „ = 40МА 16Ом
ЗИ101Г при/ойр „ = 50мА 16Ом
АИ101Д при7обр „ = 40мА 14Ом
ЗИ101Д при7обр „ = 50мА 16Ом
АИ101Е при /Обр, и =80мА g Ом
ЗИ101Е при 7обр и = *00мА 10 Ом
АИ101И при /обр.и = 80мА у Ом
ЗИ101Ж при /обр.и= ЮОмА gОм
ЗИ101И при 7о6р и=100мА 7Ом
Обшая емкость диода в точке минимума вольт-ам
перной характеристики при / = 1 -г 10 МГц:
ЗИ101А,ЗИ101Е,не более 3ПФ
АИ101А,не более 4пФ
ЗИ101БОт 2 до 6 пФ
АИ101БОт 2 до 8 пФ
ЗИ101В, не более 2пФ
АИ101В,не более 5пФ
ЗИ101ГОт1 до
3,7 пФ
ЗИ101ДОт2,5 до
6 пФ
АИ101ДОт 2,5 до
10 пФ
ЗИ101ЖОт2 до
6 пФ
АИ101Е, не более 8пФ
ЗИ101ИОт 4,5 до
10 пФ
АИ101ИОт 4,5 до
13 пФ
Емкость корпуса *, не более0,8пФ
Индуктивность диода*, не более1,3нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение:
ЗИ101А, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е,
ЗИ101Ж, ЗИ101И при температуре от 213 до 373 К 0,35 В
АИ101А, АИ101Б, АИ101В, АИ101Д, АИ101Е,
АИ101И при температуре от 213 до 358 К . . . 0,5 —0,6 В
Температура окружающей среды:
ЗИ101А, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е,
ЗИ101Ж, ЗИ101ИОт 213 до
373 К
АИ101А, АИ101Б, АИ101В, АИ101Д, АИ101Е, От 213 до
АИ101И 358 К
Примечания: 1. При креплении приборов в зажимных приспособлениях допускается обрезать ленточные выводы без приложения механической нагрузки к корпусу прибора. Давление на крышку прибора, перпендикулярно ее плоскости, должно быть не более 15 Н.
Не допускается проверка диодов тестером.
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления вольт-амперной характеристики.
рактеристики.
Зона возможных положений зависимости пикового тока от температуры.
Зона возможных положений зависимости тока впадины от температуры.
1И102А, 1И102Б, 1И102В. 1И102Г, 1И102Д, 1И102Е, 1И102Ж, 1И102И, 1И102К
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для работы в усилителях на частоте до 5 ГГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: 1И102А - одной красной точкой, 1И102Б — двумя красными точками, 1И102В-тремя красными точками, 1И102Г — одной белой точкой, 1И102Д - двумя белыми точками, 1И102Е — тремя белыми точками, 1И102Ж - одной черной точкой, 1И102И — двумя черными точками, 1И102К-тремя черными точками. Вывод анода имеет выдавку.
Масса диода не более 0,08 г.
От 1,7 до2,33,1мА мАОт2,3доОт1,25до1,9мАОт1,7до2,55мАОт2.3до3.4мАОт0,9до2,2мАОт1,3до2,9мАОт2,3до4,0мАОт 1,7 до2,33,1мА мАОт2,3доОт1,25до1,9мАОт1,7до2,55мАОт2.3до3.4мАОт0,9до2,2мАОт1,3до2,9мАОт2,3до4,0мАОт 1,25 до 1,75 мАОт 1,25 до 1,75 мА53.553.5От 0.9 до 1,8 пФОт 1,4 до 2,2 пФОт 1,8 до 3,0 пФОт 1,0 до 2,0 пФОт 1,6 до 2.6 пФОт 2,2 до 3,2 пФОт 0.9 до 1,8 пФОт 1,4 до 2,2 пФОт 1,8 до 3,0 пФОт 1,0 до 2,0 пФОт 1,6 до 2.6 пФОт 2,2 до 3,2 пФ
От 1,7 до
2,3
3,1
мА мА
От
2,3
до
От
1,25
до
1,9
мА
От
1,7
до
2,55
мА
От
2.3
до
3.4
мА
От
0,9
до
2,2
мА
От
1,3
до
2,9
мА
От
2,3
до
4,0
мА
От 1,7 до
2,3
3,1
мА мА
От
2,3
до
От
1,25
до
1,9
мА
От
1,7
до
2,55
мА
От
2.3
до
3.4
мА
От
0,9
до
2,2
мА
От
1,3
до
2,9
мА
От
2,3
до
4,0
мА
От 1,25 до 1,75 мА
От 1,25 до 1,75 мА
5
3.5
5
3.5
От 0.9 до 1,8 пФ
От 1,4 до 2,2 пФ
От 1,8 до 3,0 пФ
От 1,0 до 2,0 пФ
От 1,6 до 2.6 пФ
От 2,2 до 3,2 пФ
От 0.9 до 1,8 пФ
От 1,4 до 2,2 пФ
От 1,8 до 3,0 пФ
От 1,0 до 2,0 пФ
От 1,6 до 2.6 пФ
От 2,2 до 3,2 пФ
Пиковый ток:
при 298 К
1И102А, 1И102Б. 1И102В
1И102Г, 1И102Д, 1И102Е
1И102Ж, 1И102И, 1И102К
при 343 К
1И102А, 1И102Б, 1И102В
1И102Г, 1И102Д, 1И102Е
1И102Ж, 1ИЮ2И, 1И102К
при 213 К
1И102А, 1И102Б, 1И102В
1И102Г, 1И102Д, 1И102Е . . . .
1И102Ж, 1Ш02И. 1И102К . . . Отношение пикового тока к току впадины не менее:
при 298 К
при 213 и 343 К
Общая емкость диода в точке минимума вольт-ампериой характеристики при f = = 1-10 МГц:
1И102А 1И102Б
1И102В.
1И102Г
1И102Д 1И102Е
1И102Ж От1,2до2,2пФ
1И102И От1,8до2,7пФ
1И102К От2,3до3,5пФ
Сопротивление потерь при импульсном обратномтоке для 1И102А,
1И102Б, 1И102В 20 мА, для 1И102Г. 1И102Д, 1И102Е - 25 мА, для 1И102Ж, 1И102И, 1И1О2К-ЗО мА. не более:
1И102А, 1И102Б, 1И102Г, 1И102Д.
1И102Ж 6Ом
1И102В, 1И102Е 4,5Ом
1И102И 4,0Ом
1И102К 3,0Ом
Напряжение впадины * От320 до 400 мВ
Отрицательное дифференциальное сопротив
ление * От75 до 110 Ом
Индуктивность корпуса *От0,24 до 0,35 нГн
Емкость корпуса *, не более 0,7пФ
Шумовая постоянная* при /пр = 0,4 /ц . . .1,6
Резонансная частота*, не менее:
1И102А,1И102Г,1И102Ж10ГГц
1И102Б,1И102Д,1И102И 8ГГц
1И102В,1И102Е,1И102К 5ГГц
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток 2/п
Постоянный обратный ток 2/п
Температура окружающей среды . . . . От 213 до 343 К
Примечания: 1. Рекомендуется применять источники питания, имеющие напряжение холостого хода не более 1 В.
При вставлении диода в резонатор во избежание пробоя необходимо свободной рукой коснуться резонатора.
Не рекомендуется располагать диоды вблизи Hai ревающихся
Зависимость пикового тока or температуры.
Зависимость отноше-ния пикового тока ктоку впадины от тем-пературы.
Зависимость напряже-ния пика от темпера-туры.
1И103А, 1И103Б, 1И103В, ГИ103А, ГИ103Б, ГИ103В,ГИ103Г
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для работы в усилителях на частотах до 10 ГГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: 1И103А, ГИ103А — двумя голубыми точками, 1И103Б, ГИ103Б — двумя красными точками, 1И103В, ГИ103В - двумя черными точками, ГИ103Г - двумя зелеными точками. Отрицательный вывод диода имеет больший диаметр.
Масса диода не более 0,08 г.
Электрические параметры
Пиковый ток:
1И103А, 1И103Б. 1И103В. ГИ103А,
ГИ103Б. ГИ103В От 1,3 до 1,7 мА
ГИ103Г От 1,3 до 2.1 мА
Отношение пикового тока к току впадины при температуре от 213 до 343 К, не менее 4
Напряжение пика* От 60 до 90 мВ
Общая емкость диода при (7пр < 1 мВ, /= 10 МГц:
1И103А,ГИ103А От1,0до2,1пФ
1И103Б,ГИ103Б От0,8до1,6пФ
1И103В,ГИ103В От0,7до1,3пФ
ГИ103Г От1,0до3,2пФ
Сопротивление потерь при т„ < 0,1 мкс, Zo6p и = 100 мА. не более: 1И103А, 1И103Б, 1И103В, ГИ103А, ГИ103Б, ГИ103В 6 Ом ГИ103Г 7 Ом
Резонансная частота *: 1И103А 10 ГГц
ГИ103А От 8 до 14 ГГц
1И103Б Около 15 ГГц
ГИ103Б От 9 до 17 ГГц
1И103В Около 20 ГГц
1И103Г От 5,5 до 13 ГГц
Напряжение впадины * От 350 до 430 мВ
Индуктивность диода*От 0,2 до 0,35 нГн
Шумовая постоянная * От 1,0 до 1,5
Отрицательная дифференциальная проводимость От 17 до 10 мСм
Емкость корпуса* 0,42— 0,5 — 0,58 пФ
Температурный коэффициент отрицательной проводимости при температуре от 213 до 343 К, не более ±0,17 “ JK
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой и обратный ток1,5мА
Постоянное прямое напряжение при температуре от 213 до 343 К 400мВ
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 343 К 20мВ
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность:
при 298 К
1И103А,ГИ103А 5мВт
1И103Б,ГИ103Б4мВт
1И103В,ГИЮЗВ 3мВт
ГИ103Г6мВт
при 343 К 1И103А,ГИЮЗА2,5мВт
1И103Б,ГИ103Б2,0мВт
1И103В,ГИЮЗВ1.5мВт
ГИЮЗГ3,0мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность: при ти = 0,1 мкс. f = I кГц при 298 К 1И103А, ГИЮЗА 200мВт
1И103Б, ГИ103Б150мВт
1И103В, ГИ103В100мВт
ГИ103Г 250мВт
при 343 К 1И103А, ГИЮЗА100мВт
1И103Б, ГИ103Б 75мВт
1ИЮЗВ, ГИ103В 50мВт
ГИЮЗГ40мВт
при т„ = I мкс
при 298 К 1ИЮЗА60мВт
1ИЮЗБ40мВт
1ИЮЗВ30мВт
при 343 К 1ИЮЗА25мВт
1И103Б,1И103В20мВт
при ти = 4 мкс и 298 К * 1ИЮЗА20мВт
1И103Б!5мВт
1ИЮЗВЮмВт
Температура окружающей среды . . . . От 213 до 343К
Примечания: 1. Не допускается проверка диодов тестером.
Величина сжимающего корпус усилия не должна превышать
15 Н. при этом давление не должно прикладываться к углубленным или маркированным частям торцов.
Зона разброса вольт-амперной характерис-тики.Зона разброса вольт-амперной характерис-тики.Зависимость отрицательного сопротивления перехода от постоянного прямого напряжения.Зависимость отрицательного сопротивления перехода от постоянного прямого напряжения.Зависимость шумовойпостоянной от по-стоянного прямогонапряжения.Зависимость шумовойпостоянной от по-стоянного прямогонапряжения.Зависимость пикового тока от температуры.Зависимость пикового тока от температуры.Зависимость тока впа- дины от температуры.Зависимость тока впа- дины от температуры.Зависимость напряже-ния пика от темпера-туры.Зависимость напряже-ния пика от темпера-туры.
Зона разброса вольт-амперной характерис-тики.
Зона разброса вольт-амперной характерис-тики.
Зависимость отрицательного сопротивления перехода от постоянного прямого напряжения.
Зависимость отрицательного сопротивления перехода от постоянного прямого напряжения.
Зависимость шумовойпостоянной от по-стоянного прямогонапряжения.
Зависимость шумовойпостоянной от по-стоянного прямогонапряжения.
Зависимость пикового тока от температуры.
Зависимость пикового тока от температуры.
Зависимость тока впа- дины от температуры.
Зависимость тока впа- дины от температуры.
Зависимость напряже-ния пика от темпера-туры.
Зависимость напряже-ния пика от темпера-туры.
1И104А, 1И104Б, 1И104В, 1И104Г, 1И104Д, 1И104Е
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для работы в усилителях в диапазоне длин волн от 2 до 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на вкладыше. Отрицательный вывод диода имеет больший диаметр.
Масса диода не более 0,025 г.
321321
321
321
11 под ред. Н. Н. Горюнова
Электрические параметры
Пиковый ток От1,3 до 1,7 мА
Отношение пикового тока к току впадины
Общая емкость диода при нулевом смещении и /= 1 4- 10 МГц:Общая емкость диода при нулевом смещении и /= 1 4- 10 МГц:при температуре от 213 до 348 К, не менее 4
Общая емкость диода при нулевом смещении и /= 1 4- 10 МГц:
Общая емкость диода при нулевом смещении и /= 1 4- 10 МГц:
От 0,8 до 1,9 пФ От 0,6 до 1,4 пФ От 0,5 до 1,1 пФ От 0,45 до 1 пФОт 0,4 до 0,9 пФ От 0,4 до 0,8 пФОмОм8 Ом60 - 80* - 100 мВ350-400* - 450 мВ0,1-0,11 * - 0,13 нГн0,25-0,3* - 0,35 пФОт 0,8 до 1,9 пФ От 0,6 до 1,4 пФ От 0,5 до 1,1 пФ От 0,45 до 1 пФОт 0,4 до 0,9 пФ От 0,4 до 0,8 пФОмОм8 Ом60 - 80* - 100 мВ350-400* - 450 мВ0,1-0,11 * - 0,13 нГн0,25-0,3* - 0,35 пФ1И104А
От 0,8 до 1,9 пФ От 0,6 до 1,4 пФ От 0,5 до 1,1 пФ От 0,45 до 1 пФ
От 0,4 до 0,9 пФ От 0,4 до 0,8 пФ
Ом
Ом8 Ом
60 - 80* - 100 мВ350-400* - 450 мВ0,1-0,11 * - 0,13 нГн0,25-0,3* - 0,35 пФ
От 0,8 до 1,9 пФ От 0,6 до 1,4 пФ От 0,5 до 1,1 пФ От 0,45 до 1 пФ
От 0,4 до 0,9 пФ От 0,4 до 0,8 пФ
Ом
Ом8 Ом
60 - 80* - 100 мВ350-400* - 450 мВ0,1-0,11 * - 0,13 нГн0,25-0,3* - 0,35 пФ
1И104Б
1И104В
1И104Г
1И104Д
1И104Е
Сопротивление потерь, не более:
1И104А, 1И104Б
1И104В, 1И104Г, 1И104Д
1И104Е
Напряжение пика
Напряжение впадины
Индуктивность диода
Емкость корпуса
Резонансная частота*:
1И104А От11до25ГГц
1И104Б От15до27ГГц
1И104В От17до31ГГц
1И104Г От19до37ГГц
1И104Д От21до45ГГц
1И104Е От25до60ГГц
Температурный коэффициент проводимости при температуре: от 213 до 298 КОт0 до -0,25 %/К
от 213 до 343 К ±0,14 %/К
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность. мВт, на частоте / = 1 кГц: при 343 К
ти = 0,1 мкс
ти = 1 мкс
т„ = 4 мкс
1И104А
100
25
10
1И104Б
75
20
7,5
1И104В
50
15
5,0
1И104Г
25
10
4,0
1И104Д
20
6
3,5
1И104Е
15
4
3,0
от 213 до 308 К
1И104А
200
50
20
1И104Б
150
40
15
1И104В
100
30
10
1И104Г
50
20
8
1И104Д
40
12
7
1И104Е
30
8
6
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность:
при 343 К 1И104А2,5мВт
1И104Б2,0мВт
1И104В1,5мВт
1И104Г, 1И104Д, 1И104Е1,0мВт
от 213 до 308 К 1И104А 5мВт
1И104Б 4мВт
1И104В 3мВт
1И104Г, 1И104Д, 1И104Е2мВт
Постоянное прямое напряжение при температуре от 213 до 343 К 400 мВ
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 343 К 20 мВ
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К:
1И104А, 1И104Б,1И104В, 1И104Г !мА
1И104Д, 1И104Е0,51мА
Постоянный обратный ток при температуре от 213 до 343 К1,5мА
Температура окружающей средыОт213 до
343 К
Примечания: 1. Не допускается проверка диодов тестером.
Прижимное усилие на диод при креплении должно быть ие более 15 Н.
Разрешаются припайка и приварка ленточных выводов к корпусу диода, при этом нагрев диода не должен превышать 343 К.
При измерениях и работе с диодом необходимо брать его заземленным пинцетом или применять браслет для снятия статистического заряда.
Вольт-амперная характе- Зона возможных по- Зона возможных ристика.ложений зависимости положений зависи-
iiотрицательной про- мости шумовой по- водимости перехода от стоянной от по- постоянного прямого стоянного прямого напряжения.напряжения.
i
i
Зона возможных по-ложений зависимостипикового тока оттемпературы.Зона возможных по-ложений зависимостипикового тока оттемпературы.Зона возможных по-ложений зависимоститока впадины от тем-пературы.Зона возможных по-ложений зависимоститока впадины от тем-пературы.Зона возможных по-ложений зависимостиотрицательной прово-димости перехода оттемпературы.Зона возможных по-ложений зависимостиотрицательной прово-димости перехода оттемпературы.ГЕНЕРАТОРНЫЕ ДИОДЫ
Зона возможных по-ложений зависимостипикового тока оттемпературы.
Зона возможных по-ложений зависимостипикового тока оттемпературы.
Зона возможных по-ложений зависимоститока впадины от тем-пературы.
Зона возможных по-ложений зависимоститока впадины от тем-пературы.
Зона возможных по-ложений зависимостиотрицательной прово-димости перехода оттемпературы.
Зона возможных по-ложений зависимостиотрицательной прово-димости перехода оттемпературы.
ЗИ201А, ЗИ201Б, ЗИ201В, ЗИ201Г, ЗИ201Д, ЗИ201Е,
ЗИ201Ж, ЗИ201И, ЗИ201К, ЗИ201Л, АИ201А, АИ201В,
АИ201Г, АИ201Е, АИ201Ж, АИ201И, АИ201К, АИ201Л
Диоды арсенид-галлиевые туннельные сплавные. Предназначень для работы в генераторах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточ ными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды марки
руются условными обозначениями на крышке прибора. 31-1201 А.АИ201-ГА.
ЗИ201Б-ГБ:ЗИ2О1В.
АИ201В-ГВ:ЗИ2О1Г.
АИ201Г-ГГ. ЗИ201Д—ГД. ЗИ201Е.АИ201Е — ГЕ
ЗИ201Ж, АИ201Ж-ГЖ.
ЗИ201И. АИ201И-ГИ:
ЗИ201К.АИ201К-ГК.
АИ201Л. АИ201Л - ГЛ.
Масса диода не более 0.15 г
параметры
Пиковый ток:
ЗИ2О1А. ЗИ201Б. ЗИ2О1В при 298 К
при 373 К
От 9 до 11 мАОт 8 до 11 мАОт 8 до 12,5 мАОт 9 до 11 мАОт 8 до 11 мАОт 8 до 12,5 мАпри 213 К
От 9 до 11 мА
От 8 до 11 мА
От 8 до 12,5 мА
От 9 до 11 мА
От 8 до 11 мА
От 8 до 12,5 мА
АИ201А, АИ201В при 298 К
при 358 К
при 213 К
ЗИ201Г. ЗИ201Д, ЗИ2О1Е при 298 К при 373 К
при 213 К
АИ201Г, АИ201Е при 298 К при 358 К
при 213 К
ЗИ2О1Ж, ЗИ201И при 298 К
при 373 К
при 213 К
АИ201Ж, АИ201И при 298 К при 358 К при 213 К
ЗИ2О1К, ЗИ2О1Л при 298 К
при 373 К
при 213 К
АИ201К, АИ201Л при 298 К
при 358 К при 213 К
От 9 до 11 мАОт 8 до 11 мАОт 8 до 12,5 мАОт 18 до 22 мАОт 16 до 22 мАОт 16 до 25 мАОт 18 до 22 мАОт 16 до 22 мАОт 16 до 25 мАОт 45 до 55 мАОт 40 до 55 мАОт 40 до 60 мАОт 45 до 55 мАОт 40 до 55 мАОт 40 до 60 мАОт 90 до 110 мАОт 80 до ПО мАОт 80 до 120 мАОт 90 до 110 мАОт 80 до 110 мАОт 80 до 120 мАОт 9 до 11 мАОт 8 до 11 мАОт 8 до 12,5 мАОт 18 до 22 мАОт 16 до 22 мАОт 16 до 25 мАОт 18 до 22 мАОт 16 до 22 мАОт 16 до 25 мАОт 45 до 55 мАОт 40 до 55 мАОт 40 до 60 мАОт 45 до 55 мАОт 40 до 55 мАОт 40 до 60 мАОт 90 до 110 мАОт 80 до ПО мАОт 80 до 120 мАОт 90 до 110 мАОт 80 до 110 мАОт 80 до 120 мАОтношение пикового тока к току впадины, не менее:
От 9 до 11 мА
От 8 до 11 мА
От 8 до 12,5 мА
От 18 до 22 мА
От 16 до 22 мА
От 16 до 25 мА
От 18 до 22 мА
От 16 до 22 мА
От 16 до 25 мА
От 45 до 55 мА
От 40 до 55 мА
От 40 до 60 мА
От 45 до 55 мА
От 40 до 55 мА
От 40 до 60 мА
От 90 до 110 мА
От 80 до ПО мА
От 80 до 120 мА
От 90 до 110 мА
От 80 до 110 мА
От 80 до 120 мА
От 9 до 11 мА
От 8 до 11 мА
От 8 до 12,5 мА
От 18 до 22 мА
От 16 до 22 мА
От 16 до 25 мА
От 18 до 22 мА
От 16 до 22 мА
От 16 до 25 мА
От 45 до 55 мА
От 40 до 55 мА
От 40 до 60 мА
От 45 до 55 мА
От 40 до 55 мА
От 40 до 60 мА
От 90 до 110 мА
От 80 до ПО мА
От 80 до 120 мА
От 90 до 110 мА
От 80 до 110 мА
От 80 до 120 мА
ЗИ201А. ЗИ2О1Б. ЗИ201В. ЗИ2О1Г. ЗИ201Д; ЗИ201Е. ЗИ201Ж,
ЗИ2О1И. ЗИ2О1К, ЗИ201Л при298К ю
при373К о
при213К g
АИ201А. АИ201В, АИ201Г. АИ201Б, АИ201Ж
АИ201И, АИ201К, АИ201Л |0
Напряжение пика, не более:
ЗИ201А, ЗИ201Д, ЗИ201Е, АИ201Г. АИ201Е . . . .0,2В
ЗИ201Б, ЗИ201В,АИ201А.АИ201В0,18В
ЗИ2О1Г0,21В
ЗИ201Ж, ЗИ2О1И,АИ201Ж,АИ201И0,26В
ЗИ2О1К, ЗИ201Л,АИ201К,АИ201Л0,33В
Сопротивление потерь, не более:
ЗИ201А, ЗИ201Б, ЗИ201В при /о6ри = 150 мА . . .8 Ом
АИ201А, АИ201В при /обр „ = 100 мА 8Ом
ЗИ201Г,ЗИ201Д при/й,., = 150 мА 5Ом
АИ201Гпри/обр. и =100мА 5Ом
ЗИ201Епри/обр и =150мА 4Ом
АИ201Епри/„бр „ =100мА 4Ом
ЗИ2О1Ж, ЗИ201И при /«5Р.И = 250 мА2,5Ом
АИ201Ж, АИ201И при /^.„ = 220 мА ... . 2,5 Ом
ЗИ201К, ЗИ201Л при 7обр.и = 250 мА2,2 Ом
АИ201К, АИ201Л при /^„ = 220 мА2,2 Ом
Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной характеристики при f— 1 т- 10 МГц:
ЗИ2О1А, не более 3,5пФ
АИ201А, АИ201В, не более 8.0пФ
ЗИ201Б От 2,5 до 6,0 пФ
АИ201Г, не более 10пФ
ЗИ2О1В От 4,5 до 10 пФ
АИ201Е От 6 до 20 пФ
ЗИ201Г, не более 4пФ
АИ201Ж, не более 15пФ
ЗИ2О1Д От 3 до 7 пФ
ЗИ201Е От 5 до 12 пФ
ЗИ2О1Ж, не более 8пФ
ЗИ201И От6до15пФ
АИ201И От10до30пФ
ЗИ2О1К, не более 15пФ
АИ201К, не более 20пФ
ЗИ201Л От10до40пФ
АИ201Л От10до50пФ
Емкость корпуса *, не более0,8 пФ
Индуктивность диода*, не более1,3 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение при температуре:
от 213 до 373 К
ЗИ2О1А, ЗИ2О1Б,ЗИ201В 0,4 В
ЗИ2О1Г. ЗИ201Д, ЗИ201Е. ЗИ201Ж,
ЗИ201И 0,45В
ЗИ201К, ЗИ2О1Л 0,5 В
о, 213 до 358 К
АИ201А, АИ201В, АИ201Г, АИ201Ж,
АИ201И, АИ201К, АИ201Л . . . .0.5-0.6 В
Температура окружающей среды:
ЗИ201А, ЗИ201Б, ЗИ2О1В, ЗИ201Г,
ЗИ201Д, ЗИ201Е, ЗИ2О1Ж, ЗИ201И, ЗИ201К. ЗИ201Л От213 до 373 К
АИ201А, АИ201В, АИ201Г, АИ201Е,
АИ201Ж, АИ201И, АИ201К, АИ201Л От 213 до 358 К
Примечания: 1. При креплении приборов в зажимных приспособлениях допускается обрезать ленточные выводы без приложения механической нагрузки к корпусу прибора.
Давление на крышку прибора, перпендикулярное ее плоскости, должно быть не более 15 Н.
Не допускается проверка диодов тестером.
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления вольт-амперной характеристики.
Вольт-амперные характеристики.
Зона возможных положений зависимости пикового тока от температуры.
Зона возможных положений зависимости тока впадины от температуры.
ЗИ202А, ЗИ202Б, ЗИ202В, ЗИ202Г, ЗИ202Д, ЗИ202Е,ЗИ202Ж, ЗИ202И, ЗИ202К
Диоды арсенид-таллиевые туннельные меза- сплавные. Предназначены для генерирования колебаний в диапазоне длин волн от 10 до 20 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Приборы маркируются условными обозначениями на крышке прибора: ЗИ202А - ВА, ЗИ202Б - ВБ, ЗИ202В - ВВ, ЗИ2О2Г - ВГ. ЗИ292Д - ВД, ЗИ2О2Е - BE, ЗИ202Ж - ВЖ, ЗИ202И - ВИ, ЗИ202К - ВК.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Пиковый ток;
при 298 К ЗИ202А. ЗИ202Б, ЗИ202В От9 до ) 1 мА
ЗИ202Г. ЗИ202Д, ЗИ2О2Е От18 до22мА
ЗИ2О2Ж, ЗИ2О2И От27 до33мА
ЗИ202К От45 до55мА
при 213 и 358 К ЗИ202А. ЗИ2О2Б, ЗИ202В От7,5 до12мА
ЗИ202Г, ЗИ202Д, ЗИ2О2Е От15 до24мА
ЗИ202Ж. ЗИ2О2И От22 до36мА
ЗИ202К От38 до60мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:
при 298 К 8
при 213 и 358 К 7
Напряжение пика:
ЗИ202А, ЗИ202Б. ЗИ202В От 0,09 до 0,2 В
ЗИ202Г, ЗИ202Д, ЗИ202Е От 0.1 до 0,22 В
ЗИ202Ж, ЗИ202И От 0,1 до 0,24 В
ЗИ202К не более 0,26 В
Общая емкость диода;
ЗИ202А, не более 3 пФ
ЗИ202Б От 1,5 до 3 пф
ЗИ202В От 2.3 до 4,8 пФ
ЗИ202Г. не более 4 пФ
ЗИ202Д От 2 до 4 пФ
ЗИ2О2Е От 3 до 5 пФ
ЗИ2О2Ж, не более 5 пФ
ЗИ202И Or 4 до 8 пФ
ЗИ202К. не более 10 пФ
Сопротивление потерь* при импульсном обратном токе 250 мА. не более:
ЗИ202А 5 Ом
ЗИ202Б. ЗИ202В, ЗИ202Г 4 Ом
ЗИ2О2Д, ЗИ202Е, ЗИ2О2Ж.ЗИ202И 3 Ом
ЗИ202К 2 Ом
Напряжение впадины*: ЗИ202А, ЗИ2О2Б, ЗИ202В0.58 В
ЗИ202Г. ЗИ202Д. ЗИ202Е. ЗИ202Ж. ЗИ202И . . .0.62 В
Резонансная частота*:
ЗИ202А9.2ГГц
ЗИ202БЮ.5ГГц
ЗИ202В6.0ГГп
ЗИ202Г9.9ГГц
ЗИ202Д11.7ГГп
ЗИ2О2Е9.0 Г Г а
ЗИ202ЖЮ.6ГГп
ЗИ202И6.1 ГГп
ЗИ202К7-7 ГГп
Индуктивность диода*, не более . . .0.5-10 Гн
Предельные зксплуатацнонные данные
Температура окружающей среды . . . . Or 213 до 358 К
Температура корпуса 358К
Примечания: 1. Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восходящей ветви не допускается.
При креплении диодов в зажимных приспособлениях допускается давление на крышку перпендикулярно ее плоскости не более 15 Н.
Не допускается проверка диодов тестером.
Воль t-амперные характе-ристики.
Вольт-амперные характе-ристики.
Волы-амперные .характе-ристики.
Вольт-амперные характе-рна ики.
температуры.температуры.
ei,sei,s
ei,s
ei,s
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ, ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД, 2И203Ж, ЗИ2ОЗИ
Диоды арсенид-галлиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для генерирования колебаний в диапазоне длин волн от 6 до 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются условными обозначениями на крышке прибора: ЗИ2ОЗА - А, ЗИ2ОЗБ - Б, ЗИ2ОЗГ — Г, ЗИ2ОЗД-Д; ЗИ2ОЗЖ - Ж; ЗИ2ОЗИ - И. Отрицательный вывод диода имеет больший диаметр.
Масса диода не более 0,065 i.
Электрические параметры
Пиковый ток:
при 298 К Юпри 298 К Юпри 213 и 358 К 7при 213 и 358 К 7Напряжение пика, не более:Напряжение пика, не более:ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ0,2 В0,2 В
при 298 К Ю
при 298 К Ю
при 213 и 358 К 7
при 213 и 358 К 7
Напряжение пика, не более:
Напряжение пика, не более:
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ
0,2 В
0,2 В
при 298 К
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД
ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ
при 358 К
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД
ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ
при 213 К
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД
ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ Отношение пикового то
От От
От От
От :а к току впадины, не
От 9 до 11 мА
От 18 до 22 мА
От 27 до 33 мА
/п — 1,5 до /п + 0,5 мА /„ - 3,0 до /п + 1,0 мА 7П - 4,5 до /п + 1,5 мА
/п — 1,0 до /п + 0,5 мА
/п — 2,0 до /п + 1,0 мА
/п — 3,0 до /„ + 1,5 мА менее:
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД0,22В
ЗИ2ОЗЖ, ЗИ203И0,24В
Общая емкость диода при нулевом смещении, /= 1 ч- 60 МГц:
ЗИ2ОЗА, ие более
ЗИ2ОЗБ, ЗИ2ОЗД
ЗИ2ОЗГ, не более
ЗИ203Ж, не более
ЗИ2ОЗИ
2 пФ
. . От 1,5 до 3 пФ
•2,5 пФ
•3,0 пФ
. . От 2,5 до 4,5 пФ
Сопротивление потерь при /обр, и = 250
мА, не более:
ЗИ203А
. .6 Ом
ЗИ2ОЗБ, ЗИ2ОЗГ
■ .4 Ом
ЗИ2ОЗД
3,5 Ом
ЗИ2ОЗЖ
ЗИ2ОЗИ
. .2,5 Ом
Индуктивность диода *, не более . . .
■ .0,3 иГи
Емкость корпуса *
. . От 0,3 до 0,6 пФ
Напряжение впадины *
0,6 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение при температуре от 213 до 358 К:
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ 0,4В
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД, ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ0,45В
Постоянный обратный ток: ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ 5мА
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД 10мА
ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ 15мА
Температура окружающей среды . . . . От 213 до 358 К
Примечания: 1. При креплении диодов допускается давление на крышку перпендикулярно ее плоскости не более 30 Н и изгибающее усилие не более 1 Н ■ см.
Не допускается постоянное смещение рабочей точки диодов иа вторую восходящую ветвь вольт-амперной характеристики.
Не допускается проверка диодов тестером.
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
АИ301А, АИ301Б, АИ301В, А ИЗОН
Диоды арсенид-таллиевые туннельные. Предназначены для работы в переключающих схемах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Тип диода указывается на этикетке.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Пиковый ток:
при 298 К АИ301А
АИ301Б, АИ301В
АИ301Г
при 213 и 343 К АИ301А
АИ301Б, АИ301В
АИ301Г
Отношение пикового тока к току впадины, Напряжение пика, не более Напряжение раствора:
АИ301А, не менее
АИ301Б
АИ301В
АИ301Г, не менее
От 1,6 до 2,4 мАОт 4,5 до 5,5 мАОт 9,0 до 11 мАОт 1,3 до 2,6 мАОт 3.9 до 5,9 мАОт 7,7 до 11,6 мА не менее 8. . . .0,18 В0,65 ВОт 0,85 до 1,15 ВОт 1,0 до 1,3 В0,8 ВОт 1,6 до 2,4 мАОт 4,5 до 5,5 мАОт 9,0 до 11 мАОт 1,3 до 2,6 мАОт 3.9 до 5,9 мАОт 7,7 до 11,6 мА не менее 8. . . .0,18 В0,65 ВОт 0,85 до 1,15 ВОт 1,0 до 1,3 В0,8 ВОбщая емкость диода в точке минимума вольт-амперной характе
От 1,6 до 2,4 мА
От 4,5 до 5,5 мАОт 9,0 до 11 мА
От 1,3 до 2,6 мА
От 3.9 до 5,9 мА
От 7,7 до 11,6 мА не менее 8
. . . .0,18 В
0,65 В
От 0,85 до 1,15 В
От 1,0 до 1,3 В0,8 В
От 1,6 до 2,4 мА
От 4,5 до 5,5 мАОт 9,0 до 11 мА
От 1,3 до 2,6 мА
От 3.9 до 5,9 мА
От 7,7 до 11,6 мА не менее 8
. . . .0,18 В
0,65 В
От 0,85 до 1,15 В
От 1,0 до 1,3 В0,8 В
ристики при /= 1 ч- 10 МГц, не более: АИ301А 12пФ
АИ301Б, АИ301В 25пФ
АИ301Г 50пФ
Емкость корпуса, не более0,8пФ
Предельные эксплуатационные данные температуре от 213 доПредельные эксплуатационные данные температуре от 213 доПостоянный прямой ток при 343 К:АИ301А. АИ301БАИ301ВАИ301ГТемпература окружающей средыПостоянный прямой ток при 343 К:АИ301А. АИ301БАИ301ВАИ301ГТемпература окружающей среды1,22,75,51,22,75,5мА мА мАмА мА мАот 213 до 343 КПримечания: 1. Пайка и изгиб выводов допускаются на расстоянии не менее 3 мм от корпуса диода. При изгибе вывода необходима жесткая фиксация его основания. Допускается укорачивать длину выводов до 8,5 мм без приложения механической нагрузки к корпусу.При креплении диодов допускается давление на крышку диода, перпендикулярное ее плоскости, не более 15 Н.Не допускается проверка диодов тестером.Зона возможных положений вольт-амперных характеристик.от 213 до 343 КПримечания: 1. Пайка и изгиб выводов допускаются на расстоянии не менее 3 мм от корпуса диода. При изгибе вывода необходима жесткая фиксация его основания. Допускается укорачивать длину выводов до 8,5 мм без приложения механической нагрузки к корпусу.При креплении диодов допускается давление на крышку диода, перпендикулярное ее плоскости, не более 15 Н.Не допускается проверка диодов тестером.Зона возможных положений вольт-амперных характеристик.Индуктивность диода, не более1,5нГн
Предельные эксплуатационные данные температуре от 213 до
Предельные эксплуатационные данные температуре от 213 до
Постоянный прямой ток при 343 К:
АИ301А. АИ301Б
АИ301В
АИ301Г
Температура окружающей среды
Постоянный прямой ток при 343 К:
АИ301А. АИ301Б
АИ301В
АИ301Г
Температура окружающей среды
1,2
2,7
5,5
1,2
2,7
5,5
мА мА мА
мА мА мА
от 213 до 343 К
Примечания: 1. Пайка и изгиб выводов допускаются на расстоянии не менее 3 мм от корпуса диода. При изгибе вывода необходима жесткая фиксация его основания. Допускается укорачивать длину выводов до 8,5 мм без приложения механической нагрузки к корпусу.
При креплении диодов допускается давление на крышку диода, перпендикулярное ее плоскости, не более 15 Н.
Не допускается проверка диодов тестером.
Зона возможных положений вольт-амперных характеристик.
от 213 до 343 К
Примечания: 1. Пайка и изгиб выводов допускаются на расстоянии не менее 3 мм от корпуса диода. При изгибе вывода необходима жесткая фиксация его основания. Допускается укорачивать длину выводов до 8,5 мм без приложения механической нагрузки к корпусу.
При креплении диодов допускается давление на крышку диода, перпендикулярное ее плоскости, не более 15 Н.
Не допускается проверка диодов тестером.
Зона возможных положений вольт-амперных характеристик.
волы-амперных характеристик.волы-амперных характеристик.вольт-амперных характеристик.вольт-амперных характеристик.Зона возможных положений за-висимое) и пиковою тока оттемпературы.Зона возможных положений за-висимое) и пиковою тока оттемпературы.Вольт-амперные характерис-тики.Вольт-амперные характерис-тики.
волы-амперных характеристик.
волы-амперных характеристик.
вольт-амперных характеристик.
вольт-амперных характеристик.
Зона возможных положений за-висимое) и пиковою тока оттемпературы.
Зона возможных положений за-висимое) и пиковою тока оттемпературы.
Вольт-амперные характерис-тики.
Вольт-амперные характерис-тики.
1И304А, 1И304Б, ГИ304А, ГИ304Б
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены Для работы в быстродействующих переключающих схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Диоды маркируются цветной точкой: 1И304А, ГИ304А — черной на положительном выводе. 1И304Б, ГИ304Б - черной на отрицательном выводе. Углубление положительного вывода окрашивается в красный цвет.
Масса диода нс более 0,1 г.
Электрические параметры
От 4,6 до 5,2 мАОт 0,85 /„ до 1,05 /„От 4.5 до 5.1 мАОт 4,05 до 5,61 мАОт 3.6 до 5,61 мАОт 4.8 до 5,4 мАОт 0,85 /„ до 1,05 /„От 4,9 до 5,5 мА От 4.41 до 6,32 мАОт 3.92 до 6,05 мАОт 4,6 до 5,2 мАОт 0,85 /„ до 1,05 /„От 4.5 до 5.1 мАОт 4,05 до 5,61 мАОт 3.6 до 5,61 мАОт 4.8 до 5,4 мАОт 0,85 /„ до 1,05 /„От 4,9 до 5,5 мА От 4.41 до 6,32 мАОт 3.92 до 6,05 мА10 мА10 мА
От 4,6 до 5,2 мАОт 0,85 /„ до 1,05 /„
От 4.5 до 5.1 мАОт 4,05 до 5,61 мАОт 3.6 до 5,61 мА
От 4.8 до 5,4 мАОт 0,85 /„ до 1,05 /„
От 4,9 до 5,5 мА От 4.41 до 6,32 мА
От 3.92 до 6,05 мА
От 4,6 до 5,2 мАОт 0,85 /„ до 1,05 /„
От 4.5 до 5.1 мАОт 4,05 до 5,61 мАОт 3.6 до 5,61 мА
От 4.8 до 5,4 мАОт 0,85 /„ до 1,05 /„
От 4,9 до 5,5 мА От 4.41 до 6,32 мА
От 3.92 до 6,05 мА
10 мА
10 мА
Пиковый ток:
I И304А
при 298 К
при 213 и 343 К
ГИ304А
при 298 К
при 333 К
при 233 К
1И304Б
при 298 К
при 213 и 343 К
ГИ304Б
при 298 К
при 333 К
при 233 К
Отношение пикового тока к току впадины, не менее: 1И304А, 1И304Б
при 298 К 8
при 213 и 343 К 4
ГИЗЭ4А, ГИ304Б
при 298 К 5
при 233 и 333 К 4
Напряжение раствора:
1И304Л, 1И304Б при298К,неменее 400мВ
при343К,неменее 0,85С'рр
при213К,неболее 1,25Грр
ГИ304А, ГИ304Б при 298К,неменее 420мВ
при 333К,неменее 336мВ
при 233К,неболее 525мВ
Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной
характеристики при / = 1 -г- 10 МГц, не более . . . .20 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой и обратный ток: 1И304А. 1И304Б
от 213 до 293 К
7,5 мА10 мА7,5 мА343 К333 к7,5 мА10 мА7,5 мА343 К333 к
7,5 мА
10 мА
7,5 мА
343 К
333 к
7,5 мА
10 мА
7,5 мА
343 К
333 к
при 343 К
ГИ304А, ГИ304Б от 233 до 293 К
при 333 К
Температура окружающей среды:
1И304А, 1И304Б От213 до
ГИ304А, ГИ304Б От233 до
Примечания: 1. В диапазоне температуры от 293 до 343 К для 1И304А, 1И304Б и от 293 до 333 К для ГИ304А, ГИ304Б значение постоянного прямого и обратного тока снижается на 0,5 мА на каждые 10 К и иа 0.5 мА иа каждые 8 К соответственно.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2,5 мм
от корпуса, при этом температура корпуса не должна превышать 358 К.
При изгибе вывода необходима жесткая фиксация его основания.
После установки в аппаратуре диоды должны заливаться изоляционным компаундом.
Вольт-амперные характеристики.0
Зона возможных поло-жений зависимости пи-кового тока от тем-пературы.
Зона возможных поло-жений зависимостиотношения пиковоготока к току впадиныот температуры.
Зона возможных по-ложений зависимостинапряжения раствораот температуры.
1И305А, 1И305Б, ГИ305А, ГИ305Б
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для работы в переключающих схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Диоды маркируются цветной точкой: 1ИЗО5Б, ГИЗО5Б — голубой на отрицательном выводе; 1ИЗО5А, ГИЗО5А — точка отсутствует. Углубление положительного вывода окрашивается в красный цвет.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Пиковый ток: 1И305А
прн 298 КОт9,2 до 10,4 мА
при 343 КОт0,9 4 до 1,1 4
при 213 КОт0,83 4 до 1,03 4
ГИЗО5А при 298 К .. . От 9,1 до 10,1 мА
при 333 К .. От 8,19 до 11,61 мА
при 233 КОт7,28 до 11,11 мА
1ИЗО5Б
при 298 КОт9,6 до 10.8 мА
при 343 КОт0,9 4 До 1,1 4
при 213 КОт0,83 4 до 1,03 4
ГИЗО5Б при 298 К . . . .От 9,8 до 11,1 мА
при 333 КОт8,82 до 12.76 мА
при 233 КОт7,84 до 12.21 мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:
1ИЗО5А, 1ИЗО5Б при298К 8
от 213до343К 4
ГИ305А, ГИЗО5Б при298К 5
при233и333К 4
Напряжение раствора: 1И305А, 1И305Б
при 298 К, не менее 400мВ
при 343 КОт0,85 С/рр до С/рр
при 213 К, не более 1,25Прр
ГИ305А, ГИ305Б
при298К,неменее 430мВ
при333К.неменее 344мВ
при233К,неболее 537мВ
Напряжение пика,неболее:
1И305А, 1ИЗО5Б 70мВ
ГИЗО5А, ГИЗО5Б 85мВ
Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной характеристики,/= 1 -;- 10 МГц, не более . . . .30 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой и обратный ток:
1И305А, 1ИЗО5Б от 213 до 293 К20мА
при 343 К 15мА
ГИЗО5А. ГИЗО5Б от 233 до 293 К20мА
. .15 мА213 до 343 К233 до 333 К348 Кот 293 до 343 КГИ305А. ГИЗО5Б. .15 мА213 до 343 К233 до 333 К348 Кот 293 до 343 КГИ305А. ГИЗО5Бпри 333 К
. .15 мА
213 до 343 К
233 до 333 К
348 К
от 293 до 343 К
ГИ305А. ГИЗО5Б
. .15 мА
213 до 343 К
233 до 333 К
348 К
от 293 до 343 К
ГИ305А. ГИЗО5Б
Температура окружающей среды:
1И305А, 1ИЗО5Б От
ГИЗО5А, ГИЗО5Б От
Температура перехода
значение постоянного прямого и обратного тока снижается линейнозначение постоянного прямого и обратного тока снижается линейнона 1 мА на каждые 10 К.на 1 мА на каждые 10 К.Примечания: I. В диапазоне температуры для 1ИЗО5А, 1И305Б и от 293 до 333 К для
значение постоянного прямого и обратного тока снижается линейно
значение постоянного прямого и обратного тока снижается линейно
на 1 мА на каждые 10 К.
на 1 мА на каждые 10 К.
Пайка приборов допускается на расстоянии не менее 2.5 мм этом температура корпуса не должна превышатьПайка приборов допускается на расстоянии не менее 2.5 мм этом температура корпуса не должна превышать2 от корпуса, при 358 К.
Пайка приборов допускается на расстоянии не менее 2.5 мм этом температура корпуса не должна превышать
Пайка приборов допускается на расстоянии не менее 2.5 мм этом температура корпуса не должна превышать
При изгибе вывода необходима жесткая фиксация его основания.
После установки в аппаратуру диоды должны заливаться изоляционным компаундом.
Вольт-амперные характеристики.
Зона возможных поло-жений зависимости пи-кового тока от тем-пературы.
Зона возможных положений зависимости отношения пикового тока к току впадины от температуры.
Зона возможных по-ложений зависимостинапряжения раствораот температуры.
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е, ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М,
ЗИЗО6Н, ЗИЗО6Р, ЗИЗО6С
Диоды арсенид-галлиевые туннельные сплавные. Предназначены для работы в переключающих схемах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды
крышке прибора:ЗИЗО6К - ПК,ЗИЗО6Р - ПР,крышке прибора:ЗИЗО6К - ПК,ЗИЗО6Р - ПР,маркируются условными обозначениями на ЗИЗО6Г - ПГ, ЗИЗО6Е - ПЕ, ЗИЗО6Ж - ПЖ, ЗИЗО6Л - ПЛ, ЗИЗО6М - ПМ, ЗИ306Н - пн, ЗИЗО6С - ПС.
крышке прибора:
ЗИЗО6К - ПК,
ЗИЗО6Р - ПР,
крышке прибора:
ЗИЗО6К - ПК,
ЗИЗО6Р - ПР,
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Пиковой ток:
при 298 К ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е От1,8 до2,2мА
ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Р От4,5 до5,5мА
ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М, ЗИЗО6Н,ЗИЗО6СОт9,0 до11мА
при 373 К ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е Or 1,5 до 2 4 мА
ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Р От 3,9 до 59 мА
ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М,ЗИЗО6Н.ЗИЗО6СОт 7,7 до 11,8 мА
при 213 К
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е От1,5до2 4 мА
ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К,ЗИЗО6Р . . . .От 3,8 до 5 9 мА
ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М,ЗИЗО6Н.ЗИЗО6СОт 7,6 до 11,8 мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее: при 298 К g
при 373 К 6
Напряжение пика, не более: при 298К0,17В
при 373К о,2В
Напряжение раствора, не менее: при 298Ко,85В
при 373Ко,72В
при 213 К,о,8 В
Общая емкость диода в точке минимума вольт-ампер-
иой характеристики при /= 1 ч- 10 МГц: ЗИЗО6Г, не более 8 пФ
ЗИЗО6Е От 4 до 12 пФ
ЗИ306Ж, не более 15пф
ЗИЗО6К От 8 до 25 пФ
ЗИЗО6Л, не более 12пФ
ЗИ306М, не более 30пФ
ЗИЗО6Н От 15 до 50 пФ
ЗИЗО6Р От 4 до 25 пФ
ЗИЗО6С От 10 до 50 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики при температуре:
от 213 до 298 К ЗИЗО6Г,ЗИЗО6Ж,ЗИЗО6Л,ЗИ306М0,4/„
ЗИ306Е,ЗИЗО6К,ЗИЗО6Н.ЗИЗО6Р,
ЗИЗО6С 0.97„
при 373 К
ЗИЗО6Г,ЗИЗО6Ж,ЗИЗО6Л,ЗИЗО6М0,15/„
ЗИЗО6Е,ЗИЗО6К.ЗИЗО6Н.ЗИЗО6Р,
ЗИЗО6С 0,5/п
Импульсный ток на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики при температуре:
от 213 до 298 К ЗИЗО6Г.ЗИ306Ж.ЗИЗО6Л.ЗИ306М0,4/„
ЗИЗО6Е,ЗИЗО6К,ЗИЗО6Н,ЗИЗО6Р,
ЗИЗО6С 1,2/п
при 373 К
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М 0,3 /„
ЗИЗО6Е, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6Р, ЗИЗО6С . . .0^8 4
Постоянный обратный ток:
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е 4мА
ЗИЗО6Ж. ЗИЗО6К. ЗИЗО6Р 10мА
ЗИЗО6Л. ЗИЗО6М, ЗИЗО6Н.ЗИЗО6С20мА
Температура окружающей среды От213 до 373 К
Примечание. Допускается укорачивать выводы до 8,5 мм без приложения механической нагрузки к корпусу прибора.
Зона возможных положений зависимое, и пикового тока о, температуры.
Зона возможных положений за-висимое , и тока впадины от тем-пературы.
Зона возможных положений зависимости напряжения раствора от температуры.
ГИ307А
Диод германиевый туннельный мезасплавной. Предназначен для работы в переключающих схемах
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими ленточными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диод маркируется синей точкой у положительного вывода.
Масса диода не более 0,1 г
34ь
Электрические параметры
Пиковый ток: при 298 КОт1,8
до 2,2 мА при 333 КОт1,62
до 1,98 мА при 233 КОт1,67
до 2,09 мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее: при 298 К 7
при 233 и 333 К 5
Напряжение пика, не менее 70му
Напряжение раствора при токе 2 мА, не менее: при 298 К 400мВ
при 233 и 333 К 340мВ
Общая емкость диода, не более 20пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой и обратный ток 4мд
Импульсный прямой и обратный ток при ти < 10 мкс и скважности не менее 2,5 Юмд
Температура окружающей средыОт233
до 333 К
1И308А, 1И308Б, 1И308В, 1И308Г, 1И308Д,1И308Е, 1И308Ж, 1И308И, 1И308К
Диоды германиевые туннельные мезапланарные. Предназначены Для работы в переключающих устройствах субнаносекундного диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются Цветным кодом: 1И308А — зеленой и черной точками, 1И308Б — зеленой и белой точками, 1И308В — красной и черной точками, 1И308Г — двумя красными точками, 1И308Д — красной и белой точ-
ками, 1ИЗО8Е — белой и черной точками, 1ИЗО8Ж —двумя белыми точками, 1И308И — голубой и черной точками, 1И308К — голубой и белой точками. Отрицательный вывод имеет больший диаметр.
Масса диода не более 0,1 г.
03.7
Электрические параметры
Пиковый ток: 1ИЗО8А, 1ИЗО8БОт4,5до5,5мА
1ИЗО8В, 1И308Г, 1ИЗО8ДОт9,0до11мА
1ИЗО8Е, 1ИЗО8ЖОт18до22мА
1ИЗО8И, 1ИЗО8КОт45до55мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее: при 298 К 5
при 213 и 343 К 4
Общая емкость диода в точке минимума вольт- амперной характеристики при /= 1 ч- 10 МГц: 1И308А, 1ИЗО8ГОт1,5до5пФ
1ИЗО8БОт0,7до2пФ
1ИЗО8ВОт4,0до10пФ
1И308ДОт0,8до2пФ
1ИЗО8ЕОт3,0до15пФ
1ИЗО8ЖОт1,0до4пФ
1ИЗО8ИОт5,0до20пФ
1ИЗО8КОт2,3до8пФ
Напряжение пика *: 1ИЗО8АОт70до100мВ
1ИЗО8БОт70до110мВ
1ИЗО8ВОт60доПОмВ
1ИЗО8ГОт 60 до 120 мВ
1ИЗО8ДОт 70 до 130 мВ
1ИЗО8ЕОт 80 до 140 мВ
1ИЗО8ЖОт 85 до 160 мВ
1ИЗО8ИОт 100 до 150 мВ
1ИЗО8КОт 100 до 180 мВ
Напряжение впадины* От 350 до 480 мВ
Напряжение раствора*От 510 до 630 мВ
Температурный коэффициент пикового тока * при температуре, не хуже: от 273 до 333 К' -0,35%/К
от 213 до 343 К -0,25%/К
0,6 %/К0,5 до 1,5 мВ/К 0,42 до 0,58 пФ0,2 до 0,35 нГн0,6 %/К0,5 до 1,5 мВ/К 0,42 до 0,58 пФ0,2 до 0,35 нГнТемпературный коэффициент тока впадины * при температуре от 213 до 343 К, не более . . .
0,6 %/К
0,5 до 1,5 мВ/К 0,42 до 0,58 пФ
0,2 до 0,35 нГн
0,6 %/К
0,5 до 1,5 мВ/К 0,42 до 0,58 пФ
0,2 до 0,35 нГн
Температурный коэффициент напряжения раствора *От
Емкость корпуса *От
Индуктивность диода*От
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток на второй восходящей ветви вольт- амперной характеристики при температуре:
от 213 до 308 К
1ИЗО8А, 1ИЗО8Д6мА
1И308Б4мА
1ИЗО8В, 1И308Е. 1ИЗО8К20мА
1ИЗО8Г15мА
1ИЗО8Ж8мА
1И308И 40мА
при 343 К
1И308А2мА
1И308В7мА
1ИЗО8Г3мА
1ИЗО8Е6мА
ти =1 мкс0,1 мкс0.01 мкс 0,001мкс1ИЗО8А12203050мА1ИЗО8Б56725мА1И 308В90120150250мА1И308Г304560100мА1И308Д10121550мА1И308Е406090250мА1И308Ж182030100мА1И308И75120180300мА1ИЗО8К456090150мАТемпература окружающей средыОт 213до 343 Кти =1 мкс0,1 мкс0.01 мкс 0,001мкс1ИЗО8А12203050мА1ИЗО8Б56725мА1И 308В90120150250мА1И308Г304560100мА1И308Д10121550мА1И308Е406090250мА1И308Ж182030100мА1И308И75120180300мА1ИЗО8К456090150мАТемпература окружающей средыОт 213до 343 КИмпульсный прямой ток на второй восходящей ветви вольт- амперной характеристики при температуре от 213 до 308 К (при частоте следования импульсов не более 10$ Гц):Импульсный прямой ток на второй восходящей ветви вольт- амперной характеристики при температуре от 213 до 308 К (при частоте следования импульсов не более 10$ Гц):Примечания: 1. Значения постоянного и импульсного обратного тока в 1,5 раза больше соответствующих значений прямогоПримечания: 1. Значения постоянного и импульсного обратного тока в 1,5 раза больше соответствующих значений прямого1ИЗО8И15мА
ти =
1 мкс
0,1 мкс
0.01 мкс 0,001
мкс
1ИЗО8А
12
20
30
50
мА
1ИЗО8Б
5
6
7
25
мА
1И 308В
90
120
150
250
мА
1И308Г
30
45
60
100
мА
1И308Д
10
12
15
50
мА
1И308Е
40
60
90
250
мА
1И308Ж
18
20
30
100
мА
1И308И
75
120
180
300
мА
1ИЗО8К
45
60
90
150
мА
Температура окружающей среды
От 213
до 343 К
ти =
1 мкс
0,1 мкс
0.01 мкс 0,001
мкс
1ИЗО8А
12
20
30
50
мА
1ИЗО8Б
5
6
7
25
мА
1И 308В
90
120
150
250
мА
1И308Г
30
45
60
100
мА
1И308Д
10
12
15
50
мА
1И308Е
40
60
90
250
мА
1И308Ж
18
20
30
100
мА
1И308И
75
120
180
300
мА
1ИЗО8К
45
60
90
150
мА
Температура окружающей среды
От 213
до 343 К
Импульсный прямой ток на второй восходящей ветви вольт- амперной характеристики при температуре от 213 до 308 К (при частоте следования импульсов не более 10$ Гц):
Импульсный прямой ток на второй восходящей ветви вольт- амперной характеристики при температуре от 213 до 308 К (при частоте следования импульсов не более 10$ Гц):
Примечания: 1. Значения постоянного и импульсного обратного тока в 1,5 раза больше соответствующих значений прямого
Примечания: 1. Значения постоянного и импульсного обратного тока в 1,5 раза больше соответствующих значений прямого
тока.
Диоды 1И308Б, 1И308Д при температуре от 333 до 343 К и 1И308Ж, 1И308К при температуре от 323 до 343 К в статическом режиме должны работать на первой восходящей ветви вольт- амперной характеристики.
Величина прижимного усилия при креплении диода не должна превышать 20 Н.
Не допускается проверка диодов тестером.
0,30,40,50,880,30,40,50,88
0,30,40,50,88
0,30,40,50,88
Вольт-амперные характеристики.
Обратная ветвь вольт-ампернойхарактеристики (напряжениеуказано в милливольтах).
Зависимость пикового тока оттемпературы.
Зависимость прямого тока оттемпературы.
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К, ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М, ЗИЗО9Н
Диоды арсенид-галлиевые туннельные мезапланарные. Предназначены для работы в переключающих схемах в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами Тип диода указывается на этикетке.
Масса диода не более 5 мг.
Электрические параметры
Пиковый ток:
при 298 К ЗИЗО9Ж. ЗИЗО9И.ЗИЗО9 КОт4,5 до5,5мА
ЗИЗО9Л. ЗИЗО9М.ЗИЗО9НОт9,0 до11мА
при 373 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И.ЗИЗО9КОт3,9 до5,9мА
ЗИЗО9Л. ЗИЗО9М,ЗИЗО9НОт9,0 до11мА
при 213 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9КОт 3,8 до 5.9 мА
ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М, ЗИЗО9НОт 7,6 до 11,8 мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее: при 298 К 8
при 373 К 6
Напряжение пика, не более: при 298 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К 0.18В
ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М. ЗИЗО9Н 0.2В
при 373 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И. ЗИЗО9К 0.2В
ЗИЗО9Л, ЗИ309М, ЗИЗО9Н 0.22В
Напряжение раствора, не менее: при 298 К 0.85В
при 373 К 0.72В
при 213 К 0,8В
Общая емкость диода в точке минимума вольт- амперной характеристики при /= 1 -^ 10 МГц:
ЗИ309ЖОт2.2 до4.7пФ
ЗИЗО9ИОт3.3 до10пФ
ЗИЗО9КОт6.8 до15пФ
ЗИЗО9ЛОт3.3 до6.8пФ
ЗИ309МОт4,7 до15пФ
ЗИЗО9НОт10 до22пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики при 1емпературе: от 213 до 298 К
ЗИ309Ж. ЗИ309И.ЗИЗО9Л.ЗИ309М0.41„
ЗИЗО9К. ЗИЗО9Н0.9/„
при 373 К
ЗИ309Ж. ЗИЗО9И.ЗИ309Л.ЗИ309М0,2/„
ЗИ309К. ЗИ309Н0.5/п
Импульсный прямой ток на второй восходящей ветви вольт- амперной характерист ики в режиме переключения при / > 50 Гц и температуре:
от 213 до 298 К ЗИЗО9Ж. ЗИ309И, ЗИЗО9Л. ЗИЗО9М0,4 7П
ЗИЗО9К, ЗИ309Н1.2 /„
при 373 К ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9Л. ЗИЗО9М0,3Z„
ЗИЗО9К, ЗИЗО9Н0,8/„
Постоянный обратный ток:
ЗИ309Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К10мА
ЗИЗО9Л. ЗИЗО9М. ЗИЗО9Н20мА
Температура окружающей средыОт213
до 373 К
Зависимость пикового тока оттемпературы.
Зависимость тока впадины от температуры.
температуры.температуры.Зависимость напряжения пика от
температуры.
температуры.
ОБРАЩЕННЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
1И401А, 1И401Б, ГИ401А, ГИ401Б
Диоды германиевые обращенные мезасплавные. Предназначены для работы в переключающих устройствах, детекторах, смесителях.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Диоды маркируются цветным кодом: 1И401А, ГИ401А — красной точкой, 1И401Б, ГИ401Б — синей точкой. Цветная точка наносится в углублении вывода и указывает на положительный вывод.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 0,1 мА, не
менее: при 298 К 330мВ
при 343 и 213 К (1И401А, 1И401Б) 280мВ
Постоянное обратное напряжение при /обр = 1 мА: при 298 К90±15мВ
при 343 и 213 К (1И401А, 1И401Б)(/обр+ 15 мВ
Общая емкость диода при нулевом смешении, не более: 1И401А. ГИ401А2,5пФ
114401 Б, ГИ401Б5,0пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213
(218 К для ГИ401А. ГИ401Б):
до 298 К
1И401А, ГИ401А0,3мА
1И401Б, ГИ401Б0,5мА
при 343 К 1И401А, ГИ401А0.2мА
1И401Б, ГИ401Б0.3мА
Постоянный обратный ток при температуре:
от 213 (218 К для ГИ401А. ГИ401Б)
до 298 К 1И401А, ГИ401А4,0мА
1И401Б, ГИ401Б5,6мА
при 343 К 1И401А, ГИ401А2,4мА
1И401Б, ГИ401Б4,0мА
Температура окружающей среды: 1И401А, 1И401БОт213
до 343 К
ГИ401А, ГИ401Б От 218
до 343 К
Примечание. При работе в импульсном режиме независимо от длительности импульса токи не должны превышать значений, указанных для постоянных токов.
Вольт-амперные характерис-тики.
ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, ЗИ402Д, ЗИ402Е,ЗИ402И, АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402И
Диоды арсенид-таллиевые обращенные мезасплавные. Предназначены для работы в переключающих устройствах, детекторах, смесителях.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются условными обозначениями на крышке прибора: ЗИ402А — ОА; ЗИ402Б, АИ402Б - ОБ; ЗИ4О2В - ОВ; ЗИ402Г, АИ402Г - ОГ. ЗИ402Д - ОД; ЗИ402Е, АИ402Е - ОЕ; ЗИ402И, АИ402И - ОИ.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при токе на второй восходящей ветви 0,1 мА (ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г. АИ402Б, АИ402Г); 0,2 мА (ЗИ402Д, ЗИ402Е. АИ402Е);
0,4 мА (ЗИ402И. АИ402И). не менее: при 298 К0,6 В
при 373 К (ЗИ402А, ЗИ4О2Б. ЗИ402В. ЗИ402Г. ЗИ402Д ЗИ402Е. ЗИ402И)‘ 0.4 В
при 358 К (АИ402Б, АИ402П АИ402Е, АИ402И) . . . 0,4 В при 213 К
ЗИ402А, ЗИ402Б. ЗИ402В, ЗИ402Г, ЗИ402Д. ЗИ402Е
ЗИ402И'о.б В
АИ402Б. АИ402Г. АИ402Е, АИ402Ио,5 В
Постоянное обратное напряжение при /о6р = 1 мА (ЗИ402А ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, АИ402Б, АИ402Г); 2 мА (ЗИ402Д. ЗИ4О2Е, АИ4О2Е); 4 мА (ЗИ402И. АИ402И), не более:
при 298 К0,25В
при 373 К (ЗИ402А. ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ4О2Г, ЗИ402Д, ЗИ402Е, ЗИ402И)’о,29 В
при 358 К (АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402И). . 0Д9 В
при 213 К0,35 В
Общая емкость диода: ЗИ402А. не более пФ
ЗИ402Б От1,5
до 3,5 пФ ЗИ402ВОт2,7
до 5 пФ ЗИ402Г. ЗИ402И.не более6пФ
ЗИ402Д. не более3,5пФ
ЗИ402ЕОт2
до 6 пФ АИ402Б.неболее0.4пФ
АИ402Г,АИ402Е. не более8.0пФ
АИ402И.неболее10пФ
Сопротивление потерь* не более ЗИ402А18Ом
ЗИ402Б ....16 Ом
ЗИ402В14Ом
Пиковый ток. не более:
АИ402Б, АИ402Г0.1мА
АИ402Е0,2мА
АИ402Е0.4мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный обратный ток при температуре: от 213 до 373 К
ЗИ402А, ЗИ402Б. ЗИ402В, ЗИ402Г2мА
ЗИ402Д. ЗИ402Е4мА
ЗИ402И8мА
от 213 до 358 К
АИ402Б. АИ402Г1мА
АИ402Е2мА
АИ4О2И4мА
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 373 К:
ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402Г, ЗИ402Д, ЗИ4О2И . . . . 0,05 мА
ЗИ402В, ЗИ402Е0,1 мА
Температура окружающей среды: ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г. ЗИ4О2Д, ЗИ402Е, ЗИ402ИОт213
до 373 К
АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402ИОт213
до 358 К
Примечания: 1. Рекомендуется использовать диоды при постоянном прямом напряжении не более 0.5 В и постоянном обратном токе не более 0.8 предельного.
Допускается укорачивать выводы до 8,5 мм без приложения механической нагрузки к корпусу прибора.
Волы-амперные характеристики.
Обратная ветвь вольт-ампернойхарактеристики.
Зависимость пикового тока оттемпературы.
Зависимость постоянного пря-мого напряжения от темпера-туры.
Зависимость обратного напря-жения от температуры.
1И403А, ГИ403А
Диоды германиевые обращенные мезасплавные. Предназначены для работы в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: зеленой точкой на отрицательном выводе; углубление положительного вывода окрашивается в красный цвет.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при Znp = 0.1 мА, не менее:
при 298 и 213 К (233 К для ГИ403А) 350мВ
при 343 К (1И4ОЗА) и 333 К (ГИ403А) 280мВ
Постоянное обратное напряжение при /о6р = 3 мА, не более: при 298 К120мВ
при 343 и 213 К (1И403А) и 333 и 233 К (ГИ403А)135мВ
Пиковый ток, не более: при 298 К100мкА
при 333 К (ГИ403А)100мкА
при 233 К (ГИ403А)150мкА
Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной характеристики при /= 1 ч- 10 МГц, не более8пФ
Сопротивление потерь *, не более2,5Ом
Предельные эксплуатационные данные
Амплитуда переменного синусоидального прямого и обратного тока с частотой не менее 50 Гн:
1И403А при температуре от 213 до 298 К10мА
при 343 К6мА
ГИ403А при температуре от 233 до 298 К10мА
от 298 до 333 К6мА
Импульсный прямой ток при ти А 10 мкс и скважности не менее 2:
1И403А при температуре от 213 до 298 К14мА
при 343 К9мА
ГИ403А при температуре от 233 до 298 К10мА
от 298 до 333 К6мА
Температура окружающей среды: 1И403АОт213
до 343 Г
ГИ403АОт233
до 333 К
Температура перехода для ГИ403А 343К
Примечания: 1. В диапазоне температуры от 298 до 343 К у приборов 1И403А значения предельных токов снижаются на 0,9 мА на каждые 10 К.
После установки в аппаратуру диоды заливаются изоляционным компаундом ЭК-16Б или другим изоляционным материалом
тики.тики.353353
тики.
тики.
353
353
Вольт-амперные характерис
Вольт-амперные характерис-тики (ток указан в микро-амперах).
Обратная ветвь вольт-ампер-ной характеристики.
1И404А, 1И404Б, 1И404В
Диоды германиевые обращенные мезасплавные. Предназначены для работы в преобразователях и детекторах сантиметрового диапазона волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1И404А — коричневой точкой; 1И404Б — белой точкой; 1И404В — зеленой точкой. Отрицательный электрод имеет больший диаметр, положительный маркируется цветной точкой.
Масса диода не более 0,08 г.
