Книга
← К списку книгЗагрузка разделов…
активнаАктивные записи участвуют в каталоге и синках. Неактивная книга скрыта, но не удалена из базы.
Книга
ПРЕДИСЛОВИЕ
Основной элементной базой современной радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) являются интегральные микросхемы (ИМС). Свойства, параметры, характеристики и особенности ИМС определяют технические, эксплуатационные и экономические характеристики РЭА.
Эффект от применения ИМС в РЭА состоит не только в том, что обеспечивается уменьшение ее массн, габаритов и стоимости, но и в том, что упрощается процесс ее проектирования, удешевляется технология монтажа и сборки. Например, электронная вычислительная машина CD 1604 в 1960 г. содержала 100 тыс. диодов и 25 тыс. транзисторов. В связи с появлением ИМС микрокалькулятор образца 1964 г. содержал уже вместо 21 тыс. дискретных элементов всего 29 МОП ИМС. В настоящее время подобный микрокалькулятор содержит всего одну большую ИМС. По зарубежным данным стоимость процесса сборки на дискретных элементах составляет 77 % стоимости всей аппаратуры, а на ИМС средней сложности —— лишь 40 %,
Кроме того, при применении ИМС сокращаются работы по корректировке, настройке, техническому обслуживанию и ремонту РЭА, уменьшается потребление мощности от источников питания.
Широкое применение ИМС в радиоэлектронной аппаратуре вызывает повышенный интерес к информации не только об отечественных, но и зарубежных аналоговых и цифровых интегральных микросхемах. В книге приводятся сведения об условных обозначениях ИМС, электрических параметрах аналоговых ИМС (операционных усилителей, усилителей мощности, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, аналоговых ключей и коммутаторов; ИМС для вторичных источников питания) и цифровых ИМС (логических, запоминающих устройств и микропроцессоров) ведущих зарубежных фирм.
Типовые конструкции ИМС приведены в приложении.
Параграфы 2.4, 2.5 написаны Ю. М. Кутыркиным; предисловие^ введение, разд. 1, § 2.1—2.3 — А. В. Нефедовым, разд. 3—А. М・ Сав
ченко.
Авторы
ВВЕДЕНИЕ
Первые зарубежные лабораторные образцы ИМС (триггер и генератор сдвига фаз) были созданы в США в 1958 г. фирмой Texas Instr, (патент на первую ИМС был выдан Ж. Кильби и затем Р. Нойсу в 1959 г.). В дальнейшем в 1961 г. были выпущены серийные логические ИМС фирмами Fairchild (схема совпадений, регистр, триггер, содержавший четыре биполярных транзистора и два резистора) и Texas Instr, (серия SN51). В 1962 г. появились и первые аналоговые ИМС серии SN52 (маломощный усилитель низкой частоты, операционный усилитель и видеоусилитель).
Радикальное изменение принципов создания ИМС принесли разработанная фирмой Fairchild в 1960 г. планарная технология для биполярных транзисторов, а также методы создания полевых транзисторов (транзисторы с р-n переходом были получены впервые в 1957 г” а МОП-транзисторы — в 1962 г.) Первая логическая МОП- схема была создана фирмой RCA в 1963 г. и содержала 16 МОП- транзисторов. В 70-е годы появилось много различных базовых технологий и новых технологических направлений, используемых для создания ИМС: p-МОП, n-МОП, КМОП, инжекционная логика (И2Л) в 1972 г.» приборы с зарядовой связью (ПЗС) в 1970 г. и др. В настоящее время насчитывается около 50 технологических разновидностей ИМС. Развитие микроэлектроники идет по пути повышения уровня интеграции ИМС путем увеличения числа элементов и уменьшения структурных размеров элементов с помощью новых технологических методов: от первых ИМС с малой степенью интеграции —SSI (менее чем 100 элементов на кристалл) до ИМС средней —MSI (от 100 до 1000 элементов на кристалл) н большой—LSI (от 1000 до 100 000 элементов на кристалл) степени интеграции. Например, у микропроцессора типа 8086 на кристалле площадью 33 мм2 содержится 29 тыс. транзисторов. Многие из современных больших ИМС эквивалентны по функциональным возможностям большим радиоэлектронным устройствам. В настоящее время наступила стадия создания и сверхбольших ИМС (VLSI). Значительное повышение уровня интеграции ИМС приводит к слиянию в единый технологический цикл процессов создания ИМС и РЭА. Однако рост степени интеграции, а значит, и сложность ИМС, будет ограничиваться, очевидно, экономическими и практическими факторами из-за специфичности и узкого применения (ограниченного спроса) таких сверхбольших ИМС, а также такими проблемами, как проблема внутренних межсоединений, занимающих все большую площадь по мере увеличения числа элементов. Кроме того, с уменьшением геометрических размеров элементов возрастает сопротивление межсоединений, вследствие чего увеличивается мощность рассеяния и снижается быстродействие ИМС. Не менее важной проблемой является сборка ИМС в корпуса с большим числом выводов.
РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЗАРУБЕЖНЫХИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
За рубежом существуют различные системы кодирования (обозначения) ИМС, действующие как в международном масштабе, так и внутри отдельных стран и фирм.
В европейских странах система кодирования ИМС аналогична системе, принятой для кодирования дискретных полупроводниковых приборов, и используется примерно 40 фирмами различных стран (Англии, Бельгии, Италии, Испании, Нидерландов, Швеции, ФРГ), выпускающими полупроводники. Основные принципы кодирования, по которым обозначения присваиваются организацией Association International Pro Electron, приводятся ниже.
Код состоит из трех букв, за которыми следует серийный номер (например, ТВА810, SAB2000).
Первая буква (для одиночных схем) отражает принцип преобразования сигнала в схеме: S ——цифровая схема; Т——аналоговая схема; U — смешанная аналого-цифровая схема.
Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмой-изготовителем), за исключением буквы Н, которой обозначаются гибридные схемы.
Для серий (семейств) цифровых схем первые две буквы обо-
значают:
FL, FZ, GD —цифровые схемы;
GA —маломощные ТТЛ-схемы;
GF —стандартные ТТЛ-схемы;
GJ — быстродействующие ТТЛ-схемы;
GM — маломощные с диодами Шоттки ТТЛ-схемы;
НВ —комплементарные МОП-схемы 4000А;
НС — комплементарные МОП-схемы 4500В, Третья буква обозначает рабочий диапазон температуры или
как исключение — другую важную характеристику:
А — температурный диапазон не нормирован;
В — от 0 до +70 ℃;
С — от —55 до + 125 ℃;
D — от —25 до + 70 ℃;
Е — от —25 до +85 ℃;
F — от —40 до +85 ℃;
G — от —55 до +85 ℃.
Затем следует серийный номер. Он может быть либо четырехзначным числом или серийным номером, состоящим минимум из четырех цифр существующего внутрифирменного номера. Если последний состоит менее чем из четырех цифр, то количество цифр увеличивается до четырех путем добавления нулей перед ними.
Кроме того, за цифрами может следовать буква для обозначения варианта (разновидности) основного тапа.
При обозначении вариантов корпусов (после серийного номера) первая буква показывает тип корпуса：
С ——цилиндрический корпус;
dp,fgkqdp,fgkq——с двухрядным параллельным расположением выводов
dp,fgkq
dp,fgkq
——плоский (с двусторонним расположением выводов);
—плоский (с четырехсторонним расположением выводов);
——металлический корпус тапа ТО-3;
—с четырехрядным параллельным расположением выводов;
вторая буква показывает материал корпуса: В—бериллиевая керамика; С ——керамика; G — стеклокерамика; М ——металл； Р — пластмасса.
Ниже приводятся другие условные обозначения ИМС некоторых зарубежных фирм. Вначале дается пример внутрифирменного обозначения, а затем на его основе показано цифро-буквенное кодирование ИМС.
Фирма Advanced Micro Devices
Пример обозначения АМ 27 S 18 F Л4 12 3 4 5 6
Фирменное буквенное обозначение: АМ.
Функциональное назначение и технология: 25 ——специализированные схемы со средним уровнем интеграции (MSI); 26 — интерфейсные схемы; 27 — биполярные запоминающие устройства; 28, 90, 91, 92, 94, 95 —МОП-схемы; 29 — биполярные микропроцессоры.
Тип схемы: L — маломощные; S — с диодами Шоттки; LS — маломощные с диодами Шоттки.
Серийный номер.
Тип корпуса: D — с двухрядным вертикальным расположением выводов типа DIP; Р ——пластмассовый; F ——плоский; X ——бес- корпусная ИМС.
Рабочий диапазон температуры: С—от 0 ℃ до +75 ℃ (коммерческое назначение); М — от —55 ℃ до 125 ℃ (специальное назначение).
Фирма American Microsystems Inc.
Пример обозначения S 1103 А 2 Р
23 4 5
Фирменное буквенное обозначение: S (другие варианты: MX, UL, SP),
3. Серийный номер прибора и его вариант.
Тип корпуса: 1——пластмассовый: 2 — керамический с двухрядным расположением выводов (Cer-DIP); 3 — керамический типа DIP с однослойной металлизацией (SLAM); 4 ~ керамический (трехслойный); 5 — типа ТО (стандартный корпус, принятый в США).
Количество выводов: С—22; D—14; F —12 (корпус ТО); Н—16; 1—28; L—24; М—40 (SLAM); Р—18 (DIP)； Т—40; U—16; W—24; Z—28.
Фирма Analog Devices
Пример обозначения AD 7520 J N
23 4
Фирменное буквенное обозначение: AD.
Серийный номер.
Диапазон температуры: А, В, С (промышленное назначение); J, К, L (коммерческое назначение); S, Т, U (специальное назначение).
Тип корпуса: D ——керамический типа DIP; F ——плоский кер.а- митеский; Н ——типа ТО-5; N ——пластмассовый типа DIP.
Фирма Beckman Instruments Inc.
Пример обозначения 877- 85 М V - D1 123 45
Функциональное назначение: 801—809; 851—859 — регуляторы напряжения; 811—816, 862, 863 — резистивные матрицы; 822, 823, 833, 866 ——усилители; 840——источники опорного (эталонного) напряжения; 845—872, 877 — цифро-аналоговые преобразователи; 873, 876—аналого-цифровые преобразователи; 882, 883 — активные фильтры.
Серийный номер.
Тип корпуса: М ——металлический; С, G ——керамический.
Модификация.
Точность: D1 —лучшая.
Фирма Datel Systems Inc.
Пример обозначения АМ 490- 2 А С 123 4 5
Функциональное назначение: ADC ——аналого-цифровые преобразователи; АМ — усилители; DAC — цифро-аналоговые преобразователи; DAS — система сбора данных; FLT — фильтры; MV, MX — мультиплексоры; SHM ——схемы выборки и хранения; VF — преобразователи напряжение——частота; VI ——инвертор напряжения; VR — источник опорного напряжения; ТТ — датчик температуры.
Серийный номер.%
Тип корпуса: а) для монолитных схем： 1 —DIP с 14 выводами; 2 — металлический ТО-99; б) для гибридных схем: G ——пластмассовый; М — металлический.
Вариант прибора по параметрам.
Диапазон температуры: С — от 0 ℃ до 70 ℃; М — от —55 ℃ до +125 ℃; R —от —25 ℃ до +85 ℃
Фирма Exar Integrated Systems
Пример обозначения: XR 567 С Р
23 4
Фирменное буквенное обозначение: XR.
Серийный номер.
Диапазон температуры: С — коммерческое назначение; М — специальное назначение.
Тип корпуса: D — бескорпусная ИМС; К — ТО-66 (модификация) ;Р ——пластмассовый; N ——керамический; Т ——металлический (ТО-99; ТО-100； ТО-101).
Фирма Fairchild
Пример обозначения: цА 741А Н М; 35342 D С
123 423 4
L Фирменное буквенное обозначение: F—основной разработчик; SH — гибридные схемы; цА — аналоговые схемы.
Серийный номер и модификация схемы.
Тип корпуса: С — бескорпусная ИМС; D — керамический DIP (ТО-116); Е — пластмассовый (ТО-105; ТО-106); F — плоский (ТО-86; ТО-91); Н — металлический (ТО-5; ТО-18; ТО-33; ТО-39;
ТО-52;' ТО-71; ТО-72; ТО-78; ТО『96; ТО-99; ТО-100; ТО-101); J—металлический (ТО-66); К — металлический (ТО-3); Р — пластмассовый типа DIP; R ——керамический типа мини-DIP; Т——пластмассовый типа мини-DIP; U — пластмассовый (ТО-220); W — пластмассовый (ТО-92).
Диапазон температуры： С — от 0 ℃ до +75 ℃ (для КМОП- схем от —40 ℃ до +85 ℃); L — для МОП-схем от —55 ℃ до + 85 ℃ (для аналоговых схем от —20 ℃ до +85℃); для гибридных схем — от —20 ℃ до +85 ℃; М — от —55 ℃ до +85/125 ℃; V — от —40 ℃ до +85 ℃
Фирма General Instrument
Пример обозначения RO - 6 хххх хх
1234
Фирменное буквенное обозначение: AY, CU — матрицы; СР — микропроцессоры; DL, DS — динамические сдвиговые регистры емкостью соответственно более и менее 50 бит; ER — перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства с электрическим стиранием информации; LC — линейные схемы; LG — логические схемы; МЕМ ——мультиплексоры, ключи, счетчики на полевых транзисторах; MUX — коммутаторы (мультиплексоры); NC, PC — гибридные схемы; PIC, SBA— однокристальные микро-ЭВМ; RA — оперативные запоминающие устройства; RO — постоянные запоминающие устройства; SL и SS — статические сдвиговые регистры емкостью соответственно более или менее 50 бит.
Диапазон температуры и технология： 0 — от —55℃ до + 85℃ (MTOS); 1 — от 0°C до +70℃ (MTOS); 4 — с п-каналом; 5—от 0℃ до +70 ℃ (MTNS); 6—от —55℃ до +125℃； 7—MTNS; 8 — от —55℃ до + 125℃ (с кремниевым затвором); 9 —от 0°С до +70℃ (с кремниевым затвором).
Для мультиплексоров первые две цифры показывают типовое значение сопротивления канала в открытом состоянии 尸ds： 01< <100 Ом; 02<200 Ом; ОЗсЗОО Ом и т. д. Остальные две цифры показывают число каналов.
Для оперативных и постоянных запоминающих устройств четыре цифры показывают значение информационной емкости (число бит). Для сдвиговых регистров первая цифра показывает количество схем в корпусе (1 — одна; 2 — две; 3 — три и т. д.). Остальные три цифры показывают число бит.
Тип корпуса: 01—бескорпусная ИМС; 12 — с 8 выводами DIP; 14 — типа ТО-5 с 4 выводами; 15 — типа ТО-78 с 8 выводами; 16 — типа ТО-5 с 8 выводами; 17 — типа ТО-5 с 8 выводами (модификация) ;21—типа ТО-5 с 10 выводами; 22 — типа ТО-5 с изолированными выводами; 23 — типа ТО-100 с 10 выводами; 29 ——пластмассовый DIP с 24 выводами; 30 ——пластмассовый DIP с 14 выво- -дами; 31——пластмассовый с 16 выводами; 32 — пластмассовый DIP с 24 выводами; 33 ——пластмассовый DIP с 40 выводами; 35 — плоский пластмассовый с 36 выводами; 51—типа ТО-8 с 12 выводами; 55 — DIP с 16 выводами; 60 — плоский с 10 выводами; 61 — плоский с 14 выводами; 62 ——плоский с 16 выводами; 63 ——плоский с 20 выводами; 64 ——плоский с 24 выводами; 65 ——плоский с 40 выводами; 66 — с 36 выводами; 68 — плоский с 44выводами; 69 —DIP с 14
выводами; 71 — с 16 выводами; 72 — DIPс24выводами;73—DIP
с 24 выводами (модификация); 74 — DIPс40выводами；75 — DIP
с 40 выводами (модификация); 76 — DIPс28выводами;77 —DIP
с 18 выводами; 79 — DIP с 24 выводами (модификация); 80 — керамический DIP с 14 выводами; 81——керамический DIP с 16 выводами.
Фирма Harris Sem
Пример обозначения Н А 1 - 2900 - 2
J
2 345
Фирменное буквенное обозначение: Н.
Функциональное назначение: А — аналоговые схемы; В ——отладочное плато; С — схемы средств связи； CF — бескорпусная ИМС； D ——цифровые схемы; I ——интерфейсные схемы (ключи, коммутаторы, ЦАП и т. д.)； М — запоминающие устройства, микропроцессоры, диодные матрицы; PROM ——программируемые постоянные запоминающие устройства; RAM ——оперативные запоминающие устройства; ROM — постоянные запоминающие устройства; S — программное обеспечение; Т — транзисторные сборки.
Тип корпуса: 1 — типа DIP с двухрядным расположением выводов; 2 — типа ТО-5; 3 — пластмассовый типа DIP; 4 — безвывод- ной; 7 — типа мини-DIP; 9 — плоский; 0 — бескорпусная ИМС.
Серийный номер.
Диапазон температуры: 1 —от 0 ℃ до +200 ℃; 2—от —55 ℃ до + 125 ℃j 4 — от —25° С до + 85 °C; 5 — от 0 ℃ до + 75 ℃j 9 — от —40 ℃ до 85 ℃ (для серии 4000 КМОП); от —55°C до +125°C (для серии 5400); от 0℃ до +70℃ (для серии 7400).
Фирма Hitachi
Пример обозначения: HD 25 48 Р
Т 2 V
Фирменное буквенное обозначение: НА — аналоговые; HD — Цифровые; HN ——постоянные запоминающие устройства (ROM); НМ — оперативные запоминающие устройства (RAM).
Серийный номер.
Тип корпуса: Р ——пластмассовый.
Фирма ITT
Пример обозначения: MIC 9300 1 D 123 4
Фирменное обозначение: ITT, MIC, SAK, SAJ, SAY, TAA, ТВ A, TCA, TDA (в соответствии с системой Pro Electron).
Серийный номер и вариант прибора.
Диапазон температуры: 1—от —55 ℃ до + 125 ℃; 5 — от 0℃ до +75 ℃.
Тип корпуса: В — плоский; С — типа ТО-5; D — керамический типа DIP； N ——пластмассовый типа DIP.
Фирма Intel
Прнмер обозначения: I Р 3301А L-4 ^^ ^^\，…5"
234
Рабочий диапазон температуры: I — промышленное назначение; М — специальное назначение.
Тип корпуса: В ——керамический типа DIP; С ——металлокерамический типа DIP; D ——стеклокерамический типа DIP; М ——металлический; Р — пластмассовый типа DIP； X ——бескорпусная ИМС.
Серийный номер и вариант прибора.
Модификация по мощности, быстродействию и другим параметрам.
Фирма Intersil Inc.
Пример обозначения: IM 6518А М D D j^ J**
23 4 5
Фирменное буквенное обозначение: DG — аналоговые ключи; D — схемы управления; IH — гибридные схемы; ICL — аналоговые схемы; ICM — таймеры; IM — цифровые схемы или запоминающие устройства.
Серийный номер и вариант прибора (буква).
Диапазон температуры: С — от 0 ℃ до +70 ℃; I — от —40 ℃ до +70 ℃; А, М — от —55 ℃ до + 125 ℃; В — от —20 ℃ до 十85 ℃.
Тип корпуса: В — пластмассовый плоский миниатюрный; D— керамический типа DIP; Е — типа ТО-8; F — плоский керамический; I — DIP с 16 выводами; J — керамический типа DIP; К — типа ТО-3 с 8 выводами; L ——керамический безвыводной; Р — пластмассовый типа DIP; Q ——металлический с двумя выводами; Т ——типа ТО-5; DR — тапа ТО-72.
Число выводов: А — 8; В — 10; С — 12; D — 14; Е — 16; F 一 22; G —24; I —28; J —32; К—36; L —40; M —48; N— 18.
Для серии 7600 (операционные усилители) пример обозначения: ICL 7611А С TY
234
Третья цифра в серийном номере показывает: 1 — одиночные; 2 — сдвоенные; 3 —строенные; 4 — счетверенные; буква показывает значение напряжения смещения нуля: А—■2 мВ; В — 5 мВ; С—■ 10 мВ; D— 15 мВ; Е —25 мВ.
Диапазон температуры: С — от 0 ℃ до +70 ℃; М — от —55 ℃ до +125 ℃.
Тип корпуса: TY — типа ТО-99 с 8 или 4 выводами; РА — пластмассовый мини-DlP с 8 выводами; PD — пластмассовый с 14 выводами; РЕ ——пластмассовый с 16 выводами; JD — керамический DIP с 14 выводами; JE — керамический DIP с 16 выводами.
Фирма Matsushita (Panasonic)
Пример обозначения: DN 830
Фирменное буквенное обозначение: AN — аналоговые схемы; DN—цифровые биполярные схемы; MN — цифровые МОП- схемы; М, J — разрабатываемые образцы.
Серийный номер.
Фирма Mitsubishi Electric Corp.
Пример обозначения: М 5 1 01 Р 1 2 3 4 5
Фирменное буквенное обозначение приборов серийного производства: М.
Диапазон температуры: 5 ——промышленное назначение; 9 — специальное назначение.。
Функциональное назначение и технология (типы серий): О— КМОП; 1, 10—19 — аналоговые; 3, 32, 33, 41—47 — ТТЛ; 8, 81, 82—■ МОП; 9 —ДТЛ; 84, 89 —КМОП; 87 —п-МОП; 85, 86, 88—р-МОП.
Серийный номер.
Тип корпуса: К ——стеклокерамический типа DIP (К-1 с 16 выводами) ；Р ——пластмассовый (Р-1 с 14 выводами типа ТО-116; Р-2 с 14 выводами; Р-3 с 16 выводами; Р-4 с 18 выводами; Р-5 с 24 выводами； Р-11 с 8 выводами); S ——металлокерамический;?——металлический (Т-1 с 8 выводами типа ТО-99; Т-2 с 10 выводами типа ТО-100); Y — металлический с 10 выводами, модификация корпуса типа ТО-3.
Фирма Monolithic Memories
Пример обозначения: 6 2 41-1 J; SN 74 LS 373 j 2 3 4 5 6 1 2 54 6
Фирменное буквенное обозначение: SN, PAL — программируемые логические матрицы.
Диапазон температуры： 5, 54, 57М — специальное назначение;
6, 67, 74; С — коммерческое назначение.
Функциональные группы： 2 ——постоянные запоминающие устройства; 3 ——программируемые постоянные запоминающие устройства； 5 — оперативные запоминающие устройства; 7 — микро-ЭВМ (процессорно ориентированные БИС),
Серийный номер.
Технология: 1—ТТЛ с диодами Шоттки; 2 — усовершенствованней вариант; S ——с диодами Шоттки； LS — маломощные с диодами Шоттки.
Тип корпуса: F ——плоский; J — керамический типа DIP; L —— безвыводной; N —пластмассовый типа DIP.
Фирма Mostek Corp,
Пример обозначения: МК 4027 Р
23
Фирменное буквенное обозначение： МК*
Серийный номер, 1ХХХ или 1ХХХХ ——регистры сдвиговые, постоянные запоминающие устройства (ROM); 2ХХХ ЗХХХ или 2ХХХХ, ЗХХХХ — постоянные запоминающие устройства; перепрограммируемые запоминающие устройства со стиранием информации ультрафиолетовыми лучами; 4ХХХ или 4ХХХХ — оперативные запоминающие устройства (RAM); 5ХХХ или 5ХХХХ — счетчики для аппаратуры связи и промышленного применения.
Тип корпуса: Е — безвыводной с керамическим кристаллодер- жателем (микрокорпус); F —— керамический плоский; J ——керамический DIP (Cer-DIP); К—керамический типа DIP с металлической крышкой； М — пластмассовый плоский; N ——пластмассовый типа DIP； Р——с позолоченной крышкой керамический типа DIP; Т — керамический типа DIP с прозрачной крышкой.
Фирма Motorola
Пример обозначения: МС 14510А L
123
Фирменное буквенное обозначение： МС — корпусные интегральные схемы； МСВ ——корпусные схемы с балочными выводами; МСВС — бескорпусные (кристаллы) схемы с балочными выводами; МСС ——кристаллы бескорпусных интегральных схем; MCCF ——линейные интегральные схемы с шариковыми выводами; MCE •——интегральные схемы с диэлектрической изоляцией элементов; МСМ — интегральные схемы запоминающих устройств； M.LM ——эквиваленты ли-
нейных интегральных схем, выпускаемых фирмой National Semiconductor.
Серийный номер и вариант прибора. Цифровое обозначение может показывать рабочий диапазон температуры, например приборы серии 1400 работают при температуре от 0 ℃ до н-75℃, а • 1500 от — 55 ℃ до +125 ℃.
Тип корпуса: F——плоский керамический； G——металлический (типа ТО-5); К—металлический ТО-3; L — керамический типа DIP; Р — пластмассовый; PQ ——пластмассовый типа DIP； R—металлический типа ТО-66; Т — пластмассовый типа ТО-220; U — керамический.
Фирма National Semiconductor Corp. (NSC)
Примеры обозначения: LF 355А N; ADC 0800 P C N
125123 4 5
Фирменное буквенное обозначение: ADC—аналого-цифровые преобразователи； АЕЕ — для микро-ЭВМ; AF — активные фильтры; АН — аналоговые ключи (гибридные)； АМ — аналоговые ключи (монолитные) ;CD — КМОП-схемы (только для серии 4000); СОР — микроконтроллеры； DAC ——цифро-аналоговые преобразователи; DH — цифровые (гибридные) схемы; DM ——цифровые (монолитные) схемы; DP, DS — микропроцессоры и интерфейсные схемы; IDM, IMP, INS, IPC, ISP, NSC (серии 800, 1600) — микропроцессоры; LF — аналоговые схемы по BI FET технологии; LFT — аналоговые схемы
по BIFET-II технологии； LH — аналоговые гибридные схемы; LM — аналоговые монолитные схемы; МН — гибридные МОП-схемы； ММ — монолитные МОП-схемы; NH — гибридные схемы (устаревшие); SD — специальные цифровые схемы; SL ——специальные аналоговые схемы; SM — специальные МОП-схемы.
Примечание. Для преобразователей (ЦАП и АЦП) третья буква в буквенном обозначении обозначает: С — полные (функционально законченные)； В — стандартные блоки; D ——измерительные приборы с цифровым отсчетом; М — модульные.
Серийный номер (основной тип) и дополнительные буквы: А'— улучшенные электрические характеристики； С ——промышленный диапазон температуры. Для ЦАП и АЦП цифры показывают количество разрядов: 08—8 бит; 10—10 бит; 12—12 бит; 25, 35, 37, 45 — ]]3]
2— , 3— , 3彳，4? двоичных разрядов соответственно.
Для ЦАП и АЦП технология： Р-р-МОП； С — КМОП； Н — гибридные; В — биполярные; N — n-МОП; L — линейные; I — И2Л.
Для ЦАП и АЦП диапазон температуры： С (промышленное
назначение).。
Тип корпуса： D ——металлостеклянный типа DIP; F — плоский металлостеклянный; G——металлический ТО-8 с 12 выводами; Н — металлический многовыводной (Н-05——ТО-5 с 4 выводами; Н-46 типа ТО-46 с 4 выводами); J — керамический типа DIP (J-8 мини-DIP с 8 выводами； J-14 с 14 выводами； К — металлический типа ТО-3; КС ——металлический (алюминиевый) типа ТО-3; N ——пластмассовый (N-8 мини-DIP с 8 выводами; N-14 с 14 выводами); Р — ТО-202 с 3 выводами; Т—ТО-220 пластмассовый с 3 выводами; S—пластмассовый с 14 выводами большой мощности; W — керамический плоский; Z— с 3 выводами пластмассовый ТО-92.
Для аналоговых схем в серийном номере первая цифра показывает：. 1 — диапазон температуры от —55 ℃ до + 125 ℃ (за иск/1Ю-
чением серии LM1800 для коммерческой аппаратуры) ； 2 — от ——25 ℃ до +85 °C; 3 — от 0 до +70 ℃.'
Для цифровых схем： первые две цифры в серийном номере показывают： 54» 55 — специальное назначение; 74, 75 — коммерческое назначение (все другие типы с обозначением, начинающимся с цифры 7, имеют диапазон температуры от +55℃ до +125°C); все типы с обозначением, начинающимся с цифры 8, имеют диапазон температуры от 0 ℃ до 70 ℃.
Интегральные микросхемы для вторичных источников питания обозначаются по специальной цифровой системе.
Фирма Nippon Electric Corp (NEC)
Пример обозначения: цР В 1 А
Фирменное буквенное обозначение: цР.
Функциональное назначение： А — набор элементов; В ——цифровые биполярные (запоминающие устройства); С — аналоговые биполярные схемы; D — цифровые МОП-схемы.
Серийный номер.
Тип корпуса： А — типа ТО-5; В — плоский； С — пластмассовый типа DIP; D — керамический типа DIP.
Фирма Plessey
Пример обозначения: SL 521 DG
Фирменное буквенное обозначение： MJ—n-МОП; ML, МТ — аналоговые МОП； МР — цифровые МОП; NOM — запоминающие устройства; SL— биполярные аналоговые; SP — биполярные цифровые.
Серийный номер.
Тип корпуса: СМ ——типа ТО-5 (многовыводной); DG — керамический типа DIP; DP — пластмассовый типа DIP; ЕР—для ИМС большой мощности; FM — плоский с 10 выводами; GM——плоский с 14 выводами； КМ — типа ТО-3; SP ——пластмассовый с однорядным расположением выводов.
Фирма Precision Monolithics Inc. (PMI)
Пример обозначения: OP 01H К
Фирменное буквенное обозначение: BUF — изолирующие или развязывающие (буферные) усилители, повторители напряжения; СМР — компараторы напряжения (прецизионные); DAC — цифро- аналоговые преобразователи; МАТ — подобранные сдвоенные монолитные транзисторы; MUX — мультиплексоры; ОР ——операционные усилители; РМ ——отвечающие стандартной спецификации; REF — прецизионные источники опорного напряжения； SMP — схемы выборки и хранения; SSS ——схемы, отвечающие улучшенной спецификации； SW — аналоговые ключи.
Серийный номер и вариант прибора.
Тип корпуса: Н — ТО-78; J — ТО-99; К — ТО-100; L — плоский с 10 выводами; М ——плоский с 14 выводами； N ——плоский с 24 выводами; Р — пластмассовый (мини-DIP) с 8 выводами; Q— DIP с 16 выводами; Т — DIP с 28 выводами; V—DIP с 24 выводами; W — DIP с 40 выводами； X — DIP с 18 выводами； Y—DIP с 14 выводами.
Фирма Raytheon Setn.
Пример обозначения: RS 118 DD; AM 2901 D M
123123 4
Фирменное буквенное обозначение： LH1, LM1, RM (диапазон температуры от —55 ℃ до 4-125℃); LH2, LM2 (от —25 ℃ до +85 ℃); LH3, LM3, RC (от 0℃ до +70 ℃); RV (от —40 ℃ до + 85 ℃); элементы микро-ЭВМ: AM, R; 93.
Серийный номер.
Тип корпуса: BL — с балочными выводами; ВМ — пластмассовый DIP с 16 выводами; CJ, СК — плоский керамический с 14 выводами； CL — плоский керамический с 16 выводами; JD — металлический DIP с 14 выводами; DB — пластмассовый DIP с 14 выводами; DC, DD, DE — керамические DIP с 14, 16 и 8 выводами соответственно; DM ——керамический DIP с 16 выводами; DZ ——керамический DIP с 40 выводами； F ——плоский; FY ——плоский керамический с 28 выводами; FZ — плоский керамический с 42 выводами; Н — металлический с 3, 8 или 10 выводами; J — керамический DIP с 14 или 16 выводами; К — типа ТО-3; МВ — пластмассовый DIP с 16 выводами; ML, MS, MZ — керамические типа DIP с металлической крышкой с 16, 20 и 40 выводами соответственно; N — плоский металлический с 24 выводами； NB — пластмассовый DIP с 8 выводами; PS, PU, PV, PZ — пластмассовый DIP с 20, 24, 28 и 40 выводами соответственно; Q — плоский с 10 выводами; R — керамический DIP с 24 выводами； Т — металлический с 3, 8 или 10 выводами;. ТК —типа ТО-66 с 3 выводами; W — плоский керамический с 14 выводами.
Для микро-ЭВМ: D — с двухрядным расположением выводов; F — плоский; Р — пластмассовый типа DIP; X — бескорпусная ИМС.
Диапазон температуры: С — от 0 ℃ до +75 ℃; М — от —55 ℃ до +125℃
Фирма Solid State
Пример обозначения: CD 4070 D
Фирменное буквенное обозначение: СА — аналоговые схемы; CD — цифровые схемы； CDP — микропроцессоры； MW —МОП-схе- мы; внутрифирменное обозначение для всех классов полупроводниковых приборов: ТА.
Серийный номер.。
Тип корпуса: D — керамический типа DIP; Е ——пластмассовый DIP; F — керамический типа DIP; G — кристалл с пластмассо- вой герметизацией; Н ——бескорпусная ИМС； К——керамический плоский; L——с балочными выводами; Q——с 4-рядным расположением выводов; S, Т — типа ТО-5.
Фирма Sanyo
Пример обозначения: LA 1230
Фирменное буквенное обозначение: LA ——биполярные линейные; LB — биполярные цифровые; LC — КМОП; LE — м-МОП; LM—рМОП; LD, STK —тонкопленочные и толстопленочные схемы.
Серийный номер.
Фирма Sescosem (Thomson)
Пример обозначения: SF F 8 П04А Р Т
1 2 345 6
Фирменное буквенное обозначение： SF (имеются н другие обозначения, например ESM, TDB).
Технология: С — биполярные; F — МОП.
Функциональные группы: I — мультиплексоры (коммутаторы)； 2 ——аналоговые или КМОП логические схемы; 3 ——динамические сдвиговые регистры; 4、一статические сдвиговые регистры; 5 — универсальные; 7 — постоянные запоминающие устройства; 8 — оперативные запоминающие устройства; 9 ——микропроцессоры.
Серийный номер: три цифры с буквой, обозначающей вариант, для аналоговых ИМС; от двух до пяти цифр для цифровых ИМС и дополнительно от двух до четырех цифр для обозначения номера типа.
Тип корпуса: при отсутствии буквы — металлический корпус (ТО-5; ТО-99; ТО-100); D ——пластмассовый типа мини-DIP; Е — пластмассовый DIP (ТО-116; МР-117); G — керамический типа ми- ни-DIP; J — керамический типа DIP; К — керамический типа DIP; Р — плоский (ТО-91); R — металлический (ТО-3); U — пластмассовый плоский мини-корпус.
Диапазон температуры： при отсутствии буквы для цифровых схем — от 0℃ до +70℃; С — от 0℃ до +70(; Т — от —25℃ до Ч-85℃; V —от —40 ℃ до +85 ℃; М — от —55 ℃ до +125 ℃.
Фирма Signetics Corp. (Philips)
Пример обозначения: N 74123 F
-一丿1 2 3
Рабочий диапазон температуры: N или NE — от 0 ℃ до 70 ℃ (N8 —от 0℃ до +75 ℃); S или SE —от —55 ℃ до 125 ℃; SA— от —40 ℃ до 85 ℃; SU — от —25 ℃ до +85 ℃； серии 5400 — от —55 ℃ до +125 ℃; серии 7400 — от 0 ℃ до +70 ℃.
Серийный номер： 8200 — стандартные MSI; 82S00 — с дио- аамн Шоттки MSI; 8Т — интерфейсные схемы.
Примечание： Типы приборов, выпускаемых с обозначением других фирм? СА, DS, LF, LH, LM, МС, ОМ, SG, ТАА, ТВА, ТСА, TDA, TDB, TEA, UA, ULN — аналоговые стандартные; DAC — цифро-аналоговые преобразователи； HEF, MB, MJ, PCD, РСЕ — серии КМОП； SAF, SC — цифровые; SD — аналоговые ДМОП.
Тип корпуса: D ——микроминиатюрный пластмассовый (типа SO) с 8, 14 или 16 выводами； N — пластмассовый с 8, 14, 16, 18, 22, 24, 28 или 40 выводами; F — керамический DIP с 8, 14, 16, 18, 20, 22, 24 или 28 выводами; Н ——металлический ТО-99 или ТО-100; I ——керамический DIP с 8, 10, 14, 16, 18, 24, 28, 40 или 50 выводами； К — ТО-100; L — ТО-99; Q — керамический плоский с 10, 14, 16 и 24 выводами; R — бериллиевый плоский с 16, 18, 24, 28 или 40 выводами； W—■ керамический плоский с 10, 14, 16 или 24 выводами.
Фирма Siliconix Sem. Dev.
Пример обозначения： DG 187 А Р
Фирменное буквенное обозначение: D—схемы управления для ключей на полевых транзисторах; DF-цифровые схемы； DG —— аналоговые ключи; DGM ——аналоговые ключи (монолитный вариант гибридных схем) ； G ——многоканальные переключатели； Н ——высоковольтные (28 В) логические схемы; L — аналоговые схемы; LD — аналого-цифровые преобразователи; LH — аналоговые гибридные схемы; LM — аналоговые монолитные схемы.
Серийный номер (три или четыре цифры).
Диапазон температуры： А — от —55 ℃ до + 125 ℃; В — от —20℃ до +85 ℃; С —от 0℃ до +70 ℃; D — от —40 ℃ до +85 ℃.
Тип корпуса: А —ТО-99, ТО-100; F — плоский с 14 и 16 выводами; J ——пластмассовый DIP с 14 и 16 выводами; К ——керамический DIP с 14 и 16 выводами; L — плоский с 10 и 14 выводами; Р — DIP с 14 и 16 выводами; R — DIP с 28 выводами; N — пластмассовый типа мини-DIP.
Фирма Silicon General
Пример обозначения: SG 108 АТ
Фирменное буквенное обозначение: SG
Серийный номер.
Характеристика: А — улучшенный вариант; С ——ограниченный температурный диапазон..
Тип корпуса： F — плоский; J — DIP (Cerdip) с 14 и 16 выводами; К — типа ТО-3; М — пластмассовый DIP с 8 выводами; N — пластмассовый DIP с 14, 16 выводами; Р — типа ТО-220 пластмассовый; R — типа ТО-66 (3 и 8 выводов); Т — типа ТО-5 (ТО-39, ТО-99, ТО-100, ТО-101); Y — керамический DIP (Cerdip) с 8 выводами.
Фирма Sprague Electric
Пример обозначения: UL N 2004 А
234
Фирменное буквенное обозначение: UC —серии КМОП, 口匕 UD — цифровые формирователи; UG — с датчиками Холла; UL — аналоговые схемы; UH —интерфейсные. *
Диапазон температуры: N—от —25 ℃ до +70 ℃; S — от —55℃ до +125℃.
Серийный номер.
Тип корпуса: А ——пластмассовый типа DIP; В——пластмассовый типа DIP с теплоотводом; С — бескорпусная ИМС; D — ТО-99; Е —пластмассовый DIP с 8 выводами； F — ТО-86 или с 30 вывода- ми плоский; J — ТО-87; К — ТО-100; М — пластмассовый DIP с 8 выводами; N — пластмассовый с 4-рядным расположением выводов; R — керамический DIP с 8 выводами; S — с однорядным расположением выводов SIP с 4 выводами; Т—SIP с 3 выводами; Y—• ТО-92; Z — типа ТО-220 с 5 выводами.
Для серии UH : 2 ——тип корпуса (С ——плоский; К ——бескорпусная ИМС; D — типа DIP; Р — пластмассовый типа DIP).
Фирма Solitron
Пример обозначения: СМ 4000 A D
23 4
Фирменное буквенное обозначение: СМ — КМОП； UC4XXX — аналоговые схемы； UC6XXX, UC7XXX ——запоминающие устройства (р-МОП-схемы).
Серийный номер.
Рабочее напряжение: А— (3—15) В; В— (3—18) В.
Тип корпуса и диапазон температуры:
для КМОП-схем： D — керамический типа DIP, от —55 ℃ до + 125℃； Е — пластмассовый типа DIP, от —40℃ до +85°C; F —
керамический типа DIP, от —55 ℃ до +85 ℃; Н — бескорпусная ММС; К — плоский, от —55 ℃ до +85 ℃;
для аналоговых схем: без буквы — ТО-99, от —55 ℃ до 125 ℃; С — ТО-99, от 0 ℃ до +70 ℃; СЕ — мини-DIP с 8 выводами, от 0 ℃ до +70 ℃; ID — бескорпусная ИМС.
Фирма Texas Instruments
Примеры обозначения: SN 74 S 188 J；. IMS 4030 - 15 J L
1 2 3 4 5146 5 2
Фирменное буквенное обозначение: SBP — биполярные микропроцессоры; SN — стандартные типы ИМС; SNA. SNC, SNH, SNM ——повышенной надежности; ТВР — биполярные запоминающие устройства; TL — аналоговые схемы; TMS — МОП-схемы (запоминающие устройства; микропроцессоры); ТМ—модули микро-ЭВМ.
Диапазон температуры: серии 52, 54, 55, ТР — от —55 ℃ до +125 °C; серии 72, 74, 75 — от 0 ℃ до +70 ℃; серия 62 — от —25 ℃ до +85 ℃; для биполярных схем: С — от 0 ℃ до +70 ℃; I — от —25 ℃ до +85 ℃; Е — от —40 ℃ до +85 ℃; М — от —55 ℃ до + 125 ℃; для МОП-схем (TMS): L —от 0℃ до +70 ℃; С —от —25℃ до + 85 ℃; R —от —55℃ до +85 ℃; М — от —55 ℃ до + 125 ℃.
Классификация для ТТЛ-схем: Н — быстродействующие, L — маломощные; LS — маломощные с диодами Шоттки； S — с диодами Шоттки.
Серийный номер.
Тип корпуса: FA—плоский; J ——плоский керамический; JA, JB, JP — с двухрядным расположением выводов типа (DIP); L, LA ——металлический; N ——пластмассовый; ND, P ——пластмассовый типа DIP; RA, U, W *- плоский керамический; SB — плоский металлический; Т — плоский металлостеклянный.
Только для быстродействующих МОП-схем в обозначении дополнительно указывается быстродействие: 15——《150 нс; 20——< <200 нс; 25—<250 нс; 35—《350 нс.
Фирма Toshiba
Пример обозначения: ТА 7173А Р
丁 ~2~ Т
Фирменное буквенное обозначение: ТА — биполярные линейные (аналоговые) схемы； ТС — КМОП-схемы; TD—биполярные цифровые схемы； ТМ — МОП-схемы.
Серийный номер и вариант прибора (А ——улучшенный).
Тип корпуса: С ——керамический; М — металлический; Р — ^частмассовый.
Фирма TRW
Пример обозначения: TDC 1016 J М
Фирменное буквенное обозначение: MPY — умножители; TDC — все другие функции.
Серийный номер.
Тип корпуса： J ——керамический типа DIP; N — пластмассовый типа DIP.
Диапазон температуры: М—от —55 ℃ до +125℃; без обозначения —от 0 ℃ до +70℃.
В табл. 1.1 приведены буквенные обозначения ИМС, выпускаемых различными фирмами.
Таблица 1.1. Буквенные обозначения ИМС различных фирм
Буквенное
Буквенное
обозна-
Фирма
обозна*
Фирма
чение
чение
Analog Devices
HS
Harris
ADC
Datel Svstems (DS)
нт
Harris
ADX
National Sem. Corp,
IB
Intel
(NSC)
IC
Intel
NSC
ICL
Intersil
NSC
ICM
Intersil
Advanced Micro De-
ID
Intel
vices
IDM
NSC
AN
Matsushita
IH
Intersil
AY
General Instrument
IM
Intel, Intersil, NSC
(GI)
IMP
NSC
BUF
Precision Monolithics
INS
NSC
Inc. (PMI)
IP
Intel
СА
RCA
IPC
NSC
CD
RCA; NSC
ISP
NSC
CDP
RCA
ITT
ITT
CF
Harris
IX
Intel
CM
Solitron
J
Matsushita
CMP
PMI
b
Siliconix, SGS-Ates
CP
GI
LA
Sanyo
cu
GI
LB
Sanyo
D
Intersil; Siliconix
LC
Sanyo; GI
DAC
DS; PMI
LD
Siliconix
DAS
DS
LE '
Sanyo
DAX
NSC
LF
NSC
DF
Siliconix
LFT
NSC
DG
Intersil; Siliconix
LG
GI
DGM
Siliconix
LH
NSC; Raytheon; Sili-
DH
NSC
conix
DL
GI
LM
NSC; Raytheon; Sa-
DM
NSC
ny; Siliconix; Signe-
DN
Matsushita
tics
DP
NSC
M
Mitsubishi; Matsushita
DS
GI; NSC
MAA
ITT
ER
GI
MAT
PMI
ESM
Sescosem (Thomson)
MB
Intel; Fujitsu
Fairchild
MC
Motorola; Intel
Siliconix■
MCB
Motorola
Siliconix
MCBC
Motorola
Harris； Hitachi
MCC
Motorola
Harris
MCCF
Motorola
Harris; Hitachi
MCE
Motorola
Harris
MCM
Motorola
Harris; Hitachi
MD
Intel
Hitachi
MEM
GI
HPROM
Harris
MH
NSC
HRAM
Harris
MIC
ITT
HROM
Harris
MK
Mostek
Продолжение табл. 1.1
Буквенное обозначение
Фирма
Буквенное обозначение
Фирма
ML
Plessey
SM
NSC
MLM
Motorola
SMP
PMI
ММ
Intel, NSC
SN
TI； Monolithic Memo-
MN
Matsushita
riecs
МР
Intel; Plessey
SNA
TI
МТ
Plessey
SNC
TI
мих
PMI
SNH
TI
MV
Datel Systems (DS)
SNM
TI
MX
DS; American Micro*
SP
American Microsys-
systems; Intel
terns; Plessey
MW
RCA
SS
GI
N
Signetics
SSS
PMI
NC
GI
ST К
Sanyo
NE
Signetics
SU
Signetics
NH
NSC
sw
PMI
NOM
Plessey
TA
Toshiba; RCA
OP
PMI
taa
ITT; Siemens； Valvo;
PAL
Monolithic Memories
Telefunken
PC
GI
TBA
ITT; Siemens； Valvo;
PIC
GI
Telefunken
PM
PMI
TBB
Siemens
R
Raytheon
TBC
Siemens
RA
GI
TBP
TI
RC
Raytheon
TC
Toshiba
REF
PMI
TCA
ITT； Siemens； Valvo;
RM
Raytheon
Telefunken
RO
GI
TD
Toshiba
RV
Raytheon
TDA
ITT； Siemens; Tele-
S
American Microsys-
funken
tems; Signetics
TDB
Sescosem； Siemens
SA
Signetics
TDC
TrW; Siemens
SAB
Tdefunken
TL
TI; Telefunken
SAK
ITT; Valvo
TM
Toshiba
SAJ
ITT
TMS
TI
SAS
Telefunken
u
Telefunken
SAY
ITT
UAA
Telefunken
SBA
GI
UCN
Spraque
SBP
TexasInstruments
UCS
Spraque
(TI)
UC4
Solitron
SD
NSC
UC6
Solitron
SDA
Siemens
UC7
Solitron”
SE
Signetics
UDN
Spraque
SFC
Sescosem
UDS
Spraque
SFF
Sescosem
UGN
Spraque
SG
Silicon General
UL
American Microsys-
SH
Fairchild
tems
SHM
DS
ULN
Spraque
SL
Plessey; GI; NSC
ULS
Spraque
Продолжение табл. 1Л
Буквенное обозначение
Фирма
Буквенное обозначение
Фирма
nA
Fairchild
VF
DS
и РА
NEC
XR
Exar Integr. Systems
и РВ
NEC
ZN
Ferranti
цРС
NEC
zss
Ferranti
pPD
NEC
ZST
Ferranti
РАЗДЕЛ ВТОРОЙ
АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
2Л. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
Операционные усилители (ОУ) благодаря своей универсальности и возможности многофункционального использования нашли широкое применение в радиоаппаратуре. Они представляют собой специальные усилители постоянного тока. Операционные усилители делятся на усилители с одним входом (инверсным, например НА2530) или с двумя входами (инверсным и неинверсным), т. е. дифференциальные. По способу компенсации дрейфа нуля различают ОУ с параметрической компенсацией дрейфа (с непосредственными связями без преобразования сигнала); с преобразованием сигнала; автоматической коррекцией дрейфа нуля. В усилителях с непосредственными связями компенсация дрейфа нуля осуществляется путем построения входных каскадов по симметричной балансной или днф・ ференциальной схеме. В усилителях с преобразованием сигнала для усиления постоянной составляющей используется усилитель типа МДМ (с модуляцией, усилением на несущей и последующей демодуляцией), например НА2905, АМ490 и др. Усилители с автоматической коррекцией дрейфа нуля (с автокомпенсацией) подразделяются на усилители с периодической и непрерывной коррекцией дрейфа нуля. Последние включают два усилителя, работающие попеременно: один обеспечивает усиление входного сигнала, другой осуществляет автоматическую подстройку нуля (например, ICL7600). Более широкое распространение получили ОУ без преобразования сигнала с входными каскадами по дифференциальной схеме, обладающие высокой помехозащищенностью по цепям питания. Кроме того, наличие неинверсного входа делает их более универсальными и расширяет их эксплуатационные возможности. Реализация широкой полосы пропускания достигается легче у усилителей с одним (несимметричным) входом. Усилители с преобразованием сигнала применяются в случаях, когда необходим минимальный дрейф нуля. Однако быстродействие у них невысокое. Если усилители без пре-
Таблица 2.1.
Операционные
1
Тип
u01r В
<
0
4 1 V
g
V
X
3
會
A109D
±18
м7,5
<25
<1500
V500
>15* 103
AD504J
士 (5—18)
《2,5
《5
《200
《40
>250" 103
0,11
>94
AD504K
土 (5—18)
м 1,5
м3
<100
>500 • 10s
0,12
0,12
0,12
AD504L
亡(5—18)
《0,5
<1
《80
<10
》1 O’s
>110
>110
AD504M
土 （5一18）
<0,5
«0,5
<80
AD505J
土 (5—18)
《5
15
<75
二
>100* 103
AD505K
土 (5—18)
《2,5
<15
《25
>200* 103
>120
二
AD507J
土(5—20)
《5
15
W25
《25
>80-103'
AD507K
土（5—20）
<3
15
«15
<15
>100-103
>20
>80
AD509J
土 (5~-20)
<10
20
《250
<50
>7,5.103
AD509K
± (5—20)
《8
《30
<200
《25
>10-103
>100
>80
AD512K
土 (5—18)
КЗ
«20
<200
<50
>50*103
0,5
>80
AD517J
-4- (5-18)
《0,15
<3
《5
<1
106
0,1
>94
AD517K
土 (5—18)
<0,05
<1
«2
<0,75
106
0.1
>110
AD517L
土 (5—18)
<0,025
《0,5
<1
<0,25
10е
0,1
>110
AD517S
土 (5—22)
<0,05
Ml
《2
<0,75
1^
0,1
>50
>110
>65
AD518J
土 (5—20)
10
«500
《200
>25* 10s
AD518K
+ (5-20)
<4
<200
<50
>50.103
>70
>70
AD518S
土 (5-—20)
<4
<10
<200
《50
>50U03
>50
AD542J
土 (5—18)
<2
<20
МО,05
<0,005
>50 • 103
3
>76
AD542K
+ (5—18)
<1
<10
<0,025
0,002
>150* 103
3
AD542L
+ (5—18)
<0,5
《5
<0,025
0,002
>150- 1Q3
AD542S
+ (5—18)
<15
«и, 025
0,002
>150- 1G3
^3
AD544J
+ (5—18)
<2
《20
&i)：U5
0,005
>3O-1G3
AD544K
土 (5—18)
<1
《10
<0,025
0,002
>5Э-Юз
AD544L
ADX118
士（5—18） 土 20
《0,5
<10
<5
《0,025
<5би
0,002
С200
>50 • 103
>25- 1(J3
>1Q5
>50
>80
>70
ADX218
+20
£4
二
<250
<50
》50 * 103
ADX318
+ 20
<4
《工50
《50
>50*103
AM405-2
±15
《60
50
cd, 02
《0,02
>7,5・ IS
J 120
AM406-2
+ 15
<60
50
w0,02
<0,02
>8J-163
>70
>74
>74
AM450-2
+ 15
<8
20
с 250
<50
25-103
AM452-2
±15
《10
30
《250
《50
>7,5-103
AM46D-2
+ 15
《5
10
<25
《25
150 • IS
7?
AM462-1
+ 15
《5
15
<25
<25
>80-103
35
AM462-2
+ 15
<5
15
<25
<25
>80 • 103
35
AM464-2
土 (10-40)
《6
15
《30
<30
100-10s
5
AM490-2A
士（12—20）
м0,02
<1
<0,15
<0,05
500 TO
2,5
>120
AM49O-2B
士（12—20）
<0,02
<0,3
<0,15
《0,05
500-IO6
2,5
A120
усилители
史
-X * N
Jl
A ^
指S
S
а
&
芝 2
Рч К
g. g
Дополнительные сведения
噬200
>50.10s
二
<200*
TO-99
40
8
0,5.10е
<4
0,3
TO-99
Малошумя-
《25
8
1-Ю6
М3
0,3
TO-99
ЩИЙ
<15
8
1.3-106
0,3
TO-99
M15
<9
1,3-Ю6
—
w3
0,3
TO-100
Быстродей-
二
10*
2・№
0,8
<8
10
TO-100
ствующий
10*
2，10吕
0,8
10
TO-99
Широко-
《200
12
>40-10е
0,9
35
TO-99
полосный
<100
12
>40-10»
0,9
备4
35
TO-99
Быстродей-
<200
二
>40-10б
0,2
•С6
20
TO-99
ствующий
C100
>50*10©
СО,5
<6
20
TO-99
С внутренней
<100
—
10е
—
《3,3
]
TO-99
компенсацией Прецизион-
<40
20
2-10п
—
V4
0,25
TO-99
ный С внутренней компен-
<15
20
2・1Ф
—
м3
0,25
TO-99
сацией Прецизион-
《15
20
2.1011
—
《3
0,25
TO*99
ный
С внутренней
<20
>70*
20
2・10"
>5 ТО5
0*8
^3
W10
0,25
12
TO-99
TO-99
компенсацией Прецизионный Быстродейст-
вующий, с внутренней
>80*
>80*
二
>5 ТО5 А5・105
0,8
0,8
《7
《7
>10
>10
TO-99
TO・99
компенсацией Прецизионный С внутренней
<200
30
冲。
—
《1,5
1
TO-99
компенсацией
Прецизионный
С190
30
1010
Wl,5
]
TO-99
BIFET
М100
30
1010
<1,5
1
TO-99
■ewo
30
101。
<1,5
TO-99
<200
《100
18
18
1010
1010
3
3
<2,5
《2,5
2
2
TO-99
TO-99
Прецизионный
<100
18
1010
3
<2,5
2
TO-99
>65*
а5・105
<10
15
Быстродействующий с внутренней
>70*
>70*
二
>106
А106
二
《8
《8
15
15
CN1
GN1
компенсацией То же
10*
1012
0,40
M8
20
TO-99
Быстродей-
10*
10】2
M6
100
TO-99
ствующий
-—
50-10R
0,33
4
12
TO-99
2
AllOTa
0,2
《6
20
TO-99
300 • 106
1.0
3
12
TO-99
2
>40-10е
1
<4
100
TO-116
2
>40-10"
1
M4
100
TO-99
200-10е
d,5
4
TO-99
100.10е
<5
3
TO-99
вых — Прецизионный
100-Ю6
一
《5
3
TO-99
типа МДМ То же
Тип
%.『в
售
О
酢
<
g
<
Ку
历
g 营
АМ490-2С
±32—20)
《0,02
<0,1
<0,15
<0,05
500 • 10е
2,5
>120
B109D
+ 18
<5
<25
с 500
<200
>25.103
>70
СА108
<2
<15
<2
<0,2
>50.108
>85
СА108А
+(2—20)
《0,5
<5
<2
<0,2
>80 ■ 108
>96
СА208
+20)
<2
<15
<2
<0,2
>50. Ю3
>85
СА208А
±(2—20)
<0,5
<5
<2
<0,2
>80-103
>96
СА308
±(2—18)
《7,5
<30
м7
М1,0
>25-103
>80
СА308А
土(2—18)
《0,5
<5
《7
СО
»80・108
>96
СА741
44
<5
2
<500
М200
>50«103
0,5
>70
СА741С
2
<500
<200
》20」0з
0,5
>70
СА3078
+ (1,4^-14)
《4,5
6
《170
<32
>25-103
》80
СА3078А
±(0,75—18)
<3,5
5
С12
У2,5
>40 ■ 103
>80
СА3100
土《7—18)
<5
10
<2000
<400
>40- Ю3
25
>76
СА3130
у 15
10
《0,05
<0,03
>50- 10а
30
>70
СА3130А
v5
10
сО.ОЗ
<0,02
>50-103
10
》80
СА3130В
<2
《15
<0,02
<0,01
>100.103
10
>86
СА3140
土(2—18)
<15
20
<0,05
<0,03
А20Т03
9
>70
СА3140А
6
<0,04
У0,02
>20 ・ I)
9
>70
СА3140В
w2
5
<0,03
<0,01
>50-103
9
>86
СА3160
«15
8
у 0,05
<0,03
>50- Ю3
10
>70
СА3160А
《5
8
《0,03
<0,02
>50.103
10
>80
СА3160В
<15
v0,02
<0,01
>100.103
10
>86
СА6078А
4-(0.75—18)
v3,5
6
《12
<2,5
>40-103
>80
НА909
±(5—20)
v5
М300
<150
>25-103
>80
НА911
—
《500
《300
>20-103
5
>74
НА1301
w12000
<5000
>1-Ю3
>70
НА1303
<4,5
5
<1500
М450
>10-103
>80
НА17741М
«6
《500
<200
>20- 10э
0,5
>70
НА2050
<25
一
《0,02
<0,02
>7,5-Ю3
120
》74
НА2050А
35
《14
У 0,02
У U, 02
>7,5*108
120
>74
НА2055
35
«60
<0,02
<0,02
>7,5-103
120
>70
НА2055А
35
《14
<0,02
<0,02
>7,5-108
120
>70
НА2060
35
《25
一
《0,02
<0,02
>80'103
35
>74
НА2060А
35
<12
名 0,02
£0,02
>80-103
35
>74
НА2065
35
<60
<0,02
СО,02
а80・10§
35
>70
НА2065А
35
《12
—
《0,02
《0,02
>80-103
35
>70
НА2101
土 22
《5
6
<500
W200
>50-103
■—
>70
НА2101А
±22
<2
МЛ5
<75
<10
>50-103
>80
НА2Ю7
±22
м2
<15
《75
<10
》5Q・103
>80
НА2107-3
+ (5—20)
<5
6
《500
《200
>50-103
一
>70
НА2201A
±22
<15
《75
《10
>50-103
—
>80
НА2207
±22
<2
《15
《75
С10
>50-103
>80
НА2500
40
《5
20
С200
<25
》20・10з
>25
>80
НА2502
40
<8
20
<250
<50
>15-103
>20
>74
НА2505
40
<8
20
<250
《50
>15.10э
>20
》74
НА2510
40
V8
20
у 200
М25
>10-103
A 50
>80
НА2512
40
CIO
25
《250
м50
>7,5.103
>40
>74
НА2515
40
<10
30
《250
《5。
>7,5.103
》40
>74
НА2520
40
<8
20
《200
《25
>10« 103
>100
>80
НА2522
40
<10
25
<250
>7,5. 10э
>80
>74
НА2525
40
<10
30
<250
<50
》7,5Т()з
>80
>74
|己
吕』：
■ И耳
cа X
S
w s
Дополнительные
3 1
О
и
сведения
工к
6
产
100.IO6
<5
3
ТО-99
Прецизионный
<150*
типа МДМ
МЛ50
>150.103
ТО-99
>80*
>3о -10е
一
ТО-99
Прецизионный
>96*
>30.10s
<0,6
ТО-90
>80*
>30-10ti
У0,6
ТО-99
>96*
>30-10е
<0,6
ТО-99
>80*
>10-10е
<0*8
—
ТО-99
>96*
>10-10е
МО,8
ТО-99
《150
一
>0,3.106
М2,8
М2,8
1
ТО-99
С внутренней компенсацией
V150
—-
>0,3<10б
1
ТО-99
То же
—-
二
<0,130
0,8
ТО-99
Микромощный
МО,025
0,2
ТО-99
То же
>60*
8*
30 U03
0,6
《10,5
38
ТО-99
4320
23
>3・10"
1,2
<15
15
ТО-99
W150
23
1,5-1012
1.2
&15
15
ТО-99
,W100
23
>3-10п
1,2
«15
15
ТО-99
'М320
40
>3-10п
1.4
<6
4,5
ТО-99
«320
>3・ 10"
1,4
《6
4,5
ТО-99
1,5-1012
1,4
<6
4,5
ТО-99
1,5-Ю12
«15
4
ТО-99
1,5-1012
《15
4
ТО-99
lt5.1012
《15
4
ТО-99
<0,025
ТО-99
「>80*
<5*
>200-108
<2,5
7
ТО-99
>74*
1
>100-10s
《2,5
7
ТО-99
<30*
ТО-101
50-Ю3
<125*
ТО-101
300.103
<100*
ТО-99
>74*
1012
0.4
《8
20
ТО-99
Быстродей-
ствующмй
>74*
132
0.4
<8
20
ТО-99
То же
>70*
1012
0,4
《8
20
ТО-99
>70*
1012
0,4
<8
20
ТО-99
>74*
1012
《6
100
ТО-99
Широко- полосный
>74*
1012
《6
100
ТО-99
>70*
10L2
100
ТО-99
>70*
10i2
<6
100
ТО-99
>70*
>300 UO3
—
<3
一
ТО-99
Средней
точности
>80*
>80*
二
>1,5-106
>1,5.IO6
м3
<3
二
ТО-99
ТО-99
С внутренней компенсацией
>70*
>300-10®
СЗ
—
ТО-99
То же
>80*
>1,5.10е
—
《3
ТО-99
>80*
“5・10$
——
<3
ТО-99
>80*
>25-10е
0,33
<6
7 0-99
>74*
>20-10е
0,33
Мб
ТО-99
>74*
>20-10е
0,33
<6
ТО-99
>80*
>50-10е
0,25
<6
ТО-99
>74*
>40.10s
0,25
«6
ТО-99
>74*
>40-10е
0,25
<6
ТО-99
>80*
^50・10$
0.2
<6
20
ТО-99
ТО-99
Быстродействующий
>74*
二
>40-1(?
0,2
《6
>74*
>40 <10°
0,2
<6
20
ТО-99
О
Тип
乙.IT в
w
<
0
CQ
陪
S
<
X
N
е
工°
НА2530
40
《3
5
<100
V20
>280
>86
НА2535
40
5
<200
<20
>10>
>250
>80
НА2-2600
45
《4
5
《10
<10
》4
>80
НА2-2602
45
《5
<25
<25
^80-Ю3
>4
>74
НА2-2605
45
«25
<25
а80・103
>4
>74
НА2-2620
45
<4
<15
《15
》25
>80
НА2-2622
45
《5
《25
《25
^80-10э
>20
》74
НА2-2625
45
<5
<25
V25
>80 • 103
>20
>74
НА2-2640
±(10—40)
《4
15
<25
V12
>10*
5
>80
НА2-2645
±(10—40)
Уб
15
<30
v30
>10、
5
》74
НА2-2700
±《5,5—20)
<3
<20
<10
>400 «103
>10
>86
НА1-2704
±(5,5—20)
《3
《20
《1()
>400-103
>10
>86
НА1-2705
±(5,5—20)
《5
<40
<15
>200-10^
>10
>80
НА2-2900
±(12—20)
0,02
《0,6
515
，0,05
500.10е
2,5
>120
НА2-2904
土（1°—20）
0,02
<0,4
0,15
0.05
500.106
2,5
А130
НА2-2905
土 (12—20)
0,02
0,2
0,15
0,05
500-106
2,5
>120
НА5100-2
40
<1
5
<0,05
《301
》75・13
>6
86
НА5190
35
《5
20
<15 мкА
v4
>15-103
>160
>74
ICL7600
土(2—16)
<0,005
<0,1
—
—
>40-103
1,8
88
ICL7611A
土(0,65-—8)
<2
10
<0,05
<0,03
>40«103
0,16
>76
LI15T1
-И8
《7,5
<1500
《250
>10.103
>10
>74
1Д41В1
±18
《6
^500
《200
>20.1№
0,5
>70
Ll41Tl
丄18
<500
C200
》20・1Ф
0,5
>70
U」1T2
±22
《5
<500
《200
>50* 103
0,5
>70
Ll48Tl
+18
《500
k 200
>50-103
0,5
L148T2
亠22
<5
《500
У 200
>50-103
0,5
>70
LF151A
+22
《2
<20
<0,2
WO,1
>50-10э
МО
>80
LF155
4-(5—2?)
<5
<5
<0,1
<0,02
>50-103
5
>85
LF155A
士(5-2,2)
<5
《0,05
<0,01
>50-103
>3
>85
LFL56
+(5-22)
"5
^5
《0,1
《0,02
>50.103
>7,5
>85
LF156A
土(5—22)
《2
《5
<0,0о
<0,01
S50-103
>10
>85
LF157
±(5—22)
W5
«с0,1
v0,02
>50-10з
>30
>85
LF157A
+ (5-22)
У2
唸5
<СО,О5
<0,01
>50-103
>40
>85
LF255
±(5-22)
<5
<5
<0,1
<0,02
>50-103
(К-5)
>85
5
LF256
■+■(5一22)
<5
<5
МО/
<0,02
>50*103
>7,5
>85
LF257
+ (5-22)
《5
VO J
<0,02
>50-103
30
>85
LF355
土(5—18}
《10
5
MU,2
名 0,05
>25 ・ ПТ
(К-5)
>80
LF355A
+ (5—22)
<2
<5
<0,05
<0,01
>50-103
>3
>85
LF355B
+ (5•-22)
《5
5
wO.l
00,02
>50-1(?
>5
>85
LF356
士 （5一出
《10
M5
《0, 2
《0,05
>25-103
12
>80
:芸
и
Q
3
R
4
V (5
己
S
Дополнительные сведения
>86*
—
2”
0,5
《6
70
TO-99
Широкополосный ннвер*
>80*
二
2-10е
0,5
70
TO-99
тирующий То же
方80*
>100-10е
1,5
《3,7
12
TO-99
С внутренней
>74*
>40-106
1,5
《4
12
TO-99
компенсацией То же
>74*
>40-10е
1,5
<4
12
TO-99
>80%
>65 • 106
<3,7
100
TO-99
Широкопо-
лосный
>74*
>40 ТО6
100
TO-99
>74*
>40.106
100
TO-116
>80*
>50-106
<3,8
4
TO-99
>74*
>40.106
《4,5
4
TO-99
>86*
一
一
«0,15
<0J5
<0,15
1
TO-90
TO-116
TCM16
Мнкромощный с внутренней компенсацией
>86*
>80*
二
1
1
Мнкромощный
>120*
100.10е
—
<5
3
TO-99
Прецизионный
>130*
100-106
二
W5
3
TO-99
типа МДМ
>120*
100*10е
v5
3
TO-99
86*
1012
1,7
工7
18
TO*99
BIFET с диэлектрической
>70*
15
10.108
0,07
《25
150
TO・8
изоляцией Широкополосный бы стро- действующий
>80*
M5
1,2
С внутренней компенсацией ком = 160 ГД
100
W0,25
44 кГД
С внутренней компенсацией,
программи-
<400
ЫО6
0,3
<10
二
ТСМ00
руемый
《150
1
>0,3.10б
1
<85*
TO-116
С внутренней
M150
>0,3.106
一
W85m
TO-99
компенсацией
<150
>0,3.10е
<85*
TO・99
>0,3-106
<85*
TO-99
<150-
>0,3-10е
<85*
TO-99
>80*
20
101г
2
<2,8
》3
TO-99
BIFETTI
>85*
20
162
4
《4
2,5
TO-99
BIFET
>85*
20
1013
4
<4
2,5
TO-99
B1FET
>85*
12
1012
1,5
«7
TO-99
BIFET
>85*
12
132
1,5
《7
4,5
TO-99
BIFET
>85*
12
1012
1,5
《7
20
TO-99
BIFET
>85*
12
Ю12
1,5
《7
》15
TO-99
BIFET
>85*
20
1012
4
<4
2,5
TO-99
BIFET
>85*
12
1012
1,5
5
TO-99
BIFET
>85*
12
Ю12
1,5
<7
20
TO-99
BIFET
>80*
20
1012
4
<4
2,5
TO-99
BIFET
>85*
20
4
V4
2,5
TO-99
BIFET
>85*
20
1012
4
<4
2,5
TO-99
BIFET
12
1012
1,5
<10
12
TO-99
BIFET
Тип
03
Й
s
己
2 S
S
4°
习
Q h
4 V
V 1
<
и
<
g
V
乏
CQ
LF356A
4-(5—22)
名2一
5
《0,05
《0,01
>50-103
>85
LF356B
备5
<0,1
<0,02
>50-IO3
>7,5
>85
LF357
+ (5—18)
M10
5
《0,2
《0,05
>25-IO3
>80
(K=5)
LF357A
±（5亠2不
<2
<5
<0,05
<0.01
>50.10®
>85
(K=5)
LF357B
<5
5
СОД
<0,02
>50.10®
>85
LF13741
±18
<15
W10
СО,2
<0,05
>25.1(?
>0,5
>70
LFT356
+(5—18)
<0,5
3
<0,05
«0,01
>50.10»
95
LM10
1.1—40
V2
2
《20
WO,7
^120.10s
>93
LM101
+ (5—20)
6
W500
С 200
>50 -10s
0,5
>70
LM101A
士 22
《16
М75
W10
>50-IQs
0,5
>80
LM107H
±22
《2
M15
<75
MIO
>50 ・ 10s
0,5
>80
LM108AH
±(2—20)
WO,5
<5
М2
КО,2
>80-10®
0,3
>96
LM108H
+ (2—20》
W2
<15
WO,2
>50.10®
0,3
>85
LM112H
+ (2—20)
<2
<15
<2
<0,2
>50.103
>85
LM118H
土《5—20)
《4
専250
<50
>50-10»
>50
>80
LM201AH
±22
<2
<15
《75
<10
>50.10»
0,5
>80
LM201F
+(5—20)
<7,5
10
<1500
M500
>20-103
0,5
>65
LM207H
土 22
《2
У15
<75
《10
>50.10s
0,5
>80
LM208AH
+ (2—20〉
<0,5
<5
У2
<0,2
>80-10s
0.3
>96
LM208H
±(2—20)
《2
《15
<2
<0,2
>50.103
0,3
>85
LM212H
+ (2—20》
<2
<15
《2
CO,2
>50-10»
>85
LM216AH
±(3-20)
3
—
0,05
0,015
40.IO3
>80
LM2KH
±（R-2（））
10
0,15
0,05
20-103
>80
LM218H
±(5-■20)
<4
W250
С 50
>50.103
>50
>80
LM301A
士 22
<7,5
W30
《250
<50
>25-103
0.5
》70
LM307
±18
《7,5
УЗО
<250
《50
>25.103
0,5
>70
LM308AH
±18
《0,5
《5
<7
Ml
>80-103
0,3
>96
LM308H
土《2—15)
<7,5
*30
Ml
>50.10*
0.3
>80
LM312H
± (2—20)
《7,5
*30
Ml
>25・10®
二
>80
LM316
士《3—20》
10
—
0,15
0,05
20.108 、
>80
LM316A
+ (3-20)
3
0,05
0,015
4010s
>80
LM318
+ (5-20)
《500
<200
>25 ・ 103
>50
>70
LM709H
±18
<5
6
<500
《200
>25.103
0,25
>70
LM709AH
+18
《15
<200
<50
>25.10»
0,25
>80
LM709CH
士 18
12
《1500
生500
>15.10a
0,25
>65
LM725H
土(3~-22)
<2
<100
<20
>110
LM725AH
+《3—22)
<0,5
<80
《5
>10G
>120
LM725CH
+(3一22)
<2,5
2
<125
<35
>250*103
>94
LM741H
+ (^-—22)
《5
5
<500
<200
>50-103
a 70
LM741CH
+18
<6
<500
<200
>25.103
>70
LM748H
±(5-20)
<5
6
《500
<200
》50・10®
>70
LM748CH
+《5—20)
《5
6
<500
<200
>50・10*
二
>70
LM4250H
土《1—18)
<5
<50
<10
>50.103
>70
LM4250CH
+ (1—18)
<6
《75
W20
>25-10a
>70
M5133P
+14
《7,5
《350
<35
>15.10a
>84
M5141T
±22
<5
<500
《200
>50-10«
一
>70
0
8
Дополни*
:4
s
4 4
S
и
0“
w
A
亠
g. C
3 s
二
тельные сведения
>85*
12
1012
1,5
<10
>4
ТО-99
BIFET
>85
12
10|2
1,5
<7
>7,5
ТО-99
BIFET
>80*
12
10'2
L5
<10
50
ТО-99
BIFET
>85*
12
13&
1,5
<10
>15
ТО-99
BIFET
>85*
12
1012
1,5
<7
>30
ТО-99
BIFET
>77*
37
5.1011
<4
1
ТО-99
100*
12
1012
<7
4
ТО-99
bifetti
<0,4
—
Прецизионный
>70*
>0,3-106
1
ТО-99
>80*
—
>1,5.10е
《3
1
ТО-99
>80*
—
》1,5.106
一
<2,5
1
CN1
С внутренней
>96*
—
A30.UP
—
<0,6
1
CN1
компенсацией Прецизнон-
>80*
》30，106
0,3
1
CN1
ный
>80*
^ЗО-IO6
<0,6
CN1
>70*
—
>1.106
<8
15
CN1
С внутренней
>80*
М3
1
CN1
компенсацией
>70*
>0J-106
<3
1
FP37
>80*
—
>1,5.1学
<2,5
1
CN1
С внутренней
>96*
>30-10^
《0,6
1
CN1
компенсацией
>80*
—
>30. W
<0,6
CN1
>80*
>30.103
<0,6
CN1
>80*
一
5.10»
—
0,6
CN1
С внутренней
>80*
1.109
0,8
CN1
компенсацией
>70*
—>
>1-10"
<8
CN1
>70*
—
》0,5，105
>3
CN1
>70*
—
>0,5-10^
<3
CN1
С внутренней
>96!；;
>10・106
<0,8
1
CN1
компенсацией
>80*
>10.10е
《0,8
1
CN1
>80*
>10.105
<0,8
СМ
>80*
1-Ю9
5<109
一
0,8
CN1
С внутренней компенсацией
>80*
—<
0,6
CN1
>65*
—-
>0,5-10я
<10
15
CN1
M150
>150 • IS
<5,5
CN1
<100
—
>350 ИО3
<3,6
CN1
«200
—
>50.103
<6,6
CN1
<10
8
l,5U06
<105*
CN1
<5
8
1,5.10。
《10515
CN1
《35
8
1,5- W'
<150*
CN1
>77*
0,3.w
<28
CN1
>77*
0,3.10b
—
《2,8
CN1
>77*
>0,3”
一
«2,8
《2,8
<0,09
CN1
С внутренней компенсацией
>77*
>76*
二
>0,3.106
二
二
CN1
CN1
То же Программи-
>74*
一
一
<0,09
CN1
руемый То же
二
—
>150-103
—
二
ТО-116
>300. IC3
ТО-99
С внутренней компенсацией
и
tn
Тип
CQ
ад
N
<
e
Н
口
2 $
司h
口 v
V 1
и
И
<
宀
Q
М51709Т
+18
V1500
《500
>15.103
>65
МАА501
+18
v6
6
《1500
С 500
>25 ■ 10s
>70
МАА502
+ 18
М3
M15
<600
М250
>25 • 103
>80
МАА503
+18
V7,5
二
<1500
二
》15・UF
>65
МАА504
±18
W7,5
<1500
>15.103
>65
МАА725
<1
金5
《100
<20
>1.10й
>110
МАА725В
《1,5
《10
<100
М20
>0,5.105
>100
МАА725С
<2,5
4
^125
<35
>2,5^W
>94
МАА725Н
±(3*-15)
cl
>5
<100
《20
aLIO6
>110
MAA725J
+ (3—15)
Y 1,5
《10
^100
《20
>0.5-10«
>100
МА A725K
4
《125
<35
^2,5-Ю5
>94
МААХ1
+ (3-22)
<5
10
<500
М200
>50 -IO3
0,5
>70
MAA741G
+ (3—18)
《6
<500
<200
>20-10s
0,5
>70
МАА748
<5
10
<500
V200
>50» 10s
0,5
>70
МАА748С
+ (3—18)
<6
<500
《200
>20.10s
0,5
>70
MC1420F
+8
M15
2
<4000
<200
>750
5
>60
MCI 430
+8
<10
М15 000
<4000
>3000
1.7
>65
МС1431
+8
<15
^300
вСЮО
>1500
1.4
>60
МС1433
±18
<7,5
10
2000
®500
>30-IO3
2
>80
MC1436U
±(5-34)
M10
М40
《10
>70-103
2
>70
MC1436CU
士 30
《12
<90
《25
>59-10s
2
>50
MC1439L
±18
《7,5
5
^1000
М150
>15.10s
4,2
>80
MC1456L
士 18
<10
<30
<10
>70.10s
2,5
>70
MC1456CL
士 18
<12
《90
<30
>25-103
2,5
110
MC1520F
±8
《10
2
<2000
<100
>1000
5
>75
MC1530F
±9
M5
С10 ООО
<2000
>4500
1,7
>70
MC1531F
土 9
<10
V150
<25
>2500
1,4
>65
МС1533
±20
<5
8
<1000
М150
>40-10»
2
>90
МС1536
土 40
<5
《20
<3
>100.103
2
>80
MC1539L
±(4—18)
М3
5
<500
图75
>50-103
4,2
>80
MG1556L
±22
《4
<15
&2
>100.103
2,5
>80
MC1709F
+ (3—18)
父5
6
<500
<200
>25.108
0,3
>70
MC1709AF
k2
025
^200
М50
>25.10a
0,5
>80
MC1709CL
МС1712А
土(3-18)
+14+-7
M7,5
М2
《10
<•1500
<5000
<500
С 500
>12.103
>2000
0,3
0,5
>65
>80
MC1712CL
<5
М20
<7500
《2000
>2000
0,5
>70
MG1741L
^(3—22)
《5
<500
<200
>50 «103
0,5
>70
МС1741С
±(3—18)
<6
15
<500
<200
>20. IO»
0,5
>70
MC1741NL
±22
y5
<500
含200
>50.108
0,5
>70
MC1741NC
土 18
<6
<500
<200
>20.108
0,5
>70
MC1741S
土 22
<5
—
<500
W200
>50.108
>10
》70
MC1741SC
土 18
V6
—
<500
С200
>20・10®
>10
>70
MC1748G
土(3—22)
《5
15
^500
<200
>50-108
0,8
>70
MC1748CG
±(3-18)
産6
15
応500
W200
>20.10s
0,8
>70
MC1776G
土(1,Л8)
*5
15
<7,5
М3
>50.10s
0,03
>70
MC1776CG
M6
15
<10
<6
>25.10®
0,03
>70
МСЗ476G
±《6—18)
У 6
《50
<25
>50.10»
U,b
>70
H s dr”
co
и f
и
文
W ‘
А
2 G
三
Е 国 С
Дополнительные сведения
《150 M100 <200 《200
<10 <35 GO MIO M35 <150 M150 <150 《150
250 100
100
<200 <200
50 <200 <200
75
<450 100 100
<150 «100
^150 V100
<150 <100 ^200 <200 <300 《150
<150 C150 <150 《150
<150
<150
<150
V150
<200 <200
1* 1*
1* 1* 1*
1*
11* 10* 20*
50
50 30
45
45 11* 10* 20*
50
30 45
20
20
>50 10』 >40- 103 》85・103 >50. 10я >50 -IO3
1,5.1(У>
1,5 • 10©
1,5.10е 1,5.106
1,5・ 10е
1,5-10» аОЗ ю6 >0,3.106 >0,3-106 >0,3-106
2.10е >5.103 >300-IO3 >300.103
250.10й
250-10й >100-103
250.106
250.10е >0,5 •10© >10.103 >Ы0« >500-10"
250.106
>150. 103
250 ■ 10^
>150-103 >350-103 >50-103 >1640^ >10-103 >0,3・1У
>0,3-106 >0,3-106 >0,3-10й 23Т06
>0,3.106
А03Ю6
>0,3-10е
50-1CF1
50-109
5Toe
3
3
<135* С200* <200* <105* <120* <150* <105* <120* <150* м2,8 <2,8 Q8 <2,8 М240* <150* <150* С240* 冬5
М5 *6,7 £3
<4 <240* ^150* ^150* <170*
м4
<1,5
<165* <108* <200*
<6,7 <6,7 《2,8
V2,8 <2,8 <2,8 <85*
<85*
«85*
<85*
<0,02
-СО,02 《0,2
10
0.4
1
1
7
1
10
>1 0,4
1
2
1
]
1
1
7
7
1
1
1
1
1
1
ТО-99 ТО-99 ТО-99 299 ТО-99 ТО-99 ТО,99
ТО-99 ТО-99 Т699 ТО-99 CN1 CN1 CN1 CN1 ТО-91
ТО-91 ТО-91 ТО-91 ТО-99
ТО-99 ТО-116 ТСМ16
ТО-116 ТО-91 ТО-91 ТО-91 ТО-91 ТО-99
ТО-116 ТО-116
ТО-&1 ТО-91 ТО-116 ТО-116 ТО-116 ТО-116
ТО-116 14-8 14-8
CN1
CN1
ТО-99
ТО-99
CN1
CN1 ТО-99
С внутренней компенсацией
То же
С внутренней компенсацией
То же
С внутренней компенсацией
С внутренней компенсацией
С внутренней компенсацией
То же
Программи
руемый
То же
Тип
а
А*
о
亭
讣
<
g
<
V
片
堂
Q
eg
b "匚
S s
im
-哥
白* 2
> А
g
I1
g I
Дополнительные сведения
MC34001AG
士 18
М2
10
V0,050
>50,103
13
>80
>80*
16
ю12
<2,5
4
ТО-99
С внутренней
компенсацией
MC34001BG
±18
<5
10
盒0,2
<0,1
>50-103
>80
>80*
16
1012
<2,5
4
ТО-99
То же
MC34001G
<10
10
<0,2
MO J
>25-1(?
>70
>70*
16
1012
Q7
4
ТО-99
MC35001AG
±22
《2
10
《0,075
*€0.025
>50 IO5
>80
>80*
16
IO12
《2,5
4
ТО-99
MC35001BG
±22
<5
10
<0,1
«0,050
>5o・ia
>80
>80"
16
1012
У2,5
4
ТО-99
MLM101AG
М2
10
《75
《10
>50-IO3
0,5
>80
>80*
06106
1
MLM107G
±(3—22)
V2
10
《75
<10
>50-10е
0,5
>80
>80*
0,6-10"
0,8
ТО-99
С внутренней
компенсацией
MLM108G
±(3—20)
<2
3
V2
<0,2
>50-1(?
0,3
>85
>80*
3010е
1
ТО-99
MLM108AG
+ (3—20)
<0,5
1
V2
《0,2
>80-10е
0,3
>96
>96*
30-10fi
1
ТО-99
MLM201AG
<2
10
c75
<10
>50-10a
0,5
>80
>80*
l,5'10e
1
CN1
MLM207G
±(3—18)
10
M75
<10
>50-10Я
0,5
>80
>80*
l,5-10e
м3
1
ТО-99
С внутренней
компенсацией
MLM208G
士(3—18)
М2
3
М2
<0.2
>50-10»
0,3
>85
>80*
30-10fi
<0,6
1
ТО-99
MLM208AG
+(3—22》
<0,5
1
C2
VO,2
>80-10»
0,3
>96
>96*
30-10"
VU,6
1
ТО-99
MLM301AG
±(3—18)
М7,5
10
<■250
>25-10«
0.5
>70
>70*
>0,5-10!
—
1
CN1
MLM307G
±(3—18)
《7,5
10
《250
>25-10*
0,5
>70
>70*
>0,5-10f5
—
1
ТО-99
С внутренней
кодтпенсацией
MLM308G
+《3—18)
С7.5
15
C7
<1
>25Л08
0,3
>80
>80*
>10-10»
1
ТО-99
MLM308AG
<0.5
6
<7
>804(?
0,3
>96
》96*
>10-10e
1
ТО-99
NE530T
±18
«5
5
《150
<40
>50-103
>12
>70
V150
>l-10e
0,9
3
ТО-99
С внутренней
компенсацией
NE531T
+22
《6
<1500
C200
>20-108
30
>70
《150
20T04
2.5
<10
1
CN1
NE535T
+18
《5
6
<150
<40
>50-103
>10
>70
<150
3
《2,8
1
CN1
С внутренней
компенсацией
NE536T
±(6—18)
《90
30
<0,1
0.005
>50-103
6
>64
<300
—
18’
J
<8
1
CN1
То же
NE538T
±18
М5
6
<150
<40
>50*10?
60
>70
《150
>1 -10е
1/2
<3
6
CN1
NE5534T
土22
看4
<1500
<300
>25-1(?
13
>70
<100
4
>30-103
—
<8
10
CN1
NE5534AT
土 22
М4
—
《1500
<300
>25 ・ IO?