12 под ред. Н. Н Горюнова
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 0.5 мА, не менее:
при 213 и 298 К 350мВ
при 343 К 300мВ
Постоянное обратное напряжение при /обр = 3 мА: при 298 К От75 до 105 мВ
при 213 и 343 КОт1/обр- 15 мВ
до ^обр + 15 мВ
Общая емкость диода в точке минимума вольт- амперной характеристики при /= 1 -г 10 МГц:
1И404АОт0,5до1,0пФ
1И404БОт0,8до1,5пФ
1И404ВОт1,0до2,0пФ
Сопротивление потерь, не более: 1И404А 9Ом
1И404Б 8Ом
1И404В 7Ом
0,2 до 0,35 нГн 0,45 до 0,55 пФ0,2 до 0,35 нГн 0,45 до 0,55 пФИндуктивность диода *От
0,2 до 0,35 нГн 0,45 до 0,55 пФ
0,2 до 0,35 нГн 0,45 до 0,55 пФ
Емкость корпуса*От
Температурный коэффициент обратного напряже
ния*, не более:
от 298 до 343 К +0,1 мВ/К
от 298 до 213 К +0,15 мВ/К
Температурный коэффициент прямого напряжения *:
от 298 до 343 К не хуже —1,5 мВ/К
от 298 до 213 К не более +1,5 мВ/К
Пиковый ток* От0,14 до 0,29 мА
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при температуре: от 213 до 308 К 1И404А2мВт
1И404Б3мВт
1И404В5мВт
при 343 К 1И404А1мВт
1И404Б1,5мВт
1И404В2,5мВт
Импульсная рассеиваемая мощность прн ти = 1 мкс и температуре :
от 213 до 308 К 1И404А8мВт
1И404Б30мВт
1И404В50мВт
при 343 К 1И404А4мВт
1И404Б15мВт
1И404В25мВт
Постоянный прямой ток при температуре:
от 213 до 308 К 1И404А0,4мА
1И404Б0,6мА
1И404В0,8мА
при 343 К 1И404А0,1мА
1И404Б0,2мА
1И404В0,3мА
Постоянный обратный ток при температуре:
от 213 до 308 К 1И404А2мА
1И404Б3мА
1И404В4мА
при 343 К 1И404А1мА
1И404Б1,5мА
1И404В2мА
Температура окружающей средыОт213
до 343 К
Примечания: 1. Величина прижимного усилия на корпус не более 15 Н.
Не допускается проверка диодов тестером.
При измерениях и работе с диодом необходимо брать его заземленным пинцетом или применять браслет для снятия статического заряда.
Вольт-амперные характерис-тики.
Зона возможных положений об-ратной ветви вольт-ампернойхарактеристики.
Раздел девятый
ГЕНЕРАТОРЫ ШУМА
2Г401А, 2Г401Б, 2Г401В, КГ401А, КГ401Б, КГ401В
Диоды кремниевые планарные. Предназначены для генерирования шумов на частотах до 3,5 МГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода указывается на корпусе. Положительный вывод диода маркируется красной точкой.
Масса диода не более 1 г.
Электрические параметры
Спектральная плотность напряжения генератора шума
при токе 50 мкА, не менее:
при 213 и 298 К 2Г401А, КГ401А7мкВ//Гц
2Г401Б, КГ4О1Б3мкВ/|/Тц
2Г401В, КГ4О1В30мкВ/|/Тц
при 343 К'
2Г4О1А, КГ401А3мкВД/ni
2Г4О1Б, КГ401Б1,5мкВ/|/Гц
2Г401В, КГ401В15мкВ/]/Тц
Граничная частота генератора шума при токе 50 мкА,
не менее:
при 298 и 343 К 2Г401А, КГ401А2,5МГц
2Г401Б, КГ401Б3,5МГц
2Г401В, КГ401В1,0МГц
при 213 К 2Г401А, КГ401А1,5МГц
2Г401Б, КГ401Б2,0МГц
2Г401В, КГ401В0,6МГц
Температурный коэффициент спектральной плотности напряжения генератора шума при токе 50 мкА, не хуже-1,1%/К
Напряжение пробоя при токе 100 мкА: 2Г401А, 2Г401Б, КГ401А, КГ401БОт6,5
до 9,5 В
2Г401В, КГ401В От6
до 10 В
Предельные эксплуатационные данные
Максимальный ток пробоя при температуре от 213 ДО 343 К 1 мА
Минимальный ток пробоя при температуре от 213 до 343 К . . . МкА
Температура окружающей средыqt 213
до 343 К
Примечания: 1. Нижняя граница диапазона частот при неравномерности спектральной плотности напряжения шума на уровне ±3 дБ 20 Гц.
Рекомендуемый режим работы генератора шума: ток через генератор шума 50+10 мкА; сопротивление нагрузочного резистора, включенного последовательно с генератором шума, не менее 100 кОм- входное сопротивление и емкость между точками схемы, к которым подключается генератор шума, — не менее 20 кОм и не более 20 пФ соответственно.
При изменении тока через генератор шума на 5 мкА (на 10 мкА) от номинального тока 50 мкА спектральная плотность напряжения шума изменяется примерно на 2 % (5 %), а граничная частота - на 8 % (18 %) значений при номинальном токе.
Температурный коэффициент напряжения пробоя около 0,06 %/К.
Зона возможных положений вольт-амперных характеристик.
Зона возможных положений за-висимости спектральной плот-ности напряжения шума от об-ратного тока.
Зона возможных положений за-висимости спектральной плот-ности напряжения шума отобратного тока.
Зона возможных положений за-висимости спектральной плот-ности напряжения шума от об-ратного тока.
Зависимости спектральной плот-ности напряжения шума и гра-ничной частоты от сопротивле-ния нагрузки.
Зависимости спектральной плот-ности напряжения шума и гра-ничной частоты от емкости на-грузки.
Зона возможных положений зависимости спектральной плотности напряжения шума от температуры.
Раздел десятый
ДИОДЫ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
СМЕСИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
ДГ-С1, ДГ-С2
Диоды германиевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты на длине волны 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: ДГ-С1 — двумя черными точками; ДГ-С2 — двумя черными точками и полоской черного цвета.
Масса диода не более 0,7 г.
въ^вод 1- I вывод гвъ^вод 1- I вывод г
въ^вод 1
- I вывод г
въ^вод 1
- I вывод г
Электрические параметры
Потери преобразования при Р1Ш = 0,5 мВт, X = 9,8 см, = 400 Ом, не более:
ДГ-С18,5дБ
ДГ-С26,5дБ
Выпрямленный ток при Р1И = 0,5 мВт, X = 9,8 см, не менее0,4мА
Шумовое отношение при Р1Щ = 1 мВт, X = 3,2 см, гпос =
= 150 Ом, не более . . . 3
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р^ =
= 0,5 мВт, X = 9,8 см, гпос = 400 Ом, не более . . . .3
Предельные эксплуатационные данные
Полная просачивающаяся импульсная мощность . . .80 мВт
Энергия пика просачивающейся мощности (среднее значение, измеренное при многократной подаче импульсов) 0,110-7Дж
Температура окружающей средыОт213
до 343 К
ДК-С1М, ДК-С2М
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты на длине волны 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1 мВт, X = 9,8 см,
гпос = 400 Ом- не более: ДК-С1М8,5дБ
ДК-С2М6,5дБ
Выпрямленный ток при Р11Л = I мВт, X = 9,8 см, гпос = = 350 Ом, неменее0,4мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Риц = 1 мВт,
X = 9,8 см, гпос = 350 Ом, не более: ДК-С1М 3,5
ДК-С2М 3
Шумовое отношение Рт = 1 мВт, X = 3,2 см, не более:
ДК-С1М 2,7
ДК-С2М 2
Постоянный обратный ток, не более: ДК-С1М150 мкА
ДК-С2М250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 373 К 300мВт
Энергия импульса при температуре от 213 до 373 К0,3■ 10~7 Дж
Температура окружающей средыОт213
до 373 К
ДК-С7М
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в преобразователях частоты в диапазоне волн от 3 до 12 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рм = 0,7 мВт, X = 3,2 см, гпос = 400 Ом:
при 298 К, не более 7,5дБ
при 213 и 358 КL„p6+ 1,2 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Лш = 0,7 мВт, X = 3,2 см, гпос = 50 Ом, не более: при 298 К 2
при 213 и 358 К 2,5
Шумовое отношение при Рпа = 0,7 мВт, X = 3,2 см, гпос = 50 Ом, не более 2
Выходное сопротивление при Рпд = 0,7 мВт, X = = 3,2 см От250
до 700 Ом
Постоянный обратный ток, не более 250мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти < 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, температуре от 213 до 358 К100 мВт
Энергия одиночного импульса при температуре от 213 до 358 К 0,3 10-7 Дж
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 358 К 3 мА
Температура окружающей средыОт 213
до 358 К
Д402, Д404
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Диоды выпускаются подобранными в пары: Д402Р, Д404Р. Тип диода указывается на корпусе. Масса диода не более 10 г.
ВывоЗ 7
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1 мВт, гпос = 400 Ом, не более: при 298 К
Д402 10дБ
Д404 8,5дБ
при 213 и 358 К Д402 12,5дБ
Д404 11дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более: Д402 3
Д404 2,5
Выходное сопротивление прн Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом: Д402 От 250
до 650 Ом
Д404 От 280
до 520 Ом
Шумовое отношение при Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более 2,5
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более1 дБ
Выпрямленный ток, ие более 10 %
Выходное сопротивление, не более50 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при скважности 500—3000, температуре от 213 до 358 К 15 мВт
Энергия СВЧ импульсов прн температуре от 213 до 358 К0,02- 10"7 Дж
СВЧ мощность плоской части импульса, просачивающегося через разрядник, при температуре от 213 до 358 К 10 мВт
Температура окружающей среды От 213
до 358 К
Д403Б, Д403В
Диоды германиевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты в диапазоне длин волн от 3 до 12 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип днода указывается на корпусе. Диоды выпускаются подобранными в пары: Д403БР, Д4ОЗВР.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпа = 1 мВт, X = 3,2 см, тпос = 400 Ом для Д403Б. не более8,5дБ
Выпрямленный ток при Р1Ш = 1 мВт, гпос = 100 Ом, X = 1,95; 2; 2.5 см для Д403В, не менее0.4мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 1 мВт, гпос = 100 Ом, X = 1,95; 2; 2,25 см для
Д403В, нс более 3
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт, л = 3,2 см . . . От 200
до 600 Ом
Нормированный коэффициент шума Д403В, не более. . . 11 дБ
Шумовое отношение при Рпд = 1 мВт, X = 3,2 см, гпос = = 50 Ом для Д403Б. не более 3
Разброс электрических параметров в паре
Выпрямленный ток, не более 30%
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 343 К150 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 343 К0,3 ■ 10'7 Дж
Температура окружающей среды .От 213
до 343 К
Зависимость потерь преобра-зования от температуры.
Зависимость коэффициентастоячей волны по напряже-нию от температуры.
Д405, Д405А, Д405Б, Д405АП, Д405БП
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты диапазона волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Диоды Д4О5. Д405А, Д405Б — прямой полярности, Д405АП, Д405БП — обратной полярности. Диоды выпускаются подобранными в пары: Д405АР, Д405БР. Д405АПР. Д405БПР.
Вывод 1Вывод 1Вывод.Вывод.'вывод 2'вывод 2ДмДШ ДляДШАПДмДШ ДляДШАП20,820,8ДвОДА ДЫ5БДвОДА ДЫ5Бвывод2 ^. Вывод! Вывод!вывод2 ^. Вывод! Вывод!Масса диода не более 2,5 г.
Вывод 1
Вывод 1
Вывод.
Вывод.
'вывод 2
'вывод 2
ДмДШ ДляДШАП
ДмДШ ДляДШАП
20,8
20,8
ДвОДА ДЫ5Б
ДвОДА ДЫ5Б
вывод2 ^. Вывод! Вывод!
вывод2 ^. Вывод! Вывод!
ДМ5БП
Электрические параметры
Потери преобразования при PM = 1 мВт, X = = 3,2 см, гпос = 350 Ом:
при 298 К Д405, не более 7 дБ
Д405А, Д405АП, не более 6,5дБ
при 373 К
Д405 От 5 до 9 дБ
Д405А, Д405АПОт4,5 до 8,5 дБ
при 213 К
Д405 От5,5 до 8,5 дБ
Д405А, Д405АП От 5 до 8 дБ
Выпрямленный ток при PM = 1 мВт, X = 3,2 см, гпос ‘ 50 Ом, ие менее 1 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Род = 1 мВт, X = 3,2 см, гпос = 50 Ом, не более: Д405 • 2
Д405А, Д405АП 1,7
Д405Б, Д405БП 1,4
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт, X =
= 3,2 см, гпос = 100 Ом: Д405 От250до550Ом
Д405А, Д405АП От300до500Ом
Д405Б, Д405БПОт300до450Ом
Нормированный коэффициент шума для Д405Б, Д4О5БП, не более 8,5дБ
Шумовое отношение при Рпд = 1 мВт, X = 3,2 см, гпос = 100 Ом, не более:
Д405 2,2
Д405А, Д405АП 2,0
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более1дБ
Выпрямленный ток, не более10%
Выходное сопротивление, не более Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К 300 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при 373 К для Д405, Д405А, Д405АП20 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К для Д405Б, Д405БП5 мвт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 373 К0,3-К)-7 Дж
Температура окружающей среды От 213
до 373 К
Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.
Зависимость коэффициентастоячей волны по напряжениюот непрерывной падающей СВЧмощности.
Зависимость выходного сопро-тивления от температуры.
Д406А, Д406АП
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Диоды Д406А - прямой полярности, Д406АП — обратной полярности. Диоды выпускаются подобранными в пары: Д406АР, Д406АПР.
Масса диода не более 1,5 г.
Выбод 1Выбод 1ЗыВоЗ1 ВыВоЗ 7ЗыВоЗ1 ВыВоЗ 7ДЗД6А ДЬОбАПДЗД6А ДЬОбАП
Выбод 1
Выбод 1
ЗыВоЗ1 ВыВоЗ 7
ЗыВоЗ1 ВыВоЗ 7
ДЗД6А ДЬОбАП
ДЗД6А ДЬОбАП
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1 мВт, гпос = 350 Ом, не более: при 298 К 7 дБ
при 213 и 373 К 8 дБ
Выпрямленный ток при Рта = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не менее0,7 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рш = 0,5 мВт, гпос = 100 Ом, не более . . . .2
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт, гпос = = 100 ОмОт 240
до 460 Ом
Шумовое отношение при Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более 2
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более 1 дБ
Выпрямленный ток, не более 10%
Выходное сопротивление, не более30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К100 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность прн кратковременном воздействии (не более 20 мин) при температуре от 213 до 373 К 300 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 373 К0,210-’ Дж
Температура окружающей средыОт 213
до 373 К
Д407
вается на корпусе.Масса днода не более 12,1 г.вается на корпусе.Масса днода не более 12,1 г.
вается на корпусе.
Масса днода не более 12,1 г.
вается на корпусе.
Масса днода не более 12,1 г.
до 358 Кдо 358 КМ3 253 293 333 3 73 913 КМ3 253 293 333 3 73 913 К
до 358 К
до 358 К
М3 253 293 333 3 73 913 К
М3 253 293 333 3 73 913 К
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1 мВт, тпос = 600 Ом,
не более: при 298К 12дБ
прн 358К14,5ДБ
при 213К13,5ДБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более 3
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт, тпос =
= 100 ОмОт400
до 1500 Ом
Шумовое отношение прн Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более 6
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при скважности 500—3000 н температуре от 213 до 358 К 20мВт
Энергия СВЧ импульса при температуре от 213 до 358 К0,02■ 10 7 Дж
Температура окружающей среды От213
Зависимость потерь преобразо-вания от температуры.
Д408, Д408П
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты в диапазоне волн 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Диоды Д408 — прямой полярности, Д408П — обратной полярности. Диоды выпускаются подобранными в пары: Д408Р, Д408ПР.
Масса диода не более 2,7 г.
Вывод 1 Вывод 7Вывод 1 Вывод 7
Вывод 1 Вывод 7
Вывод 1 Вывод 7
Электрические параметры
Выпрямленный ток при Рпд = 0,5 мВт, X = 10 см, гпос = 100 Ом, не менее0,8мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд = = 0,5 мВт, X = 10 см, гпос = 100 Ом, не более . . .1,3
Выходное сопротивление при Р№ = 0,5 мВт, X = 10 см, Гпос = ЮО Ом От290
до 390 Ом
Нормированный коэффициент шума при Рта = 0,5 мВт, X = 10 см, гпос = 100 Ом: при 298 К, не более7,5дБ
при 398 К, не более 13дБ
при 213 К От6
до 9 дБ
Разброс электрических параметров в паре
Выпрямленный ток, не более 10%
Выходное сопротивление, не более25Ом
Нормированный коэффициент шума, не более . . . .0,5 дБ
Предельные эксплуатационные данные
\\Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 7 мкс, скважности, большей или равной 100, температуре от 213 до 398 К 500мВт
\
\
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 398 КЮОмВт
Энергия СВЧ импульсов прн ти < 7 мкс, скважности, большей или равной 100, температуре от 213 до 398 К0,5-10 7 Дж
Температура окружающей средыОт213
до 398 К
Зависимость нормированного коэф-фициента шума от непрерывнойпадающей СВЧ мощности.
^норм
дадм^оал
р гпд
Зависимость выпрямленного то- Зависимость нормированного коэф- ка от непрерывной падающей фициента шума от температуры.
СВЧ мощности.
Д409А, Д409АП
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты в диапазоне волн 3 см.
В ыпускаютсяв металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Диоды Д409А — прямой полярности, Д409АП — обратной полярности. Диоды выпускаются подобранные в пары: Д409АР, Д409АПР.
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 0.2 мВт, X =
= 3,2 см, гпос = 100 Ом, не более: при 298 К 7,5дБ
при 373 К 10,5дБ
при 213 К 11,5 дБ
Выпрямленный ток при Рпа = 0,2 мВт, X = 3,2 см,
гпос = 100 Ом:
при 298К От 0,2 до 0,5 мА
при 373КОт 0.1 до 0,75 мА
при 213КОт 0,05 до 0,875 мА
Выходное сопротивление при Рпа = 0,2 мВт, X =
= 3,2 см, гпос = 100 ОмОт 350 до 575 Ом
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рпд = 0,2 мВт, X = 3,2 см, гпос = 100 Ом, не более 1,7
Шумовое отношение на промежуточной частоте
10 кГц при Рпа = 0,2 мВт, X = 3,2 см, гпос =
= 100 Ом, не более 21
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более 1дБ
Выпрямленный ток, не более0,06мА
Выходное сопротивление, не более 50Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 373 К 300мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 2 ч) при температуре от 213 до 373 К30мВт
Энергия импульсов при температуре от 213 до 373 К0,3-10~7Дж
Температура окружающей средыОт213
до 373 К
Зависимость потерь преобразо-вания от температуры.Зависимость потерь преобразо-вания от температуры.Зависимость выпрямленного то-ка от температуры.Зависимость выпрямленного то-ка от температуры.
Зависимость потерь преобразо-вания от температуры.
Зависимость потерь преобразо-вания от температуры.
Зависимость выпрямленного то-ка от температуры.
Зависимость выпрямленного то-ка от температуры.
Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.
2А101А, 2А101Б
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1,5 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Pm = 1 мВт, гпос = 100 Ом,
^м = 400 Ом, не более:
при 298 К 2А101А 10дБ
2А101Б 9дБ
при 213 и 373 К 2А101А 11дБ
2А101Б 10дБ
Выпрямленный ток при Р11д = 1 мВт, тпос = 100 Ом, не менее0,5мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд = = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более 3
Шумовое отношение при Рпд = 1 мВт, тпос = 100 Ом,
не более 2
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом: 2А101АОт 250
до 550 Ом
2А101БОт 150
до 300 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти = 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 373 К:
2А101А 150мВт
2А101Б 250мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 20 мин) при ти = 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 373 К:
2А101А 200мВт
2А101Б 300мВт
Мощность плоской части просачивающегося через разрядник импульса при температуре от 213 до 373 К:
2А101А 30мВт
2А101Б 60мВт
Энергия острой части пика просачивающегося через разрядник импульса при температуре от 213 до 373 К:
2А101А 0,06- 10 7 Дж
2А101Б0,2 ДО"7 Дж
Температура окружающей среды От213
'до 373 К
Зависимость выпрямленного то-ка от температуры.
Зависимость потерь преобразо-вания от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению оттемпературы.
Зависимость выходного со-противления от температуры.
Зависимость шумового отноше-ния от температуры.
Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности
Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.
Зависимость шумового отноше-ния от непрерывной падающейСВЧ мощности.
2AW2A
- Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в преобразователях частоты в диапазоне длин золн от 10 до 30 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2,5 i.
Электрические параметры
Коэффициент шума при Рпд = 0,5 мВт, X = 10 см,
Гиос = ЮО Ом: при 298 К, не более . . . . 8,5 дБ
при 213 и 373 К От 7,2
до 9.8 дБ
Выпрямленный ток при Р^ = 1 мВт, X = 15,5 см, гпос = = 100 Ом, не менее1,2 мА
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт, Х = 15,5 см, = 100 Ом От 250
до 450 Ом
Коэффициент стоячей волны напряжения при Рпд = 1 мВт, X = 15,5 см, гпос = 100 Ом, не более 1,5
Потери преобразования* при Рпл = 0,5 мВт, Х= 10 см, не более6,0 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К 500мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 10 мин) при температуре от 213 до 373 К 6 Вт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К30 мВт
Температура окружающей средыОт 213
до 373 К
Зависимость потерь преобра-зования от температуры.
Зависимость коэффициентастоячей волны по напряже-нию от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.
2А103А, 2А103Б
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1,65 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рид = 1 мВт, гпос = 400 Ом, не более:
при 298 К 2А103А юдБ
2А103Б 9дБ
при 213 и 373 К 2А103А ИдБ
2А103Б 10дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не менее0,5мА
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт, гпос = = 100 ОмОт200
до 550 Ом
Шумовое отношение при Рдд = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более 2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд = = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более 3
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К:
2А103А 10мВт
2А103Б 15мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 10 мин) при температуре от 213 до 373 К:
2А103А 75мВт
2А103Б 100 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 373 К:
2А103А 150мВт
2А103Б 250мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 10 мин) при ти < 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 373 К:
2А103А 200мВт
2А1ОЗБ 300мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 373 К:
2А103А0,06 -10-7 Дж
2А103Б0,2-Ю'7 Дж
Мощность плоской части просачивающегося импульса при температуре от 213 до 373 К:
2А103А 30мВт
Зависимость потерь преобразо-вания от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению оттемпературы.
Зависимость выходного сопро-тивления от температуры.
Зависимость шумового отноше-ния от температуры.
2А104А, КА104А, КА104Б
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты в диапазоне длин волн от 8 до 60 см.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 2А104А, КА104А - красной полоской у положительного электрода, КА104Б - синей полоской. Диоды, подобранные в. пары, обозначаются 2А104АР.
Масса диода не более 0.15 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 0.5 мВт. X = 8 см.
гпос = 400 Ом, не более: при 298К6,5дБ
при 398К9,0дБ
при 213К7,0дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 0,5 мВт, X = 8 см, '"пос = 100 Ом, не менее0,5мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Р1Ц = 0.5 мВт, Х = 8 см, гпос = 100 Ом, не более 1,5
Выходное сопротивление при Рпд = 0.5 мВт, X = 10 см, '"пос = ЮО ОмОт340 до
560 Ом
Нормированный коэффициент шума при Гупч < 1,5 дБ, не более8,5дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, неболее0,5дБ
Выпрямленный ток, не более0,1мА
Выходное сопротивление, неболее50Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 398 К20мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 10 мин) при температуре от 213 до 398 К150мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 1 мкс,
/< 1000 Гц и температуре от 213 до 39 8 К . . . 300 мВт Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 1 ч) при ти < 1 мкс, /< 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К . . . . 500 мВт Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до
398 К 0,5х
х 10"7 дж
100 мВтОт 213 до398 К100 мВтОт 213 до398 КМощность плоской части импульса, просачивающегося через разрядник, при температуре от 213 до 398 К Температура окружающей среды
100 мВтОт 213 до
398 К
100 мВтОт 213 до
398 К
Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей мощности.
Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.
Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению отнепрерывной падающей СВЧмощности.
ДБ7
6
5
Ч
3
^ПрЗ
2 Л104 Л
Т
273 2 S3 233 333 373 413 К
Зависимость шумового отноше-ния от непрерывной падающейСВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-вания от температуры.
Зависимость выпрямленного то-ка от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению оттемпературы.
2А105А, 2А105Б
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты в диапазоне волн от 3 до 8 см.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 2А105А —двумя красными полосками у положительного электрода (вывод 7), 2А1О5Б - двумя красными полосками и точкой. Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А105АР, 2А105БР.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Потери преобразования прн Р„д = 1 мВт, X = 3,2 см, гпос = 350 Ом, не более:
при 298 К 2А105А 7дБ
2А105Б6,7дБ
при 213 и398К 9дБ
Выпрямленный ток при Рвд = 1 мВт, X = 3,2 см, '"пос = Ю0 Ом, неменее0,8мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 1 мВт, X = 3,2 см, гпос = 100 Ом, не более: 2А105А 1,7
2А105Б 1,5
Выходное сопротивление при Р№ = I мВт, X = 3,2 см.
'"пос = ЮО Ом: 2А105АОт 250 до
500 Ом
2А105БОт 250 до
450 Ом
Шумовое отношение при Рпд = 1 мВт, X = 3,2 см, не более: 2А105А 1,7
2А105Б 1,6
Нормированный коэффициент шума (расчетный), не более: 2А105А 10дБ
2А105Б 9дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, неболее0,5дБ
Выпрямленный ток, не более0,1мА
Выходное сопротивление, неболее50Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при темпера
туре от 213 до 398 К20мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 10 мин), при температуре от 213 до 398 КюомВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при тн < 1 мкс, / < 1000 Гп и температуре от 213 до 398 К 300мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин), ти < 1 мкс, / < 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К 500мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 398 К0,51(Г7 ДЖ
Мощность плоской части импульса, просачивающегося
через разрядник, при температуре от 213 до 398 К 100 мВт
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного то-ка от температуры.
Зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению от температуры.
1А106А, 1А106Б, 1А106В
Диоды германиевые микросплавные. Предназначены для работы в преобразователях частоты в диапазоне волн 2 — 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1А106А — одной желтой точкой, 1А106Б — двумя желтыми точками, 1А106В —тремя желтыми точками. Диоды выпускаются подобранные в пары: 1А106АР, 1А106БР. 1А106ВР.
Масса диодов не более 0,6 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рп, = 200 мкВт, гпос = 100 Ом,
гм = 230 Ом, не более:
при 298 К 1А106А, 1А106Б13,5 дБ
1А106В12,5 дБ
при 213 и 343 К 1А106А,1А106Б 15дБ
1А106В 14дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 200 мкВт, гпос = 100 Ом, не менее:
1А106А,1А106Б0,1мА
1А106В0,12мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд = 200 мкВт, г,юс = *00 Ом- 'м = 230 Ом, не более: 1А106А 1,2
1А106Б 3
1А106В 2
Выходное сопротивление при Рпд = 200 мкВт, гпос = 100 ОмОт 160 до
300 Ом
Нормированный коэффициент шума (расчетный) на промежуточной частоте 10 кГц, не более:
IA106A 22дБ
1А106Б, 1А106В 19дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования,неболее0,5дБ
Выпрямленный ток, ие более0,05мА
Выходное сопротивление, не более25 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе
ратуре от 213 до 343 К мвт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мип), при температуре от 213 до 358 К мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин), ти = 1 мкс, / = 1000 Гц и температуре от 213 до 358 КЮ0 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность40 мВт
Энергия СВЧ импульсово,05 х
х IO"7 Дж
Температура окружающей средыОт 213 до
343 К
Зависимость выходного сопро-тивления от температуры.
Зависимость потерь преобразо-вания от температуры.
Зависимость коэффициентастоячей волны по напряжениюот температуры.
Зависимость выпрямленного то-ка от температуры.
Зависимость нормированногоЗависимость нормированного
коэффициента шума от темпе- коэффициента шума от непре- ратуры.рывной падающей СВЧ мощ
ности.
2А107А
Диод кремниевый микросплавной. Предназначен для работы в преобразователях частоты в диапазоне волн 2 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке. Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А107АР.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 0,5 мВт. (/одр = 0,25 В. глос = ЮО Ом, гм = 350 Ом, не более:
при 298 К7,5дБ
при 213 и 398 К 9дБ
Выпрямленный ток при Рцд = 0,5 мВт, Содр = 0,25 В, глос = ЮО Ом, не менее0,3мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рпл = 0.5 мВт, Со5р = 0.25 В. глос = 100 Ом, не более 1.5
Выходное сопротивление при Р^ = 0,5 мВт. Со6р = 0,25 В, гпое = 100 ОмОт175 до
375 Ом
Нормированный коэффициент шума диода (расчетный), не более 9дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более0,5дБ
Выпрямленный ток, не более0 05 мА
Выходное сопротивление, не более30Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера
туре от 213 до 358 К20мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 3 ч)50мВт
Температура окружающей средыОт213 до
373 К
Примечания. 1. При установке диода в диодную камеру следует предварительно касаться рукой заземленного устройства.
Допускается использование диодов без внешнего смещения при мощности гетеродина 1 — 1,5 мВт.
Допускается применение диодов при воздействии импульсной падающей СВЧ мощности 300 мВт в течение 400 ч при 298 К, рпд <1,5 мВт, ти < 4 мкс, скважности, большей или равной 200, при этом значение нормированного (расчетного) коэффициента шума сохраняется до < 10 дБ.
тока от температуры.вания от температуры.тока от температуры.вания от температуры.тивления от температуры.ния от температуры.тивления от температуры.ния от температуры.13 под ред. Н. Н. Горюнова13 под ред. Н. Н. Горюнова385385
тока от температуры.вания от температуры.
тока от температуры.вания от температуры.
тивления от температуры.ния от температуры.
тивления от температуры.ния от температуры.
13 под ред. Н. Н. Горюнова
13 под ред. Н. Н. Горюнова
385
385
Зависимость нормированногокоэффициента шума от темпе-ратуры.Зависимость нормированногокоэффициента шума от темпе-ратуры.Зависимость непрерывной рас-сеиваемой СВЧ мошности оттемпературы.Зависимость непрерывной рас-сеиваемой СВЧ мошности оттемпературы.
Зависимость нормированногокоэффициента шума от темпе-ратуры.
Зависимость нормированногокоэффициента шума от темпе-ратуры.
Зависимость непрерывной рас-сеиваемой СВЧ мошности оттемпературы.
Зависимость непрерывной рас-сеиваемой СВЧ мошности оттемпературы.
2А108А
Диод кремниевый микросплавной. Предназначен для работы в преобразователях частоты в диапазоне волн 10 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке. Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А108АР.
Масса диода не более 0,15 г.
Для работы в диапазоне частот 1 — 100 МГц диоды выпускаются одиночными, подобранными в пары и квартеты.
Масса диода не более 0,26 г.
Для работы на f=!M00 МГцДля работы на f=!M00 МГцВыбод 1Выбод 1ВывоЗгВывоЗг
Для работы на f=!M00 МГц
Для работы на f=!M00 МГц
Выбод 1
Выбод 1
ВывоЗг
ВывоЗг
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом,
гм = 500 Ом, не более:
при 298К 5дБ
при 213 и398К6,5дБ
Выпрямленный ток при Рщ = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не менее0,7мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рпч = 1 мВт, тпос = 100 Ом, не более 15
Выходное сопротивление при Рш = 1 мВт, гпос = 100 Ом От 425 до 575 Ом
Нормированный коэффициент шума (расчетный), не более 6,5 дБ
Разброс электрических параметрон в паре
Потери преобразования, не более0,5дБ
Выпрямленный ток, не болеео,05 мА
Выходное сопротивление, не более30 qm
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность 1 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 15 мин)юо мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при
ти = 0,5 -г 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 373 К50 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии (не более 15 мин), ти = 0,5 ч- 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 373 Кюо мВт
Температура окружающей средыОт 213 до
398 К
Электрические параметры при работе в диапазоне частот 1 — 100 МГц
Постоянное прямое напряжение:
при /пр = 0,005 мА, не менее 0,3 В
при /пр = 0,5 мА, не болеео,55 В
при /пр = 10 мА, не более 0,7 В
Постоянное обратное напряжение, не менее 0 8В
Коэффициент шума, не более 7,0 дБ
Коэффициент передачи, не менее о,6
Выходное сопротивлениеОт 50 до
180 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Постоянное прямое напряжение, не более 15 мв
Постоянное обратное напряжение, не более 0,5 В
Выходное сопротивлениеОт 50 до
180 Ом
Разброс электрических параметров в квартете
Постоянное прямое напряжение, не более 20мВ
Постоянное обратное напряжение, не более 05В
Выходное сопротивлениеОт50 до
180 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение гетеродина: при 298 К |g
при 358 К в течение 100 ч 13
от 213 до 358 К 04В
Примечания: 1. При установке диода в диодную камеру следует предварительно касаться рукой заземленного устройства.
2. Допускается применение диодов с внешним смещением 0.2 — 0,4 В при мощности гетеродина 0,5—1 мВт.
Зависимость выпрямленного то-ка от гемиературы.
Зависимость потерь преобразования от температуры.
Зависимость выходного сопро-тивления от температуры.
Зависимость шумового отноше-ния от температуры.
Зависимость нормированногокоэффициента шума от темпе-ратуры.
Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.
Зависимость выходного сопро-тивления от непрерывной па-дающей СВЧ мощности.
Зависимость шумового отноше-ния от непрерывной падающейСВЧ мощности.
О 0,5 1,0 1,5 г,0 £,5м8тО 0,5 1,0 1,5 г,0 £,5м8тЗависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности оз темпера гуры.Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности оз темпера гуры.вывод 1вывод 1Вывод 2Вывод 2
О 0,5 1,0 1,5 г,0 £,5м8т
О 0,5 1,0 1,5 г,0 £,5м8т
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности оз темпера гуры.
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности оз темпера гуры.
вывод 1
вывод 1
Вывод 2
Вывод 2
Зависимость нормированного коэффициента шума от непрерывной падающей СВЧ мощ
ности.
2А109А
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в преобразователях частоты в диапазоне волн 3 см.
Выпускается в металлостеклянном корпусе. Тип диода указывается на этикетке. Диод маркируется красной точкой у положительного электрода (вывод 1). Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А109АР.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рца = 1 мВт, гпос = 350 Ом,
не более: при 298 К6,5 дБ
при 213 и398 К8,0 дБ
Выпрямленный ток при Рла = 1 мВт. гпос = 100 Ом. не менее0.9 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
P1VX = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более 1,6
Выходное сопротивление при Pm = 1 мВт, гпос = 100 Ом От 220 до
380 Ом
Нормированный коэффициент шума при Рулч = 1,5 дБ, не более8,5дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования,не более0,5дБ
Выпрямленный ток, неболее0,1мА
Выходное сопротивление,не более50Ом
д55,85,55,45, г5,0д55,85,55,45, г5,0
д5
5,8
5,5
5,4
5, г
5,0
д5
5,8
5,5
5,4
5, г
5,0
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при темпе
ратуре : от 213 до 358 К 20 мВт
при 398 К ю мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 1 ч) при температуре от 213 до 398 К юо мдт
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти <
<0,5+1 мкс, / < 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К 300 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин), ти <
<0,5 + 1 мкс, /< 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К 500 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до
398 КО,31О~7Дж
Мощность плоской части импульса, просачивающегося через разрядник, при температуре от 213 до 398 К юо мВт
Температура окружающей средыqt 213 до
398 К
Примечание. Диоды выдерживают воздействие температуры 428 К в течение 15 мин и воздействие непрерывной СВЧ мощности 150 мВт в течение 10 мин.
Зависимость потерь преобразова-ния от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению оттемпературы.
Зависимость выходного сопро-тивления от температуры.
ггД5 9,0в, 5В,О7,51,0Д5 9,0в, 5В,О7,51,0^иорн2А109АТ^иорн2А109АТ213 253 293 333 313 913 К213 253 293 333 313 913 КЗависимость нормированногокоэффициента шума от темпе-ратуры.
г
г
Д5 9,0
в, 5
В,О
7,5
1,0
Д5 9,0
в, 5
В,О
7,5
1,0
^иорн
2А109А
Т
^иорн
2А109А
Т
213 253 293 333 313 913 К
213 253 293 333 313 913 К
Зависимость выпрямленного то-ка от температуры.
213 253 293 333 373 913 К213 253 293 333 373 913 КО 0,5 1,0 1,5 1,0 2,5 мВтО 0,5 1,0 1,5 1,0 2,5 мВт
213 253 293 333 373 913 К
213 253 293 333 373 913 К
О 0,5 1,0 1,5 1,0 2,5 мВт
О 0,5 1,0 1,5 1,0 2,5 мВт
ДБ6,00
5,75
5,50
5,25
5,00
Зависимость шумового отноше-ния от температуры.
Зависимость потерь преобразования от непрерывной падающей СВЧ мощности.
Зависимость нормированногокоэффициента шума от -непре-рывной падающей СВЧ мощ-ности.
Зависимость непрерывной па-дающей СВЧ мощности о,температуры.
ЗА110А, ЗА110Б
Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальиые с барьером Шоттки. Предназначены для работы в преобразователях частоты диапазона длин волн 2 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода и его полярность приводятся на этикетке. Диоды маркируются кодом: первая цифра — указывает на тип диода (для ЗА110А-6, для ЗАПОЕ-7), вторая - квартал выпуска диода, третья - последняя цифра — год выпуска диода. Диоды выпускаются подобранными в пары: ЗА 1 ЮАР, ЗА110БР.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рщ — 3 мВт, X — 2 см, не более: при 298 К
ЗА110А 6,5дБ
ЗА110Б 6дБ
при 213 и 398 К
ЗА110А 8дБ
ЗА110Б 7,5дБ
Выпрямленный ток при Р1|Д = 3 мВт, X = 2 см От 0,9 до 2,2 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд = 3 мВт, Х = 2 см, не более:
ЗА110А 2
ЗА110Б 1,6
Выходное сопротивление при Рщ, = 3 мВт, X = 2 см:
ЗА110АОт 200 до 500 Ом
ЗА110БОт 210 до 490 Ом
Нормированный коэффициент шума при Рпд = = 3 мВт, X = 2 см, не более:
ЗА110А 8дБ
ЗА110Б 7,5 дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования,неболее 0,5дБ
Выпрямленный ток. неболее 0,15мА
Выходное сопротивление,неболее 30Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К 50мВт
100 мВт150 мВт300 мВт0.2 IO”7 ДжОт 213 до 373 К398 К100 мВт150 мВт300 мВт0.2 IO”7 ДжОт 213 до 373 К398 КЗависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.Зависимость выходного сопро-тивления от непрерывной па-дающей СВЧ мощности.Зависимость выходного сопро-тивления от непрерывной па-дающей СВЧ мощности.Зависимость нормированного коэффициента шума от непрерывной падающей СВЧ мощЗависимость нормированного коэффициента шума от непрерывной падающей СВЧ мощ
100 мВт
150 мВт
300 мВт
0.2 IO”7 ДжОт 213 до 373 К
398 К
100 мВт
150 мВт
300 мВт
0.2 IO”7 ДжОт 213 до 373 К
398 К
Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.
Зависимость выходного сопро-тивления от непрерывной па-дающей СВЧ мощности.
Зависимость выходного сопро-тивления от непрерывной па-дающей СВЧ мощности.
Зависимость нормированного коэффициента шума от непрерывной падающей СВЧ мощ
Зависимость нормированного коэффициента шума от непрерывной падающей СВЧ мощ
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 3 ч) и температуре от 213 до 358 К Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К, тн < 4 мкс, /< 1000 Гц
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 3 ч), ти < 4 мкс, /< 1000 Гц и температуре ог 213 до 358 К
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 358 К
Температура окружающей среды
Кратковременное воздействие температуры (не более 20 мин)
Примечание. Допускается применение диодов в режиме с внешним положительным смещением, не превышающим 0,5 В.
ности.
Зависимость выпрямленного то-ка от температуры.
Зависимость потерь преобразо-вания от температуры.
Зависимость выходного сопро-тивления от температуры.
Зависимость нормированногокоэффициента шума от темпе-ратуры.
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от
Зависимость импульсной рассеиваемой СВЧ мощности от
температуры.температуры.температуры.
температуры.
температуры.
ЗА111А, ЗА111Б, АА111А, АА111Б
Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные с барьером Шоттки. Предназначены для работы в преобразователях частоты диапазона волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды выпускаются подобранными в пары: ЗА111АР, АА111АР, ЗА111БР, АА111БР — одной полярности, ЗА111ААР, АА111ААР, ЗА111ББР, АА111ББР — разной полярности. На корпусе диода с обратным включением ставится зеленая точка.
Масса диода не более 0,2 г.
Зеленая тачка для диодов с обратным включениемЗеленая тачка для диодов с обратным включением
Зеленая тачка для диодов с обратным включением
Зеленая тачка для диодов с обратным включением
Электрические параметры
Потери преобразования при РПД = 3 мВт, X = 3,2 см, не более: при 298 К
ЗА111А,АА111А 6дБ
ЗА111Б,АА111Б5,5дБ
при 213 и 398 К
ЗА111А 7дБ
ЗА111Б6,5дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 3 мВт, X = 3,2 см . . . . От 1 до
2,5 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рпд = 3 мВт, X = 3,2 см, не более 1,5
Выходное сопротивление при Рпд = 3 мВт, X = 3,2 см От 300 до
Нормированный коэффициент шума при Рпд = 3 мВт, X = 3,2 см, не более:Нормированный коэффициент шума при Рпд = 3 мВт, X = 3,2 см, не более:560 Ом
Нормированный коэффициент шума при Рпд = 3 мВт, X = 3,2 см, не более:
Нормированный коэффициент шума при Рпд = 3 мВт, X = 3,2 см, не более:
ЗА111А, АА111А 7,5 дБ
ЗА111Б, АА111Б 7 дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более0,5дБ
Выпрямленный ток, не более0,15мА
Выходное сопротивление30Ом
Зависимость импульсной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры.Зависимость импульсной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры.Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.
Зависимость импульсной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры.
Зависимость импульсной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры.
Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного то-ка от непрерывной падающейСВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-вания от непрерывной падаю-щей СВЧ мощности.
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К мцт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 10 мин)500мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти < 1 мкс, /< 1000 Гц и температуре от 213 до 358 К . . . . 550 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 10 мин), ти < 1 Мкс. /<1000 Гц 750мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (не более 24 ч) 300мвт
Температура окружающей средыqt213 до
373 К
Примечание. Допускается кратковременное (не более 20 мин) воздействие температуры окружающей среды 398 К.
Зависимость импульсной рассе-иваемой СВЧ мощности отдлины волны.
Зависимость выходного сопро-тивления от непрерывной па-дающей СВЧ мощности.Зависимость выходного сопро-тивления от непрерывной па-дающей СВЧ мощности.Зависимость нормированногокоэффициента шума от непре-рывной падающей СВЧ мощ-ности.Зависимость нормированногокоэффициента шума от непре-рывной падающей СВЧ мощ-ности.Зависимость выходного сопро-тивления от температуры.Зависимость выходного сопро-тивления от температуры.Зависимость нормированногокоэффициента шума от темпе-ратуры.Зависимость нормированногокоэффициента шума от темпе-ратуры.
Зависимость выходного сопро-тивления от непрерывной па-дающей СВЧ мощности.
Зависимость выходного сопро-тивления от непрерывной па-дающей СВЧ мощности.
Зависимость нормированногокоэффициента шума от непре-рывной падающей СВЧ мощ-ности.
Зависимость нормированногокоэффициента шума от непре-рывной падающей СВЧ мощ-ности.
Зависимость выходного сопро-тивления от температуры.
Зависимость выходного сопро-тивления от температуры.
Зависимость нормированногокоэффициента шума от темпе-ратуры.
Зависимость нормированногокоэффициента шума от темпе-ратуры.
Зависимость выпрямленного то- Зависимость потерь преобразо-ка от температуры.вания от температуры.
АА112А, АА112Б
Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в преобразователях на длине волны 3 см в герметизированной аппаратуре.
Выпускаются в стеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре. Диод АА112Б выпускается подобранным в пары: АА112БР.
Масса диода не более 0,035 г.
АА113БАА113Б
АА113Б
АА113Б
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 3 мВт, X = 3,2 см, не более 6 дБ
Выпрямленный ток при Рпа = 3 мВт, X = 3,2 смОт 1 до
2,5 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд = = 3 мВт, X = 3,2 см, не более:
АА112А 1,3
АА112Б 1,8
Коэффициент шума при Рпя = 3 мВт, X = 3,2 см, не более 7 дБ
Выходное сопротивление при Р^ = 3 мВт, X = 3,2 см От 440 до
640 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 Кзоо мвт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К20 мВт
Температура окружающей средыОт 213 до
373 К
АА113А,
Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в преобразователях сантиметрового и дециметрового диапазонов волн в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.
Масса диода ие более 0,002 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпл = 3 мВт, X = 3,2 см, не более:
АА113А 6дБ
АА113Б6,5 дБ
Выпрямленный ток при Рпп = 3 мВт, X = 3,2 см . . . . От 0,7 до
2,5 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рю = 3 мВт, X = 3,2 см, не более 3,5
Сопротивление диода в нулевой точке, не менее . . . . 1000 Ом
Коэффициент шума при Рпд = 3 мВт. X = 3.2 см, не
более:
АА113А7,5 дБ
АА113Б 9 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К50мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии и температуре от 213 до 373 К 200мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К100мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии и температуре от 213 до 373 К 400мВт
Температура окружающей средыОт213 до
373 К
ДЕТЕКТОРНЫЕ ДИОДЫ
ДК-В1, ДК-В2
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне волн 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Ррд = 0,2 мВт. X = 9,8 см,
гпос = ЮО Ом, не менее:
ДК-В10,8 А/Вт
ДК-В21,2 А/Вт
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке, не более:
ДК-В115 кОм
ДК-В210 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре oi
213 до 343 К50 мВт
Температура окружающей средыОт 213
до 343 К
ДК-ВЗ, ДК-В4
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне волн 3,2 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0.7 г.
Г\8ыбоа1Г\8ыбоа1Электрические параметрыЭлектрические параметры
Г
\8ыбоа1
Г
\8ыбоа1
Электрические параметры
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рш = 0,02 мВт, X = 3,2 см,
гП(Х = ЮО Ом. нс менее:
ДК-ВЗ0,4А/Вт
ДК-В40.8А/Вт
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке, не
более:
ДК-ВЗ15кОм
ДК-В410кОм
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 343 К50мВт
Температура окружающей средыОт213
ДК-В5М, ДК-В6М, ДК-В7М
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне волн 3 см (ДК-В7М) и 10 см (ДК-В5М, ДК-В6М).
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рш = 0,02 мВт, гпос =
= 50 Ом, не менее: ДК-В5М, ДК-В6М при X — 9,8 см0,8А/Вт
ДК-В7М при X = 3,2 см0,4А/Вт
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке: ДК-В5М, ДВ-В7М, не более10кОм
ДК-В6М От5
до 25 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 373 К 200мВт
Температура окружающей среды От213
до 373 К
Температура окружающей среды при кратковременном воздействии (не более 20 мин) 398К
Зависимость чувствительностипо току от температуры.
ДК-В8
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования сигналов в диапазоне волн от 1,8 до 3,2 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Импульснаярассеивае-мая мощностьпри тем-пературе от до 343 К .21350 мВтТемпература щей среды .окружаю-От 213 до 343 КИмпульснаярассеивае-мая мощностьпри тем-пературе от до 343 К .21350 мВтТемпература щей среды .окружаю-От 213 до 343 КДК-В11ДК-В11
Импульсная
рассеивае-
мая мощность
при тем-
пературе от до 343 К .
213
50 мВт
Температура щей среды .
окружаю-
От 213 до 343 К
Импульсная
рассеивае-
мая мощность
при тем-
пературе от до 343 К .
213
50 мВт
Температура щей среды .
окружаю-
От 213 до 343 К
ДК-В11
ДК-В11
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке, не более 1500 Ом
Коэффициент качества при Р№ = 0,01 мВт, X = 3,2 см, не менее15 Вт1’'2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 0,01 мВт, Х= 1,8; 2,4; 3,2 см; гпос = 20 Ом, не более з
Предельные эксплуатационные данные
Зависимость коэффициента ка-чества от температуры.
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования СВЧ сигналов.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпя = 0,02 мВт, тпос = = 100 Ом. не менее1,5А/Вт
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке, не более10кОм
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд = = 0,02 mBi, не более2,5
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 343 К50мВт
Температура окружающей средыОт213
до 343 К
ДК-И1М, ДК-И2М
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне волн 10 см (ДК-И1М) и 3 см (ДК-И2М)
Выпускаю 1ся в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 2.5 г.
I &/W1ТЫо52I &/W1ТЫо52
I &/W1
ТЫо52
I &/W1
ТЫо52
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпд = 0,02 мВт, тпос =
= 1000 Ом, не менее:
ДК-И1М при X = 9,8 см0,5А/Вт
ДК-И2М при л — 3,2 см0,2А/Вт
Выпрямленный ток при Рм = 0.5 мВт, X = 9,8 см для
ДК-И1М и P№ = 1 мВт, X = 3,2 см для ДК-И2М, не менее0,4мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 373 К 200мВт
Температура окружающей средыОт213
до 373 К
Температура окружающей среды при кратковременном воздействии (не более 20 мин) 398К
Выбод 1ВыбоЗ 2Выбод 1ВыбоЗ 236 336 38ы6од>8ы6од>^ВьЫ2^ВьЫ2
Выбод 1ВыбоЗ 2
Выбод 1ВыбоЗ 2
36 3
36 3
8ы6од>
8ы6од>
^ВьЫ2
^ВьЫ2
Зависимость чувствительностипо току от температуры.
ДЗА, ДЗБ
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне волн от 2,9 до 30 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Коэффициент качества при Р„а = 20 мкВт, гпос = 20 Ом, не менее:
ДЗА при X = 3,2. см22Вт-1'2
ДЗБ при X = 9,8 см40Вт-1/2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р^ =
= 20 мкВт, X = 2,9 см (ДЗА) и X = 8 см (ДЗБ). не более 2 5
Разброс полного входного сопротивления при Рпд =
= 20 мкВт, гпос = 20 Ом, Х = 2,9; 5,4 см (ДЗА) и
Х = 8; 30 см (ДЗБ), не более2,5от. ед.
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера
туре от 213 до 343 К50мВт
Температура окружающей средыОт213
Зависимость коэффициента качест-ва от температуры.
Д602А, Д602Б
Диоды германиевые точечные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне воли от 2,7 до 60 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рш = 0,02 мВт, X = 3,2 см, 7пр = 150 мкА, не менее1,5 А/Вт
Дифференциальное сопротивление при /пр = 150 мкА . . От 200 до
600 Ом
Коэффициент качества при Рта = 0,02 мВт. X = 3,2 см,
/пр = 150 мкА, не менее: Д602А15 Вт ’/2
Д602Б20 Вт"1/2
Эквивалентное шумовое сопротивление при 7пр = 150 мкА, не более12 кОм
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд = = 0,02 мВт. X = 3,2 см, гпос = 20 Ом, 7|[р = 150 мкА, не более 3,2
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 358 К50 мВт
Температура окружающей средыОт 213
до 358 К
Д603
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования сигналов в диапазоне волн от 6 до 60 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся иа корпусе.
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при PTO и = 4 мкВт, X = 10 см, 4р = 50 мкА, гпос=15 Ом и температуре от 213 до 373 К, не менее А/Вт
Дифференциальное сопротивление при /пр = 50 мкА . . . От 300 до 900 Ом
Коэффициент качества, не менее gT-1/2
Шумовое отношение при /пр = 50 мкА, не более . . . Ю
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рп„ и = = 4 мкВт, X = 10 см, /пр = 50 мкА, гпос = 15 Ом, не более:
при 298 К 2
при 213 и 373 К 2 2
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти = 1 мкс, /= 1000 Гц и температуре от 213 до 373 К , . . . 200 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 1 мин), ти = 1 мкс, /= 1000 Гц и температуре от 213 до 373 К 2 Вт
Температура окружающей средыОт 213
до 373 К
Примечание. Разрешается применение диода при постоянном прямом токе от 0 до 150 мкА. Температура окружающей среды при кратковременном воздействии (не более 20 мин) 398 К.
Зависимость чувстви-тельности по току отпостоянного прямоютока.
Зависимость коэффи-циента качества от по-стоянного прямого то-ка.
Зависимое i ь коэффи-циента качества оттемпературы.
Д604
Диод кремниевый гочечный. Предназначен для детектирования сигналов в диапазоне волн от 2.7 см и более.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 3 г.
Выбод /Выбод /Т Выбод 1Т Выбод 1Выбод 2Выбод 2
Выбод /
Выбод /
Т Выбод 1
Т Выбод 1
Выбод 2
Выбод 2
Электрические параметры
Чувствительность по току при РПД1И = Ю мкВт, X = 3,2 см, /пр = 50 мкА, г|10С = 20 Ом, не менее:
при 213 и 298 К2,5А/Вт
при 373 К2,0А/Вт
Дифференциальное сопротивление при 7пр = 50 мкА . . . От 500 до 900 Ом
Коэффициент качества, не менее35Вт-1/2
Шумовое отношение при /|1р = 50 мкА. не более . . .8
Коэффициент стоячей волны по напряжению при /’„д и =
= 10 мкВт, X = 3,2 см, /пр = 50 мкА, гпос = 20 Ом. не более:
при 298 К 1.8
при 213 и 373 К 2
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при т„ = 1 мкс. / = 1000 Гц и температуре от 213 до 373 К 300мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при ти = 1 мкс, /= 1000 Гц и температуре от 213 до 373 К в течение 10 мин IВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при 373 К . . . Ю мВт
Температура окружающей средыqt213
до 373 К
Примечания: 1. Разрешается применение диода при постоянном прямом токе от 0 до 150 мкА.
2. Предельная температура окружающей среды при кратковременном воздействии (не более 20 мин) 398 К.
Зависимость коэффициента ка-чества от постоянною прямо-го тока.
Зависимость коэффициента ка-чества от температуры.
Зависимость чувствительности[[О току от постоянного прямо-го тока.
Д605
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования импульсных амплитудно-модулированных колебаний, индикации импульсной мощности на частотах до 15 500 МГц.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схемы соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3,5 г.
Электрические параметры
Чувствительность по напряжению при Рпд.и = 150 мВт,
X = 3,2 см, гпос = 10 кОм, не менее14В/Вт
Выпрямленное напряжение при Рцд и = 60 мВт, X = 3,2 см,
гпос = 10 кОм:
при 298 КОт10,5
до 16 В
при 373 К, не менее 5В
при 213 К, не менее 8В
Предельные эксплуатационные данные
Выпрямленное напряжение на гпос = 10 кОм и темпера
туре от 213 до 373 К, не менее: при X = 3,2 см 10,5В
при X = 2 см 7В
Зависимость выпрямленного напряже-ния от температуры.Зависимость выпрямленного напряже-ния от температуры.Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко
Зависимость выпрямленного напряже-ния от температуры.
Зависимость выпрямленного напряже-ния от температуры.
временных перегрузках и температуре от 213 до
Зависимость выпрям-ленного напряжения отнепрерывной падающейСВЧ мощности.
Д606
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования СВЧ импульсных амплитудно-модулированных сигналов, индикации импульсной СВЧ мощности.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 10 г.
Вывод 1
Электрические параметры
Чувствительность по напряжению при Р„д = 20 мВт, не
менее14В/Вт
Выпрямленное напряжение при Рпд = 60 мВт, гпос = 10 кОм, не менее:
при 298 К 5.2 В
при 358 К ЗВ
при 213 К 3,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 358 К100 мВт
Температура окружающей средыОт 213
до 358 К
Температура окружающей среды при кратковременном воздействии в течение 20 мин 373 к
Д607, Д607А
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования СВЧ сигналов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 1,4 г.
Электрические параметры
Дифференциальное сопротивление при /пр = 50 мкА . . . От 400 до 1200 Ом
Коэффициент качества при Рпд = 15 мкВт, /,,р = 50 мкА. не менее:
при 298 К30Вт-'/2
при 213 и 398 К15Вт-12
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 15 мкВт, Z = 50 мкА, не более 3
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при ти = 1 мкс, f = 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К . . . . 100 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 20 мин), ти = 1 мкс, )'= 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К 300mBi
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 20 мин) и температуре от 213 до 398 К 5мВт
Зависимость коэффициента качества от постоянного прямогоЗависимость коэффициента качества от постоянного прямогодо 398 Кдо 398 КЗависимость дифференциального сопротивления от постоян-Зависимость дифференциального сопротивления от постоян-тока.тока.Зависимость шумового сопроЗависимость шумового сопротивления от постоянного ПрЯ-тивления от постоянного ПрЯ-Зависимость чувствительностиЗависимость чувствительностипо току от постоянного пряпо току от постоянного прямого тока.мого тока.мого тока.мого тока.Температура окружающей средыОт213
Зависимость коэффициента качества от постоянного прямого
Зависимость коэффициента качества от постоянного прямого
до 398 К
до 398 К
Зависимость дифференциального сопротивления от постоян-
Зависимость дифференциального сопротивления от постоян-
тока.
тока.
Зависимость шумового сопро
Зависимость шумового сопро
тивления от постоянного ПрЯ-
тивления от постоянного ПрЯ-
Зависимость чувствительности
Зависимость чувствительности
по току от постоянного пря
по току от постоянного пря
мого тока.
мого тока.
мого тока.
мого тока.
Зависимость чувствительностипо току от температуры.Зависимость чувствительностипо току от температуры.Зависимость коэффициента ка-чества от постоянного прямоготока.Зависимость коэффициента ка-чества от постоянного прямоготока.
Зависимость чувствительностипо току от температуры.
Зависимость чувствительностипо току от температуры.
Зависимость коэффициента ка-чества от постоянного прямоготока.
Зависимость коэффициента ка-чества от постоянного прямоготока.
Д608, Д608А
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования СВЧ сигналов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода нс более 1.4 г.
Электрические параметры
Дифференциальное сопротивление при /пр = 50 мкА . . . От 400 до 1200 Ом
Коэффициент качества при Рпд = 15 мкВт. /пр = 50 мкА, не менее: при 298 К30 Вт-1/2
при 213 и 398 К15 Вт”1/2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд = = 15 мкВт, /пр = 50 мкА, не более 3
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при ти = 1 мкс, /= 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К:
Д608 150 мВт
Д608А 200 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (не более 20 мин). ти = 1 мкс, / = 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К 500 мВт
Зависимость дифференциально- Зависимость шумового сопро-Зависимость дифференциально- Зависимость шумового сопро-
Зависимость дифференциально- Зависимость шумового сопро-
Зависимость дифференциально- Зависимость шумового сопро-
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 20 мин) и температуре
от 213 до 398 К 7мВт
Температура окружающей средыОт213
до 398 К
Зависимость коэффициента качества от постоянного прямого тока.
Зависимость чувствительности Зависимость чувствительности по току от постоянного прямо-по току от температуры,
го тока.
Д609
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования СВЧ сигналов.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1,5 г.
Электрические параметры
Дифференциальное сопротивление при 7пр = 20 мкА . . . От 1000 до 2000 Ом
Коэффициент качества при Рпд = 10 мкВт, гпос = 60 кОм, 7пр = 20 мкА, не менее80 Вт 1/2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рта = = 10 мкВт, не более 1,6
Изменение чувствительности по току при Рта = 10 мкВт,
гпос = 60 кОм, 7пр = 20 мкА:
при 373 К ±40%
при 213 К ±25 %
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 3 мин) 250 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 20 мин) и температуре от 213 до 373 К2 мВт
Температура окружающей среды от 213 до 373 К
Зависимость дифференциально- Зависимость коэффициента ка- го сопротивления от темпера-чества от температуры,
туры.
Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению огтемпературы.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от постоян-ного прямого тока.
Зависимость коэффициента ка-чества от постоянного прямоготока.
Зависимость коэффициента стоя-чей волны ло напряжению отпостоянного прямого тока.
2А201А
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования сигналов в диапазоне волн от 8 до 60 см.
Выпускается в металлостсклянном корпусе. Тип диода указывается на этикетке. Диод маркируется красной точкой у положительного вывода.
Масса диода не более 0,15 г.
20 мВт300 мВт20 мВт300 мВт500 мВтОт 213 до 398 К500 мВтОт 213 до 398 КЗависимость чувствительностипо току от постоянного пря-мого тока.Зависимость чувствительностипо току от постоянного пря-мого тока.Зависимость коэффициента ка-чества от постоянного прямоготока.Зависимость коэффициента ка-чества от постоянного прямоготока.
20 мВт
300 мВт
20 мВт
300 мВт
500 мВт
От 213 до 398 К
500 мВт
От 213 до 398 К
Зависимость чувствительностипо току от постоянного пря-мого тока.
Зависимость чувствительностипо току от постоянного пря-мого тока.
Зависимость коэффициента ка-чества от постоянного прямоготока.
Зависимость коэффициента ка-чества от постоянного прямоготока.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпд = 5 мкВт, X = 8 см, I™ = 50 мкА, ''пос < 30 Ом:
при 298 К, не менее 6,5А/Вт
при 398 КОт3,25 до 9,75 А/Вт
Дифференциальное сопротивление при /пр = = 50 мкАОт400 до 1000 Ом
Коэффициент качества, не менее . . . .80 Вт-1/2
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рга = 5 мкВт, X = 8 см, /Пр = 50 мкА, не более 1,5
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 398 К
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 1 мкс, / < 1 000 Гц и температуре от 213 до 398 К
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 20 мин), ти < 1 мкс, / < 1 000 Гц и температуре от 213 до 398 К
Температура окружающей среды .
417417
417
417
14 под. ред. Н. Н- Горюнова
Зависимость чувствительностипо току от температуры.Зависимость чувствительностипо току от температуры.Зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению от температуры.Зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению от температуры.Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению отпостоянного прямого тока.Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению отпостоянного прямого тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от постоян-ного прямого тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от постоян-ного прямого тока.
Зависимость чувствительностипо току от температуры.
Зависимость чувствительностипо току от температуры.
Зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению от температуры.
Зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению отпостоянного прямого тока.
Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению отпостоянного прямого тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от постоян-ного прямого тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от постоян-ного прямого тока.
2А202А
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования сигналов в диапазоне волн от 3 до 8 см.
Выпускается в металлостеклянном корпусе. Тип диода указывается на этикетке. Диод маркируется двумя красными точками у поло- жисельного вывода.
Масса диода не более 0,15 г.
Г’
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпд = = 10 мкВт, X = 3,2 см, /пр = 50 мкА, г 1№^ 30 Ом:
От 1,25 до
3,75 А/Вт
От 1,75 до
3,25 А/Вт
От 400 до
1000 Ом
40 Вт
-Т-
2,5 А/Вт2,5 А/Втпри 298 К, не менее
2,5 А/Вт
2,5 А/Вт
при 398 К
при 213 К
Дифференциальное сопротивление при /лр = = 50 мкА
Коэффициент качества, не менее
1,51,5Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рлд = 10 мкВт, X = 3,2 см, /пр = 50 мкА, тпос < 30 Ом, не более
1,5
1,5
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при
температуре от 213 до 398 К . . . .20 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при т„ < 1 мкс, /< 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К 300мВт
500 мВтОт 213 до 398 К500 мВтОт 213 до 398 КИмпульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин), ги < 1 мкс, / < 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К
500 мВт
От 213 до 398 К
500 мВт
От 213 до 398 К
Температура окружающей среды . . .
Зависимость чувствительностипо току от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению оттемпературы.
Зависимость чувствительностипо чоку от постоянного пря-мого тока.
Зависимость коэффициента качества от постоянного прямого тока.
2А203А, 2А203Б
Диоды кремниевые микросплавные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне волн 2 см.
Выпускаю 1ся в мегаллокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются условным кодом: цифрой 4 — 2А203А. цифрой 5 — 2А2ОЗБ.
Масса диода не более 1 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
3,8 А/Вт2,8 А/Вт1.5 А/ВтОт 1000 до 2000 Ом3,8 А/Вт2,8 А/Вт1.5 А/ВтОт 1000 до 2000 Ом120 Вт '/:100 Вт"|/;120 Вт '/:100 Вт"|/;
3,8 А/Вт
2,8 А/Вт
1.5 А/Вт
От 1000 до 2000 Ом
3,8 А/Вт
2,8 А/Вт
1.5 А/Вт
От 1000 до 2000 Ом
120 Вт '/:
100 Вт"|/;
120 Вт '/:
100 Вт"|/;
Чувствительность по току при Рид = 0,01 мВт. /|1р = 20 мкА, глос = 30 Ом, не менее:
при 213 и 298 К
2А2ОЗА
2А203Б
при 398 К
Дифференциальное сопротивление при /,,р = — 20 мкА
Коэффициент качества при Р||Д = 0,01 мВт,
Угр = 20 мкА. гпос = 30 Ом. не менее: 2А203А
2А203Б
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Р„д = 0,01 мВт. /„р = 20 мкА.
rrot = 30 Ом, не более: 2А203А .. .1.6
2А203Б2.5
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при гпос < 100 Ом и тем
пературе : от 213 до 358 К20мВт
при 398 К 5мвт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при гпос <
< 100 Ом, кратковременном воздействии (не более 3 ч)
и температуре от 213 до 358 К мдт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти < 4 мкс,
/< 1000 Гц, гпос < 10 кОм и температуре от 213 до
358 КЮОмВт
Температура окружающей средыОт213 до
358 К
Примечание. Допускается токе не более 100 мкА.Примечание. Допускается токе не более 100 мкА.применение диодов при прямомприменение диодов при прямом
Примечание. Допускается токе не более 100 мкА.
Примечание. Допускается токе не более 100 мкА.
применение диодов при прямом
применение диодов при прямом
Зависимость шумового сопро-тивления от постоянного пря-мого тока.Зависимость шумового сопро-тивления от постоянного пря-мого тока.Зависимость дифференциального сопротивления от постоянного прямого тока.Зависимость дифференциального сопротивления от постоянного прямого тока.
Зависимость шумового сопро-тивления от постоянного пря-мого тока.
Зависимость шумового сопро-тивления от постоянного пря-мого тока.
Зависимость дифференциального сопротивления от постоянного прямого тока.
Зависимость дифференциального сопротивления от постоянного прямого тока.
Зависимость чувствительностипо току от постоянного пря-мого тока.Зависимость чувствительностипо току от постоянного пря-мого тока.Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению отпостоянного прямого тока.Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению отпостоянного прямого тока.
Зависимость чувствительностипо току от постоянного пря-мого тока.
Зависимость чувствительностипо току от постоянного пря-мого тока.
Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению отпостоянного прямого тока.
Зависимость коэффициента стоя-чей волны по напряжению отпостоянного прямого тока.
Зависимость чувствительностипо току от температуры.Зависимость чувствительностипо току от температуры.Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности отЗависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности оттемпературы.
Зависимость чувствительностипо току от температуры.
Зависимость чувствительностипо току от температуры.
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от
Зависимость непрерывнойрассеиваемой СВЧ мощ-ности от сопротивлениянагрузки.
ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ ДИОДЫ
1А401,1А401А, 1А401Б, 1А401В, ГА401, ГА401А, ГА401Б,ГА401В
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы в параметрических усилителях в диапазоне волн от 6 до 60 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами привозятся на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1А401, ГА401 — четырьмя красными точками у отрицательного электрода, 1А401А, ГА401А — одной красной точкой, 1А401Б, ГА401Б — двумя красными точками, 1А401В, ГА401В -- гремя красными точками.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Постоянная времени при СОпР = 10 В, /= 2 000 + 200 МГц, не более:
1А401, ГА401 2,2пс
1А401А, ГА401А 2.0пс
1А401Б, ГА401Б 1^8пс
1А401В, ГА401В 1Дпс
Пробивное напряжение при /одр = 10 -н 20 мкА, не менее:
при 298 К 20В
при 213 К 15в
Постоянный обратный ток при Собр =10 В, не более: при 298 К0,5мкА
при 343 К4,0мкА
Емкость перехода при 0’обр =10 В, /< 30 МГц: 1А401, ГА401От0,45до0,87пФ
1А401А, ГА401АОт0,36до0,55пФ
1А401Б, ГА401БОт0,26до0,44пФ
1А401В, ГА401ВОт0,12до0,33пФ
Емкость корпусаЕмкость корпусаОт 0.18 до 0,25 пФОт 0.18 до 0,25 пФ
Емкость корпуса
Емкость корпуса
От 0.18 до 0,25 пФ
От 0.18 до 0,25 пФ
2 нГн2 нГнИндуктивность диода, не более . . . .