13
>70
<100
《4.5
>30-IO3
—
<8
10
CN1
OP-01J
±22
<0,7
<8
<30
<2
>5040»
18
>90
>90*
<1
<60*
2,5
ТО-99
»
OP-01CJ
±20
&5
V20
<100
《20
>25408
18
>80
>80*
<1
<90*
2,5
ТО-99
OP-01EJ
士 22
《2
CIO
《50
《5
А50Г03
18
>80
>80*
<1
<90*
2,5
ТО-99
OP-01FJ
±22
《2
MIO
《50
<5
>50・1(Г
18
>80
>80*
一
《90*
2,5
ТО-99
OP-01GJ
±20
М5
V20
《100
<20
>25 40s
18
>80
>80*
《1
《90*
2,5
ТО-99
OP-01HJ
±22
<0,7
«8
<30
《2
>50-10s
18
>90
>90*
《60*
2,5
ТО-99
OP-02J
士 22
W2
CIO
《50
《5
>5040®
>0.25
>90
>90*
21
>2310"
—
《90*
>0,8
ТО-99
А
OP-02AJ
土 22
《0,5
<8
<30
《2
>100-IO3
>0,25
>90
>90*
21
>3,8-10'
—
<60*
>0,8
ТО-99
OP-02CJ
±22
《2
MIO
<50
《5
>50-103
>0,25
>90
>90*
21
>2,3・1У
—
<90"
>0.8
ТО-99
OP-02EJ
土22
《0,5
C'8
<30
《2
>100-10s
>0,25
>90
>90*
21
>3,8-10fi
一
<60*
>0,8
ТО-99
OP-05J
+22
*0,5
М2
《3
《2,8
>200-10s
0,17
>110
>94*
<11
>20-10fl
一
0,6
ТО-99
Прецизионный
с внутренней
компенсацией
OP-05AJ
±22
М0/5
M0,9
M±2
《2
>300 4 0 8
0,17
>110
>94*
<11
>30-10^
—
<120*
0,6
ТО-99
То же
OP-05CJ
士 22
《1,3
<■4.5
V±7
《6
>120-IO8
0,17
>97
>86*
<11,5
>8-10s
—
<150*
0,6
ТО-99
OP-05EJ
土 22
<0,5
V2
《±4
《3,8
>200-10s
0,17
>107
>90*
《11
>15-103
—
<120*
0,6
ТО-99
OP-07 J
±(3-18)
<0,075
《13
±3
《2,8
>200-IO-4
0.17
>110
>100*
<11
>2040°
《120*
0,6
ТО-99
Прецизионный
1
§Заа^Ла^а2°|О^ааа|111|1111111111111§з^аЛ|||| I 1 Mill
js3冢1話号
IC co
CQ
co
eoAudox uni
g W号号WW吊¥W寻弓 目寻寻寻寻号g司¥¥§§§号寻弓寻斗寻¥号寻弓留ggggsggg? 8 8寻目弓寻弓 6 6666666666 666do6666dodo666родобооб рборооор о р броор I цшшц IшиIшаIи нннннннн J I ннннн
njw “T
99 9 9 00 00 8 00 00 Q0 0O00 8 8 8 00 ЮЮtoLO од—од^У 二二二二吆 О 叱Ю 叱。+*^
о ооооооооооо о о о оь sm ьz11z11W оооосчюга ь 可 atoazz
ЛЛЛАЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛл л
；Vw ＜叫
舞兼z z z z
оooo* *¥***#* # # * *и二
2t2W〉S2 艺為 S2S2 爲SSWSSXX 寸寸 1Л 寸寸 gzZOOzz8zz8zz8cT小小小小 kzzk寸、zb 寸
vvyyyvvvvVvwVVVVVVVVVVVVVVVmmmуVVMVMVm VVVVVV
смт 寸 zgbzzoozNQogs9gg9gg 术10史9衣 电叫
1J 1 J J 1 J J 1 J J77 a 1111111111 11 1 1 J11 寸占1^1 不寸 11 寸寸
wo，x“X
О♦ • 9 9909 c 09ЮОСОСОООООООООООООООООООО '1 1 1 1ОООО О О О О О О О
сOOziGZiGliiZG1IZIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIiiiiiiiiii
А Л Л Л Л Л ЛАЛ Л ЛЛ Л Л Л Л
9mw，©£二力
EJ//HH Ui%
I二二 lOOOOOOOО О О О О Ю ЮЮЮЮ LOLO Ю LOLO Ю 1Л toLOLO 1Л Ю 1f111 о сч о CMCM众
IiiiCMNazaaNmazaNiiiiiiiiiiiiiiiiii 1IIiiigiicme
V V V V
H/HMW **
：e，П"吗
0 *** &**^*-k.********** **o oooo**** *** ?L * 2l *
2 S83；22S22S2SSSSSSgSSSSSSSSSSSSSSSS-二二二二S Ж 吊纟莓吊弩
Л ЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛАЛЛА Л Л А а А А А
g"① DPOy
2 ^寸岂芯芯寸芯宫寸 99 a 99G 99 Z 99 ZZ 99 N三 ^^^ggggЮ ЮЮЮ ОЮ
I =』i二二 QOIIQOII GO I I 36 co QOQO 右00 00 36 36 co 交召 00 35 00 GO I i i i i 00 00 56 00 00 00 00 UO 00 00 00
Л ЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛДЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛAAAA A 八 AAAAA
XHH o>iw/g *
IIо
о ooooooooooоооооЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛо 00009八AA А Л л А л л
s
яwя«
с ООО» и и«soeeOOsmOeBoeeOemoeeoOeeО О О я хис
=iiiOOOOOOOo=00ii00i03i00i00二ОО1ОО9igiiOOOOООООО。。
,I 1—< I 1—< г-н r-Ч 1*"1I . 1—< I .• I I . I I S г-н I ■ I I . I I ■ I I。• О ..I I IIII I 1—< I
0CNCNOOQLOLOLOoOOOOOOOLOOO^OOOLOSOIOOOIOOOLOO ♦0 • OOOOOOQQRGa 出 2
竺 11 a 寸千 I达I m 11g Iz s II z I z Iz I coiooggggtoю to
А ЛЛЛЛЛЛЛЛ АЛ ЛЛ ЛЛЛДЛЛЛЛА ЛЛЛЛЛЛЛЛ A 公 АЛЛ ЛЛ
сосадзьюсмzg с ь g оо с о оо о о ою ggg оооо о о о о о
G) CjDCTiCOOOOOOOOООООООООООООООООООООООО^-* OJiabOOOO 0 0 00000
у vyvvvvvvvvVVVVVV У VV УУ VVVУ V У У УVМУМ駁 ММУМУУУМ V V MVVMV
ун △&/
ююю109g
z Zib0 IГ IIZ IIZIIIO О О 111吃0
+1中az 寸 aagzbtooooooooooooooooooo^cnR^Sooooооо о о о о
УVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVMyMMWyyVУУУУУМУ'УМVMVVMV
3°/axw •丽一
- -♦ »* «о ою os os од од од-〜亠
о izizmizmizgizgigiigiigiigiigiigiii тисчддддggggg
v vvyyvvvvvyWVVVVVVVMVMVVVVVУУVVVMVУ УV
S 0 LO
0 oioico ig Iico g10gglл10m 9m9
оooooO'-hoot-^ooi-<oo'—,o»-iooor^oooi-<oooi-<oooi-*coo''r^oooо 小小 igggaazggtoiz
УVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVV УWVVVVWWVVV^VVVVVVvvvvv
7 777 в『可к
J' 00 CO О О О 00 00 00 О О。Z Z К Z Z Z 7 Z Z 8az 8 i 3 Z Z 安汽 G 7 ys»zs^NCGiiiZ z?5111c•4riCMZiCMZiG】ZireiKCMi7 -^77s»zGCMGG Z ZNTMiG +1 +1 +1 +1 +1 +1 +1 +1 +1 +1 +1 4-1 +! +1 +1 +1 +1 +1 +1 +1 +H +1 +1 +14-1 +1 +1 +1 +1 +1 +1 +1+1+1+1+1+1+1+1 +1 +1 +1+1+1+1 屮
<oOw<Su3Eo<言出工dv出工о«出opjho^J^o^i口WfЗЗ^^Й
ddddddddddQdddddddddd^dddddddddddddddddWWWW运wwwwww
ОOOOOOOOOOO000000000000000000000000OOOOddddddddddd
1 ；
1
晋
\ b
百s
< И
Дополни-
Тип
CQ
CQ W
S
f
W $ V
<J
V
J
и
г
飞 ^
4 О
а Н
ЗУ
自* 三
W о
и
Г
損
=r S 不
書
тельные сведения
PM356J
±18
g10
5
《0,2
«0.05
>25 • 103
12
>80*
12
Ю12
11,5
1 <10
5
TO-99
PM356AJ
+22
У2
<0,05
<0,01
>50-103
A10
>85*
12
10-
1,5
<7
>4
TO-99
PM357J
±18
М10
5
《0,2
《0,05
>25.103
50
>80*
12
10,2
<10
20
TO-99
PM357AJ
土 22
《2
<0,05
《0,01
>50.103
>40
>85*
12
10'-2
1.5
>15
TO-99
PM725J
/22
cl
《5
cO,l
<0.02
>L1(T
>110
8
1,5.106
《105*
TO-99
Прецизионный
PM725CJ
+22
《2,5
2
<0,125
<0.035
》250 ■ 103
《35
8
1,5.106
《150*
TO-99
То же
PM741J
土 22
^5
<500
《200
>50-1Э3
>77*
>0.3-106
《2,8
TO-99
С внутренней компенсацией
PM741CJ
SA709CN
±18 王18
<6
<7,5
—
《500
《1500
<200
W500
>25 -103
>15.10s
二
>70 》65
>77*
<200
二
^О.з.109
>50・ 10?
>0,3-10б
二
《2,8
《200*
二
TO-99
8-18
С внутренней компенсацией
SA741CT
+18
<200
>20- IO3
0,5
<150
V2,8
1
TT-99
То же
SE530T
+22
《2
《15
《60
<10
>50 • IO3
>18
>70
《150
>3.1оз
0,9
3
TT-99
SE531T
+22
5
с 500
<200
>50-103
>20
>70
<150
20.10"
2,5
<7
CN1
SE535T
土 22
<15
《60
《10
>50.103
>10
>70
<150
—
> 4 • 10('
3
<2,8
1
CN1
С внутренней
6
компенсацией
SE538T
土 22
<15
《60
<10
》5')・1G3
>40
>70
V150
—
>3-10^
1.2
TO-99
То же
SE5534T
+22
二
<800
《200
>50.103
13
>80
М50
4
>50-103
《6,5
10
CN1
Малошумящий
SE5534AT
+22
《800
<200
50 •
13
》80
<50
<4,5
>50 -103
《6,5
10
CN1
SFC2101A
+ (5—20》
М2
<15
《75
<10
160 • 1Ф
0,5
70
二
—
>1,5-10л
二
2
TO-99
SFC2107M
士(5—20)
<15
《75
«10
160-IO3
0,5
80
TO-99
С внутренней
А30Г06
компенсацией
SFC2108A
+ (5—2U》
cO,5
《5
《0,2
>80-103
85
二
TO-99
SFC2118M
±18
<4
<250
《50
50 -IO3
50
80
—
—
>1-101
TO-99
SFC220IA
土 (5—20)
《5
715
《250
<20
160.103
0,5
70
—
>1,5-10«
2
TO-99
SFC2207
±(5—20)
《5
《15
V20
160.10a
0,5
70
>l,5.10fi
TO-99
С внутренней
SFC2208
+ (5-20)
<2
《15
《0,4
>80-103
一
>30-10s
TO-99
компенсацией
SFC2218M
+18
<4
<250
《50
50.IO3
50
—
TO-99
SFC2301A
+ (5—15)
《7,5
《30
《250
«50
160 10s
0,5
—
—
>500-103
TO-99
SFC2307
±(5-20)
<7,В
《30
《250
《50
165103
0,5
>500-103
TO-99
С внутренней
>10-103
комлеисаиней
SFC2308
《7,5
<30
v7
<1
>80- 103
80
—-
TO-99
SFC2315DC
+ 10
<12
6
《50
<25
30-IO3
84
—
3.10е
6-4
SFC2318EC
+18
-CIO
《500
<200
25-IO3
30
70
—
>500-IO3
TO-116
SFC2476C
±18
<6
《50
«25
400-IO3
—
—
—
TO-99
SFC2709AP
+ (9-15)
«2
«10
《200
<50
45 Л03
0,25
ПО
—
—
:>350・ 103
TO-116
SFC2741C
±15
《6
《500
<200
100.103
0,5
70
300 • 10:1
>300-103
一
一
TO-99
С внутренней компенсацией
SFC2748C
+15
《6
—
《500
<200
150-103
0,5
70
—
—
TO-99
SFC2761C
+18
《7,5
6
《1500
<50
30-IO3
90
80
•—
—
200-IO3
—
CN44
0FC2776c
+ (12-18)
<6
10
《50
<25
>50 -10я
0f8
>70
5-10"
—
—
—
TO-99
Программи-
400-103
5-10"
руемый
SFC2778G
+ 18
<6
10
《50
《25
0,16
70
—
TO-99
SFC2861PM
+ 10
Mil
б
<1500
<330
30-W3
30
80
—
—
200-103
TO-9]
SG101
3
w500
<200
>50-103
二
>70
>70*
—
>300-103
TO-99
SG1O7
±22
«2
<15
&75
《10
>50*108
А80
>80*
14
X5・ 1Ф
м3
TO-99
С внутренней
компенсацией
SG201
<7,5
6
<1500
>20.103
二
>65
>70“
>150.103
《3
二
TO-116
SG207
±22
<15
《75
^10
》5O・1C)3
>80
>80*
14
<3
TO-99
TO-116
С внутренней
SG307
+ 18
W3U
^250
<50
>25J03
>8U
>80* 《150 《150 《150 《150 《150 >80*
14
A仏5・IO
компенсацией То же
SG741
+22
«5
v500
《200
>50* 103
0,5
>70
—
>0313
W2,8
TO-99
SG741CJ
±18
一
《500
<200
>20 • 103
0,5
>70
—
>0,3,10“
《2,8
TO-116
SG748
+22
<5
一
《500
<200
>50- 103
0,5
>70
—
>3,3・ 1，
《2.8
TO-99
SG748CJ
+ 18
《6
《500
《200
>20«103
0,5
>70
>0,3- 10"
《2,8
TO-116
SG1250
-18)
《3
4
<15
《5
>100-IO3
0,2
>70
35
>3-10'
《1,20*
一
TO-99
Микромогцный
SG1660
±18
<7,5
<30
<15
《2
>15. IO3
》0」
>80
>4- 10'
—
《П.75
TO99
С внутренней
SG176O
±18
W7,5
W30
&15
W2
>15.103
»:1
>80
>80*
—
"10；1
—
《0,75
—
TO-116
компенсацией То же
Тил
出
CQ W
S
О
<
И
V
倉
- 8
:
s H 产工
青
3=
и
1
S
Дополнительные сведения
SG2250
土（1-18）
《3
4
V15
<5
>100-103
0,2
>70
C15U
35
>3」①
一
Ml,2*
TO-99
С внутренней
SG3250T
±(—18)
<6
6
<30
<5
>75-10a
0,2
>70
<150
(10 ГЦ)
35
(10 Гц)
>3- 10s
一
《1,2*
TO-99
компенсацией
SL541A
-4+十15
<5
«25
>180
>100
>46*
100 (1 %)
<21
100
T0-5
мк Д
SL541B
—6十+12
<5
—
<25
3«1G3
>100
>46*
一
100 (1 %>
<21
100
T0-5
м к А
SL701B
+ 12
<5
<1000
<300
3.10s
>80
>100.103
12
0,5
CN11
SL701C
士12
<20
<15
^3009
<1800
3-103
>60
>100.103
12
0,5
CN11
SL702B
土 12
<5
<15
-с 1000
<300
1,2. IC3
A 80
>100.103
12
0,5
CN11
SL702C
±12
《20
<15
《3000
<1800
1,2・13
》6U
>100.103
12
0.5
CN11
SL748A
+22
<5
<500
《200
160-103
>70
>300- 1C3
2,8
1
CN11
SL748C
+ 18
«6
<800
«300
160-10s
>70
>300 . 103
2,8
1
GN11
SN52101AL
土 22
<15
《75
<10
>50- 10s
>80
>80*
>15106
<3
TO-99
SN52107L
土 22
±(5—20)
<2
<15
<75
<10
>50 • 103
>80
>80*
:>1,5.10
—
<3
TO-99
С внутренней компенсацией
SN52108JP
《2
у 15
м2
VO,2
>50-IO3
>85
>80*
>30-10п
<0,6
8-10
SN52108AL
土（5—20）
《0,5
<5
V2
<0,2
>80. IO3
>96
>96*
АЗОТ屮
《0,6
TO-99
SN52660L
± (5—20)
《3
V25
《15
У2
》25・10®
>80
>80卜
>4-106
wO*5
TO-99
SN52702L
—7-4-14
10
с10000
<2000
>1400
1,7
>70
<300
>8-103
<6,7
TO-99
SN52702AJP
一7一+14
《2
<10
<5000
<500
>2500
1,7
>80
75
>16.103
《6,7
8-10
SN52709L
±18
<5
6
《500
«200
45.10s
>70
<159
>150-103
c 5,5
TO-99
SN52709AL
土 18
《2
У25
<200
<50
45-103
>80
<100
^350.103
《3,6
TO-99
SN52741L
士 22
<5 一
<500
<200
>50-10=
0,5
>70
«150
—
>0,3- 10b
—
v2,8
TO-99
С внутренней компенсацией
SN52748L
±22
<5
《500
W200
>50-10s
0,5
>70
<150
>0,3.106
<2,8
TO-99
二
SN52770L
±22
<15
<2
>50.10s
2,5
>80
<150
40
100-10°
1,3
TO-99
SN52771L
士 22
《4
一
<15
м2
>50-1G3
2,5
>80
V150
40
100-10°
—
42
1,3
TO-99
TO-99
С внутренней компенсацией
SN52777L
±22
《15
<25
s>50«103
0,5
>80
<100
>2，10Г>
《2,8
—
SN72301AL
±18
v7,5
<30
У250
<50
>25-10s
>70
>70*
>0,5- IO。
<3
—
TO-99
SN72307L
士 18
《7,5
УЗО
《250
У 50
>25-10s
>70
>70*
>0,5 • 10“
《3
TO-99
С внутренней компенсацией
SN72308L
+ (5—18)
《7,5
Ml
>25-10s
>80
>80*
>10.106
《0,8
TO-99
SN72308AL
±(5—18)
<0,5
《7
>80. IO3
>96
>96*
>10.10^
《0,8
-—
TO-99
SN72660L
±(5—18)
《4
<30
<15
《2
>25-10s
>80
>80*
>4- 10b
《0,75
—
TO-99
SN72702L
十14十一7
<10
5
《15000
М5000
>1000
1,7
>65
«300
>6.1G3
—
TO-99
SN72709L
±18
<7,5
二
《1500
М500
>15-10a
>65
<200
>50. 15
—
《200*
—
TO-99
SN72741L
土 18
<6
<500
《牙）0
>20>103
0,5
>70
《150
>0,3.10'
《2,8
TO-99
TO-99
С внутренней компенсацией
SN72748L
±18
Кб
<500
<200
>50-103
0,5
>70
<150
>0,3-10°
《2,8
—
SN7277OL
+18
с 30
<10
>35.10s
2,5
>70
《200
40
100-10"
1,3
TO-99
SN72771L
土 18
<10
一
«30
<10
》35 -IO3
2,5
>70
《200
40
100*1(?
《4
1,3
TO-99
TO-99
С внутренней компенсацией
SN72777L
士 22
<5
С100
<20
>25-10s
0,5
>70
<150
>1-10°
—
《3,3
—
—
SSS725
+22
<0,5
<80
《5
>120
v5
咗7
5
>0,7-10°
—
^120*
—
TO-99
Прецизионный
SSS725A
+22
<0,1
<0,8
<70
>10(i
>120
<2
《7
5
>0,8.10°
<105*
TO-99
То же
SSS725B
+22
《0,75
<2,8
《80
《5
>10fi
>110
<5
5
>0.7.106
《120*
—
TO-99
SSS725C
+22
<1,3
《4,5
《110
<13
^lO6
>100
《10
5
>0,5- 10b
—
《150*
—
TO-99
SSS725E
+22
<0,5
<80
w5
>10G
A120
C5
《7
5
>0J.10e
—
《120*
—
TO-99
SSS741
土 22
<3
«100
《25
》25T03
>70
^150
>1 - IO"
V85*
TO-99
TO-99
С внутренней компенсацией
SSS741B
±22
с 50
<5
>50-IO3
>80
《100
》2，10
<85*
—
SSS741c
+ 18
Уб
《100
《25
>25 • 103
>70
«150
Al ■ 10^
《85*
—
TO-99
SSS741G
+22
<100
<25
>25-103
>70
<150
20*
>1-10^
《85*
—
TO-99
SU536T
+22
《20
20
<303
0,005
》50・10з
6
>70
《150
《5.5
1
CN1
—
TAA241
士 21
<5
《20
《7500
<2000
》2・1(?
>70
<300
>10- IC3
《120*
TO-99
—
TAA521
+ 18
《7,5
10
《1500
<500
>15-IO3
>0,3
>65
<200
—
>50 • IS
—
《200*
—
TO-78
—
TAA522
±18
«5
<500
<200
45.103
>0,3
>70
<200
>150. W
dies*
TO-99
目W
t й
и ^
Тип
В
V
<
ё
О
2
Дополнитель-
д
£
S
V
О
w
ные сведения
V
t 4
a
1АА861 ТА A 861A ТАА865
ТАА865А ТВА221
±(2—10) ±(2-10)
±(2—10) ±(2—10)
±(4—18)
<10
<10
<10 «10 v6
6
6
6 б
^1000 dOOO
《1000
《1000
V500
<300 <300 МЗОО 《300
<200
>5,6-103 >5,6-103 >5,6.103 >5,6-103 >20.103
9
3
9
3
0,5
А60
>60
>75
>75
>70
<150
3,1*
3,1*
3,1*
3,1*
2no. ЩЗ 200.102 200.IC3 200.IC3 >0,3・ 10b
<1,5
<1,5
<1,5
<85*
CN71 6-5 CN71 6-5 CN1
'внх = 70 мА 'внх = 70 мА ；вых = 70 мА 'внх = 70 мА С внутренней
ТВА221В
±(4-18)
《6
у 500
с 200
>20 .IS
0,5
а70
>0,3. 10"
>0,6・106
>0,3・13
>0,3-10^
компенсацией
TBA221D TBA221N
ТВА222
±20
土 18 ±22
<4
<6
<5
5
3
«150
<500
<500
《200 《200
>30-Ю3
>2(). 103
二 59 • 103
0,6 0,5 0,5
>75
>70
>70
5100
《150
<150
20
<0,8^
一
w85*
<2,8
<85* «85举
f^
TO-99
CN1
С внутренней
ТСА520В
+ 11
5
<100
>25.103
50
>70
15
15
25
8-4
компенсацией
TCA520D
2—20
《6
5
<100
《30
>25 ・ IIP
50
>70
1
ТСА680
土 (3—15)
<8
<100
《30
>30"103
>15
>70
<100
一
0,75
1
<6
6
TO-99
С внутренней
ТСА680В
+ (3—15)
《8
二
с 100
>30 • MP
>15
>7Q
25
25
0,75 0,75
6
6
компенсацией
TCA680D
+ (3—15)
《8
<100
<30
>30-103
:>15
>70
<100
—
<6
8-7
То же
TDA0301D
36
<7,5
30
《250
《50
》25・10з
>70
>0,5-10"
>0,3- 10G
>0,3* IS
>3(L 103
<6
8-9
TDA0741D
+ 18
二
с 500
<200
>20.103
0,5
>70
^150
V150 《50
w: 3
8-9
TDA0748D
+ 18
《6
<500
<200
>2513
0,5
>70
<2,8
8-9
TDA1034N
土 (3—20)
《4
<800
>30-103
13
>80
4,5
v2,8
<6,5
10
TO-99
С внутренней
TDA1034B
+ (3—20)
<1500
《300
>30-103
13
>80
>30.103
>30.103
c6,5 《6,5 <0,03
10
10 0,25
компенсацией
TDA1034D
+ (3—20)
с 1500
с 300
>30 ・ IS
13
>80
То же
TDA4250
+ (1—18)
«75
<25
>50-W3
0,16
96
TDA4250B
±(1-18)
Мб
W80
<20
>50.103
0,25
>70
TDA4250C
土（1一18）
《6,5
<10
<8
>50-103
0,16
96
^0,03
0,25
TDA4250D
+ (1—18)
一
《80
<20
>50 • 19
0,25
>70
>76*
TDB0118CM
土 18
《10
<600
^200
200-103
—
—
3.106
15
TO-99
С внутренней
TDB0148DP
+18
<200
《50
160.103
ТО-116
компенсацией
TDB0155CM
+ 18
<10
<0,2
《0,05
200-103
一
То же
TDB0156DP
+18
<10
w0,2
<0,05
200-103
—
TO-99
TDB0157CM
+18
<10
《0,2
<0,05
200.10у
TDB0791DP
TDC0155CM
±18
±22
<6
<5
《500
<0」
«200
《0,02
20-Ю3
200.103
F
>0,3.106
—
—
—
ТО-116
TO-99
/— 1 д
ВЫХН
С внутренней
TDC0156CM
+22
<5
сО,1
<0,02
200-103
TO-99
компенсацией
TDC0157CM
±22
<5
<0,1
<0,02
200-103
То же
TDE0155CM
+22
<5
《0,2
<0,1
200 ♦ 1炉
TO-99
》
TDE0156CM
+22
《5
《0,1
*0,02
200 • 10з
—
TDE0157CM
±22
《5
《0,1
《0,02
200-1О3
—
TL061C
TL061AC
±(1,5-18) ±(1,5-18)
<15
《6
10
10
«0,4 с'0,2
《0,1
>3・ 1У
>4-103
3,5
3,5
>70
>80
>70*
42
1012
«0,25 CO, 25 <0,25 <0,25
1
Малошумящий
TL061BC
TL0661
±(1,5-18) ±(1,2-18)
<6
10
10
с0,2
<0,2
<0,1 мО,1
>4-103
>4.103
3,5
3,5
>80
>80
>80*
>80*
42
42
IO12
1012
一
1
1
Хг = 0,01 % Программи-
руемый с внутренней
TL066AC
+ (1/2-18)
《6
10
《0,2
сО,1
>4-103
3,5
>80
>80*
42
《0,25 《0,25 《0,25 <0,25
8-11
8-11
8-11
8-11
8-11
компенсацией
TLO66BC
ч-( 1,2—18)
《3
10
《0,2
《0,1
>4-10^
3,5
>80
:>80*
42
10*2
То же
TL066C
±(1,2-18)
<15
10
<0,4
<0,2
>1М03
3,5
>70
>70*
42
》
TL066M
+ (1,2-18)
《6
10
<0,2
《0,1
>4-103
3,5
>80
>80*
42
io12
1012
TL071C
土(3,5—18)
<10
10
<0,2
<0,05
>?5. Ю3
13
>70
>70*
18
3
勺=；101% 勺= и,01 %
TL071AC
土 18
Уб
10
《0,2
<0,05
>50 • MP
13
>80
>80*
18
IW
《2,5
3
8-11
TL071BC
TL080AC
±18
± 18
<б
10
10
<0,2
<0,2
<0,05
《0,1
>50-103
>50-103
13
13
:>80
>80
>80*
>80*
18
25
1012
10,2
《2,5 《2,8
3
3
8-11
8-11
Тип
В
0 W
<
<
Д
g
盲里
s X /工В
尼
图
4 4
о
и а
L §
发
Дополнительные сведения
TL080C
±18
10
«0,4
<0,2
>25. IO3
13
>70
>70*
25
1012
«2,8
3
8-11
TL081C
±(3,5—18)
<15
10
<0,4
<0,2
>25. Ю3
13
>70
>70*
25
1012
《2,8
3
8-11
TL081AC
±(3,5—18)
10
<0,2
<0,1
>50-103
13
>80
>80*
25
10,2
<2,8
3
8-11
TL081BC
土（3,5—18〉
《3
10
<0,2
《0,1
>50.103
13
>80
>80*
25
1012
<2,8
3
8-11
TLO871
土 18
《0,5
10
<0,4
<0,1
>50-103
13
>80
>80*
18
1012
《2,8
3
С внутренней
компенсацией
TL087C
+ 18
<0,5
10
《0,4
<0,1
>25. Ю3
13
>70
>70*
18
1012
二
<2,8
3
8-11
TL087M
±18
10
《0,4
<0.1
>50. IO3
13
>80
>80*
18
IO12
《2,8
3
8-11
С внутренней
компенсацией
TL0881
土 18
<3
10
《0,4
<0,1
>50.103
13
>80
>80*
18
1W
<2,8
3
То ?ке
TL088C
士 18
<3
10
《0,4
V0/
>25 • 103
13
>70
>70*
18
IO12
<2,8
3
8-11
TL1709
+ 18
6 I
<500
<200
>25.10"
0,25
>70
《150
>150*103
«200*
—
TO-99
TL1709C
±18
*7,5
6 t
<1500
<500
>15. Ю3
0,25
>65
《200
>50- 1GS
«200*
—
TO-99
TL1741
土 22
6
<500
《200
^50-IO3
0,8
>70
V150
>0,3-10^
<85*
—
TO-99
С внутренней
компенсацией
TL1741C
土 18
W6
6
<500
<200
>20-Ю3
0,8
>70
<150
>0,3.10»
<85*
—
TO-99
То же
цАЮШМ
±22
《5
6
<500
《200
>50 ・ 103
>70
>70*
>0,3・ 106
<2,5
—
CN1
glOlAH
± 22
V?
<15
《75
<10
>50-Ю3
>80
>80*
>1,5 JO6
—
TO-99
MAU)7H
±22
<2
<15
<75
《10
>50 • 103
>80
>80*
>l,5*106
—
«3
CN1
С внутренней
ЦА1О8НМ
±20
V15
《2
«0,2
>50.103
>85
>80*
>30-106
<0,6
CN1
коррекцией
ЦА108АН
+20
<0,5
《5
《2
《0.2
>80. Ю3
>96
>30-IO6
<0,6
—
CN1
ЦА201НС
±22
《7,5
10
<1500
<500
>20-103
》65
>70*
>0,1-106
—
CN1
ЦА201АНМ
土 22
<2
M15
《75
<10
>50.103
>80
>80*
>1,5.IO6
V3
—
CN1
КА207 HM
±22
<15
<75
<10
>50- 10s
>80
>86*
^1,5.10G
—
《3
CN1
С внутренней
ЦА208НМ
±20
<2
《15
《2
>50 -103
>85
>80*
>30-106
<0,6
CN1
коррекцией
ЦА208АНМ
+20
《0,5
<5
<0,2
>80.103
:>96
>96*
>30- W6
<0,6
—
CN1
ЦА301АНС
-4-18
<7,5
<30
<250
《50
>25.103
>70
>70*
>0,5-106
<3
—
CN1
ЦА307НС
±18
c7,5
《30
V250
<50
:>25 • 1(P
>70
>70-
>0,5.106
一
《3
CN1
С внутренней
ЦА308Н
У7,5
<30
v7
《1
>25.103
>80
>80*
>10-IO6
《0,8
CN1
коррекцией
ЦА308А
<0,5
《5
<7
《1
>80J03
>96
>96*
^lO-lO6
<0,8
—
14-31
цА702HM
<2
<10
M5000
《500
:>2,5・1(P
>80
《200
>16-103
<6,7
—
CN1
ЦА702НС
<5
У20
<7500
《2000
>2.10s
> 70
《300
>10.103
<6,7
—
CN1
КА709HM
<5
6
《500
<200
>25.103
0,3
>70
<150
>150-103
—
1
CN1
КА709AHM
<2
<10
《200
С50
>25, I©
>80
<100
>350-163
«3,6
CN1
ЦА709НС
《7,5
《1500
<500
>15.103
0,3
>65
《200
>50.163
<165*
CN1
mV 14
土(3—22)
<0,075
C1.3
м3
<2,8
>200-103
0,17
>110
>100*
<11
>20. IO6
«120*
0,6
CN1
Измерительный
ЦА714С
-4- (3—22)
《0,15
<1,8
《6
《3,7
》120 ♦ 1Ф
0,17
>100
>90*
<11,5
>8-100
<150*
0,6
TO-99
То же
ЦА714ЕНС
+ (3—22)
<0,075
<1,3
=3,8
«4
A200JU3
0,17
>106
>94*
>15-10G
<120*
0,6
CN1
UA714LHC
VO,25
^3
《30
V20
>100.103
0,17
>100
>90*
9,8
>8.10(i
«180*
0,6
CN1
ЦА715НМ
<5
—
《750
《250
>15-103
>15
>74
V300
Ы0*
0,3
<7
ТО-Ю0
С внутренней
“А715НС
+ 18
*7,5
<1500
《250
>10-103
>10
>74
《400
LIO6
0,3
<10
T0-1OO
коррекцией
ЦА725НМ
土（3—22〉
<1
<100
<20
>1-10^
>110
《10
8
1,5.106
<105*
—
CN1
ЦА725АНМ
±(3-22)
<0,5
<2
<75
《5
A 1・冲
>120
1,5-IO6
«120*
—
CN1
ЦА725НС
±(3—22)
<2,5
2
V125
《35
>250.103
>94
<35
8
l,5>106
<150*
—
CN1
ЦА725ЕНС
+ (3—22)
《0,5
<75
《5
>1・ 13
>120
<7,5
1,5-106
<150*
—
CN1
NA740T
±22
<20
《0,2
<0,15
>50-Ю3
6
>54
<300
1-1012
<5,2
3
CN1
|1A740c
*22
C110
《2
《0,3
>20 • 103
6
>55
1.1012
<8
1
TO-99
UA741HM
±22
<5
<500
<200
>59. Ю3
0,5
>70
《150
>0,3. IO'5
42,8
1
CN1
С внутренней
коррекцией
цА741АНМ
土 22
*15
《8。
<30
>50-103
23
>30
《50
>1-10^
!
<150*
>0,4
CN1
То же
АЛ741НС
±18
《6
<500
<200
>20 • 103
0,5
>70
《150
>0,3-10b
<2,8
1
CN1
цА741ЕНС
土 22
《3
<15
<80
<30
>50 • Ig
>0.3
>80
<50
<150*
>0,4
CN1
ЦА748НМ
±22
《5
《500
<200
>50・ Id
0,5
>70
<15'J
>0,3-106
<85*
1
CN1
ЦД748НС
土 22
<6
<500
《200
>20-1^3
0,5
>70
C150
>0,3- 10ft
<85*
1
CN1
цА'59НМ
土!8
《3
—
《150
<30
>55103
0,6
>80
>80*
>0,25.10fi
一
<18
1
一
выхм
=「，丈5 А
Тип
CQ
出
丁
<
J
3
广
РА759НС
±18
WG
—
《250
<53
>25 -103
0,5
>70
МА776HM
±18
<5
—
<50
<15
>100.103
0,8
>70
НА776НС
+ 18
《50
《25
>50.103
0,8
>70
UA777
+22
<15
《25
>50-103
0,5
>80
ЦА777НС
+22
с 30
<100
《20
>25.103
0,5
>70
ЦА791КМ
土 22
<5
一
<500
《200
>50-103
—
>70
UA791KC
土 18
《6
<500
<200
>20.103
>70
МА799HM
3—36
10
《100
《25
>50 103
0,6
>70
ЦА799НС
-4-(1» 5—18)
10
У250
M75
>20 ・ 103
0,6
>70
HAF155
+22
<5
5
<0/
<0,02
>50」0з
5
》85
MAF156
土 22
<5
5
《0,02
>50-103
15
>85
UAF157
+22
<5
5
<0,02
>50-103
75
》85
(K=5)
从 AF155A
+22
<5
<0,05
<0,01
>50-103
>3
>85
HAF156A
+22
《2
<5
<0,05
《0,01
>50-10s
>10
》85
H.AF157A
+22
《2
<0,05
<0,01
>50-103
>40
>85
MAF355
±18
<10
5
WO,2
<0,05
>50-103
5
>85
HAF356
±18
《10
5
<0,2
<0,05
>50-103
15
>85
ЦАГ357
+ 18
C10
5
<0,2
y0,05
>50-103
75
>85
UAF355A
士 22
々2
<0,05
《0,01
>50*103
>3
>85
UAF35SA
+22
<0,05
<0,01
>50-103
>10
>85
ЦАР357А
+22
<2
<0,05
《0,01
》50・103
>40
>85
UAF771HC
士 18
C10
10
《0,2
«0,1
>50-103
13
>70
jiAF771AHe
土 18
10
<0,1
<0,05
>50-103
13
>80
MAF771BHC
+ 18
<5
10
<0,1
<0,05
>50 ・ UP
13
>80
(1AF771LHC
±18
10
<0,2
<0,1
>50.103
13
>70
U110B
+ (2—10)
v7,5
6
<700
<75
>5,6-Ю3
3
>80
ULN-2139D
土 18
<7,5
C1000
■<100
>20 • 103
>0,8
>80
ULN-2151D
+20
<5
<250
W25
>25 • Ig
>0,4
^75
ULN-2171D
+20
<50
《20
>25-103
>0,8
>80
ULS・2139D
+ 18
<500
《60
>50 • 1Ф
Al
>80
ULS-2151D
土 22
<2
《50
«5
>50-IO3
>0,5
>85
ULS-2171D
土 22
м2
<15
《7
>5(). 103
A
>85
Ju 白H
1=
H N
« t
3# 3
H
J
A
к к
単т
Н
Дополнительные сведения
>80*
—
>0,25.106
—
《18
1
—
/—
внхм —
=0,325 А
<150
一
5.101
<0,18
CN1
С внутренней
CN1
коррекцией
V200
5.106
《0,19
Ти же
<100
>2.10°
《2,8
CN1
<150
—
<2,8
CN1
<150
—
>0,3.106
—
<30
—
CN24
^вых 4。1 А
<150
—
>0,3-IO6
《30
—
CN24
^вых "° 1 А
<150
>0,3・ 106
<4
1
С внутренней
<150
корпекцией
>0,3.10"
《4
1
То же
>85*
20
1012
4
《4
2,5
TO-S9
>85*
12
1012
1,5
<7
5
ТО-99
>85*
12
10】2
1,5
2,5
Т049
>85*
20
1012
4
2,5
ТО-99
》85*
12
10!2
1,5
>4
ТО-99
>85*
12
1012
1,5
>15
ТО-99
>85*
1012
<4
ТО-99
>85*
1012
<10
ТО-99
>85*
1012
《10
ТО-&9
>85*
20
1012
4
<4
2,5
ТО-99
>85*
12
1013
1,5
v7
>4
ТО-99
>85*
12
1012
1：5
<7
>15
ТО-99
—
A?0*
16
1013
3
ТО-99
BIFET
>80*
16
10t2
3
ТО-99
BIFET
>80*
16
1012
<3
3
ТО-99
B1FET
>70*
16
10 2
—
<3
3
ТО-99
BIFET
3,1*
200. Ю3
—
>75*
20
》100 • 103
<200*
ТО-99
》75*
《45
:>04106
«85*
二
ТО-99
>80*
35
a2・10°
—
《95*
ТО-99
>75*
20
>150- Ю3
—
<150*
1
ТО-99
>85*
35
>1,5.10°
—
《85*
ТО-99
>85*
>8-10^
—
ТО-99
一
образования сигнала не удовлетворяют требованиям в отношении дрейфа нуля, а применение усилителей типа МДМ нежелательно, могут использоваться усилители с автокомпенсацией (автокоррекцией) нуля, но они имеют также невысокое быстродействие. Обеспечение устойчивости ОУ при работе с обратной связью достигается с помощью цепей частотной коррекции как внешних, так и внутренних. Например, внутренняя частотная коррекция осуществляется созданием МОП-конденсатора емкостью 30—100 пФ, присоединенного к соответствующим точкам схемы.
Технологически ОУ выполняются либо по биполярной, либо по совмещенной биполярно-полевой (BIFET, BIFET-II, BIMOS» BICOS/MOS) технологии. Полевые транзисторы (с р-п переходом или МОП-типа) используются на входе ОУ, когда необходимо получить высокое входное сопротивление и малые входные токи смещения. Первые монолитные ОУ типов SN521, SN522,(1А702 были
выпущены в 1962—1963 гг. В дальнейшем появились: в 1964 г.—тип цА709; в 1967 г, — тип LM101; в 1968 г. — типы rA741, LM101 А; в 1969 г. — типы LM108, цА725; в 1971 г. — тип LM118; в 1973 г.— серии НА2500; НА2900; тип САЗ 130; в период 1974—1979 гг. — тн- пы САЗ 140; LF155, ICL7600, НА5190, LM10, LM11, АМ490 и др.
Улучшение электрических параметров и характеристик каждого поколения ОУ (повышение быстродействия, улучшение точностных показателей, уменьшение потребляемой мощности) было обусловлено как прогрессом технологии (изготовление транзисторов с весьма высоким коэффициентом усиления, высокоомных резисторов, горизонтальных р-п-р транзисторов, высокочастотных комплементарных биполярных и полевых с р-п переходом и МОП-транзисторов), так и разработкой новых схемотехнических решений и принципов (использование на входе составных ——по схеме Дарлингтона ——транзисторов, создание сложных входных каскадов с большим усилением,
сбалансированных двухтактных каскадов с высокой линейностью, встроенных стабилизаторов тока с повышенной стабильностью).
В большинстве случаев фирмы выпускают один и тот же ОУ (с определенным сочетанием параметров) в различных корпусах для различных диапазонов температуры. Чаще всего лучшие характеристики и параметры имеют ОУ с более широким диапазоном (обычно —55 ℃—F 125 °C). Ряд фирм выпускают идентичные ОУ, но со своими внутрифирменными обозначениями. Практически во всех ОУ предусмотрена возможность коррекции нуля с помощью внешнего резистора. Следует учитывать, что коррекция влияет на температурный дрейф напряжения смещения нуля.
В табл. 2.1 приведены электрические параметры монолитных ОУ. В таблице использованы следующие обозначения параметров ОУ:
^и.п——напряжение источника питания (рабочий диапазон или предельное значение);
Ucm—напряжение смещения нуля;
Д^см/ДГ—средний температурный дрейф напряжения смещения; /вх— входной ток;
А/вх—разность входных токов;
Ку——коэффициент усиления при разомкнутой обратной связи;
"и ы —максимальная скорость нарастания выходного напряжения (уменьшается с увеличением корректирующей емкости и возрастает при увеличении коэффициента усиления);
Кос.с* ——коэффициент ослабления синфазных входных напряжений;
^вл.и.п — коэффициент влияния нестабильности источника питания;
К"вл.н・н一коэффициент влияния нестабильности источника питания на напряжение смещения;
(/ш.эф —эффективное значение напряжения шума;
Um.n—нормированное напряжение шума;
Rbx — входное сопротивление;
/уст — время установления выходного напряжения:
/нот — ток потребления;
Рпот — потребляемая мощность；
/х—частота единичного усиления.
Параметры приведены при температуре +25 ℃. Следует отме- 1ить, что скорость нарастания выходного напряжения дается при Ку=1； шумовое напряжение (/ш.н — для частоты измерения 1 кГц, для SG107, SG207, SG307 —на 100 кГц, для SG1250, SG2250, SG3250 — на 10 Гц； время установления — для уровня точности 0,1 %.
22 МОЩНЫЕ УСИЛИТЕЛИ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ
Мощные усилители в интегральном исполнении начинают эффективно заменять усилители на дискретных компонентах. К числу основных параметров и характеристик усилителей относятся коэффициенты усиления; диапазон рабочих частот; динамическая, частотная, фазовая и амплитудная характеристики; уровень нелинейных искажений; коэффициент полезного действия; входные сопротивление, напряжение, ток и мощность; сопротивление источника сигнала;
выходные мощность, ток, напряжение; сопротивление нагрузки; динамический диапазон; уровень шумов.
Коэффициент усиления по мощности, току или напряжению зависит от параметров внешних элементов. 口
Рабочий диапазон частот — это интервал частот от нижней граничной частоты fH до верхней %, внутри которого коэффициент усиления остается неизменным в пределах заданной точности. Например» усилитель звуковой частоты с отличным качеством воспроизведения речи и музыки имеет неизменным усиление в диапазоне от % = 16 Гц до /в=20 кГц; усилитель с хорошим качеством в диапазоне от 50 Гц доЮ кГц должен иметь допустимую неравномерность усиления не более 5 дБ (обычно 1——2 дБ).