2 нГн
2 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 343 К 200мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин) и температуре от 213 до 343 К 400мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 4 мкс. скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 343 К 5Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин), ти ^ 4 мкс, скважности, большей или равной 1000, температуре от 213 до 343 К 10Вт
Температура окружающей средыОт213 до
343 К
Примечания: 1. Допускается применение диодов для умножения и деления частоты в режимах, не превышающих предельно Допустимые. Длина волны в этом режиме может быть короче 3 см.
Не разрешается подача обратного напряжения более 19 В и прямого тока более 30 мА.
Емкость перехода остается неизменной при температуре окружающей среды от 213 до 343 К.
Зависимость пробивногонапряжения от темпера-туры.
Зависимость емкости структуры от постоянного обратного напряжения.
1А402А, 1А402Б, 1А402В, 1А402Г, ГА402А, ГА402Б,ГА402В, ГА402Г
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы в параметрических усилителях в диапазоне волн от 3 до 6 см.
Выпускаются в металлокерамическом коаксиальном корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1А402А, ГА402А — одной красной точкой у положительного электрода, 1А402Б, ГА402Б — двумя красными точками, 1А402В, ГА402В — одной красной полоской, 1А402Г. ГА402Г — двумя полосками.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянная времени при Е/о6р =10 В. / = 2 000 + 200 МГц, не более:
1А402А, ГА402А 1,2 нс
1А402Б, ГА402Б 0,9 пс
1А402В, 1А402Г, ГА402В, ГА402Г . . .0,75 не
Постоянный обратный ток при С/обр = 10 В, не более: при 298 К 0,5 мкА
при 343 К 3 мкА
Изменение пробивного напряжения при 213 К, не более 15%
Емкость пепехода при t/o6p =10 В. / =
= 30 МГц: 1А402А, ГА402А, не более 0,3 пФ
1А402Б, 1А402Г. ГА402Б, ГА402Г , не
белее 0,16пФ
1А402В, ГА4О2В От0,13 до 0,3 пФ
Емкость корпусаОт0,23 до 0,29 пФ
Индуктивность диода, не более 2нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 343 К . . . .50 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин) и температуре от 213 до 343 К 100 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 4 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 343 К 2,5 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин), т„ < 4 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 343 К 5 Вт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от
213 до 343 К 0,7-10-7 Дж
Мощность просачивающегося импульса при температуре от 213 до 343 К . . .200 мВт
Температура окружающей среды . . . . От 213 до 343 К
Примечания: 1. Допускается применение диодов для умножения и деления частоты в режимах, не превышающих предельно допустимые. Длина волны в этом режиме можег быть короче 3 см.
Не разрешается подача обратного напряжения более 14 В и прямого тока более 30 мА.
Зависимость емкости Зависимость пробив- Зависимость прямого структуры от постоян- него напряжения от сопротивления потерь ною обратного напря- температуры.от температуры,
жения.
1А403А, 1А403Б, 1А403В, 1А403Г, 1А403Д, ГА403А,ГА403Б, ГА403В, ГА403Г, ГА403Д
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы в параметрических усилителях с увеличенной линейностью амплитудной характеристики в умножителях, делителях частоты и модуляторах в сантиметровом и дециметровом диапазонах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке. Диолы маркируются цветным кодом в центре баллона: 1А403А, ГА403А - одной красной точкой, 1А403Б, ГА403Б — двумя красными точками. 1А403В, ГА403В — тремя красными точками, 1А403Г. ГА403Г — одной красной полоской, 1А403Д, ГА403Д — двумя красными полосками.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Постоянная времени при Т'Обр = 20 В, /= 2 000± 200 МГц, не более: 1А403А. ГА403А 2пс
1А403Б, 1А4ОЗВ, 1А403Г, ГА403Б, ГА403В, ГА403Г 1,6 пс 1А403Д, ГА403Д 1,3пс
Пробивное напряжение при Гобр = 10 -т 20 мкА. не менее: при 298 К'. . . .50 В
при 213 К 40 В
Постоянный обратный ток при 6/обр = 20 В. не более:
при 298 К 1А403А, ГА4ОЗА2 мкА
1А403Б. 1А403В. 1А4ОЗГ, 1А403Д. ГА403Б, ГА403В.
ГА4ОЗГ, ГА403Д 1 мкА
при 343 К 1А403А, ГА403А10 мкА
1А403Б, 1А403В. 1А403Г. 1А403Д, ГА403Б, ГА403В, ГА40.3Г, ГА403Д 5 мкА
Емкость перехода при <7оьр = 20 В, / = 30 МГц:
1А4ОЗА.ГА403А От0,32до0.5пФ
1А403Б,ГА403Б От0,26до0.4пФ
1А403В,ГА403В От0,18до0.3пФ
1А403Г,1А403Д, ГА4ОЗГ, ГА403Д От0.08до0.22пФ
Емкость корпуса От 0,2 до 0,25 пФ
Индуктивность диода От 1,0 до 2,0 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная- падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 343 К 400 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин) и температуре от 213 до 343 К 600 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при т„ < 4 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 343 К 15 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин), ти < 4 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 343 К 25 Вт
Температура окружающей средыОт 213 до
343 К
Примечания: 1. Не разрешается подача обратного напряжения более 49 В и прямого тока более 30 мА.
Емкость перехода остается неизменной при температуре от 213 до 343 К.
Зависимость обратного тока оттемпературы.
Зависимость пробивного напря-жения от температуры.
213 253 293 333 373 413 К
Зависимость постоянной време-ни от температуры.
Зависимость емкости структурыот постоянного обратного на-пряжения.
1А404А, 1А404Б, 1А404В, 1А4Э4Г, 1А404Д, 1А404Е,1А404Ж
Диоды германиевые планарные. Предназначены для рабо™ в параметрических усилителях, умножителях и делителях частоты в диапазоне волн 3 см и более.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводя юя на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1А404А — одной красной точкой, 1А404Б — двумя красными точками, 1А404В — тремя красными точками, 1А404Г — четырьмя красными точками, 1А404Д — одной красной полоской, 1А404Е — двумя красными полосками, 1А404Ж — тремя красными полосками.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Постоянная времени при По6р = 5 В, /= 2-г 2,5 ГГц. не более0,85ис
Изменение постоянной времени в интервале температур
от 213 до 343 К при Со6р = 5 В, /=2^2.5 ГГц, не более 22°„
Пробивное напряжение при /обр = 100 мкА, не менее: при 298 К 10В
при 213 К 8В
Постоянный обратный ток при С/обр = 5 В, не более: при 298 К0,2мкА
при 343 К2,5мкА
Емкость перехода при (/обр = 5 В, / = 60 МГц: 1А404А, не более 0,11пФ
1А404БОт0,09 до 0,14 пФ
1А404ВОт0,11до0,16пФ
1А404ГОт0,13до0,23пФ
1А404ДОт0,17до0,28пФ
1А404ЕОт0,22до0,36пФ
1А404Ж От0,3до0,45пФ
Емкость корпуса От0,2 до 0,26 пФ
Индуктивность диода От1,2 до 1,8 нГп
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность
при температуре от 213 до 343 К . . .40 мВт
60 мВт1 Вт2 ВтO.3 JO 7 Дж150 мВтОт 213 до 343 К60 мВт1 Вт2 ВтO.3 JO 7 Дж150 мВтОт 213 до 343 КНепрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 ми») и температуре от 213 до 343 К Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти < 1 мкс. Г < 1000 Гц и температ уре от 213 до 343 К".
60 мВт
1 Вт
2 Вт
O.3 JO 7 Дж
150 мВт
От 213 до 343 К
60 мВт
1 Вт
2 Вт
O.3 JO 7 Дж
150 мВт
От 213 до 343 К
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин), ти < 1 мкс, /< 1000 Гц и температуре от 213 до 343 К Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 343 К
Импульсная падающая СВЧ мощнос1ь при температуре от 213 до 343 К
Зависимость постоянной времени от температуры.Зависимость постоянной времени от температуры.Температура окружающей среды
Зависимость постоянной времени от температуры.
Зависимость постоянной времени от температуры.
Зависимость емкости структуры от постоянного обратного напряжения.
1А405А, 1А405Б
Диоды германиевые мезадиффузионные. Предназначены для работы в параметрических усилителях, генераторах шума в диапазоне волн 3 см и более.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке. Диоды маркируются цветными кодом: 1А405А — одной красной гочкой. 1А405Б — двумя красными точками.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Постоянная времени при (/обр = 5 В, / = = 2 ч- 2,5 ГГц, не более 1,2нс
Пробивное напряжение при / , = 70 4- 100 мкА: при 298 К От 8 до 15 В
при 213 К, не менее 6В
Постоянный обратный ток при 17о6 = 5 В, не более: при 298 К 0,2мкА
при 343 К 3,5мкА
От 0,22 до 0,4 пФОт 0,19 до 0,25 пФОт 1 до 2 нГцОт 0,22 до 0,4 пФОт 0,19 до 0,25 пФОт 1 до 2 нГцЕмкость перехода при U. =5 В, /= 60 МГц: 1А405АОт0,18 до 0,25 пФ
От 0,22 до 0,4 пФ
От 0,19 до 0,25 пФ
От 1 до 2 нГц
От 0,22 до 0,4 пФ
От 0,19 до 0,25 пФ
От 1 до 2 нГц
1А405Б
Емкость корпуса
Индуктивность диода
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 208 до 343 К0,5 Вт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковре
менном воздействии (не более 5 мин) и температуре от 208 до 343 К 1,0 Вт
Мощность просачивающегося импульса25 мВт
Температура окружающей средыОт 208 до
343 К
Максимальная температура окружающей среды при крат
ковременном воздействии (не более 30 мин) . . . .358 К
Зависимость емкости структуры отпостоянного обратного напряжения.
1А408А, 1А408Б
Диоды германиевые диффузионные планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в параметрических усилителях сантиметрового и дециметрового диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на групповой таре. Диоды маркируются цветным кодом: 1А408А — одной белой точкой, 1А408Б — одной черной точкой.
Масса диода не более 0,7 г.
2,2 । гл, г
Электрические параметры
Постоянная времени при (7^ = 10 В, /=
= 7,5 = 7,7 ГГц и 77 К, не более . . .о,6 пс
Пробивное напряжение при /^ = 100 мкА
и 77 К, не менее 12 В
Постоянный обратный ток при U^ = 10 В и 77 К, не более 0,05 мкА
Общая емкость диода при Со5р =10 В, / =
= 10 МГц:
1А408АОт 0,5 до 0,56 пФ
1А408БОт 0,54 до 0,62 пФ
Емкость корпусаОт 0,3 до 0,34 пФ
Индуктивность диодаОт 0,45 до 0,65 нГи
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 77 до 298 К . . .40 му.
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти < 1 мкс, / < 1000 Гц и температуре от 77 до 298 К 1 Вт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более
5 мин), т„ < 1 мкс, / < 1000 Гц и температуре от 77 до 298 К 2 Вт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 77 до 298 К 0,310~7Дж
Импульсная падающая СВЧ мощность при температуре о г 77 до 298 К 150 мВт
Зависимость постоянной времени от температуры.Зависимость постоянной времени от температуры.Температура окружающей среды От 77 до 298 К
Зависимость постоянной времени от температуры.
Зависимость постоянной времени от температуры.
Зависимость емкости струк-туры от постоянного обрат-ного напряжения.
.4. ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕДИОДЫ
1А501А,1А501Б,1А501В,1А501Г,1А591Д,1А501Е,
1А501Ж,1А501И,ГА501А,ГА501Б,ГА501В,ГА501Г,
ГА501Д,ГА501Е,ГА501Ж,ГА501И
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены дляприменения
в переключающих устройствах в диапазоне волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1А501А, ГА501А — одной точкой у положительного вывода, 1А501Б, ГА501Б — двумя точками, 1А501В, ГА501В — тремя точками, 1А501Г, ГА501Г — одной полоской, 1А501Д. ГА501Д — двумя полосками, 1А501Е, ГА501Е—тремя полосками, 1А501Ж, ГА501Ж — одной полоской и одной точкой, 1А501И, ГА501И — одной полоской и двумя точками.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Потери пропускания при Z = 20 мА. Р|Щ = 1 мВт, Х = 3,2см (1А501А, 1А501Б, 1А501В. 1А501Ж. 1А501И, ГА501А, ГА501Б, ГА501В, ГА501Ж, ГА501И) и при X = 3,9 см (1А501Г, 1А501Д, 1А501Е, ГА501Г, ГА501Д, ГА501Е), не более0,8дБ
Качество диода при 6/обр = 12 -г 18 В для 1А501А, 1А501Г, ГА501А, ГА501Г, при [/о6р = 8 = 13 В для 1А501Б, 1А501Д, ГА501Б, ГА501Д, при ОоСр = 4=9 В для 1А501В, 1А501Е, ГА501В. ГА501Е, при t/o6 = = 2,2 ч-4,2 В для 1А501Ж, ГА501Ж, при 6/о6р = 0,5 = 2,5 В для 1А501И, ГА501И, при Р11д = I мВт и Х = = 3,2 см для 1А501А, 1А501Б, 1А501В, 1А501Ж, 1А501И, ГА501А, ГА501Б, ГА501В, ГА501Ж, ГА501И, Х = = 3,9 см для 1А501Г, 1А501Д, 1А501Е. ГА501Г, ГА501Д,
ГА501Е, не менее 150
Емкость корпусаОт0,12 до
0,18 пФ
Постоянный обратный ток при £/обр =10 В, не более: при 298 К0,5мкА
при 343 К3,0мкА
Пробивное напряжение, не менее 19В
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при скважности, большей или равной 1000, тн ^ 2 мкс и температуре от 213 до 343 К.' .2.5 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при воздействии не более 5 мил. скважности, большей или равной 1000, ти е 2 мкс и температуре от 213 до 343 К . . . ,5;0 Вт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера
туре от 213 до 343 К:
1А501А, 1А501Б. 1А501Г, 1А501Д, 1А501Е, ГА501А,
ГА501Б, ГА501Г, ГА501Д. ГА501Е100мВт
1А501В, ГА501В 50 мВт
1А501Ж, 1А501И, ГА501Ж, ГА501И 1мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при /пр = К) —
30 мА и температуре от 213 до 343 К 1Вт
Мощность просачивающегося импульса при температуре от 213 до 343 К 450мВт
Энергия просачивающегося импульса при температуре от 213 до 343 К0.510-7 Дж
Импульсная падающая СВЧ мощность в течение 50 ч при Г < 343 К, т„ < 0,15 мкс, скважности, большей или равной 3000 50Вт
Температура окружающей средыОт213 до
343 К
Примечания: 1. Допускается применение диодов в коммута
более 3 см.более 3 см.ционных устройствах при длинах волн
более 3 см.
более 3 см.
Не разрешается подача обратною напряжения более 18 В и прямого тока более 30 мА для 1А501А. 1А501Б, 1А501Г. 1А501Д. IA501E и 20 мА для 1А501В, 1А501Ж, 1А501И.
пературы.пературы.Зависимость потерь запирания от тем
пературы.
пературы.
2А503А, 2А503Б
Диоды кремниевые сплавные с p-i-n структурой. Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов.
Бескорнуспые с жесткими выводами. Тип диода указывается на индивидуальной rape.
Масса диода не более 0,00214 i.
Электрические параметры
Прямое напряжение при 1пр = 100 мА и температуре от 213 до 398 К, не более0,3 В
Прямое сопротивление потерь при 7пр =
= 100 мА, Рт > 5 мВт, / = 3000 МГц, не
более: 2А503А 3,3 Ом
2А503Б 5,0 Ом
Емкость перехода при Рпд > 5 мВт, / =
= 3000 МГц: 2А5ОЗАОт0,365 до 0,435 пФ
2А5ОЗБОт0,33 до 0,425 пФ
Прямое сопротивление потерь при /пр = 0, Рпд > 5 мВт, /= 3000 МГц, не менее1500 0м
Время установления прямого сопротивления
при /лр = 100 мА, Рпд > 1 мВт, / =
= 3000 МГц, не более 6 мкс
Время восстановления сопротивления при
/пр = 0, Р„а > 1 мВт, /= 3 000 МГц, не более 60 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность 1Вт
Импульсная рассеиваемая мощность в линии
с волновым сопротивлением 50 Ом . . .1 кВт
Температура окружающей среды . . . .От 213 до 398 К
Температура перехода 398К
Примечание. При включении диода в линию с волновым сопротивлением W, отличным от, 50 Ом, допустимая импульсная рассеиваемая мощность определяется по формуле
^и, рас, макс( ^0
^у1 и, рас, макс
Зависимость прямого со-противления потерь от по-стоянного прямого напря-жения.Зависимость прямого со-противления потерь от по-стоянного прямого напря-жения.
Зависимость прямого со-противления потерь от по-стоянного прямого напря-жения.
Зависимость прямого со-противления потерь от по-стоянного прямого напря-жения.
Зависимость противления постоянного
прямого со- потерь от прямого тока.
1А504А, 1А504Б, ГА504А, ГА5СМБ, ГА504В
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиметоового и дециметрового диапазонов волн.
Выпускаются в металлокерамическом коаксиальном корпусе с жесткими выводами. Диоды маркируются цветной точкой на керамической части корпуса: 1А504А, ГА504А — красной, 1А504Б, ГА504Б — черной. ГА504В — желтой. Схема соединения электродов с выводами приводится на керамической части корпуса.
Масса диода не более 1 г.
Электрические параметры
Потери пропускания при /пр = 50 мА, Рщ = I мВт,
X = 3,9 см, не более: 1А504А . . 0,5дБ
1А504Б0,8дБ
Качество диода при 1пр = 50 мА, L'o6p = 50 В, Рлд =
= 1 мВт, X = 3,9 см, не менее, при температуре: от 213 до 298 К
1А504А, ГА504А 500
1А504Б, ГА504Б 200
ГА504В 100
при 343 К 1А504А. ГА504А 350
1А504Б, ГА504Б 150
Общая емкость диода при UO6P = 50 В: 1А504А, 1А504Б. ГА504А, ГА504БОт0,5
до 0,8 пФ
ГА504ВОт0,45
до 1,0 пФ
Постоянный обратный ток при Cogp = 50 В, не более, при температуре: от 213 до 298 К100мкА
при 343 К 500мкА
Время переключения при U^p = 50 В, Рпд = 2,5 Вт,
X = 3.9 см, не более 40нс
Емкость корпуса при Пабр = 50 ВОт0,3
до 0,4 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса:
от 213 до 308 К0.5 Вт
при 343 К0.3 Вт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность в течение
I мин при температуре корпуса от 213 до 358 К для 1А504А. 1А504Б0.6Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре: от 213 до 308К2,5Вт
при 343 К 1.5Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 1 мин) и температуре от 213 до 343 К 3.0 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 343 К 50 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К .' 50 мА
Температура окружающей средыОт 213
до 343 К
Температура корпуса 358 К
Примечания: 1 Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность связана с непрерывной СВЧ мощностью в линии передачи Т\ соотношениями :
р 2фТп-1)
в состоянии пропускания Рсвч =-—г„
2 (1/тч — 1)
в состоянии запирания Рсвч = —1—уР?,
где Ln — потери пропускания волноводного устройства с диодом, определяемые отношением падающей СВЧ мощности к прошедшей при номинальном /пр;
L, — потери запирания волноводного устройства с диодом, определяемые отношением падающей СВЧ мощности к прошедшей при номинальном (7о6р.
Общая емкость диода не зависит в диапазоне СВЧ от напряжения смещения (от нуля до максимально допустимого обратного напряжения).
Зависимость непрерывной рассеивае-мой СВЧ мощности от температурь:корпуса.
2А505Л, 2А505Б, 2А505В
Диоды кремниевые сплавные со структурой n-i-p-i-n. Предназначены для работы в переключающих устройствах, модуляторах. фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазона в герметизированной аппаратуре.
Бсскорпусные с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.
Масса диода не более 0.05 г.
Электрические параметры
Потери пропускания при /пр = 0, Рпд > 1 мВт, W =
= 250 Ом, f= 9000 -г- 9800 МГн, не более:
при 298 К
2А505А, 2А505Б0,25дБ
2А505В0,4 дБ
при 213 и 398 К
2А505А, 2А505Б0,55дБ
2А505В0.7 дБ
Потери запирания при Z„p = 100 мА, Рю > 1 мВт, И' =
= 250 Ом, / = 9000 ч- 9800 МГц, не менее: 2А505А 25 дБ
2А505Б, 2А505В 21 дБ
Время восстановления сопротивления при Рш > I мВт. /= 9000 ч- 9800 МГц, не более60 мкс
Время установления прямого сопротивления при Рпд >
> 1 мВт, /пр = 100 мА, /= 9000 -ь 9800 МГц, не
более 6 мкс
Предельные эксплуатационные даииые
Импульсная падающая СВЧ мощность в линии с W =
= 250 Ом при ти = 1 мкс и скважности 500:
/пР = 0:
в Н-образном волноводе и полосковых линиях . . .5кВт
в резонансной щели 2кВт
/пр = 100 мА100кВт
Рассеиваемая мощность 2Вт
Обратное напряжение 100В
Температура окружающей средыОт213
до 398 К
Примечания: 1. Допускается воздействие температуры окружающей среды 413 Кв течение 30 мин.
Потери запирания практически неизменны в интервале температуры от 213 до 398 К.
При включении диода в линию с волновым сопротивлением, отличным от 250 Ом, допустимая импульсная СВЧ мощность определяется по формуле
пд. и, макс ( ^0пд. и, макс ( ^0250 „ тг, гпд, н. макс- W250 „ тг, гпд, н. макс- W
пд. и, макс ( ^0
пд. и, макс ( ^0
250 „ тг, гпд, н. макс- W
250 „ тг, гпд, н. макс- W
Зависимость постоянного пря-мого тока от напряжения.Зависимость постоянного пря-мого тока от напряжения.Зависимость потерь запирания о г постоянного прямого тока.Зависимость потерь запирания о г постоянного прямого тока.
Зависимость постоянного пря-мого тока от напряжения.
Зависимость постоянного пря-мого тока от напряжения.
Зависимость потерь запирания о г постоянного прямого тока.
Зависимость потерь запирания о г постоянного прямого тока.
Зависимость потерь пропускаЗависимость потерь пропускания от температуры.ния от температуры.
Зависимость потерь пропуска
Зависимость потерь пропуска
ния от температуры.
ния от температуры.
Зависимость потерь пропуска-ния от импульсной падающейСВЧ мощности.
2А506А, 2А506Б, 2А506В, 2А506Г, 2А506Д
Диоды кремниевые сплавные. Предназначены для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового диапазона в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные. с гибким выводом. Тип диода указывается на корпусе. Положительный вывод диода — гибкий.
Масса не более 2,5 г (2А506А, 2А506Б, 2А506В, 2А506Г) и 2 г (2А506Д).
1,мм Цмм2А506^~Г) 256^2А506Д21621,мм Цмм2А506^~Г) 256^2А506Д2162Вывод 1Вывод 1Вывод 2Вывод 2
1,мм Цмм
2А506^~Г) 256^
2А506Д2162
1,мм Цмм
2А506^~Г) 256^
2А506Д2162
Вывод 1
Вывод 1
Вывод 2
Вывод 2
Электрические параметры
Потери пропускания при Рта > 1 мВт, /пр = О, W = = 250 Ом, не более:
при 298 К
2А506А, 2А506Б « = 9800 ± 50 МГц)0,4дБ
2А506В, 2А506Г «= 9100 ± 50 МГц) . . . .0,4 дБ
2А5О6Д «= 13700 + 50 МГц)0,7дБ
при 213 и 398 К
2А506А, 2А506Б, 2А506В, 2А 506Г0,7дБ
Потери запирания при Р№ > 1 мВт, 7пр = 100 мА, W =
= 250 Ом, не менее: 2А506Б, 2А506Г 18дБ
2А506А, 2А506В, 2А506Д 22дБ
Время восстановления сопротивления при РПД > 1 мВт, не более:
2А506А, 2А506Б «= 9800 ± 50 МГц)60мкс
2А506В, 2А506Г «=9100 ±50 МГц)60мкс
Время установления прямого сопротивления при Рпа >
> I мВт, 7пр = 100 мА, не более:
2А506А. 2А506Б « = 9800 + 50 МГц) 6мкс
2А506В, 2А506Г «= 9100 + 500 МГц) 6мкс
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность в линии с И’.- = 250 Ом при ти = 1 мкс и скважности 500:
при 4р = 0 2кВт
при /ир = 100 мАЮОкВт
Рассеиваемая мощность 2Вт
Обратное напряжение 100В
Температура окружающей средыОт213
до 398 К
Примечания: 1. Допускается кратковременное воздействие температуры окружающей среды 413 К в течение 30 мин.
При включении диода в линию с волновым сопротивлением, отличным от 250 Ом, допустимая импульсная СВЧ мощность определяется по формуле
рпд. и, максрпд. и, максv ITv ITпд, и, макс-пд, и, макс-
р
пд. и, макс
р
пд. и, макс
v IT
v IT
пд, и, макс-
пд, и, макс-
Потери запирания в интервале температур от 213 до 398 К практически остаются неизменными.
Зависимость постоянного пря-мого тока от напряжения.
Зависимость потерь запирания от постоянного прямого тока.
Зависимость потерь пропускаЗависимость потерь пропускания от температуры.ния от температуры.
Зависимость потерь пропуска
Зависимость потерь пропуска
ния от температуры.
ния от температуры.
Зависимость потерь пропускания от непрерывной падающей СВЧ мощности.
2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б, КА507В
Диоды кремниевые эпитаксиальные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 2А507А, КА507А — черной точкой, 2А507Б. КА5О7Б — желтой точкой, КА507В — двумя красными точками. Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 1,3 г.
вывод 2
Элек f рические параметры
Пробивное напряжение при 70бр.и = 10 мА. f= 5 кГц, ти = 3 мкс не менее 2А507А. КА507А500 В
2А5О7Б, КА507Б. КА507В 300 В
Критическая частота при /пр = 100 мА. Г'оГ5р = 100 В,
Рп . = 1 мВт. л = 7 см не менее
при 298 К:
2А507А, 2А507Б.КА5О7А.КА5О7Б 200ГГц
КА507В150ГГц
при 213 и 373 К: 2А507А, 2А507Б.КА5О7А.КА5О7Б180ГГц
Накопленный заряд при /1|р = 100мА не более . . . , 200нКл
Прямое сопротивление потерь при /пр = 100 мА. РПД =
= 1 мВт. X = 7 см не более
2А507А. 2А507Б, КА507А, КА507Б1.5 Ом
КА507В2.5 Ом
Общая емкость при С'о6р = 100 В 2А5О7А. 2А507Б, КА507А, КА507БОт 0,8
до 1,2 пФ
КА5О7ВОт 0,65
-io 1.2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса от 213 до 308 К 5 Вт
при 373 К .. .2 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса от 213 до 373 К 200 В
Мгновенное обратное напряжение при температуре кор
пуса от 213 до 373 К 2А507А, КА5О7А 500В
2А507Б, КА507Б, КА5О7В 300В
Постоянный прямой ток при температуре корпуса от 213 до 373 К" 200мА
Температура окружающей среды .. От 213
до 373 К
Примечания: 1. Расчетная индуктивность диода 0,5 нГн.
Общая емкость диода не зависит в диапазоне СВЧ от обратного напряжения (от нуля до максимально допустимого значения напряжения).
Зависимость рассеиваемой мощности от температуры корпуса.
Зависимость временивосстановления отпостоянного обратно-го напряжения.
Зависимость накоп-ленного заряда отпостоянного пря-мого тока.
Зависимость прямого со-противления потерь от по-стоянного прямого тока.
Зависимость обратного со-противления потерь от по-стоянного обратного напря-жения.
2А508А, КА508А
Диоды кремниевые, изготовленные на основе ионного легирования со структурой n-i-p-i-n. Предназначены для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибким выводом. Тип диода указывается на таре.
Масса диода не более 0,05 г.
выбобг
Электрические параметры
Потери пропускания при /при = 100 мА, Рп, = 1 Вт,
/ = 9370 МГц, не более: при 298 К0 4 дБ
при 213 и 398 К (2А5О8А)0,6 дБ
Качество при Рпд = 1 Вт. / = 9370 МГц, не менее . . .600
Время установления при /пр и = 100 мА, /= 1000 Гц, ти = 100 мкс, гпос=1 кОм- не более 6 мкс
Время восстановления при /ПР;И = 100 мА, / = 1000 Гц, тн = 100 мкс, гпос = 100 Ом, не более40 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 333 К для 2А508А и от 213 до 308 К для
КА508А 1,5 Вт
Коммутируемая импульсная СВЧ мощность при ти = = 1 мкс, скважности 1000 в резонансной щели . . .0,8 кВт
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 100 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 353 К 500 мА
Температура окружающей среды: 2А5О8А . . . От 213
до 398 К
КА508АОт 213
до 358 К
Примечания: 1. При постоянном прямом токе допускается импульсная мощность 50 кВт при тн = 1 мкс, скважности 1000 при условии, что мощность, рассеиваемая в диоде, не превышает допустимого значения.
При впайке диодов в модули должен использоваться припой ПОИн-50.
Зависимость качества диода отпостоянного прямого тока.
Зависимость времени восстанов-ления от постоянного обрат-ного напряжения.
Зависимость рассеиваемой СВЧмощности от температуры.
Зависимость потерь пропуска-ния от температуры.
Зависимость качества диода оттемпературы.
2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б, КА509В
Диоды кремниевые эпитаксиальные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиметрового н дециметрового диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на вкладыше, который помещается с диодом в индивидуальную тару. Диоды маркируются цветным кодом: 2А509А. КА509А - красной точкой, 2А509Б, КА509Б - синей точкой. КА509В - черной точкой. Положительный вывод — со стороны крышки. Масса диода не более 1.3 г.
выбоЗ 1выбоЗ 1
выбоЗ 1
выбоЗ 1
Электрические параметры
Прямое сопротивление потерь при /пр = 25 мА. Рсвч =
= 1 мВт. Л = 7 см. нс более:
2А509А, 2А509Б, КА509А. КА509Б1.5 Ом
КА509В 2,5 Ом
Критическая частота при /пр = 25 мА. Гобр = 100 В.
Рсвч = 1 мВт. л = 7 см. не менее:
при 298 К
2А509А, 2А509Б.КА509А.КА509Б150ГГц
КА509В100ГГц
при 373 К
2А509А, 2А509Б,КА509А,КА509Б100ГГц
Накопленный заряд при /,,Р = 25 мА. нс более . . . .25 нКл
Пробивное напряжение при импульсном обратном токе
10 мА./=5 кГц, т„ = 3 мкс, не менее 200 В
Общая емкость диода при Г^р = Ю0 В:
2А509.А, КА509АОт 0.9
до 1.2 пФ
2А509Б. КА5О9Б От 0,7
до 1,0 пФ
КА509ВОт 0.5
до 1.2 пФ
Емкость корпуса От 0.3
до 0.45 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса: от 213 до 308 К 2Вт
при 373 К 1 Вт
Постоянное обратное напряжение при темпераiype корпуса от 213 до 373 К 150 В
Мгновенное напряжение при температуре корпуса от 213 до 373 К 175 В
Постоянный прямо» ток при температуре корпуса от 213 до 373 К100 мА
Температура окружающей среды .. . От 213
до 373 К
Температура корпуса 373К
Примечание. Общая емкость диода не зависит в диапазоне СВЧ от обратного напряжения (от нуля до максимального значения напряжения).
Зависимость рассеиваемой мощ
ности о г температуры корпуса.
Зависимость накопленного заряда от постоянного прямого тока.
Зависимость прямого сопротив-ления от постоянного прямоготока.
О 25 50 15 100 125 8
Зависимость обратного сопро-тивления от постоянного обрат-ного напряжения.
Зависимость времени восстанов-ления от постоянного обрат-ного напряжения.
2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б, КА510В,КА510Г, КА510Д, КА510Е
Диоды кремниевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в устройствах ограничения и стабилизации мощности, защиты входных цепей приемников в сантиметровом и дециметровом диапазонах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип днода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветными точками: 2А51ОА, КА510А — одной черной точкой, 2А510Б, КА510Б - зеленой, 2А510В, КА510В - желтой, КА510Г - черной и зеленой, КА510Д — черной и желтой, КА510Е — зеленой и желтой.
Масса диода не более 0,15 г.
вывод 7вывод 7\ вывод 2\ вывод 2
вывод 7
вывод 7
\ вывод 2
\ вывод 2
Электрические параметры
Сопротивление диода при высоком значении СВЧ мощности и 7пр = 100 мА, не более: 2А510А, 2А510Б, 2А51ОВ, КА510А, КА510Б. КА510В1,5 Ом
КА510Г, КА510Д, КА510Е2,5 Ом
Сопротивление диода при низком значении СВЧ мощности РпД = 1 мВт, /= 4,5 10 3 МГц, не более: при 213 и 298 К 2А51ОА, КА510А 15 Ом
2А51ОБ, КА510Б 9 Ом
2А510В, КА510В 5 Ом
при 398 К 2А510А, КА510А ..25 Ом
2А510Б, КА510Б 15Ом
2А510В. КА510В 8Ом
Общая емкость диода при нулевом смещении: 2А510А, КА510А. . 'От0,7
до 1,4 пФ 2А510Б, КА510Б, КА510ДОт 1,2
до 2,4 пФ 2А510В, КА510ВОт 2,2
до 3,4 пФ
КА510ГОт 0,6
до 1,4 пФ
КА510ЕОт 2,2
до 3,6 пФ
Накопленный заряд в режиме переключения с /пр = = 100 мА на Со6р и = 20 В, не более10пКл
Пробивное напряжение, не менее 30В
Индуктивность диода*От 0.6
до 0,8 иГн
Емкость корпуса *От0,25
до 0,3 пФ
Время установления*,неболее 1не
Время восстановления *, не более 230нс
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса: от 213 до 323 К 1Вт
при 398 К0.25Вт
Рассеиваемая импульсная СВЧ мощность при ти = 1 мкс, /= 1 кГц и температуре от 213 до 308 К . . . .40 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К 25В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 398 К 200мА
Температура окружающейсредыОт213
"до 398 К
Температура перехода . . 423К
Зависимость непрерывнойпадающей СВЧ мощнос-ти от температуры кор-пуса.Зависимость непрерывнойпадающей СВЧ мощнос-ти от температуры кор-пуса.
Зависимость непрерывнойпадающей СВЧ мощнос-ти от температуры кор-пуса.
Зависимость непрерывнойпадающей СВЧ мощнос-ти от температуры кор-пуса.
Зависимость импульсной падающей СВЧ мощности от температуры корпуса в двухрезонаторной камере на /= 1 ГГц у = ЮО Гц, /2 = 1000 Гц, /3 = 10000 Гц, W = 75 Ом).
Зависимость непрерывной рас-сеиваемой СВЧ мощности оттемпературы корпуса.
Зависимость импульсной рас-сеиваемой СВЧ мощности оттемпературы корпуса.
2А511А
Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Масса диода не более 0,25 г.
Электрические параметры
Качество (на низком уровне мощности) на частоте
/= 3000 МГц при Ссм = 50 В, 7лр = 500 мА, W = 50 Ом,
Рщ < 1 Вт, не менее: при 298К 2500
при 398К 1500
при 213К 1750
Качество (на высоком уровне мощности) при Рвд < < 10 кВт, /пр = 500 мА, Ссм = 50 В, W = 50 Ом, не менее 700
Прямое сопротивление потерь на частоте /= 3000 МГц
при /пр = 500 мА, Рпд < 1 Вт, не более 2 Ом
Общая емкость диода при С/Одр = 200 В, Рпд < 1 Вт,
/= 10 = 30 МГцОт 0,55
до 0,75 пФ
Накопленный заряд при Ссм = 100 В, /пр = 100 мА, / = 1 кГц, ти = 10 мкс, не более 350 нКл
15 под ред. Н. Н. Горюнова449
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность в коаксиальной
линии с W = 50 Ом10кВт
Постоянное напряжение От50
до 200 В
Постоянный прямой ток 700мА
Температура окружающей средыОт213
до 373 К
Примечание. При включении диода в лилию, волновое сопротивление которой отличается от 50 Ом, импульсная мощность определяется по формуле
Зависимость прямогосопротивления потерьот постоянного пря-мого тока.
Зависимость обратного сопротивления потерь от постоянного обратного напряже-
Зависимость обратного сопротивления потерь от импульсной падающей СВЧ мощ-
ния.ности
Зависимость обратного сопротивления потерь от постоянного обратного напряжения.
Зависимость накоплен-ного заряда от по-стоянного прямоготока.
2А512А, 2А512Б
Диоды кремниевые сплавные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах, фазовращателях дециметрового и длинноволновой части сантиметрового диапазона в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с жесткими выводами. Тип диода указывается на о [рица тельном выводе 2.
Масса диода не более 3 г.
ВыводаВывода
Вывода
Вывода
Электрические параметры
Качество на высоком уровне мощности при /пр = 500 мА, t/oop = 200 В. не менее 1200
Качество на низком уровне мощности при Pvla = 1 Вт,
7пр = 500 мА, t'o6p = 200 В, не менее:
при 213 и 298 К 4000
при 358 К 3000
Прямое сопротивление потерь при 4Р = 500 мА, <7о6р = = 200 В, Рш = I Вт, температуре от 213 до 358 К, не более2,5 Ом
Общая емкость диода при (7о6р = 200 В, / = 30 МГц . . . От 0,45
до 0,85 пФ
Постоянное прямое напряжение при/пр = 500 мА . . . . От 1,15
до 1,9 В
Время восстановления при /пр = 500 мА, 1/о6р = 30 В, Рш = 1 Вт, не более40 мкс
Время установления прямого напряжения *з о мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 200 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 358 К 0,5 А
Постоянный обратный ток при t/o6p = 200 В и температуре от 213 до 358 К 500 мкА
Импульсный обратный ток при температуре от 213 до 358 К 12 мА
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 358 К 4 Вт
Температура окружающей средыОт 213
до 358 К
Температура перехода 373 К
Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.
12000
10000
8000
6000
4000
2000
-о05р-гоо z UO6p=1005
Д512
108-
^,6)
5 г=
2 38 К
—
^358 К
^Пр
О 200 ЧОО 600 800 1000мА
Зависимость качества диода (на низком уровне) от постоянного прямого тока.
О 200 ЧОО 600 800 1000мА Зависимость качества диода (на высоком уровне) о г постоянного прямого тока.
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от постоянного обратного на-
ратного тока от температуры.
пряжения.
2А513А, 2А513Б, КА513А, КА513Б
Диоды кремниевые с переходами, изготовленными на основе ионного легирования со структурой n-i-p-i-n. Предназначены для работы в поглощающих переключателях в диапазоне от 0,8 до 2 см в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибкими выводами. Тип диода указывается на таре.
Масса диодов не более 0,075 г (2А513А, КА513А) и 0,06 г (2А513Б, КА513Б).
ВыводеВыводевывозевывозе
Выводе
Выводе
вывозе
вывозе
Электрические параметры
Потери запирания при Рпа = J Вт, /пр = 10 = 100 мА, не менее:
2А513А, КА513А «= 30 000 = 37 500 МГц) . . . .27 дБ
2А513Б, КА513Б «= 15 000 = 20 000 МГц) . . . .25 дБ
Потери пропускания при Дщ = 1 Вт,/= 30000 = 37 500 МГц (2А513А, КА513А) и / = 15 000 = 20 000 МГц (2А513Б, КА513Б), не более:
при 298 К•. .0,7 дБ
при 213 и 398 К0,9дБ
Время установления при Znp-H = 100 мА, /= 1000 Гц, тн = 100 мкс, RH = 100 Ом, не более 6мкс
Время восстановления при /при = 100 мА, f = 1000 Гц, ти = 100 мкс, RH = 100 Ом, не болееюомкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 150 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера
туре от 213 до 358 К: 2А513А, КА513А 2 Вт
2А513Б, КА513Б 1,5 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при тн = I мкс, /= 1000 Гц:
2А513А, КА513А в Н-волноводе с И7 = 150 Ом . . .75 Вт
2А513Б, КА513Б в Н-волноводе с W = 80 Ом . , . 140 Вт
Температура окружающей среды для 2А513А, 2А513БОт 213
до 398 К
IV, для КА513А, КА513БIV, для КА513А, КА513БОт 213
IV, для КА513А, КА513Б
IV, для КА513А, КА513Б
до 358 К
Примечания; 1. При включении диода в линию с волновым сопротивлением Wv отличным от W, допустимая импульсная падающая СБЧ мощность определяется по формуле
IV
Льг.и.максС^) ~^*пд, и, макс-
Потери запирания остаются практически неизменными при температуре от 213 до 398 К. Потери пропускания не зависят от постоянного обратного напряжения в пределах от 0 до 300 В.
При впайке диодов в модули должен использоваться припой ПОИн-50
Зависимость потерь пропуска-ния от температуры.Зависимость потерь пропуска-ния от температуры.Зависимость потерь запирания от постоянного прямого тока.Зависимость потерь запирания от постоянного прямого тока.
Зависимость потерь пропуска-ния от температуры.
Зависимость потерь пропуска-ния от температуры.
Зависимость потерь запирания от постоянного прямого тока.
Зависимость потерь запирания от постоянного прямого тока.
Зависимость времени восста-новления от постоянного об-ратного напряжения.Зависимость времени восста-новления от постоянного об-ратного напряжения.Зависимость времени установ-ления от импульсного прямоготока.Зависимость времени установ-ления от импульсного прямоготока.
Зависимость времени восста-новления от постоянного об-ратного напряжения.
Зависимость времени восста-новления от постоянного об-ратного напряжения.
Зависимость времени установ-ления от импульсного прямоготока.
Зависимость времени установ-ления от импульсного прямоготока.
Зависимость времени восстанов-ления от импульсного прямоготока.Зависимость времени восстанов-ления от импульсного прямоготока.Зависимость непрерывной рас-сеиваемой СВЧ мощности оттемпературы.Зависимость непрерывной рас-сеиваемой СВЧ мощности оттемпературы.
Зависимость времени восстанов-ления от импульсного прямоготока.
Зависимость времени восстанов-ления от импульсного прямоготока.
Зависимость непрерывной рас-сеиваемой СВЧ мощности оттемпературы.
Зависимость непрерывной рас-сеиваемой СВЧ мощности оттемпературы.
2А515А
Диод кремниевый эпитаксиальный с p-i-n структурой. Предназначен для работы в переключающих устройствах коротковолновой части сантиметрового диапазона.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на вкладыше, помещаемом в индивидуальную тару. Диод маркируется зеленой точкой на корпусе. Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 1,3 г.
Электрические параметры
Пробивное напряжение при /о6ри = 10 мА, /= 5 кГц,
ти = 3 мкс, не менее 100В
Общая емкость диода при Uo6p = 50 ВОт0,4
до 0,7 пФ
Критическая частота при 7пр = 25 мА, Со6р = 50 В, не менее: при 298 К100ГГц
при 213 и 398 К70ГГц
Накопленный заряд при /пр = 25 мА, не более . . . .15 нКл
Прямое сопротивление потерь при /пр — 25 мА, не
более2,5Ом
Емкость корпусаОт0,3
до 0,45 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса: от 213 до 308 К0,5Вт
при 398 К0,3Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса от 213 до 398 К 75В
Мгновенное напряжение при температуре корпуса от 213 до 398 К 85В
Постоянный прямой ток при температуре корпуса от 213 до 398 К100мА
Температура окружающей средыОт213
Зависимость накопленного за-ряда от постоянного прямоготока.
Зависимость прямого сопротив-ления потерь от постоянногопрямого тока.
010 МО 60 80 ЮОмА
Зависимость обратного сопро-тивления потерь от постоянно-го прямого тока.
Зависимость рассеиваемой мощности от температуры корпуса.
2А516А
Диод кремниевый сплавной с p-i-n структурой. Предназначен для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовраща
телях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусной с жесткими выводами. Тип диода указывается на упаковке. Полярность диода определяется гещером.
Масса диода не более 1,3 г.
Электрические параметры
Прямое сопротивление потерь при /пр = 100 мА, не более.
при 298 К5,5 Ом
при 213 и 398 К6,5 Ом
Сопротивление диода в нулевой точке при Рдд < 5 мВт. не менее3 000 Ом
Время установления прямого сопротивления при / =
= 3000 МГц, Рдд > 1 мВт, т„ = 40 -г 120 мкс, /„ = 100 мА, не более 6 мкс
Время восстановления обратного сопротивления при
/ = 3000 МГц, Рпд > 1 мВт, т„ = 40 -г 100 мкс, не более 45 мкс Общая емкость диода при нулевом смещении, не более 0,18 пФ
Критическая частота *70 ГГц
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 398 К 1 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при И7 = 50 Ом, скважности 200—1000, ти = 1 -г 5 мкс и температуре от 215 до 398 К I кВт
Постоянный прямой токЮ0 мА
Постоянное обратное напряжение 200 В
Температура окружающей средыСИ 213 до
398 К
Температура перехода 398 К
Зависимо!.1 ъ прямого сопрошвле- пия потерь oi постоянного прямого напряжения.
ления iiG’C/b от постоянного .чення цочерь от температуры, грч лого тока.ления iiG’C/b от постоянного .чення цочерь от температуры, грч лого тока.
ления iiG’C/b от постоянного .чення цочерь от температуры, грч лого тока.
ления iiG’C/b от постоянного .чення цочерь от температуры, грч лого тока.
1А517А, 2А517Б, КА517А, КА517Б
Диоды кремниевые эпитаксиальные. Предназначены для работы в переключающих устройствах СВЧ диапазона в герметизированной аппаратуре.
Выпускаются в микрокорпусном оформлении с гибким выводом. Тип диода указывается на этикетке. Положительный электрод имеет гибкий вывод.
Масса диода не более 0,01 г.
Электрические параметры
Пробивное напряжение, не менее 300 В
Общая емкость диода при (/,,--,р 100 В: 2А517А. КА517АОт0,15 до
0,3 пФ
2А517Б, КА517БОт0,25 до
0,4 пФ
Накопленный заряд при /пр = 10 мАОт8 до
25 нКл
Критическая частота при /пр = 10 мА, Рпд = 1 -ь 10 мВт, Х = 7 см, t/O6p = 20 В, не менее75ГГц
Прямое сопротивление потерь при /пр = 10 мА, Рпд = = 1ч-10 мВт, X = 7 см, не более 5Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К 150В
Мгновенное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К 270В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 398 К100мА
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре основания диода:
от 213 до 308 К0,5 Вт
при 398 К0,2 Вт
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры основания диода.Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры основания диода.Зависимость прямого сопро-тивления потерь от прямоготока.Зависимость прямого сопро-тивления потерь от прямоготока.
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры основания диода.
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры основания диода.
Зависимость прямого сопро-тивления потерь от прямоготока.
Зависимость прямого сопро-тивления потерь от прямоготока.
Зависимость прямого сопро-тивления потерь от обратногонапряжения.Зависимость прямого сопро-тивления потерь от обратногонапряжения.Зависимость накопленного за-ряда от прямого тока.Зависимость накопленного за-ряда от прямого тока.
Зависимость прямого сопро-тивления потерь от обратногонапряжения.
Зависимость прямого сопро-тивления потерь от обратногонапряжения.
Зависимость накопленного за-ряда от прямого тока.
Зависимость накопленного за-ряда от прямого тока.
2А518А-4, 2А518Б-4
Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах дециметрового и сантиметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с жесткими выводами на кристаллодержателе. Тип диода указывается на таре.
Масса диода не более 0,4 г.
Электрические параметры
Критическая частота на низком уровне мощности при Рпд = 30 мВт, / = 2000 МГц, /пр = 100 мА, //о6р = 100 В, не меиее: при 213 и 298 К 2А518А-4130ГГц
2А518Б-490ГГц
при 373К 70ГГц
Критическая частота на высоком уровне мощности при
Рга=15 кВт, /пр = 100 мА, [/о6р = 100 В, не менее: 2А518А-470ГГц
2А518Б-450ГГц
Прямое сопротивление потерь, на низком уровне мощности при Рпд = 30 мВт, /= 2000 МГц, /пр = 100 мА, не более:
при 213 и 298 К 2А518А-4 1Ом
2А518Б-4 2Ом
при 373 К 2А518А-41,5Ом
2А518Б-4 2Ом
Прямое сопротивление потерь на высоком уровне мощ
ности при Рпд = 15 кВт, /пр = 100 мА, не более: 2А518А-4 1Ом
2А518Б-4 . : 2Ом
Общая емкость диода при С^р = 100 В, /= 30 МГц От 0,6 до 0,8 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при Лщ = 30 мВт, / = 1500 МГц, /пр = 100 мА, t/o6p = = 100 В, не более:
2А518А-4 6мкс
2А518Б-42,5мкс
Время установления прямого напряжения при Рп;1 =
= 30 мВт, /= 1500 МГц, /пр = ЮО мА, (;обр = = 100 В, не более:
2А518А-42,5мкс
2А518Б-41,0мкс
Индуктивность диодаОт0,5 до
0,8 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Посюянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 200 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
358 К 500 мА
Импульсная падающая СВЧ мощность при т„ < 8 мкс,
/=100 Гп, В'=50 Ом при температуре от 213 до
358 К 15 кВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 358 К 2 кВт
Темпепатура окружающей средыОт 213 до
358 К
Температура перехода 398 К
Примечания: 1. При включении диода в -линию с волновым сопротивлением W. отличным от 50 Ом, допустимая импульсная падающая СВЧ мощность определяется по формуле
^пд. и. макс ( ^)^пд. и. макс
2. Крепление диодов производшея за металлический цилиндрический держатель.
2А518£А-^Б-ч)
Зависимость прямого сопротив-ления потерь от постоянногопрямого тока.
Зависимость качества от по-стоянного обратного напря-жения.
Зависимость качества от им-пульсной падающей СВЧ мощ-ности.
xfO3
10
КА
8
™™ Hcl высоком уровне мощности.
Но. низком уровне мощности.
^OSP
0100 Z00 300 400 500 8
Зависимость прямого сопротивления потерь от температуры.
Зависимость качества от тем-пературы.
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от постоянного прямого тока.
Зависимость времени установления прямого напряжения от постоянного прямого тока.
2А519А
Диод кремниевый эпитаксиальный. Предназначен для применения в устройствах ограничения и управления мощностью в сантиметровом и дециметровом диапазонах.
Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип диода указывается на вкладыше, помещаемом в индивидуальной упаковке вместе с диодом. Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Прямое сопротивление потерь при высоком значении
СВЧ мощности и Упр = 100 мА, не более2,2 Ом
Прямое сопротивление потерь при низком значении СВЧ
мощности,/= 9,4 ГГц, Рпд = I мВт, не более:
при 298 и 213 К20Ом
при 398 К25Ом
Общея емкость при нулевом смещении . . . . , . От 0,5 до
0,9 пФ Постоянный обратный ток при С'о5р = 20 В, не более 100 мкА Граничная мощность* . . От10 до
1000 мВт
Время восстановления обратного сопротивления *, не более 200 нс Накопленный заряд при /пр = 100 мА, не более . . . .8 нКл
Емкость корпусаОт0,2 до
0,3 пФ
Индуктивность диода*, не более0,7нГн
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса: от 213 до 353 К0,3Вт
при 398 К0,1Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при скважности, большей или равной 1000, ти< 1 мкс и температуре корпуса: от 213 до 353 К 30Вт
при 398 К 10Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса от 213 до 353 К юВ
Постоянный прямой ток при температуре корпуса от 213 до 353 К100мА
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Температура перехода 423К
Примечание. Диоды не подлежат пайке.
Зависимость рассеиваемой мощности от температуры корпуса.
Зависимость импульсной рас-сеиваемой мощности от темпе-ратуры корпуса.Зависимость импульсной рас-сеиваемой мощности от темпе-ратуры корпуса.Зависимое 1ь прямого сопротив-ления потерь при высоком зна-чении СВЧ МОЩНОСТИ от по-стоянного прямого тока.Зависимое 1ь прямого сопротив-ления потерь при высоком зна-чении СВЧ МОЩНОСТИ от по-стоянного прямого тока.СА1А519АСА1А519АЗависимость общей емкости диода от температуры корпуса.Зависимость общей емкости диода от температуры корпуса.Зависимости постоянного пря-мого и обратного токов оттемпературы корпуса.Зависимости постоянного пря-мого и обратного токов оттемпературы корпуса.
Зависимость импульсной рас-сеиваемой мощности от темпе-ратуры корпуса.
Зависимость импульсной рас-сеиваемой мощности от темпе-ратуры корпуса.
Зависимое 1ь прямого сопротив-ления потерь при высоком зна-чении СВЧ МОЩНОСТИ от по-стоянного прямого тока.
Зависимое 1ь прямого сопротив-ления потерь при высоком зна-чении СВЧ МОЩНОСТИ от по-стоянного прямого тока.
СА
1А519А
СА
1А519А
Зависимость общей емкости диода от температуры корпуса.
Зависимость общей емкости диода от температуры корпуса.
Зависимости постоянного пря-мого и обратного токов оттемпературы корпуса.
Зависимости постоянного пря-мого и обратного токов оттемпературы корпуса.
2А520А, КА520А, КА520Б
Диоды кремниевые эпитаксиальные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке.
Масса диода не более 1,3 г.
Электрические параметры
Пробивное напряжение, не менее: 2А520А, КА520А 800 В
КА520Б 600 В
Общая емкость диода при Uo6p = 0qt q^ до
1,о’пФ
Критическая частота при /пр = 100 мА, Со6р = 100 В,
Ли > 1 мВт, X = 7 -г- 4,5 см, не менее:
ггри 298 К 2А520А. КА520А 200ГГц
КА520Б150ГГц
при 213 и 398 К 2А520А. КА52ОА170ГГц
Накопленный заряд при 1пр = 100 мА, не более . . . 300нКл
Прямое сопротивление потерь при /пр = 100 мА, Рпд >
> 1 мВт, X = 7 -т 4,5 см, не более:
при 298 К
2А520А,КА520А 2Ом
КА52ОБ 3Ом
при 213 и 398 К 2А520А,КА520А2,3Ом
Индуктивностьвыводов0,45нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К 300В
Мгновенное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К 750В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса:
от 213 до 308 К 4Вт
при 398 К 1,3Вт
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Примечание. Допускается кратковременный (в течение 0,5 мин) нагрев диода до 473 К.
Зависимость накопленного зарядаот постоянного прямого тока.
г
Зависимость прямого сопротив-ления потерь от постоянногопрямого тока.
Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного обратного напряжения.
Зависимость импульсной рассеиваемой СВЧ мощности от
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от
длительности импульса.
температуры корпуса.
2А521А
Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для работы в переключающих устройствах, фазовращателях дециметрового и длинноволновой части сантиметрового диапазонов.
Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на цилиндрической поверхности. Положительный вывод — со стороны конического прижимного контакта.
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Критическая частота при PM = 30 мВт, X = 15 см.
71|р = 100 мА, Побр = ЮО В, не менее: при 213 и 298 К90ГГц
при 358 К55ГГц
Прямое сопротивление потерь при Р№ = 30 мВт,
X = 15 см, 7пр = 100 мА, не более: при 213 и 298 К1,5Ом
при 358 К2,0Ом
Критическая частота при Рдд „ = 16 кВт, 7пр = 100 мА, Рпд,и = 2,5 кВт, Со6р = ЮО В, не менее80ГГц
Прямое сопротивление потерь при Рпд,в = 16 кВт, 7пр = 100 мА. не более1,5Ом
Накопленный заряд при 7пр = 100 мА, Uo6p = 80 В, Рпд = 30 мВт, не более 900нКл
Общая емкость диода при 17О6Р =100 В, Р^ = 30 мВт, X = 15 смОт0,63 до
0,77 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 7 мкс,
/ = 100 Гц, W = 25 Ом (диод включен параллельно в линию, работающую на согласованную нагрузку) и температуре от 213 до 298 К10 кВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 298 К 20 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при ти < 7 мкс, /= 100 Гц, W = 25 Ом 6 кВт
Рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 298 К 3 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 КОт 50 до
200 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 358 КОт 0,1 до
1,5 А
Постоянный обратный ток при 17^ = 200 В150 мкА
Температура окружающей средыОт 213 до
358 К
Температура перехода 398 К
Примечания: 1. При включении диода в линию с волновым сопротивлением, отличным от 25 Ом, допустимая импульсная падающая СВЧ мощность определяется по формуле
Тпд, и, макс (И0 — ^/ ^пд, и, макс ■
2. Крепление диодов производится за металлический цилиндрический держатель.
Зависимость прямою сопротивления потерь О1 постоянного прямого тока.
Зависимость прямого сопротив-ления потерь от непрерывнойпадающей СВЧ мощности.
Зависимость прямого сопротивления потерь от температуры.
Зависимость прямого сопротив-ления потерь от постоянногопрямого юка.
Зависимость обратного сопро-тивления потерь от постоянно-го обратного напряжения.
Зависимость обратного сопро-тивления потерь от темпера-туры.
Зависимость обратного сопро-тивления потерь от импульснойпадающей СВЧ мощности.
Зависимость обратного сопро-тивления потерь от импульснойпадающей СВЧ мощности.
Зависимость обратного сопро-тивления потерь от длиныволны.
2А522А-2
Диод кремниевый меза- эпитаксиальный. Предназначен для применения в ограничительных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусной с гибкими выводами на кристаллодержате- ле. Тип диода указывается на этикетке.
Масса диода не более 4 мг.
Электрические параметры
Дифференциальное сопротивление при 1пр = 100 мА, не
более1,8 Ом
Общая емкость диода при t-'обр = 0От0,35 до
0,75 пФ
Прямое сопротивление потерь диода при низком значении
СВЧ мощности, /= 4,28 ГГц. не более: при 213 и 298 К 12 Ом
при 398 К 17 Ом
Постоянное обратное напряжение при /о„р = 100 мкА, не более 70 В
Накопленный заряд при 7пр = 50 мА, не более . . .10 нКл
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре основания диода:
от 213 до 358 К 5 В
при 398 К ЗВ
Постоянный прямей ток при температуре основания диода:
от 213 до 358 К100 мА
при 398 К50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре основания диода:
от 213 до 308 К0,3 Вт
при 398 К0,08 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при ти < 1 мкс,
/< 1 кГц и температуре основания диода: от 213 до 308 К 40 Вт
при 398 К 8 Вт
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Зависимость постоянного обратного напряжения от температуры основания диода.
Зависимость постоянного пря-мого тока от температуры ос-нования диода.
Зависимость рассеиваемой мощ-ности от температуры основа-ния диода.
Зависимость импульсной рассеиваемой мощности от длительности импульса.Зависимость импульсной рассеиваемой мощности от длительности импульса.положительного электрода,+ ВыбоЗ1— ВыВо31положительного электрода,+ ВыбоЗ1— ВыВо31
Зависимость импульсной рассеиваемой мощности от длительности импульса.
Зависимость импульсной рассеиваемой мощности от длительности импульса.
положительного электрода,
+ ВыбоЗ1
— ВыВо31
положительного электрода,
+ ВыбоЗ1
— ВыВо31
Зависимость импульсной рассеиваемой мощности от температуры основания диода.
2А523А-4, 2А523Б-4
Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с жесткими выводами на кристаллодержателе с защитным покрытием. Тип диода указывается на таре. Диод 2А523А-4 маркируется одной черной точкой у 2А523Б-4 — двумя черными точками.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Критическая частота при Рпд < 30 мВт, X = 10 см,
/пр = 50 мА, L'o6p = 10 В, не менее: при 298 К 200ГГц
при 213 и 398 К170ГГц
Прямое conpoiявление потерь при Рпц < 30 мВт, X = = 10 см, /пр = 50 мА, не более0,5Ом
Общая емкость диода при <7О6Р = 100 В. /= 10 -г 30 МГц: 2А523А-4 .. От0,9 до
1,5 пФ
2А523Б-4От1,0 до
2.0 пФ
Накопленный заряд при /пр = 50 мА, Собр = 100 В, не более 220нКл
Пробивное напряжение при /обр < 30 мкА, не менее: 2А523А-4 500В
2А523Б-4 600В
Тепловое сопротивление4,5К/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К 200В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 398 К 300мА
Рассеиваемая мощность при температуре на держателе
Диода: от 213 до 298 К 20Вт
при 398 К 7Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при ти = 300 мкс, скважности 5 и температуре иа держателе диода 298 К 100 Вт
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Примечания: 1. Допускается применять диоды при постоянных обратных напряжениях меньше 40 В и амплитуде напряжения СВЧ не более 20 В.
Допустимая амплитуда СВЧ напряжения иа диоде <7СВЧ определяется по формуле
Нсвч ИПрОб Г05р.
Зависимость прямого сопротивле-ния потерь от постоянного пря-мого тока.
тивления noiepb в параллель- ряда от постоянного прямого
Зависимость теплового сопро- Зависимость рассеиваемой мощ- тивления от длительности им-ности от температуры,
пульса.
2А524А-4, 2А524Б-4
Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах и других устройствах сантиметрового и депиметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные на кристаллодержателе с жесткими выводами с защитным покрытием. Тип диода указывается на таре. Диод 2А524А-4 маркируется одной красной точкой у положительного электрода, 2А524Б-4 - двумя красными точками.
Масса диода не более 0,15 г.
ВывоЗ 1
Вывоз г
Электрические параметры
Критическая частота при Раз < 30 mBi. Д,р = 150 мА,
Сорр = 30 В, не менее:
при 213 и 298 К 200ГГц
при 398 К160Г Гн
Прямое сопротивление потерь при Рпд < 30 мВт. /нр = = 150 мА, не более0,5Ом
Общая емкость диода при Г’обр = 100 В, / = 10 ч- 30 МГц: 2А524А-4'От0.7 до
1.2 пФ
2А524Б-4От0,5 до
0,8 пФ
Пробивное напряжение при /о5р = 100 мкА, не менее:Пробивное напряжение при /о5р = 100 мкА, не менее:Накопленный заряд при /пр — 150 мА. Го5р = 100 В. не более 400нКл
Пробивное напряжение при /о5р = 100 мкА, не менее:
Пробивное напряжение при /о5р = 100 мкА, не менее:
2А524А-4 400В
2А524Б-4 300В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при .температуре от 213 до 398 КОт30 до
100 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 398 К 500мА
Рассеиваемая мощность при температуре: от 213 до 358 К 1,5Вт
при 398 К 1,0Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при Собр = 100 В, температуре от 213 до 358 К в параллельной схеме с W = 50 Ом 3кВт
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
^ глд, и, макс •^ глд, и, макс •Примечание. При включении диода в линию с волновым сопротивлением, отличным от 50 Ом, максимально допустимая импульсная падающая СВЧ мощность определяется по формуле
^ глд, и, макс •
^ глд, и, макс •
Зависимость обратного сопротивления потерь в параллельной схеме от посюянного обратного напряжения на низком уровне мощности.
ления потерь от постоянного ряда от постоянного прямоголения потерь от постоянного ряда от постоянного прямого
ления потерь от постоянного ряда от постоянного прямого
ления потерь от постоянного ряда от постоянного прямого
прямого тока на низком уровнемощности.
Зависимость обратного сопротивления потерь от импульсной падающей СВЧ мощности.
^пд.и^ам 2Я5гЧ(А-М-9)^пд.и^ам 2Я5гЧ(А-М-9)213 253 293 333 373 Ц13 К213 253 293 333 373 Ц13 К
^пд.и^ам 2Я5гЧ(А-М-9)
^пд.и^ам 2Я5гЧ(А-М-9)
213 253 293 333 373 Ц13 К
213 253 293 333 373 Ц13 К
кВт
3,00
2,25
1,50
0,75
О
Зависиглость импульсной падаю-щей СВЧ мощности от темпе-ратуры.
Зависимость рассеиваемой мощ-ности от температуры.
Зависимость импульсной падающей СВЧ мощности от обратного напряжения.
УМНОЖИТЕЛЬНЫЕ И НАСТРОЕЧНЫЕ ДИОДЫ
Д501
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в умножителях частоты дециметрового диапазона.
Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3,5 г.
Электрические параметры
Мощность 8-й гармоники на X, = 25,6 см, гпос = 100 Ом, не менее:
при 298 К (Р1Ш = 130 мВт) 300мкВт
при 373 К (^пд = 100 мВт)'.100 мкВт
при 213 К (Рпд = 130 мВт)100мкВт
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К100мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 30 мин) при температуре от 213 до 373 К' 200мВт
Температура окружающей средыОт213 до
373 К
Зависимость мощности 8-йгармоники от непрерывнойпадающей СВЧ мощности.
Зависимость мощности 8-й гармоники от температуры.
2А601А
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в умножителях частоты.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3,5 г.
Электрические параметры
Мощность 3-й гармоники при Р,,, ~ 75 мВт, / = 2940 МГц. гпос = 300 Ом, не менее:
7 мВт5 мВт7 мВт5 мВтпри 298 К
7 мВт
5 мВт
7 мВт
5 мВт
при 213 и 373 К
Предельные эксплуатационные данные
75 мВт75 мВтНепрерывная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 .' .
75 мВт
75 мВт
150 мВтOr 213до 373 К150 мВтOr 213до 373 КНепрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 30 мин) при температуре от 213 до 373 К
150 мВтOr 213до 373 К
150 мВтOr 213до 373 К
Температура окружающей среды
Зависимость мощности3-й гармоники от непре-рывной падающей СВЧмощности.
Зависимость мощности3-й гармоники от темпе-ратуры.
2А602А, 2А602Б, 2А602В, 2А602Г, 2А602Д, КА602А,КА602Б, КА602В, КА602Г, КА602Д
Диоды кремниевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в умножителях частоты.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
Электрические параметры
Предельная частота при U^ = 6 и 9 В, не менее: при /= 3 ГГц 2А602А, КА602А15 ГГц
2А602Б, КА6О2Б25 ГГц
2А602В, КА602В35 ГГц
при /= 5 ГГц 2А602Г, КА602Г50 ГГц
2А602Д, КА602Д60 ГГц
Общая емкость диода при П^р = 6 В. /= 10 МГц: 2А602А, КА602АОт 4,7
до 8,7 пФ 2А602Б, КА602БОт 2,7
до 4,7 пФ 2А602В, КА602ВОт 1,7
до 2,7 пФ
2А602Г, КА602ГОт1,2
до 1,7 пФ
2А602Д, КА602ДОт1,0
до 1,3 пФ
Пробивное напряжение при 7обр = 100 мкА при темпе
ратуре от 213 до 373 К, не менее:
2А602А, 2А602Б, КА602А,КА602Б 60В
2А602В, 2А602Г, КА602В,КА602Г . . . .45В
2А602Д, КА602Д 30В
Емкость корпусаОт0,5
до 0,7 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса:
от 213 до 333 К
2А602А, КА602А ..2,5 Вт
2А602Б,КА602Б 1’5Вт
2А602В,КА602В 1 0Вт
2А602Г,КА602Г0,7Вт
2А602Д,КА602Д0,5Вт
при 373 К
2А602А,КА602А 1,0Вт
2А602Б,КА602Б0,6Вт
2А602В,КА602В0,4Вт
2А602Г,КА602Г0,3Вт
2А602Д,КА602Д0,2Вт
Пробивное напряжение при температуре корпуса от
213 до 373 К:
2А602А, 2А602Б, КА602А, КА602Б 60В
2А602В, 2А602Г, КА602В, КА602Г 45в
2А602Д, КА602Д 30В
Температура окружающей средыОт213
до 373 К
Зависимость непрерывной рас-сеиваемой СВЧ мощности от тем-пературы корпуса.
Зависимость предельной часто-ты от температуры корпуса.
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.
3A603A, ЗА6ОЗБ, 3A603B, ЗА6ОЗГ, АА603А, АА603Б,АА603В, АА603Г
Диоды арсенид-таллиевые эпитаксиальные. Предназначены для работы в умножителях частоты в диапазоне волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,65 г.