Динамическая характеристика определяет зависимость выходного напряжения от входного; в идеальном случае эта зависимость линейная. 。
Нелинейные искажения в усилителях обусловлены нелиней* ностью динамической характеристики; их полное отсутствие принципиально невозможно вследствие нелинейности реальных характеристик активных элементов (обычно из-за нелинейной входной характеристики и зависимости коэффициента усиления транзисторов от тока). Количественно степень нелинейных искажений оценивается коэффициентом гармоник Лг> который определяет относительную интенсивность гармоник.
На нелинейные искажения оказывает влияние режим работы усилителя. Допустимое значение К? для измерительных усилителей-^ десятые доли процента и менее; для акустических ——единицы процентов (нелинейные искажения почти не ощущаются на слух, если Kf<2+3% для широкого диапазона частот); для работы на двигатели —десятки процентов.
При повышении уровня входного сигнала увеличиваются выходные мощность, ток и напряжение, но возрастает и уровень нелинейных искажений. Поэтому искажения уменьшают путем снижения снимаемой выходной мощности по сравнению с той, которую можно было бы получить от данной ИМС, Требования по линейности, т. е. уменьшение нелинейных и частотных искажений, эффективно достигаются с помощью местной (в пределах одного каскада) или общей отрицательной обратной связи, охватывающей весь усилитель.
Номинальное входное напряжение усилителя — напряжение, при котором на выходе получается номинальная выходная мощность (напряжение или ток). Следует отметить, что для получения большой Рвых и высокого КПД сопротивление нагрузки Rh должно иметь определенное (оптимальное) значение.
Для усилителей мощности КПД характеризует их энергетическую экономичность. С ростом напряжения питания усилителя увеличиваются до определенного предела Рвых, КПД и значение оптимального сопротивления нагрузки, поэтому в таблице приводятся конкретные режимы, при которых измерены эти величины. Схемотехнически повышение КПД обеспечивается применением мощных двухтактных выходных каскадов усилителей в режимах классов АВ и В на основе транзисторов одного типа проводимости, разного типа проводимости или соединенных по схеме Дарлингтона.
Динамический диапазон усилителя устанавливает превышение в децибелах номинального уровня сигнала на выходе над его минимальным уровнем, еще различимым на уровне собственных помех. Верхний предел выходного напряжения ограничивается заданной
Таблица 2.2. Мощные усилители
4 8
Тип
4з1Г В
^вых' Вт
&，
Ом
0, %
Гц
кГц
仆
Rrx，
МОм
"вых имп1 А
^вых' В
厶ЮТ， мА
尸 рас，
рас' Вт
Тип корпуса
A205D
4—20
>4,5
4
1,58 (4,5 Вт)
力15
37,5
0,5
2,2*
<15
《1,3
А205К
4—20
>4,5
4
W2 (2,5 Вт)
15
37,5
0,5
2,2*
——
《15
《5
—
A211D
4,5—15
1 (9 В)
8
8,1 (1 Вт)
50
15
48
0,5
1*
—
W10
《1
—
ESM222R
9—18
10 (14 В)
2
1
30
20
34
50
—
—
CN22
ESM231
30
18(24 В)
2
10
30
20
46
50
—
—
—
—
14ТЗ
ESM432
±•15
20 (±14 В)
4
1
30
20
46
50
—
—
—
—
14ТЗ
ESM532C
±18
20 (土 14 В)
4
20
20
60
—
—
МТ21
ESM632C
士 13
14 (±12 В)
4
10
20
20
60
—
—
—
—
—
МТ21
ESM732C
士9
8 (±7 В)
2
10
20
20
60
—
—
—
—
МТ21
ESM1231
18(24 В)
4
10
30
20
—
一
—
—
14ТЗ
ESM1432
±15
20 (±14 В)
4
1
30
20
—
1 --
—
—
—
14ТЗ
ESM1532C
士16
20 (±14 В)
4
1
20
20
—
■—
—
一
—
МТ21
ESM1632C
士13
14 (±12 В)
4
10
20
20
—
—
—
МТ21
ESM1732C
±9
8 (±7 В)
2
10
20
20
——
•
—
—
—
МТ21
НА 1306
18
>3 (13 В)
4
《0,6(0,5 Вт)
80
15
44
>0,011
2,25*
—
—
6
10ТЗ
НА 1308
28
>4 (22 В)
«0,6(0,5 Вт)
—
—
—
》0,1
1,88*
—
6
—
НА 1309
33
》5 (24 В)
《0,6(0,5 Вт)
——
—
—
>0,1
1,88*
—
—
6
—
НА13Ю
9
>0,4(6 В)
《0,6(50 мВт)
—
—
一
>0,013
0,6
—
《5
0,8
—
НА1311
9
>0,8 (6 В)
《1(50 мВт)
—
—-
—
^0,013
1
«18
1,2
—
НА1312
7,5
》0,85 (6 В)
<0,6(0,25 Вт)
—
—
—
扌 0,004
0,7
—
«30
1,2
—
НА1313
20
>1,6(12В)
«1(50 мВт)
一
—
—
0,012
1,4*
一
—
2,5
一
НА1314
12
>0,75 (9 В)
8
《0,6(50 мВт)
—
>0,013
0,75*
—
0,9
НА1316
10
>0,5(7,5 В)
<0,6(50 мВт)
>0,013
0,65
0,65
НА1322
18
>4,5(13 В)
«1,5(0,5 Вт)
40
30
>52
0,036
2,25*
—
《100
6
10Т2
НА 1324
18
>4(13 В)
«0,6(0,5 Вт)
-
—
—
>0,011
2,25*
—
—
6
—
НА 1325
20
1,8(13,5В)
8
«2(0,2 Вт)
40
20
45
0」
1,25*
—
2,5
12Т10
LM380N
8—22
>2,5(18 В)
8
3
—
100
>40
0,15
1,3*
2
《25
5
14-4
LM380N-8
8—22
2,5
8
0,2
—
100
92
0,15
-—
—
0,66
8-16
LM383
8—18
5(14 В)
4
1
40
83
,-
—
一
—
—
M5102AY
18
3(13,2 В)
4
<10
50
20
37
0,007
1,5
40
2
—
M5102Y
18
3(13,2 В)
4
<10
50
20
37
0,007
1,5
—
40
2
CN24
M5112Y
18
4(14 В)
4
<10
70
30
37
1,5
—
12
2
16-16
МВА810
5—20
5(14,4 В)
4
《2(2,5 Вт)
50
120
——
>-0,08
2,2(3*)
W50
1(5*)
12Т4
МВА810А
5—20
5(14,4 В)
4
《2(2,5 Вт)
50
120
—
>0,08
2,2
—
<50
1(5*)
12ТЗ
MB A810As
5—20
5
4
W2
50
15
—
>0,08
2,5
<50
12ТЗ
MBA810S
5—20
5
4
«2
50
15
-
》0,08
2,5
—
《50
—
12Т4
MC1454G
18
>1
16
0,4
40
600
31
>0,003
10
<20
—
CN8
MC1554G
18
>1
16
0,4
40
600
31
>0,007
«15
CN8
MDA2010
士 (5-
》10(14 В)
4
30
100
>29,5
>0,08
3,5
—
《140
18*
14Т6
MDA2020
±(5- 20)
>15(17 В)
4
30
100
>29,5
>0,08
3,5
—
«140
25*
14Т6
SL402D
18
>1,5(14 В)
7,5
0,3(1 Вт)
20
30
>23
100
1,4
16-14
SL403D
20
》25(18В)
7,5
0,3(1 Вт)
20
30
>23
100
1,4
—
—
—
16-14
ТААЗОО
9
1
8
10
100
25
—
0,015
0,6
一
8
-—
ТО-74
ТАА435
10—18
>4
—-
<1(1 Вт)
一
10
80
>0,07
—
—
ТО-74
ТАА611А
6—10
0,65(6 В)
4
1
50
12
G8
0,75
1
—
—
—
ТО-100
ТАА611В
6—15
1,15(9 В)
8
1
50
12
70
0.75
1
一
—
—
14-14
ТАА611С
6—16
2,1(12 В)
8
1
50
12
72
0,75
1
—
—
14Т6
TAA611ES5
12
1,8(9 В)
8
10
—
67
0,75
1*
4,8
«3
0,58
ТО-ЮО
(1,3*)
ggПродолжение табл, 2.2
g
g
Тип
В
рвых* Вт
Ом
К「，％
Гц
f в* кГц
0
%х，
МОм
^вых* А；
产>
вых имп А
^ВЫХ* в
'пот1 мА
Рраь
рас Вт
Тнп корпуса
ТАА611Е12
12
0,6(6 В)
8
10
—
67
0,75
1*
4,8
<3
1,35
14-14
TAA611F12
15
1,15(9 В)
8
10
50
12
68
0,75
1*
4,8
<3,5
1,35
ТВА641А12
6—12
>1,8(9 В)
4
0,6(1 Вт)
40
20
46
3
2*
>4
<18
1,5
ТВА641В11
6—16
>4(14 В)
4
0,8(2 Вт)
40
20
46
3
2,5*
》6,5
《32
2,3(6*)
ТВА800
5—30
>4,4(24 В)
16
0,5(2,5 Вт)
40
20
80
—
11
《20
1(5*)
ТВА800А
5—30
》4,4(24 В)
16
0,5(2,5 Вт)
40
20
80
5
—
—
—
—
TBA810AS
4—20
7(16 В)
4
0?3(50 мВт)
40
20
80
5
2,5*
》6,4
«20
1(5*)
ТВА810АТ
4—25
10(20 В)
4
0,3(3 Вт)
40
20
"■■—
5
3*
—
—
--
TBA810DAS
20
2,5(6 В)
4
0,3(3 Вт)
40
20
80
5
2,5*
>6,4
《20
—
TBA810DS
20
6(14,4 В)
4
0,3(3 Вт)
40
20
80
5
2,5*
》6,4
《20
—
TBA810S
4—20
7(16 В)
4
10(7 Вт)
40
20
80
5
2,5*
>6,4
《20
1
ТВА810Т
4—25
10(20 В)
4
0,3(3 Вт)
40
20
—
—
3*
—
—
—
ТВА820
3—16
>0,9(9 В)
8
0,8(0,5 Вт)
25
20
75
5
1,5*
》4
《12
1,25
ТВА915
18
0,5(12 В)
<5
100
25
■—
0,009
0,35
——
《3,7
—
ТО-74
ТСА160
5—16
2,6(14 В)
8
10
—
—
70
0,015
—
—
8
ТСА760В
10
2,1(12 В)
8
70
18
70
0,015
--—
—
—
—
ТСА830А
3,5—20
4
10
—
—
75
5
1,5*
—
《20
1(5*)
TCA830S
4—20
3,4(12 В)
4
10
40
10
75
5
2*
《20
1(5*)
ТСА940
6—24
10(20 В)
4
0,3(5 Вт)
40
20
75
5
3*
—
—
—
ТСА940Е
6—24
6,5(20 В)
8
0,2
40
20
75
5
—
—
—
TDA1010
18
6(14 В)
4
0,3
80
15
51
0,090
—
—
25
-—
TDA1037
4—28
4,5(12 В)
4
10
40
20
80
5
3,5*
6
12
—
TDA2002
8—18
>4,8(14,4 В)
4
0,2(3,5 Вт)
40
15
80
》0,07
4,5*
>6,4
<80
15*
TDA2002A
8—18
》7(14,4В)
2
0,2(5 Вт)
40
15
80
>0,07
4,5*
>6,4
《80
15*
弋 TDA2010
±(5-
12(14 В)
4
1(10 Вт)
10
160
100
5
3,5*
一
14T6
TDA2020
±(5— 22)
20(18 В)
4
1(15 Вт)
10
160
100
5
3,5*
—
—
—
14T6
TDA2030
±18
14(14 В)
4
0,5
10
140
90
5
3,5*
MT11
TDA2611A
—
6(20 В)
8
1
—
15
—
0,045
25
MT17
TDA2870
5—18
>5,5(14,4 В)
4
《0,5(3 Вт)
50
20
80
>0,07
3,5*
>6,5
<60
TDA3000
9—32
》12(24 В)
4
10
50
20
80
>0,07
3,5*
>11,3
«60
—
—
UL1401L
16
КН В)
8
0,5(0,5 Вт)
—
>100
30
0,008
1
TO-3
UL1401P
16
1(Н В)
8
0,5(0,5 Вт)
—
>100
30
0,008
1
—
UL1402L
18
>2(13,2 В)
4
0,5(0,5 Вт)
>100
30
0,008
1,5
TO-3
UL1402P
18
>2(13,2В)
4
0,5(0,5 Вт)
>100
30
0,008
1,5
UL1403L
25
3(18 В)
8
0,5(0,5 Вт)
—
34
0,01
1,5
—
TO-3
UL1403P
25
3(18 В)
8
0,5(0,5 Вт)
—
—
34
0,01
1,5
—
—
UL1405L
27
5(22 В)
0,5(0,5 Вт)
—
34
0,01
1,5
TO-3
UL1461L
18
>3(13,2 В)
1,3(1 Вт)
59
0,008
TO3
UL1480P
30
5(24 В)
16
10
35
20
74
5
2
1
UL1481P
20
6(14,4 В)
10
40
20
80
5
2,5
1
UL1490N
12
0,65(9 В)
15
10
—.
>100
46
1
0,5
1
UL1491R
6—12
0,65(9 В)
10
—
——
一
50
1
—
一
《1
一
UL1492R
6—15
2,1(12В)
0,3(1 Вт)
—
50
1
C1
UL1439R
6—12
2,1(9 В)
0,3(1 Вт)
—►
—
—
50
1,5
<1
UL1495N
12
0,65 (9 В)
15
10
—.
>100
46
1
0,5
Г
UL1496R
12
1,2(9 В)
10
■ ■■
—
—
50
1
UL1497R
15
2,1(12В)
0,3(1 Вт)
一
50
1
«1
UL1498R
12
2,1(9 В)
0,3(1 Вт)
—*
—
一
50
1,5
—
一
wi
—
J1A706APC
6—16
>4,5
4
3
—
—
>43
3
0,51(2,5*)
<6,5
《30
1,7
14-23
I1A706BPC
6—16
4,5
4
3
—
>43
3
2,5*
《6,5
《30
2,3
14Т4
цА783РЗС
30
^-8(24 В)
8
0,3(5 Вт)
20
30
70
5
3,5*
《11,2
《30
1(6*)
12Т14
цА783Р4С
30
5,2(14,4В)
4
0,3(5 Вт)
20
30
70
5
3,5*
《11,2
《30
12Т15
巴 цА7307
3—16
》0,9(9 В)
8
0,8(0,55 Вт)
25
20
75
5
《9
1,05
8-15
нормой нелинейных искажений, нижний — уровнем внутренних шумов, ограничивающих чувствительность усилителя. Для акустических усилителей уровень минимального няпряжения 〃вых на 6—10 дБ выше уровня помех, чтобы были слышны слабые звуки.
Большое значение для усилителей мощности имеет проблема рассеяния тепла. Для надежной работы максимально допустимая температура кристаллов не должна превышать 175 ℃. Усилители характеризуются тепловыми сопротивлениями между кристаллом (переходами) и корпусом 7?пер-кор я между корпусом и окружающей средой ^?кор-окр(^пер-окр = ^пер-кор~Ь-^кор"окр)> которые зависят от размеров кристалла и его расположения, типа корпуса и его размеров, температуры окружающей среды. Значения тепловых сопротивлений определяются экспериментально и приводятся в справочных данных. При повышении температуры окружающей среды допустимая мощность усилителя уменьшается линейно.
Для мощных усилителей используются как металлические корпуса, например ТО-5 (для усилителей до 1 Вт), ТО-3 (/?пер-кор < сЗ℃/Вт), ТО-66 с 9 выводами (7?пер i о? ^3 ℃/Вт), так и пласг- массовые, например с основанием из металлической пластинки, на которую непосредственно монтируется кристалл, при этом ^пер-кор ^2 ℃/Вт.
Мощные усилители в интегральном исполнении часто имеют специальные цепи защиты от короткого замыкания на выходе, электрических перегрузок или перегрева кристалла (тепловая защита).
Устройство защиты от короткого замыкания обычно использует ограничительный транзистор, отпирающийся в критической ситуации вследствие падения напряжения на специальном резисторе и одновременно запирающий мощные выходные транзисторы. Это позволяет ограничить выходной ток до безопасного значения. В большинстве усилителей устройства защиты размещаются на том же кристалле, что и основная схема усилителя. Ограничительный резистор может быть внешним, чтобы имелась возможность установить нужный порог ограничения тока.
Схема защиты от электрических перегрузок (например, при работе усилителя на индуктивную нагрузку) содержит стабилитрон (или обратносмещенный диод), ограничивающий выходное напряжение до допустимого значения.
Защита от перегрева при повышении температуры кристалла или окружающей среды осуществляется специальной схемой, расположенной рядом с выходными транзисторами и автоматически отключающей (запирающей) их при определенной температуре (например, 175 °C с точностью ± 10°C).
В табл. 2.2 приведены следующие электрические параметры усилителей для температуфы окружающей среды 25 ℃:
^и»п—допустимое напряжение источника питания или диапазон рабочих напряжений；
Рвых— выходная мощность;
Rh— сопротивление нагрузки;
fin /в— нижняя и верхняя граничные частоты;
Rbx— входное сопротивление;
^вых— выходной ток;
17вых — выходное напряжение;
/пот—ток потребления;
Ара—допустимая мощность рассеяния;
Р*「асс— мощность рассеяния с теплоотводом
ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЕ И АНАЛОГО-ЦИФРОВЫЕПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Преобразователи по виду входных и выходных сигналов делятся на цифро-аналоговые (код-напряжение, код-проводимость и др.) и аналого-цифровые (напряжение-кодг частота-код и др.).
Цифро-аналоговые (ЦАП) и аналого-цифровые (АЦП) преобразователи нашли широкое применение в связи с распространением цифровых методов обработки сигналов, используемых в системах сбора и обработки информации, для управления и контроля производственными процессами, в контрольно-измерительной аппаратуре, в технике связи.
Для преобразования аналоговых сигналов в код применяются следующие методы： поразрядного кодирования, непосредственного считывания, с использованием следящей системы, время-импульсные. Первые два метода характеризуются высоким быстродействием и возможностью получения высокой точности. Метод непосредственного считывания применяется для построения сверхбыстродействующих преобразователей.
В настоящее время выпускаются преобразователи различных типов, отличающиеся внутренней структурой, принципом действия, технологическими особенностями и эксплуатационными свойствами.
Они строятся как по разомкнутой схеме (отсутствует обратная связь, охватывающая весь преобразователь), так и по замкнутой (в цепь обратной связи АЦП входит ЦАП). В состав преобразователей входят ключи и коммутаторы, операционные уснлнтелн, схемы выборки и хранения, компараторы напряжения, а также цифровые логические элементы и запоминающие устройства.
ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Цифро-аналоговые преобразователи служат для преобразования входной информации, представленной в цифровом коде, в эквивалентный аналоговый сигнал.
Схемы ЦАП различаются по способам представления величин в цифровой форме (чаще в двоичной системе счисления), структурам преобразователя, характеру зависимости выходного сигнала от входного (линейные и нелинейные), способам получения выходного сигнала (с суммированием напряжений или токов, с делением напряжений), -виду выходного сигнала (с токовым, потенциальным или резистивным выходом), полярности выходного сигнала (одно-, двух- или четырехквадрантные), виду источника опорного сигнала (постоянного или изменяющегося). Для цифро-аналогового преобразования обычно используются два метода: метод суммирования единичных величин (используется один эталон) и метод суммирования с учетом веса разрядов (используется 2’ эталонов, где i=l, 2,..,%). При втором методе входпой сигнал может подаваться в последовательном коде. При этом производится последовательное преобразование разрядов входного кода, начиная со старшего или младшего (преобразователь последовательного действия). Если входной сигнал подается в параллельном коде, то происходит одновременное суммирование всех разрядов цифрового кода (преобразователь параллельного действия). Преобразователи последовательного типа являются менее быстродействующими, чем параллельного.
В настоящее время выпускаются ЦАП как требующие дополнительного подсоединения внешних элементов, так и функционально законченные (автономные) БИС ЦАП, содержащие на одном кристалле все элементы, необходимые для процесса преобразования.
В процессе преобразования входной «-разрядный цифровой сигнал превращается в аналоговый выходной сигнал с 2п дискретными уровнями. Например, у 10-разрядного ЦАП выходное напряжение может принимать 1024 уровня от нуля до максимального значения. Обратной величиной числа выходных уровней является разрешающая способность. Она определяет наименьшее возможное приращение выходного аналогового сигнала при соответствующем изменении входного преобразуемого кода на единицу младшего разряда. Единицей измерения разрешения является единица самого младшего значащегося разряда (1МЗР). Она может выражаться в процентах или миллионных частях.
Одной из основных задач преобразователя является получение точного соответствия между входными и выходными сигналами. Погрешность преобразования показывает отличие реального преобразования от идеального. Точность преобразования характеризуется погрешностью преобразования, которая состоит из методической погрешности, обусловленной методом преобразования, и из инструментальной погрешности. Инструментальные погрешности вызываются неточностью изготовления элементов преобразователя, зависимостью параметров элементов от температуры, влиянием шумов и помех. Погрешности проявляются в виде смещения нуля преобразователя, изменения коэффициента передачи, нелинейности и немонотонности передаточной характеристики (погрешности линейности и монотонности). Погрешность выражается в процентах от полного диапазона изменения аналогового выходного сигнала. Например, если 10-разрядный ЦАП должен иметь максимальный выходной сигнал 10 В, а реальное значение сигнала 9,5 В, то погрешность составляет 5 %. Кроме того, она может выражаться в долях наименьшего значащего разряда. Погрешность линейности показывает постоянство отношений входного сигнала к выходному во всем рабочем диапазоне. Интегральная погрешность линейности определяет максимальное отклонение передаточной характеристики от прямой линии, проведенной через нуль и точку максимального значения выходного сигнала. Дифференциальная погрешность линейности характеризует изменение крутизны передаточной характеристики и определяется как разность отклонений двух смежных уровней выходного сигнала. Дифференциальная погрешность идеального преобразователя равна нулю. Если она большая (более 1МЗР), то это говорит о немонотонности выходного сигнала. Погрешность монотонности характеризует изменение выходного сигнала при изменении значений входного последовательного кода. Монотонность показывает, что при непрерывном увеличении входного сигнала выходной сигнал не должен уменьшаться. Линейность и монотонность характеристик ЦАП ухудшаются по мере увеличения скорости изменения входных сигналов. Температурный коэффициент характеризует изменение полной погрешности от температуры.
Следует отметить, что преобразователи, имеющие высокую точность, но малую разрешающую способность и, наоборот, малую точность и высокую разрешающую способность, не имеют большого практического значения. Поэтому значения разрешающей способности и точности практически выбираются примерно одинаковыми.
Требования к точности возрастают по мере увеличения иисла разрядов (например, для 4-разрядно1 о ЦАП при точности ±1/2 МЗР допускается погрешность выходного сигнала ±3,12 %, а для 8-разряд- ного ±0,195 %)
Основным динамическим параметрам ЦАП является время установления, представляющее собой интервал времени от момента поступления входною кода до момента, когда выходной аналоговый сигнал достигнет установившегося значения с заданной погрешностью (обычно ±1/2 МЗР). Время установления определяет быстродействие ЦАП.
Перемножающие (множительные) ЦАП отличаются от обычных тем, что предназначены для работы с переменными опорными сигналами, ]1зменяющ|п^шся по определенному закону. Поэтому они дополнительно характеризуются диапазоно?л и частотой изменения входного аналогового сигнала, аналоговой нелинейностью, временем установления сигнала по аналоговому входу.
В табл. 2.3 представлены электрические параметры монолитных ЦАП.
АНАЛОГО-ЦИФРОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Аналого-цифровые преобразователи предназначены для преобразования аналоговых сигналов в соответствующие им цифровые. Классификация т：реобразова1елей напряжения в цифровой код весьма разнообразна. Одним из отличительных признаков, характеризующих свойства преобразователей, является наличие пли отсутствие в структурной схеме обратной связи. Поэтому по принципу действия АЦП делятся на преобразователи без обратной связи (прямого пре- образования) н с обратной связью ()фавновешиваемые, замкнутые). АЦП прямого преобразования подразделяются на преобразователи считывания (однотактною преобразования); время-импульсные (на- пример, с промежуточным преобразованием напряжения в частоту; шиегрирующие); последовательного вычитания; счета единичных приращений. Аналого-цифровые преобразователи с обратной связью подразделяются на следящие (с накоплением единичных приращений) и поразрядного кодирования. В преобразователях считывания (параллельного типа) входная величина сравнивается одновременно со всеми возможными уровнями квантования с помощью 2n——1 с сравнивающих устройств (компараторов). При этом обеспечивается высокое быстродействие. Этот метод используется лишь в преобразователях с малым числом разрядов. В интегрирующих АЦП входной сигнал в процессе преобразования интегрируется н сравнивается с эталонными значениями. Этот метод экономичен для применения в преобразователях высокого разрешения, но время преобразования его велико. В основе работы АЦП с обратной связью (счетного, следящего, последовательных приближений) лежит преобразование цифрового кода в аналоговый сигнал, который сравнивается с входным аналоговым сигналом. В схему преобразователя следящего типа входят лишь один компаратор, схема управления, счетчик и ЦАП в цепи обратной связи. Более распространенными являются преобразователи, работающие по методу поразрядного кодирования, который в зависимости от способа выполнения операций сравнения делится на метод взвешивания и метод последовательных приближений.
След^ ег отметить, что наибольшее быстродействие имеют преобразователи, реализующие метод считываниЯд наименьшее — преобразователи последовательного счета,
5 6
Таблица 2.3. Цифро-аналоговые преобразователи
Тип прибора
5 *q7
1沃
X . d
g 0
§录
匚占W
ift
SI i
Совместимость с логическими ИМС
%.Ц，в
Корпус
Дополнительные сведения
AD559KD
8
±0,19
《土 0,19
20
0,3
Нет
ДТЛ, ТТЛ
土 5；_(12—15)
D16-30
Множительный
AD561J
10
±0,05
&±1：2*
80
0,25
Есть
ДТЛ,ТТЛ,
КМОП
卜(5—15);-15
D16-31
AD562KD
12
±1/2*
《土 1/2*
5
《3,5
Есть
ТТЛ, КМОП
+5; 土 15
D24-10
AD565JD
12
+ 1/2*
+0,006
20
^0,4
Есть
ТТЛ, КМОП
±15
D24-11
—
AD7520LN
10
0,05
0,3
10
0,5
Нет
ТТЛ, КМОП, дтл
±15
D16-2
Множительный
AD7522LN
10
土 0,05
土 0,05
10
0,5
Есть
ДТЛ,ТТЛ,
КМОП
+ 15; 5—15
D28-7
AD7523LN
8
+0,05
±0,05
10
w0」5
'Нет
ТТЛ, КМОП
十5
D16-2
AD7524
8
±1/2*
+0,006
20
《0,15
Нет
КМОП
，卜5;十15
D16-2
AD7530LN
10
+0,05
±0,05
10
0,5
Нет
ДТЛ,ТТЛ,
КМОП
+(5-15)
D16-2
AD7531LN
12
+0,05
士 0,05
10
0,5
Нет
ДТЛ,ТТЛ,
КМОП
+(5-15)
D18-1
》
DA1200CN
12
士 0,01
+0,01
—.
1,5
Есть
――
D24-16
DAC-01CY
6
±0,4
+0,78
160
1,5
Есть
ДТЛ, ТТЛ
±(12—18)
D14-10
D АС-02 AC XI
10
±0,1
+0,1
W60
《1,5
Есть
ДТЛ,ТТЛ,
КМОП
±(12—18)
D18-3
一
DAC-03ADX1
DAC-04ACX2
10
10
±0,1
±0,1
土 0,1
±0,1
《60
《90
1,5
1,5
Есть
Есть
ДТЛ,ТТЛ,
КМОП
ТТЛ, кмоп
±(12—18)
±(12—18)
D18-3
D18-3
DAC-08EP
8
士0,19
±0,19
50
0,1
Нет
ТТЛ, кмоп, эсл
±(5—18)
D16-2
Множительный
DAC-1C8BC
8
±0,19
+0,19
20
0,3
Нет
ДТЛ, ТТЛ
—4-:- — 16,5;
5
D16-2
Множительный
DAC-1C10BC
10
±1*
±0,1
«60
0,25
Нет
ТТЛ, кмоп
+5; -15
D16-42
DAC-76CX
8
0,025
±0,009
0,5
Есть
ТТЛ, кмоп, эсл
—15-4——11; 5—15
D18-3
—
DAC-90BG
8
0,2
0,2
20
0,2
Есть
D16-3
DAC0800LCN
8
±0,19
0,2
《50
《0,15
Нет
ТТЛ, кмоп, р-МОП
士 (4,5—18)
D16-16
DAC0801LCN
8
土 0,39
0,2
《80
《0,15
Нет
ТТЛ, кмоп, р-МОП
±18
D16-16
—
DAC0802LN
8
士 0,1
0,2
W50
<0,135
Нет
ТТЛ, кмоп, р-МОП
ТТЛ, кмоп, ДТЛ
土 18
D16-16
DAC0806LCN
8
—
+0,78
20
0,15
Нет
士 18
D16-16
—
DAC0807LCN
8
±0,39
20
0,15
Нет
ТТЛ, кмоп, дтл
土 18
D16-16
—
DAC0808LCN
8
±0,19
20
0,15
Нет
ТТЛ, кмоп, дтл
±18
D16-16
—
DAC-UP8BC
8
±1/2*
20
2
Есть
ТТЛ, дтл
+ (12—18)
D22-5
Совместимый с микропроцес-
HI562-5
12
±1/2*
±0,024
3
«0,4
Нет
ТТЛ, кмоп
±5; —15
D24-9
сором
Множительный
HI 1080
8
土 1/2*
1/2*
—
«3
Нет
ТТЛ, дтл
斗 8; —18
D24-9
HI 1085
8
+ 1/2*
1*
—
1,5
Нет
ТТЛ, дтл
38; —18
D24-9
H156U7
8
±1*
10
0,075
—
±2； 4,5+ 一 — 13,5
—
—
Hl 5608
8
土 1/4*
Н15609
8
±1/4*
土 1/2*
5
0,045
Нет
ТТЛ, кмоп
+5; —15
Н15610
10
土 1/2*
±1*
5
0,085
Нет
—
—
D24-9
Множительный
О1
HI5612
12
±1/2*
土2*
5
0,15
Нет
—
D24-9
»
ggПродолжение табл. 2.3
g
g
Тип прибора
S *7
1 ^§
H о
Совместимость с логическими имс
4口/В
Корпус
Дополнительные сведения
HS3140-4
14
0,004
0,004
-■
2
—
гтл, кмоп
Керамич.
DIP с 20 выв.
Множительный
LM1408N-8
8
±0,19
±0,19
20
0,150
Нет
ГТ л, кмоп
±(4,5—18)
D16-16
》
LM1508D-8
8
士 0,19
±0,19
20
0,15
Нет
ТТЛ, кмоп
士 (4,5—18)
D16-49
MC1406L
6
—
±0,78
80
《0,3
Нет
ДТЛ, ТТЛ
+5,5; —16,5
ТО-116
MC1408L-6
8
—
士 0,78
20
0,3
Нет
ТТЛ, кмоп
+5,5; —16,5
D16-7
MC1408L-7
8
—
士 0,39
20
0,3
Нет
ТТЛ, кмоп
+5,5; —16,6
D16-7
》
MC1408L-8
8
—
士 0,19
20
0,3
Нет
ТТЛ, кмоп
+5,5; —16,5
D16-7
MC1506L
6
—
《士 0,78
80
<0,3
Нет
ДТЛ, ТТЛ
+5,5; —16,5
ТО-116
》
MC1508L-8
8
—
±0,19
20
0,3
Нет
ТТЛ, кмоп
+5,5; —16,5
D16-7
》
MC3408L
8
—
士 0,5
—
0,3
—
—
—
D16-7
MC3410CL
10
±0,1
±0,1
《60
0,25
Нет
ТТЛ, кмоп
十7; -18
D16-12
》
MC3410L
10
±0,05
±0,05
w60
0,25
Нет
ТТЛ, кмоп
+7; —18
D16-12
》
MC3412L
12
土 1/2*
—
30
《0,4
Есть
ТТЛ, кмоп
十 18; —18
D24-6
》
МС3510
10
±0,05
+0,05
<70
0,25
Нет
ТТЛ, кмоп
十 7; •— 18
D16-12
MC3512L
12
±1/4*
'—
30
«0,4
Есть
ТТЛ, кмоп
+ 18; —18
D24-5
—
МС6890
8
+0,29
±0,19
35
0,14
Есть
+7: —18
D20-11
Совместимый с микропроцессором
MC10318L
8
土 0,19
土 1/2*
《150
0,010
Нет
эсл
—6;+0,5
D16-36
—
MN563KD
12
±1/2*
0,006
20
1,2
—
ТТЛ, кмоп
+5;+15;
—15
—
NE5007N
8
±0,39
10
《0,135
Нет
ТТЛ, эсл, КМОП, р-МОП
±(4,5—18)
D16-2
Множительный
NE5008F
8
±0,19
10
<0,135
Нет
ТТЛ, эсл, КМОП, р-МОП
±(4,5—18)
D16-7
NE5009F
8
±0,19
土 0,19
10
<0,135
Нет
ТТЛ, эсл, КМОП, р-МОП
±(4,5—18)
D16-7
»
NE5018F
8
±0,1
±0,1
20
2,3
Есть
一
±11,4
D22-2
Совместимый с микропроцессором
NE5118N
8
±0,19
+0,19
20
0,2
Есть
一
±18
D22-3
То же
SP9768
8
±1/2*
—
25
0,005
Есть
эсл
—
—
一
SSS1408
8
+0J9
+0,19
20
0,25
Нет
КМОП, ТТЛ
+5; —(5-^-15)
D16-13
Множительный
TDC1016J-8
8
±1/2*
0,05
ТТЛ, эсл
—
—
Совместимый с микропроцессором
TDC1016J-9
9
±1/2*
—
■—
0,05
—
ТТЛ, эсл
—
—
TDC1016J-10
10
±1/2*
0,05
ТТЛ, эсл
一
—
Совместимый с микропроцессором
Тип прибора
S 2
24g и
^ || is
翳出
к g
恚II
，患
us?
4143
±1/2
±1/2
《75
1,25-103
一
D24-36
4144
10
±1/2
±1/2
《75
—
—
5-10：i
—
D24-36
—
4145
12
±1/2
±1/2
<75
—
—
20-103
—
D24-36
—
8700CJ
±1/2
±1/2
&±75
《土 50
±50
<l,8-103
十5: -5
КМОП, ТТЛ
D24-2
КМОП
8700С N
8
土 1/2
±1/2
《±75
V 土 50
土 50
<l,8-103
+5; -5
КМОП, ТТЛ
D24-1
КМОП
8701CN
10
±1/2
±1/2
《±75
《±50
土 50
«6・ IO?
4-5; —5
КМОП, ТТЛ
D24-1
КМОП
8702CN
12
±1/2
±1/2
《±75
《士 50
±50
《24 • 103
5； —5
КМОП, ТТЛ
D24-1
КМОП
8703ВН
8
土 1/2
±1/2
±80
W 士 5。
30
<1,8-103
十 5; -5
ТТЛ
F24-3
КМОП
8703BN
8
±1/2
+ 1/2
土 80
《±50
30
Wl,8・103
+5; -5
ТТЛ
D24-1
КМОП
8703CJ
8
+ 1/2
±1/2
+75
《±50
30
<l,8-103
+5; -5
ТТЛ
D24-2
КМОП
8703CN
8
+ 1/2
+ 1/2
土 75
W±50
30
<l,8-103
十 5; -5
ТТЛ
D24-1
8704 В Н
10
士 1/2
±1/2
±80
«士 50
30
C6-1O3
5; —5
ТТЛ
F24-3
*
8704В N
10
±1/2
±1/2
±75
《士 50
30
<6-103
+5; -5
ТТЛ
D24-1
8704CJ
10
±1/2
±1/2
±75
£±50
30
《6-1。3
+5; —5 一卜5； -5
ТТЛ
D24-2
•
8704CN
10
±1/2
±1/2
土 80
《土 50
30
«6・ 103
ТТЛ
D24-1
8705В Н
12
±1/2
±1/2
土 80
《士 50
30
《24・1事
+5; -5
ТТЛ
F24-3
—
8705В N
12
±1/2
±1/2
±80
《±50
30
<24-Ю3
+5; -5
ТТЛ
D24-1
8705CJ
12
±1/2
±1/2
±75
<±50
30
<24 • 103
+5; —5
ТТЛ
D24-2
—
8705CN
12
±1/2
±1/2
&±75
〉±50
30
24-103
4~5； -5
ТТЛ
D24-I
…小彝^闕Цn*
8750CN
3,5*
0,025*
0,025*
«±75
》士50
土 50
12-Ю3
4-5; —5
ТТЛ
D24-2
8750С
3,5*
0,025*
0,025*
《±75
士 75
±50
12-103
十5; -5
ТТЛ
D24-1
AD570JD
8
±1/2
±1/2
土 88
—
—
40
+5; —5
ТТЛ
D18-15
И2Л
AD570SD
8
+ 1/2
±1/2
土 40
—
—
40
+5; -15
ТТЛ
D18-15
И2Л
AD571KD
10
±1/2
±1/2
±44
—
—
《30
+5; 土15
ТТЛ, КМОП
D18-13
И2Л
AD571JD
10
±1
士 88
—
<30
+5; 土 15
ТТЛ, КМОП
D18-13
И2Л
AD571SD
10
±1
±50
《30
+5; ±15
ТТЛ, КМОП
D18-13
н?л
AD574J
12
一
±1
±50
一
《35
+5； +15, —15
ТТЛ, КМОП
D28-21
И2Л
AD574K
12
±1/2
±27
«35
+5； 4-15, —15
ТТЛ, КМОП
D28-21
И2Л
AD574L
12
土 1/2
一
±10
—
—
《35
+5; +15, —15
ТТЛ, КМОП
D28-21
И2Л
AD574S
12
±1/2
土 50
一
《35
+5; +15, -15
ТТЛ, КМОП
D28-21
И2Л
AD574U
12
±1/2
—
±25
—
《35
+5； +15, —15
ТТЛ, КМОП
D28-21
И2〃
AD574T
12
±1/2
±25
—
25
土15; 4-5
ТТЛ, КМОП
D28-21
И2л
AD7550BD
13
0,006*
±1/2
1
一
40-103
±5; 士 12
ТТЛ, КМОП
D40-1
КМОП
AD7570J
8
1
±1/2
<10
—
—
《40
+5; 4-15
ТТЛ, дтл, КМОП
D28-18
КМОП
AD7570L
6
10
1
+ 1/2
《10
W120
+5; +15
ТТЛ, дтл, КМОП
D28-18
КМОП
Таблица 24 Аналого-цифровые преобразователи
ss
s
s
Продолжение табл. 2.4
Тип прибора
£ &
§ o'
§羡
3進
费
口2
iiig
1呼
w X 5 件0 В
联
方
ADC-EK8BC
8
±1/2
—
±75
-—
—
<1,8-103
±(3,5-7)
КМОП, ТТЛ
D24-1
КМОП
ADC-ЕКЮВ
10
±1/2
—
±75
—
—
《6.103
±(3,5-7)
КМОП, ТТЛ
D24-1
КМОП
ADC-EK12B
12
土 1/2
—
土 75
—
-|
《24・103
±(3,5—7)
КМОП, ТТЛ
D24-1
КМОП
ADC-EK12DC
3,5*
0,025*
—
士 75
—
——
<12.103
土 (3,5—7}
КМОП, ТТЛ
D24-1
КМОП
ADC-EK12DR
3,5*
0,025*
一
土 75
—
<12-Ю3
±(3,5-7)
КМОП,
Керами-
КМОП
ТТЛ
ческий
24 выв.
ADC-ET8BC
8
土 1/2
±75
《1,8・103
一卜5; —5
——
D24-2
КМОП
ADC-ET10BC
10
±1/2
土 75
—
«6-103
+5; —5
—
D24-2
КМОП
ADC-ET12BM
12
±1/2
±75
—
<24-103
十 5; —5
—
D24-1
КМОП
ADC-ET12BC
12
土 1/2
—
±75
—
c24-103
+5; -5
ТТЛ
D24-2
КМОП
ADC-NC8BC
8
±0,2*
士 0,2*
11
—
500
+5
—
D16-2
-
ADC856
10
±1,2
土0,05*
42
—
1024
十 5; -5
—
D28-1
Биполяр-
ная
ADD3501
3,5*
±0,05*
土0,05*
200-103
КМОП
一
—
ADC0800PD
±1/12
35
+5; —12
ТТЛ
D18-13
РМОП
ADC0801
土 1/4
100
+5
ТТЛ
D20-15
КМОП
ADC0802
土 1/2
100
+5
ТТЛ
1)20-15
КМОП
ADC0803
土 1/2
100
+5
ТТЛ
D20-15
КМОП
ADC0804
—
±1
—
—
一
100
十5
ТТЛ
D20-15
КМОП
ADC0808
8
±1/2
±1/2
100
4-5
ТТЛ
D28-13
ADC0809
8
—
±1
—
—
100
+5
ТТЛ
D28-13
ADC0816
8
-—
±1/2
—
—
100
+5
ТТЛ
D40-6
ADC0817
8
—
±1
—
—
100
+5
ТТЛ
D40-6
ICL7101
11
—
0,05*
80
—
—
30-Ю3
+5; +15
D40-7
Биполяр-
ICL7103A
14
—
士1 ед.
80
—
30-103
+5
—
D28-6
ная "•МОП
ICL7104-14
счета
14
—
±1 ед.
80
—
30.103
+ 15; -15
—
D40-7
КМОП
счета
ICL7104-16
ICL7106
ICL7107
МС10317
16
3,5*
3,5*
7
0,05*
0,05*
80
80
80
—
30-103 60-103 60-103 0,033
9
5
эсл
D40-7
D40-7
D40-7
Керамич.
КМОП КМОП КМОП Биполяр-
с 24 выв.
ная
MCI 4433
3,5*
—
±0,05
一
—
40-103
±4,5;
КМОП,
24 выв.
КМОП
±1 ед.
±8
ТТЛ
TDC1001J
счета
8
±1/2
"—
—
—
2,5*
—
—
D18-5
Биполяр-
TDC1002J
±1/2
—
一
1*
D18-5
ная
TDC1007J
TDC1014J
=Ы/2 ±1/2
—
——
20*
30*
±(0,5—7)
зсл
D64-1
D24-28
》
TDC1021J
±1/2
—
30*
TL507C
一
100
Ы03
D08-5
И2Л
5DA5010
—
±1/4
—
0,01
+4,5;—5,7
эсл
D16-14
SDA6020
±1/4
-—
—
—
0,01
+4,5;-5,7
эсл
ZN432EJ-8
±0,19*
—
10
■—
20
十5, —5
ТТЛ
D28-14
ZN433EJ-8
±0,19*
—
-—
1
ТТЛ
D28-14
ZN432E-10
10
±U,U5* J
—
10
一
20
4-5, —5
ТТЛ
D28-14
ZN433E-10
10
±0,05*
—
—
—
-
1
ТТЛ
D28-14
1
Основными параметрами АЦП являются разрешающая способность, нелинейность, температурная погрешность, время преобразования, частота преобразования, напряжения источников питания.
Разрешающая способность АЦП характеризует наименьшее различимое значение приращения входной величгшы. Быстродействие АЦП характеризуется временем преобразования, временем от начала преобразования (подачи входного сигнала) до появления выходного кода или числом преобразований в единицу времени.
В табл. 2.4 представлены электрические параметры монолитных АЦП.
24. АНАЛОГОВЫЕ КЛЮЧИ И КОММУТАТОРЫ
Аналоговые ключи и коммутаторы предназначены для коммутации аналогового сигнала от одного н』н нескольких иссочников на нагрузку. Они применяются в качестве прерывателей для операционных усилителей типа МДМ, в устройствах выборки и хранения аналоговых сигналов, для последовательной коммутации аналоговых сигналов многих источников на общую нагрузку в телеметрических системах, в цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователях.
АНАЛОГОВЫЕ КЛЮЧИ
Клк：чи в зависимости от типа переключения классифицируются как работающие на одно либо на два направления. Ключи обоих классов могут содержать в одном корпусе от одного до нескольких каналов. Выпускаемые в настоящее время за рубежом аналоговые ключи изготавливаются с использованием полевых транзисторов (КМОП, p-МОП, nJFET и др.) либо по совмещенной технологии с использованием как биполярных, так и полевых транзисторов (BIFET).
Основные требования, предъявляемые к аналоговым ключам: малое сопротивление канала в открытом состоянии, хорошая гальваническая развязка между управляющей и сигнальными цепями, малое время переключения ключа, большой динамический диапазон коммутируемого сигнала.
В табл. 2.5 приведены следующие электрические параметры монолитных аналоговых ключей. 0、皿 ——напряжение коммутируемого сигнала; R“k — сопротивление открытого канала; /BJ^—время включения； £ныкл — время выключения; /ут-вх — ток утечки входа; Дт.вых — ток утечки выхода; /Пот+ — ток потребления от источника положительного напряжения; /Пот- — ток потребления от источника отрицательного напряжения； t/目 п ——напряжение источника пи
тания.
Здесь ключи, работающие на выключение (вк/юиенне): SPST—— однополеосный на одно направление; 2SPST — двухканальный однополюсный на одно направление; 3SPST — трехканальный однополюсный на оуно направление; 4SPST ——четь/рехканальный однополюсный на одно направление; DPST ——двухполюсный на одно направление; 2DPST — двухполюсный двухканальныи на одно направление
Клю^чь работающие на переключение: DPDT ——двухполюсный н? два направления; 2DPDT ——двухканальный двухполюсный на два
направления; SPDT — однополюсный на два направления; 2SPDT— двухканальный однополюсный на два направления; 3SPDT — трехканальный однополюсный на два направления; 4SPDT — четырех- канальный однополюсный на два направления.
АНАЛОГОВЫЕ КОММУТАТОРЫ
Аналоговые коммутаторы предназначены для последовательного подключения аналоговых сигналов от нескольких датчиков к одной нагрузке, например к измерительному усилителю.
Основными характеристиками коммутаторов являются диапазон входных коммутируемых напряжений и число каналов ——максимальное число коммутируемых независимых входных сигналов. Входные сигналы могут быть как однополярными, так и двухполярными. Некоторые коммутаторы имеют дифференциальные входы для обрабатываемых сигналов.
Большинство выпускаемых за рубежом аналоговых коммутаторов имеют возможность коммутировать сигналы в диапазоне ± 15 В, а количество каналов, как правило,—от 4 до 16・
Лучшими образцами многоканальных коммутаторов являются ИМС типов HI507A-2 и HI506A-2 фирмы Harris, имеющие парамет- ры: число каналов 16, 〃。尸±15 В; /?ОТк<2000 Ом и £вкл=300 нс, а также быстродействующие многоканальные коммутаторы HI516 (на 16 каналов) и HI518 (на 8 каналов) с временем включения 150 нс.
Среди выпускаемых за рубежом аналоговых схем коммутации все” большую роль начинают играть коммутирующие матрицы. Фирмой RCA выпускаются коммутирующие матрицы 4X4 (CD22100Dj Е, F и др.). Они коммутируют напряжения до ±15 В, имеют /?отк< <95 Ом, /вкл<200 нс.
По функциональной сложности коммутирующие матрицы превосходят схемы обычных аналоговых коммутаторов, так как кроме обычных ключей на кристалле ИМС находятся устройства управ^ ления.
В табл. 2.6 приведены электрические параметры монолитных аналоговых коммутаторов, а буквенные обозначения параметров со* ответствуют приведенным в п. 2.4.1.
2.5. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Вторичные источники электропитания (ВИП) обычно составляют в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) 40—60 % объема, и пр5 блема их микроминиатюризации имеет важное значение.
Эти устройства работают при больших уровнях мощности по сравнению с другими устройствами цифровой и линейной техники. Характерной особенностью ВИП является то, что они содержат разнородные по функциональному назначению узлы.
Решение проблемы микроминиатюризации ВИП привело к развитию класса специализированных силовых ИМС. Наибольшее рас* пространение получили стабилизаторы непрерывного действия с фиксированным и регулируемым выходным напряжением, микросхемы управления ключевыми стабилизаторами напряжения и прецизионные источники опорного напряжения.
Таблица 2 5
В
3
2
Л
и
Тип ирибора
S
X Q
口
№
豈
№
庄
DG171A
SPST
±10
40—100
0,2
0,7
2
2
DG171B
SPST
±10
40-125
0,2
0,7
5
5
DG175A
SPDT
±10
75—200
0.2
0,5
1
1
DG175B
SPDT
±16
75—250
仇2
0,6
5
5
SI30O2A
SPDT
±10
100—400
1
1,5
1
2
SI 3602В
SPDT
±1Q
100—400
1
1,5
5
10
АМ1000
SPST
±15
0,1
Q.25
0,26
АМ1001
SPST
±15
0,15
—
0,25
0,25
SPST
±15
0,2
1
1
” pGMJ 11А #
2SPST
±10
/ b—^uu
0,3
1
1
DGM111B
2SPST
±10
75—250
0,3
1
1
1
DG200A
2SPST
士 15
1
0,5
2
2
DG200B
2SPST
±15
1
0,5
5
5
DG300A
2SPST
土 15
0,3
0,25
1
1
DG3&1A
SPDT
±15
0,3
0,25
1
1
DG302A
2DPST
±15
50
0,3
0,26
1
1 一
DG303A
2SPDT
±15
50
0,3
0,25
1
1
ь DG3O4A-
▲SPST
+15
50
0,25
0,15
1
1
'DG3№A
SPDT
±15
50
0,25
0Д5
1
1
DG306A ，
2DPST
±15
50
0,25
0,15
1
1
DG307A -
2SPDT
±15
50
0,25
0.15
1
2
“PG 173 A
DPDT
±10
150-450
0,2
0"
1
2
DG173B
DPDT
±10
150—500
0,2
0,8
5
10
©G381A
2SPDT
±15
50
0,3
0,25
1
2
AD7512jD**
2SPDT
±15
100
6
15
AD7512jN**
2SPDT
±15
5
15
AD75I2KD
2SPDT
士 15
5
15
AD7512KN
2SPDT
±15
100
5
15
AD7512SD**
2SPDT
士 15
100
3
9
AD7512TD
2SPDT
± 1Ь
100
3
9
AD7513jH**
2SPST
±15
80
0,7*
0,4*
5
AD7513jN**
2SPST
±15
80
0,7*
0,4*
5
—
AD7513KH
2SPST
±15
80
0J*
0,4*
5
—
AD7B13KN
2SPST
±15
80
0,7*
0,4*
5
AD7513SH**
2SPST
士石
70
0,7*
0,4*
2
AD7513TH
2SPST
70
0,7*
0,4*
2
一
'1DG384A
2DPST
±15
50
0,3
0.25
1
2
DG387A
2DPST
±15
50
0,3
0,25
1
2
DG390A
2DPST
±15
50
0,3
0,25
1
2
MM450
DPDT
±10
60—200
—
100
100
MM550
DPDT
±10
60—200
—
100
100
MM451
4SPST
±10
60—200
—
100
1<Ю
MM551
4SPST
±10
±10
60—200
—
—
100
HI1800 2 、
НГ1800А-2
2DPST
2DPST
200
200
0,25*
0,25*
—
20
20
20
Аналоговые ключил
4-
年
a
a
О
Совместимость с логическими ИС
Технологий
Корпус
1.Ц
4
ТТЛ, ДТЛ, РТЛ
МОП
Ы0—3
4
—
ТТЛ, ДТЛ, РТЛ
МОП
И
3
—
ТТЛ, ДТЛ, РТЛ
CN4
3
—
ТТЛ, ДТЛ, РТЛ
BIFET с дио-
CN4
дамн Шоттки
з
3
+10; —10
ДТЛ, ТТЛ
BIFET + р-
GN4
МОР
3,5
3
—
ДТЛ,ТТЛ
BIFET + 力
Р14-2
МОП
—•
nJ-FET
nJ-FET
nJ-FET
4,5
+10; —20
ДТЛ, ТТЛ, Pin
BIFET
314-2
4,5
+Ю; —20
ДТЛ, ТТЛ, РТЛ
BIFET
D14-2
2
+15; —15
ТТЛ, дтл, КМОП
кмоп
CN4
4
2
+15; —15
ТТЛ, ДТЛ, КМОП
кмоп
CN4
0.5
10.10—3
+15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
КМОП1
CN4
0,5
10.10—3
4-15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп J
D14-11
0,5
10.10~3
+15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D14-2
0.5
10.10~8
+15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D14-2
0,5
10.10-8
+15; -15
ТТЛ» дтл, кмоп
КМОП1
CN4
0,5
io. iL
+15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп J
D14-2
0,5
10.10~3
+15; -15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
?胃彳
0,5
io. iL
+1a"-15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D14・2
ыо—3
3
+1计—20
ТТЛ, ДТЛ, РТЛ
BIFET
F14-4
ыо—3
8
+15; —20
ТТЛ, ДТЛ, РТЛ
BIFET
D14-2
0,5
10.10~3
+15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
КМОП
CN4
1
D14-11
I
0,5
0,1
+15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D14-2
0,5
0.1
+15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D14-1
0.5
0.1
+15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D14-2
0,5
0,1
"|"15; -15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D14-L
0,5
0.1
"|"15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D14-2
0.5
0,1
+15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D14-2
1
1
—15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
TO-100
1
1
--15; —45
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D14-1
1
1
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
TO-100
1
1
--15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D14-1
1
1
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
TO-100
1
1
+15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
TO-100
0,5
K).K)T
+15; -15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D16-25 D16-2
0,5
10-Iff-3
+15; —15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D14-2
0,5
10.10~3
+15; -15
ТТЛ, дтл, кмоп
кмоп
D16-25
+10; —20
ТТЛ
р-МОП
TO-100
十 10; -20
ТТЛ
р-МОП
TO-100
+10; —20
ТТЛ
р-МОП
TO-too
+现一20
ТТЛ
р-МОП
TO-100
o.s
1
+5; —5； 4-5
ТТЛ
кмоп
0,5
1
+10; —10;
ТТЛ
кмоп
lh6・22
+5
6666
66
66
б*67
Тип прибора
Oi
6
X
2 2 J
g
買
2
+
Ji
i
Ji
H
Й
s b
Совместимость с логическими ИС
Технология
Корпус
HI 1800-5
2DPST
+5
250
0,25*
二
60
60
0,5
1
+5; —5; +5
ТТЛ
КМОП
HI1800A-5
2DPST
+10
250
0,25*
60
60
0,5
1
+10； —10;
ТТЛ
КМОП
D16-22
+5
F14-4
DGM122A
2DPST
±10
100—450
0,3
2
1
3
3
6
二
ДТЛ, ТТЛ
BIFET
DGM122B
2DPST
±10
125-500
0,6
2
6
10
3
6
ДТЛ, ТТЛ
BIFET
D14-2
HI 5040-2
SPST
±15
75
1,0
0,5
0,8*
—
0,3
0,3
—
ДТЛ, ТТЛ,
кмоп
D16-22 .
Н15040-Б
SPST
±15
75
0,37*
0,28*
0,8*
—
0,5
0,5
/
КМОП, р-МОП
КМОП
D16・22 ,
HI5041-2
2SPST
+15
75
1.0
0,5
0,8*
0,3
0,3
ДТЛ, ТТЛ,
кмоп
TO-£6
КМОП,
D16-22
HI5041-5
2SPST
±15
76
0,37*
0,28*
0,8*
—
0,5
0,5
一
/
р-МОП
—
HI5043-2
2SPDT
±15
76
1Q
0,5
0,8*
—
0,3
0,3
—
ДТЛ, ТТЛ,
кмоп
D16-22
HI5043-5
2SPDT
土 15
75
0,37*
0,28*
0,8*
—
0,5
0,6
КМОП, р-МОП
—
D16-22
HI5045-2
2DPST
±15
75
1,0
0.5
0,8*
—
0,3
0,3
ДТЛ, ТТЛ, КМОП
кмоп
D16-22 .
HI 5042-2
SPDT
± 15
75
1,0
0,5
0,8*
—
0,3
0,3
—
ДТЛ, ТТЛ, КМОП,
кмоп
D16-22
D16-22
HI 5042-6
SPDT
±15
76
0,37*
0,28*
0,8*
—
0,5
0,5
1
J
р-МОП
кмоп
Hl 5045-5
2DPST
±15
75
0,37*
0,28*
0,8*
—
0,5
0,5
p-МОП, ТТЛ. дтл, КМОП
кмоп
D16-22
HI5046-2
DPDT
±15
75
1,0
0,5
0,8*
0,3
0,3
ДТЛ, ТТЛ,
кмоп
D16-22
HI5046-6
DPDT
±15
75
0,37*
0,28*
0,8*
0,5
0,5
—
}
КМОП, р-МОП
кмоп
D16-22 .
HI5046A-2
DPDT
±15
30
1,0
0,5
0,8*
—
0,3
0,3
ДТЛ, ТТЛ,
кмоп
D16-22
HI5046A-5
DPDT
±15
30
0,37*
0.28*
0,8*
—
0,5
0,5
}
КМОП, р-МОП
кмоп
DI 6-22 ,
HI5047-2
SPST
土 15
75
1,0
0,5
0,8*
—
9,3
0.3
一
ДТЛ, ТТЛ,
кмоп
D16-22
HI5047-5
SPST
±15
76
0.37*
0,28*
0,8*
0,5
0,5
一
}
КМОП, р-МОП
кмоп
D16-22 .
HJ5047A-2
SPST
± 15
30
1.0
0,6
0,8*
—
0,3
0,3
ДТЛ, ТТЛ, КМОП,
кмоп
D16-22
D16t22
HJ5047A-5
SPST
±15
30
0,37*
0,28*
0,8*
—
e,5
0,5
—
р-МОН
кмоп
H15048-2
2SPST
±15
30
1,0
0.5
0,8*
—
0,3
0,3
—
ДТЛ, ТТЛ,
кмоп
D16-22
HI5048-5
2SPST
+ 15
30
0,37*
0,28*
0,8*
—
0,5
0,6
一
}
КМОП, р-МОП
кмоп
D16-22
H15049-2
2DPST
± 15
30
1,0
0,6
0,8*
—
0,3
0,3
—
ДТЛ, ТТЛ, КМОП,
кмоп
D16-22
D16-22 ,
HI5049-5
2DPST
+ 15
30
0,37*
0,28*
0,8*
—
0,5
0,5
一
р-МОП
кмоп
HI5050-2
SPDT
士 15
30
1,0
0,5
0,8*
—
0,3
0,3
ДТЛ, ТТЛ, КМОП,
кмоп
TO-86
D16-22
HI 5050-5
SPDT
±15
30
0,37*
0,28*
0,8*
—
0,5
0,5
—
р-МОП
кмоп
HI505I-2
2SPDT
士 15
30
1,0
0,5
0,8*
—
0,3
0,3
}
ДТЛ, ТТЛ,
кмоп
TO-86
H15051-5
2SPDT
±15
30
0,37*
0,28*
0.8*
—
0,5
0,5
—
КМОП, р-МОП
кмоп
D16-22
IH5140M
IH5140C
SPST
SPST
±10
±10
50
75
0,15
0J5
0,125
0,125
0,1
0,5
0,1
0,5
0,001 0,01
0,001 0,01
} +15; —15; +5
ТТЛ, КМОП
二
D16-33
D16-33
IH514IM 1H5141C
2SPST
2SPST
±10 ±10
50
75
0,15
0/5
0,125
0,125
0Д
0,6
0,1
0»5
0,001 0,01
0,001
0,01
} +15; -15; '+5
ТТЛ, КМОП
二
D16-33
D16-2
IH5142M
1H5142C
SPDT
SPDT
±10
± 10
50
75
0,2
0,2
0,125 0/25
0,1
0,5
(M 0,5
0,001 0,01
0,001 0,01
1 +15; 75; '+5
ТТЛ, кмоп
二
F14-19
D16-2
Тип прибора
體
5 к
CQ
3
吉 Н
IS
&
s
ь
7飞
[Н6143M
2SPDT
±ю
50
0,2
0.125
0,1
од
IH5143C
2SPDT
±10
75
0,2
0,125
0,5
0.5
IH5144C
DPST
±10
75
0,2
0,125
0,5
0,5
IH5i44M
DPST
±10
50
0,2
0,125
0,5
0,5
IH5145M
2DPST
±10
50
0,2
0,125
0」
o,i
IH5145C
2DPST
±10
75
0,2
0,125
0,5
0,5
DGi70A
3SPDT
±10
200
0,3
&4
1
2
DG170B
3SPDT
±10
250
0,3
0,4
5
10
DG172A
4SPST
±10
150—450
0,3
0,75
1
4
DG172B
4SPST
±10
150—500
0,5
1
5
10
DG172C
4SPST
±10
200—600
0,08*
0,5*
10
10
DG201A
4SPST
±15
175
1
0,5
1
DG201B
4SPST
士 15
200
1
0,5
5
5
AD75!0jD**
4SPST
±16
100
1*
1*
5
AD7510JN**
4§PST
士 15
100
1*
1*
5
AD75IOKD
4SPST
士 15
100
1*
1*
5
AD7510KN
4SPST
±15
100
1*
1*
3
AD7510SD
4SPST
±15
100
1*
1*
3
AD751HD**
4SPST
±15
100
1,2索
0,8*
5
AD7611jN**
4SPST
±15
100
12
0,8*
5
AD751IKD
4SPST
土 15
100
1,2*
0,8*
5
AD7&11KN
4SPST
±15
100
1,2*
0,8*
б
AD7511SD
4SPST
±15
100
1,2*
0,8*
3
AD7516jN
4SPST
±15
400
0,02*
0,02*
125
AD7516SD
4SPST
±15
400
0,02*
0,02*
125
AD7519JN
4SPST
±7,5
100
0,02*
0,03*
CD4QI6AD
4SPST
士儿5
400
0,02*
0,1
од
CD40I6AF
4SPST
士儿5
400
0,02*
0」
0,1
CD4016AE
4SPST
土7.5
400
0,02*
0,1
од
CD4016AK
4SPST
土 7,5
400
0,02*
од
ол
CD40G6AD
4SPST
±7,5
280
0,02*
100
100
CD4066AE
4SPST
±7,5
280
0,02*
—
100
100
CD4066AK
4SPST
±7,5
280
0,02*
100
100
CD4066AH
4SPST
±7,5
280
0,02*
一
100
100
* Типовые значе
ния пар
аметров
** Для Согласования с ТТЛ
требуете
я внешний
резистор.
+
凤
昌
Совместимость с логическими ИС
Технология
Корпус
0,001
0,001
} ТТЛ, КМОП
二
D16-33
0,001
0,01
)+5
©16-2
&QI
0,001
1 +15; —15;
J ТТЛ, КМОП
.D16-33
0,01
0,01
I +5
D16-33
0,001
0,001
4-15： —15;
F14-19
]十5
} ТТЛ, КМОП
D16-2
0,01
0^01
2.10~3
8
—
ТТЛ..ДТЛ, КМОП
BIFET с диодами Шоттки
D16-25
D16-25
2,4Х
Х10—8
10
ТТЛ, ДТЛ, КМОП
То же
3
5,1
+Ю; f 20
ТТЛ, дтл, РТЛ
BIFET
FMM
3
5,1
+10; -Г-20
ТТЛ, ДТЛ, РТЛ
BIFET
D14-2
3
5,1
+ 10; —20
ТТЛ, ДТЛ, РТЛ
BIFET
D14-11
4
4
十 15; —15
ТТЛ, ДТЛ, КМОП
КМОП
4
4
-j-15; —15
ТТЛ, ДТЛ, КМОП
КМОП
D16-25
0,5
0」
+15; -15
ТТЛ, ДТЛ, КМОП
КМОП
D16-23
0,5
0,1
+ 15; —15
ТТЛ. ДТЛ, КМОП
КМОП
0,5
0」
+15; -15
ТТЛ, ДТЛ, КМОП
КМОП
0,5
0,1
十 15; —15
ТТЛ, ДТЛ, КМОП
КМОП
D16-2
0,5
(М
+15; -15
ТТЛ, ДТЛ, КМОП
КМОП'
31&23
0,5
0,1
+15； —15
ТТЛ, ДТЛ, КМОП
КМОП
0,5
0,1
+15; -15
ТТЛ, ДТЛ, КМОП
КМОП
D±6-2
0,6
0,1
+15; —1$
ТТЛ, ДТЛ, КМОП
КМОП,
D16-23
0,5
0,1
+15; —15
ТТЛ, ДТЛ, КМОП
КМОП
emG~2
0,5
0,1
+15； -15
《Т几 ДТЛ, КМОП
КМОП
D16-23
5.10~3
5Т0—3
+15; —15
КМОП
КМОП
5-10—3
5 • 10一3
4-15; —16
КМОП
КМОП
D14-2
1
一
+8; —10
КМОП
КМОП
Dl&l
—
—5; +15
КМОП
КМОП
M0001
——
——
—5; +15
КМОП
КМОП
M0001
—
—
—5； +15
КМОП
КМОП
M0001
—
-5; +15
КМОП
КМОП
—
—
—
一5; +15
КМОП
КМОП
M0001
一
—
—5; +15
КМОП
КМОП
M00U1
■—
—5; +15
КМОП
КМОП
—
一5;+15
КМОП
КМОП
пусная
Таблица 2.6.
Тип прибора
S к ^ « O§gg
CQ
g
s
A
M 3
凫
MM454 **
4
±10
200—600
100
100
MM554 **
4
±10
200—600
一
—
100
100
37002FM
4
±5
400
[*
1,5
2
Аналоговые коммутаторы
+
л
m
с
Совместимость с логическими ИС
Технология
Корпус
+ 10; —30
"-МОП
F14-15
—
—
+ 10; —30
р-МОП
F14-15
+835
ТТЛ, дтл
р-МОП
Тип прибора
ih
CQ
1 Q
a
片
4
g Ji
豈
M 3 免
為
1
0
Совместимость о логическими ИС
Технология
Корпус
37002FC
±5 ±5 士 5
600
400
600
300
1*
—
1,5
10
1
—
—
+8; —35
ТТЛ, дтл
р-МОП
37003FM
37003FC AD7502jD***
1 * 1* 0,8*
—
1,5 1,5 2
2
10
5
0,5
十8; -21
+8； -21
ТТЛ, дтл
ТТЛ, дтл
ТТЛ, дтл,
р-МОП р-МОП КМОП
D16-49
AD7502jN***
4
—
300
0,8*
—
2
5
0,5
0,1
—
КМОП ТТЛ, дтл,
КМОП
D16-2
AD7502KD
4
—
300
0,8*
—
2
5
0,5
0,1
—
КМОП'
ТТЛ, дтл,
КМОП
D16-49
AD7502KN
4
—
300
0,8*
—
2
5
0,5
0,1
—
КМОП ТТЛ, дтл,
КМОП
D16-2
AD7502SD
4
—
300
0,8*
—
0,5
3
0,5
0,1
—
КМОП
ТТЛ, дтл,
КМОП
Dlo-49
MPC4D 3701FM 3701 FC AM2009*4 AM2009C*4 MM4504*4 MM5504** CD4053AD CD4053AE CD4053AK CD4052AD CD4052AE CD4052AK
4
6
6
6
6
6
6 2X3 2X3 2X3 4X2 4X2 4X2
±15 ±5
±5 土 10 ±10 ±10 ±10 ±5
±5 ±5
土 5 ±5
±5
375 500
250
250
250
250 120* 120* 120* 120*
120* 120*
0,5
0,3
1
1 1
0,1
0,1
0,1 0,1
0,02 0,02 0,02 0,04 0,04 0,04
0,2
0,5 0,5 0,5
0,5 0,02 0,02 0,02 0,04 0,04 0,04
二
二
4-15; —15
4-5; —10 +5; -10 +5; -10 +5; —10 ；5; -10 十 5； —10
КМОП
ТТЛ, КМОП ТТЛ
ТТЛ
КМОП КМОП КМОП КМОП КМОП КМОП
КМОП р-МОП р-МОП р-МОП р-МОП р-МОП р-МОП КМОП КМОП КМОП КМОП КМОП КМОП
D16-5
F14-15 D14-23 D14-23 F14-15
М0001 М0001
М0001 М0001
DG511A***
4x2
±10
175—600
1,2
0,4*
1
4
5
р-МОП+ +бипoляp- ная входная
DG5UB***
4X2
±10
200—700
1,4
0,4*
5
10
5
+ 10; —20
ТТЛ}
二
5
8
5
8
+ 10; —20 + 15; —15
логика
DG509A***
4X2
±15
400
1,5
1
1
10
ТТЛ
ТТЛ,РТЛ,
КМОП
F16-10
DG509B***
4X2
±15
450
—
—
5
20
8
8
+ 15; -15
ДТЛ, КМОП
ТТЛ,РТЛ,
КМОП
D16-7
DG501 A*** DG501B***
DG501C*** DG503A'** DG503B***
SI 3705*** AD7501jD***
土 5 ±5 ±5
±10 ±10 ±5
150—600 150—800
150—800 150—800
150—800 150—400
300
1,2* 1,2* 1,2* 1,2*
1,2* 1,2* 0,8*
0,8* 0*8* 0,8* 0,8*
0,8* 0,8*
1
3
3
2
3
1
2
8
10
10
8
10
8
10
0,5
6
6
6
6
6
0Д
4-5; —20 +5; -20 +5; —20 + 10; -20 + 10; —20
КМОП ТТЛ ТТЛ ТТЛ ТТЛ ТТЛ ТТЛ
ТТЛ, дтл,
р-МОП р-МОП р-МОП р-МОП /МОП д-МОП КМОП
D16-25 D16-25 D16-22 DI 6-25 DI 6-25 D16-7
D16-49
ADSOljN***
8
—
300
0.8*
—
2
10
0,5
0,1
—
КМОП
ТТЛ, дтл,
КМОП
D16-2
AD7501KD
8
300
0,8*
—
2
10
1
0,5
0,1
—
КМ.ОП
ТТЛ, дтл,
КМОП
КМОП
D16-49
Тип прибора
ih - 6自^
В
8 总
Н
*
Ji
Л
貝
1__
4- .h
*1
О d
h
Совместшлость а логическими ИС
Технология1
Кориуо
AD7501KN
8
—
300
0,8*
—
2
10
0,5
0,1
ТТЛ,
дтл,
кмоп
D16-2
AD7501SD
8
——
300
0,8*
—
0,5
5
0,5
0,1
КМОП ТТЛ,
дтл,
кмоп
D16-49 '
AD75O3jD***
8
—
300
0,8*
——
2
10
0,5
0,1
КМОП ТТЛ,
дтл,
кмоп
D16-49
AD7503jN***
8
—
300
0,8*
—
2
10
0,5
0,1
КМОП ТТЛ,
дтл,
кмоп
D16-2'
AD75O3KD
8
—
300
0,8*
—
2
10
0,5
0,1
КМОП ТТЛ,
дтл,
кмоп
D16-49 '
AD75O3KN
8
—
300
0,8*
—
2
10
0,5
0,1
КМОП ТТЛ,
дтл,
кмоп
D16-2
AD75 弦 SD
8
—
300
0,8*
—
0,5
5
0,5
0,1
КМОП ТТЛ,
дтл,
кмоп
D16-49
CD4051AD CD4051AE CD4051AK MPC8D MPC8S 37052
士 5 士5
±5
±15 ±15
±5
120*
120*
120*
400
0,5 0,5
1
0,3
0,3
0,08 0,08
0,08
1
1
1000
0,08 0,08 0,08 0,2 0,2
10
二
—
4-5} —10 +5; -10 ~j~5; —10 + 15;—15 +15;—15 +6±1；
КМОП КМОП КМОП КМОП
ТТЛ, КМОП ТТЛ, КМОП ТТЛ, дтл
кмоп кмоп кмоп кмоп кмоп р-МОП
М0001 М0001
D28-1
D16-5
37053
8
±5
350
1
—
1000
10
—
一一т
-22±2 +6±1；
ТТЛ, дтл
р-МОП
AM3705 AM3705C 37082
±5
±5
±5
400
400
400
0,3 0,3 0,45
0,6*
0,6*
3
3
10
10
10
2
2
-22±2
+5； —15
+5; —15
+5,5士
ТТЛ, дтл ТТЛ, дтл ТТЛ
р-МОП р-МОП р-МОП
F16-1
D16-35 ■
±0,5;
37083
8
±5
350
0,45
10
—
——
-19±1 +5,5 士 ±0,5;
ТТЛ
р-МОП
—
MUX88AQ
MUX88BQ
260
370
1,3
2,1
0,1
0,1
1,0
1,0
1,0
1,0
10
12
3,8 3
-19±1
+ 15;—15
+15; —15
ТТЛ, кмоп ТТЛ, кмоп
BIFET BIFET
MUX88EQ
MUX88FQ AD7507jD***
260
370
450
1,3
2,1
0,7*
—
。,1 0,1
12
3,8
3
1
+ 15;—15
+ 15; -15
ТТЛ, кмоп ТТЛ, кмоп
ТТЛ, дтл,
BIFET BIFET кмоп
D16-13
D16-13
D28-18
AD7507jN***
8
—
450
0,7*
—
5
10
1
1
кмоп ТТЛ,
дтл,
кмоп
D28-19
AD7507KD
8
450
0,7*
—
5
10
1
1
кмоп ТТЛ,
дтл,
кмоп
D28-18
AD7507KN
8
—
450
0,7*
—
5
10
1
I
—
кмоп ТТЛ,
дтл,
кмоп
D28-19
AD7507SD
8
—
400
0,7*
—
1
5
1
1
—
кмоп ТТЛ,
дтл,
кмоп
D28-18
AD7507TD
8
—
400
0,7*
—
1
5
1
1
—
кмоп ТТЛ, кмоп
ДТЛ,
кмоп
D28-18
74
7575
75
75
Тип прибора
^ К * ffl c S S
в
Й
X b
%
2
W
R J
誣
M 3 豈
1
+
Ji
Ji
В
е
Совместимость с логическими ИС
Технология
Корпус
DG507A
8
±15
400
1,5
1
1
5
5,2
5,2
+ 15; -15
ТТЛ. дтл, КМОП
кмоп
D28-2
DG507B
8
±15
450
1.5
1
5
10
10
10
+15; —15
ТТЛ, дтл,
кмоп
D28-2
DG508A
8
±15
400
1,5
1
1
10
8
8
4-15; -15
ТТЛ,РТЛ,
кмоп
F16-10 .
КМОП
DG508B
8
±15
450
1,5
1
5
20
8
8
+ 15; —15
ТТЛ,РТЛ,
кмоп
D16-7 .
КМОП
CD4097BD
8X2
±15
200*
0,4*
3,2
3,2
—
—5;十 15
ТТЛ, дтл,
кмоп
М0015
КМОП
IH5070
8X2
±15
400
1,5
1
—
—
—
—
+ 15; —15
ТТЛ, дтл,
кмоп
D28-8
AD7506SD
16
—
400
0,7*
—
1
10
1
1
—
кмин
ТТЛ, дтл,
кмоп
D28-18.
AD7506TD
16
—
400
0,7*
1
10
1
1
—
КМОП
ТТЛ, дтл,
кмоп
D28-18.
AD7506jD
16
—
400
0,7*
—
5
20
1
1
—
КМОП
ТТЛ, дтл,
кмоп
D28-18
AD7506jN
16
—
450
0,7*
—
5
20
1
1
—
КМОП
ТТЛ, дтл,
кмоп
D28-19
AD7506KD
16
—
450
0,7*
—
5
20
]
1
—
КМОП
ТТЛ, дтл,
кмоп
D28-18，
AD7506KN
16
—
450
0,7*
5
20
1
1
—
КМОП
ТТЛ, дтл,
кмоп
D28-19.
HS-1000
16
±10
1200
2
0,25
+5; —15
КМОП ТТЛ
BIFET
F28-1
DG506A
16
±15
400
1,5
1
1
10
5,2
5,2
+15; —15
ТТЛ, дтл,
кмоп
D28-2 • •
DG506B
16
±15
450
1,5
1
5
20
10
10
+15;—15
КМОП
ТТЛ, дтл,
кмоп
D28-2 ■
CD4067BD
16
土 15
200*
0,4*
3,2
3,2
—5; 4-15
КМОП КМОП
кмоп
М0015А
IH5060
16
±15
400
1,5
1
—
!
4-15;—15
ДТЛ,ТТЛ,
кмоп
D28-8
МРС 16s
16
±15
0,5
0,3
1
0,2
+ 15; —15
КМОП
ТТЛ, кмоп
кмоп
D28-1 .
MVD409
4
士 r5
250
0,35
0,25
—
0,02
—
—
I +15;
ДТЛ,ТТЛ,
кмоп
D16-41
MV808
8
土 15
250
0,35
0,25
—
0,02
—
—
J —15; +5
КМОП
ДТЛ,ТТЛ,
кмоп
D16-41
MVD807
8
±15
270
0,3
0,3
—
0,03
—
—
+15; -15
КМОП
ДТЛ,ТТЛ,
кмоп
D28-10 •
MV 1606
16
土 15
270
0,3
0,3
—
0,03
—
—
+ 15; —15
КМОП
ДТЛ,ТТЛ,
кмоп
D28-10. ■
I-1H818A-2
士 15
400
0,35
50
250
0,5
1
КМОП
ДТЛ, ТТЛ
кмоп
D16-22
HJ1818A-5
±15
400
0,35*
—
50
250
1
2
ДТЛ, ТТЛ
кмоп
D16-22
НП828-А-2
±15
400
0,35*
—
50
125
0,5
1
ДТЛ； ТТЛ
кмоп
D16-22
НЛ828А-5
±15
400
0,35*
—
50
125
1
1
2
ДТЛ, ТТЛ
кмоп
D16-22
HI 1840
16
—5；
1000
1
1
0,03*
1 *
0,5
0,6
+15；
ДТЛ, ТТЛ
кмоп
D28-1 -
±15
—15； +5
ДТЛ,ТТЛ,
кмоп
D28-1
HI506A-2
16
土 15
1500
0,3
0,3
0,03*
500
2
1
4-15;—15
кмоп
Тип прибора
2 «工я oSSg
n
я О
%
У
日
In
а 食
3 氏
**>
HI506A-5
16
±15
1800
0,3*
0,3*
0f03*
500
HI507Ag
16
±15
1500
0,3*
0,3*
0,03*
250
HI507A-5
16
±15
1800
0,3*
0,3*
0,03*
250
HI508A-2
8
±15
1500
0,3*
0,3*
0,03*
1*
HI508A-5
8
土 15
1800
0,3*
0,3*
0,03*
1*
Н1509А-2
8
士 15
1500
0,3*
0,3*
0,03*
1*
HI509A-5
8
±15
1800
0,3*
0,3*
0,03*
1*
HI516
16 (2X8)
±15
750
0,15
0,125
50
100
HI518
8 (2X4)
±15
750
0J5
0,125
50
50
IH6108
8
±15
300
1,5
1
0,05
0,1
IH6116
16
±15
600
1,5
1
0,1
0,2
1
Типовые значения параметров.
Коммутатор с дешифратором. *** Для согласования с
В настоящее время за рубежом выпускается более 1600 типов интегральных стабилизаторов напряжения, что является явно избыточным, так как многие из них, выпускаемые различными фирмами, имеют близкие значения параметров.
2・5」・ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯНЕПРЕРЫВНОГО ДЕЙСТВИЯ
Стабилизаторы напряжения (СН) наиболее многочисленны в классе интегральных схем для ВИП. Они, как правило, объединяют несколько функций: основную — стабилизации напряжения и вспомогательные—фильтрации помех и защиты от различных видов перегрузок. Почти все существующие за рубежом интегральные СН —■ последовательные компенсационные стабилизаторы напряжения непрерывного действия. Схемы стабилизаторов напряжения в интегральном исполнении включают три основных функциональных элемента: источник опорного напряжения (ИОН), последовательный регулирующий элемент (РЭ) и схему сравнения и усиления постоянного тока (УПТ). Кроме того, в состав интегральных микросхем обычно вводятся узлы защиты от тепловых и электрических перегрузок.
Выходное напряжение СН (или часть выходного напряжения) сравнивается с опорным. Разность напряжений усиливается УПТ и подается на регулирующий элемент (мощный проходной транзистор), сопротивление которого меняется так, чтобы напряжение на выходе СН поддерживалось неизменным. К наиболее важным эксплуатационным параметрам стабилизаторов отнтеятся:
Ubulhom— номинальное выходное напряжение;
/н max— максимально допустимый ток нагрузки;
■Продолжение табл. 2.6
+
由
и
ь
Совме стимость с логическими ИС
Технология
Корпус
5
2
+ 15;—15
D28-1
2
1
+15;—15
ДТЛ, ТТЛ
кмоп
D28-1
5
2
— 15;—15
КМОП
кмоп
D28"
2
1
+ 15;—15
ДТЛ,ТТЛ,
КМОП
кмоп
D165
5
+15;—15
—
D16-5
2
+15;—15
-
кмоп
D16・5
5
+15;—15
КМОП
D16-5
30
30
+15;—15
ТТЛ, кмоп
кмоп
D28、7
15
15
十电-15
ТТЛ, кмоп
кмоп
D1&26
0,2
0J
+16;—16
ТТЛ, кмоп
кмоп
D16-59
0,2
0,1
+ 16;—16
ТТЛ, кмоп
кмоп
D28-S
ТТЛ-схемлми требуется внешний резистор. *4 Без схем управления.
^ъх,тах— максимально допустимое входное напряжение;
Р^с.шах— максимально допустимая мощность рассеивания.
Стабилизаторы напряжения с фиксированным значением выходного напряжения предназначены для поддержания одной определенной величины t/вых.ном на постоянном уровне при воздействии различных дестабилизирующих факторов. Они отличаются схемотехнической и функциональной сложностью, не требуют использования внешних компонентов и имеют корпуса с небольшим числом выводов (3—4). Появление таких СН коренным образом изменило конструкцию источников питания во многих областях применения и дало возможность располагать их непосредственно на схемных платах.
В табл. 2.7 представлены основные типы монолитных СН с фиксированным значением t/вых.ном. Большинство ИМС этой группы является стандартными приборами и изготовляется многими фирмами. Как правило, каждый тип представляет собой целую серию приборов с различными значениями выходных напряжений и максимальных токов нагрузки. Последние две цифры в типе приборов, включенных в таблицу, обозначенные «ОО» и 《XX》, соответствуют значениям t/вых.ном. Одними из первых 3-выводн.ых интегральных СН на фиксированное значение ^/Вых.ном = 5 В были приборы типа LM 309 фирмы National Semiconductor. В составе схемы LM109 содержатся устройства защиты от перегрузки.
Впоследствии фирма Fairchild разработала серию приборов ИА7800 и 卩A78HV00, которые при той же нагрузочной способности обеспечивают несколько значений выходных напряжений.
До последнего времени максимальный ток нагрузки для ИМС СН с фиксированным t/вых.ном в монолитном исполнении составлял 3 А (тип LM123). В 1978, 1979 гг. появились сообщения о создании фирмой Lambda Electronics ряда более мощных ИМС, способных
Таблица 27 Стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным напряжением
Тип прибора
“BUX，НОМ* В
吗
о
<
Тип корпуса
jiA78L00
2,5; 6； 12; 15
30; 35
100
ТО-39
M78L00
2,5; 6; 12; 15
30; 35
100
ТО-39, ТО-92
卩 A79L00
—2 3: —6; —12j
—§0;
100
ТО-39, ТО-92
-15
—35
ТВА 625А
5
20
100
ТО-39
ТВА435
8,5
20
100
ТО-39
ТВА625В
12
27
100
ТО-39
ТВА625С
15
27
100
ТО-39
LM78LXX
5; 8; 12; 15; 18;
30
100
ТО-5
24
LM340LXX
5; 6; 8; 10; 12;
35
100
ТО-92, ТО-39,
15; 18; 24
CN 40
LM342
5; 6; 8; 10; 12;
35
250
ТО-202, МР.577
15; 19; 24
LH0075
5; 6; 8; 10; 12;
32
200
ТО-8
15;18
LH0076
—3; —5; —6; —8;
—30
200
ТО-8
—9; -12; -15;
—18
SL7800
5; 6; 8; 12; 15;
30; 45
250
ТО-39
18; 20; 24; 30
ESM700
10
16,5
250
ТО-126
L192
5; 12; 15; 24
40
250, 500
ТО-202
ESM1410
10
27
450
ТО-126
1DA1415
15
27
450
F-078
TDA1412
12
27
500
ТО-126
L131
15
27
500
ТО-126
LM341
рА78Mo0)
5; 6; 8; 12; 15; 18; 24
35
500
ТО-220
5; 6; 8; 12
35； 40
500
ТО-220, ТО-39
SL/8M00>
15; 18; 20; 24
МС78М00 J
卩 A78co0
8； Ю; 12; 15; 17;
500
ТО-3
/А79М00)
18; 20; 22; 24
—5; —6; —8;
—35;
500
ТО-220
МС79М00}
ESM1406
TDA1405
-12; -15; —18;
—20; —24
—40
ТО-39
6
5
20
20
550
600
ТО-126
ТО-126
МС7700
5； 6; 8; 12; 15;
35;
750
ТО-5
SFC2800L
18; 20; 24
40
5; 6;8;12;15; 20;24
35; 40
750
ТО-220
L130
12
27
1000
ТО-126
Тип прибора
^ВЫХ. HOM 'B
к
1
А
<
к
Тип корпуса
р А 7800 MC73G0
5; 6; 8; 12; 15;
35; 40
1000
ТО-220, ТО-3
SL7809
TDB7800
18; 24; 30
цА7900
,МС7900
—5; —6; —8; —12;
—35;
1000
ТО-220
— 15; —18; —24;
—30
—40
ТО-3
:LM340
5; 6; 8; 12; 15;
35;
1000
ТО-220
18; 24
40
ТО-3
，SFC2109
1SFC2209
1SFC2309
5
35
1000
ТО-3
,LM109
LM209
:LM309
!цА109
5
35
1000
ТО-3, ТО-5
iцА209
1цА309
MLM109
MLM209
MLMW9,
5
35
1000
ТО-3
TDB1200
—5; — 12 j —15
—25
1000
L129
5
20
1200
LM120]
—5; —5,2; —12;
—25;
1500
LM220
-15
—35;
ТО-3, ТО-5
LM320
—40
ТО-220
LAS®。1
5; 8; 10; 12; 15;
35;
1500
ТО-3
1LAS!&)0丿
18; 20; 24 ;28
40;
ТО-220
5; 6; 8; 10; 12; 14; 15
30; 35
2000
ТО-3
TDB0!23)
TDE231
TDE0123
LM123
5
30
3000
ТО-3
LM223]
LM32 3'
SG123
5
20
3000
ТО-3
SG223丿
LM145)
—5; —5,2
—20
3000
ТО-3
LM313J
LAS 140Э
5; 6; 8; 10; 12; 15
35; 40
3000
ТО-3
LAS 190：^
5; 6; 8; 10; 12; 15
30
5000
ТО-3
LAS
5
30
8000
ТО-3
6—562
81
pj‘・、5 ивать мощность до 50 Вт при 厶加。“ =5 А с рядом выходиых г-'-ря/лений 5; 6； 8; 10; 15 В.