Электрические параметры
Предельная частота при /= 2300 ± 400 МГц, не менее:
3A603A,АА6ОЗА100ГГц
ЗА6ОЗБ,АА6ОЗБ150ГГц
ЗА6ОЗВ,АА6ОЗВ 200ГГц
ЗА6ОЗГ,АА603Г 250ГГц
Постоянное обратное напряжение при 7„бр = 50 мкА, нс менее:
при 298 К
3A603A,ЗА6ОЗБ,АА6ОЗА,АА603Б 20В
ЗА6ОЗВ,АА603В 10В
ЗА6ОЗГ,АА603Г 15В
при 213 и 358 К
ЗА6ОЗА,ЗА6ОЗБ,АА6ОЗА,АА603Б 15В
3A603B,АА6ОЗВ 7В
ЗА6ОЗГ,АА6ОЗГ 10В
Общая емкость диода при UO6P = 0, /= 30 МГц:Общая емкость диода при UO6P = 0, /= 30 МГц:глтлглтл481481
Общая емкость диода при UO6P = 0, /= 30 МГц:
Общая емкость диода при UO6P = 0, /= 30 МГц:
глтл
глтл
481
481
ЗА6ОЗА, АА603АОт0,5
до 1,5 пФ
ЗА6ОЗБ, ЗА6ОЗВ, ЗА6ОЗГ, АА603Б, АА603В, АА603ГОт0,5
до 1.2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 358 К:
3A603A, ЗА6ОЗБ,АА603А. АА603Б0,4Вт
ЗА6ОЗВ, АА603В0,16Вт
ЗА6ОЗГ, АА603Го'25Вт
Постоянное обратное напряжение:
при 298 К
3A603A, ЗА6ОЗБ.АА603А, АА603Б 20В
ЗА6ОЗВ. АА603В юВ
ЗА6ОЗГ. АА603Г 15в
при 213 н 358 К
3A603A, ЗА6ОЗБ,АА603А, АА603Б 15в
ЗА6ОЗВ, АА603В 7В
ЗА6ОЗГ, АА603Г юВ
Температура окружающейсредыОт213
до 358 К
Зависимость общей ем-кости диода от напря-жения.
2А604А, 2А604Б
Диоды кремниевые мезаэпи- гаксиальпые. Предназначены для работы в умножителях частоты в диапазоне волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на групповой таре. Диоды маркируются белой точкой на керамической втулке.
Масса диода 2А604А нс более 0,3 г, 2А604Б не более 2,5 г.
16 под ред Н Н. Горюнова
Электрические параметры
Предельная частота при t/o6p = 6 и 9 В, /= 5 ГГц,
РП1 = 3 мВт: 2А604А100-180* ГГц
2А604Б 80-140* ГГц
Общая емкость диода при Сойр = 6 В, /=10 МГц: 2А604АОт0.8
до 1,1 пФ 2А604Б От1
до 1,3 пФ
Пробивное напряжение при /Обр = 10 мкА, не менее: при 298 и 398 К 35В
при 213 К 30В
Время восстановления обратного сопротивления при /пр = 10 мА, Содр = 10 В, не более 0,3нс
Эффективное время жизни неосновных носителей заряда при /,,р = 10 мА, Собр = Ю В, не менее 10нс
Емкость корпуса: 2А604АОт0,35
до 0,45 пФ 2А604БОт0,6
до 0,7 пФ
Индуктивность диода при /пр = 100 мА, f = 1,5 ГГц: 2А604АОт0.45
до 0,65 нГн 2А604БОт1,6
до 1.8 нГн
НепрерывнаяНепрерывнаяПредельные эксплуатационные данные рассеиваемая СВЧ мощность в течениеПредельные эксплуатационные данные рассеиваемая СВЧ мощность в течение10 000 ч при температуре корпуса: от 213 до 343 Кпри 398 КНепрерывная рассеиваемая СВЧ мощность в течение 3000 ч при !емпературе корпуса:от 213 до 343К . . .при 398 К . , . .Температура окружающей среды10 000 ч при температуре корпуса: от 213 до 343 Кпри 398 КНепрерывная рассеиваемая СВЧ мощность в течение 3000 ч при !емпературе корпуса:от 213 до 343К . . .при 398 К . , . .Температура окружающей среды0,5 Вт0,15 Вт0,5 Вт0,15 Вт1 Вт0,3 Вт1 Вт0,3 ВтОт 213до 398 КОт 213до 398 КЗависимость непрерывной рассеи-ваемой СВЧ мощности от темпе-ратуры корпуса.Зависимость непрерывной рассеи-ваемой СВЧ мощности от темпе-ратуры корпуса.
Непрерывная
Непрерывная
Предельные эксплуатационные данные рассеиваемая СВЧ мощность в течение
Предельные эксплуатационные данные рассеиваемая СВЧ мощность в течение
10 000 ч при температуре корпуса: от 213 до 343 К
при 398 К
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность в течение 3000 ч при !емпературе корпуса:
от 213 до 343К . . .
при 398 К . , . .
Температура окружающей среды
10 000 ч при температуре корпуса: от 213 до 343 К
при 398 К
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность в течение 3000 ч при !емпературе корпуса:
от 213 до 343К . . .
при 398 К . , . .
Температура окружающей среды
0,5 Вт
0,15 Вт
0,5 Вт
0,15 Вт
1 Вт
0,3 Вт
1 Вт
0,3 Вт
От 213до 398 К
От 213до 398 К
Зависимость непрерывной рассеи-ваемой СВЧ мощности от темпе-ратуры корпуса.
Зависимость непрерывной рассеи-ваемой СВЧ мощности от темпе-ратуры корпуса.
Зависимость предельной часто-ты от температуры корпуса.Зависимость предельной часто-ты от температуры корпуса.Зависимость общей емкостидиода от напряжения.Зависимость общей емкостидиода от напряжения.
Зависимость предельной часто-ты от температуры корпуса.
Зависимость предельной часто-ты от температуры корпуса.
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.
2А605А, 2А605Б
Диоды кремниевые мезаэпитаксиальные. Предназначены для работы в умножителях частоты в диапазоне волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 2А605А - черной точкой, 2А605Б - красной точкой. Положительный вывод диода — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Предельная частота при [/обр = 6 В, не менее:
2А605А при /= 5 ГГц100ГГц
2А605Б при /=7,5 ГГц130ГГц
Общая емкость диода при C'ogp = 6 В, /= 10 МГц: 2А605АОт0,85
до 1,45 пФ
2А605БОт0,55
до 0,95 пФ
Постоянный обратный ток при С'О6Р = 30 В и температуре от 213 до 398 К, Не болееЮ0мкА
Емкость корпусаОт0,2
до 0,3 пФ
Индуктивность диода, не болеео,7 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе
ратуре корпуса:
от 213 до ЗЗЗК 2А605А 1 Вт
2А605Б0.7 В1
при 373 К 2А605А 0.4Вт
2А605Б0.3В г
при 398 К 2А605А0,07Bi
2Л605Б0,06Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса от 213 до 398 К 30В
Температура окружающей средыОт 213
до 398 К
Температура перехода 398 К
Рсвч,ма.нс\яв05?гл605 £ТкРсвч,ма.нс\яв05?гл605 £ТкЗависимость непрерывной рассеи-ваемой СВЧ мощности от тем-пературы корпуса.Зависимость непрерывной рассеи-ваемой СВЧ мощности от тем-пературы корпуса.
Рсвч,ма.нс
\яв05?
гл
605 £
Тк
Рсвч,ма.нс
\яв05?
гл
605 £
Тк
Зависимость непрерывной рассеи-ваемой СВЧ мощности от тем-пературы корпуса.
Зависимость непрерывной рассеи-ваемой СВЧ мощности от тем-пературы корпуса.
Зависимость предельной часто-ты от температуры корпуса.Зависимость предельной часто-ты от температуры корпуса.Зависимость емкости структу-ры от напряжения.Зависимость емкости структу-ры от напряжения.
Зависимость предельной часто-ты от температуры корпуса.
Зависимость предельной часто-ты от температуры корпуса.
Зависимость емкости структу-ры от напряжения.
Зависимость емкости структу-ры от напряжения.
КА606А, КА606Б
Диоды кремниевые мезаэпи- гаксиальные. Предназначены для работы в умножителях частоты сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибкими выводами с защитным покрытием. Тип диода указывается на микегке. Диоды маркируются цветной точкой: КЛ606А — черной у отрицательно! о вывода. КА606Б — зеленой у отрицательного вывода.
Масса диода не более 0.03 г.
Электрические параметры
Общая емкость диода при L'o6p = 6 В, j = 10 МГц: КА606АОт 0,5
до 1.2 пФ
КА606БОт 0,3
до 0,7 пФ
Дифференциальное сопротивление при /пр = 100 мА, / = = 5 кГц, не более:
КА606А1,5 Ом
КА606Б1,0 Ом
Постоянный обратный ток при С„бр = 30 В, не более, при тем пераiype: от 213 до 333 К100мкА
при 398 К 200мкА
Предельная частота*, не менее: КА606А100ГГц
КА606Б130ГГц
Контактная разность потенциалов* 0,6 В
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре держателя: от 213 до 333 К
КА606А0.8Вт
КА606Б0.6Вт
от 333 до 398 К
К.А606А0,25Вт
КА606Б0,15Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К 30 В
Температура окружающей средыОт 213
до 398 К
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности отЗависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от
температуры держателя.
Зависимость общей ем-кости диода от напря-жения.
ЗА607А
Диод аргенид-гал.тиевый эпитаксиальный. Предназначен для работы в умножителях частоты в диапазоне волн 2 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,65 г.
Предельная частота при /= 2300 + 400 МГц, ие
менее100ГГц
Постоянное обратное напряжение при /ofip = 100 мкА, не менее:
при 298 К 30В
при 213 и 358 К 20В
Общая емкость диода при Собр = 6 В, / = 30 МГц . . . От 0,8
до 1,9 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: при 298 К 30В
при 213 и 358 К 20В
Выпрямленный ток в режиме умножения 5мА
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса от 213 до 358 К 1Вт
Температура окружающей средыОт213
до 358 К
Зависимость постоянного обрат-ного напряжения от темпера-туры.
2А608, КА608
Диод кремниевый эпитаксиальный. Предназначен для работы в умножителях частоты в диапазоне волн 3 см. На частотах 6 — 7 ГГц диод позволяет получить Рсвч = 1,5 Вт в режиме умножения на 4.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип днода указывается на этикетке. Положительный вывод со стороны крышки.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические параметры
Предельная частота при С^р = 6 В, /= 2000 МГц, не
менее60 ГГц
Общая емкость диода при Со6р = 6 В,/ = 1 4- 30 МГц. . , От 1,25 до 3,5 пФ
Постоянный обратный ток, не более: при 298 К, Сабр = 45 В100 мкд
при 213 и 398 К, Г'обр = 30 В для 2А608 . ... 100 мкА
Емкость корпуса, не более0.45 пФ
Индуктивность диода при /пр = 30 мА,/ = 3000 + 500 МГц, не более1,5 нГн
Тепловое сопротивление *, не более24 К/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера
туре корпуса: от 213 до 358 К 4вт
при 398 К 1Вт
Постоянное обратное напряжение: при 298 К 45В
при 213 и 398 К 30В
Выпрямленный ток в режиме умножения 5мА
Температура окружающей средыОт213
до 398 К
Зависимость непрерывной рас-сеиваемой СВЧ мощности оттемпературы корпуса.
Зависимость постоянного обрат-ного напряжения or 1емпера-туры.
Зависимое г ь общей емкостидиода от напряжения.
2А609А, 2А609Б
Диоды кремниевые мезаэпитаксиальные. Предназначены для работы в умножителях частоты сантиметрового диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается па этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 2А609А — поперечной черной полоской на керамической втулке. 2А609Б — красной полоской.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Предельная частота при С'обр = б В, /=5 ГГц . . . От 150
до 370 * ГГц
Общая емкость диода при Г'^р = 6 В. / = 10 МГц: 2А609АОт 1.1
до 1.8 пФ
2А609БОт 0.8
до 1.3 пФ
Постоянный обратный ток при С'обр = 40 В, не более: при 213 и 298 КЮО мкА
при 398 К1000 мкА
Время выключения при /пр = 5 мА, 1/о6ри = 10 В . , . От 0,1 * до 0,25 нс
Эффективное время жизни неосновных носителей заряда "ри ЛР = Ю «А, ПобР.н =Ю В. 2А609А Oi30
до 72 * нс 2А609Б, неболее 25нс
Емкость корпусаОт0.2
до 0.3 пФ
Предельные эксплуат ационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса:
от 213 до 343 К 2А609А 2Вт
2А609Б 1Вт
при 398 К 2А609А0,4Вт
2А609Б0,3Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса:
от 213 до 348 К 40 В
от 348 до 398 К 30 В
Температура окружающей средыОт213 до 398 К
Температура перехода 428 К
Зависимость емкости структуры от напряжения.Зависимость емкости структуры от напряжения.Зависимость предельной частоты от температуры корпуса.Зависимость предельной частоты от температуры корпуса.
Зависимость емкости структуры от напряжения.
Зависимость емкости структуры от напряжения.
Зависимость предельной частоты от температуры корпуса.
Зависимость предельной частоты от температуры корпуса.
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры корпуса.
2А611А, 2А611Б, КА611А, КА611Б
Варикапы кремниевые мезаэпитаксиальные диффузионные. Предназначены для работы в устройствах перестройки частоты или фазы в сантиметровом диапазоне.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода указывается на групповой таре. Положительный вывод — со стороны крышки.
Электрические параметрыЭлектрические параметрыМасса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Электрические параметры
Постоянное обратное напряжение при 7о6р = 10 мкА, не менее:
при 298 и 398 К 50 В
при 213 К 40 В
Общая емкость диода при С^р = 6 В. / = 1,0 ГГц: 2А611А, КА611АОт 3,1
до 4,7 пФ
2А611Б, КА6ИБОт 1,4
до 2,2 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости при Ц^р = 0 и
50 В: 2А611А, КА611А От 6
до 7*
2А611Б, КА611Б От 5
до 5,5*
Добротность днода при 1/одр = 6 В, /= 1 ГГц: 2А611А, КА611А От 30
до 45 *
2А611Б, КА611Б От 45
до 65 *
Емкость корпуса при /= 1 ГГц . . .
Индуктивность диода при/„р = 30 ± 10мА,/ = 3 + 0,5 ГГц, не более
От 0,18до 0,25 пФ1 нГнОт 0,18до 0,25 пФ1 нГнПредельные эксплуатационные данные
От 0,18до 0,25 пФ
1 нГн
От 0,18до 0,25 пФ
1 нГн
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе
ратуре от 213 до 398 К100мВт
Постоянное обратное напряжение при температуре: от 283 до 398 К 50В
при 213 К 40В
Выпрямленный ток30мА
Температура окружающей средыОт213
до 398 К
Зависимость общей емкости диода от напряжения.
Зависимость добротности от постоянного обратного напряжения.
1 г у бею го в1 г у бею го вЗависимость температурного коэффициента емкости от постоянного обратного напряжения.
1 г у бею го в
1 г у бею го в
2А613А, 2А613Б
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для работы в умножителях частоты метрового и дециметрового диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 2А613А — синей точкой, 2А61 ЗБ - красной точкой. Положительный вывод со стороны крышки.
Масса диода не более 2 г.
Электрические параметры
Предельная частота при С'ойр = 6 В,/= 2000 МГц: 2А613А От10
до 40* ГГц
2А613Б От25
до 60* ГГц
Общая емкость диода при t/O6P = 6 В, /= I -ь 30 МГц: 2А613А От4
до 8пФ
2А613Б От3
до 5пФ
Постоянный обратный ток при t/o5p = 80 В для 2А613А
и 70 В для 2А613Б, не более:
при 298 К10 мкА
при 213 и 398 К100 мкА
Емкость корпуса, не более0,85 пФ
Индуктивность диода при /пр = 30 мА. /= 3000 МГц, не более 5 нГн
Время выключения при /пр = 5 мА, (/о6р =10 В, не более 3 * нс
Эффективное время жизни неосновных носителей при /пр = 5 мА, t/o6p = 10 В, ие более50* нс
Общее тепловое сопротивление, не более12 K/Bi
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса:
от 213 до 353 К 2А613А 10Вт
2А613Б 8Вт
при 398 К 2А613А 2.5Вт
2А613Б 2Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К:
2А613А 80В
2А613Б 70В
Температура окружающейсредыОт213
до 398 К
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности о г темпера гуры.
диода от напряжения.
ГЕНЕРАТОРНЫЕ ДИОДЫ
3A703A, ЗА7ОЗБ, АА703А, АА703Б
Диоды Ганна арсенид-галлиевые эпитаксиальные. Предназначены для работы в генераторах сантиметрового диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается па корпусе. Отрицательный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,65 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность на одной из частот диапазона 8.24—12.5 ГГц при по
стоянном номинальном напряжении 8,5 В, не менее: 3A703A. АА703А10мВт
ЗА7ОЗБ, АА703Б20мВт
Постоянный рабочий ток при постоянном номинальном
напряжении 8,5 В, нс более:
при 298 К 3A703A, АА703А 270мА
ЗА7ОЗБ, АА7ОЗБ 320мА
при ЗЗЗК
3A703A, АА703А 220мА
ЗА7ОЗБ, АА703Б 270мА
при 213 К ЗА7ОЗА, АА703А 340мА
ЗА7ОЗБ, АА7ОЗБ 390мА
Сопротивление диода при постоянном токе 10 мА . . . От 3
до 20 Ом
Индуктивность диода, не более1,7нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение при температуре от 213 до 333 К 8,5В
Температура окружающей средыОт213
до 333 К
Примечания: 1. Схема и конструкция выводов цепи смещения должна обеспечивать надежный отвод теплоты от положительного вывода диода, плавную подачу напряжения питания на диод, предусматривать защитную цепь, предохраняющую диод от выбросов напряжения.
Пайка выводов не допускается; следует применять цанговое крепление диодов в резонаторе.
Зависимость выходноймощности от напряженияпитания.Зависимость выходноймощности от напряженияпитания.Зависимость частоты генерируемых колебаний от напряжения питания.Зависимость частоты генерируемых колебаний от напряжения питания.
Зависимость выходноймощности от напряженияпитания.
Зависимость выходноймощности от напряженияпитания.
Зависимость частоты генерируемых колебаний от напряжения питания.
Зависимость частоты генерируемых колебаний от напряжения питания.
♦м♦мвыВод11LвыВод11LModZModZ
♦м
♦м
выВод1
1L
выВод1
1L
ModZ
ModZ
1А704А, 1А704Б, 1А704В
Диоды германиевые планарнодиффузионные лавинно-пролетные. Предназначены для работы в генераторах в диапазоне частот 6 — 10 ГГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на групповой таре.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность
при рабочем токе от 15 до 50 мА, не менее:
при 298 К
1А704А У= 6 -г 6,7ГГц)10мВт
1А704Б (/-=6,7-г 8,3ГГц)30мВт
1А704В (/ = 8,3 ч- 10ГГц)20мВт
при 343 К 1А704А 6 мВт
1А704Б мВт
1А704В12 мВт
Обратное напряжение при рабочем токе от 10 до 15 мА, температуре 298 и 213 К, не более 60 В
Общая емкость диода*От 0,75
до 1,07 пФ
Емкость корпуса*От 0,23
до 0,29 пФ
Индуктивность диода*От 0,82
до 1,02 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Рабочий ток при температуре корпуса 353 К и кратко
временном воздействии (ие более 100 ч)077у
Рабочий ток при температуре 298 К и кратковременном воздействии (не более 2 ч) 1,4Z
Температура окружающей средыОт213
до 333 К
Примечания: 1. Рабочий ток Zp указывается в паспорте на диод.
Источник питания диода должен быть стабилизированным источником тока с внутренним сопротивлением более 2 кОм и емкостью менее 10 пФ. Напряжение на зажимах источника тока при разрыве цепи питания диода не должно превышать более чем на 15 В напряжения при замкнутой цепи питания и установлении на диоде рабочего режима. Пределы регулирования тока источника от 15 до 50 мА. Максимальный ток диода с учетом выбросов не должен превышать l,2Zp (для 1А704А, 1А704Б) и l,4Zp (для 1А704В). В этом режиме допускается работа диода не более 3 мин.
Не допускается проверка годности диодов с помощью прибора, который может задавать прямой ток более 50 мА.
Допускается работа диода в импульсном режиме при токе в импульсе Z„ < Zp любой длительности и скважности.
Допускается работа диодов IA704B в диапазоне частот 6 — 8,3 ГГц, 1А704Б в диапазоне 6-6,7 ГГц.
Зависимость выходной мощ-ное г и от постоянного рабо-чего тока.
Зависимость выходной мощ-ности от частоты.
ЗА705А, ЗА705Б, АА705А, АА705Б
Диоды Ганна арсенид-галлиевые эпитаксиальные. Предназначены
для работы в генераторах сантиметрового диапазона.
Вывод! вывод!Вывод! вывод!Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе. Отрицательный вывод — со стороны крышки. '
Вывод! вывод!
Вывод! вывод!
Масса диода не более 0.65 г.
Электрические параметры
Минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность на одной из частот диапазона 5.2 —8,2 ГГц при Сном = = 10 В, не менее:
ЗА705А, АА705А20мВт
ЗА705Б, АА7О5Б50мВт
Постоянный рабочий ток при Сном =10 В, не более:
при 298 К
ЗА705А. АА705А 280мА
ЗА705Б, АА705Б 300мА
при 213 К
ЗА705А, АА7О5А 350мА
ЗА705Б, АА705Б 370мА
при 333 К
ЗА705А, АА705А 230мА
ЗА705Б. АА705Б 250мА
Сопро|ивление диода при постоянном токе 10 мА . . . Oi3
до 15 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение при темпера iype oi 213 до 333 К 10В
Рассеиваемая мощность:
при 213 К
ЗА7О5А, АА705А 3,5Вт
ЗА7О5Б, АА705Б 3.7Вт
при 298 К
ЗА7О5А, АА705А2,8Вт
ЗА7О5Б, АА705Б 3Вт
при 333 К
ЗА705А, АЛ7О5А 2,3 Вт
ЗА7О5Б, АА705Б2,5 Вг
Зависимость выходной мош-иоС1и от напряжения пи-тания.Зависимость выходной мош-иоС1и от напряжения пи-тания.Зависимое! ь частоты гене-рируемых колебаний от на-пряжения питания.Зависимое! ь частоты гене-рируемых колебаний от на-пряжения питания.
Зависимость выходной мош-иоС1и от напряжения пи-тания.
Зависимость выходной мош-иоС1и от напряжения пи-тания.
Зависимое! ь частоты гене-рируемых колебаний от на-пряжения питания.
Зависимое! ь частоты гене-рируемых колебаний от на-пряжения питания.
лавинно-пролетные. Предусилителях в диапазонелавинно-пролетные. Предусилителях в диапазоне
лавинно-пролетные. Предусилителях в диапазоне
лавинно-пролетные. Предусилителях в диапазоне
2А706А, 2А706Б, 2А706В, 2А706Г
Диоды кремниевые мезадиффузионныс назначены для работы в i операторах и волн 3 см в непрерывном режиме.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на таре. Диоды маркируются цветной точкой: 2А706А — красной на торце отрицательно! о вывода, 2А 706Б — синей, 2А706В — белой. 2А706Г — черной.
Масса диода не более 0.2 I.
Электрические параметры
Минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность при рабочем токе, указанном на индивидуальной таре, в заданной полосе частот, не менее:
2А706А. 2А706Б100мВт
2А706В, 2А706Г'50 мВт
Рабочий диапазон частот:
2А706А, 2А706В От8,5 до 10 ГГц
2А706Б, 2А706ГОт10 до 11,5 ГГц
Пробивное напряжение при токе 5 мА и
температуре от 213 до 343 К . . . . От 60 до 120 В
Общая емкость диода при пробивном на
пряжении * От0,4до0,6пФ
Емкость корпуса * От0,2до0,6пФ
Индуктивность корпуса* От0,2до0,5нГн
Тепловое сопротивление переход — корпус *От 25 до
50 К/Вт
Коэффициент полезного действия *От 3,5
до 6%
Рабочий ток диода * От 30
до 60 мА
Рабочее напряжение * .От 70
до 120 В
Спектральная плотность шума в полосе 1 Гц на расстоянии 1 кГц от несущей:
АМ-шумыОколо
130 дБ
ЧМ-шумыОколо
80 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Рабочий ток при температуре корпуса: от 213 до 298 КУказывается
на индивидуальной
Зависимость выходной мощ- Зависимость выходной мощности от постоянного рабо-ности от частоты,
чего тока диода.
Раздел одиннадцатый
СТАБИЛИТРОНЫ И СТАБИСТОРЫ
СТАБИЛИТРОНЫ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ
Д808, Д809, Д810, Д811, Д813
Стабилитроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
Электрические параметры
Разброс напряжения стабилизации при
ZCT = 5 мА:
при 298 К
Д8О8 От 7,0 до 8,5 В
Д809 От8.0до9,5 В
Д810 От9,0до10,5 В
Д811 От10,0до12,0 В
Д813 От11,5до14,0 В
при 213 К
Д808 От6,0 до8,5В
Д809 От7,0 до9,5В
Д810 От8,0 до10,5В
Д811 От9,0 до12,0В
Д813 Ог 10.0 до 14,0 В
при 398 К
Д8О8 От 7,0 до 9,5 В
Д809 От8,0 до10,5 В
Д810 От9,0 до11,5 В
От10,0 до13,5 В
Д813 От11,5 до15,5 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 303 до 398 К, не более:
Л8О8 0,07Ж
Д809 0,08%/К
Д810 0,09%/К
Д811, Д813 0,095%/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации +1 °„
Уход напряжения стабилизации через 5 с после включения, не более:
за первые 5 мин Д808 170мВ
Д809 190мВ
Д810 210мВ
Д811 240мВ
Д813 ..., 280мВ
за последующие 10 мин 20мВ
Постоянное прямое напряжение при /пр =
— 50 мА, не более 1В
Постоянный обратный ток при 298 К. (7обр =
= 1 В, не более 0,1мкА
Дифференциальное сопротивление. ие более:
при 298 К, /С1 = I мА
Д808 12Ом
Д809 18Ом
Д810 25Ом
Д811 30Ом
Д813 35Ом
при 298 К. /С| = 5 мА
Д808 6Ом
Д809 10Ом
Д810 12Ом
Д811 15Ом
Д813 18Ом
при 398 К. 1СТ = 5 мА
Д808 15Ом
Д809 18Ом
Д810 25Ом
Д811 30Ом
Д813 35Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К Д808 33.мА
Д809 29мА
Д81026мА
Д811 23мА
Д813 20мА
при 398 К Д808 8мА
Д809 7,5мА
Д8106.5мА
Д8116,0мА
Д8135,0мА
до 398 Кдо 398 КЗависимое! ь дифференциально-го сопротивления от темпера-туры.Зависимое! ь дифференциально-го сопротивления от темпера-туры.Зависимость среднего темпера-гурного коэффициента напря-жения стабилизации от тока.Зависимость среднего темпера-гурного коэффициента напря-жения стабилизации от тока.Зависимость дифференциально-го сопро!ивления от тока.Зависимость дифференциально-го сопро!ивления от тока.Зависимость среднего темпера-турио! о коэффициента напря-жения стабилизации от тока.Зависимость среднего темпера-турио! о коэффициента напря-жения стабилизации от тока.
до 398 К
до 398 К
Зависимое! ь дифференциально-го сопротивления от темпера-туры.
Зависимое! ь дифференциально-го сопротивления от темпера-туры.
Зависимость среднего темпера-гурного коэффициента напря-жения стабилизации от тока.
Зависимость среднего темпера-гурного коэффициента напря-жения стабилизации от тока.
Зависимость дифференциально-го сопро!ивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопро!ивления от тока.
Зависимость среднего темпера-турио! о коэффициента напря-жения стабилизации от тока.
Зависимость среднего темпера-турио! о коэффициента напря-жения стабилизации от тока.
Постоянный прямой ток мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К 280 мВт
при 398 К70 мВт
Температура окружающей средыqt 213
Д814А, Д814Б, Д814В, Д814Г, Д814Д
Стабилитроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
г
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К,
/ст = 5 мА: Д814А . .8,0 В
Д814Б 9,0В
Д814В 10,0В
Д814Г 11,0В
Д814Д 13,0В
Разброс напряжения стабилизации /ст = 5 мА:
при 298 К Д814АОт 7,0 до 8,5 В
Д814БОт 8,0 до 9,5 В
Д814ВОт 9,0 до 10,5 В
Д814ГОт 10.0 до 12,0 В
Д814ДОт 11,5 до 14,0 В
при 213 К Д814АОт 6,0 до 8,5 В
Д814БОт 7,0до9,5В
Д814ВОт 8,0до10,5В
Д814ГОт 9,0до12,0В
Д814ДОт 10,0до14,0В
при 398 К Д814АОт 7,0 до 9,5 В
Д814БОт 8,0до 10,5В
Д814ВОт 9,0до 11,5В
Д814ГОт 10,0до 13,5В
Д814ДОт 11,5до 15,5В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при гемпературе от 303 до 398 К, не более:
Д814А 0,07 %/К
Д814Б 0,08 %/К
Д814В 0,09%/ К
Д814Г, Д814Д 0,095 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилиза
ции ±1 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К, 7пр = = 50 мА, не более 1В
Постоянный обратный ток при 298 К, (7о6р = 1 В, не более 0,1мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, 7СТ = 5 мА Д814А 6Ом
Д814Б 10Ом
Д814В 12Ом
Д814Г 15Ом
Д814Д 18Ом
при 213 и 398 К, /ст = 5 мА Д814А 15Ом
Д814Б 18Ом
Д814В 25Ом
Д814Г 30Ом
Д814Д 35Ом
при 298 К, /с, = 1 мА
Д814А 12Ом
Д814Б 18Ом
Д814В 25Ом
Д814Г 30Ом
Д814Д 35Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К Д814А40мА
Д814Б36мА
Д814В32мА
Д814Г29мА
Д814Д24мА
при 398 К Д814А11,5мА
Д814Б10,5мА
Д814В9,5мА
Д814Г8,3мА
Д814Д7,2мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К 340 мВт
при 398 К100 мВт
Температура окружающей средыОт 213
до 398 К
Температура перехода 398 К
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
Зависимость среднего темпера-турного коэффициента напряже-ния стабилизации ог тока.
Зависимоегь дифференциально-го сопротивления от темпера-туры.
Зависимость максимальной рас-сеиваемой мощности от 1емие-ратуры.
Зависимость максимального тока стабилизации от температуры.
Д815А, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В, Д815ВП,Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП,Д815Ж, Д815ЖП, Д816А, Д816АП, Д816Б, Д816БП,Д816В, Д816ВП, Д816Г, Д816ГП, Д816Д, Д816ДП,Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В, Д817ВП,Д817Г, Д817ГП
Стабилитроны кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе. У стабилитронов, в обозначении которых отсутствует буква П, корпус является отрицательным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначении букву П, полярность обратная.
Масса стабилитрона не более 6 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К:
при /с[ ,|ОМ = 1000 мА Д815А, Д815АП 5.6В
Д815Б. Д815БП 6.8В
Д815В, Д815В11 8.2В
при /С1.„ом = 500 мА Д815Г. Д815ГП 10В
Д815Д. Д815ДП 12В
Д815Е, Д815ЕП 15В
Д815Ж, Д815ЖП 18 В
при /ст.ном =150 мА Д816А, Д816АП 22В
Д816Б, Д816БП 27В
Д816В, Д816ВГ1 33В
Д816Г. Д816ГП 39В
Д816Д, Д816ДП 47В
при /с, ном = 50 мА Д817А, Д817АП 56В
Д817Б, Д817БП 68В
Д817В, Д817ВП 82В
Д817Г, Д817ГП 100В
Разброс напряжения стабилизации при 298 К.
41 ~ 41JIOM'
Д815Л.
Д815АП
От5.0
до 6.2 В
Д815Б,
Д815БГ1
От 6.1
до 7.5 В
Д815В.
Д815ВП
О г 7.4
до 9.1 В
Д815Г,
Д815ГП
От9.0
до 11,0 В
Д815Д,
Д815ДП
От 10.8
до 13,3 В
Д815Е,
Д815ЕП
От 13.3
до 16,4 В
Д815Ж,
Д815ЖП
О!16,2
до 19.8 В
Д816А,
Д816АП
От19.6
до 24,2 В
Д816Б.
Д816БП
От 24.2
до 29,5 В
Д816В.
Д816ВП
Д816Г.
Д816ГП
Оз35
до 43 В
Д816Д.
Д816ДП
От42,5
до 51,5 В
Д817А.
Д817АП
От 50,5
до 61,5 В
Д817Б,
Д817БП
От61
до 75 В
Д817В,
Д817ВП
От74
до 90 В
Д817Г,
Д817ГП
От90
до НОВ
Средни! температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К, не более:
Д815А. Д815АП 0,045%/К
Д815Б, Д815БП 0,050%/К
Д815В, Д815ВП 0,070%/К
Д815Г. Д815ГП 0,080%/К
Д815Д, Д815ДП 0.090"//К
Д815Е, Д815ЕП 0,100%/К
Д815Ж. Д815ЖП 0,110 %/К
Д816А, Д816АП, Д816Б, Д816БП, Д816В,
Д816ВП. Д816Г. Д816ГП. Д816Д, Д816ДП. .0,120%/К
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В,
Д817ВП, Д817Г. Д817ГП. Д817Д, Д817ДП . .0,140%/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации, не более:
Д815А, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В,
Д815ВП, Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП,
Д815Е, Д815ЕП, Д815Ж, Д815ЖП . . . .4%
Д816А, Д816АП, Д816Б, Д816БП, Д816В,
Д816ВП,Д816Г,Д816ГП,Д816Ж,
Д816ДП 5%
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В,
Д817ВП, Д817Г, Д817ГП 6%
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /пр = = 500 мА, не более 1,5В
Постоянное обратное напряжение при 298 К,
/о6р = 50 мкА, не более:
Д816А, Д816АП 15В
Д816Б, Д816БП 19В
Д816В, Д816ВП 23В
Д816Г, Д816ГП 27В
Д816Д, Д816ДП 33В
Д817А, Д817АП 39В
Д817Б, Д817БП 47В
Д817В, Д817ВП 57В
Д817Г. Д817ГП 70В
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, /С1 =
Д815А, Д815АП 0,6Ом
Д815Б, Д815БП 0,8Ом
Д815В, Д815ВП 1,0Ом
Д815Г, Д815ГП 1,8Ом
Д815Д, Д815ДП 2,0Ом
Д815Е, Д815ЕП 2,5Ом
Д815Ж, Д815ЖП 3,0Ом
Д816А, Д816АП 7,0Ом
Д816Б, Д816БП 8,0Ом
Д816В, Д816ВП 10,0Ом
Д816Г, Д816ГП 12,0Ом
Д816Д, Д816ДП 15,0Ом
Д817А, Д817АП 35,0Ом
Д817Б, Д817БП 40,0Ом
Д817В, Д817ВП 45,0Ом
Д817Г, Д817ГП 5о,оОм
при 298 К, /ст = 50 мА Д815А, Д815АП 20Ом
Д815Б, Д815БП 15Ом
Д815В, Д815ВП 8Ом
при 298 К, /ст = 25 мА Д815Г, Д815ГП 15Ом
Д815Д, Д815ДП 20Ом
Д815Е, Д815ЕП 25Ом
Д815Ж, Д815ЖП 30 Ом
при 298 К, /ст = 10 мА Д816А, Д816АП 120 Ом
Д816Б, Д816БП, Д816В, Д816ВП, Д816Г,
Д816ГП, Д816Д, Д816ДП 150 Ом
при 298 К, 7СТ = 5 мА
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП . . . .200 Ом
Д817В, Д817ВП, Д817Г, Д817ГП 300 Ом
при 213 и 393 К, /ст = 50 мА Д815А, Д815АП 30Ом
Д815Б, Д815БП 20Ом
Д815В, Д815ВП |2Ом
при 213 и 393 К, 7СТ = 25 мА
Д815Г, Д815ГП 20Ом
Д815Д, Д815ДП 30Ом
Д815Е, Д815ЕП 40Ом
Д815Ж, Д815ЖП 50 Ом
при 213 и 393 К, /ст = 10 мА: Д816А, Д816АП 150Ом
Д816Б, Д816БП IgoОм
Д816В, Д816ВП 200Ом
Д816Г, Д816ГП 250Ом
Д816Д, Д816ДП 300Ом
при 213 и 393 К, 1„ = 5 мА
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП . . . .400Ом
Д817В, Д817ВП 600Ом
Д817Г, Д817ГП 800Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации:
Д815А,Д815АП,Д815Б,Д815БП,Д815В,
Д815ВП50мА
Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП, Д815Ж, Д815ЖП25мА
Д816А, Д816АП, Д816Б, Д816БП, Д816В, Д816ВП,
Д816Г, Д816ГП, Д816Д, Д816ДП 10мА
Д817А. Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В, Д817ВП, Д817Г. Д817ГП 5мА
Максимальный ток стабилизации:
при Тк < 348 К Д815А. Д815АП1400мА
Д815Б, Д815БП1150мА
Д815В.Д815ВП 950мА
Д815Г.Д815ГП 800мА
Д815Д.Д815ДП 650мА
Д815Е.Д815ЕП 550мА
Д815Ж.Д815ЖП 450мА
Д816А.Д816АП 230мА
Д816Б,Д816БП180мА
Д816В.Д816ВП150мА
Д816Г.Д816ГП130мА
Д816Д,Д816ДППОмА
Д817А.Д817АП 90мА
Д817Б,Д817БП75мА
Д817В.Д817ВП60мА
Д817Г.Д817ГП50мА
при Tt = 403 К Д815А.Д815АП 360мА
Д815Б,Д815БП 300мА
Д815В,Д815ВП 250мА
Д815Г,Д815ГП 200мА
Д815Д,Д815ДП170мА
Д815Е.Д815ЕП135мА
Д815Ж.Д815ЖППОмА
Д816А,Д816АП90мА
Д816Б,Д816БП75мА
Д816В.Д816ВП60мА
Д816Г.Д816ГП55мА
Д816Д,Д816ДП45мА
Д817А.Д817АП35мА
Д817Б.Д817БП30мА
Д817В.Д817ВП, Д817Г, Д817ГП25мА
Постоянный прямой ток 1А
Перегрузка по току стабилизации в гечение 1 с:
при Тк < 348 К
Д815А, Д815АП 2800мА
Д815Б. Д815БП 2300мА
Д815В, Д815ВП1900мА
Д815Г. Д815ГП1600мА
Д815Д. Д815ДП 1300мА
Д815Е, Д815ЕП1100мА
Д815Ж, Д815ЖП 900мА
Д816А. Д816АП 460мА
Д816Б. Д816БП 360мА
Д816В, Д816ВП 300мА
Д816Г, Д816ГП
Д816Д, Д816ДП
Д817А, Д817АП
Д817Б. Д817БП
Д817В. Д817ВП
Д817Г. Д817ГП
при Г, = 403 К
Д815А. Д815АП
Д815Б, Д815БП
Д815В, Д815ВП
Д815Г, Д815ГП
Д815Д. Д815ДП
Д815Е, Д815ЕП
Д815Ж, Д815ЖП
Д816А, Д816АП
Д816Б. Д816БП
Д816В. Д816ВП
Д816Г, Д816ГП
Д816Д, Д816ДП
Д817А. Д817АП
Д817Б, Д817БЛ
Д817В, Д817ВП, Д817Г. Д817Т11
Рассеиваемая мощность:
при Гк л 348 К
Д815А. Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В. Д815ВП
Д815Г, Д815ГП. Д815Д. Д815ДП, Д815Е. Д815ЕП
Д815Ж, Д815ЖП
Д816А, Д816АП, Д816Б, Д816БП, Д816В, Д816ВП
Д816Г, Д816ГП, Д816Д, Д816ДП. Д817А. Д817АП
Д817Б, Д817БП, Д817Г. Д817ГП
при Тк = 403 К
Температура окружающей среды минимальная , , Температура перехода
Температура корпуса
260мА220мА180мА150120мА100мА720мА600мА500мА400мА340мА270мА220мА180мА150мА120мАНОмА90мА70мА60 :мА50мА260мА220мА180мА150120мА100мА720мА600мА500мА400мА340мА270мА220мА180мА150мА120мАНОмА90мА70мА60 :мА50мА8 Вт8 Вт5 Вт2 Вт213 К413 К403 К5 Вт2 Вт213 К413 К403 КЗависимость дифференциальною сопротивления от тока.
260
мА
220
мА
180
мА
150
120
мА
100
мА
720
мА
600
мА
500
мА
400
мА
340
мА
270
мА
220
мА
180
мА
150
мА
120
мА
НО
мА
90
мА
70
мА
60 :
мА
50
мА
260
мА
220
мА
180
мА
150
120
мА
100
мА
720
мА
600
мА
500
мА
400
мА
340
мА
270
мА
220
мА
180
мА
150
мА
120
мА
НО
мА
90
мА
70
мА
60 :
мА
50
мА
8 Вт
8 Вт
5 Вт
2 Вт
213 К
413 К
403 К
5 Вт
2 Вт
213 К
413 К
403 К
2С124Д-1, 2С127Д-1, 2С130Д-1, 2С133Д-1, 2С136Д-1,2С139Д-1, 2С143Д-1
1,6_ i.o1,6_ i.oСтабилитроны кремниевые планарные. Предназначены для стабилизации напряжения в герметизированной аппаратуре.
1,6_ i.o
1,6_ i.o
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора указывается на ярлыке, помещаемом в индивидуальную тару.
Масса стабилитрона не более 0,01 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
303 К. 1„ = 3 мА:
2С124Д-1 2,4В
2С127Д-1 2,7В
2С13ОД-1 3,0В
2С133Д-1 3,3В
2С136Д-1 3,6В
2С139Д-1 3,9В
2С143Д-1 4.3В
Разброс напряжения стабилизации при /ст =
= 3 мА:
при 303 К
2С124Д-1 О г2.2до 2.6В
2С127Д-1 От2.5до 2,9В
2С130Д-1 От2,8до 3,2В
2С133Д-1 От3,1до 3,5В
2С136Д-1 От3,4до 3,8В
2С139Д-1 От3,7до 4,1В
2С143Д-1 От4,0до 4,6В
при 213 К
2С124Д-1 От2,2до 2,8В
2С127Д-1 От2,5до 3,1В
2С13ОД-1 От2.8до 3,4В
2С133Д-1 От3,1до 3,8В
2С136Д-1 От3,4до 4,1В
2С139Д-1 От3,7до 4,4В
2С143Д-1 От4,0до 4,9В
при 398 К
2С124Д-1 От2,0до 2,6В
2С127Д-1 От2,3до 2,9В
2С130Д-1 От2,6до 3,2В
2С133Д-1 От2,9до3,5В
2С136Д-1 От3,2до3,8В
2С139Д-1 От3,5до4,1В
2С143Д-1 От3,8до4,6В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К, не менее:. 2С124Д-1,2С127Д-1,2С130Д-1,
2С133Д-1 — 0,075 %/К
2С136Д-1 -0,070 °„/К
2С139Д-1 -0,065 %/К
2С143Д-1 -0,060 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации ±1,5 о/
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /пр=10 мА, не более 0,9 В
Постоянный обратный ток при 298 К, не более:
при По6р = 1 В 2С124Д-1 7,5мкА
2С127Д-1 5,0мкА
2С130Д-1 4,0мкА
2С133Д-1 2,0мкА
2С136Д-1 1,0мкА
2С139Д-1 0,8мкА
при 170бр = 1,5 В для 2С143Д-1 . . .7,5мкд
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 213 К, 298 К, 398 К, 7СТ =
= 3 мА 180Ом
при 298 К, 7СТ = 0,25 мА 2С124Д-1 1200Ом
2С127Д-1 1250Ом
2С130Д-1 1300Ом
2С133Д-1 1400Ом
2С136Д-1 1500Ом
2С139Д-1 1600Ом
2С143Д-1 1650Ом
Спектральная плотность шума в диапазоне частот от 20 Гц до 1 МГц при 7СТ = = 0,25 мА, не более 0,3мкВ/|/Гц
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации0,25мА
Максимальный ток стабилизации при теплоотводе, обеспе
чивающем Д, < 1 K/мВт при температуре:
от 213 до 308 К
2С124Д-120,8мА
2С127Д-118,5мА
2С130Д-116,7мА
2С133Д-115,2мА
2С136Д-113,9мА
2С139Д-112,8мА
2С143Д-111,6мА
при 398 К 2С124Д-17,5мА
2С127Д-16,7мА
2С130Д-16,0мА
2С133Д-15.5мА
2С136Д-15,0мА
2С139Д-14,6мА
2С143Д-1 4,2мА
Рассеиваемая мощность при гемплоотводе, обеспечива
ющем Rr < I K/мВт при температуре: от 213 до 308 К50 мВт
при 398 К18 мВт
Тепловое сопротивление общее*3 К/мВт
Температура окружающей средыОт 213 до
398 К
О 1 г 345 6 6О 1 г 345 6 6Зависимость среднего темпера-турного коэффициента напря-жения стабилизации от тока.
О 1 г 345 6 6
О 1 г 345 6 6
Ом750
600
450
300
150
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.Зависимость общей емкостидиода от напряжения.Зона возможных положений за-висимости дифференциальногоconpoi явления от тока.Зона возможных положений за-висимости дифференциальногоconpoi явления от тока.00,5 1,0 1,5 г,0 3,5 мА
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.
Зависимость общей емкостидиода от напряжения.
Зона возможных положений за-висимости дифференциальногоconpoi явления от тока.
Зона возможных положений за-висимости дифференциальногоconpoi явления от тока.
2С127А-1
Стабилитрон кремниевый диффузионно-сплавной. Предназначен для стабилизации напряжения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусной с защитным покрытием и гибкими выводами. Выпускается в индивидуальной таре. Тип прибора указывается на этикетке. Вывод стабилитрона, подключаемый в режиме стабилизации к отрицательному полюсу источника питания, при расположении тары выводами вниз со стороны крышки находится справа.
Масса стабилитрона не более 0,02 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, /„ = 3 мА 2,7 В
Разброс напряжения стабилизации прн 298 К, /С1 = = 3 мА±10%
Средний температурный коэффициент напряжения стаби
лизации при температуре от 213 до 358 К, не менее — 0.2 %/К
Дифференциальное сопротивление при ZCT = 3 мА, не более: от 298 до 358 К180 Ом
при 213 К 330 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 1мд
Максимальный ток стабилизации бмд
Рассеиваемая мощность20мВт
Темпера)ура окружающей среды От213 до 358 К
КС139А, 2С147А,2С168А, КС168АКС139А, 2С147А,2С168А, КС168АКС147А,КС147А,2С133А, КС133А, 2С139А, 2С156А, КС156А,
КС139А, 2С147А,2С168А, КС168А
КС139А, 2С147А,2С168А, КС168А
КС147А,
КС147А,
Стабилитроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, 7СТ =10 мА:
3,3 В3,3 В5135132С133А, КС133А
3,3 В
3,3 В
513
513
17 под род. Н, Н. Горюнова
2С139А,КС 139A 3,9В
2С147А,КС147А 4,7В
2С156А,КС156А 5,6В
2С168А,КС168А 6,8В
Разброс напряжения стабилизации при /ст = 10 мА: при 298 К ±10%
при 213 К
2С133А- От 3,0 до 4,1 В
2С139А От3,5до4,8В
2С147А От4,0до5,6В
2С156А От4,7до6,6В
2С168А От5,6до8,0В
при 398 К
2С133А От2,6до3,7В
2С139А Or3,1до4,3В
2С147А От3,7до5,5В
2С156А От4,7до6,6В
2С168А От5,6до8,0В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации в диапазоне рабочей температуры:
2С133А,КС133А,нехуже....-0,11",/К
2С139А,КС139А,нехуже....— 0,10",./К
2С147А, КС147А ........ От -0.09 до 0,01 %/К
2С156А,КС156А ±0.05 %/К
2С168А,КС168А ±0.06 °JK
Временная несгаоильность напряжения стаби
лизации 2С133А, 2С139А, 2С147А, 2С156Л, 2С163А ± 1 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /пр = 50 мА, не более IB
Постоянный обратный ток* при 298 К, . Собр = 0,7 Остном для 2С133А, 2С139А, 2С147А, 2С156А, 2С168А, не более . . .1 мА
Дифференциальное сопротивление, нс более: при 298 К, 7СТ = 10 мА 2С133А,КС133А 65Ом
2С139А,КС139А 60Ом
2С147А,КС 147А 56Ом
2С156А,КС156А 46Ом
2С168А,КС168А 28Ом
при 213 и 398 К, 1СТ = 10 мА 2CI33A,2С139А 85Ом
2С147А 80 Ом
2С156А 60 Ом
2С168А 39 Ом
при 298 К, 1„ = 3 мА
2С133А,КС133А,2С139А,КС139А180 Ом
2С147А,КС147А,2С156А,КС156А160 Ом
2С168А,КС 168А 120 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации змд
Максимальный ток стабилизации при температуре :
от 213 до 323 К 2С133А,КС133А 81мА
2С139А,КС 139А 70мА
2С147А,КС147А 58мА
2С156А,КС156А 55мА
2С168А,КС 168А 45мА
при 398 К
2С133А 27мА
2С139А 23мА
2С147А 19мА
2С156А 18мА
2С168А 15мА
Импульсный прямой ток * при ти < 1 с (аварийная перегрузка):
2С133А, КС133А 162мА
2С139А, КС139А 140мА
2С147А, КС147А 116мА
2С156А, КС156А ПОмА
2С168А, КС 168А 90мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К 300мВт
при 398 К (2С133А, 2С139А, 2С147А,
2С156А, 2С168А) 100мВт
Температура окружающей среды:
2С133А, 2С139А, 2С147А, 2С156А, 2С168А . . От 213 до 398 К
КС133А, КС139А, КС147А, КС156А, КС168А•От 213 до 373 К
02,5 5,0 7,5 10 12,5 м А
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
051015 ю 15 30 мА051015 ю 15 30 мА
051015 ю 15 30 мА
051015 ю 15 30 мА
%Л
0,03
0,01
0,01
о
-0,01
-0,01
■ Зависимое i ь дифференциального сопротивления от тока.
Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжениястабилизации от тока.
2С133Б, 2С139Б, 2С147Б, 2С156Б, 2С168Б
Стабилитроны кремниевые сплавные с диффузионным экраном микромодульные бескорпусные. Предназначены для стабилизации
напряжения в цепях постоянного тока не менее 3 мА в составе герметизируемых микромодулей монолитной и капсулированной конструкции.
Стабилитроны маркируются цветными точками: 2С133Б — двумя белыми, 2С139Б —двумя черными, 2С147Б — двумя желтыми, 2С156Б — двумя зелеными, 2С168Б — двумя голубыми.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, 7СТ = 10 мА: 2С133Б 3,3В
2С139Б 3,9В
2С147Б 4,7В
2С156Б 5,6В
2С168Б 6,8В
Разброс напряжения стабилизации при ZCT =
= 10 мА:
при 298 К 2С133Б От3,0 до 3,7 В
2С139Б От3,5до4,3В
2С147Б От4,1до5,2В
2С156Б От5,0до6,4В
2С168Б От6,0до7,5В
при 213 К
2С133Б От3,0до4,1В
2С139Б От3,5до4,8В
2С147Б . . ' От4,0до5,6В
2С156Б От4,6до6,7В
2С168Б От5,5до7.5В
при 398 К
2С133Б От2,6до3,7В
2С139Б От3.1до4,3В
2С147Б От3,7до5,5В
2С156Б От4,7до6,9В
2С168Б Oi6.0до8,1В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 303 до 398 К:
2С133Б, 2С139Б, не хуже . . . .— 0,10 %/К
2С147БОт -0.08 до + 0,02 "„/К
2С156БОт -0.04 до + 0,07 °”/К
2С168Б, не хуже + 0,07 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации +1 "
Постоянное прямое напряжение при 298 К.
4Р = 50 мА, не более 1В
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, /ст = 3 мА
2С133Б,2С139Б, 2С147Б 180Ом
2С156Б 160Ом
2С168Б 40Ом
при 298 К, /С1 = 10 мА
2С133Б 65Ом
2С139Б 60Ом
2С147Б 56Ом
2С156Б 45Ом
2С168Б 15Ом
при 213 и 398 К, /с[ = 10 мА
2С133Б, 2С139Б 85Ом
2С147Б 80Ом
2С156Б 70Ом
2С168Б 25Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3ма
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К
2С133Б30мА
2С139Б26мА
2С147Б21мА
2С156Б 18мА
2С168Б 15мА
при 398 К 2С133Б21мА
2С139Б 18мА
2С147Б 15мА
2С156Б 12мА
2С168Б 10мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К100мВт
при 398 К 70мВт
Температура окружающей среды:
для стабилитронов в составе микромодулей капсулированной конструкцииОт213 до
398 К
для стабилитронов в составе микромодулей залитой конструкции
с предварительной защитой эластичным компаундом От 213 до "398 К
без предварительной защиты эластичным компаун
дом *От213 до
343 К
Температура перехода * 398К
П р и м е ч а и и е. При работе в режиме максимально допустимой мс-щпости необходимо применять теплоотвод для обеспечения условий теплообмена, соответствующих стабилитронам типов 2СМ133Б, 2СМ139Б. 2СМ147Б, 2СМ156Б, 2СМ168Б.
Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжениястабилизации от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
2СМ133Б, 2СМ139Б, 2СМ147Б, 2СМ156Б, 2СМ168Б
Стабилитроны кремниевые сплавные с диффузионным экраном микромодульные. Предназначены для стабилизации напряжения в цепях постоянного тока при токе не менее 3 мА в составе герметизируемых микромодулей монолитной и капсулированной конструкции.
Выпускаются напаянными на керамическую микромодульную плату. Маркируются цветной точкой на плате около паза И; 2СМ133Б — красной, 2СМ139Б — черной, 2СМ147Б — желтой, 2СМ156Б - зеленой, 2СМ168Б - голубой.
Масса стабилитрона не более 0,5 г.
Электрические параметры
Напряжение оабилизации номинальное при
298 К, /„= 10 мА: 2СМ133Б 3,3В
2СМ139Б 3.9В
2СМ147Б 4.7В
2СМ156Б 5,6В
2СМ168Б 6.8В
Разброс напряжения стабилизации при /сг = = 10 мА:
при 298 К 2СМ133Б От3,0до3,7В
2СМ139Б От3,5до4,3В
2СМ147Б От4,1до5,2В
2СМ156Б От5,0до6,4В
2СМ168Б От6,0до7.5В
при 213 К 2СМ133Б От3,0до4,1В
2СМ139Б От3.5до4,8В
2СМ147Б От4,0до5,6В
2СМ156Б От4,6до6,7В
2СМ168Б От5,5до7,5В
при 398 К 2СМ133Б От2,6до3,7В
2СМ139Б От3,1до4,3В
2СМ147Б От3,7до5,5В
2СМ156Б От4,7до6.9В
2СМ168Б От6,0до8,1В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 303 до 398 К:
2СМ133Б, 2СМ139Б, не хуже . . . .-0,10 %/К
2СМ147БОт-0,08 до +0,02 %/К
2СМ156БОт-0,04 до + 0,07 %/К
2СМ168Б, не хуже +0,07%/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации ± 1 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К, 7пр = 50 мА, не более 1 В
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, 7СТ = 3 мА
2СМ133Б,2СМ139Б, 2СМ147Б . . .180Ом
2СМ156Б 160Ом
2СМ168Б 40 Ом
при 298 К, 7СТ = 10 мА
2СМ133Б 65Ом
2СМ139Б 60Ом
2СМ147Б 56Ом
2СМ156Б 45Ом
2СМ168Б 15Ом
при 213 и 398 К, 7СТ = 10 мА
2СМ133Б, 2СМ139Б 85Ом
2СМ147Б 80Ом
2СМ156Б 70Ом
2СМ168Б 25Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3мд
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К 2СМ133Б 30мА
2СМ139Б26мА
2СМ147Б21мА
2СМ156Б 18мА
2СМ168Б 15мА
при 398 К 2СМ133Б21мА
2СМ139Б 18мА
2СМ147Б 15мА
2СМ156Б 12мА
2СМ168Б 10мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К100мВт
при 398 К 70мВт
Температура окружающей среды:
для стабилитронов в составе микромодулей капсулированной конструкцииОт213 до
398 К
для стабилитронов в составе микромодулей залитой конструкции:
с предварительной защитой эластичным компаундом От 213 до
398 К
без предварительной защиты эластичным компаундом * От213 до
343 К
Температура перехода * 398 К
Примечание. Зависимости основных параметров от режима те же, что и для стабилитронов 2С133Б — 2С168Б.
2С133В, 2С133Г, КС133Г, КС139Г, 2С147В, 2С147Г, КС147Г, 2С156В, 2С156Г, КС156Г
Стабилитроны кремниевые диффузионно-сплавные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 0,5 г.
18
7,5
28
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 1„ = 5 мА:
при 298 К
2С133Г, КС133Г
КС139Г
2С147Г, КС147Г
2С156Г, КС156Г
при 303 К
2С133В
2С147В
2С156В
Разброс напряжения стабилизации при /ст = = 5 мА:
при 298 К
2С133Г
КС133Г
КС139Г
2С147Г, КС147Г
2С156Г, КС156Г
при 303 К
2С133В
2С147В
2С156В
при 213 К
2С133В
2С133Г
2С147В
3,3 в3,9 В4,7 В5,6 В3,3 в .4,7 В5,6 В3,3 в3,9 В4,7 В5,6 В3,3 в .4,7 В5,6 ВОт 3,0 до 3,6 В От 2,95 до 3,65 ВОт ОтОт3,5 до 4,3 В4,2 до 5,2 В5,0 до 6,2 ВОт3,1ДО3,5ВОт4,5ДО4,9ВОт5,3ДО5,9ВОт3,1ДО3,8вОт3,0до4,0вОт4,5до5,3вОт4,2ДО5,5вОт 3,0 до 3,6 В От 2,95 до 3,65 ВОт ОтОт3,5 до 4,3 В4,2 до 5,2 В5,0 до 6,2 ВОт3,1ДО3,5ВОт4,5ДО4,9ВОт5,3ДО5,9ВОт3,1ДО3,8вОт3,0до4,0вОт4,5до5,3вОт4,2ДО5,5в2С147Г
3,3 в
3,9 В
4,7 В
5,6 В
3,3 в .
4,7 В
5,6 В
3,3 в
3,9 В
4,7 В
5,6 В
3,3 в .
4,7 В
5,6 В
От 3,0 до 3,6 В От 2,95 до 3,65 В
От От
От
3,5 до 4,3 В
4,2 до 5,2 В
5,0 до 6,2 В
От
3,1
ДО
3,5
В
От
4,5
ДО
4,9
В
От
5,3
ДО
5,9
В
От
3,1
ДО
3,8
в
От
3,0
до
4,0
в
От
4,5
до
5,3
в
От
4,2
ДО
5,5
в
От 3,0 до 3,6 В От 2,95 до 3,65 В
От От
От
3,5 до 4,3 В
4,2 до 5,2 В
5,0 до 6,2 В
От
3,1
ДО
3,5
В
От
4,5
ДО
4,9
В
От
5,3
ДО
5,9
В
От
3,1
ДО
3,8
в
От
3,0
до
4,0
в
От
4,5
до
5,3
в
От
4,2
ДО
5,5
в
2С156В От5,0дс5,9В
2С156Г От4,7до6,2В
при 398 К
2С133В От2,8до3,5В
2С133Г От2,7до3,6В
2С147В От4,1до4,9В
2С147Г От3,9до5,2В
2С156В . . От 5,3 до 6,3 В
2С156Г От 5,0 до 6,6 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К:
2CL33B, 2С133ГОт -0,10 до -0,02 %/К
2С147В. 2С147Г, не хуже — 0.07 %/К
2С15СВ, не более + 0,05 %/К
2С156Г, не более +0,07%/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации для 2С133В. 2С133Г, 2С147В, 2С156В, 2CI56I ±1.5%
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /пр = 50 мА для 2С133В, 2С133Г. 2С147В, 2С147Г, 2С156В. 2С156Г, не более . . . .1 В
Постоянный обратный ток* при 293 К, UoCp = Gjrcllmi для 2С1333, 2С133Г, 2СМ73. 2С147Г. 2С1563. 2С156Г. не более 300 мкА
Дибтс солротпв.тсние, не о злее:
'зсжзв. 2С133Г. 2С147В,2С147Г . . .680Ом
2С156В, 2С156Г 470Ом
при 298 К. .% = 5 мА
КС133Г, КС139Г, КС147Г 150Ом
КС156Г 100Ом
при /с| =5 мА и темпсоатуре от 213 до 398 К
2С1333, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г . . .150 Ом
2С156В, 2С156Г 100Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 1мд
Максимальный ток стабилизации при температуре: от 213 до 308 К
2С133В, 2С133Г,КС133Г37,5мА
КС139Г 32мА
2С147В, 2С147Г,КС147Г26,5мА
2С156В, 2С156Г,КС156Г22,4мА
при 398 К
2С133В,2С133Г 15мА
2С147В,2С147Г 10мА
2С156В,2С156Г 9мА
Зависимость среднего температурного коэффициента напряже-Зависимость среднего температурного коэффициента напряже-
Зависимость среднего температурного коэффициента напряже-
Зависимость среднего температурного коэффициента напряже-
от 213 до 308 К и р = 665 Па 2С133В,2С133Г 18мА
2С147В,2С147Г13,2мА
2С156В,2С156Г11,2мА
при 398 К и р = 665 Па
2С133В,2С133Г7,5мА
2С147В,2С147Г 5мА
2С156В,2С156Г4,5мА
Прямой ток при переходных процессах для 2С133В.
2С133Г, 2С147В, 2С147Г, 2С156В, 2С156Г . . . .50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К125мВт
при 398 К для 2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г, 2С156В, 2С156Г50мВт
от 213 до 308 К и р = 665 Па 2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г, 2CI56B, 2С156Г 63 мВт при 398 К и р = 665 Па"
2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г. 2С156В, 2С156Г 25 мВт Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Температура перехода* для 2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г, 2С156В, 2С156Г 423К
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость среднего темпера-турного коэффициента напряже-ния стабилизации от напря-жения.
2С147Т-1, 2С147У-1, 2С151Т-1, 2С156Т-1, 2С156У-1
Стабилитроны кремниевые планарные бескорпусные с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Масса стабилитрона не более 0.01 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
303 К. /ст = 3 мА:
2С147Т-1. 2С147У-1 47В
2С151Т-1 5ДВ
2С156Т-1, 2С156У-1 5,6В
Разброс напряжения стабилизации при /с.г =
= 3 мА:
при 303 К 2С147Т-1 От4,4до4,9В
2С147У-1 От4,2до5,2В
2С151Т-1 От4,8до5,4В
2С156Т-1 От5,3до5,9В
2С156У-1 От5,0до6,2В
при 213 К 2С147Т-1 От4,6до5,4В
2С147У-1 От4,4до5,6В
2С151Т-1 От4,8до5,8В
2С156Т-1 От5,0до5,8В
2С156У-1 От5,6до6,0В
при 398 К 2С147Т-1 От3,9до4,8В
2С147У-1 От3,7до5,1В
2С151Т-1 От4,5до5,5В
2С156Т-1 От5,2до6,3В
2С156У-1 От4,8до6,6В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К
2С147Т-1. 2С147У-1, не хуже . . .-0,08 %/К
2С151Т-1От-0,06 до 0,03 %/К
2С156Т-1, 2С156У-1От-0,04 до 0,06 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации ±1,5%
Постоянный обратный ток* при Собр = = 0,7 Сст и работе в режиме /ст = = 14-5 мА, не более 300мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:Дифференциальное сопротивление, не более:при 298 К, 4т = 1 мА 560Ом
Дифференциальное сопротивление, не более:
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 213 и 298 К, 7СТ = 3 мА
2С147Т-1,2С147У-1 220Ом
2С151Т-1 180Ом
2С156Т-1,2С156У-1 .......160Ом
при 398 К, 1СТ = 3 мА 2С147Т-1,2С147У-1 240Ом
2CI51T-1 220Ом
2С156Т-1,2С156У-1 180Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации'. . . .1 мА
Максимальный ток стабилизации при монта
же с R-, < 1 K/мВт при температуре:
от 213 до 308 К
2С147Т-1,2С147У-1 10,6мА
2С151Т-1 10мА
2С156Т-1,2С156У-1 9мА
при 398 К
2С147Т-1,2С147У-1 3,75мА
2С151Т-1 3,55мА
2С156Т-1,2С156У-1 3,15мА
Рассеиваемая мощность при монтаже с RT <
< 1 K/мВт при температуре:
от 213 до 308 К 50мВт
при 398 К 18мВт
Тепловое сопротивление общее*, не более3 К/мВт
Температура окружающей среды . . . . От 213 до 398 К
Зависимость амплитуды одно-разовой нагрузки от длитель-ности импульса.Зависимость амплитуды одно-разовой нагрузки от длитель-ности импульса.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Температура перехода 423К
Зависимость амплитуды одно-разовой нагрузки от длитель-ности импульса.
Зависимость амплитуды одно-разовой нагрузки от длитель-ности импульса.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифферснциально-1 о сопротивления от тока.Зависимость дифферснциально-1 о сопротивления от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифферснциально-1 о сопротивления от тока.
Зависимость дифферснциально-1 о сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
2С156Ф
Сгабилшрон кремниевый планарный.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 0,7 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации поминальное при
303 К, /п = 5 мА 5.6 В
Разброс напряжения стабилизации при 1СТ = 5 мА: при 303 К От5,3до5,9В
при 213 К От5,0до5,9В
при 398 К От5,3до6,3В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К, нс более +0,04 %]К
Временная нестабильность напряжения стабилизации ±0,25 %
Уход напряжения стабилизации* за 10 мин через 5 с после включения при токе стабилизации от 1 до 3 мА + 0,03 %
Дифференциальное сопротивление: при 298 К, 7^ = 1 мАОт 170 до 290 Ом
при 213 и 298 К, 7СТ = 5 мА, не более 30 Ом
при 398 К, /ст = 5 мА, не более . . .100 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 1 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре: от 213 до 308 К 20 мА
при 398 К 8 мА
от 213 до 308 К и р = 670 Па . . .10 мА
при 398 К и р = 670 Па . . .4 мА
Рассеиваемая мощность при температуре: от 213 до 308 К 125 мВт
при 398 К 50 мВ г
от 213 до 308 К и р = 670 Па . . . .62 мВт
при 398 К и р = 670 Па 25 мВт
Температура окружающей среды От213 до 398 К
Температура перехода 423 К
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.
Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.
2С162Б-1, 2С162В-1
Стабилитроны кремниевые планарные. Предназначены для стабилизации напряжения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным по- крытием и гибкими выводами. Тин прибора указывается на этикетке. Выпускаются в индивидуальной таре. Вывод стабилитрона, подключаемый в режиме стабилизации к отрицательному полюсу источника питания, при расположении тары выводами вниз со стороны крышки — второй слева.
Масса стабилитрона не более 0,005 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, ZCT = 3 мА 6,2 В
Разброс напряжения стабилизации при 298 К, /ст = 3 мА: 2С162Б-1 + 5°/
2С162В-1 + 10%
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации пр температуре от 213 до 358 К, не более: 2С162Б-10,06%/К
2С162В-1 0,006%/К.
Временная нестабильность напряжения стабилизации при температуре от293 до 333 К +1 °/
Дифференциальное сопротивление при /ст = 3 мА, не более: при 213 и 298 К 2С162Б-1 15Ом
2С162В-125Ом
при 358 К 2С162Б-120Ом
2С162В-133Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 1 мА
Максимальный ток оабилизации34 Х1д
Рассеиваемая мощность21 мВт
Температура окружающей средыОт213 до
358 К
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.
Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.
2С168Х, 2С175Х, 2С182Х, 2С191Х, 2С210Х, 2С211Х,2С212Х
Стабилитроны кремниевые планарные. Предназначены для стабилизации напряжения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Масса стабилитрона не более 0,005 г.
Элегс < рические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 303 К, /ст = 0.5 м\:
„л 1с8Х о,е В
2С175Х .. .7,5 В
2С182Х 8,2В
2С191Х 9,1В
2С210Х ЮВ
2С211Х НВ
2С212Х 12В
Разброс напряжения стабилизации при /ст = 0,5 мА:
при 303 К
2С168Х От6,5 до 7,1 В
2С175Х От7,1 до 7,9 В
2С182Х■ От7,8 до 8,6 В
2С191Х От8,6 до 9,6 В
2С210Х От9,5до10,5В
2С211Х От10,4до11,6В
2С212Х От11,4до12,6В
при 213 К
2С168Х От6,2 до 7,1 В
2С175Х От 6,7 до 7,9 В
2С182Х От7,2 до8,6 В
2С191Х От8,0 до9,6 В
2С210Х От8,7 до10,5 В
2С211Х От9,5 до11,6В
2С212Х От10,4 до12,6В
при 398 К 2С168Х От6,5до7,5В
2С175Х От7,1до8,4В
2С182Х От7,8до9,3В
2С191Х От 8,6до 10,3 В
2С210Х От 9,5до 11,4 В
2С211Х От10,4до 12,6 В
2С212Х От 11,4до 13,8 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К, не более:
2С168Х 0,050 %/К
2С175Х 0,065 %/К
2С182Х 0,075 %/К
2С191Х 0,080 %/К
2С210Х 0,090 %/К
2С211Х, 2С212Х 0,095 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации . . , . ±1,5%
Дифференциальное сопротивление при /ст = 0,5 мА, не более, при температуре:
213 и 298 К 200 Ом
при 398 К 300 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 0,5мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К 2С168Х .3 мА
2С175Х 2,65мА
2С182Х 2,5мА
2С191Х2,24 мА
2С210Х 2 мА
2С211Х1,8 мА
2С212Х1,7 мА
при 398 К 2С168Х0,95 мА
2С175Х0,9 мА
2С182Х0,8 мА
2С191Х0,71 мА
2С210Х0,67 мА
2С211Х0,6 мА
2С212Х0,56 мА
Рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 308 К:20 мВт
при 398 К6,6 мВт
Тепловое сопротивление общее*, не более3 К/мВт
Температура окружающей средыОт 213 до
398 К Температура перехода максимальная 423 К
Зависимость амплитуды одно-разовой нагрузки от длитель-ности импульса.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
О 0,5 1,0 1,5 г,0 1,5мА
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
2С175Ж, КС175Ж, 2С182Ж, КС182Ж, 2С191Ж, КС191Ж, 2С210Ж, КС210Ж, 2С211Ж, КС2ПЖ, 2С212Ж, КС212Ж, 2С213Ж, КС213Ж, 2С215Ж, КС215Ж, 2С216Ж, КС216Ж, 2С218Ж, КС218Ж, 2С220Ж, КС220Ж, 2С222Ж, КС222Ж, 2С224Ж, КС224Ж
Стабилитроны кремниевые планарные.
Стабилитроны выпускаются в стеклянных корпусах с гибкими выводами КД-2, КД-3, КД-4. У стабилитронов в корпусе КД-4 тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво- 532
дятся на корпусе. Стабилитроны в корпусе КД-3 маркируются цветным кодом, в состав которого входят цвет окраски корпуса и цвет кольцевой полосы у положительного вывода (анода):
КС175Ж - корпус серый, полоса белая,
КС182Ж - корпус серый, полоса желтая,
КС191Ж — корпус серый, полоса красная,
КС210Ж - корпус серый, полоса зеленая,
КС211Ж - корпус серый, полоса синяя,
КС212Ж - корпус серый, полоса черная,
КС21ЗЖ - корпус серый, полоса голубая,
КС215Ж — корпус черный, полоса белая,
КС216Ж - корпус черный, полоса желтая,
КС218Ж - корпус черный, полоса красная,
КС220Ж - корпус черный, полоса зеленая,
КС222Ж - корпус черный, полоса синяя,
КС224Ж - корпус черный, полоса голубая.
Стабилитроны в корпусе КД-2 маркируются цветным кодом, в состав которого входят г олубая метка у отрицательного вывода (катода) и цвет кольцевых полос:
2С175Ж - белая у катода,
2С182Ж — желтая у катода.
2С191Ж - голубая у катода,
2С21ОЖ - зеленая у катода.
2С211Ж — синяя у катода.
2С212Ж - оранжевая у катода.
2С213Ж —чернаяукатода.
2С215Ж -чернаяуанодаибелая у катода,
2С216Ж -чернаяуанодаижелтая у катода,
2С218Ж -чернаяуанодаиголубая у катода.
2С220Ж -чернаяуанодаизеленая у катода.
2С222Ж —чернаяуанодаисиняя у катода,
2С224Ж — черная у анода и оранжевая у катода.
Масса стабилитронов не более 0,3 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 303 К: при /С1 = 4 мА
2С175Ж, КС175Ж
2С182Ж. КС182Ж
2С191Ж, КС191Ж
2С210Ж, КС210Ж
2С211Ж, КС211Ж
2С212Ж. КС212Ж
2С213Ж, КС213Ж
пои 1„. = 1 мА
7,5
8,2
9,1
10
12
13
В В В В
В в в
'218Ж. КС218Ж
222Ж. КС222Ж
224Ж. КС224Ж
I,
плизаш!
:А
От
К, КС213Ж .
К, 7СТ = 2 мА
:0Ж
КС222Ж . . . . 2С224Ж, КС224Ж .
при 213 К. Зсг = 4 мА
2С175Ж, КС182Ж 2С182Ж 2С191Ж, КС210Ж
2С210Ж 2С211Ж, КС212Ж
КС175Ж
КС191Ж
КС211Ж
16
18
20
24
в в в в в в
г 7,4
д 9
< 2т
1 до 7,9 в
8 до 8,7 В
Ю 9 В о (\б В
5 10.5 В
5 1- В
10.4 до
11.4 до
10,8 до
12.3 до
14.2 до
13.5 до
,6
в в
13,7
15,8
16,5
В
В в
От 15,2 до 17 В
От 15,2 до
От 17 до
От 16,2 до
От 19
От 20,9
От 19,8
От 22,8
От 6,4
до
ДО
ДО
ДО
до
16,8 В
19 В
19,8 В
21 В
23,1 В
24,2 В
25,2 В
7,9 В
От 6,8 до 9 ВОт 7,0 до 8,7 ВОт 7,7 до 9,6 ВОт 8,2 до 11 В
От 8,5 до 10,5 В От 9,3 до 11,6 В
От 9,8 до 13,2 В
2С212Ж От 10,3 до 12,6 В
2С213Ж, КС213Ж От11 до 13,7 В
при 213 К, /ст = 2 мА КС215Ж От12,2до16,5В
2С215Ж От12,8до15,8В
КС216Ж От13,7до16,8В
2С216Ж От13,7 до 17 В
КС218Ж От 14,7 до 19,8 В
2С218Ж От15,8 до 19 В
2С220Ж, КС220Ж От17,2 до 21 В
КС222Ж От17,8 до24,2В
2С222Ж От18,9 до23,1В
2С224Ж, КС224Ж От20,6 до25,2В
при 398 К, /ст = 4 мА
2С175Ж, КС175Ж От7,1до8,6В
КС182Ж От7,4до9,7В
2С182Ж От7,8до9,5В
2С191Ж, КС191Ж От 8,6 до 10,4 В
КС210Ж От 9 до 12 В
2С210Ж От 9,5 до 11,4 В
2С211Ж, КС211Ж От10,4 до 12.6 В
КС212Ж От10,8 до 14,4 В
2С212Ж От11,4 до 13,7 В
2С213Ж, КС213Ж От12,3 до 14,9 В
при 398 К, /ст = 2 мА КС215Ж От13,5 до 18,1 В
2С215Ж От14,2 до 17,3 В
2С216Ж, КС216Ж От15,2 до 18,6 В
КС218Ж От16,2 до 21,8 В
2С218Ж От 17 до 20,8 В
2С220Ж, КС220Ж От 19 до 23 В
КС222Ж От19,8до26,6В
2С222Ж От20,9до25,3В
2С224Ж, КС224Ж От22,8до27,6В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К, не более:
2С175Ж, КС175Ж 0,07%/К
2С182Ж, КС182Ж 0,08%/К
2С191Ж, КС191Ж,2С210Ж,КС210Ж0,09 %/К
2С211Ж, КС211Ж 0,092%/К
2С212Ж, КС212Ж,2С213Ж,КС213Ж0,095 %/К
2С215Ж, КС215Ж, 2С216Ж, КС216Ж, 2С218Ж, КС218Ж, 2С220Ж, КС220Ж, 2С222Ж, КС222Ж, 2С224Ж, КС224Ж0,1 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации ± 1,5 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К, 7пр = 50 мА для 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж, 2С224Ж, не более 2В
Постоянный обратный ток* при 298 К, Со6р = 0,7[/ст ном для 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С2ПЖ, 2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж,
2С222Ж, 2С224Ж, не более
Дифференциальное сопротивление, не более: при 298 К, 7СТ = 0,5 мА
2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж,
2С212Ж, 2С213Ж
2С211Ж,
. . . . 200 Ом
2С215Ж. 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж,
2С224Ж
2С222Ж,
. . . . 300 Ом
при 298 К, /ст = 4 мА для 2С175Ж, 2С182Ж, КС182Ж, 2С191Ж, КС191Ж, КС210Ж, 2С211Ж, КС211Ж, 2С212Ж, .2С213Ж, КС213Ж
КС175Ж, 2С210Ж,
КС212Ж, . . . .40 Ом
при 298 К, /ст = 2 мА для 2С215Ж, 2С216Ж. КС216Ж, 2С218Ж, КС218Ж, КС220Ж, 2С222Ж, КС222Ж. 2С224Ж,
КС215Ж, 2С220Ж, КС224Ж 70 Ом
при 213 К, /ст = 4 мА для 2С175Ж, 2С182Ж, КС182Ж, 2С191Ж, КС191Ж, КС210Ж, 2С211Ж, КС211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж, КС213Ж
КС175Ж, 2С210Ж,
КС212Ж, . . . .70 Ом
при 213 К, 7СТ = 2 мА для 2С215Ж, 2С216Ж, КС216Ж, 2С218Ж, КС218Ж, КС220Ж, 2С222Ж, КС222Ж, 2С224Ж,
КС215Ж, 2С220Ж, КС224Ж 90 Ом
при 398 К, /с| = 4 мА для 2С175Ж, 2С182Ж, КС182Ж, 2С191Ж, КС191Ж, КС210Ж, 2С211Ж, КС211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж, КС213Ж
КС175Ж, 2С210Ж,
КС212Ж,
. . . .80 Ом
при 398 К, 1ст = 2 мА для 2С215Ж, 2С216Ж, КС216Ж, 2С218Ж, КС218Ж, КС220Ж, 2С222Ж, КС222Ж, 2С224Ж,
КС215Ж,
2С220Ж, КС224Ж 125 Ом
Спектральная плотность шума в полосе частот от 20 Гц до 1 МГц при 298 К, /ст = 0,5 мА для 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж, 2С224Ж10мкВ//Гц
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации0,5мА
Максимальный ток стабилизации при температуре
от 213 до 308 К: 2С175Ж,КС175Ж 17мА
2С182Ж,КС182Ж 15мА
2С191Ж,КС191Ж 14мА
2С210Ж,КС210Ж 13мА
2С211Ж,КС211Ж 12мА
2С212Ж.КС212Ж 11мА
2С213Ж,КС213Ж 10мА
2С215Ж.КС215Ж8,3мА
2С216Ж7,8мА
КС216Ж ..7,3 мА
2С218Ж,КС218Ж6 9мА
2С220Ж,КС220Ж62мА
2С222Ж,КС222Ж5 7мА
2С224Ж,КС224Ж5^2мА
при 398 К 2С175Ж, КС175Ж 7 мА
2С182Ж,КС182Ж6 4мА
2С191Ж,КС191Ж58мА
2С210Ж,КС210Ж5 5мА
2С211Ж.КС211Ж4’5мА
2С212Ж,КС212Ж4 2мА
2С213Ж,КС213Ж 4мА
2С215Ж. КС215Ж.з 3 мА
2С216Ж.КС216Ж3 1 мА
2С218Ж.КС218Ж 1 7 мА
2С220Ж,КС220Ж2’5мА
2С222Ж,КС222Ж2 2 мА
2С224Ж,КС224Ж2JмА
от 213 до 308 К, р = 665 Па 2С175Ж8,5мА
2С182Ж7,5мА
2С191Ж 7мА
2С210Ж6,5мА
2С211Ж 6мА
2С212Ж5,5мА
2С213Ж 5мА
2С215Ж4,2мА
2С216Жз,9мд
2С218Ж3,5мА
2С220Жз,1мА
2С222Ж2,9мА
2С224Ж2,6мА
при 398 К, р = 665 Па 2С175Ж3,5мА
2С182Ж3,2мА
2С191Ж . . . . ;2,9мА
2С210Ж2 7мА
2С211Ж22мА
2С212Ж2.1мА
2С213Ж 2 мА
2С215Ж1.7мА
2С216Ж1.6мА
2С218Ж),4мА
2С220Ж1,3мА
2С222Ж1,1мА
2С224Ж 1 мА
Прямой ток при переходных процессах для 2С175Ж,
2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж,
2С215Ж, 2С216Ж. 2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж, 2С224Ж50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре: от 213 до 308 К125мВт
при 398 К50мВт
от 213 до 308 К при /> = 665 Па для 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж,2С216Ж,2С218Ж,2С220Ж,2С222Ж,
2С224Ж62мВт
при 398 К, д = 665 Па для 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж, 2С224Ж25мВт
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Зона возможных положений за-висимости дифференциальногосопротивления от тока.
Зона возможных положений за-висимости дифференциальногосопротивления от тока.
02,5 5,0 1,5 10 12,5 мА
Зона возможных положений за-висимости дифференциальногосопротивления от тока.
Зона возможных положений за-висимости дифференциальногосопротивления от тока.
Зона возможных положений за-висимости дифференциальногосопротивления от тока.
Зона возможных положений за-висимости дифференциальногосопротивления от тока.
у ПОЛОЖИТСЛЬНОГО ГгЬШОЛИ (й-НОДЗ) ;у ПОЛОЖИТСЛЬНОГО ГгЬШОЛИ (й-НОДЗ) ;
у ПОЛОЖИТСЛЬНОГО ГгЬШОЛИ (й-НОДЗ) ;
у ПОЛОЖИТСЛЬНОГО ГгЬШОЛИ (й-НОДЗ) ;
2С175Ц, 2С182Ц, 2С19Щ, 2С210Ц, 2С2НЦ, 2С212Ц
Стабилитроны кремниевые планарные.
Выпускаются в стеклянных корпусах с 1ибкими выводами КД-2 и КД-4. Тип прибора и схема соединения элекгродез с выводами для стабилитронов, выпускаемых в корпусе КД-4, црнаодятся на корпусе. Стабилитроны в корпусе КД-2 маркирую г;:.! диетным кодом, В СОСГсй КОГОрОГО БХОдУлт ССЛИЯ МСТКй 1111 ТОр^.д ХОр nj/vSi V ОТ-
рииательного вывода (катода): желтая кольцевая голоса у вывода
катода и цвет кольцевой полосы
2С175Ц — белый.
2С182Ц — красный.
2С19Щ — голубой,
2С210Ц — зеленый, 2С211 Ц — синий.
2С212Ц — оранжевый.
Масса стабилитрона не более 0,2 г в корпусе КД-2 и не более 0,3 г в корпусе КД-4.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 303 К, /ст = 0,5 мА:
2С175Ц 7,5В
2С182Ц 8,2В
2С191Ц 9,1В
2С2ЮЦ ЮВ
2С211Ц 11В
2С212Ц 12В
Разброс напряжения стабилизации при 1„ = 0,5 мА: при 298 К
2С175Ц От 7,1до7,9 В
2С182Ц От 7.8до8,6 В
2С191Ц От 8.6до9,6 В
2С210Ц От9,5до10,5 В
2С211Ц От10,4до11,6 В
2С212Ц От11,4до12,6 В
при 213 К 2С175Ц. . ; От6,7 до 7,9 В
2С182Ц От7.2 до 8,6 В
2С191Ц От 8 до 9,6 В
2С210Ц От8.7 до10,5В
2С211Ц От9,5 до11,6В
2С212Ц От10,4 до12,6В-
при 398 К 2С175Ц От7,1 до 8,4 В
2С182Ц От7,8 до 9,3 В
2С191Ц От8,6 до10,3В
2С210Ц От9,5 до11,4В
2С211Ц От10,4 до12,6В
2С212Ц Ог11,4 до13,8В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре о г 213 до 398 К, не более:
2С175Ц + 0,065 %/К
2С182Ц +0,070 °0/К
2С191Ц +0,080 °'0/К
2С210Ц, 2С211Ц, 2С212Ц +0,085 °а/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации ±1,5°„ Постоянное прямое напряжение при 298 К. /пр = 50 мА, не более 2 В
Постоянный обратный ток при 298 К, t/05P =
= 0,7Псг ном, не более5 мкА
Дифференциальное сопротивление, не более: при298К,/сг = 0,1 мА 820Ом
при213и298 К, /ст — 0,5мА 200Ом
при398К,/ст = 0,5 мА 300Ом
Спектральная плотность шума в диапазоне частот от
20 Гц до 1 МГц при 298 К, /С|. = 0,1 мА, не,
более 20 мкВ/[/Ги
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации0,1 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К 2С175Ц 17мА
2С182Ц 15мА
2С19Щ14мА
2С210Ц12,5мА
11,2 мА10,6 мА6,7 мА6 мА5.6 мА5 мА4,5 мА4 мА11,2 мА10,6 мА6,7 мА6 мА5.6 мА5 мА4,5 мА4 мА2С21Щ
11,2 мА
10,6 мА
6,7 мА
6 мА
5.6 мА
5 мА
4,5 мА
4 мА
11,2 мА
10,6 мА
6,7 мА
6 мА
5.6 мА
5 мА
4,5 мА
4 мА
2С212Ц
при 398 К
2С175Ц
2С182Ц
2С191Ц
2С210Ц
2С21Щ
2С212Ц
от 213 до 308 К
при р = 665 Па 2С175Ц8,5мА
2С182Ц7,5мА
2С19Щ 7мА
2С210Ц6,2мА
2С21Щ5,6мА
2С212Ц5,3мА
при 398 К и р = 665 Па. 2С175Ц3,4мА
2С182Ц 3мА
2С191Ц2.8мА
2С210Ц2,5мА
2С211Ц2.3мА
2С212Ц 2мА
Прямой ток при переходных процессах длительностью не более 1с50мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К .. 125 мВт
при 398 К 50мВт
от 213 до 308 К и р = 665 Па . '63мВт
при 398 К и р = 665 Па25мВт
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Зона возможных положений за-висимости дифференциальногосопротивления от тока.
Зона возможных положений за-висимости дифференциальногосопротивления от тока.
Зависимость максимальной рас-сеиваемой мощности от давле-ния.
2С180А, 2С190А, 2С210А, 2С211А, 2С213А
Стабилитроны кремниевые сплавные с диффузионным экраном микромодульные бескорпусные. Предназначены для стабилизации на
пряжения в цепях постоянного тока при токе не менее 3 мА в составе герметизированных микромодулей монолитной и капсулированной конструкции.
Стабилитроны маркируются цветной точкой: 2С180А — белой, 2С190А — черной, 2С210А — желтой, 2С211А — зеленой, 2С213А — голубой.
Масса стабилитрона не более 0,03 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, /ст = 5 мА:
2С18ОА 8 В
2С190А 9 В
2С21ОА 10 В
2С211А . . . , ПВ
2С213А 13 В
Разброс напряжения стабилизации при /ст = 5 мА:
при 298 К 2С180А От7 до 8,5 В
2С190А От8 до 9,5 В
2С210А От9 до 10,5 В
2С211А От10 до 12 В
2С213А От11,5 до 14 В
при 213 К 2С180А От6 до 8,5 В
2С190А От7 до 9,5 В
2С210А От8 до 10,5 В
2С211А От 9 до 12 В
2С213А От 10 до 14 В
при 398 К
2С180А От 7 до 9,5 В
2С190А От8до10,5В
2С210А От9до11,5В
2С211А От10до13,5В
2С213А От11,5 до 15,5 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 303 до 398 К, не более:
2С18ОА + 0,07%/К
2С190Л + 0,08 %/К
2С210А + 0.09 %/К
2С211А. 2С213А +0,095 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации ±1,5%
Уход напряжения стабилизации* через 10 мин после включения за последующие 5 мин, не более:
2С180А 40мВ
2С190А 45мВ
2С210А 50мВ
2С211А 55мВ
2С213А 65мВ
Постоянное прямое напряжение при 298 К. Znp = 50 мА.
не более 1 В
Дифференциальное сопротивление. не более:
при 298 К, ZCT = 1 мА
2С180А 15Ом
2С190А22Ом
2С210А .. .32 Ом
2С211А36Ом
2С213А44Ом
при 298 К, ZCT = 5 мА
2С180А 8 Ом
2С190А‘. . . .12 Ом
2С21ОА 15Ом
2С211А 19Ом
2С213А22Ом
при 213 и 398 К, ZCT = 5 мА
2С180А20Ом
2С190А25Ом
2С210А30Ом
2С211А40Ом
2С213А45Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К
2С180А 15 мА
2С190А 13мА
2С210А 11мА
2С211А 10мА
2С213А 9мА
при 398 К 2С180А 8мА
2С19ОА7,5мА
2С210А6,5мА
2С211А 6мА
2С213А 5мА
Рассеиваемая мощность при температуре: от 213 до 323 К125 мВт
при 398 К70 мВт
Температура окружающей среды:
для стабилитронов в составе микромодулей капсулированной конструкцииОт 213 до
398 К
для стабилитронов в составе микромолулей залитой конструкции :
с предварительной защитой эластичным компаундом От213 до
398 К без предварительной защиты эластичным компаундом* От213 до
343 К
Температура перехода * 398К
Примечание. При работе в режиме максимально допустимой мощности необходимо применять теплоотвод для обеспечения условий теплообмена, соответствующих стабилитронам типов 2СМ180А, 2СМ190А. 2СМ210А, 2СМ211А. 2СМ213А.
296 810 11 мА296 810 11 мА
296 810 11 мА
296 810 11 мА
Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.
Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость дифференциального сопротивления от тока.Зависимость дифференциального сопротивления от тока.545545
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
545
545
Зависимость диффсренциально-। о сопро 1 ивления от [ ока.
2СМ180А, 2СМ190А, 2СМ210А, 2СМ211А, 2СМ213А
Стабилитроны кремниевые сплавные с диффузионным экраном
микромодульные. Предназначены для оаоилизации напряжения в
цепях посюяниого тока при токе не менее 3 мА в составе герметизированных микромодулей монолитной и капсулированной конструкции.
Выпускаются напаянными на керамическую микромодуль- ную нла;у. Стабилитроны маркируются цветной точкой на плате около паза 2 : 2CMI80A — красной. 2СМ190А — черной, 2СМ210 — желтой, 2СМ211А - зеленой, 2CM2I3A — голубой.
Масса стабилитрона не более 0,5 г.
18 нот рец Н Н Горюнова
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, /с. =5 мА: 2СМ180А 8В
2СМ190А 9В
. 2СМ210А 10В
2СМ211А 11В
2СМ213А 13В
Разброс напряжения стабилизации при 7СГ =
= 5 мА:
при 298 К
2СМ180А От 7 до 8.5 В
2СМ190А От 8 до 9,5 В
2СМ210А От 9 до 10,5 В
2СМ211А Оз 10 до 12 В
2СМ213А От 11,5 до 14 В
при 213 К
2СМ180А От 6 до 8,5 В
2СМ190А От 7 до 9,5 В
2СМ210А От 8 до 10,5 В
2СМ211А От 9 до 12,0 В
2СМ213А От 10 до 14 В
при 398 К
2СМ180А От 7 до 9,5 В
2СМ190А От8до10,5В
2СМ210А От9до11,5В
2СМ211А От10до13.5В
2СМ213А От 11.5 до 15,5 В
Средний температурный коэффициенз напряжения счабилизации при температуре or 303 до 398 К. нс более:
2СМ180А + 0,07 %/К
2СМ190А + 0,08 %/К
2СМ210А +0,09 %/К
2CM2I1A, 2СМ213А +0,095 %; К
Временная нестабильное!ь напряжения стабилизации + 1,5 %
Уход напряжения стабилизации* через 10 мин после включения за последующие 5 мин, не более:
2СМ180А 40мВ
2СМ190А 45мВ
2СМ210А 50мВ
2СМ211А 55мВ
2CM2I3A 65мВ
Постоянное прямое напряжение при 298 К, 7пр = 50 мА. не более . . . .1 В
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, /ст = 1 мА 2СМ180А 15Ом
2СМ190А22Ом
2СМ210А 32Ом
2СМ211А 36 Ом
2СМ21 ЗА QM
при 298 К, /ст = 5 мА: 2СМ18ОА gОм
2СМ190А ]2Ом
2СМ210А 15Ом
2СМ2ПА 19Ом
2СМ213А22Ом
при 213 и 398 К, 7С1 = 5 мА: 2СМ180А20Ом
2C?vll90A25Ом
2СМ210А30Ом
2СМ211А40Ом
2СМ213А45Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный гок стабилизации 3 МА
Максимальный гок стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К 2СМ18ОА 15мА
2СМ190А 13мА
2СМ210А НмА
2СМ211А ЮмА
2СМ213А 9 мА
при 398 К 2СМ180А 8 мА
2СМ190А7,5мА
2СМ210А6.5мА
2CM2I 1А 6мА
2СМ213А 5мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К125мВт
при 398 К70мВт
Температура окружающей среды:
для стабилитронов в составе микромодулей капсулированной конструкцииОт 213 до
398 К
для стабилитронов в составе микромодулей залитой конструкции: с предварительной зашитой эластичным компаундом От 213 до
398 К без предварительной защиты эластичным ком
паундом* От 213 до
343 К Температура перехода* 398 К
Примечание. Зависимости основных параметров от режима те же. что и для стабилитронов 2С180А — 2С213А. 18*547
2С291А
Стабилитрон кремниевый планарный.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 0.7 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К. 7СТ = 1 мА 91В
Разброс напряжения стабилизации при 7СТ = 1 мА: при 298К01 86 до 96В
при 213КОт :6 до 96В
при 398КОт 86 до 106В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при темпера гуре от 213 до 398 К. ле более 0.11 ' „/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации, не более 1.5
Постоянный обратный ток* при 298 К. 1 обр = = 0,7(/ст 1|ом , не более 20мкА
Дифференциальное сопротивление, не более: при 298К.Zc,=1 мА 700Ом
при 213К.I„=1 мА 1.8кОм
при 398К,7СТ=1 мА 2кОм
при 213К./С1=0.5 мА* 3кОм
при 398К.7СТ=0.5 мА * 4кОм
Спектральная плотность шума в полосе частот от
20 Гц до 1 МГц при /ст = 0.5 мА. не
более15мкВ/-],. Гц
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации0.5мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К 2.7мА
при 398 К1.1мА
от 213 до 308 К. при р = 665 Па1.3мА
при 398 Кир - 665 Па0.5^ мА
Прямой юк при переходных процессах50мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К 250мВ:
при 398 КНЮмВт
от 213 до 308 К и /> = 665 Па125мВт
при 398 К и /> = 665 Па 50мВт
Температура окружающей средыОт213
до 398 К
Температура перехода 423К
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость среднего коэф-фициента напряжения стабили-зации от тока.Зависимость среднего коэф-фициента напряжения стабили-зации от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость среднего коэф-фициента напряжения стабили-зации от тока.
Зависимость среднего коэф-фициента напряжения стабили-зации от тока.
2С433А, КС433А, 2С439А, КС439А, 2С447А, КС447А,
2С456А, КС456А, 2С468А, КС468А
Стабилитроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса ci абилитрона не более 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное
при 298 К:
2С433А при/ст HOV, =60мА....3.3В
КС433А при/„.„ом = 30мА....3,3В
2С439А при/стно„ = 51мА....3.9В
КС439А приZCr.HOM = 30мА....3,9В
-0,1 %/К-0,08 до +0.03 ’„/К0,05 °JK0,065 ° „/К-0,1 %/К-0,08 до +0.03 ’„/К0,05 °JK0,065 ° „/К14Ом25Ом12Ом10Ом18Ом7Ом5Ом25Ом20Ом17Ом14Ом14Ом25Ом12Ом10Ом18Ом7Ом5Ом25Ом20Ом17Ом14Ом
-0,1 %/К
-0,08 до +0.03 ’„/К
0,05 °JK
0,065 ° „/К
-0,1 %/К
-0,08 до +0.03 ’„/К
0,05 °JK
0,065 ° „/К
14
Ом
25
Ом
12
Ом
10
Ом
18
Ом
7
Ом
5
Ом
25
Ом
20
Ом
17
Ом
14
Ом
14
Ом
25
Ом
12
Ом
10
Ом
18
Ом
7
Ом
5
Ом
25
Ом
20
Ом
17
Ом
14
Ом
2С447А при 1СТ1ЮМ =
КС447А при /с,.н„„ =
2С456А при 7СТ.НОМ =
КС456Л при /ст ном =
2С468А при /стном =
КС468А при /с, ном =
43 мА . . . .
30 мА . . . .
36 мА . . . .
30 мА . . . .
29 мА . . . .
30 мА . . . .
4,7 В
4,7 В
5,6 В
5,6 В
6,8 В
6.8 В
Разброс напряжения стабилизации при 7СТ = 7С
' пом ■
при 298 К . . . .
■±:о°„
при 213 К
2С433А. КС433А .
От 2,97 до 3.80 в
2С439А, КС439А
От 3,52 до 4.59 В
2С447А. КС447А .
От 4 до 5,3 В
2С456А. КС456А .
От 4,82 до 6.16 В
2С468А. КС468А .
От 5,78 до 7,48 В
при 373 К
КС433А . . . .
От 2,66 до 3.63 В
КС439А . . . .
Oi 3,15 до 4,29 В
КС447А . . . .
От 3,87 до 5,33 В
КС456А . . . .
От 5,04 до 6.49 В
КС468А . . . .
От 6,12 до 8 В
при 398 К
2С433А. . . .
От 2,66 до 3,63 В
2С439А. . . .
От 3,15 до 4,29 В
2С447А. . . .
От 3,87 до 5,33 В
2С456А
От 5,04 до 6,49 В
2С468А
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации в диапазоне рабочих
От 6,12 до 8 В
температур:
2С433А. КС433А. 2С439А. КС439А, не
хуже
2С447А, КС447АОт
2С456А, КС456А. не более . . . .
2С468А. КС468А. не белее . . . .
Временная нестабильность напряжения стабилизации
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, 7СГ = /сгном
2С433А
КС433А. КС439А
2С439А
2С447А, КС456А
КС447А
2С456А
2С468А, КС468А
при 213 К, 1П = ZCTHOM
КС433А, КС439А
КС447А
2С433А
2С439А
2С447А,КС456А 12Ом
2С456А 8,5Ом
2С468А,КС468А 6.5Ом
При 373 К, /с /стлом КС433А,КС439А 35Ом
КС447А 30Ом
КС456А 25Ом
КС468А 17Ом
при 398 К, /v, = /ст „РМ
' 2С433Л...' 29Ом
2С439А 27Ом
2С447А 24Ом
2С456А 21Ом
2С468А 17Ом
при 298 К, 1СТ = 3 мА
2С433А, КС433А, 2С439А, КС439А, 2С447А, КС447А 180Ом
2С456А, КС456А 145Ом
2С468А. КС468А 70Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3мд
Максимальный ток стабилизации при 1емпературе:
от 213 до 308 К
2С433А. КС433А191мА
2С439А, КС439А176мА
2С447А. КС447А159мА
2С456А, КС456А139мА
2С468А. КС468А119мА
от 213 до 323 К КС433А191мА
КС439А176мА
КС447А159мА
КС456А139мА
КС468А119мА
при 373 К КС433А60мА
КС439А51мА
КС447А43мА
КС456А36мА
КС468А30мА
при 398 К 2С433А60мА
2С439А51мА
2С447А43мА
2С456А36мА
2С468А29мА
Импульсный ток одноразовой перегрузки для двух импульсов с т„ = 1 с и интервалом между ними 1 мин:
при 298 К 2С433А.КС433А 382мА
2С439А.КС439А 352мА
20447А.К 0447А318мА
2С456А.КС456А 278мА
2С468А,КС468А 238мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К для 2С433А." 2С439А. 2С447А, 2С456А. 2С468А IВт
от 213 до 323 К для КО433А. КС439А, КС447А.
КС456А. КС468А IВт
при 373 К для КС433А. КО439А, КС447А. КС456А, КС468А 0,2Вт
при 398 К для 2С433А. 2С439А. 2С447А, 2С456А. 2С468А0.2Вт
Температура окружающей среды:
2С433А, 2С439А. 2С447А. 2С456А. 2С468А . . . . От 213
до 398 К
КС433А. КС439А. КС447А. КС456А. КС468А . . . Oi 213
до 373 К Температура перехода для 2С433А. 2С439А. 2С447А. 2С456А. 2С468А 423К
Зависимость ухода напряжениястабилизации от темпера |уры.
Зависимость среднего темпера-турного коэффициента напряже-ния стабилизации oi юка.
Зависимость дифференциально-го сопротивления oi тока.
2С482А, КС482А, 2С510А, КС510А, 2С512А, КС512А,2С515А, КС515А, 2С518А, КС518А, 2С522А, КС522А,2С524А, 2С527А, КС527А, 2С530А, 2С536А
Стабилитроны кремниевые планарные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора укатывается на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
303 К. /С1 = 5 мА: 2С482А. КС482А 8.2В
2С51ОА, КС510А 10В
2С512А, КС512А 12В
2С515А. КС515А 15В
2С518А, КС518А 18В
2С522А. КС522А 22В
2С524А 24В
2С527А, КС527А 27В
2С53ОА 30В
2С536А 36В
Разброс напряжения стабилизации при /ст — 5 мА при 303 К
2С482А. КС482А, 2C5I0A. КС510А, 2С512А
КС512А, 2С515А. КС515А. 2C5I8A. KC5I8A
2С522А. КС522А, 2С527А. КС527А . . .±10°.,
2С524А. 2С530А. 2С536А ±5"„
при 213 К 2С482А. КС482АОт 6,9 до 9 В
2С510А, КС510АОт 8.2 до 11 В
2С512А. КС512АО:9,9то13.2В
2С515А. КС515АOt1.2.3до16.5В
2С518А. КС518АОт14,7до19,8В
2С522А. КС522АOr17,9до24.2В
2С524АОт 20,5 до 25.2 В
2С527А, КС527АО, 22,0 до 29,7 В
2С53ОА . От 25,8 до 31,5 В
2С536АОт30,8 до 37,8 В
при 373 К
КС482АОт7,4 до 9,7 В
КС510АОт9.0до12,0В
КС512АОт10.8до14,5В
КС515АОт13.5до18,1В
KC5I8AОт16.2до21,7В
КС522АОт19.8до26,6В
КС527АОт24.3до32,6В
при 398 К 2С482.АО। 7.4 до 9,7 В
2С510А . . От 9 до 12 В
2С512АОт10.8до14,5В
2С515ЛОт13.5до18.1В
20518AОт16.2до21.7В
2С522АОт19.8до26,6В
2С524АОт22.8до27,9В
2С527АОт24.3до32,6В
2С530АОт28.5до34,6В
2С536АОт34,2до42,0В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации в диапазоне рабочих температур, не более:
2С482А, КС482А . ' 0,08%/К
2С510А, КС510А, 2С512А, КС512А, 2С515А, КС515А. 2С518А. KC5I8A, 2С522Л, КС522А, 2С524А.2С527А,КС527А.2С530А,
2С536А 0,1 "JK
Временная нестабильность напряжения стабилизации + 1 -5
Постоянное прямое напряжение при 298 К,
/11р = 50 мА, не более 1В
Постоянный обратный ток * при 298 К, СО5Р =
= 0.7Сстном для 2С482Л. 2С510А. 2С512А.
2С515Л, 2С518А. 2С522А. 2С524А, 2С527А.
2С530А, 2С536А, не более 20мкА
Дифференциальное сопротивление, нс более:
при 298 К. /ст = 1 мА
2С482А, КС482А, 2C5I0A, КС510Л. 2С512А, КС512А, 2С515А. КС515А, 2C5I8A, КС518А, 2С522А, КС522А. 2С524А. 2С527А. КС527А, 2С530А 200Ом
2С536А 240Ом
при 298 К, /С1 = 5 мА
2С482А, КС482А. 2C5I0A, КС510А, 2C5I2A, КС512А, 2С515А.КС515А,2C5I8A.
КС518А,2С522А, КС522Л 2 5Ом
2С524А 30Ом
2С527А,КС527А 40Ом
2С530А 45Ом
2С536А.С 50Ом
при 213 К, /ст = 5 мА
'2С482А. 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А, 2С522А, КС482А, КС510А, КС512А. КС515А. КС518А.КС522А 50Ом
2С524А 60Ом
2С527А,КС527А 80Ом
2С53ОА 90Ом
2С536А 100Ом
при 373 К, /ст = 5 мА
КС482А.КС510А,КС512А.КС515А,
КС518А, КС522Л 50 Ом
КС527Л 65 Ом
при 398 К, 7СТ = 5 мА
2С482А, 2С510А, 2С512А. 2C5I5A, 2С518А,
2С522А, 2С524А 50Ом
2С527А 65Ом
2С530А 70Ом
2С536А 75Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 1МД
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К 2С482А96мА
2С51ОА79мА
2С512А67Ом
2С515А53мА
2С518А45мА
2С522А37мА
2С524А33мА
2С527А30мА
2С530А27мА
2С536А-23мА
or 213 до 323 К КС482А 96мА
КС510А79мА
КС512А67мА
КС515А53мА
КС518А45мА
КС522А37мА
КС527А 30мА
при 373 К КС482А20мА
КС510А 16мА
КС512А 14мА
КС515А 11мА
КС518А 9мА
КС522А7.5мА
КС527А 6мА
при 398 К 2С482А20мА
2С510А 16мА
2С512А 14мА
20515А 11мА
2C5I8A 9мА
2С522А7,5мА
2С524А 7мА
2С527А 6мА
2С530А5,5мА
2С536А 5мА
от 213 до 308 К при р = 665 Па 2С482А 48мА
2С510А39.5мА
2С512А33,5мА
2С515А26,5 мА
2С518А22,5мА
2С522А18,5мА
2С524А16,5мА
2С527А 15мА
2С530А13,5мА
2С536А11,5мА
при 398 К, р = 665 Па 2С482А 10мА
2C5I0A 8мА
2С512А 7мА
2С515А5,5мА
2С518А4,5мА
2С522Л3,8мА
2С524А3,5мА
2С527А 3мА
2С530А2,7мА
2С536А2,5мА
Рассеиваемая мощносгь при 1емпературе:
от 213 до 308 К для 2С482А. 2C5I0A. 2C5I2A.
2С515А.2С518А.2С522А.2С527А,2С530А.
2С536А 1Вт
от 213 до 323 К для КС482А. КС510А. КС512Л. КС515А. KC5I8A, КС522А. КС527А . .1 Вт
при 373 К для КС482А, КС510А. КС512А.
КС515А. КС518А. КС522А. КС527А 0.2Bi
при 398 К для 2С482А, 205 ЮА. 20512А, 20515А.
2С518А.2С522А.2С524А.2С527А,2С530А.
2С536А0.2Вт
от 213 до 308 К. при р = 665 Па для 20482А.
2С51ОА, 2С512А. 2С515А. 2С518А, 2С522А, 2С524А.
2С527А. 2С530А, 2С536Л 0.5Вт
при 398 К. р = 665 Па для 2С482А, 205 ЮА.
2С512А. 2O5I5A. 2С518А. 2С522А. 2О524А. 2О527А.
2С530А. 2С536А0.] В г
Температура окружающей среды:
2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А. 2С518А, 2С522А
2С524А, 2С527А, 2С53ОА, 2С536АОт 213
до 398 К
КС482А. КС510А, КС512А, КС515А. КС518А
КС522А, КС527А’От 213
До 373 К
Температура перехода* для 2С482А. 2С51ОА, 2С512А, 2C5I5A, 2С518А, 2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530а’ 2С536А 423К
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
КС533А
Стабилитрон кремниевый диффузионный.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 0.3 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное .при 298 К, /С1 = 10 мА зз в
Разброс напряжения стабилизации при 298 К. /С1 = 10 мАОт 29,7
до 36.3 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации. не более0,1 "JK
Постоянное прямое напряжение при /г.р = 50 мА. не более 1 В
Дифференциальное сопротивление при 298 К, це более:
ПРИ С. = 3 мА100 Ом
при /ст = 10 мА 40 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3мАМинимальный ток стабилизации 3мАМаксимальный ток стабилизации при температуре: от 233 до 323 К 17мЛпри 358 К 10мАОдноразовая перетрузка по току стабилизации в течение 1с 20мАМаксимальный ток стабилизации при температуре: от 233 до 323 К 17мЛпри 358 К 10мАОдноразовая перетрузка по току стабилизации в течение 1с 20мА
Минимальный ток стабилизации 3мА
Минимальный ток стабилизации 3мА
Максимальный ток стабилизации при температуре: от 233 до 323 К 17мЛ
при 358 К 10мА
Одноразовая перетрузка по току стабилизации в течение 1с 20мА
Максимальный ток стабилизации при температуре: от 233 до 323 К 17мЛ
при 358 К 10мА
Одноразовая перетрузка по току стабилизации в течение 1с 20мА
2С551А, КС551А, 2С591А, КС591А, 2С600А, КС600А
С1 абилитроны кремниевые планарные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса стабилитрона нс более I г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К.
/ст = 1.5 мА: 2С551А, КС551А 51В
2C59IA, КС591А 91В
2С600А. КС600А 100В
Разброс напряжения стабилизации при /ст = 1.5 мА:
при 303 К 2С551А, КС551АОт48 до 54 В
г '
2С591А,КС591АОт86до96В
2С600А,КС600АОт95до105В
при 213 К
2C55IAОт42до54В
2С591АОт76до96В
2С600АОт84 до 105 В
при 398 К 2С551АОт48 до61В
20 591АОт86 до107В
2С600АОт95 до117В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К для 2C55IA, 2С591А, 2С600А, не более . . .±0,12%/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации для 2С551А, 2С591А, 2С6ООА + 1,5
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /г|р = — 50 мА для 2С551А,2С591А. 2С600А,
не более 1В
Постоянный обратный ток* при 298 К, 6/о6р = = 0,7С’ет,„ом для 2С551А. 2С591А. 2С600А, не более 5 мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, /ст = 1,5 мА
2С551А,KC55IA 200Ом
2С591А.КС591А 400Ом
2С6ООА.КС600А 450Ом
при 213 К, /ст = 1,5 мА 2С551А 260Ом
2С591А 520Ом
2С600А 600Ом
при 398 К, /ст= 1.5 мА и 298 К, /С| = 1 мА
2С551А 300Ом
2С591Л 600Ом
2С600А 700Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 1мА
Максимальный ток стабилизации при температуре от
213 до 30S К
2С551А, КС551А14,6мА
2С591А, КС591А 8,8мА
2С600А, КС600А 8,1мА
при 398 К
2С551А3.4мА
2С591А 1,9мА
2С600А1,6мА
от 213 до 308 К. при р = 665 Па
2С551А9,1мА
2С591А5.5мА
I
01,5 3,0 4,5 6,С 7,5 9,0мА01,5 3,0 4,5 6,С 7,5 9,0мА
01,5 3,0 4,5 6,С 7,5 9,0мА
01,5 3,0 4,5 6,С 7,5 9,0мА
2С600А5.0 мА
при 398 К, р = 665 Па 2С551А 2 мА
2С591А, 2С600А I мА
Постоянный прямой ток . . .50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К" 1Вт
при 398 К для 2C55IA, 2C59IA, 2С600А . . . .0.2 Вт
от 213 до 308 К. при р = 665 Па для 2C55IA,
2С591А, 2С600А0.62 Вт
при р = 665 Па, Т = 398 К для 2С551А, 2С591А.
2С600А0,12 Вт
Температура окружающей средыОт 213
"до 398 К
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
КС620А, КС620АП, КС630А, КС630АП, КС650А,КС650АП, КС680А, КС680АП
Стабилитроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора укатывается на корпусе. У стабилитронов, в обозначении типа которых отсутствует буква П, корпус является
отрицательным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначении буквы П, полярность обратная.
Масса стабилитрона не более 6 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К:
ПРИ 4т.ном = 50 мА КС620А, КС620АП 120В
КС630А, КС63ОАП 130В
ПРИ 4т,яом = 25 мА: КС650А, КС650АП 150В
КС680А, КС680АП isoВ
Разброс напряжения стабилизации при 298 К, /ст = “ ^ет.ном +1 5 ° о
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до 343 К. не более + 0,2 °0/К
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /пр = 500 мА. нс более 1.5В
Постоянный обратный ток при 298 К, Ц1бр = = Одеоном, не более0,5мА
Дифференциальное сопротивление, не более: при 298 К, 4, =
КС620А, КС620АП150Ом
КС630А, КС630АП180Ом
КС650А, КС650АП 255Ом
КС680А. КС680АП 330Ом
при 213, 298 и 373 Кт /сл = 5 мА КС620А. КС620АП 1000Ом
КС630А. КС630АП1600Ом
при 213. 298 и 373 К. /ст = 2.5 мА КС650А, КС650АП 2400Ом
КС680А. КС680АП 3000Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации:
КС620А, КС620АП, КС630А. КС63ОАП . . . .5 мА
КС650А, КС650АП, КС680А. КС680АП . . . . 2.5 мА
Максимальный ток стабилизации при 1емпературе
корпуса:
от 213 до 343 К
КС620А, КС620АП .. . .42 мА
КС630А, КС630АП38мА
КС650А, КС650АП33мА
КС68ОА. КС680АП .. .28 мА
при 373 К КС620А,КС620АП 16мА
КС630А,КС630АП 15мА
КС650А,КС650АП 13мА
КС680А,КС680АП 11мА
Постоянный прямой ток IА
КС620А, КС620АП 84мАКС620А, КС620АП 84мАПерегрузка по току стабилизации в течение 1 с:
КС620А, КС620АП 84мА
КС620А, КС620АП 84мА
76 мА66 мА56 мА5 Вт2 ВтОт 213до 373 К76 мА66 мА56 мА5 Вт2 ВтОт 213до 373 ККС630А, КС630АП
76 мА66 мА56 мА
5 Вт
2 ВтОт 213до 373 К
76 мА66 мА56 мА
5 Вт
2 ВтОт 213до 373 К
КС650А, КС650АП
КС680А, КС680АП
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса: от 213 до 343 К
при 373 К
Температура корпуса
Зависимое, ь среднего темпера-турного коэффициента напря-жения стабилизации от тока.
2С920А, 2С920АП, 2С930А, 2С930АП, 2С950А,2С950АП, 2С980А, 2С980АП
Стабилитроны кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается
на корпусе. У стабилитронов, в обозначении типа которых отсутствует буква П. корпус является отрицательным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначении букву П. полярность обратная.
Масса стабилитрона не более 6 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К:
при /СТ1ном = 50 мА 2С920А. 2С920АП 120В
2С930А. 2С930АП 130В
при /ст,ном = 25 мА 2С950А. 2С950АП 150В
2С980А, 2С980АП . . . 180В
Разброс напряжения стабилизации при 298 К,
СТ1С Г-НОМ-
2С920А. 2С920АПОт108 до 132 В
2С930А. 2С930АПОг 117 до 143 В
2С950А, 2С950АПОт136 до 164 В
2С980А. 2С980АПОт162 до 198 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до
393 К, не более + 0. i6”0/K
Временная нестабильность напряжения стабилизации, не более 4°п
Постоянное прямое напряжение при 298 К. /по = = 500 мА. не более 1,5В
Постоянное обратное напряжение при 298 К,
/Обр = 0,2 мА. не более:
2С920А, 2С920АП 84В
2С930А, 2С930АП 91в
2С950А. 2С950АП Ю5В
2С980А, 2С980АП 126В
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, /ст /ст.ном
2С920А, 2С920АП ..100 Ом
2С930А. 2С930АП 120Ом
2С950А. 2С950АП 170Ом
2С980А. 2С980АП .. .220 Ом
при 298 К. /С1 = 5 мА
2С920А. 2С920АП 500Ом
2С930А, 2С930АП 800Ом
при 298 К, /Ст = 2,5 мА
2С950А. 2С950АП ..1200 Ом
2С980А, 2С980АП 1500Ом
при 213 и 393 К, /ст = 5 мА
2С920А. 2С920АП 1000Ом
2С930А, 2С930АП 1600Ом
при 213 и 393 К, /ст = 2,5 мА
2С950А. 2С950АП 2400Ом
2С980А, 2С980АП 3000Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации:
2С920А. 2С920АП. 2С930А, 2С930АП 5мА
2С950А. 2С950АП, 2С980А. 2С980АП2.5мА
Максимальный ток стабилизации при температуре корпуса :
от 213 до 348 К
2С920А. 2С920АП42мА
2С930А. 2С930АП 38мА
2С950А. 2С950АП33мА
2С980А. 2С980АП28мА
при 403 К 2С920А. 2С920АП 16мА
2С930А, 2С930АП 15мА
2С950А, 2С950АП 13мА
2С980А, 2С980АП 11мА
Постоянный прямой гок 1А
Перегрузка по току стабилизации в течение 1 с при температуре корпуса:
от 213 до 348 К
2С920А, 2С920АП84мА
2С930А. 2С930АП76мА
2С950А. 2С950АП66мА
2С980А, 2С980АП56мА
при 403 К 2С920А. 2С920АП 32мА
2С930А. 2С930АП30мА
2С950А. 2С950АП26мА
2С980А. 2С980АП22мА
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса:
от 213 до 348 К 5Вт
при 403 К 2Вт
Температура корпуса максимальная 403К
Температура окружающейсредыминимальная . . . .213К
Температура перехода 413К
10 20 30 4 0 50мА10 20 30 4 0 50мА1,209204 |- . -1209304 j! 209504 ।' ZC9804 ]1,209204 |- . -1209304 j! 209504 ।' ZC9804 ]Зависимое। ь дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимое। ь дифференциально-го сопротивления от тока.ОмЧОО
10 20 30 4 0 50мА
10 20 30 4 0 50мА
1,209204 |
- . -1209304 j
! 209504 ।
' ZC9804 ]
1,209204 |
- . -1209304 j
! 209504 ।
' ZC9804 ]
Зависимое। ь дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимое। ь дифференциально-го сопротивления от тока.
300 г за
100
о
11.2. СТАБИЛИТРОНЫ ПРЕЦИЗИОННЫЕ
Д818А, Д818Б, Д818В, Д818Г, Д818Д, Д818Е
Стабилитроны кремниевые диффузионно-сплавные прецизионные. Предназначены для применения в качестве источника опорного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, /ст = 10 мА
Разброс напряжения стабилизации при 298 К, /ст = 10 мА:
Д818А. не более
Д818Б. не хуже
Д818В
Д818Г, Д818Д, Д818Е
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К:
Д818А, не более
Д818Б, не хуже
Д818В . . '
Д818Г
Д818Д
Д818Е
Температурный уход напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К:
Д818А. не более
Д818Б, не хуже
Д818В
Д818Г
Д818Д
Д818Е
Временная нестабильность напряжения стабилизации :
Д818А
9 В
+ 15%, -15%
±Ю%
+ 0.020 %/К - 0,020 %/К ±0.01 ”%К ±0.005 %/К + 0.002 %/К ±0,001 %/К
+ 320 мВ-320 мВ+ 160 мВ±80 мВ±32 мВ
± 16 мВ
±0.11 %
Д818Б ±0,13%
Д818В, Д818Г, Д818Д. Д818Е . . .±-0,12%
Дифференциальное сопротивление, не более:
при213и 298 К, /ст =10 мА . . .18Ом
при398К, /ст = 10 мА 25Ом
при298К, /„ = 3 мА 70Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К 33мА
при 398 К 11мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К 300мВт
при 398 К100мВт
Температура окружающей средыОт213 до
'398 К
Температура перехода 398К
Зависимость среднего температурною коэффициента напряжения стабилизации от тока.
Зависимость среднего температурного коэффициента напряжения стабилизации от тока.
Зависимость ухода напряжениястабилизации от тока.
г
Зависимость дифференциально
го сопротивления от темпера
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
туры.
±0.005 ° „/К±0.01 “„/К±0.005 ° „/К±0.01 “„/К±60 мВ± 120 мВ±60 мВ± 120 мВ
±0.005 ° „/К±0.01 “„/К
±0.005 ° „/К±0.01 “„/К
±60 мВ
± 120 мВ
±60 мВ
± 120 мВ
2С164М-1, 2С168М-1
Стабилитроны кремниевые планарные прецизионные. Предназначены для применения в качестве источника опорного напряжения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусныс с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора указывается на индивидуальной таре.
Масса стабилитрона не более 0,01 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации поминальное при
298 К, 7СТ = 1.5 мА: 2С164М-1 6,4В
2С168М-1 6.8В
Разброс напряжения стабилизации при тем
пературе от 213 до 398 К. Тт = 1.5 мА:
2С164М-1 От6 до 6,7 В
2C168M-I От6,4 до 7,1 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К:
2C164M-I
2С168М-1
Температурный уход напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К: 2C164M-I . . '
2С168М-1
Временная нестабильность напряжения стабилизации Дифференциальное сопротивление при /ст =
= 1.5 мА, не более:
при 213 и 298 К
при 398 К
Спектральная плотность шума при /ст = = 1,5 мА, не более . . .
±0.5 %
120 Ом
150 Ом
0,5 мкВ/|/Гп
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации0.5мА
Максимальный ток стабилизации при температуре: от 213 до 308 К".. . .3 мА
при 398 К1.5мА
Рассеиваемая мощность при температуре: от 213 до 308 К20мВт
при 398 К
Тепловое сопротивление общее * Te.Mnepaiypa окружающей среды
10 мВт
Зависимость дифференциально-
1300 К/В1
01 213 до
Зависимость дифференциально
го сопротивления оз тока.
Зависимость дифференциального сопротивления от aacioibi.
разовой нагрузки oi дли гель-
нос пг импульса.
2С191М, 2С191Н, 2С191П, 2С191Р, КС191М, КС191Н,КС191П, КС191Р
Стабилитроны кремниевые эпитаксиальные прецизионные. Предназначены для применения в качестве источника опорного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
9.1 В±5 %9.1 В±5 %±0.005 + /К±0,002 °//К+ 0.001 %/К±0.0005 %/К± 0,005 °VK ±0.002 %/К ±0,001 °ук ±0,0005 ° „/К±0.005 + /К±0,002 °//К+ 0.001 %/К±0.0005 %/К± 0,005 °VK ±0.002 %/К ±0,001 °ук ±0,0005 ° „/К±90мВ±36мВ± 18мВ±9мВ±55мВ+ 22мВ±ИмВ±6мВ±90мВ±36мВ± 18мВ±9мВ±55мВ+ 22мВ±ИмВ±6мВ
9.1 В
±5 %
9.1 В
±5 %
±0.005 + /К±0,002 °//К+ 0.001 %/К±0.0005 %/К
± 0,005 °VK ±0.002 %/К ±0,001 °ук ±0,0005 ° „/К
±0.005 + /К±0,002 °//К+ 0.001 %/К±0.0005 %/К
± 0,005 °VK ±0.002 %/К ±0,001 °ук ±0,0005 ° „/К
±90
мВ
±36
мВ
± 18
мВ
±9
мВ
±55
мВ
+ 22
мВ
±И
мВ
±6
мВ
±90
мВ
±36
мВ
± 18
мВ
±9
мВ
±55
мВ
+ 22
мВ
±И
мВ
±6
мВ
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К. /с1 = 10 мА
Разброс напряжения стабилизации при 298 К, 1СТ = 10 мА
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре:
от 213 до 393 К
2С191М
2С191Н
2С191П
2С191Р
от 213 до 333 К
КС191М
КС191Н
КС191П
КС191Р
Температурный уход напряжения стабилизации при температуре:
от 213 до 393 К
2С191М
2С191Н
2С191П
2С191Р
ci 213 до 333 К
КС191М
КС191Н
КС191П
КС191Р
Временная нестабильность напряжения стабилизации за 5000 ч в установившемся тепловом режиме при /сг = + 0.0005 мА для КС191М, КС191Н, КС19Ш, КС191Р . . .+ 0.5 мВ
Временная нестабильность напряжения стабилизации для 2С191М. 2С191Н. 2С191П. 2С191Р:
при /С1 = 10 мА за 5 000 ч и температуре
от 213 до 333 К + 0.5 мВ
от 213 до 398 К ±2мВ
в установившемся тепловом режиме при 7С,' = ±0.0005 мА, Токр = ±0.15 К*, не
более
через 2 ч после включения за1 ч 0.001%
за8 ч 0.002
через I ч после включения за1 ч 0,002
за8 ч 0,003%
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К. /tr = 10 мА
2С191М,2С191Н,2С191П.2С191Р15Ом
КС191М,КС191Н,КС191П,КС191Р18Ом
при 298 К. /С1 = 5 мА
2С191М.2С191Н.2С191П.2CI91P30Ом
КС191М,КС191Н,КС191П,КС191Р39Ом
при 213 К, /ст = 10 мА
2С191М,2С191Н.2С191П.2С191Р15Ом
КС191М,КС191Н,КС191П,КС191Р18Ом
при 398 К, /ст=10 мА для 2С191М. 2С191Н, 2С191П, 2С191Р 25Ом
при 373 К, /ст = 10 мА для КС191М, КС191Н. КС191П, КС191Р 25Ом
Время выхода на режим *. не более . . .30 мин
Предельные эксплуатационные данные Минимальный ток стабилизации 5мА
Максимальный ток стабилизации при температуре;
от 213 до 333 К 15мА
при 373 К для КС191М, КС191Н. КС191П, КС191Р 10 мА при 398 К для 2С191М. 2С191Н, 2С191П. 2С191Р 10 мА в аварийном режиме в течение 1 мин в диапазоне
рабочей температуры20мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 333 К150 мВт
при 373 К для КС191М. КС191Н. КС191П, КС191Р 100 mBi при 398 К для 2С191М.2C19IH.2С191П.
2CI91PЮОмВт
Тепловое сопротивление общее для КС191М, КС191Н,
КС191П, КС191Р, не более100К/Вт
$
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.Зависимость дифференциального сопротивления от тока.У стУ ст1ст=10мА1ст=10мА22191 М22191 М213 2,43 273 303 333 363 333 423 К213 2,43 273 303 333 363 333 423 К2С1Э1Н2С191П2С131Р2С131П2С191Н2С1Э1Н2С191П2С131Р2С131П2С191Нгс191мгс191м
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
У ст
У ст
1ст=10мА
1ст=10мА
22191 М
22191 М
213 2,43 273 303 333 363 333 423 К
213 2,43 273 303 333 363 333 423 К
2С1Э1Н
2С191П
2С131Р
2С131П
2С191Н
2С1Э1Н
2С191П
2С131Р
2С131П
2С191Н
гс191м
гс191м
Температура окружающей среды: 2С191М, 2С191Н. 2С19Ш. 2С191РОт213 до
398 К
КС191М. КС191Н. КС191П. КС191РОт213 до
373 К
Температура перехода: 2С191М, 2С191Н, 2С191П, 2С191Р 408к
КС191М. КС191Н, КС191П, КС191Р* 383К
Ом 20
15
10
5
О
Зависимость среднего температурно-। о коэффициента напряжения стабили-зации ОТ тока.
Зависимость дифференциального сопротивления от температуры.Зависимость дифференциального сопротивления от температуры.Зона возможных положений зависимости ухода напряжения стабилизации от температуры.
Зависимость дифференциального сопротивления от температуры.
Зависимость дифференциального сопротивления от температуры.
2С191С, 2С191Т, 2С191У, 2С191Ф, КС191С, КС191Т,КС191У, КС191Ф
Стабилитроны кремниевые эпитаксиальные прецизионные. Предназначены для применения в качестве источника опорного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся иа корпусе. Масса стабилитрона не более 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К. /ст = 10 мА
Разброс напряжения стабилизации при 298 К, /ст = 10 мА
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре:
от 213 до 393 К
2С191С
2С191Т
2С191У
2С191Ф
от 213 до 333 К
КС191С
КС191Т
КС191У
КС191Ф
Температурный уход напряжения стабилизации при температуре:
от 213 до 393 К
2С191С
2С191Т
2С191У
2С191Ф
or 213 до 333 К
КС191С
КС191Т
КС191У
КС191Ф
Временная нестабильность напряжения стабилизации при /ст — 10 мА для 2С191С. 2С191Т. 2С191У, 2С191Ф:
за 2 000 ч
за 8 ч. не более
Временная нестабильность напряжения стабилизации за 2000 ч при 7" = ±0.2 К. /С1 = +0.005 мА для KC19IC. КС191Т.
КС191У. КС191Ф
Дифференциальное сопротивление, не более: при 298 К. /сг = 3 мА при 298 К, /ст = 10 мА
9,1 В
±5 "о
±0,005 "у К±0,0025 %/К
±0,001 °//к+ 0,0005 %'К
± 0,005 "„/К+ 0,0025 + /К±0,001 %/К±0,0005 %; К
+ 90
мВ
±45
мВ
±18
мВ
±9 мВ
+ 56 мВ ±28 мВ ± 11 мВ
±6 мВ
±2 мВ 0.005
+ 2 мВ
70 Ом
18 Ом
при 213 К, /ст = 10 мА 18Ом
при 373 К, /ст = 10 мА для КС191С, КС191Т, КС191У, КС191Ф 25Ом
при 398 К. /С1 = 10 мА для 2С191С, 2С191Т. 2С191У, 2С191Ф 25Ом
Время выхода на режим * с временной стабильностью напряжения стабилизации 0,02 % за 2000 ч для 2С191С, 2С191Т, 2С191У. 2С191Ф От 5 до 20 мин
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3 мд
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 333 К для 2С191С, 2С191Т, 2С191У, 2С191Ф20мА
от 213 до 323 К для КС191С. КС191Т. КС191У.
КС191Ф20мА
при 398Кдля 2С191С.2С191Т,2С191У,2С191Ф11мА
при 373К для КС191С,КС191Т.КС191У,КС191Ф11мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 333 К для 2С191С, 2С191Т. 2С191У, 2С191Ф 200мВт
от 213 до 323 К для КС191С, КС191Т. КС191У, КС191Ф 200мВт
при 373 К для КС191С, КС191Т. КС191У. КС191Ф 100 мВт при 398 К для 2С191С. 2С191Т. 2С191У, 2С191Ф 100 мВт Температура окружающей среды:
2С191С, 2С191Т, 2С191У, 2С191ФОт213 до
398 К
КС191С. 2С191Т, 2С191У. 2С191ФОт213 до
373 К
Температура перехода для 2С191С. 2С191Т. 2С191У. 2С191Ф 408К
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
Зависимость среднего 1емпера|урного коэффициента напряжения стабилизации от тока.
ИЗ 143 113 303 333 363 3 33 413 к
Зависимость дифференциаль-ного сопротивления от тем-пературы.
Зона возможных положений зависи-мости ухода напряжения стабилиза-ции от температуры.
КС211Б, КС211В, КС211Г, КС211Д
Стабилитроны кремниевые сплавные прецизионные. Предназначены для применения в качестве источника опорного напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 13 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, ZCT = 10 мА
Разброс напряжения стабилизации при 7И - = 10 мА:
при 298 К
КС211Б
КС211В
КС211Г. КС211Д
при 213 и 398 К
КС211Б
КС211В
КС211Г, КС211Д
И в
От 11 до 12.6 В
От 9.3 до 11 В
От 9,9 до 12.1 В
От 11 до 13,2 В
От 8,8 до 11 В
От 9,35 до 12,65 В
+ 0,02 °0/К-0.02 ° 0/К±0,01 VK±0,005 °,0/К+ 0,02 °0/К-0.02 ° 0/К±0,01 VK±0,005 °,0/К30 Ом15 Ом30 Ом15 ОмЗависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
+ 0,02 °0/К-0.02 ° 0/К±0,01 VK±0,005 °,0/К
+ 0,02 °0/К-0.02 ° 0/К±0,01 VK±0,005 °,0/К
30 Ом
15 Ом
30 Ом
15 Ом
Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.
Зависимость среднего температур-ного коэффициента напряжения ста-билизации от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации:
КС211Б, не более
КС211В, не луже
КС211Г .
КС211Д
Дифференциальное сопротивление при 298 К. не более:
при 7=5 мА
при ZCT = 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 5мА
Максимальный ток стабилизации:
от 213 до 298 К 33мА
при 398 К 8мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К 280мВт
при 398 К 70мВт
Температура окружающей среды От213 до
398 К
КС520В, КС531В, КС547В, КС568В. КС596В
Стабилитроны кремниевые диффузионно-сплавные прецизионные. Предназначены для применения в качестве источников опорного напряжения.
Выпускаются в пластмассовых корпусах с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса стабилитронов КС520В. КС531В. КС547В нс более 0,8 г. КС568В, КС596В — не более L3 г.
II
I
I
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К:
при /сг = 5 мА КС520В 20В
КС547В 47В
КС568В 68В
КС596В 96В
при Zcl = 10 мА для КС531В . . . .31В
Разброс напряжения стабилизации:
при 298 К, /сг = 5 мА КС520В От 19 до 21 В
КС547ВОт44,65 до 49,35 В
КС568В От 64,6 до 71,4 В
КС596ВОт 91,2 до 100,8 В
при 298 К, /С| = 10 мА для КС531В От 29,45 до 32,55 В при 373 К, /С1 = 5 мА
КС520В От18,8 до 21.2 В
КС547ВОт44,25 до 49,75 В
КС568В От 64.1 до 71,9 В
КС596ВОт 90.4 до 101,5 В
при 373 К, /с, = 10 мА для КС531В От 29.33 до 32,67 В
Средний темпера 1урный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 328 до 373 К:
КС520В. КС547В. КС568В, КС596В + 0.001 "„/К
КС531В + 0.005 "„ К
Дифференциальное сопротивление при 298 К, не более:
при /сг = 3 мА КС520В 210Ом
КС531В 350Ом
КС547В 490Ом
КС568В 700Ом
КС596В 980Ом
при /ст = 5 мА КС520В 120Ом
КС547В 280Ом
КС568В 400 В
КС596В 560Ом
при /ст = 10 мА для КС531В , . . .50Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальныйтокстабилизации 3мд
Максимальный ток стабилизации:
КС52ОВ22мА
КС531В 15мА
КС547В,КС568В 10мА
КС596В 7мА
Рассеиваемая мощность при температуре от 218 до
323 К:
КС520В. КС5 31В. КС547В 500мВт
КС568В. КС596В 720мВт
Температура окружающей средыОт218 до
373 К
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
Зависимость среднего температурного коэффициента напря
жения стабилизации от тока.
577577
577
577
СТАБИЛИТРОНЫ ИМПУЛЬСНЫЕ
2С168К-1, 2С175К-1, 2С182К-1, 2С191К-1, 2С210К-1,
2С211К-1, 2С212К-1
Стабили фоны кремниевые планарные импульсные. Предназначены для стабилизации постоянного и импульсного напряжения и ог раничения импульсов напряжения при токе не менее 0,5 мА в герметизированной аппаратуре.
Бескориусные с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора указывается на ярлыке, помещаемом в индивидуальную г ару.
Масса стабилитрона не более 0,01 г.