Некоторые интегральные СН специально предназначены для 1 излучения напряжения отрицательной полярности, например серии цА /900. -
Наряду со СН на фиксированное ^вых.пом широкое распространение получили монолитные стабилизаторы с регулируемым выход- iibiv напряжением. Значения ^вых.ном устанавливаются внешшш регулировочным резистором.
В табл. 2.8 представлены основные типы монолитных стабилизаторов напряжения с регулируемым t/вых.ном.
В 1975 г. был начат промышленный выпуск интегральных схем серии LM117/217/317, которые могут работать при《плавающем потенциале» и стабилизировать напряжение до нескольких сот вольт при условии, что разность напряжений между входом и выходом не превышает 40 В. Эти микросхемы рассчитаны на /Нтах= 1,5 А и имеют схему защиты от короткого замыкания.
Для большинства аналоговых схем требуется источник питания с напряжениями обеих полярностей.
Интегральные стабилизаторы с двухполярным выходом представлены в табл. 2,9. Стабилизаторы напряжения серий LA1125, LM126 и LM127 имеют внутреннюю схему защиты от тепловой перегрузки, а регулировка уровня ограничения тока может осуществляться извне. Нестабильность выходного напряжения (Ки) и нестабильность по току (^^) составляют в среднем 0,06 %.
В имс типа МС1468 фиксированные значения выходных напряжений ± 15 В при разбалансе менее 1 % задаются внутренней схемой, но их можно регулировать с помощью внешних элементов в интервале от ±8 до ±20 В.
Возможность внешней регулировки в интервале от ±8 до ±23 В предусмотрена и в ИМС типа SG1501. В регулируемом стабилизаторе SG1502 с двумя выходными напряжениями обеспечена возможность независимой регулировки положительного и отрицательного выходных напряжений в пределах от ± 10 до ±28 В. Значения Ки и стабилизатора SG1502 в среднем не превышают
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ПРЕЦИЗИОННЫЕ ИСТОЧНИКИОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ
Интегральные прецизионные источники напряжения обеспечивают установленное выходное напряжение с погрешностью не более 0,1 мВ при высокой временной и температурной стабильности. Такие источники опорного напряжения (ИОН) необходимы для прецизионной измерительной аппаратуры, а также для аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей. Основные типы микросхем источников опорного напряжения представлены в табл. 2.10.
Нестабильность эталонного напряжения, обусловленную воздействием окружающей температуры, можно значительно уменьшить, используя термостатирование. Например, монолитная ИМС типа LAH99 содержит схему терморегулирования, которая поддерживает температуру кристалла LM199 постоянной с точностью ±2‘С и обеспечивает ТКН<1,0-10-6 1/°С.
Другой принцип стабилизации, основанный на использовании генераторов стабильных токов, применяется при более низких входных напряжениях. На основе этого принципа действия выпускается
Таблица 2.8. Стабилизаторы напряжения с регулируемым выходным напряжением
Тип прибора
свых. НОМ，°
да
и
Тип корпуса
SFC2100)
SFC2200,
SFC2300J
2—30
40
25
ТО-99
SFC2376
5—37
40
25
ТО-99
RCA3085 SFC2723
LM723
1,8—26
30
100
ТО-5
КА723 SN72723
LAS723 L123 TDB0723 TL1723C TL3723C
2—37
40
150
ТО-66, DIP
ТО-5
RM723J
L143〕
L146GJ
2—77
80
150
DIP, ТО-100
RC4194
土 0,05一 士 32
±35
150, 250
ТО-66
rA78MG
5—30
40
500
—
rA79MG
—2,230
—40
500
—
fiA78G
5—30
40
1000
—
卩 A79G
一2,230
—40
1000
~-
LAS15U
4—30
35, 40
1500
ТО-3
LAS18U
LH117
LH217
—2,630
—35, —40
1500
ТО-3
LH317
LM117
1,2—37
40
1500
ТО-3
ТО-39
LM217
LM317
SG117
ТО-220
SG127
1,2—37
1500
ТО-3
SG327
LM137
LM237
LM337
50
1500
ТО-3
— 1,237
LAS16U
4—30
2000
ТО-3
L2 口 0
LM150
2,85—38
40
2500
ТО-3
LM250
LM350
1
1,2—33
35
3000
ТО-3
LAS14U
2,65—30
35, 40
3000
ТО-3
LAS19U
4—30
30, 35
5000
ТО-3
Продолжение табл. 2.8
Тип прибора
^ВЫХ. НОМ' В
9
8 £
X 口
< 芸
Тип корпуса
LM138]
LM238
LM338J
1,2—33
35
5000
ТО-З
LM196
1,25—15
10 000
ТО-3
Таблица 29 Стабилизаторы напряжения с двухполярным
выходным
напряжением
“ВЫХ. НОМ* В
m
Тип прибора
8
Тип корпуса
不
МС1468]
МС1568)
±15
±30
100
ТО-66
LM125
LM225
LM325
LM126
LM226
LM326
LM127
±12; ±15
±30
100
—
LM227
LM327
十5; -12
±30
100
—
RC4I95
SG1502)
±15
±30
100
ТО-99
SG2502
SG3502J
土 (10—28)
±35
200
DIP
RM4195
RC4194
МА78Т00
SG1501
土 15
±30
200
ТО-66, ТО-99
土 (0,С5—32) 士 (5—18)
±35
200
150
ТО-66
SG3501
SG4501
±15
±60
200
DIP, ТО-116
RM4194
土(0,05—42)
±45
250
ТО-66
SE/NE5551
+5
+32
300
300
ТО-99, DIP
SE/NE5552
±6
±32
ТО-99, DIP
SE/NE5553
±12
±32
300
ТО-99
SE/NE5554
±15
±32
300
DIP
SE/NE5555
±5; —12
±32
300
ТО-99, DIP
Таблица 2.10. Прецизионные источники опорного напряжения
Тнг ['рибэрл
言By
н-э- 2
Выходное напряжение, В
Выходной ток, мА
1
X
Тип корпуса
REF01A
3
10
21
12—40
20
ТО-99
REF01C
20
10
21
12—30
25
ТО-99
REF02A
3
21
7—40
10
ТО-99
REF02C
20
21
7—30
12
ТО-99
MCI 403[
MCI 503J
10
2,5±0,025
10
4,5—40
—
ТО-99, DIP
AD580
10
2,5土0,025
10
4,5—40
60
ТО-52
AD581U
5
10+0,005
10
12—40
50
ТО-5
AD581I
30
10+0,03
10
12—40
50
ТО-5
LM199
0,3
6,95±0,15
0,5—10
9—40
20
ТО-46
LM299
0,3
6,95+0,15
0,5—10
9—40
20
ТО-46
LM399
0,3
6,95±0,35
0,5—10
9—40
20
LM3999
2,0
6,95士0,35
0,5-10
9—36
20
ТО-92
LM136-5
24
5±0,05
250
—
ZN423T
10
1,26±0,06
1;5—12
1,5
—
ТО-18
ZN458AB
30
2,45+0,04
2—120
10
ТО-18
МР5010
25
1,225士0,02
—
3—5
серяя монолитных источников опорного напряжения AD580, AD581U, AD581I, Например ИМС типа AD581U обеспечивает выходное напряжение 10 В с погрешностью ±5 мВ при температурном коэффициенте меньше 5-10~6 1/°С.
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ(КЛЮЧЕВЫМИ) СТАБИЛИЗАТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ
Управляющие иптсгральные микросхемы для ключевых стабилизаторов представляют собой достаточно сложные схемы с высокой степенью интеграции функций и большим числом компонентов (они могут выполнять до 10—13 функций и заменять 200—300 дискретных компонентов). Одной из первых уонолптных управляющих микросхем для ключевого стабилизатора была ИМС типа TL497A. В этой IIMC используется принцип стабилкзаиии напряжения путем изменения частоты повторения импульсов с фиксированной длительностью, Все интегральные схемьц выпущенные позднее, используют прнниип широтно-импульсной модуляции для стаби/шзации напряжеЕлия.“
Приборы типа SG3524 могут применяться как в двухтактных, так и в несимметричных схемах, в стабилизаторах напряжения лю-
Таблица 2.11. Схемы управления ключевыми стабилизаторами
Тип прибора
Выходное напряжение, В
Входное напряжение, В
3 g
Опорное напряжение ( В
8 2 j В J
口w H9
1^昌同?
Дополнительные функции
Частота переключения, кГц
BE g
Управлег ние (включение, вы- кл ючение)
II
минимальная
咚К
S § к
—
DIP
10()
DIP
5
200
DIP
5-Ю-2
100
—
—
1
300
DIP
—
300
DIP
5Л
300
5・10—з
500
DIP
—
DIP
1
300
DIP
—
—
DIP
DIP
一
DIP
TO-3
Нет
Нет
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Нет
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Нет
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Нет
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
Есть
100
80
40
50
100
150
12—14
3,72+0,3
7,8士0,4
3,72+0,18 2,5 5±0,05
5±0,2
5±0,05
2,52士0,12
5±0,25
5
т т ь т ь ь ь ь ь ь ь еететт т т т т т JI JJ с Ji с с с с с с с ьр Е ЬЕЕ Е Е Е Е Е
一405050100100100
о о о о
0 0 5 5
2 2 2 2
10,5—18
10—30
18
40
40
40
7—40
40
40
40
41
40
1,5—9
500
1,2
1,3—40
2,5—40
1500
Нет
l,245±0,Q65
3—30
35
5000
2,5
3015500 Нет 1,22 土 0,1
SL442
TDA1060
МС34201
МС3520/
SE6560
АМ6300
SG1526
SG1524]
SG2524
SG3524丿
SG1525
ZN10661
ZN1066EJ
TL494
МС3421)
МС3521J
TL497A、
TL497MI
TL497II
Т1Л97С丿
TL495
HAS40PC(DC)
DM 1605]
SMI 605I
бой полхрност戶 в преобразователхх напрнх^еннн постоянного тока с трансформаторной связью* Интегральная микросхема Сопер*二3 OHy генерат。Енротно-нмпульсньм мопулнтор》триггерIРенера, тор управ工НЮЩНХММПУЛЬСОдва клюиевнх каскап 产 n^^ss 03Hl иеннн неё н затшраннн стабнлнзатора напряженно， ммкрссхе.4а может работать с частотой переклюиеннн ^0 кГц н обеспеннвнет нестабильность по току в среднем ои
Для иостроеннх нстоиннков пнтаннн пвухтактноз мостового н последовательного типа с цшротно’нмпупьсной мопуляцней внпу? кается управпнклцан схема типаC342На кристалле ^HowMC имеется код- компаратор напряжен!!пвухтактнй генератор на 100 Kru・ Енротно—нмпульсннй модулятор н схема заЕНТЕ. Прнбор тнпа SL442 предназначен длн ключевьгх стабнпнзато ров напряженно 11apаллельного н последовательного ТНПОВ・ На кристалле ЙМС типа TDA1060 кроме нстоиннка опорного напряженно с температурной КОМПенсаиней размещенье генератор пилообразного наирмженнЕНРОТНО-НМПУЛЬСННЙ МОАУпятор- схема вклюненнн н внкпюненнн напряжения пнтаннсхема размапшинва, ннн серпенннксхема регулировки козфанпиента занолнення HMUyubcoвход для BHeuIHecHXP0HH3auHcxeMa огранниеннн тока н заЕНТЫ 0Tliерегрузок*
В Та6л・ 2」1 представлены злектрнпескне параметра микросхем управленнн клюиевнмн стабнлнзаторамн напряженно
РАЗДЕЛ ТРЕТЯМНПФРОВЬТЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ3 L HHTE「PAJlbHbIE MHKPOCXEMbI ДЛЯ JlosqECKHXН АРНФМЕТМНЕСКМХ устройствВ настоящее время Зару6е*ннмн фермами выпускается Ея^о'кая номенклатура зозиескнх н арнфметниескнх S60 HacuHTblBN二0・щах несколько TECaq тнпов・ Нюке прнведеньт данное на некотороеЕнроко распространенное бнполярнне джн^^^^^^жк^ схемы серииSN74 ФНРМЕ Texas InsIведущей ФНРМЕ ^-Е> в обпастн noLy-проводннксвых имс・ вольшннс。ттз 14С ПРУЕХ енрм еункшенальн。н параметрнсескн повторяютc сернн SN74IPMbI TexasInsfДалев табл, 3・1L будет приведено соответствие ме6уMC сернн SN74 н схемам 产 внпускаекимн пругнмн фнрмамнсш_н дан рн= отечественных аналогов*существует пять мопнфнкаин声 сернЕ стандартная сернн SN54/7FfoBblEeHHOro 6bICTP0Ael"CTBHP ^z^^^^3- маломощная ^^^^^L^^^-^ЕОН^О^^^ОЗ^ЗЁ^^ SN54S/74s с пнехамн Шотткн н маломощная6bleТре1ктвую1цас йюпамн Шотткн SN54LS/74LS。 ТНГЮВЕе ха,рактернстмкн этнх моднфнкащай прнведенн в табл"LВ табз" 3.2 нрнвепены уровня ВХ07ННХ н ВНХОПНЕХ наря〉не—нй н токов ММС разнниннх серннапряжение гштаннн схем +5 в” потребляемая мощность дохйне завнент от частоты нереклюиеннднаназон температуры 宕7сермн SN54 coeтавлхет 155屮+ 125。ннлн сергш SN74 0++70”с・Ввиду большого многообразия типов логниескнх схем по еункцно-
87
Таблица 3.1. Типовые динамические параметры микросхем серии SN54/74
Серия ИМС
Логическне схемы
Триггеры
Время задержки распространен ия, нс
Потребляемая моЩ-
мВт/л .э
Работа переключения, пДж
Частота персклк.че- нн月，m口上
SN54LS/74LS
9,5
2
19
0—46
SN54L/74L
33
1
33
0—3
SN54S/74S
3
19
57
0—125
SN54/74
10
10
100
0—35
SN54H/74H
6
22
132
0—50
Примечание, л. э.——логический элемент.
Таблица 3.2. Типовые статические параметры микросхем серии SN54/74
Параметр
Серия ИМС
CQ
%
о и
.CQ
4
о й
со
<
<
<
V
W
SN54/74
SN54LS/74LS
SN54S/74S
0,4
0,5
0,5
2,4
2,5
2,5/2,7
0,8
0,8
0,8
2,0
16,0
8,0
20,0
—400,0
—400,0 — 1000,0
—1,6
—0,4
—2,0
40,0
20,0
50,0
нальному назначению рассматриваются только широко распространенные интегральные микросхемы: триггеры (табл. 3.3), мультивибраторы (табл. 3.4), схемы временной задержки (табл. 3.5), дешифраторы (табл. 3.6), сдвиговые регистры (табл. 3.7), счетчики (табл. 3.8), сумматоры (табл. 3.9), умножители (табл. 3.10),
В табл. 3.11 приведено соответствие логических микросхем SN74 фирмы Texas Instr, схемам других фирм, а в табл. 3.12 даны отечественные аналоги серии SN74.“
В Ta6viHu,ax используются следующие термины, определения и буквенные обозначения основных электрических параметров:
4х— входное напряжение низкого уровня;
входное напряжение высокого уровня;
^вых~ выходное напряжение низкого уровня；
^вых^~ выходное напряжение высокого уровня;
/вх— входной ток логического нуля;
/gX— входной ток логической единицы；
Таблица 3.3. Триггеры
Тип
Максимальная рабочая частота, МГц
4Hx，В
“раз
^ЗД.р.ср' ИС
р пот* мВт
Помехоустойчивость, В
Число триггеров
Число выводов корпуса
SN7472J
20
2
<0,8
9
10
40
50
1
1
14
SN7472N
20
2
<0,8
9
20
40
50
1
1
14
SN7473J
20
>2
<0,8
8
40
40
50
1
2
14
SN7473N
20
>2
<0,8
4
10
40
50
1
2
14
SN74LS73AJ (N, W)
30
>2
<0,8
3
20
20
30
2
14
SN7474AJ (N)
25
2
0,7
4
11
40
40
>0,3
2
14
SN7476J fN)
20
>2
<0,8
20
40
100
1
2
16
SN74LS76AN (W)
45
>2
<0,8
5
20
20
30
SN74LS78AJ (N, W)
45
>2
<0,8
5
20
20
30
0,3
2
14
SN74104N
1,7
<0,9
10
10
25
120
1
SN74105J(N)
1,7
<0,9
10
10
25
140
1
SN74107J
20
“7
<0,9
8
40
40
200
1
2
14
SN74107N
20
>1,7
<0,9
5
10
40
200
1
2
14
SN74LS107AJ (N, W)
45
>1,7
<0,9
5
22
20
30
0,3
2
14
SN74LS109AJ (N)
25
>2
V0,8
5
11
40
40
1
2
16
SN74109J(N)
25
>2
<0,8
5
20
35
75
1
2
16
SN74LS109 AW
30
>2
<0,8
5
11
35
30
2
SN74110J (N)
20
>2
<0,8
9
20
30
100
1
1
14
SN74111 J (N)
20
>2
<0,8
5
20
30
140
1
2
16
SN74U2AJ (N, W)
45
>2
<0,8
5
22
20
3()
0,3
2
14
SN74112J (N)
80'
>2
<0,8
5
20
5
250
1
2
16
SN74113AJ (N, W；
45
<0,8
5
22
20
30
0,3
2
14
SN74113J (N)
80
>2
<0,8
5
20
5
250
1
16
SN74114AJ (N, W)
45
<0,8
5
22
20
30
0,3
2
14
SN74114J (N)
80
>2
<0,8
5
20
5
250
1
2
16
Примечание. Все триггеры J-K-Tiinz за исключением SN74LS74A—D-типа.
Таблица 3.4. Мультивибраторы
Тип
Нагрузочная способность
J
ой
О 1
3
g^
SN74LS124J(N, W)
30
5
1 60
30
150
0,4
16
SN74LS124J(N)
60
1 5
60
70
525
0,4
16
SN74LS324J(N, W)
20
一
一
30
90
«-
14
SN74LS325J(N)
11
1
—
30
150
1
16
SN74LS326J(N, W)
11
2
30
250
16
SN74LS327J(N, W)
11
1 1
1-
30
150
1
14
Примечание. Частота устанавливается внешними компонентами.
■^вых.т ах наибольшее значение выходного тока, при котором обеспечиваются заданные параметры микросхемы;
° вых.тпах — наибольшее значение выходного напряжения, при котором изменения параметров микросхемы соответствуют заданным значениям；
Таблица 3.5. Схемы временной задержки
Тип
©
3
CQ
I
2
Нагрузочная способность
Диапазон длительности импульса
о
广
О®
0旨 у g«
SN7412!J(N)
2
3
10
40 нс—28 с
200
1
1
14
SN74122J(N)
2,4
U j 4
5
10
40 нс—оо
140
1
1
14
SN74LS122J(N)
2
U, О
5
10
45 нс— оо
55
0,4
14
SN74123J(N)
2,4
0,4
5
10
45 нс— оо
154
1
16
SN74LS123J(N)
2
5
10
45 нс— оо
100
0,4
16
SX74221J(N)
3,4
и, z
3
10
20 нс—28 с
400
1,2
16
SN74LS221J(N)
3,5
0,25
3
10
20 нс—70 с
23
1,2
1G
Рпот — потребляемая мощность — значение мощности, потр?б- ляемой микросхемой от источников питания в заданном режиме；
КД — керамический DIP-корпус;
ПД ——пластмассовый DIP-корпус;
КП ——керамический плоский корпус.
Работа переключения ——произведение среднего времени задержки распространения сигнала на потребляемую логическим элементом мощность;
Таблица 3.6. Дешифраторы
Тип
Число линий дешифрации
К
不
工
J
И
<
н
譯
Преобразуемые коды
входных
выходных
SN7442AJ(N)
4
10
30
140
1
55
>2,4
16
Двоично-десятичный
SN74LS42J(N)
4
10
30
35
1
100
>2,5
16
в десятичный
SN7443AJ(N)
4
10
30
140
1
55
>2,4
16
—
SN7444AJ(N)
4
10
30
140
1
55
>2,4
16
—
SN7445J(N)
4
10
50
215
1
80
30
16
SN7446AJ(N)
6
8
100
320
1
40
30
16
SN7447J(N)
7
12
100
265
1
40
15
16
SN74LS47J(N)
6
8
100
35
1
24
15
16
Двоично-десятичный
SN7447AJ(N)
6
8
100
320
1
40
15
16
в семисегментный
SN7448J(N)
6
8
100
265
1
6,4
5,5
16
SN74LS48J(N)
6
8
100
125
1
6
5,5
16
SN74LS49J(N)
5
7
100
40
1
8
5,5
14
SN74LS138J(N)
3
8
22
32
—
42
>2,7
16
1 Дешифратор демульти-
SN74sl38J(N)
3
8
8
245
—
100
>2,7
16
/ плсксор
9
Продолжение табл. 3.6
Тип
Число линий деши* фргции
5
ci?3
CQ
1 鼻
Преобразуемые коды
входных
выходных
SN74LS139J(N)
2
4
22
34
—
42
>2,7
16
[Дешифратор демульти-
SN71Si39J(N)
2
4
7,5
300
—
100
>2,7
16
J
илексер
SN74141J(N)
4
10
—
55
一
—
60
16
Управляет газоразряд-
ными индикаторами
SN74145J(N)
4
10
50
215
—
80
15
16
Двоично-десятичный
в десятичный
SN74154J(N)
4
16
36
170
—
57
5,5
24
—
SN74155J(N)
2
4
34
125
0,4
57
>2,4
16
—
SN74156J(N)
2
4
34
125
—
40
—
16
SN74246J(N)
6
8
100
320
0,4
40
30
16
SN74247J(N)
6
8
100
265
0,4
40
15
16
SN74LS247J(N)
6
8
100
35
0,4
24
15
16
SN74248J(N)
6
8
100
265
0,4
6,4
5,5
16
Двоично-десятичный в
SN74LS248J(N)
6
8
100
125
0,2
6
5,5
16
семисегментный
SN74249J(N)
6
8
100
265
0,4
10
5,5
16
SN74LS249J(N)
6
8
100
40
0,4
8 ■
5,5
16
ss
s
s
^зд р ср — среднее время задержки распространения сигнала — интервал времени, равный полусумме времен задержки распростра- нени月 сигнала при включении и выключении логической ИМС;
Kqg — коэффициент объединения по входу — число входов ИМС, по которым реализуется логическая функция;
Краз — коэффициент разветвления по выходу — число единич- ннх нагрузок, которое можно одновременно подключить к выходу имс；
^птах ——помехоустойчивость ——наибольшее значение напряжения помехи на входе ИМС, при котором еще не происходит изменения уровней ее выходного напряжения.
Время записи — интервал времени между началом адресного сигнала и появлением записанной информации на выходе ИМС.
Время выборки адреса ——интервал времени между подачей на вход сигнала адреса и получением на выходе ИМС сигналов информации.
Схемы временной задержки служат для формирования импуль^ сов с программируемой длительностью.
Схема SN 74121 представляет собой одновибратор с триггером Шмитта на входе. Минимальная длительность определяется внутренним времязадающим резистором, при подключении внешних резисторов и конденсаторов длительность выходного импульса изменяется от 40 нс до 28 с.
Схема SN74221 состоит из двух схем типа SN74121 в одном корпусе. Схема SN74122 представляет собой одновибратор с повторным запуском и сбросом, a SN74123 — сдвоенный одновибратор с повторным запуском и сбросом.
Дешифраторы применяются для преобразования кодированной информации в соответствующий управляющий сигнал, например для дешифрации кода операции для выработки сигналов управления АЛУ, для преобразования кода адреса запоминающей ячейчи в соответствующий сигнал при записи (считывании/, для управления индикаторами, шкалами, дисплеями, для выбора одного или более выходных каналов в зависимости от кода входного сигнала.
В схемах типа SN7442 — SN7444 выбирается одна линия из N выходных в зависимости от входного кода. Схемы типа SN7446— SN7449 представляют собой дешифраторы двоично-десятичного кода в код 7-сегментного индикатора.
Регистры представляют собой устройства, предназначенные для приема, промежуточного хранения и выдачи ^-разрядных чисел в процессе выполнения операций, а также для преобразования чисел с помощью сдвига. Регистры выполняются на триггерных и логических элементах, количество н тип которых в регистре определяются его назначением. Обычно регистры применяются в качестве передаточных звеньев между запоминающими устройствами и другими узлами ЭВМ. С помощью регистров можно также осуществить преобразование последовательного кода числа в параллельный и наоборот. По способу приема и передачи информации регистры подразделяются на параллельные (параллельный ввод, параллельный вывод) и параллельно-последовательные (параллельный ввод, последовательный вывод или наоборот). Операция сдвига заключается в перемещении всех цифр числа в направлении от старших к младшим разрядам (правый сдвиг) или от младших к старшим разрядам (левый сдвиг). Помимо однонаправленных регистров, т. е. регистров с левым или правым сдвигом, существуют двунаправленные, или универсальные регистры.
о
Тип
Ри урну
Д^аксим^льная рабоч?；! частота, МГц
пот'
'зп.р.ср， нс
^вых' мА
Число выводов корпуса
Дополнительные сводеfihh
Таблица 3.7. Регистры
параллельным выводом информации
SN7495AJ(N) SN74LS95BJ(N)
SN7496J(N)
SN74LS96J(N)
SN74173J(N)
SN74LS173J(N)
SN74174J(N) SN74LS174J(N) SN74S174J(N)
SN74175J(N) SN74LS175J(N)
SN74S175J(N)
SN74178J(N)
SN74179J(N)
SN74LS194AJ(N) SN74S194J(N)
SN74195J(N) SN74LS195AJ(N) SN74S195J(N)
С параллельным вводом и
4
25
195
4
25
65
5
10
240
5
10
60
32
16
14
32
4
14
55
16
16
55
4
16
4
4
25
30
360
150
43
36
16
24
16
16
6
25
325
35
16
16
6
30
130
35
8
16
6
75
720
22
20
16
4
25
225
35
16
16
35816
4
30
90
4
75
480
4
25
230
4
25
230
4
25
75
4
70
425
4
30
195
4
30
70
4
70
350
22
20
16
36
16
14
36
16
16
30
4
16
18
20
16
30
16
16
30
4
16
18
20
]Параллельный и по- } следовательный ввод. 丿 Сдвиг вправо и влево
I Универсальный ввод— J вывод, сброс
1 D-типа с выходом на } шинный формирова- J тель с 3 состояниями
]D-типа — шинный j формирователь
D-типа — шинный формирователь
Со сдвигом вправо
С парафазным выходом
I Двунаправленный, J универсальный
SN74198J(N)
8
25
360
30
16
24
Двунаправленный
SN74199J(N)
8
25
360
30
16
24
SN74273J(N)
8
30
470
27
16
20
1 8 D-триггеров co сбро-
SN74LS273J(N)
8
30
135
27
4
20
/ сом
SN74278J(N)
4
—
400
46
16
14
Наргщиваемый с входной защелкой
SN74S281J(N)
4
50
1100
55
20
24
Параллельный, двоичный аккумулятор
SN74LS295AJ(N)
4
20
70
70
'4
14
]Со сдвигом вправо и
SN74LS295BJ(N)
4
25
145
35
24
14
/ влево
SN74LS299J(N)
8
35
300
35
24
20
Универсальный с хране-
пием
SN74LS299J(N)
8
50
1200
24
20
20
1 Универсальный с хра-
SN74LS323J(N)
8
35
300
35
24
20
/ нением
SN74LS373J(N)
8
40
200
27
24
20
]8 D-триггсров с хра- } нением, выход с 3 丿 состояниями
SN74S373J(N)
8
80
800
13
20
20
SN74LS374J(N)
8
225
24
20
} 8 D-триггеров
SN74s374J(N)
8
700
20
20
SN74376J(N)
4
370
16
16
4 J-K-триггера
SN74LS377J(N)
8
140
20
8 D-триггеров
SN74LS378J(N)
6
110
16
SN74LS379J(N)
4
16
4 D-триггера
SN74LS395J(N)
4
16
Наращиваемый, выход с 3 состояниями
SN74LS395AJ(N)
4
25
145
35
24
16
Со сдвигом вправо и
влево, наращиваемый^
выход с 3 состояниями
Продолжение табл. 3,7
Тип
Разрядность
Максимальная рабочая частота, МГц
ПОТ' мВт
^зд.р.ср5 нс
^вых* мА
Число выводов корпуса
Дополнительные сведения
SN74LS396J (N)
2X4
30
200
30
8
—
—
С последовательным вводом 〃 последовательным выводом информации
SN7491AJ(N)
8
10
175
40
16
14
SN741.S9IJ(N)
8
10
60
40
4
14
—
SN7494J(N)
4
10
175
40
18
16
一
С параллельным 860doM и последовательным выводом информации
SN74LS165J(N)
8
25
180
40
8
16
SN74166J(N)
8
25
360
30
16
16.
SN74LS166J(N)
8
25
190
35
8
16
С последовательным вводом
и параллельным выводом информации
SN74164J(N)
8
25
168
42
8
14
SN7ILS164J(N)
8
25
80
36
4
14
—
SN74LS322J(N)
8
—
—
■"--
4
20
—
SN74LS673J(N)
16
—
一
0505
05
05
Счетчики предназначены для счета импульсов, поступающих на его вход. Они используются для образования последовательности адресов команд, для счета числа циклов выполнения операций. Счетчики в зависимости от способа кодирования бывают двоичные или десятичные и по назначению делятся на простые (суммирующие или вычитающие) и реверсивные. Простые счетчики имеют переходы от предыдущего состояния к последующему только в одном направлении. Такие счетчики могут суммировать импульсы или вычитать их. Реверсивные счетчики имеют переходы в двух направлениях (прямом и обратном). Двоичный счетчик обычно состоит пз ряда последовательно соединенных триггерных ячеек, управляемых по счетному входу. Каскад десятичного счетчика (декада) обычно состоит нз четырех триггеров с обратными связями.
Умножитель — устройство для умножения двух /^-разрядных чисел и выдачи результата в виде 2/?-разрядного числа. Умножители содержат матрицу элементов асинхронного умножения, два входных регистра операндов и два выходных регистра, один из которых принимает старшие разряды произведения, а другой — младшие.
Каждый элемент умножительной матрицы содержит схему получения однобитового произведения и схему полного сумматора для сложения этого произведения с суммами и переносами от других элементов матрицы. Такую структуру имеют, например, быстродействующие умножители MPY8, AlPY12r MPY16, MPY24 фирмы TRW (США). В умножителях типа TDC1008, TDCI010 этой же фирмы добавлен регистр-аккумулятор.
Сумматор представляет собой устройство, производящее суммирование двух чисел с выдачей результата и сигнала переноса в старшие разряды.
Отечественные аналоги микросхем серии SN74 фирмы Texas Instr, приведены в табл. 3.12.
МИКРОПРОЦЕССОРЫ
Микропроцессор — это программно управляемое устройство, осуществляющее прием, обработку и выдачу цифровой информации, построенное на одной или нескольких ИМС.
Выпускаемые за рубежом микропроцессорные интегральные микросхемы можно классифицировать в основном на три большие группы:
микропроцессоры с фиксированной разрядностью слова и с фнк- сированной системой команд;
микропроцессорные секции с наращиваемой разрядностью слова и микропрограммным управлением；
однокристальные микро-ЭВМ.
Микропроцессоры с фиксированной разрядностью и с фиксированной системой команд состоят в основном из следующих узлов: арифметическо-логического устройства (АЛУ), устройства управления, блока внутренних регистров, интерфейса. Арифметическо-логи- ческое устройство, как правило, состоит из двоичного сумматора со схемами ускоренного переноса, регистров для временного хранения операндов н регистра-сдвигателя. Это устройство выполняет несколько операций, в частности сложение, вычитание, емвнг.
Блок внутренних регистров образует внутреннюю память микропроцессора и содержит cneuuavnbHbie" регистры и регистры общего
Таблица 38 Счетчики
Тип
Максимальная рабочая частота,
МГц
Нагрузочная способность
'зд.р.ср， нс
р пот* МВт
Помехоустойчивость, В
Число выводов корпуса
Дополнительные све2；ения
по входу
Ис； выходу
SN7490AJ(N)
16
10
50
145
1
14
1 Десятичный, делитель
SN 74LS90J(N, W)
16
20
50
75
1
J4
/ на 5 H 2
SN74LS92J(N, W)
16
20
50
75
—
14
Делитель на 12
SN7493AJ(N)
16
10
70
130
1
14
1 4-разрядный, двоич-
SN74LS93J(N, W)
16
20
70
75
一
14
j ный
SN74160J(N)
25
9
10
38
305
0,4
16
SN74LS160J(N)
25
9
20
38
93
0,4
16
1 Синхронный, дссятич-
SN74LS160AW
35
9
20
28
160
16
ный, с предустанов-
SN74S160J(N)
100
9
—
14
635
—
16
；кой и сбросом
N74161J(N)
25
9
10
38
305
0,4
16
SN74LS161J(N)
25
9
20
38
93
0,4
16
1 4-разрядный, двоич-
SN74LS161AJ(N)
32
9
10
35
160
—
16
f ный
SN74LS161AW
35
9
20
28
160
——
16
SN74S161J(N)
100
9
—
14
635
—
16
4-разрядный, двоич-
SN74162J(N)
25
9
10
38
305
16
SN74LS162J(N)
25
9
20
38
93
0,4
16
I Синхронный, дссятич-
SN74LS162AJ(N)
32
9
20
35
160
■-
16
' ный, с предустанов-
SN74LS162AW
35
9
20
28
160
■-
16
j кой и сбросом
SN74S162J(N)
40
9
10
25
475
0,3
16
SN74163J(N)
25
9
10
38
305
0,4
16
SN74LS163AJ(N)
32
9
20
35
160
一
16
4-разряднык, двонч-
SN74LS163AW
35
9
20
28
160
—
16
ный
SN74S163J(N)
40
9
10
25
475
0,3
16
7 SN74LS168J/N, W) SN74LS168AJ(N) SN74S168J(N)
25
32
40
9
9
20
10
30
30
28
170
170
500
0,3
16
16
16.
1 Синхронный, ревер- j сивный, десятичный
SN74LS169J(N, W)
25
9
20
30
170
二
16
4-разрядный, двоич-
SN74LS169AJ(N)
32
9
10
35
170
16
> ный, синхронный, реверсивный
SN74S169J(N)
40
9
10
28
500
0,3
16
4-разрядный, двоичный, синхронный, реверсив-
ный
SN74176J(N)
35
8
—
51
150
—
14
Десятичный, делитель на
2
и на 5
SN74177J(N)
35
8
75
150
14
4-разрядный, двоичный счетчик-защелка, делитель на 2—16, с предустановкой
SN74190J(N)
25
—
50
325
二
16
Двоично-десятичный,
SN74LS190J(N, W)
25
22
52
175
16
реверсивный
SN74LS191J(N, W)
25
8
22
50
175
16
4-разрядный, двоичный, реверсивный
SN74192J(N)
32
60
47
325
16
Десятичный, ревер-
SN74LS192W
30
22
32
170
16
сивный
SN74193J(N)
32
8
60
47
325
16
Двоично-десятичный,
SN74LS193J(N)
30
8
22
47
17。
—
16
синхронный, реверсив-
SN74LS193W '
30
8
22
32
170
—
16
ный, с предустановкой и сбросом
SN74196J(N)
SN74LS196J(N)
50
45
8
8
20
42
62
240
135
1
14
14
Десятичный, дели- > тель на 2 и на 5, с
SN74LS196W
45
8
20
37
100
—
14
SN74S196J(N)
100
8
10
37
600
1
14
предустановкой
Тип
Максимальная рабочая частота,
МГц
Нагрузочная способность
/нр.ср，
^пот* МВт
Помехоустойчивость, В
Число выводов корпуса
Дополнительные сведения
по входу
по выходу
SN74197J(N)
50
—
63
240
14
)4-разрядный, двоич-
SN74LS197J(N)
50
20
95
135
1
14
} ный, делитель на 2 и
SN74S197J(N)
100
10
37
600
1
14
J 8, программируемый
SN74290J(N)
32
6
4
70
210
0,4
14
] Десятичный, делитель
SN74LS290J(N, W)
32
6
20
50
75
0,4
14
/ на 2 и 5
SN74293J(N)
32
4
4
70
195
0,4
14
]4-разрядный, двоич-
SN74LS293J(N, W)
32
4
20
70
75
14
卜 ный, делитель на 2
丿и 8
SN74390J(N)
35
3
10
60
210
—
16
1 Сдвоенный десятич-
SN74LS390J(N, W)
20
3
22
60
130
1
16
/ ный, делитель на 100
SN74393J(N)
35
2
10
60
190
—
14
Сдвоенный, 4-разрядный, двоичный
SN74490J(N)
35
3
10
54
225
1
16
]Сдвоенный десятич-
SN74LS490W
40
3
22
45
130
16
SN74LS490J(N)
20
3
22
54
130
1
16
} ный, делитель на 100
J со сбросом
SN74492AJ(N)
16
4
10
50
130
1
SN74LS568J (N, W)
25
12
20
一
—
一
—
Двоично-десятичный
SN74LS569,I(N, W)
25
12
20
—
-
--"
-
Двоичный
SN74LS668J (N)
25
9
22
60
170
—
Двоично-десятичный
Таблица 39 Сумматоры
Тип
Разрядность
^зд.р.ср, НС
пот' мВт
,0Л
；вых* мА
Число выводов корпуса
Дополиительн%!е данные
Параллел
ьного дей
ствия
SN7480J(N)
1
80
175
16
14
Полный сумматор с входной логикой
SN7482J(N)
2
42
290
16
14
Полный сумматор с выходом на составном транзисторе
SN7483AJ(N, W)
4
24
195
4
14
Полный сумматор с внутренней схемой быстрого переноса (за 10 нс)
SN74LS183J(N)
1
23
80
4
14
Двойной полный сумматор
SN74283J(N)
4
24
550
16
16
] Полный сумматор с вну; реннин
SN74LS283J(N, W)
4
24
195
8
16
卜 схемой быстрого переноса 13d
SN74S283J (N)
4
18
800
20
16
J 10 нс)
Последовательного действия
SN74LS385J(N, W)
4
30
375
8
—
Сумматор-вычитатель (4 независимые схемы в корпусе)
'Г
Таблиц а 3.10. Умножители
Тип
|| £ о
||
CQ Н h
患
<
о g
Тип корпуса
Параллельного действия
MC14554BAL
2X2
130
0,3
3
КД-16
MC14554BCL(P)
2X2
215
1,2
3
КД-16, ПД-16
MC10287L
1X2
8,5
400
20
КД-16
MC10183L
2X4
11
750
20
КД-24
F100183DC(FC)
2X8
2,2
880
20
КД-24, КП-24
93S43DC(PC)
2X4
20
490
20
КД-24, Г1Д-24
93S43DM(FM)
2X4
20
490
20
КД-24, КП-24
9344DC
2X4
30
550
КД-24
9344DM(FM)
2X4
30
550
—
КД-24, КП-24
54LS261CH(J, W)
2X4
42
190
4
ПД-16, КП-16
74S261CH(J, W)
2X4
42
200
8
ПД-16, КП-16
N74LS261F(N)
2X4
42
200
8
КД-16, ПД-16
S54LS261F(W)
2X4
42
200
4
КД-16, КП-16
AM25S05DC(PC)
КД-24, ПД-24,
[2X4
37
935
20
AM25S05DM(FM)
КП-24
AM2505DC(PC)
2X4
63
725
9,6
КД-24, ПД-24
AM2505DM(FM)
2X4
63
650
9,6
КД-24, КП-24
AM25L05DC(PC)
2X4
142
225
4,9
КД-24, ПД-24,
AM25L05DM(FM)
J
КП-24
DM7875AD(BD)
DM7875AJ(BJ)
4X4
60
375
16
КД-16, ПД-16
DM7875AN(BN)
SN54LS261J(W)
2X4
42
190
4
КД-16, КП-16
SN74LS261J(N)
2X4
42
200
8
КД-16, ПД-16
SN74s274J(N)
4x4
95
775
12
КД-16, ПД-16
SN74284J(N)
4X4
60
650
16
КД-16, ПД-16
SN74285J(N)
4X4
60
650
16
кд-16, ПД-16
MPY8HJ(I)
8X8
45
1400
4
КД-40
MPY8HJ
8x8
60
1400
4
КД-40
MPY8HJM
8X8
60
1700
4
КД-40
TDC1008J
8x8
100
1600
4
КД-48
TDC1008J(M)
8x8
125
1900
4
КД-48
MPY8AJ
8x8
130
1500
4
КД-40
MPY8AJ(M)
8)<8
130
1800
4
КД-40
MPY12H(J)
12x12
80
2700
4
КД-64
MPY12HJ(M)
12x12
80
3000
4
КД-64
MPY12A(J)
12x12
150
3800
4
КД-64, КП-64
MPY12AJ(M)
12x12
150
4500
4
КД-64
TDC1003J
12X12
200
3800
4
КД-64
Продолжение табл. 3.10
Тип
l& d о
i|
© ^台
a
Q
<
о 3
Тип корпуса
MPY16HJ
16x16
100
4000
КД-64
MPY16HJ(M)
16X16
100
4500
КД-64
TDC1010J
16X16
155
4500
КД-64
MPY16A(J)
16X16
160
5000
КП-64, КД-64
MPY16AJ(M)
16X16
160
6000
КД-64
TDC1010J(M)
16X16
200
5300
КД-64
MPY24HJ
24X24
200
4300
КД-64
MPY24HJ(M)
24X24
200
5000
КД-64
Последовательно-параллельного действия
SN54LS384J(W)
1X8
25
775
12
КД-16, КП-16
SN25LS14J(W)
1X8
25
775
12
КД-16, КП-16
SN54LS384CHJ(W)
1X8
25
775
12
КД-16, КП-16
SN74LS384CHJ(W)
AM251.S14DC (PC, DM,
FM)
1X8
1X8
25
25
775
775
12
12
КД-16, КП-16
КД-16, КП-16
ПД-16
Таблица 3.11. Соответствие логических микросхем серии SN74 фирмы Texas Instruments схемам других фирм
Фирма Advanced Micro Devices
AM3101A AM9300
SN74S289
SN74195
AM2501
SN7419I
AM9301
SN7442A
AM2505
SN74284,
AM9308
SN74116
SN74285
AM9309
SN74153
SN74S181
AM9310
SN74160
AM2506
AM931I
SN74154
AM25LS07
SN74LS378
AM9312
SN74151A
AM35LS08
SN74LS379
AM9316
SN74161
AM25LS09
SN74LS399
AM9318
SN74148
AM25LS22
SN74LS322
AM9322
SN74167
AM25LS23
SN74LS323
AM9334
SN74259
AM2600
SN74121
AM9341
SN74181
AM2602
SN74123
AM9342
SN74182
AM26123
AM2700
SN74123
SN74S200
Фирма
Fairchild
AM27LS00
SN74LS200A
9000
SN74276
AM2701
SN74S301
9H00, 9S00
SN74S00
AM27502
SN74S289
9L00
SN74LS00
AM27S03
SN74S189
9N00
SN7400
A427S08
SN74S188
9001
SN74376
AM27S09
SN74S288
9H01
SN74S03
AM27S10
SN74S387
9N01
SN7403
AM27S11
SN74S287
9002
SN7400
AM3101
SN7489
9N02
SN7402
Серии 90.9N соответствуют стандартной серии SN74, серия 9L — маломощной серии SN74LS, серии 9Н, 9S — быстродействующей серии SN74S с диодами Шоттки, последние цифры одинаковы, например 9S51 соответствует SN74S51 за исключением
9016
SN74S240
9017
SN74S241
9020
SN74276
9Н21
SN74S15
9022
SN 74376
9024
SN74276
9033
SN74S189
9034
SN74S371
9Н55
SN74S65
9Н60, 9Н61
SN74S11
9Н71, 9Н72
SN74S112
9Н73
SN74S113
9Н76
SN74S112
9Н78
SN74S114
9Н101, 9Н102,
SN74S112
9Н106
9Н108
SN74S114
9300
SN74S299
93Н00
SN74S195
93L00
SN74LS195
9301
SN7442A
9302
SN7442A
9305
SN74S169
93S05
SN74S169
9307
SN7448A
9308
SN74116
9309
SN74153
9310
SN74S162
93S10
SN74S162
9311
SN74154
9312
SN74151A
93S12
SN74S151
9313
SN74251
9314
SN74273
9315
SN74141
9316
SN74S163
93S16
SN74S163
9317В,
SN7446A
9318
SN74148
9321
SN74S139
9322
SN74157
93S22
SN74S157
9324
SN74S85
9325
SN74141
9328
SN7491A
ц 2136 Ав 2 сс72с 4801^24л^4^890234677890^680к457 3344s4ss4s445555555556s667Н777 3 3 ^0 33 333 Ло 333333333333333333333 999999999999999999999999999999
Продолжение табл. 3.11 SN74259 SN74172 SN74S281 SN7418i SN74S181 SN74182 SN74S182 SN74S274 SN74S274
93S47SN74S85
SN74S280 SN74180 SN74290 SN7442A SN7443A SN7444A SN74293 SN7446A SN7447A SN7448 SN7449 SN74192 SN74280 SN74193 SN74143 SN74144 SN74S194 SN74143 SN74175 SN74175
далее последние цифры в серии 93 и SN74 одинаковы за исключением
93151
SN74S139
93400
SN74S201
93403
SN74S289
93404
SN74S284
93405
SN74S189
93406
SN74187
93407
SN7481A
93410
SN74300
93411
SN74S201
93412
SN74S214
93415А, 93415
SN74S314
93416
SN74S387
93417
SN74S378
93421
SN74S200
93425, 93425А
SN74214
93426, 93427
SN74287
93433
SN7481A
93434
SN7488
93435
SN7489
Фирма
Harris
НМ7602
SN54S188
НМ7603
SN74S288
НМ7610
SN74S387
НМ 7611
SN74S287
НЛ17620
SN74S473
-НМ7621
SN74S472
НМ7640
SN74S475
НМ7641
SN74S474
HRAMI-0064
SN7489
HPROMI-0512
SN74S470
HPROMI-124
SN74S287
HROMI-1024A
SN74S387
HROMI-1024
SN74187
HPROMI-8256
SN74S188
Фирма Intel
3101,3101А
SN74S289
3102
SN74S200
3106А
SN74S201
3107А
SN74S301
3110
SN74S314
3205
SN74S138
3212
SN74S412
3301А
SN74187
3304
SN74S473
3404А
SN74S373
3601
SN74S387
3604
SN74S475
3621
SN74S287
3624
SN74S474
8212
SN74S412
8224
SN7S424
8228
SN74S428
8338
SN74S438
Примечание. Впереди цифрового обозначения схем этой фирмы обычно стоит буква С для ИС с керамическим корпусом типа ДИП, Р — для пластмассового корпуса типа Д1!П.