19 под ред. Н. Н. Горюнова
6,8 В7,5 В8,2 В9,1 В 10 В 11 В 12 В6,8 В7,5 В8,2 В9,1 В 10 В 11 В 12 ВОт6,46ДО7,14ВОт7,13до7,88ВОт7.79до8,61ВОт8,65до9,56вОт' 9,5ДО10,5вОт10,45до11,55I вОт11,4до12.6вОт6,16до7,14вОт6,69до7,88вОт7,24ДО8.61вОт 8 до 9,56 ВОт8,7ДО10,5вОт9,52до11.55вОт10.38до12,6вОт6,46до7,49вОт7,13ДО8,39вОт7,79до9,25вОт8,65до10,32вОт9,5 ,чо11,44вОт :10,45до12,641 вОт11.4До13,79вОт6,46ДО7,14ВОт7,13до7,88ВОт7.79до8,61ВОт8,65до9,56вОт' 9,5ДО10,5вОт10,45до11,55I вОт11,4до12.6вОт6,16до7,14вОт6,69до7,88вОт7,24ДО8.61вОт 8 до 9,56 ВОт8,7ДО10,5вОт9,52до11.55вОт10.38до12,6вОт6,46до7,49вОт7,13ДО8,39вОт7,79до9,25вОт8,65до10,32вОт9,5 ,чо11,44вОт :10,45до12,641 вОт11.4До13,79в0,05 %/К0,065 %/К0,075 %/К0,08 %/К0,09 %/К0.095 %/К+ 1,5%50 мкА0,05 %/К0,065 %/К0,075 %/К0,08 %/К0,09 %/К0.095 %/К+ 1,5%50 мкА
6,8 В
7,5 В
8,2 В
9,1 В 10 В 11 В 12 В
6,8 В
7,5 В
8,2 В
9,1 В 10 В 11 В 12 В
От
6,46
ДО
7,14
В
От
7,13
до
7,88
В
От
7.79
до
8,61
В
От
8,65
до
9,56
в
От
' 9,5
ДО
10,5
в
От
10,45
до
11,55
I в
От
11,4
до
12.6
в
От
6,16
до
7,14
в
От
6,69
до
7,88
в
От
7,24
ДО
8.61
в
От 8 до 9,56 В
От
8,7
ДО
10,5
в
От
9,52
до
11.55
в
От
10.38
до
12,6
в
От
6,46
до
7,49
в
От
7,13
ДО
8,39
в
От
7,79
до
9,25
в
От
8,65
до
10,32
в
От
9,5 ,
чо
11,44
в
От :
10,45
до
12,64
1 в
От
11.4
До
13,79
в
От
6,46
ДО
7,14
В
От
7,13
до
7,88
В
От
7.79
до
8,61
В
От
8,65
до
9,56
в
От
' 9,5
ДО
10,5
в
От
10,45
до
11,55
I в
От
11,4
до
12.6
в
От
6,16
до
7,14
в
От
6,69
до
7,88
в
От
7,24
ДО
8.61
в
От 8 до 9,56 В
От
8,7
ДО
10,5
в
От
9,52
до
11.55
в
От
10.38
до
12,6
в
От
6,46
до
7,49
в
От
7,13
ДО
8,39
в
От
7,79
до
9,25
в
От
8,65
до
10,32
в
От
9,5 ,
чо
11,44
в
От :
10,45
до
12,64
1 в
От
11.4
До
13,79
в
0,05 %/К0,065 %/К0,075 %/К0,08 %/К0,09 %/К0.095 %/К
+ 1,5%
50 мкА
0,05 %/К0,065 %/К0,075 %/К0,08 %/К0,09 %/К0.095 %/К
+ 1,5%
50 мкА
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, ZCT = 0,5 мА:
2С168К-1
2С175К-]
2C182K-I 2С191К-1 2С210К-1 2С211К-1 2С212К-1 Разброс напряжения стабилизации при /ст = 0,5 мА:
при 298 К
2С168К-1
2С175К-1
2С182К-1
2С191К-1 2С210К-1 2С211К-1 2С212К-1
при 213 К
2С168К-1
2С175К-1
2С182К-1
2С191К-1
2С210К-1 2С211К-1 2С212К-1
при 398 К
2С168К-1
2С175К-1 2С182К-1 2С191К-1 2С210К-1
2С211К-1
2С212К-1
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 213 до 398 К, не более:
2С168К-1
2С175К-1
2С182К-1
2С191К-1 2С21ОК-1
2С211К-1, 2С212К-1
Временная нестабильность напряжения стабилизации
Постоянный обратный ток при 298 К, не более
при обратном напряжении:
для 2С168К-1 4,8В
2С175К-1 5,3В
2С182К-1 5,7В
2С191К-1 6,4В
2С210К-1 7В
2С211К-1 7,7В
2С212К-1 8,4В
Дифференциальное сопротивление при 1СТ =
0,5 мА, не более:
при 213 и 298 К 220Ом
при 398 К 300Ом
Общая емкость при С/обр = 0,1 В, не более15 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 0,5мА
Максимальный постоянный ток стабилизации при 1 емпературе:
от 213 до 308 К 2С168К-1 2,94мА
2CI75K-1 2,66мА
2С182К-1 2,44мА
2С191К-1 2,2мА
2С210К-1 2мА
2С211К-1 1,8мА
2С212К-1 1,7мА
при 398 К 2С168К-1 0,88мА
2С175К-1 0,8мА
2С182К-1 0,73мА
2С191К-1 0,66мА
2С210К-1 0,6мА
2С211К-1, 2С212К-1 0,55мА
Максимальный импульсный ток стабилизации при ти < 10 мкс и температуре:
от 213 до 308 К
приQ = 100 30мА
при2=10 10мА
при 398 К
приQ = 100 10мА
при2=10 5мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К 20 мВт
при 398 К 6,6 мВт
от 213 до 308 К и кратковременной
работе (до 100 ч) 33 мВт
Тепловое сопротивление общее* . . . .3000 К/Вт
Температура окружающей среды . . . .От 213 до 398 К
I asp, и, макс
го
168 К-1
182 К-1
175 К-1
10
20191 К-1 10 210 К-1 ZCZ11 К-1 ZCZ1ZK-1
0 = 100
а=ю х
т
293 313 333 353 373 393 413 К
О 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5м&
Зависимость импульсного обратного тока от температуры.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
2С175Е, КС175Е, 2С182Е, КС182Е, 2С191Е, КС191Е,
2С210Е, КС210Е, 2С211Е, КС211Е, 2С212Е, КС212Е,
2С213Е, КС213Е
Стабилитроны кремниевые планарные импульсные. Предназначены для применения в схемах стабилизации постоянного и импульсного напряжения и ограничения импульсов напряжения с длительностью фронта не менее 5 нс.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами (2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С210Е, 2С211Е, 2С212Е, 2С213Е) и металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами для стабилитронов в металлостеклянном корпусе приводится на корпусе. Стабилитроны
в стеклянном корпусе маркируются цветным кодом, в состав ко
торого входят зеленая метка на торце корпуса у вывода катодаторого входят зеленая метка на торце корпуса у вывода катода
торого входят зеленая метка на торце корпуса у вывода катода
торого входят зеленая метка на торце корпуса у вывода катода
и цвет кольцевой полосы у вывода
катода:
2С175Е, КС175Е - белый,
2С182Е, КС182Е - желтый, 2С191Е, КС191Е - голубой. 2С210Е, КС210Е — зеленый. 2С211Е, КС211Е-синий, 2С212Е,2С212Е-оран
жевый,
2С213Е, КС213Е - черный.
Масса стабилитрона не более 0,2 г в стеклянном корпусе и не более 0,7 г в металлостеклянном корпусе.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 303 К, /ст = 5 мА:
2С175Е,КС175Е 7,5 В
2С182Е.КС182Е 8,2 В
2С191Е,КС191Е 9,1 В
2С210Е,КС210Е 10 В
2С211Е,КС211Е ИВ
2C2I2E,КС212Е 12 В
2C2I3E,KC2I3E 13 В
Разброс напряжения стабилизации при /ст = 5 мА:
при 303 К 2С175Е От 7,15до 7,9 В
2С182Е От 7,8до 8,6 В
2С191Е От 8,6до 9,5 В
2С210Е От9,5до10,5В
2С211Е От10,5до11,6В
2С212Е От11,4до12,6В
2С213Е От12,4до13,7В
КС175Е От 7,1 до 7,9 В
КС182Е От 7,4 до 9 В
КС191Е От 8.6 до 9,6 В
КС210Е От 9 до 11 В
КС211Е От10,4до11,6В
КС212Е От10,8до13,2В
КС213Е От12,3до13,7В
при 213 К 2С175Е От5,9до7,9В
2С182Е От6.6до8,6В
2С191Е От7,4до9,5В
2С21ОЕ От8,3до10,5В
2С211Е От9,2до11,6В
2С212Е От10,6до12,6В
2С213Е От11,2до13,7В
при 398 К 2С175Е От 7,15 до 9,2 В
2С182Е От 7,8 до 10 В
2С191Е От8,6до 10,9В
2C2I0E От9,5до 11,8В
2С21 Ог10,5до 12,9В
2С212Е От11,4до 13,9В
2С213Е От 12,4 до 15 В
Средний температурный коэффициент напряжения стаби
лизации в рабочем диапазоне температуры, не более +0,1 °О/К Временная нестабильность напряжения стабилизации для
2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С210Е. 2С211Е. 2С212Е.
2С213Е±1,5",,
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /пр = 20 мА для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С210Е. 2С211Е, 2С212Е.
2С213Е, не более 1,5В
Постоянный обратный ток при 298 К, при обратном напряжении для 2С175Е 6 В, 2С182Е 6,5 В, 2С191Е 7 В, 2С210Е 8 В, 2С211Е 8,5 В, 2С212Е 9,5 В, 2С213Е 10 В, не более50мкА
Дифференциальное сопротивление-при /ст = 5 мА, не более: при 298 К 30Ом
при 213 К для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С21ОЕ, 2С211Е. 2С212Е. 2С213Е 30Ом
при 398 К для 2С175Е, 2С182Е. 2С191Е, 2С210Е, 2С211Е. 2С212Е. 2С213Е60Ом
Общая емкость для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С21ОЕ, 2С211Е, 2С212Е, 2С213Е, не более:
при (/обр = 0,1 В 15пФ
при 1/о6р = 5 В 7пФ
Время спада переходной характеристики* для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С21ОЕ, 2С211Е, 2C2I2E. 2С213Е, не более:
при переключении с /пр = 20 мА на предпробой- ный участок 0,8нс
при переключении с /пр = 50 мА иа предпробойный участок 0.9нс
при переключении с /пр = 50 мА на участок стабилизации, /ст = 15 ч- 100 мА 1.4нс
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3мА
Максимальный постоянный ток стабилизации при температуре: от 213 до 308 К 2С175Е20мА
2С182Е 18мА
КС175Е17мА
2СЧ91Е 16мА
2С210Е,КС182Е 15мА
2С211Е,КС191Е 14мА
2С212Е,КС210Е 13мА
2С213Е,КС211Е 12мА
КС212Е 11мА
КС213Е 10мА
при 398 К 2С175Е 13мА
2С182Е 12мА
2С191Е IIмА
2С210Е 10мА
2С211Е 9мА
2С212Е 8мА
2С213Е7,5мА
Максимальный импульсный ток стабилизации * при ти <
< 10 мкс, Q = 10 ч- 100 при температуре:
от 213 до 308 К для 2С175Е, 2С182Е. 2С191Е, 2С210Е, 2С211Е, 2С212Е, 2С213Е 200мА
при 398 К 2С175Е100мА
2С182Е,2С191Е90мА
2С210Е,2С211Е 80мА
2С212Е,2С213Е70мА
Постоянный прямой ток 20мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К:
2С175Е, 2С182Е. 2С191Е, 2С21ОЕ. 2C2UE, 2С212Е, 2С213Е150 мВт
КС175Е, КС182Е, КС191Е, КС210Е, КС211Е, КС212Е, КС213Е125 мВт
при 398 К для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С210Е,
2С211Е, 2С212Е. 2C2I3E100 мВт
Температура окружающей средыОт 213 до
398 К Температура перехода* для 2С175Е. 2С182Е, 2С191Е, 2С21ОЕ. 2С211Е. 2С212Е. 2С213Е 423 К
Зона возможных положений за-висимости дифференциальногосопротивления от тока.
Зависимость импульсного токастабилизации от длительностиимпульса.
Зависимость амплитуды одно-разовой нагрузки от длитель-ности импульса.
Хи^Ь
ДН г гс гс "гс
т-<
175Е 191Е 211Е 2С1
’98 К
, гс , гс , гс 13 Е
г 1$г е гюе Z12E
С*
О 0,г5 0,5 0,15 1,0 1,15мс
СТАБИЛИТРОНЫ ДВУХАНОДНЫЕ
2С162А, 2С168В, 2С175А, 2С182А, 2С191А, 2С210Б,2С211И, 2С212В, 2С213Б, КС162А, КС168В, КС175А,КС182А, КС191А, КС210Б, КС213Б
Стабилитроны кремниевые сплавные двуханодные. Предназначены для применения в схемах стабилизации и двухстороннего ограничения напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сталибитрона не более 0,3 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К:
ПРИ $ст = Ю мА 2С162А, КС162А 6.2В
2С168В, КС168В 6,8В
при 1„ = 5 мА: 2С175А, КС175А 7,5В
2С182А, КС182А 8,2В
2С191А, КС191А 9,1В
2С210Б, КС210Б 10В
2С211И 11В
2С212В 12В
2С213Б,КС213Б 13В
Разброс напряжения стабилизации: при 298 К, /ст = 10 мА 2С162А±0,31В
2С168В±0,34В
КС162А±0,40В
КС168В±0,50В
при 298 К, /ст = 5 мА 2С175А+ 0,37В
2С182А±0,41В
2С191А+0,45В
2С210Б, КС175А±0.5В
2С211И±0,55В
2С212В, КС182А, КС191А±0,6В
2С213Б±0,65В
КС210Б±°,7 в
КС213Б±0,9 В
при 213 К, 1П = Ю мА 2С162А От5>66до 7,13 В
2С168В От5-94Д° 7,73 В
при 213 К, /ст = 5 мА 2С175А От6,55до 8,54 В
2С182А От 7,19до 8,95 В
2С191А От7.79до 9,98 В
2С210БОт8,61до 10,92 В
2С211ИОт9,34до 12,06 В
2С212ВОт10,19 до 13,1 В
2С213БОт11,1 до 14,24 В
при 218 К, /ст = 10 мА КС162А От5,5до7,2 В
КС168В От5,8до7,9 В
при 218 К, 7Ст = 5 мА КС175А От6,5до8,6 В
КС182А От6,9до9,1 В
КС191А От7,7до 10,1 В
КС210Б От8,3до 11,1 В
КС213Б. ОтЮ,7до 14,4 В
при 373 К, 1СТ = Ю мА КС162А От5,3до6,9В
КС168В От5,8до7,9В
при 373 К, /ст = 5 мА КС175А От6,4до8,6В
КС182А От7,3до9,5В
КС191А От^’1Ю,5В
КС210Б От8,9до 11,7В
КС213Б ^т11>^до 15,4В
при 398 К, /ст - Ю мА 2С162А От5,20 до 6,74 В
2С168В От 5,8 до 7,8 В
при 398 К, /ст = 5 мА 2С175А От6,4 до 8,6 В
От7,49 до 9,4 В
ТС191А . . . • * От8,25 до 10,7 В
2С210Б От 9,12 До 11,7 В
2С211И ®т9’9$ до 13 В
2С212В От ^0,94 до 14,2 В
2С213БОт11,91 до 15,5 В
Несимметричность напряжения стабилизации, не более.
при /сг = Ю мА 2С162А°’24В
КС 162А°’25в
2С168В°’26в
КС168В°-27в
КС175А 0,3В
2С182А0,31В
КС182А0,33В
2С191А0,35В
КС191А0,36В
2С210Б0,38В
КС210Б 0,4В
2С211И0,42В
2С212В0,46В
2С213Б0,49В
КС213Б0,52В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации в рабочем диапазоне температуры:
20 62А. КС 162А, не хуже-0,06 %/К
2С168В, КС168В±0,05 "0/К
2С175А, КС175А±0,04 %/К
2С182А, не более+ 0,04 "//К
КС 182А, не более+0,05 %/К
2С191А, КС191А, 2С210Б, не более+0,06 “„/К
2С211И, КС210Б, не более+0,07 ° „/К
2С212В, 2С213Б. не более 0,075 °а/К
КС213Б, не более+ 0,08 °^'К
Временная нестабильность напряжения стабилизации:
2С162А, 2С168В. 2С175А, 2С182А, 2С191А, 2С21ОБ,
2С211И, 2С212В, 2С213Б +РО
КС162А, КС168В, КС175А. KCI82A, KC19IA,
КС210Б, КС213Б±1,5°„
Уход напряжения стабилизации после установления теплового равновесия за 5 мин, не более:
КС162А93мВ
КС168В102мВ
КС175А112,5мВ
КС182А123мВ
КС191А136,5мВ
КС210Б150мВ
КС213Б195мВ
Постоянный обратный ток при 298 К, t/O6p = = 0,8(/ст ном,не более2CI62A,КС162А0,5мА
2С168В,КС 168В0,4мА
2С175А,КС175А0,3мА
2С182А,КС182А0,1мА
2С191А,КС191А, 2С212В, 2С213Б,КС213Б. . . . 0,08мА
2С210Б,КС210Б0,06мА
2С211И0,07мА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, /ст = 10 мА
2С162А, КО 62А35Ом
2С168В, КС168В28Ом
при 298 К, /ст = 5 мА
2С175А, КС175А 16Ом
2С182А, КС182А 14Ом
2С191А, КС191А 18ом
2С210Б, КС210Б22Ом
2С211И23Ом
2С212В24Ом
2С213Б, КС213Б25Ом
при 298 К, /ст = 3 мА 2С162А160 Ом
КС162А150 Ом
2С168В, КС168В120 Ом
2С175А, КС175А70Ом
2С182А, КС182А, 2С191А, КС191А30Ом
2С210Б, КС210Б35Ом
2С211И40Ом
2С212В, 2С213Б, КС213Б45Ом
при 373 К, 2СТ = 10 мА КС162А60Ом
КС168В50Ом
при 373 К, /ст = 5 мА
КС175А, КО91А35Ом
КС 182А Ом
КС210Б40Ом
КС213Б 50Ом
при 398 К, /ст = 10 мА 2062А60Ом
20 68В50Ом
при 398 К, /С1 = 5 мА
2О75А, 2О91А35Ом
2С182А30Ом
2С210Б, 2С211И40Ом
2С212В, КС213Б50Ом
Общая емкость при С^р = О, не более: 20 62А 690пФ
2О68В 620пФ
20 7 5А 540пФ
2С182А 480пФ
2С191А 420пФ
2С21ОБ 370пФ
2С211И 340пФ
2С212В 300пФ
2С213Б 280пФ
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3мд
Максимальный постоянный ток стабилизации при температуре : не более 323 К:
2062А, КС 162А22мА
2С168В, КС168В20мА
2С175А.КС175А 18мА
2С182А,КС182А 17мА
2С191А,КС191А 15мА
2С210Б,КС210Б 14мА
2С211И 13мА
2С212В 12мА
2С213Б,КС213Б 10мА
при 373 К: КС162А 11мА
КС168В 10мА
КС175А 9мА
КС182А 8мА
KCI9IA,КС210Б 7мА
КС213Б 5мА
при 398 К 2С162А 11мА
2CI68B 10мА
2С175А 9мА
2С182А 8мА
2С191А,2С21ОБ 7мА
2C211И,2C2I2B 6мА
2С213Б 5мА
Эффективное значение синусоидального тока в режиме двухстороннего ограничения на частоте 50 Гц и при температуре:
от 213 до 323 К 2С162А22мА
2С168В20мА
2С175А 18мА
2С182А 17мА
2С191А 15мА
2С21ОБ 14мА
2С21 IИ 13мА
2С212В 12мА
2С213Б 10мА
при 398 К 2С162А IIмА
2С168В 10 мА
2С175А 9 мА
2С182А 8 мА
2С191А,2С210Б 7 мА
2С211И, 2С212В 6мА
2С213Б 5 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
не более 323 К150 мВт
при 373 К для КС162А. KCI68B, KCI75A. КС182А.
КС191А, КС210Б, КС213Б75 мВт
при 398 К для 2С162А, 2CI68B, 2CI75A, 2С182А, 2С191А, 2С210Б, 2С211И, 2С212В, 2С213Б . . . .75 мВт
г
Тепловое сопротивление общее для 2С162А,2С168В
2С175А, 2С182А, 2С191А, 2С21ОБ, 2С211И, 2С212В,’
2С213Б, не более340К/Вт
Температура окружающей среды:
2С162А, 2С168В, 2С175А, 2С182А, 2С191А, 2С210Б
2С211И, 2С212В, 2С213Б’От 213 до
398 К
КС162А, KCI68B, КС175А, КС182А, КС191А, КС210Б, КС213Б’От 218 до
373 К
Температура перехода для 2С162А, 2С168В, 2С175А, 2С182А, 2С191А, 2С210Б, 2С211И, 2С212В, 2С213Б423 К
Зависимость среднего темпера-турного коэффициента напряже-ния стабилизации от напряже-ния.
Зависимость среднего температурного коэффициента напряжения стабилизации от напряжения.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-го сопротивления от тока.
2С170А, КС170А
Стабилитроны кремниевые сплавные двуханодные. Предназначены для применения в качестве опорного элемента, в схемах стабилизации и двухстороннего ограничения напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Вывод, подключаемый к отрицательному полюсу источника питания, обозначается точкой на боковой поверхности корпуса.
Масса стабилитрона fie более 0,3 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, /С] = 10 мА 7В
Разброс напряжения стабилизации при /ст =
= 10 мА:
при 298К От6,65 до 7,35В
при 213и 398Кдля2С17ОА....От6,37 до 7,66 В
при 218и 373КдляКС170А....От6,33 до 7, 68 В
Несимметричность напряжения стабилизации при /ст = 10 мА, не более:
2С170А 0,27В
КС170А 0,28В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации в рабочем диапазоне температур ±0,01"„/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации: 2С170А ±1%
КС170А±1,5"о
Уход напряжения стабилизации после установления теп
лового равновесия за 5 мин для КС170А, не более 105 мВ
Постоянный обратный ток при 298 К, (/обР=5.6 В, не более0,04мА
18 Ом20 Ом18 Ом20 ОмДифференциальное сопротивление, не более: при 298 К, /ст = 10 мА 2С170А КС 170 А
18 Ом
20 Ом
18 Ом
20 Ом
при 298 К, ZCT = 3 мА 2С170А100 Ом
КС 170А90Ом
при 373 К,/ст =10мАдля КС170А40Ом
при 398 К,/„ =10мА для 2С170А35Ом
Полная емкость при По6р = О для 2С170А, не более 590 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3МА
Максимальный постоянный ток стабилизации при температуре: от 213 до323К20мА
при 373 КдляКС170А 10мА
при 398 Кдля2С170А 10мА
Эффективное значение максимально допустимого синусоидального тока в режиме двухстороннего ограничения на частоте 50 Гц для 2С170А при температуре:
от 213 до 323 К20мА
при 398 К 10мА
Рассеиваемая мощность при температуре: от 213 до 323 К150мВт
при 373 К для КС170А75мВт
при 398 К для 2С170А75мВт
Тепловое сопротивление общее для 2С170А, не более 340 К/Вт
Температура окружающей среды: 2С170ЛОт213 до
398 К
КС170АОт218 до
373 К
Температура перехода для 2С170А 423К
СТАБИСТОРЫ
Д219С, Д220С, Д223С
Стабисторы кремниевые микросплавные. Предназначены для стабилизации постоянного н импульсного напряжения и ограничения импульсов напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса стабистора не более 0,5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение:
при /ст = 1 мА, не менее
при 298 К Д219С0,57В
Д220С,Д223С0,59В
при 213 К 0,7В
при 393 К Д219С0,35В
Д220С,Д223С0,36В
при /ст = 50 мА, не более
при 298 К
Д219С, Д223С 1 В
Д220С 1,5 В
при 213 К
Д219С, Д223С 1,3В
Д220С 1,75В
при 393 К
Д219С, Д223С 1,1В
Д220С* 1,9 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный или средний прямой ток при температуре:
от 213 до 298 К50мА
при 393 К20мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс 500мА
Однократный импульс прямого тока при 298 К, ти = 0,5 с (аварийная перегрузка) 200мА
Температура окружающей средыОт213 до
393 К
2С107А, КС107А
Стабисторы кремниевые сплавные. Предназначены для работы в стабилизаторах напряжения и в качестве термокомпенсирующих
элементов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса стабистора не более 1 г.
Электрические параметры
0,7 В±Ю°»От 0.57 до 0,73 В0,7 В±Ю°»От 0.57 до 0,73 ВНапряжение стабилизации номинальное при 298 К, /ст = 10 мА
0,7 В
±Ю°»
От 0.57 до 0,73 В
0,7 В
±Ю°»
От 0.57 до 0,73 В
Разброс напряжения стабилизации: при 298 К, /ст = 10 мА при 298 К, /ст = 1 мА для 20 07А
при 213 К, /ст = 10 мА для 2С107АОт 0,63 до 1,05 В
при 398 К, /ст = 10 мА для 2С1О7АОт 0,41 до 0,77 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре :
от 303 до 398 К:
2С107А, не хуже —0,34 °//К
КС107А, не хуже -0,3°jK
от 213 до 398 К для 2С107А . . . От -0,45 до —0,1 %/К Временная нестабильность напряжения ста
билизации для 2С107А ±3,2°
Постоянный обратный ток* при 323 К. 6'^ = 1 В для
2С107А, не более1,5 МКД
Дифференциальное сопротивление при 7СТ = 10 мА. не более: при213и 298 К для 2С107А 7Ом
при398К для 2С107А Цqm
при298К, /ст = 1 мА для 20 07А50ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации Iмд
Максимальный постоянный ток стабилизации: 2С107А120мА
KCI07A100мА
Импульсный прямой ток при /пр.ф < 50 мА, времени усреднения 1с 500мА
Однократный импульс прямого тока при 298 К. ти < 0,5 с (аварийная перегрузка) 1А
Постоянное обратное напряжение при переходных процессах для 2С107А 1В
Рассеиваемая мощность для 2С1О7А125мВг
Тепловое сопротивление общее* 300К/Вт
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Температура перехода* 2С107А 398к
го сопротивления от тока.го сопротивления от тока.турного коэффициента напряжетурного коэффициента напряжения от тока.ния от тока.
го сопротивления от тока.
го сопротивления от тока.
турного коэффициента напряже
турного коэффициента напряже
ния от тока.
ния от тока.
2С113А, КСПЗА, 2С119А, КС119А
Стабисторы кремниевые диффузионно-сплавные. Предназначены для работы в стабилизаторах напряжения и в качестве термоком-
пенсирующих элементов.
13341334Выпускаются в металлостек лянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается
1334
1334
на корпусе.
Масса стабистора не более I г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
29S К, ZCI = Ю мА: 2СПЗА. КСПЗА 1.3 В
2С119А. КС119А 1.9 В
Разброс напряжения стабилизации при /ст =
= 10 мА: при 298 К ±10%
при 213 К
2CI I3A От1.17до 1,8В
2С119А От1.71до 2.6В
при 398 К 2С113А От0.72до 1.43В
2CII9A От1.16до 2,09В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре:
от 213 до 398 К
2С113А. 2С119АОт-0.42 до -0.2 %/К
КСПЗА. не хуже -0,3%/К
КС119А. не хуже -0,4%/К
от 323 до 398 К 2С113АОт-0.42 до -0.31 %/К
2С119АОт-0,42 до 0,3 %/К
Временная нестабильность напряжения ста
билизации для 2С113А. 2С119А . . . .±3,5%
Постоянный обратный ток* при 298 К, Со6р = 1 В для 2С113А, 2С119А, не более 0,1мкА
Дифференциальное сопротивление, не более: при 298 К. /ст = 1 мА 2С113А 80Ом
2С119А. 130 Ом
при 298 К. /ст = 10 мА 2С113А,КСПЗА 12Ом
2С119А,КС119А 15Ом
при 213 К, /С1 = 10 мА 2С113А 12Ом
2С119А 15Ом
18 Ом25 Ом18 Ом25 Омпри 398 К, 1СТ = 10 мА 2С113А 2С119А
18 Ом
25 Ом
18 Ом
25 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 1мд
Максимальный постоянный ток стабилизации100мА
Импульсный прямой ток при 1пр.ф < 50 мА, ти < 100 мкс для 2С113А, 2С119А, КС119А 200мА
Постоянное обратное напряжение при переходных процессах для2С113А, 2С119А 1В
Рассеиваемая мощность: 2С113А180мВт
2С119А 260мВт
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Температура перехода * 2С11 ЗА. 2С119А 398к
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
Зависимость дифференциального сопротивления от тока. .
ратурного коэффициента на-лизации от температуры.
пряжения стабилизации от тока.
Часть третья
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТИРИСТОРОВ
Раздел двенадцатый
ТИРИСТОРЫ
Д235А, Д235Б, Д235В, Д235Г
Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные р-п-р-п триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей средней мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 16 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 2 А,
Л.от = 50 мА. не более:
при 298 К 2 В
при 213 К 2,5 В
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде при T'llp jKp = 10 В. Т = 213 К. не более . . .5 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении. не более:
при 298 и 213 К 2 мА
при 373 К 3 мА
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при С;11р зкр = 10 В. не более:
при 298 К 30 мА
при 213 К 50 мА
Импульсный отпирающий ток управляющею электрода
при ^пр.зкр = Ю В:
при 213 К, не более 250 мА
при 373 К, не менее0,5мА
Обратный ток при максимальном напряжении, не более: при 298 и 213 К 2мА
при 373 К зма
Время включения по управляющему электроду при пр.зьр = -- В. /откр = 2 А, /у от и 100 мА. Тф у = 0,3 мкс,
Д = 50 <-100 Гц. т„ = 15 мкс. не более 5мкс
Время включения при /огкр = 2 А. длительности протекания прямого тока 50 мкс. частоте следования импульсов отпирающего тока 50—100 Гн, амплитуде контрольного импульса 25 В. скорости нарастания контрольною импульса 5 В/мкс, длительности спада основного тока 0.2-0,4 мкс, сопротивлении ограничительного резистора 15 Ом, полном сопротивлении
цепи управления не более 30 Ом, не более . . . .35 МКс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение на управляющем электроде 1 в
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии: при 298 К
Д235А, Д235В 50В
Д235Б, Д235Г 100В
при 213 и 273 К Д235А, Д235В 40В
Д235Б. Д235Г 80В
Постоянное обратное напряжение: при 298 К Д235В 50 В
Д235Г 100В
при 213 и 373 К Д235В 40В
Д235Г 80В
Постоянный ток в открытом состоянии при температуре корпуса от 213 до 343 К 2 А
Импульсный ток в открытом состоянии при среднем юкедо 1 А и длительности импульса до 10 мс . . . .10 А
Импульсный ток в открытом состоянии при единичных импульсах длительностью до 50 мкс 60 А
Постоянный прямой ток управляющею электрода при температуре корпуса от 213 до 373 К| 50 мА
Импульсный прямой юк управляющего электрода при длительное!и импульса 50 мкс, температуре корпуса от 213 до 373 К 350 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре корпуса от 213 до 343 К 4 Вт
Температура корпуса От 213
до 343 К
Примечания: 1. Максимально допустимый постоянный ток, А, в открытом состоянии при температуре корпуса 01 343 до
373 К определяется по формуле
_ 375 - Г,,О1Кр.МЫКС, .■
10
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность. Вт, при температуре корпуса от 343 до 373 К определяется по формуле
о _ 375 - Т.
^ср. макс$*
Для повышения надежности тиристоров рекомендуется шунтирование цепи управления резистором сопротивлением 51 Ом.
Подача на управляющий электрод постоянного обратного напряжения выше 1 В запрещается.
Зависимость импульсного отпирающего тока управляющего электрода от длительности отпирающего импульса.
Зависимость импульсного от-пирающего напряжения на уп-равляющем электроде от дли-тельности отпирающего им-пульса.
Зависимость импульсного отпирающего тока управляющего электрода от температуры.
Зависимость импульсного отпирающего напряжения на управляющем электроде от температуры.
Зависимость прямого напряжения от времени.
£ 8ЫКЛ, Т
| Д235(А-Г)
т=зчзкх^_
Z 93 К\
р~^лр,знр, макс/Г 3KplAt=18lMXC — 1
oLb
1откр,Т
Зависимость времени включения по управляющему электроду от
Зависимость времени выключе-
О 5 Ю 15 гО 25 А
Зависимость времени выключе-
Зависимость импульсного напряжения в открытом состоянии от тока.
Зависимость времени задержки по управляющему электроду от импульсного отпирающего тока
управляющего электрода.
2Н102А, 2Н102Б, 2Н102В, 2Н102Г, 2Н102Д,2Н102Е, 2Н102Ж, 2Н102И, КН102А, КН102Б,КН102В, КН102Г, КН102Д, КН102Ж, КН102И
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п диодные. Предназначены для работы в импульсных устройствах в качестве коммутирующих элементов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса тиристора не более 2 г.
7777ВыВоЗ 2ВыВоЗ 23030Вывод 7Вывод 7
77
77
ВыВоЗ 2
ВыВоЗ 2
30
30
Вывод 7
Вывод 7
Электрические параметры
Минимальный ток в открытом состоянии при 213 К 15мА
при 373 К0.1мА
Напряжение в открытом состоянии при /о1кр = 200 мА, не более 1,5В
Время выключения при максимальном напряжении. /откр.и = 1 А, т„ = 10 мкс, не более40мкс
Общая емкость при t/o6p = 0 В, /= 1 ч- 10 МГц. не более 80пФ
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении, не более: при 298 К80мкА
при 373 К150мкА
Предельные эксплуатационные данныеПостоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:Предельные эксплуатационные данныеПостоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:Обратный юк при (70бР = Ю В, не более0.5мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2Н102А,КН102А 5В
2Н102Б,КН102Б 7В
2Н102В,КН102В 10В
2Н102Г.КН102Г 14В
2Н102Д, КН102Д 20В
2Н102Е, 2Н102Ж.КН102Ж 30В
2Н102И, КН102И 50В
Импульсное отпирающее напряжение при RH < 500 Ом, длительности фронта не более 0,6 мкс, ти > 2 мкс: 2Н102А, КН 102А 20В
2Н102Б. КН102Б 28В
2Н102В, КН102В 40В
2Н102Г, КН102Г 56В
2Н102Д, КН102Д 80В
2Н102Е 75В
2Н102Ж, КН102Ж 120В
2Н102И, КН102И 150В
Импульсное неотпирающее напряжение при Rn = 500 Ом,
Тфр > 0,6 мкс, ти < 2 мкс: 2Н102А. КН102А 2 В
2Н102Б, КН102Б ЗВ
2Н102В, КН102В 4 В
2Н102Г, КН102Г 6 В
2Н102Д, КН102Д 8 В
2Н102Е 7,5В
2Н102Ж, КН102Ж 12В
2Н102И. КН102И . . '. 15 В
Постоянное обратное напряжение 10В
Средний ток в открытомсостоянии 200мА
Импульсный ток в открытом состоянии при ти < 10 мс 2А
при т„ < 10 мкс 10А
Температура корпуса: 2Н102А, 2Н102Б, 2Н102В, 2Н102Г, 2Н102Д, 2Н102Е, 2Н102Ж, 2Н102И 383 К
Температура окружающей среды: 2Н102А. 2Н102Б, 2Н102В, 2Н102Г, 2Н102Д, 2Н102Е, 2Н102Ж, 2Н102ИОт 213
до 373 К
КН102А, КН102Б, КН102В. КН102Г. КН102Д, КН102Ж, КН102ИОт 233
до 343 К
Примечания: 1. Напряжение в открытом состоянии при температуре 213 К не более 3 В, при 233 К не более 1,7 В.
Допускается работа тиристоров при эквивалентном сопротивлении нагрузки до 9 кОм.
. Емкость монтажа по отношению к выводам тиристора при отключенных тиристоре и генераторе импульсов не должна превышать 15 пФ: индуктивность монтажа, включенная последовательно с тиристором, не должна превышать 5 мкГн.
Зависимость времени выключс-
пряжения в открытом состоянии от длительности фронта.
Зависимость импульсного на
пряжения в открытом состоя-нии от импульсного тока.
Зависимость времени выключения от импульсного тока.
213 253 293 333 373 ^13 К
Зона возможных положений зависимости минимального тока в открытом состоянии от температуры.
висимости импульсного напряжения в открытом состоянии от температуры.висимости импульсного напряжения в открытом состоянии от температуры.висимости импульсного напряжения в открытом состоянии от длительности фронта отпираювисимости импульсного напряжения в открытом состоянии от длительности фронта отпираю
висимости импульсного напряжения в открытом состоянии от температуры.
висимости импульсного напряжения в открытом состоянии от температуры.
висимости импульсного напряжения в открытом состоянии от длительности фронта отпираю
висимости импульсного напряжения в открытом состоянии от длительности фронта отпираю
щего импульса.
2У101А, 2У101Б, 2У101Г, 2У101Д, 2У101Е, 2У101Ж,2У101И, КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е
Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные p-типа триодные незапираемые. Предназначены для работы в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Постоянное отпирающее напряжение управляющего элек
трода при {/Ир3кр = 10 В:
при 298, 398 и 213 К 2У101А, 2У101Б, 2У101ДОт1,5
до 8 В
2У101Г, 2У101Е, 2У101Ж. 2У101ИОт0,25
до 4.5 В.
при 298, 358 и 213 К КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101ЕОт0,25
до 10 В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при f/пр.зкр = Ю В: при 298, 398 и 213 К 2У101А, 2У101Б, 2У101Г, 2У101Д. 2У101Е. 2У101Ж, 2У101ИОт0,1
до 5 мА
при 298, 358 и 213 К КУ101А. КУ101Б, КУ101Г, КУ101ЕОт0.05
до 7,5 мА
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода при C'npjKp = 10 В, не более 14мА
Ток утечки в закрытом состоянии при максимальном напряжении, не более:
при 298 К0,15 мА
при 398 (358 для КУ101А. КУ101Б. КУ101Г. КУ101Е) и 213 К0,5 мА
Обратный ток при максимальном напряжении, не более: при 298 К0,15мА
при 398 (358 для КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е) и 213 К0,5мА
Время включения при (7пр ]кр = 25 В, /пр = 50 мА, /пр у = 20 мА, Т = 298 К, не более 2мкс
Время выключения при £'ПрЗКр = 25 В, /пр = 50 мА, не более: при 298 К35мкс
при 398 К (358 К для КУ101А, КУ101Б. КУ101Г. КУ101Е)70мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии :
2У101А, 2У101Б. 2У101Ж. 2У101И. КУ101А.
КУ101Б 50 В
2У101Г. КУ101Г SOB
2У101Д, 2У101Е,КУ101Е 150В
Постоянное обратное напряжение: 2У101А, 2У101Ж,КУ101А 10В
2У101Б, 2У101 И..КУ 101Б 50В
2У101Г. КУ101Г SOB
2У101Д, 2У101Е. КУ101Е 150 В
Постоянное обратное напряжение на управляющем электроде:
2У101Г, КУ101Г 2 В
Постоянный или средний ток в открытом состоянии при температуре:
от 213 до 343 К (до 323 К для КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е) 75мА
от 343 (323 для КУ101А. КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е) до 398 К (до 358 К для КУ101А. 4Q8ns8x КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е)
0,75
Импульсный ток в открытом состоянии: при ти < 0,05 с, 7откр < 50 мА 300мА
при т„ < 10 с, 7откр < 50 мА 150мА
при т„< 10 с, 7откр < 5 мА 1ма
Средний прямой ток управляющего электрода . . .15 МА
Импульсная мощность на управляющем электроде: при ти < 10 мкс, Ру.ср < 25 мВт 0,5Вт
при ти < 20 мкс, 7>уф < 25 мВт 0,2Вт
Средняя рассеиваемая мощность при температуре: от 213 до 323 К 150мВт
от 323 до 398 К (до 358 К для КУ101А, 390/3304 т КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е)—' мВт
0,5
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 100В/мкс
Минимальное прямое напряжение в закрытом состоянии 10В
Температура окружающей среды: 2У101А, 2У101Б, 2У101Г, 2У101Д, 2У101Е, 2У101Ж, 2У101ИОт213 до 398 К
КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е ... От 213 до 358 К
Зависимость времени выключе-ния от тока.
Зависимость времени включенияот тока.
Зависимость импульсного отпирающего тока управляющего электрода от времени включения по управляющему элект-
изк гаек зов к
Ui,от,к,Т
В
Ч
К3101А, К31016 — Z31O1A,L3101S,13101Д —
— 13 101 Г, 131014,13101 Е _ КЗЮ1Г, К3101Е Z13KZ98K -yL,398K
у, в к Л,I
3
Зависимость напряжения в от-
Зависимость времени выключе-
О ' 10 мкс
Зависимость импульсного отпирающего напряжения управляющего электрода or времени включения по управляющему
пряжения управляющего электрода от температуры.
ка управляющего электрода от температуры.
Зависимость запирающего токаЗависимость запирающего токания от отпирающего гока управляющего электрода.ния от отпирающего гока управляющего электрода.0 5,30 5,3Электрические параметрыЭлектрические параметры
Зависимость запирающего тока
Зависимость запирающего тока
ния от отпирающего гока управляющего электрода.
ния от отпирающего гока управляющего электрода.
0 5,3
0 5,3
Электрические параметры
Электрические параметры
управляющего электрода оттемпературы.
2У102А, 2У102Б, 2У102В, 2У102Г, КУ102А, КУ102Б,КУ102В, КУ102Г
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные запираемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих устройствах малой мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 1,2 г.
2,5 В12 В7 В0,2 В2,5 В12 В7 В0,2 В
2,5 В
12 В
7 В
0,2 В
2,5 В
12 В
7 В
0,2 В
Напряжение в открытом состоянии при /о|кр = 50 мА, Аот = 20 мА, Г = 213 (233 для КУ102А, КУ102б’ КУ 102В, КУ102Г) и 298 К, не более
Импульсное запирающее напряжение на управляющем электроде при максимальном напряжении, /откр = 50 мА, /v < 1000 Гц, т2 = 20 мкс, 7" = 298 и 343 К, не более . . .
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде при /откр = 30 мА, (7прэкр = 10 В,/у < 1000 Гц, Т] = 5 мкс, 7"= 298 и 213 К’(2 3 3 К для КУ102А, КУ102Е, КУ102В, КУ102Г). не более
Незапирающее напряжение на управляющем электроде при ^прлкр = 1° В, /откр = 30 мА, /у < 1000 Гц, т2 = 20 мкс, Т = 333 К, не менее
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде при /откр = 50 мА, максимальном напряжении, /у < < 1000 Гц, т, = 5 мкс, Т = 373 К (358 К для КУ102А, КУ102Б, КУ102В, КУ102Г). не менее 0,2 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении, не более:
при 213 (233 для КУ102А, КУ102Б, КУ102В, КУ102Г) и 298 К0.1 мА
при 383 К (358 К для КУ102А. КУ102Б, КУ102В, КУ102Г)0,5 мА
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при Гпрзкр = 10 В, /откр = 30 мА, /у < 1000 Гц, т, =
мкс, 7=213 К (233 К для КУ102А, КУ102Б, КУ102В, КУ102Г) и 298 К. не более20 мА
Импульсный запирающий ток управляющего электрода при максимальном напряжении, /откр = 50 мА. /у ч 1000 Гц, I; = 20 мкс, Т = 298 и 343 К, не более . . .20 мА
Незапирающий ток управляющего электрода при (7np3Kp =
В, /О|кр = 30 мА./у < 1000 Гц, ъ = 20 мкс, 7= 213 К
(233 К для КУ102А, КУ102Б, КУ102В, КУ102Г), не менее0,5 мА
Неотпирающий ток управляющего электрода при максимальном напряжении. /Откр = 50 мА, /у У 1000 Гц, Т| = 5 мкс, 7"= 373 К (358 К для КУ102А. КУ102Б.
КУ 102В, КУ102Г), нс менее0,2 мА
Удерживающий ток при С;пр 1кр = 20 В, /у от = 20 мА.
7=213 К (233 К для КУ102А, КУ102Б, КУ102В.
КУ102Г), не более20 мА
Время включения по управляющему элекфоду при максимальном напряжении, /откр = 50 мА. /у,От,и = 20 мА, тФ,у = 0,5 мкс, /у < 1000 Гц, г, = 5 мкс, Т = 298 К, не более 5 мкс
Время выключения но управляющему электроду при максимальном напряжении, /у 3 и = 20 мА. /откр = 50 мА, т2 = 20 мкс, Т| = 70 мкс. /у'<1000 Гц, 7= 298 К. не более20 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У102А. КУ102А 50В
2У102Б, КУ102Б 100В
2У102В, КУ102В 150В
2У102Г, КУ102Г 200В
Постоянное обратное напряжение 5В
Импульсное обратное напряжение на управляющем электроде при дли[ельности импульса, равной или меньшей 25 мкс 20 В
Постоянный запираемый ток50 мА
Импульсный обратный ток управляющею электрона при
длительности импульса, равной или меньшей 25 мкс . .20 мА
Импульсный ток в открытом состоянии при частоте
следования импульсов до 50 Гц, Т = 298 К: при ти < 10 мкс 5 а
при ти < 100 мкс за
при ти < 1000 мкс 0,5 А
Импульсный прямой ток управляющего электрода при длительности импульса, равной или меньшей 25 мкс . .100 мА
Средняя рассеиваемая мошность при температуре от
213 (от 233 К для КУ102А, КУ102Б, КУ102В, КУ102Г)
до 343 К0,16 Вт
Импульсная мощность на управляющем электроде при длительности импульса, равной или меньшей 25 мкс, ^у.ср.макс ^ 33 мВт .. 1 Вт
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 200В/мкс
Температура окружающей среды:
2У102А. 2У102Б, 2У102В, 2У102ГОт 213
до 383 К
КУ102А, КУ102Б, КУ102В, КУ102ГОт 233
до 358 К
Примечания: 1. Максимально допустимый постоянный запираемый ток, мА, при гемпературе от 343 до 383 К определяется по формуле
383 - ГЛ,макс 1g +25.
1 I1 IМаксимально допустимая средняя рассеиваемая мощность, мВт, при температуре от 343 до 383 К определяется по формуле
1 I
1 I
Зависимость напряжения в от-крытом состоянии от темпера-туры.
20 под ред. Н. Н. Горюнова
Зависимость тока в закрытомсостоянии от температуры.
Зависимость удерживающего тока от температуры.Зависимость удерживающего тока от температуры.Зависимость неотпирающего тока управляющего электрода отЗависимость неотпирающего тока управляющего электрода отЗависимость импульсного отЗависимость импульсного отпирающего тока управляющегопирающего тока управляющегоЗависимость времени нарастания от тока.Зависимость времени нарастания от тока.
Зависимость удерживающего тока от температуры.
Зависимость удерживающего тока от температуры.
Зависимость неотпирающего тока управляющего электрода от
Зависимость неотпирающего тока управляющего электрода от
Зависимость импульсного от
Зависимость импульсного от
пирающего тока управляющего
пирающего тока управляющего
Зависимость времени нарастания от тока.
Зависимость времени нарастания от тока.
длительности отпирающего импульса.
Зависимость импульсного тока в открытом состоянии от скваж-
ности.
Зависимость импульсного запи-рающего напряжения управляю-щего электрода от тока.
Зависимость импульсного запи-рающего тока управляющегоэлектрода от тока.
Зависимость импульсного запи- Зависимость незапирающего то- рающего тока управляющегока управляющего электрода от
электрода от длительности за-длительности запирающего им-
пирающего импульса.пульса.
2У103В, КУ103А, КУ103В
Тиристоры кремниевые мезапланарные p-типа, триодные, незапи- раемые. Предназначены для работы в качестве ключей малой мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе-
Масса тиристора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /01кр и = 1 мА, Спр1кри = 300 В. 7уо| = 10 мА./= 50 Гц, не более. . . . ЗВ
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде при Z0TKp.„ = 1 мА, Спр.1Ер.„ = 300 В, /у.от = 10 мА, /= 50 Гц, при 213, 298 и 343 К (233 и 358 К для КУ103А. КУЮЗВ)От 0,4
до 2 В
Общая емкость при {7лр1кр = 0, / = 5 МГц, не более . . .50 пФ
Ток в закрытом состоянии при 1/прзкр = 300 В, не более:
при 298 К0.2 мА
при 213 и 343 К (233 и 358 К для КУ ЮЗА, КУ103В)0,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное прямое напряжение в закрытом состоянии и обратное напряжение: 2У103В. КУ103В 300В
КУ103А 150В
Импульсное обратное напряжение на управляющем электроде 2В
Импульсный ток в открытом состоянии 1 мА
Обратный ток 1 мА
Средний прямой ток управляющего электрода . . . .40 мА
Средняя рассеиваемая мощность150 мВт
Диапазон рабочих частот коммутируемых сигналов . . . От 50 до 10000 Гц
Температура перехода 398 К
Температура окружающей’среды: 2У103ВОт 213
до 343 К
КУ103А, КУЮЗВОт 233
до 358 К
Примечание. Для повышения устойчивости работы необходимо предусматривать включение между управляющим электродом и катодом шунта сопротивлением не более 1 кОм.
Зависимость напряжения в от-крытом состоянии от темпе-ратуры.
2У104А, 2У104Б, 2У104В, 2У104Г, КУ104А, КУ104Б,КУ104В, КУ104Г
Тиристоры кремниевые эпитаксиально-планариые р-п-р-п триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей малой мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 1,2 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 100 мА, /VOT = 25 мА, Т= 213 К (233 для КУ104А, КУ104Б. КУ 104В, КУ104Г) и 298 К, не более 2В
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде при максимальном напряжении, /у от „ = 0,9Zy от „, Д = 50 Гц. т, = 3 мкс, Т = 398 К (358 К для КУ104А,
КУ104Б, КУ104В, КУ104Г), не менее 0,1В
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде при LZ„ кр = 10 В, ZOTKp = 25 мА, /у = 50 Гц, Т| = 3 мкс, Т=213 К (233 К для КУ104А, КУ104Б, КУ104В. КУ104Г), не более 2В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении. нс более:
при 213 и 398 К (233 и 358 К для КУ104А, КУ104Б, КУ104В, КУ104Г)0,5мА
при 3 8 3 К для 2У104А, 2У104Б,2У104В,2У104Г ...0,4мА
при 343 К для 2У104А. 2У104Б.2У104В,2У104Г...0,2мА
при 298 К0,12мА
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода при ^/ПрЗКр = 10 В. Лгкр = 25 мА. Л = 50 Гц. т, = 3 мкс. не более:
при 213 К (233 К для КУ104А. КУ104Б. КУ104В.
КУ104Г)20мА
при 298 К 15мА
Неотпирающий ток управляющего электрода при максимальном напряжении. /у = 50 Гц. Т] = 3 мкс. Т = 398 К (358 К для КУ104А. КУ104Б. КУ104В. КУ104Г). не менее0.02мА
Удерживающий ток при Гпрзкр=10 В. /у от = 25 мА.
7"= 213 К (233 К для КУ104А. КУ104Б. КУ104В.
КУ104Г), не более20мА
Время включения по управляющему электроду при максимальном напряжении. /откр=100 мА. /уо| „ = 15 мА; /у = 50 Гц, г = 3 мкс, Тф1у < 150 не. Т = 298 К, не более0.29мкс
Время нарастания при максимальном напряжении. /о|кр =
100 мА, /у.от.и ="15 мА, /у = 50 Гц, ц = 3 мкс, Тфу = 150 нс, Г = 298 К, не более0.08мкс
Время выключения при максимальном напряжении, 7откр = 100 мА, /у.от.и = 15 мА. /у = 50 Гц. Т[ = 3 мкс, ^ДИ^.<10 В/мкс. Т = 298 К, не более2.5мкс
кр
Предельные эксплуатационные данные
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при /=50 Гц10В/мкс
Импульсный прямой ток управляющего электрода при длительности импульса до 10 мкс. частоте 50 Гц, при температуре:
от 213 до 343 К (от 233 К для КУ104А. КУ104Б.
КУ104В, КУ104Г)30мА
от 343 до 383 К для 2У104А, 2У104Б. 2У104В,
2У104Г20мА
Импульсный ток в открытом состоянии при частоте следования импульсов до 50 Гц:
при ти < 10 мкс ЗА
при ти < 100 мкс 1 А
при ти < 1000 мкс 0,5А
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У104А,КУ104А 15В
2У104Б,КУ104Б 30В
2У104В,КУ104В 60В
2У104Г,КУ104Г 100В
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии при испытании в ждущем режиме при температуре:
от 213 до 343 К (от 233 К для КУ104А. КУ104Б, КУ104В, КУ104Г)
2У104А,КУ104А 15Н
2У104Б,КУ104Б 30В
2У104В,КУ104В 60В
2У104Г,КУ104Г 100В
от 343 до 383 К 2У104А 15В
2У104Б 20В
2У104В 40В
2У104Г 75В
Постоянное обратноенапряжение 6В
Напряжение в закрытомсостоянии 10В
Средний ток в открытом состоянии при температуре от 213 до 343 К (от 233 К для КУ104А, КУ104Б, КУ104В, КУ104Г)100мА
при 383 К (358 К для КУ104А, КУ104Б, КУ 104В,
КУ104Г)27 мА
Ток в открытом состоянии25 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 343 К (от 233 К для КУ104А, КУ104Б, КУ 104В, КУ104Г) 200 мВт
при 383 К (при 358 К для КУ104А, КУ104Б,
КУ104В, КУ104Г)54 мВт
Температура перехода 2У104А,2У104Б,2У104В,
2У104Г 398 К
Температура окружающей среды:
2У104А, 2У104Б, 2У104В, 2У104ГОт 213
до 398 К
КУ104А, КУ104Б, КУ104В, КУ104ГОт 233
до 358 К
Примечания: 1. Максимально допустимый средний ток, мА, в открытом состоянии при температуре от 343 до 383 К определяется по формуле
4ткР,сР,Макс = (398 - 7)/О,55
Максимально допустимая мВт, при температуре от 343 до
средняя рассеиваемая мощность, 383 К определяется по формуле
Лр,«аКс = (398 - 73/0,275.
Для повышения надежной работы рекомендуется шунтирование цепи управления резистором сопротивлением 200 Ом — 1 кОм.
Зависимость импульсного напряжения в открытом состоянии от тока.
Зависимость импульсного отпи-
Зависимос1ъ импульсного отпи
рающего тока управляющего электрода от длительности от-рающего тока управляющего электрода от длительности от-рающего тока управляющего электрода от температуры.рающего тока управляющего электрода от температуры.Зависимость времени нарастаЗависимость времени нарастания от прямого напряжения вния от прямого напряжения вния от тока.ния от тока.
рающего тока управляющего электрода от длительности от-
рающего тока управляющего электрода от длительности от-
рающего тока управляющего электрода от температуры.
рающего тока управляющего электрода от температуры.
Зависимость времени нараста
Зависимость времени нараста
ния от прямого напряжения в
ния от прямого напряжения в
ния от тока.
ния от тока.
рающего напряжения управляющего электрода от температуры.
Зависимость импульсного отпи- Зависимость удерживающего то-
закрытом состоянии.
Зависимость максимального им-пульсного тока в открытом со-стоянии от скважности.
Зависимость максимального прямого напряжения в закрытом состоянии от температуры.
2У105А, 2У105Б, 2У105В, 2У105Г, 2У105Д, 2У105Е, КУ105А, КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е
Тиристоры кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-р триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей малой мощности в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием с гибкими выводами. Тип прибора и его цоколевка приводятся на индивидуальной упаковке.
Масса тиристора не более 0.1 г.
Электрические параметрыЭлектрические параметры
Электрические параметры
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при 7отгр = 50 мА, не более:
при 298 К 1.1 В
при 213 К (233 К для КУ ЮЗА, КУ105Б, КУ 105В,
КУ105Г. КУ105Д. КУ105Е) 1,35 в
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода при ^пр,зкр = Ю В, не более:
при 298 К 4 мА
при 213 К (233 К для КУ105А, КУ105Б, КУ105В,
КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е) 7 мА
Минимальный ток в открытом состоянии при Спр зкр = 10 В, Т=213 К (233 К для КУ105А. КУ105Б,' КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е) 10 мА
Время выключения при ZOTKp = 50 мА, Zy от = 3 мА, максимальном напряжении, не более1,5 мкс
Время включения при Z0TKp = 50 мА, Zy>0T = 3 мА, максимальном напряжении, не более0,1 мкс
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода при Спр зкр = 10 В, не более 5 мА
Импульсное отпирающее напряжение управляющего элек
трода при Спр зкр = 10 В, не более 2 В
Неотпирающий ток управляющего электрода при
Ппр зкр = 10 В0,01 мА
Неотпирающее напряжение управляющего электрода при
^пр,з«р= 10 в 0.1 в
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при максимальном напряжении, не менее10 В/мкс
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряже
нии, не более:
при 298 и 213 К (233 К для КУ105А. КУ105Б,
КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)1 мкА
при 343 К20 мкА
Обратный ток при максимальном напряжении, не более:
при 298 и 213 К (233 К для КУ105А, КУ105Б,
КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У105А,2У105Б,КУ105А,КУ105Б 3мкА
2У105В,2У105Г,КУ105В,КУ105Г30мкА
при 343 К
2У105А,2У105Б,КУ105А,КУ105Б60мкА
2У105В,2У1О5Г,КУ105В,КУ105Г 600мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии при температуре:
от 213 до 343 К (от 233 до 323 К для КУ105А,
КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У105А. 2У105В, 2У105Д, КУ105А. КУ105В,
КУ105Д 30 В
2У105Б, 2У105Г. 2У105Е, КУ105Б, КУ105Г, КУ105Е 15 В
от 343 до 398 К (от 323 до 358 К для КУ105А,
КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У1О5А, 2У105В, 2У105Д, КУ105А, КУ105В, КУ105Д 20 В
2У105Б, 2У105Г, 2У105Е, КУ105Б, КУ105Г, КУ105Е 10 В
Обратное напряжение при температуре:
от 213 до 343 К (от 233 до 323 К для КУ105А, КУ105Б
КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У105А, КУ105А зоВ
2У105Б, КУ105Б 15В
2У105В, 2У105Г, КУ105В,КУ105Г 5 В
от 343 до 398 К (от 323 до 358 К для КУ105А КУ105Б
КУ105В, КУ105Г, КУ105Д. КУ105Е)
2У105А, КУ105А 20В
2У105Б, КУ105Б юВ
2У105В. 2У105Г, КУ105В.КУ105Г 5 в
Средний ток в открытом состоянии при температуре от 213 до 343 К (от 233 до 323 К для КУ105А, КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е) . . . .50 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 343 К (от 233 до 323 К для КУ105А, КУ105Б, КУ105В, КУ105Г КУ105Д КУ105Е):
при ^Ткристалл-возлух < К/мВт .15 мВт
при R_< 0,8 К/мВт75 мвт
кристалл-корпус
Импульсный ток в открытом состоянии при/= 50 Гц:
прити < 10 мкс 2А
прити < 100 мкс |д
прити < 1000 мкс 0,5А
Температура окружающей среды:
2У105А, 2У105Б, 2У105В, 2У105Г, 2У105Д, 2У105Е От 213 до
398 К
КУ105А, КУ105Б, КУ105В, КУ105Г. КУЮ5Д.
КУ105ЕОт 233 до
358 К
Примечания: 1. Максимально допустимый средний ток мА в открытом состоянии при температуре от 343 до 398 К (от 323 до 358 К для КУ105А. КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е) определяется по формуле
,_ 398(358)- Г
OiKp.cp.T-j-j■
2. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность, мВт, при температуре от 343 до 398 К (от 323 до 358 К для КУ105А, КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е) определяется по формуле
^сР. т =398 0 74^—" для Ат < 0,8 К/мВт;
J?8(35^ ^At<4K/mBt
3,66
состоянии от температуры.температуры.
Зависимость отпирающего то- Зависимость отпирающего нака управляющего электрода от пряжения управляющего элект- температурырода от температуры.
Зависимость минимального то- Зависимость напряжения в от- ка в открытом состоянии от крытом состоянии от темпера-
туры.туры.температуры.
туры.
туры.
Зависимость импульсного отпирающего тока управляющего электрода от длительности импульса.
Зависимость времени выключе-ния от тока.
рающего напряжения управляющего электрода от длительностирающего напряжения управляющего электрода от длительностиимпульса.импульса.2У106А, 2У106Б, 2У106В, 2У106Г
рающего напряжения управляющего электрода от длительности
рающего напряжения управляющего электрода от длительности
импульса.
импульса.
Тиристоры кремниевые планарные р-п-р-п гибридные триодные незапираемые пороговые. Предназначены для использования в релаксационных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 1,5 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при
/откр = 100 мА. 298, 213. 343 К. не более2 В
Коэффициент передачи однопереходного транзистора при С/б1Б2 = Ю В: при 298 К
2У106А, 2У106В От0,5 до 0.7
2У106Б. 2У106Г От0,65 до 0.85
при 343 К
2У106А, 2У106В От0.45 до 0,7
2У106Б, 2У106Г От0.6 до 0.85
при 213 К
2У106А, 2У106В От0,5 до 0,75
2У106Б, 2У106Г От0,65 до 0.9
Межбазовое сопротивление:
при 298 К От4 до 12 кОм
при 213 К От2 до 12 кОм
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении, не более:
при 298 и 213 К10 мкА
при 343 К100 мкА
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода при Unp 1кр = 10 В. не более 10 мА
Минимальный ток в закрытом состоянии, не более 10 мА
Ток утечки эмиттерного перехода однопереходного транзистора при СБ|б2 = 30 В, не более 1 мкА
Ток включения однопереходного транзистора при ^Б1Б2 = Ю В, не более20 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Межбазовое напряжение 30В
Обратное напряжение между эмиттером и базой 230 В
Постоянный ток эмиттера в открытом состоянии при температуре от 213 до 308 К 50мА
Средний ток тиристора в открытом состоянии при температуре от 213 до 308 К100мА
Ток эмиттера однопереходного транзистора при ти < 10 мкс, скважности, большей или равной 200, Яш = 20 Ом, температуре от 213 до 308 К . . . .1 А
Импульсный ток тиристора в открытом состоянии при ти С 500 мкс, скважности, большей или равной 20, температуре от 213 до 308 К 1А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 308 К 400мВт
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии ПРИ ^ш = 200 Ом В/мкс
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии: 2У106А, 2У106Б 50 В
2У106В. 2У106Г 100 В
Время включения триодного тиристора при 298 К, нс более 1 мкс
Время выключения триодного гирисгира при 298 К, Яш = 200 Ом, не более25 мкс
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде триодного тиристора, не более 0,4 В
Постоянный ток управляющего электрода триодного тиристора 100мА
Обратное напряжение управляющего электрода тиристора 3 В
Обратное напряжение на триодном тиристоре . . . .10 В
Примечания: 1. Средняя рассеиваемая мощность, мВт, при температуре от 308 до 398 К определяется по формуле
р - (408 - Л
СР 0,25
Температурная зависимость межбазового сопротивления
ТКСЛБ1Б2 = °Л ^°’9%/К-
_ ^Б1Б2 макс ~ ^Б1Б2МИН 100 %
^Б1Б2flcici\ Г
^'Ь1Ь2ср
где ЯБ|Б2макс — межбазовое сопротивление при максимальной температуре: ЯБ|Б2мин - межбазовое сопротивление при минимальной температуре:
^Б1Б2макс + ЯБ1Б2мин
«Б IБ2 ср2’
АТ" = Лакс — Тмин.
Температурная зависимость коэффициента передачи однопереходного транзистора находится в пределах
ТКр= -0,05—0,1 %/К;
_ Лмакс — Лмин ЮО/о
Лмакс ЛмияЛер,
где Лмакс. Лмин - коэффициенты передачи при максимальной и минимальной температуре.
мЯ гомЯ го1616121288ОО
мЯ го
мЯ го
16
16
12
12
8
8
О
О
213 253 293 333 313 913 К
Зависимость минимального токав открытом состоянии от тем-пературы.
Зависимость тока включения оттемпературы.
Зависимость напряжения в от-крытом состоянии от темпера-туры.
Зависимость минимального токав открытом состоянии от темпе-ратуры.
оо
Зависимость отпирающего токауправляющего электрода оттемпературы.
Зависимость отпирающего токауправляющего электрода от вре-мени задержки.
2У107А, 2У107Б, 2У107В, 2У107Г, 2У107Д, 2У107Е
Тиристоры кремниевые планарные p-типа триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей малой мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Постоянное отпирающее напряжение на управляющем электроде при
^пр.экр = 10 В: при 298 К От 0,35 до
0, 55 В
при 398 К, не менее0,05В
при 213 К, не более 0,8В
2У107А, 2У107Б при температуре от 213 до 358 К, не более 0,6В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода прг ^пр. зкр = Ю В:
при 298 КОт -20 до
10 мкА
при 213 КОт -20 до
20 мкА
Напряжение в открытом состоянии при максимальном токе, 298 и 213 К, не более 1,5В
Минимальный ток в открытом состоянии не более:
при 298 и 213 К 2У107А0,3мА
2У107Б0,6мА
2У107В0,5мА
2У107Г. 2У107Д1,0мА
при 298 Кдля2У107Е0,06мА
при 213 Кдля2У1О7Е0,15мА
Время выключения при максимальном токе, t/llp JKp = 10 В. не более40мкс
Импульсное напряжение в открытом состоянии при
4ткр. и = 20 А, не более: 2У107А, 2У107Б 30В
2У107В, 2У107Г. 2У107Д, 2У107Е 25В
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии в режиме
переключения, не менее: 2У107А, 2У107Б 350 В
2У107В, 2У1О7Г 200 В
2У107Д, 2У107Е 75 В
Обратный ток при максимальном обратном напряжении, не более: при 298 К 2У107А, 2У107Б,2У107В,2У1О7Г23мкА
2У107Д, 2У107Е18мкА
при 398 К 2У1О7А, 2У107Б,2У107В,2У107Г57мкА
2У107Д, 2У107Е37мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии: 2У107А, 2У107Б 250 В
2У107В, 2У107Г 150 В
2У107Д, 2У107Е 60 В
Постоянное обратное напряжение 10 В
Постоянное обратное напряжение на управляющем электроде 10 В
Средний ток в открытом состоянии при температуре от 213 до 338 К100мА
Средний прямой ток управляющего электрода при температуре от 213 до 338К40мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 338 К".. . 200 мВт
Импульсный ток в открытом состоянии при
/откр ср = 100 мА, ти < 5 мс и температуре от 213 до 338 К'.. . . . 600 мА
Импульсный ток в открытом состоянии при температуре от 213 до 338 К: 2У107А, 2У107Б, при/2, = 0,02 А2-с 25А
2У107В. 2У107Г, 2У1О7Д. 2У107Е при Г? = = 0,05 А2-с 45А
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 2У107А106 в/с
2У107Б, 2У1О7В, 2У107Г. 2У107Д, 2У1О7Е . . . .102 В/с
Температура окружающей средыОт213 до
398 К
Примечание. В интервале температур от 338 до 398 К средняя рассеиваемая мощность снижается на 12 мВт/5 К, средний ток в открытом состоянии на 4 мА/5 К, средний прямой ток управляющего электрода на 1,5 мА/5 К, импульсный ток в открытом состоянии на 25 мА/5 К. импульсный ток в открытом состоянии для 2У107А, 2У107Б (при Pt = 0,02 А2 с) на 1,6 А/5 К (по току) и на 0.0013 А2с/5 К (по Pt), для 2У107В, 2У107Г, 2У1О7Д, 2У1О7Е на 2 А/5 К (по току) и на 0,032 А2 • с (по Pt).
Зависимость времени выключения от температуры.
Зависимость минимального тока в открытом состоянии от обратного тока управляющего
Зависимость напряжения в от-крытом состоянии от среднеготока.
Зависимость напряжения в от-крытом состоянии от темпера-туры.
Зависимость отпирающего на-пряжения управляющего элект-рода от температуры.
Зависимость отпирающего токауправляющего электрода оттемпературы.
Зависимость времени включенияот температуры.
Зависимость импульсного на-пряжения в открытом состоянииот импульсного тока.
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п, триодные незапи-Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п, триодные незапи-качестве ключей большойкачестве ключей большойраемые. Предназначены для работы враемые. Предназначены для работы вКатодКатодАнодАнод
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п, триодные незапи-
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п, триодные незапи-
качестве ключей большой
качестве ключей большой
раемые. Предназначены для работы в
раемые. Предназначены для работы в
Катод
Катод
Анод
Анод
КУ108В, КУ108Ж, КУ108М, КУ108Н, КУ108С, КУ108Т,КУ108Ф, КУ108Ц
мощности.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 45 г, в сборе с прижимным устройством и радиатором не более 220 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при 70Ткр = 5 А, не более 4 В Импульсное напряжение в открытом состоянии при
^огкр, и = 50 А, ^у, от, и 4,5 А, не более 50 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря
жении, не более2,5 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении, не более 3 МА
Время включения при максимальном напряжении, /откр и = 50 А, /у.от.и = 4,5 A, <ZC/]Kp/<Zt = 20 В/мкс, не более:
КУ108В, КУ108М, КУ108Н, КУ108Ф35 мкс
КУ108Ж, КУ108С, КУ108Т, КУ108Ц100 мкс
Время задержки при максимальном напряжении, 4ткР.и = 50 А, не более0,5 мкс
Время нарастания при максимальном напряжении, /откр и = 50 А, не более:
КУ108В, КУ108Ж, КУ108М, КУ108С . . . . . . 0 1 мкс
КУ108Н. КУ108Т, КУ108Ф, КУ108Цо’з мкс
Удерживающий ток при СПР1 ,кр = 50 В, не более150 мА
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде при /у,ог, „ = 4,5 А, не более 25 В
Неотпирающее напряжение управляющего электрода, не
менее 0,1 В
Неотпирающий ток управляющего электрода, не менее 5 мА Общая емкость при (/пр,ЗКр = 600 В, не более 500 пФ
Тепловое сопротивление кристалл — корпус, не более 6 К/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии: КУ108В, КУ108ЖЮ00 В
КУ108М, КУ108Н. КУ108С, КУ108Т 800В
КУ108Ф, КУ108Ц 600В
Постоянное обратное напряжение:
КУ 108В, КУ108Ж 500В
КУ108М. КУ108Н, КУ108С. КУ108Т 400В
КУ108Ф, КУ108Ц 300В
Минимальное напряжение в закрытом состоянии . . . .25В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 20 В/мкс Импульсный ток в открытом состоянии 150 А
Минимальный импульсный ток в открытом состоянии 2 А Скорость нарастания тока в открытом состоянии . . . 500 А/мкс Постоянное обратное напряжение на управляющем
элек|роде 0,5 В
Импульсный прямой ток управляющего электрода . . .4,5 А
Скорость нарастания прямого тока управляющего элек
трода 45 А/мкс
Импульсная мощность на управляющем электроде . . .150 Вт
Длительность импульса тока управляющего электрода от 0,8 до 2 мкс
Частота следования импульсов при длительности тока в открытом состоянии 0,55 мкс Длительность импульса тока в открытом состоянии Температура окружающей среды
2000 Гц0,5 мксОт 233 до353 К2000 Гц0,5 мксОт 233 до353 КЗависимость максимального тоЗависимость максимального тока в открытом состоянии оттемпературы корпуса.ка в открытом состоянии оттемпературы корпуса.Зависимость максимального им-пульсного тока в открытом со-стоянии от температуры.Зависимость максимального им-пульсного тока в открытом со-стоянии от температуры.Примечание. При эксплуатации тиристора в режиме с током в открытом состоянии более 50 А прямое напряжение на тиристор должно прикладываться не ранее чем через половину периода следования импульса в открытом состоянии.