Фирма Intersil
IM5501SN74S289
IM5502SN7481A
IM5503SN74S300A
IM5508SN74S311
IM5512SN74S214
IM5523SN74S201
IM5533SN74S301
IM5543SN74S301
IM5553SN74S200A
IM5600SN74S188
IM5602SN74S475
IM5603
SN74S387
IM5604
SN74S470
IM5610
SN74S288
IM5623
SN74S287
IM5624
SN74S370
1М5625
SN74S474
Фирма
Monolithic Memories
ММА5200
SN74S473
ММА5240
SN74S473
ММА5241
SN74S472
ММА5280
SN74S473
ММА5281
SN74S472
ММА6240
SN74S473
ММА6241
SN74S472
ММА6280
SN74S473
ММА6281
SN74S472
ММН5200
SN74187
ММН5201
SN74S287
ММН5240
SN74S473
ММН5241
SN74S472
ММН6200
SN74S473
ММН6201
SN74S287
ММН6240
SN74S473
ММН6241
SN74S472
ММ5200
SN74187
ММ5201
SN74S387
ММ5205
SN74S270
ММ5206
SN74S370
ММ5210,
SN74S470
ММ5225
ММ5230,
SN7488A
ММ6230
ММ5231,
SN74SI88A
ММ6330
ММ5235
SN74S470
ММ5255,
SN74S473
ММ5260
ММ5300,
SN74S387
ММ6201,
ММ6300
ММ5301,
SN74S287
ЛШ6301
ММ5305,
SN74S270
ММ6205
ММ5306.
SN74S370
ММ6206
ММ5308,
SN74S470
ММ6210,
ММ6305.
ММ6235
ММ5309,
SN74S471
ММ6306,
ММ6309
Продолжение табл. 3.11
MM5330
SN74S188A
МС3021
SN74S86
MM5331,
SN74S288
МС3022
SN74S135
MM6331
.'.1С3024,
SN74S40
MM5335,
SN74S470
А1С3025
xMM6210,
МС3026
SN74S140
MA1623i,
МС3028,
SN74S240,
MM63j.\
МС3029
MM63g
МС3031,
SN74S64
MM6335
МС3032,
MM534O,
SN74S475
МС3050,
SN74S373, 374
Л1М6340
МС3051,
MM5341,
SN74S474
МС3052,
MM6341
МС3053
MM5348,
SN74S473
МС3054,
SN74S112
MM 6260,
МС3055,
MM6225,
МС3063
MM6231
МС3060
SN74S74
MM6348
МС3061
SN74S114
MM5349,
SN74S472
МС3062
SN74S113
MM6349
МС4000,
SN74S139
MM5530,
SN74S301
МС4300
Л1М6530
МС4001
SN74184
MM5531,
SN74S201
МС4002,
SN74S139
MM6531
МС4007
MM5560,
SN74S289
МС4004,
SN7481A
MM6560
МС4005
MM5561,
SN74S189
МС4006,
SN74S138
MM6561
МС4038
M.M6200
SN74187
МС4048
ZM6308,
SN74470
МС4008
SN74S280
MM6335
МС4021,
SN74S85
MM6561
SN74S189
МС4022
МС4023
SN74S260
Фирма
Motorola
МС4025
SN74S124
МС4026,
SN74S381
Л1С3001
SN7408
МС4027
MC3002
SN74S02
МС4028,
SN74S281
MC3003
SN7432
МС4029,
MC3004
SN74S03
МС403Э,
MC3C05
SN74S10
МС4031
Л1С3006,
SN74S11
МС4032
SN74S182
MC3018,
МС4035,
SN74S373
MC3019,
МС4037
MC303Q
МС4039
SN74S143
MC30Q7
SN74S15
МС4040
SN74S139
MC3008
SN74S04
МС4042,
SN74S240
MC3009
SN74S05
МС4043
MC3010
SN74S20
МС4050
SN74143
мезон
SN74S11
МС4051
SN74144
MC3012
SN74S22
МС4062
SN74S64
МС3015
SN74S133,
МС4010
SN74S135
МСЗО16
SN74S133
МС4012
SN74S299
МС3020,
SN74S51
МС4015
SN74S195
МС3023
106
Продолжение табл.(
3.11
МС4016,
SN74S168
DM8291
SN74197
МС4017
DM8500
SN7476
MC40I8,
SN74S169
DM8501
SN7473
.МС4019
DM8510
SN7474
МСМ4002
SN7488/A
DM8511,
SN74276
-МСМ4004
SN748IA
DM8512
SN7497
—МСМ4005
DM8520
МСМ4006
SN74S387
DM8530
SN74P0A
DM8532
SN7492A
7Фирма National
DM8533
SN7493A
DM8093
SN74125
DM8544
SN74265
DM8094
SN74126
DM8588
SN7488A
DM8095
SN74365
DM8590
SN74165
DM8096
SN74366
DM8597
SN74S287
DM8097
SN74367
DM8598
SN7488A
DM8098
SN74368
DM8599
SN74S189
.DM8 ⑵
SN74251
DM8640
SN74141
DM8123
SN74S257
DM8810
SN7426
DM8130,
SN74S85
DM8811,
SN7426
DM8160,
DM8819
DM8131
DM8812
SN7416
DM8136
SN7485
DM8842
SN7442A
DM8200
SN74S85
DM8846
SN7446A
DM8210,
SN74151A,
DM8847
SN7447A
DM8211
SN74351
DM8848
SN7448
DM8213
SN74154
DM8853
SN74221
DM8214
SN74LS253
DM8875A,
SN74S274
DM8219
SN74150
DM88 75B
DM8091
DM8551
SN74S240
SN74173
Фирма
Signetics
DM8552
SN74S162
8H16
SN74S20
DM8553
SN74S163
8H20, 8H21,
SN74S112
DM8554
SN74S373
8H22
SN74S11
DM8555
SN74S168
8H70
DM8556
SN74S169
8201,8202,8203
SN74174
DM8560
SN74192
8204
SN74S471
DM8563
SN74193
8205
SN74S472
DA18570
SN74164
8H80
SN74S00
DM8573
SN74S387
8H90
SN74S04
DM8574
SN74S287
ST01
SN74141
DM8577
SN74S188
8T04
SN7447A
DM8578
SN74288
8T05
SN7448
DM8579
SN74164
8T06
SN74143
DM8580
SN7495A
8T09, 8T13, 8T23
SN74128
DM8582
SN74S301
8T10
SN74173
DM8220
SN74S280
8T18
SN7426
DM8223
SN74S139
8T20
SN7412
DM8330
SN74S257
8T22
SN74122
DM8280
SN74176
8T26
SN74125
DM8281
SN74177
8T28
SN74S241
DM8283
SN7483A
8T51, 8T59,
SN74144 •
DM8288
SN7492A
8T71, 8T79
DM8290,
SN74196
8T54, 8T74,
SN74143
DM8296
8T75
Продолжение табл. 3.11
Таблица 3.12. Отечественные аналоги серии SN74
8T8（）
8T90
8T93, 8T94
SX742G
SN7406
SN7425
8269
8270
82S70, S71
SN7485 SN74I78 SN74S299
Зарубежная ИМС
Отечественный аналог
Тип корпуса
8T95
SN 74363
8271
SN74179
201.14-1
8T96
SN74366
8273, 82 74
SN74198
SN74OO
К155ЛАЗ
8T97
SN74367
8275
SN74174
КМ155ЛАЗ
20L14-8
8T98
SN74368
8276, 8277
SN7491A
SN7401
К155ЛА8
201.14-1
8162
SX74121
8280
SN74176
КМ155ЛА8
201.14-8
8200
SN74174
8281
SN74177
SN7402
К155ЛЕ1
201.14-1
201.14-1
201.14-1
8260
SN74S28I
8283, 8284, 8285
SN4S159
SN7404
К155ЛН1
8261
SN74S182
8288
SN74I63
SN7405
К155ЛН2
8262
SN74I80
8290
SN74I96
SN7406
К155ЛНЗ
20L14-1
82S63
SN74S280
82S90, 8282
SN74SI96
КМ155ЛНЗ
201.14-9
8263, 8264
SN74153
8291
SN74197
SN7407
К155ЛН4
201.14-1
8266
SN74157
82S91
SN74SI97
КМ155ЛН4
201.14-8
82S66
SN74S157
8293
SN74LS197
SN7408
К155ЛН1
201,14-1
8206, 82S06
SN74S201
82S1I0
SN74S314
SN7410
К155ЛА4
201.14-1
8207, 82S07
SN74S300
82S111
SN74S214
КМ155ЛА4
201.14-8
82S08, 82S1O
SN74S3I4
82S116
SN74S201
SN7412
К155ЛА10
201.14-1
82S11
SN74S2I4
82S117
SN74S301
КМ155ЛА10
201.14-9
82S16
SN74200
82S123
SN74S288
SN7413
К155ТЛ1
201.14-1
82S17
SN74S300
82S124
SN74S387
SN7414
К155ТЛ2
201.14-2
8223
SN74S18S
82S129
SN74S287
SN7416
К155ЛН5
201.14-4
6224
SN7488A
82S130
SN74170
КМ155ЛН5
201.14-8
8225. 82S25
SN74S289
8445
SN7440
SN7420
К155ЛА1
201.14-1
82S26
SN74S387
8470
SN74I0
КМ155ЛА1
201.14-8
8228
SN74S471
8471
SN7412
SN7422
К155ЛА7
201.14-1
82S29
SN74S287
8481
SN7403
КМ155ЛА7
201.14-8
8230, 82S30
SN7415IA
8490
SN7404
SN7423
К155ЛЕ2
238.16-1
8231
SN74S251
8706, 8731
SN7460
SN7425
К155ЛЕЗ
201.14-1
82S31, 82S32
SN74SI51
8806
SN7460
КМ155ЛЕЗ
201.14-9
8232
SN74151A
8808
SN7430
SN7426
К155ЛА4
201.14-1
8233
SN74157
8815
SN7425
SN7427
К155ЛЕ4
201.14-1
82S33
SN74S157
8816
SN7420
SN7428
К155ЛЕ5
201.14-1
8234, 82S34
SN74SL58
8821
SN7476
КМ155ЛЕ5
201.14-9
8241
SN7486
8822, 8826
SN74107
SN7430
К155ЛА2
201.14-1
82S41
SN74S86
8824, 8827
SN7476
КМ155ЛА2
201.14-8
8242
SN74LS256
8825
SN7470
SN7432
К155ЛА1
201.15-1
82S42
SN74S135
8828
SN7474
SN7437
K155J1A12
201.14-2
8243
SN74198
8829
SN74110
SN7438
К155ЛА13
201-14-2
8250
SN7442 A
8840, 8859
SN7450
КМ155ЛА13
201.14-9
82S50
SN74138
8840
SN74S64
SN7440
К155ЛА6
201.14-1
8250
SN7442A
8855
SN7440
КМ 155 Л Аб
201.14-8
82S52
SN74S280
8870, 8879
SN7410
SN7450
К155ЛР1
201.14-1
8255
SN74S289
8875
SN7427
КМ155ЛР1
201.14-8
82147
SN74147
8881, 8889
SN7401
SN7453
К155ЛРЗ
201.14-1
82148
SN74148
8885
SN7402
КМ155ЛРЗ
201.14-8
8415. 8416
S:\7420
8890
SN7404
SN74H55
К155ЛР4
201.14-1
8417
SN7410
8891
SN7405
КМ155ЛР4
201.14-8
8424, 8425
SX74111
П г） и м e ч а н
и е. Впереди циф-
SN7460
К155ЛД1
201.14-1
8440
SN7450
рового обозначения микросхем
SN7472
КМ155ЛД1
201.14-8
8267
8268
SN74157
SN7480
этой фирмы стоит буква N для НМС' рассчитанных на диапазон темпеоат\тры 0・+70/75°С, а буква
К155ТВ1
КМ155ТВ1
201.14-1
20L14-8
S — на диапазон
—55++ 125 七.
109
Зарубежная ИМС
Отечественный аналог|
Тип корпу са
SN7J74
К155TM2
201.14-1
КМ 155TM2
201.14-8
SN7475
К155ТМ7
238.16-1
КМ1551М7
201.16-6
SN7477
К155ТМ5
201.14-1
КМ155ТМ5
201.14-9
SN748O
К155ИМ1
201.14-1
КМ155ИМ1
201.14-8
SN7481
К155РУ1
201.14-2
SN7482
К155ИМ2
201.14-1
КМ1550М2
201.14-9
SN7483A
К155ИМЗ
238.16-2
КМ155ИМЗ
201.16-6
SN7486
К155ЛП5
201.14-1
КМ155ЛП5
201.14-8
SN7490A
К155ИЕ2
201.14-1
КМ155ИЕ2
201.14-8
SN7492A
К155ИЕ4
201.14-1
КМ155ИЕ4
201.14-8
5N7493A
К155ИЕ5
201.14-1
КМ155ИЕ5
201.14-8
SN7495
К155ИР1
201.14-1
КМ155ИР1
201.16-6
SN74181
К155ПР6
238.16-2
SN74185
К155ПР7
238.16-2
SN74187
155РЕ21-
238.16-2
155РЕ24
SN7497
К155ИЕ8
238.16-2
SN74121
К155АГ1
201.14-1
SN74123
КМ153АГЗ
201.16-5
SN74125
К155ЛП8
201.14-1
КМ155ЛП8
201.14-9
SX7412S
К155ЛЕ6
201.14-1
КМ155ЛЕ6
201.14-9
SN74132
К155ТЛЗ
201.14-2
SN74141
К155ИД1
238.16-1
КМ155ИД1
201.16-5
SN74148
К155ИВ1
238.16-2
SN7415O
К155КШ
239.24-1
SN74151
К155КП7
238.16-1
КМ155КП7
201.16-5
SX74152
К155КП5
201.14-1
КМ155КП5
201.14-8
SN74153
К155КП2
238.16-1
КМ155КП2
201.16-5
SN74154
К155ИДЗ
239.24-2
SN74155
КМ155ИД4
201 16-5
ПО
Зарубежная ИМС
Отечественный аналог
Тип корпуса
SN74160
К155ИЕ9
238.16-2
SN74170
К155РП1
238.16-2
SN74172
К155РПЗ
239.24-2
SN74173
К155ИР15
238.16-2
КА1155ИР15
201.16-6
назначения (РОН). В состав блока РОН входят регистры временного хранения операндов в процессе выполнения операций, регистр- аккумулятор, который содержит один из операндов и в котором фиксируется результат вынолнения операции, счетчик команд, регистр адреса, индексный регистр, регистр ——указатель стека. Счетчик команд содержит адрес выбираемой из ЗУ следующей по порядку выполнения команды в программе. Регистр адреса служит для временного хранения адреса операнда, находящегося во внешней памяти или в другом регистре, или адреса ячейки памяти, куда необходимо передать результат из регистра-аккумулятора. Наличие стековой памяти, в которую информация заносится последовательно и извлекается в порядке, обратном порядку занесения, позволяет просто переходить к прерывающей программе и возвращаться к прерванной программе, организовывать работу с подпрограммами. Отдельные модели микропроцессоров имеют внутренний, встроенный стек ограниченной емкости. Однако в силу того что обращение к стеку производится статистически гораздо реже, чем к остальным регистрам блока РОН, в последних моделях микропроцессоров оставлен только регистр — указатель стека (stack pointer), а для самого стека выделена некоторая зона во внешней оперативной памяти.
специальными регистрами являются регистр команды и регистр состояния или признаков. Регистр команды принимает и хранит код очередной команды. В регистре признаков фиксируется наличие переполнения» нулевой результат, положительный или отрицательный знак. Часть регистра признаков процессора не относится структурно к АЛУ, а принадлежит управляющему устройству. В этой части регистра фиксируются признаки, определяющие форматы команды и обрабатываемых слов, способ адресации, наличие запроса прерывания, разрешение или маскирование прерывания.
Управляющий блок содержит дешифратор команд и таймерное устройство для расшифровки кода команды и выдачи соответствующих контрольных сигналов, необходимых для извлечения команды и данных. Управляющие устройства однокристальных микропроцессоров строятся на основе «жесткой» (схемной) логики, в частности на основе программируемых логических матриц (ПЛМ).
Управляющее устройство генерирует последовательности микрокоманд. В простейших моделях микропроцессоров функция вычисления следующего адреса команды в режиме автоадресации с приращением осуществляется АЛУ. В более сложных микропроцес-
сорах предусмотрена специальная схема, которая выполняет увелн- иеннс (increment) или уменьшение (decrement) на определенное значение текущего адреса.
Связь между всеми узлами и блоками микропроцессора осуществляется по многопроводным шинам (магистралям). По функциональному назначению различают шину данных, адресную шину и шину управления. Из-за ограниченного числа внешних выводов ши- на данных обычно работает в режиме временного мультиплексирования. При этом обмен паннь【\【н между микропроцессором, внешней памятью или другими периферийными устройствами происходит последовательно во времени. Внутренняя шина данных соединяет между собой АЛУ, устройство управления, блок регистров общего назначения, регистр адреса. Большинство однокристальных микро* процессоров имеют 16-разрядную шину адреса, которая позволяет прямо адресовать внешнюю память емкостью 64 Кбайт. Некоторые типы современных производительных микропроцессоров (например МС 68000, Z8000. 8086) имеют 20'разрядную тнну адреса, что позволяет прямо адресовать память емкостью до 1 Мбайт или еще большую при использовании непрямой адресации. Двунаправленная шина управления обычно с разрядностью от 6 до 10 служит для передачи управляющих сигналов, признаков состояния процессора и периферийных устройств. По ней передаются синхронизирующие сигналы для сопровождения информации при передачах ее в обоих направлениях по мультиплексируемой шине данных, сигналы, указывающие обращение к памяти (чтение или запись), сигналы о со* стоянии внешних устройств (готовность), сигналы запроса и разрешения прерывания от внешних устройств и микропроцессора.
Список команд однокристальных микропроцессоров* содержит более простые команды по сравнению с командами больших машин. Некоторые типы микропроцессоров имеют системы команд, аналогичные широко распространенным микро- и мини-ЭВМ, и поэтому программно совместимы с ними. Так, например, микропроцессор IM6100 фирмы Intersil использует систему команд мини-ЭВМ РДР-8 фирмы DEC, микропроцессоры mN601 фирмы Data General и 9440 фирмы Fairchild имеют систему команд мини-ЭВМ типа Nova, микропроцессоры TMS/SBP9900 фирмы Texas Instr. — мини- и микромашины серии 990.
Наиболее популярным и широко распространенным универсальным микропроцессором является 8-разряаныН параллельный однокристальный микропроцессор типа 8080 фирмы Intel, серийно выпускаемый с 1974 г, Он содержит около 5000 МОП-транзисторов на криста”1Tle размером 4,2X4,8 мм. Архитектура микропроцессора показана на рис. 3.1. Микропроцессор содержит следующие функциональные узлы: 8-разрядный арифметичсско-логическнй блок (АЛУ), выполняющий операции ^сложения, ИЛИ, И, НЕ-ИЛ И, равнозначности, правого или левого сдвига, определения знака. К одному из входов схемы АЛУ всегда подключен регистр-аккумулятор, ко вт。- ро\【у через регистр вреиенного хранения может быть подключен любой из регистров блока РОН.
и в ка・и в ка・Аккумулятоо используется в качестве источника одного из операндов и для фиксирования результата операции. Он представляет собой двухтактный регистр. Регистр временного хранения служит для упорядочения обмена в случае, когда какой-либо из регистров общего назначения используется в одной операции двояко: иестп регистра — источника операнда и в качестве регистра-результата. Регистры временного хранения имеются также в блоке
и в ка・
и в ка・
РОН. Они позволяют выполнять операции перераспределения данных между регистрами блока РОН, аккумулятором и внешней памятью.
В состав АЛУ входит комбинационная схема десятичного корректора, назначение которого состоит в том, чтобы под воздействием специальной команды представлять результат выполнения двоич-
8-разойдна^ бнурзр片на 成〃斤а Занньт8-разойдна^ бнурзр片на 成〃斤а ЗанньтАнку- !мул^тор jАнку- !мул^тор jРегией о Зремечного 工PEHBNLL 7Регией о Зремечного 工PEHBNLL 7AAАч^умупа- тор с - ! щелкой IАч^умупа- тор с - ! щелкой IРегистр 门р&знакибРегистр 门р&знакиб^ АЛУ <^ АЛУ <ПвтЕаи- норренторПвтЕаи- норренторблок у砍忆员〃白少"分блок у砍忆员〃白少"分仪睜 данных仪睜 данных1 刀 7-% ( C^cl про. Оленна. я 氏老一 以〃例z данных)1 刀 7-% ( C^cl про. Оленна. я 氏老一 以〃例z данных)#8必〃-ippamapкоманды#8必〃-ippamapкомандыРегистр командыРегистр командыdQLUXalf-dQLUXalf-TOHUTnBTFalfQ已 duhTOHUTnBTFalfQ已 duh玄QUHH9B77H8Hdu6玄QUHH9B77H8Hdu6石-пн-тю-кWaLU。 WFHHEO ▲片匚3工 en.Dd石-пн-тю-кWaLU。 WFHHEO ▲片匚3工 en.DdBad | 73乡Н —QdH 工 ngBad | 73乡Н —QdH 工 ngБуферныйрегистрнВрвсаБуферныйрегистрнВрвса
8-разойдна^ бнурзр片на 成〃斤а Занньт
8-разойдна^ бнурзр片на 成〃斤а Занньт
Анку- !мул^тор j
Анку- !мул^тор j
Регией о Зремечного 工PEHBNLL 7
Регией о Зремечного 工PEHBNLL 7
A
A
Ач^умупа- тор с - ! щелкой I
Ач^умупа- тор с - ! щелкой I
Регистр 门р&знакиб
Регистр 门р&знакиб
^ АЛУ <
^ АЛУ <
ПвтЕаи- норрентор
ПвтЕаи- норрентор
блок у砍忆员〃白少"分
блок у砍忆员〃白少"分
仪睜 данных
仪睜 данных
1 刀 7-% ( C^cl про. Оленна. я 氏老一 以〃例z данных)
1 刀 7-% ( C^cl про. Оленна. я 氏老一 以〃例z данных)
#8必〃-ippamapкоманды
#8必〃-ippamapкоманды
Регистр команды
Регистр команды
dQLUXalf-
dQLUXalf-
TOHUTnBTFalfQ已 duh
TOHUTnBTFalfQ已 duh
玄QUHH9B77H8Hdu6
玄QUHH9B77H8Hdu6
石-пн-тю-к
WaLU。 WFHHEO ▲片匚3工 en.Dd
石-пн-тю-к
WaLU。 WFHHEO ▲片匚3工 en.Dd
Bad | 73乡Н —QdH 工 ng
Bad | 73乡Н —QdH 工 ng
БуферныйрегистрнВрвса
БуферныйрегистрнВрвса
Н il 辈I iRlilillkWll
Рис. 3.1. Структурная схема макропроцессора 8080 фирмы Intel
ной операции в виде, принятом в десятичной арифметике. Ариф- метическо-логическое устройство непосредственно связано с регистром признаков, в котором фиксируются результаты выполнения каждой операции: нулевой результат в аккумугляторе, перенос из старшего разряда, знак результата и др. Наличие в микропроцессоре регистра признаков упрощает осуществление программных переходов в зависимости от состояния триггеров признаков.
Микропроцессор 8080 имеет 16-разрядную однонаправленную ширину адреса, 8-разрядную двунаправленную информационную шину, 12-разрядную шину управления (шесть входных линий и шесть выходных). Наименования сигналов, которые могут присутствовать па шине управления, даются в английской аббревиатуре, эти сокращения используются в мнемокодах программ:
1131138—562
113
113
RESET ——сброс. Входной сигнал, очищающий (сбрасывающий) счетчик команд и обеспечивающий выполнение программы, начиная с нулевой ячейки памяти;
屮 1 屮2 ——входные синхроимпульсы;
SYNC ——выходной сигнал, при появлении которого микропро- нессор выдает на шину данных 8-разрядный код, характеризующий состояние микропроцессора；
READY ——готовность. Входной сигнал, поступающий от внешних устройств и предупреждающий, что данные готовы для ввода в микропроцессор;
WAIT ——выходной сигнал, подтверждающий готовность микропроцессора принять данные от внешних устройств, микропроцессор находится в режиме ожидания;
HOLD — захват шин. Входной сигнал от внешних устройств при прямом обращении к внешней памяти;
HOLD АСК ——подтверждение захвата шин. Выходной сигнал, подтверждающий предоставление микропроцессором шин для прямого обмена с памятью и приостанавливающий дальнейшее действие микропроцессора；
INT ——запрос прерывания. Входной сигнал от внешнего устройства на возможность прерывания работы микропроцессора и обслуживания данного внешнего устройства;
INTE ——разрешение прерывания. Выходной сигнал, характеризующий факт перехода микропроцессора к выполнению программы обработки прерывания;
DBIN ——прием на шину данных. Выходной сигнал, указывающий, что микропроцессор готов принять информацию на шину данных； 0
WR ——запись. Выходной сигнал, разрешающий запись данных в память или управление вводом-выводом.
Параметры однокристальных микропроцессоров приведены в табл. 3.13.
Структура однокристальных микропроцессоров ориентирована на применение их преимущественно в устройствах цифровой автоматики, в управляющих блоках периферийных устройств. Фиксированная и малая разрядность обрабатываемых слов, жесткая непе- рестраиваемая структура, фиксированный набор команд ограничивают возможность их использования для построения высокопроизводительных машин, систем обработки данных и специализированных контроллеров. Для указанных целей используются микропроцессорные секции с наращиваемой разрядностью слова и микропрограммным управлением. Минимальный набор для построения микропроцессора состоит из трех схем: центрального процессорного элемента (собственно микропроцессорной секции), блока микропрограммного управления и постоянной памяти микропрограмм. В состав центрального процессорного элемента входят ариф- метическо-логическая секция, блок РОН, регистр-аккумулятор, регистр адреса и дешифратор микроопераций. Микропроцессорная секция представляет собой как бы усеченный вариант однокристального микропроцессора, рассмотренного выше. Устройство управления реализуется на двух отдельных БИС： постоянной памяти микропрограмм и блока микропрограммного управления. Такая модульная структура удобна для потребителя, так как позволяет записывать в ПЗУ микропрограммы, требуемые для выполнения специализированных команд, и получать микропроцессорную систему любой разрядности путем объединения нескольких микропроцессорных 114
секций, соединяя при этом цепи межразрядных переносов и объединяя их общей шиной микропрограммного управления.
Параметры микропроцессорных секций приведены в табл. 3.14.
Дальнейшим развитием микропроцессоров является разработка больших ИМС однокристальных микро-ЭВМ, Такие ИМС находят все большее применение в системах обработки данных и в системах управления. Дешевые 4-разрядные микро-ЭВМ (контроллеры) начинают широко использовать в бытовой технике: в устройствах ^для управления приготовлением пищи, для дозировки жидкостей, в стиральных машинах, в телевизорах для выборки телевизионных программ, автомобилях и т. п.
В отличие от больших ИМС микропроцессоров однокристальные микро-ЭВМ содержат на кристалле помимо процессорного элемента (арифмстическо-логического устройства со схемами управления) ОЗУ емкостью до 2 Кбит, ПЗУ микропрограмм емкостью до 32 Кбит, устройства ввода-вывода, счетчик-таймер, генератор тактовых импульсов, логику прерываний. Отличительной особенностью микро- ЭВМ моделей 8748 и 8741 фирмы Intel и TMS9940E фирмы Texas Instr, является наличие встроенного перепрограммируемого ЗУ со стиранием информации ультрафиолетовыми лучами, которое обеспечивает возможность многократного изменения программы в процессе отладки системы или при ее применении.
Следует отметить, что наиболее правильным методом сравнения характеристик микро-ЭВМ является подсчет общего числа программных циклов и числа байтов намят% необходимых для выполнения нескольких наиболее распространенных операций. Число программных циклов отражает возможности системы команд. Малая емкость памяти, требуемая для решения конкретной задачи, особенно ценна в системах с ограниченной емкостью, к которым относятся однокристальные микро-ЭВМ. Микро-ЭВМ типа TMS9940 по этим показателям превосходит модели 8048 и 3870. Вопросы программной совместимости различными фирмами решаются по-разному. Так, например, семейство микро-ЭВМ фирмы Intel не обладает программной совместимостью с микропроцессорным семейством 8080/ 8085. По данным фирмы сделано это как по экономическим соображениям, так и по соображениям оптимальности конструкции для решения специализированных задач управления. Микро-ЭВМ TMS9940 фирмы Texas Instr, программно совместима с более мощной многокристальной серией 990 и при построении вычислителей с ограниченной емкостью памяти позволяет разработчикам, применяющим многокристальные системы, перейти на однокристальные микро-ЭВМ с использованием отработанного программного обеспечения.
В последней модели 8-разрядноп микро-ЭВМ 8051 фирмы Intel в дополнение к системе команд микро-ЭВМ типа 8048 предусмотрены команды умножения, деления, сравнения. Предусматривается возможность обработки 4-, 8-, 16-разрядных слов и отдельных битов. Адресуемая внешняя память увеличена до 128 Кбайт. Имеются Два 16-разрядных счетчика-таймера. При тактовой частоте 12 МГц большинство команд выполняется за 1 мкс, на операцию умножения требуется 4 мкс. Программное обеспечение включает микроассемблер, преобразователь кодов, интерпретатор языка Бейсик. Современной тенденцией в разработках однокристальных микро-ЗВМ является интеграция функций аналого-цифрового преобразования, последовательного ввода-вывода, увеличение информационной смки-
8*8*И5
8*
8*
Таблица 3.13. Однокристальные микропроцессоры общего применения
*
Адресуе-
Тип кор-
мая ем-
Напряжение
ён
пуса и
Техноло-
Дополнительные
d
2 §
кость па-
11
питания, В
число вы-
гия
сведения
мяти, бит
占造
водов
MC68A09EL
8
64 К
1,5
+5
100
КД-40,
п-МОП
Керамичес-
(ЕР, L, Р)
ПД-40
кий корпус для модифи- каций L, EL, CL;
MC68BO9EL
8
64 К
2
+5
—
100
КД-40,
п-МОП
(ЕР, L, Р)
ПД-40
MC6809EL
8
64 К
—
1
+5
—
100
КД-40,
п-МОП
пластмассе-
(ЕР, L, Р)
ПД-40
вый корпус
для модификаций Р, ЕР»
МС68АООС
8
64 К
•—
1,5
+5
1000
72
КД-40,
/г-МОП
СР
(СР, L, Р)
ПД-40
MC68BOOL(P)
8
64 К
64 К
2
+5
1000
72
КД-40, ПД-40
п-МОП
MC6800CL
8
-■-
1
+5
1200
72
КД-40,
п-МОП
(СР, L, Р)
14
ПД-40
2650
8
32 К
1,25
+5
525
75
КД-40
п-МОП
Фирма Sig-
2650A-1J
8
32 К
14
6,6
+5
750
75
КД-40
п-МОП
2650AJ
8
32 К
64 К
14
8
4,1
+5
750
75
КД-40
п-МОП
netics
Типы Р. С
имеют кор-
Р8080А1
8
3,12
12, ±5
1200
78
КД-40
п-МОП
пус КД-40,
С8080А1
8
64 К
8
3,12
12, ±5
1200
78
ПД-40
п-МОП
тип D — ПД-40
Р8080А2
' 8
64 K
8
2,63
12, ±5
1200
78
КД-40, ПД-40
п-МОП
D8080A2
С8080А2
Р8080А
D8080A С8080А
1 8
64 К
8
2,08
12, 土5
1200
78
КД-40, ПД-40
п-МОП
Типы Р, С имеют корпус КН-40, тип D — ПД-40
Р8085А2
)
С8085А2
)8
64 К
8
5
+5
850
80
КД-40
〃・МОП
Встроенный тактовый ге-
Р8085А
С8085А
}8
64 К
8
3
+5
850
80
КД-40
п-МОП
нератор
CDP1802CD
X
64 K
16
3,2
3—15
10
91
КД-40
КМОП
CDP1802D
3
64 К
16
6,4
3—15
100
91
КД-40
КМОП
Z80-CPUCS(PS)
8
64 К
14
2,5
+5
750
158
КД-40
п-МОП
(СМ) Z80A-CPUCS(PS)
8
G4K
14
4
十5
1000
158
КД-40
п-МОП
1M6100-I1PL
12
4K
0
3,33
4—11
12
67
ПД-40
КМОП
IM6100-IMDL
12
4К
0
2,5
4—11
12
67
КД-40
КМОП
—IM6100A-IDL
12
4К
0
5,71
4—11
100
67
КД-40
КМОП
z
Тип
進
Адресуемая емкость па- мятн, бит
七I己
Напряжение питания, В
Тип корпуса и число выводов
Технология
Дополнительные сведения
MC68000
16
16МХ8
16
8
+5
61
нмоп
SBP9900ACJ (AEJ, AMJ, ANJ)
16
32 К
16
3
5
500
69
КД-64
И2Л
MN1610
16
64 К
5
2
+5;+12；—3
1200
33
КД-40
п-МОП
Фирма Panafa-
com
MN601
16
32 К
4
8,33
5; 10; 14
1100
41
ПД-16
п-МОП
Фиржа Data Ge-
Z8000
14
48МХ8
16
8
+5
41
п-МОП
neral
INS8900D
16
64 К
4
2
5; 12; —8
1300
45
КД-40
п-МОП
9440DC(DM, PC) TMS9900
16
16
64 К
32 К
4
16
12
3
+5
12; ±5
1000
1200
64
67
КД-40
ПД-64
И2Л и-МОП
Фирма Fairchild
TMS9980JL(NL)
16
8К
16
2,5
12; +5
855
70
КД-40,
п-МОП
JL — керамиче-
ПД-40
ский корпус,
TMS9980A
16
—
16
10
12; 土5
1200
70
-—
и-МОП
NL — пласт-
TMS9985
16
—
16
5
十5
—
—
—
п-МОП
массовый
СР 1600 СР1600А
16
16
64 К
64 К
3,3 5
12; 5;—3 12; 5; —3
900
900
87
87
КД-40
КД-40
п-МОП п-МОП
1 Фирма Ge-
D8086
16
1МХ8
5
+5
1400
111
НМОП
Таблица 3.14. Микропроцессорные секции
Тип кор-
Тип
§н
星^ h 目馳
Напряжение питания, В
^пот* мВт
пуса и количество выво
дов
Тип управляющей памяти
Технология
МС10800(М)
4
100
—5; 2; —2
1600
16
ПД-48
МС10801
эсл
9405АДС
4
8
13
800
64
ПД-24
9406
И2Л
(АДМ, АРС)
SN54LS482
SBP0400ACJ
10
5
1000
76
КД-40
SN54LS482
И2Л
SBP0401ACJ
10
5
1500
76
КД-40
SN54LS482
И2Л
SBP0400ACN
10
5
1000
76
ПД-40
SN74LS482
И2Л
SBP0401ACN
10
5
1500
76
ПД-40
SN54LS482
И2Л
SBP0400AMJ
10
5
1000
76
КД-40
SN74LS482
И2Л
SBP0401AMJ
10
5
1500
76
КД-40
SN54LS482
И2Л
SN54LS481J
—
10
1000
210
ПД-48
SN74LS482
ттлш
SN74LS481J(N)
2901 АРС
10
16
10
25
1000
2400
210
512
ПД-48
ПД-40
АМ2929
АМ2911
ттлш ттлш
АМ2901АДМ
16
1,3-103
512
КД-40
АМ2909, АМ2911
ттлш
АМ2901АДС
AM2901AFM
16
16
1,4-Ю3
1,4-103
512
512
КД-40
КП-42
АМ2909, АМ2911
АМ2909, АМ2911
ттлш ттлш
AM2901FM
16
8,3
1,4・10*
512
КП-42
АМ2909, АМ2911
ттлш
IDM2901ADM.
16
1,4-103
512
КД-40
АМ2909, АМ2911
эсл
IDM2901ANC
16
1,3-103
512
ПД-40
АМ2909, АМ2911
эсл
IDM2901ADC
16
1,3-ю3
512
КД-40
АМ2909, АМ2911
УСЛ
IDM2901ADM
16
1,4-103
512
КД-40
АМ2909, АМ2911
УСЛ
IDM2901AFM
16
1,4-Ю3
512
КД-40
АМ2909, АМ2911
УС л
N2901-11
to
4
16
1,3-Ю3
512
КД-40
АМ2909, АМ2911
ТТЛ
Р8051R6500 R6501SY6500SY6501Z8 8041 874187С48 МК3872 МК3873Р8051R6500 R6501SY6500SY6501Z8 8041 874187С48 МК3872 МК3873CDP1804TMS9940M TMS9940EZ8611Z8612 (Z8613) Z8671 Z8681CDP1804TMS9940M TMS9940EZ8611Z8612 (Z8613) Z8671 Z86818888888 88 88 8 88 8 88 6 6 8 8 8 8 88 6 6 8 8 8 8 8128x864X864X8128X864X864X864X8128X8128x864X864X8128X864X864X864X8128X864X8128X8128X8128X8128X8128X8128X8128X864X8128X8128X8128X8128X8128X8128X8128X8《КХ 82 КХ82КХ82 КХ81 КХ81 КХ8 4 КХ8 2КХ8《КХ 82 КХ82КХ82 КХ81 КХ81 КХ8 4 КХ8 2КХ82 KX 82КХ82КХ84 КХ8 НетНет2КХ8 Нет2 KX 82КХ82КХ84 КХ8 НетНет2КХ8 Нет2 2 2 2 8 8 2 23 3 3 3 1 13 32 2 2 2 8 8 2 23 3 3 3 1 13 3133232- z Z133232- z Z2 4 2 8 6 6 4 42 4 2 8 6 6 4 48 5 5 8 8 8 8 88 5 5 8 8 8 8 8+5+5+5+53—12十5+5+5+5+5+53—12十5+55—105—105 5 5 5 5 5 55 5 5 5 5 5 57005005653ПД-40ПД-40НМОПп-МОП129—п-МОП—90—п-МОП8741 с ППЗУ5090КМОП43576—п-МОП70n-МОПИмеет последовательный канал ввода-вывода102—КМОП/ кнс68n-МОП一68n-МОПИмеет встроенное ППЗУ——1n-МОП——n-МОП———n-МОП——n-МОПn-МОПРасширяется до 62 Кбайт внешней памятью или каналами ввода-вывода7005005653ПД-40ПД-40НМОПп-МОП129—п-МОП—90—п-МОП8741 с ППЗУ5090КМОП43576—п-МОП70n-МОПИмеет последовательный канал ввода-вывода102—КМОП/ кнс68n-МОП一68n-МОПИмеет встроенное ППЗУ——1n-МОП——n-МОП———n-МОП——n-МОПn-МОПРасширяется до 62 Кбайт внешней памятью или каналами ввода-вывода
Р8051
R6500 R6501
SY6500
SY6501
Z8 8041 8741
87С48 МК3872 МК3873
Р8051
R6500 R6501
SY6500
SY6501
Z8 8041 8741
87С48 МК3872 МК3873
CDP1804
TMS9940M TMS9940E
Z8611
Z8612 (Z8613) Z8671 Z8681
CDP1804
TMS9940M TMS9940E
Z8611
Z8612 (Z8613) Z8671 Z8681
8
8
8
8
8
8
8 8
8 8
8 8 8
8 8 8
8 6 6 8 8 8 8 8
8 6 6 8 8 8 8 8
128x8
64X8
64X8
128X8
64X8
64X8
64X8
128X8
128x8
64X8
64X8
128X8
64X8
64X8
64X8
128X8
64X8
128X8
128X8
128X8
128X8
128X8
128X8
128X8
64X8
128X8
128X8
128X8
128X8
128X8
128X8
128X8
《КХ 8
2 КХ8
2КХ8
2 КХ8
1 КХ8
1 КХ8 4 КХ8 2КХ8
《КХ 8
2 КХ8
2КХ8
2 КХ8
1 КХ8
1 КХ8 4 КХ8 2КХ8
2 KX 8
2КХ8
2КХ8
4 КХ8 Нет
Нет
2КХ8 Нет
2 KX 8
2КХ8
2КХ8
4 КХ8 Нет
Нет
2КХ8 Нет
2 2 2 2 8 8 2 2
3 3 3 3 1 13 3
2 2 2 2 8 8 2 2
3 3 3 3 1 13 3
133232- z Z
133232- z Z
2 4 2 8 6 6 4 4
2 4 2 8 6 6 4 4
8 5 5 8 8 8 8 8
8 5 5 8 8 8 8 8
+5
+5
+5
+5
3—12十5+5
+5
+5
+5
+5
3—12十5+5
5—10
5—10
5 5 5 5 5 5 5
5 5 5 5 5 5 5
700
500
56
53
ПД-40
ПД-40
НМОП
п-МОП
129
—
п-МОП
—
90
—
п-МОП
8741 с ППЗУ
50
90
КМОП
435
76
—
п-МОП
70
n-МОП
Имеет последовательный канал ввода-вывода
102
—
КМОП/ кнс
68
n-МОП
一
68
n-МОП
Имеет встроенное ППЗУ
—
—1
n-МОП
—
—
n-МОП
—
—
—
n-МОП
—
—
n-МОП
n-МОП
Расширяется до 62 Кбайт внешней памятью или каналами ввода-вывода
700
500
56
53
ПД-40
ПД-40
НМОП
п-МОП
129
—
п-МОП
—
90
—
п-МОП
8741 с ППЗУ
50
90
КМОП
435
76
—
п-МОП
70
n-МОП
Имеет последовательный канал ввода-вывода
102
—
КМОП/ кнс
68
n-МОП
一
68
n-МОП
Имеет встроенное ППЗУ
—
—1
n-МОП
—
—
n-МОП
—
—
—
n-МОП
—
—
n-МОП
n-МОП
Расширяется до 62 Кбайт внешней памятью или каналами ввода-вывода
Таблица 3.15. Однокристальные микро-ЭВМ
Тип
Разрядность
Встроенное
е 2 h
翼忘
Eks
Тип корпуса и число выводов
Технология
Дополнительные сведения
ОЗУ,
ПЗУ,
С8748-4
8
64X8
1 КХ8
27
6
4-5
1300
95
п-МОП
F3870DC (DM,
PC,
8
64X8
2 КХ8
32
4
+5
1000
76
КД-40,
п-МОП
DL, PL, PM)
ПД-40
МС6803ЕР (L,
P)
128x8
2 КХ8
31
3,58
+5
31
ПД-40
п-МОП
MC6805L(P)
64x8
1 КХ8
—
4
+5
—
—
п-МОП
PIC1650
PIC 1655
} 8/12
32X8
512X12
32
1
+5
350
31
КД-40
и-МОП
]12-разряд-
PIC 16/0
8/12
32X8
1 КХ12
32
1
+5
350
31
КД-40
п-МОП
? ная адрес- J ная шина
P8035-4
D8035-4
} 8
64x8
256X8
27
6
+5
1300
95
—
п-МОП
P8048
D8048
}8
64x8
1 КХ8
27
6
+5
675
96
ПД-40
п-МОП
P8039
D8039
} 8
128X8
0
27
11
十5
700
96
ПД-40
«-МОП
D8049
128x8
2 КХ8
27
11
+5
700
96
ПД-40
п-МОУ
P8u21
64x8
1 КХ8
21
4-5
300
70
ПД-28
п-МОП
P8022
64X8
2KХ8
27
+5
400
74
КД-40
и-АЮП
Встроенный АЦП
сти встроенных ОЗУ и ПЗУ, в программном обеспечении — использование языков высокого уровня. Снижение потребляемой мощности достигается использованием логических элементов на основе КМОП- структур.