2000 Гц
0,5 мкс
От 233 до
353 К
2000 Гц
0,5 мкс
От 233 до
353 К
Зависимость максимального то
Зависимость максимального то
ка в открытом состоянии оттемпературы корпуса.
ка в открытом состоянии оттемпературы корпуса.
Зависимость максимального им-пульсного тока в открытом со-стоянии от температуры.
Зависимость максимального им-пульсного тока в открытом со-стоянии от температуры.
Зависимость импульсного токав открытом состоянии от час-тоты.
КУ109А, КУ109Б, КУ109В, КУ109Г
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные незапира- емые. Предназначены для работы в качестве ключей.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 7 г.
rw
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр =150 мА, /у от = 0.7 мА, не более 1 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении, не более0,3 мА
Отпирающий ток управляющего электрода при ^пр,зкр= 10 В, не более100 мА
Отпирающее напряжение на управляющем электроде при /у от < 100 мА, не более ЗВ
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде при г7прзкр = 440 В, не более 7 В
Время выключения при /ОТКР1И= *2 А, не более:
КУ 109А приТпр ткр = 440В 6мкс
КУ 109Б приипр зкр = 360В 4мкс
КУ109В при77,^3^ = 440В 8мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
КУ109А, КУ 109В 700 В
КУ109Б 750В
КУ109Г 600В
Постоянное обратное напряжение 50В
Постоянное обратное напряжение на управляющем электроде 30В
Импульсный ток в открытом состоянии 12А
Средний ток в открытом состоянии 1А
Импульсный прямой ток управляющегоэлектрода . . .2 А
2У201А, 2У201Б, 2У201В, 2У201Г, 2У201Д, 2У201Е,2У201Ж, 2У201И, 2У201К, 2У201Л, КУ201А, КУ201Б,КУ201В, КУ201Г, КУ201Д, КУ201Е, КУ201Ж, КУ201И,КУ201К, КУ201Л
Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные р-п-р-п триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей средней мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Масса тиристора не более 18 г.
14Управляющий
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 2 А, не более: при 298 К 2 В
при 213 К 2,5 В
Постоянное отпирающее напряжение управляющего электрода при 7у от = 100 мА, Г=213 К, не более 6 В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при Спрзкр = Ю В:
при 213 К, не более100мА
при 383 К (при 358 К для КУ201А, КУ201Б, КУ201В. КУ201Г, КУ201Д, КУ201Е, КУ201Ж, КУ201И, КУ201К, КУ201Л), не менее 2мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении и температуре 293, 213, 383 К (358 К для КУ201А. КУ201Б, КУ201В, КУ201Г, КУ201Д, КУ201Е, КУ201Ж, КУ201И, КУ201К, КУ201Л), не более . . .5 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении и температуре 293, 213, 383 К (358 К для КУ201А, КУ201Б, КУ201В, КУ201Г, КУ201Д, КУ201Е, КУ201Ж, КУ201И, КУ201К, КУ201Л), не более 5мА
Время включения при максимальном напряжении, Лткр = 2 А, не более10мкс
Время выключения при максимальном напряжении, Лткр = 2 А, не более100мкс
Минимальный ток в открытом состоянии при Uпр 1кр = 10 В, не более100мА
Предельные эксплуатационные данные
Прямое напряжение на управляющем электроде . . . .10 В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 5 В/мкс Постоянный ток в открытом состоянии при температуре
корпуса до 343 К 2 А
Импульсный ток в открытом состоянии при ти < 10 мс, 7откр < 1 А, Гк < 343 К 10 А
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У201А. 2У201Б, КУ201А. КУ201Б 30 В
2У201В, 2У201Г, КУ201В,КУ201Г 60В
2У201Д, 2У201Е, КУ201Д,КУ201Е 120В
2У201Ж, 2У201И, КУ201Ж,КУ201И 240В
2У2О1К, 2У201Л, КУ201К,КУ201Л 360В
Постоянное обратное напряжение: 2У201Б, КУ201Б 25В
2У201Г. КУ201Г 50В
2У201Е, КУ201Е 100В
2У201И, КУ201И 200В
2У201Л. КУ201Л 300В
Импульсный прямой ток управляющего элеклрода 200 мА при т„ < 50 мкс 350 мА
Обратный ток управляющего электрода 5 мд
Скорость нарастания тока в открытом состоянии .... 3 А/мкс
Средняя рассеиваемая мощность при температуре корпуса до 343 К 4 Вт
Средняя рассеиваемая мощность при температуре корпуса до 383 К для 2У201А, 2У201Б, 2У201В, 2У201Г. 2У201Д. 2У201Е, 2У201Ж, 2У201И. 2У20ПС 2У201Л0,25 Вт
Мгновенное значение мощности на управляющем электроде 1 Вт
Температура корпуса:'
2У201А, 2У201Б, 2У201В, 2У201Г. 2У201Д, 2У201Е, 2У201Ж, 2У201И, 2У201К, 2У201Л.От 213 до
КУ201А. КУ201Б, КУ201В, КУ201Г, КУ201Д,383 К
КУ201Е, КУ201Ж, КУ201И, КУ201К, КУ201Л От 213 до 358 К
Примечания: 1. При эксплуатации тиристоров между катодом и управляющим электродом должен быть включен шунтирующий резистор сопротивлением 51 Ом.
При отрицательном напряжении на аноде подача тока управления не допускается.
Зависимость максимальногосреднего тока в открытом со-стоянии от температуры кор-пуса.
Зависимость отпирающего токауправляющего электрода оттемпературы.
Зависимость отпирающего токауправляющего электрода отдлительности импульса.
В 300
250
200
150
100
50
О
0пр,зкр,Т
2У201Ж, 23201И, " К3201Ж, , кзгою
тою 23201Л
К 3201К кзгою
moiA, гною
-кзгозд,кзгою 23201Д, 13201Е
2 32018,232011 К3201В, К32О1Г
тою,.кзгою
273 2 93 313 333 353 373 393 К
Зависимость напряжения в закры-том состоянии от температуры.
Зависимость импульсного то-ка в открытом состоянии отдлительности импульса.
2У2О2Д, 2У2О2Е, 2У202Ж, 2У202И, 2У202К, 2У202Л,2У202М, 2У202Н, У202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г,КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л,КУ202М, КУ202Н
Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные р-п-р-п триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей средней мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 25 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при 7откр = 10 А, не более:
при 298 К 1,5 В
при 213 К 2 В
Постоянное отпирающее напряжение управляющего электрода при /уот < 200 мА, Т = 213 К, не более 7 В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода при <7прэкр=10 В, Т=213 К, не более 200 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении, 298 и 383 К (358 К для КУ202А, КУ202Б КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И," КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ2О2Н), не более . . .10 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении и температуре 298 и 383 К (358 К для КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н), не более . . .10 мА
Время включения при (7пр,ЗКр = 50 В (25 В для КУ202А, КУ202Б), 7откр = 10 А, не более10 мкс
Время выключения при максимальном напряжении, Лткр = 10 А, не более150 мкс
Минимальный ток в открытом состоянии при ^пр,зкр=10 В, не более 300 мА
Импульсное отпирающее напряжение управляющего электрода при 7у оти < 200 мА, г„ > 10 мкс, Т = 213 К, не более 7 В
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при Ппр,зкр=10 В, ти> 10 мкс, Г=213 К, не более 200 мА
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде при максимальном токе, Т = 383 К (358 К для
КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е,
КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н), не менее 0,2В
Неотпирающий ток управляющего электрода при максимальном напряжении, Т = 383 К (358 К для КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н), не
менее2,5мА
Общая емкость при t/np зкр = 0, не более 800пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
КУ202А, КУ202Б 25В
КУ202В, КУ202Г 50В
2У202Д,
2У202Е,
КУ202Д,
КУ202Е . . .
. . .120 В
2У202Ж,
2У202И,
КУ202Ж,
КУ202И . . .
. . .240 В
2У202К,
2У202Л,
КУ202К,
КУ202Л . . .
. . .360 В
2У202М.
2У202Н,
КУ202М,
КУ202Н . . .
. . .480 В
Постоянное обратное напряжение на управляющем электроде 10В
Прямое напряжение на управляющем электроде ....10В
Постоянный ток в открытом состоянии при Тк <343К10А
Импульсный ток в открытом состоянии при ти <10мс,
Лткр.ср < 5 А, Гк < 343 К 30А
Импульсный ток в открытом состоянии при единичных импульсах, ти < 50 мкс,/ = 50 Гц, Тк < 343 К 50А
Импульсный прямой ток управляющего электрода при Гк < 343 К 300мА
Импульсный прямой ток управляющего электрода при ти < 50 мкс, Гк < 343 К 500мА
Обратный ток управляющего электрода 5мА
Средняя рассеиваемая мощность при Тк < 343 К . . . .20 Вт
Средняя рассеиваемая мощность при Тк < 383 К (353 К для КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н) 1,5Вт
Импульсная мощность иа управляющем электроде при ти < 10 мкс, Су ог.и < 20 В, Гк < 343 К 20Вт
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 5 В/мкс
Импульсная мощность на управляющем электроде при т„ < 50 мкс, Тк < 343 К2,5 Вт
Температура корпуса
2У202Д, 2У202Е, 2У202Ж, 2У202И, 2У202К, 2У202Л, 2У202М, 2У202НОт 213 до
383 К
КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н От 213 до 358 К
Примечания: I. При использовании тиристоров между катодом и управляющим электродом должен быть включен шунтирующий резистор сопротивлением 51 Ом.
При отрицательном напряжении на аноде тиристора подача тока управления не допускается.
При креплении тиристоров к теплоотводу усилие затяжки должно быть 20 — 25 кг-см.
Зависимость среднего тока в открытом состоянии от температуры корпуса.
Зависимость отпирающего тока управляющего электрода от температуры корпуса.
Зависимость неотпирающего то- Зависимость отпирающего на-ка управляющего электрода от пряжения управляющего элект-
Зависимость неотпирающего напряжения управляющего электрода от температуры корпуса.
Зависимость отпирающего тока управляющего электрода от длительности импульса.
в 500
ЧОП
300
го о
100
о
0пр,зкр,т
гзгогм^тмзгогм,
кзгогн гзгог^мгогк, кчгогл
г агог и, нагого кзти
кзгогА.кзгогЕ
tnoi к
гзгогж.
гзгогя, игог е
213 253 233 333 373 413 К
газ 313 ззз ззз з?з заз к
Зависимость напряжения в за-крытом состоянии от темпера-туры корпуса.
Зависимость времени включенияот температуры корпуса.
Зависимость времени выключеЗависимость времени выключения от температуры корпуса.ния от температуры корпуса.
Зависимость времени выключе
Зависимость времени выключе
ния от температуры корпуса.
ния от температуры корпуса.
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от температуры корпуса.
2У203А, 2У203Б,2У203А, 2У203Б,2У203В, 2У203Г, 2У203Д, 2У203Е,
2У203А, 2У203Б,
2У203А, 2У203Б,
2У203Ж, 2У203И
Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные р-п-р-п триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей средней мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 41,5 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при Z0TKp = 10 А,
А.от = 350 мА, не более:
при 213 К 2,5 В
при 298 К 2 В
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде при
А = 50 гп, Т] = 3 мкс, не более:
при 213 К, Zy от и < 1000 мА ю В
при 298 К. /у, от, и < 450 мА 5 в
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при ^Нр.зкр= Ю В, А =3 мкс, Г = 393 К, не менее 0,1 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении,
dL'^idt 1кр < 20 В/мкс. не более: при 298 К Ю мА
при 393 К20 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении, I dU..,.?dl ^р <
< 20 В/мкс, не более: при 298 К 10 мА
при 393 К20 мА
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода при
^пр.зкр =Ю В. А = 50 Гц, А = 3 мкс. не более: при 298 К 450 мА
при 213 К1000 мА
Неотпирающий ток управляющего электрода при
^„р зкр = Ю В, Tj = 3 мкс, Т = 393 К. не менее . . . .2 мА
Время включения по управляющему электроду при t/np = 50 В (25 В для 2У203А. 2У203Д), Z0TKp = 10 А, А = 50 - 100 Гц.
Tj = 15 мкс, Тф у < 0,3 мкс, не более: при 298 К, Zy от. „ = 450 мА 3 мкс
при 213 К, /уоти = Ю00 мА 7 мкс
Время выключения при /откр = 10 А, длительности протекания прямого тока 50 мкс, частоте следования импульсов отпирающего тока 50—100 Гц, амплитуде контрольного импульса 25 В, скорости нарастания контрольного импульса 5 В/мкс, U^p = 30 В, длительности спада основного тока 0,2 —0,4 мкс, сопротивлении ограничительного резистора 15 Ом, полном сопротивлении цепи управления не более 150 Ом . . . .7 мкс
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при максимальном напряжении, /= 50 Гц, Г = 298 К20 В/мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии при температуре корпуса от 213 до 393 К: 2У203А, 2У203Д 50В
2У203Б, 2У203Е 100В
2У203В, 2У203Ж 150В
2У203Г, 2У203И 200В
Постоянное обратное напряжение при температуре кор
пуса от 213 до 393 К: 2У203Д 50В
2У203Е 100В
2У203Ж 150В
2У203И 200В
Импульсное прямое напряжение на управляющем электроде при длительности импульса 3 мкс 10В
Средний ток в открытом состоянии в режиме переключения при максимальном напряжении, /у = 50 Гц, Гк < 333 К 5А
Импульсный прямой ток управляющего электрода при длительности импульса 50 мкс1200мА
Постоянный прямойток управляющего электрода. . . .0,35 А
Импульсный ток в открытом состоянии при длительности импульса 50 мкс и среднем токе в открытом состоянии не более 0,5 А 100А
Постоянный ток в открытом состоянии при температуре корпуса до 333 К 10А
Средняя мощность на управляющем электроде1,75Вт
Средняя рассеиваемая мощность при температуре корпуса до 333 К 20Вт
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 20 В/мкс
Температура корпусаОт 213 до
393 К
Примечания: 1. Для 2У203А, 2У203Б, 2У203В, 2У203Г допускается Собр макс = 2 В при /зкр < 30 мА.
Максимально допустимый постоянный ток, А, в открытом состоянии при температуре корпуса выше 333 К определяется по формуле
Лткр.макс = (393 - ГД/6.
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность. Вт, при температуре корпуса от 333 до 393 К определяется по формуле
р = (393 - Т 1'3
ср, макс1 к/,
При эксплуатации тиристоры необходимо крепить за корпус при помощи прижимного фланца. При этом допустимое усилие прижима на каждое ушко фланца должно быть не более 16 кг.
Зависимость времени задержки по управляющему электроду от импульсного отпирающего тока.
Зависимость времени выключе-ния от тока.
Зависимость времени включенияпо управляющему электроду оттока.
Зависимость импульсного на-пряжения в открытом состоянииот импульсного тока.
Зависимость импульсного отпи-рающего тока управляющегоэлектрода от температуры.
Зависимость отпирающего на-пряжения управляющего элект-рода от тока.
Зависимость импульсного отпирающего напряжения управляющего электрода от импульсного
Зависимость импульсного напряжения в открытом состоянии от длительности отпираю-
отпирающего тока.
щего импульса.
пирающего тока управляющего электрода от длительности от-
средней рассеиваемой мощности
ния от температуры корпуса.
рающего напряжения управляющего электрода от длительности
от температуры корпуса.
2У204А, 2У204Б, 2У204В, КУ204А, КУ204Б, КУ204В
Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные триодные запираемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих устройствах средней мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 18 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при 7„ткр = 2 А, не более:
при 213 К для 2У204А, 2У204Б, 2У204В и 248 К
для КУ204А, КУ204Б, КУ204В 4 В
при 298 К ЗВ
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при Ппр зкр = 20 В, тн = 10 мкс, не более:
при 213 К для 2У204А, 2У204Б, 2У204В 200мА
при 248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В . . . . 150 мА
Импульсный запирающий ток управляющего электрода при максимальном напряжении, /ОТКР1 Ср = - А, ти = 10 мкс, не более:
при 333 К 400мА
при 298 К 360мА
Импульсное отпирающее напряжение управляющего
электрода при /у ош < 200 мА, не более:
при 213 К для 2У204А, 2У204Б, 2У204В . . . .7 В
при 248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В . . . .5 В
Импульсное запирающее напряжение управляющего
электрода при /у зи = 360 мА, Г = 333 К, не более 40 В
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при 1/пр зкр = 60 В, максимальном токе Т = 383 К
(343 К 'для КУ204А, КУ204Б, КУ204В), не менее 0,1 В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при максимальном напряжении, не менее20 В/мкс
Общая емкость при СПр13кр = 0 В, не более 500 пФ
Незапирающее напряжение на управляющем электроде
при С7пр зкр = 20 В, /откр = 1 А, Т= 213 К (248 К для
КУ204А, КУ204Б, КУ204В), не менее 0,3 В
Незапирающий ток управляющего электрода при
Спр,зкр = 20 В, /откр = 1 А, Г =213 К (248 К для
КУ204А, КУ204Б, КУ204В), не менее 3 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении,
213 К (248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В) и
298 К, не более 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии: 2У204А, КУ204А 50В
2У204Б, КУ204Б 100В
2У204В, КУ204В 200В
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде при Лш = 51 Ом, 7^= 383 К (343 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В)0,15 В
Запирающее напряжение на управляющем электроде 100 В
Минимальное напряжение в закрытом состоянии . . .20 В
Постоянный ток в открытом состоянии при Т^ = 333 К2 А
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода при ти < 10 мкс 0,6 А
Мгновенное значение тока одиночного импульса в открытом состоянии при ти < 10 мкс 12 А
Минимальный ток в открытом состоянии при 213 К (248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В) 1 А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 (248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В) до 298 К 8 Вт
Мгновенная мощность отпирающего импульса: при ти > 10 мкс 1,7 Вт
при ти < 10 мкс1,217У,ОТПЦ.ОТ
Мгновенная мощность запирающего импульса при ти > 50 мкс 18 Вт
Минимальная длительность запирающего импульса при /уз И//У13.И 50 мкс = 2,530 мкс
Максимальная длительность запирающего импульса 120 мкс
Температура корпуса: 2У204А, 2У204Б, 2У204ВОт 213 до
383 К
КУ204А, КУ204Б, КУ204ВОт 248 до
343 К
Температура перехода 2У204А, 2У204Б, 2У204В . . . .393 К
крытом состоянии от температуры корпуса.крытом состоянии от температуры корпуса.в г SOZOO15010050Ов г SOZOO15010050ООпр,экр,макс,Тгзго4в,к1гоч5212045, КЗ гои 5 \гзгочд,то4АТкОпр,экр,макс,Тгзго4в,к1гоч5212045, КЗ гои 5 \гзгочд,то4АТкЗависимость импульсного отпираю-Зависимость импульсного отпираю-щего тока управляющего электрода от температуры корпуса.щего тока управляющего электрода от температуры корпуса.Зависимость импульсного запирающего тока управляющего электрода от импульсного тока.Зависимость импульсного запирающего тока управляющего электрода от импульсного тока.О 510 15 гонкеО 510 15 гонке
крытом состоянии от температуры корпуса.
крытом состоянии от температуры корпуса.
в г SO
ZOO
150
100
50
О
в г SO
ZOO
150
100
50
О
Опр,экр,макс,Т
гзго4в,к1гоч5
212045, КЗ гои 5 \
гзгочд,то4А
Тк
Опр,экр,макс,Т
гзго4в,к1гоч5
212045, КЗ гои 5 \
гзгочд,то4А
Тк
Зависимость импульсного отпираю-
Зависимость импульсного отпираю-
щего тока управляющего электрода от температуры корпуса.
щего тока управляющего электрода от температуры корпуса.
Зависимость импульсного запирающего тока управляющего электрода от импульсного тока.
Зависимость импульсного запирающего тока управляющего электрода от импульсного тока.
О 510 15 гонке
О 510 15 гонке
113 153 Z93 333 313 413 К
Зависимость максимального на-
пряжения в закрытом состоянииот температуры корпуса.
3,5
Z,0 г,5 1,0
7,5
1,0
0,5 О
Зависимость отпирающего тока управляющего электрода от длительности отпирающего импульса.
Зависимость импульсного запи-рающего тока и напряженияуправляющего электрода ' отвремени запирания.
Зависимость мгновенной мощ-ности запирающего импульса огдлительности запирающего им-пульса.
Зависимость напряже-ния в открытом со-стоянии от температу-ры корпуса.Зависимость напряже-ния в открытом со-стоянии от температу-ры корпуса.Зависимость частоты от длительностиимпульса.
Зависимость напряже-ния в открытом со-стоянии от температу-ры корпуса.
Зависимость напряже-ния в открытом со-стоянии от температу-ры корпуса.
2У205А, 2У205Б, 2У205В, 2У205Г
Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные р-п-р-п триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей средней мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 16 г.
Элек грические параметры
Постоянное отпирающее напряжение управляющего электрода при /у от = 150 мА, не более ЗВ
Постоянный отпирающий гок управляющего электрода
при С/пр зкр = 10 В, Т = 213 К, не более . . . . . 250 мА Ток в закрытом состоянии при максимальном напря
жении, 298 и 383 К, не более 5 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении, 383 К, нс более 5 мА
Время включения при /0ТКр, и, макс = ЮО А, не более: 2У205А при t/np iKp, макс = 400 Во,5 мкс
2У205Б при Спр ,кр макс = 600 В0,35 мкс
2У205В, 2У2О5Г при С'лр,зкр.макс = 800 В0,2 мкс
Время выключения при /,,кр „, макс = 100 A, dU.^dt < 30 В/мкс, не более:
2У205А при 1/лр,зкр.«акс = 400 В45 мкс
2У205Б при С7нр ,кр макс = 600 В30 мкс
2У205А, 2У205Г при 6/Пр. зкр, макс = 800 В . . . .30 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии при тем
пературе корпуса 358 К:
2У205А ." 400В
2У205Б 600В
2У205В, 2У205Г 800В
Неотпирающеенапряжение иа управляющем электроде 0,1В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 30 В/мкс Постоянное обратное напряжение:
2У205А, 2У2О5Б 100В
2У205В 400В
2У205Г 800В
Минимальное напряжение в закрытом состоянии . . . .10В
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде 1В
Импульсное обратное напряжение на управляющем электроде при ту и < 30 мкс 4 В
Постоянный ток в открытом состоянии при частоте следования 50—1000 Гц, амплитуде не более 5 А, температуре корпуса 358 К 2 А
Импульсный ток в открытом состоянии при температуре корпуса 358 К 100 А
Минимальный ток в открытом состоянии 0,5 А
Максимальная частота следования импульсов анодного тока 1000 Гц
Мгновенная мощность управляющего импульса: при ту „ « 3 мкс 80 Вт
при ту и > 3 мкс1,5 + 236
'Ъ.и
Импульсный ток управляющего электрода при Ту н = 1 -? 2 мкс 2 А
Средняя мощность управляющего импульса 1,5 Вт
Время установления импульсного тока управляющего электрода:
при /откр. „>25 А0,1 мкс
при /Откр.и<25 А0,25 мкс
Температура корпусаОт 213 до
373 К
Температура перехода 393 К
Примечания: 1. Категорически запрещается при монтаже прилагать к изолированным выводам усилие более 0,1 кг.
При эксплуатации и измерениях параметров между управляющим электродом и катодом должен быть включен резистор сопротивлением 50 Ом.
Зависимость максимального на- Зависимость максимального им- пряжения в закрытом состоя- пульсного тока в открытом со- нии от температуры корпуса. стоянии от температуры корпуса.
тока в открытом состоянии от температуры корпуса.
пульса от импульсного тока.
мкс
SO
40
2D
10 8
6
4
I
1
*«| I I 2У205(Л"Г)
- U -6008ипр,зкр v
—A80Q Гцf -1000 Гц
^откр,н,т
а ю 40 60 80 100 А
f-100 Гц
100 Гц
400 Гц ^ВООГц
Зависимость длительности импульса от импульсного тока.
Зависимость длительности им-пульса от импульсного тока.
Зависимость времени включения от температуры перехода.
Зависимость времени включенияот прямого напряжения в за-крытом состоянии.
Зависимость импульсного от-пирающего напряжения управ-ляющего электрода от длитель-ности импульса.
Зависимость импульсного отпи-рающею тока управляющегоэлектрода от длительностиимпульса.
Зависимост ь времени выключения от температуры перехода.
Зависимость импульсного на-пряжения в открытом состоянииот импульсного тока.
2У206А, 2У206Б, 2У206В, 2У206Г
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные- запираемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих схемах средней мощности.
Выпускаются в металлостекляпном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 4 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 350 мА, 213 и 293 К, не более 4В
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода при ^пр.зкр = 20 В, /откр = 100 мА, Т| = 3 мкс, /у < 1000 Гц, не более: при 213 К50мА
при 298 К35мА
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде при 1/пр, зкр = 20 В, /откр = 100 мА, Т] = 3 мкс, /у < 1000 Гц, Т = 213 К. не более . . . .2,5 В
Импульсный запирающий ток управляющего электрода
ПРИ ^откр = 350 мА, т2 = 7 мкс, /у < 1000 Гц, макси
мальном напряжении, Т = 343 и 298 К. не более 70 мА Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении, не более:
при 383 К1,5мА
при 298 К0,3мА
Время включения по управляющему электроду при максимальном напряжении, 7откр = 350 мА, Д от и = = 50 мА, г, = 3 мкс, /у < 250 Гц, не более . . . .3 мкс
Время выключения по управляющему электроду при максимальном напряжении, 7о1Кр = 350 мА, /у от „ =
= 50 мА, Д,3.„ = 70 мА, tl = 3 мкс, т2 = 7 мкс.
ти = 70 мкс, Уу < 250 Ги, не более 7мкс
Импульсное запирающее напряжение на управляющем электроде при максимальном напряжении, /откр =
= 350 мА, т, = 7 мкс, fY < 1000 Гц, 343 К. не более 25 В
Неотпирающий ток управляющего электрода при максимальном напряжении, /о|кр = 350 мА, Т| = 3 мкс, /у < 1000 Гц, не менее0,1мА
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде при максимальном напряжении, Д от и <45 мА,
Дкр < 0,3 мА, г, = 3 мкс, /у < 1000 Гц, не менее 0,1 В
Удерживающий ток при Г^зир = 20 В, 213 К, не более 90 мА
Незапирающий ток управляющего электрода при ^прлкр = 20 В, /о1кр = 100 мА, т2 — 7 мкс, /у < 1000 Гц, не менее0,5мА
Незапирающее напряжение на управляющем электроде при Спр зкр = 20 В, /обр = 100 мА. т2 = 7 мкс, /у < 1000 Гц, не менее0.05В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
при температуре от 213 до 383 К 2У206А 50В
2У206Б 100В
2У206В 150В
2У206Г 200В
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
в ждущем режиме при температуре от 213 до 343 К: 2У206А' 50 В
2У206Б 100В
2У206В 150В
2У206Г 200В
Постоянное обратноенапряжение 5В
Минимальное напряжение взакрытом состоянии . . . .20В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 200В/мкс
Постоянный запираемый ток при температуре: от 213 до 343 К 350 мА
от 343 до 383 К
0.16
Минимальный ток в открытом состоянии при 213 К 100 мА Постоянный ток в открытом состоянии при 383 К 100 мА Импульсный прямой ток управляющего 'электрода при длительности импульса от 3 до 20 мкс. /у = 50 Гц и температуре:
от 213 до 343 К 200 мА
от 343 до 383 К100 мА
Импульсный обратный ток управляющего электрода при длительности импульса от 7 до 20 мкс. /, = 50 Гц. при температуре:
от 213 до 343 К100 мА
от 343 до 383 К90 мА
Импульсный ток в открытом состоянии при 4 = 50 Гц:
т„ < 10 мкс 20 А
ти =5 100 мкс 4 А
ти < 1000 мкс 2 А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре корпуса от 213 до 343 К 1.4 Вт
Тепловое сопротивление переход— корпус40 К/Вт
Температура перехода 398 К
Температура корпусаОт 213
до 383 К
Примечание. Для повышения надежности необходимо шунтировать цепь управления резистором сопротивлением 20 Ом.
Зависимость максимальногопрямого напряжения в закрытомсостоянии от температуры кор-пуса.
О 510 1520 мкс
Зависимость импульсного запирающею напряжения управляющего электрода ог длительности запирающего импульса.
Зависимость импульсного отпирающего тока и напряжения управляющего электрода от длительности отпирающего импульса.
Зависимость импульсного запирающего тока управляющего электрода от запирающего тока.
Зависимость импульсного запирающего напряжения управляющего электрода от запирающе
го тока.
Зависимость удерживающего то-ка от температуры.
Зависимость импульсного запирающего напряжения управляющего электрода от температуры.
Зависимость импульсного отпи-рающего тока управляющегоэлектрода от температуры.
Зависимость тока в закрытомсостоянии от температуры.
2У207А, 2У207Б, 2У207В, 2У207Г, 2У207Д, 2У207Е
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные нсзапи- раемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих устройствах большой мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 40 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 10 А, не более: при 298 К 2,5 В
при 213 К 3,5 В
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при Ппрзкр = 10 В, 7откр = 10 А, не более: при 298 К 300 мА
при 213 К 500 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря
жении, не более: при 298 К 5мА
при 383 К 10мА
Обратный ток 2У207Б, 2У207Г, 2У207Е при максималь
ном обратном напряжении, не более: при 298 К 5 мА
при 383 К 10 мА
Время включения 2У207Д, 2У207Е при Unp зхр = 300 В,
/у]ОТИ = 150 мА, т, = 10 мкс, 70ТКр = Ю А, ие более 0,5 мкс
Время выключения при максимальном напряжении
А.от.и = 150 мА, т2 = 10 мкс, 7откр = 10 А, не более 15 мкс
Импульсное отпирающее напряжение управляющего элек
трода при 7/ зкр = 10 В, /у.от.и = 300 мА, т, = 10 мкс, не более 10 В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при максимальном напряжении, не менеею В/мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
при температуре от 213 до 383 К: 2У207А,2У207Б 100В
2У207В,2У207Г 200В
2У207Д,2У207Е 300В
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 383 К: 2У207Б 100В
2У207Г 200В
2У207Е 300В
2У207А. 2У207В, 2У207ДНедопуска
ется
Постоянный ток в открытом состоянии при температуре корпуса от 213 до 308 К 10 А
Постоянный ток в режиме переключения при макси
мальном напряжении,/= 50 Гц и температуре корпуса от 213 до 343 К 5 А
Импульсный ток в открытом состоянии при
70[Крср < 0*5 А, ти < 50 мкс и температуре корпуса от 213 до 343 К 100А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре кор
пуса от 213 до 308 К 20Bi
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
температуре от 213 до 383 К 2А
Постоянное обратное напряжение на управляющем электроде 1В
Температура окружающей средыОт213
до 383 К
Примечания: 1. Постоянный ток, А, в открытом состоянии при температуре корпуса от 308 до 383 К определяется по формуле /откр = (383 - 7^/7,5.
Постоянный ток, А, в открытом состоянии в режиме переключения при температуре корпуса от 343 до 383 К определяется по формуле
/икр = (383 - TJ/8.
Импульсный ток. А, в открытом состоянии при температуре корпуса от 343 до 383 К определяется по формуле
/откр,И = (383 - Гк)/0.4.
Средний ток, А, в открытом состоянии при максимальном импульсном токе и температуре корпуса от 343 до 383 К определяется по формуле
/откр, ср = (383 — Гк)/80.
Средняя рассеиваемая мощность. Вт, при температуре от 308 до 383 К определяется по формуле
Рср = (383 - Гк)/3,75.
Зависимость времени выключе-ния от температуры корпуса.
Зависимость времени выключе-ния от импульсного тока.
Зависимость импульсного отпирающего напряжения управляющего электрода от длительности отпирающего импульса.Зависимость импульсного отпирающего напряжения управляющего электрода от длительности отпирающего импульса.
Зависимость импульсного отпирающего напряжения управляющего электрода от длительности отпирающего импульса.
Зависимость импульсного отпирающего напряжения управляющего электрода от длительности отпирающего импульса.
Зависимость импульсного отпирающего тока управляющего электрода от длительности отпирающего импульса.
Зависимость времени включенияот импульсного тока.
Зависимость времени включенияот прямого напряжения в за-крытом состоянии.
Зависимость времени включения Зависимость неотпирающего toot импульсного отпирающего ка управляющего электрода от тока управляющего электрода. температуры корпуса.
Зависимость неотпирающего напряжения управляющего электрода от температуры корпуса.Зависимость неотпирающего напряжения управляющего электрода от температуры корпуса.Зависимость минимального токав открытом состоянии от тем-пературы корпуса.Зависимость минимального токав открытом состоянии от тем-пературы корпуса.Зависимость импульсного отпи-рающего тока управляющегоэлектрода от длительности от-пирающего импульса.Зависимость импульсного отпи-рающего тока управляющегоэлектрода от длительности от-пирающего импульса.Зависимость напряжения в от-крытом состоянии от темпера-туры корпуса.Зависимость напряжения в от-крытом состоянии от темпера-туры корпуса.2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г, КУ208А, КУ208Б,КУ208В, КУ208Г
Зависимость неотпирающего напряжения управляющего электрода от температуры корпуса.
Зависимость неотпирающего напряжения управляющего электрода от температуры корпуса.
Зависимость минимального токав открытом состоянии от тем-пературы корпуса.
Зависимость минимального токав открытом состоянии от тем-пературы корпуса.
Зависимость импульсного отпи-рающего тока управляющегоэлектрода от длительности от-пирающего импульса.
Зависимость импульсного отпи-рающего тока управляющегоэлектрода от длительности от-пирающего импульса.
Зависимость напряжения в от-крытом состоянии от темпера-туры корпуса.
Зависимость напряжения в от-крытом состоянии от темпера-туры корпуса.
Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные п-р-п-р-п триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве симметричных ключей средней мощности для устройств автоматического регули
рования и коммутации цепей силовой автоматики на переменном токе.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 18 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /огкр = 5 А 298 и 213 К, не более 2В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при t/np3Kp = Ю В, не более:
при 298 К 2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г150 мА
КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г160 мА
при 213 К для 2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г 250 мА
Постоянное отпирающее напряжение управляющего электрода, не более:
при 298 К для КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г5 В
при 213 К для 2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г 7 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении и температуре 213 и 383 К (358 К для КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208О, не более 5 мА
Время включения при максимальном напряжении, 7откр = 5 А, не более10 мкс
Время выключения при максимальном напряжении, Лткр = 5 А, не более150 мкс
Минимальный ток в открытом состоянии при Спр зкр =10 В, не более150 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии (постоянное обратное напряжение): 2У208А, КУ208А 100В
2У208Б, КУ208Б 200В
2У208В, КУ208В 300В
2У208Г, КУ208Г 400В
Импульсное прямое напряжение на управляющем электроде при ти < 50 мкс, температуре корпуса от 213 до 383 К (358 К для КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г) 10 В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при температуре корпуса от 213 до 383 К (до 358 К для КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г):
КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г10 В/мкс
2У208А, 2У208Б, 2У2О8В, 2У208Г15 В/мкс
Постоянный ток в открытом состоянии при температуре: от 213 до 343 К 5 А
при 383 К для 2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г0,5 А
Импульсный ток в открытом состоянии при температуре: от 213 до 343 К 2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г 15 А
КУ208А, КУ208Б, КУ2О8В, КУ208Г 10 А
при 383 К для 2У208А, 2У208Б, 2У2О8В, 2У208Г1,5 А
Импульсный перегрузочный ток в открытом состоянии в течение одного полупериода при температуре: от 213 до 343 К 30 А
при Тк = 383 К для 2У208А, 2У208Б. 2У208В.
2У208Г ЗА
Импульсный прямой ток управляющего электрода при температуре от 213 до 383 К (до 358 К для КУ208А, КУ2О8Б, КУ208В, КУ208Г) 500 мА
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
ти < 50 мкс, температуре от 213 до 383 К (до 358 К
для КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г) 1 А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре корпуса :
от 213 до 343 К 10 Вт
при 383 К для 2У208А, 2У208Б, 2У208В, ‘2У208Г1 Вт
Импульсная мощность управляющего электрода при
т„ < 50 мкс, /у < 400 Гц при температуре корпуса от
213 до 343 К'.. .5 Вт
Предельная частота 400 Гц
Температура корпуса:
2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208ГОт 213
до 383 К
КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208ГОт 213
до 358 К
Примечание. Нормальная работа тиристора обеспечивается при следующих полярностях анодного и управляющего напряжений: Напряжение анодаНапряжение управляющего
электрода
Зависимость максимальноготока в открытом состоянии оттемпературы корпуса.
Зависимость отпирающего токауправляющего электрода оттемпературы.
1
отпирающего напряжения управляющего электрода от тем-
В
500
ЧОО
300
200
100
Впр,зкр,ма.№,Т 28208(А-Г)
1 2У288Г
ПЭ
4UOI
П 1 /
1 гУ2088
2У2086
2У2О8А \
т
пературы.
О
213 253 293 333 3 73 413 К
Зависимость импульсного отпирающего тока управляющего электрода от длительности им-
Зависимость напряжения в открытом состоянии от темпера-
Зависимость времени включения и выключения от импульсного
Зависимость времени включения
и выключения от температуры.
тока.
Часть четвертая
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
Раздел тринадцатый
ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ ИК ДИАПАЗОНА
ЗЛ1ОЗА, ЗЛ1ОЗБ, АЛ103А, АЛ103Б
Излучаюшие диоды арсенид-таллиевые эпитаксиальные бескор- пусные. Предназначены для работы в качестве источников излучения в ближнем ИК диапазоне. Тип диода указывается на вкладыше, помещаемом вместе с диодом в упаковку.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при/пр = 50 мА, не менее :
АЛ ЮЗА, ЗЛ1ОЗА 1 мВт
АЛ103Б, ЗЛ1ОЗБ 0,6 мВт
Постоянное прямое напряжение при
/пр = 50 мА, при температуре от 233 до 358 К, не более 1,6 В
Типичное значение длины волны в максимуме спектральной .характеристики излучения0,95 мкм
Ширина спектральной характеристики излучения на уровне 0,5 От10 до 50 нм
Время нарастания импульса излучения От 200 до 300 нс
Время спада импульса излучения 500 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой 1Ок мд
Обратное импульсное напряжение . . . .2 В
Температура окружающей среды:
АЛ103А, АЛ103Б От233 до 358 К
ЗЛ1ОЗА. ЗЛ1ОЗБ От213 до 358 К
зависимости мощности излучения от длины волны.
симости мощности излучения от длины волны.
симости мощности излучения отсимости мощности излучения отдлины волны.длины волны.
симости мощности излучения от
симости мощности излучения от
длины волны.
длины волны.
Зоны возможных положений зависимости мощности излучения от тока.
Диаграмма направленности излучения.
АЛ106А, АЛ106Б, АЛ106В
Излучающие диоды фосфид-галлиевые мезадиффузионные в пластмассовой заливке. Предназначены для работы в качестве источников инфракрасного излучения с длиной волны 0,93 мкм.
Масса диода не более 0,5 г.
Место маркировкаМесто маркировкаОтрицательный выводОтрицательный выводМесто маркировки типа диодаМесто маркировки типа диода
Место маркировка
Место маркировка
Отрицательный вывод
Отрицательный вывод
Место маркировки типа диода
Место маркировки типа диода
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при /пр = 100 мА. не
менее: АЛ106А0,2мВт
АЛ106Б0,4мВт
АЛ106В0,6мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА, не более:
от 298 до 358 К 1,7В
при 213 К 1,9В
Типичное значение длины волны излучения в максимуме спектральной характеристики при /пр = 100 мА От 0,92 до 0,935 мкм
Ширина диаграммы направленности на уровне 0,5*25°
Время нарастания импульса излучения между уровнями 0,1 и 0,9* 10нс
Время спада импульса излучения между уровнями 0,9 и 0.1* 20нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный при 298 при 358
прямой ток: К . . . .
и 213 К . .
120
100 От
мАмА
213
Температура окружающей среды
Зоны возможных положений зависимости мощности излу-
Зона возможных положений вольт-амперной характеристики.
Зависимость мощности излу-чения от длины волны.
чения от тока.
6,3 696,3 691 Электрод1 /'''Электрод 21 Электрод1 /'''Электрод 2
6,3 69
6,3 69
1 Электрод1 /'''Электрод 2
1 Электрод1 /'''Электрод 2
Диаграмма направленности из-лучения (7. 2 — возможные по-ложения оси диаграммы на-правленности).
Зависимость прямого тока оттемпературы.
ЗЛ107А, ЗЛ107Б, АЛ107А, АЛ107Б
Излучающие диоды арсенид-галлиевые мезаэпитаксиальные. Предназначены для работы в качестве источников инфракрасного излучения.
Конструктивно диоды оформлены в пластмассовой оболочке.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрод1 Электрод 2
Ти.п Виода.:..„..._. /р
А Л ЮТА -одна тачка.^ АЛ Ю75"88е точки '
Электрические в излучательные параметры
Полная мощность излучения при температуре oi 213 до
298 К. 71|р = 100 мА, не менее:
АЛ107А, ЗЛ107А60мВт
АЛ107Б. ЗЛ1О7Б10мВт
Импульсная мощность излучения* при /hp „ = 0.8 А
и т„ = 50 мкс, не менее:
AJI107A. ЗЛ1О7А 300мВ г
АЛ107Б, ЗЛ1О7Б50мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр — 100 мА, не более:
при 298 К 2 В
при 213 К 2,5 В
Длина волны излучения в максимуме спектральной характеристики при /пр = ЮО мА и температуре от
213 до 358 КОт0,9 до
1.2 мкм
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре: от 213 до 308 К100мА
при 358 К мА
Импульсный прямой ток при длительности импульса не более 50 мкс, скважности 20 и температуре: от 213 до 308 К 0,8А
при 358 К0,65А
Температура окружающей среды .. От 213
до 358 К
Примечание. При температуре 358 К мощность излучения снижается не более чем в 2 раза.
Зависимость максимального импульсного прямого тока от скваж-ности.
1,1 1,0 0,9 0,8 0,1 0,6 0,5 0,И 0,3 о,г 0,1 о
^22
Т=813К-
V ЮОмД 898 К
Ij£10Q«A
358К
1Пр~80мА
ЗЛ107(Л,6),ЛЛ107(А,Ы
Зависимость максимального импульсного прямого тока от длительности импульса.
Зависимость мощности излучения от дли-
880 900940980 нм
ны волны.
Диагра.мма направленности излуче-ния (1 — 3— возможные положенияоси диаграммы направленности).
Зона возможных положений вольт-амперной характеристики.
Зависимость прямого тока от темпе-ратуры.
ЗЛ108А, АЛ108А
Излучающие диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные в пластмассовом корпусе. Предназначены для работы в качестве источника инфракрасного излучения с длиной волны 0.94 мкм. Диоды маркируются белой точкой.
Масса диода не более 0,15 г.
Полная мощность излучения при /пр = = 100 мА. не менее 1,5 мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр = = 100 мА. не более 1,35 В
Типичное значение длины волны в максимуме спектральной характеристики излучения
при /1|р = 100 мА 0,94мкм
Температурный коэффициент положения максимума спектра 2,3нм/К
Полуширина спектра излучения при температуре от 213 до 358 К От35 до 70 нм
Прямое импульсное напряжение при /пр „ = = 4 А От2.5 до 3,2 В
Дифференциальное сопротивление при Лф.и = 0.5 А, нс более 1Ом
Время нарастания импульсаизлученияОт0.4до2.4 мкс
Время спада импульса излучения От1,0до2.0 мкс
Общая емкость диода От100до400 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре
от 213 до 358 К НОмА
Импульсный прямой ток при длительности
импульса не более 20 мкс и температуре от 213 до 358 К . .4 А
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 2В
Температура окружающей среды От213 до 358 К
Зависимость мощност и излуче-ния от длины волны.
Диаграмма направленности птлучения (/, 2 — возможные по-ложения оси диаграммы на-правленности).
Зона возможных положений за-висимости прямого напряженияот температуры.
Зона возможных положений за-висимости мощности излученияот температуры.
Зона возможных положений зависимости мощности излучения от импульсного тока.
Зависимость мощности излу-чения от частоты.
ЗЛ109А-1, АЛ109А-1
Излучающие диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные бескор- пусные. Предназначены для использования в оптоэлектронных гибридных микросхемах, имеющих герметичный корпус. Обозначение типа диода приводится на этикетке.
Масса диода не более 0,06 г.
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при 7пр = 20 мА, не менее0.2мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр = 20 мА, не более 1.2В
Типичное значение длины волны в максимуме спектральной характеристики излучения при /пр = 20 мА 0,93 мкм
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
353 К22мА
Температура окружающей средыОт213
Диаграмма направленности излучения.Диаграмма направленности излучения.до 353 К
Диаграмма направленности излучения.
Диаграмма направленности излучения.
IIЗависимость мощности излучения от длины волны.
I
I
Зона возможных положений зависи-мое! и мощности излучения от пря-мого тока.
ЗЛ115А, АЛП5А
Излучающие диоды арсенид-галлиевые мезаэпитаксиальные в защитной пластмассовой оболочке. Предназначены для работы в качестве источников инфракрасного излучения с длиной волны 0,95 мкм. Тип диода указывается на групповой таре. Положительный вывод отмечается белой точкой.
Масса диода 0,2 г.
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при /пр = 50 мА, не менее10мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не более 2В
Дифференциальное сопротивление при /пр = 50 мА, не более 3Ом
Длина волны излучения в максимуме спектральной характеристики 41 при 7г1р = 50 мА Около
0,95 мкм
Ширина cneKipa излучения* на уровне 0,5 при /ир = 50 мА, не более0,05мкм
Ширина диаграммы направленности * на уровне 0,5, не более90i рад
Коэффициент полезного действия *, не менее 10%
Параметры импульса излучения*: время включения, не более 300нс
время выключения, не более 500нс
Постоянный обратный ток при t/o6p = 4 В, не более 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток АЛ115А при температуре от
233 до 358 К и ЗЛ115А при температуре от 213
до 358 К50мА
Постоянное обратное напряжение 4В
Рассеиваемая мощность100мВт
Температура окружающей среды: АЛ115АОт233
до 358 К
ЗЛ115АОт213
до 358 К
3
Зона возможных положений вольт-
амперной характеристики тока от на
Зона возможных положенийзависимости мощности излу-чения от тока.
пряжения.
Диаграмма направленности из-лучения.
Зависимость мощности излучения от длины волны.
ЗЛ118А
Излучающие диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные в защитной пластмассовой оболочке. Предназначены для работы в качестве источников непрерывного или импульсного инфракрасного излучения с длиной волны 0,93 мкм. Тип диода указывается на групповой таре. Положительный вывод маркируется черной точкой.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при /пр = 50 мА, не менее 2 мВт
Импульсная мощность излучения при /пр и = 0,5 А и температуре 298 К, не менее10 мВт
Постоянное прямое напряжение при /гр = 50 мА, не более 1,7 В
Длина волны излучения в максимуме спектральной характеристикиОт 0,91
до 0,95 мкм
Время нарастания импульса излучения при /при = 50 мА, ти < 500 нс, не более 100 нс
Время спада, не более 150 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 358 К50мА
Импульсный прямой ток при длительности импульса
50 мкс и скважности не менее 20 при температуре 298 К 0,5А
Постоянное обратное напряжение при токе /обр = 100 мкА и температуре 298 К 1В
Температура окружающей средыОт213
до 358 К
Зона возможных положений за-висимости мощности излученияот темпера гуры.
Диаграмма направленности излу
Зависимость мощности излуче-ния от тока.
чения.
Зависимость импульсного прямого тока от скважности.
Зона возможных положений зависимости импульсного прямого тока от импульсного прямого напряжения.
ЗЛ119А, ЗЛ119Б
Излучающие диоды арсенид-галлиевые мезаэпитаксиальные в
в качестве 0.95 мкм.в качестве 0.95 мкм.металлостеклянном корпусе. Предназначены для работы источников инфракрасного излучения с длиной волны Обозначение типа наносится на групповую тару.
в качестве 0.95 мкм.
в качестве 0.95 мкм.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения в угле 110 ' при /пр =
= 300 мА, не менее40 мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр = 300 мА. не более ЗВ
Длина волны излучения в максимуме спектральной характеристикиОт 0,93
.до 0,96 мкм
Время нарастания импульса излучения, не более: ЗЛ119А 1мкс
ЗД119Б0,35мкс
Время спада импульсаизлучения 1,5мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре окружающей
среды:
от 213 до 308 К 300мА
при 358 К 200мА
Температура окружающей средыОт213
до 358 К
Зона возможных положений за-висимости прямого тока от на-пряжения.
Зона возможных положений за-висимости прямого напряженияот температуры.
Зона возможных положений за-висимости мощности излученияот тока.
Зона возможных положений за-висимости мощности излученияот температуры.
Зона возможных положений зави-симости длины волны от темпе-ратуры.
Зависимость прямого тока оттемпературы.
Раздел четырнадцатый
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ,ЗНАКОВЫЕ ИНДИКАТОРЫ2Л101А, 2Л101Б, КЛ101А, КЛ101Б, КЛ101В
Светоизлучающие диоды карбидокремниевые желтого цвета свечения в металлическом корпусе. Предназначены для визуальной индикации, а также для использования в устройствах автоматического регулирования. Тип диода указывается на групповой таре.
Масса диода не более 0,03 г.
Электрические и излучающие параметры
Яркость, не менее:
при 298 К
2Л101А, КЛ101А10кд/м2
2Л101Б, КЛ101Б15кд/м2
КЛ101В20кд/М2
при 343 К 2Л101А,КЛ101А, КЛ101Б4кд/м2
2Л101Б,КЛ101В6кд/м2
при 263 К
2Л101А,КЛ101А4кд/м2
2Л101Б,КЛ101Б6кд/м2
КЛ101В8кд/м2
Постоянное прямое напряжение при максимальном токе, не более:
при 298 и 343 К
2Л101А, 2Л101Б 5В
КЛ101А, КЛ101Б, КЛ101В 5,5В
при 263 К
2Л101А, 2Л101Б. КЛ101А, КЛ101Б, КЛ101В . .10 В
Цвет свеченияЖелтый
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 263 до
343 К:
2Л101А, КЛ101А 10мА
2Л101Б, КЛ101Б20мА
КЛ101В40мА
Температура окружающей средыОт263
до 343 К
Зона возможных положений зависимостияркости от тока.
Зависимость яркости оттемпературы.Зависимость яркости оттемпературы.Зона возможных положений зависи-мости яркости от длины волны.
Зависимость яркости оттемпературы.
Зависимость яркости оттемпературы.
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г, АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г
Светоизлучающие диоды фосфид-галлиевые эпитаксиальные в металлостеклянном корпусе красного цвета свечения. Предназначены для визуальной индикации.
Диоды маркируются цветными точками. АЛ 102А — красной, АЛ102Б-двумя красными, АЛ 102Г - тремя красными, ЗЛ102А - черной, ЗЛ102Б-двумя черными, ЗЛ102Г - тремя черными.
Масса диода не более 0,25 г.
Электрические и световые параметры
Сила света, не менее: АЛ102А при /1|р = 5 мА и 298 К40 мккд
ЗЛ102А при /пр = 5 мА при 298 и 213 К40 мккд
при 343 К25 мккд
АЛ102Б при /пр = 20 мА и 298 К100 мккд
ЗЛ1О2Б при /пр = 20 мА при 298 и 213 К100 мккд
при 343 К40 мккд
АЛ102Г при /11р = 10 мА и 298 К 200 мккд
ЗЛ102Г при /пр = 10 мА:
при 298 и 213 К 200 мккд
при 343 К100 мккд
Постоянное прямое напряжение, ЗЛ102А и АЛ102А при
Znp = 5 мА, ЗЛ102Б и АЛ102Б при /пр = 20 мА, ЗЛ102Г и АЛ102Г при /пр = 10 мА, не более . . . .2,8 В
Цвет свеченияКрасный
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 323 К:
АЛ102А, АЛ102Г,ЗЛ102А, ЗЛ102Г 10мА
АЛ102Б, ЗЛ102Б20мА
Постоянный прямой ток при температуре от 323 до 343 К 10мА
Обратное напряжение постоянное или импульсное при длительности импульса до 20 мкс и частоте до 1 кГц 2В
Температура окружающей средыОт213
до 343 К
Зона возможных положений зависимости прямого тока от напряжения.
Зависимость силы света от тока.
Зависимость яркости от
длины волны.
Зона возможных положений зави- Диаграмма направленности, симости силы света от температуры.
2Л105А
Знаковый индикатор карбидокремниевый желто-оранжевого цвета свечения в пластмассовом корпусе. Предназначен для визуальной индикации.
Индикатор имеет семь элементов, излучающих свет при подаче прямого тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9. Отрицательный вывод маркируется цветной точкой на торце цифрового индикатора у общего вывода 1. Размер цифры 5 мм.
Масса не более 0,8 г.
68168122 под ред. Н. Н. Горюнова
681
681
11С5
1
ц
Ц
1,15 ±0,1
з±о,ог
и-^й_-
0,8710,1
1.
3
ч
3х 1,15=3,75
8
7
6
5
। и _ у
I
5-opt
3±0,15
Отрицательный быкйобозначается цветной точкой на торце цифрового индикатора и общего Вывода (мЬ).
7 — катод общий; 2 — анод С; 3 — анод D; 4 — анод Е; 5 — анод F; 6 - анод Д;
7 — анод G; 8 — анод В,
Таблица 14.1
Порядок подключения выводов знакового индикатора для получения изображения цифры
Воспроизводимые цифры
Выводы
0
2 3
4 5
6 7
8
9
3, 4, 5, 6, 8
8 или 4, 5
4, 6, 7, 8
2, 3, 6, 7, 8 или 3,
2, 5, 7, 8 или 2, 4,
2, 3, 5, 6, 7
2, 3, 4, 5, 6, 7 или
2, 6, 8 или 3, 4, 5
2, 3, 4, 5, 6. 7, 8
2, 3, 5, 6, 7, 8 или
4, 5, 5, 7
2, 3,
2, 3.
6, 7
5, 6, 7. 8
4, 5. 6. 7
Электрические и световые параметры
15 кд/м20,50,25От 2,2 до 6 В15 кд/м20,50,25От 2,2 до 6 ВЯркость при /пр = 10 мА через каждый элемент, не менее
15 кд/м2
0,5
0,25
От 2,2 до 6 В
15 кд/м2
0,5
0,25
От 2,2 до 6 В
Коэффициент изменения яркости, не менее: при 343 К
при 213 К
Постоянное прямое напряжение: при 293 К
при 343 Кпри 213 К Цвет свеченияпри 343 Кпри 213 К Цвет свеченияОт1.8 до 6 В
при 343 К
при 213 К Цвет свечения
при 343 К
при 213 К Цвет свечения
От2,2 до 10 В
Отжелтого
до оранже-вого
Предельные эксплуатанисн^ые данные
Прямой ток через элемент при температуре корпуса от 213 до 358 К 12мА
Прямое напряжение, при котором отсчгствует свечение при температуре от 213 до 343 К 1В
Температура окружающей среды . От213
до 343 К
Зона возможных положений зависимости прямого тока от напряжения.
Зона возможных положений за-висимости яркости от тока.
213 233 333 213 293 313 333 353 К
Зона возможных положений зависимости яркости от температуры.
Зона возможных положений за-висимости интенсивности излу-чения от длины волны.
АЛ301А, АЛ301Б
Светоизлучающие диоды фосфид-галлиевые эпитаксиальные бес- корпусные. Предназначены для использования в индикаторах, оптопарах. гибридных микросхемах.
Диоды маркируются цветным кодом: АЛ301А — одной красной точкой, АЛ301Б — двумя красными точками.
Масса диода не более 9 мг.
Электрические и световые параметры
Яркость излучения, не менее:
АЛ301А при /„р = 5 мА25мккд
АЛ.301Б при /пр = 10 мА100мккд
Постоянное прямое напряжение для АЛ301А при /пр =
= 5 мА, АЛ301Б при /1ф = 10 мА. не более . . .2,8 В
Цвет свеченияКрасный
11 ре дельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
343 К 11мА
Темпера'ура окружающей средыОт213
до 343 К
Зависимость мощности излучения от длины волны.
Зона, возможных положений за- Диаграмма направленности из- висимости силы света от тем-лучения,
пературы.
Зона возможных положений зависимости силы света от температуры.
АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304В, АЛ304Г
Знаковые индикаторы арсенид-фосфидчаллиевые эпитаксиально- планарные красного и зеленого цвета свечения в пластмассовом корпусе. Предназначены для отображения цифровой информации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку, излучающие свет при подаче прямого тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку.
Размер цифры 3 мм. Масса прибора не более 0,25 г.
Исполнение 2Исполнение 2Исполнение 1Исполнение 1остальное-см. исполнение!остальное-см. исполнение!
Исполнение 2
Исполнение 2
Исполнение 1
Исполнение 1
остальное-см. исполнение!
остальное-см. исполнение!
АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304В: 1 - анод Е; 2 - анод D\ 3, 8 - катод общий; 4 — анод С; 5- анод Н; 6 — анод В; 7 — анод А; 9 - анод G; 10 - анод F; АЛ304Г: / — катод Е; 2 - катод D; 3, 8 — анод общий; 4 — катод С; 5 — катод Н; 6 — катод В'. 7 — катод Л; 9 — катод G; 10 — катод F.
Электрические и световые параметры
Яркость при токе через элемент 5 мА, не менее: АЛ 304А140 кд/м2
АЛ304Б От 80
до 320 кд/м2
АЛ304В (при токе через элемент 10 мА) . . . .60 кд/м2
АЛ304Г 350кд/м2
Допустимое отклонение яркости —60 %
Постоянное прямое напряжение, не более:
при температуре 298и343 Кдля АЛ304А,
АЛ304Б 2 В
при температуре 213 КдляАЛ304А,АЛ304Б . . .2.4В
при температуре 298и343 Кдля АЛ 304В,'
АЛ304Г ЗВ
при температуре 213 К для АЛ304В, АЛ304Г . . .3,6 В
Цвет свечения:
АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304ГКрасный
АЛ 304ВЗеленый
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток через каждый элемент при
температуре от 213 до 343 К 11мА
Постоянный прямой ток через все элементы при температуре от 213 до 343 К88мА
Мощность, рассеиваемая при температуре от 213 до 343 К 264мВт
Температура окружающей средыОт 213
до 343 К
Зона возможных положений
Зона возможных положений
зависимости прямого тока
висимости яркости от тока.
зависимости прямого тока от напряжения.
псралуры.
АЛ305А, АЛ305Б, АЛ305В, АЛ305Г, АЛ305Д, АЛ305Е,АЛ305Ж, АЛ305И, АЛ305К, АЛ305Л
Знаковые индикаторы арсенид-фосфид-галлиевыс красного и зеленого цвета свечения в пластмассовом корпусе. Предназначены для визуальной индикации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку, излучающие свет при подаче прямого тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку.
Индикаторы маркируются цветным кодом, приведенным .чиже.
Размер цифры 6,9 мм. Масса прибора не более 1,5 г.
АЛЗО5А-АЛ305Е: 7 - катод Л; 2 — катод F; 3, 9, 14 — анод общий: 6 — катод Н; 7 — катод Е; 5 — катод D; 10 — катод С; /7 — катод G; 13 — катод В; АЛ305Ж —АЛЗО5Л: 7 — анод А; 2 — анод F; 3, 9. 14 — катод общий: 6 — анод Н; 7 — анод Е; 8 — анод D, 10 — анод С. /7 — анод G: 13 — анод В.
Маркировка приборов
Таблица 14.2
Тип прибора
АЛЗО5А АЛ305Б А Л 305В АЛ305Г АЛ305Д АЛЗО5Е АЛЗО5Ж АЛЗО5И АЛЗО5К АЛЗО5Л
Цвет
точки
а
Белый
Белый
»
Красный
Красный
—
Синий
Синий
»
—
Черный
Черный
—
»
Белый
—
—
Электрические и световые параметры
Яркость при токе 20 мА, не менее:
АЛ 305А, АЛ305Ж 3 50 кд/м-
АЛ305Б, АЛЗО5И 200кд/м2
АЛЗО5В, АЛЗО5Д,АЛ305К120кл/хС
АЛ305Г, АЛЗО5Е,АЛЗО5Л60кд/м2
Допустимое отклонение яркости: АЛ305А, АЛЗО5В, АЛ305Ж "60°о
АЛЗО5Б, АЛЗО5Г, АЛ305Е. АЛЗО5И, АЛЗО5К,
±60%-50%±60%-50%АЛЗО5Л
±60%
-50%
±60%
-50%
АЛЗО5Д
Постоянное прямое напряжение при токе 20 мА. не более:
АЛЗО5А, АЛЗО5Б 4 В
АЛЗО5В, АЛ305Г, АЛЗО5Д. АЛЗО5Е, АЛ305Ж, АЛЗО5И, АЛ305К, АЛЗО5Л’6 В
Цвет свечения:
АЛЗО5А, АЛЗО5Б, АЛЗО5В, АЛЗО5ГКвасный
АЛЗО5Д, АЛЗО5ЕЗеленый
АЛ305Ж. АЛЗО5И, АЛ305К. АЛ305ЛКрасный
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный ток через каждый элемент при температуре окружающей среды от 213 до 343 К22 мА
Температура окружающей средыОт 213
Зависимость яркости от темпера
зависимости прямого юка от
туры.
Зона возможных положений
зависимости яркости от тока.
О 5101510 ZS мА
Зона возможных положений зависимости яркости от тока.
АЛ306А, АЛ306Б, АЛ306В, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е,АЛ306Ж, АЛ306И
Знаковые индикаторы арсенид-фосфид-галлиевые (АЛ306А, АЛ306Б), арсенид-галлий-алюминиевые (АЛ306В — АЛ306Е) и фссфидо- галлиевые (АЛ306Ж — АЛ306И), состоящие из дискретных элементов, изготовленных по планарной технологии. Предназначены для визуальной индикации.
Индикаторы имеют 35 + 1 элементов, соединенных в матрицу с перекрестной коммутацией, излучающих свет при подаче через соответствующие элементы прямого тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и буквы А, Б, Г, Е, 3, Н, О, П, Р. С, У, ч.
Масса прибора не более 1,5 г.
1A5tO,2
Таблица 14.3
Маркировка приборов
Тип прибора
Цвет
точки
Цвет точки
ГТ
б
АЛЗО6А
Белый
Белый
АЛ306Д
Зеленый
Зеленый
АЛ306Б
»
—
АЛ306Е
»
—
АЛ306В
Черный
Черный
АЛЗО6Ж
Красный
Красный
АЛ306Г
»
—
АЛ306И
»
—
Таблица 14.4Таблица 14.4
Таблица 14.4
Таблица 14.4
.V? выводов
Ряд. колонка
Полярность
выьода
Ряд, ко тонка
Полярность
1
Колонка 3
1
Колонка 3
+
2
Ряд 1
+
Ряд 1
3
Ряд 3
+
3
Ряд 3
—
4
Ряд 4
+
4
Ряд 4
5
Колонка 2
—
5
Колонка 2
+
6
Отсутствует
6
Отсутствует
7
Колонка 1
—
7
Колонка 1
+
8
Колонка 4
—
8
Колонка 4
+
9
Ряд 7
+
9
Ряд 7
10
Ряд 6
+
10
Ряд 6
11
Ряд 5
+
11
Ряд 5
—
12
Ряд 2
+
12
Ряд 2
—
13
Колонка 6
—
13
Колонка 6
+
14
Колонка 5
—
14
Колонка 5
+
Таблица 14.5
Определение полярностиОпределение полярности
Электрические и световые параметры
Постоянное прямое напряжение при токе 10 мА, не более:
АЛ306А, АЛ306Б 2 В
АЛ306В, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е, АЛ306Ж,
АЛ306И ЗВ
Яркость при токе 10 мА, не менее:
АЛ306А, АД306В 350кд/м2
АЛ306Б, АЛ306Г 200кд/м 2
АЛ306Д, АЛ306Ж*120 кд/м2
АЛ306Е, АЛЗО6И60кд/м2
Допустимое отклонение яркости от среднего для данного
прибора значения:
АЛ306А, АЛ306В -60%
АЛ306Б, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛЗО6Е, АЛ306И . . .±60%
АЛ306Ж -50%
Цвет свечения:
АЛ306А, АЛ306Б, АЛ306В, АЛ306Г, АЛ306Д,
АЛ306ЕКрасный
АЛ306Ж, АЛЗО6ИЗеленый
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный ток через каждый элемент при температуре окружающей среды от 213 до 343 КЦмд
Импульсный прямой ток через элемент при температуре окружающей среды от 213 до 343 К и скважности не менее 30 300мА
Рассеиваемая прибором мощность при температуре от
213 до 343 К: А Л306А, АЛЗО6Б 792мВт
АЛЗО6В, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е, АЛ306Ж. АЛ306И1188мВт
Температура окружающейсредыОт213
до 343 К
Зависимость яркости от тем-пературы.Зависимость яркости от тем-пературы.Зона возможных положений зависимости яркое! и от тока.Зона возможных положений зависимости яркое! и от тока.
Зависимость яркости от тем-пературы.
Зависимость яркости от тем-пературы.
Зона возможных положений зависимости яркое! и от тока.
Зона возможных положений зависимости яркое! и от тока.
Зона возможных положений зависимости яркости от тока.Зона возможных положений зависимости яркости от тока.
Зона возможных положений зависимости яркости от тока.
Зона возможных положений зависимости яркости от тока.
Зона возможных положений зави-симости прямого тока от напря-жения.
АЛ307А, АЛ307Б, АЛ307В, АЛ307Г
Светоизлучающие диоды арсенид-галлий-алюминиевые в пластмассовом корпусе красного и зеленого цвета свечения. Предназначены для визуальной индикации.
Диоды маркируются цветными точками: АЛ307А — одной черной, АЛЗО7Б — двумя черными, АЛЗО7В — одной черной, АЛ307Г — двумя черными.
Масса диода не более 0,25 г.
Электрические и световые параметры
Сила света, не менее: АЛ307А при/пр = 10мА0.15мкд
АЛ307Б при/пр = 10мА0,9мкд
АЛ307В при/пр = 20мА0.4мкд
АЛ.ЗО7Г при/пр = 20мА ..........1.5мкд
Постоянное прямое напряжение, не более: АЛЗО7А. АЛ307Б при /^ = 10 мА 2,0 В
АЛЗО7В. АЛЗО7Г при 7пр = 20 мА 2.8 В
Цвет свечения: АЛ307А. АЛ307БКрасный
АЛЗО7В, АЛ307ГЗеленый
Предельные экеплуа рационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
343 К: АЛ307А, АЛ307Б20мА
АЛ307В, АЛ307Г22мА
Обратное напряжение 2В
Температура окружающейсредыОт213
до 343 К
30° 10° 10° 0° 10° 10° 30°
Зона возможных положений за-висимости силы света от тем-пературы.
Диаграмма направленности из-лучения.
Зависимость мощности излученияот длины волны.
Зависимость силы света от тока.