Параметры однокристальных микро-ЭВМ представлены в табл. 3.15.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕУСТРОЙСТВА
По конструктивно-технологическому признаку полупроводниковые запоминающие устройства (ЗУ) делятся на два больших класса: ЗУ на основе МОП-структур и биполярные. Среди МОП-струк- ?ур выделяют р-канальные, и-канальные и комплементарные (КМОП) ЗУ. Последние могут изготавливаться либо в монолитном кремнии, либо на основе структур кремний на сапфире (КНС ЗУ). Биполярные ЗУ в зависимости от типа используемой логики бывают ЭСЛ- типа, ТТЛ-типа или ТТЛ с диодами Шоттки и на основе инжекционной логики (И2Л).
По функциональному назначению и областям применения ЗУ подразделяются на оперативные с произвольной выборкой информации (ОЗУ), применяющиеся, например, в основной памяти вычислительных машин, и постоянные ЗУ с программированием на стадии изготовления (ПЗУ) или пользователем (ППЗУ), предназначенные для хранения программ или для блоков микропрограммного управления вычислительных машин, генераторов символов, таблиц. Разновидностью ППЗУ являются ЗУ с перепрограммированием — так называемые репрограммируемые ЗУ (РПЗУ), применяемые для отладки программ, когда необходима многократная смена информации.
По схемотехническому принципу построения ячеек запоминающей матрицы либо электронного обрамления ЗУ бывают статического и динамического типов.
В динамических ЗУ информация хранится в виде электрического заряда на МОП-конденсаторе. Вследствие утечки накопленного заряда требуется его регенерация. Необходимость использования дополнительных схем регенерации и иногда трех источников питания с различным напряжением является недостатком схем даннси? типа. Однако благодаря большей степени интеграции и^ низкой стоимости ЗУ этого класса широко применяются в основной памяти вычислительных машин, в периферийных и буферных устройствах. Серийно выпускаются динамические ОЗУ емкостью до 64 Кбит и ведутся разработки ОЗУ емкостью 256 и 512 Кбит на одном кристалле. " "
В отличие от ОЗУ динамического типа в запоминающей ячейке статически?; 033' используются потенциальные i риггеры. Поэто.му для этих ОЗУ в регенерации необходимости нет. Для их работы, как правило, необходим только один источник питания. Современные статические ОЗУ по принципу действия можно разделить на три класса:
нстактируемые ОЗУ, в которых каждое изменение адреса вызывает получение нового результата, если кристалл выбран. Потребляемый ток и, следовательно, рассеиваемая мощность не з?⑶卜 сяг от того, выбран или не выбран кристалл. Примерами ЗУ данного типа слу?кат изделия 2613 фирмы Signetics, 4044 фирмы
Таблица 3.16. Оперативные статические запоминающие устройства емкостью 4 Кбит
Тип
Информационная емкость (битХ разряд)
о о
9 Н
У CQ W
О й Q
Тип корпуса и количество выводов
п-МОП-типа
TMS4045-15JDL (JL, NL)
1024x4
150
150
550
КД-18, ПД-18
TMS40L45-20JL(NL)
1024X4
200
200
330
ПД-18
TMS40L47-20JDL
1024X4
200
200
330
ПД-20, КД-18
(JL, NL)
TMS4047-20JDL(JL, NL)
1024X4
200
200
550
КД-20, ПД-20
TMS40L45-25JDL
1024X4
250
250
330
КД-18, ПД-18
(JL, NL)
TMS40L47-25JDL
1024X4
250
250
330
КД-20, ПД-20
(JL, NL)
TMS4047・25JDL(JL, NL)
1024x4
250
250
550
КД-20, ПД-20
TMS4045-45JDL(JL, NL)
1024X4
450
450
550
КД-18, ПД-18
C2142-2
1024X4
200
200
475
КД-18
C2142L-2
1024x4
200
200
325
КД-18
D2114-2
1024x4
200
200
525
КД-18
D2114L-2
1024X4
200
200
370
КД-18
P2114-2DC, (2PC)
1024x4
200
200
500
КД-18, ПД-18
P2114-31
D2114-3J
1024X4
300
300
525
ПД-18
P2114L-31
D2114L-3/
1024X4
300
300
385
ПД-18
C2142
1024X4
450
450
475
КД-20
AM9130DDC (DPC)
1024X4
250
395
578
КД-22, ПД-22
AM9131CDM,
1024x4
300
470
578
КД-22, ПД-22
(CPC, CDC)
AM9131BPC,
1024X4
400
620
578
КД-22, ПД-22
(BDC BDM)
D2147-3
4096X1
55
55
850
ПД-18
D2147
4096X1
70
70
750
ПД-18
D2147L
4096X1
70
70
675
ПД-18
D2141-2
4096 X 1
120
120
350
ПД-18
D2141-3
4096X1
150
150
350
ПД-18
D2141L-3
4096X1
150
150
200
ПД-18
D2141-4
4096X1
200
200
275
ПД-18
D2141-5
4096 X 1
250
250
275
КД-18
D2141L-5
4096X1
250
250
200
КД-18
TMS4044-15JDL(JL, NL)
4096X1
150
150
440
ПД-18, КД-18
TMS40L44-20JDL
4096X1
200
200
275
ПД-18, КД-18
(JL, NL)
TMS4046-20JDL(JL, NL)
4096 X 1
200
200
440
ПД-20, КД-20
rMS40L44-25JDL(JL, NL)
4096 X 1
250
250
275
КД-18ПД-18
TMS4046-25JDL(JL, NL)
4096 X 1
250
250
440
КД-20, ПД-20
Продолжение табл. 3.16
Тип
Информационная емкость (6нтХ разряд)
3 d
its
га
о
Q
Тгш корпуса и количество выводов
TMS4044-45JDL(JL, NL)
4096X1
450
450
440
КД-18, ПД-18
MK4104J-4, J-34, N・4
4096 X 1
250
385
15Э
ПД-18
MK4104J-35
MK4104N-5■
4096X1
300
460
150
ПД/8
MK4104N-35
MK4104J-6, (N-6)
4096 X 1
350
535
150
ПД-18
ЭСЛ-типа
МВ7077
iO24X4
25
20
625
КД-22
F10470DC
4096X1
30
25
1000
ПД-18
F100470DC, (PC)
4096X1
35
25
877
ПД-18.
КП-18
КМОП-типа
HMI-6514-2
HMI-6519-9
Г
1024x4
270
240
0,25
ПД-18
NMG6514L2
NMC-65I4J-9
/
1024x4
300
420
0?25
—
HMI-6514-5
1024X4
320
420
2,5
ПД-18
HMI-6533-2
HMI-6533-9
1024X4
350
475
0,5
ПД-22
НМ9-6533-2
1024X4
350
475
0,5
КП-22
MWS5114-5D, (5Е)
1024X4
650
500
0,5
КД-18,
ПД-18
MWS5114-D, (Е)
1024X4
650
500
0,25
КД-18,
ПД-18
HMI-6504-2
HMI-6504-9
4096X1
270
350
0,25
ПД-18
НМ9-6504-2
4096X1
270
350
0,25
КП-18
NMC-6504J-2
NMO6504J-9
4096X1
300
420
0,25
—
HMI-6504-5
4096X1
320
420
2,5
ПД-18
HMI-6543-2
4096X1
350
475
0,5
ПД-22
НМ9-6543-2
4096Х 1
350
475
КП-22
NMC6504J-5
4096X1
350
500
NMC6504-N-5
2,5
—
ТТЛ-типа
SN54S400J(N)
SN54S401J(N)
4096X1
75
75
500
SN74S400J(N) SN74S401 НМ2540
4096X1
45
35
575
ПД-18
N82S400A-1
N82S401A-1J
4096X1
45
70
775
КД-18
ПроОол咏екие таб儿 3」6
Тип
Информационная емкость (битХ разряд)
!!s
W
О й d
Тип корпуса и количество выводов
N82S400-11
N82S401-1/
4096X1
45
35
775
КД-18
93470DC, (PC)1
93471DC, (PC)J
4096X1
55
30
950
ПД-18
93470DM1
93471DMj
4096 X 1
55
30
1000
ПД-18
1. Для ЗУ КМОП-типа j
казана пот
зебляе?
мая м
ощность
в режиме хранен
НИЯ.
Texas Instr., 7141 фирмы Intersil емкостью 4Kxi и 2614 фирмы Signetics, 2114 фирмы Intel, 4045 фирмы Texas Instr, емкостью 1КХ4；
тактируемые ОЗУ, в которых каждый раз для получения результата надо выбирать кристалл, а затем возвращаться к невы- бранному состоянию для перезарядки внутренних цепей. Потребляемый ток в невыбранном состоянии обычно меньше, длительность цикла примерно в 1,5 раза больше времени выборки адреса. Примером ЗУ такого типа служат изделия 4104 фирмы Mostek и 6104 фирмы Zilog с организацией 4Kxi и 6114 фирмы Zilog с организацией 1КХ4; “
нетактируемые ОЗУ с уменьшением потребляемой мощности, если кристалл не выбран (в режиме хранения информации). Примером таких ЗУ являются изделия 2147 и 2141 фирмы Intel. Время выборки адреса равно длительности цикла. Статические ЗУ такого типа наиболее перспективны.
Постоянные запоминающие устройства выпускаются двух типов: программируемые в условиях изготовления с помощью фотошаблона (так называемые масочные ПЗУ) и однократно программируемые в условиях эксплуатации (ППЗУ). Программирование осуществляется пережиганием плавких перемычек из нихрома, сплавов титана или поликристаллического кремния либо запатентованным фирмой Intersil методом миграции алюминия при лавинном пробое, в результате чего транзистор в матрице трансформируется в диод, закорачивающий соответствующие шины. Недостатком ППЗУ является однократное программирование. Возможность jie» однократно изменять информацию присуща РПЗУ. Выпускаемые в настоящее время РПЗУ относятся к двум типам: РПЗУ с плавающим затвором и со стиранием информации ультрафиолетовыми лучами (типов FAMOS) и РПЗУ на основе МНОП-структур с электрическим стиранием и программированием. В 1982 г. появился новый класс электрически стираемых РПЗУ на основе двузатворных n-МОП-структур, в которых один затвор — плавающий — используется для хранения заряда, другой — управляющий ——для управления процессом записи и стирания информации (например, РПЗУ 2816, 2817 фирмы Intel). В табл. 3.16, 3.17 приведены параметры наиболее широко применяемых статических ОЗУ емкостью 4 Кбит и однократно программируемых ППЗУ емкостью свыше 1Кбит.
1л
Продолжение табл. 3.17
Таблица 3.17. Однократно электрически программируемые постоянные запоминающие устройства
Тип
Информационная ем-
Тип корпуса и количество зы-
кость, 6итХ
водов
Информаци-
Тип корпуса и
Xразряд
Тип
кость , битХ разряд
証 a s
количество выводов
MCM7620DC
MCM7621DC
}512X4
70
500
ПД-16
10149F
256X4
20
750
ПД-16
MCM7620DM
}512X4
85
500
ПД-16
GXB10149
256x4
20
780
ПД-16
ПД-16
MCM7621DM
MCMI0149F(L)
256X4
25
676
КП-16,
ПД-16
НМ1-7610А5
} 256X4
40
650
ПД-16
D3602-4
}512X4
90
700
НМЗ-7610А5
93417DC(FC, PC)
} 256X4
45
550
КД-16,
КП-16,
D3622-4
D3602-6 М3602
512X4
512X4
90
90
650
700
ПД-16
ПД-16
ПД-24
ПД-24
ПД-24
ПД-20
93427DC(FC, PC)
D3621-1
DM74S287J(N)
DM74S387J (N)
256X4
} 256X4
50
50
650
650
ПД-16
ПД-16
ПД-16
D3304 D3304A D3304A6 S(N)82S146F
512X8
512X8
512X8
}512X8
70
90
90
45
950
950
700
775
63LS140F
256x4
55
325
КП-16
S(N)82S147F
93417DM(FM) 93427DM (FM) AM27S1QDC(DM)
} 256X4
256X4
60
60
550
550
КД-16,
ПД-16
КП-16
НМ 1-7640AR5, НМ1-7640А5
}512X8
50
900
ПД-24
29662 DM
)256X4
75
650
93438DC(FC, PC)
J 512X8
55
875
КД-24, КП-24, ПД-24
29663 DM
93448DC(FC, PC)
HM1-6611-A2
HM1-6611-A9
HM9-6611-A2
} 256X4
256X4
250
250
2,5
2,5
ПД-16
КП-16
D3604A-2
D3624A-2
N82sli5J(N)
D3604
D3624
}512X8
512X8
60
60
875
875
ПД-24
КД-24, ПД-24
НМУ-6611'2 HM9-66H-9
} 256X4
350
0,5
ПД-16,
КГМ 6
}512X8
70
950
ПД-24
53RA281J(N)
63RA281J(N)
} 256X8
30
550
ПД-24
D3604A
D3624A
MCM7640D(DC)
MCM7640DM
}512X8
70
875
ПД-24
HM1-7625R5
HM3-7625R5
J 256X8
60
925
ПД-16,
ПД-24
512X8
512X8
70
85
700
700
ПД-24
ПД-24
N82sli4J(N)
256X8
60
875
КД-24,
ПД-24
SN54s474J(W)
}512X8
85
600
КП-24, ПД-24
6308-1 6309-1 6335-lF(J)
} 256X8
256X8
70
70
775
850
ПД-20
КП-24,
ПД-24
SN54S475J (W)
D3604-4
D3604-6
512X8
512X8
90
90
950
735
ПД-24
ПД-24
MCM7620LDC MCM7621LDC
HM1-7620A5, HM3-7620A5
} 512X4
} 512X4
70
45
325
650
ПД-16
ПД-16
D3604A
MD3604
S82S115F
SN74S476J(N)
512X8
512X8
512X8
} 1024X4
90
90
90
40
650 950
925
475
ПД-24
ПД-24
ГЩ-24, КД-24
ПД-18
93436DC(FC)
93446DC(FC)
} 512X4
50
650
КД-16,
кп-16
SN74S477J(N) 93452DC(PC)
} 1024X4
55
850
ПД-18
DM74S570J(N)
512X4
55
650
ПД-16
93453DC (PC)
93436DM(FM)
93446DM(FM)
} 512X4
60
650
КД-16,
КП-16
D3605-2
]1024X4
60
750
ПД-18
D3602A-2
D3622A-2
} 512X4
60
700
ПД-16
D3625-2
D3605
} 1024X4
70
750
ПД-18
D3602
} 512X4
70
700
ПД-16
D3G25
D3602A
127
126
ПРИЛОЖЕНИЕ. ТИПОВЫЕ КОРПУСЫ ИМС
Тип
Информационная емкость, 6нтХ разряд
01
詣
Тип корпуса и количество выводов
С3605А-1
1024x4
60
700
КД-18
С3605А
1024X4
60
700
КД-18
SN74s478J(N) SN~4S479J(N)
1024X8
45
625
ПД-24
DM87S180J(N)
1024X8
60
850
ПД-24
НМ 1-7680-5
1024X8
60
850
ПД-24
MCM7680DC
MCM768IDC
1024X8
70
750
ПД-24
D3608
D3628
■ 1024X8
80
950
ПД-24
D3608-4
D3628-4
} 1024X8
100
950
ПД-24
SN74s452J(N SN74S453J(N)
2048X8
50
625
ПД-24
MCM7684DC
70
600
MCM7685DC
J 2048X8
HM1-7616-2, HM1-76160-2 HM1-76161-2 HM9-76160-2
■ 2048X8
80
900
ПД-24
MCM7684DM
MCM7685DM
2С48Х8
85
700
КД-24
DM87S190J(N
2048X8
70
875
S82S190J(N)
2048X8
100
925
КД-24, ПД-24
N82S190J(N)
2048X8
80
875
ПД-24
3636 B-l
2048X8
35
800
93510M
2048X8
45
—
82HS191
2048x8
60
875
ПД-24
MB7138H
2048X8
45
945
ПД-24
M3636
2048X8
80
926
■1 ■
HA-6616
2048X8
200
50
HA-6646
4096X4
200
50
82S195
4096X4
70
800
82S321
4096X8
90
875
3632
4096X8
40
775
—
MB7142H
4095X8
55
970
ПЛ-24
Продолжение табл. 3./7
CN24
О
/24-2 恥紀（W1AMMc
hrowwww，L ，32,8,
ui lJ U LI u~Lj lJ lj lj U u Lj D u
S28-1O
man e「二」：w L口工1X1XL
U U LI U U U U Li U Li i-J lJ UTT
T0-9<
TQ-iOD
TO-10!
133
T0~ 116 ~
nnrhnn
^YTHwra
19,9L
八
25.5
14ТЗ
仰一4
/6Т4
Перечень зарубежных ИМС, вошедших в справочник
Тип ИМС
Стр.
Тип ИМС
Стр,
! Тип ИМС
Стр
53RA281
126
93452
127
ADC-ET10
62
54LS261
102
93453
127
ADC-ET12
62.
63LS140
126
93470
125
ADC-NC8
62
63RA281
126
93471
125
ADC0800
62
74S261
102
93510
128
ADC0801
62
87С48
121
А109
22
ADC0802
62
82HS191
128
А205
48
ADC0803
62
82S195
128
А211
48
ADC0804
62
82S321
128
AD504
22
ADC0808
63
93S43
102
AD505
22
ADC0809
63
2650
116
AD507
22
ADC0816
63
2901
119
AD509
22
ADC0817
63
3632
128
AD512
22
ADC856
62
3636
128
AD517
22
ADD3501
62
3701
72
AD518
22
ADX118
22
4143
60
AD542
22
ADX218
22
4144
60
AD544
22
ADX318
22
4145
60
AD559
56
АМ2505
102
6308
126
AD561
56
AM25L05
102
6309
126
AD562
56
AM25LS14
103
6335
126
AD565
56
AM25S05
102
8041
126
AD570
61
AM27S10
126
8700
60
AD571
61
АМ405
22
8701
60
AD574
61
АМ406
22
8702
60
AD580
85
АМ450
22
8703
60
AD581
85
АМ452
22
8704
60
AD7501
72,74
АМ460
22
8705
60
AD7502
72
АМ462
22
8741
121
AD7503
74
АМ464
22
8750
60
AD7506
76
АМ490-2
22
9344
102
AD7507
74
АМ 1000
60
9405
119
AD75U
70
АМ 1001
60
9440
118
AD7512
66
АМ 1002
60
10 149
126
AD7513
66
АМ2009
72
29 662
126
AD7516
70
АМ2505
102
29 664
126
AD7519
70
АМ2901
119
37 002
70,72
AD7520
56
АМ3705
74
37 003
72
AD7522
56
АМ6300
86
37 052
74
AD7523
56
AM9I30
123
37 053
74
AD7524
56
АМ9131
123
37 082
74
AD7530
56
В109
24
37 083
74
AD7531
56
С2142
123
93 417
126
AD7550
61
С3605
128
93 427
126
AD7570
61
С8080
117
93 436
126
ADC-EK8
62
С8085
117
93 438
127
ADC-EK10
62
С8748-4
120
193 446
126
ADC-EK12
62
СА108
24
93 448
127
ADC-ET8
62
СА208
24
Стр.
Тип ИМС
Стр.
Тип ИМС
Стр.
Тип IIMC
Стр.
Тип ИМС
Стр
CA308
24
CA741
24
CA3078
24
CA3100
24
CA3130
24
CA3140
24
CA3160
24
CA6078A
24
CD4016
70
CD4052
72
CD 4053
72
CD4067
76
CD4097
76
CDP1802
117
CDP1804
121
CP16C0
118
CP 1600A
119
D2114
123
D2141
123
D2147
123
D3304
127
D3602
126,
127
D3604
127
D3605
127
D3608
128
D3G21
126
D3622
126
D3624
127
D3625
127
D3628
128
D8035
120
D8039
120
D8048
120
D8049
120
D8080A
117
D8086
118
D ACT 1200
56
DAC-01
56
DAC-1C8
57
DAC-1C10
57
DAJJ2
56
DAC-03
56
DAC-04
56
DAC-08
56
DAC-76
57
DACUO
57
DAC0800
57
DAC0801 DAC0802 DAC0806 DAC0807 DAC0808
DAC-UP8
DG171
DG173
DG175
DG200 DG300 DG301 DG302 DG303
DG304
DG305
DG306
DG307 DG381 DG384 DG387 DG390
DG501
DG503
DG506 DG507 DG508
DG509
DG511
DGMH 1 DGM122 DM74S287 DM74S387 DM74S57O
DM7875
DM87S180 DM87S190 DM1605 ESM222 ESM231 ESM432 ESM532
ESM632
ESM700 ESM732 ESM1231 ESM1406 ESM1410
НА2-2605 .
ESM1432
48
НА2620
ESM1532
48
НА2622
ESM1632
48
НА2625
ESM1732
48
НА2-2640
F3870
120
НА2-2645 '
F10470
124
НА2-2700
F100470
124
НА 1-2704
F100183
102
НА 1-2705
GXB10149
126
НА2-290О
НА909
24
НА2-2904
НА911
24
НА2-2905
НА1301
24
НА5100-2
НА 1303
24
НА5190
НА 1306
48
НА6616
НА 1308
48
НА6646
НА 1309
48
НА 17741
НА1310
48
HI506
НА1311
48
HI507
НА1312
48
HI508
НА1313
48
HI509
ПА1314
48
HI516
НА1316
49
HI518
НА1322
49
HI562
НА 1324
49
HI 1080
НА 1325
49
HI 1085
НА2050
24
HI 1800
НА2055
24
HI1818
НА2060
24
HI1828
НА2065
24
HI 1840
НА2101
24
HI5040
НА2107
24
HI5041
НА2201
24
HI5042
НА2107
24
H15043
НА2201
24
HI 5044
НА2207
24
HI5045
НА2500
24
H15046
IJA2502
24
HI5048
НА2505
24
HI 5049
НА2510
24
HI5050
НА2512
24
HI5051
НА2515
241
HI5607
НА2520
24
HI5608
НА2522
24
HI5609
НА2525
24
HI5610
НА2530
24
H15612
НА2535
24：
HM2540
НА2-2600
261
HMT-6504
НА2-2602
26
Тип имс
Стр.
Тип ИМС
575757575757666666666666666666666666666666667272767676727266682626260228288648484848488048488080 и и и и
26262626262626262626262626261 2812824,787878787878575757,68767676686868686868686868686867¥EEF^24I
HMI-6514 HMI-651
HMI-6533
HMI-6543
HMI-6611
HMI-7610
НМ 1-7616 HMI-7620 HMI-7625
HMI-7640
HMI-7680 HMI-76160 HMI-76161 НМЗ-7610
НМЗ-7620
НМЗ-7625
НМ9-6504 НМ9-6533
НМ9-6543 НМ9-6611 НМ9-76160 HS1000 HS3140
ICL7101
ICL7103
ICL7104
ICL7106
ICL7107
ICL7600
ICL7611 IDM2901
IH5060
IH5070
IH5140
IH5141
Ш5142
IH5143
Ш5144 1Н5145 IH6108
IH6118
IM6100 INS8900 L115
L123
L129
L130
L131
L14!
L143 L146 L148 L192 L200
LAS 14 LAS 15 LAS 16 LAS 18 LAS 19 LAS723
LAS 1400 LAS 1500 LAS 1600 LAS1800 LAS 1900 LAS3905 LF151
LF155
LF156
LF157
LF255
LF256
LF257
LF355
LF356
LF357 LF13741 LFT356 LH0075 LH0076 LH117 LH217 LH317
LM10
LM781
LM101
LM107
LM108
LM109
LM112
LM117
LM118
LM1?O LM123 LM125 LM126 LM127
838326808383838383838381818181818126262626262626262628282880808383832880282828812883278I81848484
Тип KMC
Стр
Тип ИМС
Стр.
Тип ИМС
Стр,
Тип ИМС
LM133
85
LM709
28
MCI 556
30
MCM7685
LM137
83
LM723
83
MCI 568
84
МСМЮ149
LM138
84
LM725
28
MCI 709
30
MD3604
LM145
81
LM741
28
MC1712
30
MDA2010
LM150
83
LM748
28
MCI 741
30
MDA2020
LM26
84
LM1408
58
MCI 748
30
MK3872
LMI99
85
LM1508
58
MCI 776
30
MK3873
LM20!
28
LM3999
85
MC3408
58
MK4104
LM207
28
LM4250
28
MC3410
58
MLM101
LM208
28
М3636
128
MC3412
58
MLM107
LM209
81
V5102
49
MC3420
86
MLM108
LM2i2
28
М5112
49
MC3421
86
MLM109
LM216
28
М5133
23
MC3476
30
MLM201
LM217
83
М5141
28
MC3510
59
MLM207
LM218
28
5151709
28
MC3512
59
MLM208
LM220
81
МАА501
30
MC3520
86
MLM209
LM223
81
МАА502
30
MC3521
86
MLM301
LM225
84
МАА503
30
MC6800
116
MLM307
LM226
84
МАА504
30
MC68A00
116
MLM308
LM227
84
МАА725
30
MC68A09
116
MLM309
LM237
83
МАА741
30
MC68B00
116
MM451
LM238
84
МАА748
30
MC68B09
116
ММ 454
LM245
81
МВ7077
124
MC6803
120
MM550
LM250
83
MB? 138
128
MC6805
120
MM551
LM299
85
МВ7142
128
MC6809
116
MM554
LM301
28
МВА810
49
MC6890
59
MM4504
LM307
28
MCI 403
85
MC7700
80
MM5504
LM308 ■
28
MCI 503
85
MC7800
80
MN 563
LM309
81
MCI 406
58
MC78M00
80
MN601
LM312
28
MCI 408
58
MC7900
81
MN1610
LM316
28
MCI 420
30
MC79M00
80
MPC4
LM3i7 .
83
MCI 430
30
MCI 0183
102
MPC8
LM318 '
28
MCI 431
30
MCI 0287
102
MPC16
LN 320
81
MCI 433
30
MC10317
63
MP5010
LM323
81
MCI 436
30
MC10318
59
MPY8
LM325
84
MCI 439
ЗЭ
MC10800
118
MPY12
LM326 '
84
MCI 454
49
MCI 4433
63
MPY16
LM327
84
MCI 456
30
MCI 4554
102
MPY24
LM337
83
MCI468
84
MC34001
32
.MUX88
LM338
84
i MCI506
58
MC35001
32
MVD409
LM340
80
1 MCI 508
58
MCM7620
126,
MVD807
LM341
80
! MCI520
30
127
MV808
LM342
80
MCI 530
30
MCM7621
126,
MV 1606
LM345
81
MCI 531
30
127
MWS5114
LM35O
83
MCI 533
30
MCM7640
127
N74LS261
LM380
49
MCI 536
30
MCM7680
128
N82S114
LM383
49
MCI 539
30
MCM7681
128
'N82S115
LM399
85
NCI 554
49
MCM7684
128
N82S146
1281 26⑵4949⑵⑵12432323281323232813232328 166706666707272591181187274768510210210310374767676762402262727
Тип ИМС
N82S147 N82S190 N82S400 N82S401 N2901 NE 530 NE531 NE535 NE536 NE538 ' NE5007 NE5008 NE5009 NE5018 NE5118 NE5534 NE5551 NE5552 NE5553 NE5554 NE5555 NMC6504 NMC6514 OP01 OP02 OP05 '■ OP07 .
OP08 OP12 OP15 OP16 OP17 OP20 P2114 P8021 P8022 P8035 P8039 P8048 P8051 P8080
P8085 PIC 1650 P1C1655 PJC1670 PM 155 PM 156
Стр.
1272825251932323232325959595959328484848484242432323234343434343434232020202020211617172020203434'
11 и 11 1 11 1- 1* 11 11 и 11 и 11 и 11 и 1х 1- 1- и
Тип ИМС Стр.
PM 157 PM255 PM256 PM257 PM355 PM356 PC357 PM725 PM741 R6501 R6500
RCA3085 RC4194 REF01 REF02 RM723 RM4194 RM4195 S54LS261 S82S115 S82S146 S92S147 S82S190 SA709 SA741 SBP0400 SBP0401 SBP9900 SDA5010 SDB6020
SE530 SE531 SE535 SE538 SE5534 SE5551 SE5552 SE5553 SE5554 SE5555 SE6560 SFC21OO SFC2101 SFC2107 SFC2108
SFC2109 SFC2118
SFC2200-
343434343437373737212183848585838484022727272836361919186363363636363684848484848683363636813683 и и и 11 и и и и и
Тип НМС
Стр
SFC2201
36
SFC2207
36
SFC2208
36
SFC2209
81
SFC2218
36
SFC2300
83
SFC2301
36
SFC2307
36
SFC2308
36
SFC2309
81
SFC2315
36
SFC2318
36
SFC2376
83
SFC2476
36
SFC2709
36
SFC2723
83
SFC2741
36
SFC2748
36
SFC2761
36
SFC2776
36
SFC2778
36
SFC2800
81
SFC28618
36
SG101
36
SG107
36
SG117
83
SG127
83
SG201
36
SG207
36
SG307
36
SG327
83
SG741
36
SG748
36
SG1250
36
SG1501
84
SG1502
84
SG1524
86
SG1525
86
SG1526
86
SG1660
36
SG1760
36
SG2250
38
SG2502
84
SG2524
86
SG3250
38
SG3501
84
SG3502
84
SG3524
86
Тип ИМС
Стр.
Тип ИМС
SG4501
SJ3002
SJ3705
SL402
SL403
SL442
SL541
SL701
SL702
SL748
SL7800
SL78M00
SM1605
SN25LS14
SN52101
SN52107
SN52108
SN52660
SN52702
SN52709
SN52741
SN52748
SN52770
SN52771
SN52777
SN72723
SN72301
SN72307
SN72308
SN72660
SN72702
SN72709
SN72741
SN72748
SN72770
SN72771
SN72777
SN54LS26
SN54LS384
SN54S400
SN54S401
SN54S474
SN54S475 SN54LS481
SN74L.S42
SN74LS47
SN74LS48
SN74LS49
846672494986383838388080860338383838383838383838383838383838383838383838380203242427271991919191 и и 11 и 1 и и* и
SN74LS73 SN74LS76 SN74LS78 SN74LS90 SN74LS91 SN74LS92 SN74LS93 SN74LS95 SN74LS96 SN74LS107 SN74LS109 SN74LS122 SN74LS123 SN74LS124 SN74LS138 SN74LS139 SN74LS160 SN74LS161 SN74LS162 SN74LS163 SN74LS164 SN74LS165 SN74LS166 SN74LS168 SN74LS169 SN74LS173 SN74LS174 SN74LS175 SN74LS183 SN74LS190 SN74LS191 SN74LS192 SN74LS193 SN74LS194 SN74LS195 SN74LS196 SN74LS197 SN74LS221 SN74LS247 SN74LS248 SN74LS249 SN74LS261 SN74LS273 SN74LS274 SN74LS283 SN74LS290 SN74LS293 SN74LS295
仙898989989698989494898990909091929898989896969699999494940199999999949499009092929202950201000095 с 11 ^* 1* и и 11 и
Тип ИМС
SN74LS299 SN74LS322 SN74LS323 SN74LS324 SN74LS325 SN74LS326 SN74LS327 SN74LS373 SN74LS374 SN74LS377 SN74LS378 SN74LS379 SN74LS384 SN74LS385 SN74LS390 SN74LS395 SN74LS396 SN74LS481 SN74LS490 SN74LS568 SN74LS569 SN74LS668 SN74LS673 SN74S124 SN74S138 SN74S139 SN74S160 SN74S161 SN74S162 SN74S163 SN74S168 SN74S169 SN74S174 SN74S175 SN74S194 SN74S195 SN74S196 SN74S197 SN74S274 SN74S281 SN74S283 SN74S299 SN74S373 SN74S374 SN74S400 SN74S401 SN74S452 SN74S453
стр.959695909090909595959595103101100959611910010010010096909192989898989999949494949910010295101959595124124128128
Тип ИМС
SN74S476 SN74S477 SN74S478
SN74S479 SN7442 SN7443
SN7444
SN7445
SN7446
SN7447
SN7448
SN7472
SN7473
SN7474
SN7476
SN7480
SN7482
SN7483
SN7490
SN7491
SN7493
SN7494
SN7495
SN7496
SN74104
SN74105
Sn74107
SN74109
SN74110
SN74H1 SN74112 SN74113
SN74114
SN74121
SN74122
SN74123
SN74141
SN74145
SN74154
SN74155
SN74156
SN74160
SN74161
SN74162
SN74163
SN74164
SN74166
SN74173
Стр.
Тип ИМС
Стр.
SN74174
94
SN74175
94
SN74176
99
SN74177
99
SN74178
94
SN74179
94
SN74190
99
SN74192
99
SN74193
99
SN74195
94
SN74196
99
SN74197
100
SN74198
95
SN74199
95
SN74221
90
SN74246
92
SN74247
92
SN74248
92
SN74249
92
SN74273
95
SN74278
95
SN74283
101
SN74284
102
SN74285
102
SN74290
100
SN74293
100
SN74376
95
SN74390
100
SN74393
100
SN74490
100
SN74492
100
SP9768
59
SSS725
38
SSS741
38
SSS1408
59
SU536T
38
SY6500
121
SY6501
121
ТАА241
38
ТАА300
49
ТАА435
49
ТАА521
38
ТАА522
38
ТАА611
49
ТАА861
40
ТАА865
40
ТАА221
40
ТАА222
40
272728289191919191919189898989010101989698969494898989898989898989909090929292929298989898969694
IX IX и 1л i и
Продолжение
Продолжение
Tun IfMC
Стр. J
Тнп
Стр.
1Тип ИМС
Стр.
Тип ИМС
Стр.
1 Тип ИМС
Стр.
Тип ИМС
Стр.
TBA435
80
TDA2870
51
TLE0157
40
TMC9985
118
рА777
44
ULI 493
51
TBA625
80
TDA3900
51
TL061
4Э
卩A78
81, 83
RA783
51
ULI 495
51
TBA641
50
TDA4250
40
TL066
40
"А78
80
UA791
44
ULI 496
51
TBA800
50
TDB0118
40
TL071，
40
处79
TDB0123
83
цА799
44
ULI 497
51
TBA800
50
81
TL080
40
ЦА79 gAlOl
83
TBA81D
50
TDBO148
40
TL081 v
42
42
卩 А7307
61
ULI 498
Б1
TBA820
50
TDB0155
40
TL087
42
цА 107
42
|1А7800
81
ULS2139
44
TBA915
50
TDB0156
40
TL088
42
一НА 108
42
I1A7900
80
ULN2151
44
ТСЛ160
50
TDB0157
40
TL494
86
"A1Q9
81
卩 AS40
86
ULN2171
44
TCA520
40
TDB0723
83
TL495
86
цА201
42
HAF155
44
ULS2139
44
TCA680
40
TDB0791
40
TL497
86
.рА207
42
BAF156
44
ULS2151
44
TCA760
50
TDB1200
81
TL507
63
|лА208
42
jiAF157
44
ULS217I
.44
TCA830
50
TDB7800
81
TL0661
40
рА209
81
“AF355
44
Z8
TCA940
50
TDC0123
81
TL0871
42
|1А301
42
I1AF356
44
121
TDA
40
TDC0155
40
TL0881
42
RA307
42
NAF357
44
Z80
117
TDA0741
40
TDC0156
40
TL1709
42
“А308
42
“AF771
44
Z8000
118
TDA0748
40
TDC0157
40
TL1723
83
рА309
81
rAF40
86
Z8611
121
TDA 1010
50
TDC1001
63
TL1741
42
|1А702
42
U110
44
Z8612
121
TDA1034
40
TDC1002
63
TL3723
83
“А706
51
UL1401
51
121
TDA 1037
50
TDC1003
102
TMS4044
123, 124
|1А709
42
ULI 402
51
Z8613
TDA 1060
TDC1007
|1А714
42
Z867I
121
86
63
TMS40L44
123
'цА714
42
ULI 403
51
TDA 1405
80
TDC1008
〔02
TMS4045
123
цА715
42
ULI 405
51
Z8681
121
TDA1412
80
TDC1010
103
TMS40L45
123
.цА723
83
UL1461
51
ZN423
85
TDA1415
TDA2002
80
50
TDC1014
TDC1016
63
59
TMS4046
TMS4047
123
123
цА725 |1А740
42
42
ULI 480
51
ZN432
63
TDA2010
51
TDC1021
63
TMS40L47
123
|1А741
42
ULI 481
51
ZN433
63
TDA2020
TDA2030
TDE0123
TDE0155
81
40
TMS9900
TMS994
118
121i
卩 А748 (1А759
42
44
ULI 490
ULI 491
51
51
ZN458
85
TDA26H
51
TDE0156
40
TMS9980
118 1
t
卩 А776
44
ULI 492
51
ZN1066
86
Ю. М. Кутыркин
А. В. Нефедов
А. М. Савченко
Зарубежныеинтегральныемикросхемыширокогоприменения
СПРАВОЧНИК
Под редакцией А. А. ЧЕРНЫШЕВА
図
МОСКВАЭНЕРГОАТОМИЗДАТ1984
ББК 32.844.1
К 95
УДК 621.3.049.77(—87) (03J
Рецензент М. А. Бендрековский
Кутыркин Ю. М* и др.
К95 Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения: Справочник/Ю. М. Кутыркин, А. В. Нефедов, А. М. Савченко; Под ред. А. А. Чер- нышева. — М.: Энергоатомиздат, 1984.—144 с., ил.
55 к. 200 000 экз.
В справочнике приведены условные обозначения и электрические параметры широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем-
Справочник рассчитан на инженеров и техников, а также на широкий круг читателей, занимающихся эксплуатацией и ремонтом зарубежной электронной аппаратуры.
2403000000-092 ББК 32.844.1 ~ " 252-84
051(01)-84 6Ф0.3
ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ КУТЫРКИН
АНАТОЛИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ НЕФЕДОВ
АНАТОЛИЙ МИХАЙЛОВИЧ САВЧЕНКО
ЗАРУБЕЖНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
ШИРОКОГО ПРИМЕНЕНИЯ
Редактор Н. Н. Горюнов
Редактор издательства Л. Д. Никулина
Художественный редактор Т. А. Дворецкова
Технический редактор А, С. Давыдова
Корректор 3. Б. Драновская
ИБ № 3038
Сдано в набор 24.08.83. Подписано в печать 16.01.84. Т-04146, Формат
84Х108】/з2. Бумага типографская № 2. Гарнитура литературная. Печать
Энергоатомиздат, 113114, Москва, М-114, Шлюзовая наб.. 10
Владимирская типография *Союзполиграфирома» при Государственном комитете СССР по делам издательств, полиграфии и книжной торговли 600000, г. Владимир, Октябрьский проспект, д. 7
СОДЕРЖАНИЕ
Стр.
Предисловие Р 4
Введение , 5
Раздел первый. Условные обозначения зарубежных интегральных микросхем 6
Раздел второй. Аналоговые интегральные микросхемы21
Операционные усилители*21
Мощные усилители низкой частоты46
Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи 53
Цифро-аналоговые преобразователи.53
Аналого-цифровые преобразователи .55
Аналоговые ключи и коммутаторы64
Аналоговые ключи64
Аналоговые коммутаторы65
Интегральные микросхемы для вторичных источников питания65
Интегральные стабилизаторы напряжения непрерывного действия78
2・5.2・ Интегральные прецизионные источники опорного напряжения82
Интегральные микросхемы управления импульсными (ключевыми) стабилизаторами напряжения85
Раздел третий. Цифровые интегральные микросхемы ,87
Интегральные микросхемы для логических и арифметических устройств .87
Микропроцессоры .・ 97
Полупроводниковые запоминающие устройства. .122
Приложение. Типовые корпусыИМ С129
Перечень зарубежных ИМС, вошедших в справочник..137