АЛС311А
Сборка светоизлучающих арсенид-фосфид-галлиевых планарноэпитаксиальных диодных индикаторов с общим ка годом в пластмассовом корпусе. Верхняя часть корпуса выполнена в виде линз, расположенных над кристаллами соответствующих индикаторов. Каждый кристалл представляв! собой восьмиэлемситный индикатор, излучающий красный свет. Предназначена для использования в мультиплексном режиме работы в качестве табло, оюбражающем цифровую информацию в радиоэлектронных устройствах, в час,- ности в электронных калькуляторах.
Масса прибора не более 5 г.
7 - разряд 1, катод; 2 — сегмент Е, анод; 3 — сегмент С, анод; 4 — разряд 3, катод; 5 - сегмент Н. анод; б - сегмент D, анод; 7 - разряд 5, катод; 8 — сегмент G, анод; 9 — разряд 4, катод; 10 - сегмент F, анод; 11 - разряд 3, катод; 12 - сегмент В, анод; 13 — разряд 2. катод: 14 - сегмент Л, анод.
Электрические и световые параметры
Количество разрядов 5
Постоянное прямое напряжение при /пр = 4 мА. не более 2В
Сила света разряда при среднем токе 0.8 мА через каждый элемент и скважности 16, не менее . . . . 400 мккд Длина волны максимума спектральной характеристики излучения*От650
до 660 нм
Отношение силы света наиболее яркого и наименее яркого элементов в приборе, не более 25
Цвет свеченияКрасный
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный ток через элемент (при длительности импульса 1 мс) при температуре:
от 263 до 308 К 110мА
ОТ 308 ДО 323 К/примаке= 110 —
— 3,67(7— 308), мА
Средний прямой ток через элемент при температуре: от 263 до 308 К 5мА
от 308 до 323 К /лр,ср,макс = 5
— 0,167(7 — 308), мА
Обратное напряжение любой формы на элементе (пиковое значение) при температуре от 263 до 323 К 5В
Температура окружающей средыОт263 до 323 К
пульсного тока.пульсного тока.
пульсного тока.
пульсного тока.
Зона возможных положений зависимости импульсного прямого токаЗона возможных положений зависимости импульсного прямого токаЗависимость прямого напряже-ния от температуры.Зависимость прямого напряже-ния от температуры.
Зона возможных положений зависимости импульсного прямого тока
Зона возможных положений зависимости импульсного прямого тока
Зависимость прямого напряже-ния от температуры.
Зависимость прямого напряже-ния от температуры.
от напряжения.
АЛС313А-5
Знаковый индикатор планарно-эпитаксиальный бескорпусной семиэлементный. Предназначен для отображения цифровой и буквенной информации, в частности в электронных наручных часах.
Масса индикатора не более 0,01 г.
Электрические и излучающие параметры
Сила света элемента при токе 5 мА, не менее . . . . 50 мккд Разброс силы света элементов, не более 30%
Прямое напряжение на элементе при прямом токе
1,65 В1,65 В5 мА, не более
1,65 В
1,65 В
660 +10 нмКрасный660 +10 нмКрасныйТиповое значение длины волны максимума спектра излучения * Цвет свечения
660 +10 нмКрасный
660 +10 нмКрасный
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный прямой ток через элемент при семи включенных элементах, /„ = 100 Гц и температуре:
от 263 до 308 К'20 мА
от 308 до 333 К20- 0,2(7- 308), мА
Средний прямой ток через элемент при семи
включенных элементах при температуре: от 263. до 308 К 5 мА
от 308 до 333 К 5— 0,04(7-- 308), мА
Обратное напряжение любой формы и перио
дичности 5 В
От 263 до 333 КОт 263 до 333 КТемпература окружающей среды
От 263 до 333 К
От 263 до 333 К
Зависимость прямого тока отЗависимость прямого тока отнапряжения.напряжения.Примечание. Сила света элемента определяется как усредненная по всем элементам индикатора. Разброс силы света элементов определяется как отношение (в процентах) разности силы света наиболее яркою элемента и силы света наименее яркого элемента индикатора к сумме этих значений.
Зависимость прямого тока от
Зависимость прямого тока от
напряжения.
напряжения.
Зона возможных положений зависимости силы света от температуры.
Зависимость силы света от тока.
ЗЛС314А, АЛС314А
Знаковый индикаюр арсенид-фосфид-юллиевый эпитаксиальнопланарный красного цвета свечения в пластмассовом корпусе. Предназначен для визуальной индикации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку, излучающие свет при подаче прямого тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку.
Размер цифры 2,5 мм. Масса прибора 0,25 г.
/ — анод Е; 2 — анод D\ 3, 8 — катод общий; -/ — анол С: 5 — анод 27; 6 — анод В; 7 — анод А; 9 — анод G; 10 — анод F.
Электрические и световые параметры
Яркость при /пр = 5 мА через элемент, не менее
350 кд/м2
Разброс яркости между отдельными элементами индикатора .±50".,
Постоянное прямое напряжение на каждом элементе при /,|р = 5 мА 2В
Длина волны максимума спектральной характеристики излученияОт650
до 670 нм
Цвет свеченияКрасный
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и периодичности 5В
Постоянный прямой ток через каждый элемент при температуре окружающей среды:
от 213 до 308 К 8мА
при 343 К 5мА
Постоянный прямой ток через все элементы при температуре окружающей среды:
от 213 до 308 К 64мА
Зона возможных положений за-висимости яркости от тока.Зона возможных положений за-висимости яркости от тока.Зона возможных положений за-висимости прямою юка от на-пряжения.Зона возможных положений за-висимости прямою юка от на-пряжения.
Зона возможных положений за-висимости яркости от тока.
Зона возможных положений за-висимости яркости от тока.
Зона возможных положений за-висимости прямою юка от на-пряжения.
Зона возможных положений за-висимости прямою юка от на-пряжения.
при 343 К40мА
Температура окружающей средыОт213
до 343 К
Зависимость яркости от температуры.
АЛС317А, АЛС317Б, АЛС317В, АЛС317Г
Полупроводниковые приборы, состоящие из пят и светоизлучающих диодов с общим катодом (АЛС317А. АЛС317Б) и общим анодом (АЛС317В, АЛС317Г) в пластмассовом корпусе. Предназначены для использования в световых шкалах.
Приборы АЛС317А выпускаются в красном корпусе, маркируются одной цветной точкой, АЛС317Б —в красном корпусе, маркируются двумя цветными точками, АЛС317В — в зеленом корпусе, маркируются одной цветной точкой, АЛС317Г—в зеленом корпусе, маркируются двумя цветными точками.
Масса прибора не более 3 г.
алсзп(а,б)
9$
АЛС3 77(В,Г)
1 г з 95
АЛС317А, АЛС317Б: 7 - анод Л; 2 - анод В; 3 - анод С; 4 - анод D; 5 — анод Е; 6 — катод общий; АЛС317В, АЛС317Г. 7 —катод .4; 2 — катод В;
3 — катод С; 4 — катод В; 5 — катод Е; 6 — анод общий.
Электрические и световые характеристики
Сила света при /пр = Ю мА, не менее: АЛС317А .. . 150 мккд
АЛС317Б 350мккд
АЛСЗ17В80мккд
АЛС317Г160мккд
Прямое напряжение при /пр — Ю мА. не более:
АЛС317А, АЛС317Б 2 В
А ЛСЗ 17В, АЛС317Г ЗВ
Цвет свечения:
АЛС317А, АЛС317БКрасный
АЛС317В, АЛС317ГЗеленый
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток через элемент при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К 12мА
Температура окружающей средыОт213
до 343 К
Зависимость силы света
Зависимость мощности излучения от
от тока.от тока.
от тока.
от тока.
длины волны.
Зависимость силы света оттемпературы.Зависимость силы света оттемпературы.Зона возможных положений зависимости прямого тока от напряжения.
Зависимость силы света оттемпературы.
Зависимость силы света оттемпературы.
АЛС318А, АЛС318Б, АЛС318В, АЛС318Г
Девятиразрядные цифровые индикаторы арсенид-фосфид-гал- лиевые планарные красного цвета свечения.
Индикаторы состоят из девяти кристаллов, каждый из которых содержит семь сегментов и точку. Различные комбинации сегментов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9.
Масса прибора не более 7,7 г.
FjG_ 31^18 IC IE IC
Bud A
70” ?2^224j
17отд. ф 0,8 А 5
St
If мин
АЛСЗ'ЯА, A3C41RR1-й разрядi-й разряд
FIGJ8Е! !С
АЛС3185, АЛС318Г
Ц разряд Z-йразряд 1-й разряд
д
АЛС318А, АЛС318В: 7 - катод разряда I; 2 - анод элементов С; 3 - катод разряда 2; 4 — анод элементов Н; 5 — катод разряда 3; 6 — анод элементов .-4; 7 - катод разряда 4; 8 - анод элементов Е; 9 - катод разряда 5; 10 - анод элементов D; 77 —катод разряда 6; 72 — анод элементов G; 13 — катод разряда 7; 14 — анод элементов В; 75 — катод разряда 8; 16 — анод элементов F; /7 — катод разряда 9: АЛС318Б, АЛС318Г: 7 — катод разряда 1: 2 — анод элементовСразрядов2 — 9:3 — катодразряда2;4 — анодэле-
ментов С разряда L анод элементов Н разрядов 2 — 9; 5 — катод разряда 3; б — анод элементов.4разрядов2 — 9;7 - катодразряда4;8 — анодэлементов Е разрядов2 — 9. анол элемента F разряда I; 9 —катод разряда 5;
10- анод элементовDразрядов2 — 9;11 — катодразряда6;72 — анодэле
ментов G разрядов 2 — 9; 13 — катод разряда 7; 14 — анод элементов В разрядов 2 — 9; анод элемента А разряда 1; 15 — катод разряда 8; 16 — анол элементов F разрядов 2—9; анод элемента G разряда 1; /7 —катод разряда 9.
Электрические и световые параметры
Сила света разряда при импульсном прямом токе через каждый сегмент или точку 5 мА 950мккд
Постоянное прямое напряжение на сегменте или точке при постоянном токе 5 мА, не более. 1,9В
Обратный ток при ^7oбp = 3 В на каждом сегменте или точке, не более10мкА
Сопротивление сегмент — сегмент. разряд — разряд, не менее 2 кОм
Цвет свеченияКрасный
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный ток через сегмент или точку при частоте следования импульсов 100 Гц при любом количестве включенных сегментов и температуре:
от 248 до 308 К 40 мА
от 308 до 328 К 40-1.2(7'-308). мА
Средний прямой ток через сегмент или точку при любом количестве включенных сегментов при температуре:
от 248 до 308 К 3 мА
от 308 до 328 К3- 0.12(Г- 308), мА
Рассеиваемая на знаке мощность при включенных семи сегментах и точке и температуре: от 248 до 308 К 45 мВт
от 308 до 328 К45 - 1,8(Г- 308), мВт
Обратное напряжение любой формы и периодичности 5 В
Температура окружающей среды От 248 до 328 К
Примечания: 1. Сила света первою разряда приборов АЛС318В. АЛС318Г не менее 400 мккд.
Отношение силы света наиболее яркого разряда к силе света наименее яркого разряда не более 2.
Зона возможных положений за виси- Зона возможных положений мости силы свсга от температуры. зависимости прямою напряжения от температуры.
АЛС321А, АЛС321Б
Знаковые индикаторы фосфид-галлисвые желто-зеленого цвет свечения в пластмассовом корпусе. Предназначены для визуальной индикации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку, излучающие свет при подаче прямого тока. Различные комбинации
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку. У индикаторов АЛС321А элементы имеют общий катод, у АЛС321Б — общий анод.
Размер цифры 7,5 мм. Масса прибора не более 2 г.
АЛС321А: 1 - анод F; 2 - анод G; 4. 72 - катол общий: 6- анол Е: 7 - ано 1 В; 3 - анод С; 9 - анод Н; /3 - анод В; /4 - анод Л; АЛС321Б: 1- катод Л; 2- ши F: 3 9 /4 - анод общий; б-ка гол Н; 7 - катод Е;
8 - катод D; 10 - катод С; // - катод G; 13 - катод В.
Электрические и световые параметры
Сила света при постоянном прямом токе 20 мА через элемент или точку, не менее:
для элемента 0,12мкд
для децимальной точки 0,02мкд
Отношение силы света любых двух элементов индикатора, не более 3
Постоянное прямое напряжение на элементе или децимальной точке при 7пр = 20 мА, не более . . .3,6 В
Цвет свеченияЖелто-зеленый
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и периодичности при температуре окружающей среды от 213 до 343 К 5В
Постоянный прямой ток через элемент при
температуре окружающей среды: от 213 до 308 К 25мА
от 308 до 343 К.25 — 0,5(Т - 308). мА
Рассеиваемая мощность при гемперагург
окружающей среды: от 213 до 30S К 720мВ:
от 308 до 343 К 720- 14.4(Г- 308). мВт
Температура окружающей среды . . . . От 213 до 343 К
Зависимость силы света or температуры.Зависимость силы света or температуры.С 1 г 3 8С 1 г 3 8Зона возможных положений зависимости прямот-Зона возможных положений зависимости прямот-
Зависимость силы света or температуры.
Зависимость силы света or температуры.
С 1 г 3 8
С 1 г 3 8
Зона возможных положений зависимости прямот-
Зона возможных положений зависимости прямот-
тока от напряжения.
Зависимость силы света от /глиныЗависимость силы света от /глиныЗона возможных положе-Зона возможных положе-волны.волны.ний зависимости силыний зависимости силы
Зависимость силы света от /глины
Зависимость силы света от /глины
Зона возможных положе-
Зона возможных положе-
волны.
волны.
ний зависимости силы
ний зависимости силы
света от тока.
АЛС323А-5
Индикатор светодиодный планарно-эпитаксиальный бескорпусной знаковый. Предназначен для отображения цифровой и буквенной информации, в частности, в электронных наручных часах.
Масса индикатора нс более 0,01 г.
Электрические и световые параметры
Сила света элемента при токе 3 мА, не менее . . . . 50 мккд Разброс силы света элементов, не более 30 °/
Прямое напряжение на элементе при прямом токе
3 мА, не более 1,65 В
Типовое значение длины волны максимума спектра излучения*660 + 10 нм
Цвет свеченияКрасный
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный прямой ток через элемент при семи включенных элементах, /и = 100 Гц и температуре: от 263 до 308 К 20мА
от 308 до 333 К20- 0,2(Г - 308), мА
Средний прямой ток через элемент при семи
включенных элементах и температуре: от 263 до 308 К 4мА
от 308 до 333 К4— 0,04(7 - 308), мА
Обратное напряжение любой формы и периодичности 5В
Температура окружающей средыОт263 до 333 К
Примечания: 1. Сила света элемента определяется как усредненная по всем элементам индикатора.
Разброс силы света элементов определяется как отношение (в процентах) разности силы света наиболее яркого элемента и силы света наименее яркого элемента индика юра к сумме этих значений.
Зона возможных положе-ний зависимости силысвета от температуры.Зона возможных положе-ний зависимости силысвета от температуры.Зависимость пря-мого тока от на-пряжения.Зависимость пря-мого тока от на-пряжения.Зависимость силысвета от ток?..Зависимость силысвета от ток?..
Зона возможных положе-ний зависимости силысвета от температуры.
Зона возможных положе-ний зависимости силысвета от температуры.
Зависимость пря-мого тока от на-пряжения.
Зависимость пря-мого тока от на-пряжения.
Зависимость силысвета от ток?..
Зависимость силысвета от ток?..
АЛС324А, АЛС324Б
Знаковые индикаторы арсенид-фосфид-галлиевые красного цвета свечения в пластмассовом корпусе. Предназначены для визуальной индикации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку, излучающие свет при подаче прямого тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку. У индикаторов АЛС324А элементы имеют общий катод, у АЛС324Б — общий анод.
Размер цифры 7,5 мм. Масса прибора не более 2 г.
АЛС321А: / - анод F; 2 - анод G; 4, 72 - катод общий; б - анод Е 7 - анод D; б - анод С; 9 - анод Н: 13 - анод В; /■# ~ анод .4; АЛС321Б 1 -катод Л; 2 — катод F; 3, 9. 14 - анод общий; б - ка год Н; 7-каюд Е 8 - катод D ; 10 — катод С: И - катод G; 13 - катод В.
Электрические и световые параметры
Сила света при прямом токе 20 мА через элемент, не менее:
для элемента0.15мкд
для децимальной точки0.05мкл
Посюянпое прямое напряжение на каждом элементе или децимальной точке при токе 20 мА. не более 25В
Отношение силы света любых двух элементов индикатора. нс более 3
Длина волны в максимуме спектральной характеристики излучения*От650
до 670 нм
Цвет свечения . . . . Красный
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и периодичности при температуре окружающей среды от 213 до 343 К 5В
Постоянный прямой ток через элемент при температуре окружающей среды:
от 213 до 308 К
от 308 до 343 К
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мс и
Атр, ср -5 мА
Рассеиваемая мощность при температуре окружающей среды:
от 213 до 308 К
25 мА
25 - 0,5(Г — 308), мА
300 мА
500 мВт
от 308 до 343 К
500 — 101Г - 308). мВт
Температура окружающей среды
От 213 до 313 К
Зависимость силы сына от темпе-ратуры.
Зона возможных положе-ний зависимости прямоготока от напряжения.
Зависимость силы света от длиныволны.
Зона возможных положе-ний зависимости силысвета от тока.
Раздел пятнадцатый
ОПТОПАРЫ, ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ
ЗОД101А, ЗОД101Б, ЗОД101В, ЗОД101Г, АОД101А,АОД101Б, АОД101В, АОД101Г, АОД101Д
Оптопары, состоящие из излучающего диода на основе арсенид- галлий-алюминия и кремниевого фотодиода, в металлическом корпусе. Предназначены для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется информационная связь.
Масса прибора не более 1,1 г.
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при 7пр = Ю мА, не менее:
1 °.1,21,51 °.1,21,5АОД101А, АОД101Д, ЗОД101А
1 °.
1,2
1,5
1 °.
1,2
1,5
АОД101В, ЗОД101В
АОД101Б, ЗОД101Б, ЗОД101Г
АОД101Г 0.7%
Входное напряжение при 7пр = 10 мА, не более:
АОД101А, АОД101Б, АОД101В, АОД101Г, ЗОД101А, ЗОД101Б, ЗОД101В, ЗОД101Г 1,5В
АОД101Д 1,8В
Время нарастания и спада выходного импульса при импульсе входного тока 20 мА, не более:
АОД101А, ЗОД101А 100нс
АОД101Д 250нс
АОД101Б, АОД101Г, ЗОД101Б, ЗОД101Г . . . .500нс
АОД101В, ЗОД101В1000нс
Сопротивление гальванической развязки при напряжении
между входом и выходом 100 В, не менее:
АОД101А, АОД101Б, АОД101В, АОД101Д. ЗОД101А,
ЗО101Б, ЗОД101В, ЗОД101Г10»Ом
АОД101Г5-10» Ом
Емкость между входом и выходом, не более . . . .2 пФ
Постоянный обратный ток фотодиода при максимальном обратном напряжении, не более:
АОД101А, АОД101В, ЗОД101А, ЗОД101В,
ЗОД101Г 2мкА
АОД101Б, ЗОД101Б 8мкА
АОД101Г10мкА
АОД101Д 5мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение на фотодиоде при темпера ivpe окружающей среды от 213 до 343 К:
АОД101А, АОД101В, АОД101Г. АОД101Д.
ЗОД101А, ЗОД101В 15В
АОД101Б, ЗОД101Б 100В
ЗОД101Г 40В
Импульсное обратное напряжение на фотодиоде при длительности импульса не более 100 нс и скважности нс менее 2:
ЗОД101А, ЗОД101В 20В
ЗОД101Б 120В
ЗОД101Г 60в
Постоянный или средний входной ток при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К20мА
Входной импульсный ток при температуре окружающей среды от 213 до 343 К и длительности импульса не более 100 мкс100мА
Напряжение между входом и выходом при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К 100В
Обратное входное напряжение 3,5В
Температура окружающей средыОт213
до 343 К
Зона возможных положений зависимости входного напряжения от входного тока.
Зависимость выходного тока от ВХОДНО1 о.Зависимость выходного тока от ВХОДНО1 о.Зависимость коэффициента пе-редачи тока от температуры.Зависимость коэффициента пе-редачи тока от температуры.Зона возможных положений зависимости выходного напряжения от тока нагрузки.Зона возможных положений зависимости выходного напряжения от тока нагрузки.Зависимость времени нарастания и времени спада от температуры.Зависимость времени нарастания и времени спада от температуры.
Зависимость выходного тока от ВХОДНО1 о.
Зависимость выходного тока от ВХОДНО1 о.
Зависимость коэффициента пе-редачи тока от температуры.
Зависимость коэффициента пе-редачи тока от температуры.
Зона возможных положений зависимости выходного напряжения от тока нагрузки.
Зона возможных положений зависимости выходного напряжения от тока нагрузки.
Зависимость времени нарастания и времени спада от температуры.
Зависимость времени нарастания и времени спада от температуры.
ЗОТ102А, ЗОТ102Б, ЗОТ102В, ЗОТ102Г, ЗОТ102Д,ЗОТ102Е, АОТ102А, АОТ102Б, АОТ102В, АОТ102Г,АОТ102Д, АОТ102Е
Оптопары, состоящие из излучающего диода на основе арсенид- галлий-алюмышя и кремниевого однопереходного транзисюра, в металлическом корпусе. Предназначены для использования в аппаратуре управления и устройствах автоматики для гальванической развязки электрических цепей.
Масса прибора не более 1,5 г.
23 пол ре.т. Н. Н. Горюнопа713
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока: ЗОТ102А. АОТ102АОт0.5до0,55
ЗОТ102Б, АОТ102БОт0,54до0,6
ЗОТ102В, АОТ102ВОт0,59до0,66
ЗОТ102Г, АОТ102ГОт0,64до0,71
ЗОТ102Д, АОТ102ДОт0.7до0,78
ЗОТ102Е, АОТ102ЕОт0.77до0,85
Изменение коэффициента передачи тока, нс менее: при ZBX= 15 мА 10%
при ZBX = 40 мА 20 %
Ток утечки эмиттерного перехода при С-'Б1Б2 = 30 В, не более 1 мкА
Остаточное напряжение при 13 = 50 мА, не более 4 В
Межбазовое сопротивлениеОт4 до 12 кОм
Ток выключения при £Диб2 = 20 В, не менее 1 мА
Прямое напряжение на входе при токе 15 мА. .2 В
Сопротивление изоляции между входом и выходом, не менее 10s Ом
Предельные эксплуатационные данные
Межбазовое напряжение при температуре от 228 до 328 К 30В
Обратное напряжение между эмиттером и второй базой при температуре от 228 до 328 К 30В
Постоянный ток эмиттера в открытом состоянии при температуре от 228 до 308 К50мА
Амплитуда эмиттерного тока при максимальной длительности импульса 10 мкс и минимальной скважности 200, при температуре от 228 до 308 К 1А
Рассеиваемая мощность при температуре окружающей среды от 228 до 308 К 300мВт
Входной ток при температуре от 228 до 308 К. . . .40 мА
Амплитуда входного тока при длительности импульса
10 мкс и скважности 200 при температуре от
228 до 308 К 150мА
Напряжение между входом и выходом при давлении от 2,7 ■ 104 до 3-Ю5 н/м2 500В
Температура окружающей средыОт228
до 343 К
Примечание. Рассеиваемая мощность при температуре от 308 до 343 К определяется по формуле
Лике = ^(398 - п.
гд£ RT = 3 мВт/ С.
Зона возможных положений зависимости межбазового сопротивления от напряжения.Зона возможных положений зависимости межбазового сопротивления от напряжения.Зона возможных положений зави-симости коэффициента передачи то-ка от температуры.Зона возможных положений зави-симости коэффициента передачи то-ка от температуры.
Зона возможных положений зависимости межбазового сопротивления от напряжения.
Зона возможных положений зависимости межбазового сопротивления от напряжения.
Зона возможных положений зави-симости коэффициента передачи то-ка от температуры.
Зона возможных положений зави-симости коэффициента передачи то-ка от температуры.
Зона возможных положений зави-симости прямого напряжения оттемпературы.Зона возможных положений зави-симости прямого напряжения оттемпературы.
Зона возможных положений зави-симости прямого напряжения оттемпературы.
Зона возможных положений зави-симости прямого напряжения оттемпературы.
Зона возможных положений зависимости коэффициента передачи тока от входного тока.
АОУ103А, АОУ103Б, АОУ103В
Оптопары тиристорные, состоящие из излучающего диода на основе арсенид-галлий-алюмипия и кремниевого тирист ора, предназна
чены для использования в качестве управляемого ключа в узлах радиоэлектронной аппаратуры, в которых требуется гальваническая развязка между выходной цепью и цепями управления.
Электрические параметры
Прямое напряжение выходной цепи, не менее: АОУ103А 50В
АОУ103Б,АОУ103В 200В
Обратное напряжение выходной цепи, не менее: АОУ103В 200В
АОУ103А. АОУ103БНенормируется
Номинальный входной ток включения при прямом
напряжении на заперiом тиристоре 10 В: АОУ103А, ЛОУ103В 20мА
АОУ 103 Б 50мА
Ток выключения, не более 10мА
Остаточное напряжение, не более 2В
Ток утечки в выходной цепи запертою тиристора, не более 100мкА
Время включения, не более 15мкс
Время выключения, не более 100мкс
Предельные эксплуатационные данные
Входной юК при TCMnepaiype от 213 до 343 К . . .55 мА
Входное напряжение при 1емпературе от 213 до 343 К' 2 В
Ток помехи при температуре от 213 до 343 К . . . .0.5 мА
Постоянный прямой ток в выходной цепи при температуре :
от 213 до 323 К 100 мА
при 343 К 20 мА
Скорость изменения напряжения, прикладываемого к выходной цепи, нс более5 В/мкс
Температура окружающей средыОт 213
до 343 К
Зона возможных положений за
Зона возможных положений за
висимости входного тока отвходного напряжения.
висимости напряжения в открытом состоянии от температуры.
Зона возможных положений за-висимости тока удержания от1емпературы.
Зона возможных положений за-висимости времени включенияот входного тока.
Зона возможных положений зависимое! и отпирающего тока управляющего электрода от температуры.
Зона возможных положений за-висимости времени выключенияот выходного тока.
АОД109А, АОД109Б, АОД109В, АОД109Г, АОД109Д,АОД109Е, АОД109Ж, АОД109И
Многоканальные оптоэлектронные приборы, состоящие из трех отдельных оптопар, в металлокерамическом корпусе. Каждая оптопара образована излучающим диодом на основе арсенид-галлий- алюминия и кремниевым фотодиодом. Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре управления и устройствах автоматики для гальванической развязки электрических цепей.
Масса прибора не более 0,49 г.
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при входном токе 10 мА, ^обр.вых = 5 В. не менее:
АОД109А, АОД109В, АОД109Г, АОД109Д, АОД109Е.
АОД109Ж, АОД109И 1,2°„
АОД109Б 1,0°.,
Входное напряжение при /вх = 10 мА. не более 1,5В
Обратный । ок фотодиода при 1ВХ = 0, t7o6p = 35 В для АОД109А, АОД109В, АОД109Г, АОД109Д, АОД109Е, АОД109Ж, АОД109И и при С/Обр = 8 В для АОД109Б, не более2 мкА
Количество каналов в оптопаре: АОД109А, АОД109Б 3
АОД109В, АОД109Г, АОД109Д 2
АОД109Е, АОД109Ж, АОД109И 1
Время нарастания и спада выходного импульса тока при ZBX = 10 мА, Побрвых = 10 В, не более:
АОД109А, АОД109В, АОД109Г, АОД109Д. АОД109Е, АОД109Ж, АОД109И 1 мкс
до 343 Кдо 343 К
до 343 К
до 343 К
АОД109Б0,5мкс
Сопротивление изоляции при напряжении 100 В между входом и выходом, не менееЮ9Ом
Емкость между входом и выходом каждой оптопары и между оптопарами, не более 2пф
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение на излучателе . . . .3,5 В
Обратное напряжение на фотодиоде:
АОД109А, АОД109В, АОД109Г, АОД109Д, АОД109Е,
АОД109Ж, АОД109И 40В
АОД109Б 10В
Напряжение между входом ивыходом Ю0В
Входной ток ЮмА
Импульсный входной ток при длительности импульса
не более 100 мкс и скважности более 5100мА
Температура окружающей средыОт213
Зависимость коэффициента передачи тока от обратного напряжения.
Зависимость коэффициентапередачи юка от обратного на-пряжения
Зависимость коэффициента передачи тока от температуры.
Зависимость темнового токафотодиода от обратного на-пряжения.
Зависимость максимального импульсного входного юка о г длительности импульса.
ЗОТПОА, ЗОТНОБ, ЗОТПОВ, ЗОТПОГ, АОТНОА,АОТ110Б, АОТ110В, АОТ110Г
Оптопары, состоящие из излучающего диода и составною фою- транзисюра, в металлическом корпусе. Предназначены для использования в качестве переключагеля в i альванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Масса прибора не более 1,5 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при входном токе 25 мА. не более 2В
Осчаточное (выходное) напряжение при /вх — 25 мА для АОТ110Б, АОТПОВ, ЗОТПОВ, ЗОТПОВ при выходном токе 1№х100 мА, для А ОТ! 10А. АОТ1 ЮГ. ЗОТ! 10А,
ЗОТПОГ при выходном токе /ВЬ1Х = 2.00 мА, не более 1.5R
Ток утечки на выходе при /вх = 0 и температуре 298 К при напряжении коммутации: АОТ110Г, ЗОЛ ЮГ 15 В АОТ110А, АОТ110В, ЗОТ110А, ЗОТНОВ, АОТ110Б, ЗОТ110Б 50 В, не болееюомкд
Сопротивление изоляции при напряжении между входом и выходом 100 В, не менееЮ9Ом
Примечание. Работоспособность приборов обеспечивается при подключении резистора сопротивлением 0.1 — 1 МОм между выводами 3 и 5. Измерение параметров производится при сопротивлении 1 МОм.
Предельные эксплуатационные данные
Коммутируемое напряжение при температуре от 213 до 343 К:
АОТ110А. АОТ110В, ЗОТ110А, ЗОЛ 10В 30 В
АОТ110Б, ЗОЛ ЮБ 50 В
АОТ110Г, ЗОЛ ЮГ 15В
Напряжение между входом и выходом 100 В
Входное обратное напряжение 0,7 В
Входной постоянный ток при температуре окружающей среды от 213 до 308 К 30 мА
Амплитуда входного тока при длительности импульса не более 10 мкс и температуре окружающей среды от 213 до 308 К100 мА
Амплитуда выходного тока при длительности импульса не более 10 мс и температуре окружающей среды от 213 до 343 К:
АОТ110А, АОТ110Г. ЗОТ110А, ЗОЛ ЮГ . . . . 200 мА
АОТ110Б, АОТ110В, ЗОТ110Б, ЗОЛ 10В100 мА
Выходной постоянный ток при температуре окружающей среды от 213 до 308 К:
АОТ110А. АОТ110Г, ЗОТ110А. ЗОЛ ЮГ 200 мА
АОТ110Б, АОТ110В, ЗОТ110Б, ЗОТНОВ100 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре окружающей среды от 213 до 308 К 360 мВт
Температура окружающей средыОт 213
до 343 К
Примечания: 1. При температуре окружающей среды выше 308 К предельно допустимые электрические режимы эксплуатации рассчитываются, исходя из допустимой рассеиваемой мощности, определяемой по формуле
Рсрмак= Г), тде 7?г = 8,0 мВт-К"1.
1. Максимальный входной посюянпый ток при температуре окружающей среды от 308 до 343 К снижается линейно с коэффициентом 0,43 мА/К.
Допускается эксплуатация приборов АОТ110Б при напряжении источника питания 48 В + 10%.
При изменении длительности импульса от 10‘ до 10-2 с и температуры окружающей среды от 308 до 343 К Ах.и.макс МА, определяется по формуле
Билике = <^lg ‘° 27+45).
37
Зона возможных положений за-висимости входного напряже-ния от входного тока.
Зона возможных положений зависимости тока утечки от температуры.
АОД111А
Оптрон диодный с одним арсепид-галлисвым излучателем и двумя кремниевыми фетоприемни- ками. Из, о говляется в металлокерамическом корпусе с оптическим окном. Используется в качестве датчика положения близких к нему предметов, отражающих излучение диода. Применяю л в качестве датчика пульса в электронных пульсметрах.
Масса прибора нс более 0,5 г.
2 ВI мкА2 ВI мкА^64IXА0Д111183 КZ98K00*'обр^64IXА0Д111183 КZ98K00*'обр333 К333 К
2 В
I мкА
2 В
I мкА
^64IX
А0Д111
183 К
Z98K
00*
'обр
^64IX
А0Д111
183 К
Z98K
00*
'обр
333 К
333 К
Электрические параметры
I
Постоянное входное напряжение при 7пр = 10 мА и Т =
298 К, не более
Приращение выходного тока (при приближении к оптическому окну отражающей металлической поверхности), не менее
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный или средний входной ток при температуре от 283 до 333 К40мА
Импульсный входной ток при длительности импульса 10 мкс и скважности не менее 20 100мА
Обратное выходное напряжение любой формы и периодичности 6В
Температура окружающей средыОт283 до
Зависимость входного на-пряжения от входного тока.
Зависимость выходного тока о гобратного напряжения.
Зависимость обратного токафотодиода от обратного на-пряжения.
ЗОД120А-1, АОД120А-1, АОД120Б-1
Оптопары диодные бескор- пусные, состоящие из излучающего диода из арсенид-галлий- алюминия и кремниевого диодного фотоприемника. Предназначены для гальванической развязки элементов в составе гибридных оптоэлектронных микросхем.Масса прибора не «более 0.02 г.Оптопары диодные бескор- пусные, состоящие из излучающего диода из арсенид-галлий- алюминия и кремниевого диодного фотоприемника. Предназначены для гальванической развязки элементов в составе гибридных оптоэлектронных микросхем.Масса прибора не «более 0.02 г.
Оптопары диодные бескор- пусные, состоящие из излучающего диода из арсенид-галлий- алюминия и кремниевого диодного фотоприемника. Предназначены для гальванической развязки элементов в составе гибридных оптоэлектронных микросхем.
Масса прибора не «более 0.02 г.
Оптопары диодные бескор- пусные, состоящие из излучающего диода из арсенид-галлий- алюминия и кремниевого диодного фотоприемника. Предназначены для гальванической развязки элементов в составе гибридных оптоэлектронных микросхем.
Масса прибора не «более 0.02 г.
0.4%0.6%0.4%0.6%1,7 В1,9 В1,7 В1,9 В30НС50НС50НС70НС2пФ30НС50НС50НС70НС2пФ2 мкА20 мкА2 мкА101» Ом2 мкА20 мкА2 мкА101» Ом
0.4%
0.6%
0.4%
0.6%
1,7 В
1,9 В
1,7 В
1,9 В
30
НС
50
НС
50
НС
70
НС
2
пФ
30
НС
50
НС
50
НС
70
НС
2
пФ
2 мкА
20 мкА
2 мкА
101» Ом
2 мкА
20 мкА
2 мкА
101» Ом
Электрические параметры
Коэффициен! передачи тока при входном токе 10 мА и обратном напряжении на фотодиоде 5 В. температуре окружающей среды 298 К, не менее:
ЗОД120А-1. АОД120А-1
АОД120Б-1
ЗОД120А-1 при 358 К
ЗОД120А-1 при 213 К
Входное напряжение при входном токе 10 мА, не более: при 218 и 358 К
при 213 К
Время нарастания и спада выходного импульса тока при 7ВХ = 10 мА, t7o6p = 10 В и температуре 298 К, не более:
ЗОД120А-1 и АОД120А-1
АОД120Б-1
Время задержки включения, не более:
ЗОД120А-1, АОД120А-1
АОД120Б-1
Емкость между входом и выходом при температуре окружающей среды от 213 до 358 К, нс более . . .
Постоянный обратный выходной ток при 1ВХ = 0. С'обр = = 8 В. не более:
ЗОД120А-1, АОД120А-1, АОД120Б-1 при 298 К . . .
ЗОД120А-1 при 358 К
ЗОД120А-1 при 213 К
Сопротивление изоляции при напряжении между входом и выходом 200 В и температуре 298 К. не менее
Предельные эксплуатационные данные
Входное обратное напряжение 3,5В
Напряжение между входом и выходом 200В
Импульсное напряжение фглительностью менее 1 с при
скважности не менее 2) между входом и выходом 400 В
Обратное напряжение на выходе оптопары 10В
Постоянный или средний входной ток при температуре: от 213 до343 К20мА
при 358 К 4мА
Импульсный входной ток при длительности импульса 100 мкс100мА
Температура окружающей среды от 213 до 358 К
Примечание. В диапазоне температур от 343 до 358 К максимально допустимый входной ток, мА, определяется по фор
муле
Ал. макс Зона возможных положений зависимости входного напряжения от входного тока.
Зависимость коэффициента передачи тока от температуры.
Зависимость выходного i ока от
^ВЫХ
Л0Д120
4 ОД
1ZD
113 К-у
„48 К 1
1=х
^нарЛсп
ЛОДЗЮ
а ид
—
УОБр
0510 В
Зависимость времени нараста-ния и спада от обратногонапряжения.
импульсного входного тока от длительности импульса.
ЗОД201А-1, ЗОД201Б-1, ЗОД201В-1, ЗОД201Г-1,ЗОД201Д-1, ЗОД201Е-1
Он । опары, состоящие из арсенид-галлий-алюминиевого излучающего диода, кремниевого фотоприемника и иммерсионной среды между ними, бескорпусные. Предназначены для применения в сощаве гибридных микросхем.
Масса прибора не более 0,05 г.
От 0,6 до 1,3 "оОт 0.9 до 2 %От 1,5 до 3,5 °„От 1,1 до 1,5 ВОт 1,0 до 1,5 ВОт 1,1 до 1,85 ВOi 1,1 до 1,65 ВОт 0,6 до 1,3 "оОт 0.9 до 2 %От 1,5 до 3,5 °„От 1,1 до 1,5 ВОт 1,0 до 1,5 ВОт 1,1 до 1,85 ВOi 1,1 до 1,65 В100 нс800 нс100 нс800 нс
От 0,6 до 1,3 "оОт 0.9 до 2 %
От 1,5 до 3,5 °„
От 1,1 до 1,5 В
От 1,0 до 1,5 В
От 1,1 до 1,85 В
Oi 1,1 до 1,65 В
От 0,6 до 1,3 "оОт 0.9 до 2 %
От 1,5 до 3,5 °„
От 1,1 до 1,5 В
От 1,0 до 1,5 В
От 1,1 до 1,85 В
Oi 1,1 до 1,65 В
100 нс
800 нс
100 нс
800 нс
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при входном токе 5 мА:
ЗОД201А-1 и ЗОД201Г-1
ЗОД201Б-1 и ЗОД201Д-1
ЗОД201В-1 и ЗОД201Е-1
Входное напряжение при входном токе 10 мА: при 298 К
при 343 К
при 213 К
ЗОД201А-1, ЗОД201Б-1, ЗОД201В-1 . .
ЗОД201Г-1, ЗОД201Д-1,ЗОД201Е-1
Время нарастания и спада выходного импульса тока при импульсе входного тока 25 м и температуре 298 К, не более:
ЗОД201А-1,ЗОД201Б-1,ЗОД201В-1
ЗОД201Г-1,ЗОД201Д-1.ЗОД201Е-1
Сопротивление изоляции при напряжении между входом и выходом 100 В и 298 К,
и температуре не менее 10юОм
Емкость между входом и выходом, не более1,8 пФ
Постоянный обратный ток при Cogp = 6 В
и температуре 298 К, не более . . .2 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Входное обратное напряжение 3,5В
Напряжение между входом и выходом 100В
Обратное напряжение на фотоприемнике 6В
Входной ток . . 20мА
Импульсный входной токЮОмА
Температура окружающей средыОт213 до
343 К
Зависимость времени нараста
ния и спада от температуры.
положений зависимости входного напряжения от входного тока.
Зона возможных положений зависимости со
противления нагрузки от температуры.
Зависимость коэффициентапередачи тока от обратногонапряжения.
Зависимость коэффициентапередачи тока от входно! отока.
К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В, К249КН1Г,К249КН1Д, К249КН1Е
Полупроводниковые оптоэлектронные микросхемы, состоящие из оптопар и управляемых ими транзисторных прерывателей, в металлическом корпусе. Предназначены для использования в качестве оптоэлектронных ключей, коммутирующих аналоювые электрические сшналы при необходимости гальванической изоляции между цепями управления и аналогового сигнала.
Масса прибора нс более 2,5 г.
Таблица 15.1
Тип прибора
Количество опюиар
Количество микросхем
Дейовхю- щий ОЛК
Выводы
Вход
Выход
К249КН1А
4
р
I, II
8. 10;
7. 5;
12, 14
3. 1
К249КН1Б
1
I
8, 10
7, 5
К249КН1В
1
II
12, 14
3. 1
К249КН1Г
4
I. II
8. 10;
7
12. 14
3, 1
К249КН1Д
1
I
8. 10
7, 5
К249КН1Е
э
4
1
II
12. 14
3. 1
Электрические параметры
Выходное остаточное напряжение при входном токе
20 мА. не более:
при 298 К 200мкВ
при 343 К 350мкВ
при 213 К
К249КН1А. К249КН1Б. К249КН1В 700мкВ
К249КН1Г, К249КН1Д, K249KHIE750мкВ
Время задержки включения, не более Юмкс
Время задержки выключения, не более 10мкс
Сопротивление изоляции при напряжении между входом и выходом 100 В. не менееЮчОм
Емкость между входом и выходом, не более 5пФ
Входное напряжение при входном токе 20 мА. не более:
при 298 К 3.5В
при 343 К
К249КН1А.К249КН1Б,К249КН1В 3.5В
К219КН1Г,К249КН1Д,К249КН1Е 3,6В
при 213 К 4В
Сопротивление выходное в открытом состоянии:
К249КН1А. К249КН1Б, К249КН1В при входном токе
20 мА и тоже коммутации 0.5 мА, нс более при298К 200Ом
при343К 300Ом
при213К 400Ом
K249KHIF. К249КН1Д. К249КН1Ь при входном токе
20 мА и токе коммутации 0,1 мА, не более при 29SК 200Ом
при 343К 300Ом
при 213К 400Ом
Ток утечки между эмиттерами при /вх = 0. напряжении
коммутации 30 В, не более:
при 298 К
К249КН1А, К249КН1Б. К249КН1В 50нА
К249КН1Г. К249КН1Д. К249КН1Е100нА
при 343 и 213 К 200нА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение между входом и выходом при температуре
от 213 до 343 К 100 В
Коммутируемое напряжение 30В
Входное обратное напряжение 3,5 В
Входной импульсный ток при ти < 100 мкс ....100 мА
Коммутируемый ток при температуре 298 К ...,500 мкА
Входной ток при температуре от 213 до 308 К ...,30 мА
Температура окружающей средыОт213 до
343 К
Примечание. В диапазоне температур от 308 до 343 К значение /вх, макс- мА, вычисляется по формуле
7
^вх, макс = (40 - у Г).
Зависимость напряжения и сопротивления в открытом состоянии от входного тока.
*ам, ^выклу
К2Ч9К Н1
^8кл(г93к), ^8Мл(293и)
Г
213 233 253 273 293 313 333 К
Зависимость тока утечки междуэмиттерами от температуры.
Зависимость времени включе-ния и времени выключения оттемпературы.
Зона возможных положений зависимости входного напряжения от входного тока.Зона возможных положений зависимости входного напряжения от входного тока.Электрические параметрыЭлектрические параметрыКоэффициент передачи тока при Тксм = 10 В, /вх = 10 мА, RH = 1,2 кОм. не менееТемновой ток фотоприемника при U¥OM = 30 В, не более Напряжение насыщения фототрапзистора при /вх = 10 мА и токе коммутации 2 мА. не болееСопротивление изоляции при напряжении между входом и выходом 100 В, нс менееКоэффициент передачи тока при Тксм = 10 В, /вх = 10 мА, RH = 1,2 кОм. не менееТемновой ток фотоприемника при U¥OM = 30 В, не более Напряжение насыщения фототрапзистора при /вх = 10 мА и токе коммутации 2 мА. не болееСопротивление изоляции при напряжении между входом и выходом 100 В, нс менее0.5100 мкА0,4 В5 ■ 10^ Ом0.5100 мкА0,4 В5 ■ 10^ Ом
Зона возможных положений зависимости входного напряжения от входного тока.
Зона возможных положений зависимости входного напряжения от входного тока.
Электрические параметры
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при Тксм = 10 В, /вх = 10 мА, RH = 1,2 кОм. не менее
Темновой ток фотоприемника при U¥OM = 30 В, не более Напряжение насыщения фототрапзистора при /вх = 10 мА и токе коммутации 2 мА. не более
Сопротивление изоляции при напряжении между входом и выходом 100 В, нс менее
Коэффициент передачи тока при Тксм = 10 В, /вх = 10 мА, RH = 1,2 кОм. не менее
Темновой ток фотоприемника при U¥OM = 30 В, не более Напряжение насыщения фототрапзистора при /вх = 10 мА и токе коммутации 2 мА. не более
Сопротивление изоляции при напряжении между входом и выходом 100 В, нс менее
0.5
100 мкА
0,4 В
5 ■ 10^ Ом
0.5
100 мкА
0,4 В
5 ■ 10^ Ом
Зона возможных положений зависимости выходного сопротивления в открытом состоянии
от входного тока.
К249КП1, К249КП2
Оптоэлектронные ключи, состоящие из излучающего диода на основе арсенид-галлий-алюминия и кремниевого фототранзистора. Предназначены для гальванической развязки узлов, между которыми передаются сигналы управления.
Прибор К249КП1 состоит из двух транзисторных оптопар. В приборе К249КП2 работоспособность второй оптопары не гаран- з ируется или она отсутствует.
У приборов К249КП1 первый вывод — вывод с ключом; у приборов К249КП2 первый вывод обозначается точкой, отсчет выводов Против часовой стрелки.
Масса прибора не более 2 г.
Время задержки включения:
при Кн = 100 Ом, UKOM = 10 В. fBX = 10 мА, не более
при RH = 1 кОм, /ком = 2 мА, /вх = 10 мА. не более Время задержки выключения не более:
при RH = 100 Ом, В\ом =10 В, /вх = 10 мА . . .
при RH = 1000 Ом, /ком = 2 мА, /вх = 10 мА . . .
4 мкс8 мкс4 мкс25 мкс4 мкс8 мкс4 мкс25 мксПредельные эксплуатационные данные
4 мкс
8 мкс
4 мкс
25 мкс
4 мкс
8 мкс
4 мкс
25 мкс
Напряжение между входом и выходом 100В
Обратное напряжение на входе 2,5В
Коммутируемое напряжение на выходе 30 В
Постоянный коммутируемый ток на выходе 5мА
Постоянный входной ток 10мА
Импульсный входной ток:
при длительности импульса не более 10 мс, скважно
сти 2 15мА
при длительности импульса 0,1 мс, скважности 1020 мА
Рассеиваемая транзистором мощность при температуре
от 228 до 328 К20мВт
Рассеиваемая мощность всем прибором при температуре от 228 до 328 К34мВт
Температура окружающей средыOr228 до
328 К
Зона возможных положенийЗона возможных положенийV0,80,4V0,80,4зависимости времени задержки включения от сопротивления база — эмиттер.
Зона возможных положений
Зона возможных положений
V
0,8
0,4
V
0,8
0,4
Зона возможных положений зависимости коэффициента передачи тока от входного тока.
О 4080 кОмО 4080 кОмЗависимость коэффициента передачи тока от температуры.
О 4080 кОм
О 4080 кОм
Зона возможных положений за-висимости входного тока отвходного напряжения.Зона возможных положений за-висимости входного тока отвходного напряжения.Зона возможных положений за-висимости коэффициента пере-дачи тока от сопротивлениябаза — эмиттер.Зона возможных положений за-висимости коэффициента пере-дачи тока от сопротивлениябаза — эмиттер.249ЛП1А, 249ЛП1Б, 249ЛП1В
Зона возможных положений за-висимости входного тока отвходного напряжения.
Зона возможных положений за-висимости входного тока отвходного напряжения.
Зона возможных положений за-висимости коэффициента пере-дачи тока от сопротивлениябаза — эмиттер.
Зона возможных положений за-висимости коэффициента пере-дачи тока от сопротивлениябаза — эмиттер.
Оптоэлектронные коммутаторы логических сигналов, состоящие из арсепид-галлиевого излучателя, кремниевого фотодиода и интеграль
ного усилителя, обеспечивающего выходные уровни напряжения для
запуска ТТЛ микросхем. Предназначены для передачи логических сигналов между узлами при необходимости обеспечения между ними гальванической развязки.
Масса прибора не более 0,4 г.
Электрические параметры
Напряжение питания
Потребляемая мощность, не более . . . . Входное напряжение при входном токе 10 мА: при 298 К при 343 К при 213 К
Выходное напряжение логического нуля при 7ВХ = 10 мА и токе нагрузки (втекающем) 1,8 мА, не более
Выходное напряжение логической единицы при /пх = 1 мА и вытекающем токе в нагрузку 0,12 мА, не более
Время задержки включения при входном токе 10 мА, не более: 249ЛП1А при 298 К при 213 и 343 К
249ЛП1Б при 298 К
при 213 и 343 К
249ЛП1В при 298 К
при 213 К
при 343 К
Время задержки выключения при входном токе 10 мА, не более:
249ЛП1А
при 298 и 213 К
при 343 К
249ЛП1Б при 298 и 213 К при 343 К
249ЛП1В при 298 К при 213 К при 343 К
Сопротивление изоляции при напряжении между входом и выходом 100 В. не менее Емкость между входом и выходом, не более
5 В ± 10%
5 мВт
От1,1до1,5В
От1,0до1,5В
Ог1,1до1,9В
0,3 в
2.3 В
500 нс
900 нс
300 нс
600 нс
1000 нс
1500 нс
1200 нс-
900 нс
500 нс
600 нс
300 нс
1200 нс
1300 нс
1000 нс
10» Ом2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение между входом и выходом 100 В
Обратное входное напряжение 3,5 В
Входной ток 20 мА
Входной импульсный ток при длительности импульса 10 мксЮО мА
выключения от входного тока.выключения от входного тока.
выключения от входного тока.
выключения от входного тока.
Минимальный входной ток при температуре окружающей
среды от 213 до 343 К:
249ЛП1А 5мА
249ЛП1Б, 249ЛП1В 8мА
Выходной вытекающий ток1,5мА
Выходной втекающий ток1,8мА
Температура окружающей средыОт213 до
343 К
Зона возможных положений зависимости входного напряжения от входного тока. ,
Зависимость времени задержки включения от входного тока.
Зависимость времени задержки
К262КП1А, К262КП1Б
Полупроводниковые он i оэлектронные микросхемы с диодной оптопарой на входе и интегральным усилителем, обеспечивающим на выходе уровни сигналов для запуска ТТЛ микросхем. Предназначены для передачи логических сигналов при необходимости обеспечения между узлами гальванической развязки.
Масса прибора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Напряжение питания5 В + 10 “(
Время задержки включения и выключения при входном
юке 10 мА и емкости нагрузки 40 пФ. не более: К262КП1А 700 нс
К262КП1Б 350 нс
Выходное напряжение логического Нуля, не более . . .0.3 В
Выходное напряжение лот ической единицы, не менее 2.3 В
Выходной гок логической единицы (вытекающий), не более 1 мА
Входное напряжение логической единицыОт 0.8 до
1.7 В
Входной юк логической единицы, не более 10 мА
Ток по1рсблелия. не более 5 мА
Сопротивление изоляции при напряжении между входом и выходом 100 В. нс менее10' Ом
Емкое 1ь между входом и выходом, нс более 5 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Выходной ток логического нуля (втекающий) юмд
Скорость нарастания напряжения между входом и выходом 10 В/мкс
Время нарастания и спада входного импульса, не более 100 нс
Температура окружающей средыОт228 до
Зона возможных положений зави-симости выходного напряжения ло-[ичсскою нуля от [емператхры.
Зона возможных положений за-висимости входного напряже-ния от температуры.
328 К328 КЗона возможных положений за-висимости выходного напряже-ния лошческой единицы оттемпературы.
328 К
328 К
' 'вчецмоеть времени зааержкивклп -’'гния о г напряжения ис-: очника питания.
Зависимое ib времени задержкивыключения or напряжения ис-точника питания.
295АГ1А, 295АГ1Б, 295АГ1В, 295АГ1Г, 295АГ1Д
Интегральные оптоэлектронные микросхемы, содержащие тиристорную оптопару, тиристор и одпопереходный |ранзистор, в металлическом корпусе. Предназначены для использования в качестве одновибраторов в схемах, в которых требуется гальваническая развязка цени запуска от выходной цепи.
Масса прибора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Напряжение источника питания:
295АГ1А 12В
295АГ1Б. 295АГ1В 27В
295АГ1Г. 295АГ1Д 48В
Напряжение включения при входном импульсном токе 50 мА (295АГ1А, 295АГ1Б), 100 мА (295АГ1В, 295АГ1Г) и 200 мА (295АГ1Д). не более:
при 298 К 3.6В
при 263 К 5.2В
при 343 К и выходном импульсном токе 50 мА 4,6 В
w
, Ток утечки на выходе, не более: при 298 К мкА
при 263 К50мкА
при 343 К50мкА
Ток включения,нс более20мА
) Остаточное напряжение при выходном импульсном токе 50 мА (295АГ1А, 295АГ1Б), 100 мА (295АГ1В, 295АГ1Г) и 200 мА (295АГ1Д), не более 2,5 В
Сопротивление изоляции между входом и выходом, не менее108 Ом
«
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение источника питания, не более: 295АГ1А 13.2В
295АГ1Б, 295АГ1В29,7В
295АГ1Г, 295АГ1Д 52*8В
Напряжение включения 5,25В
Напряжение между входом и выходом 100В
Выходной импульсный ток при т„ < 2 мкс, температуре окружающей среды от 263 до 308 К:
295АГ1А, 295АГ1Б 50мА
295АГ1В. 295АГ1Г100мА
295АГ1Д 200мА
Рассеиваемая мощность при температуре 298 К . . . . 500 мВт
Скорость нарастания напряжения источника питания при температуре окружающей среды от 263 до 343 К 50 В/мкс
Температура окружающей средыОт 263 до
343 К
Зона возможных положений зави-симости напряжения включения оттемпературы.
Зоны возможных положений зависимости входного тока от темпера 1 уры.
Зона возможных положений зависимости напряжения в открытом состоянии от I ем пера (уры.
Зона возможных положенийзависимости тока улечки oiтемпературы.
Зависимость рассеиваемой мощ-ности от температуры.
AOT122A, АОТ122Б, AOT122B, АОТ122Г
Оптопары транзисторные, состоящие из кремниевою эшпак сиа.тьно-п.чанарното транзисторного приемника и арсенидгаллисво! о ме «эпитаксиального инфракрасного диодною излучателя.
Предназначены для бесконтактной коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса оптопары нс более 0.6 г.
/4 МВыбоЗоб
Ключ А0Т122А-Г
.Oi I до 1.6 В1,6 В1,8 В.Oi I до 1.6 В1,6 В1,8 В
.Oi I до 1.6 В
1,6 В
1,8 В
.Oi I до 1.6 В
1,6 В
1,8 В
Электрические параметры
Входное напряжение при /,,. = 5 мА:
Т = 298 К
Т - 353 к' не более
Т =213 К не более
Выходное остаточное напряжение при I,, = 5 мА. /вых = = 15 мА для АОТ122А. АОТ122В. АОТ122Г и /вых = = 25 мА для АОТ122Б не более: 7" = 298 и 353 К 1.5 В
Т = 213 К 1.9 В
Выходное остаточное напряжение при /вх = I мА, /вь;х = = 1 мА для AOTI22A. /ВЬ1Х = 3 мА для АОТ122В. АОТ122Г /вых = 5 мА для АОТ122Б не более . . . .1.5 В
Ток утечки на выходе при 7ВХ = О, Бком =50 В для АОТ122А, Ском = 30 В для АОТ122Б, AOTI22B. Сюм = = 15 В для АОТ122Г не более10 мкА
Сопротивление изоляции при Сиз =100 В не менее . . .109 Ом
Время нарастания* при /вх = 5 мА, R. = 100 кОм.
Ь'ич = Ю В не более 6 мкс
Время спада* при /вх = 5 мА. R„ = 100 кОм, L"kOM = = 10 В не более100 мкс
Примечание. Измерение параметров производи 1ся при внеш
нем резисторе сопротивлением 1 МОм между выводами 10 и И.
Предельные эксплуатационные данные
Коммутирующее напряжение при R = 1 МОм между выводами 10 и 11:
АОТ122А 50 В
АОТ122Б, АОТ122В ЗОВ
АОТ122Г 15 В
Напряжение изоляции 100 В
Входной юк 15 мА
Импульсный входной юк при т„ < 10 мкс85 мА
Выходной импульсный юк при R = 1 МОм между выводами 10 и 11
АОТ122А. АОТ122В. АОТ122Г 1 5 мА
АОТ122Б25 мА
При изменении длительности импульса от 10 5 до 10 - с импульсный входной ток, мА, определяется по формуле
70 , 10~2
-—1g
Допускается изгиб выводов на расстоянии 1 мм от корпуса, пайка выводов на расстоянии не менее 2 мм от корпуса при температуре не более 523 К в течение 3 с.
Допускается применение оптопар АОТ122А при напряжении питания 48 В.
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Зависимость времени спада отсопротивления база — эмиттер.
Зависимость выходного тока отсопротивления база — эмиттер.
АЛЬБЕРТ ВАЛЕНТИНОВИЧ БАЮКОВАЛЕКСАНДР БОРИСОВИЧ ГИТЦЕВИЧАНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ ЗАЙЦЕВВЯЧЕСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ МОКРЯКОВВЛАДИМИР МАТВЕЕВИЧ ПЕТУХОВАРКАДИЙ КВИНТИЛИАНОВИЧ ХРУЛЕВ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ:Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы
Редакторы издательства Г. Н. Астафуров.
А. Н. Г у с я ц к а яТехнические редакторы Н. Н. Хоту лева.Г. Г. СамсоноваКорректор ГА. Полонская
ИБ № 2682
Сдало в набор IK.O9.S1. Подписано в печазь 07.01.^3. Т-057НУ Форм.н54 х 1П81 Р. Бумага кн.-журн Гарнитура Таймс. Псчшь высокаяУел нем. .1 39,06. Уел. кр.-ои 39.06 Уя-ни. д. 45.96. Доп. 1нраж100 000 зкз Заказ 746 Цена 2 р. 60 к.
Энсргоатохшзда i. 113114. Москва. М-114. Ill розовая наб . 10.
Ордена Ок1ябрьсксй Революции, ордена Трудовою Красною ЗнамениЛенинградское производственно-техническое объединение «ПечатныйДвор» имени А. М. Горькою Союзпо.тиграфпрома при Государствен-ном комите ie СССР по делам издательств, полиграфии и книжнойторговли. 197136. Ленинград, П-136, Чкаловский пр., 15.
Диоды предназначены для преобразования электрических сигналов наносекундного диапазона длительностей в оптическое излучение ИК-Диапазона и могут использоваться в контрольно-измерительной, пускорегулирующей аппаратуре, в датчиках физических величин, а также в волоконно-оптических системах связи и передачи информации.
ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ
АЛИЯ
уГато^ньш &>/£од
АЛ 129
^24,^25
-^»*-
ТЕХНИЧЕСКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
Наименование параметра
АЛ118
АЛ 124
АЛ 129
Длина волны излучения, мкм
0,8—0,9
0,87+0,03
0,87±0,03
Мощность излучения, мВт
2
4
5
Прямой ток, мА
50
100
200
Время нарастания (спада), нс
100
20
10
Угол излучения, град.
90
120
90
Диапазон рабочих температур, °C
-СО + +85
-60 л- +85
-60 л- +85
Габариты, мм
02,4
03,8
02,4
Н = 6,3
Н=7,2
Н=4,8
1вЫВ. —2&
резьба М2
1выв,— 14
Все приборы созданы на основе двойных гетероструктур в системе GaAlAs, что позволило обеспечить высокий внешний квантовый выход, уменьшить длительность переходных процессов излучения и обеспечить стабильность параметров при воздействии внешних факторов. Приборы выполнены в пластмассовом (АЛ118, АЛ129) и металлостекляпном корпусах (АЛ 124), защищены а. с. №№ 531431, 686566.
Плоская конструкция кристалла (АЛ118, АЛ129) позволяет осуществлять эффективный отвод тепла от активной области через медный держатель и в сочетании с линзой из герметизирующего оптического компаунда обеспечивает необходимый уровень мощности в угле 90°. Мезакопструкция кристалла (АЛ 124) обеспечивает высокую яркость излучения и малые размеры излучающей площадки, что является необходимым условием использования прибора в волоконно-оптических системах связи.
Эффект от внедрения быстродействующих излучающих диодов АЛ 118, АЛ124, АЛ 129 — в расширении частотного диапазона соответствующей аппаратуры и в повышении ее быстродействия. Внедрение излучающего диода АЛ 124 позволило создать первые промышленные системы волоконно-оптической связи. Годовой экономический эффект от внедрения АЛ118 — 500 тыс. руб., АЛ124 — 245 тыс. руб.
НООНТИ ЦНИИ «НИЕКТРОНИКА»
К.3<>^100. Формат KOXSO'/n. Тираж *2000 чкл. Закят Av 960.
СЕРИЯ СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТ-ВУЮЩИХ ИМПУЛЬСНЫХ ДИОДОВНА ОСНОВЕ КОНТАКТАМЕТАЛЛ — АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
АД516 АА529АА530 АА538АА539АД516 АА529АА530 АА538АА539Диоды предназначены для преобразования электрических сигналов субнаносекундного и пикосекундного диапазонов длительностей и могут быть использованы в схемах смесителей, формирователей, компараторов, стробоскопических преобразователей при разработке целого ряда импульсных измерительных устройств (измерители временных интервалов, фазометры, рефлектометры, пробники, вольтметры, стробоскопические осциллографы, импульсные генераторы и др.).
АД516 АА529
АА530 АА538
АА539
АД516 АА529
АА530 АА538
АА539
ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ
АД516
Техническая характеристика диодов
Наименование параметра
А А.538
АА529
АД516
АЛ530
АЛ.539
Постоянное прямое напряжение. В. при прямом токе: 2 мА
1,0
1.0
1.0
10 мА
1.0
1.0
Постоянный обратный ток, мкА. при максимальном напряжении:
5 В
1.0
9 В
1,0
К) В
2,0
20 В
1.0
40 В
5,0
Емкость диода при нелепом смещении, нФ
0.17
0,25
0.35
0.75
0.6
.Аффективное время жизни носигелей заряда, пс
40
50
80
100
100
Габариты, мм: диаметр
1,3
2.3
3,8
2.3
3,0X1.5X1.5
высш а
1.2
мета.
2,9
докерами1
9,5
еекие ко[
6,9
пуса
СОВЫЙ кор ихч- с гиП
КИМИ BI.I ВОДИМИ
Все приборы созданы на основе барьера Шоттки (контакта металл—-арсенид галлия), что позволило значительно уменьшить длительности переходных процессов переключения, определяющих инерционность и быстродействие диодов, по сравнению с импульсными диодами на р-п-иереходах.
Выпрямляющие контакты всех диодов созданы электрохимическим осаждением металлов (палладии, вольфрам) или сплавов (молибден— никель) в окна определенного диаметра, вскрытые методом оптической фотолитографии в пленке двуокиси кремния, нанесенной на поверхность эпитаксиальных структур арсенида галлия типа п " -и.
Предложенная в а. с. № 674581 от 22.03.79 и а. с. № 762566 от 12.07.74 структура барьера Шоттки обеспечивает высокую стабильность параметров диодов в различных условиях их эксплуатации.
Наиболее близким аналогом данной серии диодов является кремниевый импульсный диод КД514, замена которого на диод АА538 в стробоскопическом преобразователе напряжения типа В9-5 позволила в три раза расширит!, полосу пропускания и в два раза уменьшить погрешность измерений. Применение в измерителе параметров импульсов типа П4-5 вместо диодов КД514 диода АА530 позволило снизить погрешность измерений в два раза. Использование сверхскоростных импульсных арсепидогаллиевых диодов позволило разработать измерш тельную технику, обладающую принципиально новыми качествами— возможностью цифрового отсчета и программного управления.
АА53Й
wgnwgn
wgn
wgn
AA539
Iодовой экономический эффект от внедрения диода ЛА516 в производство стробоскопических осциллографов (27-7, (27-8, (27-9, (27-11 <-7-12 составил 10 млн. рублец. От внедрения диода АА538 в производство стробоскопических осциллографов типа (21-91/111—IV и С9-9 16,5 млн. рублей. От внедрения диода АА529 в производство стробоскопического осциллографа С7-13 —- 940 тыс. рублен
Производительность труда при работе с осциллографом повыси- iaei> в 5 — 10 раз.
АРСЕНИДОГАЛЛИЕВЫЕСВЧ-ДИОДЫ НА ЭФФЕКТЕГАННА
АА715АА716АА725АА726АА715АА716АА725АА726Предназначены для работы в качестве активных элементов малой и средней мощности в аппаратуре широкого применения: гетеродинах, измерительных генераторах, усилителях, источниках накачки параметрических усилителей и т. д.
АА715
АА716
АА725
АА726
АА715
АА716
АА725
АА726
ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ
АА715, АА725, АА726
Конструктивно диоды выполнены в виде малогабаритного мета.тло-- керамического корпуса с вмонтированным в пего активным элементом. Активный элемент выполнен из эпитаксиального многослойного арсенида галлия. ■
Диоды тина АА715, AA71G, АА725, AA72G являются первыми отечественными арсепидогаллисвыми СВЧ-диодами и но своим основным характеристикам соответствуют лучшим зарубежным аналогам.
Годовой экономический эффект от использования одного диода, например тина AA71G. составляет 700—1500 руб. в зависимости от конкретных типов аппаратуры, в которой эти диоды используются.
Техническая характеристика
Наименование 1Тип диода
па рам ci ра
АА715А- М
АЛ716А И
АЛ725А—Д
АА726А-Е
Рабочий диапазон частот, ГГц
8 -12.5
18--25.86
5-8.24
12—16.7
Минимальная вы-
ходкая мощность в
100. 200. 300
150, 250
200. 300
100, 200
полосе частот \f, мВт
( \f = 1.5 ГГц)
( \f = 2.0 ГГц)
(Af=l,0 ГГц)
( \1 = 1.5 ГГц)
Рабочее напряжение, В
9.5
1,0—6.3
11,0
Рабочий ток при
5.0 8,0
рабочем напряжении, Л, не более
1,5
2.0
2,0
2,0
Габариты, мм
0 3,7
0 3,7
0 3.7
0 3.7
И = 4
И = 6
И = 4
11 = 4
2. Разрешается последовательное соединение столбов одного и юго же типа до напряжения 3 6/ogp. и. макс без применения шунтирующих элементов.
3. Допускается работа столбов на емкостную нагрузку при условии,
3. Для 2У105Д, 2У105Е, КУ105Д, КУ105Е допускается кратковре
ПОЛУ-ПРОВОДНИКОВЫЕПРИБОРЫ
Диоды, тиристоры,оптоэлектронныеприборы
СПРАВОЧНИК
Под общей редакцией Н. Н. ГОРЮНОВА
МОСКВА ЭНЕРГОАТОМИЗДАТ 1983
ББК 32.852
П53
УДК 621.382.21.3(035)
Рецензенты: Е. И. Крылов, В. В. Павлов
Авторы: А. В. Баюков, А. Б. Гитцевич,А. А. Зайцев, В. В. Мокряков, В. М. Петухов,А. К. Хрулев
Полу проводниковые приборы: Диоды, тиристоры, П53 оптоэлектронные приборы. Справочник/А. В. Баюков, А. Б. Гитцевич, А. А. Зайцев и др.; Под общ. рсд. Н. Н. Горюнова. — М.: Энергоатомиздат, 1983,— 744 с., ил.
В пер.: 2 р. 60 к.
Приведены элек1рические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, тиристоров, светодиодов и оптронов широкого применения.
Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, измерительной и вычислительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
ББК 32.852 6Ф0.32ББК 32.852 6Ф0.32п 2403000000-078 201-82 051(01)-83
ББК 32.852 6Ф0.32
ББК 32.852 6Ф0.32
С Энергоиздат, 1982, с изменениями
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие 12